Вы находитесь на странице: 1из 52

\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.

pdf December 1, 2009 15:56:49 Page 1

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Практическая
силовая
электроника
ISSN 1996-7888 № 4 (36)/2009

Главный редактор Содержание


А. В. Лукин, д. т. н., профессор, академик АЭН РФ

М. Ю. Кастров
Технический редактор
Сравнение влияния способов намотки высокочастот
В. В. Крючков, к. т. н., доцент
ных трансформаторов на излучение кондуктивных
электромагнитных помех ........................................... 2
Редколлегия
В. Ф. Дмитриков, д. т. н., профессор Д. С. Дейнеко
В. Г. Еременко, д. т. н., профессор Сравнение структур прямоходвых преобразователей
Ю. К. Розанов, д. т. н., профессор постоянного напряжения ........................................... 7
И. Н. Соловьев, к. т. н., доцент
А. В. Лукин, Д. С. Дейнеко
Зарегистрирован Министерством Российской
Прямоходовой преобразователь со снижением пуль
Федерации по делам печати, телерадиовещания и
саций входного тока .................................................. 13
средств массовых коммуникаций 30 августа 2002 г.,
свидетельство ПИ № 7713452. Л. И. Цытович, О. Г. Брылина
Многозонные интегрирующие системы управления
Издатель и учредитель — Закрытое Акционерное Об
каскадами “вентильный преобразователь – исполни
щество «ММПИрбис».
тельный механизм “ для объектов с параллельными ка
Полное или частичное воспроизведение или размно налами регулирования ............................................... 23
жение каким бы то ни было способом материалов,
опубликованных в журнале, допускается только с С. В. Аверин, М. А. Малышев
письменного разрешения редакции. Сравнение основных структур преобразователей по
стоянного напряжения для коррекции коэффициен
При перепечатке ссылка на журнал «Практическая та мощности ............................................................... 31
силовая электроника» обязательна.
Ю. Г. Следков, И. Н. Соловьев
За содержание рекламных материалов редакция от Схема управления инвертором в режиме ШИМ ... 37
ветственности не несет.
Т. В. Анисимова, А. Н. Данилина
Отпечатано в ООО «Типография АРЕС», Инвертор в режиме синусоидальной ШИМ .......... 41
г. Москва, Остаповский проезд, д. 5, стр. 6
Д. Р. Манбеков, Д. А.Шевцов
Подписано в печать 02.12.2009. Тираж 500 экз.
Моделирование двухтактного преобразователя на
Адрес редакции: пряжения с ШИМрегулированием и управлением
111024, Москва, Андроновское шоссе, 26, по вольтсекундному интегралу с контуром симмет
ЗАО «ММПИрбис» рирования .................................................................. 45
Тел/факс: (495) 9871016
Email: 9871016@mmpirbis.ru, sin@mai.ru Д. А. Шевцов, В. В. Крючков, Д. Р. Манбеков
УДК 621.314 Создание нелинейной модели магнитного сердеч
ника .............................................................................. 49
Дополнительная информация о журнале “ПСЭ”:
www.mmpirbis.ru

1
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 2

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

М. Ю. Кастров

СРАВНЕНИЕ ВЛИЯНИЯ СПОСОБОВ НАМОТКИ


ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТРАНСФОРМАТОРОВ НА ИЗЛУЧЕНИЕ
КОНДУКТИВНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОМЕХ

В статье проведено сравнение влияния излучаемых кон2 татами. Кроме того, проведен анализ генерируемых в
дуктивных помех при различных способах намотки высокоча2 результате применяемых способов намотки кондук
стотных трансформаторов. Рассмотрены следующие виды тивных помех.
обмоток для обратноходового преобразователя постоянного
напряжения: традиционная, одна обмотка между слоями дру2 Теоретические положения
гой (sandwiched winding),а также обмотка с чередующимися Обратноходовой преобразователь. Традиционная
слоями (interleaved winding). Различные способы намотки при2 схема обратноходового преобразователя показана на
водят к возникновению паразитных отличающихся по величи2 рис. 1. Это самая простая схема импульсного преоб
не емкостей, которые при работе преобразователя могут разователя с гальванической развязкой, в которой
вызывать в системе синфазные помехи различного уровня. используется высокочастотный трансформатор. Она
Сравнение проведено на основе использования различных содержит схему управления для формирования им
способов намотки и подтверждено экспериментальными ис2 пульсов с заданным коэффициентом заполнения для
следованиями.По результатам исследований выявлены уров2 управления силовым МДПтранзистором. Высокоча
ни электромагнитных помех и электрические характеристики, стотный трансформатор необходим для передачи
например КПД. Для подтверждения полученных результатов энергии от входа к выходу. Когда силовой транзистор
эксперимента проведен анализ помех с помощью преобразо2 открыт, в трансформаторе накапливается энергия, а
вания Фурье. когда закрыт – энергия передается от трансформато
ра к нагрузке.
Во время работы источник питания может гене Кондуктивные электромагнитные помехи. При ра
рировать в систему как излучаемые, так и кондуктив боте силовых транзисторов в режиме переключений
ные электромагнитные помехи. Поскольку ключевой возникающие уровни du/dt и di/dt достаточно вели
элемент, например МДПтранзистор, работает на ки, что может вызвать излучение электромагнитных
высокой частоте, основной причиной электромагнит помех [1], которые будут оказывать влияние на рабо
ных помех являются большие величины du/dt и di/dt. ту всей системы. Существуют два вида электромагнит
Для повышения или понижения входного напря ных помех – дифференциальная и синфазная.
жения в стандартном импульсном источнике питания Распространение дифференциальной помехи проис
используется высокочастотный трансформатор, обес ходит между двумя проводами, например, линией и
печивающий передачу энергии от входа к выходу и нейтралью, а синфазная помеха возникает между
гальваническую развязку. Таки образом, высокочас группой проводников, т. е. линией или нейтралью и
тотный трансформатор является важным компонен землей [2], как показано на рис. 2.
том импульсного источника питания. Существует Высокочастотный трансформатор. Основное назна
много различных способов намотки высокочастотных чение высокочастотного трансформатора импульсно
трансформаторов, например, простая традиционная, го преобразователя постоянного напряжения это
многослойная и обмотка с перекрещивающимися повышение или понижение входного напряжения и
витками. Основная цель использования сложных спо обеспечение гальванической развязки между входной
собов намотки уменьшение величины индуктивнос и выходной цепями преобразователя. Повышение
ти рассеяния и снижение перенапряжения на рабочей частоты преобразователя позволяет суще
ключевом элементе.
В статье исследованы результаты излучения кон
дуктивных помех при различных способах намотки
трансформатора обратноходового преобразователя,
имеющего одинаковые компоненты. Проведено срав
нение трех типов обмоток высокочастотного транс
форматора традиционной, одна обмотка между
слоями другой и обмотки с чередующимися слоями
соответственно. Сравнение электрических характери
стик, таких как потери мощности, КПД, перенапря
жение на силовом МДПтранзисторе и частота
Рис. 1. Базовая схема обратноходового преобразователя
“звона” подтверждены экспериментальными резуль постоянного напряжения

2
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 3

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 2. Распространение дифференциальной и синфазной Рис. 4. Три способа намотки: 1 – традиционная; 2 – “одна
электромагнитных помех обмотка между слоями другой; 3 – с чередующимися слоями

ственно уменьшить его размеры. Однако, при работе Основное отличие способов намотки состоит в
на частоте переключений кондуктивные помехи и расположении первичной обмотки относительно вто
возникающие от них гармоники возрастают. Кроме ричной. При традиционной намотке первичная об
того, из эквивалентной схемы трансформатора мотка размещается внутри, а вторичная – снаружи.
(рис. 3) видно, что индуктивности рассеяния Lр1 и Lр2 При намотке “одна обмотка между слоями другой”
вызывают перенапряжение на силовом транзисторе вторичная обмотка размещается внутри между слоя
[3]. Резисторами Rп1, Rп2 и Rэ учитываются омичес ми первичной обмотки. Таким образом, в третьем слу
кие потери в трансформаторе. Конденсатором Сп учи чае слои первичной и вторичной обмоток
тываются сосредоточенные емкости первичной и размещаются поочередно.
вторичной обмоток, т. е. его емкость – есть полная
паразитная емкость обмоток трансформатора. Результаты экспериментальных исследований
Условия эксперимента. Экспериментальные иссле
дования проводились с целью определения электри
ческих характеристик и уровня излучаемых
электромагнитных помех при различных способах
намотки. Параметры исследуемых преобразователей
приведены в таблице 1.
Рис. 3. Эквивалентная схема высокочастотного трансформатора

Таблица 1. Параметры преобразователей


Частота паразитных высокочастотных колебаний,
возникающих при перенапряжении на силовом тран
зисторе, относящаяся к кондуктивным электромаг
нитным помехам [4], является доминирующей и
определяется следующим соотношением
1
f вк = . (1)
2 π L р1C п

Обмотки высокочастотных
трансформаторов
Способы намотки высокочастотных трансформато
ров. При проведении экспериментов использовались Измерены индуктивности рассеяния всех трех
три способа намотки высокочастотных трансформа трансформаторов. Получены следующие результа
торов для обратноходового преобразователя (рис. 4). ты измерений 4,45 мкГн, 1,7 мкГн и 1,8 мкГн соот
Все трансформаторы изготовлены на одинаковых ветственно.
ферритовых сердечниках 6Н20 размером ETD44, но Результаты измерений перенапряжения на силовом
разными способами намотки – традиционным, одна транзисторе и паразитных высокочастотных колебаний.
обмотка между слоями другой и с чередующимися Результаты измерений, приведенные на рис. 5–7. под
слоями. Внешний вид трансформаторов и располо тверждают, что в случае применения традиционной
жение обмоток показаны на рис. 4. Все трансформа намотки максимальная перенапряжение на силовом
торы имеют одинаковый воздушный зазор. Обмотки транзисторе (Uси) имеет наибольшую величину, рав
трансформаторов изготовлены проводом AWG17 ди ную 120 В. В то же время, перенапряжения при ис
аметром 1,15 мм. число витков первичной обмотки пользовании второго и третьего способов намотки
w1 = 20, коэффициент трансформации w1/w2 = 1. составляют 91 В и 96,8 В соответственно.

3
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 4

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 5. Перенапряжение на силовом ключе при традиционной намотке

Рис. 6. Перенапряжение на силовом ключе при намотке “одна обмотка между слоями другой”

Рис. 7. Перенапряжение на силовом ключе при намотке с чередующимися слоями

Наибольшее значение частоты паразитных вы традиционном способе намотки индуктивность


сокочастотных колебаний имеет место при намот рассеяния составляет 4,5 мкГн, что дает наимень
ке “одна обмотка внутри другой” и равно 9 МГц, шую частоту паразитных высокочастотных колеба
тогда как, при традиционном способе намотки эта ний 6,5 МГц. При намотке “одна обмотка внутри
частота наименьшая и равна 6 МГц. Частоту этих другой” наибольшая частота паразитных высокоча
колебаний легко оценить с помощью выражения стотных колебаний является результатом наимень
(1). Сравнение результатов расчета и эксперимента шей в этом случае индуктивности рассеяния,
показывает их полное совпадение. Например, при равной 1,7 мкГн. Кривые осциллограмм, приведен

4
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 5

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


ных на рис. 57, можно проанализировать с помо напряжения на силовом транзисторе. Например, вто
щью быстрого преобразования Фурье (FFT) в про рой пик уровня кондуктивных помех при традицион
грамме MATLAB. ном способе намотки (рис. 12) имеет частоту 6,25 МГц,
Результаты анализа напряжений, показанных на которая практически совпадает с частотой паразит
рис. 5–7, в частотной области приведены на рис. 8– ных колебаний на рис. 5 и 8. Второй пик уровня кон
10. Эти результаты подтверждают результаты иссле дуктивных помех от низких до высоких частот
дования излучаемых кондуктивных помех, генерируется на частоте паразитных высокочастотных
приведенные на рис. 12. колебаний для всех трех типов обмоток. При этом
Результаты исследования электромагнитных помех. худший переходный процесс и наибольший второй
Уровень кондуктивных электромагнитных помех из пик (91 дБ мкВ) имеют место в случае применения
мерялся с помощью схемы, показанной на рис. 11. За традиционного способа намотки, поскольку транс
основу был принять стандарт CISPR22 class B, опре форматор с такой обмоткой имеет наибольшую ин
деляющий диапазон частот 150 кГц...30 МГц. Из гра дуктивность рассеяния. Первый пик паразитных
фика измеренных электромагнитных помех видно, высокочастотных колебаний одинаков для всех трех
что второй пик кондуктивной помехи для каждого способов намотки поскольку он возникает на соб
вида намотки соответствует частоте паразитных вы ственной резонансной частоте обратноходового пре
сокочастотных колебаний при возникновении пере образователя.
Измерение КПД. КПД обратноходового рассчиты
вался по измеренным входной и выходной мощнос
тям. КПД вычислялся перемножением величины
тока, измеренной с помощью датчика тока, и изме
ренного входного напряжения. Результаты измерений
приведены в таблице 2. Наименьший КПД (около
80%) получен при использовании традиционного спо
соба намотки. При остальных способах величина
КПД достигает приблизительно 85%. Наименьшее
перенапряжение на силовом транзисторе дает намот
ка “одна обмотка между слоями другой”, а наиболь
шее – традиционная (таблица 2).
Рис. 8. Спектральный состав напряжения на силовом ключе при
перенапряжении при традиционной намотке

Рис. 9. Спектральный состав напряжения на силовом ключе Рис. 11. Схема измерения электромагнитных помех
при перенапряжении при намотке
“одна обмотка между слоями другой”

Рис. 10. Спектральный состав напряжения на силовом ключе при Рис. 12. Сравнение уровней электромагнитных помех при трех
перенапряжении при намотке с чередующимися слоями способах намотки высокочастотного трансформатора

5
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 6

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


Таблица 2. Экспериментальное сравнение электрических харак щью быстрого преобразования Фурье подствежда
теристик преобразователя при трех способах намотки ет результаты эксперимента по исследованию элек
тромагнитных помех.
В заключение необходимо отметить, что сложные
способы намотки позволяют обеспечить повышение
КПД и снижение величины перенапряжения на си
ловом транзисторе, но они не позволяют существен
но снизить пиковые значения кондуктивных
электромагнитных помех.
Выводы
Проведено сравнение электрических характери Литература
стик и уровней излучаемых электромагнитных по 1. Shao J., Lin R. L., Lee F. S. and Chan D. Y.
мех при использовании трех способов намотки Characterization of EMI Performance for hard and Soft
высокочастотных трансформаторов. Несмотря на Switched Inverters. – Applied Power Electronics
повышенную сложность исполнения обмоток, на Conference and Exposition, 2000, APEC 2000, 15th
мотки “одна обмотка между слоями другой” и с че Annual IEEE, v. 2, 2000, pp. 1009–1014.
редующимися слоями позволяют существенно 2. Redl R. Power Electronics and Electromagnetic
снизить величины индуктивностей рассеяния и пе Compatibility. – Power Electronics Specialists Conference,
ренапряжения на силовом транзисторе. Несмотря 1996, PESC’96 Record, 27th Annual IEEE, v.1, 1996,
на то, что при этом повышается КПД обратноходо pp. 15–21.
вого преобразователя, такие способы намотки 3. Colonel Wm. T. McLyman. Transformer and Inductor
практически не влияют на снижение уровня излу Design Book. – CRC, 2004.
чаемых кондуктивных электромагнитных помех. 4. J. Arthittang, V. Tarateeraseth, W. Khanngern, S.
Результаты экспериментальных исследований по Nitta. The Relationship Among Damped Oscillation, fz
казали, что применение сложных способов намот characteristics and Conducted EMI of an Induction
ки позволяет не только сместить по частоте пик Cooking. – EMC’04 Sendai, v. 2, 2004, pp. 865–868.
кондуктивных помех, но и немного снизить их раз 5. John C. Fluke, Controlling Conducted Emission by
мах. Пиковое значение кондуктивной помехи при Design. – New York, VNR, 1991.
использовании традиционного способа намотки 6. Hai Yan Lu, Jian Guaa Zhu, S. Y. Ron Hui.
возникает при более низкой частоте, а при способе Experimental Determination of Stray Capacitances in
“одна обмотка между слоями другой” на самой High Frequency Transformers. IEEE Trans. – Power
высокой. Однако разницу между способами намот Electronics, v. 18. No 5, September 2003.
ки можно наблюдать на частотах, свыше 3 МГц.
Частотный диапазон кондуктивной помехи на час
тотах ниже 3 МГц определяется только синфазной Кастров Михаил Юрьевич, к. т. н., главный инженер ЗАО
помехой и, как правило, зависит от паразитной ем “ММП2Ирбис”, тел. 8(495) 987210216, e2mail: kastrov@mmp2
кости [5, 6]. Анализ паразитных колебаний с помо irbis.ru.

6
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 7

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Д. С. Дейнеко

СРАВНЕНИЕ СТРУКТУР ПРЯМОХОДВЫХ


ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Среди структур устройств преобразования энергии на ос2 тодов резонансного переключения индуктивность рас
нове ШИМ, в течение десятилетий наиболее широко исполь2 сеяния может быть не вредной, а полезной.
зовалась структура прямоходового преобразователя с одним Однако, в настоящее время не существуют прямо
силовым ключом. Ее популярность основывается на многих ходовые преобразователи, в которых при использо
показателях, включая низкую стоимость, простоту схемы и вании для преобразования электроэнергии режима
высокий КПД. Проведено сравнение структур прямоходовых ШИМ КПД повышается за счет индуктивности рас
преобразователей по величинам КПД и перенапряжения на сеяния. Следовательно, требуются дальнейшие иссле
силовом транзисторе. дования по использованию индуктивности рассеяния
в прямоходвом преобразователе, работающем в режи
При разработке прямоходового преобразователя ме ШИМ.
необходимо обратить внимание на несколько вопро По природе структуры понижающего преобразо
сов, связанных, например, с размагничиванием сер вателя, входной ток прямоходового преобразователя
дечника трансформатора, выбросами напряжения, пульсирующий (рис. 1). Такой ток создает высокоча
вызванными индуктивностью рассеяния трансформа стотные электромагнитные помехи, нарушающие ра
тора, а также пульсирующей формой входного тока.
Трансформатор такого преобразователя перемаг
ничивается только в одном направлении. Схема
прямоходового преобразователя с третичной обмот
кой (ПХПТ) приведена на рис. 1а. Таким образом,
для третьей обмотки и восстановительного диода
VD3 необходимо обеспечить достаточное время
восстановления, чтобы к окончанию каждого пери
ода переключений магнитный поток мог полностью
восстановиться для предотвращения насыщения
сердечника.
Кроме того, изза наличия трансформатора нельзя а
пренебрегать индуктивностями рассеяния Lp1 и Lp3.
Энергия, накопленная в индуктивности рассеяния за
время линейного нарастания тока, не передается в
нагрузку и не возвращается во время паузы. В резуль
тате в напряжении стокисток (Uси) возникают выб б
рос напряжения и паразитные высокочастотные
колебания (рис. 1б). Таким образом, для исключения
появления высоковольтного пробоя в качестве сило
вого ключа необходимо использовать транзистор с
более высоким допустимым значением напряжения
стокисток. Несмотря на то, что такие транзисторы в

существуют, сопротивление стокисток в открытом


состоянии у них выше, что приводит к увеличению
потерь на проводимость. Кроме того, использование
ключа с более высокими допустимыми напряжения
г
ми может без необходимости повысить стоимость
проектируемого устройства.
Обычно для поглощения выброса напряжения в пре
образователь вводится дополнительная схема, например
цепь демпфера или фиксатора, либо применяются спо
собы мягкого переключения. В результате в преобразо
вателях электроэнергии с ШИМ индуктивность д
рассеяния намерено сводится к минимуму, чтобы избе
Рис. 1. Схема ПХПТ (а), форма напряжения на силовом ключе (б),
жать снижения КПД. Однако при использовании ме и формы токов преобразователя (в–д)

