Вы находитесь на странице: 1из 13

Тема 8.

Передающие устройства ВОЛС

8. Передающие устройства ВОЛС


8.1. Требования к передающим устройствам для ВОЛС
Педающие устройства (рис. 8.1) выполняют следующие функции:
 Генерация оптического излучения в источнике излучения (ИИ).
 Модуляция оптического излучения передаваемым электрическим сигналом (прямая
или с помощью модулятора (М)).
 Ввод оптического излучения в среду передачи с помощью устройств согласования
(УC) с ОВ.

а б

Рис. 8.1. Структурные схемы передающих устройств с внутренней (прямой) (а) и внешней (б) модуляцией.
Основными источниками оптического излучения для ВОСП являются
полупроводниковые лазерные и светоизлучающие диоды, которые можно характеризовать
следующими параметрами:
 Средняя длина волны излучения l 0.
 Ширина спектра излучения Dl.
 Пространственные характеристики: размеры и форма излучающей площадки и
диаграмма направленности излучения.
 Ваттамперная характеристика.
 Вольтамперная характеристика.
 Быстродействие.
 Коэффициент полезного действия.
В связи используется два типа источников излучения – светоизлучающие диоды (СИД) и
лазерные диоды (ЛД) или лазеры.

8.2. Светоизлучающие диоды


8.2.1. Спонтанная люминесценция

Основным элементом конструкции СИД является p-n-переход: n-область называют


эмиттером, p-область - базой. P-n-переход способен излучать свет.
Непременное условие возникновения излучения в p-n переходе - его прямое смещение.
Говорят, что к p-n переходу приложено прямое напряжение или, что переход смещен в прямом
направлении, если «+» источника подан на p-область, а «-» — на n-область.
В p-n переходе параллельно идут два процесса –
генерация свободных носителей заряда – электронов и
дырок, происходящая с поглощением кванта энергии, и
их рекомбинация, происходящая с выделением кванта
энергии. Энергия при рекомбинации электрона и дырки
может выделиться в виде тепла, может перейти в
кинетическую энергию другого носителя заряда, а
может выделиться в виде фотона – светового кванта. То
есть рекомбинация может быть излучательной и
Рис. 8.2. Вывод излучения безызлучательной.
К сожалению нельзя вывести из перехода все
возникшие фотоны (рис. 8.2):
Страница 1 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
1. Излучение, возникающее в результате излучательной рекомбинации, характеризуется
отсутствием направленности. Часть его вообще не достигает излучающей поверхности
источника, образуя обратное (лучи 3 на рис. 8.2) и торцевое (лучи 4) излучение.
2. К излучающей поверхности свет подходит под разными углами. Материал
полупроводника имеет показатель преломления больше воздуха. Поэтому для части излучения
(лучи 2) выполняется условие полного внутреннего отражения и оно остается внутри
полупроводника. Кроме того, на границе раздела возникают и обычные потери на отражение.
3. Наконец, часть излучения поглощается материалом полупроводника, не успев
достичь излучающей поверхности (лучи 1).
Отношение числа фотонов, вышедших из полупроводника, к общему числу актов
рекомбинации, называется квантовой эффективностью или квантовым выходом.
Рекомбинация в СИД происходит самопроизвольно. Фотоны излучаются независимо
друг от друга, то есть частота, фаза (момент испускания), направление распространения и
поляризация родившегося фотона случайна. Это значит, что СИД является некогерентным
источником излучения. Такая люминесценция называется спонтанной.
8.2.2. Параметры и характеристики СИД

Оптические Энергия фотонов, возникающих в результате излучательной


характеристики рекомбинации, примерно равна ширине запрещенной зоны
СИД полупроводниковой структуры Wg. Поэтому для средней длины волны
излучения СИД l0 справедливо:
hc
l0 
Wg . (8.1)
где с = 3·108 м/с – скорость света в вакууме, h = 6.626·10–34 Дж·с – постоянная Планка.

