Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
Раздел 4. Электроника
Содержание
Стр.
Раздел 4. Электроника ........................................................................................... 253
Лекция 4.1 Полупроводниковые материалы....................................................... 255
Примесная проводимость. P-n переход и его свойства...................................... 255
4.1.1 Введение в электронику............................................................................ 255
4.1.2 Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание в
полупроводнике различных типов проводимости .......................................... 267
4.1.3 Р-n переход и его вольтамперная характеристика. Свойства
р-п перехода......................................................................................................... 270
Лекция 4.2 Полупроводниковые диоды, разновидности и применение .......... 274
4.2.1 Полупроводниковый выпрямительный диод. Классификация
диодов .................................................................................................................. 274
4.2.2 Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей. Принцип работы.
Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильтры ............ 279
Лекция 4.3 Биполярные транзисторы .................................................................. 289
4.3.1 Биполярный транзистор. Принцип работы. Классификация и
основные параметры БТ..................................................................................... 289
4.3.1.1 Биполярный транзистор. Принцип работы ..................................... 289
4.3.1.2 Классификация и основные параметры БТ..................................... 296
4.3.2 Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ. Свойства и
области применения усилительных каскадов на биполярных
транзисторах........................................................................................................ 297
4.3.2.1 Схема с общим эмиттером (ОБ) ....................................................... 297
4.3.2.2 Схема с общим эмиттером (ОЭ)....................................................... 298
4.3.2.3 Схема с общим эмиттером (ОК)....................................................... 299
Лекция 4.4 Полевые транзисторы ........................................................................ 302
4.4.1 Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип работы .............. 302
4.4.2 Основные параметры и схемы включения.............................................. 309
4.4.2.1 Схема с общим истоком (ОИ) .......................................................... 310
4.4.2.2 Схема с общим стоком (ОС)............................................................. 311
4.4.3 Свойства и области применения усилительных каскадов на полевых
транзисторах........................................................................................................ 312
Лекция 4.5 Электронные усилители. Обратные связи в усилителях ............... 316
4.5.1 Многокаскадные усилители. Виды связей между каскадами............... 316
4.5.2 Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной связи и ее
влияние на характеристики усилителя ............................................................. 324
4.5.3 Использования положительной обратной связи для создания
автогенераторов и их разновидности ............................................................... 328
Лекция 4.6 Операционные усилители и их применение.................................... 331
4.6.1 Дифференциальный усилитель. Основные параметры и реализация .. 331
4.6.2 Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и классификация
ОУ. Идеальный ОУ. Линейные усилители на ОУ........................................... 334
4.6.3 Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Расчет основных
254
параметров........................................................................................................... 341
Лекция 4.7 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические элементы.
Триггеры. Делитель частоты. Счетчик импульсов............................................. 345
4.7.1 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические элементы......... 345
4.7.2 ТТЛ и КМОП микросхемы. Устройство и принцип работы................. 354
4.7.2.1 Микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) ............ 354
4.7.2.2 Микросхемы на комплементарных МОП транзисторах................ 357
4.7.3 Триггеры: RS - триггер; D - триггер; Т - триггер ................................... 359
4.7.3.1 RS – триггер........................................................................................ 360
4.7.3.2 D – триггер.......................................................................................... 361
4.7.3.3 Т – триггер .......................................................................................... 362
4.7.4 Делитель частоты на триггерах. Счетчик импульсов ........................... 363
Лекция 4.8 Регистры. Преобразователи кода. Мультиплексоры и
демультиплексоры. Ключи. Индикаторы............................................................ 367
4.8.1 Регистры ..................................................................................................... 367
4.8.2 Преобразователи кодов ............................................................................. 372
4.8.3 Мультиплексоры и демультиплексоры ................................................... 375
4.8.4 Ключи КМОП............................................................................................. 377
4.8.5 Устройства отображения информации. Индикаторы:
Газоразрядные. Вакуумно-люминисцентные. Светодиодные.
