ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

__________________________________________________________________

ФИЛИАЛ ГОСУДАРСТВЕННОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)»
в г. Смоленске

М.А. АМЕЛИНА

МОДЕЛИРОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ

НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Методические указания к лабораторным работам
по курсу
«КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ И СИНТЕЗ
ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ»

Смоленск 2005
УДК 621.38.061:004
А61

Утверждено учебно-методическим Советом филиала ГОУ ВПО «МЭИ (ТУ)» в

г. Смоленске в качестве методического указания для студентов, обучающихся по
направлению 550700 «Электроника и микроэлектроника» и
специальности «Промышленная электроника»

Подготовлено на кафедре промышленной электроники

Рецензент:
Канд. техн. наук, доц. филиала ГОУВПО «МЭИ (ТУ)» в г. Смоленске А.А. Пеньков

АМЕЛИНА М.А. (e-mail: aml13@yandex.ru)

Моделирование усилительных каскадов на биполярных и полевых транзисторах.
Методические указания к лабораторным работам по курсу «Компьютерный анализ и
синтез электронных устройств». — Смоленск: филиал ГОУ ВПО «МЭИ (ТУ)», 2005. –56 с.

В методических указаниях содержится семестровый цикл лабораторных работ по

курсу «Компьютерный анализ и синтез электронных устройств», выполняемых с помощью
программы схемотехнического анализа MicroCap-7. Лабораторные работы рассчитаны на
32 часа аудиторных занятий в компьютерном классе. В процессе выполнения
лабораторных работ закрепляются основные знания по компьютерному анализу и синтезу
электронных устройств: вводу электронных схем с помощью графического редактора,
оформлению задания на моделирование, методике проведения анализа по постоянному
току, малосигнальному частотному анализу, анализу переходных процессов. В пособии
подробно рассмотрен графоаналитический синтез усилительных каскадов, построенных
на основе биполярных и полевых транзисторов, а также методика минимизации
нелинейных искажений в них. Кроме того, большое внимание уделено синтезу
частотнозависимых цепей усилителей и спектральному анализу выходных сигналов.
Методические указания предназначены для студентов, изучающих дисциплину
«Компьютерный анализ и синтез электронных устройств». Кроме того, они могут быть
полезны студентам этой и других специальностей в ходе изучения линейных устройств
промышленной электроники.

Ó филиал ГОУ ВПО «МЭИ (ТУ)» в г. Смоленске, 2005 г.

 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
Демонстрация основных возможностей программы MICROCAP
1. Цель работы
1. Знакомство с инсталляцией и основными возможностями программы
схемотехнического моделирования электронных схем MICROCAP-7(8).
2. Знакомство с основными режимами работы программы: графическим
вводом схем, режимами анализа переходных процессов, малосигнальных
частотных характеристик, передаточных характеристик на постоянном
токе.
3. Знакомство с наиболее употребительными режимами обработки графи-
ков: масштабированием (автоматическим и ручным), измерениями пара-
метров сигналов, нанесением текстовых надписей.

2. Подготовка к работе
1. Изучить основные приемы работы с программой MICROCAP при созда-
нии принципиальных схем и составлении задания на моделирование по
конспекту лекций и [1, c. 36–54, 72–84].

3. Рабочее задание
Лабораторная работа имеет ознакомительный характер и выполняется в
начале изучения курса. В связи с этим пункты рабочего задания для этой
работы будут сопровождаться краткими сведениями о программе. Для отде-
ления пунктов рабочего задания от сведений о программной среде первые бу-
дут заключены в рамку.
3.1. Установка системы
Автором изменены изображения часто используемых компонентов элек-
тронных схем (например резисторов, индуктивностей…) в соответствии с
российскими стандартами. Кроме того, дополнена библиотека электронных
компонентов — в нее включены модели некоторых отечественных полупро-
водниковых приборов (диодов, стабилитронов, биполярных и полевых тран-
зисторов). Поэтому, для того чтобы создаваемая электронная схема имела
привычный и близкий к отечественному стандарту вид и были доступны мо-
дели российских компонентов, необходимо придерживаться порядка установ-
ки, изложенного в текстовом файле READ_ME.TXT.

3.2. Демонстрация основных возможностей

Прежде чем перейти к компьютерному анализу и синтезу электронных
схем с помощью программы MICROCAP-7(8), продемонстрируем ее основ-

3
ные возможности на demo-файлах и простейших примерах заранее подготов-
ленных и загружаемых с диска. После вызова программы МС7 двойным
щелчком на ее пиктограмме на экране появится основное окно программы,
сверху которого помещена строка системного меню, в которой размещены
имена режимов File, Edit, Component, Windows, Options, Analysis, Design,
Help (рис. 1.1). Ниже под этой строкой расположены панели инструментов с
пиктограммами кнопок команд. Здесь и далее для удобства начинающего
пользователя программы для вызова команды будут даваться 3 равноценных
варианта: с помощью команды меню, горячей клавиши и кнопки панели инст-
рументов.

Рис. 1.1. Схема амплитудного детектора для моделирования с помощью MICROCAP-7

1. Установить с помощью команды FILE/Path для файлов схем DATA путь

…\MC7\DATA (необходимо для работы DEMO-примера).
2. Запустить основной демонстрационный файл программы Help/General
Demo. Приостановить работу demo-примера (для чтения поясняющих со-
общений на английском языке) можно с помощью нажатия клавиши
<PAUSE>, возобновить воспроизведение — с помощью нажатия любой
клавиши.

4
 Ускорить показ фрагментов можно последовательным нажатием любой
клавиши. Просмотреть работу demo-файла до конца и усвоить основные
приемы создания и редактирования электронной схемы с помощью графиче-
ского редактора и команды основных видов анализа (Transient — анализ пере-
ходных процессов, AC — малосигнальный частотный анализ, DC — анализ
по постоянному току).
Можно запустить отдельные демонстрационные элементы:
Help/schematic demo — для просмотра режимов редактирования схемы и
Help/Analysis demo — для просмотра режимов анализа.
а) Загрузка схемы. Вначале курсором выбирается режим File. По ко-
манде New... предлагается сделать выбор:
Schematic — создание нового чертежа схемы, который заносится в файл
с расширением *.CIR;
SPICE/Text — создание нового текстового файла с описанием схемы или
текстового файла библиотеки математической модели компонента в формате
SPICE (расширение имени *.СКТ);
Library — создание нового бинарного файла библиотек (расширение
имени *.LIВ). В этом файле помещаются модели биполярных транзисторов
(BJT), полевых транзисторов (JFET), МОП-транзисторов (MOSFET), арсенид-
галлиевых полевых транзисторов (GaAsFET), биполярных транзисторов с изо-
лированным затвором (IBGT), диодов (Diode), источников синусоидальных
сигналов (Sinusoidal), источников импульсных сигналов (Pulse), операционных
усилителей (Ораmр), линий передачи с потерями (TRN), магнитных сердеч-
ников (Core), конденсаторов (Capacitor), индуктивностей (Inductor), резисто-
ров (Resistor), ключей, управляемых напряжением (S) и током (W).
Демонстрацию возможностей МС7 проведем на подготовленной заранее
схеме, загрузив ее по команде File/Open... В открывшемся окне выбираем ка-
талог …\MC7\Примеры, в котором находятся файлы схем, рассматриваемые
в конспекте лекций и лабораторном практикуме.
На строке «Тип файлов» (Files of Type) указывается тип просматривае-
мых файлов:
Schematic (*.CIR) — схемы в формате МС7 (устанавливаются по умол-
чанию);
Macro (*.МАС) — макромодели в формате МС7;
SPICE (*.CKT; *.STM) — текстовое описание схем и сигналов в форма-
те SPICE;
SPICE LIBRARY (*.LIB) — текстовое описание библиотек в формате
SPICE;
Model Library (*.LBR) — библиотеки математических моделей в фор-
мате МС7;

5
 Model Data (*.MDL) — параметры математических моделей отдельных
компонентов в формате МС7 (эти файлы создаются с помощью программы
MODEL);
Filter (*.RES, *.CAP, *.IND) — результаты синтеза фильтров;
All Files (*.*) — все файлы.
Выбираем тип файлов Schematic и затем имя файла AmplDet.CIR. В ре-
зультате загружается схема, показанная на рис. 1.1.
Схема состоит из резонансного усилителя на биполярном транзисторе,
настроенного на частоту 10 кГц, и последовательного амплитудного детекто-
ра. На вход усилителя подается гармонический сигнал с частотой 10 кГц и
амплитудой 10 мВ (источник сигнала V1). В качестве источника питания
включена батарея V2 с напряжением 5 В.
Экран на рис. 1.1 разделен на две части выбором в меню Windows коман-
ды Split Horizontal, чтобы в нижнем окне просмотреть (и при необходимости
отредактировать) тексты математических моделей компонентов схемы: в дан-
ном примере источника синусоидального сигнала и биполярного транзистора.
Показ номеров узлов схемы может быть включен/выключен командой
Options/View/Node Numbers или нажатием на пиктограмму .
б) Вид анализа характеристик схемы указывается в меню Analysis:
Transient — анализ переходных процессов;
АС — анализ частотных характеристик на малом сигнале;
DC — анализ передаточных функций по постоянному току;
Dynamic DC — расчет режима по постоянному току и отображение на
схеме узловых потенциалов, токов ветвей, рассеиваемой компонентами мощ-
ности, состояний приборов;
Transfer Function — расчет малосигнальных передаточных функций по
постоянному току;
Sensitivity — расчет чувствительностей по постоянному току выходных
переменных к изменению параметров схемы;
Probe Transient, AC, DC — оперативное построение графиков путем
указания мышью необходимого узла или компонента.
За исключением режимов Dynamic DC и Probe этот перечень такой же,
как и для известной программы PSpice [4].
Продемонстрируем основные возможности моделирования электронных
схем с помощью программы, выполнив предлагаемое задание.
3. Загрузить в окно схемного редактора схему AMPLDET.Cir из каталога
Примеры.
4. Отобразить номера узлов загруженной схемы, выполнив команду Op-
tions/View/Node Numbers (или нажав пиктограмму на панели инстру-
ментов).

6
5. Показать текстовое окно вместе со схемным окном одновременно, выпол-
нив команду Windows /Split Vertical. Экран должен приобрести вид, пока-
занный на рис. 1.1.
6. Вернуть отображение в исходное состояние, выполнив команду Win-
dows/Remove splits
7. Последовательно переключиться между схемным и текстовым окном с
помощью закладок Page 1, Text (или последовательного нажатия
<CTRL>+ <G>).

3.3. Анализ переходных процессов (Transient Analysis)

Выбрав команду Analysis /Transient (<Alt> + <1>), переходим в меню за-
дания параметров моделирования переходных процессов Transient Analysis
Limits.
В строке Time Range указывается длительность интервала времени моде-
лирования; в графе Operating Point указывается на необходимость перед рас-
четом переходных процессов выполнить расчет режима по постоянному току;
в строке State Variables — тип используемых начальных условий для расчета
(Zero — нулевые, Read — считанные с диска, Leave — достигнутые в конце
предыдущей стадии расчета); в нижней части окна указываются имена пере-
менных, графики которых нужно построить. Имена аналоговых и цифровых
переменных, откладываемых по оси Y графиков, указываются в графе Y Ex-
pression, при этом допускается применение математических выражений и
функций. Приведем ряд примеров:
· V(5) — потенциал узла 5;
· V(7,4) — разность потенциалов между узлами 7 и 4;
· VBE(Q1) — напряжение база-эмиттер транзистора Q1;
· I(V1) — ток через источник сигнала V1;
· I(V1)*V(V1) — мгновенная мощность источника сигнала V1;
· CBC(Q1) — емкость перехода база-коллектор транзистора Q1;
· Q(C1) — заряд конденсатора С1,
· FFT(V(7)) — спектр напряжения в узле 7 (при этом по оси X нужно
откладывать частоту F);
· D(QA) — логический уровень сигнала в цифровом узле QA.
Моделирование начинается после нажатия на кнопку Run, на пикто-
грамму или на клавишу <F2>. Моделирование может быть остановлено в
любой момент нажатием на пиктограмму или клавишу <Esc>. Запустив
анализ, можно наблюдать на экране результирующие графики моделирова-
ния. Графики различаются цветом, который назначается в меню Transient
Analysis Limits путем нажатия на цветную пиктограмму. В примере

7
AMPLDET.CIR изображены два графика: на одном размещаются напряжения
V(4) и V(4,6), на другом — ток через диод I(D1) (на одном графике их неже-
лательно строить из-за различия в масштабах).
Номера графиков указываются цифрой в графе Р. Масштабы графиков
по осям X, Y указываются в явном виде в графах X Range, Y Range или вы-
бираются автоматически, если установить флажок Auto Scale Ranges.
8. Войти в меню анализа переходных процессов для загруженной схемы, вы-
полнив команду Analysis/Transient (<Alt> +<1>)
9. Запустить анализ переходных процессов с параметрами загруженного
файла AMPLDET, выполнив команду RUN в открывшемся подменю
Transient Analysis Limits.
10. Вывести на экран одновременно с результатами анализа и принципиаль-
ную схему, выполнив команду Windows/The Vertical (<Shift> + <F4> или
). Это необходимо для сопоставления схемных узлов и результатов
анализа для них. Закрыть окно схемного редактора, выполнив команду
Windows/maximize ( ).
11. Изменить масштаб графиков по оси Y на автоматический (включить auto
scale range или auto для каждой переменной), войдя в подменю Transient
Analysis Limits (Transient/Limits, или <F9>, или ). Запустить анализ пе-
реходных процессов. Объяснить вид полученных графиков.
12. Изменить цвет графиков: V(4,6) — светло-зеленый, V(4) — розовый, I(D1)
— красный. Это можно выполнить двумя способами: 1) зайдя в подменю
Transient Analysis Limits (Transient/Limits или <F9> или ) или 2)
щелкнув левой клавишей мыши на окне графиков, в открывшемся подме-
ню Properties изменить соответствующие параметры закладки Colors,
Fonts and Lines.
13. Изменить расположение графиков: в нижнем окне — зависимости напря-
жений от времени, в верхнем — зависимости токов от времени.
14. Изменить время расчета и вывода результирующих графиков на 5 милли-
секунд (установить 5m в Time Range и соответствующий диапазон в пара-
метрах вывода графиков X range). Запустить анализ, убедиться в правиль-
ности установок.
15. Сохранить значения переменных состояния в конечной точке расчета. Для
этого необходимо выполнить команду Transient/State Variables Editor/Write
(<F12> или ) и согласиться с предложенным именем файла начальных
условий.
16. Продолжить расчет переходного процесса в течение следующих 5 мс. Для
этого изменить опции расчета переходного процесса в Transient Analysis
Limits:

8
· Operating Point — выключить (расчет продолжается)
· State Variables — Read (начальные условия читаются с ранее записанного
на диске файла с расширением .top — ampldet.top).
Запустить анализ (RUN). Убедиться, что схема вошла в установившийся
режим. Установить время анализа (Time range) и диапазон по оси абсцисс
графиков (X range) для последующих исследований 1ms. Запустить анализ.
17. Изменить шаг расчета (Maximum Time Step) с 1Е-7 на 1Е-4. Остальные па-
раметры анализа не менять по сравнению с предыдущим пунктом. Запус-
тить анализ. Объяснить вид полученных графиков. Выполнить команду
показа расчетных точек графиков Scope/View/Data points ( ). Вернуть
шаг расчета к исходному значению 1E-7. Опять запустить анализ. Отме-
нить показ на графике точек расчета, повторно выполнив команду
Scope/View/Data points ( ). Объяснить вид графиков, построенных в дан-
ном пункте.
18. Выйти из режима анализа переходных процессов Transient, закрыв его ок-
но (или нажав клавишу <F3>). Вернуть все параметры схемы к исходной
дисковой версии, выполнив команду File/Revert ( ).
19. Запустить снова анализ переходных процессов Analysis/Transient/Run. По-
сле окончания анализа программа автоматически переходит в режим Scale
Mode (из других режимов вызывается нажатием <F7> или ).
Это значит, что правой клавишей мыши можно передвигать график по
его окну так, как удобно для просмотра, а левой клавишей мыши можно уве-
личивать задаваемый ей прямоугольный фрагмент.
20. Передвинуть правой клавишей мыши графики в верхнем окне, чтобы они
полностью умещались в нем. Левой клавишей мыши выбрать и увеличить
выходной импульс тока амплитудного детектора I(D1) в нижнем окне так,
чтобы он занимал полностью нижнее окно вывода графиков. Восстановить
исходные масштабы вывода графиков выполнив команду Scope/Restore
Limit Scale (<Ctrl>+<Ноmе>).
21. Войти в подменю Transient Analysis Limits (Transient/Limits или <F9> или
). Установить в нем опцию Auto Scale Ranges. Запустить анализ. Акти-
визировать режим электронного курсора Cursor Mode (<F8> или ).
Выбрать график напряжения V(4) щелчком мыши по аналогичной надпи-
си на графике.
22. Установить левый электронный курсор (щелчок и перетаскивание левой
клавишей мыши) на любом максимуме установившейся синусоиды, пра-
вый курсор (щелчок и перетаскивание правой клавишей мыши) на сле-
дующем максимуме справа. Измерить период колебаний напряжения V(4).
Он будет индицироваться в таблице координат курсоров, расположенной
под графическим окном, в столбце Delta и строке T.

9
 Нанести надпись с измеренным периодом на график, выполнив команду
Scope/Tag Horizontal (<Shift>+<Ctrl>+<H>). Вернуться в обычный режим ото-
бражения графиков, нажав <F7> ( ).
23. Выйти из режима анализа переходных процессов, закрыв соответствую-
щее окно (или нажав <F3>).
24. Определить напряжение база-эмиттер транзистора Q1 в отсутствии вход-
ного синусоидального сигнала, т.е. в точке покоя. Определить состояние
транзистора Q1 и диода D1 в точке покоя (см. текст ниже).
25. Закрыть окно схемного редактора без сохранения схемы.
При моделировании нелинейных схем первоначально интересно опреде-
лить режим по постоянному току. Это можно сделать несколькими спосо-
бами:
1) В подменю Transient Analysis Limits имеется флажок Operating Point
Only, установка которого означает проведение только расчета режима по по-
стоянному току (расчет переходных процессов не производится). Для опреде-
ления карты режимов компонентов электронной схемы по постоянному току
необходимо установить указанный флажок, выполнить команду RUN, а затем
выйти из режима анализа (нажав <F3>), вернувшись в схемный редактор. По-
сле этого следует выполнить команду Options/View/Node Voltages States ( )
для отображения в узлах схемы потенциалов на постоянном токе в Вольтах.
Также могут быть отображены токи в ветвях в точке покоя в Амперах
(Options/View/Currents или ) и состояния полупроводниковых приборов
(Options/View/Conditions или ).
Переводятся состояния полупроводниковых приборов следующим обра-
зом: ON – диод включен, OFF – диод (транзистор) выключен, LIN – транзи-
стор в линейном активном режиме, SAT – транзистор в режиме насыщения,
HOT – транзистор перегрет.
Следует отметить, что переход в режим отображения карты напряжений
(токов) на постоянном токе после проведения анализа переходных процессов
во всех других случаях (без установки флага Operating Point Only) приводит к
отображению значений потенциалов (токов, состояний приборов) в конечной
точке расчета.
2) Карту режимов на постоянном токе, можно узнать, предварительно за-
пустив AC Analysis с любыми имеющими смысл параметрами. Частотный
(AC) анализ всегда начинается с расчета режима по постоянному току, поэто-
му после выхода из него можно узнать карту режимов схемы путем нажатия
кнопок на панели инструментов .
3) Карту режимов схемы на постоянном токе можно узнать путем запуска
анализа по постоянному току Dynamic DC после выполнения команды Analy-
sis/Dynamic DC (<Alt>+<4>). Показ нужной информации о состоянии схемы в

10
этом режиме анализа устанавливается так же нажатием/отжатием кнопок на
панели инструментов .
3.4. Расчет малосигнальных частотных характеристик
(AC Analysis).
Рассмотрим на начальном этапе этот вид анализа для линейных схем:
пассивных RLC-фильтров и аналогичных им лапласовых зависимых источ-
ников с соответствующей передаточной функцией в s-области.
Отметим, что для линейной схемы не требуется предварительная линеа-
ризация схемы в окрестности рабочей точки по постоянному току для после-
дующего вычисления малосигнальных усилительных параметров в частотной
области.
Для нелинейной же схемы (содержащей нелинейные модели активных
полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, магнитных сердечни-
ков) перед началом собственно частотного малосигнального анализа прово-
дится расчет схемы по постоянному току (в отсутствии входного сигнала). В
окрестности найденного режима схема линеаризуется путем линеаризации
отдельных нелинейных моделей. Это можно делать, если возмущающее воз-
действие мало по сравнению с параметрами точки покоя схемы, что, собст-
венно, и имеет место при проведении малосигнального частотного анализа.
Линеаризация в окрестности точки покоя производится сразу после запуска
этого вида анализа и анализ в частотной области производится не для исход-
ной схемы с нелинейными моделями, а для линейной (нелинейные модели
компонентов преобразованы в линейные для малого возмущения в окрестно-
сти точки покоя).
В этом разделе лабораторной работы также будем практиковаться в по-
строении принципиальных схем с помощью встроенного графического редак-
тора.
Ниже (рис. 1.2) показаны две схемы, представляющие собой 2 разновид-
ности одного режекторного фильтра (подавляющего входной сигнал в виде
синусоидального напряжения в окрестности определенной частоты).
Первый фильтр представляет собой сбалансированный (значения сопро-
тивлений и емкостей равны соответственно Rt, Ct, 2Ct, Rt/2, как показано на
схеме слева) Т-образный мост, подавляющий сигнал в окрестности частоты
1
f0 = . А второй — зависимый лапласов источник напряжения, управ-
2pRt Ct
ляемый напряжением (ИНУН) с операторной передаточной функцией (в s-
области), идентичной передаче сбалансированного Т-образного моста
1
H (s) = .
4 × s × Rt × C t
1+
1 + s 2 × Rt2 × Ct2

11
 Рис. 1.2. Разновидности схем режекторных фильтров для проведения AC анализа.

26. Ввести пассивные компоненты схем, как описано в конспекте лекций и в

[1, c. 36–50]. Отметим, что на приведенной схеме (см. рис. 1.2) R1…R3,
C1…C3 — это позиционные обозначения электронных компонентов
(строка PART окна параметров компонента); а Rt, Ct, Rt/2, 2*Ct — значе-
ния их сопротивлений и емкостей (строка VALUE окна параметров ком-
понента). При вводе компонентов в схему согласно вышесказанному за-
полняются позиции открывающегося окна для каждого компонента. При
таком вводе значений параметров резисторов и конденсаторов их числен-
ное значение не определено. Доопределить их можно текстовой директи-
вой .Define непосредственно в окне схем.
27. Для этого необходимо перейти в текстовый режим, выполнив команду
Оptions/mode/text (<CTRL>+<T> или ), и, щелкнув левой кнопкой мы-
ши, ввести в открывшемся окне текстовую директиву. Затем протяжкой
левой клавиши мыши переместить введенный текст в любое место окна
схемного редактора.
28. Ввести лапласов зависимый источник для 2-ой схемы, выполнив команду
Component/Analog Primitives/Laplace Sources/LFVofV, и заполнив в от-
крывшемся окне в позиции LAPLACE передаточную функцию ИНУН в s-
области (см. рис. 1.2).
29. Подсоединить ко входу схем источники сигнала (либо синусоидального
Sine Source, либо импульсного Pulse Source, либо пользовательский User
Source). Источники обязательно должны присутствовать, хотя форма их
сигнала не важна для частотного анализа (АС), они фактически лишь обо-
значают входные узлы схемы, к которым подсоединяется источник малого
синусоидального возмущения.

12
30. Обозначить входные и выходные узлы фильтров текстовой надписью на
английском языке (см. рис. 1.2). В ряде случаев такое обозначение узлов
более удобно, чем автоматическая нумерация их числами, отображаемая
после команды , поскольку не загромождает схему и в названии можно
указать тип узла (входной, выходной, и пр.).
Переход в режим расчета частотных характеристик осуществляется ко-
мандой Analysis/АС (<Alt>+<2>). Задание на расчет формируется в окне AC
analysis Limits, вызываемом также из текущего режима анализа с помощью
нажатия клавиши <F9> или пиктограммы .
На строке Frequency Range указываются границы диапазона частот; на
строке Frequency Step — тип шага по частоте при проведении расчета (Linear
— линейный шаг, Log — логарифмический, List — список значений частоты,
auto — автоматический). При необходимости расчета спектральной плотности
внутреннего шума на строке Noise Input указывается имя источника входного
сигнала, на строке Noise Output — номер выходного узла, для которого рас-
считывается спектральная плотность напряжения шума.
В графе Y expression указываются имена переменных для построения
графиков частотных характеристик. Переменные при расчете частотных ха-
рактеристик являются комплексными. Приведем несколько примеров их запи-
си:
· V(1) — модуль напряжения в узле 1;
· DB(V(1)) — модуль напряжения в узле 1 в децибелах 20 × log 10 [V (1)] ;
· DB(V(out)/V(in)) — модуль передаточной функции (отношение потен-
циала узла «Out» к потенциалу узла «In»), выраженное в децибелах.
· RE(V(1)) — действительная часть напряжения в узле 1;
· IM(V(1)) — мнимая часть напряжения в узле 1;
· PH(V(1)) — фаза напряжения в узле 1 в градусах;
· PH(V(out1)/V(in1)) — фаза передаточной функции по напряжению ме-
жду узлами out1 и in1.
· GD(V(1)) — групповое время запаздывания напряжения в узле 1;
· INOISE — корень квадратный из спектральной плотности напряжения
шума, приведенного ко входу;
· ONOISE — корень квадратный из спектральной плотности выходного
напряжения шума (графики INOISE и ONOISE нельзя строить одно-
временно с графиками других переменных).
Пример построения амплитудно-частотной и фазо-частотной характери-
стики Т-образного моста при вариации символьной переменной Rt приведен
на рис. 1.3.

13
 Рис. 1.3. Окно результатов частотного анализа режекторного фильтра при вариации
символьной переменной Rt
Очень полезна возможность проведения многовариантного анализа при
вариации любого параметра компонента схемы или его модели. Для этого в
окне задания параметров Analysis Limits нажатием на кнопку Stepping или на
пиктограмму открывают окно для задания от 1 до 10 варьируемых пара-
метров. Сначала в графе Parameter Type выбирают тип варьируемого пара-
метра:
· Component — значение параметра компонента схемы;
· Model — параметр математической модели компонента;
· Symbolic — значение параметра, определенного по директиве .define.
Затем в строке Step What указывают имя варьируемого параметра, на по-
следующих строках пределы его изменений и в графе Step It устанавливают
флажок Yes.
На рис. 1.3 для наглядности на графики помещены текстовые надписи,
которые могут быть выполнены двумя способами. Можно ввести текст, вы-
полнив команду Options/Mode/Text (<CTRL>+<T>), активизируемую также
нажатием пиктограммы . Подписать графики, построенные в режиме мно-
говариантного анализа можно также используя команду SCOPE/Label
Branches.