7
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 8

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


боту находящихся вблизи цифровых и устройств и • прямоходовой преобразователь с переключени
коммуникационного оборудования. Снижение уров ем при нуле напряжения и активным ограничи
ня таких помех при проектировании устройства не телем (ПХППННАО);
обходимо для удовлетворения международных • многорезонансный преобразователь с переклю
стандартов. чением при нуле напряжения (МРППНН);
Таким образом, становится обязательным приме • МРППНН с режимом ограничения (МРП
нение внешнего фильтра, образованного паразитной ПННРО).
индуктивностью сети (L вх ) и конденсатором С вх Прямоходовой преобразователь с RCDограничите
(рис. 1а). При э том высокочастотный входной ток iCвх, лем (ПХПRCD). Схема ПХПRCD показана на
возникающий в результате импульсного характера ра рис. 2. Схема восстановления состоит из диода и па
боты преобразователя, поступает от конденсатора раллельно соединенных резистора и конденсатора и
входного фильтра, а не входного источника (рис. 1б). подключена параллельно трансформатору.
За счет этого интенсивность электромагнитных по После запирания силового ключа S1 начинает
мех от источника электроэнергии существенно сни проводить диод ограничительной цепочки. За счет
жается. Совместно с фильтрами синфазной и этого обеспечивается отрицательное напряжение
дифференциальной помехи преобразователь может для размагничивания трансформатора, подаваемое
удовлетворять международным нормам по электро от конденсатора ограничителя С огр. Преимущество
магнитным помехам. такой схемы состоит в том, что отсутствии размаг
Однако, в литературе большое внимание уделено ничивающей обмотки и дополнительной схемы ог
только нескольким проблемам, присущим прямоход раничителя, обеспечивается снижение стоимости
вым преобразователям таким как, например, насы трансформатора и защита силового ключа от выб
щение сердечника трансформатора, выбросы росов напряжения.
напряжения на силовом транзисторе, и потери на пе Напряжение размагничивания не зависит от вход
реключение [1–3]. ного напряжения, т. е.
Напротив, проблемы, вызываемые пульсациями
U разм ≠ f (U 1 ) . (1)
входного тока, полностью игнорируются. Не извест
на ни одна схема прямоходового преобразователя, Таким образом, максимальное перенапряжение на
обеспечивающая эффективное решение этой задачи силовом ключе равно сумме высокого входного на
без внешнего LCфильтра. пряжения и напряжения размагничивания

Сравнение КПД и перенапряжений в структурах U си = U 1 + U разм , (2)


прямоходовых преобразователей и, следовательно, для устройств с широким диапазо
Поскольку для схем прямоходвых преобразовате ном входных напряжений более предпочтительна, чем
лей, предложенных в литературе основное внимание схема с третичной обмоткой.
уделено решению некоторых присущих таким преоб Однако необходимо отметить, что схема RCDогра
разователям проблем, например, насыщение сердеч ничителя не возвращает энергию рассеяния, накоплен
ника трансформатора, выбросы напряжения и потери ную в ограничительном конденсаторе. Наоборот, баланс
на переключение [4], ключевыми параметрами, ко заряда поддерживается резистором диссипативной ог
торым необходимо уделить внимание для обеспече раничительной схемы, что приводит к снижению КПД.
ния улучшенных рабочих характеристик становятся Желательно повышение КПД преобразователя за счет
перенапряжение на силовом ключе и КПД. Далее рас возврата энергии рассеяния, что может быть достигну
смотрены несколько схем преобразователей с различ то в преобразователе с активным ограничителем, опи
ными схемами восстановления, включая санным далее.
• прямоходовой преобразователь с RCDограничи Прямоходовой преобразователь с активным ограни
телем (ПХПRCD); чителем (ПХПАО). Схема прямоходового преобра
• прямоходвой преобразователь с активным огра зователя с активным ограничителем (ПХПАО)
ничителем (ПХПАО); показана на рис. 3 [4–7]. Дополнительный ключ (Sд)

Рис. 3. Прямоходовой преобразователь с активным ограничите*


Рис. 2. Прямоходовой преобразователь с RCD*ограничителем лем (ПХП*АО)

8
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 9

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


применен вместо диода и резистора в схеме ПХП зависит от конструкции трансформатора и является
RCD, чтобы иметь возможность возвращать энергию функцией магнитной проницаемости ферритового
рассеяния. материала и числа витков. На индуктивность рассея
Напряжение на ограничительном конденсаторе ния влияют конструкция трансформатора и способ
UСогр обеспечивает напряжение размагничивания во намотки, а выходной ток приведен к первичной сто
время запертого состояния силового ключа S1. Это роне. При малой нагрузке энергия рассеяния будет
напряжение можно определить из вольтсекундного стремиться к нулю. Следовательно, наиболее суще
баланса трансформатора ственное влияние на ПНН оказывает энергия индук
тивности намагничивания.
DU вх nU вых
UC = U разм = f (U вх , D ) =
= , (3) Таким образом, ПНН в ПХППННАО может
огр
1− D 1− D быть обеспечено просто с помощью введения воздуш
где D – коэффициент заполнения; ного зазора в сердечник трансформатора для умень
п – коэффициент трансформации. шения индуктивности намагничивания и увеличения
Напряжение размагничивания снижается по мере максимального значения тока намагничивания [8].
уменьшения коэффициента заполнения при посто Однако, ценой обеспечения ПНН является увели
янном выходном напряжении вследствие повышения чение потерь на проводимость в силовом ключе. По
входного напряжения. При этом напряжение на си тери в первичной стороне ПХППННАО примерно
ловом ключе можно определить с помощью следую на 35% больше, чем в ПХПАО.
щего выражения: ПХППННАО имеет следующие достоинства:
h меньшие потери на переключение и более низ
U вх кие коммутационные помехи;
U си = U вх + U разм =
, (4)
1− D h минимальное перенапряжение на силовом
Поскольку входное напряжение увеличивается ключе;
при уменьшении коэффициента заполнения, на h обеспечение ПНН во всем диапазоне измене
пряжение стокисток силового ключа остается при ния нагрузки и входного напряжения.
мерно постоянным при определенном входном Однако снижение потерь на переключение не мо
напряжении. Следовательно, такая схема размагни жет скомпенсировать увеличение потерь на переклю
чивания позволяет обеспечить в установившемся чение при пониженном входном напряжении. В
режиме наименьшее перенапряжение на силовом отличие от ПХПАО улучшение КПД происходит
ключе. только при входном напряжении, превышающем но
Вместо рассеяния, как в случае преобразователя с минальное. Еще одно исследование КПД для авто
RCDограничителем, в таком преобразователе энер номных устройств показывает направленность,
гия, накопленная в индуктивности рассеяния транс проиллюстрированную на рис. 4, из которого можно
форматора, рекуперирует во входной источник. Таким сделать вывод о том, что ПХПАО имеет хорошие ха
образом, снижаются потери мощности, а силовой рактеристики по КПД, а для ряда устройств мягкое
ключ защищен от бросков напряжения. Кроме того, переключение является необязательным.
по причине баланса заряда конденсатора ограничи Многорезонансный преобразователь с переключени
теля магнитный поток трансформатора в первом и ем при нуле напряжения (МРППНН). Схема много
третьем квадрантах практически симметричен. Сле резонансного преобразователя с переключением при
довательно, такая структура обеспечивает наиболее нуле напряжения (МРППНН) показана на рис. 5.
полное использование трансформатора. Такой преобразователь был предложен для обеспече
Такой преобразователь имеет КПД на 5% выше, ния оптимальной характеристики мягкого переклю
чем ПХПRCD, а перенапряжение на силовом тран чения всех полупроводниковых компонентов силовой
зисторе у него меньше. части схемы [9]. В резонансную цепь входят все ос
Прямоходовой преобразователь с переключением при новные паразитные компоненты схемы, включая вы
нуле напряжения и активным ограничителем (ПХП ходную емкость МДПтранзистора, емкость рп
ПННАО). Для обеспечения переключения при нуле перехода диода, а также индуктивность рассеяния.
напряжения (ПНН) энергия, накопленная в индук
тивностях рассеяния (Lp) и намагничивания (Lнм) дол
жна быть достаточно большой, чтобы обеспечить
потребности по емкостной энергии выходных емко
стей МДПтранзистора
2
Lнм i нм
2
Lр i w1 C рез (U 1 + U рез )
+ ≥ , (5)
2 2 2
где Срез – полная резонансная емкость, а комбинация
двух выходных конденсаторов МДПтранзистора
включена параллельно емкости первичной обмотки Рис. 4. Сравнение ПХП*АО и ПХП*АО*ПНН по КПД при
трансформатора. Ток намагничивания (iнм) всецело использовании в автономных устройствах

9
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 10

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


ПНН МДПтранзистора и диода обеспечиваются за на рис. 6. Свойства схемы МРППНН существенно
счет формирования на них таких форм напряжений, улучшаются за счет применения схемы мягкого пе
чтобы перед отпиранием напряжение на силовых ком реключения с активным недиссипативным ограничи
понентах было равно нулю. телем. Ограничение напряжения осуществляется
Однако, за счет обеспечения резонанса выходной путем введения параллельно силовому МДПтранзи
емкости силового ключа перенапряжение на силовом стору S1 последовательной цепи, состоящей из актив
ключе в 3–4 раза превышает входное напряжение. Это ного ключа S д и конденсатора С1 таким образом,
ограничивает применение несимметрично нагружен чтобы напряжение на силовом ключе ограничивалось
ного МРППНН в автономных устройствах. Более на более низком уровне. Активный ключ S1 также
того, потери на проводимость МДПтранзистора так переключается при нуле напряжения за счет того, что
же увеличиваются при использовании компонентов перед его отпиранием проводит обратный диод. По
с более высокими допустимыми напряжениями. скольку перенапряжение на силовом ключе снижа
Прямоходовой МРППНН имеет присущий ему ется, эта схема более предпочтительна, чем
собственный механизм размагничивания вследствие МРППНН.
взаимодействия индуктивности намагничивания и Поскольку в литературе описаны структуры одно
конденсатора Ср, расположенного на вторичной сто транзисторных прямоходвых преобразователей, по
роне. Значение вольтсекунд на конденсаторе Ср рав зволяющие решить некоторые проблемы, присущие
но значению вольтсекунд, приложенных к такому классу устройств, например, насыщение сер
трансформатору. Если в один период переключений дечника трансформатора, выбросы напряжения и
вольтсекунды сети, приложенные к трансформато потери на переключение, ключевыми становятся пе
ру положительны, это вызовет возрастание тока на ренапряжение на силовом ключе и КПД преобразо
магничивания, что приведет к еще большему вателя. Подробное сравнение преобразователей по
отрицательному заряду конденсатора в течение сле этим параметрам приведено в [8]. Практически это
дующего периода переключений. А это, в свою оче сравнение проиллюстрировано на рис. 7.
редь приведет к снижению тока намагничивания.
Такой автоматический механизм размагничивания Основные проблемы разработки прямоходового
устраняет потребность во внешней схеме размагни преобразователя с активным ограничителем
чивания. Cуществует много источников, в которых утверж
Несмотря на то, что в МРППНН обеспечивается дается, что при некорректной разработке ПХПАО
переключение при нуле напряжения, его КПД недо может возникнуть много проблем [9–13].
статочно высок по сравнению с ПХПАО по следую Подробный анализ и возможные компромиссы
щим причинам: при разработке ПХПАО приведены в [14]. Ниже при
h наличие циркулирующих токов, вызванных ре веден краткий перечень основных проблем, возника
зонансом, обусловленным резонансным кон ющих при разработке ПХПАО.
денсатором на вторичной стороне, что приводит При некорректной разработке динамические ха
к рассеянию мощности в трансформаторе и си рактеристики ПХПАО могут вызвать проблемы,
ловом МДПтранзиторе; связанные с избыточным перенапряжением, насы
h перенапряжение на силовом МДПтранзисторе щением трансформатора или обратным восстанов
больше, чем в преобразовтелях в режиме ШИМ, лением диода схемы активного ограничителя.
что приводит к увеличению потерь на проводи В частности, если перед изменением входного на
мость. пряжения ПХПАО работает с большим коэффициен
Еще одним недостатком является постоянное вре том заполнения, а магнитный поток сердечника
мя запертого состояния транзистора, что затрудняет трансформатора сбалансирован, то Uвх D = UCогр (1 – D).
оптимизацию магнитных компонентов. Поскольку при изменении входного напряжения коэф
МРППНН с режимом ограничения (МРППНН фициент заполнения и напряжение на конденсаторе
РО). Схема прямоходового многорезонансного пре ограничителя UCогр мгновенно измениться не могут, ба
образователя с переключением при нуле напряжения ланс вольтсекунд нарушается, т. е. Uвх D > UCогр (1 – D).
и режимом ограничения (МРППННРО) показана В результате после изменения входного напряжения ток

Рис. 5. Схема МРП*ПНН Рис. 6. Схема МРП*ПНН*РО

10
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 11

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


намагничивания трансформатора начинает возрастать. жения на силовом ключе и наибольший КПД. ПХП
Увеличенная энергия намагничивания заряжает конден АО имеет следующие преимущества:
сатор, что приводит к повышению напряжения на кон h для размагничивания трансформатора не требу
денсаторе ограничителя. Этот переходный процесс ются дополнительная размагничивающая об
продолжается до тех пор, пока напряжение UCогр не дос мотка или диссипативный ограничитель;
тигнет величины, при которой произведение вольтсе h большее максимальное значение коэффициен
кунд приведет к неравенству Uвх D < UCогр (1 – D), и ток та заполнения позволяет его использование в
намагничивания начнет уменьшаться. Описанный про широком диапазоне входных напряжений или
цесс изменения напряжения на конденсаторе ограни применение обмоток с большим числом витков,
чителя можно рассматривать как колебательную что приводит снижению перегрузок по току на
характеристику резонансного контура, образованного первичной стороне и перенапряжений на вто
конденсатором ограничителя и индуктивностью намаг ричной.
ничивания трансформатора. h энергия рассеяния может накапливаться и реку
Кроме избыточного перенапряжения на силовом перировать в источник, что приводит в повыше
ключе первичной стороны и/или насыщения сердеч нию КПД и снижению уровня электромагнитных
ника трансформатора это может привести к отпира помех;
нию положительным током намагничивания h напряжение на силовом ключе ограничивается
внутреннего диода дополнительного ключа Sд в тот на контролируемом уровне, что позволяет ис
момент, когда отпирается основной ключ S1. Как пользовать силовые транзисторы с более низким
следствие, преобразователь может выйти из строя из допустимым напряжением;
за образования низкоимпедансного пути протекания h уровень перенапряжения на силовых ключах
тока через конденсатор ограничителя, внутренний практически постоянен во всем диапазоне из
диод дополнительного ключа Sд и основной ключ S1. менения входного напряжения, чего невозмож
но достичь в других однотранзисторных
Выводы структурах, где перенапряжение на силовом
ПХПRCD имеет самый низкий КПД вследствие ключе прямо пропорционально входному на
рассеяния энергии, накопленной в индуктивности пряжению;
рассеяния. Наибольшая величина перенапряжения на h формы напряжений и токов трансформатора
силовом ключе наблюдается у традиционных много позволяют использовать на вторичной стороне
резонансных преобразователей (может превышать синхронное переключение.
напряжение питания в четыре раза). Несмотря на то, Тем не менее, в отличие от остальных структур
что такой преобразователь работает с ППН, увеличен прямоходвых преобразователей, для реализации
ные потери на проводимость существенно снижают ПХПАО требуется большее число электронных
КПД МРП. Напротив, ПХПАО имеет наилучшие компонентов, дополнительный высоковольтный
характеристики – наименьшую величину перенапря ключ ограничителя на МДПтранзисторе и драйвер

а б

Рис. 7. Сравнение измеренных КПД (а) и перенапряжений (б) ПХП*АО и ПХП*RCD, ПХП*АО и МРП*ПНН, МРП*ПНН*РО

11
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 12

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


с гальванической развязкой и переменным коэф Switched MultiResonant Forward Converter. – High
фициентом заполнения для управления силовым Frequency Power Conversion Conference Proc., 1988,
ключом. pp. 309–318.
10. Li Q., Lee F. C. and Jovanovic M. M. Largesignal
Литература transient analysis of forward converter with activeclamp
1. Rudy Sevems. The history of the forward reset. – Proceedings of 29th Annual IEEE Power
converters. – Switching Power Magazine, Vol. 1, No. 1, Electronics Specialists Conference, PESC98, Fukuoka,
July, pp. 20–22, 2000. Japan, 1722 May 1998, Vol. 1, pp. 633–639.
2. Rudy Sevems and Ed Bloom. Modern DCtoDC 11. Qiong Li, Lee F. C., Jovanovic M. M. Design
SwitchedMode Power Conversion Circuits, pp. 130–135, considerations of transformer DC bias of forward converter
Van Nostrand Reinhold, 1985. with activeclamp reset. – Applied Power Electronics
3. N. Murakami and M. Yamasaki. Analysis of a Conference and Exposition, 1999. APEC ’99. Fourteenth
resonant reset condition for a singleended forward Annual, Volume 1, 1999, pp. 553–559, vol. 1.
converter. – IEEE PESC Record, pp. 1018–1023, 1988. 12. Li Q. and Lee F. C. Design consideration of the
4. C. S. Leu, G. Hua, F. C. Lee and C. Zhou. Analysis activeclamp forward converter with current mode control
and design of RCD clamp forward converter. – HFRC during largesignal transient. – Proceedings of 15th Annual
Proceedings, pp. 198–208, 1992. IEEE Applied Power Electronics Conference and
5. Bruce Carsten. High power SMPS require intrinsic Exposition, APEC00, New Orleans, Louisiana, 610
reliability. – Power Conversion International Proceedings, February 2000, Vol. 2, pp. 966–972.
pp. 118–133, 1981. 13. Li Q., Lee F. C. and Jovanovic M. M. Largesignal
6. Bruce Carsten. Design techniques for transformer transient analysis of forward converter with activeclamp
active reset circuit at high frequencies and power levels. – reset. – IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 17
HFRC Proceedings, pp. 235–245, 1990. Issue 1, Jan. 2002, pp. 15–24.
7. P. Vinciarelli. Optimal resetting of the transformers 14. Li, Q. Developing Modeling and Simulation
core in singleended forward converters. – US Patent Methodology for Virtual Prototype Power Supply System.
# 4,441,146, April, 1984. – Ph. D. Dissertation, VPI&SU, March, 1999.
8. ChingShan Leu, G. Hua, and F. C. Lee. Comparison
of Forward Topologies with Various Reset Scheme. –
VPEC Report, Feb., 1992. Дейнеко Дмитрий Сергеевич, начальник отдела маркетин2
9. W. A. Tabisz and F. C. Lee. A Novel ZeroVoltage га ЗАО “ММП2Ирбис”, тел.: 8(495) 987210216.

