СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ВАХ – вольт-амперная характеристика.

ШИМ – широтно-импульсная модуляция.
ИП – источник питания.
УЭ – управляющий электрод тиристоров.
ЭТУ – электротехнологическая установка.

PDМ – pulse density modulation.

PWM – power with modulation.

1
 СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ

кТ – коэффициент трансформации.
cos – косинус угла сдвига фаз между первыми гармониками тока и
напряжения сети.
 – угол естественной коммутации вентилей.

2
ГЛАВА 1.

Температуры работы полупроводниковых материалов в силовой

преобразовательной технике:
Selen (селен) – 60 С0.
Ge (германий) – 90 С0.
Si (кремний) –125 С0.
GaAs (арсенид галлия) – 210 С0.
NGa (нитрид галлия) – GaN – 250 С0.
SiC (карбид кремния) – 600 С0.

PWM-преобразователи и другие преобразователи постоянного тока в

переменный и наоборот
AC–DC – преобразователь переменного тока в постоянный;
DC–AC – преобразователь постоянного тока в переменный;
DC–DC – преобразователь постоянного напряжения одного уровня в
постоянное напряжение другого уровня;
AC–AC – преобразователь переменного напряжения одного уровня в
переменное напряжение другого уровня.
AC – аббревиатура от английского термина переменный ток – alternating
current;
DC – аббревиатура от английского термина переменный ток – direct cur-
rent.
Все эти преобразователи нашли применение в бортовых источниках
питания не очень большой мощности, в которых используется широтно-
импульсная модуляция или ШИМ рис.2.3, а в английской терминологии –
PWM – power with modulation. Известна и модуляция плотности импульсов
или импульсно-периодический режим, а в английской терминологии PDМ –
pulse density modulation [Силовая электроника № 5, 2015, стр.65]. К
сожалению, аналог аббревиатуры PDМ на русском языке нам неизвестен.

3
 u
U оп

t a)
i упр

t б)

Рис. 2.3. Принцип организации импульсов управления

при ШИМ режиме работы

Треугольное напряжение и опорный сигнал UОП (верхний график)

формируют импульсы воздействия на СУ заданной длительности (нижний
график). Воздействуя на управляемые полупроводниковые элементы с
изменяющейся длительностью удается получить на нагрузке напряжение
аналогичное UОП.

Элементная база источников питания для ЭТУ

Диоды.
Изображение диода на электрических схемах показано на рис.2.6, а его
реальная ВАХ – на рис.2.7. Когда диод открыт, считаем, что падение
напряжения на нем равно нулю, а значение тока через него определяется
внешней электрической цепью (рис.2.8). А когда диод закрыт, то значение
тока через него равно нулю, а напряжение определяется внешней
электрической цепью, подключенной к нему.
А К

Рис. 2.6. Изображение диода на электрических схемах

4
 I

единицы вольт
U
сотни вольт

Рис. 2.7. Реальная ВАХ диода

Рис. 2.8. Идеальная ВАХ диода

Групповое включение вентилей.

Рассмотрим последовательное (рис.2.10) и параллельное (рис.2.11)
включение диодов.

5
 V1
V1 V2
V2

а б
Рис. 2.9. Последовательное (a) и параллельное (б) включение диодов

Последовательное включение диодов.

U 1 U2
Iутечки
U

Рис. 2.10. ВАХ при последовательном включении диодов

U= Uv1 + Uv2
Если (U/2) > Uv2, то диод V2 пробивается и все напряжение
прикладывается к V1. Это приводит к тому, что V1 тоже пробивается, так как
на нем напряжение U, а не U/2. Происходит короткое замыкание.

Параллельное включение диодов.

6
 I

I1

I2

U
Рис. 2.11. ВАХ при параллельном включении диодов

I = I1 + I2
Если (I/2)> I2 то диод V2 сгорает.

Тиристоры.
Изображение тиристора на электрических схемах показано на рис.2.12, а
его реальная ВАХ – на рис.2.13. Когда тиристор открыт, считаем, что
падение напряжения на нем равно нулю, а значение тока через него
определяется внешней цепью. Когда тиристор закрыт, то значение тока через
него равно нулю, а напряжение – определяется внешней цепью,
подключенной к нему.

УЭ
А
К

Рис. 2.12. Изображение тиристора

А – анод;
К – катод;
УЭ – управляющий электрод.

Тиристор открывается при подаче на него положительного напряжения

и дополнительной подаче на управляющий электрод импульса управления. В
дальнейшем, при включенном состоянии тиристор ведет себя как
обыкновенный диод.

7
 I

Iупр

Рис. 2.13. ВАХ тиристора

Для выпрямителей на тиристорах, в отличие от диодов, вводится

дополнительная группа параметров, характеризующих его управляемость
при подаче импульсов управления на УЭ:
1. du/dt – скорость нарастания прямого напряжения;
2. di/dt – скорость нарастания прямого тока через тиристор.
Если значение du/dt велико, то тиристор может открыться даже без
наличия импульса управления.
Если значение di/dt велико, то тиристор сгорает и происходит либо
короткое замыкание, либо разрыв электрической цепи.

