Максина Елена Леонидовна

ЭЛЕКТРОНИКА.
КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ
 Данное пособие предстовляет собой конспект лекций по Электроннике,
составленный в помощь студентам средних и высших технических учебных
заведений. Материал подобран в соответствии с программой Министерства
Образования по данной дисциплине и соответствует государственному
стандарту.
ЛЕКЦИЯ № 1. Электронные приборы

1. Введение. Электронные лампы

В широком смысле электронными приборами принято назы'
вать усилительные устройства, основанные на электронных эф'
фектах, происходящих в вакууме, разряженных газах, твердых те'
лах, жидкостях или на границах их разделов при воздействии на
них электрических, магнитных, световых, тепловых, акустиче'
ских или других полей. По своей сути электронные приборы яв'
ляются достаточно эффективными управляемыми (с помощью
некоторого управляющего сигнала) преобразователями энергии,
отбираемой от источника питания и передаваемой потребителю
энергии. В правильно сконструированном и работающем в соот'
ветствующем режиме устройстве на управление тратится энергия,
значительно меньшая, чем энергия, поступающая потребителю
от источника, вследствие чего происходит в конечном итоге уси'
ление мощности управляющего сигнала.
При создании большинства электронных приборов обычно
приходится решать множество различных проблем и задач, одной
из важнейших из которых является проблема создания потока от'
носительно свободных электронов, проводимости и управления
его интенсивностью, положением в пространстве или скоростью
движения отдельных электронов в этом потоке.
В других видах электронных приборов используются практи'
чески неподвижные электроны, входящие в состав внешних ва'
лентных оболочек атомов, прочно связанные с атомными ядрами
и поэтому не имеющие возможности в обычных условиях переме'
щаться. Однако под действием внешних электрических, магнит'
ных, световых, тепловых или радиационных полей валентные
электроны могут переходить на более высокие энергетические
уровни (при этом происходит поглощение энергии внешнего по'
ля) с последующим возвратом на начальные уровни и излучением
поглощенной ранее энергии в виде электромагнитных квантов.

3
Это явление используется в квантовых приборах, например лазе
рах, мазерах, иразерах.
Электроны являются заряженными частицами, поэтому их дви'
жением можно управлять с помощью электрических и магнитных
полей.
Принцип действия большинства электронных приборов в ос'
новном сводится к управлению плотностью, скоростью или на'
правлением движения электронного (или электронно'ионного
в случае плазменных приборов или ионного в хемотронных при'
борах) потока, движущегося в вакууме, разряженном газе, полу'
проводнике, диэлектрике или электролите. При создании любо'
го усилительного электронного прибора возникают две главные
задачи: получение направленного электронного потока и созда'
ние устройства, эффективно и энергетически экономно управляю'
щего этим потоком.
Технических решений этих задач к настоящему времени име'
ется множество, и поэтому существует несколько сот видов элек'
тронных усилительных приборов, основанных на различных эф'
фектах, происходящих в вакууме, разряженных газах, твердых
телах, жидкостях или на границах их разделов.
Особенностью современной радиоэлектроники является то,
что она на 95% основывается на полупроводниковых приборах.
Но это не означает, что все другие виды электронных приборов,
в том числе и электровакуумные приборы, разработанные почти
столетие тому назад, в настоящее время не применяются. Существу'
ет много областей науки и техники, где применение полупроводни'
ковых усилительных приборов очень затруднено или почти невоз'
можно. Это работа аппаратуры в интенсивных радиационных
полях (как то аппаратура контроля работы ядерных реакторов или
аппаратура для применения в хранилищах отработанного ядерно'
го топлива, аппаратура для устранения последствий аварий ядер'
ных реакторов, работа в условиях высоких температур (аппарату'
ра систем контроля работы сопел ракетных двигателей), мощные
усилители и генераторы сверхвысоких частот (радио' и телепередат'
чики, радиолокаторы, промышленные и бытовые СВЧ'печи)).
В этих случаях очень часто применяются электровакуумные уси'
лительные и генераторные приборы.
Кроме этих областей, большое применение электровакуумные
приборы (электронные лампы) находят в бытовой технике, напри'

4
мер для создания мощных сверхвысококачественнных аудиоуси'
лителей.
Электронные лампы. В электронных лампах для получения по'
тока свободных электронов используется явление электронной
эмиссии — излучения электронов с поверхности твердых или жид'
ких тел. Однако потеря даже малого числа электронов с поверх'
ности тела нарушает его электрическую нейтральность, вследствие
чего тело заряжается положительно и возникают тормозящие си'
лы, стремящиеся вернуть электроны и препятствующие продол'
жению эмиссии. Для преодоления тормозящих сил электроны
должны иметь достаточно большую энергию, называемую рабо'
той выхода, — до нескольких электронвольт. Работа выхода за'
висит от многих факторов, решающий из которых — расстояние
между атомами в кристаллической решетке (чем расстояние боль'
ше, тем работа выхода меньше). Чтобы придать электронам допол'
нительную энергию, позволяющую им эмитировать с поверхности
тел, в электронной технике используются следующие способы: на'
гревание до высоких температур, воздействие сильным электричес'
ким полем, бомбардировка поверхности частицами высоких энер'
гий, облучение светом.
При нагревании тела, используемого как излучатель электро'
нов и называемого катодом (или эмиттером), увеличивается ско'
рость движения электронов проводимости, возрастает их кинети'
ческая энергия, и все большее их число покидает катод. Вблизи
поверхности катода возникает электронное облако вылетающих
из катода (и возвращающихся в него) электронов, плотность ко'
торого пропорциональна температуре катода и почти обратно про'
порциональна работе выхода:
W
I т = АтТ 2ехр( − ),
kT
где Iт — плотность тока термоэлектронной эмиссии, А/см2;
Ат — постоянная, зависящая от материала катода и состояния
его поверхности;
Т — абсолютная температура;
W — работа выхода;
k — постоянная Больцмана.
Для увеличения плотности тока термоэлектронной эмиссии
необходимо увеличить температуру катода и использовать мате'

5
риалы с малой работой выхода. Для изготовления термоэлектрон'
ных катодов используют стойкие к испарению материалы: воль'
фрам, тантал, молибден и ниобий.
Эмиссионные свойства термоэлектронного катода существен'
но повышаются, если на его поверхность нанести тонкий слой
активирующего металла, имеющего малую работу выхода. Кон'
структивно термоэлектронные катоды выполняют в виде катодов
прямого и косвенного нагрева.
Во многих видах современных электронных приборов приме'
няются холодные катоды, электронная эмиссия с поверхности ко'
торых достигается за счет воздействия сильных электрических
полей. Плотность тока получаемой таким способом эмиссии:

A0 2 ⎛ W 3/2 ⎞
I0 = E а exp ⎜ −Ba ,
W ⎝ E a ⎟⎠

где W — работа выход;

Еа — напряженность электрического поля у поверхности катода;
А0 и Ва — конструктивные постоянные.
Разновидностью холодного катода является туннельный катод.
Принцип действия электронной лампы сводится к управлению
плотностью, скоростью или направлением движения потока электро
нов, движущихся в колбе, из которой откачан воздух.

а б
Рис. 1. Принцип действия электронной лампы (а), включение ее в качестве
усилителя сигналов (б)

В электронной усилительной лампе с управлением плотно'

стью электронного потока (рис.1а) электроны, эмиттированные с
поверхности катода, под действием ускоряющего поля, создаваемо'

6
го внешним источником питания, устремляются к аноду. На пути
электронного потока устанавливается устройство управления,
которое под действием напряжения источника сигнала создает
электрические или магнитные (или те и другие) поля, которые
способствуют или препятствуют прохождению электронов от ка'
тода к аноду.
Электронные лампы классифицируют по числу основных элек'
тродов. Если в лампе два электрода (анод и катод), то она называет'
ся диодом. Трехэлектродная лампа имеет анод, катод и управляющую
сетку и называется триодом. Четырехэлектродная лампа называется
тетродом, пятиэлектродная — пентодом и т. д.
Диоды. В диоде отсутствует устройство управления и его ос'
новное свойство — односторонняя электрическая проводимость,
т. е. электрический ток может протекать в одном направлении — от
катода к аноду. Это происходит тогда, когда диод включен в элек'
трическую цепь с источником тока так, что на аноде оказывается
плюс, а на катоде — минус. Только в этом случае электроны, эмит'
тированные катодом, могут достигнуть анода.
Аналитически вольт'амперная характеристика диода — зави'
симость анодного тока Iа от анодного напряжения Uа — аппрокси'
мируется параболой вида:
I a = AU a2 / 3 ,

где А — конструктивная постоянная.

В современной радиоэлектронике вакуумные диоды находят
ограниченное применение. При этом используется свойство од'
носторонней проводимости (в высоковольтных выпрямителях при
рабочих напряжениях в десятки и сотни тысяч вольт) и возмож'
ность создавать очень равномерный «белый шум» с не зависящим
от частоты спектром, генерируемым при работе в режиме насы'
щения анодного тока.
Триоды. В триоде управление плотностью электронного пото'
ка осуществляется с помощью управляющего электрода, изме'
няющего напряженность электрического поля в околоэлектрод'
ном пространстве.
В триодах с термоэлектронным катодом управляющим электро'
дом служит тонкая металлическая управляющая сетка (рис. 1б).
Обычно сетка расположена вблизи поверхности катода на рас'
стоянии в несколько десятков микрометров, в то время как рас'

7
стояние «катод — анод» может быть весьма большим (от единиц
миллиметров до нескольких десятков сантиметров).
Поэтому изменение потенциала управляющей сетки сказывает'
ся на напряженности поля в околокатодном пространстве сильнее,
чем изменение потенциала анода. Если потенциал управляющей
сетки отрицателен, то поле вблизи катода является тормозящим,
и плотность электронного потока по мере увеличения этого потен'
циала уменьшается вплоть до полного прекращения прохождения
электронов к аноду. При этом происходит запирание лампы.
При положительном потенциале сетки ее поле является уско'
ряющим, не препятствует прохождению электронов к аноду, и по'
этому плотность электронного потока возрастает.
Принцип действия усилителя на электронной лампе сводится
к тому, что под действием напряжения входного сигнала Uвх из'
меняется плотность электронного потока, идущего от катода к ано'
ду. При этом изменяется кажущееся внутреннее сопротивление
электронной лампы, что ведет к изменению анодного тока, обес'
печиваемого за счет источника питания Еп. Это приводит к изме'
нению падения напряжения Uвых на сопротивлении нагрузки Rн.
Так как управляющая сетка расположена намного ближе к като'
ду, чем анод, то напряжение Uвых >> Uвх, т. е. входной управляю'
щий сигнал усиливается.
Анодная характеристика триода — это зависимость анодного
тока от напряжения на аноде и управляющей сетке.
Под анодносеточной вольтамперной характеристикой пони'
мается зависимость анодного тока от напряжения на управляю'
щей сетке при постоянном напряжении на аноде.
Основные параметры триодов, используемые для их сравне'
ния и выполнения различных расчетов, — это крутизна анодно'
сеточной характеристики и внутреннее сопротивление перемен'
ному току:
S = Δ I a / Δ U c при U a = const; Ri = Δ U a / Δ I a при U c = const,

где ΔI, ΔU, ΔU — приращения соответственно анодного тока, се'

точного и анодного напряжений.
Важнейший параметр триода — статический коэффициент уси
ления μ = ΔUа /ΔUс при Iа= const. Он показывает, во сколько раз
изменение напряжения на управляющей сетке эффективнее воз'

8
действует на анодный ток, чем изменение анодного напряжения.
Величина μ определяется конструкцией триода и режимом его ра'
боты и тем больше, чем больше расстояние «анод — сетка» по
сравнению с расстоянием «сетка — катод» и чем гуще сетка (т. е.
чем ближе друг к другу витки сетки).
При работе в линейном режиме связь между параметрами
триода выражается формулой: μ = SRi.
Недостаток триода, ограничивающий его применение, — об'
ратная связь (т. е. нежелательная передача энергии с выхода уси'
лителя на его вход) на высоких частотах между анодной и сеточ'
ной цепями, возникающая через емкость «анод — управляющая
сетка».
Тетроды. В тетроде анод и управляющая сетка разделены электро'
статическим экраном, выполненным в виде экранной сетки.
Экранная сетка не должна препятствовать прохождению электро'
нов от катода к аноду. С этой целью сетка выполняется из тонкого
провода, и на нее подается положительное напряжение.
Особенность тетрода — необходимость работать в таком режи'
ме, когда напряжение на экранной сетке ниже напряжения на ано'
де. Если это требование нарушается, то наблюдается динатронный
эффект: вторичные электроны, появляющиеся в результате попада'
ния на анод электронного потока, движущегося с весьма большой
скоростью, эмиттируются с его поверхности и захватываются экран'
ной сеткой. Это вызывает уменьшение анодного тока вплоть до
того, что может стать равным нулю.
Пентоды. В маломощных электронных лампах динатронный
эффект устраняется третьей, защитной (или антидинатронной)
сеткой, помещаемой между анодом и экранной сеткой и имею'
щей потенциал, равный потенциалу катода. Трехсеточные (пяти'
электродные) лампы называются пентодами.
Многоэлектродные и комбинированные электронные лампы.
Увеличение числа сеток свыше трех'четырех практически не улуч'
шает ее усилительные свойства настолько, чтобы это было оправда'
но существенным усложнением производства и снижением надеж'
ности эксплуатации.
Электронные лампы с управлением плотностью электронного
потока могут работать только на частотах 2—5 Гц и не позволяют
использовать принципы управления плотностью электронного

9
потока для усиления напряжений сигналов сверхвысоких частот
(СВЧ).
Поэтому для усиления СВЧ'сигналов применяются приборы
со скоростным управлением: клистроны, лампы бегущей волны,
магнетроны и т. д. Принцип действия этих приборов основан на
взаимодействии электромагнитного поля электронных потоков,
идущих от катода к аноду, с электромагнитным полем управляюще'
го сигнала, что в определенных условиях может приводить к пере'
даче энергии электромагнитного потока электромагнитному полю
управляющего сигнала и к его усилению.

2. Газоразрядные (плазменные) приборы

В электронных вакуумных лампах перенос электрического тока
производится электронами. В плазменных лампах (внутри колб
которых находится инертный газ) в процессе работы происходит
ионизация молекул газа, и возникают положительно заряженные
ионы, в результате чего промежуток пространства между катодом
и анодом оказывается заполненным плазмой — примерно рав'
ным числом электронов и положительно заряженных ионов газа.
Плазменные лампы могут работать как с нагретым, так и с хо'
лодным катодом, надо только каким'либо образом первоначаль'
но пропустить импульс тока между катодом и анодом, после чего
ток через прибор самостоятельно поддерживается за счет авто'
электронной эмиссии и вторичной эмиссии электронов, выбивае'
мых с поверхности отрицательно заряженного катода ударяющи'
мися в него положительными ионами. В режиме холодного катода
работает большая часть плазменных ламп. В тех случаях, когда
внутреннее сопротивление должно быть минимальным, приме'
няют термоэлектронный катод.
Плазменные лампы управляются электрическими, магнитны'
ми, тепловыми или радиационными полями, с помощью которых
можно управлять моментом включения и выключения, можно
изменять величину рабочего тока или пространственное положе'
ние электрического разряда.
При работе в плазменной лампе возникает свечение: рекомби'
нирующие с электронами ионы отдают излишек энергии в виде
света.

10
 Поэтому плазменные лампы используются в качестве источ'
ников света.
В режиме несамостоятельного газового разряда работают иони'
зационные камеры, пропорциональные счетчики и детекторы ра'
диоактивных и космических излучений.
В режиме самостоятельного (тлеющего) разряда работает боль'
шинство плазменных ламп, применяющихся в электронике. Это
объясняется тем, что:
1) лампы тлеющего разряда легко управляются (моментом
включения);
2) в них используется холодный катод;
3) потери электрической энергии на внутреннем сопротивле'
нии малы;
4) при прохождении тока наблюдается яркое свечение, позво'
ляющее находить неисправные лампы, а также применять их
в качестве различных индикаторов;
5) лампы тлеющего разряда дешевы, имеют простое устрой'
ство и практически не ограниченный срок службы.
Важнейшие приборы тлеющего разряда — стабилитроны
и индикаторные лампы. Работа стабилитрона основана на свой'
стве тлеющего разряда поддерживать неизменным напряжение
горения при небольших изменениях анодного тока.
Яркое свечение тлеющего разряда привело к широкому исполь'
зованию диодов в качестве цветных световых индикаторов и ука'
зателей. Если баллон светового индикатора заполнен неоном, то
свечение будет оранжево'красным, аргон дает сиреневое свече'
ние, криптон — голубое, гелий — синее.
Если к аноду плазменной лампы приложено достаточно высокое
напряжение, то в лампе может возникнуть дуговой разряд: практи'
чески все молекулы оказываются ионизированными, и внутреннее
сопротивление оказывается очень малым. Высокая электропро'
водность плазмы в режиме дугового разряда позволяет создавать
дуговые выпрямительные лампы большой мощности, используе'
мые для выпрямления токов в десятки тысяч ампер промышлен'
ной частоты и преобразования постоянных напряжений в пере'
менные. Кроме того, яркое свечение плазмы дугового разряда
используется в мощных источниках света практически любого
спектрального анализа.

11
 Выпрямительные диоды дугового разряда — газотроны — имеют
термоэлектронные катоды, вследствие этого их включение (зажига'
ние дуги) происходит при низком анодном напряжении.
Важнейшие управляемые приборы дугового разряда — тира
троны. Тиратроны выполняются в виде триодов (термоэлектрон'
ного катода, управляющей сетки, анода), тетродов и пентодов. Тер'
моэлектронный катод тиратрона может быть прямого подогрева
и косвенного. Тиратроны используют в энергетике больших мощ'
ностей, при токах в десятки тысяч ампер и очень высоких рабочих
напряжениях (в десятки и сотни тысяч вольт), импульсных моду'
ляторах и разрядниках, в ускорителях заряженных частиц, мощ'
ных радиолокаторах, экспериментальных термоядерных реакто'
рах и т. д.

3. Физические основы работы

полупроводниковых приборов
В полупроводниковых электронных приборах наиболее широ'
ко используются контактные явления, возникающие на границе
разделов «металл — полупроводник», «полупроводник с электрон'
ной проводимостью — полупроводник с дырочной проводимостью».
Согласно постулату де Бройля с каждой движущейся массой
вещества связан особый волновой процесс, а длина волны опре'
деляется соотношением:

λ = h / mv,

где h — постоянная Планка;

m — масса;
v — скорость движения.
Волны де Бройля существенно ограничивают подвижность
электронов в атомах. Установлено, что электрон может двигаться
только по такой орбите, вдоль которой укладывается целое число
его волн. Остальные орбиты для электрона запрещены.
В изолированном атоме с одним электроном скорость движе'
ния электрона по разрешенной орбите устанавливается такой, при
которой центробежная сила уравновешивает силу притяжения
отрицательно заряженного электрона к положительно заряжен'

12
ному ядру. Каждой разрешенной орбите соответствует своя ско'
рость и, следовательно, своя кинетическая энергия электрона.
Установлено, что, двигаясь по разрешенной орбите, электрон
не расходует (не излучает) энергию. В противном случае, излучая
энергию, электрон по спирали упал бы на ядро. Отсутствие излу'
чения на разрешенных орбитах — особенность микромира, не
имеющая аналогов и не объяснимая на основании известных за'
конов макромира.
Под действием внешних факторов или спонтанно (самопроиз'
вольно) электрон может переходить с одной разрешенной орбиты
на другую. Чтобы перейти с низкой орбиты на более высокую,
электрон должен получить порцию (квант) энергии, строго рав'
ную разности его энергий для двух разрешенных орбит. Такая
энергия доставляется атомам главным образом световыми, ульт'
рафиолетовыми или рентгеновскими лучами, а также при тепло'
вых столкновениях атомов.
Атом, поглотивший один или несколько квантов лучистой
энергии, называется возбужденным. Иногда поглощенная энер'
гия столь велика, что электрон переходит на очень удаленную ор'
биту и практически отрывается от атома. Такой атом называется
ионизированным.
Энергетические уровни и зоны. Полная энергия электрона, рав'
ная сумме его кинетической (энергии движения по орбите) и потен'
циальной (притяжения к ядру) энергий, называется энергетическим
состоянием атома. Каждой разрешенной орбите соответствует свое
энергетическое состояние, которое на диаграмме представляют
в виде энергетического уровня. Так как орбиты и их энергии де'
лятся на разрешенные и запрещенные, то и энергетические уровни
также могут быть разрешенными и запрещенными. Разрешенные
уровни изолированного атома водорода могут иметь следующие
значения энергий: при n = 1 Е1 = –13,53 эВ, при n = 2 Е2 = –3,38 эВ,
при n =3 Е3 = –1,5 эВ и т. д. Здесь n — порядковый номер разре'
шенной орбиты, начиная от ближайшей к ядру. Величину n называ'
ют главным квантовым числом и используют для описания дискрет'
ных свойств микромира. Разрешенный энергетический уровень,
характеризуемый главным квантовым числом n, расщепляется на
ряд близко расположенных подуровней. Еще сложнее энергети'

13
ческая картина многоэлектронного атома, входящего в состав мо'
лекулы или расположенного в узле кристаллической решетки.
Взаимодействие атомов в решетке приводит к тому, что их энер'
гии расщепляются на большое количество почти сливающихся
подуровней (рис. 2), образующих энергетические зоны.
Энергетическая зона, заполненная подуровнями, тем шире,
чем ближе расположены атомы и чем выше энергетический уро'
вень.

Рис. 2. Расщепление энергетических уровней атомов, связанных

в кристаллической решетке

Таким образом, существуют разрешенные и запрещенные энер'

гетические зоны.
Всегда существует некоторая, не равная нулю, вероятность того,
что энергия электрона совпадает с подуровнем одной из разре'
шенных энергетических зон.
Вероятность пребывания электрона в запрещенной зоне равна
нулю.
Разрешенные энергетические зоны кристаллов состоят из
большого количества близких друг к другу подуровней. Верхнюю
из заполненных энергетических зон называют валентной, так как
ее электроны способны взаимодействовать с соседними атомами,
обеспечивая молекулярные связи.
Разрешенные энергетические зоны, располагающиеся ниже
валентной, всегда заполнены электронами полностью. Валентная
зона может быть заполнена полностью или частично.

14
 Разрешенная энергетическая зона, расположенная непосред'
ственно под валентной зоной, называется зоной проводимости.
Проводящие свойства кристалла зависят от ширины запрещен'
ной зоны, разделяющей валентную зону и зону проводимости.
Средним значениям ширины запрещенной зоны соответствуют
полупроводниковые кристаллы.
Так как валентная зона и зона проводимости у кристалличе'
ских проводников не разделены, электроны свободно переходят
с одного разрешенного подуровня на другой, приобретая упоря'
доченную скорость под действием приложенного напряжения
(рис. 3).

а б в
Рис. 3. Зонные энергетические диаграммы различных кристаллов:
а — проводник; б — полупроводник; в — изолятор; 1 — зона проводимости,
2 — валентная зона; 3 — запрещенная зона.

У полупроводниковых кристаллов проводимость определяется

прежде всего количеством электронов, преодолевших запрещен'
ную зону и проникших в зону проводимости. Поэтому сопротив'
ление полупроводников уменьшается с увеличением температуры.
Вследствие малой ширины (1 эВ) запрещенной зоны полупро'
водника тепловые колебания атомов способны сообщить валент'
ным электронам энергию, достаточную для перехода из заполнен'
ной валентной зоны в свободную зону проводимости. Каждый
такой переход приводит к возникновению пары носителей заряда:
свободного электрона в зоне проводимости и свободного энерге'
тического состояния — дырки — в валентной зоне. Под действием
приложенного к кристаллу напряжения электрон проводимости

15
движется «навстречу» электрическому полю, а электрон в валент'
ной зоне занимает свободный уровень, освобождая свой уровень
для другого электрона. Это можно рассматривать как движение
положительного заряда (дырки) в направлении электрического
поля.
Генерация пар свободных, т. е. способных перемещаться под
действием приложенного напряжения, зарядов делает кристалл
способным проводить электрический ток, а электропроводность
такого кристалла называется собственной.
Одновременно с образованием пар носителей часть электро'
нов из зоны проводимости спонтанно переходит обратно в ва'
лентную зону, излучая кванты энергии. Этот процесс называется
рекомбинацией пар. При постоянной температуре устанавливает'
ся динамическое равновесие, определяющее концентрацию сво'
бодных электронов и дырок (при данной температуре).
Чем выше температура, тем выше концентрация свободных
носителей заряда и тем больше собственная электропроводность
кристалла.
Все вышесказанное справедливо для кристаллов, имеющих
идеальную структуру, которая в природных кристаллах практиче'
ски не встречается.
Реальные кристаллы содержат многочисленные дефекты кри'
сталлической решетки: точечные, линейные, объемные и поверх'
ностные. В местах нарушения периодической структуры кристал'
ла (внедрения атомов в междоузлия) энергия связи электронов
с ядрами изменяется, в результате чего возникают новые энерге'
тические уровни, которые могут выходить за пределы валентной
зоны и размещаться в запрещенной зоне вблизи зоны проводимо'
сти. Это облегчает переход электронов в зону проводимости.
Дефекты кристаллической решетки вызываются также приме'
сями, когда в структуру кристалла внедряют чужеродные атомы.
Электроны примесных атомов образуют свои энергетические уров'
ни, которые также располагаются в запрещенной энергетической
зоне. Взаимодействие примесных атомов приводит к расщепле'
нию примесных уровней в примесные энергетические зоны.
Переход носителей заряда в свободное состояние при наличии
примесных уровней существенно облегчается, так как сокращается

16
участок запрещенной зоны, который электронам надо преодо'
леть.
Электропроводность, возникающую за счет примесных ато'
мов, называют примесной. Характером носителей зарядов и зна'
чением примесной электропроводности можно управлять, подби'
рая состав и концентрацию примесей. В качестве регулирующих
примесей, придающих кристаллам полупроводников германия
и кремния требуемые свойства, применяют либо пятивалентные
элементы (сурьма, мышьяк, фосфор), либо трехвалентные (бор,
индий, галлий, алюминий).
Количество атомов примеси обычно на несколько порядков
меньше количества атомов основного элемента, так что на мно'
гие десятки тысяч атомов германия или кремния приходится
только один атом примеси.
Энергетическая диаграмма кристаллического германия с доста'
точно высокой концентрацией примеси мышьяка изображена на
рисунке 4.

Рис. 4. Замещение в узле кристаллической решетки атома германия

атомом мышьяка

Так как примесная зона и зона проводимости размещаются

рядом, а иногда и перекрываются, уже при небольших температу'
рах значительная часть электронов примесной зоны переходит
в зону проводимости. При каждом таком переходе образуется пара
носителей зарядов: электрон в зоне проводимости и дырка в при'
месной зоне. Предположим, что к кристаллу приложено внешнее
напряжение, обычно составляющее несколько десятков вольт.
Под действием этого напряжения положительно заряженные

17
дырки, переходя с одного энергетического подуровня примесной
зоны на близко расположенный другой подуровень, практически
мгновенно «прижмутся» к дну примесной зоны. Дальнейшее дви'
жение дырок, связанное с увеличенным значением их энергии,
будет невозможным, так как они не смогут преодолеть широкую
запрещенную зону. Электроны будут беспрепятственно двигаться
навстречу приложенному напряжению, переходя в зоне прово'
димости с одного энергетического подуровня на другой. Прохож'
дение тока через кристалл обеспечивается электронами. Электро'
проводность кристалла называется электронной, а примесь,
поставляющая электроны в зону проводимости, — дырочной.
Так как примесная и валентная зоны размещаются рядом, а иног'
да и перекрываются, уже при небольших температурах значитель'
ная часть электронов валентной зоны переходит в примесную зону.
При каждом таком переходе образуется пара носителей зарядов:
электрон в примесной зоне и дырка в валентной зоне. Предполо'
жим, что к кристаллу приложено внешнее напряжение в несколь'
ко десятков вольт. Под действием этого напряжения электроны
практически мгновенно «прижмутся» к «потолку» примесной зоны
и потеряют способность проводить ток, соответствующий прило'
женному напряжению.
Дырки упорядоченно движутся по направлению приложенно'
го напряжения, приобретая добавочную энергию, соответствую'
щую этому напряжению, и беспрепятственно переходя с одного
на другой энергетический подуровень широкой валентной зоны.
В данном случае прохождение тока через кристалл обеспечи'
вается дырками. Электропроводность такого кристалла называет'
ся дырочной, а примесь, отбирающая электроны из валентной зо'
ны, — акцепторной.
Кристаллы с электронной электропроводностью, в которых
электрический ток создается упорядоченным движением отри'
цательных зарядов, называются кристаллами типа n (от лат. nega'
tive — «отрицательный»).
Кристаллы с дырочной электропроводностью, в которых электри'
ческий ток создается упорядоченным движением положительных
зарядов, называются кристаллами типа p (от лат. positive — «поло'
жительный»).

18
 Тепловое возбуждение электронов приводит к тому, что уже
при нормальных температурах некоторая часть электронов, нахо'
дящихся у «потолка» валентной зоны, преодолевает запрещенную
зону.
Наряду с основными носителями зарядов некоторую роль в соз'
дании электропроводности играют неосновные носители, коли'
чество которых существенно возрастает при загрязнении кристал'
лов посторонними примесями. В кристаллах n'типа основными
носителями являются электроны, неосновными — дырки. В кри'
сталлах р'типа основные — дырки, неосновные — электроны.
Электроннодырочный переход. Изолированный кристалл n'ти'
па электрически нейтрален, сумма положительных и отрицатель'
ных зарядов в нем равна нулю. Количество атомов, лишившихся
одного электрона и превратившихся в положительные ионы, стро'
го равно количеству оторвавшихся от атомов электронов. Чем выше
температура, тем больше образуется свободных электронов. По'
ложительные ионы находятся в узлах кристаллической решетки.
Также электрически нейтрален и изолированный кристалл р'ти'
па. Однако в нем в хаотическом тепловом движении находятся
дырки, а атомы акцепторной смеси, захватившие лишний электрон
и превратившиеся в отрицательные ионы, — в узлах кристалличе'
ской решетки.
Приведем кристаллы р' и n'типов в плотное соприкосновение
и рассмотрим процессы на границе раздела (рис.5 а).

Рис. 5. Возникновение контактной разности потенциалов

в электронно'дырочном переходе: а — распределение ионов и свободных но'
сителей заряда в областях, близких к p — n'переходу; б — изменение потен'
циала в направлении, перпендикулярном плоскости p — n'перехода

19
 На рисунке ионы обозначены кружками, а свободные носите'
ли — знаками «+» и «–». Сразу после соприкосновения кристал'
лов начнется диффузия дырок из p'области в n'область и диффу'
зия электронов в обратном направлении. Встречаясь, электроны
и дырки рекомбинируют, при этом вблизи граничной области об'
разуются два слоя: слева слой «обнаженных» отрицательных ионов,
справа — слой «обнаженных» (нескомпенсированных) положи'
тельных ионов. Между двумя разноименно заряженными слоями
возникает электрическое поле, напряженность которого ε пре'
пятствует диффузии дырок и электронов. Чем больше неском'
пенсированных ионов, т. е. чем больше ширина «обнаженных»
слоев, тем выше напряженность электрического поля. При неко'
тором значении напряженности диффузный ток прекратится.
Этому значению напряженности соответствуют определенная кон'
тактная разность потенциалов (рис.5б) и определенная ширина
слоя l, в котором рекомбинировали подвижные носители зарядов.
В кристаллах существуют неосновные носители заряда.
Под действием напряженности ε неосновные носители начнут дрей'
фовать навстречу диффундирующим зарядам, возникает дрейфо
вый ток, направленный навстречу току диффузии. Динамическое
равновесие наступает при равенстве диффузного и дрейфового то'
ков, при этом слой l сильно обеднен свободными носителями за'
ряда, хотя и не лишен их полностью. С приближением к плоско'
сти раздела кристаллов обеднение слоя l носителями зарядов
будет все более выраженным.
Ширина обедненного слоя связана с контактной разностью
потенциалов, которая, в свою очередь, зависит от выбора материа'
лов и концентрации примесей. Чем выше контактная разность
потенциалов ϕк, тем шире обедненный слой l.
Контактная разность потенциалов придает р — n'переходу
свойство односторонней проводимости, которое широко приме'
няется в современной технике.
Обозначим ϕr собственную контактную разность потенциалов
обедненного слоя. Если к р — n подключить источник напряже'
ния U, то разность потенциалов на границах контактного слоя
кристаллов n' и р'типов изменится. Включение p — n'перехода
в электрическую цепь, когда плюс источника подсоединен к области

20
p, а минус — к области n, называется прямым. Разность потенциа'
лов контактного слоя в этом случае обозначим ϕк. п. Включение,
при котором к области p подсоединен минус источника, а к области
n — плюс, называется обратным. Соответствующую разность потен'
циалов обозначают ϕк. щ (рис. 6).

а б

Рис. 6. Прямое (а) и обратное (б) включение p — n'перехода

Имея в виду, что сопротивление кристаллов невелико и все

приложенное напряжение практически падает на обедненном
слое, можно записать:

ϕ к. п = ϕ к − U ; ϕ к. щ = ϕк − U .

