253

Раздел 4. Электроника
Содержание
Стр.
Раздел 4. Электроника ........................................................................................... 253
Лекция 4.1 Полупроводниковые материалы....................................................... 255
Примесная проводимость. P-n переход и его свойства...................................... 255
4.1.1 Введение в электронику............................................................................ 255
4.1.2 Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание в
полупроводнике различных типов проводимости .......................................... 267
4.1.3 Р-n переход и его вольтамперная характеристика. Свойства
р-п перехода......................................................................................................... 270
Лекция 4.2 Полупроводниковые диоды, разновидности и применение .......... 274
4.2.1 Полупроводниковый выпрямительный диод. Классификация
диодов .................................................................................................................. 274
4.2.2 Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей. Принцип работы.
Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильтры ............ 279
Лекция 4.3 Биполярные транзисторы .................................................................. 289
4.3.1 Биполярный транзистор. Принцип работы. Классификация и
основные параметры БТ..................................................................................... 289
4.3.1.1 Биполярный транзистор. Принцип работы ..................................... 289
4.3.1.2 Классификация и основные параметры БТ..................................... 296
4.3.2 Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ. Свойства и
области применения усилительных каскадов на биполярных
транзисторах........................................................................................................ 297
4.3.2.1 Схема с общим эмиттером (ОБ) ....................................................... 297
4.3.2.2 Схема с общим эмиттером (ОЭ)....................................................... 298
4.3.2.3 Схема с общим эмиттером (ОК)....................................................... 299
Лекция 4.4 Полевые транзисторы ........................................................................ 302
4.4.1 Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип работы .............. 302
4.4.2 Основные параметры и схемы включения.............................................. 309
4.4.2.1 Схема с общим истоком (ОИ) .......................................................... 310
4.4.2.2 Схема с общим стоком (ОС)............................................................. 311
4.4.3 Свойства и области применения усилительных каскадов на полевых
транзисторах........................................................................................................ 312
Лекция 4.5 Электронные усилители. Обратные связи в усилителях ............... 316
4.5.1 Многокаскадные усилители. Виды связей между каскадами............... 316
4.5.2 Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной связи и ее
влияние на характеристики усилителя ............................................................. 324
4.5.3 Использования положительной обратной связи для создания
автогенераторов и их разновидности ............................................................... 328
Лекция 4.6 Операционные усилители и их применение.................................... 331
4.6.1 Дифференциальный усилитель. Основные параметры и реализация .. 331
4.6.2 Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и классификация
ОУ. Идеальный ОУ. Линейные усилители на ОУ........................................... 334
4.6.3 Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Расчет основных
 254

параметров........................................................................................................... 341
Лекция 4.7 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические элементы.
Триггеры. Делитель частоты. Счетчик импульсов............................................. 345
4.7.1 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические элементы......... 345
4.7.2 ТТЛ и КМОП микросхемы. Устройство и принцип работы................. 354
4.7.2.1 Микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) ............ 354
4.7.2.2 Микросхемы на комплементарных МОП транзисторах................ 357
4.7.3 Триггеры: RS - триггер; D - триггер; Т - триггер ................................... 359
4.7.3.1 RS – триггер........................................................................................ 360
4.7.3.2 D – триггер.......................................................................................... 361
4.7.3.3 Т – триггер .......................................................................................... 362
4.7.4 Делитель частоты на триггерах. Счетчик импульсов ........................... 363
Лекция 4.8 Регистры. Преобразователи кода. Мультиплексоры и
демультиплексоры. Ключи. Индикаторы............................................................ 367
4.8.1 Регистры ..................................................................................................... 367
4.8.2 Преобразователи кодов ............................................................................. 372
4.8.3 Мультиплексоры и демультиплексоры ................................................... 375
4.8.4 Ключи КМОП............................................................................................. 377
4.8.5 Устройства отображения информации. Индикаторы:
Газоразрядные. Вакуумно-люминисцентные. Светодиодные.
Жидкокристаллические. Устройство, схемы включения и принципы
управления........................................................................................................... 380
4.8.5.1 Газоразрядные индикаторы .............................................................. 380
4.8.5.2 Вакуумно-люминисцентные индикаторы ....................................... 382
4.8.5.3 Полупроводниковые светодиодные индикаторы ........................... 385
4.8.5.4 Жидкокристаллические индикаторы ............................................... 387
Лекция 4.9 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере ......................... 391
4.9.1 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере. Типовая структура
микропроцессора и микроконтроллера. Назначение блоков. Области
применения.......................................................................................................... 391
4.9.2 Цифро-аналоговые преобразователи. Устройство и принцип действия
.............................................................................................................................. 398
4.9.3 Аналогово-цифровые преобразователи. Устройство и принцип действия
.............................................................................................................................. 402
Заключение .............................................................................................................. 419
 255

Лекция 4.1 Полупроводниковые материалы.

Примесная проводимость. P-n переход и его свойства
План лекции
1) Введение в электронику.
2) Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание в полупро-
воднике различных типов проводимости.
3) Р-n переход и его вольтамперная характеристика. Свойства перехо-
да.

4.1.1 Введение в электронику

Электроника - наука о взаимодействии заряженных частиц (электро-
нов, ионов) с электромагнитными полями и о методах создания электронных
приборов и устройств (вакуумных, газоразрядных, полупроводниковых), ис-
пользуемых в основном для передачи, обработки и хранения информации.
Электроника представляет собой бурноразвивающуюся отрасль нау-
ки и техники. В ней сложилось ряд направлений:
- физическая электроника изучает электронные и ионные процессы в
газах и проводниках, а также на поверхности раздела между вакуумом и
газом, твердыми и жидкими телами;
- техническая электроника включает совокупность средств, приемов,
способов и методов, направленных на разработку новых и совершенство-
вание существующих приборов электронной техники и технологии их из-
готовления;
- радиоэлектроника, занимается вопросами передачи, приема и пре-
образования информации при помощи электромагнитных колебаний и
волн в радио и оптическом диапазоне частот;
- силовая электроника, изучает способы и устройства для взаимного
преобразования различных видов электрической энергии;
- промышленная электроника посвящена применению электронных
приборов в промышленности, для контроля и управления технологически-
ми процессами;
- информационная электроника занимается разработкой устройств
для получения и обработки информации.
Современный этап развития техники характеризуется возрастаю-
щим проникновением электроники во все сферы жизни и деятельности
людей. Достижения в области электроники способствуют успешному ре-
шению сложных научных и технических проблем, повышению эффектив-
ности научных исследований, созданию новых видов машин и оборудова-
ния, разработке эффективных технологий и систем управления, совершен-
ствованию процессов сбора и обработки информации.
 256

Фундамент электроники был заложен трудами физиков в XVIII– XIX

в. Первые в мире исследования электрических разрядов в воздухе осуще-
ствили академики Михайло Ломоносов и Георг Рихман в России и незави-
симо от них американский ученый Бенджамин Франклин.
В 1802 году профессор физики Петербургской медико-
хирургической академии – В.В. Петров впервые обнаружил и описал явле-
ние электрической дуги в воздухе между двумя угольными электродами. В
России значимость работ не было понято, и они были забыты. Поэтому от-
крытие дугового разряда было приписано английскому физику Дэви.
Токи в газах исследовал английский ученый Джозеф Томсон, от-
крывший существование электронов и ионов. Томсон создал Кавендиш-
скую лабораторию, откуда вышел ряд физиков исследователей электриче-
ских явлений в газах (Дж. Таундсен, Ф.У. Астон, Э. Резерфорд, У. Крукс,
О.У. Ричардсон). В дальнейшем эта школа внесла крупный вклад в разви-
тие электроники.
Из русских физиков над исследованием дуги и практическим ее
применением для освещения работали: П.Н. Яблочков (1847–1894); В.Н.
Чиколев (1845–1898); Н.Г. Славянов (сварка, переплавка металлов дугой);
Н.Н. Бернардос (применение дуги для освещения).
Несколько позднее исследованием дуги занимались профессор Д.А.
Лачинов и академик В.Ф. Миткевич. Разряды в газах исследовал профес-
сор А.Г. Столетов (1881–1891).
Впервые обнаружил внешний фотоэффект немецкий физик Генрих
Герц (1887 г.), экспериментируя с открытым им электромагнитным полем.
В 1881 году Т.А. Эдисон впервые обнаружил явление термоэлек-
тронной эмиссии.
В своем развитии электроника прошла несколько важных этапов.
1 этап (До ламповая электроника)
Этап начался с изобретением электрического телеграфа и телефона.
В 1874 году немецкий ученый Браун открыл выпрямительный эффект в
контакте металл–полупроводник. На его основе русский изобретатель А.С.
Попов создал первый радиоприемник.
Датой изобретения радио в России принято считать 7 мая 1895 г. ко-
гда Попов выступил с докладом и демонстрацией на заседании физическо-
го отделения русского физико–химического общества в Петербурге.
Впервые изобретение А.С. Попова было использовано поздней осе-
нью 1899 г. во время аварии броненосца береговой обороны "Генерал-
адмирал Апраксин", севшего на камни у южной оконечности о. Гогланд.
Для обеспечения руководства работами по снятию броненосца с камней
Попов предложил организовать радиосвязь между островами Коткой и
Гогландом. На берегу были поставлены мачты, подвешены антенны и ус-
 257

тановлена аппаратура. В течение всего времени спасательных работ связь

между берегом и островами, а также связь с броненосцем поддерживалась
по радио.
В это же время радиотелеграф А.С. Попова обеспечил спасение ры-
баков, находившихся на оторванной льдине. Приказание командиру ледо-
кола "Ермак" выйти в море и оказать помощь рыбакам было передано с
острова Котки на остров Гогланд по беспроволочному телеграфу, 27 рыба-
ков были сняты "Ермаком" со льдины.
В 1901 г. на Черном море А.С. Попов достиг надежной связи между
кораблями на расстоянии до 150 км.
Для развития радиосвязи в разных странах велись разработки и ис-
следования различных типов простых и надежных обнаружителей высоко-
частотных колебаний – детекторов. Они были созданы на основе элек-
тронно-вакуумной лампы.

а б
Рисунок 1 – Изобретение радиосвязи: а - Александр Степанович Попов
(1859 — 1905). Русский физик и электротехник, профессор (1901), ректор
(1905) Санкт-Петербургского императорского электротехнического ин-
ститута Александра III; б – одна из первых конструкций радиоприемника
с телеграфной лентой
2 этап (Ламповая электроника)
Второй этап развития электроники начался с 1904 г. когда англий-
ский ученый Джон А. Флеминг сконструировал электровакуумный диод,
рисунок 2.
Основными частями диода (рисунок 3, а) являются два электрода на-
ходящиеся в вакууме. Металлический анод (А) и металлический катод (К)
 258

нагреваемый электрическим током до температуры, при которой возникает

термоэлектронная эмиссия.

а б
Рисунок 2 - Изобретение вакуумного диода: а - сэр Джон Амброз Флеминг
(1849 — 1945) — член Лондонского королевского общества (1892). Изо-
бретатель лампы с термокатодом; б – диод Флеминга

а б
Рисунок 3 – Конструкция электродов электронно-вакуумных ламп:
а – диода; б - триода
В вакууме при положительном, относительно катода напряжении на
аноде Va электроны движутся к аноду, вызывая ток Ia в анодной цепи. При
отрицательном напряжении анода Va эмитируемые электроны возвраща-
ются на катод и ток в анодной цепи равен нулю.
Таким образом, электровакуумный диод обладает односторонней
проводимостью, что используется при выпрямлении переменного тока.
 259

В 1907 г. американский инженер Ли де Форест установил, что по-

местив между катодом (К) и анодом (А) металлическую сетку (с) и подавая
на нее напряжение Vc можно управлять анодным током Ia практически без
инерционно и с малой затратой энергии. Так появилась первая электронная
усилительная лампа – триод (рисунок 3, б ). Ее свойства как прибора для
усиления и генерирования высокочастотных колебаний обусловили бы-
строе развитие радиосвязи.

а б
Рисунок 4 - Изобретение вакуумного триода: а - Ли де Форест (1973 -
1961) американский изобретатель, почётный член американского Инсти-
тута Радиоинженеров; б – первый ламповый триод
Период с 1913 по 1919 годы – время резкого развития электронной
техники. В 1913 г. немецкий инженер Александр Мейснер разработал схе-
му лампового регенеративного приемника и с помощью триода получил
незатухающие гармонические колебания, что практически решило про-
блему радиотелефонии. С этого времени радиотехника становится лампо-
вой. В России первые радиолампы были изготовлены в 1914 году в Санкт–
Петербурге консультантом русского общества беспроволочного телегра-
фирования Н.Д. Папалекси, будущим академиком АН СССР.
Большой вклад в развитие отечественной ламповой электроники
внес М.А. Бонч – Бруевичем. С 1916 по 1918 г. он занимался созданием
электронных ламп и организовал их производство. В 1918 году возглавил
Нижегородскую радиолабораторию, объединив лучших радиоспециа-
листов того времени. В марте 1919 года в нижегородской радиолабо-
ратории началось серийное производство электровакуумной лампы РП–1.
В 1920 году М.А. Бонч–Бруевич закончил разработку первых в мире гене-
раторных ламп с медным анодом и водяным охлаждением, мощностью до
1 кВт.
Переход от длинных волн к коротким и средним, и изобретение су-
пергетеродина и развитие радиовещания потребовали разработки более со-
 260

вершенных ламп, чем триоды. Разработанная в 1924 г. и усовершенство-

ванная в 1926 г. американцем А. Хеллом экранированная лампа с двумя
сетками (тетрод), и предложенная им же 1930 г. электровакуумная лампа с
тремя сетками (пентод), решили задачу повышения рабочих частот радио-
вещания. Пентоды стали самыми распространенными радиолампами.
В дальнейшем были разработаны электровакуумные приборы с но-
выми принципами управления электронными потоками. Сюда относятся
многорезонаторные магнетроны (1938 г), клистроны (1942 г), лампы об-
ратной волны ЛОВ (1953 г). Эти достижения электровакуумной техники
обусловили развитие таких отраслей как радионавигация, радиолокация,
импульсная многоканальная связь.
В 30–е годы были заложены осно-
вы радиотелевидения. Первые передаю-
щие трубки, названные иконоскопами
(1931), построил в США Владимир
Козьмич Зворыкин, рисунок 5. В США
он эмигрировал в 1917.
На базе электронных ламп появи-
лись практически все современные уст-
ройства электроники: радиопередающая
и радиоприемная аппаратура, телевизо-
ры; электронные измерительные прибо-
ры (ламповые вольтметры, частотомеры,
Рисунок 5 – В. Зворыкин осциллографы и т.д.); радиолокацион-
(1888 - 1982) - русский инженер, ные станции и компьютеры. Но лампы
один из изобретателей имели ряд недостатков, которые тормо-
современного телевидения. зили развитие электроники:
- большие габариты и вес;
- низкий коэффициент полезного действия, из-за необходимости на-
грева катода;
- хрупкость и сложность конструкции;
- короткий срок службы.
3 этап (Транзисторная электроника)
Третий период развития электроники – это период создания и вне-
дрения дискретных полупроводниковых приборов, начавшийся с изобре-
тения точечного транзистора.
Биполярный транзистор был создан 16 декабря 1947 г. сотрудниками
лаборатории "Белл Телефон"– Д. Бардиным и У. Браттейном, под руково-
дством У. Шокли.
Устройство, изобретенное Д. Бардиным и У. Браттейном, было на-
звано точечным транзистором. Усиление сигнала осуществлялось за счет
 261

большого различия в величинах сопротивления, низкоомного входного и

высокоомного выходного. Поэтому создатели нового прибора назвали его
сокращенно – транзистором (в пер. с английского – "преобразователь со-
противления").

Рисунок 6 - Изобретатели транзистора (слева направо):

Уильям Брэдфорд Шокли (1910 – 1989), лауреат Нобелевской премии по
физике (1956). Джон Бардин (1908 – 1991), дважды лауреат Нобелевской
премии по физике (1956, 1972). Уолтер Хаузер Браттейн (1902 – 1987),
лауреат Нобелевской премии по физике (1956).

