Вы находитесь на странице: 1из 8

SE#2(2)_web.

qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 78

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ

œÓÂÍÚËÓ‚‡ÌË ËÏÔÛθÒÌ˚ı
ËÒÚÓ˜ÌËÍÓ‚ ÔËÚ‡Ìˡ
̇ ·‡Á ËÌÚ„‡Î¸Ì˚ı ÏËÍÓÒıÂÏ
ÙËÏ˚ Power Integrations

Àëåêñåé Àðáóçîâ Ââåäåíèå 2. Содержат на одном кристалле высоковольтный


полевой транзистор, контролер, схему запуска
Alexey.Arbuzov@ В последнее время в мире активно развивается на- с мягким стартом, дистанционное управление,
macropeterburg.ru правление разработки и производства импульсных программируемое ограничение тока, защиту
источников питания на мощных интегральных ми- от перегрузки, от пониженного и повышенного
Ãåííàäèé Áàíäóðà кросхемах. Мощность данных источников варьиру- входного питающего напряжения, от перегрева
ется от сотен милливатт до сотен ватт. Специалисты кристалла.
Gennadiy.Bandura@ фирмы Power Integrations (PI) разработали целый 3. В режиме ожидания обеспечивают режим EcoSmart,
macropeterburg.ru ряд семейств таких микросхем. Это дает возмож- при котором существенно снижается потребление
ность строить источники питания с входным пита- от питающей сети. Система соответствует прави-
ющим напряжением в диапазоне от 16 до 400 В. тельственным рекомендациям (например Energy
Преимущества микросхем фирмы PI заключаются Star, U.S. 1 Watt Standby Presidential Executive
в следующем: Order, European Commision «Code of Conduct»).
1. Устраняют до 50 внешних дискретных компо- 4. Сокращают время на разработку и постановку
нентов, чем существенно снижают стоимость си- на производство.
стемы. 5. Повышают технологичность изготовления.