12
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 13

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

А. В. Лукин, Д. С. Дейнеко

ПРЯМОХОДОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СО СНИЖЕНИЕМ


ПУЛЬСАЦИЙ ВХОДНОГО ТОКА

Рассмотрен способ улучшения рабочих характеристик пря2 сеяния трансформатора, так и пульсациями входного
моходового преобразователя с активным ограничением пере2 тока. Для улучшения рабочих характеристик преобра
напряжения на силовом ключе за счет снижения величины зователя предложены два способа, основанные на ис
пульсаций входного тока и формирования встроенного вход2 пользовании ограничительного конденсатора и
ного узкополосного режекторного фильтра. индуктивности рассеяния трансформатора – снижение
пульсаций входного тока и формирование встроенного
Для решения проблем, присущих структуре пря входного фильтра.
моходового преобразователя, например, насыщение
сердечника трансформатора, выброс напряжения и Способы улучшения характеристик ПХП-АО
потери на переключение, предложено несколько Для улучшения рабочих характеристик прямохо
схем. Среди структур прямоходового преобразовате дового преобразователя, работающего в режиме
ля, рассмотренных в литературе, для преобразовате ШИМ, предлагаются два способа снижение пульса
лей постоянного напряжения малой и средней ций входного тока и встроенный фильтр за счет ис
мощности наибольшее признание получила структу пользования ограничительного конденсатора и
ра прямоходового преобразователя с активным огра индуктивности рассеяния трансформатора.
ничением (ПХПАО), поскольку она обеспечивает Введение конденсатора между первичными обмот
наибольший КПД и наименьшее перенапряжение на ками ПХПТ (рис. 1а) позволит обеспечить снижение
силовом ключе. уровня пульсаций. Схема прямоходового преобразо
Однако, для реализации ПХПАО требуется боль вателя со снижением пульсаций входного тока (ПХП
шее число электронных компонентов, дополнитель СПВТ) показана на рис. 1б. В отличии от ПХПТ
ный высоковольтный ключ на МДПтранзисторе для (рис. 1в) при использовании предлагаемого способа
реализации схемы ограничения и гальванически раз энергия индуктивностей рассеяния трансформатора
вязанный драйвер с переменным коэффициентом за (Lp1 и Lp3) может поглощаться при закрытом состоя
полнения, которые не требуются для других структур нии силового ключа S1. В результате будут устранены
прямоходвых преобразователей. выбросы напряжения на силовом ключе (рис. 1г).
В последнее время появилось много сведений о Число витков первичных обмоток w1 и w3 одина
том, что при неправильном расчете ПХПАО могут ково, следовательно при запертом состоянии силово
возникнуть проблемы, связанные с повышенным на го ключа
пряжением на силовом ключе, обратным восстанов
U w1 = U w3 . (1)
лением внутреннего диода ключа ограничителя или
насыщением сердечника трансформатора во время За счет того, что напряжения Uw1 и Uw3 имеют раз
переходных процессов при большом сигнале [1–2]. В ную полярность, конденсатор С1 заряжается до ве
результате многие вопросы проектирования суще личины входного напряжения Uвх, и напряжение на
ственно усложняются, что затрудняет обеспечение нем (UС1) ограничивается на этом уровне, что выте
оптимальных характеристик преобразователя. При кает из уравнения
отсутствии четкой методики проектирования ПХП
U C1 = U вх −U w1 + U w3 = U вх . (2)
АО в промышленности при его разработке часто
пользуются итерационными методами проб и оши Такая структура отличается от других конденсатор
бок, что существенно увеличивает время разработки ных структур ограничения. Например, напряжение на
и повышает ее стоимость. конденсаторе ПХПАО зависит от вольтсекунд
К тому же, понижающий преобразователь и схе трансформатора согласно соотношению
мы на основе его структуры имеют одно общее свой
DU вх nU вых
ство – пульсирующий входной ток. Проблемы, U C1 = = , (3)
вызываемые такой формой тока обычно решаются за 1− D 1− D
счет введения в схему внешнего LCфильтра. Такой где п – коэффициент трансформации.
фильтр не только занимает лишнее место, но и повы Таким образом, напряжение на конденсаторе яв
шает стоимость преобразователя. ляется функцией коэффициента заполнения и вход
Кроме устранения избыточного напряжения на си ного напряжения.
ловом ключе ПХПАО во время переходных процессов Напротив, из рис. 2 видно, что при предложенном
при большом сигнале, одновременно необходимо ре способе напряжение на конденсаторе ограничено
шить проблемы, вызванные как индуктивностью рас напряжением питания, изменение которого может

13
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 14

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


этом на первичной стороне ток протекает через L1, C1
и L3 (рис. 3). За счет индуктивности рассеяния пульса
ции входного тока могут быть снижены. В момент от
пирания силового ключа эта индуктивность играет
ключевую роль при снижении пульсаций входного тока.
При протекании тока через ключ S1 пульсации токов
определяются следующими выражениями
а б
i вых
ΔiS1 = = Δi вх + Δi C1 ; (4)
n

U вх Δt i вых Lp3
Δi вх = = ; (5)
в г
Lp1 Lp1 + Lp3

Рис. 1. Схемы: а – ПХПТ; б – ПХП*СПВТ. U вх Δt i вых Lp3


Напряжение Uси силового транзистора: а – ПХПТ; б – ПХП*СПВТ ΔiС1 = = , (6)
Lp3 Lp1 + Lp3
быстро отслеживаться как в статике, так и при пере где iвых – выходной ток преобразователя.
ходном процессе (рис. 2б). Распределение пульсаций зависит от отношения
Поскольку UС1 = Uвх, при открытом силовом ключе величин индуктивностей рассеяния Lp1 и Lp3 в выра
S1 ток нагрузки обеспечивается напряжением Uвх. При жении (5) и определяется как
Δi вх LL
= p3
. (7)
Δi C1 LL p1

Кроме предложенного способа снижения пульса


ций входного тока, в случае преобразователя в режи
ме ШИМ имеется возможность использования
встроенного узкополосного режекторного фильтра
для снижения уровня электромагнитных помех.
Способ образования встроенного узкополосно
го режекторного фильтра показан на рис. 4. Обра
зование начинается с перемещения цепи
ограничения S1–VD1–C1 (I) и формирования эк
а
вивалентной схемы (II). Затем компоненты схемы
перераспределяются по часовой стрелке из положе
ния w3–Lp3–C1 и располагаются в следующем по
рядке: С1–L p3–w3. Обмотки трансформатора w1 и
w3 можно соединить параллельно, поскольку они
имеют одинаковое число витков и полярность (III).
Наконец, обмотка w3 сливается с обмоткой w1, и
образуется структура ПХПСПВТ, эквивалентная
структуре прямоходового преобразователя с каска
дом внешнего фильтра (IV).

Анализ установившегося режима работы


Для объяснения принципа работы воспользуемся
ключевыми временными диаграммами – тока через

Рис. 2. Схема ПХП*СПВТ (а) и временные диаграммы при


скачкообразном изменении входного напряжения от 40 В до 60 В Рис. 3. Эквивалентная схема ПХП*СПВТ при открытом
(Lp1 = Lp1 = 540 нГн, С1 = 20,9 мкФ) силовом ключе

14
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 15

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 4. Образование встроенного узкополосного режекторного фильтра

силовой ключ iS1, входного тока iвх и тока через огра источником и ограничительным конденсатором обо
ничительный конденсатор iС1. значены как Δiвх и ΔiС1.
Для исследования снижения пульсаций в ПХП Полагая, что iнм << iвых, (iнм – ток намагничивания,
СПВТ воспользуемся свойством баланса заряда огра iвых – выходной ток), считаем, что через открытый си
ничительного конденсатора. Эквивалентные схемы ловой ключ S1 протекает ток, равный току нагрузки,
преобразователя и временные диаграммы при откры т. е.
том и запертом состояниях силового ключа приведе
I вых
ны на рис. 5а и б.На рис. 5в уровни токов через i вх + i C1 = iS1 = , (8)
силовой ключ iS1, входного тока iвх и тока через огра n
ничительный конденсатор iС1 на разных этапах рабо Когда силовой ключ S1 заперт, получаем
ты преобразователя обозначены как ia, ib и ic. Кроме
того, распределение пульсаций тока между входным i вх + iC1 = iS1 = 0 . (9)

б в

Рис. 5. Эквивалентные схемы ПХП*СПВТ при открытом (а) и закрытом (б) силовом ключе и ключевые временные диаграммы
(при балансе заряда А = В, ток через силовой ключ iS1 = iвх + iС1)

15
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 16

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


Используя баланс заряда и закон Фарадея можно ничительный конденсатор С1 имеет достаточно боль
количественно определить токи, ia, ib и iс. шую емкость, и напряжение на нем можно считать
Конденсатор С1 разряжается в нагрузку, когда си постоянным. Кроме того, считаем, что
ловой ключ S1 открыт и заряжается от входного ис
1
точника током ib, когда S1 закрыт. Применяя правило i нм << i вых , а f 0 = << f пер ,
баланса заряда А = В (рис. 5), получаем 2π Lр3C1
ia D = ib (1 − D ) . (10) где iвых – ток нагрузки, i нм – ток намагничивания,
В момент отпирания ключа S1 токи iвх и iС1 ли f0 – резонансная частота контура Lр3–С1, а fпер – час
нейно изменяются при напряжениях Uвх и UC1. Та тота переключений.
ким образом При установившемся режиме работы преобразо
I вых вателя можно выделить пять этапов работы (рис. 7).
Δi вх + Δi C1 = ; (11) Интервал [0–t1] (рис. 7а). Схема начинает работать
n
в момент t0, когда силовой ключ S1 заперт. До момен
i вых Lp3 та t0 энергия передавалась от входного источника пи
ic − ib = Δi вх = ; (12) тания, и заряжался конденсатор С1. Одна часть
n Lp1 + Lp3
выходного тока обеспечивалась током iС1 через обмот
i вых Lp1 ку w3, а вторая часть током iвх через обмотку w1. Та
ia + ib = ΔiC1 = . (13) ким образом, их сумма равна величине выходного
n Lp1 + Lp3
тока, приведенной к первичной стороне. Согласно
Согласно (12) и (13) пульсации Δiвх и ΔiС1 в большой (14) и (16) в момент времени t0
мере зависят от величины Lp1/Lp3. Чем больше величи
на этого отношения, тем меньшую величину будут иметь
пульсации Δiвх, что приведет к ослаблению интенсив
ности электромагнитных помех. Однако большая вели
чина Lp1/Lp3 вызовет увеличения действующего значения
тока через ограничительный конденсатор и перенапря
жения на силовом ключе. Кроме того в этом случае,
потребуется внешний дроссель или специальная схема
намотки трансформатора.
Из (10) и (13) можно получить следующие соотно
шения
Lp1 i вых (1 − D )
ia =
n (Lp1 + Lp3 ) ; (14) а

Lp1 i вых D
ib = . (15)
n (Lp1 + Lp3 )
Из (12) и (13) получаем
i вых (DLp1 + Lp3 )
ic = ib + Δi вх = . (16)
n (Lp1 + Lp3 )

Принцип действия ПХП-СПВТ


Схема прямоходового преобразователя со сниже
нием пульсаций входного тока (ПХПСПВТ) и клю
чевые временные диаграммы, поясняющие ее работу,
приведены на рис. 6. Первичная сторона преобразо
вателя состоит из силового ключа S1, ограничитель
ного конденсатора С1, ограничительного диода VD3
и трансформатора. Трансформатор включает в себя
две первичные обмотки w1 и w3 с одинаковым чис
лом витков и вторичную обмотку w2. Коэффициент
трансформации п = 1. Lp1 и Lр3 – индуктивности рас
сеяния. Для упрощения анализа полагаем, что индук
тивность выходного фильтра достаточно велика, и ее б
можно представить источником тока, равного по ве
Рис. 6. Схема (а) и основные временные диаграммы
личине току нагрузки Iвых. Также полагаем, что огра ПХП*СПВТ (б)

16
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 17

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


iвх = iLр1, iС1 = iLр3, iнм << iвых, изза недостатка энергии намагничивания. Конден
сатор С1 непрерывно заряжается, и напряжение UC1
i вых
i вх + i C1 = . (17) ограничивается на уровне Uвх. Перенапряжения как
n на транзисторе, таки на ограничительном диоде так
После того как в момент времени t0 транзистор зак же ограничены на уровне Uвх. В момент времени t3 по
рылся, обмотки w1, w2 и w3 закорачиваются, вслед
ствие отпирания диодов VD1 и VD2. В результате,
напряжения на индуктивностях Lр1 и Lр1 становятся
отрицательными, и токи iвх и iС1 начинают линейно
уменьшаться до прерывания приведенного тока на
грузки. Таким образом, на интервале t0 < t < t1) спра
ведливы следующие соотношения
U вых (t − t 0 )
i вх = i L p1 = ic − ; (18)
Lp1
а
U (t − t 0 )
i С1 = i L 3 = ia − вых . (19)
Lp3
Когда напряжение на силовом ключе достигает
значения 2Uвх, вынужденно отпирается ограничитель
ный диод VD3, и перенапряжение Uси на силовом клю
че S1 будет ограничено величиной 2Uвх. Таким образом
к обмоткам w1 и w3 соответственно приложены на
пряжения Uвх и UС1, и начинается процесс размагни
чивания сердечника трансформатора. В момент
времени t1 диод VD1 запирается, поскольку ток на
б
грузки циркулирует через диод VD2. При этом токи
iвх и iС1 определяются как
i вх = iL = ib ;
p1
(20)
iC1 = iL = −ib .
p3
(21)
Длительность интервала (t0–t1) можно рассчитать
по формуле
i вх Lр1Lр3
t1 − t 0 = . (22)
U вх (Lр1 + Lр3 )n в

Интервал [t1–t2] (рис. 7б). На этом интервале време


ни ток намагничивания протекает через диод VD3, за
счет чего обеспечивается размагничивание сердечника
трансформатора. Ток первичной обмотки iвх протекает
по цепи Lp1–w1–C1Lp3–w3. Поскольку напряжения об
моток w1 и w3 взаимно уничтожаются, так как имеют
противоположные полярности, конденсатор С1 заряжа
ется от входного источника питания Uвх. В момент вре г
мени t2 достигается нулевое значение величины средних
вольтсекунд трансформатора, и диод VD3 запирается.
На интервале времени t1 < t < t2 напряжение Uзи
ограничено величиной 2 Uвх:
U зи = 2U вх . (23)
Tоки iвх и iС1 связаны следующим образом
i вх = iL = ib = −iC1 = −iL .
p1 p3
(24)
Интервал [t2–t3] (рис. 7в). На этом интервале вре
мени напряжение Uси снижается вследствие резонан
са в контуре, образованном индуктивностью д
намагничивания и выходной емкостью МДПтранзи
Рис. 2.7. Эквивалентные схемы для этапов работы схемы на
стора VT1. При этом оно будет ограничено на уровне интервалах времени:
Uвх, поскольку обмотки трансформатора закорочены а – (t0–t1); б – (t1–t2); в – (t2–t3); г – (t3–t4); д – (t4–t0);

17
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 18

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


ступает сигнал на отпирание силового транзисторного В момент времени t0 силовой транзистор VT1 за
ключа. пирается, и начинается новый период переключений.
На интервале t2 < t < t3 напряжение Uси ограничено
на уровне Uвх: Снижение пульсаций входного тока
При отсутствии какоголибо эффективного ре
U си = U вх . (25)
шения для снижения пульсаций входного тока
Tоки iвх и iС1 связаны следующим образом ПХПАО к его схеме добавляется внешний входной
i вх = iL = ib = −iC1 = −iL . фильтр. В случае ПХПСПВТ проблема снижения
(26)
p1 p3
пульсаций входного тока решается внутри самого
Интервал [t3–t4] (рис. 7г). В момент времени t3 от преобразователя. До настоящего времени не были
пирается силовой ключ VT1. Токи в этот момент свя известны схемы однотранзисторных прямоходовых
заны согласно (26) преобразователей, позволяющие снизить пульса
ции входного тока при отсутствии внешнего вход
i вх = iL = ib = −iC1 = −iL . (27)
p1 p3
ного фильтра.
За счет того, что открылись диоды VD1 и VD2, об Выражения (12) и (13) определяют пульсации вход
мотки трансформатора w1, w2 и w3 закорочены. Та ного тока Δiвх и ΔiС1. На основе этих выражений мож
ким образом, к обеим индуктивностям рассеяния Lp1 но записать выражения для определения ключевых
и Lp3 приложено положительное напряжение, и токи величин схемы преобразователя:
iвх и iС1 линейно нарастают в соответствии с потреб
i вых
ностями нагрузки. Δi VT1 = ; (33)
На интервале t3 < t < t4 токи iвх и iС1 определяются n
следующими соотношениями i вых L3
Δi вх = ; (34)
U вх (t − t 3 ) n (L1 + L3 )
i вх = i L р1 = ib + ; (28)
Lp1
i вых L1
Δi C1 = ; (35)
U вх (t − t 3 ) n (L1 + L3 )
i C1 = i L р3 = −ib + . (29)
Lp3
i вых L3
В момент времени t4 Δi C = . (36)
вх
n (L1 + L3 )
i вых
i вх + i C1 = ic + ia =
. (30) Пульсации напряжения на конденсаторе ограни
n чителя ΔиС1 можно определить следующим образом
и диод VD2 запирается. Длительность интервала
i C1 Δt ia DTпер
[t3–t4] определяется соотношением ΔuC1 = = . (37)
C1 C1
i вых Lp1Lp3
t 4 − t3 = . (31) Согласно (2.14) ΔиС1 можно рассчитать следующим
U вх (Lp1 + Lp3 )n образом
Интервал времени [t3–t4] является временной за i вых L1 (1 − D ) DTпер
держкой между моментом отпирания МДПтранзис ΔuC1 = . (38)
nC1 (L1 + L3 )
тора, соединенного с первичной обмоткой, и
появлением напряжения на вторичной обмотке Полагая η ≅ 1; iвх = Uвыхiвых/Uвх; D = nUвых/Uвх;iвх =
трансформатора. При работе преобразователя этот = Diвых/n, рассчитаем действующее значение тока iСвх:
интервал периода переключений определяется, как – на интервале времени 0 < t < DTпер
потери коэффициента заполнения. Он повлияет на
i вых (1 − D )L3
стабильность выходных параметров, что приведет в i C = i вх − ia = ; (39)
снижению КПД преобразователя.
вх
n (L1 + L3 )
Интервал [t4–t0] (рис. 7д). Энергия передается от – на интервале времени DTпер < t < Tпер
входного источника Uвх и конденсатора С1 (UС1). Вход
i вых DL3
ное напряжение прикладывается к обмотке w1, а на iC = i вх − ia = − . (40)
пряжение конденсатора С1 – к обметке w3. Таким
вх
n (L1 + L3 )
образом, ток iС1 обеспечивает протекание выходного Действующие значения токов можно рассчитать по
тока через обмотку w3, а дополнительная часть вы следующим формулам
ходного тока обеспечивается током iвх через обмотку
w1. Таким образом, сумма этих токов равна току на i вых L1 D (1 − D )
iC1(д) = ; (41)
грузки, приведенному к первичной стороне n (L1 + L3 )

i вых i вых L3 D (1 − D )
i вх + i C1 = . (32) iC1(д) = . (42)
n n (L1 + L3 )

18
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 19

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


Встроенный узкополосный режекторный фильтр
1
Для исследования характеристик фильтра, обра f (min) = = f пер . (44)
зованного L1, L3 и С1 (рис. 8а) запишем выражение 2 π L3C1
для коэффициента передачи Uвых/Uвх Допустимое напряжение конденсатора находится
из следующих выражений:
1
2π f L3 − U си = U вх + U С1 ; (45)
uвых 2 π f C1
= , (43)
uвх 1 ΔuС1 L1i вых D (1 − D )
2π f L1 + 2π f L3 − U C1 max = U вх + = U вх + ; (46)
2 π f C1 2 2 nC1 f пер (L1 + L3 )
Графики коэффициента передачи для трех значе
L1i вых D (1 − D )
ний отношения L1/L3 приведены на рис. 8б. Из ри U си = 2U вх + . (47)
сунка видно, что коэффициент передачи имеет ярко 2 nC1 f пер (L1 + L3 )
выраженные максимум и минимум соответственно на Таким образом, емкость конденсатора рассчиты
частотах f(max) и f(min): вается как

f (max) =
1 1 L1 D (1 − D )i вых
; f (min) = . C1 = ⋅ . (48)
2π (L1 + L3 )C1 2π L3 C1 2(L1 + L3 ) n f пер (U си max − 2U вх max )
Поскольку обеспечение L1 ≅ L3 не требует допол Емкость конденсатора С1 является функцией сле
нительных усилий при разработке трансформатора, дующих параметров – частоты переключений (fпер),
разработка компонентов фильтра L1, L3 и С1 упро выходного тока (iвых), коэффициента заполнения (D)
щается обеспечением двух величин L1 = L3 и С1, кото и отношения индуктивностей рассеяния L1/( L1 + L3).
рые можно определить из выражения для определения После того, как определены технические характе
частоты режекции f(min). ристики преобразователя, максимальное перенапря
Форма входного тока ПХПСПВТ при отсутствии жение на силовом ключе и частота переключений
режекторного фильтра показана на рис. 9а, при его величины L3 и С1 рассчитываются с помощью выра
наличии на рис. 9б. Несмотря на то, что в обоих слу жений (44) и (48). Тем не менее, в таких преобразова
чаях амплитуды пульсаций тока одинаковы, входной телях возможно множество сочетаний величин
ток при наличии режекторного фильтра имеет более емкости конденсатора ограничителя и индуктивнос
гладкую форму, а не трапецеидальную. Основная гар ти рассеяния.
моника ослаблена на 20% (рис. 9в), что позволяет
уменьшить габариты входного фильтра.
Для обеспечения максимального ослабления час
тоту режекции необходимо выбирать равной частоте
переключений, т. е.