а б
Рисунок 7 – Транзисторы: а - первый в мире работающий транзистор;
б – современные транзисторы (КТ813А, КТ315А, КТ242Б, КТ605Б)
Одновременно, в период апрель 1947 – январь 1948 г., У. Шокли
опубликовал теорию плоскостных биполярных транзисторов. Плоскостные
транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более
доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шу-
 262

мов, обеспечивают большую мощность. Д. Бардин и У. Браттейн в резуль-

тате испытания многочисленных вариантов получили работающий полу-
проводниковый прибор.
Изобретение транзисторов явилось знаменательной вехой в истории
развития электроники и поэтому его авторы были удостоены нобелевской
премии по физике за 1956 г.
Появление транзисторов – это результат кропотливой работы десят-
ков выдающихся ученых и сотен виднейших специалистов, которые в те-
чении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках.
Среди них были не только физики, но и специалисты по электронике, фи-
зической химии, материаловедению.
Начало серьезных исследований относится к 1833 году, когда Майкл
Фарадей работая с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость по-
лупроводников растет с повышением температуры, в противоположность
проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается.
В конце XIX века были установлены три важнейших свойства полу-
проводников:
1. Появление ЭДС при освещении полупроводника.
2. Рост электрической проводимости полупроводника при освеще-
нии.
3. Выпрямляющее свойство контакта полупроводника с металлом.
В 20-е годы ХХ в. выпрямляющие свойства контакта полупроводни-
ков с металлом начали практически использовать в радиотехнике. Радио-
специалисту из Нижегородской радиотехнической лаборатории Олегу Ло-
севу в 1922 году удалось применить выпрямляющее устройство на контак-
те стали с кристаллом цинкита в качестве детектора, в детекторном прием-
нике под названием "Кристадин". Продолжая исследование кристалличе-
ских детекторов, Лосев открыл свечение карборунда при прохождении че-
рез него электрического тока. Спустя 20 лет это же явление было снова от-
крыто итальянским физиком Ж. Дестрио и получило название электролю-
минесценции.
Важную роль в развитии теории полупроводников в начале 30-х го-
дов сыграли работы, проводимые в России под руководством академика
А.Ф. Иоффе. В 1931 году он опубликовал статью с пророческим названи-
ем: "Полупроводники – новые материалы электроники". Немалую заслугу
в исследование полупроводников внесли советские ученые – академик Б.В.
Курчатов, профессор В.П. Жузе и др. Они показали, что величина и тип
электрической проводимости определяется концентрацией и природой
примеси. Немного позднее, советский физик – член-корреспондент АН
СССР Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках пар-
ных носителей заряда: электронов и дырок.
 263

В 1938 г. Невилл Ф. Мотт в Анг-

лии, А.С. Давыдов в СССР, Вальтер
Шоттки в Германии сформулировали,
независимо, теорию выпрямляющего
действия контакта металл-
полупроводник. Эти работы выполняе-
мые учеными разных стран и привела к
экспериментальному созданию сначала
точечного, а затем и плоскостного тран-
зистора.
Первый полевой транзистор был
Рисунок 8 - Абрам Фёдорович запатентован в США в 1926-1928 гг.
Иоффе (1880 - 1960) - физик, профессором Лейпцигского универси-
академик (1920), тета Юлиусом Лилиенфельдом, но ре-
вице-президент АН СССР ально изготовить первый полевой тран-
(1942—1945) зистор удалось в 1960 г.
В 1952 г. У. Шокли описал униполярный (полевой) транзистор с
управляющим электродом.
В 1963 г. С. Хофштейн и Ф. Хайман описали другую конструкцию
полевого транзистора, где используется поле в диэлектрике, расположен-
ном между пластиной полупроводника и металлической пленкой. Такие
транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник называются
МДП-транзисторы (или МОП-транзисторы).
В СССР первый советский биполярный транзистор был создан неза-
висимо от работы американских учёных. Первыми транзисторами, выпу-
щенными отечественной промышленностью были точечные транзисторы,
которые предназначались для усиления и генерирования колебаний часто-
той до 5 МГц. В дальнейшем, накопленный опыт позволил перейти к вы-
пуску более совершенных плоскостных приборов.

а б в
Рисунок 9 - Первые советские транзисторы: а – точечный П1А;
б – плоскостной П3А; в – низкочастотный П6Б
 264

С появлением биполярных полевых транзисторов начали воплощать-

ся идеи разработки малогабаритных ЭВМ. Но с увеличением числа эле-
ментов электронных систем практически не удавалось обеспечить их рабо-
тоспособность сразу же после сборки, и обеспечить, в дальнейшем, надеж-
ность функционирования систем. Даже опытные сборщики и наладчики
ЭВМ допускали несколько ошибок на 1000 спаек. Требовалась длинная и
кропотливая наладка. Решение проблемы соединений и явилось предпо-
сылкой к появлению микроэлектроники. Прообразом будущих микросхем
послужила печатная плата, в которой все одиночные проводники объеди-
нены в единое целое и изготавливаются одновременно групповым методом
путем стравливания медной фольги с плоскости фольгированного диэлек-
трика. Единственным видом интеграции в этом случае являются провод-
ники.
К моменту изобретения интегральных микросхем из полупроводни-
ковых материалов уже научились изготавливать дискретные транзисторы и
резисторы. Для изготовления конденсатора уже использовали емкость об-
ратно смещенного p-n перехода. Для изготовления резисторов использова-
лись омические свойства кристалла полупроводника. На очереди стояла
задача объединить все эти элементы в одном устройстве.
4 этап (Микроэлектроника)
В 1958 году двое учёных, живущих в совершенно разных местах,
изобрели практически идентичную модель интегральной схемы. Один из
них, Джек Килби, работал в фирме Texas Instruments, другой, Роберт Нойс,
был одним из основателей небольшой компании по производству полу-
проводников Fairchild Semiconductor. Обоих объединил вопрос: «Как в ми-
нимум места вместить максимум компонентов?».
Транзисторы, резисторы, конденсаторы и другие детали в то время
размещались на платах отдельно, и учёные решили попробовать их объе-
динить на одном монолитном кристалле из полупроводникового материа-
ла. Только Д. Килби воспользовался германием, а Р. Нойс предпочёл крем-
ний. В 1960 году Р. Нойс предложил и запатентовал идею монолитной ин-
тегральной схемы (Патент США 2981877) и изготовил первые кремниевые
монолитные интегральные схемы. В монолитной интегральной схеме би-
полярные кремниевые транзисторы и резисторы соединены между собой
тонкими и узкими полосками алюминия, которые лежат на диэлектриче-
ской подложке из оксида кремния. Алюминиевые соединительные дорож-
ки изготавливаются методом фотолитографии, путем травления слоя алю-
миния напыленного на всю поверхность оксида. Такая технология получи-
ла название – технология монолитных интегральных схем.
 265

Одновременно Д. Килби изготовил триггер на одном кристалле гер-

мания, выполнив соединения золотыми проволочками. Такая технология
получила название – технология гибридных интегральных схем.

а б
Рисунок 10 - К изобретению микросхемы: а - Роберт Нортон Нойс (1927 -
1990), американский инженер, один из изобретателей интегральной
схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957),
основатель, совместно с Г. Муром, корпорации Intel (1968); б - Джек
Килби (1923 - 2005), американский учёный. Лауреат Нобелевской премии
по физике в 2000 году за своё изобретение интегральной схемы в 1958
году. Член Национальной инженерной академии США (1967). В 1978—1984
профессор Техасского сельскохозяйственного и машиностроительного
ун-та. Он также изобретатель карманного калькулятора и
термопринтера (1967)
После того как в 1961 году Fairchild Semiconductor Corporation пус-
тила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использо-
вать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных тран-
зисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить про-
изводительность.
В июле 1968 г. Гордон Мур и Роберт Нойс уходят из отделения по-
лупроводников фирмы Fairchild и 28 июня 1968 года организуют крохот-
ную фирму Intel из двенадцати человек, которые арендуют комнатку в Ка-
лифорнийском городе Маунтин Вью. Задача, которую поставили перед со-
бой Г. Мур, Р. Нойс и примкнувший к ним специалист по химической тех-
нологии – Э. Гроув, использовать огромный потенциал интеграции боль-
шого числа электронных компонентов на одном полупроводниковом кри-
сталле для создания новых видов электронных приборов. Эта задача ими
была успешно решена.
 266

а б
Рисунок 11 - Первые микросхемы: а - первая в мире интегральная
микросхема, созданная 12 сентября 1958 г. Д. Килби; б - одна из первых
микросхем разработанная Р. Нойсом
В СССР толчком к развитию работ по микросхемам явилось произ-
водство американской фирмой Texas Instruments микроэлектронных ком-
понентов, разработанных Д. Килби, для использования в системе наведе-
ния ракеты "Минитмен".
С 1959 года разработки отечественных кремниевых интегральных
схем, по сути дела, представляли собой непрерывный процесс конкурент-
ной заочной борьбы с Джеком Килби. Первая в СССР полупроводниковая
интегральная микросхема была разработана на основе планарной техноло-
гии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в
НИИ "Пульсар").
Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы
(ИС) было сконцентрировано на разработке и производстве серии инте-
гральных кремниевых схем, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы
Texas Instruments. Работы проводились по оборонному заказу для исполь-
зования в автономном высотомере системы наведения баллистической ра-
кеты.
Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых инте-
гральных схем для воспроизводства были получены из США. Копирование
их было строго регламентировано приказами Министерства электронной
промышленности. Концепция копирования импортных микросхем жёстко
контролировалась министром на протяжении более 19 лет вплоть до 1974
года.
 267

Действовали концепции повторения и копирования американского

технологического опыта – методы так называемой "обратной инженерии".
Появление интегральных микросхем сыграла решающую роль, в
развитие электроники, положив начало новому этапу микроэлектроники.
Этапы развития микроэлектроники
Интегральными микросхемами (ИС) стали называться микроэлек-
тронные устройства, рассматриваемые как единое изделие, имеющее вы-
сокую плотность расположения элементов эквивалентных элементам
обычной схемы.
Их развитие шло следующим образом:
- 1960 – 1969 гг. – ИС малой степени интеграции, 102 транзисторов на кри-
сталле размером 0,25 x 0,5 мм;
- 1969 – 1975 гг. – ИС средней степени интеграций, 103 транзисторов на
кристалле;
- 1975 – 1980 гг. – ИС с большой степенью интеграции, 104 транзисторов
на кристалле;
- 1980 – 1985 гг. – ИС со сверхбольшой степенью интеграции, 105 транзи-
сторов на кристалле;
- с 1985 г. – ИС с ультрабольшой степенью интеграции, 107 и более транзи-
сторов на кристалле.
Развитие микроэлектроники шло более полувека. За это время неук-
лонно росла степень интеграции элементов в кристалле.
По закону Г. Мура, одного из основателей фирмы Intel, сформулиро-
ванному в 1965 г., число элементов на одной ИС каждые 24 месяца удваи-
вается. Пока этот закон соблюдается.
В 2007 году Г. Мур заявил, что закон, очевидно, скоро перестанет
действовать из-за атомарной природы вещества и ограничения скорости
света.

4.1.2 Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание

в полупроводнике различных типов проводимости
Все материалы (вещества) по электропроводности условно делятся
на 3 группы: металлы, полупроводники и диэлектрики.
Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводи-
мости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектрика-
ми и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводи-
мости от внешних воздействий.
Для изготовления полупроводниковых приборов применяют простые
вещества четвертой группы таблицы Менделеева: германий (Ge), кремний
(Si) или селен (Se), и соединения элементов, например арсенид галлия
(GaAs), фосфорит галлия (GaP), карбид кремния (SiC).
 268

Характерной особенностью полупроводников, отличающей их от

металлов, является возрастание их электропроводности с ростом темпера-
туры и при введении в полупроводник специальных примесей.
При повышении температуры удельное электрическое сопротивле-
ние у металлов увеличивается, у полупроводников – уменьшается.
Собственные полупроводники
Кремний и германий – это элементы четвертой группы периодиче-
ской системы элементов Менделеева. Они имеют по 4 валентных электро-
на, которые участвуют в парно-электронных или ковалентных связях с со-
седними атомами, см. рисунок 12.

Рисунок 12 – Кристаллическая решетка кремния

При повышении температуры часть электронов, имеющих большую
энергию, освобождается от связей, и становятся свободными носителями
заряда (могут свободно перемещаться в межатомном пространстве). При
этом в разорванной ковалентной связи как бы появляется положительный
заряд, по величине равный заряду электрона, который и приписывают дыр-
ке.
Фактическое движение электронов (связанных электронов) по кова-
лентным связям может быть заменено движением дырки в противопо-
ложном направлении.
Образование свободных электронов и дырок называют генерацией
носителей заряда. Она происходит при нагревании полупроводника (те-
пловая генерация) и при воздействии на полупроводник квантового света
(световая генерация), электрических полей, поляризующих излучений.
 269

Одновременно с генерацией идет обратный процесс – рекомбинация но-

сителей заряда (соединение электрона и дырки). В результате чего исче-
зают пары носителей заряда. В состоянии термодинамического равновесия
процессы генерации и рекомбинации уравновешены.
Примесные полупроводники
Большинство полупроводниковых приборов изготавливают на осно-
ве примесных полупроводников. Примесные полупроводники получают из
собственных с помощью введения донорных или акцепторных примесей.
Акцепторные примеси – элементы третьей группы периодической
системы элементов Менделеева (индий, галлий, алюминий и т.д.). Атомы
акцепторной примеси принимают (поглощают) свободные электроны и,
соответственно, поставляют дырки. Атом акцепторной примеси имеет три
валентных электрона, следовательно, одна ковалентная связь в кристалли-
ческой решетке полупроводника не будет заполнена и ее заполняет элек-
трон из соседнего атома. При этом образуется дырка и отрицательный ион.
В полупроводнике с акцепторной примесью концентрация дырок (pр) мно-
го больше концентрации электронов (nр), которые так же образуются в ре-
зультате естественной генерации и, следовательно, основными носители
заряда в полупроводнике являются дырки, а неосновными – электроны.
Электропроводность такого полупроводника дырочная, а сам полупровод-
ник называется полупроводником p-типа (p (positive) — дырочный тип
проводимости), рисунок 13.

Рисунок 13 - Полупроводник р-типа.

 270

Донорные примеси – элементы пятой группы таблицы Менделеева

(сурьма, фосфор, мышьяк и т.д.). Атомы донорной примеси поставляют
свободные электроны. Атомы донорной примеси замещают часть атомов
собственного полупроводника. Четыре валентных электрона атома донора,
участвуют в связях, а пятый превращается в свободный электрон. Сам
атом при этом становится положительным ионом. Концентрация свобод-
ных электронов (nn) много больше, чем концентрация дырок (pn), которые
так же образуются в результате естественной генерации. В таком полупро-
воднике основные носители заряда – электроны, а неосновные – дырки,
электропроводность полупроводника электронная, а сам полупроводник
называется полупроводником n-типа (n (negative) — электронный тип
проводимости), рисунок 14.

- - - - - -

Si Si Sb

-
- - - - - -

Sb Si Si

- - - - + -
- -

Si Sb Si

- - - - - -

Рисунок 14 - Полупроводник n-типа

Объем полупроводника n-типа или p-типа остается электрически
нейтральным, если носители заряда не покидают пределы полупроводника.

4.1.3 Р-n переход и его вольтамперная характеристика.

Свойства перехода
P-n переход – это переходный слой между двумя областями полу-
проводника с разным типом проводимости.
В германии и кремнии двухслойная p–n структура (рисунок 15) соз-
дается введением в один из слоев монокристалла акцепторной примеси, а в
другой – донорной примеси.
 271

Рисунок 15 – Образование p–n перехода

Атомы акцепторов и доноров можно считать полностью ионизиро-
ванными, т.е. практически все акцепторные атомы присоединяют к себе
электроны. Создавая при этом дырки, а донорные атомы отдают свои элек-
троны, которые становятся свободными. При нормальной температуре
кроме основных носителей заряда в каждом из слоев имеются неосновные
носители заряда, создаваемые путем перехода электронов основного мате-
риала в зону проводимости.
Нужно помнить, что концентрация неосновных носителей заряда,
существенно меньше концентрации основных носителей заряда.
При соприкосновении слоев кристалла с разным типом проводимо-
сти электроны и дырки из соответствующих областей диффундируют в те
области, где они отсутствуют. При этом в приграничных областях появля-
ются объемные заряды, создаваемых ионами атомов примесей. Они об-
разуют двойной запирающий электрический слой. Этот слой создает по-
тенциальный барьер ϕ 0 на границе полупроводников с разным типом про-
водимости. Данный барьер препятствует диффузии основных носителей
заряда, то есть переходу электронов из полупроводника n-типа в полупро-
водник p-типа и переходу дырок в обратном направлении.
Если к p–n–структуре приложить внешнее напряжение U , которое
совпадает по направлению с направлением запирающего электрического
поля ϕ 0 , то потенциальный барьер возрастает и становится равным ϕ 0 + U .
рисунок 16,а.
При этом увеличивается объемный заряд в p–n переходе и его шири-
на. Возросший потенциальный барьер затрудняет прохождение через p–n
переход основных носителей заряда, вследствие чего ток, создаваемый
этими носителями заряда, уменьшается. Такое включение p-n перехода на-
зывается обратным включением. Ток основных носителей заряда в
этом случае через переход не протекает. Но, для неосновных носителей
это включение будет способствовать их движению через переход. По-
скольку концентрация неосновных носителей в примесных полупроводни-
 272

ках много меньше концентрации основных, их ток, называемый обратным

током p-n перехода, будет незначительным.

а б
Рисунок 16 – P-n переход: а – обратное включение; б – прямое включение
Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение подключено к p–n
структуре в прямом направлении, то есть противоположно направлению
запирающего электрического поля. (плюсом источника к выводу p–
области, а минусом источника – к выводу n–области), рисунок 16,б. Это
приводит к уменьшению результирующего поля в p–n переходе. Величина
ϕ 0 − U определяет величину потенциального барьера в p–n переходе при
включении внешнего напряжения в прямом направлении. Уменьшение
объемного заряда (потенциального барьера) проявляется в сужении p–n
перехода, которое происходит в основном за счет n–слоя, как более высо-
коомного.
Уменьшение потенциаль-
ного барьера облегчает переход
основных носителей заряда че-
рез границу раздела в соседние
области, что приводит к увели-
чению тока через p–n переход.
Указанное явление называют
инжекцией носителей заряда
через p–n переход.
Таким образом, при пря-
мом включении через переход
начинает протекать ток основ-
ных носителей.
Рисунок 17 – Вольтамперная Вольтамперная характе-
характеристика p-n перехода ристика p-n перехода показана
на рисунке 17.
 273

При подаче большого обратного напряжения происходит пробой p-n

перехода. В этом режиме напряжение на переходе остается постоянным в
широком диапазоне изменения тока.
Объемные заряды, образованные ионами на границе перехода обу-
славливают наличие емкости p-n перехода q . Емкость перехода равна
q
C= . (1)
ϕ0 + U
При увеличении обратного напряжения емкость, в соответствии с
выражением (1), снижается. При этом происходит расширение p-n перехо-
да. Аналогично снижается емкость плоского конденсатора при раздвига-
нии пластин.
Контрольные вопросы
1. Введение в электронику. Основные этапы развития электроники.
2. Роль русских ученых в развитии электроники.
3. Полупроводниковые материалы и их свойства.
4. Создание в полупроводнике различных типов проводимости.
5. Р-n переход и его основные свойства.
 274

Лекция 4.2 Полупроводниковые диоды, разновидности и

применение
План лекции
1) Полупроводниковый выпрямительный диод. Классификация дио-
дов.
2) Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей. Принцип ра-
боты. Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильтры.

4.2.1 Полупроводниковый выпрямительный диод.

