Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Б. Н. Карзов М. Ю. Кастров
2
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
рабочей частоты и способов частотной модуляции.
Величина емкости входного конденсатора. Уровень
помех на входном конденсаторе, определяющий сто%
имость фильтра, прямо пропорционален величине
пульсаций тока и обратно пропорционален величине
емкости конденсатора.
Приемлемый компромисс между искажениями
а б
тока и генерацией помех величина 3,3 мкФ/кВт.
Пульсации тока повышающего дросселя. Пульсации
тока (Δi) являются функцией входного напряжения
Uвх, выходного напряжения (Uвых), величины индук%
тивности дросселя (Lпов) и частоты переключений (fпер)
и определяются выражением:
(U вых −U вх )U вх
Δi = .
f пер LповU вых
в Типовые значения напряжений и частоты пере%
Рис. 2. Возможные структуры ККМ:
ключений следующие:
а – повышающая (хорошая коррекция коэффициента мощности, Uвх = 300 В; Uвых = 400 В; fпер = 70 кГц.
Uвых > Uвых, небольшие габариты фильтра; допустимое напряжение Если преобразователь работает в режиме непрерыв%
на ключевом элементе Uвых);
б – понижающая (плохая коррекция коэффициента мощности, ных токов, типовое значение тока пульсаций может быть
Uвых < Uвых, допустимое напряжение на ключевом элементе Uвых, Δi = 1 А. При этом индуктивность повышающего дрос%
защита от бросков пускового тока и короткого замыкания, “пла
вающий” драйвер); селя Lпов составляет 1 мГн.
в – понижающе повышающиая (хорошая коррекция коэффи Если же преобразователь работает в режиме раз%
циента мощности, изменяемое U вых, допустимое напряжение
на ключевом элементе U0 + Uвых, защита от бросков пускового
рывных токов, то Δi = 6 А, Lпов = 150 мкГн.
тока и короткого замыкания, гальваническая развязка выход Формы тока дросселя в режимах непрерывных и
ного напржяения) разрывных токов показаны на рис. 4.
При работе в режиме непрерывных токов требуе%
требная индуктивность дросселя оказывается мень% мая величина индуктивности повышающего дроссе%
ше, по сравнению с другими структурами. ля примерно в 10 раз превышает величину
В результате структура на основе повышающего индуктивности, необходимую для обеспечения рабо%
преобразователя постоянного напряжения позволя% ты в режиме разрывных токов. Однако, меньшая ве%
ет получить ККМ с наименьшей стоимостью, но при личина пульсаций тока позволяет использовать более
этом не обеспечивается защита от бросков пускового дешевый и эффективный сердечник из порошкового
тока и короткого замыкания. железа.
В ККМ может быть использована и структура по% При работе с токами пульсаций, превышающими
нижающе%повышающего преобразователя (рис. 2в). 1 А, большая величина di/dt приводит к возникнове%
Преимущества такой структуры состоят в том, что она
обеспечивает гальваническую развязку и регулирова%
ние выходного напряжения.
Основное внимание в статье будет уделено стоимо%
сти, как одному из наиболее важных факторов, и по%
этому в дальнейшем будет рассмотрена структура
повышающего преобразователя.
3
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
нию в порошковом сердечнике скин%эффекта и вих% пазоне мощностей от 1 до 3 кВт является STE36N50%
ревых токов. Следовательно, в режиме разрывных то% DK. Он сочетает в себе мощный МДП%транзистор с
ков необходимо применение более дорогих низким сопротивлением в открытом состоянии и
ферритовых сердечников. сверхскоростной диод TURBOSWITCH TM , разме%
Поскольку максимальная возможная плотность щенные в корпусе ISOTOP ® с низкими индуктив%
магнитного потока в сердечнике из порошкового же% ностью и емкостью. При этом для достижения
леза значительно выше, чем в ферритовом (около максимального КПД необходим активный ограни%
1,5 Тл – порошковый и 0,25 Тл – ферритовый), то читель.
габариты, а, следовательно, и стоимость дросселя, При мощностях более 3 кВт более целесообразно
требуемого в обоих случаях, примерно одинаковая. использование IGBT, поскольку у них меньше потери
Таким образом, более меньшая стоимость преобра% в открытом состоянии и больше допустимые нагруз%
зователя обеспечивается при работе с меньшими ки по току. При наличии демпфирующих цепочек их
пульсациями тока, т. е. в режиме непрерывных токов, можно использовать при частотах переключений до
несмотря на большие габариты дросселя. 30 кГц.
Способы частотной модуляции. Частота переклю% Свойства обратного восстановления диода при
чений преобразователя может быть как постоянной, включении существенно влияют на потери на пе%
так и переменной. В случае переменной частоты пе% реключение ККМ. Диоды нового семейства
реключений ей можно либо управлять, либо она мо% TURBOSWITCH имеют типовое время обратного
жет произвольно изменяться в заданных пределах. восстановления (trr) 25 нс при напряжении 600 В и
Применение в преобразователе переменной частоты максимальное прямое падение напряжения 1, 5 В.
переключений приводит к уменьшению потерь мощ% Диоды серии TURBOSWITCH А с допустимым то%
ности и снижению уровня электромагнитных помех. ком от 5 А до 60 А позволяют существенно снизить
Но при этом, повышается сложность анализа схемы, потери в преобразователе. При использовании дем%
и, иногда труднее рассчитывать частотные характе% пфирующих цепочек больше подходят диоды серии
ристики преобразователя. В, имеющие меньшее прямое падение напряжения.
Выбор частоты переключений полупроводниковых
приборов. Работа с постоянными пульсациями тока Сетевой фильтр и нормы высокочастотных помех
и повышение частоты переключений позволяет Анализ проведен по нормам EN60555 [1] и
уменьшить величину индуктивности повышающе% VDE0871B [2] и техническим условиям на разработку.
го дросселя. Однако при этом возрастут потери на Нормы по высокочастотным помехам. Ограни%
переключение силовых полупроводниковых прибо% чения, задаваемые нормами VDE0871B проиллюст%
ров. В стандартных схемах ККМ потери на прово% рированы на рис. 5. При повышении частоты
димость будут меньше потерь на переключение, и, переключений ограничения, задаваемые нормами,
следовательно, частота переключений будет огра% смягчаются, а помехи, измеренные относительно
ничиваться потерями на переключение выбранно% нормализованного импеданса увеличиваются
го силового транзистора и потерями на обратное (рис. 6). Кроме того, при повышении частоты пе%
восстановление повышающего диода. реключений ослабление фильтра улучшается не в
Кроме того, если требуется соответствие требова% той мере, в какой можно было предполагать. Раз%
ниям VFG243, использование частоты переключений ница между границами и помехой улучшается толь%
менее 50 кГц (где ограничения менее строгие), сто% ко на 10 дБ/дек. Например, при повышении частоты
имость фильтра может быть существенно снижена. переключений с 10 кГц до 100 кГц ослабление филь%
При использовании в сетях переменного напря% тра улучшится на 10 дБ, а потери на переключение,
жения до 277 В при выходной мощности до 3 кВт при этом, возрастут в 10 раз.
наиболее эффективны и рентабельны мощные Параметры оптимизации фильтра. Поскольку при
МДП%транизсторы. Наиболее приемлемым в диа% увеличении частоты переключений возрастают поте%
ри на переключение, предпочтительно не увеличивать
частоту, а снижать уровень генерируемых помех. По%
мехи, создаваемые на входном конденсаторе, пропор%
4
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
циональны пульсациям тока. Возможные формы тока отключении силового транзистора разрядный ток
повышающего дросселя при работе в режимах непре% этой паразитной емкости может превысить 1 А. Та%
рывного и прерывистого токов показаны на ким образом, уровень помех, а, значит, и стоимость
рис. 4а и б соответственно. фильтра, могут быть снижены за счет уменьшения па%
Уменьшение уровня пульсаций в повышающем разитной емкости повышающего дросселя.
дросселе в 20 раз позволит снизить уровень помех на Для изготовления дросселей с малой паразитной
26 дБ. Таким образом, работа в режиме непрерывных емкостью могут применяться способы многосекци%
токов приводит к снижению уровня помех. онной обмотки (рис. 8). При использовании сердеч%
Работа с переменной частотой второй способ сни% ника из порошкового железа наилучший способ
жения уровня помех, поскольку при этом спектр рас% получить малую паразитную емкость – это однослой%
пространяется в широкой области частот, за счет чего ная обмотка.
уменьшается максимальное значение помехи, а, сле% Замедление процесса коммутации также является
довательно, требуются меньшие затраты на фильтра% хорошим средством для снижения уровня помех в
цию. Уровень помех на конденсаторе Свх ККМ на диапазоне частот (1...30) кГц. Спектр помех ККМ при
основе повышающего преобразователя при работе с быстром переключении и обычным выполнением
фиксированной и переменной частотами показан на обмоток показан на рис. 9а. влияние замедленной
рис. 7. Снижение уровня помех на 10 дБ достигается коммутации на спектр помех показано на рис. 9б, а
при глубине модуляции 10 кГц. эффект от применения многосекционных обмоток на
По нормам для измерения уровня помех требу% рис. 9в.
ется более широкая полоса частот – свыше 150 кГц. Паразитную емкость между силовым полупро%
Интервал увеличивается от 200 Гц до 9 кГц. Резуль% водниковым прибором и радиатором теплоотвода
тат – повышенная чувствительность на частотах можно свести к минимуму при использовании изо%
свыше 150 кГц. лированных корпусов, например ISOWATT220,
Это означает, что при повышении частоты пере% ISOWATT218, ISOTOP или DO220I, что позволяет
ключений ККМ внезапно повышается влияние низ% снизить несимметричную фильтрацию.
кочастотных гармоник при 150 кГц. Фактически
они вызывают дополнительные помехи. Это необ% ККМ с токовым управлением и прямой связью
ходимо учитывать при выборе подходящей часто% по напряжению
ты переключений. Блок%схема ККМ с токовым управлением показа%
В диапазоне частот (1...30) МГц помехи проводят% на на рис. 10 [6]. Эталонное значение тока (current
ся паразитной емкостью повышающего дросселя. При reference) формируется за счет перемножения несколь%
ких сигналов обратной связи. Затем это эталонное
значение сравнивается со средним значением тока
дросселя, и результат сравнения подается на ШИМ%
контроллер.
Принцип действия ККМ. Для правильного функ%
ционирования ККМ необходимо выполнение следу%
ющих условий.
Мгновенное значение потребляемого от сети
тока должно повторять мгновенное значение на%
пряжения сети, чтобы обеспечить синусоидаль%
ность потребляемого от сети тока и его синфазность
с напряжением сети.
а Действующее значение потребляемой от сети
мощности должно оставаться постоянным даже при
5
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
а б в
6
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
от 90 В до 270 В. Поскольку частота перехода снижается можно обеспечить с помощью микросхемы управле%
при уменьшении входного напряжения для обеспече% ния L4981.
ния правильной работы устройства фильтр необходимо Выводы
рассчитывать при верхнем пределе напряжения. Если Когда требуется оптимизация габаритов и стоимо%
при напряжении 270 В частота перехода фильтра равна сти, схема ККМ и входной фильтр должны разраба%
20 Гц, то при снижении напряжения до 90 В она умень% тываться совместно. Схемы ККМ создают больше
шится на несколько Гц. Это означает, что в этом случае помех, чем входные цепи традиционных импульсных
усилитель ошибки будет иметь неприемлемо большую источников питания, а их режим работы и способы
инерционность при быстрых изменениях входного на% управления оказывают существенное влияние на тре%
пряжения, что может привести к возникновению опас% бования в входному фильтру.
ных перенапряжения на выходе. Работа ККМ в режиме непрерывных токов в соче%
Следовательно, для отработки быстрых изменений тании с тщательно проработанным способом частот%
входного напряжения сигнал, пропорциональный ного управления приводят к созданию устройства с
действующему значению сетевого напряжения, дол% минимальными габаритами и стоимостью.
жен подаваться непосредственно со входа сетевого
напряжения. Этот способ известен как прямая связь Литература
по напряжению. 1. Disturbance in Supply Systems Caused by Household
Прямая связь по напряжению. Эталонная вели% Appliances and Similar Electrical Equipment – European
чина тока формируется за счет модуляции напря% Norm EN60555.
жения ошибки контура напряжения сигналом, 2. Disturbance Limitation Caused by High Frequency
поступающим с выпрямителя сетевого напряжения. Equipment. – VDE0871/B.
Значение величины этого сигнала должно быть ус% 3. L. Perier. Reduction of Electronic Interference a
тановлено таким, чтобы при повышении входного Power Semiconductor Manufacturer’s Viewpoint. –
напряжения вдвое (при постоянной нагрузке) эта% Electronique de Puissance Symposium, Paris, 1988.
лонное величина тока, а, следовательно, и входной 4. K. Rishmuller. Commutation Losses in a High
ток вдвое уменьшались. Поддержание неизменно% Frequency PWM Converter. – SGS%Thompson
го сигнала напряжения ошибки требует деления на Microelectronics.
четыре модулирующего синусоидального сигнала. 5. M. Albach. An AC%DC Converter with Low Mains
При использовании этого метода поддерживается Current Distortion and Minimized Conducted Emissions”.
постоянной полоса пропускания контура напряже% – EPE Aachen 1989.
ния, и при изменении нагрузки исключается выб% 6. J. M. Bourgeois. Circuits for Power Correction with
рос напряжения. Regards to Mains Filtering. – STMicroelectronics, 1999.
Работа с переменной частотой. Генератор импуль%
сов может работать с постоянной или переменной
частотой. В устройствах, работающих с переменной
частотой спектр помехи может быть растянут за счет
регулирования глубины модуляции с помощью внеш% Карзов Борис Николаевич, начальник отдела метроло7
него резистора. При этом максимальный ток дроссе% гии ЗАО “ММП7Ирбис”, тел.: 8(495) 987710716;
ля зависит от минимума рабочей частоты, и Кастров Михаил Юрьевич, к. т. н., главный инженер ЗАО
отсутствует асимптота, дающая плоский спектр по% “ММП7Ирбис”, тел. 8(495) 987710716, e7mail: kastrov@mmp7
мехи (рис. 7). Все перечисленные режимы работы irbis.ru.
7
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
8
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
входного источника питания Uвх. Поскольку длитель%
ность интервала (t0–t1) значительно меньше постоян%
ной времени резонансного контура, накопление
энергии в Согр, Lp и Lнм происходит линейно. Токи
индуктивностей рассеяния и намагничивания начи%
нают уменьшаться с нулевого значения. Определяю%
щие уравнения схемы для этого режима имеют вид
di Lp
(Lнм + L р ) = −U вх + u Согр ; (1)
dt
Рис. 1. Упрощенная схема полумостового преобразователя
duCогр
С огр = i Lp = iLнм . (2)
h преобразователь работает в установившемся dt
режиме; Режим 1 заканчивается, когда запирается транзистор
h индуктивность дросселя Lp (Lp) значительно VT1.
