Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
МЕТОДИЧЕСКОЕ ПОСОБИЕ
по курсу
«СХЕМОТЕХНИКА АНАЛОГОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ»
R1 R к R к
В ы х В ы х
С б 1
V T 1 V T 1
R2 R1
Вх В х
V T 2 V T 2
С б 2
R3 R э
С б 2 R2 R э
- Eп - Eп
р и с.6 .1 .а р и с.6 .1 .б
+ Eп
R 1 R 3 R 5
С б2
С VT2
р1
VT1
С С р2
б1
Вых
R 2 R R
4 6
-E п
р и с.6 .2 .б
Преимущество схемы (рис.6.2б) перед схемой (рис.6.2а) состоит в том,
что она построена на транзисторах разного типа (p-n-p и n-p-n). Это позволяет
реализовать линейный участок работы транзисторов.
К достоинствам непосредственных межкаскадных связей следует
отнести:
простоту реализации;
отсутствие низкочастотных искажений;
возможность стабилизации работы многокаскадной схемы на постоянном
токе одной общей петлей ООС. Непосредственная связь → УПТ и аналоговые
ИС.
6.2.2. Усилители с гальваническими межкаскадными связями
В аналоговых ИС и УПТ часто используется межкаскадная
гальваническая связь. Эта связь предполагает включение между каскадами так
называемой схемы сдвига уровня (ССУ), которая понижает потенциал на
постоянном токе предыдущего каскада на постоянном токе. Подобное
включение позволяет понизить потенциал на входе последующего каскада на
величины Uсд., определяемого ССУ.
Обычно ССУ на базе:
1. Резистивных делителей (рис.6.3а).
2. Полупроводниковых диодов (рис.6.3б).
3. Стабилитронов (рис.6.3в).
4. Транзисторов включенных по схеме ОК(ОС) (рис.6.3г).
5. Использование комбинаций выше перечисленных элементов.
4
+ Eп
+ Eп
R 1 R 4
R 1 R 5
С С У Вых
VD 1
R 3
I k01 I к02
VD N
VT1 VT2
VT1 VT2
R R R R 2
R 3
R 5
2 4 6
Iд
р и с.6 .3 .а р и с.6 .3 .б
р и с.6 .3 .в
вместо диодов ставим обратно смещенный стабилитрон:
U сд = U ст ;
I эс
U сд = U бэVT 2 = m⋅ ϕ Т ⋅ ln ;
I оэ
5
R 1 R 4
VT2
VT1
VT3
R 2 R 3 R 5
р и с.6 .3 .г
τ p = C p ⋅ ( R1 + R2 ) ;
[
C p ≥ 1 2πf d ( R1 + R2 ) ⋅ (1 − rd ) −2 − 1 ].
6
6.2.4 Трансформаторная межкаскадная связь.
Соединение двух каскадов между собой с помощью трансформатора
называется трансформаторной связью.
Достоинства:
Выбором коэффициента трансформации можно обеспечить оптимизацию
нагрузки усилительного прибора, и тем самым реализовать возможность
получения предельных значений сигнальной мощности, отдаваемой в нагрузку.
R = w1 /w 2 2 ¿ h⋅R '
2
Недостатки:
- узкая полоса пропускания;
большие габаритные размеры трансформаторов, их масса и стоимость.
На базу VT2 постоянно нагрузка задается через Tp.
6.2.5. Оптроны как элементы межкаскадных связей и
гальванических развязок
Иногда при построении аналоговых устройств возникает необходимость
обеспечения электрической (или гальванической) развязки между каскадами. В
этом случае используют пары элементов передающие информацию в канал
связи светом. В качестве источников в этом случае могут использоваться,
например:
- светодиоды;
- полупроводниковые лазеры.
В качестве приемников:
- фоторезисторы;
- фотодиоды;
- фототранзисторы и т.д.
Принцип работы подобных каналов связи основан, с одной стороны, на
модуляции интенсивности излучения светоизлучающего элемента в
соответствии с электрическим сигналом, который надо передать , а с другой
стороны, на преобразование фотоэлемента приемного светового сигнала в
электрический сигнал в приемной части.
