Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Практическая
силовая
электроника
ISSN 1996-7888 № 4 (36)/2009
М. Ю. Кастров
Технический редактор
Сравнение влияния способов намотки высокочастот
В. В. Крючков, к. т. н., доцент
ных трансформаторов на излучение кондуктивных
электромагнитных помех ........................................... 2
Редколлегия
В. Ф. Дмитриков, д. т. н., профессор Д. С. Дейнеко
В. Г. Еременко, д. т. н., профессор Сравнение структур прямоходвых преобразователей
Ю. К. Розанов, д. т. н., профессор постоянного напряжения ........................................... 7
И. Н. Соловьев, к. т. н., доцент
А. В. Лукин, Д. С. Дейнеко
Зарегистрирован Министерством Российской
Прямоходовой преобразователь со снижением пуль
Федерации по делам печати, телерадиовещания и
саций входного тока .................................................. 13
средств массовых коммуникаций 30 августа 2002 г.,
свидетельство ПИ № 7713452. Л. И. Цытович, О. Г. Брылина
Многозонные интегрирующие системы управления
Издатель и учредитель — Закрытое Акционерное Об
каскадами “вентильный преобразователь – исполни
щество «ММПИрбис».
тельный механизм “ для объектов с параллельными ка
Полное или частичное воспроизведение или размно налами регулирования ............................................... 23
жение каким бы то ни было способом материалов,
опубликованных в журнале, допускается только с С. В. Аверин, М. А. Малышев
письменного разрешения редакции. Сравнение основных структур преобразователей по
стоянного напряжения для коррекции коэффициен
При перепечатке ссылка на журнал «Практическая та мощности ............................................................... 31
силовая электроника» обязательна.
Ю. Г. Следков, И. Н. Соловьев
За содержание рекламных материалов редакция от Схема управления инвертором в режиме ШИМ ... 37
ветственности не несет.
Т. В. Анисимова, А. Н. Данилина
Отпечатано в ООО «Типография АРЕС», Инвертор в режиме синусоидальной ШИМ .......... 41
г. Москва, Остаповский проезд, д. 5, стр. 6
Д. Р. Манбеков, Д. А.Шевцов
Подписано в печать 02.12.2009. Тираж 500 экз.
Моделирование двухтактного преобразователя на
Адрес редакции: пряжения с ШИМрегулированием и управлением
111024, Москва, Андроновское шоссе, 26, по вольтсекундному интегралу с контуром симмет
ЗАО «ММПИрбис» рирования .................................................................. 45
Тел/факс: (495) 9871016
Email: 9871016@mmpirbis.ru, sin@mai.ru Д. А. Шевцов, В. В. Крючков, Д. Р. Манбеков
УДК 621.314 Создание нелинейной модели магнитного сердеч
ника .............................................................................. 49
Дополнительная информация о журнале “ПСЭ”:
www.mmpirbis.ru
1
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 2
М. Ю. Кастров
В статье проведено сравнение влияния излучаемых кон2 татами. Кроме того, проведен анализ генерируемых в
дуктивных помех при различных способах намотки высокоча2 результате применяемых способов намотки кондук
стотных трансформаторов. Рассмотрены следующие виды тивных помех.
обмоток для обратноходового преобразователя постоянного
напряжения: традиционная, одна обмотка между слоями дру2 Теоретические положения
гой (sandwiched winding),а также обмотка с чередующимися Обратноходовой преобразователь. Традиционная
слоями (interleaved winding). Различные способы намотки при2 схема обратноходового преобразователя показана на
водят к возникновению паразитных отличающихся по величи2 рис. 1. Это самая простая схема импульсного преоб
не емкостей, которые при работе преобразователя могут разователя с гальванической развязкой, в которой
вызывать в системе синфазные помехи различного уровня. используется высокочастотный трансформатор. Она
Сравнение проведено на основе использования различных содержит схему управления для формирования им
способов намотки и подтверждено экспериментальными ис2 пульсов с заданным коэффициентом заполнения для
следованиями.По результатам исследований выявлены уров2 управления силовым МДПтранзистором. Высокоча
ни электромагнитных помех и электрические характеристики, стотный трансформатор необходим для передачи
например КПД. Для подтверждения полученных результатов энергии от входа к выходу. Когда силовой транзистор
эксперимента проведен анализ помех с помощью преобразо2 открыт, в трансформаторе накапливается энергия, а
вания Фурье. когда закрыт – энергия передается от трансформато
ра к нагрузке.
Во время работы источник питания может гене Кондуктивные электромагнитные помехи. При ра
рировать в систему как излучаемые, так и кондуктив боте силовых транзисторов в режиме переключений
ные электромагнитные помехи. Поскольку ключевой возникающие уровни du/dt и di/dt достаточно вели
элемент, например МДПтранзистор, работает на ки, что может вызвать излучение электромагнитных
высокой частоте, основной причиной электромагнит помех [1], которые будут оказывать влияние на рабо
ных помех являются большие величины du/dt и di/dt. ту всей системы. Существуют два вида электромагнит
Для повышения или понижения входного напря ных помех – дифференциальная и синфазная.
жения в стандартном импульсном источнике питания Распространение дифференциальной помехи проис
используется высокочастотный трансформатор, обес ходит между двумя проводами, например, линией и
печивающий передачу энергии от входа к выходу и нейтралью, а синфазная помеха возникает между
гальваническую развязку. Таки образом, высокочас группой проводников, т. е. линией или нейтралью и
тотный трансформатор является важным компонен землей [2], как показано на рис. 2.
том импульсного источника питания. Существует Высокочастотный трансформатор. Основное назна
много различных способов намотки высокочастотных чение высокочастотного трансформатора импульсно
трансформаторов, например, простая традиционная, го преобразователя постоянного напряжения это
многослойная и обмотка с перекрещивающимися повышение или понижение входного напряжения и
витками. Основная цель использования сложных спо обеспечение гальванической развязки между входной
собов намотки уменьшение величины индуктивнос и выходной цепями преобразователя. Повышение
ти рассеяния и снижение перенапряжения на рабочей частоты преобразователя позволяет суще
ключевом элементе.
В статье исследованы результаты излучения кон
дуктивных помех при различных способах намотки
трансформатора обратноходового преобразователя,
имеющего одинаковые компоненты. Проведено срав
нение трех типов обмоток высокочастотного транс
форматора традиционной, одна обмотка между
слоями другой и обмотки с чередующимися слоями
соответственно. Сравнение электрических характери
стик, таких как потери мощности, КПД, перенапря
жение на силовом МДПтранзисторе и частота
Рис. 1. Базовая схема обратноходового преобразователя
“звона” подтверждены экспериментальными резуль постоянного напряжения
2
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 3
Рис. 2. Распространение дифференциальной и синфазной Рис. 4. Три способа намотки: 1 – традиционная; 2 – “одна
электромагнитных помех обмотка между слоями другой; 3 – с чередующимися слоями
ственно уменьшить его размеры. Однако, при работе Основное отличие способов намотки состоит в
на частоте переключений кондуктивные помехи и расположении первичной обмотки относительно вто
возникающие от них гармоники возрастают. Кроме ричной. При традиционной намотке первичная об
того, из эквивалентной схемы трансформатора мотка размещается внутри, а вторичная – снаружи.
(рис. 3) видно, что индуктивности рассеяния Lр1 и Lр2 При намотке “одна обмотка между слоями другой”
вызывают перенапряжение на силовом транзисторе вторичная обмотка размещается внутри между слоя
[3]. Резисторами Rп1, Rп2 и Rэ учитываются омичес ми первичной обмотки. Таким образом, в третьем слу
кие потери в трансформаторе. Конденсатором Сп учи чае слои первичной и вторичной обмоток
тываются сосредоточенные емкости первичной и размещаются поочередно.