Жидкокристаллические. Устройство, схемы включения и принципы
управления........................................................................................................... 380
4.8.5.1 Газоразрядные индикаторы .............................................................. 380
4.8.5.2 Вакуумно-люминисцентные индикаторы ....................................... 382
4.8.5.3 Полупроводниковые светодиодные индикаторы ........................... 385
4.8.5.4 Жидкокристаллические индикаторы ............................................... 387
Лекция 4.9 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере ......................... 391
4.9.1 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере. Типовая структура
микропроцессора и микроконтроллера. Назначение блоков. Области
применения.......................................................................................................... 391
4.9.2 Цифро-аналоговые преобразователи. Устройство и принцип действия
.............................................................................................................................. 398
4.9.3 Аналогово-цифровые преобразователи. Устройство и принцип действия
.............................................................................................................................. 402
Заключение .............................................................................................................. 419
255
а б
Рисунок 1 – Изобретение радиосвязи: а - Александр Степанович Попов
(1859 — 1905). Русский физик и электротехник, профессор (1901), ректор
(1905) Санкт-Петербургского императорского электротехнического ин-
ститута Александра III; б – одна из первых конструкций радиоприемника
с телеграфной лентой
2 этап (Ламповая электроника)
Второй этап развития электроники начался с 1904 г. когда англий-
ский ученый Джон А. Флеминг сконструировал электровакуумный диод,
рисунок 2.
Основными частями диода (рисунок 3, а) являются два электрода на-
ходящиеся в вакууме. Металлический анод (А) и металлический катод (К)
258
а б
Рисунок 2 - Изобретение вакуумного диода: а - сэр Джон Амброз Флеминг
(1849 — 1945) — член Лондонского королевского общества (1892). Изо-
бретатель лампы с термокатодом; б – диод Флеминга
а б
Рисунок 3 – Конструкция электродов электронно-вакуумных ламп:
а – диода; б - триода
В вакууме при положительном, относительно катода напряжении на
аноде Va электроны движутся к аноду, вызывая ток Ia в анодной цепи. При
отрицательном напряжении анода Va эмитируемые электроны возвраща-
ются на катод и ток в анодной цепи равен нулю.
Таким образом, электровакуумный диод обладает односторонней
проводимостью, что используется при выпрямлении переменного тока.
259
а б
Рисунок 4 - Изобретение вакуумного триода: а - Ли де Форест (1973 -
1961) американский изобретатель, почётный член американского Инсти-
тута Радиоинженеров; б – первый ламповый триод
Период с 1913 по 1919 годы – время резкого развития электронной
техники. В 1913 г. немецкий инженер Александр Мейснер разработал схе-
му лампового регенеративного приемника и с помощью триода получил
незатухающие гармонические колебания, что практически решило про-
блему радиотелефонии. С этого времени радиотехника становится лампо-
вой. В России первые радиолампы были изготовлены в 1914 году в Санкт–
Петербурге консультантом русского общества беспроволочного телегра-
фирования Н.Д. Папалекси, будущим академиком АН СССР.
Большой вклад в развитие отечественной ламповой электроники
внес М.А. Бонч – Бруевичем. С 1916 по 1918 г. он занимался созданием
электронных ламп и организовал их производство. В 1918 году возглавил
Нижегородскую радиолабораторию, объединив лучших радиоспециа-
листов того времени. В марте 1919 года в нижегородской радиолабо-
ратории началось серийное производство электровакуумной лампы РП–1.
В 1920 году М.А. Бонч–Бруевич закончил разработку первых в мире гене-
раторных ламп с медным анодом и водяным охлаждением, мощностью до
1 кВт.
Переход от длинных волн к коротким и средним, и изобретение су-
пергетеродина и развитие радиовещания потребовали разработки более со-
260
а б
Рисунок 7 – Транзисторы: а - первый в мире работающий транзистор;
б – современные транзисторы (КТ813А, КТ315А, КТ242Б, КТ605Б)
Одновременно, в период апрель 1947 – январь 1948 г., У. Шокли
опубликовал теорию плоскостных биполярных транзисторов. Плоскостные
транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более
доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шу-
262
а б в
Рисунок 9 - Первые советские транзисторы: а – точечный П1А;
б – плоскостной П3А; в – низкочастотный П6Б
264
а б
Рисунок 10 - К изобретению микросхемы: а - Роберт Нортон Нойс (1927 -
1990), американский инженер, один из изобретателей интегральной
схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957),
основатель, совместно с Г. Муром, корпорации Intel (1968); б - Джек
Килби (1923 - 2005), американский учёный. Лауреат Нобелевской премии
по физике в 2000 году за своё изобретение интегральной схемы в 1958
году. Член Национальной инженерной академии США (1967). В 1978—1984
профессор Техасского сельскохозяйственного и машиностроительного
ун-та. Он также изобретатель карманного калькулятора и
термопринтера (1967)
После того как в 1961 году Fairchild Semiconductor Corporation пус-
тила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использо-
вать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных тран-
зисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить про-
изводительность.
