Фотопреобразователи Солнечной Энергии 2013

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ
УНИВЕРСИТЕТ «МИФИ»
Волгодонский инженерно-технический институт
Н. В. Ермолаева, А. Ю. Смолин,
Н. В. Литвин
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии»

в качестве учебного пособия
для студентов высших учебных заведений
Москва 2013
УДК 621.383 (075.8)
ББК 32.852
Е74
Ермолаева Н.В., Смолин А.Ю., Литвин Н.В. Фотопреобразователи

солнечной энергии: Учебное пособие. – М.: НИЯУ МИФИ, 2013. −
228 с.
В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

в полупроводниковых и органических солнечных элементах при преобра-
зовании солнечного излучения в электрическую энергию. Представлены
соотношения, позволяющие оптимизировать конструкцию и параметры
солнечных элементов. Проведен анализ особенностей различных видов и
конструкций солнечных элементов, их преимуществ и недостатков, даль-
нейших перспектив развития и применения. Приведены и проанализиро-
ваны факторы, влияющие на эффективность и выходные характеристики
солнечных элементов.
Пособие составлено в соответствии с Государственным образователь-
ным стандартом по дисциплине «Фотопреобразователи солнечной энер-
гии». Предназначено для организации самостоятельной работы студентов
очной формы обучения по направлению подготовки 210100 «Электрони-
ка и наноэлектроника», профиль подготовки «Микроэлектроника и твер-
дотельная электроника», а также для аспирантов, научных сотрудников и
инженеров-технологов, специализирующихся в области технологии мате-
риалов электронной техники.
Пособие подготовлено в рамках Программы создания и развития
НИЯУ МИФИ.
Рецензент: А.А. Баранник, канд. техн. наук, доцент каф. «Физика и

микроэлектроника» ВИТИ НИЯУ МИФИ
ISBN 978-5-7262-1722-2 © Национальный исследовательский

ядерный университет «МИФИ», 2013
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие .................................................................................................. 5
Введение......................................................................................................... 6
1. Солнечная энергетика. Основные понятия ............................................ 8
1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.
Основные направления использования солнечной энергии ........... 8
1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических преобразователей..... 16
1.3. Состав солнечного излучения ......................................................... 23
1.4. Концентрирование света .................................................................. 26
Вопросы для самопроверки .................................................................... 28
2.Физические принципы работы солнечного элемента .......................... 30
2.1. Принцип работы приборов с электронно-дырочными
переходами ........................................................................................ 30
2.2. Физический принцип работы элемента с гомогенным
переходом ........................................................................................... 43
2.3. Физический принцип работы элемента с гетерогенным
переходом ........................................................................................... 52
2.4. Физический принцип работы структур с барьером Шоттки
и в системах металл–диэлектрик–полупроводник,
полупроводник–диэлектрик–полупроводник .................................. 62
2.5. Омические контакты ........................................................................ 67
Вопросы для самопроверки .................................................................... 72
3. Расчет КПД преобразования солнечной энергии ................................. 74
3.1. Идеальный солнечный элемент, параметры и характеристики
работы, идеальная эффективность преобразования ....................... 74
3.2. Вольт-амперная характеристика реальных СЭ ............................. 94
3.3. Влияние температуры и радиации на КПД солнечного
элемента .............................................................................................. 98
Вопросы для самопроверки .................................................................. 105
4. Кремниевые солнечные элементы ...................................................... 107
4.1.Кремниевый солнечный элемент на основе гомогенного
р-n-перехода ..................................................................................... 107
4.2. Конструкции кремниевых солнечных элементов ........................ 118
5. Солнечные элементы ч гетеропереходами и
гетероструктурами ................................................................................ 138
5.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе
гетероструктур соединений АIIIВV................................................. 138
3
5.2. Гетеропереход проводящее стекло–полупроводник ................... 154
5.3. Каскадный солнечный элемент с гетеропереходами................... 155
5.4. Арсенид0галлиевые солнечные элементы
с переменной шириной зоны и барьерами Шоттки ...................... 165
5.5. Солнечные элементы на МДП-структурах, их преимущества
и конструкции. Перспективы практического использования ...... 167
6. Тонкопленочные солнечные элементы................................................ 170
6.1. Оценка параметров работы тонкопленочных солнечных
элементов......................................................................................... 170
6.2. Тонкопленочные солнечные элементы на основе сульфидов
и теллуридов кадмия....................................................................... 173
6.3. Солнечные элементы на основе многокомпонентных
соединений со структурой халькопирита ..................................... 175
7. Органические солнечные элементы .................................................... 187
7.1. Преимущества и недостатки органических солнечных
элементов ................................................................................................187
7.2. Принцип работы органических фотоэлементов........................... 189
7.3. Типы органических фотоэлементов ............................................. 192
7.4. Перспективы использования органических фотоэлементов....... 198
8. Концентрирование света ...................................................................... 200
8.1. Виды концентраторов, зависимость идеального КПД
элемента от степени концентрации ............................................... 200
8.2. Примеры использования Si- и GaAs-элементов
для концентраторных систем ........................................................ 206
8.3. СЭ с использованием селективного разложения
солнечного спектра ........................................................................ 209
8.4. Перспективы применения концентраторных солнечных
модулей ........................................................................................... 212
9. Наноструктуры в солнечной энергетике ............................................ 215
Заключение ............................................................................................... 220
Список использованной литературы ...................................................... 223
4
ПРЕДИСЛОВИЕ
В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

в полупроводниковых и органических солнечных элементах при преобра-
зовании солнечного излучения в электрическую энергию. Представлены
соотношения, позволяющие оптимизировать конструкцию и параметры
солнечных элементов. Приведены и проанализированы факторы, влияю-
щие на эффективность и выходные характеристики солнечных элементов:
интенсивность солнечного излучения и его спектральный состав, рабочая
температура, ионизирующее излучение космического пространства, кон-
структивные особенности солнечных элементов. Проведен анализ осо-
бенностей различных видов и конструкций солнечных элементов, их пре-
имуществ и недостатков, дальнейших перспектив развития и применения.
Все конструкции и технологические приемы по получению усовер-
шенствованию данных конструкций нами подробно не описаны, посколь-
ку технологии быстро совершенствуются. Сведения о получении того или
иного конкретного фотоэлемента можно получить из научных статей, мо-
нографий и учебных пособий, ссылки на которые приведены в данном
пособии, а также используя ресурсы Интернет.
Данное пособие позволит сформировать у студентов такие производ-
ственно-технологические и научно-исследовательские компетенции как
КМ.П.ПТ.1.1 (готовность к применению современных технологических
процессов и технологического оборудования на этапах разработки и про-
изводства электронных приборов и устройств) и КМ.П.НИ.1.1 (способ-
ность идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в
сфере физики, проектирования, технологии изготовления и применения
электронных приборов и устройств). В целом же пособие позволяет полу-
чить общее представление о наиболее широко используемых в промыш-
ленности фотоэлектрических преобразователей, их структуре и свойст-
вах, технологиях и методах их изготовления. Эти знания будут полезны
студентам для понимания специальной литературы по технологии полу-
проводниковых материалов.
Материалы данного пособия могут быть использованы в рамках дис-
циплины «Фотопреобразователи солнечной энергии» для направления
подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника» профиль подготов-
ки «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также аспиран-
тами, научными сотрудниками и инженерами-технологами, специализи-
рующимися в области технологии материалов электронной техники.
5
ВВЕДЕНИЕ
Преобразование солнечной энергии в электричество является

наиболее перспективным и активно развиваемым направлением
возобновляемой энергетики. Солнечная энергия широко доступна,
обладает практически безграничными ресурсами, при ее фотоэлек-
трическом преобразовании не происходит загрязнения окружаю-
щей среды. Для прямого преобразования солнечной энергии в
электрическую используется явление фотоэффекта в солнечных
элементах (СЭ) на основе структуры с p-n-переходом. На сего-
дняшний день максимальная эффективность некоторых типов по-
лупроводниковых СЭ составляет более 35 % [1–3].
Единичные фотоэлементы генерируют ограниченную мощность.
Для получения требуемых энергетических характеристик элементы
объединяют последовательно между собой в модули и последова-
тельно-параллельным способом в батареи. Мощность модулей и
батарей складывается из выходных мощностей отдельных СЭ. Су-
ществуют различные виды солнечных элементов. Наиболее широ-
ко распространены кристаллические фотоэлектрические преобра-
зователи, изготовленные из моно- или мультикристаллического
кремния, а также тонкопленочные СЭ на основе аморфного крем-
ния, теллурида кадмия, арсенида галлия, фосфида индия и некото-
рых других соединений. Следует отметить, что сейчас более 80 %
производимых в мире солнечных фотоэлементов изготавливается
на основе кристаллического кремния [2, 4].
В настоящее время наблюдается устойчивая динамика роста
производства тонкопленочных СЭ. Если в 2007 г. доля тонкоплё-
ночных технологий составляла около 8 %, то в 2010 г. она превы-
сила 12 % [1, 4].
Перспективным направлением является разработка фотопреоб-
разователей на основе органических материалов. Преимуществом
органических фотопреобразователей является их экологическая
безопасность, технологичность, дешевая утилизация, очень низкая
стоимость производства. Основными недостатками является доста-
точно невысокий КПД (около 5–10 %) и проблема стабильности
свойств органических материалов.
6
По интенсивности собирания света СЭ разделяются на еди-
ничные и концентраторные. Как правило, концентраторные эле-
менты изготовляются из дорогих светопоглощающих материалов с
наилучшими показателями фотовольтаического преобразования
света и характеризуются более высоким КПД.
Широкое внедрение солнечной энергетики в космосе и на земле
ставит перед проектировщиками проблему оценки эффективности
работы фотоэлектрических систем (ФЭС). Необходимо иметь воз-
можность предсказать мощность солнечных батарей (СБ) под дей-
ствием разнообразных факторов окружающей среды, сравнить эф-
фективность использования СБ из различных материалов, оценить
поведение фотоэлектрических преобразователей в различных ре-
жимах работы.
7
1. СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ
1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.

Основные направления использования солнечной
энергии
Солнечная энергия относится к альтернативным (нетрадицион-

ным) возобновляемым источникам энергии. Напомним, что аль-
тернативными источниками энергии также являются энергия ветра,
энергия приливов, геотермальная энергия, энергия биомассы и др.
Солнечная энергия доступна для человечества как в непосредст-
венном виде – световое излучение, так и в преобразованном – ве-
тер, волны, биомасса, рассеянное тепло атмосферы и гидросферы.
Соответственно для сбора солнечной энергии также могут быть
использованы различные способы [6]:
- превращение солнечного излучения в электричество с помо-
щью фотоэлементов, а также в тепловую энергию с помощью кон-
центраторов;
- использование энергии ветра на ветряных электростанциях
(общий мировой ресурс, который технически может быть исполь-
зован, оценивается в 53000 ТВт⋅ч);
- утилизация энергии волн волновыми электростанциями (энер-
гия ветровых волн суммарно оценивается в 2,7 млрд. кВт в год);
- получение биотоплива из всех видов биомассы;
- использование рассеянного тепла окружающей среды с помо-
щью тепловых насосов и т.д.
Практическое использование солнечной энергии получило ощу-
тимое распространение во многих странах благодаря таким ее по-
ложительным качествам, как возобновляемость, почти повсемест-
ная распространенность, экологическая чистота.
Солнечную энергию используют для освещения зданий (свето-
вой колодец), для нагрева воды, для производства электроэнергии,
в качестве топлива на транспорте, в различных химических про-
цессах, для дистанционной связи и телесвязи. Фотоэлектрические
элементы могут устанавливаться на различных транспортных сред-
ствах: лодках, электромобилях, самолётах, дирижаблях и т. д. Фо-
тоэлектрические элементы вырабатывают электроэнергию, которая
8
используется для бортового питания транспортного средства, или
для электродвигателя электрического транспорта.
В настоящее время солнечные батареи (СБ) широко использу-
ются в космонавтике, снабжают электроэнергией аппаратуру
спутников и системы жизнеобеспечения космических кораблей и
станций, заряжают электрохимические аккумуляторы, используе-
мые на теневых участках орбиты.
Первый солнечный преобразователь появился в 1904 г. Первые
фотоэлектрические элементы появились в пятидесятых годах ХХ
века, однако мощность их была невелика, а себестоимость произ-
веденной ими электроэнергии очень высокая. В 1958 г. были запу-
щены искусственные спутники Земли, оснащенные кремниевыми
СБ – советский «Спутник-3» и американский «Авангард-1». Широ-
кое применение они получили в шестидесятых годах на космиче-
ских спутниках. В начале 1960-х годов были созданы и первые
солнечные фотоэлементы с p-n-переходом на основе арсенида гал-
лия. СБ на основе данного материала обеспечивали электроснаб-
жение советских космических аппаратов, работающих в окрестно-
стях планеты Венера (1965 г.), а также самоходных аппаратов «Лу-
ноход-1» и «Луноход-2» [2]. Следует отметить, что СБ и сегодня
остаются основным источником электроэнергии для космических
аппаратов.
В 1970-х годах СБ начали широко применяться в наземных ус-
ловиях в США, в Австралии. В восьмидесятые годы Франция уста-
новила солнечные модули в Сахаре, во Французской Полинезии
(Океания). В дальнейшем, солнечные батареи стали широко при-
менять в ряде стран Африки и Центральной Америки.
В настоящее время интерес к солнечной энергии наблюдается в
112 странах мира. Гелиоэнергетические программы приняты более
чем в 70 странах мира, лидерами являются США, Япония, Фран-
ция, Алжир [1, 7]. В Израиле правительство издало постановление
об оснащении каждого дома солнечно-энергетической установкой
(уже 2/3 израильтян пользуется «солнечной» горячей водой).
Если в 1985 г. все установленные мощности мира составляли
21 МВт, то в 2004 г. – уже 1256 МВт. За один только 2006 г. мощ-
ность составила 1744 МВт, что на 19 % больше, чем в 2005 г. В
Германии установленные мощности выросли на 960 МВт, что на
16 % больше, чем в 2005 г. В Японии установленные мощности
9
выросли на 296,5 МВт. В США установленные мощности выросли
на 139,5 МВт (+ 33 %) [1, 4, 8].
Мировое производство солнечных модулей в 2009 г. достигло
9,34 ГВт в сравнении с 6,85 ГВт в 2008 г. Высокие темпы набирает
это производство в Китае и Тайване, где оно уже составляет 49 %.
В 2009 г. оборот на мировом рынке солнечной энергии вырос на
20 % по сравнению с 2008 г., и к его концу составил 7,3 ГВт. В 2009
г. компании, производящие солнечную энергию выручили 38,5
млрд.долл., отрасли удалось привлечь более 13,5 млрд.долл. собст-
венных и заемных средств, что на 8 % больше, чем в 2008 г. [8].
Для России широкое использование фотоэнергетики также при-
обретает большое значение. Сейчас более 10 млн. граждан России
живут без централизованного электрообеспечения. Даже если 1
млн. граждан будет использовать фотоэлектрическую энергию (на
каждого гражданина ~ 2 кВт·ч/сут), то необходимо установить фо-
тоэнергосистемы с мощностью более 500 МВт. Вторым огромным
российским потенциальным потребителем фотоэнергетики являет-
ся сельскохозяйственный сектор, который самостоятельно спосо-
бен потреблять сотни мегаватт мощности солнечных батарей в год.
Кроме того, автономные фотоэнергосистемы нужны для навигаци-
онного обеспечения, систем телекоммуникаций, систем для ку-
рортно-оздоровительного и туристического бизнеса, коттеджей,
уличных солнечных фонарей и т.д. Поэтому в перспективе, сум-
марно потребности в России в солнечных батареях могут составить
более 1 ГВт/год [1, 2].
По данным Института энергетической стратегии, теоретический
потенциал солнечной энергетики в России составляет более 2300
млрд. тонн условного топлива (т.у.т.), экономический потенциал –
12,5 млн. т.у.т. Потенциал солнечной энергии, поступающей на
территорию России в течение трех дней, превышает энергию всего
годового производства электроэнергии в нашей стране. Ввиду рас-
положения России (между 41 и 82 градусами северной широты)
уровень солнечной радиации существенно варьируется: от 810
кВт⋅ч/м2 в год в отдаленных северных районах до 1400 кВт⋅ч/м2 в
год в южных районах. На уровень солнечной радиации оказывают
влияние и большие сезонные колебания: на ширине 55 градусов
солнечная радиация в январе составляет 1,69 кВт⋅ч/м2, а в июле –
11,41 кВт⋅ч/м2 в день.
10
Потенциал солнечной энергии наиболее велик на юго-западе
(Северный Кавказ, район Черного и Каспийского морей) , в Южной
Сибири и на Дальнем Востоке.
Наиболее перспективные регионы в плане использования сол-
нечной энергетики: Калмыкия, Ставропольский край, Ростовская
область, Краснодарский край, Волгоградская область, Астрахан-
ская область и другие регионы на юго-западе, Алтай, Приморье,
Читинская область, Бурятия и другие регионы на юго-востоке.
Причем некоторые районы Западной и Восточной Сибири и Даль-
него Востока превосходит уровень солнечной радиации южных
регионов. Так, например, в Иркутске (52 градуса северной широты)
уровень солнечной радиации достигает 1340 кВт⋅ч/м2, тогда как в
Республике Якутия-Саха (62 градуса северной широты) данный
показатель равен 1290 кВт⋅ч/м2 [5].
Таким образом, в указанных регионах целесообразно использо-
вать солнечную энергетику наряду с традиционными источниками
энергии.
По мнению В.М. Андреева развитие фотоэнергетики в нашей
стране соответствует большинству высших приоритетов в утвер-
жденной в 2003 г. «Энергетической стратегии России до 2020 го-
да». Сюда относится снижение вредного влияния ТЭК на окру-
жающую среду, комплексное использование местных топливно-
энергетических источников, создание экологически чистой энерге-
тики, снижение эмиссии вредных веществ в атмосферу на 30–40 %
к 2010 г. [2].
В целом в России наземная солнечная энергетика на текущий
момент является активно развивающейся отраслью. Рассматрива-
ются проекты по созданию фотоэлектрических солнечных электро-
станций, развиваются технологии производства солнечных элемен-
тов и солнечных батарей.
На базе российских предприятий (НПФ «Кварк», «Солнечный
ветер», ФГУП НПП «Квант» и «Телеком-СТВ») в РФ создан и раз-
вивается мощный производитель высокоэффективных наземных
солнечных батарей, не уступающих по качеству ведущим мировым
фирмам, с объемом производства в 2007 г. более 15 МВт.
Существуют два основных направления практического приме-
нения солнечной энергии: преобразование ее в электроэнергию и
тепло.
11
Перечислим основные способы получения электричества и теп-
ла из солнечного излучения:
- получение электроэнергии с помощью фотоэлементов;
- преобразование солнечной энергии в электричество с помо-
щью тепловых машин;
- гелиотермальная энергетика;
- термовоздушные электростанции (преобразование солнечной
энергии в энергию воздушного потока, направляемого на турбоге-
нератор);
- солнечные аэростатные электростанции (генерация водяного
пара внутри баллона аэростата за счет нагрева солнечным излуче-
нием поверхности аэростата, покрытой селективно-поглощающим
покрытием).
В настоящем пособие основное внимание будет уделено сол-
нечной электроэнергетике.
Солнечная электроэнергетика подразделяется по виду примене-
ния на сетевую и автономную.
К сетевой относятся солнечные электростанции (СЭС), которые
входят в существующие в современной электроэнергетике системы
централизованного производства, транспортировки и распределе-
ния электроэнергии. В данном случае на солнечных электростан-
циях не требуется наличия значительных аккумулирующих уст-
ройств, так как колебания мощности СЭС демпфируются энерго-
системой. Такие системы, установленные в городе на крышах и
стенах зданий, могут обеспечить электричеством как само здание,
так и компенсировать энергодефицит при пиковом потреблении
энергии в полуденное время. Мощность таких станций может дос-
тигать нескольких МВт [9].
К автономным относятся солнечные энергоустановки, обеспе-
чивающие энергией отдельных потребителей как связанных, так и
не связанных с системой централизованного энергоснабжения. В
первом случае аккумулирующие устройства также не применяют-
ся, так как недостаток энергии от солнечной установки восполняет-
ся от централизованной сети, а избыток направляется в сеть.
При автономном энергообеспечении потребителей используется
либо достаточно емкий аккумулятор электроэнергии для обеспече-
ния данного потребителя по заданному графику нагрузки, либо
12
дублер – какое-либо генерирующее устройство на традиционных
энергоносителях, способное оперативно восполнять недостаток
энергии от солнечной установки.
Автономные системы предназначены для электроснабжения пе-
редвижных объектов или объектов, удаленных от основных линий
электропередач, в труднодоступных местах или местах, куда про-
кладка линии затруднена или невыгодна по экономическим причи-
нам [9].
Использование в таких условиях фотоэлектричества наиболее
эффективно и оправдано, стоимость 1 кВт⋅ч электроэнергии оказы-
вается значительно ниже. Мощность таких систем лежит в преде-
лах 0,01…100 кВт.
По используемому принципу преобразования солнечной энер-
гии солнечные энергоустановки делятся на фотоэлектрические,
реализующие метод прямого (безмашинного) преобразования сол-
нечной энергии в электрическую, и термодинамические, в которых
лучистая энергия преобразуется сначала в тепло, которое в термо-
динамическом цикле тепловой машины, в свою очередь, преоб-
разуется в механическую энергию, а затем в генераторе – в элек-
трическую.
Преобразование солнечной энергии в тепло может иметь боль-
шой энергетический эффект. Это обусловлено тем, что наибольшая
часть производимой в мире энергии используется в виде теплоты.
Кроме того, преобразование солнечной энергии в тепло реализует-
ся с помощью наиболее простых, а следовательно, и относительно
дешевых технических устройств. Между тем, как показывают ре-
зультаты соответствующих расчетов, удельная годовая теплопро-
изводительность установок солнечного горячего водоснабжения в
климатических условиях России достаточно высока и составляет
500–750 кВт⋅ч (тепловых) на 1 м2 коллектора при коэффициенте
замещения нагрузки (доли солнечной энергии в покрытии нагруз-
ки) 0,4–0,6. Что же касается применения активных (коллекторных)
систем солнечного отопления, то в климатических условиях России
они, в целом, не эффективны (за исключением некоторых районов)
вследствие малой удельной теплопроизводительности [9].
Во многих странах используется пассивные системы солнечного
отопления. В этом случае не используется какое-либо специальное
оборудование, а поглощение и аккумулирование энергии солнечно-
13
го излучения осуществляется непосредственно архитектурно-
строительными элементами здания. Однако в России пассивные
системы пока широкого применения не получили.
Рассмотрим основные проблемы, связанные с использованием
солнечной энергии и методы решения данных проблем. Сюда мож-
но отнести необходимость использования больших площадей зем-
ли под электростанции, зависимость эффективности работы фото-
элементов от их географического положения, сезона и климата,
времени суток и атмосферных явлений, высокую стоимость фото-
элементов, проблемы утилизации отработавших СЭ.
Для фотоэлементов первого (на основе пластин кристаллическо-
го кремния) и второго поколения (на основе тонких пленок неорга-
нических и органических полупроводников) требуется использова-
ние больших площадей земли под электростанции. Например, для ЭС
мощностью 1 ГВт это может быть несколько десятков квадратных
километров (для сравнения: гидроэнергетика при таких же мощностях
выводит из пользования заметно большие участки земли), но строи-
тельство СЭС такой мощности может привести к изменению микро-
климата в прилегающей местности, и поэтому в основном устанавли-
ваются фотоэлектрические станции мощностью 1–2 МВт недалеко от
потребителя или даже индивидуальные и мобильные установки [8, 9].
В настоящее время фотоэлектрические элементы на крупных
СЭС устанавливаются на высоте 1,8–2,5 м, что позволяет исполь-
зовать земли под электростанцией для сельскохозяйственных нужд,
например, для выпаса скота. Проблема нахождения больших пло-
щадей земли под СЭС решается в случае применения солнечных
аэростатных электростанций, пригодных как для наземного, так и
для морского и высотного базирования.
Фотоэлектрические преобразователи работают днём и с мень-
шей эффективностью – в утренних и вечерних сумерках. При этом
пик электропотребления приходится именно на вечерние часы.
Кроме того, производимая ими электроэнергия может резко и не-
ожиданно колебаться из-за смены погоды. Для преодоления этих
недостатков на СЭС либо используют эффективные электрические
аккумуляторы, либо преобразуют солнечную энергию в другие ви-
ды энергии, например, строят гидроаккумулирующие станции, ко-
торые занимают большую территорию. На сегодняшний день эта
проблема решается созданием единых энергетических систем, ко-
14
торые перераспределяют вырабатываемую и потребляемую мощ-
ность. Проблема некоторой зависимости мощности СЭС от време-
ни суток и погодных условий решается также с помощью солнеч-
ных аэростатных электростанций [8, 9].
В настоящее время стоимость электричества, получаемого СБ,
пока остается достаточно высокой, его стремительное удешевление
прогнозируется уже в ближайшем будущем. В 1990–2005 гг. цены
на фотоэлементы снижались в среднем на 4 % в год. Снижение
стоимости тонкопленочных ФЭП до 1 $/Вт, сделает фотоэлектри-
чество конкурентно-способным с электроэнергией, производимой
на тепловых электростанциях [2, 9].
Поверхность фотопанелей и зеркал (для тепломашинных элек-
тростанций) нужно очищать от пыли и других загрязнений. В слу-
чае крупных фотоэлектрических станций, при их площади в не-
сколько квадратных километров это может вызвать затруднения.
Эффективность фотоэлектрических элементов падает при их на-
греве (в основном это касается систем с концентраторами), поэтому
возникает необходимость в установке систем охлаждения, обычно
водяных. Также в фотоэлектрических преобразователях третьего и
четвёртого поколений используют для охлаждения преобразование
теплового излучения в излучение наиболее согласованное с погло-
щающим материалом фотоэлектрического элемента (так называемое
up-conversion), что одновременно повышает КПД [8].
Через 30 лет эксплуатации эффективность фотоэлектрических
элементов начинает снижаться. Отработавшие фотоэлементы, хотя
и незначительная их часть в основном специального назначения,
содержат компонент (кадмий), который требует специальных спо-
собов утилизации.
В последнее время активно развивается производство тонкоплё-
ночных фотоэлементов, в составе которых содержится всего около
1 % кремния, по отношению к массе подложки, на которую нано-
сятся тонкие плёнки. Из-за малого расхода материалов на погло-
щающий слой тонкоплёночные кремниевые фотоэлементы дешевле
в производстве. Однако эти фотоэлементы пока имеют меньшую
эффективность и неустранимую деградацию характеристик во вре-
мени. Кроме того, развивается производство тонкоплёночных фо-
тоэлементов на других полупроводниковых материалах, в частно-
сти CIS и CIGS, достойных конкурентов кремнию.
15
В заключение отметим перспективы развития солнечной энер-
гетики.
Сгенерированная на основе солнечного света энергия, как пола-
гают эксперты Международного энергетического агентства (IEA),
сможет к середине XXI века обеспечить до 25 % потребностей че-
ловечества в электричестве, что будет составлять около 9 тысяч
тераватт-часов. Это обеспечит сокращение выбросов углекислого
газа на 6 млрд. т ежегодно[1–3, 8].
Растет использование солнечной энергии на транспорте, в быту,
сервисе, и производстве.
Согласно прогнозам объем фотоэнергосистем в 2020 г. превысит
50 ГВт, т.е. за 20 лет объем рынка увеличится в 140 раз (в 2000 г.
было произведено 280 МВт). Фотоэнергетика экономически рента-
бельна уже сейчас, например, для обеспечения электроэнергией
автономных потребителей, а также для низковольтного электро-
обеспечения (дежурное освещение, датчики, сенсоры и др.).
К 2031 г. в мире планируется иметь совокупную установленную
мощность электрогенераторов на солнечной энергии 1700 ГВт (для
сравнения: в 2004 г. – 1256 МВт).
Если сегодня солнечная энергетика занимает менее 1 % в обще-
мировом балансе произведенной электроэнергии, то к 2040 г. эта
доля должна возрасти до 30 % [4].
1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических

преобразователей
Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, уст-

ройствами для превращения солнечной энергии в электрическую
являются полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи
(ФЭП), поскольку это – прямой одноступенчатый переход энергии.
КПД производимых в промышленных масштабах фотоэлементов в
среднем составляет 16 %, у лучших образцов до 25 %. В лабора-
торных условиях уже достигнут КПД 40,7 % [1, 2].
Фотоэлектрическое преобразование обладает значительными
потенциальными преимуществами [9]:
- нет движущихся частей, что существенно упрощает и снижает
стоимость обслуживания, срок службы, вероятно, будет достигать
100 лет (проблема не в самих преобразователях, а в герметизи-
16
рующих материалах) при незначительном снижении эксплуатаци-
онных характеристик;
- эффективно используется как прямое, так и рассеянное (диф-
фузное) солнечное излучение,
- не требуется высокой квалификации обслуживающего персо-
нала;
- существует возможность создания установок практически лю-
бой мощности.
Принцип работы ФЭП. Преобразователи работают на принци-
пе внутреннего фотоэффекта, при котором фотоны, поглощающие-
ся в базовом полупроводниковом слое ФЭП, передают свою энер-
гию непосредственно электронам. В результате этого электроны
становятся свободными, что приводит к увеличению числа свобод-
ных носителей заряда в полупроводниках. На месте свободным от
электронов остаются положительно заряженные дырки. Таким об-
разом, поглощение света в идеальном полупроводнике приводит к
появлению электрон-дырочной пары, которая существует в полу-
проводнике некоторое время, определяемое временем жизни, кото-
рое, в свою очередь, зависит от структурного совершенства полу-
проводникового материала [10, 16].
Процесс аннигиляции электрон-дырочных пар называется реком-
бинацией. Отметим, что генерацию электрон-дырочной пары вызы-
вает излучение с энергией, достаточной для разрушения связи элек-
трона с ядром атома. Поэтому не все полупроводники являются чув-
ствительными к солнечному излучению в наземных условиях. По
своему строению наиболее подходящими являются кремний (Si),
арсенид галлия (GaAs), теллурид кадмия (CdTe), диселенид меди и
индия и галлия CuInSe2. и Cu(In,Ga)Se2 и др.
Преобразование энергии в ФЭП основано на фотовольтаическом
эффекте, который возникает в неоднородных полупроводниковых
структурах при воздействии на них солнечного излучения. Неод-
нородность структуры ФЭП может быть получена [16]:
- легированием одного и того же полупроводника различными
примесями (создание p-n-переходов);
- созданием гетеропереходов;
- за счёт изменения химического состава полупроводника, при-
водящего к появлению градиента ширины запрещённой зоны (соз-
дание варизонных структур).
17
Возможны также различные комбинации перечисленных спосо-
бов.
Эффективность работы ФЭП зависит от оптических и электро-
физических свойств полупроводникового материала [5, 10, 11]:
1) от коэффициента отражения света от поверхности полупро-
водника: чем больше света проникает вглубь базового слоя, тем
выше КПД;
2) от квантового выхода полупроводника, который показывает
отношение числа поглотившихся фотонов к числу генерировав-
шихся при этом электронов. Этот коэффициент всегда меньше еди-
ницы, так как часть фотонов поглощается на различных структур-
ных несовершенствах полупроводника, что не приводит к генера-
ции электрон-дырочной пары;
3) от диффузионной длины носителей заряда, которая должна
обеспечить возможность диффузии пар к энергетическому барьеру,
на котором происходит их разделение. Соотношения между диф-
фузионной длиной носителей заряда, глубиной залегания p-n-
перехода относительно освещаемой поверхности и толщиной нахо-
дящегося за ним полупроводникового слоя должно быть совместно
оптимизировано;
4) от спектрального положения основной полосы поглощения
солнечного излучения;
5) от выпрямляющих характеристик p-n-перехода, которые оп-
ределяют эффективность разделения носителей заряда;
6) от степени легирования областей полупроводника по обе сто-
роны p-n-перехода, что совместно с требованием минимизации со-
противления других слоев ФЭП, формы и места расположения то-
косъемных контактов обеспечивает низкое внутреннее последова-
тельное электросопротивление источника тока.
Таким образом, эффективность преобразования зависит от элек-
трофизических характеристик неоднородной полупроводниковой
структуры, а также оптических свойств ФЭП, среди которых наи-
более важную роль играет фотопроводимость. Она обусловлена
явлениями внутреннего фотоэффекта в полупроводниках при облу-
чении их солнечным светом.
Основные необратимые потери энергии в ФЭП связаны с [10, 16]:
18
- отражением солнечного излучения от поверхности преобразо-
вателя;
- прохождением части излучения через ФЭП без поглощения в
нём;
- рассеянием на тепловых колебаниях решётки избыточной
энергии фотонов;
- рекомбинацией образовавшихся фото-пар на поверхностях и в
объёме ФЭП;
- внутренним сопротивлением преобразователя и т.д.
Для уменьшения всех видов потерь энергии в ФЭП разрабаты-
ваются и успешно применяются различные мероприятия. К их чис-
лу относятся [1, 4, 5, 8, 10]:
- использование полупроводников с оптимальной для солнечно-
го излучения шириной запрещённой зоны (около 1,4 эВ);
- улучшение свойств полупроводниковой структуры путём её
оптимального легирования и создания встроенных электрических
полей;
- переход от гомогенных к гетерогенным и варизонным полу-
проводниковым структурам;
- оптимизация конструктивных параметров ФЭП и разработка
новых конструкций;
- применение многофункциональных оптических покрытий,
обеспечивающих просветление, терморегулирование и защиту
ФЭП от космической радиации;
- разработка ФЭП, прозрачных в длинноволновой области сол-
нечного спектра за краем основной полосы поглощения;
- создание каскадных ФЭП;
- переход на наноразмерные структуры.
Также существенного повышения КПД ФЭП удалось добиться
за счёт создания преобразователей с двухсторонней чувствительно-
стью (до +80 % к уже имеющемуся КПД одной стороны), примене-
ния люминесцентно переизлучающих структур, предварительного
разложения солнечного спектра на две или более спектральные об-
ласти с помощью многослойных плёночных светоделителей с по-
следующим преобразованием каждого участка спектра отдельным
ФЭП и т. д. [8].
19
Отметим, что ряд перспективных материалов трудно получить в
необходимых для создания СЭС количествах из-за ограниченности
природных запасов исходного сырья или сложности его переработ-
ки. Отдельные методы улучшения энергетических и эксплуатаци-
онных характеристик ФЭП (например, за счёт создания сложных
структур) плохо совместимы с возможностями организации их
массового производства при низкой стоимости и т.д. Высокая про-
изводительность может быть достигнута лишь при организации
полностью автоматизированного производства ФЭП, например, на
основе ленточной технологии, и создании развитой сети специали-
зированных предприятий соответствующего профиля, то есть фак-
тически целой отрасли промышленности, соизмеримой по масшта-
бам с современной радиоэлектронной промышленностью. Изготов-
ление фотоэлементов и сборка солнечных батарей на автоматизи-
рованных линиях обеспечит многократное снижение себестоимо-
сти батареи [2].
Принципы классификации ФЭП. Преобразователи можно
классифицировать по интенсивности собирания света, по химиче-
скому составу, кристаллическому составу поглощающего материа-
ла СЭ, толщине и кристаллической структуре слоев, количеству
совмещенных на одной подложке элементов, по типу используемых
барьеров и их количеству, по сфере применения и т. д.
По интенсивности собирания света СЭ разделяются на
единичные и концентраторные. Единичные СЭ не имеют спе-
циальных устройств для собирания света и поглощают только то
количество светового потока, которое падает на занимаемую
ими площадь поверхности. Концентраторные СЭ имеют специаль-
ные концентрирующие световые устройства (линзы или зеркала),
которые позволяют увеличивать плотность светового потока на
поверхности элементов в несколько раз. Как правило, концентра-
торные элементы изготовляются из дорогих светопоглощающих
материалов с наилучшими показателями фотовольтаического пре-
образования света. В обозначении таких СЭ обязательно указыва-
ется коэффициент собирания света [3].
Коэффициент собирания показывает, во сколько раз увеличится
плотность потока падающего на СЭ излучения после его оптиче-
ского собирания концентрирующими системами.
20
В зависимости от химического состава различают органические
и неорганические фотоэлектрические преобразователи.
Преимуществом органических ФЭП является их экологическая
безопасность, технологичность, дешевая утилизация, очень низкая
стоимость производства, гибкость модулей, малый вес и связанное
с этим удобство транспортировки и монтажа. Основными недос-
татками является достаточно невысокий КПД (около 5–10 %) и
проблема стабильности свойств органических материалов.
К неорганическим ФЭП относятся приборы на основе кремния,
арсенида галлия, полупроводниковых соединений АIIIBV, АIIBVI (в
основном CdTe), АIВIIIC VI
2 полупроводников и других неорганиче-
ских материалов. Следует отметить, что сейчас более 80 % произ-
водимых в мире СЭ изготавливается на основе кристаллического
кремния. Поэтому ФЭП можно также классифицировать как крем-
ниевые фотоэлементы и фотоэлементы на некремниевой основе.
В зависимости от степени регулярности и упорядочения кри-
сталлической структуры кремния различают ФЭП на основе мо-
нокристаллического, мультикристаллического, поликристалличе-
ского или аморфного кремния. Абсолютное большинство СЭ изго-
тавливают из монокристаллических либо мульти кристаллических
подложек.
В целом по кристаллическому составу поглощающего материа-
ла СЭ подразделяются на монокристаллические, мультикристал-
личекие, поликристаллические, микрокристаллические, нанокри-
сталлические. Монокристаллические солнечные элементы пред-
ставляют собой солнечные элементы с поглотителем в виде цель-
ного кристалла полупроводникового вещества. Мульти-, поли-,
микро- и нанокристаллические СЭ имеют в качестве поглощаю-
щего вещества смесь полупроводниковых кристаллитов с различ-
ной ориентацией, структурой и формой, размер которых и опреде-
ляет тип солнечного элемента при размерах кристаллитов от 1 до
100 мм вещество называют мультикристаллическим, от 1 до 1000
мкм – поликристаллическим, менее 1 мкм – микрокристалличе-
ским, менее 1 нм – нанокристаллическим [3].
В зависимости от толщины светопоглощающего материала
солнечные элементы подразделяются на тонкопленочные и тол-
стопленочные. Тонкопленочные СЭ имеют толщину в несколько
мкм, толстопленочные – в десятки или сотни мкм.
21
Отметим, что в 2005 г. на тонкоплёночные фотоэлементы при-
ходилось 6 % рынка. В 2006 г. тонкоплёночные фотоэлементы за-
нимали 7 % долю рынка. В 2007 г. доля тонкоплёночных техноло-
гий увеличилась до 8 %, а в 2009 г. – выросла до 16,8 % [8].
Рассматриваемые ФЭП производятся в виде тонких пленок та-
ких материалов, как аморфный кремний (α-Si:H), теллурид кадмия,
диселенид меди и индия (CIS), арсенид галлия, фосфид индия и
других, нанесенных на различные подложки [5].
Основное достоинство тонкопленочных СЭ заключается в том,
что их стоимость достаточно низкая из-за дешевой технологии из-
готовления и применения сравнительно дешевых материалов. К
основным недостаткам относятся низкий КПД и постепенная де-
градация характеристик.
Наибольшую эффективность демонстрируют СЭ на основе пле-
нок полупроводниковых поликристаллических соединений CdTe,
Cu(In,Ga)Se2, толщиной порядка нескольких мкм и пленок гидро-
генизированного аморфного кремния [5, 10, 12].
По типу используемых барьеров различают ФЭП на основе p-n-
переходов, гетеропереходов, на основе потенциальных барьеров
металл–полупроводник. Отметим, что в фотоэлементах с гетеропе-
реходами на сегодняшний день достигнуты максимальные КПД.
По способу соединения используемых барьеров различают одно-
каскадные и многокаскадные СЭ.
По сфере применения различают солнечные элементы для на-
земного использования и для применения в космосе.
Развитие ФЭП. В настоящее время ведутся работы по созданию
фотогальванических элементов, использующих квантовые точки и
устройств со встроенными углеродными нанотрубками. Их КПД,
по мнению ученых, к моменту начала широкомасштабного произ-
водства достигнет 45 %. Сюда также относятся фотоэлектрохими-
ческие, нанокристаллические и полимерные солнечные батареи,
применение которых будет осуществимо только на земной поверх-
ности [15]. Цель разработки этих элементов – снижение стоимости
электроэнергии ниже 0,5 долл./Вт. Способ реализации этой задачи
– существенно увеличить эффективность фотопреобразования при
сохранении (или незначительном повышении) стоимости произ-
водства и издержек на утилизацию и экологическую безопасность
[13].
22
Следующим этап в развитии солнечной энергетики – это созда-
ние и использование композитных фотогальванических элементов,
в которых будут сочетаться полимеры и наночастицы, образующие
один монослой. В дальнейшем эти тонкие слои могут быть совме-
щены с образованием полноценных, более эффективных и эконо-
мичных солнечных батарей [15].
В заключении отметим, что единичные фотоэлементы генери-
руют ограниченную мощность, поэтому для получения требуемых
энергетических характеристик единичные ФЭП объединяют по-
следовательно между собой в модули и последовательно-
параллельным способом в батареи. Мощность модулей и батарей
складывается из выходных мощностей отдельных СЭ. В зависимо-
сти от технологии изготовления фотоэлектрических преобразова-
телей, существуют различные виды солнечных батарей.
1.3. Состав солнечного излучения
Источник энергии. Источником энергии солнечного излуче-