Классификация диодов
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор
с одним р-n переходом, имеющий два омических вывода, (рисунок 1,а).
Одна из областей р-n структуры (р+), называемая эмиттером, имеет боль-
шую концентрацию основных носителей заряда, чем другая область, назы-
ваемая базой.
Статическая вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводни-
кового диода изображена на рисунке 1,б. Здесь же пунктиром показана
теоретическая ВАХ электронно-дырочного перехода.

б
Рисунок 1 – Полупроводниковый диод: а – структура; б - вольтамперная
характеристика (ВАХ) полупроводникового диода
 275

Она определяется соотношением

(
I = I0 e
U /( mU )
T
)
−1 , (1)
где I0 - обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неос-
новными носителями заряда; значение его очень мало);
U - напряжение на p-n-переходе;
U T = kT/e - температурный потенциал (k - постоянная Больцмана),
U T =25,28 мВ при T=20 C°;
Т – температура в градусах Кельвина,
е - заряд электрона;
m - поправочный коэффициент: m = 1 для германиевых р-n переходов и m
= 2 для кремниевых p-n переходов при малом токе.
Кремниевые диоды имеют существенно меньшее значение обратного
тока по сравнению с германиевыми диодами, вследствие более низкой кон-
центрации неосновных носителей заряда. Обратная ветвь ВАХ у кремние-
вых диодов при данном масштабе практически сливается с осью абсцисс.
Прямая ветвь ВАХ у кремниевых диодов расположена значительно правее,
чем у германиевых.
Максимально допустимое увеличение обратного тока диода опреде-
ляет максимально допустимую температуру диода, которая составляет
+(80 ÷ 100) °С для германиевых диодов и +(150 ÷ 200) °С для кремниевых.
Минимально допустимая температура диода лежит в пределах - (60 ÷
70)°С.
Дифференциальным сопротивлением диода называют отношение
приращения напряжения на диоде к вызванному им приращению тока:
rДИФ = dU / dI . (2)
Отсюда следует, что для p-n-перехода rДИФ ≈ U T I = 0,02528 / I при
нормальной температуре.
Пробой диода
При обратном напряжении диода свыше определенного критическо-
го значения наблюдается резкий рост обратного тока (рисунок 1). Это яв-
ление называют пробоем диода.
Пробой диода возникает либо в результате воздействия сильного
электрического поля в р-n переходе (рисунок 2, кривая 1 и 2). Такой про-
бой называется электрическим. Он может быть лавинным - кривая 1 или
туннельным - кривая 2.
Лавинный пробой обусловлен лавинным размножением носителей в
p-n переходе в результате ударной ионизации атомов быстрыми носителя-
ми заряда. Он происходит следующим образом. Неосновные носители за-
ряда, поступающие в p-n переход при действии обратного напряжения, ус-
 276

коряются полем и при движении в нем сталкиваются с атомами кристалли-

ческой решетки. При соответствующей напряженности электрического по-
ля, носители заряда приобретают энергию, достаточную для отрыва ва-
лентных электронов. При этом образуются дополнительные пары носите-
лей заряда – электроны и дырки, которые, ускоряясь, полем, при столкно-
вении с атомами также создают дополнительные носители заряда. Описан-
ный процесс носит лавинный характер.
Лавинный пробой возникает в широких p–n переходах, где при дви-
жении под действием электрического поля носители заряда, встречаясь с
большим количеством атомов кристалла, в промежутке между столкнове-
ниями приобретают достаточную энергию для их ионизации.
В основе туннельного пробоя лежит непосредственный отрыв ва-
лентных электронов от атомов кристаллической решетки под действием
сильного электрического поля. Образующиеся при этом дополнительные
носители заряда (электроны и дырки) увеличивают обратный ток через p-n
переход. Туннельный пробой развивается в узких p-n переходах, где при
сравнительно небольшом обратном напряжении имеется высокая напря-
женность поля.
Лавинный и туннельный пробои сопровождаются появлением почти
вертикального участка на обратной ветви вольтамперной характеристики.
Причина этого заключается в том, что небольшое повышение напряжения
на p-n переходе вызывает более интенсивную генерацию в нем носителей
заряда при лавинном или туннельном пробое.

Рисунок 2 – Рост обратного Рисунок 3 – ВАХ стабилитрона

тока при обратном напряжении
 277

Оба эти вида пробоя являются обратимыми процессами. Это озна-

чает, что они не приводят к повреждению диода и при снижении обратного
напряжения на диоде его свойства сохраняются.
Пробой может возникать в результате разогрева p-n перехода при
протекании тока большого значения и при недостаточном теплоотводе, не
обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода (рисунок 2,
кривая 3). Это тепловой пробой.
Тепловой пробой является необратимым. Нормальная работа диода в
качестве элемента односторонней проводимостью возможна лишь в режи-
мах, когда обратное напряжение не превышает пробивного значения
U ОБР MAX . Значение допустимого обратного напряжения устанавливается с
учетом исключения возможности электрического пробоя и составляет от
напряжения (0,5 ÷ 0,78)U ОБР MAX .
Возможность теплового пробоя p–n–перехода учитывается указани-
ем в паспорте на прибор допустимого обратного напряжения U обр. max и
температурного диапазона работы. Величина допустимого обратного на-
пряжения устанавливается с учетом исключения возможности электриче-
ского пробоя и составляет (0,5÷0,8) Uпр.
Классификация диодов
Выпрямительные диоды используют для выпрямления переменных
токов частотой 50 Гц ÷100 кГц. В них используется главное свойство p-n
перехода - односторонняя проводимость.
На схемах выпрямительные диоды изображаются так, как показано
на рисунке 4. Там же приведен общий вид некоторых выпрямительных
диодов, как отечественных, так и импортных.

а б в г
Рисунок 4 – Выпрямительные диоды: а - условное обозначение;
б – маломощный высоковольтный диод BY228; в – диод средней мощности
Д246А; г – мощный выпрямительный диод на ток 250 А типа Д185-500.
Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения на на-
грузке при изменении питающего напряжения или сопротивления нагрузки,
для фиксации уровня напряжения и т. д.
 278

Условное обозначение стабилитрона приведено на рисунке 5.

а б в г д е
Рисунок 5 – Стабилитрон: а – условное обозначение; б - 2С133А; в - КС156А;
г - КС527А; д - КС210Б; е - КС175С
Для стабилитронов рабочим является участок электрического пробоя
ВАХ в области обратных напряжений (рисунок 3). На этом участке напря-
жение на диоде остается практически постоянным при изменении тока че-
рез диод.
Основные параметры стабилитрона:
номинальное напряжение стабилизации U СТ . НОМ - напряжение на ста-
билитроне в рабочем режиме (при заданном токе стабилизации);
минимальный ток стабилизации I СТ . MIN - наименьшее значение тока ста-
билизации, при котором режим пробоя устойчив;
максимально допустимый ток стабилизации I CT . MAX - наибольший ток
стабилизации, при котором нагрев стабилитронов не выходит за допусти-
мые пределы.
Дифференциальное сопротивление rCT - отношение приращения напря-
жения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации:
rCT . = ∆U CT / ∆I CT . . (3)
К параметрам стабилитронов также относят максимально допусти-
мый прямой ток I MAX , максимально допустимый импульсный ток
I ПР . И . MAX , максимально допустимую рассеиваемую мощность PMAX .
Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависи-
мость емкости p-n перехода от обратного напряжения и который предназна-
чен для применения в качестве электрически управляемой емкости.

Условное обозначение варикапа таково:

Основными параметрами варикапа является общая емкость Св [пФ],

которая указывается в справочниках при небольшом обратном напряже-
нии, обычно при 4 В. У большинства варикапов Св =10÷500 пФ.
 279

Cmax
Коэффициент перекрытия по емкости KC = =5 – 20.
Cmin
Варикапы применяют в системах автоматической настройки частоты
радиоприемной аппаратуры и в параметрических усилителях с малым
уровнем собственных шумов.

4.2.2 Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей.

Принцип работы. Пульсации выпрямленного напряжения и
сглаживающие фильтры

Устройство, предназначенное для преобразования переменного тока

в постоянный ток, называется выпрямителем.
Необходимость выпрямления тока на практике возникает: в электро-
приводе постоянного тока, системах возбуждения электрических машин,
химической промышленности, системах управления и регулирования, при
передаче электроэнергии постоянным током на дальние расстояния и т.д.
Однофазные выпрямители имеют мощность до нескольких сотен
ватт. Такие устройства нужны для питания постоянным током систем
электроники, управления и переработки информации.
Структурная схема системы преобразования энергии с однофазным
выпрямителем показана на рисунке 6.
Основой ее является выпрямитель на одном или нескольких диодах.
Функция трансформатора на входе - вспомогательная. Он нужен для полу-
чения требуемой величины выпрямленного напряжения.

Рисунок 6 – Структурная схема источника питания

Кривая выпрямленного напряжения помимо постоянной составляю-
щей, которая называется средним значением выпрямленного напряжения,
содержит и пульсирующую составляющую. Ее наличие обычно нежела-
тельно. Поэтому к выходу выпрямителя подключают сглаживающие
фильтры для снижения величины пульсаций.
Между сглаживающим фильтром и нагрузкой иногда включают стаби-
лизатор напряжения. Он обеспечивает поддержание с необходимой точно-
стью требуемой величины напряжения на нагрузке в условиях изменения на-
пряжения питающей сети и тока нагрузки. В данной лекции мы не рассматри-
ваем работу стабилизаторов напряжения.
 280

В настоящее время такие ИВЭП вытесняются импульсными преобра-

зовательными устройствами, работающими на частотах, составляющих де-
сятки и сотни килогерц. При этом удается значительно уменьшить разме-
ры и вес устройства.
Все выпрямители классифицируют следующим образом:
- по управлению выходным напряжением. Различают управляемые и
неуправляемые выпрямители. В неуправляемых выпрямителях в качестве
вентилей используют диоды. Выходное напряжение таких выпрямителей
регулировать невозможно. В управляемых выпрямителях сопротивление
нелинейного элемента зависит не только от полярности напряжения, но и
от управляющих сигналов. В качестве вентилей в таких выпрямителях ис-
пользуют тиристоры либо комбинации тиристоров и диодов;
- по форме напряжения на выходе различают однополупериодные и
двухполупериодные выпрямители. Однополупериодным называют выпря-
митель, выходное напряжение которого соответствует только одному по-
лупериоду входного. Выпрямитель, выходное напряжение которого соот-
ветствует положительному и отрицательному полупериодам входного на-
пряжения, называют двухполупериодным;
- по числу фаз входного напряжения. Напряжение на входе выпря-
мителя может быть однофазным, трехфазным или многофазным. Соответ-
ственно, различают однофазные, трехфазные и многофазные выпрямители.
Перечислим основные параметры выпрямителей.
1. Среднее значение выпрямленного напряжения
T
1
U cp = ∫ U вых dt , (4)
T 0
где U вых - выходное напряжение выпрямителя;
Т – период сетевого напряжения.
2. Среднее значение выходного тока
T
1
icp = ∫ iвых dt . (5)
T 0
где iвых - выходной ток выпрямителя.
3. Выходная мощность выпрямителя
P = U cp ⋅ I cp . (6)
4. Коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения
U
ε = m1 , (7)
U cp
где U m1 - амплитуда первой (основной) гармоники пульсаций.
 281

Из большого количества схемных решений выпрямителей рассмо-

трим лишь наиболее часто применяемые в источниках электропитания
(рисунок 7).
Тр1 VD1

CФ
Uср
~ Uвх

VD2

а б

VD1 VD2 VD3

А Тр1

В
Uср
С

VD4 VD5 VD6

в г
Рисунок 7 - Основные схемы выпрямителей: а – однополупериодный; б –
двухполупериодный; в – мостовой; г – мостовой трехфазный
Однополупериодная схема выпрямителя (рисунок 7,а) используется
обычно при выходной мощности до 10 Вт и в тех случаях, когда допуска-
ется сравнительно высокий коэффициент пульсаций. Достоинством схемы
является минимальное число диодов, недостатком — низкая частота пуль-
саций, равная частоте входного тока. При наличии трансформатора имеет
место недостаточное его использование и подмагничивание магнитопро-
вода постоянным током.
Двухполупериодная схема с выводом средней точки (рисунок 7,б)
используется обычно при выходной мощности до 500 Вт. Достоинством
схемы является возможность применения диодов с электрически со-
единенными катодами в виде диодных сборок, а также возможность уста-
новки диодов на общий радиатор. К недостаткам следует отнести услож-
нение конструкции трансформатора из-за вывода средней точки вторичной
обмотки трансформатора и повышенное обратное напряжение на диодах.
Мостовая однофазная схема (рисунок 7,в) используется в широком
диапазоне выходных мощностей (обычно более 300 Вт). Достоинством
схемы является повышенная частота пульсаций, низкое обратное напря-
жение на диодах, возможность работы без трансформатора. Недостатком
 282

схемы является повышенное падение напряжения на диодах и не-

обходимость применения изолирующих прокладок при установке диодов
на один радиатор.

а б
а – схема удвоения напряжения, б – схема учетверения напряжения
Рисунок 8 – Схемы умножителей напряжения

Рисунок 9 – Шестифазная однотактная схема выпрямления

Мостовая трехфазная схема (рисунок 7,г) обладает высоким коэффи-
циентом использования мощности трансформатора, малым значением об-
ратного напряжения на диоде, повышенной частотой пульсаций вы-
прямленного напряжения. Схема используется в широком диапазоне вы-
ходных мощностей и выпрямленных напряжений. Соединение вторичной
обмотки трансформатора звездой позволяет избежать появления уравни-
тельных токов при асимметрии фазных напряжений. Схема может приме-
няться без трансформатора.
В устройствах высокого напряжения применяются схемы выпрями-
телей (рисунок 7,а-г), а также схемы с диодно-конденсаторными умно-
жителями напряжения (рисунок 8). Трансформатор в такой схеме ис-
пользуется как промежуточное звено и выполняет функцию предвари-
тельного повышения напряжения. Массогабаритные характеристики вы-
соковольтных выпрямителей оказывают существенное влияние на ха-
рактеристики высоковольтных источников электропитания, так как кроме
преобразования напряжения выпрямитель должен обеспечить элек-
трическую изоляцию высоковольтных и низковольтных цепей. В за-
 283

висимости от значения выходного напряжения и выходной мощности

трансформаторно-выпрямительные модули занимают от 30 до 60 % массы
и объема высоковольтных источников электропитания.
Шестифазная однотактная схема (рисунок 9) применяется для по-
лучения низких напряжений (менее 10 В) при токах нагрузки до сотен ам-
пер. Первичная обмотка трансформатора должна быть соединена в тре-
угольник для исключения вынужденного намагничивания магнитопровода.
Пульсации выходного напряжения в этой схеме такие же, как в трехфазной
мостовой, но трансформатор должен быть рассчитан на более высокую га-
баритную мощность. Целесообразность применения схемы для низких на-
пряжений объясняется тем, что падение напряжения на диодах в каждом
такте работы в 2 раза меньше по сравнению с трехфазной мостовой схе-
мой.
Принципы работы выпрямителей, сглаживающие фильтры
Простейшим выпрямителем может служить обычный полупро-
водниковый диод, включаемый последовательно с нагрузкой в цепь пере-
менного тока (рисунок 7,а). В этом случае нелинейность вольтамперной
характеристики диода обусловливает протекание тока в цепи нагрузки
только в одном направлении. Выходное напряжение меньше входного на
величину падения напряжения на открытом диоде.
При воздействии напряжения положительной полярности («+» при-
ложен к аноду диода, как показано на рисунке 7,а) диод открывается, па-
дение напряжения на нем мало по сравнению с питающим напряжением, а
через нагрузку протекает ток, определяемый напряжением питания и со-
противлением нагрузки. При воздействии питающего напряжения обрат-
ной полярности диод закрывается, и ток в нагрузку не поступает.
Таким образом, напряжение на выходе рассматриваемого вы-
прямителя имеет вид однополярных импульсов, форма которых практиче-
ски повторяет форму положительной волны питающего напряжения пере-
менного тока.
Среднее значение выпрямленного напряжения
U 2 ⋅U 2
U cp = 2 m = ≈ 0, 45 ⋅ U 2 , (8)
π π
где U 2m - амплитуда напряжения вторичной обмотки трансформатора;
U 2 - действующее значение напряжения вторичной обмотки трансформа-
тора.
Максимальное обратное напряжение на диоде
U обр.max = 2 ⋅ U 2 = π ⋅ U cp . (9)
Максимальный ток диода
 284

2 ⋅U 2
I д max = = π ⋅ I cp . (10)
R
Подобные выпрямители получили название - однополупериодных.
Кривая выходного напряжения показана на рисунке 10.

Рисунок 10 – Кривая выходного напряжения однофазного

однополупериодного выпрямителя
Важным параметром выпрямителя является коэффициент пульсаций
выпрямленного напряжения. Для однополупериодного выпрямителя коэф-
фициент пульсаций ε = π 2 = 1,57 .
Их использование ограничено областью вспомогательных маломощ-
ных источников постоянного тока, так как они характеризуются плохим
использованием силового трансформатора и выходного сглаживающего
фильтра.
Схема на рисунке 7,б относится к двухполупериодным (двух-
тактным) выпрямительным схемам, в которых ток по цепи нагрузки проте-
кает в течение обоих полупериодов питающего напряжения переменного
тока. Выпрямители подобного типа получили в литературе название вы-
прямителей с выводом нулевой точки вторичной обмотки трансформатора.
Во вторичной обмотке трансформатора индуцируются напряжения
U 2′ и U 2′′ , имеющие противоположную полярность. Диоды проводят ток
поочередно, каждый в течение полупериода. В положительный полупери-
од открыт диод VD1, а в отрицательный – диод VD2. Ток в нагрузке имеет
одинаковое направление в оба полупериода, поэтому напряжение на на-
 285

грузке имеет форму, показанную на рисунке 11. Выходное напряжение

меньше входного на величину падения напряжения на диоде.