В июле 1968 г. Гордон Мур и Роберт Нойс уходят из отделения по-
лупроводников фирмы Fairchild и 28 июня 1968 года организуют крохот-
ную фирму Intel из двенадцати человек, которые арендуют комнатку в Ка-
лифорнийском городе Маунтин Вью. Задача, которую поставили перед со-
бой Г. Мур, Р. Нойс и примкнувший к ним специалист по химической тех-
нологии – Э. Гроув, использовать огромный потенциал интеграции боль-
шого числа электронных компонентов на одном полупроводниковом кри-
сталле для создания новых видов электронных приборов. Эта задача ими
была успешно решена.
266
а б
Рисунок 11 - Первые микросхемы: а - первая в мире интегральная
микросхема, созданная 12 сентября 1958 г. Д. Килби; б - одна из первых
микросхем разработанная Р. Нойсом
В СССР толчком к развитию работ по микросхемам явилось произ-
водство американской фирмой Texas Instruments микроэлектронных ком-
понентов, разработанных Д. Килби, для использования в системе наведе-
ния ракеты "Минитмен".
С 1959 года разработки отечественных кремниевых интегральных
схем, по сути дела, представляли собой непрерывный процесс конкурент-
ной заочной борьбы с Джеком Килби. Первая в СССР полупроводниковая
интегральная микросхема была разработана на основе планарной техноло-
гии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в
НИИ "Пульсар").
Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы
(ИС) было сконцентрировано на разработке и производстве серии инте-
гральных кремниевых схем, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы
Texas Instruments. Работы проводились по оборонному заказу для исполь-
зования в автономном высотомере системы наведения баллистической ра-
кеты.
Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых инте-
гральных схем для воспроизводства были получены из США. Копирование
их было строго регламентировано приказами Министерства электронной
промышленности. Концепция копирования импортных микросхем жёстко
контролировалась министром на протяжении более 19 лет вплоть до 1974
года.
267
- - - - - -
Si Si Sb
-
- - - - - -
Sb Si Si
- - - - + -
- -
Si Sb Si
- - - - - -
а б
Рисунок 16 – P-n переход: а – обратное включение; б – прямое включение
Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение подключено к p–n
структуре в прямом направлении, то есть противоположно направлению
запирающего электрического поля. (плюсом источника к выводу p–
области, а минусом источника – к выводу n–области), рисунок 16,б. Это
приводит к уменьшению результирующего поля в p–n переходе. Величина
ϕ 0 − U определяет величину потенциального барьера в p–n переходе при
включении внешнего напряжения в прямом направлении. Уменьшение
объемного заряда (потенциального барьера) проявляется в сужении p–n
перехода, которое происходит в основном за счет n–слоя, как более высо-
коомного.
Уменьшение потенциаль-
ного барьера облегчает переход
основных носителей заряда че-
рез границу раздела в соседние
области, что приводит к увели-
чению тока через p–n переход.
Указанное явление называют
инжекцией носителей заряда
через p–n переход.
Таким образом, при пря-
мом включении через переход
начинает протекать ток основ-
ных носителей.
Рисунок 17 – Вольтамперная Вольтамперная характе-
характеристика p-n перехода ристика p-n перехода показана
на рисунке 17.
273
б
Рисунок 1 – Полупроводниковый диод: а – структура; б - вольтамперная
характеристика (ВАХ) полупроводникового диода
275
(
I = I0 e
U /( mU )
T
)
−1 , (1)
где I0 - обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неос-
новными носителями заряда; значение его очень мало);
U - напряжение на p-n-переходе;
U T = kT/e - температурный потенциал (k - постоянная Больцмана),
U T =25,28 мВ при T=20 C°;
Т – температура в градусах Кельвина,
е - заряд электрона;
m - поправочный коэффициент: m = 1 для германиевых р-n переходов и m
= 2 для кремниевых p-n переходов при малом токе.
Кремниевые диоды имеют существенно меньшее значение обратного
тока по сравнению с германиевыми диодами, вследствие более низкой кон-
центрации неосновных носителей заряда. Обратная ветвь ВАХ у кремние-
вых диодов при данном масштабе практически сливается с осью абсцисс.