ния служит термоядерная реакция. Каждую секунду около 6⋅1011 кг
водорода превращается в гелий. При этом выделяется энергия
4⋅1020 Дж. Основная часть этой энергии испускается в виде
электромагнитного излучения в диапазоне от ультрафиолетово-
го до инфракрасного (0,2–3 мкм) [5].
При прохождении через атмосферу солнечный свет ослабля-
ется в основном благодаря поглощению инфракрасного излуче-
ния парами воды, поглощению ультрафиолетового излучения озо-
ном и рассеянию излучения находящимися в воздухе частица-
ми пыли и аэрозолями.
Параметром, отражающим влияние атмосферы на интенсив-
ность и спектральный состав солнечного излучения, доходящего
до земной поверхности, является атмосферная масса (АМ).
При нулевой воздушной массе АМ0 интенсивность излучения
ЕС = 1360 Вт/м2. Это значение иногда называется солнечной посто-
янной. Спектр АМ0 определяет работу солнечных батарей на спут-
никах и космических кораблях.
Величина АМ1 соответствует прохождению солнечного излу-
чения через безоблачную атмосферу до уровня моря при зениталь-
ном расположении Солнца (ЕС = 925 Вт/м2) [5].
23
Наиболее характерной в земных условиях является величина
АМ1,5 (θ = 42°). Она принята за стандартную при интегральной
поверхностной плотности солнечного излучения ЕС = 844 Вт/м2,
что необходимо при обеспечении сравнимости результатов иссле-
дований различных солнечных элементов. Спектр АМ2 реализует-
ся при угле θ = 60° (ЕС = 691 Вт/м2).
Воздушная масса для любого уровня земной поверхности в
любой момент дня определяется по формуле
Р 1
АМ ( Р ) = ⋅ , (1.1)
Р0 sin θ
где P – атмосферное давление, Па; P0 – нормальное атмосферное
давление (1,013·105 Па); θ – угол высоты Солнца над горизонтом.
Количество солнечного излучения, поступающего к поверхно-
сти Земли в определенном географическом районе, называют инсо-
ляцией. Инсоляция зависит от широты местности и местного кли-
мата, уровня загрязнения воздуха, изменяется с сезонными колеба-
ниями расстояния Земля–Солнце, зависит от атмосферной массы.
Инсоляцию обычно выражают средними значениями количества
солнечного излучения за год, месяц, день и др.
При рассмотрении оптических свойств поверхности Земли
также используется понятие альбедо Земли.
Альбедо поверхности Земли – это отношение потока излучения,
отраженного от поверхности Земли в окружающее пространство, к
потоку, упавшему на неё. Среднее альбедо Земли, рассчитанное по
диффузному отражению поверхности равно 0,34. Считается, что
спектр отраженного излучения подобен спектру солнечного излу-
чения у поверхности Земли при атмосферной массе, равной 1.
Состав солнечного излучения. Солнечное излучение имеет
спектральный состав от 0,1 мкм до 30 м. Наибольшая часть энергии
солнечного излучения сосредоточена в диапазоне 0,2–3 мкм. Наи-
более распространенные названия частей солнечного спектра сле-
дующие: ультрафиолетовая часть спектра от 0,1 до 0,38 мкм, види-
мая часть спектра от 0,38 до 0,78 мкм, инфракрасная часть спектра
от 0,78 мкм и более.
Инфракрасное излучение подразделяется на – близкое инфра-
красное и далекое инфракрасное.
24
Ультрафиолетовое излучение, обладающее в космических ус-
ловиях высокой интенсивностью, поглощается в верхней части ат-
мосферы Земли озоном, поэтому до Земли доходит лишь незначи-
тельная часть излучения с длиной волны около 0,3 мкм.
На рис. 1.1 приведено распределение числа фотонов, прихо-
дящихся на единичный энергетический интервал на 1 см2 за 1 с в
условиях АМ0 и АМ1,5.
Рис. 1.1. Спектральное распределение потока фотонов,

поступающих от Солнца в условиях АМ0 и АМ1,5 [5]
Рис. 1.2. Распределение солнечной энергии по спектру
25
На рис. 1.2 приведены четыре кривые, иллюстрирующие спек-
тральное распределение интенсивности солнечного излучения
(мощность на единицу площади в единичном интервале длин
волн). Верхняя кривая соответствует солнечному спектру за преде-
лами земной атмосферы, т.е. при нулевой воздушной массе (АМ0).
Это распределение можно аппроксимировать распределением ин-
тенсивности черного тела при температуре 5800 К.
Значение величины интенсивности солнечного излучения ис-
пользуют при расчете КПД солнечного элемента, при сравнении
параметров различных солнечных элементов, работающих при
одинаковых условиях.
1.4. Концентрирование света
Как уже отмечалось, более 80 % объема рынка солнечных эле-

ментов приходится на кремниевые СЭ. Более высокий КПД имеют
гетеропереходные солнечные элементы на основе соединений
А3В5, особенно – каскадные СЭ. Однако многопереходные фото-
элементы имеют сложную структуру и высокую стоимость, обу-
словленную сложной технологией изготовления и стоимостью ма-
териалов. Поскольку экономический фактор является определяю-
щим при выборе определенного типа фотоэлемента, то для круп-
номасштабного использования фотоэлементов требуется снижать
их стоимость и повышать КПД.
Для увеличения КПД фотоэлементов и снижения их стоимости
переспективно осуществлять фотоэлектрическое преобразование
концентрированного солнечного излучения. При использовании
концентраторных фотоэлектрических модулей с сильноточными
гетерофотоэлементами генерируемый фототок возрастает линейно
с увеличением светового потока, а выходное напряжение в свою
очередь возрастает с увеличением тока по логарифмическому закону.
Таким образом, выходная мощность растет сверхлинейно при концен-
трировании излучения и эффективность фотоэлектрического преобра-
зования увеличивается.
Концентрирование заключается в фокусировании солнечных
лучей на приемник солнечного излучения с помощью различных
оптических элементов – зеркал, линз и т.д. При высоких уровнях
26
мощности концентрируемого излучения в основном используются
зеркальные отражатели.
Основным энергетическим показателем концентратора солнеч-
ного излучения является коэффициент концентрации, который оп-
ределяется как отношение средней плотности сконцентрированно-
го излучения к плотности лучевого потока, падающего на отра-
жающую поверхность при условии точной ориентации на Солнце.
Концентрирующая способность реальных систем определяется,
прежде всего, геометрией концентратора и углом падения солнечного
излучения на его поверхность. Существенно на неё влияет и отража-
тельная способность зеркальной поверхности, особенно в случае мно-
гократных отражений.
Главной движущей силой при создании концентраторных моду-
лей является возможность снижения расхода полупроводниковых
материалов для выработки заданной электрической мощности про-
порционально кратности концентрирования светового потока. В
этом случае полупроводниковые фотоэлементы относительно ма-
лой площади перехватывают солнечное излучение, находясь в фо-
кальной плоскости концентраторов. Вклад стоимости фотоэлемен-
тов в стоимость солнечных модулей становится незначительным, в
то время как эффективность модулей напрямую зависит от эффек-
тивности используемых фотоэлементов.
В целом, оптическое концентрирование излучение обеспечива-
ет следующие преимущества [16]:
1) снижается стоимость солнечных элементов, поскольку при
этом бóльшая часть площади солнечного элемента заменяется по-
верхностью концентратора;
2) возрастает КПД элемента;
3) появляется возможность создания гибридных систем, кото-
рые одновременно вырабатывают элкектрическую энергию и
тепло;
4) ослабляется зависимость эффективности работы элемента от
температуры окружающей среды.
Таким образом, концентрирование света создало предпосылки
для экономически оправданного использования в наземной
энергетике наиболее эффективных, хотя и дорогих, фотоэлементов
на основе соединений AIIIBV.
27
Ключевой проблемой при разработке концентраторных
фотоэлементов являлось радикальное снижение внутренних
омических потерь [2]. Например, в гетероструктуре AlGaAs/GaAs
слой AlGaAs играет основную роль в собирании тока, поэтому не-
обходим некоторый компромисс между его слоевым сопротивле-
нием (толщиной и удельным сопротивлением), расстояниями меж-
ду токосъемными полосками и количеством света, прошедшего
через него. Критичен также характер рисунка токосъемной сетки, а
многие другие параметры: контактное сопротивление, ширина то-
косъемных полосок, их толщины и расстояния между ними, сопро-
тивление общего токосъема – должны быть надлежащим образом
оптимизированы [10].
_____________________________________________________
V Вопросы для самопроверки
1. Перечислите основные способы сбора солнечной энергии. Какие

способы, на Ваш взгляд, более перспективны для нашей страны?
2. Перечислите преимущества практического использования солнеч-
ной энергии.
3. Укажите наиболее значимые недостатки использования солнечной
энергии. Как эти недостатки минимизируются либо устраняются?
4. Укажите сферы применения солнечной энергии. Как наиболее целе-
сообразно применять солнечную энергию в Вашем регионе, в России?
5. Перечислите основные способы получения электричества и тепла из
солнечного излучения.
6. Что такое сетевая солнечная электростанция? Поясните принцип ее
действия.
7. Что такое автономная солнечная электростанция? В каких случаях
эффективно и целесообразно ее применение?
8. Укажите основные проблемы, связанные с использованием солнеч-
ной энергии. Какие методы решения данных проблем существуют?
9. Каковы перспективы дальнейшего развития солнечной энергетики в
нашей стране и в мире?
10. Что такое фотоэлектрический преобразователь (ФЭП)? Отметьте
основные преимущества фотоэлектрического преобразования солнечно-
го излучения.
11. Какими оптическими и электрофизическими свойствами должен
обладать полупроводниковый материал для изготовления на его основе
фотоэлектрического преобразователя?
28
12. Перечислите основные необратимые потери энергии в ФЭП? Ка-
ким образом данные потери минимизируются?
13. Перечислите принципы классификации фотоэлектрических преоб-
разователей. Укажите основные виды фотоэлектрических преобразовате-
лей, их преимущества и недостатки.
14. В чем физический смысл параметра «атмосферная масса»? Как этот
параметр учитывается и используется на практике?
15. Перечислите преимущества и недостатки применения концентри-
рованного света.
29
2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ СОЛНЕЧНОГО
ЭЛЕМЕНТА
Для качественного понимания физических процессов, проте-

кающих при работе СЭ, необходимо иметь базовые знания по фи-
зике твердого тела, кристаллографии, технологии полупроводнико-
вых материалов. В настоящей главе рассмотрены основные типы
потенциальных барьеров, используемых в фотоэлектрических по-
лупроводниковых преобразователях, достоинства и недостатки
различных типов потенциальных барьеров (металл – полупровод-
ник, p-n-переход, гетеропереход) с точки зрения их использования
в СЭ.
2.1. Принцип работы приборов

с электронно-дырочными переходами
2.1.1. Понятие, виды и образование

электронно-дырочного перехода
Электрический переход между областями полупроводника с

электропроводностью p- и n-типов называют электронно-дыроч-
ным переходом (ЭДП) или p-n-переходом. Такой переход обладает
выпрямляющими или вентильными свойствами: он гораздо лучше
пропускает ток в одном направлении, чем в другом, что использу-
ется в полупроводниковых диодах.
Различают следующие виды электрических переходов:
- электронно-дырочный (p-n-переход или гомопереход) – пере-
ход между двумя областями полупроводника, имеющими разный
тип электропроводности;
- переход металл – полупроводник – переход между двумя об-
ластями, если одна из них является металлом, а другая полупро-
водником p- или n-типа;
- изотипные переходы – переходы между двумя областями с од-
ним типом электропроводности, отличающиеся значением концен-
трации примесей;
- гетеропереход – переход между двумя полупроводниковыми
материалами с различной шириной запрещенной зоны.
30
Поверхность, по которой контактируют слои p- и n-, называется
металлургической границей, а прилегающая к ней область объем-
ных зарядов p-n-переходом. Два других (внешних) контакта диода
– невыпрямляющие, поэтому их называют омическими.
По резкости металлургической границы p-n-переходы делят на
ступенчатые и плавные, а по соотношению удельных сопротивле-
ний слоев – на симметричные и несимметричные.
Ступенчатым (резким) переходом называют переход с иде-
альной границей, по одну сторону которой находятся доноры с по-
стоянной концентрацией Nd, а по другую – акцепторы с постоянной
концентрацией Na. Смена типа примеси в таком переходе происхо-
дит на расстоянии, соизмеримом с диффузионной длиной. Такие
переходы наиболее просты для анализа.
В плавном переходе концентрации примесей изменяются на
расстоянии, значительно большем диффузионной длины, метал-
лургическая граница в этом случае соответствует равенству при-
месных концентраций (Nd = Na).
В симметричном переходе концентрации примесей в p- и n-
областях примерно одинаковы, такой переход не типичен для по-
лупроводниковой техники.
В несимметричном переходе концентрация акцепторов Na в
области полупроводника p-типа на несколько порядков отличается
от концентрации доноров Nd в области полупроводника n-типа:
Na>>Nd или Na<<Nd. При этом концентрации основных носителей
заряда в областях будут различны: pp >> nn или pp << nn.
Рассмотрим образование несимметричного резкого p-n-
перехода. Поясним процесс образования p-n-перехода с помощью
диаграмм, представленных на рис. 2.1.
В первый момент после образования перехода в результате раз-
ности концентраций подвижных носителей заряда на границе кон-
такта полупроводников p- и n-типов имеет место градиент кон-
центрации носителей заряда каждого знака (рис. 2.1, а). Под дейст-
вием градиента концентрации будет происходить диффузия основ-
ных носителей заряда из области с высокой концентрацией в об-
ласть с меньшей их концентрацией. Так как концентрация дырок в
p-области выше, чем в n-области, то часть дырок в результате диф-
фузии перейдет в n-область, где вблизи границы окажутся избы-
точные дырки, которые будут рекомбинировать с электронами. Со-
31
ответственно, в этой зоне уменьшится концентрация свободных
электронов и образуется область нескомпенсированных положи-
тельных ионов донорной примеси.
Рис. 2.1. Диаграммы, поясняющие процесс образования p-n-перехода
В p-области уход дырок из граничного слоя способствует обра-

зованию области с нескомпенсированными отрицательными заря-
дами ионов акцепторной примеси. Подобным же образом происхо-
дит диффузионное перемещение электронов из n-слоя в p-слой
(рис. 2.1, б).
Отрицательные ионы акцепторов и положительные ионы доно-
ров находятся в узлах кристаллической решетки и поэтому не мо-
гут двигаться по кристаллу полупроводника. Область образовав-
шихся неподвижных пространственных зарядов (ионов) и есть об-
ласть p-n-перехода (рис. 2.1, в). В ней имеют место пониженная
концентрация основных носителей заряда и, следовательно, повы-
шенное сопротивление, которое определяет электрическое сопро-
тивление всей системы. В зонах, прилегающих к месту контакта
двух разнородных областей, нарушается условие электронейтраль-
32
ности. Но за пределами p-n-перехода все заряды взаимно компен-
сируют друг друга, и полупроводник остается электрически ней-
тральным.
Электрическое поле, возникающее между разноименными ио-
нами, препятствует перемещению основных носителей заряда (рис.
2.2, а). Поэтому поток дырок из p-области в n-область и электронов
из n-области в p-область уменьшается с ростом напряженности
электрического поля. Однако это поле не препятствует движению
через переход неосновных носителей, имеющихся в p- и n-
областях. Эти носители заряда собственной электропроводности,
имеющие энергию теплового происхождения, генерируются в объ-
еме полупроводника и, диффундируя к электрическому переходу,
захватываются электрическим полем. Они перебрасываются в об-
ласть с противоположной электропроводностью.
Рис. 2.2. Распределение напряженности

и потенциала электрического поля
в p-n-переходе
Переход неосновных носителей приводит к уменьшению объ-

емного заряда и электрического поля в переходе. Как следствие,
имеет место дополнительный диффузионный переход основных
носителей, в результате чего электрическое поле принимает исход-
ное значение. При равенстве потоков основных и неосновных но-
сителей заряда и соответственно токов наступает динамическое
равновесие.
Переход в целом нейтрален: положительный заряд в левой час-
ти равен отрицательному заряду в правой части перехода (см. рис.
2.1, в). Однако плотности зарядов различны (из-за различия в
концентрациях примесей). Поэтому различны и протяженности
обедненных слоев: в слое с меньшей концентрацией примеси (в
33
нашем случае в n-слое) область объемного заряда значительно ши-
ре (см. рис. 2.1, а). Как говорят, несимметричный переход сосредо-
точен в высокоомном слое.
Ширина p-n-перехода аналитически может быть найдена с по-
мощью формулы
⎛ 1 1 ⎞
2 ⋅ ε ⋅ ε 0 ⋅ ϕк
l0 = l p + ln = ⋅⎜ + ⎟, (2.1)
q
⎝ Na Nd ⎠
где ε – диэлектрическая проницаемость полупроводника; ε0 – элек-
трическая постоянная; q – заряд электрона; ϕк – контактная раз-
ность потенциалов; Na – концентрация акцепторов; Nd – концентра-
ция доноров.
Поскольку Na >> Nd, то lp << ln, и приближенно можно записать
2⋅ε⋅ε 0 ⋅ϕ к 1
l0 ≈ ln ≈ ⋅ . (2.2)
q Nd
Электрическое поле препятствует переходу основных носителей
заряда через p-n-переход. Таким образом, при контакте двух полу-
проводников возникает потенциальный барьер (рис. 2.2, б). При
увеличении концентрации примеси возрастает максимальное зна-
чение напряженности электрического поля в p-n-переходе (см. рис.
2.2, а).
Высота потенциального барьера в равновесном состоянии равна
контактной разности потенциалов ϕк:
⎛ nn ⋅ p p ⎞ k ⋅ T ⎛ N ⋅N ⎞
ϕк = ϕТ ⋅ ln ⎜ 2 ⎟= ⋅ ln ⎜ d 2 a ⎟ . (2.3)
⎝ ni ⎠ q ⎝ ni ⎠
Формула (2.3) определяет зависимость контактной разности по-
тенциалов p-n-перехода от трех факторов: ϕк = f [материал полу-
проводника; Nпр; T].
Зависимость ϕк от материала полупроводника определяется раз-
личным значением их ширины запрещенной зоны. Чем больше ши-
рина запрещенной зоны полупроводника, тем больше контактная
разность потенциалов. При комнатной температуре ориентировоч-
ные значения контактной разности потенциалов p-n-переходов из
различных полупроводниковых материалов составляют величины:
ϕк GE = (0,3÷0,4) В, ϕк SI = (0,6÷0,8) В, ϕк GaAs = (1,0÷1,2) В.
34
Чем больше степень легирования полупроводника, то есть чем
больше вносится в полупроводник атомов примеси (Nпр – концен-
трация примеси), тем большее значение имеет контактная разность
потенциалов.
Контактная разность потенциалов зависит от температуры ок-
ружающей среды. С увеличением температуры контактная раз-
ность потенциалов уменьшается. Это связано с тем, что в выраже-
нии для ϕк с увеличением температуры окружающей среды возрас-
kT
тает значение температурного потенциала ϕТ = , но
q
⎛ ΔWз ⎞
ni = A ⋅ T 3 2 exp ⎜ − ⎟ также возрастает и это увеличение проис-
⎝ 2kT ⎠
ходит быстрее, чем рост температурного потенциала, поэтому кон-
тактная разность потенциалов при увеличении температуры
уменьшается [16].
2.1.2. Энергетическая диаграмма p-n-перехода

в равновесном состоянии
В условиях равновесия p-n-перехода, когда отсутствует внешнее

напряжение, энергия Ферми одинакова для любого объема полу-
проводника (EF = const), поэтому уровень Ферми на энергетической
диаграмме, представленной на рис. 2.3, горизонтален.
Рис. 2.3. Энергетическая диаграмма несимметричного p-n-перехода

в равновесном состоянии
35
Уровень Ферми в полупроводнике p-типа расположен вблизи
энергетического уровня потолка валентной зоны, а в полупровод-
нике n-типа – вблизи энергетического уровня дна зоны проводимо-
сти, причем уровень Ферми ближе расположен к энергетическому
уровню потолка валентной зоны, чем к энергетическому уровню
дна зоны проводимости, из-за того, что Na >> Nd.
У изолированных p- и n-областей энергии Ферми неравны, по-
этому при составлении энергетической диаграммы p-n-перехода в
равновесном состоянии необходимо сместить энергетические
уровни n-области относительно энергетических уровней p-области,
как и показано на рис. 2.3.
В результате смещения энергетических уровней создается энер-
гетический (потенциальный) барьер величиной
qϕк = EFn – EFp.
Основные носители заряда областей полупроводника p- и n-
типов, энергия которых больше высоты барьера, преодолевают его.
Основные носители заряда, переходящие p-n-переход в тормозя-
щем для них электрическом поле, образуют диффузионную состав-
ляющую тока перехода iD. В то же время неосновные носители за-
ряда, находящиеся вблизи p-n-перехода и совершающие тепловое
хаотическое движение, попадают под действие электрического по-
ля p-n-перехода, увлекаются им и переносятся в противоположную
область: электроны p-области в n-область; дырки n-области в p-
область. Неосновные носители заряда, двигающиеся через переход
под действием напряженности электрического поля Eк, образуют
дрейфовую составляющую тока iE через переход.
Условие равновесия выполняется, когда диффузионный ток iD
будет компенсирован встречным дрейфовым током iE и полный ток
через переход будет равен нулю: iD + iE = 0 .
2.1.3. Неравновесное состояние p-n-перехода
Если подключить источник ЭДС между p- и n-слоями, то равно-

весие перехода нарушится и в цепи потечет ток. Поскольку удель-
ное сопротивление обедненного слоя намного выше, чем удельные
сопротивления нейтральных слоев, то внешнее напряжение прак-
тически полностью падает на переходе и изменяет высоту потенци-
ального барьера.
36
Прямосмещенный p-n-переход. Если к p-области подсоеди-
нить положительный полюс внешнего источника напряжения, а к
n-области – отрицательный, то получится такое включение p-n-
перехода, которое получило название прямого смещения p-n-
перехода. В этом случае под действием внешнего электрического
поля основные носители заряда начнут перемещаться в сторону p-
n-перехода, а также уменьшится высота потенциального барьера и
ширина перехода, что видно из потенциальной диаграммы рис. 2.4.
ϕпр = ϕк – Uпр, (2.4)
ϕк − U пр
lпр = l0 ⋅ . (2.5)
ϕк
Рис. 2.4. Схема включения p-n-перехода при прямом смещении

и потенциальная диаграмма p-n-перехода:
1 – распределение потенциала вдоль p-n-перехода в равновесном состоянии;
2 – распределение потенциала вдоль p-n-перехода при прямом смещении
В результате частичной компенсации внешним напряжением

потенциального барьера происходит резкое увеличение тока диф-
фузии через переход jD = jDp + jDn, так как все больше основных
носителей заряда оказываются способными преодолеть уменьшив-
шийся потенциальный барьер. Следовательно, существовавший в
37
равновесном состоянии баланс токов диффузии и дрейфа наруша-
ется и через переход потечет ток, который называется прямым.
В несимметричном p-n-переходе ток диффузии создается в ос-
новном потоком дырок из p-области в n-область, а так как встреч-
ный поток электронов мал, им можно пренебречь: jDp >> jDn. При
этом в n-области существенно возрастает концентрация избыточ-
ных неосновных носителей заряда – дырок, перешедших из p-
области. Это образование избыточной концентрации носителей
заряда получило название инжекции.
В несимметричном переходе инжекция имеет односторонний
характер. Область, инжектирующая носители заряда, называется
эмиттером. Эта область сильно легирована примесями и имеет
низкое удельное электрическое сопротивление. Область, в которую
инжектируются неосновные для нее носители заряда, называется
базой. База меньше легирована примесями и имеет большое значе-
ние удельного электрического сопротивления.
При прямом смещении уровень Ферми полупроводника в n-
области смещается вверх относительно его положения в p-области
на величину, равную q⋅Uпр. Соответственно, на эту же величину
снижается высота энергетического барьера (рис. 2.5).
Рис. 2.5. Энергетическая диаграмма прямосмещенного p-n-перехода
Вблизи p-n-перехода концентрации дырок в n-области и элек-

тронов в p-области оказываются больше равновесной концентра-
ции, определяемой по закону действующих масс:
38
pn = pn 0 ⋅ [exp(U пр ϕT )] , n p = n p 0 ⋅ [exp(U пр ϕT )] . (2.6)
Избыточные концентрации неосновных носителей вычисляются
по формулам:
Δpn = pn 0 ⋅ ⎡⎣exp(U пр ϕT ) − 1⎤⎦ ,
Δn p = n p 0 ⋅ ⎡⎣ exp(U пр ϕT ) − 1⎤⎦ . (2.7)
Из (2.7) следует, что избыточные концентрации неосновных но-
сителей заряда на границе p-n-перехода увеличиваются по экспо-
ненциальному закону в зависимости от напряжения, приложенного
к нему.
Дополнительные неосновные носители заряда в течение време-
ни (3÷5) τε компенсируются основными носителями заряда, кото-
рые приходят из объема полупроводника (где τε – время диэлек-
трической релаксации). В результате на границе p-n-перехода по-
является заряд, созданный основными носителями заряда, и вы-
полняется условие Δnn ≈ Δpn , Δp p ≈ Δn p .
Электронейтральность полупроводника восстанавливается. Та-
кое перераспределение основных носителей заряда приводит к по-
явлению электрического тока во внешней цепи, так как по ней по-
ступают носители заряда взамен ушедших к p-n-переходу и исчез-
нувших в результате рекомбинации.
Дрейфовая составляющая тока при приложении прямого напря-
жения остается практически без изменения. Это обусловлено тем,
что создающие этот ток неосновные носители генерируются вблизи
p-n-перехода на расстоянии, меньшем диффузионной длины L (L –
среднее расстояние, на которое носитель диффундирует за время
жизни). Те заряды, которые рождаются на большом расстоянии, в
основном рекомбинируют, не дойдя до перехода. Изменение ши-
рины перехода для носителей заряда этого происхождения не игра-
ет существенной роли. Они как генерировались в пределах толщи-
ны, определяемой диффузионной длиной, так и будут генериро-
ваться. Соответственно ток, обусловленный движением этих носи-
телей заряда, останется без изменения, т.е. таким же, как и в равно-
весном состоянии.
Таким образом, для несимметричного (Na >> Nd) прямосмещен-
ного p-n-перехода характерны следующие соотношения между то-
ками: jDp >> jDn, jD >> jE.
39
Обратносмещенный p-n-переход. Если к p-области подклю-
чить отрицательный полюс внешнего источника напряжения, а к n-
области – положительный, то такое включение p-n-перехода полу-
чило название обратного смещения p-n-перехода (рис. 2.6).
Рис. 2.6. Схема включения p-n-перехода при обратном смещении и потенциальная

диаграмма p-n-перехода
Под действием обратного напряжения Uобр основные носители

заряда будут перемещаться от границ p-n-перехода вглубь приле-
гающих к нему областей. При этом общий потенциальный барьер
повышается, ширина p-n-перехода увеличивается, что хорошо де-
монстрируется потенциальной диаграммой рис. 2.6:
ϕобр = ϕк + U обр , (2.8)
ϕк + U обр U обр
lобр = l ⋅ ≈l .. (2.9)
0 ϕк 0 ϕк
Приближенная запись (2.9) оправдана, так как ⎜Uобр⎜>> ϕк. Из
(2.9) видно, что p-n-переход расширяется нелинейно с увеличением
40
приложенного напряжения Uобр: сначала быстрее, затем расшире-
ние p-n-перехода замедляется. Уже при |Uобр⎜ = (0,1÷0,2) В ток диф-
фузии становится равным нулю, а через p-n-переход протекает только
ток неосновных носителей заряда, образующих дрейфовую состав-
ляющую тока.
В результате действия обратного напряжения снижается кон-
центрация неосновных носителей заряда у границ p-n-перехода и
появляется их градиент концентрации. Возникает диффузия неос-
новных носителей заряда к границам p-n-перехода, где они подхва-
тываются электрическим полем p-n-перехода и переносятся через
p-n-переход. Это поясняется диаграммой распределения концен-
траций основных и неосновных носителей заряда в областях p-n-
перехода, приведенной на рис. 2.7, на котором обозначено: Ln, Lp –
длина диффузии электронов и дырок.
Рис. 2.7. Распределение концентраций носителей заряда

в обратносмещенном p-n-переходе [16]
Как показано на рисунке, концентрация неосновных носителей

заряда на границах p-n-перехода практически падает до нуля. Сни-
жение концентраций неосновных носителей заряда у границ p-n-
перехода, появление градиента их концентрации и диффузия неос-
новных носителей заряда к p-n-переходу характеризуются экс-
тракцией.
41
В несимметричном p-n-переходе экстракция преобладает из ба-
зы в эмиттер.
При обратном смещении уровень Ферми полупроводника в n-
области смещается вниз относительно его положения в p-области
на величину, равную q⋅Uобр (рис. 2.8). Соответственно, на эту же
величину повышается высота энергетического барьера.
Рис. 2.8. Энергетическая диаграмма обратно смещенного p-n-перехода
Обратный ток определяется дрейфовой составляющей и равен

jE = jE p + jEn = q ⋅ pn ⋅μ p ⋅ E + q ⋅ n p ⋅μ n ⋅ E . (2.10)
Поскольку мы рассматриваем несимметричный переход, то име-
ем pn >> np и jE p >> jEn , а следовательно, можно приближенно за-
писать jE ≈ jE p . Таким образом, дрейфовый ток несимметричного
p-n-перехода – ток обратно смещенного p-n-перехода создается
преимущественно неосновными носителями базы.
42
2.2. Физический принцип работы элемента
с гомогенным переходом
2.2.1. Механизмы поглощения света полупроводниками
При поглощении света полупроводниками энергия фотонов

превращается в другие виды энергии. Она может идти на из-
менение энергетического состояния свободных или связанных с
атомами электронов, а также на изменение колебательной энергии
атомов. Поглощение обусловлено, в основном, действием следую-
щих механизмов:
- собственного, или фундаментального поглощения – межзон-
ных электронных переходов из валентной зоны в зону проводимо-
сти;
- экситонного поглощения – переходов, связанных с участием
экситонных состояний;
- поглощения свободными носителями заряда – переходов элек-
тронов или дырок внутри соответствующих разрешенных зон, т. е.
переходов, связанных с наличием свободных носителей заряда;
- примесного поглощения – переходов с участием примесных со-
стояний;
- решеточного, или фононного поглощения – поглощения энер-
гии световой волны колебаниями кристаллической решетки.
Отметим, что коэффициент поглощения α ( λ ) имеет смысл ве-
роятности поглощения фотона с длиной волны λ на единичной
длине образца. Если в кристалле действуют несколько механизмов
поглощения и они независимы друг от друга, то полная вероят-
ность поглощения выражается соотношением
α ( λ ) = ∑ αi ( λ ) . (2.11)
i
Таким образом, полный спектр поглощения полупроводника

складывается из спектров поглощения, связанных с действием раз-
личных механизмов. В разных спектральных интервалах преобла-
дают те или иные механизмы поглощения.
Ясно, что при взаимодействии света с электронами полупровод-
ника должны выполняться законы сохранения энергии и импульса.
Требование выполнения этих законов приводит к тому, что почти
43
во всех механизмах поглощения света, связанных с различными
электронными (или дырочными) переходами, принимают участие
фононы. Это происходит потому, что значительное изменение им-
пульса электронов в некоторых переходах не может быть обуслов-
лено малыми импульсами фотонов, поглощенных при этих перехо-
дах; Это изменение импульса достигается за счет участия в процес-
се поглощения фононов, которые могут иметь достаточно большой
импульс.
Собственное поглощение полупроводников. Собственное по-
глощение связано с переходами электронов из валентной зоны в
зону проводимости. Выше уже отмечалось, что в идеальном полу-
проводнике при Т = 0 К валентная зона заполнена электронами
полностью, так что переходы электронов в этой же зоне невозмож-
ны. Единственно возможным процессом здесь является поглоще-
ние фотона с энергией, достаточной для переброса электронов че-
рез запрещенную зону. В результате этого в зоне проводимости
появляется свободный электрон, а в валентной зоне — дырка.
Если к кристаллу приложить электрическое поле, то образовав-
шиеся в результате поглощения света свободные носители заряда
приходят в движение, т. е. возникает фотопроводимость. Таким
образом, для фотонов с энергией hν < Eg полупроводник прозрачен
(т. е. фотоны не поглощаются). В области малых длин волн (т. е.
больших hν) имеет место сплошной спектр интенсивного поглоще-
ния, ограниченный более или менее крутым краем поглощения при
hν < Eg. Для большинства полупроводников этот край находится в
инфракрасной области спектра. В зависимости от структуры энер-
гетических зон межзонное поглощение может быть связано с пря-
мыми или непрямыми оптическими переходами.
Рис. 2.9. Прямые (а) и непрямые (б) оптические переходы

(ЗП – зона проводимости; ВЗ – валентная зона)
44
Расчеты показывают, что для прямых разрешенных переходов
зависимость коэффициента поглощения от энергии фотонов имеет
вид
α = A ( hν − Eg ) 2 ,
1
(2.12)
где A — некоторый коэффициент. Это соотношение выполняется
в ограниченной области изменения (hν – Eg). Зависимость α2 от hν в
некотором интервале hν является линейной (рис. 2.10). По точке
пересечения прямой α2(hν) с осью hν можно определить ширину
запрещенной зоны Eg для прямых переходов.
Из формулы (2.12) видно, что в случае прямых переходов не
должно быть поглощения фотонов с энергией меньше Eg. Поэтому
край собственного поглощения должен быть очень резким. Действи-
тельно, это имеет место, например, у очень чистых монокристаллов
антимонида индия.
В полупроводниках, имеющих сложные энергетические зоны,
возможны не только прямые переходы, но и непрямые переходы. В
случае непрямых переходов требуется участие фононов, обеспечи-
вающих сохранение квазиимпульса при изменении волнового век-
тора электрона. В процессе оптического поглощения фононы могут
поглощаться или испускаться.
Энергия фотона, необходимая для
перевода электрона через запрещенную
зону, составляет hν ≥ Eg + Eф при ис-
пускании фонона с энергией Eф и hν ≥
≥ Eg – Eф при поглощении фонона.
Вероятность непрямых переходов
значительно меньше вероятности пря-
мых переходов, поскольку в них участ-
вует большее число частиц (электрон,
фотон, фонон). Поэтому поглощение,
обусловленное непрямыми перехода- Рис. 2.10. Зависимость квадрата
ми, является более слабым, чем погло- коэффициента поглощения
щение, связанное с прямыми перехо- от энергии фотона при прямых
переходах
дами.
Спектральная зависимость коэффициента поглощения для не-
прямых переходов определяется выражением
45
α ( hv ) = B ( hν − Eg ± Eф ) ,
2
(2.13)
где В – некоторый коэффициент, в который в качестве множителя
входит функция распределения фононов:
1
N ф = Eф . (2.14)
c k BT − 1
Если процесс происходит с поглощением фонона, то (2.13) с
учетом (2.14) приобретает вид
c ( hν − Eg + Eф )
2
α ( hν ) = Eф
(2.15)
c −1 k BT
для hν > Eg – Eф.

