Электронная техника

Методические рекомендации к проведению
лабораторных работ на сменном блоке
«Электронная техника»
Содержание
Лабораторная работа №1.........................................................................................4
Исследование полупроводниковых диодов..........................................................4
1. Цель работы........................................................................................................4
2. Порядок выполнения........................................................................................4
2.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 4
2.2 Снятие ВАХ характеристик диодов при обратном включении.................7
2.3. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона при прямом
включении.............................................................................................................9
2.4. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона при обратном
включении...........................................................................................................11
2.5. Исследование простейшего стабилизатора напряжения.........................13
3. Содержание отчета..........................................................................................17
Лабораторная работа №2.......................................................................................19
Исследование биполярного транзистора с общим эмиттером в статическом
режиме.......................................................................................................................19
1. Цель работы......................................................................................................19
2. Порядок выполнения работы........................................................................19
2.1 Снятие входных статических характеристик транзистора.......................21
2.2 Снятие выходных статических характеристик транзистора....................22
3. Содержание отчёта..........................................................................................24
Усилительный режим работы транзистора.......................................................25
1. Цель работы......................................................................................................25
2.1. Снятие управляющей характеристики......................................................27
2.2. Исследование транзистора в режиме усиления напряжения..................29
Исследование полевого транзистора в статическом режиме.........................33
1. Цель работы......................................................................................................33
3
2.1. Снятия статических характеристик полевого транзистора.....................33
2.2. Исследование полевого транзистора в нагрузочном режиме.................36
Транзисторный каскад с общим коллектором..................................................40
1. Цель работы......................................................................................................40
2.1. Исследование схемы с ОК в статическом режиме...................................41
2.2. Исследование схемы с ОК в динамическом режиме...............................45
Экспериментальное подтверждение основных законов электротехники....49
1. Цель работы......................................................................................................49
2.1. Экспериментальное подтверждение закона Ома.....................................49
2.2. Экспериментальное подтверждение 2-го закона Кирхгофа....................53
3
Лабораторная работа №1
Исследование полупроводниковых диодов
1. Цель работы
Изучение полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого) и

стабилитрона путём снятия прямой и обратной ветви статических
вольтамперных характеристик (ВАХ). Исследование простейшего
стабилизатора напряжения.
2. Порядок выполнения
2.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении
Описание схемы
При прямом включении диода на его анод подаётся положительное
напряжение. В схеме измерений, изображённой на рис.1, положительное
смещение подаётся с регулируемого источника Е1. Ток, протекающий через
исследуемый диод, измеряется амперметром PА1. Напряжение на диоде
измеряется вольтметром PV1.1. Ограничительное сопротивление Rогр
предохраняет исследуемый диод от пробоя.
Используемые приборы:
Е1 – источник напряжения Е1, расположенный на сменном блоке;
PA1 – в качестве амперметра используется мультиметр, включенный в
режим измерения постоянного тока;
PV1.1 – вольтметр расположенный на средней верхней панели установки;
VD – кремниевый диод FR307 или германиевый диод 1Д507А.
3
Rогр
PА1
100 Ом
+
Е1 – VD PV1.1
Рис.1. Схема измерения при снятии прямой ветви ВАХ

2.1.1. В соответствии с монтажной схемой, представленной на рис.2,
соберите схему измерений. В схеме в качестве VD используйте кремниевый
диод FR307.
Рис.2. Схема соединений для снятия прямой ветви ВАХ

2.1.2. Установите пределы измерений:
1) амперметра PA1 – 20 мА постоянного тока (A=),
2) вольтметра PV1.1. – 2 В. Тумблер переключения режимов работы
вольтметра установите в положение измерения постоянных величин (=).
2.1.3. Ручки управления выходным напряжением источника E1 поверните
против часовой стрелки до упора. Собранную схему покажите преподавателю.
3
2.1.4. После проверки преподавателем собранной схемы включите
установку, сменный блок и используемые приборы.
2.1.5. При снятии характеристики, регулируя напряжение источника Е1,
устанавливается напряжение на диоде в соответствии с табл.1. и записывается
значение тока через диод, измеренное амперметром PА1.
Пошаговая инструкция измерений:
1) регулируя напряжение источника Е1, установите 0,1В на вольтметре
PV1.1;
2) Запишите значение амперметра PA1 в таблицу 1 для исследуемого
диода. Если амперметр показывает перегрузку (1 в левом части циферблата), то
переключите предел на 200 мА постоянного тока (A=).
3) повторите пункты 1 и 2 для следующего значения напряжения PV1.1.
из таблицы 1.
2.1.6. Замените кремниевый диод FR307 на германиевый диод 1Д507А.

Проведите аналогичные измерения прямой ветви ВАХ. Результаты измерений
занесите в таблицу 1.
Таблица 1
U, В
0,1 0,2 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,7
(PV1.1.)
Iд, мА
кремниевый
(PA1)
Iд, мА
германиевый
(PA1)
3
2.2 Снятие ВАХ характеристик диодов при обратном включении
При обратном включении диода на его катод подаётся положительное
напряжение. В схеме измерений, изображённой на рис.2, положительное
смещение подаётся с регулируемого источника Е2. Ток протекающий через
исследуемый диод измеряется амперметром PА1. Напряжение на диоде
измеряется вольтметром PV1.1. Ограничительное сопротивление Rогр
предохраняет исследуемый диод от пробоя при неправильном включении.
VD – кремниевый диод FR307 или германиевый диод 1Д507А.
Rогр
PА1
100 Ом
+
VD PV1.1.
– Е2
Рис.2. Схема измерения при снятии обратной ветви ВАХ

соберите схему измерений. В схеме в качестве VD используйте кремниевый
диод FR307.
3
Рис.3. Схема соединений для снятия обратной ветви ВАХ

2) вольтметра PV1.1 – 200 В. Тумблер переключения режимов работы
2.2.5. Пошаговая инструкция измерений:
1) регулируя напряжение источника Е2, установите 1В на вольтметре
PV1.1;
диода.
3
2.2.6. Замените кремниевый диод FR307 на германиевый диод 1Д507А.
Проведите аналогичные измерения обратной ветви ВАХ. Результаты измерений
занесите в таблицу 2.
Таблица 2
U, В
1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19
(PV1.1.)
Iд, мкА
кремниевый
(PA1)
Iд, мкА
германиевый
(PA1)
2.3. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона при прямом