Прямая ветвь ВАХ у кремниевых диодов расположена значительно правее,
чем у германиевых.
Максимально допустимое увеличение обратного тока диода опреде-
ляет максимально допустимую температуру диода, которая составляет
+(80 ÷ 100) °С для германиевых диодов и +(150 ÷ 200) °С для кремниевых.
Минимально допустимая температура диода лежит в пределах - (60 ÷
70)°С.
Дифференциальным сопротивлением диода называют отношение
приращения напряжения на диоде к вызванному им приращению тока:
rДИФ = dU / dI . (2)
Отсюда следует, что для p-n-перехода rДИФ ≈ U T I = 0,02528 / I при
нормальной температуре.
Пробой диода
При обратном напряжении диода свыше определенного критическо-
го значения наблюдается резкий рост обратного тока (рисунок 1). Это яв-
ление называют пробоем диода.
Пробой диода возникает либо в результате воздействия сильного
электрического поля в р-n переходе (рисунок 2, кривая 1 и 2). Такой про-
бой называется электрическим. Он может быть лавинным - кривая 1 или
туннельным - кривая 2.
Лавинный пробой обусловлен лавинным размножением носителей в
p-n переходе в результате ударной ионизации атомов быстрыми носителя-
ми заряда. Он происходит следующим образом. Неосновные носители за-
ряда, поступающие в p-n переход при действии обратного напряжения, ус-
276
а б в г
Рисунок 4 – Выпрямительные диоды: а - условное обозначение;
б – маломощный высоковольтный диод BY228; в – диод средней мощности
Д246А; г – мощный выпрямительный диод на ток 250 А типа Д185-500.
Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения на на-
грузке при изменении питающего напряжения или сопротивления нагрузки,
для фиксации уровня напряжения и т. д.
278
а б в г д е
Рисунок 5 – Стабилитрон: а – условное обозначение; б - 2С133А; в - КС156А;
г - КС527А; д - КС210Б; е - КС175С
Для стабилитронов рабочим является участок электрического пробоя
ВАХ в области обратных напряжений (рисунок 3). На этом участке напря-
жение на диоде остается практически постоянным при изменении тока че-
рез диод.
Основные параметры стабилитрона:
номинальное напряжение стабилизации U СТ . НОМ - напряжение на ста-
билитроне в рабочем режиме (при заданном токе стабилизации);
минимальный ток стабилизации I СТ . MIN - наименьшее значение тока ста-
билизации, при котором режим пробоя устойчив;
максимально допустимый ток стабилизации I CT . MAX - наибольший ток
стабилизации, при котором нагрев стабилитронов не выходит за допусти-
мые пределы.
Дифференциальное сопротивление rCT - отношение приращения напря-
жения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации:
rCT . = ∆U CT / ∆I CT . . (3)
К параметрам стабилитронов также относят максимально допусти-
мый прямой ток I MAX , максимально допустимый импульсный ток
I ПР . И . MAX , максимально допустимую рассеиваемую мощность PMAX .
Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависи-
мость емкости p-n перехода от обратного напряжения и который предназна-
чен для применения в качестве электрически управляемой емкости.
Cmax
Коэффициент перекрытия по емкости KC = =5 – 20.
Cmin
Варикапы применяют в системах автоматической настройки частоты
радиоприемной аппаратуры и в параметрических усилителях с малым
уровнем собственных шумов.
CФ
Uср
~ Uвх
VD2
а б
В
Uср
С
в г
Рисунок 7 - Основные схемы выпрямителей: а – однополупериодный; б –
двухполупериодный; в – мостовой; г – мостовой трехфазный
Однополупериодная схема выпрямителя (рисунок 7,а) используется
обычно при выходной мощности до 10 Вт и в тех случаях, когда допуска-
ется сравнительно высокий коэффициент пульсаций. Достоинством схемы
является минимальное число диодов, недостатком — низкая частота пуль-
саций, равная частоте входного тока. При наличии трансформатора имеет
место недостаточное его использование и подмагничивание магнитопро-
вода постоянным током.
