Практическая силовая электроника №4 2010

№ 4 (40) Практическая силовая электроника 2010 г.
Периодический Практическая
научно
технический силовая
журнал электроника
ISSN 1996-7888 № 4 (40)/2010
Главный редактор Содержание
А. В. Лукин, д. т. н., профессор, академик АЭН РФ, ге
неральный директор ЗАО “ММПИрбис”
А. В. Лукин
Заместитель главного редактора
Новые направления развития преобразователей по
В. В. Крючков, к. т. н., доцент кафедры Микроэлект
стоянного напряжения (по материалам зарубежной
ронных электросистем МАИ
печати) ......................................................................... 2
Редакционный совет
В. Ф. Дмитриков , Заслуженный деятель науки РФ, М. Ю. Кастров, И. Н. Соловьев
д. т. н., профессор, директор факультета фундамен Трехфазный выпрямитель с коррекцией коэффици
тальной подготовки СПБ ГУТ ента мощности на основе преобразователя SEPIC,
В. Г. Еременко, д. т. н., профессор кафедры Электротех работающего в режиме непрерывных токов ............. 5
нические комплексы автономных объектов МЭИ
Ю. М. Иньков, д. т. н., профессор, главный ученый сек О. А. Коржавин, А. А. Коблов, К. И. Галактионов
ретарь АЭН РФ Оценка выходных сопротивлений промышленных
Ю. К. Розанов, д. т. н., академик АЭН РФ, профессор высокочастотных буферных выпрямителей ВБВ2К и
кафедры Электрических и электронных аппаратов ВБВ3К ...................................................................... 13
МЭИ
И. Н. Соловьев, к. т. н., доцент, заведующий кафедрой
Д. С. Дейнеко, С. В. Тараканов
Микроэлектронных электросистем МАИ
Трансформатор прямоходового преобразователя с ак
Журнал зарегистрирован Министерством Российской тивным ограничителем ............................................. 20
Федерации по делам печати, телерадиовещания и
средств массовых коммуникаций 30 августа 2002 г., В. Ф. Дмитриков, О. А. Коржавин, Д. В. Шушпанов
свидетельство о регистрации ПИ № 7713452. Устойчивость распределенной системы электропита
Издатель и учредитель — Закрытое Акционерное Об ния с учетом промежуточных фильтров .................. 28
щество “ММПИрбис”.
Н. А. Фролов, А. Ф. Ягудин
Полное или частичное воспроизведение или размно
Применение нелинейного трансформатора для управ
жение каким бы то ни было способом материалов,
ления силовыми полевыми ключами инверторов ..... 36
опубликованных в журнале, допускается только с
письменного разрешения редакции
С. В. Аверин, В. В. Крючков, Ю. Г. Следков
Отпечатано в ООО “Типография АРЕС”, Влияние индуктивности рассеяния двухобмоточно
г. Москва, Остаповский проезд, д. 5, строение 6 го дросселя на характеристики преобразователя
Подписано в печать 02.12.2010. Тираж 500 экз. SEPIC ......................................................................... 40
Адрес редакции:
111024, Москва, Андроновское шоссе, 26, Д. Р. Манбеков, Д. А. Шевцов
ЗАО “ММПИрбис” Симметрирование процесса перемагничивания в не
Тел/факс: (495) 9871016 регулируемых двухтактных преобразователях посто
Email: 9871016@mmp-irbis.ru; sin@mai.ru янного напряжения .................................................. 45
Информация о журнале: М. Л. Сокольский

www.mmp-irbis.ru
Программируемый реверсивный источник тока для
Журнал вк лючен в перечень изданий, рекомендованных ВАК
включен
гальванической металлизации ................................. 48
для апробации кандидатских и докторских диссертаций
1
А. В. Лукин
НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
(по материалам зарубежной печати)
A. V. Lukin New Trends of DC/DC Converters Development
(based on foreign publications)
В статье рассмотрены преимущества локального преобразования The paper discusses the advantages of point of load conversion by
энергии с помощью преобразователей постоянного напряжения, распо3 means of DC3DC converters located in the direct proximity of fed ICs
ложенных в непосредственной близости от питаемых ими микросхем (microprocessor, microcontroller, cache, memory chips, etc.). It is shown
(микропроцессоров, микроконтроллеров, кэша, микросхем памяти и that with this substantial savings of PCB space, occupied by the power
т. п.). Показано, что при этом обесвпечивается существенная экономия distribution system occur, due to elimination of electrolytic capacitors. In
поверхности печатной платы, занимаемой системой распределенного addition, the reliability of the entire power system increases.
электропитания, за счет исключения электролитических конденсаторов
и повышается надежность всей системы электропитания.
Ключевые слова: преобразователь постоянного напряжения, локаль Key words: DCDC converter, pointofload conversion, power distribution
ное преобразование энергии, система распределения питания, модуль system, power module
питания
Основными направлениями развития электрон мере развития тенденции в сторону снижения напря
ных устройств являются требования к уменьшению жения источника питания, особое внимание следует
размеров корпусов компонентов при повышении их уделять распределению электроэнергии.
производительности – и все это при общем сниже Проблемы распределения электроэнергии вклю
нии стоимости. Объединение цифровой связи и чают в себя:
средств телекоммуникаций в общую сеть требует су h очень низкие напряжения при крайне высоких
щественного повышения производительности систе значениях токов нагрузки;
мы для обработки и передачи информации в подобных h влияние импеданса (сопротивления, индуктив
сетях. В результате, повышаются рабочие частоты ин ности и емкости) распределительной сети;
тегральных микросхем при увеличении в них числа h пределы допустимых отклонений напряжений
транзисторов, что полностью подтверждает закон микросхем;
Мура, гласящий, что число транзисторов в микросхе h постоянно меняющиеся многочисленные тре
мах удваивается каждые 18 месяцев. бования по напряжению микросхем;
По мере увеличения числа транзисторов в интег h внутренние проблемы согласования уровней на
ральной микросхеме, естественно будет увеличивать пряжений;
ся и рассеяние мощности в корпусе микросхемы. h переходные процессы при изменении нагрузки;
Динамические мотери мощности, зависящие от ра h отвод тепла;
бочей частоты, напряжения источника питания и чис h вопросы компоновки на печатной плате;
ла вентилей в составе микросхемы или их емкости, h гальваническая развязка импульсных логичес
можгут быть снижены за счет схемотехнических ре ких схем.
шений, полупроводниковых технологий и понижения
напряжения питания. Новое направление – локальный источник питания
Ограничения по температуре корпусов интеграль Микропроцессор является основным звеном при
ных микросхем вынуждают разработчиков снижать решении всех проблем, связанных с распределением
рассеиваемую мощность или увеличивать поверх энергии. Современному процессору требуется напряже
ность охлаждения. Снижение температуры переходов ние 1,5 В для питания шины микропроцессора, от 1,8 В
увеличивает надежность интегральных микросхем и до 2,8 В для питания самого процессора и быстродей
увеличивает их срок службы. Технология изготовле ствующей буферной памяти (кэшпамяти), а также
ния полупроводников позволяет обеспечить меньшую шины 2,5 В; 3,3 В; 5 В и 12 В для питания вспомогатель
толщину вентилей, но при этом требуется меньшее ной логики. Допуск на напряжение, превышающий 5%,
напряжение питания, чтобы избежать влияния элек может вызвать эффекты электромиграции. Напряже
тромиграции или пробоя перехода транзистора. По ние, меньшее требуемого, может привести к снижению
2
быстродействия транзисторов логических схем, что по ни в коей мере не удовлетворяют требованиям пере
влияет на удовлетворение требований по синхрониза ходных времен процессора от 1нс до 20 нс, поэтому
ции сигналов процессора и системного интерфейса. конденсаторы попрежнему необходимы для обеспе
Кроме того, при переходе процессора от условий обра чения энергией до момента установления процессов
ботки при низкой производительности к условиям об в локальном преобразователе.
работки при высокой производительности возникнут В настоящее время согласно техническим требо
существенные переходные процессы в токе нагрузки. ваниям для обеспечения качества питания рекомен
Ток нагрузки задается источником питания и рас дуется использование до 14 электролитических
пределяется по электрической сети. Импеданс этой конденсаторов емкостью 1000 мкФ. Эти требования
сети, как показано на рис. 1, может вызвать задержку по емкости конденсаторов обеспечиваются как в
при обеспечении переходного тока, что приведет к МРН, так и на печатной плате в непосредственной
тому, что напряжение выйдет за пределы допустимо близости от микропроцессора. Эффективная величи
го, необходимого для обеспечения нормальной рабо на емкости, обеспечивающей необходимое качество
ты процессора. Показанные на рис. 1 сопротивление напряжения от шины питания, значительно превы
и индуктивность проводников печатной платы, со шает теоретически потребную величину, поскольку
единяющих процессор с источником питания (Rс и конденсатор имеет эквивалентное последовательное
Lc), должны быть как можно малыми. Одним из спо сопротивление, наличие которого вызывает необхо
собов исключения импеданса проводников печатной димость параллельного включения конденсаторов.
платы при больших нагрузках может быть установка Пример компоновки устройства при использова
развязывающего конденсатора большой емкости. Од нии двух МРН и набора конденсаторов фильтра для
нако, конденсатор с емкостью, необходимой для раз питания микропроцессора показан на рис. 2. Один
вязки, может оказаться не выгодным по стоимости. МРН используется для питания процессора, а второй
Размещение источника питания в непосред – для питания кэшпамяти. В предположении, что
ственной близости от нагрузки позволяет суще используется батарея из 14 электролитических кон
ственно снизить влияние распределительной сети. денсаторов, полная площадь, занимаемая системой
Преимущество локального преобразователя состо распределения энергии с МРН, составит 45,2 см2. Та
ит в том, что при этом требуется значительно мень кое решение ограничивает другие возможности рас
шая длина проводников печатной платы, а ширения системы, поскольку система занимает
разрабатывается он таким образом, чтобы обеспе достаточно много места на дорогостоящей печатной
чить скорость переходных процессов тока нагруз плате.
ки за счет способов компенсации с помощью По мере старения электролитов с течением вре
обратной связи в режиме большого сигнала. мени, возрастает величина эквивалентного после
Наиболее традиционным решением является ис довательного сопротивления электролитов. Это
пользование модуля регулятора напряжения (МРН) эквивалентное последовательное сопротивление
на основе преобразователя постоянного напряжения. будет снижать возможность сети распределения пи
Такие модули классифицируются согласно промыш тания обеспечивать нагрузку регулируемым напря
ленным стандартам и стали общепринятыми источ жением согласно потребностям переходных токов
никами питания для процессоров, кэшпамяти и нагрузки, что приведет к снижению надежности
других систем памяти. При рассмотрении данного системы распределенного питания.
вопроса двумя важными параметрами МРН являют Фирмой Lucent Technologies разработан блок питания,
ся максимальная скорость нарастания тока нагрузки предназначенный специально для локального преобра
и размеры модуля на печатной плате. зования энергии, занимающий пространство в три раза
Типовыми значениями МРН являются 20 А/с при меньшее, чем МРН, без электролитических конденса
поверхности 78,7 мм × 27,9 мм и высоте конструкции торов фильтра. Дополнительные конденсаторы не тре
38,1 мм. Время переходного процесса от 1с до 100 с буются вследствие более высоких, по сравнению с МРН,
Рис. 2. Экономия пространства на печатной плате микропроцес

Рис. 1. Типовой импеданс между преобразователем и нагрузкой сора за счет использования локальных источников питания
3
скоростей нарастания тока при переходных процессах соответствующая надежность полупроводниковых

в нагрузке, а размещение источника питания непосред компонентов, а также простота применения стандар
ственно рядом с нагрузкой существенно снижает влия тных изделий. Внедрение новых технологий включа
ние импеданса проводников системы распределения ет в себя возможность удовлетворения основных
энергии на печатной плате. требований по гальванической развязке, а также по
При использовании решения, предложенного входному напряжению 48 В, необходимому для пита
фирмой Lucent Technologies, площадь, занимаемая ис ния телекоммуникационного оборудования. Кроме
точником питания на печатной плате снизится до того, внедрение новых источников питания позволя
12 см2, т. е. экономия площади составит 33,2 см2. Кро ет обеспечить выходные напряжения до 0,8 В и ско
ме того, отсутствие электролитических конденсато рости нарастания переходных токов до 600 А/с, что
ров повышает надежность системы. Такие источники позволяет непосредственно питать 64битовые мик
питания имеют среднюю наработку на отказ 5 млн. ропроцессоры без дополнительных батарей конден
час. Хотя это и не рекомендуется, источники могут саторов выходного фильтра.
работать без обтекания потоком воздуха, что суще По мере появления новых интегральных микро
ственно упрощает тепловой расчет системы. схем на основе совершенствования технологии изго
Повышенный КПД является приоритетным для товления полупроводников, разработчикам систем
любого грамотно разработанного преобразователя. потребуется много напряжений различных уровней
Например, интегральные микросхемы могут рассеи согласно требованиям по нагрузке. Локальные пре
вать мощность, до 10 раз превышающую рассеивае образователи напряжения, например модули питания
мую мощность модулей локальных источников Titania, делают возможным добавление в систему но
питания. В этом случае основными источниками по вых преобразователей без трудностей, связанных с
тока тепла становятся интегральные микросхемы, а распределением электроэнергии, присущих другим
не источники питания. Разработанные источники преобразователям. Широкий выбор локальных пре
питания предназначены для работы при незначитель образователей, параметры которых соответствуют
ном обтекании потоком воздуха, или его полном от требованиям по напряжению и току, в ближайшем
сутствии, что позволяет управлять эффектами будущем станет необходимостью. Это позволит но
теплового взаимодействия. За счет исключения про вым интегральным микросхемам в полной мере сле
блем теплоотвода, наиболее важным становится воп довать закону Мура. При этом преобразование
рос размещения локального модуля питания как электроэнергии станет ведущим направлением в раз
можно ближе к потребителю, чтобы свести к мини витии новых технологий.
муму индуктивность соединительных проводников.
Перспективные направления Литература

Основными побуждающими факторами развития 1. Victor Lee and Sureh Soni. What to Look for in the
этой новой технологии являются уменьшенные габа New Wave of DC/DC Converter Technology. – Lucent
риты, лучшие характеристики переходных процессов, Technologies. – www.powerpulse.net.
4
М. Ю. Кастров, И. Н. Соловьев
ТРЕХФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ С КОРРЕКЦИЕЙ

КОЭФФИЦИЕНТА МОЩНОСТИ НА ОСНОВЕ
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ SEPIC, РАБОТАЮЩЕГО В РЕЖИМЕ
НЕПРЕРЫВНЫХ ТОКОВ
M. U. Kastrov, Three-phase rectifier with power factor correction based on
I. N. Soloviev SEPIC converter operating in continuous current mode
В статье проведен анализ трехфазного выпрямителя с высоким The analysis of a three3phase rectifier with high power factor value,
значением коэффициента мощности на основе преобразователя по3 based on SEPIC DC3DC converter operating in continuous conduction mode
стоянного напряжения SEPIC, работающего в режиме непрерывных (CCM) is given in the paper. The structure of such converter is rather simple
токов (РНТ). Структура такого преобразователя достаточно проста и and robust. Its main features: single power conversion stage, that can
обеспечивает устойчивую работу. Ее основные свойства: один каскад operate ether in step3down, or step3up modes, lower input current total
преобразования энергии, который может работать как в режиме по3 harmonic distortion, and natural isolation. The converter operates in PWM
нижения, так и повышения напряжения, низкий коэффициент гармо3 mode with constant switching frequency. The operation of the converter in
ник входного тока и естественная гальваническая развязка. steady3state mode is investigated, and its design procedure is given.
Преобразователь работает с постоянной частотой переключений в Simulation results of the converter scheme are presented.
режиме ШИМ. Исследована работа преобразователя в установившем3
ся режиме, а также дана методика расчета преобразователя. Приве3
дены результаты моделирования схемы преобразователя.
Ключевые слова: трехфазный выпрямитель, коррекция коэффициен Key words: threephase rectifier, power factor correction, DCDC converter
та мощности, преобразователь постоянного напряжения SEPIC, SEPIC, design procedure, simulation
методика расчет, моделирование
Трехфазные системы электропитания, используе ния. Преобразователь, предложенный в [3], имеет хо
мые в промышленности, как правило, питают нагруз рошие рабочие характеристики, но его структура вклю
ки большой мощности (более 1 кВт). При этом чает в себя три синхронизированных ключа, три
преобразование переменного напряжения в постоян понижающеповышающих дросселя, соединенных звез
ное осуществляется с помощью традиционных диод дой, а также дополнительный ключ для регулирования
ных выпрямителей, либо тиристорных управляемых постоянного выходного напряжения. Кроме того, пре
выпрямителей. Нелинейная форма входного тока та образователь работает в режиме разрывных токов (РРТ),
ких выпрямителей вызывает определенные пробле что приводит к увеличению действующего значения
мы в коммерческих электросетях, среди которых тока. Преимущества схемы, рассмотренной в [4], состоят
следует выделить: повышенные потери в питающей и в простоте и хороших рабочих характеристиках на сто
распределительных сетях, снижение коэффициента роне переменного тока. Однако, преобразователь рабо
мощности, необходимость генерирования больших тает в РРТ, что вызывает большие перегрузки на силовых
объемов реактивной энергии, электромагнитные по ключах.
мехи, возникающие в коммуникационных линиях и В статье приведены анализ и принципы разработ
цепях управления, а также снижение КПД всей струк ки трехфазного источника питания с высоким коэф
туры изза больших действующих значений входного фициентом мощности, работающем в режиме ШИМ
тока. с постоянной частотой переключений и состоящем из
Вопросам разработки преобразователей переменного одного преобразовательного каскада на основе пре
напряжения в постоянное с высоким коэффициентом образователя SEPIC. (Single Ended Primary Inductance
мощности и сниженным коэффициентом гармоник converter – преобразователь с несимметрично нагру
входного тока посвящено много исследований [1–4]. женной первичной индуктивностью), работающего в
Наиболее часто используемая структура преобразовате РНТ. Рассматриваемая структура преобразователя
ля, но в качестве предварительного регулятора, – это по содержит только один силовой ключ для регулирова
вышающий преобразователь [1, 2]. Такая структура не ния потока энергии, что существенно упрощает схе
обеспечивает естественным образом гальванической му управления. При этом нет необходимости во
развязки входного и выходного напряжений и, кроме входных фильтрах между сетью и выпрямителем, а
того, работает только в режиме повышения напряже преобразователь может работать в режимах как повы
5
шения, так и понижения напряжения. Кроме того, Этап 2 (DT < t < T – рис. 4). В момент времени
небольшое количество компонентов способствует t = DT ключ S размыкается, а диод VD1 отпирается и
повышению надежности системы, что делает ее обеспечивает передачу энергии, накопленной в ин
крайне привлекательной для промышленного при дуктивности в нагрузку. Токи iвх и iLm линейно умень
менения. шаются. Напряжение на ключе равно Uвх + Uвых.
Временные диаграммы, поясняющие работу схе
Принцип действия преобразователя мы, показаны на рис. 5.
Схема рассматриваемого преобразователя показа
на на рис. 1. Анализ работы схемы преобразователя
Для упрощения анализа работы схемы примем сле Ниже приведены уравнения преобразователя
дующие допущения: SEPIC при установившемся режиме работы в РНТ:
• преобразователь работает в установившемся
режиме; ⎧ U вх t
⎪⎪I вх + L ; 0 < t < DT ;
• все полупроводниковые компоненты идеальные; i вх (t ) = ⎨
0
вх (2)
• трансформатор рассматриваем как индуктив U вх DT U вых (t − DT )
⎪ − + I вх ; DT < t < T ;
ность намагничивания, приведенную к первич ⎪⎩ Lвх Lвх 0
ной стороне;
• пульсации напряжения на конденсаторах С1 и
⎧ U вх t
Свых равны нулю; ⎪⎪I L + L ; 0 < t < DT ;
m0
• линейное входное напряжение за период пере iL (t ) = ⎨ m (3)
m
U вх DT U вых (t − DT )
ключений неизменно; ⎪ − + I L ; DT < t < T ;
• КПД системы равен 100%. ⎩⎪ Lm Lm m0
Отнеся все параметры преобразователя к первич

ной стороне трансформатора, получаем эквивалент ⎧U вх t
ную схему, показанную на рис. 2. При этом ⎪ + I вх + I L ; 0 < t < DT ;
iS (t ) = ⎨ Lэкв 0 m0
(4)
2 ⎪⎩0; DT < t < T ;
⎛w ⎞
Rн = ⎜⎜ 1 ⎟⎟ ⋅ Rн′ ;
⎝ w2 ⎠
2
⎛w ⎞
C вых = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ ⋅C вых
′ ; (1)
⎝ w1 ⎠
w1
′ ⋅
U вых = U вых .
w2
При работе преобразователя SEPIC в РНТ можно
выделить два этапа работы схемы.
Этап 1 (0 < t < DT – рис. 3). В момент времени t = 0 Рис. 2. Эквивалентная схема преобразователя с параметрами,
приведенными к первичной стороне трансформатора
замыкается ключ S. Энергия источника питания (Uвх)
накапливается в индуктивности Lвх, а энергия, накоп
ленная в конденсаторе С1, передается в индуктив
ность намагничивания Lm. Полагаем напряжение на
конденсаторе С1 постоянным и равным Uвх. Токи iвх и
iLm линейно нарастают. На этом этапе диод VD1 за
перт, а энергия, накопленная в конденсаторе Свых,
передается в нагрузку (Rвых).
Рис. 3. Эквивалентная схема этапа 1
Рис. 1. Схема трехфазного выпрямителя на основе