а б

в
б
Рис. 9. Формы входного тока ПХП*СПВТ при отсутствии (а) и
Рис. 8. Эквивалентная схема ПХП*СПВТ (а); коэффициент наличии (б) входного узкополосного режекторного фильтра
передачи узкополосного режекторного фильтра (б): (УПРФ) (б); спектральные составы входного тока (в)
1 L1 = L3; 2 L1 = 2L3; 3 L1 = L3/2 (УРФ – узкополосный режекторный фильтр)

19
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 20

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


Сравнение ПХП-СПВТ и ПХП-АО сеяния накапливается в ограничительном конденса
Схемы и пульсации входного тока (Δiвх) ПХПАО торе С1 и передается в нагрузку. Таким образом, в обо
и ПХПСПВТ показаны на рис. 10. ПХПСПВТ имеет их случаях энергия рассеяния эффективно
целый ряд преимуществ, по сравнению с принятым используется.
за основу ПХПАО. С учетом вольтсекунд трансформатора напряже
Сравнение спектральных составов сходных токов ние на ограничительном конденсаторе равно
ПХПАО и ПХПСПВТ приведено на рис. 11. Ослаб
U вх D
ление основной гармоники входного тока ПХП U C1 = .
СПВТ составляет более 20 дБ, а второй гармоники (1 − D )
–40дБ. Несмотря на то, что величина перенапряжения на
Поскольку оба входных тока носят импульсный силовом МДПтранзисторе для ПХПСПВТ и ПХП
характер, в преобразователь необходимо включить АО рассчитывается как
внешний LCфильтр. Из рис. 12а и б видно, что ток
U си = U вх + U C1 ,
входного конденсатора Свх (iCвх) содержит пульсации
входного тока (iвх). Таким образом, действующее зна напряжение на конденсаторе ПХПСПВТ и ПХПАО
чение тока ПХПСПВТ будет меньше, чем у ПХП различны. Для ПХПСПВТ максимальное перенапря
АО за счет меньшей величины амплитуды пульсаций. жение составляет Uси = 2 Uвх, вследствие того, что на
В результате в ПХПСПВТ можно использовать кон пряжение на конденсаторе ограничено величиной Uвх.
денсатор меньшей емкости, либо, в случае использо В случае ПХПАО напряжение на конденсаторе С1 яв

а в

б г

Рис. 10. Схемы ПХП*АО (а) и ПХП*СПВТ (в); формы входного тока: б – ПХП*АО; г – ПХП*СПВТ

вания одинаковых конденсаторов, будет меньшим его


нагрев.
Схема силовой части ПХПСПВТ показана на
рис. 13а. Поскольку L1 и L3 являются индуктивнос
тями рассеяния трансформатора, ПХПСПВТ и
ПХПАО (рис. 13б) имеют одинаковое число ком
понентов силовой части. Вместо активного ключа и
трансформатора с одной первичной обмоткой (ПХП
АО), ПХПСПВТ содержит пассивный ключ и транс
форматор с двумя первичными обмотками. Кроме
того, для ПХПАО требуется драйвер с гальваничес
кой развязкой с переменным коэффициентом запол
нения, что усложняет схему ПХПАО.
В ПХПАО энергия рассеяния накапливается в С1
и передается в источник питания для поддержания
Рис. 11. Спектральный состав входных токов
баланса заряда. Напротив, в ПХПСПВТ энергия рас ПХП*АО и ПХП*СПВТ

20
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 21

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б

Рис. 12. Структуры и формы токов: а – ПХП*АО; б – ПХП*СПВТ

б в

Рис. 13. Схемы ПХП*СПВТ (а) и ПХП*АО (б); напряжение сток*исток силового ключа при
скачкообразном изменении входного напряжения (в)
(Lнм = 80 мкГн, С1 = 0,015 мкФ – ПХП*АО; Lнм = Lр3 = 540 нГн, С1 = 20,9 мкФ – ПХП*СПВТ)

ляется функцией рабочего коэффициента заполнения напряжение на МДПтранзисторе, насыщение сердеч


и входного напряжения. Поскольку при уменьшении ника трансформатора и создает проблемы с обратным
коэффициента заполнения входное напряжение повы восстановлением диода активного ограничителя.
шается, напряжение стокисток остается приблизитель Из рис 13в видно, что при скачкообразном изме
но постоянным в определенном диапазоне изменения нении входного напряжения с 40 до 60 В перенапря
входного напряжения. Следовательно, в установившем жение на транзисторе в ПХПАО больше, чем в
ся режиме работы в ПХПАО обеспечивается наимень ПХПСПВТ.
шее перенапряжение на силовом ключе. Однако, при
переходных процессах в режиме большого сигнала, на Выводы
пряжение на конденсаторе увеличивается и существен Рассмотрены способы снижения пульсаций вход
но понижается. Такой колебательный характер ного тока и введения в структуру преобразователя
переходного процесса вызывает дополнительное пере встроенного узкополосного режекторного фильтра. С

21
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 22

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


помощью этих способов получена структура прямо Использование структуры ПХПСПВТ дает воз
ходового преобразователя со снижением пульсаций можность улучшить характеристики преобразовате
входного тока (ПХПСПВТ и рассмотрены принци лей, работающих в режиме ШИМ за счет применения
пы ее работы. ПХПСПВТ имеет целый рад преиму рассмотренных способов, позволяющих использовать
ществ, перечисленных ниже: индуктивность рассеяния трансформатора и конден
h достаточно простая схема, не требующая спе сатор ограничителя.
циальной синхронизирующей схемы управле
ния ключом, управляющим размагничиванием Литература
сердечника трансформатора; 1. Li Q., Lee, F. C. and Jovanovic M .M. Largesignal
h устранены выбросы напряжения, вызываемые transient analysis of forward converter with activeclamp
индуктивностью рассеяния трансформатора; reset. – Proceedings of 29th Annual IEEE Power
h напряжение на силовом ключе ограничено на Electronics Specialists Conference, PESC98, Fukuoka,
уровне напряжения питания как в установив Japan, 1722 May 1998, Vol. 1, pp. 633–639.
шемся, так и в переходном режимах; 2. Qiong Li, Lee F.C.; Jovanovic, M. M. Design
h уровень пульсаций входного тока снижен до ве considerations of transformer DC bias of forward converter
личины with activeclamp reset. – Applied Power Electronics
Conference and Exposition, 1999. APEC ’99. Fourteenth
i вых Lp3 Annual , Volume: 1, 1999, pp. 553–559.
Δi вх = ;
(Lp1 + Lp3 )n 3. Li Q. and Lee F.C. Design consideration of the active
clamp forward converter with current mode control during
h применение встроенного узкополосного режек largesignal transient. – Proceedings of 15th Annual IEEE
торного фильтра позволило снизить амплитуду Applied Power Electronics Conference and Exposition,
основной гармоники входного тока. APEC’00, New Orleans, Louisiana, 610 February, 2000,
Тем не менее, существует и ряд недостатков: Vol. 2, pp. 966–972.
• процесс размагничивания не оптимизирован, 4. Li Q., Lee F.C. and Jovanovic M. M. Largesignal
как например, в ПХПАО, а напряжение на си transient analysis of forward converter with activeclamp
ловом ключе первичной стороны выше при reset. – IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 17,
одинаковом коэффициенте заполнения; Issue: 1, Jan. 2002, pp. 15–24.
• максимальный коэффициент заполнения огра
ничен величиной 0,5;
• силовой ключ преобразователя работает в режи Дейнеко Дмитрий Сергеевич, начальник отдела маркетин2
ме жесткого переключения. га ЗАО “ММП2Ирбис”, тел.: 8(495) 987210216.

22
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 23

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Л. И. Цытович, О. Г. Брылина

МНОГОЗОННЫЕ ИНТЕГРИРУЮЩИЕ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ


КАСКАДАМИ “ВЕНТИЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ –
ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ МЕХАНИЗМ” ДЛЯ ОБЪЕКТОВ С
ПАРАЛЛЕЛЬНЫМИ КАНАЛАМИ РЕГУЛИРОВАНИЯ

Большинство насосных станций водоснабжения жилых сразу оговориться, что тип ВП (тиристорный пре
зданий и предприятий, систем воздухообмена и пожароту2 образователь постоянного тока, регулятор перемен
шения, электронагревательных установок, регуляторов ос2 ного напряжения, преобразователь частоты и т. д.)
вещенности и т. д. представляют собой системы управления определяется классом ИМ и для рассмотрения
с параллельными каналами регулирования (СПКР) [1, 2], где принципа действия данной и всех последующих
часть исполнительных механизмов, получающих электропи2 структур СПКР на базе МРП принципиального зна
тание от вентильных преобразователей (ВП) (тиристорные чения не имеет.
регуляторы переменного и постоянного напряжения, пре2 Базовая структура МРП [3] (рис. 1а) в включает в
образователи частоты, транзисторные широтно2импульс2 себя сумматоры S1, S2, интегратор И, а также нечет
ные преобразователи постоянного тока и пр.) являются ное число релейных элементов РЭ1–РЭn (п ≥ 3, 5, 7,
рабочими, а другая резервными. Для управления СПКР пер2 ...), выполненных с симметричными относительно ну
спективен метод многозонного регулирования [3], когда левого уровня порогами переключения |±b1| < |±b2| <
весь диапазон выходной координаты системы разбивается …< |±bn|, где индекс при “ b ” соответствует порядко
на несколько поддиапазонов (модуляционных зон) с плав2 вому номеру РЭ. Выходные сигналы РЭ меняются
ным регулированием в пределах одной зоны и дискретным дискретно в пределах ±А/п. Число модуляционных
регулированием в остальных поддиапазонах. В большин2 зон МРП равно k = (n + 1)/2 (рис. 1б). Режим автоко
стве случаев многозонное управление обеспечивает повы2 лебаний в МРП всегда возникает в тракте РЭ, имею
шенную точность регулирования и минимизацию щего наименьшее значение порогов переключения.
энергетических затрат на технологическом объекте. Одна2 При нулевом значении входного сигнала X ВХ
ко, многозонные системы управления с применением со2 РЭ2–РЭn находятся в противоположных по знаку вы
временных цифровых информационных регуляторов и ходного сигнала состояниях, что определяет работу
силовых преобразователей зачастую оказываются доста2 МРП в первой модуляционной зоне, ограниченной
точно сложными и требуют высокой квалификации обслу2 пределами ±А/п. В старших модуляционных зона со
живающего персонала. В этих у словиях необходимо стояния РЭ2–РЭn идентичны и в сумме равны +А или
находить разумный компромисс между простотой техничес2 –А, в зависимости от квадранта статической характе
кой реализации системы управления и ее тактико2техничес2 ристики Y0 = (–1)XВХ, где Y0 – среднее значение вы
кими показателями. Одним из таких направлений является ходного сигнала МРП; (–1) – знак инвертирования
построение СПКР на базе многозонных интегрирующих раз2 входного сигнала. Переход МРП из одной модуляци
вертывающих преобразователей (МРП) [4], сочетающих в онной зоны в другую определяется величиной сигна
себе достаточно высокую точность регулирования, помехо2 ла управления на его информационном входе XВХ (рис.
устойчивость, возможность в СПКР автоматического резер2 1б). При этом реализуется частотноширотноим
вирования каналов управления и простоту аппаратурного пульсная модуляция (ЧШИМ), когда интервалы дис
построения. Ниже рассматривается ряд принципов постро2 кретизации выходных импульсов t i1 , t i2 и T 0i
ения многозонных интегрирующих СПКР на базе МРП. оказываются зависимыми от величины сигнала управ
ления XВХ (рис. 1в). Среднее значение сигнала на вы
Теоретическая часть ходе сумматора Σ2 Y01…Y0i за период T0i для каждой
Многозонные системы с дискретным управлени модуляционной зоны линейно относительно XВХ.
ем. Структура простейшего варианта системы управ Рассматриваемая СПКР относится к классу диск
ления группой из четного числа параллельно ретных систем управления с числом каналов регули
работающих исполнительных механизмов ИМ с дис рования п – 1. Включение каналов регулирования
кретным регулированием (рис. 1а) содержит МРП, производится от ВП, например, тиристорных регуля
датчик обратной связи ДОС по регулируемому пара торов напряжения для “мягкого” пуска асинхронных
метру объекта управления ОУ, а также группу каска электродвигателей (ТРН), управляющие входы кото
дов “вентильный преобразователь (ВП) – рых подключаются к соответствующим выходам ре
исполнительный механизм (ИМ)”, каждый из кото лейных элементов РЭ2–РЭn МРП.
рых в пределах своего поддиапазона регулирования Принцип действия системы следующий. В началь
воздействует на объект управления ОУ. Здесь следует ный момент времени под действием сигнала задания

23
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 24

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


класса систем – простоты технической реализации и
ремонтопригодности.
Приведенная на рис. 2 система, предназначена для
дискретного управления группой из нечетного числа
ВП, и реализуется на основе МРП с четным числом
релейных элементов, спецификой которого являют
ся дополнительные кратковременные переключения
релейных элементов РЭ2–РЭn при его переходе из од
ной модуляционной зоны в другую [5]. Зачастую дан
ное обстоятельство является недопустимым, так как
приводит к ложным срабатываниям силовой аппара
туры и исполнительных механизмов.
В структуре на рис. 2 отмеченный недостаток МРП
с четным числом РЭ устраняется за счет введения ре
гистра памяти RG, устройства сравнения кодов УСК
и элемента задержки DL [6].
В установившемся режиме работы состояния ко
дов на входе и выходе RG идентичны, поэтому вы
ходной сигнал УСК и DL соответствуют логическому
“0”. При переходе МРП под действием сигнала рас
согласования в другую модуляционную зону, когда
Рис. 1. Структурная схема (а) дискретной системы управления
группой из четного числа каналов регулирования, временные возможны дополнительные переориентации РЭ, коды
диаграммы сигналов МРП (б) и его характеристики (в) на входе и выходе RG становятся различными. УСК
переходит в состояние логической “1”.
ХВХ МРП переводится в старшую модуляционную Однако перезапись нового кодового состояния РЭ
зону, когда, например, сигналом +А/п с выходов в RG производится с задержкой, формируемой с по
РЭ2–РЭn МРП включаются ВП2–ВПn. После запус мощью DL. Время этой задержки соответствует мак
ка ИМ2–ИМn с ростом значения выходной коорди симальной величине времени переходного процесса
наты ОУ возрастает уровень сигнала на выходе в МРП с четным числом РЭ. На практике данное зна
датчика обратной связи ДОС, и снижается величина чение выбирается порядка 2–5 с, что, с одной сторо
сигнала рассогласования на входе интегратора МРП. ны, гарантированно обеспечивает вход МРП в
Вследствие этого, МРП переходит в более младшую установившийся режим работы, а с другой для инер
модуляционную зону, когда выходной сигнал, напри ционных исполнительных механизмов является пре
мер РЭ2, становится равным –А/п, и ВП2 выключа небрежимо малой величиной.
ется. По мере увеличения сигнала рассогласования на После окончания задержки по времени на выходе
входе звена И, МРП вновь возвращается в старшую DL формируется “1”, и кодовые состояния релейных
модуляционную зону, и процесс повторяется. При элементов МРП переписываются в RG. В результате
этом величина максимальной ошибки регулирования ИМ каналов регулирования переходят во включенное
пропорциональна 0,5ХВХi, где 0,5ХВХi – амплитуда сиг
нала задания для iой модуляционной зоны МРП. По
этому рассмотренный класс системы регулирования
целесообразно применять в системах низкого класса
точности, где приоритетным началом является про
стота технической реализации и обслуживания всего
комплекса оборудования.
Ошибка регулирования может быть существенно
снижена путем введения канала с ЧШИМрегулиро
ванием, вход которого подключается к выходу РЭ1
(рис. 1а). В этом случае система будет иметь нечетное
число каналов регулирования по числу релейных зве
ньев МРП. Однако подобное решение, как правило,
требует обеспечения в МРП режима инфранизкочас
тотных автоколебаний, при котором исключались бы
частые повторнократковременные режимы работы
ИМ. Это, с точки зрения аналоговой электроники, для
ЧШИМ задача достаточно сложная. Реализация же
МРП на основе микропроцессорной техники и про
граммируемых контроллеров неизбежно приведет к Рис. 2. Структурная схема дискретной системы управления
потере одного из основных преимуществ данного нечетным числом каналов регулирования

24
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 25

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 3. Структурная схема комбинированной плавно*дискретной системы управления нечетным числом каналов регулирования на
основе многозонного интегрирующего развертывающего преобразователя

(или выключенное) положение только после оконча ся ВП в силу насыщенности их систем управления эле
ния переходного процесса в МРП. ментами микроэлектроники, оказывающихся достаточ
Многозонная система управления с комбинирован но чувствительными к сигналам внешних помех со
ным плавнодискретным регулированием. На объектах стороны информационного входа ВП и напряжения
с параллельными каналами часто применяется ком сети. В решении этой проблемы перспективны МРП,
бинированный метод регулирования, когда один ка обладающие свойством самодиагностирования и само
нал управляется, например, от преобразователя резервирования каналов преобразования информации
частоты (ПЧ), а остальные – с помощью ТРН. [9].
Структура подобной системы на базе МРП приве Упрощенный вариант саморезервирующейся си
дена на рис. 3. Ее отличие от системы на рис. 2 состо стемы для управления группой параллельно работа
ит в том, что в процессе плавного регулирования ющих ВП, например, ТРН и ИМ при n = 3 показан на
задействован РЭ1, на выходе которого включен де рис. 4.
модулирующий (сглаживающий) фильтр Ф, напри Она включает непосредственно МРП, а также,
мер, апериодический первого порядка. С его блоки З1, З2 логической функции “Запрет” и блоки
помощью выделяется среднее за интервал дискрети готовности системы к запуску БГ1, БГ2 на базе логи
зации значение выходных импульсов РЭ1, которое ческих элементов “ИЛИ”. Каналы “ВП1–ИМ1” и
пропорционально сигналу рассогласования на входе “ВП2–ИМ2” работают на общий объект ОУ. РЭ0 с
звена И. Функции силового преобразователя выпол наименьшим значением порогов переключения не
няет ПЧ, частота и амплитуда выходного напряжения принимает непосредственного участия в управлении
которого зависит от напряжения на его информаци исполнительной частью каналов регулирования. РЭ1,
онном входе. При этом канал плавного регулирова РЭ2 выполнены со стробирующим входом, при по
ния работает постоянно, а дискретные каналы в даче на который сигнала логической “1” с выхода БГ1
режиме “включено/выключено” в зависимости от
порядка модуляционной зоны и связанного с ним
знака выходных сигналов РЭ2–РЭi.
Многозонная система управления с автоматическим
резервированием каналов регулирования. Проблема диаг
ностирования работоспособности электронных систем
автоматического управления технологическими процес
сами и их автоматическое резервирование является од
ной из наиболее сложных технических задач ввиду
отсутствия однозначной связи между характером выход
ных сигналов элементов технологического комплекса
и фактом их работоспособности, что позволило бы ис
пользовать простые методы параметрического диагно
стирования [7, 8]. Применение же активных тестовых
методов контроля за состоянием системы управления,
как правило, не дает желаемого эффекта изза сложно
сти их технической реализации и отсутствия надежных
средств диагностирования непосредственно системы
диагностирования. При этом, как показывает практи Рис. 4. Структурная схема системы управления с автоматичес*
ка, наибольшей вероятностью отказов характеризуют ким резервированием каналов регулирования

25
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 26

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


или БГ2 соответствующий релейный элемент прину времени t0). Выходные сигналы РЭ1, РЭ2 взаимно
дительно удерживается в состоянии –А/3 (логичес компенсируются (рис. 5в, г), и автоколебательный ре
кий “0”). Пуск ВП производится сигналом +А/3 жим возникает в канале РЭ0 (рис. 5а, б, д). В резуль
(логическая “1”), воздействующим на его Свход че тате на выходе БД появляется логическая “1”, и
рез З1, З2. ВП1, 2 и механизмы ИМ1,2 содержат так происходит запуск ВП1. Если затем включить ВП2,
же комплекс селективных защит с выходами А1…Ai, θi состояние системы не изменится, так как на выходе
(максимально токовая и времятоковая защиты, нали РЭ2 будет присутствовать сигнал –А/3, соответству
чие напряжения силовой сети, перегрев подшипни ющий условию работы МРП в первой модуляцион
ков и т. д.). Срабатывание любой из защит ной зоне.
сопровождается появлением сигнала логической “1” В системе возможно одновременное подключение
на соответствующем из выходов А1…Ai, θι. к напряжению питания ВП1 и ВП2. Тогда в рабочем
Блок параметрической диагностики БД предназ состоянии может оказаться канал “ВП2–ИМ2”, а
начен для контроля за существованием в канале РЭ0 “ВП1–ИМ1” будет являться резервным.
МРП режима автоколебаний и выполнен на основе Рассмотрим поведение системы при возможных
последовательно включенных делителя частоты с ко отказах ее элементов, в частности, ВП (рис. 6).
эффициентом 2,0, пропорциональнодифференциру Предположим, что в момент времени t0 (рис. 6в)
ющего звена и демодулятора (выпрямителя) [8]. При произошло аварийное отключение ВП1 по причине
срыве в МРП автоколебательного процесса БД пере срабатывания какойлибо из его защит или исчезно
ходит в состояние “0” и блокирует работу системы в вения напряжения питания системы импульснофа
целом. зового управления. В этом случае хотя бы на одном
В дальнейшем считаем, что канал “ВП1–ИМ1” яв из входов БГ1 формируется “1”, что приводит к при
ляется рабочим, а “ВП2–ИМ2” – резервным. В этом нудительному переключению РЭ1 в положение –А/3
случае при п = 3 сигнал на входе МРП должен удов (фиг.”6в). На входе “С” ВП1 (рис. 4) сигнал задания
летворять условию ХВХ = 0. соответствует “0”. Это вызывает выключение ВП1 и
При включении МРП и выключенных ВП работа ИМ1. После этого МРП автоматически переходит на
РЭ1, РЭ2 блокирована сигналом “1” с выхода БГ1, поиск работоспособного канала управления.
БГ2 и они находятся в состоянии YP1(t) = YP2(t) = Под действием импульса –А (рис. 6д), сформиро
= –A/3 (рис. 5в, г). Выходной сигнал МРП ванным изза идентичного по знаку выходного напря
YВЫХ(t) = –A/3 (рис. 5д), что приводит к “насыщению” жения РЭ0РЭ2 (рис. 6б–г), сигнал на выходе
интегратора И, когда его выходной сигнал YИ(t) = +A интегратора И (рис. 6а) нарастает в положительном
(рис. 5а). В результате РЭ0 находится в состоянии направлении до тех пор, пока не будет выполнено ус
YР0(t)A = +A/3 (рис. 5 б). Режим автоколебаний в МРП ловие YИ(t) = +b0 и YИ(t) = +b2. После переориента
отсутствует, и выходной сигнал БД равен нулю, бло ции РЭ2 в состояние +А/3 (рис. 6г, момент t 2 )
кируя тем самым запуск ВП1, 2. произойдет подача на вход “С” ВП2 сигнала задания
Считаем, что первым включается ВП1. Тогда БГ1 и запуск резервного канала “ВП2–ИМ2”. На интер
переходит в “0”, и РЭ1 становится управляемым, пе вале t2 –t3 (рис. 6б, г) выходной сигнал БД не успевает
реключаясь в состояние +А/3 под действием выход достичь нулевого уровня изза кратковременного
ного сигнала интегратора И (рис. 5а, в, момент срыва автоколебательного режима в РЭ0, так как ча