Двухполупериодная схема с выводом средней точки (рисунок 7,б)
используется обычно при выходной мощности до 500 Вт. Достоинством
схемы является возможность применения диодов с электрически со-
единенными катодами в виде диодных сборок, а также возможность уста-
новки диодов на общий радиатор. К недостаткам следует отнести услож-
нение конструкции трансформатора из-за вывода средней точки вторичной
обмотки трансформатора и повышенное обратное напряжение на диодах.
Мостовая однофазная схема (рисунок 7,в) используется в широком
диапазоне выходных мощностей (обычно более 300 Вт). Достоинством
схемы является повышенная частота пульсаций, низкое обратное напря-
жение на диодах, возможность работы без трансформатора. Недостатком
282
а б
а – схема удвоения напряжения, б – схема учетверения напряжения
Рисунок 8 – Схемы умножителей напряжения
2 ⋅U 2
I д max = = π ⋅ I cp . (10)
R
Подобные выпрямители получили название - однополупериодных.
Кривая выходного напряжения показана на рисунке 10.
а б
Рисунок 12 – Схемы сглаживающих фильтров: а - активно-
емкостный; б - индуктивно-емкостный
288
План лекции
1) Биполярный транзистор (БТ). Принцип работы. Классификация и
основные параметры БТ.
2) Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ. Свойст-
ва и области применения усилительных каскадов на биполярных транзисто-
рах.
15
10
∆Iк
5
∆Uбэ
100
∆Iб
50
∆Uбэ
Rк
Iэ
Е
Uвх Uвых
∆Uкб
коэффициент усиления по напряжению Ku = = 10 ÷ 100 ;
∆Uбэ
коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 10 ÷ 100 .
Входное сопротивление схемы можно приближенно определить:
1 Rбэ
Rвх ≈ = . (10)
S β
Входное сопротивление весьма мало так как входная цепь транзисто-
ра при этом представляет собой открытый эмиттерный переход и не превы-
шает для маломощных транзисторов 100 Ом, а для мощных еще ниже.
Выходное сопротивление схемы достаточно велико и примерно равно
Rвых ≈ Rк . (11)
Максимальная рабочая частота равна граничной частоте транзистора
fT .
Достоинства схемы с ОБ:
- хорошие температурные и частотные свойства;
- высокое допустимое напряжение.
Недостатки схемы с общей базой:
- малое усиление по току, так как α < 1;
- малое входное сопротивление;
- необходимы два разных источника напряжения для питания.
В силу специфических свойств данная схема применяется в основ-
ном для построения высокочастотных каскадов усиления, например, вход-
ных каскадов радиоприемной аппаратуры.
4.3.2.2 Схема с общим эмиттером (ОЭ)
Схема каскада усиления на БТ с общим эмиттером приведена на ри-
сунке 9.
Iк
Rк
Е
VT
Iб
Uвых
Uвх
∆Iк
коэффициент усиления по току Ki = =β;
∆Iб
коэффициент усиления по напряжению
∆Uкэ Iк ⋅ Rк
Ku = =− = 10 ÷ 100 ;
∆Uбэ UТ
коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 100 ÷ 10 000 .
Таким образом, коэффициент усиления каскада по напряжению не за-
висит от параметров транзистора, а определяется величиной тока коллекто-
ра и сопротивлением коллекторной нагрузки.
Входное сопротивление схемы можно определить так:
β β ⋅ UT
Rвх = Rбэ = = . (12)
S Iк
Входное сопротивление схемы с ОЭ в β раз выше, чем схемы с ОБ.
Оно составляет от 100 Ом до 10 кОм.
Выходное сопротивление схемы достаточно велико и примерно равно
Rк ⋅ Rкэ
Rвых ≈ . (13)
Rк + Rкэ
Максимальная рабочая частота меньше, чем для схемы с ОБ в β раз и
равна f T β .
Данный усилительный каскад имеет хорошие усилительные свойства,
поэтому является основой для создания всевозможных усилительных схем.
Достоинства схемы с общим эмиттером:
- большой коэффициент усиления по току;
- большой коэффициент усиления по напряжению;
- наибольшее усиление мощности;
- можно обойтись одним источником питания;
- выходное переменное напряжение инвертируется относительно
входного.
Недостатки схемы с общим эмиттером:
- худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схе-
мой с общей базой
4.3.2.3 Схема с общим эмиттером (ОК)
Схема каскада усиления на БТ с общим коллектором приведена на
рисунке 10,а.