включении
При прямом включении стабилитрона на его анод подаётся
положительное напряжение. В схеме измерений, изображённой на рис.3,
положительное смещение подаётся с регулируемого источника Е1. Ток
протекающий через исследуемый стабилитрон измеряется амперметром PА1.
Напряжение на стабилитроне измеряется вольтметром PV1.1. Ограничительное
сопротивление Rогр предохраняет исследуемый стабилитрон от пробоя.
VD – стабилитрон Д814.
3
Rогр
PА1
100
+
Е1 – VD PV1.1
Рис.3. Схема измерения при снятии прямой ветви ВАХ

соберите схему измерений. В схеме в качестве VD используйте стабилитрон
Д814.
Рис.2. Схема соединений для снятия прямой ветви ВАХ

2) вольтметра PV1.1 – 2 В. Тумблер переключения режимов работы
3
2.3.5. При снятии характеристики, регулируя напряжение источника Е1,
устанавливается напряжение на стабилитроне в соответствии с табл.3. и
записывается значение тока через стабилитрон, измеренное амперметром PА1.
1) регулируя напряжение источника Е1, установите 0,1В на вольтметре
PV1.1;
диода. Если амперметр показывает перегрузку (1 в левом части циферблата), то
переключите предел на 200 мА постоянного тока (A=).
Таблица 3
U, В
0,1 0,2 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6
(PV1.1)
Iс, мА
(PA1)
2.4. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона при обратном

включении
При обратном включении стабилитрона на его катод подаётся
положительное напряжение. В схеме измерений, изображённой на рис.4,
положительное смещение подаётся с регулируемого источника Е2. Ток
протекающий через исследуемый стабилитрон измеряется амперметром PА2.
Напряжение на стабилитроне измеряется вольтметром PV1.2. Ограничительное
сопротивление Rогр предохраняет исследуемый стабилитрон от пробоя при
неправильном включении.
3
Rогр
PА1
1 кОм
+
PV1.1 VD PV1.2
– Е2
Рис.4. Схема измерения при снятии обратной ветви ВАХ

соберите схему измерений. В схеме в качестве VD используйте стабилитрон
Д814.
3
Рис.3. Схема соединений для снятия обратно ветви ВАХ

2) вольтметров PV1.2 и PV1.2 – 20 В. Тумблеры переключения режимов
работы вольтметров установите в положение измерения постоянных величин
(=).
2.4.5. Пошаговая инструкция измерений:
1) регулируя напряжение источника Е2, установите 1В на вольтметре
PV1.2;
диода.
Таблица 4
E2, В
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19
(PV1.2)
Uст, В
(PV1.1)
Iст,мА
(PA1)
2.5. Исследование простейшего стабилизатора напряжения
3
Схема для исследования простейшего стабилизатора напряжения,
изображена на рис.5. Схема питается от источника Е2 и отличается от
предыдущей схемы наличием сопротивления нагрузки Rн, подключённого
параллельно стабилитрону, и амперметром PA1, включённого последовательно
с сопротивлением нагрузки.
Iн IЕ2 Rогр
PА1 PА2
Iст 1 кОм
+
Rн PV1.1 VD PV1.2
– Е2
Рис.5. Схема измерений при исследовании простейшего стабилизатора

напряжения
соберите схему измерений.
3
Рис.2. Схема соединений для снятия обратной ветви ВАХ

1) амперметров PA1 и PA2 – 20 мА постоянного тока (A=),
(=).
2.5.5. Исследование производится при 4 различных сопротивлениях
нагрузки: Rн=∞ (отсутствие колодочки с резистором), Rн=10 кОм, Rн=3,3 кОм
и Rн=1 кОм, и при 2-х значениях напряжения источника Е2: UE2=12 В и UE2=20
В.
1) Установите напряжение источника Е2 =12 В.
2) Запишите показания вольтметра PV1.1 и амперметров PA1 и PA2 в
таблицу 5.
3
3) Изменяя сопротивление нагрузки, путём замены колодочек с
резисторами 10 кОм, 3,3 кОм и 1 кОм, произвести измерения. Результаты
запишите в таблицу 5.
Е2 (PV1.2) =12 В Таблица 5

Rн=∞ Rн=10 кОм Rн=3,3 кОм Rн=1 кОм
PА1, мА
PА2, мА
PV1.1, В
2.5.6. Установите напряжение источника Е2 =20 В и повторите измерения

п2.5.5, результаты запишите в таблицу 6.
Е2 (PV1.2) =20 В Таблица 6

Rн=∞ Rн=10 кОм Rн=3,3 кОм Rн=1 кОм
PА1, мА
PА2, мА
PV1.1, В
2.5.7. Подключите сопротивление нагрузки Rн=1 кОм, снять зависимости

Uн=f(Uвх), Iн=f(Uвх) и Iст=f(Uвх). Измеренные величины записать в таблицу 7.
Rн=1 кОм Таблица 7

E2, В
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19
(PV1.2)
Uн, В
(PV1.1)
Iн,мА
(PA1)
3
Iст,мА
(PA2)
2.5.8. Рассчитать коэффициент стабилизации – Кст
3. Содержание отчета
Отчет должен содержать:

1) Схемы исследований;
2) По данным таблиц 1 и 3 постройте ВАХ диодов при прямом
включении.
3) По данным таблиц 2 и 4 постройте ВАХ диодов при обратном
включении.
4) На линейном участке прямой ветви ВАХ построить
характеристические треугольники (см. рис.6.) и определить крутизну S мА/В
диодов:
Iпр , мА
50
40
30
∆Iпр
20
10
∆Uпр
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Uпр, В
Рис.6. ВАХ диода при прямом включении
3
5) Вычислить дифференциальное сопротивление:
6) Определить прямое и обратное статическое сопротивление (прямое

сопротивление определить в двух точках: ─ на середине линейного участка и
на пологом участке характеристики).
7) Обратное статическое сопротивление определить при напряжении -20

Вольт.
8) Рассчитать динамическое сопротивление стабилитрона Rд (по

обратной ветви ВАХ)
Rд = ΔUст / ΔIст
9) Сформулировать выводы, объясняющие наличие проводимости при
прямом смещении полупроводниковых диодов и отсутствие проводимости при
обратном включении. Объяснить отсутствие тока в начальном участке
вольтамперной характеристики диода при прямом включении.
3
Исследование биполярного транзистора с общим
эмиттером в статическом режиме
Исследовать основные статические характеристики и параметры

биполярных транзисторов, познакомиться с методикой измерения
характеристик и обработкой экспериментальных данных.
2. Порядок выполнения работы
В данной работе используется биполярный транзистор МП37 (n-p-n).