Ðèñ. 1

78 www.finestreet.ru
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 79

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ


1. Èñïîëüçîâàíèå ïðîãðàììû После этого нажмите кнопку «Далее» для
PI Expert Suite 5.0 äëÿ перехода к следующему окну (рис. 4).
àâòîìàòè÷åñêîãî ïðîåêòèðîâàíèÿ Здесь предлагается ввести параметры вы-
èìïóëüñíûõ èñòî÷íèêîâ ïèòàíèÿ ходного напряжения и тока вашего блока пи-
ïîñòîÿííîãî òîêà тания. Для этого следует нажать кнопку
«Add» и заполнить графы «Voltage, V» — не-
1.1 Ознакомление с программой — ввод обходимое выходное напряжение и «Current,
исходных данных и получение первичных A» — максимальный выходной ток. Потом
результатов нажмите «OK». При необходимости можно
На рис. 1 представлена типовая принципи- ввести напряжения и токи для нескольких
альная схема импульсного источника пита- выходных каналов. Ниже в графе «Total
ния, разработанного на базе микросхемы Power, W» вы увидите суммарную выходную
TOPSwitch-GX. мощность. Если вы неправильно ввели на-
Эта электрическая схема импульсного бло- Ðèñ. 2 пряжение или ток, либо решили вообще уда-
ка питания (ИБП) с выходной мощностью лить один или несколько каналов, то можете
до 70 Вт и питанием от сети переменного то- Для того чтобы открыть новый проект, необ- воспользоваться кнопками «Remove» для
ка с частотой 50 Гц в диапазоне входных на- ходимо нажать кнопку NEW, которая нахо- удаления выбранного канала и «Edit» для из-
пряжений от 85 до 265 В, имеет защиту от по- дится в левом верхнем углу. На экране по- менения параметров.
вышенного и пониженного напряжения, явится окно, представленное на рис. 3. В нем После этого нажмите кнопку «Далее» для
а также внешнее ограничение максимальной предлагается ввести параметры входного на- перехода к следующему окну (рис. 5).
выходной мощности. Все перечисленные за- пряжения, от которого должен работать про-
щиты устанавливаются посредством внеш- ектируемый блок питания.
них резисторов: порог срабатывания защиты
от повышенного входного напряжения уста-
навливается резистором R9, нижний порог
входного напряжения — резистором R11,
а уровень максимальной выходной мощнос-
ти — резистором R10. При желании их все
можно отключить путем непосредственного
подключения выводов L и X на минус мик-
росхемы (вывод S).
Данная схема является примером проекти-
рования импульсного источника питания, где
критерием оптимизации служил наиболь-
ший КПД. При такой выходной мощности Ðèñ. 5
можно было выбрать менее мощную микро-
схему TOP246Y, но это привело бы к увеличе- Ðèñ. 3 В открывшемся окне предлагается указать
нию мощности потерь в ключевом МОП- следующие пункты:
транзисторе микросхемы. Именно поэтому На выбор предлагается несколько типо- 1. Topology — архитектура преобразователя:
в данном случае была выбрана одна из самых вых питающих напряжений. Можно вы- а) Flyback — обратноходовая архитектура.
мощных микросхем этого семейства — брать стандартные диапазоны входных пи- Это самое дешевое решение для вы-
TOP249Y. Кроме того, для снижения потерь тающих напряжений, либо установить свой ходных токов ≤6 А. Преимущества:
в выходном выпрямителе были выбраны два диапазон. простая схема (не требуется дроссель
20-амперных диода, работающих параллель- Для этого необходимо сначала выбрать для запаса энергии в выходной цепи).
но на общую нагрузку всего лишь 3,6 А. User Defined в нужной области напряжений Недостатки: выше выходной ток пуль-
Для построения аналогичного ИБП необ- (AC Defaults — переменный ток, HV DC — саций (выше стоимость выходных
ходимо произвести следующие расчеты: высокое напряжение, постоянный ток; конденсаторов).
1. Выбрать микросхему U1 в соответствии LV DC — низкое напряжение, постоянный б)Forward — прямоходовая архитектура.
с максимальной выходной мощностью ток), а затем установить минимальное и мак- Это самое дешевое решение для выход-
и входным питающим напряжением. симальное входное напряжение (Voltage, V). ных токов ≥6 А. Преимущества: ниже
2. Рассчитать номиналы резисторов R9, R10 Так же можно установить и частоту питаю- выходной ток пульсаций (ниже цена вы-
и R11, а также R4, R5, R6. щей сети (Line Frequency, Hz), которая ходных конденсаторов). Недостатки: бо-
3. Рассчитать величину входной емкости обычно бывает 50 Гц (стандартная бытовая), лее сложная схема (требуется дроссель
низкочастотного фильтра С1. 400 Гц или 1 кГц. для запаса энергии в выходной цепи).
4. Рассчитать выходной высокочастотный
фильтр С2, С3, С14 и L1.
5. Выбрать тип сердечника и рассчитать ве-
личину воздушного зазора и количества
витков во всех обмотках трансформатора.
6. Определить параметры выходного выпря-
мительного диода.
7. Определить и рассчитать номиналы эле-
ментов, цепи ограничения высоковольт-
ного выброса напряжения на выводе D ми-
кросхемы U1.
Почти все эти расчеты можно провести
при помощи программы PI Expert Suite 5.0,
разработанной специалистами фирмы PI.
На рис. 2 представлен внешний вид рабо- Ðèñ. 4
чего окна программы PI Expert Suite 5.0.