Рассмотрим работу данной схемы. Если приложить входное напряже-
ние Uвх > 0,6 В, то через открывшийся транзистор будет протекать эмит-
терный ток, который вызовет радение напряжение на резисторе Rэ. Выход-
ное напряжение возрастет на столько, чтобы напряжение Uбэ транзистора
достигло 0,6 В. Тогда выходное напряжение будет равно
300
Rг Iб VT
Uвх
Rэ Uвых
а б
Рисунок 10 – Схема каскада усиления с ОК: а – принципиальная схема;
б – кривые входного и выходного напряжений
Поскольку в процессе работы транзистора напряжение Uбэ изменяет-
ся мало, то выходное напряжение каскада будет повторять входное напря-
жение со сдвигом по уровню на 0,6 В, рисунок 10,б.
Поскольку коэффициент усиления по напряжению в схеме близок к 1,
то данный каскад часто называю эмиттерным повторителем.
Точно, коэффициент усиления по напряжению можно определить по
формуле
1 Rэ ⋅ Rкэ
Ku ≈ , где Rэк = . (15)
1 + 1 ( S ⋅ Rэк ) Rэ + Rкэ
Величина Rкэ определяется по формуле (7).
∆Iэ
Коэффициент усиления по току составляет Ki = ≈ β = 10 ÷ 100 .
∆Iб
Коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 10 ÷ 100 .
Входное сопротивление схемы можно определить так:
Rвх ≈ β ⋅ Rэ . (16)
Входное сопротивление схемы с ОК может быть весьма большим и
составлять от 100 кОм до 1 МОм.
Выходное сопротивление схемы мало и приближенно равно
1 Rг
Rвых ≈ + Rэ , (17)
S β
где Rг - внутреннее сопротивление источника сигнала. При Rг ≈ 0 ,
Rвых ≈ 1 S .
Максимальная рабочая частота здесь такая же, как и для схемы с ОЭ и
равна f T β .
Достоинства схемы с общим коллектором:
301
Контрольные вопросы
1. Биполярные транзисторы. Условные обозначения. Устройство и
принцип работы.
2. Классификация и основные параметры и характеристики биполяр-
ных транзисторов.
3. Схема включения транзистора с ОБ. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
4. Схема включения транзистора с ОЭ. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
5. Схема включения транзистора с ОК. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
302
План лекции
1) Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип работы.
2) Основные параметры и схемы включения.
3) Свойства и области применения усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах.
а б
Рисунок 3 - Устройство и работа ПТ с управляющим p-n переходом
и каналом n-типа: а - Uзи = 0 и Uси > 0 ; б - Uзи < 0 и Uси > 0
При изменении напряжения Uзи изменяется ширина его р-п перехода.
Тем самым изменяется сечение токопроводящего канала и его проводи-
мость, то есть ток стока прибора, рисунок 3,б и 3,в. Например, для ПТ с ка-
налом n-типа подача отрицательного напряжения на затвор приводит к сни-
жению тока через прибор.
Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналоги-
чен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду ваку-
умного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Но при этом полевой транзи-
стор существенно отличается от вакуумного триода. Во-первых, для работы
полевого транзистора не требуется подогрева катода. Во-вторых, любую из
функций истока и стока может выполнять каждый из этих электродов. В-
третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с
p-каналом, что позволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисто-
ров в схемах.
305
п-канал
С
р-канал
С
а б в г д е
Рисунок 5 - Условные обозначения МДП-транзисторов: а - со встроенным
каналом n-типа; б - p-типа; в - p-типа c выводом от подложки;
г -с индуцированным каналом n-типа; д - p-типа; е - p-типа с выводом от
подложки
МДП-транзистор со встроенным каналом
Рассмотрим особенности МДП-транзисторов со встроенным кана-
лом. Конструкция такого транзистора с каналом n-типа показана на рисун-
ке 6.
+Uзи
0
Iс
+Uзи
0
Рисунок 7 – Характеристики МДП со встроенным каналом
МДП-транзистор с индуцированным каналом
В МДП -транзисторах с изолированным затвором и индуцированным
каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и сто-
ком практически отсутствует.
Транзисторы с индуцированным каналом работают в режиме обога-
щения. При подаче на затвор транзистора с индуцированным каналом не-
которого порогового напряжения Uзи.пор и более, совпадающего по знаку
с напряжением Uси , на поверхности полупроводника индуцируется заряд
противоположного знака, то есть тип проводимости приповерхностного
слоя полупроводника инвертируется и происходит формирование прово-
дящего канала, сопровождающегося ростом тока стока.
Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с инду-
цированным каналом n-типа близки по виду аналогичным характеристи-
308
+Uзи
+Uзи Uси
0 0
Iс Iс
-Uзи
-Uзи -Uси
0 0
Рисунок 9 – Характеристики МДП с индуцированным каналом
309
Rс
VT
Uп
Uвх Rз Rи Uвых
VT
VT2 Uвых
Rи
R2
-Uп _
а б в
Рисунок 14 – Схемы на ПТ: а – повторитель на согласованных ПТ;
б – генератор тока на ПТ; в – стабилизатор тока на ПТ
Источник тока на ПТ
Схема, представленная на рисунке 14,б, является генератором тока.
Известно, что в n-канальном ПТ с управляющим затвором ток стока
течет и тогда, когда вспомогательной напряжение Uзи равно нулю. Это по-
зволяет выполнить источник тока в виде двухполюсника. Благодаря этому
схема может включаться вместо любого омического сопротивления. Такая
схема позволяет стабилизировать ток в заданной ветви.
Для определения величины резистора обратной связи Rи можно вос-
пользоваться формулой вытекающей из передаточной характеристики тран-
зистора:
Rи =
(
Uзи + Uomc ⋅ 1 − Ica Icн) , (13)
Ica
где: Uзи - напряжение подаваемое на затвор ПТ с резистивного делителя
(для схемы на рисунке 14,в - Uзи = 0);
Iса - требуемое значение выходного тока источника.
Внутреннее сопротивление такого источника тока составляет величи-
ну порядка сотен кОм. Данная схема позволяет получать токи величиной от
десятков мА до единиц мкА. Последняя особенность, особенно ценна для
измерительной техники, так как создание на биполярных транзисторах ис-
точников малых токов весьма затруднено из-за большой температурной не-
стабильности теплового тока коллектора в данном режиме.
314
а б
Рисунок 15 - Выходные характеристики ПТ: а – без линеаризации;
б – для линеаризованного ПТ
Схема регулятора напряжения на ПТ показана на рисунке 18,а. Он по-
зволяет передавать цифровые сигналы величиной в несколько вольт, анало-
говые сигналы могут иметь величину до десятых долей вольта. При боль-
ших амплитудах возникают существенные искажения. При больших напря-
жениях между стоком и истоком характеристики ПТ становятся нелиней-
ными, как. это видно из рисунка 15,а.
315
R1
VT
Uвх Uвых
Uзи
а б
Рисунок 16 – Делители напряжения на ПТ: а – простая схема делителя
напряжения; б – линеаризованная схема делителя напряжения
При передаче через такие устройства аналоговых сигналов необходи-
мо линеаризовать их характеристики. Такая схема приведена на рисунке
16,б. Для этого часть напряжения сток-исток добавляется к напряжению за-
твор-исток с помощью резисторов R1 и R2 и компенсирует нелинейность.
Оптимальная линеаризация характеристик достигается при выборе
R1 ≈ R 2 ≫ Rси .
Линеаризованное семейство характеристик ПТ приведено на рисунке
15,б. Отклонение от линейной зависимости при значении Uзи < 1 В состав-
ляет для них не более 1%.
Контрольные вопросы
1. Полевые транзисторы и их разновидности.
2. Принцип работы полевого транзистора с управляющим р-п пере-
ходом.
3. Принцип работы полевого транзистора с изолированным затвором.
4. Основные характеристики полевых транзисторов (понятия началь-
ного тока стока, крутизны).
5. Схемы включения полевых транзисторов (с ОИ, ОС и ОЗ).
6. Свойства и области применения усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах.
7. Источник тока на полевом транзисторе.
8. Применение полевого транзистора в качестве управляемого сопро-
тивления.
316
∑ (U
i =2
i
ВЫХ
)
Kни = 2
, (8)
(U1ВЫХ )
где U iВЫХ - i-я гармоника выходного напряжения;
U1ВЫХ - первая гармоника выходного напряжения.
Нелинейные искажения в усилителе уменьшаются выбором рабочего
режима с наибольшим линейным усилением, использованием высококаче-
ственных элементов, использованием обратных связей.