Коэффициент поглощения в случае испускания фонона
c ( hν − Eg + Eф )
2
α ( hν ) = Eф
(2.16)
1− c k BT
(для hν > Eg +Eф) поскольку вероятность испускания фонона про-

порциональна Nф +1.
Экситонное поглощение. При экситонном поглощении света
возможно такое возбуждение валентного электрона, при котором
он не совершает межзонный переход, а образует с дыркой связан-
ную электронно-дырочную пару, которая получила название «экси-
тон». В экситоне электрон и дырка связаны кулоновским взаимодей-
ствием. Экситон принято рассматривать как электрически нейтраль-
ную квазичастицу с собственной эффективной массой m*.
Поглощение света, связанное с образованием экситонов, перво-
начально не ведет к возникновению свободных носителей заряда.
Однако в реальных кристаллических структурах экситоны имеют
большую вероятность диссоциировать безизлучательно (с образо-
ванием электронов и дырок), чем рекомбинировать с испусканием
кванта света. Таким образом, образование экситонов в конечном
итоге ведет к возникновению свободных носителей заряда, а сле-
довательно, и фототока.
Экситон характеризуется набором собственных значений энер-
гии, образующих водородоподобный энергетический спектр, ле-
жащий в пределах запрещенной зоны полупроводника. Спектр эк-
46
ситонного поглощения полупроводника содержит, таким образом,
ряд экстремумов, отвечающих образованию экситона с энергией,
соответствующей одному из возможных состояний. Экситонное
поглощение, характеризующееся узкими полосами поглощения,
определяет и узкие полосы фототока. При этом спектр фототока в
области экситонного поглощения будет зависеть от состояния по-
верхности. Состояние поверхности полупроводника можно легко
изменить путем воздействия на нее (механическое, химическое и
т.д.). Таким образом, можно изменить характер наблюдаемого
спектра фототока, обусловленного экситонным поглощением.
Примесное поглощение. Такое поглощение при наличии в за-
прещенной зоне полупроводника локальных уровней примеси мо-
жет вызвать переходы электронов между уровнями примеси и зо-
нами. Фотопроводимость, обусловленная такими переходами, на-
зывается примесной фотопроводимостью. Для реализации таких
переходов нужна меньшая энергия кванта, чем для реализации пе-
реходов из валентной зоны в зону проводимости. Поэтому примес-
ное поглощение имеет место при больших длинах волн падающего
света.
Поглощение свободными носителями заряда. Поглощение
света свободными носителями заряда сопровождается увеличением
их энергии. При этом в отличие от рассмотренных выше трех видов
поглощения число свободных носителей не изменяется. Но вместе
с тем изменяется подвижность носителей заряда.
Поглощение кристаллической решеткой. В результате тако-
го поглощения увеличивается амплитуда колебаний узлов решетки.
В этом случае не изменяется ни концентрация носителей заряда, ни
их подвижность. Поэтому поглощение света кристаллической ре-
шеткой не является фотоактивным.
Поглощение света свободными носителями заряда и кристалли-
ческой решеткой не могут непосредственно вызвать изменение
концентрации носителей заряда. Однако возрастание концентрации
носителей заряда в этих случаях может происходить в результате
вторичных эффектов, когда поглощение света значительно увели-
чивает кинетическую энергию свободных носителей заряда или
увеличивает концентрацию фононов, которые затем отдают свою
энергию на возбуждение носителей заряда.
47
2.2.2. Фотовольтаический эффект в p-n-переходе
Солнечный элемент (СЭ) или фотоэлектропреобразователь

(ФЭП) позволяет превращать энергию оптического излучения не-
посредственно в электроэнергию, минуя стадии тепловой и меха-
нической форм энергии. Работа СЭ основана на внутреннем фото-
эффекте в полупроводниковой структуре с p-n-переходом (гетеро-
переходом, барьером Шоттки).
СЭ наиболее простой конструкции представляет собой кри-
сталл, состоящий из двух слоев различных типов проводимости
(электронной – n и дырочной – p) (рис. 2.11).
Полупроводник n-типа содержит некоторое количество примес-
ных атомов донорного типа, которые при комнатной температуре
практически все ионизованы. Таким образом, в таком полупровод-
нике содержится n0 свободных равновесных электронов и такое же
количество неподвижных положительно заряженных ионов.
Рис. 2.11. Схема кремниевого монокристаллического солнечного элемента
В дырочном полупроводнике (полупроводнике p-типа) реализу-

ется схожая ситуация. В нем существует p0 свободных дырок и
столько же отрицательно заряженных ионов.
Принцип образования p-n-перехода наглядно продемонстриро-
ван на рис. 2.12.
48
Рис. 2.12. Образование p-n-перехода
При контакте p- и n-областей в них, вследствие градиента кон-

центраций электронов и дырок, возникает диффузионный поток
электронов из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа и,
наоборот, поток дырок из p- в n-полупроводник. Электроны, пере-
шедшие из n-области в р-область, рекомбинируют с дырками вбли-
зи границы раздела. Аналогично рекомбинируют дырки, перейдя
из р-области в n-область. В результате вблизи p-n-перехода практи-
чески не остается свободных носителей заряда (электронов и ды-
рок). Тем самым по обе стороны от p-n-перехода образуется сфор-
мированный неподвижными ионами двойной заряженный слой
(другие названия – слой обеднения или область пространственно-
го заряда (ОПЗ)).
Электрическое поле области пространственного заряда проти-
водействует процессу диффузии основных носителей заряда из об-
ластей удаленных от p-n-перехода в обедненную область. Такое
состояние является равновесным и при отсутствии внешних воз-
мущений может существовать сколь угодно долго.
49
Оптическое излучение, поглощаемое в полупроводниковой
структуре с p-n-переходом, создает пары “электрон–дырка” при
условии, что энергия кванта превышает ширину запрещенной зо-
ны. Процессу разделения подвергаются носители, генерируемые в
обедненной области перехода и прилегающих к ней областях, раз-
меры которых примерно равны диффузионной длине для неоснов-
ных носителей. Только с расстояния, меньшего, чем диффузионная
длина, неосновной носитель успевает в процессе движения достичь
ОПЗ до своей рекомбинации (рис. 2.13).
Рис. 2.13. Разделение

электронов и дырок
в p-n-переходе
(пунктиром указаны края
энергетических зон
в темноте)
Неосновные носители, генерируемые в p- и n-областях на боль-

шем расстоянии от границы перехода, не попадают в обедненную
область вследствие своей рекомбинации. Разделение зарядов в
данном случае встроенным электрическим полем p-n-перехода
есть, по определению, электродвижущая сила (ЭДС). Таким обра-
зом, поглощение света полупроводниковой структурой с p-n-
переходом приводит к возникновению фото-ЭДС, а при существо-
вании внешней цепи – току в этой цепи.
Возникающий фототок пропорционален количеству электронно-
дырочных пар, синтезированных в результате поглощения излуче-
ния, которое в свою очередь пропорционально количеству квантов
излучения, поглощенных в веществе.
Рассмотрим гомогенный p-n-переход, у которого толщины p- и
n-областей составляют Ln (диффузионная длина электронов в p-
50
области) и Lp (диффузионная длина дырок в n-области), соответст-
венно, отсутствуют отражение от тыльного контакта и поверхност-
ная рекомбинация. В этом случае большинство неосновных носи-
телей, генерированных светом, разделяется полем перехода.
Через переход протекает дрейфовый фототок неравновесных не
основных носителей заряда. Неравновесные основные носители не
могут преодолеть потенциальный барьер перехода и остаются в
области генерации. В результате разделения оптически генерируе-
мых носителей концентрации дырок в p-области и электронов в n-
области повышаются, что приводит к компенсации объёмного за-
ряда неподвижных примесных ионов на границе перехода. Потен-
циальный барьер перехода уменьшается на величину фото-ЭДС,
называемую напряжением холостого хода при разомкнутой внеш-
ней цепи.
Снижение потенциального барьера увеличивает ток диффузии
основных носителей через переход, который направлен навстречу
фототоку. В стационарном состоянии при постоянстве светового
потока плотность тока диффузии Jдиф равна плотности дрейфового
тока, состоящей из плотности фототока Jф и плотности теплового
тока перехода J0, есть выполняется условие динамического равнове-
сия:
Jдиф = Jф + J0. (2.17)
Разность Jдиф – J0 представляет собой плотность тока диода и
обозначается как Jд. В идеальном p-n-переходе плотность тока
диффузии и плотность теплового тока связаны соотношением:
U хх
J диф = J T e VT , (2.18)
и тогда
⎛ UVхх ⎞
J ф = J д = J T ⎜ e T − 1⎟ , (2.19)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
kT
где Uхх – напряжение холостого хода; VT = – тепловой потен-
e
циал. Напряжение холостого хода может быть выражено через ве-
личину фототока:
⎛ J ⎞
U хх = VT ln ⎜1 + ф ⎟ . (2.20)
⎝ JT ⎠
51
Однако напряжение холостого хода (при любом значении Jф) не
может превышать контактной разности потенциалов p-n-перехода.
В противном случае, из-за полной компенсации электрического
поля, разделение носителей, оптически генерируемых полем пере-
хода, прекращается.
Если электроды СЭ замкнуты на внешнюю нагрузку, то напря-
жение между ними U будет меньше Uхх, и ток диода не будет ком-
пенсировать фототок. В приближении идеального диода для плот-
ности тока через внешнюю нагрузку имеем
eU
J = J ф − J д = J ф − J T (e kT − 1) . (2.21)
Уравнение (2.21) описывает вольтамперную характеристику
(ВАХ) идеального СЭ (рис. 2.12) [17].
В случае тонкоплёночных солнечных элементов с поглощаю-
щим слоем толщины l при условии l < Ln, Lp возникает необходи-
мость учета отражения от тыльного контакта. Для таких СЭ мощ-
ность поглощаемого излучения задаётся формулой:
( ( ))
Pпогл = Pпад 1 − R 1 − e −αA + Rтк ( e −αA − e −2 αA ) = APпад , (2.22)
где Rтк – коэффициент отражения от тыльного контакта СЭ.
Для удобства рассмотрения будем считать, что Солнце является
абсолютно чёрным телом, спектральная плотность излучения кото-
рого подчиняется формуле Планка [17]:
2πν 2 hν
εν ,Т = 2 ⋅ hν , (2.23)
с
e −1
kT
где k = 1,38×10-23 Дж/К – постоянная Больцмана, T – термодинами-

ческая (абсолютная) температура.
2.3. Физический принцип работы элемента

с гетерогенным переходом
2.3.1. Определение гетероперехода
Полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе конструк-

ции современных транзисторов, приборов квантовой электроники,
СВЧ-техники, электронной техники для систем связи, телекоммуни-
каций, вычислительныхсистем и светотехники [18].
52
Основным элементом гетероструктур различного типа является
гетеропереход.
Под гетеропереходом понимается контакт двух различных по
химическому составу полупроводников, при котором кристалличе-
ская решетка одного материала без нарушения периодичности пе-
реходит в решетку другого материала.
Различают изотипные и анизотипные гетеропереходы. Если
гетеропереход образован двумя полупроводниками одного типа
проводимости, то говорят об изотипном гетеропереходе. Анизо-
типные гетеропереходы образуются полупроводниками с разным
типом проводимости.
Существует три модели гетероперехода:
- идеальный гетеропереход;
- неидеальный гетеропереход;
- гетеропереход с промежуточным слоем.
В идеальном гетеропереходе в отличие от неидеального на гра-
нице раздела материалов отсутствуют локальные энергетические
состояния для электронов.
Гетеропереход с промежуточным слоем формируется через
слой конечной толщины, и локальные энергетические состояния
могут существовать как в самом промежуточном слое, так и на
границах его раздела. Здесь мы рассмотрим построение энергети-
ческой диаграммы в модели идеального гетероперехода.
2.3.2. Энергетическая диаграмма идеального

гетероперехода
Для построения энергетической диаграммы часто применяют

простое «правило электронного сродства» (в англоязычной литера-
туре – правило Андерсона), согласно которому разрыв зоны прово-
димости равен разности электронного сродства двух материалов.
Но следует иметь в виду, что данный подход далеко не всегда
справедлив, так как в разрыв зон зависят еще и от деталей форми-
рования связей на гетерогранице и деформационного потенциала.
Для построения энергетической диаграммы идеального гетеро-
перехода должны быть известны следующие характеристики полу-
проводников:
53
- ширина запрещенной зоны (Eg1, Eg2). При построении считаем,
что Eg2>Eg1;
- термодинамическая работа выхода (Ф1, Ф2) – расстояние от
уровня Ферми полупроводника до уровня вакуума. Следует учиты-
вать, что термодинамическая работа выхода зависит от положения
уровня Ферми, то есть от уровня легирования материала;
- сродство к электрону (χ1, χ2) – расстояние от дна зоны прово-
димости до уровня вакуума.
При построении диаграммы считаем, что [20]:
- ширина запрещенной зоны и внешняя работа выхода неизмен-
ны до плоскости контакта, на которой они скачком изменяют свою
величину;
- в приконтактном слое каждого из полупроводников происхо-
дит изменение потенциальной энергии электрона. Полное измене-
ние потенциальной энергии равно разности работ выхода, что
обеспечивает неизменное положение уровня Ферми вдоль гетеро-
перехода.
До «приведения в контакт» двух полупроводников потенциаль-
ная энергия электронов в них разная из-за разной термодинамиче-
ской работы выхода. При «соприкосновении» двух полупроводни-
ков, как и в случае обычного p-n-перехода, электроны начнут «пе-
реходить» из полупроводника с меньшей работой выхода в полу-
проводник с большей. Это будет происходить до тех пор, пока
диффузионный ток не будет скомпенсирован дрейфовым током
носителей заряда под воздействием поля, созданным избыточными
носителями. При этом возникнет контактная разность потенциалов
ϕ0 = Ф2 – Ф1
и образуется область пространственного заряда шириной d (рис.
2.14).
При таком построении видно, что из-за различия электронного
сродства в контактирующих полупроводниках дно зоны проводи-
мости первого полупроводника выходит на плоскость контакта в
точке, не совпадающей в общем случае с точкой выхода на эту
плоскость дна зоны проводимости второго полупроводника – фор-
мируется разрыв зоны проводимости ΔEc. Он равен ΔEc = χ1 – χ2.
Аналогично формируется и разрыв валентной зоны. Он определя-
ется по формуле ΔEν = Eg2 – Eg1 − ΔEc.
54
Рис. 2.14. Энергетические диаграммы
полупроводников (а) и диаграмма
идеального гетероперехода (б) [21]
Следует заметить, что разрывы зон могут быть как положитель-

ными таки отрицательными.
Можно выделить следующие разновидности гетеропереходов
[18]:
- охватывающий переход возникает, когда разрыв зоны прово-
димости ΔEc и разрыв валентной зоны ΔEv положительны. Такой
случай реализуется, например, в гетеропереходе GaAs–AlGaAs. В
литературе данный тип гетероперехода называют гетеропереходом
I типа, или стандартным;
- ступенчатый переход возникает в случае, когда разрыв один из
разрывов зон положителен, а другой отрицателен. В этом случае
говорят о переходе II типа. Данный случай реализуется в гетеропе-
реходе InP – In0,52Al0,48As;
- разрывный гетеропереход, возникает когда запрещенные зоны
вообще не перекрываются по энергии. Данный гетеропереход на-
зывают гетеропереходом III типа. Классический пример – гетеро-
переход InAs–GaSb
Экспериментально измеренные параметры основных типов ге-
теропереходов изображены на рис. 2.15.
55
Рис. 2.15. Экспериментально определенные разрывы валентной зоны и зоны
проводимости двух наиболее близких по параметрам решетки гетеропар:
a – In0.53Ga0.47As–In0.52Al0.48As-In0.53Ga0.47As–InP;
б – InAs–GaSb–AlSb [20]
Для характеристики гетероперехода также применяют параметр,

называемый разрывом зоны проводимости, показывающий процент
разрыва зоны, приходящийся на зону проводимости:
ΔEc
Q= , (2.24)
ΔEg
где
ΔEg = Eg2 – Eg1 . (2.25)
Для построения энергетической диаграммы конкретного гетеро-
перехода, нужно вычислить контактную разность потенциалов φ0.
Для этого необходимо сначала рассчитать положение уровня Фер-
ми в каждом из материалов гетеропары.
56
Для вычисления положения уровня Ферми относительно дна зо-
ны проводимости (μ = F – Ec) потребуется знать температуру, кон-
центрацию основных носителей и плотность состояний в зонах Nc и
Nv.
Для невырожденного примесного полупроводника n-типа поло-
жение уровня Ферми относительно зоны проводимости находится
из выражения
N
μ = − kT ln c , (2.26)
Nd
для дырочного:
N
μ = − kT ln v − Eg , (2.27)
Na
где Na, Nd – концентрации акцепторов и доноров, которые мы счи-
таем полностью ионизованными.
В справочниках обычно приведены величины эффективных
масс плотности состояний для электронов mn* и дырок m*р .
Тогда Nc и Nv вычисляются по формулам
2 ( 2πmn* kT ) 2 ( 2πm*p kT )
3/2 3/2
Nc = , Nv = . (2.28)
h3 h3
Если приведены поперечная m⊥ и продольная m|| составляющая
эффективных масс, число эквивалентных эллипсоидов M, то плот-
ность состояний в этом случае рассчитывается по формуле
(
N c = M 2 / 3 m⊥2 m|| )
1/ 3
. (2.29)
В полупроводниках p-типа необходимо также учесть вклад двух
подзон от легких и тяжелых дырок:
mh3/2 = mlh3/2 + mhh
3/2
. (2.30)
Вычисляем положение уровня Ферми и контактную разность
потенциалов:
ϕк = Ф1 − Ф 2 = ( χ1 + μ1 ) − ( χ 2 + μ 2 ) . (2.31)
Для вычисления распределения потенциала в области простран-
ственного заряда требуется решить совместно уравнение Пуассона
и уравнение плотности тока, при условии, чтобы в равновесии
диффузионный ток через переход уравновешивался дрейфовым
током.
57
В приближении Шоттки в случае равномерного легирования полу-
проводников для анизотипного гетероперехода получается линейная
зависимость поля и параболическая зависимость потенциала:
в области − d1 ≤ x ≤ 0 :
en
E = − 1 ( x + d1 ) , (2.32)
ε 0ε1
e 2 n1
( x + d1 ) .
2
ϕ = ϕк − (2.33)
2ε0ε1
В области 0 ≤ x ≤ d2 :
en2
E=− ( d2 − x ) , (2.34)
ε 0ε1
e 2 n2
( d2 − x ) .
2
ϕ= (2.35)
2ε 0 ε 2
Размер области пространственного заряда получаются равными:
1/2
⎛ 2ε ε ⎞
d1 = ⎜ 20 1 ϕ1 ⎟ , (2.36)
⎝ e n1 ⎠
1/2
⎛ 2ε ε ⎞
d 2 = ⎜ 20 2 ϕ2 ⎟ , (2.37)
⎝ e n2 ⎠
где φ1, φ2 – контактные разности потенциалов, приходящиеся на n-
и p-области, которые для идеального гетероперехода равны
1 1
ϕ1 = ϕ0 , ϕ2 = ϕ0 . (2.38)
ε1n1 ε 2 n2
1+ 1+
ε 2 n2 ε1n1
Полная длина ОПЗ:
1
⎡ 2ε ε ε ( n + n ) ⎤2
d = d1 + d 2 = ⎢ 2 0 1 2 1 2 ϕ0 ⎥ . (2.39)
⎢⎣ e n1n2 ( ε1n1 + ε 2 n2 ) ⎥⎦
Распределение поля и потенциала показано на рис. 2.16.
Следует также принимать во внимание, что материалы гетеро-
пары могут иметь минимумы зоны проводимости в разных точках
зоны Брюллиена. К примеру, минимум зоны проводимости GaAs
находится в точке Г (рис. 2.17), в то время как наименьший мини-
мум в AlAs близок к точке X. Таким образом, природа низшего ми-
58
нимума зоны проводимости меняется при изменении доли Al в
твердом растворе AlxGa1-xAs.
Рис. 2.16. Распределение поля и потенциала в резком анизотипном

гетеропереходе [21]
Рис. 2.17. Расположение валентной зоны и зоны проводимости

в AlxGa1-xAs [20]
59
Низший минимум в AlxGa1-xAs изменяется от прямого располо-
жения (минимум в Г) зон до непрямой зонной структуры (мини-
мум в Х) при содержании алюминия x ≈ 0,45.
2.3.3. Требования к материалам, образующим гетеропереход
Для того чтобы в кристаллической решетке двух материалов,

составляющих гетеропереход, не было дефектов, необходимо как
минимум, чтобы два материала имели одну и ту же кристалличе-
скую структуру и близкие периоды решеток. В этом случае струк-
тура получается без напряжений. Ясно, что не все материалы могут
быть использованы для создания гетероперехода.
На рис. 2.18 представлены наиболее часто применяемые мате-
риалы для создания гетеропереходов. Руководствуясь приведен-
ным рисунком, можно создавать гетеропереходы с требуемой ве-
личиной разрыва зон или квантовую яму с заданной формой по-
тенциала.
Затененные области объединяют группы полупроводников с
близкими постоянными решеток. Полупроводники, соединенные
сплошными линиями, образуют между собой стабильные твердые
растворы. Отрицательное значение, приведенное для энергии запре-
щенной зоны HgSe, является спорным. Штриховые линии указывают
на непрямые запрещенные зоны [22].
При определении свойств тройных и четверных соединений можно
пользоваться обобщенным правилом Вегарда. В этом случае тройной
состав AxB1-xC можно описать как сочетание двух, а четверной AxB1-
xCyD1-у, как сочетание трех или четырех двойных соединений. При этом
значения физических параметров (θABC или θABCD) сложного соединения
представляют собой средние значения параметров двойных соедине-
ний, взятых с весом, пропорциональным их доле:
θ АВС = (1 − x ) θ АС + xθ ВС , (2.40)
θ АВСD = xyθ АС + x (1 − y ) θ AD + (1 − x ) yθBС + (1 − x )(1 − y ) θBD . (2.41)
Для согласования эмпирических зависимостей с эксперимен-
тальными данными в правую часть этих соотношений вводят чле-
ны, квадратичные по x и y.
60
61
Рис. 2.18. График зависимости энергии запрещенной зоны при низкой температуре от постоянной решетки
для ряда полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки[22]
Из правила Вегарда следует, что можно подобрать такой состав
тройного соединения, при котором будут совпадать параметры ре-
шеток, но зонные параметры будут различные. Таким образом,
можно получать гетеропереходы с заданными зонными параметра-
ми. Так на подложке GaAs может быть выращен без значительных
напряжений AlAs, а также твердый раствор AlxGa1-xAs практически
любого состава.
Как видно из графика, у твердого раствора AlxGa1-xAs период ре-
шетки меняется менее чем на 0,15% при изменении х от 0 до 1.
Существует очень мало материалов, которые образуют гетеропере-
ход с GaAs без напряжений. Альтернативой подложки арсенида
галлия является InP. Но на данной подложке могут быть без на-
пряжений выращены только два твердых раствора: Al0,48In10,52As и
Ga0,47In0,53As.
2.4. Физический принцип работы структур с барьером

Шоттки и в системах металл–диэлектрик–полупроводник,
полупроводник–диэлектрик–полупроводник
2.4.1. Солнечные элементы на барьерах Шоттки
Диаграмма энергетических зон освещенного солнечного эле-

мента с барьером Шоттки представлена на рис. 2.19. При этом слой
металла должен быть достаточно тонким, чтобы основная доля све-
та достигала полупроводника.
Можно выделить три компоненты фототока. Одна из них обу-
словлена поглощением в металле фотонов с энергией hν = qϕ B (qϕB
– высота барьера), что вызывает возбуждение дырок через барьер в
полупроводник (эта компонента на рис. 2.19 обозначена цифрой 1).
Этот процесс используется для фотоэлектрических измерений вы-
соты барьера.
Попадающий в полупроводник коротковолновый свет поглоща-
ется главным образом в обедненном слое (соответствующий фото-
ток на рис. 2.19 обозначен цифрой 2). Длинноволновый свет, по-
глощаясь в нейтральном объеме полупроводника, создает элек-
тронно-дырочные пары; затем электроны, так же как и в случае
обычного p-n-перехода, диффундируют к краю обедненного слоя,
где происходит их коллектирование (этот фототок на рис. 2.20 обо-
62
значен цифрой 3). В условиях, типичных для работы солнечных
элементов, возбуждение светом носителей из металла в полупро-
водник составляет менее 1 % полного фототока, и поэтому этим
процессом можно пренебречь.
Рис. 2.19. Диаграмма энергетических зон освещенного солнечного элемента

с барьером Шоттки
Две основные компоненты спектрального отклика и фототока

связаны с генерацией носителей в обедненном слое и в электроней-
тральной базовой области. Коллектирование носителей в обеднен-
ном слое происходит так же, как и в p-n-переходе. Сильное поле в
обедненном слое выносит из него генерируемые светом носители
еще до того, как они успевают рекомбинировать, вследствие чего
фототок оказывается равным
J ф = qT ( λ ) F ( λ ) ⎡⎣1 − exp ( −αW ) ⎤⎦ , (2.42)
где T(λ) – коэффициент пропускания металлом монохроматическо-
го света с длиной волны λ.
Если тыловой контакт является омическим и толщина прибора
гораздо больше диффузионной длины H>>Lp, выражение для фо-
тотока базовой области можно представить в виде
J n = qT ( λ ) F ( λ ) ⎡⎣ αLn ( αLn + 1) ⎤⎦ exp ( −αW ) . (2.43)
Полный фототок равен сумме выражений (2.42) и (2.43). Видно,
что для увеличения фототока следует повышать коэффициент про-
пускания T и диффузионную длину Ln. Коэффициент пропускания
63
света золотыми пленками (толщиной 10–100 ангстрем) с просвет-
ляющим покрытием может достигать 90–95 %.
ВАХ освещенного солнечного элемента с барьером Шоттки
имеют вид
(
I = I s e qV nkT
)
−1 − IL , (2.44)
где
I s = A**ST 2 exp ( −qϕB kT ) ,
(2.45)
**
где n – фактор идеальности, А – эффективная постоянная Ричард-
сона, S – площадь, qϕB – высота барьера.
Используя выражение для эффективности преобразования и
формулы (2.44) и (2.45), можно вычислить зависимость КПД от
высоты барьера для данного полупроводника. Такие идеальные за-
висимости (не учитывается отражение света и резистивные потери
и предполагается, что фактор идеальности равен 1) приведены на
рис. 2.20. Видно, что КПД возрастает с увеличением высоты барье-
ра и в предельном случае qϕB макс = Eg его максимальное значение
составляет ∼25%. Показанные на рис. 2.20 предельные значения
КПД для различных полупроводников сравнимы с предельными
значениями КПД в случае гомопереходов.
На рис. 2.21 показана зонная диаграмма барьера Шоттки в сис-
теме металл–р+-n- полупроводник.
Рис. 2.20. Зависимость эффективности преобразования от высоты барьера.

Огибающая соответствует максимальным значениям КПД, вычисленным
при qϕB=Eg
64
Рис. 2.21. Зависимость высоты
барьера от уровня легирования
и толщины p-слоя в солнечных
элементах с барьерами Шоттки
Au-GaAs.
На вставке показана диаграмма
энергетических зон элемента
со структурой
металл–p+-n-полупроводник
Тогда эффективная высота барьера равна

qϕ B = qϕm − qχ + qV pm , ( 2.46)
где qϕm – работа выхода из металла, χ – электронное сродство по-
лупроводника, Vpm – высота максимума потенциала в полупро-
воднике, равная
⎛ q ⎞
( )
2
V pm = ⎜ ⎟ N AW p − N DWn . (2.47)
⎝ 2ε s N A ⎠
Эти выражения получены в предположении N AW p 〉〉 N DWn , что
соответствует полной ионизации тонкого p-слоя и существованию
максимума потенциала внутри этого слоя. При перестановке n- и p-
слоев получается комплиментарный прибор со структурой металл–
п+-p-полупроводник.
На рис. 2.21 приведены также вычисленные зависимости высо-
ты барьера от NA и Wp в GaAs при ND = 1016 см-3. Сильнолегирован-
ный приповерхностный слой можно создавать с помощью ионной
имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии. Другим методом
получения такого слоя будет металлургический. Высота барьера в
контакте Аl–Si (n-типа) при термообработке (<580 °С) возрастает
от 0,68 до 0,9 эВ. При этом образуется тонкий рекристаллизован-
ный p+-слой (∼100 Å), содержащий ≥1019 см-3 акцепторов (Аl), и
зонная диаграмма приобретает вид, показанный на рис. 2.21.
65
2.4.2. Солнечные элементы на МДП-структурах
В большинстве приборов с барьером Шоттки между слоями ме-

талла и полупроводника содержится, по крайней мере, несколько
атомных слоев какого-либо случайно образовавшегося оксида. Ус-
тановлено, что в результате преднамеренного создания (при тща-
тельном контроле условий роста) диэлектрического слоя (обычно
оксидного) на границе раздела металл–полупроводник значительно
повышается Uхх. Вместе с этим преимущество солнечных
элементов на МДП-структурах связано с тем, что в них имеется
сильное электрическое поле вблизи поверхности полупроводника,
которое направлено так, что помогает коллектированию носителей,
создаваемых коротковолновым светом. Кроме того, в активной об-
ласти таких элементов нет кристаллических дефектов, возникаю-
щих при диффузии примесей и присущих солнечным элементам с
диффузионными p-n-переходами.
В структурах с барьером Шоттки темновой ток обусловлен в ос-
новном термоэлектронной эмиссией основных носителей заряда,
проходящих над барьером. В туннельных МДП-структурах выра-
жение для плотности тока насыщения отличается от соответст-
вующего выражения для барьеров Шоттки дополнительным тун-
нельным множителем
I s = A**ST 2 exp ( −qϕ B kT ) exp ⎡ − ( qϕT ) δ ⎤ ,
12
(2.48)
⎣ ⎦
где qϕT – средняя высота барьера в изолирующем слое (мкм) и δ –
толщина изолирующего слоя (ангстрем).
Подставляя в уравнение (2.44) U = Uхх и J = 0, получаем
nkT ⎡ ⎛ J L ⎞ qϕB 12 ⎤
U хх = ⎢ ln ⎜ ** 2 ⎟ + + ( qϕT ) δ ⎥ . (2.49)
q ⎣ ⎝ A ST ⎠ kT ⎦
Из формулы (2.49) видно, что в СЭ на МДП-структурах Uхх рас-
тет с увеличением δ. В то же время при увеличении толщины ди-
электрика δ уменьшается ток короткого замыкания (снижается
вероятность туннелирования), что может приводить к уменьшению
эффективности преобразования [19].
Таким образом, варьируя толщину диэлектрика можно влиять на
эффективность преобразования структуры СЭ.
66
2.5. Омические контакты
2.5.1. Основные характеристики омических контактов

и механизмы протекания тока
Омический контакт служит для связи активной области прибора

с другими элементами или компонентами интегральной схемы или,
в случае дискретного исполнения прибора, с внешними выводами
его корпуса. Обычно омический контакт имеет структуру Me-n+
или Me-p+.
Как известно, контакт металл–полупроводник может быть либо
выпрямляющим (барьерным), если потенциальный барьер между
металлом и полупроводником туннельно непрозрачный, либо оми-
ческим, если потенциальный барьер отсутствует или он туннельно
прозрачен для электронов. Омический контакт обычно образуется в
случаях, когда [14]:
- потенциальный барьер между металлом и полупроводником
отсутствует, то есть для полупроводника n-типа с низкой плотно-
стью поверхностных состояний в запрещенной зоне выбирается
металл с работой выхода электронов из металла меньшей, чем
сродство к электрону полупроводника (контакт первого типа);
- потенциальный барьер присутствует, но он узкий (туннельно
прозрачный), что обычно достигается сильным легированием при-
поверхностной области полупроводника (контакт второго типа);
- потенциальный барьер присутствует, но он низкий и легко
преодолевается за счет термоэлектронной эмиссии носителей, что
обычно достигается изменением химического состава полупровод-
ника вблизи контакта, например, созданием узкозонного прикон-
тактного слоя (контакт третьего типа).
Омические контакты являются важным компонентом конструк-
ции солнечных элементов. Доказано, что допустимые потери мощ-
ности на сопротивлении контактов в СЭ обычно составляют ~1 %
выходной мощности, что соответствует падению напряжения на
контактах, равному 6 мВ. При работе элемента в условиях одно-
кратной освещенности (С = 1) такие потери возможны при сопро-
тивлении сплошного тыльного контакта ρс ≈ 0,2 Ом⋅см2 и фрон-
тального сетчатого контакта ρс ≈ 0,01 Ом⋅см2. Требуемые для полу-
чения достаточно высоких КПД элементов значения ρс в первом
67
приближении обратно пропорциональны коэффициенту концен-
трации излучения, и поэтому к технологии изготовления контактов
для СЭ, используемых при большой облученности, предъявляют
высокие требования.
Омический контакт должен удовлетворять следующим требова-
ниям:
- сопротивление такого контакта должно быть очень низким
(R → 0); на практике оно может быть пренебрежимо мало по отно-
шению к объемному сопротивлению полупроводника;
- контакт не должен быть инжектирующим, поскольку при ин-
жекции с контакта увеличивается ток;
- ВАХ контакта должна быть линейной.
Рассмотрим основные параметры омических контактов.
Скорость рекомбинации на контакте
Φp pV p
Sp = = , (2.50)
( pгр − p0 ) ( pгр − p0 )
где Фр – плотность потока носителей заряда через контакт; (pгр – p0)
– избыточная концентрация носителей заряда у контакта; p – кон-
центрация носителей вблизи границы контакта; Vp – скорость дви-
жения потока носителей вблизи границы контакта.
При большой Фр скорость Sp будет определяться скоростью
движения носителей через контакт. Максимальная скорость дви-
жения не может превышать тепловую (рис. 2.22).
Рис. 2.22. Зависимость скорости рекомбинации носителей заряда на контакте