www.finestreet.ru 79
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 80

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ


2. Family — Семейство микросхем. «ОК», программа автоматически произведет
а) DPA-Switch — DC/DC-преобразователь расчет с новыми параметрами (рис. 10).
24/48 В с мощностью до 100 Вт; Следует обратить внимание: в окне преду-
б)LinkSwitch-TN — AC/DC-преобразователь преждений (Design Warning) возникнет над-
очень малой мощности (IВЫХ≤360 мA); пись «Design Warning (No Optimization)».
в) LinkSwitch — AC/DC-преобразователь Это значит, что расчет не был подвергнут ав-
очень малой мощности (до 4 Вт); томатической оптимизации, иначе появи-
г) TinySwitch и TinySwitch-II — AC/DC- лось бы сообщение «Design Warning
преобразователи малой мощности (Optimization Done)». Вы можете произвести
(до 23 Вт); оптимизацию в автоматическом режиме.
е) TOPSwitch-GX — AC/DC-преобразова- Для этого можно использовать кнопки,
тель большой мощности (до 290 Вт). указанные на рис. 11.
3. Package — тип корпуса микросхемы:
P — Пластиковый DIP. Ðèñ. 7
G — DIP для поверхностного монтажа.
Y — TO-220. находитесь (Region); систему параметров
R — TO-263. (SI Units) и ручной запуск оптимизатора
F — TO-262. (Manual Start Point). Сделайте все установки
4. Frequency — фиксированная частота пере- и нажмите кнопку «Готово»: программа про-
ключения (в кГц). изведет автоматический расчет блока питания
5. Opti.Type — выбор направления, в кото- и покажет окно с результатом расчета (рис. 7).
ром будет производиться оптимизация схе- Для просмотра файла с результатом расче-
мы (только для семейства микросхем TOP). та (вариант файла и отчета приведен ниже)
Это означает что оптимизация будет прово- вам необходимо нажать закладку «Design
диться исходя из минимальной стоимости Result» (рис. 8).
источника или из максимального КПД. Основные параметры, необходимые для
Кроме того, можно использовать синхрон- проектирования источника питания, выделены
ный выпрямитель (Synchronous Rectification). желтым цветом. Кроме того, можно воспользо- Ðèñ. 11
Однако такое возможно лишь при работе ваться блок-диаграммой (закладка «Block
с низким входным питающим напряжением Diagram»), где представлена структурная элек- 1.2. Оптимизация параметров транс-
и при использовании DPA-микросхем). трическая схема блока питания (рис. 9). форматора
Для получения подробной информации После расчета всего блока питания вы мо-
об элементах схемы необходимо выбрать ин- жете выбрать другой типоразмер трансфор-
тересующий вас элемент и нажать на него матора из предложенного списка по своему
один раз левой кнопкой мышки. После этого усмотрению. Для этого нужно установить
появится табличка с параметрами цепи. указатель мыши на трансформатор (блок
В ней также можно изменить ранее заданный схема) и щелкнуть левой кнопкой мыши.
параметр, и, после того как вы нажмете После этого появится таблица, изображен-
ная на рис. 12.

Ðèñ. 6

После этого нажмите «Далее» для перехо-


да к следующему окну (рис. 6).
Здесь предлагается дать название проекту
(New Design File Name); при необходимости
ввести ширину запаса окна каркаса трансфор- Ðèñ. 10 Ðèñ. 12
матора (Safety Margin); ввести регион, где вы

Ðèñ. 9

80 www.finestreet.ru
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 81

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ

Design Warning (Optimization Done) Power Supply Output Parameters

Output 1
Var Value Units Description
Power Supply Input (main)
VDx 0.70 Volts Output Winding Diode Forward Voltage Drop
Output 1
Var Value Units Description PIVSx 51 Volts Output Rectifier Maximum Peak Inverse Voltage
(main)
ISPx 14.87 Amps Peak Secondary Current
VACMIN 160 Volts Min Input AC Voltage
ISRMSx 7.63 Amps Secondary RMS Current
VACMAX 250 Volts Max Input AC Voltage
IRIPPLEx 5.77 Amps Output Capacitor RMS Ripple Current
FL 50 Hertz Line Frequency
TC 1.44 mSeconds Diode Conduction Time Transformer Construction Parameters
Z 0.53 Loss Allocation Factor
N 81.0 % Efficiency Estimate Output 1
Var Value Units Description
(main)
Power Supply Outputs Core/Bobbin EER28 Core Type
Core Manuf. Generic Core Manufacturer
Output 1
Var Value Units Description Bobbin Manuf Generic Bobbin Manufacturer
(main)
VOx 13.50 Volts Output Voltage LP 495 uHenries Primary Inductance