14
 Командой SCOPE/Tag Left (Right) Cursor (<Ctrl>+<L> и <Ctrl>+<R>) на
график наносят значения координат точки, указанной левым (правым) курсо-
ром в режиме Cursor Mode (<F8> или ). Таким способом на рис. 1.3 отме-
чены 2 экстремальные точки, соответствующие разным частотам подавления
Т-образного моста при различных значениях параметра Rt.
Выбор и увеличение выбранной области графика производится протяж-
кой левой клавиши мыши после перехода в режим SCALE MODE (Op-
tions/Mode/Scale или <F7> или ). Другие возможности обработки графиков
могут быть самостоятельно исследованы пользователем или изучены по кон-
спекту лекций и [1, c. 175–180]. Они активизируются кнопками следующих
групп пиктограмм: и .
Трехмерные графики. После вариации параметров схемы или вариации
температуры при выполнении любых видов анализа можно по команде 3D
Windows построить цветные графики функции двух переменных.
31. Запустить анализ малосигнальных частотных характеристик AC по коман-
де Analysis/AC (<Alt>+<2>). В открывшемся окне заполнить параметры
анализа:
· Frequency Range — 10000,1000 (частотный диапазон).
· Maximum Change — 0.1 (для получения плавных кривых).
· Включить флажок Auto Scale Ranges.
· Номера графиков в столбце P от 1 до 4, соответствующие им выражения:
db(V(out1)/V(in1)), ph(V(out1)/V(in1)), db(V(out2)/V(in2)), ph(V(out2)/V(in2)).
· В столбце X range — выбрать Fmax, Fmin.
· Для всех графиков выбрать логарифмический масштаб по оси абсцисс и
линейный — по оси ординат и прямоугольную систему координат (кнопки
слева от таблицы).
· Выбрать цвета вывода графиков.
32. Запустить задание на анализ и зафиксировать полученные графики. Запус-
кать заново моделирование до тех пор, пока масштаб по оси ординат на
первом графике не перестанет изменяться. Убедиться, что ЛАЧХ и ЛФЧХ
двух схем одинаковы. Зафиксировать полученные результаты.
33. Открыть окно AC Analysis Limits (<F9> или ) и погасить для дальней-
шего анализа графики для второй схемы. Далее анализируется левая схема
на рис. 2.1.
34. Изменить масштаб по оси частот на линейный ( ). Запустить анализ. Что изменилось
в построенных графиках? Заменить в позиции Y expressions db(V(out1)/V(in1)) на
обычное отношение V(out1)/V(in1). Теперь АЧХ фильтра построится в линейном мас-
штабе. Запустить моделирование. Зафиксировать полученные графики. Перезапускать
анализ до тех пор, пока первый график не перестанет изменяться. Зафиксировать
результат.

15
35. Изменить масштаб по оси частот на логарифмический ( ). Теперь ам-
плитудно-частотная характеристика передачи фильтра должна построить-
ся в полулогарифмическом масштабе. Запустить анализ, зафиксировать
полученные характеристики.
36. Вернуться к логарифмическому масштабу по обеим осям. Установить
опять выражение для графика 1 db(V(out1)/V(in1)), масштабы по оси абс-
цисс для графиков 1 и 2 — логарифмические ( ). На график 1 поместить
также ЛАЧХ 2-ой схемы, а на график 2 — ФЧХ 2-ой схемы. Теперь гра-
фики сделаны совпадающими (построенными один поверх другого).
37. Запустить анализ частотных характеристик, получить графики того же ви-
да, что и в пункте 32, но в двух окнах. Разобраться самостоятельно с
функциями кнопок показа расчетных точек на графиках , разметки кри-
вых и управления координатной сеткой: . Сделать
выводы.
38. Погасить в окне AC Analysis Limits вывод графиков для второй схемы. По-
строить совмещенные характеристики при разбалансировке T-моста при
R3=0.9K, 1.8K, 2.7К. Для этого выполнить команду AC/Stepping (<F11>
или ). Далее заполнить открывшийся диалог и организовать заданное
изменение сопротивления любым из доступных способов. В заключении
диалога не забыть включить в панели Step It флажок Yes. Запустить
моделирование. Объяснить вид полученных характеристик.
39. Построить совмещенные характеристики при увеличении всех сопротив-
лений в 2 раза (изменении Rt c 3.6K до 7.2K). Для этого выполнить коман-
ду AC/Stepping (<F11> или ). Выключить изменение R3 на соответст-
вующей закладке. Выбрать чистую закладку, установить тип меняемого
параметра — Symbolic. Далее, заполняя очевидный диалог, организовать
заданное изменение сопротивления любым из доступных способов. В за-
ключении диалога не забыть включить флажок Yes в панели Step It. Запус-
тить моделирование. Объяснить вид полученных характеристик.
40. Измерить частоты подавления Т-образного моста для различных значений
параметра Rt (п. 39). Подписать эти точки любым из доступных способов.
Удобнее всего включить индикацию расчетных точек , а затем в режи-
ме Tag Mode ( ) щелчком и протяжкой из выбранной точки графика ле-
вой клавиши мыши создать необходимую текстовую надпись. Можно в
режиме Cursor Mode (<F8> или ) установить один из электронных кур-
соров на экстремальную точку, а затем выполнить команду Scope/Tag
Left(Right) Cursor. Сравнить экспериментальные значения частот подав-
1
ления со значениями, рассчитанными по формуле f 0 = .
2pRt Ct

16
41. Нанести на графики текстовые надписи для наглядности. Выйти из режи-
ма анализа частотных характеристик, нажав клавишу <F3>. Закрыть ана-
лизируемую схему.
42. Загрузить в окно схемного редактора схему AMPLDET.cir. Запустить мно-
говариантный анализ частотных характеристик при изменении емкости
конденсатора C2, выполнив команду Analysis/AC/RUN.
Построить трехмерную фазочастотную характеристику, выполнив ко-
манду AC/3D Windows/Add 3D Window и выбрав в открывающемся списке Ex-
pressions выражение ph(V(6)/V(1)).
Полученную поверхность можно вращать вокруг различных осей (путем
нажатий на клавиши <Q>, <A>,<W>,<S>,<E>,<D>); проецировать на коорди-
натные плоскости (путем нажатий на клавиши <X>, <Y>,<Z>), изменять цве-
товую гамму.

3.5. Анализ схем на постоянном токе (DC analysis)

Расчет передаточных характеристик. Схема измерения статических
входных и выходных характеристик биполярных транзисторов приведена на
рис. 1.4. Для снятия выходных характеристик биполярного транзистора (см.
рис. 1.4, а) к его базе подключается источник постоянного тока I1 (компонент
ISOURCE), к коллектору — источник постоянного напряжения V1 (компо-
нент BATTERY). При снятии входных характеристик (см. рис. 1.4, б) источ-
ник тока в базовой цепи транзистора заменяется на источник напряжения
(компонент BATTERY).

а) б)
Рис. 1.4. Схемы для снятия характеристик биполярного транзистора:
а) — выходных; б) — входных.
Переход в режим расчета передаточных характеристик по постоянному
току осуществляется командой Analysis/DC (<Alt>+<3>). В открывающемся
следом окне DC Analysis Limits на строках Variable 1, Variable 2 указываются
имена варьируемых источников, диапазоны их изменений — на строках
Range.
Для построения выходных характеристик по оси X откладывается на-
пряжение коллектор-эмиттер транзистора Vce(Q1), по оси Y — ток коллекто-

17
ра Ic(Q1). Для построения входных характеристик по оси X — напряжение
база-эмиттер Vbe(Q1), по оси Y — ток базы Ib(Q1).
43. Загрузить из каталога ПРИМЕРЫ готовый схемный файл
BJT_ОЭ_Вых.cir.
44. Щелкнув левой клавишей мыши по транзистору открыть окно его пара-
метров. Нажать кнопку Plot. Построится семейство выходных характери-
стик транзистора для данной модели (ее можно менять). Посмотреть также
все остальные доступные из этого окна характеристики прибора (Ic vs.
Uce, DC current Gain — зависимость коэффициента передачи тока базы b
от тока коллектора, Vce saturation voltage — зависимость напряжения на-
сыщения транзистора от тока коллектора, Beta vs. Frequency — частотная
характеристика b). Таким образом, через окно параметров модели доступ-
ны графики основных характеристик полупроводникового прибора. За-
крыть окно модельных параметров, не меняя ничего в нем.
45. Запустить анализ по постоянному току, выполнив команду Analysis DC
(<Alt>+<3>). В открывшемся окне DC analysis limits обратить внимание на
способы изменения источников для построения семейства выходных ха-
рактеристик и форматы их задания в столбце Range — максимальное зна-
чение, начальное, шаг.
Запустить анализ, нажав кнопку RUN. Выполнить команду Scope/Label
Branches для того, чтобы подписать характеристики в семействе. Объяснить полу-
ченные характеристики, исходя из параметров модели и диапазонов изменения ис-
точников напряжения и тока. Выполнить команду Scope/Delete All Objects.
46. Построить семейство выходных характеристик Ic(Uce) при двух темпера-
турах окружающей среды T=27°C и T=47°C. Подписать полученные ха-
рактеристики, выполнив команду Scope/Label Branches. Объяснить вид
полученных характеристик. Завершить анализ, нажав <F3>, и закрыть те-
кущую схему без сохранения.
47. Загрузить из каталога ПРИМЕРЫ готовый схемный файл BJT_ОЭ_Вх.cir.
48. Запустить анализ по постоянному току, выполнив команду Analysis/DC
(<Alt>+<3>). В открывшемся окне DC analysis limits обратить внимание на
способы изменения источников для построения входных характеристик и
форматы их задания в столбце Range — максимальное значение, началь-
ное значение, шаг. Запустить анализ. Объяснить полученные характери-
стики.
49. Построить входные Ib(Ube) характеристики при двух температурах окру-
жающей среды T=27°C и T=47°C. Объяснить вид полученных характери-
стик. Завершить анализ, нажав <F3> и закрыть текущую схему без сохра-
нения.
50. Оформить отчет о проделанной работе.

18
 4. Контрольные вопросы
1. В чем заключается анализ переходных процессов в электронной схеме?
2. Что представляет собой малосигнальный частотный анализ электронной
схемы?
3. Алгоритм малосигнального частотного анализа. Какие действия произ-
водятся при его выполнении?
4. В чем заключается анализ электронной схемы по постоянному току?
5. Чем заменяются конденсаторы и катушки индуктивности при проведе-
нии анализа по постоянному току?
6. Способы определения режима по постоянному току электронной схемы,
моделируемой с помощью программы MICROCAP.
7. Основные параметры задания на моделирование переходных процессов
в электронной схеме (режим анализа TRANSIENT).
8. Основные параметры задания на малосигнальное моделирование в час-
тотной области электронной схемы (режим анализа AC).
9. Основные параметры задания на моделирование характеристик схем на
постоянном токе (режим анализа DC).
10. Cпособы задания команд при работе в среде программы MICROCAP.
11. Управление окнами в программе MICROCAP.
13. Какие переменные можно указывать в графе Х expressions окна Analy-
sis Limits различных режимов анализа? Какие переменные для различных ви-
дов анализа используются чаще всего?
14. Способы масштабирования графиков в различных режимах.
15. Разновидности масштабов, используемых при построении графиков в
режиме малосигнального частотного анализа AC.
16. Флажок Operating point и способ задания начальных условий для пе-
ременных состояния в списке State variables окна задания параметров моде-
лирования переходных процессов Transient Analysis Limits. Их влияние на
процесс расчета.
17. Способы измерения временных интервалов на графиках переходных
процессов и частотных диапазонов на графиках малосигнального частотного
анализа.
18. Способы идентификации нескольких кривых, построенных в одном
графическом окне, при распечатке на черно-белом принтере.
19. Управление координатной сеткой графиков.
20. Способы нанесения текстовых надписей на графики для обеспечения
наглядного представления результатов моделирования.

19
 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2
Исследование усилительного каскада
с общим эмиттером на биполярном транзисторе
1. Цель работы
1. Закрепление материала о принципах работы усилительных каскадов на
биполярных транзисторах.
2. Закрепление материала о методике выбора и обеспечения положения
точки покоя усилительного каскада и способах термостабилизации.
3. Освоение различных видов анализа по постоянному току в программе
MICROCAP: DC Analysis, Dynamic DC, Transfer Function, Sensitivity.
4. Освоение режима анализа частотных характеристик на малом сигнале AC
Analysis в программе MICROCAP, методики построения амплитудно- и
фазочастотных характеристик в линейном, полулогарифмическом и лога-
рифмическом масштабах.
5. Освоение режима анализа переходных процессов TRANSIENT в про-
грамме MICROCAP.
2. Подготовка к работе
1. Повторить основные принципы работы усилительных каскадов на бипо-
лярных транзисторах и методику их расчета на постоянном и переменном
токе.
2. По конспекту лекций и [1] изучить основные приемы работы с пакетом
программ MICROCAP при вводе принципиальной схемы, проведении
анализа по постоянному току DC analysis, малосигнального частотного
анализа AC analysis, анализа переходных процессов TRANSIENT Analysis.

3. Рабочее задание
В лабораторной работе требуется синтезировать и исследовать усили-
тельный каскад с общим эмиттером (рис. 2.1), обеспечивающий при заданном
напряжении питания и заданном сопротивлении нагрузки максимальную ам-
плитуду выходного напряжения.
Исходные данные для расчета и компьютерного анализа и синтеза:
· Напряжение питания каскада: EС = 10 В.
· Сопротивление нагрузки каскада: RLOAD=5 кОм.
· Нижняя граничная частота усиления, определяемая по уровню
KU max
KU = : fMIN=100 Гц.
ML

20
· Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте:
ML = 2 .
· Температурный диапазон работы каскада: 27°С…67°С.
· Дрейф напряжения коллектор-эмиттер в точке покоя в пределах темпера-
турного диапазона: DUCEA(DT°) не более 500 мВ.
· В качестве транзистора взять n-p-n транзистор с моделью $GENERIC_N. Мак-
симально допустимая мощность, рассеиваемая на транзисторе, PCMAX=100 мВт.
Максимальный коллек-торный ток
транзистора ICMAX=30 мА.
В приведенных ниже пунктах рабо-
чего задания содержится методика ком-
пьютерного анализа и синтеза усили-
тельных каскадов, опирающаяся на тео-
ретический материал курса «Электрон-
ные цепи и микросхемотехника». Дан-
ная методика с успехом может исполь-
зоваться для компьютерного анализа и
синтеза усилительных каскадов других
типов, в том числе на иных транзисто-
рах и электронных лампах.
Рис. 2.1. Схема усилителя с общим эмиттером
3.1. Анализ по постоянному току в
режиме DC Analysis
1. Построить с помощью схемного редактора MICROCAP схему для снятия
выходных ВАХ биполярного транзистора (см. рис. 2.2 и лаб. раб. № 1 пп.
43–46). Определить с помощью текстовых директив .define значение мак-
симальной мощности, рассеиваемой транзистором PCMAX и максимальное
значение коллекторного тока ICMAX (рис. 2.2).

