Введение

Один из важнейших функциональных элементов различных радио-

технических комплексов – радиоприемное устройство (РПУ), которое на
фоне помех принимает, усиливает и преобразовывает радиосигналы для их
дальнейшей обработки.
Область применения РПУ разнообразна. Так, например, современная
коротковолновая радиосвязь обеспечивает различные службы: сеть радио-
вещания; служебные линии наземных станций спутниковой связи; службы
стандартных частот и сеть радиосвязи гидрометеослужбы; авиационную
связь земля – воздух и морскую связь берег – судно; магистральную, зоно-
вую и местную радиосвязь; различные наземные подвижные радиослужбы
и т.п.
За последние годы накоплен значительный опыт в проектировании
РПУ, который базируется на знании таких основных вопросов, как: матема-
тические модели и свойства сигналов и помех; методы анализа и синтеза
линейных и нелинейных электрических цепей; теория и расчет антенно-
фидерных устройств; условия распространения радиоволн; усиление, гене-
рирование и обработка электрических колебаний; электромагнитная со-
вместимость радиотехнических систем и устройств различного назначения;
принципы конструктивного исполнения функциональных узлов радиоэлек-
тронной аппаратуры с использованием как пленочной, так и полупроводни-
ковой технологии.
Реализация современных профессиональных РПУ основана на ис-
пользовании современной элементной базы: интегральные микросхемы и
микросборки, кварцевые и пьезокерамические фильтры, фильтры на по-
верхностных акустических волнах, усилители с повышенной линейностью
характеристик и малыми шумами.
Повышение качества и надежности, снижение массогабаритных пара-
метров и энергопотребления, увеличение быстродействия обработки при-
нимаемых сигналов связано с нахождением оптимальных схем построения
функциональных узлов РПУ, что возможно только на основе машинного
проектирования.
Современные профессиональные РПУ должны отличаться высокой
универсальностью. Наличие конструктивно законченных функциональных
блоков способствует при различной их компоновке значительному расши-
рению применимости РПУ.
Одно из важных требований, предъявляемое в настоящее время к
профессиональным РПУ, – работа приемника в автоматизированной адап-
тивной системе в условиях полной неопределенности. Автоматизация про-
цессов управления приемником требует сокращения времени перестройки

3
РПУ, что может быть в какой-то мере реализовано, например, использова-
нием широкополосного преселектора с фильтровой настройкой.
Для решения задач, связанных с проектированием радиоприемных
устройств, студенты в процессе изучения курса «Устройства приема и об-
работки сигналов» должны освоить: физические основы приема радиосиг-
налов на фоне помех; принципы построения РПУ различного назначения;
функциональные узлы РПУ; основы теории и расчета отдельных блоков
РПУ и их параметров.

4
 1 СОСТОЯНИЕ И ОСНОВНЫЕ ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ
СОВРЕМЕННЫХ ПРОФЕССИОНАЛЬНЫХ
РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
Среди существующего многообразия радиотехнических устройств важ-
ное место занимают радиоприёмные устройства (РПУ). По своему назначе-
нию и технической реализации можно выделить две основные группы РПУ:
− бытовые, основное назначение которых заключается в высококаче-
ственном воспроизведении музыкальных и речевых передач;
− профессиональные, основные особенности которых:
− беспоисковое вхождение в связь и длительный бесподстроечный приём;
− устойчивость к воздействию помех различного вида и разного уровня;
− работа с изменяющимся в широких пределах уровнем входного сигнала;
− разнообразие видов работ, обеспечивающих и возможность адап-
тации, и связь с различными корреспондентами;
− высокая надёжность и стабильность основных характеристик.
Специфические условия распространения радиоволн в различном час-
тотном диапазоне и непрерывное стремление повышения экономической
эффективности радиолиний вызывают постоянное усложнение профессио-
нальных радиоприёмных устройств (ПРПУ).
Современные зарубежные ПРПУ представляют собой модуль, имею-
щий либо широкополосный вход с использованием фильтра нижних частот
и субоктавных фильтров, либо электронно-перестраиваемые узкополосные
преселекторы. Основные параметры ПРПУ, которые содержат линейный
тракт и демодулятор стандартных видов работ, следующие:
− время перестройки – 1–10 мс;
− коэффициент шума широкополосного тракта – 13 дБ;
− динамический диапазон по интермодуляции третьего порядка 85–
95 дБмкВ.
Вопрос о выборе оптимальной структуры ПРПУ сводится к анализу
и оптимизации структурных схем линейного тракта, синтезатора, устрой-
ства цифровой обработки сигналов и системы управления.
Развитие отечественных профессиональных РПУ исторически связа-
но с расширением их функциональных возможностей, в то время как зару-
бежные ПРПУ развивались в основном по пути упрощения, когда прием-
ник, по сути, выполняет только функции линейного широкополосного
тракта преобразования, усиления, фильтрации и демодуляции простейших
видов работы. С учётом бурного развития средств вычислительной техни-
ки расширение функциональных возможностей ПРПУ оказывается пред-
почтительным по сравнению с упрощением самого приёмника. Это под-
5
тверждает отказ ряда зарубежных фирм (например, Racal, Siemens, Plessey
Defence Systems, ...) от традиционных тенденций и следование по пути
расширения функциональных возможностей ПРПУ.
Требования, определяющие основные тенденции развития современных
профессиональных приёмников, можно сформулировать следующим образом.
Повышение помехоустойчивости радиоприёмного тракта за счёт:
− расширения динамического диапазона по интермодуляционным
искажениям;
− использования высокоизбирательных преселекторов и фильтров на
промежуточных частотах;
− снижения уровня шумов и комбинационных составляющих в спек-
тре гетеродинного узла.
Уменьшение времени перестройки по частоте, повышение ресурса пе-
рестроек и быстродействия системы управления, сопрягающихся с ЭВМ
комплексов связи.
Повышение линейности, стабильности и идентичности амплитудно-
частотных и фазочастотных характеристик радиотракта.
Расширение функциональных возможностей ПРПУ, в том числе:
− запоминание большого числа каналов приёма;
− регенерация и декодирование сигналов;
− формирование псевдослучайных последовательностей для синхрониза-
ции переключения частот в режимах программной перестройки частот (ППРЧ);
− введение программных и аппаратных модулей для оценки уровня
помех и качества приёма информации;
− обработка команд вызова и других форматов по управлению про-
цессом ведения связи.
Повышение надёжности, уменьшение потребляемой мощности, сни-
жение габаритов, массы, стоимости.
Улучшение удобства эксплуатации и ремонта за счёт внедрения само-
диагностики, расширения сервисных возможностей и использования мо-
дульных конструкций.
В настоящее время отечественная промышленность начала серийный
выпуск семейства профессиональных радиоприёмных устройств пятого по-
коления. На этом этапе в разработке ПРПУ сделан существенный шаг в их
качественном развитии. Эксплуатационно-технические [16] характеристики
ПРПУ четвертого поколения отечественного производства приведены в
таблице 1.1.
Основные достижения в отечественных ПРПУ четвертого поколения
следующие:
− повышение помехоустойчивости за счёт расширения динамическо-
го диапазона по интермодуляции (85–95 дБмкВ) и введение параметриче-
6
ской адаптации – системы автоматической регулировки чувствительности с
помощью электронных аттенюаторов;
− уменьшение времени перестройки (не более 10 мс), что является
определяющим для помехозащищённых режимов связи ПРПУ и ЧАД (час-
тотно адаптивная радиосвязь);
− наличие встроенной системы регенерации и оценки качества теле-
графных сигналов, обеспечивающей наряду с исправлением искажений
принимаемой информации непрерывный контроль качества канала связи.
Это позволяет развивать адаптивные свойства ПРПУ и радиоприёмных
комплексов в целом.
Основные параметры и характеристики лучших современных профес-
сиональных ПРПУ, которые рекламируются различными фирмами
(табл. 1.2.), представлены в таблице 1.3.
ПРПУ пятого поколения должны обеспечивать автоматическое (без
участия оператора и внешней управляющей аппаратуры) вхождение и веде-
ние радиосвязи, в том числе и в помехозащищённых режимах. Структурная
схема приёмника пятого поколения показана на рисунке 1.1.

Рис. 1.1. Структурная схема радиоприемника пятого поколения

Продолжаются интенсивные исследования по совершенствованию

существующих систем связи с помощью цифровой обработки сигналов
(ЦОС). Применение ЦОС не только улучшает технические характеристики,
но и существенно снижает производственные затраты благодаря заметному
сокращению (до 40%) комплектующих элементов по сравнению с аналого-
выми компонентами ПРПУ.
На рисунке 1.2 представлена функциональная схема линейного тракта
профессионального приёмника пятого поколения в декаметровом диапазоне [16].
ПРПУ пятогого поколения представляют собой семейство устройств
на разные диапазоны принимаемых частот (СДВ, СВ, KB, УКВ) и с разны-
ми функциональными возможностями в виде модификаций с унифициро-
7
ванными блоками. При этом модификации могут определяться и программ-
ным обеспечением, которое может быть встроенным или обеспечиваться от
внешнего устройства.

Рис. 1.2. Функциональная схема линейного тракта

профессионального приёмника пятого поколения

Таблица 1.1
Параметры отечественных ПРПУ
Тип ПРПУ и назначение
«Гелиос»
«Бриган- «Бриганти- «ПАНО-
«Ель» Универсальное
тина» на М» РАМА»
ПРПУ
Параметр Стационарные
Главное эксплутаци- Наземные и под- Чувстви- Избира-
вынесенные
онное ПРПУ на судах вижные службы тельная тельная
центры
морской подвижной гражданской модифи- модифи-
магистральной
радиосвязи авиации кация кация
связи
Диапазон
0,01…30 0,01…30 0,01…30 0,01…30 0,1…80 1.5…80
частот, МГц
А1А, А2А, A1A, A2A, A1A, A2A, A1A,A2A, A1A, A3E,
H2A, F3E, H2A, A3E, H2A, A3E, H2A,A3E, H3E, J3E,
H3E, J3E, H3E, J3E, H3E,J3E, J7B, J3E,J7B, F1B, F3EA,
Классы
J7B, J2B, J7B, J2B, J2B, F1B, G1B, J2B,F1B, G1B, R3E
принимаемых
F1B, F2B F2B, F2B, R3E,F2C, F2B,G1B
излучений
G1B, A3C G1B, A3C, B9W, B7B,
R3E B8E, J3C, J8E,
J2A
Коэффициент
шума, дБ, 16 16 10 10 10 16
не более:

8
 Окончание табл. 1.1
Тип ПРПУ и назначение
«Гелиос»
«Бриган- «Бриган- «ПАНО-
тина» тина М» РАМА»
«Ель» Универсальное
ПРПУ
Параметры ПРПУ Стационар- Наземные и
Главное эксплута- Чувстви- Избира-
ные вынесен- подвижные
ционное ПРПУ на тельная тельная
ные центры службы гра-
судах морской под- модифи- модифи-
магистраль- жданской
вижной радиосвязи кация кация
ной связи авиации
Уровень блокирующей помехи (при отсутствующих помехах)
дБмкВ,
не менее: 120
- 100 кГц 120 120 120 120 120 150(УКВ)
- 10% 150 150 - - - 140(УКВ)
Динамический диа-
пазон по интермоду-
ляции 3-го порядка,
дБ мкВ, не менее:
1. в полосе пропус-
– – – – 75 75
кания ПЧ1
2. в полосе пропус-
85 85 80 80 80 85
кания преселектора
3. при отстройке по-
мехи 95 95 – – – 95
более 5%
Время перестройки
по частоте, мс, не 30 200 30 30 10 10
более
Энергопотребление,
60 50 50 50 60 60
Вт, не более
Условия
эксплуатации:
- рабочая
температура, оС –10,.+50 –10,.+50 +5..+40 –10,.+55 –30,.+55 –30,.+55
о
- предельная, С –50,.+70 –50,.+70 –50,.+70 –60,.+70 –60,.+70 –60,.+70
Средняя наработка
на отказ, час, 5 000 5 000 10 000 8 000 5 000 5 000
не менее
Габариты
(ширина, 446 446 446 446 446 446
высота, 155 155 155 155 155 155
глубина), 420 377 420 420 420 420
мм, не более
Масса, кг, не более 23 15 21 21 24 24

9
 Таблица 1.2
Зарубежные ПРПУ
Страна Фирма ПРПУ
Серия 1161; модели 1650, 5600, 5700, 6100,
Eddystone Radio Ltd
6200
Великобритания
Rediffusiion Plessey R505, R800, R100, PRS2280, серия PVS3800
Racal (отделение США) RA1792, серия RA3700, RA6830, RA6793A
JTT Mackay Harris Cu- MSR5050, MSR5050A, RF-590, RF-230 серия
bic Communications R-3000, R-3500,R-3514,R-3515
США Rockwell Suternational HF-2050,851-1/851S-1A,
Collins HF-8050
Walking-Johnson Co WJ-8626A-4,WJ-8709
Rohde and Schwarz EK070,EK085,EK890
ФРГ AEG-Telefunken E-1700,E1800
Siemens AG CHR531,CHR535
Швеция SRT CR90,CR91,SR950
Нидерланды Philips RO153/RO156
Франция Thomson-CSF TRS-243
Skanti A/S R8001
Дания
Dansk Radio AS RX4000
Голландия Hollandse Signalappraten MO-320
Таблица 1.3
Параметры зарубежных ПРПУ
Страна, фирма, тип ПРПУ
Великобри-
США ФРГ
тания
Параметры
WJ-8626A4 R-300 E1800 EK890
RA3700
Watkins- Cubic Com- AEG Rohde &
Racal
Johnson Co, munications Telefunken Schwarz
Диапазон частот,
0,005–30 0,005–30 0,01–30 0,01–30 0,015–30
МГц
A1A, A3E, A1A, A3E, A1A, A3E,
A1B, A2A, A1B, A2A, A2A, F3E,
Классы
A3E, F3E, A3E, F3E, A2B, R3E, H3E, A2B, H2A, R2A, H2A,
принимаемых
A1A, J3E A1A, J3E J3E, F1B, B8E, H2B, H2E, J2A, R3E,
излучений
B7E, B9W R2A, J3E, F1B, H3E, J3E,
(SSB) F3E, F1C,F7B B9E, F1B
Коэффициент 13 (без пресе-
шума, 13 13 лектора), 18 (с 16 13
дБ, не более преселектором)
Субоктавные Субоктавные
Субоктав-
Субоктавные Субоктав- фильтры, фильтры,
Вход приемника ные
фильтры ные фильтры преселектор преселектор
фильтры
FS1700 FS890
Динамический
диапазон по ин-
термодуляции
3-го порядка, дБ 88,7 91,4 97 95 90
мкВ, не менее
(помехи за поло-
сой фильтра ПЧ1)

10
 Окончание табл. 1.3
Страна, фирма, тип ПРПУ
Великобри-
США ФРГ
Параметры тания
WJ-8626A4 R-300 E1800 EK890
RA3700
Watkins- Cubic Com- AEG Rohde &
Racal
Johnson Co, munications Telefunken Schwarz
Уровень блоки-
рующей помехи,
дБ мкВ:
нет данных 120 при
- субоктавные 134 (30 кГц) 136 (30 кГц) 120
F=100 кГц
фильтры,
- с преселектором 152 (10%) – –
Время перестрой-
20 нет данных 200 10 нет данных
ки, мс, не более
Электропотребле-
нет данных 35 60 35(25) 60–90
ние, ВА (Вт)
Рабочая
0…+50 –20…+60 –20…+40 –25…+55 –10…+55
температура, оС
Средняя наработка
на отказ, час, не 5000 5000 нет данных 14000 нет данных
менее
Габариты
(Ш*В*Г), мм, 241*135*552 216*138*560 433*132*465 483*133*460 133*483*450
не более
Масса, кг,
15,75 10 15 8 14
не более

11
 2 СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ
РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
Современные радиоприемные устройства (РПУ) в основном выпол-
няются по супергетеродинной схеме с одним (рис. 2.1а) или с двумя
(рис. 2.1б) преобразованиями частоты.

а)

б)
Рис. 2.1. Функциональные схемы современных РПУ:
ВЦ – входная цепь; УРЧ – усилитель радиочастоты; СМ – смеситель; Г – гетеродин; УПЧ –
усилитель промежуточной частоты; Д – детектор; ОУ – оконечное устройство.

Двойное преобразование частоты чаще всего применяется в профес-

сиональных РПУ, когда за счет выбора высокой первой промежуточной
частоты f П1 можно существенно ослабить зеркальную помеху
(σ ЗК > 60 дБ ). Выбор низкой второй промежуточной частоты позволяет
получить хорошую избирательность по соседнему каналу (σ ЗК > 70дБ ).
Радиолокационные РПУ в большинстве случаев выполняются по су-
пергетеродинной схеме с одним преобразованием частоты (рис. 2.2), где
БВС – блок видеосигналов. Антенна подключается к РПУ через разрядник
(Р), который автоматически переключает антенну с передачи на прием и
наоборот.

Рис. 2.2. Функциональная схема радиолокационного РПУ

12
 Проектирование РПУ следует начинать с разработки структурной
схемы преселектора, который состоит из входной цепи (ВЦ) и одного или
нескольких каскадов усилителей радиочастоты (УРЧ).
Выбор структурной схемы преселектора предполагает: расчет полосы
пропускания линейного тракта РПУ; определение количества колебатель-
ных контуров (КК) и их эквивалентной добротности по заданным требова-
ниям к избирательности по побочным каналам приема (по зеркальному ка-
налу); выбор активных элементов (АЭ) для усилителей радиочастоты и рас-
чет их параметров.
2.1 Расчет необходимой полосы пропускания
линейного тракта приемника
Ширина полосы пропускания (П) линейного тракта РПУ определяется
шириной спектра радиочастот принимаемого сигнала ( ПС ), доплеровским
смещением частоты сигнала ( ∆f Д ) и запасом полосы для учета нестабиль-
ности и неточности настройки РПУ ( П НС ).
П = ПС + 2∆f Д + П НС. (2.1)

Здесь П НС = 2 (δ fС )2 + (δ f Г )2 + (δ f Н ) 2 + ( f П ) 2 , (2.2)
где δ fС и δ f Г - нестабильность частот сигнала fС (обычно заданная) и
гетеродина f Г ; δ f Н и δ f П - неточности настройки частот гетеродина f Г
и усилителя промежуточной частоты f П .
Относительную нестабильность частоты гетеродина δ f Г f Г можно
определить по данным таблицы 2.1.
Таблица 2.1
Характеристики нестабильности гетеродинов
Относительная нестабильность
Тип гетеродина частоты в диапазоне
Ниже 30 МГц Выше 30 МГц
-3 -4
Без кварцевой стабилизации 10 –10 10-2–10-3
каскадный
Транзисторный

Одно-

С кварцевой стабилизацией 10-5–10-7 –

Многокаскадный с умножением
10-6–10-7 10-5–10-7
частоты и кварцевой стабилизацией
На туннельном диоде – 3·10-4–10-5
На отражательном клистроне – 3·10-3–10-6
Следует иметь в виду, что транзисторные однокаскадные гетеродины с
кварцевой стабилизацией частоты применяются на частотах не выше 10 МГц, а
13
без кварцевой стабилизации – не выше 500 МГц; транзисторные многокаскад-
ные гетеродины с умножением частоты и кварцевой стабилизацией – на часто-
тах до 10 ГГц; гетеродины с туннельными диодами – на частотах от 0,5 до
100ГГц; гетеродины на отражательных клистронах – на частотах от 3 до 50 ГГц.
Увеличивать стабильность необходимо в тех случаях, когда требуется
высокая чувствительность приемника, которая сильно падает за счет роста
запаса полосы П НС . Величина δ f Н = (0,003 − 0,01) f Г , а
δ f П = (0,003 − 0,01) f П .
Доплеровское смещение частоты сигналов, принимаемых от передат-
чика, который перемещается относительно приемника с радиальной скоро-
стью υ Р , равно
υ
∆f Д ≈ fC Р ,
С
где С ≈ 3 ⋅105 км с - скорость распространения радиоволн для сигналов,
ретранслируемых объектом, который перемещается относительно приемо-
передатчика.
При неподвижных приемниках и передатчиках относительно друг друга
∆f Д = 0 .
Если указанных мер стабилизации частоты гетеродина недостаточно,
то целесообразно применить автоподстройку частоты гетеродина (ЧАП) и
тогда полоса пропускания линейного тракта
2∆f Д + П НС
П = ПЧАП = ПС + , (2.3)
КЧАП
где КЧАП ≤ 15..25 - коэффициент частотной автоподстройки.
При использовании фазовой автоподстройки КФАП = ∞ и
2∆f Д + П НС
ПФАП = ПС + ≈ ПС . (2.4)
КФАП
В случае использования автоподстройки частоты гетеродина полоса
пропускания преселектора определяется из соотношения:
П ПР = ПС + 2∆f Д + 2(δ fС ) , (2.5)
а полоса пропускания УПЧ – из (2.3) или (2.4).
Если РПУ в процессе работы настраивается на частоту принимаемого
сигнала, то можно положить П ≈ ПС
Ширина спектра принимаемого сигнала зависит от вида модуляции
(табл. 2.2). Так, при приеме амплитудно-модулированных сигналов
ПС = 2FВ , (2.6)
14
а при частотной модуляции
ПС = 2FВ (1+ Ψ m + Ψ m ) , (2.7)
где FВ – верхняя частота модуляции; Ψ m = ∆f MAX FВ – индекс модуля-
ции; ∆f MAX – максимальная девиация частоты, которая зависит от назна-
чения РПУ. В частности, в средствах связи с подвижными объектами ис-
пользуется девиация частоты ∆f MAX = 5 кГц и ∆f MAX = 3 кГц .
Таблица 2.2
Виды модуляции
Тип Обозначение
модуляции
Тип поднесущей Дополнительные признаки
основной старое новое
несущей
Без модуляции – АО NON
Телеграфия Морзе – А1 А1А
Фототелеграф – А1 А1В
Тоновая Морзе – А2 А2А
Фототелеграф – А2 А2В
Телеграфия Морзе ОБП подавленная несущая A2J J2A
Фототелеграф ОБП подавленная несущая A2J J2B
ОБП частично подавленная
Телеграфия Морзе А2А R2A
несущая
Телеграфия Морзе ОБП без подавления несущей А2Н Н2А
ОБП автоматический прием А2Н Н2В
Две боковые полосы A3 А3Е
А ОБП частично подавленная
М А3А R3E
несущая
П Передачи речи
ОБП без подавления несущей А3Н Н3Е
Л
ОБП подавленная несущая А3J J3E
И
Т Две независимые боковые полосы АЗВ В8Е
У – А4 АЗС
Факсимильная
Д ОБП частично подавленная
связь (передача А4А R3C
Н несущая
изображений)
А ОБП подавленная несущая A4J J3C
Я Телевидение (изо- Две боковые полосы А5 A3F
бражение) С частично подавленной боковой А5С C3F
ОБП подавленная несущая A5J J3F
Частотно- ОБП частично подавленная
манипулированная несущая А7А R7B
многократная
ОБП подавленная несущая A7J J7B
телеграфия
Особые случаи – А9 АХХ
ДБП один канал с квантованной
или цифровой информацией A9J J2A
с модулированной поднесущей
Фототелеграф Аналогично A9J J2B
Телеуправление Аналогично A9J J2D
15
 Окончание табл. 2.2
Тип Обозначение
модуля-
ции Тип поднесущей Дополнительные признаки
старое новое
основной
несущей
Телеграфия без
модуляции на звуковых
частотах (частотная
манипуляция)
Телеграфия Морзе – F1 F1A
Ч Фототелеграф – F1 F1B
А Телеграфия путем
С вкл./выкл. звуковой
Т модулирующей частоты
О
Телеграфия Морзе – F2 F2A
Т
Фототелеграф – F2 F2B
Н
А Дальняя телефонная
– F3 FЗЕ
Я связь и радиовещание
СВЧ- и УВЧ-телефония с ФМ F3 G3E
И Один канал с аналоговой
F4 F3C
Л информацией
И Факсимильная связь с квантованной или цифровой
(передача изображений) информацией без модулирования F4 F1C
Ф поднесущей
А модулированная поднесущая F4 F2C
З Телевидение – F5 F3F
О Четырехчастотная
– F8 F7B
В дуплексная телеграфия
А Особые случаи – F9 FXX
Я Один канал с квантованной или
цифровой информацией без F9 F1D
И Телеуправление
модулирования поднесущей
М модулированная поднесущая F9 F2D
П Импульсная модуляция
У Без дополнительной модуляции Р0 P0N
несущей частоты
Л – P1D К1А
Ь
Модуляция амплитуды импульса P2D К2А
С Телеграфия
Длительности импульса Р2Е I2A
Н
А Фазы импульса P2F М2А
Я Модуляция амплитуды импульса P3D К2Е
Радиотелефония Длительности импульса РЗЕ L3E
Фазы импульса P3G V3E
Особые случаи
импульсной модуляции – P9 РXX
основной несущей

В таблице 2.3 приведена необходимая ширина полосы частот для раз-

личных классов излучения радиопередающих устройств.

16
 Таблица 2.3
Ширина полосы частот для различных классов излучения
Тип модуляции Необходимая ширина полосы частот
формула расчета параметр модуляции пример
Амплитудная модуляция
Радиовещание, АЗЕ П=2F F=10 кГц П=20 кГц
Телефония, АЗЕ П=2F F=3,4 кГц П=6,8 кГц
Радиовещание, R3E П=F F=6 кГц П=6 кГц
Телефония, НЗЕ П=F F=3,4 кГц П=3,4 кГц
F=2,7 кГц П=2,7 кГц
Телефония, J3E П=FВ-FН FВ =3,4 кГц, FН =0,З кГц П=3,1 кГц
FВ =2,7 кГц, FН =0,35 кГц П=2,35 кГц
Телеграфия П=КВ В=20 Бод П=100 Гц
Незатухающие K=5 для линий с замираниями П=60 кГц
колебания К=3 для линий без замираний
Телеграфия, А2А П=2F+5В F=0,9 кГц, В=20 Бод П=1,9 кГц
Телеграфия, J2A П=5В В=20 Бод П=100 Гц
Телеграфия, Н2А П=F+5В F=0,65 кГц, В=40 Бод П=0,85 кГц
Частотная модуляция
Телевидение, F2C Ширина полос те- Число строк – 625, ширина
(звуковое левизионных сис- полосы видеосигнала П=6,25 МГц
сопровождение тем указывается в 5 МГц: разнесение звуковой
и изображение) соответствующих несущей по отношению к
документах МККР видео несущей – 5,5 МГц
Телеграфия, F3F П=2,6Д+0,55В В=200 Бод П=1,41 кГц
для 1,5<m<5,5; F=500 кГц
П=2,1Д+1,9В m=0,5
для 5,5<m<20;
П=20Д+5В, m>20
Радиовещание, F3E П=2Д+2F Д=50 кГц, F=15 кГц П=130 кГц
Телефония, F3F П=2,4Д+2F Д=10 кГц, F=3,4 кГц П=30,8 кГц
Импульсная модуляция
PON П=0,86/(tуt) tу=0,1; t=l мкс П=8,6 МГц
К2А П=2F+ U/t F=1 МГц, t=1 мкс П=6 МГц П=10
M2А П=2Д Д=5 МГц МГц

2.2 Выбор промежуточной частоты и средств обеспечения

избирательности
На выбор промежуточной частоты f П влияют следующие ограничения:
− промежуточная частота f П должна лежать вне диапазона прини-
маемых частот fС MIN K fС MAX ;
− для получения хорошей фильтрации f П ≥ 10FВ , где
FВ – верхняя частота модуляции;
− выбор промежуточной частоты должен обеспечить малый коэффи-
циент шума усилителя промежуточной частоты в РПУ со смесителем на
полупроводниковых диодах и без УРЧ.
17
 Необходимо иметь в виду, что увеличение промежуточной частоты
приводит к следующим последствиям:
− улучшается избирательность по зеркальному каналу;
− расширяется полоса пропускания и, как следствие, ухудшается из-
бирательность по соседнему каналу;
− уменьшается входное сопротивление активных элементов;
− снижается коэффициент усиления каскада из-за уменьшения резо-
нансного сопротивления контура;
− ухудшается устойчивость усилителя промежуточной частоты.
Более низкая промежуточная частота позволяет:
− обеспечить более высокий коэффициент усиления;
− легче получить узкую полосу пропускания и тем самым повысить
избирательность РПУ по соседнему каналу;
− повысить устойчивость усилителей промежуточной частоты.
Предварительный выбор промежуточной частоты необходим для того,
чтобы выполнить заданные требования к подавлению зеркальной помехи,
что, в свою очередь, связано с определением количества контуров пресе-
лектора (входная цепь и усилитель радиочастоты).
Для радиовещательных РПУ умеренно высоких частот возможные
типовые структурные схемы преселекторов представлены на рисунке 2.3.

Рис. 2.3. Структурные схемы преселекторов

Более сложные схемы не используются из конструктивных и эконо-

мических соображений. Для обеспечения чувствительности радиовеща-
тельных РПУ достаточно применения одного каскада УРЧ.
В профессиональных диапазонных РПУ преселекторы реализуются по
более сложным схемам (рис. 2.4) с использованием либо одиночных конту-
ров, либо пар связанных контуров при связи, близкой к критической. Обыч-
но преселектор включает не более двух каскадов УРЧ, обеспечивающих не-
обходимую чувствительность РПУ.
Все контуры преселекторов выполняют с одинаковым затуханием.
Исключение составляют контуры входной цепи, служащие для согласова-
ния антенного фидера с входом РПУ. Затухание этих контуров в два раза
больше, чем у остальных.
Варианты 1, 3, 4, 7 и 8 (рис. 2.3 и 2.4) применяются в тех случаях, когда
наиболее важна высокая чувствительность РПУ, а варианты 2, 5, 6, 9, 10, 11
предпочтительнее при доминирующих требованиях к избирательности.
18
 Рис. 2.4. Преселекторы диапазонных РПУ
Увеличение количества контуров преселектора приводит к усилению
подавления зеркальной помехи, но при этом усложняется техническая реа-
лизация. Поэтому для выполнения заданного подавления зеркальной поме-
хи применяется двойное преобразование частоты при числе контуров пре-
селектора не более двух. Задаваясь в диапазоне КВ и УКВ эквивалентной
добротностью QЭ = 50 , можно определить
n
 2
  f C MAX + 2 f П f C MAX  
σ ЗК =  1+ QЭ2  −   , (2.8)
 fC MAX fC MAX + 2 f П 
   

где fC MAX – максимальная частота принимаемого сигнала; f П – проме-
жуточная частота; n – число контуров.
Из последнего выражения при заданной избирательности по зеркаль-
ному каналу σ ЗК определяется минимально возможное значение промежу-
точной частоты
fC MAX a − 2  a − 2  2 
f П MIN =  +   + a  . (2.9)
2  2  2 
 
σ ЗК 2/ n −1
Здесь a = .
QЭ
19
 Для одиночных колебательных контуров в преселекторе при больших
расстройках можно пользоваться следующим выражением:
n
 f fC MAX  
σ ЗК =  ЗК −  QЭ  .
 f
 C MAX f ЗК  
(2.10)

Схему преселектора, затухание его контуров и промежуточную часто-

ту позволяют определить рассчитанные нормированные характеристики
[35] при больших и малых обобщенных расстройках:
 f fC MAX 
ξ = QЭ  − . (2.11)
ЗК  fC MAX f 
 
Если промежуточная частота f П задана, то следует выбрать эквива-
лентное затухание контуров d Э ≥ 0,02 − 0,1 и определить обобщенную рас-
стройку зеркального канала:
fП  fC MAX + f П  1
ξ ЗК = 4
fC MAX  fC MAX + 2 f П  dЭ
(2.12)
 
при верхней настройке гетеродина и
fП  fC MAX − f П  1
ξ ЗК = 4
fC MAX  fC MAX − 2 f П  d Э
(2.13)
 
при нижней настройке гетеродина.
Полученные значения ξ ЗК позволяют при заданном ослаблении зер-
кальной помехи выбрать структурную схему преселектора 1–6 (рис. 2.5 а) и
7–11 (рис. 2.6 а).
Если промежуточная частота f П не задана, то, используя нормиро-
ванные характеристики (рис. 2.5 б и рис. 2.6 б), по заданной избирательно-
сти по зеркальному каналу σ ЗК с учетом выбранной структурной схемы
преселектора определяется обобщенная расстройка ξ = ξ ЗК . Полагая,
d Э = 0,02 − 0,01 рассчитывается промежуточная частота
f П ≈ 0,25ξ ЗК fC MAX d Э . (2.14)
Если значение f П получилось высоким, то нужно увеличивать число
контуров преселектора. При окончательном выборе f П целесообразно ру-
ководствоваться рекомендациями, связанными со стандартным рядом но-
минальных значений промежуточных частот: 80; 100; 115; 128; 215; 250;
450; 465; 500; 750; 900 кГц; 4; 5; 10,7; 30; 60 МГц.
20
 а) б)
Рис. 2.5. Нормированные характеристики избирательности

а) б)
Рис. 2.6. Нормированные характеристики избирательности

В диапазонных РПУ схемы преселектора и промежуточную частоту

необходимо выбирать для fC = fC MAX .

2.3 Выбор первых каскадов РПУ

Первые каскады РПУ обеспечивают требуемую чувствительность. Ес-
ли реальная чувствительность задана в виде ЭДС E A сигнала в антенне,
при которой отношение эффективных напряжений сигнал/помеха на выходе
РПУ больше минимально допустимого отношения γ ВЫХ или равно ему, то
следует определить допустимый коэффициент шума Ш Д из условия:

21
  E 2  
 A 2  − E П 2h Д П Ш 
 γ ВХ  
ШД ≤ , (2.15)
4kT0 П Ш R A
где γ ВХ – минимально допустимое отношение эффективных напряжений сиг-
нал/помеха на выходе РПУ; E П – напряженность поля внешних помех; h Д –
действующая высота приемной антенны; П Ш ≈ 1,1 П – шумовая полоса линей-
ного тракта; k = 1,38 ⋅10−23 Дж/град – постоянная Больцмана; T0 = 290 ° К –
стандартная температура приемника; R A – сопротивление приемной антенны.
Величина γ ВХ зависит от типа РПУ и связана функционально с γ ВЫХ
γ ВХ = ϕ (γ ВЫХ ) . (2.16)
Если реальная чувствительность задана в виде напряженности поля
сигнала E A в точке приема, при которой отношение сигнал/помеха на вы-
ходе РПУ больше или равно γ ВЫХ , то
 E 2  2 
 A  − E П  h 2
 γ ВХ
2  П Ш Д
 
ШД ≤ . (2.17)
4kT0П Ш RA
В том случае, когда реальная чувствительность задана в виде номи-
нальной мощности сигнала PA , отдаваемой антенной согласованному с ней
приемнику, при которой отношение сигнал/помеха на выходе РПУ больше
или равно γ ВЫХ , то
P T 
ШД ≤ 2 A −  A −1 , (2.18)
γ ВХ kT0 П Ш  T0 
где TA – шумовая температура антенны, характеризующая интенсивность
воздействующих на антенну внешних шумов (рис. 2.7). Здесь 1 – макси-
мальная шумовая температура; 2 – минимальная.
На рисунке 2.8 представлены следующие кривые:
1 – средний уровень атмосферных помех днем;
2 – ночью;
3 – при местной грозе;
4 – средний уровень промышленных помех в городах;
5 – в сельской местности;
6 – максимальный уровень космических помех.
22
 Если E П не задано, то ее можно найти из рисунка 2.8. При действии
одно временно нескольких источников помех с напряженностями поля
E П1, E П 2,... .
2 2 2 2
EП = EП 1 + E П 2 +K + E Пn
Так как TA и E П зависят от частоты, то расчет следует вести для
крайних точек диапазона.

Рис. 2.7. Шумовая температура Рис. 2.8. Внешние шумы антенны

Для обеспечения высокой чувствительности требуется минимальный

коэффициент шума приемника, для уменьшения которого необходимо: уве-
личивать коэффициент передачи фидера по мощности (уменьшить его дли-
ну и затухание); выбирать первые каскады приемника с малым коэффици-
ентом шума и большим коэффициентом усиления по мощности.
Как правило, усилители радиочастоты имеют меньшие коэффициенты
шума, чем преобразователи частоты. Однако введение и увеличение числа
каскадов УРЧ заметно усложняет РПУ, что особенно заметно на частотах вы-
ше 0,4 ГГц и при плавной настройке РПУ в широком диапазоне частот. По-
этому первые каскады необходимо выбирать из следующих соображений.
Если уровень внешних помех в антенне значительно больше приве-
денного к антенне уровня шумов приемника Ш 0 , получаемого даже при
отсутствии УРЧ, то не имеет смысла снижать коэффициент шума РПУ вве-
дением УРЧ. Такая ситуация возможна при приеме сигналов ниже 30 МГц.
Поэтому если окажется, что
2 2
EП h Д ≥ 5(4kT0 Ш 0R A) , (2.19)
то первым каскадом РПУ должен быть преобразователь частоты (ПЧ) со
смесителем и гетеродином на транзисторах.
Если неравенство (2.19) не выполняется, то необходимо рассчитать
допустимый коэффициент шума Ш Д согласно (2.15), (2.17) или (2.18). При
30 МГц ≤ fC ≤ 0,4 ГГц целесообразно выбрать преобразователь частоты на
23
транзисторе с наименьшим минимально достижимым коэффициентом шума
Ш MIN T и найти Ш ПЧ = 4Ш MIN Т из таблицы 2.4. При Ш ПЧ ≤ Ш Д в
качестве первого каскада можно использовать преобразователь частоты, в
( )
противном случае Ш ПЧ > Ш Д нужно добавить однокаскадный УРЧ на
транзисторе с общим эмиттером, у которого малый Ш minT и большое зна-
чение y21Э y12Э , определить для него Ш1 = 2Ш min T и
K P1 = 0,15 y21Э y12Э и найти
Ш ПЧ
Ш 0 ≈ Ш1 + . (2.20)
K P1
Если опять окажется, что Ш 0 ≥ Ш Д , то требуется еще один каскад
УРЧ на том же транзисторе. Тогда
Ш 2 −1 Ш ПЧ −1
Ш 0 ≈ Ш1 + + , (2.21)
K P1 K P1K P2
где Ш1s , Ш 2 , K P1 , K P2 – коэффициенты шума и передачи мощности 1-го
и 2-го каскадов УРЧ. Использование в преселекторе более двух каскадов
УРЧ нежелательно из-за усложнения РПУ.
При приеме сигналов на частотах выше 1,0 ГГц внешними помехами
можно пренебречь ( E П = 0 ). В этих случаях в качестве первого каскада це-
лесообразно выбрать преобразователь частоты на полупроводниковом сме-
сительном диоде. Так как преобразователь частоты на смесительном диоде
имеет K P ПЧ < 1 , то на коэффициент шума РПУ будут заметно влиять шу-
мы усилителей промежуточной частоты. Поэтому в первом каскаде УПЧ
имеет смысл использовать транзистор, включенный по схеме с общим
эмиттером, с малым Ш MIN T и большим значением y21Э y12Э .
Тогда
tC ШУПЧ 1 −1 tC + ШУПЧ1 −1
Ш0 ≈ + = . (2.22)
K P ПЧ K P ПЧ K P1K P2
Здесь ШУПЧ 1 – коэффициент шума первого каскада УПЧ, который
находится по таблице 2.4.
Если Ш 0 ≤ Ш Д , то в качестве первого каскада можно применить
преобразователь частоты с полупроводниковым смесительным диодом.
В том случае, когда Ш 0 > Ш Д ≥ 5 , в РПУ необходим один каскад
УРЧ на туннельном диоде (ТД) или на лампе бегущей волны (ЛБВ). УРЧ на
24
ЛБВ более устойчив и позволяет усиливать сигналы в широком диапазоне
частот, но имеет большие габаритные размеры и требует высокого напря-
жения питания.
Таблица 2.4
Коэффициенты шума типов каскадов
Максимально допус-
Минимально дости- тимый коэффициент
Частота, жимый коэффициент
Вид каскада передачи по мощно-
ГГц
шума, Ш MIN сти, K Р MAX

Усилитель на транзисторе с об- y21Э

≤0,4 2 Ш MIN T 0,15
щим эмиттером y12Э
Усилитель на транзисторе с об- y
≤0,4 2 Ш MINT 0,25 21Э
щей базой y12Э
2
0.2 y21 Э
Каскодный усилитель ≤0,4 2 Ш MINT
y12Э ( y12 Э + y22Э )
Регенеративный усилитель на
0,3–10 4–10 30–100
туннельном диоде
Усилитель на лампе бегущей
1–30 4,5–12 10–100
волны
Параметрический регенератив-
ный диодный усилитель без ох- 1–30 1,15–1,5 30–300
лаждения
Параметрический регенератив-
ный диодный усилитель, охлаж- 1–30 1,08–1,3 30–300
даемый жидким азотом
Парамагнитный усилитель, ох-
1–50 1,02–1,05 50–1000
лаждаемый жидким гелием
Преобразователь на транзисторе y21Э
≤0,4 4 Ш MIN T 0,07
с общим эмиттером y12 Э
Преобразователь на транзисторе y
≤0,4 4 Ш MIN T 0,09 21Э
с общей базой y12 Э
Преобразователь на туннельном
0,3–10 5–12 10–30
диоде
Преобразователь на полупровод- tC
1–40 0,1–0,2
никовом диоде K P ПЧ
1
1
Одноконтурная входная цепь –  KСВ 
K P ВЦ 1 + 
 KСВ OPT 

При наличии УРЧ можно выбрать преобразователь частоты со смеси-

телем на полупроводниковом диоде, если

25
 tC + ШУПЧ −1
Ш0 = Ш P + ≤ ШД . (2.23)
K P УРЧ K P ПЧ
В противном случае следует применить преобразователь частоты на
туннельном диоде.
Если из (2.22) получим Ш 0 > Ш Д , причем Ш Д < 5 , то возможно исполь-
зование одного из следующих УРЧ: параметрический без охлаждения и с охлаж-
дением или парамагнитный, при котором происходит резкое усложнение РПУ.
Преобразователь частоты необходимо выбрать со смесителем на полупро-
водниковом диоде, если окажется, что согласно (2.23) Ш 0 ≤ Ш Д . В противном
случае следует использовать параметрический преобразователь частоты.
В диапазоне принимаемых частот 0,4–1 ГГц в качестве первого каска-
да РПУ рекомендуется применить преобразователь на туннельном диоде,
если окажется, что
Ш 0 ≈ Ш ПЧ ≤ Ш Д (2.24)
В других случаях возможно использование однокаскадного УРЧ и
преобразователя частоты на туннельном диоде.
Следует отметить, что в случаях 4–6 при очень высоких требованиях к
чувствительности можно применить два и более каскадов УРЧ, однако это
приводит к значительному усложнению РПУ.
В таблице 2.4 приняты следующие обозначения:
tC – шумовое отношение полупроводникового диодного смесителя;
y21Э , y12Э , y22Э – прямая, обратная и выходная проводимости тран-
зистора (в преобразователях эти параметры берутся для промежуточной
частоты);
Ш MIN T – минимальный коэффициент шума транзистора;
KСВ и K СВ OPT – выбранное и оптимальное значение коэффициента
связи между антенной и входным контуром РПУ.
2.4 Определение поддиапазонов
Разделение общего диапазона частот РПУ на поддиапазоны необхо-
димо в том случае, когда отношение заданной максимальной частоты
f MAX всего частотного диапазона к минимальной частоте f MIN превыша-
ет значение коэффициента перекрытия, соответствующего классу проекти-
руемого радиоприемного устройства (табл. 2.5).
Отметим, что коэффициент перекрытия конденсатора переменной ем-
кости составляет 2,0–3.0; варикапа – 1,4–1,6; подстроечного конденсатора –
1,1; катушками переменной индуктивности – 1,5–2,0.

26
 Разбивая весь диапазон принимаемых частот на поддиапазоны, необ-
ходимо предусмотреть взаимное перекрытие по частоте в пределах (2–5)%
от интервала частот в поддиапазоне.
Таблица 2.5
Коэффициенты перекрытия РПУ различных классов
Диапазон Коэффициент перекрытия поддиапазона РПУ
частот РПУ I класс II класс III класс
ниже 100 кГц 2,5–3,0 2,5–3,2 2,5–3,5
100–1500 кГц 2,0–3,0 2,5–3,0 2,5–3,0
1500–6000 кГц 1,5–2,5 1,7–2,5 1,8–2,8
6–30 МГц 1,1–1,7 1,4–2,0 1,5–2,5
30–300 МГц 1,05–1,2 1,05–1,4 1,1–1,5

Как правило, в радиовещательных РПУ разбивка КВ диапазона осу-

ществляется так, чтобы были одинаковые коэффициенты перекрытия, а в
профессиональных – равные частотные интервалы ∆f ПД .
При равных коэффициентах перекрытия во всех поддиапазонах
K ПД число поддиапазонов определяется следующим образом:
lg( f MAX f MIN )
N= , (2.25)
lg K ПД
а при равных частотных интервалах
f −f
N = MAX MIN . (2.26)
K ПД
В современных РПУ настройка обычно осуществляется конденсатором пе-
ременной емкости. Тогда коэффициент перекрытия поддиапазона (или диапазона)
зависит от значений максимальной СK MAX и минимальной СK MIN емкости
СK MAX
KД = . (2.27)
СK MIN

2.5 Расчет чувствительности РПУ

Чувствительность радиоприемного устройства в диапазоне СВЧ
обычно выражается в единицах мощности (мкВт, мВт)
PA = 4kTШ 0γ ВЫХ ∆f , (2.28)
а в остальных диапазонах – в единицах напряжения (мкВ, мВ)
E A = 4kTR A Ш 0γ ВЫХ ∆f , (2.29)
где PA – чувствительности РПУ по мощности, мкВт, мВт; E A – чувствитель-
ность РПУ по напряжению, мкВ, мВ; Ш 0 – коэффициент шума РПУ; k – по-

27
стоянная Больцмана; T – абсолютная температура; γ ВЫХ – требуемое пре-
вышение мощности сигнала над мощностью шумов на выходе РПУ; R A – ак-
тивное сопротивление антенны, кОм; ∆f – полоса пропускания РПУ, кГц.
На этапе предварительного расчета сопротивление антенны выбирает-
ся в пределах 75–200 Ом, а требуемое превышение сигнала над помехой за-
висит от назначения РПУ (табл. 2.6).
Таблица 2.6
Требуемое превышение мощности сигнала над мощностью шумов на выходе РПУ
Назначение РПУ γ ВЫХ
Связной (АМ-сигналы) 9–100
Радиовещательный (АМ-сигналы) 50–1000
Телевизионный 50–1000
РПУ телеграфных сигналов:
а) на слух 0,5–4,0
б) буквопечатание 9–100
РПУ ЧМ-сигналов 3–10
Радиолокационный 0,5–10
РПУ импульсной радиорелейной станции 3–10

Чаще всего задача определения чувствительности сводится к расчету

коэффициента шума РПУ:
Ш1 −1 Ш 2 −1
Ш 0 = Ш ВХ + + + ... , (2.30)
K P1 K P2
где Ш ВХ – коэффициент шума входного устройства с учетом первого актив-
ного элемента; Ш1 – коэффициент шума первого усилительного каскада;
K P1 – коэффициент усиления по мощности первого каскада; Ш 2, K P2 – коэф-
фициенты шума и усиления по мощности второго каскада соответственно и т.д.
На этапе предварительного расчета можно Ш 0 выбрать из рекомен-
даций (табл. 2.7).
Таблица 2.7
Коэффициент шума РПУ в зависимости от частоты
Рабочая частота, МГц Ш0 Ш 0 , дБ (по мощности)
30 1,5–5 1,3–7
60 2–6,5 3–8
100 3,5–15 5–12
600 10–25 10–15
3000 10–50 10–17
10000 15–100 12–20

На коротких и средних волнах

EA =
1
8K ВХ ( RШ + RОЕ ) ∆f γ ВЫХ , (2.31)

28
где E A – чувствительность, мкВ; ∆f – полоса пропускания, кГц; K ВХ – ко-
эффициент передачи напряжения входной цепи; γ ВЫХ – отношение мощно-
сти сигнала к мощности шума на выходе РПУ; RШ – сопротивление шумов
первого активного элемента, кОм; RОЕ – резонансное эквивалентное сопро-
тивление контуров на входе первого усилительного каскада, кОм.
2.6 Особенности линейного тракта РПУ
с двойным преобразованием частоты
РПУ с двойным преобразованием частоты могут быть реализованы по
трем основным направлениям:
− с фиксированной настройкой;
− с перестройкой частоты первого гетеродина и фиксированными зна-
чениями первой и второй промежуточных частот и частоты второго гетеро-
дина (при необходимости перестраиваются контуры входной цепи и УРЧ);
− с перестройкой частот второго гетеродина, УПЧ1 (если нужно, то
перестраиваются контуры входной цепи и УРЧ).
В первом случае полоса пропускания линейного тракта РПУ опреде-
ляется в виде:
П ≈ ПC + 2∆f Д + 2 (δ fC ) 2 + (δ f Г1) 2 + (δ f Г 2 ) 2 , (2.32)
где δ f Г1 и δ f Г 2 – нестабильности частот 1-го и 2-го гетеродина;
f Г1 и f Г 2 – частоты первого и второго гетеродина;
Для получения гетеродинных напряжений, подводимых к первому и
второму смесителям частоты, можно применить общий задающий генера-
тор. Если для первого преобразования f Г1>fC , а для второго f Г 2 >f ПЧ 1 ,
(или наоборот), то нестабильности частот гетеродинных напряжений час-
тично компенсируются и полосу пропускания линейного тракта можно су-
зить и брать равной
П ≈ ПC + 2∆f Д + 2 (δ fC ) 2 + (n2δ f Г 0) 2 − (n1δ f Г 0) 2 . (2.33)
Здесь n1 и n2 – номера гармоник частоты задающего генератора, исполь-
зуемых для получения гетеродинных напряжений первого и второго преобразо-
вателей частоты; δ f ГО – нестабильность частоты задающего генератора.
В таких РПУ достаточно стабилизировать оба гетеродинных напря-
жения одним кварцевым резонатором.
В РПУ с фиксированными частотами 2-го гетеродина и фиксирован-
ными обеими промежуточными частотами также целесообразно брать
f Г 1 >fC и f Г 2 >f ПЧ 1 (или наоборот) и при этом
29
 П ≈ ПC + 2∆f Д + 2 (δ fC max )2 + (δ f Г 1max )2 − (δ f Г 2 ) 2 . (2.34)
В приемниках с фиксированной частотой первого гетеродина и пере-
стройкой частоты второго гетеродина следует принять f Г 1max > fC max и
определить
П ≈ ПC + 2∆f Д + 2 (δ fC max )2 + (δ f Г 1 )2 − (δ f Г 2 )2 .
(2.35)
В приемниках с двойным преобразованием частоты необходимо иметь
достаточное ослабление помех, отличающихся на 2 f ПЧ 2 от частоты прини-
маемых сигналов, так как эти помехи после первого преобразования частоты
образуют канал, зеркальный относительно частоты 2-го гетеродина f ЗК 2 . Так
как обычно f П 2 << fC , то эти помехи не могут быть достаточно ослаблены в
УПЧ и ослабляются в УПЧ1. Величину первой промежуточной частоты
f ПЧ 1 выбирают из условия получения в УРЧ необходимого ослабления зер-
кального канала относительно 1-го гетеродина f ЗК1 = fC ± 2 f ПЧ 1; величи-
ну второй промежуточной частоты f ПЧ 2 принимаемой такой, чтобы обеспе-
чить требуемое ослабление помех соседних каналов.
Резонансная характеристика УПЧ1 должна быть такой, чтобы при вы-
бранной f ПЧ 2 получить необходимое ослабление f ЗК 2 , при этом ширина
полосы пропускания УПЧ1 не должна влиять на полосу пропускания ли-
нейного тракта.
2.7 Предварительный расчет коэффициента усиления
линейного тракта РПУ
В современных транзисторных приемниках АМ-сигналов, как прави-
ло, используется диодный детектор, на входе которого для качественного
детектирования должно быть напряжение U ВХ . Д = 0,5 − 1 В. Тогда общий
коэффициент усиления линейного тракта РПУ при заданной чувствитель-
ности в виде Э.Д.С. E A min рассчитывается следующим образом:
U ВХ . Д
KОБЩ = , (2.36)
E A min h Д 2
где h Д - действующая высота антенны.
Для ферритовой антенны ДВ, СВ или КВ диапазона действующая вы-
сота выбирается в пределах h Д ≈ 0,02 − 0,01 м. В УКВ диапазоне –
h Д ≈ 0, 2 − 0,5 м.
Если используется антенна в виде вертикального провода при длине h,
меньшей длины волны, то h Д = (0,4 − 0,6)h .
30
 Общий коэффициент усиления KОБЩ распределяется по каскадам.
При этом справедливы следующие ориентировочные значения коэффици-
ента усиления отдельных каскадов на биполярных транзисторах:
Входная цепь K ВЦ = 2 − 5
Резонансный УРЧ в диапазоне час-
тот:
СВ-ДВ KУРЧ = 25 − 50
КВ KУРЧ = 7 − 15
УКВ KУРЧ = 2 − 5
Преобразователь частоты K ПРЧ = 10 − 20
Одноконтурный усилитель промежу- KУПЧ = 30 − 50
точной частоты (УПЧ)
УПЧ с двухконтурным фильтром KУПЧ = 20 − 40
Апериодический УПЧ KУПЧ = 5 − 10
Усилители по каскодной схеме KУПЧ = 100 − 300

В результате предварительного расчета определяется структурная

схема РПУ. Так, для приемников АМ-сигналов структурная схема чаще
всего будет иметь вид, показанный на рисунке 2.9.

Рис. 2.9. Структурная схема РПУ АМ-сигналов

Приемник ЧМ-сигналов отличается тем, что применяется частотный

детектор с амплитудным ограничителем. В РПУ ЧМ-сигналов УКВ диапа-
зона в тракте промежуточной частоты в качестве резонансных систем чаще
всего используются двухконтурные полосовые фильтры.
2.8 Выбор активных элементов для усилителей радиочастоты
В современных РПУ в качестве усилительных приборов используются
как транзисторы (биполярные и полевые), так и микросхемы. Резонансные
УРЧ на дискретных элементах имеют лучшие показатели.
В диапазоне КВ и УКВ чаще применяются полевые транзисторы бла-
годаря более высоким значениям входного и выходного сопротивлений,
меньшему коэффициенту шума, лучшей линейности усиления, более широ-
кому динамическому диапазону.
31
 Для построения УРЧ используются высокочастотные маломощные
транзисторы, у которых предельная по крутизне частота f S ≥ 3 f MAX , где
f MAX – максимальная частота рабочего диапазона. Если в справочной лите-
ратуре f S не приводится, то ее можно определить следующим образом [10]:
h11Б
f s = fT , (2.37)
rБ
где fT – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим
эмиттером (ОЭ);
h 11Б – входное сопротивление транзистора в схеме с общей базой (ОБ);
rБ – общее сопротивление базы, которое в общем случае равно [10]:
γτ К
rБ = . (2.38)
СK
Здесь γ – коэффициент, зависящий от типа транзистора ( γ = 2 );
τ К – постоянная времени коллекторной цепи (справочные данные);
СK – общая коллекторная емкость (справочные данные).
Входное сопротивление транзистора по схеме с ОБ рассчитывается
для выбранного режима:
rБ
h11Б = rЭ + , (2.39)
h21Э
26
где rЭ = [Ом] – сопротивление эмиттерного перехода; h21Э – ко-
I Э 0[ мА]
эффициент усиления по току в схеме с ОЭ; I Э 0 – ток эмиттера в точке покоя.
Таким образом, расчет rЭ , h 11Б и f S ведется для выбранного режима
транзистора по постоянному току. В таблице 2.8 приведены значения часто-
ты f S для некоторых высокочастотных транзисторов, рассчитанных при
токе коллектора I K = 1 мА [11].
Для полевых транзисторов предельное значение частоты проводимо-
сти прямой передачи (крутизны) рассчитывается следующим образом [11]:
1
fS = , (2.40)
2π CЗИ rИ
где CЗИ – емкость затвор-исток, равная разности емкостей C11И и C12И ,
приведенных в справочнике; rИ – сопротивление участка полупроводника,
заключенного между контактами истока и областью канала, непосредствен-
но примыкающей к затвору транзистора.

32
 Таблица 2.8
Значения частоты f S некоторых транзисторов
Тип
КТ339 КТ355 КТ363 КТ367 КТ368 КТ3721 КТ382
транзистора
fТ MIN , МГц 300 1500 1200–1500 1500 900–1400 2400–3000 1800
τ , псек 4,8–25 30 50–75 15 15 12 15
CK , пФ 0,65 10 2 1,5 1,7 1,0 2,5
f S MIN , МГц 625 669 684 1988 1347 2840 3165
6 на 4,5 на 3,3 на
Ш, дБ 3,5 3
f=200 МГц f=300 МГц f=60 МГц

Так как значения rИ не приводятся в справочниках, то при выборе

полевых транзисторов имеет смысл ориентироваться на частоту генерации
f ГЕН , которая ниже f S . Частота генерации ограничивает частотный диа-
пазон, в котором целесообразно использовать полевой транзистор, и опре-
деляется в виде:
S
f ГЕН = . (2.41)
2π CЗС
Здесь S – проводимость прямой передачи полевого транзистора (кру-
тизна); CЗС – емкость затвор-сток, равная C12И , приведенной в справоч-
нике.
В табл. 2.9 приведены рассчитанные значения f ГЕН и f S для некото-
рых высокочастотных транзисторов при U СИ =5 В [11].
Таблица 2.9
Расчетные значения f ГЕН и f S некоторых транзисторов
Тип
КП303 КП304 КП305 КП306 КП307 КП312А КП350 2П341
транзистора
fГЕН MIN, МГц 350–1420 184 1480 800 225–450 368 2380–2870
fS MIN, МГц 635 280 3790 404 689 450 3827–4885
Ш, дБ 4 3–7,5 4–6 6 1–4 1,8 на f=200 МГц

При прочих равных условиях нужно выбирать малошумящий актив-

ный элемент, обеспечивающий большее устойчивое усиление. Для этого
отношение y21 y12 на верхней частоте диапазона должно быть макси-
мальным.
Здесь y21 – модуль крутизны характеристики прямой передачи;
y12 – модуль проводимости внутренней обратной связи.

33
 3 ВХОДНЫЕ ЦЕПИ
В ДВ, СВ и КВ диапазонах используются как внешние электрические,
так и магнитные ферритовые антенны. Для УКВ диапазона целесообразно
применять ненастроенные штыревые телескопические антенны или элек-
трические настроенные (в виде диполя).
Магнитная ферритовая антенна чаще всего полностью входит в состав
входного контура. Связь входного контура с внешней электрической антен-
ной (ненастроенной) выбирается слабой. При этом на СВ и ДВ диапазонах
предпочтение отдается трансформаторной или комбинированной связи
входной цепи с антенной. В диапазонах КВ и УКВ также применяется
трансформаторная связь. На растянутых и полурастянутых КВ диапазонах
широко используется внешнеемкостная связь с антенной. На рисунке 3.1
показана схема входной цепи с магнитной антенной и трансформаторной
связью с первым усилительным элементом. В диапазоне метровых волн
широкое применение находит входной контур с электронной настройкой с
помощью одного варикапа (рис. 3.2 а) и двух варикапов, включенных
встречно (рис. 3.2б). При встречном включении двух варикапов в меньшей
степени проявляются нелинейные эффекты в преселекторе, но общая ем-
кость варикапов уменьшается в два раза.

Рис. 3.1. Схема входной цепи с магнитной антенной и

трансформаторной связью с первым усилительным элементом

а) б)
Рис. 3.2. Схемы входной цепи с варикапами

34
 Таблица 3.1
Коэффициенты перекрытия конденсаторов переменной емкости
Емкость конденсатора переменной Емкость подстроечного
Диапазон частот емкости, пФ конденсатора, пФ
СK MIN СК MAX СП MIN СП MAX
30–30000 МГц 3–7 10–50 0,5–1,5 2–5
6–30 МГц 10–17 50–150 2–3 8–15
1500–6000 кГц 12–22 150–250 2–3 8–15
100–1500 кГц 12–25 250–500 2–3 10–20
100 кГц и ниже 15–30 450–750 2–5 20–50

Контур перестраивается изменением запирающего напряжения на ва-

рикапах, которое подается через резистор R1 с помощью потенциометра R3.
Резистор R2 ограничивает величину напряжения смещения на варикапе.
В схеме с двумя варикапами (рис. 3.2 б) резистор R1 снижает шунти-
рование контура цепями управления.
Расчет входного контура и элементов связи целесообразно проводить
в следующем порядке:
1. Для перекрытия заданного диапазона частот выбирается перемен-
ный конденсатор (табл. 3.1)
2. Определяется необходимая дополнительная емкость CСХ доп схе-
мы, которая включается параллельно конденсатору переменной емкости:
С К MAX − CК MIN ⋅ K 2Д
CСХ доп = , (3.1)
K 2Д −1
где K Д = f MAX f MIN – коэффициент перекрытия диапазона.

3. Находится емкость дополнительного конденсатора Cдоп с учетом емко-

сти монтажа CM = 1–3 пФ, распределенной емкости катушки индуктивности C L
и пересчитанной в контур входной емкости усилительного прибора n12CВХ :
Сдоп = СВХ доп − СМ − СL − n12CВХ , (3.2)
где n1 – коэффициент включения усилительного прибора в контур.
Если окажется, что Cдоп ≤ 0 , то следует выбрать другой конденсатор
переменной емкости с меньшим значением CК MIN и большим значением
CК MAX . При предварительном расчете можно принять n1 = 0,1–0,3, если
первый усилительный каскад УРЧ на биполярном транзисторе; n1 =0,7–1,0
при первом каскаде УРЧ на полевом транзисторе.

35
 4. Рассчитывается индуктивность контура
1
LК = , (3.3)
2
(2π f MAX ) CКЭ MIN
где СКЭ MIN = СK MIN + СМ + С ДОП + n12CВХ – минимальная эквива-
лентная емкость контура.
На растянутых и полурастянутых КВ диапазонах целесообразно ис-
пользовать схемы входной цепи с двумя дополнительными конденсаторами
(рис. 3.3), что позволяет получить приемлемые значения индуктивности
контура LK , характеристического сопротивления ρ = LK С КЭ и экви-
валентного резонансного сопротивления RОЕ .

Рис. 3.3. Схема входной цепи с двумя конденсаторами

Принимая
С1 = bC К MAX , (3.4)
получим
K Д −1
С1 = СК MAX (1 + b) . (3.5)
(1 + b) KС
− K 2Д
1 + bKС
Здесь
CК MAX
b = 0, 2 − 0,5; KС = . (3.6)
CК MIN
Зная C1 и C2 , можно найти полную эквивалентную емкость контура:
(CК MIN + C1)C2
CКЭ MIN = + CМ + С2 + n12CВХ , (3.7)
CК MIN + C1 + C2
после чего находится индуктивность контура LK .
Индуктивность контура LK должна быть конструктивно выполнимой
( LK ≥ 0,05 мкГн ). Если при выбранной емкости СKЭ MIN индуктивность
LK < 0,05 мкГн , то принимается LK = 0,05 мкГн и рассчитывается новое
значение СKЭ min .