!
Обратите внимание, что соотношение (8.1) повторяет соотношение (4.5) из темы 4
«Затухание в оптических волокнах», то есть спонтанное излучение в
полупроводнике имеет ту же длину волны, которая может поглощаться
материалом этого полупроводника.
Значения величин Wg для используемых на практике материалов ИИ и соответствующие
им средние длины волн излучения приведены в таблице 8.1.
Таблица 8.1.
Коэффицие
Ширина Средняя
нт Характерис
запрещенной длина Показатель
излучательн тическая
Материал зоны при волны преломлени
T = 300 К, ой температура
излучения, я
эВ1 рекомбинац ,К
мкм 3
ии, см /с
Арсенид галлия GaAs 1,42 0,87 3.32 2.7·10-10 360
Антимонид галлия
0,73 1,7 3.8 2.4·10-10 266
GaSb
-9
Фосфид индия InP 1,34 0,93 3.1 1.3·10 425
Арсенид галлия с
3.3- 370+54x+
примесью алюминия 1,42 - 1,92 0,65 - 0,87 0.53x+0.09x2
1.8·10-10 22x2
Ga1-xAlxAs
In1-xGaxAsyP1-y
0,74 - 1,35 0,92 - 1,67 3.1+0.46y 1.2·10-10 425-103y
(твердый раствор)

1
Электрон-вольт (эВ) - внесистемная единица энергии, равная энергии, приобретаемой элементарным зарядом
(электроном) под действием разности потенциалов 1 В (1эВ = 1,6·10-19 Дж).

Страница 2 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС

Рис. 8.3. Относительные спектральные характеристики излучения p-n переходов.


Ширина спектра излучения p-n перехода приблизительно определяется соотношением
3 k T
Dl  l0 (8.2)
Wg
где k = 1.38·10-23 Дж/К – постоянная Больцмана, T – температура p-n перехода в К.
На рис. 8.3 показаны относительные спектральные характеристики излучения различных
p-n переходов.

! Обратите внимание, что ширина спектра излучения СИД возрастает с ростом


средней длины волны излучения (уменьшением ширины запрещенной зоны)

Ваттамперная,
излучательная или
модуляционная характеристика
ИИ - зависимость мощности
излучения от его прямого тока.
Типичная статическая
излучательная характеристика
СИД приведена на рис. 8.4.
Излучательная
характеристика СИД линейна в
рабочей области. Поток излучения
с ростом температуры
уменьшается.

Характеристики СИД как


элемента электрической цепи

Рис. 8.4. Излучательная характеристика СИД. Важной характеристикой


СИД, как элемента электрической
цепи, является его вольтамперная характеристика:
 U  
I  I s  exp   1 ,
 (8.3)
  T  

Страница 3 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
где Is - тепловой обратный ток;  T  k  T e - температурный потенциал; e = 1.60210-19 - заряд
электрона, Кл.
На рис. 8.5 приведены вольтамперные характеристики различных p-n переходов.
Ток Is называют тепловым обратным током. Функцию Is(T) характеризуют температурой
удвоения Ty, то есть приращением температуры, вызывающим удвоение тока
k  T02
Ty   ln  2  , (8.4)
Wg
где T0 - температура перехода в K, при которой тепловой ток Is(T0) нам известен. Тогда для
другой температуры T тепловой ток Is(T) можно рассчитать по выражению:
I s  T   I s  T0   2 y ,
DT T
(8.5)
где DT  T  T0 .

Рис. 8.5. Вольт-амперные характеристики p-n переходов


Упрощенная эквивалентная схема излучающего p-n перехода показана на рис. 8.6. В
схему входит rb - сопротивление базы диода, которое определяется сопротивлением материала
полупроводника, контактов и выводов, rdif - дифференциальное сопротивление p-n перехода,
которое может быть определено из выражения (8.3)
dU  T
rdif   . (8.6)
dI I
В схему также входит Сdf - диффузионная
емкость, для которой при U   T справедливо
k x  I   eff
C df  , (8.7)
T
где kx = 0.5 - 1 – безразмерный коэффициент,
зависящий от толщины базы WБ (kx = 0.5 для WБ  L p
и kx = 1.0 для WБ << L p , где Lp – длина диффузии); eff -
Рис. 8.6. Упрощенная эквивалентная схема эффективное время диффузии (время жизни)
излучающего p-n перехода.
неосновных носителей в базе, c:
ed S
 eff  , (8.8)
I0  B
где e - заряд электрона, d – толщина активного слоя, см; I0 – среднее значение тока через p-n
переход, А; S – площадь поперечного сечения базы, см2; B – коэффициент излучательной
рекомбинации, см3/с. Значения B для различных материалов приведены в табл. 8.1.
Эффективное время диффузии уменьшается с увеличением тока.

