Коммутаторы аналоговых сигналов

Характеристики аналоговых ключей

Сигналы, поступающие от аналоговых датчиков, обычно меняются

медленно по сравнению с быстродействием ЭВМ и других устройств
обработки и преобразования информации. Эти последние неэкономично
использовать только для одного информационного канала. Более того,
для решения задачи обычно требуется информация о многих
переменных. В аналоговых вычислительных и управляющих устройствах
часто требуется менять их параметры или структуру в зависимости от
совокупности логических переменных. Короче говоря, практически не
существует сколько-нибудь значительного устройства или системы, в
которой не требовалось бы менять направлений передачи аналоговых
сигналов, включать и отключать их от каких-то приемников, вообще
производить с ними операции коммутации. Формально операция
коммутации сигнала может быть определена как умножение
сигнала A{t) на функцию двоичной логики, принимающую значения 0 или
1 и зависящую от каких-то логических (цифровых) или аналоговых
аргументов. Коммутация аналоговых сигналов осуществляется с
помощью ключевых схем или аналоговых ключей.

Идеальный ключ в принципе должен обладать следующими свойствами:

 а) иметь два входа (выхода) или вход и выход для аналоговых

коммутируемых сигналов, то есть две точки, которые либо
электрически замкнуты между собой накоротко, либо разомкнуты;
 б) иметь две (минимум) точки подключения управляющего сигнала
(или сигналов), принимающего значения нуля или единицы;
 в) не вносить ни в замкнутом, ни в разомкнутом состоянии никаких
помех напряжения или тока в цепи коммутируемого сигнала, в
частности сигналы управления не должны влиять на аналоговые
коммутируемые сигналы никоим образом, кроме умножения их на
О и 1 в зависимости от значения функции управления;
 г) скорость замыкания и размыкания аналоговых входов (выходов)
должна быть бесконечно велика.

На самом деле ни одно из этих условий не выполняется, что и

определяет погрешности ключевых схем. Прежде всего, каждый ключ
имеет конечные сопротивления между аналоговыми входами (выходами)
как в замкнутом, так и разомкнутом состояниях R3 и Rp (рис. 4.20, а).

Если ключ нагружен на нагрузку RH, то относительные погрешности,

вносимые конечными R3 и /?р, есть Лн / (/?н + Rp) и R.J (RH +
R) соответственно в разомкнутом и замкнутом состояниях, поэтому
качество ключа определяется отношением Rp /Я3. Если источник сигнала
— генератор тока, его коммутацию нельзя производить (по крайней
мере, теоретически) последовательным ключом: ключ должен быть
включен параллельно нагрузке и источнику сигнала (рис. 4.20, б), при
этом логические состояния схемы меняются на обратные.

Иногда коммутацию производят с помощью двух ключей —

последовательного и параллельного, что позволяет существенно
повысить точность в разомкнутом состоянии (рис. 4.20, в). Влияние
сигналов управления и смещений, задаваемых на коммутирующие
элементы ключей, может проявляться двояко: в виде статических

Рис. 4.20. Схемы включения аналоговых ключей помех (токовые утечки в

разомкнутом и смещение нуля по напряжению в замкнутом состояниях) и
в виде динамических помех, возникающих в моменты переключения.

Ток утечки / вызывает в нагрузке помеху в разомкнутом состоянии, а

напряжение смещения нуля непосредственно накладывается на
выходной сигнал замкнутого ключа.

Динамические помехи при переключениях вызываются как

проникновением крутых фронтов сигналов управления на выходы
ключевых схем через внутренние емкости коммутирующих элементов
или емкости монтажа, так и рассасыванием объемных зарядов,
накопленных в кристаллах биполярных полупроводниковых элементов.
Последнее относится к переключению из состояния «замкнут» в
состояние «разомкнут».

Эти помехи, величина и форма импульсов напряжения и тока которых

сильно зависят от вида нагрузки, удобно характеризовать через заряд
помехи Qnou и эквивалентную выходную емкость ключа Сэкв, при этом
предполагается, что Сэкв при переключении в состояние «разомкнут»
Q xal
заряжена до напряжения U xal=
C ekv

и разряд происходит целиком через RH (в силу малого выходного

сопротивления цепей управления, лежащих перед С экв, это обычно
соответствует действительности). Соответствующая эквивалентная
схема приведена на рис. 4.21, а, и график напряжения помех на выходе
ключа — на рис. 4.21, б. Если ключ нагружен на RH -» 0, например на
суммирующую точку операционного усилителя, то приходится
рассматривать ток на выходе ключа, и в этом случае напряжение помехи
выделяется на полном сопротивлении в цепи обратной связи ОУ
(например, в частном случае управления интегрирующим усилителем
заряд переходит на интегрирующий конденсатор).