Рис. 5. Временные диаграммы сигналов при последовательном Рис. 6. Временные диаграммы сигналов системы управления
включении каналов регулирования при отказах вентильных преобразователей

26
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 27

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


стота собственных автоколебаний МРП выбирается Структура автоматически резервируемой системы
на уровне нескольких кГц. с повышенной кратностью резервирования (рис. 7)
Таким образом, в предлагаемой системе управле [10], отличается наличием демодулирующего фильт
ния достигается автоматическое включение резерв ра Ф и фиксирующего элемента ФЭ в каждом из ка
ного канала регулирования и повышается надежность налов регулирования. Это позволяет использовать все
работы технологической установки в целом. Это обус релейные элементы для управления каналами регу
ловлено тем, что БГ1, БГ2 обеспечивают “введение” лирования объекта, что, в конечном итоге, повышает
ВП1, 2 в прямой канал замкнутого контура МРП по кратность резервирования СПКР.
логической функции “ИЛИ”, характеризующей сте Введение логических переменных от блока селек
пень готовности (или аварийного состояния) элемен тивных защит (блока готовности БГ) ВП и ИМ в зам
тов системы, первоначально находящихся вне этого кнутый контур МРП, блокируя при этом работу
замкнутого канала регулирования. В результате сис соответствующего релейного элемента и устанавли
тема приобретает свойства адаптации к аварийным вая его в состояние –А/п (логический “0”), произво
отключениям каналов “ВП1–ИМ1” и “ВП2–ИМ2” дится по аналогии с системой на рис. 4.
фактически так же, как это происходит непосред Условием запуска соответствующего канала регу
ственно в МРП [9]. Кратность резервирования может лирования системы, например, управляемого от РЭ1,
быть повышена за счет увеличения числа релейных является уровень сигнала рассогласования на входе
элементов МРП и каналов идентичных, например, И, при котором среднее значение импульсов YР1(t)
“ВП2–ИМ2”. превышает порог срабатывания ФЭ “с2” (рис.8б). При
Для повышения надежности систем низкой и сред этом фиксирующий компаратор переходит в логичес
ней точности целесообразно интегратор И и сумма кую “1” и запускает требуемый ВП. Если сигнал на
тор Σ2 реализовывать на пассивных элементах входе ФЭ меньше “с1”, последний переключается в
(RC”интегратор”, Rсумматор) с достаточным за “0”, и ВП с ИМ соответствующего канала регулиро
пасом по эксплуатационным параметрам, что позво вания переходят в режим выключения. Постоянные
ляет их считать “идеально” надежными элементами. времени фильтров модуля Ф должны выбираться та
То же относится и к пропорциональнодифференци ким образом, что амплитуда пульсаций сигналов YФi(t)
рующему звену и демодулятору БД. Как показывает не превышала бы зоны неоднозначности ФЭ.
практика, блоки З1, З2, БГ1, БГ2 желательно выпол Рассмотрим ситуацию, когда в работе находятся
нять на элементах релейной логики, которые менее, каналы ВП1–ИМ1 и ВП2–ИМ2, причем ВП1 управ
чем электронные компоненты подвержены влиянию ляется РЭ1, который находится в режиме автоколе
коммутационных помех со стороны питающего на баний (рис. 8а) и среднее значение его выходных
пряжения. В системах высокой точности контур ин импульсов превышает “с2”, а ТРН2 управляется ста
тегрирования МРП необходимо реализовывать на тически сигналом “+А/п” с выхода РЭ2 (рис. 8в).
базе нескольких параллельно включенных интеграто Предположим, что в момент времени t0 РЭ1 пере
ров [9]. шел в неуправляемое состояние –А/п (рис. 8а). На

Рис. 7. Структурная схема дискретной системы управления


нечетным числом каналов регулирования с повышенной Рис. 8. Временные диаграммы сигналов системы управления с
кратностью резервирования повышенной кратностью резервирования

27
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 28

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


чиная с момента времени t01 (рис. 8б), ИМ1 перехо Система, рассмотренная в работе [11], позволяет
дит в режим торможения. После этого режим автоко отключать неработающие каналы регулирования от
лебаний возникает в тракте РЭ, имеющего следующее источника электропитания, что повышает надеж
после РЭ1 минимальное значение порогов переклю ность работы технологической установки в целом.
чения, т. е. в РЭ2 (рис. 8в). При этом, учитывая тот
факт, что МРП является замкнутой системой, скваж Практическая часть
ность γ2 импульсов YР2(t) (рис. 5в) будет равна скваж Система дискретного управления группой электропри
ности γ1 ранее работающего РЭ1 (рис. 8а). В результате водов водяных насосов на основе регуляторов напряжения
сигнал YФ2(t) на выходе фильтра второго канала по для плавного пуска асинхронных электродвигателей. Фун
амплитуде окажется равным YФ1(t), и канал регулиро кциональная схема многозонной системы управления
вания ВП2–ИМ2 останется во включенном положе асинхронными электроприводами водяных насосов
нии. Замещение аварийно выключенного тракта гранбассейна шлакоплавильного цеха ОАО “Челябин
ВП1–ИМ1 произойдет одним из резервных каналов ский трубопрокатный завод” приведена на рис. 9.
благодаря интегратору И, который стремится мини Система содержит группу из четырех водяных насо
мизировать ошибку регулирования путем включения сов Н1–Н4, два из которых Н3, Н4 являются резервны
соответствующего релейного элемента и исполни ми. Управление исполнительными электродвигателями
тельных механизмов ВП–ИМ. мощностью 50 кВт производится от ТРН1–ТРН4, осу
Учитывая, что при последовательном замещении ществляющих их “мягкий” пуск. Каждый из ТРН снаб
РЭ1 другими релейными элементами МРП частота жен своим блоком готовности БГ, который формирует
автоколебаний падает, постоянные времени фильтров сигнал на разблокировку соответствующего релейного
Ф должны выбираться с запасом, гарантирующим, что элемента МРП при условии включенного состояния
при самой низкой частоте автоколебаний амплитуда ТРН и отсутствия факта срабатывания какойлибо из
пульсаций выходных сигналов Ф не превысит зоны его защит. В БГ вводится также сигнал защиты от пере
неоднозначности ФЭ. грева исполнительных механизмов М и Н (на рис. 9 не
Блок диагностики БД (рис. 7), контролирующий показаны). Обратная связь производится с помощью
исправное состояние МРП по факту работы РЭ1 в датчиков нижнего (ДНУ), верхнего (ДВК) и верхнего
режиме автоколебаний [13, 14], совместно со свето критического (ДВКУ) уровней воды, работающих в ав
диодным индикатором СИ введены в систему с це токолебательном режиме. Система диагностирования
лью оповещения обслуживающего персонала о СД осуществляет контроль над работоспособностью
возможной неисправности МРП, при которой режим МРП, ДНУ, ДВУ и ДВКУ параметрическим способом
автоколебаний передается на релейных элемент с бо по факту наличия в этих элементах режима автоколеба
лее высоким чем у РЭ2 значением “bi”. Это предуп ний. МРП содержит пять РЭ, причем РЭ2–РЭ5 под
реждает обслуживающий персонал о необходимости ключены к управляющим входам ТРН. Выходной
принятия мер по замене вышедшего из строя элемента сигнал РЭ1 поступает в СД. При неработоспособности
системы управления в период остановки технологи какоголибо из контролируемых элементов (недопусти
ческого процесса. мая аварийная ситуация на объекте) СД формирует сиг
Структура на рис. 7 может быть использована так нал принудительной установки релейных элементов
же для систем с плавным регулированием выходной МРП в состояние –А/п, при котором ТРН выключают
координаты, например, с использованием ПЧ. Для ся. Система отключается также и в том случае, если ока
этого из схемы исключаются ФЭ, а информационный зывается неисправным непосредственно СД или
вход ПЧ подключается непосредственно к выходу со уровень воды выше верхнего критического значения. В
ответствующего из фильтров блока Ф. состоянии, когда уровень воды превышает нижний пре

Рис.9. Упрощенная функциональная схема многозонной системы управления асинхронными электроприводами водяных насосов
гран бассейна на ОАО “Челябинский трубопрокатный завод”

28
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 29

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


дел, в работе находится М1. При срабатывании ДВУ за диться, например, в функции времени (интервало
пускается также М2. Оба механизма М1–Н1 и М2–Н2 временной алгоритм) [13], когда каждый из релейных
функционируют до тех пор, пока уровень воды не по элементов находится в зоне “±ВУ” равный промежу
низится ниже нижнего критического уровня, когда М1 ток времени, либо в функции числа переключений
и М2 отключаются. каждого из РЭ (числоимпульсный алгоритм) [14]. В
При срабатывании любой из защит происходит первом случае команда на перенос “1” в кольцевом
принудительный перевод соответствующего РЭ МРП регистре КР (рис. 11), под действием которой изме
в положение, при котором исполнительные механиз няется пороговый уровень РЭ, формируется от внеш
мы данного канала отключаются. После сканирова него таймера. При числоимпульсном алгоритме КР
ния интегратором МРП пороговых уровней РЭ связан с выходом МРП через счетчик переключений
происходит переориентация каналов регулирования, СП. В результате происходит эффект “вращения” тем
и неисправный тракт управления электропривода за пературного поля, снижающий ошибку регулирова
мещается работоспособным. Стоимость реконструк ния температуры по пространству помещения.
ции составила немногим более 400 тыс. руб. (в ценах Два приведенных примера активной “эстафеты” в
2009 г.). МРП далеко не исчерпывает всех возможных вари
За шесть лет функционирования рассмотренной антов ее организации. Например, можно сформиро
системы произошло два случая перехода на резерв вать алгоритм, при котором режим автоколебаний
ное регулирование. По оценкам обслуживающего будет передаваться от одного РЭ к другому в функ
персонала был предотвращен экономический ущерб ции температуры нагрева силовых ключей соответ
для предприятия на сумму порядка 30 млн. руб. ствующего вентильного преобразователя.
Пример построения на базе МРП системы управ Требуемый закон регулирования (пропорциональ
ления электроприводами водоснабжения жилого зда ный, интегральный, пропорциональноинтегральный
ния с автоматическим включением резервного канала и пр.) в рассмотренных системах реализуется непос
регулирования рассмотрен в работе [12]. редственно на основе МРП, причем схемотехника
Система “эстафетного” управления группой элек таких регуляторов практически не отличается от из
тронагревателей. Суть активного “эстафетного” ме вестной из теории аналоговых операционных усили
тода регулирования заключается в следующем. Режим телей [15].
автоколебаний в МРП всегда возникает в канале РЭ, Принцип многозонной модуляции весьма эффек
имеющего наименьшее значение порогов переключе тивен также при построении высокоточных стабили
ния. Поэтому в исходном состоянии релейные эле зированных источников электропитания [16, 17].
менты настраиваются так, как это показано на рис. 0
для t = 0. При этом вводится вакантный уровень Выводы
“±ВУ”, величина которого меньше значения любого 1. Многозонные интегрирующие преобразователи
из порогов переключения РЭ (рис. 10). позволяют эффективно решать проблемы управления
После этого пороги переключения каждого из РЭ на объектах с параллельными каналами регулирова
последовательно переводятся на уровень “±ВУ”, ния, обеспечивая простоту технической реализации
обеспечивая тем самым последовательный перенос системы с требуемой точностью регулирования.
режима автоколебаний с одного релейного элемента 2. Предложены структуры систем с дискретным и
на другой. При этом снижается ошибка регулирова плавнодискретным регулированием для четного и
ния и происходит “выравнивание” потерь на пере нечетного числа каналов регулирования. Разработан
ключения между ВП. способ блокирования ложных включений силового
Структурная схема системы управления инфра электрооборудования на стадии переходных процес
красными термоэлектронагревателями (ТЭН) произ сов в МРП с четным числом релейных элементов.
водственного помещения приведена на рис. 11. 3. Впервые предложены структуры дискретных
Организация “эстафетного” режима может произво и плавнодискретных систем управления на базе

Рис. 11. Структурная схема системы управления термонагрева*


Рис.10. Диаграммы МРП с активным “эстафетным” алгоритмом телями с активным «эстафетным» алгоритмом переключения
переключения релейных элементов при n = 3 вентильных преобразователей

29
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 30

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


МРП, обладающие свойством самодиагностирова СССР, 1986, № 3, C. 119–125.
ния и автоматического резервирования каналов ре 9. Цытович Л.И. Многозонный развертывающий
гулирования. преобразователь с адаптируемой в функции неисправ
4. Рассмотрены методы “эстафетного” управления ности активных компонентов структурой // Прибо
каналами регулирования МРП, повышающие точ ры и техника эксперимента. – М.: АН СССР, 1988.
ность работы системы управления и обеспечивающие №1. C. 81–85.
снижение энергозатрат на объекте. 10. Пат. 2312452 Российская Федерация, МПК
5. Приведены примеры промышленных систем Н02Р5/46. Систем управления группой электроприво
управления на базе МРП, доказавшие на практике дов водяных насосов / Цытович Л. И., Терещина О. Г.,
перспективность и эффективность многозонной мо Дудкин М. М. – № 2006119760; заявл. 05.06.06; опубл.
дуляции на объектах с параллельными каналами ре 10.12.07, Бюл. № 34. – 12с.
гулирования. 11. Цытович Л. И. Многозонная система управле
ния группой электроприводов с автоматическим пе
Литература реводом силового электрооборудования в режим
1. Андронов А. Л. Энергосбережение в системах во холодного резерва / Л. И. Цытович, О. Г. Терещина //
доснабжения средствами частотного регулирования Вестник ЮУрГУ, серия “Энергетика”. – Челябинск:
электропривода / А.Л. Андронов // Электроэнергия Издво ЮУрГУ, 2005г., Вып.6, № 9, С. 97–99.
и будущее цивилизации: материалы международной 12. Цытович Л. И. Система управления асинхрон
науч. техн. конф. – Томск: ТПУ, 2004, С. 251–253. ным электроприводом водоснабжения жилого здания
2. Беккер А. Системы вентиляции: справочник / с автоматическим резервированием каналов регули
А. Беккер; пер. с нем. Л. Н. Казанцевой, под ред. Г. рования / Л. И. Цытович, О. Г. Терещина, М. М. Дуд
В. Резникова.– М.: Техносфера: Евроклимат, 2005. кин // Проблемы энергетики. Известия высших
– 229 с. учебных заведений: сб. науч. тр. – Казань, 2005, №5–
3. А.с. 1336039 СССР, G06G7/12. Многозонный 6, С. 47–52.
развертывающий преобразователь / Л. И. Цытович. 13. А.c.1446630 СССР, G06G7/12. Развертываю
– № 4058307/24; заявл. 19.02.86; опубл. 03.04.87, Бюл. щий преобразователь / Цытович Л. И. (CCCР).–
№ 25. № 4176683/24; Заявлено 06.01.87; Опубл. 23.12.88.,
4. Терещина О. Г. Многозонные частотноширот Бюл. № 47.
ноимпульсные преобразователи для управления 14. А.c. 1336039 СССР, G06G7/12. Многозонный раз
группой параллельно работающих электроприводов вертывающий преобразователь / Цытович Л. И. (CCCР).
// XXVI Российская школа по проблемам науки и тех – № 4058307/24; Заявлено 19.02.86; Опубл.03.04.87 ,
нологии. Краткие сообщения. – Екатеринбург: УрО Бюл. № 25.
РАН, 2006, С. 289–291. 15. Гутников В. С. Интегральная электроника в
5. Цытович Л. И., Брылина О. Г. Многозонные измерительных устройствах. – Ленинград: Энерго
интегрирующие развертывающие преобразователи с атомиздат, 1988. – 303 с.
четным числом релейных элементов // Вестник ЮУр 16. Кобзев В. А. Многозонная импульсная модуля
ГУ, серия “Энергетика”. Вып. 5. – Челябинск: Изд ция: Теория и применение в системах преобразова
во ЮУрГУ, 2004, № 4, С. 69–72. ния параметров электроэнергии. – Новосибирск:
6. Пат. 2276449 Российская Федерация, МПК Н 02 Р Наука, Cиб. отделение, 1973. – 368 с.
5/46, Н 02 Р 1/54. Система управления группой элект 17. Кобзев В. А. Модуляционные источники пита
роприводов / Л. И. Цытович, О. Г. Терещина – № ния РЭА. – Томск: Радио и связь, 1990. – 35 c.
2005103075; заявл. 07.02.2005; опубл. 10.05.2006, Бюл.
№ 13. – 9с. Цытович Леонид Игнатьевич, зав. кафедрой «Электропри2
7. А.c. 1171813 СССР, G06G7/12. Развертывающий вод и автоматизация промышленных установок» Южно2Ураль2
преобразователь / Цытович Л.И., Кожевников В.А., ского государственного университета (ЮУрГУ, г. Челябинск),
Соколов А.В., Лазуко Л.А. (CCCР). – № 3716952/24; профессор, д.т.н., тел.: (82351) 2267293285, факс (82351)22672
Заявлено 29.03.84; Опубл. 07.08.85, Бюл. № 29. 96290, E2mail: tsli@susu.ac.ru;
8. Цытович Л. И., Кожевников В. А., Соколов А. В. Терещина Олеся Геннадьевна, к. т. н., доцент кафедры
Развертывающий операционный усилитель с автома «Электропривод и автоматизация промышленных установок»
тическим резервированием каналов передачи инфор Южно2Уральского государственного университета, тел.:
мации // Приборы и техника эксперимента. – М.:АН (82351) 2267293221, факс (82351)2267296290, teolge@mail.ru.