Цоколёвка транзистора и вид сверху на 4-х контактную колодку с
транзистором, представлены на рисунке 1.
Рис.1.
Входной характеристикой биполярного транзистора является

зависимость входного тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном
напряжении коллектор-эмиттер.
3
Выходной характеристикой биполярного транзистора является
зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эммитер при
постоянном токе базы.
Схема для снятия статических характеристик приведена на рис.1.
PА2
R VT
PА1
10кОм
+ +
PV1.2
Е1 – PV1.1 – Е2
Рис. 1 Принципиальная схема снятия статических характеристик

транзистора в схеме с общим эмиттером.
В схеме используются два регулируемых источника напряжения E1 и
Е2. С помощью источника Е1 регулируется напряжение смещения на базе
транзистора. Источник напряжения Е2 питает цепь коллектора. Контроль тока
базы осуществляется амперметром РА1. Вольтметром РV1.1 измеряется
напряжение база-эмиттер.
Контроль тока коллектора осуществляется амперметром РА2. С
помощью вольтметра РV1.2 измеряется напряжение коллектор-эмиттер.
При снятии входных статических характеристик с помощью
источника напряжения Е2 устанавливается напряжение коллектор-эмиттер,
значение которого в процессе измерения остается неизменным. С помощью
источника напряжения Е1 устанавливается напряжение база-эмиттер, значение
которого изменяется в процессе измерения.
При снятии выходных статических характеристик с помощью
источника напряжения Е1 устанавливается ток базы, значение которого в
процессе измерения остается неизменным. С помощью источника напряжения
3
Е2 устанавливается напряжение коллектор-эмиттер, значение которого
изменяется в процессе измерения.
VT – биполярный транзистор МП37 (n-p-n).
2.1 Снятие входных статических характеристик транзистора.

1) амперметра PA1– 2 мА постоянного тока (A=),
3) вольтметров PV1.1 – 2В и PV1.2 – 20 В. Тумблеры переключения
режимов работы вольтметров установите в положение измерения постоянных
величин (=).
2.1.2. Ручки управления выходным напряжением источников E1 и E2
поверните против часовой стрелки до упора. Собранную схему покажите
преподавателю.
2.1.4. Вращая ручку регулировки выходного напряжения источника Е2,
установите напряжение коллектор-эмиттер ровное 5В (PV1.2). Вращая ручку
регулировки выходного напряжения источника Е1, изменять значение
3
напряжение база-эмиттер согласно таблице 1. При каждом значении
напряжения база-эмиттер записать показания амперметра PA1 в
соответствующий столбец таблицы.
2.1.5. Повторить п 2.1.4 при двух значениях напряжения коллектор-
эмиттер равных 10В и 15В, полученные экспериментальные данные занести в
таблицы 2 и 3.
Uкэ (PV1.2) = 5В Таблица 1
Uбэ (В)
0,05 0,1 0,15 0,2 0,21 0,22 0,23 0,24
(PV1.1)
Iб (мкА)
(PA1)

Uбэ (В)
0,05 0,1 0,15 0,16 0,17 0,18 0,19 0,2
(PV1.1)
Iб (мкА)
(PA1)

Uбэ (В)
0,05 0,08 0,1 0,11 0,12 0,13 0,14 0,15
(PV1.1)
Iб (мкА)
(PA1)
2.1.6. Построить входные статические характеристики транзистора по

таблицам 1, 2 и 3.
2.1.7. Объясните, почему ток базы при увеличении напряжения на

эмиттере уменьшается.
3
2.2 Снятие выходных статических характеристик транзистора.
Измерительные приборы и источники напряжения подключаются
согласно рисунку 1 (см. выше).
Выходной характеристикой биполярного транзистора является
зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при
постоянном токе базы.
Контроль тока коллектора осуществляется амперметром РА2. С
помощью вольтметра РV1.2 измеряется напряжение коллектор-эмиттер.
величин (=).
2.2.2. Ручки управления выходным напряжением источника E2
поверните против часовой стрелки до упора.
2.2.3. Вращая ручку регулировки выходного напряжения источника Е1,
установите ток базы 50мкА (PА1). Вращая ручку регулировки выходного
напряжения источника Е2, изменять значение напряжения на коллекторе
согласно таблице 2. При каждом значении напряжения на коллекторе записать
показания амперметра PA1 в соответствующий столбец таблицы. При этом ток
коллектора не должен превышать 15-20мА при изменении напряжения на
коллекторе.
2.2.4. Провести измерения при трех значениях тока базы Iб, полученные
экспериментальные данные занести в таблицы 4, 5 и 6.
Iб (PA1) = 50мкА Таблица 4

Uк (В)
0 0,05 0,1 0,15 0,2 1 5 10
(PV1.2)
3
Iк (мА)
(PA2)

Uк (В)
0 0,05 0,1 0,15 0,2 1 5 10
(PV1.2)
Iк (мА)
(PA2)

Uк (В)
0 0,05 0,1 0,15 0,2 1 5 10
(PV1.2)
Iк (мА)
(PA2)
2.2.5. Построить выходные статические характеристики транзистора по

таблицам 4, 5 и 6.
2.2.6. Объясните, почему при постоянном токе базы и увеличении

напряжения на коллекторе ток коллектора мало изменяется. Объясните, почему
характеристики при различных токах базы расположены параллельно.
Объясните начальный участок характеристики.
3. Содержание отчёта

1) Схемы измерений;
2) Таблицы и графики снятых зависимостей;
3) Результаты расчетов.
4) Выводы.
3
3
Усилительный режим работы транзистора
Приобретение практических навыков в исследовании режимов работы и

усилительных свойств транзистора, построение нагрузочной прямой.
Определение рабочей точки транзистора в режимах: активном, отсечки и
насыщения.