36
 Для входной цепи с варикапами (рис. 3.2) минимальная емкость кон-
тура СMIN складывается из настроечной емкости варикапа СВ MIN и до-
бавочной емкости С Д , в цепь которой входит емкость подстрочного кон-
денсатора С П и емкость схемы ССХ , состоящая из емкости монтажа
СМ =3–5 пФ, распределенной емкости катушки индуктивности С L =1–3 пФ
и пересчитанной в контур входной емкости активного элемента n12CВХ . В
отличие от диапазонов декаметровых и более длинных волн в диапазоне
метровых волн подстроечной емкости может и не быть. Тогда
С MIN = C В MIN + CСХ , (3.8)
где
CСХ = СМ + СL + n12CВХ . (3.9)
Если СMIN окажется меньше или равной ССХ , то в данном частот-
ном диапазоне колебательный контур не может быть реализован на элемен-
тах с сосредоточенными параметрами и следует переходить к элементам с
распределенными параметрами.
Максимальная емкость контура с варикапом определяется с учетом
коэффициента перекрытия диапазона К Д :
СMAX = K 2Д СMIN . (3.10)
С учетом добавочной емкости С Д рассчитываются максимальное и
минимальное значения настроечной емкости варикапа:
CВ MAX = CMAX − C Д , (3.11)
CВ MIN = CMIN − C Д , (3.12)
по которым выбирается тип варикапной матрицы и определяются значения
напряжений смещения на варикапе U MIN и U MAX , соответствующие
СMAX и СMIN .
На ДВ, СВ и частично КВ диапазонах применяются магнитные фер-
ритовые антенны, расчет которых сводится к выбору марки ферритового
сердечника, размеров катушки индуктивности и числа ее витков, определе-
нию элементов связи с первым усилительным прибором. Кроме этого, не-
обходимо рассчитать добротность и коэффициент передачи входной цепи.
Число витков N контурной катушки индуктивности LK (рис. 3.1),
расположенной на ферритовом стержне, определяется следующим образом:
1000 ⋅ LK
N≈ , (3.13)
Dµ Д η

37
где LK – индуктивность контура, мкГн; D – диаметр намотки катушки,
равный диаметру ферритового стержня, см;
µ Д – действующая магнитная проницаемость (табл. 3.2);
η – коэффициент, зависящий от отношения длины намотки к длине
ферритового стержня, который для ориентировочного расчета принимают
равным 0,3.
Для прямоугольного ферритового стержня справедлив тот же расчет
при использовании эквивалентного диаметра:
ab
DЭ = 2 . (3.14)
π
Здесь a, b – размеры поперечного сечения прямоугольного стержня, см.
Таблица 3.2
Действующая магнитная проницаемость ферритового стержня
l µД
D µ0 = 10 µ0 = 100 µ0 ≥ 200
6 7,8 25 31
8 8,3 34 37
10 9,1 41 63
15 9,4 52 78
20 9,6 60 95

Действующая высота ферритовой антенны в метрах:

2π
hД = N µ Д SQЭ , (3.15)
λ
где λ – длина волны, м; N – число витков антенной контурной катушки;
µ Д – действующее значение магнитной проницаемости; S = π D 2 4 –
площадь одного витка, м2; D – диаметр намотки; QЭ – эквивалентная доб-
ротность нагруженного антенного контура, которой задаются ориентиро-
вочно в пределах QЭ = (0, 45 − 0,85)QK ; QК – конструктивно реализуемая
добротность (собственная добротность).
5. Связь первого транзистора или микросхемы с входным контуром в
случае с магнитной антенной выполняется трансформаторной или авто-
транс-форматорной. При этом коэффициент включения (трансформации)
зависит от собственной QK и эквивалентной QЭ добротности входного
контура:
dЭ − d К
n1 = RВХ , (3.16)
ρ

38
 1
где dЭ = – требуемое эквивалентное затухание входного контура;
QЭ
1
dК = – собственное конструктивное затухание входного контура;
QК
RВХ – входное сопротивление первого усилительного прибора.
Если при расчете n1>1, то принимается полное включение (n1=1).
6. Количество витков в катушке трансформаторной связи:
Nn1
NСВ = . (3.17)
KСВ
Здесь КСВ = 0,8–0,9 – коэффициент связи между катушками.
Для автотрансформаторной связи число витков до точки отвода:
N СВ = n1N . (3.18)
7. Резонансный коэффициент передачи входной одноконтурной цепи
с ферритовой антенной, равный отношению напряжения на входе первого
каскада УРЧ (U ВХ ) к ЭДС в антенне Е А , зависит от эквивалентной доброт-
ности контура:
U ВХ h Д En1QЭ
K ВЦ = = = n1QЭ . (3.19)
EА hД E
Широкое применение в РПУ, особенно в КВ и УКВ диапазонах, нашли
электрические штыревые телескопические антенны, эквивалентная схема кото-
рых показана на рисунке 3.4 а). Эквивалентная емкость штыревой антенны С А ,
как правило, мала (несколько пикофарад) и зависит от длины штыревой антенны:
С А = 10l , (3.20)
где l – длина штыря, м.
Если корпус РПУ не заземлен, то С А увеличивается и в зависимости
от размеров корпуса приемника может составлять 3–10 пФ (для прибли-
женных расчетов С А ≈5–7 пФ). Из-за малости С А штыревая антенна под-
ключается обычно непосредственно к входному контуру (рис. 3.4 б).

а) б)
Рис. 3.4. Эквивалентная схема электрической штыревой телескопические антенны (а)
и ее подключение к входной цепи (б)
39
 Действующая высота штыревой антенны примерно равна длине ан-
тенны ( h Д ≈l), тогда
E А = Eh Д = El . (3.21)
Резонансный коэффициент передачи входной цепи при работе на
штыревую антенну равен:
QЭ С А
K ВЦ = n1 . (3.22)
2
2
(QЭС А ) + СКЭ

Здесь СКЭ – эквивалентная емкость входного контура; QЭ – эквива-

лентная добротность входного контура; n1 – коэффициент включения в
контур первого усилительного прибора.
В диапазоне УКВ входной контур часто выполняют неперестраивае-
мым. При этом антенна может быть ненастроенной штыревой (рис. 3.5а)
или настроенной в виде полуволнового вибратора (рис. 3.5б).
Для входного контура со штыревой антенной в УКВ диапазоне харак-
терно малое значение эквивалентной емкости контура и использование ем-
костного делителя (рис. 3.5а) с целью получения требуемого коэффициента
включения ( n1 ) транзистора или микросхемы в контур.

а) б)
Рис. 3.5. Схема подключения ненастроенной штыревой антенны (а)
и настроенной в виде полуволнового вибратора (б)

Эквивалентная емкость контура

СКЭ = СК + СМ + С А + n12CВХ , (3.23)
где СК – сосредоточенная емкость контурного конденсатора; СМ – емкость
монтажа; С А – емкость антенны; СВХ – входная емкость транзистора или
микросхемы; n1 – коэффициент включения, равный для схемы (рис. 3.5а):
C1 C
n1 = = К. (3.24)
C1 + C2 С2
С1С2
Здесь СК = . (3.25)
С1 + С2
40
 Емкость СК и СКЭ необходимо выбрать так, чтобы индуктивность
контура была конструктивно выполнима ( LК > LК MIN = 0,05 мкГн).
Если применяется настроенная антенна в виде линейного полуволно-
вого вибратора длиной l = 0,475λ , то ее эквивалентное сопротивление
принимается чисто активным и равным R А =75 Ом. Настроенная антенна
рассчитывается на средней частоте диапазона. Действующая высота такой
антенны определяется соотношением h Д = λ π .
Связь настроенной антенны, как правило, делается трансформаторной
(рис. 3.5 б), и коэффициенты трансформации определяются из условия по-
лучения максимального коэффициента передачи при заданной полосе про-
пускания:
dЭ − dК dЭ − d К
m1 = RА , n1 = RВХ . (3.26)
2ρ 2ρ
Применение в первом каскаде УРЧ полевого транзистора дает основа-
ние принять n1 =1.
Тогда
dЭ − d КН
m1 = RА , (3.27)
ρ
ρ
где d КН = d К + – затухание нагруженного контура.
RВХ
Индуктивность катушки связи рассчитывается следующим образом:
m12
LСВ = LК , (3.28)
2
KСВ
M
где KСВ = – коэффициент связи, выбираемый в пределах 0,6–0,9.
LСВ LК
Для штыревой антенны в УКВ диапазоне для расчета справедлива эк-
вивалентная схема (рис. 3.6), параметры которой зависят от ее геометриче-
ских размеров и от размеров корпуса РПУ. Так, при l = 1 м, длине корпуса
приемника l ПР =25 см и среднем диаметре антенны 6 мм можно принять:
RА =22 Ом, LА =0,5 мкГн, C А =5,5 пФ.

Рис. 3.6. Эквивалентная схема штыревой антенны в УКВ диапазоне

41
 Штыревая антенна подключается к входному контуру с помощью
трансформаторной связи. Коэффициент трансформации рассчитывается
аналогично рассмотренному ранее.
3.1 Одноконтурная входная цепь при оптимальной
трансформаторной связи с антенной
Расчет входной цепи с настроенной антенной при трансформаторной
(рис. 3.7) и автотрансформаторной (рис. 3.8) связи входа РПУ и антенно-
фидерной цепи можно проводить из условия согласования антенного фиде-
ра с входом приемника. Тем не менее, при малой длине антенного фидера
(до нескольких метров) целесообразно использовать оптимальную связь,
при которой достигается максимальный коэффициент передачи при задан-
ном шунтировании контура.

Рис. 3.7. Входная цепь с настроенной антенной

при трансформаторной связи входа РПУ и антенно-фидерной цепи

Рис. 3.8. Входная цепь с настроенной антенной при

автотрансформаторной связи входа РПУ и антенно-фидерной цепи

42
 1. На средней частоте диапазона fСР = f MIN ⋅ f MAX рассчитывается
индуктивность катушки связи (рис. 3.7):
ρФ
LСВ = , (3.29)
ωСР
где ρФ – волновое сопротивление фидера.
2. Определяется коэффициент трансформации со стороны антенны на
верхней частоте диапазона:
D − 1 g К . В.
m1 = ⋅ . (3.30)
2 g A.В.
QК d Э
Здесь D = = – коэффициент расширения полосы пропуска-
QЭ d К
ния; QК – конструктивно реализуемая добротность контура ВЦ; QЭ – эк-
1
вивалентная добротность контура; g К .В = – собственная резо-
RОЕ В
нансная проводимость контура на верхней частоте диапазона ( f MAX );
ROE В = ρ QK – собственное резонансное сопротивление контура на верхней
частоте диапазона; ρ B = ω MAX LK – характеристическое сопротивление
ρФ
контура на верхней частоте диапазона; g А.В. = – активная состав-
2
z А.В.
ляющая проводимости антенной цепи (АЦ) на верхней частоте диапазона.
При трансформаторной связи:
ρФ
g А.В = , (3.31)
2
ρФ + ( LСВ ⋅ ωMAX )2
Для автотрансформаторной связи (рис. 3.8):
1
g А.В = g A = . (3.32)
ρФ
3. Находится коэффициент трансформации со стороны входа первого
каскада УРЧ на верхней частоте диапазона
D − 1 g K . B.
n1 = , (3.33)
2 g BX .B.
где g BX .B – активная составляющая входной проводимости усилительного
прибора первого каскада УРЧ на верхней частоте диапазона.
43
 4. Определяется избирательность ВЦ по первому зеркальному каналу
на верхней частоте диапазона:
2
z A.ЗК  f f 
σ ЗК = 1 + Qэ2  ЗК − MAX  . (3.34)
z A.В  f MAX f ЗК 
Здесь
2
z А.ЗК = ρФ + (ω ЗК LСВ ) 2 (3.35)
представляет модуль полного сопротивления АЦ в схеме с трансформаторной
связью на частоте первого зеркального канала ω ЗК = ω MAX + 2ω ПР1 ,
2
z А.В = ρФ + (ωMAX LСВ ) 2 (3.36)
– модуль полного сопротивления АЦ на верхней частоте диапазона в схеме
с трансформаторной связью.
Так как для схемы с автотрансформаторной связью справедливо
z А.ЗК = z А.В = z А = ρФ , то
2
2  f ЗК f MAX   f ЗК f MAX 
σ ЗК = 1 + QЭ  −  ≈ QЭ −  . (3.37)
 MAX
f f ЗК   MAX
f f ЗК 
5. Вычисляется эквивалентное затухание контура на нижней частоте
диапазона ( f MIN ):
dЭ.Н = d К + m12 ρ Н g А.Н . + n12 ρ Н g ВХ .Н , (3.38)
где ρ Н = ωMIN LK − X A – характеристическое сопротивление контура на
1
нижней частоте диапазона; d К = – конструктивное затухание кон-
QК
ρФ
тура; g А.Н = – активная составляющая проводимости антенной
2
z А.Н
цепи на нижней частоте диапазона; g BX .Н – активная составляющая вход-
ной проводимости усилительного прибора первого каскада УРЧ на нижней
частоте диапазона. При коэффициенте перекрытия диапазона К Д ≤ 1,5
можно положить g BX .Н = g BX .В = g BX .
В схеме с трансформаторной связью
2
z А.Н = ρФ + (ωMIN LСВ )2 , (3.39)
1
при автотрансформаторной связи g А.Н = .
ρФ
44
 6. Рассчитываются резонансные коэффициенты передачи ВЦ на ниж-
ней и верхней частотах диапазона:
mnR mnR
K 0 Н = 1 1 Э. Н , K 0 В = 1 1 Э. Н . (3.40)
z А.Н z А.В
Здесь ROE Н = ρ Н QЭ.Н , ROE В = ρ В QЭ.В – эквивалентное резо-
нансное сопротивление контура на нижней и верхней частотах диапазона
соответственно; z А.Н и z А.В – модуль полного сопротивления АЦ со-
ответственно на нижней и верхней частотах диапазона. В схеме с транс-
форматорной связью они определяются выражениями (3.35) и (3.38). Для
автотрансформаторной связи
z А.Н = z А.Н = z А = ρФ . (3.41)

3.2 Двухконтурные входные цепи

Широкое применение в РПУ находят входные цепи с двухконтурным
полосовым фильтром. Связь между контурами выбирается так, чтобы поло-
са пропускания в заданном диапазоне частот оставалась постоянной. По-
этому в таких входных цепях используется комбинированная связь: транс-
форматорная и внутриемкостная (рис. 3.9) или внешнеемкостная и внутри-
емкостная (рис. 3.10). При коэффициенте перекрытия по диапазону
К Д ≤ 1,5 полосовой фильтр можно строить с трансформаторной или емкост-
ной связью между контурами.

Рис. 3.9. Трансформаторная и внутриемкостная связь

Рис. 3.10. Внешнеемкостная и внутриемкостная связь

45
 Связь первого контура фильтра с антенно-фидерной цепью, как и в
одноконтурной ВЦ, может быть трансформаторной или автотрансформа-
торной. Величина связи с настроенной антенной при большой длине фидера
выбирается из условия согласования антенной цепи с фильтром.
При малой длине фидера (портативные РПУ) величина связи с антен-
ной определяется из условия выполнения заданного шунтирования первого
контура антенной цепью. Для связи второго контура со входом первого кас-
када УРЧ применяется трансформаторное или автотрансформаторное
включение. При этом величина связи рассчитывается из условия заданного
шунтирования второго контура входным сопротивлением усилительного
прибора УРЧ.
Порядок расчета следующий.
1. Для схемы с трансформаторной связью первого контура с антенной
(рис. 3.9) находится индуктивность катушки связи по формуле (3.29).
2. На верхней частоте диапазона определяется коэффициент транс-
формации между антенной цепью и первым контуром фильтра из условия
заданного шунтирования:
( D − 1) ⋅ g K 1B
m1 = . (3.42)
g A.B
Здесь все величины определяются также как в п. 2 применительно к
первому контуру.
3. Из условия шунтирования на верхней частоте рассчитывается ко-
эффициент трансформации между вторым контуром фильтра и усилитель-
ным прибором:
( D − 1) ⋅ g K 2 B
n1 = , (3.43)
g BX .B
1
где g K 2 B = – собственная резонансная проводимость второго
ρ BQK 2
контура на верхней частоте диапазона ( f MAX ); g BX .В – активная состав-
ляющая входной проводимости усилительного прибора на верхней частоте
диапазона.
Если n1 > 1, то принимается n1 = 1.
4. Определяется величина сопротивления связи между контурами
фильтра на средней частоте диапазона ωср = ωMIN ωMAX :
ω L β
X СР = СР К СР . (3.44)
QЭ.СР
46
 Здесь βСР = KСВ QЭ.СР – параметр связи между контурами фильтра.
На средней частоте диапазона βСР = 1 ; QЭ.СР – эквивалентная доброт-
ность контуров на средней частоте.
В диапазоне метровых волн можно принять QЭ.СР = QЭ . В общем случае
1 1
QЭ.СР = = , (3.45)
dЭ.СР d Э1СР dЭ 2СР
где d Э1СР = d K + m12 ρСР g A.CP ; d Э 2СР = d K + n12 ρСР g ВХ .CP – эквива-
лентные затухания контуров на средней частоте диапазона; ρСР = ωСР LK ;
1
g А.СР = – в схеме с автотрансформаторной связью первого контура с АЦ;
ρФ
1
g А.СР = – в схеме с трансформаторной связью первого контура с АЦ;
2 ρФ
g ВХ .СР – активная составляющая входной проводимости усилительного
прибора на средней частоте диапазона.
В диапазоне метровых волн g ВХ .СР = g ВХ .В .
5. Для схемы (рис. 3.9) рассчитывается взаимная индуктивность меж-
ду катушками фильтра:
X СР
M= (3.46)
2ωСР
и оценивается реальность получения величины M по необходимому коэф-
фициенту связи KСВ = M LК , который должен быть конструктивно реа-
лизуем. Так, в метровом диапазоне волн KСВ ≤ 0,2–0,3.
6. Находится величина емкости конденсатора связи:
2
CСВ = . (3.47)
ωСР X СР
Если связь между контурами фильтра только трансформаторная, то
взаимная индуктивность определяется из выражения X СР = MωСР , а если
связь только внутриемкостная, то
1
CСВ = . (3.48)
ωСР X СР
7. Для схемы (рис. 3.10):
2
1,33 0,2CСВ2 ⋅ X СР
CСВ2 = , (3.49) CСВ = . (3.50)
ωСР X СР 2 2
ωСР LК
47
 8. Для схем (рис. 3.9 и 3.10) рассчитываются эквивалентные затухания
и добротности контуров фильтра на нижней частоте диапазона ( f MIN ):
1
d Э1Н = d К + m12 ρ Н g А.Н , QЭ1Н = ,
d Э1Н
(3.51)
1
d Э 2 Н = d К + n12 ρ Н g ВХ .Н , QЭ 2 Н = .
dЭ 2 Н
9. Определяется эквивалентная добротность полосового фильтра на
нижней частоте диапазона:
QЭН = QЭ1Н ⋅ QЭ 2 Н (3.52)
На верхней частоте диапазона эквивалентная добротность QЭВ долж-
на совпадать с QЭ по условиям расчета m1 и n1 . Если при расчете n1 > 1 и
принято n1 = 1, то QЭВ следует уточнить.
10. Рассчитывается величина сопротивления связи на нижней и верх-
ней частотах диапазона
для схемы на рисунке 3.9 –
1 1
X Н = ωН M + , X В = ωВM + . (3.53)
ω Н CСВ ω ВCСВ
для схемы на рисунке 3.10 –
1 1
X Н = ωВ3 CН L2К + , X В = ω В3 CСВ1L2К + . (3.54)
ω Н CСВ2 ω ВCСВ2
Если связь между контурами фильтра при малых коэффициентах пере-
крытия диапазона ( К Д ≤ 1,5 ) только трансформаторная, то X Н = ω Н М ,
X В = ω В М , а если связь только внутриемкостная, то
1 1
XН = , XВ = .
ω Н ССВ ωВССВ
11. Определяется параметр связи между контурами фильтра на ниж-
ней и верхней частотах диапазона:
X Н QЭН X ВQЭВ
βН = , βВ = . (3.55)
ωН LК ωВ LК
12. Рассчитывается избирательность по первому зеркальному каналу
на верхней частоте диапазона:
2
(1 + ξ ЗК − β В2 ) 2 + 4β В2
σ ЗК = . (3.56)
2 2
(1 + β В )
48
 f f 
Здесь ξ ЗК = QЭВ  ЗК 1 − В  .
 fВ f ЗК 1 
13. Находится резонансный коэффициент передачи входной цепи на
нижней и верхней частотах диапазона:
mnR β
KОН = 1 1 ЭН ⋅ Н , (3.57)
2
z АН 1 + βН
mnR β
KОВ = 1 1 ОВ ⋅ В . (3.58)
zОВ 1 + β В2
Здесь все составляющие такие же, как и в формуле (3.39).

Пример 3.1
Рассчитать элементы контура преселектора (рис. 3.2а) по следующим
исходным данным. Диапазон частот – 146–174 МГц; емкость ССХ = 5 пФ.
1. Выбирается минимальная емкость контура СMIN = 25 пФ.
2. Рассчитывается индуктивность контура
1 1
LК = = = 0,036 мкГн.
2 6 2 −12
(2π f В ) СMIN (6,28 ⋅ 174 ⋅10 ) ⋅ 25 ⋅ 10
Так как LK < 0,05 мкГн, то выбирается LK = 0,05 мкГн и уточняется
1 1
СMIN = = = 17 пФ.
2 6 2 −6
(2π f В ) LК (6,28 ⋅174 ⋅10 ) ⋅ 0,05 ⋅10
3. Определяется максимальная емкость контура
CMAX = K 2Д СMIN = (1,2)2 ⋅ 17 = 24 пФ,
f 174
где K Д = В = = 1, 2.
f Н 146
4. Находится максимальное и минимальное значения емкости варикапа
CВ MAX = CMAX − CСХ = 24 − 5 = 19 пФ,
CВ MIN = C MIN − CСХ = 17 − 5 = 12 пФ.
Для входной цепи с двумя варикапами (рис. 3.2б) емкость каждого ва-
рикапа должна быть в два раза больше
CВ MAX = 38 пФ, СB MIN = 24 пФ.
По справочникам выбирается тип варикапа и определяются соответ-
ствующие напряжения смещения U MIN и U MAX .
49
 Пример 3.2.
Рассчитать одноконтурную входную цепь с автотрансформаторной
связью с антенной (рис. 3.8). Исходные данные: f Н = 170 МГц,
f В = 180 МГц, ρ А = 50 Ом, LK = 0,05 мкГн, QЭ = 50, QК = 150,
g ВХ = 1,66⋅10-4 См, σ ЗК = 26 дБ, f ПР1 = 25 МГц.
1. Коэффициент трансформации со стороны антенны:
D − 1 g КВ 3 −1
= 7,7 ⋅ 10−2
50
m1 = ⋅ = ⋅
2 g АВ 2 8,5 ⋅103
QК 150 1 1
Здесь D = = = 3; g АВ = = См;
QЭ 50 ρ А 50
1 1 1
g КВ = = = = 8,5 кОм;
RКВ ρ В QК 56,5 ⋅ 150
ρ В = ω В LК = 1,13 ⋅ 109 ⋅ 0, 05 ⋅ 10−6 = 56,5 Ом ;
рад
ω В = 2π f В = 6, 28 ⋅ 180 ⋅ 106 = 1,13 ⋅109 .
с
2. Коэффициент включения активного элемента в колебательный контур:
D − 1 g КВ 3 −1 1
n1 = ⋅ = ⋅ = 0,84.
2 g ВХ 2 8,5 ⋅103 ⋅1,66 ⋅ 10−4

3. Избирательность ВЦ по зеркальному каналу:

 f + 2 f ПР1 fВ 
σ ЗК = QЭ  В − =
 f В f В + 2 f ПР1 
 180 + 2 ⋅ 25 180 
= 50  −  = 25 раз ;
 180 180 + 2 ⋅ 25 
σ ЗК = 20lg(25) = 28 дБ.
4. Эквивалентное затухание контура на нижней частоте диапазона:
d ЭН = d К + m12 ρ Н g АН + n12 ρ Н g ВХ =
= 6,67 ⋅ 10−3 + (7,7 ⋅ 10−2 )2
+ 0,706 ⋅ 53 ⋅ 1,66 ⋅ 10−4 ≈ 1,9 ⋅ 10−2 .
53
50
= 6,67 ⋅ 10−3 ; g АН = g АВ =
1 1 1 1
Здесь d К = = = См ;
QК 150 ρ А 50
ρ Н = ωН LК = 2π f Н LК = 6, 28 ⋅ 170 ⋅106 ⋅ 5 ⋅10−8 = 53 Ом .

50
 5. Резонансный коэффициент передачи входной цепи на нижней и
верхней частотах диапазона:
m1n1RЭН 7,7 ⋅ 10−2 ⋅ 0,84 ⋅ 2,79 ⋅ 103
K0 Н = = = 3,6.
z АН 50
m1n1RЭВ 7,7 ⋅ 10−2 ⋅ 0,84 ⋅ 2,8 ⋅ 103
K0 В = = = 3,62,
z АВ 50
где RЭН = ρ Н QЭН = 53 ⋅ 52,5 = 2,79 кОм,
RЭВ = ρ ВQЭВ = 56,5 ⋅ 50 = 2,8 кОм, z АН = z АВ = 50 Ом.

Контрольные вопросы

1. Назначение и основные характеристики ВЦ.

2. Нарисовать схемы ВЦ с различными видами связи контура с антенной и
объяснить назначение элементов.
3. Составить эквивалентные схемы ВЦ с различными видами связи контура
с антенной.
4. Перечислить и пояснить способы перестройки ВЦ по диапазону и под-
диапазону.
5. Какая перестройка ВЦ по диапазону предпочтительнее?
6. Составить эквивалентные схемы ВЦ с различными видами связи контура
с антенной.
7. Какими параметрами ВЦ определяется коэффициент передачи?
8. Пояснить условия получения максимального коэффициента передачи
ВЦ.
9. Пояснить условия согласования антенны со входом РПУ.
10. Из каких соображений выбирается связь входного контура с настроенной
антенной? Схемы вязи.
11. От чего зависит избирательность ВЦ?
12. Как выбирается связь входного контура с АЭ?
13. От чего зависит ширина полросы пропускания ВЦ?
14. Из каких соображений выбирают тип АЧХ (минимально плоская, равно-
волновая, эллиптическая ) входных фильтров в РПУ?
15. Какая избирательность обеспечивается ВЦ?

51
 4 РЕЗОНАНСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
В резонансных усилителях в основном используется два варианта
включения усилительного прибора: с общим эмиттером и общей базой в
каскадах на биполярных транзисторах; с общим истоком и общим затвором
в каскадах на полевых транзисторах.
Усилители с общим эмиттером (истоком) в диапазоне метровых и бо-
лее длинных волн позволяют получить наибольшее усиление мощности.
Усилители с общей базой (затвором), обладая большей устойчивостью
к самовозбуждению, чаще применяются в дециметровом и сантиметровом
диапазонах волн.
К числу основных параметров усилителей относятся: резонансный ко-
эффициент усиления K 0 ; избирательность по побочным каналам приема
(σ ПК ) и по соседнему каналу ( σ СК ); коэффициент шума Ш; устойчивый
коэффициент усиления KОУ ; искажения сигнала.
Принципы построения и анализ резонансных усилителей идентичны
для различных типов усилительных приборов и вариантов их включения.

Рис. 4.1. Основные схемы включения колебательного контура

в резонансном усилителе

Основные схемы включения колебательного контура в одноконтур-

ном резонансном усилителе – автотрансформаторная, двойная автотранс-
форматорная, трансформаторная, емкостная, с «последовательной» индук-
тивностью – представлены на рисунке 4.1 а, б, в, г, д, соответственно.
На рисунке 4.2 а, б, в) показаны схемы резонансных усилителей на
полевом транзисторе, на биполярном транзисторе с двойной автотрансфор-
маторной связью и с трансформаторной связью соответственно.

52
 Рис. 4.2. Схемы резонансных усилителей на полевом и биполярных транзисторах

4.1 Обобщенная эквивалентная схема резонансных усилителей

В режиме малых сигналов усилительный прибор (биполярный или
полевой транзистор) можно представить линейным активным четырехпо-
люсником (рис. 4.3), передающие свойства которого описываются системой
линейных уравнений, например, через Y -параметры:
53
 I&1 = U&1Y&11 + U& 2Y&12 ;
(4.1)
I& = U& Y& + U& Y& .
2 1 21 2 22

Рис. 4.3. Эквивалентная схема усилительного прибора

При этом удобно для анализа пользоваться распространенной моде-

лью прибора (рис. 4.4).

Рис. 4.4. Модель усилительного прибора

Учитывая источник сигнала и нагрузку, получим полную обобщен-

ную эквивалентную схему резонансного усилителя (рис. 4.5).

Рис. 4.5. Обобщенная эквивалентная схема резонансного усилителя

В общем случае включение активного элемента в контур может быть

неполным. С учетом рисунка имеем
m = U& 2 U& ; n = U& H U& (4.2)
и тогда
I&2 = −U& 2У ∑ , (4.3)
где
(YК + n2YН )
Y∑ = (4.4)
2
m
представляет суммарную проводимость контура и нагрузки, пересчитанную
к зажимам 2-2 четырехполюсника.

54
 Коэффициент усиления резонансного усилителя с учетом коэффици-
ентов включения
& U& H U& H n U& 2
K= = = ⋅ . (4.5)
U& ВХ U&1 m U&1
Используя второе уравнение из (4.1) с учетом выражения(4.3), полу-
чим
−U& 2Y∑ = Y21U&1 + Y22U& 2 .
Отсюда
U& 2 Y21
=− . (4.6)
U&1 Y22 + Y∑
Тогда
n Y21 m ⋅ n ⋅ Y21 m ⋅ n ⋅ Y21 ⋅ RОЕ
К& = − ⋅ =− =− ,
m Y22 + Y∑ Yэ 1+ j ⋅ξ
где
1+ j ⋅ξ
YЭ = YК + m 2 ⋅ Y22 + n 2 ⋅ Yн = GОЕ ⋅ (1 + j ⋅ ξ ) =
RОЕ
представляет полную проводимость контура.
1
Здесь GОЕ = = g К + m 2 ⋅ g 22 + n 2 ⋅ g Н – эквивалентная резо-
RОЕ
нансная проводимость контура;
1  ω ω0   ω ω0 
ξ=  −  = QЭ  −  – обобщенная расстройка.
d Э  ω0 ω   ω0 ω 
При ω = ω0 ( ξ = 0 ) получим резонансный коэффициент усиления
m ⋅ n ⋅ Y210
K 0 = m ⋅ n ⋅ Y210 ⋅ RОЕ = . (4.7)
2 2
g К + m ⋅ g 22 + n ⋅ g Н
Наличие коэффициентов включения m и n в числителе и в знамена-
теле последнего выражения указывает на то, что существуют оптимальные
значения m и n , при которых резонансный коэффициент усиления макси-
мален при заданном полном затухании контура d Э .
d Q G
Задаваясь изменением Э = D = К = ОЕ , получим
dК QЭ gК
GОЕ = D ⋅ g К = m2 ⋅ g22 + n2 ⋅ g Н + g К , (4.8)

55
отсюда определим, например, m и подставим в выражение
m ⋅ n ⋅ Y210 n ⋅ Y210 (D −1) ⋅ g − n2 ⋅ g
K0 = = ⋅ К Н.
D⋅ gК D ⋅ gК g 22
dK 0
Из условия = 0 найдем оптимальный коэффициент включения,
dn
при котором резонансный коэффициент усиления максимален:
D −1 g К
nопт = ⋅ . 4.9)
2 gН
Из равенства (4.8) с учетом выражения (4.9) имеем:

D −1 g К У210  1
mопт = ⋅ 0MAX 2 ⋅ g ⋅ g 1− D 
= ⋅
, K . (4.10)
2 g 22
Н К  
Анализ полученных выражений показывает, что резонансный коэф-
фициент усиления максимален при одинаковом шунтировании контура со
стороны выхода усилительного элемента и со стороны нагрузки, когда
D −1
m2 ⋅ g22 = n2 ⋅ g Н =⋅ gК . (4.11)
2
При малом собственном затухании контура ( D >> 1 ) усиление дости-
гает предельного значения:
Y210
K 0пред = . (4.12)
2 ⋅ g Н ⋅ g 22
Используя известное уравнение резонансной кривой:
K0 1 Y210
= = ⋅ 1+ ξ 2
K γ Y
21
и считая для малых расстроек Y210 = Y21 , получим
2
K0 1  2 ⋅∆f 
= = 1+ ξ 2 = 1+   ,
K γ f ⋅
 0 Э d
откуда находим полосу пропускания резонансного усилителя при заданной
неравномерности γ :
1
∏γ = f0 ⋅ d Э ⋅ 2
−1 .
γ
Для γ = 0,707 полоса пропускания ∏ 0,7 = f 0 ⋅ d Э. .

56
 Фазовая характеристика резонансного усилителя определяется сле-
дующим образом:
(
−ϕ = arctgξ + arctg ω ⋅τ 21 ) ,

1
где τ 21 = , ω S – частота, на которой крутизна Y21 усилительного
ωS
прибора уменьшается в 2 раза.
Из первого уравнения (4.1) найдем входную проводимость усилителя
(в точках 1-1):
& I&1 U& 2
YВХ = = Y11 + Y21 ⋅ .
&
U1 &
U1
Учитывая выражение (4.6)

& Y12 ⋅ Y21 m2 ⋅ Y12 ⋅ Y21

YВХ = Y11 − = Y11 − . (4.13)
Y22 + Y∑ 2 2
YК + m ⋅ Y22 + n ⋅ YН
Аналогично можно найти выходную проводимость усилительного
прибора (в точках 2-2):
Y ⋅Y
YВЫХ = Y22 − 12 21 .
Y11 + YГ
Таким образом, из-за внутренней обратной связи входная проводи-
мость зависит от проводимости нагрузки, а выходная – от проводимости
источника сигнала.
4.2 Резонансный усилитель в диапазоне частот
Резонансные усилители преселектора РПУ, как правило, работают в
диапазоне частот. Поэтому важно знать частотную зависимость резонанс-
ного коэффициента усиления.
В усилителях на полевых транзисторах затухание, вносимое в контур
из-за шунтирования контура большими входными и выходными сопротив-
лениями, обычно мало и не превышает значения, допустимого по условию
обеспечения заданной избирательности.
Частичное подключение контура применяется в силу необходимости
выполнения условия устойчивой работы усилителя. Для резонансных уси-
лителей, перестраиваемых конденсатором переменной емкости (чаще всего
используется такой вид перестройки), получаем
K 0 = m ⋅ Y210 ⋅ RОЕ = m ⋅ S ⋅ ω0 ⋅ LК ⋅ QЭ . (4.14)
Так как практически выполняются условия
Y210 = S = const , QЭ = const ,
то K0 линейно возрастает с повышением частоты.
57
 В усилителях с биполярными транзисторами предпочтение отдают
двойной автотрансформаторной связи (рис. 4.2 б), при этом зависимость ре-
зонансного коэффициента усиления от частоты более сложная, чем в преды-
дущем случае:
m ⋅ n ⋅ S ⋅ RОЕ m ⋅ n ⋅ω 0 ⋅ LК ⋅ QЭ
K0 = = ,
( ) ( )
2 2
1 + ω0 / ω S 1+ ω 0 /ωS
1
где d Э = = d К + m 2 ⋅ω0 ⋅ LК ⋅ g 22 + n 2 ⋅ω0 ⋅ LК ⋅ g Н .
QЭ
В этом случае для схемы (см. рис. 4.2 б)
L + M1 L + M2
m= 1 ; n= 2
LК LК
не зависят от частоты.
Здесь M1 – взаимоиндуктивность между L1 и остальной частью ка-
тушки контура LK ; M 2 – взаимоиндуктивность между L2 и остальной ча-
2 2
стью катушки контура LK . Если ω S >> ω 0 , то крутизна постоянна.
Добротность контура с ростом частоты уменьшается из-за вносимых
2 2
затуханий со стороны выхода каскада ( m ⋅ω0 ⋅ LК ⋅ g22 = m ⋅ ρ ⋅ g22 ) и со
2
( 2
стороны нагрузки n ⋅ω0 ⋅ LК ⋅ gН = n ⋅ ρ ⋅ gН . )
Если связь между контурами и усилительными приборами слабая, то
добротность контура уменьшается не очень быстро и K 0 возрастает, но
медленнее, чем в формуле (4.14). Полоса пропускания резонансного усили-
теля с ростом частоты расширяется:

(
∏ 0,7 = f0 ⋅ d Э = f0 ⋅ d К + m2 ⋅ω 0 ⋅ LК ⋅ g 22 + n 2 ⋅ω 0 ⋅ LК ⋅ g Н ).
Широкое применение в транзисторных РПУ находят резонансные
усилители с трансформаторной связью (см. рис. 4.2 в), эквивалентная схема
которых показана на рисунке 4.6 а).
Здесь усилительный прибор представлен генератором тока Y&21U&1 с
выходной проводимостью g 22 и емкостью CВЫХ = С22 + СМ + CСВ , где
C22 – выходная емкость усилительного прибора; CМ – емкость монтажа
цепи; CСВ – емкость катушки связи LСВ .

58
 Резонансная угловая частота контура связи:
1
ωСВ = .
LСВ ⋅ CВЫХ
Использование теоремы об эквивалентном генераторе позволяет пре-
образовать эквивалентную схему (см. рис. 4.6 а) к виду, показанному на ри-
сунке 4.6 б, где ЭДС E&1 находится как напряжение холостого хода между
точками 2-2 (см. рис. 4.6 а). Пренебрегая выходной проводимостью g 22 ,
так как g 22 << ω ⋅ CВЫХ , получим
Y&21U&1 Y&21U&1
E&1 = ≈ ,
g 22 + j ⋅ ω ⋅ CВЫХ j ⋅ ω ⋅ CВЫХ
и ток в катушке LСВ
E&1 Y&21U&1
I&СВ = = ,
j ⋅ ω ⋅ LСВ + (1/ j ⋅ ω ⋅ C ВЫХ ) 1 − (ω / ω )2
СВ
& &
который наводит ЭДС E2 = j ⋅ ω ⋅ M ⋅ IСВ в контуре LК CК , где
C = CК + n2 ⋅ CВХ + CМ .

а)

б)
Рис. 4.6. Эквивалентные схемы резонансного усилителя с трансформаторной связью

При резонансе напряжение на контуре:

Y ⋅ U ⋅ M ⋅ QЭ ⋅ ω0
U 0 = E20 ⋅ QЭ = IСВ ⋅ ω0 ⋅ M ⋅ QЭ = 210 1 ,
2
 ω 
1−  0 
 ωСВ 

59
откуда резонансный коэффициент усиления:
U ВЫХ n ⋅ U 0 n ⋅ Y&210 ⋅ ( М / LК ) ⋅ RОЕ
K0 = = = ,
1 − (ω / ω )
U1 U1 2
0 СВ
где
( М / LК ) = m (ω0 ) .
1 − (ω0 / ωСВ )
2

В зависимости от соотношения ω 0 ω С В возможны различные ре-

2 2
жимы работы усилителя. При ω СВ >> ω 0 можно считать, что коэффици-
ент включения не зависит от частоты и m = M LК . Тогда зависимость ре-
зонансного коэффициента усиления от частоты такая же, как при двойном
автотрансформаторном включении:
M  &
K0 = n ⋅   ⋅ Y21 ⋅ RОЕ .
 LК 
2
Для случая, когда ω СВ << ω 0 , получаем
2
 M & ω СВ
K0 ≈ n ⋅   ⋅ Y21 ⋅ RОЕ ⋅ 2 .
 LК
 ω0
Отсюда при Y&21 = S = const ; QЭ = const
2
n ⋅ M ⋅ S ⋅ QЭ ⋅ ω СВ
const
K0 = .=
ω0 ω0
В усилителях на биполярных транзисторах практический интерес
представляет внутриемкостная связь контура со входом следующего каска-
да или с комбинированной внутриемкостной ( CСВ ) и трансформаторной
( LСВ1 ) связью (рис. 4.7).
Такой вид связи позволяет сохранить высокую избирательность схе-
мы в верхней части частотного диапазона за счет ослабления шунтирующе-
го влияния входной проводимости с увеличением частоты.
При ω СВ > ω 0 резонансный коэффициент усиления в диапазоне час-
тот изменяется мало.

60
 Рис. 4.7. Усилитель с внутриемкостной связью контура

4.3 Усилитель с двухконтурным фильтром

В тракте промежуточной частоты часто применяют различные вари-
анты усилителей с двухконтурными фильтрами, среди которых наибольшее
распространение получили индуктивная и внешнеемкостная связи между
контурами. Связь контуров с усилительными приборами выбирается обыч-
но автотрансформаторной или с помощью емкостного делителя. Проведем
анализ резонансного усилителя, нагруженного на двухконтурную избира-
тельную схему с трансформаторной связью между контурами (рис. 4.8 а),
эквивалентная схема которого показана на рисунке 4.8 б. Здесь выход уси-
лительного прибора представлен генератором тока Y&21U&1 с проводимостью
g ВЫХ и емкостью CВЫХ , а вход следующего каскада заменен проводи-
мостью g ВХ и емкостью C ВХ , при этом полные емкости контуров соот-
ветственно равны
C1 = CК1 + m2 ⋅ CВЫХ + CМ 1 ; C2 = CК 2 + n 2 ⋅ CВХ + CМ 2 ,
а полные проводимости:
g Э1 = g К1 + m2 ⋅ g ВЫХ ; g Э 2 = g К 2 + n2 ⋅ g ВХ .
Используя теорему об эквивалентном генераторе, заменим генератор
& & & m ⋅ Y&21U&1
тока m ⋅ Y21U1 генератором ЭДС E1 = (рис. 4.8 в).
j ⋅ ω ⋅ С1
При известном коэффициенте передачи двухконтурного фильтра
& U&
KФ = коэффициент усиления определяется следующим образом:
E&1
& U& 2 n ⋅ U& m ⋅ n ⋅ Y&21 & ω
K= = = ⋅ KФ = − j ⋅ 0 ⋅ m ⋅ n ⋅ Y&21 ⋅ ρ1 ⋅ KФ ,
U&
1 U&1 j ⋅ω ⋅ C1 ω
61
 1
где ρ 1 = – характеристическое сопротивление первого контура.
ω 0 ⋅ С1
Полученное выражение коэффициента усиления справедливо для
усилителя с фильтром при любом числе связанных контуров (при извест-
ном KФ ). Фазочастотная характеристика усилителя определяется фазоча-
стотными характеристиками двухконтурного фильтра и усилительного
прибора, но в отличие от одноконтурного усилителя имеет дополнительный
π
фазовый сдвиг на ( − ). Модуль коэффициента усиления:
2
ω
K = 0 ⋅ m ⋅ n ⋅ Y&21 ⋅ ρ1 ⋅ KФ .
ω

а)

б) в)
Рис. 4.8. Схемы резонансного усилителя, нагруженного на двухконтурную избирательную
схему с трансформаторной связью между контурами

Вблизи резонанса ( ω ≈ ω0 ) частотная характеристика усилителя в ос-

новном определяется частотной характеристикой двухконтурного фильтра:
K = m ⋅ n ⋅ Y21 ⋅ ρ1 ⋅ K Ф .
Из теории связанных контуров известно, что

( ) A ⋅ QЭ
A 2
KФ = ⋅ 1 + ξ 2 − A2 + 4 A2 = ,

(1 + ξ 2 − A )
dЭ 2 2
+ 4 A2
где A = KСВ ⋅ QЭ .

62
 И тогда
m ⋅ n ⋅ Y& ⋅ RОЕ ⋅ A
K& ≈ .

(1+ ξ 2 − А )
2 2
+ 4 А2
Форма амплитудно-частотной характеристики зависит от фактора связи
A : при A < 1 она одногорбая; для критической связи ( A = 1) частотная харак-
теристика имеет наиболее плоскую вершину; в случае, когда A > 1, характе-
ристика двугорбая с более крутыми скатами. Настройка фильтров проще при
критической связи и, кроме этого, фазовая характеристика ближе к линейной.
Наиболее распространенные способы включения полосовых фильтров
приведены на рисунке 4.9.
Эквивалентная схема двухконтурного усилителя с индуктивной свя-
зью (рис. 4.10 а, б) показана на рисунке 4.9 а; с внешнеемкостной связью
(рис. 4.10, в, г) на рис.4.9 б.

Рис. 4.9. Способы включения полосовых фильтров

Рис. 4.10. Эквивалентные схемы двухконтурного усилителя

Здесь CЭ1, СЭ 2 – полные эквивалентные емкости контуров:

CЭ1 = С1 + m12C22 , CЭ 2 = С2 + m22C11;
RОЕ1, RОЕ 2 – эквивалентные резонансные сопротивления контуров:
R1 QЭ1 R2 QЭ 2
RОЕ1 = = , RОЕ 2 = = ;
2
1 + m1 R1 / r22 2π f C
0 Э1
2
1 + m2 R2 / r11 2π f C
0 Э2
R1, R2 -собственные резонансные сопротивления контуров:
63
 Q Q
R1 = , R2 = ;
2π f0CЭ1 2π f0CЭ 2
Q – собственная (конструктивная) добротность каждого из контуров.
Значения коэффициентов включения m1, m2 должны выбираться так,
чтобы обеспечить требуемое шунтирование колебательных контуров поло-
сового фильтра. Так, для первого контура необходимо выполнение условия
Q m12Q
−1 = 2
= const
QЭ 2π f0r22(C1 + m1 C22)
и для второго контура
Q m22Q
−1 = = const .
QЭ 2
2π f0r11(C2 + m2C11)
Отсюда однозначно определяются

m1 =
(
2π f0r22C1 Q / QЭ −1 )
; m2 =
2π f 0r11C2 Q / QЭ −1 ( )
( ) ( )
.
Q − 2π f 0r22C22 Q / QЭ −1 Q − 2π f0r11C11 Q / QЭ −1
В двухконтурном усилителе резонансный коэффициент усиления не
зависит от величины собственной емкости первого контура, пока
C1 < CКР :
QЭ
CКР = − C22 .
(
2π f0r22 1− Q / QЭ )
Здесь r22 , C22 – выходные параметры транзистора.
Выбором C1 = CКР обеспечивается полное включение контура в кол-
лекторную цепь транзистора.
В широкополосных усилителях (малые QЭ ) и на высоких частотах
значения C КР могут быть малы CКР < Cm , где Cm – минимальное значе-
ние собственной емкости, определяемое требованиями к стабильности ре-
зонансной кривой усилителя. В этом случае, когда C1 = Cm > CКР , целесо-
образно взять m1 = 1 и зашунтировать первый контур сопротивлением
RОЕ1
RШ = ,
(Q / QЭ ) − (RОЕ1 / r22) −1
Q
где RОЕ1 =
( )
.
2π f0 Cm + C22

64
4.4 Влияние внутренней обратной связи
на свойства резонансного усилителя
Обратная связь в резонансных усилителях возможна через цепи пита-
ния, соединительные цепи усилителя и через проводимость внутренней об-
ратной связи усилительного прибора Y12 . Влияние первых двух видов об-
ратной связи ослабляется рациональным построением схемы, оптимизацией
конструкции цепей и узлов приемника в целом.
Внутренняя обратная связь в усилителе на полевом транзисторе опре-
деляется проходной емкостью C12 = CЗС . В усилителе на биполярном
транзисторе проводимость внутренней обратной связи комплексная вели-
чина
j⋅ϕ
Y&12 = g12 + j ⋅ω ⋅ C12 = Y&12 ⋅ e 12 ,
ω ⋅ C12
( )
2
где Y&12 = g12 2 + ω ⋅ C12 ; ϕ12 = arctg = arctgω ⋅τ12 .
g12
Рассмотрим резонансный усилитель с входным контуром (рис. 4.11),
где элементы внутренней обратной связи показаны пунктиром.

Рис. 4.11. Схема резонансного усилителя с входным контуром

Проводимость Y& создает на входе усилителя ток I& , что эквивалент-

12 1
но возникновению проводимости Y& , которую принято называть вход-
ВХ .ОС
ной динамической проводимостью. Согласно выражению (4.13):
m22 ⋅ Y&12 ⋅Y&21 ⋅ RОЕ 2 m2 ⋅ Y&12 ⋅ Y&21 ⋅ RОЕ 2 jϕ
2
m22 ⋅ Y&12 ⋅Y&21
YВХ .ОС = − =− = ⋅e .
YЭ 2 1 + j ⋅ξ 2 1 + j ⋅ξ 2

(
ω ⋅ τ12 −τ 21) ( )
ϕ12 = arctg ω ⋅τ12
Здесь ϕ = ϕ12 + ϕ21 = arctg
(1+ ω ⋅τ12 ⋅τ 21) ϕ21 = arctg (ω ⋅τ 21)
, .
2

Используя формулу Эйлера, получим

65
 cosϕ + ξ sin ϕ
YВХ .ОС = m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ +
2
1+ ξ
sin ϕ − ξ cosϕ
+ j ⋅ m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ = g ВХ .ОС + j ⋅ BВХ .ОС .
2
1+ ξ
Таким образом, входная динамическая проводимость YВХ .ОС пред-
ставляет собой комплексную величину и состоит из двух активных
. 1, g ВХ .ОС 2 ) и двух реактивных ( C ВХ .ОС1 , C ВХ .ОС 2 ) составляю-
( gВХОС
щих:
m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ cosϕ
g ВХ .ОС1 = 2
;
1+ ξ
ξ sinϕ
g ВХ .ОС 2 = m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ ;
2
1+ ξ
sinϕ
BВХ .ОС1 = m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ = ω ⋅CВХ .ОС1 ;
2
1+ ξ
ξ ⋅ cosϕ
BВХ .ОС 2 = −m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ = ω ⋅CВХ .ОС 2 ,
2
1+ ξ
характер изменения, которых показан на рисунке 4.12.

а) б) в) г)
Рис. 4.12. Характер изменения активных и реактивных составляющих

Составляющие g ВХ .ОС =ψ (ξ ) и СВХ .ОС =ψ (ξ ) шунтируют входной

контур (рис. 4.11), что приводит к изменению формы его амплитудно-
частотной характеристики.
Рассмотрим влияние g ВХ .ОС 2 =ψ (ξ ) и ВВХ .ОС1 =ψ (ξ ) , характерных
для полевых транзисторов. Если бы все составляющие входной динамиче-
ской проводимости не зависили от частоты, то АЧХ входного контура име-
ла бы вид, показанный на рисунке 4.13 а). Но g ВХ .ОС 2 и BВХ .ОС1 изменя-
66
ются с частотой. На частотах ниже резонансной проводимость g ВХ .ОС 2
отрицательна (рис. 4.12 в) и вызывает подъем коэффициента усиления
(штриховая линия на рисунке 4.13 а) за счет компенсации потерь входного
контура (положительная обратная связь).
На частотах выше резонансной g ВХ .ОС 2 положительна и вносит до-
полнительные потери в контур, уменьшающие коэффициент усиления (от-
рицательная обратная связь). Влияние CВХ .ОС1 на форму частотной харак-
теристики входного контура состоит в следующем. При понижении частоты
полная емкость контура уменьшается, резонансная частота увеличивается, и
фактическая расстройка оказывается больше той, на которую понижена
частота. В результате спад коэффициента усиления более резок (штриховая
линия слева от оси ординат на рисунке 4.13 б). При повышении частоты
полная емкость уменьшается, и резонансная частота увеличивается, тем са-
мым, уменьшая фактическую расстройку. Контур как бы подстраивается
под частоту, в результате чего коэффициент усиления оказывается больше,
чем при отсутствии обратной связи (штриховая линия справа от оси орди-
нат на рисунке 4.13 б).

а) б) в)
Рис. 4.13. АЧХ входного контура

Для биполярного транзистора характерно наличие всех четырех со-

ставляющих проводимости внутренней обратной связи. Рассмотрим влия-
ние CВХ .ОС 2 . Понижение частоты вызывает увеличение CВХ .ОС 2 , в ре-
зультате чего резонансная частота также понижается и фактическая рас-
стройка контура уменьшается.
При повышении частоты CВХ .ОС 2 отрицательна, полная емкость
уменьшается, резонансная частота увеличивается, что приводит к уменьше-
нию расстройки и увеличению коэффициента усиления (штриховая линия
на рисунке 4.13 в). При большой отстройке CВХ .ОС 2 мала и практически
не влияет на форму АЧХ входного контура.
Проводимость g ВХ .ОС1 уменьшается при отклонении частоты от ре-
зонансной в обе стороны, что вызывает увеличение добротности входного
67
контура и, как следствие, рост коэффициента усиления справа и слева от ре-
зонансной частоты. Вершина резонансной характеристики становится более
плоской (штриховая линия на рисунке 4.13 в).
Таким образом, проводимость внутренней обратной связи вызывает де-
формацию АЧХ входного контура, а за счет влияния отрицательной проводи-
мости g ВХ .ОС 2 возможно и самовозбуждение резонансного усилителя.

4.5 Условие устойчивости резонансного усилителя

Если проводимость контура на входе усилителя с учетом обратной
связи будет положительной ( g Э1 + n12 ⋅ g ВХ .ОС > 0 ), то усилитель не будет
самовозбуждаться. Однако отсутствие самовозбуждения еще не означает
неизменности качественных показателей усилителя. Поэтому вводится ко-
эффициент устойчивости
g Э1 + n12 ⋅ g ВХ .ОС
KУ = , (4.15)
g Э1
регламентирующий допуск изменения основных параметров усилителя (ко-
эффициент усиления, полоса пропускания) под действием обратной связи.
Если KУ = 0 , то усилитель может самовозбуждаться, а при KУ = 1
обратная связь отсутствует и устойчивость усилителя максимальна. Обычно
принимают KУ = 0,8 − 0,9 , допускающий изменение коэффициента усиле-
ния и полосы пропускания не более (10–20) %.
При отрицательной обратной связи параметры усилителя также не
должны претерпевать существенных изменений. Поэтому выбирают
KУ = 1,1 − 1, 2 .
Определим условие устойчивой работы резонансного усилителя при
заданном запасе устойчивости KУ . Для этого подставим в выражение (4.15)
g ВХ .ОС = m22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&12Y&21 ⋅ G (ϕ , ξ ) ,
(cos ϕ + ξ sin ϕ )
где G (ϕ , ξ ) = представляет собой функцию, определяю-
2
1+ ξ
щую зависимость g ВХ .ОС от расстройки ξ и аргумента ϕ , которая зависит
от типа применяемого усилительного элемента и может приближаться либо
к gВХ.ОС1, либо к gВХ.ОС2 (рис. 4.14).
В результате получим
УK = 1 + n2 ⋅ m 2 ⋅ R
1 2 ОЕ 2 ⋅R ОЕ1 ⋅ Y& Y& ⋅ G (ϕ , ξ ) ,
12 21

68
отсюда
KУ − 1
m22 RОЕ Y21 = .
n1 ⋅ RОЕ1 ⋅ Y12 ⋅ G (ϕ , ξ )

Рис. 4.14. Характер изменений проводимостей

Чтобы объединить оба случая обратной связи в одной формуле, вве-

дем знаки абсолютной величины KУ − 1 и G (ϕ , ξ ) , так как при положи-
тельной обратной связи KУ < 1 и G (ϕ , ξ ) < 1 , а при отрицательной обрат-
ной связи KУ > 1 и G (ϕ , ξ ) > 1 . Умножив правую и левую части последне-
го уравнения на n22 ⋅ Y&21 ⋅ RОЕ 2 и решив относительно
K 0 = m22 ⋅ n22 ⋅ RОЕ 2 ⋅ Y&21 , получаем

n KУ − 1 Y&21 RОЕ 2
K 0УСТ ≤ 2 ⋅ ⋅ ⋅ . (4.16)
n1 &
G (ϕ , ξ ) Y12 RОЕ1
Резонансный усилитель будет работать устойчиво, если выполняется
условие K0 ≤ K0УСТ .
Полагая RОЕ1 = RОЕ 2 , n1 = n2 , имеем
KУ − 1 Y&
K 0УСТ ≤ ⋅ 21 . (4.17)
&
G (ϕ , ξ ) Y12
Отсюда следует, что для получения гарантированной устойчивости
следует выбирать усилительный прибор с максимальным отношением
Y&21 Y&12 . Параметр AУ = Y&21 Y&12 характеризует и усилительные способ-
ности электронного прибора, и паразитную обратную связь. Если AУ > 1 ,
то усиление возможно. Исследование функции G (ϕ , ξ ) показывает наличие
двух экстремальных точек:
(1 + cos ϕ ) (1 − cos ϕ )
G (ϕ , ξ ) MAX = ; G (ϕ , ξ ) MIN = − . (4.18)
2 2
69
 В усилителе на биполярных транзисторах глубина отрицательной об-
ратной связи больше положительной, а при использовании полевых транзи-
сторов они одинаковы (ϕ = π 2 ). Для гарантированной устойчивой работы
следует исходить из наибольшего абсолютного значения функции G (ϕ , ξ ) .
Таким образом:
2 ⋅ KУ − 1 ⋅ Aу
K 0УСТ = .
1 + cos ϕ
Возможны различные условия работы усилительных приборов. Если
τ12 = τ 21, то cos ϕ = 1, ϕ = 0 и
K 0УСТ = KУ − 1 ⋅ АУ .
В данном случае существует только отрицательная обратная связь и
усилитель не может самовозбудиться.
Если транзистор работает на частоте, ниже предельной по крутизне,
2
что соответствует условиям ω 2 << ω S , (ω ⋅ C12 )2 >> g12
2
, то

2 KУ − 1 ⋅ S
K 0УСТ = .
ω ⋅ C12
Здесь S – крутизна активного элемента.
Полагая запас устойчивости в 10%, что соответствует KУ = 0,9 или
KУ = 1,1 , получим удобное выражение, определяющее устойчивый резо-
нансный коэффициент усиления:
S
K 0УСТ = 0, 45 .
ω ⋅ C12
Устойчивость резонансного усилителя необходимо проверять на верх-
ней частоте рабочего диапазона РПУ.
В многокаскадных усилителях выходной контур одного каскада явля-
ется входным для следующего каскада и шунтируется его входной прово-
димостью.
По этой причине эквивалентная проводимость данного каскада изме-
няется, что влечет за собой более сильное изменение входной проводимости
и параметров его входного контура, поэтому многокаскадный усилитель
менее устойчив, чем однокаскадный. Тем не менее, снижение устойчивости
незначительно и можно принять
S
K 0УСТ = 0, 42 .
ω ⋅ C12

70
4.6 Повышение устойчивости резонансных усилителей
Резонансные усилители проверяются на устойчивость сравнением
рассчитанных коэффициента усиления на резонансной частоте K 0 и устой-
чивого резонансного коэффициента усиления K 0УСТ . Усилитель будет ус-
тойчиво работать только при выполнении условия K 0 ≤ K 0УСТ .
Существуют пассивные и активные способы повышения устойчиво-
сти резонансных усилителей. Пассивные способы направлены на уменьше-
ние резонансного коэффициента усиления до выполнения условия
K 0 ≤ K 0УСТ и сводятся к следующему:
1. Увеличению эквивалентной емкости контура CЭ на величину до-
бавочной емкости C Д :
 K0 
C Д = СЭ  − 1 .
 K0УСТ 
2. Включению в коллекторные цепи усилителей сопротивлений RУ
(рис. 4.15), значения которых подбираются экспериментально.

Рис. 4.15. Схема усилителя с уменьшенным резонансным коэффициентом усиления за счет

включения RУ

3. Уменьшению степени связи колебательного контура с транзистором

(уменьшение коэффициента включения m2 ).
Используя

& n2 KУ − 1 Y&21 RОЕ 2 ,

m 2 ⋅ n2 ⋅ Y210 ⋅ RОЕ 2 ≤ ⋅ ⋅ ⋅
n 1 G (ϕ , ξ ) Y& R12 ОЕ 1
1 KУ − 1
получим m2 ≤ ⋅ , где RОЕ = RОЕ1 ⋅ RОЕ 2 .
n1RОЕ & &
G (ϕ , ξ ) ⋅ Y12Y21

71
 С учетом экстремальных значений функции G (ϕ , ξ ) ,

1 2 ⋅ KУ − 1
m2 ≤ ⋅ .
n1 ⋅ RОЕ Y&12Y&21
Здесь n1 – коэффициент включения, известный из расчета предыдущего
каскада (см. рис. 4.11) или входной цепи. Коэффициент включения n2 опре-
деляется из условия получения необходимого эквивалентного затухания:
2
Y21
AУЭ = ,
Y12 ⋅ (Y12 + Y22 )
отсюда
( d Э − d К ) − m22 ⋅ ρ ⋅ g 22 dЭ − d К
n2 = ≈ .
ρ ⋅ gН ρ ⋅ gН
4. Подбор режима транзистора по постоянному току. Этот способ
наиболее эффективен при K 0 / K 0УСТ ≤ 1,5 .
Как правило, пассивные методы повышения устойчивости резонанс-
ных усилителей используются в комбинации с активными.
Активные методы позволяют выполнить условие устойчивости за счет
увеличения K 0УСТ и тем самым полнее реализовать потенциальные усили-
тельные возможности транзисторов.
К активным методам повышения устойчивости относятся:
1. Коррекция внутренней обратной связи внешней обратной связью
так, чтобы на резонансной частоте результирующая обратная связь была
отрицательной.
2. Нейтрализация внутренней обратной связи внешней обратной свя-
зью, параметры которой выбираются так, чтобы в требуемой полосе частот
внутренняя обратная связь компенсировалась.
3. Каскадное включение двух транзисторов, в результате чего мера ак-
тивности возрастает (на несколько порядков) по сравнению с мерой актив-
ности транзистора с общим эмиттером.
4. Использование транзисторов с малой обратной проходной прово-
димостью.

4.7 Резонансный усилитель с коррекцией внутренней обратной связи

Коррекция как метод повышения устойчивости основана на том, что
условие самовозбуждения усилителя не будет выполняться, если cos ϕ = 1
(4.18). Этому условию соответствует равенство параметров τ12 = τ 21.

72
 В общем случае τ12 ≠ τ 21, поэтому к транзистору для коррекции τ12
подключается пассивная проводимость Y (рис. 4.16).
Матрица такого соединения
Y11Э Y12Э Y11 + Y Y12 − Y
[ ] −Y − Y
Y = =
−Y + Y − Y − Y
, (4.19)
21Э 22Э 21 22
где
Y11Э = Y11 + Y =
1
r11Э
+ jω C11Э =
1
r11Э (1+ jωτ11Э );
−Y12Э = −Y12 + Y =
1
r12Э
+ jω C12Э =
1
r12Э (1+ jωτ12Э );
(4.20)
1 1
Y21Э = Y21 − Y = =
( )
;
r21Э + jω L21Э r 1 + jωτ
21Э 21Э
1 L
Y22Э = Y22 + Y = + jω C22Э; τ12Э = r12ЭC12Э; τ 21Э = 21Э .
r22Э r21Э

Рис. 4.16. Повышение устойчивости за свет включения Y

Для схемы (рис. 4.16) условие устойчивости сводится к выполнению

равенства
τ12Э = τ 21Э . (4.21)
В табл. 4.1. приведены соотношения, связывающие эквивалентные па-
раметры Y11Э , Y12Э , Y21Э , Y22Э с соответствующими проводимостями
транзистора при различном характере корректирующего элемента.
Используя выражения для τ12Э и τ 21Э и выполняя условие (4.21),
получим
r
(
1+ C12 21 1+ ω 2τ 21
τ 21
2
) r
(
1− 21 1+ ω 2τ 21
r12
2
) τ 
C12  21 −1
τ12  , (4.22)
R= r12; L = ;C =
τ12
τ 21
−1
 τ 
ω 2 C12 + CL − 21 
 r12 
r
r12
2
(
1− 21 1+ ω 2τ 21 )
где C L - распределенная емкость катушки индуктивности L .
73
 Таблица 4.1
Эквива- Характер корректирующей проводимости
лентные 1
y=
1
+ jω CL
y= y = jω C
параметры R jω L
r 11R
r11Э r 11 r 11
r 11 + R
1
С11Э C11 C11 + CL C11 + C L −
ω2 L
r12 R
r12Э r12 r12
r12 + R
1
С12Э C12 C12 + CL C12 + C L −
ω2 L
 r21 2 2  r21   r21
 1 − R − ω τ 21  1 + R   r21
r21 1 +   2
   
r21Э
( ) 2 1  1
2
 R
+
r21 − 2 + ω τ 21
2 2 r21  1 + ω 2
r τ
21 21 C + ω 2 r21
2 2
C r21  ω L − ω C L  +  r21τ 21  ω L − ω C L  − 1
 r21 R R       
τ 21  r C  2   
τ 21Э
1−
r21
(1 + ω τ 21
2 2
)   τ 21 
(
τ 21 ⋅ 1 + 21  ⋅ 1 + ω 2 τ 21 ) 

τ 21  1 −
r21
 ω τ 21 L
2 (
⋅ 1 + ω 2 τ 21
2
)(
⋅ 1 − ω 2 LC L )

R
r22 R
r22Э r22 r22
r22 + R
1
С22Э C22 C22 + CL C 22 + C L −
2
ω L

74
 В диапазоне частот, где приходится решать задачу повышения устой-
чивости резонансных усилителей, справедливы следующие неравенства [1]:
r
τ 21
(
C12 = 21 1 + ω 2 τ 21
2
)
<< 1;
r21
r12
(
1 + ω 2 τ 21
2
)
<< 1.

