Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Когда входной ключ разомкнут, то через эмиттерный переход транзистора T1 ток не течет,
и канал коллектор-эмиттер имеет высокое сопротивление. Говорят, что транзистор закрыт,
через его канал коллектор-эмиттер ток практически не течет. Когда замыкается входной
ключ, то от батарейки B1 через резистор R1 и эмиттерный переход транзистора течет
открывающий ток. Когда транзистор открыт, то его сопротивление канала коллектор-
эмиттер уменьшается, и почти все напряжение батареи B2 оказывается приложенным к
нагрузке R3. Т. е. когда во входной цепи течет ток (через R1), то в выходной цепи тоже
течет ток (через R3), но в выходной цепи ток и напряжение (т. е. действующая мощность) в
несколько раз больше. Здесь как раз и проявляются усиливающие свойства транзистора -
маленькая мощность на входе позволяет управлять большой мощностью на выходе.
На первый взгляд все то же самое - когда на входе есть управляющая мощность, она также
появляется и на выходе (обычно усиленная во много раз). В этом смысле биполярный
транзистор и MOSFET-транзистор очень похожи. Но есть два самых важных различия:
Температура, с другой стороны, сильно влияет на RDS(on). Как можно увидеть на рис. 3,
сопротивление приблизительно удваивается при возрастании температуры от 25°C до
125°C. Температурный коэффициент RDS(on) определяется наклоном кривой графика рис. 3,
и он всегда положителен для большинства поставщиков транзисторов MOSFET. Большой
положительный температурный коэффициент RDS(on) определяется потерями на соединении
I2R, которые увеличиваются с ростом температуры.
Рис. 3. Зависимость RDS(on) от температуры.
JFET. В структуре MOSFET Вы можете представить себе встроенный JFET, как это
показано на рис. 1. JFET оказывает значительное влияние на RDS(on), и является частью
нормального функционирования MOSFET.
Внутренний диод на подложке (Intrinsic body diode). Переход p-n между подложкой и
стоком формирует внутренний диод, так называемый body diode (см. рис. 1), или
паразитный диод. Обратный ток стока не может быть блокирован, потому что подложка
замкнута на исток, предоставляя мощный путь для тока через body diode. Расширение
канала транзистора (при положительном напряжении на затворе относительно истока)
уменьшает потери на прохождение обратного тока стока, потому что электроны проходят
через канал в дополнение к электронам и неосновным носителям, проходящим через body
diode.
Наличие внутреннего диода на подложке удобно в схемах, для которых требуется путь для
обратного тока стока (часто называемого как ток свободного хода), таких как схемах
мостов. Для таких схем предлагаются транзисторы FREDFET, имеющие улучшенные
восстановительные характеристики (FREDFET это просто торговое имя компании
Advanced Power Technology, используемое для выделения серий MOSFET с
дополнительными шагами в производстве, направленными на ускорение восстановления
intrinsic body diode). В FREDFET нет отдельного диода; это тот же MOSFET intrinsic body
diode. Для управления временем жизни неосновных носителей во внутреннем диоде
применяется либо облучение электронами (наиболее часто используемый вариант) или
легирование платиной, что значительно уменьшает заряд обратно смещенного перехода и
время восстановления.
Скорость восстановления для паразитного диода у MOSFET или даже у FREDFET намного
хуже в сравнении со скоростью быстрого дискретного диода. В приложениях, где жесткие
рабочие условия с температурой порядка 125°C, потери на включение из-за
восстановления из обратного смещения примерно в 5 раз выше, чем у быстрых
дискретных диодов. НА это есть 2 причины:
Есть риск включения паразитного BJT, если внутренний диод проводит, и затем
выключается с чрезмерно высоким изменением dv/dt. Мощная коммутация dv/dt вызывает
высокую плотность неосновных носителей заряда (положительные носители, или дырки) в
подложке, что может создать напряжение на подложке, достаточное для включения
паразитного BJT. По этой причине в даташите указано ограничение пиковой коммутации
(восстановление встроенного диода) dv/dt. Пиковая коммутация dv/dt для FREDFET выше
в сравнении с MOSFET, потому что у FREDFET снижено время жизни неосновных
носителей заряда.
