Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Tunelny Diod
Tunelny Diod
Екатеринбург, 2023
Цель работы
Изучить явление резонансного туннелирования, исследовать влияния
параметров резонансно-туннельного диода на его выходные характеристики.
Практическая часть
Вариант 2. Провести моделирование, варьируя размеры спейсеров в
пределах 10–50 нм с шагом 10 нм. Исследовать влияние размера спейсеров
на изменение энергетической диаграммы, ВАХ, графика плотности заряда,
коэффициента пропускания и отследить изменение волновой функции.
При: 10нм
Рисунок 1-
Диапазоны, коэф. пропускание, плотность тока
Рисунок 2 – Вольт-амперная характеричтика
Рисунок 4 - Плотность
заряда
Рисунок 5 – Волновая функция
При: 20нм
При: 30нм
Рисунок 12 - Диапазоны, коэф. пропускание, плотность тока
Вывод
В результате выполнения данной лабораторной работы мы исследовали
изменение энергетической диаграммы, вольтамперных характеристик в
которой видим снижение тока с ростом спейсеров, плотность заряда
увеличивается, и отследили изменение волновой функции, которая в свою
очередь уменьшается с увеличением спейсеров и растет длина.