В этом случае
r12 1 τ 
R= ; L= ; С = С12  21 −1. (4.23)
τ12 /τ 21 −1  τ  τ
 12 
ω 2  C12 + CL − 21 
 τ12 
Соотношения (4.22) показывают, что при ∏ 0,7 = f ПР ⋅ d Э целесооб-
разно в качестве корректирующей проводимости использовать сопротивле-
ние R и индуктивность L , а при τ12 < τ 21 – емкость C .
Практика показывает, что для транзисторов, включаемых по схеме с
общим эмиттером, всегда τ12 > τ 21 в области частот, где нужно повышать
устойчивость резонансных усилителей. Однако применение в качестве кор-
ректирующего элемента сопротивления R ограничено нежелательным
шунтированием колебательного контура.

Рис. 4.17. Повышение устойчивости за счет включения L

Поэтому в таких усилителях вместо сопротивления R целесообразно

использовать индуктивность (рис. 4.17).
Тем не менее, сопротивление R можно использовать в схеме темпера-
турной стабилизации рабочей точки транзистора (рис. 4.18).
В этом случае устойчивость усилителя повышается без включения в
схему дополнительных элементов. Однако из конструктивных и техноло-
гических соображений чаще всего в качестве корректирующего элемента
вместо индуктивности применяется емкость C . Принципиальная схема ре-
зонансного усилителя с коррекцией типа C показана на рисунке 4.19.

Рис. 4.18. Температурная стабилизация рабочей точки транзистора

75
 Рис. 4.19. Повышение устойчивости за счет включения C

Замена индуктивности L на емкость C возможна при наличии в вы-

ходных цепях усилителя фазоинверсного трансформатора или автотранс-
форматора, при этом:
m  τ 
C = C12 1 1 − 21  .
m2  τ12 
Следует отметить, что коррекция внутренней обратной связи не обес-
печивает ее полной компенсации и качественные показатели резонансного
усилителя будут зависеть от глубины оставшейся (нескомпенсированной)
обратной связи.
4.8 Резонансные усилители с нейтрализацией
внутренней обратной связи
Нейтрализация как метод повышения устойчивости резонансных уси-
лителей предполагает компенсацию внутренней обратной связи внешней
обратной связью в виде нейтрализующего линейного и пассивного четы-
рехполюсника N (рис. 4.20).

а) б) в)
Рис. 4.20. Нейтрализующие линейные и пассивные четырехполюсники

Частотная и фазовая характеристики нейтрализующего четырехпо-

люсника выбираются так, чтобы внешняя обратная связь скомпенсировала
внутреннюю обратную связь в заданной полосе частот. Возможные схемы
нейтрализации могут быть сведены к следующим видам (рис. 4.21):
а) последовательная нейтрализация ( Z -типа);
б) параллельная ( Y -типа);
в) последовательно-параллельная ( h -типа);
г) параллельно-последовательная ( g -типа).
Наиболее часто применяется параллельная нейтрализация (или
Y -нейтрализация), представляющая параллельное соединение двух четы-
76
рехполюсников: усилительного прибора Y и нейтрализующей пассивной
цепи с проводимостью YN (рис. 4.22 а).

а) б)

в) г)
Рис. 4.21. Типы нейтрализации
Результирующий параметр параллельно соединенных четырехполюс-
ников
I&2 I&1У + I&1N I&1У I&1N
Y12Σ = = = + = Y12 + Y12 N .
U& 2 U& =0 U&
2 U&
2 U&
2
1

а) б)
Рис. 4.22. Параллельная нейтрализация
Обратная связь будет отсутствовать, если
Y12Σ = Y12 + Y12 N = 0 .
Отсюда получаем условие нейтрализации: Y12 = −Y12 N .
Таким образом, нейтрализующая пассивная цепь по свойствам должна
быть аналогична цепи Y12 , но напряжение обратной связи через цепь ней-
трализации (цепь RN C N на рисунке 4.22 б) должно подаваться на вход уси-
лителя в противофазе с тем, которое попадает на вход через цепь внутрен-
ней обратной связи (цепь g12C12 , показанная штрихом на рисунке 4.22 б).
Для этих цепей используют как трансформаторный, так и автотрансформа-
торный фазоинверторы.
77
 Параллельная цепь нейтрализации RN C N может обеспечить полную
нейтрализацию в полосе частот, где g12 и C12 постоянны, но так как C12 и
g12 у транзисторов зависят от частоты, то в широкополосных усилителях
нейтрализация не применяется.
Необходимо обратить внимание на включение параллельной RN C N
цепочки по схеме (рис. 4.22 б), где последовательно с ней включен раздели-
тельный конденсатор CP , исключающий нарушение режима в цепи базы
транзистора по постоянному току. Разделительный конденсатор можно уб-
рать, если сопротивление RN рассчитать так, чтобы он играл роль сопротив-
ления в делителе, определяющем напряжение на базе транзистора (рис. 4.23).

Рис. 4.23. Схема нейтрализации с параллельной RN C N цепочкой

Колебательный контур LК СК частично включен в цепь коллектора и

цепь нейтрализации с коэффициентами трансформации
U1 U U
m1 = ; m2 = 2 ; m3 = 3 .
UK UK UK
Величины RN и C N определяются из следующих соотношений:
m m
RN = 3 ⋅ r12; C N = 1 ⋅ C12 .
m1 m3
В избирательных узкополосных усилителях с фиксированной на-
стройкой возможно применение последовательной цепи нейтрализации, в
которой RN и C N соединены последовательно. Такая цепь обеспечивает
точную нейтрализацию на частоте, на которой последовательная цепь экви-
валентна параллельной (рис. 4.24).
Последовательная нейтрализация удобна в тех случаях, когда не
должно быть гальванической связи между выходной и входной цепями уси-
лителя. В этом случае C N играет одновременно роль разделительного кон-

78
денсатора. Расчетные соотношения для последовательной цепочки нейтра-
лизации имеют вид:
R τ
m3 = m1 ⋅ 3 ; C N = 12 , R3 = RN .
r12 RN

Рис. 4.24. Схема нейтрализации с последовательной RN C N цепочкой

На рисунке 4.25 представлена эквивалентная схема резонансного уси-

лителя с нейтрализацией типа g .
Условие нейтрализации сводится к следующему:
Y z2
− 12 = .
Y22 z1 + z2
Очевидно, что в качестве z1, z2 целесообразно использовать RC -
цепочки, совпадающие по структуре с эквивалентами Y12 и Y22 :
1 1
= q ⋅ (Y12 + Y22 ) , = − q ⋅ Y12 .
z2 z1
Здесь q – коэффициент пропорциональности.

Рис. 4.25. Схема резонансного усилителя с нейтрализацией типа g

На рисунке 4.26 приведена принципиальная схема резонансного уси-

лителя с нейтрализацией типа g , где R1, C1 , R2 , C2 – элементы цепи ней-
трализации, которые определяются следующим образом:
r12 r12 ⋅ r22
R1 = ; R2 = ; C1 = q ⋅ C12 , C2 = q ⋅ ( C22 − C12 ) .
q q ⋅ ( r12 − r22 )

79
 Входная проводимость
 Y 
YВХ = Y11 − q ⋅ Y12  1 + 12  ≈ Y11.
 Y22 

Рис. 4.26. Схема резонансного усилителя с нейтрализацией типа g

Выходная проводимость, шунтирующая контур:

 1  1  1 .
Y ВЫ Х = Y22  1 +  ; R В Ы Х = r22  1 +  ; C В Ы Х = C 22  +
q 
1
 q  q 
Недостатки усилителя с нейтрализацией типа g в том, что резонанс-
1 
ный коэффициент усиления меньше в  1 +  раз по сравнению с его зна-
 q 
чением при использовании нейтрализации типа Y .
Эквивалентная схема резонансного усилителя с нейтрализацией типа
h (рис. 4.27) имеет условие нейтрализации, которому соответствует баланс
мостовой схемы (рис. 4.28):
Y z2
− 12 = .
Y11 z1 + z2

Рис. 4.27. Эквивалентная схема резонансного усилителя с нейтрализацией типа h

Рис. 4.28. Эквивалентная мостовая схема элементов нейтрализации

80
 Отсюда видно, что в качестве z1 и z2 целесообразно использовать
1 1
цепочки, структурно совпадающие с и :
Y11 −Y12
1 1
= − q ⋅ Y12 ; = q ⋅ ( Y11 + Y12 ) ≈ q ⋅ Y11 ,
z1 z2
откуда находим
r r ⋅r r
R1 = 12 ; R2 = 11 12 ≈ 11 ; C1 = q ⋅C N ; C2 = q ⋅( C11 − C12 ) ≈ q ⋅C11.
q ( r12 − r11 ) q
Входная проводимость
Y  1 C
YВХ = 11 ; RВХ = 1 +  ⋅ r11; C ВХ = 11 ,
1+
1  q 1+
1
q q
а выходная проводимость, шунтирующая колебательный контур:
r ⋅r
YВЫХ ≈ Y22 + q ⋅Y12; RВЫХ ≈ 12 22 ; CВЫХ = С22 + q ⋅ C12 .
r12 + q ⋅ r22
Усилитель с нейтрализацией типа h имеет по сравнению с нейтрали-
зацией типа Y большую выходную проводимость за счет подключения к
 1
коллектору цепи нейтрализации и меньшие в  1 +  раз входную прово-
 q
димость и коэффициент усиления. Одна из возможных принципиальных
схем резонансного усилителя с нейтрализацией типа h показана на рисун-
ке 4.29, где R1 , C1 , R2 , C2 – элементы нейтрализации.

Рис. 4.29. Схема резонансного усилителя с нейтрализацией типа h

Нейтрализации типа g и h по сравнению с нейтрализацией типа Y

имеют существенное преимущество: они не требуют применения фазовра-
щающего автотрансформатора или трансформатора, что обеспечивает ней-
трализацию в значительно широкой полосе частот по сравнению с нейтра-
лизацией типа Y с реальным автотрансформатором или трансформатором.
81
 Количество использованных деталей в схемах усилителей с нейтрали-
зацией можно уменьшить, совмещая, например, детали цепи нейтрализации
и температурной стабилизации. Так, на рисунке 4.30 приведена принципиаль-
ная схема усилителя с нейтрализацией типа h с «симметричным» выходом, с
совмещенными цепями нейтрализации и температурной стабилизации.
Условие нейтрализации имеет вид
n ⋅ Y12 z2
− = ,
Y11 z1 + z2
m1
где n = .
m2

Рис. 4.30. Схема резонансного усилителя с нейтрализацией типа h

с «симметричным» выходом
Учитывая, что
1 1 1 1
= + jω C1 = −q ⋅ n ⋅ Y12 ; = + jω C2 = q ⋅ (Y11 + n ⋅ Y12 ) ,
z1 R1 z2 R2
получим
r11⋅ r12
( )
r r
R1 = 12 ; C1 = q ⋅ n ⋅ C12; R2 = ≈ 11; C2 = q ⋅ C11 − n ⋅C12 ≈ qC11;
n⋅ q ( )
q ⋅ r12 − n ⋅ r11 q
 R1 
1 +  ⋅ r11
 
q = 11 ⋅ 1 + 1  , m2 = m1 ⋅  2
r R R
.
R2  R2  r12
При точной настройке цепей нейтрализации Y -нейтрализация требует
подгонки величин только двух элементов, а нейтрализация типа g и
h – четырех.

4.9 Каскодные резонансные усилители

Влияние внутренней обратной связи уменьшается при каскадном со-
единении двух усилительных приборов, когда выход первого усилительно-
го прибора соединяется со входом второго непосредственно, без частотно-
зависимых цепей. Такое каскадное соединение получило название «каскод-
ных схем» (рис. 4.31). В этом случае проводимость обратной связи опреде-
82
ляется обратной проводимостью двух усилительных приборов. Каскодные
усилители на биполярных транзисторах, используемые в диапазоне
(1–2) МГц, чаще всего строятся по схеме соединения «общий эмиттер – об-
щий эмиттер» (ОЭ – ОЭ). На более высоких частотах (декаметровый и мет-
ровый диапазон), а также в широкополосной аппаратуре находят примене-
ние каскодные схемы «общий эмиттер – общая база» (ОЭ – ОБ).
В каскодных схемах с полевыми транзисторами предпочтение отдают
усилителям, собранным по схемам «общий исток – общий затвор»
(ОИ – ОЗ). Используется также соединение «общий исток – общая база»
(ОИ – ОБ). При анализе каскодные усилители рассматриваются как один кас-
кад, у которого оба усилительных прибора замещаются некоторым эквива-
лентным четырехполюсником (рис. 4.31 а) с эквивалентными параметрами:
Y& ′ ⋅ Y& ′ Y& ′ ⋅ Y& ′′
Y&11Э = Y&11′ − 21 12 ; Y&21Э = − 21 21 ;
′ + Y&11′′
Y&22 ′ + Y&11′′
Y&22
′′ ⋅ Y&12′′
Y&21 Y&12′ ⋅ Y&12′′
& & ′′
Y22 Э = Y22 − &
; Y12 Э = − .
Y&22′ − Y&11 ′′ ′′ + Y&11′′
Y&22

а) б)
Рис. 4.31. Каскодный усилитель: а – эквивалентная схема; б – принципиальная схема

Каскодные усилители позволяют получить высокое устойчивое уси-

ление без нейтрализации. Для каскодных схем справедливы все выражения,
полученные для устойчивого коэффициента усиления однокаскадного резо-
нансного усилителя, где
Y
AУ = AУЭ = 21Э .
Y12Э
Для каскодного усилителя ОЭ – ОЭ с одинаковыми транзисторами
2 2
Y21 Y21
AУЭ = , а для случая ОЭ – ОБ AУЭ = , что сущест-
Y12
2 Y12 ⋅ (Y12 + Y22 )
венно больше, чем для усилителя с общим эмиттером. В таблице 4.2 приве-
дены аналитические выражения активности различных усилительных при-
боров, а в таблице 4.3 – схемы каскодных резонансных усилителей.

83
 Таблица 4.2
Аналитические выражения активности различных усилительных приборов
Тип
усилитель-
ного ОЭ ОБ ОЭ − ОБ ОЭ − ОЭ ОБ − ОБ ОБ − ОЭ
элемента
2 2 2 2
Y21 Y21 Y21 Y21 Y21 Y21
AУ
Y12 Y12 + Y22 Y12 (Y12 + Y22 ) Y12 Y12 + Y22 Y12 (Y12 + Y22 )

Y21 Y21 Y21

1
АУ Y12 Y21 Y12 Y12
1 Y
АУОЭ 1 + 22 Y Y12 Y
2
Y22
Y12 1 + 22 1 + 22 1+
Y12 Y12 Y12
1
АУ _ ____ Y
1 1 + 22 Y 1
АУОЭ − ОБ Y12 1 + 22
Y12

Таблица 4.3
Схемы каскодных резонансных усилителей
№
Принципиальные каскодные схемы резонансных усилителей Примечания
п/п

Каскодный
усилитель
ОЭ – ОЭ
1
с коррекцией
внутренней
обратной связи

Каскодный
усилитель
ОЭ – ОЭ
2
с нейтрализацией
внутренней
обратной связи

Каскодный уси-
литель
ОЭ – ОЭ с
3
комбинированной
обратной связью
в первом каскаде

84
 Продолжение табл. 4.3
№
Принципиальные каскодные схемы резонансных усилителей Примечания
п/п
Каскодный
усилитель
ОЭ – ОБ
с последователь-
ным контуром,
позволяющий
повысить
4 усиление
первого
транзистора.
Конденсатор C 2
и индуктивность
L образуют
колебательный
контур

Каскодный
усилитель
5 ОЭ – ОБ
с параллельным
контуром.

Емкости конденсаторов C3 и C5 выбираются так, чтобы обес-

печить условия по согласованию и по требуемой эквивалент-
ной добротности контур

Каскодный
усилитель
6 ОЭ – ОБ
с параллельным
питанием

Каскодный
усилитель
ОЭ – ОБ
7
с коррекцией
внутренней
обратной связи

85
 Окончание табл. 4.3
№
Принципиальные каскодные схемы резонансных усилителей Примечания
п/п

Каскодный
усилитель
ОЭ – ОБ
8
с нейтрализацией
внутренней
обратной связи

Каскодные усилители широко используются в преселекторах совре-

менных профессиональных РПУ. Такие схемы дают хорошую развязку ме-
жду входом и выходом усилителя, а также обеспечивают удобство подачи
сигнала от системы регулирования. В каскодных усилителях уменьшается
изменение входной емкости при изменении режима.
В общем случае для каскодной схемы ОЭ – ОБ (рис. 4.31 б) справед-
ливы следующие соотношения между параметрами составного транзистора
(
YС и параметрами транзистора по схеме ОЭ Y11Э , Y12Э , Y22Э , Y21Э ) и

(
транзистора, включенного по схеме ОБ Y11Б , Y12Б , Y22Б , Y21Б : )
Y (Y + Y ) − Y12ЭY21Э −Y Y
Y11С = 11Э 22Э 11Б , Y12С = 12Э 12 Б ,
Y22Э + Y11Б Y22Э + Y11Б
−Y Y
Y21С = 21Б 21Э ,
Y (Y + Y ) − Y12 Б Y21Б .
Y22С = 22 Б 22Э 11Б
Y22Э + Y11Б Y22Э + Y11Б

Так как обычно Y11Б >> Y22Э ; Y11Э >> Y12Э ; Y11Б ≈ −Y21Б , то
Y Y Y
Y11С ≈ Y11Э ; Y12С ≈ Y12Э 12 Б ; Y21С ≈ Y21Э ; Y22С ≈ Y22 Б − 21Б 11Б .
Y21Б Y11Б
С учетом связи между h - и Y -параметрами справедливо следующее
соотношение:
Y12 С ≈ Y12 Э h12 Б ; Y22 C ≈ h22 Б .
Таким образом, в каскодной схеме ОЭ – ОБ значения входной прово-
димости Y11C и проводимости прямой передачи (крутизны) Y21C практи-
чески совпадают с Y11Э и Y21Э каскада, собранного по схеме с общим
эмиттером. Проводимость внутренней обратной связи Y12С резко уменьша-
ется (в 100–1000 раз), выходная проводимость Y22С очень мала.

86
4.10 Полосовые усилители промежуточной частоты
Выбор типа усилителя промежуточной частоты (УПЧ) определяется
его назначением. По относительной ширине полосы пропускания УПЧ под-
разделяются на узкополосные ( Π / f ПР ≤ 0,05 ) и широкополосные
( Π / f ПР > 0,05 ).
УПЧ работают на фиксированной частоте f ПР , обеспечивают основ-
ное усиление принимаемого сигнала и формируют АЧХ линейного тракта
РПУ, которая определяет его избирательность по соседнему каналу. Для
повышения помехоустойчивости приема существует международный ряд
значений f ПР , которые запрещается использовать в качестве несущих. В
частности, в радиовещательных РПУ АМ-сигналов f ПР = 465 кГц, с ЧМ-
сигналами – 10,7 МГц, а в РПУ радиорелейных и спутниковых систем связи
– 70 МГц.
Типовые полосы пропускания тракта основной селекции составляют в
радиовещательных РПУ АМ-сигналов – 8–10 кГц, в РПУ с ЧМ-сигналами –
250 кГц, а в системах радиорелейной и спутниковой связи 12–34 МГц. В уз-
кополосных РПУ (радиовещательные, связные и т.п.) применяются одно-
контурные и двухконтурные УПЧ, а также усилители с фильтрами сосредо-
точенной селекции (ФСС). В широкополосных РПУ (телевизионные, ра-
диолокационные и т.п.) кроме одноконтурных и двухконтурных УПЧ ис-
пользуются также УПЧ с парами и тройками расстроенных каскадов. Воз-
можно сочетание всех вышеперечисленных типов УПЧ.
В частности, в узкополосных усилителях, где предъявляются жесткие
требования к стабильности частотной характеристики, применяют двухкон-
турные каскады, обеспечивающие избирательность УПЧ, и одноконтурные
широкополосные каскады, выполняющие функции усиления.
Последовательное чередование двухконтурных и одноконтурных уси-
лителей позволяет обеспечить выполнение высоких требований к темпера-
турной стабильности формы частотной характеристики в широкополосных
УПЧ.
Настроенные одноконтурные резонансные УПЧ по сравнению с дру-
гими типами просты в производстве, настройке и имеют стабильную форму
амплитудно-частотной характеристики. Целесообразно применять такие
УПЧ при невысоких требованиях к избирательности.
Одноконтурные УПЧ с расстроенными каскадами имеют большое
усиление на каскад при более широкой полосе пропускания, но более слож-
ны в настройке при худшей стабильности формы АЧХ. УПЧ с двумя свя-
занными контурами целесообразно применять в тех случаях, когда требует-
ся повышение избирательности и стабильности амплитудно-частотных и
фазочастотных характеристик.
87
 Усилители промежуточной частоты представляют собой многокас-
кадный усилитель, содержащий частотно-избирательные цепи, который
может быть реализован двумя способами. В УПЧ с распределенной избира-
тельностью (рис. 4.32 а) в каждом каскаде кроме усилительного прибора
имеется своя избирательная цепь (ИЦ), в результате чего происходит по-
степенное покаскадное накопление усиления и избирательности. В качестве
ИЦ используются цепи межкаскадной связи в виде одиночных колебатель-
ных контуров или связанных контуров на основе LC -элементов, а также ак-
тивных RC -цепей, не содержащих индуктивных элементов.
Усилители с сосредоточенной избирательностью (рис. 4.32 б) содер-
жат обычно апериодические или слабо избирательные многокаскадные
усилители и фильтр сосредоточенной селекции (ФСС). В данном случае
функции усиления и избирательности оказываются разделенными. В каче-
стве ФСС используются многозвенные LC-фильтры, активные RC-фильтры,
электромеханические, пьезоэлектрические фильтры на объемных (ОАВ) и
поверхностных (ПАВ) акустических волнах. УПЧ данного вида имеют бо-
лее высокую стабильность характеристик. В УПЧ с распределенной избира-
тельностью более полно используется усилительный потенциал, что позво-
ляет обеспечивать необходимое усиление меньшим числом каскадов. Одна-
ко такие усилители сложнее в настройке и эксплуатации, менее техноло-
гичны, чем УПЧ с сосредоточенной избирательностью.

а)

б)

Рис. 4.32. Усилители с сосредоточенной избирательностью

В РПУ, работающих в условиях большого уровня внешних помех

(диапазон умеренно высоких частот), избирательность УПЧ необходимо
обеспечить как можно ближе к входу приемника, чтобы существенно осла-
бить нелинейные искажения. В таких случаях целесообразно использовать
схему УПЧ с сосредоточенной избирательностью, включая ФСС непосред-
ственно на выходе преобразователя частоты.
В приемниках СВЧ, где вероятность появления сильных помех отно-
сительно мала, могут применяться УПЧ с распределенной избирательно-
стью.

88
4.11 Многокаскадные усилители промежуточной частоты
с одинаково настроенными контурами
В многокаскадных усилителях для упрощения конструкции, регули-
ровки и настройки, а также для повышения устойчивости чаще используют
одинаковые каскады, настроенные на одну и ту же частоту. При этом при-
меняются простые одноконтурные или двухконтурные избирательные цепи.
Для ослабления обратных связей используют межкаскадные экранирующие
перегородки. При проектировании усилителя принимают все необходимые
меры для обеспечения устойчивой работы каждого отдельного каскада. В
этом случае влияние внутренних обратных связей на свойства всего много-
каскадного усилителя ослабляется.
Рассмотрим усилитель, содержащий N идентичных каскадов
(рис. 4.33.), каждый контур которого настроен на промежуточную частоту.

Рис. 4.33. Многокаскадный усилитель с сосредоточенной избирательностью

Используя выражение для модуля коэффициента усиления однокон-

турного резонансного усилителя
m ⋅ n ⋅ Y&21 ⋅ RОЕ
K= ,

1+ ξ 2
для N каскадов получим
N
 m ⋅ n ⋅ Y& ⋅ R 
N  21 ОЕ 
ΚN =Κ = .
 1+ ξ 2 
 
При резонансе ( ξ = 0 )

( )
N
K N 0 = m ⋅ n ⋅ Y&210 ⋅ RОЕ .
Тогда нормированная АЧХ для N -каскадного УПЧ примет следую-
щий вид:
−N
−N  2 
ΚN
=  1+  ∏   .
 2  
= γ =  1+ ξ 
ΚN0     f0 ⋅ d Э  
 

89
 Отсюда определим полосу пропускания УПЧ по уровню 3дБ (γ = 0,707):

∏ N 0,7 = f ПР ⋅ d Э ⋅ Ν 2 −1 = ∏ 0,7⋅ Ν 2 −1 ,
где ∏ 0,7 = f ПР ⋅ d Э − полоса пропускания по уровню 0,7 одиночного контура.
Таким образом, с ростом числа идентичных каскадов происходит су-
жение полосы пропускания. Для заданной полосы пропускания ∏ N 0,7
необходимо затухание каждого из нагруженных контуров сделать равным
∏ N 0,7 1
dЭ = ⋅ , (4.24)
f ПР Ν 2 −1
а это означает, что при увеличении числа каскадов приходится увеличивать зату-
хание контура каждого каскада, уменьшая тем самым его коэффициент усиления.
В схемах усилителей с биполярными транзисторами, имеющими ма-
лые входные и выходные сопротивления, увеличение эквивалентного зату-
хания dЭ избирательной системы может быть получено увеличением связи
контура с транзистором (увеличение коэффициентов включения m и n ).
При использовании полевых транзисторов и ламп, а также при широ-
кой полосе пропускания эквивалентное затухание контуров может быть не-
достаточным даже при полном включении контура. В этом случае затуха-
ние увеличивают подключением шунтирующих сопротивлений.
В широкополосных усилителях трудно получить большое усиление.
Действительно, при m = 1
N
 n ⋅ Y& 
( ) ( ) ( )
N N
&
Κ N ω0 = n ⋅ Y210 ⋅ RОЕ &
= n ⋅ Y210 ⋅ ρ ⋅ QЭ = 210  . (4.25)
 2π ⋅ C ⋅ ∏ 0,7 
 
Здесь С = С + C 2 2
ВЫХ + n ⋅ CВХ + СМ = СΣ + n ⋅ CВХ
, (4.26)
К
где СК − емкость контурного конденсатора;
СВЫХ − выходная емкость усилительного прибора;
С ВХ − входная емкость усилительного прибора следующего каскада;
СМ − емкость монтажа.
Из (4.25) видно, что коэффициент усиления тем меньше, чем больше
емкость контура. Уменьшение этой емкости ограничено величиной
С = CВЫХ + n 2 ⋅ CВХ + СМ = СΣ + n 2 ⋅ C ВХ , а также снижением стабильно-
сти показателей усилителя.
Анализ (4.25) и (4.26) показывает, что коэффициент усиления двояко
зависит от коэффициента включения n . Существует оптимальное значение

90
nОПТ = СΣ С . Дальнейшее расширение полосы пропускания получается
только за счет шунтирования контура резистором RШ .
Для одного усилительного прибора при m = n = 1 резонансный коэф-
фициент усиления равен:
ρ 1 1
Κ 01 = Y&210 ⋅ RОЕ = Y&210 ⋅ = Y&210 ⋅ = Y&210 ⋅
ω0 ⋅ C ⋅ d Э 2π ⋅ f0 ⋅ C ⋅ d Э
.
dЭ
С учетом найденного dЭ (4.24), N-каскадный усилитель с заданной
полосой пропускания ∏ N 0,7 будет иметь коэффициент усиления
N
N  Y&210  K EN
(
Κ 0 N = Y210 ⋅ RОЕ = 
&
 π
)
⋅ ⋅ ∏ N 0,7 ⋅ϕ ( )


= . (4.27)
ϕ ( Ν )
2 C N N

Y&210
Здесь K = − коэффициент усиления одного каскада
E 2π ⋅ C ⋅ ∏
N 0,7
с полосой пропускания, заданной для многокаскадного усилителя. Данную
величину называют единичным усилением.
Общий коэффициент усиления многокаскадного усилителя с учетом
единичного усиления будет равен:
(
K N (дБ ) = N ⋅ K Е (дБ ) − ϕ ( N ) . )
Здесь ϕ ( N ) поправочный коэффициент:
−1
 − 2  
   
ϕ ( Ν ) = 10 ⋅ lg  γ  N  − 1 .
 
 
При γ = 0,707 имеем зависимость ϕ ( N ) от числа каскадов N , при-
веденную в таблице 4.4.
Таблица 4.4
N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ϕ(N) 0 3,9 5,8 7,2 8,2 9,1 9,9 10,5 11,1 11,6

Таким образом, коэффициент усиления в дБ растет не пропорцио-

нально количеству каскадов N , а гораздо медленнее. Это объясняется рос-
том затухания контуров по мере увеличения числа каскадов для получения
требуемой полосы пропускания.
Усилители на одиночных контурах просты в настройке, но при одинако-
вых коэффициентах усиления имеют более узкую полосу пропускания и худший
коэффициент прямоугольности по сравнению с усилителями других типов.
91
 В многокаскадных усилителях с двумя связанными контурами в каж-
дом каскаде наибольшее применение находят индуктивная и внешнеемко-
стная связи. Связь контуров с усилительными приборами обычно бывает
автотрансформаторная или через емкостной делитель.
Проведем аналогичный анализ для усилителя с двухконтурным поло-
совым фильтром (рис. 4.34). Связь между контурами, как правило, выбира-
ется критической, при которой удобнее настройка, больше коэффициент
усиления и фазовая характеристика ближе к линейной.

Рис. 4.34. Многокаскадный усилитель с двухконтурными полосовыми фильтрами

Из теории линейных электрических цепей известно, что
Κ0
Κ= .

ξ4
1+
4
Тогда для N -каскадного усилителя имеем
0,5 N
  ∏ N 0,7 
4
1 
а = = 1+ 0,25
 f0 ⋅ d Э  
γ  
   
Следовательно, для получения требуемой полосы пропускания
∏ N 0,7 , затухание каждого контура должно быть:
−0,25
 2 
∏ N 0,7   N  
dЭ = ⋅ a −1 .
f0 ⋅ 2  
 
В результате коэффициент усиления для N -каскадного усилителя
0,25⋅Ν
 2 
  a  N  −1
N
N  Y210
Κ N = 0,5 ⋅ Y210 ⋅ RОЕ  =   ⋅  .
 2π ⋅ C ⋅ ∏ N 0,7   4 
   
 

92
 Если ввести также единичное усиление K E = Y210 (2π ⋅ C ⋅ ∏ N 0,7 ) ,
то получим коэффициент усиления N -каскадного усилителя на двух связан-
ных, одинаково настроенных контурах
(
K N (дБ ) = N ⋅ K E (дБ ) −ψ ( N ) , )
где поправочный коэффициент
−1
 2
ψ (N ) = 5 ⋅ lg 4  a N( )
−1 = 0,5 ⋅ϕ ( Ν) + 0,6 .
 
 
Зависимость ψ ( N ) от количества каскадов для а = 2 представлена
в таблице 4.5.
Таблица 4.5
N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ψ (N ) 0,6 2,5 3,5 4,2 4,7 5,1 5,5 5,8 6,1 6,4
Сравнительный анализ полученных данных показывает, что при одинако-
вой емкости С однокаскадный усилитель с одним контуром имеет большее
усиление, чем с полосовым фильтром. Но при N > 2 ψ ( N ) значительно мень-
ше ϕ ( N ) . Следовательно, усиление в многокаскадных двухконтурных усилите-
лях больше, чем в многокаскадных усилителях с одиночными контурами.
В качестве усилительных приборов в УПЧ широко применяются уни-
версальные и специализированные аналоговые интегральные микросхемы
(ИМС), такие, как операционные усилители, дифференциальные усили-
тельные каскады, широкополосные универсальные усилители, а также раз-
личные многофункциональные ИМС для радиоприемных устройств.
При повышенных требованиях к частотному и динамическому диапа-
зонам, коэффициенту шума УПЧ выполняют на высокочастотных биполяр-
ных и полевых транзисторах. Наиболее часто применяется схема включения
ОЭ (ОИ) и каскодная схема ОЭ − ОБ, позволяющая повысить коэффициент
устойчивого усиления.
4.12 Коэффициент шума резонансного усилителя с входной цепью
Высокочастотный тракт РПУ удобно разделить на составные части
так, чтобы каждая из них содержала усилительный прибор (УП) и цепи свя-
зи его с источником сигнала. Источником сигнала для входной цепи являет-
ся антенно-фидерная цепь. Источник сигнала с комплексной внутренней
проводимостью YГ = GГ + jBГ и вход усилительного прибора подключе-
ны к резонансному контуру через коэффициенты трансформации
U U
m= Г , n= 1 (рис. 4.35 а).
U U
93
 Найдем коэффициент шума входной цепи совместно с усилительным
прибором, для чего составим эквивалентную шумовую схему (рис. 4.35 б).

а) б)
Рис. 4.35. Эквивалентные схемы для оценки коэффициента шума

Так как контуры входной цепи (ВЦ) и усилителя настраиваются в ре-

зонанс на частоту сигнала, то реактивные составляющие проводимости рав-
ны нулю. Тепловые шумы источника сигнала и контура представлены
генераторами шумовых токов, пересчитанных к входным зажимам усили-
тельного прибора (точки 1-1):
I ′ШГ = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅Π ⋅ GГ' , I ШK
'
= 4 ⋅ k ⋅ T ⋅Π ⋅ GK
'
. (4.28)

' m2 ' G
Здесь GГ = ⋅ GГ , GК = K − активные проводимости источника
n2 n2
сигнала и контура, пересчитанные к точкам 1-1. Шумы усилительного при-
бора учитываются генератором шумового тока I Ш ВХ и шумовой ЭДС
E Ш ВХ , которая вызывает шумовой ток:

I Ш = ЕШ ВХ ⋅ GΣ = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ Π ⋅ RШ ⋅ GГ' + GК
'
(
+ GВХ , (4.29) )
m2 ⋅ GГ + GК + n2 ⋅ GВХ
где GΣ = GГ + GК + GВХ =
' '
±.
2
n
По принятому определению коэффициент шума с учетом выражений
(4.28) и (4.29) равен:

( )
2
∑IШ
2
I +I
i
'
ШК
2 2
Ш ВХ + I Ш
Ш= = 1+i
=
(I ) (I )
2 2
' '
ШГ ШГ , (4.30)

( )
'
GК G R 2
= 1+ + t ВХ ⋅ ВХ + Ш ⋅ GГ' + GК
'
+ GВХ
GГ' GГ' GГ'
где t ВХ − относительная шумовая температура.

94
 Последнее выражение определяет зависимость коэффициента шума от
параметров источника сигнала, усилительного прибора и коэффициентов
включения ( m , n ).
Рассмотрим зависимость коэффициента шума от величины связи кон-
тура с источником сигнала и усилительным элементом.
Так как коэффициент шума двояко зависит от проводимости источни-
'
ка сигнала G Г , то должно существовать оптимальное значение G′Г , кото-
рому соответствует минимальное значение коэффициента шума. Исследо-
вание выражения (4.30) на экстремум  dШ = 0  позволяет получить опти-
 dG ′ 
мальную проводимость источника сигнала:
G′К + t%ВХ ⋅ GВХ
( )
G′Г ОПТ = G′Г +GВХ ⋅ 1 +
RШ ⋅ ( G К
. (4.31)
′ + GВХ )
Подставляя равенство (4.25) в выражение (4.23), найдем минимальное
значение коэффициента шума:
(
Ш MIN = 1 + 2 ⋅ RШ ⋅ G′К + GВХ + G ′Г ОПТ . )
2
mОПТ ⋅ G Г
Учитывая, что G′Г ОПТ = , определим коэффициент вклю-
2
n
чения, при котором коэффициент шума минимален:
GK
2 + tВХ ⋅GВХ
%
mОПТ Ш = mС ⋅ 1+ n ,
4 2
G 
Rш ⋅ К 2 + GВХ 
 n 
'
GК + GВХ GК + n 2 ⋅ GВХ
где mС = = представляет собой коэффициент
GГ GГ
n2
включения, обеспечивающий согласование источника сигнала с усилитель-
ным прибором. На рисунке 4.36 показана зависимость коэффициента шума и
резонансного коэффициента передачи входного контура от коэффициента
включения.
Таким образом, минимум коэффициента шума получается при более
сильной связи, чем необходимо для согласования ( mОПТ Ш > mС ) . Это
различие проявляется при малых собственных шумах УП, когда шумы обу-
словлены в основном источником сигнала и входным контуром. Данное
различие объясняется быстрым ростом вносимого в резонансный контур

95
сопротивления источника сигнала при увеличении m, в результате чего
собственный тепловой шум контура уменьшается по сравнению с шумом
источника. При больших собственных шумах УП минимум коэффициента
шума достигается в режиме согласования ( mОПТ Ш ≈ mС ) .

Рис. 4.36. Зависимость коэффициента шума и резонансного

коэффициента передачи входного контура от коэффициента включения

Необходимо иметь в виду, что рассогласование на входе РПУ нежела-

тельно при работе с настроенными антеннами из-за появления в этом слу-
чае фидерного эха. Обычно при работе с настроенными антеннами стремят-
ся согласовать антенну с фидером, а фидер − с входом приемника. В этом
случае в фидере будет бегущая волна. Условие согласования сводится к вы-
полнению следующего условия:
G′Г = GK
′ + GВХ
′ . (4.32)
Коэффициент шума в режиме согласования найдем подстановкой
(4.32) в уравнение (4.30):

Ш = 2+
'
GК
GВХ
+ GВХ
(
⋅ ( t ВХ − 1) + 4 ⋅ Rш ⋅ GК
'
+ GВХ .)
Для усилителей на полевых транзисторах, как правило, t ВХ = 1, n = 1 ,
GВХ << GK , тогда Ш = 2 + 4 ⋅ RШ ⋅ GK .
Режим согласования на входе РПУ предпочтителен, так как режим оп-
тимального рассогласования не дает ощутимого уменьшения коэффициента
шума.
Целесообразно для уменьшения коэффициента шума выбирать УП с
меньшим значением произведения RШ ⋅ GВХ . С этой точки зрения использо-
вание в первых каскадах РПУ полевых транзисторов предпочтительнее би-
полярных транзисторов.

96
4.13 Стабильность характеристик резонансных усилителей
промежуточной частоты
Основные качественные показатели УПЧ (коэффициент усиления, по-
лоса пропускания (П), форма амплитудно-частотной и фазочастотной ха-
рактеристик) могут изменяться из-за влияния дестабилизирующих факто-
ров. Так, изменение температуры и режима питания усилительных прибо-
ров приводят к изменению их входной и выходной проводимостей, крутиз-
ны и обратной проводимости.
Наибольшее влияние на настройку контуров оказывает непостоянство
входной и выходной емкостей транзисторов, входящих в состав колеба-
тельных контуров. Действительно, полная емкость контура для однокон-
турных УПЧ равна:
С = СК + m 2 ⋅ ( C22 + ∆C22 ) + n 2 ⋅ ( C11 + ∆C11 ) ,
а для двухконтурных УПЧ:
С1 = СК 1 + m 2 ⋅ ( C22 + ∆C22 ) ; C2 = CK 2 + n 2 ⋅ ( C11 + ∆C11 ) .
Следовательно, изменения емкостей будут равны для одноконтурных УПЧ:
∆С = m 2∆C22 + n 2∆C11 ,
а для двухконтурных:
∆С1 = m 2 ⋅ ∆C22 , ∆C2 = n 2 ⋅ ∆C11 .
Коэффициенты включения m и n определяются по заданному экви-
валентному затуханию контуров и из условия устойчивого усиления.
Так как в двухконтурных усилителях входная и выходная емкости
включаются в разные контуры, то стабильность их показателей выше, чем в
одноконтурных.
Как правило, при проектировании УПЧ задается допустимый коэф-
фициент нестабильности η . Тогда можно считать показатели стабильными,
∆С Π
если выполняется условие ≤η ⋅ . Отсюда полная емкость контура
С f ПР
∆С f ПР
УПЧ выбирается из условия С ≥ ⋅ .
η Π
Выбирая емкость контуров необходимо учитывать:
∆С f ПР
для одноконтурных УПЧ − СК1 ≥ ⋅ − m2 ⋅ C22 − n2 ⋅ C11 − CM ,
η Π
для двухконтурных УПЧ −
∆С1 f ПР ∆С f
СК1 ≥ ⋅ − m2 ⋅ C22 − CM1, СК 2 ≥ 2 ⋅ ПР − n 2 ⋅ C11 − CM 2
η Π η Π
.

97
 В усилителях с многоконтурным фильтром емкости усилительных
приборов влияют на настройку только крайних контуров (первого и по-
следнего). Поэтому характеристики УПЧ с ФСС более стабильны по срав-
нению с усилителями при включении тех же контуров в разных каскадах.
Если есть запас по усилению, то целесообразно емкости контуров увеличи-
вать, что повышает устойчивость характеристик.
Изменение входной и выходной проводимостей вызывает, прежде
всего, изменение полосы пропускания, которая будет стабильной при вы-
полнении следующих условий:
∆GЭ ∆Π
для одноконтурных УПЧ − ≤ ;
GЭ Π
∆GЭ1 ∆Π ∆GЭ2 ∆Π
для двухконтурных УПЧ − ≤ ; ≤ ,
GЭ1 Π GЭ2 Π
где ∆ GЭ = m 2∆ G22 + n 2∆ G11 ; ∆GЭ1 = m2∆G22 ; ∆GЭ2 = +n 2∆G11 ;
∆Π Π − максимально допустимое относительное изменение полосы
пропускания.
Нестабильность крутизны усилительного прибора приводит к измене-
нию коэффициента усиления. Для ее устранения используют температур-
ную стабилизацию питания и отрицательную обратную связь по перемен-
ному току. Эти меры позволяют свести к минимуму влияние изменений
G11 и G22 .

4.14 Выбор схемы включения транзисторов

резонансных усилителей
Резонансные усилители преселектора РПУ должны иметь малый ко-
эффициент шума Ш и обладать высокой линейностью. С этой целью ис-
пользуют маломощные полевые (ПТ) и биполярные (БТ) транзисторы.
Выбор типа усилительного прибора и схемы его включения предо-
пределяется требованиями к нелинейным эффектам (НЭ).
При работе усилителя в оптимальном по нелинейным эффектам ди-
намическом режиме включение транзистора по схеме с общим эмиттером
(ОЭ) имеет более высокий уровень НЭ по сравнению с включением транзи-
стора по схеме с общей базой (ОБ). Однако в схеме включения транзистора
ОЭ есть усиление и по току, и по напряжению, что позволяет вводить в
усилителе глубокую обратную связь.
Каскадное включение двух усилителей с разными включениями тран-
зисторов дает возможность взаимной компенсации НЭ разных видов. Так,
для компенсации НЭ второго порядка более перспективно каскадное соеди-
нение по схеме ОЭ − ОЭ, а для уменьшения НЭ третьего порядка лучше
98
ОЭ − ОБ. Каскодные схемы ОБ − ОБ имеют НЭ третьего порядка меньше,
чем в усилителе по схеме ОЭ − ОБ, но при этом для ОБ − ОБ характерны
коэффициент усиления по току, равный единице, и низкая устойчивость.
Соединение каскадов усилителя на полевых транзисторах с общим
истоком (ОИ) также позволяет компенсировать НЭ второго и третьего по-
рядков.
В дифференциальных и балансных усилителях возможна компенсация
НЭ четных порядков, зависящая от симметрии плеч усилителя.
Для снижения энергопотребления в РПУ можно использовать барьер-
ный режим работы транзистора, когда база транзистора по постоянному то-
ку соединена с коллектором накоротко или через резистор с небольшим со-
противлением. В этом случае в коллекторную или эмиттерную цепь транзи-
стора включается резистор, задающий ток через транзистор. Так как напря-
жение эмиттер-база для прямосмещенного p-n перехода у кремниевых тран-
зисторов составляет 0,6−0,7 В, то потенциал коллектора равен этой величи-
не. Напряжение насыщения транзистора U НАС = (0,05 − 0,1) В.
Следовательно, максимально возможная амплитуда напряжения, ко-
торую можно снять с коллектора транзистора такого каскада, не превышает
0,5−0,6 В, что во многих практических случаях вполне достаточно.
На рисунках 4.37–4.39 приведены возможные схемы резонансных
усилителей высокой частоты (УВЧ).

Рис. 4.37. Резонансный усилитель на одном транзисторе

Рис. 4.38. Каскодный УВЧ Рис. 4.39. УВЧ без смещения

99
 Для схемы на рисунке 4.37 ток каскада задается резистором R1:
U − U БЭ
IK = П ,
R1
для схемы на рисунке 4.38 определяющим является резистор R 2 :
U − nU БЭ
IK = П
R2 ,
U − nU БЭ
для схемы на рисунке 4.39: I K = П .
R1
Здесь U П − напряжение источника питания, n − количество последо-
вательно включенных транзисторов.
Напряжение источника питания для каскадов, работающих в барьер-
ном режиме, выбирается исходя из допустимой нестабильности тока кол-
лектора ∆I K и рабочего интервала температур ∆t oC и должно быть:
 I 
U П ≥  K ⋅ ∆U БЭ ⋅ ∆t oC + U БЭ  ⋅ n ,
 ∆I K 
где n − число последовательно включенных транзисторов;
∆U БЭ − нестабильность напряжения U БЭ .
Если используются транзисторы с разным напряжением U БЭ , то
I
U П ≥ n ⋅ K ⋅ ∆U БЭ ⋅ ∆t °C + U БЭ1 + U БЭ 2 + ... + U БЭn .
∆I K
Схемы усилителей высокой частоты, подобные изображенным на ри-
сунках 4.3–4.39, отличаются малым количеством комплектующих элемен-
тов, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном
температур, некритичностью к разбросу параметров транзисторов.
По аналогичному принципу возможно построение схем смесителей,
умножителей частоты, генераторов ВЧ и НЧ, кварцевых генераторов и т.д.

4.15 Выбор оптимального режима транзисторов по постоянному

току и динамического режима резонансного усилителя
Увеличение тока коллектора, с одной стороны, уменьшает НЭ из-за
нестабильности вольтамперной характеристики и наличия емкости перехо-
да база-эмиттер ( СБЭ ) , а с другой стороны, способствует росту НЭ благо-
даря нелинейности коэффициента усиления по току.
Для любого биполярного транзистора существует оптимальный ток
коллектора, при котором получаются минимальные НЭ. Нелинейности зави-
сят от напряжения между коллектором и эмиттером (U КЭ ) , причем зависи-

100
мость НЭ от напряжения U КЭ проявляется тем больше, чем больше сопро-
тивление нагрузки. Это позволяет изменением U КЭ минимизировать НЭ.
Уровень НЭ зависит от внутренней проводимости генератора g Г и
проводимости нагрузки g Н . Уменьшение проводимости g Г снижает влия-
ние нелинейности проходной вольтамперной характеристики, но усиливает
влияние других нелинейностей, например, из-за нелинейной зависимости
коэффициента усиления по току от тока коллектора I K и напряжения
U КЭ . Если влияние нелинейности проходной вольтамперной характери-
стики является определяющим (это характерно для усилителей с малым то-
ком коллектора), то, увеличивая внутреннее сопротивление генератора RГ ,
можно уменьшить НЭ.
Динамический режим усилителя как способ уменьшения НЭ имеет
ограничения: проводимость g Г может быть заданной; значение g Г , при
котором достигается минимум НЭ, зависит от вида нелинейного эффекта и
трудно выбрать значение g Г , при котором эффективно уменьшаются НЭ
разных видов; требуемое для минимизации НЭ значение g Г в частном слу-
чае может быть неприемлемым.
Выбором g Н можно минимизировать НЭ второго и третьего поряд-
ков, но при небольшом коэффициенте усиления усилителя НЭ разных ви-
дов слабо зависят от проводимости нагрузки g Н .

4.16 Использование динамической нагрузки

Существует возможность снижения уровня НЭ в усилителях на ПТ
компенсацией нелинейностей активного элемента нелинейностями динами-
ческой нагрузки, когда в качестве нагрузки и для усиления используются
ПТ одного типа (рис. 4.40).

а) б) в) г)
Рис. 4.40. Усилители с динамической нагрузкой

101
 Схемы рисунка. 4.40 а,б отличаются только способом включения за-
твора нагрузочного транзистора: каскад по схеме рис. 4.40 а, где нагрузоч-
ный транзистор включен как источник тока, называется каскадом с токо-
стабилизирующим резистором, а на рис. 4.40 б − каскадом с квазилинейным
резистором.
Действие выходного напряжения на выходные характеристики усили-
тельного и нагрузочного транзисторов имеет противоположный характер, а
у выходных проводимостей зависимость от напряжения одинакова.
Из-за того, что фазы напряжений между коллектором и базой усили-
тельного и нагрузочного транзисторов противоположны, возникает компен-
сация НЭ, вызванная нелинейностью емкости коллектор-база ( СКБ ) .
Схема усилителя на БТ, собранного по схеме с динамической нагруз-
кой, показана на рисунке 4.40 в.
При определенных условиях в усилителе на БТ по схеме с ОЭ (осо-
бенно при малом токе коллектора) НЭ в основном определяются нелиней-
ностью проходной вольтамперной характеристики транзистора. Так как на-
пряжения U БК и U КЭ имеют сдвиг по фазе 180° (инерционность незначи-
тельна), то возможна компенсация НЭ в усилителях на БТ при включении
одного или нескольких диодов в цепь коллектора. Если сдвиг по фазе не ра-
вен 180°, то можно использовать дополнительную цепь для корректировки
фазы с целью компенсации НЭ. Схема усилителя с такой корректирующей
цепью показана на рисунке 4.40 г.
Достоинства рассмотренного метода уменьшения НЭ следующие:
простота дополнительной цепи, компенсирующей НЭ; возможность комби-
нирования с другими методами; компенсация НЭ, возникающих в других
каскадах усиления, а также разных видов НЭ.
Недостатки: чувствительность к дестабилизирующим факторам; не-
обходимость высокой точности выполнения условий компенсации НЭ.
Следует отметить, что повышение линейности усилителя при увели-
чении тока коллектора (или стока) имеет определенный предел, который за-
висит от типа транзистора. С увеличением тока повышается уровень по-
требляемой мощности и в усилителях на БТ растет уровень шума.

4.17 Сравнение способов повышения линейности

резонансных усилителей
Для уменьшения НЭ в усилителях широко используются различные
виды линейной обратной связи (ЛОС), при этом наиболее перспективна
бесшумная ЛОС [15]. В частности, введение ЛОС в усилитель на мощном
линейном высокочастотном БТ, работающем в режиме с большими посто-
янными токами, позволяет построить однотактный усилитель с точкой пе-
ресечения интермодуляции третьего порядка, равной 70 дБмВт, и коэффи-
102
циентом шума 2 дБ. При использовании двухтактного УВЧ с этим видом
ЛОС удается повысить точку пересечения интермодуляции второго порядка
до 120 дБмВт. Под точкой пересечения для интермодуляционных продук-
тов n -го порядка подразумевается точка, в которой пересекаются зависимо-
сти от входной мощности и мощностей, отдаваемых в нагрузку полезным
сигналом и интермодуляционными продуктами n -го порядка.
В каскодном усилителе по схеме ОЭ – ОБ на БТ компенсируются НЭ
третьего порядка; ЛОС более эффективна для уменьшения НЭ второго по-
рядка, а балансная схема усилителей весьма эффективна для уменьшения
НЭ второго порядка и практически не влияет на НЭ третьего порядка. По-
этому целесообразно при проектировании высокочастотных усилителей со-
вместно применять балансную и каскодную схемы, выбирать оптимальные
транзисторы, оптимальные рабочие точки и оптимальную комбинацию раз-
личных видов ЛОС.
На рисунке 4.41 а показана принципиальная схема УВЧ профессио-
нального РПУ декаметрового диапазона.
Здесь для уменьшения НЭ:
- использован мощный малошумящий линейный высокочастотный
транзистор;
- выбрана рабочая точка по постоянному току по минимуму НЭ;
- введена ОС по току и по напряжению с помощью активного сопро-
тивления и ОС по напряжению с помощью трансформатора;
- выбраны схема включения транзистора ОЭ и балансная схема усили-
теля.
Усилитель имеет следующие параметры точки пересечения: для ин-
термодуляционных продуктов второго порядка однотактного усилителя
45 дБмВт, второго порядка двухтактного усилителя 85 дБмВт, третьего по-
рядка 40 дБмВт. Входное и выходное сопротивления усилителя равны
50 Ом, коэффициент усиления 11дБ [15].
На рисунке 4.41 б показана принципиальная схема усилителя с бес-
шумной ЛОС по току, которая введена с помощью трансформатора. Коэф-
фициент шума такого усилителя около 2 дБ.
Упрощенная схема двухтактного усилителя с бесшумной ОС по току
и по напряжению приведена на рисунке 4.41 в.
Для получения высоких показателей необходим высоколинейный
мощный малошумящий высокочастотный биполярный транзистор. Прин-
ципиальная схема усилителя преселектора профессионального РПУ на
мощном высокочастотном БТ, включенном по схеме ОБ, с бесшумной ОС
показана на рисунке 4.42 а. Усилитель радиосигналов на мощном высоко-
частотном полевом транзисторе с p-n-переходом, включенном по схеме с
общим затвором, представлен на рис. 4.42 б.

103
 а) б)

в)
Рис. 4.41. УВЧ профессионального РПУ

Возможна схема УВЧ, собранного на мощном полевом транзисторе

КП903А (рис. 4.42 в). Усилитель охвачен отрицательной ОС по высокой
частоте, что повышает его линейность и позволяет лучше согласовать со-
противление по входу и выходу за счет включения в цепь стока и затвора
широкополосного согласующего трансформатора.
На рисунке 4.42 г приведена принципиальная схема усилителя с нели-
нейной цепью коррекции НЭ, при подключении которой к выходу коэффи-
циент гармоник снижается до 0,1 % [15].

104
а) б)

в)

г)
Рис. 4.42. Высоколинейные УВЧ

105
 5 РЕЗОНАНСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ

Избирательные свойства усилителей на интегральных микросхемах

обеспечиваются различными резонансными системами. Наиболее часто для
этой цели применяются одиночные или связанные колебательные контуры,
а также фильтры сосредоточенной селекции (ФСС), которые и определяют
форму резонансной кривой.
Резонансная система не входит в состав выпускаемых серийно микро-
схем, а подключается к их внешним зажимам и используется либо в качест-
ве нагрузки, либо как элемент межкаскадной связи.
Для построения избирательных усилителей можно использовать раз-
нообразные типы интегральных микросхем, однако, наибольшее примене-
ние нашли каскодные усилители (например, микросхемы К2УС2413,
К2УС247, 228УВ3, …) или дифференциально-каскодные (например,
К2УС246, 228УВ2, …).
По своим усилительным свойствам каскодные и дифференциально-
каскодные схемы равноценны, но каскадное соединение транзисторов по-
зволяет существенно ослабить паразитную обратную связь через проход-
ную емкость (проводимость Y12 ) и повысить при этом выходное сопротив-
ление, что дает возможность выбрать более сильную связь резонансной
системы с выходом усилителя.
Так как частотная избирательность в основном определяется свойст-
вами применяемых резонансных систем, то ее расчет не зависит от типа ис-
пользуемых микросхем.
В зависимости от требований, предъявляемых к резонансным усили-
телям на интегральных микросхемах, возможна такая классификация:
− узкополосные полосовые усилители с фиксированной настройкой,
применяемые в качестве усилителей промежуточной частоты связных и
радиовещательных приемников в диапазоне длинных, средних и коротких
волн;
− широкополосные полосовые усилители с фиксированной настрой-
кой, которые широко используются в качестве усилителей промежуточной
частоты телевизионных, радиолокационных и других подобных приемни-
ков СВЧ диапазона;
− диапазонные избирательные усилители для преселекторов про-
фессиональных широкодиапазонных супергетеродинных приемников.

106
5.1 Усилители с одиночными колебательными контурами
с фиксированной настройкой
Применяемые резонансные системы в усилителях на интегральных
микросхемах, способ и величина связи резонансного контура со входом и
выходом микросхем могут быть различны. При этом величина связи оказы-
вает влияние на коэффициент усиления и избирательные свойства усилите-
ля. Активная и реактивная составляющие входной и выходной проводимо-
сти микросхемы вносят в резонансную систему дополнительные потери и
расстройку. Вносимая расстройка должна быть скомпенсирована соответст-
вующим изменением реактивной составляющей резонансной системы в
процессе настройки усилителя. Вносимые потери влияют на эквивалентное
затухание колебательного контура и, следовательно, на избирательные
свойства.
В избирательных усилителях чаще используют каскодные микросхе-
мы, так как:
− сильно ослаблена паразитная внутренняя обратная связь (она
практически не влияет на работу и ею можно пренебречь);
− выходная проводимость каскодной схемы чрезвычайно мала (она
носит емкостной характер и в основном определяется коллекторной емко-
стью выходного транзистора YВЫХ = Y&22 ≈ jωCБК );
− входная проводимость мало чем отличается от величины Y11 и
может быть представлена в виде суммы активной и реактивной состав-
ляющих [7]:
1
YВХ = + jωCВХ , (5.1)
RВХ
где
rБ 1+ (ωτ )  ( )
2
  τ 1− grБ g ЭБ
RВХ =  ;С ВХ = ; g= ,
1+ g ЭБ rБ
grБ + (ωτ ) rБ 1 + (ωτ ) 
2 2
 
rБ , g ЭБ – параметры физической модели транзистора.
В общем виде избирательный усилитель с микросхемами (рис. 5.1 а)
можно представить эквивалентной схемой (рис. 5.1 б).
Здесь m, n – коэффициенты включения, определяющие величину связи
колебательного контура с выходом микросхемы 1 и входом микросхемы 2;
ρ
RОЕ = – резонансное сопротивление контура без учета вносимых
dK
потерь;

107
 1
ρ = ω0 L = – характеристическое сопротивление контура;
ω0C
d K – собственное затухание контура;
ω 0 – резонансная частота;
C = CК + m 2CБК + n 2CВХ – полная емкость, которая в процессе
подбора коэффициентов включения m и n должна оставаться неизменной.

а)

б)
Рис. 5.1. Избирательный усилитель с микросхемами и его эквивалентная схема

Так как избирательные свойства контура определяются суммарной

величиной потерь:
1 1 n2
= + , (5.2)
RЭ RОЕ RВХ
то эквивалентное затухание контура равно:
ρ  1 n2  ρ n2
dЭ = = ρ +  = dК + . (5.3)
RЭ  RЭ RВХ  R
  ВХ
Таким образом, затухание, а следовательно, и полоса пропускания
контура зависят от величины связи со входом следующей микросхемы.
Усиление избирательного усилителя на резонансной частоте зависит как от
параметров микросхемы, так и от колебательного контура.
K 0 = Y21 ⋅ RЭ ⋅ m ⋅ n . (5.4)
Так как от коэффициента включения m зависит только K 0 , то его це-
лесообразно выбрать возможно большим.
Часто используют полное подключение контура к выходу микросхе-
мы 1 ( m = 1). Выбор меньшего значения коэффициента включения m оп-
равдывается либо необходимостью уменьшения влияния выходной емкости
микросхемы на настройку контура, либо соображениями выбора такой кон-

108
струкции элемента связи, при которой нельзя получить m = 1, например,
при использовании трансформаторной связи (рис. 5.2 а).
Для получения заданной полосы пропускания при непосредственном
подключении контура к выходу микросхемы 1 ( m = 1) необходимый коэф-
фициент включения контура ко входу следующей микросхемы выбирается
из соотношения
RВХ RВХ ( dЭ − d К )
n= ( dЭ − d К ) = . (5.5)
ρ RЭ dЭ
Тогда резонансный коэффициент усиления равен:
d − dК
K 0 = Y21 RЭ RВХ Э , (5.6)
dЭ
dЭ − d К
где = η К представляет собой коэффициент полезного действия
dЭ
(КПД) колебательного контура, выполняющего функцию элемента связи
между каскадами.
В узкополосных усилителях, особенно в диапазоне коротких волн, по-
лучающаяся полоса пропускания часто оказывается шире требуемой
( П > ПТР ). Поэтому для увеличения избирательности приходится затуха-
ние d Э делать как можно меньше, однако, чтобы не было значительного
снижения усиления каскада из-за падения КПД колебательного контура,
следует брать суммарное затухание d Э ≥ 1, 25d К .
На рисунке 5.2 представлены принципиальные схемы одноконтурных
избирательных усилителей с трансформаторной связью (рис. 5.2 а), емкост-
ной (рис. 5.2 б) и двойной трансформаторной связью (рис. 5.2 в).
Для схемы с емкостной связью контура с входом следующего каскада
коэффициент включения в общем случае находится из соотношения [7]
ω0C1RВХ
n= . (5.7)
1 + ω0 ( C1 + C2 + CВХ ) RВХ 
2

Как правило, для узкополосных усилителей выполняется условие

ω0 ( C1 + C2 + CВХ ) RВХ  ≥ 1 . (5.8)
C1
Тогда n≈ ; (5.9)
C1 + C 2 + C ВХ
1 2ω0C1RВХ
C2 = − 1 − СВХ . (5.10)
ω0 RВХ dЭ − d К

109
 а) б)

в)
Рис. 5.2. Принципиальные схемы одноконтурных избирательных усилителей
с различными связями

При C2 = 0 получается максимальная величина связи с входом сле-

дующего каскада (рис. 5.2 б):
C1
nMAX ≈ . (5.11)
C1 + CВХ
Для гальванической развязки колебательного контура от цепей пита-
ния микросхемы целесообразно использовать схему с двойной трансформа-
торной связью (рис. 5.2 в), для которой
M1 M
m= ; n= 2; LК = LК1 + LК 2 .
LК LК
В широкополосных одноконтурных избирательных усилителях на ин-
тегральных микросхемах необходимое расширение полосы пропускания
достигается увеличением связи с входом следующего каскада. При этом
одновременно возрастает и КПД контура, который становится близким к
η = 1. Требуемый коэффициент включения и резонансный коэффициент
усиления рассчитываются соответственно по следующим формулам [7]:
RВХ d Э
η≈ , (5.12)
ρ
RВХ ρ RВХ
K 0 = Y21 = Y21 . (5.13)
n dЭ
Из выражения (5.13) следует, что расширение полосы пропускания
сопровождается снижением резонансного коэффициента усиления, но

110
уменьшение усиления происходит медленнее, чем расширяется полоса про-
пускания.
Если полоса пропускания определяется на уровне 3 дБ, то произведе-
ние резонансного коэффициента усиления на полосу пропускания (доброт-
ность усиления)
RВХ П0,7
K 0 П0,7 = Y21 (5.14)
2π С
увеличивается с расширением полосы. Кроме этого, для увеличения доб-
ротности целесообразно уменьшать полную емкость контура при соответ-
ствующем увеличении его индуктивности.
Если в широкополосных усилителях используются схемы с емкостной
связью (рис. 5.2 б), то при максимальном коэффициенте включения nMAX
получим полосу пропускания по уровню 3 дБ:
С1
П0,7 = . (5.15)
2π ( С2 + СВХ ) RВХ
2

При С1 = СВХ полоса пропускания максимальна:

grБ + (ω0τ )
2
1
П0.7 MAX = ≈ . (5.16)
8π CВХ RВХ 8πτ
Следует иметь в виду, что на очень высоких частотах CВХ снижается
до значения паразитных емкостей монтажа, что не позволяет выбрать ем-
кость C1 = CВХ . Если это условие не выполнено и емкость C1 выбрана
равной минимальному конструктивно возможному значению C1MIN , то
1
П0,7 MAX = . (5.17)
2π С1MIN RВХ
5.2 Усилители со связанными колебательными контурами
Основной недостаток усилителей с одиночными контурами – низкая
избирательность, поэтому при повышенных требованиях к избирательности
используются каскады с парами связанных контуров или с фильтрами со-
средоточенной селекции.
Варианты построения таких усилителей многообразны и отличаются
не только типом и способом включения интегральных микросхем, но и ви-
дом связи колебательных контуров как между собой, так и с интегральными
микросхемами (рис. 5.3).
В этих усилителях так же, как и в одноконтурных, наиболее часто ис-
пользуются каскодные и дифференциально-каскодные интегральные микро-
схемы. Первичный контур, как правило, включается непосредственно в кол-
111
лекторную цепь выходного транзистора микросхемы. Вторичный контур свя-
зан со входом следующего каскада точно так же, как и в одноконтурных уси-
лителях. Связь между контурами может быть трансформаторная (рис. 5.3 а),
внешняя емкостная (рис. 5.3 б) и внутренняя емкостная (рис. 5.3 в).

