86 Прикладная физика № 5, 2007

УДК 621.383

Регистрация коротких световых импульсов фотоприемными

устройствами на основе фоторезисторов с большой инерционностью
С. В. Бушман, Л. И. Горелик, Н. В. Кравченко, К. М. Куликов, А. К. Петров
ФГУП «НПО "Орион"» — Государственный научный центр РФ, Москва, Россия

Рассмотрена возможность применения фотоприемников на основе фоторезисторов из

PbS и PbSe для регистрации импульсного излучения длительностью до 10 нс. Получены вы-
ражения для порогового потока таких фотоприемников. Проведены оценки порогового по-
тока для типичных значений фотоэлектрических характеристик и различной длительно-
сти световых импульсов. Рассчитаны частотные характеристики квазиоптимальных
фильтров, максимизирующие отношение сигнал—шум.

В работе [1] рассматривалась возможность ис- ние вольтовой чувствительности Spass и собствен-
пользования низкочастотных и низкоомных фото- ного шума фоторезистора дается для случая Rdark =
резисторов на основе КРТ для регистрации им- = Rload , поэтому для расчета принимаем
пульсов излучения СО2-лазера длительностью до
10 нс. Цель настоящей работы — возможность Rload
Sio = 2S pass .
применения низкочастотных и высокоомных фо- Rload + Rdark
торезисторов (ФР) на основе халькогенидов свин-
Здесь с учетом изложенного в [1] частотная за-
ца в оптико-электронных активных системах. Как
висимость сигнала на входе предварительного
и в работе [1], критерием оптимального приема
усилителя принимает вид
излучения является максимизация отношения сиг-
P ( ω) Sio ( ω) Rload
нал—шум. U sig (ω) = λ =
Рассмотрим эквивалентную схему включения Rdark + Rload
фоторезистора (рис. 1). Pλ ( ω) Sio Rload
6 = ,
3 ( Rdark + Rload ) (1 + jωτ )
где Pλ(ω) — монохроматический поток входного
1 4 излучения;
7
τ — постоянная времени фоторезистора.
2
5 Спектральную плотность собственных шумов
фоторезисторов можно представить в видe
2
U 02 ( ω0 ) ω0 U gen
N ( ω) = + + 4kTRdark .
Рис. 1. Эквивалентная схема включения фоторезистора:
| ω| 1 + ω2 τ2
1 — источник шума ФР N(ω); 2 — источник сигнала; Рассмотрим два крайних случая:
3 — темновое сопротивление Rdark; 4 — тепловая ЭДС
4kTRload; 5 — сопротивление нагрузки Rload; 6 — приведенная U 2 (ω ) ω
спектральная плотность шумовой ЭДС предварительного N ( ω) = 0 0 0 + 4kTRdark (где ω = 2π/f ) —
усилителя (ПУ) e2noisе am; 7 — ПУ | ω|
для фоторезистора с преобладающим шумом типа 1/f ;
Будем считать, что оптимальное согласование 2
U gen
фоторезистора с усилителем происходит на сред- N ( ω) = + 4kTRdark —
них частотах, когда влияние суммарной емкости 1 + ω2 τ2
фотоприемника и предварительного усилителя для фоторезистора с преобладающим генерацион-
можно не учитывать. Для высокоомных фоторези- но-рекомбинационным (Г-Р) шумом.
сторов темновое сопротивление Rdark больше со- Для косинус-квадратного импульса длительно-
противления нагрузки Rload и входного сопротив- стью Тim
ления усилителя Rin. В данном случае коэффици- ⎧ 2 ⎛ πt ⎞ Tim
ент преобразования входной цепи предваритель- ⎪ P0 cos ⎜ ⎟ при | t | < ,
⎪ ⎝ T ⎠ 2
ного усилителя не зависит от частоты и равен Pλ ( t ) = ⎨ im
R R ⎪ Tim
Kin = load in . Как правило, паспортное значе- ⎪⎩0 при | t | < 2
Rload + Rin
© Бушман С. В., Горелик Л. И., Кравченко Н. В., Куликов К. М., Петров А. К., 2007
Прикладная физика № 5, 2007 87