преобразователя SEPIC Рис. 4. Эквивалентная схема этапа 2
6
⎧ U вх t ⎧U ; 0 < t < DT ;
uL (t ) = uL (t ) = ⎨ вх (7)
⎪⎪− L − I L ; 0 < t < DT ;
m0
вх m
⎩−U вых ; DT < t < T ;
iС1 (t ) = ⎨ m
(5)
U вх DT U вых (t − DT )
⎪ − + I вх ; DT < t < T ;
⎪⎩ Lвх Lвх 0 ⎧0; 0 < t < DT ;
uS (t ) = ⎨ (8)
⎩U вх + U вых ; DT < t < T ;
⎧0; 0 < t < DT ⎧− (U вх + U вых ); 0 < t < DT ;
⎪U вх DT U вых (t − DT ) u VD1 (t ) = ⎨ (9)
⎪ − + I вх 0 +
i VD1 (t ) = ⎨ L Lэкв ⎩0; DT < t < T ,
⎪ экв (6)
⎪⎩ + I L m ; DT < t < T ; Lвх Lm
0 где Lэкв = ; Uвх = 2,34UA;
Lвх + Lm
DT – время замкнутого состояния ключа S.
С учетом пульсаций входного тока Δiвх и тока на
магничивания Δi Lm (рис. 6) определяем средние и
действующие значения токов через компоненты
преобразователя SEPIC:
• средние значения входного тока и тока, проте
кающего через ключ S
U вх DT ΔI вх
I вх = I S = ; ΔI вх = ; (10)
2ΔI вх Lвх 2I вх
ср ср
ср
• средние значения токов через диод VD1 и индук

тивность намагничивания Lm
U (1 − D )T ΔI L m
I VD1ср = I L m ср = ; ΔI L = ; (11)
2 ΔI L m m
2I L mср
• средний ток через выпрямительные диоды
(VD1–VD6)
I вх
;I VD = ср
(12)
3 выпрср
• действующее значение входного тока
Рис. 5. Временные диаграммы, поясняющие работу Рис. 6. Формы входного тока (а) и тока намагничивания (б)
схемы преобразователя преобразователя SEPIC
7
I вх =
3U вх DT 3 + ΔI вх ( ) 2
; (13) I VD =
2 I вх ср
( )
3 + ΔI вх
2
; (19)
6ΔI вх Lвх
действ выпр действ
3
• действующее значение тока через ключ S Из условия сохранения магнитного потока транс
форматора в установившемся режиме получаем
IS =
3U вхT D (ΔI вх ) + 3 [ 2
]; (14)
U вх DT = U вых (1 − D )T . (20)
6ΔI вх Lвх Таким образом, характеристика статического ко
действ
эффициента передачи преобразователя в установив

• действующее значение тока через конденсатор С1 шемся режиме определяется выражением
U вых D
I С1 дейсв
=
U вхT D
2 3Lвх ΔI вх
(1 − D ) ⎡D ΔI вх
⎢⎣
( ) +K 2 =
U вх 1 − D
. (21)
(15)
Зависимость статического коэффициента преоб
K + (1 − D ) ΔI L ( m
) + 3⎤⎥⎦ ;
2
разователя от коэффициента заполнения показана на
рис. 7.
• действующее значение тока через диод VD1 Внешние характеристики преобразователя SEPIC
в установившемся режиме в относительных единицах
I VD1 действ
= U выхT (1 − D ) × показаны на рис. 8. Из рисунка можно определить
величину тока нагрузки, определяющую границу меж
( ) + (1 − D )(ΔI ) ⎤⎥⎦
2
⎡D ΔI 2 2
+3 ду РНТ и РРТ, т. е. граничный режим работы преоб
⎢⎣ вх Lm
(16) разователя. Относительная величина тока нагрузки
× ;
2 3 ⋅ Lm ΔI L определяется как
m
• действующее значение тока через конденсатор 2 Lэкв I н

I вых = .
Свых U вхT
U вых (1 − D )T
IC = × Методика и пример проектирования
2 3Lm ⋅ ΔI L
вых действ
m
На основе уравнений, приведенных в предыдущем
( ) + (1 − D)(ΔI ) ⎤⎥⎦
2
⎡D ΔI 2 2
+3 (17)
разделе, имеется возможность построения нормали
⎢
× ⎣
вх Lm зованных графиков, которые позволят существенно
; облегчить процесс разработки преобразователя. Да
D −1
лее приведем эти кривые и методику разработки пре
• действующее значение токов через выпрямитель образователя.
ные диоды (VD1–VD6)
I VD =
I вх ср
( )
3 + ΔI вх
2 Исходные данные для расчета
– Действующее значение фазы входного напряже

; (18)
3 выпр действ
ния: 74 В;
• действующее значение входного тока – Выходное напряжение (Uвых): 60 В;
Рис. 7. Зависимость статического коэффициента передачи от

коэффициента заполнения Рис. 8. Внешние характеристики преобразователя SEPIC
8
– Выходная мощность (Рвых): 600 Вт; Эквивалентная индуктивность и индуктивность на!

– Частота переключений (fпер): 20 кГц; магничивания. Для расчета величины индуктивности
– Рабочий коэффициент заполнения (D): 0,4; намагничивания необходимо определить минималь
– КПД (η): 80%. ное сопротивление нагрузки, при котором будет га
рантирована работа преобразователя в РНТ. Из рис. 8
Методика расчета видно, что критическая величина нормализованного
Пульсации тока входного дросселя. На величины ко тока нагрузки, задающая граничный режим работы
эффициента мощности (cos ϕ) и коэффициента гар преобразователя, для D = 0,4 приблизительно равна
моник входного тока (kг) непосредственное влияние 0,24. Таким образом
оказывают пульсации тока входного дросселя. Таким
U вхU вых k I вх 2,34 ⋅ 74 ⋅ 60 ⋅ 2 ⋅ 6 ⋅ 0,24
образом, для обеспечения коэффициента мощности Lэкв = = = 1,25 мГн.(25)
более 0,95 и коэффициента гармоник около 0,3 необ 2 f пер Pвых 2 ⋅ 2 ⋅10 4 ⋅ 600
ходимо выбирать относительную величину пульсаций где k – расчетный коэффициент.
входного тока менее 0,1. Для последующих расчетов При расчете эквивалентной индуктивности кри
принимаем ΔI вх = 0,025 . тическая величина нормализованного тока нагрузки
Эти величины рассчитываются по формулам взята в 6 раз большей (k = 6). Из соотношения
Lвх Lm
2 ⋅ ⎛⎜ 3 + ΔI вх ⎞⎟
2
Lэкв =
cos ϕ =
2,34 ⎝ ⎠ −1 . Lвх + Lm
, kг =
2 ⋅ ⎛⎜ 3 + ΔI вх ⎞⎟
2 5,5 вычисляем индуктивность намагничивания
⎝ ⎠
Lвх Lэкв
Зависимости коэффициента мощности и коэффи Lm =
Lвх − Lэкв
циента гармоник от величины пульсаций входного
тока показаны на рис. 9 и 10 соответственно. и получаем Lm = 1,35 мГн.
Отношение витков обмоток трансформатора рас Конденсаторы С1 и Свых. Относительная величина
считывается по формуле пульсаций напряжения на обоих конденсаторах (ΔUC)
принята равной 0,01. Таким образом
U вх D 2,34 ⋅ 74 ⋅ 0,4
n= = ≅ 2. (22)
U вых (1 − D ) 60(1 − 0,4) D 2 Pвых
C1 = =
Среднее значение входного тока определяется как ΔU C1 (1 − D )U вых
2
f пер n 2
(26)
P 600 0,4 ⋅ 600
I вх = вых = = 4,3 А . (23) = ≅ 55,56 мкФ ;
ср
ηU вх 0,8 ⋅ 2,34 ⋅ 74 0,01 ⋅ (1 − 0,4) ⋅ 60 2 ⋅ 2 ⋅10 4 ⋅ 2 2
Входной дроссель. Для расчета параметров входно
го дросселя выбрана относительная величина пуль D 2U вх Pвых
C вых = =
саций входного тока, равная 0,025. Тогда его ΔU C (1 − D )U вых
3
f пер n 2
индуктивность определяется как
вых
(27)
0,4 ⋅ 2,34 ⋅ 74 ⋅ 600
U вх D 2,34 ⋅ 74 ⋅ 0,4 = ≅ 320 мкФ .
Lвх = = = 16,11 мГн. (24) 0,01 ⋅ (1 − 0,4) ⋅ 60 3 ⋅ 2 ⋅10 4 ⋅ 2 2
2ΔI вх f пер ⋅ I вх ср
2 ⋅ 0,025 ⋅ 4,3 ⋅ 2 ⋅10 4
Рис. 9. Зависимость коэффициента мощности от относительной Рис. 10. Зависимость коэффициента гармоник от относительной
величины пульсаций входного тока величины пульсаций входного тока
9
Зависимости нормализованных действующих зна

чений токов через конденсаторы от коэффициента
заполнения приведены на рис. 11 и12. Из рис. 11 мож
но определить действующий ток через конденсатор
C1 для D = 0,4. Аналогичным образом с помощью
рис. 12 определяем действующий ток через конден
сатор Свых. Таким образом,
I C1 действ
= 1,25I вх = 1,25 ⋅ 4,3 = 5,37 А;
ср
(28)
IC вых действ
= 0,83I вых = 0,83 ⋅10 = 8,3 А. (29)
Выбор полупроводниковых компонентов. По выра
жениям (10)–(12), (14) и (16) можно построить зави
симости, показанные на рис. 13–15.
С помощью этих зависимостей выбираем полу
Рис. 13. Нормализованные значения максимального и действую
проводниковые приборы для схемы преобразовате щего значений токов через силовой ключ
ля. Таким образом, с помощью рис. 13 определяем
действующее значение тока через силовой ключ при
D = 0,4
Рис. 11. Зависимость нормализованного тока через конденсатор Рис. 14. Нормализованные значения максимального и действую
С1 от коэффициента заполнения щего значений токов через диод VD1
Рис. 12. Зависимость нормализованного тока через конденсатор Рис. 15. Нормализованные значения максимального и действую
Свых от коэффициента заполнения щего значений токов через выпрямительный диод
10
передачи по напряжению в рассмотренной струк

⎪⎧I S = 3I вх = 3 ⋅ 4,3 = 12,9 А ; туре использован только один интегратор. Снижен
⎨I
max ср
(30)
⎪⎩ S действ
= 1,6I вх = 1,6 ⋅ 4,3 = 6,8 А .
ср
ное число компонентов схемы и простота ее
структуры повысили надежность устройства и сде
Аналогичным образом с помощью выражений (14)
лали его достаточно привлекательным для приме
и (15) получаем
нения в промышленности.
⎧⎪I VD1 = 1,88I вsх = 1,88 ⋅10 = 18,8 А ; Такая структура, в особенности полезна, когда на
⎨I
max
(31) грузка представляет собой источник напряжения. Со
⎪⎩ VD1 = 1,3I вх = 1,3 ⋅ 4,3 = 13 А .
действ ср
гласно приведенным в статье результатам
рассмотренный преобразователь имеет следующие
⎪⎧I VD = 3,1I VD = 3,1 ⋅1,17 = 3,62 А ; свойства:
⎨I (32)
выпр max выпр ср
⎪⎩ VD = 1,74 I
выпр действ VD = 1,74 ⋅1,17 = 2,03 А .
выпр ср
h простота практической реализации и хорошая
устойчивость;
Таким образом, с помощью рассмотренной мето h обеспечение коррекции коэффициента мощно
дики рассчитаны все компоненты трехфазного вып сти при работе в режиме непрерывных токов, что
рямителя. делает его пригодным для использования при
высоких мощностях;
Моделирование схемы выпрямителя
h обеспечение естественной гальванической раз
На основе расчетов создана модель выпрямителя вязки между входом и выходом;
(рис. 16) мощностью 600 Вт, технические данные кото h наличие только одного силового ключа;
рого приведены в предыдущем разделе. Все представ
ленные результаты моделирования получены при
условии полной нагрузки. При этом выходное напря
жение поддерживалось на уровне 60 В. Напряжение и
ток фазы А показаны на рис. 17. Формы напряжения и
тока силового ключа приведены на рис. 18. Напряже
ние и ток диода VD1 показаны на рис. 19, а ток через
входной дроссель – на рис. 20.
Выводы
Трехфазный выпрямитель на основе преобразо
вателя SEPIC обеспечивает хорошую устойчивость
работы и прост в разработке и производстве. Нали
чие только одного силового ключа для управления
передачей энергии делает схему достаточно про
Рис. 18. Напряжение и ток силового ключа
стой. Для управления статическим коэффициентом
Рис. 16. Схема модели трехфазного выпрямителя на основе

преобразователя SEPIC
Рис. 19. Напряжение и ток диода VD1
Рис. 17. Напряжение и ток фазы А Рис. 20. Ток через входной дроссель
11
h возможность работы как в режиме понижения, AC to DC Converter with Sinusoidal Input Current and
так и повышения напряжения; Unity Power Factor. – IEEE Proc. Electron. Power Appl.,
h обеспечение регулируемого выходного напряже Vol. 141, no 2, pp. 52–77, March 1994.
ния при одном каскаде преобразования энергии. 4. L. Malesani et al. SingleSwitch Threephase AC
Наконец, рассмотренная структура без дополни DC Converter with High Power Factor and Wide
тельных трудностей может быть использована при Regulation Capability. – Proc IEEE, PESC’92, pp. 279–
более высоких уровнях мощности нагрузки. 285, June 11 992.
Литература
1. Лукин А. В., Кастров М. Ю., Малышков Г. М. и
др. Преобразователи напряжения силовой электрони Кастров Михаил Юрьевич, к. т. н., главный инженер ЗАО
ки. – М.: Радио и связь, 2004. – 416 с.: ил. “ММП3Ирбис”, тел. +7(495) 987310316, e3mail: kastrov@mmp3
2. A. R. Prasad, P. D. Ziogas and S. Manias. An Active irbis.ru;
Power Factor Correction Technique for Three Phase Diode Соловьев Игорь Николаевич, зав. кафедрой “Микроэлек3
Rectifiers. – Proc. IEEE, PESC’89, pp. 58–65. тронных электросистем” МАИ, доцент, к. т. н., тел.:+7(499)
3. C. T. Pan and T. C. Chen. Stepup/down Three Phase 158344326, e3mail: sin@mai.ru.
12
О. А. Коржавин, А. А. Коблов, К. И. Галактионов
ОЦЕНКА ВЫХОДНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПРОМЫШЛЕННЫХ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ БУФЕРНЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ ВБВ-2К
И ВБВ-3К
O. A. Korzhavin, A. A. Koblov, Output Impedance Estimation Of Industrial
K. I. Galaktionov High Frequency Line Rectifiers
В статье дается оценка выходного динамического сопротивления The presented paper gives dynamic output resistance estimation of
стабилизированных выпрямителей ВБВ, основанная на расчете им3 regulated rectifiers based on switch mode computer aided power sources
пульсных источников электропитания с помощью метода усреднения design by applying averaging method of variable states as applied to a
переменных состояний, применительно к обобщенной схеме замеще3 generalized equiv alent circuit of two3loop regulating system using
ния двухконтурной системы стабилизации и с помощью ЭВМ в систе3 MathCAD.
ме MathCAD.
Ключевые слова: регулируемый выпрямитель, выходное сопротивле Key words: controlled rectifier, output resistance, output filter, impedance,
ние, выходной фильтр, полное сопротивление, двухконтурная систе twoloop regulating system
ма стабилизации
Стабилизированные выпрямители типа ВБВ2К и Стабилизированные выпрямители ВБВ2 и

ВБВ3К (выпрямители буферные высокочастотные) ВБВ3 имеют принципиально различный вид и метод
выпускаются отечественной промышленностью для расчета такой важной динамической характеристики,
электропитания аппаратуры связи и других потреби как выходное динамическое сопротивление. Это объяс
телей постоянным током номинальным напряжени няется тем, что в ВБВ2 применяется только одна об
ем 60 В, 48 В и 24 В соответственно. Выпрямители ратная связь (ОС) по выходному напряжению, а в ВБВ3
выпускают как для самостоятельной работы так и для кроме обратной связи по напряжению имеет место еще
установки в устройствах электропитания связи дополнительная связь по току ключевых транзисторов
УЭПС2 и УЭПС3. (току дросселя) [2], т. е. имеет место двухконтурная сис
В паспортных данных этих ВБВ приводятся все их тема регулирования. Как известно [1] дополнительная
основные статические рабочие параметры: значение обратная связь по току ключевых транзисторов (току
напряжение сети переменного тока, номинальные дросселя) является эффективной защитой ВБВ от пе
значения постоянных выходных значений напряже регрузок по току и коротких замыканий, обладает ши
ния и тока, пульсации выходного напряжения, КПД, рокой полосой подавления входных низкочастотных
коэффициент мощности cos ϕ и т. д. Однако в них от пульсаций, обеспечивает равномерное распределение
сутствуют динамические параметры ВБВ [1]. Из всех тока нагрузки между “n” параллельно включенными
этих динамических параметров наиболее важным яв ВБВ и т. д.
ляется выходное сопротивление ВБВ. Однако, ОС по току дросселя в некотором отно
Повышенное значение выходного сопротивления шении эквивалентная действию регулируемого источ
особенно в ВБВ на большие токи нагрузки может слу ника тока, обуславливает значительное динамическое
жить источником дополнительных высокочастотных выходное сопротивление стабилизированного выпря
помех в выходных цепях или выходных шинах вторич мителя.
ного электропитания ВБВ и приводит к увеличению С другой стороны, применение ОС по току дрос
выбросов и просадок в выходном напряжении ВБВ при селя в ВБВ3 обеспечивает отсутствие резонансного
переходном процессе в случае резкого изменения сопро максимума для выходного сопротивления в достаточ
тивления нагрузки (скачки тока нагрузки). но широком частотном диапазоне, в то время как при
Кроме того, знание величин выходного сопротив менение только одной обратной связи по напряжению
ления необходимо при расчетах каскадного соедине в ВБВ2 может привести к значительному резонанс
ния стабилизаторов, что важно для оптимального ному максимуму для выходного сопротивления на ре
построения распределенных систем электропитания зонансных частотах выходного фильтра.
(РЭС), получающих широкое распространение в це Для ВБВ2 в случае учета только первого (основ
лом ряде сложных радиотехнических и компьютери ного) звена выходного фильтра L1C1 при разомкну
зированных комплексов. той цепи ОС по напряжению
13
R1 + sL1 Z AB (Z AC + Z CB )
Z 01р (s ) = , (1) Z 0 р (s ) = , (6)
L1C1s 2 + R1C1s + 1 Z AB + Z AC + Z CB
а выходное сопротивление по напряжению при зам где
кнутой цепи ОС
1 1
Z 01р Z AB (s ) = , Z AC (s ) = R2 + sL2 , Z CB (s ) = , (6а)
Z 01 (s ) = , (2) sC 2 sC1
1 + T1 (s )
где Величина выходного сопротивления ВБВ с двух
звенным фильтром при замкнутой цепи ОС по напря
T1 ( s ) = W р1 ( s ) = KW ф ( s ) (3) жению:
петлевой коэффициент усиления цепи ОС по напря Z 0р
жению или передаточная функция разомкнутой сис Z 0 (s ) = , (7)
темы стабилизации ВБВ2, где, например, в 1 + T0 ( s )
соответствии с [1] коэффициент стабилизации ВБВ В данном случае с некоторым приближением T0(s)
имеет вид:
K = αK ШИМ K У (s ) (4)
T0 (s ) = K ⋅W ф1 ( s ) ⋅W ф2 (s ) . (7а)
причем в случае однозвенного фильтра, как правило,
Kу(s) = Kу. При этом, значения K, Wф1(s) и Wф1(s) определяются
Передаточная функция первого звена выходного по формулам, аналогичным (4), (5), (5а).
сглаживающего фильтра L1C1 Однако в случае двухзвенного фильтра для обес
печения устойчивости ВБВ2 в системе его обратной
1 связи обязательно должны появиться корректирую
Wф1(s) = , (5)
Tф1s + 2ξ1Tф1s +1
2 2
щие инерционнодифференцирующие звенья, поэто
му в выражении для K член Kу(s) должен содержать
причем операторные выражения таких звеньев.
Вопрос оценки устойчивости импульсных источ
L1 ников электропитания с двухзвенным выходным
R1C1 +
Rн фильтром достаточно полно рассмотрен в [1, 4].
Tф1 = L1C1 , ξ1 = , (5а)
2Tф1 В кривой выходного сопротивления таких ИИЭ в
общем случае наблюдаются два резонансных макси
Так как выходной фильтр для ВБВ2 (при частоте мума при резонансных частотах
коммутации его ключевых элементов fк = 30 кГц) яв
ляется двухзвенным, то в случае учета второго звена 1 1
ω1 = и ω2 = ,
фильтра, необходимо иметь в виду, что в соответствии L1C1 L2C 2
с [3] для правильно спроектированного двухзвенного
LCфильтра на выходе высокочастотного импульсно причем первый резонансный максимум значительно
го ВБВ2 L1 > L2 (обычно L1 ≈ 5L2). больше второго.
В этом случае его выходное сопротивление может Поэтому с некоторым допущением, в целях упро
быть определенно по упрощенной формуле для схе щения расчетов, можно оценивать величину макси
мы рис. 1. мального выходного сопротивления ВБВ2 по
Поскольку в этом случае ωL1 ≈ 1/ωC1, то первое формулам (2), (3), (4), (5), (5а), т. е. для случая одно
звено емкости двухзвенного фильтра практически звенного фильтра.
полностью шунтирует первую индуктивность фильт Естественно, что для расчета выходных пульсаций
ра в области средних и высоких частот, и для схемы или устойчивости ВБВ2, учет второго звена фильтра
рис. 1 выходное сопротивление двухзвенного фильт является обязательным.
ра ВБВ2 при разомкнутой цепи его обратной связи В качестве примера на рис. 2 приведена расчетная
по напряжению зависимость Z01 для ВБВ60/252К по вышеприведен
ным формулам для следующих исходных данных:
U н = 60 В; I н = 25 А; R н = 2,4 Ом; f к = 30 кГц;
L1 = 160 мкГн; С1 = 4700 мкФ; R1 = 0,05Rн.
Для ВБВ3, как было указано выше, расчет динами
ческих характеристик, в том числе и выходного сопро
тивления, более сложен, как для всякой двухконтурной
системы регулирования.
Структурноэлектрическая схема ВБВ3 изоб
Рис. 1. Упрощенная схема двухзвенного LC фильтра ВБВ2 ражена на рис. 3, а ее достаточно полное описа
14
Рис. 2 Расчетное значение выходного сопротивлении ВБВ2К (для случая однозвенного фильтра) в зависимости от частоты
Рис. 3 Структурноэлектрическая схема ВБВ3К
ние приведено в [2]. В виду высокой частоты Uвых ККМ, преобразованное в переменное прямоуголь
f к = 100 кГц, для ВБВ3К достаточно однозвен ное с помощью мостовой схемы преобразователя на
ного L2C3 фильтра. транзисторах V4, V5, V6, V7:
В соответствии с [1, 5] такой двухконтурной сис
U 1 = n21U вых ККМ ,
теме ВБВ при наличии ОС как по выходному напря
жению, так и по току ключевых транзисторов, где n21 = w2/w 1 – коэффициент передачи силового
соответствует структурная схема динамических зве трансформатора мостового преобразователя, w2, w1 –
ньев, приведенная на рис. 4. числа витков первичной и вторичной полуобмот
На рис. 4 напряжению соответствует приведен ки трансформатора T1, Uвых ККМ – напряжение на
ное к вторичной обмотке трансформатора преобра выходе корректора коэффициента мощности,
зователя T 1 схемы рис. 3 напряжение на выходе U2(X2) – выходное напряжение на выходе (ВБВ), т. е.
корректора коэффициента мощности (ККМ), т. е. на емкости C3, или на нагрузке, iL(X1) – приведенное
Рис. 4 Математическая модель динамических звеньев структурной схемы
15
к вторичной обмотке трансформатора преобразова где RС – сопротивление диэлектрических потерь элек