а) б)

в) г)
Рис. 5.3. Усилители со связанными колебательными контурами

При анализе двухконтурных усилителей на интегральных микросхе-

мах первый каскад представляется в виде генератора тока Y21 ⋅ U ВХ , кото-
рый нагружен на первичный контур. Вторичный контур нагружен входной
проводимостью следующего каскада, которая подключается к контуру с ко-
эффициентом включения n . На основании теоремы об эквивалентном гене-
раторе и пересчете входной проводимости следующего каскада во вторич-
ный контур находится эквивалентная схема усилителя со связанными кон-
турами. Например, принципиальная схема двухконтурного избирательного
усилителя с трансформаторной связью между контурами (рис. 5.3 а) заме-
Y ⋅ U ВХ
щается эквивалентной схемой (рис. 5.3 в), где E& = 21 ;
jω C1
I2
U& ВЫХ = ; r1 – собственные потери первичного контура; r 2 – соб-
jω C 2
ственные и вносимые следующим каскадом потери во вторичном контуре.
Решение системы уравнений для полученной эквивалентной схемы
Z1I&1 + jω MI&2 = E& ;
jω MI& + Z I = 0
1 2 2
позволяет получить выражение для комплексного коэффициента усиления:

112
 n ⋅ Y21 ⋅η RЭ1 ⋅ RЭ 2
K& = ,
  ξ  2
(1 + jaξ )  1 + j a  + η 
   

где ξ=
(1− ω 2 / ω02 )
– обобщенная расстройка;
d1d 2
KСВ M
η= = – степень связи между контурами;
d1d2 L1L2d1d 2
d rρ
a = 1 = 1 2 – относительный коэффициент потерь в контурах.
d 2 r2 ρ1
Уравнение резонансной кривой имеет следующий вид:
K& 1 +η 2
y= = .

( )
K0 2
2  1
1 + η 2ξ 2 + a +  ξ2
 a
2
1 1
Отсюда η =  a +  − 1 соответствует критической связи, при
2 a
которой резонансная кривая имеет плоскую вершину.
При меньших значениях η резонансная кривая получается одногор-
бой, а при больших – двугорбой. Если потери в контурах различаются в два
и более раза ( a < 0,5 или a > 2 ), то форма резонансной кривой и ширина
полосы пропускания в зависимости от степени связи η могут заметно отли-
чаться от контуров с одинаковыми потерями. В узкополосных усилителях
коэффициент потерь a , как правило, мало отличается от единицы, поэтому
для расчета таких усилителей пользуются упрощенным выражением:
K& 1+η2
y= = , (5.18)

(1 + η 2 − ξ )
K0 2 2
+ 4ξ 2

полагая, что d Э = d1d 2 .

5.3 Диапазонные избирательные усилители

Диапазонные избирательные усилители находят широкое применение
в преселекторах профессиональных радиоприемных устройств супергете-
родинного типа. С целью упрощения конструкции и настройки на нужную

113
частоту, диапазонные усилители выполняются, как правило, с одиночными
колебательными контурами. Особенность работы таких усилителей заклю-
чается в том, что при перестройке колебательных контуров происходит из-
менение основных качественных показателей, таких, как полоса пропуска-
ния, избирательность и усиление.
В диапазонных избирательных усилителях используются такие же
микросхемы, что и в усилителях с фиксированной настройкой, так как ко-
лебательные контуры и все органы настройки подключаются к внешним
выводам микросхемы. Применение каскодных схем допускает непосредст-
венное включение контура в коллекторную цепь ( m = 1). Исключение со-
ставляет только случай индуктивной связи контура с выходом микросхемы,
обеспечивающий гальваническую развязку контура от цепей питания.
На рисунке 5.4 показаны схемы диапазонных избирательных усилите-
лей с трансформаторной (индуктивной) связью (рис. 5.4 а) и с внутренней
емкостной связью контура с входом следующего каскада (рис. 5.4 б).
Представленные варианты схем диапазонных усилителей обладают
различным характером изменения коэффициента усиления и полосы про-
пускания при перестройке колебательного контура по диапазону.

а) б)
Рис. 5.4. Схемы диапазонных избирательных усилителей

В случае индуктивной или автотрансформаторной связи контура с входом

следующей микросхемы (рис. 5.4 а) резонансный коэффициент усиления равен:
Y21 ⋅ n
K0 =
(1/ RОЕ + n )
. (5.19)
2
/ RВХ
При анализе последнего соотношения возможны два случая. В первом
случае максимальное затухание ограничивается требованиями обеспечения
заданной полосы пропускания, что характерно для диапазона длинных и
средних волн. Именно здесь возникает проблема обеспечения заданной поло-
сы пропускания на низшей частоте диапазона. Задача решается соответст-
вующим подбором на низшей частоте диапазона коэффициента включения:
RВХ RВХ ( dЭ − d К )
n= ( dЭ − d К ) = . (5.20)
ρ RЭ dЭ
114
 Следует иметь в виду, что современные микросхемы на длинных и
средних волнах работают практически безынерционно, что дает право
принять Y21 = S0 , RВХ = 1 g . Так как при настройке колебательного
контура переменным конденсатором его собственное затухание d K оста-
ется практически неизменным, перестройка усилителя с индуктивной свя-
зью по диапазону вызывает значительное изменение полосы пропускания:
П0б 7 = d Э f0 = d К f0 + 2π n2 f 02 L ⋅ g ≈ 2π n 2 f02 L ⋅ g , (5.21)
а резонансный коэффициент усиления
n ⋅ Y21 ω0 L Y
K0 = ≈ 21 (5.22)
d К + n 2 ⋅ ω0 L ⋅ g n ⋅ g
остается практически постоянным.
Во втором случае минимальное затухание ограничивается конструк-
тивными возможностями реализации колебательного контура с малыми
потерями, что характерно при работе на высоких частотах. Необходимый
коэффициент включения n рассчитывается на высшей рабочей частоте
диапазона, а эквивалентное затухание выбирается из условия
d Э = (1,2 − 1,5) d K . При таком выборе связи полоса пропускания
П ≈ d К f0 (5.32)
изменяется примерно пропорционально рабочей частоте, а не ее квадрату,
как в первом случае. Изменение резонансного коэффициента усиления оп-
ределяется соотношением
n ⋅ Y21 ω0 L
K0 = . (5.24)
d К 1 + (ω0 L )
2

Схема с внутренней емкостной связью (рис. 5.4 б) отличается от пре-

дыдущей тем, что при перестройке колебательного контура конденсатором
переменной емкости СK меняется не только рабочая частота и резонанс-
ное сопротивление RОЕ , но также и величина связи со следующим каска-
дом. Наибольшая связь получается на низшей частоте поддиапазона (мак-
симальная емкость переменного конденсатора СK MAX ). Повышение ра-
бочей частоты за счет уменьшения емкости переменного конденсатора
приводит к ослаблению связи с последующим каскадом, что снижает шун-
тирующее действие его входного сопротивления и уменьшает вносимые в
контур потери.
Сопротивление резистора RСВ (рис. 5.4 б), который оказывается
включенным параллельно конденсатору связи ССВ , должно превышать в
несколько раз входное сопротивление следующего каскада.
115
 Эквивалентное затухание контура определяется следующим образом [7]:
ω0СК RВХ
d ЭК ≈ d К + , (5.25)
1 + (ω0С∑ RВХ ) 2

где С∑ = СК + ССВ + СВХ .

Отсюда следует, что при перестройке колебательного контура кон-
денсатором переменной емкости СК эквивалентное затухание меняется по
сложному закону.
Если выполняется условие
ω0 ( СК + ССВ + СВХ ) RВХ >> 1,
то
1
dЭ ≈ d К + .
ω03С∑2 LRВХ
Полоса пропускания
1
П = d Э f0 = d К f0 + (5.26)
( 2π )
3 3
f0 C∑ LRВХ 2

изменяется по диапазону немонотонно, принимая на частоте

1 2
f01 = 3 (5.27)
2π d К C 2 LRВХ
∑
минимальное значение
2
1 dК
П MIN = 3 . (5.28)
2
2 4C LRВХ
∑
Если этот минимум окажется в пределах рабочего поддиапазона, то,
приравнивая П MIN к требуемой полосе пропускания ПТР , можно рассчи-
тать необходимую суммарную емкость связи
dК
С∑ = (5.29)
3
4 2 ПТР LRВХ
и уточнить частоту, на которой полоса пропускания будет минимальной и
равной заданной величине
2 ПТР
f01 = .
π dК
На том поддиапазоне, в границы которого попадает частота f01, рас-
чет связи со следующим каскадом нужно проводить используя выражение
(5.29). Для более низкочастотных поддиапазонов, у которых
116
f01 > f0 MAX , необходимая суммарная емкость связи рассчитывается на
высшей частоте каждого из них:
1
С∑ = . (5.30)
ω03 LRВХ ( d Э − d К )
По этой же формуле ведется расчет и для высокочастотных поддиапа-
зонов, у которых f01 < f0MIN , но только на низшей рабочей частоте.
Резонансный коэффициент усиления диапазонного усилителя с внут-
ренней емкостной связью из-за частотной зависимости коэффициента
включения n сильно меняется по диапазону [7]:
Y21
K0 = . (5.31)
1
ω0 ( CСВ + C ВХ ) d К +
ω02 L ( CСВ + CВХ ) RВХ
Проведенный анализ показывает, что внутренняя емкостная связь со
следующим каскадом в диапазонных усилителях целесообразна только на
тех поддиапазонах, где частота минимума полосы пропускания f01 выше
рабочего интервала частот или попадает в его пределы. В этом случае уда-
ется получить слабую зависимость полосы пропускания от изменения на-
стройки и обеспечить высокую избирательность в пределах поддиапазона.
Если f01 оказывается ниже диапазона рабочих частот, то полоса пропус-
кания в основном определяется собственным затуханием колебательного
контура d К , а неравномерность усиления по диапазону будет значитель-
ной.

117
 Контрольные вопросы

1. Нарисовать рабочую схему резонансного усилителя на полевом

транзисторе (ПТ).
2. Нарисовать рабочую схему резонансного усилителя (РУ) на бипо-
лярном транзисторе (БТ) с частотным включением контура.
3. Нарисовать обобщенную эквивалентную схему резонансного усили-
теля и определить коэффициент усиления.
4. Перечислить условия получения максимума резонансного коэффи-
циента усиления в резонансном усилителе.
5. Как влияет обратная связь (ОС) на свойства резонансных усилите-
лей?
6. Определить условия устойчивой работы резонансного усилителя.
7. Указать способы повышения устойчивости РУ.
8. Нарисовать каскодные схемы ОЭ-ОЭ, ОЭ-ОБ, ОИ-ОЗ, ОИ-ОБ.
9. От чего зависит коэффициент шума резонансного усилителя с вход-
ной цепью?
10. Объяснить зависимость резонансного коэффициента усиления от
частоты в различных схемах РУ (автотрансформаторная связь,
трансформаторная связь).
11. Перечислить принципы построения УПЧ с распределенной с сосре-
доточенной избирательностью. Достоинства и недостатки.
12. Указать способы формирования необходимых АЧХ в УПЧ с распре-
деленной избирательностью.
13. Перечислить типы ФСС, принимаемые в УПЧ, пояснить их особен-
ности.
14. Объяснить особенности многокаскадных усилителей.
15. Перечислить способы перестройки РУ в диапазоне частот.
16. Что является причиной нестабильности показателей резонансных
усилителей?
17. Где и почему выше стабильность показателей УПЧ в одноконтурных
или двухконтурных.

118
 6 РАСЧЕТ РЕЗОНАНСНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
Если не предъявляются специальные требования к усилителю (на-
пример, снижение потребляемой мощности питания, снижение уровня
собственных шумов и т. п.), то целесообразно использовать типовой ре-
жим, указанный в справочной литературе.
Порядок расчета режима работы схемы с одним источником питания
(рис. 6.1) следующий:
1. Определяется изменение обратного тока коллектора:
∆I К 0 = I К 0 ⋅ 2 ( MAX 0 ) ,
0,1 T −T
(6.1)
где I K 0 – обратный ток коллектора, при температуре Т0 = 293 К.

2. Находится тепловое смещение напряжения базы:

∆U ЭБ = γ (TMAX − TMIN ) . (6.2)
Здесь γ = 1,8 мВ/К.
3. Рассчитывается необходимая стабильность коллекторного тока:
I (T − TMIN )
∆I K = K MAX . (6.3)
T0
4. Вычисляется значение сопротивлений:
∆I К 0
∆U Б + (10...20 )
g11 E − U КЭ
RЭ = , RФ = П − RЭ ,
∆I К IК
где U KЭ – напряжение на коллекторе в рабочей точке.
Если получится RФ ≤ 0 , то следует увеличить Е П .

R2 =
(10...20 ) EП , (10...20 ) EП .
R1 =
g11RЭ I К g11 ( E П − RЭ I К )
Рассчитываются значения емкостей конденсаторов
500 50
CЭ = ; CФ = .
ω0 RЭ ω0 RЭ

Пример 6.1
Рассчитать элементы питания транзистора резонансного усилителя
(рис. 6.1) по следующим данным:
ЕП = 9 В; UКЭ = 5В; IК = 5 мА; IКБ0 = 2 мкА; f0 = 60 МГц;
g11 = 6 ·10-3 См, диапазон рабочих температур (–40…+60) °С.
119
 1. Изменение обратного тока коллектора
∆I К 0 = I К 0 ⋅ 2 ( MAX 0 ) = 2 ⋅ 2 (
0,1 T −T 0,1 333− 293 )
= 32 мкА.

Рис. 6.1. Схема резонансного усилителя для расчета

2. Тепловое смещение напряжения на базе транзистора при γ = 1,8 мВ/К:

( )
∆U ЭБ = γ TMAX − TMIN = 1,8 ⋅10−3 (333 − 223) = 0,18 В.
3. Допустимая нестабильность коллекторного тока:

∆I К =
( =
)
I К TMAX − TMIN 5 ⋅10−3 (333 − 233)
= 1,65 мА
T0 293
4. Сопротивление в цепи эмиттера:
∆U ЭБ ∆I КБ 0 0,18 10 ⋅ 32 ⋅10−6
RЭ = + (10...20) = + = 150 Ом.
∆I К ∆I К g11 1,65 ⋅10−3 6 ⋅10−3 ⋅1,65⋅10−3
5. Сопротивление развязывающего фильтра:
E −U КЭ 9−5
RФ = П − RЭ = −3
−150 = 650 Ом.
IК 5 ⋅10
6. Сопротивление делителя, обеспечивающего подачу прямого сме-
щения на эмиттерный переход транзистора:
(10...20) EП 10 ⋅ 9
R1 = = = 1,25 кОм;
(
g11 E П − RЭ I К ) 6 ⋅10 −3
(9 −150⋅5⋅10 ) −3

(10...20) EП 10 ⋅ 9
R2 = = −3 −3
= 11,5 кОм.
g11RЭ I К 6 ⋅10 ⋅150 ⋅ 5 ⋅10
7. Емкость блокировочных конденсаторов:
500 500
CБ = CЭ = = = 5250 пФ.
ω0RЭ 6,28 ⋅ 60 ⋅106 ⋅150
8. Емкость конденсатора развязывающего фильтра:
50 50
CФ = = = 250 пФ.
ω0RЭ 6,28 ⋅ 60 ⋅106 ⋅ 650
120
 Пример 6.2
Рассчитать элементы питания резонансного усилителя, выполненно-
го по каскодной схеме (рис. 6.2) на биполярных транзисторах с парамет-
рами:
ЕП = –12 В; UКЭ1 = UКЭ2 = 5 В; IК = 5 мА; IКБ0 = 2 мкА; f0= 60 МГц;
g11 = 6 мСм, диапазон рабочих температур (–40…+60) °С.

Рис. 6.2. Резонансный усилитель по каскодной схеме

1. Изменение обратного тока коллектора:

∆I КБ 0 = I КБ 0 ⋅ 2
(
0,2 TMAX −T0 ) = 2 ⋅ 20,1(333−293) = 32 мкА.
2. Тепловое смещение напряжения на базе транзистора
при γ=1.8 мВ/К:
( )
∆U ЭБ = γ TMAX − TMIN = 1,8⋅10−3 (333 − 223) = 0,18 В.
3. Нестабильность коллекторного тока:

∆I К =
( =
)
I К TMAX − TMIN 5 ⋅10−3 (333 − 233)
= 1,65 мА.
T0 293
4. Сопротивление в цепи эмиттера:
∆U ЭБ (10...20) ∆I КБ 0 0,18 10 ⋅ 32 ⋅10−6
R3 = + = + = 170 Ом.
∆I К ∆I К g11 1,65 ⋅10 −3 −3
6 ⋅10 ⋅1,65 ⋅10 −3
5. Сопротивление развязывающего фильтра:
E П −U КЭ 12 − 2 ⋅ 5
RФ = − RЭ = −170 = 230 Ом.
IК 5 ⋅10−3
6. Сопротивления:
(10...20) EП2 20 ⋅122
R0 = = = 40 кОм;
(2U КЭ + R3I К ) R3I К g11 (2,5+170⋅5⋅10 )170⋅5⋅10
−3 −3 −3
⋅ 6 ⋅10

R0 ⋅ R3 ⋅ I К 40 ⋅103 ⋅170 ⋅ 5 ⋅10−3

R1 = = = 3 кОм;
EП 12

121
 R0 ⋅U КЭ 40 ⋅103 ⋅ 5
R2 = = = 16 кОм; R4 = R0 − R1 − R2 = 40 − 3 −16 = 21 кОм.
EП 12
500 500
CФ = = = 580 пФ
ω0 ⋅ RСР 6,28 ⋅ 60 ⋅106 ⋅ 230
500 500
C3 = С4 = = = 4350 пФ
ω0 ⋅ RЭ 6,28 ⋅ 60 ⋅106 ⋅170

Пример 6.3
Рассчитать резонансный усилитель (рис. 6.3) с коэффициентом уси-
ления по мощности КМ = 30 дБ на средней частоте f = 465 кГц и полосой
пропускания П = 5 кГц с использованием транзистора, имеющего сле-
дующие параметры:
Y11 = 1000 мкСм, Y12 = 1 мкСм, Y22 = 34 мкСм, Y21 = 32000 мкСм,
С11 = 1000 пФ, С12 = 22 пФ, С22 = 83 пФ, СК = 35 пФ, |Y21| = 25 мСм,
g11 = 4800 мкСм, g12 = 50 мкСм, g22 = 214 мкСм, fГР = 600 кГц.

Рис. 6.3. Схема усилителя для расчета

1. Задаемся конструктивной добротностью контура QК = 150, прини-
маем С = 400 пФ и находим индуктивность контура
1 1
L= = = 290 мкГн,
(6,28⋅ 465⋅10 ) ⋅ 400⋅10−12
2 3 2
ω ПР С

и характеристическое сопротивление
L 290 ⋅10−6
ρ= = −12
= 850 Ом.
C 400 ⋅10
2. Определяем собственную проводимость контура
1 1
g= = = 7,8 мкСм.
ρ QК 850 ⋅150
122
 3. Ориентировочно принимаем число каскадов усилителя, равным 2
(три резонансных контура, с учетом контура преобразователя частоты) и
находим полосу пропускания одного контура
П 5 ⋅ 103
П1 = = = 9,8 кГц.
3 2 −1 3 2 −1
4. Вычисляем эквивалентную проводимость контура
1 П1 9,8
GОЕ = = = ≈ 25 мкСм.
QЭ ρ f ПР ⋅ ρ 465 ⋅ 850
5. Учитывая, что проводимость нагрузки равна входной проводимо-
сти каскада, аналогичного рассчитываемому, определяем коэффициент
связи, соответствующий максимальному усилению (проводимостью, вно-
симой в контур цепью нейтрализации RN, CN, можно пренебречь).
GОЕ − g G −g 25 − 7,8
m≈ = ОЕ = = 0,042 ;
2gН 2 g11 2⋅4,8
GОЕ − g 25 − 7,8
n≈ = ≈ 0,2 .
2gК 2⋅ 214
6. Если используется цепочка нейтрализации, то рассчитывается
n 0,9 ⋅ 35 ⋅ 10−12 ⋅ 0,2
C N ≈ 0,9CК = = 150 пФ;
m 0,042
1.1 m 1,1 ⋅ 0.042
RN ≈ = = 1750 Ом.
ω ГРC К n 2π ⋅ 600 ⋅ 103 ⋅ 35 ⋅ 10−12 ⋅ 0, 2
7. Определяем собственную емкость контура из условия
CК = C − m2CН − n2C2 − mnC12 ;
CК = 400 − 0,0422 ⋅1000 − 0, 22 ⋅ 83 − 0,042 ⋅ 0,2 ⋅ 22 = 394 пФ.
Принимаем СК = 390 пФ. Точная настройка контура на частоту
f0 = 465 кГц осуществляется с помощью сердечника катушки индуктивности.
8. Рассчитываем резонансный коэффициент усиления каскада
K 01 = m ⋅ n ⋅ ρ ⋅ Q ⋅ Y21 = 0,042 ⋅ 0, 2 ⋅ 850 ⋅150 ⋅ 25 ⋅10−3 = 8,4 .
9. Находим коэффициент усиления по мощности при gН = g11
2
K M 1 = K 01 = 8, 42 = 70,56, K M 1 = 18,5 дБ.
Следовательно, двухкаскадный усилитель будет иметь коэффициент
усиления по мощности
K M = 2 K M 1 = 37 дБ,
что соответствует условию задания.
123
 Пример 6.4
Рассчитать каскад резонансного усилителя (рис. 6.4) с двойным авто-
трансформаторным включением колебательного контура по следующим
исходным данным:
fMIN = 150 кГц; fMAX = 408 кГц; ПТР = 9 кГц; d = 0,015; σ = 2; ЕK0 = –9 В;
ЕK = –5 В; IК = 1 м; ΔT = 30 °C.
Конденсатор переменной емкости имеет: СMIN = 10 пФ, СMAX = 365 пФ.
Собственная емкость катушки СКАТ = 20 пФ.
Транзистор следующего каскада такой же, что и в рассчитываемом
каскаде.
Параметры транзистора: g11 = 0,7 мСм; g22 =10 мкСм; rБ = 50 Ом;
α0 = 0,98; С11 = 160 пФ; С22 = 10 пФ; С12 = 7,5 пФ; IК0 = 10 мкА.
1. Определяем среднюю емкость подстроечного конденсатора по
формуле:
CMAX − K 2Д CMIN 2 2 ,
CП = 2
− С КАТ − m C1 − n C2
K Д −1
f MAX 408
полагая K Д = = = 2,73 и m2C1 − n 2C2 = 7 пФ,
f MIN 150
365 − 2,732 ⋅10
CП = 2
− 20 − 7 = 18 пФ,
2,73 −1
выбираем конденсатор КПК- 1, имеющий СП MIN = 6 пФ; СП MAX = 25 пФ.

Рис. 6.4. Схема резонансного усилителя с двойным

автотрансформаторным включением колебательного контура
2. Максимальная эквивалентная емкость контура:
CЭ MAX = CMAX + C П + CКАТ + m 2C1 + n 2C2 = 365 +18 + 20 + 7 = 410 пФ.
3. Индуктивность контурной катушки:
1 1
L= = = 2,8 мГн.
( )
2 2
ωMIN CЭ MAX 2π ⋅150 ⋅103 ⋅ 410 ⋅10−12

124
 4. Собственная проводимость колебательного контура для начала и
конца диапазона соответственно:
d d 0.015
g150 = = = = 5,7 мкСм;
ρ 2π ⋅ f MIN L 2π ⋅ 150 ⋅ 103 ⋅ 2,8 ⋅ 10−3
d d 0,015
g 408 = = = = 2,1 мкСм.
ρ 2π ⋅ f MAX L 2π ⋅ 408 ⋅103 ⋅ 2,8 ⋅ 10−3
5. Рассчитываем параметры элементов схемы питания. Принимая
URф=1 В, получим

R3 =
(
α 0 E К 0 − U Rф − E К )= 0,98 ( 9 − 1 − 5 )
= 3,17 кОм.
0,1∆T −3 −5 ⋅
0,130
IК − IК 0 ⋅ 2 10 − 10 ⋅10 ⋅2
Выбираем R3 = 3 кОм.
(σ −1)( EК 0 −U Rф ) (2 −1)(9 −1)
R2 = = = 9,5 кОм.
0,1∆T −3 −5 ⋅
0,130
I К 0 −σ I К 0 ⋅ 2 10 − 2 ⋅10 ⋅2
Выбираем R2 = 9.1 кОм.
1,25 ⋅ R3 ⋅ R2 (σ −1)
R1 = =
(
α 0σ ⋅ R2 − (σ −1) R3 + R2 )
1,25 ⋅ 3 ⋅10 ⋅ 9,1⋅10 ( 2 −1)
3 3
= = 5,95 кОм.
3
(
0,98 ⋅ 2 ⋅ 9,1⋅10 − (2 −1) 3 ⋅10 + 9,1⋅10
3 3
)
Принимаем R1 = 6.2 кОм.
6. Находим
1 1 -4 1 1
G1 = g 22 = 10 мкСм; G2 = g11 + + = 7 ⋅10 +
3
+
3
= 1 мСм.
R1 R2 9,1⋅10 6,2 ⋅10
7. Блокировочная емкость
= 3,6 ⋅10−9 Ф.
100 100
С3 ≥ ≥
ωMIN ⋅ R3 2π ⋅1,5 ⋅103 ⋅ 3⋅103
Выбираем С3 = 0,036 мкФ.
8. Сопротивление
U Rф 1
RФ = = = 650 Ом.
EК 0 −U Rф −3 9 −1 −3
IК + 10 + ⋅10
R1 + R2 6,2 + 9,1
Принимаем RФ = 620 Ом.
125
 9. Блокировочная емкость
= 180 ⋅10−9 Ф.
100 100
СФ ≥ ≥
ωMIN ⋅ RФ 6,28 ⋅150 ⋅103 ⋅ 620
Выбираем СФ = 0,22 мкФ.
10, Полагая монтажную емкость входа следующего каскада
СМ2= 5 пФ, определяем разделительную емкость из условий
CР ≥ ( 20...50) CВХ ≥ (20...50) 5 ⋅10−12 = (100...200) ⋅10−12 Ф.
50 50 50 ⋅1⋅10−3 −8
СР ≥ g ВХ 2 ≥ ≥ ≥ 5,4 ⋅10 Ф.
ωMIN ωMIN G2 2π ⋅150 ⋅103
Принимаем СР = 0,056 мкФ.
11. Коэффициент устойчивого усиления на максимальной частоте при
КУ=0,9

К 0УСТ =
(
2 KУ 1− KУ Y21 ) =
2 ⋅ 0,9(1− 0,9) ⋅ 31⋅10−3
= 17 .
ωMAX C12 3
2π ⋅ 408 ⋅10 ⋅ 7,5 ⋅10 −12
12. Определяем вспомогательный коэффициент, необходимый для
обеспечения требуемой полосы пропускания ПТР:
ПТР 9 ⋅103
a= −1 = −1 = 3 ,
df MIN 0,015 ⋅150 ⋅103
которому соответствует полоса пропускания в конце диапазона:

П К = ПТР
(
К Д 1 + аК Д ) = 9 ⋅103 ⋅ 2,76(1+ 3⋅ 2,73) = 56,6 ⋅103 Гц
1+ а 1+ 3
и эквивалентное затухание
ПК 56,6 ⋅103
dЭ = = 3
= 0,138 .
f MAX 408 ⋅10
13. Рассчитываем максимальный коэффициент усиления:
0,5 Y21  d  0,15 ⋅ 31⋅10−3  0,015 
K 0 MAX = 1− d  = 1− 0,138  = 138 .
− −
G1G2  Э 10 ⋅10 ⋅10 
6 3 
Так как К0MAX > К0УСТ, то дальнейший расчет ведем на получение в
конце поддиапазона К0MAX = К0УСТ.
14. Определяем коэффициент усиления в начале диапазона:

K 0 Н = K0УСТ
(1+ аК Д ) =17 1+ 3⋅ 2,73 =14,35 .
К Д (1+ а) 2,73(1+ 3)

126
 15. На минимальной частоте поддиапазона находим вспомогательные
коэффициенты:
 ПТР  −6
 9 ⋅ 103 
N = 0,5 g150  − 1 = 0,5 ⋅ 5, 7 ⋅ 10  − 1 = 8,54 мкСм;
П  3 
 К   56, 6 ⋅10 
ПТР ⋅ g ⋅ K 0 Н 9 ⋅ 103 ⋅ 5,7 ⋅ 10−6 ⋅ 14,35
M= = = 0,01053 .
П К Y21 3
56,6 ⋅ 10 ⋅ 31 ⋅ 10 3
16. Рассчитываем коэффициенты включения:

N N2 G
m= − − 2 M2 =
G1 G12 G1

8,54 ⋅ 10−6 8,542 ⋅ 10−12 10 ⋅ 10−4

=
−6
−
−10
−
−5
( 0,01053)2 = 0,082
10 ⋅ 10 10 10

N N 2 G1 2
n= − − M =
G2 2 G
G2 2

8,54 ⋅ 10 −6 8,54 2 ⋅ 10 −12 10 −5

= − − ( 0,01053 )
2
= 0,128
10 −3 10 −10 10 −3

17. Проверяем правильность расчетов, для чего находим

 m 2G n2G   0,0822 ⋅10−5 0,1282 ⋅10−3 
d Э150 = d 1+ 1 + 2  = 0,0151+ +  = 0,06 ;
 g g   5,7⋅10 −6
5,7⋅10 −6 
   
 0,0822 ⋅ 10−5 0,1282 ⋅ 10−3 
d Э 408 = 0,015 1 + +  = 0,138 ,
 2,1 ⋅ 10 −6
2,1 ⋅ 10 −6 
 
отсюда
ПТР = d Э f MIN = 0,06 ⋅ 150 ⋅ 103 = 9 ⋅ 103 Гц.
18. Находим резонансные коэффициенты усиления в начале и в кон-
це поддиапазона:
m ⋅ n ⋅ Y21 m ⋅ n ⋅ Y21
KO150 = = =
2 2
gэ g + m G1 + n G2
0,082 ⋅ 0,128 ⋅ 31 ⋅ 10−3
= = 14, 4;
−6 2 −5 2 −3
5,7 ⋅ 10 + 0,082 ⋅10 + 0,128 ⋅ 10
127
 0,082 ⋅ 0,128 ⋅ 31 ⋅ 10−3
KO 408 = = 17,2 ,
−6 2 −5 2 −3
2,1 ⋅ 10 + 0,082 ⋅ 10 + 0,128 ⋅ 10
которые достаточно близки к К0УСТ.
Пример 6.5
Определить параметры резонансного усилителя (рис. 6.5), обеспечи-
вающего наибольшее усиление на частоте f0 = 465 кГц при ЕП = 9В. Ис-
ходные данные:
– ток коллектора IК = 7 мА; напряжение на коллекторе UК = 5 В;
Y21 = 30 мСм; g11 = 0,8 мСм; g22 =10 мкСм; С12 = 6 пФ;
– коэффициент усиления транзистора по току в схеме с ОБ – α0 = 0,94;
– обратный ток коллектора в рабочей точке IК0 = 15 мкА;
– полоса пропускания усилителя 9 кГц;
– изменение температуры ΔT = 30 °C;
– коэффициент стабильности коллекторного тока σ = 3;
– собственное затухание контура d = 0,01.
Нагрузкой каскада служит вход второго резонансного усилителя, со-
бранного по аналогичной схеме. Емкость контура С = 500 пФ.

Рис. 6.5. Резонансный усилитель на f0= 465 кГц

1. Полагая коэффициент устойчивости KУСТ = 0,8, рассчитаем устой-

чивый резонансный коэффициент усиления:
Y Y
K 0УСТ = 2 KУ (1 − KУ ) 21 = 2 KУ (1 − KУ ) 21 =
Y12 ω0C12

2 ⋅ 0,8 (1 − 0,8 ) ⋅ 30 ⋅ 10−3

= = 22,3.
3 −12
2π ⋅ 465 ⋅ 10 ⋅ 6 ⋅ 10

2. Определяем параметры элементов схемы питания, принимая на-

пряжение на сопротивлении RФ равным URф = 1,35 В.

128
 Rэ =
(
α 0 Е П − U Rф − U К )= 0,94 ( 9 − 1,35 − 5 )
= 2840 Ом.
0,1∆T −3 −6 0,1⋅30
IК − IК 0 ⋅ 2 10 − 15 ⋅ 10 ⋅2
По шкале номинальных сопротивлений резисторов выбираем
RЭ=2,7 кОм.
(σ − 1) ( EKO − U Rф ) ( 3 − 1)( 9 − 1,35)
R2 = = = 12 кОм;
0,1∆T −3 −6 0,1⋅30
I K − σ I KO ⋅ 2 10 − 3 ⋅15 ⋅ 10 ⋅2
1,25RЭ R2 (σ −1)
R1 = =
(
α 0σ R2 − (σ −1) RЭ + R2 )
1,25 ⋅ 2,7 ⋅103 ⋅12 ⋅103 ⋅ (3 −1)
= = 15 кОм.
3
(
0,94 ⋅ 3⋅12 ⋅10 − (3 −1) 2,7 ⋅10 +12 ⋅103 3
)
3. Вычисляем эквивалентное затухание колебательного контура
П 9 ⋅ 103
dЭ = = = 0,0194 .
f 0 465 ⋅ 103
4. Находим проводимость цепи питания базы транзистора следующе-
го каскада:
= 1,5 ⋅10−4 См.
1 1 1 1
g2 = + = +
R1 R2 15 ⋅ 103 12 ⋅ 103
5. Вычисляем проводимость нагрузки:
g Н = g 2 + g ВХ 2 = g 2 + g11 = 1,5 ⋅ 10−4 + 0,8 ⋅ 10−3 = 0,95 ⋅10−3 См.
6. Рассчитываем максимальный резонансный коэффициент усиления:
0,5 ⋅Y21  d  0,5 ⋅ 30 ⋅10−3  0,01 
K 0 MAX = 1− d  =  0,0194  = 107 .
1 −
− −
g 22 g Н  Э 10 ⋅10 ⋅ 0,95 ⋅10 
6 3 
Так как K0УСТ < K0MAX, то дальнейший расчет следует вести на полу-
чение неравенства K0 < K0УСТ.
7. Определяем активную резонансную проводимость контура:
= dωC = 0,01 ⋅ 6, 25 ⋅ 465 ⋅ 103 ⋅ 500 ⋅ 10−12 = 14,6 ⋅ 10−6 См.
d
g=
ρ
8. Рассчитываем необходимые коэффициенты включения:

N g N2 N N 2 g 22 2
m= ± − Н M2 ; n= m − M ;
g 22 g 222 g 22 gН 2
gН g Н

129
  ПТР  ПТР gK 0УСТ
N = 0,5G  −1 ; M= .
П
 К  П К Y21
Так как конструктивная полоса пропускания:
П К = d ⋅ f 0 = 0,01⋅ 465 = 4,65 кГц,
а требуемая полоса пропускания ПТР = 9 кГц, то получаем
−6  9  −6 9⋅14,6⋅10−6 ⋅22,3
N = 0,5⋅14,6⋅10  4,65 −1 = 6,828⋅10 См, M = = 0,021.
  − 3
4,65⋅30⋅10
Тогда

6,828 ⋅ 10−6 (6,828 ⋅ 10−6 )2 0,95 ⋅ 10−3

m=
−6
±
−12
−
−6
( 0,021)2 = 0,17 ;
10 ⋅10 100 ⋅ 10 10 ⋅10

6,828 ⋅10−6 (6,828 ⋅ 10−6 )2 10 ⋅ 10−3

n=
−3
m
−6
−
−6
( 0,021)
2
= 0,119 .
0,95 ⋅ 10 0,95 ⋅ 10 0,95 ⋅10
9. Проверяем правильность найденных значений m и n с точки зрения
обеспечения требуемых значений коэффициента усиления и эквивалентно-
го затухания:
m ⋅ n ⋅ Y21
K0 = =
2 2
m g 22 + g + n g Н
0,17 ⋅ 0,119 ⋅ 30 ⋅ 10−3
= = 21,5,
2 −6 −6 2 −3
0,17 ⋅ 10 ⋅ 10 + 14,6 ⋅ 10 + 0,119 ⋅ 0,95 ⋅ 10
 g g 
dЭ = d  1 + m2 22 + n2 Н  =
 g g 
 −6 −3 
2 10 ⋅ 10 2 0,95 ⋅ 10
= 0,01 1 + 0,17 + 0,119  = 0,0196.
 14,6 ⋅ 10 −6 −6 
14,6 ⋅ 10 

Таким образом, точность расчета коэффициентов включения доста-
точна.
10. Рассчитываем емкость конденсаторов С1 и С2.
C2 CC
Так как n = и C = 1 2 , то получаем
C1 + C2 C1 + C2
C 500 C 500
C1 = = = 4210 пФ, C2 = = = 567 пФ.
n 0,119 1 − n 1 − 0,119

130
 Пример 6.6
Резонансный усилитель собран на биполярном транзисторе (рис. 6.4)
по схеме с общим эмиттером. Коэффициенты включения транзистора и на-
грузки в контур соответственно равны m = 0,2 и n = 0,6. Контур с собст-
венными сопротивлением потерь rК = 10 Ом и затуханием dК = 0,01 настро-
ен на резонансную частоту. Эквивалентная емкость контура С =50 пФ. Па-
раметры транзистора: Y21 = 36 мА/В; g11 = 1 мСм; g22 = 10 мкСм; С12 = 6 пФ.
Определить максимальный резонансный коэффициент усиления и
проверить на устойчивость. Усилитель нагружен на идентичный каскад.
1. Определяем характеристическое сопротивление контура:
r 10
ρ = QrК = К = = 1 кОм = 1000 Ом .
d К 0,01
2. По заданной эквивалентной емкости рассчитываем индуктивность
контура
Lk = ρ C К = (1000) ⋅ 50 ⋅10
−12
= 106 ⋅ 50 ⋅10−12 = 50 ⋅10−6 Гн =50 мкГн .
2 2

3. Находим резонансную частоту:

1 1
f0 = = = 3,18 МГц .
2π LК C 2π 50 ⋅10 ⋅ 50 ⋅10
− 6 − 12
4. Рассчитываем собственную проводимость контура:
1 d К 0,01
gК = = = = 10 мкСм.
Qρ ρ 1000
5. Определяем эквивалентную резонансную проводимость контура:
GОЕ = m2 g22 + g К + n2 g Н =
.
−6 −6 −3
= (0,2) ⋅10 ⋅10 + (0,6) ⋅1⋅10
2 2
+ 10 ⋅10 = 0,37 мСм.
6. Находим резонансный коэффициент усиления:
mn Y21 0,2 ⋅ 0,6 ⋅ 36 ⋅10−3
K0 = = 10,87 .
GОЕ −3
0,37 ⋅10
7. Вычисляя проводимость внутренней обратной связи транзистора:
g12 = 2π ⋅ f0 ⋅ C12 = 2π ⋅ 3,18 ⋅106 ⋅ 6 ⋅10−12 = 119,8 мкСм,
получим устойчивый резонансный коэффициент усиления:
Y21 36 ⋅10−3
K 0УСТ = 0,45 = 0,45 =8.
g12 −6
119,8 ⋅10
Так как K0 < K0УСТ, то необходимы меры по повышению устойчиво-
сти резонансного усилителя.
131
 7 ОСОБЕННОСТИ ПРЕСЕЛЕКТОРОВ
Один из основных функциональных блоков РПУ – главный тракт
приема (ГТП), осуществляющий предварительную селекцию, усиление и
преобразование принятого сигнала.
Часть радиоприёмного устройства между антенной и первым смеси-
телем называется преселектором и состоит, как правило, из входного уст-
ройства, аттенюатора и усилителя высоких частот.
Правильный выбор схемы преселектора во многом определяет такие
важные характеристики РПУ, как чувствительность и избирательность. Из-
вестно, что на чувствительность приёмника влияет коэффициент шума
Ш ПР , который зависит от коэффициента шума и коэффициентов передачи
отдельных каскадов РПУ. Следует обратить внимание на то, что наиболь-
шее влияние на Ш ПР оказывает коэффициент шума входной цепи и УВЧ.
Поэтому от правильного выбора каскадов преселектора с точки зрения шу-
мов и усиления во многом зависит чувствительность всего РПУ. Для полу-
чения минимального Ш ПР необходимо в преселекторе использовать ма-
лошумящие активные элементы.
Преселектор должен обеспечить высокую линейность его амплитудной
характеристики. Можно выделить три основных направления борьбы с нели-
нейными эффектами. Первый заключается в применении высокоэффективных
избирательных цепей до первого усилительного элемента. Второй сводится к
обеспечению минимального усиления каскадов до фильтра основной селек-
ции. С этой точки зрения усиление сигнала в преселекторе должно быть ми-
нимальным, но при этом возрастает влияние шумов последующих каскадов на
общие шумы приёмника что, в конечном счете, снижает его чувствительность.
Третий путь, дополняющий первые два, состоит в применении в УВЧ пресе-
лектора всех возможных способов снижения нелинейных эффектов.
Для современных профессиональных РПУ характерно использование
аттенюатора, включенного, как правило, между антенной и УВЧ приёмника
(рис. 7.1, 7.2). Снижением уровня входного сигнала на 30,..40 дБ удаётся с
помощью аттенюатора существенно расширить динамический диапазон
РПУ при приёме сильных сигналов. При этом динамический диапазон рас-
ширяется за счёт снижения чувствительности РПУ.
Схемные решения аттенюаторов разнообразны. Так на рисунке 7.1
показан аттенюатор, состоящий из комбинаций реле и резисторов и рабо-
тающий следующим образом: при подаче управляющего сигнала на вход
0 дБ срабатывает реле Р3, контакт К3 замыкается и сигнал от антенны к
входной цепи проходит без ослабления. С приходом управляющего сигнала
на вход 20 дБ срабатывают реле Рl и Р4, замыкаются контакты Kl и К4 и

132
сигнал от антенны ослабляется пассивным четырёхполюсником (Rl, R2,
R3). Если управляющий сигнал подаётся на вход 40 дБ, то срабатывают ре-
ле Р2 и Р5, замыкаются контакты К2 и К5, что приводит к ослаблению сиг-
нала четырёхполюсником, состоящим из резисторов R4, R5, R6.

Рис. 7.1. Схема аттенюатора на пассивных элементах

На рисунке 7.2 показана схема аттенюатора в виде двойного Т-моста

на pin -диодах Dl–D5. Особенность данного аттенюатора заключается в по-
стоянстве входного и выходного сопротивлений. С этой целью использует-
ся перераспределение токов в выводах аттенюатора при неизменной сумме
коллекторных токов транзисторов.
Подобные аттенюаторы позволяют получить ослабление интермоду-
ляционных искажений до 85 дБ при действии двух сигналов с уровнем 1 В.
В профессиональных РПУ находит применение другой вариант построения
аттенюатора с pin -диодами (рис. 7.3).
Здесь диодами управляет транзистор Т1 при изменении смещения на
его базе с помощью резистора Rl. При нулевом напряжении регулировки
диоды Dl и D2 закрыты, D3 открыт и затухание аттенюатора минимально
(около 1.5 дБ). При минимальном напряжении регулировки Dl и D2 откры-
ты, а D3 закрыт и затухание аттенюатора велико (до 45 дБ). Незначитель-
ные изменения в схеме позволяют управлять затуханием аттенюатора от
цепи АРУ приёмника. Для уменьшения нелинейных эффектов между ан-
тенной и первым усилительным элементом часто включается в перестраи-
ваемом преселекторе двухконтурный полосовой фильтр, обеспечивающий
значительное затухание при расстройке на 10%. Ещё одну резонансную
цепь (одиночный контур или полосовой фильтр) обычно располагают непо-
средственно перед первым смесителем. Такое построение преселектора по-
зволяет повысить реальную селективность РПУ и уменьшить просачивание
в антенну напряжения с частотой гетеродина.

133
 Рис. 7.2. Схема аттенюатора в виде двойного Т-моста на pin -диодах

Рис. 7.3. Схема аттенюатора на pin -диодах

Существует несколько вариантов построения главного тракта приёма,

среди которых можно выделить следующие. Схема с перестраиваемым
трактом первой промежуточной частоты (ПЧ) содержит преселектор, вклю-
чающий в себя входной фильтр и каскады УВЧ, перестраиваемые при на-
стройке РПУ на различные частоты. При этом резонансные цепи преселек-
тора выбираются из условия обеспечения заданной избирательности по зер-
кальному каналу по первой ПЧ. Так как частота первого гетеродина (fГ1)
134
скачком меняется при переключении поддиапазонов (обычно через 1 или
2 МГц) и остаётся постоянной в пределах поддиапазона, то первая ПЧ
плавно меняется в одинаковых пределах при перестройке во всех поддиапа-
зонах. Частота второго гетеродина (fГ2) изменяется так, чтобы обеспечива-
лось постоянство второй ПЧ. Недостаток такого варианта построения за-
ключается в необходимости сопряженной перестройки преселектора, уси-
лителя первой промежуточной частоты (УПЧ1) и второго гетеродина. Кро-
ме сложности в реализации, такой вариант имеет большое время перестрой-
ки РПУ и затрудняет автоматизацию управления приёмником. Из-за изме-
нения характеристик тракта первой ПЧ при перестройке меняются и пока-
затели РПУ.
Второй вариант предполагает наличие широкополосного тракта пер-
вой ПЧ, когда усилитель первой ПЧ не перестраивается при изменении час-
тоты настройки УВЧ. Ширина полосы пропускания УПЧ1 в этом случае
должна быть равной ширине поддиапазона (примерно 1...2 МГц). Как пра-
вило, первая ПЧ выбирается выше диапазона принимаемых частот.
Для устранения зеркального канала по второй ПЧ при широкой поло-
се пропускания УПЧ1 необходимо брать высокую вторую ПЧ. Однако при
этом для обеспечения хорошей фильтрации соседнего канала возникает не-
обходимость в третьем преобразовании частоты.
При широкополосном УПЧ1 резко возрастают требования к линейно-
сти тракта усиления и селективности преселектора. Преселектор при такой
схеме построения главного тракта приёма может быть как перестраивае-
мым, так и неперестраиваемым. В неперестраиваемом преселекторе диапа-
зон принимаемых частот перекрывается неперестраиваемыми фильтрами с
запасом по взаимному перекрытию. По такой схеме построены английские
приёмники Н 2900 Hydvus фирмы «Маркони», PVR 800 фирмы «Плесси»,
RA 1218, RA 1220 фирмы «Ракои» и др.
В третьем варианте построения главного тракта приёма при пере-
стройке приёмника по всем диапазонам частот первая и вторая ПЧ остаются
постоянными. Это стало возможным благодаря использованию современ-
ных высокостабильных синтезаторов частоты, а также кварцевых и керами-
ческих фильтров с высокой крутизной скатов амплитудно-частотных харак-
теристик и с малым уровнем побочных каналов.
Известно, что для увеличения избирательности РПУ основную селек-
цию необходимо осуществлять ближе к входу приёмника. При постоянной
первой ПЧ основную избирательность можно обеспечить уже в УПЧ1, ис-
пользуя современные высокочастотные кварцевые и монолитные фильтры,
полоса пропускания которых выбирается исходя из ширины спектра при-
нимаемого сигнала с учётом нестабильности частот несущей сигнала и ге-
теродина. Так как основная избирательность обеспечивается в УПЧ1, то за-
дача тракта второй ПЧ – усилить принятый сигнал, что можно сделать с
135
помощью обычных апериодических усилителей с соответствующей допол-
нительной низкочастотной фильтрацией.
Для приёма различных видов сигнала необходимо иметь в тракте пер-
вой ПЧ либо фильтры с переменной полосой пропускания, либо сменные
фильтры на определённую полосу пропускания в соответствии с видами
принимаемых сигналов.
В некоторых РПУ кварцевый фильтр в тракте первой ПЧ обеспечива-
ет предварительную селекцию, его полоса пропускания выбирается по са-
мому широкополосному принимаемому сигналу. Окончательная фильтра-
ция обеспечивается с помощью сменных фильтров в тракте второй ПЧ.
Преселектор главного тракта приёма с постоянными значениями первой и
второй ПЧ может быть как перестраиваемым, так и фильтровым. По такому
варианту построен, например, главный тракт профессиональных РПУ
Ek070 фирмы «Роде и Шварц», Е 1500 фирмы «АЗГ – Телефункен», RO 153
фирмы «Филипс».
Применение высокоизбирательных преселекторов обеспечивает со-
вместно с селективными элементами последующих каскадов высокие тех-
нические параметры [31], представленные в таблице 7.1
Таблица 7.1
Диапазон Отстройка помехи Уровень блокирующей
частот, МГц от частоты настройки помехи, дБ мкВ, не менее
±% ± кГц
1,5–30 5 - 130
15 - 150
3,0–30 - 20 100
10 - 150

Для обеспечения малых интермодуляционных искажений и ослабления

эффекта блокирования необходимо усиление во входном тракте приёмника
не более 20 дБ [28]. С этой целью удобно использовать в преселекторе уси-
литель на одном биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером
(рис. 7.4), включенном в микросборку приёмника (МП) между двумя ПАВ-
фильтрами (рис. 7.5).
УВЧ имеет полосу пропускания 1,5–7 %. МП УВЧ на частотах 157 и
165 МГц обеспечивает усиление около 20 дБ, полосу пропускания 2 и 11 МГц,
подавление 80 дБ при отстройке ±25 МГц от центральной частоты [28].
Усилитель должен иметь активное входное сопротивление, близкое к
50 Ом, а выходное – 100–200 Ом, что достигается выбором обратной связи
(R2) и нагрузки (R3). В этом случае согласование усилителя с антенной и
входом смесителя легко обеспечивается через соответствующие ПАВ-
фильтры (ZI и Z2) (рис. 7.5).
Разработанные МП содержат транзистор типа 2Т3132 с граничной
частотой 7,5 ГГц, ёмкостью коллекторного перехода 0,7 пФ и имеют ма-
136
лый коэффициент шума, большое усиление при небольших токах коллек-
тора 0,5–3 мА. Получается усиление 15–20 дБ с малой крутизной фазовой
характеристики в диапазоне частот до 800 МГц при коэффициенте шума
1 дБ. Ток потребления составляет 1–3 мА при напряжении питания 5 В.
Первый ПАВ-фильтр с нагрузкой 50 Ом имеет вносимые потери 1,3 дБ,
пульсации в полосе пропускания 0,1 дБ, полосу пропускания по уровню
1 дБ около 2 МГц на частоте 157 МГц, затухание в полосе задерживания
более 50 дБ при отстройке ±21 МГц.
Второй ПАВ-фильтр выполняется высокоомным (300 Ом) с парамет-
рами: вносимые потери 2 дБ; полоса пропускания по уровню 2 дБ –
5,4 МГц; пульсации в полосе пропускания 0,5 дБ; затухание в полосе за-
держивания более 40 дБ при отстройке ±25 МГц. Размер фильтра
3,8*3,8*0,7 мм.

Рис. 7.4. – Схема усилителя Рис. 7.5. – Структурная схема

Для широкополосного варианта МП с УВЧ (полоса пропускания 8%)

на частоте 165 МГц ПАВ-фильтр (размер 3,8*3,8*0,7 мм) имеет: RВХ и
RВЫХ ≈ 75 Ом; вносимые потери 1.8 – 2 дБ; полоса пропускания по уровню
3 дБ – 11 МГц; пульсации в полосе пропускания 0,5 дБ; затухание в полосе
задерживания (35–40) дБ при отстройке ±25 МГц.
Разработанные гибридные ПАВ-микросборки с УВЧ для поверхно-
стного монтажа с полосой пропускания 1,5–7 % для мобильных радио-
станций диапазона 136–174 МГц имеют [28]: усиление 20 дБ; подавление в
полосе задерживания выше 80 дБ при малой потребляемой мощности, вы-
сокой линейности и малых габаритах (16,7*7,3*2,6) мм.
Изменение сопротивления R3 усилителя высокой частоты (рис. 7.4)
даёт возможность получать различные значения интермодуляционной из-
бирательности (табл. 7.2).
Один из важнейших вопросов для построения главного тракта приема –
выбор промежуточной частоты (ПЧ). При выборе промежуточной частоты
необходимо учитывать следующее: промежуточная частота должна нахо-
диться вне диапазона принимаемых частот; она не должна совпадать с часто-
тами мощных станций; для обеспечения более высокой избирательности по
137
зеркальному каналу ПЧ выбирается как можно выше, а для обеспечения вы-
сокой избирательности по соседнему каналу - как можно ниже; целесообраз-
но выбирать принятые стандартные значения промежуточной частоты.
Таблица 7.2
Полоса пропускания по Интермодуляционная Напряжение Ток
f0,
уровню 2 дБ, избирательность, питания, потребления,
МГц
МГц дБ мкВ В мА
157 2.1 68 5 2
157 2.1 75 5 5
157 2.1 86 5 15

Выбор ПЧ во многом определяет сложность гетеродина. При исполь-

зовании высокой первой ПЧ (например, 60–80 МГц) коэффициент перекры-
тия диапазона частот гетеродина получается достаточно малым, что позво-
ляет исключить переключение поддиапазонов гетеродина. От выбора ПЧ
зависит частотный шаг гетеродина, определяющий сложность его конст-
рукции.
Наибольший интерес представляет выбор первой промежуточной час-
тоты. Здесь возможны два основных варианта: f ПЧ 1 < f MIN и
f ПЧ 1 > f MAX , где f MIN и f MAX – крайние частоты заданного диапазона.
Выбор высокой ПЧ1 позволяет: уменьшить уровень помех в паразитных
каналах приема (по ПЧ, зеркальному и комбинационным каналам); устра-
нить неопределенность при настройке, так как частота зеркального канала
лежит далеко за пределами диапазона настройки цепей преселектора; обес-
печить малое просачивание напряжения с частотой гетеродина в цепь ан-
тенны РПУ; уменьшить массу и габариты избирательных цепей. Недостатки
выбора высокой ПЧ сводятся к следующему: затрудняется сопряжение на-
стройки контуров гетеродина и преселектора; повышается уровень собст-
венных шумов гетеродина.
При выборе низкой промежуточной частоты ( f ПЧ < f MIN ) упроща-
ется задача обеспечения высокой избирательности по соседнему каналу;
уменьшаются шумы гетеродина и легче обеспечивается требуемая стабиль-
ность частоты гетеродина.
В современных профессиональных РПУ декаметрового диапазона
первая ПЧ выбирается обычно выше или равной 35–40 МГц. Кроме уже от-
меченных преимуществ, при таком выборе f ПЧ 1 можно осуществить ос-
новную избирательность уже в тракте первой ПЧ, используя для этого
кварцевые или пьезокерамические фильтры.
Для примера в таблице 7.3 приведены значения промежуточных час-
тот некоторых профессиональных РПУ зарубежных и отечественных фирм.

138
 Таблица 7.3
РПУ fПЧ1, МГц fПЧ2, МГц FПЧ3, кГц
RO 150 71,6 1,6 –
ML 1000 1,378 0,078 –
Эддистон 95817 1,235–1,335 0,25 100
Е 1500 42,2 0,2 –
ZOMl 2 0,1 –
Е 403 73,03 0,3 –
RA 1218 39,35–40,65 2–3 1600
RA 1772 35,4 1,4 –
RO 153 71,4 1,4 –
CR 300 139,3 10,7 200
R 1000 38 1,4 –
Н 2540 68,6 1,4 –
PR 2250 65 1,4 –
WJ 8888 82,805 10,7 455
ЕК 070 81,4 1,4 –
Призма 37,8 или 42,8 12,8 128
Бригантина 65,128 0,128 –

139
 8 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТЫ

Преобразователями (или смесителями) частоты (ПрЧ) называют уст-

ройство, осуществляющее линейный перенос спектра входного сигнала на
промежуточную частоту. Линейность характера преобразования частоты
заключается в том, что при его осуществлении вид и параметры модуля-
ции преобразуемого сигнала остаются неизменными (рис. 8.1)

Рис. 8.1. Принцип работы ПрЧ

Выбор типа и числа преобразователей частоты определяется сле-
дующими основными соображениями. Для уменьшения числа побочных
каналов приема и для упрощения РПУ количество преобразований должно
быть минимальным. Каждое преобразование частоты должно быть линей-
ным по сигналу, так как нарушение этого условия приводит к искажениям
сигнала и увеличению числа побочных каналов. Для увеличения чувстви-
тельности РПУ преобразователь частоты (особенно первый) должен иметь
по возможности большой коэффициент передачи по мощности и малый
коэффициент шума. Повышение реальной избирательности РПУ и умень-
шение уровня помех в побочных каналах приема достигается включением
на входе и выходе преобразователя частоты высокоселективных фильтров.
По принципу преобразования частоты схемы ПрЧ можно разделить
на две группы. Первая из них включает в себя схемы, реализующие нели-
нейные свойства преобразовательного элемента, а вторая – схемы, в кото-
рых преобразовательный элемент рассматривается в виде линейной цепи с
переменными параметрами.
К первой группе следует отнести те схемы, у которых процесс пре-
образования частоты есть результат воздействия суммы напряжений сиг-
нала и гетеродина на нелинейную цепь. В результате в нагрузке преобра-
зовательного элемента возникает бесконечное множество колебаний, одно
из которых (обычно f Г − fС или fС ± f Г ) выделяется с помощью фильт-
140
рующей системы. В качестве нелинейных элементов применяются полу-
проводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы, электронные
лампы различных видов. Диапазон рабочих частот этого вида ПрЧ охваты-
вает весь диапазон радиочастот.
Вторая группа включает в себя многочисленный класс ПрЧ на раз-
личных электронных приборах как полупроводниковых, так и вакуумных.
Преобразовательный элемент этого класса ПрЧ в качестве переменного
параметра может иметь коэффициент передачи (крутизну), реактивный
параметр (емкость или индуктивность) и активное сопротивление.
Преобразователи частоты первого вида выполняют функцию матема-
тической операции перемножения двух напряжений, одно из которых –
принятый сигнал:
uC = U C cos(ωC t + ϕC ) , (8.1)
а другое – напряжение вспомогательного генератора (гетеродина):
u Г = U Г cosω Г t . (8.2)
В результате перемножений сигнала и гетеродина появляются ком-
бинированные составляющие частот:
U CU Г = 0,5 ⋅U CU Г cos[(ω Г ± ωC )t ± ϕC ] . (8.3)
Фильтр, включенный на выходе преобразователя частоты, выделяет
нужную промежуточную частоту ω ПР и формирует напряжение проме-
жуточной частоты:
u ПР = U ПР cos(ω ПРt + ϕ ПР ) . (8.4)
Сигнал на выходе смесителя должен быть малым, чтобы нелиней-
ность его характеристики не приводила к заметным искажениям прини-
маемого сигнала. Напряжение гетеродина выбирается во много раз больше
напряжения сигнала, поэтому проводимость смесителя меняется по закону
изменения напряжения гетеродина (рис. 8.2).

Рис. 8.2. Принцип работы смесителя

141
 Данную проводимость можно представить в виде ряда Фурье:
∞
(0)
g 21(t ) = G21 + ∑ G21
(k )
cos kω Г t , (8.5)
k =1
(k )
где G 21 – амплитуда k -й гармоники проводимости нелинейного эле-
мента;
(0 )
G 21 – постоянная составляющая проводимости.
Ток на выходе смесителя равен:
∞
( к)
i = g21(t )uС = G21 UС cos(ωС t + ϕС ) + 0,5 ∑ G21 UС cos[(kωГ ± ωС )t ±ϕС ] .
(0) (8.6)
k =1
Анализ последнего выражения показывает, что комбинационные со-
ставляющие kω Г ± ωС появляются вследствие изменения проводимости
нелинейного элемента (НЭ) при воздействии напряжения гетеродина. Они
имеют такую же структуру, как исходный сигнал. Постоянная составляю-
(0 )
щая проводимости G 21 не дает преобразования частоты. Аналогичные
результаты получаются при изменении емкости смесителя под действием
напряжения гетеродина.

8.1 Теория преобразования на невзаимном электронном приборе

Обобщенная эквивалентная схема ПрЧ, состоящего из нелинейного
элемента (НЭ) – смесителя, фильтра промежуточной частоты (ФПЧ) и ге-
теродина (Г), приведена на рисунке 8.3.

Рис. 8.3. Обобщенная эквивалентная схема ПрЧ

Смеситель можно представить шестиполюсником, на который подается

напряжение преобразуемого сигнала U C и гетеродина U Г , а на выходе вы-
142
деляется напряжение промежуточной частоты U ПР . В дальнейшем НЭ с ге-
теродином будем называть преобразующим элементом (ПЭ).
Так как напряжения сигнала и промежуточной частоты гораздо
меньше напряжения гетеродина, то можно полагать, что проводимость НЭ
меняется только под действием напряжения гетеродина. Это позволяет
применять для анализа ПрЧ простой метод теории нелинейных цепей: токи
в цепях смесителя как функции подводимых напряжений можно предста-
вить в виде разложений в ряд Тейлора по степенями малых напряжений с
отбрасыванием членов ряда с высокими степенями.
Представим входной и выходной токи ПЭ в виде функции
i1 = f1 (U Г , U С , U ПР ), i2 = f2 (U Г ,U С , U ПР ), (8.7)
которые определяются статическими характеристиками смесителя и ре-
жимом его работы.
Для вывода уравнения прямого преобразования представим ток i2 на
выходе смесителя в виде ряда Тейлора по степеням малых U C и U ПР и
ограничимся членами разложения не выше первого порядка:
∂f 2 (U Г ) ∂f 2 (U Г )
i2 = f 2 (U Г , U С , U ПР ) = f 2 (U Г ) + UС + U ПР + ... (8.8)
∂U Г ∂U ПР
Здесь первое слагаемое представляет составляющую тока смесителя
при действии напряжения гетеродина i2 Г = f 2 (U Г ) . Данный ток не со-
держит комбинационных составляющих, а только компоненты с частотой
гетеродина и его гармоник.
∂f 2 (U Г )
Производная = g 21 является дифференциальной проводимо-
∂U С
стью (крутизной) прямого действия ПрЧ для напряжения сигнала.
∂f 2 (U Г )
Производная = g 22 является дифференциальной выходной
∂U ПР
проводимостью преобразователя, которую также можно представить ря-
дом Фурье:
∞
∑ G22 cos kω Г t ,
(0) (k )
g 22 = G22 + (8.9)
k =1
(0)
где G22 – постоянная составляющая выходной проводимости смесителя
(среднее значение g 22 за период гетеродинного напряжения);
(k )
G22 – амплитуда k -й гармоники выходной проводимости.
С учетом принятых обозначений (8.8):
i2 = i2 Г + g 21U С + g 22U ПР . (8.10)
143
 Подставляя (8.1), (8.4), (8.5) и (8.9) в (8.10) и заменяя произведения
косинусов косинусами суммарных и разностных аргументов, получаем ток
на выходе смесителя, содержащий различные комбинационные состав-
ляющие частот:
∞
i2 = i2 Г + G21 U С cos(ωС t + ϕС ) + 0,5 ∑ G21 U С cos[(kω Г ± ωС )t ± ϕС ] +
(0) (k )
k =1
(8.11)
∞
+G22 U ПР cos(ω ПРt + ϕ ПР ) + 0,5 ∑ G22 U ПР cos[(kω Г ± ω ПР )t ± ϕ ПР ].
(0) (k )
k =1
Составляющая тока промежуточной частоты, согласно (8.11):
(k ) (0)
i ПР = 0,5G 21 U С cos[(k ω Г ± ω С )t ± ϕ С ] + G 22 U ПР cos(ω ПР t + ϕ ПР ) . (8.12)
Промежуточная частота может иметь одно из следующих значений:
ω ПР = kω Г + ωС , (8.13)
ω ПР = kω Г − ωС при kω Г > ωС , (8.14)
ω ПР = ωС − kω Г при kω Г < ωС , (8.15)
где k = 1, 2, 3, ... .
Наибольшее распространение получило преобразования первого по-
рядка ( k = 1 ). При k > 1 будет преобразование порядка k , называемое пре-
образованием на гармониках гетеродина.
Переходя к комплексным амплитудам для случаев (8.13) и (8.14)
можно записать
(k ) (0)
I&ПР = 0,5G21 U& С + G22 U& ПР , (8.16)
а для случая (8.14)
(k ) ) (0)
I&ПР = 0, 5G21 U& С + G22 U& ПР (8.17)
jϕ
Здесь U& С = U С ⋅ e С , U& ПР = U ПР ⋅ e jϕ ПР – комплексные амплиту-
ды напряжений сигнала и промежуточной частоты.
) jϕ
U& С = U С ⋅ e С – комплексно-сопряженная амплитуда U С .
Уравнение (8.16) представляет собой уравнение прямого преобразо-
вания неинвертирующего ПрЧ, у которого положение боковых полос (БП)
спектра при преобразовании не меняется (рис. 8.4 а). Выражение (8.17) яв-
ляется уравнением прямого преобразования инвертирующего ПрЧ, у кото-
рого боковые полосы при преобразовании меняются местами: нижняя ста-
новится верхней и наоборот (рис. 8.4 б).
Первое слагаемое в (8.16) и (8.17) характеризует процесс преобразо-
вания частоты, а второе слагаемое обусловлено реакцией нагрузки. Коэф-
фициент пропорциональности между амплитудой выходного тока проме-
144
жуточной частоты и амплитудой напряжения входного сигнала при корот-
ком замыкании на выходе называют крутизной преобразования
I&ПР (k )
G21ПР = = 0,5G21 , (8.18)
U& С &
U ПР =0
которая определяется половиной амплитуды k -й гармоники проводимости
прямого действия.
Выходная проводимость ПрЧ при коротком замыкании на входе рав-
на постоянной составляющей выходной проводимости смесителя, изме-
няющейся под действием гетеродина,
(0) I&ПР
G22 ПР = G22 = . (8.19)
U& С &
U ПР =0
Если смеситель имеет нелинейную проводимость обратного дейст-
вия, то в преобразователе частоты будет и обратное преобразование, кото-
рое заключается в следующем: если к выходным зажимам смесителя пода-
но напряжение промежуточной частоты, то при действии гетеродинного
напряжения на входе будет протекать ток с частотой сигнала.