Переходная характеристика зависит как от температуры, так и от тока стока. На рис. 5 при
токе ниже 100 A напряжение затвор-исток имеет отрицательный температурный
коэффициент (при заданном токе стока уменьшается напряжение затвор-исток при
повышении температуры). При токе выше 100 A температурный коэффициент становится
положительным. Температурный коэффициент напряжения затвор-исток и ток стока в том
месте, где коэффициент меняет знак, важен для проектирования работы схем в линейном
режиме [4].
Это выражение просто говорит о том, какая максимальная мощность может рассеиваться
Зависимость ID от TC. Этот график просто отражает формулу 2 для диапазона температур.
Здесь также не учтены потери на переключение. На рис. 6 приведен пример такого
графика. Обратите внимание, что в некоторых случаях выводы корпуса транзистора
ограничивают максимально допустимый продолжительный ток (переключаемый ток
может быть больше): 100 A для корпусов TO-247 и TO-264, 75 A для TO-220 и 220 A для
SOT-227.
IDM, импульсный ток стока. Этот параметр показывает, какой импульс тока может
выдержать устройство. Этот ток может значительно превышать максимально допустимый
постоянный ток. Назначение этого параметра IDM состоит в том, чтобы удержать рабочий
омический регион в пределе выходных характеристик. Посмотрите на рис. 7:
Рис. 7. Выходная характеристика MOSFET.
На этом графике есть максимальный ток стока для соответствующего напряжения затвор-
исток, когда транзистор MOSFET открыт. Если рабочая точка при данном напряжении
затвор-исток переходит выше омического региона "колена" рис. 7, то любое дальнейшее
увеличение тока через сток приведет к значительному увеличению напряжения сток-исток
(транзистор переходит из режима насыщения в линейный режим) и последующей потере
проводимости. Если мощность рассеивания станет слишком велика, и это будет
продолжаться довольно долго, то устройство может выйти из строя. Параметр IDM нужен
для того, чтобы установить рабочую точку ниже "колена" для типичных применений
транзистора в ключевом режиме.
Нужно ограничить плотность тока, чтобы предотвратить опасный нагрев, что иначе может
привести к необратимому перегоранию MOSFET.
TJ, TSTG: рабочий и складской диапазон температур перехода. Этот параметр ограничивает
допустимую температуру кристалла устройства во время работы и во время хранения.
Установленные пределы гарантируют, что будут соблюдены гарантийные
эксплуатационные сроки устройства. Работа в пределах этого диапазона может
значительно увеличить срок службы.
Все устройства, которые оценены по лавинной энергии, имеют параметр EAS. Лавинная
энергия связана с параметром разблокированного индуктивного переключения (unclamped
inductive switching, UIS). EAS показывает, сколько лавинной энергии устройство может
поглотить. Условия для схемы тестирования Вы можете найти в документации по
ссылкам, и EAS вычисляется по формуле:
IAR, ток лавинного пробоя. Для некоторых устройств, которые могут выйти из строя во
время лавинного пробоя, этот параметр дает лимит на максимальный ток пробоя. Так что
это как бы "точный отпечаток" спецификаций лавинной энергии, показывающий реальные
возможности устройства.
VGS(th), Gate threshold voltage, напряжение отсечки затвора. Это пороговое напряжение сток-
исток, при превышении которого транзистор начнет открываться. Т. е. при напряжении на
затворе выше VGS(th) транзистор MOSFET начинает проводить ток через канал сток-исток.
Для параметра VGS(th) также указываются условия проверки (ток стока, напряжение сток-
исток и температура кристалла). Все транзисторы MOSFET допускают некоторый разброс
порогового напряжения отсечки затвора от устройства к устройству, что вполне
нормально. Таким образом, для VGS(th) указывается диапазон (минимум и максимум), в
который должны попасть все устройства указанного типа. Как уже обсуждалось ранее в
разделе "На что влияет температура", VGS(th) имеет отрицательный температурный
коэффициент. Это значит, что с увеличением нагрева MOSFET откроется при более
низком напряжении затвор-исток.