Цоколёвка транзистора и вид сверху на 4-х контактную колодку с транзистором
представлены на рисунке 1.
Рис.1.
3
При включении резистора в цепь коллектора транзистора, включённого
по схеме с ОЭ (рис.2.), напряжение на коллекторе будет зависеть от тока
коллектора Iк.
+Eк
Iк Rк
Iб VT
Uкэ
Ecм
Рис.2.
При этом напряжение на коллекторе будет равно:

Uкэ = Eк – Rк ∙ Iк
В свою очередь ток коллектора зависит от напряжения смещения на базе
транзистора и, соответственно, от тока базы Iб. Ток базы и ток коллектора
связаны выражением:
h21 = Iк / Iб или Iк = h21 ∙ Iб
Таким образом, меняя ток базы, путём изменения напряжения смещения
на базе, можно управлять током коллектора и, соответственно, напряжением на
коллекторе. Зависимость напряжения на коллекторе от напряжения смещения
на базе Uкэ = f (Eсм) называется статической управляющей характеристикой
(нагрузочная прямая). Статическая управляющая характеристика снимается в
первой части лабораторной работы.
Во второй части лабораторной работы изучаются режимы работы
транзистора при подаче на вход базы синусоидального напряжения. Режим
работы транзистора задаётся напряжением смещения Есм на базе, которое
определяет положение рабочей точки на управляющей характеристике. При
этом с помощью осциллографа определяется форма сигнала в различных
режимах работы транзистора (режим отсечки, активный режим и режим
3
насыщения). При рассмотрении формы сигнала в активном режиме, следует
обратить внимание на фазы входного и выходного сигналов.
2.1. Снятие управляющей характеристики
2.1.1. Для снятия управляющей характеристики соберите схему,

приведенную на рисунке 3.
Rк
VT1 PА2
МП37 1кОм
Rб
PА1
+ 10кОм +15В
PV1.2
Е1 – PV1.1 Е2
Рис.3. Схема для снятия управляющей характеристики
Рис.4. Схема соединений для снятия управляющей характеристики

3
величин (=).
против часовой стрелки до упора (установить 0В на выходе). Резистор
Rб=10кОм в данной схеме является ограничительным и защищает цепь базы от
превышения максимально допустимых значений тока базы.
Собранную схему покажите преподавателю.
2.1.5. При сопротивлении Rк = 1кОм. Установите на выходе источника Е2
напряжение 15В (PV1.2).
2.1.5. Изменяя напряжение источника Е1 снимите управляющую
характеристику и результаты измерений запишите в таблицу 1. При снятии
характеристики определите точку перехода транзистора в режим насыщения.
Rк=1кОм Таблица 1
Uбэ
(PV1.1)
Iб
(PA1)
Uкэ
(PV1.2)
Iк
Iнас
(PA2)
2.1.6. Управляющая характеристика снимается для двух значений

сопротивления Rк в цепи коллектора Rк=1кОм и Rк=3,3кОм. Повторите
измерения при Rк=3,3кОм. Результаты измерений занесите в таблицу 2.
Rк=3,3кОм Таблица 2
3
Uбэ
(PV1.1)
Iб
(PA1)
Uкэ
(PV1.2)
Iк
Iнас
(PA2)
2.1.7. По результатам измерений постройте статические управляющие

характеристики. Обозначьте точки перехода в режим насыщения и в режим
отсечки.
2.2. Исследование транзистора в режиме усиления напряжения
2.2.1. Соберите схему исследования, приведённую на рисунке 5.
+ +15В
Е1 – Е2
3,3кОм Rк
10кОм Rб
C1 VT PV1.2
Осциллограф
-20 1мк
Ген Ф I канал
PV1.1
НЧ II канал
Рис.5. Схема исследования транзистора в режиме усиления напряжения
3
Рис.6. Схема соединений для исследования транзистора в режиме усиления

1) вольтметров PV1.1 – 2 В и PV1.2 – 20 В. Тумблеры переключения
режимов работы вольтметров установите в положение:
a) PV1.1. измерения переменных величин (~).
б) PV1.2. измерения постоянных величин (=).
против часовой стрелки до упора (установить 0В на выходе).
Собранную схему покажите преподавателю.
2.2.5. Установите напряжение Е2 = 15В (PV1.2.).
2.2.6. Подключите PV1.2. к коллектору транзистора (рис.7. и рис.8).
3
+ +15В
Е1 – Е2
3,3кОм Rк
10кОм Rб
C1 VT
PV1.2 Осциллограф
-20 1мк
Ген Ф I канал
PV1.1
НЧ II канал
Рис.7. Схема исследования транзистора в режиме усиления напряжения
Рис.8. Схема соединений для исследования транзистора в режиме усиления

2.2.6. Меняя напряжение источника Е1, установите напряжение на

коллекторе равное 7,5 В (половина напряжения питания) (PV1.2).
2.2.7. Включите генератор НЧ, установите частоту 1 кГц.
2.2.8. Контролируя форму сигнала по осциллографу, увеличить
амплитуду (Генератор НЧ) входного сигнала до появления двухсторонних
ограничений амплитуды выходного сигнала. В случае несимметричного
3
ограничения выходного сигнала подрегулировать положение рабочей точки
напряжения смещения Е1. Уменьшить амплитуду входного сигнала до
устранения искажений. С помощью осциллографа замерить амплитуду
напряжения на входе и выходе схемы. Рассчитать коэффициент усиления К ус=
Uвых/ Uвх. Зарисовать осциллограммы сигналов на входе и на выходе.
2.2.9. Повторите пункты 2.2.6. - 2.2.8. для резистора Rк=10 кОм.
2.2.10. Не меняя амплитуды входного сигнала, переведите транзистор в
режим отсечки, уменьшая напряжение смещения Е1. Зарисуйте осциллограмму
выходного сигнала.
2.2.11. Переведите транзистор в режим близкий к насыщению. Зарисуйте
осциллограмму выходного сигнала.