меньше индуктивности намагничивания Lнм; Режим 2 (t1–t2). В момент времени t1 транзистор
h период резонанса в цепи Cогр–Lp соизмерим с VT1 закрывается, а транзистор VT2 по%прежнему зак%
временем закрытого состояния транзистора рыт. Элементы схемы Согр, Lp и Lнм и Сзи1 образу%
VT1; ют новый последовательный резонансный контур, а
h предполагается, что в режимах 2 и 6 характер второй последовательный резонансный контур обра%
работы схемы линейный; зуют элементы Согр, Lp и Lнм и Сзи2. Конденсато%
h в режиме 3 полагаем, что резонансный ток та% ры Сзи1 и Сзи2 заряжаются от источника питания Uвх
кой же, как ток намагничивания. током, равным половине тока намагничивания. Вто%
Итак, анализ работы схемы преобразователя выг% рой половиной тока намагничивания через разряд
лядит следующим образом. конденсатора Cзи2 заряжается конденсатор Согр.
Режим 1 (t0–t1). В момент времени t0 транзистор Определяющие уравнения схемы для этого режима
VT1 открыт, а транзистор VT2 закрыт. Выходной диод имеют вид:
VD3 смещен в обратном направлении. Элементы схе%
diLp
мы Согр, Lp и Lнм образуют последовательный резо% (Lнм + Lр ) = −U вх + uСогр + u зи1 ; (3)
нансный контур. При этом энергия поступает от dt
а б в
г д е
ж з
9
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Поскольку разность между резонансным током и
током намагничивания на этом этапе равна нулю,
выходной диод VD3 не проводит, и напряжение с вы%
хода преобразователя не отображается на первичной
стороне трансформатора TV. Этот режим заканчива%
ется, когда транзисторVT2 отпирается в режиме ПНН,
и заканчивается время паузы.
Режим 4 (t3–t4). На этом интервале времени тран%
зистор VT2 открыт, а транзистор VT1 закрыт. Выход%
ной диод проводит, и выходное напряжение
преобразователя отображается на первичной сторо%
не трансформатора. В резонансном контуре, образо%
ванном Согр, Lp и Lнм начинает протекать
резонансный ток, который отличается от тока намаг%
ничивания. Именно разность резонансного тока и
тока намагничивания определяет величину тока дио%
да. Этот режим заканчивается, когда резонансный ток
спадает до величины тока намагничивания, и выход%
ной диод запирается при нуле тока. Определяющие
уравнения схемы для этого режима имеют вид:
di Lнм
Lнм = k трU вых ; (9)
dt
di Lр
Lр = uСогр − k трU вых ; (10)
dt
duCогр
С огр = iLp ; (11)
dt
Рис. 3. Временные диаграммы работы полумостового
преобразователя с режимами ПНН и ПНТ
i VD3 = k тр (i Lр − i Lнм ) .
(12)
Режим 5 (t4–t5). В этом режиме состояния транзи%
duCогр
С огр = i Lp = iLнм ; (4) сторов VT1 и VT2 остаются такими же, как в режиме
dt 4. Резонанс в резонансном контуре прекращается, по%
скольку резонансный ток не может быть меньше тока
du зи1 iLp iLнм
С зи1 = = ; (5) намагничивания. Выходной диод смещен в прямом
dt 2 2 направлении, но ток через него равен нулю. Опреде%
duзи2 iLp ляющие уравнения становятся следующими:
i
С зи2 =− = − Lнм . (6)
dt 2 2 di Lp
(Lнм + Lр ) = uСогр ; (13)
При условии, что ток намагничивания изменяет% dt
ся линейно, напряжение изи1 начинает возрастать с
нуля по квадратичному закону. Режим 2 заканчивает% duCогр
С огр = i Lp = iLнм . (14)
ся, когда напряжение и зи1 достигает значения dt
(Uвх + Uпр), и начинает проводить внутренний диод Этот режим заканчивается, когда закрывается
транзистора VT2 (Uпр – это прямое падение напряже% транзистор VT2.
ния на диоде). Режим 6 (t5–t6). В этом режиме оба транзистора VT1
Режим 3 (t2–t3). На этом интервале времени оба и VT2 закрыты. В момент времени t5 конденсатор Cзи2
транзистора – VT1 и VT2 – остаются закрытыми. На% начинает заряжаться с нулевого значения напряже%
чинает проводить внутренний диод транзистора VT2, ния половинным током намагничивания. Конденса%
и напряжение на намагничивающем дросселе Lнм из% тор Сзи1 начинает разряжаться половинным током
меняет полярность. Предполагая, что резонансный намагничивания с величины напряжения Uвх. Опре%
ток равен току намагничивания, определяющие урав% деляющие уравнения схемы для этого режима имеют
нения схемы для этого режима имеют вид: вид:
diLp diLp
(Lнм + Lр ) = uСогр + U пр ; (7) (Lнм + Lр ) = uСогр − u зи1 ; (15)
dt dt
duCогр duCогр
С огр = i Lp = iLнм . (8) С огр = −iLp = −iLнм ; (16)
dt dt
10
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Этот режим заканчивается по истечении времени где Iнм вп – верхний предел тока через намагничиваю%
паузы, и отпирается транзистор VT1. щий дроссель;
Режим 8 (t7–t8). В момент времени t7 транзистор Тпер – период переключений.
VT1 отпирается в режиме ПНН. Ток намагничивания Среднее значение тока нагрузки. Среднее значение
продолжает линейно спадать, и конденсатор Согр раз% тока через выходной диод VD3 определяется отноше%
ряжается в источник питания Uвх. Это режим закан% нием витков трансформатора TV (kтр) и разностью
чивается, когда ток намагничивания впадет до нуля. токов резонансного (iLр) и намагничивания (iLнм) и
Конденсатор Согр и дроссели Lp и Lнм начинают определяется по формуле
накапливать энергию от источника питания Uвх, и
начинается новый период переключений. Tпер
1
I н ср =
Tпер ∫k тр [iLp (t ) − iLнм (t )]dt =
Анализ процессов схеме преобразователя 0
⎧⎪ d
В этом разделе на основе рассмотренных режимов
работы исследуются основные характеристики пре%
= k тр ⎨ (sin[ω(1 − k з )Tпер − ϕ] + sin ϕ) − (26)
⎪⎩ ωTпер
образователя. Однако, для упрощения анализа не учи%
тываются пауза между моментами переключения k трU вых ⎫
− I нм ср (1 − k з ) − (1 − k з )Tпер ⎬,
транзисторов VT1 и VT2, а также выходные емкости 2Lнм ⎭
транзисторов. Эти упрощения не должны повлиять на
корректность проводимого анализа. Упрощенные
формы токов резонансного и намагничивающего
дросселей и выходного диода, а также напряжения на
ограничивающем конденсаторе показаны на рис. 4.
Коэффициент передачи по напряжению. В устано%
вившемся режиме коэффициент передачи по напря%
жению зависит от коэффициента заполнения kз и
коэффициента трансформации kтр трансформатора
TV и может быть определен при использовании прин%
ципа баланса магнитных потоков в Lнм и Lр. Урав%
нения, описывающие эту взаимосвязь имеют вид
11
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
где
π
ω> . (37)
(1 − k з )Tпер
2
⎡ k трU вых − uСогр (k зTпер ) ⎤ Lр
d 2 = I нм ср + ⎢ ⎥ ; Z=
2
; (27)
⎣ Z ⎦ C огр Удовлетворение условия (37) означает, что для
обеспечения запирания выходного диода при нуле
ω = LрC огр ; (28) тока резонансный ток будет развиваться в течение, по
крайней мере, половины периода резонанса на ин%
⎡ k трU вых − uСогр (k зTпер ) ⎤ тервале времени [0, (1 – kз)Тпер]. Нужно также отме%
ϕ = arctg ⎢ ⎥+π; (29) тить, что, поскольку выходной диод запирается в
⎢⎣ ZI нм нп ⎥⎦ режиме ПНТ при полной нагрузке, режим ПНТ для
Iнм нп – наименьшее значение тока через намагни% него будет сохраняться и при малых нагрузках, так как
чивающий дроссель. гарантировано выполнение условия (33).
Применяя принцип баланса заряда на Согр за один Условия ПНН. Работа силовых ключей рассматри%
период переключений, получаем ваемого преобразователя в режиме ПНН зависит от
величины тока намагничивания. Условия ПНН для
Tпер
транзистора VT2 могут быть легко обеспечены, по%
∫i Lр (t )dt = 0 ⇒ скольку величина тока намагничивания в момент вре%
0 мени t1 соответствует его нижнему пределу Iнм нп.Этой
⇒
d
{sin[ω(1 − k з )Tпер − ϕ] + sin ϕ}= (30) величины вполне достаточно, чтобы полностью раз%
ωTпер рядить выходную емкость сток%исток (Сси2) транзи%
U вх (1 − k з )k з2Tпер стора VT2. Согласно (31) величину этого тока можно
= − I нм нп k з . определить как
2(Lнм + Lр )
U вх (1 − k з )k зTпер
Подставив (30) в (25), получим I нм нп = . (38)
2(Lнм + Lр )
Iн U вх k з (1 − k з )Tпер Тогда условия ПНН для транзистора VT2 запишутся
= −I нм вп + . (31)
n 2(Lнм + Lр ) в виде
Подстановкой (31) в (25) получаем простую связь 2
C зи2U вх2
Lнм I нм нп
токов намагничивания и нагрузки ≥ . (39)
2 2
Iн Из конденсатора Cзи2 энергия передается обрат%
. I нм = (32)
n но в ограничительный конденсатор Согр. Время пау%
Выбор резонансной частоты. На интервале време% зы между переключениями транзисторов VT1 и VT2
ни kзТпер ≤ t ≤ Тпер резонансный ток iLp(t) является си% должно быть достаточным для того, чтобы конденса%
нусоидальной функцией, а ток намагничивания iLнм(t) тор Cзи2 полностью разрядился.
нарастает линейно. Разность резонансного и намаг% Условия ПНН для транзистора VT1 зависят от
ничивающего токов вызывает ток в выходном диоде. максимального значения тока через индуктивность
При полной нагрузке этот диод может запираться в намагничивания (Iнм вп). Этот ток должен быть по%
режиме ПНТ только при выполнении следующего ложительным и достаточно большим по величине,
условия чтобы полностью разрядить конденсатор Сзи1 от
накопленной энергии. Снова обращаясь к (31),
i Lр (Tпер ) ≤ i Lнм (Tпер ), (33) получаем
где i Lр (t ) = d cos[ω(t − Tпер ) − ϕ] ; (34) U вх (1 − k з )k зTпер Iн
I нм вп = − , (40)
2(Lнм + Lр ) k тр
k зU вых (t − Tпер )
i Lнм (t ) = I нм нп + . (35) что в результате дает
Lнм
Таким образом, U вх (1 − k з )k зTпер
Lнм + Lр = k тр . (41)
2I н
k зU вых (t − Tпер )
d cos[ω(t − Tпер ) − ϕ] ≤ I нм нп + . (36) Для обеспечения ПНН транзистора VT1 должно
Lнм
выполняться ограничительное неравенство (41). Дру%
Поскольку параметр d является функцией от ω, гое необходимое условие обеспечения ПНН транзи%
выражение (36) существенно нелинейно относитель% стора VT1
но ω. Аналитическое решение его относительно ω по%
лучить крайне трудно. Для нахождения резонансной 2
Lнм I нм вп C зи1U вх2
частоты можно использовать следующую эмпиричес% ≥ . (42)
кую формулу: 2 2
12
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Из конденсатора Cзи2 энергия передается обрат% Большее значение kтр позволяет снизить ток первич%
но в ограничительный конденсатор Согр. Время пау% ной обмотки трансформатора, но, при этом, возрас%
зы между переключениями транзисторов VT1 и VT2 тает ток вторичной обмотки. Это благоприятно с
должно быть достаточным для того, чтобы конденса% точки зрения снижения потерь на проводимость на
тор Cзи2 полностью разрядился. первичной стороне преобразователя, но, при этом, не%
Условия ПНН для транзистора VT1 зависят от достатком является большая перегрузка по току вып%
максимального значения тока через индуктив% рямителя. Рекомендуется компромиссный выбор
ность намагничивания (I нм вп ). Этот ток должен величин kтр, kз и Lнм.
быть положительным и достаточно большим по Индуктивность намагничивания трансформатора.
величине, чтобы полностью разрядить конденса% В данном случае можно применить расчетную фор%
тор Сзи1 от накопленной энергии. Снова обра% мулу для определения индуктивности намагничива%
щаясь к (31), получаем ния трансформатора обычного обратноходового
преобразователя, работающего в режиме непрерыв%
U вх (1 − k з )k зTпер Iн
I нм вп = − , (40) ных токов, которая выглядит следующим образом:
2(Lнм + Lр ) k тр
что в результате дает ⎡ U вх (1 − k з )k зTпер ⎤ k тр w1S ст
Lнм ≤ ⎢B S ⋅10 −8 − ⎥⋅ . (43)
U вх (1 − k з )k зTпер ⎣ 2w1S ст ⎦ Iн
Lнм + Lр = k тр . (41)
2I н где Вs – индукция насыщения сердечника трансфор%
Для обеспечения ПНН транзистора VT1 должно матора;
выполняться ограничительное неравенство (41). Дру% w1 – число витков первичной обмотки трансфор%
гое необходимое условие обеспечения ПНН транзи% матора;
стора VT1 Sст – площадь поперечного сечения сердечника
2 трансформатора.
Lнм I нмC зи1U вх2
вп
≥ . (42) Однако, выражение (43) не гарантирует удовлет%
2 2 ворения условия ПНН. Рекомендуется после вычис%
Нужно отметить, что время, необходимое на раз% ления выражения (43) проверить выражения (40) и
ряд Cзи1 (режим 6) больше времени, необходимого (42), чтобы гарантировано обеспечить работу в режи%
на разряд Сзи2 (режим 2), поскольку верхний предел ме ПНН транзистора VT1. Предварительную провер%
величины тока намагничивания (Iнм вп) меньше ниж% ку нужно провести по формуле (41).
него предела этого тока (Iнм нп). Минимальное время Резонансный дроссель. Резонансный дроссель Lр
паузы при переключении транзисторов VT1 и VT2 используется, в основном, для формирования резо%
должно определяться временем, необходимым для нансного тока в то время, когда энергия передается
полного разряда конденсатора Сзи1. от первичной стороны трансформатора ко вторичной.