вторичной обмоток, т. е. его емкость – есть полная
паразитная емкость обмоток трансформатора. Результаты экспериментальных исследований
Условия эксперимента. Экспериментальные иссле
дования проводились с целью определения электри
ческих характеристик и уровня излучаемых
электромагнитных помех при различных способах
намотки. Параметры исследуемых преобразователей
приведены в таблице 1.
Рис. 3. Эквивалентная схема высокочастотного трансформатора
Обмотки высокочастотных
трансформаторов
Способы намотки высокочастотных трансформато
ров. При проведении экспериментов использовались Измерены индуктивности рассеяния всех трех
три способа намотки высокочастотных трансформа трансформаторов. Получены следующие результа
торов для обратноходового преобразователя (рис. 4). ты измерений 4,45 мкГн, 1,7 мкГн и 1,8 мкГн соот
Все трансформаторы изготовлены на одинаковых ветственно.
ферритовых сердечниках 6Н20 размером ETD44, но Результаты измерений перенапряжения на силовом
разными способами намотки – традиционным, одна транзисторе и паразитных высокочастотных колебаний.
обмотка между слоями другой и с чередующимися Результаты измерений, приведенные на рис. 5–7. под
слоями. Внешний вид трансформаторов и располо тверждают, что в случае применения традиционной
жение обмоток показаны на рис. 4. Все трансформа намотки максимальная перенапряжение на силовом
торы имеют одинаковый воздушный зазор. Обмотки транзисторе (Uси) имеет наибольшую величину, рав
трансформаторов изготовлены проводом AWG17 ди ную 120 В. В то же время, перенапряжения при ис
аметром 1,15 мм. число витков первичной обмотки пользовании второго и третьего способов намотки
w1 = 20, коэффициент трансформации w1/w2 = 1. составляют 91 В и 96,8 В соответственно.
3
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 4
Рис. 6. Перенапряжение на силовом ключе при намотке “одна обмотка между слоями другой”
4
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 5
Рис. 9. Спектральный состав напряжения на силовом ключе Рис. 11. Схема измерения электромагнитных помех
при перенапряжении при намотке
“одна обмотка между слоями другой”
Рис. 10. Спектральный состав напряжения на силовом ключе при Рис. 12. Сравнение уровней электромагнитных помех при трех
перенапряжении при намотке с чередующимися слоями способах намотки высокочастотного трансформатора
5
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 6
6
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 7
Д. С. Дейнеко
Среди структур устройств преобразования энергии на ос2 тодов резонансного переключения индуктивность рас
нове ШИМ, в течение десятилетий наиболее широко исполь2 сеяния может быть не вредной, а полезной.
зовалась структура прямоходового преобразователя с одним Однако, в настоящее время не существуют прямо
силовым ключом. Ее популярность основывается на многих ходовые преобразователи, в которых при использо
показателях, включая низкую стоимость, простоту схемы и вании для преобразования электроэнергии режима
высокий КПД. Проведено сравнение структур прямоходовых ШИМ КПД повышается за счет индуктивности рас
преобразователей по величинам КПД и перенапряжения на сеяния. Следовательно, требуются дальнейшие иссле
силовом транзисторе. дования по использованию индуктивности рассеяния
в прямоходвом преобразователе, работающем в режи
При разработке прямоходового преобразователя ме ШИМ.
необходимо обратить внимание на несколько вопро По природе структуры понижающего преобразо
сов, связанных, например, с размагничиванием сер вателя, входной ток прямоходового преобразователя
дечника трансформатора, выбросами напряжения, пульсирующий (рис. 1). Такой ток создает высокоча
вызванными индуктивностью рассеяния трансформа стотные электромагнитные помехи, нарушающие ра
тора, а также пульсирующей формой входного тока.
Трансформатор такого преобразователя перемаг
ничивается только в одном направлении. Схема
прямоходового преобразователя с третичной обмот
кой (ПХПТ) приведена на рис. 1а. Таким образом,
для третьей обмотки и восстановительного диода
VD3 необходимо обеспечить достаточное время
восстановления, чтобы к окончанию каждого пери
ода переключений магнитный поток мог полностью
восстановиться для предотвращения насыщения
сердечника.
Кроме того, изза наличия трансформатора нельзя а
пренебрегать индуктивностями рассеяния Lp1 и Lp3.
Энергия, накопленная в индуктивности рассеяния за
время линейного нарастания тока, не передается в
нагрузку и не возвращается во время паузы. В резуль
тате в напряжении стокисток (Uси) возникают выб б
рос напряжения и паразитные высокочастотные
колебания (рис. 1б). Таким образом, для исключения
появления высоковольтного пробоя в качестве сило
вого ключа необходимо использовать транзистор с
более высоким допустимым значением напряжения
стокисток. Несмотря на то, что такие транзисторы в
7
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 8
8
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 9
9
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 10
10
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 11
а б
Рис. 7. Сравнение измеренных КПД (а) и перенапряжений (б) ПХП*АО и ПХП*RCD, ПХП*АО и МРП*ПНН, МРП*ПНН*РО
11
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 12
12
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 13
А. В. Лукин, Д. С. Дейнеко
Рассмотрен способ улучшения рабочих характеристик пря2 сеяния трансформатора, так и пульсациями входного
моходового преобразователя с активным ограничением пере2 тока. Для улучшения рабочих характеристик преобра
напряжения на силовом ключе за счет снижения величины зователя предложены два способа, основанные на ис
пульсаций входного тока и формирования встроенного вход2 пользовании ограничительного конденсатора и
ного узкополосного режекторного фильтра. индуктивности рассеяния трансформатора – снижение
пульсаций входного тока и формирование встроенного
Для решения проблем, присущих структуре пря входного фильтра.
моходового преобразователя, например, насыщение
сердечника трансформатора, выброс напряжения и Способы улучшения характеристик ПХП-АО
потери на переключение, предложено несколько Для улучшения рабочих характеристик прямохо
схем. Среди структур прямоходового преобразовате дового преобразователя, работающего в режиме
ля, рассмотренных в литературе, для преобразовате ШИМ, предлагаются два способа снижение пульса
лей постоянного напряжения малой и средней ций входного тока и встроенный фильтр за счет ис
мощности наибольшее признание получила структу пользования ограничительного конденсатора и
ра прямоходового преобразователя с активным огра индуктивности рассеяния трансформатора.
ничением (ПХПАО), поскольку она обеспечивает Введение конденсатора между первичными обмот
наибольший КПД и наименьшее перенапряжение на ками ПХПТ (рис. 1а) позволит обеспечить снижение
силовом ключе. уровня пульсаций. Схема прямоходового преобразо
Однако, для реализации ПХПАО требуется боль вателя со снижением пульсаций входного тока (ПХП
шее число электронных компонентов, дополнитель СПВТ) показана на рис. 1б. В отличии от ПХПТ
ный высоковольтный ключ на МДПтранзисторе для (рис. 1в) при использовании предлагаемого способа
реализации схемы ограничения и гальванически раз энергия индуктивностей рассеяния трансформатора
вязанный драйвер с переменным коэффициентом за (Lp1 и Lp3) может поглощаться при закрытом состоя
полнения, которые не требуются для других структур нии силового ключа S1. В результате будут устранены
прямоходвых преобразователей. выбросы напряжения на силовом ключе (рис. 1г).