IOx 5.00 Amps Output Current NP 38.0 Primary Number of Turns

VB 12.0 Volts Bias Voltage NB 3.6 Bias Winding Number of Turns


IB 0.006 Amps Bias Current Primary Actual Wire Diameter
Warning! Primary wire size is greater than recommended
Device Variables OD Actual 0,45 mm maximum (0.4 mm)
Tip: Consider a parallel winding technique (bifilar, trifilar),
increase size of transformer (larger BW), reduce margin (M).
Output 1
Var Value Units Description
main)
Primary Current Density 4 A/mm^2 Primary Winding Current Density
Device TOP245Y PI Device Name
PO 67.6 Watts Total Output Power VOR 135.00 Volts Reflected Output Voltage
VDRAIN 657 Volts Maximum Drain Voltage BW 16.70 mm Bobbin Winding Width
VDS 8.16 Volts Drain to Source Voltage M 2.0 mm Safety Margin Width
FS 132000 Hertz Switching Frequency L 1.60 Primary Number of Layers
KRPKDP 0.70 Continuous/Discontinuous Operating Ratio AE 82.10 mm^2 Core Cross Sectional Area
KI 1.00 KI Factor ALG 342 nH/T^2 Gapped Core Effective Inductance
ILIMITEXT 1.67 Amps Device Current Limit External Minimum BM 253 milliTesla Maximum Flux Density
ILIMITMIN 1.67 Amps Current Limit Minimum BP 305 milliTesla Peak Flux density
ILIMITMAX 1.93 Amps Current Limit Maximum BAC 89 milliTesla AC Flux Density for Core Loss
IP 1.60 Amps Peak Primary Current LG 0.27 mm Gap Length
IRMS 0.71 Amps Primary RMS Current LL 3.7 uHenries Primary Leakage Inductance т
DMAX 0.43 Maximum Duty Cycle LSEC 30 nHenries Secondary Trace Inductance

Power Supply Components Selection Secondary Parameters

Output Output 1
Var Value Units Description Var Value Units Description
1 (main) (main)

CIN 82.0 uFarads Input Capacitance NSx 4.0 Secondary Number of Turns
VMIN 186.5 Volts Minimum DC Input Voltage Rounded Down NSx Rounded to Integer Secondary Number of Turns
VMAX 353.6 Volts Maximum DC Input Voltage Auxiliary Output Voltage for Rounded down to Integer Secondary
Rounded Down Vox Volts
VCLO 200 Volts Clamp Zener Voltage Number of Turns

Primary Zener Clamp Loss Warning! Check Rounded Up NSx Rounded to Next Integer Secondary Number of Turns
Zener clamp temperature.
Auxiliary Output Voltage for Rounded up to Next Integer Secondary
Tip: Consider adding parallel RC to zener or move to an RCD clamp, Rounded Up Vox Volts
PZ 3.3 Watts Number of Turns
split primary «sandwich» (L>1), use lower switching frequency,
reduce reflected voltage (VOR) and minimize secondary trace Secondary Wire Gauge Range Comment: Secondary wire gauge
inductance (LSEC), esp. lowvoltage/high current outputs is less than recommended minimum (26 AWG)
AWGSx Range 0.91  1.45 mm
VDB 0.70 Volts Bias Diode Forward Voltage Drop Tip: Consider a parallel winding technique (bifilar, trifilar) for > 1.5 A
outputs, increase size of transformer (larger BW) or reduce margin (M).
PIVB 45 Volts Bias Rectifier Max Peak Inverse Voltage
RLS1 3.8 MOhms Line sense resistor
Minimum undervoltage High power flyback design
VUVON_MIN 170.08 Volts threshold beyond which
Power supply will startup Recommend split primary winding construction. Zener clamp may require parallel resistor/capacitor.

VUVON_MAX 208.17 Volts Maximum undervoltage threshold before which Power Supply will startup
High output current flyback design
Minimum overvoltage threshold after which Power Supply will turn off
VOVOFF_MIN 802.34 Volts
after an over voltage condition Use parallel low ESR output capacitors, reduce secondary ripple currents by reducing VOR and KRP/KDP
Maximum overvoltage
threshold before the Power Supply will turn off after an over voltage
VOVOFF_MAX 916.60 Volts condition
Comment: Drain voltage close to BVDSS at maximum OV threshold Ðèñ. 8
Tip: Verify BVDSS during line surge, decrease VUVON_MAX or reduce VOR.