IDSS, Zero gate voltage drain current, ток утечки канала. Это ток, который может течь через
закрытый канал сток-исток, когда напряжение на затвор-исток равно нулю. Поскольку ток
утечки увеличивается с температурой, то IDSS указывается для комнатной температуры и
для нагретого состояния. Потери мощности из-за тока утечки IDSS через канал сток-исток
обычно незначительны.
IGSS, Gate-source leakage current, ток утечки затвора. Это ток, который может через затвор
при указанном напряжении затвор-исток.
Динамические характеристики
Емкости Cgs и Cgd меняются в зависимости от приложенного к ним напряжений, потому что
они затрагивают обедненные слои в устройстве [8]. Однако на C gs намного меньше
меняется напряжение в сравнении с C gd, так что емкость Cgs изменяется меньше.
Изменение Cgd при изменении напряжения сток-затвор может быть больше, потому что
напряжение может меняться в 100 раз или больше.
На рис. 10 показаны внутренние емкости MOSFET с точки зрения схемотехники. Емкости
затвор-сток и затвор-исток могут повлиять на схему управления, и вызвать нежелательные
эффекты при быстрых переключениях в мостовых схемах.
Если кратко, то чем меньше Cgd, тем будет меньше влияние на схему управления при
перепаде напряжения при включении транзистора. Также емкости Cgs и Cgd формируют
емкостный делитель напряжения, и при большом соотношении Cgs к Cgd желательно
защитить схему управления от паразитных помех от перепадов напряжения, возникающих
при переключении. Это соотношение, умноженное на пороговое напряжение, определяет
качество защиты схемы управления от переключений в выходной цепи, и силовые
транзисторы MOSFET компании APT лидируют в индустрии по этому показателю.
Ciss, Input capacitance, входная емкость. Это емкости, измеренная между выводами затвора
истока, когда по переменному напряжению сток замкнут на исток. Ciss состоит из
параллельно соединенных емкостей Cgd (емкость затвор-сток) и Cgs (емкость затвор-
исток):
Входная емкость должна быть заряжена до порогового напряжения перед тем, как
транзистор начнет открываться, и разряжена до напряжения общего провода перед тем,
как транзистор выключится. Таким образом, сопротивление управляющей схемы и
емкость Ciss образуют интегрирующую цепь, которая напрямую влияет на задержки
включения и выключения.
Coss — Output capacitance, выходная емкость. Это емкость, измеренная между стоком и
истоком, когда затвор замкнут по переменному току на сток. Coss состоит из параллельно
соединенных емкостей Cds (емкость сток-исток) и Cgd (емкость затвор-сток):
Для приложений с мягким переключением параметр Coss важен, потому что влияет на
резонанс схемы.
Crss, Reverse transfer capacitance, обратная переходная емкость. Это емкость, измеренная
между стоком и затвором, когда исток соединен с землей. Обратная переходная емкость
эквивалентна емкости затвор-сток.
Cres = Cgd
Обратная переходная емкость часто упоминается как емкость Миллера. Это один из
главных параметров, влияющих на время нарастания и спада напряжения во время
переключения. Он также влияет на эффекты времени задержки выключения.
Qgs, Qgd и Qg, Gate charge, заряд затвора. Значения заряда отражают заряд, сохраненный на
внутренних емкостях, описанных ранее. Заряд затвора используется для разработки схемы
управления, поскольку нужно учитывать изменения емкости при изменении напряжения
на переходах переключения [9, 10].