В последнее время появилось много сведений о Число витков первичных обмоток w1 и w3 одина
том, что при неправильном расчете ПХПАО могут ково, следовательно при запертом состоянии силово
возникнуть проблемы, связанные с повышенным на го ключа
пряжением на силовом ключе, обратным восстанов
U w1 = U w3 . (1)
лением внутреннего диода ключа ограничителя или
насыщением сердечника трансформатора во время За счет того, что напряжения Uw1 и Uw3 имеют раз
переходных процессов при большом сигнале [1–2]. В ную полярность, конденсатор С1 заряжается до ве
результате многие вопросы проектирования суще личины входного напряжения Uвх, и напряжение на
ственно усложняются, что затрудняет обеспечение нем (UС1) ограничивается на этом уровне, что выте
оптимальных характеристик преобразователя. При кает из уравнения
отсутствии четкой методики проектирования ПХП
U C1 = U вх −U w1 + U w3 = U вх . (2)
АО в промышленности при его разработке часто
пользуются итерационными методами проб и оши Такая структура отличается от других конденсатор
бок, что существенно увеличивает время разработки ных структур ограничения. Например, напряжение на
и повышает ее стоимость. конденсаторе ПХПАО зависит от вольтсекунд
К тому же, понижающий преобразователь и схе трансформатора согласно соотношению
мы на основе его структуры имеют одно общее свой
DU вх nU вых
ство – пульсирующий входной ток. Проблемы, U C1 = = , (3)
вызываемые такой формой тока обычно решаются за 1− D 1− D
счет введения в схему внешнего LCфильтра. Такой где п – коэффициент трансформации.
фильтр не только занимает лишнее место, но и повы Таким образом, напряжение на конденсаторе яв
шает стоимость преобразователя. ляется функцией коэффициента заполнения и вход
Кроме устранения избыточного напряжения на си ного напряжения.
ловом ключе ПХПАО во время переходных процессов Напротив, из рис. 2 видно, что при предложенном
при большом сигнале, одновременно необходимо ре способе напряжение на конденсаторе ограничено
шить проблемы, вызванные как индуктивностью рас напряжением питания, изменение которого может
13
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 14
U вх Δt i вых Lp3
Δi вх = = ; (5)
в г
Lp1 Lp1 + Lp3
14
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 15
силовой ключ iS1, входного тока iвх и тока через огра источником и ограничительным конденсатором обо
ничительный конденсатор iС1. значены как Δiвх и ΔiС1.
Для исследования снижения пульсаций в ПХП Полагая, что iнм << iвых, (iнм – ток намагничивания,
СПВТ воспользуемся свойством баланса заряда огра iвых – выходной ток), считаем, что через открытый си
ничительного конденсатора. Эквивалентные схемы ловой ключ S1 протекает ток, равный току нагрузки,
преобразователя и временные диаграммы при откры т. е.
том и запертом состояниях силового ключа приведе
I вых
ны на рис. 5а и б.На рис. 5в уровни токов через i вх + i C1 = iS1 = , (8)
силовой ключ iS1, входного тока iвх и тока через огра n
ничительный конденсатор iС1 на разных этапах рабо Когда силовой ключ S1 заперт, получаем
ты преобразователя обозначены как ia, ib и ic. Кроме
того, распределение пульсаций тока между входным i вх + iC1 = iS1 = 0 . (9)
б в
Рис. 5. Эквивалентные схемы ПХП*СПВТ при открытом (а) и закрытом (б) силовом ключе и ключевые временные диаграммы
(при балансе заряда А = В, ток через силовой ключ iS1 = iвх + iС1)
15
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:50 Page 16
Lp1 i вых D
ib = . (15)
n (Lp1 + Lp3 )
Из (12) и (13) получаем
i вых (DLp1 + Lp3 )
ic = ib + Δi вх = . (16)
n (Lp1 + Lp3 )
16
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 17
17
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 18
i вых i вых L3 D (1 − D )
i вх + i C1 = . (32) iC1(д) = . (42)
n n (L1 + L3 )
18
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 19
f (max) =
1 1 L1 D (1 − D )i вых
; f (min) = . C1 = ⋅ . (48)
2π (L1 + L3 )C1 2π L3 C1 2(L1 + L3 ) n f пер (U си max − 2U вх max )
Поскольку обеспечение L1 ≅ L3 не требует допол Емкость конденсатора С1 является функцией сле
нительных усилий при разработке трансформатора, дующих параметров – частоты переключений (fпер),
разработка компонентов фильтра L1, L3 и С1 упро выходного тока (iвых), коэффициента заполнения (D)
щается обеспечением двух величин L1 = L3 и С1, кото и отношения индуктивностей рассеяния L1/( L1 + L3).
рые можно определить из выражения для определения После того, как определены технические характе
частоты режекции f(min). ристики преобразователя, максимальное перенапря
Форма входного тока ПХПСПВТ при отсутствии жение на силовом ключе и частота переключений
режекторного фильтра показана на рис. 9а, при его величины L3 и С1 рассчитываются с помощью выра
наличии на рис. 9б. Несмотря на то, что в обоих слу жений (44) и (48). Тем не менее, в таких преобразова
чаях амплитуды пульсаций тока одинаковы, входной телях возможно множество сочетаний величин
ток при наличии режекторного фильтра имеет более емкости конденсатора ограничителя и индуктивнос
гладкую форму, а не трапецеидальную. Основная гар ти рассеяния.
моника ослаблена на 20% (рис. 9в), что позволяет
уменьшить габариты входного фильтра.
Для обеспечения максимального ослабления час
тоту режекции необходимо выбирать равной частоте
переключений, т. е.
а б
в
б
Рис. 9. Формы входного тока ПХП*СПВТ при отсутствии (а) и
Рис. 8. Эквивалентная схема ПХП*СПВТ (а); коэффициент наличии (б) входного узкополосного режекторного фильтра
передачи узкополосного режекторного фильтра (б): (УПРФ) (б); спектральные составы входного тока (в)
1 L1 = L3; 2 L1 = 2L3; 3 L1 = L3/2 (УРФ – узкополосный режекторный фильтр)
19
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 20
а в
б г
Рис. 10. Схемы ПХП*АО (а) и ПХП*СПВТ (в); формы входного тока: б – ПХП*АО; г – ПХП*СПВТ
20
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 21
а б
б в
Рис. 13. Схемы ПХП*СПВТ (а) и ПХП*АО (б); напряжение сток*исток силового ключа при
скачкообразном изменении входного напряжения (в)
(Lнм = 80 мкГн, С1 = 0,015 мкФ – ПХП*АО; Lнм = Lр3 = 540 нГн, С1 = 20,9 мкФ – ПХП*СПВТ)
21
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 22
22
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 23
Л. И. Цытович, О. Г. Брылина
Большинство насосных станций водоснабжения жилых сразу оговориться, что тип ВП (тиристорный пре
зданий и предприятий, систем воздухообмена и пожароту2 образователь постоянного тока, регулятор перемен
шения, электронагревательных установок, регуляторов ос2 ного напряжения, преобразователь частоты и т. д.)
вещенности и т. д. представляют собой системы управления определяется классом ИМ и для рассмотрения
с параллельными каналами регулирования (СПКР) [1, 2], где принципа действия данной и всех последующих
часть исполнительных механизмов, получающих электропи2 структур СПКР на базе МРП принципиального зна
тание от вентильных преобразователей (ВП) (тиристорные чения не имеет.
регуляторы переменного и постоянного напряжения, пре2 Базовая структура МРП [3] (рис. 1а) в включает в
образователи частоты, транзисторные широтно2импульс2 себя сумматоры S1, S2, интегратор И, а также нечет
ные преобразователи постоянного тока и пр.) являются ное число релейных элементов РЭ1–РЭn (п ≥ 3, 5, 7,
рабочими, а другая резервными. Для управления СПКР пер2 ...), выполненных с симметричными относительно ну
спективен метод многозонного регулирования [3], когда левого уровня порогами переключения |±b1| < |±b2| <
весь диапазон выходной координаты системы разбивается …< |±bn|, где индекс при “ b ” соответствует порядко
на несколько поддиапазонов (модуляционных зон) с плав2 вому номеру РЭ. Выходные сигналы РЭ меняются
ным регулированием в пределах одной зоны и дискретным дискретно в пределах ±А/п. Число модуляционных
регулированием в остальных поддиапазонах. В большин2 зон МРП равно k = (n + 1)/2 (рис. 1б). Режим автоко
стве случаев многозонное управление обеспечивает повы2 лебаний в МРП всегда возникает в тракте РЭ, имею
шенную точность регулирования и минимизацию щего наименьшее значение порогов переключения.