Страница 4 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
Для определения АЧХ при малых сигналах найдем из (8.6-8.8) постоянную времени
источника излучения s, полагая, что выходная мощность излучения пропорциональна току,
протекающему через rdif в эквивалентной схеме рис. 8.6:
ed S
 s  rdif  Ñ df  k x   eff  k x  . (8.9)
I0  B
В первом приближении амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) СИД при малых
сигналах может быть представлена в виде
1
F    . (8.10)
1   2 s2
F  
На рис. 8.7 показано семейство АЧХ СИД Y  10  lg при малых сигналах для
F  0 
различных значений среднего тока через p-n переход. Полоса пропускания СИД (связанная с
максимальной скоростью передачи сигналов) может быть определена по срезу АЧХ на уровне
-3 дБ. Видно, что с увеличением среднего тока через СИД его полоса пропускания возрастает.

Рис. 8.7. Семейство амплитудно-частотных характеристик СИД при малых входных сигналах

8.2.3. Конструкции СИД


Конструкция СИД должна обеспечивать эффективность вывода излучения из p-n-
перехода и ввода его в оптическое волокно.
По конструкции различают СИД с поверхностным излучением и торцевым излучением.
Конструкция поверхностного излучателя Барраса показана на рис. 8.8а. Путем создания
углубления в кристалле оптическое волокно, в которое вводится излучение, может быть
вплотную приближено к активной области СИД. Это повышает эффективность ввода излучения
в ОВ.
Уровень мощности света, вводимого в ОВ из СИД с поверхностным излучением, обычно
не превышает 20 мкВт для градиентного многомодового волокна и 2 мкВт для одномодового
волокна.
Лучшей эффективностью ввода излучения в волокно характеризуется СИД с торцевым
излучением, обеспечивающим ввод до 50 мкВт в градиентное многомодовое ОВ и до 20 мкВт в
одномодовое ОВ. Конструкция торцевого СИД приведена на рис. 8.8б.

Страница 5 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
8.2.4. Недостатки СИД
При использовании СИД для передачи цифровых сигналов они характеризуются рядом
недостатков, основными из которых являются:
1) низкое быстродействие, ограничивающее максимальную скорость передачи на уровне
100- 500 Мбит/с.
2) широкий спектр излучения;
3) низкая эффективность ввода излучения в оптическое волокно.

а)

б)

Рис. 8.8. Конструкции светодиодов:


а – с поверхностным излучением (светодиод Барраса), б - с торцевым излучением

8.3. Лазерные диоды


8.3.1. Вынужденная люминесценция
Главной особенностью ЛД является когерентный 2 характер его излучения. Излучение
СИД возникает в результате спонтанной люминесценции, а значит, является некогерентным.
Генерация когерентного излучения возможна только при вынужденной люминесценции.
Для того чтобы возникло вынужденное излучение необходимо, чтобы излучательная
рекомбинация произошла не самопроизвольно, а в результате воздействия фотона с частотой n12.
В этом случае частота, фаза, поляризация и направление испускаемого фотона те же, что и у
падающего (рис. 8.9).
На явлении вынужденной люминесценции основана работа лазеров. Само слово лазер
изначально являлось не самостоятельным словом, а английской аббревиатурой: Light

2
Когерентность характеризует согласованность между фазами колебаний в различных точках пространства в один
и тот же момент времени – пространственная когерентность или между фазами колебаний в одной и той же точке
пространства в различные моменты времени – временная когерентность. Абсолютно когерентным является
монохроматический точечный источник излучения. Степень когерентности реального источника характеризуется
временем когерентности к и длиной когерентности Lк: Lк  с   к .

Страница 6 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
Amplification by Stimulated Emission of Radiation - усилитель света путем вынужденного
излучения.
В состоянии равновесия переходы, сопровождающиеся излучением и поглощением
света, уравновешивают друг друга, и усиления света не происходит.

Рис. 8.9. Спонтанная (а) и вынужденная (б) люминисценция

8.3.2. Принцип действия лазера


Условие, при котором возникает усиление света
Можно показать, что для того, чтобы в кристалле полупроводника возникло усиление
света, нужно создать так называемую инверсию населенностей, то есть число возбужденных
атомов должно превышать число невозбужденных. Добиться этого можно разными способами.
В лазерах чаще всего используется оптическая накачка - облучение кристалла светом или
электрическая накачка – пропускание через кристалл электрического тока.
Условия, при которых возникает генерация света
Для того, чтобы от режима усиления перейти к режиму генерации света, в лазере
используют положительную обратную связь. Обратная связь в лазере создается с помощью
оптического резонатора, который в простейшем случае представляет собой пару параллельных
зеркал (рис. 8.10) – такой лазер называют лазером с резонатором Фабри-Перо или лазером
Фабри-Перо (в зарубежной литературе FP).
зеркало зеркало
резонатора резонатора

активная среда

активная среда

Рис. 8.10. Возникновение генерации в оптическом резонаторе.