Для обеспечения режима ПНТ выходного диода ре%
Особенности разработки преобразователя зонансную частоту 1/(LpCогр)0,5 можно выбрать такой,
Для подтверждения правильности полученных те% чтобы ее значение удовлетворяло неравенству (37).
оретических результатов, полученных для рассматри% Поскольку резонансная индуктивность в основном
ваемого преобразователя создан лабораторный макет образуется за счет индуктивности рассеяния транс%
со следующими основными параметрами: форматора, а вычисления по выражению (37) приво%
y входное постоянное напряжение (Uвх): 156 В; дят к высокой резонансной частоте, индуктивность
y выходное напряжение(Uвых): 12 В; рассеяния должна выбираться как можно меньшей.
y максимальная выходная мощность (Рmax): 60 Вт; Нужно отметить, что индуктивность резонансного
y частота переключений (fпер): 50 кГц. дросселя тесно связана с работой в режиме ПНТ вып%
Коэффициент заполнения. Коэффициент заполне% рямителя, но никак не связана с режимом ПНН си%
ния (kз) можно определить согласно (23). В зависи% ловых транзисторов.
мости от коэффициента трансформации (kтр) kз может Ограничительный конденсатор. В зависимости от
превышать величину 0,5 при использовании управ% величины индуктивности резонансного дросселя ем%
ления по напряжению. Чем больше kз, тем больше кость ограничительного конденсатора можно опре%
энергии накапливается в Lнм, Lр и Согр, что требует делить по формуле
большей емкости входного конденсатора и большего
требуемого времени паузы. С другой стороны, при 1
большем коэффициенте заполнения снижается вели% C огр ≤ 2
. (44)
⎡ π ⎤
чина перенапряжения на выходном диоде. Lр ⎢ ⎥
Коэффициент трансформации. Отношение витков ⎢⎣ (1 − k з )Tпер ⎥⎦
обмоток трансформатора (kтр) связано с величинами
коэффициента заполнения (kз) и индуктивности на% Ограничение пульсаций напряжения на ограничи%
магничивания (Lнм) через соотношения (23) и (41). тельном конденсаторе на уровне, не превышающем
13
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
среднее значение напряжения UСогр, приводит к еще Лабораторный образец разработанного преобразо%
одному ограничению при определении величины вателя показан на рис. 5. Результаты моделирования
емкости Согр: преобразователя при полной нагрузке приведены на
2
рис. 6, а осциллограммы напряжений и токов, полу%
⎛ d ⎞ ченные при испытании лабораторного макета при
C огр ≥ ⎜⎜ ⎟ ,
⎟ (45) полной нагрузке на рис. 7. Формы токов резонанс%
⎝ k зU вх ⎠
ного дросселя iLp(t) и выходного диода iVD3(t) с доста%
где параметр d вычисляется по формуле (27). точной точностью соответствуют результатам
теоретического анализа и моделирования на рис. 3 и
Результаты экспериментальных исследований 5 соответственно. Работа в режиме ПНН транзисто%
На основе результатов, полученных в предыду% ров VT1 и VT2 в режимах холостого хода и полной
щих разделах создан прототип преобразователя с нагрузки показана на рис. 8.
рабочей частотой 50 кГц. Список компонентов, схе%
мы преобразователя: Выводы
3 индуктивность намагничивания Lнм 0,3 – мГн; Представлены результаты анализа и эксперимен%
3 резонансный дроссель Lр – 2,58 мкГн; та асимметричного полумостового преобразователя
3 ограничительный конденсатор, Согр – 0,68 мкФ, постоянного напряжения без выходного дросселя.
250 В; Силовые ключи преобразователя отпираются в режи%
3 конденсатор фильтра Свых – 4700 мкФ, 35 В; ме ПНН, а выходной диод может отпираться и запи%
3 частота переключений fпер – 50 кГц; раться в режиме ПНТ. Показано, что работа силовых
3 сопротивление нагрузки Rн – 1,6 Ом; ключей в режиме ПНН обеспечивается да счет тока
3 силовой ключ (VT1, VT2) – К2843 × 2; намагничивания, а работа выходного диода в режиме
3 выходной диод (VD3) – MOSPEC S30C40C; ПНТ за счет резонансного тока. Условия ПНН и ПНТ
3 микросхема драйвера – UC3854 + IR2111; могут поддерживаться во всем диапазоне изменения
3 оптопара – 2N25. нагрузки. Принцип работы преобразования разобран
при анализе режимов работы, а для установившегося
режима работы получены расчетные формулы. Опре%
делены условия работы преобразователя в режимах
ПНН и ПНТ. На основе расчетных формул разрабо%
тан и испытан прототип преобразователя мощностью
90 Вт. Результаты экспериментальных исследований
преобразователя подтвердили корректность получен%
ных теоретических результатов.
Литература
1. Watson R., Lee F. C., and Hua G. C. Utilization of an
Active%Clamp Circuit to achieve Soft Switching in Flyback
Converters. – IEEE Trans. on Power Electronics, Vol. 11,
No 1, 1996, pp. 162–169.
2. Ji H. K., and Kim H. J. Active clamp forward converter
14
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
а б
в г
Рис. 8. Осциллограммы работы транзисторов VT1 и VT2 в режиме ПНН: а – VT1 при холостом ходе; б – VT1 при полной нагрузке;
г – VT2 при холостом ходе; д – VT2 при полной нагрузке
with MOSFET synchronous rectification. – IEEE Power Asymmetrical Half Bridge Flyback Converter. – Electric
Electron. Spec. Conf. Rec., 1994, pp. 895–901. Power Applications. IEE Proc., Vol. 149, 2002, pp. 420–433.
3. A. Aqik and I. Cadirci. Active clamped ZVS forward 8. Sung
Sae Lee, Sang Kyoo Han, and Gun
Woo Moon.
converter with soft%switched synchronous rectifier for high Analysis and Design of Asymmetrical ZVS PWM Half
efficiency, low output voltage applications. – IEEE Proc. Bridge Forward Converter with Flyback Type Transforner.
Electr. Power Appl., Vol. 150, No 2, March 2003. – Proceedings of the 35th Annual IEEE Power Electronics
4. Yoshida K., Ishil T., and Nagata N. Zero voltage Specialists Conference, 2004, pp. 1525–1530.
switching approach for flyback converter. – Proceedings
of IEEE INTELEC, 1992, pp. 324–329.
5. Yilei Gu, Zhengyu Lu, etc. A Novel ZVS Resonant
Reset Dual Switch Forward DC%DC Converter. – IEEE Жикленков Дмитрий Викторович, ведущий специалист,
Trans. on Power Electronics, Vol. 22, No 1, January 2007. ООО “Ирбис7Комплект”, тел.: 8(495) 987710716;
6. Seo D. H., Lee O. J., Lim S. H., and Park J. S. Ходырев Евгений Исаевич, ведущий специалист ЗАО
Asymmetrical PWM flyback converter. – Proceedings “ММП7Ирбис”, тел.: 8(495) 987710716;
IEEE PESC, 2000, pp. 848–852. Карзов Борис Николаевич, начальник отдела метроло7
7. T. M. Chen, C. L. Chen. Analysis and Design of гии ЗАО “ММП7Ирбис”, тел.: 8(495) 987710716.
15
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
16
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Диссипативная схема RCD-ограничителя но рассчитать мощность, рассеиваемую в резисторе
Диссипативная схема ограничителя напряжения Rогр. Напряжение, приложенное к резистору при за%
показана также на рис. 1. Схема ограничителя состо% пирании транзистора определяется соотношением
ит из диода VDогр, конденсатора Согр и резистора U Rогр = (1 − 0,25)U си max − E вх , (8)
Rогр. Как правило, с помощью схемы ограничителя
напряжения обеспечивается путь для протекания тока где Uси max – допустимое напряжение сток%исток тран%
iр после запирания транзистора VT. Энергия, накоп% зистора.
ленная в Lр, передается в конденсатор Согр, а затем Сопротивление резистора Rогр определяется как
рассеивается на резисторе Rогр. За счет использова% 2
U Rогр
ния такой схемы бросок напряжения на транзисторе, Rогр = , (9)
ограничивается величиной, определяемой согласно PLр
следующему неравенству: Величина емкости Согр конденсатора схемы ог%
uвых раничения определяется с помощью (2). Влияние
E вх + uСогр > E вх + , ограничительной RCD%цепи на работу схемы пре%
n
образователя показано на рис. 2. Хорошо видно, что
где Евх – входное напряжение преобразователя; при наличии ограничителя напряжения (рис. 2б)
ивых – выходное напряжение преобразователя; бросок напряжения существенно уменьшен, по
Согр – емкость ограничительного конденсатора; сравнению со схемой преобразователя без ограни%
п – коэффициент трансформации. чителя (рис. 2а).
Элементы схемы ограничителя могут быть выбра% Для исследования был разработан преобразователь
ны таким образом, чтобы емкость Согр была достаточ% мощностью 200 Вт. Полученные экспериментальные
но большой. В этом случае в напряжении и Согр (t) осциллограммы напряжения сток%исток и тока индук%
отсутствуют пульсации, т. е. тивности рассеяния показаны на рис. 3. Во время экс%
Tпер периментальных исследований требуемая выходная
C Согр >> , (2) мощность не была достигнута. Из%за рассеяния на дио%
RСогр де ограничителя, вызванного резонансными колебани%
где Тпер – период переключений преобразователя. ями максимальная мощность, которой удалось достичь
Это приводит к тому, что 150 Вт. Это крайне нежелательный режим работы был
исследован с помощью моделирования в программе
uСогр (t ) = U Согр . (3)
OrCAD, где моделировалась силовая часть преобразо%
Напряжение UСогр будет нарастать до тех пор, пока вателя. Результаты моделирования, которые достаточ%
мощность, рассеянная в Rогр, не станет равна средней но точно совпадают с результатами эксперимента,
мощности, переданной от Lр: приведены на рис. 4.
2
U Согр Lр I 2
= . (4)
Rогр 2Tпер
Индуктивность рассеяния зависит ого геометрии
обмотки и до намотки трансформатора неизвестна.
Она может быть измерена с помощью эксперимента
короткого замыкания, или для качественной, тща%
тельно намотанной обмотки определена как
Lр = 0,03 ⋅ Lнм . (5)
При выборе элементов RCD%ограничителя энер% а
гию, накопленную в индуктивности рассеяния на ин%
тервале 0 ≤ t ≤ Dt можно определить как
Lр I 2
W Lp = , (6)
2
где D – коэффициент заполнения.
Величина средней мощности, передаваемой от ин%
дуктивности рассеяния в схему ограничения напря%
жения равна
W Lp
PLp = , (7)
Tпер б
17
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Рис. 3. Осциллограммы напряжения и тока транзистора преоб Рис. 4. Напряжение и ток транзистора при моделировании
разователя с ограничительной RCD схемой (ось х – 2 мкс/дел; преобразователя с ограничительной RCD схемой
иси – 200 В/дел; iр – 2 А/дел) (ось х – 5 мкс/дел; иси – 100 В/дел; iр – 1 А/дел)
di р2 1 di р 1 1
2
+ + i Lр = u w1 . (10)
dt RогрС огр dt LрC огр Rогр LрС огр
18
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
1 I овt ов Q
Qов = , а U VDогр(пр) = ов ,
2 2 2C ов
и, наконец
Qов Q
С ов = = ов . (14)
2U VDогр(пр) 1,4
Форма тока iр определяется характеристическим
уравнением равенства (13). Вследствие колебательно%
го характера характеристики тока, корни уравнения
определяются как
Рис. 7. Затухающие пульсации тока при RCD ограничении
2
Rпос ⎛R ⎞ C огр + C ов
s1,2 = − ± ⎜ пос ⎟ + =
При t > t3 диод закрывается, и начинается про% 2L р ⎜ 2L ⎟ LC C
цесс обратного восстановления. В контуре появля% ⎝ р ⎠ р огр ов
(15)
ется заряд обратного восстановления диода VDогр = −α 2 ± α − ω 2
2
2
02 = −α 2 ± jω з2 .
(это заряд накапливается в нелинейной емкости,
обозначенной Сов). Поскольку на диоде рассеива% Согласно (15) период процесса с затухающими
ется мощность, в контуре появляется и сопротив% колебаниями, показанного на рис. 7, определяется
ление Rов. К сожалению конденсатор Сов образует как
с другими элементами (рис. 5в) еще один колеба%
тельный контур. Колебания этого контура вызыва% Tз2 2π 2π
= = , (16)
ют дополнительное рассеяние в резисторе Rов. Для 2 ωз2 α 2 − ω202
2
а б
19
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
восстановлении) вызывает дополнительное рассеяние в случае использования обычной RCD схемы ограни%
мощности в диоде ограничителя. Этот колебательный чения. При этом
процесс может быть задемпфирован с помощью до%
полнительной ограничительной RC%цепочки. Схема Tз1 2π 2π
t3 − t 2 = = = . (18)
такого преобразователя показана на рис. 10. Таким 2 ω з1 ω01 − α12
2
RCD. Из%за наличия двух резонансных частот ω01 и ω02 При t > t3 диод запирается, и начинается процесс
невозможно задемпфировать колебательный процесс, обратного восстановления. Колебания, вызванные
вызванный емкостью диода Сов только с помощью наличием емкости Сов, можно задемпфировать соот%
Rогр. ветствующими параметрами цепочки RдСд. Процесс
Процесс демпфирования сначала был смоделиро% демпфировании показан на рис. 13 и 14. Для анализа
ван с помощью PSpice. Результаты моделирования переходного процесса при работе демпфирующей
приведены на рис. 11. Все состояния схемы ограни% цепочки необходимо рассмотреть эквивалентную схе%
чения при запирании транзистора VT показаны на му, показанную на рис. 15а. На первом шаге элемент
рис. 12. частично эквивалентной схемы может быть рассчи%
Из рис. 12а следует, что при открытом диоде VDогр тан за счет преобразования последовательных цепо%
демпфирующая его цепь закорочена и не оказывает чек RдСд и RовСов в параллельные, используя условие
влияния на работу схемы. Форма тока точно такая же, одинакового рассеяния, как показано на рис. 15в.
как форма, определяемая (10). Ток диода становится Сопротивления резисторов Rд(пар) и Rов(пар) рассчи%
равным нулю в момент времени t3 (рис. 13). Переход% тываются следующим образом:
ный процесс не отличается от переходного процесса
1 1 1 1
R д(пар) = R д + и Rов(пар) = Rов +
R д ω203C д2 Rов ω203C ов
2
и далее
R( пар ) д = R д(пар) || R ов(пар) и C д(пар) = С д + C ов .
Для исследования схемы, показанной на рис. 15в,
необходимо еще одно преобразование, приведенное
на рис. 16, при условии равенства тока. Эквивалент%
ные сопротивления определяются как
Rогр R(пар)д
Rогр(пос) = и R д(пос) = .