энергетических затрат на технологическом объекте. Одна2 При нулевом значении входного сигнала X ВХ
ко, многозонные системы управления с применением со2 РЭ2–РЭn находятся в противоположных по знаку вы
временных цифровых информационных регуляторов и ходного сигнала состояниях, что определяет работу
силовых преобразователей зачастую оказываются доста2 МРП в первой модуляционной зоне, ограниченной
точно сложными и требуют высокой квалификации обслу2 пределами ±А/п. В старших модуляционных зона со
живающего персонала. В этих у словиях необходимо стояния РЭ2–РЭn идентичны и в сумме равны +А или
находить разумный компромисс между простотой техничес2 –А, в зависимости от квадранта статической характе
кой реализации системы управления и ее тактико2техничес2 ристики Y0 = (–1)XВХ, где Y0 – среднее значение вы
кими показателями. Одним из таких направлений является ходного сигнала МРП; (–1) – знак инвертирования
построение СПКР на базе многозонных интегрирующих раз2 входного сигнала. Переход МРП из одной модуляци
вертывающих преобразователей (МРП) [4], сочетающих в онной зоны в другую определяется величиной сигна
себе достаточно высокую точность регулирования, помехо2 ла управления на его информационном входе XВХ (рис.
устойчивость, возможность в СПКР автоматического резер2 1б). При этом реализуется частотноширотноим
вирования каналов управления и простоту аппаратурного пульсная модуляция (ЧШИМ), когда интервалы дис
построения. Ниже рассматривается ряд принципов постро2 кретизации выходных импульсов t i1 , t i2 и T 0i
ения многозонных интегрирующих СПКР на базе МРП. оказываются зависимыми от величины сигнала управ
ления XВХ (рис. 1в). Среднее значение сигнала на вы
Теоретическая часть ходе сумматора Σ2 Y01…Y0i за период T0i для каждой
Многозонные системы с дискретным управлени модуляционной зоны линейно относительно XВХ.
ем. Структура простейшего варианта системы управ Рассматриваемая СПКР относится к классу диск
ления группой из четного числа параллельно ретных систем управления с числом каналов регули
работающих исполнительных механизмов ИМ с дис рования п – 1. Включение каналов регулирования
кретным регулированием (рис. 1а) содержит МРП, производится от ВП, например, тиристорных регуля
датчик обратной связи ДОС по регулируемому пара торов напряжения для “мягкого” пуска асинхронных
метру объекта управления ОУ, а также группу каска электродвигателей (ТРН), управляющие входы кото
дов “вентильный преобразователь (ВП) – рых подключаются к соответствующим выходам ре
исполнительный механизм (ИМ)”, каждый из кото лейных элементов РЭ2–РЭn МРП.
рых в пределах своего поддиапазона регулирования Принцип действия системы следующий. В началь
воздействует на объект управления ОУ. Здесь следует ный момент времени под действием сигнала задания
23
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 24
24
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 25
Рис. 3. Структурная схема комбинированной плавно*дискретной системы управления нечетным числом каналов регулирования на
основе многозонного интегрирующего развертывающего преобразователя
(или выключенное) положение только после оконча ся ВП в силу насыщенности их систем управления эле
ния переходного процесса в МРП. ментами микроэлектроники, оказывающихся достаточ
Многозонная система управления с комбинирован но чувствительными к сигналам внешних помех со
ным плавнодискретным регулированием. На объектах стороны информационного входа ВП и напряжения
с параллельными каналами часто применяется ком сети. В решении этой проблемы перспективны МРП,
бинированный метод регулирования, когда один ка обладающие свойством самодиагностирования и само
нал управляется, например, от преобразователя резервирования каналов преобразования информации
частоты (ПЧ), а остальные – с помощью ТРН. [9].
Структура подобной системы на базе МРП приве Упрощенный вариант саморезервирующейся си
дена на рис. 3. Ее отличие от системы на рис. 2 состо стемы для управления группой параллельно работа
ит в том, что в процессе плавного регулирования ющих ВП, например, ТРН и ИМ при n = 3 показан на
задействован РЭ1, на выходе которого включен де рис. 4.
модулирующий (сглаживающий) фильтр Ф, напри Она включает непосредственно МРП, а также,
мер, апериодический первого порядка. С его блоки З1, З2 логической функции “Запрет” и блоки
помощью выделяется среднее за интервал дискрети готовности системы к запуску БГ1, БГ2 на базе логи
зации значение выходных импульсов РЭ1, которое ческих элементов “ИЛИ”. Каналы “ВП1–ИМ1” и
пропорционально сигналу рассогласования на входе “ВП2–ИМ2” работают на общий объект ОУ. РЭ0 с
звена И. Функции силового преобразователя выпол наименьшим значением порогов переключения не
няет ПЧ, частота и амплитуда выходного напряжения принимает непосредственного участия в управлении
которого зависит от напряжения на его информаци исполнительной частью каналов регулирования. РЭ1,
онном входе. При этом канал плавного регулирова РЭ2 выполнены со стробирующим входом, при по
ния работает постоянно, а дискретные каналы в даче на который сигнала логической “1” с выхода БГ1
режиме “включено/выключено” в зависимости от
порядка модуляционной зоны и связанного с ним
знака выходных сигналов РЭ2–РЭi.
Многозонная система управления с автоматическим
резервированием каналов регулирования. Проблема диаг
ностирования работоспособности электронных систем
автоматического управления технологическими процес
сами и их автоматическое резервирование является од
ной из наиболее сложных технических задач ввиду
отсутствия однозначной связи между характером выход
ных сигналов элементов технологического комплекса
и фактом их работоспособности, что позволило бы ис
пользовать простые методы параметрического диагно
стирования [7, 8]. Применение же активных тестовых
методов контроля за состоянием системы управления,
как правило, не дает желаемого эффекта изза сложно
сти их технической реализации и отсутствия надежных
средств диагностирования непосредственно системы
диагностирования. При этом, как показывает практи Рис. 4. Структурная схема системы управления с автоматичес*
ка, наибольшей вероятностью отказов характеризуют ким резервированием каналов регулирования
25
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 26
Рис. 5. Временные диаграммы сигналов при последовательном Рис. 6. Временные диаграммы сигналов системы управления
включении каналов регулирования при отказах вентильных преобразователей
26
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 27
27
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 28
Рис.9. Упрощенная функциональная схема многозонной системы управления асинхронными электроприводами водяных насосов
гран бассейна на ОАО “Челябинский трубопрокатный завод”
28
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 29
29
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 30
30
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:51 Page 31
С. В. Аверин, М. А. Малышев
При работе в режиме разрывных токов (РРТ) базовые величины, определенной на предыдущем периоде пе
структуры преобразователей постоянного напряжения обла2 реключений [2]. Дискретизация выходного напряжения
дают свойством коррекции коэффициента мощности (ККМ), обеспечивается пиковым значением тока дросселя ав
поскольку при подсоединении к выпрямителю сетевого напря2 томатически. Это свойство РРТ можно назвать “само
жения, они способны повысить коэффициент мощности за счет коррекцией коэффициента мощности”, поскольку при
внутренних особенностей своих структур. При этом для рабо2 этом не требуется контур обратной связи по входу. Это
ты в качестве корректоров коэффициента мощности в таких также является основным преимуществом, по сравне
преобразователях отсутствует необходимость введения об2 нию с ККМ, работающим в РНТ, где необходимы не
ратной связи по току. В статье рассмотрены возможности ба2 сколько контуров обратной связи. Однако при работе в
зовых структур преобразователей постоянного напряжения с РРТ входной дроссель не может удерживать избыточ
точки зрения присущих им возможностей коррекции коэффи2 ную входную энергию, так как должен сбрасывать всю
циента мощности. Проведено сравнение их входных характе2 накопленную энергию до окончания каждого периода
ристик и рассмотрены обеспечиваемые ими формы входных переключений. В результате для обеспечения баланса
токов. мгновенных значений входной и выходной мощностей
возникает необходимость использования конденсато
Как правило, для повышения коэффициента мощ ра большой емкости и габаритов. Кроме того, при ис
ности преобразователя электроэнергии разрабатыва пользовании РРТ входной ток представляет собой
ется схема коррекции коэффициента мощности, последовательность импульсов треугольной формы с
которая размещается на входе преобразователя, пи практически постоянным коэффициентом заполнения.