Для возникновения генерации, во-первых, необходимо, чтобы усиление света за счет
вынужденного излучения в инвертированной среде превышало величину потерь. Полагая, что
резонатор лазера полностью заполнен активной средой, а потери связаны только с неполным
отражением света зеркалами, можно записать первое условие генерации (амплитудное):
R1 R2 exp G  d   1 , (8.11)

Страница 7 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
где R1 и R2 – коэффициенты отражения от зеркал резонатора (по амплитуде световой волны), G –
коэффициент усиления света в инвертированной среде, d – длина резонатора. Это так
называемое амплитудное условие самовозбуждения лазера.
Второе условие возникновения генерации называется фазовым и состоит в том, что на
длине резонатора должно укладываться целое число полуволн генерируемого излучения:
l
d  i a , (8.12)
2
где i – целое число, λa – длина волны в активной среде, которая находится в резонаторе
(отличается от длины волны в вакууме). При выполнении этого условия фазовый набег световой
волны при двойном проходе резонатора кратен величине 2, что обеспечивает оптимальные
условия для усиления света.
Лазер работает следующим образом (рис. 8.10). Сначала источник накачки,
воздействуя на полупроводниковый кристалл создает в нем инверсию населенностей. Затем
инвертированная среда начинает спонтанно излучать кванты света. Под действием спонтанного
излучения начинается процесс вынужденного излучения света.
Потоки света, идущие в боковых направлениях, быстро покидают активную среду, не
успев набрать значительную энергию. В то же время световая волна, распространяющаяся вдоль
оси резонатора, переотражаясь между зеркалами, многократно проходит активный элемент,
непрерывно набирая энергию. Благодаря инверсии населенностей этот процесс носит
лавинообразный характер и приводит к экспоненциальному усилению света.
Благодаря частичному пропусканию света одним из зеркал резонатора (или обоими
зеркалами), излучение выводится наружу, образуя лазерный луч.

8.3.3. Параметры ЛД

Оптические
Модовый состав излучения рассмотрим на примере ЛД с резонатором
характеристики ЛД Фабри-Перо. Резонатор Фабри-Перо образуется двумя
плоскопараллельными зеркалами или отражателями любого другого
типа. В таком резонаторе фазовое условие (8.12) выполняется для ряда мод, характеризующихся
своими длинами волн (частотами):
2  d  ng ni 
ic
li  , 2  d  ng (8.13)
i
где с – скорость света в вакууме, ng – групповой показатель преломления активной среды, L –
длина резонатора, i – целое число полуволн, λi – длина волны в вакууме.
Интервал по частоте и длине волны между соседними продольными модами i и i+1
составляет:
c
Dn m    i  1  i   c . (8.14)
2  d  ng 2  d  ng
Dn m  l20 (8.15)
Dl m 
c
На рис. 8.11 показан спектр
излучения FP лазера.
Общая ширина огибающей
спектра усиления лазера и
центральная длина волны
определяются выражениями (8.2) и
(8.1). Пока лазер не вышел в режим
генерации, он ведет себя как СИД,
излучая в относительно широком
спектре длин волн.

Рис. 8.11. Спектр излучения FP лазера Страница 8 из 13


Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
Ширина полосы генерации лазера Δν связана с добротностью резонатора:
n
Q 0 , (8.16)
Dn
где ν0 – частота, соответствующая центральной полосе генерации лазера. Для резонатора
Фабри-Перо:
2    n g  d  n 0  4 R1 R 2
Q

c  1  R1 R2  , (8.17)

где R1 и R2 – коэффициенты отражения от зеркал резонатора. Из (8.17) и (8.16):


n
Dn  0 

c  1  R1 R2 
. (8.18)
Q 2    n g  d  4 R1 R 2
Это соответствует:
Dn  l20
Dl  (8.19)
c
Уменьшение длины резонатора приводит к возрастанию межмодового интервала Dlm,
поэтому в пределы линии усиления будет попадать меньше мод, а значит, мощность каждой
моды будет выше. По этой причине предпочтительнее короткие резонаторы (менее 100 мкм).
Лазер Фабри-Перо сам по себе является многомодовым. Для достижения одномодового
режима генерации в его конструкцию включают оптический фильтр.
Ваттамперная, излучательная или модуляционная характеристика ИИ -
зависимость мощности излучения от прямого тока, который в случае ЛД называют током
накачки. ЛД имеет нелинейную ваттамперную характеристику, которую можно в первом
приближении разбить на два участка (рис. 8.12)
k1  I p ïðè I p < I th
 