R 1 R k
C p2
Вых
C р1
VT1
R 2
C p1
VT2
R 3 R C б2
э
р и с.6 .6 .а
Эта схема (рис. 6.6.а) построена на базе однотипных по проводимости
транзисторов (n-p-n типа). При этом VT2 включен по схеме с общим
эмиттером, а VT1 - с общей базой. Транзисторы VT1 и VT2 имеют
последовательное включение между собой и относительно источника питания.
Для этой схемы, поскольку β транзисторов >>1, имеем: I к01 ≈ I э01 ≈ I к02 ≈ I э02 , цепь
R1 -R2 -R3 создает цепь смещения на постоянном токе транзисторов VT1 и VT2.
При этом падение потенциала на R2 определяет уровень потенциала между
коллектором и эмиттером транзистора VT2. В качестве нагрузочного элемента
транзистора VT1 выступает резистор Rк, а транзистора VT2 - цепь включающая
дифференциальное сопротивление перехода база - эммитор транзистора VT1
(поскольку β >>1 принимаем, что Uб1 ≈ const).
dU б 1э mϕ T
Rн.VT 2 = rд1 = =
dI э1 Iэ
I k
ИРТ
I ко2 I б
I б +∆I б
I б =0
U U E U кэ
кэ2 б1 п
R 1
R 01 C R k
C р2
б1 Вы х
С р1
Вх
VT1 VT2
R 2
R 02
-E п
р и с.6 .6 в
Эта схема так же является вариантом каскадного соединения ОЭ-ОБ,
однако, она выполнена на транзисторах разного типа проводимости: ОЭ→ p-
n-p-тип, ОБ n-p-n-тип .
Питание этой схемы выполняется по параллельной схеме на рис. 6.6.в
приведена схема питающаяся от двух источников питания с заземлением базы
транзистора VT2. Однако, возможен вариант и с одним источником питания,
когда потенциал база VT2 может быть задан, например, с помощью
резистивного делителя.
В этой схеме ток через резистор R02 равен сумме токов: I R02 = I к01 + I э02 , ток
U R1 − Vб э1 −E п− − Vб э2 − I к о1 ⋅ R02
I к01 ≈ I э01 → I k01 = , ток I э02 = .
R01 R02
Из приведенных соотношений видно, что: IК01 =IЭ02 при условии:
R01 U R1 − V0
(U R1 − V ) ( − E п− − 0,7) = . При этом: I к01 = I э02 = .
2R02 R01
Пример. Рассчитаем для схем рис. 6.6.в токи IК0 и IЭ02 в условиях когда
они одинаковые и R2=7кОм, R01=2кОм, Eп+=10В, Eп-=−5В, R1=3кОм.
E п+ ⋅ R1 10 ⋅ 3
Решение. U R1 = =
R1 + R2 3 + 7
= 3В.
U R1 − V0 3 − 0,7
I к01 = I э02 = = = 2,15мА.
R01 2
R01 U R1 − V0
Определим R02 из условия: = →
2R02 − E п− − 0,7
R01 − E п− − 0,7 2 5 − 0,7 4,3
R02 = ⋅ = ⋅ = ≈ 1,9к Ом.
2 U R1 − V0 2 3 − 0,7 2,3
Т б к Т
r
Пусть б = 40Ом ⇒
2 ⋅ 10 −3
g21 = ≈ 0,035 А В.
0,026 ⋅ (1 + 40 ⋅ 2 ⋅ 10 −3 0,026 ⋅ 100 )
Тогда: K = K оэ ⋅ K об = K об ≈ g21 ⋅ Rk ≈ 0,035 ⋅ 1,5 ⋅ 10− 3 = 52,5
Каскодное соединение ОЭ - ОБ по усилительным свойствам
соответствуют схеме ОЭ, но они проявляют повышенную устойчивость на
повышенных частотах. Это объясняется тем, чтоKоэ ≈ 1, следовательно
проходная емкость транзистора не оказывает существенного влияния
(отсутствие эффекта Миллера), несмотря на существенное усиление.
6.3.2. Схемные построения на эммитерно-связанных транзисторах
Широкое распространение в аналоговых схемах, выполненных как по
интегральной, так и по дискретной технологиям находят схемы эммитерно-
связанных транзисторов (рис.6.8.а).