Таким образом, при прямом включении p — n'перехода раз'

ность потенциалов на границе обедненного слоя (потенциальный
барьер) уменьшится, а при обратном включении увеличится.
Уменьшение потенциального барьера приводит к возраста'
нию диффузного тока и уменьшению встречного дрейфового то'
ка. Результирующий ток (его называют прямым) совпадает с диф'
фузным.
Увеличение потенциального барьера приводит к уменьшению
диффузного тока и увеличению дрейфового. Результирующий ток
p — n'перехода и всей замкнутой цепи совпадает с дрейфовым то'
ком. Этот ток называют обратным. Обратный ток в сотни и тыся'
чи раз меньше прямого.
Чтобы уменьшить обратный ток, надо уменьшить количество
неосновных носителей заряда. Это достигается уменьшением посто'
ронних (нелегирующих) примесей и улучшением структуры кристалла
(уменьшением числа дефектов кристаллической решетки).

21
 Вентильные свойства p — n'перехода отображаются его вольт
амперной характеристикой, представляющей зависимость значе'
ния и направления тока от значения и полярности напряжения
(рис. 7).

Рис. 7. Вольт'амперная характеристика электронно'дырочного перехода

При достижении обратным напряжением некоторого крити'

ческого значения Uкр обратный ток возрастает. Этот режим на'
зывается пробоем р — n'перехода. Различают два вида пробоя:
электрический и тепловой. Электрический пробой не опасен для р —
n'перехода: при отключении источника обратного напряжения
вентильные свойства электронно'дырочного перехода полностью
восстанавливаются. Тепловой пробой приводит к разрушению
кристалла и является аварийным режимом. Он возникает при не'
достаточном охлаждении кристалла. Для борьбы с тепловым про'
боем полупроводниковые приборы снабжаются устройствами,
повышающими теплоотдачу.
Электронно'дырочный переход составляет основу полупро'
водникового прибора.

4. Полупроводниковые диоды
Полупроводниковым диодом называют прибор с двумя выводами
и одним электроннодырочным переходом. Различают точечные
(рис. 8) и плоскостные (рис. 9) диоды.

22
 Рис. 8
Рис. 8. Конструкция точечного германиевого диода типа Д103: 1 — вывод;
2 — стеклянный корпус; 3 — полупроводниковый кристалл;
4 — стальная пружина

Рис. 9
Рис. 9. Конструкция плоскостного выпрямительного диода: 1 — вывод;
2 — стеклянная втулка; 3 — полупроводниковый кристалл; 4 — гайка;
5 — шайба; 6 — основание; 7 — металлический корпус

В стеклянном или металлическом корпусе 2 точечного диода

крепится германиевый или кремниевый кристалл n'типа 3 пло'
щадью порядка 1 мм2 и толщиной 0,5 мм, к которому прижимается
стальная или бронзовая игла 4, легированная акцепторной при'
садкой. Прибор включается в схемы через выводы 1.
Малая площадь p — n'перехода в точечном диоде обеспечи'
вает ему минимальное значение межэлектродной емкости.
Площадь р — n'перехода плоскостных диодов достигает десят'
ков и сотен квадратных миллиметров. Для получения таких пло'
щадей используют методы сплавления или диффузии.
Основной характеристикой диода служит его вольтамперная
характеристика, вид которой совпадает с характеристикой р — n'
перехода (рис. 7). Вольт'амперная характеристика диода су'
щественно зависит от температуры окружающей среды.

23
 Одна из важных характеристик диода — пробивное обратное
напряжение. Оно несколько увеличивается с повышением темпе'
ратуры, не выходящим за пределы работоспособности диода.
Для характеристики выпрямительных свойств диодов вводит'
ся коэффициент выпрямления, равный отношению прямого и об'
ратного токов при одном и том же напряжении.
Выпрямительные диоды применяют для выпрямления перемен'
ных напряжений низких и высоких частот.
Диоды, предназначенные для работы в устройствах высокой
и сверхвысокой частоты, называют высокочастотными. СВЧ дио
ды используются для модуляции и детектирования сверхвысоко'
частотных колебаний в диапазоне сотен мегагерц, а также в каскадах
преобразования частоты радиоприемных устройств. В качестве
высокочастотных обычно применяют точечные диоды.
Импульсные диоды позволяют уменьшить время восстановле'
ния свойств диода при изменении полярности приложенного на'
пряжения.
Стабилитроны. Используются в качестве стабилизаторов на'
пряжения в режиме электрического пробоя.
Варикапы — электрически управляемые диоды, электрическая
емкость которых может изменяться в широких пределах при из'
менении приложенного напряжения:
Свар = АS пр [U вн + Ек ]− т ,

где А — конструктивная постоянная;

Sпр — площадь n — p'перехода;
Uвн и Ек — соответственно внешнее приложенное напряжение
и контактная разность потенциалов;
n = 0,3 / 0,5 — коэффициент, определяемый геометрией n — p'
перехода.
Туннельные диоды, в отличие от рассмотренных выше диодов,
являющихся лишь преобразователями электрического тока, обес'
печивают усиление электрических сигналов.
При туннельном переходе электроны не затрачивают энергию,
и переход совершается со скоростью, близкой к скорости света.
Это позволяет использовать туннельные диоды для генерирова'
ния и усиления СВЧ'сигналов, создания сверхбыстродействую'
щих переключателей различных сверхбыстрых устройств.

24
 Лавиннопролетные диоды. Для генерированимя СВЧ'колеба'
ний часто применяют лавинно'пролетные диоды, работающие
при обратном напряжении на n — p'переходе в режиме электри'
ческого пробоя и лавинного умножения числа носителей заряда,
что приводит в некоторых режимах работы к появлению отрица'
тельного динамического сопротивления.
Условные изображения основных видов диодов в электрон'
ных схемах приведены на рисунке 10: а — выпрямительные, им'
пульсные, СВЧ; б — стабилитроны; в — туннельные; г — варикапы.

а б в г
Рис. 10. Условные графические изображения полупроводниковых диодов

5. Биполярные транзисторы
Биполярным транзистором называют полупроводниковый при'
бор, основу которого составляют два взаимодействующих элек'
тронно'дырочных перехода и который имеет три вывода или более.
Биполярный транзистор является аналогом лампового триода,
он способен выполнять усилительные, генераторные и ключевые
функции.
Устройство биполярного транзистора, изготовленного мето'
дом сплавления, схематически показано на рисунке 11.

Рис. 11. Схематическое изображение транзистора

В пластинку германия 1, легированного донорной примесью

(с электронной электропроводностью), вплавлены две таблетки
трехвалентного индия 3 (акцептор). В объеме германия возле

25
пластинок индия образуются две области с дырочной электропро'
водностью 2, разделенные тонким слоем базовой пластины. У гра'
ниц, разделяющих р'области и базу, образуется два электронно'
дырочных перехода. Переход, изображенный на рисунке слева,
называется эмиттерным, а справа — коллекторным. Эмиттерный,
коллекторный переходы и база имеют выводы для включения
приборов в электрическую цепь (Э, К, Б).
Отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его
приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на кол'
лекторе называется коэффициентом усиления по току:

α = Δ I к / Δ I эk при U k = const.

Коэффициентом усиления сигнала называется отношение его

приращения на выходе к приращению на входе:

k x = Δxвых / Δxвх .

Транзистор с общим коллектором практически не меняет значе'

ние напряжения сигнала. Его называют эмиттерным повторителем.
Характеристики выражают зависимость между напряжениями
и токами в цепях транзисторов.
Входной характеристикой называется зависимость тока эмит'
тера от напряжения между эмиттером и базой при неизменном
напряжении между коллектором и базой. Устанавливая различ'
ные напряжения между коллектором и базой (Uk = const), полу'
чим семейство входных характеристик.
Выходной (коллекторной) характеристикой называется зависи'
мость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой
при постоянном токе эмиттера. Задавая различные значения тока
эмиттера (Iэ = const), получают семейство выходных характеристик.
Переходной характеристикой (характеристикой прямой переда
чи) называют зависимость тока коллектора от тока эмиттера при
постоянном напряжении между коллектором и базой.
К недостаткам транзистора относится относительно высокая
нестабильность их параметров и характеристик. Для транзисто'
ров характерен также относительно высокий уровень собственных
шумов, вызываемых тепловыми флуктациями плотности носите'
лей зарядов.

26
6. Полевые транзисторы
Полевой транзистор является полупроводниковым аналогом
электровакуумного триода. Подавая на сетку вакуумного триода
слабый электрический ток, можно эффективно влиять на элек'
тронный поток, т. е. управлять сопротивлением лампы. Это ос'
новное свойство триода и позволяет применять его в радиоэлектро'
нике.
Полевые канальные транзисторы имеют существенные преи'
мущества, к которым прежде всего относятся большое входное
сопротивление приборов (1010—1015 Ом), большая устойчивость
к проникающим излучениям (допускается уровень излучений, на
3—4 порядка больший, чем для биполярных транзисторов), малый
уровень собственных шумов, малое влияние температуры на уси'
лительные свойства.
Изготавливают полевые транзисторы двух типов: с затвором
в виде p — n'перехода и с изолированным затвором.
Устройство транзистора с затвором в виде p — n'перехода схе'
матично показано на рисунке 12.

Рис. 12. Схематическое изображение полевого транзистора

с p — n'переходами: И — исток; С — сток; I — обедненный слой

Основу прибора составляет слаболегированная полупровод'

никовая пластина p'типа, к торцам которой приложено напряже'
ние Uс, создающее ток Iс через сопротивление нагрузки Rс. В по'
лупроводниковой пластине этот ток обеспечивается движением
основных носителей заряда. Торец пластины, от которого дви'
жутся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому
движутся носители заряда, — стоком. В две противоположные бо'
ковые поверхности основной p'пластины вплавлены пластинки
типа n. На границе раздела пластин n и p возникают электронно'
дырочные переходы. К этим переходам в непроводящем направле'

27
нии приложено входное напряжение Uвх. Значение Uвх можно ме'
нять при обязательном сохранении указанной на рисунке поляр'
ности. Обычно U состоит из двух составляющих: переменного на'
пряжения управляющего сигнала и постоянной составляющей
начального смещения, значение которой превышает амплитуду
сигнала. Пластины n'типа образуют затвор. При указанной по'
лярности напряжения на затворе вокруг этих пластин образуется
слой, обедненный носителями заряда и, следовательно, имею'
щий малую проводимость. Между обедненными слоями сохраня'
ется канал с высокой проводимостью.
Принцип действия полевого транзистора основан на измене'
нии ширины обедненного слоя при изменении обратного напря'
жения р — n'перехода. С увеличением напряжения на затворе
ширина обедненных слоев увеличивается, а поперечное сечение
канала и его проводимость уменьшаются.

7. Тиристоры
В настоящее время эти приборы получили широкое распро'
странение. Преимущества тиристоров следующие: малые масса
и габариты, большой срок службы, высокий КПД, малая чувстви'
тельность к вибрации и механическим перегрузкам, способность
работать при низких (прямых) и высоких (обратных) напряжениях,
а также при очень больших токах, достигающих сотен ампер.
Основное свойство тиристора, обеспечивающее ему самое ши'
рокое применение в радиотехнике, автоматике, электронике, энер'
гетике, — это способность находиться в двух устойчивых состоя'
ниях: закрытом и открытом. В закрытом состоянии сопротивление
тиристора составляет десятки миллионов Ом, и он практически не
пропускает ток при напряжениях до тысячи вольт; в открытом —
сопротивление тиристора незначительно. Падение напряжения
на нем около 1 В при токах в десятки и сотни ампер. Переход ти'
ристора из одного состояния в другое происходит за очень корот'
кое время, практически скачком. Среди тиристоров выделяют ди'
нисторы и тринисторы.
Динистор — это тиристор с двумя электродами (выводами). Пе'
реход динистора из одного состояния в другое осуществляется из'
менением значения или полярности напряжения на выводах.

28
 Тиристор, снабженный третьим (управляющим) электродом,
называется тринистором. Управляющий электрод позволяет с по'
мощью небольшого сигнала управления (импульса напряжения)
перевести тиристор из закрытого состояния в открытое при неиз'
менном (заданном) напряжении на основных электродах. Обрат'
ный переход из открытого состояния в закрытое с помощью управ'
ляющего напряжения невозможен.
Структура тиристора содержит четыре (p — n'p — n) или пять
(p — n'p — n'p) слоев. В последнем случае тиристор называют
симметричным.

а б

Рис. 13. Схематическое изображение тиристора: а — динистор;

б — тринистор

Рис. 14. Представление тиристора в виде двух транзисторов

Четырехслойная структура изображена на рис.13. Тиристор

содержит три p — n'перехода: n1, n2, n3. Чтобы повысить эффек'
тивность управляющего сигнала U, слой, к которому подключен
управляющий электрод, делают тоньше остальных.
Тиристоры, как и транзисторы, оказались экономически эф'
фективными при замене электронно'вакуумных устройств, их при'
менение дало возможность решить ряд новых задач в электронике

29
и приборостроении. Следует отметить, что во многих случаях схе'
мы с одним и тем же функциональным назначением могут быть
собраны как на транзисторах, так и на тиристора

8. Интегральные схемы микроэлектроники

Существенные изменения в полупроводниковой технике свя'
заны, во'первых, с переходом к интегральным микросхемам (ИМС)
и, во'вторых, с переходом к большим интегральным микросхемам
(БИС).
Интегральной называют микросхему с определенным функ'
циональным назначением, изготовленную не сборкой и распайкой
отдельных пассивных и активных элементов, а целиком, в едином
технологическом процессе. Интегральная схема может быть изго'
товлена так, что в объеме одного кристалла полупроводника фор'
мируются все ее активные и пассивные элементы. Такая микро'
схема называется полупроводниковой. Существует технология, при
которой в едином корпусе на подложке помещаются отдельные
(дискретные) полупроводниковые кристаллы, на которых выполнены
активные элементы. Их выводы подключаются к схеме, содержа'
щей пассивные элементы, выполненные по пленочной технологии.
Микросхемы, изготовленные таким способом, называются гибрид
ными. Гибридные микросхемы могут содержать в себе несколько
полупроводниковых микросхем, объединенных в общем корпусе
в единый функциональный узел. Показатель сложности микросхе'
мы характеризуется числом содержащихся в ней элементов
и компонентов.
Большие интегральные схемы также изготавливают в объеме
одного кристалла. Они характеризуются большой сложностью
и служат в качестве отдельных блоков электронной аппаратуры.
Полупроводниковые интегральные микросхемы. Полупроводни'
ковые интегральные микросхемы изготавливают на одном кристал'
ле введением легирующих примесей в определенные микрообласти.
Современные технологии позволяют создавать в поверхностном
объеме кристалла весь набор активных и пассивных элементов,
а также межэлементные соединения в соответствии с топологией
схемы.
В основу классификации ИМС могут быть положены различ'
ные признаки.

30
 Одним из таких признаков служит технология изготовления.
В зависимости от технологии различают гибридные и полупро'
водниковые ИМС. В свою очередь, гибридные ИМС делят на тол'
стопленочные и тонкопленочные, а в группе полупроводниковых
ИМС выделяют подгруппу совмещенных интегральных ИМС.
Признаком классификации интегральных микросхем являет'
ся также уровень интеграции. По этому признаку выделяют ИМС
с малой степенью интеграции (от 1 до 10 логических элементов);
со средней степенью интеграции (от 10 до 100 логических элемен'
тов); с высокой степенью интеграции, или большие интегральные
схемы БИС с количеством логических элементов, превышающим
100. Один логический элемент содержит до восьми схемных ком'
понентов.
Еще одним классификационным признаком служит назначе
ние ИМС, по которому их делят на логические и линейные.
Малые габариты и массы, большая надежность, высокая стабиль'
ность и воспроизводимость параметров, низкий уровень собствен'
ных шумов, малое потребление энергии позволяют применять
ИМС во многих областях техники.
ЛЕКЦИЯ № 2. Компоненты оптоэлектроники
и технические средства
отображения информации

1. Общие сведения
Оптоэлектроника — это научно'техническое направление, в ко'
тором для передачи, обработки и хранения информации исполь'
зуют электрические и оптические средства и методы.
В оптоэлектронике световой луч выполняет те же функции
управления преобразования и связи, что и электрический сигнал
в электрических цепях.
Устройства оптоэлектроники имеют ряд преимуществ перед
чисто электронными устройствами.
В них обеспечивается полная гальваническая развязка между
входной и выходной цепями. Отсутствует обратное влияние при'
емника сигнала на его источник. Легко согласуются между собой
электрические цепи с разными входными и выходными импен'
дансами. Оптоэлектронные приборы имеют широкую полосу про'
пускания и преобразования сигналов, большое быстродействие
и высокую информационную емкость (до 1013—1015 Гц). На опто'
электронные цепи не влияют всевозможные помехи, вызванные
электрическими и магнитными полями.
К недостаткам оптоэлектронных компонентов относятся пло'
хая временная и температурная стабильность характеристик, срав'
нительно большая потребляемая электрическая мощность, слож'
ности изготовления универсальных устройств для обработки
информации, меньшие функциональные возможности по сравне'
нию с интегральными микросхемами, жесткие требования к тех'
нологии изготовления.
Оптоэлектронными приборами называют устройства, излучаю'
щие и преобразующие информацию в инфракрасной, видимой
или ультрафиолетовой части спектра или использующие для своей

32
работы электромагнитные излучения, частоты которых находятся
в этих областях.
В общем случае термин «оптоэлектронный прибор» характе'
ризует устройство, в котором имеются элементы, обеспечивающие
генерирование оптического излучения, его передачу и прием.
Основным компонентом оптоэлектроники является пара с фо'
тонной связью, называемая оптроном.

а б
Рис. 15. Структурная схема оптронов с внутренней фотонной связью (а)
и с внутренней электрической связью (б)

Простейший оптотрон представляет собой четырехполюсник,

состоящий из трех элементов: источника света 1, световода 2 и при'
емника света 3 (рис.15а). В таких оптронах разница между входом
и выходом характеризуется только сопротивлением утечки цепи
и составляет 1013—1016 Ом. Входной электрический сигнал в ви'
де импульса или перепада входного тока возбуждает фотоизлуча'
тель и вызывает световое излучение. Сваетовой сигнал по свето'
диоду попадает в фотоприемник, на выходе которого образуется
электрический импульс или перепад выходного тока. Внутренняя
связь в оптроне данного типа — фотонная, а внешние — электри'
ческие.
Возможен также тип оптрона с электрической внутренней
связью и фотонными внешними связями (рис.15б). Он служит
для усиления световых сигналов или преобразования сигнала одной
частоты в сигнал другой, например сигналов невидимого инфра'
красного излучения в сигнал видимого спектра. Фотоприемник
1 преобразует входной световой сигнал в электрический. Послед'
ний усиливается электронным усилителем 2 и возбуждает источ'
ник света 3, частота излучения которого может существенно от'
личаться от частоты входного сигнала.

33
 С помощью более сложных оптических и электрических свя'
зей удается получить оптроны с самыми различными свойствами.

2. Управляемые источники света

Источник, световой поток или яркость которого является од'
нозначной функцией электрического сигнала, поступающего на
его вход, называют управляемым источником света.
Общими требованиями, предъявляемыми к управляемым ис'
точникам света оптоэлектронных цепей являются стабильность
и линейность характеристики преобразования, миниатюрность,
малая потребляемая мощность, большой срок службы, высокая
надежность, высокая эффективность, достаточно большое быстро'
действие, возможность изготовления в виде миниатюрных микро'
схем, возможность смещения спектральных характеристик в любую
заданную часть рабочей части спектра, механическая прочность
и технологичность.
В основе управляемых излучателей света лежат следующие
физические явления: температурное свечение, излучение при газо
вом разряде, электролюминесценция, индуцированное излучение.
В некоторых случаях управляемый источник света может быть
получен соединением двух оптических приборов — неуправляе'
мого источника света с постоянным световым потоком и модуля'
тора света, т. е. устройства, пропускная способность которого за'
висит от электрического сигнала, поданного на него.
Лампы накаливания представляют собой вакуумированный
баллон с вольфрамовой нитью накаливания. Они имеют широ'
кий спектр излучения, который лежит в инфракрасной области
(0,4—4 мкм), сравнительно инерционны и не позволяют работать
на частотах выше 10—20 Гц. Временная стабильность параметров
низкая. В лампах накаливания достигаются высокие уровни ос'
вещенности. Они являются дискретными элементами, плохо
сочетающимися с транзисторными и интегральными схемами.
В качестве излучателей используют миниатюрные лампочки, на'
пример НСМ'9, НСМ'25. Амперно'яркостная характеристика
приведена на рисунке 16а.

34
 а б в

Рис. 16. Амперно'яркостная характеристика лампы накаливания НСМ'9

на расстоянии 1 мм (а); вольт'амперная характеристика газоразрядного
промежутка между двумя электродами (б); включение лампы тлеющего
разряда в цепь (в): 1 — темный разряд; 2 — нормальный тлеющий разряд;
3 — аномальный тлеющий разряд; 4 — дуговой разряд

Из нее видно, что на расстоянии 1 мм при токе порядка 25 мА

лампочка создает освещенность порядка 103 лк, что вполне доста'
точно для работы практически всех фотоприемников.
В газоразрядных источниках излучения используется явление
свечения, наблюдаемого при протекании электрического тока че'
рез ионизированный газ. Между двумя электродами, находящи'
мися в среде инертного газа (обычно неона Ne или ксенона Не)
либо их смесей находится газоразрядный промежуток (рис. 16,б).
Если к электродам приложить малое напряжение U (U < Uзаж),
в цепи будет протекать малый ток, обусловленный наличием в га'
зе небольшого числа ионов, возникших вследствие теплоты, па'
дающего света и космического излучения, а также вызванный
эмиссией (излучением) электронов из электрода, находящегося
под отрицательным потенциалом (катода). Это темновой разряд,
при котором нет видимого свечения газа.
С повышением напряжения электроны, эмиттируемые като'
дом, приобретают большие скорости и начинают ионизировать
газ. В результате появляются дополнительные электроны и ионы,
но на участке ОА их недостаточно для возникновения самостоя'
тельного разряда. За точкой А начинается самостоятельный раз'
ряд. Напряжение в точке А называется напряжением зажигания.
На участке АС происходит уменьшение напряжения при увеличе'
нии тока. За точкой С начинается тлеющий разряд (область СЕ).
Здесь имеются область 2 нормального и область 3 аномального раз'

35
рядов. В области 2 увеличение тока приводит к увеличению пло'
щади катода, занятого разрядом. При этом плотность тока и паде'
ние напряжения между электродами Uгор остаются постоянными.
Когда весь катод оказывается «занятым» зарядом, при дальней'
шем увеличении тока наблюдается повышение падения напряже'
ния, и тлеющий разряд становится аномальным.
В таких приборах (их называют газонаполненными) удаются
получить большие токи при сравнительно небольшом напряже'
нии, приложенном к электродам.
Яркость свечения тлеющего разряда при прочих равных усло'
виях пропорциональна току, причем излучает не весь газоразряд'
ный промежуток, а только узкие области вблизи катода и анода.
Видимое излучение тлеющего разряда зависит от типа газа, за'
полняющего объем. Неон дает оранжевое, а гелий и аргон — жел'
тое и фиолетовое излучение, которое сосредоточено в основном
около катода. Кроме того, имеется очень интенсивное инфра'
красное и ультрафиолетовое излучение. Это позволяет получать
свечение разного цвета с помощью различных люминофоров, ко'
торые начинают светиться под влиянием ультрафиолетового облу'
чения или электронной бомбардировки.
В источниках излучения обычно используют аномальную зону
тлеющего разряда, в которой свечение наблюдается по всей пло'
щади катода.
Для возникновения самостоятельного разряда в газовом про'
межутке к электродам нужно приложить напряжение, большее
или равное Uзаж и уменьшить это напряжение до нужного значе'
ния (горения) после его появления. Последнее обычно выполняют
с помощью балластного резистора R, включаемого последовательно
с газонаполненным излучателем света (рис.16в).
Для прекращения газового разряда и потухания газонаполнен'
ного прибора необходимо уменьшить напряжение на электродах
так, чтобы оно стало меньше Uгор. В этом случае самостоятельный
разряд прекращается, и происходит деионизация газового проме'
жутка. Время деионизации — от долей до нескольких микросекунд.
Газонаполненные излучатели, в которых электроды находят'
ся в непосредственном контакте с газом, могут работать как на
постоянном, так и на переменном токах.
Имеется также второй вид газоразрядных источников излуче'
ния, в которых электроды электрически изолированы от газа ди'

36
электрической пленкой. Они работают только при питании от ис'
точника напряжения достаточно высокой частоты и поэтому
иногда называются газоразрядными источниками излучения пере
менного тока.
Газоразрядные лампы работают при токах в диапазоне от еди'
ниц до десятков миллиампер и напряжениях свыше 50—60 В. Яр'
костная характеристика В = f (I0 у приборов постоянного тока
близка к линейной в широком диапазоне значений токов). Эти
приборы имеют невысокую временную стабильность параметров
и значительные габариты. Микроминиатюризация газоразрядных
источников света затруднена, поэтому они плохо совмещаются
с микросхемами, но успешно используют в составе средств отобра'
жения информации.
Оба типа излучателей, особенно лампы накаливания, доста'
точно широко используются в низкочастотных оптоэлектронных
цепях, несмотря на их существенные недостатки.
В настоящее время наиболее перспективными являются электро
люминесцентные управляемые источники света.
Люминесценция — это световое излучение, превышающее тепло'
вое излучение при той же температуре и имеющее длительность, зна'
чительно превышающую периоды излучения в оптическом диапазо'
не спектра (более 10'10 с).
Для возникновения люминесценции в каком'либо теле, в том
числе и в полупроводнике, необходимо привести его с помощью
внешних источников энергии в возбужденное состояние, т. е.
в состояние, при котором его внутренняя энергия превышает рав'
новесную при данной температуре.
Если источником внешней энергии является свет, то наблю'
дается фотолюминесценция. При возбуждении тела быстрыми элек'
тронами (или другими частицами) возникает катодолюминесцен
ция. При действии электрического поля или тока появляется
электролюминесценция.
Люминесценция характеризуется достаточно длительным све'
чением после того, как действие возбуждающего фактора прекра'
тилось. Это обусловлено тем, что акты поглощения квантов воз'
буждающей энергии отделены по времени от актов излучения.
В итоге излучение при люминесценции является некогерентным
и имеет достаточно широкий спектр.

37
 Электролюминесценция в полупроводниковых элементах
оптоэлектроники может быть вызвана как электрическим полем,
так и током. При воздействии электрического поля на полупро'
водники, называемые люминофорами, возникает ударная иониза'
ция их атомов электронами, ускоренными электрическим полем,
а также эмиссия электронов из центра захвата. Вследствие этого
концентрация свободных носителей заряда превысит равновесную,
и полупроводник окажется в возбужденном состоянии. К электро'
люминесцентным источникам света относят порошковые, субли'
мированные, монокристаллические фосфоры, у которых в сильных
электрических полях возникает электролюминесценция, а также
инжекционные диоды, излучение которых обусловлено интенсив'
ной рекомбинацией в результате инжекции через р — n'переход
неосновных носителей заряда.
По эффективности (при комнатной температуре) электролю'
минесцентные источники света, за редким исключением, уступают
лампам накаливания и газоразрядным источникам света. Однако
они имеют ряд существенных преимуществ: технологичность, вы'
сокое быстродействие, большой срок службы, надежность в эксплу'
атации, микроминиатюрность исполнения, высокую монохрома'
тичность излучения.
Электролюминесцентные конденсаторы применяются в усили'
телях и преобразователях излучения с большим коэффициентом
усиления, малогабаритных индикаторных экранах и табло, логи'
ческих элементах и других низкочастотных цепях.
Невысокая яркость свечения, малый ресурс, нестабильность
параметров и довольно низкое быстродействие являются недостат'
ками, которые ограничивают применение электролюминесцент'
ных конденсаторов в оптоэлектронике.
Инжекционные светодиоды также относятся к электролюми'
несцентным источниками света.
Частота излучения зависит от материалы светодиода и состава
его легирующих примесей. В качестве его используют арсенид
галлия, фосфид галлия, фосфид кремния, карбид кремния и др.
В настоящее время светодиоды различных типов позволяют пере'
крыть диапазон волн излучения от 366 до 950 нм и более.
Возможно создание светодиодов, которые в зависимости от их
включения или режима работы будут излучать в различных об'

38
ластях спектра и иметь управляемый свет свечения. При этом ис'
пользуется или зависимость интенсивности отдельных частот
излучения от тока р — n'перехода, или смешение излучений двух
светодиодов, имеющих свечение разного цвета.
Для получения повышенной мощности излучения применяют
суперлюминесцентные диоды, занимающие промежуточное поло'
жение между инжекционными светодиодами и полупроводнико'
выми лазерами. Они обычно представляют собой конструкции,
работающие на том участке вольт'амперной характеристики, на
котором наблюдается оптическое усиление (стимулированное излу'
чение). Суперлюминесцентные диоды имеют уменьшенную спек'
тральную ширину полосы излучения и требуют для работы боль'
ших плотностей тока (при мощности излучения 60 мВт плотность
тока — 3 кА/см2). Их применяют при работе с волоконно'оптиче'
скими линиями связи.
В ряде случаев в качестве управляемых источников света при'
меняют инжекционные лазеры. Они отличается от светодиодов
тем, что излучение сконцентрировано в узкой спектральной об'
ласти и является когерентным. Лазеры имеют относительно вы'
сокий КПД и большое быстродействие.
Полупроводниковые лазеры широко применяются при созда'
нии световодных линий большой протяженности и в измеритель'
ных устройствах различного назначения.

3. Фотоприемники
Фотоприемники предназначены для преобразования светово'
го излучения в электрические сигналы. Так как функциональные
возможности электролюминесцентных источников света ограни'
чены, то многообразие возможных характеристик оптотронов реа'
лизуется за счет фотоприемников.
В качестве фотоприемников используются фоторезисторы,
фотодиоды, фототиристоры и т. д.
При подборе фотоизлучателей и фотоприемников необходи'
мо согласовывать их спектральные характеристики.
Фотоэлектрические явления, на основе которых строятся фо'
топриемники, можно разделить на три основных вида:
1) изменение электропроводности вещества при его освеще'
нии — внутренний фотоэффект;

39
 2) возникновение ЭДС на границе двух материалов под дей'
ствием света — фотоэффект в запирающем слое (используют
в полупроводниковых элементах;
3) испускание веществом электронов под действием света —
внешний фотоэффект (используют в вакуумных и газонапол'
ненных фотоэлементах).
Фоторезисторы. В фоторезисторах используется явление изме'
нения сопротивления вещества под действием инфракрасного,
видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элемен'
том их является полупроводниковая пластина, сопротивление ко'
торой при освещении изменяется, возникает фотопроводимость.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину
полупроводника, на поверхности которой нанесены электропро'
водные электроды.Принципиально возможны две конструкции
фоторезисторов: поперечная (рис.17 а) и продольная (рис.17 б).

а б в г д е

Рис. 17. Конструкция фоторезисторов: а — поперечная; б — продольная;

в — условное обозначение; г — вольт'амперные; д — энергетические;
е — относительные спектральные характеристики

В первом случае электрическое поле, прикладываемое к фото'

резистору, и возбуждающий свет действуют во взаимно перпен'
дикулярных плоскостях, во втором — в одной плоскости.
В качестве исходного материала фоторезистора чаще всего ис'
пользуют сернистый галлий, селенистый теллур, сернистый вис'
мут, сернистый свинец, теллуристый свинец, сернистый кадмий
и т. д.
К основным характеристикам и параметрам фоторезистора
относятся следующие.
1. Вольтамперная характеристика — зависимость тока I через
фоторезистор от напряжения U, приложенного к его выводам,
при различных значениях светового потока Ф (рис.17г). Ток при

40
Ф = 0 называется темновым током Iт, при Ф > 0 — общим током
Iобщ. Разность этих токов равна фототоку:

I ф = I общ − I т .

2. Энергетическая характеристика — зависимость фототока от

светового потока при U = const (рис.17г). В области малых Ф она
линейная, а при увеличении Ф рост фототока замедляется из'за
возрастания вероятности рекомбинации носителей заряда через
ловушки и уменьшения их времени жизни. Энергетическая харак'
теристика иногда называется люксамперной. Тогда по оси абсцисс
откладывается не световой поток, а освещенность Е в люксах.
3. Чувствительность — отношение входной величины к выход'
ной. Для фоторезисторов чаще всего используют токовую чувстви'
тельность SI, под которой понимают отношение фототока (или
его приращения) к величине, характеризующей излучение (или
его приращение). При отношении приращений чувствительность
называют дифференциальной.
В зависимости от того, какой величиной характеризуется из'
лучение, различают токовую чувствительность к световому пото'
ку Ф: Sф = Iф / Ф; токовую чувствительность к освещенности Е:
SЕ = Iф / E.
При этом в зависимости от спектрального состава излученно'
го света чувствительности могут быть интегральными Sинт (при
немонохроматическом излучении) либо монохроматическми Sλ
(при монохроматическом излучении).
В качестве одного из основных параметров фоторезисторов
используют величину удельной интегральной чувствительности,
которая характеризует интегральную чувствительность, когда к фо'
торезистору приложено напряжение 1 В:

S нт . уд = I ф /(ФU ).

4. Абсолютная S(λλ) и относительная S(λλ) спектральные характе

ристики — это значение чувствительности в полосе частот. Абсолют'
ная спектральная характеристика представляет собой зависимость
монохроматической чувствительности, выраженной в абсолютных
единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения.

41
 Относительная спектральная характеристика — зависимость
монохроматической чувствительности от длины волны, отнесен'
ная к значению максимальной чувствительности:

S ( λ ) = S абс . max ( λ ).