Можно произвести автоматический выбор пустимую величину индукции насыще- нее 100 мкм) или слишком большой (более
наиболее подходящего типоразмера транс- ния для данного типа материала сердеч- 3 мм). (Могут возникнуть проблемы с фре-
форматора (нажав кнопку «Auto Pick»), либо ника (обычно не более 300 мТл). зеровкой зазора.)
ручной (установив курсор на любой транс- 2. Layers — количество слоев первичной об- В данной программе при выборе транс-
форматор из предложенного ряда). Выбрав мотки. Желательно, чтобы число слоев бы- форматора предусмотрена подсказка: про-
трансформатор, нажмите «OK» для автома- ло целым (1, 2, 3... N) — это упростит изго- грамма сразу показывает в пяти верхних
тического перерасчета. При выборе транс- товление трансформатора. ячейках его основные параметры. В зависи-
форматора необходимо обратить внимание 3. Main Turns — количество витков в основ- мости от величины того или иного параметра
на пять верхних ячеек в окне (рис. 12): ной вторичной обмотке (стабилизирован- меняется цвет надписи внутри ячеек (очень
1. StartUp Pk Flux Density, milli Tesla — ный канал). удобно при быстрой оценке и выборе наибо-
максимальная рабочая индукция намаг- 4. Gap Length, mm — ширина немагнитного лее подходящего в данной ситуации типораз-
ничивания сердечника магнитопровода. зазора в сердечнике магнитопровода. мера трансформатора). Надпись может при-
Не должна превышать максимально до- Она не должна быть слишком малой (ме- нимать четыре цвета: синий — наиболее под-

www.finestreet.ru 81
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 82

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ


ходящий, коричневый — с большим запасом между первичными и вторичными обмот-
(избыточен), красный — мало приемлем или ками и установить поверх трансформато-
недопустим для данного случая. ра дополнительный экран из той же мед-
1.3. Оптимизация параметров под вы- ной фольги.
бранный трансформатор 7. Использовать фторопластовую ленту или
Зачастую разработчик ввиду разных при- трансформаторную бумагу с последую-
чин ограничен в выборе трансформатора, щей вакуумной пропиткой лаком всего
поэтому в программе предусмотрена функ- трансформатора для повышения надежно-
ция ввода дополнительного типоразмера. сти и снижения риска высоковольтного
Для того чтобы ввести параметры нужного пробоя между первичными и вторичными
трансформатора, необходимо открыть за- цепями трансформатора необходимо в ка-
кладку «Custom Transformers», установить честве изолирующего материала.
флажок «Use Custom Transformers» и нажать 8. Заполнить все свободное пространство окна
«Add» (рис. 13). Ðèñ. 15 магнитопровода для улучшения электричес-
ких параметров и технологичности изготов-
рованию трансформатора можно на офици- ления трансформатора необходимо. Это поз-
альном сайте компании www.powerint.com волит существенно сократить время и сни-
в разделе «Design Ideas», где приведены приме- зить материальные затраты при дальнейшем
ры изготовления трансформаторов. изготовлении, а так же улучшит повторяе-
Если обобщить все документы, то можно мость параметров каждого трансформатора.
выделить следующие рекомендации по про- 9. Оптимизировать параметры для повыше-
ектированию трансформаторов: ния технологичности изготовления транс-