Рис. 2.2. Схема для снятия выходных характеристик биполярного транзистора

2. Запустить анализ по постоянному току DC. Установить пределы изменения
первой переменной (напряжения коллектор-эмиттер) в соответствии с на-
пряжением питания коллекторной цепи каскада EC, второй переменной

21
 I С max
(тока базы) — в пределах до I BM = , где BF — параметр модели би-
BF
полярного транзистора, коэффициент передачи тока базы в нормальном
активном режиме. Установить масштабы по оси абсцисс X range —
1.1×EC, 0; по оси ординат Y range — ICMAХ, 0.
3. Построить семейство выходных ВАХ биполярного транзистора, нажав
кнопку RUN. Если окажется, что самая высокая характеристика семейства
много меньше ICMAX, то необходимо увеличить верхний предел изменения
тока базы и перезапустить анализ.
4. Построить на одном графике с семейством выходных характеристик тран-
зистора прямую линию ограничения тока покоя транзистора на уровне
0.8×ICMAX и кривую ограничения тока коллектора по максимальной мощно-
РC max
сти, рассеиваемой транзистором . Для этого надо вызвать диало-
VCE (Q1)
говое окно DC analysis limits, нажав клавишу <F9>; добавить командой
Add два графика в существующее графическое окно, и внести в их поля Y
expressions вышеуказанные формулы. Запустить анализ, нажав кнопку
RUN.
5. Построить на графиках ограничительную линию нагрузки, соответствую-
щую максимально возможному суммарному сопротивлению
RLOAD
= (RC + RE )max
RS max = . Одна точка этой линии находится на оси на-
4
пряжений VCE и определяется заданным напряжением питания каскада EC
— точка С. Вторая точка находится на оси токов IC — точка D. Длина от-
EC
резка [0, D] равна . Суммарное сопротивление в цепи эмиттера и
RS max
коллектора однокаскадного усилителя RS=RE+RC должно удовлетворять
R
неравенству RS = ( RC + RE ) £ LOAD , т. е. линия нагрузки каскада на посто-
4
янном токе должна лежать выше ограничительной нагрузочной прямой. В
усилительном каскаде с резистором в коллекторной цепи RC, удовлетво-
ряющим приведенному неравенству, при подключении нагрузки не будет
уменьшаться амплитуда переменной составляющей выходного напряже-
ния из-за деления выходного тока резистивным делителем RC–RLOAD. Та-
ким образом, только при выполнении данного ограничения мы можем
рассчитывать на получение максимальной амплитуды выходного сигнала,
требуемой заданием. Для рисования ограничительной линии нагрузки на
постоянном токе следует воспользоваться командами рисования графиче-
ских объектов, открываемыми нажатием на пиктограмму . После пере-
численных построений графическое окно с семейством характеристик и

22
 ограничительными линиями должно иметь вид, близкий к представлен-
ному на рис. 2.3.

Рис. 2.3. К графоаналитическому синтезу усилительных каскадов

на биполярных транзисторах

6. Используя команды рисования графических объектов , построить линию

нагрузки на постоянном токе усилительного каскада таким образом, чтобы
она не зашла в запрещенные области (показанные на рис. 2.3. штрихов-
кой). Примерное положение линии нагрузки на постоянном токе (ЛН=)
представлено на рис. 2.3. отрезком прямой FC. Подписать кривые в семей-
стве выходных характеристик транзистора, выполнив команду Scope/Label
Branches. Выйти из режима анализа, нажав <F3>, а затем с помощью ко-
манды меню File сохранить схему на диске под именем BJT_OUT.CIR.
7. Определить суммарное сопротивление RS=RC+RE, используя ординату точ-
ки пересечения линии нагрузки на постоянном токе с осью тока IC:
0, C [B ] EC
RS = = .
0, F [ A] I ЛН = VCE = 0

23
8. Рассчитать требуемое отношение сопротивлений в коллекторной и эмит-
R
терной цепях K = C , исходя из заданного температурного диапазона DT°,
RE
заданного максимального дрейфа напряжения коллектор-эмиттер в точке
покоя в диапазоне температур DVCE0(DT°) и известного температурного ко-
dV B
эффициента напряжения база-эмиттер g = BE = 2,2 × 10 -3 :
dT ° °C
DVCE (DT °)
K» .
g × DT °
9. Рассчитать требуемые сопротивления в цепи эмиттера RE и коллектора RC:
RS K × RS
RE = ; RC = RS - RE = .
K +1 K +1
Учитывая то, что резистор RE заземляется по переменной составляющей
(см. рис. 2.1), и то, что к коллектору транзистора подключается сопротивле-
ние нагрузки, линия нагрузки по переменному току ЛН~ будет иметь более
крутой наклон, чем линия нагрузки по постоянному току ЛН= (см. рис. 2.3).
Для обеспечения максимального размаха напряжения на нагрузке при задан-
ном напряжении питания необходимо так выбрать точку покоя каскада —
точку А (см. рис. 2.3), чтобы отрезки линии нагрузки на переменном токе
[B~,A] и [A, C~] были бы приблизительно равны. Как показывает анализ, на-
пряжение коллектор-эмиттер VCEA в точке покоя в этом случае должно опре-
деляться соотношением:
E C × RC × R LOAD + VCES × ( RC + R LOAD ) × (RC + R E )
VCEA = , (1)
(RC + R LOAD ) × (RC + RE ) + RC × RLOAD
где VCES — напряжение коллектор-эмиттер транзистора в режиме насыщения
при максимальном токе нагрузки, определяемое приближенно по семейству
выходных характеристик.
10.Рассчитать по формулам (1) и (2) напряжение коллектор-эмиттер каскада в
точке покоя VCEA и ток коллектора в точке покоя ICA. Поскольку точка по-
коя (т. А) находится на линии нагрузки по постоянному току, то коллек-
торный ток покоя определится по формуле:
EC - VCEA
I CA = . (2)
RC + RE
11.Определить приближенно ток базы покоя усилительного каскада. Прибли-
женно он может быть определен по семейству выходных характеристик и
известному значению напряжения коллектор-эмиттер в точке покоя VCEA.
Для этого из точки на оси абсцисс с координатами (VCEA, 0) строится пер-

24
 пендикуляр до пересечения с линией нагрузки по постоянному току — т.
А. Для приближенного расчета тока базы покоя IBA, используются близле-
жащие кривые семейства выходных характеристик транзистора. На рис.
2.3. — это характеристики, построенные при токах базы IB6 и IB7. Очевид-
но, что грубо приближенно ток базы покоя IBA может быть определен как
I + I B7
I BA = B 6 (см. рис. 2.3).
2
12.С помощью схемного редактора построить схему для снятия входных
IB(VBE) и передаточных IC(VBE) характеристик транзистора (рис. 2.4). Вели-
чину батареи VC задать равной найденному напряжению коллектор-
эмиттер в точке покоя VCEA. Запустить анализ по постоянному току Analy-
sis/DC (<Alt>+<3>). Задать только изменение источника напряжения в це-
пи базы VB (Variable 1) от 0 до 0.7¸0.75 В c линейным шагом, не превос-
ходящим 1E-4 B. В позиции Variable 2 из открывающегося списка выбрать
NONE. Задать построение двух графиков. Для обоих графиков в графе X
expression набрать Vbe(Q1). В графе Y expression для одного графика ука-
зать Ib(Q1) — для построения входной характеристики Ib(Vbe). Для друго-
го графика в графе Y expression указать Ic(Q1) — для построения переда-
точной характеристики Ic(Vbe). Включить флажок Auto Scale Ranges. За-
пустить анализ, нажав кнопку RUN. При необходимости изменить мас-
штабы вывода графиков для того, чтобы они занимали все графическое
окно. Для этого в окне DC Analysis Limits (<F9> или ), выключить фла-
жок Auto Scale Ranges, установить необходимые масштабы и перезапус-
тить анализ.

Рис. 2.4. Схема для снятия входных и передаточных характеристик транзистора

13.Перейти в режим Cursor Mode (<F8> или ). Проверить установку свя-

занных курсоров Align Cursors, зайдя в меню Scope. Проверить включение
индикации координат электронного курсора, зайдя в подменю
Scope/Trackers/Cursor. В указанных пунктах меню должна стоять «галоч-
ка». При необходимости произвести установку. Теперь электронные кур-
соры для двух графиков будут связаны между собой и их координаты ото-
бразятся на экране. Установить на графике передаточной характеристики

25
 Ic(Vbe) левый электронный курсор в точку с ординатой, равной току кол-
лектора покоя каскада ICA. Перемещение левого курсора грубо осуществ-
ляется протяжкой левой клавиши мыши, точно — клавишами перемеще-
ния курсора <®> <¬> на дополнительной клавиатуре. Считать с экрана
значение напряжения база-эмиттер в точке покоя VBEA — это абсцисса
электронного курсора, точное значение тока базы в точке покоя IBA — это
ордината электронного курсора на входной характеристике. Сравнить зна-
чение тока базы покоя с приближенным значением, определенным в пунк-
те 11. На данном этапе все искомые параметры точки покоя усилительного
каскада VCEA, ICA, IBA, VBEA известны. Вернуться из режима анализа в схем-
ный редактор, нажав <F3>. Сохранить схему на диске под именем
BJT_IN.CIR.
14.Загрузить с диска схему для снятия выходных характеристик
BJT_OUT.CIR. Установить величину батареи в цепи коллектора VC рав-
ной найденной величине напряжения коллектор-эмиттер в точке покоя
VCEA. Установить величину источника тока в цепи базы IB равной найден-
ному току базы в точке покоя IBA. Теперь режим транзистора в точности
соответствует точке покоя каскада. Запустить анализ малосигнальных пе-
редаточных характеристик на постоянном токе Transfer Function, выпол-
нив команду Analysis/Transfer Function (<Alt>+<F5>). Набрать в графе
Output Expression — VBE(Q1), в графе Input Source Name — выбрать из
открывающегося списка источник IB. Нажать на кнопку Calculate. В гра-
фах Transfer Function (а также Input Impedance) выведется значение диф-
ференциального входного сопротивления в точке покоя транзистора со
стороны базы rB DIFF. Зафиксировать в отчете полученный результат.
Набрать в графе Output Expression — IC(Q1), в графе Input Source
Name — выбрать из открывающегося списка источник VC. Нажать на кнопку
Calculate. В графe Input Impedance выведется значение дифференциального
сопротивления со стороны коллектора в точке покоя транзистора, включенно-
го по схеме с общим эмиттером rС DIFF. В графе Transfer Function выведется
1
дифференциальная проводимость — . Зафиксировать в отчете получен-
rC DIFF
ный результат.
15.Рассчитать дифференциальный коэффициент передачи тока базы b в кол-
лекторную цепь в точке покоя двумя способами — 1) используя режим
анализа по постоянному току TRANSFER FUNCTION; 2) используя анализ
чувствительности SENSITIVITY. Сравнить результаты между собой и срав-
нить их с параметром модели BF. Зафиксировать полученные резуль-
таты.
16. Включить режим Dynamic DC, выполнив команду меню Analysis/Dynamic
DC (<Alt>+<F4>). Включить показ токов, протекающих в схеме, нажав на

26
 кнопку . Измерить ток эмиттера транзистора в точке покоя IEA. Рассчитать
потенциал базы усилительного каскада VBA в точке покоя по формуле:
VBA = VBEA + I EA × RE .
Выбрать ток делителя базовой цепи усилительного каскада IDIV в диапа-
зоне IDIV=(5¸10)IBA.
Рассчитать сопротивление нижнего плеча делителя R2 (см. рис. 2.1) по
формуле:
V
R2 = BA .
I DIV
Рассчитать сопротивление верхнего плеча делителя R1 (см. рис. 2.1) по
формуле:
E - VBA
R1 = C .
I DIV + I BA

3.2. Анализ схемы на переменном токе для малого сигнала

в режиме AC analysis
17.Задать коэффициенты частотных искажений на нижних частотах для трех
цепей каскада, содержащих конденсаторы: входной MIN, выходной MOUT и
цепи эмиттера ME — так, чтобы ML=MIN×MOUT×ME. Поскольку самой низко-
омной цепью является цепь эмиттера транзистора, то целесообразно са-
мый большой коэффициент частотных искажений выбрать для этой цепи.
Например, для заданного результирующего коэффициента частотных ис-
кажений M L = 2 , можно задать следующие значения: ME=1,41;
MIN=MOUT=1,001.
18.Рассчитать величины емкостей конденсаторов CIN, COUT, CE по следующим
формулам:
1
C IN = , (3)
2 × p × f MIN × (rB DIFF // RB ) × M IN
2
-1
1
COUT = , (4)
2 × p × f MIN × (RLOAD + rC DIFF // RC ) × M OUT
2
-1
1
CE = , (5)
æ rB DIFF ö
2 × p × f MIN × çç // RE ÷÷ × M E2 - 1
è b +1 ø
R1 × R2
где RB = R1 // R2 = .
R1 + R2