Рис. 8.4. Преобразование спектра сигнала после ПрЧ

145
 Вывод уравнения обратного преобразования аналогичен (8.8) и
(8.10), когда ток на входе представляется рядом Тейлора:
∂f (U ) ∂f (U )
i1 = f1 (U Г ) + 1 Г U С + 1 Г U ПР + ... , (8.20)
∂U ∂U
С ПР
где i1Г = f1 (U Г ) – ток на входе смесителя при действии только напряже-
ния гетеродина;
∂f (U )
g11 = 1 Г – дифференциальная входная проводимость;
∂U
C
∂f (U )
g12 = 1 Г – дифференциальная проводимость внутренней обратной связи.
∂U
ПР
Представляя g12 и g11 рядами Фурье по аналогии с (8.5) и (8.9) и
подставляя их в (8.20), после преобразований получаем уравнения для
комплексных амплитуд инвертирующего преобразователя:
(0) (к )
I&С = G11 U& С + 0,5G12 U& ПР (8.21)
для ωС = kω Г + ω ПР или ωС = ω ПР − kω Г ;
)
&I = G (0)U& + 0,5G ( к )U& (8.22)
С 11 С 12 ПР
при ωС = kω Г − ω ПР в случае неинвертирующего преобразователя частоты.
Коэффициенты пропорциональности между амплитудой тока с час-
тотой сигнала на входе и амплитудами напряжений в режиме короткого
замыкания представляют крутизну обратного преобразования:
I&
G12 ПР = & с
(k )
= 0,5G12 (8.23)
U
ПР U& =0
С
и входную проводимость преобразователя частоты:
I&
G11ПР = &С
(0)
= G11 . (8.24)
U &
СU
ПР =0
В общем случае при использовании НЭ в смесителе параметры G11ПР ,
G12 ПР , G21ПР , G22 ПР – комплексные, аналогичные параметрам усилительного
прибора, но с учетом режима преобразования частоты и напряжения гетеродина.
Таким образом, для неинвертирующего ПЧ имеем систему двух ли-
нейных уравнений:
I&С = Υ 11U& С + Υ12U& ПР , I&ПР = Υ12U&С + Υ22U& ПР , (8.25)
а для инвертирующего преобразователя
) частоты: )
I&С = Υ11U& С +Υ12U& ПР , I&ПР = Υ 21U& С + Υ 22U& ПР . (8.26)
146
 Полученные уравнения справедливы только для амплитуд, а не
мгновенных значений токов и напряжений, которые отличаются по часто-
те на входе и выходе.
Так как (8.25) и (8.26) совпадают по форме с аналогичными система-
ми линейных уравнений для усилительного прибора, то для преобразую-
щего элемента применимы и схемы замещения усилительного прибора, и
эквивалентная схема резонансного усилителя, но с учетом параметров
преобразования. Это позволяет применять для ПрЧ теорию резонансных и
полосовых усилителей с заменой в соответствующих формулах парамет-
ров усилительного прибора на параметры преобразования.
В частности, резонансный коэффициент усиления преобразователя
равен:
K 0 ПР = m ⋅ n Υ 21ПР ⋅ RОЕ ⋅ КФ , (8.27)
где Υ 21ПР – модуль комплексной крутизны преобразования;
RОЕ – резонансное эквивалентное сопротивление избирательной сис-
темы;
КФ – коэффициент передачи фильтра.
Преобразователи частоты необходимо проверять на устойчивость.
Если условие К0 ПР > К 0 ПР.УСТ , то следует принимать соответствующие
меры для повышения устойчивости. Так как частоты на входе и выходе
смесителя различны, то нейтрализация не применяется. Устойчивость ра-
боты преобразователя повышается в основном за счет снижения коэффи-
циента усиления ( К0 ПР < К 0 ПР.УСТ ) и использования каскодных схем.
В качестве перемножителей в настоящее время используются диф-
ференциальные каскады (ДК) (рис. 8.5), аналоговые перемножители (АП)
общего применения (ОАП) (рис. 8.6) и инструментальные (или прецизион-
ные) аналоговые перемножители (ИАП) (рис. 8.7), выполненные, как пра-
вило, в виде специализированных интегральных микросхем (ИС) [1, 2].
Другое название ОАП – двойной балансный ПрЧ.

147
 8
RН1 RН2 2,38 к 3к 3к 5

9 2к 7 3
10 2
11 1,1 к
RБ1 i1 i2 RБ2
12 6
400
RЭ1 RЭ2 6к
U1 3к 13
i3 U2
14
RБ3 600 300
U2 RЭ3 1
а) б)
5 9 8

8к

+Uп 2,2 к
RН RН Uвых

8 600
Uc
11
13 3,3 к
Uc
3,3 к
-Uп 1,4 к 1,4 к

1.4.6 9.14
12 10
в) г)
Рис. 8.5. Схемы перемножителей на дифференциальных каскадах

148
 +Uп
RH RH
Uвых

Uх Uу

I01 I01 I02 I02

-Uп
Рис. 8.6. Схема аналогового перемножителя общего применения

Рис. 8.7. Схема инструментального аналогового перемножителя

8.2 Теория диодного преобразователя

Возможны две основные схемы диодного преобразователя (рис. 8.8),
которые в диапазоне СВЧ следует рассматривать как электрические эквива-
ленты, так как в реальных конструкциях СВЧ резонансные цепи выполня-
ются в виде отрезков полосковых (микрополосковых) или коаксиальных
линий и волноводов.
149
 В том случае, когда частота f Г , отличающаяся от fС на величину
промежуточной частоты f ПР , оказывается в полосе пропускания входного
контура, напряжение (мощность) гетеродина подается на колебательный
контур, настроенный на частоту сигнала fС (рис. 8.8 а). Если ослабление
колебаний гетеродина во входном контуре слишком велико, то источники
напряжений гетеродина и сигнала целесообразно включить в цепь диода по-
следовательно (рис. 8.8 б).

а)

б)
Рис. 8.8. Основные схемы диодных преобразователей

Эквивалентная схема диода (рис. 8.9 а) в общем случае содержит актив-

ную проводимость g и емкость С П p - n -перехода, индуктивность LS , со-
противление соединительных проводников rS и емкость держателя диода С Д .
В диапазоне дециметровых и сантиметровых волн LS и rS преобразователь-
ных диодов очень малы и ими можно пренебречь. Полагая емкость диода рав-
ной сумме ( С П + С Д = С ), можно для анализа пользоваться более простой
схемой (рис. 8.9 б).
Для преобразования частоты напряжение гетеродина должно быть
настолько большим, чтобы изменение тока захватывало значительный не-
линейный участок вольтамперной характеристики диода. При малых
уровнях преобразуемого сигнала и промежуточной частоты
150
(U C << U Г , U ПР << U Г ) нелинейность диода не проявляется. Под дейст-
вием модулирующего напряжения гетеродина диод для сигнала представляет
линейную цепь с переменными параметрами (рис. 8.10).

а) б)
Рис. 8.9. Эквивалентная схема диода и его упрощенная модель

Рис. 8.10. Линейная цепь с переменными параметрами

Под действием напряжения гетеродина u Г = U Г cos(ω Г t ) происхо-

дит изменение проводимости g и емкости C диода (рис. 8.11), которое
можно представить рядами Фурье:
∞ ∞
g (t ) = G
(0)
+ ∑G (k )
cos kω Г t , С (t ) = С0 + ∑ С (k ) cos kω Г t . (8.28)
k =1 k =1

Рис. 8.11. Принцип действия диодного преобразователя

В соответствии с рисунком 8.10 полный ток в цепи диода равен:

dq
i =U ⋅g + , (8.29)
dt

151
где U = U C + U ПР = U С cos(ωСt + ϕС ) + U ПР cos(ω ПРt + ϕ ПР ) ; q – заряд емко-
сти.
Так как q = C ⋅ us , то
dU dc
i =U ⋅ g + C +U . (8.30)
dt dt
Подставляя в (8.30) выражения для g (t) и c(t) из (8.28), учитывая
U = U ПР + U C , заменяя произведения тригонометрических функций функ-
циями суммарных и разностных углов после группировки слагаемых, полу-
чим ток диода:
(0) (0)
i = U [G cos(ω t + ϕ ) − ω C sin(ω t + ϕ )] + U cos(ω
С С С С 0 С С ПР[G ПРt + ϕ ПР ) −
∞
− ω ПРC0 sin(ω ПРt + ϕ ПР )] + U С ∑ 0,5G (k ) cos[(kω Г ± ωС )t ± ϕС ] +
k =1
∞
+U
ПР ∑ 0,5G (k )
cos[(kω Г ± ω ПР )t ± ϕ ПР ]⋅ (8.31)
k =1
∞
⋅ U С ∑ 0,5Ck (kω Г ± ωС )sin[(kω Г ± ωС )t ± ϕС ] −
k =1
∞
− U ПР ∑ 0,5Ck (kω Г ± ω ПР )sin[(kω Г ± ω ПР )t ± ϕ ПР ],
k =1
содержащий составляющие различных частот.
Выделяя для неинвертирующего ПрЧ промежуточную частоту
ω ПР = ωС ± kω Г , находим:
iПР = U С[0,5G (К ) cos(ω ПРt + ϕС ) − 0,5ω ПРCk sin(ω ПРt + ϕС )] +

+ U ПР[G (0) cos(ω ПРt + ϕ ПР ) − ω ПРC0 sin(ωСt + ϕ ПР )],

iС = UС[G (0) cos(ωСt + ϕС ) − ωСC0 sin(ωСt + ϕС )] +
(8.32)
(К )
+ U ПР[0,5G cos(ωСt + ϕ ПР ) − 0,5ωСCk sin(ωСt + ϕ ПР )],
на основании которых определяем комплексные амплитуды токов:
I&ПР = U& С (0,5G (k ) + j0,5ω ПРСk ) + U& ПР (G (0) + jω ПРС0) ,
I&C = U& C (G (0) + jωCС0) + U& ПР (0,5G (k ) + j0,5ωССk ) . (8.33)
Для инвертирующего преобразователя частоты (ω ПР = kω Г − ωС )
имеем:
152
 )
&I = U& (0,5G(k ) + j0,5ω С ) +U& (G(0) + jω С ) ,
ПР С ПР k) ПР ПР 0
I&С = U& С (G(0) + jωСС0) +U& ПР(0,5G(k ) + j0,5ωССk ) . (8.34)
Параметр 0,5Сk = C ПР называется преобразующей емкостью;
0,5Gk = G ПР – преобразующей проводимостью или крутизной преобразова-
ния.
Если ввести обозначения для комплексных параметров преобразова-
ния
Y11 = G (0) + jωСC0 , Y12 = GПР + jωСC ПР ,
Y21 = GПР + jω ПРC ПР , Y22 = G (0) + jω ПРC0 , (8.35)
то уравнения для комплексных амплитуд токов и напряжений неинверти-
рующего преобразователя примут вид
I&С = Y11U& С + Y12U& ПР , I&ПР = Y21U& 21 + Y22U& 22 , (8.36)
а для инвертирующего диодного преобразователя
)
частоты
)
–
I&С = Y11U& С + Y12U& ПР , I&ПР = Y21U& С + Y22U& ПР . (8.37)
Следовательно, преобразующий элемент ПЭ (в данном случае диод)
можно представить линейным четырехполюсником с Y -параметрами
(8.35). Общая эквивалентная схема диодного преобразователя частоты с
источником сигнала и нагрузкой приведена на рис. 8.12.

Рис. 8.12. Общая эквивалентная схема диодного преобразователя частоты

Уравнения, связывающие токи и напряжения на входе и выходе ПЭ

(рис. 8.12) с учетом указанных напряжений, определяются следующим об-
разом:
I&С = m1I&Г − Y 1U& С = m1E& Г Υ Г − Υ 1U& С , I&ПР = −Υ НЭU& ПР . (8.38)
∑ ∑
Здесь:
2
Υ Σ1 = Yk1 + m1 YГ – суммарная проводимость входного контура и источника
сигнала, пересчитанная к контуру в точках 1-1;
Yk1 = g k1 + j ВК1 – собственная проводимость входного контура;

153
 2
Υ НЭ = YК 2 + m2YН – проводимость эквивалентной нагрузки ПЭ в точках 2-2;
Yk 2 = g k 2 + j ВК 2 – собственная проводимость выходного контура.
Используя (8.36) и (8.38) из уравнения
−YНЭU& ПР = Y21U& С + Y22U& ПР , (8.39)
найдем коэффициент передачи напряжения для неинвертирующего ПрЧ:
U& ПР Y21 Y
&
KП = =− =− 21 , (8.40)
U&С YНЭ +Y22 Yэ2
где YЭ 2 = Υ НЭ + Υ 22 = YК 2 + m22 Υ Н + Υ 22 – эквивалентная проводи-
мость выходного контура.
Для инвертирующего ПрЧ:
)
Y21 ⋅ U& С Y
K& П = − = − 21 . (8.41)
U& С (YНЭ + Y22 ) YЭ 2
Входная проводимость ПЭ в точках 1-1 определяется из (8.36) и
(8.37) с учетом (8.40) и (8.41) соответственно для неинвертирующего ПрЧ:
I&С U& ПР Y12Y21
YВХ = = Y11 + Y12 = Y11 − (8.42)
U& С U& С Y Э2
и для инвертирующего ПрЧ:
Y Y
YВХ = Y11 + 12 21 . (8.43)
YЭ 2
Аналогичным образом находится выходная проводимость для неин-
вертирующего ПрЧ:
Y Y
YВЫХ = Y22 − 12 21 (8.44)
YЭ1
и для инвертирующего ПрЧ:
Y12Y21
YВЫХ = Y22 + . (8.45)
YЭ1
Здесь YЭ1 = Υ Σ1 + Υ11 = YК 1 + m12 Υ Г + Υ11 – эквивалентная прово-
димость входного контура.
Можно показать, что общий или сквозной коэффициент передачи
диодного ПрЧ (рис. 8.12) определяется следующим образом:
U& m U& mm Y Υ
К = & = 2 & ПР = −
& Н 1 2 21 Г . (8.46)
Е Е Υ Υ −Υ Υ
Г Г Э1 Э 2 12 21

154
 Данное выражение позволяет рассчитать АЧХ и ФЧХ диодного пре-
образователя частоты.
Возможны два режима работы диодного ПрЧ:
1. Напряжение гетеродина преимущественно изменяется в области
прямого тока. В этом случае емкость диода мала и главную роль играет
нелинейная резистивность диода. Такой диодный преобразователь частоты
называется резистивным.
2. Напряжение гетеродина в основном изменяется в область обратно-
го тока (используется закрытый переход диода). При этом резистивность
проявляется слабо, а нелинейная емкость велика (используется варикап). В
данном случае диодный преобразователь частоты называется емкостным.

8.3 Резистивный диодный преобразователь

Используя выражения для комплексных параметров преобразователя
(8.35), при C0 = C ПР = 0 получим для резистивного диодного преобразо-
вателя Y11 = Y22 = G (0) , Y12 = Y21 = GПР , позволяющие рассчитать коэф-
фициент передачи напряжения:
mm G G
К0 = 1 2 ПР Г , (8.47)
G G −G 2
Э1 Э 2 ПР
где GЭ1 = GК 1 + G (0) + m12GГ , GЭ 2 = GК 2 + G (0) + m22GН – эквивалент-
ные резонансные проводимости входного и выходного контуров соответст-
венно.
Анализ (8.47) показывает, что существуют оптимальные коэффици-
енты включения, при которых будет максимум К 0 . Исследуем К 0 на экс-
тремум в упрощенном случае, когда собственные резонансные проводимо-
сти контуров GК 1 и GК 2 малы и ими можно пренебречь. В этом случае:
mm G G
К0 = 1 2 ПР Г .
(G (0) + m2G )(G (0) + m 2G )−G 2
1 Г 2 Н ПР
Обозначая m1 G Г = X 1 , m 2 G Н = X 2 , получим:
G
Г
x1x2
К 0 = G ПР .
G (G (0) + x 2 )(G (0) + x 2 ) − G 2
н 1 2 ПР
Так как К 0 одинаково зависит от X 1 и X 2 , то максимум К 0 имеет
место при X 1 = X 2 = X и, следовательно:

155
 G x2
Г
К 0 = G ПР . (8.48)
G (G (0) + x 2 )−G 2
Н ПР
Решение уравнения dK0 dx 2 = 0 дает

xОПТ = 4 G (0)2 − GПР

2
= GХ ,
x1 GХ x2 GХ
откуда m1ОПТ = = , m2ОПТ = = .
GГ GГ GН GН

Величина G Х = G (0)2 − GПР2

называется характеристической прово-
димостью диодного преобразователя частоты, которая играет ту же роль, что и
характеристическая проводимость обычного четырехполюсника
(G Х = GКЗ ⋅ G ХХ ) .
При оптимальных m1ОПТ и m2ОПТ согласно (8.48) имеем макси-
мальный резонансный коэффициент передачи диодного резистивного пре-
образователя частоты
1 G G 1 G µ
К 0 MAX = Г ПР = Г ПР , (8.49)
2 G G (0) +G 2 G 2
Н Х Н 1+ 1+ µ
ПР
G
где µ ПР = ПР
G(0)
Коэффициент передачи мощности представляет собой отношение
мощности, выделяемой в нагрузке ( PН = U Г2 ⋅ GН ), к номинальной мощ-
ности источника сигнала ( PГНОМ = E Г2 ⋅ GГ 4 )
P 4U 2 G G
KР = Н = Н Н = 4К 2 Н . (8.50)
Р 0 G
ГНОМ E2 G Г
Г Г
С учетом (8.43) из (8.50) получим
2
 G 
2  
µ
К РMAX =  ПР  = ПР  . (8.51)
 G +G
(0)   
 Х  1+ 1+ µ 2
 ПР 
Современные резистивные диодные преобразователи имеют K Р =
0,02–0,2. У современных транзисторных СВЧ смесителей значений K Р
практически совпадают с K РMAX в усилительном режиме и составляют
156
8–10 дБ и более. Диодные резистивные смесители значительно уступают
транзисторным как по уровню интермодуляционных искажений третьего
порядка, так и по динамическому диапазону (на порядок уже). Несмотря
на это, диодные преобразователи частоты СВЧ диапазона находят широ-
кое применение.
В преобразователях частоты применяются точечные диоды, образо-
ванные контактом металл-полупроводник, диоды с барьерами Шотки
(ДБШ), туннельные диоды (ТД) и обращенные диоды. Преобразователи на
ТД могут иметь коэффициент передачи K Р > 1 благодаря отрицательной
проводимости диода в зоне туннельного эффекта, но для него характерны
высокая нестабильность параметров преобразования и склонность к само-
возбуждению. Преобразователи на ТД уступают транзисторным и по шу-
мовым характеристикам.
В сантиметровом и миллиметровом диапазонах волн находят широ-
кое применение балансные ПрЧ из-за их способности ослаблять шумы ге-
теродина. На рисунке 8.13 приведены две схемы балансных ПрЧ: с двух-
тактным включением фильтра промежуточной частоты (ФПЧ) (рис. 8.13 а)
и с однотактным (рис. 8.13 б).

а) б)
Рис. 8.13. Схемы балансных ПрЧ: а) с двухтактным включением ФПЧ;
б) с однотактным включением

В первом случае (рис. 8.13 а) напряжение гетеродина действует на

диоды VD1 и VD2 с одинаковой фазой, а напряжение сигнала через транс-
форматор Тр1 – с противоположными фазами. Токи промежуточной часто-
ты в цепях диодов противофазны и в первичной обмотке трансформатора
Тр2 текут встречно. Выходное напряжение определяется их суммарным
действием. Составляющие токов с частотой гетеродина в половинах обмо-
ток входного и выходного трансформаторов противоположны и взаимно
компенсируются. Таким образом, напряжения гетеродина и шумов гетеро-
дина не попадают во входную и выходную цепи балансного диодного пре-
образователя.
Из-за трудностей в изготовлении и настройке точно сбалансирован-
ного смесителя с двухтактной цепью промежуточной частоты более удоб-
но однотактное включение ФПЧ (рис. 8.13 б), где напряжения принимае-
157
мого сигнала и гетеродина действуют в диагоналях моста, образованного
половинами вторичной обмотки трансформатора ТР1 и диодами VD1 VD2.
Составляющие токов i1′ и i2′ , создаваемые напряжением гетеродина, замы-
каются через диоды, не ответвляясь в диагональную цепь, куда включены
входной и выходной контуры, поэтому и здесь колебания от гетеродина не
проникают во входную и выходную цепи.
Напряжение преобразуемого сигнала UC подается на диоды VD1 и
VD2 в одинаковой фазе, а напряжение гетеродина противофазно. Состав-
ляющие токов i1′ и i2′ промежуточной частоты, вызванные действием сиг-
нала, замыкаются через первичную обмотку трансформатора ТР2, протекая
встречно и создавая на выходе напряжение промежуточной частоты, про-
порциональное их сумме.
Дальнейшее улучшение параметров диодных ПрЧ получается в двой-
ных балансных или кольцевых схемах, где реализуется баланс как по
сигналу, так и по гетеродинному напряжению. Их преимущество перед ба-
лансными: меньшее содержание гармоник входных сигналов и комбина-
ционных частот в выходном спектре; более широкий динамический диапа-
зон входных сигналов; наибольшая максимально допустимая мощность;
менее жесткие требования к напряжению пробоя диодов; более широкая
полоса пропускания.

8.4 Емкостной преобразователь частоты

(параметрический усилитель)
При использовании диода с большой нелинейной емкостью (варика-
па) активными проводимостями можно пренебречь и тогда из (8.35) полу-
чаем следующие параметры преобразования:
Υ11 = jωС C0 ; Υ12 = jωС C ПР ; Υ 21 = jω ПР C ПР ; Υ 22 = jω ПР C0 .
(8.52)
Следовательно, входная проводимость в точке 1-1 (рис. 8.12) для не-
инвертирующего преобразователя с учетом (8.42) равна:
2
ωС ω ПРC ПР
Υ ВХ = jωС C0 + . (8.53)
Y НЭ + jω ПР С0
При настройке выходного контура в резонансе на частоту fПР сум-
марная реактивность (реактивность контура и реактивность диода) равна
нулю и тогда из последнего выражения получаем:
2
ωС ω ПРC ПР
Υ ВХ = jωС C0 + , (8.54)
GНЭ

158
где GНЭ = GК 2 + m22GН – эквивалентная резонансная проводимость вы-
ходного контура с учетом нагрузки.
Для инвертирующего ПЧ входная проводимость из (8.43) в соответ-
ствии с (8.52) при резонансе в выходной цепи:
2
ωС ω ПРC ПР
Υ ВХ = jωС C0 − (8.55)
GНЭ
имеет отрицательную активную составляющую:
2
ωС ω ПР C ПР
GВХ = − . (8.56)
GНЭ
Вследствие прямого и обратного инвертирующих преобразований во
входной контур поступают колебания с частотой сигнала в фазе с приня-
тым колебанием, что приводит к регенеративному усилению колебаний на
частоте принимаемого сигнала. Усиленный сигнал снимается с входного
контура (точка 1-1, рис. 8.12). Колебания выходного контура в этом случае
непосредственно не используются, поэтому он называется холостым. Та-
кой усилитель получил название двухконтурного регенеративного усили-
теля, обобщенная схема которого показана на рисунке 8.14.
Источник сигнала и нагрузка с трансформированными параметрами
подключены к резонатору LР CР с эквивалентной проводимостью GР .
Действие источника энергии, обеспечивающего усиление, показано в виде
отрицательной проводимости ( −GВН ), вносимой в контур, и емкости
C ВН . Отрицательная вносимая проводимость определяется входной про-
водимостью (8.56). На резонансной частоте реактивная проводимость кон-
тура равна нулю и в нагрузке выделяется мощность:
2
I  I Г GН
PН = РВЫХ = U 2GН =  Г  ⋅ GН = , (8.57)
G  G − G
 Σ Э ВН
где GЭ = GГ + GР + GН ; GΣ = G Г + GР + GН − GВН .

Рис. 8.14. Эквивалентная схема параметрического усилителя

159
 Учитывая, что номинальная мощность источника сигнала равна:
I Г2
PГНОМ = , (8.58)
4GГ
получим коэффициент усиления по мощности:
РВЫХ 4GГ GН
К Р0 = = , (8.59)
РГНОМ G 2 (1− α )2
Э
Здесь α = GВН GЭ – коэффициент регенерации. При α → 1
K Р 0 → ∞ , однако, получить усиление больше 20 дБ практически не удает-
ся, так как усилитель переходит в режим генерации.
Полоса пропускания регенеративного усилителя:
П0,7 = f 0 d = f0 ρGΣ = f 0 d Э (1 − α ) , (8.60)
где d Э = ρ GЭ и f0 d Э – соответственно затухание и полоса пропускания
контура без регенерации.
Анализ выражений (8.59) и (8.60) показывает, что увеличение усиле-
ния сопровождается сужением полосы пропускания.
Если частота гетеродина, называемого генератором накачки, f Г близка
к удвоенной частоте усиливаемого сигнала 2 fC , то разностная частота
f ПР = f Г − fС близка к частоте сигнала и попадает в полосу пропускания
входного контура. В этом случае отпадает необходимость в отдельном выход-
ном контуре и двухконтурный параметрический усилитель вырождается в од-
ноконтурный, который более прост по конструктивному оформлению.
Для полупроводниковых параметрических усилителей (ППУ) харак-
терен малый уровень собственных шумов, а так как постоянный ток в цепи
варикапа весьма мал, то малы и дробовые шумы. В ППУ в основном име-
ют место тепловые шумы, которые можно уменьшить охлаждением.
С целью реализации малого коэффициента шума необходимо не до-
пустить попадание собственных шумов нагрузки в усилитель, так как эти
шумы вместе с сигналом будут усиливаться и выигрыша в реальной чувст-
вительности приемника не будет. Для предотвращения попадания шумов
нагрузки в резонатор усилителя применяются фазовращатели и феррито-
вые циркуляторы (ФЦ).
Фазовращатели (ФВ) используются в усилителях проходного типа
(рис. 8.15), в которых сигнал от источника через ФВ1 попадает в резона-
тор, а усиленный сигнал через ФВ2, который препятствует попаданию
шумов нагрузки в резонатор, подводится к нагрузке. Отражательные ППУ
с ФЦ имеют при одинаковой полосе пропускания в четыре раза больший
коэффициент усиления и меньший коэффициент шума, чем проходные.
160
 Рис. 8.15. Усилитель проходного типа

Регенеративное усиление возможно и на промежуточной частоте, так

как в двухконтурном инвертирующем ПрЧ активная составляющая выходной
проводимости (в точках 2-2, рис. 8.12) отрицательна и при резонансе равна
2
ωС ω ПРC ПР
GВЫХ = − . (8.61)
GК 1 + m1GГ
В неинвертирующем ПрЧ активные составляющие входной и выход-
ной проводимостей нежелательны и поэтому регенеративного усиления не
будет. Тем не менее, и в этом случае возможно усиление колебаний за счет
преобразования энергии генератора накачки в энергию принятого сигнала
с повышением частоты, так как коэффициент передачи мощности пропор-
ционален промежуточной частоте ( K Р = f ПР fС ).
Достоинство таких усилителей – широкополосность и устойчивость,
а недостаток в том, что усиленный сигнал снимается на частоте, которая
много выше частоты входного сигнала, и поэтому требуется дополнитель-
ный резистивный ПрЧ с понижением частоты.
Параметрические ПрЧ применяются начиная с диапазона ОВЧ и вы-
полняются на основе параметрических усилителей [1, 2]. Параметрические
ПрЧ, построенные на варикапах [2, 3, 7], отличает низкий коэффициент
шума, возможность достижения большого ДД. Их целесообразно применять
в РПУ с преобразованием «вверх». В этом случае можно получить усиле-
ние, пропорциональное отношению частот сигнала на выходе и входе ПрЧ.
К недостаткам, сдерживающим широкое применение таких ПрЧ в диапазо-
не ВЧ, следует отнести зависимость коэффициента преобразования от ука-
занного соотношения частот и мощности несущей, возможность самовоз-
буждения на частотах контуров, входящих в ПрЧ. Преобразователи частоты
могут быть пассивными и активными.
Пассивные ПрЧ выполняются обычно на полупроводниковых диодах
и полевых транзисторах. Коэффициент преобразования К ПР (отношение
мощности промежуточной частоты к мощности входного сигнала) даже у
лучших ПрЧ не превышает – 4 дБ (обычно от – 6 до –10 дБ).
Коэффициент шума Ш ПР несколько больше, чем затухание в ПрЧ
(величина, обратная К ПР ). До некоторого предела верхняя граница ДД
пассивных ПрЧ прямо зависит от мощности несущей. Как на верхнюю, так
и на нижнюю границу ДД сильно влияют характер нагрузки пассивного
ПрЧ и ее постоянство в широком диапазоне частот.
161
 Активные ПрЧ в настоящее время выполняют как на биполярных,
так и на полевых транзисторах. Величина К ПР у них, как правило, боль-
ше единицы, но примерно на 4 дБ меньше, чем коэффициент передачи у
аналогичного по схеме усилителя, выполненного на тех же полупроводни-
ковых приборах и потребляющего тот же ток. Коэффициент шума на 7–8
дБ больше, чем у такого же усилителя. В области допустимых для транзи-
сторов режимов работы верхняя граница ДД пропорциональна току через
ПрЧ. Но с ростом тока растет Ш ПР . Для каждого транзистора существует
свой оптимальный ток, при котором ДД ПрЧ максимален. Характер на-
грузки слабо влияет на параметры активного ПрЧ.
Различают однотактные, двухтактные (балансные), двойные баланс-
ные (кольцевые) ПрЧ, в которых используются один, два и более преобра-
зовательных элементов с соответствующим фазированием частот сигнала
и гетеродина.
Однотактные ПрЧ имеют широкий спектр выходного сигнала, со-
держащий не только компоненты вида m ⋅ fС + n ⋅ f Г , n ⋅ fС + m ⋅ f Г , но и
колебания с частотой сигнала и гетеродина. Такие ПрЧ просты и могут со-
держать всего один нелинейный элемент, однако их применяют лишь при
невысоких требованиях к ДД.
Балансными называют ПрЧ, в нагрузке которых компенсируются то-
ки входного сигнала и (или) гетеродина, а также некоторые другие неже-
лательные компоненты преобразования. Чаще применяют ПрЧ, балансные
по отношению к гетеродину, мощность которых обычно много больше
мощности входного сигнала, и поэтому подавление в нагрузке токов гете-
родина облегчает фильтрацию нежелательных компонент преобразования.
Балансный смеситель обычно содержит не менее двух преобразовательных
элементов, а также узлы, создающие противофазные напряжения. Подав-
ление токов гетеродина балансного смесителя по сравнению с однотакт-
ной схемой составляет обычно 25–35 дБ, но может быть улучшено
до 40–50 дБ путем тщательного подбора преобразовательных элементов
или применения пар преобразовательных элементов, выполненных на од-
ной подложке.
Для получения высоких качественных показателей ПрЧ необходимо
использовать двойные балансные устройства. Оптимальной с этой точки
зрения является схема двойного балансного ПрЧ, в котором реализуется
баланс (подавление) как по входному, так и по гетеродинному сигналам. В
таком ПрЧ число преобразовательных элементов вдвое больше, чем в ба-
лансных. При этом они обеспечивают наиболее чистый спектр выходного
сигнала ПрЧ, наибольшие К ПР и ДД (при переходе от балансной схемы к
двойной балансной ДД возрастает, как минимум, на 3 дБ).
162
 Для оценки качественных показателей схем пассивных ПрЧ исполь-
зуется точка пересечения 3-го порядка A3ВХ и значение мощности сигна-
ла гетеродина РГ . Поэтому целесообразно классифицировать ПрЧ [7, 13]
по уровню мощности сигнала гетеродина (табл. 8.1).
Таблица 8.1
Классификация ПрЧ по уровню мощности гетеродина
Класс Признак A3вх , дБм Р Г , дБм
1 Очень низкий уровень <+7 <+0
2 Низкий уровень + 13 +7
3 Средний уровень + 20 + 13
4 Высокий уровень + 25 + 17
5 Очень высокий уровень > + 30 > + 20

Пассивные ПрЧ двух первых классов на практике используются ред-

ко и выполняются, как правило, в виде интегральных микросхем. Распро-
страненное название «ПрЧ стандартного уровня мощности» относится, во-
обще говоря, к устройству второго класса.
В связи с относительно высокими требованиями, предъявляемыми к
ДД, целесообразно оценить параметры схем, относящихся к среднему
уровню мощности и выше. Так, диодный кольцевой смеситель на основе
диодов Шотки (рис. 8.16) при Р Г = 13 дБм имеет A3ВХ = + ( 20 − 22 ) дБм,
а уровень блокирования AБЛ = + ( 7 − 9 ) . Смесители высокого уровня
мощности (рис. 8.17) в каждом плече преобразовательного кольца содер-
жат два последовательно включенных диода Шотки. При РГ = +17 дБм
удается получить A3ВХ = + ( 25 − 27 ) дБм и AБЛ = + (13 − 15 ) дБм. Сме-
сители очень высокого уровня мощности (рис. 8.18) отличаются от опи-
санных ПрЧ тем, что каждый диод в кольце включается последовательно с
цепью параллельно соединенных резистора R и конденсатора C . Для
РГ = +20 дБм типичны значения: A3ВХ = + ( 30 − 33 ) дБм и
AБЛ = + (15 − 18 ) дБм.
На рисунке 8.19 представлена структурная схема ПрЧ, известного
под названием «дуальный ПрЧ». Такой ПрЧ образован двумя ветвями
двойных балансных смесителей, которые соединены со стороны входов
fС и f Г противофазно, а со стороны входа f ПЧ – синфазно. Данное уст-
ройство при использовании в его ветвях ПрЧ, изображенного на рисун-
ке 8.18, имеет следующие характеристики: при РГ = +27 дБм (0,5 Вт)
значение A3ВХ = + ( 38 − 40 ) дБм и AБЛ = + ( 23 − 25 ) дБм. Величина по-
терь составляет 7–9 дБ в зависимости от типа используемых преобразова-

163
тельных элементов и взаимной связи ветвей ПрЧ. Развязка между входами
fС и f ПЧ , f Г и f ПЧ примерно на 30 дБ больше, чем соответствующие
значения для одиночного смесителя. Одновременно снижаются примерно
на 10-20 дБ уровни высших гармоник. При реализации такого рода струк-
тур следует обращать особое внимание на амплитудную и фазовую балан-
сировку отдельных ветвей ПрЧ.

Рис. 8.16. Диодный кольцевой смеситель

Рис. 8.17. Смеситель высокого уровня мощности

Рис. 8.18. Смеситель очень высокого уровня мощности

В качестве цепей сложения/деления мощности высокочастотных

сигналов используются гибридные ответвители (рис. 8.19) [7, 2], которые
164
должны обеспечивать точные фазовые соотношения выходных сигналов.
Гибридные ответвители обычно состоят из одного или нескольких широ-
кополосных трансформаторов, а также из одного или нескольких активных
резисторов (балансных сопротивлений), служащих для поглощения части
мощности, поступающей не в противофазе (с нежелательным сдвигом
фаз).

Плечо А

00 00 00 00

180 0 00 00 1800

00 00 00 00 00 0
0

f BX f ПЧ fГ
0
180 00 180
0
00 00 180
0

R R
BX ПрЧ BЫX ПрЧ

0 0
180 00 00 180

00 00 00 00
Плечо Б

Рис. 8.19. Смеситель с гибридными ответвителями

В качестве трансформаторов предпочтительнее использовать транс-

форматоры на основе длинных линий (ТДЛ) вследствие их широкополос-
ности и присущих им хороших фазовых и амплитудных балансных
свойств, от которых в значительной степени зависит развязка между вхо-
дами. В качестве поглощающих резисторов в основном применяются без-
индуктивные металлоплёночные резисторы, а в случае режимов с большой
мощностью сигнала следует использовать тонкопленочные компоненты в
широкополосковом или коаксиальном исполнении.
Конструктивно ТДЛ представляет собой ферритовый сердечник
(кольцевой или стержневой), на котором намотаны одна или две линии пе-
редачи. Это могут быть отрезки коаксиального кабеля, ленточные линии
либо просто два или более скрученных провода. Такой трансформатор со-
четает свойства цепей сосредоточенного и распределенного типов. На
низших частотах своего рабочего диапазона ТДЛ работает как обычный
трансформатор с индуктивной связью, а на средних и высоких – как линия
с определенным волновым сопротивлением, зависящим от геометрии ли-
нии и диэлектрической проницаемости пространства, охваченного элек-
трическим полем линии. На низких частотах мощность со входа на выход
165
передается в основном за счет магнитной связи между обмотками (через
сердечник). На высоких частотах энергия передается через электромагнит-
ное поле линии, а сердечник служит только для увеличения индуктивности
линии. Если в обычном широкополосном трансформаторе межвитковая
емкость вредна, то в ТДЛ емкость между проводами необходима для нор-
мальной работы линии. Эта емкость влияет на волновое сопротивление
линии, а постоянство распределенной емкости – на высокочастотные свой-
ства ТДЛ.
При изготовлении такого трансформатора для создания сильной свя-
зи между проводами линии и обеспечения постоянной распределенной ем-
кости линию выполняют в виде витой пары, причем большее количество
скруток на единицу длины повышает распределенную емкость и снижает
волновое сопротивление линии.
Тщательно рассчитанный и изготовленный ТДЛ имеет затухание, как
правило, 0,3–0,6 дБ при сопротивлении менее 250 Ом на частотах ниже
50 МГц. При этом коэффициент стоячей волны (КСВ) не превышает 1,25.
На рисунке 8.20 представлены условные обозначения с указанием
фазовых соотношений и две схемы гибридных ответвителей, каждый из
которых образован из «2 + 2» расщепляющих цепей. Эти схемы имеют
различное входное сопротивление по разным входам.

Рис. 8.20. Условное обозначение и схемы гибридных ответвителей

При проектировании описанных выше ПрЧ всегда необходимо вы-

полнять следующие рекомендации:
1. Информационный сигнал поступает на вход одного из трансфор-
маторов, а сигнал гетеродина - подается на вход другого трансформатора.
2. Диоды и трансформаторы, используемые в ПрЧ, должны иметь
идентичные электрические параметры. Только в этом случае можно полу-
чить амплитудный и фазовый балансы. При этом, как правило, требуется

166
индивидуальный отбор элементов. Обмотки трансформатора должны быть
выполнены без видимых отличий.
3. Монтаж трансформаторов и преобразовательных элементов требу-
ет тщательной симметрии и осуществляется проводниками минимальной
длины. Для эффективного симметрирования ПрЧ (с целью достижения
максимального значения развязки входов) может потребоваться, кроме
подбора конденсатора CС , переключение половин симметричной обмотки
одного (любого) из трансформаторов. При этом необходимо соблюдать
правильное фазирование обмоток и обращать внимание на подключение
выводов, обозначенных точками.
4. Следует в первую очередь согласовывать выходное сопротивление
источника с входным сопротивлением ПрЧ по входу информационного
сигнала f ПЧ ; с точки зрения частотных свойств входы fС и f ПЧ явля-
ются взаимозаменяемыми.
5. Сигнал гетеродина должен поступать от линейного широкополос-
ного источника. Следует избегать применения в этой цепи гетеродина лю-
бых частотно-избирательных цепей. Значение величины развязки относи-
тельно фильтра частоты f Г должно составлять не менее 10 дБ (т.е. между
последней частотно-избирательной цепью гетеродина и входом ПрЧ сле-
дует применять широкополосный апериодический буферный каскад).

8.5 Ключевые преобразователи

По режиму работы можно выделить синусоидальные и ключевые
ПрЧ.
Ключевые строятся в основном на полупроводниковых приборах. Од-
нако в таких ПрЧ коэффициент передачи необходимо изменять с предельно
возможной скоростью с тем, чтобы преобразовательный элемент как можно
меньшее время находился в нелинейном режиме. Переменным параметром
в таких ПрЧ может являться активное сопротивление коммутируемого
ключа. Тогда совместно с нагрузочным сопротивлением ПрЧ у таких сме-
сителей изменяется коэффициент передачи. В идеальном случае коэффици-
ент передачи ключевого ПрЧ равен 0 либо 1. Если в качестве преобразова-
тельных элементов используются активные ключи тока, то коэффициент
передачи ПрЧ может быть больше единицы.
Примером, поясняющим работу ключевого ПрЧ, может быть схема
на основе тактируемого фронтом D-триггера. Это простейшая цепь вычи-
тания частот, отличающихся друг от друга не более чем на 30–40 %.
Сформированные в виде меандра импульсы вычитаемых частот подаются
соответственно на входы С и D триггера (рис. 8.21 а). Вследствие посте-
пенного изменения фазового сдвига между этими импульсными последо-
167
вательностями тактирующие перепады на входе С будут совпадать то с
положительными полупериодами импульсов на входе D, то с отрицатель-
ными.
В результате на выходе триггера получаются импульсы с частотой,
равной модулю сравниваемых частот. Цепь вычитания частот, не имеющая
ограничений по соотношению входных частот, может быть построена по
схеме, показанной на рисунке 8.21 б). В данном случае устройство содер-
жит счетный триггер и две ячейки И-ИЛИ. Если триггер находится в со-
стоянии «нуль», то импульсы частоты f1 проходят на вход триггера, но не
проходят на выход устройства. Если же триггер находится в «единице», то,
наоборот, импульсы f1 проходят на выход и не пропускаются на вход С
триггера. Для импульсов частоты f 2 картина обратная: при единичном со-
стоянии триггера импульсы проходят на вход, а при нулевом – на выход.

а) б)
Рис. 8.21. Схемы ключевых ПрЧ

Если на каждый импульс частоты f1 будет приходить импульс час-

тоты f 2 , то триггер всякий раз принимает новое состояние, но ни один из
импульсов на выход не пройдет. Если же, например, между импульсами
частоты f 2 придут два подряд импульса частоты f1 , то первый из них ус-
тановит триггер в единицу, а второй пройдет на выход . Таким образом,
если за некоторое время по входам f1 и f 2 на устройство поступит N1 и
N2 импульсов, то на выход за это же время пройдет N1 − N 2 импульсов,
т.е. число импульсов, соответствующее разностной частоте.
К синусоидальным относятся аналоговые преобразователи и ПрЧ,
выполненные на элементах с близкой к квадратичной вольтамперной ха-
2
рактеристикой (ВАХ), у которых I ВЫХ ~ U ВХ . Если сумма амплитуд
входного сигнала и гетеродина не выходит за пределы квадратичных участ-
ков ВАХ, то в выходном спектре таких ПрЧ содержатся в основном полез-
ные компоненты преобразования (суммарная и разностная), а также побоч-
168
ные колебания с удвоенными частотами входного сигнала и гетеродина.
Последние, как правило, достаточно просто подавить в балансной схеме.
Преимущество синусоидального режима – хорошее подавление про-
дуктов преобразования относительно высших гармоник частоты гетеродина
(низкий коэффициент преобразования на гармониках частоты гетеродина).
Недостаток – зависимость К ПР от амплитуды напряжения гетеро-
дина, что влечет необходимость ее стабилизации. Кроме того, в большин-
стве используемых на практике диодных и транзисторных ПрЧ в синусои-
дальном режиме получаются далеко не лучшие К ПР и ДД. Для расшире-
ния ДД у АП применяют малошумящие преобразовательные элементы и
местные отрицательнее обратные связи. В ПрЧ на преобразовательных
элементах с квадратичными ВАХ стремятся применять элементы с воз-
можно более протяженным квадратичным участком, например, мощные
полевые транзисторы.
Ключевые ПрЧ имеют целый ряд преимуществ. Так, отпадает необ-
ходимость формирования U Г чисто синусоидальной формы и стабилиза-
ции его амплитуды. Отсутствует обратное преобразование амплитудных
шумов U Г . Динамический диапазон ПрЧ в ключевом режиме, как прави-
ло, существенно выше, чем у тех же ПрЧ в синусоидальном режиме. Для
ПрЧ на диодах и биполярных транзисторах эта разница достигает 20–30 дБ
[3, 2], а для ПрЧ на мощных полевых транзисторах – 10–15 дБ. Это объяс-
няется тем, что в ключевом режиме элементы ПрЧ большую часть времени
находятся в наиболее линейном открытом или непроводящем состояниях,
а меньшую - в существенно нелинейном переходном состоянии.
Возможны два способа создания режима, близкого к ключевому: ли-
бо путем повышения амплитуды U Г , либо подачей U Г с формой, близ-
кой к прямоугольной. Первый путь широко используется в ПрЧ высокого
уровня на диодах и ПрЧ на мощных полевых транзисторах. Его преимуще-
ство - малый уровень излучения гармоник U Г цепями связи ПрЧ с гетеро-
дином и самим гетеродином, что особенно важно в РПУ с многократным
преобразованием частоты. Недостаток – необходимость в линейном уси-
лении U Г синусоидальной формы, причем мощность сигнала гетеродина
можно увеличивать до тех пор, пока в диодных ПрЧ не превышен макси-
мальный ток через диоды, а в транзисторных - допустимые напряжения
база-эмиттер или затвор-исток. Таким путем трудно создать режим, мак-
симально близкий к ключевому. У диодных ПрЧ, кроме того, повышение
мощности сигнала гетеродина приводит к росту уровня шума, генерируе-
мого диодами. Поэтому часто более целесообразным оказывается второй
путь получения ключевого режима.
169
 Напряжения гетеродина прямоугольной формы лучше всего полу-
чать с помощью ненасыщенных дифференциальных усилителей - ограни-
чителей с гальванической связью между каскадами, которые практически
устраняют амплитудную составляющую шумовой модуляции U Г . Недо-
пустимо использовать насыщенный режим транзисторов усилителя - огра-
ничителя, который приводит к резкому росту фазовой шумовой модуляции
U Г . Довольно распространенное мнение о том, что ключевые ПрЧ «силь-
но шумят», по-видимому, и есть следствие применения насыщенных фор-
мирователей. Не следует использовать и триггеры Шмитта, в том числе и
ненасыщенные, так как при этом возможно преобразование шумовой ам-
плитудной модуляции U Г в фазовую.
Для первых каскадов формирователей напряжения гетеродина пря-
моугольной формы U Г удобно использовать простейшие логические эле-
менты микросхем эмиттерно-связанной логики серий К100, К500, K1500,
Базовый элемент этих серий выполнен по схеме ненасыщенного диффе-
ренциального усилителя-ограничителя с эмиттерными повторителями на
парафазных выходах и позволяет получить очень короткие фронты им-
пульсов (до 1.5–2 нс у серий К100, К550 и до 0,5 нс у серий К1500). Вы-
ходная мощность данных микросхем достаточна для питания активных
ПрЧ на биполярных транзисторах малой и средней мощности, выполнен-
ных на дифференциальных ключах тока. В других случаях включают до-
полнительные каскады усиления мощности сигнала гетеродина [7, 11].
Желательно, чтобы форма U Г была близка к меандру (длительности
положительных и отрицательных импульсов должны быть одинаковыми).
Их заметное различие в двойных балансных ПрЧ приводит к ухудшению
подавления U Г и появлению комбинационных составляющих значитель-
ного уровня вокруг четных гармоник U Г . У пассивных ПрЧ при этом рез-
ко уменьшается ДД. Равенство указанных длительностей можно поддер-
живать путем введения в формирователь отрицательной обратной связи по
постоянному току. Более надежный результат можно получить, например,
путем двукратного повышения частоты гетеродина и включения в цепь
формирователя цифрового делителя частоты с последним каскадом деле-
ния на два, обеспечивающего меандр на выходе при любой скважности.
Если зафиксировать амплитуду U Г и увеличивать крутизну его фронтов,
то ДД ПрЧ сначала пропорционально возрастает, а затем этот рост замед-
ляется и, наконец, прекращается. После этого линейность ПрЧ будет опре-
деляться линейностью его элементов в открытом состоянии при условии,
что их граничная частота во много раз выше f Г . В большинстве случаев

170
режим, максимально близкий к ключевому, достигается при длительности
фронтов, примерно в десять раз меньше полупериода U Г . Поэтому нет
смысла бесконечно уменьшать эту длительность, что на частотах КВ диа-
пазона и выше всегда связано с повышением мощности, расходуемой
формирователем на перезарядку емкостей его нагрузки. Импульсный ток,
который должен обеспечивать формирователь, можно оценить как
I ИМП = С Н ⋅ U Н tФ , где СН и U Н –соответственно емкость и ампли-
туда напряжения на нагрузке; tФ – требуемая длительность фронтов.
Например, при СН = 26 пФ, U Н = 10 В, tФ = 2 нс, I ИМП = 0,1 А,
что заставляет использовать в выходном каскаде формирователя СВЧ тран-
зисторы средней мощности. Поэтому в ключевых ПрЧ желательно приме-
нять элементы с минимальными межэлектродными емкостями. Необходимо
также, чтобы паспортное время переключения этих элементов было, по
крайней мере, в два – три раза меньше требуемой длительности фонтов. Если
частота f Г не превышает 30 МГц, то можно использовать диоды с временем
переключения не более 1 нс и транзисторы с граничной частотой около
1 ГГц и выше. Следует отметить, что при f Г более 30–40 МГц обеспечить
ключевой режим ПрЧ на обычной элементной базе достаточно сложно.
На рисунке 8.22 приведена практическая принципиальная схема ак-
тивного ключевого двойного балансного ПрЧ, который представляет со-
бой два двухтактных каскада усиления с общей базой, выполненных на
транзисторах VТ1, VТ4 и VТ2, VТ3 соответственно. Каскады коммутиру-
ются двумя противофазными напряжениями гетеродина прямоугольной
формы, поступающими на базы транзисторов с выходов ЭСЛ-элементов
DD1. Такой ПрЧ можно рассматривать также как пару дифференциальных
ключей тока. Так как напряжение переключения ключей составляет около
50 мВ, то разности ЭСЛ-уровней (около 0,7 В) оказывается более чем дос-
таточно. Согласование гетеродина с коаксиальной линией осуществляется
с помощью резистора R1.
Вход ПрЧ связан с выходом предыдущего блока через симметрирую-
щее и согласующее устройство, которое, для того чтобы не ухудшить ДД
РПУ, выполнено на ТДЛ. Трансформатор Тр1 – симметрирующий, Тр2 –
согласующий, повышающий низкое входное сопротивление ПрЧ (10–15
Ом) в четыре раза. Выход ПрЧ связан с блоком фильтра основной избира-
тельности (ФОИ) через резонансный трансформатор L1L2C8 и способству-
ет лучшему согласованию выходного сопротивления ПрЧ с входным сопро-
тивлением ФОИ. Подбором сопротивления резистора R3 можно добиться
минимума неравномерности АЧХ ФОИ.

171
 Рис. 8.22. Активный ключевой двойной балансный ПрЧ

На рисунке 8.23 приведена схема ПрЧ магистрального РПУ [7, 11],

представляющего собой пассивный ключевой кольцевой балансный ПрЧ.
Симметрирование осуществляется с помощью трансформатора Тр1, а со-
гласование – с помощью трансформатора Тр2, выполненного как ТДЛ.
Усиление сигнала гетеродина осуществляется с помощью специально раз-
работанной для этих целей микросборки DD2.

Рис. 8.23. Пассивный ключевой кольцевой балансный ПрЧ

172
 Наиболее высокие требования предъявляются к первым ПрЧ РПУ. В
РПУ высокого класса с многократным преобразованием частот в качестве
первого ПрЧ используют в основном балансные и двойные балансные пас-
сивные ПрЧ в синусоидальном режиме [7, 13]. При единственной f ПЧ и
частоте f Г менее 30 МГц целесообразно применять балансные и двойные
балансные ПрЧ в ключевом режиме, которые позволяют даже на обычной
элементной базе достигать ДД свыше 90 дБ при использовании как пас-
сивных, так и активных ПрЧ.
Постоянство нагрузки пассивных ПрЧ обеспечивается путем вклю-
чения между ПрЧ и фильтрующей системой либо широкополосного каска-
да усиления с входным сопротивлением, равным оптимальному сопротив-
лению нагрузки ПрЧ, либо диплексора (расщепителя) [7, 14]. Диплексор
состоит из подключенных к выходу ПрЧ последовательного контура, на-
строенного на f ПЧ , через который полезный сигнал без заметного ослаб-
ления поступает на фильтрующую систему, и цепи из последовательно со-
единенных параллельного контура, также настроенного на f ПЧ , и рези-
стора с сопротивлением, равным выходному сопротивлению ПрЧ. Этим
резистором поглощается мощность большинства побочных составляющих,
что препятствует их отражению обратно в ПрЧ, приводящему к снижению
ДД на 3–10 дБ.

8.6 Преобразователи на встречно-параллельных диодах

Поиски путей повышения помехоустойчивости гетеродинных РПУ
привели к разработке ПрЧ на встречно-параллельных диодах [7, 10], схема
и принцип действия которого, показаны на рисунке 8. 24. По режиму рабо-
ты такой ПрЧ является синусоидальным, а в качестве переменного пара-
метра выступает активное сопротивление диодов.
К встречно-параллельным диодам подводятся одновременно напря-
жения сигнала U С и гетеродина U Г . Последнее значительно больше и для
нормальной работы ПрЧ на кремниевых диодах должно составлять ~ 0,6–
0,7 В. Другими словами, амплитуда напряжения гетеродина должна пре-
восходить пороговое напряжение отпирания диодов. Частота гетеродинно-
го напряжения выбирается вдвое ниже частоты сигнала. В этих условиях
один из диодов открывается на пиках положительных полуволн гетеро-
динного напряжения, а другой – на пиках отрицательных. В результате со-
противление параллельно включенных диодов уменьшается дважды за пе-
риод гетеродинного напряжения. Это поясняет рисунок 8.24, где изобра-
жена ВАХ встречно-параллельных диодов и синусоидальная форма на-
пряжения гетеродина. Ток через диоды носит характер коротких разнопо-
лярных импульсов. Среднее значение тока импульсов равно нулю, следо-
вательно, постоянная составляющая тока на выходе ПрЧ отсутствует.
173
 Рис. 8.24. ПрЧ на встречно-параллельных диодах

Если теперь к диодам подвести еще и напряжение сигнала с часто-

той, вдвое больше частоты напряжения гетеродина, то положительные им-
пульсы тока через диоды возрастают, а отрицательные уменьшаются. На
выходе ПрЧ возникает положительная составляющая тока. Но если фазу
сигнала поменять на обратную, то на ее выходе появится отрицательная
составлявшая. При сдвиге фазы сигнала на 90° импульсы тока через диоды
лишь несколько исказятся по форме, но останутся одинаковой амплитуды
и постоянная составляющая тока на выходе ПрЧ будет равна нулю. Таким
образом, ПрЧ может выполнять функции фазового детектора при точном
выполнении равенства fC = 2 ⋅ f Г .
При небольшом отличии частот fC и 2 ⋅ f Г фаза fC изменяется от-
носительно фазы f Г , в цепи диодов будет протекать ток с разностной час-
тотой f ПЧ = fС − 2 ⋅ f Г . Таким образом, преобразование происходит как
бы на второй гармонике гетеродина, однако реальных токов с частотой
второй гармоники в ПрЧ нет.

174
 Главным достоинством ПрЧ на встречно-параллельных диодах явля-
ется то, что в нагрузке протекают лишь токи продуктов преобразования, но
отсутствует постоянный ток, т.е. смеситель не детектирует ни сигнал, ни
напряжение гетеродина. Коэффициент подавления AM в балансных и коль-
цевых ПрЧ даже при самой тщательной их балансировке обычно не превос-
ходит 60–70 ДБ. Для ПрЧ на встречно-параллельных диодах, не имеющего
элементов балансировки, коэффициент подавления AM достигает 70–80 дБ.
Другое достоинство такого ПрЧ состоит в том, что частота гетеродина
вдвое ниже частоты сигнала. Поэтому в РПУ без УРЧ со смесителем на
встречно-параллельных диодах излучение сигнала гетеродина в антенну
получается на 30–60 дБ ниже, чем у балансных или кольцевых ПрЧ.
Существует множество разновидностей практических схем ПрЧ на
встречно-параллельных диодах – от самых простейших (рис. 8.25) до ба-
лансных схем с автоматическим смещением, в которых автоматически ус-
танавливается оптимальное пороговое напряжение гетеродина, улучшена
развязка входных и гетеродинных цепей (до 60 дБ), уменьшены потери
мощности сигнала в цепях связи с гетеродином.

Рис. 8.25. Практическая схема ПрЧ на встречно-параллельных диодах

В простейшем ПрЧ к диодам подводятся одновременно напряжение

сигнала от входного контура L1C1 и напряжение гетеродина через индук-
тивность связи L3. Контур L2C2 является контуром буферного каскада ге-
теродина. Фильтр нижних частот образован элементами С3, L4 и С4. В ПрЧ
лучше всего использовать кремниевые диоды – они имеют более высокое
пороговое напряжение (около 0,5 В) и более резкий излом ВАХ вблизи не-
го. Смеситель требует подбора оптимального напряжения гетеродина по
максимуму коэффициента передачи. Недостаточное напряжение приводит к
неполному открыванию диодов, повышению их внутреннего сопротивления
и, как следствие, резкому уменьшению коэффициента передачи. Чрезмер-
ное увеличение напряжения приводит к тому, что диоды оказываются от-
крытыми в течении большей части периода гетеродинного напряжения, чем
необходимо для нормальной работы ПрЧ, и коэффициент передачи падает.
175
 Находят применение балансные преобразователи частоты на полевых
транзисторах (рис. 8.26). Этот преобразователь с 50-омными входным и вы-
ходным сопротивлениями понижает интермодуляционные искажения
третьего порядка на 68 дБ при действии на его входе двух сигналов с ам-
плитудой 176 мВ [1].

Рис. 8.26. Балансный ПрЧ на полевых транзисторах

Балансные преобразователи чувствительны к изменениям нагрузки.

Кроме того, при работе на высоких частотах нарушается симметрия схе-
мы. Как правило, в балансных преобразователях используются специаль-
ные полевые транзисторы с чисто емкостным входным сопротивлением.
Для обеспечения активной нагрузки в широком диапазоне частот преобра-
зователь может нагружаться на двухтактный усилитель промежуточной
частоты на полевых транзисторах, включенных по схеме с общим истоком.
На рисунке 8.27 показан преобразователь профессионального РПУ
HF1030 (фирма «Роде и Шварц»), собранный по двухтактной схеме, в ка-
ждом плече которой включен кольцевой преобразователь на полупровод-
никовых диодах. Для обеспечения необходимой нагрузки он работает на
каскодный усилитель на полевых транзисторах с выходным сопротивлени-
ем 50 Ом. На выходе каскодного усилителя включается кварцевый фильтр.
Сопротивление источника сигнала для каскодного усилителя 200 Ом, при
этом коэффициент шума уменьшается, а применение ОС позволяет сни-
зить НЭ в усилителях по схеме с ОИ до уровня НЭ усилителя по схеме с
ОЭ. Каскодный усилитель имеет высокое значение устойчивого коэффи-
циента усиления. Коэффициент шума усилителя – 2 дБ, точка пересечения
интермодуляционных продуктов – 35 дБмВт, усиление 15 дБ в полосе час-
тот 40–120 МГц.
Для совместимой схемы усилителя с преобразователем точка пересе-
чения интермодуляционных продуктов сохраняется, коэффициент усиления
снижается до 10 дБ, а коэффициент шума увеличивается до 8 дБ. Кроме это-
го, между преобразователем и усилителем включен аттенюатор напряжения
176
на p-i-n-диодах с постоянными входным и выходным сопротивлениями; диа-
пазон регулировки аттенюатора 45 дБ, вносимые потери менее 1 дБ.

Рис. 8.27. ПрЧ по двухтактной схеме

Попытки совместить достоинства ПрЧ на встречно-параллельных

диодах и ключевых ПрЧ привели к разработке смесителя на встречно-
управляемых полевых транзисторах [7, 10]. Такой ПрЧ (рис. 8.28) содер-
жит два полевых транзистора, каналы которых включены параллельно и
соединены с входным контуром и ФНЧ, образуя, таким образом, цепь сиг-
нала. На затворы транзисторов подается противофазное напряжение гете-
родина с симметрирующей вторичной обмоткой трансформатора Т1. Раз-
вязка входных и гетеродинных цепей достигается, во-первых, благодаря
тому, что проходные паразитные емкости затвор-сток транзисторов вклю-
чены в диагональ сбалансированного моста, и, во-вторых, за счет селек-
тивных свойств входного контура, настроенного на частоту, вдвое выше
частоты гетеродина.