теля T1 значение тока ключевых транзисторов VT4 T7, тролитического конденсатора;
т. е. фактически ток дросселя L2: RL – активное сопротивление дросселя фильтра.
Суммарное эквивалентное сопротивление силовой
I вых ККМ
iL (X 1 ) = , части ВБВ
n21
Rэ = DR VT + (1 − D )R VD + RL + RC ,
где Iвых ККМ ток на выходе корректора коэффициента
мощности (ККМ). Приближенно где RVT – сопротивление ключевого транзистора в ре
жиме насыщения;
PВБВ
I вых ККМ ≈ . RVD – сопротивление обратного диода в прямом на
U вых ККМ правлении.
Координаты Х1 и Х2 соответствуют стандартному Остальные динамические звенья на схеме рис. 4:
обозначению переменных состояний в схеме рис. 4 FU = KU – коэффициент усиления УПТ;
[1], а и – приращения соответствующих напря Fi = Rs/N – коэффициент усиления в цепи ОС по
жений относительно номинальных. току ключевых транзисторов (тока
Обозначения и выражения динамических звеньев дросселя);
структурной схемы рис. 4, выведенные на основании N – коэффициент передачи трансформатора тока
метода усреднения переменных состояния имеют вид: ТТ на схеме рис. 3;
Rs – сопротивление нагрузки трансформатора тока
U 2 (s ) 1 sCRС + 1 (входное сопротивление платы фазосдвигаю
F1 = = ⋅ ;
U 1 (s ) LC Δ щего контроллера).
U (s ) U 1 sCRС + 1 На схеме рис. 4 имеются два контура регулирова
F2 = 2 = ⋅ ния: TV – ОС по выходному напряжению и Ti – ОС по
d1 (s ) LC Δ
1 току ключевых транзисторов (току дросселя).
s+ (8) Fm – коэффициент передачи широтноимпульсно
i L (s ) D CRн
F3 = = ⋅ ; го модулятора (ШИМ).
U 1 (s ) L Δ Известно, что для стабилизированного выпря
1 мителя с одной обратной связью по напряжению:
s+
i L (s ) U 1 CRн
F3 = = ⋅ , 1
d (s ) L Δ Fm = K m = ,
Vp
где, применительно к структурной схеме ВБВ3 (рис. 3): т. е. он обратно пропорционален амплитуде пилооб
L = L2, C = C3; разного напряжения синхронизации.
RС – сопротивление диэлектрических потерь кон В случае применения дополнительной обратной
денсатора С3; связи по току ключевых транзисторов (тока дроссе
D(d) – коэффициент заполнения ШИМ; ля) общий уровень напряжения, прикладываемый к
Rн – сопротивление нагрузки ВБВ; модулятору в соответствии с [1] и рис. 5 пропорцио
F1 – передаточная функция по возмущающему воз
действию со стороны входного напряжения,
т. е. отношения приращения выходного напря
жения U2(X2) к изменению входного напряже
ния U1;
F3 – передаточная функция по возмущающему воз
действию также со стороны входного напря
жения, т. е. отношение приращения тока
ключевых транзисторов (тока дросселя) iL(X1)
к изменению входного напряжения U1;
F2, F4 – передаточные функции по управляющему
воздействию, т. е. отношения соответствен
но приращений выходного напряжения U2,
или тока ключевых транзисторов (тока
дросселя) iL, к изменению коэффициента
заполнения ШИМ d.
В вышеприведенных формулах:
⎡R 1 ⎤ 1 Рис. 5. Форма напряжения (тока) ключевых транзисторов
Δ = s2 + s⎢ С + ⎥+ , (8а) (тока дросселя) ВБВ3 с токовым законом управления при
⎣ L CRн ⎦ LC наличии дополнительного пилообразного напряжения
16
нален сумме угловых коэффициентов (тангенсов угла учетом действия обратной связи по току дросселя)
наклона) внешней синхронизации т3 и возрастающей выходное сопротивление ВБВ3:
полуволне тока ключевых транзисторов (тока дрос
Z 0i ( s )
селя) m1. Таким образом, Z 0 (s ) = , (11)
1 + T0 ( s )
1
Fm = K m = . (9)
(m1 + m3 )Tk TV
где T0 = . (11а)
При определении выходного сопротивления ВБВ 1 + Ti
3К следует иметь ввиду, что дополнительная обрат Петлевые коэффициенты усиления контуров
ная связь по току (дросселя) способствует, к регулирования по напряжению и току в соответ
сожалению, увеличению выходного сопротивления ствии со схемой рис. 4:
ВБВ, особенно в области низких частот, но его зави
симость от частоты не имеет резонансного максиму U 1 scRC + 1
TV (s ) = αFm FU F2 = αK у K m ⋅ =
ма, что является, достоинством токовой коррекции. LC Δ
(12)
Строгое расчетное значение выходного сопротив K (1 + τC s ) K (1 + τ C s )
= V = 2 2V ;
ления двухконтурной системы импульсной стабили LC ⋅ Δ Tф s + 2ξTф s + 1
зации для случая замкнутой обратной связи по току
дросселя и разомкнутой обратной связи по выходно
му напряжению – Z0i приведено в [6]: 1
s+
U1 CR н Rs
F p (s )Rн Ti (s ) = Fm F4 Fi = K m ⋅ ⋅ =
Z 0i = , (10) L Δ N
RнTk (13)
1+ (mc D ′ − 0,5) K (1 + τi s ) K (1 + τi s
L = i = 2 2i ,
LC ⋅ Δ Tф s + 2ξTф s + 1
1 + sCRC 1 Tk где
где F p (s ) = , ωp = + ; (10а)
s CRн (mc D ′ − 0,5)LC
1+ K V = αK у K mU 1 ; τC = СR;
ωp
K mU 1R s (14)
D ′ = 1 − D ; Tk = 1 / f k ; mc = 1 / D ′ (обычно тс = 3 … 5). Ki = ; τi = СR ,
Rн N
Приведенный в следующем разделе числовой
расчет показывает, что влияние Z0i на реальные па а значения Тф и ξ соответствуют выражению (5а).
раметры ВБВ3, особенно в области низких частот Многие параметры в формулах (12)–(14), напри
весьма значительно (рис. 7). Однако благодаря дей мер Km, т. е. m1 и m3, Rs, N не приводятся в паспорт
ствию обратной связи по выходному напряжению ре ных данных или схемах ВБВ3К. Для импульсных
зультирующее выходное сопротивление существенно преобразователей различных типов и номиналов
понижается. На основе теории многоконтурных сис эти значения могут колебаться в достаточно широ
тем автоматического регулирования [7] при замыка ких пределах:
нии обратной связи по выходному напряжению (с m1 и т3 = (2…10) ⋅ 104 В/с; Km = (0,5 … 3) В–1;
Rs = (100…1000) Ом; N = 30…100.
Однако значения KV и Ki можно определить для
ВБВ3К, исходя из следующих рассуждений и экспе
риментальных данных.
Общий коэффициент стабилизации любого
ВБВ3К
K ст ВБВ = K ст ККМ K ст ИП ,
где Кст ККМ – коэффициент стабилизации корректора
коэффициента мощности (ККМ);
Кст ИП – коэффициент стабилизации импульсно
го преобразователя (ИП).
Многократные эксперименты проводимые с
ВБВ2, показали, что его Кст ВБВ ≥ 1000, который бли
Рис. 6. Стандартный вид ЛАЧХ устойчивого ИП
зок и для ВБВ3. При этом реально принять Кст ККМ ≈
с дополнительной связью по току: ≈ 10, а Кст ИП ≈ 100. Более высокое значение Кст ИП
– – – – – ЛАЧХ токового контура Ti, (Li); объясняется тем, что именно он имеет дополнитель
– . – . – – ЛАЧХ контура по напряжению TV, (LV);
________ – результирующая ЛАЧХ ИП (L), при условии ную ОС по току, которая обеспечивает устойчивость,
L(w) = LV(w) + Li(w) [1] ИП ВБВ даже при таких высоких Кст [1, 8].
17
Далее рассмотрим типичный вид логарифмичес ный на рис.7. Точное значение зависимости Z0(f) для
кой амплитудной частотной характеристики (ЛАЧХ) ВБВ3К, как и ВБВ2К, а также других подобных ус
для устойчивого ИП с дополнительной ОС по току, тройств следует определять в заводских условиях (за
изображенных на рис. 6 [1, 8]. вод “Промсвязь” г. ЮрийПольский, фирма “Ирбис”
На рис. 6 ωср – частота среза контура по напряже г. Москва) экспериментально с помощью прибора
нию; ω′ср – частота среза токового контура (и резуль “Измеритель частотных характеристик” [9].
тирующая для всего ИП); ωк – частота квантования Как следует из сравнения результатов рис. 2 и рис.
ключевых элементов ИП. 7 среднее значение Z0, для ВБВ2К (0,1 Ом) в 45 раз
Условие применения непрерывной модели для ИП меньше, чем для ВБВ3. Однако Z0 для ВБВ3 носит
(условие теоремы Котельникова) плоский характер и не имеет резонансного максиму
ма. В целом частотная зависимость Z0 для ВБВ2 бо
ωк
ω′ср ≤ . лее благоприятна, чем для ВБВ3 в отношении
2 динамики работы ВБВ.
Учет дискретного характера работы ШИМ, прове
денный в [8], не оказывает существенного влияния на Выводы
вид ЛАЧХ рис. 6, но он сильно влияет на вид АФЧХ. 1. Выходное динамическое сопротивление и его за
Условием устойчивости ИП с дополнительной свя висимость от частоты является важной характеристи
зью по току является, выполнение неравенства кой всякого импульсного источника электропитания.
В промышленных стабилизированных выпрямителях
1 1 электропитания типа ВБВ2К и ВБВ3К, его величина,
< < ωср ,
Tф τ d особенно при больших токах нагрузки, влияет на вели
чину дополнительных высокочастотных помех в выход
т. е результирующая ЛАЧХ ИП L(ω) до пересечения с ных цепях (шинах) таких ВБВ, а также на величину
LV(ω) практически совпадает с последней, а после их выбросов и просадок переходного процесса в случае рез
пересечения в точке (1/τd) совпадает с Li(ω). При этом кого изменения сопротивления нагрузки. Значение вы
желательно, чтобы значение (1/τd) находилось в се ходного сопротивления ВБВ необходимо также при
редине частотного диапазона [(1/Tф) ωср]. расчетах каскадного соединения стабилизаторов, что
Исследования, приведенные в [1] и [8], показали, что важно для оптимального построения распределенных
этим условием отвечает соотношениеKV/Ki ≈ 8…10, для систем электропитания (РЭС).
широкого номинала ИП. Для ВБВ3 можно допустить, 2. Стабилизированные ИИЭ типа ВБВ2 и ВБВ3
что при Кст = 1000 и Кст ККМ = 10, Кст ИП ≈ 100, т. е. при имеют принципиально различные методы расчета их
Кст ИП = KV + Ki » 100 имеем Ki = Ti(0) ≈ 0,8 и KV = TV(0) ≈ выходных сопротивлений, так как в ВБВ2 применя
≈ 100. ется только одна обратная связь по напряжению, а в
Результаты расчетов ВБВ-3 на ЭВМ ВБВ3 две обратных связи: по выходному напряже
Для параметров ВБВ60/253К, приведенного на нию и току ключевых транзисторов (току дросселя),
рис. 3 и структурной схемы динамических звеньев т. е. для ВБВ3 имеет место двухконтурная система ре
рис. 4 при частоте коммутации ключевых транзисторов гулирования.
fк = 100 кГц; Rн = 2,4 Ом; L = 50 мкГн; С = 3300 мкФ, 3. Расчет максимальной величины выходного со
RC = 0,1 Ом;Rэ = 0,08Rн ≈ 0,2 Ом; TV(0) = KV = 100; Ti(0) = противления для ВБВ2 может быть произведен с
= Ki = 8. учетом только первого звена его выходного сглажи
Зависимость Z0(f), рассчитанная по формуле (11) с вающего LCфильтра по известным формулам тео
помощью программы MathCAD, имеет вид, приведен рии цепей. Расчет выходного сопротивления для
ВБВ3 требует знания обобщенной структурной
схемы его динамических звеньев, а также исполь
зования метода переменных состояния и теории
многоконтурных систем регулирования.
4. Среднее расчетное значение выходного сопро
тивления для ВБВ2 может быть в 4–5 раз меньше,
чем для ВБВ3, поэтому частотная зависимость для
ВБВ2 более благоприятна в отношении динамики,
чем для ВБВ3.
5. Точные значения выходных динамических со
противлений и их зависимости в широком диапа
зоне частот для ВБВ2 и ВБВ3 завода “Промсвязь”
(г. ЮрийПольский), а также ВУ, выпускаемых фир
Рис. 7. Расчетное значение выходных сопротивлений ВБВ3К мой “Ирбис” (г. Москва), проще и лучше опреде
в зависимости от частоты. лять в заводских условиях экспериментальным
18
путем с помощью прибора “Измеритель частотных switching regulators. – IEEE Tran. Power Electron. No 4,
характеристик”. October 1988, p. 489.
6. В связи с выводами п.п. 1–5 значения выходных 6. R. B. Ridley. A new continuous time model for
динамических сопротивлений, а лучше график зави currentmode control. – IEEE Trans. Power Electron,
симости их от частоты, было бы целесообразно при vol. 6, No 2, April 1991, pp. 271–280.
водить в технических описаниях (паспортах) на эти 7. В. Т. Морозовский. Многосвязные системы ав
ВБВ. Это, возможно, способствовало бы их дальней томатического регулирования. – М.: 1970.
шему продвижению на рынок для создания распре 8. О. А. Коржавин, С. С. Донкеев, А. А. Вороной. Вли
деленных систем электропитания (РЭС) сложных яние дискретного характера работы ШИМ на устой
радиотехнических и компьютеризированных комп чивость однотактного преобразователя напряжения
лексов. с дополнительной связью по току дросселя. – Прак
тическая силовая электроника, № 20, 2005, C. 10–15.
Литература 9. В. А. Филин, В. С. Смирнов. Измеритель частот
1. О. А. Коржавин. Динамические характеристики ных характеристик. – СанктПетербургский государ
импульсных полупроводниковых преобразователей и ственный университет телекоммуникаций 2008 г.
стабилизаторов напряжения. – М.: Радио и Связь.
1997.– 300с.
2. В. М. Бушуев, В. А. Деминский, Л. Ф. Захаров, Ю.
Д. Козляев, М. Ф. Колканов. Электропитание устройств Коржавин Олег Аркадьевич, доцент кафедры ОКиТРТС,
и систем телекоммуникаций. – М.: Телеком 2009.– Поволжского государственного университета телекоммуни3
384 с. каций и информатики, тел. (846)332379309, e3mail:
3. Ч. Н. Головский. Транзисторные и импульс korg@epus.psati.ru;
ные усилители и стабилизаторы постоянного на Галактионов Константин Иванович, инженер кафедры
пряжения. – М.: Сов. радио, 1974. ОКиТРТС, Поволжского государственного университета теле3
4. R. B. Ridley. Secondary LC filter analysis and коммуникаций и информатики, тел. 8(908) 368328345, e3mail:
design techniques for currentmodecontrolled kostyanivanich@yandex.ru;
converters. – IEEE Tran. Power Electron., vol. 3, No Коблов Андрей Александрович, инженер кафедры
4, October 1988, pp. 499–507. ОКиТРТС, Поволжского государственного университета теле3
5. R. B. Ridley, B. H. Cho, F. C. Lee. Analysis and коммуникаций и информатики, тел.: 8(908)388369376, e3mail:
interpretation of loop gains of multiloop controlled fanta6@rambler.ru.
19
Д. С. Дейнеко, С. В. Тараканов
ТРАНСФОРМАТОР ПРЯМОХОДОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С

АКТИВНЫМ ОГРАНИЧИТЕЛЕМ
D. S. Deineko, Transformer Design for Forward Converter

S. V. Tarakanov With Active Clamp
В прямоходовых преобразователях со схемой активного ограниче3 Transformer leakage inductance and parasitic capacitances of power
ния напряжения на силовом ключе индуктивность рассеяния трансфор3 switches in a forward converter with active clamp may cause a dc bias
матора и паразитные емкости силовых ключей могут привести к current of the transformer. The dc bias of the magnetizing current could
образованию постоянной составляющей тока намагничивания. Если при cause saturation of the transformer magnetic core, and diode reverse
расчете трансформатора не учитывать подмагничивание этим постоян3 recovery problem, as well as make the active clamp switch lose zero voltage
ным током, оно может вызвать насыщение сердечника трансформатора, turn3on if it was not taken into account during the transformer design. This
проблемы с обратным восстановлением диода и нарушить включение paper derives the explicit equation of the dc bias of the magnetizing current
силового ключа схемы ограничителя при нуле напряжения. В статье по3 and provides the transformer design procedures according to the equations
лучено точное выражение для определения постоянной подмагничива3 presented.
ющей составляющей тока намагничивания и описана методика расчета
трансформатора согласно полученным выражениям.
Ключевые слова: прямоходовой преобразователь, активный ограни
читель, трансформатор, индуктивность рассеяния, ток намагничи Key words: forward converter, active clamp, transformer, leakage
вания, постоянное подмагничивание inductance, magnetizing current, dc bias current
Работа прямоходового преобразователя в т. е. происходит усложнение и стоимость сило

сильной мере зависит от способа размагничива вой части. Тем не менее, такой метод представ
ния трансформатора. Как правило, считается, что ляется незаменимым при необходимости
способ активного ограничения позволяет обеспе обеспечения оптимальных рабочих характерис
чить лучшие характеристики, по сравнению с тик прямоходовой структуры.
другими способами ограничения, поскольку та В целом ряде статей обсуждены вопросы разработ
кой способ позволяет работать с максимальным ки преобразователей, относящиеся к механизму ак
коэффициентом заполнения, превышающим 0,5, тивного ограничения [2–7]. Наличие отрицательного
при минимальном перенапряжении на силовом тока подмагничивания рассмотрено в [2]. Однако,
ключе [1]. Фактически, за счет большего коэф подробный анализ и точные расчетные формулы в [2]
фициента заполнения имеется возможность уве приведены не были. Перед созданием опытного об
личить коэффициент трансформации, что разца крайне важно оценить подмагничивающую со
приводит к уменьшению потерь на проводимость ставляющую тока намагничивания, чтобы учесть ее
на первичной стороне преобразователя. При при расчете трансформатора.
этом, можно выбирать выпрямительные диоды на В статье показано, что ток намагничивания транс
более низкое допустимое обратное напряжение, форматора может содержать как положительную, так и
а, следовательно, с меньшим прямым падением отрицательную постоянную подмагничивающую со
напряжения. Кроме того, способ активного ог ставляющую, изза наличия паразитной емкости Сс и
раничения позволяет возвращать энергию намаг индуктивности рассеяния Ls. Этот ток подмагничива
ничивания трансформатора в источник, в ния может вызвать насыщение сердечника трансфор
отличие от других способов, например, RCDог матора, проблемы обратного восстановления диодов и
раничителя, когда эта энергия рассеивается. В ре влиять на переключение при нуле напряжения силово
зультате, КПД прямоходового преобразователя со го ключа ограничителя. Помимо этого, проведен ана
схемой активного ограничения оказывается лиз работы схемы ограничения при наличии этих
выше, чем у других схем ограничения. Способ паразитных параметров, приведены выражения для вы
активного ограничения позволяет также более числения тока подмагничивания и методика расчета,
полно использовать сердечник трансформатора, учитывающая этот ток.
поскольку сердечник перемагничивается симмет
рично в первом и третьем квадрантах характери Принцип действия
стики В = f (H ) . О д н а к о , п р и а к т и в н о м Силовая часть прямоходового преобразователя
ограничении требуется дополнительный силовой с активным размагничиванием сердечника показа
ключ с драйвером и резонансным конденсатором, на на рис. 1. Схема размагничивания (ограничите
20
ля) состоит из дополнительного силового ключа ог ке протекает ток iw1 = Iвых/п. В это же время ток намаг
раничительного конденсатора С огр. Для упрощения ничивания линейно нарастает, поскольку положи
анализа схемы полагаем индуктивность дросселя тельное напряжение Uвх приложено к первичной
выходного фильтра L ф достаточно большой, чтобы обмотке. Когда ключ S1 замкнут, ток через него (iS1)
выходной фильтр можно было представить источ равен сумме токов iw1 + iLm (рис. 3).
ником тока постоянной величины (Iвых). Кроме того, При размыкании силового ключа S1 в момент вре
считаем все полупроводниковые приборы идеаль мени t1 выходной ток перекладывается с диода VD1
ными. При этом трансформатор представим в виде на свободно проводящий диод VD2, поскольку ин
параллельного соединения индуктивности намаг дуктивностью рассеяния трансформатора можно пре
ничивания L m и идеального трансформатора с ко небречь (рис. 2б). В этот же момент времени ток
эффициентом трансформации n = w1/w2 (рис. 2). Для намагничивания начинает протекать не через сило
дальнейшего облегчения описания принципа дей вой ключ S1, а по обратному диоду ключа (S2) схемы
ствия схемы на рис. 2 показаны эквивалентные схе ограничения. Поскольку ключ S2 в момент времени
мы преобразователя за период переключений. t1 замыкается, когда проводит его внутренний диод,
временные диаграммы, поясняющие работу схемы, т. е., когда напряжение на нем равно нулю, он замы
показаны на рис. 3. кается при нуле напряжения (ПНН). При этом не воз
Поскольку при анализе силовые ключи приняты никают дополнительные потери на включение. За счет
идеальными с нулевым временем переключения, на отрицательного напряжения иC на первичной обмот
рис. 3 управляющие сигналы драйверов показаны без ке трансформатора ток намагничивания начинает
задержек. За счет переключения силовых ключей в уменьшаться. Если принять напряжение иС = const,
противофазе получаем только две эквивалентных схе т. е., если величина емкости конденсатора Cогр доста
мы состояний силовой части преобразователя. точно велика, ток намагничивания (im) спадает линей
На интервале времени (t0–t1) ключ S1 замкнут, а но (рис. 3).
ключ S2 разомкнут (рис. 2а), и выходной ток Iвых про Когда в момент времени t1′ ток намагничивания
текает по вторичной обмотке, а по первичной обмот становится равным нулю, он продолжает протекать в
противоположном направлении через замкнутый до
полнительный ключ S2. Этот этап работы схемы за
канчивается, когда размыкается ключ S2 и замыкается
ключ S1. Таким образом, в момент времени t2 начи
нается новый период переключений.
Рис. 1. Схема силовой части прямоходового преобразователя