27
19.C помощью схемного редактора построить полную схему усилительного
каскада (см. рис. 2.1). Присвоить элементам схемы: резисторам базового
делителя R1, R2; резисторам в цепи эмиттера и коллектора RE, RC; разде-
лительным конденсаторам CIN, COUT; конденсатору СE, — рассчитанные в
предыдущих пунктах лабораторной работы значения. Ко входу схемы
подключить источник синусоидального сигнала (можно взять и импульс-
ный источник, для AC анализа это не принципиально). Для удобства ана-
лиза также можно назначить входному и выходному узлу текстовые на-
именования из латинских букв, как показано на рис. 2.1.
20.Проверить правильность расчета схемы по постоянному току. Для этого
включить режим Dynamic DC в меню Analysis. Включить дополнительно
показ токов, нажав кнопку . Проверить токи и напряжения в схеме (VBE
A, VBA, VCE A, ICA, IBA, IEA). Если они приближенно равны рассчитанным в
п.п. 7–13 значениям, то перейти к следующему пункту. В противном слу-
чае проверить расчет схемы по постоянному току (RE, R1, R2).
21.Запустить малосигнальный анализ по переменному току АС, выполнив ко-
манду Analysis/AC (<Alt>+<2>). Построить амплитудно-частотные и фазо-
частотные характеристики коэффициента передачи по напряжению в раз-
личных масштабах по обеим осям, для чего выполнить следующее:
а) Для построения в линейных масштабах по обеим осям сделать в окне
AC Analysis Limits следующие установки:
· Частотный диапазон (Frequency Range) — 1E9,1.
· Максимальное изменение между соседними точками (Maximum
Change) — 0.01.
· Шаг по частоте (Frequency Step) — Auto.
· график 1 (P1): Y expression — V(out)/V(in); X range — Fmax, Fmin; Y
range — auto; линейные масштабы по обеим осям ( ); пря-
моугольные координаты ( ).
· график 2 (P2): Y expression — PH(V(out)/V(in)), остальные поля заполня-
ются так же, как и для графика 1.
Нажать кнопку RUN, наблюдать результат анализа на экране. Повторно
запустить анализ, объяснить полученные результаты.
б) Для построения в полулогарифмическом масштабе (логарифмиче-
ский масштаб по частоте, линейный — для модуля коэффициента передачи),
установки в окне Analysis Limits аналогичны п. а), за исключением масштабов
по оси абсцисс для обоих графиков, теперь они устанавливаются логарифми-
ческими ( ).
Запустить кнопкой RUN анализ, объяснить полученные результаты. Про-
верить соответствие усилителя техническому заданию по полосе пропускания
и коэффициенту передачи. Если нижняя граничная частота усиления каскада

28
больше, чем частота fmin, указанная в техническом задании, необходимо уве-
личить емкости конденсаторов CIN, COUT, СЕ. Для этого необходимо выйти из
режима анализа, нажав <F3>, и с помощью схемного редактора изменить ве-
личины емкостей. В случае получения коэффициента передачи на средних
частотах много меньше единицы (каскад не обладает необходимыми усили-
тельными свойствами), необходимо проверить правильность ввода значений
резисторов и расчет каскада по постоянному току.
в) Построить амплитудно-частотную характеристику в логарифмическом
æ U& P& ö
масштабе в децибелах çç K U дБ = 20 × lg вых = 10 × lg вых ÷÷ . Для этого для графи-
è U& вх P&вх ø
ка 1 установить в графе Y expression — dB(V(out)/V(in)), масштабы по осям
оставить прежними, логарифмический по оси абсцисс ( ), и линейный ( )
— по оси ординат. Запустить анализ кнопкой RUN, измерить коэффициент
передачи в децибелах на пологой части АЧХ. Запомнить соответствие раз-
личных единиц для коэффициента передачи (в децибелах и разах):
20 дБ — усиление по уровню в 10 раз
40 дБ — усиление по уровню в 100 раз
60 дБ — усиление по уровню в 1000 раз и т.д.
22.Открыть окно Stepping ( ). Установить увеличение емкости конденсато-
ра COUT в десять раз на каждом шаге расчета, от значения в 1000 раз
меньшего рассчитанного до значения в 10 раз больше рассчитанного.
Включить многовариантный анализ (Stepping), установив флажок YES на
панели Step It. Запустить анализ, объяснить полученные результаты. Вы-
ключить Stepping, щелкнув мышью в кружке NO на панели Step It.
23.Повторить действия пункта 22, открыв новую закладку в окне Stepping для
изменения емкости CIN в аналогичных пределах. Объяснить полученные
результаты. Выключить Stepping на используемой закладке.
24.Повторить действия пункта 22, открыв новую закладку в окне Stepping для
изменения емкости CЕ. Установить список значений (LIST) для изменения
емкости CE: 0, 0.01CEрасч, 0.1CEрасч, CEрасч, 10CEрасч, где CEрасч — рассчитан-
ная величина емкости CE. Запустить анализ и объяснить полученные ре-
зультаты. Выключить Stepping на используемой закладке.
25.Повторить действия пункта 22 при изменении величин сопротивлений RЕ,
RС, RLOAD, коэффициента передачи транзистора BF (параметр модели),
барьерной емкости коллекторного перехода CJC (параметр модели), вре-
мени пролета TF (параметр модели). Объяснить полученные зависимости.
В заключение выключить все закладки многовариантного анализа и уста-
новить исходные значения компонентов схемы, при которых характери-
стика соответствует техническому заданию.

29
 3.3. Анализ переходных процессов в режиме большого сигнала
26.Установить частоту F входного синусоидального источника (см. схему на
рис. 2.1) равной 5 кГц, амплитуду A — 20 мВ, постоянную составляющую
DC равной нулю, внутреннее сопротивление источника сигнала RS —
0.001 Ом. Запустить анализ переходных процессов TRANSIENT. В окне
Transient Analysis Limits произвести следующие установки:
· Выключить флажок Operating Point;
· Временной диапазон (Time Range) установить равным 50ms;
· Максимальный шаг по времени (Maximum Time Step) — 1E-6;
· график 1 (P1): Y expression — V(in); X range — Tmax, Tmin; Y range —
0.05,-0.05; линейные масштабы по обеим осям ( ); прямоугольные
координаты ( );
· график 2 (P2): Y expression – V(out); Y range — auto; остальные поля за-
полняются так же, как для графика 1.
Нажать RUN, зафиксировать полученный результат в виде графика пе-
реходного процесса.
27.Установить флажок Operating Point. Повторить анализ. Объяснить отличия
результатов пунктов 26 и 27.
28.Изменить установки временного диапазона (Time Range) на 2ms. Запустить
анализ. Визуально по графику выходного напряжения определить наличие
видимых нелинейных искажений. Оценить нелинейные искажения, ис-
пользуя программу MICROCAP. Для этого изменить время расчета на пе-
риод входного синусоидального сигнала, т.е. установить временной диа-
пазон (Time Range) равный 0.2ms. Добавить в перечень графиков функции
спектрального анализа:
· график 3 (P3) — гармоники сигнала V(out): X expression – F, Y expression –
HARM(V(out)); X range – 25K,5K (до 5-ой гармоники); Y range — 9, –1, 2
(максимум, минимум, шаг).
· график 4 (P4) — коэффициент нелинейных искажений спектра сигнала
V(out): X expression – F; Y expression – THD(HARM(V(out)),5K);
X range — 25K,5K (до 5-ой гармоники); Y range — 23, -2, 5 (максимум,
минимум, шаг).
Запустить анализ, объяснить полученные результаты.
Выйти из режима анализа, нажав <F3>, уменьшить в 4–8 раз амплитуду
входного синусоидального сигнала, повторить анализ. Объяснить изменение
коэффициента нелинейных искажений.
29.Установить временной диапазон расчета (Time Range) 2ms, погасить 3 и 4
графики с функциями спектрального анализа. Организовать многовари-
антный анализ (Stepping) переходных процессов при изменении амплиту-

30
 ды входного сигнала от 10 мВ до 50 мВ. Запустить анализ и объяснить по-
лученные результаты.
3.4. Исследование термостабильности различных каскадов
30.С помощью схемного редактора собрать схему, состоящую из трех различ-
ных усилительных каскадов с общим эмиттером, входы которых подсое-
динены к одному источнику сигнала (рис. 2.5). Все усилители имеют один
и тот же режим по постоянному току (аналогичный рассмотренному выше
каскаду, представленному на рис. 2.5 слева). Следовательно, номинальные
значения компонентов двух других каскадов могут быть определены по
формулам:
E - VBEA
RB 2 = C ; (6)
I BA
RC 2 = RC 3 = RC + RE ; (7)
VBEA EC - VBEA
R23 = ; R13 = ; (8)
10 × I BA 11 × I BA
СOUT 2 = COUT 3 = COUT ; С IN 2 = C IN 3 = C IN .
Рассчитать значения компонентов двух других усилительных каскадов
по формулам (6)–(8) и ввести численные значения параметров в схему (см.
рис. 2.5). Ко входу всех трех схем подключить источник синусоидального
сигнала частотой 5 кГц, амплитудой 0.02 В и с внутренним сопротивлением
RS=0.001 Ом.

Рис. 2.5. Разновидности усилителей с общим эмиттером

31.Включить режим Dynamic DC (<Alt>+<4>) и индикацию токов в схеме

( ), проверить режим покоя всех каскадов. При правильном расчете и
вводе, режим покоя у всех трех схем должен быть одинаков и совпадать с
режимом, рассчитанным в пп. 7–13.

31
32.Запустить малосигнальный анализ по переменному току АС, выполнив ко-
манду Analysis/AC (<Alt>+<2>). Построить амплитудно-частотные и фазо-
частотные характеристики коэффициента передачи по напряжению для
всех трех схем на одном графике, для чего выполнить следующее:
· Установить частотный диапазон (Frequency Range) равным 1E9,1; макси-
мальное изменение между соседними точками (Maximum Change) — 0.01;
шаг по частоте (Frequency Step) — Auto; установить флажок автоматиче-
ского масштабирования (Auto Scale Ranges).
· Заполнить 3 строки Y expression для графика P1 выражениями
DB(V(out)/V(in)), DB(V(out2)/V(in)); DB(V(out3)/V(in)). Заполнить 3 строки
Y expression для графика P2 выражениями PH(V(out)/V(in)),
PH(V(out2)/V(in)); PH(V(out3)/V(in)). Установить для всех графиков мас-
штабы: логарифмический по частоте ( ) и линейный по оси Y ( ),
прямоугольные координаты ( ).
Нажать RUN, наблюдать результат анализа на экране. Убедиться в прак-
тически одинаковом ходе малосигнальных частотных характеристик, и прак-
тически одинаковом коэффициенте передачи в полосе пропускания.
33.Проанализировать работу всех трех каскадов при двух значениях темпера-
туры: 27°С и 67°С. Запустить анализ переходных процессов TRANSIENT. В
окне Transient Analysis Limits произвести следующие установки:
· Включить флажки Operating Point и Auto Scale Ranges;
· Временной диапазон (Time Range) установить равным 1ms;
· Максимальный шаг по времени (Maximum Time Step) — 1E-7;
· В графе Temperature установить: List 27,67;
· график 1 (P1): Y expression — V(out); линейные масштабы по обеим осям
( ), прямоугольные координаты ( );
· график 2 (P2): Y expression – V(out2), остальные поля заполняются так же,
как для первого графика;
· график 3 (P3): Y expression – V(out3), остальные поля заполняются так же,
как для первого графика.
Нажать RUN, зафиксировать полученный результат в виде графиков вы-
ходного напряжения усилителей. Сравнить каскады по термостабильности,
сделать выводы.
34.Оформить отчет о проделанной работе.

32
 4. Контрольные вопросы
1. Как автоматически обозначить графики семейства характеристик на по-
стоянном токе или графики, полученные с помощью многовариантного ана-
лиза?
2. Как организовать синхронное перемещение электронных курсоров по
нескольким графическим окнам?
3. Почему при построении малосигнальных частотных характеристик уси-
лителей по оси частот практически всегда используется логарифмический
масштаб?
4. Как определить малосигнальные параметры биполярного транзистора
— дифференциальное сопротивление со стороны эмиттера rE DIFF, дифферен-
циальное сопротивление со стороны базы rB DIFF, дифференциальное сопро-
тивление со стороны коллектора rC DIFF, малосигнальный коэффициент пере-
дачи тока базы b, малосигнальный коэффициент передачи тока эмиттера a?
5. Как с помощью программы MICROCAP определить входное дифферен-
циальное сопротивление транзистора со стороны эмиттера rE DIFF. Как связаны
между собой rE DIFF и rB DIFF?
6. Что представляет собой режим анализа Transfer Function в программе
MICROCAP? Для каких целей он используется?
7. Что представляет собой режим анализа Sensitivity в программе
MICROCAP? Для каких целей он используется?
8. Для каких целей может быть использован режим анализа Dynamic DC в
программе MICROCAP в процессе синтеза и анализа усилительных каскадов
на транзисторах?
9. Выходные, входные, передаточные характеристики биполярного тран-
зистора с разными схемами включения и способы их построения.
10. Какие существуют ограничения при выборе режима по постоянному
току усилительного каскада?
11. Как выбирать сопротивление в коллекторной цепи транзистора для
обеспечения максимального размаха выходного напряжения при заданном
сопротивлении нагрузки?
12. Что определяет отношение сопротивлений в коллекторной и эмиттер-
ной цепях в усилительном каскаде на рис. 2.1?
13. Почему линия нагрузки на переменном токе всегда имеет больший на-
клон, чем линия нагрузки на постоянном токе для схемы на рис. 2.1?

33
 14. Как следует выбирать точку покоя усилительного каскада на рис. 2.1
для обеспечения максимального размаха выходного напряжения при задан-
ном напряжении питания?
15. Как, зная параметры точки покоя усилительного каскада (рис. 2.1),
рассчитать делитель напряжения в цепи базы R1-R2?
16. Как получены формулы (3)–(5)? Провести их вывод, сопроводив экви-
валентными схемами соответствующих цепей.
17. Связь между коэффициентом передачи в децибелах и разах.
18. Зависимость частотной характеристики коэффициента передачи уси-
лителя в области низких частот от емкостей разделительных конденсаторов
CIN, СOUT и от емкости шунтирующего конденсатора в цепи эмиттера CE.
19. Зависимость частотной характеристики коэффициента передачи уси-
лителя в области средних и высоких частот от параметров модели биполярно-
го транзистора: коэффициента передачи тока базы BF, барьерной емкости
коллекторного перехода CJC, времени пролета в нормальном режиме TF.
20. Что такое коэффициент нелинейных искажений (коэффициент гармо-
ник) усилителя, как он рассчитывается?
21. Что такое коэффициент частотных искажений усилителя? Как его оп-
ределить по амплитудно-частотной характеристике коэффициента передачи
усилителя?
22. Как зависит коэффициент нелинейных искажений усилителя от ампли-
туды входного гармонического сигнала?
23. Графоаналитический расчет режима по постоянному току трех усили-
тельных каскадов с общим эмиттером, представленных на рис. 2.5.
24. Почему усилитель с резистором в цепи эмиттера является термоста-
бильным, а каскад без резистора нет?
25. Почему первая схема на рис. 2.5 наиболее термостабильна, вторая —
средне, третья — наименее термостабильна?