1) схемы исследования;
2) заполненные таблицы измерений;
3) графики статических управляющих характеристик, с обозначенными
зонами режимов работы транзистора (отсечки, насыщения и активный);
4) осциллограммы напряжений;
5) выводы.
3
Исследование полевого транзистора в статическом
режиме
Исследовать основные статические характеристики и параметры полевых

транзисторов, познакомиться с методикой измерения характеристик и
обработкой экспериментальных данных.
В работе используется полевой транзистор КП303Е, основные параметры

которого приведены в таблице 1.
Таблица 1
Наименование Обозначение Значения
Начальный ток стока, мА IСнач. 5 – 20
Крутизна характеристики, мА/В S ≥4
Напряжение отсечки, В UЗИотс. ≤8
Максимально допустимое
UСИmax 25
напряжение сток-исток, В
Максимальный ток стока, мА IСmax 20
2.1. Снятия статических характеристик полевого транзистора
Статическими характеристиками полевого транзистора называются

зависимости IС=f(UЗИ) при постоянном напряжении сток-исток и I C=f(UСИ) при
постоянном напряжении затвор-исток.
3
2.1.1. Соберите схему (рис.1.) для снятия статических характеристик
полевого транзистора.
Rогр VT С
PА1
З
3,3 кОм И
– +
PV1.2
Е1 + PV1.1 = – Е2
=
Рис.1. Схема для снятия статических характеристик полевого транзистора

с управляющим pn-переходом и n-каналом
VT – полевой транзистор КП303Е.

(=).
2.1.3. Ручки управления выходным напряжением источников E1 и Е2
3
2.1.5. После проверки схемы и включения стенда преподавателем
снимите семейство стоко-затворных характеристик транзистора I С=f(UЗИ) для
значений напряжения стока UСИ=5 В, UСИ=15 В. Определите напряжение
отсечки тока стока (напряжение UЗИ, при котором ток стока становится равным
нулю) Результаты измерений занесите в таблицу 2.
Таблица 2
UЗИ, В
UЗИотс =____В -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0
(PV1.1)
UСИ=5 В IС, мА
0
(PV1.2) (PA1)
UСИ=15 В IС, мА
0
(PV1.2) (PA1)
2.1.6. По данным таблицы 2 постройте график зависимости I С=f(UЗИ) при

UСИ=const.
2.1.7. Снимите семейство стоковых характеристик транзистора I C=f(UСИ)
для трёх значений напряжения на затворе U ЗИ=0В, UЗИ= −1В и UЗИ= −1,5В.
Результаты измерений занесите в таблицу 3.
Таблица 3
UЗИ, В UСИ, В
0 0,3 0,5 1,0 2,0 3,0 5,0 10,0 15,0
(PV1.1) (PV1.2)
IС, мА
0
(PA1)
IС, мА
-1
(PA1)
IС, мА
-1,5
(PA1)
3
2.1.8. По данным таблицы 3 постройте график зависимостей I С=f(UСИ) при
UЗИ=0В, UЗИ= −1В и UЗИ= −1,5В.
2.1.9. Рассчитайте параметры исследуемого полевого транзистора (S, R i,
µ) в точке с координатами UСИ = 6 В, UЗИ = −1,5 В.
2.2. Исследование полевого транзистора в нагрузочном режиме
2.2.1. Соберите схему (рис.2.) для исследования полевого транзистора в

нагрузочном режиме.
PA1
Rн
3,3 кОм
VT
С
Rогр
З
10 кОм И
- + 15В
PV1.2
Е1 + PV1.1
= - Е2
Рис.2. Схема для исследования полевого транзистора в нагрузочном режиме
VT – полевой транзистор КП303Е.

3
(=).
2.2.3. Ручки управления выходным напряжением источников E1 и Е2
2.2.5. Подключив вольтметр PV1.2 к выходу Е2, установите напряжение

Е2 = 15В.
2.2.6. Должно быть установлено Rогр=10 кОм, RН=3,3 кОм.
2.2.7. Изменяя напряжение UЗИ проведите измерения. Результаты
измерений занесите в таблицу 4.
Е2=15В, Rогр=10 кОм, RН=3,3 кОм Таблица 4

UЗИ, В
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
(PV1.1)
UСИ, В
(PV1.2)
Ic, мА
(PA1)
2.2.8. Замените RН=3,3 кОм на RН=1 кОм.

2.2.9. Изменяя напряжение UЗИ проведите измерения. Результаты
измерений занесите в таблицу 5.
Е2=15В, Rогр=10 кОм, RН=1 кОм Таблица 5

UЗИ, В 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
3
(PV1.1)
UСИ, В
(PV1.2)
Ic, мА
(PA1)
2.2.10. Построить графики Iс=f(Uзи), Uси=f(Uзи). Определите величину

отсечки.

1) схема исследования и таблицы 2 и 3;
2) статические характеристики полевого транзистора;
3) результаты расчётов.
4) выводы.
3
Приложение 1
Формулы для расчёта параметров:
1) Крутизна характеристики:
Uси=const
2) Выходное (внутреннее) сопротивление
Uзи=const
3) Коэффициент усиления
µ=SRi
3
Транзисторный каскад с общим коллектором
Измерение параметров усилительного каскада на биполярном

транзисторе при включении с общим коллектором.
В работе исследуется усилительный каскад на биполярном транзисторе в
схеме с общим коллектором (рис.1).
+ Eк
+
Есм
Rб
Cб VT
1:10
Ген
НЧ Uвх
Rэ Uвых
Рис.1. Схема усилительного каскада с ОК
Транзистор работает в активном режиме. Режим работы по постоянному

току задаётся от источника Есм через резистор RБ.
3
В процессе выполнения лабораторной работы следует убедиться, что
каскад с ОК обладает большим входным сопротивлением, малым выходным
сопротивлением и обеспечивает усиление по мощности, при этом усиление по
напряжению близко к единице. С помощью осциллографа убедиться, что схема
с ОК не инвертирует входной сигнал.
Цоколёвка транзистора и вид сверху на 4-х контактную колодку с транзистором
представлены на рисунке 2.
Рис.2.
VT – биполярный транзистор МП37 (n-p-n).
3
2.1. Исследование схемы с ОК в статическом режиме
2.1.1. Снятие управляющей характеристики