1. Использовать только рядовую (виток к вит- форматора желательно таким образом,
ку) намотку. В противном случае увеличива- чтобы количество слоев в одной обмотке
ется индукция рассеяния, что приводит было целочисленным.
к увеличению активной мощности в цепях
Ðèñ. 13 ограничения выброса напряжения на кол-
3. Ðåêîìåíäàöèè ïî ðàñ÷åòó
лекторе мощного транзистора и увеличе-
îãðàíè÷èòåëÿ âûáðîñà íàïðÿæåíèÿ
нию нестабильности выходного напряже-
ния в нестабилизированных каналах много- Для определения принципиальной схе-
канального источника питания, выполнен- мы и расчета ограничителя выброса надо
ного на одном трансформаторе. измерить величину индукции рассеяния
2. Не использовать для намотки провода ди- первичной обмотки трансформатора.
аметром более 0,4 мм. При использовании Следует замкнуть накоротко все имеющие-
более толстого провода возрастает индук- ся обмотки, кроме первичной, затем, вос-
ция рассеяния. пользовавшись RLC-измерителем (жела-
3. Намотку многослойных обмоток вести тельно МТ4080), измерить величину ин-
Z-образно (рис. 15a), то есть с переходом дуктивности рассеяния на частоте 100 кГц.
к начальному витку обмотки. При исполь- Ожидаемая величина будет находиться
зовании С-образной намотки (рис.15b) про- в диапазоне от 5 до 50 мкГн.
Ðèñ. 14 исходит увеличение индукции рассеяния. На рис. 16 представлены две схемы огра-
4. Для обеспечения прохождения тока задан- ничителя выброса напряжения. Первая схе-
Появится таблица, представленная на ной величины и снижения активных по- ма (рис. 16а) используется в маломощных
рис. 14. терь в обмотке трансформатора необходи- ИБП, где мощность рассеяния всего ограни-
Далее необходимо ввести следующие па- мо вести намотку двумя, тремя или более чителя не превышает 1,5 Вт. Для более мощ-
раметры трансформатора: проводами (не перекручивая между со- ных источников, где мощность рассеяния ог-
1. Ae, мм2 — эффективная площадь сечения; бой!) или использовать в качестве провод- раничителя превышает 1,5 Вт, используется
2. Le, мм — длина средней линии; ника медную ленту толщиной до 0,4 мм. схема (рис. 16б).
3. Al, нГн — удельная индуктивность; 5. Проектируя многоканальный источник Производим расчет по следующим фор-
4. Ve, мм3 — объем сердечника; питания, выполненный на одном транс- мулам:
5. SA, мм2 — площадь поверхности сердечника; форматоре, для снижения нестабильности
6. AW, мм2 — площадь окна магнитопровода; напряжения во вторичных каналах и ЭМП ,
7. BW, мм — ширина окна магнитопровода, желательно разбить первичную обмотку
по которой ведется намотка; на две части.
8. MLT, мм — средняя длина витка; 6. Ввести в конструкцию трансформатора ,
9. Type — тип каркаса. для снижения уровня электромагнитных
После ввода всех параметров следует на- помех и улучшения электромагнитной
жать кнопку «Save», а затем кнопку «OK». совместимости экранирующую обмотку ,
из медной фольги (толщиной 35–50 мкм)
2. Äîïîëíèòåëüíûå ðåêîìåíäàöèè
ïî ïðîåêòèðîâàíèþ
òðàíñôîðìàòîðà
Основные рекомендации по проектирова-
нию импульсного трансформатора для блока
питания изложены в документации, предо-
ставленной Power Integrations (AN-15, AN-18),
а его электрические параметры можно рассчи-
тать при помощи программы PI Expert Suite 5.0. Ðèñ. 16 a) á)
Кроме того, найти информацию по проекти-