от плотности потока носителей заряда через контакт:
1 – идеальный контакт с бесконечно большой скоростью рекомбинации;
2 – реальный контакт со скоростью Sp равной максимально возможной скорости
движения носителей заряда; 3 – реальный контакт со скоростью Sp меньшей мак-
симальной скорости движения носителей
68
Сопротивление омического контакта:
U
статическое ρk = [Ом/см2], где j – плотность тока;
j
−1
⎛ ∂I ⎞
динамическое (дифференциальное) ρдk = ⎜ ⎟ .
⎝ ∂U ⎠ u =0
Параметры нелинейности:
I′
- коэффициент выпрямления k = , чем ближе k к 1, тем лучше
I ′′
качество контакта;
ρk
- коэффициент нелинейности β = , чем ближе β к 1, тем
ρдk
лучше омический контакт.
Основной характеристикой омического контакта является его
сопротивление, приведенное к единице площади контакта (рис.
2.23). Сопротивление контакта состоит
из последовательно соединенных со-
противления приконтактной области и
сопротивления, связанного с прохож-
дением электронами потенциального
барьера.
Сопротивление приконтактной об-
ласти – это сопротивление сильно ле-
гированной области и сопротивление
p-n-перехода. Рис. 2.23. ВАХ омического
Сопротивление сильно легирован- контакта
ной области обычно очень мало. Например, сопротивление n+-
GaAs слоя (n+ = 1019см–3) с толщиной 1 мкм и подвижностью элек-
тронов около 103 см2/(В⋅с) составляет примерно 6⋅10–8 Ом⋅см2.
Сопротивление p-n (в частности, n-n+-перехода) обратно про-
порционально концентрации электронов.
Удельное контактное сопротивление определяют при нулевом
напряжении смещения в соответствии с соотношением
⎛ dU ⎞
ρc 0 = ⎜ ⎟ . При малых падениях напряжения (менее 20 мВ)
⎝ dJ ⎠ U =0
ρс0 является хорошим приближением для эффективного контактно-
69
го сопротивления солнечного элемента в рабочем режиме. Как пра-
вило, ρс0 резко уменьшается при увеличении концентрации носите-
лей заряда в полупроводнике и возрастает при понижении темпера-
туры.
Существует несколько методик теоретического расчета величи-
ны ρс. Однако на практике на ρс могут оказывать существенное
влияние слои на границе раздела (например, естественные оксиды),
повреждения поверхности, инжекция неосновных носителей заряда
и глубокие примесные уровни. Сложность учета этих факторов за-
трудняет сопоставление теоретических и экспериментальных дан-
ных, и поэтому основная часть исследований омических контактов
направлена главным образом на изучение технологических мето-
дов, которые позволяют получить контакты с малым полным со-
противлением.
Так как на границе полупроводник – металлический контакт об-
разуется потенциальный барьер Шоттки, то основными механиз-
мами протекания зарядов будут термоэлектронная полевая эмиссия
и прямое туннелирование. Обычный способ создания такого эф-
фективного контакта связан с сильным легированием тонкого по-
лупроводникового слоя, прилегающего к металлу, обеспечиваю-
щим уменьшение толщины барьера до 10 нм. При формировании
этой тонкой сильно легированной области необходимо предотвра-
тить внедрение компенсирующих примесей или образование де-
фектов, которые могут уменьшить концентрацию носителей заря-
да. Таким образом, свойства контактов могут существенно зависеть
от особенностей метода их изготовления.
Полупроводники групп A4 и A3B5 (кроме нитридов и n-InAs)
обычно имеют высокую концентрацию поверхностных состояний,
расположенных в глубине запрещенной зоны, что приводит к же-
сткому закреплению уровня Ферми на поверхности. Поэтому для
образования омического контакта к ним можно поступить двумя
способами:
1) понизить плотность поверхностных состояний, например, об-
работкой растворами, содержащими серу,
2) использовать второй или третий тип контакта.
В большинстве областей применения полупроводников исполь-
зуется туннелирование носителей через тонкий потенциальный
барьер.
70
Подобные контакты с туннельным механизмом протекания тока
делят на два класса:
1) пассивные на основе металлического слоя, образующего оми-
ческий контакт с предварительно созданными областями проводи-
мости n+- или р+-типов;
2) активные, у которых металл (или один из компонентов спла-
ва) после нанесения на поверхность полупроводника диффундиру-
ет в глубь него или сплавляется с полупроводниковым материалом,
образуя области n+- или р+-типов.
2.5.2. Основные требования к материалам

и методы нанесения омических контактов
Рассмотрим вопрос о свойствах контактов в связи с созданием

солнечных элементов. Необходимо обеспечить выполнение сле-
дующих требований.
1. Контакт должен обладать довольно низким удельным сопро-
тивлением.
2. Для уменьшения сопротивления полос контактной сетки их,
как правило, значительно утолщают, погружая в расплавленный
припой. Металлическое контактное покрытие не должно разру-
шаться при такой термообработке.
3. Необходимо, чтобы характеристики контакта сохраняли ста-
бильность при осуществлении последующих высокотемператур-
ных технологических операций.
4. При наличии герметизирующего покрытия контакт должен
обладать устойчивостью к воздействию внешней среды в течение
продолжительного времени.
5. Необходимо максимально ограничить применение дорого-
стоящих и редких материалов.
6. В элементах с отражающим тыльным контактом следует при-
нимать во внимание оптический коэффициент отражения контакта.
Для нанесения слоя металла обычно используют вакуумное ис-
парение, ионное распыление, электрохимическое и химическое
осаждения и т.п. каждый метод обладает определенными достоин-
ствами. Для получения высокой концентрации примеси в поверх-
ностном слое применяют следующие методы легирования:
71
1) высокотемпературную диффузию из твердотельного источ-
ника или паровой фазы;
2) диффузию материала контакта (металла или сплава), напри-
мер цинка из структуры Au-Zn-Au в p-InP;
3) ионную имплантацию легирующей примеси с последующей
термообработкой для отжига дефектов и электроактивации примеси;
4) эпитаксиальное выращивание n+- или р+-слоев (что осущест-
вимо в том случае, когда активные слои СЭ создаются методами
химического осаждения из паровой фазы или жидкофазной эпитак-
сии);
5) сплавление материала контакта с полупроводником и его рек-
ристаллизация (образование так называемого сплавного контакта).
В кремниевых СЭ наиболее широко используются контактные
структуры Al–p-Si и Ag–Pd–Ti–n+-Si, получаемые методом вакуум-
ного испарения. Хотя серебро образует хороший туннельный кон-
такт с n+-Si, его адгезия неудовлетворительна. Введение тонкого
промежуточного слоя Ti способствует его улучшению, сохраняя
неизменными электрические свойства. Однако испытания СЭ в ес-
тественных условиях показали, что такие контакты корродируют.
При введении тонкого промежуточного слоя Pd или Mo, предот-
вращающего химическую реакцию, были получены контакты с хо-
рошими электрическими свойствами и высокой стабильностью.
Поскольку СЭ на основе AlGaAs предназначены для работы в
системах с концентраторами излучения, стоимость контактов не
является решающим фактором. Поэтому в них используются кон-
такты типа Ag – AuZn – p-AlGaAs (AgZn – p-GaAs) и Ni – AuGe –
Ni – n-GaAs.
______________________________________________________
1. Что называют электронно-дырочным переходом? Назовите виды p-

n-переходов.
2. Как на энергетической диаграмме p-n-перехода определяется высо-
та потенциального барьера? От чего она зависит?
3. Как выглядит энергетическая диаграмма p-n-перехода при прямом
и при обратном смещении?
4. Назовите механизмы поглощения света полупроводниками.
5. Что такое собственное поглощение полупроводников?
72
6. Что такое экситонное поглощение? Как данный тип поглощения
влияет на величину фототока?
7. Что такое примесное поглощение и поглощение кристаллической
решеткой?
8. В чем заключается фотовольтаический эффект в p-n-переходе?
9. Приведите уравнение, описывающее вольт-амперную характери-
стику идеального солнечного элемента.
10. Что такое гетерогенный p-n-переход? Каковы требования к мате-
риалам, образующим гетеропереход?
11. Объясните физический принцип работы структур с барьером
Шоттки.
12. Объясните физический принцип работы структур металл-
диэлектрик-полупроводник (МДП-структур).
13. Каковы основные характеристики омических контактов?
14. Назовите основные требования к материалам и методы нанесе-
ния омических контактов.
73
3. РАСЧЕТ КПД ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
3.1. Идеальный солнечный элемент, параметры

и характеристики работы, идеальная эффективность
преобразования
Широкое внедрение солнечной энергетики в космосе и на земле

ставит перед проектировщиками проблему оценки эффективности
работы фотоэлектрических систем (ФЭС). Необходимо иметь воз-
можность предсказать мощность солнечных батарей под действием
разнообразных факторов окружающей среды, сравнить эффектив-
ность использования СБ из различных материалов, оценить пове-
дение фотоэлектрических преобразователей в различных режимах
работы. Предсказание поведения и воспроизведение характеристик
СЭ и СБ осуществляется с помощью моделирования. По сравне-
нию с экспериментом, математическое моделирование предостав-
ляет более быстрый, гибкий и дешевый способ отработки ФЭС.
Для воспроизведения характеристик СЭ и СБ чаще всего исполь-
зуются аналитические модели, которые строятся на базе эквива-
лентной электрической схемы и основного уравнения СЭ [21].
В качестве входных параметров исследуемых СЭ и СБ исполь-
зуются значения тока короткого замыкания Iкз (или Isc в зарубежных
источниках), напряжения холостого хода Uхх (или Uoc), максималь-
ной мощности и температурные коэффициенты.
В зависимости от условий эксплуатации входными данными
модели СБ также являются различные уровни освещенности и
спектральный состав падающего излучения, затенение отдельных
элементов, коэффициент потерь падающего излучения, характери-
стики полупроводникового материала СЭ и его паразитные пара-
метры, рабочая температура СБ, потоки радиационного облучения
на орбите, коэффициент потерь, учитывающий воздействие дест-
руктивных факторов и старение СЭ, коэффициенты разброса тех-
нологических параметров, способ объединения СЭ в батарею [19].
Выходные параметры модели СЭ: максимальная мощность, КПД,
коэффициент заполнения FF, ВАХ, зависимость выходной емко-
сти от рабочего напряжения.
Рассмотрим физический смысл параметров и характеристик исхо-
дя из принципа действия СЭ.
74
3.1.1. Вольт-амперная характеристика идеального
солнечного элемента
Работа обычного полупроводникового СЭ (например, p-n-

перехода) зависит от ширины запрещенной зоны Eg полупроводни-
ка. Когда на элемент попадает солнечный свет, фотоны с энергией,
меньшей Eg, не дают вклада в выходную мощность элемента. Каж-
дый фотон с энергией, большей Eg, дает вклад в выходную мощ-
ность, равный Eg, а остальная часть энергии фотона переходит в
тепло [16]. Для работы СЭ необходимо, чтобы фотоэлектроны из
СЭ поступали во внешнюю цепь, отдавали полученную энергию во
внешней цепи и возвращались обратно.
В целом, основные стадии работы СЭ следующие [23]:
- генерация носителей под действием излучения;
- сбор сгенерированных носителей и получение тока;
- образование напряжения;
- рассеяние энергии через нагрузку и паразитные сопротивления.
Отметим, что последнюю стадию важно учитывать при рас-
смотрении работы реальных солнечных элементов и анализа эф-
фективности их функционирования.
Рассмотрим первые три перечисленные стадии.
При облучении СЭ светом с энергией фотонов, превышающей
энергию запрещенной зоны, в нем будут создаваться электронно-
дырочные пары. Созданные электроны и дырки могут рекомбини-
ровать и, следовательно, не будут вносить вклад в создаваемую СЭ
мощность. Если носители разделяются полем p-n-перехода, то это
предотвращает их рекомбинацию. Вероятность разделения носите-
лей, появившихся в обедненной области, равна единице, так как все
электроны и дырки сразу же разделяются полем.
Вероятность разделения падает с увеличением расстояния до
перехода. На расстоянии, превышающем диффузионную длину,
вероятность разделения носителей очень мала. Также вероятность
разделения мала вблизи поверхности, являющейся областью с вы-
сокой скоростью рекомбинации.
Поскольку фототок в СЭ создается в результате генерации и
разделения неравновесных носителей, то скорость генерации и ве-
роятность разделения имеют определяющее значение для его обра-
зования.
75
Фототок в СЭ можно представить как интеграл по всей толщине
устройства от скорости генерации в определенной точке, умножен-
ной на вероятность разделения носителей в этой точке. Плотность
фототока JL с произвольной скоростью генерации G(x) и вероятно-
стью разделения CP(x) определяется формулой [23]:
W
J L = q ∫ G ( x)CP( x)dx =
0
W
(3.1)
= q ∫ ⎡ ∫ α(λ) H 0 exp( −α(λ) x)d λ ⎤CP( x)dx,
⎣ ⎦
0
где q – заряд электрона; W – толщина устройства; α(λ) – коэффици-
ент поглощения; H0 – число фотонов определенной длины волны.
Скорость генерации электронно-дырочных пар на расстоянии x
от поверхности полупроводника (рис. 3.1, а) определяется выраже-
нием [16]
G ( λ, x ) = α ( λ ) F ( λ ) ⎡⎣1 − R ( λ ) ⎤⎦ exp ( −α ( λ ) x ) , (3.2)
где F(λ) – плотность потока падающих фотонов в единичном спек-
тральном интервале; R(λ) – доля фотонов, отражающихся от
поверхности.
В солнечном элементе с резким р-n-переходом и постоянными
уровнями легирования по обеим сторонам перехода (рис. 3.1, б и в)
вне обедненной области (т.е. области p-n-перехода) электрическое
поле отсутствует.
Фототок возникает вследствие генерации носителей внутри
обедненного слоя. В этой области электрическое поле настолько
велико, что электроны и дырки, появляющиеся под действием све-
та, выносятся из обедненного слоя еще до того, как успеют
рекомбинировать между собой. Поэтому фототок обедненного слоя
в единичном спектральном интервале равен числу фотонов, по-
глощаемых в этом слое в единицу времени [16]:
( )
J dr = qF (1 − R ) exp −αx j ⎡⎣1 − exp ( −αW ) ⎤⎦ , (3.3)
где W – ширина обедненного слоя.
Полный фототок, возникающий при поглощении света с задан-
ной длиной волны, равен:
J L ( λ ) = J p ( λ ) + J n ( λ ) + J dr ( λ ) , (3.4)
76
где Jp(λ) и Jn(λ) – плотность дырочного и электронного фототока
соответственно.
Рис. 3.1. Зависимость скорости генерации электронно-дырочных пар

от расстояния от поверхности для длинноволнового и коротковолнового света (а),
размеры солнечного элемента и характерные длины диффузии неосновных
носителей (б), а также предполагаемый профиль легирования солнечного
элемента (в) [16]
Отметим, что дырочный фототок будет коллектироваться с

лицевой стороны n-p-перехода солнечного элемента с р-базой при
заданной длине волны падающего излучения и в предположении,
что время жизни носителей, их подвижность и уровень легирова-
ния в этой области постоянны.
77
Если эмиттер и база СЭ соединить между собой, то носители,
сгенерированные светом, будут протекать через внешнюю цепь.
Такой ток носителей называется током короткого замыкания.
Таким образом, ток короткого замыкания – это ток, протекаю-
щий через СЭ, когда напряжение равно нулю (то есть когда СЭ
замкнут накоротко). Ток короткого замыкания обычно обозначает-
ся как Iкз. Получим выражение для тока короткого замыкания, по-
скольку данный параметр имеет важное значение для характери-
стики работы солнечного элемента.
В идеальном СЭ при условии умеренных резистивных потерь
ток короткого замыкания равен световому току. Поэтому ток ко-
роткого замыкания можно считать максимальным током, который
способен создать СЭ.
Ток короткого замыкания зависит от ряда параметров [20]: пло-
щади СЭ, мощности падающего излучения и его спектра, оптиче-
ских свойств материала СЭ, пассивации поверхности и времени
жизни неосновных носителей в базе. Отметим, что обычно вместо
тока короткого замыкания рассматривают плотность тока короткого
замыкания (Iкз в мА/см2). Это позволяет не учитывать площадь СЭ.
При сравнении однотипных СЭ критическим параметром явля-
ется диффузионная длина и пассивация поверхности. В СЭ с иде-
ально пассивированной поверхностью и равномерной генерацией
ток короткого замыкания можно записать, как
I кз = qG ( Ln + L p ), (3.5)
где G – скорость генерации; Ln и Lp диффузионная длина электро-
нов и дырок соответственно.
Хотя это уравнение использует некоторые допущения, не вы-
полняющиеся в большинстве реальных СЭ, оно показывает, что ток
короткого замыкания сильно зависит от скорости генерации и
диффузионной длины [20].
Разделение носителей, сгенерированных светом, само по себе не
ведет к производству энергии. Для того чтобы получить энергию,
вместе с током нужно создать напряжение. Напряжение в СЭ соз-
дается в процессе фотоэффекта.
Как уже отмечалось, разделение носителей, сгенерированных
светом, приводит к тому, что электроны оказываются в n-области, а
дырки – в p-области. При коротком замыкании заряды в этих об-
ластях не накапливаются, а уходят из СЭ в виде светового тока.
78
Однако если для сгенерированных носителей создать препятствие,
то разделение носителей будет приводить к увеличению количест-
ва электронов в n-области и дырок в p-области. В результате в p-n-
переходе будет создано поле, направленное противоположно уже
существующему полю в обедненной области. Результирующее по-
ле, таким образом, уменьшается. Так как электрическое поле явля-
ется барьером для протекания прямого диффузионного тока, его
уменьшение увеличивает диффузионный ток. Устанавливается но-
вое равновесие, при котором в p-n-переходе образуется напряжение
[20].
Ток СЭ будет определяться разностью между фототоком и то-
ком прямого смещения. Если цепь разомкнута, диффузионный ток
прямого смещения в p-n-переходе увеличивается на столько, что
полностью компенсирует световой ток, и суммарный ток обраща-
ется в нуль.
Напряжение, необходимое для уравновешивания этих двух то-
ков, называется напряжением холостого хода.
Таким образом, напряжение холостого хода Uхх – это макси-
мальное напряжение, создаваемое СЭ и возникающее при нулевом
токе. Напряжение холостого хода равно прямому смещению, соот-
ветствующему изменению напряжения p-n-перехода при появлении
фототока. Выражение для расчета напряжения холостого хода бу-
дет приведено ниже.
При равновесии (то есть в темноте) диффузионный и дрейфовый
токи незначительны. При коротком замыкании концентрация неос-
новных носителей на обеих сторонах перехода увеличивается и ток
дрейфа, который зависит от числа неосновных носителей, также
увеличивается. При разомкнутой цепи сгенерированные светом
носители смещают переход в прямом направлении, увеличивая
диффузионный ток. Так как токи дрейфа и диффузия направлены
противоположно, суммарный ток СЭ становится равным нулю.
Рассмотрим диаграмму энергетических зон освещаемого р-n-
перехода (рис. 3.2, а). Предположим, что солнечный элемент имеет
идеальную ВАХ. Соответствующая эквивалентная цепь показана
на рис. 3.2, б, где параллельно переходу введен источник
постоянного тока IL, называемый фототоком и описывающий
возбуждение неравновесных носителей солнечным излучением.
79
б
Рис. 3.2. Энергетическая диаграмма солнечного элемента с p-n-переходом
при солнечном освещении (а) и идеализированная эквивалентная схема
солнечного элемента (б) [16]
Отметим, что ВАХ СЭ представляет собой суперпозицию ВАХ

диода в темноте и фототока СЭ (IL). Диод представляет собой
неосвещенный p-n-переход. Под действием света ВАХ смещается
вниз в четвертую четверть, в которой находится полезная мощ-
ность.
ВАХ такого прибора (идеальный случай) определяется выраже-
нием:
( )
I (U ) = I s eqU kT − 1 − I L , (3.6)
где Is – темновой ток диода; IL – фототок (световой ток); RL – нагру-
зочное сопротивление.
При варьировании RL фототок перераспределяется между на-
грузкой и p-n-переходом.
Плотность темнового тока рассчитывается как [16]:
⎛ 1 D 1 D p ⎞ − Eg kT
J s = I s S = qni2 ⎜ n
+ ⎟e , (3.7)
⎜ N a τn N d τ p ⎟
⎝ ⎠
80
где S – площадь прибора (p-n-перехода); q – заряд электрона; ni –
собственная концентрация носителей заряда; Na и Nd – концентра-
ции акцепторной и донорной примесей; τn и τp – время жизни элек-
тронов и дырок; Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и
дырок.
Например, для кремниевого СЭ минимальное значение
плотности темнового тока, полученное из формулы (3.7) при
300 К, составляет примерно 10–15 А/см2.
Следует отметить, что существуют условия, когда фототок (IL)
и ток короткого замыкания Iкз (или Isc) не эквивалентны друг другу.
В частности, в случае очень высокой плотности последовательного
сопротивления (>10 Ом см2) Iкз становится меньше IL и использо-
вать его в уравнении СЭ не правильно. Также следует учитывать,
что в некоторых СЭ IL зависит не только от падающего излучения,
но и от напряжения [20].
График ВАХ, определяемой формулой (3.6), приведен на рис.
3.3, а для следующих параметров: IL = 100 мА, Is = 1 нА, S = 4 см2 и
Т = 300 К.
Рис. 3.3. ВАХ освещенного солнечного элемента [16]
Поскольку ВАХ проходит через четвертый квадрант, это озна-

чает, что прибор служит источником энергии. При соответствую-
щем подборе нагрузочного сопротивления вырабатываемая энергия
может достигать 80 % произведения Iкз⋅Uхх (Iкз – ток короткого за-
мыкания (Isc), Uхх – напряжение холостого хода элементов (Uoc)).
81
Чаще ВАХ элемента изображают так, как показано на рис. 3.3,б.
Из рисунка видно, что значения Iкз и Uхх можно определить графи-
чески как точки пересечения ВАХ с осями тока (Iкз) и напряжения
(Uхх).
На рис. 3.3,б также определены величины Im и Um – значения
тока и напряжения, при которых реализуется максимальная выход-
ная мощность Pm (Pm= ImUm).
В целом ВАХ солнечного элемента показывает зависимость
выходного тока солнечного элемента от напряжения на его выво-
дах. При изменении величины светового потока, падающего на
солнечный элемент, его ВАХ изменяется. Поэтому для получения
достоверных значений стремятся добиться стандартных условий
измерения, при которых каждый из тестируемых образцов нахо-
дился бы в одинаковом состоянии [3].
3.1.2. Идеальная эффективность преобразования СЭ
Для определения степени идеальности солнечного элемента рас-

сматривается значение идеальной эффективности преобразования.
Рассмотрим методику расчета идеальной эффективности пре-
образования [16]. Из уравнения (3.6) получаем, что напряжение
холостого хода (при I = 0) равно
kT ⎛ I L ⎞ kT ⎛ I L ⎞
U хх = ln ⎜ + 1⎟ ≈ ln ⎜ ⎟ . (3.8)
q ⎝ Is ⎠ q ⎝ Is ⎠
Это уравнение показывает, что Uхх зависит от темнового тока
СЭ и фототока. При заданном токе IL напряжение холостого хода
логарифмически возрастает при уменьшении темнового тока Is
Обычно Iкз изменяется незначительно, поэтому основное влияние
на Uхх оказывает темновой ток, который зависит от рекомбинации
в СЭ. Значит, напряжение холостого хода характеризует рекомби-
нацию в устройстве.
Напряжение холостого хода монокристаллических кремниевых
СЭ высокого качества достигает 730 мВ при условии АМ1,5, С = 1
солнце. В коммерческих устройствах оно обычно находится на
уровне около 600 мВ [20].
Параметр Uхх также можно определить, зная концентрацию но-
сителей:
82
kT ⎛ ( N a + Δn ) Δn ⎞
Uхх = ln ⎜ ⎟, (3.9)
q ⎝ ni2 ⎠
где kT/q – тепловое напряжение; Nа – концентрация легирующей
примеси; Δn – концентрация избыточных носителей; ni – собст-
венная концентрация.
Определим с учетом (3.6) выражение для мощности:
P = IU = I sU (e qU kT − 1) − I LU . (3.10)
Определим условия, при которых мощность максимальна. Для
этого найдем производную, приравняем ее нулю. Из условие
максимума (dP/dU = 0), получим [16]:
⎛ 1 ⎞
I m = I s β U m eβ U m ≅ I L ⎜ 1 − ⎟, (3.11)
⎝ βU m ⎠
1 ⎛ I I +1⎞ 1
U m = ln ⎜ L s ⎟ ≅ U хх − ln (1 + βU m ) , (3.12)
β ⎝ 1 + βU m ⎠ β
где β = q/kT.
Важным параметром работы СЭ является характеристическое
сопротивление. Это выходное сопротивление СЭ, когда он работа-
ет в режиме максимальной мощности. Если сопротивление нагруз-
ки равно характеристическому сопротивлению СЭ, то вся мощ-
ность передается на нагрузку и мощность СЭ максимальна. Опре-
U
деляется данный параметр по формуле R = m .
Im
Исходя из уравнений (3.10)–(3.12) получим выражение для мак-
симальной выходной мощности:
⎡ 1 1⎤
Pm = I mU m ≅ I L ⎢U хх − ln (1 + βU m ) − ⎥ = I L ( Em q ) , (3.13)
⎣ β β⎦
где
⎡ 1 1⎤
Em ≡ q ⎢U хх − ln (1 + βU m ) − ⎥ . (3.14)
⎣ β β⎦
Величина Em соответствует той максимальной энергии, которая
выделяется в нагрузке при поглощении одного фотона и при опти-
мальном согласовании элемента с внешней цепью [16].
83
Если значения Js и JL известны, величину Еm можно получить с
помощью численного решения трансцендентных уравнений (3.9),
(3.11) и (3.14). Поскольку величина Em зависит от Js, она зависит
также от параметров материала (таких, как τ, D и уровни легирова-
ния) [16]. Идеальная эффективность преобразования реализуется
при оптимальном выборе параметров материала, когда величина Js
минимальна. Поведение Em для полупроводников с различной ши-
риной запрещенной зоны показано на рис. 3.4.
Рис. 3.4. Зависимость плотности потока фотонов в солнечном спектре от энергии

фотона и графический метод определения эффективности проеобразования [16]
Идеальная эффективность преобразования равна отношению

максимальной выходной мощности к внешней мощности (мощности
падающего излучения) Pin при стандартной плотности солнечной
радиации 1кВт/м2 (1000 Вт/м2):
P I ( E q)
η= m = L m = ⎡⎣U m2 I s ( q kT ) e qU m kT ⎤⎦ Pin . (3.15)
Pin Pin
Например, при КПД = 10 % с 1м2 СЭ можно получить 100 Вт
электрической мощности.
Также идеальная эффективность преобразования может быть
определена графически из рис. 3.4 как отношение площади прямо-
угольника со сторонами Em и nph к площади под кривой 1. Макси-
84
мальная эффективность оказывается равной 31% и достигается при
Еg =1,35 эВ, если использовать параметры материала, характерные
для полупроводников типа А3В5.
На рис. 3.5 приведена зависимость КПД = f (Eg) при 300 К. Кри-
вая с отметкой С = 1 соответствует АМ1,5. Небольшие осцилляции
на ней связаны с характером поглощения излучения в атмосфере.
Отметим, что кривая эффективности имеет широкий максимум, в
пределах которого КПД слабо зависит от Eg. Поэтому все полупро-
водники, которые имеют ширину запрещенной зоны от 1 до 2 эВ,
относятся к материалам, пригодным для создания солнечных
элементов [16]. Реальные значения эффективности преобразования
ниже идеальных из-за ряда процессов, которые будут рассмотрены
ниже.
Рис. 3.5. Зависимость идеального КПД солнечного элемента от Eg

при солнечном освещении и при 1000-кратной концентрации
солнечного излучения (Т = 300 К) [16]
На рис. 3.5 приведена также кривая идеальной эффективности

для случая оптически сконцентрированного излучения интенсив-
ностью 1000 солнц (т.е. 844 кВт/м2). Максимум идеальной эффек-
тивности преобразования возрастает с 31 % (без концентрации
солнечного излучения, т.е. С = 1) до 37 % (при 1000-кратной кон-
85
центрации солнечного излучения, т.е. С = 1000 солнц). Это возрас-
тание связано с увеличением Uхх, которое приводит к увеличению
Em в соответствии с формулой (3.14).
Заметим, что КПД является самым распространенным парамет-
ром, по которому можно осуществлять сравнение различных сол-
нечных элементов. Поскольку КПД также зависит от спектра, ин-
тенсивности падающего солнечного излучения и температуры СЭ,
то сравнение СЭ надо выполнять при одинаковых стандартных ус-
ловиях. Наземные СЭ измеряются при АМ1,5 и температуре 25 °С;
СЭ, предназначенные для использования в космосе, измеряются
при АМ0 [20].
Подчеркнем, что максимальное значение теоретического КПД
преобразования для СЭ с гомопереходом сильно зависит от шири-
ны запрещенной зоны материала [16].
Следует отметить сложную и неоднозначную зависимость иде-
ального КПД от ширины запрещенной зоны материала Eg. Видно,
что идеальная КПД СЭ снижается как при увеличении (для Eg
больше 1,9 эВ), так и при уменьшении (для Eg меньше 0, 8 эВ) ши-
рины запрещенной зоны полупроводникового материала.
Как уже говорилось, основная энергия солнечного излучения
распределена в диапазоне от 0,4 мкм (энергия квантов ~3 эВ) до
1 мкм (энергия квантов ~1,24 эВ). Поэтому фундаментальное по-
глощение материала, используемого для преобразования солнечно-
го излучения, должно находиться в этом диапазоне.
Также следует учитывать, что в однопереходных (однозонных)
СЭ, изготовленных из полупроводникового материала с шириной
запрещенной зоны Eg, в процессе преобразования солнечного излу-
чения участвуют фотоны с энергиями Eф ≥ Eg. Поэтому с увеличе-
нием Eg материала СЭ количество фотонов, участвующих в про-
цессе получения электричества, уменьшается, а следовательно,
уменьшается Iкз. Таким образом, уменьшение Eg позволяет полезно
использовать большую часть спектра излучения, т.е. повышает-
ся величина фототока, следовательно, и тока короткого замыкания,
что приводит к увеличению КПД преобразования.
С другой стороны, с увеличением Eg возрастает энергия фото-
нов, участвующих в процессе преобразования солнечного излуче-
ния, что приводит к росту Uxx. Таким образом, предельно высокую
эффективность достигают СЭ, изготовленные из полупроводнико-
86
вого материала, обеспечивающего максимальные значения произ-
ведения Iкз×Uxx.
Следует отметить, что для повышения эффективности преобра-
зования желательно, чтобы каждый фотон поглощался именно в
том месте активного слоя, в которой ширина запрещенной зоны
примерно равна энергии кванта, т.е. желательно иметь активную
область с переменной запрещенной зоной (варизонный материал).
На рис. 3.6. показаны зависимость плотности потока фотонов от
их энергии в спектре концентрированного солнечного излучения и
поведение плотности тока короткого замыкания JL. Также на рис.
3.6 приведена зонная диаграмма многокаскадного солнечного эле-
мента. В нем несколько p-n-переходов располагаются последова-
тельно друг за другом по мере уменьшения ширины запрещенной
зоны. Это приводит к поглощению излучения в более широкой
области и к росту КПД.
Рис. 3.6. Зависимость плотности потока фотонов от их энергии в спектре

концентрированного солнечного излучения и графический метод определения
КПД в каскадных солнечных элементах с последовательно соединенными
p-n-переходами [16]
Расчеты показывают, что для двух последовательных p-n-

переходов максимально возможный КПД достигает 50 % и реали-
87
зуется при Eg1 = 1,56 эВ и Eg2 = 0,94 эВ. Для трех переходов КПД
достигает 56 % при Eg1 = 1,75 эВ, Eg2 = 1,18 эВ и Eg3 = 0,75 эВ. При
дальнейшем увеличении числа переходов КПД растет очень медлен-
но. Так, при 36 переходах максимум КПД равен 72 % [16].
Следует отметить, что еще в 1955 г. была высказана идея о пре-
образовании всего спектра солнечного излучения, падающего на
определенную поверхность, путем использования набора СЭ, пре-
образующих соответствующие части солнечного спектра, с после-
дующим суммированием полученной электрической энергии. Реа-
лизация этой идеи осуществляется путем изготовления различных
сверхвысокоэффективных солнечных элементов (СВЭСЭ), преоб-
разующих большую часть солнечного спектра, а именно [36]:
- каскадных (тандемных, многопереходных, многозонных)
СВЭСЭ;
- многоспектральных СВЭСЭ, преобразующих разложенные на
спектральные полосы солнечного света с помощью соответствую-
щих СЭ, с последующим суммированием полученной электриче-
ской энергии;
- однопереходных СВЭСЭ на основе композитного полупровод-
никового материала.
Суммарная эффективность преобразования СВЭСЭ оказывается
выше предельной эффективность ВЭСЭ, созданного на основе лю-
бого полупроводникового материала, используемого при формиро-
вании СВЭСЭ.
Структура и принцип работы указанных СЭ будет рассмотрена в
последующих главах.
3.1.3. Коэффициент заполнения
Максимальные ток и напряжение, которые можно получить от

СЭ – это ток короткого замыкания и напряжение холостого хода.
Однако, мощность СЭ в обеих этих точках равна нулю. В качестве
параметра, характеризующего работу СЭ в точке максимальной
мощности, используется коэффициент заполнения, который обыч-
но обозначается «FF».
FF определяется, как отношение максимальной мощности СЭ к
произведению Uхх и Iкз:
88
I mU m
FF = . (3.16)
I кзU хх
Таким образом, фактор заполнения показывает, какая часть
мощности, вырабатываемой солнечным элементом, используется в
нагрузке. Значение фактора заполнения определяется выбором
режима работы солнечного элемента, то есть значениями Uхх и Iкз.
С учетом (3.16) выражение для нахождения эффективности
преобразования (КПД) элемента можно записать в виде
I U FF ⋅ I L ⋅ U хх
η= m m = , (3.17)
Pin Pin
где Pin – внешняя мощность (мощность падающего излучения).
Графически FF представляет собой меру квадратичности СЭ и
равен максимальной площади прямоугольника, который можно
вписать в вольтамперную кривую (рис. 3.7):
S
FF = A . (3.20)
SB
где S – площади прямоугольников, SA = ImUm, SB = IкзUхх.
Так как FF является мерой квадратичности вольт-амперной
кривой, то СЭ с более высоким напряжением будет иметь более
большой возможный FF. Это следует из того, что закругленная
часть кривой занимает меньше места.
Рис. 3.7. Зависимость выходного тока СЭ от напряжения
Для определения максимального значения фактора заполнения

часто используют следующее эмпирическое уравнение [20]:
89
U xx − ln(U xx + 0,72)
FF = . (3.19)
U xx + 1
Это уравнение показывает, что чем больше напряжение, тем
больше теоретическое значение FF. Для СЭ, выполненных по оди-
наковой технологии и из одного материала, значения Uхх обычно
отличаются не очень сильно. FF может различаться существенно
для СЭ из разных материалов. Отметим, что на практике FF всегда
ниже идеального значения из-за наличия в цепи паразитных со-
противлений. Фактор заполнения измеряется в процентах и варьи-
руется от 50 до 85 % для различных типов СЭ.
3.1.4. Квантовая эффективность и спектральная

чувствительность
На практике, для оценки характеристики работы СЭ анализи-

руется его спектральная характеристика (спектральный отклик),
которая представляет собой зависимость величины квантовой эф-
фективности от длины волны падающего излучения.
Спектральный отклик SR равен отношению фототока к вели-
чине qF, если речь идет о наблюдаемом (внешнем) отклике, или
к величине qF(1 – R), если речь идет о внутреннем спектральном
отклике [16]:
1
SR ( λ ) = ⎡ J p ( λ ) + J n ( λ ) + J dr ( λ ) ⎤⎦ . (3.20)
qF ( λ ) ⎡⎣1 − R ( λ ) ⎤⎦ ⎣
где F(λ) – плотность потока падающих фотонов в единичном спек-
тральном интервале; R(λ) – доля фотонов, отражающихся от
поверхности.
Квантовая эффективность – это отношение числа носителей,
собранных солнечным элементом, к числу фотонов данной энер-
гии, падающих на солнечный элемент. Данная величина представ-
ляет собой функцию энергии, либо функцию длины волны и явля-
ется количественной мерой световой чувствительности.
Квантовая эффективность равна единице, если были поглоще-
ны все фотоны определенной длины волны и собраны все неоснов-
ные носители. Квантовая эффективность фотонов с энергией,
меньшей энергии запрещенной зоны, равна нулю.
90
Отметим, что квантовая эффективность большинства реальных
СЭ уменьшается в связи с наличием рекомбинации, в то время как
кривая идеальной квантовой эффективности имеет квадратную
форму. Обусловлено это процессами и факторами, влияющими на
вероятность разделения носителей.
Например, наблюдается снижение квантовой эффективности в
кремниевых СЭ в синей части спектра, так как пассивация лицевой
поверхности кремниевого СЭ оказывает влияние на носители, рож-
денные около поверхности. Поскольку синий свет поглощается
очень близко к поверхности, высокая скорость поверхностной ре-
комбинации понижает значение квантовой эффективности в дан-
ной области спектра. Аналогичное уменьшение квантовой эффек-
тивности наблюдается в зеленой части спектра. Большая часть зе-
леного света поглощается в объеме полупроводника, и низкая диф-
фузионная длина будет влиять на вероятность разделения носите-
лей, рожденных в объеме СЭ, и уменьшать квантовую эффектив-
ность.
На рис. 3.8,а показан реальный внутренний спектральный от-
клик для кремниевого СЭ с p-базой. Этот отклик существенно от-
личается от идеальной ступеньки при больших энергиях фотонов.
Рис. 3.8. Рассчитанный внутренний спектральный отклик кремниевого элемента

с p-базой (а) (отдельно приведены вклады каждой из трех областей)
и тот же рассчитанный отклик с p-базой при разных скоростях поверхностной
рекомбинации (б) [5]
Также на рис. 3.8, а проведены расчетные зависимости вклада

каждой из трех областей (трех компонент тока). Здесь исполь-
зовались следующие параметры прибора: Nd = 5⋅1019 см-3, NA =
91
=1,5⋅1016 см-3, τр = 0,4 мкс, τn = 10 мкс, xj = 0,5 мкм, толщина эле-
мента Н = 450 мкм, лицевая поверхность Sp = 104 см/c, тыловая по-
верхность Sn = ∞.
При поглощении фотонов с низкими энергиями основная доля
носителей генерируется в базовой области, поскольку коэффициент
поглощения в кремнии при этом мал. Если же энергия фотонов
превышает 2,5 эВ, основной вклад в фототок вносит лицевой слой.
При энергиях фотонов выше 3,5 эВ α превышает 106 см-1, и спек-
тральный отклик полностью определяется лицевым слоем. По-
скольку величина Sp предполагается достаточно большой, поверх-
ностная рекомбинация на лицевой поверхности элемента приводит
к значительному уменьшению спектрального отклика по сравне-
нию с идеальным значением [16].
Скорость поверхностной рекомбинации Sp сильно влияет на
спектральный отклик, особенно при высоких энергиях фотонов. На
рис. 3.8, б приведены кривые спектрального отклика для приборов
с теми же параметрами, что и на рис. 3.8, а, но с одним отличием:
здесь Sp меняется в диапазоне 102–106 см/с.
Следует отметить сильное уменьшение спектрального отклика при
увеличении Sp. При заданной величине Sp спектральный отклик улуч-
шается при увеличении диффузионной длины Lp. В общем случае для
увеличения спектрального отклика в диапазоне используемых длин
волн следует уменьшать Sn и Sp и увеличивать Ln и Lp [16].
Важной характеристикой СЭ является его спектральная чув-
ствительность. Под спектральной чувствительностью СЭ пони-
мается зависимость тока короткого замыкания (фототока, напря-
жения холостого хода) от длины волны падающего монохромати-
ческого излучения, нормированная на единицу энергии падающего
излучения данной длины волны.
Спектральная чувствительность отличается от квантовой эф-
фективности следующим. Квантовая эффективность дает число
электронов на выходе из СЭ, отнесенное к числу падающих фото-
нов, в то время как спектральная чувствительность определяется
как отношение тока, произведенного СЭ, к мощности падающего
на него излучения. Кривая спектральной чувствительности приве-
дена на рис. 3.9.
Поскольку стекло поглощает большую часть коротковолнового
излучения, то чувствительность СЭ в этой области очень низкая.
92
Посередине графика спектральная чувствительность приближается
к идеальному значению. В длинноволновой части чувствитель-
ность снова падает до нуля.
Рис. 3.9. Спектральная чувствительность идеального (1) и реального (2)

кремниевого СЭ под стеклом [20]
Идеальная спектральная чувствительность (кривая 1, рис. 3.9.)