P Ip  
 
3
(8.20)
k 2  I p  I th  k1  I p ïðè I p  I th
На первом участке при малых токах накачки
P, мВт (меньше порогового тока Ith) ЛД работает как СИД с
5 малой крутизной ватт-амперной характеристики (
-200C k1  dP / dI p ). При больших токах накачки (больше
4 00C
порогового тока Ith) ЛД работает в режиме лазерной
200C
400C
генерации с высокой крутизной ватт-амперной
3 характеристики ( k 2  dP / dI p ).
Пороговый ток в значительной степени
2 зависит от температуры:
I th  I th 0  exp DT / TD  (8.21)

1 где TD - характеристическая температура или


температура Дебая (см. табл. 8.1), Ith0 - пороговый
ток при температуре TD. Обычно пороговый ток для
0
0 20 40 60 80 100 ЛД с мощностью до нескольких мВт составляет 45-
80 мА.
I, мА По ваттамперной характеристике можно
Рис. 8.12. Ватт-амперная характеристика ЛД определить ток накачки, необходимый для
получения требуемой мощности излучения.

Напряжение, которое нужно приложить к ЛД, чтобы через


Характеристики ЛД как
элемента электрической цепи
него потек такой ток, определяется по его вольтамперной

3
threshold value – пороговое значение, pump - накачка

Страница 9 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
характеристике. Вольтамперная характеристика ЛД принципиально не отличается от
вольтамперной характеристики СИД.
Коэффициент полезного действия ЛД при номинальном режиме составляет 10-15%. Он
определяется отношением излучаемой оптической мощности к потребляемой электрической
мощности.
8.3.4. Конструкции лазерных диодов
На рис. 8.13 показан рассмотренный нами лазер с
резонатором Фабри-Перо (FP). Основным достоинством
такого лазера является простота конструкции. Зеркала
резонатора получают простым скалыванием образца
искусственного кристалла вдоль атомных плоскостей,
перпендикулярных оси резонатора. Такой ЛД, как мы
установили, является многомодовым. Для использованиях
его в качестве одномодового лазера необходим оптический
фильтр.
Чаще для
Рис. 8.13. Лазер с резонатором Фабри-
Перро
одномодовой
работы используют
ЛД других конструкций: с распределенной обратной
связью DFB (рис. 8.14) или с распределенным
брэгговским отражателем DBR (рис. 8.15). В этих
лазерах обратная связь получается посредством

Рис. 8.14. Лазер с распределенной


обратной связью (DFB)

периодического изменения показателя преломления


внутри оптического волновода, которое обычно
создается гофрированием границы раздела между
Рис. 8.15. Лазер с распределенным двумя диэлектрическими слоями. Образующаяся
брэгговским отражателем (DBR) периодическая брэгговская решетка создает
селективную обратную связь в обоих направлениях,
распределенную по всей длине лазера. В лазере с распределенной обратной связью DFB
решетка создается внутри активной области, а в лазерах с распределенным брэгговским
отражателем DBR вынесена за пределы активной среды.
Благодаря селективности обратной связи в таких лазерах можно обеспечить режим
одномодовой генерации4. Основным недостатком DFB и DBR лазеров является сложная
технология изготовления и, как следствие, более высокая цена.

8.4. Структурная схема блока источника излучения


Обобщенная структурная схема блока источника излучения (ИИ на рис. 8.1)
представлена на рис. 8.16. В ней можно выделить три петли управления:
 управление рабочей температурой источника,
 управление средней мощностью выходных оптических импульсов,
 управление амплитудой выходных оптических импульсов.
4
Спектр отражения брэгговского отражателя определяется числом интерферирующих отраженных пучков, которое
равно числу штрихов решетки. С увеличением числа интерферирующих пучков ширина спектра отражения
уменьшается. Поэтому увеличением числа штрихов можно добиться того, что условия генерации будут
выполняться только для одной моды.