Рисунок 11 – Кривая выходного напряжения двухполупериодного

выпрямителя со средней точкой
В двухполупериодном выпрямителе постоянная составляющая тока
и напряжения увеличивается вдвое по сравнению с однополупериодной
схемой
2 2U 2′m 2 ⋅ U 2′
I ср = I 2 m ; U cp = = ≈ 0,9 ⋅ U 2 . (11)
π π π
Из последней формулы определим действующее значение напряже-
ния вторичной обмотки трансформатора
π
U 2′ = U cp ≈ 1,1 ⋅ U cp . (12)
2 2
Коэффициент пульсаций в данном случае значительно меньше, чем у
однополупериодного выпрямителя
2
ε = = 0,67 . (13)
3
Существенным недостатком схемы на рисунке 11 является то, что к
запертому диоду приложено обратное напряжение, равное удвоенной ам-
плитуде напряжения одного плеча вторичной обмотки трансформатора
U обр. max = 2 ⋅ U 2 m = 2 2 ⋅ U 2 . (14)
Поэтому необходимо выбирать диоды с большим обратным напря-
жением.
 286

Более рационально используются диоды в мостовом выпрямителе.

Мостовая схема двухполупериодного выпрямителя показана на рисунке
7,в.
При выпрямлении положительного полупериода переменного на-
пряжения ток проходит по следующей цепи: верхний вывод вторичной
обмотки – вентиль VD1 – верхний вывод нагрузки – нагрузка - нижний вы-
вод нагрузки - вентиль VD4 – нижний вывод вторичной обмотки – обмот-
ка.
При выпрямлении отрицательного полупериода переменного напря-
жения ток проходит по следующей цепи: нижний вывод вторичной обмот-
ки – вентиль VD2 – верхний вывод нагрузки - нагрузка – нижний вывод на-
грузки – вентиль VD3 – верхний вывод вторичной обмотки – обмотка.
Как видим, в обоих случаях направление тока через нагрузку одина-
ково.
По сравнению с выпрямителями, выполненными по схеме с общей
точкой (рисунок 7,б), выпрямители, выполненные по мостовой схеме, со-
держат вдвое большее количество выпрямительных диодов и ха-
рактеризуются большими потерями мощности в них, однако позволяют
использовать диоды с вдвое меньшим допустимым обратным напряжени-
ем. Кроме того, мостовая выпрямительная схема характеризуется лучшим
использованием трансформатора вследствие того, что ток в его вторичной
обмотке протекает в течение обоих рабочих полупериодов.
В выпрямителях, выполненных по схеме с выводом нулевой точки
вторичной обмотки трансформатора, ток нагрузки протекает поочередно
через две идентичные полуобмотки, каждая из которых при прочих равных
условиях содержит столько же витков, сколько их содержит вся вторичная
обмотка трансформатора в мостовой выпрямительной схеме.
Выпрямители, выполненные по мостовой схеме, принципиально мо-
гут подключаться к сети переменного тока и без трансформатора. Такое
включение используется в тех случаях, когда не требуется электрической
изоляции цепи нагрузки выпрямителя от питающей сети, а выходное на-
пряжение выпрямителя определяется только напряжением питания.
Схемами с умножением напряжения называются такие выпрямитель-
ные схемы, в которых выходное напряжение в 2 - 4 раза или более превы-
шает значение напряжения на вторичной обмотке высоковольтного транс-
форматора. В качестве дополнительных источников э.д.с., предназначен-
ных для увеличения выходного напряжения, в таких схемах используют
конденсаторы, периодически заряжаемые при помощи полупроводнико-
вых диодов.
На рисунке 8,а приведена схема однофазного выпрямителя с удвое-
нием напряжения, состоящая из двух однофазных выпрямительных схем с
диодами VD1 и VD2 и конденсаторами С1 и С2. Оба этих выпрямителя со-
 287

единены между собой последовательно, и их суммарное напряжение при-

кладывается к нагрузке. Напряжение на каждом из конденсаторов фильтра
С1 и С2 примерно равно напряжению на выходной обмотке трансформа-
тора Тр1, а напряжение на нагрузке вдвое превышает последнее за счет
суммирования напряжений на указанных конденсаторах.
В силовых выпрямителях большое распространения получили трех-
фазные схемы. Мостовые варианты этих схем носят название схем Ларио-
нова и характеризуются малыми пульсациями выходного напряжения, да-
же без применения сглаживающих фильтров.
Сглаживающие фильтры
Сглаживающие фильтры применяются для снижения переменной со-
ставляющей выпрямленного напряжения. Они включаются между вы-
прямителем и нагрузкой.
Наибольшее распространение получили RC и LC-фильтры с двумя
компонентами, включенными по Г-образной схеме (рисунок 12,а, б). По-
следовательный компонент (L или R) обладает большим сопротивлением
переменному току, а параллельный компонент (C) - малым сопротивлени-
ем переменному току. Недостатком резисторов в схемах сглаживающих
фильтров является большая потеря мощности постоянного тока.
Одним из основных показателей фильтра является коэффициент
сглаживания пульсаций. Он равен отношению коэффициента пульсаций
ε вх на входе фильтра к коэффициенту пульсаций ε вых .
Ha выходе фильтра имеем
ε вх
q= , (15)
ε вых
где ε вх = U m1 / U cp , ε вых = U m1ф / U ср ;
U m1 , U m1ф - амплитуды первой гармоники напряжения на входе фильтра и
выходе, соответственно.

а б
Рисунок 12 – Схемы сглаживающих фильтров: а - активно-
емкостный; б - индуктивно-емкостный
 288

Резонансная частота фильтра ω р определяется зависимостью

1
ωр = (16)
LС
и должна быть существенно меньше частоты первой гармоники пульсаций.
Отсюда следует, что частоты переменных составляющих входного напря-
жения фильтра должны быть существенно больше его резонансной часто-
ты.
Для LC-фильтра параметры выбираются так:
1
С >> , (17)
k ⋅ ω 1 ⋅ Rн
где k – номер гармоники;
ω 1 - основная частота пульсаций (частота первой гармоники пульсаций);
Rн – сопротивление нагрузки выпрямителя.
Индуктивность дросселя фильтра L выбирается исходя из требуемо-
го коэффициента сглаживания пульсаций на заданной гармонике qk
q +1
L≈ 2 k 2 . (18)
k ⋅ω 1 ⋅ С
Для RC-фильтра параметры выбирают таким образом, чтобы обеспе-
чить, с одной стороны, минимальные потери мощности, а с другой сторо-
ны, получить заданное значение коэффициента сглаживания пульсаций.
Поэтому необходимо обеспечить
qk
R << Rн и С ≥ . (19)
k ⋅ω 1 ⋅ R
Обычно RС-фильтр применяют в схемах с большим сопротивлением
Rн. При больших токах нагрузки, когда сопротивление Rн мало, применя-
ется LC-фильтр.
Контрольные вопросы
1. Полупроводниковый выпрямительный диод.
2. Классификация диодов.
3. Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей.
4. Принцип работы однофазного однополупериодного выпрямителя.
5. Принцип работы мостового однофазного двухполупериодного
выпрямителя.
6. Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильт-
ры.
 289

Лекция 4.3 Биполярные транзисторы

План лекции
1) Биполярный транзистор (БТ). Принцип работы. Классификация и
основные параметры БТ.
2) Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ. Свойст-
ва и области применения усилительных каскадов на биполярных транзисто-
рах.

4.3.1 Биполярный транзистор. Принцип работы. Классификация

и основные параметры БТ
4.3.1.1 Биполярный транзистор. Принцип работы
Биполярный транзистор (в дальнейшем – БТ), полупроводниковый
элемент с тремя электродами и двумя р-n переходами. Он служит для уси-
ления или переключения электрических сигналов.
Различают кремниевые и германиевые транзисторы. Они бывают р-
п-р и п-р-п типа. На рисунке 1 показаны их условные обозначения.
p-n-p n-p-n
К К
К К
Б Б Б Б
Э Э
Э Э
а б в
Рисунок 1 – Условные обозначения биполярного транзистора: а – БТ р-п-р
типа; б - БТ п-р-п типа; в – конструкция БТ п-р-п.
Биполярный транзистор состоит из двух противоположно включен-
ных р-n переводов, которые имеют общий р- или п- слой.
Электрод, соединенный с ним, называется базой (Б). Два других
электрода называются эмиттером (Э) и коллектором (К), соответственно.
Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обо-
значением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Эта
схема не характеризует полностью функции транзистора, она только дает
возможность представить действующие в нем обратные и прямые напря-
жения.
Обычно переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а пе-
реход база-коллектор - в обратном. Поэтому источники напряжения долж-
ны быть включены, как показано на рисунке 2.
Для работы транзистора абсолютно необходимо, чтобы в его конст-
рукции соблюдалось два правила:
 290

- концентрация основных носителей тока в базе должна быть во мно-

го раз ниже, чем в коллекторе и эмиттере, то есть база изготовляется из
слаболегированного полупроводника, обладающим большим сопротивле-
нием;
- толщина базового слоя должна быть весьма мала.

Рисунок 2 – Полярность включения р-п-р и п-р-п транзисторов

Первые БТ были изготовлены на основе германия. В настоящее вре-
мя их изготавливают в основном из кремния.
По конструкции БТ не симметричен, как показано на рисунке 1,в.
Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади кон-
такта коллектор-база. Поэтому биполярный транзистор общего вида явля-
ется несимметричным устройством (невозможно путем изменения поляр-
ности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в
результате абсолютно аналогичный исходному биполярный транзистор).
Выяснение принципа работы БТ проведем на основе п-р-п транзи-
стора. Для р-п-р транзистора рассуждения останутся в силе, изменяться
лишь полярности напряжений и направления токов.

Рисунок 3 – К принципу работы биполярного транзистора

 291

В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмит-

терный переход (база – эмиттер) открыт, а коллекторный переход (коллек-
тор - база) закрыт. Такой режим возникает при подаче положительного на-
пряжения на базу, относительно эмиттера. Величина этого напряжения
должна быть достаточна для открывания перехода (0,6 – 0,7 В для кремния
или 0,2 – 0,3 В для германия).
В n-p-n транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере,
проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область
базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями за-
ряда в базе (дырками), часть диффундирует обратно в эмиттер. Однако, из-
за того что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной,
большая часть электронов, поступающих из эмиттера, диффундирует в об-
ласть коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого кол-
лекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они — неос-
новные носители в базе, поэтому для них переход открыт), и проносит их в
коллектор. Ток коллектора Iк , таким образом, практически равен току
эмиттера Iэ , за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе,
которая и образует ток базы
Iэ Iб
Iэ = Iб + Iк , или разделив на Iк , получим = +1 . (1)
Iк Iк
Iк Iк
Введем обозначения: α = = 0,9 − 0,999 < 1 , β = .
Iэ Iб
Коэффициент α , связывающий ток эмиттера и ток коллектора назы-
вается коэффициентом передачи тока эмиттера. Чем больше коэффи-
циент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало
зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер.
Коэффициент β называется коэффициент усиления транзисто-
ра по току. Действительно, выражение (1) можно записать таким образом
1 1 α
= + 1 , или β = = (10...1000) . (2)
α β 1−α
Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора
пропорционален току базы. Таким образом, изменяя малый ток базы, мож-
но управлять значительно большим током коллектора. В этом и проявля-
ются усилительные свойства транзистора.
Для исследования свойств транзистора приложим входное напряже-
ние Uбэ и измерим выходной ток Iк как функцию выходного напряжения
Uкэ . После ступенчатого повышения входного напряжения получим се-
мейство выходных характеристик (рисунок 4).
Фундаментальным свойством транзистора является тот факт, что
коллекторный ток мало изменяется после достижения Uкэ определенного
 292

значения. Это значение напряжения, при котором выходная характеристи-

ка транзистора имеет изгиб Uкэ нас , называется напряжением насыщения.

Рисунок 4 - Выходные характеристики транзистора.

Другая особенность транзистора заключается в том, что малого из-
менения входного напряжения оказывается достаточно для того, чтобы вы-
звать относительно большое изменение коллекторного тока. Это видно из
передаточной характеристики, изображенной на рисунке 5, которая пред-
ставляет собой зависимость Iк = f (Uбэ) , при этом Uкэ варьируется как
параметр.
Передаточная характеристика транзистора с достаточной точно-
стью описывается экспоненциальной функцией:
Uбэ/U
Iк = Is (T ,Uкэ) ⋅ e T, (3)
где Is (T ,Uкэ) - обратный ток коллекторного перехода транзистора, зави-
сящий от температуры окружающей среды и напряжения Uкэ ;
К ⋅ Т 1,38 ⋅ 10−23 [Дж/К] ⋅ 296[К]
UT = = = 25,5 мВ - термический потенциал р-
е0 1,6 ⋅ 10−19 [Кулон]
n перехода.
Изменение коллекторного тока Iк в зависимости от Uбэ характери-
зуется крутизной транзистора S,
∂Iк
S= , при Uкэ = const . (4)
∂Uбэ
Эту величину можно рассчитать, используя выражение (3):
Is Uбэ/UT Iк
S= ⋅e = . (5)
UT UT
 293

Таким образом, крутизна пропорциональна коллекторному току и не

зависит от индивидуальных свойств транзистора. Поэтому для ее опреде-
ления не требуется измерений.
Iк, мА

15

10

∆Iк
5

∆Uбэ

0 0,5 1,0 Uбэ, В

Рисунок 5 - Передаточная характеристика транзистора

Зависимость коллекторного тока от напряжения коллектор-эмиттер
характеризуется дифференциальным выходным сопротивлением:
∂Uкэ
Rкэ = , при Uбэ = сonst . (6)
∂Iк
Из рисунка 4 видно, что с ростом коллекторного тока оно уменьша-
ется. С высокой точностью сопротивление Rкэ обратно пропорционально
Iк ,
Uγ
Rкэ = . (7)
Iк
Коэффициент пропорциональности Uγ называется напряжением Эр-
ли. Его можно определить, измерив Rкэ . Типовое значение Uγ находится
в пределах 80÷200 В для n-p-п транзисторов и 40÷150 В для p-n-р транзи-
сторов.
Для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной
с входным источником напряжения, вводят дифференциальное входное
сопротивление.
∂Uбэ
Rбэ = , при Uкэ = сonst . (8)
∂Iб
Его можно определить по входной характеристике транзистора, при-
веденной на рисунке 6.
 294

Эта характеристика, как и передаточная, описывается экспоненци-

альной функцией. Таким образом, коллекторный ток пропорционален ба-
зовому току.
Iб,
мкА
150

100

∆Iб
50

∆Uбэ

0 0,5 1,0 Uбэ, В

Рисунок 6 – Входная характеристика транзистора

Коэффициент пропорциональности, определенный на постоянном
токе, называют статическим коэффициентом усиления по току. Его
обозначают буквой β .
Коэффициент усиления по току несколько зависит от величины тока
коллектора и приводится в справочниках по транзисторам в виде графи-
ков. Типовая зависимость β = f (Iк ) )для маломощного транзистора пока-
зана на рисунке 7.

Рисунок 7 - Типовая зависимость β = f (Iк ) маломощного транзистора

 295

Зная крутизну - S и коэффициент усиления по току - β , можно рас-

считать входное сопротивление транзистора Rбэ :
∂Uбэ ∂Uбэ β β ⋅UT
Rбэ = = = = . (9)
∂Iб ∂ ( Iб / β ) S Iк
В справочных изданиях, обычно вместо величины β , приведено
значение h21Э - статического коэффициента передачи тока в режиме малого
сигнала, численно данные величины совпадают.
Величина h21Э зависит также от частоты входного сигнала, но для
относительно низких частот сигналов, которые используются в схемах
промышленной электроники (автоматики, телемеханики, измерительной
техники и т.д.), эту зависимость при анализе и расчете схем часто можно
не учитывать.
Из выражения (3), следует, что характеристики транзисторов доста-
точно сильно зависят от температуры. Наиболее важной для практики, яв-
ляется зависимость напряжения база-эмиттер от температуры, она подчи-
∆Uбэ
няется закону: = (2,2 ÷ 2,7) мВ/К и если не принимать специальных
∆Т
мер, термокомпенсации, то при повышении температуры на каждые 10°
ток коллектора увеличивается почти вдвое.
При разработке транзисторных схем следует помнить несколько ос-
новных правил, которые следуют из рассмотрения характеристик транзи-
сторов. Они заключаются в следующем:
1. Из передаточной характеристики транзистора следует, что при
комнатной температуре, напряжение на базе транзистора увеличивается на
60 мВ при увеличении тока коллектора в 10 раз.
2. Из входной характеристики следует, что собственное сопротивле-
ние эмиттера, которое выступает как последовательное во всех транзи-
сторных схемах равно: 25 / Iк [Ом], где ток Iк измеряется в миллиампе-
рах. Оно ограничивает усиление усилителя с общим эмиттером, приводит
к тому, что коэффициент усиления эмиттерного повторителя чуть меньше
единицы и не позволяет выходному сопротивлению эмиттерного повтори-
теля стать равным нулю.
3. Напряжение между базой и эмиттером зависит от температуры,
при фиксированном токе коллектора оно уменьшается в среднем на 2.2
мВ/°С.
4. Напряжение между коллектором и эмиттером хоть в слабой мере,
но зависит от напряжения между коллектором и эмиттером при постоян-
ном значении тока коллектора. Этот эффект приближенно описывается за-
висимостью: ∆Uбэ ≈ −0,001 ⋅ ∆Uкэ .
 296

4.3.1.2 Классификация и основные параметры БТ

Кроме параметров БТ указанных выше и определяемых по его стати-
ческим характеристикам, важными параметрами транзистора являются:
- граничная частота коэффициента передачи тока - f T , это часто-
та на которой коэффициент передачи по току транзистора становится рав-
ным 1.
- максимальная мощность, рассеиваемая коллекторным перехо-
дом при которой транзистор не перегревается выше допустимой температу-
ры;
- максимально допустимый ток это максимальный ток коллектора,
который прибор может выдержать, не выходя из строя.
Классификация биполярных транзисторов производится по мощности
и граничной частоте коэффициента передачи тока.
По мощности, рассеиваемой коллекторным переходом, транзисторы
бывают:
- малой мощности P < 0,3 Вт;
- средней мощности 0,3 Вт < P < 1,5 Вт;
- большой мощности P > 1,5 Вт.
По частотному диапазону транзисторы делятся на:
- низкочастотные < 3 МГц;
- среднечастотные 3 МГц < < 30 МГц;
- высокочастотные 30 МГц < < 300 МГц;
- сверхвысокочастотные > 300 МГц.
Для маркировки отечественных биполярных транзисторов использу-
ется буквенно-цифровая система условных обозначений согласно ОСТ
11.336.038-77. Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или
семи элементов.
Первый элемент – буква или цифра, указывающая исходный матери-
ал: Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия.
Второй элемент – буква, указывающая на тип транзистора: Т – би-
полярный, П – полевой.
Третий элемент – цифра, указывающая на частотные свойства и
мощность транзистора.
Таблица 1 – Структура третьей цифры в маркировке БТ
Мощность
Частота Малой Средней Большой
мощности мощности мощности
Низкочастотный 1 4 7
Среднечастотный 2 5 8
Высоко- и сверхвысокочастотный 3 6 9
 297

Четвертый, пятый, (шестой) элементы – цифры, указывающие по-

рядковый номер разработки.
Шестой (седьмой) элемент – буква, указывающая на разновидность
транзистора из данной группы.
Примеры обозначения транзисторов:
КТ315А – кремниевый БТ малой мощности высокочастотный, номер
разработки - 15, подгруппа параметров А;
2Т827Б – кремниевый БТ большой мощности среднечастотный номер
разработки - 27, подгруппа параметров Б;
ГТ108А – германиевый БТ малой мощности низкочастотный, номер
разработки – 8, подгруппа параметров А.