тающего нагрузку. Такая схема ККМ может быть как В этом случае для сглаживания пульсаций входного тока,
независимым отдельным устройством, за которым т. е. обеспечения его непрерывности, необходим вход
следует преобразователь, либо встроена непосред ной фильтр. Совершенно очевидно, что получение вы
ственно на вход преобразователя. Сеть является ис соких значений коэффициента мощности среднее
точником напряжения, которое не будет искажаться значение импульсного тока должно повторять форму
при синусоидальной форме потребляемого тока. Та входного напряжения и совпадать с ним по фазе.
ким образом, основная идея введения определенны Все основные структуры преобразователей по
ми способами ККМ в преобразователь постоянного стоянного могут обеспечить работу в РРТ. Однако
напряжения – это обеспечение повторения потреб при подаче на них выпрямленного напряжения
ляемым током формы напряжения сети. формы среднего потребляемого от сети тока могут
Однако существует несоответствие между мгно отличаться. В статье рассмотрены следующие
венными значениями входной мощности ККМ, ко структуры преобразователей: понижающего, повы
торая изменяется с удвоенной частотой сети, и шающего, понижающеповышающего, обратнохо
постоянной выходной мощности. Следовательно, дового, прямоходового, Кука, SEPIC и Zeta.
принцип действия ККМ состоит в том, что ККМ Результаты анализа показали, что только не все из
должен накапливать избыточную энергию на вхо них пригодны для применения в качестве коррек
де, когда мгновенная мощность нагрузки превыша торов коэффициента мощности.
ет входную, и отдавать накопленную энергию, когда
мгновенная мощность на входе меньше выходной. Входные вольт-амперные характеристики
Для обеспечения такого процесса в схеме ККМ дол основных структур преобразователей
жен присутствовать хотя бы один накопительный Для исследования использования возможностей
элемент. “самокоррекции коэффициента мощности” сначала
В большинстве схем ККМ к выходу мостового вып рассмотрим входные вольтамперные характеристи
рямителя подключается дроссель. В силу естественной ки структур преобразователей постоянного напряже
непрерывности тока дросселя такое соединение обыч ния. Вследствие того, что входные токи этих
но называют “управляемое током” [1]. Входной дрос преобразователей при работе в РРТ носят импульс
сель может работать в режимах как непрерывного тока ный характер, рассматривать будем только средние
(РНТ), так и разрывного тока (РРТ). В РРТ дроссель не значения входных токов. Поскольку частота переклю
является переменной состояния, поскольку его состоя чений во много раз превосходит частоту сети, при
ние на заданном периоде переключений не зависит от мем, что за один период переключений напряжение
31
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 32
1 ⎡ (D + D1 )Tпер u1 (t )D ⎤
i1ср (t ) = ⎢ ⋅ ⎥=
Tпер ⎣ 2 L ⎦
(2)
D 2Tпер u1 (t )U вых
= ⋅ .
2L u1 (t ) −U вых
32
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 33
а
а
б б
в в
33
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 34
в
б
Рис. 4. Обратноходовой преобразователь в РРТ:
а – структура; б – форма входного тока; Рис. 5. Структура прямоходового преобразователя (а) и форма
в – входная вольт*амперная характкеристика входного тока (б)
34
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 35
б
в
Рис. 7. Преобразователь Кука:
Рис. 6. Базовые структуры преобразователей: а – типовые формы токов;
а – Кука; б – SEPIC; в – Zeta б – входные вольт*амперные характеристики при работе в РРТ
Таблица 1
35
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 36
36
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 37
Ю. Г. Следков, И. Н. Соловьев
Рассмотрена схема ШИМ с высоким разрешением на осно2 способы включают ШИМ с равномерным квантова
ве таблицы преобразования (ТП). Процессор и таблица исполь2 нием [2, 3], дельта модуляцию [4, 5], селективное ис
зуются для расширения суммарного рабочего диапазона при ключение гармоник [6], ШИМ с равномерным
условии использования ограниченного объема памяти. Коэффи2 квантованием и селективным исключением гармоник
циент заполнения импульсов ШИМ для трех фаз рассчитывает2 [6, 8], ШИМ с равномерным квантованием и мини
ся процессором для заданной глубины модуляции и частоты один мизацией гармоник [8], пространственновекторная
раз за период несущей частоты, а последовательности импуль2 ШИМ [9]. В случае ШИМ с равномерным квантова
сов в режиме ШИМ формируются тремя схемами стираемых нием формируется последовательность импульсов
программируемых ПЗУ (СППЗУ). Работоспособность схемы про2 одинаковой частоты, длительность которых промо
верена с помощью макета трехфазного инвертора с силовыми дулирована по синусоидальному закону. Спектраль
ключами на основе МДП2транзисторов. Рассмотренная схема ный состав такого напряжения зависит от несущей
позволяет формировать сигналы ШИМ с высоким разрешением частоты. Промежуточными гармонические состава
в широком рабочем диапазоне при оптимальной потребности в ми можно пренебречь в силу природы процесса мо
схемах памяти. Как частота, так и глубина модуляции могут из2 дуляции. За счет выбора достаточно высокой несущей
меняться в диалоговом режиме, не оказывая влияния на работу частоты для подавления высших гармоник необходим
схемы. Представлены принципы разработки и результаты испы2 небольшой фильтр. В случае селективного подавле
таний. ния гармоник частота импульсов также постоянна, а
моменты переключений определяются аналитически
Современные инверторы управляются с помо по номерам определенных исключаемых гармоник.
щью способа широтноимпульсной модуляции Этот способ требует большого объема вычислений,
(ШИМ). Режим ШИМ можно реализовать, исполь которые, как правило, производятся заранее. ШИМ
зуя микропроцессор, устройства вводавывода с равномерным квантованием и минимизацией гар
(УВВ) и программируемые таймеры. Существуют моник аналогична ШИМ с равномерным квантова
целый ряд различных схем управления инвертора нием, но в этом случае третья гармоника намеренно
ми в режиме ШИМ. В схемах на основе таблиц пре вводится в модулирующее синусоидальное напряже
образования (ТП) коды ШИМ рассчитываются для ние. Этот способ поддерживает линейную перемоду
всего периода основной гармоники и сохраняются ляцию и пригоден для высоковольтных устройств.