30
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 31

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

С. В. Аверин, М. А. Малышев

СРАВНЕНИЕ ОСНОВНЫХ СТРУКТУР ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ


ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ КОРРЕКЦИИ
КОЭФФИЦИЕНТА МОЩНОСТИ

При работе в режиме разрывных токов (РРТ) базовые величины, определенной на предыдущем периоде пе
структуры преобразователей постоянного напряжения обла2 реключений [2]. Дискретизация выходного напряжения
дают свойством коррекции коэффициента мощности (ККМ), обеспечивается пиковым значением тока дросселя ав
поскольку при подсоединении к выпрямителю сетевого напря2 томатически. Это свойство РРТ можно назвать “само
жения, они способны повысить коэффициент мощности за счет коррекцией коэффициента мощности”, поскольку при
внутренних особенностей своих структур. При этом для рабо2 этом не требуется контур обратной связи по входу. Это
ты в качестве корректоров коэффициента мощности в таких также является основным преимуществом, по сравне
преобразователях отсутствует необходимость введения об2 нию с ККМ, работающим в РНТ, где необходимы не
ратной связи по току. В статье рассмотрены возможности ба2 сколько контуров обратной связи. Однако при работе в
зовых структур преобразователей постоянного напряжения с РРТ входной дроссель не может удерживать избыточ
точки зрения присущих им возможностей коррекции коэффи2 ную входную энергию, так как должен сбрасывать всю
циента мощности. Проведено сравнение их входных характе2 накопленную энергию до окончания каждого периода
ристик и рассмотрены обеспечиваемые ими формы входных переключений. В результате для обеспечения баланса
токов. мгновенных значений входной и выходной мощностей
возникает необходимость использования конденсато
Как правило, для повышения коэффициента мощ ра большой емкости и габаритов. Кроме того, при ис
ности преобразователя электроэнергии разрабатыва пользовании РРТ входной ток представляет собой
ется схема коррекции коэффициента мощности, последовательность импульсов треугольной формы с
которая размещается на входе преобразователя, пи практически постоянным коэффициентом заполнения.
тающего нагрузку. Такая схема ККМ может быть как В этом случае для сглаживания пульсаций входного тока,
независимым отдельным устройством, за которым т. е. обеспечения его непрерывности, необходим вход
следует преобразователь, либо встроена непосред ной фильтр. Совершенно очевидно, что получение вы
ственно на вход преобразователя. Сеть является ис соких значений коэффициента мощности среднее
точником напряжения, которое не будет искажаться значение импульсного тока должно повторять форму
при синусоидальной форме потребляемого тока. Та входного напряжения и совпадать с ним по фазе.
ким образом, основная идея введения определенны Все основные структуры преобразователей по
ми способами ККМ в преобразователь постоянного стоянного могут обеспечить работу в РРТ. Однако
напряжения – это обеспечение повторения потреб при подаче на них выпрямленного напряжения
ляемым током формы напряжения сети. формы среднего потребляемого от сети тока могут
Однако существует несоответствие между мгно отличаться. В статье рассмотрены следующие
венными значениями входной мощности ККМ, ко структуры преобразователей: понижающего, повы
торая изменяется с удвоенной частотой сети, и шающего, понижающеповышающего, обратнохо
постоянной выходной мощности. Следовательно, дового, прямоходового, Кука, SEPIC и Zeta.
принцип действия ККМ состоит в том, что ККМ Результаты анализа показали, что только не все из
должен накапливать избыточную энергию на вхо них пригодны для применения в качестве коррек
де, когда мгновенная мощность нагрузки превыша торов коэффициента мощности.
ет входную, и отдавать накопленную энергию, когда
мгновенная мощность на входе меньше выходной. Входные вольт-амперные характеристики
Для обеспечения такого процесса в схеме ККМ дол основных структур преобразователей
жен присутствовать хотя бы один накопительный Для исследования использования возможностей
элемент. “самокоррекции коэффициента мощности” сначала
В большинстве схем ККМ к выходу мостового вып рассмотрим входные вольтамперные характеристи
рямителя подключается дроссель. В силу естественной ки структур преобразователей постоянного напряже
непрерывности тока дросселя такое соединение обыч ния. Вследствие того, что входные токи этих
но называют “управляемое током” [1]. Входной дрос преобразователей при работе в РРТ носят импульс
сель может работать в режимах как непрерывного тока ный характер, рассматривать будем только средние
(РНТ), так и разрывного тока (РРТ). В РРТ дроссель не значения входных токов. Поскольку частота переклю
является переменной состояния, поскольку его состоя чений во много раз превосходит частоту сети, при
ние на заданном периоде переключений не зависит от мем, что за один период переключений напряжение

31
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 32

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


сети не изменяется. В установившемся режиме рабо средний входной ток за один период переключений
ты при постоянстве напряжения сети изменения ко определяется выражением
эффициента заполнения незначительны. Таким
образом, при рассмотрении входных характеристик 1 ⎡ DTпер u1 (t ) −U вых ⎤
i1 ср (t ) = ⎢ ⋅ DTпер ⎥ =
считаем коэффициент заполнения постоянным. Для Tпер ⎣ 2 L ⎦
анализа воспользуемся следующими величинами: (1)
D 2Tпер
u1(t) = U1msin ω1t – напряжение сети; = [u1 (t ) −U вых ],
i1(t) – ток сети; 2L
u1(t) – выпрямленное напряжение сети; где L – индуктивность дросселя (рис. 1а).
i1(t) – выпрямленный ток сети; Из рис. 1в видно, что входная вольтамперная харак
i1ср(t) – среднее значение выпрямленного тока сети; теристика преобразователя представляет собой прямую
Uвых – выходное постоянное напряжение; линию, которая не проходит через начало координат.
ω1 – круговая частота сети; Когда выпрямленное напряжение сети u1(t) меньше
Т1 – период сети; выходного напряжение Uвых, входной ток отрицателен.
Тпер – период переключений; Такой режим невозможен, поскольку отрицательный
D – коэффициент заполнения; ток не может протекать через выпрямитель. Таким об
D1 – коэффициент заполнения времени разряда разом, в окрестности точки пересечения сетевым напря
входного дросселя. жением нулевого значения входной ток равен нулю
Понижающий преобразователь. Базовая структура (рис. 1в). Фактически, искажения входного напряже
и форма входного тока при работе в РРТ по казаны ния возникают просто потому, что понижающий пре
на рис. 1а и б соответственно. Можно показать, что образователь может работать только при условии, что
входное напряжение превышает выходное. Следова
тельно, понижающий преобразователь не является под
ходящим для коррекции коэффициента мощности при
работе в режиме разрывных токов.
Повышающий преобразователь. Базовая структу
ра повышающего преобразователя и его входной ток
показаны на рис. 2а и б соответственно. Входную
вольтамперную характеристику повышающего
преобразователя можно описать следующим выра
а жением:

1 ⎡ (D + D1 )Tпер u1 (t )D ⎤
i1ср (t ) = ⎢ ⋅ ⎥=
Tпер ⎣ 2 L ⎦
(2)
D 2Tпер u1 (t )U вых
= ⋅ .
2L u1 (t ) −U вых

Графическое отображение выражения (2) – это


б входная вольтампперная характеристика повышаю
щего преобразователя. Видно, что до тех пор, пока вы
ходное напряжение превышает до некоторой степени
максимум входного напряжения (что зависит от D1),
связь между и1(t) и i1ср(t) практически линейна. При
соединении с сетью он будет потреблять практичес
ки синусоидальный ток (рис. 2в).
Из выражения (2) видно, что основная причина
нелинейности – наличие D1. В идеале, если D1 = 0,
входная вольтамперная характеристика будет линей
ной. На практике для уменьшения коэффициент за
полнения времени разряда входного дросселя D1 при
соответствующей конфигурации схемы для обеспече
ния разряда входного дросселя к нему прикладывают
напряжение, превышающее величину Uвых [3].
в В силу рассмотренных выше особенностей повы
шающий преобразователь больше других преобразо
Рис. 1. Понижающий преобразователь в РРТ:
а – структура; б – форма входного тока;
вателей подходит для коррекции коэффициента
в – входная вольт*амперная характкеристика мощности [3–5]. Однако необходимо помнить, что

32
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 33

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


корректная работе его обеспечивается только тогда, тивности дросселя (D1). Входная вольтамперная харак
когда выходное напряжение превышает входное. Если теристика преобразователя, а также формы входного
возникает необходимость в низком напряжении, не напряжения и тока показаны на рис. 3в. Более того, по
обходимо к выходу ККМ на основе повышающего скольку выходное напряжение преобразователя может
преобразователя подключать понижающий. быть как больше, так и меньше входного, имеется пол
Понижающееповышающий преобразователь. Базо ная возможность использования его в РРТ для коррек
вая структура понижающееповышающего преобра ции коэффициента мощности. Таким образом,
зователя показана на рис. 3а. Усредненный входной теоретически понижающеповышающий преобразова
ток преобразователя можно определить, исходя из тель является наилучшим вариантом. Однако, к сожа
формы входного тока, показанной на рис. 3б: лению, его структура имеет два ограничения:
h выходное напряжение имеет противоположную
D 2Tпер полярность, т. е. входное и выходное напряже
i1ср (t ) =
u1 (T ) . (3)
2L ния не имеют общей земли;
С помощью выражения (3) задается идеальная ли h необходимость наличия “плавающего” драйве
нейная зависимость между i1ср(t) и и1(t), на основе кото ра силового ключа.
рой можно сделать вывод, что понижающе Первое ограничение существенно сужает область
повышающий преобразователь обладает исключитель применения такой структуры.
ным свойством самокоррекции. Этому способствует тот Обратноходовой преобразователь. Это преобразова
факт, что входной ток такого преобразователя никоим тель с гальванической развязкой. Структура обратнохо
образом не связан с периодом времени разряда индук дового преобразователя показана на рис. 4а, форма

а
а

б б

в в

Рис. 2. Повышающий преобразователь в РРТ: Рис. 3. Понижающее*повышающий преобразователь в РРТ:


а – структура; б – форма входного тока; а – структура; б – форма входного тока;
в – входная вольт*амперная характеристика в – входная вольт*амперная характкеристика

33
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 34

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


входного тока на рис.4б. Выражение, связывающее вход делают использование в устройства ККМ, работаю
ное напряжение и ток, аналогично выражению (3) для щих в РРТ, наиболее предпочтительным [8].
понижающеповышающего преобразователя: Прямоходовой преобразователь. Структура пря
D 2Tпер моходового преобразователя показана на рис. 5а.
i1ср (t ) = u1 (T ) , (4) Для предотвращения насыщения сердечника транс
2Lнм форматора необходима третья обмотка для размаг
где Lнм – величина индуктивности намагничивания ничивания трансформатора. Когда прямоходовой
выходного трансформатора. преобразователь подключен к сетевому выпрями
Таким образом, этот преобразователь имеет ана телю, тока размагничивания, протекающий по тре
логичную предыдущему входную вольтамперную ха тьей обмотке, блокируется диодами выпрямителя.
рактеристику и, как следствие, формы входного Таким образом, прямоходовой преобразователь не
напряжения и тока, аналогичные формам понижаю пригоден для работы в режиме ККМ.
щеповышающего преобразователя (рис. 4в). Преобразователи Кука, SEPIC, Zeta. Можно пока
По сравнению с понижающеповышающим пре зать, что входные вольтамперные характеристики
образователем обратноходовой преобразователь име преобразователей Кука, SEPIC Zeta, структуры кото
ет все те же преимущества, но без ограничений. Более рых приведены на рис. 6, одинаковы. Каждая из
того, он позволяет обеспечить гальваническую раз структур содержит два дросселя, один из которых раз
вязку входного и выходного напряжений. Эти досто мещен на входе, а другой на выходе. Рассмотрим слу
инства структуры обратноходового преобразователя чай, когда входной дроссель работаев в РРТ, а
выходной в РНТ. Исследуем входные вольтампер
ные характеристики этих преобразователей на при
мере преобразователя Кука. Полученные результаты
будут полностью соответствовать результатам для пре
образователей SEPIC и Zeta.
Временные диаграммы токов входного дросселя
(входного тока), выходного дросселя и тока через кон
денсатор С для преобразователя Кука (рис. 6а) пока
заны на рис. 7а. Предположим, что выходной ток
равен Iвых. С учетом принципа равновесия зарядов, для
а установившегося ежима работы получим
2L1I вых
D1 = . (5)
Tпер u1 (t )
При этом средний входной ток будет определяться
соотношением
D 2Tпер
i1ср (t ) = u1 (t ) + I вых D . (6)
2L1
б

в
б
Рис. 4. Обратноходовой преобразователь в РРТ:
а – структура; б – форма входного тока; Рис. 5. Структура прямоходового преобразователя (а) и форма
в – входная вольт*амперная характкеристика входного тока (б)

34
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 35

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

б
в
Рис. 7. Преобразователь Кука:
Рис. 6. Базовые структуры преобразователей: а – типовые формы токов;
а – Кука; б – SEPIC; в – Zeta б – входные вольт*амперные характеристики при работе в РРТ

Таблица 1

35
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 36

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


На основе выражения (6) построена входная вольт Correction. – Ph. D. Thesis, Univ. of Illinois, Chicago,
амперная характеристика преобразователя Кука August’91.
(рис. 7б). Согласно этой характеристике получена 2. S. Cuk. Modeling, Analysis , And Design of Switching
форма входного тока, соответствующая синусоидаль Converters. – Ph. D. Thesis, California Inst. of Tech., 1977.
ному входному напряжению. Видно, чтоб форма вход 3. Peter Kornetzky, Huai Wei, Guangyong Zhu and Issa
ного тока сильно искажена. Следовательно, Batarseh. A Single Switch AC/DC Converter with Power
преобразователь Кука не обладает хорошим свой Factor Correction. – Electronic Letters, Dec. 1997, vol.
ством самокоррекции коэффициента мощности. Этот 33, No 25, pp. 2084–2085.
вывод применим также к преобразователям SEPIC и 4. J. Qian, I. Batarseh and M. Eshani. Analysis and Design
Zeta. of a ClampMode Isolated ZeroVoltage Switching Doost
Converters. – IEEE APEC’95 Proc., pp. 1201–1206.
Выводы 5. R. Redl. Reducing Distortion in Boost Rectifiers with
Из всего вышесказанного можно сделать вывод, Automatic Control. – IEEE APEC’97 Proc., pp. 74–80.
что базовая структура повышающеего преобразова 6. Y. Jiang, and F. C. Lee. Single Stage SinglePhase
теля, а также структуры обратноходового и понижа Parallel Power Factor Correction Scheme. – IEEE
ющеповышающего преобразователей обладают APEC’94 Proc., pp. 1145–1151.
свойством самокоррекции коэффициента мощности. 7. R. Watson, G. C. Hua, and F. C. Lee. Characterization
Для коррекции коэффициента мощности в РРТ осо of an Active Clamp Flyback Topology for Power Factor
бенно подходят обратноходовой и понижающеепо Correction Applications. – IEEE APEC’94 Proc.,
вышающий преобразователи. Следовательно при pp. 412–418.
необходимости коррекции коэффициента мощности, 8. R. Erickson, M. Madigan, and S Singer. Design of a
разработчики должны отдавать предпочтение этим HighPowerFactor Rectifier Based on the Flyback
преобразователям. Остальные структуры могут быть Converter. – IEEE APEC’90 Proc., pp. 792–801.
использованы только в случае модификации (линеа
ризации) их входных вольтамперных характеристик,
либо при работе в режиме непрерывных токов. Ха
рактеристики рассмотренных преобразователей при
ведены в таблице 1. Аверин Сергей Владимирович, к. т. н., доцент кафедры
“Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел. 8(499)
Литература 158245259, e2mail: acb@starlink.ru;
1. R. Lui. Analysis and Design of HighOrder Resonant Малышев Максим Алексеевич, инженер кафедры “Микро2
Converters and a Unified Approach to Power Factor электронных электросистем” МАИ, . 8(499) 158245259.

36
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 37

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Ю. Г. Следков, И. Н. Соловьев

СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИНВЕРТОРОМ НАПРЯЖЕНИЯ В


РЕЖИМЕ ШИМ

Рассмотрена схема ШИМ с высоким разрешением на осно2 способы включают ШИМ с равномерным квантова
ве таблицы преобразования (ТП). Процессор и таблица исполь2 нием [2, 3], дельта модуляцию [4, 5], селективное ис
зуются для расширения суммарного рабочего диапазона при ключение гармоник [6], ШИМ с равномерным
условии использования ограниченного объема памяти. Коэффи2 квантованием и селективным исключением гармоник
циент заполнения импульсов ШИМ для трех фаз рассчитывает2 [6, 8], ШИМ с равномерным квантованием и мини
ся процессором для заданной глубины модуляции и частоты один мизацией гармоник [8], пространственновекторная
раз за период несущей частоты, а последовательности импуль2 ШИМ [9]. В случае ШИМ с равномерным квантова
сов в режиме ШИМ формируются тремя схемами стираемых нием формируется последовательность импульсов
программируемых ПЗУ (СППЗУ). Работоспособность схемы про2 одинаковой частоты, длительность которых промо
верена с помощью макета трехфазного инвертора с силовыми дулирована по синусоидальному закону. Спектраль
ключами на основе МДП2транзисторов. Рассмотренная схема ный состав такого напряжения зависит от несущей
позволяет формировать сигналы ШИМ с высоким разрешением частоты. Промежуточными гармонические состава
в широком рабочем диапазоне при оптимальной потребности в ми можно пренебречь в силу природы процесса мо
схемах памяти. Как частота, так и глубина модуляции могут из2 дуляции. За счет выбора достаточно высокой несущей
меняться в диалоговом режиме, не оказывая влияния на работу частоты для подавления высших гармоник необходим
схемы. Представлены принципы разработки и результаты испы2 небольшой фильтр. В случае селективного подавле
таний. ния гармоник частота импульсов также постоянна, а
моменты переключений определяются аналитически
Современные инверторы управляются с помо по номерам определенных исключаемых гармоник.
щью способа широтноимпульсной модуляции Этот способ требует большого объема вычислений,
(ШИМ). Режим ШИМ можно реализовать, исполь которые, как правило, производятся заранее. ШИМ
зуя микропроцессор, устройства вводавывода с равномерным квантованием и минимизацией гар
(УВВ) и программируемые таймеры. Существуют моник аналогична ШИМ с равномерным квантова
целый ряд различных схем управления инвертора нием, но в этом случае третья гармоника намеренно
ми в режиме ШИМ. В схемах на основе таблиц пре вводится в модулирующее синусоидальное напряже
образования (ТП) коды ШИМ рассчитываются для ние. Этот способ поддерживает линейную перемоду
всего периода основной гармоники и сохраняются ляцию и пригоден для высоковольтных устройств.
в СППЗУ. Необходимый для заданных частоты и При селективном исключении гармоник с равномер
глубины модуляции код выбирается с помощью ным квантованием момент переключения по передне
процессора. В прошлом такие схемы были отверг му фронту импульсов рассчитывается, согласно
нуты вследствие потребности в памяти большого модулирующему сигналу, а момент переключения по
объема и стоимости. В схемах ШИМ на основе мик заднему фронту согласно сдвинутому модулирующе
ропроцессора коды ШИМ рассчитываются в режи му сигналу, что позволяет получить последователь
ме онлайн. Импульсы в реальном масштабе времени ность импульсов с улучшенным спектральным
формируются с помощью программируемых тайме составом.
ров и УВВ [1]. Такие схемы ограничивают рабочий
диапазон при использовании их в электроприводах Определение моментов переключений
и требуют высокоскоростных процессоров для фор последовательности импульсов режима ШИМ
мирования импульсов ШИМ в широком рабочем Импульсы в режиме ШИМ должны формиро
диапазоне. В статье рассмотрена схема ШИМ на ваться таким образом, чтобы их длительности из
основе ТП, в которой процессор и ТП используют менялись в соответствии с высотой модулирующего
ся для расширения рабочего диапазона и снижения сигнала в момент дискретизации. Среднее значение
объема требуемой памяти. Изменение частоты и импульса ШИМ за период меняется в соответствии
индекса модуляции в реальном времени осуществ с длительностью импульса. Таким образом, дли
ляется без ухудшения характеристик схемы. тельность импульса рассчитывается с учетом того,
что среднее значение напряжения импульса за пе
Широтно-импульсная модуляция риод равно величине модулирующего напряжения
В литературе описан целый ряд способов управ в момент квантования. Дискретизация синусои
ления напряжением, частотой и спектральным соста дального модулирующего сигнала на равных интер
вом напряжения инвертора в режиме ШИМ. Эти валах показана на рис. 1. Напряжение импульса

37
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 38

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


При замене ω на 2πf получаем общее для трех фаз
уравнение
Tк ⎧ ⎡ 2π ⎤⎫
t1 = ⎨1 + M sin ⎢2πfTк (n − 1) − (i − 1)⎥ ⎬ , (4)
2 ⎩ ⎣ 3 ⎦⎭
где i = 1, 2, 3 соответственно для фаз А, В и С.