Процесс включения тиристора (рис.2.14).

8
 iy
Потери на
включение
тиристора
t
u
i u 0,9uпр

0,1uпр
t
tз tн
tвкл
Рис. 2.14. Процесс включения тиристора

tвкл – временной интервал с момента подачи импульса управления до

момента, когда напряжение на нем снизится до 10% от первоначального.
Время включения определяется по формуле:
tвкл = tз + tн,
где tз – время задержки, tн – время нарастания.
Рвкл – потери на включение тиристора определяются интегралом
произведения тока через него и напряжения на нем на интервале tвкл.

Процесс выключения (рис.2.15).

9
 i

t
u
tвыкл

t
Рис. 2.15. Процесс выключения тиристора

tвыкл – временной интервал от момента перехода тока через ноль до

момента, когда прибор способен выдерживать прямое напряжение,
прикладываемое к нему.

Сравнение силовых и частотных характеристик MOSFET и IGBT

транзисторов.

Времена включения/выключения транзисторов – полевой транзистор

MOSFET (рис.2.16).
D

S
Рис. 2.16. Изображение полевого транзистора MOSFET, S – исток,
D – сток, g – затвор.

10
 Для полевого транзистора VM 105 169 фирмы SEMICRON характерны
следующие предельные паспортные данные:
UDS = 800В – напряжение на транзисторе;
Id = 36А – среднее значение тока, на которое рассчитан транзистор;
Ugs = ± 20 В – напряжение управления;
Pdissip = 700 Вт – мощность рассеяния на транзисторе.

IGBT-транзистор (рис.2.17).

C
g

E
Рис. 2.17. Изображение IGBT – транзистора, C – коллектор, E – эмиттер,
g – затвор.

Для IGBT-транзистора VM 305 878 фирмы SEMICRON характерны

следующие предельные паспортные данные:
UCE = 1200 В – напряжение на транзисторе;
Ic = 550 А – среднее значение тока, на которое рассчитан транзистор;
UgE = ± 20 В – напряжение управления;
Pdissip = 2700 Вт – мощность рассеяния на транзисторе.
К сожалению, для IGBT транзистора не существует аналогичной
аббревиатуры на русском языке.
В силовых схемах преобразователей предпочтительнее применять IGBT,
так как выше класс по напряжению, выше ток и выше мощность рассеяния
транзисторов, однако частотный диапазон ограничен в 100 кГц (с течением
времени эта цифра будет увеличиваться). У полевых транзисторов класс по
напряжению и по току ниже, однако, транзистор может применяться на
частоте 800 кГц (в дальнейшем эта цифра также растет).
В связи с этим, необходимо найти компромисс при выборе транзисторов
по критерию мощность–частота генерации.

11
 Времена переключения MOSFET транзисторов (рис.2.18) относятся к
напряжениям ugs и uDS и эти характеристики зависят от конфигурации
схемы, а данные справочников служат лишь для грубой оценки. Реальные
времена переключения приборов определяются внутренними емкостями и
внешними паразитными индуктивностями при взаимодействии с внутренним
сопротивлением источника управляющего напряжения.
Для быстрого перезаряда емкости и уменьшения перенапряжений на
транзисторе необходимо использовать источник управляющего напряжения с
наименьшим внутренним сопротивлением (сегодня используются
дополнительные, встроенные драйверы). Значение UgE = ± 20 В не должно
быть превышено, иначе наблюдается разрушение транзисторов.

ugs
90%

10%

t
uDS
90% 90%
id

10%
10%

tdon tг tdoff tf t
ton toff
Рис. 2.18. Времена переключения полевого транзистора

Для включения транзистора скачкообразно прикладывается напряжение

ugs. Из-за наличия внутреннего сопротивления источника управляющего
напряжения и входной емкости, напряжение на выводах транзистора
возрастает гораздо медленнее напряжения ugs.

12
 После достижения порогового напряжения затвора – uDS начинает
снижаться, а ток id возрастает. Интервал времени между моментом времени,
когда ugs достигло 10% своего конечного значения и моментом времени,
когда uDS уменьшилось до 90% своего начального значения, называется
временем задержки включения tdon. Следующее время – время нарастания tr
– интервал времени между моментом, когда uDS достигло 90% своего
начального значения и моментом времени, когда uDS уменьшилось до 10%
своего начального значения.
tвкл = ton = tdon + tr.
Потери на включение определяются интегралом от произведения
напряжения и тока через транзистор на интервале tвкл.
Для выключения транзистора (рис.2.18) напряжение управления ugs
скачкообразно уменьшается до нуля. При этом напряжение на выводах
транзистора изменяется гораздо медленнее, а интервал времени между
моментом снятия импульса управления и моментом времени, когда uDS
достигло 10 % своего конечного значения, называется временем задержки
выключения tdoff. Только после окончания этого интервала начинает спадать
ток id. Следующий интервал времени до достижения uDS 90% своего
конечного значения, называется временем спада tf. Сумма этих времен
задержки и спада называется временем выключения toff.
tвыкл = toff = tdoff + tf.
Потери на выключение определяются интегралом от произведения
напряжения и тока через транзистор на интервале tвыкл.

13