Спектральная характеристика определяется материалом фо'

торезистора и введенными в него примесями.
5. Граничная частота fгр — частота синусоидального сигнала,
моделирующего световой поток, при котором чувствительность
фоторезистора уменьшается в 2 раз по сравнению с чувстви'
тельностью при немодулированном потоке (103—105 Гц).
6. Температурный коэффициент фототока — коэффициент, по'
казывающий изменение параметров фоторезистора с изменением
температуры:

∂IФ 1
αТ = ф = const .
∂Т I Ф

Иногда используют температурную характеристику фоторе'

зистора, показывающую относительное изменение сопротивления
при изменении сопротивления окружающей среды.
Пороговый поток — это минимально значение потока Фп, ко'
торое может обнаружить фоторезистор на фоне собственных шумов.
Фотодиоды. Фотодиоды имеют структура обычного р — n'пе'
рехода. В результате освещения полупроводника по обе стороны
р — n'перехода увеличиваются концентрации основных носите'
лей заряда. ЭДС, возникающую при этих процессах, на значение
которой снижается потенциальный барьер в р — n'переходе, на'
зывают фотоэлектродвижущей силой, или фото'ЭДС. Она зависит
от светового потока, облучающего р — n'переход, и ряда других
факторов, но ее максимальное значение не может превысить кон'
тактную разность потенциалов.
Фото'ЭДС может быть использована для создания тока в на'
грузочном сопротивлении, включенном во внешнюю цепь при'
бора. При этом фотодиод работает в режиме фотогенератора без
постороннего источника напряжения, непосредственно преобра'
зуя световую энергию в электрическую.

42
 Фотодиод может работать совместно с внешним источником
электрической энергии Uвн, положительный полюс которого
подключается к т'слою, а отрицательный — к р'слою.
Материалом для изготовления фотодиодов служит германий,
кремний, селен, сернистый галлий и сернистое серебро.
В лавинных фотодиодах используется лавинный пробой р — n'
перехода или барьера Шотки. От обычных фотодиодов они отли'
чаются тем, что возникшие в результате светового облучения но'
сители заряда лавинно размножаются в области р — n'перехода
вследствие ударной ионизации. Выбором внешнего напряжения
и параметров цепи обеспечивается возникновение лавинного
пробоя только при световом облучении. Этот процесс приводит
к тому, что ток в цепи Iобщ. л увеличивается по сравнению с током
Iобщ , обусловленным световой генерацией и тепловым током пе'
рехода в М = Iобщ. л / Iобщ раз (М — коэффициент лавинного ум'
ножения носителей).
Коэффициент лавинного умножения описывается зависимостью:

1
М = b
,
⎛ U пер ⎞
⎜1 − U ⎟
⎝ проб . л ⎠

где Uпер = U – Iобщ. л,

R — напряжение на переходе;
b — коэффициент, зависящий от материала;
U — напряжение лавинного пробоя перехода, при котором
М → ∞;
R — объемное сопротивление р' и n'областей фотодиода.
Использование лавинного режима позволяет существенно уве'
личить чувствительность фотодиодов и повысить их быстродей'
ствие до fгр = 1011—1012 Гц. Лавинные фотодиоды считаются од'
ним из наиболее перспективных элементов оптоэлектроники.
Фототранзисторы. В качестве фототранзисторов применяются
транзисторные структуры. Простейший транзистор имеет два р — n'
перехода: эмиттерный и коллекторный. Фототранзистор можно
рассматривать как комбинацию фотодиода и транзистора. Его ха'
рактеристики аналогичны характеристикам фотодиода, но соот'
ветствующие токи оказываются усиленными.

43
 Фототиристоры. Фототиристоры используются для коммута'
ции световым сигналом электрических сигналов большой мощ'
ности. Они представляют собой фотоэлектрические аналоги
управляемого тиристора. Фототиристоры позволяют с помощью
светового луча управлять значительными мощностями.
Многоэлементные фотоприемники предназначены для преоб'
разования распределенного по поверхности оптического сигнала
(изображения) в электрические сигналы. Их выполняют либо в ви'
де линейных фотоприемников (строчных), в которых фоточувстви'
тельные элементы расположены на одной линии с малыми и, как
правило, равными расстояниями между элементами, либо в виде све
точувствительных матриц, в которых фоточувствительные элементы
расположены в местах «пересечения» ортогональных токопроводя'
щих электропроводных полосок, расстояние между которыми чрез'
вычайно мало.
Многоэлементные фотоприемники применяют при создании
технического зрения, систем автоматического контроля разме'
ров, при определении положения в пространстве и качества обра'
ботки и т. д.

4. Световоды и простейшие оптроны

Между источником излучения и фотоприемником имеется
проводящая среда, которая выполняет функцию световода. Что'
бы уменьшить потери на отражение от границы раздела свето'
излучателя и световода, последний должен обладать большим
коэффициентом преломления, так как соответствующий коэф'
фициент преломления материалов, служащих источниками света,
обычно велик. Среды с большим коэффициентом преломления
называются иммерсионными. Иммерсионное вещество должно
иметь высокий коэффициент преломления, быть прозрачным
в рабочей области спектра, хорошо согласовываться по коэф'
фициентам расширения с материалами фотопреобразователей
и т. п.
Перспективными считаются свинцовые(коэффициент прело'
мления n = 1,7…1,9) и селеновые стекла (n = 2,4…2,6).
На рисунке 18а показан простейший оптрон с иммерсионным
световодом.

44
 а б в

Рис. 18. Конструкция простейшего оптрона (а); распространение света

по световоду (б, в): 1 — омические контакты; 2 — источник света;
3 — световод из селенового стекла; 4 — контакт со слоем р;
5 — фотоприемник; 6 — сердечник; 7 — отражающее покрытие

В оптоэлектронике применяется также волоконная оптика.

Работа элементов волоконной оптики основана на том, что свет
передается по отдельному тонкому волокну, не выходя за его пре'
делы вследствие полного внутреннего отражения. Собранные в один
жгут волокна передают световые лучи независимо друг от друга.
Световод волоконной оптики не зависит от его формы, состоит
из сердечника 6 и отражающего покрытия 7 (рис.18б,в). Коэффи'
циент преломления nп меньше коэффициента преломления nс.
В таком волокне малого диаметра свет проходит, не выходя за по'
верхность волокна, если угол изгиба меньше 90° и угол, под кото'
рым свет попадает в световод, меньше Θ 1 max.
Минимальный угол отклонения от оси, при котором еще имеет
место полное внутреннее отражение:

sin Θ1max = n12 − n22 = A0 .

Коэффициент А0 называется числовой апертурой световода.

Волокно можно рассматривать как диэлектрический световод.
Распространяясь вдоль волокна, световой луч претерпевает много'
кратные отражения. В результате эффективность светопередачи
зависит от качества изготовления волокон, объемных неоднород'
ностей и неровностей поверхностей волокон, а также от коэффи'
циента поглощения материала.
Каждое волокна передает информацию только о значении
суммарного светового потока, попавшего на его входной торец,
так как в результате многократных отражений на выходном торце

45
будет равномерная освещенность, пропорциональная общей ин'
тенсивности света, падающей на входной торец. Световоды вно'
сят некоторое запаздывание в передачу сигнала, которое мало
и на длине 1 м составляет 10'9—10'10 с.
Лучи распространяются вдоль волокна и в том случае, если
уменьшение показателя преломления происходит не ступенчато,
а плавно от центра к краю (обычно по параболическому закону).
В таких волокнах из'за наблюдающейся рефракции волн (преломле'
ния) лучи самофокусируются вдоль оси, так как любой отрезок во'
локна действует как короткофокусная линза. Подобные световоды
называются градиентными или селфоками.
Показатели преломления света зависят от длины волны, что
обусловлено различием скоростей распространения волн различ'
ных типов (мод). Поэтому, если на торец световода воздействовать
световым импульсом немонохроматического излучения (с разны'
ми частотами), то будет наблюдаться «размытие» сигнала и увели'
чение его длительности. Значения этих параметров определяются
шириной спектра светового излучения и параметрами волокна.
Поэтому различают одномодовые и многомодовые световоды.
Одномодовые волокна предназначены для передачи волн одной
частоты и дают большие искажения сигнала в многомодовом ре'
жиме. Диаметр их обычно от нескольких до десятков микроме'
тров. Многомодовые волокна позволяют без существенных иска'
жений передавать немонохроматические световые сигналы.
При этом увеличение их длительности и «размытие» сравнитель'
но невелики, особенно в селфоках. Диаметр волокон, предназна'
ченных для передачи многомодовых сигналов, обычно больше,
чем у одномодовых.
В зависимости от состава стекла удельное электрическое со'
противление световода можно изменять от 1014 до 1020 Ом/см.
Это позволяет применять световод для передачи электрического
сигнала. Иногда поверхность волокна дополнительно металлизи'
руют.
Материалами для волоконных световодов, в том числе и для
покрытия, служат различные стекла, как органические, так и не'
органические.

46
 Для интегральных оптоэлектронных микросхем перспективны'
ми считаются пленочные световоды. Они выполняются на стеклян'
ной подложке в виде пленочных полосок стекла толщиной 0,5
мкм и шириной 1—3 мкм, имеющих повышенный коэффициент
преломления, больший, чем в подложке, коэффициент преломления
позволяет удерживать световой луч в пределах световода благодаря
полному внутреннему отражению на границе подложки.
В простейших оптронах, выпускаемых промышленностью,
обычно применяют прямую оптическую связь. В некоторых слу'
чаях к оптической связи добавляется электрическая. Тогда между
источником излучения и фотоприемником существует электро
оптическая связь.
В интегральных оптоэлектронных схемах в качестве источни'
ка излучения широко применяются инжекционные световоды, что
позволяет обеспечить высокое быстродействие оптотронов.
Применяются также диодные оптроны, которые используются
в качестве ключа и могут коммутировать ток с частотой 106—107 Гц.
Они также позволяют практически полностью гальванически раз'
вязать между собой входную и выходную цепи и обеспечить хоро'
шие характеристики переключения.
Транзисторные оптроны благодаря большой чувствительности
фотоприемника экономичнее диодных. Однако быстродействие
их меньше, максимальная частота коммутации обычно не превы'
шает 105 Гц. Так же как и диодные, транзисторные оптроны имеют
малое сопротивление в открытом состоянии и большое в закрытом
и обеспечивают полную гальваническую развязку входных и вы'
ходных цепей. Эти оптроны позволяют исключить в схемах гро'
моздкие навесные трансформаторы, неизбежные при использова'
нии транзисторных прерывателей на обычных биполярных
транзисторах.
Замена фототранзистора на кремниевый фототиристор позво'
ляет увеличить импульс выходного тока до 5 А и более. При этом
время включения менее 10'5 с, а входной ток включения не превы'
шает 10 мА. Такие оптроны позволяют непосредственно управлять
сильноточными устройствами различного назначения.
Диодные, транзисторные и тиристорные оптроны в основном
используют в ключевых режимах в качестве быстродействующих

47
высокоэффективных ключей различного функционального на'
значения.

5. Устройства отображения информации

Устройства отображения информации применяются в систе'
мах, где информацию требуется представить в форме, удобной для
визуального восприятия. Их основными компонентами являются
приборы, обеспечивающие преобразование электрических сигна'
лов в пространственное распределение яркости излучения или
в распределение степени пропускания или поглощения светового
излучения. С помощью этих приборов из электрических сигналов
получают видимое изображение букв различных алфавитов, цифр,
геометрических фигур, в том числе и объемных, различных зна'
ков, сплошных или дискретных полос, длина которых однозначно
зависит от входного сигнала, мнемосхем и т. д.
Преобразовательные приборы этой группы создаются на ос'
нове активных излучающих компонентов: электронно'лучевых
трубок, электролюминесцентных, газонаполненных или накали'
ваемых источников излучения, в которых излучающие элементы
выполнены в виде фигур или сегментов или образуют управляемое
матричное поле, а также пассивных компонентов, модулирующих
световой поток: жидкокристаллических, в которых пропускание
или отражение света различными участками поверхности зависит
от значения электрического поля; электромагнитных, в которых
цвет вещества зависит от значения электрического поля; электро'
форетических, в которых под действием электрического поля пе'
ремещаются заряженные пигментные частицы, имеющие опре'
деленный цвет.
Наиболее часто применяются знакосинтезирующие индикато
ры (ЗСИ), в которых изображения получают с помощью мозаики
из независимо управляемых преобразователей «электрический
сигнал — свет», и электроннолучевые трубки (ЭЛТ), на экране ко'
торых при соответствующем формировании управляющего сигна'
ла можно получить любые знаки и графические объемные изобра'
жения.
Устройства отображения информации, которые устанавлива'
ют на выходе информационных систем, например ЭВМ, обеспе'

48
чивающие визуальное отображение информации и связь челове'
ка с машиной, называют дисплеями.
В качестве дисплеев наиболее часто используют электронно'
лучевые трубки, но иногда применяют и знакосинтезирующие
индикаторы.
По виду отображаемой информации ЗСИ делят на единичные —
для отображения информации в виде простой геометрической
фигуры (точки, круга и т. д.); цифровые — для отображения ин'
формации в виде цифр; буквенноцифровые — для отображения
информации в виде букв и цифр, включая и специальные матема'
тические символы; шкальные — для отображения в дискретной
или аналоговой форме информации в виде уровней или значений
величин; мнемонические — для отображения информации в виде
мнемосхемы или из частей; графические — для отображения слож'
ной информации в виде графиков, специальных знаков, симво'
лов, букв и цифр.
По виду сегментов, обеспечивающих отображение информации,
и способам формирования информационного поля ЗИС делят на
сегментные, элементы в которых выполнены в форме сегментов, и ма
тричные, в которых элементы отображения имеют форму квадратов,
кругов, прямоугольников, сгруппированных и управляемых по
строкам и столбцам.
По виду питающего напряжения ЗСИ подразделяют на ЗСИ
постоянного, переменного и импульсного токов. В зависимости
от значений питающего напряжения ЗСИ бывают низковоль'
тные, средневольтные, импульсные и высоковольтные.
К числу основных параметров ЗСИ, определяющих качество
отображения и восприятия информации относят яркость, равно'
мерность яркости на протяженной светоизлучающей поверхно'
сти или на разных излучающих элементах, яркостный контраст,
спектр излучения или его количественные характеристики, поме'
хоустойчивость.

6. Жидкокристаллические приборы для отображения

информации
Жидкокристаллические индикаторы относят к числу пассивных
приборов. В основу их работы положено свойство некоторых ве'

49
ществ изменять свои оптические показатели (коэффициенты по'
глощения, отражения, рассеивания, показатель преломления, спект'
ральное отражение или пропускание, оптическую разность хода,
оптическую активность) под влиянием внешнего электрического
поля. Вследствие модуляции падающего света резко изменяется
цвет участка, к которому приложено электрическое поле, и на по'
верхности вещества появляется рисунок требуемой конфигурации.
В качестве веществ, имеющих подобные свойства, используют
жидкие кристаллы. Жидкокристаллическим (мезаморфным) на'
зывают термодинамически устойчивое состояние, при котором
вещество сохраняет анизотропию физических свойств, присущую
твердым кристаллам, и текучесть, характерную для жидкостей.
Это состояние имеют некоторые производные бензола, дифени'
ла, стероидов, гетероциклических и других сложных соединений.
Характерной особенностью жидкокристаллических фаз является
то, что молекулы вещества имеют сравнительно большую длину
и относительно малую ширину. Они относятся к числу диэлек'
триков и имеют удельное сопротивление 106—1010 Ом/см.
Различают три основных типа жидких кристаллов (ЖК): сме'
ктические, нематические, холестерические.

а б
Рис. 19. Конструкция ЖК'индикаторов, работающих на просвет (а) и отра'
жение (б): 1, 3 — стеклянные пластины; 2 — склеивающее
соединение; 4 — прозрачные электроды; 5 — ЖК; 6 — непрозрачный электрод

Типовая ячейка ЖК прибора для отображения информации

состоит из двух прозрачных стеклянных пластин, между которы'
ми помещены ЖК. С внутренней стороны пластин помещены
электроды. Их количество и расположение берутся такими, что'
бы можно было реализовать требуемое изображение. Если ячейка
работает на просвет, то электроды на обеих пластинах выполняют

50
прозрачными (рис.19а). При работе на отражение задний электрод
выполняют непрозрачным (рис.19б). Для работы в условиях низ'
кой освещенности создается подсветка. Для этого в ЖК'индика'
торах, работающих на просвет, за задней пластиной размещают
источник света, а у индикаторов, работающих на отражение, ис'
точник света размещают спереди или сбоку. Индикаторы имеют
форму тонкой пластины, к краям которой подведены выводы
электродов. Электроды выполняют в виде тонких, почти не вид'
ных на стекле токопроводящих полосок. Для подключения
к схеме используют специальные панели, имеющие эластичные
выступы, сделанные низкоэлектропроводящей резины. Контакти'
рование обеспечивается за счет механического прижатия индика'
торы к панели. Отдельные конструкции имеют ленточные выво'
ды, обеспечивающие их распайку на платах.
Известны также матричные конструкции, когда электроды на
обеих сторонах выполнены в виде групп взаимно перпендикуляр'
ных линий, создающих матрицу.
В качестве управляющего напряжения предпочитают использо'
вать только переменное. При постоянном напряжении срок служ'
бы компонентов снижается из'за миграции примесей на электроды
и снижения контрастности изображения.
Часто используют так называемый фазовый метод управления,
при котором на общий электрод на задней поверхности и элект'
роды на передней подаются прямоугольные импульсы, сдвинутые
между собой по фазе на 180° при возбуждении данного элемента
и одинаковые по фазе, если данные элементы не должны иметь
другой цвет.
ЖК'индикаторы просты по конструкции, дешевы, имеют низ'
кое энергопотребление, обеспечивают хорошую контрастность
изображения, которая не уменьшается при увеличении освещен'
ности, хорошо совместимы с микросхемами управления. Их не'
достатки: необходимость иметь подсветку при работе в темноте,
узкий температурный диапазон (от –15 до +55 °С), изменение пара'
метров в течение срока хранения и при работе. Область примене'
ния — экономичные устройства и системы с цифровым, буквенным,
графическим или мнемоническим отображением информации.

51
7. Катодолюминесцентные приборы для отображения
информации
Важнейшим и наиболее широко применяемыми катодолюми'
несцентными приборами являются электроннолучевые трубки
(ЭЛТ), позволяющие преобразовывать электрические сигналы
в двухмерные световые изображения (рис. 20).

а б в

Рис. 20. Электронно'лучевая трубка (а), усилитель (б)

и усилитель — преобразователь световых изображений (в).

Электронный поток, эмиттированный с поверхности термо'

электронного катода, с помощью фокусирующей системы фор'
мируется в электронный луч. Под действием ускоряющего поля
анода электроны приобретают кинетическую энергию, которую
они затем отдают в момент соударения атомам люминофора, по'
крывающего тонкой пленкой всю поверхность экрана. Вследствие
этого в месте падения луча начинается свечение люминофора.
В зависимости от состава люминофора свечение может быть прак'
тически любым — от красного до фиолетового. Также практически
любым может быть сделано время подсвечивания люминофора
от единиц микросекунд до нескольких часов. Все это позволяет
получать одно' и многоцветные изображения как быстропроте'
кающих, так и очень медленно изменяющихся электрических сиг'
налов.
Электронно'лучевые трубки наиболее часто применяются
в осциллографах — приборах, позволяющих визуально наблюдать
электрические сигналы.
Двухмерное управление положением луча на экране ЭЛТ про'
изводится с помощью магнитного поля или электростатической

52
отклоняющей системы — двух пар горизонтальных и вертикаль'
ных плоскопараллельных пластин, расположенных взаимно пер'
пендикулярно. Кроме управления пространственным положени'
ем луча, в ЭЛТ имеется возможность управлять током луча,
изменяя тем самым яркость свечения экрана. Это осуществляется
с помощью обычной управляющей сетки, расположенной вблизи
катода, на которую подается управляющее напряжение Uвх.
Подавая на пластины отклоняющей системы напряжение Uх
и Uу соответствующей полярности, можно перемещать луч по экра'
ну, рисуя на нем практически любые световые изображения.
Обычно на горизонтальные пластины подается периодиче'
ское, линейно изменяющееся во времени, «пилообразное» напря'
жение, что вызывает равномерное движение луча вдоль горизон'
тальной оси с заданной скоростью слева направо, возвращение
в исходную точку, снова движение вправо, снова возвращение
в исходную точку. Если одновременно с этим на пластины верти'
кального отклонения подать усиленное напряжение сигнала, то
электронный луч будет отклоняться по вертикали и по горизонта'
ли. При этом отклонение от горизонтали будет зависеть только от
времени, а отклонение по вертикали будет пропорционально из'
менению исследуемого сигнала по времени. Если период пилооб'
разного отклоняющего напряжения будет кратен периоду сигнала,
то на экране будет наблюдаться развернутое во времени изобра'
жение отдельных участков сигнала либо одного или нескольких
его периодов.
ЭЛТ для получения телевизионных изображений называют
кинескопами, а ЭЛТ, используемые в мониторах компьютеров —
дисплеями. В этих случаях ЭЛТ имеют магнитные отклоняющие
системы.
ЭЛТ является сложным прибором, объединяющим иногда
несколько независимых электронных прожекторов и отклоняю'
щих систем, проецирующих электронные изображения на одно'
или многоцветный экран. Это позволяет наблюдать одновремен'
но несколько сигналов или получать цветное изображение.
Когда размеры экрана недостаточны, применяют специальные
проекционные ЭЛТ, с экрана которых изображение с помощью
зеркально'оптических систем проецируется на экран необходимых
размеров.

53
 ЭЛТ имеет память — свечение люминофора после прохожде'
ния электронного луча не мгновенно, а спустя некоторое время.
Имеются специальные электронно'лучевые трубки — скиатроны,
изображение на экране которых может существовать практиче'
ски неограниченное время. Это достигается применением для по'
крытия экрана щелочно'галлоидных солей (например, хлористого
калия), темнеющих под действием электронного луча, в результа'
те чего на экране после прекращения сигнала остается его изо'
бражение в виде темных линий на белом фоне. Изображение сти'
рается нагреванием или воздействием мощного светового потока.
Иногда используются ЭЛТ, позволяющие помнить не световое
изображение электрического сигнала, а его электростатическое
изображение на диэлектрическом экране, которое может быть сно'
ва преобразовано в электрический сигнал. Запоминающие ЭЛТ
такого типа (потенциалоскопы) позволяют записывать чрезвы'
чайно быстро изменяющиеся электрические сигналы, хранить их
запись от нескольких минут до нескольких суток и воспроизво'
дить в нужное время. Запись воспроизводится лучом, поэтому при
воспроизведении запись стирается.
В последние годы разработаны запоминающие трубки, позво'
ляющие многократно воспроизводить записанные сигналы. Запись
и воспроизведение в запоминающих трубках могут производить'
ся с огромными скоростями, поэтому они находят применение
в сверхбыстродействующей радиоэлектронной аппаратуре.
Однако сложность конструкции ЭЛТ, большие геометриче'
ские размеры, невозможность создания абсолютно плоского экрана
большой площади, вредоносное рентгеновское излучение, исхо'
дящее от люминесцентного экрана при попадании на него элек'
тронов, ускоренных очень сильным полем анода и сравнительно
небольшой срок службы (до 10 тыс. ч), привели к разработке и све'
тодиодных, и жидкокристаллических экранов, которые в будущем
придут на замену ЭЛТ во многих областях применения.
ЛЕКЦИЯ № 3. Электронные системы
и сигналы

1. Общие сведения
Электронной системой принято называть совокупность опре'
деленным образом соединенных отдельных функциональных уз'
лов, действующих как единое целое, способных выполнять задан'
ные операции по обработке электрических сигналов.
В свою очередь, каждый функциональный узел конструктивно
также может быть выполнен как единое целое (интегральная ми'
кросхема) или составлен из отдельных дискретных активных и пас'
сивных элементов интегральных микросхем с малой степенью ин'
теграции, электронных ламп, транзисторов, диодов, резисторов,
конденсаторов, трансформаторов и так далее и таким образом рас'
сматриваться как устройство.
Активные элементы усиливают мощность проходящих через них
электрических сигналов, потребляя при этом энергию от внешнего
источника питания. Пассивные элементы — резисторы, конденсато'
ры, катушки индуктивности и трансформаторы — лишь расходуют
энергию сигнала и используются в электронных цепях для согласо'
вания отдельных узлов и блоков, получения заданных частотных
(временных) характеристик, трансформации напряжений и токов
и т. д.
Практически в любой электронной системе основную часть
составляют устройства для усиления сигналов. При этом сигналы
не только усиливаются, но и отфильтровываются друг от друга, от
посторонних шумов и помех, преобразуются из непрерывной фор'
мы в дискретную и так далее и в конце концов появляются на вы'
ходе системы.
На вход электронной системы поступает некоторое весьма ма'
лое напряжение Uвх (t), несущее некоторую информацию, и через
некоторое время на выходе системы появляется отклик — усилен'
ное и определенным образом обработанное выходное напряжение
Uвых (t), из которого можно получить определенную информацию.

55
 Uвх(t)
Система
Uвых(t)

Генератор тест сигналов

Демультиплексор

Объект обучения
Усилители мощности

Усиление
Исполнительные устройства
Анализ
Объект управления
Индикация и запись

б Измерительные
преобразователи
Источник тест сигналов
Фильтры и усилители

Объект изучения
Мультиплексор

Фильтры и усилители
АЦП

АЦП
ЭВМ
ЭВМ
ЦАП
ЦАП

г
Отсчет, индикация, запись

Рис. 21. Структурные схемы электронных информационно'измерительных

и управляющих систем

Выходной сигнал может существенно отличаться от входного

сигнала. Это зависит от свойств электронной системы, через ко'
торую он прошел, и от того, каким операциям преобразования он
в этой системе подвергался. При этом во всех случаях необходи'
мо совершенно точно и однозначно по выходному сигналу опре'

56
делить, каким был исходный входной сигнал на входе системы.
Для этого необходимо знать свойства электронной системы в це'
лом и однозначно определять, как она изменяет входной сигнал.
В простейшем случае электронная система для подобных изме'
рений может быть выполнена по схеме, приведенной на рисунке
21б. На объект исследования действуют тест'сигналом с заданны'
ми параметрами (например, импульсом прямоугольной формы),
который после прохождения через изучаемый объект существен'
но уменьшится и в значительной степени изменит свою форму.
Поэтому этот сигнал необходимо усилить, отфильтровать от по'
сторонних сигналов, шумов и помех, провести анализ возникших
изменений формы, вывести результат анализа на отчетно'инди'
каторное устройство и, если необходимо, записать этот результат
для дальнейшего исследования.
Эта схема выполнена с использование аналоговых функцио'
нальных элементов и узлов и во многих случаях не позволяет про'
вести изучение параметров и характеристик объекта с высокой
степенью точности.
Более совершенной является аналого'цифровая измеритель'
ная схема, структурная схема которой приведена на рисунке 21в.
Основное отличие этой системы от предыдущей заключается
в том, что тест'сигнал после прохождения через изучаемый
объект отфильтровывается от помех, несколько усиливается при
этом, а затем преобразуется в цифровую форму с помощью анало'
го'цифрового преобразователя (АЦП). Цифровой сигнал поступа'
ет затем в ЭВМ, обрабатывается и анализируется по заданной про'
грамме, после чего преобразуется обратно в аналоговую форму
с помощью цифроаналогового преобразователя (ЦАП), отобража'
ется на экране отсчетно'индикаторного устройства и, если
необходимо записывается.
Подобного вида операции про обработке и анализу сигналов
возникают и в системах автоматического управления работой, на'
пример, промышленного оборудования.
Имеются два основных способа анализа сигналов и электрон'
ных систем — временной и спектральный.
При временном способе сигнал представляется в виде непре'
рывной функции времени или в виде суммы элементарных им'

57
пульсов, следующих друг за другом через конечные или бесконеч'
но малые промежутки времени.
Спектральный способ основан на представлении сигнала в виде
спектра — суммы гармонических (синусоидальных) составляющих
различных частот, разделенных бесконечно малыми или конеч'
ными промежутками. Оба способа описания сигналов совершен'
но адекватны, и выбор того или иного способа произволен.
Сигналы принято называть регулярными, если они могут быть
представлены в виде заранее заданных математических функций,
и нерегулярными (случайными), если это не может быть сделано.
Регулярные сигналы подразделяют на три основных вида: перио'
дические, почти периодические и непериодические. Нерегуляр'
ные сигналы могут быть стационарными и нестационарными.

2. Регулярные, нерегулярные и случайные сигналы

Периодический сигнал — это сигнал, повторяющийся через ре'
гулярные интервалы времени Т:

X (t ) = X (t ± nT ),

где t — время (–∞ < t <+∞);

n — целое число;
Т — период повторения.
Периодический сигнал несет информацию, ограниченную од'
ним периодом; все остальные периоды — точная копия первого —
дополнительной информации не несут.
Простейшим периодическим сигналом является синусоидаль'
ный сигнал:

2π
X (t ) = U 0 sin (ω t + ϕ 0 ) = U 0 sin ( + ϕ 0 ),
T

где U0 — амплитуда колебания;

ωt + ϕ0 — мгновенная фаза;
ω — частота;
ϕ0 — начальная фаза;
Т — период.

58
 Сложные периодические сигналы удобно анализировать с по'
мощью рядов Фурье, представляя сигнал в виде бесконечной сум'
мы синусоидальных и косинусоидальных составляющих:
∞
X (t ) = a0 + ∑ ak cos k ωt + bk sin k ωt .
k =1

Здесь а0 — постоянная составляющая сигнала:

+t / 2 +π
1 1
a0
T ∫
−T / 2
X (t )dt =
2π ∫ X (ωt )d (ωt );
−π

аk — амплитуда k'й косинусоидальной составляющей сигнала:

+T / 2 +
2 2π k 1
T −T∫/ 2 ∫ X (ωt )cos kωtd (ωt );
аk = X (t )cos tdt =
T π −π

bk — амплитуда k'й синусоидальной составляющей сигнала:

+T / 2 +π
2 2π k 1
bk = ∫
T −T / 2
X (t )sin
T
tdt =
π −π
∫ X (ωt )sin kωtd (ωt ).

График амплитудного спектра периодического сигнала (напри'

мер, знакопеременного прямоугольного напряжения) (рис.22а)
дискретен и гармоничен — спектральные составляющие (гармо'
ники) находятся в кратных отношениях: 1, 3, 5... (рис.22б).

а б

Рис. 22. Периодически изменяющееся напряжение прямоугольной формы (а)

и график его амплитудного спектра (б)

Гармонические составляющие периодического процесса взаимо'

зависимы (ортогональны), что позволяет изменять и даже совсем
удалять из спектра любые из них, при этом амплитуды и фазы

59
оставшихся не изменяются. Это очень важно, так как бесконечно
широкий спектр, начинающийся от постоянного тока и кончаю'
щийся бесконечно высокими частотами, не может быть преобра'
зован полностью, так как полоса пропускаемых частот у реальных
электронных систем ограниченна. При этом под шириной спектра
обычно понимается область частот, в которых сосредоточена ос'
новная энергия сигнала. Во многих случаях большая часть энер'
гии сигнала сосредоточена в области первых 10—20 гармоник.
В отдельные моменты времени гармоники сложного периоди'
ческого сигнала могут складываться в одной фазе или быть в про'
тивофазе — возникают максимумы и минимумы.
Отношение максимального уровня сигнала к минимальному
называется динамическим диапазоном сигнала и выражается в де'
цибелах (дБ):
U max
Dc = 20 lg .
U min

Помимо разложения периодического сигнала в ряд Фурье, воз'

можны и другие представления, ибо имеется множество ортого'
нальных функций — полиномы Лежандра, Якоби, Эрмита, Чебыше'
ва, функции Лягерра, Бесселя и так далее, которые обеспечивают
быструю сходимость ряда, аппроксимирующего заданную функ'
цию сигнала с необходимой точностью.
Под почти периодическим понимается сигнал с дискретным, но
негармоническим спектром. В этом случае соотношение частот
отдельных составляющих нецелочисленное и может быть любым,
в том числе и иррациональным. Если отношение частот иррацио'
нально, то невозможно определить время Т, при котором бы точ'
но выполнялось условие периодичности.
Если отношение частот нецелочисленно, но рационально, то
можно найти некоторые числа m и n , при которых ω1n = ω2m,
а период результирующего колебания ТΣ = nТ1 = mТ2.
При иррациональном отношении частот период может быть
определен лишь приближенно.
Непериодический сигнал — частный случай периодического,
у которого период бесконечно велик: Т → ∞. Внутри заданного
промежутка времени сигнал может обладать периодичностью
(например, состоять из конечного числа периодов гармоническо'
го или сложного периодического колебания).