ограничена для длинных волн, поскольку фотоны с энергиями
меньше энергии запрещенной зоны не поглощаются. Этот предел
аналогичен и для кривых квантовой эффективности. Однако в от-
личие от резкого обрывания кривой квантовой эффективности,
кривая спектральной чувствительности плавно убывает в коротко-
волновой области.
Коротковолновое излучение имеет большую энергию, что при-
водит к уменьшению отношения числа фотонов к энергии. Часть
энергии, превышающей ширину запрещенной зоны, не использует-
ся СЭ и рассеивается в виде тепла. Таким образом, невозможность
использования фотонов с малыми энергиями и излишек энергии
коротковолновых фотонов являются значительными источниками
потерь энергии в однопереходных СЭ [20].
Спектральная чувствительность является важной характеристи-
кой, так как ее можно непосредственно измерить. Далее из нее
можно рассчитать квантовую эффективность. Это делается путем
замены мощности излучения определенной длины волны на поток
фотонов этой длины волны.
93
3.2. Вольт-амперные характеристики реальных СЭ
Рассмотрим эквивалентную схему реального СЭ (рис. 3.10). Она

отличается от схемы идеального СЭ наличием паразитных сопро-
тивлений – последовательного сопротивления Rs, обусловленного
омическим падением напряжения на лицевом контакте, и шунти-
рующего параллельного сопротивления Rsh, обусловленного токами
утечки.
Рис. 3.10. Эквивалентная схема реального солнечного элемента:

IL – фототок; Is – темновой ток; I – ток в нагрузке (выходной) [16]
Существуют три источника последовательного сопротивления в

СЭ [20]:
- движение носителей через базу и эмиттер;
- контактное сопротивление между полупроводником и метал-
лом;
- сопротивление лицевых и тыльного контактов.
Последовательное сопротивление солнечного элемента зависит
от глубины залегания перехода, концентрации примесей в п- и p-
областях и от конструкции лицевого омического контакта.
Наличие последовательного сопротивления влияет главным об-
разом на коэффициент заполнения. В то же время при достаточно
больших значениях последовательного сопротивления уменьшает-
ся также и ток короткого замыкания.
Последовательное сопротивление не влияет на СЭ при разомк-
нутой цепи, так как через СЭ не течет ток, и последовательное со-
противление равно нулю. Однако вольтамперная кривая сильно
зависит от последовательного сопротивления около точки напря-
жения холостого хода. Поэтому для определения последовательно-
го сопротивления из ВАХ следует найти наклон кривой в точке на-
пряжения холостого хода.
94
Падение мощности на последовательном сопротивлении чаще
всего возникает в результате дефектов, возникающих при произ-
водстве.
Для типичного кремниевого СЭ с одним гомопереходом,
последовательное сопротивление составляет ~0,7 Ом для элемен-
тов с p-базой и ~0,4 Ом для элементов с n-базой.
Низкое параллельное сопротивление приводит к потере мощно-
сти в СЭ, создавая альтернативные каналы протекания фототока. В
результате наличия параллельного сопротивления уменьшается
сила тока, протекающего через p-n-переход и напряжение СЭ.
Влияние параллельного сопротивления особенно значительно при
низкой интенсивности излучения, дающей небольшой фототок.
При падении интенсивности изменяется напряжение смещения и
ток через СЭ, эквивалентное сопротивление может начать прибли-
жаться к параллельному. При равенстве последовательного и па-
раллельного сопротивлений увеличивается доля тока, протекающе-
го через параллельное сопротивление, таким образом увеличивая
потери мощности на нем. Следовательно, при облачной погоде, СЭ
с большим параллельным сопротивлением теряет больше энергии,
чем СЭ с маленьким Rsh. Кроме того, воздействие параллельного
сопротивления становится ощутимым при низких напряжениях в
местах с небольшим эффективным сопротивлением [20].
Значение параллельного сопротивления можно оценить по на-
клону вольт-амперной кривой около точки тока короткого замыка-
ния. ВАХ реального солнечного элемента описывается уравнением
[16]:
⎛ I + I L U − IRs ⎞ q
ln ⎜ − + 1⎟ = (U − IRs ) . (3.21)
⎝ Is I s Rsh ⎠ kT
Решения этого уравнения при различных комбинациях парамет-
ров Rs и Rsh приведены на рис. 3.11. Видно, что шунтирующее со-
противление, даже такое малое, как 100 Ом, не влияет заметно на
выходную мощность прибора, тогда как даже весьма небольшое
последовательное сопротивление 5 Ом снижает выходную мощ-
ность более чем на 30 % по сравнению с оптимальной величиной,
достигаемой при Rs = 0. Поэтому в дальнейшем мы будем пренеб-
регать влиянием Rsh. Тогда ток по внешней цепи и выходная мощ-
ность определяются соответственно выражениями
95
⎧ ⎡ q(U − IRs ) ⎤ ⎫
I = I s ⎨exp ⎢ ⎥ − 1⎬ − I L , (3.22)
⎩ ⎣ kT ⎦ ⎭
⎡ kT ⎛ I + I L ⎞ ⎤
P = IU = I ⎢ ln ⎜ + 1⎟ + IRs ⎥ . (3.23)
⎣⎢ q ⎝ I s ⎠ ⎦⎥
Рис. 3.11. Теоретические вольтамперные характеристики солнечного элемента

при различных значениях последовательного и параллельного сопротивлений [16]
Относительный максимум выходной мощности составляет 1; 0,77;

0,57; 0,27 и 0,14 при Rs, равном соответственно 0; 1; 2; 5 и 10 Ом.
В реальных солнечных элементах прямой ток может опреде-
ляться рекомбинацией носителей в обедненном слое. При этом эф-
фективность преобразования, вообще говоря, ниже, чем в идеаль-
ном диоде. В случае одноуровневых рекомбинационных центров
рекомбинационный ток можно записать в виде [16]
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
I rec = I s′ ⎢ exp ⎜ ⎟ − 1⎥ , (3.24)
⎣ ⎝ 2kT ⎠ ⎦
где
I s' qnW
= . (3.25)
S τ p τn
где S – площадь p-n-перехода.
96
Эффективность преобразования в том случае, когда прямой ток
определяется рекомбинацией в обедненном слое, оказывается зна-
чительно меньше, чем в идеальном диоде, что обусловлено умень-
шением как Uхх, так и фактора заполнения. В кремниевых СЭ при
300 К рекомбинационный ток приводит к снижению эффективно-
сти преобразования на 25 %.
В СЭ, в которых диффузионный и рекомбинационный токи
сравнимы по величине или содержится много дефектов, экспонен-
циальная зависимость прямого тока от смещения перехода может
иметь вид exp(qU/nkT), где величина п называется фактором
идеальности. Обычно эффективность преобразования уменьшается
с увеличением п. Значения п приведдены в табл. 3.1.
Таблица 3.1
Значения фактора идеальности [20]
Значение
Вид
фактора Описание
рекомбинации
идеальности
Межзонная (низкий Рекомбинация ограничена неос-
1
уровень инжекции) новными носителями
Межзонная (высокий Рекомбинация ограниченная но-
2
уровень инжекции) сителями обоих типов
Для рекомбинации необходимы
Оже-рекомбинация 2/3 два основных и один неосновной
носитель
Область пространствен- Два носителя ограничивают ре-
2
ного заряда (переход) комбинацию
Величина фактора идеальности характеризует качество p-n пе-

рехода и показывает, на сколько близки характеристики реального
и идеального диодов и говорит о виде рекомбинации в СЭ. При
наличии обычных механизмов рекомбинации (межзонная рекомби-
нации и рекомбинация через примесные центры), n-фактор равен 1.
Однако в других случаях значение параметра n может принимать
значения 2/3 и 2.
Высокое значение n уменьшает не только FF, но и напряжение
холостого хода, так как оно свидетельствует о наличие высокой
скорости рекомбинации [20].
97
3.3. Влияние температуры и радиации на КПД
солнечного элемента
3.3.1. Влияние температуры на ВАХ СЭ
Как и все остальные полупроводниковые приборы, СЭ чувстви-

тельны к изменению температуры. Изменение температуры влияет
на такие параметры СЭ, как напряжение холостого хода, ток ко-
роткого замыкания, коэффициент заполнения, КПД. Увеличение
температуры уменьшает ширину запрещенной зоны полупровод-
ника, изменяя большинство его характеристик. Это может предста-
вить, как увеличение энергии электронов в валентной зоне, поэто-
му теперь для перехода в свободное состояние необходимо меньше
энергии.
Параметром, наиболее подверженным изменению температуры,
является напряжение холостого хода. Напряжение холостого хода
уменьшается с увеличением температуры из-за зависимости от
темнового тока (Is).
Уравнение для Is на одной из сторон СЭ записывается, как:
Dni2
Is = qS , (3.26)
LN D
где q – заряд электрона; D – коэффициент диффузии неосновных
носителей; L – диффузионная длина неосновных носителей; ND –
коэффициент легирования; ni – собственная концентрация носите-
лей, S – площадь прибора (p-n-перехода).
Большая часть параметров, входящих в это уравнение, зависят
от температуры, но наиболее сильно эта зависимость проявляется
для собственной концентрации носителей ni. Собственная концен-
трация носителей зависит от энергии запрещенной зоны (чем
меньше ширина запрещенной зоны, тем выше концентрация) и от
энергии носителей (чем выше температура, тем больше энергия).
Для кремниевых СЭ вблизи комнатной температуры Is удваивается
примерно каждые 10 °С. В результате, для кремния температурная
чувствительность СЭ от напряжения холостого хода составляет
2,2 мВ/°С. Отметим, что чем выше напряжение СЭ, тем меньше он
зависит от температуры [20].
98
Ток короткого замыкания увеличивается при увеличении темпера-
туры, так как при уменьшении ширины запрещенной зоны увеличива-
ется количество фотонов, способных создать электронно-дырочные
пары. Однако этот эффект незначительный. Величина Uхх при этом
уменьшается быстрее за счет экспоненциальной зависимости тока
насыщения от температуры. Кроме того, более плавная форма ВАХ
при повышенных температурах приводит к уменьшению фактора
заполнения. Поэтому в целом повышение температуры приводит к
уменьшению эффективности преобразования.
Нормированные значения КПД для СБ на кремнии (Si) и арсе-
ниде галлия (GaAs) приведены на рис. 3.12.
В условиях протекания идеального тока эффективность линейно
уменьшается с возрастанием температуры вплоть до ∼200 °С для Si
и до ∼300 °С для GaAs. При протекании рекомбинационного тока
КПД при 20 °С на ~25 % ниже. И в этом случае КПД также умень-
шается с уве-личением температуры примерно по линейному закону
[5]. Из рис. 3.12 видно, что по-
вышение рабочей температуры
элемента всегда приводит к
снижению КПД.
Температурные зависимости
фотоэлектрических параметров
других типов приборов с гете-
ропереходом или барьером
Шоттки, в которых протекание
тока связано главным образом с
тепловой инжекцией носителей
заряда, качественно аналогичны
рассмотренным [10].
В гетеропереходах при по-
вышенных температурах обыч-
но довольно резко возрастает
Uхх при увеличении ширины Рис. 3.12. Нормированная эффективность
преобразования для солнечных
запрещенной зоны узкозонного элементов с p-n-переходами на GaAs (1)
полупроводника. Поэтому ши- и Si (2) при идеальном (сплошные
рокозонные материалы в боль- линии) и рекомбинационном
шей степени подходят для ис- (штриховые линии) токах перехода [16]
99
пользования в сочетании с концентраторами излучения и в высоко-
температурных системах других типов.
При работе элементов в условиях низкой температуры возника-
ют следующие проблемы. Если подвижность носителей заряда оп-
ределяется их рассеянием заряженными примесями, то возможно
значительное уменьшение диффузионной длины неосновных носи-
телей L и, следовательно, тока короткого замыкания. Также при низ-
ких температурах контакты могут утратить свои омические свойст-
ва. В кремниевых СЭ последняя проблема в значительной мере уст-
ранена благодаря созданию на тыльной поверхности (посредством
диффузии алюминия) р+-слоя [10].
3.3.2. Влияние радиации на КПД солнечного элемента
Деградация СЭ под воздействием высокопроникающей радиа-

ции – основная проблема при использовании их в космосе. Без спе-
циальных мер защиты элемент, пронизываемый интенсивными по-
токами частиц, полностью деградировал бы в течение нескольких
дней. Поскольку энергетическое питание почти всех космических
аппаратов осуществляется с помощью СЭ, эта проблема вызывает
особую заботу разработчиков СБ [10].
Основным проявлением радиационного повреждения является
увеличение концентрации дефектов в полупроводнике, которое
обусловливает уменьшение времени жизни неосновных носителей
заряда и, как неизбежное следствие, снижение КПД СЭ. Макси-
мально допустимые пределы радиационного повреждения зависят
от концентрации и типа легирующей примеси, и значительное рас-
ширение этих пределов возможно с помощью удачных конструк-
тивных решений.
Магнитное поле Земли формирует вокруг нее пояса повышен-
ной радиации, тип частиц в которых и диапазоны их энергий при-
ведены в табл. 3.2.
Поток Ф и энергии частиц сложным образом зависят от их по-
ложения относительно Земли, и движение частиц не всегда можно
считать изотропным. Кроме того, необходимо учитывать воз-
никновение коротких интенсивных всплесков радиации во время
солнечных вспышек, снижающих КПД панелей солнечных батарей
[16].
100
Таблица 3.2
Характеристика корпускулярной радиации [10]
Тип радиации Энергия , кэВ Поток, см-2⋅с-1 KL

Протоны (1-5)⋅103 108 10-6
(20-200)⋅103 104 10-7 –10-5
Электроны (1-2)⋅103 105 10-11-10-9
1-100 108 10-12–10-11
Примечание. KL – коэффициент, характеризующий изменение диффу-

зионной длины при образовании радиационных дефектов.
Проникшая в полупроводник частица высокой энергии создает

многочисленные нарушения кристаллической решетки: вакансии,
междоузельные атомы скопления дефектов и различные ваканси-
онно-примесные комплексы. При количественном рассмотрении
влияния радиации на дефектообразование предполагают, что кон-
центрация радиационных дефектов Nr, проявляющих себя в качест-
ве эффективных рекомбинационных центров, линейно зависит от
дозы [16]:
Nr = K0Ф, (3.27)
где K0 – число центров, создаваемых на 1 см пути пробега каждой
частицей; Ф – суммарный по времени поток.
В зависимости от вида и энергии излучения значение K0 варьи-
руется в пределах от 10-3 до 102 см-1 и соответствует диапазону из-
менений сечении столкновении (10-38–10 -23 см2) или интервалу ве-
роятностей дефектообразования на одну прошедшую частицу (10-6–
10-1 для кремниевого элемента обычной толщины). Конечно, длина
пробега частицы в полупроводнике зависит от ее массы и энергии.
Протоны низких энергии поглощаются слоем толщиной всего лишь
несколько микрон, а электроны высоких энергий легко проходят
через весь элемент, оставляя дефектный след на своем пути.
Как правило, не изучают подробно кинетику рекомбинации, оп-
ределяемую отдельным типом дефектов, а интересуются суммар-
ным изменением времени жизни τ носителей заряда. Поэтому воз-
действие радиации обычно прослеживают с помощью формулы
[16]:
1/τ = (1/τ0) + Kτ ⋅Ф, (3.28)
101
где τ0 – время жизни до образования радиационных дефектов; K0 –
коэффициент, характеризующий изменение времени жизни при
образовании радиационных дефектов.
Аналогично воздействие радиации на диффузионную длину L
неосновных носителей заряда можно описать выражением [16]:
1/L2 = (1/L 02 ) + KLФ, (3.29)
где L0 – диффузионная длина до образования радиационных дефек-
тов; KL – коэффициент, характеризующий изменение диффузион-
ной длины при образовании радиационных дефектов. Значения KL
указаны в табл. 3.2;
KL = Kτ /D,
где D – коэффициент диффузии.
Указанный подход дает хорошее совпадение с эксперименталь-
ными результатами для n-р- и р-n-кремниевых солнечных элемен-
тов. На рис. 3.13 приведены измеренные зависимости диффузион-
ной длины для трех кремниевых солнечных элементов от дозы об-
лучения электронами с энергией 1 МэВ.
Рис. 3.13. Зависимость

диффузионной длины L
неосновных носителей заряда
от интегрального потока Ф
электронов с энергией 1 МэВ:
• – «голубой» n-р-элемент;
Δ – обычный р-п-элемент;
ο – «голубой» р-n-элемент [16]
Элемент с р-базой, чувствительный в голубой области спектра,

имеет диффузионный слой n-типа и просветляющее покрытие.
Диффузионная длина в этом сегменте выбрана такой, чтобы обес-
печить максимальный спектральный отклик в голубой области
спектра (0,45–0,5 мкм), на которую приходится максимум энергии
солнечного излучения.
102
Чувствительный в голубой области спектра элемент с п-базой
аналогичен рассмотренному выше элементу с р-базой, за исключе-
нием того, что области п- и р-типа здесь меняются местами. Видно,
что экспериментальные результаты для этих элементов хорошо
описываются уравнением (3.29). Кривая, проходящая через экспе-
риментальные точки элемента с р-базой, рассчитана при L0 = 119
мкм и KL = 1,7⋅10-10.
Экспериментальные точки для чувствительного в голубой об-
ласти элемента с n-базой и обычного элемента с n-базой можно ап-
проксимировать с помощью формулы (3.31) при L0 = 146 мкм и
KL = 1,22⋅10-8. Из рис. 3.12 видно, что радиационная стойкость эле-
ментов с р-базой существенно выше, чем элементов с n-базой.
Удобной мерой радиационной стойкости является критический по-
ток Фс, снижающий на 25 % исходное значение КПД солнечного эле-
мента. Для типичного кремниевого СЭ в случае электронной бомбар-
дировки KL = 10-10–10-9; Фс = 1013–1015 см-2, в случае протонной бомбар-
дировки KL = 10-7–10-5; Фс = 109–1012 см-2 [10, 16].
Достаточно точно экспериментальные результаты, можно опи-
сать соотношением [10]:
(L0 – L)2 – 1 = ( K L′ Ф)n, (3.30)
где n ≈ 0,7.
Ввиду того, что μn > μp и, следовательно, диффузионная длина
фотогенерированных электронов в материале р-типа больше, чем
дырок в материале n-типа, СЭ с n-р-структурой более стойки к ра-
диации. Кроме того, радиационная стойкость снижается при увели-
чении степени легирования базовой области. Предполагают, что
легирующая примесь легко вступает во взаимодействие с радиаци-
онными дефектами, образуя рекомбинационные центры, а повы-
шение степени легирования увеличивает вероятность образования
таких центров. В этом смысле р-область, легированная алюминием,
более радиационно-стойка, чем р-область, легированная бором.
Обнаружены также различия в радиационной стойкости крем-
ниевых материалов, выращенных методом зонной плавки и методом
Чохральского, которые связывают с относительно высокой концен-
трацией кислорода в кристаллах. Хотя исходные значения КПД в сол-
нечных элементах, полученных на кристаллах, выращенных методом
103
зонной плавки, выше, значение Фс больше в случае применения кри-
сталлов, полученных способом Чохральского [10].
В элементах на основе материалов, полученных зонной плавкой,
наблюдают эффект фотонной деградации после кратковременного
(в течение примерно 24 ч) освещения элемента, предварительно
подверженного корпускулярному облучению. Введение в кристал-
лы, выращенные зонной плавкой, примесных атомов кислорода
или углерода или использование в качестве легирующих примесей
галлия или алюминия для создания материала р-типа проводимости
снижает эффект фотоиндуцированных изменений в дефектных
комплексах.
Как правило, частицы высоких энергий сильно влияют на JL и в
особенности на фотоотклик в красной области спектра, поскольку
эти частицы глубоко проникают в солнечный элемент. Частицы
низких энергий, вызывающие нарушения преимущественно во
фронтальных слоях элемента, более сильно снижают Uхх и спек-
тральную чувствительность в голубой части спектра. Для защиты
солнечного элемента от интенсивного потока частиц низкой энер-
гии обычно применяют поглощающие этот поток защитные покры-
тия из стекла, плавленого кварца, сапфира или некоторых сортов
тефлона толщиной около 0,15 мм. Без них СЭ вышли бы из строя
через несколько недель [10, 16].
С 1966 г. для повышения радиационной стойкости р-п-элементы
легируют литием. Атомы лития имеют очень высокую подвижность,
при температурах Т > 20–50 °С дрейфуют в область радиационных
нарушений и нейтрализуют электрическую активность радиацион-
ных дефектов. С ростом концентрации кислорода его роль в этих
процессах возрастает, приводя, с одной стороны, к увеличению вре-
мени восстановления до бездефектной структуры, а с другой – к бо-
лее эффективному залечиванию дефектов и большей стабильности,
чем при низких концентрациях. Добавка лития (Li) слегка умень-
шает исходное значение КПД, но резко увеличивает Фс [16].
Для снижения числа частиц высоких энергий, достигающих
элемента в космическом пространстве, перед его лицевой поверх-
ностью всегда должно помещаться защитное покрытие (например,
содержащая церий тончайшая бумага). Дрейфовые поля немного
улучшают радиационную стойкость элементов, однако это дости-
гается за счет снижения исходного КПД [10].
104
Радиационная стойкость СЭ, изготовленных из прямозонных
полупроводников, таких, как GaAs или CuxS (выращиваемых на
поверхности слоя CdS), намного выше, чем у кремниевых, из-за
значительно меньшей длины поглощения фотонов в этих материа-
лах. Повреждения на глубине около 6 мкм от поверхности в случае
CaAs или около 2 мкм в элементе на основе гетероструктуры CuxS–
CdS фактически не влияют на КПД. Значение Фс в фотоэлементах
со структурой CuхS–CdS приблизительно в 100 раз больше, чем в
кремниевых элементах.
В настоящее время для практического использования в космосе
используют элементы на основе GaAs. Данный материал характе-
ризуется высокой радиационной стойкостью, высокой эффективно-
стью и относительной нечувствительностью к нагреву. Все это де-
лает этот материал чрезвычайно привлекательным для использова-
ния в космических аппаратах.
Отметим, что в случае элементов на основе прямозонных полу-
проводников становится более критичной защита от протонной
бомбардировки с помощью покровных стекол [10, 16].
______________________________________________________
1. Перечислите основные параметры и характеристики работы СЭ.

2.Укажите основные стадии работы СЭ.
3. Что такое ток короткого замыкания СЭ? Как определить данный
параметр расчетным путем и графически?
4. От каких параметров зависит ток короткого замыкания?
5. Каков физический смысл параметра напряжение холостого хода?
От каких параметров зависит напряжение холостого хода?
6. Изобразите идеализированную эквивалентную схему СЭ. Поясните
принцип его работы с помощью данной схемы.
7. Запишите выражение для расчета ВАХ идеального СЭ и
прокомментируйте его. Изобразите ВАХ идеального СЭ.
8. Какой физический смысл плотности темнового тока? От чего зави-
сит данный параметр?
9. Что такое идеальная эффективность преобразования СЭ? Какие
значения она принимает, как определяется?
10. Получите выражение для максимальной выходной мощности СЭ.
105
11. Каков физический смысл параметра фактора заполнения. Какие
значения принимает данный параметр, как определяется?
12. Что такое квантовая эффективность СЭ? Какие значения принима-
ет данная характеристика?
13. Что такое спектральная чувствительность СЭ? От каких факторов
зависит данная характеристика?
14. Чем ВАХ реальных СЭ отличаются от идеальных?
15. Что такое коэффициент идеальности СЭ, какие значения он
принимает? От каких параметров зависит его величина?
16. Поясните влияние температуры на ВАХ СЭ. Как ведет себя СЭ
при низких температурах, при высоких температурах?
17. Как влияет радиация на эффективность работы СЭ? Каким обра-
зом осуществляется защита СЭ от радиации?
106
4. КРЕМНИЕВЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
4.1. Кремниевый солнечный элемент

на основе гомогенного р-n-перехода
Кремниевый солнечный преобразователь был изобретен в 1953 г.

научными сотрудниками Bell Laboratories. Первое практическое
применение СЭ было осуществлено в 1955 г. при испытаниях бата-
реи мощностью 9 Вт для питания телефонного ретранслятора. В
марте 1958 г. кремниевые солнечные ФЭП были использованы в
космосе – в спутнике «Авангард-1». Начиная с этого времени цены
на кремниевые СЭ начали быстро падать в связи с развитием тех-
нологии, а КПД их возрос до 15–17 %, что соответствует солнеч-
ному спектру за пределами земной атмосферы, т.е. при нулевой
воздушной массе (АМО) [10].
Кремниевые СЭ составляют существенную долю рынка фото-
элементов. Обусловлено это большой распространенностью крем-
ния на Земле и преобладанием данного элемента на рынке инте-
гральных микросхем.
Следует отметить, что параметры кремния не идеальны для СЭ.
В частности, запрещенная зона кремния слишком мала для опти-
мального СЭ, кремний является непрямозонным полупроводником,
также из него тяжело вырастить тонкие подложки [20].
При существующем уровне технологии в лабораторных услови-
ях можно создать СЭ на основе кристаллического кремния с КПД
близким к 25 %. Однако КПД коммерческих массово производи-
мых СЭ составляет обычно 13–14 %. Разница появляется из-за того,
что в лаборатории используются процессы, которые невозможно
применить в массовом дешевом производстве. Ученые стремятся
довести КПД СЭ до 25–30 %. КПД коммерческих СЭ отстает от
КПД лабораторных образцов на несколько лет. Ожидается, что
коммерческие модули смогут достичь КПД 20 %. Чем выше КПД,
тем меньше стоимость производства энергии.
Схематически типичный кремниевый СЭ изображен на рис. 4.1.
Он состоит из мелкого p-n-перехода, созданного у поверхности
(например, с помощью диффузии), лицевого омического полоско-
вого контакта, тылового омического сплошного контакта и про-
светляющего покрытия на лицевой поверхности.
107
а б
Рис. 4.1. Схематическое изображение кремниевого СЭ с p-n- переходом
(а – вид сверху; б – сечение элемента) [16]
Обычно на практике кремний n-типа помещают сверху СЭ, где

поглощается большая часть света. Поэтому верх СЭ является отри-
цательным выходом, низ – положительным.
Рассмотрим конструкционные особенности кремниевого СЭ и
технологию изготовления элементов различных конструкций.
4.1.1. Сравнение кремниевых подложек для СЭ
Используемая кремниевая подложка, может быть монокристал-

лической, мультикристаллической, поликристаллической или
аморфной в зависимости от степени регулярности и упорядочения
кристаллической структуры полупроводника. В табл. 4.1 приведена
краткая характеристика различных видов кремния.
Таблица 4.1
Кристаллические кремниевые солнечные элементы [18]
Название Обозначение Размер зерна Технология

выращивания
Чохральский (CZ),
Монокристалл sc-Si > 10 cм
зонная плавка (FZ)
Литье, тонкие листы,
Мультикристалл mc-Si 1 мм – 10 cм
ленты
Химическое осажде-
Поликристалл pc-Si 1мкм – 1мм
ние из газовой фазы
Плазменное осажде-
Микрокристалл µc-Si < 1 мкм
ние
108
Абсолютное большинство СЭ изготавливают из моно- или
мультикристаллических подложек.
Монокристаллические подложки обычно имеют лучшие харак-
теристики, но и более высокую стоимость. Основной их недостаток
– большой расход сравнительно дорогого высокочистого кремния,
большая часть которого играет роль пассивной подложки [3].
Подложки монокристаллического кремния различаются по тех-
нологии их производства. Наиболее часто как в солнечной, так и в
электронной промышленности используется кремний, выращенный
по технологии Чохральского. Для СЭ ориентация <100> является
предпочтительной, так как поверхность, ориентированную в этом на-
правлении, можно легко текстурировать, создавая пирамиды, умень-
шающие отражение света [18].
Стоимость мультикристаллов кремния гораздо ниже, чем у мо-
нокристаллов за счет более простой и дешевой технологии их вы-
ращивания. Однако мультикристаллы получаются более низкого
качества по сравнению с монокристаллами из-за наличия межзе-
ренных границ. Границы зерен создают дополнительные дефект-
ные уровни в запрещенной зоне полупроводника, являясь локаль-
ными центрами с высокой скоростью рекомбинации, что приводит
к уменьшению общего времени жизни неосновных носителей.
Кроме того, границы зерен уменьшают производительность, пре-
пятствуя току носителей и создавая шунтирующие пути для тока,
текущего через p-n-переход [23].
Чтобы избежать слишком больших рекомбинационных потерь
на границах зерен, их размеры делают больше, чем толщина СЭ.
Это уменьшает в нем сопротивление току носителей и общую протя-
женность пограничных областей. Такой мультикристаллический
кремний широко используется в коммерческих СЭ.
Поликристаллические структуры применяют для снижения
стоимости изготовления СЭ. Данные СЭ имеют более низкие КПД,
но при их производстве исключается большое число технологиче-
ских операций.
Поскольку в поликристаллических материалах наличие границ
зерен усложняет контроль диффузионных процессов, технологи
стараются исключить диффузию из технологического процесса. СЭ
на основе барьеров Шоттки, структур металл–окисел–полупровод-
ник и металл–диэлектрик–полупроводник не требуют проведения
109
процессов диффузии при их изготовлении. Также данные структуры
обладают более высокой чувствительностью в голубой части спектра.
Поэтому эти структуры можно изготавливать на основе поликристал-
лического кремния. Например, СЭ на основе МДП-структуры просты
в изготовлении, отличаются высокой чувствительностью в голубой
части спектра и при использовании поликристаллического материала
дают КПД до 10,5 % (при AM1) [16].
Как уже отмечалось, получение тонкого диффузионного слоя в
поликристаллическом материале сопряжено с проблемой быстрой
диффузии легирующей примеси вдоль границ зерен. Если все гра-
ницы зерен нормальны плоскости СЭ, то это можно использовать
для создания многопереходного элемента с вертикальным р-n-
переходом. При более разупорядоченной ориентации границ зерен
предпочтительнее другие способы создания барьеров.
Для снижения цены кремния вместо традиционных способов
выращивания используют метод направленной кристаллизации.
Материал, изготовленный таким образом, имеет поликристалличе-
скую столбчатую структуру. СЭ, изготовленные из пластин, выре-
занных по нормали к оси столбчатых кристаллов при большом раз-
мере зерна близки по параметрам к элементам из монокристалли-
ческого материала. КПД таких СЭ в условиях АМО составляет бо-
лее 12 % [10].
Перспективным направлением является использование аморф-
ного гидрогенизированного кремния (α-Si:H) в качестве активного
слоя СЭ. Данный материал имеет более высокие по сравнению с
монокристаллическим кремнием значения коэффициента поглоще-
ния. В частности, оптическое поглощение аморфного кремния, по-
лученного в плазме тлеющего разряда, в 20 раз превышает оптиче-
ское поглощение в кристаллическом кремнии. Поэтому для эффек-
тивного поглощения солнечного излучения в видимом диапазоне
достаточно пленки α-Si:H толщиной 0,5–1 мкм. Перспективным
является и технологическая возможность получать слои аморфного
кремния в виде тонких пленок большой площади на стеклянных и
тонких гибких подложках при сохранении прочих свойств, сущест-
венных для СЭ [23, 25]. Возможность применения указанных под-
ложек обусловлена более низкими температурами изготовления
(< 300 °С) СЭ на основе α-Si:H по сравнению с аналогичными по-
ликристаллическими кремниевыми элементами. Отсутствие техно-
110
логических расходов и потерь материала при резке и полировке,
что неизбежно в случае монокристаллических кремниевых СБ
(элементов), делает изготовление тонкопленочных кремниевых
элементов в десятки раз дешевле [25–29].
В целом, важным преимуществом СЭ на основе α-Si:H является
возможность их формирования практически на любых (как с точки
зрения материала, так и размеров) подложках. В перспективе ис-
пользование диэлектрических подложек позволит формировать
интегральные схемы, верхняя часть которых будет являться дат-
чиком излучения, а нижняя – электронной схемой управления и
обработки сигнала. В итоге это приведет к значительной миниатю-
ризации сенсорных устройств [28, 29].
Производство СЭ на основе α-Si находится уже на достаточно
высоком технологическом уровне. В качестве основного техноло-
гического процесса используется тонкопленочная технология
плазменно-поддерживаемого осаждения из химических паров
кремний содержащих смесей (SiH4, Si2H6) [3].
Вместе с тем СЭ на основе α–Si:H к настоящему времени не
получили достаточно широкого распространения. Причиной этому
является относительно невысокий КПД (эффективность) преобра-
зования солнечной энергии в электрическую, деградация свойств
СЭ при длительном облучении, сложность обеспечения оптималь-
ного соотношения значений параметров стоимость и эффектив-
ность при массовом производстве.
Как правило, с точки зрения технологии, получение приемле-
мых значений последнего параметра и снижение стоимости СЭ
связывают с необходимостью увеличения скорости осаждения пле-
нок α-Si:H при сохранении требуемых свойств материала и основ-
ных параметров СЭ. Особенно критичны затраты времени на полу-
чение активных слоев при производстве модулей СЭ в промыш-
ленных масштабах [23].
4.1.2. Изготовление р-n-перехода
В кремниевом СЭ p-n-переход изготавливается чаще всего с по-