в СППЗУ. Необходимый для заданных частоты и При селективном исключении гармоник с равномер
глубины модуляции код выбирается с помощью ным квантованием момент переключения по передне
процессора. В прошлом такие схемы были отверг му фронту импульсов рассчитывается, согласно
нуты вследствие потребности в памяти большого модулирующему сигналу, а момент переключения по
объема и стоимости. В схемах ШИМ на основе мик заднему фронту согласно сдвинутому модулирующе
ропроцессора коды ШИМ рассчитываются в режи му сигналу, что позволяет получить последователь
ме онлайн. Импульсы в реальном масштабе времени ность импульсов с улучшенным спектральным
формируются с помощью программируемых тайме составом.
ров и УВВ [1]. Такие схемы ограничивают рабочий
диапазон при использовании их в электроприводах Определение моментов переключений
и требуют высокоскоростных процессоров для фор последовательности импульсов режима ШИМ
мирования импульсов ШИМ в широком рабочем Импульсы в режиме ШИМ должны формиро
диапазоне. В статье рассмотрена схема ШИМ на ваться таким образом, чтобы их длительности из
основе ТП, в которой процессор и ТП используют менялись в соответствии с высотой модулирующего
ся для расширения рабочего диапазона и снижения сигнала в момент дискретизации. Среднее значение
объема требуемой памяти. Изменение частоты и импульса ШИМ за период меняется в соответствии
индекса модуляции в реальном времени осуществ с длительностью импульса. Таким образом, дли
ляется без ухудшения характеристик схемы. тельность импульса рассчитывается с учетом того,
что среднее значение напряжения импульса за пе
Широтно-импульсная модуляция риод равно величине модулирующего напряжения
В литературе описан целый ряд способов управ в момент квантования. Дискретизация синусои
ления напряжением, частотой и спектральным соста дального модулирующего сигнала на равных интер
вом напряжения инвертора в режиме ШИМ. Эти валах показана на рис. 1. Напряжение импульса
37
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 38
Kк ⎡ ⎛ n − 1 i − 1 ⎞⎤
Kи = + M пр sin ⎢2π ⎜ − ⎟⎥ , (5)
2 ⎣ ⎝ N 3 ⎠⎦
где Кк – число отсчетов за период несущей;
Мпр – метка модуляции индекс модуляции, при
веденный к Кк/2;
N – число импульсов на периоде основной гар
б моники (fд/f).
Рис. 1. Квантование синусоидального модулирующего сигнала:
Выражение (5) можно записать в виде
а – ступенчатый модулирующий сигнал; б – импульс ШИМ
M пр K n
Kи = Km + , (6)
Km
ШИМ изменяется от +U до –U. Значение модули
рующего сигнала на пом периоде дискретизации Кк K ⎡ ⎛ n − 1 i − 1 ⎞⎤
определяется как где K m = ; K n = к sin ⎢2π ⎜ − ⎟⎥ . (7)
2 2 ⎣ ⎝ N 3 ⎠⎦
U n = U m sin[ω(n − 1)Tк ] . (1)
Среднее значение напряжения импульса ШИМ за Если число импульсов равно Кт, то полное число
период коэффициентов заполнения также равно Кт. В этом
случае обобщенное выражение для вычисления ко
t1 − t 2
U ср = U , (2) эффициента заполнения для трех фаз имеет вид
Tк
где t1 и t2 – длительность положительной и отрица M пр K n
Km +
тельной частей импульса ШИМ соответственно; Km
Тк = t1 + t2 – период квантования. Di = . (8)
2
Считаем, что среднее значение напряжения им
пульса ШИМ за период равно значению модулирую В (8) Мпр – целочисленная переменная. В свою
щего сигнала в фиксированный момент квантования. очередь, поскольку Кк принимается четным числом,
При таком предположении из (1) и (2) получаем Кт целочисленная переменная. Значения Кп также
округляются. При таких целочисленных типах дан
t1 − t 2
U m sin[ω(n − 1)Tк ] = U , ных схема управления инвертором в режиме ШИМ
Tк может быть выполнена на основе недорогого мик
или ропроцессора.
t1 − (Tк − t1 )
U m sin[ω(n − 1)Tк ] = U , Блок-схема схемы управления
Tк Блоксхема инвертора в режиме ШИМ, реализу
или ющая рассмотренный метод, показана на рис. 2.
Схема содержит три СППЗУ объемом 32 К каж
Um 2t
sin[ω(n − 1)Tк ] = 1 − 1 . дое. С помощью 12разрядного двоичного счетчика
U Tк (СТ2) осуществляется опрос СППЗУ, содержащих 256
Таким образом, замеров. Моностабильный таймер (МСТ) использу
ется для увеличения длительности импульса сквозно
Tк
t1 =
{1 + M sin[(n − 1)ωT ]} . (3) го переноса (RC), формируемого счетчиком. С
2 помощью этого импульса двоичный счетчик обнуля
где M = Um/U – индекс модуляции. ется и выдается команда процессору на передачу но
38
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 39
Рис. 3. Последовательность импульсов для фазы А при f = 90 Гц; Рис. 5. Последовательность импульсов для фазы А при f = 70 Гц;
М = 0,94; fк = 1600 Гц М = 0,6; fк = 1600 Гц
Рис. 4. Спектр сформированной последовательности импульсов Рис. 6. Спектр сформированной последовательности импульсов
для фазы А при f = 90 Гц; М = 0,94; fк = 1600 Гц для фазы А при f = 70 Гц; М = 0,6; fк = 1600 Гц
39
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 40
Рис. 7. Экспериментальная последовательность импульсов для Рис. 9. Экспериментальная последовательность импульсов для
фазы А при f = 90 Гц; М = 0,94; fк = 1600 Гц фазы А при f = 70 Гц; М = 0,6; fк = 1600 Гц
помощью приведенного выше алгоритма. Результа Applications, March/April, 1981, pp. 199–204.
ты эксперимента для различных частот и индексов 5. K. M. Rahman, M. A. Choudhury, M. R. Khan and M.
модуляции приведены на рис. 7–10. A. Rahman. Dual Slope Integrator Type Delta Modulator
Выводы for High Performance Voltage Source Inverters. – Power
Рассмотрена гибридная схема управления инвер Conversion Conference (PCC)Nagaoka’97, Japan, pp.
тором в режиме ШИМ на основе таблицы преобра 451–455, 1997.
зований (ТП). За счет упрощения выражения для 6. H. S. Patel and R. G.Hoft. Generalized Techniques
вычисления коэффициента заполнения схема может of Harmonic Elimination and Voltage Control in Thyristor
быть реализована на основе недорогого микропроцес Inverters. – IEEE Transactions on Industry Applications,
сора. Поскольку расчеты производятся автономно pp. 310–317, 1973.
расширен диапазон работы инвертора. Существенно 7. S. R. Bowes. Novel RealTime Harmonic Minimized
снижен объем памяти, необходимой для хранения PWM Control for Drives and Static Power Converters.–
отсчетов ШИМ. Обеспечено получение большего чис IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 9, No. 3,
ла отсчетов за период несущей увеличено разрешение May 1994, pp 256–362.
ШИМ. Изменение частоты и индекса модуляции 8. S. R. Bowes. Regular Sampled harmonic Elimination
можно производить в режиме онлайн без нарушения PWM control of Inverter Drives. – IEEE Transactions on
работы схемы. Power Electronics, Vol. 10, No. 5, September 1995, pp.
521–531.
Литература 9. K. S. Rajashekara, Joseph Vithayathil. Microprocessor
1. S. R. Bowes. Advanced Regular Sampled PWM based Sinusoidal PWM Inverter by DMA transfer. – IEEE
Control Techniques for Drives and Static Power Transactions on Industry Applications, vol. IA19, no. 2, pp.
Converters. – IEEE Transactions on Industrial Electronics, 187–194, March/April 1983.
Vol. 42, No. 4, August 1995, pp. 367–373.