4.3.2 Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ.

Свойства и области применения усилительных каскадов на
биполярных транзисторах
Транзистор имеет три электрода, но электронные схемы на его осно-
ве, должны иметь два входных и два выходных контакта, т.е. являться че-
тырехполюсниками. Поэтому при включении транзистора в электрическую
цепь один из его электродов делается общим для входного и выходного
сигнала. Таким образом, могут быть три варианта включения транзистора:
с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).
Каждая схема имеет свои особенности и области применения, которые рас-
смотрены далее.
4.3.2.1 Схема с общим эмиттером (ОБ)
Схема каскада усиления на БТ с общей базой приведена на рисунке 8.
Iк

Rк
Iэ
Е

Uвх Uвых

Рисунок 8 – Схема каскада усиления с ОБ

Усилительные свойства схемы не велики:
∆Iк
коэффициент усиления по току Ki = = α < 1;
∆Iэ
 298

∆Uкб
коэффициент усиления по напряжению Ku = = 10 ÷ 100 ;
∆Uбэ
коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 10 ÷ 100 .
Входное сопротивление схемы можно приближенно определить:
1 Rбэ
Rвх ≈ = . (10)
S β
Входное сопротивление весьма мало так как входная цепь транзисто-
ра при этом представляет собой открытый эмиттерный переход и не превы-
шает для маломощных транзисторов 100 Ом, а для мощных еще ниже.
Выходное сопротивление схемы достаточно велико и примерно равно
Rвых ≈ Rк . (11)
Максимальная рабочая частота равна граничной частоте транзистора
fT .
Достоинства схемы с ОБ:
- хорошие температурные и частотные свойства;
- высокое допустимое напряжение.
Недостатки схемы с общей базой:
- малое усиление по току, так как α < 1;
- малое входное сопротивление;
- необходимы два разных источника напряжения для питания.
В силу специфических свойств данная схема применяется в основ-
ном для построения высокочастотных каскадов усиления, например, вход-
ных каскадов радиоприемной аппаратуры.
4.3.2.2 Схема с общим эмиттером (ОЭ)
Схема каскада усиления на БТ с общим эмиттером приведена на ри-
сунке 9.
Iк

Rк

Е
VT
Iб
Uвых
Uвх

Рисунок 9 – Схема каскада усиления с ОЭ

Схема имеет хорошие усилительные свойства:
 299

∆Iк
коэффициент усиления по току Ki = =β;
∆Iб
коэффициент усиления по напряжению
∆Uкэ Iк ⋅ Rк
Ku = =− = 10 ÷ 100 ;
∆Uбэ UТ
коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 100 ÷ 10 000 .
Таким образом, коэффициент усиления каскада по напряжению не за-
висит от параметров транзистора, а определяется величиной тока коллекто-
ра и сопротивлением коллекторной нагрузки.
Входное сопротивление схемы можно определить так:
β β ⋅ UT
Rвх = Rбэ = = . (12)
S Iк
Входное сопротивление схемы с ОЭ в β раз выше, чем схемы с ОБ.
Оно составляет от 100 Ом до 10 кОм.
Выходное сопротивление схемы достаточно велико и примерно равно
Rк ⋅ Rкэ
Rвых ≈ . (13)
Rк + Rкэ
Максимальная рабочая частота меньше, чем для схемы с ОБ в β раз и
равна f T β .
Данный усилительный каскад имеет хорошие усилительные свойства,
поэтому является основой для создания всевозможных усилительных схем.
Достоинства схемы с общим эмиттером:
- большой коэффициент усиления по току;
- большой коэффициент усиления по напряжению;
- наибольшее усиление мощности;
- можно обойтись одним источником питания;
- выходное переменное напряжение инвертируется относительно
входного.
Недостатки схемы с общим эмиттером:
- худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схе-
мой с общей базой
4.3.2.3 Схема с общим эмиттером (ОК)
Схема каскада усиления на БТ с общим коллектором приведена на
рисунке 10,а.
Рассмотрим работу данной схемы. Если приложить входное напряже-
ние Uвх > 0,6 В, то через открывшийся транзистор будет протекать эмит-
терный ток, который вызовет радение напряжение на резисторе Rэ. Выход-
ное напряжение возрастет на столько, чтобы напряжение Uбэ транзистора
достигло 0,6 В. Тогда выходное напряжение будет равно
 300

Uвых = Uвх − Uбэ ≈ Uвх − 0,6 В. (14)

Iк

Rг Iб VT

Uвх
Rэ Uвых

а б
Рисунок 10 – Схема каскада усиления с ОК: а – принципиальная схема;
б – кривые входного и выходного напряжений
Поскольку в процессе работы транзистора напряжение Uбэ изменяет-
ся мало, то выходное напряжение каскада будет повторять входное напря-
жение со сдвигом по уровню на 0,6 В, рисунок 10,б.
Поскольку коэффициент усиления по напряжению в схеме близок к 1,
то данный каскад часто называю эмиттерным повторителем.
Точно, коэффициент усиления по напряжению можно определить по
формуле
1 Rэ ⋅ Rкэ
Ku ≈ , где Rэк = . (15)
1 + 1 ( S ⋅ Rэк ) Rэ + Rкэ
Величина Rкэ определяется по формуле (7).
∆Iэ
Коэффициент усиления по току составляет Ki = ≈ β = 10 ÷ 100 .
∆Iб
Коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 10 ÷ 100 .
Входное сопротивление схемы можно определить так:
Rвх ≈ β ⋅ Rэ . (16)
Входное сопротивление схемы с ОК может быть весьма большим и
составлять от 100 кОм до 1 МОм.
Выходное сопротивление схемы мало и приближенно равно
 1 Rг 
Rвых ≈  +  Rэ , (17)
 S β 
где Rг - внутреннее сопротивление источника сигнала. При Rг ≈ 0 ,
Rвых ≈ 1 S .
Максимальная рабочая частота здесь такая же, как и для схемы с ОЭ и
равна f T β .
Достоинства схемы с общим коллектором:
 301

- большое входное сопротивление;

- малое выходное сопротивление.
Недостатки схемы с общим коллектором:
- коэффициент усиления по напряжению меньше 1.
Эмиттерный повторитель представляет собой преобразователь сопро-
тивления. Он передает практически всю величину ЭДС источника сигнала
на более низкоомный резистор нагрузки.
Данные схемы применяют как входные каскады усилителей, рабо-
тающие от маломощных источников сигналов с высоким внутренним со-
противлением. Эмиттерные повторители используют и как усилители мощ-
ности. Это выходные каскады, работающие на низкоомную нагрузку.

Контрольные вопросы
1. Биполярные транзисторы. Условные обозначения. Устройство и
принцип работы.
2. Классификация и основные параметры и характеристики биполяр-
ных транзисторов.
3. Схема включения транзистора с ОБ. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
4. Схема включения транзистора с ОЭ. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
5. Схема включения транзистора с ОК. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
 302

Лекция 4.4 Полевые транзисторы

План лекции
1) Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип работы.
2) Основные параметры и схемы включения.
3) Свойства и области применения усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах.

4.4.1 Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип

работы
Полевой транзистор (ПТ) - полупроводниковый прибор, в котором
ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электриче-
ского поля, создаваемого входным сигналом.
Идея ПТ с изолированным затво-
ром была предложена австро-
венгерским физиком Ю.Э. Лилиенфель-
дом в 1926—1928 года. Он запатентовал
принцип работы ПТ, который основан
на электростатическом эффекте поля.
Полевые транзисторы намного опереди-
ли биполярные, может быть из-за более
простого принципа их работы.
Патент на устройство, аналогич-
ное униполярному ПТ с изолированным
Рисунок 1 - Лилиенфельд Юлий
затвором, был получен английским учё-
Эдгар (1882 - 1963), изобрета-
ным Оскаром. Хейлом в 1939 году, за-
тель полевого транзистора
долго до появления биполярного тран-
зистора. В 1952 году У. Шокли дал теоретическое описание униполярного
полевого транзистора, который впоследствии получил название полевого
транзистора с управляющим p-n переходом.
В 1960 году М. Аталла и Д. Кант предложили использовать структу-
ру «металл – диэлектрик (окисел) – полупроводник» (МДП или МОП со-
кращенно). В ней проводимость поверхностного канала изменялась в по-
лупроводнике под действием напряжения, приложенного к металлическо-
му электроду, изолированному тонким слоем окисла полупроводника.
Основа полевого транзистора – это созданный в полупроводнике и
снабжённый двумя выводами канал с электропроводностью n - или p - ти-
па. Поскольку ток канала обусловлен носителями только одного знака, ПТ
относят к классу униполярных транзисторов.
Сопротивлением канала управляет третий электрод. Он помещается
посредине, рисунок 2.
 303

Электрод, от которого начинается движение носителей заряда, на-

зывают истоком, а электрод, на который подаётся управляющий электри-
ческий сигнал, называется затвором. Электрод, к которому движутся но-
сители заряда, называется стоком.
Проводящий канал - это область в полупроводнике, в которой регу-
лируется поток носителей заряда. В связи с тем, что управление током в
выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично элек-
тровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, парамет-
ры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от
характеристик биполярных транзисторов.
В идеальном случае эффект управления током достигается без поте-
ри энергии (входной ток почти равен нулю).

Рисунок 2 –Устройство ПТ с управляющим р-п переходом

Полевые транзисторы обладают следующими преимуществами
по сравнению с биполярными:
- высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой
частоте, отсюда и малые потери на управление;
- высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рас-
сасывания неосновных носителей);
- почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей,
малая проходная ёмкость, что обеспечивает хорошие высокочастотные
свойства ПТ;
- высокая температурная стабильность;
- малый уровень шумов.
В зависимости от того, как затвор изолируется от канала, различают
два типа полевых транзисторов:
- ПТ с управляющим p-n переходом и барьером Шоттки;
- ПТ с изолированным затвором и структурой металл - диэлектрик -
полупроводник (МДП - транзистор). Иногда его называют МОП - транзи-
стором (металл - окисел - полупроводник).
 304

В свою очередь ПТ с изолированным затвором подразделяются на:

- с индуцированным каналом (обогащённого типа);
- co встроенным каналом (обеднённого типа).
Транзисторы с управляющим p-n переходом
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это ПТ, затвор
которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от кана-
ла p-n переходом, смещённым в обратном направлении.
Электропроводность канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому
по электропроводности канала различают полевые транзисторы с n-каналом
и p-каналом. Все полярности напряжений смещения, подаваемых на элек-
троды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.
Управление током стока, то есть током от внешнего источника пита-
ния в цепи нагрузки, происходит при изменении обратного напряжения на
p-n переходе затвора.

а б
Рисунок 3 - Устройство и работа ПТ с управляющим p-n переходом
и каналом n-типа: а - Uзи = 0 и Uси > 0 ; б - Uзи < 0 и Uси > 0
При изменении напряжения Uзи изменяется ширина его р-п перехода.
Тем самым изменяется сечение токопроводящего канала и его проводи-
мость, то есть ток стока прибора, рисунок 3,б и 3,в. Например, для ПТ с ка-
налом n-типа подача отрицательного напряжения на затвор приводит к сни-
жению тока через прибор.
Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналоги-
чен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду ваку-
умного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Но при этом полевой транзи-
стор существенно отличается от вакуумного триода. Во-первых, для работы
полевого транзистора не требуется подогрева катода. Во-вторых, любую из
функций истока и стока может выполнять каждый из этих электродов. В-
третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с
p-каналом, что позволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисто-
ров в схемах.
 305

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-

первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление вы-
ходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе —
входным напряжением или электрическим полем.
Работа ПТ описывается двумя основными зависимостями:
- стоко-затворными (передаточными) характеристиками. Это зависи-
мость тока стока от напряжения между затвором и истоком Ic = f (Uзи ) при
Uси = const ;
- стоковыми (выходными) характеристиками. Это зависимость тока
стока от напряжения между стоком и истоком Ic = f (Ucи ) при Uзи = const ;
Условное Передаточная Выходная
обозначение характеристика характеристика

п-канал
С

р-канал
С

Рисунок 4 – Условные обозначения и характеристики ПТ с управляющим

р-п переходом
МДП-транзисторы
МДП-транзистор – это униполярный транзистор, имеющий один или
несколько металлических затворов, изолированных от полупроводниково-
го канала слоем диэлектрика.
В качестве диэлектрика используют окисел кремния SiO2. Отсюда
другое название этих транзисторов — МОП-транзисторы (структура ме-
талл — окисел — полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает вы-
сокое входное сопротивление рассматриваемых транзисторов (1012—1014
Ом).
Принцип действия МДП-транзисторов основан на эффекте измене-
ния проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с
диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Припо-
 306

верхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом

этих транзисторов.
МДП-транзисторы выполняют двух типов — со встроенным и с ин-
дуцированным каналом.
МДП-транзисторы представляют собой в общем случае четырех-
электродный прибор. Четвертым электродом (подложкой), выполняющим
вспомогательную функцию, является вывод от подложки исходной полу-
проводниковой пластины. МДП-транзисторы могут быть с каналом n- или
p-типа. Условные обозначения МДП-транзисторов показаны на рисунке 5.

а б в г д е
Рисунок 5 - Условные обозначения МДП-транзисторов: а - со встроенным
каналом n-типа; б - p-типа; в - p-типа c выводом от подложки;
г -с индуцированным каналом n-типа; д - p-типа; е - p-типа с выводом от
подложки
МДП-транзистор со встроенным каналом
Рассмотрим особенности МДП-транзисторов со встроенным кана-
лом. Конструкция такого транзистора с каналом n-типа показана на рисун-
ке 6.

Рисунок 6 – МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа

В исходной пластине кремния p-типа с помощью диффузионной тех-
нологии созданы области истока, стока и канала n-типа. Слой окисла SiO2
толщиной менее 0,1 мкм выполняет функции защиты поверхности, близ-
лежащей к истоку и стоку, а также изоляции затвора от канала. Вывод под-
ложки (если он имеется) иногда присоединяют к истоку.
 307

В случае приложения к затвору напряжения Uзи < 0 поле затвора

оказывает отталкивающее действие на электроны — носители заряда в ка-
нале. Это приводит к уменьшению их концентрации в канале и проводи-
мости канала. Ток через транзистор уменьшается. Такой режим работы
транзистора, при котором происходит уменьшение концентрации зарядов в
канале, называют режимом обеднения.
При подаче на затвор напряжения Uзи > 0 поле затвора притягивает
электроны в канал из p-слоя полупроводниковой пластины. Концентрация
носителей заряда в канале увеличивается, что соответствует режиму обо-
гащения канала носителями. Проводимость канала возрастает, ток Ic уве-
личивается.
Условное Передаточная Выходная
обозначение характеристика характеристика
Iс

+Uзи
0
Iс

+Uзи
0
Рисунок 7 – Характеристики МДП со встроенным каналом
МДП-транзистор с индуцированным каналом
В МДП -транзисторах с изолированным затвором и индуцированным
каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и сто-
ком практически отсутствует.
Транзисторы с индуцированным каналом работают в режиме обога-
щения. При подаче на затвор транзистора с индуцированным каналом не-
которого порогового напряжения Uзи.пор и более, совпадающего по знаку
с напряжением Uси , на поверхности полупроводника индуцируется заряд
противоположного знака, то есть тип проводимости приповерхностного
слоя полупроводника инвертируется и происходит формирование прово-
дящего канала, сопровождающегося ростом тока стока.
Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с инду-
цированным каналом n-типа близки по виду аналогичным характеристи-
 308

кам транзистора со встроенным каналом. Отличие заключается в том, что

управление током транзистора осуществляется напряжением одной поляр-
ности. Ток Iс равен нулю при Uзи=0, в то время как в транзисторе со
встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряже-
ния на затворе относительно истока.

Рисунок 8 – МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа

МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с p-n
переходом. Входное сопротивление у них составляет 1012—1014 Ом. Значе-
ние межэлектродных емкостей не превышает: для 2 - 10 пФ.
Условное Передаточная Выходная
обозначение характеристика характеристика
Iс Iс

+Uзи

+Uзи Uси
0 0
Iс Iс

-Uзи

-Uзи -Uси
0 0
Рисунок 9 – Характеристики МДП с индуцированным каналом
 309

МДП-транзисторы широко применяются в интегральном исполне-

нии. Микросхемы на МДП-транзисторах обладают хорошей технологич-
ностью, низкой стоимостью, способностью работы при более высоком на-
пряжении питания, чем микросхемы на биполярных транзисторах.