мощью различных методов легирования. Введение легирующей
примеси в базовую область осуществляют в процессе выращивания
кристалла. Например, слой n-типа на базе р-типа можно получить
111
диффузионным введением донорных примесных атомов в базовый
слой, концентрация которых должна превышать долю акцепторов в
базовом слое [10].
В качестве легирующих примесей в кремнии наиболее часто ис-
пользуют донорную (фосфор) и акцепторную (бор) примесь.
При легировании необходимо учитывать, что вследствие рас-
сеяния на заряженной примеси подвижность электронов и дырок
уменьшается с ростом концентраций и донорной, и акцепторной
примесей. Кроме того, при большой концентрации примеси может
уменьшиться время жизни неосновных носителей заряда из-за ис-
кажения кристаллической решетки и комплексообразования.
Особое влияние оказывают дефекты или примеси, введенные в
процессе выращивания кристалла. Обусловленный ими диапазон
изменения времени жизни τ носителей заряда может быть доста-
точно велик.
При последующей технологической обработке также может
происходить значительное изменение τ за счет образования ком-
плексов примесей и других дефектов в процессе термообработки
при относительно низких температурах.
Указанное влияние степени легирования на подвижность и вре-
мя жизни носителей заряда ограничивает пределы по концентрации
легирующей примеси в активных фотопоглощающих слоях СЭ.
В кремниевых элементах необходимо также учитывать меха-
низм оже-рекомбинации. В частности, эффективное время жизни τ
неосновных носителей заряда обусловлено рекомбинационным ме-
ханизмом Шокли–Рида–Холла и механизмом оже-рекомбинации.
Легирующая примесь может быть доставлена в область диффу-
зии одним из следующих способов [10]:
1) введением в поток в газообразной или паровой фазе (напри-
мер, ВBr3 в увлажненный поток);
2) диффузией из тонкой пленки легирующей примеси, осажден-
ной вакуумно-термическим испарением или электролитически;
3) диффузией из инертного твердого слоя, содержащего леги-
рующую примесь (например, из борсодержащих стеклообразных
слоев силикатов и боратов калия);
4) диффузией из легированного слоя SiO2, полученного методом
химического осаждения из паровой фазы.
112
Диффузионное введение фосфора в кремний обычно выполняют
при температуре 950 °С в течение 10 мин, толщина диффузионного
слоя при этом равна 0,25 мкм.
Многочисленные эксперименты показывают, что высокая кон-
центрация легирующей примеси при охлаждении кремния может
приводить к нарушениям в кристаллической решетке с образовани-
ем дислокаций и других дефектов, которым соответствуют глубо-
кие уровни, резко снижающие время жизни носителей заряда в
сильно легированной области. Этот эффект обусловливает форми-
рование на поверхности так называемого «мертвого слоя», толщи-
ной около 0,1 мкм, ограничивающего фотоотклик кремниевых СЭ в
коротковолновой области спектра.
В данном слое концентрация атомов достигает предела раство-
римости в кремнии. Дислокации из мертвого слоя могут проникать
в область обеднения, образуя в ней дополнительные рекомбинаци-
онные центры, которые увеличивают рекомбинационный ток в об-
ласти пространственного заряда, повышая тем самым диодные по-
тери в точке максимальной мощности [10, 16].
Избежать мертвого слоя можно путем [10]:
1) снижения концентрации легирующей примеси на поверхно-
сти в процессе диффузии, например, используя стеклообразный
источник примеси, поддерживающий поверхностную концентра-
цию при значении ниже предела растворимости примеси в крем-
нии;
2) диффузии из ограниченного источника (например, применяя
тонкую пленку, полученную вакуумно-термическим испарением);
3) удаления нарушенного слоя после диффузии.
Для получения тонких легированных областей в СЭ применяют
метод имплантации пучком ионов примеси с энергиями 60–300 кэВ
[5, 10]. Глубина легирования определяется энергией ионного пучка
(например, при энергии 60 кэВ средняя глубина легирования около
50 нм). Ионной имплантации всегда сопутствуют значительные
нарушения, поэтому необходим отжиг образцов в процессе или по-
сле ионной имплантации. Перспективным способом устранения
имплантационных повреждений является также импульсный отжиг
некогерентным светом.
113
4.1.3. Изготовление контактов
и антиотражающего покрытия
С целью повышения КПД СЭ его поверхность покрывают анти-

окражающим покрытием. Антиотражающие покрытия на СЭ пред-
ставляют собой тонкий слой диэлектрического материала специ-
ально подобранной толщины. Толщина подбирается так, чтобы
волна, отразившаяся от поверхности антиотражающего покрытия,
была в противофазе с волной, отразившейся от поверхности полу-
проводника. В результате интерференции этих двух волн интен-
сивность отраженной волны становится равной нулю.
На практике толщина антиотражающего покрытия выбирается
таким образом, чтобы она составляла четверть длины волны па-
дающего излучения. Для материала с коэффициентом преломления
n1 и c длиной волны падающего излучения λ0 толщина d1, приво-
дящая к минимальному отражению равна [23]:
λ
d1 = 0 . (4.1)
4n1
Для обеспечения минимального отражения, коэффициент пре-
ломления антиотражающего покрытия должен удовлетворять сле-
дующему условию:
n1 = n0 n2 , (4.2)
где n0 – коэффициент преломления полупроводника; n2 – коэффи-
циент преломления стекла или воздуха.
Коэффициент преломления зависит от длины волны, поэтому
отражение может отсутствовать только для определенной длины
волны. В СЭ обычно выбирают коэффициент преломления и тол-
щину так, чтобы минимизировать отражение на длине волны с
наибольшей интенсивностью излучения (0,6 мкм). С целью
уменьшения отражения большего количества длин волн, можно
наносить несколько антиотражающих слоев. Это приводит к удо-
рожанию СЭ, что для большинства коммерческих СЭ экономиче-
ски не целесообразно.
Для кремниевых СЭ в качестве материала для антиотражающего
покрытия используют оксид титана или нитрид кремния. Покрытия
наносятся с помощью простых методов, таких как распыление или
химическое осаждение из газовой фазы. Кроме улучшения оптиче-
114
ских свойств, диэлектрические покрытия могут также улучшить
электрические свойства, пассивируя поверхность.
В процессе трафаретной печати металлические контакты проре-
заются через антиотражающее покрытие и достигают кремния за
счет добавления в пасту режущих веществ.
Контакты кремниевого СЭ чаще всего изготавливают с помо-
щью трафаретной печати.
Отметим, что СЭ, изготовленные по технологии трафаретной
печати, впервые появились в 1970 г. Она является по существу
наиболее распространенной, наиболее зрелой технологией произ-
водства СЭ. Сегодня такие элементы доминируют на рынке фото-
электрических модулей для наземного применения.
Главным преимуществом метода трафаретной печати является
его относительная простота. Трафаретная печать заднего контакта
осуществляется следующим образом. К задней поверхности под-
ложки с изготовленным p-n-переходом подводят трафарет и метал-
лическую пасту. Чаще всего для изготовления электропроводящих
слоев используется алюминиевая паста, содержащая порошок
алюминия, стеклофритту и органическое связующее. Также для
формирования тыльных электродов кремниевых СЭ применяется
серебряная паста, содержащая 60–80 мас.% серебра. Серебряные
пасты такого типа содержат 4–10 мас.% стеклофритта на основе
свинцово-борсиликатного стекла.
Использование алюминиевой пасты увеличивает эффективность
СЭ за счет создания электрического поля, но для ее использования
необходим дополнительный слой серебра для лучшей адгезии. В
большинстве производственных процессов задний контакт делают,
просто печатая контактную сетку из алюминия и серебра одновре-
менно [18].
Специальный скребок проходит вдоль трафарета, продавливая
металлическую пасту через пустоты в маске. Затем трафарет удаля-
ется, оставляя после себя толстый слой влажной металлической
пасты. Затем паста высушивается в печи для удаления органиче-
ских растворителей и связывающих веществ.
Следующий шаг – вжигание заднего контакта в инфракрасной
печи при температуре 750–850°С (в зависимости от состава пасты).
Далее элемент переворачивают и печатают контакты на лицевой
стороне. Контакты на поверхности представляют собой тонкие ме-
115
таллические линии для уменьшения потерь из-за затенения. Лице-
вой контакт печатается так же, как и задний контакт.
У этого процесса есть множество различных вариаций и допол-
нений, делающих СЭ более эффективным и более дешевым. Неко-
торые из них уже внедрены в коммерческое производство, другие
находятся на стадии переноса из лаборатории на конвейер [18].
4.1.4. Технологические проблемы изготовления

кремниевого солнечного элемента с p-n-переходом
и пути повышения КПД
Рассмотрим, с какими проблемами приходится сталкиваться

технологам при изготовлении кремниевого СЭ с p-n-переходом.
Оптимальная толщина СЭ со световым ловушками и очень хо-
рошей пассивацией поверхности составляет около 100 мкм. Одна-
ко на практике используются подложки толщиной 200–500 мкм
из-за трудностей при производстве и обращении с ними.
Как уже отмечалось, необходимо учитывать неоднозначное
влияние степени легирования базовой области на параметры и ха-
рактеристики СЭ. При высоком уровне легирования увеличивает-
ся напряжение холостого хода и уменьшается сопротивление.
Однако сильное легирование приводит к нарушениям в кристал-
лической решетке, комплексообразованию и снижению времени жиз-
ни носителей заряда в сильно легированной области.
На поверхность кремниевого СЭ наносятся металлические кон-
такты в виде сетки. Металлические контакты затеняют СЭ, поэтому
существует компромисс между сбором носителей и сопротивлени-
ем лицевой металлической сетки.
Задний контакт гораздо менее важен, чем передний, так как он
находится гораздо дальше от перехода и не должен быть прозрач-
ным. Значение заднего контакта возрастает по мере того, как СЭ
становится тоньше и его КПД возрастает.
Лицевую поверхность элемента следует текстурировать, чтобы
увеличить поглощения света и минимизировать потери на отраже-
ние света. Монокристаллические кремниевые подложки, выра-
щенные методом Чохральского, текстурируют в анизотропных
травителях, в результате чего на поверхности образуются пирами-
ды. Однако этот способ текстурирования практически не применим
116
к подложкам из мультикристаллического кремния. В настоящее
время предлагаются следующие способы текстурирования муль-
тикристаллических подложек [12]:
- механическое текстурирование поверхности подложки с по-
мощью режущих инструментов или лазеров;
- изотропное химическое травление, основанное не на ориента-
ции кристалла, а на дефектах в нем;
- изотропное химическое травление в сочетании с фотолитогра-
фичекой маской;
- плазменное травление.
Однако перечисленные методы текстурирования мультикри-
сталлической поверхности в производственный процесс до сих пор
не внедрены.
Отметим, что СЭ с высокой эффективностью существенно до-
роже, чем обычные, поэтому их чаще всего используют в космосе.
Рассмотрим основные пути повышения КПД СЭ [10, 16, 23].
1. Слабое легирование эмиттера с целью уменьшения рекомби-
национных потерь и во избежание создания оптически «мертвого»
слоя на поверхности элемента.
2. Близкое расположение металлических контактов на поверх-
ности СЭ для минимизации поперечных резистивных потерь. При
этом толщина контактов выполняется менее 20 мкм, чтобы умень-
шить затеняемую площадь поверхности.
3. Уменьшение площади СЭ и применение металлов с хорошей
проводимостью для снижения резистивных потерь.
4. Уменьшение контактной поверхности.
5. Изготовление контактов по сложным схемам с использовани-
ем различных сочетаний металлов (например, титан / палладий /
серебро) с целью получения очень низкого контактного сопротив-
ления.
6. Пассивация задней поверхности СЭ для уменьшения рекомби-
нации.
7. Использование специальных антиотражающих покрытий,
способных снизить отражение от поверхности с 30 до 10 %.
8. Формирование электрического поля в объеме СЭ.
Остановимся более подробно на увеличении КПД СЭ с помо-
щью электрических полей. В данном случае появляется возмож-
ность эффективного увеличения диффузионной длины неосновных
117
носителей заряда в объеме полупроводника. Повышать КПД крем-
ниевых СЭ можно тремя различными способами. Первый способ –
создание тянущих полей для увеличения диффузионной длины
неосновных носителей заряда в области базового слоя. Второй спо-
соб – создание полей вблизи тыльной стороны элемента для отра-
жения неосновных носителей от нее и тем самым для снижения
эффективной скорости поверхностной рекомбинации на этой по-
верхности. Третий способ – создание полей вблизи фронтальной
стороны элемента для ускорения носителей, фотогенерированных в
лицевом слое, в направлении к р-n-переходу, уменьшения эффек-
тивной скорости поверхностной рекомбинации на фронтальной
поверхности и снижения рекомбинации в объеме тонкого лицевого
слоя [10].
На основе расчетов, выполненных с помощью ЭВМ, показано,
что для повышения КПД элемента наиболее эффективно тянущее
поле в базовой области толщиной 10–30 мкм, примыкающей к р-n-
переходу [10]. Значение полей вблизи тыльной стороны СЭ воз-
растает в связи с уменьшением толщины поглощающих слоев. Эти
поля действуют как зеркало на фотогенерированные носители, эф-
фективно снижая скорость поверхностной рекомбинации на тыль-
ной поверхности. Кроме того, поле у тыльной стороны элемента
ограничивает инжекцию носителей в прямосмещенном р-n-
переходе.
4.2. Конструкции кремниевых солнечных элементов
Для достижения более высокой эффективности преобразования

предлагается большое число различных конструкций кремниевых
СЭ. Рассмотрим некоторые из них.
4.2.1. Солнечный элемент с БТП и «фиолетовый» элемент
Идея создания СЭ с электрическим полем вблизи тыльной по-

верхности (БТП) появилась в 1960 г., но ее практическая реализа-
ция была осуществлена лишь в 1972 г. [10].
Элемент с БТП имеет существенно большее выходное напряже-
ние, чем обычные элементы. Зонная диаграмма такого элемента
показана на рис. 4.2. Его лицевая поверхность изготавливается
118
обычным способом, а вблизи тыловой поверхности перед металли-
ческим омическим контактом создается сильнолегированный по-
лупроводниковый слой.
Рис. 4.2. Зонная диаграмма солнечного n+-p – p+-элемента с барьером вблизи

тыловой поверхности [16]
Потенциальный барьер qϕp, возникающий между двумя базовы-

ми областями, препятствует выходу неосновных носителей из ме-
нее легированной области. Элемент с БТП эквивалентен обычному
элементу с толщиной полупроводника хj+W+Wp и с очень малой
скоростью поверхностной рекомбинации вблизи тыловой поверх-
ности (Sn < 100 см/с). Уменьшение Sn приводит к увеличению спек-
трального отклика для фотонов с малыми энергиями, а следова-
тельно, и к возрастанию плотности тока короткого замыкания.
Кроме того, повышается напряжение холостого хода, что
обусловлено возрастанием тока короткого замыкания, уменьшени-
ем рекомбинационного тока тылового контакта и, наконец, появле-
нием дополнительной потенциальной энергии qϕp между p- и p+-
областями [16].
В «фиолетовых» элементах существенно повышена чувстви-
тельность к голубой и фиолетовой частям солнечного спектра за
счет уменьшения толщины диффузионного лицевого слоя n-типа
до 0,1–0,2 мкм и увеличения времени жизни неосновных носителей
заряда в этом слое.
На рис. 4.3 для сравнения представлены вместе результаты из-
мерений спектрального отклика обычного элемента с xj = 0,4 мкм и
ND = 5⋅1019 см-3 и «фиолетового» элемента с хj = 0,2 мкм и поверхно-
119
стной концентрацией 5⋅1018 см-3.
Видно, что «фиолетовый» элемент
имеет существенно больший спек-
тральный отклик в фиолетовой об-
ласти спектра (hν < 2,75 эВ); отсю-
да происходит название этого эле-
мента. Форма его спектрального
отклика напоминает теоретическую
кривую, относящуюся к случаю,
Рис. 4.3. Измеренные спектральные
отклики кремниевых СЭ когда скорость поверхностной ре-
с p-базой [16] комбинации на лицевой поверхно-
сти Sp ≅ 104 см/с.
Конструкция фиолетового элемента позволяет устранить обра-
зование мертвого слоя, что приводит к значительному увеличению
коэффициента заполнения и напряжения холостого хода.
4.2.2. Текстурированный СЭ
Текстурированный (или не отражающий свет) элемент является

примером СЭ совершенной конструкции. Его лицевая сторона тек-
стурирована, т.е. преобразована в трехмерную поверхность, содер-
жащую маленькие пирамидки высотой 1–2 мкм (рис. 4.4, а), кото-
рые образуются, например, при травлении поверхности (100) Si в
анизотропном травителе. В этом случае появляются четырехгран-
ные пирамиды, ограненные плоскостями (111), с углом при верши-
не 70,5°. После формирования текстурированной поверхности про-
водят диффузию фосфора и осаждают лицевой сетчатый токосъем
состава Ti – Pd – Ag.
а б
Рис. 4.4. Текстурированная поверхность кремния:
а – трехмерные поверхности в виде пирамид; б – текстурирование в виде
обратных пирамид [20]
120
Отметим, что способ текстурирования поверхности зависит
от типа подложки. Поверхность монокристалла, как правило, тра-
вят вдоль направления кристаллических плоскостей. В результате
образующиеся пирамиды расположены хаотически. Данный способ
обычно используется на производстве. На рис. 4.4, а представлена
фотография текстурированной поверхности кремния [18.]
Другой вид текстурирования называется «обратные пирамиды»
(рис. 4.4, б).
Поликристаллические поверхности кремния нельзя текстуриро-
вать вышеперечисленными методами, поэтому они текстурируются
с помощью фотолитографии, механической деформации поверхно-
сти с помощью скрайбирующих пил или лазера [18].
Текстурированная поверхность выполняет две задачи: снижает
оптические потери за счет эффекта многократного отражения света
от граней пирамид и создает условия, при которых путь прохожде-
ния света в элементе не перпендикулярен плоскости р-n- перехода.
В результате приближается область фотогенерации носителей
заряда к р-n-переходу, тем самым способствуя увеличению эффек-
тивности собирания носителей, особенно в случае фотонов малых
энергий [10].
Свет, падающий на боковую поверхность одной из пирамид, от-
ражается на другую пирамиду, что приводит к уменьшению оптиче-
ских потерь (рис. 4.5, а). Увеличение светового пути в элементе в
результате падения света под углом к плоскости р-n-перехода экви-
валентно эффективному увеличению коэффициента поглощения
света. У текстурированного элемента данный показатель на 10–15 %
выше, чем у лучшего фиолетового элемента [16].
Сравнить просветляющие свойства текстурированной поверхно-
сти и плоской поверхности Si без просветляющего покрытия и с
Ta2O5 можно, обратившись к рис. 4.5, б. Нанесение просветляюще-
го покрытия Ta2O5 снижает коэффициент отражения примерно до
2 % почти во всем полезном диапазоне длин волн. Коэффициент
отражения чистого кремния уменьшается с ∼35 % для плоской по-
верхности до ∼20 % для текстурированной поверхности. Нанесение
дополнительного просветляющего покрытия снижает потери на
отражение вплоть до нескольких процентов. Уменьшение отраже-
ния приводит к возрастанию как тока короткого замыкания, так и
напряжения холостого хода, что в свою очередь повышает эффек-
121
тивность преобразования. Для текстурированных элементов в ус-
ловиях АМ0 получен КПД выше 15 %.
Рис. 4.5. Текстурированный элемент:

а – схематическое изображение пирамидальной поверхности;
б – зависимость коэффициентов отражения от длины волны СЭ с плоской
поверхностью и просветляющим покрытием (штриховая линия)
и текстурированного СЭ с просветляющим покрытием (сплошная кривая) [16]
4.2.3. Многопереходные кремниевые солнечные элементы
Термин многопереходный солнечный элемент с вертикаль-

ными переходами применяется для обозначения двух различных
типов элементов [10]:
1) освещаемого с торца элемента, составленного из стопки от-
дельных элементов с р-n-структурой;
2) элемента, содержащего единственный р-n-переход с гофриро-
ванной поверхностью.
В каждом из них значительная часть оптического пути световых
квантов в поглощающем слое параллельна плоскости перехода.
Многопереходный СЭ с вертикально расположенными р-n-пере-
ходами, составленными в стопку, иногда называют составными
ВМП-элементами, а вертикальные многопереходные элементы с
гофрированной плоскостью перехода – гофрированными ВМП-
элементами или СЭ на V-канавках.
122
Гофрированный ВМП-элемент специально создан с целью по-
вышения радиационной стабильности и использования в концен-
траторных системах [10].
Рассмотрим конструкцию многопереходного СЭ на V-канавках
(гофрированного ВМП-элемента). Такой элемент состоит из ряда
отдельных p+-p-n+- или p+-p-n+-диодов, соединенных последова-
тельно (рис. 4.6, а). Трапецеидальная форма отдельных диодов по-
лучается за счет анизотропного травления поверхности кремния
{100} через маску термически выращенной двуокиси кремния.
Эффективная оптическая толщина такого диода показана на рис.
4.6, б. При толщине диода 50 мкм эффективная оптическая длина,
усредненная по различным траекториям света, превышает 250 мкм.
Вследствие этого эффективность фундаментального поглощения
(т.е. отношение числа поглощенных фотонов к полному числу фо-
тонов с энергией hν ≥ Eg , попадающих в полупроводник) превы-
шает 93 % [16].
Рис. 4.6. Многопереходный солнечный элемент на V- канавках (а)

и оптические пути различных лучей в полупроводнике (б). Средняя
эффективная оптическая толщина полупроводника составляет 250 мкм [16]
В результате повышенной эффективности поглощения, относи-

тельно низкого последовательного сопротивления и отсутствия
затенения лицевой поверхности (в этой конструкции нет коллекти-
рующей гребенки) можно ожидать, что данный элемент будет
иметь КПД выше 20 %. Скошенные углы на дне канавок служат
ловушками для света и автоматически выполняют функции про-
123
светляющего элемента по аналогии с конструкцией текстурирован-
ного СЭ.
Многопереходные СЭ (МСЭ) созданы с целью повышения на-
пряжения холостого хода Uхх при работе с концентраторами сол-
нечного излучения. Конструкция элемента показана на рис. 4.7.
Элемент изготавливают из большого числа обычных солнечных
элементов со структурой р+-п-п+, в которой обе п- и р-стороны пла-
стины покрыты сплошным контактным слоем. Эти слои обслужи-
вают и составляют стопку из 50–100 пластин. Пайку (среднеплав-
ким припоем) осуществляют в печи и затем проводят операции
резки по нормали к плоскостям перехода. Изготовление МСЭ за-
вершается полировкой его лицевой стороны и нанесением просвет-
ляющего покрытия. В таких элементах значительная часть оптиче-
ского пути световых квантов в поглощающем слое параллельна
плоскости перехода [10, 16].
Рис. 4.7. Поперечное сечение МСЭ, составленного из вертикально

расположенных р-п-переходов [16]
В данной структуре световые лучи параллельны переходу, это

обусловливает рост чувствительности в красной части спектра уве-
личение радиационной стойкости. Здесь почти отсутствуют потери,
возникающие за счет поглощения света токосъемной сеткой, и
лишь ширина паяных соединений вызывает световые потери, со-
ставляющие не более 5–7 % площади элемента.
Помимо отсутствия упомянутых выше взаимно противоречивых
требований (так как нет необходимости в контактной сетке и т.д.),
такие структуры имеют еще ряд преимуществ. Во-первых, по-
скольку на фронтальной и тыльной поверхностях этих элементов
124
нет металлизации, они должны быть прозрачны в длинноволновой
части спектра за краем основной полосы поглощения. Вследствие
этого равновесия рабочая температура такого МСЭ должна быть
ниже, чем у планарного аналога. Во-вторых, многопереходные
элементы являются двусторонними, так как могут преобразовывать
и свет, падающий с тыльной стороны, а также могут служить со-
ставной частью каскадных СЭ [10].
Важнейшей проблемой, возникающей при использовании МСЭ,
является снижение электрических потерь на последовательных со-
противлениях контактов и подводящих цепей. Для эффективной
работы последовательное сопротивление МСЭ должно быть не
выше 10-2–10-3 Ом⋅см2. Таким образом, обеспечение низкого после-
довательного сопротивления и пассивации поверхности является
важной технологической проблемой.
В результате использования достаточно сложной технологии,
включающей анизотропное травление, многократную фотолито-
графию и термическое окисление для пассивации, получены эле-
менты в виде секции длиной 5 мм, высотой 200 мкм, шириной 125
мкм. При этом отдельные секции соединялись последовательно с
помощью приваренных проводов, а сами элементы для механиче-
ской прочности закреплялись на стеклянной подложке. КПД таких
элементов составлял 12,8 (AM1) и 19 % при интенсивности осве-
щения в 300 солнц. Поскольку полный ток всего элемента опреде-
ляется минимальным током отдельного элемента, входящего в
стопку, необходимо обеспечить однородность освещения; это ус-
ловие создает дополнительные сложности в случае концентратор-
ных систем [10].
Отметим, что при разработке традиционных структур с р-п-
переходами, перпендикулярными падающему световому потоку,
неизбежно возникают взаимно противоречивые требования к слое-
вому сопротивлению эмиттера, спектральной чувствительности,
затемнению, создаваемому контактной сеткой, и т.д. Для концен-
траторных систем с элементами на традиционных р-п-переходах
получить малые величины Rs не удается, и КПД таких элементов
растет с увеличением интенсивности освещения примерно до 60–
80 солнц, а затем спадает.
Ожидается, что в результате оптимизации эффективность пре-
образования солнечной энергии этими элементами при высоких
125
концентрациях будет значительно выше, чем традиционными. Од-
нако при этом возникает проблема снижения дополнительных ре-
комбинационных потерь. Для ее решения необходимо, чтобы диф-
фузионная длина неосновных носителей заряда была больше, чем
толщина каждого n-слоя, а это, в свою очередь, предполагает вы-
бор кремния с более высоким удельным сопротивлением, нежели
требуется для получения максимального значения Uхх.
Поскольку полный ток СЭ определяется минимальным током
отдельного элемента, входящего в стопку, необходимо обеспечить
однородность освещения; это условие создает дополнительные
сложности в случае концентраторных систем [10].
Таким образом, МСЭ имеют ряд преимуществ, но дальнейшее
продвижение вперед в этом направлении возможно лишь за счет
улучшения технологии.
4.2.4. Тандемный солнечный элемент
Конструкция тандемного СЭ (ТСЭ) сочетает концепции элемен-

та с БТП и текстурированного элемента. В ТСЭ нет тени от металла
и облегчаются проблемы межсоединений благодаря тому, что п+- и
р+-контакты создаются на тыльной поверхности. На лицевой сто-
роне расположен дополнительный n+-слой, который может быть
изолирован или иметь контактный вывод (рис. 4.8).
Рис. 4.8. Поперечное сечение ТСЭ [16]
Лицевая поверхность ТСЭ текстурирована, а вблизи тыльного

контакта созданы изотипные переходы. Кроме того, за счет соот-
126
ветствующей технологии изготовления тыльного контакта макси-
мально увеличен коэффициент отражения света от тыльной по-
верхности, и поэтому не поглощенный свет может после отражения
снова пройти через поглощающий слой. Собирание носителей за-
ряда на тыльной поверхности обеспечивает значительное умень-
шение потерь, связанных с рекомбинацией на тыльной поверхно-
сти [10].
Отметим, что термином ТСЭ иногда обозначают также конст-
рукцию СЭ, составленного из элементов с различными ширинами
запрещенных зон, хотя ее правильнее называть каскадной.
Максимальный КПД получается при соединении лицевого и
тыльного контактов, однако лицевой контакт может быть изолиро-
ван и находиться под плавающим потенциалом Uqc, снижающим
эффективную скорость рекомбинации на лицевой поверхности
[10]. ТСЭ иногда называют элементами со спаренными перехода-
ми (ЭСП).
Потенциальные преимущества тонких ТСЭ – это отсутствие по-
терь, характерных при наличии лицевой токосъемной сетки, что де-
лает их идеальными для концентраторных систем; более высокий
показатель отношения мощности к весу и упрощение монтажа эле-
ментов в модули благодаря межэлементным соединениям на одной
стороне элемента.
ТСЭ работает как биполярный транзистор с изолированным n+-
эмиттером на лицевой поверхности (рис. 4.9, а).
а б
Рис. 4.9. Структура эквивалентного транзистора (а) и зависимость тока короткого

замыкания от толщины тандемного солнечного элемента (ТСЭ) и обычного эле-
мента в условиях АМ0 (б) [16]
127
Электроны, генерируемые светом в эмиттере или в базе, соби-
раются n+-коллектором подобно тому, как это происходит в тран-
зисторе [16]. В таком элементе зависимость тока короткого замы-
кания от толщины прибора совершенно не похожа на соответст-
вующие зависимости для обычных СЭ. Для сравнения такие
зависимости приведены на рис. 4.9, б.
В ТСЭ используются гораздо более тонкие базовые области, и
КПД этих элементов также может превышать 20 %.
4.2.5 Солнечные элементы с вертикальными переходами

и ПЭЛЗ (PERL)
Еще одной усовершенствованной конструкцией являются СЭ

с вертикальными переходами, в которых поверхности переходов и
металлические поверхности расположены перпендикулярно по-
верхности элемента в глубоко вытравленных канавках.
Прибор с вертикальными переходами схематически представлен
на рис. 4.10. Расстояние между канавками равно 140 мкм, что со-
ставляет величину того же порядка, что и диффузионная длина не-
основных носителей. Контактные полоски к каждому выводу и
просветляющее покрытие на этом рисунке не показаны.
Рис. 4.10. Солнечный элемент

с вертикальными переходами
[16]
Главной особенностью, определяющей эффективность таких

СЭ, является погружение металлического контакта в канавку, про-
жигаемую лазером внутри кремниевого элемента. Это позволяет
значительно увеличить отношение высоты контакта к его ширине,
а значит, и объем металла, создающего пальцевой контакт. В то же
128
время площадь, занимаемая металлом на поверхности, остается
неизменной. В результате можно создать большое число близко
расположенных пальцевых контактов, не ухудшая прозрачность
поверхности СЭ. Например, в трафаретном СЭ потери, связанные с
затенением, могут составлять от 10 до 15 %, но если контакты уто-
плены, потери будут составлять около 2–3 %. Низкие потери из-за
затенения уменьшают отражение, увеличивая, таким образом, ток
короткого замыкания [16].
В качестве материала для металлического контакта используют
медь, которая наносится на тонкий заградительный слой никеля.
Создание слоя силицида никеля на границе металла–полупро-
водник обеспечивает более низкое контактное сопротивление.
Также в качестве материала для контакта могут быть использованы
золото и никель (рис. 4.10).
В СЭ с вертикальными переходами ток протекает непосредст-
венно через диффузионные p+-области и металлический слой, рас-
положенные на стенках канавок, и выводится через контактые
полоски, лежащие на боковых поверхностях элемента. Эти полоски
соединяют все элементы параллельно, вследствие чего последова-
тельное сопротивление прибора оказывается очень малым. На
таких элементах в условиях АМ1 экспериментально были получе-
ны следующие результаты: Uхх = 0,59 В, Jкз = 33 мА/см2, фактор
заполнения FF = 0,80, КПД = 15,6 % [16].
Технология производства рассматриваемых СЭ основывается на
создании покрывающего металлического контакта внутри проде-
ланной лазером (или механически) канавки. С ее помощью произ-
водятся коммерческие СЭ с высокой эффективностью. Она позво-
ляет преодолеть многие недостатки, связанные с трафаретной печа-
тью контактов, что увеличивает КПД таких элементов на 25 % по
сравнению с коммерческими трафаретными.
Кроме преимуществ, связанных с хорошим отражением, рас-
сматриваемая технология позволяет также получить низкие пара-
зитные сопротивления благодаря увеличению отношению высоты к
ширине пальцевых контактов и уменьшению расстояния между
ними. Сопротивление контактной сетки также можно уменьшить,
так как сопротивление пальцевого контакта уменьшается за счет
большого объема металла в канавке и использования меди, которая
имеет более низкое удельное сопротивление, чем паста в трафарет-
129
ных СЭ [18]. Все это уменьшает резистивные потери, позволяя соз-
дать СЭ с большой площадью и высокими коэффициентами запол-
нения. А поскольку в элементах с вертикальными переходами по-
тери в эмиттере не велики, его уровень легирования оптимизирует-
ся для получения высоких напряжений холостого хода и токов ко-
роткого замыкания.
В заключение отметим, что стоимость СЭ с вертикальными пе-
реходами, выраженная в долларах на ватт (долл./Вт), аналогична
стоимости трафаретного СЭ. Однако за счет уменьшения стоимо-
сти компонентов, зависящих от площади СБ, и фиксированной
стоимости инвертора и др. компонентов, СЭ с более высокой эф-
фективностью приводят к более низкой стоимостью электроэнер-
гии. Кроме того, увеличение КПД СЭ дает существенную выгоду в
производительности. Еще одним преимуществом данной техноло-
гии является возможность ее использования в концентрирующих
системах [23].
Следующий тип сравнительно новой конструкции – элемент
PERL (ПЭЛЗ).
ПЭЛЗ – это аббревиатура от слов пассивированный эмиттер с
локальным легированием задней поверхности (рис. 4.11). При их
производстве используются технологии из микроэлектронной про-
мышленности, что позволяет достичь КПД порядка 25 % при стан-
дартном спектре АМ1,5.
Рис. 4.11. Схематическое изображение лабораторного СЭ ПЭЛЗ [23]
Пассивация эмиттера означает нанесение на лицевую поверх-

ность слоя оксида высокого качества, который существенно снижа-
130
ет рекомбинацию носителей около поверхности. Задняя поверх-
ность легируется только возле металлического контакта для
уменьшения рекомбинации на задней поверхности при сохранении
хорошего электрического контакта [23].
4.2.6. Тонкопленочные кремниевые солнечные элементы
Перспективным направлением в технологии создания СЭ явля-

ется применение тонкопленочных структур. Конструкции этих эле-
ментов оптимизированы с целью достижения максимального пока-
зателя отношения мощности к весу.
В качестве материала для тонкопленочных структур широко
применяют поликристаллический и аморфный кремний.
Для уменьшения влияния активных дефектов в поликристалли-
ческих материалах используются добавки H, Li, Al, As, P. Среди
основных подходов для производства поглощающего слоя таких
кремниевых СЭ можно выделить: направленное затвердевание, ме-
тод горячего обмена (HEM), пленочный рост при краевом питании
(EFG), вытягивание при поддержке с краев (ESP), лента на
ленте (RTR), лента напротив капли (RAD), низкоугольный крем-
ниевый лист (LASS) и другие [30].
Производство СЭ на основе мультикристаллического и поликри-
сталлического кремния осуществляется рядом известных фирм
(Kyocera, BP Solarex, Photowatt, Ase Americas, Evergreen Solar) с
суммарной мощность производства в 70 МВт в год и средней эффек-
тивностью солнечных элементов до 18 % и модулей в 9– 12 %.
Для лучшего использования материала широко разрабатывают-
ся СЭ с поглотителем на основе тонкопленочного кремния (tf-Si
СЭ), наносимого методом CVD (осажденение из химических па-
ров) на подложки различных типов (кремний, сталь, SiO2 и др.).
Однако в силу малого коэффициента поглощения Si выращи-
ваемые пленки должны иметь значительную толщину (до 47 мкм,
что только на порядок ниже, чем у монокристаллических элемен-
тов). При этом уменьшение толщины поглощающей пленки отра-
жается на КПД солнечного элемента [30].
Основные типы конструкции СЭ на основе тонкопленочного
кремния представлены на рис. 4.12.
131
Рис. 4.12. Структура основных типов кремниевых тонкопленочных элементов:
а – солнечный элемент с пассивированным эмиттером и микроканавками;
б – СЭ на пленочном TM кремнии; в – межконтактный солнечный элемент
на пленочном TM кремнии; г – СЭ на тонкопленочном TM кремнии;
д – тонкопленочный многослойный солнечный элемент с опрокинутой
пирамидальной поверхностью и пассивированным эмиттером [30]
В другом типе тонкопленочных кремниевых элементов погло-