1+ ω R C
2
03
2
огр
2
огр 1 + ω R(пар)д
2
03
2 2
C д(пар)
Рис. 10. Диссипативная схема ограничения RCD RC
в обратноходовом преобразователе
а б
Рис. 14. Затухающие колебания тока при использовании
Рис. 12. Состояния схемы ограничения RCD схемы ограничения
20
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
а б в
21
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
22
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Выбор индуктивности дросселя Действующее значение тока через транзистор оп%
Подходящим правилом для определения индук% ределяется как
тивности является обеспечение размаха пульсаций I вых
тока приблизительно на уровне 40% от величины мак% Iс д = ⋅ (U вых + U вх min + U од )(U вых + U од ) .
U вх min
симального входного тока при минимальном входном
напряжении. Тогда размах пульсаций тока, протека% Суммарные потери в транзисторе определяются по
ющего через дроссели L1 и L2, имеющие одинаковые формуле
индуктивности L1 и L2, можно определить как
Q зс f пер
U PΣVT = I с2 д ⋅ R си ⋅ D max + (U вх min + U вых ) ⋅ I с max ⋅ .
ΔI L = 0,4I вх = 0,4 I вых вых . Iз
U вх min
где Iз – ток драйвера затвора.
Величины индуктивностей дросселей L1 и L2 оп% Суммарная рассеиваемая мощность в МДП%тран%
ределяются по формуле зисторе (PΣVT) складывается из потерь на проводи%
мость (первое слагаемое приведенной формулы) и
U вх min Dmax потерь на переключение (второе сслагаемое). Сопро%
L1 = L2 = L = ,
ΔI L f пер тивление Rси необходимо выбирать при максималь%
ной рабочей температуре перехода (обычно задается
где fпер – частота переключений; в справочном листке на МДП%транзистор). Необхо%
Dmax – максимальный коэффициент заполнения димо, чтобы потери на проводимость и потери на пе%
(при минимальном входном напряжении). реключение в сумме не превышали температурного
Максимальные значения токов дросселей L1 и L2 режима корпуса транзистора, либо температурных
при условии, что дроссели не будут насыщаться, оп% условий работы всего устройства.
ределяются как
Выбор выходного диода
U вых + U од
I L1max = 1,2 I вых ; Выходной диод должен выбираться на максималь%
U вх min
ные прямой ток и обратное напряжение. В преобра%
зователе SEPIC максимальный ток через диод равен
I L2 max = 1,2 I вых .
максимальному току через транзисторный ключ
Если обмотки дросселей L1 и L2 намотаны на один (Ic max). Минимальное обратное напряжение на диоде
сердечник, из%за наличия взаимоиндукции индуктив% определяется как
ность в приведенном выше выражении заменяется
величиной 2L, и, таким образом, величину индуктив% U д обр = U вх max + U вых max .
ности следует рассчитывать по формуле Аналогично повышающему преобразователю по%
L U вх min Dmax стоянного напряжения средний ток выходного диода
L1′ = L2′ = = . равен выходному току. Рассеиваемая на диоде мощ%
2 2 ΔI L f пер
ность равна выходному току, умноженному на пря%
мое падение напряжения на диоде. Для повышения
Выбор силового МДП-транзистора КПД преобразователя рекомендуется использовать
Определяющими параметрами при выборе сило% диоды Шоттки.
вого МДП%транзистора являются:
• минимальное пороговое напряжение (Uпор (min)); Выбор развязывающего конденсатора для
• сопротивление сток%исток в открытом состоя% преобразователя SEPIC
нии (Rси); Выбор развязывающего конденсатора Сp для пре%
• заряд перехода затвор%сток (Qзс); образователя SEPIC зависит от действующего значе%
• максимальное напряжение сток%исток (Uси (max)). ния тока, определяемого по формуле
Исходя из управляющего напряжения на затворе,
в преобразователе необходимо использовать МДП% U вых + U од
I C р д = I вых ⋅ .
транзисторы с пороговым напряжением на логичес% U вх min
ком или сублогическом уровнях.
Максимальное напряжение на силовом ключе оп% Конденсатор преобразователя SEPIC должен вы%
ределяется как бираться на большой действующий ток по отноше%
нию к выходной мощности. Это свойство делает
U си max = U вх + U вых ,
преобразователь SEPIC значительно более подходя%
а максимальный ток через транзистор задается вы% щим для применения в устройствах небольшой мощ%
ражением ности, где действующее значение тока, протекающего
через конденсатор относительно невелико (это каса%
I с max = I L1 max + I L2 max .
ется способов изготовления конденсаторов). Допус%
23
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
тимое напряжение конденсатора должно быть боль% нию тока. При поверхностном монтаже в качестве
ше максимального значения входного напряжения. выходного конденсатора рекомендуется использовать
Для поверхностного монтажа наилучшим образом танталовые, полимерные электролитические и поли%
подходят танталовые или керамические конденсато% мер%танталовые, либо многослойные керамические
ры, имеющие высокие допустимые значения действу% конденсаторы.
ющих значений токов при относительно малых
размерах. Электролитические конденсаторы можно Выбор входного конденсатора
использовать при монтаже в отверстия, когда размер Аналогично повышающему преобразователю, на
не столь критичен, а действующее значение тока до% входе преобразователя SEPIC установлен конденса%
пускает их применение. тор. Следовательно, входной ток преобразователя
Размах напряжения пульсаций на конденсаторе Сp непрерывный и имеет треугольную форму. С помо%
(в предположении отсутствия последовательного эк% щью дросселя обеспечиваются малые пульсации тока
вивалентного сопротивления) определяется как входного конденсатора. Действующее значение тока
I вых D max входного конденсатора определяется как
ΔU C р = .
C р f пер ΔI L
IC вх д = .
где Ср – емкость конденсатора Ср. 12
Входной конденсатор должен удовлетворять тре%
Выбор выходного конденсатора бованиям по действующему значению входного тока.
В преобразователе SEPIС при открытом транзис% Несмотря на то, что величина емкости входного кон%
торе VT происходит накопление энергии в дросселе, денсатора в преобразователе SEPIC не столь критич%
а выходной ток обеспечивается выходным конденса% на, конденсатор хорошего качества емкостью 10 мкФ
тором Свых. В результате пульсации тока выходного или более предотвратит взаимовлияние импедансов
конденсатора достаточно велики. Таким образом, с входным источником питания.
выбранный выходной конденсатор должен выдержи%
вать максимальное действующее значение тока, оп% Пример расчета преобразователя SEPIC
ределяемое соотношением
Схема преобразователя приведена на рис. 5. Па%
U вых + U од раметры преобразователя:
IС д = I вых ⋅ . – входное напряжение: Uвх = 3,0...5,7 В;
вых
U вх min
– выходное напряжение: Uвых = 3,3 В;
Эквивалентное последовательное сопротивление – выходной ток: Iвых = 2,5 А;
(Rэпс), расчетный срок службы и полная емкость вы% – частота переключений: fпер = 330 кГц.
ходного конденсатора оказывают непосредственное Для такого входного напряжения в качестве схе%
воздействие на пульсации выходного напряжения. мы управления использован контроллер LM3478
При допущении, что половина пульсаций вызвана (DA1).
эквивалентным последовательным сопротивлением, Порядок расчета.
а вторая половина величиной емкости (рис. 4), фор% 1. Определение максимального и минимального коэф
мулы для расчета минимальных значений сопротив% фициентов заполнения. Принимаем падение напряже%
ления (Rэпс) и емкости выходного конденсатора имеют ния на открытом диоде VD1 Uод = 0,5 В, тогда
вид
ΔU вых
Rэпс = ;
2(I L1 max + I L2 max )
2I вых D
C вых = .
ΔU вых f пер
где ΔUвых – напряжение пульсаций.
Выходной конденсатор должен удовлетворять тре%
бованиям по максимальному действующему значе%
24
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
5. Выбор развязывающего конденсатора. Действую%
U вых + U од 3,3 + 0,5
Dmax = = = 0,56 ; щее значение тока через конденсатор Ср определяет%
U вх min + U вых + U од 3,0 + 3,3 + 0,5 ся как
2. Расчет индуктивности дросселя. Величина тока Выбираем конденсатор емкостью 10 мкФ. При
пульсаций входного дросселя L1 этом размах напряжения пульсаций будет
0,4 I вых U вых 0,4 ⋅ 2,5 ⋅ 3,3 I вых D max 2,5 ⋅ 0,56
ΔI L = = = 1,1 А. ΔU C р = = −6 = 0,42 В.
U вх min 3 C р f пер 10 ⋅ 3,3 ⋅10 5
Тогда индуктивности дросселей L1 и L2 будут
6. Выбор выходного конденсатора. Действующее
U вх min Dmax 3 ⋅ 0,56 значение тока выходного конденсатора
L1 = L2 = L = = = 4,6 мкГн.
ΔI L f пер 1,1 ⋅ 3,3 ⋅10 5 IC = I C = 2,8 А.
вых Р
25
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
содержится график зависимости типового значения
порогового напряжения защиты по току от коэффи% 2πf перC выхU вых
2
(1 + D max )
Rк = =
циента заполнения. В рассматриваемом примере рас% k дт k уошU опU вх min D max
считанный коэффициент заполнения равен примерно
2π ⋅ 3,8 ⋅10 3 ⋅ 2 ⋅10 − 4 ⋅ 3,3 2 ⋅ (1 + 0,56)
0,5, поэтому для упрощения при расчетах использу% = = 523 Ом.
ется величина порогового напряжения ограничения 91 ⋅ 8 ⋅10 − 4 ⋅1,26 ⋅ 3 ⋅ 0,56
тока, Uпор = 130 мВ. Таким образом, сопротивление где Uоп = 1,26 В – опорное напряжение;
датчика тока будет kдт = 1/Rдт ≈ 100 А/В – коэффициент передачи дат%
U пор 130 чика тока;
R дт = = = 0,019 Ом. kуош = 800 мкСм – крутизна характеристики усили%
I с max 6,8
теля ошибки контроллера [1].
Для работы на частоте 330 кГц Rf = 50 ком. Величина емкости С к1 выбирается такой, чтобы
9. Расчет корректирующих звеньев. Для передаточ% обеспечить ноль корректирующего контура на одной
ной функции управление–выход преобразователя шестой частоты перехода
SEPIC с управлением по максимальному току полюс
1 1
нагрузки можно определить как 1/(2πRнCвых), а полюс C к1 = = = 330 нФ.
последовательного эквивалентного сопротивления 2πf пер Rк 2π ⋅ 3,8 ⋅10 3 ⋅ 523
выходного конденсатора как 1/(2πRпэсCвых), где Rн – Полюс в точке 1/(2πRкCк2) необходим для компен%
сопротивление нагрузки. Частота нуля характеристи% сации нуля эквивалентного последовательного сопро%
ки в правой полуплоскости задается выражением тивления выходного конденсатора. Таким образом,
U вых (1 − D max )2 3,3 ⋅ (1 − 0,56) C вых Rэпс 2 ⋅10 −4 ⋅ 3 ⋅10 −3
f 0 пп = = = 31 кГц. C к2 = = = 1,2 нФ.
πD max L2 I вых π ⋅ 0,56 ⋅ 4,7 ⋅10 −6 ⋅ 2,5 Rк 523
На амплитудно%частотной характеристике имеется
выброс на резонансной частоте контура, образованно% Литература
го конденсатором Ср и дросселем L2 преобразователя 1. LM3478 High Efficiency Low%Side N%channel
SEPIC и определяемой как Controller for Switching Regulators. – National
1 1 Semiconductor, September, 2001.
f рез = = = 23 кГц. 2. Wei Gu, Dongbing Zhang. Designing A SEPIC
2π L2C вых 2π 4,7 ⋅10 −3 ⋅10 −5 Converter. – National Semiconductor Application Note
Частота перехода выбирается меньшей из величин 1484, April 30, 2008.
f0пп/6, либо fрез
Аверин Сергей Владимирович, к. т. н., доцент кафедры
f рез “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел. 8(499) 158745759,
f пер =
= 3,8 кГц.
6 e7mail: acb@starlink.ru;
С помощью элементов Ск1, Ск2 и Rк сформирована Следков Юрий Германович, к. т. н., доцент кафедры “Мик7
корректирующая цепь, имеющая один ноль в точке роэлектронных электросистем” МАИ, тел. 8(499) 158749721,
1/(2πRкCк1), один полюс в точке начала координат и e7mail: dean3_dep5@mai.ru;
один полюс в точке 1/(2πRкCк2). Соловьев Игорь Николаевич, зав. кафедрой “Микро7
Выбор Rк производится для обеспечения необхо% электронных электросистем” МАИ, доцент, к. т. н., тел.:
димой частоты перехода: 8(499)158744726, e7mail: sin@mai.ru.
26
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
О. А. Коржавин, А. Т. Яхин
В последнее время появился большой интерес к распре7 применением двухлучевой системы включения мощ%
деленным системам электропитания как в военных и косми7 ных выпрямительных устройств типа ВУЛС [1].
ческих системах, так и для всех типов телекоммуникационного В предлагаемой статье рассматриваются условия
оборудования: электронных, радиотехнических и вычисли7 устойчивой работы ЭПУ таких безаккумуляторных
тельных комплексах и электронных АТС. РЭС, которые в будущем могут найти определен%
Постоянное увеличение электропотребления, основан7 ное распространение. Кроме того, анализ условий
ное на потребностях в блоках питания высокой плотности, устойчивости таких РЭС весьма ценен для многих
заставляет проектировщиков предлагать новые топологии электронных, радиотехнических и компьютерных
и вводить новшества в конфигурации электросети. Во мно7 комплексов.
гих электронных комплексах, например, с применением
VHSIС (сверхбыстродействующие микросхемы с высоким Блок-схемы распределенных систем
уровнем интеграции), блоки питания должны постоянно электропитания
обеспечивать нагрузку регулируемым низким выходным на7 Существует много вариантов построения тополо%
пряжением при большом выходном токе. Динамическая на7 гии (архитектуры) распределенных энергосистем
грузочная характеристика, представленная VHSIС чипами, (РЭС). В простейшем случае, такая топология имеет
делает непрактичными централизованные блоки питания с вид рис. 1.
токовыми шинами большой протяженности. Такой вариант РЭС приводится, например в [2, 3],
Распределенная энергетическая система (РЭС) значи7 и, очевидно, применим в случае, когда расстояния
тельно лучше позволяет учесть жесткие требования к элект7 между ведущим импульсным источником электропи%
ропитанию нагрузок с большими потребляемыми токами, тания, шинами и ведомым ИИЭ относительно неве%
обеспечивая высокие технические характеристики таких бло7 лики, что позволяет не применять развязывающие
ков питания (например, по габаритам, КПД и т. д.). входные фильтры перед каждым ведомым ИИЭ.
