Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Биполярным данный транзистор называется из-за того, что в физических процессах, протекающих
во время его функционирования, участвуют оба типа носителей заряда – и электроны, и дырки.
Это оказывает влияние на принцип управления выходным сигналом. В биполярных транзисторах
выходными параметрами управляет ток, а не электрическое поле, как в полевых (униполярных).
Если рассматривать плоскую модель БТ, то радиокомпонент представляет собой две области с p-
или n-проводимостью (эмиттер и коллектор), разделённые тонким слоем полупроводника с
проводимостью обратного знака (база). Полупроводниковый кристалл со стороны коллектора
физически крупнее. Такое соотношение обеспечивает правильную работу биполярного
транзистора.
При подключении эмиттера и коллектора к источнику питания создаются почти все условия для
протекания тока. Однако свободному перемещению носителей заряда препятствует база, и для
устранения этой помехи на неё подаётся напряжение смещения. В базовом слое полупроводника
возникают физико-химические процессы электронно-дырочной рекомбинации, в результате
которой через базу начинает течь небольшой ток. В результате p-n-переходы открывают путь
потоку носителей заряда от эмиттера к коллектору.
Если ток, протекающий через базу, меняется по какому-то закону, то точно так же изменяется и
мощный ток между эмиттером и коллектором. Следовательно, мы получаем на выходе
биполярного транзистора такой же сигнал, как и на базе, но с более высокой мощностью. В этом и
состоит усилительная функция биполярного транзистора.
Режимы работы.
Существует 4 режима, в одном из которых может работать биполярный транзистор. В этот список
входят следующие:
1. отсечка;
2. активный режим;
3. насыщение;
4. барьерный режим.
1. Отсечка.
В том случае, если разность потенциалов между эмиттером и базой ниже некоторого значения
(примерно 0.6 Вольт), то база-эмиттерный p-n-переход оказывается закрытым, поскольку ток базы
не возникает. В связи с этим коллекторный ток не протекает по той причине, что в базовом слое
отсутствуют свободные электроны. Таким образом, транзистор переходит в состояние отсечки и
сигнал не усиливает. Этот режим используется в цифровых схемах, когда БТ работает как ключ в
положении «разомкнуто».
2. Активный режим.
В этом режиме радиокомпонент усиливает сигнал, то есть исполняет свою основную функцию. На
базу подаётся разность потенциалов, которая открывает база-эмиттерный p-n-переход. Как
следствие, в транзисторе начинают протекать токи коллектора и базы. Значение коллекторного
тока вычисляется как арифметическое произведение величины тока базы и коэффициента
усиления.
3. Насыщение.
В этот режим биполярный транзистор входит при увеличении тока базы до некоего предельного
значения, при котором p-n-переходы полностью открываются. Значение тока, протекающего через
БТ при его насыщении, зависит лишь от питающего напряжения и величины нагрузки в
коллекторной цепи. В данном режиме входной сигнал не усиливается, ведь коллекторный ток не
воспринимает изменений тока базы. Способность транзистора к переходу в насыщение
используется в цифровой технике, когда БТ играет роль ключа в замкнутом положении.
4. Барьерный режим.
Здесь транзистор работает как диод с последовательно включённым резистором. Для этого базу
напрямую или через малоомное сопротивление соединяют с коллектором. В данном режиме
триоды хорошо показывают себя в высокочастотных устройствах. Кроме того, использование
транзистора в барьерном режиме целесообразно на реальном производстве для снижения общего
количества комплектующих.
Схема с общим коллектором по-другому называется эмиттерным повторителем. Это связано с тем,
что разность потенциалов на коллекторе и эмиттере оказываются практически равными. При
таком включении наблюдаются большое усиление по току, высокое входное сопротивление и
совпадение фаз входного и выходного сигналов. Вследствие этого эмиттерные повторители
используются в согласующих и буферных усилителях.