2. S. R. Bowes. New Sinusoidal Pulse WidthModulated
Inverter. – IEE Proc., Vol. 122, No. 11, pp. 1279–1285,
1975. Следков Юрий Германович, к. т. н., доцент кафедры “Мик2
3. S. R. Bowes and M. J. Mount. Microprocessor control роэлектронных электросистем” МАИ, тел. 8(499) 158249221,
of PWM Inverters. – Proc. IEE, BElect. Power Appl., e2mail: dean3_dep5@mai.ru.
vol. 128, no. 6, pp. 293–305, 1981. Соловьев Игорь Николаевич, зав. кафедрой “Микроэлект2
4. P. D. Ziogas. The Delta Modulation Techniques in ронных электросистем” МАИ, доцент, к. т. н., тел.: 8(499) 1582
Static PWM Inverters. – IEEE Transactions on Industrial 44226, e2mail: sin@mai.ru.
40
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 41
Т. В. Анисимова, А. Н. Данилина
В ряде случаев первичный источник или стандартная основной гармоники, но при одинаковом спектраль
сеть по частоте, стабильности или напряжению оказывают2 ном составе требующее большего числа импульсов за
ся непригодными для непосредственного питания электрон2 период выходного напряжения, чем при ШИМ. Наи
ных устройств. Таким образом, возникает необходимость большее распространение в инверторах для форми
преобразования электрической энергии. В статье рассмот2 рования напряжения с улучшенным спектральным
рен инвертор в режиме синусоидальной ШИМ (ШИМ2СИН) составом получил метод синусоидальной ШИМ.
с улучшенными рабочими характеристиками, контур отри2 Принципиально необходимыми элементами ста
цательной обратной связи которого выполнен на основе билизированных инверторов, использующих ключе
ПИД2регулятора. Приведены результаты моделирования, вой режим работы, вне зависимости от выбранной
подтверждающие теоретические положения статьи. функциональной схемы, являются:
¾ транзисторный коммутатор, преобразующий
Транзисторные инверторы предназначены для постоянное входное напряжение в последова
преобразования энергии постоянного напряжения в тельность прямоугольных импульсов;
энергию переменного напряжения. Сфера их приме ¾ силовой фильтр для формирования гладкой си
нения весьма обширна. Они необходимы для функ нусоидальной формы выходного напряжения;
ционирования электронных систем автоматики и ¾ устройство управления, защиты и обратной связи;
вычислительной техники, телекоммуникационных ¾ силовой трансформатор для гальванической раз
систем, устройств управления электродвигателями, а вязки для согласования номиналов входного и
также в качестве аварийных источников питания при выходного напряжений;
наличии первичной сети переменного тока. ¾ блок вспомогательных напряжений для питания
При проектировании инверторов рассматривают схемы управления и драйверов силовых ключей
ся два основных вопроса, специфических для этого мостового коммутатора, а также обеспечения за
класса устройства: данного уровня постоянного напряжения для
¾ формирование импульсных напряжений с улуч питания мостового коммутатора; часто этот
шенным спектральным составом, аппроксими блок является гальванической развязкой;
рующих синусоидальное; ¾ входной фильтр, защищающий источник пита
¾ выбор структуры и параметров выходного филь ния от помех.
тра, обеспечивающего заданное подавление всех Существуют два принципиально различных вари
гармоник, кроме основной. анта построения инверторов. В первом случае транс
Силовая часть инвертора представляет собой тран форматор установлен на выходе силового фильтра.
зисторный мостовой коммутатор. Для получения вы Габариты и масса трансформатора, определяемые
сокого КПД транзисторы мостового коммутатора выходной мощностью и частотой, фиксированы и со
должны работать в режиме переключения. В резуль ставляют значительную часть объема и массы всего
тате на его выходе можно сформировать различные инвертора, что является основным недостатком такой
периодические последовательности прямоугольных функциональной схемы. Во втором случае силовой
импульсов напряжения с различным спектральным трансформатор находится в составе конвертора, пре
составом, из спектра которых необходимо выделить образующего низкое напряжение первичного источ
основную гармонику и, по возможности, подавить все ника в высокое, для питания мостового коммутатора.
высшие. Сделать это можно только с помощью ин Трансформатор в такой схеме работает на повышен
дуктивноемкостных фильтров. ной частоте, что значительно улучшает его массога
Существуют следующие способы формирования баритные характеристики. Блоксхема инвертора в
импульсного напряжения с улучшенным спектраль режиме ШИМСИН, когда трансформатор входит в
ным составом: формирование ступенчатого напряже состав конвертора, показана на рис. 1.
ния, позволяющее исключить 3 и кратные ей Для обеспечения устойчивости системы в контуре
гармоники, но при этом требующее наличия в сило обратной связи вводится корректирующие звено, ко
вой части трансформаторов с отводами, синусоидаль торое представляет собой электронный регулятор.
ная широтноимпульсная модуляция, при которой
номера первой группы учитываемых высших гармо Частотные характеристики инвертора
ник зависят от кратности несущей и модулирующей Задача регулирования сводится к обеспечению
частоты, и широтноимпульсное регулирование, по требуемого качества переходного процесса. Наи
зволяющее исключить определенное количество гар большее распространение получили следующие
моник во всем диапазоне регулирования амплитуды типы регуляторов: пропорциональный (П), пропор
41
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 42
42
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 43
Моделирование преобразователя
Моделирование преобразователя проведено с по
Рис. 4. Частотные характеристики ПИД*регулятора, полученные
с помощью моделирования на PSpice мощью программы OrCAD.
Модель инвертора состоит из модели силовой ча
сти и модели схемы управления. Схема модели пре
образователя представлена на рис. 6.
Для удобства работы микросхемы управления си
ловыми транзисторами M14–M17 реализованы в виде
иерархических схем HS8–HS11. В виде иерархичес
ких схем выполнен активный выпрямитель HS12,
HS15 , а также фильтр нижних частот HS6.
В качестве трансформатора обратной связи ис
пользован элемент аналогового поведенческого мо
делирования АВМ2. Источники V2, V3, V10–V13
служат для питания операционных усилителей и мик
росхем управления. Источник V7 питает мостовой
коммутатор.
Модель схемы управления состоит из:
¾ задающего генератора и генератора пилообраз
ного напряжения, выполненного на операцион
ных усилителях U1 и U2, резисторах R1, R2, R4
и конденсаторе C7;
¾ делителя частоты на счетчиках U23 и U45, JK
триггере U22A;
Рис. 5. Частотные характеристики инвертора:
ω) – ЛАХ “управление*выход” устройства без обратной связи;
L(ω ¾ фильтра нижних частот HS6;
ω) – ЛАХ ПИД*регулятора; Lо(ω
Lreg(ω ω) – ЛАХ “управление*выход” ¾ активного выпрямителя HS12;
ω) – ФЧХ устройства без обратной связи;
всего устройства; F(ω
ω) – ФЧХ ПИД*регулятора; Fо(ω
Freg(ω ω) – ФЧХ всего устройства ¾ регулятора синусоидального сигнала, выполнен
ного на операционном усилителе U35, полевом
43
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 44
44
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 45
Д. Р. Манбеков, Д. А.Шевцов
В статье представлены результаты моделирования, пока2 или эквивалентной разности напряжений на первич
зывающие возможность практического использования управ2 ной обмотке в смежные полупериоды [1]. Особенно
ления по напряжению с применением формирователя остро проблема несимметрии проявляется при повы
вольт2секундного интеграла (ВСИ) для обеспечения симмет2 шенном напряжении питания и повышенных часто
ричного процесса перемагничивания сердечника силового тах преобразования. Как показал проведенный
трансформатора в двухтактных высокочастотных транзистор2 анализ, известные методы симметрирования [2, 3] по
ных преобразователях. разным причинам оказались мало эффективными.