2.1.1.1. Собрать схему, изображённую на рисунке 3.
+ +15В
Е1 – Е2
VT
МП37
PV1.1 Uвх
10кОм Rэ PV1.2 Uвых
Рис.3.
2.1.1.2. Установите пределы измерений:
(=).
2.1.1.3. Ручки управления выходным напряжением источника E1
2.1.1.4. После проверки преподавателем собранной схемы включите
2.1.1.5. Подключив вольтметр PV1.2 к выходу Е2, установите напряжение
Е2 = 15В. После установки напряжения на Е2 подключите вольтметр PV1.2 к
резистору Rэ.
2.1.1.6. Вращая ручки регулировки выходного напряжения источника Е1,
установить входное напряжение, заданное в таблице 1. Измерьте выходное
напряжение и запишите результат в таблицу 1.
3
Таблица 1
Uвх, В
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
(PV1.1)
Uвых, В
(PV1.2)
К
2.1.1.7. Рассчитать коэффициент передачи по формуле К=Uвых/Uвх и

записать в таблицу 2.
2.1.1.8. По данным таблицы постройте управляющую характеристику
Uвых=f(Uвх).
2.1.2. Определение входного сопротивления

+15В
Е2
Iб VT
+
PА1 МП37
Е1 –
PV1.1 Uвх PА2 Iэ
PV1.2 Uвых
10кОм Rэ
Рис.4.
3
(=).
установить входное напряжение Uвх=5В. Измерьте ток базы (по амперметру
PА1), выходное напряжение (по вольтметру PV1.2) и ток эмиттера (по
амперметру PА2) и запишите результат в таблицу 2. Повторить измерения для
Rэ=3,3 кОм.
Таблица 2
Iб, Iэ,
Uвх, В Uвых, В
Варианты мА Rвх, Pвх, мА Pвых, K Rвх_расч,
(PV1.1 (PV1.2 β
включений (PA1 кОм Вт (PA2 Вт p кОм
) )
) )
Rэ = 10 кОм 5
Rэ = 3,3
5
кОм
2.1.2.7. Рассчитайте значения Rвх, Pвх, Pвых, Kp, β и Rвх_расч. Рассчитанные

значения запишите в таблицу 2.
1) Рассчитайте входное сопротивление Rвх по формуле:
3
2) Рассчитайте мощность Pвх, потребляемую входной цепью от источника
напряжения Е1, по формуле:
3) Рассчитайте мощность Pвых на резисторе Rэ по формуле:
4) Рассчитайте коэффициент усиления Kp по мощности по формуле:
5) Рассчитайте коэффициент передачи тока β транзистора по формуле:
6) Рассчитайте теоретическое значение входного сопротивления по

формуле:
2.1.2.8. Сравните Rвх_расч с экспериментальным значением Rвх.
2.2. Исследование схемы с ОК в динамическом режиме
2.2.1. Исследование частотных характеристик усилительного каскада
Исследование выполняется для 2 схем:

1) без нагрузки (рис.3.);
3
2) с нагрузкой (рис.4.).
+ +15В
Е1 – Е2
Rб
56кОм
C1 VT
+ МП37 Uвых
PV1.2 Осциллограф
1:10 10мкФ
Ген I канал
Uвх PV1.1 10кОм RЭ
НЧ II канал
Рис.5.
(=).
установить напряжение смещения на базе Uвх=5В (PV1.1).
2.2.1.7. Установите пределы измерений вольтметров PV1.1 – 20В и PV1.2
– 20В. Тумблеры переключения режимов работы вольтметров установите в
положение измерения переменных напряжений (~).
3
2.2.1.8. На выходе генератора НЧ установить синусоидальный сигнал
амплитудой 1 В по вольтметру PV1.1.
2.2.1.9. Поддерживая амплитуду входного сигнала на уровне 1 В,
измерить Uвых вольтметром PV1.2 при различных значениях частоты входного
сигнала. Результаты измерений записать в таблицу 3. Так же зарисуйте
осциллограмму выходного напряжения при частоте входного сигнала f = 1 кГц.
Uвх (PV1.1) = 1 В Таблица 3
f кГц 0,05 0,1 0,25 0,5 1 10 50 100

Uвых, В
(PV1.2)
2.2.1.10. Повторить измерения для схемы, изображённой на рисунке 6.

2.2.1.11. Измеренные значения занести в таблицу 3.
+ +15В
Е1 – Е2
Rб
56кОм
C1 VT
+ МП37
1:10 10мкФ C2
Ген Uвх PV1.1 Осциллограф
НЧ 1мкФ Uвых I канал
RЭ Rн PV1.2 II канал
10кОм 3,3 кОм
Рис.6.
2.2.1.12. Заменить сопротивление нагрузки на Rн= 1 кОм. Повторить

измерения. Результаты измерений занести в таблицу 3.
2.2.1.13. По экспериментальным данным построить АЧХ.
3

1) схемы измерений;
2) заполненные таблицы;
3) график управляющей характеристики Uвых = f(Uвх);
4) график амплитудно-частотной характеристики Uвых = f(Fвх);
5) результаты расчетов;
6) осциллограммы входного и выходного напряжений;
7) выводы.
3
Экспериментальное подтверждение основных
законов электротехники
Целью работы является подтверждение теоретических знаний по

электротехнике практическим доказательством основных законов
электротехники.
2.1. Экспериментальное подтверждение закона Ома
Расчетная часть
1. Расчет тока.
Согласно закону Ома ток в проводнике равен отношению напряжения на

участке проводника к электрическому сопротивлению этого участка:
(1)
1.1. Рассчитайте значение тока по закону Ома, проходящего через

резистор R в схеме, изображённой на рис.1.
3
I
E2 R UR
Рис.1.
1.2. Расчёт произвести для трёх значений сопротивления R=100 Ом, R=3,3
кОм и R=56 кОм (значения напряжений источника E2 указаны в таблицах).
1.3. Результаты расчетов занести в таблицы 1,2 и 3.
R = 100 Ом Таблица 1
UR, В 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I, мА
R = 3,3 кОм Таблица 2

UR, В 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I, мА
R = 56 кОм Таблица 3
UR, В 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I, мА
2. Расчет напряжения.
Выразив напряжение из закона Ома, мы получим:
(2)
2.1. Рассчитайте значение напряжения по формуле (2) в схеме,

изображённой на рис.1.
3
2.2. Расчёт произвести для двух значений сопротивления R=1 кОм и
R=3,3 кОм.
Данные для расчета:
― для R=1 кОм ток равен I=9,5 мА, I=7,8 мА;
― для R=3,3 кОм ток равен I=5 мА, I=2,3 мА.
2.3. Результаты расчетов занести в таблицу 4.