Рис. 4.21. Образование помех в аналоговых ключах

Биполярные ключевые схемы

Для однополярных сигналов напряжения и тока в качестве ключей могут
использоваться одиночные биполярные транзисторы (рис.
4.22, а), переключаемые из состояния насыщения в закрытое состояние
и обратно. У этих ключей малое сопротивление R3, однако они имеют
смещение по напряжению на выходе (остаточное напряжение) порядка
долей милливольта или нескольких милливольт. Это напряжение
принципиально ниже, если к нагрузке обращен эмиттер, и нелинейно
зависит от тока базы /Б. Качественно эта зависимость показана на рис.
4.22, б, причем минимум лежит в пределах / Б = 1 -гЗ мА для маломощных
транзисторов.

Выходы последовательных ключей одной полярности не могут быть

объединены, так как это может вызвать зенеровский пробой эмиттерных
переходов закрытых ключей при большом сигнале, идущем через
открытый ключ на объединенный выход. Хорошие рабочие
характеристики получаются только при низкоомных источниках входных
аналоговых сигналов (например, выход операционного усилителя),
потому что токи управления, текущие в базы транзисторов, должны
шунтироваться через выход источника на нулевую шину.

Сопротивление таких ключей в разомкнутом состоянии велико благодаря

тому, что сигнал, прошедший через обратное сопротивление
коллекторного перехода, выделяется на сравнительно низком
сопротивлении, состоящем из последовательно включенных
сопротивления базы и выходного сопротивления источника
управляющего сигнала, после чего попадает на смещенный в обратном
направлении эмиттерный переход. Значение Rp составляет обычно
более 100 МОм.
Существенного улучшения работы по таким параметрам, как заряд
выброса QnoM и ток утечки, можно достичь, объединив ключи на
разнополярных транзисторах по выходам и задав на аналоговый

Рис. 4.22. Биполярный аналоговый ключ

вход одного из них нулевой потенциал, то есть используя схему рис.

4.20, в. Такой метод увеличения эффективного значения JL называется
изоляцией землей.

Диодный мостовой ключ может обеспечить большое значение

отношения Rp /Яь и высокое быстродействие и служить для коммутации
аналоговых сигналов на полной шкале ±10 В. Основная задача при его
построении — формирование сигналов управления диодным мостом,
обеспечивающих правильное смещение моста в открытом и отсечку о
закрытом состояниях. Пример выполнения схемы дан на рис.
4.23, а. Транзистор Т, образует совместно с Т2 четырехвходовый ЛЭ для
приема стандартных ТТЛ-сигналов. Когда на всех входах управления
логические 1, Т, и Т3 полностью открыты. Полный ток, протекающий
через Т2, в цепи его коллектора разветвляется на две составляющие. Ток
/, через /?3 и R2 открывает Т4, а ток /2 смещает токовые зеркала на
транзисторах Т6 и Ту—Т9. Ток коллектора Т3 открывает Т5. В этом
состоянии диоды Д] и Д2 закрыты, и /А и /в свободно протекают через
диодный мост Д3—Д6, удерживая его в открытом состоянии. Ключ Д3—
Д6 замкнут.

Коллекторные токи коллекторов 2 и 3 равны друг другу, поэтому

ток /в токового зеркала на Ту—Т9 оказывается равен
току /А коллектора 3 транзистора Т6. Тем самым обеспечивается баланс
моста Д3—Д6 по току: при UBX = 0 В UH = 0 В. При (JBX ф 0 падения
напряжения на прямо смещенных диодах моста практически не
меняются, и на нагрузке появляется напряжение UH = UBX.

Когда на одном из входов Т, появляется логический 0, все остальные

транзисторы схемы закрываются, токи /А и /в падают до очень малых
величин — в этом режиме это только токи утечки коллекторов 3
(Т6) и Т8. Диоды Д, и Д2 открываются и на мост попада
Рис. 4.23. Мостовой биполярный ключ ют напряжения ±Е, которые
создают обратное смещение моста и надежно его запирают. Ключ
закрыт.

Сопротивление ключа сигналу в замкнутом состоянии /^ = 50-5-100 Ом, а

в разомкнутом — Rv > 1ГОм благодаря изоляции землей за счет
резисторов R5 и /?6. При использовании диодов Шот- тки время
переключения составляет около 10 нс, QnOM < 5 пКл, Сэкв < 5 пФ.