В [4] предложен новый метод симметрирования, ос
Использование двухтактных преобразователей по нованный на управлении по напряжению с использо
стоянного напряжения с ШИМрегулированием, как ванием вольтсекундного интеграла (ВСИ). Для оценки
правило, требует наличия симметрирующих контуров. эффективности предложенного метода проведено ком
В противном случае, возможно возникновение режи пьютерное моделирование в системе OrCAD 9.2 двух
ма несимметричного перемагничивания, что может мостовых преобразователей с ШИМрегулированием в
привести к магнитному насыщению сердечника, и, режиме управления по напряжению:
как результат, к следующим нежелательным послед • мостового преобразователя без симметрирующе
ствиям: го контура (рис. 1);
• ненормированным броскам тока и, как след • мостового преобразователя с ВСИ (симметри
ствие, к уменьшению надежности; рующим контуром) (рис. 2).
• увеличению потерь и, следовательно, снижению Моделирование каждого из преобразователей про
КПД; водилось в двух режимах:
• возрастанию помех и ухудшению электромаг 1) при отсутствии асимметрии, т. е. при отсутствии
нитной совместимости (ЭМС). факторов, вызывающих несимметричное пере
Причины появления режима несимметричного пе магничивание;
ремагничивания могут быть самые разные, однако все 2) при наличии асимметрии, т. е. при наличии фак
их можно свести к эквивалентной неодинаковости торов, вызывающих несимметричное перемаг
длительностей смежных управляющих импульсов, ничивание.
45
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 46
46
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:52 Page 47
Рис. 4. Результаты моделирования преобразователя без симметрирующего контура при отсутствии асимметрии
Рис. 5. Результаты моделирования преобразователя без симметрирующего контура при наличии асимметрии
Из приведенных графиков видно, что рабочая точ ЭМС. При этом увеличивается размах пульсаций вы
ка сердечника заходит в область магнитного насыще ходного напряжения.
ния (рис. 5, графики 1 и 2), что приводит к броскам Таким образом, результаты моделирования пока
тока через соответствующие силовые ключи (рис. 5, зали, что без симметрирующего контура двухтактные
график 3). преобразователи постоянного напряжения практи
Такой режим работы преобразователя неприем чески неработоспособны.
лем, так как ненормированные броски тока в первич Теперь рассмотрим результаты моделирования
ной цепи приводят к снижению надежности, мостового преобразователя с симметрирующим
увеличению потерь, уменьшению КПД и ухудшению контуром.
47
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 48
Рис. 7. Результаты моделирования преобразователя с симметрирующим контуром при коротком замыкании в нагрузке
48
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 49
Рассмотрен способ создания нелинейной модели магнит2 уже существует, ее открывают кнопкой 2 (Open
ного сердечника для моделирования схем импульсных преоб2 Library).
разователей электроэнергии. Модель сердечника создается Кнопкой 3 (New Model) в поле From Model выби
с помощью редактора моделей Model Editor, входящей в ком2 рается тип модели нового компонента – в данном
плекс моделирования OrCAD. Для проверки работоспособно2 случае магнитный сердечник (Magnetic Core)
сти созданной модели проведено моделирование (рис. 2). В окне New… в поле Model заносится имя
нерегулируемого преобразователя постоянного напряжения новой модели – в данном случае 2000НМ. Необхо
и сравнение результатов моделирования с результатами ис2 димо помнить, что все записи нужно делать только
следования лабораторного макета такого преобразователя. символами латиницы.
В появившемся окне Hysteresis Curve (рис. 3) вво
При моделировании устройств преобразования дятся пары величин: напряженность магнитного поля
электроэнергии с помощью программы PSpice наи (в эрстедах) и магнитная индукция (в гауссах):
большую трудность представляет введение в схему h остаточная индукция (Br, Н = 0);
преобразователя компонентов на основе магнитных h коэрцитивная сила (Нс, В = 0);
сердечников. Даже сами разработчики программы в h индукция насыщения (Вт) и соответствующая
руководстве пользователя указывают на этот факт. ей напряженность магнитного поля (Нт);
Поэтому создание модели магнитного сердечника, h в поле Initial Perm. вводится величина относи
адекватно отражающей его основные свойства, пред тельной магнитной проницаемости материала
ставляет большой интерес. сердечника.
Наиболее просто модель сердечника создается с При этом необходимо помнить что 1 Гс = 10–4 Тл, а
помощью программы редактора моделей электрон 1 Э = 1000/(4π) = 79,7557 А/м. Согласно [1] большее
ных компонентов Model Editor, входящей в состав про число пар параметров программой Model Editor про
граммного комплекса OrCAD. Созданные с помощью сто не учитывается.
этой программы модели электронных компонентов В таблицу параметров (Parameters) вводим значе
легко включаются в состав библиотек пользователя и ние площади поперечного сечения сердечника (AREA)
могут быть использованы при проектировании элек и длину магнитной силовой линии (PATH). Осталь
тронных устройств различных классов и, особенно, ные параметры остаются неизменными.
при анализе аварийных режимов.
Рассмотрим подробно создание магнитного сер
дечника для дальнейшего его использования в каче
стве сердечника трансформатора для нерегулируемого
преобразователя постоянного напряжения.
49
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 50
Рис. 5. Таблица параметров модели магнитного сердечника, Рис. 6. Схема модели нерегулируемого преобразователя
рассчитанных по параметрам петли гистерезиса постоянного напряжения
50
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 51
51
\\Fsrvr\verstka 2\11_November\2009-11-30\IRBIS\PSE36.pdf December 1, 2009 15:56:53 Page 52
Публикация в сборнике бесплатна для авторов. Текст без расстановки переносов в словах;
Язык журнала – русский. Межстрочный интервал: одинарный;
Для публикации статьи необходимо предоставить: Отступ первой строки: 0,5 см;
заявление от автора (авторов) в электронном и Выравнивание текста: по ширине;
бумажном видах; Исполнение формул: редактор формул (стиль
статью в электронном (в формате не выше MS Word математический). Обозначения в тексте по
2003) и бумажном видах. возможности не делать в редакторе формул;
Статья должна содержать: Шрифт обозначений устройств (C – конденсатор,
заголовок; VD – диод, L – дроссель и т.п.) – прямой:
цель; y цифровое окончание обозначения устройства
текст с иллюстрациями, который может быть разбит (C1, VD2 и т. п.) – не в индексе, шрифт
на разделы; прямой;
заключение; y буквенное, цифровое+буквенное окончания
список литературы (если есть); обозначения устройства (CД, Lm1 и т. п.) – в
информацию об авторе (авторах) (Ф.И.О., название индексе, шрифт прямой.
организации, телефон, адрес электронной почты). Шрифт обозначений параметров (C – емкость,
I – ток, L – индуктивность и т. п.) – наклонный:
Документы в электронном виде должны быть отправ y буквенное, цифровое, буквенное+цифровое
лены по email: pse@mmpirbis.ru или sin@mai.ru окончания обозначения устройства (I1, LS, Uупр1
Документы в бумажном виде должны быть отправле и т. п.)
ны по адресу: 111024, г. Москва, Андроновское шоссе, y в индексе, цифровое и буквенное русское
дом 26, ЗАО "ММПИрбис". окончание – шрифт прямой, буквенное
латинское окончание – шрифт наклонный;
Требования к оформлению статей:
Формат иллюстраций: .tif, .eps, .ai (просьба
Поля: верхнее, нижнее – по 2 см; левое – 3 см, прилагать отдельными (оригинальными) файла
правое – 1,5 см; ми, дублируя в тексте статьи). Подписи к рисункам
Шрифт: Times New Roman, размер: 10; не вносить в рисунки.
52