На рис. 1 изображены: ведущий ИИЭ с выходным
Распределенная система ЭАТС представляет собой сопротивлением Z 0 и три ведомых ИИЭ: ИИЭ%1,
мощный ведущий преобразователь (ведущий ИИЭ), ИИЭ%2, ИИЭ%3 с соответствующими входными со%
например, стабилизированный выпрямитель AC/DC противлениями Z11, Z12, Z13. Общее сопротивление,
типа ВБВ 380/60(48) В на токи 50, 100 А и обычно три оказываемое шинами на ведущий ИИЭ, Z1 равно па%
ведомых ИИЭ: ИИЭ%1 – 60/12 В, ИИЭ%2 – 60/+5В, раллельному сопротивлению всех ведомых ИИЭ.
ИИЭ%3 – 60/5 В, питающие многочисленные элект% Однако, во многих случаях на практике расстоя%
ронные микросхемы и цепи ЭВМ ЭАТС. Причем про% ние между ведущим и ведомым ИИЭ могут быть зна%
межуточная аккумуляторная батарея на 60(48) В в чительными. В таких случаях, как показано на рис. 2,
таких РЭС обычно отсутствует, что дает существен% представлен другой вариант топологии РЭС [4], где
ную экономию в средствах, но в то же время порож%
дает ряд серьезных проблем, связанных с устойчивой
работой системы ведущий%ведомые ИИЭ РЭС.
Очевидно, что для телекоммуникационных систем
связи типа ЭАТС такой безаккумуляторный вариант
ЭПУ может быть реализован только при:
первой особой группе внешнего электро%
снабжения,
наличии двух независимых вводов переменно%
го напряжения,
наличии автоматизированного включения ре%
зерва АВР на низкой стороне,
наличии не менее двух резервных автоматизи%
рованных дизель%электростанций и т. д.
Такие условия в прошлом позволяли создавать
ЭПУ мощных АТС по безбатарейному принципу с
Рис. 1. Блок схема простейшей РЭС
27
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
перед каждым ведомым ИИЭ, как, например, в элек% Коэффициент усиления дополнительного конту%
тронной АТС, устанавливается развязывающий вход% ра, определяющий степень взаимодействия двух рас%
ной фильтр. сматриваемых подсистем
Zs Z0
Общие вопросы анализа взаимодействия Tm = = . (2)
подсистем РЭС Z i Z1
Рассмотрим РЭС рис. 1 и 2 в виде системы, пока% Принимая, что F1 и F2 передаточные функции
занной на рис. 3. каждой из подсистем обеспечивают их устойчивость
Характеристики работы каждой подсистемы счи% в отдельности, т. е. корни характеристических урав%
таются известными и каждая в отдельности работает нений этих передаточных функций являются отри%
устойчиво. Требуется исследовать поведение (устой% цательными (или расположенными в левой
чивую работу) объединенной системы. полуплоскости комплексной плоскости) оценку ус%
Полная передаточная функция объединенной си% тойчивости объединенной системы (1) можно про%
стемы может быть выражена как произведение пере% водить по корням уравнения характеристической
даточных функций отдельных подсистем (F1 и F2), с системы 1 + Tm = 0.
учетом дополнительного контура с петлевым коэф% В соответствии с классической теорией автомати%
фициентом усиления Tm = Tдоп = Zs /Zi = Zвых /Z1 и име% ческого регулирования (теорией управления) это по%
ет вид [3, 5]: зволяет рассматривать T m (s) как коэффициент
усиления разомкнутой цепи замкнутой системы ре%
1
F12 = F1 ⋅ F2 , (1) гулирования. Поэтому к Tm(s) может быть применен
Z s /Zi критерий Найквиста для определения устойчивости.
где F12 – передаточная функция вход%выход рассмат% Из формулы (1) вытекают два условия:
риваемой РЭС; F12 ≈ F1 ⋅ F2 , когда Тт << 1; (3)
F1 – передаточная функция вход%выход подсис%
темы источника (ведущего ИВЭ); F1 ⋅ F2
F12 = , когда Тт >> 1. (4)
F2 – передаточная функция вход%выход подсис% Tm
темы нагрузки (ведомые ИИЭ%1, ИИЭ%2,
Если при объединении двух подсистем выполня%
ИИЭ%3 на рис. 1 или те же ИВЭ с входными
ется условие (3) для всех частот, две подсистемы прак%
фильтрами N1, N2, ..., Nk на рис. 2);
тически не влияют друг на друга. В этом случае
Zs = Z0 – полное входное сопротивление подсис%
объединенная система устойчива и ее анализ упро%
темы источника (ИВЭ%0);
щен, так как каждая подсистема может быть спроек%
Zi = Z1 – полное входное сопротивление подсис%
тирована независимо и свойства объединенной
темы нагрузки (результирующее сопро%
системы вычисляются из свойств каждой отдельной
тивление Z 11 , Z 12 , Z 13 на рис.1 или
подсистемы.
результирующее сопротивление Zвх на
Однако, в целом ряде случаев, в РЭС выполнение
рис. 2).
условия (3) не имеет места, или не может быть прак%
тичным, а иногда даже выгодно иметь Tm > 1.
Рассмотрим случай, когда Tm > 1 для некоторых
частот. Это условие не обязательно подразумевает
потерю устойчивости объединенной системы. Устой%
чивость ее может быть определена с помощью при%
менения критерия Найквиста к T m(s), путем
построения кругового годографа, пример которого
для устойчивой РЭС приводится ниже.
28
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
типов является зависимость (1). Применительно к Для расчета T(s) в данном случае нельзя пользо%
РЭС рис. 1 и 2 ведущими (подсистемой источника F1 ваться известными формулами, приводимыми, на%
рис. 3) в телекоммуникационных системах связи пример в [6]:
обычно являются стабилизированные выпрямители
T (s ) = α ⋅ k упт ⋅ k ШИМ ⋅W ф (s ) ,
типа ВУТ (выпрямитель управляемый тиристорный)
и ВБВ (выпрямитель буферный высокочастотный), 1
выпускаемые отечественной промышленностью на где W ф (s ) = + 1 ; Tф = L0C 0 ;
широкий номинал выходных параметров как по на% T s + 2ξTф s
ф
2 2
29
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Далее для расчета Z0(s) в соответствии с рис. 4 для В соответствии с этим передаточная функция вход%
схемы рис. 1 с учетом (6): выход малосигнальной модели ИСН с входным филь%
тром выражается зависимостью (11):
Z ф вых (s )
T (s ) = αK ШИМK у (s )W ф (s ) = KWф (s ) = = W р (s ) = αK у (s )K ШИМ (s )K кл (s )W э (s ) = K ⋅W э (s ) , (12)
Z ф вх (s )
а выражение для входного сопротивления ведомого
1/[sC0 + Yi (s )] (10) ИСН с входным фильтром при разомкнутой цепи об%
=K ,
R0 + sL0 + 1/[sC0 + Yi (s )] ратной связи на основании рис. 5
1 + T1 s Rн [s LC + s (RLС + L / Rн ) + 1]
2
K у (s ) = K у , + ,
1 + T2 s 1 + sCRн
приводимое для случая применения инерционно%ин% где Z вых (s) – выходное сопротивление входного
тегрирующего звена коррекции, само является час% фильтра N1 … Nk, зависит от типа его
тотнозависимой функцией. Однако в дальнейшем, с коррекции [11].
определенной погрешностью, будем полагать Аналогично рассчитываются Z2 раз … Zk раз.
Kу(s) = Kу = const. Таким образом, в случае однозвен% Далее рассчитываются Z1, Z2, ..., Zk, где Zk – входное
ного LC%фильтра для схемы рис. 1 получены все ис% сопротивление ведомого ИСН с входным фильтром при
ходные выражения для построения кругового замкнутой цепи обратной связи, определяемое как:
годографа Tm = Zs /Zi = Z0 /Zi и оценки устойчивости
такой РЭС по критерию Найквиста. Z k раз
Zk = . (14)
К сожалению, для схемы РЭС рис. 2 такого про% 1 + W р (s )
стого решения для 1/Zi(s) = Yi(s) получить нельзя, в
виду наличия перед каждым ведомым ИИЭ соответ% Суммарное входное сопротивление ведомых ИИЭ,
ствующего входного фильтра (N1 – Nk). с входными фильтрами, параллельно соединенных
Случай оценки устойчивости для схемы РЭС между собой:
(рис. 2). В [4] эта задача решается применением тео%
1 1 1 1
ремы Миддлбрука о дополнительном элементе [10] к = + +K+ . (15)
данной структуре, что приводит к весьма громоздким Z i (s ) Z 1 (s ) Z 2 (s ) Z k (s )
и не совсем очевидным зависимостям. Однако для С учетом (11)–(13) можно рассчитать Т(s) для схе%
РЭС рис. 2 можно с успехом применить эквивалент% мы рис. 2, как
ную схему замещения непрерывных динамических
звеньев системы входной фильтр – ИСН понижаю% Z ф вых (s ) Z i (s )
T (s ) = K =K . (16)
щего типа, подробно описанную в [11], т. е. восполь% Z ф вх (s ) R0 + sL0 + Z i (s )
зоваться схемой замещения рис. 5.
В соответствии с этой схемой а далее Z0(s), как для случая 1а.
Оценка же устойчивости РЭС рис. 2 происходит
(1 / sC ) || Rн аналогично РЭС рис. 1, т. е. построением кругового
W э (s ) = ,
D Z вых (s ) + Z 1Ф
2
годографа Tm = Z0 /Zi c использованием критерия
где Z1Ф(s) уже представлено выражением (8). Найквиста.
После преобразований получаем: В качестве иллюстрации приведенных выше за%
висимостей и формул для расчета устойчивости
Rн РЭС приведем численные примеры расчетов рас%
W э (s ) = . (11)
(1 + sRнC )[D 2 Z вых (s ) + Z 1Ф ] пределенной системы электропитания электронной
30
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
АТС МТ20/25 для питания двух секций конверто% Структурные схемы такой РЭС, состоящей из двух
ров ЭВМ (в случае отсутствия резервной аккуму% секций для питания конверторов ЭВМ электронной
ляторной батареи). АТС МТ20/25 приведены на рис. 6.
ЭПУ каждой секции конверторов ЭВМ состоит из То есть на структурных схемах рис. 6 от одного ве%
одного ведущего и трех ведомых ИИЭ при отсутствии дущего ИИЭ питается 12 ведомых ИИЭ, которые по
входных фильтров перед ведомыми ИИЭ, то есть ва% отношению к промежуточной шине 60 В включены
риант РЭС рис. 1. параллельно.
Параметры ведомых ИИЭ были взяты из [15]. В Расчет индуктивностей и емкостей LC%фильтров
качестве ведущего ИИЭ выбран высокочастотный ведущего и ведомых ИИЭ проводился по известным
буферный выпрямитель типа ВБВ. формулам [14], исходя из коэффициента пульсаций
Параметры выбранных ИИЭ: на их выходе КП ВЫХ.
0) Ведущий ИИЭ%0 типа ВБВ. Первичное пита% Результат расчетов как суммарного входного со%
ние переменным током 380/220 В, 50 Гц, вторичное противления всех 12 ведомых ИИЭ, питающихся от
выпрямленное стабилизированное напряжение промежуточной шины 60 В, так и выходного сопро%
U 0 = 60 В; I 0 = 50 A; P 0 = 3000 Вт; R н = 1,2 Ом; тивления ведущего ИИЭ, а также круговых годогра%
R э ≈ 0,01R н ; коэффициент стабилизации ВБВ фов Найквиста, проводился на ЭВМ в системе
К = 500–1000; КП ВЫХ = 0,03%; частота коммутации MathCAD по формулам как для первого варианта РЭС
ключевых элементов высокочастотного преобразо% (рис. 1), так и для второго варианта РЭС (рис. 2).
вателя DC/DC fк = 30 кГц. В целях упрощения рас% Для случая первого варианта РЭС на рис. 8 сплош%
четов в численном примере на выходе ВБВ ной линией изображена зависимость
принимался однозвенный LC фильтр с параметра%
1
ми L0 = 60 мкГн; С0 = 4000 мкФ; R0 = 0,06 Ом. Z вх ( f ) = Z i ( f ) = ,
1) Первый ведомый ИИЭ%1 (2 преобразователя): Y(f )
U1 = 12 В; I1 = 8 A; P1 = 96 Вт; Rн1 = 1,5 Ом; RL1 = Rэ1 = где Y(f) = 2Y1(f) + 8Y2(f) + 2Y3(f), а обозначения прово%
= 0,1Rн1; КП ВЫХ = 1%; ΣР1 = 2 Ч 92 = 192 Вт. Парамет% димостей соответствуют рис. 8б. На этом же рисунке
ры фильтра: L1 = 112 мкГн; С1 = 300 мкФ. пунктирной линией изображена зависимость Z0(f)
2) Второй ведомый ИИЭ%2 (8 преобразователей): рассчитанная по (5) и (9).
U2 = 5 В; I1 = 50 A; P2 = 250 Вт; Rн2 = 0,1 Ом; RL2 = Rэ2 = Как следует из графика рис. 7а при принятых па%
= 0,1Rн2; КП ВЫХ = 1%; ΣР2 = 8 ⋅ 250 = 2000 Вт. Парамет% раметрах ИИЭ имеет место взаимное влияние ведо%
ры фильтра: L2 = 20 мкГн; С2 = 1000 мкФ. мых ИИЭ на ведущий ИИЭ. Это выражается
3) Третий ведомый ИИЭ%3 (2 преобразователя): многократным пересечением кривых Zвх(f) = Zi(f) и
U3 = 5 В; I1 = 30 A; P2 = 150 Вт; Rн3 = 0,17 Ом; RL3 = Rэ3 Z0(f), причиной которых является влияние комплек%
= 0,1Rн3; КП ВЫХ = 1%; ΣР3 = 2 ⋅ 150 = 300 Вт. Парамет% сной нагрузки суммарного входного сопротивления
ры фильтра: L3 = 20 мкГн; С2 = 800 мкФ. всех видов ИИЭ на комплексное сопротивление ве%
∑P = ∑P + ∑P + ∑P
дущего ИИЭ.