60
 При этом спектральный анализ непериодического сигнала мо'
жет быть проведен лишь в том случае, если математическая функ'
ция, аппроксимирующая сигнал абсолютно интегрируема и имеет
конечное число минимумов, максимумов и точек разрыва. Такого
вида сигнал может быть представлен в виде интеграла Фурье.
Δω = ω в − ω н ,

Эффективная ширина спектра сигнала определяющая собой

область, в которой сосредоточена основная энергия сигнала:
ωв

Рс = ∫ W (ω )dω ,
ωн

где ωн и ωв — нижняя и верхняя граничные частоты спектра, при

которых спектральная плотность мала (или ниже некоторого
малого значения))
W — энергия сигнала.
Ограничение спектра непериодического сигнала полосой от
нижней частоты до верхней граничной частоты неизбежно при'
водит к искажению формы сигнала, а следовательно, к утрате не'
которой части информации. Поэтому в каждом отдельном случае
ширина спектра Δω должна определяться как с позиции передачи
максимума энергии, так и с позиции допустимых искажений фор'
мы сигнала.
Реальные непериодические сигналы существуют в течение опре'
деленного промежутка времени — от t1 до t2. При этом не все
участки участки сигнала равноценны: часто начальный или конеч'
ный (или оба вместе) участки переносят малую энергию и весьма
несущественную информацию. Поэтому вводится понятие эф'
фективной длительности сигнала:
τ эф = τ 1 − τ 2 .

Для непериодического процесса справедливо соотношение:

Δf τ эф = k ,

где Δf — эффективная ширина спектра;

τэф — эффективная длительность сигнала;
k — постоянная, зависящая от формы сигнала, но в большин'
стве случаев близкая к единице.

61
 Помимо ширины спектра и длительности, непериодический
сигнал характеризуется динамическим диапазоном, определяемым
так же, как и в случае периодического сигнала.
Методы анализа сигналов, основанные на спектральном ана'
лизе Фурье, позволяют достаточно хорошо анализировать многие
виды сигналов, особенно близкие по характеру к периодическим.
При исследовании явно непериодических сигналов наиболее
эффективным является использование не тригонометрических
функций, а некоторых локализованных во времени функций'
базисов, коэффициенты разложения по которым сохраняют ин'
формацию об изменении параметров аппроксимируемого сигна'
ла и, таким образом, связывают особенности спектра и характер
изменения сигнала во времени.
Эти базисные функции были названы вейвлетами. На основе
такого подхода возникло новое направление в теории анализа сиг'
налов, получившее название вейвлет'анализа, используя который,
сигнал можно анализировать одновременно во временном и в чаc'
тотном пространствах.
Случайные сигналы. Случайным (нерегулярным) считается сиг'
нал, параметры которого заранее неизвестны, и, следовательно,
неизвестна информация, им переносимая.
Случайный сигнал можно рассматривать в виде бесконечной
совокупности случайных величин, зависящих от многих незави'
симых переменных. Эти сигналы могут быть стационарными и не'
стационарными.
Под стационарными понимают случайные сигналы, статиче'
ские параметры которых не зависят от времени. Это означает, что
параметры одного участка сигнала близки к статистическим па'
раметрам другого участка той же длительности, взятого в любой
момент существования сигнала — в прошлом, настоящем и буду'
щем. В общем случае соответствие тем выше, чем больше дли'
тельность участка сигнала, на котором осуществляется определе'
ние параметров.
Статические характеристики нестационарных случайных сиг'
налов зависят от времени, что в значительной степени затрудняет
и усложняет их анализ.
Исчерпывающая характеристика любого случайного сигнала —
распределение вероятностей, показывающее, с какой вероятностью
сигнал может принимать одно из множества возможных значений.

62
3. Преобразование сигналов электронными системами
Для полного определения свойств сигнала нужно знать не
только его длительность, ширину спектра и динамический диапа'
зон, но и его среднюю мощность и ее отношение к средней мощ'
ности мешающих сигналов и помех:

П с = lg Pc / Pп .
Этот параметр называется превышением и является одним из
основных критериев возможности выделения информации из
сигнала. Произведение эффективной ширины спектра длитель'
ности и превышения называется объемом сигнала:

Vc = Δf ΔtП с .
В общем случае чем больше объем сигнала, тем больше ин'
формации он переносит. При преобразовании сигналов их объем
не должен изменяться, иначе возможна утрата части информа'
ции. При сохранении объема сигнала неизменным допустимы из'
менения его отдельных параметров: изменение длительности, со'
провождаемое изменением ширины спектра, перенос сигнала по
спектру, изменение начального энергетического уровня и превы'
шения.
Все возможные преобразования сигналов можно разделить на
линейные и нелинейные аналоговые преобразования, дискрет'
ные и аналого'дискретные преобразования.
При линейных и нелинейных аналоговых преобразованиях сиг'
нала, в том числе и изменения его физического носителя (звука,
электрического тока, света и т. д.), сохранится непрерывность из'
менения по величине и во времени.
При дискретных преобразованиях сигнал может изменяться
лишь дискретно по величине (при этом во времени изменение не'
прерывно); во времени (при этом изменение величины происхо'
дит непрерывно, одновременно и по величине, и во времени.
Дискретноаналоговые преобразования используют при преоб'
разовании дискретного сигнала в непрерывную аналоговую форму.
Электронная система обычно выполняется в виде соединения
различных элементов: резисторов, конденсаторов, катушек ин'
дуктивности, транзисторов, интегральных микросхем и т. д. От'

63
дельные элементы объединяются в функциональные узлы, вы'
полняющие заданные операции над преобразуемым сигналом.
При этом характеристики реальных функциональных узлов тако'
вы, что практически ни одна операция не выполняется строго.
Поэтому преобразованный сигнал на выходе не является следстви'
ем только выполнения заданных операций, а отражает в своей
структуре и реальные преобразующие свойства отдельных функ'
циональных узлов.
По виду зависимости между токами I и напряжениями U (вольт'
амперных характеристик) электронные системы делятся на линей'
ные и нелинейные. Система считается линейной, если ее параметры
постоянны и не зависят от действующих в ней токов и напря'
жений. Абсолютно линейных систем не существует — реальные
системы линейны лишь в ограниченном интервале значений токов
и напряжений. Если зависимость между токами и напряжениями
выражается нелинейными уравнениями и параметры существенно
зависят от значений тока и напряжения, то это нелинейная систе'
ма. В параметрических системах ее свойства изменяются во вре'
мени по некоторому заданному закону.

4. Линейные системы
Важнейшей характеристикой линейной системы является ко
эффициент передачи, определяемый как отношение выходного сиг'
нала Y к входному Х.
Коэффициент передачи величина — относительная, безразмер'
ная и в общем случае в электрических цепях может определяться
как отношение постоянных или переменных напряжений, токов
или мощностей. Если входные и выходные воздействия имеют
различный вид (например, если входное воздействие задано в ви'
де светового потока, а выходной сигнал получается в виде электри'
ческого тока), коэффициент передачи имеет определенную размер'
ность и называется коэффициентом преобразования.
В случае гармонических сигналов коэффициент передачи —
величина комплексная, зависящая от времени или частоты, так
как реальные радиоэлектронные устройства имеют ограниченный
частотный диапазон и пропускают не все составляющие спектра
сигнала одинаковым образом. Это объясняется наличием реак'

64
тивных элементов, сопротивление которых зависит от частоты
(конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы и т. д.)
Реактивные элементы — накопители энергии, вследствие это'
го системы обладают инерцией: выходное воздействие всегда от'
стает во времени от входного, и после прекращения действия вход'
ного сигнала на выходе еще некоторое время действует входной
сигнал.
Коэффициент передачи может быть определен как отношение
спектра выходного сигнала к спектру входного. В этом случае это
есть спектральная (частотная) характеристика, показывающая, в какой
степени спектр выходного сигнала отличается от спектра входного.
Если коэффициент передачи определяется как отношение времен'
ной функции выходного сигнала к временной функции входного
сигнала, то это временная характеристика, показывающая, в какой
мере форма выходного сигнала отличается от формы входного.
Спектральная и временная характеристики, определенные указан'
ным способом, не универсальны, экспериментальное и аналити'
ческое их определение сложно.
Поэтому в электронике частотные свойства отображают с по'
мощью амплитуднофазовой характеристики, а временные свой'
ства — с помощью переходной функции и импульсной реакции.
Амплитудно'фазовая характеристика определяется как отно'
шение синусоидального напряжения сигнала на выходе системы
к синусоидальному напряжению на входе системы во всем диапа'
зоне частот — от нуля до бесконечности:
ur
→
U вых (t ) U вых exp[ jω (t − Δt )]
K ( jω ) = →ur = ,
U вх (t ) U вых exp( jω t )

где 0 < t < Δt — время задержки (запаздывания).

Фазовый сдвиг Δϕ = Δωt выходного сигнала относительно
входного обусловлен задержкой сигнала в реактивных элементах.
В более общем виде амплитудно'фазовая характеристика записы'
вается в комплексном виде:

K ( jω ) = K (ω )exp[ − jϕ (ω )],

где К(ω) — амплитудно'частотная характеристика (АХЧ), показы'

вающая, каким образом изменяется отношение амплитуд (эф'

65
 фективных или средних значений) выходного и входного на'
пряжений сигналов при изменении частоты;
ϕ(ω) — фазово'частотная характеристика (ФЧХ), показываю'
щая, как изменяется фаза напряжения выходного сигнала при
изменении частоты входного сигнала.
Эти характеристики взаимозаменяемы, и для большинства ра'
диоэлектронных систем каждой амплитудно'частотной характе'
ристике соответствует одна и только одна фазово'частотная ха'
рактеристика.
Амплитудно'фазовая характеристика полностью определяет
частотные свойства системы как в установившемся режиме (при
воздействии синусоидального напряжения постоянной амплиту'
ды и неизменной частоты), так и в переходном (или при произ'
вольном воздействии).
Реальные радиоэлектронные системы не могут иметь строго
подобных характеристик и поэтому в большей или меньшей сте'
пени искажают сигналы. Условием не слишком искаженного
преобразования является выполнение их таким образом, чтобы
амплитудно'частотные характеристики были бы равномерными,
а фазово'частотные — линейными только в той полосе частот, где
сосредоточена главная часть спектра сигнала, т. е. от нижней гра'
ничной частоты ωн до верхней граничной частоты ωв.
Ограничение полосы частот, пропускаемых без искажений,
означает, что система обладает инерционностью: сравнительно
медленно переходит в устойчивый режим работы и сравнительно
долго «помнит» воздействие, после снятия которого медленно пе'
реходит в исходное, нормальное состояние.
Время перехода из состояния покоя в установившийся режим
работы называется временем установления tу или длительностью
переходного процесса. Между длительностью переходного про'
цесса и полосой пропускания Δf для большинства линейных систем
существует зависимость: Δf te ≈ 1.
Чем шире полоса частот, пропускаемых без искажений, тем
меньше время установления, и, наоборот, при узкой полосе про'
пускания время установления может быть весьма большим.

5. Нелинейные системы
Абсолютно линейных систем, строго говоря, не существует, так
как элементы радиоэлектронных систем (резисторы, конденсато'

66
ры, катушки индуктивности, электронные лампы, транзисторы
и т. д.) не являются строго линейными. Поэтому любая электронная
система не является строго линейной и неизбежно вносит нели'
нейные искажения в преобразуемый ею сигнал.
Степень нелинейности системы изображается амплитудной
характеристикой:
U вых = Ψ(U вх ).
При этом для строго линейной системы соблюдается соотно'
шение:

U вых = аU вх2 .
При подаче на вход устройства синусоидального сигнала:
U вых (t ) = a (U sin ωt )2 = 0,5aU 2 − 0,5U 2 cos 2ωt .

Произошло существенное искажение спектра исходного сигна'

ла: вместо синусоидального колебания с частотой ω на выходе по'
лучилось колебание с удвоенной частотой 2ω, и появилась состав'
ляющая 0,5аU2.
Эти нелинейности обычно обусловлены безынерционными
элементами электронных устройств: резисторами, лампами, тран'
зисторами, фоторезисторами и т. д.
Наряду с безынерционными нелинейными элементами имеют'
ся электрически инерционные нелинейные элементы: конденса'
торы с сегнетоэлектриками, катушки индуктивности с ферромаг'
нитными сердечниками и тепловые инерционные элементы
(например, терморезисторы, варисторы), которые также приводят
к искажению спектральных входных сигналов.
Особенностью нелинейных систем является то, что в общем
случае спектр выходного сигнала неоднозначно и нелинейно свя'
зан со спектром входного сигнала. При этом спектр выходного
сигнала содержит не только высокочастотные гармоники основ'
ных частот входного сигнала, но и комбинационные (суммарно'
разностные) частоты.
Это позволяет преобразовывать практически любым образом
форму электрических сигналов. Однако во многих случаях нели'
нейность крайне нежелательна и недопустима (например, в уси'
лителях аналоговых измерительных устройств, которые должны
работать в строго линейном режиме).

67
 Так как все активные (усилительные) элементы достаточно не'
линейные, необходимо максимально возможно устранить эту не'
линейность или уменьшить ее влияние.
Пусть, например, имеется усилительное устройство на поле'
вых резисторах с квадратичной амплитудной характеристикой:

U вых (t ) = aU вх2 (t ).

Если входной сигнал представлен в виде полезной перемен'

ной составляющей с небольшой амплитудой ΔU sin ωt и допол'
нительно действует вспомогательный сигнал в виде постоянной
составляющей U0, то на выходе имеем:

U вых (t ) = a[U 0 + ΔU sin ωt ]2 = aU 02 − 0,5a ΔU 2 cos 2ωt + 2 ΔUaU 0 sin ωt .

Постоянная составляющая выходного сигнала

a [U 02 + 0,5ΔU 2 ]

может быть легко отфильтрована (например, с помощью раздели'

тельного конденсатора). Переменная составляющая выходного
сигнала содержит практически только сигнал основной частоты,
если U0 >> ΔU:

U вых (t ) = 2a ΔUU 0 sin ωt − 0,5a ΔU 2ωt =

⎡ ΔU ⎤
= 2aΔUU 0 ⎢sin ω t − cos 2ω t ⎥ ≈ 2aU 0 ΔU sin ωt .
⎣ ΔU 0 ⎦

Чем больше постоянная составляющая U и чем меньше ампли'

туда переменной составляющей ΔU, тем меньше их отношение
и тем меньше влияние нелинейности амплитудной характеристи'
ки на усиливаемый полезный сигнал.
Этот метод линеаризации нелинейных амплитудных характе'
ристик широко применяется в электронике при построении усили'
тельных устройств на электронных лампах, биполярных и полевых
транзисторах и т. д. Во всех этих элементах рабочий линейный ре'
жим обеспечивается подачей на управляющие электроды напря'
жения усиливаемого входного сигнала и дополнительного постоян'
ного напряжения, называемого напряжением смещения.

68
6. Параметрические системы
Параметрическими принято называть системы с переменными,
изменяющимися во времени по заданному закону параметрами:
коэффициентом передачи, входными и выходными сопротивле'
ниями, частотой настройки и т. д.
Рассмотрим систему с коэффициентом передачи, изменяющим'
ся по синусоидальному закону:

K (t ) = K 0 sin ω t .

Входной сигнал синусоидален, амплитуда его мала, тогда

U вых (t ) = U вх (t )K (t ) = U c sin ωctK 0 sin ω 0i =

= 0 /5U c K 0[cos (ω 0 − ω c )t − cos ( ω 0 + ω c) t].

Параметрическая система так же, как и нелинейная, изменяет

спектр сигнала. Однако в отличие от нелинейной системы пара'
метрическая не производит нелинейного преобразования ампли'
туды входного сигнала, и амплитуда выходного сигнала пропорцио'
нальна амплитуде входного. В общем случае последнее строго не
выполняется, так как параметрическая система обычно выполня'
ется с использованием нелинейных элементов.
Для параметрической системы применим принцип суперпозиции,
как и для линейных систем.
Амплитудно'фазовая характеристика параметрической систе'
мы, работающей в линейном режиме, зависит не только от часто'
ты сигнала, но и от времени, вследствие чего нет общего аналити'
ческого метода ее определения.
Переходная характеристика и импульсная реакция параметри'
ческой системы также зависят не только от времени, но и от ха'
рактера изменения коэффициента передачи во времени.

7. Электронные системы с обратной связью

Обратной связью (обратным воздействием) называют передачу
сигнала с выхода системы снова (обратно) на ее вход. Цепь обрат'
ной связи делает электронную систему замкнутой: входной сиг'
нал, первоначально появившийся на входе, после прохождения

69
через систему вновь подается на ее вход как сигнал обратного воз'
действия, складывается с действующим в этот момент входным
сигналом, снова и снова проходит через систему и вновь и вновь
подается на ее вход.

Рис. 23. Структурная схема электронной системы

с обратной связью

На рисунке 23 приведена структурная схема электронной систе'

мы с обратной связью. При анализе ее работы для упрощения бу'
дем считать, что система линейна и безынерционна.
Если коэффициент передачи схемы К0 (jω), то на входе усили'
теля действует суммарный сигнал:
u
ur
→r ur →
→ ur ur
→ ur
→
U вх Σ = U вх + U ос = U вх + β ( jω )U вых .

Этот сигнал усиливается, и на выходе появляется напряжение:

ur
→ ur
→ ur
→
U вых = К 0 ( jω ) × [U вхх + β ( jω )U вх ].

Суммарный коэффициент передачи схемы с учетом последне'

го выражения:
ur
→
U вых К 0 ( jω )
К Σ ( jω ) = →ur = .
U вх 1 − β ( jω )K 0 ( jω )

Комплексное число

β ( jω )K 0 = M ( jω ),
называемое коэффициентом обратной связи, определяет характер из'
менения коэффициента передачи системы при замыкании петли
обратной связи.

70
 Введение в систему обратной связи с коэффициентом М(jω)
показывает, что коэффициент передачи системы в целом изме'
нился в 1/[1–M(jω)] раз.
В общем случае коэффициент обратной связи является числом
комплексным:

M ( jω ) = A(ω ) + jB (ω ) = M (ω )exp[ jϕ(ω )],

где M(ω) = [A2(ω) + B2(ω)]1/2 — модуль коэффициента обратной

связи;
ϕ(ω) = аrctg B(ω)/A(ω) — фаза обратной связи.
Виды обратной связи принято классифицировать по знаку коэф'
фициента обратной связи.
Обычно различают четыре вида обратной связи: положитель
ную, отрицательную, комплексноположительную и комплексноотри
цательную.
Положительной обратной связью называется такая обратная связь,
при которой модуль коэффициента обратной связи 0 ≤ М(ω) ≤ 1,
а фазовый множитель ϕ(ω) = ±2πn, где n = –1, 2… при заданных
значениях полосы пропускания ωн ≤ ω ≤ ωв. При этих условиях
коэффициент обратной связи — величина действительная и по'
ложительная, и сигнал обратной связи действует в той же фазе,
что и входной сигнал, в результате чего они складываются, суммар'
ный входной сигнал увеличивается.
При отрицательной обратной связи модуль коэффициента об'
ратной связи может быть любым, однако фазовый множитель мо'
жет принимать значения, кратные π, т. е. ϕ(ω) = ±π(2n – 1), где
n = 1, 2… При этих условиях коэффициент обратной связи ur → –
r ве'
u
→
личина действительная и отрицательная, а напряжения ur вх ос —
U ,U
→
противофазные, и, следовательно, суммарный сигнал U вх Τ умень'
шается.
Комплексноположительная обратная связь возникает в случае,
когда

−π / 2 < ϕ (ω ) < ±π / 2.

При комплексноотрицательной обратной связи фазовый мно'

житель
ϕ (ω ) > ±π / 2.

71
 При положительной обратной связи напряжение обратной свя'
зи совпадает по фазе с входным напряжением, в результате чего
коэффициент передачи увеличивается:

K 0 ( jω ) K0
K Σ+ ( jω ) = = .
1 − M (ω )exp( j 2π n) 1 − M (ω )
Если модуль коэффициента обратной связи М(ω) = 1, то

К Σ+ ( jω ) = ∞.
Это означает, что система превращается в генератор незату'
хающих колебаний, амплитуда и частота которых определяются
параметрами пассивных и активных элементов охваченного об'
ратной связью усилителя.
Если М(ω) < 1, коэффициент передачи K Σ+ ( jω ) увеличивается
и может многократно превысить исходный коэффициент усиле'
ния К0(jω).
При отрицательной обратной связи напряжение обратной свя'
зи противофазно входному сигналу. Это приводит к тому, что коэф'
фициент передачи уменьшается:
K 0 ( jω ) K ( jω )
K Σ+ ( jω ) = = 0 .
1 − M (ω )exp[ jπ (2n −1)] 1 + M (ω )
Цепь обратной связи передает на вход ответ, реакцию системы
на входное воздействие и в зависимости от заданного алгоритма
работы может увеличить взаимодействие системы с этим воздей'
ствием (если оно благоприятно) или нейтрализовать, скомпенси'
ровать его (если оно нежелательно).
ЛЕКЦИЯ № 4. Усилители электрических
сигналов

1. Общие сведения
Конечная задача, решаемая информационно'измерительной
электронной аппаратурой, — преобразование сигналов путем вы'
полнения с ними заданных операций, в результате которых сиг'
налы принимают форму, наиболее удобную для дальнейшей об'
работки. Часть операций при этом целесообразно осуществлять
в исходной, аналоговой форме, не нарушая их непрерывности.
Однако значительную часть операций при существующем уровне
развития электронной и вычислительной техники лучше выпол'
нять в цифровой форме.
Если известен входной сигнал и задан желаемый выходной, то
могут быть определены как временные, так и частотные характе'
ристики аппаратуры: амплитудно'фазовая характеристика, пе'
реходная функция или импульсная реакция. По определенным
частотным или временным характеристикам можно осуществить
синтез аппаратуры, обладающей заданными свойствами. Задача
синтеза неоднозначна, поскольку в общем случае аналоговая ап'
паратура может быть выполнена как линейная, нелинейная и па'
раметрическая. Необходим оптимальный учет основных и допол'
нительных факторов, позволяющий выбрать наилучшую схему
устройства. Для технической реализации практически любой элект'
ронной системы необходимо иметь набор стандартных функциональ
ных узлов и элементов и знать их спектральные (или временные) ха'
рактеристики.
Число типовых функциональных узлов и элементов сравни'
тельно невелико, так как невелико и общее число основных опе'
раций, совершаемых над непрерывными и дискретными сигна'
лами в электронных системах широкого применения.
К числу основных операций относятся усиление интенсивности
сигналов; генерирование напряжений заданной формы (спектра);
преобразование формы (спектра) сигналов; дискретизация анало'

73
говых (непрерывных) сигналов и преобразование их в цифровую
форму (цифровой код); трансформация (перенос) спектра сигналов
(модуляция и детектирование); изменение длительности (масшта'
ба времени) сигналов; фильтрация — частотное или временное
выделение или подавление отдельных составляющих аналоговых
или цифровых сигналов; корреляционная (авто' и взаимокорре'
ляционная) обработка сигналов; математические преобразования
в аналоговой или цифровой форме (сложение и вычитание, умно'
жение и деление, возведение в степень и извлечение корня, инте'
грирование и дифференцирование, логарифмирование и потен'
цирование); логические преобразования цифровых сигналов;
измерение параметров сигналов; преобразование цифровых сигна'
лов в аналоговые; запоминание аналоговых и цифровых сигналов
на заданное время и воспроизведение их; отображение сигналов —
преобразование в форму, удобную для восприятия человеком; пе'
редача сигналов в пространстве (электро' и радиосвязь).
Многие из указанных операций могут быть выполнены как в ана'
логовой, так и в цифровой форме. При этой, если необходимы об'
работка и измерение параметров относительно простых сигналов,
достаточно большой интенсивности при малом уровне шумов и по'
мех в реальном масштабе времени (без предварительной записи
с минимальным запаздыванием) и допустимой погрешности в еди'
ницы процентов предпочтение пока еще отдают аналоговой аппа'
ратуре как более простой и дешевой. Однако, если задача хоть
немного усложняется, например необходимо проводить стати'
ческую обработку сигналов, то применяется гибридная, аналого'
цифровая аппаратура, в которой часть операций выполняется
в цифровом, часть в аналоговом виде. При очень сложной и высо'
кочастотной обработке одновременно множества сигналов при'
меняется цифровая аппаратура с встроенными микропроцессо'
рами и специализированной ЭВМ.

2. Усиление сигналов. Параметры и характеристики

усилителей
Под термином усиление обычно понимается увеличение интен'
сивности сигналов при сохранении неизменной их формы (спектра):

Y (t ) = k1X (t − τ ) или S y ( jω ) = k 2S X ( j ω ),

74
где k1 и k2 — постоянные, существенно больше единицы (k1, k2 >> 1),
не зависящие ни от времени, ни от частоты.
Усилители должны быть линейными устройствами, и их уси'
лительные свойства не должны зависеть ни от уровня сигнала, ни
от его спектрального состава. Из этого следует, что в усилителях
должны использоваться линейные безынерционные элементы.
Кроме того, параметры сопротивлений нагрузки и согласую'
щих и разделительных пассивных RLC'элементов в схемах мно'
гих усилителей зависят от частоты. Вследствие этих причин при
усилении сигналов неизбежно происходят нелинейные, частот'
ные и фазовые искажения их спектра, которые могут быть сведе'
ны в каждом конкретном случае к минимально допустимому зна'
чению.
В общем случае неискажающий усилитель может быть выпол'
нен как линейный (при ограничении динамического диапазона
сигнала и линеаризации его нелинейной вольт'амперной харак'
теристики); нелинейный (с устранением возникающих побочных
продуктов, обусловленных нелинейностью); параметрический (ли'
нейный и нелинейный).
В зависимости от спектра сигнала усилитель может пропускать
относительно широкую полосу частот — от самых низких до весь'
ма высоких частот (сотни и тысячи мегагерц) — апериодически
и сравнительно узкую полосу частот, сосредоточенную вблизи
центральной (несущей) частоты.
Применение резонансных цепей позволяет существенно уве'
личить усиление за счет резонансного увеличения токов и напря'
жений в колебательных LC'контурах. В области низких частот
для этих целей обычно используют RC'цепи (активные фильтры).
В зависимости от полосы пропускания усилители с ограни'
ченной полосой пропускания, располагающейся вблизи некото'
рой заданной частоты, делят на узко' и широкополосные.
Узкополосные — это усилители, у которых отношение fн / fн ≈ 1,
широкополосные — fв / fн > 1, где fн и fв соответственно нижняя
и верхняя граничные частоты полосы пропускания.
К важнейшим характеристикам усилителей относятся ампли'
тудно'фазовая и амплитудная.
Амплитудно'фазовая характеристика К (jω) называется обыч'
но комплексным коэффициентом усиления (передачи). Коэффи'
циент усиления определяется обычно как отношение амплитуд'

75
ных или эффективных значений выходного синусоидального на'
пряжения к входному синусоидальному напряжению:
U вых ( jω )
К ( jω ) = = K (ω )exp[ − jϕ(ω )],
U вх ( jω )

где К(ω) — амплитудно'частотная и ϕ(ω) — фазово'частотная ха'

рактеристики усилителя.
Амплитудная характеристика выражает зависимость выходно'
го напряжения от входного:
U вых = Ψ(U вх ) при ω = сonst.

Нелинейность амплитудной характеристики оценивают коэф'

фициентом нелинейных искажений:
1/ 2
⎡U 2 + U 32 + ... + U n2 ⎤
kн = ⎢ 2 ⎥ × 100%,
⎣ U 12 ⎦
гдеU1, U2, U3, …, Un — соответственно напряжения основной ча'
стоты, 2, 3, …, n'й гармоник на выходе усилителя при воздействии
на входе синусоидального напряжения с основной частотой.
К основным параметрам усилителя, определяемым по ампли'
тудно'фазовой и амплитудной характеристикам, относятся: по'
лоса пропускания; коэффициент усиления на некоторой средней
частоте; динамический диапазон, в пределах которого усилитель
может считаться линейным.
В общем случае на входе усилителя имеется пассивное звено
(трансформатор, фильтр или делитель напряжения), позволяющее
оптимально согласовывать источник сигнала со входным усили'
тельным каскадом, чтобы создать такие условия работы, при ко'
торых от источника сигнала отбирается максимальная мощность
или передается максимальное напряжение, при этом нормаль'
ный режим работы источника сигнала не нарушается, и его пара'
метры существенно не изменяются.
Схема входного усилительного каскада выбирается в зависи'
мости от типа усилителя, характера и величины сигнала и парамет'
ров источника сигнала.
Основное требование, которому должен удовлетворять вход'
ной усилительный каскад, — это обеспечение максимально воз'
можного линейного усиления при минимальном уровне соб'
ственных шумов.

76
 Также часто требуется, чтобы входное сопротивление усили'
тельного каскада было максимальным в заданной полосе пропуска'
ния. В ряде случаев входной усилительный каскад должен отвечать
некоторым условиям симметрии, так как входное напряжение
может вноситься как симметрично, так и несимметрично относи'
тельно корпуса («земли») прибора.
Усилители обычно выполняют многокаскадными: за входным
каскадом следует один или несколько основных, усиливающих
сигнал до необходимого уровня. При согласовании выхода одного
усилительного каскада со входом следующего за ним каскада ис'
пользуются согласующие звенья, в качестве которых применяют'
ся трансформаторы, фильтры, делители напряжения и т. д.
Для согласования усилителя с нагрузкой на его выходе часто
ставят оконечный усилительный каскад. Оконечный каскад (уси'
литель мощности) рассчитывается на отдачу весьма большой
мощности в отличие от предыдущих усилительных каскадов, ра'
ботающих в режиме усиления напряжения.
Для стабилизации коэффициента усиления, расширения поло'
сы пропускания, уменьшения нелинейных искажений в усилителях
обычно применяют отрицательные обратные связи, охватываю'
щие не только отдельные каскады, но и весь усилитель в целом.
Выпускаемые в России в настоящее время усилители практи'
чески всех видов изготавливаются в виде интегральных микросхем.
Схема включения усилительных приборов. У каждого из элект'
ронных приборов, основанных на управлении интенсивностью
электронного потока, есть три основных вывода (клеммы), сделан'
ные для включения прибора в электронную схему. Это выводы:
1) от источника электронов (катода, эмиттера (или истока));
2) от управляющего элемента (управляющей сетки, базы (или
затвора));
3) от элемента, собирающего электроны (анода, коллектора
(или стока)).
Поэтому в принципе каждый из этих приборов можно вклю'
чить в электрическую цепь шестью различными способами.
Однако усилительные свойства проявляются только в том слу'
чае, если входной сигнал действует между базой (управляющей
сеткой, затвором) и эмиттером (катодом, истоком), поэтому прак'
тический интерес представляют лишь три схемы включения.

77
 а б в г

Рис. 24. Принцип действия (а) и схемы усилителей с общим катодом (б),
с общим эмиттером (в) и общим истоком (г)

Наиболее широко применяется схема, называемая усилителем

с общим катодом (рис.24б); общим эмиттером (рис.24в) или об'
щим истоком (рис.24г). На рисунке 24а поясняется принцип ра'
боты таких усилителей. Символом Rп обозначается электронный
прибор, внутреннее сопротивление Rп которого изменяется под
действием входного управляющего сигнала Uвх, вследствие этого
изменяется ток в цепи «источник питания Еп — электронный при'
бор»:
Еп
i=
Rп + Rп (U вх )

и изменяется падение напряжения на внутреннем сопротивлении

Rп, (т. е. на выходе усилителя) Uвых:
Rп (U вх )
U вых = Rп (U вх )i = Еп .
Rп + Rп (U вх )

Если R → 0, то и Uвых → 0. При Rп → ∞ имеем Uвых → Eп. Таким

образом, усилитель по своей сути управляемый входным сигна'
лом делитель напряжения источника питания Еп, состоящий из
сопротивления нагрузки и внутреннего сопротивления прибора.
Вследствие этого максимальное напряжение Uвых определяется
напряжением источника питания Еп, а эффективность работы уси'
лителя зависит от степени управляемости внутреннего сопротив'
ления электронного прибора входным управляющим сигналом.
Назначение RC'элементов в рассмотренных усилительных каска'
дах следующее: резисторы Rн используются как сопротивления на'
грузки. Резисторы Rк, Rэ и Rс, включенные в цепь общего электро'

78
да (т. е. катода, эмиттера или истока), обеспечивают охват каска'
дов отрицательной обратной связью. Через резисторы Rс, Rб, Rз
подается напряжение смещения на управляющие электроды, уста'
навливающие заданный линейный режим работы. Конденсаторы
C1 и С2 — разделительные, отделяют полезные переменные соста'
вляющие усиливаемого сигнала от постоянных напряжений, дей'
ствующих на электродах.
Для обеспечения линейности работы усилителя режимы ра'
боты используемых для его построения электронных приборов
должны быть подобраны таким образом, чтобы нелинейность
вольт'амперных характеристик приборов проявлялась как можно
меньше.
В случае электронных ламп, полевых транзисторов с управляю'
щим p — n'переходом и полевых транзисторов с изолированным
затвором, работающих в режиме обеднения, это достигается по'
дачей напряжения смещения на управляющий электрод в запираю'
щей полярности. При этом напряжение смещения подбирается
примерно равным половине напряжения запирания, называемо'
го также напряжением отсечки, при котором электронный при'
бор практически полностью запирается и не пропускает через се'
бя электрический ток.

3. Операционные усилители
Одним их наиболее широко применяемых универсальных
функциональных элементов, используемых при создании разно'
образной информационно'измерительной аппаратуры, является
операционный усилитель (ОУ), выполняемый в виде полупровод'
никовой интегральной микросхемы.
Операционный усилитель имеет большое входное сопротивле'
ние и малое выходное, большой коэффициент усиления по напря'
жению (достигающий 106—107), нулевые потенциалы на входных
и выходных клеммах при отсутствии входных сигналов. Широ'
кую полосу пропускания — от постоянного тока до десятков и со'
тен мегагерц.
Особенностью операционного усилителя является наличие двух
входов (инвертирующего и неинвертирующего) и одного (редко —
двух) общего выхода (рис. 25).