82 www.finestreet.ru
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 83

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ


где: Ррас — мощность, запасенная в индукции
рассеяния; Lрас — величина индукции рассея-
ния; Iпик — пиковый ток в первичной обмот-
ке; Fsw — частота переключений; Рогр — мощ-
ность рассеяния всего ограничителя; Рzener —
допустимая мощность рассеяния защитного
стабилитрона; Uzener — напряжение ограни-
чения защитного стабилитрона; Uref — на-
пряжение обратного хода; Rогр — величина Ðèñ. 17 Ðèñ. 18
сопротивления резистора (R1) ограничителя.

4. Ðåêîìåíäàöèè ïî ðàñ÷åòó
ôèëüòðóþùèõ êîíäåíñàòîðîâ
Расчет входного высоковольтного конден-
сатора низкочастотного фильтра произво-
дится по формуле:

где: Рпор — мощность, потребляемая от сети


переменного тока; UminDC — минимальное
входное выпрямленное напряжение; Uzener —
напряжение ограничения защитного стаби-
литрона; Uref — напряжение обратного хода;
Кпул — коэффициент пульсаций напряжения
на конденсаторе. Ðèñ. 19
Выходной высокочастотный фильтр про-
ектируется исходя из максимально допусти- 4. Для снижения активных потерь в электро- Исходя из требования по ограничению то-
мой величины пульсаций выходного напря- литических конденсаторах выходных филь- ка, по графику определяется соответствую-
жения и максимального пикового тока. тров желательно подключить проводники, щий ему резистор RIL. Границы Maximum
Для получения более подробной инфор- как показано на рис. 18. При этом происхо- и Minimum на графике учитывают отклоне-
мации относительно расчета фильтров дит равномерное распределение активных ния, связанные с неоднородностью всех про-
см. Datasheet на конкретную микросхему. потерь между конденсаторами фильтра. изводимых изделий, а также температурным
На рис. 19 показана примерная трассиров- влиянием на микросхему.
ка (разводка) платы для импульсного источ- Не рекомендуется использовать резисторы
5. Ðåêîìåíäàöèè
ника на базе микросхем от PI. номиналом >35 кОм.
ïî ðàçâîäêå ïå÷àòíîé ïëàòû
Кроме выходного тока этой функцией
Основные рекомендации по проектирова- можно ограничивать и выходную мощ-
6. Äîïîëíèòåëüíûå ôóíêöèè
нию печатной платы для импульсного блока ность. Пример такого ограничения показан
è âîçìîæíîñòè èñòî÷íèêîâ
питания изложены в документации по приме- на рис. 21 и 22.
íà îñíîâå ìèêðîñõåì îò PI
нению микросхем фирмы Power Integrations. Из рисунков видно, что в первом случае
В описании Datasheet на каждое семейство 6.1. Возможность ограничения макси- (рис. 21), когда ток (а следовательно, и мощ-
микросхем фирмы Power Integrations содер- мального выходного тока ность) не ограничивали (резистор RIL=0),
жится информация о рекомендуемой топо- Эта функция микросхем от Power при максимальной нагрузке в 6 А реальный
логии печатной платы всего блока питания. Integrations позволяет без потерь регулиро- выходной ток составил 8,5 А, что, безусловно,
Дополнительную информацию можно най- вать выходной ток (чтобы ограничить мощ- означает перегрузку. Однако во втором случае
ти на сайте компании в разделе «Design Ideas» ность, выделяемую в нагрузку). Примерно (рис. 22), когда ток ограничили до 86% от мак-
(DI), где приведены примеры проектирова- оценить требуемое схемное решение ограни- симального введением в цепь резистора
ния печатной платы. чителя можно по рис. 20. RIL=8,25 кОм, выходной ток составил уже 7 А.
Основные принципы разводки печатной
платы (РСВ):
1. Все токоведущие проводники должны
быть как можно короче и как можно шире.
Это, во-первых, снизит активные потери
в токоведущих проводниках, а во-вторых,
уменьшит уровень ЭМИ.
2. Все фильтровые конденсаторы должны ус-
танавливаться в непосредственной близос-
ти от источника помех для большей эф-
фективности.
3. Около выводов всех конденсаторов необ-
ходимо делать сужение токоведущего про-
водника (рис. 17). Особенно это касается
электролитов и конденсаторов высокочас-
тотного выходного фильтра. (Рекоменда-
ции направлены на снижение уровня ЭМП Ðèñ. 20
и улучшение ЭМС.)