Таблица 4
R = 1 I, мА 9,5 7,8
кОм U, В
R = 3,3 I, мА 5 2,3
кОм U, В
Экспериментальная часть
1. Измерение тока.
В экспериментальной части измеряется ток через резистор при различных

напряжениях источника Е2. В измерениях задействованы вольтметр PV1.1,
включённый по схеме амперметра, и вольтметр PV1.2, измеряющий
напряжение на резисторе R.
1.1. Соберите схему измерений, приведённую на рис.2.
PA1
E2 R PV1.2
Рис.2. Принципиальная схема измерений
1.2. Установите пределы измерений:

3
2) вольтметров PV1.2 – 20 В. Тумблеры переключения режимов работы
вольтметров установите в положение измерения постоянных величин (=).
1.3. Ручки управления выходным напряжением источника E2 поверните
1.4. После проверки преподавателем собранной схемы включите
1.5. Проведите измерения и заполните таблицы 5, 6, 7.
R = 100 Ом Таблица 5
U, В
(PV1.2 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
)
I, мА
(PA1)
R = 3,3 кОм Таблица 6

U, В
(PV1.2 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
)
I, мА
(PA1)
R = 56 кОм Таблица 7
U, В
(PV1.2 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
)
I, мА
(PA1)
3
1.6. По данным таблиц 5, 6, 7 постройте графики I = f(U). По графику
определите значение тока при U= 3,5 В.
2. Измерение напряжения.
2.1. Докажите опытным путём правильность расчёта. Для этого в собранной

схеме измените:
1) установите минимальное напряжение источника Е2 и постепенно
повышайте его до того как амперметр покажет данное вам значение тока
(значение тока взять из таблицы 8);
2) запишите полученное значение вольтметра PV1.2 в таблицу 8.
Таблица 8
I, мА
9,5 7,8
R=1 (PA1)
кОм U, В
(PV1.2)
I, мА
5 2,3
R = 3,3 (PA1)
кОм U, В
(PV1.2)
2.2. Экспериментальное подтверждение 2-го закона Кирхгофа
2.2.1. Исследование контура с источником ЭДС
Расчётная часть
Согласно второму закону Кирхгофа в контуре электрической цепи

алгебраическая сумма падений напряжений на пассивных элементах
3
(резисторах), равна алгебраической сумме ЭДС этого контура. В соответствии с
этим законом, для схемы, изображённой на рис.1, можно записать:
(1)
Рассчитать в соответствии с законом Ома падение напряжения на

резисторах R1, R2 и R3 в схеме, изображённой на рис.3.
I R1 R2
UR1 UR2
E2 R3 UR3
Рис.3.
Данные для расчета: R1=0,1кОм, R2=1кОм и R3=10кОм.

Формулы для расчета:
Расчет произвести для 2-х значений напряжений источника E2=5В и

E2=10В.
Результаты расчетов занести в таблицы 9 и 10.
E2=5В Таблица 9
UR1,(В) UR2,(В) UR3,(В)
3
UR1,(В) UR2,(В) UR3,(В)
2.2.1.5. Полученные результаты подставить в формулу (1) и убедиться в

правильности расчётов.
В экспериментальной части с помощью вольтметров PV1.1 и PV1.2

необходимо измерить напряжение на элементах контура в схеме, изображённой
на рис.3.
Последовательность измерений приведена на схемах, изображённых на
рис.4.
R1 R2
+
E2 PV1.1 R3
–
а) Установка напряжения источника Е2
PV1.2
R1 R2
+
E2 PV1.1 R3
–
б) Измерение UR1
3
PV1.2
R1 R2
+
E2 PV1.1 R3
–
в) Измерение UR2
R1 R2
+
E2 PV1.1 R3 PV1.2
г) Измерение UR3
Рис.4. Принципиальные схемы измерений
Последовательность измерений:
1. вольтметр PV1.1 подключить к источнику E2 (рис.4а) и с помощью ручки
регулировки выходного напряжения установить напряжение источника Е2=5В
(таблица 11) или Е2=10В (таблица 12);
2. затем вольтметр PV1.2 поочерёдно подключается к резистору R1 (рис.4б), R2
(рис.4в) и R3 (рис.4г), показания вольтметра записать в таблицы 11 и 12.
Тумблер переключения режима работы вольтметров (PV1.1 и PV1.2)

установите в положение измерения постоянных величин (=). Установите предел
измерения ― 20 В.
Проведите измерения для 2-х значений напряжений источника E2. С
помощью ручек управления выходным напряжением источника E2, установите
напряжение равным 5В (таблица 11) или 10В (таблица 12).
Результаты измерений занести в таблицы 11 и 12.
3
UR1,(В) UR2,(В) UR3,(В)
UR1,(В) UR2,(В) UR3,(В)
Полученные результаты измерений подставить в формулу (1) и убедиться

в правильности 2-ого закона Кирхгофа.
2.2.2. Исследование контура без источника ЭДС
В общем виде второй закон Кирхгофа сформулирован так: в контуре

электрической цепи алгебраическая сумма напряжений на его ветвях равна
нулю:
(2)
Для подтверждения этой формулы исследуем контур, состоящий только

из резисторов и не содержащий источника ЭДС. Таким контуром является
контур, образованный резисторами R1, R2, R3 и R4 в схеме, изображённой на
рис.5.
3
+ +
UR1 R1 R3 UR3
+ – –
I1 исследуемый
E2 контур
I2
+ +
–
UR2 R2 R4 UR4
– –
Рис.5.
Рассчитать в соответствии с законом Ома падение напряжения на

резисторах R1, R2, R3 и R4 в схеме, изображённой на рис.4.
Данные для расчета: R1=0,1кОм, R2=1кОм, R3=3,3кОм и R4=10кОм.

Формулы для расчета:
Расчет произвести для 2-х значений напряжений источника E2=5В и E2=10В.