11
+ Eп
R k1
R k2
I k0 1 I k0 2
I0 I э02
I э0 1 R R
f f
R 0
-E п
р и с.6 .8 а
+ Eп
R 1 R k1 R k2 R 3
I k0 1 I k0 2
VT1 VT2
I э0 1 I0 I э0 2
U = U0
U 01
R 2
R 4
02
1
р и с.6 .8 б
{ [(
= I к2 1 + exp U б 1э − U б э2 ) mϕ T ]} .
При условии, что m=1, а Uбэ2 -Uбэ1=∆ U0 , и
I к1 = I 0 ( 1 + exp( U 0 ϕ T ) )
I к2 = I 0 ( 1 + exp( − U 0 ϕ T ) ) , значит : I k1 + I k2 = I 0 .
Пример. (рис.6.8.б) Из-за разброса базовых делителей
U 01 = 5,05В;U 02 = 5,01В. Определим как это скажется на распределении тока
I 0 = 6мА между транзисторами VT1 и VT2.
Решение: ∆U 0 = U 01 − U 02 = 5,05 − 5,01 = 0,04В.
Тогда : I к1 = 6 ⋅ 10 ( 1 + exp( − 0,04 0,026) ) = 4,94 ⋅ 10 мА.
−3 −3
I k1 I 0 , I k2 I 0
1
0 ,9
0 ,8
0 ,7
I k2 I 0 I k1 I 0
0 ,6
0 ,5
0 ,4 Rf ≠ 0
0 ,3
Rf = 0
0 ,2
0 ,1
-6 -4 -2 0 2 4 6 ∆U 0 ϕ T
р и с .6 .1 0
R k1
R k2
U вы х1
U вы х2
VT1 VT2
U вх
R 0
-E п
р и с.6 .1 1
g21 ⋅ gk1
K оэf = − g21 ⋅ Rк1 F оэ = − , (6.5′ ′ ′ )
1 + g21 ⋅ Rf1
1 1
где Rf1 = R0ΙΙ Rвх.об , Rвх.об ≈ g + g , так как g21 >> g11 ⇒ Rвх.об ≈ g .
21 11 21
R
Тогда: Rf1 = 1 + g ⋅ R . Подставляя это в (6.5″ ′ ) получим:
0
21 0
R0
Rн1 = R0ΙΙ Rвх.об = .
1 + g21 ⋅ R0
g21
K об =
g22 + gн
; т.к. g22 << gн1 ⇒ K об ≈ g21 ⋅ Rk2 .
Тогда:
g21 ⋅ R0
1 + g21 ⋅ R0 g21 ⋅ R0 ⋅ g21 ⋅ Rk2
K2 = ⋅ g21 ⋅ Rk2 = (6.6)
g ⋅R 1 + 2g21 ⋅ R0
1 + 21 0
1 + g21 ⋅ R0
Учитывая, то обстоятельство, что обычно:
g ⋅ R0 > > 1, Rk1 = Rk2 = Rk , из (6.5″ ″ ), (6.6)
Имеем :
g21 ⋅ Rk
K1 ≈ K 2 ≈ (6.7а)
2
Соотношения (6.5)-(6.7а) получены с учетом того, что в цепи эммитеров
VT1 и VT2 отсутствует R f . Если подобные резисторы присутствуют, то g21
заменим на g21. f = g21 ( 1 + g21 ⋅ Rf ) .
Следовательно введя в g21. f (6.7а) имеем:
g21 ⋅ Rk
K1 = K 2 = (6.7б)
(
2 1 + g21 ⋅ Rf )
Т.е. введенное R f снижает коэффициент усиления в ( 1 + g21 ⋅ Rf ) раз.
Важной характеристикой ФИ является степень различия Uвых1 и Uвых2 . Это
различие определяется в первую очередь различием K1 и K2. В качестве меры
различия обычно выбирают разность:
∆K = K 2 − K1 (6.8)
Учитывая (6.5″ ″ ) и (6.6) получим:
g21 ⋅ Rk R
∆K = − ≈− k (6.9)
1 + 2g21 ⋅ R0 2R0
Несовпадение K1 и K2 объяснено на основании рассмотрения эффектов
разветвления и передачи сигнальных токов в узлах и звеньях схем на
эммитерно-связанных транзисторах (рис.6.12).