Рис. 8.28. ПрЧ на встречно-управляемых Рис. 8.29. Принцип действия ПрЧ

полевых транзисторах

Работу ПрЧ поясняет рисунок 8.29. На верхнем графике показано на-

пряжение на затворе транзистора VT1, на среднем – VT2. Когда напряже-
ние на затворе превышает напряжение отсечки U ОТС , проводимость ка-
нала G возрастает. Так как напряжения на затворах противофазны, то про-
177
водимость G параллельно включенных каналов возрастает дважды за пе-
риод гетеродинного напряжения, как показано на нижнем графике. В ре-
зультате цепь сигнала замыкается дважды за период гетеродинного на-
пряжения, следовательно, происходит преобразование вида
f = fС − 2 ⋅ f Г .
Практические исследования ПрЧ на транзисторах КП301 в диапазоне
28 МГц подтвердили [7, 10] его высокие ожидаемые результаты. Чувстви-
тельность однополосного гетеродинного РПУ с таким ПрЧ достигала
0,25–0,3 мкВ даже без УРЧ. Подавление AM и ослабление гетеродинного
напряжения на входе РПУ превосходило 70 дБ.
Обычно при использовании дифференциальных каскадов в качестве
ПрЧ напряжение гетеродина (опорный сигнал U Г ) подается между базами
дифференциальной пары транзисторов (см. рис. 8.5 а), а напряжение сиг-
нала U С – на базу токозадающего транзистора. При таком распределении
сигналов с помощью резистора обратной связи RЭ 3 можно уменьшить
степень нелинейных искажений сигнала, напряжение гетеродина не попа-
дает в тракт сигнала; в транзисторах отсутствует режим насыщения по
коллекторному напряжению при работе с большой амплитудой напряже-
ния гетеродина. При этом обычно RЭ1 = 0 . Иногда опорный сигнал пода-
ется на базу токозадающего транзистора, что позволяет подавить прямое
прохождение сигнала гетеродина на выход.
Для малых сигналов (U Г < UT , U С < UT ) крутизна преобразования
равна (сигнал снимают с коллектора Т1):
SСР ОЭ ⋅ U Г
S ПР = , (8.62)
8 ⋅ UT
(
S ⋅ 1 + kСЖ
SСЗ ОЭ = 0
)
( )
, (8.63)
1 + S0 ⋅ RЭ3

где kСЖ =
(1 − 2 ⋅ S0 ⋅ RЭ3 ) ⋅ U С
; S0 – крутизна транзистора Т3 в рабочей
8 ⋅ UT ⋅ (1 + S0 RЭ3 )
точке; UT – тепловой потенциал (UT =26 мВ при Т = 300 К).
Таким образом, при малом опорном сигнале крутизна мала и линейно
зависит от амплитуды опорного напряжения. Если сигнал снимать с коллек-
тора Т3 (см. рис. 8.5), крутизна меняет свой знак. При возрастании амплиту-
ды U Г (U Г > UT ) вместо (8.62) следует использовать выражение:

178
 SСЗ ОК ⋅ I1
S ПР = − . (8.64)
2 ⋅ I0
Гармоника выходного тока I1 зависит от амплитуды U Г , причем
I1 (0,2 − 0,6)⋅U Г U 
= при UT <U Г < 4⋅UT  СМ = 0  . При U Г > 4⋅UT , что
I0 UT  U 
 T 
составляет U Г > 100 мB, напряжение гетеродина за счет симметричного ог-
раничения превращается в меандр. В этом случае крутизна преобразования
SСЗ ОК
S ПР = − (8.65)
π
не зависит от напряжения гетеродина.
Коэффициент передачи ПрЧ по напряжению определяется как
K ПР = SСР ⋅ RН , (8.66)
где RН – сопротивление нагрузки (активное или резонансное) между кол-
лектором и шиной питания (сигнал снимают с одного коллектора) или ме-
жду двумя коллекторами (сигнал снимают симметрично). В последнем
случае прямое прохождение сигнала отсутствует.
При использовании ОАП в качестве ПрЧ обычно опорный сигнал пода-
ется на верхний вход, входной сигнал – на нижний (см. рис. 8.7). При малых
( )
напряжениях гетеродина U Г > 0,1 ⋅ UT и сигнала U С < UT крутизна( )
определяется в виде:
0,6 ⋅ U Г
S ПР = SСР ОК − ⋅ (8.67)
4U Г
при
− S0 ⋅ (1 − kСЖ )
SСР ОК −0.6 = , (8.68)
4 ⋅ (1 + 0,5 RЭ1 ⋅ S0 )
UС
где kСЖ = −
( )
.
16 ⋅ 1 + 0,5 ⋅ RЭ1 ⋅ S0 ⋅ UT
Если U Г < 4 ⋅ UT , то
I
S ПР = SСР ОК − 0,6 1 , (8.69)
I 0
где коэффициент разложений I1 I 0 зависит от опорного сигнала, причем
I1 I 0 = ( 0,15 − 0, 2 )U Г UT при U СМ UT = 0 .
179
 Наконец, если U Г > 4 ⋅ UT , то S ПР не зависит от U Г :
0.6 S0 (1 + kСЖ )
S ПР = −2 ⋅ SСР ОК − = (8.70)
π 2π ⋅ (1 + 0,5 ⋅ RЭ ⋅ S0 )
Из анализа приведенных выражений следует, что при напряжениях
сигнала и гетеродина менее 10 мВ АП работает как идеальный перемно-
житель (входные сигналы не проходят на выход, коэффициент нелиней-
ных искажений меньше 1 %). При больших напряжениях сигнала и гетеро-
дина в спектре промежуточной частоты ПрЧ появляются гармоники с час-
тотой
f = n ⋅ fС + m ⋅ f Г + l ⋅ f0 ,
где n + m = 1, 3, 5, ..., l = 1, 3, 5,...
Остальные комбинационные частоты при этом отсутствуют. Однако,
в реальных АП эти частотные составляющие отличны от нуля, но до опре-
деленных значений амплитуды сигнала достаточно малы. Примером ис-
пользования ИС АП в качестве ПрЧ может служить схема на рисунке 8.30,

Рис. 8.30. Схема ПрЧ на АС АП

Симметричное включение гетеродина, нагрузки и сигнала в соответ-

ствии с приведенным упрощенным расчетом не дает каких-либо преиму-
ществ по уровню комбинационных составляющих в сравнении с несим-
метричным включением. Однако практически, особенно на верхнем пре-
деле частотного диапазона ИС, симметричное включение может способст-
вовать дополнительному подавлению четных комбинационных состав-
ляющих. Симметричное включение нагрузки увеличивает вдвое выходное
сопротивление каскада, в частности емкостное, что позволяет соответст-
венно увеличить резонансное сопротивление контура и, как следствие, по-
высить амплитуду выходного напряжения. На частотах, где не требуется
компенсации выходной емкости каскада, LС-фильтр в нагрузке ПрЧ мож-
но заменить активным или пассивным RС-фильтром.
При проектировании РПУ возникает вопрос: какой использовать ПРЧ –
активный или пассивный? Часто считают, что наличие усиления у активных

180
ПрЧ является решающим фактором. На самом деле это не всегда так. Срав-
ним для примера ПрЧ на двухзатворном полевом транзисторе КП350 с коль-
цевым ПрЧ на диодах ГД508. Смеситель на КП350 дает усиление до 20 дБ и
имеет значение A3ВХ = +18 дБм при Ш = 10 дБ. Если ПрЧ стоит на входе
РПУ, то минимальный принимаемый сигнал (равный РШ ) при полосе 500
Гц равен −137 дБм , а координата точки A3ВХ = +18 дБм – 20Дб=–2 дБм.
Следовательно, ДД РПУ:
ДД = ( A3ВХ − РШ ) ⋅ 2 3 = ( −2 − (−137)) ⋅ 2 3 = 90 дБ .
Рассмотрим РПУ с кольцевым ПрЧ на диодах ГД508, имеющим по-
тери преобразования 6 дБ и A3ВЫХ = +15 дБм. Будем считать, что пресе-
лектор имеет коэффициент передачи −1 дБ , а следующий за ПрЧ каскад –
Ш = 3 дБ. Общий коэффициент шума соединенных каскадов равен 10 дБ , а
минимальный принимаемый сигнал −137 дБм . Однако значение A3ВХ
равно A3ВЫХ минус усиление преобразования:
A3ВХ = 15 дБм − ( −6 дБ) − ( −1 дБ) = 22 дБм .
Динамический диапазон РПУ 106 дБ , т.е. на 16 дБ больше, чем у РПУ
с активным ПрЧ. Следует иметь в виду, что каскад, следующий за ПрЧ,
должен иметь низкий коэффициент шума для реализации преимуществ
пассивного ПрЧ. Одним из основных параметров ПрЧ является крутизна
преобразования
S ПР = I ПР U С ,
где I ПР - ток полезного сигнала на выходе преобразовательного элемента;
U С - напряжение преобразуемого сигнала на входе преобразовательного
элемента.
Для активных преобразовательных элементов S < S0 π , следова-
тельно, крутизна преобразования в лучшем случае на 10 дБ меньше кру-
тизны этого элемента в режиме усиления. Наряду с крутизной преобразо-
вания, характеризующей главным образом активный преобразовательный
элемент, используют понятие коэффициента преобразования или коэффи-
циента передачи ПрЧ по напряжению или по мощности:
K ПР.Н = U ПР U С ; K ПР.М = PПР PС ,
где U ПР и PПР - соответственно напряжение и мощность преобразован-
ного сигнала.
По аналогии с усилителями коэффициент шума ПрЧ равен:
Ш ПР = ( РС РШ ) ( PПР.С РПР.Ш ) ,
где PПР.С и PПР. Ш - мощность сигнала и шума на преобразованной частоте.
181
 Коэффициент шума ПрЧ больше коэффициента шума усилителя, вы-
полненного на том же активном элементе. Это объясняется тем, что уро-
вень преобразованного сигнала в результате уменьшения крутизны ниже,
чем в режиме усиления, в то время как уровень шумов в первом прибли-
жении остается прежним. Гетеродин также вносит дополнительные шумы,
поскольку его колебания промодулированы шумами.
Динамический диапазон ПрЧ – это отношение максимального уровня
двух равных входных сигналов к уровню создаваемой ими комбинационной
помехи при условии, что ее уровень равняется уровню собственных шумов
ПрЧ или на 10 дБ больше. Этот параметр характеризует диапазон входных
сигналов, который ПрЧ преобразует практически без искажений, а также
способность ПрЧ преобразовывать без искажений слабые сигналы в при-
сутствии сильных помех.
Входное сопротивление ПрЧ должно быть согласовано с предыдущим
каскадом и гетеродином. Такое согласование позволяет уменьшить потери
полезного сигнала, снизить коэффициент шума устройства и минимизиро-
вать мощность колебаний гетеродина. Согласование выходного сопротив-
ления ПрЧ с нагрузкой повышает коэффициент преобразования по мощно-
сти. В ПрЧ необходимо согласование с нагрузкой в полосе частот, намного
превышающей полосу пропускания ТОИ. Одновременно желательно осу-
ществить эффективное блокирование токов побочных частот на выходе
ПрЧ. При этом характер сопротивления нагрузки должен быть чисто актив-
ным как со стороны входа, так и выхода ПрЧ. В противном случае выде-
ленные на частотных максимумах импеданса нагрузки мешающие колеба-
ния окажутся подведенными к ПрЧ со стороны выхода. Это приводит к из-
менению режима работы преобразовательного элемента ПрЧ, увеличению
шумов ПрЧ и уменьшению динамического диапазона.
Эффективность подавления колебаний гетеродина определяет сте-
пень снижения уровня колебаний гетеродина на входе и выходе ПрЧ. Ко-
лебания гетеродина на выходе ПрЧ могут оказывать мешающее действие
на последующие каскады устройства, ухудшая их параметры. Для борьбы
с этим явлением помимо фильтрации колебаний гетеродина на выходе
ПрЧ применяет балансные ПрЧ по отношению к колебаниям гетеродина.
Колебания гетеродина, проникшие на сигнальный вход ПрЧ, могут излу-
чаться в эфир через входные цепи и антенну РПУ. Для ослабления такого
явления необходимо разделять цепи входного сигнала и гетеродина в ПрЧ.
В схемах ПрЧ из-за связи цепей преобразуемого сигнала и гетеродина
возможно изменение параметров сигнала гетеродина (частоты, амплиту-
ды) под действием преобразуемого сигнала. Для уменьшения этого эффек-
та необходимо ослаблять связь между гетеродином и ПрЧ, применяя ба-
лансные схемы или включая между гетеродином и ПрЧ буферный каскад.

182
 В профессиональных РПУ чаще всего используются либо преобразо-
ватели на полевых транзисторах, либо кольцевые. На рисунке 8.31 показа-
на схема первого преобразователя частоты приемника «Hydrus» на поле-
вых транзисторах в каскодном включении. Вместо каскодного включения
можно использовать МОП-транзистор с двумя затворами, на один из кото-
рых подается напряжение сигнала, а на другой – напряжение гетеродина.

Рис. 8.31. ПрЧ на полевых транзисторах в каскодном включении

8.7 Смесители на полевых транзисторах

Практический интерес представляют смесители на полевых транзи-
сторах в режиме управляемого активного сопротивления. Схема простей-
шего смесителя на одном полевом транзисторе показана на рисунке 8.32.
Сигнал с входного контура подаётся на исток транзистора, а сигнал ПЧ
или НЧ (в гетеродинном приёмнике) снимается с истока. Источника пита-
ния не требуется. Напряжение гетеродина подаётся на затвор транзистора
и управляет сопротивлением канала.

Рис. 8.32. ПрЧ на полевом транзисторе в режиме управляемого активного сопротивления

Известно, что при небольших напряжениях промежуток исток-сток

(канал) полевого транзистора ведет себя как линейный резистор, незави-
симо от полярности приложенного напряжения. В то же время сопротив-
ление канала может изменяться от десятков ом до многих мегом в зависи-
мости от напряжения затвор-исток. Это позволяет использовать полевой
транзистор в смесителях как управляемый линейный элемент.
183
 К основным достоинствам такого смесителя относится высокая чув-
ствительность, поскольку по каналу транзистора не проходит ни ток пита-
ния, ни ток гетеродина, а только слабый ток сигнала, при этом транзистор
шумит не многим сильнее обычного резистора с тем же сопротивлением.
Характерна и высокая линейность, так как проводимость канала не зависит
от небольшого входного напряжения.
Кроме того, смеситель отличается малым проникновением сигнала
гетеродина во входную цепь (только через небольшую емкость между за-
твором и каналом транзистора) и исключительно малой мощностью, тре-
буемой от гетеродина, поскольку входное сопротивление по цепи затвора
велико.
Подобный простейший смеситель обеспечивает чувствительность
около 1 мкВ (без УРЧ) и динамический диапазон порядка 65 дБ. Повысить
динамический диапазон можно следующими классическими способами:
перейти к балансной схеме, обеспечить работу смесителя в ключевом ре-
жиме и согласовать смеситель с нагрузкой в широкой полосе частот. Ба-
лансные схемы смесителей на полевых транзисторах появились из анало-
гичных схем на диодах, причем канал транзистора подключается вместо
диода, а полярность последнего соответствует синфазному или противо-
фазному подключению затвора к гетеродину. На рисунке 8.33 показана
схема балансного смесителя на двух полевых транзисторах. Сигнал подво-
дится к истокам транзисторов синфазно, а гетеродинное напряжение к за-
творам - противофазно, что обеспечивает поочередное открывание транзи-
сторов положительными полуволнами.
T2 f ПЧ

VT 1

L1
C1
fC
VT 2

fГ T1

Рис. 8.33. Схема балансного смесителя на двух полевых транзисторах

На стоках транзисторов сигналы ПЧ противофазны, что требует при-

менения низкочастотного трансформатора Т2. Смеситель сбалансирован
как по гетеродинному, так и по сигнальному входам. Первое означает, что
гетеродинное напряжение не попадает на сигнальный вход, поскольку две
паразитные емкости затвор-канал подключены к противофазным выводам
вторичной обмотки трансформатора Т1. Второе означает, что паразитные
184
продукты преобразования, например, низкочастотные токи, возникшие из-
за прямого детектирования входных сигналов, приложены к противофаз-
ным входам НЧ трансформатора и взаимно компенсируются.
Другой вариант схемы простого балансного смесителя представлен
на рисунке 8.34. Здесь сигнал подаётся на каналы транзисторов противо-
фазно, а напряжение гетеродина на затворы – синфазно. По-прежнему
смеситель сбалансирован по гетеродинному напряжению. Менее очевид-
но, что смеситель сбалансирован и по прямому детектированию входных
сигналов. Дело в том, что продукты прямого детектирования оказываются
синфазными на стоках транзисторов (устройство действует как двухполу-
периодный выпрямитель) и компенсируются в НЧ трансформаторе Т2. К
недостаткам описанных простых балансных смесителей относится непол-
ное подавление побочных продуктов преобразования, в частности, вторых
гармоник входного и гетеродинного сигналов.

Рис. 8.34. Схема балансного смесителя на полевых транзисторах

Наибольшую чистоту спектра обеспечивают двубалансные смесите-

ли (аналоги кольцевых). Схема такого смесителя на четырех транзисторах
приведена на рисунке 8.35.
Смеситель требует три симметрирующих трансформатора, установ-
ленных на всех входах-выходах. Здесь поочередно проводят каналы тран-
зисторов VТ1, VТ2 и VТ3, VТ4, соединяя выводы симметричных обмоток
трансформаторов Т1 и Т3 то напрямую (проводят VТ1 и VТ2), то перекре-
стно (проводят VТ3 и VТ4). Этот смеситель дает прекрасные результаты в
супергетеродинных приемниках, обеспечивая чуть ли не максимально дос-
тижимый в настоящее время динамический диапазон. Разумеется, необхо-
димо принимать все меры по повышению симметричности трансформато-
ров и подбору транзисторов с одинаковыми характеристиками.
При использовании в гетеродинных приёмниках смесители по схе-
мам, приведенным на рисунках 8.33–8.35, имеют существенный недоста-
ток, связанный с наличием НЧ трансформатора, трудоёмкого в изготовле-
нии и подверженного наводкам, в том числе и сетевым с частотой 50 Гц.
Не исключены и искажения, связанные с нелинейностью магнитных ха-
рактеристик магнитопровода.

185
 Рис. 8.35. Схема двубалансного смесителя

НЧ трансформатор отсутствует в смесителе в схеме, приведенной ри-

сунке 8.36, где на два транзистора входной и гетеродинный сигналы пода-
ются противофазно. По сути, это транзисторный аналог двухдиодного ба-
лансного смесителя. Однако смеситель имеет недостатки: он не сбаланси-
рован по гетеродинному входу; противофазный сигнал гетеродина на за-
творах транзисторов просачивается через паразитные ёмкости на крайние
выводы симметричной обмотки трансформатора Т1 и не компенсируется.

Рис. 8.36. Схема ПрЧ без НЧ трансформатора

Устранение этих недостатков возможно. Первый способ основан на

добавлении нейтрализующих ёмкостей – конденсаторов С1 и С2, вклю-
ченных перекрестно по отношению к паразитным емкостям транзисторов
VT1 и VT2. Подстраивая их емкость, можно добиться значительного по-
давления напряжения гетеродина на входе.

186
 Другой путь состоит в использовании транзисторного фазоинвертора
вместо симметрирующего трансформатора Т1 (рис. 8.37). На истоке и сто-
ке транзистора VT1 выделяются равные и противофазные напряжения
сигнала, которые подаются через разделительные конденсаторы С2 и С3
на истоки транзисторов смесителя VT2 и VT3. В гетеродинном приёмнике
конденсаторы должны иметь значительную ёмкость, поскольку через них
проходят токи не только высокой, но и звуковой частоты. На месте VT1
можно использовать и биполярный транзистор, но у него хуже линейность
и ниже входное сопротивление.

Рис. 8.37. Схема ПрЧ с фазоинвертором

Смеситель отличается высоким подавлением сигнала гетеродина на

входе, чему способствует и противофазное подключение транзисторов
смесителя к трансформатору Т1, и фазоинверсный входной каскад. Но и
это устройство имеет недостаток: выходные сопротивления по цепи истока
и стока каскада на транзисторе VТ1 разные (первое ниже) и фазоинвертор
несимметричен.
В балансном смесителе, показанном на рисунке 8.38, проникновение
сигнала гетеродина во входную цепь уменьшается из-за того, что парал-
лельно транзисторам VT1, VТЗ с n-каналом подключены транзисторы
VТ2, VТ4 с р-каналом, а напряжение гетеродина с симметричной обмотки
трансформатора Т2 подано на транзисторы разноименной проводимости
противофазно. При этом на одной полуволне гетеродинного напряжения
открываются транзисторы VТ1 и VТ2, а на другой – VТЗ и VТ4. Парал-
лельное соединение каналов уменьшает сопротивление плеч смесителя в
открытом состоянии, кроме того, улучшает линейность смесителя. Необ-
ходимо заметить, что такое включение давно используется в двунаправ-
ленных ключах КМОП логики.
Использовать в смесителях упомянутые ключи можно, но, к сожале-
нию, в элементах КМОП логики противофазный сигнал управления (гете-
родинный) для р-канального транзистора образуется из сигнала, приходя-
щего на затвор n-канального транзистора с помощью инвертора. Последний
187
имеет довольно большое время задержки (порядка 50 нс для МС серии
К561), в результате чего появляется дополнительный фазовый сдвиг, ухуд-
шающий работу смесителя на высоких частотах, в частности, не полностью
устраняется прохождение гетеродинного напряжения на вход смесителя.
L1
VT 1 f ПЧ

C1 C2

fC T1 VT 2

VT 3

T2
VT 4
fГ

Рис. 8.38. Схема балансного ПрЧ с параллельными транзисторами

В заключение рассмотрим работу интересного и простого смесителя,

предложенного специально для гетеродинных приемников (рис. 8.39).
T2 f ПЧ

VT 1

L1
C1
fC
VT 2

fГ T1

Рис. 8.39. Схема ПрЧ гетеродинного РПУ

Усилитель выполнен на двух одинаковых полевых транзисторах, ка-

налы которых соединены параллельно, а на затворы поданы противофаз-
ные гетеродинные напряжения от симметричной обмотки трансформатора
Т1. Транзисторы должны быть закрыты при нулевом напряжении на за-
творе и открываться только на пиках гетеродинного напряжения. В ре-
зультате смеситель открывается дважды за период гетеродинного напря-
жения, а частота гетеродина выбирается вдвое ниже частоты сигнала.
Это весьма выгодно, в частности, для УКВ приемников (требуется
меньше ступеней умножения частоты) и вообще для всех гетеродинных
188
приемников, так как «просочившийся» в антенную цепь сигнал гетеродина
эффективно подавляется входным фильтром. Перспективно применение
данного смесителя в синхронных гетеродинных УКВ приемниках, где
крайне важно малое проникновение сигнала гетеродина во входные цепи.
Однако этот смеситель сбалансирован только по гетеродинному вхо-
ду, но не по сигнальному, поэтому возможно паразитное прямое детекти-
рование мощных мешающих сигналов на нелинейности перехода исток -
сток транзисторов.

Контрольные вопросы
1. Каким образом происходит преобразование частоты?
2. Написать уравнения, связывающие напряжения на входе и выходе
преобразователя частоты.
3. В чем отличие эквивалентных схем преобразовательных и усили-
тельных каскадов?
4. Сравнить крутизну преобразования с крутизной активного элемента
в режиме усиления.
5. Перечислить требования к вольтамперной характеристике смесителя
для напряжения сигнала и гетеродина.
6. Как выбрать промежуточную частоту РПУ?
7. Каким образом можно ослабить влияние побочных каналов приема?
8. Какие побочные каналы приема возможны в РПУ?
9. Указать особенности инфрадинного РПУ.
10. Нарисовать схему балансного транзисторного преобразователя час-
тоты; его особенности.
11. Пояснить принцип работы диодного преобразователя частоты.
12. Указать особенности резистивного и емкостного диодного преобра-
зователя.
13. Нарисовать схему преобразователя частоты на двухзатворном поле-
вом транзисторе.
14. Указать особенности инвертирующего и неинвертирующего преоб-
разователя частоты.
15. Пояснить принцип работы преобразователя частоты без зеркального
канала.
16. Перечислить достоинства и недостатки кольцевых балансных сме-
сителей.

189
 9 ИЗБИРАТЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ

На этапе реализации электрических фильтров, линий задержки, ам-

плитудных и фазовых корректоров необходимо уделять основное внима-
ние тем видам и конфигурациям цепей, которые наиболее приемлемы с
практической точки зрения. При этом нужно учитывать следующее:
а) цепи по возможности не должны иметь взаимных индуктивностей,
особенно с совершенной связью ( К СВ = 1 ) или в виде идеальных транс-
форматоров;
б) число элементов электрической цепи должно быть минимальным;
в) в том случае, когда важно иметь неуравновешенный четырехпо-
люсник, целесообразно использование цепочечной или лестничной струк-
туры, обладающей относительно невысокой чувствительностью парамет-
ров и их характеристик к изменениям значений элементов.
Независимо от структуры электрические фильтры реализуются из
различных элементов, выбор которых зависит от средней частоты на-
стройки (частоты среза), полосы пропускания, требований к характеристи-
кам (частотным, переходным, импульсным и т.д.), а также от температуры
окружающей среды, стоимости, габаритов и веса. Большую роль в выборе
тех или иных элементов играют конструктивные и технологические воз-
можности. В таблице 9.1 приведены ориентировочные пределы использо-
вания фильтров в зависимости от средней частоты и относительной поло-
сы пропускания. Анализ показывает, что в диапазоне частот 10 кГц –
100 МГц LC -фильтры охватывают большую часть частотного спектра и
относительной полосы пропускания. На частотах ниже 1 кГц почти невоз-
можно изготовить LC -фильтры с хорошими характеристиками и малыми
геометрическими размерами из-за больших значений индуктивности. На
частотах выше 100 МГц отдельные LC -структуры не могут работать в ка-
честве фильтров из-за паразитных емкостей и индуктивностей. Как прави-
ло, на высоких частотax применяются микроволновые фильтры, состоящие
из элементов с распределенными параметрами.

9.1 LC-фильтры сосредоточенной селекции

Широкое распространение в РПУ нашли фильтры сосредоточенной
селекции (ФСС), выполненные на LC -звеньях (рис. 9.1 a).
Связь между контурами в звене чаще всего используется емкостная
(рис. 9.1 а), но возможно применение и индуктивной, и комбинированной.
ФСС рассчитываются по следующим исходным данным: центральная час-
тота фильтра – f 0 ; полоса пропускания по уровню 3 дБ – П0,7 ; расстрой-

190
ка соседнего канала ∆fСК ; ослабление сигнала соседнего канала
σ СК ( дБ ) ; собственное затухание контуров d К .

а) б)
Рис. 9.1. Схемы ФСС
Таблица 9.1

Динамический диа-
Коэффициент пря-
fMIN – f MAX, МГц

добротность, Q0
Ненагруженная

задерживания,

моугольности,
Тип фильтра

Частотный

Затухание
диапазон

пазон, дБ
в полосе

40/3, дБ

RН, кОм
аГ ,дБ
Δf/f0,
%

LC 0,1–1,0 0,3–30 150–320 50 3,2 1,5 50

LC 1,0–10 0,5–50 140–200 80 2,9 0,8 80
LC 10–30 1–80 100–150 70 2,0 0,5 70
LC 30–100 2–100 8–120 60 3,12 0,5 60
LC 100–1000 20–80 5–20 40 3,2 0,1 40
RC-пассивные 0–0,1 20–100 0,5–2 40 10 20 40
RC-активные 0–12 20–60 20–100 65 2,1 0,2 60
Электро-
10–4-1,0 0,01–10 (4–80)*103 80 1,8 3,0 70
механические
На приборах
10-3–20 1–40 2–200 50 3,4 0,2 80
с зарядовой связью
Дискретные пьезо- (30–
10–4-300 0,001–3 90 2,95 2,0 55
кварцевые 200)*103
Интегральные пьезо-
1–20 1–15 1000–5000 60 2,6 1,5 50
керамические
Дискретные пьезо- (0,3–
2*10–4-30 0,2–10 60 2,6 1,5 45
керамические 20)*103
Интегральные пьезо- (10–
4–250 0,001–3 80 2,55 1,5 65
кварцевые 200)*103
Керамические
0,3–30 0,5–7 300–700 50 2,49 2,0 40
твердые схемы
ПАВ-фильтры 5–2000 0,1–60 1–200 60 1,45 0,2 65
ПАВ-резонаторные 30–2000 0,1–0,2 (2–20)*103 80 2,5 0,6 60
На слоистых пьезо-
100–1000 0,01–0,1 (4–12)*103 50 4,5 1,2 45
резонаторах

191
 Из теории фильтров известно, что все элементы звена выражаются
через частоты среза f1 = f0 − 0,5 П0,7 ; f 2 = f0 + 0,5 П0,7 следующим об-
разом:
( f 2 − f1 ) ρ f ± f2 f1
L1 = L2 = , C3 = 1 , C1 = C2 = , (9.1)
2π f1 f 2 4 π f1 f 2 ρ 2π f 2 ( f 2 − f1 ) ρ
Характеристическое сопротивление ρ изменяется в широких преде-
лах, например, для транзисторных усилителей промежуточной частоты
ρ = 1...50 кОм .
Потери, вносимые ФСС, зависят от количества контуров n и их кон-
структивной добротности Q
4,34 ⋅ n ⋅ f ПР
L= , дБ . (9.2)
П 0,7 ⋅ Q
Для согласования ФСС с выходом предыдущего и входом следующе-
го каскадов применяется автотрансформаторное или трансформаторное
подключение первого и последнего контуров (рис. 9.1 а).
Коэффициенты включения первого и последнего контуров зависят от
выходной проводимости предыдущего g 22 и входной проводимости по-
следующего g11 усилительных приборов (рис. 9.1 б)
 1, при ρ ⋅ g11 < 1  1, при ρ ⋅ g22 <1
 
n= 1 m=  1 . (9.3)
, при ρ ⋅ g11 ≥ 1 , при ρ ⋅ g22 ≥1
 ρ⋅g  ρ⋅g
 11  22

9.2 Активные фильтры

Диапазон частот до 20 кГц с относительной полосой пропускания
0,1-10 % перекрывается активными фильтрами, которые имеют меньшую
массу и габариты, чем пассивные низкочастотные LC -фильтры, и лучшие
электрические характеристики. Важным их достоинством является воз-
можность совмещения функций фильтрации и усиления.
Кроме этого применение традиционных LC -цепей не позволяет про-
водить разработку интегральных частотно-избирательных устройств, так
как катушки индуктивности практически не поддаются микроминиатюри-
зации. Попытки заменить их активными RC -цепями начались в 60-х годах
с появлением недорогих интегральных полупроводниковых операционных
усилителей (ОУ).
Современная полупроводниковая технология позволяет получать вы-
сококачественные конденсаторы с малыми токами утечки, а также опера-
ционные усилители с малыми габаритами и потребляемой мощностью.
192
Это в какой-то степени открывает дополнительные возможности для инте-
грации активных RC -фильтров ( ARCФ ).
Существует обильное многообразие ARCФ , которые отличаются
структурой, порядком используемых операционных звеньев и типом усили-
тельного прибора. Чаще всего для увеличения порядка фильтра применяется
каскадное соединение звеньев первого и второго порядков. В качестве уси-
лительных приборов используются не только операционные усилители, но и
усилители с конечным усилением типа источников напряжения, управляе-
мых напряжением (ИНУН), реализуемые в виде интегральных микросхем
(ИМС) или на дискретных транзисторах.
Операционные звенья второго порядка представляют собой усили-
тель, охваченный RC -цепью частотно-зависимой отрицательной обратной
связи (ООС) или положительной обратной связи (ПОС). Если в качестве
УП применяется ОУ, знак обратной связи (ОС) определяется тем, на какой
вход (инвертирующий или неинвертирующий) подается напряжение ОС.
На рисунке 9.2 показана одна из наиболее распространенных схем ARCФ
на одном ОУ, имеющая АЧХ полосового фильтра. Штриховой линией вы-
делена мостовая Т-образная заграждающая цепь ООС, связывающая выход
ОУ с его инвертирующим входом: в окрестностях средней частоты на-
стройки f0 ее коэффициент передачи падает и общий коэффициент пере-
дачи фильтра KФ возрастает, достигая на частоте f0 максимального зна-
чения KФ 0 .
Если выбрать С1=С2=С, то при идеальном ОУ и заданных значениях
f0 , П 0,7 и KФ0 сопротивления цепи определятся простыми соотноше-
ниями:
R2 1
R1 = , R2 = , R3 = R2 (4Q2 − 2KФ0 ). (9.4)
2 KФ 0 π ⋅ П0,7 ⋅С

Рис. 9.2. Схема активного RC -фильтра

Следует иметь в виду, что для получения R3>0 необходимо выпол-

нить условие 4Q2 > 2 KФ 0 . При Q > 10 реализуется узкополосный полосо-

193
вой фильтр с АЧХ Баттерворта, а при Q < 10 – широкополосный. Макси-
мальная реализуемая добротность фильтра зависит от коэффициента уси-
ления ОУ (или любого другого применяемого усилителя) без ОС:
Чтобы нестабильность коэффициента усиления K не приводила к
нестабильности добротности, принимают:
QMAX = 0,5 K , Q ≤ 0,1QMAX .
Другой способ реализации широкополосного ПФ основан на каскад-
ном соединении двух ARCФ с характеристиками фильтра нижних частот
(ФНЧ) (рис. 9.3 а) и фильтра верхних частот (ФВЧ) (рис. 9.3 б).
Для упрощения расчета ФНЧ принимают R1 = 2 R3 , R2 = R1 ,
C1 = 4C2 и тогда частота среза равна:
4
ω СР = .
2 R1 ⋅ C1

а) б)
Рис. 9.3. Схемы ФНЧ (а) и ФВЧ (б) на основе активного RC -фильтра

При приближенных расчетах обычно выбирают какое-либо из сопро-

тивлений в пределах 5–200 кОм. Уменьшение значения R приводит к за-
метному увеличению емкостей, а с увеличением R начинают сказываться
шумы и токи смещения в ОУ. Выбранное значение R и заданная частота
среза позволяют найти необходимые емкости.
Фильтр верхних частот содержит два дифференцирующих звена:
C1R1 , C3 R2 . Для приближенных расчетов принимают R2 = 4 R1 , C1 = C2 ,
C3 = 2C1 и тогда частота среза равна:
4
ω СР = .
2 R2 ⋅ C 2
Недостаток ARCФ на одном ОУ заключается в том, что повышение
их добротности достигается за счет сильного разброса номинальных зна-
чений элементов, поэтому такие фильтры реализуются с Q < 10 − 15 .
Каскадное соединение ФНЧ и ФВЧ с использованием сверхвысокочас-
тотных транзисторов позволяет расширить рабочий частотный диапазон до
100 МГц и выше.
194
 Находят применение и полосовые ARCФ на основе усилителей с
конечным усилением (как правило, типа ИНУН), охваченных частотно-
зависимой ПОС. На рисунке 9.4 показана схема полосового фильтра вто-
рого порядка, где в качестве ИНУН используется ОУ, а цепь ПОС состоит
из элементов моста Вина R2 , R3 , C1 , C2 . При определённом соотношении
параметров элементов данная RC -цепь не дает сдвига фазы колебаний на
выходе (в приведенной схеме на неинвертирующем входе ОУ) относи-
тельно колебаний на ее входе. Если элементы цепи выбраны так, что этот
эффект достигается, например, на частоте f0 , то поступающее на неинвер-
тирующий вход напряжение обратной связи максимально и реализуется
характеристика полосового фильтра.
Наличие ПОС дает возможность применения усилителей с малым К
(несколько единиц), что с одной стороны позволяет повысить рабочие час-
тоты фильтров, а с другой стороны приводит к повышению чувствитель-
ности их параметров к изменениям элементов схемы.

Рис. 9.4. Схема полосового фильтра второго порядка

Уменьшение чувствительности в ARCФ такого типа достигается

применением дополнительной стабилизирующей ООС (на рисунке 9.4 –
резистивный делитель R4 R5 ). Добротность подобных фильтров обычно
ограничивается пределами 10–15. Если выбрать C1 = C2 = C ,
R1 = R2 = R3 = R , то при заданных f0 и П0,7 необходимо обеспечить
2 2 5Q
K =5− , R= , R5 = KR4 , KФ0 = − 1. (9.5)
Q 2π f 0C 2
Однако и здесь есть свои трудности, связанные с получением боль-
ших емкостей и сопротивлений. При использовании МОП технологии реа-
лизация емкостей больше 50 пФ нецелесообразна, что требует, в свою оче-
редь, больших номиналов сопротивлений (не менее 1 МОм), получить ко-
торые можно только на большой площади кристалла.

195
 Для преодоления этих трудностей резистор обычных активных RC -
фильтров можно имитировать цепью, состоящей из конденсатора неболь-
шой емкости и аналоговых ключей, переключаемых с частотой намного
превышающей частоту сигнала. Так, в 1977 году появились активные
фильтры с переключаемыми конденсаторами (SC-фильтры) – цепи, со-
стоящие из конденсаторов, аналоговых ключей и ОУ. Основные достоин-
ства [8, 15] таких фильтров сводятся к следующему:
- реализация по интегральной полупроводниковой технологии;
- простота сопряжения с дискретными и цифровыми устройствами;
- возможность программирования (с использованием конденсатор-
ных матриц с цифровым программированием);
- малые площадь, занимаемая на кристалле, и потребляемая мощ-
ность.
Для примера на рисунке 9.5 показана схема активного SC-звена вто-
рого порядка с минимальным числом ключей.
Для реализации высокодобротных избирательных цепей возможно
проектирование активных фильтров с использованием операционных уси-
лителей и кварцевых резонаторов [23]. Применение в качестве пассивных
элементов кварцевых резонаторов дает возможность реализации активных
элементов без громоздких катушек индуктивности. Для получения удовле-
творительных результатов следует использовать ОУ с минимальной вход-
ной проводимостью ( g ВХ << g Н ) и усилением K > 103 −104 .

Рис. 9.5. Схема активного SC-звена второго порядка

На рисунке 9.6 приведена схема активного кварцевого фильтра с от-

рицательной емкостью, включенной параллельно пьезорезонатору. Мак-
симальная полоса пропускания фильтра П MAX = 1 (2ω0 Lq (C0 − C )) дос-
тигается при g Н = ω0 (C0 − C ) . Здесь Lq и C0 - параметры кварцевого ре-
зонатора.

196
 Рис. 9.6. Схема активного кварцевого фильтра с отрицательной емкостью

На рисунке 9.7 показана другая схема активного кварцевого фильтра,

позволяющая расширить полосу пропускания за счет введения в схему от-
рицательной обратной связи через Y3 .

Рис. 9.7. Схема активного кварцевого фильтра с отрицательной обратной связи через Y3 .

Коэффициент передачи фильтра равен:

K = U 2 U1 = (Y1 Y2 ) ⋅ (YКВ − pC ) (YКВ (m +1) + g Н − pmC ) ,
где m = Y3 Y2 .
На рисунке 9.8 приведена частотная зависимость коэффициента пе-
редачи активного кварцевого фильтра, выполненного с частотой 128 кГц
на ОУ К140УД1Б с кварцевым резонатором XT-среза ( Lq = 25 Гн ).

Рис. 9.8. АЧХ активного кварцевого фильтра

197
 Применяя каскадное соединение однозвенных кварцевых фильтров,
можно получить передаточные характеристики более высоких порядков.
Так, двухзвенный активный кварцевый фильтр (рис. 9.9) позволяет реализо-
вать амплитудно-частотную характеристику, показанную на рисунке 9.10,
Средняя частота фильтра – 14 кГц, полоса пропускания – 4.0 Гц, коэффици-
ент передачи – 20 дБ.

Рис. 9.9. Схема двухзвенного активного кварцевого фильтра

Рис. 9.10. АЧХ двухзвенного активного кварцевого фильтра

Использование современной технологии и элементной базы дает

возможность расширить область применения всего класса активных
фильтров до 10 МГц при относительной полосе пропускание 20 %.

9.3 Кварцевые фильтры

Кварцевые фильтры, подобно RC - и LC -фильтрам, выполняют
функции частотно-избирательныx четырехполюсников, в которых в каче-
стве колебательных систем используются кварцевые резонаторы. По час-
тотным характеристикам их можно разделить на фильтры нижних и верх-
них частот, полосовые, заграждающие, многополосные (гребенчатые)
фильтры, всепропускающие четырехполюсники (фазовые контуры), линии
задержки. На основе схем кварцевых фильтров реализуются и некоторые
специальные электрические цепи, например, фазоразностные цепи,
фильтр-вилка, устройства селекции для обработки многочастотных сигна-
лов, фильтры с параболическими ФЧХ для модуляции и демодуляции
ЛЧМ-сигналов и т.п.
198
 В зависимости от применяемого элементного базиса кварцевые фильт-
ры подразделяются на пассивные (схемы фильтров состоят из кварцевых ре-
зонаторов, катушек индуктивности, трансформаторов, конденсаторов, рези-
сторов) и активные или ARC -кварцевые фильтры, когда в их состав вводятся
транзисторы, дифференциальные и операционные усилители.
Основные достоинства кварцевых фильтров проявляются в высокой тем-
пературной и временной стабильности характеристик. Добротность кварцевых
резонаторов достигает нескольких десятков тысяч единиц, что позволяет полу-
чать высококачественные узкополосные фильтры с крутыми скатами характе-
ристик затухания.
Кварцевый резонатор состоит из пьезоэлектрической пластины (пье-
зоэлемента) с нанесенными на нее электродами, держателя и, как правило,
корпуса (в ряде случаев могут использоваться бескорпусные пьезорезона-
торы). Пьезоэлемент, изготовленный из кварцевой пластины, обладает
прямым и обратным пьезоэлектрическим эффектом. Прямой пьезоэффект
– это свойство диэлектрика при воздействии внешних механических воз-
мущений изменять не только свои геометрические размеры, но и электри-
ческую поляризацию, в результате чего на его поверхности появляются
электрические заряды. Обратный пьезоэффект состоит в том, что при воз-
действии электрического поля в диэлектрике возникают механические на-
пряжения и происходит его деформация. При воздействии, например, си-
нусоидальных электрических колебаний, подводимых к электродам пъезо-
элемента, возникают механические колебания. При включении пьезоэле-
мента в цепь переменного электрического напряжения с изменением час-
тоты колебаний обнаруживаются резонансные явления в этой цепи (резкое
уменьшение и увеличение электрического тока, протекающего через пье-
зоэлемент), которые связаны с резонансами его механических колебаний.
Эта реакция пьезоэлектрического резонатора на воздействие сину-
соидальных электрических колебаний как результат действия обратного
пьезоэффекта и собственных упругих механических колебаний аналогична
реакции электрической цепи, представленной на рисунке 9.11.
Данной эквивалентной схемой пьезорезонатора (рис. 9.11 а) можно
пользоваться в большинстве практических случаев при расчете электриче-
ских цепей, содержащих пьезоэлектрические резонаторы. Здесь электриче-
ский резонатор представляет собой двухполюсник, в состав которого вхо-
дят динамическая емкость Сq , динамическая индуктивность Lq , статиче-
ская емкость CP и сопротивление Rq , характеризующее потери энергии в
резонаторе. Отметим, что существуют более точные эквивалентные схемы,
которые учитывают наличие нескольких резонансов на различных часто-
тах, сопротивление, емкость и индуктивность выводов, емкость между вы-
водами и между выводами и корпусом.
199
 а)

б)
Рис. 9.11. Эквивалентная схема пьезорезонатора и его АФЧХ

Пьезоэлектрический резонатор, являющийся резонансной системой с

потерями, целесообразно оценивать такими параметрами, как:
1. Частота последовательного резонанса ωq , на которой сопротивление
двухполюсника (рис. 9.11 б) становится равным нулю (при Rq = 0 ):
1
ωq = . (9.6)
Lc C q
2. Частота параллельного резонанса ω P , при которой сопротивление
резонатора ( Rq = 0 ) становится бесконечно большим:
1
ωР = . (9.7)
Cq C Р
Lq ⋅
Cq + CР
3. Диапазон частот кварцевых резонаторов (от нескольких сотен Гц
до сотен МГц).

200
 4. Добротность кварцевого резонатора Q , характеризующая отноше-
ние реактивной мощности, запасаемой в индуктивности Lq , к мощности
потерь, рассеиваемой сопротивлением Rq ,

1 Lq
Q = ⋅ . (9.8)
Rq Cq
В технике фильтрации сигналов достаточно использовать резонаторы
с добротностью 104 − 105 , хотя современный уровень технологии позволя-
ет изготавливать резонаторы с добротностью на порядок выше.
5. Емкостной коэффициент резонатора r, представляющий отноше-
ние статической емкости CP к динамической:
2
CP ωq ωq
r= = ≅ , (9.9)
Cq ω 2 − ωq2 2∆ω
P
где ∆ω = ωP − ωq – резонансный промежуток пьезорезонатора. Емкост-
ной коэффициент r является важным параметром и характеризует потен-
циальную возможность реализовать необходимую ширину полосы про-
пускания устройств фильтрации. Минимальная величина емкостного ко-
эффициента кварцевых резонаторов составляет 120 единиц. Практически
этот коэффициент может быть реализован в пределах 125–2000.
6. Нестабильность частоты. Кварцевые резонаторы по сравнению с
другими пьезоэлектрическими резонаторами (пьезокерамическими, танта-
лолитиевыми и др.) обладают наиболее высокой стабильностью частоты в
температуре и во времени. Изменение частоты резонатора ∆f , обуслов-
ленное влиянием времени (старение), механическими воздействиями, вла-
гой, температурой окружающей среды, оценивают в относительных еди-
ницах ∆f f . В качестве показателей старения используют относительные
изменения частоты за сутки, неделю, месяц, год. Для фильтровых резона-
торов имеет смысл пользоваться долговременными характеристиками ста-
рения (за год, за время эксплуатации и хранения – 10–12 лет). Величина
старения зависит от типа резонатора. Так, для резонаторов в вакуумиро-
ванных корпусах величина годового старения составляет (3 − 5) ⋅10−6 , а у
герметизированных резонаторов эта величина существенно хуже –
(15 − 30) ⋅10−6 .
Температурная нестабильность резонаторов зависит от многих фак-
торов: от исходного материала, типа среза – ориентации пластины пьезо-
элемента относительно кристаллических осей, геометрической формы пье-

201
зоэлемента и т. д. В интервале температур от –50 до +100 °С нестабиль-
ность частоты не превышает (50 − 100) ⋅10−6 .
Самые простые фильтры, которые впервые нашли применение на
практике, – это Г-, Т-, П-образные лестничные схемы (рис. 9.12), а также
мостовые схемы, приведенные на рисунке 9.13.

Рис. 9.12. Лестничные схемы фильтров

Рис. 9.13. Мостовая схема фильтра

Здесь в качестве реактивных сопротивлений X1 и X 2 могут исполь-

зоваться кварцевые резонаторы, конденсаторы, катушки индуктивности
либо комбинации из этих элементов. Каждая из схем имеет свои преиму-
щества и недостатки. Так, лестничные схемы фильтров, являясь более про-
стыми по структуре, обладают большей устойчивостью характеристик в
температуре и во времени; требования к точности выполнения входящих в
нее элементов ниже, чем к аналогичным по параметрам мостовым схемам.
В то же время мостовые схемы более универсальны. С их помощью можно
реализовать более широкополосные фильтры, фильтры с заданными фазо-
частотными характеристиками (поскольку мостовые схемы являются по-
тенциально цепями неминимально-фазового типа). Задача проектирования
любого фильтра состоит в выборе оптимальной в определенном смысле
схемы фильтра (наименьшее количество элементов в схеме, минимальное
число моточных узлов или выполнение каких-либо конструктивных, тех-
нологических, эксплуатационных требований и т. п.). При этом сложность
схемы должны быть такой, чтобы при правильном выборе ее элементов
она удовлетворяла требованиям технического задания по затуханию в по-
лосах пропускания и задерживания. Пусть, например, мостовая схема
(рис. 9.13) содержит в качестве X1 и X 2 кварцевый резонатор и парал-
202
лельную катушку индуктивности. На рисунке 9.14 приведены эквивалент-
ные схемы двухполюсников X1 и X 2 и частотные зависимости этих со-
противлений.

а)

б)
Рис. 9.14. Эквивалентные схемы двухполюсников X 1 и X 2
и частотные зависимости этих сопротивлений

Для заданной симметричной мостовой схемы характеристическая по-

стоянная передачи qC и характеристическое сопротивление ZC опреде-
ляются следующими уравнениями:
qC x1 1+ H
th = = H , qC = aC + jbC = ln ,z = x1 ⋅ x2 . (9.10)
2 x2 1− H C

203
 Сопротивления двухполюсников X1 и X 2 при выбранном располо-
жении резонансных частот имеют следующий вид:
ω 2 (ω 2 −ω01
2
) 2 2 2
ω (ω −ω02 )
X1 = , X2 = . (9.11)
2 2 2 2 2 2 2 2
j ⋅ωC01(ω −ωa )(ω −ω02 ) j ⋅ωC02 (ω −ω01)(ω −ωb )
Функция H для этой схемы
2 2 2 2
2 C02 (ω − ω a )(ω − ω01 )
H = (9.12)
2 2 2 2
C01 (ω − ωb )(ω − ω02 )
В полосе частот от ω = 0 до ωa и от ωb до ω = ∞ функция H явля-
ется вещественной положительной величиной и всегда больше нуля. В со-
ответствии с (9.10) характеристическое затухание qC также больше нуля.
Следовательно, эти полосы частот являются полосами задерживания.
В полосе частот от ωa до ωb функция H представляет мнимую ве-
личину и характеристическое затухание равно нулю. Данная область час-
тот - полоса пропускания. На частотах, когда X1 = X 2 и функция H = 1 ,
характеристическое затухание бесконечно возрастает. Такие частоты на-
зываются частотами полюсов затухания фильтра.
Для выделения сигналов в узком диапазоне частот необходимы фильт-
ры с очень узкой полосой пропускания. С этой целью применяются диффе-
ренциально-мостовые фильтры с резонатором в каждом плече, полоса про-
пускания которого ограничена последовательными резонансами кварцевых
резонаторов. Прямоугольность характеристик затухания фильтра в значи-
тельной степени определяется добротностью резонаторов. Например, для уз-
кополосных фильтров на частоте f0 = 8 кГц с полосой пропускания 0,6–2 Гц
добротность резонатора не должна быть хуже 40000, а на частоте 128 кГц с
полосой пропускания 2–12 Гц – 90000.
В таблице 9.2 представлены данные кварцевых резонаторов, исполь-
зуемых для некоторых видов узкополосных фильтров, а на рисунке 9.15
приведена характеристика затухания [23, 24].
Таблица 9.2
Вариант по-
f 0 , ∆f , f КВ1 , LКВ1 , C01 , f КВ 2 , LКВ 2 , C02 , R0 ,
строения η∞
фильтра кГц Гц Гц Гн пФ Гц Гн пФ кОм
ФП – 0,6 8,0 0,6 7999,7 15000 24,6 8000,3 15000 28,7 56 13
ФП – 2(8) 8,0 2,0 7999,0 14000 22,6 8001,0 14000 37,7 170 4
ФП–2(128) 128,0 2,0 127999 40 15,8 128001 40 1,8 0,5 3000
ФП – 5 128,0 6,0 127997 40 16,0 128003 40 16,0 1,5 25
ФП – 10 128,0 12 127994 40 100 128006 40 100 2,8 3

204
 Расширение полосы пропускания кварцевых фильтров ограничивает-
ся емкостным коэффициентом пьезоэлектрических преобразователей.
Введение расширительных катушек индуктивности LР позволяет увели-
чить относительную полосу пропускания до 6–8 %, что порой недостаточ-
но для построения широкополосных фильтров.

Рис. 9.15. Характеристика затухания кварцевых фильтров

Дальнейшее расширение полосы пропускания ограничено номинала-

ми сосредоточенных LC -элементов (индуктивность – от единиц до сотен
Гн, а ёмкость – от десятых до сотых долей пФ). В какой-то мере задача
дальнейшего расширения полосы пропускания кварцевых фильтров реша-
ется с помощью модифицированной дифференциально-мостовой схемы
кварцевых фильтров (рис. 9.16), характеристика затухания которой пока-
зана на рисунке 9.17.

Рис. 9.16. Дифференциально-мостовая схема кварцевого фильтра

Расчет фильтров проводится различными методами, среди которых

наибольшее распространение получил расчет по характеристическим и ра-
бочим параметрам. Метод расчета фильтров по характеристическим пара-
метрам в настоящее время разработан достаточно полно и позволяет про-
ектировать самые разнообразные типы фильтров простыми средствами в
два этапа:
а) решение аппроксимационной задачи, в ходе которой по заданным
требованиям к частотным характеристикам фильтра определяется слож-
205
ность цепи – число полюсов затухания и их расположение на оси частот, а
также необходимая форма характеристического сопротивления и коэффи-
циент нагрузки α для обеспечения необходимого коэффициента использо-
вания теоретической полосы пропускания;
б) реализация заданных требований, заключающаяся в выборе схемы
фильтра, числа звеньев и расчете величин элементов.

Рис. 9.17. Характеристика затухания

дифференциально-мостовой схемы кварцевого фильтра

При этом необходимо учитывать ряд ограничений, имеющих для

кварцевых фильтров решающее значение, например; применение резона-
торов с заданным емкостным коэффициентом; использование минималь-
ного числа индуктивных элементов; ограничения по диапазону динамиче-
ских индуктивностей резонаторов; ограничения по величине максималь-
ной добротности катушек индуктивности. 3aметим, что при использовании
метода синтеза кварцевых фильтров по рабочим параметрам такие ограни-
чения во многих случаях существенно усложняют решение задачи.

9.4 Электромеханические фильтры

Электрические фильтры во многих случаях не могут удовлетворить
требованиям, предъявляемым к избирательным системам современных ра-
диотехнических устройств, или, удовлетворяя этим требованиям, оказы-
ваются чрезвычайно громоздкими. В том случае, когда требуется высокая
избирательность фильтров в диапазоне частот 50 кГц – 1 МГц, незамени-
мы различного рода электромеханические фильтры (ЭМФ), резонаторы
которых изготовлены из специальных сплавов [18, 24]. В частности, меха-

206
нические резонаторы, выполненные из элинварных сплавов, имеют доб-
ротность 10000–15000 и температурную нестабильность параметров
(1 − 6) ⋅10−6 1/град , дешевле в производстве, чем кварцевые. Расчет колеба-
тельной системы таких электромеханических фильтров сводится к выбору
числа и геометрических размеров металлических резонаторов (Р), связок
(С) и преобразователей (ПР) (рис. 9.18) [18, 24].

Рис. 9.18. Эквивалентная схема электромеханического фильтра

Расчет ЭМФ по заданным характеристикам затухания состоит из

следующих этапов:
1. По заданным требованиям к фильтру ( f 0 , ∆f , ∆a , a Г , ∆f Г , RН ,
RГ ) определяется необходимая амплитудно-частотная характеристика
фильтра, например, полосового (рис. 9.19)
2. Частотным преобразованием [18, 33, 36] осуществляется переход к
низкочастотному прототипу с заданными требованиями (Рис. 9.20)

Рис. 9.19. Исходная АЧХ фильтра

Рис. 9.20. АЧХ прототипа

207
 3. По существующим таблицам [36] выбирается необходимый ап-
проксимирующий полином степени n.
4. Находится требуемая эквивалентная схема низкочастотного прото-
типа с нормированными элементами для выбранного аппроксимирующего
полинома (Рис. 9.21)

Рис. 9.21. Эквивалентная схема низкочастотного прототипа

5. Обратным преобразованием [36] получается электрическая LC-

схема полосового фильтра (Рис. 9.22)

Рис. 9.22. Электрическая LC-схема полосового фильтра

6. Уточняется вид колебательной системы и число резонаторов.

7. Рассчитываются коэффициенты связи между резонаторами:
∆f
K ij = , (9.13)
f0 LiC i
где ∆f – полоса пропускания, f0 – средняя частота полосового фильтра,
LiCi – значения элементов прототипа.
8. Находятся полосы связи между соответствующими резонаторами:
∆ f ij = K ij ∆ f . (9.14)
9. Для выбранного вида механической колебательной системы опре-
деляются геометрические размеры резонаторов и связок.
Расчет размеров элементов ЭМФ производится по формулам, связы-
вающим резонансные частоты и характеристические сопротивления раз-
личных элементов с их геометрическими размерами и физическими кон-
стантами применяемых материалов (E – модуль продольной упругости,
σ – коэффициент Пуассона, ρ – плотность материала).
Так, длина (l1) и диаметр ( d 1 ) цилиндрических полуволновых резо-
наторов с продольными колебаниями рассчитываются следующим обра-
зом:

208
 ZС

l1 =
1 E
=
C
; d1 = 2
π . (9.15)
2 f0 ρ 2 f0 4 Eρ
Для таких же резонаторов с крутильными колебаниями:
C 2 2(1 + σ )
l1 = ; d1 = 2 ZС ; (9.16)
2 f 0 2(1 − τ ) π Eρ
где C – скорость распространения крутильных колебаний.
В ЭМФ можно получить достаточно узкую полосу пропускания, ко-
торая зависит от соотношения диаметров резонатора ( d Р ) и связки
( d С ). В частности, для механической системы с продольными колеба-
ниями относительная полоса пропускания фильтра:
2
4  dС 
δ0 =   . (9.17)
π  d Р 
Если, например, δ 0 = 0,01, то диаметр резонаторов и связок должен
отличаться в десять раз.
Более технологичной получается конструкция механической системы
при использовании крутильных колебаний. В этом случае при тех же экви-
валентных схемах и частотных характеристиках
4
4  dС 
δ 0 =   (9.18)
π  dР 
и, следовательно, диаметры резонаторов и связок при прежней относитель-
ной полосе пропускания ( δ 0 = 0,01) будет отличаться всего в три раза.
На рисунке 9.23 показана частотная зависимость затухания ЭМФ со
средней частотой 128 кГц.

Рис. 9.23. Частотная зависимость затухания ЭМФ

209
9.5 Пьезокерамические фильтры
В профессиональной аппаратуре наряду с электрическими фильтра-
ми используются и пьезокерамические, перекрывающие спектр частот от 8
до 50 кГц и от 300 до 800 кГц. При этом относительная полоса пропуска-
ния составляет 0,5–1,5 %. Возможно построение широкополосных пьезо-
керамических фильтров для главного тракта радиоприемных устройств на
промежуточных частотах 4,5 МГц и 10,7 МГц. В отличие от кварцевых,
пьезокерамические фильтры более просты в изготовлении, хорошо согласу-
ются с транзисторными схемами, позволяют получить широкополосные
фильтры без использования дополнительных элементов, имеют малые раз-
меры, допускают простые способы монтажа и крепления
[8, 25, 33]. При проектировании пьезокерамических фильтров (ПКФ) керами-
ку выбирают по определенным параметрам, наиболее важным из которых яв-
ляется коэффициент электромеханической связи, характеризующий преобра-
зование электрической энергии в механическую при прямом пьезоэффекте и
механической энергии в электрическую в случае обратного пьезоэффекта. Ко-
эффициент электромеханической связи ограничивает ширину полосы пропус-
кания и зависит не только от свойств материала, но и от направлений, в кото-
рых подводится и снимается энергия. Принято коэффициентом электромеха-
нической связи K33 характеризовать степень преобразования энергии возбу-
ждающего электрического поля, направленного по оси поляризации, в энер-
гию продольной деформации в том же направлении; коэффициент K31 опре-
деляет степень преобразования энергии того же поля в энергию деформации,
перпендикулярной направлению поля.
На выбор пьезокерамических резонаторов влияет частотная постоян-
ная N , зависящая от скорости распространения в материале упругих ме-
ханических колебаний и равная произведению длины пьезоэлемента L на
резонансную частоту продольных колебаний f0 :
N = L ⋅ f0 , (9.19)
а для радиальных колебаний пьезоэлемента в форме диска с наружным диа-
метром D частотная постоянная N Р = f0 D примерно в 1.35 раза больше
N . В таблице 9.3 приведены параметры некоторых пьезокерамических ма-
териалов и кварца.
Для построения высококачественных ПКФ необходимы пьезокера-
мические резонаторы (ПКР), обладающие моночастотностью. Это означа-
ет, что у резонатора не должно быть побочных резонансных колебаний в
достаточно широком диапазоне частот относительно рабочей резонансной
частоты фильтра.

210
 Таблица 9.3

Температура Кюри, Тк0С

Частотная составляющая
Диэлектрическая
проницаемость ε

Уход N в диапазоне

Уход N за 10 лет, %
бруска N, кГц*см

(-60–+80) 0С, %
Добротность Q
Коэффициент

температур
Плотность,
электромеха-

г/см3
Пьезоэлектрик нической
связи

К31 К33
Титанат бария 5,7 0,21 0,5 1700 300 220 19 1,1 115
Титанат бария,
5,4 0,11 0,34 450 1200 243 2 0,8 140
кальция и свинца
Ниобат бария и
5,5 0,15 - 1800 300 201 1,5 0,6 260
свинца
Цирконат-титан
7,3 0,18 - 700 400 180 0,45 0,35 305
свинца ЦТС-606
Цирконат-титан
7,4 0,25 0,54 1050 450 177 0,2 0,1 335
свинца PZT-606
Кварц (3– 230–
2,65 0,07–0,09 - 4,7 <0,05 <0,05 573
5)*104 –280

Подавление побочных колебаний достигается тщательным выбором

формы и геометрических размеров резонаторов, конфигурации электро-
дов, направления поляризации и возбуждения, а также способа крепления.
Поведение пьезокерамического резонатора, включенного в электриче-
скую цепь, аналогично кварцу. Эквивалентная схема ПКР (рис. 9.24 а) отра-
жает свойства резонатора как электромеханической системы с двумя резонан-
сами (рис. 9.24 б).
Сопротивление R учитывает потери за счет внутреннего трения в
материале, индуктивность L пропорциональна массе, а емкость C – об-
ратно пропорциональна механической жесткости материала ПКР. Стати-
ческая емкость C0 зависит от геометрической емкости резонатора и от ко-
эффициента электромеханической связи.
Избирательные свойства ПКР характеризуются частотной зависимо-
стью его сопротивления (рис.9.24 б, в). На частоте ниже резонансной ПКР
представляет конденсатор с общей емкостью CΣ = C0 + C .
На частоте, близкой к частоте последовательного резонанса
−1
(
f Р = 2π LC ) , сопротивление резко уменьшается до минимальной ве-
личины RР . При изменении частоты от f Р до f a сопротивление увеличи-
вается до максимального значения Ra . После частоты параллельного ре-

211
 C ⋅C
зонанса (антирезонансная частота) f a = 1 2π L 0 сопротивление
C + C0
подает, приближаясь к величине 1 2π f C0 .
Добротность ПКР определяется следующим образом
Q = 2π f Р L R . (9.20)

а) Эквивалентная схема ПКР б) АФЧХ

в) Частотная зависимость сопротивления

Рис. 9.24. Характеристики пьезокерамического резонатора

Если измерить f Р , f a , CΣ и R , то можно определить:

статическую емкость –
 2∆f 
C0 ≈ CΣ  1 −  , (9.21)
 fР
 
динамическую емкость –
2 ∆f
C = CΣ , (9.22)
fР
динамическую индуктивность –
12,6 ⋅106
L≈ , (9.23)
f Р CΣ R
добротность –
8 ⋅ 107
Q≈ , (9.24)
∆f ⋅ CΣ ⋅ R
212
эффективный коэффициент электромеханической связи –
2 С f a2 − f Р2 2 f Р2 + ∆f
K ЭФ = = = . (9.25)
С0 fР2 2
fР
С 2 ∆а
Чаще всего ∆f << f Р и тогда K ЭФ ≈ ≈ .
С0 fР
В приведенных соотношениях ∆f и f Р выражены в кГц, R – в Ом,
L – в мГн.
Многозвенные ПКФ строятся на основе мостовых, дифференциаль-
но-мостовых и лестничных схем. Чаще всего для ПКФ используются лест-
ничные схемы, позволяющие получить миниатюрные фильтры даже при
большом числе резонаторов.
Многозвенные ПКФ (рис. 9.25 а) представляют каскадное согласо-
ванное включение простейших Г-образных полузвеньев (рис. 9.25 б), в ре-
зультате чего получается схема фильтра (рис. 9.25 в).

а) б)

в)
Рис. 9.25. Схемы многозвенных ПКФ

Пьезокерамические фильтры обычно состоят только из пьезокерамиче-

ских резонаторов. Тем не менее, иногда в продольных или поперечных ветвях
вместо резонаторов включают конденсаторы, а в ряде случаев применяется
параллельное или последовательное соединение резонаторов и конденсаторов.
На рисунке 9.26 показаны четыре разновидности Г-образных полузвеньев, со-
ставленных из конденсаторов и пьезокерамических элементов (ПЭ).

а) б) в) г)
Рис. 9.26. Разновидности Г-образных полузвеньев ПКФ

213
 Наибольшее распространение получили ПКФ, состоящие только из
резонаторов, частотная зависимость реактивных сопротивлений для про-
дольной ( X1 ) и поперечной ( X 2 ) ветвей показана на рисунке 9.27 а, а ха-
рактер поведения затухания – на рисунке 9.27 б.
Полоса пропускания (затухание в идеальном случае равно нулю) мно-
гозвенного фильтра равна полосе пропускания звена и расположена между
частотами среза fC1, fC 2 . Полоса пропускания получается непрерывной в
том случае, если резонансная частота резонаторов, расположенных в про-
дольной ветви, совпадет с антирезонансной частотой резонаторов в попе-
речной ветви ( f p1 = f a 2 = f 0 ). Наличие полюсов объясняется тем, что на
частоте f a 2 сопротивление резонатора в продольной ветви бесконечно ве-
лико и сигнал не проходит. В то же время на частоте f р 2 сопротивление
резонатора, включенного в поперечную ветвь, равно нулю, что также пре-
пятствует прохождению сигнала через звено фильтра.

а)

Рис. 9.27. Частотные зависимости реактивных сопротивлений ПКФ

Для резонаторов с одинаковыми резонансными промежутками

( ∆f1 = ∆f 2 = ∆f3 ) частоты среза определяются следующим образом:
∆f ∆f
fC1 ≈ f 0 − , fC 2 ≈ f0 + , (9.26)
1+ K 1+ K
где K = C02 C01 – отношение статических емкостей резонаторов. Часто-
ты среза расположены симметрично относительно частоты f0 , при этом
отношение

214
 1 f −f
= ∞1 ∞ 2 (9.27)
1+ K fс1 − fс 2
можно использовать для оценки коэффициента прямоугольности характе-
ристики затухания фильтра. Чем меньше K , тем ближе частоты среза к
частотам полюсов затухания и, следовательно, прямоугольность характе-
ристики затухания улучшается. Увеличение K приводит к сужению поло-
сы пропускания и ухудшению прямоугольности.
Выбор сопротивления нагрузки RН осуществляется из условия ра-
венства на средней частоте полосы пропускания f0 характеристического
сопротивления ZT 0 = Z n0 номинальному R0 .
1
ZT 0 = Z n 0 = = R0 = RН . (9.28)
2π C01C02
Затухание фильтра равно сумме затуханий составляющих его полу-
звеньев. Затухание полузвена вдали от полосы пропускания определяется
по закону sha ≈ K . Следует учитывать, что фильтр, содержащий n вет-
вей, состоит из n − 1 Г-образных полузвеньев.
На рисунке 9.28 представлена одна из возможных практических схем
пьезокерамического фильтра: средняя частота 2 МГц; сопротивление на-
грузки 2 кОм; полоса пропускания 40 кГц; вносимое затухание 6 дБ; зату-
хание в полосе задерживания 60 дБ; коэффициент прямоугольности по
уровню 6 и 60 дБ составляет 1,5.