Многокаскадные усилители
При усилении малых входных сигналов может оказаться, что коэф-
фициент усиления одного каскада недостаточен для получения требуемой
амплитуды сигнала на нагрузке.
С целью увеличения коэффициента усиления применяют последова-
тельное включение усилительных каскадов. При этом входное сопротив-
ление последующего каскада является нагрузкой для предыдущего.
б
Рисунок 6 - Многокаскадный усилитель с конденсаторной связью:
а - принципиальная схема; б – общий вид двухканального усилителя с
конденсаторной связью
Разделительный конденсатор Cp для предшествующего каскада вы-
полняет функцию выходного конденсатора, а для последующего – входно-
го конденсатора. Для исключения частотных искажений усиленного сиг-
нала и снижения коэффициента усиления многокаскадного усилителя ем-
кость разделительного конденсатора выбирают такой, что бы на низшей
усиливаемой частоте модуль емкостного сопротивления разделительного
322
б в
Рисунок 7 - Многокаскадный усилитель с трансформаторной связью:
а – принципиальная схема; б – усилитель мощности низкой частоты с
выходным трансформатором; в – усилитель мощности высокой частоты
с трансформаторной связью
323
б в г
Рисунок 8 – Усилитель постоянного тока (с непосредственной связью) и
примеры УПТ в интегральном исполнении : а – принципиальная схема;
б – К140УД7А; в – К140УД20А; г – КР544УД2
В усилителях с непосредственным соединением каскадов обеспечи-
вается возможность усиления сигналов низких частот вплоть до постоян-
324
а б
в г
Рисунок 10 – Виды обратной связи: а – последовательная;
б - параллельная; в – по напряжению; г – по току
Резисторы R1 и Roc на рисунке 10,б позволяют просуммиро-
вать токи от источника и цепи обратной связи. Непосредственное парал-
лельное соединение входного источника и выхода ЦОС невозможно, так
как равносильно подключению двух источников ЭДС параллельно.
326
Рисунок 11 - Усилитель с ОС
Определим коэффициент усиления усилителя охваченного ОС.
Напряжение Uвх1 определяется с помощью 2-го закона Кирхгофа по
формуле:
Uвх1 = Uвх ± Uoc . (11)
В выражении (1) знак «плюс» берется для положительной обратной
связи, знак «минус» для отрицательной обратной связи.
Разделим выражение (1) на Uвых и введем следующие обозначения:
Uвых
Ku = - коэффициент усиления усилителя без обратной связи;
Uвх1
Uвых
Kос = - коэффициент усиления усилителя с БОС;
Uвх
Uос
β= - коэффициент передачи БОС.
Uвых
327
R1 C1
R2 C2
а г
б д
φ
π/2
-π/2
в е
Рисунок 12 – Схема RC цепей для ЦОС: а – схема моста Вина; б – АЧХ
моста Вина; в – ФЧХ моста Вина; г – схема 2-го Т-моста; д - АЧХ 2-го
Т-моста; е – ФЧХ 2-го Т-моста
330
Контрольные вопросы
1. Основные характеристики и параметры усилителей.
2. Многокаскадные усилители. Коэффициент усиления и виды связей
в многокаскадном усилителе.
3. Усилитель с непосредственной связью между каскадами. Частот-
ная характеристика, свойства и области применения.
4. Усилитель с RC связью между каскадами. Частотная характери-
стика, свойства и области применения.
5. Усилитель с индуктивной связью между каскадами. Частотная ха-
рактеристика, свойства и области применения.
6. Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной свя-
зи и ее влияние на характеристики усилителя.
7. Использования положительной обратной связи для создания авто-
генераторов и их разновидности.
331
План лекции
1) Дифференциальный усилитель. Основные параметры и реализация.
2) Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и классифи-
кация ОУ. Идеальный ОУ Линейный усилитель на ОУ.
3) Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Расчет ос-
новных параметров.
UВХ+ +U Rн
-U +
Eп2
-
а б
Рисунок 3 – Условное обозначение ОУ и его схема включения:
а – отечественное условное обозначение ОУ; б – обозначение ОУ в
иностранной литературе
Важной характеристикой ОУ является его амплитудная (передаточ-
ная) характеристика. Она приведена на рисунке 4.
Uвых
Еп1+
U вых
+Uсм ЛУ Uвх
-Uсм U вх
Ku= U вых U вх
_
Еп2