Выпускная квалификационная работа

«Разработка средства измерения энергетических

параметров полупроводниковых лазеров на
гетероструктурах»
Студентка группы О491
Кирова Д.В.
Научный руководитель: Петрова Ю.Ю., ст. преподаватель каф. И1
Научный консультант: Климов А.А., мл. науч. сотрудник
 Актуальность темы
В лаборатории «Полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей» ФТИ им. А.
Ф. Иоффе разрабатываются и создаются мощные лазеры на основе полупроводниковых
гетероструктур.
Этапы производства:
1. Изготовление подложек
2. Эпитаксиальный рост (MOCVD/MBE - технологии)
3. Построст Разделение на линейки и чипы
4. Отбраковка чипов
5. Монтаж на теплоотвод
6. Характеризация
7. Проверка работоспособности лазера во время и
после характеризации
8. Лабораторные исследования различных образцов
(тестовых слоев) Рис. 1 – Характеристики, которые
необходимо детектрировать
2
 Характериограф
Требования к разрабатываемому устройству:
1. Установка одиночных чипов или линеек чипов;
Характеристики исследуемых ЛД:
2. Импульсы: t = 1 мс и f = 10 Гц;
1. Диапазон длин волн: 0.9-1.6 мкм
3. Iн: 1мА - 10А, U: 0.1В - 12В;
2. Мощность: 0.001-5 Вт
4. Термостабилизация: от -10° до +80 °С;
3. Максимальный угол расходимости: 70 град.
5. Система защиты;
4. Токи накачки: до 10 А
6. Время характеризации – не более 1 минуты;
5. Подаваемое напряжение: до 10 В
7. Компактность;
8. Взаимодействие с компьютером.

Ближайший аналог – Эрбий:

Токи накачки: до 500 мА
Напряжения: до 5 В
Термостабилизация: есть

3
Рис. 2– Эрбий
 Цель и задачи

Цель работы:
Разработка устройства для измерения электрооптических характеристик полупроводникового лазера
на гетероструктурах

Задачи:
1. Разработать функциональную схему устройства
2. Разработать узел накачки лазерного диода
3. Разработать принципиальную схему устройства
4. Выполнить трассировку печатной платы
5. Сборка готового устройства

4
Структурная схема

Рис. 3 – Структурная схема разрабатываемого устройства 5

 Функциональная схема генератора
импульсов
Требования, предъявляемые к генератору импульсов:

1. Форма – треугольная;
2. Частота – 10 Гц;
3. Длительность импульса – 1 мс;
4. Регулируемая амплитуда от 0.1 до 10В;
5. Максимальная амплитуда тока до 10А (при коротком замыкании).

Рис. 4 – Схема генератора импульсов

6
 ГЛИН – управляющий сигнал
Интегратор Инвертирующий выпрямитель Сумматор

Рис. 5 – Схемы на операционных усилителях

Математическое описание сигналов:

𝑡
1
𝑉1 = − 𝑉𝑖𝑛 𝑑𝑡 + 𝑉𝐹
𝑅1 ∙ 𝐶1
0

𝑉2 = 5 − 𝑅4 ∙ 𝐼𝑅4

𝑅7 𝑅7
𝑉𝑜𝑢𝑡 = − ∙ 𝑉1 + ∙𝑉
𝑅5 𝑅5 2

7
Рис. 6 – Схема ГЛИН
 ГПН – силовой сигнал

Задача: усиление сигнала по напряжению и по току

Математическое описание сигнала

на выходе ГПН:

(𝑅4 + 𝑅5)
𝑉сил = ∙ 𝑉упр
𝑅5

Рис. 7– Схема ГПН 8

Моделирование генератора импульсов в
Multisim

Рис. 8 – Моделирование генератора импульсов в Multisim 9

Принципиальная схема генератора
импульсов

Рис. 9 – Принципиальная схема генератора импульсов

10
 Разработка тестовой печатной платы
генератора импульсов

Рис.10 – Трассировка в Sprint-Layout Рис. 12 – Распаянный макет

Рис. 11 – Осциллограммы импульсов ГЛИН в а) точке 1, б) точке 2 Рис. 13 – Осциллограммы импульсов ГПН на выходе 11
генератора импульсов
Схема генератора импульсов с
увеличенным задним фронтом
Длительность заднего фронта:
𝜏 = 𝑅3 ∙ 𝐶3 = 50 мкс

Рис. 14 – Схема генератора импульсов с увеличенным задним фронтом

12
 Функциональная схема сигнальных линий
контроля тока и напряжения

Требования, предъявляемые к сигнальным

линиям контроля тока и напряжения:

1. Максимальная амплитуда сигнала – 3.3В;

2. Защита от обратных напряжений;
3. Выбор номиналов резисторов контроля
тока в зависимости от типа испытуемого
ЛД.