В этой схеме на выходе существуют утечки, образуемые обратными

токами диодов моста и составляющие 1—100 нА. Основной недостаток
этой схемы — значительное потребление мощности в открытом
состоянии.

К диодам моста предъявляются жесткие требования по идентичности

прямых характеристик и собственных емкостей, которые, однако, легко
удовлетворяются при производстве ИМС.

Ключевые схемы на полевых транзисторах

В ключевых схемах полевые транзисторы используются при малых
напряжениях сток — исток, в режимах, далеких от насыщения
характеристик напряжение стока — ток стока (режим, в котором они
используются в усилительных каскадах, — его не следует путать с
насыщением биполярных транзисторов), при этом проводимость канала
полевого транзистора определяется уравнением (1.52).

На рис. 4.24 показана типовая схема ключа на полевом транзисторе с />-

я-переходом. Максимальное значение проводимости Т4 достигается
при Um = 0, но недопустимо появление тока затвора (прямое смещение
/ья-перехода затвор — канал). Поэтому в режиме замыкания здесь
используется «плавающий» или «оборванный» затвор у открытого
полевого транзистора. Когда выходной транзистор
Рис. 4.24. Аналоговый ключ на полевом транзисторе

схемы И-НЕ открыт, Т1 насыщен, и потенциал, близкий

к +Е, устанавливается на базе Т2. Коллекторный переход Т2 закрыт (это
обрат- носмещенный диод), и при i/ BX« ?/вых ключа,
меньших +Е- 2 1/ъэ, затвор оказывается в «плавающем» режиме и сам
«следит» за напряжением канала. При переключении входного вентиля
диод Д закрывается, а открывается повторитель Т3, и следом — теперь
уже прямосмещенный коллекторный переход Т2. Потенциал
затвора Т4 фиксируется на уровне -E+2UB3, и Т4 закрывается. Ключ
разомкнут.

Время переключения таких ключей около 0,1 мкс, а сопротивление в

замкнутом состоянии 1(Ы00 Ом, токи утечки на выходе при 25 °С не
более 1 нА, но быстро растут с температурой и при 70 °С могут достигать
50 нА.

Для построения ключей на МОП-транзисторах принцип «плавающего»

затвора в замкнутом состоянии не подходит. Чтобы минимизировать
эффекты от модуляции сопротивления ключа аналоговым сигналом,
используются комплементарные схемы (рис. 4.25). Здесь оба МОП-
транзистора — обедненного типа, поэтому в средней части диапазона
аналогового сигнала они открыты оба. При смещении UBX от нуля
проводимость одного из транзисторов постепенно падает, но
проводимость другого быстро растет. В результате получается, что
сопротивление практически не зависит от UBX и составляет обычно около
100 Ом. Напряжения отсечки обоих МОП-транзисторов должны быть
меньше, чем соответствующие потенциалы управления на их затворах.
Эти потенциалы всегда меняются в противофазе и задаются от КМОП-
логических элементов, размещаемых в том же кристалле ИМС, что и
ключ.

Основной источник погрешностей КМОП-ключей — утечки через

подложки транзисторов. Подложка образует с истоком и стоком
обратносмещенные />-«-переходы, и токи этих переходов
обусловливают как утечки на выходах, так и динамическое
сопротивление в разомкнутом состоянии. Заземленные по сигналу
подложки обеспе-
Рис. 4.25. КМОП-аналоговый ключ чивают изоляцию землей, а
потому Rv здесь того же порядка, что и у мостовых диодных ключей.
Обычный диапазон коммутируемых сигналов ±10 В при токах до 10 мА.
Токи утечки составляют доли наноампера максимум, Л, — около 50 Ом,
время переключения — 0,1 мкс, заряд выброса QnoM = 10 пКл, Сэкв = 5 пФ.

Из сказанного видно, что ключи на биполярных элементах применимы в

схемах скоростной коммутации сигналов высокого уровня (это не
относится к ключам с гальваническим разделением — см. ниже). Если
требования к быстродействию не слишком жесткие, то ключи на полевых
транзисторах имеют преимущество и по точности, и по потребляемой
схемами управления мощности. При коммутации сигналов низкого
уровня (<1 В) незаменимыми представляются КМОП-ключи.

Ключевые схемы с гальваническим разделением

коммутируемого сигнала и цепей управления
Практически полностью исключить утечки и смещения от цепей
управления и снизить зависимость сопротивления замкнутого ключа от
коммутируемого сигнала можно, разделив нулевые шины цепей
управления и коммутируемых цепей, и таким образом замкнув
электрические контуры токов управляющих сигналов вне источников
питания коммутируемых цепей.