щающим слоем является аморфный кремний, легированный во-
дородом (α-Si:H). Путем введения примеси водорода (гидроге-
низации) варьируется значение ширины запрещенной зоны аморф-
132
ного кремния. Иногда, помимо водорода, в поглощающем аморф-
ном слое используются также добавки германия (α-SiGe:H).
Кристаллический и аморфный кремний сильно различаются:
первый имеет непрямую запрещенную зону шириной 1,1 эВ, в то
время как характеристики оптического поглощения в гидро-
генезированном α-Si напоминают характеристики кристалла с пря-
мой запрещенной зоной шириной 1,6 эВ (рис. 4.13).
Рис. 4.13. Зависимость коэффициента

поглощения от длины волны для Рис. 4.14. Конструкция
кристаллического и гидрогенезированного фотоэлемента с барьером
аморфного Si [16] Шоттки [30]
В качестве рабочего перехода для α-Si СЭ могут использоваться

барьер Шоттки, МОП – структура, p-i-n-структура. На рис. 4.14–
4.16 показаны различные варианты конструкции солнечных эле-
ментов на аморфном кремнии.
Наиболее простые конструкции СЭ из α-Si:Н были созданы на
основе структуры металл – полупроводник (диод Шоттки) (см. рис.
4.14). Реализация данной структуры достаточно проблематична,
поскольку металлический электрод должен быть прозрачным и
равномерным по толщине, а все состояния на границе металл–α-
Si:Н – стабильными во времени.
Чаще всего солнечные элементы на основе α-Si:Н формируют
на ленте из нержавеющей стали или на стеклянных подложках, по-
крытых проводящим слоем. При использовании стеклянных под-
ложек на них наносят прозрачную для света проводящую оксид-
ную пленку (ТСО) из SnO2, In2O3 или SnO2+ In2O3 (ITO). Это по-
зволяет освещать элемент через стекло.
133
Поскольку у нелегированного слоя электронная проводимость
выражена слабо, барьер Шоттки создается за счет осаждения ме-
таллических пленок с высокой работой выхода (Pt, Rh, Pd), кото-
рая обуславливает образование области положительного объемно-
го заряда (обедненного слоя) в α -Si:Н [30].
При нанесении аморфного кремния на металлическую подложку
образуется нежелательный потенциальный барьер α-Si:Н/ металли-
ческая подложка. Для снижения высоты данного используют под-
ложки из металлов с малой работой выхода (Mo, Ni, Nb). Такие ме-
таллы, как Au и Al не используются в качестве материалов элек-
тродов, так как они легко диффундирующие в аморфный кремний.
Такие металлы, как Cu и Ag, также не применяют, поскольку α-
Si:Н обладает к ним плохой адгезией [30].
Отметим, что Uxx солнечных элементов с барьером Шотки на
основе α-Si:Н обычно не превышает 0,6 В. Более высокой эффек-
тивностью обладают СЭ на основе аморфного кремния с p-i-n-
структурой (см. рис. 4.15).
а б
Рис. 4.15. Кремниевые р-i-n-структуры:
а – на стеклянной подложке; б – на стальной подложке [30]
Здесь существенную долю света поглощает широкая нелегиро-

ванная i-области α-Si:Н. Основной проблемой при изготовлении дан-
ной структуры является малая диффузионная длина дырок в α-Si:Н.
(~100 нм). Поэтому в солнечных элементах на основе α-Si:Н носи-
134
тели заряда достигают электродов в основном только благодаря
внутреннему электрическому полю, т.е. за счет дрейфа носителей
заряда. В СЭ на основе кристаллических полупроводников носите-
ли заряда, имея большую диффузионную длину (100–200 мкм),
достигают электродов и в отсутствие электрического поля [30].
Поскольку в простом p-n-переходе в α-Si:Н область сильного
электрического поля очень узка и диффузионная длина носителей
заряда мала, в большей части СЭ не происходит эффективного раз-
деления носителей заряда, генерируемых при поглощении света.
Следовательно, для получения эффективных СЭ на основе p-i-n-
сруктуры аморфного гидрогенизированного кремния необходимо
добиться во всей i-области однородного мощного внутреннего
электрического поля, достаточного для достижения длины дрейфа
носителей, соизмеримого с размерами области поглощения.
Данная задача решается, путем формирования на поверхности
прозрачного проводящего электрода тонкого p-слоя (<10 нм), обес-
печивающего хороший электрический контакт (см. рис. 4.15, а).
Используется и другая p-i-n-структура СЭ на основе α-Si:H с
подложкой из металлической фольги, в частности из нержавеющей
стали (рис. 4.15, б). Свет попадает со стороны прозрачного элек-
трода, контактирующего с n-областью. В результате возрастает
плотность тока короткого замыкания благодаря отражающей спо-
собности металлической подложки и меньшему оптическому по-
глощению света легированными фосфором пленками α-Si:H (n-
область) по сравнению с легированными бором р-слоями.
На рис. 4.16 приведена структура
СЭ с поперечным переходом. Такой
СЭ не требует прозрачного проводя-
щего оксида в качестве контакта и
широкозонного p-слоя для создания
прозрачного оконного слоя, его мож-
но изготовить посредством стандарт-
ных технологий микроэлектроники Рис. 4.16. Солнечная батарея
[31]. с поперечным переходом
Аморфные кремниевые элементы
с p-i-n-структурой сейчас применяются в самых различных облас-
тях благодаря возможности их изготовления на металлической
135
фольге, например, из нержавеющей стали и полимерных плен-
ках, снабженных металлическим покрытием. Использование та-
ких подложек совместимо с технологией массового производства
гибких СЭ. Поэтому элементы данного типа относятся к наиболее
перспективным преобразователям солнечной энергии ближайшего
будущего [3].
Отметим, что производство α-Si СЭ находится уже на достаточ-
но высоком технологическом уровне.
______________________________________________________
1. Укажите преимущества и недостатки кремниевых СЭ. Чем обуслов-

лено их преобладание на рынке СЭ?
2. Какие подложки используются для кремниевых СЭ?
3. Проведите сравнительный анализ монокристаллических и поликри-
сталлических кремниевых подложек для СЭ.
4. Укажите преимущества и недостатки СЭ на основе аморфного крем-
ния (α-Si:H).
5. Какие методы применяются для изготовления p-n-перехода в крем-
ниевом СЭ?
6. Какие методы более эффективны для получения тонких легирован-
ных областей в СЭ?
7. Для каких целей используется антиотражающее покрытие? Из ка-
ких материалов оно изготавливается?
8. Перечислите основные технологические проблемы при изготовле-
нии кремниевого СЭ с p-n-переходом.
9. Зачем следует текстурировать поверхность кремниевой подложки?
Каким образом осуществляется данная технологическая операция?
10. Укажите основные пути повышения КПД СЭ.
11. Прокомментируйте принцип работы СЭ с электрическим полем
вблизи тыльной поверхности (БТП).
12. Укажите преимущества и недостатки «фиолетовых» СЭ.
13. Прокомментируйте принцип работы многопереходного кремниево-
го СЭ. Укажите преимущества и недостатки данной структуры.
14. Прокомментируйте принцип работы ТСЭ. Укажите преимущества
и недостатки данной структуры.
15. Прокомментируйте принцип работы СЭ с вертикальными
переходами. Укажите преимущества и недостатки данной структуры.
136
16. Укажите преимущества и недостатки тонкопленочных кремниевых
СЭ.
17. Перечислите основные типы конструкции для СЭ на основе тонко-
пленочного кремния. Какая конструкция обеспечивает наибольший КПД?
18. Какие структуры используются в качестве рабочего перехода для
α-Si СЭ?
19. Какие проблемы возникают при нанесении аморфного кремния на
металлическую подложку?
20. Укажите преимущества и недостатки аморфных кремниевых СЭ
с p-i-n-структурой.
137
5. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ГЕТЕРОПЕРЕХОДАМИ
И ГЕТЕРОСТРУКТУРАМИ
5.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе

гетероструктур соединений АIIIВV
5.1.1. Преимущества и недостатки солнечных элементов

на гетеропереходах
Гетеропереходы представляют собой переходы, образующиеся

при контакте двух полупроводников с различными энергетически-
ми положениями запрещенной зоны.
Типичная энергетическая диаграмма n-p-гетероперехода, нахо-
дящегося в состоянии термодинамического равновесия, показана
на рис. 5.1 [16].
Фотоны с энергией, меньшей
Eg1, но большей Eg2, будут про-
ходить через слой первого по-
лупроводника, который играет
роль оптического окна, и по-
глощается во втором полупро-
воднике. Далее носители будут
разделяться» переходом. Если
Рис. 5.1. Диаграмма энергетических
энергия фотонов больше Eg1, то
зон n-p-гетеропереходов в состоянии они будут поглощаться в первом
термодинамического равновесия полупроводнике. Переход будет
разделять носители, генерируе-
мые этим излучением на расстоянии от перехода, не превышающем
диффузионную длину, либо непосредственно в области простран-
ственного заряда перехода.
В случае р-n-гетероперехода плотность фототока обедненных
слоев равна:
−α (W + x )
J dr = qF (1 − R ) ⎡e 1 j (1 − e−α1W1 ) + e 1 1 j (1 − e −α2W2 ) ⎤ , (5.1)
−α x
⎣⎢ ⎦⎥
где W1 и W2 – толщины обедненного слоя в полупроводниках; α1 и
α2 – коэффициенты поглощения в первом и втором полупроводни-
ках соответственно.
138
Рассмотрим преимущества СЭ с гетеропереходами перед обыч-
ными солнечными элементами с p-n-переходами [16]:
1) увеличение спектрального отклика в коротковолновом диа-
пазоне при условии, что энергия Eg1 достаточно велика и фотоны с
высокой энергией поглощаются в обедненном слое второго полу-
проводника;
2) понижение последовательного сопротивления при условии,
что первый полупроводник можно сильно легировать, не ухудшая
при этом условия прохождения света через него;
3) высокая радиационная стойкость, если первый слой полу-
проводника достаточно толстый и полупроводник имеет широкую
запрещенную зону.
4) способность эффективно преобразовывать сильно концен-
трированное солнечное излучение, что открывает перспективы су-
щественного (пропорционально степени концентрирования) сни-
жения площади и стоимости СЭ и вследствие этого снижения стои-
мости «солнечной» электроэнергии.
К основным критериям выбора материалов для СЭ на основе
гетеропереходных структур [10] относятся:
1) отсутствие пиков на краях зоны проводимости (или валент-
ной зоны), ухудшающих прохождение фотогенерированных носи-
телей;
2) близость к нулю величин ΔЕс (или ΔЕv в случае поглощающе-
го слоя n-типа) для максимального увеличения контактной разно-
сти потенциалов Ud и напряжения холостого хода Uхх;
3) ширина запрещенной зоны Eg поглощающего слоя, которая
должна находиться в интервале от 1,4 до 1,6 эВ для повышения
эффективности преобразования;
4) большая ширина запрещенной зоны Eg2 поверхностного слоя
и его низкоомность для расширения спектрального диапазона про-
пускания солнечного излучения;
5) близкие значения коэффициентов теплового расширения ма-
териалов;
6) малое несоответствие параметров кристаллических решеток
полупроводниковых материалов. В результате можно существенно
снизить потери, связанные с поверхностной рекомбинацией носи-
телей заряда в прямозонных материалах.
139
Во многих случаях при больших несоответствиях параметров
кристаллических решеток квантовая эффективность снижается
лишь незначительно, однако появляются токовые утечки, снижаю-
щие напряжение Uхх и коэффициент заполнения ВАХ FF.
Наиболее широко для создания СЭ применяются монокристал-
лические гетеропереходы между полупроводниковыми материала-
ми на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al.
Первые фотоэлементы на основе арсенида галлия были созданы
в начале 1960-х годов. Они сразу же нашли применение в космиче-
ских исследованиях благодаря устойчивости к космическому излу-
чению и высокой эффективности фотопреобразования. Из всех со-
единений групп III–V наиболее широко применяются InP и GaAs,
поскольку они имеют почти идеальную ширину запрещенной зоны
в 1,4 эВ. Наибольшая эффективность на структурах с одним
переходом была достигнута на тонкопленочных устройствах, сфор-
мированных методом газофазной эпитаксии: 25,8 % для GaAs и
21,9 % для InP [13].
Недостатком устройств на пленках соединений III-V групп яв-
ляется высокая стоимость подложек, обеспечивающих эпитакси-
альный рост этих материалов. Кроме этого, эффективность фото-
преобразования пленок очень чувствительна к примесям и струк-
турным дефектам, что не позволяет упростить технологию их оса-
ждения и снизить стоимость производства ячеек. В дальнейшем
для решения данной задачи стали использовать ячейки с несколь-
кими переходами, обеспечивающими более полное поглощение
солнечного спектра, концентрировать солнечную энергию с боль-
шой площади на небольшой фотоэлемент. Во втором случае вместо
дорогостоящего фотоэлемента используется существенно более
дешевое концентрирующее устройство, например линза Френеля.
В результате стоимость фотоэлемента снижается пропорционально
степени концентрирования солнечного излучения. Современный
рекорд эффективности фотопреобразования, достигнутый на
структуре с тремя переходами при концентрировании в 364 раза,
составляет 41,6 % [4].
Увеличение количества гетеропереходов больше трех приво-
дит к значительному удорожанию фотоэлемента, поэтому основной
140
рынок для высокоэффективных устройств с тремя и более гетеро-
переходами – аэрокосмическая промышленность.
При изготовлении гетеропереходных СЭ могут возникать сле-
дующие проблемы [10,16]: взаимная диффузия компонентов актив-
ного слоя СЭ, влияние поверхностных состояний, образование со-
единений на межфазной границе раздела, влияние оксидных слоев,
образующихся до и в процессе выращивания структур.
При температурах выращивания взаимная диффузия может
проявляться слабо или сильно. В первом случае диффузионный
перенос материала вызывает изменения лишь степени легирования.
Во втором случае взаимная диффузия может привести к формиро-
ванию на металлургической границе перехода промежуточного
(третьего по счету) слоя, который будет бесполезно поглощать фо-
тоны с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны этого
слоя.
В широкозонных материалах наблюдается тенденция к само-
компенсации, что затрудняет получение низкоомного материала. В
основном это касается тонких поликристаллических пленок, где
данный эффект наиболее сильно проявляется в областях разупоря-
дочения (например, на границах зерен).
Важно также учитывать влияние поверхностных состояний. По-
верхности большинства полупроводников имеют потенциал, отли-
чающийся от потенциала в объеме. В ряде материалов сильное
влияние поверхностных состояний приводит даже к перемене типа
проводимости поверхности. Например, атомарно чистая поверх-
ность р-InР после воздействия кислорода даже при невысоких тем-
пературах или после очистки с помощью ионов аргона (Аr) приоб-
ретает n-тип проводимости. В результате соприкосновения чистой
поверхности полупроводника (образовавшейся после скола) с воз-
духом очень быстро образуется тонкая пленка оксида, что также
влияет на свойства перехода. Например, в случае GaAs или InР при
комнатной температуре оксидная пленка толщиной около 15 нм
формируется в течение нескольких секунд.
Таким образом, изготовление гетеропереходных СЭ является
сложным многофакторным технологическим процессом. При раз-
работке технологического процесса необходимо учитывать все
выше перечисленные проблемы.
141
5.1.2. Солнечные элементы на основе гетероструктур
соединений АIIIВV
Полупроводниковые соединения АIIIВV и твердые растворы на

их основе обладают хорошими характеристиками для фотоволь-
таического преобразования солнечного света. Для оптимизации
параметров солнечных элементов используется широкий спектр
АIIIВV полупроводниковых соединений в различных комбинаци-
ях, но наиболее часто используются GaAs и InP [3]. Проведем
краткий анализ физических свойств арсенида галлия и твердых
растворов на его основе.
Арсенид галлия является прямозонным полупроводником,
сильно поглощающим в видимой области спектра. При спектраль-
ном составе падающего солнечного излучения, соответствующего
условиям AM1 на глубине около 2 мкм поглощается 97 % всех фо-
тонов. Полупроводник относится к кубической сингонии со струк-
турным типом цинковой обманки.
Ширина запрещенной зоны GaAs (1,43 эВ) близка к значению,
оптимальному для целей фотоэлектрического преобразования сол-
нечной энергии. В условиях солнечного освещения AM1 теорети-
ческий предел КПД составляет 26–29 %. Ширина запрещенной зо-
ны и простота изготовления тройных соединений с малым несоот-
ветствием параметров решеток выдвигают GaAs на роль основного
конкурента Si среди наиболее изученных полупроводниковых ма-
териалов.
Вследствие более высокого уровня поглощения солнечного из-
лучения, определяемого прямыми оптическими переходами в
GaAs, высокие КПД СЭ на их основе могут быть получены при
значительно меньшей по сравнению с кремнием толщине СЭ.
Принципиально достаточно иметь толщину фотопреобразователя с
гетеропереходом (ГФП) 5-6 мкм для получения КПД порядка не
менее 20 %, тогда как толщина кремниевых элементов не может
быть менее 50-100 мкм без заметного снижения их КПД.
СЭ на основе гетероструктур соединений АIIIВV обладают также
более благоприятными с точки зрения требований к преобразова-
телям СЭС эксплуатационными характеристиками по сравнению с
кремниевыми СЭ. Например, благодаря большой ширине запре-
щённой зоны существует возможность достижения малых началь-
142
ных значений обратных токов насыщения в p-n-переходах. Это, в
свою очередь, существенно расширяет область линейной зависи-
мости мощности СЭ от плотности светового потока.
Рассматриваемые СЭ более устойчивы к колебаниям температу-
ры. Повышение равновесной температуры до 150–180 °С не при-
водит к существенному снижению их КПД и оптимальной удель-
ной мощности. В то же время для кремниевых СЭ повышение тем-
пературы выше 60–70 °С снижает их КПД в два раза. Благодаря
устойчивости к высоким температурам арсенид-галлиевые СЭ по-
зволяют применять к ним концентраторы солнечного излучения.
Как уже отмечалось, гетерофотоэлементы (ГФП) на основе
GaAs в значительно меньшей степени, чем кремниевые СЭ, под-
вержены разрушению потоками протонов и электронов высоких
энергий.
Таким образом, энергетические, массовые и эксплуатационные
характеристики СЭ на основе GaAs в большей степени соответст-
вуют требованиям СЭС и космических СЭС, чем характеристики
кремниевых СЭ. Однако кремний является значительно более дос-
тупным и освоенным в производстве материалом, чем арсенид гал-
лия. Кремний широко распространён в природе, и запасы исходно-
го сырья для создания СЭ на его основе практически неограничен-
ны. Технология изготовления кремниевых СЭ хорошо отработана и
непрерывно совершенствуется. Существует реальная перспектива
снижения стоимости кремниевых СЭ на один–два порядка при
внедрении новых автоматизированных методов производства.
Выращивание кристаллов GaAs обычно осуществляют метода-
ми Бриджмена и Чохральского. Далее из слитков путем резки,
шлифовки и полировки изготавливают подложки, на которых ме-
тодами газофазной или жидкофазной эпитаксии выращивают эпи-
таксиальные слои.
Почти полное совпадение параметров кристаллических решеток
и отсутствие рекомбинационных центров на межфазной границе в
изотипном переходе AlGaAs–GaAs успешно используется для уст-
ранения потерь, связанных с рекомбинацией носителей на лицевой
поверхности в СЭ с гетерофазной границей раздела. В данной
структуре слой AlGaAs играет роль широкозонного окна, предна-
значенного для защиты фотоактивной области СЭ от действия по-
143
верхностных состояний. В качестве фотоактивной области высту-
пают р-n-слои GaAs.
Рассматриваемая структура была предложена в 1960-х годах в
ФТИ им. А.Ф. Иоффе. В гетероструктуре удалось сформировать
бездефектную гетерограницу и обеспечить идеальные условия для
фотогенерации электронно-дырочных пар и их собирания р-n-
переходом. Поскольку ГФЭ с арсенид-галлиевой фотоактивной об-
ластью оказались ещё и более радиационно стойкими, они быстро
нашли применение в космической технике, несмотря на значитель-
но высокую стоимость по сравнению с кремниевыми СЭ [2, 5].
На рис. 5.2, а показана зонная диаграмма СЭ на основе гетерост-
руктуры p-Ga1-xAlxAs / p-GaAs / n-GaAs. Широкозонный полупровод-
ник здесь используется в качестве оптического окна, пропускающего
фотоны с энергией, меньшей Eg1. Фотоны с энергиями в диапазоне
Eg2–Eg1 создают носители в p-n- гомопереходе на основе GaAs.
Рис. 5.2. Энергетическая зонная диаграмма СЭ на основе гетероструктуры

AlGaAs / GaAs [3]
Поскольку коэффициент поглощения света в узкозонном полу-

проводнике большой, генерация носителей будет происходить в
обедненном слое или в близлежащей области и эффективность со-
бирания носителей окажется высокой.
Следует отметить, что структура p-Ga1-xAlxAs/ p-GaAs/ n-GaAs
наиболее широко применяется на практике.
144
Структура p-Al0,7Ga0,3As/ p-GaAs / n-GaAs была изготовлена в
1972 г. Вудалом и Ховелом [Woodall, Hovel] методом жидкофазной
эпитаксии и имела η = 15,3 и 19,1 % при AM1 и АМ2 соответст-
венно. Промежуточный слой GaAs р-типа проводимости формиро-
вался в результате диффузии цинка Zn при осаждении слоя AlGaAs
в пластине n-GaAs .
В настоящее время рассматриваемой структуре в качестве ба-
зового материала используется n-GaAs с концентрацией основных
носителей (1–5)·1017 см-3. Данный материал получается методом
эпитаксиального выращивания из газовой или жидкой фаз на под-
ложку GaAs.
Слой p-GaAs (1018–1019 см-3) толщиной 0,5–3,0 мкм получа-
ется либо эпитаксиальным выращиванием, либо за счет диффу-
зии цинка или бериллия при выращивании слоя твердого рас-
твора AlxGa1-xAs, легированного одной из этих примесей. Толщина
широкозонного слоя AlxGa1-xAs (x = 0,8–0,85) слоя составляет 0,1–
1,0 мкм [16]. Использование широкозонного «окна», выполненно-
го из тонкого слоя твердого раствора AlGaAs, практически полно-
стью прозрачного для солнечного излучения, обеспечивает пасси-
вацию поверхности фотоактивной области и достижение величин
кпд, близких к предельным теоретическим значениям.
Важным этапом при изготовлении СЭ является формирова-
ние полосковых контактов к тонким фронтальным слоям. Контакт-
ная сетка гетеропереходных СЭ, предназначенных для преобразо-
вания концентрированного солнечного излучения, так же как и в
кремниевых мощных СЭ, представляет собой систему радиаль-
ных полос и концентрических колец. Оптимальная ширина кон-
тактных полос порядка 10–20 мкм, расстояние между полосами
150–250 мкм при степени затенения активной поверхности кон-
тактами 5–10 %. Для обеспечения адгезии и низкого контактного
сопротивления наносятся многослойные или многокомпозицион-
ные покрытия, например: Au/Zn, Ag/Mn, Ag/Zn, Cr+Ni, Pd+Ni,
Pd+Zn+Au. В качестве контактных материалов к тыльной по-
верхности подложки n-GaAs обычно используется Ni или эвтек-
тический сплав Au/Ge.
Полосковые контакты в структурах с толстым слоем AlxGa1-xAs
наносятся непосредственно на слой твердого раствора (рис. 5.3, а),
145
в приповерхностную область которого предварительно проводится
диффузия цинка из газовой фазы, увеличивающая поверхност-
ную концентрацию акцепторов, а для улучшения адгезии перед
диффузией и нанесением контакта вытравливают полосковые
углубления.
Рис. 5.3. Схемы различных способов формирования полосковых

контактов к гетероструктурам n-GaAs/p-GaAs/p-AlGaAs:
1 – n-GaAs; 2 – p-GaAs; 3 – p-AlGaAs; 4 – просветляющее покрытие;
5 – полосковые контакты; 6 – сплошной тыльный контакт;
7 – дополнительный слой p+-GaAs
В структурах с тонким широкозонным слоем контакты изготав-

ливают одним из способов, показанных на рис. 5.3, б–г: непо-
средственно к слою твердого раствора (б), к слою p-GaAs в
полосковых «окнах», вытравленных в слое p-AlxGa1-xAs (в), к
слою p+-GaAs, дополнительно выращенному на твердом раство-
ре и селективно стравливаемому в местах, свободных от кон-
тактов (г). Просветляющие покрытия в СЭ на основе AlGaAs-
структур выполняются либо анодным окислением поверхности слоя
AlxGa1-xAs, либо напылением тонких пленок Si3N4, ZnS, Та2О5 и др.
146
При использовании просветляющего покрытия из Si3N4 потери
на отражение составляют примерно 12 %. Двухслойное просвет-
ляющее покрытие, состоящее, например, из Та2О5 и SiO2, по-
зволяет снизить потери на отражение до ~ 4 %.
Рассмотренная на рис. 5.3 структура СЭ во многих современ-
ных конструкциях элементов сохранилась. Также разработаны кон-
струкции с двумя и более переходами, с увеличенным количеством
выводов.
Дальнейшее увеличение КПД обеспечивают каскадные солнеч-
ные элементы (КСЭ), изготовленные на основе многослойных гетеро-
структур с двумя и более p-n-переходами в материалах с различными
ширинами запрещенной зоны (рис. 5.4).
Рис.5.4. Схематическое изображение (слева) и распределение ширины

запрещенной зоны Eg (справа) для КСЭ двух типов:
a, б – монолитная конструкция с туннельным p+-n+-переходом;
в, г – каскадные элементы с механической стыковой, соединенные с помощью
контактной сетки [16]
В таких элементах «верхний» p-n-переход, выполненный в более

широкозонном материале, предназначен для эффективного преобра-
147
зования коротковолновой части солнечного излучения, а «нижний» p-
n-переход, выполненный в узкозонном материале, оптимизируется
для преобразования длинноволнового излучения, проходящего через
широкозонный элемент. Теоретические оценки показывают, что в та-
ких сложных фотопреобразователях возможно достижение КПД бо-
лее 40 %.
Верхний элемент в каждом КСЭ выполнен на основе гетерост-
руктуры, широкозонный слой которой имеет ширину запрещенной
зоны Еg1. Узкозонный слой «нижнего» СЭ имеет Еg2.
На рис. 5.4 (a, б) представлена монолитная конструкция КСЭ в
котором «верхний» и «нижний» элементы соединены туннельным
p+-n+-переходом, обеспечивающим низкие омические потери.
Существенное повышение КПД КСЭ было достигнуто в конст-
рукции с механической стыковкой (см. рис. 5.4, в, г). В данном
случае два фотоэлемента соединены через сетчатый омический
контакт. В качестве материала широкозонного элемента в этой
конструкции используется GaAs, а материалом узкозонного эле-
мента служит InGaAs или GaSb. При этом GaAs-элемент выполня-
ется прозрачным для инфракрасного излучения с длиной волны
более 0,9 мкм, а узкозонный элемент обеспечивает эффективное
преобразование длинноволновой части солнечного излучения в
спектральном интервале 0,9÷1,8 мкм. Такие СЭ имеют КПД 32–
33 % для (50 ÷100)-кратно концентрированного солнечного излу-
чения при наличии воздушных масс (АМ 1,5).
Основные препятствия в реализации рассмотренных конструк-
ций СЭ заключаются в трудности осуществления последовательно-
го соединения верхнего и нижнего элементов без внесения допол-
нительных омических и оптических потерь. В случае «туннельно-
го» варианта соединения значительно усложняется технология из-
готовления таких структур, и возникают дополнительные омиче-
ские потери на прохождение через туннельный р+-n+-переход. Во
втором случае (см. рис. 5.4, в, г) происходят дополнительные оп-
тические потери при прохождении света из верхнего СЭ в нижний.
Снижение потерь в этом случае может быть достигнуто просветле-
нием тыльной поверхности верхнего элемента и лицевой поверхно-
сти нижнего элемента, соединением этих СЭ через оптическую
среду с большим показателем преломления, а также уменьшением
площади сетчатого контакта, соединяющего элементы каскада [16].
148
КПД всего КСЭ определяется оптимальным сочетанием ширин
запрещенных зон первого и второго каскадов СЭ. Так, при концен-
трации солнечного излучения в 1000 раз максимальное значение
КПД составляет 43,5 % при Eg1 =1,6–1,7 эВ и Eg2 =1,0 эВ.
В целом характеристики ГСЭ улучшаются несколькими путями
[10, 16]:
1) оптимизируется толщина активных слоев ГСЭ и уровень их
легирования;
2) развиваются технологические методы, совершенствуется
технологическое оборудование для изготовления ГСЭ, разрабаты-
ваются и применяются новые методы получения сложных много-
компонентных твердых растворов, на основе которых изготавли-
ваются ГСЭ.
Путем варьирования уровня легирования n- и p-областей при
сохранении высоких значений диффузионной длины Ln в р-слое
можно добиться максимальных значений Uхх. В случае р-n-
переходов, в которых перенос носителей осуществляется по реком-
бинационно-генерационному механизму, эта оптимизация включа-
ет подбор значения толщины обедненного слоя в полупроводни-
ках. При этом необходимо также учитывать влияние уровня леги-
рования в квазинейтральной области на время жизни в обедненном
слое.
Расчеты показали, что оптимальное значение концентрации
примесей Nd лежит в интервале 1016–1017 см3, где отсутствует силь-
ная зависимость η от Nd. На основе имеющихся материалов можно
изготовить СЭ с η < 22 % в условиях освещения АМО без учета
затенения токосъемной сеткой и потерь на оптическое отражение.
В СЭ, где доминируют механизмы инжекции и диффузии носите-
лей, возможности оптимизации шире, причем могут оказаться бо-
лее выгодными высокие уровни легирования.
Одной из главных проблем, стоящих на пути приближения
КПД тандемных фотоэлектрических преобразователей на основе
GaAs-AlGaAs к теоретическому пределу, является образование
стимулированных кислородом дефектов в активных слоях гетеро-
структуры, а также дефектов на границах раздела p-n-переходов
[32]. Для минимизации данного эффекта в 1990 г.[33] было пред-
149
ложено использовать для изготовления верхнего p-n-перехода слои
InGaP, а для широкозонного окна – AlInP. Особенностью InGaP
является значительно меньшее дефектообразование под влиянием
кислорода [34]. Однако и для данных гетероструктур существует
проблема, связанная, в частности, с получением сильнолегирован-
ных слоев p-типа проводимости.
С целью повышения качества каскадных гетероструктур на ос-
нове GaAs-AlGaAs использовались легирование изовалентными
элементами [35]. Уменьшению дефектности и улучшению воспро-
изводимости электрофизических параметров активных слоев
AlGaAs и InGaAs, способствовало дополнительное легирование
висмутом (0,07–0,1 ат. %) галлиевых растворов-расплавов, из кото-
рых они наращивались.
Контакты к n+-подложке формировались на основе системы Au-
Ni, а фронтальные к слою p-Al0,14Ga0,86As – на основе Au-Ge-Au.
Гетероструктуры изготавливались методом низкотемпературной
жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На поверхность гетероструктуры
наносилось антиотражающее покрытие из SiO2, в котором, как и в
широкозонном слое p-Al0,8Ga0,2As, с использованием фотолитогра-
фии создавались сквозные канавки до поверхности слоя p-
Al0,8Ga0,2As. Через канавки дополнительной послеростовой диффу-
зией цинка из газовой фазы в приповерхностной области слоя p-
Al0,14Ga0,86As формировался сильнолегированный слой с концен-
трацией дырок, равной 1·1019 см–3, и толщиной 0,2–0,3 мкм. Эта
операция позволила снизить омические потери в СЭ. Затенение
контактными полосами составляло около 12 %. На каждом фото-
элементе химическим травлением формировалась мезаструктура
для уменьшения токов утечки.
На рис. 5.5 приведены ВАХ двух СЭ, изготовленных на основе
рассматриваемых тандемных гетероструктур измеренные при спек-
тральных условиях АМ 1,5. Кривая 1 соответствует фотоэлементу с
наилучшими, а кривая 2 – с наихудшими параметрами из партии в
27 фотоэлементов. Плотность тока, генерируемого СЭ площадью
0,93 см2, изменялась от 14,2 до 15,1 мА/см2, а напряжение холо-
стого хода Uxx = 2,35–2,43 В. Коэффициент полезного действия
наилучших образцах достигал 30,1 % [32].
150
Рис. 5.5. ВАХ СЭ на основе гетероструктур
InGaAs-Alх1Ga1–х1As – Alх2Ga1–х2As [32]: максимальные (1)
и минимальные (2) значения достигнутых параметров
Отметим, что до середины 1980-х годов совершенствование СЭ

как на основе кремния, так и арсенида галлия осуществлялось на
базе относительно простых структур и простых технологий. Для
СЭ на основе арсенида галлия при выращивании широкозонного
окна AlGaAs необходимо было применять жидкофазную или газо-
фазную методику. Как уже отмечалось, в случае ГФЭ необходимо
было выращивать всего один слой р-AlGaAs, в то время как р-n-
переход получался за счет диффузии примеси р-типа из расплава в
базовый материал n-типа.
Развитие технологических методов, усовершенствование тех-
нологического оборудования, разработка новых методов получения
сложных многокомпонентных твердых растворов привело к резко-
му скачку эффективности преобразования как кремниевых, так и
арсенид галлиевых СЭ.
В целом прогресс в сфере СЭ на основе арсенида галлия был
обусловлен применением новых эпитаксиальных методов выращи-
вания гетероструктур. Один из таких методов – метод газофазной
эпитаксии из паров металлорганических соединений (МОС ГФЭ).
В результате в структуру арсенид-галлиевых ГФЭ были введены
следующие улучшения [2]:
- оптимизировано широкозонное окно, толщина которого стала
сравнимой с толщиной наноразмерных активных областей в гете-
ролазерах. Слой AlGaAs стал выполнять также функцию третьей
составляющей в трехслойном интерференционном антиотражаю-
щем покрытии СЭ;
151
- был введен тыльный (за р-n-переходом) широкозонный слой,
обеспечивающий вместе с фронтальным широкозонным слоем
двухстороннее ограничение фотогенерированных носителей в пре-
делах области поглощения света. Рекомбинационные потери носи-
телей до их собирания р-n-переходом были снижены.
Для подобного рода структур (рис. 5.6, а) рекордное значение
КПД составило 24,6 % в условиях освещения концентрированным
солнечным светом со спектром АМ0.
а б
Рис. 5.6. Схематические диаграммы однопереходных многослойных СЭ
на основе AlGaAs/GaAs для космических приложений[2]:
a – структура СЭ с тыльным потенциальным барьером и тонким широкозонным
окном p-AlGaAs; б – структура СЭ со встроенным брэгговским отражателем,
выращенная методом МОС-гидридной эпитаксии [2]
На рис. 5.6, б представлена структура СЭ со встроенным брэг-

говским отражателем (БО). Отметим, что в данной структуре, вы-
ращенной методом МОС ГФЭ, одиночный широкозонный слой
AlGaAs, формирующий тыльный потенциальный барьер, заменен
на систему чередующихся пар слоев AlAs/GaAs, образующих брег-
говское зеркало.
152
Длина волны максимума в спектре отражения такого зеркала
выбирается вблизи края поглощения фотоактивной области, поэто-
му длинноволновое излучение, не поглотившееся в этой области за
один проход, может быть поглощено при втором проходе после
отражения от зеркала [36]. Одновременно широкозонные слои зер-
кала продолжают по-прежнему выполнять функцию тыльного
барьера для фотогенерированных носителей.
Таким образом, БО состоит из 12 пар слоев (AlAs (72 нм)/GaAs
(59 нм). Он настроен на длину волны λ = 850 нм и имеет коэффи-
циент отражения 96 %. Вследствие этого достигается эффект двой-
ного прохождения длинноволнового излучения через структуру
СЭ, что позволяет снизить толщину базового слоя n-GaAs до 1–1,5
мкм. На таких элементах была достигнута высокая радиационная
стабильность: «остаточная мощность» 84−86 % после облучения
электронами с энергией 1 МэВ (плотность потока 1015 см−2).
Следует отметить, что процедуры оптимизации конструкции
СЭ зависят от области их применения. При высоких степенях кон-
центрации, выгодных при наземном использовании СЭ на основе
GaAs в концентраторных системах, следует учитывать, что КПД,
как правило, возрастает с увеличением интенсивности светового
потока (рис. 5.7). В результате, эффективнее использовать потоки
при степенях концентрации 103 и выше.
Рис. 5.7. Расчетная зависимость КПД солнечного элемента на основе структуры