79
 а б

Рис. 25. Включение операционного усилителя в электрическую цепь (а)

и принципиальная схема его входной части (б)

При подаче на инвертирующий вход (обозначаемый знаком

минус и кружком в точке подключения) сигнала происходит изме'
нение его полярности (например, при подаче положительного им'
пульса на выходе появляется отрицательный импульс). Сигнал,
поступающий на неинвертирующий выход (обозначаемый обыч'
но знаком плюс), появляется на выходе без изменения полярности.
Питание операционного усилителя производится от двух соеди'
ненных последовательно источников питания (рис.25а) +Еп и –Еп,
средняя точка при этом заземляется на корпус. Вследствие этого
оказывается возможным выполнить схему операционного усили'
теля таким образом, что входная и выходная клеммы оказываются
симметрированными относительно корпуса прибора, т. е. в отсут'
ствие входного сигнала имеют нулевые потенциалы относительно
корпуса («земли») прибора.
Упрощенная схема входной части операционного усилителя
приведена на рисунке 25 б. Непосредственно на входе включен
симметричный дифференциальный усилительный каскад, выпол'
ненный в данном случае на двух биполярных транзисторах VТ1
и VТ2 и резисторах Rк, Rз и R. При этом вход на базе транзистора
VТ1 — неинвертирующий, на базе VТ2 — инвертирующий.
Дифференциальный каскад — согласующе'симметрирующий
и обычно обеспечивает сравнительно малое усиление сигналов.
Основное усиление обеспечивается с помощью неинвертирую'
щего усилителя +К0, коэффициент усиления по напряжению ко'
торого может достигать 107. Обычно такой большой коэффицент
усиления от одного операционного усилителя стараются не полу'
чать, так как в таком режиме работы очень трудно обеспечить его

80
температурную стабильность и малую зависимость его параметров
от изменения напряжения питания.
Коэффициент усиления до заданного уровня (обычно до
нескольких сотен раз) снижается путем охвата операционного
усилителя глубокой отрицательной обратной связью, что наибо'
лее просто достигается соединением выхода с инвертирующим
входом через резистивный делитель, состоящий из масштабных
резисторов R1 и R2. В зависимости от того, на какие входы подают'
ся сигналы, операционный усилитель может использоваться в каче'
стве инвертирующего, неинвертирующего или дифференциаль'
ного усилителя.
Работа операционных усилителей в широком диапазоне частот
осложняется тем обстоятельством, что в большинстве случаев коэф'
фициент усиления зависит от частоты сигнала. С повышение часто'
ты коэффициент усиления уменьшается, и внутренние емкостные
связи приводят к появлению фазового сдвига, который с повы'
шением частоты возрастает иногда до очень больших значений.
Для исключения этого в операционных усилителях применяют
фазово'частотную коррекцию, подключая корректирующие цепи,
состоящие из конденсаторов и резисторов, подобранных таким
образом, чтобы скомпенсировать внутренний фазовый сдвиг.
Элементы коррекции могут быть неотъемлемой частью схемы
операционного усилителя и создаваться в процессе изготовления
его интегральной микросхемы или подключаться дополнительно
к внешним выводам.
Особое место в семействе операционных усилителей занимают
быстродействующие операционные усилители, предназначенные
для неискаженного усиления импульсных сигналов с большой
крутизной фронтов нарастания и спада. В этих усилителях актив'
ные элементы (как правило, биполярные транзисторы) выполня'
ются по специальной технологии и используются в особых рабо'
чих режимах.
В конечном итоге в настоящее время быстродействие лучших
импульсных усилителей в интегральном исполнении очень велико,
скорость нарастания выходного импульсного сигнала достигает
3—5 тыс. В за 1 мкс при времени установления импульса в сотые
доли микросекунды. При этом полоса пропускания может прости'
раться от постоянного тока до нескольких сотен мегагерц (единиц
гигагерц) при коэффициенте усиления до 10.

81
4. Резонансные усилители
Для усиления синусоидальных сигналов и сигналов с узкой
эффективной шириной спектра применение апериодических
усилителей с полосой пропускания от постоянного тока до очень
высоких частот нецелесообразно, поскольку при этом трудно по'
лучить достаточно большое усиление (особенно на высоких часто'
тах в десятки мегагерц).
Помимо этого, при широкой полосе усиливаемых частот возра'
стают собственные шумы, мощность которых прямо пропорцио'
нальна полосе пропускания.
Поэтому для усиления узкополосных сигналов высокой частоты
(сотни килогерц) обычно применяют усилители с резонансными
LC'контурами. Использование резонансных контуров позволяет
повысить коэффициент усиления (за счет резонансного увеличе'
ния токов и напряжений) и сузить полосу пропускания до мини'
мально допустимой.

а б

Рис. 26. Принципиальная схема резонансного LC'усилителя (а)

и его амплитудно'частотная характеристика (б)

Резонансный усилитель может быть выполнен на основе последо'

вательного или параллельного LC'контуров или того и другого вместе
(рис.26а). Коэффициент передачи последовательного контура:
K 1( jω ) = [1 − ω 2LC + jω rC ]−1 = K 1(ω )exp[ jϕ(ω )],

где r — сопротивление катушки индуктивности;

ω2 ω2
K 1 (ω ) = [(1 − 2 )2 + 2 2 ]−1 / 2 .
ωp ω pQ
ωω p
ϕ1(ω ) = arctg[ − ],
ω + ω 2Q
2
p

82
где ωp = [L / C]2 — частота резонанса;
Q – ρ / r — добротность контура;
ρ = [L / C]2 — харктеристическое сопротивление контура.
Модуль коэффициента передачи К1(ωр) = Q на частоте резо'
нанса ω = ωр, а фазовый сдвиг между входным и выходным на'
пряжениями ϕ1(ωр) = –90°.
Таким образом, на частоте резонанса происходит усиление
в Q раз. Безразмерная величина Q = ρ / r = ωL / r (добротность
контура) показывает, во сколько раз при резонансе выходное на'
пряжение превышает входное.
Кривая зависимости коэффициента передачи К1(ω) от частоты,
называемая также резонансной кривой, показана на рисунке 26б.
Ширина полосы пропускания Δω определяется как разность меж'
ду верхней и нижней граничными частотами:
Δω = ω в − ω н
или
Δf = f d − f y ,

на которых коэффициент передачи составляет 0,707 от макси'

мального.
Ширина полосы пропускания зависит от добротности конту'
ра и определяется как
Δω = ω р /Q
или соответственно
Δf = f pQ .
Частотный диапазон работы резонансных усилителей на LC'
контурах практически ограничен снизу частотами в несколько
десятков килогерц, что объясняется сложностью выполнения ин'
дуктивностей с достаточно большой добротностью даже с исполь'
зованием ферритовых сердечников и сердечников из карбониль'
ного железа. Поэтому в современной аппаратуре на частотах ниже
100 кГц LC'резонансные усилители применяются достаточно ред'
ко, уступая место квазирезонансным RC'усилителям (активным
фильтрам).
Помимо LC'контуров, в резонансных усилителях применяют
кварцевые резисторы, электромеханические и магнитострик'
ционные фильтры, работающие на частотах от нескольких сотен
герц до 40—50 МГц и имеющие эквивалентную добротность от
нескольких десятков до нескольких десятков (и даже сотен) ты'

83
сяч. Это позволяет создавать усилители с чрезвычайно узкой по'
лосой пропускания, очень малыми собственными шумами, спо'
собные выделять на фоне интенсивных шумов и помех очень сла'
бые узкополосные сигналы.

5. Усилители мощности
Входные и промежуточные усилительные каскады работают со
сравнительно малыми уровнями сигналов. В усилительных элемен'
тах протекают малые токи (единицы и десятки миллиампер), и рас'
сеиваются малые мощности.
На выходе же многих усилительных устройств требуются сиг'
налы, мощность которых может составлять единицы, десятки,
сотни ватт (иногда и многие сотни киловатт). Поэтому необходи'
мо обеспечить большой коэффициент полезного действия.
Маломощные усилительные каскады работают в линейных
режимах, в которых в отсутствие входных сигналов в активных
элементах протекают токи и действуют напряжения, примерно
равные половине от максимальных, протекающих во время мак'
симальных значений усиливаемых сигналов.
Из'за этого КПД обычных усилителей не превышает 30—40%
(при максимально возможном КПД 50%). В то же время, если в от'
сутствие входного управляющего сигнала через активные элементы
не будут протекать токи, то КПД можно повысить.
Наиболее просто это достигается использованием двухтакт'
ных (двухканальных) усилителей, в которых раздельно усиливаю'
тся положительные и отрицательные полупериоды сигналов.

а б
Рис. 27. Структурная схема двухтактного усилителя (а) и диаграммы на'
пряжений на его входе и выходе (б)
На рисунке 27а приведена упрощенная структурная схема двух'
тактного усилителя, в котором входной сигнал Uвх Σ разделяется

84
диодами VD1 и VD2 на положительные U+ и отрицательные U–
составляющие (рис. 27б).
Эти составляющие раздельно усиливаются двумя усилителями
К0 с идентичными параметрами, запертыми и почти не потребляю'
щими ток от источника питания в отсутствие сигналов, и подают'
ся на общее сопротивление нагрузки Rн, формируя суммарное
выходное напряжение Uвых Σ. Таким образом, если на входе нет
сигналов, то усилители заперты и тока от источника питания не
потребляют.
Предельная мощность выходного сигнала в усилителях мощ'
ности определяется параметрами выходных транзисторов, напряже'
нием источника питания и сопротивлением нагрузки. Напряжение
питания современных высоковольтных операционных усилите'
лей ограничено 200—300 В. Поэтому мощность нагрузки зависит
от ее сопротивления.
В тех случаях, когда необходимо в сопротивлении нагрузки обес'
печить большой ток при большом напряжении источника питания,
применяют двухтактные усилители мощности, собранные на дис'
кретных компонентах: мощных биполярных и полевых транзиcторах,
электронных лампах и тиристорах.
При этом усилители мощности, работающие на частотах выше
20 Гц часто выполняют с использованием согласующе'разделитель'
ных трансформаторов.

6. Усилители в интегральном исполнении

Интегральные линейные микросхемы включают в себя усили'
тельные каскады, а также их комбинации и модернизированные
варианты. Они отличаются от усилителей, выполненных на дис'
кретных элементах, только методами изготовления отдельных ком'
понентов схем и технологией изготовления законченных функ'
циональных узлов.
Интегральный усилитель представляет собой законченный
функциональный блок, который изготовлен в одном корпусе, имеет па'
раметры, заданные в технических условиях, в принципиальную схему
которого нельзя внести никаких изменений, не предусмотренных
при его проектировании.
При использовании интегральных микросхем отпадает необхо'
димость в расчете, сборке и настройке отдельных каскадов. На пер'

85
вый план выдвигаются вопросы применения отдельных микросхем,
введение цепей обратной связи, обеспечивающих получение
необходимых параметров и т. д.

а б
ип
вх вых
т

вых
вх

Рис. 28. Принципиальная схема ИС К174УНЗ (а, б) и ее включение (в)

На рисунке 28б приведена принципиальная схема усилителя

низкой частоты. В нем при подключении внешних элементов R1,
R7, R8 (рис.28в) на транзисторах VT1, VT2 выполнен предваритель'
ный усилитель, содержащий два каскада. Выходной усилитель со'
бран на транзисторах VT3—VT5, причем вместо нагрузочного ре'
зистора R6 в коллекторной цепи транзистора VT5 может быть
установлен трансформатор или другая нагрузка. Через резистор
R5 введена отрицательная обратная связь по постоянному току,
так как ток базы транзистора VT4 зависит от этого сопротивления
и Uвых. Конденсаторами С3 и С2 уменьшается глубина отрицатель'
ной обратной связи (ОС) в диапазоне рабочих частот. Конденса'
торы С3 и С5 обеспечивают коррекцию амплитудно'частотной
характеристики, предотвращая у усилителя потери устойчивости
(самовозбуждение). Коэффициент усиления и другие параметры
зависят от навесных компонентов.Сложность, степень интегра'
ции и функциональные возможности интегральных усилителей
непрерывно повышаются, что позволяет создавать на основе од'
ной микросхемы крупные блоки электронного устройства.

86
ЛЕКЦИЯ № 5. Аналоговые функциональные
узлы и элементы электронной аппаратуры

1. Электрические фильтры
Электрическим фильтром называется устройство, служащее для
выделения (или подавления) электрических напряжений или токов
заданной частоты. Фильтры могут быть пассивными, состоящими
только из пассивных L', C', R'элементов, и активными, если в их
схеме имеются усилительные элементы.
В зависимости от диапазона частот и требуемых характеристик
фильтры могут быть выполнены как:
1) пассивные LC'фильтры и RC'фильтры, составленные из
резисторов, индуктивных катушек и конденсаторов;
2) пьезоэлектрические, электромеханические, магнитострик'
ционные фильтры, которые аналогичны LC'фильтрам с чрез'
вычайно малыми потерями. Электромеханические фильтры
могут работать на частотах от нескольких десятков герц до не'
скольких мегагерц, магнитострикционные — от нескольких со'
тен герц до десятков мегагерц;
3) активные LC' и RC'фильтры, которые обычно применяют'
ся на ультразвуковых, звуковых и инфракрасных частотах.
Основные характеристики фильтров — ширина полосы про'
пускания и избирательность.

а б в

г д е
Рис. 29. Амплитудно'частотные характеристики фильтров:
нижних частот — ФНЧ (а); верхних частот — ФВЧ (б);
полосопропускающих — ФПП (в); режекторных — РФ (г);
гребенчатых — ГПФ (д) и режекторных гребенчатых — РГФ (е)

87
 По характеру пропускаемых частот фильтры делятся на шесть
видов:
1) фильтры нижних частот (ФНЧ), пропускающие колебания
всех частот, начиная от постоянного тока и кончая некоторой
верхней граничной частотой ω0 (рис. 29а);
2) фильтры верхних частот (ФВЧ), пропускающие колебания
с некоторой нижней граничной частотой ωн и до бесконечно
высокой (рис. 29б);
3) полосовые фильтры (ФПП), пропускающие колебания частот
выше некоторой нижней частоты ωн и ниже верхней частоты ωв
(рис. 29в);
4) режекторные (заграждающие) фильтры (РФ), не пропускаю'
щие колебаний некоторой частоты или полосы частот от ωн до
ωв (рис. 29г);
5) гребенчатые фильтры (ГПФ), имеющие несколько полос
пропускания (рис. 29д);
6) режекторные гребенчатые фильтры (РГФ) (рис. 29е).
Под полосой пропускания в случае фильтра нижних частот по'
нимается диапазон частот от нуля до некоторой граничной часто'
ты ωв, на которой коэффициент передачи фильтра по напряже'
нию составляет 0,707 от коэффициента передачи К0 на нулевой
частоте (рис. 30 а) (т. е. оказывается меньше К0 на 3 дБ).

а б

Рис. 30. Полосы пропускания и подавления фильтра нижних частот (а)

и полосопропускающего фильтра (б)

Фильтр, помимо полосы пропускания, имеет полосу подавле'

ния, в которой коэффициент передачи имеет малое, но конечное
значение. Между полосами пропускания и подавления имеется
переходный участок, простирающийся от частоты ωв до частоты
ωп, считающейся частотой начала эффективного подавления.

88
 На частоте ωп коэффициент передачи на 3 дБ больше, чем
в среднем в полосе подавления. Таким же образом рассматрива'
ются зависимости коэффициента передачи от частоты и у всех
остальных видов фильтров: в них также есть полосы пропускания
и подавления и переходные участки между ними (рис. 30б).
Избирательность — мера разрешающей способности фильтра, т.
е. его способность разделять два колебания (или две группы колеба'
ний), частоты которых близки. Количественная мера избиратель'
ности фильтра Δ отображается крутизной спада коэффициента пе'
редачи К(ω) на переходном участке. Обычно крутизна спада
оценивается в логарифмических единицах, Дб/окт:

Δ = 20 lg K (ω 2 )/ K (ω1),

где ω2 = 2ω1 (или ω1 = 2ω2).

Пассивные элементы собираются из RCL'элементов Резистор
R — элемент, рассеивающий энергию проходящего через него то'
ка в виде тепла. Если через резистор проходит ток I, то в соответ'
ствии с законом Ома на нем падает напряжение: U = IR.
Индуктивная катушка L — реактивный элемент, накапливаю'
щий энергию в виде магнитного поля. Если через катушку индук'
тивности проходит ток, то на ней падает напряжение:
dI
UL = I ;
dt
1
L∫
I = U Ldt .

Конденсатор С также реактивный элемент, способный нака'

пливать энергию в электрическом поле. Связь между током I и па'
дением напряжения Uс на конденсаторе:
1 dU c
Uc =
C ∫ Idt ; I = C
dt
.

Если через элементы R, L, C проходит произвольный ток I(t),

то падение напряжения имеется на каждом элементе:
U R (t ) = I (t )R;
d [I (t )]
U L (t ) = L ;
dt
1
C∫
U c (t ) = I (t )dt .

89
 Если ток синусоидален и его амплитуда I0 и частота ω0 постоян'
ны, то его можно представить в комплексной форме:

I (t ) = I 0 exp( jω r ).

При этом

U R (t ) = RI 0 exp( jωt ); U L(t ) = Z LI 0 exp( j ωt ); U C( t) = Z C I 0 exp( j ωt),

где ZL = jωL — индуктивное реактивное сопротивление;

ZC = 1 / (jωC) — емкостное реактивное сопротивление.
Эти выражения позволяют относительно просто определять
чаcтотные характеристики пассивных электрических цепей и филь'
тров.

2. Аналоговые функциональные узлы, выполняющие

основные математические операции с сигналами
В специализированной электронной аппаратуре среднего
класса точности (обеспечивающей погрешность обработки сиг'
налов в единицы процентов) часто используются функциональные
узлы и элементы, осуществляющие в аналоговом (не цифровом)
виде основные математические операции над преобразуемыми
сигналами: сложение и вычитание, умножение и деление, лога'
рифмирование и антилогарифмирование, дифференцирование
и интегрирование, возведение в степень и извлечение корня.
Все эти операции выполняются в очень широком диапазоне
чаcтот — от постоянного тока до частот в сотни мегагерц, с боль'
шой скоростью в реальном масштабе времени. Практически все
указанные элементы и узлы строятся на основе операционных
усилителей.
К числу важнейших операций над аналоговыми сигналами
относятся операции сложения и вычитания, которые выпол'
няются практически во всех аналого'цифровых и цифроана'
логовых информационно'измерительных системах и устрой'
ствах.
Схема простейшего сумматора на n'входах приведена на
рисунке 31а.

90
 а б в

Рис. 31. Неинвертирующий (а) и инвертирующий (б) сумматоры, сумма'

тор'вычитатель (в)

Погрешность суммирования полностью определяется погреш'

ностью подборки сопротивлений суммирующих и масштабных
резисторов. При этом в сопротивление суммирующих резисторов
R входит и внутреннее сопротивление источников сигналов U1,
…, Un. При указанных на схеме номиналах резисторов коэффици'
ент передачи по каждому суммируемому сигналу равен единице.
Поэтому выходной сигнал определяется как векторная сумма
всех сигналов:
ur
→ ur →
→ ur ur
→
U вых = U 1 + U 2 + ... + U n .

Сумматор на рисунке 31б является инвертирующим:

ur
→ ur →
→ ur ur
→
U вых = −(U 1 + U 2 + ... + U n ).

При использовании дифференциальной схемы, т. е. инверти'

рующего и неинвертирующего входов одновременно (рис. 31в)
можно получить схему сложения/вычитания:
ur
→ ur →
→ ur ur →
→ ur
U вых = (U 3 + U 4 ) − (U 1 + U 2 ).

При необходимости можно выполнять суммирование и вычи'

тание с разными коэффициентами (весами по каждому каналу).
При этом соответствующим образом изменяют сопротивления
суммирующих и масштабных резисторов.
К аналоговым узлам, выполняющим математические опера'
ции, относятся логарифмические и антилогарифмические (находя'
щие по значению логарифма Pn А соответствующее значение ве'
личины А) преобразователи, инверторы и дифференциаторы.

91
3. Генераторы гармонических колебаний
Генерирование периодических напряжений осуществляется
с помощью генераторов — устройств, в которых возбуждаются
и автоматически поддерживаются незатухающие электрические
колебания.
В любой, даже в самой высококачественной колебательной
системе имеются потери, поэтому возникшие колебания посте'
пенно должны затухнуть. Если колебания в системе должны быть
незатухающими, то потери должны компенсироваться за счет
энергии какого'либо источника.
В общем случае потери в колебательной системе могут быть
представлены в виде некоторого эквивалентного сопротивле'
ния потерь Rп. Если это сопротивление компенсировать отри'
цательным сопротивлением R*, так чтобы Rп – R* = 0, то коле'
бания, возбужденные в контуре, будут продолжаться бесконечно
долго (так как в контур вводится энергия, компенсирующая по'
тери).
Отрицательное сопротивление можно получить, используя
падающий участок на вольт'амперной характеристике терморе'
зистора, туннельного диода, динистора, тиристора и так далее,
а также с помощью усилителя, охваченного цепью положитель'
ной обратной связи.
Наиболее часто генераторы незатухающих колебаний выпол'
няют в виде устройств с положительной обратной связью. При
этом в зависимости от глубины положительной обратной связи
и параметров частотозадающего контура генерируемые колеба'
ния могут быть гармоническими (синусоидальной формы) и релак'
сационными (прямоугольной, импульсной, пилообразной формы
и т. д.)
Если энергия потерь и энергия, вводимая в колебательный кон'
тур генератора, равны, то генерируемые колебания по форме близ'
ки к синусоидальным:

U г (t ) = U 0 sin ω 0t .

Для генерирования электрических колебаний на частотах выше

нескольких десятков килогерц применяют генераторы с LC'коле'

92
бательными контурами. Генерирование синусоидальных напря'
жений звуковых и инфразвуковых частот обычно производится
с помощью RC'генераторов.

а б в г д

Рис. 32. Функциональная схема генератора синусоидальных колебаний (а)

и его реализация в виде LC'генератора на полевом транзисторе (б).
Эквивалентная схема кварцевого резонатора (в) и генераторы
на его основе по схемам Пирса (г) и Колпитца (д)

LCгенераторы выполняются на основе усилителей, охвачен'

ных стабилизирующей отрицательной обратной связью (рис. 32а)
и частотно'зависимой положительной обратной связью, в цепь
которой включен полосовой фильтр, выполненный в виде коле'
бательного контура.
На рисунке 32б приведена схема простейшего LC'генератора
на полевом транзисторе с трансформаторной положительной об'
ратной связью. Вследствие дискретности тока истока транзисто'
ра в нем имеется флуктуационная («шумовая») составляющая с рав'
номерным спектром, простирающимся от постоянного тока до
очень высоких частот. Так как в цепь стока транзистора включе'
на катушка Lс обратной связи, индуктивно связанная с контуром
L0C0, то флуктуационная составляющая наводит в нем некоторую
ЭДС. Так как контур настроен на частоту

f 0 = [2π L0C 0 ]−1,

то наводимая ЭДС флуктуаций в контуре преимущественно вы'
деляется в напряжение с частотой f0. Это напряжение, воздей'
ствуя на затвор транзистора, вызывает увеличение тока стока
и соответственно тока в катушке обратной связи, что наводит
в контуре новую ЭДС, которая, усиливаясь, снова и снова подается
в контур и т. д. Таким образом, система охвачена положительной

93
обратной связью, коэффициент усиления определяется выраже'
нием:
K 0 ( jω )
К Σ+ ( jω ) .
1 − β ( jω 0 )K 0 ( jω )

Если на частоте настройки контура

β ( jω )K 0 ( jω ) → 1, тоK Σ+( jω ) → ∞,

то, сколь угодно малая флуктуационная составляющая с частотой

f0 может быть усилена до какого угодно большого значения.
Это не означает, что амплитуда колебаний будет безгранично
возрастать. Вследствие отрицательной обратной связи, осущест'
вляемой за счет резистора в цепи истока, и нелинейности вольт'
амперной характеристики полевого транзистора по мере уве'
личения тока стока крутизна характеристики, а следовательно,
и коэффициент усиления К0 будут уменьшаться.
Поэтому при некоторой амплитуде колебаний, определяемой
параметрами L0C0'контура, цепью обратной связи и параметрами
полевого транзистора, при которой энергия потерь и энергия, вво'
димая в L0C0'контур, будут равны, дальнейшее увеличение ампли'
туды прекратится. Частота генерируемых колебаний:

−1
f 0 = [2π L0C 0 (1 + rLC / Ri L0 ] ,

где r — сопротивление катушки индуктивности частотозадающего;

L0C0'контура, измеренное на постоянном токе;
Ri — внутреннее сопротивление полевого транзистора VT.
Из этой формулы следует, что частота генерируемых колеба'
ний зависит не только от параметров основного частотозадающе'
го контура L0C0, но и от внутреннего сопротивления транзистора.
Поэтому при изменении температуры и напряжений источников
питания изменяется и частота генерируемых колебаний, что вы'
нуждает принимать специальные меры для ее стабилизации.
Стабильность частоты выражают в относительных единицах:

Δ = Δf / f 0 ,
где Δf — абсолютное изменение частоты при изменении темпера'
туры на 1 °К.

94
 В реальных LC'схемах стабильность частоты не превышает
10'6на 1 °К, даже если применяются схемы термокомпенсации
и термостабилизации LC'контура, транзистора и всех элементах
схемы, включая источник питания.
Стабильность частоты до 10'11 на 1 °К может быть получена в тер'
мостатированных генераторах с кварцевыми (пьезоэлектрическими)
резонаторами, а на низких частотах также камертонными и маг'
нитострикционными вибраторами, выполненными из специаль'
ных сплавов. В этом случае стабильность частоты может быть по'
рядка 10'7 на 1 °К
В LC'генераторах можно изменять частоту в 2—3 раза измене'
нием емкости контурного конденсатора. Это достигается механиче'
ским или электрическим способом (если использовать варикапы).
Плавное изменение индуктивности достигается перемещением
ферритового сердечника вдоль оси катушки или изменением его
магнитной проницаемости (за счет подмагничивания постоян'
ным током). Изменение частоты настройки может выполняться
и дискретно — переключением катушек индуктивности и кон'
денсаторов.
Генераторы с плавной настройкой в области звуковых частот
часто выполняются в виде генератора на «биениях».

а б

Рис. 33. Синусоидальный генератор низких частот: на «биениях» (а),

на основе RC'моста Вина (б)

В схеме имеются два генератора: кварцевый генератор фикси'

рованной частоты, генерирующий синусоидальное напряжение

U 1(t ) = U 1 sin ω1t ,

и плавно перестраиваемый LC'генератор, генерирующий синусоидаль'
ное напряжение

95
 U 2 (t ) = U 2 sin ω1t ,
частота которых может плавно изменяться в заданных пределах.
Напряжение с выходов обоих генераторов подается на перем'
ножающее устройство, в результате чего появляются напряжения
с комбинационными частотами, в том числе с суммарной и раз'
ностной частотами:

U Ξ (t ) = kU 1 1U 2 sin ω1tt sin ω 2t =

1 1(t )U 2 (t ) = kU

= k2U 1U 2 [cos (σ 2 − ω1 )t − cos (ω 2 + ω1t ],

где k1, k2 — постоянные.

Напряжение с суммарной частотой обычно не используется
и просто отфильтровывается, так что на выходе имеется лишь на'
пряжение с разностной частотой:

U вых (t ) = k 2U 1U 2 cos (ω 2 − ω1)t , где (ω 2 − ω1 ) = var.

Плавно изменяя частоту ω2, можно изменять резонансную часто'

ту в широких пределах — от десятков герц до десятков килогерц.
Примерно по такой схеме выполняются синтезаторы частот.
Для непосредственного генерирования синусоидальных коле'
баний звуковых и инфразвуковых частот применяются генерато'
ры с RC'фильтрами в цепи положительной обратной связи.
В качестве RC'фильтра наиболее часто применяются:
1) полосовые (типа моста Вина);
2) режекторные (типа двойного т'образного моста), имеющие
на частоте квазирезонанса (при соответствующем подборе
элементов) фазовый сдвиг в 180°;
3) многозвенные фильтры нижних и верхних частот, обеспе'
чивающие на заданной частоте фазовый сдвиг в 180°.
Функциональная схема генератора с мостом Вина приведена
на рисунке 33б. В качестве усилителя обычно применяется опера'
ционный усилитель. Мост Вина имеет коэффициент передачи
K ( jω ) = [3 + j (ω RC − 1/ ω RC )]−1,

которая на частоте квазирезонанса есть действительно положи'

тельная величина, равная 1,3.

96
 Если коэффициент усиления К0 ≥ 3, то при включении моста
Вина в цепи положительной обратной связи возникают незату
хающие колебания, поскольку

Чтобы генерируемые колебания имели синусоидальную фор

му, коэффициент усиления должен быть равен трем. Но при этом
самовозбуждение происходит очень медленно. Если К0 < 3, то ав
токолебания вообще не возникают. Поэтому в генератор вводят
нелинейную отрицательную обратную связь, осуществляемую че
рез терморезистор R2. При отсутствии генерации напряжения
между входом и выходом операционного усилителя нет, поэтому
через терморезистор ток не протекает, и его внутреннее сопротив
ление очень велико, вследствие чего глубина отрицательной об
ратной связи мала, а коэффициент усиления велик К0 >> 3.
Как только в генераторе возникают колебания и на выходе
появляется переменное напряжение, внутреннее сопротивление
терморезистора уменьшается, глубина отрицательной обратной
связи увеличивается, и коэффициент усиления К0 начинает умень
шаться, пока система не придет в состояние динамического рав
новесия, что наблюдается при К0 = 3.
Стабильность частоты RCгенератора определяется стабиль
ностью параметров применяемых резисторов, конденсаторов и уси
лительных элементов. Применяя резисторы и конденсаторы
с малыми температурными коэффициентами и охватывая усили
тели глубокой отрицательной обратной связью, можно получить
стабильность примерно 104 на 1 °К. Если необходима более вы
сокая стабильность частоты, то применяют генераторы с кварце
выми резонаторами и делители частоты.
Плавное изменение частоты достигается с помощью перемен
ных резисторов в RCцепях. При этом для перестройки частоты
в 2—5 раз необходимо регулировать синхронно все резисторы.
Для перестройки в небольших пределах (30—50%) достаточно из
менить сопротивление одного из резисторов.
В RCгенераторах можно осуществлять электронную пере
стройку частоты. Для этого резисторы в RCцепях заменяют по
левыми транзисторами, внутреннее сопротивление которых в за

97
висимости от режима работы может изменяться от единиц мега'
Ом до сотен Ом при изменении напряжения смещения в несколь'
ко вольт. Изменять напряжение можно вручную и автоматически.
Например, если на затворы транзисторов подавать пилообраз'
ное напряжение, то получается генератор качающейся частоты.
Такого типа генераторы применяют в приборах для изучения
частотных характеристик: в анализаторах спектров периодиче'
ских сигналов, в частотных модуляторах и т. д.
Использование элементов цифровой электроники, в первую
очередь цифроаналоговых преобразователей, также позволяет соз'
давать перестраиваемые генераторы.
Особое место среди генераторов занимают генераторы шума,
которые в простейшем случае выполняются в виде широкополос'
ного усилителя, на входе которого устанавливается источник шу'
мового напряжения: электронно'вакуумный или полупроводни'
ковый диод, работающий в режиме насыщения, стабилитрон и т. д.
В особо ответственных случаях генераторы шума реализуются в циф'
ровом виде.

4. Генераторы релаксационных колебаний

В отличие от генераторов гармонических колебаний, глубина
положительной обратной связи в которых мала и обратная связь
лишь компенсирует потери в колебательном контуре (или его
аналоге), в релаксационных генераторах применяется глубокая,
иногда стопроцентная положительная обратная связь (при кото'
рой все напряжение выхода подается на вход). Это приводит к то'
му, что колебательный процесс в генераторе уже не происходит
гармонически, поскольку в колебательный контур вводится энер'
гии больше, чем расходуется, и вследствие этого в контуре накап'
ливается энергия, амплитуда генерируемых колебаний нарастает
и нарастает, и в конечном итоге усилительные элементы генерато'
ра начинают работать в ключевых, нелинейных режимах: то входят
в режим насыщения, то запираются слишком большими входными
напряжениями. И генератор вместо синусоидальных напряжений
начинает генерировать релаксационные колебания резко несинус'
оидальной формы.

98
 Релаксационные колебания обычно имеют форму, в той или
иной степени близкую к прямоугольной, поскольку усилитель'
ные элементы работают в режиме переключения и переход из од'
ного состояния в другое происходит скачком.
По виду генерируемых колебаний релаксаторы подразделяются
на генераторы импульсов прямоугольных напряжений (рис. 34а);
линейно изменяющихся напряжений (пилообразных, треуголь'
ных и т. д.). Для генерирования сравнительно коротких импуль'
сов прямоугольной формы часто применяют блокинггенераторы,
выполненные в виде однокаскадных усилителей со стопроцент'
ной положительной обратной связью через трансформатор.

