Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
html
Для заданной технологии производства MOSFET параметры R(DS)ON и QG противостоят друг другу.
MOSFET с низким сопротивлением включенного состояния имеет больше заряд затвора, и наоборот.
Поэтому результат произведения этих параметров очень хорошо характеризует транзистор MOSFET, и
для него придумали специальное название - Figure Of Merit (FOM), метрика качества:
Однако приведенная формула не используется просто так. Этот документ должен помочь сравнить
MOSFET и вычислить FOM (здесь приведен перевод даташита [1]).
транзистора. Для примера давайте заглянем в даташит транзистора IPD04N03LA (компания Infineon,
технология MOSFET OptiMOS®).
На первой странице даташита сразу бросается в глаза приведенное значение R(DS)ON. Но условия, при
которых это сопротивление истинно, здесь не указаны. Таким образом, это значение носит чисто
неформальный характер, на него можно обратить внимание при первом взгляде на транзистор MOSFET.
Его нельзя брать для сравнения FOM, потому что условия, в котором работает транзистор, не
учитываются.
Значения
Параметр Условия измерения Ед.
min typ max
Drain-source on-state resistance (статическое
R(DS)on VGS =4.5V, ID=50A - 4.6 5.7 mΩ
сопротивление сток-исток)
Qgs Gate to source charge (заряд затвор-исток) - 12 16
Gate charge at threshold (пороговый заряд
Qg(th) - 6.3 8.3
затвора)
Qgd VDD=15V, ID=25A, nC
Gate to drain charge (заряд затвор-сток) - 8.1 12
VGS =0..5V
Qsw Switching charge (заряд переключения) - 14 19
Qg Gate charge total (общий заряд затвора) - 31 41
Vplateau Gate plateau voltage (напряжение плато затвора) - 3.0 - V
Qg(sync) Gate charge total, sync. FET VDS=0.1V, VGS=0..5V - 28 38 nC
Параметр QSW на рисунке также называется заряд переключения. Он прикладывается для VGS между
пороговым напряжением и первым нарастанием напряжения после плато. Во время этой фазы MOSFET
меняет свое состояние от выключенного до включенного. Меньшее время включения получается,
когда при этом переходе будут меньше потери. Другими словами - чем меньше заряд QSW , тем меньше
потери на переключение. Сопротивление R(DS)ON зависит от напряжения затвор-исток, и
следовательно от общего заряда затвора, приложенного через VGS . Общий заряд затвора и заряд
переключения также зависит от напряжения сток-исток.
Можно взять самое маленькое указанное в даташите значение R(DS)ON и умножить на самое маленькое
указанное значение заряда затвора и получить приятно малое значение FOM. Однако оно мало скажет
о реальном транзисторе MOSFET.
Реальное сравнение значений FOM можно делать только для одинаковых условий. Первое, что нужно
выбрать - определиться с эксплуатационными напряжениями (затвор-исток VGS , сток-исток VDS ), для
которых вычисляется FOM. Эти напряжения зависят от параметров проектируемой схемы. Также нужно
определиться, какую имененно характеристику FOM следует вычислить, Qsw * R(DS)ON или QG *
R(DS)ON. Другой важный аспект - выбор в правой колонке данных даташита – сравнивать типичные
параметры или их максимальные значения? Поскольку политика определения максимальных значений
у разных компаний-производителей различается, то лучший выбор - взять типовые (номинальные)
Предположим, что значения даташита были даны для разных условий. В этом случае нужную
информацию по выборке типичных значений следует взять из диаграмм, характеризующих изменение
параметра. На рис. 5 дан пример получения QG из диаграммы зависимости напряжения на затворе и
заряда затвора. Исходный параметр VDS . Но на графике не указаны все значения VDS . Для
отстутствующих кривых делается оценочная прикидка по имеющимся значениям. На рис. 6 показаны
графики зависимости R(DS)ON (он напряжения на затворе VGS и тока стока ID).
Рис. 5. Типичный заряд затвора. VGS =f(Qgate), пульсирующий ток ID=25A, параметр VDD.
Здесь также нужно будет сделать оценку нужного значения сопротивления канала для не указанных
на графике условий. Также следует учесть тот факт, что на сопротивление канала влияет его ток,
поэтому R(DS)ON должен быть выбран для одного и того же тока стока ID.
Итак, сравнение транзисторов MOSFET разных типов и от разных производителей можно делать по
FOM, исходя из одинаковых предположительных условий эксплуатации. Формулы 2 и 3 описывают,
как вычислять значения FOM.
FOM (VGS, VDS, ID) = R(DS)ON (VGS, ID) * QG (VGS, VDS) (2)
FOMsw (VGS, VDS, ID) = R(DS)ON (VGS, ID) * Qsw (VDS) (3)
В скобках указаны условия, которые нужно учитывать для выборки сопротивления открытого
состояния канала сток-исток R(DS)ON и заряда затвора QG или заряда переключения QSW :
Важное замечание: для вычисления одного и того же вида параметров можно брать либо
максимальные, либо номинальные значения для R(DS)ON и QG.
[Ссылки]
1. How to Compare the Figure Of Merit (FOM) of MOSFETs, Infineon technologies, автор Jens Ejury.
2. Как работают транзисторы MOSFET.
Добавить комментарий
Имя (обязательное)
E-Mail (обязательное)
Сайт
Обновить
Отправить
JComments