Страница 10 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
Конкретная схема управления может содержать одну, две или все три петли управления.
Управление рабочей температурой. Характеристики источников излучения, как СИД,
так и ЛД подвержены влиянию температуры. При изменении температуры меняется ширина
запрещенной зоны полупроводника, изменяются вольтамперные (соотношение 8.3) и
ваттамперные (рис. 8.4 и 8.12) характеристики, увеличивается величина порогового тока, при
котором ЛД выходит в режим генерации..
Схема стабилизации температуры показана на рис. 8.16 красным цветом. Она включает
схему управления температурой, термистор и термохолодильник. Нужное значение
температуры T0 подается на один вход схемы управления температурой. Измерение текущей
температуры источника T осуществляется датчиком температуры на основе термистора. Схема
управления сравнивает значения температуры, поступившие на ее входы и управляет работой
термохолодильника.
Управление амплитудой импульсов. Схема стабилизации амплитуды выходных
оптических импульсов показана на рис. 8.16 зеленым цветом. Она включает фотодетектор,
пиковый детектор и схему управления амплитудой выходных оптических импульсов. На один
вход схемы управления амплитудой импульсов подается нужное значение амплитуды импульсов
Pm0, на другой – текущее значение этой величины Pm. Схема управления амплитудой импульсов
сравнивает Pm и Pm0 и управляет коэффициентом усиления импульсного усилителя тока накачки.
Управление средней мощностью импульсов. Схема стабилизации средней мощности
излучения показана на рис. 8.16 синим цветом. Схема регулирует величину тока смещения.

Рис. 8.16. Структурная схема блока источника излучения.


С помощью ответвителя или полупрозрачного зеркала часть излучения источника
отводится на фотодетектор. С фотодетектора принятый сигнал (фототок) поступает на один вход
интегратора, на другой его вход поступает то значение тока смещения, которое необходимо
поддерживать.

8.5. Модуляция оптического излучения


Модуляция оптического излучения источника передаваемым электрическим сигналом
(Uc) может быть:
 прямой или внутренней, когда модуляция осуществляется в самом источнике (рис.
8.1а),
 с использованием внешнего модулятора (рис. 8.1б).
Внутреннюю амплитудную модуляцию света осуществляют, например, меняя по
нужному закону напряжение и ток питания источников излучения. Передающие устройства на

Страница 11 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
основе СИД используют обычно только внутреннюю модуляцию. Передающие устройства на
основе ЛД могут иметь как внутреннюю модуляцию, так и внешний модулятор.
Для связи обычно применяют акустооптические и электрооптические модуляторы.
Принцип действия акустооптического модулятора (рис. 8.17) основан на том, что
показатель преломления некоторых прозрачных материалов, например, ниобата лития (LiNbO3),
зависит от механических напряжений, возникающих при прохождении упругих акустических
волн.
С помощью
пьезокристалла в кристалле
ниобата лития генерируется
бегущая акустическая волна
длиной Λ. Она создает в
кристалле дифракционную
решетку. Если лазерный луч с
длиной волны λ падает на
решетку под углом Брэгга θB:
l (8.22)
sin  B
2
то его мощность разделяется
между двумя лучами –
прошедшим (дифракционный
пучок 0 порядка) и
дифрагировавшим
(дифракционный пучок 1
порядка). Угол между этими
лучами равен 2θB. Часть
Рис. 8.17. Акустооптический модулятор мощности в дифрагировавшем
луче зависит от мощности
акустической волны, то есть для амплитудной модуляции излучения необходимо управлять
мощностью акустической волны по закону изменения полезного сигнала.
Принцип действия
электрооптического модулятора (рис.
8.18) основан на том, что некоторые
материалы (ниобат лития, арсенид галлия
и др.) изменяют показатель преломления
при приложении внешнего
электрического поля. Этот эффект
называют эффектом Поккельса. В общем
случае показатель преломления для
Рис. 8.18. Электрооптический модулятор различных поляризаций падающего света
оказывается различным. Поэтому,
управляя напряженностью электрического поля, можно управлять поляризацией света,
прошедшего ячейку Поккельса – кристалл определенной толщины, к которому прикладывается
напряжение.
Ячейка Поккельса помещается между двумя поляризаторами, плоскости поляризации
которых перпендикулярны. Если к ячейке не приложено напряжение, поляризация света после
ее прохождения не изменится и на выходе второго поляризатора (анализатора) света не будет.
Если к ячейке приложить внешнее напряжение, плоскость поляризации проходящего света
повернется на определенный угол, зависящий от свойств кристалла, длины волны света и
величины приложенного напряжения, и на выходе второго поляризатора (анализатора) появится
свет.

Страница 12 из 13
Тема 8. Передающие устройства ВОЛС
Таким образом, управляя величиной приложенного напряжения, можно управлять
мощностью прошедшего через анализатор света.

Страница 13 из 13