а б в

Рис. 34. Формы напряжений при релаксационных колебаниях (а). Принци'

пиальная схема блокинг'генератора (б) и диаграммы его работы (в)

Рассмотрим работу блокинг'генератора, выполненного на

транзисторе с p — n'p типа (рис. 34б). Пусть в начальный момент
времени напряжение коллекторного питания равно нулю и плав'
но увеличивается по абсолютной величине до значения Еп. По'
скольку начальный ток базы равен нулю, в коллекторной цепи
будет протекать малый ток Iк0, обусловленный тепловыми элект'
ронами. Это положение не является устойчивым — достаточно
случайного увеличения коллекторного тока, например в резуль'
тате флуктуации, чтобы положение резко изменилось: увеличе'
ние тока коллектора создает магнитное поле в обмотке обратной
связи Lк, в результате чего во вторичной обмотке Lб трансформа'
тора наводится ЭДС индукции, минус которой приложен к базе,
а плюс — к эмиттеру транзистора.
Поскольку ЭДС приложена к переходу «база — эмиттер» в пря'
мом направлении, появляется ток базы Iб, что еще больше увели'

99
чивает ток коллектора. Это приводит к еще большему увеличению
наводимой ЭДС и, следовательно, к еще большему увеличению
тока базы. При этом происходит и зарядка конденсатора Сб.
В конечном итоге ток базы нарастает настолько, что транзистор
переходит в режим насыщения Iнас (рис. 34в), после этого дальней'
шее увеличение тока в цепи коллектора невозможно. Вследствие
этого напряжение на вторичной обмотке и ток базы также не уве'
личиваются. Конденсатор Сб в базовой цепи при этом оказывает'
ся заряженным до напряжения UСmax ≈ Еg.
Состояние насыщения неустойчиво и долго продолжаться не
может. Как только ток коллектора перестанет увеличиваться,
прекратится действие положительной обратной связи, на вторич'
ной обмотке перестанет действовать напряжение, поддерживаю'
щее транзисторы в открытом состоянии, и начнется разряд кон'
денсатора Сб. При этом, если ток заряда конденсатора вызывал
падение напряжения на резисторе Rб в отпирающей транзистор
полярности минус на базу, плюс на эмиттер, то при разряде кон'
денсатора его напряжение оказывается приложенным в обратной
полярности — плюс на базу, минус на эмиттер, что приводит к за'
пиранию транзистора.
В запертом состоянии транзистор находится до сих пор, пока
конденсатор Сб не разрядится практически полностью. При этом
конденсатор разряжается через резистор Rб и вторичную обмотку
Lб трансформатора. Поскольку индуктивность Lб мала, основную
роль в процессе разряда играет резистор Rб. В процессе разряда
напряжение на конденсаторе убывает по экспоненте:

U C (t ) = U C max exp( −t / RбСб ).

Как только напряжение на конденсаторе Сб уменьшится на'

столько, что через транзистор снова начнет протекать небольшой
ток Iк0, вступает в действие положительная обратная связь, и про'
цесс повторяется снова и снова.
Период генерируемых колебаний зависит от параметров RC'
цепи и от режима работы транзистора:

Т ≈ RбСб ln(1 + U c max / Rб I k 0 ).

100
 Длительность генерируемых импульсов определяется параме'
трами трансформатора, внутренним сопротивлением Ri транзисто'
ра в режиме насыщения и значениями Rб и Сб.
Если Rб >> Ri, а индуктивность обмоток трансформатора ве'
лика, то
2
⎛L ⎞ ⎛ L2 L2 ⎞
τ н ≈ RiCб ⎜ б ⎟ ln ⎜1 + m 2 k ⎟ ≈ rб .эСб ,
⎝ Lk ⎠ ⎝ C б Lб Ri ⎠

где Lк — индуктивность коллекторной обмотки;

Lm — индуктивность коллекторной обмотки при подмагничи'
вании в режиме насыщения;
Lб — индуктивность базовой обмотки;
rб.э — сопротивление «база — эмиттер» полностью открытого
транзистора.
Существует множество различных выариантов конкретного
выполнения импульсных генераторов подобного типа, имеющих
повышенную стабильность частоты генерируемых колебаний,
более прямоугольную форму выходного напряжения и т. д.
Для генерирования прямоугольных напряжений применяются
генераторы с двумя усилительными элементами, работающими
в режиме переключения: когда один заперт, другой открыт, и на'
оборот.
Генераторы прямоугольных напряжений такого типа называют'
ся мультивибраторами. Для упрощения различения мультивибра'
торов в радиоэлектронных схемах их принято изображать в виде
симметричной схемы с перекрестными межкаскадными связями.
Особенностью релаксационных генераторов является их спо'
собность относительно легко синхронизироваться (управляться).
Обычно это достигается подачей импульсов (положительной или
отрицательной полярности), следующих с частотой, близкой к ра'
бочей частоте релаксатора или кратной ей.
Синхронизируемые релаксационные генераторы очень часто
используются в заторможенных («ждущих») режимах работы.
В отличие от автоколебательного режима, в котором релакса'
ционный генератор имеет два неустойчивых состояния равнове'
сия, вследствие чего автоматически происходит периодическое

101
переключение схемы из одного состояния в другое, в затормо'
женном режиме имеются одно устойчивое и одно неустойчивое
состояния равновесия или даже два устойчивых состояния равно'
весия, поэтому генерация периодического напряжения невоз'
можна.
Заторможенные релаксационные генераторы с одним состоя'
нием устойчивого равновесия называются ждущими пусковыми
схемами (или одновибраторами), с двумя устойчивыми состояния'
ми равновесия — триггерами.
Отличие триггерных схем от пусковых состоит в том, что в пуско'
вых схемах обязательно наличие реактивного элемента (емкости
или индуктивности), в котором накапливается энергия, поддержи'
вающая некоторое время схему в состоянии неустойчивого рав'
новесия.
В триггерных схемах этот элемент отсутствует, поэтому в них
имеются два устойчивых состояния равновесия, в любом из кото'
рых схема может находиться неопределенно долгое время. В общем
случае триггеры могут быть выполнены из любых усилительных
элементов: биполярных или полевых транзисторов, тиристоров,
туннельных диодов и так далее, применение которых в каждом
конкретном случае может оказаться предпочтительным.

5. Трансформация спектров сигналов

Одна из важнейших операций, выполняемых над сигналами
в аналоговой форме, — трансформация спектров, заключающая'
ся в переносе их по шкале частот. В некоторых случаях при пере'
носе соотношения амплитуд и фаз спектральных составляющих
остаются неизменными, вследствие чего остается неизменной
и форма сигнала, в других — амплитуды и фазы преобразованных
составляющих сложным образом изменяются, вследствие чего фор'
ма преобразованного сигнала существенно отличается от формы
исходного сигнала.
Трансформация спектра может сопровождаться не только из'
менением масштаба частот, но и изменением масштаба времени
(длительности сигнала). Например, если записать сигнал на маг'
нитную ленту с одной скоростью движения, а воспроизвести при

102
другой скорости движения ленты, то произойдет не только тран'
сформация спектра, но и изменение масштаба времени.
Если спектр исходного, записываемого сигнала:
+∞

S X ( jω ) = ∫ X (t )exp( − jωt )dt,

−∞

то спектр выходного сигнала, воспроизводимого с другой скоро'

стью:
+∞ +∞
1 ⎛ ω ⎞
SY ( jω ) = ∫
−∞
X (mt )exp( − jω t )dt = ∫
m −∞
X (t 1)exp ⎜ − j t ⎟ dt 1,
⎝ m ⎠

откуда видно, что спектр выходного сигнала связан со спектром

исходного выражением:

1 ⎛ ω⎞
SY ( jω ) = SX ⎜ j ⎟.
m ⎝ m⎠
При изменении масштаба времени (скорости движения ленты)
в m масштаб частот изменился в 1/m раз.

а б

Рис. 35. Перенос спектра сигналов: добавлением некоторой частоты

к каждой спектральной составляющей (а); умножением частоты каждой
составляющей в заданное число раз (б)

В общем случае перенос спектра может достигаться изменением

частоты каждой спектральной составляющей на некоторую величи'
ну ω0 (рис. 35а) или умножением (делением) частоты каждой спек'
тральной составляющей в m раз (рис. 35б).
Изменение частоты некоторого колебания ω1 путем добавле'
ния некоторой частоты наиболее просто достигается умножением
исходного колебания с частотой ω1 на некоторое другое колеба'

103
ние с частотой ω2. Действительно, если умножить исходное коле'
бание U1 sin ωt на колебание U2 sin ωt, то получим два колебания:

U Σ (t ) = U 1 sin ω1tU 2 sin ω 2t = 0,5U 1U 2[cos ( ω 2 − ω1)t − cos ( ω 2 + ω1)t],

одно из которых имеет частоту (ω2 + ω1) и может быть использо'

вано, если необходимо увеличить частоту исходного колебания;
другое колебание (ω2 – ω1) можно использовать, если частота ис'
ходного колебания должна быть уменьшена.
В электронике перенос частот спектра с увеличением частоты
называется модуляцией. Обратный перенос спектра называется
детектированием.
В технике передачи информации на расстояние (радиосвязи,
телевидении и т. д.) перенос спектра сигналов обычно осущест'
вляется путем амплитудной, частотной, фазовой или импульсной
модуляции.
При амплитудной модуляции (АМ) перенос спектра низкочастот'
ного сигнала UΩ(t) в область высоких частот производится перем'
ножением его с высокочастотным несущим колебанием U0 sin ω0 t:

U АМ (t ) = U Ω (t )U 0 sin ω 0t = U Σ(t )sin ω 0t .

Результирующее амплитудно'модулированное колебание имеет

при этом амплитуду, изменяющуюся в такт изменениям низко'
частотного сигнала.
Наиболее часто амплитудная модуляция производится нели'
нейным усилением суммы низко' и высокочастотного (несущего)
колебания.
Амплитудную модуляцию можно также осуществлять с по'
мощью параметрических элементов, например фоторезисторных
оптотронов.

Рис. 36. Параметрический модулятор на основе оптрона

104
 Путь проводимости фоторезистора изменяется с частотой Ω
в небольших пределах ΔY около среднего значения Y0 (рис. 36):

Y (t ) = Y 0 (1 + m sin Ωt ),
гдеm = ΔY/Y0 — относительное изменение проводимости, т. е.
глубина ее модуляции.
Если фоторезистор подключен к источнику напряжения:

U (t ) = U 0 (t )sin ω 0t,
то в цепи будет протекать ток, содержащий несущую частоту ω0
и боковые частоты:

i (t ) = U (t )Y (t ) = Y 0U 0 sin ω 0t (1 + m sin Ωt ) =
= Y0U 0 sin ω 0t + 0,5Y0U 0 [cos(ω 0 − Ω)t ].

Таким образом, фоторезистор может быть использован для ам'

плитудной модуляции.
Также могут быть применены параметрические конденсаторы
и параметрические катушки индуктивности.
При частотной модуляции (ЧМ) низкочастотный сигнал воз'
действует на частоту несущего колебания:

U Ч . М (t ) = U 0 sin[ω 0t + Δω (t )],

вызывая ее изменения в пределах ±Δω.

Амплитуда модулированного колебания U0 при этом остается
постоянной. Частотная модуляция может быть получена доста'
точно просто, если включить электрически управляемый (пара'
метрический) низкочастотным сигналом конденсатор (варикап)
в колебательный контур LC'генератора гармонических колеба'
ний. Вследствие этого изменение амплитуды низкочастотного
сигнала приводит к изменению частоты генерируемых колебаний.
Если низкочастотный сигнал синусоидален, то частотно'модули'
рованное колебание может быть представлено в виде:

U Ч .М (t ) = U 0 sin(ω 0t + m sin Ωt ) =
= U 0 sin ω 0t × cos(m sin Ω t ) + U 0 cos ω 0t × sin( m sin Ωt ),

где m = Δω / Ω — глубина частотной модуляции;

105
 Δω — максимальное отклонение (девиация) частоты несущего
колебания;
Ω — частота низкочастотного сигнала.
Спектр ЧМ сигнала гораздо более сложный, чем спектр АМ
сигнала, и состоит из множества составляющих Ik(m), отличаю'
щихся друг от друга по частоте ±Ω Гц.
Эффективная ширина спектра ЧМ колебания (в которой со'
средоточена основная энергия сигнала) примерно равна удвоен'
ному значению девиации частоты 2Δω при больших индексах мо'
дуляции и приближается к 2Ω при малых.
Для частотной модуляции на звуковых и ультразвуковых часто'
тах используются управляемые импульсные генераторы, мульти'
вибраторы, блокинг'генераторы и т. д. При этом модулированное
напряжение получается в виде последовательности импульсов,
модулированных по частоте следования (ЧИМ).
При фазовой модуляции фаза несущего колебания

ϕ Σ (t ) = ω 0t + ϕ (t )

изменяется в такт изменению низкочастотного сигнала:

U Ф . М (t ) = U 0 sin [ω 0t + Δϕ (t )] = U 0 sin [ϕ 2(t )].

Когда низкочастотный сигнал синусоидален, то фазово'моду'

лированный сигнал может быть представлен в виде:

U Ф . М = U 0 sin [ω 0t + Δϕ sin Ωt + ϕ 0 ],

где Δϕ — максимальное изменение фазы;

ϕ0 — начальная фаза.
Спектры при фазовой и частотной модуляции мало различают'
ся, поскольку в конечном итоге в том и другом случае изменяется
один и тот же параметр — мгновенная фаза колебания.
Однако если при фазовой модуляции изменяется непосред'
ственно фаза колебания, то при частотной — ее первая произ'
водная по времени.
Имеется много способов получения фазовой модуляции. Наи'
более простым является способ изменения фазы несущего коле'
бания путем расстройки колебательного контура (и следователь'

106
но, изменения фазового сдвига в нем) с помощью управляемого
низкочастотным сигналом варикапа.
В общем случае при модуляции несущее колебание необяза'
тельно должно быть синусоидальным. В принципе оно может иметь
любую форму, удобную для генерирования и различных преобра'
зований.
Очень часто в качестве несущего колебания используют перио'
дическую последовательность прямоугольных импульсов, следую'
щих с достаточно высокой частотой повторения ωн.
При этом низкочастотный сигнал может изменять (модулиро'
вать) амплитуду, длительность, фазу (временное положение) или
частоту следования импульсов. В соответствии с этим принято
различать амплитудно'импульсную модуляцию (АИМ), широт'
но'импульсную модуляцию (ШИМ), называемую также им'
пульсной модуляцией по длительности (ДИМ), фазово'импульс'
ную модуляцию (ФИМ), частотно'импульсную модуляцию
(ЧИМ).
Детектированием называется процесс переноса высокочаcтот'
ного спектра модулированного колебания в область низких частот,
в котором ранее располагался спектр модулированного низко'
частотного сигнала.
Детектирование амплитудно'модулированного сигнала сле'
дующее: так как этот сигнал появляется в результате перемноже'
ния напряжения исходного сигнала на напряжение несущей ча'
стоты, то

U АМ (t ) = U Ω (t )U 0 (t ).

Для выделения исходного сигнала необходимо разделить ам'

плитудно'модулированный сигнал на напряжение несущей чаc'
тоты:

U Ω (t ) = U АМ /U 0 (t ).

Выделение низкочастотных сигналов возможно, если произ'

вести повторное умножение АМ сигнала на напряжение с несу'
щей частотой в синхронном детекторе. При этом при синхронном
детектировании может быть повышена точность выделения ис'

107
ходного сигнала и снижено влияние посторонних шумов и помех.
Поэтому, несмотря на сложность схем синхронного детектирова'
ния, они находят широкое применение в электронике.
Частотно'модулированные сигналы детектируются обычно в два
этапа: сначала производится преобразование частотно'модули'
рованного сигнала в амплитудно'модулированный сигнал, кото'
рый затем детектируется обычным способом с помощью ампли'
тудного детектора.
ЛЕКЦИЯ № 6. Цифровые преобразователи
электрических сигналов

1. Логические элементы
Логическими элементами (ЛЭ) называются функциональные
устройства, с помощью которых реализуются элементарные логи'
ческие функции. Они обычно используются для построения слож'
ных преобразователей цифровых сигналов комбинационного типа.
В комбинационных устройствах отсутствует внутренняя память.
Сигналы на их выходах в любой момент однозначно определяют'
ся сочетаниями сигналов на входах и не зависят от предыдущих
состояний схемы.
Современные логические элементы выполняются в виде микро'
схем различной степени сложности.
В алгебре логики оперируют фундаментальным понятием «вы'
сказывание», под которым понимают какое'либо утверждение
о любом предмете. При этом высказывание оценивают только
с точки зрения его истинности или ложности, без каких'либо про'
межуточных градаций.
Если высказывание соответствует истине, оно имеет значение
истинности, равное единице, а если не соответствует, — то нулю.
Поэтому все переменные в алгебре логики принимают только два
значения: 1 или 0, а любые математические действия над этими
переменными обеспечивают получение результатов в виде 1 или 0.
Логические элементы дают возможность изображать логиче'
ские переменные с помощью электрических сигналов (напряже'
ния или тока). Обычно наличие сигнала соответствует цифре «1»,
а его отсутствие — «0».
Высказывания бывают простыми и сложными. Если значение
истинности не зависит от других высказываний, оно называется
простым. Если же значение истинности зависит от значений истин'
ности составляющих его высказываний, то — сложным.

109
 Любую логически сложную функцию, отражающую сложное
высказывание, можно реализовать, используя три типа логиче'
ских элементов: И, ИЛИ, НЕ.
Логический элемент И реализует операцию логического умно'
жения (конъюнкции), смысл которого заключается в том, что слож'
ное высказывание истинно только в том случае, если истинны все
составляющие его простые высказывания. Этот элемент выполня'
ют в виде устройства, имеющего несколько входов и один выход.
Сигнал логической единицы появляется на выходе такой схемы
только в том случае, если на все входы поданы сигналы, соответствую'
щие единице. Поэтому логический элемент И часто называют схе'
мой совпадения (или конъюнктором).
Функцию логического умножения математически записывают
в виде:

F = X ∧ Y ∧ Z , или F = XYZ ,
где X, Y, Z — логические переменные, которые могут иметь толь'
ко два значения: 1 или 0.
На структурных схемах логический элемент, выполняющий
функцию И, обозначают в виде прямоугольника, внутри которого
имеется символ «&» (энд).
Логический элемент ИЛИ реализует функцию логического сло'
жения. При логическом сложении сложное высказывание истинно,
если истинно хотя бы одно из составляющих его простых выска'
зываний. Элемент, выполняющий функцию ИЛИ, имеет несколь'
ко входов и один выход. Сигнал логической единицы появляется
на входе такого устройства в том случае, если хотя бы на один из
входов подана логическая единица. Эту операцию называют
дизъюнкцией (или собиранием), а соответствующий элемент —
дизъюнктором (или собирательной схемой).
Функцию логического сложения математически записывают
в виде:
F = X + Y + Z или F = X ∨ Y ∨ Z .
Cхему ИЛИ обозначают прямоугольником с символом «!» внут'
ри него.
Логический элемент НЕ реализует функцию логического отри'
цания. Смысл отрицания заключается в том, что сложное вы'
сказывание истинно, когда определенное высказывание ложно,

110
и соответственно ложно, если это высказывание истинно. Сиг'
нал, соответствующий единице на выходе устройства, появляется
тогда, когда на вход подан сигнал логического нуля. В соответ'
ствии с выполняемой операцией инверсии элемент НЕ иногда
называют инвертором.
Логическое отрицание обычно обозначают сплошной линией
над соответствующими логическими переменными, например

F = X.
Инверсия по выходу (входу) обозначается кружком в контуре
прямоугольника.
Инверсию логической суммы двух величин называют стрел
кой Пирса:

F = X + Y , или F = X ↓ Y ,
а логического произведения — штрихом Шеффера:

F = X × Y или F = X /Y .
При проектировании устройств с логическими элементами
пользуются аксиомами и законами булевой алгебры.
Два возможных состояния выходного параметра логического
элемента могут быть представлены двумя уровнями выходного на'
пряжения или появлением либо непоявлением выходных импуль'
сов в определенные промежутки времени. В первом случае имеет
место потенциальный способ задания логических переменных, во
втором — импульсный.
При потенциальном способе различают положительную и от'
рицательную логику.
При положительной логике высокий уровень выходного сиг'
нала соответствует единице (1), а низкий — нулю (0), а при отри
цательной высокий уровень соответствует нулю (0), а низкий —
единице (1).
На принципиальных схемах логические элементы изображают
прямоугольником (основное поле), в верхней части которого ука'
зан символ функции (& или 1). Входы показаны с левой стороны,
а выходы — с правой. Допускается другая ориентация прямо'
угольника, при которой выходы показывают снизу, а входы —
сверху. Знак инверсии 0 может быть показан и у входного вывода.
Это означает, что в цепи входа установлен логический элемент НЕ.
Соответствующий сигнал на выходе появляется в том случае,

111
если на инверсном входе имеется логический 0, а не логическая 1,
как это наблюдается при прямом входе.
Шины и провода, не несущие логической информации (в том
числе и питания), подводят к левой или правой стороне прямо'
угольника и помечают х.
Идею построения логических элементов рассмотрим на при'
мере простейших цепей. Реализуемые с их помощью логические
операции зависят от типа логики.
Если считать, что Е = +5 В и выходные напряжения могут
принимать значения +5 и 0 В, то хотя бы к одному из входов Х1,
Х2, Х3 приложен сигнал 0 В, соответствующий диод открыт и на
выходе схемы будет напряжение, близкое к 0 В. При положитель'
ной логике это соответствует коду 0. Если на все выходы подано
положительное напряжение, большее или равное Е, то все диоды
закрыты, на выходе напряжение U = Е, что соответствует при по'
ложительной логике коду 1.
Таким образом, на выходе логического элемента будет сигнал,
соответствующий коду 1 только в том случае, если на все входы
поданы сигналы логической единицы. По определению, данному
ранее, такой элемент выполняет логическую функцию И.
При отрицательной логике уровень, близкий к 0 В, соответ'
ствует коду 1, а уровень +Е — коду 0. Если в этом случае на все
входы подан уровень логического нуля, принятый выше за +5 В,
то на выходе будет логический нуль (+Е). При подаче на любой из
выходов Х1, Х2, Х3 напряжения 0 В соответствующий диод откры'
вается, и выходное напряжение становится близким к 0 В. Это со'
ответствует коду логической единицы.
Подача на любой их входов сигнала, соответствующего логи'
ческой единице, приводит к появлению на выходе кода 1, что ха'
рактеризует логический элемент ИЛИ.
Таким образом, один и тот же логический элемент в зависимо
сти от типа логики выполняет или логическую функцию И, или ло
гическую функцию ИЛИ.
К недостаткам простейших диодных элементов относится
сниженное выходное напряжение по сравнению с входным из'за
его падения на открытом диоде, а также нестабильность уровней
выходных напряжений. Первый недостаток ограничивает число
ступеней, включаемых каскадно (на практике не больше трех),
второй — ухудшает стабильность работы цепи. Для их устранения
вводят дополнительный электронный усилитель.

112
 На основе подобных ЛЭ выполняют высокопороговую логику
различных серий, отличающуюся большими уровнями входных
и выходных сигналов и высокой помехоустойчивостью.
Транзисторнотранзисторные логические элементы (ТТЛ) ши'
роко распространены в технике из'за большого быстродействия,
высокой помехоустойчивости, умеренного потребления энергии,
хорошей нагрузочной способности и малой стоимости.
Характерной особенностью ТТЛ ЛЭ является наличие на их
входе многоэмиттерных транзисторов (МЭТ), с помощью кото'
рых реализуется требуемая логическая функция.
ТТЛ элементы имеют сравнительно высокое быстродействие,
малые входные и выходные токи. Они хорошо работают на ем'
костную нагрузку, так как перезарядка конденсаторов осущест'
вляется через низкоомную выходную цепь.
Логические элементы на МОПтранзисторах имеют существен'
ные преимущества перед логическими элементами на биполярных
транзисторах: малую мощность, потребляемую входной цепью,
простоту технологического процесса изготовления, сравнительно
низкую стоимость и малую потребляемую мощность.
Однако по быстродействию даже лучшие ЛЭ на МОП'транзи'
сторах уступают схемам на биполярных транзисторах. Это об'
условлено тем, что у них имеются сравнительно большие входные
емкости, на перезарядку которых затрачивается определенное вре'
мя. Кроме того, выходное сопротивление у открытого МОП'тран'
зистора обычно больше, чем у биполярного, что увеличивает время
зарядки конденсаторов нагрузки и ограничивает нагрузочную спо'
собность ЛЭ.
Наиболее перспективные серии выполняются на комплемен'
тарных МОП'транзисторах.

2. Триггеры
Одним из важнейших элементов цифровых устройств является
триггер — заторможенный релаксационный генератор, имеющий
два устойчивых состояния равновесия и способный вследствие
этого «запоминать» («хранить») информацию о предыдущем воз'
действии (в виде логического нуля или логической единицы.
Триггеры различают по функциональным возможностям, по
способам управления, приема и выдачи информации (статиче'

113
ское и динамическое управление, синхронный — разрешаемый
и асинхронный прием информации) и по принципам построения
(одно' и двухступенчатые).
Практически все виды триггеров могут быть построены на ос'
нове логических элементов ИЛИ — НЕ; И — НЕ; И — ИЛИ — НЕ.
Наиболее важные и применяемые RS', RST', T', D' и JK'триг'
геры.

а б в

г д
Рис. 37. Триггер на основе логиче'
ских элементов (а); структурная схема сложного триггера (б); RS'триггер
на основе логических элементов
ИЛИ — НЕ, выполненных на биполярных транзисторах (в);
схема RS'триггера на функциональных элементах ИЛИ — НЕ
и его условное графическое изображение (г); диаграмма напряжений
на его входах и выходе и таблица истинности (д)

Триггер может быть представлен в виде последовательного со'

единения двух логических элементов — И — НЕ или ИЛИ — НЕ,
охваченных стопроцентной положительной обратной связью, но
наиболее удобно другое, симметричное изображение (рис. 37а)
с перекрестными связями, подчеркивающее двустабильность
состояния триггера и возможность управления каждым логиче'
ским элементом по своим входам, а также — считывание записан'
ной информации по отдельным выходам (Q — прямой и инвер'
сный, обратный по знаку, выход Q ).
Структурная схема триггера приведена на рисунке 37б. В лю'
бом триггере, помимо собственно триггера, способного хранить
информацию, имеется еще и устройство управления процессом
записи/считывания информации.

114
 По способу записи информации триггеры могут быть асин
хронными, если сам сигнал, несущий информацию, вызывает их
переключение. Имеются также синхронные (тактируемые) тригге
ры, информация в которых записывается при одновременном
воздействии информационного сигнала и синхронизирующего
(разрешающего) импульса.
Асинхронный RSтриггер может быть построен на четырех
биполярных транзисторах VT1—VT4, составляющих два двухвхо'
довых элемента ИЛИ — НЕ (рис. 37в), имеющих два информа'
ционных входа, соединенных перекрестно в замкнутую электрон'
ную цепь, охваченную стопроцентной положительной обратной
связью.
При этом сигнал, действующий на одном из входов, например
на входе R, проходит через первый элемент ИЛИ — НЕ, появля'
ется на его выходе повторно инвертированным и возвращается
вновь на вход первого элемента ИЛИ — НЕ в той же полярноcти,
в какой он поступил на вход R.
Таким образом, вся схема охвачена положительной обратной
связью (по постоянному току) и может работать только в режиме
переключения.
Если в исходном состоянии на выходе Q было напряжение ло'
гического нуля (рис. 37г) при сигнале 0 на обоих входах, то при
подаче на вход S (set — «установка») сигнала логической единицы
происходит переключение триггера, и на выходе Q появляется
сигнал 1. Если затем подать 1 на вход R (reset — «сброс»), то триг'
гер переключается в исходное состояние (рис. 37д).
Второй выход триггера Q инверсен по отношению к основно'
му выходу Q: если на основном выходе 1, то на инверсном — 0,
и наоборот. Если на оба входа одновременно поступает сигнал 1,
то неизвестно, в какое состояние переключится триггер, и поэто'
му такой режим запрещен (рис. 37е).
Синхронизируемый (тактируемый) RSTтриггер. Этот триггер
получается добавлением на входе RS'триггера двух элементов
И — НЕ (как показано на функциональной схеме рис. 38).

Рис. 38. Синхронизируемый RST'триггер, выполненный:

на логических элементах И — НЕ

115
 Наличие элементов И — НЕ на входе триггера приводит к то'
му, что сигналы управления по входам S и R могут поступать на
вход триггера только тогда, когда действуют импульсы разреше'
ния записи (синхронизирующие или тактирующие импульсы).
Для этого на входы R и S заранее должны быть поданы соответ'
ствующие сигналы 0 и 1, а на синхронизирующий вход С (clock —
«времязадающий») в заданный момент времени подается сигнал 1,
разрешающий запись.
Особенностью одноступенчатых RS'триггеров является то,
что записываемая в них информация практически сразу (лишь
с небольшой задержкой, обусловленной временем срабатывания)
появляется на выходах, что не всегда желательно. В таких случаях
используют двухступенчатые триггеры, состоящие из основного
и вспомогательного триггеров.
Ттриггер. Широкое применение для построения различных
цифровых и импульсных устройств находит асинхронный Т'триг'
гер, составленный из двух RS'триггеров, охваченных положитель'
ной обратной связью.
Dтриггер со статическим управлением. Особенность этого
триггера — наличие инвертора на входе, что исключает какие'ли'
бо запрещенные состояния на входах и позволяет управлять рабо'
той по одному информационному входу.
Разновидностью D'триггеров являются Dтриггеры с динами
ческим управлением, реагирующие на сигналы информационного
входа только в момент изменения синхроимпульса от 0 до 1 (пря'
мой динамический вход) или от 1 до 0 (обратный динамический
вход).
Особенностью D'триггеров с динамическим управлением яв'
ляется то, что они способны работать в качестве счетных Т'тригге'
ров, для этого достаточно инверсный вход Q соединить с входом D,
а в качестве информационного использовать вход синхронизации.
JKтриггеры — наиболее универсальные из всех ранее рассмо'
тренных и могут работать как любой из них. Они строятся обыч'
но на основе двухступенчатого RST'триггера, но на его входах до'
полнительно устанавливают многовходовые элементы «И», через
которые осуществляется обратная связь с выходами Q и Q и по'
даются импульсы установки состояния на входы j (jump — «пере'
брос») и К (keep — «удержание»).

116
 Помимо рассмотренных сложных триггеров, в устройствах опе'
рационной памяти ЭВМ используется целый ряд упрощенных
(и чрезвычайно малогабаритных) триггеров с малым потреблением
энергии питания.

3. Регистры
Регистрами называют устройства, предназначенные для запи'
си и выдачи информации, представленной в виде цифрового кода.
Конструктивно регистры выполняются в виде последовательного
или параллельного соединения триггеров. Схемы их выполняют
так, чтобы имелась возможность записать и обеспечить выдачу
информации в виде параллельного или последовательного кодов.
Для этого предусматривают соответствующее количество вход'
ных и выходных выводов.
Имеются регистры, у которых входные и выходные выводы
объединены между собой. По специальным командам они ис'
пользуются как входные или как выходные. При подобном реше'
нии в 2 раза уменьшается количество проводов, соединяющих ре'
гистр с процессором. Такие многорежимные регистры обычно
называют портами данных, а организацию обмена информацией —
портовой.
В зависимости от назначения регистры подразделяют на регис'
тры хранения, сдвига, последовательных приближений.
Регистры хранения обеспечивают запись и хранения кода числа.
В сдвиговых регистрах записанная информация сдвигается вправо
или влево при подаче каждого импульса, управляющего сдвигом.
Регистры последовательных приближений предназначены для
построения аналого'цифровых преобразователей и позволяют
при измерении сигнала неизвестной величины реализовать метод
позарядного уравновешивания. В них запись информации начи'
нается со старшего разряда регистра, и записанное значение остает'
ся или стирается при следующем импульсе записи в зависимости от
выходного сигнала компаратора напряжений, который сравнивает
измеряемый и образцовый сигналы.
Регистры подразделяются на статические и динамические.
Статические регистры выполняют на триггерах. Они могут как
угодно долго хранить записанную информацию (при сохранении
триггерами работоспособности). В динамических регистрах функ'

117
ции элементов памяти выполняют МДП'конденсаторы. Они мо'
гут сохранять информацию только в течение определенного про'
межутка времени. Поэтому в динамических регистрах записанная
информация должна постоянно находиться в движении.
Простейший регистр выполняют в виде линейки из RS', D'
или JK'триггеров. Причем для наиболее распространенных ре'
гистров сдвига используются D'триггеры ввиду меньшего числа
межсоединений, связей и дополнительных логических элементов.
Регистры хранения обеспечивают запись, хранение и выдачу
информации в виде параллельного кода. От количества тригге'
ров, входящих в состав регистра, зависит разрядность записанно'
го числа. При наличии четырех триггеров можно записать четы'
рехразрядное слово, восьми — восьмиразрядное и т. д.
Информация в триггеры DD2, DD4, DD6 записывается по срезу
импульса на входе С. Так, если все триггеры находятся в нулевом
состоянии (Q1 = 0; Q2 = 0; Q3 = 0), а на входах D1, D2, D3 имеется
логическая единица, то в момент окончания импульса, поданного
на вход С, на всех выходах появится логическая единица. Код 111
будет хранится в регистре до тех пор, пока не окончится следую'
щий импульс синхронизации на входе С и триггеры не примут со'
стояния, характеризуемые сигналами на входах D1 — D3. Инвер'
торы DD1, DD3, DD5 необходимы для обеспечения нормального
функционирования JK'триггеров и подачи логической единицы
на входы J или K. При применении D'триггеров принципиальная
схема регистра хранения существенно упрощается, так как сигнал
на выходе D'триггера определяется сигналом на его входе, поэто'
му в схему не требуется вводить дополнительные инверторы.
Регистры сдвига чаще всего выполняются на основе D'триггеров.
С их помощью можно записать и хранить цифровое слово в после'
довательном коде, изменять положение цифрового слова в разрядах
регистра путем сдвига его влево или вправо, преобразовывать числа,
представленные в параллельном коде, в числа в последовательном
коде, и наооборот. Соответственно и считывание информации в них
может быть выполнено двумя способами: в течение определенного
времени в последовательном коде, одновременно в параллельном
коде.
Если схема регистра выполнена так, что записанная информа'
ция может сдвигаться только в одном направлении (вправо или
влево), то его называют однонаправленным. Если сдвиг цифрово'

118
го слова возможен в обе стороны (вправо или влево), то говорят,
что регистр двунаправленный (или реверсивный).
Регистры, в которых возможно сдвигать цифровые слова впра'
во и влево, записывать их как в последовательном, так и в парал'
лельном кодах и считывать в последовательном и параллельном
кодах, называют универсальными.