с активным ограничением
Рис. 2. Эквивалентные схемы силовой части прямоходового Рис. 3. Временные диаграммы, поясняющие работу
преобразователя на интервалах времени (t0–t1) (а) и (t1–t2) (б) схемы преобразователя
21
Из требования к балансу потоков сердечника Далее будет показано, что величина постоянной
трансформатора следует, что составляющей тока намагничивания является функ
цией Спар, Ls, входного напряжения и нагрузки. По
U вх ⋅ t и = U C ⋅ t п , (1)
ложительное постоянное подмагничивание возникает
т. е., напряжение на ограничительном конденсаторе изза избыточной энергии, накопленной в паразит
UCогр определяется как ной емкости, а отрицательное – изза избыточной
энергии, накопленной в индуктивности рассеяния
DU вх трансформатора. Большая величина положительно
UC , = (2)
1− D
огр
го тока подмагничивания может вызвать насыщение
где tи – время замкнутого состояния ключа S1 (время сердечника трансформатора, либо вызвать проблемы
импульса); с обратным восстановлением диода, а большая вели
tп – время разомкнутого состояния ключа S1 (вре чина отрицательного тока подмагничивания приве
мя паузы); дет к насыщению сердечника трансформатора, или к
D = tи/Тпер – коэффициент заполнения S1; невозможности переключения ключа схемы ограни
Тпер – период переключений. чения при нуле напряжения (рис. 5). В этом разделе
Из условия баланса заряда ограничительного кон будет объяснено явление постоянного подмагничи
денсатора следует, что вания и получена точная формула для расчета посто
янной подмагничивающей составляющей тока
I C+ = I C− , (3) намагничивания, чтобы учесть этот эффект при рас
+ −
где I = im (t1 ) , а I = i m (t 2 ) . чете реального трансформатора.
m m
Таким образом, постоянная составляющая тока
намагничивания в схеме рис. 1 равна нулю. Однако, Положительное подмагничивание
как будет показано далее, если не пренебрегать пара Временные диаграммы установившегося режима
зитными емкостями полупроводниковых приборов и работы преобразователя с активным ограничителем
индуктивностью рассеяния трансформатора, то ток при положительном постоянном подмагничивании
намагничивания будет содержать постоянную состав показаны на рис. 6.
ляющую подмагничивания. Положительная постоянная составляющая тока
намагничивания возникает, когда энергия, накоплен
Влияние паразитной емкости и индуктивности ная в индуктивности рассеяния меньше энергии, на
рассеяния трансформатора копленной в паразитном конденсаторе. Вследствие
Как показано в предыдущем разделе, среднее зна наличия этих паразитных параметров, работа схемы
чение тока намагничивания трансформатора за один (рис. 4) немного отличается от работы схемы, пока
период переключений в идеальном случае (рис. 1) занной на рис. 1. Эти отличия можно увидеть, когда
равен нулю. Однако, при учете паразитной емкости размыкается силовой ключ S1. Весь период переклю
Спар и индуктивности рассеяния трансформатора (Ls) чений можно разбить на шесть этапов.
в установившемся режиме работы преобразователя
ток намагничивания будет содержать положительную
или отрицательную постоянную составляющую под
магничивания. Эквивалентная схема для такого слу
чая показана на рис. 4, где С пар – суммарная
эквивалентная паразитная емкость основного ключа
S1, дополнительного ключа схемы ограничителя S2 и
трансформатора, а Ls – индуктивность рассеяния
трансформатора.
а
б
Рис. 4. Эквивалентная схема прямоходового преобразователя с
учетом эквивалентной паразитной емкости и индуктивности Рис. 5. Постоянное подмагничивание трансформатора:
рассеяния трансформатора а – положительное; б отрицательное
22
через диод VD1 становится равным нулю, а ток ин

дуктивности рассеяния становится равным току на
магничивания. В течение этого этапа ток
намагничивания остается постоянным, поскольку
первичная и вторичная обмотки трансформатора за
корочены.
Этап 4 (t3–t4). В момент времени t3 диод VD1 запи
рается, и трансформатор переходит в режим холосто
го хода. Поскольку энергия, накопленная в С пар ,
больше энергии, накопленной в Ls, в момент време
ни t3 напряжение на Спар не достигнет величины Uвх +
Uогр, и контур Lm–Ls– Спар будет резонировать до мо
мента времени t4, когда uси1 = Uвх + Uогр.
Этап 5 (t4–t4′). В момент времени t4 ток, протекаю
щий через индуктивности рассеяния и намагничива
ния, продолжает протекать через внутренний диод
ключа S2 и ограничительный конденсатор Согр. Изза
отрицательной полярности напряжения Uогр на индук
тивности намагничивания, ток iLm уменьшается. Если
предположить, что емкость Спар достаточно велика,
чтобы пульсации напряжения ограничителя Uогр были
малы по сравнению с постоянной составляющей, ток
iLm будет спадать линейно. Этот этап заканчивается,
когда в момент времени t4′ iLm становится равным
нулю. В течение этого промежутка времени ключ схе
мы активного ограничителя S2 может быть замкнут в
любой момент при нуле напряжения.
Рис. 6. Временные диаграммы работы преобразователя в Этап 6 (t4′ –t5). Когда ток через внутренний диод
установившемся режиме при положительном подмагничивании ключа S2 становится равным нулю в момент времени
t4′, начинает проводить ключ схемы активного огра
Этап 1 (t0–t1). После замыкания силового ключа S1 ничения S2. Ток намагничивания iLm продолжает про
в момент времени t0 выходной ток Iвых протекает че текать в противоположном направлении через S2. Это
рез диод VD1. По первичной обмотке также протека этап заканчивается в момент времени t5, когда ключ
ет ток. В индуктивности намагничивания (L m ) S2 размыкается.
накапливается энергия от входного напряжения Uвх. В соответствии с условием баланса заряда зашт
В результате, ток через силовой ключ на этом интер рихованная область на графике тока iСогр на интерва
вале определяется соотношением ле (t4–t4′) равна заштрихованной области на интервале
(t4′–t5) (рис. 6), т. е. iCогр+ = iCогр–. На интервале (t4–t5)
I вых
iS1 = i m + . (5) ток намагничивания повторяет зарядный ток iCогр, а
n на интервале (t3–t4) Спар заряжается токами iLm и iLs.
Этап 1 заканчивается с момент времени t1, когда раз Поскольку Lm >> Ls, индуктивностью Ls можно пре
мыкается силовой ключ S1. небречь. Дополнительное изменение iLm в это время
Этап 2 (t1–t2). После размыкания ключа S1, кон вызывает дополнительный ток намагничивания, т. е.
денсатор Спар заряжается выходным током, приведен ILm+ > ILm–, где ILm+ = iLm(t3), а ILm– = iLm(t5).
ным к первичной обмотке Iвых/п. Этап заканчивается Для обеспечения симметрии потока ток намагни
в момент времени t2, когда напряжение на силовом чивания трансформатора содержит положительную
ключе (uS1) достигнет величины Uвх. постоянную составляющую (рис. 6). Если эта посто
Этап 3 (t2–t3). Когда напряжение uS1 достигает ве янная составляющая достаточно велика, ILm– остает
личины Uвх, напряжение вторичной обмотки стано ся положительным на всем периоде переключения, и
вится равным нулю, и трансформатор замыкается ток намагничивания попрежнему протекает через
накоротко. Поскольку ток через диод VD1 мгновен внутренний диод ключа схемы ограничения S2, ког
но снизиться до нуля не может, изза наличия индук да замкнут ключ S1. В результате возникает большой
тивности рассеяния, на этом этапе диоды VD1 и VD2 по величине обратный ток восстановления, протека
проводят одновременно. Индуктивность рассеяния и ющий через диод VDS2 к силовому ключу S1, что мо
паразитная емкость образуют резонансный контур. жет привести к выходу из строя полупроводниковых
Этап 3 заканчивается в момент времени t3, когда ток приборов.
23
Согласно правилу баланса энергии, на интервале при отрицательном постоянном подмагничивании

(t2–t5) показаны на рис. 7.
Отрицательная постоянная составляющая тока
Ls i L2 (t 2 ) Lmi L2 (t 2 ) (Lm + Ls )i L2 (t 5 ) намагничивания возникает, когда энергия, накоплен
s
+ m
− =
m
2 2 2 ная в индуктивности рассеяния Ls больше энергии,

(6) накопленной в паразитном конденсаторе Спар. Весь
C пар [uC (t 5 ) −U вх ]2 C пар [uC (t 2 ) −U вх ]2
= пар
− пар
, период переключений можно разбить на шесть эта
2 2 пов. При этом этапы 1, 2, 5 и 6 аналогичны этапам
при положительном подмагничивании. Отличаются
I вых
где i L (t 2 ) = + i L (t 2 ) ; (7) только этапы 3 и 4, соответствующие временным ин
s
n m
тервалам (t2– t3) и (t3– t4) соответственно.
iL (t 2 ) = iL (t 3 ) = I L+ ; (8) Этап 3 (t2–t3). После размыкания основного клю
m m m
ча S1 в момент времени t2, когда напряжение uS1 дос
iL (t 5 ) = I L− ;
m m
(9) тигло величины U вх , напряжение на вторичной
обмотке трансформатора становится равным нулю, и
uC (t 2 ) = U вх ;
пар
(10) трансформатор закорачивается. Поскольку ток в ди
оде VD1 не может мгновенно упасть до нуля изза
uC (t 5 ) = U вх +U С . (11)
пар огр наличия индуктивности рассеяния трансформатора,
При Iвых/п >> iLm (6) можно упростить к виду в этот промежуток времени диоды VD1 и VD2 прово
дят совместно. Индуктивность рассеяния входит в
Lm (I L+ )2 Lm (I L− )2 C парU С2 2
LL I вых
m
− m
≈ огр
− s
. (12) резонанс с емкостью Cc, и процесс резонанса продол
2 2 2 2n 2 жается до тех пор, пока в момент времени t3 емкость
Спар не зарядится до величины Uвх + UСогр.
Отрицательное подмагничивание Поскольку энергия, накопленная в индуктивнос
Временные диаграммы установившегося режима ти рассеяния Ls превышает энергию конденсатора
работы преобразователя с активным ограничителем Спар, в момент времени t3 ток индуктивности рассея
ния iLs больше тока намагничивания. На этом этапе
ток намагничивания остается неизменным, посколь
ку первичная и вторичная обмотки трансформатора
закорочены.
Этап 4 (t3–t4). В момент времени t3 ток индуктив
ности рассеяния iLs, превышающий ток намагничи
вания, продолжает протекать через внутренний диод
ключа S2 и входит в резонанс с ограничительным кон
денсатором (Согр). Диоды VD1 и VD2 на этом этапе
попрежнему проводят совместно, а ток намагничи
вания остается неизменным, так как первичная и вто
ричная обмотки трансформатора закорочены. Этот
этап заканчивается в момент времени t4, когда ток
индуктивности рассеяния становится равным току
намагничивания. При этом диод VD1 закрывается, а
трансформатор переходит в режим холостого хода.
На следующем этапе Lm, Ls и Спар образуют резо
нансный контур, и процессы в схеме протекают так
же, как при положительном подмагничивании.
Согласно правилу баланса заряда площади зашт
рихованных областей графика i Сс на интервалах
(t3– t′4) и (t′4– t5) равны (рис. 7). На интервале (t3– t4)
емкость Спар заряжается током индуктивности рассе
яния iLs. На интервале (t4– t5) ток намагничивания по
вторяет ток iCогр, и площади заштрихованных областей
на графике iLm не равны между собой, т. е. ILm+ < ILm–,
где ILm+ = iLm(t4), а ILm– = iLm(t5). Для обеспечения сим
метрии потока ток намагничивания трансформатора
содержит отрицательную постоянную составляющую
(рис. 7).
Рис. 7. Временные диаграммы работы преобразователя в Если ток намагничивания имеет слишком боль
установившемся режиме при отрицательном подмагничивании шую величину то, когда напряжение uS1 достигает ве
24
личины Uвх + UCогр, значение ILm+ отрицательно. В ре Пусть

зультате, ток протекает через ключ S2 схемы актив
(I m+ + I m− )
ного ограничения, а не внутренний диод ключа S1, IL m подм
= ; (23)
когда он разомкнут, а S2 замкнут. При таких условиях 2
происходит жесткое включение S2, что приводит к C парU С2
увеличению потерь в схеме. EC = огр
; (24)
Согласно балансу энергии на интервале (t2– t5)
c
2
2
Ls I вых
Ls i L2 (t 2 ) Lmi L2 (t 2 ) (Lm + Ls )i L2 (t 5 ) EL = , (25)
s
+ m
− = m
2n 2 s
2 2 2
(13) где I L подм – постоянная составляющая тока намаг
C пар [uC (t 5 ) −U вх ]2 C пар [uC (t 2 ) −U вх ]2 m
ничивания;
= пар
− пар
,
2 2 E C – энергия, накопленная в паразитной емко
пар
сти Спар;
I вых E L – энергия, накопленная в индуктивности рас
где i L (t 2 ) = + i L (t 2 ) ; (14) s
s
n m
сеяния.
Заменив (21) на (22)–(25), получим выражение для
iL (t 2 ) = iL (t 3 ) = iL (t 4 ) = I L+ ;
m m m m
(15) постоянной составляющей тока намагничивания
iL (t 5 ) = I L− ; (16) EC − EL
=
m m пар s
IL подм , (26)
uC (t 2 ) = U вх ; (17)
m
U вх DTпер
пар
Кроме этого, запишем выражение для определе

uC (t 5 ) = U вх +U С . (18)
пар огр ния максимального значения тока намагничивания
При Iвых/п >> iLm (6) можно упростить к виду
I L m max
LL I вых I L m max = I L m подм + =
m
− m
≈ огр
− s
; (19) 2
2 2 2 2n 2 (27)
E C пар − E L s U DT
= + вх пер .
U вх DTпер Lm
Вычисление величины постоянного тока
подмагничивания Графическое представления полученных выраже
Согласно уравнениям баланса энергии (12) и (19) ний проиллюстрировано на рис. 8. Зависимость ве
как для положительного, так и для отрицательного личины положительного тока подмагничивания для
подмагничивания получаем различных значений входного напряжения и паразит
ной емкости показана на рис. 9. Наихудший случай
LL I вых
m
− m
= огр
− s
. (20) при положительном подмагничивании возникает при
2 2 2 2n 2 минимальном входном напряжении, когда коэффи
Выражение (20) можно переписать в виде циент заполнения максимален, а, следовательно, на
пряжение на конденсаторе схемы ограничения также
Lm (I L+ + I L− )(I L+ − I L− ) C парU С2 2
LL I вых
m m m
. (21) m
= огр
− s
максимально.
2 2 2n 2 Зависимость величины отрицательного тока под
Поскольку длительность интервала (t1– t2) крайне магничивания для различных значений выходного
мала, размах тока намагничивания можно аппрокси тока и индуктивности рассеяния показана на рис. 10.
мировать следующей формулой Наихудший случай при отрицательном подмагничи
U вх DTпер
IL m (max)
= I L+ − I L− = . (22)
m m
Lm
Рис. 9. Зависимость положительного тока подмагничивания от

Рис. 8. Графическое определение составляющих для величины емкости Сс:
приведенных формул 1 – Uвх = 100 В; 2 – Uвх = 200 В; 3 – Uвх = 300 В; 4 – Uвх = 400 В
25
вании возникает при максимальной нагрузке и боль на рис. 12. Наибольшее значение тока подмагничи
ших значениях индуктивности рассеяния, поскольку вания имеет место при холостом ходе и минималь
в этом случае в ней накапливается больше энергии. ном входном напряжении и составляет. Минимальное
Графические результаты расчетов и моделирования значение тока подмагничивания получается при пол
постоянного тока подмагничивания при различных ной нагрузке и максимальном входном напряжении
значениях входного напряжения и нагрузки приведе и составляет 18 мА.
ны на рис. 11. Параметры схемы: Uвх = 100–400 В; Этап 2. Расчет трансформатора при наличии по
Iвых = 0–20 А; Ls = 5 мкГн; Сс = 600 пФ. Результаты тока смещения в сердечнике трансформатора.
расчетов показаны сплошными линиями, а модели Поток смещения в сердечнике трансформатора
рования – штриховыми, при этом видна хорошая схо возникает вследствие наличия паразитной емкости и
димость результатов. Кроме того, из рис. 11 видно, что индуктивности рассеяния. Его величина определяет
отрицательное подмагничивание представляет более ся как
( ),
серьезную проблему, чем положительное, вследствие
диапазона величин параметров. Поэтому отрицатель μw1 ⋅ max I L подм
B см =
m
ный ток подмагничивания является основной пробле (28)

l ср
мой при разработке схемы.
(
где max I L m подм ) – максимальный ток подмагничи
Порядок расчета вания;
Далее будет показано, каким образом учитывать w1 – число витков первичной обмотки;
постоянный ток подмагничивания трансформатора lср – длина магнитной силовой линии.
согласно полученным соотношениям. В рассматри Условие отсутствия насыщения сердечника выгля
ваемом примере преобразователь имеет следующие дит следующим образом
параметры: Uвх = 100–400 В; Iвых = 0–20 А; коэффи
циент трансформации п = 10, частота переключений B max
+ B см < B s , (29)
fпер = 100 кГц; эквивалентная паразитная емкость 2
Сс = 600 пФ. Расчет проводим по следующим этапам.
U вх Δt
Этап 1. Приближенное определение индуктивно где B max = ; (30)
сти рассеяния трансформатора и расчет максималь w1S с
ной величины постоянного тока подмагничивания. Sс – площадь поперечного сечения сердечника.
Расчетные значения тока подмагничивания при Этап 3. После предварительного расчета трансфор
Ls = 5 мкГн, полученные с помощью (26), показаны матора необходимо проверить величину тока намаг
ничивания. Она не должна быть слишком большой,
чтобы не оказывать влияния на нормальную работу
преобразователя в установившемся режиме.
Условие отсутствия проблем обратного восстанов
ления диодов и возможности переключения ключа
схемы активного ограничения при нуле напряжения
выглядит так:
IL m (max)
(
> max I L m подм ). (31)
Таким образом, критерием выбора величины ин
дуктивности намагничивания является соотношение
Рис. 10. Зависимость отрицательного тока подмагничивания