34
 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3
Исследование усилительных каскадов на основе
полевых транзисторов

1. Цель работы
1. Закрепление материала о принципах работы усилительных каскадов на
полевых транзисторах.
2. Закрепление материала о методике выбора и обеспечения положения
точки покоя усилительных каскадов на полевых транзисторах.
3. Освоение методики построения выходных и передаточных характеристик
полевых транзисторов с помощью анализа по постоянному току (DC
Analysis) в программе MICROCAP.
4. Освоение режима анализа частотных характеристик на малом сигнале AC
ANALYSIS в программе MICROCAP, методики построения амплитудно-
и фазочастотных характеристик в различных масштабах.
5. Освоение режима анализа переходных процессов TRANSIENT в про-
грамме MICROCAP.

2. Подготовка к работе
1. Повторить основные принципы работы усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах и методику их расчета на постоянном и переменном
токе.
2. По конспекту лекций и [1] изучить основные приемы работы с пакетом
программ MICROCAP при вводе принципиальной схемы, проведении
анализа по постоянному току DC analysis, малосигнального частотного
анализа AC analysis, анализа переходных процессов Transient Analysis,
спектрального Фурье-анализа периодических сигналов.

3. Рабочее задание
В лабораторной работе требуется выполнить графоаналитический расчет
точки покоя усилительных каскадов, а затем провести имитационное модели-
рование их работы в различных режимах с помощью программы MICROCAP-
7. Схемы исследуемых каскадов приведены на рис. 3.1, а – в. Для всех схем
(рис. 3.1, а – в) с помощью резисторов RD, RS, R1, R2 требуется установить та-
кую точку покоя каскадов, при которой обеспечивается максимальный размах
выходного напряжения.

35
 а) б)

в)
Рис. 3.1. Cхемы усилительных каскадов на полевых транзисторах
Исходные данные для расчета и компьютерного анализа и синтеза:
· Напряжение питания каскада: ED =15В (для всех схем).
· Сопротивление нагрузки каскада: RLOAD=100кОм (для схем рис. 3.1, а, б);
RLOAD=1кОм (для схемы рис. 3.1, в).
· Нижняя граничная частота усиления, определяемая по уровню
KU max
KU = : fMIN=100Гц.
ML
· Коэффициент частотных искажений на нижней граничной частоте:
ML = 2 .
· В качестве транзисторов для схем на рис. 3.1, а, б взять транзистор с
управляющим p-n переходом (NJFET) с моделью $GENERIC_N
(PDSMAX=0.05 Вт), для схемы на рис. 3.1, в — транзистор с изолированным

36
 затвором и индуцированным каналом n-типа (DNMOS) c моделью $GE-
NERIC_N (PDSMAX=2 Вт, IDMAX=0.25 А).
В приведенных ниже пунктах рабочего задания содержится методика
компьютерного анализа и синтеза усилительных каскадов, опирающаяся на
теоретический материал курса «Электронные цепи и микросхемотехника».

3.1. Анализ схемы, представленной на рис. 3.1, а.

3.1.1. Графоаналитический расчет по постоянному току в режиме
DC Analysis
1. Построить с помощью схемного редактора MICROCAP схему для снятия
семейства выходных ВАХ полевого транзистора (рис. 3.2).

Рис. 3.2. Схема для снятия выходных характеристик полевого транзистора

2. Запустить анализ по постоянному току DC. Установить пределы измене-
ния первой переменной V2 (напряжения сток-исток VDS) в соответствии с
напряжением питания, второй переменной V1 (напряжения затвор-исток
VGS) — в пределах от напряжения отсечки (параметр модели VT0) до нуля.
Причем VGS=0 — это максимальное значение, VGS=VT0 — минимальное.
Шаг изменения напряжения затвор-исток выбрать таким, чтобы семейство
характеристик содержало бы не менее 20 – 25 кривых зависимости тока
стока ID от напряжения сток-исток VDS. Установить пределы по оси X в
окне Analysis Limits — X range несколько больше, чем диапазон изменения
первой переменной. Например, если источник в цепи стока V2 изменяется
от 0 до 15 В, то диапазон X range устанавливается 16, 0. Это необходимо
для того, чтобы впоследствии командой Scope/Label Branches можно было
подписать выходные характеристики. В позиции Y range из открывающе-
гося списка выбрать Auto. Для построения семейства выходных характе-
ристик в графе X expression указать Vds(J1), в графе Y expression — Id(J1).
3. Построить семейство выходных ВАХ полевого транзистора, нажав кнопку
RUN. При необходимости подкорректировать масштабы в параметрах ана-
лиза для более наглядного отображения семейства характеристик. Поме-
тить характеристики в семействе, выполнив команду Scope/Label Branches.
После выполнения команды, возле каждой характеристики разместится
надпись, указывающая, при каком напряжении источника V1 (напряжение

37
 затвор-исток) она построена (рис. 3.3).
4. Дополнительно на этом же графике построить линию, ограничивающую
геометрическое место точек на плоскости ID(VDS) с допустимой рассеивае-
мой мощностью. Для этого ввести в Y expressions выражение вида
PDSMAX/VDS(J1). Максимально допустимую мощность PDSMAX взять равной
50 мВт. Выше этой кривой в статическом режиме транзистор находится
вне области безопасной работы, так как превышена допустимая рассеи-
ваемая мощность.

Рис. 3.3. К графоаналитическому расчету по постоянному току усилителей на полевых

транзисторах с управляющим p-n переходом

5. Построить на одном графике с выходными ВАХ нагрузочную прямую

другим цветом так, чтобы обеспечить максимальный размах выходного
напряжения при заданном напряжении питания ED. При этом координата
конца нагрузочной прямой принудительно задается напряжением питания
ED — это точка D c координатами (ED, 0). Вторая точка нагрузочной пря-
мой выбирается из обеспечения максимального размаха выходного на-
пряжения и наибольшего использования транзистора по току, при этом
транзистор должен находиться на пологом участке характеристики (в ре-
жиме насыщения тока стока). Очевидно, что эта вторая точка будет нахо-
диться на самой верхней характеристике семейства, соответствующей на-

38
 пряжению VGS=0 в месте начала насыщения тока стока, — это точка B (см.
рис. 3.3).
6. Найти точку пересечения нагрузочной прямой с осью токов (точка F) и
определить требуемое суммарное сопротивление в цепи стока и истока
по формуле:
0, D [ В ] E D
RS = RD + RS = = .
0, F [ А] 0, F
7. Определить ток стока в точке покоя IDA. Очевидно, что точка покоя долж-
на находиться посередине между максимальным и минимальным значе-
ниями тока стока на выходных характеристиках. Максимальное значение
тока стока IDmax достигается при напряжении VGS=0, минимальное же
обычно составляет 0,1×IDMAX (ниже этого значения характеристики имеют
значительную нелинейность):
I D max + I D min 1,1 × I D max
I DA = =
2 2
8. Найти точку покоя каскада на месте пересечения линии нагрузки и гори-
зонтальной прямой ID=IDA (см. рис. 3.3). Определить по графику, опустив
перпендикуляр на ось напряжений, напряжение сток-исток в точке покоя
VDSA. Для этой цели можно также использовать электронный курсор в ре-
жиме Cursor Mode, включаемом нажатием <F8> ( ).
9. Определить приближенное значение смещения на затворе в точке покоя
VGSA, используя подписанное семейство выходных характеристик (см. рис.
3.3). Здесь напряжение на затворе в точке покоя VGSA приближенно опре-
V + VGS 9
деляется как VGSA » GS 8 . Зафиксировать в отчете приближенное
2
значение VGSA. Сохранить текущий схемный файл дважды под именами
JFET_OUT.CIR и JFET_TRAN_SMS.CIR.
10. Определить точное значение напряжения затвор-исток в точке покоя. За-
грузить в окно схемного редактора схемный файл JFET_TRAN_SMS.CIR.
В окне редактора появится схема, изображенная на рис. 3.2. Установить
величину батареи V2 равной найденному напряжению сток-исток в точке
покоя VDSA. Запустить DC анализ, нажав <Alt>+<F3>. Изменить параметры
анализа в открывшемся окне DC Analysis Limits:
· Установить изменение одной переменной — батареи V1 в графе Variable
1 — от порогового напряжения, взятого со знаком «–» (параметр модели
транзистора VT0), до нуля с шагом не более 0.001.
· Отключить изменение второй переменной, выбрав из открывающегося
списка Variable 2, — NONE.

39
· Установить флажок Auto Scale Ranges.
· Установить в графе P1 таблицы графиков: X expression — VGS(J1), Y ex-
pression — ID(J1).
Запустить анализ, нажав кнопку RUN. Наблюдать на экране сток-
затворную характеристику полевого транзистора.
Перейти в режим Cursor Mode, нажав <F8> ( ). Установить один из
электронных курсоров в точку на графике, в которой ток стока равен выбран-
ному току покоя IDA. Считать значение абсциссы электронного курсора, оно и
будет напряжением затвор-исток в точке покоя VGSA.
Вернуться в схемный редактор, нажав <F3>. Установить величину бата-
реи V1 равной найденному напряжению затвор-исток в точке покоя VGSA.
Включить режим Dynamic DC (<Alt>+<F4>), индикацию токов в схеме ( ) и
проверить карту режимов на постоянном токе. Сохранить схему, не выгружая
ее из окна схемного редактора.
11. Определить величину резистора в цепи истока RS. Его сопротивление
должно быть таким, чтобы падение напряжения на нем от протекания тока
стока покоя IDA обеспечивало бы смещение на затворе VGS=VGSA. Следова-
тельно, сопротивления в цепи стока и истока:
V
RS = GSA ; RD = RS - RS .
I DA
На этом графоаналитический расчет по постоянному току рабочей точки
усилительного каскада считается законченным. На этом этапе определены со-
противления резисторов в цепи стока RD и в цепи истока RS.
12. Собрать схему для определения малосигнальных параметров используе-
мого транзистора в точке покоя. Для этого изменить текущую схему,
включив в цепь истока батарею с нулевым напряжением V3 (рис. 3.4). При
этом режим по постоянному току не изменится, в чем можно убедиться,
запустив режим анализа Dynamic DC (<Alt>+<4>). Включить режим Trans-
fer Function (<Alt>+<5>).

Рис. 3.4. Схема для измерения малосигнальных параметров полевого транзистора

13. Измерить дифференциальное сопротивление транзистора со стороны за-
твора rG diff. Для этого набрать в позиции Output Expression: IG(J1), в графе

40
 Input Source Name выбрать из раскрывающегося списка батарею в цепи за-
твора V1. Нажать на кнопку Calculate, в графе Input Impedance появится
искомое значение rG diff. Зафиксировать в отчете полученный результат.
14. Измерить дифференциальное сопротивление транзистора со стороны ис-
тока rS diff. Для этого набрать в позиции Output Expression: IS(J1), в графе
Input Source Name выбрать из раскрывающегося списка батарею в цепи
истока V3. Нажать на кнопку Calculate, в графе Input Impedance появится
искомое значение rS diff. Зафиксировать в отчете полученный результат.
15. Измерить дифференциальное сопротивление транзистора со стороны сто-
ка rD diff. Для этого набрать в позиции Output Expression: ID(J1), в графе In-
put Source Name выбрать из раскрывающегося списка батарею в цепи сто-
ка V2. Нажать на кнопку Calculate, в графе Input Impedance появится ис-
комое значение rD diff. Зафиксировать в отчете полученнный результат. Со-
хранить схему на диске под прежним именем JFET_TRANS_SMS.CIR.