Дискретная модель для расчета длительностей


импульсов ШИМ
Выражение (4) упрощено до вида, содержащего
а
переменные только целого типа. В дискретной обла
сти выражение для определения длительности им
пульса для трех фаз принимает обобщенную форму

Kк ⎡ ⎛ n − 1 i − 1 ⎞⎤
Kи = + M пр sin ⎢2π ⎜ − ⎟⎥ , (5)
2 ⎣ ⎝ N 3 ⎠⎦
где Кк – число отсчетов за период несущей;
Мпр – метка модуляции индекс модуляции, при
веденный к Кк/2;
N – число импульсов на периоде основной гар
б моники (fд/f).
Рис. 1. Квантование синусоидального модулирующего сигнала:
Выражение (5) можно записать в виде
а – ступенчатый модулирующий сигнал; б – импульс ШИМ
M пр K n
Kи = Km + , (6)
Km
ШИМ изменяется от +U до –U. Значение модули
рующего сигнала на пом периоде дискретизации Кк K ⎡ ⎛ n − 1 i − 1 ⎞⎤
определяется как где K m = ; K n = к sin ⎢2π ⎜ − ⎟⎥ . (7)
2 2 ⎣ ⎝ N 3 ⎠⎦
U n = U m sin[ω(n − 1)Tк ] . (1)
Среднее значение напряжения импульса ШИМ за Если число импульсов равно Кт, то полное число
период коэффициентов заполнения также равно Кт. В этом
случае обобщенное выражение для вычисления ко
t1 − t 2
U ср = U , (2) эффициента заполнения для трех фаз имеет вид

где t1 и t2 – длительность положительной и отрица M пр K n
Km +
тельной частей импульса ШИМ соответственно; Km
Тк = t1 + t2 – период квантования. Di = . (8)
2
Считаем, что среднее значение напряжения им
пульса ШИМ за период равно значению модулирую В (8) Мпр – целочисленная переменная. В свою
щего сигнала в фиксированный момент квантования. очередь, поскольку Кк принимается четным числом,
При таком предположении из (1) и (2) получаем Кт целочисленная переменная. Значения Кп также
округляются. При таких целочисленных типах дан
t1 − t 2
U m sin[ω(n − 1)Tк ] = U , ных схема управления инвертором в режиме ШИМ
Tк может быть выполнена на основе недорогого мик
или ропроцессора.
t1 − (Tк − t1 )
U m sin[ω(n − 1)Tк ] = U , Блок-схема схемы управления
Tк Блоксхема инвертора в режиме ШИМ, реализу
или ющая рассмотренный метод, показана на рис. 2.
Схема содержит три СППЗУ объемом 32 К каж
Um 2t
sin[ω(n − 1)Tк ] = 1 − 1 . дое. С помощью 12разрядного двоичного счетчика
U Tк (СТ2) осуществляется опрос СППЗУ, содержащих 256
Таким образом, замеров. Моностабильный таймер (МСТ) использу
ется для увеличения длительности импульса сквозно

t1 =
{1 + M sin[(n − 1)ωT ]} . (3) го переноса (RC), формируемого счетчиком. С
2 помощью этого импульса двоичный счетчик обнуля
где M = Um/U – индекс модуляции. ется и выдается команда процессору на передачу но

38
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 39

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


Алгоритм формирования импульсов режима ШИМ
1. Сохранить в памяти величины 126sin(θ),
126 sin(θ – 2π/3) и 126 sin(θ + 2π/3).
2. Запрограммировать порты А, В и С последова
тельного параллельного интерфейса (ППИ1) на вы
вод, а порт С ППИ2 – на ввод информации.
3. Задать начальную частоту (f) и индекс модуля
ции (М).
4. Установить максимальное число импульсов в
счетчик N = fд/f.
5. Инициализация счетчика п = 0.
6. Инициализация переменной цикла CYCLE=0.
7. Вычисление с помощью (8) коэффициента за
полнения пго импульса для фаз А, В и С.
8. Ожидание окончания счета (сигнала RC) из пор
та С ППИ2.
9. Если RC=0, перейти к шагу 8, если нет – к шагу 10.
Рис. 2. Блок*схема системы управления трехфазным инверто* 10. Переслать величины коэффициентов заполне
ром в режиме ШИМ на основе таблицы преобразований ния для трех фаз в порты А, В и С ППИ1.
(ÏÏÈ – ïàðàëëåëüíûé ïåðèôåðèéíûé èíòåðôåéñ; 11. Инкрементировать п.
ÌÑÒ – ìîíîñòàáèëüíûé òàéìåð; ÑÒ2 – äâîè÷íûé ñ÷åò÷èê; 12. Если п < N, перейти к шагу 7, если нет к шагу 13.
ÑÏÇÓ – ñòèðàåìîå ÏÇÓ; ÃÐ è Ó – ãàëüâàíè÷åñêàÿ ðàçâÿçêà
13. Инкрементировать переменную CYCLE.
è óïðàâëåíèå)
14. Если CYCLE<10, перейти к шагу 6, если нет –
к шагу 15.
вых коэффициентов заполнения для следующего пе 15. Считать значения частоты и индекса модуля
риода несущей. ции, скорректировать, установить значения частоты
Работа рассмотренной схемы моделировалась для и индекса модуляции.
различных частот и индексов модуляции. Результаты 16. Перейти к шагу 4.
моделирования – сформированные импульсные пос
ледовательности и их спектры показаны на рис. 3–6. Результаты эксперимента
Импульсные последовательности для любых частот Рассмотренная схема реализована в виде лабора
основной гармоники (f) и индекса модуляции (М) фор торного макета. Последовательности импульсов в ре
мируются согласно приведенному ниже алгоритму. жиме ШИМ реализованы в реальном времени с

Рис. 3. Последовательность импульсов для фазы А при f = 90 Гц; Рис. 5. Последовательность импульсов для фазы А при f = 70 Гц;
М = 0,94; fк = 1600 Гц М = 0,6; fк = 1600 Гц

Рис. 4. Спектр сформированной последовательности импульсов Рис. 6. Спектр сформированной последовательности импульсов
для фазы А при f = 90 Гц; М = 0,94; fк = 1600 Гц для фазы А при f = 70 Гц; М = 0,6; fк = 1600 Гц

39
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 40

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 7. Экспериментальная последовательность импульсов для Рис. 9. Экспериментальная последовательность импульсов для
фазы А при f = 90 Гц; М = 0,94; fк = 1600 Гц фазы А при f = 70 Гц; М = 0,6; fк = 1600 Гц

Рис. 8. Экспериментальный спектр последовательности Рис. 10. Экспериментальный спектр последовательности


импульсов для фазы А при f = 90 Гц; М = 0,94; fк = 1600 Гц импульсов для фазы А при f = 70 Гц; М = 0,6; fк = 1600 Гц

помощью приведенного выше алгоритма. Результа Applications, March/April, 1981, pp. 199–204.
ты эксперимента для различных частот и индексов 5. K. M. Rahman, M. A. Choudhury, M. R. Khan and M.
модуляции приведены на рис. 7–10. A. Rahman. Dual Slope Integrator Type Delta Modulator
Выводы for High Performance Voltage Source Inverters. – Power
Рассмотрена гибридная схема управления инвер Conversion Conference (PCC)Nagaoka’97, Japan, pp.
тором в режиме ШИМ на основе таблицы преобра 451–455, 1997.
зований (ТП). За счет упрощения выражения для 6. H. S. Patel and R. G.Hoft. Generalized Techniques
вычисления коэффициента заполнения схема может of Harmonic Elimination and Voltage Control in Thyristor
быть реализована на основе недорогого микропроцес Inverters. – IEEE Transactions on Industry Applications,
сора. Поскольку расчеты производятся автономно pp. 310–317, 1973.
расширен диапазон работы инвертора. Существенно 7. S. R. Bowes. Novel RealTime Harmonic Minimized
снижен объем памяти, необходимой для хранения PWM Control for Drives and Static Power Converters.–
отсчетов ШИМ. Обеспечено получение большего чис IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 9, No. 3,
ла отсчетов за период несущей увеличено разрешение May 1994, pp 256–362.
ШИМ. Изменение частоты и индекса модуляции 8. S. R. Bowes. Regular Sampled harmonic Elimination
можно производить в режиме онлайн без нарушения PWM control of Inverter Drives. – IEEE Transactions on
работы схемы. Power Electronics, Vol. 10, No. 5, September 1995, pp.
521–531.
Литература 9. K. S. Rajashekara, Joseph Vithayathil. Microprocessor
1. S. R. Bowes. Advanced Regular Sampled PWM based Sinusoidal PWM Inverter by DMA transfer. – IEEE
Control Techniques for Drives and Static Power Transactions on Industry Applications, vol. IA19, no. 2, pp.
Converters. – IEEE Transactions on Industrial Electronics, 187–194, March/April 1983.
Vol. 42, No. 4, August 1995, pp. 367–373.
2. S. R. Bowes. New Sinusoidal Pulse WidthModulated
Inverter. – IEE Proc., Vol. 122, No. 11, pp. 1279–1285,
1975. Следков Юрий Германович, к. т. н., доцент кафедры “Мик2
3. S. R. Bowes and M. J. Mount. Microprocessor control роэлектронных электросистем” МАИ, тел. 8(499) 158249221,
of PWM Inverters. – Proc. IEE, BElect. Power Appl., e2mail: dean3_dep5@mai.ru.
vol. 128, no. 6, pp. 293–305, 1981. Соловьев Игорь Николаевич, зав. кафедрой “Микроэлект2
4. P. D. Ziogas. The Delta Modulation Techniques in ронных электросистем” МАИ, доцент, к. т. н., тел.: 8(499) 1582
Static PWM Inverters. – IEEE Transactions on Industrial 44226, e2mail: sin@mai.ru.

40
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 41

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Т. В. Анисимова, А. Н. Данилина

ИНВЕРТОР В РЕЖИМЕ СИНУСОИДАЛЬНОЙ ШИМ

В ряде случаев первичный источник или стандартная основной гармоники, но при одинаковом спектраль
сеть по частоте, стабильности или напряжению оказывают2 ном составе требующее большего числа импульсов за
ся непригодными для непосредственного питания электрон2 период выходного напряжения, чем при ШИМ. Наи
ных устройств. Таким образом, возникает необходимость большее распространение в инверторах для форми
преобразования электрической энергии. В статье рассмот2 рования напряжения с улучшенным спектральным
рен инвертор в режиме синусоидальной ШИМ (ШИМ2СИН) составом получил метод синусоидальной ШИМ.
с улучшенными рабочими характеристиками, контур отри2 Принципиально необходимыми элементами ста
цательной обратной связи которого выполнен на основе билизированных инверторов, использующих ключе
ПИД2регулятора. Приведены результаты моделирования, вой режим работы, вне зависимости от выбранной
подтверждающие теоретические положения статьи. функциональной схемы, являются:
¾ транзисторный коммутатор, преобразующий
Транзисторные инверторы предназначены для постоянное входное напряжение в последова
преобразования энергии постоянного напряжения в тельность прямоугольных импульсов;
энергию переменного напряжения. Сфера их приме ¾ силовой фильтр для формирования гладкой си
нения весьма обширна. Они необходимы для функ нусоидальной формы выходного напряжения;
ционирования электронных систем автоматики и ¾ устройство управления, защиты и обратной связи;
вычислительной техники, телекоммуникационных ¾ силовой трансформатор для гальванической раз
систем, устройств управления электродвигателями, а вязки для согласования номиналов входного и
также в качестве аварийных источников питания при выходного напряжений;
наличии первичной сети переменного тока. ¾ блок вспомогательных напряжений для питания
При проектировании инверторов рассматривают схемы управления и драйверов силовых ключей
ся два основных вопроса, специфических для этого мостового коммутатора, а также обеспечения за
класса устройства: данного уровня постоянного напряжения для
¾ формирование импульсных напряжений с улуч питания мостового коммутатора; часто этот
шенным спектральным составом, аппроксими блок является гальванической развязкой;
рующих синусоидальное; ¾ входной фильтр, защищающий источник пита
¾ выбор структуры и параметров выходного филь ния от помех.
тра, обеспечивающего заданное подавление всех Существуют два принципиально различных вари
гармоник, кроме основной. анта построения инверторов. В первом случае транс
Силовая часть инвертора представляет собой тран форматор установлен на выходе силового фильтра.
зисторный мостовой коммутатор. Для получения вы Габариты и масса трансформатора, определяемые
сокого КПД транзисторы мостового коммутатора выходной мощностью и частотой, фиксированы и со
должны работать в режиме переключения. В резуль ставляют значительную часть объема и массы всего
тате на его выходе можно сформировать различные инвертора, что является основным недостатком такой
периодические последовательности прямоугольных функциональной схемы. Во втором случае силовой
импульсов напряжения с различным спектральным трансформатор находится в составе конвертора, пре
составом, из спектра которых необходимо выделить образующего низкое напряжение первичного источ
основную гармонику и, по возможности, подавить все ника в высокое, для питания мостового коммутатора.
высшие. Сделать это можно только с помощью ин Трансформатор в такой схеме работает на повышен
дуктивноемкостных фильтров. ной частоте, что значительно улучшает его массога
Существуют следующие способы формирования баритные характеристики. Блоксхема инвертора в
импульсного напряжения с улучшенным спектраль режиме ШИМСИН, когда трансформатор входит в
ным составом: формирование ступенчатого напряже состав конвертора, показана на рис. 1.
ния, позволяющее исключить 3 и кратные ей Для обеспечения устойчивости системы в контуре
гармоники, но при этом требующее наличия в сило обратной связи вводится корректирующие звено, ко
вой части трансформаторов с отводами, синусоидаль торое представляет собой электронный регулятор.
ная широтноимпульсная модуляция, при которой
номера первой группы учитываемых высших гармо Частотные характеристики инвертора
ник зависят от кратности несущей и модулирующей Задача регулирования сводится к обеспечению
частоты, и широтноимпульсное регулирование, по требуемого качества переходного процесса. Наи
зволяющее исключить определенное количество гар большее распространение получили следующие
моник во всем диапазоне регулирования амплитуды типы регуляторов: пропорциональный (П), пропор

41
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 42

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


нию, что ухудшает работоспособность и качество ре
гулирования системы, а при дальнейшем увеличении
возникают периодические колебания (система теря
ет устойчивость). С ростом петлевого усиления и про
порционального коэффициента снижается влияние
шума и помех измерений.
Схема ПИДрегулятора на основе операционного
усилителя показана на рис. 2.
Рис. 1. Функциональная схема инвертора в режиме ШИМ–СИН Расчетные частотные характеристики ПИДрегу
лятора приведены рис. 3, а частотные характеристи
ки модели ПИДрегулятора, полученные с помощью
циональноинтегральный (ПИ) и пропорциональ программы PSpice, показаны на рис. 4. Поскольку в
ноинтегральнодифференциальный (ПИД). схеме модели использована модель реального опера
Прегулятор является самым простым по структу ционного усилителя (LM118), то ЛАХ и ФЧХ имеют
ре и достаточно быстродействующим, но его недоста некоторые отличия от расчетных.
ток – невысокая точность регулирования, особенно Частотные характеристики всего устройства пока
для объектов с плохими динамическими свойствами. заны на рис. 5.
В отличие от него ПИрегулятор обеспечивает высо Инвертор является импульсным устройством, по
кую точность в установившемся режиме, но при этом этому ЛАХ снималась по точкам, за счет изменения
вызывает ухудшение устойчивости переходного про частоты входного сигнала. Наклон асимптоты ЛАХ на
цесса и системы в целом. П и ПИрегуляторы не частоте среза составляет 40 дБ/дек, что приводит к ко
могут упреждать ожидаемое отклонение регулируемой лебательному характеру процессов. Введение коррек
величины, реагируя только на уже имеющееся. тирующего звена позволяет обеспечить устойчивость
В результате, возникает необходимость в регуля системы, а также увеличить пропускную частоту. Фа
торе, который бы формировал дополнительное регу зовый сдвиг ПИДрегулятора на высоких частотах
лирующее воздействие, пропорциональное скорости достигает 90°, что может быть использовано для час
отклонения регулируемой величины от заданного зна
чения. Такое регулирующее воздействие обеспечива
ется дифференциальной частью ПИДрегулятора, что
позволяет не только повысить точность регулирова
ния, но и уменьшить длительность переходных про
цессов.
Таким образом, ПИДрегулятор отличается по
вышенным качеством рабочих характеристик. По
возможностям ПИДрегуляторы являются универ
сальными. Используя их, можно получить любой Рис. 2. Схема ПИД*регулятора на основе
закон регулирования. операционного усилителя
Однако недостатком ПИДрегулятора является его
высокая чувствительность. Это свойство ПИДрегу
лятора требует его качественной настройки и, что в
ряде случаев, ограничивает его применение.
На основе анализа частотных характеристик регу
лятора можно сделать вывод о его точности и запасе
устойчивости. С уменьшением интегральной состав
ляющей увеличивается модуль коэффициента усиле
ния регулятора на низких частотах (т.е. при
приближении к установившемуся режиму), и, как
следствие, снижается погрешность.
С увеличением дифференциальной составляющей
растет усиление на высоких частотах, что приводит к
усилению шумов измерений и внешних возмущений.
Поэтому дифференциальную составляющую исполь
зуют только для улучшения формы переходного про
цесса в системе, а ее практическая реализация обычно
представляет собой фильтр высоких частот.
С ростом пропорционального коэффициента уве
личиваются модуль петлевого усиления контура ре
гулирования и точность во всем диапазоне частот,
однако, при этом снижается запас по фазе и усиле Рис. 3. Расчетные частотные характеристики ПИД*регулятора

42
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 43

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


тичной компенсации отставания фазы объекта. При
этом можно установить большой коэффициент ли
нейного усиления и получить высокую критическую
частоту, за счет чего уменьшится длительность пере
ходного процесса. При этом обеспечивается запас по
фазе в 40°.

Моделирование преобразователя
Моделирование преобразователя проведено с по
Рис. 4. Частотные характеристики ПИД*регулятора, полученные
с помощью моделирования на PSpice мощью программы OrCAD.
Модель инвертора состоит из модели силовой ча
сти и модели схемы управления. Схема модели пре
образователя представлена на рис. 6.
Для удобства работы микросхемы управления си
ловыми транзисторами M14–M17 реализованы в виде
иерархических схем HS8–HS11. В виде иерархичес
ких схем выполнен активный выпрямитель HS12,
HS15 , а также фильтр нижних частот HS6.
В качестве трансформатора обратной связи ис
пользован элемент аналогового поведенческого мо
делирования АВМ2. Источники V2, V3, V10–V13
служат для питания операционных усилителей и мик
росхем управления. Источник V7 питает мостовой
коммутатор.
Модель схемы управления состоит из:
¾ задающего генератора и генератора пилообраз
ного напряжения, выполненного на операцион
ных усилителях U1 и U2, резисторах R1, R2, R4
и конденсаторе C7;
¾ делителя частоты на счетчиках U23 и U45, JK
триггере U22A;
Рис. 5. Частотные характеристики инвертора:
ω) – ЛАХ “управление*выход” устройства без обратной связи;
L(ω ¾ фильтра нижних частот HS6;
ω) – ЛАХ ПИД*регулятора; Lо(ω
Lreg(ω ω) – ЛАХ “управление*выход” ¾ активного выпрямителя HS12;
ω) – ФЧХ устройства без обратной связи;
всего устройства; F(ω
ω) – ФЧХ ПИД*регулятора; Fо(ω
Freg(ω ω) – ФЧХ всего устройства ¾ регулятора синусоидального сигнала, выполнен
ного на операционном усилителе U35, полевом

Рис. 6. Схема модели инвертора

43
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 44

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 7. Формирование сигналов управления


(вход ШИМ, выход ШИМ, цифровая часть)

транзисторе J1, конденсаторе C13, резисторах


R48, R47, R49;
¾ формирователя амплитудного значения пилооб
разного напряжения на операционный усилитель
U4, резисторах R10 и R7, опорном напряжения V4;
¾ схема ШИМ на основе компаратора U30;
Рис. 8. Напряжение на выходах мостового коммутатора и
¾ распределителя импульсов, с помощью которо силового фильтра при Еп min = 320 В, Еп ном = 360 В, Еп max = 400 В
го импульсные последовательности с выхода
компаратора распределяются по четырем драй
верам силовых ключей, состоящего из операци длительности переходного процесса и времени регу
онного усилителя U27, логических элементах лирования.
U18A, U16A, U17A, U15A, U21A.
Формирование сигналов управления мостовым Литература
коммутатором показано на рис. 7, а напряжения на 1. Бесекерский В .А., Попов Е. П. Теория систем ав
выходе мостового коммутатора и силового фильтра томатического управления. – СПб, Профессия, 2004.
при минимальном, номанальном и максимальном на 2. Костиков В. Г., Парфенов Е. М., Шаханов В. А.
пряжениях питания показаны на рис. 8. Источники электропитания электронных средств –
М.: Горячая линия Телеком, 2001.
Выводы 3. Крючков В. В., Следков Ю. Г. Моделирование
Анализ результатов моделирования позволяет сде электронных устройств – М.: МАИ 2007.
лать вывод о том, что использование ПИДрегулято
ра в устройстве отрицательной обратной связи
инвертора в режиме синусоидальной ШИМ приво Анисимова Татьяна Викторовна, аспирант кафедры “Мик2
дит к увеличению точности регулирования, улучше роэлектронных систем” МАИ, тел.: (499)158245259;
нию устойчивости системы, а так же возрастанию Данилина Анастасия Николаевна, аспирант кафедры “Мик2
предельной частоты, что приводит к уменьшению роэлектронных систем” МАИ, тел.: (499)158245259.