от величины индуктивности Ls
Рис. 11. Сравнение результатов расчета и моделирования тока Рис. 12. Расчетные значения тока подмагничивания
подмагничивания: Ls = 5 мкГн; Сс = 600 пФ при Ls = 5 мкГн
26
U вх Δt
Lm < , (32)
2 I Lm подм
μw12S ст
где Lm = . (33)
l ср
Этап 4. Если условие (32) не удовлетворяется, про
водим перерасчет трансформатора.
Зависимость максимального значения индуктив
ности намагничивания от индуктивности рассеяния
показана на рис. 13, на котором заштрихована об
ласть, где индуктивность намагничивания можно ис Рис. 13. Зависимость Lm = f(Ls)
пользовать при различных величинах индуктивности
рассеяния. Если индуктивность намагничивания пре Литература
вышает значения, ограниченные заштрихованной 1. P. Vinciarelli. Optimal resetting of the transformer’s
областью, трансформатор необходимо пересчитать, core in single ended forward converters. – U.S. Patent,
увеличив коэффициент связи для снижения индук No. 4,441,146, Apr. 1984.
тивности рассеяния, либо увеличив величину воздуш 2. B. Carsten. Design techniques for transformer active
ного зазора, для снижения величины индуктивности reset circuits at high frequencies and power levels. – HFPC
намагничивания. Conf. Proc., pp. 235246, 1990.
Необходимо отметить, что дополнительные сооб 3. B. Andreycak. “Active clamp and reset technique
ражения по расчету трансформатора рекомендуется enhances forward converter performance. – Unitrode
использовать при исследовании характеристик пере Power Supply Design Seminar, SEM1000, pp. 31–318,
ходных процессов в схеме активного ограничителя в 1994.
режиме большого сигнала [7]. В данной работе этот 4. D. Dalal and L. Wofford. Novel control IC for single
вопрос не рассмотрен. ended active clamp convertersю – HFPC Conf. Proc., pp.
136–146, 1995.
Выводы 5. C. S. Leu, G. Hua, and F. C. Lee. Comparison of
В трансформаторе прямоходового преобразовате forward topologies with various reset schemes. – HFPC
ля со схемой активного ограничения в установившем Conf. Proc. pp. 198–208, 1992.
ся режиме работы существуют положительная или 6. I. D. Jitaru. “Constant frequency, forward converter
отрицательная постоянная составляющая тока намаг with resonant transition. – HFPC Conf. Proc., pp. 282–
ничивания, возникающие изза наличия паразитной 92, 1991.
емкости и индуктивности рассеяния. 7. Q. Li, F. C. Lee, and M. M. Jovanovic. “Largesignal
Этот ток подмагничивания может вызвать насы transient analysis of forward converter with activeclamp
щение сердечника трансформатора, проблемы с обрат reset. – IEEE PESC Rec., pp.633–639, 1998.
ным восстановлением диода, а также нарушить режим
включения при нуле напряжения ключа схемы актив Дейнеко Дмитрий Сергеевич, заместитель Генерального
ного ограничения. В статье приведены методические директора ЗАО “ММП_Ирбис” по маркетингу, тел.:+7(495)
указания по расчету трансформатора, позволяющие 987310316;
учесть эти особенности, получены точные выражения Тараканов Сергей Васильевич, начальник отдела УРЭКБ,
для вычисления тока подмагничивания. тел. +7(495) 696316353.
27
В. Ф. Дмитриков, О. А. Коржавин, Д. В. Шушпанов
УСТОЙЧИВОСТЬ РАСПРЕДЕЛЕННОЙ СИСТЕМЫ

ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ С УЧЕТОМ ПРОМЕЖУТОЧНЫХ
ФИЛЬТРОВ
V. F. Dmitrikov, O. A. Korzhavin, Distributed Power-Supply System Stability
D. V. Shushpanov With Allowance For Intermediate Filters
Получены аналитические выражения внешних характеристик двух Analytic expressions for voltage regulation characteristics of two3stage
каскадно3соединенных четырехполюсников: промежуточный фильтр– quadripoles: intermediate filter– switched mode power supply are derived
импульсный источник электропитания (передаточная характеристика, (transfer characteristic, input and output impedance), and stability
входное и выходное сопротивления) и предложена методика опреде3 evaluation technique for distributed power3supply system is suggested.
ления устойчивости распределенной системы электропитания с уче3
том промежуточных фильтров.
Ключевые слова: распределенная система электропитания, четырех Key words: distributed powersupply system, quadripole, electric power
полюсник, источник электропитания, передаточная характеристи source, transfer characteristic, input impedance, output impedance, stability
ка, входное сопротивление, выходное сопротивление, устойчивость
В последнее время, появился большой интерес В статье рассматриваются условия устойчивой ра
к распределенным системам электропитания как в боты таких РЭС.
радиоэлектронных системах вооружения и военной Существует много вариантов построения тополо
техники (ВВТ), так в радиотехнических и вычисли гии (архитектуры) распределенных энергосистем. В
тельных комплексах и электронных АТС. простейшем случае, такая топология имеет вид, пред
Постоянное увеличение электропотребления, ставленный на рис. 1.
основанное на потребностях в блоках питания вы Такой вариант РЭС приводится, например в [1, 2]
сокой плотности, заставляет проектировщиков раз и, очевидно, применим в случае, когда расстояния
рабатывать новые топологии систем вторичного между ведущим импульсным источником электропи
электропитания. Во многих электронных комплек тания, шинами и ведомым ИИЭ относительно неве
сах, например, с применением VHSIС (сверхбыст лики, что позволяет не применять развязывающие
родействующие микросхемы с высоким уровнем входные фильтры перед каждым ведомым ИИЭ.
интеграции), блоки питания должны обеспечивать Ведущий ИИЭ с выходным сопротивлением ZВЫХ
нагрузку регулируемым низким выходным напря и три ведомых ИИЭ: ИИЭ1, ИИЭ2, ИИЭ3 с соот
жением при большом выходном токе. ветствующими входными сопротивлениями ZВХ1, ZВХ2,
Распределенная энергетическая система (РЭС) ZВХ3 изображены на рис. 1. Общее сопротивление, ока
значительно лучше обеспечивает выполнение жест зываемое шинами на ведущий ИИЭ, ZВХ равно парал
ких требований к электропитанию нагрузок с боль лельному сопротивлению всех ведомых ИИЭ.
шими потребляемыми токами, обеспечивая высокие Однако, во многих случаях на практике расстоя
технические характеристики таких блоков питания ние между ведущим и ведомым ИИЭ могут быть зна
(например, габариты, КПД и т. д.). чительными. В таких случаях перед каждым ведомым
ИИЭ, как, например, в электронной АТС [3], уста
навливается развязывающий входной фильтр (рис. 2).
В статье рассмотрена устойчивость РЭС, показан
ной на рис. 2.
Анализ взаимодействия подсистем РЭС

Представим РЭС (рис. 2) в виде каскадного соеди
нения двух четырехполюсников (рис. 3).
На промежуточных шинах (рис. 3) наряду с пуль
сациями с частотой работы ключевых элементов
ИИЭ, эффективно ослабляемых входными фильтра
ми, имеют место радиопомехи, так же возникающие
Рис. 1. Блоксхема простейшей РЭС при работе силовых ключей.
28
ZВЫХ(jω) – полное выходное сопротивление под

системы F1,
ZВХ(jω) – полное входное сопротивление подсис
темы F2 (результирующее сопротивление
ZВХ1, ZВХ2, ZВХK).
Коэффициент усиления дополнительного конту
ра, определяющий степень взаимодействия двух рас
сматриваемых подсистем
Z ВЫХ( jω)
T ДОП ( jω) = . (2)
Z ВХ( jω)
Принимая, что F1(jω) и F2(jω) – передаточные фун
кции каждой из подсистем обеспечивают их устойчи
вость в отдельности, т. е. корни характеристических
Рис. 2. Блоксхема РЭС с входными фильтрами перед каждым уравнений этих передаточных функций расположе
ведомым ИИЭ:
ZВЫХ – выходное сопротивление ведущего ИСН;
ны в левой полуплоскости комплексной переменной,
ZВХ1 – ZВХK – входные сопротивления входных фильтров N1 – NK; оценку устойчивости объединенной системы (1) мож
ZВЫХ1 – ZВЫХK – выходные сопротивления входных фильтров но проводить по корням уравнения характеристичес
N 1 – N K;
ZВХ – результирующее сопротивление всех входных фильтров кой системы 1 + TДОП(jω) = 0.
ведомых ИИЭ, соединенных общей шиной постоянного В соответствии с классической теорией автомати
тока;
ZВХИ1 – ZВХИK – входные сопротивления ведомых ИИЭ1 – ИИЭК ческого регулирования это позволяет рассматривать
TДОП(jω) как коэффициент усиления разомкнутой
цепи замкнутой системы регулирования. Поэтому к
Различным методам подавления радиопомех по TДОП(jω) может быть применен критерий Найквиста
священо много работ, например, [4]. Однако в виду для определения устойчивости.
того, что частота радиопомех больше частоты единич Из (1) вытекают два условия:
ного петлевого усиления стабилизированных ИИЭ,
F12 ( jω) = F1 ( jω) ⋅ F2 ( jω) , при ТДОП ≈ 1; (3)
фильтры радиопомех, обычно, не оказывают влияние
на устойчивость работы рассматриваемых РЭС. F1 ( jω) ⋅ F2 ( jω)
Для оценки устойчивости рассматриваемой РЭС F12 ( jω) = , при ТДОП ≠ 1. (4)
T ДОП( jω)
полная передаточная функция объединенной систе
мы может быть выражена как произведение переда Если при объединении двух подсистем выполня
точных функций отдельных подсистем (F1 и F2), с ется условие (3) для всех частот, две подсистемы прак
учетом дополнительного контура с петлевым коэф тически не влияют друг на друга. В этом случае
фициентом усиления TДОП(jω) = ZВЫХ(jω)/ZВХ(jω) и объединенная система устойчива и ее анализ упро
имеет вид [2, 3, 5, 6]: щен.
Однако, в целом ряде случаев, в РЭС выполнение
F1 ( jω) ⋅ F2 ( jω)
F12 ( jω) = , (1) условия (3) не имеет места.
1 + Z ВЫХ( jω) / Z ВХ( jω) Рассмотрим случай, когда TДОП > 1 для некоторых
где F12(jω) – передаточная функция входвыход рас частот. Это условие не обязательно подразумевает
сматриваемой РЭС; потерю устойчивости объединенной системы. Устой
F1(jω) – передаточная функция входвыход веду чивость ее может быть исследована с помощью при
щего ИИЭ, менения критерия Найквиста к T ДОП (jω) путем
F2(jω) – передаточная функция входвыход ведо построения кругового годографа, примеры которых
мых ИИЭ с входными фильтрами для устойчивой РЭС приводятся ниже.
N1, N2, ..., NK,
Расчетные соотношения для оценки
устойчивости РЭС
Основной расчетной формулой оценки устойчивос
ти распределенной системы электропитания всех типов
является зависимость (1). Применительно к РЭС рис. 2
ведущим ИИЭ (подсистемой F1) в телекоммуникацион
ных системах связи обычно являются стабилизирован
ные выпрямители типа ВУТ (выпрямитель управляемый
тиристорный) и ВБВ (выпрямитель буферный высоко
Рис. 3. Эквивалентная схема РЭС с входными фильтрами перед частотный), выпускаемые отечественной промышлен
ведомыми ИИЭ ностью на широкий номинал выходных параметров как
29
по напряжению, так и току. Однако возможны приме Сведем анализируемую схему РЭС (рис. 2) к одно
нения и других серийных и индивидуальных стабили канальной схеме РЭС (рис. 3), где:
зированных выпрямителей. ZВЫХ – полное выходное сопротивление ведущего
В дальнейшем будем рассматривать случай од ИИЭ (подсистемы F1) при замкнутой цепи
нозвенного LCфильтра, как самого распространен его ОС;
ного на практике, так как обычно в ВБВ второе ZВХ – полное входное сопротивление подсистемы
звено имеет индуктивность значительно меньшую, F2: входной фильтрведомый ИИЭ.
чем для первого звена и выполняет функции подав Для определения входного сопротивления под
ления высокочастотных помех. Его влияние на ус системы F2, то есть ZВХ, воспользуемся линейной те
тойчивость ВБВ существенно меньше, чем влияние орией четырехполюсников с использованием
первого звена. передаточных функций, записанных через Aпара
Ведомые ИИЭ (ИИЭ1, ИИЭ2, ИИЭК); вхо метры.
дящие в подсистему F2, обычно выполняются с од Представим соединение входной (промежуточ
нозвенными сглаживающими LCфильтрами и ный) фильтр – ведомый источник в виде каскадного
различными типами корректирующих устройств в соединения двух четырехполюсников (рис. 4).
цепях ООС по выходному напряжению, а их час Каждый из них описывается матрицей Aпарамет
тотные передаточные функции широко представле ров:
ны в литературе, в том числе и в [2, 5].
⎡U& m1 ⎤ ⎡ A11(1) A12(1) ⎤ ⎡U& m 2 ⎤ ⎡U& m 2 ⎤
Рассмотрим специфику анализа устойчивости рас ⎢ & ⎥ = ⎢ (1) ⋅ ⎥ = A ⋅⎢ & ⎥ ; (7)
(1)
(1) ⎥ ⎢ &
пределенной системы питания с промежуточным ⎣⎢ I m1 ⎦⎥ ⎣ A21 A22 ⎦ ⎣⎢ I m 2 ⎦⎥ ⎣⎢ I m 2 ⎦⎥
входным фильтром (рис. 3).
Выходное сопротивление ведущего ИИЭ при ра ⎡U& m3 ⎤ ⎡ A11(1) A12(1) ⎤ ⎡U& m 4 ⎤ ⎡U& m 4 ⎤
⎢ & ⎥ = ⎢ (1) ⋅ ⎥ = A ⋅⎢ & ⎥
(2)
зомкнутой цепи обратной связи по напряжению (1) ⎥ ⎢ & (7а)
⎣⎢ I m 3 ⎦⎥ ⎣ A21 A22 ⎦ ⎣⎢ I m 4 ⎦⎥ ⎣⎢ I m 4 ⎦⎥
равно:
или соотношения для токов и напряжений iго четы
R0 + pL0 рехполюсника:
Z ВЫХ ( p ) = . (5)
L0C 0 p 2 + R0C 0 p + 1
⎧⎪U& m(2i −1) = A11( i )U& m2i + A12( i ) I&m2i ;
Выходное сопротивление ведущего ИИЭ при зам ⎨& (7в)
⎪⎩I m( 2i −1) = A21U& m2i + A22 I&m2i .
(i) (i)
кнутой цепи обратной связи равно
Z ВЫХ раз ( p) Для режима холостого хода по выходу ( I&m2i = 0 )
Z ВЫХ ( p) = , (5а) получаем:
1 + T0 ( p )
где T0(p) – петлевой коэффициент усиления контура ⎧⎪U& m(2i −1) = A11(i )U& m2i ;
⎨& (8а)
цепи обратной связи по напряжению, чис ⎪⎩I m(2i −1) = A21 U& m2i .
(i )
ленно равный передаточной функции ра

зомкнутой системы ведущего ИИЭ. Из уравнений (8а) находим коэффициенты урав
Для расчета T0(p) в данном случае нельзя пользо нений передачи (7в) A11(i ) и A21
(i )
ваться известными формулами, приводимыми, на

пример в [2, 5]: U& m(2i −1) 1
A11( i ) = = , (8б)
T0 ( p ) = α ⋅ K УПТ ⋅ K ШИМ ⋅W Ф ( p ) , (6) U& m2i
(i)
H Uxx
I&2 mi = 0
где
I&m(2i −1)
1
(i)
A21 = . (8в)
W Ф ( p) = 2 2 ; U& m2i
TФ p + 2ξTФ p + 1
Выражение (8б) представляет передаточную характе
TФ = L0C 0 ;
(6а) ристику iго четырехполюсника по напряжению при
R C + L / RН
ξ= 0 0 , разомкнутых выходных зажимах. Поделив первое вы
2TФ
так как в выражении (6) сглаживающий фильтр под
ключен к постоянной нагрузке RН, а в схеме (рис. 2)
сглаживающий однозвенный фильтр L0C0 подключен
к комплексному сопротивлению параллельно соеди
ненным ведомым ИИЭ1, ИИЭ2 и т. д. со своими
входными фильтрами.
Поэтому для расчета T0(p) нужно сначала опреде
лить комплексное сопротивление промежуточных
шин, питающих ведомые ИИЭ нагрузки. Рис. 4. Каскадное соединение четырехполюсников
30
ражение на второе в системе (8а), получаем входное При каскадном соединении четырехполюсников
сопротивление iго четырехполюсника при разомк матрицы Aпараметров перемножаются. В качестве
нутых выходных зажимах: нагрузки для первого четырехполюсника выступает
второй четырехполюсник, а для второго – RН (рис. 4).
A11( i ) U& m(2 i −1) Матрицу Aпараметров всей системы при каскадном
= . (8г)
(i )
A21 I&m(2 i −1) соединении четырехполюсников можно записать:
I&m2i = 0
Для режима короткого замыкания по выходу ⎡U& m1 ⎤ ⎡U& m4

*
⎤ ⎡ &* ⎤
(2)* U
⎢ & ⎥ = A ⋅ ⎢ & * ⎥ = A ⋅ A ⋅ ⎢ & m4
(1)
* ⎥
; (12)
(U& m 2 i = 0 ) получаем: ⎢⎣ I ⎥⎦m1 ⎣⎢ I m4 ⎦⎥ ⎣⎢ I m4 ⎦⎥
⎧⎪U& m(2i −1) = A12(i) I&m2i ;
⎨& A ( 2 ) * = A ( 2 ) ⋅ A (H2 ) . (13)
(9а)
⎪⎩I m(2i −1) = A22 I&m2i .
(i)
(1) (2)
где А и А – матрицы Aпараметров, описывающие
Из (9а) находим коэффициенты уравнений пере соответственно первый и второй четырехполюсники
дачи (7в) A12(i ) и A22
(i )
: в режиме холостого хода;
A (H2 ) – матрица Aпараметров, описывающая на
U& m(2 i −1) грузку второго четырехполюсника.
(i)
A21 = ; (9б) Известно, что нагрузка RН (рис. 4) описывается
I& m2i U& m 2 i =0 следующей матрицей Aпараметров:
I&m(2i −1) ⎡ 1 0⎤
(i)
A22 = =
1 A (H2 ) = ⎢ ⎥. (14)
. (9в)
I& (i)
H Uкк ⎣1 / R Н 1 ⎦
m2i I&2 mi = 0
Используя (7б), (13) и (14) получаем запись матрицы
Выражение (9в) представляет передаточную характе Aпараметров нагруженного четырехполюсника А(2)*
ристику четырехполюсника по току при короткозам через матрицы Aпараметров ненагруженного четы
кнутых выходных зажимах. Поделив первое рехполюсника А(2) и матрицу нагрузки A (H2 ) :
выражение на второе в системе (9а), получаем вход
ное сопротивление iго четырехполюсника при корот ⎡ A11( 2) A12( 2) ⎤ ⎡ 1 0⎤
A ( 2 ) * = A ( 2 ) ⋅ A (2)
H = ⎢ (2) ( 2) ⎥ ⎢
⋅ ⎥=
козамкнутых выходных зажимах: ⎣ A21 A22 ⎦ ⎣1 / RН 1 ⎦
(15)
(i)
A21 U& m(2 i −1) ⎡ A ( 2) + A12( 2) / RН A12( 2) ⎤
= =Z (i)
. (9г) = ⎢ 11( 2) (2) ⎥
.
I&m(2 i −1) ⎣ A21 + A22 / RН A22 ⎦
(i) ВХкз (2)
A22
U& m 2 i =0
Для режима холостого хода по входу ( I&m(2i 1) = 0 ) Подставляя (1а) и (9) в (6), получаем
получаем
⎡U& m1 ⎤ ⎡U& m* 4 ⎤ ⎡ A11( 2) A12( 2) ⎤
⎧⎪U& m(2 i −1) = A U& m 2 i + A I& ;
(i) (i) ⎢& ⎥ = A ⋅ ⎢ & * ⎥ = ⎢ (2) (2) ⎥
×
⎨ (i) &
11
(i) & (10а)
12 m 2 i
⎣⎢ I m 1 ⎦⎥ ⎣⎢ I m 4 ⎦⎥ ⎣ A21 A22 ⎦ (16)
⎪⎩0 = A21 U m 2 i + A22 I m2i .
⎡ A ( 2) + A12( 2) / RН A12( 2) ⎤ ⎡U& m* 4 ⎤
Из (10а) находим выходное сопротивление iго четы × ⎢ 11( 2) (2) ⎥ ⎢ & * ⎥
. ,
⎣ A21 + A22 / RН ⎦ ⎣⎢ I m 4 ⎦⎥
(2)
A22
рехполюсника при разомкнутых входных зажимах:
или
(i)
A22 U&
= − m 2i = Z ВЫХхх
(i)
, (10б)
(i)
A21 I&m 2 i ⎡A(1)(A11
(2)
+A12
(2)
/RН)+A12 (A21 +A22
(1) (2) (2)
A12 +A12
(1) (2)
/RН) A11 A22 ⎤
(1) (2)
I&m( 2 i −1)=0 A =⎢ 11 (1) (2) ⎥ . (17)
⎣A21(A11 +A12 /RН)+A22(A21 +A22 /RН) A21 A12 +A22 A22 ⎦
(1) (2) (2) (1) (2) (2) (1) (2)
Для режима короткого замыкания по входу
(U& m 2 i = 0 ) из (7в) получаем: Из (17) согласно (8б) получим комплексный ко
эффициент передачи данной системы (рис. 4):
⎧⎪0 = A11(i)U& m 2 i + A12(i) I&m 2 i ;
⎨& (i) & (i) & (11а)
⎩⎪I m(2 i −1) = A21U m 2 i + A22 I m 2 i . H ( jω) =
1
=
1
L
Из (11а) находим выходное сопротивление iго A11 A11(1) ( A11( 2) + A12( 2) / RН ) +
четырехполюсника при короткозамкнутых входных L =
зажимах: A12(1) ( A21
( 2)
+ A22
( 2)
/ RН )
1 1 1 1
A12(i) U& m 2 i ⋅ ( 2) ⋅ ( 2)* (18)
= − =Z (i)
. (11б) A11 A11 + A12 / RН
(1) ( 2) (1)
A11 A11
I&m 2 i = =
ВЫХхх
A11(i) .
U& m( 2 i −1)=0 A21(1)
A21( 2)
+ A22( 2)
/ RН A21(1)
A21( 2 )*
1 + (1) ⋅ ( 2) 1 + (1) ⋅ ( 2)*
A11 A11 + A12( 2) / R A11 A11
31
Согласно (8б) числитель выражения (18) представля мы F2 (входной (промежуточный) фильтр – ведомый
ет произведение передаточных функций двух четырех ИИЭ), а также для передаточной функции H(jω) и
полюсников: первого ненагруженного – H1(jω)|ХХ и выходного сопротивления ZВЫХ(jω) подсистемы F2,
второго нагруженного – H1(jω). Согласно (8г) и (11б) которые будут использованы в дальнейших исследо
в знаменателе стоит отношение выходного сопротив ваниях устойчивости РЭС.
ления первого четырехполюсника Z ВХ (1)
( jω) к входно Для обеспечения устойчивости в РЭС следует сни
му сопротивлению второго четырехполюсника жать входное сопротивление подсистемы F2 до вели
(2)
Z ВХ ( jω) . Таким образом, из (18) получаем чины меньшей выходного сопротивления ведущего
ИИЭ F1 [2, 3, 5, 6]. Входное сопротивление подсисте
H 1 ( jω) ХХ ⋅ H 2 ( jω) мы F2, как следует из (23), зависит от входного сопро
H ( jω) = . (19) тивления входного фильтра в режиме разомкнутых
(1)
Z ВЫХ ( jω)
1+ выходных зажимов Z ВХхх (1)
выходного сопротивления
Z ВЫХ ( jω)
(2)
входного фильтра в режиме разомкнутых и замкну
(1) (1)
Из (17) согласно (11б) получаем выходное сопро тых входных зажимов Z ВЫХхх , Z ВЫХкз и входного со
(2)
тивление всей системы: противления ведомого ИИЭ Z ВХ подсистемы F2.
A12 A11(1) A12(2) + A12(1) A22