Простым решением является ключ, показанный на рис. 4.26, а. Если на

первичную обмотку трансформатора (точки 1 и 2) подан сигнал
переменного тока (лучше всего в виде прямоугольных импульсов со
скважностью 2, то есть с отношением длительности импульса к паузе
1:1), то на выходе простого выпрямителя с фильтром (диод Д и
конденсатор Q появляется напряжение, насыщающее транзисторы Т1 и
Т2, — ключ замыкается. В отсутствие импульсов сигнал коммутируемого
источника не может пройти через один из смещенных в обратном
направлении переходов.

Транзисторы Т, и Т2 делаются высокоидентичными (у них общая

коллекторная область), поэтому происходит почти идеальная взаимная
компенсация помех.
Такой ключ может иметь сравнительно малое Д (50 Ом) и
достаточное Rp (>10 МОм), однако имеет три существенных недостатка:

 а) достаточно быстрый переход в замкнутое состояние, но

относительно медленное размыкание из-за необходимости иметь
сравнительно большие емкости С;
 б) наличие трансформатора, который невозможно или очень
трудно микроминиатюризировать;

Рис. 4.26. Аналоговые ключи с изолированным управлением

в) необходимость формировать импульсный управляющий сигнал.

Первый недостаток может быть существенно уменьшен путем введения

двухполупериодной схемы выпрямления, как это показано на рис.
4.26, б. В этой схеме транзисторы будут насыщаться постоянно
попадающими на их базы импульсами то от одной вторичной обмотки, то
от другой, а конденсатор служит только для сглаживания выбросов при
переключениях, поэтому емкость С может быть очень небольшой. Во
многих случаях замыкание ключа происходит в принципе на короткое
время (в режиме модуляции или при «импульсном» опросе канала). При
этом необходимость в диоде и конденсаторе вообще отпадает.

Два других недостатка могут быть сняты при использовании оптронов —

пар светодиод — фотодиод.

Светодиод — это по структуре обычный диод, но с очень «длинной»

базой, в которой значительная часть энергии, образующейся в базе при
рекомбинации неосновных носителей, пришедших из эмиттера в
проводящем состоянии, выделяется в виде излучения. Если его
заключить в светонепроницаемый корпус с полупроводни-

ковым светоприемником, преобразующим энергию излучения в ток, то

получится оптрон — устройство, реализующее полную гальваническую
развязку без трансформатора. Современные оптроны обладают
достаточно высоким быстродействием (время переключения <100 нс) и
достаточным КПД (1—5 %). Соединив оптрон с транзисторной парой по
аналогии со схемой рис. 4.26, б, получим схему ключа рис. 4.26, в. К
сожалению, эти схемы пока относительно дороги. Время их
переключения может достигать 10 мкс, когда они предназначены для
коммутации сигналов высокого уровня (например, в диапазоне ±10 В), но
при коммутации напряжений, меньших 5 В, время переключения может
составить менее 1 мкс, так как в ключе могут использоваться
транзисторы с тонкими базами. Для таких ключей типичными значениями
являются: Д, = 50 Ом, Rp = 0,5 МОм, Спом < 1 пКл, Сэкв < 5 пФ.

Контрольные вопросы, задачи и упражнения

 1. Какими особенностями схем ТТЛ элементов определяются

логические уровни 0 и 1? Почему минимальный уровень
напряжения, соответствующий 1 на выходе элемента, должен быть
выше минимального уровня 1 на входе? Почему максимальный
уровень напряжения, соответствующий 0 на выходе элемента,
должен быть ниже максимального уровня 0 на входе?
 2. Объясните механизм генерации помех на шинах земли и питания
ТТЛ схем. Почему электролитические конденсаторы непригодны
для блокировки этих помех?
 3. Объясните принцип действия ТТЛ схем с тремя состояниями
выхода и их назначение.
 4. Предложите схему КМОП-элемента ИЛИ-HE на 3 входа.
 5. Предложите схему КМОП-элемента с тремя состояниями выхода
(0, 1, выключен).
 6. Почему ЭСЛ логические элементы оказались непригодны для
построения БИС?
 7. Спроектируйте схему реверсивного двоичного счетчика на 4
разряда.
 8. Опишите возможные применения мультиплексоров и
демультиплексоров для многоканальной связи.
 9. Предложите схему КМОП — ячейки статического ЗУ.
 10. В чем преимущества и недостатки последовательных
динамических ЗУ?
 11. Объясните смысл термина «изоляция землей».
 12. В чем преимущества и недостатки аналоговых ключей с
изолированным (гальванически развязанным) управлением?