1 2 3 =
Многократное пересечение указанных кривых
= 192 + 2000 + 300 ≈ 2500 Вт < 3000 Вт . приводит к тому, что годограф критерия Найквиста
Во всех ведомых ИИЭ величина коэффициента (рис. 8б) состоит из целого ряда пересекающихся
заполнения M = D = 0,8. фигур, что является признаком неустойчивости рас%
а б
Рис.6. Структурная (а) и структурно эквивалентная (б) схемы РЭС двух секций ЭПУ конверторов ЭВМ ЭТАС МТ20/25
31
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
а б
Рис. 7. Зависимости выходного сопротивления Z0(f) ведущего ИИЭ 0 с замкнутой обратной связью и входного сопротивления
параллельно включенных ведомых ИИЭ (а); амплитудно фазовый годограф критерия Найквиста для рассматриваемого случая (б)
а б
Рис. 8. Зависимости выходного сопротивления Z0(f) ведущего ИИЭ 0 с замкнутой обратной связью и входного сопротивления
параллельно включенных ведомых ИИЭ, но для случая весьма большой емкости на выходе ИСН 0 (а); Амплитудно фазовый годограф
критерия Найквиста для рассматриваемого случая (б)
сматриваемой РЭС. При этом по величине выходных чения заданного KПВЫХ, но и обеспечения устойчивой
пульсаций ведущий ИИЭ (при емкости фильтра работы самой РЭС.
C = 4000 мкФ) удовлетворяет заданному значению 3) Установкой индивидуальных входных фильтров
KП ВЫХ. перед каждым из ведомых ИИЭ, что устраняет вза%
Для придания устойчивости рассматриваемой РЭС имное влияние не только ведомых ИИЭ друг на дру%
возможны 3 варианта: га, но и на ведущий ИИЭ.
1) Установка аккумуляторной батареи параллель% Третий вариант означает, что построение устойчи%
но промежуточной шине 60 В. вой РЭС следует проводить по схеме рис. 2 и пользо%
2) Значительное увеличение выходной емкости ваться формулами для ее расчета.
LC
фильтра ведущего ИИЭ. Для упрощения расчетов было принято, что в схе%
Как следует из рис. 8а при C = 12000 мкФ имеет ме рис. 8б участвуют только 8 ИИЭ%2 (самая мощная
место только двукратное пересечение кривых Zвх(f) градация в нагрузке РЭС), а в качестве выходных
и Z0(f), что приводит к тому, что годограф Найкви% фильтров схемы рис. 2 используются фильтры с оп%
ста состоит только из одной круговой фигуры типа тимальной RC%коррекцией.
эллипса. Схема такого скорректированного входного филь%
Так как он не охватывает критическую точку тра имела вид рис. 9 [11].
(–1; j0), то рассматриваемая РЭС является устойчи% Для такого фильтра [11]
вой.
Таким образом, для устойчивой работы РЭС рис. sLвых (1 + sRр nC вх )
1 параметры ведущего ИИЭ (как однозвенного, так и Z вых (s ) = ,
s LвхC nRр + s 2 (1 + n)LвхC вх + sRр nC вх + 1
3 2
вх
двухзвенного) следует выбирать не только для полу%
32
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
где R вх = 0,1 Ом; L вх = 2,5 мГн; С вх = 300 мкФ; питающих параллельно соединенные ведомые
Rр = 2 Ом; n = 3; D = 0,8. ИИЭ%1, ИИЭ%2, ИИЭ%3 и т. д.
Так как в схеме рис. 2 все ИИЭ%2 и их входные h Оценку устойчивости любой распределенной
фильтры соединены параллельно, то в формуле (13) системы электропитания, при устойчивости ведуще%
принималось, что Zi(f) = Z2(f)/8. го и ведомых ИИЭ в отдельности, целесообразно про%
Зависимости Zвх(f) = Zi(f)/8 и приведены для рас% водить, анализируя корни характеристического
сматриваемого случая на рис. 10а, а годограф Найк% уравнения 1 + Z0/Zi = 0 с учетом как амплитуды, так и
виста в виде эллипса, не охватывающего точку фазы соответственно для выходного сопротивления
(–1; j0), приведен на рис. 10б. ведущего ИИЭ (Z0) и суммарного сопротивления па%
Таким образом, рассматриваемая РЭС является раллельно соединенных ведомых ИИЭ, питающихся
устойчивой даже при величине выходной емкости от промежуточных шин (Zi).
фильтра ведущего ИИЭ равной 4000 мкФ. Практически наиболее просто эти условия (учета
В заключении отметим, что исчерпывающего реше% модуля и фазы) можно учесть с помощью амплитуд%
ния топографии (архитектуры) сети оптимальных РЭС но%фазового годографа критерия Найквиста для от%
и их расчета пока полностью не разработано, в виду их ношения Тт = Z0/Zi, учитывающего как амплитуды,
большого разнообразия и сложности. Поэтому предла% так и фазы этих сопротивлений.
гаемую статью следует рассматривать как одно из воз% h При параметрах LC%фильтра ведущего ИИЭ,
можных решений этой сложной проблемы. обеспечивающих требуемую величину коэффициен%
та пульсаций на его выходе РЭС схемы рис. 1 обычно
Выводы неустойчива, что выражается появлением автоколе%
h При расчете выходного сопротивления ведуще% баний на выходе ведущего ИИЭ при отсутствии их на
го ИВЭ для вычисления петлевого коэффициента выходе всех ведомых ИИЭ. Однако увеличение ем%
контура обратной связи по напряжению следует при% кости LC%фильтра ведущего ИИЭ в 3–4 раза приво%
нимать за нагрузку сглаживающего LC%фильтра ком% дит такую РЭС в устойчивое состояние.
плексное сопротивление промежуточных шин, h Предложена оригинальная методика расчета пе%
редаточной функции и выходного сопротивления ве%
дущего ИИЭ для РЭС рис. 2 с входными фильтрами
перед каждым ведомым ИИЭ.
h Применение в схеме РЭС рис. 2 рационально
рассчитанных входных фильтров с соответствующи%
ми цепями коррекции, позволяет обеспечить устой%
чивость такой РЭС при минимальном значении
а б
Рис. 10. Зависимость выходного сопротивления Z0(f) ведущего ИИЭ 0 с замкнутой обратной связью с учетом влияния всех входных
фильтров ИИЭ (а); амплитудно фазовый годограф критерия Найквиста для рассматриваемого случая
33
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
емкости выходного LC%фильтра ведущего ИИЭ, не% дов VII международной научно%технической конфе%
обходимой только для получения требуемого значе% ренции «Физика и технические приложения волно%
ния коэффициента пульсаций на его выходе. вых процессов». Самара, 2008. с. 370–371.
9. Middlebrook R. D. Input filter considerations in
Литература design and application of switching regulators. – IEEE
1. Бокуняев А. А., Горбачев Б. В., Китаев В. Е., Кол
PESC, 1977, pp. 36–57.
канов М. Ф. и др. Электропитание устройств связи. – 10. Middlebrook R. D. Null double injection and the
М.: Радио и связь. 1988. extra element theorem. – IEEE Transactions on education,
2. Wildrick C. M., Lec F. C., Cho B. M., Choi B. A vol. 32, no. 3, p. 167–180, august 1989.
method of defining the load impedence specification for 11. Донкеев С. С., Коржавин О. А Оценка влия%
stable distributed power system. – IEEE Transactions on ния входного фильтра на работу импульсных источ%
power electronics. Vol. 10. No 3, 1995, pp 280284. ников электропитания// Электросвязь. 2005, № 10,
3. Дмитриков В. Ф., Сергеев В. В., Самылин И. Н. с. 23–26.
Повышение эффективности преобразовательных и 12. Головацкий В. А. Транзиторные и импульсные
радиотехнических устройств. – М.: Радио и связь, усилители стабилизаторы постоянного напряжения.
2005, 424 с. – М.: Сов. радио, 1974.
4. Martin Florez
Lizarra and Arthur F. Witulski. Input 13. Lewis L.R., Cho B.H. and Lee F.C. “Modeling,
filter design for multiple%module DS power systems. – analysis and design of distributed power systems” –
IEEE Transaction on power electronics. Vol. 11. No 3, Power Electronics Specialist Conference, 1989, Record
1996, pp. 472–479. pp. 152–159.
5. Schulz S., Cho B. H., and Lee F. C. Design 14. Китаев В. Е., Бокуняев А. А., Колканов М. Ф.
consideration for a distributed power system. – Virginia Расчет источников электропитания устройств связи.
Power Electronics Center. Blacksburg, Virginia 24061, pp. – М.: Радио и связь. 1993.
611–617. 15. Шарапов Ю. К., Ковляков В. К. Отечественные
6. Коржавин О. А. Динамические характеристики телекоммуникационные системы, М. Логос. 2005.
импульсных полупроводниковых преобразователей и
стабилизаторов постоянного напряжения. – М.: Ра%
дио и связь, 1997. Коржавин Олег Аркадьевич, доцент кафедры ОКиТРТС
7. Hisanaga K., Hazada K. Stability analysis of Поволжского государственный университет телекоммуника7
distributed power architecture including the intermediate ций и информатики (г. Самара), тел. (846)332779709, e7mail:
bus converter. – The 2005 international power electronics korg@epus.psati.ru;
conference, 2005, pp. 1130–1136. Яхин Айдар Тагирович, аспирант кафедры ОКиТРТС По7
8. Коржавин О. А. К оценке устойчивости распре% волжского государственный университет телекоммуникаций
деленной системы электропитания. // Тезисы докла% и информатики (г. Самара), e7mail: frenzy_88@mail.ru.
34
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Цифровые системы управления тиристорными преобра7 вок с питанием от энергосистем ограниченной мощ%
зователями постоянного тока (ТП) по сути дела переносят на ности с нестационарными параметрами.
язык «цифры» известные алгоритмы аналогового управления, Система управления ТП по своей структуре прак%
например, систем импульсно7фазового управления “верти7 тически не отличается от традиционных синхронных
кального” типа [1], сохраняя при этом их базовые недостатки, многоканальных систем импульсно%фазового управ%
касающиеся низкой помехоустойчивости информационных и ления для преобразователей с раздельным управле%
синхронизирующих каналов регулирования, а также чувстви7 нием [1]. В ее состав (рис. 1а) входят блоки
тельности к изменениям амплитуды и частоты напряжения синхронизации БС%А, БС%В, БС%В для каждой из фаз
сети. А, В, С напряжения сети, цифро%аналоговые генера%
торы пилообразного напряжения ЦАГ с генератором
Функциональная схема тиристорного G несущей частоты, фазосдвигающие устройства
преобразователя ФСУ, формирователи импульсов ФИ управления си%
На кафедре электропривода и автоматизации про% ловыми тиристорами, распределитель импульсов РИ,
мышленных установок Южно%Уральского государ% усилитель мощности импульсов управления УИ, ре%
ственного университета разработан адаптивный ТП, гулятор Р, переключатель характеристик ПХ, датчик
предназначенный как для промышленных объектов напряжения ДН, датчик нулевого тока ДНТ, блок си%
с “проблемной” сетью, так и для автономных устано% ловых тиристоров БСТ с группой “Вперед” (“В”) и
Рис. 1. Упрощенная функциональная схема реверсивного тиристорного преобразователя с адаптивной интегрирующей системой
управления (а) и базовая структура его информационных элементов (б)
35
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
“Назад” (“Н”), а также не показанные на рис. 1а ло% кая развязка ОР (рис. 2), выходной сигнал которой
гическое переключающее устройство ЛПУ, контур подается на дополнительный релейный элемент РЭ
тока с датчиками тока, комплекс селективных защит и сглаживающий фильтр Ф. К числу недостатков по%
от аварийных режимов работы преобразователя и ло% добных структур следует отнести необходимость в
гический ограничитель минимального и максималь% двух потенциально разделенных источниках электро%
ного углов управления. питания ИП1 и ИП2.
Рис. 2. Функциональная схема датчика тока (напряжения) на Рис. 3. Структурная схема (а) и временные диаграммы сигналов
основе интегрирующего развертывающего преобразователя (б–ж) интегрирующего развертывающего датчика нулевого тока
36
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
кой “1” (рис. 3ж), длительность которой соответ% ±A – амплитуда выходных импульсов РЭ.
ствует нулевому уровню тока нагрузки ВП. Наличие При работе в режиме внешней синхронизации РП
интегратора в прямом канале ДНТ и его работа в ре% приобретает динамические характеристики адаптив%
жиме насыщения исключает ложные срабатывания ного апериодического звена первого порядка вида
датчика под воздействием импульсных помех, что ха%
1
рактерно для ДНТ компараторного типа. W ( p) = ,
Использование в качестве информативной коор% 1 + TЭ p
динаты РП переменной составляющей выходных им%
где Т Э ≈ π ⋅Т С ⋅ АС /16 – эквивалентная постоянная
пульсов РЭ снижает жесткость требований к
дрейфовым параметрам интегратора и других элемен% времени РП;
тов ДНТ, что позволяет получить стабильный харак% TC – период сигнала синхронизации (сети) [7].
тер работы датчика при коэффициентах его Тем самым обеспечивается адаптивность дина%
пропорционального усиления на уровне 150–300. При мики УС к напряжению сети и исключается необ%
необходимости звенья Д, В, Ф и ПЭ могут быть заме% ходимость введения в схему синхронизации
нены на цифровую схему, определяющую длитель% дополнительных стационарных сглаживающих
ность импульсов на выходе РЭ и формирующую фильтров.
сигнал “1”, когда эта длительность достигает задан% Перевод РП, выполняющего функции ФСУ, в ре%
ного значения. жим вынужденных переключений производится от
генератора пилообразного напряжения ЦАГ, форми%
Переключатель характеристик рующего сигнал ведущей развертывающей пилооб%
В схемах ПХ на основе ОУ [6] переключение вет% разной функции Y И1 (t), синхронизированной с
вей статической характеристики «вход%выход» произ% напряжением сети через БС [8]. При этом сигнал YИ1(t)
водится, как правило, за счет коммутации входов ОУ, ЦАГ подается непосредственно на вход РЭ и приво%
что ухудшает метрологические характеристики ПХ из% дит к модуляции его порога переключения по закону
за остаточных параметров ключевых коммутаторов, сигнала YИ1(t), который в течение заданного интерва%
и делает его относительно трудоемким в настройке. В ла дискретизации T C достигает амплитуды
рассматриваемом ПХ (рис.4 а) РП дополняется бло% AC=A·TC/TИ1 (рис. 5б), где А – амплитуда выходных
ком Л логической функции «Исключающее ИЛИ» с импульсов РЭ; TИ1 постоянная времени, определяю%
фильтром Ф. Командный логический сигнал “0” и “1” щая темп нарастания ведущей развертки YИ1(t), при%
(для групп силовых вентилей “Вперед” (“В”) или чем TИ1 < TИ2.
“Назад” (“Н”) (рис. 4б) подается на второй вход бло% При включении ФСУ система переходит в режим
ка Л, формируя знак импульсов на входе сглаживаю% вынужденных колебаний с частотой сети, а интерва%
щего фильтра Ф, предназначенного для выделения
постоянной составляющей импульсов с выхода Л.