4.4.2 Основные параметры и схемы включения

На рисунке 10 представлена передаточная характеристика типового п-
канального ПТ с управляющим переходом. Качественно она подобна харак-
теристике биполярного транзистора.
Величина тока стока при
Uзи =0 называется – начальным то-
ком стока ( Iсн ). Напряжение, при
котором ток стока достигает мини-
мального значения (в справочниках
установлено 10 мкА), называется –
напряжением отсечки ( Uотс ).
При напряжениях Uзи > Uотс пе-
редаточная характеристика ПТ,
представленная на рисунке 10, опи-
сывается уравнением:
2
Рисунок 10 – Передаточная  Uзи 
Iс = Iсн ⋅  1 −  . (1)
характеристика ПТ с управляющим  Uотс 
переходом с каналом п-типа По передаточной характери-
стике ПТ можно определить крутиз-
ну полевого транзистора
∂Ic 2 ⋅ Iсн 2
S= = ⋅ (Uзи − Uотс ) = ⋅ Iсн ⋅ Iс . (2)
∂Uзи Uomc Uomc
Видно, что крутизна ПТ зависит от тока стока. Чем он больше, тем
больше и крутизна. Особый интерес представляет значение крутизны при
Iс = Iсн , которое обозначается в справочниках через Sн , которое из (2) рано
2 ⋅ Iсн
S= . (3)
Uomc
Типовые значения параметров маломощных полевых транзисторов
составляют: Iсн = 1... 50 мА; Uomc = 0,5... 10 В; Sн = 2... 20 мА/В.
Предельные параметры ПТ такие же, как и у биполярных транзисто-
ров. Дл МДП транзисторов следует обращать особое внимание на предель-
ное допустимое напряжение на затворе транзистора, лежащее в пределах 50
– 100 В. При повышении этого напряжения может произойти пробой оксид-
ной изоляции затвора. Особенно опасны статические разряды, которые мо-
гут привести к пробою транзистора даже при касании его рукой. Поэтому
 310

при обращении с ними, при пайке следует заземлять паяльник, транзистор и

самого монтажника.
Как и в случае с биполярными транзисторами возможны три схемы
включения ПТ: с общим истоком; с общим стоком и с общим затвором. По-
следняя схема на практике не применяется, так как в ней не используется
основное достоинство ПТ – высокоомность входной цепи транзистора.
4.4.2.1 Схема с общим истоком (ОИ)
Принципиальная схема однокаскадного усилителя на ПТ с общим
истоком изображена на рисунке 11. В ней использован п-канальный ПТ с
управляющим переходом. Для задания рабочей точки здесь использована
отрицательная обратная связь по току через резистор Rи.

Rс

VT

Uп

Uвх Rз Rи Uвых

Рисунок 11 – Схема с общим истоком

Для расчета параметров каскада следует выбрать тип ПТ и задать ве-
личину тока стока в рабочем режиме Ica. При этом должно соблюдаться
условие: Ica < Icн.
Требуемое для задания рабочей точки напряжение на затвор ПТ
удобно определять по выражению:
 Ica 
Uзиа = Uотс ⋅  1 − . (4)
 Icн 
Из данного соотношения следует, что сопротивление в цепи истока
будет равно
Uзиа Uотс
Rи = = . (5)
Iса
(
Ica ⋅ 1 − Ica
)Icн
Значение потенциала стока Uca при отсутствии сигнала выбирается
таким, чтобы напряжение Uзи не заходила в область нелинейной началь-
ной части передаточной характеристики ПТ. Для этого потенциал стока
должен удовлетворять соотношению
 311

Uса > Uomc + ∆Uвх. max , (6)

где ∆Uвх. max - амплитуда входного напряжения.
Задав напряжение питания каскада Uп, найдем сопротивление Rc
Uп − Uca
Rc = . (7)
Ica
Крутизна ПТ в рабочей точке определится по соотношению (2).
Коэффициент усиления каскада составит
Ku = − S ⋅ Rc . (8)
Входное и выходное сопротивления каскада будут равны:
Rвх = Rз и Rвых = Rc . (9)
Выбор значения Rз в значительной мере может быть произвольным,
при этом надо помнить, что оно определяет входное сопротивление схемы
и на практике лежит в пределах 1… 10 Мом.
4.4.2.2 Схема с общим стоком (ОС)
Схема с общим стоком, которая часто называется истоковым повто-
рителем, обладает значительно большим входным сопротивлением, чем
предыдущая. В большинстве случаев это не имеет особого значения, по-
скольку оно достаточно велико и для схем с общим истоком. Преимущест-
вом схемы с ОС является то, что она существенно уменьшает входную ем-
кость каскада. В отличие от эмиттерного повторителя выходное сопротив-
ление данной схемы не зависит от выходного сопротивления источника
сигнала. Вид ее показан на рисунке 12.

Рисунок 12 – Схема с общим стоком

Рабочая точка устанавливается в ней аналогично предыдущей схеме,
путем выбора значения тока стока покоя Ica и расчета значения Rи.
Коэффициент усиления (точнее - коэффициент передачи) ее равен:
Us 2 ⋅ Uи Icн
Ku = , где Us = ⋅ . (10)
Us + 1 Uотс Ica
Обычно Кu не более 0.7.. .0.9.
 312

Входное сопротивление такой схемы полностью определяется вели-

чиной резистора Rз и лишь на высоких частотах входного сигнала следует
учитывать наличие входной емкости ПТ, которая составляет несколько пи-
кофарад.
Выходное сопротивление истокового повторителя равно:
1
Rвых ≈ . (11)
S
Величина S должна быть определена для тока стока в режиме покоя
каскада.
Поскольку крутизна ПТ значительно меньше крутизны биполярных
транзисторов, в каскадах с ОС не удается достигнуть таких низких значе-
ний выходного сопротивления как в эмиттерных повторителях. Поэтому,
часто полевые транзисторы включают вместе с биполярным по схеме Дар-
лингтона, см. рисунок 13. В ней результирующая крутизна Sрез составля-
ет:
Sрез ≈ S ⋅ β , (12)
где S - крутизна ПТ;
β - коэффициент усиления биполярного тран-
зистора по току.
Такой каскад имеет много преимуществ
по сравнению с простым ПТ, но недостаток его
Рисунок 13 – Схема в том, что он имеет непредсказуемое смещение,
Дарлингтона на ПТ и БТ из-за разброса характеристик ПТ.

4.4.3 Свойства и области применения усилительных каскадов

на полевых транзисторах
Кроме обычного усиления различных сигналов на ПТ строят ряд спе-
цифических схем, где используются свойства присущие только данным
элементам. Рассмотрим несколько примеров таких схем.
Повторитель на паре согласованных ПТ
В более качественных схемах истоковых повторителях применяют со-
гласованные пары полевых транзисторов с нулевым смещением, рисунок
14,a.
На нем, VТ1 и VТ2 - это согласованная пара ПТ на отдельном крем-
ниевом кристалле. Транзистор VТ2 отбирает ток, в точности равный току
VТ1 при Uзи=0, поэтому на VТ1 получается повторитель с нулевым смеще-
нием. Так как оба транзистора находятся в одинаковых температурных ус-
ловиях, смещение остается почти нулевым при любой температуре. Не-
большой величины резисторы R1 и R2 , улучшают характеристики схемы,
линейность и позволяют установить ток стока отличный от начального. Та-
 313

кие повторители широко применяются в измерительной и медицинской ап-

паратуре, например в качестве входных каскадов усилителей вертикального
отклонения осциллографа.
+Uп
VT1
+Uп
Uвх
R1 Iн

VT
VT2 Uвых

Rи
R2

-Uп _
а б в
Рисунок 14 – Схемы на ПТ: а – повторитель на согласованных ПТ;
б – генератор тока на ПТ; в – стабилизатор тока на ПТ
Источник тока на ПТ
Схема, представленная на рисунке 14,б, является генератором тока.
Известно, что в n-канальном ПТ с управляющим затвором ток стока
течет и тогда, когда вспомогательной напряжение Uзи равно нулю. Это по-
зволяет выполнить источник тока в виде двухполюсника. Благодаря этому
схема может включаться вместо любого омического сопротивления. Такая
схема позволяет стабилизировать ток в заданной ветви.
Для определения величины резистора обратной связи Rи можно вос-
пользоваться формулой вытекающей из передаточной характеристики тран-
зистора:

Rи =
(
Uзи + Uomc ⋅ 1 − Ica Icн) , (13)
Ica
где: Uзи - напряжение подаваемое на затвор ПТ с резистивного делителя
(для схемы на рисунке 14,в - Uзи = 0);
Iса - требуемое значение выходного тока источника.
Внутреннее сопротивление такого источника тока составляет величи-
ну порядка сотен кОм. Данная схема позволяет получать токи величиной от
десятков мА до единиц мкА. Последняя особенность, особенно ценна для
измерительной техники, так как создание на биполярных транзисторах ис-
точников малых токов весьма затруднено из-за большой температурной не-
стабильности теплового тока коллектора в данном режиме.
 314

Полевой транзистор в качестве управляемого сопротивления

Из рассмотрения характеристик полевого транзистора следует, что
вольтамперная характеристика ПТ при малых величинах напряжения сток-
исток почти такая же, как у омического сопротивления. Величину сопро-
тивления канала ПТ можно менять в широких пределах путем изменения
напряжения затвор-исток Uзи.
Для того, чтобы можно было отчетливее наблюдать этот эффект, на
рисунке 15,а представлено семейство выходных характеристик ПТ вблизи
нулевой точки. Для определения величины эквивалентного сопротивления
канала Rcи пользуются выражением:
1
Rси ≈ . (14)
S
Минимальное значение сопротивление канала будет при Uзи=0,
1
Rси мин ≈ . (15)
Sн
Для маломощного ПТ эта величина колеблется от 50 до 500 Ом.
Специальные ПТ предназначенные для работы в качестве управляе-
мых сопротивлений и в аналоговых коммутаторах имеют сопротивление
канала около 10 Ом.

а б
Рисунок 15 - Выходные характеристики ПТ: а – без линеаризации;
б – для линеаризованного ПТ
Схема регулятора напряжения на ПТ показана на рисунке 18,а. Он по-
зволяет передавать цифровые сигналы величиной в несколько вольт, анало-
говые сигналы могут иметь величину до десятых долей вольта. При боль-
ших амплитудах возникают существенные искажения. При больших напря-
жениях между стоком и истоком характеристики ПТ становятся нелиней-
ными, как. это видно из рисунка 15,а.
 315

R1

VT
Uвх Uвых

Uзи

а б
Рисунок 16 – Делители напряжения на ПТ: а – простая схема делителя
напряжения; б – линеаризованная схема делителя напряжения
При передаче через такие устройства аналоговых сигналов необходи-
мо линеаризовать их характеристики. Такая схема приведена на рисунке
16,б. Для этого часть напряжения сток-исток добавляется к напряжению за-
твор-исток с помощью резисторов R1 и R2 и компенсирует нелинейность.
Оптимальная линеаризация характеристик достигается при выборе
R1 ≈ R 2 ≫ Rси .
Линеаризованное семейство характеристик ПТ приведено на рисунке
15,б. Отклонение от линейной зависимости при значении Uзи < 1 В состав-
ляет для них не более 1%.

Контрольные вопросы
1. Полевые транзисторы и их разновидности.
2. Принцип работы полевого транзистора с управляющим р-п пере-
ходом.
3. Принцип работы полевого транзистора с изолированным затвором.
4. Основные характеристики полевых транзисторов (понятия началь-
ного тока стока, крутизны).
5. Схемы включения полевых транзисторов (с ОИ, ОС и ОЗ).
6. Свойства и области применения усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах.
7. Источник тока на полевом транзисторе.
8. Применение полевого транзистора в качестве управляемого сопро-
тивления.
 316

Лекция 4.5 Электронные усилители. Обратные связи в

усилителях
План лекции
1) Основные характеристики и параметры усилителей. Многокаскад-
ные усилители.
2) Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной свя-
зи и ее влияние на характеристики усилителя.
3) Использования положительной обратной связи для создания авто-
генераторов и их разновидности.

4.5.1 Многокаскадные усилители. Виды связей между

каскадами
Усилители – это электронные устройства, предназначенные для по-
вышения (усиления) мощности входного сигнала за счет энергии источни-
ка питания.
С точки зрения электрических свойств любой усилитель можно рас-
сматривать как четырехполюсник. На два входных зажима поступает вход-
ной сигнал, а с двух выходных зажимов снимается выходной сигнал.

Рисунок 1 – Общая структура усилителя

На рисунке 1: Eг и Rг - ЭДС и внутреннее сопротивление источни-
ка сигнала, соответственно; Zн - полное сопротивление нагрузки. Эквива-
лентная электрическая схема усилителя показана на рисунке 2.
Любой усилитель со стороны входа может быть представлен некото-
рым входным сопротивлением Rвх .
Со стороны выхода усилитель может быть представлен в виде
управляемого источника напряжения Ku ⋅ Uвх (либо управляемого источ-
ника тока ) и некоторым выходным сопротивлением Rвых .
Как правило, в усилителях вход и выход связаны общей шиной (за-
земление корпуса).
 317

Рисунок 2 – эквивалентная схема усилителя

Иногда используются усилители, не имеющие гальванической связи
между входом и выходом – изолирующие УЭ.
Основные характеристики и параметры усилителей
Основные параметры – коэффициенты усиления.
По напряжению
∆Uвых dUвых U ~ вых
Ku = ≈ = ~ , (1)
∆Uвх dUвх U вх
где ∆Uвых и ∆Uвх - изменение выходного напряжения усилителя и вы-
звавшее его изменение входного напряжения, соответственно;
U ~ вых и U ~ вх - действующие значения входного и выходного переменно-
го напряжения соответственно.
По току
I ~ вых
Ki = ~ , (2)
I вх
где I ~ вых и I ~ вх - действующие значения выходного и входного перемен-
ного тока, соответственно.
По мощности
Pвых
Kp = , (3)
Pвх
где Pвых и Pвх - выходная и входная мощность, соответственно.
Другими важными параметрами усилителя являются его входное
Rвх и выходное Rвых сопротивления.
Входное сопротивление усилителя по переменному току равно
U ~ вх
Rвх = ~ . (4)
I вх
Выходное сопротивление усилителя определяется так
U ХХ вых
Rвых = КЗ , (5)
I вых
 318

где U ХХ вых - выходное напряжение усилителя в режиме холостого хода

(при отсутствии нагрузки Zн );
I КЗ вых - выходной ток усилителя в режиме короткого замыкания (при
Zн = 0 ).
Поскольку усилители содержат реактивные элементы и усилитель-
ные свойства транзисторов зависят от частоты, то, следовательно, и коэф-
фициент усиления зависит от частоты входного сигнала.
Зависимость коэффициента усиления от частоты называется ампли-
тудно-частотной характеристикой усилителя (АЧХ). Она показана на
рисунке 3.

Рисунок 3 – АЧХ электронного усилителя

У идеального усилителя коэффициент усиления Ku не зависит от
частоты, но у реального усилителя это не так.
Область частот входного сигнала в пределах, которых коэффициент
усиления Ku = const = Ko - называется областью средних частот. Это рабо-
чая полоса частот усилителя.
Со стороны низких частот она ограничена ωн - нижней частотой
полосы пропускания. Со стороны верхних частот она ограничивается ωв -
верхней частотой полосы пропускания.
Границами полосы пропускания усилителя служат частоты, на кото-
рых коэффициент усиления падает в 2 раз.
Ko
K (ωн) = K (ωв ) = = 0,707 ⋅ Ko . (6)
2
Таким образом, полоса пропускания усилителя равна ∆ω = ωв − ωн .
В зависимости от вида АЧХ усилители делятся на:
- узкополосные усилители, если ∆ω ≪ ωо , где ωо - центральная час-
тота усиления;
 319

- широкополосный усилитель, если ∆ω ≫ ωо - широкополосный

усилитель;
- полосовой усилитель, если ∆ω ≈ ωо .
По частоте усиливаемых сигналов усилители делятся на следующие
типы:
- УПТ – усилители постоянного тока (0 – и выше);
- УНЧ – усилители низких частот (10 – 40 кГц);
- УПЧ – усилители промежуточных частот (≤1 МГц);
- УВЧ – усилители высоких частот (1 - 100 МГц);
- СВЧ – сверхвысокочастотные усилители (<1 ГГц);
- ОВЧ – особо высокочастотные усилители (>1 ГГц до 20 ГГц).
Важной характеристикой усилителя является амплитудная характе-
ристика. Это зависимость выходного напряжения усилителя от входного
Uвых = f (Uвх ) при ω = const . Она показана на рисунке 4.

Рисунок 4 – Амплитудная характеристика усилителя

Рассмотрим подробнее амплитудную характеристику.
На графике:
1 – область внутренних шумов усилителя. Даже при отсутствии
входного сигнала на выходе присутствует хаотический шумовой сигнал.
Шумы обусловлены температурными шумами элементов (тепловой шум),
дискретной природой электричества (квантовый), избыточными шумами
транзисторов. Внутренние шумы ограничивают возможность усиления
слабых сигналов снизу. Для уменьшения тепловых шумов активные эле-
менты иногда охлаждают (жидким гелием, азотом).
2 – область линейного усиления. Здесь Uвых = Ku ⋅ Uвх . Это рабочая
часть характеристики.
3 – область ограничения выходного сигнала значением Uвых.max
(нелинейных искажений выходного сигнала). Ограничение обусловлено
 320

либо мощностью источника питания, либо нелинейностью ВАХ активного

элемента.
Динамический диапазон усилителя, то есть, возможность усилителя
усиливать как слабые, так и сильные сигналы определяется таким образом
Uвых. max
D= . (7)
Uвых.ш
Важным параметром усилителя является уровень нелинейных иска-
жений, который измеряется величиной коэффициента нелинейных иска-
жений.
Нелинейные искажения - это искажения формы входного сигнала,
вызванные изменением спектрального состава сигнала в процессе усиле-
ния (появление дополнительных гармоник, отсутствующих на входе).
Коэффициент нелинейных искажений определяется по выражению
∞ 2

∑ (U
i =2
i
ВЫХ
)
Kни = 2
, (8)
(U1ВЫХ )
где U iВЫХ - i-я гармоника выходного напряжения;
U1ВЫХ - первая гармоника выходного напряжения.
Нелинейные искажения в усилителе уменьшаются выбором рабочего
режима с наибольшим линейным усилением, использованием высококаче-
ственных элементов, использованием обратных связей.
Многокаскадные усилители
При усилении малых входных сигналов может оказаться, что коэф-
фициент усиления одного каскада недостаточен для получения требуемой
амплитуды сигнала на нагрузке.
С целью увеличения коэффициента усиления применяют последова-
тельное включение усилительных каскадов. При этом входное сопротив-
ление последующего каскада является нагрузкой для предыдущего.