www.finestreet.ru 83
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 84

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ

Ðèñ. 21

Ðèñ. 23 Ðèñ. 24

чение для любых входных напряжений (VIN). 6.5. Возможность синхронизации ис-
Эта ситуация применима лишь в случае не- точников
высоких входных напряжений, но и тогда Одна из возможностей микросхем от Power
Ðèñ. 22 следует проверять, не входит ли трансформа- Integrations, вводимая опционально — это
тор в насыщение при максимальном VIN. возможность синхронизировать их, и, соот-
Более полную информацию на конкрет- Для окончательного расчета необходимо ветственно, устройства на их основе.
ную микросхему можно получить смотреть Datasheet на конкретную микросхе- Синхронизация может производиться
из Datasheet на конкретную микросхему. му, к тому же, в Datasheet есть еще множест- по двум основным схемам:
6.2. Функция отключения при UV/OV во вариантов схемных решений, позволяю- • с неизолированным управлением;
Микросхемы от PI имеют функцию отклю- щих работать с каждой функцией (UV или • с изолированным управлением.
чения при пониженном и повышенном вход- OV) индивидуально. 1. Синхронизация с неизолированным уп-
ном напряжении (undervoltage/overvoltage), 6.3. Возможность выбора рабочей час- равлением (рис. 27):
а также возможность регулировки рабочего тоты преобразователя • при изменении уровня на выводе L выше
диапазона источника. Кроме этого, по стан- Микросхемы от Power Integrations поз- 1 В осциллятор останавливается в конце
дарту ETSI включение источника при дости- воляют в зависимости от их включения ра- цикла (если вывод L оставлен неподклю-
жении входного напряжения будет происхо- ботать на разных частотах преобразова- ченным, внутренние 170 мкA удерживают
дить с соблюдением гистерезиса. Если функ- ния. Частота преобразования устанавлива- 1,5 В и останавливают осциллятор);
ция отключения при UV/OV не нужна, ее ется исходя из технических требований • при изменении уровня на выводе L ниже 1 В
можно отключить. Пределы регулирования к источнику. осциллятор запускается в новый цикл;
рабочего диапазона осуществляются измене- Более подробной информации о функции • при запуске R2 открывает транзистор Q1,
нием номинала резистора RLS (см. рис. 23). изменения рабочей частоты преобразования устанавливая «свободный» (несинхрони-
Но эта схема жестко устанавливает границы можно получить в Datasheet на конкретную зированный) режим работы микросхемы
UV/OV как соотношение 1:2,7. Тем не менее, микросхему. (при этом временная константа цепочки
существует возможность расширения рабо- 6.4. Возможность дистанционного уп- R2 — C1 должна быть намного больше,
чего диапазона источника. Расширение мож- равления источником питания чем максимальное время Sync Off);
но осуществить путем ввода нелинейности Базовые схемы, по которым можно орга- • в связи с тем, что осциллятор включается
на вывод L микросхемы. В качестве примера низовать дистанционное управление источ- и выключается по внешним синхроим-
см. схему на рис. 24. В нее введена цепочка ником, представлены на рис. 25 и 26. пульсам, он может быть засинхронизиро-
«диод Зенера — резистор», которая изменяет Если необходимо активным сигналом ван только на более низкой частоте, чем
линейность напряжения на выводе L. включать или выключать источник, исполь- его внутренняя рабочая частота;
Еще одна функция PI, параметры которой зуются схемы, приведенные на рис. 25 и 26 • если вывод L используется для синхрони-
регулируются тем же резистором RLS — регу- соответственно. зации, то он не может быть применен для
лировка напряжения DCMAX в зависимости Для получения более подробной инфор- аварийного отключения при UV/OV (по-
от входного путем изменения рабочего цикла мации о функции дистанционного управле- ниженном или повышенном входных на-
источника (чтобы трансформатор не входил ния включением-выключением источника пряжениях).
в насыщение). Если данная функция отклю- необходимо смотреть Datasheet на конкрет-
чена, DCMAX всегда имеет максимальное зна- ную микросхему.

Ðèñ. 25 Ðèñ. 26

84 www.finestreet.ru
SE#2(2)_web.qxd 4/11/2005 11:38 AM Page 85

Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 2’2004 Èñòî÷íèêè ïèòàíèÿ


• как и в предыдущем случае, включение ди-
ода D1 определяет выбранный режим ра-
боты микросхемы (синхронный или «сво-
бодный»).
Для получения более подробной инфор-
мации о функции синхронизации микро-
схем необходимо смотреть Datasheet на кон-
кретную микросхему.
Ðèñ. 27
7. Äîïîëíèòåëüíàÿ
ïîëåçíàÿ èíôîðìàöèÿ
Для ускорения и упрощения расчетов вам
могут понадобиться:
1. Комплекты DAK (Design Accelerator Kit).
Все подобные комплекты содержат уже
функционирующую плату источника ли-
бо перечень деталей и печатную плату.
С их помощью можно собрать функцио-
нирующий источник, а также полную до-
Ðèñ. 28 кументацию к нему.
2. Справочник проектировщика, включаю-
• диод D1 введен в схему с целью ускорения для того, чтобы разряжать C1 при падении щий:
закрытия транзистора по заднему фронту синхроуровня в «ноль». • руководство по выбору изделия;
синхроимпульса (максимальное время 2. Синхронизация с изолированным управ- • перечень Datasheet на изделия;
включения микросхемы по команде синх- лением (рис. 28): • перечень Application notes;
росигнала составляет 250 нс); • в схеме используется импульсный транс- • идеи по проектированию;
• если необходим только синхронный ре- форматор, так как оптопары обладают • описания на Design Accelerator Kits.
жим работы микросхемы, то резистор R2 слишком низким быстродействием; 3. Фирменный компакт диск от Power
может быть исключен. В этом случае Q1 • изоляция осуществляется импульсным Integrations с программами для ускорения
будет закрыт до появления синхроимпуль- трансформатором; расчета источника PI Expert Suite ver 5.0
са. Тогда диод D1 должен быть включен • как и в предыдущем случае, R2 обеспечива- и PIXIs (ver. 1.5), а также полный набор доку-
анодом на исток Q1, а катодом на затвор — ет «свободный» режим работы микросхемы; ментов, необходимых для разработки.

www.finestreet.ru 85