3.1.2. Анализ схемы, представленной на рис. 3.1, а на переменном токе

для малого сигнала в режиме AC analysis
16. Задать коэффициенты частотных искажений на нижних частотах для трех
цепей каскада, содержащих конденсаторы: входной MIN, выходной MOUT и
цепи стока MS — так, чтобы ML=MIN×MOUT×MS. Поскольку самой низкоом-
ной цепью является цепь истока транзистора J1, то целесообразно самый
большой коэффициент частотных искажений выбрать для этой цепи. На-
пример, для заданного результирующего коэффициента частотных иска-
(
жений M L = 2 ) можно задать следующие значения: MS=1,41;
MIN=MOUT=1,001.
17. Рассчитать величины емкостей конденсаторов CIN, COUT, CE для каскада
рис. 3.1, а по следующим формулам:
1
C IN = ; (9)
2 × p × f MIN × (rG diff // RG ) × M IN
2
-1
1
COUT = ; (10)
2 × p × f MIN × (RLOAD + rD diff // RD ) × M 2
OUT -1
1
CS = . (11)
2 × p × f MIN × (rS diff // RS ) × M S2 - 1

18. Собрать схему усилительного каскада с общим истоком на основе полево-

го транзистора с управляющим p-n переходом (рис. 3.1, а). Обратить вни-
мание на правильный ввод номинальных значений всех рассчитанных в
предыдущих пунктах компонентов (RD, RS, CS, CIN, COUT). Проверить пра-

41
 вильность расчета схемы по постоянному току. Для этого включить режим
Dynamic DC в меню Analysis. Включить дополнительно показ токов, нажав
кнопку . Проверить токи и напряжения в схеме (VDS, VGS, ID). Если они
приближенно равны выбранным в пп. 7–10 значениям, то перейти к сле-
дующему пункту. В противном случае проверить правильность собранной
схемы и расчет схемы по постоянному току (RD, RS).
19. Запустить малосигнальный анализ по переменному току АС. Построить
амплитудно-частотные и фазочастотные характеристики коэффициента
передачи по напряжению в различных масштабах по оси Y, для чего в ок-
не AC Analysis Limits сделать следующие установки:
· Частотный диапазон (Frequency Range): 1E9,1.
· Максимальное изменение между соседними точками (Maximum Change):
0.01.
· Шаг по частоте (Frequency Step): Auto.
· 1 график (P1): Y expression — DB(V(out)/V(in)); X range — Fmax, Fmin;
Y range — auto; масштабы по осям — логарифмический и линейный
( ); прямоугольные координаты ( ).
· 2 график (P2): Y expression — V(out)/V(in); остальные позиции устанавли-
ваются так же, как и для графика 1.
· 3 график (P3): Y expression — PH(V(out)/V(in)); остальные позиции уста-
навливаются так же, как и для графика 1.
Нажать кнопку RUN, проанализировать полученные амплитудно-
частотные и фазочастотные характеристики коэффициента передачи каскада
по напряжению. В случае если нижняя граничная частота каскада окажется
больше частоты указанной в техническом задании (fmin), следует проверить
правильность расчета емкостей конденсаторов CIN, COUT, СS. В случае обнару-
жения ошибки в расчете, необходимо выйти из режима анализа, нажав <F3>,
и изменить емкости указанных конденсаторов. Если коэффициент передачи
каскада меньше единицы (его ЛАЧХ на средних частотах проходит ниже ли-
нии 0 дБ), то это означает, что каскад не обладает необходимыми усилитель-
ными свойствами. В этом случае необходимо проверить правильность ввода
значений сопротивлений резисторов и расчет каскада по постоянному току.
20. Открыть окно Stepping. Установить увеличение входной емкости транзи-
стора J1 СGS в десять раз на каждом шаге расчета от номинального значе-
ния до значения в 100 раз больше номинального. Включить многовари-
антный анализ, установив флаг YES в панели Step it. Запустить анализ,
объяснить полученные результаты. Выключить в текущей закладке многовари-
антный анализ (Stepping), щелкнув мышью в кружке NO на панели Step it.
21. Повторить действия из пункта 20, открыв новую закладку в окне Stepping
для изменения проходной емкости транзистора CGD аналогичным образом.

42
 Запустить анализ, объяснить полученные результаты. Выключить Stepping
на используемой закладке.
22. Повторить действия из пункта 20, открыв новую закладку в окне Stepping
для изменения емкости CS. Установить список значений (LIST) для изме-
нения емкости CS 0, 0.01×CSрасч, 0.1×CSрасч, CSрасч, где CSрасч — рассчитан-
ная величина емкости CS. Запустить анализ и объяснить полученные ре-
зультаты. Выключить Stepping на используемой закладке.
23. Повторить действия из пункта 20 при изменении величины сопротивления
нагрузки RLOAD от 1 кОм до 100 кОм при десятикратном увеличении; со-
противления в цепи стока RD от RDрасч до 8×RDрасч при двукратном увеличе-
нии; сопротивления в цепи истока RS от RSрасч до 8×RSрасч при двукратном
увеличении. RDрасч и RSрасч — расчетные значения сопротивлений в цепи
стока и истока. Объяснить полученные семейства графиков. В за-
ключение выключить все закладки многовариантного анализа.

3.1.3. Анализ переходных процессов в каскаде (рис. 3.1, а) в режиме

большого сигнала
24. Установить частоту F входного синусоидального источника (см. схему на
рис. 3.1, а) равной 10 кГц, амплитуду A — равной 0.25 В, постоянную со-
ставляющую DC — равной нулю, внутреннее сопротивление RS — рав-
ным 0.001 Ом. Запустить анализ переходных процессов Transient. В окне
Transient Analysis Limits произвести следующие установки:
· Установить флажок Operating Point.
· Временной диапазон (Time Range) — 0.5 mS.
· Максимальный шаг по времени (Maximum Time Step) — 1E-7.
· график 1 (P1): Y expression — V(IN); X range — Tmax, Tmin; Y range — 1,-
1; линейные масштабы по обеим осям ( ), прямоугольные координа-
ты ( ).
· график 2 (P2): Y expression – V(OUT), Y range – auto, остальные позиции
заполняются так же, как для графика 1.
Нажать RUN, зафиксировать полученный результат в виде графика пе-
реходного процесса. Визуально по графику выходного напряжения опреде-
лить наличие видимых нелинейных искажений. Организовать в окне Stepping
изменение амплитуды входного сигнала от 0.25 В до 1 В с двукратным увели-
чением на каждом шаге. Включить данную закладку многовариантного ана-
лиза (Stepping) и запустить анализ. Определить по графикам наличие видимых
нелинейных искажений и размах выходного сигнала, при которых они появ-
ляются. Многовариантный анализ (Stepping) в закладке не отключать перед
выполнением следующего пункта.

43
25. Определить спектральный состав выходного сигнала и коэффициент не-
линейных искажений спектра для разных уровней входного сигнала. Для
этого изменить установки временного диапазона (Time Range) на 0.1 ms
(один период входного сигнала). Добавить в перечень графиков функции
спектрального анализа:
· 3-ий график (P3) — Гармоники сигнала V(out): X expression — F; Y expres-
sion – HARM(V(out)), X range – 100K,0 (до 10-ой гармоники); Y range —
auto.
· 4-ый график (P4) — коэффициент нелинейных искажений спектра сигнала
V(out): X expression – F; Y expression – THD(HARM(V(out)),10K); X
range – 100K,0 (до 10-ой гармоники); Y range — auto.
Запустить анализ, посмотреть результаты, изменить при необходимости
диапазоны по оси Y для 3-го и 4-го графиков, чтобы на каждой частоте
кратной основной (10 кГц), были видны 3 точки отсчета. Объяснить полу-
ченные результаты.

3.2. Анализ каскодной схемы усилителя,

представленной на рис. 3.1, б
3.2.1. Графоаналитический расчет по постоянному току в режиме
DC Analysis
Отметим, что соединение транзисторов по каскодной схеме (рис. 3.5)
можно рассматривать как вновь образованный полевой транзистор с соответ-
ствующими выводами затвора (G), истока (S), стока (D). В обоих транзисторах
при таком соединении протекает одинаковый ток стока ID. Таким образом,
методика графоаналитического расчета каскодного усилителя с общим сто-
ком не будет ничем отличаться от методики расчета соответствующего одно-
транзисторного усилителя с общим истоком. Следует лишь отметить, что во
избежании проблем со сходимостью алгоритма расчета по постоянному току,
абсолютная величина напряжения затвор-исток VGS вновь образованного
транзистора при проведении анализа должна быть меньше VT0 (например
-0,99×VT0£VGS£0).
26. Построить с помощью схемного редактора MICROCAP схему для снятия
семейства выходных ВАХ каскодного соединения 2-х полевых транзисто-
ров (см. рис. 3.5).
Далее выполнить пункты 1 – 15 аналогичным образом, считая выводами
затвора, истока и стока узлы, обозначенные на рис. 3.5 буквами G, S, D соот-
ветственно. Результатом должны явиться рассчитанные значения сопротивле-
ний RD, RS (см. рис. 3.1, б) и малосигнальных параметров rG diff, rS diff, rD diff.

44
 Рис. 3.5. Схема для снятия выходных характеристик каскодной схемы

3.2.2. Анализ схемы, представленной на рис. 3.1, б на переменном токе

для малого сигнала в режиме AC analysis
27. Задать коэффициенты частотных искажений на нижних частотах для трех
цепей каскада, содержащих конденсаторы: входной MIN, выходной MOUT и
цепи стока нижнего транзистора J1 MS, — так чтобы ML=MIN×MOUT×MS.
Поскольку самой низкоомной цепью является цепь истока транзистора J1,
то целесообразно самый большой коэффициент частотных искажений вы-
брать для этой цепи. Например, для заданного результирующего коэффи-
циента частотных искажений M L = 2 , можно задать следующие значе-
ния: MS=1,41, MIN=MOUT=1,001.
28. Рассчитать величины емкостей конденсаторов CIN, COUT, CE для каскада
на рис. 3.1, б по формулам (9)–(11).
29. Построить с помощью схемного редактора MICROCAP схему каскодного
усилителя с общим стоком (рис. 3.1, б) для малосигнального частотного
анализа AC и анализа переходных процессов TRANSIENT. Обратить вни-
мание на правильный ввод номинальных значений всех рассчитанных в
предыдущих пунктах компонентов (RD, RS, CS, CIN, COUT).
30. Проверить режим по постоянному току усилителя, для чего выбрать из
меню ANALYSIS режим Dynamic DC (<Alt>+<4>), включить показ токов
( ) и проверить карту напряжений и токов в схеме в точке покоя.
31. Запустить малосигнальный анализ по переменному току АС. Построить
амплитудно-частотные и фазочастотные характеристики коэффициента
передачи по напряжению в различных масштабах по оси Y аналогично
тому, как это делалось в п. 19.

45
32. Открыть окно Stepping. Установить увеличение входной емкости транзи-
стора J1 СGS в десять раз на каждом шаге расчета от номинального значе-
ния до значения в 100 раз больше номинального. Включить многовари-
антный анализ на текущей закладке, установив флажок YES на панели Step
it. Запустить анализ, объяснить полученные результаты. Выключить Step-
ping на текущей закладке, щелкнув мышью в кружке NO на панели Step it.
33. Повторить действия из пункта 32, открыв новую закладку в окне Stepping
для изменения проходной емкости транзистора J1 CGD аналогичным обра-
зом. Запустить анализ, объяснить полученные результаты. Сравнить с ре-
зультатами малосигнального анализа обычного усилителя с общим исто-
ком в пп. 20, 21. Выключить Stepping на используемой закладке.
34. Повторить действия из пункта 32, открыв новую закладку в окне Stepping
для изменения емкости CGS модели NJFET. В этом случае одновременно
будут меняться величины входных емкостей CGS и транзистора J1 и тран-
зистора J2. Установить увеличение входной емкости транзисторов СGS в
десять раз на каждом шаге расчета в пределах от номинального значения
до значения в 100 раз больше номинального. Запустить анализ и объяс-
нить полученные результаты. Выключить Stepping на используемой за-
кладке.
35. Повторить действия из пункта 32, открыв новую закладку в окне STEP-
PING для изменения емкости CGD модели NJFET. В этом случае одновре-
менно будут меняться величины проходных емкостей CGD и транзистора
J1 и транзистора J2. Установить увеличение проходной емкости транзи-
сторов СGD в десять раз на каждом шаге расчета в пределах от номиналь-
ного значения до значения в 100 раз больше номинального. Запустить
анализ и объяснить полученные результаты. Выключить Stepping на ис-
пользуемой закладке.

3.2.3. Анализ переходных процессов в схеме (рис. 3.1, б) в режиме

большого сигнала
36. Установить частоту входного синусоидального источника F (см. схему на
рис. 3.1, б) равной 10 кГц, амплитуду A равной 0.25 В, постоянную со-
ставляющую DC равной нулю, внутреннее сопротивление RS —
0.001 Ом.
Запустить анализ переходных процессов Transient. В окне Transient
Analysis Limits произвести установки, аналогичные сделанным в п. 24. Вы-
полнить действия из пп. 24 и 25 для каскодного усилителя (рис. 3.1, б). Ре-
зультаты сравнить с аналогичными результатами анализа обычного усилителя
с общим истоком. Сделать выводы.

46
 3.3. Анализ усилителя с общим истоком на основе
МОП-транзистора (рис. 3.1, в).
3.3.1. Графоаналитический расчет по постоянному току в режиме
DC Analysis
37. Построить с помощью схемного редактора MICROCAP схему для снятия
семейства выходных ВАХ транзистора с изолированным затвором и инду-
цированным каналом n-типа DNMOS (рис. 3.6). Максимально допусти-
мую рассеиваемую мощность сток-исток транзистора PDSmax принять рав-
ной 2 Вт, максимально допустимый ток стока IDmax принять равным
250 мA.

Рис. 3.6. Схема для снятия характеристик МОП-транзистора

38. Запустить анализ по постоянному току DC. Установить пределы измене-

ния первой переменной V2 (напряжения сток-исток VDS) в соответствии с
напряжением питания, второй переменной V1 (напряжения затвор-исток
VGS) — в пределах от напряжения отсечки (параметр модели VT0) до
(VT0+0,5). Шаг изменения напряжения затвор-исток выбрать в пределах
0.01–0.02 В. Установить в окне Analysis Limits пределы по оси X (X range)
несколько больше чем диапазон изменения первой переменной. Напри-
мер, источник в цепи стока V2 изменяется от 0 до 15 В, а X range не-
обходимо установить 16, 0. В позиции таблицы вывода графиков Y range
выбрать Auto. Для построения семейства выходных ВАХ, в поле X expres-
sions набрать Vds(M1), в поле Y expressions — Id(M1).
39. Построить семейство выходных ВАХ МОП-транзистора, нажав кнопку
RUN. При необходимости изменить масштаб в поле Y range для более
полного заполнения графического окна характеристиками. Построить на
одном графике с семейством выходных характеристик транзистора пря-
мую линию ограничения тока покоя транзистора на уровне 0,8×IDMAX и
кривую ограничения тока стока по максимальной мощности, рассеиваемой
РC max
транзистором, . Для этого в окне DC analysis limits необходимо
VDS (M 1)
установить курсор в таблице графиков на строке зависимости Id(M1) от

47
 Vds(M1), а затем добавить командой Add два графика в существующее
графическое окно и внести в их поля Y expressions вышеуказанные форму-
лы. Запустить анализ, нажав кнопку RUN. Получившиеся графики должны
примерно соответствовать графикам на рис. 3.7. В случае если линии ог-
раничения по току и мощности не видны в графическом окне, можно уве-
личить масштаб по оси Y (Y range). При необходимости можно также уве-
личить диапазон изменения напряжения батареи V1, подключенной к за-
твору.