Например, при “В” = 0 (рис. 4б) среднее значение
выходных импульсов РП имеет положительный знак,
и в случае “Н” = 1 также оказывается положитель%
ным, несмотря на изменение знака сигнала на инфор%
мационном входе РП. В результате подобный ПХ
обладает достаточно высокими метрологическими
показателями и помехоустойчивостью, чему способ%
ствует наличие интегратора в прямом канале регули% а
рования РП.
37
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
переходного процесса, происходящего при условии
XВХ + X(t) = 0.
Ниже приняты следующие обозначения:
Х ВХ – нормированное значение постоянной со%
ставляющей сигнала управления ФСУ;
АП – нормированное значение амплитуды AП гар%
монической составляющей сигнала управления ФСУ;
F – нормированное значение частоты гармони%
ческой составляющей сигнала на входе ФСУ;
Δbi – нормированное значение амплитуды сигна%
ла ведомой развертки YИ2(t) на n%ом интервале диск%
ретизации ФСУ;
Т И2 – нормированное значение постоянной вре%
мени интегратора И;
Δα[n] – нормированное значение ошибки угла уп%
равления α тиристорами на n%ом интервале дискре%
Рис. 5. Структурная схема (а) и временные диаграммы
тизации ФСУ (рис. 5г).
сигналов (б–г) замкнутого интегрирующего
фазосдвигающего устройства
АП TC ⎡ t ⎤
Δb2n −1TИ 2 + sin ⎢πF (n − 1 + 2n −1 )⎥
πF ⎣ T ⎦×
t 2n −1 =
C
лы t2n % 1, t2n развертывающего преобразования (рис. 5б)
формируются как результат последовательного взаи% 1 − Х ВХ + TИ 2
модействия ведущего YИ1(t) и ведомого YИ2(t) с выхо% ⎛ t ⎞
да интегратора И сигналов развертки. В результате, × sin⎜⎜ πF 2n −1 ⎟⎟;
по истечении определенного числа периодов выход% ⎝ TC ⎠
ных импульсов Y(t) РЭ, определяемого соотношени%
t 2n = TC − t 2n −1 ;
ем постоянных времени TИ1, TИ2, их среднее значение
достигает нулевого уровня, а скважность равна 0,5. TC
При этом развертка YИ2(t) (рис. 5б) смещается отно% Δb1 = 0,5 (1 + Т И 2 );
TИ 2
сительно “нуля” на нормированную величину
ΔY И = ΔY И / A = 0,5TC (1 + Т И−21 ) /Т И1 , t 2n −1
Δb2n = ;
TИ 2
где Т И2 = Т И2 /Т И1 – относительное значение посто%
янной времени интегратора. t 2n −1
При подаче входного сигнала XВХ < 0, например, в Δb2n −1 = Δb2(n −1) + (1 + Х ВХ ) +
TИ 2
момент времени t0 (рис. 5а), совпадающий с перепа% (1)
дом выходного сигнала ЦАГ (рис. 5б), происходит АП TC ⎡ t ⎤ ⎛ t ⎞
+ sin ⎢πF (n − 2 + 2n −1 )⎥ sin⎜⎜ πF 2n −1 ⎟⎟;
последовательное смещение ведомой развертки в на% πF ⎣ TC ⎦ ⎝ TC ⎠
правлении, противоположном знаку X ВХ , причем
ΔYИ ≡ XВХ по причине наличия интегратора И в пря%
мом канале регулирования. Это приводит к измене% t 2n − 2
нию скважности выходных импульсов РЭ и, Δα[n] = 1 − ;
t ( 2n −1) X (t )= 0
соответственно, угла управления силовыми тиристо%
рами. Следует также отметить, что среднее значение
X ВХ
Y0 импульсов Y(t) за интервал дискретизации TC в ус% Х ВХ = ;
тановившемся режиме пропорционально величине А
XВХ. A
АП = П ;
На рис. 5а приведены временные диаграммы сиг% A
налов в ФСУ с учетом динамической составляющей T
X(t) входного сигнала, описываемые системой транс% F = C ;
TП
цендентных уравнений (1), полученных при условии, Δbi
что сигнал XВХ + X(t) (рис. 5а) прикладывается в мо% Δbi = ;
A
мент времени t0 начала очередного цикла разверты%
Т
вающего преобразования после завершения в ФСУ TИ 2 = И 2 .
Т И1
38
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
F = 0,5 ,
которое соответствует границе раздела области дос%
товерной передачи частот ОДП и области замедлен%
ной дискретизации ОЗД [5]. В ОДП фазосдвигающее
устройство, как и любая импульсная система, может
рассматриваться как некий аналог линейной систе%
мы. В ОЗД ФСУ переходит в режим замедленной
дискретизации, частота выходной координаты ко%
торой меньше, чем частота динамического входно%
го воздействия.
Рис. 6. Пространство динамического состояния Однако амплитудная величина ошибки (2) уменьша%
Δα[1] = f (F , Х ВХ ,Т И2 = 10, АП = 0,1) для замкнутого интегрирующего ется с ростом частоты, что является качественным от%
фазосдвигающего устройства с внешней синхронизацией личием интегрирующих ФСУ от фазосдвигающих
устройств, например, “вертикального” типа [6], где уро%
вень ошибки (2) сохраняется практически неизменным
Анализ характеристики во всем диапазоне ОДЗ. Таким образом, интегрирую%
щее ФСУ обладает высокой помехоустойчивостью в
Δα[1] = f (F , Х ВХ ,Т И 2 = 10, АП = 0,1) , (2) ОДЗ по сравнению с ФСУ других классов. Замкнутый
характер структуры ФСУ обеспечивает независимость
приведенной на рис. 6 и полученной с помощью сис% величины ошибки (2) от полезной составляющей сиг%
темы уравнений (1), показывает, что первый ее мак% нала управления XВХ, а также от частоты сигнала синх%
симум приходится на значение ронизации (частоты сети), так как замкнутая структура
с интегратором в прямом канале регулирования всегда
стремиться поддержать на заданном уровне скважность
(угол управления тиристорами) своих выходных им%
пульсов.
Для повышения быстродействия ФСУ и ТП в це%
лом может быть использован канал параллельной кор%
рекции [9, 10]. В этом случае ФСУ также представляет
собой адаптивную к изменениям напряжения сети
систему [11], обеспечивая независимость характери%
стик ТП в широком диапазоне изменения частоты
сети, что весьма эффективно при работе на автоном%
а ных объектах, например, с дизель%генераторными
станциями ограниченной мощности.
Экспериментальные результаты
На рис. 7 приведены экспериментальные регу%
лировочные характеристики ТП с регулятором и без
регулятора напряжения (рис. 7а), а также логариф%
мическая амплитудно%частотная (рис. 7б) и фазо%
частотная (рис. 7в) характеристики с регулятором
напряжения. Здесь:
б v
U d = U d /U d ,MAX – нормированное значение выход%
ного напряжения ТП при его максимальной величи%
не Ud,MAX;
v
Х ВХ = Х ВХ / Х ВХ,MAX – нормированное значение
сигнала управления;
ХВХ,MAX – сигнал управления, соответствующий
Ud,MAX.
XВХ,MAX – сигнал управления, соответствующий Ud,MAX.
в Определение динамики ТП осуществлялось с по%
мощью прибора для снятия частотных характеристик
Рис. 7. Экспериментальные статическая (а), логарифмическая
амплитудная (б) и фазовая (в) характеристики реверсивного
“Вектор%2М” [11]. Промышленные испытания ТП
тиристорного преобразователя с регулятором напряжения производились на автономной буровой установке и
39
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
на транспортном объекте с питанием от дизель%гене%
раторной станции ограниченной мощности.
Разработанная система показала крайне высокий
уровень эксплуатационной надежности при целом
ряде экстремальных ситуаций, где ТП других типов
оказывались попросту неработоспособными. Так,
например, ТП сохранял свою работоспособность даже
при таких искажениях напряжения сети, которые по%
казаны на рис. 8.
Использование РП в качестве базового элемента
системы управления позволило обеспечить следую%
щие основные характеристики ТП:
¾ допустимый статический диапазон изменения Рис. 8. Осциллограммы напряжения сети и выходного сигнала
устройства синхронизации при совместной работе нескольких
частоты сети при автоматической подстройке тиристорных преобразователей на источник электропитания
параметров ТП: 30–80 Гц; ограниченной мощности
40
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
4. Схемотехника аналоговых и аналогово%цифро% 24; Заявлено 26.02.90; Опубл.10.03.92, Бюл. №9.
вых электронных устройств / Волович Г. И. // М.: ИД 11. Маурер В. Г., Цытович Л. И. Цифровой изме%
“Додэка%XXI”, 2005. 527 с. ритель амплитудно%фазочастотных характеристик
5. Активные фильтры / Хьюлсман Л.П. // Пер. с “Вектор%2М” // Приборы и техника эксперимента. –
англ. под ред. И.Н. Теплюка. М.: Мир, 1972. 516 с. М.: АН СССР, 1990. № 5, C.6.
6. Комплектные электроприводы станков с ЧПУ. 12. Элементы и устройства систем управления ти%
Справочное пособие./ Чернов Е.А., Кузьмин В.П.// ристорными преобразователями. / Цытович Л.И.,
Горький: Волго%вятское книжное издательство, 1989. Маурер В.Г. // Челябинск: Рекпол, 1998, 273 с.
320 с.
7. Развертывающий операционный усилитель с
перестраиваемой полосой пропускания. / Цытович
Л.И. // Приборы и техника эксперимента М.: АН
СССР, 1979. № 4. C.149–152. Цытович Леонид Игнатьевич, зав. кафедрой “Электро7
8. Преобразователи электрических параметров для привод и автоматизация промышленных установок” Южно7
систем контроля и измерения./Мартяшин А.И., Ша% Уральского государственного университета (ЮУрГУ, г.
хов Э.К., Шляндин В.М. // М.: Энергия, 1976. 390 с. Челябинск), профессор, д. т. н., тел.: 8 (351) 267793785; факс:
9. А.c. 1731014 СССР, Н02М7/155. Система им% 8 (351) 267796790; e7mail: tsli@susu.ac.ru;
пульсно%фазового управления / Цытович Л.И., Мау% Рахматулин Раис Мухибович, ведущий инженер кафед7
рер В.Г., Рахматулин Р.М. (CCCР).– № 4804663/07; ры электропривода ЮУрГУ, тел.: 8 (351) 267793721;
Заявлено 20.03.90; Опубл.15.04.92, Бюл. № 12. Дудкин Максим Михайлович, доцент кафедры электро7
10. А.c. 1730952 СССР, G06G7/12. Развертываю% привода ЮУрГУ, к. т. н., тел.: 8 (351) 267793721;
щий преобразователь / Цытович Л.И., Маурер В.Г., Качалов Андрей Валентинович, аспирант кафедры элек7
Захаров В.А., Рахматулин Р.М. (CCCР).– № 4795995/ тропривода ЮУрГУ, тел.: 8 (351) 267794732.
41
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
А. Е. Краснопольский, В. Б. Соколов
Рис. 1. Индуктивно емкостный ПРА Рис. 2. Векторная диаграмма ПРА (для эквивалентных синусоид)
42
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
будем придерживаться и в дальнейшем. В восьмиде% шо работают в версии MATLAB 7.7. На рис. 4 и 5 при%
сятые годы нами проводились расчеты “фазового” ведены схемы силовой и измерительной частей мо%
резонанса на ЭВМ единой серии. Однако, и тогда эти дели цепи 3a. Такое раздельное изображение удобно,
расчеты были весьма трудоемки и не получили рас% так как измерительная часть остается неизменной в
пространения. Положение существенно изменилось моделях цепей рис. 3б и 3в.
при использовании современных ЭВМ и моделиро% Силовая часть модели реализована при следующих
вании процессов “фазового” резонанса в системе параметрах: Us = 50 В; частота f = 50 Гц; R = 10 Ом;
MATLAB –Simulink. Было показано, что “фазовый” С =3,8 мкФ; L = 0,92 Гн. Значения L и C (резонансная
резонанс возникает как в последовательных, так и в частота f0 = 85,1 Гц и период T0 = 0,0117 с) соответ%
параллельных LC%цепях, при введении паузы в токе ствуют таковым в индуктивно%емкостном ПРА к лю%
или напряжении в различных элементах цепи или при минесцентной лампе мощностью 40 Вт, и будут
коммутации элементов цепи. Такой резонанс нами использоваться в дальнейшем при всех эксперимен%
используется в течении многих лет при конструиро% тах. Ключ К управляется триггером Тr и в исходном
вании стабилизаторов переменного напряжения [4]. состоянии замкнут. При изменении знака напряже%
ния на резисторе R триггер устанавливается в состоя%
Фазовый резонанс в последовательной LC-цепи ние “1” и с задержкой, определяемой Zd2, в состояние
В настоящей статье подробно рассмотрены зако% “0”.
номерности возникновения “фазового” резонанса в Задержка Zd1 исчезающе малой величины и шун%
последовательной LC%цепи. Это позволит понять ос% тирующие резисторы по 1 МОм нужны для коррект%
новные его свойства и способы расчета с использова% ной работы модели, и, практически, не оказывают
нием современных методов моделирования. влияния на результаты расчета.
“Фазовый” резонанс возникает в последовательной В измерительной части схемы блок 01 произво%
LC%цепи при наличии ключа, работающего синхронно дит расчет действующего значения напряжения, на%
и синфазно с напряжением питания Us. Работа ключа пряжения первой гармоники и ее фазы на резисторе
не должна нарушать законов коммутации для этой цепи: R. Осциллограмма напряжения регистрируется ос%
при размыкании ключа должна сохраняться непрерыв% циллографом. В блоке 02 рассчитываются те же па%
ность тока в индуктивности, при замыкании напряже% раметры для напряжения на конденсаторе C, в блоке
ния на конденсаторе. Условия коммутации должны 03 напряжение на дросселе L и ток в цепи. В блоке
выполняться при всех значениях величины активного 04 рассчитываются электрические параметры ключа.
сопротивления цепи, вплоть до нулевого значения На дисплеях (рис. 5) показаны электрические режи%
(R ≥ 0). Эти условия позволяют выделить в последова% мы цепи при Delta = 0,004128 с, что соответствует ре%
тельной цепи три схемы, в которых возможно возник% зонансу в цепи по первой гармонике (угол между
новение “фазового” резонанса (рис. 3). током и напряжением ϕ = 0,1572°).
Условия работы ключа для этих схем приведены в Расчеты показывают, что при резонансе период
таблице 1. при введении паузы
Все исследования проводились на моделях, пост%
роенных в системе MATLAB−Simulink, которые хоро% Tп = T0 + 2Delta = 0,02 с.