общее выражение для порогового потока при ре- 2

гистрации фотоприемным устройством (ФПУ) в Значение U gen также бралось из результатов
первом случае равно измерения спектра шума.
Pλ = B × В этом случае при выводе формулы для поро-
ωTim
β2 + δ2 гового потока также учтено, что << 1.
× , (1) 2
⎧
⎩
( 2
⎨ln 1 + δ /16 +
2β
δ
) ⎫
arctan ( δ / 4 ) − 2 ln (1 + β / 4 ) ⎬
⎭
Рассчитанная по формуле (2) зависимость по-
рогового потока приведена на рис. 3.
U 02 ( f0 ) f 0 2
2enoisе 2τ 106
где B = , β= , δ= ,
Sim0 Tim U 02 ( f0 ) f0 Tim
Pλ/C
2 2 1/ 2
C = [U gen + enoise
( f0 ) Σ] / Simo
U 02 — среднее значение шума на частоте f0, 105
взятое из экспериментальных данных.
При выводе этой формулы учтено, что при рас-
2 3 4
сматриваемых длительностях сигналов и частот- 104
1
ном интервале выполняется соотношение
ωTim
<< 1.
2
Рассчитанная по формуле (1) зависимость по- 103
0 50 100 150 200
рогового потока ФПУ с шумами типа 1/f от дли- Tim, нс
тельности принимаемого светового импульса при-
ведена на рис. 2. Рис. 3. Расчетная зависимость импульсной пороговой
чувствительности ФПУ с преобладанием Г-Р-шума
105 от длительности входного сигнала:
1 — τ = 10–5 с; 2 — τ = 2⋅10–5 с;
Pλ/B
3 — τ = 5⋅10–5 с; 4 — τnoisе = 10–4 с
B = [U 02 ( f 0 ) f 0 ]1 / 2
/ Simo
104
При выводе выражения для квазиоптимального
фильтра ФПУ учитывались положения, изложен-
1 2 3 4 ные в [2].
103 Передаточная характеристика оптимального
фильтра представлена следующим соотношением:

102 P* ( ω) Sim 0e − jωt0 *

0 50 100 150
200 K opt ( ω) = λ K ( ω)tr ,
Tim, нс N ( ω)
Рис. 2. Расчетная зависимость импульсной пороговой
чувствительности ФПУ от длительности входного где Pλ* ( ω) — сопряженное значение спектра сиг-
сигнала с учетом шумов типа 1/f:
1 — τ = 10–5 с; 2 — τ = 2⋅10–5 с; 3 — τ = 5⋅10–5 с; 4 — τ = 10–4 с нала на входе фотоприемника;
N ( ω) — спектр шума на выходе фотопри-
Для порогового потока ФПУ с фоторезистором,
у которого преобладает генерационно-рекомбина- емника;
ционный шум, можно получить следующее выра- K * ( ω)tr — сопряженная передаточная функ-
жение: ция приемника излучения;
С t0 — запаздывание сигнала в фильтре.
Pλ = , (2)
Tim 2 ⎛ τ ⎞ Спектральную плотность суммарного шума на
arctan ⎜ noisе ⎟ входе предварительного усилителя можно пред-
2τnoisе ⎝ 2Tim ⎠ ставить в виде
2 2
U gen + enoisеΣ
где С = и введено обозначение U 2 (ω ) ω
Sim0 N ( ω) = 0 0 0 + 4kTRdark + 4kTRnoise + enoise
2
.am =
| ω|
2
еnoisе ∑ U 2 ( ω ) ω + e2 ω
τnoisе = τ . = 0 0 0 noise ∑ =
2 2
U gen + еnoise ∑
| ω|
88 Прикладная физика № 5, 2007

⎛ 2 ⎞ ⎟K(ω)⎜
⎛ U 2 ω ω ⎞ ⎜1 + enoise ∑ ω ⎟
⎜ 0 ( 0) 0 ⎟ 10
⎝ ⎠ ⎜ U 2 ( ω ) ω0 ⎟ 9
= ⎝ 0 0 ⎠ —
ω 8
для случая преобладания шумов типа 1/f ; 7
4
6

N ( ω) gen =
2 2
U gen + еnoise 2 2
∑ 1+ ω τ ( )= 5
4
3

1 + ω2 τ2 3 2
2
⎛ 2
еnoise ⎞
⎛ U 2 + е2 ⎞ ∑
⎜ gen noise ∑ ⎟ ⎜1 + 2 ω2 τ2 ⎟ 1
1
⎝ ⎠ ⎜ U gen + е2 ⎟ 0
= ⎝ noise ∑ ⎠= 10-1 1 10 2
10 103
2 2 ωτ
1+ ω τ а
⎛U
⎝
2 2 ⎞
⎠
(
2 2
⎜ gen + еnoise ∑ ⎟ 1 + ω τnoise ) ⎟K(ω)⎜
= —
1 + ω2 τ2 6
для случая преобладания Г-Р-шумов. 5
С учетом вида спектра косинус квадратного 2
K = [ enoise 2 2
Σ / enoise Σ + U gen )]
1/ 2