Рис. 9.28. Практическая схема ПКФ

В табл. 9.4 приведены данные некоторых отечественных пьезокера-

мических фильтров.
Неравномерность затухания в полосе пропускания фильтров ФП1П-
049а и ФП1П-049б составляет не более 3 дБ, для остальных фильтров – не
более 6 дБ. Полоса частот на уровне – 26 дБ для фильтра ФП1П-049а не
шире 505 кГц, а для фильтра ФП1П-049б – не более 585 кГц.

215
 Таблица 9.4
Средняя Полоса Селектив- Затухание в Согласующее
частота по- пропус- ность при полосе сопротивление,
Тип лосы про- кания на расстройке пропуска- кОм,
пускания, уровне ±9 кГц, дБ, ния, со стороны
кГц –6 дБ, кГц не менее дБ, не менее входа выхода
ФП1П-1М 465+2 7,0–9,5 40 8,0 1,2 0,6
ФП1П-2 465+2 8,5–12,5 40 8,0 1,2 0,6
ФП1П-022 465+2 10,5–14,5 26 9,5 2 2
ФП1П-023 465+2 8,0–11,5 40 9,5 2 2
ФП1П-024 465+2 8,0–11,5 35 9,5 2 2
ФП1П-025 465+2 8,0–115 30 9,5 2 2
ФП1П-026 465+2 7,0–10,5 26 9,5 2 2
ФП1П-027 465+2 8,0–11,5 35 9,5 2 2
ФП1П-041 465+2 4,6–7,0 55 12,0 2 2
ФП1П-042 465+2 4,6–7,0 50 12,0 2 2
ФП1П-043 465+2 4,6–7,0 46 12,0 2 2
ФП1П-049а 10700+100 150–200 – 10,0 0,33 0,33
ФП1П-049б 10700+100 200–280 – 10,0 0,33 0,33

9.6 Акустоэлектронные фильтры

В результате развития акустоэлектроники возникло два основных
направления разработки фильтров на основе локализации энергии акусти-
ческих колебании: первое заключается в захвате в ограниченном объеме
энергии упругих колебаний объемной акустической волны (ОАВ); второе
в использовании специфики возбуждения, распространения и приема по-
верхностных акустических волн (ПАВ).
В диапазоне частот от 5 до 800 МГц наиболее успешно используются
интегральные пьезофильтры на ПАВ (ПАВ фильтры). Нижняя граница ра-
бочего диапазона зависит от размеров кристаллов, которые на частотах
ниже 5 МГц оказываются чрезмерно большими. Верхний предел ограни-
чен возможностями технологии изготовления преобразователей. Напри-
мер, на частоте настройки фильтра 1 ГГц ширина металлических полосок
пьезопреобразователя составляет всего 1 мкм.
Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах представ-
ляет собой два встречно-штыревых преобразователя (ВШП), размещенных
на поверхности пьезоэлектрической подложки (рис. 9.29) и предназначен-
ных для возбуждения ПАВ.
На основе синтеза преобразователей и в целом фильтров на ПАВ ме-
тодом прямой свертки с весовыми функциями можно получить широкопо-
лосные фильтры с относительной полосой пропускания от 1 до 30 %. Для
построения узкополосных ПАВ-фильтров с относительной полосой про-
пускания 0,1–0,5 % используются различные варианты конструкций
[8, 26], например, применение секционированных встречно-штыревых
216
преобразователей (ВШП) с прореживанием электродов; ВШП с взвешива-
нием путем удаления части электродов; использование трех ВШП для раз-
деления и последующего восстановления импульсной характеристики и
др. Передающий ВШП (ВШП1) состоит из N +1 штырей, расположенных с
постоянным шагом, равным половине длинны акустической волны на цен-
тральной частоте фильтра f0 ,
υ
λ
d= ,= (9.29)
2 2 f0
где υ – скорость акустической волны в подложке (табл. 9.5).

Рис. 9.29. Полосовой фильтр на ПАВ

Центр n-го штыря расположен в точке X n = n ⋅ d ( n = 1, 2, ..., N ).

Ширина каждого штыря l = d 2 . Общая длина передающего ВШП
L = N ⋅ d . Степень перекрытия соседних штырей определяется величиной
α n , а максимальное перекрытие равно α 0 . Передающий ВШП с постоян-
ным перекрытием α n = α 0 имеет частотную характеристику вида
sin X / X . Поэтому для формирования требуемых частотных характеристик
применяются передающие ВШП с переменной величиной перекрытия α n .
Такие фильтры называются аподизованными.
Таблица 9.5
Материал υ, К2
С0, Материал υ, К2
С0,
Подложки м/с пФ/м подложки м/с пФ/м
Ниобат
Кварц 3159 0,0023 - 3488 0,0460 0,270
лития
Танталат
Кварц HC 3209 0,0025 - 3230 0,0074
лития
Германат
Кварц ST 3157 0,0016 0,026 1681 0,0085
висмута

217
 Так как фильтры на ПАФ относятся к классу неминимально-фазовых
цепей, то АЧХ и ФЧХ фильтра можно задавать независимо друг от друга.
Используя постоянный шаг между штырями ВШП можно реализовать
АЧХ, симметричные относительно центральной частоты фильтра ω0 .
ВШП, симметричные относительно центрального электрода, имеют ли-
нейную ФЧХ:
ϕ (ω ) = −τω . (9.30)
С заданной передаточной функцией фильтра
K& ( jω ) = K (ω )exp{ jϕ (ω )} (9.31)
связана импульсная характеристика
h(t ) = H (t )Cos[2π f 0t + θ (t )] ,
где H(t) – медленно меняющаяся огибающая, а θ (t ) – медленно меняющая-
ся фаза импульсной характеристики.
Известно, что комплексная огибающая импульсной характеристики
H& (t ) = H (t ) ⋅ exp{ jθ (t )} (9.32)
связана с комплексным коэффициентом передачи K& ( jω ) узкополосного
фильтра преобразованием Фурье

& 1 ∞ &
H (t ) = ∫ K ( jω + jω 0 ) exp{ jω t}d ω . (9.33)
π −ω
0
Передающий ВШП с постоянным шагом d позволяет реализовать фильт-
ры, у которых фаза импульсной характеристики θ (t ) = θ0 = const .
Перекрытие n-го фильтра α n пропорционально значению огибаю-
d 1
щей Hn(tn) в моменты времени tn = n∆t , где ∆t = = . Знак выбороч-
υ 2 f0
ного значения импульсной характеристики h(tn) определяет, к какой из
двух шин ВШП присоединяется штырь. Пусть для определенности будет
h(tn)>0, когда штырь присоединяется к верхней шине, а при h(tn)<0 – к
нижней.
ВШП, состоящий из бесконечного числа штырей, точно реализует
фильтр с заданной передаточной функцией. Однако существующие огра-
ничения на число штырей N приводят к уменьшению крутизны спада АЧХ
и вызывают нежелательные пульсации АЧХ.
Для снижения уровня пульсаций вводится сглаживающий весовой
множитель g(Хn), такой, чтобы выполнялось равенство
H (t n )
αn = α0 g ( xn ) . (9.34)
max H (tn )

218
 В качестве весовой функции наиболее часто используется функция
Хэмминга
2π ( xn − 0,5L)
g ( xn ) = 0,54 + 0,46 ⋅ Cos[ ]. (9.35)
L
Максимальное перекрытие штырей α 0 = max α n влияет на входное
(50...100)υ
сопротивление и выбирается из условия α 0 = .
f0
Количество штырей N определяется из следующих соображений.
t
Функция H(t) усекается на интервале [0, tMAX] и определяется N = MAX .
∆t
Значение tMAX определяет крутизну спада АЧХ фильтра, и поэтому для обос-
нованного выбора tMAX необходимо рассчитать фактическую частотную харак-
теристику фильтра в целом с учетом усечения импульсной характеристики
H(t) и наличия приемного ВШП. Аналогичные проблемы, связанные с усече-
нием импульсных характеристик и выбором весовых функций, возникают и
при расчете нерекурсивных (трансверсальных) цифровых фильтров.
Частотная характеристика передающего ВШП при предположении,
что каждый штырь заменяется источником акустической волны в виде δ-
функции, расположенным в центре штыря, представляет собой дискретное
преобразование Фурье от функции (−1)nαn :

N
K&1( jω ) = K10 ∑ (−1)n α n exp{− jω tn }. (9.36)
n=0
Для частотной характеристики приемного ВШП, состоящего из од-
ной пары штырей, справедливо уравнение
K& 2 ( jω ) = K 20 exp{− jωτ 32 }Sin( ω ), (9.37)
4 f0
y 1
где τ 32 = + ; y – расстояние от передающего до приемного ВШП.
υ 4 f0
Выражение (9.37) получается из (9.36) при N=1.
Частотная характеристика фильтра в целом равна:
K& ( jω ) = K&1 ( jω ) K& 2 ( jω ) . (9.38)
и определяется в основном функцией K&1 ( jω ) , так как частотная характе-
ристика приемного ВШП K& ( jω ) более широкополосная по сравнению с
2
передающим ВШП.

219
 Для согласования фильтра на ПАВ с внешними электрическими це-
пями необходимо знать входную проводимость ВШП:
yВХ ( jω ) = g ВХ (ω ) + jω CВХ . (9.39)

Активная составляющая проводимости ВШП с аподизацией:

N ω ω
2
g ВХ (ω ) = 4 K C0 | ∑ (−1)n exp{− j }|2 , (9.40)
α n f0 Sin
n =0 4 f0 f0
а суммарная емкость электродов (без учета краевых эффектов)
N α
CВХ = C0α 0 ∑ n . (9.41)
n =0 α 0
Значения погонной емкости электродов С0 и коэффициента электро-
механической связи К2 приведены в таблице 9.5.
Для выбора необходимых фильтров в заданном диапазоне частот мо-
гут оказаться полезными данные таблице 9.6.
Таблица 9.6
Фильтры ОАВ Фильтры ПАВ
промыш- практи- лаборатор- промыш- практиче-
Параметр
ленные ческие ные ленные ские
образцы образцы образцы образцы образцы
Центральная частота, МГц 3–350 3–350 1–2750 10–1000 10–2000
Максимальные вносимые
1,0 0,5 0,65 2,0 0,5
потери, дБ
Минимальная полоса, % 0,001 0,001 0,01 0,01 0,005
Максимальная полоса, % 5 15 100 50 100
Минимальный коэффициент 1,6 1,3 1,15 1,2 1,1
прямоугольности, дБ (60/3)дБ (60/3)дБ (60/3)дБ (60/3)дБ (60/3)дБ
Затухание в полосе
90 100 70 50 80
задерживания, дБ
Затухание боковых лепестков или
80 90 60–70 40–50 80
паразитных резонансов, дБ
Пульсации по амплитуде, дБ ±0,1 ±0,05 ±0,05 ±0,2 ±0,01
Отклонение фазовой характери-
стики от линейной, град ±0,2 ±0,5 ±0,1 ±2 ±0,01

9.7 Дискретные и цифровые фильтры

В современных системах радиосвязи и радиовещания находят широ-
кое применение приемники дискретных и аналоговых сигналов, преобра-
зуемых в приемном тракте в цифровую форму. В информационном (ИТ) и в
усилительно-преобразовательном трактах (УТ) таких приемников исполь-
зуются дискретные (ДФ) и цифровые (ЦФ) фильтры, реализуемые на циф-
220
ровых и аналоговых интегральных микросхемах, микропроцессорах и мик-
роЭВМ. В УТ приемников ДФ и ЦФ выполняют в основном функции изби-
рательности при повышенных или специальных требованиях к АЧХ и ФЧХ.
Дискретные фильтры относятся к типу трансверсальных, но с тем от-
личием от ПАВ фильтров, что в них происходит обработка не аналогового
сигнала, а его неквантованных по уровню дискретных выборок, взятых в
моменты t = nT, где Т – период дискретизации.
На вход ДФ поступает последовательность импульсов меняющейся
амплитуды с тактовой частотой F = 1/T. Каждый импульс последовательно
проходит через задержки на время Т, ответвляется и после умножения на
весовой коэффициент an подается на сумматор.
Данный фильтр (рис. 9.30) называется нерекурсивным и имеет переда-
точную функцию:
N
K& Ф = ∑ ane− jnωT . (9.42)
n =0

Рис. 9.30. Функциональная схема нерекурсивного фильтра

Введение обратных связей (рис. 9.31) позволяет получить рекурсивный

фильтр с новыми свойствами, так как его выходной сигнал зависит и от
входного, и от выходного сигналов в предшествующие моменты. Переда-
точная функция рекурсивного ДФ имеет следующий вид:
N
∑ an e− jnωT
K& = n=0 , (9.43)
M
1+ ∑ bn e− jnωT
n =1
Для технической реализации ДФ целесообразно использовать прибо-
ры с зарядовой связью, основными элементами которых служат МОП-
конденсаторы и МОП-транзисторы, отличающиеся высоким быстродейст-
вием и малым потреблением мощности. На таких приборах реализуются и
линии задержки, и функции умножения на весовые коэффициенты, при
этом управление последними может осуществляться программными сред-
ствами (программируемые ДФ). Отсутствие в ДФ аналого-цифровых
(АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП) упрощает их реализа-
221
цию и повышает быстродействие, что позволяет отфильтровывать более
широкополосные сигналы. К достоинствам ДФ следует отнести: возмож-
ность фильтрации сигналов большой длительности; перестройку за счет
изменения тактовой частоты; использование для согласованной фильтра-
ции и корреляционной обработки сигналов.

Рис. 9.31. Функциональная схема рекурсивного фильтра

Цифровые фильтры фактически представляют собой специализиро-

ванные компьютеры, встроенные в аппаратуру (микропроцессоры) или
реализуемые на основе микро ЭВМ. ЦФ строятся по алгоритмам нерекур-
сивных или рекурсивных фильтров, но в них обрабатываются не дискрет-
ные выборки сигнала, а двоичные кодовые последовательности. В ЦФ
(рис. 9.32) аналоговый сигнал преобразуется дискретизатором (Д) в после-
довательность его мгновенных значений, взятых в момент t=nT, которые
подаются на АЦП, где превращаются в двоичные кодовые последователь-
ности, поступающие в арифметическое устройство (АУ).

Рис. 9.32. Функциональная схема ЦФ

Арифметическое устройство содержит цифровые запоминающие

устройства, перемножители и сумматоры. Перемножители реализуют ве-
совые коэффициенты и перемножение на них всех разрядов входного чис-
ла. Полученные произведения суммируются. В ЦАП и сглаживающем
фильтре СФ происходит обратное преобразование последовательностей в
аналоговый выходной сигнал.
Для синтеза ЦФ применяют один из трех основных алгоритмов: ли-
нейные разностные уравнения с постоянными коэффициентами, позво-
ляющие найти выходную дискретную последовательность {y(nT)} по за-
данной входной {x(nT)}; временная свертка; дискретное преобразование
Фурье. Первоочередная задача заключается в определении передаточной
222
функции ЦФ, представляющей собой отношение z-преобразований выход-
ного и входного сигналов,
z{ y ( nT )}
H ( z) = . (9.44)
z{ x ( nT )}
По известной H(z) определяются частотные (АЧХ и ФЧХ) и времен-
ные (переходная и импульсная) характеристики ЦФ.
Для нерекурсивного фильтра справедливо:
N
H ( z) = ∑ am z−m , (9.45)
m=0
а для рекурсивного
N
∑ am z − m
H (z) = m =0 . (9.46)
M
1+ ∑ bm z − m
m =1
Здесь am, bm – вещественные цифровые коэффициенты разностного
уравнения, определяющие характеристики ЦФ; M и N – целые числа.
Нерекурсивные фильтры обладают следующими основными особен-
ностями:
- абсолютная устойчивость и физическая реализуемость;
- при симметричных или антисимметричных коэффициентах фильт-
ры обладают линейными ФЧХ и переходные процессы в них имеют ко-
нечную длительность (фильтры с конечной импульсной характеристикой –
КИХ-фильтры);
- малое затухание, что является их основным недостатком.
Физическую реализуемость и устойчивость рекурсивных ЦФ прихо-
дится обеспечивать при проектировании. ФЧХ рекурсивных ЦФ, как пра-
вило, нелинейная, а длительность переходного процесса не поддается апри-
орной оценке (фильтры с бесконечной импульсной характеристикой – БИХ-
фильтры). Для рекурсивных ЦФ характерна высокая крутизна скатов АЧХ.
Арифметические устройства рекурсивных фильтров реализуются по
прямой, канонической, каскадной (цепочечной) или параллельной формам
соединения цифровых звеньев первого и второго порядков. Нерекурсивные
выполняются по прямой или каскадной формам. Структурные схемы прямой
формы реализации АУ нерекурсивного и рекурсивного ЦФ соответствуют
рисунках 9.16–9.17 при замене UВХ на x(nT), UВЫХ на y(nT), а звеньев за-
держки со временем Т на (z–1).

223
 Достоинства ЦФ по сравнению с аналоговыми следующие:
- возможность формирования сложных, но высокостабильных АЧХ
и линейных ФЧХ, которые могут оперативно видоизменяться по заданной
программе;
- отсутствие реактивных элементов и пригодность для полной инте-
грации;
- высокая добротность и точность
- отсутствие явления дрейфа.
Основные недостатки ЦФ применительно к радиоприемной аппара-
туре:
- трудность реализации на высоких частотах;
- появление шумов квантования;
- сравнительно сложная схемная реализация.

9.8 Монолитные пьезоэлектрические фильтры

Монолитные пьезоэлектрические фильтры (МПФ) используют объем-
ные акустические волны и наиболее перспективны в диапазоне частот
от 2 до 200 МГц для построения полосовых фильтров с относительной по-
лосой пропускания 0,005–1 %. В зависимости от пьезоматериала возможно
применение МПФ на частотах 0,3–2 МГц и выше 200 МГц.
Конструктивно МПФ представляет пьезоэлектрическую пластинку
(кварц, титанат лития, пьезокерамика, –) с несколькими парами металли-
ческих электродов на ее поверхности. Область под электродами, где про-
исходит концентрация энергии механических колебаний, является основ-
ным резонансным элементом фильтра, которая получила название резона-
тора с захватом энергии.
В зависимости от требований к избирательности МПФ на пьезоэлек-
трической подложке (чаще всего кварц АТ среза) располагается от двух до
десяти связанных резонаторов. Тип резонатора определяется рабочим час-
тотным диапазоном. Так, на частотах от 2 до 4 МГц применяются одно-
мерные резонаторы (рис. 9.33 а), у которых электроды наносятся по всей
ширине (длине) пьезопластин и амплитуда колебаний не зависит от коор-
динаты по ширине (длине). Двумерные резонаторы (рис. 9.33 б), у кото-
рых размеры электродов по длине и ширине ограничены, используются на
частотах выше 4 МГц. В области частот 35–100 МГц предпочтительнее
простые резонаторы, работающие на гармониках, а на частотах выше
100 МГц наибольшее распространение получили многослойные резонато-
ры на гармониках.
Акустическая связь между соседними резонаторами происходит за
счет убывающих по экспоненциальному закону колебаний, которые воз-
буждаются в пьезопластине отдельными (частными) резонаторами. Чем

224
меньше расстояние между резонаторами, тем сильнее связь. Число основ-
ных собственных частот МПФ равно количеству резонаторов, которые
обычно настраиваются на одинаковые частоты.

a) б)
Рис. 9.33. Топология МПФ

Оптимальная форма резонатора с точки зрения подавления ангармо-

нических колебаний – эллипсообразная, но по техническим причинам ис-
пользуется редко. Для одиночных резонаторов обычно применяются круг-
лые электроды, а в случае системы связанных резонаторов предпочтитель-
нее прямоугольная форма электродов, при которой получается равномер-
ная связь между соседними резонаторами.
Если резонаторы размещены последовательно на пьезопластине
(рис. 9.34 а), то возможно проявление свойства полосового фильтра. Элек-
трическим аналогом такой системы является полосовой фильтр на связан-
ных контурах (рис. 9.34 б), свойства которого определяются характером
обмена энергией между отдельными контурами. При узких полосах про-
пускания резонаторы разнесены на расстояние, сравнимое с размерами са-
мих резонаторов. С расширением полосы пропускания расстояние между
резонаторами уменьшается.
Важную роль при расчете МПФ имеет коэффициент связи, который
может быть определен как через собственные частоты системы связанных
резонаторов ω 1 и ω 2 :
ω 2 −ω 1
K12 = , (9.47)
ω1ω 2
так и через элементы эквивалентной схемы:
Lci
Ki,i +1 = . (9.48)
Lqi ⋅ Lqi +1

225
 а)

б)
Рис. 9.34. Топология и эквивалентная схема полосового фильтра

Величина связи между резонаторами регулируется изменением ши-

рины или толщины узкой полоски металла, дополнительно наносимой на
пластину между частными резонаторами (рис. 9.35).

Рис. 9.35. Топология межрезонаторной связи

По конструктивным признакам МПФ подразделяются на простые

(рис. 9.36 а), секционированные (рис. 9.36 б) и гибридные. Простые имеют
побочные полосы пропускания, образующиеся в области ангармонических
частот акустической системы, и большие размеры пьезоэлектрических
пластин в случае многорезонаторных МПФ, что затрудняет технологию их
изготовления.
Если количество резонаторов в МПФ больше трех, то для борьбы с
побочными полосами пропускания и для уменьшения размеров пьезоэле-
менты МПФ разделяют на несколько секций, каждая из которых представ-
ляет отдельную систему акустически связанных резонаторов. Секции со-
единяют между собой через емкость. Чаще всего делаются двухрезонатор-
ные секции (рис. 9.36 б).
226
 а) б)
Рис. 9.36. Конструктивные особенности МПФ

В полосовых МПФ катушки индуктивности используются для рас-

ширения полосы пропускания и согласования МПФ с нагрузками, а также
для реализации специальных частотных характеристик.
Схемы полосовых и режекторных МПФ чаще всего рассчитываются
специальным методом преобразования узкополосного прототипа, который
обеспечивает получение требуемой структуры МПФ. Сложность такого
фильтра-прототипа (число звеньев) определяется порядком фильтра n, ко-
торый задается старшей степенью аппроксимирующего полинома, выра-
жающего рабочий коэффициент передачи или функцию фильтрации.
Требования к фильтрам-прототипам узкополосных МПФ получают
непосредственно из заданных характеристик МПФ при отсчете относи-
тельной расстройки от центра полосы пропускания. После этого проводит-
ся расчет схемы МПФ в следующем порядке:
1. По существующим таблицам расчета LC -фильтров [36] определяют-
ся значения элементов низкочастотного (НЧ) прототипа, удовлетворяющего
заданным требованиям по затуханию и коэффициенту прямоугольности.
2. Осуществляется преобразование схемы НЧ прототипа в схему уз-
кополосного прототипа требуемой структуры. Узкополосным прототип на-
зывается потому, что в его состав входят частотно-независимые реактивные
элементы, которые могут быть приближенно преобразованы в элементы L и
C только в узкой полосе частот. Так, например, для МПФ с полиномиаль-
ными характеристиками затухания узкополосный прототип получается за
счет перевода поперечных ветвей полиномиального низкочастотного про-
тотипа в последовательные с помощью узкополосных инверторов сопро-
тивлений (инвертор – четырехполюсник, который, будучи нагруженным с
одного входа на сопротивление Z1, имеет со стороны других зажимов со-
противление Z2 = K2/Z1, где К – коэффициент инверсии). В качестве инвер-
торов применяются Т- или П-образные четырехполюсники, состоящие из
двух отрицательных и одного положительного частотно – независимых ре-
активных сопротивлений jα, при этом α = К (рис. 9.37).
Физически такие сопротивления в полосовом фильтре реализуются в
виде одиночных реактивных элементов L и C, частотной зависимостью ко-
торых в узкой полосе частот можно пренебречь. Инвертор, используемый
π
в качестве четырехполюсника, дает дополнительный сдвиг по фазе на ± .
2
227
 а) б)

в) г)
Рис. 9.37. Эквивалентные схемы МПФ

3. Узкополосный прототип преобразуется в схему полосового нор-

мированного фильтра, центральная частота которого равна 1 и сопротив-
ление нагрузки равно 1 Ом. При этом обычные реактивные элементы L и C
узкополосного прототипа переводятся с помощью реактансного преобра-
зования частоты
P 2 + ω02
Ω= (9.49)
P ⋅ ∆ω
в LC -контуры. Частотно-независимые элементы jα заменяются элементами L и
C так, чтобы сохранилась величина сопротивления этих элементов на частоте,
равной 1.
1
L =α , С = − , (9.50)
α
4. Заключительный этап расчета – денормирование элементов фильт-
ра, связанное с пересчетом значений элементов таким образом, чтобы цен-
тральная частота была равна заданной f0, а сопротивление нагрузки – ве-
личине RН. При этом все индуктивности, емкости и сопротивления умно-
жаются на соответствующие величины:
R 1
lнорм = Н , Cнорм = , Rнорм = rнорм . (9.51)
2π f0 2π f0 RН

Для секционированных МПФ используется другой тип инвертора на

стыке секций, который в случае емкостной связи должен иметь вид, при-
веденный на рисунке 9.37 б. Иногда с целью расширения полосы пропус-
кания в качестве элемента связи применяется последовательная индуктив-
ность с инвертором (рис. 9.37 в).
При необходимости иметь полюса затухания отдельные резонаторы
соединяют небольшой компенсирующей емкостью С (рис. 9.38 а, б).

228
 а) б)
Рис. 9.38. Введение компенсирующей емкости

С помощью компенсирующей емкости можно получить не более

двух полюсов. Увеличение числа полюсов возможно только при каскад-
ном соединении нескольких МПФ. Одна из возможных схем МПФ с пере-
крывающимися емкостями и инверторами показана на рисунке 9.39, а час-
тотная характеристика затухания МПФ со средней частотой f0=8 МГц и
полосой пропускания 3 кГц представлена на рисунке 9.40,

Рис. 9.39. Схема МПФ с перекрывающимися емкостями и инверторами

Рис. 9.40. АЧХ фильтра

229
 10 ДЕТЕКТОРЫ
По функциональному назначению детекторы разделяются на три ос-
новные группы:
– амплитудные детекторы (АД) непрерывных AM сигналов и сигна-
лов с амплитудной манипуляцией;
– частотные детекторы (ЧД), где выходное напряжение соответствует
закону изменения частоты входного сигнала;
– фазовые детекторы (ФД), в которых разность фаз опорного и вы-
ходного колебания преобразуется в напряжение.
Существующие детекторы различаются по типу применяемых нели-
нейных элементов: диодные (полупроводниковые и ламповые), транзи-
сторные. Чаще всего для амплитудного детектирования используют полу-
проводниковые диоды. Простейшая схема последовательного диодного
детектора показана на рисунке 10.1. Последовательные детекторы, имею-
щие относительно высокое входное сопротивление, работают в режиме
линейного детектирования при входном напряжении 0,5–1 В.

Рис. 10.1.Схема последовательного детектора

Для устранения нелинейных искажений необходимо, чтобы скорость
изменения напряжения на нагрузке была не меньше скорости изменения
огибающей:
d d
[U exp(−1 (RH ⋅ C H )] ≥ U 0[1 + m ⋅ cos(Ωt + ϕi ] .
dt dt
Если положить коэффициент передачи детектора равным 1 и
( ( )) (
U СМ (0) = U (0) = U 0 1 + m cos ϕi , sin Ωt + ϕi = sin ϕi ,) ( )
то получим
( ( )) ( )
U 0 1+ m cos ϕi / СН RH ≥ m U 0 Ω sin ϕi ( )
Следовательно:
(m Ω sin (ϕi )) / (1+ m cos(ϕi )) ≤1/ (СH RH )
Максимум правой части определяется из условия:

( ( )) ( ( ))
 m Ω sin ϕ / 1 + m cos ϕ ′ = 0 ,
 i i 
230
откуда получим cos (ϕi ) = − m . Тогда Ω В RН C Н ≤ (1− m 2 ) m , где Ω B –
верхняя круговая частота модуляции.
Обычно глубина модуляции m < 0,7 на частоте Ω В . Тогда условие
безинерционности сводится к выполнению неравенства Ω В RН C Н < 1 . При
выборе следует учитывать нелинейную емкость диода C Д . Рекомендуется
C Н ≥ 10C Д . Кроме того, увеличение C Н способствует повышению устой-
чивости работы РПУ. Следует иметь в виду, что качественные характери-
стики диодного АД (коэффициент передачи, детекторная характеристика,
входное сопротивление, нелинейные искажения) зависят от номинального
значения разделительной емкости C Р . С одной стороны, емкость должна
быть большой, чтобы не вносить заметных частотных искажений на ниж-
них частотах спектра модулирующего сигнала. С другой стороны, на C Р
создается падение напряжения, действие которого подобно электродви-
жущей силе (ЭДС) E0 , такой же величины и полярности, включенной в
цепь диода так, что амплитудная характеристика видоизменяется
(рис. 10.2). Если амплитуда детектированного сигнала в момент времени,
когда она минимальна и равна U 0 (1− m) , окажется меньше E0 , т.е.
U 0 (1 − m) < E0 , то возникнут нелинейные искажения. Условие отсутствия
нелинейных искажений сводится к выполнению неравенства
U 0(1 − m) > U 0 cos(Θ) RH (R + RH ) ,
откуда
RH < R(1 − m) (cos(Θ) + m − 1) .
Данное неравенство должно выполняться при максимальной глубине
модуляции.

Рис. 10.2. Амплитудная характеристика АД

Если принять m = 0,8, cos (Θ) =1 , то RH < 0,25 R , где R – входное со-
противление следующего каскада.
231
 Уменьшение сопротивления RH ограничено уменьшением коэффи-
циента передачи и входного сопротивления детектора. Увеличить входное
сопротивление детектора и ослабить его влияние на предыдущие каскады
УПЧ можно, используя схему (рис. 10.3), где сопротивление нагрузки вы-
полняется в виде делителя R1 , R2 .

Рис. 10.3. Схема АД с увеличенным входным сопротивлением

В этом случае для уменьшения нелинейных искажений максималь-
ный коэффициент модуляции должен быть не больше
mКР = RВХ .УНЧ (R2 + RВХ .УНЧ ) .
Недостаток этой схемы – уменьшение коэффициента передачи детектора.
В некоторых случаях необходима развязка цепей по постоянному току. Тогда
применяется параллельная схема диодного амплитудного детектора (рис. 10.4).

Рис. 10.4. Параллельная схема диодного АД

Возможно построение детекторов на транзисторах. Так, в базовом
детекторе (рис. 10.5) используется нелинейность характеристики тока базы
(рабочая точка выбирается на изгибе ВАХ).

Рис. 10.5. Транзисторная схема АД

Постоянная времени RЭ СЭ выбирается так, чтобы конденсатор успе-
вал разряжаться при уменьшении амплитуды детектируемого сигнала.
Продетектированное и усиленное напряжение снимается с RН . Увеличе-
ние СЭ приводит к тому, что напряжение на нагрузке не будет изменяться
в процессе амплитудной модуляции. Детектирование в этом случае проис-
232
ходит из-за кривизны характеристики коллекторного тока. Продетектиро-
ванное напряжение получается на RН (коллекторный детектор). Исполь-
зование одновременно нелинейной характеристики как коллекторного, так
и базового токов позволяет построить коллекторно-базовый детектор.
В схеме эмиттерного детектора (рис. 10.6) детектирование осуществ-
ляется из-за нелинейности характеристики эмиттерного тока.

Рис. 10.6. Схема эмиттерного АД

Транзисторные детекторы применяются редко, так как усиление без
искажений требует линейности характеристик, а детектирование – нели-
нейности. Требования противоречивы, поэтому в основном находят при-
менение диодные детекторы или в интегральных микросхемах – транзи-
сторы в диодном включении: один электрод – эмиттер, другой – соединен-
ные вместе база и коллектор.
Существенное улучшение характеристик АД наблюдается при исполь-
зовании нелинейного элемента типа «идеальный диод», представляющего со-
бой усилитель (как правило, операционный), охваченный нелинейной обрат-
ной связью (рис. 10.7). Входной сигнал подается на инвертирующий вход ОУ.
При работе участка схемы R1VD1 нерабочая ветвь R2VD2 служит для
ограничения напряжения на выходе ОУ. Выходное напряжение, снимае-
мое с точки 1, равно:
KОС1U ВХ , приU ВХ ≥ 0,

 0, приU ВХ ≤ 0,
U ВЫХ 1 =  .
 R1
K
 ОС1 = .
 R3
Для точки 2 имеем:
 0, при U ВХ ≥ 0,

U ВЫХ 2 = KОС 2U ВХ , при U ВХ ≤ 0,
KОС 2 = R2 R3.

233
 Рис. 10.7. Схема АД на «идеальном диоде»
Входное сопротивление «идеального диода» равно R3 . При входном
сигнале 50–100 мВ амплитудный детектор на «идеальном диоде» можно
считать идеальным с коэффициентом передачи K Д = K ОС π , где K ОС –
коэффициент усиления ОУ с обратной связью. Максимальная амплитуда
входного сигнала равна:
U ВХ .MAX = U ВЫХ .MAX KОС ,
а максимальная амплитуда выходного сигнала на нагрузке:
U Н .ВЫХ .MAX = U ВЫХ .MAX π .
Здесь U ВЫХ .MAX – максимальная амплитуда выходного сигнала ис-
пользуемого ОУ. Входной сигнал может быть подан и на неинвертирущий
вход ОУ.
Интегральные схемы (ИС), применяемые в РПУ, могут содержать
как отдельные детекторы AM сигналов, так и некоторые другие узлы:
УПЧ, детекторы AM сигналов, усилитель АРУ (ИС типа К174ХА10.
К157ХА2) .
Частотное детектирование осуществляется либо непосредственно
(аналоговые и цифровые методы), либо косвенно. Непосредственное ана-
логовое детектирование ЧМ сигналов предусматривает преобразование
ЧМ колебаний в колебания с AM и с последующим амплитудным детекти-
рованием. Схемы ЧД детекторов этой группы отличаются принципом по-
строения преобразователя вида модуляции, а также способом включения
АД и реализуются в следующих видах:
– частотные детекторы с двумя связанными одинаково настроенными
контурами;
– частотные детекторы с расстроенными контурами;
– детекторы отношений.
Для проектирования ЧД используются различные ИС, содержащие
как отдельные ЧД, так и другие узлы РПУ (К174УРЗ, К174УР7, К174УР8,
К174УР11, К174ХА6, К174ХА10. К174ХА12, К174ХА26).
Принципиальная электрическая схема детектора ЧМ сигналов на ИС
К174УР7, которая содержит усилитель-ограничитель промежуточной час-
234
тоты ЧМ тракта, балансный ЧМ-детектор и предварительный усилитель
низкой частоты, приведена на рисунке 10.8.

Рис. 10.8. Принципиальная электрическая схема

детектора ЧМ сигналов
В детекторе отношений (рис. 10.9) выходное напряжение пропор-
ционально среднему уровню сигнала, а также отношению напряжений
U1 U 2 амплитудных детекторов.

Рис. 10.9. Схема детектора отношений

Нагрузка каждого из плеч детектора получается равной
0,5 R1 + RВХ .УНЧ (здесь RВХ .УНЧ – входное сопротивление усилителя низ-
кой частоты на выходе ЧД). Как правило, R3 и R4 достаточно малы, a
R1 = R2 .

235
 При L1 = L2 = 1 (ω ПР ⋅ C1 ) , C1 = C2 = 1 [ω ПР ⋅ R(d − d 0 )] , где d – затуха-
ние нагруженного контура; d 0 – затухание ненагруженного контура. Для
узкополосных систем d = 1,2 ⋅ d 0 . Детекторы отношения на ИС (например,
К2ДС242) обладают высокой степенью подавления амплитудной модуля-
ции при минимизации паразитной связи между катушками L2 , L3 и точном
выборе средней точки катушки L2 .

10.1 Цифровые частотные детекторы

При низких значениях промежуточной частоты (ниже 500 кГц) канал
приема ЧМ сигналов целесообразно строить с использованием цифровых
ЧД (рис. 10.10).

Рис. 10.10. Цифровой ЧД

Амплитудный ограничитель содержит компаратор K (например,
521CA3) и устройство формирования управляющих последовательностей,
состоящее из триггера Т и логических элементов ИЛИ, ИЛИ-НЕ.
Цифровой ЧД выполнен на основе двоичного N -разрядного счетчи-
ка CT и параллельного буферного регистра TT , к выходам которого под-
ключен цифроаналоговый преобразователь (ЦАП), преобразующий дво-
ичный цифровой код с выходов регистра TT в ступенчато-изменяющееся
напряжение. Опорный генератор ( Г ), с выхода которого импульсная по-
следовательность с частотой следования импульсов fT поступает на счет-
ный вход двоичного счетчика C , управляет работой счетчика CT . Прин-
цип работы цифрового ЧД заключается в следующем. Напряжение с час-
тотой f ПР подается на неинвертирующий вход компаратора K , с выхода
которого импульсы поступают на вход ждущего мультивибратора на триг-
гере T . Образующиеся противофазные напряжения на входах S1 и S 2
двоичного счетчика C 4 служат для запуска и остановки счетчика.

236
 Относительное изменение периода следования импульсов управ-
ляющей последовательности вычисляется в результате подсчета двоичным
счетчиком CT длительности периода на каждом временном интервале и
соответствует частоте модуляция принимаемого сигнала. При этом
t = 1 f ПР = t1 + t2 ,
где t1 и t 2 – длительность импульсов противоположной полярности на ин-
тервале t .
Время счета импульсов (начало счета соответствует появлению раз-
решающего сигнала на входе S1 , а конец счета и запись в регистр TT –
появлению запрещающего сигнала на входе S 2 ) определяется длительно-
стью t1 (t1 >> t2 ) . Для уменьшения погрешности восстановления исходного
сообщения необходимо выбрать t2 << 1 fT . На точность работы цифрового
ЧД влияют: число разрядов N в двоичном счетчике; число разрядов в бу-
ферном регистре N1 , которое определяется выбором ЦАП; частота управ-
ляющих импульсов опорного генератора fT .
Состояние счетчика CT зависит от времени счета t1 :
lСР = (t − t2) ⋅ fT = ( fT f ПР ) −1 = fT ∆f ПР .
В зависимости от ширины спектра принимаемого сигнала счетчик
будет находиться в максимальном и минимальном состояниях:
lMAX = fT /( f ПР − 0,5 ⋅∆fC ) ;
lMIN = fT /( f ПР + 0,5 ⋅∆fC ) ;
lMIN ≤ lCР ≤ lMAX .
Минимальному состоянию lMIN соответствует минимальное напря-
жение U MIN , а lMAX − U MAX .
Для представления модулирующей функции в пределах
0 ≤ U ≤ UЧМ = U MAX − U MIN необходимо применение вычитающего счетчи-
ка, который после остановки начинает счет с числа lMAX . Тогда состояние
счетчика будет изменяться в пределах
l ≤ lСР ≤ lMAX − lMIN .
Динамический диапазон цифрового ЧД определяется выражением [11]
( ) (
ДД = 20lg U MAX /U MIN = 20lg lMAX − lMIN = )
(
= 20lg  fT / 1/  f ПР − 0,5∆fC  −1/  f ПР + 0,5∆fC  
 )
и зависит от минимально возможного уровня сигнала, при котором начи-
нает работать компаратор K .
Восстановление непрерывного аналогового модулирующего сигнала
осуществляется ФНЧ, который подключается к выходу ЦАП.
237
10.2 Фазовые детекторы
Для детектирования фазомодулированных и фазоманипулированных
сигналов в РПУ применяются фазовые детекторы (ФД), которые по спосо-
бу построения можно разделить на два типа: балансные ФД и ФД на осно-
ве дифференциальных каскадов. Как те, так и другие могут быть реализо-
ваны на интегральных схемах. Так, на рисунке 10.11 приведена принципи-
альная электрическая схема ФД, работающего в диапазоне до 12 МГц на
ИС типа К118УД1В, где переменный резистор R3 служит для установки
нулевого уровня напряжения на выходах ИС.
Для детектирования сигналов на частотах до 100 МГц целесообразно
использовать гибридные ИС (например, 435ХА1). Высокие динамические
характеристики имеют ФД, построенные на ИС типа 140МА1.

Рис. 10.11. Принципиальная электрическая схема ФД

При приеме сигналов с узкополосной ЧМ, как правило, используются

ЧД на основе систем фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). От чувст-
вительности ЧД зависит коэффициент передачи ТПИ и ТОИ, поэтому при
проектировании малогабаритных РПУ целесообразно в качестве ЧД ис-
пользовать аналоговые системы ФАПЧ, которые могут работать при дос-
таточно малых амплитудах входного сигнала. Необходимо отметить, что в
современных РПУ ЧД строятся по дифференциальной и дробной схемам.
В высококачественных радиовещательных РПУ применяют дифференци-
альный детектор, так как он обладает меньшими нелинейными искаже-
ниями, но требует применения перед ним ограничителя амплитуды. В РПУ
среднего класса используют обычно дробный детектор, который не требу-
ет применения ограничителя амплитуды, что значительно упрощает схему.
Кроме того, указанные детекторы имеют низкий коэффициент передачи
(порядка 0,015 для дифференциального и 0,0045 для дробного), а это тре-
бует усиливать напряжение f ПЧ до 0,3–0,5 В. Для ЧД с ФАПЧ на основе
238
цифровых ИС (К564ГГ1, К531ГГ1) также требуется достаточно большая
амплитуда входного сигнала (порядка 1 В).
Наиболее важным узлом ЧД с аналоговой системой ФАПЧ является
ФД, чувствительность которого и определяет минимальное входное на-
пряжение ЧД. Оценим параметры ФД на основе аналогового перемножи-
теля (АП) типа К526ПС1, имеющего следующие характеристики:
- коэффициент подавления управляющего сигнала по входу – 8 дБ;
- коэффициент подавления опорного сигнала – 65 дБ;
- верхняя граничная частота – 40 МГц;
- входное сопротивление – 50 кОм;
- крутизна преобразования – 5 мА/В;
- номинальное напряжение питания – 6 В.
Рассчитаем амплитуду колебания выходного напряжения на одном
из выходов микросхемы при подаче на сигнальный вход ЧМ сигнала с час-
тотой f 0 = 465 кГц и девиацией ∆f = 2,5 кГц . Максимальная разность час-
тот на сигнальном и гетеродинном входах равна f . Тогда максимальная
разность фаз между входными колебаниями равна:
( ( ))
∆ϕ MAX = 2π f − f0 / f0 + f = 0,0107π .
Используя выражения для расчета ПрЧ на АП, рассчитаем выходное
напряжение ФД. Для случая U C < 4U T при U C = 10 мВ :
UФД = U C I 0 RH (sinϕ ) / (π U ) = 3,41мВ
и при U C = 100 мВ − U ФД = 34,1мВ . Для случая U C >U T при U C = 100 мВ
выходное напряжение ФД определится по формуле
UФД = 2 I 0 RH sinϕ / π ,
где I 0 = 2U T , S ПР = 0,817 мА . Тогда при RH = 1 кОм U ФД = 17,48 мВ .
Для работы системы ФАПЧ на элемент управления генератора опор-
ных колебаний в данном случае требуется подавать напряжение порядка
150 мВ. С этой целью на выходе ФД устанавливается усилитель постоян-
ного тока с коэффициентом передачи 10.
Таким образом, при изменении входного напряжения ЧД с ФАПЧ и
ФД на АП от 10 до 100 мВ выходное напряжение ФД изменяется от 34 до
340 мВ, а при дальнейшем увеличении U ВХ стабилизируется на уровне
175 мВ (рис. 10.12). Практически резкий скачок выходного напряжения
ФД отсутствует (пунктирной линией на рисунке 10.12 показана экспери-
ментальная кривая). Расчетные и экспериментальные данные показывают,
что применение ЧД с ФАПЧ для демодуляции узкополосных ЧМ сигналов
позволяет на два порядка снизить коэффициенты передачи ТПИ и ТОИ, а
это в свою очередь дает возможность существенно упростить схемотехни-

239
ческое построение последних. Кроме того, ЧД с ФАПЧ обладает избира-
тельностью, эквивалентной избирательности двухконтурного LC -фильтра.

Рис. 10.12. Амплитудная характеристика ФД

Все фазовые детекторы представляют собой когерентные устройства,

строятся с использованием перемножителей частоты и требуют обязатель-
ного опорного напряжения. Основные требования, предъявляемые к фазо-
вым детекторам (ФД):
– высокая крутизна статической детекторной характеристики (нор-
мированной):
U 
d  ВЫХ 
 U ВХ ,
SФД =
dϕ (t )
– требуемая линейность нормированной статической детекторной
характеристики:
U ВЫХ
= Φ ϕ (t ) .
U ВХ
Данные требования должны обязательно выполняться для устройств
с фазомодулированным и фазоманипулируемыми сигналами.
Широкое применение на практике находят балансные ФД
(рис. 10.13), на входы которого подаются два напряжения:
– опорное напряжение от гетеродина:
(
U ОП = U mГ sin ω Г t , )
– с выхода усилителя промежуточной частоты, промодулированное
по фазе:
U ВХ = U mГ sin ω ПР t + ϕ (t ) .

240
 Частоты гетеродина и усилителя промежуточной частоты должны
быть равны
ω Г = ω ПР = ω ,
а ϕ (t ) изменяется по закону модулирующего напряжения, что приводит к
изменению во времени разности фаз сравниваемых напряжений.

Рис. 10.13. Схема балансного ФД

Одной из особенностей балансных фазовых детекторов является то,

чтоодно из напряжений подается на диоды в фазе, другое в противофазе.
Так как балансные схемы симметричны, то не имеет значения на какой вход
подавать опорное напряжение. В данном случае (рис. 10.13) опорное на-
пряжение подается на диоды в противофазе, а напряжение с УПЧ – в фазе.
Модули результирующих напряжений на диодах D1 и D2 соответст-
венно равны:
2
U I = U тГ 2
+ U тВХ + 2U тГ ⋅U тВХ cosϕ (t ) ,
2
U II = U тГ 2
+ U тВХ − 2U тГ ⋅U тВХ cosϕ (t ) .
Постоянные напряжения на нагрузках детекторов действуют встреч-
но и при K Д 1 = K Д 2 = K Д :
U ВЫХ = U I −U II K Д .
При различных амплитудах сигналов (U mГ <<U mВХ , U mГ >>U mВХ )
выходное напряжение пропорционально амплитуде меньшего из двух на-
пряжений, а его зависимость от фазового сдвига имеет вид косинусоиды.
Например, при (U mГ >>U mВХ ) :
U mВЫХ ≈ 2 U mВХ К Д cosϕ (t ) .

241
 Крутизна нормированных статических детекторных характеристик
балансных детекторов зависит от соотношения амплитуд (рис. 10.14):
U mВХ
h= .
U mГ

Рис. 10.14. Семейство статических детекторных характеристик

1. Выходное напряжение максимально при ϕ (t ) = nπ , где n = 0, 1, 2, …

2. Максимально возможный коэффициент передачи балансного ФД по-
лучается при ϕ = 0 и равен при U mВХ <<U mГ
dU mВЫХ 
KФД MAX =   = 2K Д .
 dU m ВХ ϕ =0
3. При U mВХ = U mГ в пределах разности фаз от 30º до 150º амплитудно-
фазовая характеристика с точностью 2% линейна.
4. В случае отсутствия модуляции напряжения U mГ и U mВХ должны
отличаться по фазе на 90º, а допустимое изменение фазы не должно
превышать ±90º .
5. Для линейного детектирования максимальная девиация фазы не
должна превышать ±60º, При среднем значении изменения фазы
КФД ≈ 0,6 К Д .
6. При работе ФД с полупроводниковыми диодами для обеспечения
линейного детектирования входное напряжение должно быть
U mВХ ≥ 0,5В .
Существуют различные схемы балансных фазовых детекторов: с сим-
метричным выходом (рис. 10.15 а) и со встречным включением диодов
(рис. 10.15 б).

242
 Балансный фазовый детектор на схеме (рис. 10.15 а) симметричен по
входу относительно корпуса. При одинаковых параметрах плеч напряже-
ние на входе в два раза меньше, чем в схеме (рис. 10.13). Здесь
10
R1 = R2 = R ; RiД << R << RОБР . Обычно R = 10 − 20 кОм ; C1 = C2 = C ≥ .
f ⋅R
R 1− cosϕ + 1+ cosϕ
RВХ 2−2 = ;
2
4 ⋅ 2 ⋅ mТр sinϕ
1
R 1− cosϕ + 1+ cosϕ
RВХ 1−1 = .
2
2 ⋅ 2 ⋅ mТр sinϕ
2

а) б)
Рис. 10.15. Схемы балансных фазовых детекторов:
а) симметричный выход
б) встречное включение диодов

Балансный фазовый детектор по схеме (рис. 10.15 б) работает в ши-

роком диапазоне сдвига фаз только при определенных условиях:
U U
0 < 2 < 0,3 или 0,8 ≤ 2 ≤ 1 .
U1 U1
Если предъявляются жесткие требования к фильтрации комбинацион-
ных частот, то применяется кольцевой ФД (рис. 10.16), который получается
соединением двух балансных ФД, работающих на общую нагрузку. Один
балансный ФД образован диодами D1 и D2 , а другой – диодами D3 , D4 .
При прочих равных условиях напряжение кольцевого ФД примерно в
два раза меньше, чем у балансного.
В кольцевом ФД благодаря дополнительным диодам компенсируют-
ся четные гармоники входных сигналов, что повышает линейность.
К недостаткам как балансных, так и кольцевых ФД следует отнести
малый коэффициент передачи и малое входное сопротивление, которое в
сильной степени зависит от величины нагрузки и ее симметрии.

243
 Рис. 10.16. Схема кольцевого ФД
Широкое применение находят симметричные ФД с усилительными
приборами, работающими в ключевом режиме (рис. 10.17). По этой при-
чине такие ФД называются ключевыми.

Рис. 10.17. Схема ключевого ФД

В общем случае ключевые ФД могут быть как с симметричными, так

и с несимметричными входами.
В симметричных ФД (рис. 10.18) входное напряжение детектируемого
сигнала подводится на управляющие электроды усилительных приборов в
противофазе. Частота запирания и отпирания (коммутации) усилительных
приборов (в данном случае полевых транзисторов) должна совпадать с час-
тотой входного сигнала. Коммутирующее (опорное) напряжение с частотой
принимаемого сигнала подается на стоки полевых транзисторов в фазе.
В схеме симметричного ключевого ФД с нагрузками в цепи стоков
(рис. 10.18) нагрузочные RC цепочки включаются в цепи стока. При этом
постоянная времени этих цепей выбирается большой RC >>2π / ω .

244
 Рис. 10.18. Схема симметричного ключевого ФД
Амплитуда коммутирующего напряжения выбирается достаточно
большой для того, чтобы в один из полупериодов этого напряжения уси-
лительный прибор был открытым.
Принцип работы ключевого ФД объясняется временными диаграм-
мами, приведенными на рисунке 10.19.

Рис. 10.19. Временные диаграммы работы ключевого детектора

Если входной сигнал отсутствует, то при полной симметрии плеч ФД

выходное напряжение равно нулю, так как постоянные составляющие то-
ков обоих транзисторов равны I ОС1 = I ОС 2 . При подаче входного напряже-
ния выходные токи получают приращения ∆iC1 и ∆iC 2 противоположных
знаков. Абсолютная величина этих приращений зависит от сдвига фаз ме-
жду входным напряжением и первой гармоникой опорного сигнала. При-

245
ращения токов ∆iC1 и ∆iC 2 будут только при угле сдвига, не равном π / 2 .
Выходное напряжение
( )
U ВЫХ = R ∆iC1 − −∆iC 2 
 
изменяется в зависимости от времени фазового сдвига: при
ϕ (t ) = π / 2 U ВЫХ = 0 ; при ϕ (t ) = 0 U ВЫХ – максимально.
В фазовых детекторах с нагрузкой в цепи истока (рис. 10.18)
2 S ⋅ RИ
U ВЫХ = ⋅ U cosϕ (t ) = KФД ⋅U m1 cosϕ (t ) .
π RИ m1
1+
Ri
Коэффициент передачи данного ФД меньше 1, так же, как и у исто-
кового повторителя.
Если нагрузочные сопротивления включены в цепь стоков
(рис. 10.18), то
2
U ВЫХ = ⋅ S ⋅ Rc ⋅U m1 cosϕ (t ) = KФД ⋅U m1 ⋅ cosϕ (t ) .
π
Здесь КФД >1 .
Полученные выражения справедливы при работе усилительных эле-
ментов в линейном режиме. Несимметрия плеч ФД приводит к появлению
на выходе постоянного напряжения, величина которого зависит от ста-
бильности режима.
Нестабильность постоянных напряжений на затворе и стоке может
привести к изменению выходного напряжения, соизмеримому с измене-
ниями за счет отклонения фазы ϕ (t ) .
Основное преимущество ключевых ФД заключается в простоте их
выполнения по технологии интегральных схем. Недостаток связан с дрей-
фом нуля, поэтому требуется тщательная балансировка плеч с помощью
переменных сопротивлений.

246
 Контрольные вопросы

1. Какой детектор и почему называется квадратичным и какой линей-

ным?
2. Какая разница между характеристикой детектора и детекторной ха-
рактеристикой?
3. Почему квадратичное детектирование не находит применения в
связных и радиовещательных РПУ.
4. Что следует предпринять, чтобы детектирование было линейным, а
не квадратичным?
5. Какая разница между режимом детектирования и режимом вы-
прямления?
6. Изобразить схемы диодного детектора, собранного по последова-
тельной и параллельной схеме. Объяснить принципы работы схем и
назначение элементов этих схем. Какая схема лучше и почему?
Всегда ли можно применять схему последовательного детектора?
7. Из каких соображений выбирают величину сопротивления нагрузки
детектора и емкость конденсатора, шунтирующего это сопротивле-
ние.
8. В чем проявляется влияние емкости диода?
9. Что является причиной нелинейных искажений при детектирова-
нии?
10. С какой целью используется делитель сопротивлений нагрузки?
11. Отчего зависит входное сопротивление детектора?
12. Нарисовать схему простейшего частотного детектора.
13. Объяснить принципы работы частотного детектора на двух связан-
ных одинаково настроенных контурах.
14. Объяснить работу дробного детектора. Почему он так называется?
15. Принцип работы амплитудно-счетного частотного детектора. Нари-
совать схему.
16. Нарисовать возможные схемы транзисторных амплитудных детек-
торов, объяснить принцип их работы.
17. Принцип работы фазовых детекторов. Возможные схемы.

247
 11 МИНИАТЮРНЫЕ ЭКОНОМИЧНЫЕ ПРИЕМНИКИ
При проектировании портативных и дешёвых бытовых РПУ невысо-
кого класса имеет смысл использовать современные микросхемы различ-
ных зарубежных производителей типа TDA7000, TDA7021, TDA7088t, а
также отечественные КС1066ХА1, К174ХА42, К174ХА34, представляю-
щие собой супергетеродинный однокристальный приёмник с одним пре-
образованием частоты и очень низким значением промежуточной частоты
( f ПЧ ≈ 70 кГц ). Такое схемотехническое решение позволяет: отказаться от
катушек индуктивности в тракте промежуточной частоты за счет исполь-
зования активных RC -фильтров; получить большое усиление при доста-
точной стабильности; повысить экономичность по питанию.
Рассмотрим принципиальную схему миниатюрного ЧМ приемника,
практически не требующего настройки и регулировки после сборки, вы-
полненного на базе микросхемы КС1066ХА1 (ТDA7000) (рис. 11.1).

Рис. 11.1. Принципиальная схема ЧМ приемника

Сигнал, принятый антенной A , выделяется входным контуром

L1C1C2 и поступает на балансный смеситель микросхемы CM 1 .
Для приема сигналов в диапазоне 88–108МГц индуктивность катуш-
ки L1 должна составлять 130 нГн. Конденсатор C3 блокировочный. На-
пряжение смещения (+1,4 В) подается на транзисторы балансного смеси-
теля через встроенные резисторы сопротивлением 700 Ом от внутреннего
стабилизатора микросхемы (на рисунке 11.1 не показан). Эти же резисто-
ры шунтируют входной контур, понижая его добротность, для перекрытия
частотного диапазона.
248
 На другой вход смесителя CM 1 подается сигнал гетеродина Г1 , час-
тота которого отличается от частоты входного сигнала на величину ПЧ
(около 70 кГц). Контур гетеродина образован внешней катушкой L2 (ин-
дуктивностью 50 нГн) и конденсаторами C4, C5 . По диапазону гетеродин
перестраивается конденсатором C5 . Его максимальная емкость не должна
превышать 20–25 пФ. При большей емкости последовательно с этим кон-
денсатором следует включить дополнительный «растягивающий» конден-
сатор, снижающий суммарную емкость до указанных пределов. В контур
гетеродина входят также два встроенных варикапа, изменяющих в неболь-
ших пределах частоту гетеродина по сигналу, поступающему на них с вы-
хода ЧМ детектора. Таким образом, реализуется АПЧ и отрицательная об-
ратная связь по частоте (ОСЧ). При желании вместо конденсатора C5 для
настройки приемника можно применить и внешние варикапы.
Главный недостаток приемников с низкой ПЧ – наличие зеркального
канала приема, который из-за близости по частоте к основному не может
быть подавлен входными контурами. В диапазонах 65,8–74 МГц и 97–
108 МГц необходимо выдерживать довольно большие интервалы частот
между радиостанциями (300–500 кГц). Тогда при ПЧ, равной 70 кГц, и при
настройке основного канала на частоту радиостанции зеркальный канал, от-
стоящий от основного на 140 кГц, попадает как раз в промежуток между
частотами радиостанций и помехи от них в этом канале не наблюдаются.
Однако шум, индустриальные и им подобные помехи принимаются по зер-
кальному каналу так же, как и по основному, и с этим недостатком прием-
ников с низкой ПЧ, к сожалению, приходится мириться.
Сигнал ПЧ с выхода смесителя выделяется тремя разными фильтрами.
Первый из них представляет активный ФНЧ второго порядка со спадом
АЧХ 12 дБ на октаву при повышении частоты относительно частоты среза
f C = 94 кГц .
Второй фильтр – активный полосовой первого порядка, выполнен-
ный на усилителе А2. Нижняя граничная частота полосы пропускания
фильтра 10,3 кГц определяется встроенным резистором сопротивлением
4,7 кОм и внешним конденсатором C10 , а верхняя 103 кГц – вторым встро-
енным резистором сопротивлением 4,7 кОм и внешним конденсатором C9 .
Третий фильтр представляет пассивный ФНЧ, образованный внутренним
резистором сопротивлением 12 кОм и внешним конденсатором C11 . Его
частота среза выбрана равной 88,4 кГц. АЧХ пассивного фильтра имеет
плавный спад вблизи частоты его среза, который компенсирует подъем
АЧХ первого фильтра. Суммарная АЧХ всех трех фильтров имеет вид
кривой с плоской вершиной и достаточно крутым спадом.

249
 Основное усиление обеспечивается усилителем A2 и усилителем-
ограничителем A3 тракта ПЧ. Подключенный к усилителю A3 конденсатор
C12 выполняет функции блокировочного. Общее усиление микросхемы по-
зволяет получить предельную чувствительность приемника около 1,5 мкВ.
Ограничение сигнала в тракте ПЧ начинается при уровне входного сигнала
2–3 мкВ, при этом выходной сигнал остается неизменным до уровня 200 мВ.
Усиленный и ограниченный сигнал ПЧ поступает на ЧМ демодуля-
тор. Обычно в ЧМ приемниках с низкой ПЧ используют счетный детектор,
выходное напряжение которого пропорционально частоте импульсов по-
стоянной амплитуды и длительности, сформированных из сигнала ПЧ. Та-
кие детекторы обладают высокой линейностью, но их выходное напряже-
ние однополярно, что не позволяет построить эффективную систему АПЧ.
В данной микросхеме используется встроенный генератор шума Г 2 ,
который имитирует шум эфира и подключается к тракту звуковой частоты
(ЗЧ), когда устройство бесшумной настройки (БШН) отключает от него
выход демодулятора. Громкость шума регулируется подбором емкости
подключенного к выводу 3 микросхемы конденсатора C16 .
Другой проблемой, которую приходится решать в ЧМ приемниках с
низкой ПЧ, являются искажения сигнала из-за фазочастотной нелинейно-
сти тракта ПЧ, особенно проявляющейся при относительно большой де-
виации частоты. Действительно, девиация ±75 кГц, принятая в «верхнем»
диапазоне УКВ вещания, при значении ПЧ около 70 кГц представляется
чрезмерной. Уменьшение искажений при одновременном устранении зер-
кальной настройки достигается введением отрицательной обратной связи
по частоте (ОСЧ), «размодулирующей» сигнал и уменьшающей девиацию
частоты в тракте ПЧ.
В цепь ОСЧ входит фильтр, образованный встроенным резистором
13,6 кОм и внешним конденсатором C15 , усилитель-ограничитель A9 и ва-
рикапы, включенные в контур гетеродина. Если приемник настроен точно
на основной канал (рис. 11.2) и частота сигнала вследствие модуляции
увеличилась, на выходе демодулятора появляется отрицательное напряже-
ние, которое, воздействуя на варикапы, увеличивает также частоту гетеро-
дина, в результате чего остаточное отклонение частоты в тракте ПЧ
уменьшается с 75 (максимальное значение) до 15 кГц, тем самым реализу-
ется рекомендованный коэффициент «размодуляции», равный 5. Коэффи-
циент нелинейных искажений демодулированного звукового сигнала по
третьей гармонике в результате действия ОСЧ не превосходит 0,7 % при
стандартизованной для измерений девиации частоты ±22,5 кГц и возраста-
ет до 2,3 % при полной девиации ±75 кГц. Одновременно с «размодуляци-
ей» сигнала реализуется и автоматическая подстройка частоты (АПЧ) ге-
теродина: при неточной настройке цепь ОСЧ частично компенсирует рас-
250
стройку, улучшая прием. Полоса удержания АПЧ определяется усилите-
лем-ограничителем A9 и составляет несколько сотен килогерц.
В данных микросхемах применен ЧМ модулятор, состоящий из ак-
тивного фазовращателя A4 с внешним конденсатором C13 и перемножите-
ля CM 2 . Фазовращатель имеет единичное усиление. Его фазовый сдвиг
равен 0o на низких частотах, 90o на частоте 70 кГц и при дальнейшем уве-
личении частоты приближается к 180o . Сигналы с входа и выхода фазов-
ращателя подаются на перемножитель CM 2 . При номинальном значении
ПЧ модуляция отсутствует и выходное напряжение перемножителя, а сле-
довательно, и всего демодулятора равно нулю, поскольку входные сигна-
лы перемножителя квадратурны.

Рис. 11.2. Принцип работы демодулятора и устройства БШН

При модуляции, когда частота сигнала становится меньше ПЧ, сдвиг
фаз уменьшается, входные сигналы приближаются к синфазным и на вы-
ходе появляется положительное демодулированное напряжение. При час-
тоте сигнала выше ПЧ сдвиг фаз увеличивается, входные сигналы при-
ближаются к противофазным и выходное напряжение становится отрица-
тельным. Таким образом, формируется типичная для ЧМ детекторов
S -образная дискриминационная характеристика. Используемый квадра-
турный демодулятор с RC -фазовращателем имеет неплохую линейность и
стабильный «нуль» дискриминационной кривой, частота которого опреде-
ляется емкостью внешнего конденсатора C13 .