( 2)
Частотные характеристики входного фильтра с
Z ВЫХ = = =
A11 RН = ∞
A11(1) A11(2) + A12(1) A21
( 2) корректирующим звеном подсистемы F2
Расчет входного фильтра производится для
A12(1) ( 2)
A22 (20)
( 2)
1+ ⋅ ИИЭ, принципиальная схема которого приведена
A A11(1) A12(2)
= 12
( 2)
⋅ . на рис. 5. Для обеспечения устойчивости РЭС сни
A A (1) ( 2)
A21 жается входное сопротивление фильтра подсисте
11
1 + 12(1) ⋅ ( 2)
A11 A11 мы F 2 при обеспечении заданного затухания с
помощью корректирующей цепочки RР, CБ [7].
Используя выражения (8г), (9г), (11б) для входного и Ведомый ИИЭ, выполненный по схеме двухтакт
выходного сопротивления в режимах к. з. и х. х. для ного преобразователя со средней точкой, содержит
первого и второго четырехполюсников, перепишем понижающий трансформатор с коэффициентом пе
выражение (20) редачи n = w21/w11, где w11 и w21 – соответственно чис
ла витков первичной и вторичной обмоток
(1)
Z ВЫХ трансформатора преобразователя.
(2)
1+
Z ВХкз Значения параметров входного фильтра с коррек
Z ВЫХ = Z ВЫХ
(2)
⋅ . (21)
Z (1) тирующим звеном рассчитаны по методике, приве
1 + ВЫХ
(2) денной в [9]: LФ = 2,5 мГн, CФ = 300 мкФ, n = 3,
Z ВХхх
CБ = nCФ = 900 мкФ, RР = 2 Ом.
Входное сопротивление каскадносоединенных Расчетные зависимости |ZВХ1хх(jω)|, |ZВЫХ1кз(jω)| и
четырехполюсников определим из (17) согласно (8г): |ZВЫХ1хх(jω)|, изображенные на рис. 6, получены из сле
дующих соотношений:
A11 A11(1) A11( 2)* + A11(1) A21
( 2 )*
Z ВХ = = (1) ( 2)* = ⎛ 1 ⎞ 1
A21 A21 A11 + A22 A21 (1) ( 2 )*
⎜⎜ RР + ⎟
⎝ pnC Ф ⎟⎠ pC Ф
A12(1) ( 2 )*
A21 (22) Z ВХ1хх ( p ) = pLФ + ; (24)
1+ ⋅ 1 1
A (1) A11(1) A11( 2)* RР + +
= 11(1) ⋅ . pnC Ф pC Ф
A21 A (1) A ( 2)*
1 + 12(1) ⋅ 21
A21 A11( 2)* 1
Z ВХ1кз ( p ) = ; (25)
1 1
Используя выражения (8г), (10б), (11б) для входного + + pC Ф
и выходного сопротивления в режимах к. з. и х. х. для pLФ pnC Ф + RР
первого и второго четырехполюсников, перепишем
выражение (22) ⎛ 1 ⎞ 1
⎜⎜ RР + ⎟
⎝ pnC Ф ⎟⎠ pC Ф
(1)
Z ВЫХкз Z ВЫХ1хх ( p) = , (26)
1+ 1 1
(2)
Z ВХ + + pC Ф
Z ВХ = Z ВХхх
(1)
⋅ (1) . (23) pLФ pnC Ф + RР
Z ВЫХхх
1+ (2) где ZВХ1хх(p) – входное сопротивление фильтра при
Z ВХ
разомкнутых выходных зажимах;
Таким образом, в данном разделе выведены выра ZВЫХ1кз(p) – выходное сопротивление фильтра при
жения для входного сопротивления ZВХ(jω) подсисте закороченных входных зажимах;
32
Рис. 5. Схема ведомого ИИЭ с входным LCфильтром и корректирующей RРCф цепочкой
k = kДkУПТkШИМkКЛ – коэффициент стабилизации

ИИЭ;
– передаточная функция выходного сглаживающе
го LCфильтра силовой части ведомого ИИЭ:
1
T ( p) = ;
p LC + p (R LC + L / RН ) + 1
2
– входное сопротивление силового сглаживающе

го LCфильтра ведомого ИИЭ:
RН
Z Ф = RL + pL + ;
pCRН + 1
М – результирующий коэффициент трансформа
ции входного напряжения, учитывающий ко
эффициент передачи трансформатора
Рис. 6. Характеристики входных и выходных сопротивлений преобразователя ведомого ИИЭ, то есть
входного LCфильтра с RC коррекцией
M = n21D;
D – коэффициент заполнения импульса ключе
ZВЫХ1хх(p) – выходное сопротивление фильтра при вого элемента ШИМ,
разомкнутых входных зажимах. RН – сопротивление нагрузки ведомого ИИЭ.
В качестве иллюстрации расчета устойчивости
Расчет логарифмических частотных характеристик РЭС приведем примеры расчетов устойчивости рас
подсистем F1 и F2 пределенной системы электропитания электронной
Расчет выходного сопротивления ZВЫХ системы F1 АТС МТ20/25 для питания двух секций конверторов
производится по (5) и (5а). При расчете передаточ ЭВМ [8].
ной функции разомкнутой системы T0(p) ведущего ЭПУ каждой секции конверторов ЭВМ состоит из
ИИЭ необходимо учитывать сопротивление проме одного ведущего и трех ведомых ИИЭ, и при отсут
жуточных шин ZВХ, питающих ведомые ИИЭ [2]. ствии входных фильтров перед ведомыми ИИЭ, то
есть вариант РЭС (рис. 1), ее упрощенная эквивален
Z ВХ ( p )
T0 ( p ) = K , (27) тная схема изображена на рис. 7.
R0 + pL0 + Z ВХ ( p ) Параметры ведомых ИИЭ были взяты из [8]. В ка
где K – коэффициент стабилизации ведущего ИИЭ. честве ведущего ИИЭ выбран высокочастотный бу
ZВХ рассчитывается по (23) или приближенно, как ферный выпрямитель типа ВБВ 60/50. Для упрощения
ZВХ = ZВХ1хх из (24). расчетов, то есть при использовании схемы РЭС
Выражение входного сопротивление ведомого (рис. 2), учитывается только 8 ведомых ИИЭ2, вклю
ИИЭ при замкнутой цепи его обратной связи имеет ченных параллельно на промежуточной шине. Они
вид [6]: создают большую часть мощности нагрузки.
Параметры выбранных ИИЭ.
1 + T ( p) R2 Z Ф1 ( p) Ведущий ИИЭ0 типа ВБВ. Первичное питание пе
Z ВХИ ( p) = ⋅ , (28)
M 2
R2 − Z Ф1 ( p )T ( p) ременным током 380/220 В, 50 Гц, вторичное выпрям
ленное стабилизированное напряжение U0 = 60 В, I0 =
гдеT(p) = kW(p) – петлевой коэффициент усиления = 50 А, P0 = 3 кВт, RН = 1,2 Ом, R0 ≈ 0,05RН, коэффици
цепи обратной связи ведущего ент стабилизации ВБВ K ≥ 100, KПВЫХ = 0,03%, частота
ИИЭ; коммутации ключевых элементов высокочастотного
33
Рис. 7. Упрощенная эквивалентная схема ЭПУ
преобразователя ВБВ fК = 30 кГц. Для расчетов в дан

ном примере на выходе ВБВ принимался однозвенный
Рис. 8. Частотные характеристики модулей входного
LCфильтр с параметрами L0 = 60 мкГн, C0 = 4000 мкФ, сопротивления входных фильтров
R0 = 0,06 Ом.
Ведомый ИИЭ2 (8 преобразователей): U2 = 5 В,
I2 = 50 А, P2 = 250 Вт, RН2 = 0,1 Ом, RL2 = RЭ2 = 0,1RН2, В заключение отметим, что исчерпывающего ре
KПВЫХ = 1%, ΣP2 = 8⋅250 = 2000 Вт. Параметры фильт шения выбора оптимальных РЭС и их расчета не раз
ра: L2 = 20 мкГн, C0 = 1000 мкФ, M2 = n22D2 =0,1⋅0,8 = работано, в виду их большого разнообразия и
= 0,08, где n 22 – коэффициент трансформатора сложности. Поэтому предлагаемую статью следует
ИИЭ2, K = 40 – коэффициент стабилизации рассматривать как одно из возможных решений этой
ИИЭ2. сложной проблемы.
Для вышеприведенных параметров ведомого ИИЭ,
зависимость для |ZВХИ|, рассчитанная по (28), и |ZВХ|, Выводы
рассчитанная по (23), изображены на рис. 8. На рис. 8 1. Оценку устойчивости любой распределенной
изображена также зависимость |ZВХ1хх(jω)| в том же системы электропитания, при устойчивости ведуще
масштабе, что и |ZВХ(jω)|, из которого видно, что они го и ведомых ИИЭ в отдельности, целесообразно про
весьма близки друг к другу, т. е. |ZВХ(jω)| ≈ |ZВХ1хх(jω)|, и водить, анализируя корни характеристического
значит в (23) можно пренебречь величиной члена кор уравнения 1 + ZВЫХ(jω)/ ZВХ(jω), с учетом как ампли
ректирующего фактора и тем самым упростить оцен туды, так и фазы соответственно для ZВЫХ(jω) – вы
ку устойчивости РЭС. ходного сопротивления ведущего ИИЭ и ZВХ(jω) –
Как указывалось выше, расчет устойчивости РЭС суммарного сопротивления параллельно соединен
(рис. 2) обеспечивается соответствующим расчетом ных ведомых ИИЭ, питающихся от промежуточных
контура ООС по формуле (2). шин.
С целью упрощения расчетов РЭС (рис. 2) учиты Практически, наиболее просто эти условия (учета
вается только 8 ведомых ИИЭ2, включенных парал модуля и фазы) можно учесть с помощью амплитуд
лельно на промежуточные шины и делается нофазового годографа, т. е. критерия Найквиста, для
допущение, что все параллельно включенные ИИЭ отношения ТДОП = ZВЫХ(jω)/ ZВХ(jω).
нагружены по току одинаково и работают синфазно, 2. Предложена оригинальная методика расчета
а приведенное значение входного сопротивления под входного сопротивления подсистемы входной
системы F2 рассчитывается по (28). Тогда формула (2) фильтрведомый ИИЭ.
принимает вид При рационально выбранных параметрах входно
го фильтра, входное сопротивление такой подсисте
Z ВЫХ ( jω)
T ДОП ( jω) = . (29) мы практически может совпадать со значением
1
⋅ Z ВХпр ( jω) входного сопротивления только входного фильтра при
8 его разомкнутых выходных зажимах, то есть в режи
Для вышеприведенных данных выбранных ИИЭ ме холостого хода.
зависимости |ZВХпр(jω)|/8 и |ZВЫХ(jω)| приведены на рис. Это означает, что при оценке устойчивости РЭС
9а, из которого видно, что они не пересекают друг (рис. 2) выражение его дополнительного петлевого
друга, причем |ZВЫХ(jω)| < |ZВХпр(jω)|/8, то есть TДОП < 1, коэффициента усиления TДОП(jω) значительно упро
что соответствует условию устойчивости (3). Кроме щается, так как при вычислении входного сопротив
того круговой амплитуднофазовый критерий Найк ления Z ВХ (jω) подсистемы F 2 можно опустить
виста (рис. 9б) не охватывает критическую точку громоздкое определение входного сопротивления ве
[–1; j0], что также подтверждает устойчивость рас домого ИИЭ ZВХИ(jω). Расчет входного сопротивления
сматриваемой РЭС. подсистемы F2 сводится к расчету только входного
34
а б
Рис. 9. Зависимость модулей выходного сопротивления ведущего ИИЭ подсистемы F1 и входного сопротивления входной фильтр–
ведомый ИИЭ подсистемы F2 (а); амплитуднофазовый годограф ТДОП подсистемы F2
сопротивления входного фильтра в режиме холосто 6. Middlebrook R. D. Input filter considerations in

го хода, т. е. принять ZВХ(jω) ≈ ZВХ1хх(jω). design and application of switching regulators //IEEE
Такая замена существенно упрощает анализ устой PESC. 1977. pp. 36–57.
чивости всей РЭС. 7. Донкеев С. С., Коржавин О. А. Оценка влияния
входного фильтра на работу импульсных источников
Литература электропитания // Электросвязь, 2005. № 10.
1. Choi B. and Cho B. H. Intermediate line filter design С. 23–26.
to meet both impedance compatibility and EMI 8. Шарапов Ю. К., Ковляков В. К. Отечественные
specification // IEEE Trans Power Electron, 1995. vol. 10. телекоммуникационные системы / М.: Логос, 2005.
Sep. no. 5. pp. 583–588.
2. Коржавин О. А. Динамические характеристики
импульсных полупроводниковых преобразователей и Дмитриков Владимир Федорович, д. т. н., профессор, за3
стабилизаторов постоянного напряжения / М.: Радио ведующий кафедрой «Теория электрических цепей», директор
и связь. 1997. департамента фундаментальной подготовки Санкт3Петербур3
3. Донкеев С. С., Коржавин О. А. Расчет двухзвен гского государственного университета телекоммуникаций им.
ного фильтра импульсного источника электропита проф. М. А. Бонч3Бруевича, тел.: (812) 589951997, e3mail:
ния // Практическая силовая электроника. 2007. Dmitr3VF@tec.sut.ru;
№ 27. С. 28–33. Коржавин Олег Аркадьевич, доцент кафедры ОКиТРТС,
4. Пилинский В. В. Источники вторичного элект Поволжского государственного университета телекоммуника3
ропитания с бестрансформаторным входом для элек ций и информатики, тел. (846)332379309, e3mail:
тронной аппаратуры / Киев. КПИ, 1985. korg@epus.psati.ru;
5. Дмитриков В. Ф., Сергеев В. В., Самилин И. Н. Шушпанов Дмитрий Викторович, аспирант кафедры “Тео3
Повышение эффективности преобразовательных и рия электрических цепей” Санкт3Петербургского государ3
радиотехнических устройств / М.: Радио и связь. ственного университета телекоммуникаций им. проф. М. А.
2005. – 424 с. Бонч3Бруевича.
35
Н. А. Фролов, А. Ф. Ягудин
ПРИМЕНЕНИЕ НЕЛИНЕЙНОГО ТРАНСФОРМАТОРА ДЛЯ

УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМИ ПОЛЕВЫМИ КЛЮЧАМИ
ИНВЕРТОРОВ
N. A. Frolov, Usage of Non-Linear Transformer for Inverter
A. F. Yagudin MOSFET Power Switches Control
Цель настоящей статьи – исследование возможности применения The goal of the paper is to investigate the possibility of using non3
нелинейных трансформаторов с насыщающимся ферромагнитным linear transformers with saturable cores to control MOSFET power switches
сердечником для управления силовыми полевыми ключами со значи3 of inverters.
тельными входными емкостями.
Ключевые слова: колебательный контур, резонансная частота, не Key words: oscillatory circuit, resonant frequency, nonlinear inductance,
линейная индуктивность, импульс тока, скорость перезаряда pulse current, charging/discharging speed
В настоящее время большое внимание уделяется вертора, в качестве которых могут, например, исполь
вопросам коммутации нагрузок, обладающих значи зоваться транзисторы MOSFET.
тельной входной емкостью, например, полностью После приведения вторичных обмоток к первичной
управляемых вентилей на MOSFET и IGBтранзисто и пренебрежения полями рассеяния, что правомерно
рах, запираемых тиристорах и других [1]. для тороидального исполнения трансформатора, полу
Стремление повысить рабочие частоты и увели чаем эквивалентную схему параллельного колебатель
чить мощность таких нагрузок приводит к необходи ного контура, содержащего нелинейную индуктивность
мости обеспечивать высокие токи перезаряда входных с ферромагнитным сердечником, возбуждаемую прямо
емкостей, что требует разработки специальных управ угольными импульсами тока. При этом входная емкость
ляющих ключей для коммутации и схем управления нагрузки является частью общей емкости колебатель
[2]. ного контура.
Требования помехозащищенности заставляет уве Схема параллельного колебательного контура по
личивать входную емкость в цепи управления (затво казана на рис. 2.
ра) с целью уменьшения влияния импульсных помех, На колебательный контур, образованный нели
что приводит к дальнейшему росту токов перезаряда. нейной индуктивностью L и емкостью C подается ток
Многочисленные исследования колебаний в не прямоугольной формы от источника тока. При этом
линейных цепях, в частности, колебательных кон частота колебаний источника тока должна совпадать
турах с нелинейными реактивными элементами [3], с частотой собственных колебаний контура. Без уче
и в цепях с использованием феррорезонанса [4], ог та зависимости потерь в сердечнике от величины ин
раничивались квазилинейным приближением при дукции, потери в контуре изображаются в виде
гармоническом возбуждении и малых амплитудах. линейного активного сопротивления R.
Детальных исследований колебаний при больших
амплитудах и негармонических воздействиях про
ведено не было, в первую очередь изза невозмож
ности аналитического решения данной задачи и
необходимости привлечения численных методов.
Целью настоящей работы явилось исследование
возможности применения нелинейных трансформа
торов с насыщающимся ферромагнитным сердечни
ком для управления силовыми полевыми ключами со
значительными входными емкостями.
Теоретические исследования и численный

эксперимент
Схема трансформаторного управления полумосто
вым инвертором напряжения представлена на рис. 1,
где C1 и C2 – входные емкости силовых ключей ин Рис. 1
36
приближений полупериод изменения тока J(t) уста