импульса принимаемого излучения 4

3
⎛ ωT ⎞
sin ⎜ im ⎟ 2
1
PT ⎝ 2 ⎠ 1
Pλ ( ω) = 0 im , 2
2 ⎛ ωTim ⎞ ⎡ ⎛ ωT ⎞2 ⎤ 1 3
⎜ 2 ⎟ ⎢1 − ⎜ im ⎟ ⎥ 4
⎝ ⎠ ⎢ ⎝ 2π ⎠ ⎥ 0
⎣ ⎦ 10-1 1 10 102
ωτ
можно получить следующие выражения для ква- б
зиоптимальных фильтров:
Рис. 4. Расчетная амплитудно-частотная
x характеристика квазиоптимального фильтра
| K opt (ω) |= ,
(1 + Ax ) 1 + x2
для шумов типа 1/f (а):
1 — τ = 10–5; 2 — τ = 2⋅10–5; 3 — τ = 5⋅10–5; 4 — τ = 10–4;
для Г-Р-шумов (б):
2 1 — К = 0,1; 2 — К = 0,2; 3 — К = 0,5; 4 — К = 1
enoise ∑
где x = ωτ, A = — для ФПУ, огра-
2πτU 02 ( f 0 ) f 0
Практическая реализация таких оптимальных
ниченного шумами 1/f; фильтров может быть осуществлена с помощью
использования традиционных, достаточно под-
1 + x2 робно описанных в литературе RC-цепей. Зависи-
| K opt ( ω) |= , мости, приведенные на рис. 4, а, б), могут пред-
1 + x 2k 2 ставлять практический интерес для выбора кон-
кретных значений номиналов R и C в таких це-
2 пях.
еnoise ∑
где x = ωτ, k= — для ФПУ,
2 2
U gen + еnoise ∑
ограниченного Г-Р-шумами. Литература
При выводе этих формул считалось, что
1. Горелик Л. И., Кравченко Н. В., Куликов К. М., Трошкин Ю. С.
ωTim Применение фоторезисторов на основе СdxHg1-xTe//Прикладная
<< 1.
2 физика, 1999. № 3.
Расчетные зависимости амплитудно-частотных 2. Шестов Н. С. Выделение оптических сигналов на фоне
случайных помех. ― М.: Сов. радио, 1967.
характеристик данных фильтров приведены, соот-
ветственно, на рис. 4, а и б. Статья поступила в редакцию 15 марта 2007 г.
Прикладная физика № 5, 2007 89

Detection of short light pulses by long inertance PbS

and PbSe photodetectors
S. V. Bushman, L. I. Gorelik, N. V. Kravchenko, K. M. Kulikov, A. K. Petrov
Orion Research-and-Production Association, Moscow, Russia

Opportunities of application PbS and PbSe p-s for pulse radiation detection with pulses duration
to 10 ns are considered. Expression for threshold stream of such detectors are obtained. Threshold
stream estimation for typical values photo electrical characteristics and different light pulses dura-
tion are carried out. Frequency characteristics of the quasioptimal filters providing a maximum
signal-to-noise ratio are calculated.

УДК 621.383

Методы переноса отдельных блоков монокристаллов

CdxHg1-xTe и InSb использованием клеев
Л. М. Хитрова
ФГУП «НПО "Орион"» — Государственный научный центр РФ, Москва, Россия

Для повышения процента выхода годных фоточувствительных элементов из исходных

монокристаллических пластин КРТ и InSb предложено производить переклейку монокри-
сталла с промежуточной технологической подложки на стационарную несущую подлож-
ку. Был создан специальный термопластичный анаэробный клей типа "Циакрин", погло-
щающий короткоимпульсное СО2-лазерное излучение.

Традиционная технология изготовления фото- получению блоков с разной толщиной полупро-

чувствительных элементов (ФЧЭ) на основе моно-
кристаллических пластин CdxHg1-xTe и InSb состо-
ит из приклейки пластины на несущую подложку
стационарным криостойким термореактивным
клеем (марки ХСКД), химико-механического
утоньшения пластины до рабочей толщины
(10 мкм), разделения полупроводникового мате-
риала с помощью фотолитографии на отдельные
блоки, на каждом из которых формируют тополо-
гию ФЧЭ, после чего, разрезая общую подложку
по границам выделенных из полупроводникового
материала блоков, получают самостоятельные
ФЧЭ.
Основной недостаток данной технологии —
большой расход дорогостоящего полупроводнико-
вого материала, это связано с тем, что изначально
полупроводниковая пластина не является плоско-
параллельной (имеет "чечевицеобразную" форму).
При приклейке такой пластины на несущую под-
ложку стационарным клеем между подложкой и
полупроводниковой пластиной оказывается слой
клея разной толщины: от самого тонкого в центре
до относительно толстого на периферии пластины.
Это приводит впоследствии к неодинаковому теп-
ловому обмену (сопротивлению) между подлож-
кой и полупроводниковой пластиной, а также к
© Хитрова Л. М., 2007
водникового материала. В результате ФЧЭ, сфор-
мированные на периферийных блоках, зачастую
подлежат отбраковке из-за невозможности обес-
печить на них заданные параметры.
Для увеличения процента выхода годных ФЧЭ
за счет повышения коэффициента использования
монокристалла было предложено производить его
переклейку с промежуточной технологической
подложки на стационарную несущую.
Из неофициальных источников удалось полу-
чить информацию, что за рубежом проводятся та-
кие работы с применением лазерной или плазмен-
ной технологии.
Следуя этому пути, в 90-е годы нами была про-
ведена работа по переносу ("отстрелу") промежу-
точных структур с использованием лазера. Внача-
ле была сформирована структура "монокристалл—
лак—фольга—поглощающий лазерное излучение
клей—прозрачная для лазерного излучения под-
ложка". 3атем проведены химико-механическое
утоньшение монокристалла и выделение отдель-
ных блоков путем разделения структуры (резки).
Непосредственно перед монокристаллом устанав-
ливают предварительно покрытую стационарным
полимерным клеем (марки ФХ-5) несущую под-
ложку, а со стороны технологической подложки
90 Прикладная физика № 5, 2007