44
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 45

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Д. Р. Манбеков, Д. А.Шевцов

МОДЕЛИРОВАНИЕ ДВУХТАКТНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С


ШИМ-РЕГУЛИРОВАНИЕМ И КОНТУРОМ
СИММЕТРИРОВАНИЯ ПО
ВОЛЬТ-СЕКУНДНОМУ ИНТЕГРАЛУ

В статье представлены результаты моделирования, пока2 или эквивалентной разности напряжений на первич
зывающие возможность практического использования управ2 ной обмотке в смежные полупериоды [1]. Особенно
ления по напряжению с применением формирователя остро проблема несимметрии проявляется при повы
вольт2секундного интеграла (ВСИ) для обеспечения симмет2 шенном напряжении питания и повышенных часто
ричного процесса перемагничивания сердечника силового тах преобразования. Как показал проведенный
трансформатора в двухтактных высокочастотных транзистор2 анализ, известные методы симметрирования [2, 3] по
ных преобразователях. разным причинам оказались мало эффективными.
В [4] предложен новый метод симметрирования, ос
Использование двухтактных преобразователей по нованный на управлении по напряжению с использо
стоянного напряжения с ШИМрегулированием, как ванием вольтсекундного интеграла (ВСИ). Для оценки
правило, требует наличия симметрирующих контуров. эффективности предложенного метода проведено ком
В противном случае, возможно возникновение режи пьютерное моделирование в системе OrCAD 9.2 двух
ма несимметричного перемагничивания, что может мостовых преобразователей с ШИМрегулированием в
привести к магнитному насыщению сердечника, и, режиме управления по напряжению:
как результат, к следующим нежелательным послед • мостового преобразователя без симметрирующе
ствиям: го контура (рис. 1);
• ненормированным броскам тока и, как след • мостового преобразователя с ВСИ (симметри
ствие, к уменьшению надежности; рующим контуром) (рис. 2).
• увеличению потерь и, следовательно, снижению Моделирование каждого из преобразователей про
КПД; водилось в двух режимах:
• возрастанию помех и ухудшению электромаг 1) при отсутствии асимметрии, т. е. при отсутствии
нитной совместимости (ЭМС). факторов, вызывающих несимметричное пере
Причины появления режима несимметричного пе магничивание;
ремагничивания могут быть самые разные, однако все 2) при наличии асимметрии, т. е. при наличии фак
их можно свести к эквивалентной неодинаковости торов, вызывающих несимметричное перемаг
длительностей смежных управляющих импульсов, ничивание.

Рис. 1. Модель мостового транзисторного преобразователя с ШИМ*регулированием без симметрирующего контура

45
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 46

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 2. Модель мостового транзисторного преобразователя с ШИМ*регулированием и симметрирующим контуром

Для управления обеими структурами используван Результаты моделирования преобразователя без


ШИМконтроллер UC 1825 [4], позволяющий осуще симметрирующего контура при отсутствии асиммет
ствлять управление силовым каскадом в различных рии представлены на рис. 4.
режимах: и по току, и по напряжению. Стоит особо Как видно из представленных графиков (рис. 3, 4)
отметить, что исследование процессов проводилось рассматриваемая структура в установившемся режи
с использованием нелинейной модели сердечника ме работает симметрично – рабочая точка сердечни
трансформатора [5], параметры которой представле ка при перемагничивании не заходит в область
ны на рис. 3. магнитного насыщения (график 1 на рис. 4) и пере
магничивание происходит по симметричной петле ги
Моделирование преобразователей стерезиса.
Известно, что причину возникновения несиммет Теперь проведем моделирование той же структу
ричного режима перемагничивания можно свести к ры при наличии асимметрии. Для этого зададим сле
эквивалентной разности напряжений на первичной дующие значения напряжений на источниках:
обмотке в смежные полупериоды. Именно этот спо y V1=293V;
соб и используется для введения асимметрии в моде y V2=307V.
лируемые структуры. При этом в один полупериод Результаты моделирования представлены на
первичным источником служит V1, а в другой – V2 рис. 5. Необходимо отметить, что на рис. 5 показан
(рис.1, 2). установившийся режим работы преобразователя.

Рис. 3. Параметры сердечника трансформатора, используемого в моделируемых схемах

46
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 47

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 4. Результаты моделирования преобразователя без симметрирующего контура при отсутствии асимметрии

Рис. 5. Результаты моделирования преобразователя без симметрирующего контура при наличии асимметрии

Рис. 6. Результаты моделирования преобразователя с симметрирующим контуром при наличии асимметрии

Из приведенных графиков видно, что рабочая точ ЭМС. При этом увеличивается размах пульсаций вы
ка сердечника заходит в область магнитного насыще ходного напряжения.
ния (рис. 5, графики 1 и 2), что приводит к броскам Таким образом, результаты моделирования пока
тока через соответствующие силовые ключи (рис. 5, зали, что без симметрирующего контура двухтактные
график 3). преобразователи постоянного напряжения практи
Такой режим работы преобразователя неприем чески неработоспособны.
лем, так как ненормированные броски тока в первич Теперь рассмотрим результаты моделирования
ной цепи приводят к снижению надежности, мостового преобразователя с симметрирующим
увеличению потерь, уменьшению КПД и ухудшению контуром.

47
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 48

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 7. Результаты моделирования преобразователя с симметрирующим контуром при коротком замыкании в нагрузке

При отсутствии асимметрии результаты анало ектировании симметрирующего контура необходи


гичны приведенным на рис. 4, и поэтому не пред мо предусмотреть такие решения, которые обеспе
ставлены. чивали бы симметричное перемагничивание
Результаты моделирования при наличии асиммет сердечника, как в номинальных, так и в аварийных
рии приведены на рис. 6. Значения напряжений V1 и режимах.
V2 такие же, как в предыдущей структуре. В заключение отметим, что аналогичные резуль
Из рис. 6, показывающего установившийся режим таты имеют место и для других двухтактных структур,
работы преобразователя, видно, что благодаря сим а не только мостовых.
метрирующему контуру, перемагничивание сердечни
ка происходит по симметричному циклу без захода в Литература
область магнитного насыщения сердечника. 1. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Моделирование про
Основываясь на приведенных результатах, можно цессов несимметричного перемагничивания двухтакт
сделать вывод о достаточно высокой эффективности ных ИВЭП // Практическая силовая электроника.
предложенного метода симметрирования при работе № 30. 2008. С. 41–45.
преобразователя в номинальном режиме. 2. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Сравнительный ана
Следует иметь ввиду, что наличие симметрирую лиз различных типов транзисторных преобразовате
щего контура с формирователем ВСИ не может га лей постоянного напряжения при несимметричном
рантировать отсутствия постоянной составляющей режиме перемагничивания. // Практическая силовая
тока первичной обмотки. Это обусловлено неидеаль электроника. № 2 (33). 2009. С. 45–47.
ностью интегратора и, как следствие, неполным по 3. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Сравнительный
добием процессов изменения напряжения на анализ и классификация методов симметрирования
конденсаторе формирователя ВСИ и индукции в сер двухтактных преобразователей напряжения с
дечнике. ШИМрегулированием.// Силовые транзисторные
Приведенные результаты моделирования показа устройства. Выпуск 2./ Под редакцией Е. В. Машу
ли достаточно высокую эффективность симметриру кова – М.: ЭконИнформ, 2006. С. 58–74.
ющего контура с формирователем ВСИ при работе 4. Манбеков Д. Р., Шевцов Д. А. Обеспечение сим
преобразователя в номинальном режиме. метричного перемагничивания сердечника трансфор
Однако, в аварийных режимах срабатывание то матора в двухтактных преобразователях напряжения
ковой защиты может нарушить работу симметриру с управлением по вольтсекундному интегралу. //
ющего контура и, как следствие, привести к сбою Практическая силовая электроника, № 3 (35),
алгоритма формирования управляющих импульсов, С. 41–44.
обеспечивающих симметричный режим. Для провер 5. Шевцов Д. А., Крючков В. В., Манбеков Д. Р. Со
ки этого факта проведено моделирование преобразо здание модели нелинейного сердечника трансформа
вателя с симметрирующим контуром при коротком тора. // Практическая силовая электроника, № 4 (36),
замыкании нагрузки. Результаты моделирования это С. 49–51.
го режима приведены на рис. 7.
Из графиков видно, что работа узла токовой за Шевцов Даниил Андреевич, д. т. н., профессор кафедры
щиты приводит к нарушению работы симметриру ”Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел. (499)158245259;
ющего контура и, как следствие, к магнитному Манбеков Дмитрий Рауфович, аспирант кафедры “Микро2
насыщению сердечника. Таким образом, при про электронных электросистем” МАИ, тел. (499)158245259.

48
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 49

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Д. А. Шевцов, В. В. Крючков, Д. Р. Манбеков

СОЗДАНИЕ НЕЛИНЕЙНОЙ МОДЕЛИ МАГНИТНОГО


СЕРДЕЧНИКА

Рассмотрен способ создания нелинейной модели магнит2 уже существует, ее открывают кнопкой 2 (Open
ного сердечника для моделирования схем импульсных преоб2 Library).
разователей электроэнергии. Модель сердечника создается Кнопкой 3 (New Model) в поле From Model выби
с помощью редактора моделей Model Editor, входящей в ком2 рается тип модели нового компонента – в данном
плекс моделирования OrCAD. Для проверки работоспособно2 случае магнитный сердечник (Magnetic Core)
сти созданной модели проведено моделирование (рис. 2). В окне New… в поле Model заносится имя
нерегулируемого преобразователя постоянного напряжения новой модели – в данном случае 2000НМ. Необхо
и сравнение результатов моделирования с результатами ис2 димо помнить, что все записи нужно делать только
следования лабораторного макета такого преобразователя. символами латиницы.
В появившемся окне Hysteresis Curve (рис. 3) вво
При моделировании устройств преобразования дятся пары величин: напряженность магнитного поля
электроэнергии с помощью программы PSpice наи (в эрстедах) и магнитная индукция (в гауссах):
большую трудность представляет введение в схему h остаточная индукция (Br, Н = 0);
преобразователя компонентов на основе магнитных h коэрцитивная сила (Нс, В = 0);
сердечников. Даже сами разработчики программы в h индукция насыщения (Вт) и соответствующая
руководстве пользователя указывают на этот факт. ей напряженность магнитного поля (Нт);
Поэтому создание модели магнитного сердечника, h в поле Initial Perm. вводится величина относи
адекватно отражающей его основные свойства, пред тельной магнитной проницаемости материала
ставляет большой интерес. сердечника.
Наиболее просто модель сердечника создается с При этом необходимо помнить что 1 Гс = 10–4 Тл, а
помощью программы редактора моделей электрон 1 Э = 1000/(4π) = 79,7557 А/м. Согласно [1] большее
ных компонентов Model Editor, входящей в состав про число пар параметров программой Model Editor про
граммного комплекса OrCAD. Созданные с помощью сто не учитывается.
этой программы модели электронных компонентов В таблицу параметров (Parameters) вводим значе
легко включаются в состав библиотек пользователя и ние площади поперечного сечения сердечника (AREA)
могут быть использованы при проектировании элек и длину магнитной силовой линии (PATH). Осталь
тронных устройств различных классов и, особенно, ные параметры остаются неизменными.
при анализе аварийных режимов.
Рассмотрим подробно создание магнитного сер
дечника для дальнейшего его использования в каче
стве сердечника трансформатора для нерегулируемого
преобразователя постоянного напряжения.

Работа с редактором моделей Model Editor Рис. 2. Окно New…

Панель инструментов окна редактора моделей по


лупроводниковых и магнитных компонентов Model
Editor показана на рис. 1.
С помощью кнопки 1 (New Library) на панели ин
струментов создается новая библиотека пользовате
ля, сохраняемая в папке UserLib. Если же библиотека

Рис. 1. Панель инструментов окна Model Editor:


1 – создание новой библиотеки;
2 – открытие библиотечного файла;
3 – выбор типа модели компонента;
4 – извлечение параметров модели Рис. 3. Окно задания параметров петли гистерезиса

49
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 50

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.


По окончании ввода нажимаем кнопку 4 (Extract) После создания библиотечного файла с расшире
(рис. 1) для извлечения параметров нелинейной мо нием *.lib необходимо создать графический сим
дели сердечника по введенным данным петли. Рас вол сердечника и сохранить его в библиотеке *.slb,
считанная петля гистерезиса сердечника показана на имя которой совпадает с именем библиотеки *.lib,
рис. 4, а содержимое окна Parameters – параметры сер содержащихся в системной папке UserLib (например,
дечника, входящие в текстовый файл описания мо MyCores.slb, MyCores.lib). Атрибуты графичес
дели сердечника, – на рис. 5. Сам текстовый файл кого символа выглядят следующим образом:
выглядит следующим образом:
REFDES=K?
*BeginSpec PART=2000HM
*HC: (0,1.5000E3) (.377,0) (3,3.5000E3) MODEL=2000HM
*(4,3.5000E3) TEMPLATE=K^@REFDES L^@L1 ?L2|L^@L2| ?L3|L^@L3|
*Initial Perm=2.0000E3 +?L4|L^@L4| @COUPLING &MODEL
*EndSpec COUPLING=1
L1=
*BeginTrace L2=
*HC: 0,0,4,4,1,3,0,0,1 (27) L3=
*EndTrace L4=

*BeginParam Теперь созданную модель нелинейного сердечни


*LEVEL=2 (1,2,1) ка можно использовать в любой схеме модели элект
*GAP=0 (0,1.0000E30,0) ронного устройства.
*MS=315.06E3 (1,1.0000E30,0)
*A=33.677 (1,1.0000E30,0)
*C=.27173 (10.000E3,1.0000E30,0) Модель нерегулируемого преобразователя
*K=50.402 (1,1.0000E30,0) постоянного напряжения
*AREA=.15 (1.0000E6,1.0000E30,1) Для проверки работоспособности созданной мо
*PATH=4.5000 (1.0000E6,1.0000E30,1)
*PACK=1 (1.0000E6,1.0000E30,0)
дели сердечника проведем моделирование нерегули
*EndParam руемого преобразователя постоянного напряжения,
схема модели которого показана на рис. 6.
*DEVICE=2000HM,CORE При моделировании схем, содержащих нелинейную
* 2000HM CORE model
модель магнитного сердечника, на индуктивностях (эле
* updated using Model Editor release 9.2 ментах типа L), имитирующих обмотки трансформато
* The Model Editor is a PSpice product. ра (либо дросселя) проставляется число витков, а не
.MODEL 2000HM CORE индуктивность, как во всех других случаях. При этом
+ MS=315.06E3
+ A=33.677
соответствие имен этих индуктивностей проставляется
+ C=.27173 в параметрах модели сердечника (рис. 7). Для избега
+ K=50.402 ния ошибок при моделировании параметр взаимоин
+ AREA=.15 дукции COUPLING не должен быть равен 1. Однако, чем
+ PATH=4.5000
больше значение этого параметра, тем выше качество
намотки трансформатора. Окно задания параметров
трансформатора показано на рис. 7.
Кроме этого, при установке параметров модели
рования необходимо ограничить максимальный шаг
интегрирования, заполнив поле Step Ceiling. Макси
мальный шаг интегрирования желательно выбирать
на порядок меньше времени переключения транзис

Рис. 4. Петля гистерезиса, рассчитанная


по введенным параметрам

Рис. 5. Таблица параметров модели магнитного сердечника, Рис. 6. Схема модели нерегулируемого преобразователя
рассчитанных по параметрам петли гистерезиса постоянного напряжения

50
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 51

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 7. Окно задания параметров трансформатора

Рис. 8. Окно задания параметров моделирования Transien

торов. Это необходимо делать в силу того, что шаг ин


тегрирования по умолчанию выбирается программой Рис. 9. Результаты моделирования нерегулируемого
преобразователя постоянного напряжения
автоматически, и может быть выбран большим, чем
период переключений преобразователя. Помимо это
го, не следует активизировать пункт Skip initial transient
solution, чтобы имелась возможность рассчитать усло
вия выхода преобразователя в режим автоколебаний.
Вид окна Transient с заданными параметрами моде
лирования схемы, приведенной на рис. 6, показан на
рис. 8.
Результаты моделирования нерегулируемого пре
образователя постоянного напряжения (рис. 6) при
ведены на рис. 9.
Для подтверждения адекватности модели магнит
ного сердечника исследован лабораторный макет не
регулируемого преобразователя постоянного
напряжения, собранный по схеме, аналогичной при
веденной на рис. 6. Результаты исследований – ос
Рис. 10. Осциллограммы, снятые на лабораторном
циллограммы напряжения стокисток транзистора макете преобразователя:
(соответствует напряжение между узлами А1 и А3 схе 1 – напряжение сток*исток транзистора (20 В/дел);
2 – напряжение на датчике тока (0,5 В/дел)
мы на рис. 6) и напряжение в узле, соответствующем
узлу А3 с схеме на рис. 6 показаны на рис. 10.
Литература
Выводы 1. Болтовский Ю. И., Танзалы Г. И. ORCAD 9.x.
Сравнение результатов моделирования и экспери ORCAD 10.x. Практика моделирования. – М.: СО
ментального исследования нерегулируемого преобра ЛОНПРЕСС, 2008.
зователя напряжения показало, что рассмотренный 2. Кеоун Дж. OrCAD PSpice. Анализ электричес
способ создания моделей нелинейных магнитных сер ких цепей. – М.: ДМК Пресс; СПб.: Питер, 2008.
дечников позволяет обеспечить результаты модели
рования, полностью отвечающие требованиям по Шевцов Даниил Андреевич, д. т. н., профессор кафедры
адекватности моделей электронных и магнитных ком ”Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел. (499)158245259;
понентов, входящих в состав преобразователей элек Манбеков Дмитрий Рауфович, аспирант кафедры “Микро2
троэнергии различных типов. электронных электросистем” МАИ, тел. (499)158245259.

51
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 52

№ 4 (36) Практическая силовая электроника 2009 г.

Требования к авторам для публикации в журнале


“Практическая силовая электроника” (ПСЭ)

Публикация в сборнике бесплатна для авторов. — Текст без расстановки переносов в словах;
Язык журнала – русский. — Межстрочный интервал: одинарный;
Для публикации статьи необходимо предоставить: — Отступ первой строки: 0,5 см;
— заявление от автора (авторов) в электронном и — Выравнивание текста: по ширине;
бумажном видах; — Исполнение формул: редактор формул (стиль
— статью в электронном (в формате не выше MS Word математический). Обозначения в тексте по
2003) и бумажном видах. возможности не делать в редакторе формул;
Статья должна содержать: — Шрифт обозначений устройств (C – конденсатор,
— заголовок; VD – диод, L – дроссель и т.п.) – прямой:
— цель; y цифровое окончание обозначения устройства
— текст с иллюстрациями, который может быть разбит (C1, VD2 и т. п.) – не в индексе, шрифт
на разделы; прямой;
— заключение; y буквенное, цифровое+буквенное окончания
— список литературы (если есть); обозначения устройства (CД, Lm1 и т. п.) – в
— информацию об авторе (авторах) (Ф.И.О., название индексе, шрифт прямой.
организации, телефон, адрес электронной почты). — Шрифт обозначений параметров (C – емкость,
I – ток, L – индуктивность и т. п.) – наклонный:
Документы в электронном виде должны быть отправ y буквенное, цифровое, буквенное+цифровое
лены по email: pse@mmpirbis.ru или sin@mai.ru окончания обозначения устройства (I1, LS, Uупр1
Документы в бумажном виде должны быть отправле и т. п.)
ны по адресу: 111024, г. Москва, Андроновское шоссе, y в индексе, цифровое и буквенное русское
дом 26, ЗАО "ММПИрбис". окончание – шрифт прямой, буквенное
латинское окончание – шрифт наклонный;
Требования к оформлению статей:
— Формат иллюстраций: .tif, .eps, .ai (просьба
— Поля: верхнее, нижнее – по 2 см; левое – 3 см, прилагать отдельными (оригинальными) файла
правое – 1,5 см; ми, дублируя в тексте статьи). Подписи к рисункам
— Шрифт: Times New Roman, размер: 10; не вносить в рисунки.

Стоимость размещения полноцветной рекламы в журнале “Практическая силовая электроника”

Требования к рекламным макетам


Формат .tif, .eps (конвертирование в кривые), 300 dpi, CMYK.

График выхода журнала

Подробная информация о журнале “Практическая силовая электроника” представлена на сайте:


www.mmpirbis.ru

52

Вам также может понравиться