навливался таким, чтобы момент изменения знака J(t)
совпадал с моментом перехода UC(t) через ноль.
Для численного эксперимента принимались нор
мированные значения, полагая C = 1 Ф, kYkJ = 1. При
таком выборе коэффициентов значение индуктивно
сти при |J(t)| → 0 будет равно 1. Угловая частота ω так
Рис. 2 же равна 1.
График напряжения на емкости на половине пе
Пренебрегая гистерезисом, аппроксимируем ве риода при R = 0,01 Ом, |J(t)| = 0,1 А, kY = 1, kJ = 1 по
берамперную характеристику функцией арктан казан на рис. 3. При этом ω = 1,883. График тока через
генса индуктивность на половине периода при тех же зна
чениях параметров показан на рис. 4.
Ψ(t ) = k Ψ ⋅ arctg[k J ⋅ J L (t )] , (1) Как следует из зависимостей на рис. 3 и 4, при
где JL(t) – ток через индуктивность; увеличении тока источника увеличиваются резо
kΨ, kJ – коэффициенты, зависящие от конструк нансная частота и ток в момент коммутации. Для
ции индуктивности и ферромагнитного более детального исследования этого явления были
сердечника. построены зависимости резонансной частоты и
Принимая в качестве переменных состояния ток фактора нарастания
через индуктивность и напряжение на емкости, со
⎛ ∂U C (t ) ⎞
ставим систему дифференциальных уравнений kU = ⎜ ⎟ ⋅T
⎝ ∂t ⎠
⎧ ⎛ ∂U C ⎞ от тока источника, приведенные на рисунках 5 и 6.
⎪J (t ) = C ⎜ ⎟ + J L (t ); Из рис. 5 видно, что с возрастанием тока источни
⎪⎪ ⎝ ∂t ⎠ ка резонансная частота сначала резко, а далее почти
⎨ ⎛ ∂J (t ) ⎞
⎪ kΨ kJ ⎜ L ⎟ (2) линейно медленно растет, а из рис. 6 – что фактор
⎝ ∂t ⎠ , нарастания возрастает и затем достигает максимума
⎪U C (t ) = J L (t ) R +
⎩⎪ 1 + k J2 ⋅ J L2 (t ) при величине тока источника 1,2 А.
Таким образом, при использовании нелинейной
где J(t) – ток источника. индуктивности открывается возможность управления
Аналитическое решение данной системы уравне частотой коммутации емкостной нагрузки, при этом
ний неизвестно, поэтому был использован численный скорость коммутации также возрастает, достигая мак
метод Розенброка [5] на полупериоде колебаний, при симального значения при определенной амплитуде
этом с помощью метода половинного деления выпол тока источника.
нялось совмещение начальных условий на первом и Такая особенность колебательного контура с не
втором полупериодах при относительной погрешно линейной индуктивностью исключительно благо
сти расчета 10–2. Знак тока J(t) изменялся на проти приятна для управления полевыми ключами
воположный при переходе UC(t) через ноль. Далее высокочастотных инверторов, поскольку дает воз
полученные начальные значения переменных состо можность увеличивать емкости в цепи затворов для
яния уточнялись методом Ньютона [5] до достиже снижения импульсных помех и обеспечивать на
ния относительной погрешности 10 –6. В процессе дежную коммутацию в широком диапазоне частот.
Рис. 3 Рис. 4
37
Кроме этого, возможность применения отдельных транзисторы MOSFET IRF740. В качестве параметров
обмоток при трансформаторном включении индук контура принимались следующие значения:
тивности, обеспечивает гальваническую развязку • сердечник – тороидальный, материал 2000НМ3;
отдельных ключей и позволяет коммутировать схе • величина тока – 0,05 А;
мы мостового и параллельного включений. • число витков – 23;
• площадь поперечного сечения сердечника – 3 мм2;
Практическая реализация схемы управления • средняя длина магнитной силовой линии – 17,3 мм;
инвертором • емкость – 10 нФ;
В качестве генератора импульсов тока для схемы • сопротивление обмотки переменному току – 0,8 Ом.
управления инвертором с насыщающимся трансфор Начальная магнитная проницаемость сердечника
матором применен автогенератор на основе диффе составляла 1600. Частота гармонических колебаний в
ренциального токового ключа (рис. 7). контуре 117430 Гц.
Генератор выполнен по двухтактной схеме, в ко График напряжения на контуре в одном полупе
торой контур TC–1С2 возбуждается прямоугольны риоде приведен на рис. 8, а график тока через емкость
ми импульсами тока, поступающими с коллекторов – на рис. 9.
транзисторов VT1, VT2, включенных каскодно с График тока через контур в начале полупериода
транзисторами VT3, VT4 для обеспечения высоко показан на рис. 10, а в конце полупериода –
го выходного сопротивления и создания высокого на рис. 11. Обращает на себя внимание тот факт, что в
коэффициента усиления для возбуждения при ми конце полупериода величина тока имеет большее зна
нимальных значениях добротности. чение, а максимум тока достигается несколько рань
Возбуждение происходит в линейной области ра ше окончания полупериода, что весьма благоприятно
боты транзисторов VT1, VT2, а затем по мере нарас для быстрого запирания полевого ключа.
тания колебаний они переходят в ключевой режим Частота колебаний составляет 336230 Гц, что в три
работы. раза превышает гармоническую частоту в линейном
Обратная связь выполнена на конденсаторах C3, режиме.
C4 на базы транзисторов VT4, VT3.
Диоды VD1, VD2 служат для предотвращения про
боя перехода базаэмиттер транзисторов VT3, VT4.
Транзисторы VT5, VT6 включены параллельно и
служат управляемым источником стабильного тока,
который обеспечивает поддержание заданной ампли
туды тока, питающего колебательный контур.
Экспериментальные исследования
схемы управления
Экспериментальные исследования данного генера
тора полностью подтвердили сделанные теоретические
выводы. В качестве полевых ключей были выбраны
Рис. 8
Рис. 7 Рис. 9
38
Рис. 10 Рис. 11
При экспериментальных исследованиях генера ники. – М: Издво МЭИ, 2007, 200 с., ил.
тора выявлена интересная особенность, которая со 2. Белов Г. А. Высокочастотные тиристорнотран
стоит в том, что при поддержании неизменной зисторные преобразователи постоянного напряже
амплитуды колебаний на контуре частота практи ния. – М.: Энергоатомиздат, 1987.
чески не зависит от величины емкости. Это позво 3. Резонансные явления в электрических цепях с
ляет увеличивать емкости в цепи затвора нелинейными элементами: Учеб. пособие / Б. А. Мар
посредством подключения параллельно затвору до тынов, В. И. Молотков – Л.: ЛПИ 1981. – 68 с. ил.
полнительных конденсаторов. При этом уменьша 4. Задерей Г. П. Многофункциональные трансфор
ется длительность ступени на кривой напряжения, маторы в средствах вторичного электропитания / Г.
вызванной эффектом Миллера [6]. Отмеченное яв П.Задерей, П. Н. Заика. – М.: Радио и связь, 1989. –
ление нуждается в дополнительных теоретических 176 с.
исследованиях. 5. Г. Корн и Т. Корн. Справочник по математике для
Таким образом, использование нелинейной ин научных работников и инженеров. – М.: Наука, 1978,
дуктивности при возбуждении параллельного коле 832 с., ил.
бательного контура током прямоугольной формы 6. Коммутационные процессы в транзисторных
дает возможность получить благоприятные харак инверторах для индукционного нагрева / Бондарен
теристики системы управления инвертором на по ко Д. Н., Дзлиев С. В., Патанов Д. А. // Изв. ГЭТУ,
левых ключах. При этом снижается эффект 1996, Вып. 497, С.98–110.
Миллера и уменьшается влияние входной емкости
ключа за счет включения между стоком и затвором
дополнительного конденсатора значительно боль
шей емкости. Кроме того, наличие больших емкос
тей на затворе ключа позволяет значительного
снизить импульсные помехи и повысить надеж Фролов Николай Александрович, Уфимский государствен3
ность инвертора. ный авиационный технический университет, Факультет авиа3
ционных приборов;
Литература Ягудин Анвар Фаридович, Башкирский государственный
1. Попков О. З. Основы преобразовательной тех университет, Факультет физики.
39
С. В. Аверин, В. В. Крючков, Ю. Г. Следков
ВЛИЯНИЕ ИНДУКТИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ

ДВУХОБМОТОЧНОГО ДРОССЕЛЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ SEPIC
S. V. Averin, V. V. Kruichkov, How Leakage Inductance Of A Dual-Winding Inductor
U. G. Sledkov Influences SEPIC Converter Performance
В статье исследовано влияние индуктивности рассеяния магнит3 The paper investigates how leakage inductance of a dual3winding
но связанного двухобмоточного дросселя на работу преобразователя coupled inductor influences the performance of a SEPIC converter. It is
SEPIC и показано, что наличие индуктивности рассеяния позволяет shown that the presence of a leakage inductance makes it possible to
улучшить КПД и другие рабочие характеристики преобразователя. improve efficiency and other characteristics of such converter.
Ключевые слова: преобразователь постоянного напряжения, двухоб Key words: DCDC converter, dualwinding coupled inductor, magnetizing
моточный магнитно связанный дроссель, индуктивность намагни inductance, leakage inductance
чивания, индуктивность рассеяния
Преобразователи на основе структуры SEPIC ность разработать собственный дроссель со всеми

стали популярными благодаря возможности такой необходимыми электрическими параметрами, по
структуры работать при входных напряжениях, ве лученными в процессе разработки. Одним из кри
личина которых как выше, так и ниже регулируе тических параметров, определяющих рабочие
мого выходного напряжения. Эта особенность характеристики преобразователя SEPIC является
позволяет использовать ее в автономных преобра индуктивность рассеяния. Однако, часто на ее роль
зователях, предназначенных для подвижных объек либо не обращают внимания, либо просто не по
тов, медицинского оборудования, охранных нимают.
системах и устройствах питания ЖК дисплеев. Пос Базовая структура преобразователя SEPIC показа
ле того как выбрана структура SEPIC, необходимо на на рис. 1, а идеализированные временные диаграм
принять решение относительно того будет ли в пре мы при работе в режиме непрерывных токов (РНТ) –
образователе использован индуктивно связанный на рис. 2. Схема работает следующим образом. В про
дроссель с двумя обмотками, или два отдельных межутке времени DT (Т – период переключений, D –
дросселя. Как правило, предпочтение отдается од коэффициент заполнения) МДПтранзистор VT1 на
ному двухобмоточному дросселю, поскольку при первичной стороне преобразователя открыт. Посколь
этом снижаются число компонентов преобразова ку к первичной обмотке приложено напряжение пи
теля, а также требования, предъявляемые к индук тания, ток через транзистор линейно возрастает.
тивности, по сравнению с двумя раздельными Вследствие того, что соотношение витков обмоток
дросселями. При этом, у разработчиков источни магнитно связанного дросселя равно 1, ко вторичной
ков питания возникают трудности, вследствие ог обмотке также приложено напряжение питания. Кон
раниченного выбора стандартных связанных денсатор Срв заряжается до положительного напряже
дросселей большой мощности. Они имеют возмож ния, равного Uвх. Токи обеих обмоток протекают через
транзистор VT1 к “земле”. При этом ток вторичной
обмотки протекает и через конденсатор Срв. На про
межутке времени DT ток через транзистор VT1 пред
ставляет собой сумму токов первичной обмотки
(средний входной ток) и вторичной обмотки (выход
ной ток).
В промежутке времени (1 – D)T полярности обе
их обмоток меняются на противоположные, чтобы
продолжать проводить ток. Напряжение вторичной
обмотки ограничивается величиной Uвых (падением
напряжения на открытом диоде пренебрегаем) и че
рез диод VD1 поддерживает ток нагрузки. Когда че
Рис. 1. Базовая структура преобразователя SEPIC с магнитно рез конденсатор С рв и диод VD1 протекает ток
связанными обмотками нагрузки, напряжение на первичной обмотке так
40
том паразитных параметров показана на рис. 3. Для

дросселя с сильной магнитной связью величина ин
дуктивности намагничивания составляет 22 мкГн, а
для дросселя со слабой связью – 17 мкГн. Индуктив
ности рассеяния обоих дросселей сильно различают
ся – для дросселя с сильной магнитной связью
измеренная индуктивность рассеяния равна 250 нГн,
а в случае дросселя со слабой магнитной связью ве
личина индуктивности рассеяния очень большая –
9 мкГн, т. е. составляет почти половину величины ин
дуктивности намагничивания. Активные сопротивле
ния каждой обмотки равны 12 мОм. Потери в
сердечнике определялись по произведению В ⋅ мкс,
приложенных к используемому в сердечнике магнит
ному материалу. В первом приближении эти потери
можно смоделировать в виде резистора, включенно
го параллельно индуктивности намагничивания. Пол
ностью схема преобразователя SEPIC, в которую
включены паразитные параметры двухобмоточного
дросселя с сильной магнитной связью, показана на
рис. 4. Поскольку конструкция трансформатора сим
метрична, в обоих случаях индуктивность рассеяния
Рис. 2. Основные временные диаграммы, поясняющие работу можно равномерно распределить между первичной и
преобразователя SEPIC в режиме непрерывных токов вторичной сторонами.
Моделирование токов первичной и вторичной об
моток при сильной магнитной связи (рис. 5) показа
же ограничивается на уровне Uвых. Когда напряже ло, что формы токов существенно отличаются от
ние Uвых приложено к обеим обмоткам, а конденса кривых, показанных на рис. 2. Средние значения кри
тор С рв заряжен до напряжения Uвх, напряжение на вых соответствуют действительности, но в схеме воз
силовом МДПтранзисторе равно Uвх + Uвых. Инте никают дополнительные циркулирующие токи. Это
ресно отметить, что пока напряжение на конденса токи, протекающие по контуру, включающему в себя
торе Срв постоянно, обе стороны преобразователя конденсатор Срв, первичную и вторичную индуктив
переключаются, и через него протекает переменный ности рассеяния Ls1 и Ls2, идеальный трансформатор
ток. Ток через диод VD1 имеет пульсирующий ха (рис. 3), а также входной конденсатор Свх. Напряже
рактер со средним значением пульсаций в диапа ние на развязывающем конденсаторе содержит пере
зоне Iвых/(1 – D) или Iвых + Iвх. Этот пульсирующий менную составляющую напряжения пульсаций и
ток фильтруется выходным конденсатором, за счет постоянную составляющую, поскольку емкость кон
чего обеспечивается постоянное выходное напря денсатора не бесконечна. Эта переменная составля
жение. ющая пульсаций фактически прикладывается к
Для создания лабораторного макета и проверки индуктивности рассеяния. При заданном напряжении
работоспособности схемы использованы следующие пульсаций чем меньше величина индуктивности рас
исходные данные: сеяния, тем больше будет изменение тока. Наоборот,
• входное напряжение: 10–40 В;
• выходное напряжение: 12 В;
• максимальный выходной ток: 4 А;
• пульсации: 1%;
• КПД при максимальной нагрузке: 90% (цель).
Для устройства требуется магнитно связанный
дроссель с индуктивностью 22 мкГн и номинальным
средним током 10 А. В макете использован готовый
дроссель на тороидальном сердечнике с аналогичны
ми параметрами, хотя дроссель изготовленный спе
циально для такого изделия будет иметь меньшие
габариты. Были испытаны два варианта тороидальных
дросселей: первый – с сильной магнитной связью с
бифилярными обмотками, второй – со слабой маг
Рис. 3. Модель магнитно связанного дросселя с учетом
нитной связью с раздельными обмотками. Модель паразитных параметров
магнитно связанного двухобмоточого дросселя с уче
41
Рис. 4. Схема преобразователя SEPIC
при значительной величине индуктивности рассеяния Одно из достоинств преобразователя состоит в

величина тока пульсаций будет небольшой. Желатель том, что ток пульсаций входного конденсатора непре
но, чтобы величина пульсаций тока, возникающих из рывный. Это позволяет уменьшить величину емкос
за наличия конденсатора С рв, была соизмерима с ти, необходимую для обеспечения низкого уровня
величиной пульсаций тока, возникающих в индуктив пульсаций напряжения, что, в свою очередь, приво
ности намагничивания. дит к снижению уровня электромагнитных помех и
Это условие может быть обеспечено либо за счет предотвращает создание помех для чувствительных к
увеличения значения индуктивности рассеяния Ls, ним расположенных за преобразователем электрон
либо емкости конденсатора Срв. При этом снижаются ных устройств. Возможно, что ряде устройств, чув
потери от циркулирующего переменного тока. Одна ствительных к помехам, будет желательно еще более
ко, увеличение емкости конденсатора, как правило, снизить уровень пульсаций входного тока. Это мож
приводит к повышению стоимости и увеличению га но обеспечить за счет увеличения отношения индук
баритов устройства. Поэтому, в конечном счете, раз тивностей рассеяния первичной и вторичной
работчику необходимо принять окончательное обмоток. Дополнительная индуктивность рассеяния
решение. может быть получена за счет включения дополнитель
Величину индуктивности рассеяния можно опре ного внешнего дросселя последовательно с первич
делить как ной обмоткой.
В качестве альтернативы можно разработать маг
I вых L1t вк нитно связанный дроссель в котором индуктивность
Ls =
С рвU вх рассеяния проявляется только в одной обмотке. При
обоих вариантах это приводит к приложению напря
Отправным пунктом для определения индуктив жения пульсаций развязывающего конденсатора в
ности рассеяния служит приведенная выше формула основном к индуктивности рассеяния дросселя на
для вычисления индуктивности рассеяния. Эта фор вторичной стороне, поскольку она имеет меньшую
мула позволяет получить величину тока индуктивно величину, что позволяет перенести пульсации тока на
сти рассеяния примерно равную величине тока вторичную обмотку. Пульсации тока, которые обыч
намагничивания. Такая величина ни в коем слу но распределяются равномерно по обеим обмоткам,
чае не является окончательной, и разработчик может теперь перераспределяются в соответствии с отноше
изменять ее по своему усмотрению. нием величин индуктивностей рассеяния. Пульсации
Кроме того, выходной ток равен среднему току входного тока (рис. 7) существенно меньше, что по
вторичной обмотки, который можно определить, вве зволяет обеспечить пульсации напряжения менее, чем
дя в схему последовательный резистивный датчик 10 мВ.
тока, включенный относительно “земли”. Это может Лабораторный макет преобразователя SEPIC с
оказаться полезным в том случае, когда преобразова дросселем с сильной магнитной связью показан на
тель используется в качестве зарядного устройства рис. 8. На этом же рисунке отдельно показан маг
аккумулятора, либо информация о токе нагрузки тре нитно связанный дроссель со слабой магнитной
буется на системном уровне. Формы токов через маг связью. Обмотка дросселя с сильной магнитной
нитно связанный дроссель, полученные с помощью связью выполнена бифилярной, а дросселя со сла
моделирования и экспериментального исследования бой магнитной связью – секционной. Зависимос
лабораторного макета преобразователя, показаны на ти измеренного КПД преобразователя от тока
рис. 6. Видно, что полученные результаты совпадают нагрузки как для дросселей с сильной магнитной
с теоретическими временными диаграммами, пока связью, так и со слабой показаны на рис. 9. В це
занными на рис. 2. лом, КПД преобразователя при использовании
42
Рис. 6. Временные диаграммы токов магнитно связанного

дросселя при большой величине индуктивности рассеяния:
а – результаты моделирования; б – результаты эксперимента
дросселя со слабой магнитной связью выше при

мерно на 1%. Большая величина переменной со
ставляющей тока дросселя с сильной магнитной
связью приводит к снижению КПД, вследствие уве
личения омических потерь и потерь в сердечнике.
Выводы
Применение структуры SEPIC обеспечивает пре
красную возможность разработки преобразователя
в постоянного напряжения с высоким КПД. Намерен
ное увеличение индуктивности рассеяния разрабаты
Рис. 5. Схема модели преобразователя SEPIC (а), результаты
моделирования (б) и результаты экспериментальных
ваемого магнитносвязанного двухобмоточного
исследований (в) при сильной магнитной связи дросселя дает возможность улучшить рабочие харак
(малой индуктивности рассеяния дросселя) теристики преобразователя и повысить его КПД. При
43
Рис. 8. Лабораторный макет преобразователя с дросселем с

сильной магнитной связью (слева), дроссель со слабой
а магнитной связью с раздельными обмотками
б Рис. 9. Преобразователь SEPIC с дросселем со слабой магнитной

связью обеспечивает более высокий КПД:
Рис. 7. Уменьшение входных пульсаций за перемещение 1 – Uвх = 12 В (раздельная обмотка); 2 – Uвх = 12 В (бифилярная
пульсаций тока на выход: пульсации токов дросселей (а); обмотка); 3 – Uвх = 24 В (раздельная обмотка);
пульсации входного напряжения (б) 4 – Uвх = 24 В (бифилярная обмотка)
этом, имеется возможность снижения пульсаций нижающеповышающий преобразователь постоянно

входного напряжения с помощью управления ими за го напряжения. – Практическая силовая электрони
счет использования дополнительного дросселя. ка, № 3(35), 2009, С. 21–24.
Литература 4. TS40210. 4.5V TO 52V Input Current Mode Boost
1. C. В. Аверин, Ю. Г. Следков, И. Н. Соловьев. Раз Controller. – SLUS772B–June 2008, Texas Instruments.
работка преобразователя постоянного напряжения
SEPIC. – Практическая силовая электроника, № Аверин Сергей Владимирович, к. т. н., доцент кафедры
2(34), 2009, С. 22–26. “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел. +7(499)
2. В. В. Крючков. Преобразователь с понижением и 158345302, e3mail: acb@starlink.ru;
повышением напряжения на основе микросхемы по Следков Юрий Германович, к. т. н., доцент кафедры “Мик3
вышающего регулятора. – Там же, С. 51. роэлектронных электросистем” МАИ, тел. +7(499) 158345356,
3. С. В. Аверин, Д. В. Жикленков, Е. И. Ходырев. По e3mail: dean3_dep5@mai.ru.
44
Д. Р. Манбеков, Д. А. Шевцов
СИММЕТРИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ В