Рисунок 5 - Структурная схема многокаскадного усилителя

Коэффициент усиления многокаскадного усилителя равен произве-
дению коэффициентов усиления каскадов.
 321

Uвых Uвых1 Uвых 2 UвыхN

Ku = = ⋅ ... = Ku1 ⋅ Ku 2... KuN . (9)
Uвх Uвх1 Uвх 2 UвхN
Связь каскадов в многокаскадном усилителе может осуществляться с
помощью разделительного конденсатора, трансформатора или непосредст-
венно. В соответствии с этим различают усилители с конденсаторной,
трансформаторной или с непосредственной связью.
Многокаскадный усилитель с конденсаторной связью приведен на
рисунке 6,а. Общий вид такого усилителя показан на рисунке 6,б.

б
Рисунок 6 - Многокаскадный усилитель с конденсаторной связью:
а - принципиальная схема; б – общий вид двухканального усилителя с
конденсаторной связью
Разделительный конденсатор Cp для предшествующего каскада вы-
полняет функцию выходного конденсатора, а для последующего – входно-
го конденсатора. Для исключения частотных искажений усиленного сиг-
нала и снижения коэффициента усиления многокаскадного усилителя ем-
кость разделительного конденсатора выбирают такой, что бы на низшей
усиливаемой частоте модуль емкостного сопротивления разделительного
 322

конденсатора Xcp( n−1) предыдущего каскада был много меньше входного

сопротивления последующего каскада Rвхn .
Достоинства усилителя с конденсаторной связью; стабильность ха-
рактеристик; отсутствие температурного и временного дрейфа.
Недостатками являются: плохое согласование между каскадами,
приводящее к увеличению числа каскадов для получения заданного коэф-
фициента усиления; повышенные шумы; невозможность его полного ис-
полнения в виде интегральной микросхемы (из-за наличия межкаскадных
конденсаторов, которые выполняются навесными).
На рисунке 7, а представлен многокаскадный усилитель с трансфор-
маторной связью. На рисунках 7,б и 7,в показан общий вид усилителя
мощности, выполненного по данному принципу.

б в
Рисунок 7 - Многокаскадный усилитель с трансформаторной связью:
а – принципиальная схема; б – усилитель мощности низкой частоты с
выходным трансформатором; в – усилитель мощности высокой частоты
с трансформаторной связью
 323

С помощью трансформатора на вход последующего каскада переда-

ются переменные составляющие тока и напряжения.
Достоинства такого усилительного каскада – это возможность мас-
штабирования тока и напряжения, которые поступают на вход последую-
щего каскада. Как правило, для последующего каскада уменьшается ам-
плитуда напряжения, но возрастает амплитуда тока, так как биполярные
транзисторы управляются током.
Но у данного усилительного каскада есть и свои недостатки: слож-
ность изготовления и сложность микроминиатюризации.
Последний вид соединения каскадов – непосредственное соединение
(рисунок 8). Это так называемые усилители постоянного тока (УПТ).

б в г
Рисунок 8 – Усилитель постоянного тока (с непосредственной связью) и
примеры УПТ в интегральном исполнении : а – принципиальная схема;
б – К140УД7А; в – К140УД20А; г – КР544УД2
В усилителях с непосредственным соединением каскадов обеспечи-
вается возможность усиления сигналов низких частот вплоть до постоян-
 324

ного тока, поскольку отсутствуют разделительные конденсаторы. В таких

усилителях появляется сложность в стабилизации положения рабочей точ-
ки в последующих каскадах, поскольку уход рабочей точки предыдущим
каскадом в режиме покоя влияет на положение точки последующего кас-
када.
Современные УПТ изготавливаются полностью в интегральном ис-
полнении, примеры приведены на рисунках 8,б, 8,в и 8,г.

4.5.2 Обратная связь в усилителях. Классификация видов

обратной связи и ее влияние на характеристики усилителя
Обратная связь - это мощное схемотехническое средство, позволяю-
щее изменять свойства усилителей в широком диапазоне в сторону необ-
ходимых параметров.
На практике ни один усилитель не используется без обратной связи
(ОС).
Обратной связью называют передачу части энергии из выходной
цепи во входную цепь усилителя.
Принцип введения отрицательной обратной связи иллюстрируется на
рисунке 9.

Рисунок 9 - Принцип организации отрицательной обратной связи

На рисунке 9 выходное напряжение Uвых поступает на вход цепи
обратной связи (ЦОС) с коэффициентом передачи 0 < β < 1 . Сформиро-
ванное на выходе ЦОС напряжение обратной связи величиной β ⋅ Uвых
проступает на вход усилителя, где складывается (+) или вычитается (-) из
входного напряжения Uвх .
Если, напряжение обратной связи вычитается из входного напряже-
ния, обратная связь называется отрицательной.
Если, напряжение обратной связи складывается с входным напряже-
нием, обратная связь называется положительной.
Если электрический сигнал после звена ЦОС пропорционален вы-
ходному напряжению, то в усилителе используется обратная связь по на-
 325

пряжению; если сигнал на выходе звена ЦОС пропорционален току в вы-

ходной цепи, то используется ОС по току. Возможна и комбинированная
ОС.
В усилителях в основном используется отрицательная обратная связь
(ООС), введение которой позволяет улучшить почти все характеристики
усилителей.
Различают ОС по принципу действия и способу подачи сигнала во
входную цепь усилителя.
По способу введения сигнала ОС во входную цепь усилителя разли-
чают последовательную и параллельную обратные связи. В первом случае
напряжение с выхода звена ОС включается последовательно с напряжени-
ем источника входного сигнала (рисунок 10,а), а во втором - параллельно
(рисунок 10,б).

а б

в г
Рисунок 10 – Виды обратной связи: а – последовательная;
б - параллельная; в – по напряжению; г – по току
Резисторы R1 и Roc на рисунке 10,б позволяют просуммиро-
вать токи от источника и цепи обратной связи. Непосредственное парал-
лельное соединение входного источника и выхода ЦОС невозможно, так
как равносильно подключению двух источников ЭДС параллельно.
 326

По принципу действия различают обратную связь по напряжению,

по току и комбинированную.
Шунтирующий резистор Rш на рисунке 10,г играет роль датчика то-
ка. Его сопротивление выбирают достаточно малым для того, чтобы обес-
печить падение напряжения на нем в десятки - сотни мВ, поэтому резистор
Rш не оказывает существенного влияния на ток в выходном контуре. На-
пряжение на шунтирующем резисторе Uш = Rш ⋅ Iн поступает на вход
ЦОС, что обеспечивает обратную связь по току нагрузки.
Влияние обратной связи на характеристики усилителя
В усилителях, в основном, используется отрицательная обратная
связь (ООС), введение которой позволяет улучшить почти все характери-
стики усилителей. На рисунке 11 показан усилитель, охваченный последо-
вательной обратной связью по напряжению. Оценим свойства такого уси-
лителя.

Рисунок 11 - Усилитель с ОС
Определим коэффициент усиления усилителя охваченного ОС.
Напряжение Uвх1 определяется с помощью 2-го закона Кирхгофа по
формуле:
Uвх1 = Uвх ± Uoc . (11)
В выражении (1) знак «плюс» берется для положительной обратной
связи, знак «минус» для отрицательной обратной связи.
Разделим выражение (1) на Uвых и введем следующие обозначения:
Uвых
Ku = - коэффициент усиления усилителя без обратной связи;
Uвх1
Uвых
Kос = - коэффициент усиления усилителя с БОС;
Uвх
Uос
β= - коэффициент передачи БОС.
Uвых
 327

В результате получим следующее выражение:

1 1 Ku
= ± β или Koc = . (12)
Ku Koc 1 ± β ⋅ Ku
В формуле (12) знак «плюс» для отрицательной обратной связи, знак
«минус» - для положительной обратной связи.
Выражение показывает, что введение ООС приводит к уменьшению
результирующего коэффициента усиления. Практически это единственное
негативное свойство ООС.
Приняв допущение, что коэффициент усиления Ku стремится к бес-
конечно большой величине, исходя из формулы (12) получим следующее
выражение:
1
Koc = . (13)
β
Если β меньше единицы, то коэффициент усиления будет Koc > 1 .
При таком коэффициенте передачи ЦОС может быть реализован на пас-
сивных элементах, например, резисторах.
Поскольку ЦОС может быть реализован на пассивных элементах, его
коэффициент передачи может быть стабилен, и не зависим от температу-
ры, времени и прочих дестабилизирующих факторах.
Кроме того, ООС расширяет полосу пропускания и линейный уча-
сток амплитудной характеристики, что приводит к уменьшению искаже-
ний как линейных, так и нелинейных.
Можно показать, что при ООС параметры усилителя будут следую-
щими:
- входное сопротивление RвхОС = Rвх ⋅ (1 + β ⋅ Ku ) при последова-
Rвх
тельной ООС, RвхОС = при параллельной ООС;
1 + β ⋅ Ku
Rвых
- выходное сопротивление RвыхОС = при ООС по напряже-
1 + β ⋅ Ku
нию, RвыхОС = Rвых ⋅ (1 + β ⋅ Ku ) при ООС по току;
ωн
- нижняя граница полосы пропускания ωнОС = ;
1 + β ⋅ Ku
- верхняя граница полосы пропускания ωвОС = ωв ⋅ (1 + β ⋅ Ku ) ;
Kни
- нелинейные искажения KниОС = .
1 + β ⋅ Ku
 328

4.5.3 Использования положительной обратной связи для

создания автогенераторов и их разновидности
При построении любых генераторов сигналов необходима положи-
тельная обратная связь. Любой усилитель, при охвате его ПОС определен-
ной величины превращается в генератор незатухающих колебаний.
Условием генерации будет являться соотношение
β ⋅ Ku = 1 . (14)
На частоте генерации потери в цепи ОС должны восполняться уси-
лителем. Кроме того, на частоте генерации сдвиг фаз по цепи усилитель-
цепь ОС должен быть нулевым или сигнал ОС должен приходить в фазе с
входным сигналом, а это и есть условие ПОС.
Если условие (14) выполняется для некоторого спектра частот, то на
выходе генератора формируются сигнал по форме близкий к меандру. По-
скольку такой сигнал состоит из множества синусоидальных гармоник, та-
кие генераторы называют – мультивибраторы. Это генераторы многих
(мульти) гармоник.
Для генерирования сигнала одной частоты условие генерации долж-
но выполняться только для этой определенной частоты.
То есть, для того, чтобы генерация происходила на одной частоте,
нужно, чтобы сам усилитель или ЦОС обладали частотно-избирательными
свойствами. Чаще всего используется пассивная частотно-избирательная
цепь, а усилитель обычный или частотно-независимый. В качестве частот-
но-избирательных цепей используются LC – цепи, либо RC – цепи.
В высокочастотных генераторах обычно применяют параллельные и
ли последовательные колебательные контура. Как известно LC контур об-
ладает ярко выраженными частотно избирательными свойствами.
Полоса пропускания - ∆f = fo Q , где fo = 1 L ⋅ C , а Q – доброт-
ность контура,
Высокочастотный контур имеет узкую полосу пропускания и ис-
пользуется в фильтрах, а также для организации частотно избирательной
ОС в генераторе.
Генераторы с LC контуром, как правило, используются на частотах
более 100 кГц.
LC генераторы обладают более высокой стабильностью частоты, чем
генераторы с RC цепями.
На низких частотах, LC контура становятся более дорогими и гро-
моздкими, поэтому здесь используют RC частотно-избирательные цепи
Для обеспечения сдвига фаз ∆ϕ = 2π на частоте генерации использу-
ют либо совокупность дифференциальных цепей, либо интегрирующие
цепи. Так строят генераторы на одну фиксированную частоту.
 329

Для более качественных генераторов применяют различные квазире-

зонансные цепи. Примером такой цепи служит мост Вина.
Мост Вина изображен на рисунке 12,а.

R1 C1

R2 C2

а г

б д
φ
π/2

-π/2

в е
Рисунок 12 – Схема RC цепей для ЦОС: а – схема моста Вина; б – АЧХ
моста Вина; в – ФЧХ моста Вина; г – схема 2-го Т-моста; д - АЧХ 2-го
Т-моста; е – ФЧХ 2-го Т-моста
 330

При R1 = R 2 = R и C1 = C 2 = C частота квазирезонанса будет такова

1
fо = . (15)
2π RC
Мост Вина также широко используется для построения синусои-
дальных генераторов низкой частоты.
Другим примером RC цепи, которая широко используется при по-
строении генераторов сигналов, является двойной Т-мост. Его схема, АЧХ
и ФЧХ показаны на рисунке 12,г, 12,д и 12,е, соответственно.

Контрольные вопросы
1. Основные характеристики и параметры усилителей.
2. Многокаскадные усилители. Коэффициент усиления и виды связей
в многокаскадном усилителе.
3. Усилитель с непосредственной связью между каскадами. Частот-
ная характеристика, свойства и области применения.
4. Усилитель с RC связью между каскадами. Частотная характери-
стика, свойства и области применения.
5. Усилитель с индуктивной связью между каскадами. Частотная ха-
рактеристика, свойства и области применения.
6. Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной свя-
зи и ее влияние на характеристики усилителя.
7. Использования положительной обратной связи для создания авто-
генераторов и их разновидности.
 331

Лекция 4.6 Операционные усилители и их применение

План лекции
1) Дифференциальный усилитель. Основные параметры и реализация.
2) Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и классифи-
кация ОУ. Идеальный ОУ Линейный усилитель на ОУ.
3) Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Расчет ос-
новных параметров.

4.6.1 Дифференциальный усилитель. Основные параметры и

реализация
Дифференциальный усилитель (ДУ) - это симметричный усилитель
постоянного напряжения с двумя входами и двумя выходами. Основная
схема его приведена на рисунке 1, а. В общую эмиттерную цепь включен
источник стабильных эмиттерных токов. При отсутствии сигнала
Uвх1 = Uвх 2 = 0 . В этом случае ток Io вследствие симметрии равномерно
распределяется между транзисторами VT1 и VT2. Он обеспечивает посто-
янство суммы Io обоими транзисторами VT1 и VT2.
Тогда получим:
1
Iэ1 = Iэ2 = ⋅ Io . (1)
2
Пренебрегая малыми токами баз транзисторов, можем считать, что
1
Iк1 = Iк 2 ≈ ⋅ Io . (2)
2

Рисунок 1 – Дифференциальный усилитель: а – принципиальная схема ДУ;

б – передаточная характеристика ДУ
Эти соотношения не изменятся, если оба входных напряжения полу-
чат одинаковые приращения (это называется - синфазный входной сигнал).
Так как в этом режиме коллекторные токи равны друг другу, то постоянна
 332

и разность выходных напряжений, то есть коэффициент усиления для син-

фазного сигнала в идеальном дифференциальном усилителе равен нулю.
Если Uвх1 > Uвх 2 , то изменяется распределение токов: ток Iк1 уве-
личивается, а ток Iк 2 уменьшается. Их сумма при этом остается постоян-
ной. Поэтому ∆Iк1 = −∆Iк 2 . Таким образом, разность входных напряжений
Uд = Uвх1 − Uвх 2 в отличие от синфазного сигнала вызывает изменения
выходного напряжения. Она называется – дифференциальным входным
сигналом.
Изменения напряжения база-эмиттер транзисторов, происходящие
под воздействием температуры окружающей среды, действует как синфаз-
ный сигнал и, следовательно, не влияют на работу схемы. Поэтому данный
каскад хорошо приспособлен к работе в качестве усилителя постоянного
тока.
Картину распределения тока в одном из коллекторов дифференци-
ального усилителя можно увидеть на передаточной характеристике, пока-
занной на рисунке 1,б. Видим, что линейный участок ее составляет около
±2 ⋅ U T ≈ ±50 мВ, это примерно в 20 раз больше, чем в усилителе с общим
эмиттером. Для получения искажений усиливаемого сигнала не более 1%
надо, чтобы входной сигнал не превышал ±0,7 ⋅ U T ≈ ±18 , для сравнения в
схеме с общим эмиттером он не должен быть больше ± 1 мВ.
Коэффициент усиления такого усилителя для синфазного сигнала
при несимметричном выходе (то есть относительно общего провода «зем-
ли») будет равен:
∂Uк1 1  Rк ⋅ Rкэ 
Kд = = − ⋅ S ⋅  , где Uд = Uвх1 − Uвх 2 . (3)
∂Uд 2  Rк + Rкэ 
Коэффициент усиления относительно другого выхода будет:
∂Uк 2 1  Rк ⋅ Rкэ 
Kд = = ⋅ S ⋅ . (4)
∂Uд 2  Rк + Rкэ 
Для дифференциального выхода коэффициент усиления будет в два
раза выше. Типовое значение коэффициентов усиления Kд =50 - 100.
В реальных усилителях, коэффициент усиления для синфазного сиг-
нала отличен от нуля. Это происходит из-за конечного значения выходного
сопротивления источника тока в эмиттерной цепи транзистора.
Коэффициент усиления для синфазного сигнала определяется так:
Rк
Kсф = − , (5)
2 ⋅ Ro
где Ro - выходное сопротивление источника тока. Типовое значение ко-
эффициента усиления для синфазного сигнала - Kсф = 10−3 .
Параметром качества дифференциального усилителя является отно-
шение коэффициента усиления дифференциального сигнала к коэффици-
 333