251
 С выхода демодулятора через буферные усилители A6 − A8 и ключевое
устройство бесшумной настройки (БШН) CM 4 звуковой сигнал подается на
выход микросхемы (вывод 2). Внутренний выходной транзистор тракта ЗЧ
микросхемы работает в режиме генератора тока, поэтому во избежание ис-
кажений внешнее сопротивление его нагрузки R2 должно быть меньше
22 кОм. Цепь R2 C18 корректирует предыскажения, вводимые в ЧМ сигнал
при передаче. Ее постоянная времени должна составлять 50 мкс при приеме
в диапазоне 65,8–74 МГц и 75 мкс при приеме в диапазоне 88–108 МГц.
Оригинально решена в приемнике система подавления шумов и лож-
ных настроек (БШН). В нее входят фазовращатель, собранный на усилите-
ле A5 с соответствующими встроенными резисторами и внешним конден-
сатором C14 , и перемножитель CM 3 . На последний подаются сигналы с
входа и выхода цепи фазовращателей A4 , A5 . При номинальном значении
ПЧ общий фазовый сдвиг составляет 2 ⋅ 90o =180o , сигналы на входах пе-
ремножителя CM 3 противофазны, а его выходное напряжение отрица-
тельно и максимально. Ключевое устройство CM 4 при этом открывает
тракт ЗЧ. При отклонении ПЧ вниз или вверх от номинального значения
фазовый сдвиг на входах перемножителя CM 3 приближается к 90o или
180o (сигналы становятся квадратурными), выходное напряжение корре-
лятора (так называется данное устройство в соответствии с принципом его
работы) стремится к нулю и тракт ЗЧ закрывается. При еще больших рас-
стройках выходное напряжение коррелятора становится положительным,
но тракт ЗЧ будет по-прежнему закрыт.
Принцип работы демодулятора и устройства БШН показан на рисун-
ке 11.2, где в зависимости от расстройки частот сигнала и гетеродина
∆f = fС − f Г представлены:
а – выходное напряжение ЧМ демодулятора CM 2 ;
б – выходное напряжение коррелятора CM 3 ;
в – напряжение на входе ключевого устройства CM 4 ;
г – результирующая дискриминационная кривая при перестройке
приемника.
Если на частотах основной настройки ( f1... f 2 ) действует отрицатель-
ная ОСЧ, то на частотах зеркальной настройки ( − f1... − f 2 ) направление на-
клона дискриминационной кривой меняется и отрицательная ОСЧ пре-
вращается в положительную (рис. 11.2). В итоге приемник будет не
«удерживать» частоту станции, а как бы «сталкиваться» с нее. Таким обра-
зом, при плавной перестройке гетеродин приемника будет захватываться
на частотах основной настройки и «перепрыгивать» частоты зеркальной
настройки, не задерживаясь на них. В результате устраняется возможность
зеркальной настройки на радиостанции.
252
 Из рисунка 11.2 видно, что настройка по частоте на краях и в центре
дискриминационной кривой полностью подавлена. При отсутствии полез-
ного сигнала на выходе тракта ПЧ можно наблюдать только случайные
шумовые сигналы, поступающие на вход перемножителя CM 3 . Но по-
скольку эти сигналы некоррелированы (не совпадают ни в фазе, ни в про-
тивофазе), выходное напряжение перемножителя CM 3 будет близко к ну-
лю и тракт ЗЧ окажется закрытым. Устройство БШН отключается током,
поступающим не вывод 1 микросхемы от источника питания через замк-
нутые контакты выключателя B1 и внешний резистор R1 . Внешний кон-
денсатор C17 задает постоянную времени срабатывания системы БШН. К
выводу 1 можно подключить и индикатор настройки (рис. 11.3), в качестве
которого можно использовать любой маломощный транзистор структуры
p-n-p и любой светодиод.

Рис. 11.3. Схема индикатора точной настройки

На рисунке 11.4 приведены графики зависимости частоты гетеродина

от частоты сигнала при работающей цепи ОСЧ. Начало координат соот-
ветствует частотам точной настройки по основному каналу и номинально-
му значению ПЧ 70 кГц. При небольших расстройках сигнал удерживается
в пределах линейного участка дискриминационной кривой (1-2), когда
тракт ЗЧ приемника открыт системой БШН (заштрихованная часть). При
выходе за пределы допустимых расстроек ( − f 2 ... f 2 ) тракт ЗЧ закрывается,
но ОСЧ еще в некоторых пределах удерживает сигнал. Срыв слежения за
частотой происходит в точках 3 и 4. Однако никаких щелчков при этом не
слышно, поскольку тракт ЗЧ закрыт системой БШН. Захват сигнала при
подходе к частоте правильной настройки снизу несколько затруднен: сна-
чала частота гетеродина как бы «сталкивается» вверх (точка 5) из-за дейст-
вия положительной ОСЧ на частотах зеркального канала, а затем скачком
изменяется, попадая сразу чуть ли не на середину линейного участка 1-2.
Захват же при подходе к частоте правильной настройки сверху (точка 6)
происходит без всяких сложностей. В результате полосы захвата и удержа-
ния оказываются несколько смещенными относительно друг друга, что,
впрочем, не влияет на качество воспроизведения. При конструировании ап-
паратуры с использованием данных микросхем следует обращать внимание
на правильный выбор емкостей внешних конденсаторов контура гетероди-
на. Так, коэффициент «размодуляции», равный 5, достигается только при
253
полной емкости контура (включая емкость встроенных варикапов) около
50 пФ. Если емкости внешних конденсаторов слишком велики, коэффици-
ент «размодуляции» снизится, возрастут искажения и, возможно, будет на-
блюдаться неполное подавление боковых настроек. При недостаточной ем-
кости полоса удержания расширяется и настройка на близко расположен-
ные по частоте станции может оказаться затрудненной или даже невозмож-
ной – приемник будет удерживать только сильнейший из двух сигналов.

Рис. 11.4. Графики зависимости f Г от f С

Работу ЧМ приемника наиболее полно характеризуют кривые уровней

выходного сигнала и шума в зависимости от уровня входного ЧМ сигнала, сня-
тые при стандартной девиации ±22,5 кГц на частоте сигнала 96 МГц (рис. 11.5).
Кривые 1 снимались при включенной системе БШН, кривые 2 – при отключен-
ной. Здесь же приведена и кривая зависимости коэффициента нелинейных ис-
кажений по третьей гармонике, снятая при полной девиации частоты ±75 кГц.
Из рисунка 11.5 видно, что отношение сигнал/шум на выходе приемника дос-
тигает 55 дБ в диапазоне входных сигналов от 100 мкВ до 100 мВ.

Рис. 11.5. Характеристики ЧМ приемника

Предельно допустимое в радиовещании отношение сигнал/шум 20 дБ
получается при входном сигнале 3 мкВ с выключенным устройством БШН
и при 4,5 мкВ – с включенным. Последние цифры характеризуют чувстви-
тельность микросхемы, полученную при подаче сигнала от ГСС через ре-
254
зистор сопротивлением 75 Ом и разделительный конденсатор емкостью
220 пФ непосредственно на вывод 13 микросхемы (без входного контура).
Согласованный и настроенный входной контур еще несколько увеличива-
ет чувствительность.
Использование данных микросхем в Hi-Fi аппаратуре затруднено,
тем более что есть и еще один принципиальный недостаток приемников с
низкой ПЧ: спектры ЧМ сигнала, особенно стерео, и звуковых частот
очень близки, поэтому в таких приемниках возможны интермодуляцион-
ные искажения.
Тем не менее, применение подобных микросхем (например,
КС1066ХА1) возможно в аппаратуре профессиональной и гражданской ра-
диосвязи с узкополосной ЧМ. Смеситель и гетеродин могут работать в диа-
пазоне частот от 1,5 до 110 МГц, что позволяет собрать на микросхеме ге-
теродин на фиксированную частоту (например, 10,7 МГц), но работа ОСЧ
при этом невозможна. Шумовой генератор также оказывается ненужным.
Значение второй ПЧ, образующейся в микросхеме, понижается до 45 кГц, а
полоса пропускания сужается до 5 кГц. Включение микросхемы при таком
ее использовании показано на рисунке 11.6.

Рис. 11.6.
Здесь же приведены новые значения емкостей активных фильтров и
фазовращателей, причем сохранена нумерация элементов первоисточника.
При выборе иных значений ПЧ следует руководствоваться правилом: при
изменении ПЧ в N раз емкости конденсаторов C7 , C8 , C10 , C11 , C12 , C17 и
C18 умножаются на 1 N . Зеркальный канал, отстоящий от основного на уд-
военное значение второй ПЧ, должен, очевидно, подавляться кварцевым
фильтром первой ПЧ, включенным на входе микросхемы.
255
 12 РЕГУЛИРОВКА В РАДИОПРИЁМНЫХ УСТРОЙСТВАХ
Изменения условий работы радиоприёмных устройств приводят к
следующим последствиям:
- различаются уровни радиосигналов, принимаемых от источников;
- из-за изменения условий распространения радиоволн возможна не-
стабильность уровня сигнала, излучаемого передатчиком;
- нестабильность передатчика и эффект Доплера вызывают измене-
ние частоты радиосигнала;
- возможно изменение частоты радиосигнала в тракте промежуточной
частоты из-за нестабильности частоты гетеродина в преобразователе частоты.
По этим причинам необходима регулировка отдельных узлов РПУ
для обеспечения оптимального режима приёма.
Все регулировки (настройка РПУ, регулировка усиления и полосы
пропускания) могут выполняться вручную или автоматически.
Ручная регулировка основана на применении электромеханических
устройств. Так, например, настройка РПУ на заданную частоту до недавне-
го времени осуществлялась главным образом переключением катушек ин-
дуктивности с помощью контактного переключателя поддиапазонов и
плавной подстройкой конденсатора переменной ёмкости. Замена конденса-
торов переменной ёмкости варакторами для плавной перестройки привела к
использованию контактных потенциометров, с помощью которых осущест-
вляется изменение управляющего напряжения. Применение электромеха-
нических устройств для дистанционного или автоматического управления
требует соответствующих двигателей, которые усложняют конструкцию и
снижают надёжность. Поэтому введение дистанционного и автоматическо-
го управления предусматривает переход к чисто электронным устройствам.
Профессиональные РПУ выполняются, как правило, универсальными,
что позволяет принимать как непрерывные, так и дискретные сигналы. Так
как необходимая для нормального воспроизведения сигналов полоса пропус-
кания РПУ определяется видом модуляции, то при переходе от одного вида
модуляции к другому требуется изменить полосу пропускания так, чтобы
обеспечить малую шумовую полосу и высокую избирательность приёмника.
В радиовещательных РПУ также полезно регулировать полосу пропус-
кания: при большой напряжённости поля сигнала в точке приёма помехи ме-
нее опасны и полосу пропускания можно расширить, улучшая тем самым ка-
чество воспроизведения; при малой напряжённости полезного сигнала для
ослабления влияния помехи целесообразно полосу пропускания РПУ сузить.
Регулировка полосы пропускания возможна, например, за счёт изменения
параметра связи A = Q ⋅ KСВ в двухконтурных полосовых фильтрах или пере-
стройки ёмкости конденсатора связи в многоконтурных фильтрах.
256
 Устройства автоматической регулировки полосы пропускания осо-
бенно эффективны при использовании управляемых варикапов и сопро-
тивлений. Наибольшее распространение получила автоматическая регули-
ровка усиления (АРУ), которая поддерживает на выходе усилителя про-
межуточной частоты уровень полезного сигнала, достаточно высокий и
стабильный для воспроизведения данной информации от радиопередатчи-
ков различной мощности, находящихся на разных (часто меняющихся)
расстояниях и при различных условиях распространения радиоволн.
Структурная схема приёмника с широко используемой системой
АРУ показана на рисунке 12.1.

Рис. 12.1. Структурная схема РПУ с цепями АРУ

С увеличением уровня сигнала на входе приёмника возрастает на-

пряжение и на выходе УПЧ. Это напряжение после детектора АРУ вызы-
вает возрастание напряжения, снимаемого с его нагрузки. После фильтра-
ции с помощью цепочек RФ1СФ1 и RФ 2СФ 2 регулирующее напряжение
подводится к различным каскадам приёмника, которые снабжаются элек-
тронными регуляторами (ЭР) усиления или коэффициента передачи. При
возрастании ЭДС в антенне от номинальной E AНОМ до максимальной
EA напряжение на детекторе изменяется от U Д НОМ до U Д MAX .
MAX
Эффективность системы АРУ оценивается двумя величинами: степе-
нью изменения ЭДС в цепи антенны n A и соответствующей степенью из-
менения напряжения на детекторе n Д :
EA UД
n A = 20lg , n Д = 20lg .
EA U Д НОМ
НОМ

257
 Оценивать эффективность действия АРУ удобнее по амплитудной
характеристике приёмника (рис. 12.2), представляющий зависимость
U Д = ϕ (E A ) .
Чем меньше степень изменения на выходе n Д при одном и том же
изменении ЭДС на входе n А , тем ближе реальная характеристика к иде-
альной и тем эффективнее система АРУ. Требования к системе АРУ:
- высокая эффективность регулирования, определяемая изменениями
ЭДС в цепи антенны n A , дБ, при которых изменения напряжения на выхо-
де не превышают n Д , дБ;
- АРУ не должна вызывать недопустимого увеличения нелинейности,
обуславливающей перекрёстные и комбинационные искажения;
- быстродействие и быстрое затухание переходных процессов;
- обратная связь, возникающая в замкнутой цепи обратного регули-
рования, не должна нарушать устойчивость РПУ во всём динамическом
диапазоне входных сигналов;
- возникающие в процессе АРУ изменения фазовых и частотных ха-
рактеристик не должны превышать допустимые значения;
- отношение сигнал/шум на выходе РПУ не должно ухудшаться в
процессе действия АРУ.

Рис. 12.2. Амплитудная характеристика РПУ с АРУ

В соответствии со структурной схемой РПУ с АРУ в усилительных

трактах приёмника необходимы электронные регуляторы (ЭР), управляемые
постоянным напряжением, поступающим от детектора АРУ. Функции ЭР
могут совмещаться с функциями усиления. В этом случае усилитель работа-
ет в режиме АРУ. Существует другая группа ЭР, основанных на управлении
коэффициентом передачи пассивных четырёхполюсников (потенциометри-
ческие и мостовые регуляторы).
Функции детекторов АРУ могут совмещаться с функциями основно-
го детектора, или оба детектора выполняются раздельно.
258
12.1 Электронные регуляторы
Существует два основных типа электронных регуляторов (ЭР):
- режимные (или активные) регуляторы, когда функции ЭР совме-
щаются с функциями усиления. Эффект регулировки усиления достигается
либо регулированием крутизны или глубины обратной связи, либо изме-
нением сопротивления нагрузки усилителя;
- пассивные регуляторы, к которым относятся потенциометрические
и мостовые, включаемые, как правило, на входе усилителей или в качестве
элементов межкаскадных связей.
Электронные регуляторы характеризуются такими качественными
показателями, как:
1. Глубина регулировки, представляющая отношение максимального
и минимального коэффициентов усиления (передачи):
K
NУС = MAX , nУС = 20 ⋅ lg NУС , дБ.
К MIN
2. Чувствительность регулировки, определяемая изменением усиле-
ния на 1 вольт управляющего напряжения:
K1
K2
B= или b = 20 ⋅ lg B .
U Р1 −U Р2
Здесь U Р1 и U Р 2 – управляющие напряжения, соответствующие уси-
лению K1 и K 2 .
3. Нелинейные, частотные и фазовые искажения.
4. Форма регулировочной характеристики (РХ), которая устанавли-
вает зависимость коэффициента усиления (передачи) от управляющего на-
пряжения:
K = S ⋅ RОЭ ⋅ КФ ,
где S – крутизна усилительного прибора; RОЭ – эквивалентное резонанс-
ное сопротивление нагрузочного контура; КФ – коэффициент передачи
фильтра по напряжению.
В данном случае режимная регулировка осуществляется на основе
управления крутизной (крутизна зависит от приложенного напряжения
между затвором и истоком U ЗИ ). Зависимость крутизны полевых транзи-
сторов от напряжения U ЗИ на большом протяжении линейна и искривля-
ется только при приближении рабочей точки к напряжению отсечки.
В большинстве случаев зависимость крутизны (усиления) от управ-
ляющего напряжения можно описать экспонентой
a⋅U Р a⋅U P
S = S0 ⋅ e или K = K 0 ⋅ e .
259
 При экспоненциальном характере РХ управляющим напряжениям
U Р1 и U Р 2 соответствуют коэффициенты усиления K1 = K 0 ⋅ e a⋅U P1 и
K 2 = K 0 ⋅ e a⋅U P 2 . Тогда чувствительность регулировки определяется отно-
шением
K
20 ⋅ lg 1 aU −U
K2 20 ⋅ lg e P1 P2
B= = , дБ/в.
U P1 −U P2 U P1 −U P2

Таким образом, B = 20a ⋅ lg e = 8,68 ⋅ a .

Следовательно, чувствительность регулировки ЭР с экспоненциаль-
ной формой РХ постоянная величина, не зависящая от управляющего на-
пряжения.
Нужно иметь в виду, что для минимизации нелинейных искажений
зависимость K = ϕ (U P ) должна быть линейной. Практически в некоторых
типах ЭР на значительном участке удаётся приблизить характеристику к
линейной. В этом случае удобнее чувствительность регулировки оцени-
вать иначе:
dK
b= .
dU P
Чувствительность регулировки является одной из важнейших харак-
теристик регулятора и позволяет оценить количественно глубину регули-
ровки:
NУС = В ⋅U Р MAX .
Если в регулировочной характеристике не соблюдается экспоненци-
альный или линейный характер зависимости K = ϕ (U P ) , то чувствитель-
ность регулировки в процессе АРУ изменится и тогда оценивают среднюю
чувствительность регулировки:
NУС K MAX − К MIN
BСР = , дБ/в или b = .
∆U P ∆U P
Здесь ∆U P = U P MAX −U P MIN – прирост управляющего напряжения.
Эффективность работы АРУ в значительной степени определяется
выбранным способом регулирования усиления. Применяются следующие
способы регулировок:
а) изменение режима работы транзистора по постоянному току
(рис. 12.3 а). Недостаток заключается в том, что при больших U Р в каскаде
наблюдаются нелинейные искажения. Такая регулировка используется на
практике часто;
260
 б) изменение глубины отрицательной обратной связи (рис. 12.3 б).
Здесь линейность амплитудной характеристики транзисторного каскада
наоборот возрастает с ростом U Р ;
в) изменение коэффициента передачи аттенюаторов регулирующим
напряжением (рис. 12.3 в). Введением большого числа регулирующих ат-
тенюаторов можно обеспечить значительный диапазон регулирования, но
при этом уменьшается начальный коэффициент усиления каскада.

а) изменение режима работы транзи- б) изменение глубины отрицательной

стора по постоянному току обратной связи

в) изменение коэффициента передачи аттенюаторов регулирующим напряжением

Рис. 12.3. Способы регулирования усиления
Уменьшение нелинейных эффектов достигается в другой схеме ЭР
(рис. 12.4), где усиление регулируется изменением глубины отрицательной
обратной связи. Под действием U Р дифференциальное сопротивление дио-
да D шунтирует RЭ , что приводит к изменению эквивалентного сопротив-
ления в цепи эмиттера, обуславливающего величину обратной связи.
Возможна схема ЭР на биполярном транзисторе с подачей управ-
ляющего напряжения к базе и общей точке.
В данном случае транзистор термостабилизирован. Потенциал базы
регулируемого транзистора I ⋅ RЭ + U БЭ смещает рабочую точку диода де-
тектора АРУ в прямом направлении. Большое смещение в прямом направ-
лении вызывает снижение детекторного эффекта. Поэтому к диоду под-

261
ключается делитель напряжения, с которого вводится напряжение EСМ .
Средняя чувствительность регулировки такой схемы низка (5–6) дБ/В по
ряду причин:
1) наличие элементов термостабилизации, вызывающих отрицатель-
ную обратную связь по постоянному току.
2) в процессе АРУ снижается коэффициент передачи детектора, так
как с возрастанием сигнала, а следовательно, и U Р , напряжение
I ⋅ RЭ + U БЭ уменьшается, что вызывает смещение рабочей точки диода в
область запирания.

Рис. 12.4. Схема с изменением глубины отрицательной обратной связи

В усилителях с двухконтурными фильтрами изменяется также и

форма резонансной характеристики, которая определяется параметром
связи A = Q ⋅ K СВ . В связи с повышением усиления значительно снижается
эффективность АРУ, а также нарушаются условия согласования. В одно-
контурных резонансных усилителях рекомендуется выбирать связь тран-
зистора с контуром порядка 0,6 от оптимальной связи (при этом глубина
регулировки повышается вдвое, полоса пропускания изменяется примерно
на 25%, а коэффициент усиления уменьшается всего на 20%).
Возможна схема ЭР, основанного на управлении эквивалентным со-
противлением нагрузки (рис. 12.5).
Резонансный контур в цепи коллектора шунтируется сопротивлением
сток-исток вспомогательного полевого транзистора. Напряжение регули-
ровки подаётся к затвору. В этой схеме одновременно с регулировкой уси-
ления изменяется и полоса пропускания, которая с увеличением уровня
сигнала расширяется (за счёт регулировки RСИ изменяется эквивалентное
резонансное сопротивление контура). При правильном подборе полевого
транзистора в качестве нелинейного сопротивления в управляемой нагруз-
ке можно существенно уменьшить нелинейные искажения.

262
 Рис. 12.5. Схема управления эквивалентным сопротивлением
нагрузки

12.2 Пассивные регуляторы

Большая глубина регулировки при малых нелинейных искажениях
свойственна методам регулировки, основанным на изменении коэффици-
ента передачи пассивных четырёхполюсников. Известны потенциометри-
ческие регуляторы (ПР) и мостовые (МР).
В подавляющем большинстве ПР и МР под воздействием управляю-
щего напряжения изменяются дифференциальное сопротивление или ём-
кость. Управляющее напряжение может воздействовать на проводимость
регулируемого элемента (диоды, варикапы) непосредственно или через
промежуточный носитель энергии (например, управление электрическим
полем в канале полевого транзистора изменяет дифференциальное сопро-
тивление сток-исток RСИ ).
В зависимости от способа включения управляемого нелинейного эле-
мента (диода или транзистора) по отношению к входному сопротивлению
последующего усилителя различают потенциометрические регуляторы двух
типов: параллельные (рис. 12.6 а) и последовательные (рис. 12.6 б).

а) параллельный тип б) последовательный тип

Рис. 12.6. Схемы пассивных ЭР
В схемах рисунках 12.6 а, б управляемым нелинейным элементом
служит сопротивление RСИ полевого транзистора. Полевые транзисторы
предпочтительнее диодов и биполярных транзисторов, так как:

263
 - у полевых транзисторов более высокая линейность сопротивления
сток-исток;
- цепь управления полевым транзистором не потребляет мощности.
Параллельный ПР работает эффективно в устройствах со стабильно
высоким входным сопротивлением, а последовательный – при низком
входном сопротивлении.
В последовательном ПР в процессе увеличения уровня сигнала вели-
чина нелинейного управляемого сопротивления должна возрастать и, сле-
довательно, будут заметно возрастать нелинейные искажения. Параллель-
ный ПР в этом отношении значительно лучше последовательного.
В мостовых регуляторах (МР) передаваемое напряжение вводится в
одну диагональ моста и подводится к входному сопротивлению после-
дующего усилителя с другой диагонали. В процессе АРУ под воздействи-
ем управляющего напряжения одно из сопротивлений мостовой схемы из-
менятся таким образом, чтобы приближалось состояние баланса, благода-
ря чему коэффициент передачи уменьшается.
На рисунках 12.7 а, б, в соответственно показаны следующие схемы
мостовых регуляторов: мостовой регулятор с балансировкой при запертом
диоде; мостовой регулятор с балансировкой при открытом диоде; мосто-
вой регулятор с шунтирующим диодом.
В мостовых регуляторах (рис. 12.7) в противоположные плечи моста
включены линейные эквиваленты управляемого сопротивления в состоя-
нии баланса.
Однако желательно в качестве эквивалента включать такое же нели-
нейное сопротивление, как и управляемое. В этом случае мост будет сба-
лансирован не только на основной частоте, но и на гармониках (во втором
плече будут такие же продукты нелинейности, а токи в нагрузке направле-
ны встречно). При этом нелинейные искажения в состоянии, близком к ба-
лансу, уменьшаются в 10–20 раз.
Мостовые регуляторы (МР) в системе АРУ обеспечивают глубину
регулировки (60–70 дБ) при снижении предельной глубины регулировки
до 20 дБ на частоте 100–110 МГц (в то время как у ПР это снижение про-
исходит на частоте 50–60 МГц).
Мостовым регуляторам свойственны две ветви регулировочной ха-
рактеристики (рис. 12.8), причём ветвь 2 с положительным угловым коэф-
фициентом исключает возможность перехода моста через точку баланса и
обуславливает склонность усилителей с МР в системе обратного регули-
рования к самовозбуждению. Устранение ветви 2 достигается включением
в точки А и В диода (рис. 12.7 в), который до приближения к состоянию
баланса заперт. В состоянии баланса и после него диод открыт и уравни-
тельный ток через него исключает появление ветви 2 на регулировочной
характеристике.
264
 а) МР с балансировкой при б) МР с балансировкой при
запертом диоде открытом диоде

в) МР с шунтирующим диодом
Рис. 12.7. Схемы мостовых регуляторов

Рис. 12.8. Регулировочная характеристика МР

Рекомендации по применению пассивных регуляторов сводятся к

следующему:
1. ПР и МР желательно размещать на входе РПУ, так как это умень-
шает интермодуляционные и перекрёстные искажения.

265
 2. Чем меньше будут выражены нелинейные свойства ПР и МР, тем
меньше будут помехи.
3. Наилучшие результаты в получении соотношения сигнал/шум по-
лучаются при использовании МР с управляемой ёмкостью (рис.12.7. а), на-
груженного на входное сопротивление усилителя, выполненного на поле-
вом транзисторе. Емкостной МР удобен потому, что не потребляет мощ-
ности от источника управляющего напряжения.
В общем случае системы АРУ можно разделить:
- инерционные, следящие за средним уровнем сигнала;
- безинерционные, следящие за мгновенным значением амплитуды
сигнала (МАРУ);
- программные, с заранее заданным временным законом регулировки
(ВАРУ).
В заключение приведём возможные структурные схемы систем АРУ
непрерывного действия с обратной связью (рис. 12.9).
12.3 Цифровые устройства АРУ
В аналоговых системах АРУ (в основном применяется обратная) ампли-
туда выходного напряжения U ВЫХ с увеличением уровня выходного сигнала
также увеличивается, но в меньшей степени, чем без АРУ. Степень увеличения
U ВЫХ при действии АРУ можно оценивать коэффициентом неэффективности
dU ВЫХ
АРУ α = .
dU ВХ
Кроме этого качество АРУ можно оценить также коэффициентом ре-
K MAX
гулирования усиления NУС = =γ .
K MIN

а) б)

в) г)
Рис. 12.9. Схемы систем АРУ непрерывного действия с обратной связью
а) неусиленная с совмещённым детектором; б) неусиленная с раздельным детектором;
в) с усилением по переменному току; г) с усилением по постоянному току

266
 В цифровых АРУ (ЦАРУ) (рис. 12.10) с использованием цифрового
интегратора (реверсивного счетчика) выходная амплитуда не зависит от
амплитуды входного сигнала. В этом случае коэффициент неэффективно-
сти АРУ α = 0 , а коэффициент регулирования равен динамическому диа-
dU ВХ .MAX
пазону входного сигнала γ = , где U ВХ .MIN – минимальное
dU ВХ .MIN
входное напряжение, начиная с которого работает ЦАРУ. Структурная
схема ЦАРУ показана на рисунке 12.10
При U ВЫХ < U ЗД ЦАРУ не работает и коэффициент усиления K = K MAX .

а) структурная схема б) регулировочная характеристика ЦАРУ

Рис. 12.10. Цифровая АРУ
В данном ЦАРУ к выходу регулируемых каскадов УПЧ подключен
детектор АРУ, сигнал на выходе которого подвергается бинарному кванто-
ванию: если U ВЫХ > U ЗД , то вырабатывается сигнал ошибки Z Д = −1 ; если
U ВЫХ < U ЗД , то Z Д = +1 . Эти сигналы поступают в усредняющий ревер-
сивный счетчик (РС1) с коэффициентом счета (емкостью счетчика) n1 . При
переполнении РС1 на его выходе появится импульс, увеличивающий или
уменьшающий на единицу (в зависимости от знака переполнения) число во
втором реверсивном счетчике (РС2). Код в РС2 меняется от 0 до RMAX .
Этот счетчик не должен переполняться: когда код R в РС2 достигает значе-
ний 0 или RMAX происходит блокировка поступления импульсов соответст-
вующего знака. Код в РС2 регулирует коэффициент усиления УПЧ.
Недостаток ЦАРУ в том, что в стационарном режиме возникают ав-
токолебания, приводящие к изменению кода в РС2 на единицу (например:
R = 15, 16, 15, 16, …) и соответственно к паразитной амплитудной моду-
ляции выходного сигнала. Чтобы коэффициент амплитудной модуляции
не зависил от амплитуды входного сигнала (и соответственно от значения
267
кода R ), необходимо, чтобы при изменении кода R на единицу коэффици-
ент усиления K И менялся в одно и то же число раз
δ = ( K И + ∆K И ) K И = const , где ∆K И << K И . Этого можно добиться вве-
дением, например, экспоненциальной зависимости в тракте регулирования
с помощью аттенюатора, управляемого цифровым кодом.
Коэффициент паразитной амплитудной модуляции должен быть малым
∆K И (δ −1)
mП = = << 1.
2K И 2
Коду R = 0 соответствует K И = K MIN ; произвольному коду R соот-
ветствует K И = K MIN ⋅δ R , а коду RMAX → K MAX = K MIN ⋅δ RMAX . Следова-
тельно, динамический диапазон изменения коэффициента усиления
K
γ = MAX = δ RMAX = (2mП + 1) RMAX определяется допустимым коэффициен-
K MIN
том паразитной амплитудной модуляции m П и емкостью счетчика РС2
K
RMAX . Отсюда емкость счетчика РС2 RMAX = log MAX log(2mП + 1) .
K MIN
Паразитной амплитудной модуляции в стационарном режиме можно
избежать введя в характеристику квантования зону нечувствительности
(рис. 12.10 б), что эквивалентно переходу от двухуровневого квантования
( Z Д = ±1 ) к трехуровневому ( Z Д = 0 ±1 ). Протяженность зоны нечувстви-
тельности выбирается равной дискрету регулирования 2mПU ЗД .
Характеристику АЦП с зоной нечувствительности (рис. 12.10 б)
можно реализовать с помощью двух компараторов с порогами, равными
соответственно U ЗД ± mПU ЗД .
Частоту дискретизации FД = 1 T Д принято выбирать, по крайней ме-
ре, на порядок больше ширины спектра процесса на входе АЦП, которая
определяется шириной полосы пропускания ФНЧ на выходе детектора
АРУ. Постоянная времени этого фильтра выбирается на порядок меньше
минимально допустимой длительности переходных процессов в устройст-
ве ЦАРУ. В этом случае эта длительность будет определяться цифровой, а
не аналоговой частью устройства.
В переходном процессе будет постоянно вырабатываться сигнал
ошибки Z Д одного знака, что приведет к равномерному увеличению кода
в РС2. В худшем случае код в РС2 изменяется от 0 до RMAX , откуда мак-
симальная длительность переходного процесса t П = RMAX ⋅ t1 , где t1 = n1 ⋅T Д
– период следования корректирующих импульсов на выходе РС1.

268
 Величина t1 выбирается исходя из того, какие частоты изменения
амплитуды входного сигнала система должна подавить, а какие пропус-
тить:
1
f ПАР << << fС ,
t1
где f С – минимальная частота полезной модуляции; f ПАР – максимальная
частота паразитной модуляции входного сигнала.
Величина t П определяет максимальное время переходного процесса
при появлении и исчезновении сигнала. Если она велика, то необходимо
применять более быстродействующие схемы АРУ (например, с много-
уровневым квантованием сигнала).
Задаваясь t П или t1 , можно определить необходимый коэффициент
счета РС1:
t tП
n1 = 1 = .
T Д T Д ⋅ RMAX

Контрольные вопросы.
1. Поясните необходимость применения регулировок в РПУ.
2. Укажите назначение различных видов регулировок в РПУ.
3. Поясните, каким образом изменяется полоса пропускания РПУ.
4. Нарисуйте и поясните схему АРУ.
5. Укажите требования к АРУ.
6. Укажите и поясните типы электронных регуляторов.
7. Укажите качественные показатели электронных регуляторов.
8. Поясните способы регулирования усилением.
9. Укажите типы и особенности пассивных регуляторов.
10. Поясните сущность цифровых устройств АРУ.
11. Нарисуйте схемы основных типов ЦАРУ.
12. Поясните принцип действия цифровых регуляторов.

269
 13 ПРИМЕНЕНИЕ МИКРОПРОЦЕССОРОВ В РПУ
При проектировании профессиональных радиоприемных устройств
(ПРПУ) требуются устройства, исключающие участие человека в процессе
управления и контроля. Внедрение больших интегральных схем (БИС) и
цифровых методов обработки сигналов позволяет создавать подобные уст-
ройства на базе микропроцессоров (МП) и микропроцессорных систем
(МПС).
МПС, входящие в состав ПРПУ, выполняют функции, сводящиеся к
определению параметров состояния отдельных узлов, изменению их со-
стояния, коммутации различных блоков по программе МП. Определение
параметров состояния какого-либо узла сводится к сбору и обработке ин-
формации, поступающей от различных блоков, входящих в данный узел.
Причем для отличающихся по структуре и функциям узлов МП обрабаты-
вает различное число информационных сигналов. Изменение состояния
любого узла требует определенное количество управляющих сигналов, со-
ответствующее данной структуре.
Использование МП в качестве центрального управляющего устрой-
ства дает возможность осуществить цифровой контроль и управление все-
ми функциями РПУ. Основное преимущество микропроцессорного управ-
ления заключается в его большой гибкости. При внесении изменений в
РПУ требуются незначительные преобразования аппаратной части МП,
так как задача решается в основном модификацией программного обеспе-
чения МП. С помощью МП можно выполнить различные операции: синтез
частот; выбор полосы пропускания фильтров; изменение коэффициента
усиления тракта основной селекции; обеспечение необходимой избира-
тельности по соседнему и побочным каналам приема; регулировку посто-
янной времени АРУ и т. д.
Получают широкое распространение однокристальные микро-ЭВМ
(ОМЭВМ) – устройства, содержащие в одном кристалле все основные
элементы МПС: центральный процессорный элемент; оперативные и по-
стоянные запоминающие устройства; порты ввода-вывода; таймеры; так-
товый генератор и другие вспомогательные устройства.
В отличие от МП универсальных компьютеров от ОМЭВМ не требует-
ся большая вычислительная мощность, так как упрощение системы команд
вполне достаточно для реализации функций по управлению и контролю.
13.1 Блок управления РПУ на ОМЭВМ
Рассмотрим структурную схему блока управления профессионально-
го РПУ на основе ОМЭВМ КМ1816ВЕ48 (рис. 13.1). Данный блок выпол-
няет следующие функции: управление фильтрами основной селекции
270
(ФОС) и фильтрами входной цепи (ВЦ) РПУ; управление делителями с пе-
ременным коэффициентом деления (ДПКД) в синтезаторе частоты (СЧ),
т.е. настройку РПУ на заданную частоту; индикацию действительной час-
тоты (чтение данных из счетчика цифрового частотомера); запоминание
ряда частот (каналов) с последующей быстрой настройкой на любую из
них; квазиплавную настройку по частоте.
В состав ОМЭВМ КМ1816ВЕ48 входят: тактовый генератор, частота
колебаний которого стабилизирована внешним кварцевым резонатором;
арифметико-логическое устройство, оперирующее восьмиразрядными
двоичными словами (байтами); 65 регистров общего назначения (сверх-
оперативные ЗУ); память программ; двунаправленный порт ввода-вывода
(порт BUS); два квазидвунаправленных порта ввода-вывода (порты 1 и 2);
программируемый восьмиразрядный таймер-счетчик.

Рис. 13.1. Структурная схема блока управления ПРПУ

В каждом цикле обращения к внешней памяти или регистрам ОМЭВМ
вначале выдает адрес устройства в порт BUS, который сохраняется в много-
режимном буферном регистре адреса (его выходы образуют шину адреса).
Затем в порт BUS выдаются или принимаются данные. Двунаправленный
буфер шины обеспечивает необходимую нагрузочную способность шины
данных, позволяя тем самым подключать к шине несколько внешних уст-
ройств. Шина управления (она не показана на рис. 14.1)образована провод-
никами, передающими сигналы записи, чтения данных из внешних уст-
ройств, чтения из внешней памяти программ и др. Шины адреса данных и
управления образуют в совокупности системную шину МПС. В дополнение
к внутренним регистрам ОМЭВМ к системной шине подключено ОЗУ, пока-
271
занное пунктиром на рисунке 13.1. ПЗУ применяется в том случае, когда ем-
кость внутреннего ПЗУ ОМЭВМ (1 кбайт) недостаточна.
В микропроцессорных блоках управления широко используются
программируемые интерфейсные БИС, которые берут на себя часть функ-
ций управления аппаратурой МПС, разгружая центральный МП. Режимы
работы таких БИС изменяются программно путем записи в их внутренние
регистры определенные двоичные слова. На рисунке 13.1 одну из про-
граммируемых БИС представляет контроллер клавиатуры и дисплея (ККД
типа КР580ВВ79). Данная программируемая БИС освобождает ОМЭВМ от
функций сканирования клавиатуры и динамической индикации на дис-
плее, а также устраняет влияние «дребезга» контактов клавиатуры.
Совместно с дешифраторами, буферными элементами и другими
вспомогательными ИМС программируемая БИС может управлять индика-
тором с числом разрядов до 32 и клавиатурой с числом клавиш до 66, что
вполне достаточно в блоке управления РПУ. Различные режимы работы
контроллера задаются записью соответствующих слов в регистр управ-
ляющего слова. Так, при наборе с клавиатуры, например, значения часто-
ты настройки РПУ набираемые цифры могут высвечиваться на индикаторе
или слева направо, или в режиме калькулятора, когда последняя набранная
цифра высвечивается в крайнем правом разряде индикатора, а предыду-
щие набранные цифры сдвигаются на один разряд влево.
Управление переключением фильтров основной селекции (ФОС) и
фильтров входной цепи (ВЦ) осуществляется ОМЭВМ с портов 1 и 2. Ка-
ждый разряд этих портов подключен к буферному элементу (на схеме 13.1
не показан), который представляет собой транзисторный ключ в дискрет-
ном или интегральном исполнении. Выход каждого буферного элемента
нагружен на свое исполнительное устройство. Например, ОМЭВМ записа-
ла в порт 2 двоичное число с единицей в младшем разряде (00000001). В
этом случае на выходах всех разрядов порта, кроме младшего, установится
напряжение логического нуля (+0,45 В), а на выводе младшего разряда –
напряжение логической единицы (+2,4 В), которое вызовет включение
транзисторного ключа, подсоединенного к выводу младшего разряда пор-
та, что, в свою очередь, обусловит включение исполнительного устройства
на выходе данного ключа (например, реле или транзисторный высокочас-
тотный ключ), которое коммутирует данный фильтр. Подобным образом
можно управлять коммутацией любых цепей РПУ.
Портов ОМЭВМ оказывается недостаточно для управления и кон-
троля всех необходимых узлов РПУ, поэтому в схеме используются две
дополнительные БИС программируемого параллельного интерфейса
(ППИ) – КР580ВВ55, что позволяет ОМЭВМ использовать дополнитель-
ные восьмиразрядные порты ввода-вывода. Порты ППИ1 управляют
ДПКД ЦСЧ приемника, а порты ППИ2 используются для приема данных
272
от счетчиков блока частотомера РПУ. Первая БИС программируется на
вывод данных через все три своих порта (А, В, С), а вторая – на их ввод.
При разработке микропроцессорного блока управления РПУ очень
важно оптимально распределить функции БУ между его аппаратной и про-
граммной частями. Для повышения надежности и компактности БУ, сни-
жения его энергопотребления следует уменьшать объем аппаратуры, при-
меняя программируемые БИС-контроллеры и реализуя часть функций
программно. Однако это не всегда удается из-за ограниченного быстро-
действия МП и небольшого числа устройств ввода-вывода, входящих в со-
став МП или ОМЭВМ.
Эффективность применения МП в блоке управления во многом оп-
ределяется качеством управляющей программы, в которой можно выде-
лить несколько блоков команд, различающихся своими функциями.
При включении питания начинается выполнение команд первого
блока – блока инициализации: программируются все интерфейсные БИС,
переписываются из ПЗУ в ОЗУ некоторые константы, все коммутируемые
блоком управления цепи РПУ переключаются в исходное состояние, вы-
полняются и другие операции.
Затем управление передается на блок команд, называемый интерфей-
сом с пользователем. При этом на дисплей выдается приглашение к вводу
данных, ожидается нажатие на клавиатуре любой клавиши. После нажатия
клавиши определяется ее код, который затем сохраняется в ОЗУ. На дис-
плей выводятся набираемые цифры, например, значение частоты настрой-
ки РПУ.
После нажатия клавиши «ввод» управление передается блоку вычис-
лений, в котором: проверяется корректность набранного числа (возможна
ли настройка РПУ на данную частоту); определяется поддиапазон, в кото-
рый попадает данная частота, и коэффициенты деления ДПКД в синтеза-
торе частоты; подготавливаются данные для задания режимов работы дру-
гих блоков и узлов РПУ. Затем начинается выполнение блока команд
управления аппаратурой РПУ, где подготовленные данные выводятся в
порты, включая узлы РПУ для работы в заданных режимах. В последую-
щем управление может быть передано вновь на блок команд интерфейса с
пользователем.
Как правило, управляющие программы для небольших МПС (к их
числу относятся и блоки управления РПУ) разрабатываются и отлажива-
ются на универсальных ЭВМ. Для этих целей имеются многочисленные
ППИ, включающие в себя программы: ассемблеры, компоновщик, отлад-
чики, эмуляторы аппаратуры и т. д.

273
13.2 Синтезаторы частот с микропроцессорным управлением
В цифровых синтезаторах частоты (ЦСЧ) по заданной программе или
по командам управления МП перестраивает синтезатор на требуемую час-
тоту. Принцип управления ЦСЧ с помощью МП заключается в том, что в
цепь ФАПЧ включается цифровой делитель частоты, коэффициент деле-
ния которого меняется под действием управляющих сигналов, поступаю-
щих от МП. Рассмотрим конкретный пример реализации цифрового ДПКД
(рис. 13.3) ЦСЧ с микропроцессорным управлением по схеме рисунке 13.2.
Цифровой синтезатор частот с импульсной частотно-фазовой авто-
подстройкой частоты (ИЧФАПЧ) содержит два кольца ИЧАПУ и ИФАПЧ
(очерчены штрихпунктирной и пунктирной линиями соответственно). К
ИЧАПЧ относятся: импульсный частотный детектор (ИЧД), реверсивный
счетчик импульсов (РСИ), ЦАП, делители частоты с переменным (Ni) и
фиксированным (М) коэффициентами деления (ДПКД и ДФКД), форми-
рователи импульсных последовательностей (ФИП) и гетеродин, объеди-
ненный с управляемым элементом (УЭ). Кроме этого, ИФАПЧ включает в
себя импульсный фазовый детектор (ИФД) и ФНЧ.

Рис. 13.2. Схема цифрового синтезатора частоты

Цифровой ДПКД построен на основе трех универсальных десятич-

ных счетчиков К531ИЕ17 с возможностью предустановки, с которыми МП
или ОМЭВМ взаимодействует через порты А и В БИС ППИ. Каждый
счетчик имеет: четыре входа предустановки (Д2, Д2, Д4, Д8), четыре ин-
формационных выхода (1, 2, 4, 8), на которых присутствует четырехраз-
рядное двоичное число, соответствующее текущему состоянию счетчика
(от 0 до 9); счетный выход С; вход И/Д, определяющий режим работы
счетчика (сложение или вычитание); управляющий вход предустановки
EL; вход переноса от счетчика предыдущего разряда ЕР; управляющий
вход разрешения счета ЕС и выход переноса Р.

274
 Для примера рассмотрим перестройку ДПКД на новый коэффициент
деления, равный 359. Вначале ОМЭВМ записывает в восьмой (старший)
разряд порта В ППИ логическую 1, которая, получая на вход ЕС младшего
счетчика 1, запрещает счет в этом счетчике и работу ДПКД в целом. После
этого ОМЭВМ записывает в порт А и в младшие четыре разряда порта В
десятичные цифры коэффициента деления в двоичном представлении –
3(0011), 5(0101), 9(1001), которые в дальнейшем будут постоянно присут-
ствовать на выходах этих портов и, как следствие, на входах предустанов-
ки счетчиков. Затем ОМЭВМ, не изменяя содержимого остальных разря-
дов, записывает в восьмой разряд порта В логический 0, разрешая тем са-
мым в счетчике 1 и работу всего ДПКД, который начнет выполнять циклы
деления.
Один цикл деления происходит следующим образом. Импульсная
последовательность, частота повторений которой равна частоте колебаний
управляющего генератора, входящего в кольцо ФАПЧ ЦСЧ, с выхода
формирующего устройства (ФУ) поступает одновременно на счетные вхо-
ды С всех счетчиков. Однако изменить свое состояние под действием им-
пульса на счетном входе счетчик может только тогда, когда на его входе
ЕР присутствует в это время активный сигнал переноса (логический 0).
Поэтому после предустановки, выполненной ОМЭВМ, счет начинает
только младший счетчик 1, вход ЕР которого заземлен, что эквивалентно
подаче на него постоянно логического 0,

Рис. 13.3. Схема цифрового ДПКД

275
 Все счетчики ДПКД настроены на режим вычитающего счета, так
как их входы И/Д заземлены (логический 0). С приходом каждого счетного
импульса счетчик 1 уменьшает свое состояние на 1 (9–8–7–6 – …). После
прихода девятого импульса счетчик 1 переходит в состояние 0 и на его вы-
ходе Р появляется сигнал переноса, разрешающий переключение счетчика 2
с приходом очередного импульса входной последовательности. Данный
импульс переключает счетчик 2 в состояние 4, так как он имел исходное со-
стояние 5, а счетчик 1 – в состояние 9. При этом сигнал переноса с выхода
счетчика 1 снимается и счетчик 2 на последующие девять импульсов вход-
ной последовательности не реагирует. Когда счетчик 1 вновь перейдет в со-
стояние 0, счетчик 2 переключится еще раз и перейдет в состояние 3 и т. д.
Аналогичным образом счетчик 2 управляет переключением счетчика 3.
Приход 359-го импульса входной последовательности переводит
счетчик 3 в состояние 0, и на его выходе Р появится сигнал переноса, ко-
торый используется как выходной сигнал ДПКД. Этот же сигнал подается
на входы разрешения предустановки EL всех счетчиков, т.е. после прихода
359-го входного импульса разрешается перезапись данных (числа 359) из
портов А и В ППИ в счетчики, которая происходит в момент прихода 360-
го входного импульса. При этом с выхода Р счетчика 3 снимается сигнал
переноса и начинается новый цикл деления.
После поступления от ОМЭВМ через разряд 8 порта В ППИ сигнала
разрешения счета коэффициент деления будет записан в счетчики ДПКД
после ближайшего перехода счетчика 3 в нулевое состояние. Появление
импульса на выходе ДПКД после каждых 359 импульсов на входе эквива-
лентно делению частоты повторения входной последовательности на 359.
Микро-ЭВМ может построить ДПКД по рассмотренной схеме на лю-
бой коэффициент деления от 1 до 999. Применение в ДПКД аналогичных
двоичных счетчиков (16 возможных состояний) вместо десятичных позво-
ляет повысить верхний коэффициент деления при трех счетчиках до 4095.
Последовательное соединение большего числа счетчиков по данной схеме
позволяет получить более высокое значение коэффициента деления. Мак-
симально допустимое значение частоты повторений входной импульсной
последовательности определяется максимальным быстродействием перво-
го (младшего) счетчика.
Применение ОМЭВМ в РПУ дает возможность не только управлять
частотой ЦСЧ, но и реализовать связанные с этим другие сервисные функ-
ции: запоминание частот конечного числа каскадов, их позывных; поиск
по частоте с автоматической сменой направления сигнала новой радио-
станции и т. д.

276
13.3 Микропроцессоры в системе дистанционного управления
и контроля РПУ
По управляющим командам МП направляет сигналы управления к
соответствующим узлам РПУ. При этом существенно упрощаются как ор-
ганы управления на передней панели РПУ, так и соединения между его уз-
лами. Дело в том, что передача команд управления происходит не по мно-
гочисленным проводам, а по системной шине. Кроме МП, находящегося в
управляемой аппаратуре, предусматривается еще один МП в пульте дис-
танционного управления и контроля, что дает возможность управления
сразу несколькими устройствами, работающими совместно.
Из анализа типовой схемы системы дистанционного управления (ДУ)
и контроля с использованием МП (рис. 13.4) видно, что МПС блока управ-
ления в приемнике и МПС пульта дистанционного управления и контроля
могут иметь одинаковую структуру, за исключением того, что в МПС
пульта ДУ отсутствуют устройства ввода-вывода, непосредственно взаи-
модействующие с узлами РПУ.

Рис. 13.4. Типовая схема системы ДУ и контроля с МП

В состав общих МПС входят контроллеры последовательного интер-

фейса, реализованные, например, на основе программируемых БИС уни-
версальных синхронно-асинхронных приемопередатчиков (УСАПП)
КР580ВВ51, которые преобразуют двоичные слова, передаваемые от МП
по системной шине в параллельной форме, в последовательный поток бит
и обратно.
Адаптация последовательных двоичных потоков данных, поступаю-
щих от пульта ДУ к БУ приемника и обратно, к передаче по линии связи
осуществляется в модемах (модулятор-демодулятор). В этих устройствах
происходят: помехоустойчивое кодирование передаваемых данных; моду-
277
ляция их двоичных сигналов с применением перспективных видов ЧМ и
ФМ; помехоустойчивый прием данных на фоне шумов в линии связи и их
декодирование с обнаружением и (или) исправлением ошибок. Сложность
модема, который, как правило, управляется своим отдельным МП, зависит
от вида линии связи (телефонная линия с полосой 0,3–3,4 кГц; коаксиаль-
ный кабель, волоконно-оптическая линия), а также от её протяженности.
Если линия связи находится, например, в пределах одного здания (протя-
женность её мала), то есть возможность обойтись вообще без модемов, пе-
редавая команды ДУ непосредственно в двоичной форме.
Применение МП в БУ приемника и в пульте ДУ позволяет системе дис-
танционного управления и контроля адаптироваться к качеству линии связи и
реализовать эффективные протоколы обмена данными, например, с переза-
просом и повторной передачей команды ДУ при обнаружении ошибок.
Для дистанционного управления многими профессиональными РПУ
на больших приемных центрах применяются универсальные ЭВМ и
ПЭВМ, имеющие большую вычислительную мощность и широкий набор
периферийного оборудования: высокоинформативные телевизионные дис-
плеи, печатающие устройства, накопители на магнитных дисках большой
емкости и т. д. Это позволяет реализовать сложные алгоритмы управления
РПУ, адаптивный прием и т. д.
13.4 Применение МП для построения фильтров
Микропроцессоры находят применения для переключения аналого-
вых и построения цифровых фильтров (ЦФ). Переключение фильтров мо-
жет осуществляться как в преселекторе, так и в тракте промежуточной
частоты, после чего МП определяет характеристики каждого фильтра с за-
поминанием полученной информации. Этот позволяет последовательно
выбирать любой фильтр в произвольном порядке с передней панели РПУ.
Применение МП особенно перспективно при цифровой обработке сиг-
налов с помощью ЦФ, так как на основе МП можно менять алгоритм работы
ЦФ, что особенно важно при разработке профессиональных РПУ для адап-
тивных систем. ЦФ в РПУ в основном используются в последетекторной об-
работке сигнала или в цепях АРУ и АПЧ. В тракте промежуточной части
есть ограничения на применение ЦФ, связанные с их быстродействием.
В частности на основе специализированной микроЭВМ для цифровой
обработки сигналов КМ1813ВЕ1 реализуются типовые функциональные
узлы: ФНЧ и ФВЧ, содержащие: до двадцати комплексно-сопряженных пар
полюсов и (или) нулей (имеем фильтр 40-го порядка); детекторы; выпря-
мители; ограничители; умножители и делители 25-разрядных двоичных чи-
сел; генераторы колебаний и функций (аппроксимация нелинейных функ-
ций таких, как, например, квадратичных и логарифмических); логические
операции и т. д. Тем не менее, увеличение порядка реализуемого фильтра
278
вызывает удлинение программы, которая периодически выполняется в те-
чение интервала времени между двумя соседними отсчетами встроенного
АЦП. Таким образом, удлинение программы приводит к уменьшению зна-
чения частоты дискретизации, что, в свою очередь, снижает значение до-
пустимой верхней частоты в спектре обрабатываемого сигнала.
Устройство управления современным профессиональным РПУ мо-
жет содержать множество (до 50 и более) кристаллов цифровых модулей:
ОЗУ произвольного доступа, постоянные ЗУ; интерфейсы, цифровые ком-
параторы, делители, частотные детекторы и т. д. Обычно ИМС смонтиро-
ваны на одной плате, поэтому найти и локализировать отказавшую ИМС,
которая вносит ошибку в работу всей системы, очень трудно. Один из пу-
тей решения этой задачи – сигнатурный анализ, когда на вход каждого мо-
дуля подается псевдослучайная последовательность нулей и единиц, а вы-
ходной сигнал дешифруется в буквенно-цифровую подпись. Полученная
подпись может быть высвечена на экране дисплея для сравнения с эталон-
ной, хранящейся в журнале ИМС в ЗУ.
Входная последовательность каждого модуля постоянная, следова-
тельно, постоянна и его подпись при исправном модуле. Существуют спе-
циальные методы формирования входных последовательностей, которые
должны быть краткими и допускать возможность проверки максимального
числа логических переходов модуля. Программа сигнатурного анализа
может быть введена в память МП и при необходимости вызываться с
пульта местного или дистанционного управления для контроля исправно-
сти ИМС в радиоприемных устройствах.
Контрольные вопросы.
1. Изобразить структурную схему СЧ с ИФАПЧ и объяснить, зачем эта
система часто комбинируется с ИЧАП.
2. Нарисовать структурные схемы автоматической аналоговой элек-
тронной настройки РПУ.
3. Изобразить структурную схему автоматической цифровой электрон-
ной настройки РПУ.
4. Рассказать о назначении и видах индикаторов РПУ.
5. Объяснить функции, выполняемые МП в РПУ.
6. Пояснить работу СЧ с микропроцессорным управлением.
7. Пояснить особенности работы МП в системе дистанционного управ-
ления.
8. Пояснить особенности построения и назначения блоков структурных
схем дистанционного управления РПУ.
9. Объяснить принцип работы и структурные схемы цифровых индика-
торов частоты.

279
 Библиографический список

1. Головин О. В. Профессиональные радиоприемные устройства

декаметрового диапазона. – М.: Радио и связь, 1985. – 288 с.
2. Егоров Е. И., Калашников Н. И., Михайлов А. С. Использование
радиочастотного спектра и радиопомехи. – М.: Радио и связь, 1986. – 304 с.
3. Буга Н. Н., Фалько И. А., Чистяков Н. И. Радиоприемные
устройства. – М.: Радио и связь, 1986. – 320 с.
4. Жуковский А. П. Радиоприемные устройства. – М.: Высш. шко-
ла, 1989. – 342 с.
5. Богданович Б. М., Окулич Н. И. Радиоприемные устройства. –
Минск: Высш. школа, 1991. – 428 с.
6. Бобров Н. В. Расчет радиоприемников. – М.: Радио и связь,
1981. – 240 с.
7. Ред Э. Справочное пособие по высокочастотной технике. – М.:
Мир, 1990, – 256 с.
8. Голубев В. Н. Оптимизация главного тракта приема радиопри-
емного устройства. – М.: Радио и связь, 1982. – 168 с.
9. Бунин С. Г., Яйленко А. П. Справочник радиолюбителя-
коротковолновика. – Киев: Техника, 1964. – 264 с.
10. Поляков В. Т. Радиолюбителям о технике прямого преобразо-
вания. – М.: Патриот, 1990, – 264 с.
11. Гавра Т. Д., Макаров С. Б. Проектирование радиоприемных
устройств на микросхемах: учеб. пособие. – Л.: ЛПИ, 1985. – 74 с.
12. Мигулин И. П., Чаповский Н. Э. Интегральные микросхемы в
радиоэлектронных устройствах. – Киев: Техника, 1985. – 208 с.
13. Барулин Л. Г. Радиоприемные устройства. – М.: Радио и связь,
1984. – 271 с.
14. Дроздов В. В. Любительские KB трансиверы. – М.: Радио и
связь, 1988. – 174 с.
15. Гаусси М., Лакер К. Активные фильтры с переключаемыми
конденсаторами. – М.: Радио и связь, 198б. – 167 с.
16. Капустян В. И. Активные RC–фильтры высокого порядка. – М.:
Радио и связь, 1985. – 447 с.
17. Алексеев Л. В., Знаменский А. Е., Лоткова Е. Д. Электрические
фильтры метрового и дециметрового диапазонов. – М.: Связь, 1976.
18. Лосев А. К. Теория и расчет электромеханических фильтров. –
М.: Связь, 1965. – 263 с.
19. ГОСТ 14663–83. Устройства приемные магистральной радио-
связи гектаметрового – декаметрового диапазона волн.

280
 20. Буга Н. Н., Конторович В. Я., Носов В. И. Электромагнитная
совместимость радиоэлектронных средств: учеб. пособие. – М.: Радио и
связь, 1993. – 241 с.
21. Костарев В. Е., Охтень В. Д., Пашковский Н. А. Узкополосные
кварцевые фильтры // Вопросы проектирования радиоаппаратуры и ин-
формационно–измерительной техники. – Омск, 1972. – С. 11–17.
22. Попов Е. Н. Об одном способе построения широкополосных
пьезоелектрических фильтров // Радиоприборостроение. – Новосибирск,
1977. – С. 65–68.
23. Болотюк А. А. Широкополосные кварцевые фильтры на опера-
ционных усилителях // Радиоприборостроение. – Новосибирск, 1976. –
Вып. 4. – С. 123–127.
24. Разработка системы электрических фильтров и линий задерж-
ки: отчет о НИР /ОмПИ; рук. В. Е. Костарев, В. А. Аржанов, В. В. Хаустов;
№ ГР 71077021. – Омск, 1972. 116 с.
25. Фрид Е. А., Азарх С. Х. Пьезокерамические фильтры. – М.:
Энергия, 1967. – 40 с.
26. Орлов B. C., Бондаренко B. C. Фильтры на поверхностных аку-
стических волнах. – М.: Радио и связь, 1984. – 271 с.
27. Дулькейт И. В., Левченко В. И., Лузан Ю. С., Славин В. Л., Ха-
зан Г. К. Основные достижения в отечественных РПУ IV поколения
//Техника радиосвязи. – Вып. 2. – 1995 г.
28. Доберштейн С. А., Мартынов А. В. Гибридные ПАВ – микро-
сборки для поверхностного монтажа с УВЧ для мобильных радиостанций
диапазона частот 136–174 МГц. // Техника радиосвязи. – 2000. – Вып. 5. С.
45–53.
29. Радиосвязь / Под ред. О.В. Головина. – 2-е изд. – М.: Горячая
линия-Телеком, 2003. – С. 288.
30. 30, Никифиров В. И., Ярешевич Б. Н. Судовая автоматизиро-
ванная СВ/ПВ/КВ радиостанция «Атлантика» // Техника радиосвязи. –
1995. –вып. 2. – С. 105–111.
31. Попов Е. Н. Полосовые субоктавные LC-фильтры УКВ пресе-
лектора. //Техника радиосвязи. – 1995. – Вып. 2. – С. 172–173.
32. Попов Е. Н., Лобанов В. Ф. Печатные индуктивные элементы для
устройств фильтрации // Техника радиосвязи. – 1995. – Вып. 2.– С. 169–170.
33. Аржанов В. А., Ясинский И. М. Электрические фильтры и ли-
нии задержки: учеб. Пособие. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2000. – С. 372.
34. Радиоприемные устройства: учебник для вузов / Н. Н. Фомин,
Н. Н. Буга, О. В. Головин и др.; под ред. Н. Н. Фомина. – М.: Радио и связь,
1996. – 512 с.

281
 Оглавление
ВВЕДЕНИЕ 3
1 СОСТОЯНИЕ И ОСНОВНЫЕ ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ СОВРЕМЕННЫХ
ПРОФЕССИОНАЛЬНЫХ РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ 5
2 СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ 12
2.1 Расчет необходимой полосы пропускания линейного тракта приемника 13
2.2 Выбор промежуточной частоты и средств обеспечения избирательности 17
2.3 Выбор первых каскадов РПУ 21
2.4 Определение поддиапазонов 26
2.5 Расчет чувствительности РПУ 27
2.6 Особенности линейного тракта РПУ с двойным преобразованием частоты 29
2.7 Предварительный расчет коэффициента усиления линейного тракта РПУ 30
2.8 Выбор активных элементов для усилителей радиочастоты 31
3 ВХОДНЫЕ ЦЕПИ 34
3.1 Одноконтурная входная цепь при оптимальной трансформаторной
связи с антенной 42
3.2 Двухконтурные входные цепи 45
4 РЕЗОНАНСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 53
4.1 Обобщенная эквивалентная схема резонансных усилителей 55
4.2 Резонансный усилитель в диапазоне частот 57
4.3 Усилитель с двухконтурным фильтром 61
4.4 Влияние внутренней обратной связи на свойства резонансного усилителя 65
4.5 Условие устойчивости резонансного усилителя 68
4.6 Повышение устойчивости резонансных усилителей 71
4.7 Резонансный усилитель с коррекцией внутренней обратной связи 72
4.8 Резонансные усилители с нейтрализацией внутренней обратной связи 76
4.9 Каскодные резонансные усилители 82
4.10 Полосовые усилители промежуточной частоты 87
4.11 Многокаскадные усилители промежуточной частоты
с одинаково настроенными контурами 89
4.12 Коэффициент шума резонансного усилителя с входной цепью 93
4.13 Стабильность характеристик резонансных усилителей промежуточной
частоты 97
4.14 Выбор схемы включения транзисторов резонансных усилителей 98
4.15 Выбор оптимального режима транзисторов по постоянному
току и динамического режима резонансного усилителя 100
4.16 Использование динамической нагрузки 101
4.17 Сравнение способов повышения линейности резонансных
усилителей 102
5 РЕЗОНАНСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ 106
5.1 Усилители с одиночными колебательными контурами
с фиксированной настройкой 107
5.2 Усилители со связанными колебательными контурами 111
5.3 Диапазонные избирательные усилители 113
6 РАСЧЕТ РЕЗОНАНСНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ 119
7 ОСОБЕННОСТИ ПРЕСЕЛЕКТОРОВ 132
8 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТЫ 140
8.1 Теория преобразования на невзаимном электронном приборе 142
8.2 Теория диодного преобразователя 149
8.3 Резистивный диодный преобразователь 155

282
 8.4 Емкостной преобразователь частоты (параметрический усилитель) 158
8.5 Ключевые преобразователи 167
8.6 Преобразователи на встречно-параллельных диодах 173
8.7 Смесители на полевых транзисторах 183
9 ИЗБИРАТЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ 190
9.1 LC – фильтры сосредоточенной селекции 190
9.2 Активные фильтры 192
9.3 Кварцевые фильтры 198
9.4 Электромеханические фильтры 206
9.5 Пьезокерамические фильтры 210
9.6 Акустоэлектронные фильтры 216
9.7 Дискретные и цифровые фильтры 220
9.8 Монолитные пьезоэлектрические фильтры 224
10 ДЕТЕКТОРЫ 230
10.1 Цифровые частотные детекторы 236
10.2 Фазовые детекторы 238
11 МИНИАТЮРНЫЕ ЭКОНОМИЧНЫЕ ПРИЕМНИКИ 248
12 РЕГУЛИРОВКА В РАДИОПРИЁМНЫХ УСТРОЙСТВАХ 256
12.1 Электронные регуляторы 259
12.2 Пассивные регуляторы 263
12.3 Цифровые устройства АРУ 266
13 ПРИМЕНЕНИЕ МИКРОПРОЦЕССОРОВ В РПУ 270
13.1 Блок управления РПУ на ОМЭВМ 270
13.2 Синтезаторы частот с микропроцессорным управлением 274
13.3 Микропроцессоры в системе дистанционного управления и контроля РПУ 277
13.4 Применение МП для построения фильтров 278
Библиографический список 280

283