Результаты расчетов занести в таблицы 13 и 14.
UR1, (В) UR2, (В) UR3, (В) UR4, (В)
3
UR1, (В) UR2, (В) UR3, (В) UR4, (В)
Полученные результаты подставить в формулу (2) и убедиться в

правильности расчётов.
При подстановке в формулу значения напряжения UR следует учитывать,
что если при обходе контура ток через резистор совпадает с направлением
обхода, то значение напряжения UR записывается со знаком «+». Например, на
рис.4 ток через резисторы R3 и R4 совпадает с указанным направлением обхода
контура, поэтому в формулу (2) записываем значение UR3 и UR4 со знаком «+».
Ток через резисторы R1 и R2 направлен против указанного направления обхода
контура, поэтому в формулу (2) записываем значение UR1 и UR2 со знаком «–».
Таким образом, формула (2) примет вид:
(3)
В экспериментальной части с помощью вольтметров PV1.1 и PV1.2

необходимо измерить напряжение на элементах контура в схеме, изображённой
на рис.6.
Последовательность измерений приведена на схемах, изображённых на
рис.6.
3
R1 R3
+
E2 PV1.1
–
R2 R4
а) Установка напряжения источника Е2
PV1.2 R1 R3
+
E2 PV1.1
–
R2 R4
б) Измерение UR1
R1 R3
+
E2 PV1.1
–
PV1.2 R2 R4
в) Измерение UR2
3
R1 R3 PV1.2
+
E2 PV1.1
–
R2 R4
г) Измерение UR3
R1 R3
+
E2 PV1.1
–
R2 R4 PV1.2
д) Измерение UR4
Рис.6. Принципиальные схемы измерений
Последовательность измерений:
1) вольтметр PV1.1 подключить к источнику E2 (рис.6а) и с помощью ручек
регулировки выходного напряжения установить напряжение источника Е2=5В
(таблица 15) или Е2=10В (таблица 16);
2) затем вольтметр PV1.2 поочерёдно подключается к резистору R1 (рис.6б), R2
(рис.6в), R3 (рис.6г) и R4 (рис.6д), показания вольтметра записать в таблицы 15
и 16.
3
Тумблер переключения режима работы вольтметров (PV1.1 и PV1.2)
установите в положение измерения постоянных величин (=). Установите предел
измерения ― 20 В.
Проведите измерения для 2-х значений напряжений источника E2. С
помощью ручки управления выходным напряжением источника E2, установите
напряжение равным 5В (таблица 15) или 10В (таблица 16).
Результаты измерений занести в таблицы 15 и 16.
UR1, (В) UR2, (В) UR3, (В) UR4, (В)
UR1, (В) UR2, (В) UR3, (В) UR4, (В)
Полученные результаты измерений подставить в формулу (3) и убедиться

в правильности 2-ого закона Кирхгофа.

1) схемы измерений;
2) таблицы полученных результатов;
3) выводы.

Электронная техника

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Электронная техника

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Методические рекомендации к проведению

лабораторных работ на сменном блоке

Изучение полупроводниковых диодов (германиевого и кремниевого) и

2.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении

Рис.1. Схема измерения при снятии прямой ветви ВАХ

Рис.2. Схема соединений для снятия прямой ветви ВАХ

2.1.6. Замените кремниевый диод FR307 на германиевый диод 1Д507А.

Рис.2. Схема измерения при снятии обратной ветви ВАХ

2.2.1. В соответствии с монтажной схемой, представленной на рис.2,

2.2.2. Установите пределы измерений:

2.3. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона при прямом

Рис.3. Схема измерения при снятии прямой ветви ВАХ

Рис.2. Схема соединений для снятия прямой ветви ВАХ

2.3.2. Установите пределы измерений:

2.4. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона при обратном

Рис.4. Схема измерения при снятии обратной ветви ВАХ

2.4.2. Установите пределы измерений:

2.5. Исследование простейшего стабилизатора напряжения

Рис.5. Схема измерений при исследовании простейшего стабилизатора

2.5.2. Установите пределы измерений:

Е2 (PV1.2) =12 В Таблица 5

2.5.6. Установите напряжение источника Е2 =20 В и повторите измерения

Е2 (PV1.2) =20 В Таблица 6

2.5.7. Подключите сопротивление нагрузки Rн=1 кОм, снять зависимости

Rн=1 кОм Таблица 7

2.5.8. Рассчитать коэффициент стабилизации – Кст

Отчет должен содержать:

Рис.6. ВАХ диода при прямом включении

6) Определить прямое и обратное статическое сопротивление (прямое

7) Обратное статическое сопротивление определить при напряжении -20

8) Рассчитать динамическое сопротивление стабилитрона Rд (по

Исследовать основные статические характеристики и параметры

2. Порядок выполнения работы

В данной работе используется биполярный транзистор МП37 (n-p-n).

Входной характеристикой биполярного транзистора является

Рис. 1 Принципиальная схема снятия статических характеристик

2.1 Снятие входных статических характеристик транзистора.

2.1.1. Установите пределы измерений:

Uкэ (PV1.2) = 10В Таблица 2

Uкэ (PV1.2) = 15В Таблица 3

2.1.6. Построить входные статические характеристики транзистора по

2.1.7. Объясните, почему ток базы при увеличении напряжения на

Iб (PA1) = 50мкА Таблица 4

Iб (PA1) = 100мкА Таблица 5

Iб (PA1) = 150мкА Таблица 6

2.2.5. Построить выходные статические характеристики транзистора по

2.2.6. Объясните, почему при постоянном токе базы и увеличении

Отчет должен содержать:

Приобретение практических навыков в исследовании режимов работы и

2. Порядок выполнения работы

В данной работе используется биполярный транзистор МП37 (n-p-n).

При этом напряжение на коллекторе будет равно:

2.1. Снятие управляющей характеристики

2.1.1. Для снятия управляющей характеристики соберите схему,

Рис.3. Схема для снятия управляющей характеристики

Рис.4. Схема соединений для снятия управляющей характеристики

2.1.2. Установите пределы измерений:

2.1.6. Управляющая характеристика снимается для двух значений

2.1.7. По результатам измерений постройте статические управляющие

2.2. Исследование транзистора в режиме усиления напряжения

2.2.1. Соберите схему исследования, приведённую на рисунке 5.

Рис.5. Схема исследования транзистора в режиме усиления напряжения

2.2.2. Установите пределы измерений:

Рис.7. Схема исследования транзистора в режиме усиления напряжения