4. Счетчики
Счетчики выполняются на основе триггеров и применяются
для подсчета числа импульсов, деления частоты их следования,
использования различных преобразований цифровых сигналов,
формирования кодов адреса в ЭВМ, в различных цифровых устрой'
ствах и т. д.
По управлению счетчики могут быть синхронизируемыми и асин
хронными, последовательными и параллельными, а функциональ'
но — суммирующими, вычитающими и реверсивными. Последова'
тельные асинхронные счетчики могут быть выполнены на Т', D'
или JK'триггерах (рис. 39а, б, в).

а б

Импульс
№ — 1 2 3 4 5 6 7 8
Выход
МЗР Q1 0 1 0 1 0 1 0 1 0
Q2 0 0 1 1 0 0 1 1 0
СЗР Q3 0 0 0 0 1 1 1 1 0

г д
Рис. 39. Асинхронные сумми'
рующие счетчики на основе Т'триггеров (а),
D'триггеров (б), JK'триггеров (в), диаграммы напряжений на входе
и отдельных выводах (г) и таблица истинности (д)

119
 На рисунке 39в приведена схема трехразрядного суммирую'
щего счетчика последовательного счета на JK'триггерах. Импуль'
сы, подлежащие счету, подаются на входы С триггера, а на не'
используемые JK'входы всех триггеров подается напряжение
логической единицы. В исходном состоянии все триггеры ТГ1 —
ТГ3 устанавливаются в состояние «0», при этом на прямых выхо'
дах Q1—Q3 действует напряжение 0 (рис. 39 г, д).
Когда на вход счетчика поступают импульсы счета, происходит
последовательное переключение всех триггеров. При этом период
переключения триггера ТГ1 равен двум периодам следования
входных импульсов, триггера ТГ2 — четырем периодам, триггера
ТГ3 — восьми периодам, т. е. счетчик уменьшает частоту следова'
ния импульсов в 23 = 8 раз. После первого счетного импульса пе'
реключается триггер ТГ1, и в счетчик записывается число 001,
соответствующее 1 в десятичной системе. После окончания вто'
рого импульса в счетчике записывается 010, соответствующее
2 в десятичной системе и так далее, что хорошо прослеживается
пари рассмотрении рисунке 39д.
Реверсивные счетчики могут работать как в режиме суммиро'
вания, так и в режиме вычитания.
Эти счетчики являются последовательными, переключение
триггеров (перенос числа) происходит последовательно, одно за
другим. Это ограничивает быстродействие и в быстродействую'
щих цифровых системах вынуждает применять счетчики с парал
лельным переносом, в которых сигналы действуют на входы всех
входящих в счетчик триггеров.
Счетчики могут работать не только в двоичной, но и в любой
другой системе: троичной, пятеричной, десятиричной и т. д.
В настоящее время счетчики выпускаются в виде интеграль'
ных микросхем.

5. Распределители, мультиплексоры
и демультиплексоры
Распределителями называются устройства, генерирующие по'
следовательность импульсов, распределяемую по нескольким ка'
налам. Распределители используются как составная часть многих
устройств управления, обеспечивая последовательное по задан'

120
ной программе одно за другим включение/выключение тех или
иных узлов и блоков.

а б

Рис. 40. Функциональная схема распределителя импульсов (а), диаграмма

его работы (б) и реализация на основе регистра сдвига (в)

На рисунке 40 приведена структурная схема устройства генери'

рования последовательности импульсов по шести каналам, а ри'
сунок 40б поясняет принцип его работы. Импульсы с заданной
частотой следования, генерируемые генератором импульсов, по'
ступают на вход распределителя и последовательно появляются
на выходах каждого из шести каналов (с первого по шестой). Рас'
пределитель может работать как циклически, вновь и вновь выда'
вая на всех шести выходах импульсы управления, так и в одно'
кратном режиме.
Распределители обычно выполняют на основе счетчиков и ре'
гистров сдвига. На рисунке 40в приведена схема шестиканального
распределителя на шестиразрядном регистре сдвига. Если пред'
варительно записать в триггер логическую единицу, а в остальные
пять триггеров — логический нуль, то по мере поступления им'
пульсов управления эта единица будет переписываться последо'
вательно во 2, 3… 6'й триггеры, затем снова в 1, 2 …и т. д.
На основе распределителя может быть выполнено необходимое
в аналоговой и цифровой радиоэлектронике устройство — мульт
иплексор (селектор данных, цифровой или аналоговый коммутатор),
позволяющий поочередно подключать несколько источников

121
сигналов (измерительных каналов) к одному общему измерите'
лю. Функциональная схема простейшего мультиплексора цифро'
вых сигналов приведена на рисунке 41а.

а б

Рис. 41. Цифровой мультиплексор (а) и демультиплексор (б)

На информационные входы 1…N логических элементов И по'

даются цифровые сигналы, которые могут появиться на выходе
только тогда, когда на входы управления подаются сигналы на'
пряжения логической единицы. Если импульсы управления подают'
ся поочередно к 1…N'й схемам И, то они поочередно отпираются, и на
выходе суммирующей схемы ИЛИ поочередно появляются сигналы от
1'го до N'го источника.
В случае аналоговых (непрерывных) сигналов вместо схем И
устанавливают аналоговые ключи, а схема ИЛИ заменяется сум'
матором на основе операционного усилителя.
Мультиплексор не обязательно должен работать в цикличе'
ском (поочередном) режиме опроса источников сигналов. Все
зависит от схемы управления, которая может работать по какой'
либо другой, заранее заданной программе (или по программе, ко'
торая может перестраиваться в зависимости от условий или об'
стоятельств измерения сигналов).
Задача, обратная мультиплексированию сигналов, возникает
тогда, когда необходимо источник сигнала поочередно (или по
какому'то другому закону) подключать к некоторому числу изме'
рителей (или других цепей приемников сигналов).
Это выполняется обычно с помощью демультиплексора, функ'
циональная схема которого приведена на рисунке 41б.
Если необходимо демультиплексировать непрерывные сигна'
лы (т. е. разделить их на составные части), то вместо схемы И при'
меняют ключевые элементы (биполярные или полевые тран'
зисторы, оптроны, контактные реле и т. д.).

122
 Мультиплексоры и демультиплексоры выпускают в виде ин'
тегральных микросхем.

6. Шифраторы и дешифраторы. Микропроцессоры

Цифровые коды из одного вида в другой преобразуются с по'
мощью шифраторов и дешифраторов. В информационно'изме'
рительной аппаратуре шифраторы (кодеры) преимущественно
используют для преобразования (кодирования) напряжений, отоб'
ражающих десятичные шифры и четырехразрядные двоичные.
Дешифраторы (декодеры) применяют для преобразования двоич'
ных кодов из одного вида в другой, в том числе для преобразова'
ния двоичного кода в десятичный.
Упрощенная схема шифратора десятичного кода в двоичный
(используемого, например, для ввода цифровой информации с кла'
виатуры на цифровые устройства) показана на рисунке 42а.

а б

г в

Рис. 42. Принципиальная схема шифратора (а) и его условное

изображение (б); дешифратора (в) и его условное изображение (г)

Работа шифратора происходит так: например, входной деся'

тичный код отображается числом 5, и уровень сигнала — логиче'
ская единица — действует только на этом входе (на остальных
входах нуль). Вследствие этого сработают только два элемента

123
ИЛИ — верхний и третий сверху, и на выходе дешифратора будет
действовать двоичный сигнал 0101 (табл. 1).
Таблица 1
Работа дешифратора
Значения сигналов в двоичном
Эквивалентное значение в десятич
коде
3 2
ном коде
2 2 21 20
0 0 0 0 0
0 0 0 1 1
0 0 1 0 2
0 0 1 1 3
0 1 0 0 4
0 1 0 1 5
0 1 1 0 6
0 1 1 1 7
1 0 0 0 8
1 0 0 1 9

Подобным образом кодируются и все остальные числа, за ис'

ключением 0, при нажатии клавиши которого просто подтверж'
дается отсутствие сигналов логической единицы на всех осталь'
ных входах. Условное графическое обозначение шифратора СД
приведено на рисунке 42б.
Работа дешифратора (рис. 42в) происходит следующим обра'
зом. Пусть, например, на входах 20—23 действует двоичный сиг'
нал 0101 (соответствующий числу 5 в десятичном коде), т. е. на
входах действуют напряжения:

23 → 0; 2 2 → 1; 21 → 0; 2 0 → 1.

При этом только в пятой снизу схеме И на оба входа действуют

напряжения логических единицу (они подаются от входов 20 и 22,
а также после инвертирования логических нулей — со всех осталь'
ных входов через соответствующие инверторы и дополнительные
схемы И). Таким образом, 1 появится только на выходе 5, а на
остальных выходах схем И будут действовать нулевые уровни (в
соответствии с табл. 1).
Шифраторы и дешифраторы выпускаются в виде интеграль'
ных микросхем.

124
 Микропроцессором (МП) называется полупроводниковая мик'
росхема, выполненная по интегральной технологии с высокой
степенью интеграции, способную выполнять под действием прог'
раммного управления функции вычислительного устройства (про'
цессора) цифровой ЭВМ. В свою очередь, под микро'ЭВМ (мик'
рокомпьтером) принято понимать ЭВМ, в которой процессор
выполнен в виде микропроцессора.

7. Цифроаналоговые преобразователи
Цифроаналоговые преобразователи (ЦАП) позволяют преобра'
зовывать дискретные цифровые сигналы в аналоговую (непре'
рывную) форму. При этом каждому значению цифрового сигнала
в двоичной форме должно соответствовать его аналоговое значе'
ние в единицах напряжения (вольтах, милливольтах и т. д.), как
это показано на рисунке 43а.

а б в

Рис. 43. Преобразование цифрового сигнала в аналоговую форму (а). ЦАП

на основе резисторов 2nR (б) и резисторной матрицы R — 2R (в)

В качестве простейшего ЦАП может быть применен дешифра'

тор двоичного кода в десятичный. Если дешифратор питается от
стабилизированного источника питания, то абсолютное значение
напряжения на выходе дешифратора, отображающего уровень ло'
гической единицы, может быть стабилизировано с достаточно вы'
сокой степенью точности и одинаково на всех десятичных выходах.
Поэтому если все напряжения просуммировать (с соответствующи'
ми весовыми коэффициентами), то на выходе сумматора будет
действовать постоянное напряжение, значение которого будет со'

125
ответствовать значению аналогового сигнала. Этот принцип ци'
фроаналогового преобразования реализуется в ЦАП с так называ'
емыми взвешенными резисторами, сопротивление которых в зави'
симости от места подключения в схему имеет свой коэффициент
(называемый весовым), соответствующий значению разряда пре'
образуемого цифрового сигнала.
Упрощенная схема подобного ЦАП приведена на рисунке 43б.
Входной цифровой сигнал (ЦС) в виде многоразрядного двоич'
ного кода (где а — коэффициенты, принимающие значения 0 или 1)
управляет электронными ключами Кn'1 — К0 которые подключают
взвешенные резисторы с сопротивлениями 20R — 2n'1R к источни'
ку опорного напряжения Е0 или к общему проводу, «земле». Таким
образом, полный ток на входе сумматора определяется суммой то'
ков в цепи отдельных резисторов, т. е. кодом цифрового сигнала:

U ОП а0 U ОП а0 U ОП т −1 i
IΣ = + ... + = n −1 ∑ аi 2 .
20 К 2n −1 2 R ш =0

Недостаток рассмотренного ЦАП, ограничивающий его при'

менение в случае многоразрядных цифровых сигналов, — очень
большой диапазон изменения сопротивления взвешенных ре'
зисторов.
Поэтому в современных ЦАП применяются резисторные мат'
рицы, в которых используются одинаковые или отличающиеся
в 2—3 раза резисторы.
В более сложных ЦАП их интегральные микросхемы содержат
все необходимые для работы элементы, включая суммирующие опе'
рационные усилители, источники опорного напряжения, очень
часто дополнительные запоминающие регистры и т. д.
В современной электронике применение ЦАП не ограни'
чивается только областью преобразования цифровых сигналов
в аналоговые, оно неизмеримо шире. В частности, ЦАП по сво'
ей сути является устройством перемножения кода цифрового сиг'
нала на напряжение опорного сигнала. Поэтому если вместо
опорного напряжения подать некоторый (можно знакоперемен'
ный) сигнал U1(t), а на цифровые входы ЦАП — цифровой код,
отображающий сигнал UΣ(t) (который также может быть

126
двуполярным), то на выходе ЦАП будем иметь произведение
этих сигналов:

U Σ (t ) = kU 1(t )U 2 (t − Δt ),

где k — const;
Δt —время задержки при цифровой обработке.
При этом операция умножения выполняется в аналого'
цифровом виде с высокой точностью, и обычно амплитудная
погрешность не превышает 10'2%. Однако может возникнуть
дополнительная погрешность из'за недостаточного быстродей'
ствия, временной задержки цифрового сигнала в процессе его
преобразования в цифровую форму и обработки в цифровой
форме.
Подобным же аналого'цифровым способом можно, распо'
лагая ЦАП'умножителем и рядом дополнительных узлов, вы'
полнять операции деления, возведения в степень, извлечения
корня.
Аналого'цифровые устройства для выполнения математиче'
ских операций над сигналами могут иметь иные структурные схе'
мы, чем аналоговые устройства.
ЦАП также используются как высокостабильные и точно
подогнанные регулируемые резисторы для создания перестраи'
ваемых:
1) пассивных и активных RC'фильтров (нижних и верхних
частот, полосопропускающих и заграждающих);
2) генераторов гармонических и релаксационных колебаний;
3) различных делителей напряжения (тока);
4) фазокорректоров и фазовращателей;
5) цепей компенсации, балансировки и т. д.
На основе ЦАП выполняются генераторы напряжений прак'
тически любой формы. Переключая соответствующим образом
резисторную матрицу, R — 2R можно получить на выходе ЦАП
ступенчато изменяющееся напряжение, с высокой точностью ап'
проксимирующее любую функциональную зависимость (програм'
мно задавая необходимый закон изменения управляющими клю'
чами ЦАП'напряжения).

127
 а б

Рис. 44. Использование ЦАП для создания генератора ступенчато

изменяющегося напряжения (а, б)

На рисунке 44а приведена структурная схема простейшего ге'

нератора ступенчато изменяющегося напряжения, состоящего из
ЦАП, реверсивного счетчика, схемы управления и генератора так'
товых импульсов.
В исходном состоянии на прямых выходах всех триггеров
счетчика действуют нулевые уровни, вследствие чего все ключи,
управляющие резистивной матрицей ЦАП, замкнуты на «зем'
лю» и напряжение на выходе равно нулю. Когда схема управле'
ния получает команду «Пуск» на вход счетчика начинают по'
ступать импульсы, переключающие триггеры и включающие
соответствующие ключи в ЦАП. Поэтому на выходе ЦАП по'
является напряжение: после первого импульса, например, 1 В
(рис. 44б), после второго — 2 В и так далее — до тех пор, пока
счетчик не переключится на обратный счет и последовательно,
шаг за шагом напряжение не спадет до нуля (после этого мож'
но переключить полярность источника Еоп на противополож'
ную и получить ступенчатое напряжение отрицательной поляр'
ности).
Подобным образом, переключая резисторы в матрице R — 2R
по заданной программе, можно синтезировать напряжение за'
данной формы. При этом стабильность частоты генерируемых
колебаний определяется стабильностью частоты генератора так'
товых импульсов, которая может быть стабилизирована кварце'
вым резонатором и быть очень высокой. Также может быть вы'
держана и с высокой точностью заданная форма (и амплитуда)
изменения напряжения, так как опорное напряжение строго
постоянно. Еоп = const, а сопротивления всех резисторов матрицы

128
стабильны (R = const) с высокой точностью. Ступенчатость в вы'
ходном напряжении может быть сглажена соответствующими
фильтрами нижних частот.

8. АналогоDцифровые преобразователи
Преобразование аналоговых сигналов в цифровые производит'
ся с помощью аналогоцифровых преобразователей (АЦП) и являет'
ся измерительным процессом, основанным на сравнении аналого'
вого сигнала с эталонным напряжением, значение которого
известно с высокой степенью точности (или в сравнении с набо'
ром эталонных напряжений). В результате этого непрерывное
мгновенное значение напряжения заменяется ближайшим диск'
ретным значением эталонного напряжения, т. е. происходит кван'
тование сигнала по уровню.
Искажения за счет квантования по уровню будут тем меньше,
чем меньше интервал ΔU между соседними дискретными уровнями.
В общем случае средняя квадратичная погрешность дискрети'
зации по уровню определяется как

ΔU
δу = .
2 3
При заданном значении средней квадратичной погрешности
необходимое число дискретных уровней
100
N = ,
δ у 2h 3
где h — 0,1—0,2.
На входе многих видов АЦП устанавливаются предварительные
усилители, доводящие уровень входного сигнала до необходимого
значения и отфильтровывающие сигнал от помех, и устройства вы'
борки/хранения, осуществляющие дискретизацию аналогового
сигнала по времени и запоминающего его значение в момент от'
счета.
Устройство выборки/хранения может быть выполнено на ос'
нове конденсатора С, который с помощью электронного ключа
подключается на некоторое, весьма малое время к источнику сиг'
нала Uвх(t) и заряжается до значения напряжения сигнала в этот

129
момент времени. После этого производится подключение кон'
денсатора С ко входу операционного усилителя А, как показано
на рисунке 45а.

а б в

Рис. 45. Устройства выборки/хранения: одноканальное на основе

повторителя и контактного переключателя (а), ключа на МОП'транзис'
торе (б); многоканальное (в)

Операционный усилитель включен по схеме повторителя с коэф'

фициентом передачи K = 1 и имеет очень высокое входное сопро'
тивление Rвх = 108—1010 Ом. Вследствие этого напряжение сигна'
ла на конденсаторе в режиме хранения практически постоянно
и изменяется с весьма малой скоростью, определяемой в основном
током утечки самого конденсатора.
В быстродействующих схемах в качестве ключа используют
биполярные или полевые МОП'транзисторы (рис. 45б), работаю'
щие в режиме обогащения. При отсутствии сигнала управления
МОП'транзистор имеет очень высокое сопротивление, достигаю'
щее 1012 Ом, и конденсатор оказывается практически отключенным
от источника сигнала. При подаче на затвор импульса управления
транзистор полностью открывается (при этом сопротивление состав'
ляет несколько десятков или сотен Ом), и конденсаторы подключа'
ются к источнику сигнала на заданное время, запоминая тем самым
значение сигнала в момент отсчета.
В многоканальных цифровых системах в устройствах выбор'
ки/хранения (рис. 45в) используют многоканальные аналоговые
коммутаторы (мультиплексоры), которые с помощью ключей
К1, …, Кn подключают поочередно источники сигналов U1, …,
Un к конденсатору С. Ключи обычно выполняют на основе МОП'
транзисторов.
Если сигнал имеет ограниченный спектр (или главная часть
его спектра более или менее локализована), то погрешность пре'

130
образования может быть какой угодно малой, если в соответствии
с теоремой Котельникова частота отсчетов в 2 раза выше верхней
граничной частоты. Однако реальные сигналы в большинстве слу'
чаев имеют весьма расплывчатый спектр, и определение верхней
граничной частоты бывает затруднено. Поэтому частота квантова'
ния в таких случаях определяется на основании исследования ха'
рактера изменения сигнала во времени. В частности, минималь'
ная частота квантования может быть определена как

1/ 2
⎡U ′′(t ) ⎤
f min ≥ ⎢ Ω ⎥ ,
⎣ 8δ k ⎦

где δк — допустимая погрешность;

U Ω′′(t ) — вторая производная от сигнала (максимальная кру'
тизна его изменения между двумя отсчетами).
В общем случае в состав АЦП входят следующие основные
функциональные узлы: изменяемое по значению эталонное на'
пряжение (или набор различных по значению эталонных напря'
жений), устройство сравнения напряжения сигнала с эталонными
напряжениями и устройство кодирования, представляющее ре'
зультат сравнения в заданном цифровом коде.
Сравнение напряжения сигнала может быть произведено од'
новременно (параллельно) со всеми эталонными напряжениями
или последовательно путем сравнения с каждым эталоном пооче'
редно.
АЦП одновременно осуществляемого сравнения называются
считывающими или параллельными. Параллельные АЦП — самые
быстродействующие, так как результат преобразования появляет'
ся сразу же после срабатывания компараторов и логических элeмен'
тов, из которых выполнено кодирующее устройство. В лучших
образцах параллельных 8—12'разрядных АЦП, используемых
в радиолокации, цифровом телевидении, видеотехнике, это вре'
мя составляет сотые доли микросекунды, что позволяет произво'
дить до 108 преобразований в секунду и таким образом обрабаты'
вать сигналы с частотами до нескольких десятков мегагерц.
Широкому применению многоразрядных параллельных АЦП
препятствует сравнительная сложность их принципиальных схем.
На практике обычно наиболее часто применяют 8—10'разрядные

131
АЦП, обеспечивающие преобразование сигналов по 28—210 уров'
ням, хотя в некоторых областях науки и техники применяют и 12—
14'разрядные АЦП.
Наименьшее число элементов обычно содержат АЦП последова
тельного сравнения, принцип действия которых показан на рисун'
ке 46.

Рис. 46. Обобщенная функциональная схема АЦП последовательного

сравнения
В исходном состоянии на вход компаратора подается сигнал
Uх, снимаемый с выхода устройства выборки/хранения, а на эта'
лонном входе Еэт напряжение равно нулю, поэтому напряжение
на выходе компаратора соответствует логической единице. Это
напряжение подается на первый вход элемента И. На второй вход
элемента подается импульсное положительное напряжение с вы'
хода генератора импульсов. Если на третий вход элемента И подано
напряжение 1 (команда «Пуск АЦП»), то элемент И откроется,
и импульсы с генератора будут беспрепятственно подаваться на
вход двоичного счетчика, установленного в нулевое положение.
Первый поступивший импульс вызовет переключение перво'
го триггера счетчика, что повлечет за собой срабатывание комму'
татора и подключение эталонного напряжения Еэт = ΔU к комму'
татору. Если входной сигнал Uх < ΔU, то компаратор сработает,
на его выходе появится 0, элемент И закроется, в счетчик импуль'
сы поступать больше не будут. Если Uх > ΔU, то срабатывание
компаратора не произойдет, на вход счетчика поступит второй
импульс, счетчик переключится, сработает коммутатор, и ко вхо'
ду компаратора подключится эталонное напряжение 2ΔU.
Так будет продолжаться до тех пор, пока эталонное напряже'
ние не станет больше входного напряжения:

(n − 1)ΔU < U x < nΔU ,

132
что произойдет при некоторм n'импульсе. Это приведет к пере'
ключению компаратора и отключению генератора импульсов от
счетчика. Показания счетчика при этом будут соответствовать не'
которому числу

n = aN −1 2N −1 + ... + a0 20

в N'разрядном двоичном коде. Абсолютное значение преобразо'

ванного (измеренного при этом) напряжения сигнала:

U X = nΔU .

АЦП последовательного сравнения, работающие по рассмот'

ренному принципу, называют иногда АЦП развертывающего дей'
ствия. Они имеют сравнительно малое быстродействие, и время
взятия отсчета непостоянно: чем больше уровень сигнала, тем
больше ступеней сравнения приходится пройти, прежде чем сту'
пенчато изменяющееся эталонное напряжение превысит напря'
жение входного преобразуемого сигнала.
Поэтому АЦП ступенчатого действия применяются для изме'
рения и преобразования постоянных и медленно изменяющихся
напряжений, где не требуется высокое быстродействие.
В ряде случаев (например, в цифровых системах автоматическо'
го управления, где необходимо непрерывно измерять, постоянно
отслеживать изменения параметров системы) повышение бы'
стродействия работы АЦП достигается не за счет преобразования
напряжения сигнала, а путем его приращений. Такие преобразова'
ния осуществляются за счет АЦП «следящего» типа.
«Следящий принцип» построения привел к созданию сверх'
быстродействующих многоразрядных так называемых дельта'
сигма'модуляционных АЦП.
Низкочастотные напряжения малых уровней (единицы и де'
сятки микровольт), осложненные помехами и шумами, очень
часто преобразуются с помощью интегрирующих АЦП, в осно'
ву работы которых положено интегрирование напряжения сиг'
нала в течение фиксированного времени tз = const, и затем срав'
ниваются с эталонным напряжением.
В современной цифровой технике, помимо рассмотренных ви'
дов АЦП, выпускаемых серийно в виде интегральных микросхем,

133
имеется много их различных модификаций, отличающихся струк'
турной схемой и элементной базой. Для построения АЦП также
используются микропроцессоры, которые позволяют осущест'
влять АЦП программно (с небольшим числом дополнительных
элементов) и, изменяя программу, применять наиболее целесо'
образный в каждом конкретном случае способ преобразования.
Функционально АЦП — устройства, предназначенные для пре'
образования аналоговых сигналов в эквивалентные им цифровые
коды, которые затем вводятся в ЭВМ (или специализированное
измерительно'цифровое устройство) для дальнейшей обработки
с целью выделения и измерения переносимой сигналами инфор'
мации.
ЛЕКЦИЯ № 7. Системы передачи информации

1. Общие сведения
Передача сигналов на расстояние в современной электронике
решается различными способами.
По виду передаваемых сообщений системы связи делятся на
системы передачи звуковых сигналов (радиовещание и телефо'
ния), подвижных изображений (телевидение), неподвижных изоб'
ражений'рисунков, текстов (фототелеграфия и факсовая связь),
цифровых данных между информационными, измерительными
системами и ЭВМ, а также системы телеизмерения, управления
и контроля.
В общем случае сообщение, переносимое сигналом, может
быть представлено в виде набора некоторых смысловых элемен'
тов, выбранных определенным образом из множества возможных.
Каждый смысловой элемент сообщения переносит тем большее
количество сведений, чем из большего числа элементов он вы'
бран, т. е. чем более непредвиден для получателя набор смысловых
элементов, тем большую информацию можно получить из приня'
того сигнала.
Если общее число возможных смысловых элементов m, если
сообщение составлено из n элементов, то число возможных сооб'
щений составляет:

N = mn .
Поскольку количество сведений пропорционально m'числу
смысловых элементов в сообщении, количество информации
принято определять как
I и = n log 2 m.

Единица количества информации называется двоичным зна

ком (или битом). Принятая мера количества информации универ'
сальна и позволяет сравнивать различные сообщения и количест'

135
венно определять ценность различных источников сообщений,
емкость накопленной информации, оценивать потери информа'
ции при передаче, преобразованиях и т. д.
Любой сигнал характеризуется длительностью Δt и эффектив'
ной шириной спектра Δf. Важной характеристикой является так'
же превышение отношения средней мощности сигнала к средней
мощности шумов и помех:
П с = log 2 (Pc / pm ).
Произведение
Vc = Δt ΔfП с
называется объемом сигнала. Чем больше объем, тем большее ко'
личество информации может перенести сигнал. Количество све'
дений, которое может быть передано с помощью сигнала задан'
ного объема, составляет:

I и = Δt Δfloq 2[kPc / Pm ],

где k = const — постоянная, определяемая статическими свойства'

ми помех и сигнала.
Важнейший информационный параметр сигнала — его удель
ная чувствительность β, показывающая, насколько эффективно
используется сигнал данного объема для передачи информации:

β = I и /Vc .

Сигнал принимается или запоминается информационной систе'

мой только в том случае, если ее параметры согласованы с параме'
трами сигнала. Согласование заключается в том, что ширина про'
пускания системы ΔF должна быть не меньше ширины спектра
сигнала: ΔF ≥ Δf ; время действия системы DТ должно быть не
меньше длительности сигнала: ΔТ ≥ Δе; превышение Пс средней
мощности сигнала над средней мощностью помех в системе дол'
жно быть не меньше превышения Пс.
Сигнал принимается, передается или запоминается только та'
кой информационной системой, у которой произведение

Vи .с = ΔT ΔFП с ,

136
называемое емкостью информационной системы, больше или рав'
но объему сигнала:

Vи .с ≥ Vc .

Важнейшая характеристика информационной системы — ее

пропускная способность, определяющая, какое количество инфор'
мации может передаваться или запоминаться в единицу времени:

Си = I и / ΔT .

Поскольку в любой системе имеются источники случайных

помех и шумов, реальная пропускная способность всегда ниже
и определяется как

Сп = ΔFloq 2 (1 + Pc / Pш ),

где ΔF — эффективная полоса пропускания;

Рс — средняя мощность сигнала;
Рш — средняя мощность шумов.
Системы связи в целом достаточно сложные и содержат много
структурных элементов. Сообщение, которое должно быть переда'
но с помощью передающего устройства, преобразуется в сигнал S,
который соответствующим образов обрабатывается в передатчи'
ке и поступает по линии связи в приемное устройство. В прием'
ном устройстве из принятого сигнала исходное сообщение вос'
станавливается.
Под линией связи понимается физическая среда, в которой рас'
пространяется сигнал. Линии связи и совокупность технических
средств для передачи и приема сигналов называются каналом свя
зи. Связь может быть одноканальной, если по ней передается одно
сообщение в каждый момент времени, и многоканальной, если
передается несколько сообщений одновременно.
Система связи является симплексной, когда обеспечивается
передача сигналов только в одном направлении. Если система
осуществляет попеременно то передачу сигнала S1, то прием сиг'
нала S2, то она называется полудуплексной и осуществляется по
одной линии связи, к которой поочередно подключается передат'
чик и приемник.

137
 Если имеется возможность осуществлять одновременно пере'
дачу и прием, то такая система связи называется дуплексной.
Система связи может быть выполнена как аналоговая или как
цифровая.

Рис. 47. Структурные схемы систем связи в двух направлениях

(полудуплексная связь)

Упрощенно процесс передачи в аналоговой одноканальной

системе выглядит так: напряжение сигнала усиливается предвари'
тельным усилителем и поступает в модулятор, осуществляющий
перенос спектра исходного сигнала в область заданных высоких
частот, генерируемых специальным задающим генератором'воз'
будителем. С выхода модулятора напряжение поступает в усили'
тель мощности, откуда передается непосредственно в линию свя'
зи, если сигналы передаются в виде электрического напряжения,
что происходит в кабельных или проводных линиях связи.
Если же сигналы передаются в виде радиоволн, то напряжение
с выхода усилителя мощности подается на антенну, которая пре'
образует электрические колебания в радиоволны и излучает их
в окружающее пространство.
При использовании волоконнооптических и инфракрасных ли
ний связи напряжение с выхода усилителя мощности подается на
электросветовой прибор — светоизлучатель, электронно'оптиче'
ский преобразователь (полупроводниковый светодиод или лазер),
преобразующий электрическое напряжение в световое электро'
магнитное колебание с заданной длиной волны.
В акустических системах, использующих для передачи инфор'
мации ультразвуковые колебания, на поле усилителя мощности
устанавливается пьезоэлектрический или магнитострикционный

138
излучатель, преобразующий электрическое напряжение в упругие
колебания.
Практически во всех наиболее часто используемых системах
связи передающие устройства выполнены по единой структурной
схеме и отличаются только наличием (или отсутствием) соответ'
ствующих преобразователей'излучателей на выходе усилителя мощ'
ности.
С линии связи сигнал поступает, если необходимо, на входной
преобразователь, преобразующий принимаемый сигнал в элект'
рическое напряжение, которое затем усиливается с помощью из'
бирательного узкополосного усилителя, настроенного на среднюю
частоту спектра сигнала.
При этом производится предварительная фильтрация сигнала
от шумов и помех, после чего производится детектирование сиг'
нала, при котором происходит восстановление спектра исходно'
го сигнала. С выхода детектора напряжение сигнала подается на
усилитель, усиливается до заданного уровня и передается получа'
телю сообщения.
Цифровая система связи сложнее аналоговой, однако она имеет
так много преимуществ, что усложнение во многих случаях мно'
гократно окупается.
В последние годы наряду с лазерными, когерентными систе'
мами появились сверхбыстродействующие солитоновые системы
цифровой связи, в которых используются солитоны — сверхко'
роткие, длительностью в несколько триллионов долей секунды,
световые импульсы с особыми свойствами, позволяющими им
сохранять свою исходную структуру практически без изменения
при распространении на десятки тысяч километров по обычным
волоконным световодам.
Солитоновые системы, в которых отдельный бит информации
кодируется наличием или отсутствием солитона, обеспечивает про'
пускную способность канала связи до 5 Гбит в секунду.

