Дисциплина электроника

Лабораторный практикум №1
по теме: «Исследование характеристик и параметров
полупроводниковых диодов»

Шавиш Тарек
Группа ИУ7и-31б

Цель исследования:
Заполучить микросхему в программе анализа схем Micro-Cap 12 и изучить
статические характеристики кремниевого полупроводникового диода с целью
определения параметров модели полупроводниковых диодов. Освоить программу
MathCAD для вычисления параметров модели полупроводниковых устройств на
основе данных экспериментальных исследований.

Параметры диода

В данной лабораторной работе используется диод с номером 109, типа KD103B.

Параметры данного диода приведены на прикрепленном скриншоте.
Variant 109
.Model KD103B D(Is=87.08p N=1.21 Rs=1.13 Cjo=8.58p Tt=4.15e-9
+ M=0.31 Vj=0.72 Fc=0.5 Bv=75 IBv=1e-11 Eg=1.11 Xti=3)
 Получение ВАХ в программе Micro-Сap

создадим схему как для прямой, так и для обратной ветви в

программе Micro-Cap:

Рис. 2. Цепь для прямой ветви Рис. 3. Цепь для обратной ветви
создав графики на основе данных схем с указанными настройками:

Рисунок 1 Снятие ВАХ с прямой ветви

график для обратной ветви.

Рисунок 2 Снятие ВАХ с обратной ветви

Чтобы получить только числовые результаты вычислений в нужном формате,

выполните программную настройку параметров вывода, перейдя в окно Properties ->
Numeric Output.
Пункт № 2:
После получения необходимых графиков, необходимо настроить правильный
вывод данных, который можно будет импортировать в программу MathCAD.
В результате, содержимое нашего файла состоит только из чисел.

-1.2435485E-30 1.2423050E-31
19.9800200 3.9960040
39.9600400 7.9920081
59.9400599 11.9880121
79.9200799 15.9840163
99.9000999 19.9800205
119.8801199 23.9760251
139.8601398 27.9720303
159.8401598 31.9680369
179.8201797 35.9640466
199.8001996 39.9600627
219.7802193 43.9560931
239.7602387 47.9521541
259.7402574 51.9482816
 279.7202747 55.9445528
299.7002889 59.9411355
319.6802964 63.9383923
339.6602892 67.9371089
359.6402504 71.9389861
379.6201431 75.9477063
399.5998875 79.9712427
419.5793107 84.0268570
439.5580389 88.1519176
459.5352622 92.4273066
479.5092290 97.0280190
499.4761527 102.3323487
519.4278622 109.1565672
539.3467966 119.2550207
559.1955340 136.3661531
578.8957665 168.3129310
598.2897491 230.8540668
617.0832856 353.3797649
634.8028082 583.1994564
650.8607376 979.0123141
664.7900702 1.5874720
676.4731662 2.4203307
686.1260624 3.4560064
694.1122306 4.6581882
700.7907341 5.9910057
706.4563928 7.4250064
711.3341963 8.9377138
715.5917497 10.5123842
719.3537261 12.1365628
722.7136866 13.8009027
725.7427753 15.4982967
728.4958852 17.2232611
731.0159937 18.9715022
733.3372224 20.7396115
735.4870183 22.5248469
737.4877274 24.3249760
739.3577451 26.1381613
. Результаты измерений
Открываем MathCAD после получения такого файла.

Пункт № 3

С помощью функции "Трассировка" мы извлекаем координаты трех точек на

графике и записываем их в переменные Ud(1,2,3) и Id(1,2,3). Затем, используя
метод трех ординат, проводим приблизительные расчеты объемного
сопротивления базы (Rb), теплового потенциала (NFt) и обратного тока (Io).
Вычислить параметры модели полупроводникового диода с использованием
метода Майнера. С помощью функции "Трассировка" скопировать координаты
четырех точек с переменными Ud(1,2,3,4) и Id(1,2,3,4). Установить начальные
приближения для неизвестных параметров Rb, Is0, m, Ft. Функция Minerr находит
оптимальные приближенные значения неизвестных, обеспечивая минимальную
погрешность. Результаты записываются в вектор Diod_Plut.
Для создания графика, основанного на параметрах полупроводникового диода,
вычисленных с использованием метода Minerr, мы определяем функцию Idiot,
которая связывает ток диода и его напряжение. Мы строим экспериментальную
VAH и теоретическую VAH на одном и том же графике. В результате графики
находятся довольно близко друг к другу.