Рис. 15 – Функциональная схема сигнальных линий

контроля тока и напряжений 13
 Схема сигнальных линий контроля тока и
напряжения
𝐼𝐿𝐷 , 𝑈1𝐿𝐷 , 𝑈2𝐿𝐷 - напряжения на АЦП

𝐼𝐿𝐷 = 𝑈𝑅 ∙ 𝑘, где

𝑅47
𝑘=
𝑅47 + 𝑅46 ||(𝑅48 |𝑅49 )
𝑅44 𝑅36
𝑈1𝐿𝐷 ∙ − 𝑈2𝐿𝐷 ∙ = 𝑈1𝐿𝐷 − 𝑈2𝐿𝐷 ∙ 0.09
𝑅43 + 𝑅44 𝑅35 + 𝑅36

Табл. 1 – Формулы расчета тока

Состояние Состояние Сопротивление Формула для
𝑉𝑇3 𝑉𝑇4 расчета тока
Закрыт Закрыт 110 𝐼 = 𝐼𝐿𝐷 ∙ 0.1
Закрыт Открыт 10 𝐼 = 𝐼𝐿𝐷 ∙ 0.2
Открыт Закрыт 1 𝐼 = 𝐼𝐿𝐷 ∙ 1.1 Рис. 16 – Схема сигнальных линий контроля тока и напряжений 14
 Сигнальные линии измерения температур
и мощности

Рис. 18 – Схема подключения ФПУ

Рис. 17 – Схема подключения NTC-резистора
Напряжения 𝑈, поступающие на МК: Напряжения 𝑈, поступающие на МК:
𝑅𝑡ℎ
𝑈 = 𝑉_𝑟𝑒𝑓 ∙ 𝑈 = 𝑅нагр ∙ 𝐼ф = 130 ∙ 0.021 = 2.7 В
(𝑅𝑡ℎ + 𝑅23)

Табл. 2 – Характеристики термистора

Температура Сопротивление Напряжение
−20°C 97070 Ом 2.7 В
15
+80°C 1258 Ом 0.3 В
Система охлаждения

Рис. 19 – Схема коммутации основной платы с платой управления элементом Пелетье

Табл. 3 – Характеристики платы управления элементом Пелетье

Характеристика Описание
Диапазон поддерживаемых температур от −20° до +80°.
Напряжения питания 5 В и 12 В
Внешнее управление ШИМ-сигнал
16
Амплитуда выдаваемых сигналов до 5 В
 Блок преобразователей питания

Требования, предъявляемые к блоку преобразователей питания:

1. Обеспечить токи, потребляемые микросхемами
2. Обеспечить требуемые значения напряжений: 5В, -5В, 3.3В, 3В

Рис. 20 – Схема преобразователей питания

Табл. 4 – Требуемые значения токов Табл. 5 – Характеристики выбраныхх микросхем

Требуемое напряжение Требуемый ток Микросхема 𝑉𝑜𝑢𝑡 𝐼𝑜𝑢𝑡
5В 19.35 мА LM2576 5В 1А
3.3 В 490.9 мА LM1117 3.3 В 0.8 А
-5 В 120 мА LM2664 (х3) -5 В 50 мА (х3)
3В 0.3 мА REF193 3В 30 мА

17
 Изготовление печатной платы

Плата управления
Плата управления элементом Пельтье,
элементом Пельтье, разработанная
разработанная в ФТИ им. А. Ф.
в ФТИ им. А. Ф. Иоффе
Иоффе

Рис. 21 – Трассировка в Sprint-Layout Рис. 22 – Пайка основной платы и платы элемента

18
Пелетье
 Оценка работоспособности устройства

Рис. 24 – Графики импульсов накачки

Рис. 23 – Характериограф, частью которого является 19
разработанная плата
 Заключение

Выполненные задачи:
1. Разработана функциональная схема устройства
2. Разработан узел накачки лазерного диода
3. Разработана принципиальная схема устройства
4. Выполнена трассировка печатной платы
5. Проведена оценка работоспособности готового устройства

20
Принципиальная схема основной платы

21
Спасибо большое за внимание!