2. Распространение радиоволн
В электросвязи и волоконно'оптической связи электромагнит'
ные волны передаются вдоль направляющих линий, а вот в ра'
диосвязи электромагнитные волны излучаются в окружающее
пространство с помощью антенных систем. Излученные электро'

139
магнитные волны (радиоволны) полностью утрачивают связь с ан'
тенной. Распространение радиоволн определяется электрофизи'
ческими свойствами атмосферы и земной коры. При распростране'
нии радиоволн вдоль Земли вследствие проводимости ее верхних
слоев наблюдается поглощение энергии, и поверхностные радио'
волны постепенно затухают. Однако радиоволны достаточно хо'
рошо отражаются от земной поверхности и неоднородностей ат'
мосферы и поэтому распространяются на большие расстояния.
Радиосвязь между двумя пунктами, находящимися на поверх'
ности Земли в пределах прямой видимости, возможна как с по'
мощью поверхностных радиоволн, прямолинейно распростра'
няющихся в тропосфере, так и с помощью пространственных
радиоволн, отраженных от ионизированных слоев.
Так как условия распространения радиоволн в сильной степени
зависят от их частоты, весь используемый для радиосвязи спектр
частот разбит на ряд диапазонов, в пределах которых условия рас'
пространения примерно одинаковы.
В таблице 2 приводятся наименования диапазонов, которые
используются в настоящее время для радиосвязи.

Таблица 2
Диапазоны частот, используемые для радиосвязи

Номер Название диапазона

Длина волны Частота
диапазона радиоволн

1'й Гектокилометровый 1000—100 км 300 Гц—3 кГц

2'й Декакилометровый 100—10 км 3—30 кГц

3'й Километровый 10—1 км 30—300 кГц

4'й Гектометровый 1 км—100 м 300 кГц—3 МГц

5'й Декаметровый 100—10 м 3—30 МГц
6'й Метровый 10—1 м 30—300 МГц

7'й Дециметровый 1 м—10 см 300 МГц—3 ГГц

8'й Сантиметровый 10—1 см 3—30 ГГц

9'й Миллиметровый 1 см—1 мм 30—300 ГГц

10'й Децимиллиметровый 1 мм—100 мкм 300 ГГц—3 ТГц

140
3. Излучение электромагнитных волн
Элементарный осциллятор, излучающий электромагнитные
волны, впервые был исследован Г. Герцем, поэтому его называют
вибратором или диполем Герца.

а б

Рис. 48. Модель вибратора Герца

На рисунке 48 изображена модель вибратора Герца. Два метал'

лических шарика, расстояние между центрами которых равно l,
подсоединены к зажимам источника гармонической ЭДС. Рас'
стояние l мало по сравнению с длиной волны излучения вибрато'
ра в окружающей среде, поэтому приближенно вибратор Герца
можно рассматривать как некоторый колебательный контур, в ко'
тором роль конденсатора играют шарики, а роль катушки индук'
тивности — соединяющие их проводники. Источник ЭДС создает
вынужденные колебания заряда и тока в этом контуре, причем ча'
стота ЭДС обычно выбирается близкой к собственной частоте
(ω ≈ ω0). Разноименные заряды шариков в такой системе меняются
по гармоническому закону и в любой момент времени равны по мо'
дулю (q′ = –q). Поскольку l << λ, силу тока

dq
i=
dt
в каждый момент времени можно считать одинаковой во всех се'
чениях вибратора.
При питании вибратора от источника переменной ЭДС заря'
ды и токи в нем периодически меняются. Это означает, что во'
круг вибратора существуют переменные электрическое и магнит'
ное поля. Как видно из рисунка 48, области максимального
электрического и магнитного полей пространственно совмеще'
ны, поэтому эта система хорошо излучает. Колебательная систе'

141
ма, имеющая подобную картину поля, получила название откры
той. Обычный колебательный контур, состоящий из катушки ин'
дуктивности и конденсатора, является закрытой колебательной
системой: в нем электрическое поле сосредоточено в конденсато'
ре, магнитное — в катушке, т. е. поля пространственно разделе'
ны. В пространстве, окружающем контур, электрические и маг'
нитные поля практически отсутствуют, поэтому такой
колебательный контур плохо излучает. Для получения электромаг'
нитных волн в окружающем пространстве необходимо создать доста'
точно сильное переменное электрическое и магнитное поле. Такую
функцию и выполняет излучающая антенна. Электромагнитное по'
ле любой реальной излучающей системы всегда можно рассматривать
как суперпозицию полей излучения некоторой совокупности элемен'
тарных вибраторов, поэтому модель элементарного вибратора явля'
ется очень важной в теории электромагнитного поля.
Элементарный вибратор. Характер электромагнитного поля
элементарного вибратора зависит от того, как далеко находится
точка наблюдения.

Рис. 49. Элементарный вибратор

Если расстояние r от вибратора до точки наблюдения A мало

по сравнению с длиной волны (r << λ), то электрическое поле виб'
ратора совпадает с полем электрического диполя, т. е. пропор'
ционально электрическому моменту диполя, и убывает с расстоя'
1
нием пропорционально 3 . Магнитное поле вибратора при r << λ
r
совпадает с полем элемента тока длиной l и убывает с расстоя'
1
нием пропорционально 2 .
r

142
 Такой характер поля элементарного вибратора в ближней зоне
связан с тем, что при r << λ выполняется отношение:

r
<< T ,
c
где c — скорость электромагнитных волн в вакууме;
Т — период электромагнитных колебаний в вибраторе.
r
Отношение есть время τ распространения электромагнитного
c
поля от вибратора до точки наблюдения. Выполнение неравенства
r
<< T означает, что в этих условиях можно пренебречь временем τ,
c
т. е. считать скорость распространения электромагнитного поля
к
бесконечно большой. Следовательно, при << T напряженность
с
электрического поля E в точке наблюдения в момент времени
τ определяется значением электрического дипольного момента
вибратора в этот же момент времени, т. е. отсутствует запаздыва'
ние поля в точке наблюдения. Область пространства, для которой
⎛r ⎞
r << λ ⎜ << T ⎟ , называют квазистационарной зоной. Наибольший
⎝c ⎠
практический интерес представляет область, соответствующая
большему (r >> λ) расстоянию от вибратора, — волновая зона. Вре'
мя распространения электромагнитного поля от вибратора до
точки наблюдения, находящейся в волновой зоне, много больше
периода колебаний Т, и этим временем нельзя пренебречь. Это
означает, что имеется существенное запаздывание τ между изме'
нением электрического дипольного момента вибратора и измене'
нием напряженности поля в рассматриваемой точке волновой зо'
ны. Необходимость учета запаздывания приводит к существенно
иной по сравнению с квазистационарной зоной зависимости Е(r)
в волновой зоне, которая в системе СИ имеет следующий вид:

1 sin Θ .. ⎛ r ⎞
Е (r , t ) = × 2 p ⎜t − ⎟ ,
4πε 0 c r ⎝ c⎠

где p — электрический дипольный момент вибратора;

ε0 — диэлектрическая проницаемость вакуума.

143
 Значение напряженности магнитного поля Нm(r) в волновой
зоне:

sin Θ l sin Θ l
E m (r ) = I m ≈ 190 Im ,
2ε 0cr λ r λ

где r— волновое сопротивление вакуума;

Еm — амплитуда электрического поля на расстоянии r от вибра'
тора,
ε0 — магнитная проницаемость вакуума.
Cопротивление излучения, эквивалентно определяющее мощ'
ность, излучаемую вибратором равно:

2 π ⎛l ⎞
2

Rизл = ⎜ ⎟ .
8 ε 0с ⎝ c ⎠

Мощность излучения антенны:

1
Ризл = Rизл I m2 .
2

4. Антенны
Антеннами называются устройства, применяемые для излучения
и приема радиоволн. Передающие антенны преобразуют электри'
ческие колебания, генерируемые радиопередатчиком, в свободно
распространяющиеся радиоволны. Приемные антенны преобра'
зуют радиоволны в электрическое напряжение.
Элементарный вибратор — это устройство с сосредоточенны'
ми параметрами, открытый колебательный контур, в котором ша'
рики образуют конденсатор, а роль катушки индуктивности играют
соединяющие их проводники.
Любая реальная антенна представляет собой систему с распре'
деленными параметрами: ее можно рассматривать как бесконеч'
ную совокупность элементарных вибраторов, излучение которых
испытывает взаимную интерференцию.
Простая антенна, применяющаяся как приемная антенна в ди'
апазонах коротких волн (КВ) и ультракоротких волн (УКВ), —
это полуволновый вибратор (рис. 50).

144
 Рис. 50. Полуволновой вибратор

Полуволновый вибратор можно рассматривать как совокуп'

ность бесконечного числа элементарных вибраторов длиной dx
(рис. 50).
Амплитуда силы тока в каждом из этих бесконечно малых ви'
браторов равна амплитуде силы тока Im(х) на расстоянии х от се'
редины полуволнового вибратора. Амплитуда электрического по'
ля, создаваемого бесконечно малым элементом dx на расстоянии
r от него, равна
sin Θ dx
dE = I m (x ) .
2ε 0cr λ λ

В общем случае при изменении х меняется как θ, так и r. Од'

нако, если точка наблюдения находится достаточно далеко от виб'
ратора (r >> λ), приближенно можно считать sin θ и r одинаковы'
ми для всех элементов dx. Тогда:

λ0
+
sin θ 4
2π sin θ λ
Е≈
2ε 0cr λ ∫I λ0
0 cos
λ0
xdx = I0 0 .
2ε 0cr πλ
−
4

145
 λ0
+
sin θ 4
2π sin θ λ
При сравнении Е≈
2ε 0cr λ ∫I
λ0
0 cos
λ0
xdx = I0 0
2ε 0cr πλ
−
4

sin Θ l sin Θ l
и E m (r ) = I m ≈ 190 Im видно, что поле излучения
2ε 0cr λ r λ
вдали от полуволнового вибратора эквивалентно полю излучения
λ
элементарного вибратора длиной lд = 0 , возбуждаемого током
π
с максимальной амплитудой I. Для полуволнового вибратора

λ0
+
1 4
2π λ
lД =
I0 ∫I
λ0
0 cos
λ0
xdx = 0
π
−
4

и называется действующей длиной (или действующей высотой) виб'

ратора. Аналогично понятие действующей высоты можно ввести
для линейной антенны произвольной длины l:

1
+
2
1
lД =
I0 ∫I 1
m ( x )dx .
−
2

Если полуволновый вибратор расположить вертикально, его

размер можно уменьшить вдвое благодаря проводящим свой'
ствам Земли. При вертикальном расположении нижний конец
антенны подключается к одному из зажимов генератора электро'
магнитных колебаний, второй зажим при этом заземляется. Такая
антенна называется вертикальной несимметричной антенной, ее вы'
λ
сота приблизительно равна . Мощность, излучаемая антенной,
4
пропорциональна квадрату напряженности электрического поля,
следовательно,

2
⎛l ⎞ ⎛ l ⎞
2
1
Ризл = Rизл I 02 = ⎜ Д ⎟ ≈ ⎜ ⎟ I 02 .
2 ⎝ λ ⎠ ⎝λ⎠

146
 Для антенны любого типа излучаемая мощность пропорцио'
нальна произведению квадрата амплитуды силы тока в антенне
на квадрат отношения линейных размеров антенны к длине вол'
ны излучения. От конструкции антенны зависит лишь коэффи'
циент пропорциональности.
В случае вертикальной несимметричной антенны некоторого
увеличения излучаемой мощности при сохранении неизменной
высоты антенны можно добиться путем улучшения распределе'
ния тока. С этой целью к верхнему концу присоединяется гори'
зонтальный отрезок провода или целая система проводников.

5. Передающие устройства
Передающие устройства систем электросвязи, радиосвязи,
акустической и оптической связи обычно различаются лишь тем,
что к выходу радиопередатчика подключается передающая антен'
на, в оптическом передатчике на выходе устанавливается элект'
ронно'оптический преобразователь (светоизлучатель), в акустиче'
ской системе на выходе передатчика имеется излучатель упругих
волн, а к выходу передатчика для электросвязи непосредственно
подключена проводная или кабельная линия связи.
Электрические схемы всех современных передатчиков выпол'
няются на микросхемах, цифровых и аналоговых.
При этом для достижения необходимой выходной мощности
применяется сложение мощностей нескольких идентичных вы'
ходных каскадов, осуществляемое или параллельным включе'
нием отдельных усилительных элементов к нагрузке, или сложе'
нием мощностей отдельных передатчиков в передающей антенне,
в окружающем пространстве, в излучателе, проводной или ка'
бельной линии связи.
В передатчике исходная информация (сообщение), подавае'
мая на его вход в виде определенным образом сформированного
электрического напряжения, преобразуется в некий другой сиг'
нал, который может быть наилучшим образом передан по задан'
ной линии связи.
Первичные сообщения превращаются в электрический сигнал
с помощью первичных входных преобразователей: микрофонов,
видеокамер, сейсмоприемников, газоразрядных счетчиков и т. д.

147
 Операция кодирования обычно производится над дискретны'
ми сигналами и заключается в представлении отдельных дискрет
сигнала в виде набора комбинаций из элементарных сигналов
(символов). Основное назначение кодирования — обеспечение
как можно более высокой помехоустойчивости систем связи, т. е.
осуществление того, чтобы вероятность искажения передаваемой
информации была достаточно малой, несмотря на наличие помех
или сбоев в работе системы.
Сообщения, преобразованные в электрические сигналы, не
всегда могут быть переданы непосредственно по линии связи.
Для передачи сигнала в некоторых случаях необходима операция
модуляции, переносящая спектр сигнала из области низких частот
в область высоких частот, наиболее целесообразных для передачи
по линии связи.
В качестве модулирующего колебания обычно используется
синусоидальное колебание.
Амплитудная модуляция (АМ) — это воздействия на амплитуду
несущих колебаний. Приняв начальную фазу равной нулю, несу'
щее колебание запишем в виде:

u(t ) = U m cos ω 0t . (1)

При наличии сигнала сообщения uс(t), воздействующего на

амплитуду несущих колебаний, представим последнюю в виде:

U m = U 0 + ΛU = U 0 + kuc (t ), (2)

где U0 = const;
ΔU = ku — приращение амплитуды, пропорциональное напря'
жению сигнала сообщения (k — постоянный коэффициент).
Обычно сигнал сообщения uс(t) является сложной функцией
времени. Рассмотрим простейший случай, когда сигнал является
гармоническим:
uc (t ) = U mc cos Ωt . (3)

Начальная фаза сигнала сообщения в звуковом радиовещании

принимается равной нулю. На основе (1) и (2) амплитуда АМ мо'
жет быть представлена в виде:
U m = U 0 (1 + m cos Ωt ), (4)

148
 kU mc
где m = — коэффициент модуляции. При осуществлении
Uc
АМ коэффициент модуляции не должен превышать единицу
(m ≤ 1). Нарушение этого условия приводит к искажению пе'
редаваемого сообщения.
Используя (4), коэффициент модуляции можно выразить как

U m max − U m min
m= ,
U m max + U m min

где Ummax и Ummin — наибольшее и наименьшее значения ампли'

тудно'модулированных колебаний. В соответствии с этим ко'
эффициент модуляции часто называют глубиной модуляции.
Подставив (4) в (1), получим аналитическое выражение для
АМ колебания:

uАМ (t ) = U 0 (1 + m cos Ωt )cos ω 0t. (5)

В модулированном колебании амплитуда не постоянна, а ме'

няется во времени по закону изменения сигнала сообщения.
Для определения спектрального состава АМ радиосигнала пред'
ставим (5) в виде:

mU 0 mU 0
uам (t ) = U 0 cos ω 0t + cos (ω 0 − Ω) + cos ( ω 0 + Ω) t. (6)
2 2

В соответствии с (6) спектр простейшего АМ колебания пред'

ставляет собой сумму гармонических составляющих с частотами
mU 0
ω0, ω0 – Ω, ω0 + Ω и амплитудами U и .
2
Во многих случаях электрические сигналы сообщения имеют
вид последовательности импульсов. Модуляция высокочастотных
колебаний этими сигналами называется импульсной. При импульс'
ной модуляции радиосигнал имеет вид последовательности цугов
колебаний радиочастоты, которые носят название радиоимпульсов.
Такая последовательность характеризуется четырьмя парамет'
рами: амплитудой импульса, его длительностью, частотой следо'
вания (или периодом повторения) и фазой.

149
 В соответствии с этим различают четыре вида импульсной мо
дуляции:
1) амплитудно'импульсную;
2) широтно'импульсную;
3) частотно'импульсную;
4) фазово'импульсную.
Примерами применения импульсной модуляции являются ра'
диолокация и цифровые системы радиосвязи. Системы радиосвя'
зи с импульсной модуляцией имеют более высокую помехозащи'
щенность и ряд эксплуатационных преимуществ по сравнению
с обычной непрерывной амплитудной модуляцией.

6,ЧастотноDмодулированный сигнал
При частотной модуляции (ЧМ) амплитуда несущих колебаний
постоянна, а частота меняется пропорционально напряжению сиг'
нала сообщения. Для гармонического сигнала сообщения мгновен'
ное значение угловой частоты ЧМ сигнала можно записать в виде:

ω (t ) = ω 0 + Δω (t ) = ω 0 + kU m cos Ωt = ω 0 + Δω cos Ωt, (7)

где ω0 — частота несущих колебаний в отсутствие ЧМ;

Δω(t) — приращение частоты, зависящее от напряжения сиг'
нала сообщения;
k — коэффициент пропорциональности;
Δωmax = Δωдев = kUmc — максимальное изменение (или девиа
ция) частоты.
Мгновенная фаза сигнала

Δω max
ϕ (t ) = ω 0 + sin Ωt + ϕ 0 . (8)
Ω

Выбирая начало отсчета времени так, чтобы при t = 0, ϕ(t) = 0,

получим ϕ0 = 0.
Величину

Δmmax kU c
mΩ = =
Ω Ω

150
называют индексом частотной модуляции. Его значение зависит не
только от амплитуды, но и от частоты сигнала сообщения. На ри'
сунке 51 показаны зависимость частоты и мгновенной фазы коле'
баний ЧМ сигнала от времени.

а б

Рис. 51. Зависимость частоты и мгновенной фазы колебаний ЧМ сигнала

от времени

Мгновенное значение напряжения ЧМ сигнала можно запи'

сать в виде:

uчм (t ) = U 0 cos ω 0t cos ( mΩs sin Ωt −U 0 sin ω 0t )m0 s sin Ωt. (9)

Для нахождения спектра ЧМ радиосигнала надо в (9) множи'

тели cos (mΩsin Ωt) и sin (mΩsin t) разложить в ряд Фурье. В ЧМ
сигнале существенно большая доля энергии сосредоточена в боко'
вых частотах, т. е. частотная модуляция несущих колебаний энер'
гетически более выгодна, чем амплитудная модуляция.
До сих пор мы рассматривали спектр ЧМ сигнала при гармо'
ническом сигнале сообщения.
В случае реального сигнала сообщения спектр ЧМ сигнала яв'
ляется более сложным, так как каждой гармонической состав'
ляющей сигнала сообщения соответствует своя серия боковых
спектральных составляющих ЧМ сигнала. Это ограничивает воз'
можность применения ЧМ областью достаточно высоких несу'
щих частот, так как при этом радиостанции проще отвести широ'
кий интервал частот. Основным преимуществом ЧМ перед АМ
является лучшая помехозащищенность канала радиосвязи, так как
помехи в большей степени воздействуют на амплитуду колеба'

151
ний, а информация о передаваемом сообщении содержится в из'
менении частоты ЧМ сигнала.
Фазовая модуляция (ФМ) во многом похожа на частотную.
Как при ЧМ, так и при ФМ меняется мгновенная фаза радиосиг'
нала ϕ(t), поэтому и ту, и другую модуляции называют угловыми.
В современных радиопередатчиках возникает необходимость
работать в широком диапазоне частот, вследствие чего приходит'
ся перестраивать рабочую частоту задающего генератора. По'
скольку частота должна быть очень стабильной, необходимо ис'
пользовать генераторы на основе кварцевых резонаторов. Однако
в тех случаях, когда рабочих частот должно быть несколько десят'
ков и все они должны быть очень стабильными, применяются
специальные синтезаторы частот, которые позволяют генериро'
вать дискретно множество высокостабильных частот, следующих
друг за другом с определенным, строго фиксированным шагом.
В современных передатчиках очень часто используются более
сложные цифровые схемы синтезаторов частоты, построенные на
основе микропроцессоров и цифровых интегральных микросхем,
имеющих более широкие функциональные возможности.

7. Приемные устройства
Приемное устройство, на вход которого поступают сигналы с ли'
нии связи, входного преобразователя или приемной антенны, должно
восстановить как можно более точно исходное сообщение.
Поскольку напряжение принимаемого сигнала обычно мало,
а обработка сигналов происходит при сравнительно больших уров'
нях сигнала, неотъемлемой частью любого приемного устройства
является избирательный усилитель с большим коэффициентом
усиления.
Усилитель должен иметь хорошую частотную избирательность,
чтобы выделить сигналы с заданной полосой частот на фоне дру'
гих сигналов, а также на фоне шумов и случайных помех.
Наиболее просто это достигается при использовании суперге
теродинных приемников.
В супергетеродинных приемниках спектр принимаемого сиг'
нала переносится в область частот, в которых наилучшим обра'
зом можно произвести усиление. Это осуществляется за счет гете
родинования, т. е. перемножения напряжения принятого сигнала

152
на напряжение имеющегося в приемном устройстве генератора
высокой частоты — гетеродина, частота которого может изменять'
ся в заданных пределах.
Радиоприемное устройство — это широкий класс систем, ре'
шающих задачу воспроизведения сообщения, передаваемого пе'
редатчиком. Радиоприемные устройства либо используются само'
стоятельно (радиовещание), либо входят в состав других устройств,
образующих сложный технический комплекс (радиоуправление,
радиотелеизмерение, радиолокация, двухсторонняя радиосвязь и др.).
Для воспроизведения сообщения приемник должен принять
радиосигнал, преобразовать его в сигнал сообщения и воспроизве'
сти в виде звука, оптического изображения, записи на осциллогра'
фе и т. д. Электромагнитное поле радиосигнала наводит в прием'
ной антенне ЭДС радиочастоты. В неизбирательной приемной
антенне ЭДС могут наводиться одновременно многими радиосиг'
налами, создаваемыми передатчиками с различными несущими
частотами. Выделение радиосигнала одной несущей частоты, его
усиление и подавление сигналов на других частотах осуществляет
тракт радиочастоты. Затем радиосигнал преобразуется детекто'
ром в низкочастотный сигнал сообщения, который усиливается
усилителем звуковой частоты и с помощью оконечного устрой'
ства преобразуется в сообщение. В акустическом радиовещании
оконечным устройством является громкоговоритель.
Радиоприемники делят на профессиональные и радиовеща'
тельные. Профессиональные приемники предназначены для реше'
ния определенных технических задач (радиосвязи, радиолокации,
радиотелеметрии и др.). Радиовещательные приемники служат для
приема звуковых и телевизионных программ.
Приемники также классифицируются по построению схемы
радиочастотного тракта. Приемники, у которых в радиочастотном
тракте несущая частота сигнала не изменяется и усиление осу'
ществляется на несущей частоте принятого радиосигнала, задава'
емого передатчиком, называются приемниками прямого усиления.
Приемники, в которых осуществляется преобразование несущей
частоты радиосигнала и основное усиление происходит на проме'
жуточной частоте, называются супергетеродинными приемника'
ми. Приемники указанных видов могут классифицироваться по
типу используемых электронных приборов (транзисторные, на
микросхемах, комбинированные). Использование различных элек'

153
тронных приборов приводит к многообразию конструктивных,
технологических и схемных решений построения приемных
устройств. Однако последнее не связано с принципиальными из'
менениями в технике радиоприема.
По условиям эксплуатации приемники делят на стационар
ные, переносные, бортовые и т. д.
Схемы приемников. Выбор структурной схемы приемника за'
висит от его назначения. Основными исходными данными при
этом являются выходная мощность, чувствительность, избира'
тельность при хорошей устойчивости работы приемника. Основ'
ным типом приемника является супергетеродинный, обеспечиваю'
щий большой коэффициент усиления принимаемого сигнала при
заданной избирательности и устойчивости. Вместе с тем для прие'
ма местных сигналов достаточно мощных станций, когда не требу'
ется высокой чувствительности приема, целесообразно применять
технологически простую схему приемника прямого усиления.
Радиочастотный тракт этого приемника настраивается на не'
сущую частоту принимаемого сигнала. В нем происходит только
выделение и усиление полезного радиосигнала без изменения его
несущей частоты; отсюда название — приемник прямого усиления.
Структурная схема приемника прямого усиления представлена на
рисунке 52.

Рис. 52. Структурная схема приемника прямого усиления

Принципиальная схема транзисторного приемника прямого

усиления приведена на рисунке 53.

Рис. 53. Принципиальная схема транзисторного приемника

прямого усиления

154
 Приемник имеет магнитную (ферритовую) антенну МА. Вход'
ная цепь состоит из входного колебательного L1C'контура, ин'
дуктивно (с помощью L2) связанного с базой транзисторов VТ1.
На транзисторах VT1 и VT2 построены усилители радиочастоты
(УРЧ). Нагрузками транзисторов являются широкополосные
трансформаторы высокой частоты, выполняемые на ферритовых
кольцах. Отрицательное смещение подается на базу от коллектор'
ного источника питания E через делители R1R2 для VT1 и R3R4
для VT2 (аналогично и для остальных транзисторов). Усиленное
напряжение радиочастоты поступает на диодный детектор. Полу'
ченный в результате детектирования сигнал звуковой частоты
снимается с R5C5 и усиливается УЗЧ на транзисторах VT3, VT4,
VT5. Симметричные напряжения поступают на транзисторы VT4,
VT5, на которых построен двухтактный усилитель мощности. На'
грузкой двухтактного усилителя мощности является громкоговори'
тель. В случае низкоомной звуковой катушки громкоговоритель
включается через согласующий (понижающий) трансформатор Тр2.

7. Современные системы связи,

используемые для передачи информации
Системы радиосвязи с подвижными объектами. Для приема и пе'
редачи информации от мобильных информационно'измеритель'
ных систем могут использоваться системы сотовой радиосвязи об'
щего применения, ведомственные и специальные системы, системы
персонального радиовызова, пейджинговые системы и системы
мобильной спутниковой связи.
В современных мобильных информационно'измерительных
системах, кроме ведомственной специализированной радиосвя'
зи, наиболее часто используется сотовая радиосвязь общего мно'
гопользовательского применения и спутниковая связь. При этом
сотовая связь может организовываться частотным разделением
абонентских каналов, при котором каждая подвижная станция
работает в заданной полосе частот в определенном диапазоне.
Между частотными полосами соседних каналов предусмотрены
небольшие частотные интервалы, чтобы спектры соседних кана'
лов не перекрывались и имелась возможность полного разделе'
ния соседних сигналов.
Наиболее эффективно кодовое разделение каналов, основан'
ное на кодировании сообщений специальными корректирующи'

155
ми кодами, обеспечивающими практически идеальное разделе'
ние каналов и большую помехозащищенность.
Сотовые системы радиосвязи могут эффективно использо'
ваться для приема и передачи данных от мобильных информа'
ционно'измерительных систем, поскольку позволяют передавать
и принимать с достаточно большой скоростью аудио' и видеосо'
общения, различного рода цифровую и графическую информа'
цию, подключаться к базам данных и сетям ЭВМ, осуществлять
автоматизированный контроль технологических процессов, соз'
давать надежную систему автоматизированного управления раз'
личными техническими средствами, распределенными по значи'
тельной территории.
Практически все системы сотовой связи построены по едино'
му принципу: вся обслуживаемая территория разбивается на не'
большие соприкасающиеся между собой зоны в виде шестигран'
ной ячейки'сота. В центре каждого сота устанавливается базовая
приемно'передающая радиостанция с определенным набором не'
сущих частот, достаточным для установления радиосвязи со все'
ми абонентами, которые могут находиться в данных сотах. Базо'
вые станции с помощью проводной, радиорелейной, спутниковой
или волоконно'оптической линии связи подключены через цент'
ральную станцию к телефонной сети общего пользования, что обес'
печивает соединение подвижных абонентов с любыми другими
абонентами телефонной сети. При перемещении подвижного або'
нента из одной зоны в другую происходит автоматическое пере'
ключение канала радиосвязи на новую базовую станцию, тем
самым осуществляется поочередное подключение подвижного
абонента то к одной станции, то к другой. Управление и контроль
за работой базовых и мобильных абонентских станций осуществ'
ляется центральной станцией, в памяти ЭВМ которой записыва'
ются все данные об объектах, постоянно отслеживаются координа'
ты их нахождения, условия прохождения радиоволн в данных сотах
и т. д. Во избежание воздействия помех соты с одинаковым набо'
ром несущих частот отделяются друг от друга сотами с другим на'
бором частот. Для оценки качества передачи сигнала по каждому
радиоканалу постоянно передается пилот'сигнал и измеряется
отношение сигнал'шум или сигнал'помеха по мощности с помо'
щью специальных измерительных приемников. При уменьшении
величины сигнала до значений ниже порогового уровня, что мо'

156
жет обусловливаться выходом абонента из зоны действия кон'
кретной базовой станции, центральная станция выбирает зону
с максимальной величиной сигнала и переключает абонента на
работу с ней.
Передача изображений. Системы передачи'приема изображе'
ний (телевизионные системы) широко используются в различных
областях науки, техники, промышленности для передачи подвижных
изображений, наблюдения за различными объектами, визуально'
го (зрительного) контроля за работой различных машин и меха'
низмов и непосредственного управления ими. Особенно необходи'
мы системы передачи изображений, если наблюдаемые объекты
находятся в космосе, под водой, в шахтах, скважинах, в зонах очень
высокой или очень низкой температуры, радиационного или рент'
геновского излучения, в ядовитых или агрессивных средах и т. д.
При этом исходное изображение может существовать как в ви'
димом диапазоне спектра электромагнитных волн, так и в неви'
димом — инфракрасном, ультрафиолетовом или рентгеновском.
Содержание

ЛЕКЦИЯ № 1. Электронные приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1. Введение. Электронные лампы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
2. Газоразрядные (плазменные) приборы . . . . . . . . . . . . . . . .10
3. Физические основы работы
полупроводниковых приборов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
4. Полупроводниковые диоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22
5. Биполярные транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25
6. Полевые транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27
7. Тиристоры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28
8. Интегральные схемы микроэлектроники . . . . . . . . . . . . . .29

ЛЕКЦИЯ № 2. Компоненты оптоэлектроники

и технические средства отображения информации . . . . . . . . . . . 32
1. Общие сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32
2. Управляемые источники света . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34
3. Фотоприемники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39
4. Световоды и простейшие оптроны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44
5. Устройства отображения информации . . . . . . . . . . . . . . . .48
6. Жидкокристаллические приборы
для отображения информации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49
7. Катодолюминесцентные приборы
для отображения информации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

ЛЕКЦИЯ № 3. Электронные системы и сигналы . . . . . . . . . . . . 55

1. Общие сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55
2. Регулярные, нерегулярные и случайные сигналы . . . . . . .58
3. Преобразование сигналов электронными системами . . . .63
4. Линейные системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .64
5. Нелинейные системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .66
6. Параметрические системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .69
7. Электронные системы с обратной связью . . . . . . . . . . . . . .69

ЛЕКЦИЯ № 4. Усилители электрических сигналов . . . . . . . . . . 73

1. Общие сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .73

158
 2. Усиление сигналов. Параметры
и характеристики усилителей . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .74
3. Операционные усилители . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .79
4. Резонансные усилители . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .82
5. Усилители мощности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .84
6. Усилители в интегральном исполнении . . . . . . . . . . . . . . .85

ЛЕКЦИЯ № 5. Аналоговые функциональные узлы

и элементы электронной аппаратуры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
1. Электрические фильтры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .87
2. Аналоговые функциональные узлы,
выполняющие основные математические операции
с сигналами . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .90
3. Генераторы гармонических колебаний . . . . . . . . . . . . . . . .92
4. Генераторы релаксационных колебаний . . . . . . . . . . . . . . .98
5. Трансформация спектров сигналов . . . . . . . . . . . . . . . . . .102

ЛЕКЦИЯ № 6. Цифровые преобразователи

электрических сигналов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
1. Логические элементы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .109
2. Триггеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .113
3. Регистры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .117
4. Счетчики . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .119
5. Распределители, мультиплексоры
и демультиплексоры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .120
6. Шифраторы и дешифраторы,микропроцессоры . . . . . . .123
7. Цифроаналоговые преобразователи . . . . . . . . . . . . . . . . . .125
8. Аналого'цифровые преобразователи . . . . . . . . . . . . . . . . .129

ЛЕКЦИЯ № 7. Системы передачи информации . . . . . . . . . . . . 135

1. Общие сведения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .135
2. Распространение радиоволн . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .139
3. Излучение электромагнитных волн . . . . . . . . . . . . . . . . . .141
4. Антенны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .144
5. Передающие устройства . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .147
6. Частично'модулированный сигнал . . . . . . . . . . . . . . . . . .150
7. Приемные устройства . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .152
8. Современные системы связи,
используемые для передачи информации . . . . . . . . . . . . . . .155

159
 Максина Е. Л.

ЭЛЕКТРОНИКА.
КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ

Заведующая редакцией: Рагумина А. Ю

Выпускающий редактор: Елистратова М. В..
Корректор: Шушакова Е. Ю.

Формат: 84 ґ 108/32
Гарнитура: «Ньютон»