На рис. 12 показано, что Qgs заряжается от начала координат до первого перегиба и далее
заряжается до второго перегиба кривой (этот заряд известен как заряд Миллера), и Q g
является зарядом от начала координат до точки, где V GS равно указанному управляющему
напряжению затвора.
td(on), Turn-on delay time, время задержки включения. Это время от момента, когда
напряжение затвор-исток на 10% превысит напряжение отсечки затвора до момента
времени, когда ток стока вырастет больше 10% от указанного выходного тока. Это
показывает задержку начала поступления тока в нагрузку.
td(off), Turn-off delay Time, время задержки выключения. Это время от момента, когда
напряжение затвор-исток упадет ниже 90% напряжения отсечки затвора до момента, когда
ток стока упадет ниже 90% от указанного выходного тока. Это показывает задержку
отключения тока в нагрузке.
tr, Rise time, время нарастания. Это время, за которое ток стока вырастет от 10% до 90%
(значение тока указывается).
tf, Fall time, время спада. Это время, за которое ток стока спадет от 90% до 10% (значение
тока указывается).
При 112°C сопротивление RDS(on) примерно в 1.8 раз больше, чем при комнатной
температуре (см. рис. 3). Так что потери на проводимость составят:
По рис. 18 на токе 15A значение Eon будет около 300 μJ, и Eoff около 100 μJ. Значения были
измерены при 330V, а в нашем приложении на шине питания 400V. Так что мы можем
просто сделать масштабирование энергий переключения по напряжению:
Данные на рис. 18 были также измерены при сопротивлении затвора 5Ω, и мы будем
использовать 15Ω при включении. Поэтому мы можем использовать график зависимости
энергии переключения от данных сопротивления затвора, показанный на рис. 19, чтобы
снова сделать масштабирование энергии.
Даже при том, что тестовый ток на рис. 19 больше, чем в нашем приложении, разумно
учесть соотношение в изменении энергии переключения между рис. 19 и нашим случаем.
От 5Ω до 15Ω значение Eon поменяется с коэффициентом около 1.2 (1500μJ / 1250μJ, см.
рис. 19). Применим это с данным, скорректированным по напряжению, которые мы видим
на рис. 18, и получим Eon = 1.2*364μJ = 437μJ.
Pconduction + Pswitch = 142.4 Вт, что дает возможность сохранить температуру перехода
ниже 112°C в случае корпуса, охлажденного до 75°C. Так что APT50M70B2LL будет
удовлетворять требованиям этого примера применения. Такая же техника может
использоваться для менее мощных транзисторов MOSFET. На практике потери часто
больше всего бывают на переключении. Чтобы поместить транзистор на радиатор и
поддерживать температуру корпуса 75°C вероятно потребуется керамическая прокладка
(для электрической изоляции) между корпусом и теплоемким радиатором. Преимущество
MOSFET состоит в том, что могут применяться демпферы и/или техники резонанса для
уменьшения потерь на переключение, причем с транзисторами MOSFET не нужно
беспокоиться о влиянии на переключение эффектов зависимости от напряжения или
температуры.
[UPD160207. Figure-of-merit]
Для оценки транзисторов FET применяют так называемый показатель качества, Figure of
merit (FOM) [11]. Он учитывает одновременно потери на включенном транзисторе и
потери на переключение. Обычно FOM вычисляется как произведение сопротивления
канала сток-исток открытого транзистора R(DS)ON на заряд затвора QG. QG это заряд,
который надо поместить на затвор транзистора MOSFET, чтобы он полностью открылся. С
точки зрения рационального дизайна трудно одновременно снизить оба параметра, так что
они хороши для оценки качества разработки ключа на полевом транзисторе.
Конечно, сравнение имеет смысл делать только в неком стандартном наборе условий. Это
означает, что не только напряжение между затвором и истоком VGS поставляет заряд,
также и напряжение сток-исток VDS влияет на сопротивление R(DS). (Это означает, что не
просто канал полностью открыт, а то, что сопротивление R(DS) изменяется вверх и вниз.)
Усложненный анализ учитывает, что R(DS)ON немного меняется с током стока, так что при
сравнении переключающихся транзисторов рабочий ток стока ID также должен быть
определен.
[Ссылки]