Рис. 3.7. К графоаналитическому синтезу усилительного каскада на МОП-транзисторе

40. Построить на одном графике с выходными ВАХ нагрузочную прямую

другим цветом так, чтобы она не зашла в заштрихованную запрещенную
область. Подписать выходные характеристики, выполнив команду
SCOPE/Label Branches. Теперь для каждой выходной характеристики (за-
висимости ID(VDS)) видно при каком напряжении на затворе VGS она снята.
Можно также выбрать сопротивление в цепи стока усилительного кас-
када RD в соответствии с заданным сопротивлением нагрузки RLOAD, а затем
проверить, не зашла ли нагрузочная прямая в запрещенную область. Обычно,
при заданном сопротивлении нагрузки сопротивление в цепи стока RD выби-
рается в пределах 0,1–0,2 от сопротивления нагрузки RLOAD, для того чтобы не
допустить снижения переменной составляющей выходного напряжения из-за
деления напряжения в выходной цепи. При этом обеспечивается выполнение

48
поставленной задачи: обеспечение максимального размаха переменной со-
ставляющей выходного напряжения.
41. Определить ток стока в точке покоя IDA. Очевидно, он должен находиться
посередине между максимальным и минимальным значениями. Макси-
мальное возможное для рассматриваемого каскада значение тока стока ID-
MAX достигается в точке пересечения нагрузочной прямой с пологим участ-
ком выходной характеристики, расположенной наиболее высоко (точка B
на рис. 3.7). За минимальное значение тока стока можно взять 0,1×IDMAX
для достижения наилучшей линейности преобразования:
I D max + I D min 1,1 × I D max
I DA = = .
2 2
42. Определить положение точки покоя каскада на линии нагрузки (точка A
на рис. 3.7), построив на нее перпендикуляр из точки на оси токов с орди-
натой равной току стока покоя IDA. Далее можно определить значение на-
пряжения сток-исток в точке покоя VDSA и приближенное значение напря-
жения затвор-исток VGSA в точке покоя VGSA»VGS16 (см. рис. 3.7).
43. Определить точное значение напряжения затвор-исток в точке покоя VGSA
по передаточной (сток-затворной) характеристике ID(VGS) при напряжении
между стоком и истоком равном VDSA.
44. Определить сопротивления резистивного делителя в цепи затвора R1, R2,
обеспечивающие смещение на затворе в точке покоя. Для этого необхо-
димо задаться суммарным сопротивлением делителя RDIV=R1+R2 в диапа-
зоне сотен кОм и рассчитать значения R1 и R2 по формулам:
VGSA E D - VGSA
R2 = × RDIV ; R1 = × RDIV .
ED ED
45. Измерить малосигнальные параметры МОП-транзистора в точке покоя —
дифференциальные сопротивления со стороны всех электродов (затвора,
стока, истока) так, как при выполнении пунктов 12…15 лабораторной ра-
боты.
46. На этом графоаналитический расчет по постоянному току рабочей точки
усилительного каскада на МОП-транзисторе считается законченным. На
этом этапе определены сопротивления резистора в цепи стока RD, сопро-
тивления резистивного делителя R1, R2 и малосигнальные дифференци-
альные сопротивления.
3.3.2. Анализ схемы (рис. 3.1, в) на переменном токе
для малого сигнала в режиме AC analysis
47. Задать коэффициенты частотных искажений на нижних частотах для двух
цепей каскада, содержащих конденсаторы: входной MIN и
выходной MOUT — так чтобы ML=MIN×MOUT. Поскольку самой низкоомной

49
 цепью является цепь стока транзистора M1 (выход усилителя), то целесо-
образно самый большой коэффициент частотных искажений выбрать для
этой цепи. Например, для заданного результирующего коэффициента час-
тотных искажений M L = 2 , можно задать следующие значения:
MOUT=1,41, MIN=1,0029.
48. Рассчитать величины емкостей конденсаторов COUT и CIN для каскада на
рис. 3.1, в по формулам (10) и (12) соответственно:
1
C IN = . (12)
2 × p × f MIN × (R2 // R1 ) × M IN
2
-1
49. Построить с помощью схемного редактора MICROCAP схему усилителя с
общим стоком на основе МОП-транзистора (см. рис. 3.1, в) для малосиг-
нального частотного анализа AC и анализа переходных процессов TRAN-
SIENT. Обратить внимание на правильный ввод номинальных значений
всех рассчитанных в предыдущих пунктах компонентов (RD, R1, R2, CIN,
COUT).
50. Проверить режим по постоянному току усилителя, для чего выбрать из
меню Analysis режим Dynamic DC, включить показ токов ( ) и проверить
карту напряжений и токов в схеме в точке покоя.
51. Запустить малосигнальный анализ по переменному току АС. Построить
амплитудно-частотные и фазочастотные характеристики коэффициента
передачи по напряжению в различных масштабах по оси Y аналогично
тому, как это делалось в п. 19.
52. Открыть окно Stepping. Установить увеличение входной емкости транзи-
стора M1 СGS0 в десять раз на каждом шаге расчета от номинального зна-
чения до значения в 100 раз больше номинального. Включить многовари-
антный анализ, установив флажок YES на панели Step it. Запустить анализ,
объяснить полученные результаты. Выключить Stepping на текущей за-
кладке, щелкнув мышью на флажке NO.
53. Повторить действия из пункта 52, открыв новую закладку в окне Stepping
для изменения проходной емкости транзистора M1 CGD0 аналогичным
образом. Запустить анализ, объяснить полученные результаты. Выключить
Stepping на используемой закладке.
54. Повторить действия из пункта 52, открыв новую закладку в окне Stepping
для изменения сопротивления затвора RG (параметр модели MOSFET) со-
гласно следующему списку 0, 30, 300, 3000 Ом. Запустить анализ, объяс-
нить полученные результаты. Выключить Stepping на используемой за-
кладке.

50
55. Повторить действия пункта 52, открыв новую закладку в окне STEPPING
для изменения удельной крутизны KP транзистора M1 от номинального
значения 20×10-6 A/B2 до 80×10-6 A/B2 с линейным шагом приращения 20×10-6
A/B2. Запустить анализ, объяснить полученные результаты. Выключить
Stepping на используемой закладке.

3.3.3. Анализ переходных процессов в схеме рис. 3.1, в

в режиме большого сигнала
56. Установить частоту F входного синусоидального источника (см. схему на
рис. 3.1, в) равной 1 кГц, амплитуду A равной 0.025 В, постоянную со-
ставляющую DC равной нулю, внутреннее сопротивление RS — 0.001 Ом.
Запустить анализ переходных процессов TRANSIENT. В окне Transient
Analysis Limits произвести следующие установки:
· Установить флажок Operating Point.
· Временной диапазон (Time Range) — 10ms.
· Максимальный шаг по времени (Maximum Time Step) — 1E-6.
· График 1 (P1): Y expression — V(IN); X range — Tmax, Tmin; Y range —
0.05,-0.05; линейные масштабы по обеим осям ( ); прямоугольные
координаты ( ).
· График 2 (P2): Y expression – V(OUT); Y range – auto, остальные поля за-
полняются так же как и для графика 1.
Нажать кнопку RUN, зафиксировать полученный результат в виде гра-
фика переходного процесса. Визуально по графику выходного напряжения
определить наличие/отсутствие видимых нелинейных искажений. Организо-
вать в окне Stepping изменение амплитуды входного сигнала от 0.025 В до
0.1 В с двукратным увеличением на каждом шаге. Включить Stepping на дан-
ной закладке и запустить анализ. Определить по графикам наличие видимых
нелинейных искажений и размах выходного сигнала, при которых они появ-
ляются. Stepping в используемой закладке не отключать перед выполнением
следующего пункта.
57. Определить спектральный состав выходного сигнала и коэффициент не-
линейных искажений спектра для разных уровней входного сигнала. Для
этого изменить установки временного диапазона (Time Range) на 1 mS
(один период входного сигнала). Добавить в перечень графиков функции
спектрального анализа:
· График 3 (P3) — гармоники сигнала V(out): X expression – F; Y expression –
HARM(V(out)); X range – 10K,0 (до 10-ой гармоники); Y range — auto.
· График 4 (P4) — коэффициент нелинейных искажений спектра сигнала
V(out): X expression – F; Y expression – THD(HARM(V(out)),1K);
X range – 10K,0 (до 5-ой гармоники); Y range — auto.

51
 Запустить анализ, посмотреть результаты, изменить при необходимости
диапазоны по оси Y для 3-го и 4-го графиков, чтобы на каждой частоте, крат-
ной основной (1 кГц), были видны 3 точки отсчета. Объяснить полученные
результаты.
58. Оформить отчет о проделанной работе

4. Контрольные вопросы
1. Как с помощью команд программы MICROCAP подписать кривые се-
мейства выходных характеристик полевых транзисторов?
2. Как с помощью программы MICROCAP определить дифференциаль-
ную крутизну SDIFF полевого транзистора для заданного режима по постоян-
ному току?
3. Способы обеспечения положения точки покоя усилительных каскадах
на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и с изолированным
затвором.
4. Методика измерения малосигнальных параметров полевых транзисто-
ров в окрестности рабочей точки по постоянному току с помощью программы
MICROCAP.
5. Что представляет собой спектральный анализ выходного сигнала уси-
лителя и для чего он используется?
6. Методика расчета разделительных и шунтирующих конденсаторов
усилительного каскада, исходя из заданного коэффициента частотных иска-
жений на нижней граничной частоте.
7. Влияние входной CGS и проходной CGD емкостей транзистора на час-
тотную характеристику передачи каскада на напряжению.
8. Влияние на работу каскада величин сопротивлений RD, RS, RLOAD.
9. Чем определяются линейные частотные искажения усилительных кас-
кадов на полевых транзисторах?
10. Чем определяются нелинейные искажения усилительных каскадов на
полевых транзисторах?
11. Что такое коэффициент гармоник и как он рассчитывается?
12. Особенности графоаналитического расчета точки покоя усилителя с
каскодным включением двух полевых транзисторов (см. рис. 3.1, в).
13. Какие существуют ограничения при выборе сопротивлений в цепи
стока RD и истока RS (т.е. при выборе нагрузочной прямой) каскадов на рис.
3.1, а, в?
14. В каких усилительных каскадах (на биполярных или полевых транзи-
сторах) при одинаковом напряжении питания и размахе выходных сигналов

52
следует ожидать меньший коэффициент нелинейных искажений и почему?
15. Как изменится амплитудно-частотная характеристика коэффициента
передачи по напряжению каскада на рис. 3.1, а, если в разрыв цепи между
точкой «IN» и конденсатором CIN установить резистор сопротивлением
5 кОм?
16. Как изменится амплитудно-частотная характеристика коэффициента
передачи по напряжению каскада на рис. 3.1, б, если в разрыв цепи между
точкой «IN» и конденсатором CIN установить резистор сопротивлением
5 кОм?
17. Как изменится амплитудно-частотная характеристика коэффициента
передачи по напряжению каскада на рис. 3.1, в, если в разрыв цепи между
точкой «IN» и конденсатором CIN установить резистор сопротивлением
2 кОм?
18. Как влияет величина сопротивления затвора RG полевого транзистора
со структурой металл-окисел-полупроводник (MOSFET) на амплитудно-
частотную характеристику усилительного каскада (рис. 3.1, в) в области вы-
соких частот?
19. Какие параметры модели полевого транзистора с изолированным за-
твором (MOSFET) влияют на амплитудно-частотную характеристику усили-
тельного каскада (рис. 3.1, в) в области высоких частот? В чем заключается
это влияние?
20. Какие параметры модели полевого транзистора с управляющим p-n
переходом (JFET) влияют на амплитудно-частотную характеристику усили-
тельного каскада (рис. 3.1, а) в области высоких частот? В чем заключается
это влияние? При каких условиях оно проявляется?
21. Зависимость частотной характеристики коэффициента передачи уси-
лителей (рис. 3.1, а–в) в области низких частот от емкостей разделительных
конденсаторов CIN, СOUT и от емкости шунтирующего конденсатора в цепи
стока CS.

53
 ЛИТЕРАТУРА
1. Разевиг В.Д. Схемотехническое моделирование с помощью Micro-CAP 7.
—М.: Горячая линия-Телеком, 2003. – 368 с., ил.
2. Разевиг В.Д. Система моделирования Micro-Cap 6. – М.: Горячая линия-
Телеком, 2001. – 344 с., ил.
3. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. –
Москва, «Солон», 1997. – 273 с.
4. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств
Design Lab 8.0. – Москва, «Солон», 2003.
5. Micro-Cap 7.0 Electronic Circuit Analysis Program Reference Manual Copy-
right 1982-2001 by Spectrum Software 1021 South Wolfe Road Sunnyvale, CA
94086.

54
 СОДЕРЖАНИЕ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
Демонстрация основных возможностей программы MICROCAP ......................... 3

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2
Исследование усилительного каскада с общим эмиттером
на биполярном транзисторе ................................................................................. 20

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3
Исследование усилительных каскадов на основе полевых транзисторов .......... 35

ЛИТЕРАТУРА ........................................................................................................ 54

55
 Учебное издание

Амелина Марина Аркадьевна

Моделирование усилительных каскадов на биполярных и полевых транзисторах

Методические указания к лабораторным работам
по курсу
«Компьютерный анализ и синтез электронных устройств»

Технический редактор Л.И. Криволапова

Корректор Л.И. Чурлина
________________________________________________________________________
Темплан издания филиала ГОУВПО «МЭИ (ТУ)» в г. Смоленске, 2005 г., метод.
Подписано в печать 19.05.05 г.
Формат бумаги 60Х84 1/16 Тираж 50 экз. Усл. печ. л. 3,5
_____________________________________________________________________
Издательский сектор филиала ГОУВПО «МЭИ (ТУ)» в г. Смоленске
214013 г. Смоленск, Энергетический проезд, 1