При замене транзистора нужно обратить внимание.

Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор

может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей
температуры транзистора - при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность
уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна - ухудшаются остальные
характеристики транзистора, может начаться резкое увеличение тока коллектора, что проводит к
еще большему разогреву и выходу транзистора из строя.
Ucb - Максимально допустимое напряжение коллектор-база, определяемое величиной
пробивного напряжения p-n перехода. Оно имеет зависимость от тока коллектора и температуры
транзистора.
Uce - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Необходимо, чтобы Uce было на
треть больше напряжения питания цепи коллектора. Если нагрузкой схемы является катушка
реле, необходимо предусмотреть защиту транзистора от перенапряжения, например диод.
Ueb - Максимально допустимое напряжение эмиттер-база.
Ic - Максимальный постоянный ток коллектора. Ток транзистора также берется с запасом не
менее 30%. Его величина зависит от температуры корпуса транзистора или окружающей среды.
Tj - Предельная температура PN-перехода. Этот параметр важно учитывать, если транзистору
приходить работать в экстремальных условиях, например в автомобиле, где его температура
может доходить до 100 градусов.
ft - Граничная частота коэффициента передачи тока - частота, при которой модуль коэффициента
передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Данный параметр важен потому,
что с ростом частоты входного сигнала коэффициент усиления падает.
Cc - Ёмкость коллекторного перехода. От этого параметра зависит быстродействие транзистора.
Чем она ниже, тем лучше.
hfe - Статический коэффициент передачи тока - соотношение тока коллектора Iс к току базы Ib.
Для Mosfet транзистора нужно обратить внимание.
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), MOSFET или JFET),
полярность, тип корпуса, расположение выводов (MOSFET или JFET), цоколевку).
Из числовых параметров это, прежде всего предельные характеристики, такие как Pd -
максимальная рассеиваемая мощность, Vds - максимальное напряжение сток-исток, Vgs -
максимальное напряжение затвор-исток, Id - максимальный ток стока. У подбираемого
транзистора эти параметры должны быть не меньше чем у исходного транзистора.
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого
транзистора (MOSFET или JFET), Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем
меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у
MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления
этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери
из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше
нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (MOSFET или JFET), нагрев) транзистора после
включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом
транзисторе, так и в элементах его обвязки.