Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Поз.
Примечание
Кол
обознач. Наименование
Резисторы:
R1 10 О м
1
R2 39 к О м
1
R5, R6 7 , 5 к О м
1
VD4 КД22А R7 3 0 к О м
1
R3 7 , 7 к О м
1
VT2 IRFZ44 R8 6 8 к О м
1
10k
М1 R9 6 8 к О м
1
R1 10 C6
R9
R10,R11 1 0 О м
1
100мк
VD8
R17
C10,C11
68k
x16B КД213A 3300
R13 1 0 О м
1
680k
DF1 TL494
x1,6кВ R14,R12 1 к О м
R2
R6
12 8
C 1
Vcc C1 9 КД522А КД522А КД213А R16 1 0 к О м
100мк
С2
E1
FU
1 R17 6 8 0 к О м
1
10k 13 DTIM
14 R10
C7
R12
3 GND
7 3,9k 2200 1k
COMP
C9
C5 4 , 7 мк Ф
1
R3
С5
R8
0,1
C6 1 0 0 мк Ф , 1 6 В
1
Защита
по току 1
x168
C8 0 , 1 мк Ф
1
C9 0 , 1 мк Ф
1
C10, C11 33 0 0 мк Ф 1
Дио д ы :
VD 1 Ста б илитрон , K С 5 1 2
1
VD2, Дио д ы , KЦ 5 2 2 А
2
VD3
VD4, Дио д ы , KЦ 2 2 А
4
VD 5 ,
VD 6 ,
Перв. примен.
VD 8
Т ран з истор ы :
VT 1 , I R FZ 4 4
4
VT 2 ,
VT 3 ,
VT 4
Справ. N o
М икросхем ы :
TL 4 9 4 1
Дополнительн ы е элемент ы :
GB 1 А ккумулятор , 1 2 В 1
T1 Т ранс ф орматор на ф еррите ,
1
типора з мер Ш 1 2 х1 5
Взам.инв. No Инв.No дубл. Подп. и даmа
Инв No подл. Подп. и даmа
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
Лиm. Масса Масшmаб
Изм. Лисm No докум. Подп. Даmа Пиmание ЛДС
Разраб. Скируха от аккумуляmора 1:1
Пров. Яничкин
Схема элекmрическая принципиальная
Т.контр. Лисm Лисmов 1
Н.конmр.
Уmв.
Копировал Формаm А3