НЕРЕГУЛИРУЕМЫХ ДВУХТАКТНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
ПОСТОЯННОГО НАПРЖЯЕНИЯ
D. R. Manbekov, Balancing of the reversal process in conventional or quasi-
D. A. Shevtsov resonant uncontrolled push-pull converters
В статье приведено описание нового метода симметрирования, The article describes the new method of balancing of the reversal
разработанного авторами. Использование этого метода возможно не process in magnetic core, which was developed by the authors. This method
только в классических, но и в квазирезонансных нерегулируемых двух3 can be implemented either in conventional or quasi3resonant push3pull non3
тактных преобразователях. Также представлены результаты компью3 regulated converters. In addition, the results of computer simulation, which
терного моделирования в установившемся, переходном и аварийном were obtained for steady3state, transient and emergency cases are also
режимах. presented.
Ключевые слова: симметрирование, процесс перемагничивания, маг Key words: balancing, reversal process, magnetic core, pushpull converter
нитный сердечник, двухтактный преобразователь
В настоящее время имеет место общая тенденция к оказаться целесообразным именно в нерегулируемых
миниатюризации ИВЭП. Интерес и глубокая проработ преобразователях.
ка этой области объясняется потребностью в большом Однако, как в традиционных нерегулируемых двух
числе и широкой номенклатуре сетевых вторичных ис тактных преобразователях постоянного напряжения
точников питания. В [1] отмечены основные преиму (НДППН), так и в квазирезонансных двухтактных
щества двухтактных преобразователей напряжения по преобразователях может возникнуть несимметричный
сравнению с однотактными, в числе которых уменьше режим перемагничивания сердечника, который, как
ние массогабаритных показателей ИВЭП при аналогич отмечалось в[1], приводит к:
ной полезной мощности. При этом, в ряде случаев для • снижению надежности;
миниатюризации ИВЭП целесообразно применение • увеличению потерь;
нерегулируемых квазирезонансных преобразователей • ухудшению электромагнитной совместимости.
напряжения совместно с импульсными регуляторами Несимметричное перемагничивание может быть
напряжения [2, 3, 4]. Высокая эффективность приме обусловлено, например, технологическим разбросом
нения таких схемотехнических решений обусловлена параметров элементов преобразователя и неодинаковой
совокупностью специальных мер, принимаемых для длительностью импульсов управления изза разных вре
снижения коммутационных потерь, т. е. “мягкими” ре мен рассасывания и задержек на переключение. Поэто
жимами переключения ключевых элементов. Примеры му неизменность значения коэффициента заполнения
структурных схем подобных ИВЭП показаны на (kз) еще не может гарантировать симметричного режи
рис. 1 и 2. ма перемагничивания. Следовательно, требуется введе
Квазирезонансный режим работы преобразователя ние специального симметрирующего узла.
позволяет силовым транзисторным ключам (СТК) пе Предложенный авторами новый способов симмет
реключаться в режимах zero current или zero voltage, т. е. рирования процесса перемагничивания НДППН ос
при низком значении тока или напряжения на ключе нован на том, что любую несимметрию можно свести
[5, 7]. Благодаря этому динамические потери в СТК зна к неодинаковой длительности управляющих импуль
чительно ниже, чем в традиционных двухтактных пре сов и добиться симметричного перемагничивания
образователях. Снижение динамических потерь корректировкой длительности этих импульсов [6].
позволяет повысить частоту преобразования, а, следо Функциональная схема узла симметрирования для
вательно, уменьшить объем и массу реактивных элемен НДППН, представлена на рис. 3.
тов и трансформатора и, как следствие, всего устройства Схема работает следующим образом. Длительность
в целом. управляющих импульсов (УИ) задается ГТИ. При
Однако в силу структурных особенностей квази этом максимальная длительность УИ ограничивает
резонансные преобразователи без специальных СУЗ ся на заданном уровне, который определяется пара
сохраняют свои преимущества только в узком диапа метрами времязадающей RCцепочки и величиной
зоне коэффициента заполнения (kз). Поэтому приме опорного напряжения ИОН. При этом фактическая
нение квазирезонансных преобразователей может длительность УИ в точках Z1 и Z2 определяется зна
45
Рис.1 Структурная схема ИВЭП с ИРН в первичной цепи и Рис.2 Структурная схема ИВЭП с ИРН во вторичной цепи и
квазирезонансным НДППН квазирезонансным НДППН
(ИРН – импульсный регулятор напряжения; НДППН – нерегулируемый двухтактный преобразователь постоянного напряжения; ДВН –
датчик выходного напряжения; СУЗ – схема управления и защиты; Н – нагрузка; Еп – источник постоянного напряжения)
чением напряжения на выходе УСР1 и УСР2 соответ ИВЭП. В частности обеспечивается защита от эффек
ственно. Отметим, что в рассматриваемой схеме вы та интегрирования тока благодаря наличию зависи
ходное напряжение обоих УСР однополярное и может мости частоты ГТИ от уровня выходного напряжения.
принимать только отрицательное значение. При этом, чем ниже уровень напряжения на ДВН,
При появлении тенденции к несимметричному тем ниже частота ГТИ [8]. Однако уменьшение час
перемагничиванию увеличивается среднее значение тоты не приведет к увеличению длительности управ
тока соответствующей диагонали (например пер ляющих импульсов и неизбежному магнитному
вой). В результате этого на входе, и, как следствие, насыщению сердечника, так как она ограничивается
на выходе, УСР1 появится отрицательное напряже соответствующим ИОН, компаратором и времязада
ние. Следовательно уровень напряжения на неин ющей RCцепочкой.
вертирующем входе компаратора Н1 будет ниже Временные диаграммы процессов, поясняющие
уровня напряжения ИОН. Тогда длительность уп работу узла симметрирования для режима несим
равляющего импульса Z1 будет меньше длительно метрии, соответствующего большему среднему току,
сти управляющего импульса Е. протекающему через 1ую диагональ, приведены на
В рассматриваемом случае напряжение на входе рис. 4.
УСР2 будет положительное, а на его выходе нулевое. Эффективность предложенного метода симмет
При этом напряжение на неинвертирущем входе ком рирования была проверена с помощью компьютер
паратора 2й диагонали Н2 будет равно напряжению ного моделирования в системе OrCAD 9.2 для
ИОН, а длительность управляющего импульса Z2 бу нерегулируемого двухтактного преобразователя,
дет равна длительности управляющего импульса F. выполненного по мостовой схеме. Результаты ком
Как следствие, уменьшится среднее значение пьютерного моделирования при наличии несиммет
тока исключительно первой диагонали, что приве рии в схеме без узла симметрирования и с узлом
дет к устранению несимметричного режима пере симметрирования приведены на рис. 5а, и б соот
магничивания. ветственно. Результаты моделирования в аварийном
Заметим, что предложенный способ симметриро режиме не приведены, т. к. отличаются от соответ
вания сохраняет свою работоспособность не только в ствующих на рис. 5б только масштабом. При этом
нормальных, но и в аварийных режимах работы симметричный режим перемагничивания сердечни
Рис.3 Функциональная схема управления НДППН, позволяющая обеспечить симметричный режим перемагничивания
(ГТИ – генератор тактовых импульсов; ИОН – источник опорного напряжения; УСР – усилитель сигнала рассогласования;
ФНЧ – фильтр низких частот (интегратор); ДТ – датчик тока)
46
Рис. 4 Временные диаграммы процессов в схеме управления

б
ка силового трансформатора обеспечивается как в ус Рис. 5. Результаты компьютерного моделирования:

а – без симметрирующего контура;
тановившемся, так и в переходном и аварийном ре б – с симметрирующим контуром
жимах.
В заключении следует отметить, что предложен
ный метод симметрирования может также использо 5. P. Vinciarelli. Forward Converter switching at zero
ваться и в регулируемых преобразователей. current. – U.S. Patent # 4,415,959 (1983).
6. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Симметрирова
Литература ние двухтактных преобразователей напряжения с
1. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Сравнительный использованием принципа подчинённого регулиро
анализ и классификация методов симметрирования вания // Практическая силовая электроника. № 26,
двухтактных преобразователей напряжения с 2007, С. 3—33.
ШИМрегулированием // Силовые транзисторные 7. B. Andreycak. “Zero voltage Switching resonant
устройства. Выпуск 2. / Тематический сборник на power conversion”, Unitrode application note, U138,
учных трудов. Под редакцией Е. В. Машукова – М.: 1999.
“ЭконИнформ”, 2006. С.58–75. 8. Машуков Е. В., Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Ис
2. Эраносян С., Ланцов В. Квазирезонансные источ ключение эффекта интегрирования тока в переход
ники вторичного электропитания: проблемы, новый ных и аварийных режимах для транзисторных
взгляд// Силовая электроника. Тематическое прило преобразователей напряжения // Практическая сило
жение к журналу «Компоненты и технологии». – вая электроника, № 1 (37), 2010, С. 33–36.
СанктПетербург: Издательство Файнстрит, 2007,
№ 3. С. 78–84.
3. Мелешин В. И., Якушев B. A., Фрейдлин С. Анализ Манбеков Дмитрий Рауфович, аспирант кафедры “Микро3
транзисторного преобразователя постоянного тока с электронных электросистем” МАИ, тел. +7(499)158345359, e3
“мягкой” коммутацией // Электричество. – М.: Знак, mail: demon.84@mail.ru;
2000, № 1. С. 52–56. Шевцов Даниил Андреевич, д. т. н., профессор кафедры
4. Мелешин В. И. Транзисторная преобразователь “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.+7(499)
ная техника. – Москва: Техносфера, 2005. — 632с. 58345359.
47
М. Л. Сокольский
ПРОГРАММИРУЕМЫЙ РЕВЕРСИВНЫЙ ИСТОЧНИК ТОКА ДЛЯ

ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ
M. L. Sokolsky Programmed reversive current source for
galvanic metal coating
В статье рассматриваются вопросы, связанные с повышением ка3 The paper examines issues of interconnections quality and density
чества и плотности межсоединений при производстве печатных плат. improvement in the process of printed3circuit boards manufacturing.
Для реализации технологии импульсной металлизации разработан Programmed reversive current source is developed to implement metal
программируемый реверсивный источника тока, описание которого coating technique. The description of this technique is presented in the
представлено в этой статье. paper.
Ключевые слова: печатные платы, реверсивный источника тока,
металлизация, глухое отверстия, контроллер
Keywords: printedcircuitboard, reversible current source, metal coating,

Постоянно растущие требования к плотности ри deadend hole, controller
и в сквозных) и на поверхности, но и при определен
сунка при производстве печатных плат диктуют по ных режимах получить обратный эффект: толщина
требность в более тонких проводниках и меньших осаждения на поверхности меньше, чем в отверстии
расстояниях между ними, наряду с повышением экс – при обратном токе анодное растворение поверхно
плуатационных характеристик работы на высоких сти идет более интенсивно, чем в отверстии или уг
частотах. Оба фактора должны быть достигнуты в ус лублении (рис. 1).
ловиях ужесточающейся экономической конкурен Что же дает импульсный реверсный режим пита
ции, вследствие значительного роста цен на сырье, а ния гальванических ванн (рис. 2)? Ответ на этот воп
также повышения запросов производителей конечно рос простой: не было соответствующих источников
го оборудования. тока, которые бы создавали токи порядка тысяч ам
Существующий метод получения тонких провод пер с управлением их длительностью и амплитудой в
ников и меньших расстояний – это использование
различных способов меднения токопроводящего ри
сунка. Однако эта технология не дает равномерного
покрытия изза колебаний плотности рисунка и ши
рины нарисованных проводников. В результате ме
няющийся профиль проводника плохо согласуется с
растущими требованиями к эксплуатационным ха
рактеристикам на высоких частотах, особенно, к точ
ности сопротивления и межпроводниковой емкости.
С другой стороны, меднение заготовки печатной
платы целиком обеспечивает равномерное распреде
ление покрытия, а также лучшие характеристики на
высоких частотах, в частности, узкий диапазон общего
сопротивления. Критическим недостатком методики
осаждения покрытия на поверхность печатной пла
ты, так, чтобы толщина медного слоя достигла жела
емой величины, а медь полностью заполнила глухие
переходные межслойные микроотверстия (общепри
нятое требование к высокоплотным рисункам), явля
ется то, что травление не может обеспечить получение
тонких проводников и расстояний между ними в пре
делах допустимых отклонений. а б
Наиболее эффективная технология, реализующая
эти взаимоисключающие требования – импульсная Рис. 1. Схемы процессов осаждения и стравливания при
реверсировании тока: а – процесс осаждения при прямом
металлизация, позволяющая не просто выровнять импульсе тока; 6 – процесс преимущественного растворения
толщину металлизации в отверстиях (как в глухих, так внешнего слоя
48
Таблица 1
Рис. 2. Эпюра импульсного реверсивного тока
условиях реверсивного режима. Поэтому в лаборатор h двухполярное выходное напряжение;

ных условиях (при достаточно малых токах) накопи h высокая выходная мощность (≥ 1,0 кВт);
лось много экспериментальных данных, чтобы h низкое выходное напряжение (≤ 10 В);
получить убедительные доказательства эффективно h программная регулировка длительности прямого
сти импульсных режимов питания гальванических и обратного напряжения.
ванн. Но перейти к промышленному использованию В настоящее время разработан программируемый
мешало отсутствие соответствующих источников реверсивный источник постоянного тока мощностью
тока. 700 Вт, что вполне достаточно для прототипного произ
Главный эффект, изза которого эта технология водства в гальванической ванне емкостью 50 литров.
получила развитие – возможность заполнения глухих Функциональная схема источника показана на
отверстий, за счет чего плотность размещения пере рис. 3, а принципиальная – на рис. 4.
ходов увеличилась в два раза, что позволило значи Источник состоит из следующих функциональных
тельно увеличить плотность токопроводящего частей:
рисунка печатной платы и, как следствие, – умень • источника силового напряжения (Т1, Т2, 1...4,
шить габариты электронных устройств. VD5...9), служащего для создания постоянного
К сожалению, современные печатные платы не напряжения 12 В разной полярности;
могут состоять только из одних проводников. Они • коммутатора (VT3 … VT6, R7 ... R11) для распре
содержат сквозные переходные отверстия, отверстия деления и коммутации тока в гальванической
для выводов компонентов, глухие отверстия для пе ванне;
реходов между слоями т. п. Причем, каждый из пере • программируемого контроллера (DD1) для про
численных элементов требует своих параметров и граммного управления ключами коммутатора;
режимов тока при металлизации (таблица 1). • панели управления (SB1...4, R1..R4), предназна
Экспериментально было показано, что достигнуть ченной для ввода и изменения параметров метал
оптимального результата можно, установив постоян лизации в программируемый контроллер;
ное значения для тока Iпр = 3,0 А/дм2 и Iпр = 8,0 А/дм2, • таймера (DD2, B2) для обеспечения работы и про
в процессе гальванической металлизации менять со граммирования контроллера в реальном времени;
отношение длительности импульсов прямого и обрат • дисплея (HL1) для индикации работы и програм
ного тока. Сила тока источника зависит от площади мирования.
поверхности металлизации печатной платы (в дм2). Также в состав источника входит служебный ис
Сложности реализации подобных методик заклю точник питания +5 В (Т3, DA1, C1...С3) для обеспе
чаются в создании программируемых импульсных чения питанием всех компонентов, входящих в состав
реверсивных источников постоянного тока, способ источника.
ных в значительных пределах менять длительность и Трансформаторы Т1 и Т2, использованные в ис
амплитуду прямого и реверсивного тока (tпр, tобр, Iпр, точнике должны обеспечить напряжение 12 В при
Iобр,) для гальванических процессов. токе не менее 50 А. Как вариант был выбран ОСМ1
Этот класс источников должен обладать рядом спе 1,0 220 / 12. В коммутаторе использованы мощные
цифических характеристик: полевые транзисторы IRLS3034 включенные по схе
h низкое внутреннее сопротивление; ме с общим стоком. Такая схема включения позволя
49
Рис. 3. Функциональная схема программируемого реверсивного источника для гальванической металлизации
Рис. 4. Принципиальная схема программируемого реверсивного источника для гальванической металлизации
50
ет получить максимальное усиление по току и, при лило получить положительные эффекты в промыш
этом, максимальное сопротивление в закрытом и ми ленном использовании импульсной металлизации
нимальное сопротивление в открытом состоянии, что печатных плат: выравнивание толщины металлиза
очень критично при столь значительных выходных ции, увеличение производительности процесса почти
токах. Предварительное, “грубое”, значение тока за в два раза, полное заполнение металлом глухих и пе
дается резисторами R8, R9 и R10, R11. Точное значе реходных отверстий. В итоге эти эффекты позволяют
ние определяется программно уровнем напряжения увеличить плотность межсоединений в многослойных
с соответствующего выхода контроллера. В связи с структурах в два раза.
ограничением объема статьи, листинг программы не
представлен.
Заключение Сокольский Михаил Львович, старший преподаватель

Использование программируемого реверсивного кафедры “Технологии приборостроения” МАИ, тел.: +7(499)
источника для гальванической металлизации позво 158349301, e3mail: Mikky63@yandex.ru.
51
Требования к авторам для публикации в журнале

“Практическая силовая электроника” (ПСЭ)
Публикация в сборнике бесплатна для авторов. ) Шрифт: Times New Roman, размер: 10;
Язык журнала – русский. ) Текст без расстановки переносов в словах;
Для публикации статьи необходимо предоставить: ) Межстрочный интервал: одинарный;
заявление от автора (авторов) в электронном и ) Отступ первой строки: 0,5 см;
бумажном видах; ) Выравнивание текста: по ширине;
статью в электронном (в формате не выше MS ) Исполнение формул: редактор формул Equation
Word 2003) и бумажном видах. (стиль математический). Обозначения в тексте
по возможности не делать в редакторе формул;
Статья должна содержать: ) Шрифт обозначений устройств (C – конденса
Ф.И.О. авторов на русском и английском языках; тор, VD – диод, L – дроссель и т.п.) – прямой:
заголовок (на русском и английском языках); y цифровое окончание обозначения устройства
аннотацию (на русском и английском языках); (C1, VD2 и т. п.) – не в индексе, шрифт пря
текст с иллюстрациями, который может быть мой;
разбит на разделы; y буквенное, цифровое+буквенное окончания
список литературы (если есть); обозначения устройства (CД, Lm1 и т. п.) – в
информацию об авторе (авторах) (Ф.И.О., уче индексе, шрифт прямой.
ная степень, ученое звание, должность, назва ) Шрифт обозначений параметров (C – емкость,
ние организации, телефон, адрес электронной I – ток, L – индуктивность и т. п.) – наклонный:
почты). y буквенное, цифровое, буквенное+цифровое
Документы в электронном виде должны быть отправ окончания обозначения параметров (I1, LS,
лены по email: pse@mmp-irbis.ru или sin@mai.ru Uупр1 и т. п.)
Документы в бумажном виде должны быть отправ y в индексе, цифровое и буквенное русское
лены по адресу: 111024, г. Москва, Андроновское шос окончание – шрифт прямой, буквенное ла
се, дом 26, ЗАО "ММПИрбис". тинское окончание – шрифт наклонный;
) Формат иллюстраций: .tif, .eps, .ai (просьба при
Требования к оформлению статей: лагать отдельными (оригинальными) файлами,
) Поля: верхнее, нижнее – по 2 см; левое – 3 см, дублируя в тексте статьи). Подписи к рисункам
правое – 1,5 см; не вносить в рисунки.
Стоимость размещения полноцветной рекламы в журнале “Практическая силовая электроника”
Требования к рекламным макетам

Формат .tif, .eps (конвертирование в кривые), 300 dpi, CMYK.
График выхода журнала
Подробная информация о журнале “Практическая силовая электроника” представлена на сайте:

www.mmp-irbis.ru
52

Практическая силовая электроника №4 2010

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Практическая силовая электроника №4 2010

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

№ 4 (40) Практическая силовая электроника 2010 г.

Информация о журнале: М. Л. Сокольский

НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Рис. 2. Экономия пространства на печатной плате микропроцес

скоростей нарастания тока при переходных процессах соответствующая надежность полупроводниковых

Перспективные направления Литература

ТРЕХФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ С КОРРЕКЦИЕЙ

Отнеся все параметры преобразователя к первич

Рис. 3. Эквивалентная схема этапа 1

Рис. 1. Схема трехфазного выпрямителя на основе

• средние значения токов через диод VD1 и индук

• действующее значение входного тока

эффициента передачи преобразователя в установив

• действующее значение тока через конденсатор 2 Lэкв I н

– Действующее значение фазы входного напряже

Рис. 7. Зависимость статического коэффициента передачи от

– Выходная мощность (Рвых): 600 Вт; Эквивалентная индуктивность и индуктивность на!

Зависимости нормализованных действующих зна

передачи по напряжению в рассмотренной струк

Рис. 16. Схема модели трехфазного выпрямителя на основе

О. А. Коржавин, А. А. Коблов, К. И. Галактионов

ОЦЕНКА ВЫХОДНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ПРОМЫШЛЕННЫХ

Стабилизированные выпрямители типа ВБВ2К и Стабилизированные выпрямители ВБВ2 и

Рис. 3 Структурноэлектрическая схема ВБВ3К

Рис. 4 Математическая модель динамических звеньев структурной схемы

к вторичной обмотке трансформатора преобразова где RС – сопротивление диэлектрических потерь элек

ТРАНСФОРМАТОР ПРЯМОХОДОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С

D. S. Deineko, Transformer Design for Forward Converter

Работа прямоходового преобразователя в т. е. происходит усложнение и стоимость сило

Рис. 1. Схема силовой части прямоходового преобразователя

через диод VD1 становится равным нулю, а ток ин

Согласно правилу баланса энергии, на интервале при отрицательном постоянном подмагничивании

2 2 2 ная в индуктивности рассеяния Ls больше энергии,

личины Uвх + UCогр, значение ILm+ отрицательно. В ре Пусть

Кроме этого, запишем выражение для определе

Рис. 9. Зависимость положительного тока подмагничивания от

ный ток подмагничивания является основной пробле (28)

Рис. 10. Зависимость отрицательного тока подмагничивания

В. Ф. Дмитриков, О. А. Коржавин, Д. В. Шушпанов

УСТОЙЧИВОСТЬ РАСПРЕДЕЛЕННОЙ СИСТЕМЫ

Анализ взаимодействия подсистем РЭС

ZВЫХ(jω) – полное выходное сопротивление под

ленно равный передаточной функции ра

ваться известными формулами, приводимыми, на

Для режима короткого замыкания по выходу ⎡U& m1 ⎤ ⎡U& m4

A12 A11(1) A12(2) + A12(1) A22

Рис. 5. Схема ведомого ИИЭ с входным LCфильтром и корректирующей RРCф цепочкой

k = kДkУПТkШИМkКЛ – коэффициент стабилизации

– входное сопротивление силового сглаживающе

Рис. 7. Упрощенная эквивалентная схема ЭПУ

преобразователя ВБВ fК = 30 кГц. Для расчетов в дан

сопротивления входного фильтра в режиме холосто 6. Middlebrook R. D. Input filter considerations in

ПРИМЕНЕНИЕ НЕЛИНЕЙНОГО ТРАНСФОРМАТОРА ДЛЯ

Теоретические исследования и численный

приближений полупериод изменения тока J(t) уста

С. В. Аверин, В. В. Крючков, Ю. Г. Следков

ВЛИЯНИЕ ИНДУКТИВНОСТИ РАССЕЯНИЯ

Преобразователи на основе структуры SEPIC ность разработать собственный дроссель со всеми

том паразитных параметров показана на рис. 3. Для

Рис. 4. Схема преобразователя SEPIC

при значительной величине индуктивности рассеяния Одно из достоинств преобразователя состоит в

Рис. 6. Временные диаграммы токов магнитно связанного

дросселя со слабой магнитной связью выше при

Рис. 8. Лабораторный макет преобразователя с дросселем с

Рис. 2. Экономия пространства на печатной плате микропроцес

Отнеся все параметры преобразователя к первич

• средние значения токов через диод VD1 и индук

эффициента передачи преобразователя в установив

– Действующее значение фазы входного напряже

Зависимости нормализованных действующих зна

передачи по напряжению в рассмотренной струк

Стабилизированные выпрямители типа ВБВ2К и Стабилизированные выпрямители ВБВ2 и

Рис. 3 Структурноэлектрическая схема ВБВ3К

к вторичной обмотке трансформатора преобразова где RС – сопротивление диэлектрических потерь элек

Работа прямоходового преобразователя в т. е. происходит усложнение и стоимость сило

через диод VD1 становится равным нулю, а ток ин

личины Uвх + UCогр, значение ILm+ отрицательно. В ре Пусть

Кроме этого, запишем выражение для определе

ный ток подмагничивания является основной пробле (28)

ZВЫХ(jω) – полное выходное сопротивление под

ленно равный передаточной функции ра

ваться известными формулами, приводимыми, на

Рис. 5. Схема ведомого ИИЭ с входным LCфильтром и корректирующей RРCф цепочкой

– входное сопротивление силового сглаживающе

преобразователя ВБВ fК = 30 кГц. Для расчетов в дан

сопротивления входного фильтра в режиме холосто 6. Middlebrook R. D. Input filter considerations in

приближений полупериод изменения тока J(t) уста

дросселя со слабой магнитной связью выше при

этом, имеется возможность снижения пульсаций нижающеповышающий преобразователь постоянно

ка силового трансформатора обеспечивается как в ус Рис. 5. Результаты компьютерного моделирования:

Keywords: printedcircuitboard, reversible current source, metal coating,

условиях реверсивного режима. Поэтому в лаборатор h двухполярное выходное напряжение;