Вы находитесь на странице: 1из 1

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Поз.

Примечание

Кол
обознач. Наименование

Резисторы:

R1 10 О м
1

R2 39 к О м
1

R5, R6 7 , 5 к О м
1

VD4 КД22А R7 3 0 к О м
1

R3 7 , 7 к О м
1

VT1 IRFZ44 R16

VT2 IRFZ44 R8 6 8 к О м
1

10k
М1 R9 6 8 к О м
1

R1 10 C6

R9
R10,R11 1 0 О м
1

100мк
VD8
R17
C10,C11

68k
x16B КД213A 3300
R13 1 0 О м
1

680k
DF1 TL494
x1,6кВ R14,R12 1 к О м

R5
 VD2 VD3 VD5


R15
1

R2
 R6
12 8
C 1
Vcc C1 9 КД522А КД522А КД213А R16 1 0 к О м

39K 7,5k 7,5k 5 ||| 1

100мк
С2
E1
FU
1 R17 6 8 0 к О м
1

0,1 ER1 HL1


15A x16В 2 11 R11 10 R13 10 С8
| HL2
R7
ER1 C2 10 R15,R18 100 кОм 1
C3 0,022 E2 0,1
GB1
 VD1
16
30K ER2 ||
12B KC512 15 5 R14
VD6
К он д енсатор ы :
ER2 C 6
R4
R 1k КД213А T1
C4
 4 R18
C1 1 0 0 мк Ф , 1 6 В
1

10k 13 DTIM
14 R10
C7
R12

0,01 CNTR Vref 100k C2 0 , 1 мк Ф


1

3 GND
7 3,9k 2200 1k
COMP
C9
C5 4 , 7 мк Ф
1

R3
С5
R8
0,1
C6 1 0 0 мк Ф , 1 6 В
1

Защита

7,7k 4,7мк
 68k VT3 IRFZ44 VT4 IRFZ44 x1кВ C7 2 2 0 0 мк Ф

по току 1

x168
C8 0 , 1 мк Ф
1

C9 0 , 1 мк Ф
1

C10, C11 33 0 0 мк Ф 1

Дио д ы :
VD 1 Ста б илитрон , K С 5 1 2
1

VD2, Дио д ы , KЦ 5 2 2 А
2

VD3

VD4, Дио д ы , KЦ 2 2 А
4

VD 5 ,

VD 6 ,

Перв. примен.

VD 8

Т ран з истор ы :
VT 1 , I R FZ 4 4
4

VT 2 ,

VT 3 ,

VT 4
Справ. N o

М икросхем ы :
TL 4 9 4 1

Дополнительн ы е элемент ы :
GB 1 А ккумулятор , 1 2 В 1
T1 Т ранс ф орматор на ф еррите ,
1
типора з мер Ш 1 2 х1 5
Взам.инв. No Инв.No дубл. Подп. и даmа
Инв No подл. Подп. и даmа

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
Лиm. Масса Масшmаб
Изм. Лисm No докум. Подп. Даmа Пиmание ЛДС
Разраб. Скируха от аккумуляmора 1:1
Пров. Яничкин
Схема элекmрическая принципиальная
Т.контр. Лисm Лисmов 1

Н.конmр.
Уmв.
Копировал Формаm А3

Вам также может понравиться