енту усиления синфазного сигнала. Оно называется - коэффициентом ос-

лабления синфазного сигнала (КОСС). Он обычно измеряется в децибелах.
Kд
KOCC = ≈ S ⋅ Ro , KOCC[дБ] = 20 ⋅ ln(KOCC) . (6)
Kсф
Типичное значение КОСС составляет 80-100 дБ.
У двух транзисторов при равных токах коллектора напряжения база-
эмиттер незначительно различаются, поэтому разность выходных напря-
жение (дифференциальный выходной сигнал) не в точности равна нулю
при Uд = 0 . Напряжение разбаланса (или напряжение смещение нуля)
представляет собой дифференциальный входной сигнал, которую надо
приложить, чтобы выполнялось равенство Uвых1 = Uвых 2 .
При использовании согласованной пары транзисторов напряжение
смещения нуля не превосходит нескольких милливольт.
Согласованные транзисторы представляют собой элементы, изго-
товленные за один технологический цикл на одном кристалле с практиче-
ски одинаковыми характеристиками. То, что они расположены на одном
кристалле, обеспечивает одинаковость их температуры в процессе работы
и равный температурный дрейф их параметров.
Имеются различные возможности вводить в каскад напряжение сме-
щение нуля, они зависят от схемного исполнения конкретного усилителя.
Чаще всего используют два приема:
- первый, заключается в том, что на вход дифференциального усили-
теля подают некоторое небольшое напряжение со специального делителя;
- второй, в том, что с помощью дополнительного регулировочного
резистора несколько перераспределяют токи в эмиттерных цепях схемы.
Конкретные приемы ликвидации смещения нуля мы рассмотрим да-
лее при знакомстве с операционными усилителями.
При неизменном коллекторном токе и повышении температуры, на-
пряжение база-эмиттер каждого транзистора уменьшается на 2,2 – 2,7 мВ
на каждый градус. Это эквивалентно тому, что к входу усилителя постро-
енного на транзисторах с нулевым температурным коэффициентом при-
кладывается синфазный сигнал такой же величины.
Это проявляется на выходе усилителя как дрейф выходной величины
напряжения, но поскольку усилитель весьма плохо усиливает такие сигна-
лы, то влияние температуры на выходное напряжение здесь невелико. Но
даже согласованные транзисторы, не имеют абсолютно одинаковых темпе-
ратурных коэффициентов. Поэтому наряду с напряжением синфазного
сигнала появляется разностное напряжение дрейфа.
Оно тем меньше, чем ближе параметры и температуры транзисторов.
В то время как в одиночных транзисторах температурный дрейф выходно-
го напряжения может достигать 100 мкВ/К, то для сдвоенных монолитных
согласованных приборов он составляет 0,1 – 1,5 мкВ/К. Поэтому совре-
 334

менные дифференциальные усилители выполняются только на таких тран-

зисторах.

4.6.2 Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и

классификация ОУ. Идеальный ОУ. Линейные усилители на ОУ
Операционным усилителем (ОУ) – называют усилитель постоянного
тока с большим коэффициентом усиления (более 1000), имеющий диффе-
ренциальный входной каскад и общий выход, предназначенный для вы-
полнения различных операций над аналоговыми и импульсными сигнала-
ми в схемах с обратными связями. Термин «операционный усилитель»
возник в аналоговой вычислительной технике, где такие усилители с соот-
ветствующей обратной связью применялись для моделирования различных
математических операций (интегрирования, суммирования и т. д.)
Первый интегральный ОУ µА702 ,
имевший рыночный успех, был разработан Р.
Видларом (США) в 1963 году, рисунок 2. В
настоящее время номенклатура ОУ насчиты-
вает сотни наименований.
Операционные усилители выпускают-
ся в малогабаритных корпусах и очень деше-
Рисунок 2 - Роберт Видлар вы, что способствует их массовому распро-
(1937 -1991). Американский странению. По размерам и цене они практи-
инженер-электронщик, чески не отличаются от отдельного транзи-
схемотехник, разработчик стора. В то же время, преобразование сигна-
аналоговых интегральных ла схемой на ОУ почти исключительно оп-
схем. ределяется свойствами цепей обратных свя-
зей усилителя и отличается высокой ста-
бильностью и воспроизводимостью. Кроме того, благодаря практически
идеальным характеристикам ОУ реализация различных электронных схем
на их основе оказывается значительно проще, чем на отдельных транзи-
сторах. Поэтому операционные усилители почти полностью вытеснили от-
дельные транзисторы в качестве элементов схем во многих областях ана-
логовой схемотехники.
Принципиальные схемы ОУ содержат, как правило, два или три
транзисторных каскада. Первый каскад всегда выполнен по симметричной
дифференциальной схеме. Кроме того в него входит выходной эмиттерный
повторитель и цепи согласования между каскадами.
Схемное обозначение ОУ приведено на рисунке 3. Как видно из нее,
ОУ имеет два входа и один выход. Один из входов называется инверти-
 335

рующим, на рисунке 3 (верхний на схеме), он обозначен кружком. Второй

вход – называется неинвертирующим.
При работе ОУ в линейном режиме напряжение на его выходе воз-
растает с уменьшением напряжения на инвертирующем входе ( Uвх − ) и с
увеличением напряжения на неинвертирующем входе (Uвх + ). Б дальней-
шем будем называть инвертирующий вход И-входом, а неинвертирующий
- Н-входом.
+
-
Eп1
UВХ U ВЫХ
∞ -

UВХ+ +U Rн
-U +
Eп2
-

а б
Рисунок 3 – Условное обозначение ОУ и его схема включения:
а – отечественное условное обозначение ОУ; б – обозначение ОУ в
иностранной литературе
Важной характеристикой ОУ является его амплитудная (передаточ-
ная) характеристика. Она приведена на рисунке 4.
Uвых
Еп1+

U вых
+Uсм ЛУ Uвх
-Uсм U вх

Ku= U вых U вх

_
Еп2

Рисунок 4 – Передаточная характеристика ОУ

Это зависимость выходного напряжения ОУ от входного дифферен-
циального напряжения. На ней можно выделить линейный участок (ЛУ) и
 336

нелинейные области. На линейном участке операционный усилитель рабо-

тает в режиме усиления. В режиме усиления при изменении входного
дифференциального сигнала выходной сигнал ОУ также изменяется.
Если входное дифференциальное напряжение выйдет за пределы,
соответствующие ЛУ, то ОУ перестанет усиливать входной сигнал. При
этом рабочая точка будет перемещаться по горизонтальным участкам пе-
редаточной характеристики и приращения выходного сигнала не будет.
По амплитудной характеристике можно определить величину
Кu = Uвых / Uвх , и Uсм – напряжение смещения.
Напряжением смещения называют постоянное напряжение на входе,
при котором выходное напряжение равно нулю, т.е. ОУ – сбалансирован.
Напряжение сдвига Uсдв - это такое постоянное напряжение на выходе,
когда Uвх + = Uвх − = 0 .
Параметры ОУ, которые характеризуют его качество, весьма много-
численны. Для выбора типа ОУ, надо знать его основные характеристики.
Укажем основные из них.
Коэффициент усиления ( Ku ) - отношение изменения выходного
напряжения к вызвавшему его изменению дифференциального входного
напряжения при работе усилителя на линейном участке характеристики.
Величина Ku приблизительно составляет 10 4 ÷ 106 .
Напряжение смещения ( Ucм ) - дифференциальное входное на-
пряжение, при котором выходное напряжение усилителя равно нулю.
Максимальное значение Ucм составляет (3 ÷ 10) мВ для ОУ с бипо-
лярными транзисторами во входной цепи, (10 ÷ 50 ) мВ – для ОУ с полевы-
ми транзисторами во входной цепи и (0.01 ÷ 1) мВ – у прецизионных ОУ.
Средний входной ток ( Iвх ) - среднеарифметическое значение токов
Н- и И-входов усилителя измеренных при таком входном напряжении,
при котором выходное напряжение ОУ равно нулю.
Среднее значение входного тока усилителей с входными каскадами
на биполярных транзисторах лежит в диапазоне 0.01... 1 мА. Такие малые
значения обеспечиваются за счет работы входных транзисторов в режиме
микротоков. Операционные усилители на полевых транзисторах имеют
входные токи менее 1 нА.
Разность входных токов ( ∆Iвх ) - абсолютное значение разности
входных токов усилителя, измеренное тогда, когда напряжение на выходе
ОУ равно нулю. Этот параметр характеризует несимметрию входных кас-
кадов ОУ. Если данный параметр мал, то влияние входных токов на вы-
ходное напряжение можно существенно уменьшить, устанавливая одина-
ковыми проводимости входных цепей по обоим входам усилителя.
Обычно ( ∆Iвх ) составляет 20 - 50% от Iвх .
 337

Входное сопротивление ( Rвх ) - сопротивление со стороны одного

из входов ОУ, в то время как другой вход заземлен. Он может составлять
10 - 1000 МОм.
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (КОСС) - отноше-
ние коэффициента усиления Ku к коэффициенту передачи синфазного
сигнала. Как и для дифференциального усилителя, данная величина часто
определяется в логарифмическом измерении. Обычно для интегральных
ОУ величина КОСС составляет 60 - 100 дБ.
Коэффициент влияния нестабильности источника питания
( Kп ) - отношение изменения напряжения смещения к вызвавшему его из-
менению одного из питающих напряжений. Этот коэффициент чаще всего
равен 2 ⋅ 10−4 - 2 ⋅ 10−5 , что соответствует 20 - 200 мкВ/В.
Выходное сопротивление ОУ ( Rвых ) - определяется так же, как и
для любого другого усилителя и составляет величину в диапазоне от де-
сятков до сотен Ом.
Динамические свойства ОУ определяются, как правило, двумя пара-
метрами: частотой единичного усиления и скоростью изменения выходно-
го сигнала. Иногда используют понятие - времени установления.
Частота единичного усиления ( f1 ) - частота на которой коэффици-
ент усиления ОУ падает до единицы. Значения большинства ОУ лежат в
пределах от десятых долей мегагерца до десятков мегагерц.
Максимальная скорость нарастания выходного напряжения ОУ
(v) - определяется при подаче на его вход импульса напряжения прямо-
угольной формы. Для типовых интегральных ОУ максимальная скорость
нарастания лежит в диапазоне 0,3 - 50 В/мкс. Так как наибольшая скорость
изменения синусоидального сигнала пропорциональна амплитуде и часто-
те этого сигнала, то ограничение скорости изменения выходного сигнала
ОУ приводит к ограничению амплитуды выходного неискаженного гармо-
нического сигнала на высоких частотах.
Скорость нарастания v, связана с амплитудой выходного неискажен-
ного сигнала Um и частотой входного сигнала fвх выражением:
∂Uвых
v= = 2π ⋅ fвх ⋅ Um . (7)
∂t
Данная формула часто применяется для выбора усилителя по требо-
ваниям динамики. Например: при скорости нарастания выходного напря-
жения v = 0,6 В/мкс и амплитуде выходного сигнала Um = 10 В получаем:
v[В/мкс] ⋅ 103 0,6 ⋅ 103
fвх[кГц] = = ≈ 9,5 . (8)
2π ⋅ Um 2 ⋅ 3,14 ⋅ 10
 338

Температурный дрейф напряжения смещения ( ∆Uсм / ∆Т ) - для

интегральных ОУ с входными каскадами на биполярных транзисторах со-
ставляет обычно 5 - 20 мкВ/К. Усилители на полевых транзисторах имеют
больший дрейф, в диапазоне 20 - 100 мкВ/К.
Операционные усилители используются, в основном, с цепями отри-
цательной обратной связи. Вследствие наличия паразитных связей и мно-
гокаскадной структуры ОУ, он по своим частотным свойствам во многом
аналогичен фильтру нижних частот. С ростом частоты входного сигнала
возрастают фазовые сдвиги в усилителе и на некоторой частоте они стано-
вятся такими, что отрицательная обратная связь превращается в положи-
тельную. Если при этом, коэффициент усиления достаточно велик, то в та-
ком усилителе возникают незатухающие колебания. Он превращается в
электронный генератор. Такой режим недопустим для усилительных уст-
ройств. Для того, чтобы избежать его, необходимо сформировать такую
частотную характеристику усилителя, при которой ни при каких условиях
не наступает режим самовозбуждения. Практически это достигается под-
ключением корректирующих RC-цепей, которые снижают коэффициент
усиления с ростом частоты так, что режим самовозбуждения не возникает.
В зависимости от того, как включены эти цепи различают три вида
ОУ:
- ОУ с полной внутренней частотной коррекцией, в них корректи-
рующие элементы введены при изготовлении кристалла внутрь усилителя
и подключение дополнительных цепей не нужно;
- частично скорректированные ОУ, в них необходимо вводить до-
полнительные внешние цепи коррекции при некоторых значениях коэф-
фициентах усиления ОУ с обратной связью;
- нескорректированные ОУ, которые требуют подключения внеш-
них цепей коррекции при всех режимах работы.
По совокупности свойств указанных выше современные ОУ делятся
на несколько больших групп:
- операционные усилители общего назначения (или ОУ средней
точности). Они используются для построения узлов аппаратуры, имеющие
суммарную приведенную погрешность на уровне 1%. Такие ОУ характери-
зуются малой стоимостью и средним уровнем параметров (напряжение
смещения - единицы мВ, температурный дрейф напряжения смещения -
десятки мкВ/°С, коэффициент усиления - десятки тысяч, скорость нараста-
ния - до единиц В/мкс);
- быстродействующие широкополосные операционные усилите-
ли. Они используются для преобразования быстроменяющихся сигналов.
 339

Характеризуются высокой скоростью нарастания выходного сигнала (не

менее 30 В/мкс), малым временем установления выходного сигнала (не бо-
лее 1 мкс), высокой частотой единичного усиления (не менее 10 МГц). По
остальным параметрам уступают, как правило, ОУ общего применения;
- прецизионные (высокоточные) операционные усилители. Ис-
пользуются для усиления малых электрических сигналов, сопровождаемых
высоким уровнем помех. Характеризуются малым значением напряжения
смещения (не более 250 мкВ) и малым температурным дрейфом напряже-
ния смещения (не более 5 мкВ/°С). Они имеют большие коэффициенты
усиления (как правило, не менее 150 000), большие значения КОСС, высо-
кое входное сопротивление и малые шумы. Быстродействие их не высоко;
- операционные усилители с малым входным током. Они построе-
ны с входным каскадом на полевых транзисторах и имеют особенно высо-
кое входное сопротивление (входной ток не более 100 пА);
- микромощные операционные усилители необходимы для работы
от источников ограниченной мощности (переносные приборы с автоном-
ным питанием, аппаратура, работающая в ждущем режиме). Характеризу-
ются малым потребляемым током (не более 1 мА);
- многоканальные операционные усилители. Они имеют параметры
аналогичные усилителям общего применения или микромощных ОУ с до-
бавлением такого параметра, как коэффициент разделение каналов. Слу-
жат для улучшения массогабаритных показателей и снижения энергопо-
требления аппаратуры.
Западные фирмы выпускают сдвоенные быстродействующие и пре-
цизионные усилители; - мощные и высоковольтные операционные усили-
тели построенные на мощных и высоковольтных транзисторах, имеют вы-
ходные токи более 100 мА (сотен ампер) и выходное напряжение не менее
15 В (сотен вольт).
При работе схем на ОУ нужно руководствоваться следующими важ-
нейшими правилами:
- операционный усилитель обладает таким большим коэффици-
ентом усиления по напряжению, что изменение напряжения между
входами на несколько долей милливольта вызывает изменение выход-
ного напряжения в пределах его полного диапазона, поэтому можно
считать, что в ОУ охваченном обратной связью разность напряжения
между входами равна нулю;
- поскольку ОУ потребляет по входам очень малый ток, можно
считать, что входы операционного усилителя тока не потребляют.
 340

При упрощенном анализе схем, содержащих ОУ, удобно пользовать-

ся понятием "идеального ОУ", для которого:
- коэффициент усиления Кu = ∞ ;
- входное сопротивление Rвх = ∞ ;
- выходное сопротивление Rвых = 0 Ом;
- ОУ сбалансирован, то есть Uвых = 0 при Uвх + = Uвх − ;
- диапазон усиливаемых частот f = ∞ ;
- входной ток ОУ Iвх = 0 .
Из параметров идеального ОУ следует, что его входы виртуально
замкнуты, то есть Uвх + = Uвх − , а Rвх = ∞ .
Это утверждение следует из того, что при Кu = ∞ выходное напря-
жение Uвых = Ku ⋅ (Uвх + − Uвх − ) - всегда конечно и по значению меньше
напряжения питания Еп1 или Еп2 , что может иметь место только в том
случае, когда выполняется условие Uвх + − Uвх − = 0 или Uвх + = Uвх − .
Инвертирующий усилитель
Для инвертирующего усилителя выходной и входной сигналы сдви-
нуты по фазе на 180. Его схема приведена на рисунке 5. Входное напря-
жение Uвх подают через резистор R1 на инвертирующий вход. С помощью
резистора Rос осуществляется параллельная отрицательная обратная связь.
Определим коэффициент усиления по напряжению
Кu = Uвых / Uвх . (9)
Для узла А по первому закону Кирхгофа можно записать уравнение
для токов
Iвх = Iос + Iоу (10)

Рисунок 5 – Инвертирующий усилитель

Будем считать, что ОУ – идеальный, для которого Rвх = ∞ . Тогда
уравнение (10) упростится Iвх = Iос . Отсюда, по закону Ома для участка
цепи, учитывая что Uвх + = Uвх − = 0 , можно записать Uвх = R1 ⋅ Iвх , а
 341

Uвых = − Roc ⋅ Iос , и получить выражение для коэффициента усиления ин-

вертирующего усилителя в виде
Uвых Roc ⋅ Iос Roc
Ku = =− =− (11)
Uвх R1 ⋅ Iвх R1
Знак ( - ) минус означает инвертирование си