а б в
43
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Это соответствует периоду питающего напряжения ственно искажены. Поэтому о фазовых соотношени%
Us. Таким образом, создание паузы в токе, приводит к ях можно говорить только применительно к эквива%
понижению резонансной частоты, которая может лентным синусоидам или первым гармоникам.
быть согласовано с частотой питающего напряжения. Зависимости тока цепи от длительности паузы (а)
На рис. 6 показано, как происходит нарастание и от частоты (б) приведены на рис. 7. Эти зависимос%
тока и напряжений на элементах цепи при возникно% ти имеют выраженный избирательный характер.
вении паузы. До возникновения паузы (рис. 6а ) ток Здесь интересно отметить, что цепь с паузой (с
опережает напряжение питания. При возникновении “фазовым” резонансом) обладает большей избира%
паузы (при t = 1 с) фаза тока изменяется и постепен% тельностью (эквивалентной добротностью) нежели
но приближается к фазе питающего напряжения. В обычный LC%контур с теми же параметрами (рис. 7б).
установившемся режиме (рис. 6б) фаза тока и напря% На рис. 8 приведены осциллограммы при вклю%
жения питания совпадают. Из рисунка видно, что чении цепи, изображенной на рис. 3а, на перемен%
форма тока и напряжений на элементах схемы суще% ное напряжение 50 вольт. Во всех случаях измерялось
а б
Рис. 6. Изменение параметров при возникновении паузы: а – до возникновения паузы; б – в установившемся режиме
44
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
а б
а В
45
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Литература
1. Афанасьева Е. И., Зельдов М. Ю., Краснопольский
А. Е. Анализ причин выхода из строя светильников с
бесстартерными пускорегулирующими аппаратами. В
реферативном научно%техническом сборнике: Элек%
тротехническая промышленность: Серия «Светотех%
нические изделия». – М.: Информэлектро, 1971,
а б
вып.5, С. 23.
2. Волченко В. А., Краснопольский А. Е. Работа ин%
дуктивно%емкостного ПРА при дезактивированном
катоде люминесцентной лампы. – Светотехника,
Рис. 10. Три схемы “фазового”
резонанса в параллельной цепи
1974, № 6, С. 8–11.
3. Пускорегулирующие аппараты для разрядных
ламп / А. Е. Краснопольский, В. Б. Соколов, А. М.
Троицкий; Под общ. ред. А. Е. Краснопольского. –
М.: Энергоатомиздат, 1988, С. 63–70.
в 4. Краснопольский А. Е., Клыков М. Е., Синицин Г.
По правилам дуальности питание цепей осуществ% М. Стабилизаторы напряжения для светотехнических
ляется от источников тока. Условия работы ключа для измерений. – Калининград Светлогорск.: Тезисы
этих схем приведены в таблице 2. докладов на Шестой Международной светотехничес%
Модели этих цепей не приводятся, так как они постро% кой конференции. 2006, С. 154.
ены аналогично, рассмотренным выше. Так же аналогич% 5. Краснопольский А. Е., Соколов В. Б. Моделиро%
ны их электрические режимы. Формы напряжения и тока вание схем стабилизаторов переменного напряжения.
в параллельных цепях при “фазовом” резонансе отлича% – Практическая силовая электроника, № 28, 2007,
ются от формы в последовательных цепях, остальные за% С. 26–29.
висимости, практически, одинаковы с учетом дуальности 6. Краснопольский А. Е., Левин К. Ю., Соколов В. Б.,
цепей. Анисимова М. С. Прецизионные стабилизаторы на%
И, наконец, можно рассматривать и более слож% пряжения для светотехнических измерений. – Прак%
ные цепи, и ключ может подключать реактивные тическая силовая электроника, № 31, 2008, С. 37–39.
элементы: конденсаторы или дроссели. Модели та%
ких цепей нами будут рассмотрены в дальнейшем.
Здесь мы ограничимся только ссылкой на модели Краснополький Александр Евгеньевич, д. т. н., профес7
стабилизаторов переменного напряжения, в кото% сор кафедры “Электротехники и Электроники” МИСиС, тел.:
рых подключается дополнительный, коммутируе% 955701755;
мый дроссель. Такие модели опубликованы в Соколов Валерий Борисович, к. т. н., доцент кафедры
настоящем журнале [5, 6]. “Электротехники и Интроскопии” МЭИ, тел.: 362777747.
46
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
В статье рассмотрен способ исследования гармоническо7 (0–50 Гц) и высокочастотных (100 Гц, 150 Гц,
го состава токов дуговой сталеплавильной печи. Определены 200 Гц, 250 Гц, 300 Гц и т. д.) колебаний, а также ис%
эффективные способы компенсации негативного воздействия точником неактивной мощности.
нагрузки на питающую сеть. Для компенсации негативного воздействия на пи%
тающую сеть используются пассивные, активные и
Наличие нелинейных и нестационарных потре% гибридные сетевые фильтры. Большая мощность и
бителей электрической энергии в сетях обуславли% высокое напряжение цепей питания ДСП обуславли%
вает появление в сети неактивных составляющих вает использование тиристорных активных компен%
полной мощности. В настоящее время значитель% саторов неактивной мощности. Для выбора наиболее
ное распространение находят электротермические эффективных способов компенсации неактивных
установки, в том числе дуговые сталеплавильные составляющих полной мощности необходимо прове%
печи (ДСП): трехфазные печи, предназначенные сти подробный анализ гармонического состава токов
для плавления металла с высокой температурой ис% печи. При анализе использованы экспериментальные
парения. Мощность таких печей, рассчитанных на данные, полученные на ДСП мощностью 30 МВА,
питающее напряжение 35 кВ, составляет десятки эксплуатируемой на предприятии ООО “Новоросме%
МВА. Печь представляет собой трехфазную нагруз% талл”.
ку, соединенную в звезду без вывода нейтрали. Нор% Как следует из диаграммы рис. 1б, кривая фазно%
мальный режим работы печи сопровождается го тока характеризуется:
эксплуатационным коротким замыканием электро% 1. Низкочастотной модуляцией амплитуды и фазы
дов, нестационарным горением и обрывами дуги основной гармоники тока.
при расплаве, что приводит к неблагоприятному 2. Наличием высших гармоник в кривой тока и их
воздействию на питающую сеть: искажению фор% низкочастотной модуляцией.
мы токов и напряжений; несимметрии напряже% 3. Наличием в кривой тока на периоде сети посто%
ний и токов по фазам. янной составляющей, которая модулируется от пери%
Спектр определенного экспериментально фаз% ода к периоду с низкой частотой по вероятностному
ного тока печи представлен на рис. 1а, расчет спек% закону.
тра произведен на интервале длительностью 10 сек. Ниже анализируются два явления: модуляция по%
Кривая сетевого фазного тока на временном интер% стоянной составляющей тока на каждом периоде сети,
вале 1 с показана на рис. 1б. Анализ спектра и вре% вызывающая несимметричную загрузку сетевого
менных диаграмм сетевого тока различных фаз трансформатора [1], и модуляция первой гармоники
показывает, что ДСП представляет собой резко пе% тока сети, вызывающая колебания напряжения на
ременную стохастическую несимметричную нагруз% шинах питающей сети. Модуляции высших гармоник
ку, которая является генератором субгармонических тока не анализируются, т. к. данные гармоники нахо%
а б
Рис. 1
47
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
дятся в области пропускания пассивных резонансных постоянной составляющей на совокупности расчет%
фильтро%компенсирующих цепей и могут достаточ% ных отрезков времени составляет 90 А или 10 % амп%
но эффективно подавляться пассивными сетевыми литуды номинального тока печи.
фильтрами. Для определения корреляции постоянной состав%
Для анализа гармонического состава токов печи ляющей токов разных фаз рассчитаны коэффициен%
используется программа, написанная в пакете ты корреляции на различных временных интервалах
SharpDevelop 2.2, позволяющая загружать экспери% по формуле [3]:
ментальные диаграммы напряжений и токов печи,
снятые с объекта, и выводить гармонические со% N
а б
Рис. 2
48
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Определены параметры модуляции активной и длительностью 10 с. Исследования корреляционной
реактивной составляющей. Разброс амплитуд реак% зависимости амплитуд активной и реактивной со%
тивной составляющей первой гармоники тока в рас% ставляющих токов, а также зависимости амплитуд
сматриваемом примере составляет примерно от названных составляющих токов разных фаз пока%
200 А до 600 А, активной – от 600 А до 900 А. Обра% зали очень слабую корреляцию указанных величин.
ботка результатов расчета на различных временных Как показывают данные экспериментальных иссле%
интервалах работы печи показывает, что математи% дований системы электропитания ДСП, внутреннее
ческое ожидание отклонений амплитуды реактив% сопротивление прилегающей сети имеет практически
ной составляющей основной гармоники тока от индуктивный характер, при этом воздействие отклоне%
усредненной на расчетном временном интервале ний амплитуды реактивной составляющей основной
амплитуды равно 100 А, отклонения амплитуды ак% гармоники тока на амплитуду питающего напряжения
тивной составляющей соответственно 150 А. На значительно выше, чем влияние отклонений амплиту%
рис. 3б приведен спектр активной составляющей ды активной составляющей. В рассматриваемом при%
тока, а на рис. 3в – спектр реактивной составляю% мере экспериментально определенные параметры
щей, спектры определены на временном интервале внутреннего сопротивления сети равны: rc = 0,1 Ом; Lc
= 8,7 мГн. При этом математическое ожидание откло%
нений амплитуды питающего напряжения под воздей%
ствием отклонений реактивной составляющей
составляет 273 В, а от отклонений активной составляю%
щей 15 В.
Указанное позволяет заключить, что для уменьше%
ния фликерных колебаний напряжения сети необхо%
димо и достаточно осуществить стабилизацию
амплитуды реактивного тока системы “нагрузка се%
тевой фильтр”.
49
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
торного выпрямителя, на стороне постоянного тока цией силовых ключей. Такого рода компенсато%
которого подключен индуктивный накопитель энер% ры могут применять в дополнение к тиристорным
гии [4]. Один из схемных вариантов подобного актив% компенсаторам, описанным выше. Однако созда%
ного фильтра, подключаемого параллельно ДСП, ние активных фильтров с высокочастотной ком%
приведен на рис. 4. мутацией в диапазоне напряжений и мощностей,
характерных для ДСП, при существующей но%
менклатуре полностью управляемых полупровод%
никовых приборов представляет собой весьма
сложную техническую задачу. Экономическая
эффективность использования компенсаторов на
полностью управляемых ключах нуждается в ис%
следованиях.
Заключение
Обосновано использование тиристорных компен%
саторов с параллельным активным фильтром на базе
трехфазного выпрямителя как способ компенсации
неблагоприятных воздействий на питающую сеть для
дуговых сталеплавильных печей.
Рис. 4
Литература
Несимметричное фазовое управление ключами 1. Иванов
Смоленский А. В. Электрические маши%
фильтра позволяет выравнивать потребление актив% ны. В 2%х т. Том 1. – М.: Изд%во МЭИ, 2004 г.
ной мощности по фазам и уменьшать колебания ам% 2. Харкевич А.А. Спектры и анализ. – М.: Физмат%
плитуд активной и реактивной составляющей тока гиз, 1962.
основной гармоники, тем самым не только умень% 3. Тутубалин В. Н. Теория вероятностей и случай%
шаются фликерные колебания напряжения сети, но ных процессов. – М.: Изд%во МГУ, 1992 г.
и значительно улучшаются режимы работы сетево% 4. Лабунцов В. А., Чаплыгин Е. Е. Компенсаторы
го трансформатора, что позволяет снизить затраты неактивной мощности на вентилях с естественной
на трансформаторное оборудование и уменьшить коммутацией. – Электричество, № 9, 1996 г.
потери.
Упомянутые выше тиристорные активные
фильтры с коммутацией на сетевой частоте в со% Чаплыгин Евгений Евгеньевич, к. т. н., доцент кафедры про7
ответствии с теоремой В. А. Котельникова [2] мышленной электроники МЭИ, e7mail: ChaplyginYY@mpei.ru;
способны подавлять лишь субгармонические со% Ковырзина Олеся Сергеевна, аспирант кафедры про7
ставляющие токов ДСП в диапазоне до 25 Гц. мышленной электроники МЭИ, инженер ОСУ АО “Ансальдо7
Подавление гармоник искажения с более высо% ВЭИ”, e7mail: kovyrzina@ansaldovei.ru;
кими частотами возможно лишь при применении Мологин Дмитрий Сергеевич, вед. инженер, зам. нач.
активных фильтров с высокочастотной коммута% ОСУ АО “Ансальдо7ВЭИ”, e7mail: mologin@ansaldovei.ru.
50
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
В. В. Крючков
51
№ 2 (34) Практическая силовая электроника 2009 г.
Публикация в сборнике бесплатна для авторов. Текст без расстановки переносов в словах;
Язык журнала – русский. Межстрочный интервал: одинарный;
Для публикации статьи необходимо предоставить: Отступ первой строки: 0,5 см;
заявление от автора (авторов) в электронном и Выравнивание текста: по ширине;
бумажном видах; Исполнение формул: редактор формул (стиль
статью в электронном (в формате не выше MS Word математический). Обозначения в тексте по
2003) и бумажном видах. возможности не делать в редакторе формул;
Статья должна содержать: Шрифт обозначений устройств (C – конденсатор,
заголовок; VD – диод, L – дроссель и т.п.) – прямой:
цель; y цифровое окончание обозначения устройства
текст с иллюстрациями, который может быть разбит (C1, VD2 и т. п.) – не в индексе, шрифт
на разделы; прямой;
заключение; y буквенное, цифровое+буквенное окончания
список литературы (если есть); обозначения устройства (CД, Lm1 и т. п.) – в
информацию об авторе (авторах) (Ф.И.О., название индексе, шрифт прямой.
организации, телефон, адрес электронной почты). Шрифт обозначений параметров (C – емкость,
I – ток, L – индуктивность и т. п.) – наклонный:
Документы в электронном виде должны быть отправ% y буквенное, цифровое, буквенное+цифровое
лены по e%mail: pse@mmpirbis.ru или sin@mai.ru окончания обозначения устройства (I1, LS, Uупр1
Документы в бумажном виде должны быть отправле% и т. п.)
ны по адресу: 111024, г. Москва, Андроновское шоссе, y в индексе, цифровое и буквенное русское
дом 26, ЗАО "ММП%Ирбис". окончание – шрифт прямой, буквенное
латинское окончание – шрифт наклонный;
Требования к оформлению статей:
Формат иллюстраций: .tif, .eps, .ai (просьба
Поля: верхнее, нижнее – по 2 см; левое – 3 см, прилагать отдельными (оригинальными) файла%
правое – 1,5 см; ми, дублируя в тексте статьи). Подписи к рисункам
Шрифт: Times New Roman, размер: 10; не вносить в рисунки.
52