AlGaAs -GaAs, выращенной методом жидкофазной эпитаксии, от степени
концентрации С солнечного излучения (при AMI) для различных значений
последовательного сопротивления [10]
153
Основная проблема, возникающая при больших степенях кон-
центрации, – эффективное собирание тока, требующее, чтобы по-
следовательное сопротивление Rs не превышало 10-3 Ом·см2 [10].
Слой AlGaAs играет основную роль в собирании тока, поэтому
необходим некоторый компромисс между его слоевым сопротив-
лением (толщиной и удельным сопротивлением), расстояниями
между токосъемными полосками и количеством света, прошедшего
через него. Критичен также характер рисунка токосъемной сетки, а
многие другие параметры (контактное сопротивление, ширина то-
косъемных полосок, их толщины и расстояния между ними, сопро-
тивление общего токосъема) должны быть надлежащим образом
оптимизированы.
В CЭ на основе GaAs для космических энергетических устано-
вок определяющими характеристиками становятся отношение
мощности, вырабатываемой элементом, к его весу и радиационная
стойкость. Именно эти параметры следует улучшать при оптимиза-
ции конструкции СЭ.
В заключении отметим, что СЭ на основе АIIIBV имеют дос-
таточно высокую себестоимость. На практике стремятся макси-
мально увеличить их КПД за счет создания многопереходных уст-
ройств и применения концентраторных систем из линз или зеркал.
Тем не менее, несмотря на достаточно высокий КПД, СЭ на основе
АIIIBV не нашли широкого применения в наземных условиях, так
как они не выдерживают конкуренции с кристаллическими и
аморфными кремниевыми элементами из-за высокой цены [3].
5.2. Гетеропереход
проводящее стекло – полупроводник
В гетеропереходе проводящее стекло – полупроводник стекло

играет роль части гетероперехода и просветляющего покрытия. К
проводящим стеклам относятся такие полупроводники, как оксид
индия (In2O3 с Eg = 3,5 эВ и электронным сродством χ = 4,45 эВ),
оксид олова (SnO2 с Eg = 3,5 эВ и электронным сродством χ = 4,8
эВ) и оксид сплава индия и олова (ITO, смесь In2O3 и SnO2 с Eg =
= 3,7 эВ и электронным сродством χ от 4,2 до 4,5 эВ). Эти окисные
полупроводники в виде тонких пленок обладают хорошей электри-
ческой проводимостью и высокой оптической прозрачностью.
154
На рис. 5.8 показана зонная диаграмма СЭ ITO–Si. Верхним
слоем служит окисел ITO n-типа.
Рис. 5.8. ВАХ гетероперехода ITO–Si (на вставке приведена зонная диаграмма
при смещении) [16]
Толщина слоя равна 0,4 мкм, его удельное сопротивление со-

ставляет 5⋅10- 4 Ом⋅см. В качестве подложки используется кремний
p- типа с удельным сопротивлением 2 Ом⋅см. Все кривые на рис.
5.8 при плотностях тока порядка 1 мА/см2 параллельны друг другу.
Наклон d(lnJ)/dV составляет ~24 В-1 и не зависит от температуры.
Такой наклон соответствует многоступенчатому туннелированию
внутри гетероперехода [16].
Значения КПД лежат в диапазоне 12–15 %, для СЭ n-ITO/p-InP
в условиях AM2 КПД = 14 %.
5.3. Каскадный солнечный элемент

с гетеропереходами
В каскадных (тандемных) элементах (КСЭ) солнечное излуче-

ние расщепляется на несколько спектральных участков, преобра-
зуемых фотоэлементами с различной шириной запрещенной зоны
(рис. 5.9).
155
Солнечный свет может быть расщеп-
лен либо селективными зеркалами, либо
расположением нескольких одиночных
фотоэлементов друг за другом с убыва-
нием ширины запрещенной зоны по ходу
луча, причем так, что солнечный свет
сначала падает на элемент с наибольшей
шириной запрещенной зоны, при этом
поглощаются фотоны с наибольшей
энергией. Пропущенные верхним слоем
фотоны проникают в следующий эле-
мент с меньшей шириной запрещенной
зоны и т.д. Таким образом, верхний кас-
кад содержит СЭ из широкозонного по-
Рис. 5.9. Схема поглощения
солнечного излучения лупроводника для преобразования ко-
в каскадном СЭ[30] ротковолновой части солнечного спек-
тра, а расположенные ниже СЭ – из по-
лупроводников с уменьшающимся значением запрещенной зоны Eg
для преобразования длинноволновой части спектра солнечного из-
лучения.
С помощью СЭ на основе каскадных сложных гетеропереход-
ных структур, использующих тройные и четвертные соединения
АIIIВV, наносимые на инородную полупроводниковую подложку, в
настоящее время достигнуты максимальный КПД в условиях кос-
моса, наилучшие результаты по удельной мощности, сроку актив-
ного существования и минимальной деградации за этот срок [2].
Использование каскадных гетероструктур для изготовления фо-
тоэлектрических преобразователей солнечной энергии является
радикальным способом повышения их эффективности. Так, теоре-
тическое значение КПД каскадной гетероструктуры с двумя рабо-
чими p-n-переходами может достигать 35 %, а с тремя – около 42 %
[31]. Реально достигнутые в последние годы значения КПД двух- и
трехпереходных СЭ на основе гетероструктур АIIIВV составляют
35–40 % [2, 4].
Для целого класса перспективных космических аппаратов, на-
пример, крупных геостационарных платформ, а также космических
аппаратов, предназначенных для транспортных операций в космосе
с использованием электрореактивных двигательных установок,
156
возможность выполнить современные целевые задачи позволяет
только использование подобных высокоэффективных СБ.
Идея каскадных фотоэлементов обсуждалась с начала 1960-х
годов и рассматривалась как очевидная, но далекая перспектива
для повышения КПД. Ситуация стала меняться в конце 1980-х го-
дов, когда многие исследовательские группы сконцентрировали
свои усилия на разработке различных типов двухкаскадных СЭ.
На рис. 5.10 представлена идеализированная диаграмма энерге-
тических зон КСЭ с двумя переходами.
Прибор состоит из широкозонного (Eg = 1,59 эВ) и узкозонного
(Eg = 0,95 эВ) элементов, последовательно соединенных туннель-
ным диодом на гетеропереходе. Туннельный диод, обеспечиваю-
щий низкие омические потери, создается во время единого цикла
изготовления такой монолитной структуры. Лицевая гетероповерх-
ность, которая служит оптическим окном и позволяет снизить по-
тери от поверхностной рекомбинации. Свет, который проходит
первый элемент, не поглощаясь в нем, не поглотится также в
сверхтонком туннельном диоде, а приведет к генерации и разделе-
нию носителей в узкозонном элементе.
Рис. 5.10. Идеализированная диаграмма энергетических зон

КСЭ с двумя переходами
157
Предельное теоретическое значение КПД для рассматриваемой
структуры при комнатной температуре оказывается выше 30 %.
Основное направление исследований в области КСЭ связано с
использованием арсенида галлия в качестве одного или нескольких
компонентов. Эффективность преобразования подобных элементов
достигает 35 %. Кроме того, в КСЭ широко применяются аморф-
ный кремний, сплавы на его основе (α-Si1-xCx:H, α-Si1-xGex:H), а
также CuInSe2.
КСЭ формируют либо путем механического состыковывания
готовых элементов, либо путем выращивания монолитной много-
каскадной монокристаллической структуры.
В экспериментах при изготовлении двухкаскадных СЭ путем
механической состыковки готовых СЭ в одном случае для верхнего
каскада использовались СЭ на основе GaAs, а для нижнего – из Ge
[37], в другом случае [38] для верхнего каскада использовали СЭ из
AlGaAs (Eg ~ 1,7 Ev), а для нижнего – из Si. Однако рекордные зна-
чения с η = 37% [39] были достигнуты на механически состыко-
ванных СЭ из верхнего каскада на основе GaAs и нижнего каскада
на основе GaSb при преобразовании солнечного излучения с кон-
центрацией K = 100×.
Достоинством механически состыкованных СВЭСЭ является то,
что они создаются на основе хорошо разработанных однопереход-
ных СЭ, и нет необходимости согласовывать электрический ток в
каскадах.
К недостаткам таких СЭ относится достаточно сложная система
коммутации каскадов, высокие оптические потери на границах
каскадов, требование минимизации поглощения верхним каскадом
излучения, которое будет преобразовываться в нижнем каскаде.
Последнее условие приводит к необходимости изготовление верх-
него каскада толщиной около 5 мкм, что достигается путем полу-
чения эпитаксиальной p-n-структуры на монокристаллической под-
ложке с последующим ее отделением от подложки [36].
Перечисленные проблемы в значительной мере оказалось воз-
можным разрешить в процессе изготовления монолитных КСЭ,
формирование которых осуществляется в процессе последователь-
ного выращивания одного за другим каскадов на монокристалличе-
ской подложке. В этом случае каскады соединены туннельными
переходами, в каждом каскаде электрический ток должен быть
158
одинаковым, а постоянные кристаллических решеток материалов
каскадов должны быть сопоставимы.
Реализовать монолитный КСЭ удалось после того, как для их
изготовления применили выращивание многопереходных гетеро-
структур методами молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE) или
эпитаксии из газовой фазы, содержащей металло-органические со-
единения элементов III группы, и гидридов элементов V группы
таблицы Менделеева (MOCVD-технология).
Изготовленные этими методами монолитные многопереходные
КСЭ в исследовательских лабораториях Германии достигли эффек-
тивности η = 40,7 % при использовании концентрированного сол-
нечное излучения со степенью концентрации K = 500×.
В Национальной лаборатории по возобновляемой энергетике
(NREL, Golden, США) на аналогичных СЭ в конце 2009 г. устано-
вили мировой рекорд эффективности η = 41,8 %. С помощью гер-
маниевых подложек методом МОС ГФЭ были выращены много-
слойные согласованные по периоду решетки структуры, в которых
верхний фотоэлемент имел p-n-переход в твердом растворе
In0.5Ga0.5P, а нижний фотоэлемент – в GaAs.
Последовательное соединение фотоэлементов осуществлялось
посредством туннельного p-n-перехода, специально формируемого
между каскадами. В дальнейшем к процессу фотоэлектрического
преобразования был подключен и третий каскад с p-n-переходом в
германиевой подложке (рис. 5.11).
В гетероструктуре (Al)GaInP/GaAs/Ge (рис. 5.11, а) второй
элемент, а также первый и второй туннельные переходы выполне-
ны из GaAs. В гетероструктуре (Al)GaInP/(In)GaAs/Ge (рис. 5.11,
б), первый туннельный переход выполнен из InGaAs, в то время
как второй элемент и второй туннельный переход выполнены из
(Al)GaInP [2].
По мнению авторов [2], для многопереходных СЭ, состоящих
из нескольких десятков каскадов, предельный КПД весьма близок к
циклу Карно и составляет почти 87 %. Таким образом, многопере-
ходные СЭ, кроме демонстрации уже сегодня наивысших значений
КПД и перспективы их повышения в ближайшем будущем, имеют
самые лучшие «фундаментальные» перспективы.
159
а б
Рис. 5.11. Поперечные разрезы солнечных элементов с тремя p-n-переходами:
a – гетероструктура (Al)GaInP/GaAs/Ge;
б – гетероструктура (Al)GaInP/(In)GaAs/Ge [2]
Таблица 5.1
Теоретические, ожидаемые и достигнутые значения КПД КСЭ [2]
Спектр КПД, %
солнечного излу- Значение Количество каскадов
чения 1 2 3 4 5
В условиях около- Теоретическое 28,0 33,0 38,0 42,0 45,0
земного космоса Ожидаемое 23,0 28,0 33,0 36,0 38,0
(АМ 0) Реализованное 21,8 27,2 29,3 - -
[41] [42] [42]
В наземных усло- Теоретическое 30,0 36,0 42,0 47,0 49,0
виях (АМ 1,5) Ожидаемое 27,0 33,0 38,0 42,0 44,0
Реализованное 25,1 30,3 31,0 - -
В наземных усло- Теоретическое 35,0 42,0 48,0 52,0 54,0
виях с концентра- Ожидаемое 31,0 38,0 43,0 47,0 49,0
цией (АМ 1,5) Реализованное 27,6 31,1 34,0 - -
160
В настоящее время трехкаскадные
фотоэлементы (табл. 5.1) уже находятся
в стадии практического использования
при оснащении космических аппаратов.
Для наземного применения данные
структуры целесообразно применять в
концентраторных системах.
каскадной СБ, состоящей из трех эле-
ментов с различной шириной запре-
щенной зоны [1, 2]. Не поглощенный
свет отражается от заднего контакта на
основе Ag/ZnO. Все три элемента кас-
кадной СБ связаны между собой силь-
нолегированными слоями, образующи-
ми туннельные переходы между сосед-
ними элементами.
Верхний слой, поглощающий корот-
коволновую область солнечного спектра,
сформирован из сплава на основе α-Si:H
с шириной запрещенной зоны 1,8 эВ.
Для серединного элемента в качест-
ве слоя i-типа использован сплав α-
SiGe:H с содержанием германия ~10–
15 % запрещенной зоны данного слоя
(1,6 эВ) идеальна для поглощения зеле- Рис. 5.12. Трехкаскадная
ной области солнечного спектра. батарея на основе сплавов
α-SiGe:H [1]
Нижняя часть СЭ поглощает длин-
новолновую часть спектра, для этого используется i-слой α-SiGe:H
с концентрацией германия 40–50 %.
Как уже отмечалось, для изготовления монолитных КСЭ приме-
няются технологии МВЕ и MOCVD. Сильной стороной этих тех-
нологий является следующее [36]:
- СЭ, изготавливаемые ранее только для космоса, нашли приме-
нение в наземной концентраторной солнечной фотоэнергетике.
Компании Boeing, Emcore и Spectrolab Inc. к 2008 г. имели отрабо-
161
танную технологию изготовления СЭ и производственные мощно-
сти более 1 МВт/год каждая.
- эти компании наладили систему сбыта, т.е. сформировали ры-
нок наземной концентраторной фотоэнергетки с эффективностью
СЭ η = 36–37%.
Слабой стороной этих технологий является:
- высокая стоимость технологического оборудования и слож-
ность технологического процесса, требующего высокую квалифи-
кацию обслуживающего персонала;
- проблематичность в получении СЭ, изготовленных на основе
каскадных гетероструктур, с эффективностью η > 50 % в связи с
чрезвычайно высокой сложностью их структуры.
Как указывает нобелевский лауреат Ж. Алферов [2], КСЭ дейст-
вительно очень сложны по структуре. Более того, они, пожалуй,
являются наиболее сложными в структурном отношении среди
всех других полупроводниковых приборов. Здесь должны быть
обеспечены самые большие изменения в значении ширины запре-
щенной зоны для нескольких фотоактивных областей с p-n-
переходами. Весьма значительно варьируются и уровни легирова-
ния слоев, причем с резкой сменой типа проводимости при форми-
ровании нескольких (по ходу роста структуры) туннельных p-n-
переходов, коммутирующих каскады. Заданные толщины слоев
фотоактивных областей должны выдерживаться с высокой точно-
стью, обеспечивая расчетное поглощение определенной части сол-
нечного спектра для генерации одинаковых значений фототока в
каскадах. Слои, формирующие туннельные p+-n+-переходы, долж-
ны быть предельно тонкими (в нанометровом диапазоне) для ми-
нимизации поглощения света, в то время как фотоактивные слои
должны быть примерно на 2 порядка толще… Решающим же об-
стоятельством для экономически оправданного использования
многопереходных фотоэлементов является тот факт, что они могут
весьма эффективно работать при высококонцентрированном сол-
нечном облучении.
Рассмотрим теперь перспективы повышения КПД многокаскад-
ных фотоэлементах. Некоторые ученые полагают [2], что в четы-
рех-, пяти-, а может быть, и в еще более многокаскадных структу-
рах можно существенно повысить КПД фотоэлемента. Для реали-
зации этой цели нужны новые материалы высокого качества. Среди
162
материалов AIIIBV – это мало освоенные практикой полупроводни-
ковые нитриды и бориды.
Отметим, что для широкозонных нитридов уже существует зна-
чительный технологический задел. Однако для КСЭ требуются ско-
рее узкозонные материалы, в большей степени согласованные по
типу и периоду решетки с материалами, уже работающими в трех-
каскадных структурах. Такими материалами могут быть, например,
твердые растворы GaInNAs, интенсивно изучаемые в настоящее
время [2].
Также перспективным направлением усовершенствования кон-
струкции каскадных СЭ является применение наноразмерных
структур. Здесь можно отметить использование материалов с кван-
товыми точками. Наногетероструктурные КСЭ уже сегодня широ-
ко используются в космических СБ в качестве альтернативы крем-
ниевым элементам, и их эффективность значительно выше
(рис.5.13).
Годы
Рис. 5.13. Динамика увеличения КПД ФЭП на основе кремния и наноструктур [43]
Предлагается также использовать плавные гетероструктуры, в

которых стремятся получить очень большой перепад в значении
запрещенной зоны при обеспечении высокой подвижности носите-
лей заряда. Все эти предложения вызваны стремлением приблизить
(вначале теоретически, а затем и практически) кпд солнечного фо-
163
тоэлектрического преобразования к термодинамическому пределу
в 93 %, определяемому циклом Карно [43].
Одним из возможных путей снижения стоимости вырабаты-
ваемой СЭ электроэнергии является фотоэлектрическое преобразо-
вание концентрированного солнечного излучения. В этом случае
требуемая площадь СЭ, а следовательно, и их стоимость могут
быть снижены пропорционально кратности концентрирования сол-
нечного излучения зеркалами или линзами. В соответствии с отче-
том, подготовленным рабочей группой Еврокомиссии (EU PV
Technology Platform), системы с концентраторами излучения могут
обеспечить минимальную стоимость «солнечной» электроэнергии
уже в ближайшие годы (рис. 5.14).
Годы
Рис. 5.14. Прогноз снижения стоимости солнечного электричества, получаемого
с помощью солнечных концентраторных энергоустановок на основе каскадных
гетероструктур [Report EU PV Technology Platform]
Ученые ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН предложили солнечные

энергоустановки (СФЭУ) на основе высокоэффективных концен-
траторных фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и КСЭ
с КПД 36–40 % на основе наногетероструктур [44, 45]. Важным
достоинством разработанных многопереходных СЭ III–V является
то, что они эффективно преобразуют в электричество концентри-
164
рованное солнечное излучение со степенью концентрации K = 500–
1000х, что не могут делать солнечные элементы на основе кремния.
При степени концентрации солнечного излучения K = 500х
вклад стоимости солнечных элементов в стоимость модуля незна-
чительный, и расход полупроводникового материала уменьшается
примерно в 400 раз [43].
При реализации метода преобразования концентрированного
солнечного излучения возникают следующие проблемы [10]:
- при повышении мощности солнечного излучения пропорцио-
нально увеличивается плотность генерированного в КСЭ фототока.
Это требует уменьшения последовательного сопротивления эле-
мента для уменьшения омических потерь;
- увеличивается тепловая нагрузка на СЭ, что требует создания
эффективной системы теплоотвода;
- возникает необходимость применения высокоэффективных и
дешевых концентрирующих систем излучения;
- возникает необходимость разработки систем точного наведе-
ния и слежения за положением Солнца, что усложняет конструк-
цию и эксплуатацию фотоэлектрических установок.
Однако развитие соответствующих технологий позволит мини-
мизировать данные проблемы.
5.4. Арсенид-галлиевые солнечные элементы

с переменной шириной зоны и барьерами Шоттки
Перспективным способом повышения эффективности преобра-

зования солнечной энергии является создание СЭ на основе вари-
зонной структуры. Создание переменной ширины запрещенной
зоны путем варьирования состава обеспечивает ряд преимуществ.
Во-первых, за счет формирования широкозонного окна –
фильтра оптимизируется прохождение и поглощение света в слое,
на тыльной стороне которого сформирован р-n-переход.
Во-вторых, переменный состав и обусловленные им электриче-
ские поля большой напряженности вблизи лицевой поверхности
способствуют отражению носителей от нее и снижению потерь,
связанных с поверхностной рекомбинацией.
165
В-третьих, наличие электрических полей высокой напряженно-
сти в генерационном объеме существенно повышает эффективное
значение диффузионной длины неосновных носителей.
Переменный состав способствует повышению радиационной
стойкости и улучшению чувствительность спектральной чувстви-
тельностью в диапазоне больших энергий фотонов [10].
В варизонной структуре на поверхности создается состав, обес-
печивающий максимальное значение ширины запрещенной зоны
Еg. Данная Еg соответствует крайнему коротковолновому участку
СЭ. У разделяющего барьера вблизи тыльной поверхности создает-
ся состав с минимальной Еg, соответствующей длинноволновому
участку СЭ.
Первые образцы с варизонной структурой были созданы в кон-
це 1970-х годов. Например, на основе структуры n-AlхGa1-xAs-p-
GaAs, где состав слоя толщиной 1 мкм изменялся в диапазоне х от
0,35 до 0, был получен максимальный КПД элемента 17,7 % при
АМО [16].
Следует отметить, что в СЭ с переменным составом существу-
ет возможность существенного повышения КПД (до 60 %).
Эффективность преобразования галлиевых ГСЭ можно повы-
сить, используя структуру с барьером Шоттки. В данной структуре
формируется контакт между металлом и полупроводником. Так как
в переходе Шоттки различная высота потенциального барьера для
электронов и дырок, то через переход инжекции не основных носи-
телей происходит. В результате в диоде Шоттки отсутствуют про-
цессы накопления и рассасывания заряда. Также у диодов Шоттки
незначительные последовательные электрические и тепловые со-
противления.
Металл наносится на поверхность полупроводника методами
вакуумного испарения, катодного распыления либо химического
или электролитического осаждения. В приконтактной области по-
лупроводника возникает потенциальный барьер, изменение высо-
ты которого под действием внешнего напряжения (смещения) при-
водит к изменению тока через прибор. Ток через контакт металл–
полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный пе-
реход, обусловлен только основными носителями заряда. Темновой
ток обусловлен в основном термоэлектронной эмиссией основных
носителей заряда, проходящих над барьером.
166
К преимуществам СЭ с барьерами Шоттки относятся [16]:
1) изготовление таких элементов при низких температурах,
поскольку отпадает необходимость в проведении высокотемпера-
турной операции – диффузии;
2) применение данной технологии при создании поликри-
сталлических и тонкопленочных СЭ;
3) высокая радиационная стойкость элементов, поскольку
вблизи их поверхности существует сильное электрическое поле;
4) большой выходной ток и хороший спектральный отклик,
что также обусловлено непосредственным примыканием обед-
ненного слоя к поверхности полупроводника, вследствие чего
ослабляется негативное влияние малых времен жизни и высо-
кой скорости поверхностной рекомбинации.
Одним из требований к рассматриваемой структуре является
обеспечение маленькой толщины слоя металла, чтобы основная
доля света достигала полупроводника.
5.5. Солнечные элементы на МДП-структурах,

их преимущества и конструкции.
Перспективы практического использования
В солнечных элементах на МДП-структурах между металлом и

полупроводниковой подложкой создается тонкий изолирующий
диэлектрический слой (обычно оксидный). Установлено, что в ре-
зультате преднамеренного создания диэлектрического слоя на гра-
нице раздела металл – полупроводник значительно повышается
Uхх. Вместе с этим преимущество СЭ на МДП-структурах связано
с тем, что в них сильное электрическое поле вблизи поверхности
полупроводника направлено так, что помогает коллектированию
носителей, создаваемых коротковолновым светом. Кроме того, в
активной области таких элементов нет кристаллических дефектов,
возникающих при диффузии примесей и присущих СЭ с диффузи-
онными p-n-переходами.
В [16] было показано, что в СЭ на МДП-структурах за счет за-
висимости между током и напряжением, Uхх растет с увеличением
толщины изолирующего слоя δ. В то же время, при увеличении
толщины диэлектрика δ уменьшается ток короткого замыкания
167
(снижается вероятность туннелирования), что может приводить к
уменьшению эффективности преобразования. Авторами [16] полу-
чено, что оптимальная толщина диэлектрика в системе металл–
SiO2–Si составляет приблизительно 2 нм.
На рис. 5.15 показана конструкция элемента, в которой исполь-
зуется гребенка в виде МДП-структуры с толстым слоем металла.
Между отдельными полосками полупроводник покрыт прозрачным
диэлектрическим слоем. Слой оксида кремния SiO2 толщиной 1000
Å служит одновременно и прозрачным диэлектрическим слоем, и
просветляющим покрытием. Эта конструкция отличается от гете-
роперехода ITO-Si, поскольку SiO2 – это диэлектрик и весь ток
протекает через зубцы гребенчатой туннельной МДП-структуры.
Рис. 5.15. Поперечное сечение СЭ с гребенчатой МДП-структурой [16]
Если в окисле имеется положительный встроенный заряд, то

вблизи поверхности полупроводника будет образовываться, поми-
мо обедненного слоя, также и инверсионный слой. Генерируемые
светом неосновные носители (электроны в случае подложки p-
типа) будут коллектироваться из обедненного и инверсионного
слоев с помощью гребенчатой тунельной МДП-структуры со слоем
SiO2 толщиной 20–30 Å. Кроме того, инверсионный слой будет эк-
ранировать центры поверхностной рекомбинации. На таких струк-
турах в условиях АМ1 КПД достигает 18 %.
Поскольку при создании таких структур не надо проводить
диффузию, а выращивание окисла возможно и при низких темпе-
168
ратурах, предполагается, что именно такие структуры, изготавли-
ваемые на поликристаллических и аморфных подложках, окажутся
экономически наиболее выгодными источниками энергии [16].
______________________________________________________
1. Укажите преимущества СЭ с гетеропереходами перед обычными

СЭ с p-n-переходами.
2. Перечислите основные критерии выбора материалов для СЭ на ос-
нове гетеропереходных структур. Какие материалы удовлетворяют дан-
ным требованиям?
3. Укажите недостатки гетеропереходных СЭ на основе соединений
АIIIВV.
4. Перечислите основные проблемы, возникающие при изготовлении
СЭ на основе гетероструктур соединений А3В5. Каким образом эти про-
блемы решаются?
5. Чем обусловлена целесообразность применения арсенида галлия в
качестве материала для СЭ?
6. Каким образом формируют полосковые контакты к гетеропере-
ходным СЭ? Чем обусловлена форма контактов?
7. Укажите основные пути повышения КПД элементов с гетеропере-
ходами.
8. Перечислите основные типы конструкций для гетеропереходных
СЭ. Какая конструкция обеспечивает наибольший КПД?
9. Каков принцип работы СЭ со встроенным брэгговским отражате-
лем?
10. Прокомментируйте принцип работы СЭ с гетеропереходом прово-
дящее стекло – полупроводник
11. Объясните принцип работы КСЭ.
12. В чем преимущества и недостатки многопереходных СЭ?
13. Объясните принцип работы трехкаскадного фотоэлемента.
14. В чем преимущества и недостатки фотоэлемента на основе вари-
зонной структуры?
15. В чем преимущества и недостатки фотоэлемента с барьерами
Шоттки?
16. Объясните принцип работы СЭ на МДП-структуре, укажите его
преимущества и недостатки, перспективы практического использования.
169
6. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
6.1. Оценка параметров работы тонкопленочных

солнечных элементов
В настоящее время наблюдается устойчивая динамика роста

производства тонкопленочных СЭ. Если в 2005 г. на тонкоплёноч-
ные фотоэлементы приходилось 6 % рынка, то в 2006 г. они зани-
мали 7 % долю рынка. В 2007 г. доля тонкоплёночных технологий
увеличилась до 8 %, а в 2009 г. она уже составляла 16,8 % [8].
Основное достоинство тонкопленочных СЭ заключается в том,
что их стоимость может быть низкой, поскольку технология их из-
готовления дешевая и при этом используются сравнительно деше-
вые материалы. К основным недостаткам относятся низкий КПД и
постепенная деградация характеристик. Низкий КПД обусловлен
частично влиянием границ зерен, а частично – низким качеством
полупроводникового материала, выращиваемого на различных
подложках. Проблема деградации связана с химическими реакция-
ми, протекающими между полупроводником и окружающей атмо-
сферой (кислородом, парами воды) [10,16, 28].
Рассматриваемые ФЭП производятся в виде тонких пленок та-
ких материалов, как аморфный кремний (α-Si:H), теллурид кадмия,
диселенид меди и индия (CIS), арсенид галлия, фосфид индия и
других, нанесенных на различные подложки. Перспективными ма-
териалами для тонкопленочных СЭ являются органические мате-
риалы. В качестве подложек применяют стекло, пластмассу, кера-
мику, металл, графит или металлургический кремний. Тонкие
пленки поглощающего материала (CdS, Si, GaAs, InP, CdTe и т.д.)
наносятся на подложку с помощью различных методов, таких, как
газовая эпитаксия, плазменное распыление и осаждение.
Следует отметить, что стекло является далеко не идеальным
материалом для подложки промышленных образцов СЭ, что обу-
словлено следующими причинами [3].
1. Стекло является достаточно хрупким материалом, что осо-
бенно сильно проявляется при синтезе солнечных модулей боль-
шой площади.
170
2. Толщина стеклянной подложки составляет не менее 1 мм, что
существенно увеличивает вес СЭ (суммарная толщина поглоти-
теля, буфера и оптического окна составляет всего несколько мик-
рометров).
3. Точный контроль щелочных примесей в стеклянной под-
ложке практически неосуществим, что ухудшает воспроизводи-
мость технологических процессов.
4. Стекло является аморфным веществом, что в значитель-
ной мере ухудшает его адгезию к металлическим пленкам, ис-
пользуемым в качестве тыльного контакта.
Вместо стекла в качестве подложки для СЭ возможно приме-
нение ряда других материалов. Идеальной заменой стеклянных
подложек может служить металлическая фольга с изолирующим
покрытием (например, анодированный алюминий). Металличе-
ская подложка, являясь достаточно прочным и пластичным мате-
риалом, обладает малой толщиной (весом), состоит из химически
однородного материала, не содержащего неконтролируемых при-
месей щелочных металлов. Кроме того, возможно направленное
введение примесей щелочных металлов при нанесении как тыльно-
го контакта, так и поглощающего слоя для подбора их оптималь-
ной концентрации и повышения КПД солнечного элемента [3].
Определим условия, при которых тонкопленочный СЭ будет
эффективно функционировать.
Если толщина слоя полупроводника превышает обратный ко-
эффициент поглощения, то большая часть света будет поглощаться
в полупроводнике; если диффузионная длина превышает толщину
пленки, то большая часть генерируемых светом носителей может
быть разделена.
Для оценки предельных возможностей приборов на неупорядо-
ченных тонких пленках рассмотрим идеализированный тонкопле-
ночный СЭ. Зонная диаграмма такого элемента в состоянии термо-
динамического равновесия показана на рис. 6.1, а. Элемент состоит
из слоя полупроводника толщиной L, заключенного между двумя
металлическими электродами с различными работами выхода. Ме-
таллы выбраны так, что уровень Ферми в одном из них проходит
вблизи края зоны проводимости, а в другом – вблизи края валент-
ной зоны полупроводника. Один из электродов сделан настолько
тонким, что практически не мешает прохождению солнечного из-
171
лучения. Предполагается, что в прямозонном полупроводнике для
фотонов с энергией, превышающей на несколько десятых эВ энер-
гию края поглощения, коэффициент поглощения а > 105 см-1 [16].
Рис. 6.1. Идеализированная диаграмма энергетических зон тонкопленочного

СЭ в равновесном состоянии (а) и при освещении (б) [16]
Диаграмма на рис. 6.1, б построена в предположении, что свет

поглощается в области сильного электрического поля, вследствие
чего происходит эффективное разделение электронов и дырок.
Из рис. 6.1, б видно, что при отсутствии заряженных центров
электрическое поле оказывается однородным и равным Е = Eg/qL.
Например, при толщине 0,1 мкм и Eg = l,5 эВ напряженность поля со-
ставит Е = 1,5⋅105 В/см. Если в полупроводнике есть ловушки с кон-
центрацией nt, то плотность ловушечного пространственного заря-
да будет равна пс, причем nc< nt. Эти заряженные дефекты изменя-
ют поле на величину ΔЕ. При этом ΔЕ будет линейно зависеть от
величины nc.
При оценке условий создания высокоэффективных тонкопле-
ночных СЭ, в частности, было показано [16], что даже при такой
высокой концентрации ловушек, как 1017 см -3, их заполнение не
приводит к существенным изменениям распределения электриче-
ского поля в полупроводнике толщиной 0,1 мкм.
Электрическое поле должно быть настолько большим, чтобы
время пролета L/μЕ, за которое электроны и дырки уходят из полу-
проводника, было меньше рекомбинационного времени жизни
(ntνσ)-1 , где σ – сечение захвата и ν – тепловая скорость. Это ус-
ловие выполняется, если подвижность носителей удовлетворяет
выражению
172
μ > ntvσL / E = ntvσqL2/Eg .
Принимая σ ~10-14 см2 и v ~107 см/с, получим, что подвиж-
ность носителей должна быть больше 1 см2/В⋅с.
В целом, высокоэффективные солнечные элементы можно соз-
давать из полупроводников с очень высокой плотностью дефектов,
если полупроводники достаточно тонкие, имеют высокий коэффи-
циент поглощения вблизи края фундаментального поглощения и в
них достигаются требуемые значения подвижности [16].
Рассмотрим конструкции тонкопленочных СЭ на основе раз-
личных материалов, их преимущества и недостатки.
6.2. Тонкопленочные солнечные элементы

на основе сульфидов и теллуридов кадмия
Перспективным материалом для СЭ является теллурид кадмия

(CdTe). У него почти идеальная ширина запрещенной зоны (1,44
эВ) и очень высокая способность к поглощению излучения. Пленки
CdTe достаточно дешевы в изготовлении. Кроме того, технологи-
чески несложно получать разнообразные сплавы CdTe c Zn и дру-
гими элементами для создания слоев с заданными свойствами.
Элементы на основе CdTe включают гетеропереход с CdS в качест-
ве оконного слоя. Оксид олова используется как прозрачный кон-
такт и просветляющее покрытие. Серьезная проблема на пути при-
менения CdTe – высокое сопротивление слоя p-CdTe, что приводит
к большим внутренним потерям. Но она решена в p-i-n-структуре с
гетеропереходом CdTe/ZnTe.
Пленки CdTe обладают высо-
кой подвижностью носителей за-
ряда, а СЭ на их основе – высоки-
ми значениями КПД, от 10 до 16 %
[3, 30].
n-CdS/p-CdTe элемента с более вы-
соким КПД, чем у других типов СЭ
на основе CdTe. Рис. 6.2. Структура тонкопленочных
CdS и CdTe могут наноситься в CdTe элементов с гетеропереходом
ходе различного рода технологиче- CdS/CdTe [3]
173
ских процессов, что открывает широкие возможности для оптими-
зации и удешевления СЭ. Слои CdTe можно осаждать различными
методами [3], например, методом химического осаждения, напыле-
нием, электролитическим осаждением. Для упорядочения нане-
сенных тонких пленок и повышения КПД СЭ тонкие пленки
CdS и CdTe после нанесения подвергаются высокотемператур-
ному отжигу при 400–500 °С [3].
СЭ на основе CdTe являются достаточно перспективными,
имеют большие возможности для усовершенствования и оптими-
зации технологии производства и, следовательно, для снижения
себестоимости. Это выгодно отличает их от СЭ на основе
аморфного кремния и АIIIBV полупроводников.
Однако в производстве CdTe СЭ задействованы кадмий и тел-
лур, являющиеся редкоземельными элементами с сильными ток-
сичными свойствами. В недалеком будущем мировое сообщество
планирует вообще отказаться от использования кадмия в промыш-
ленном производстве из-за его высокой токсичности и проблем с
утилизацией кадмия и его соединений. Поэтому при выборе CdTe
в качестве поглощающего материала для фотовольтаического
преобразования света сразу возникает проблема дальнейшей ути-
лизации СЭ, отработавших свой срок. Последнее приводит к уве-
личению себестоимости CdTe элементов и ограничению их широ-
кого использования для преобразования света [3].
На рис. 6.3. схематически показан СЭ на основе сульфида кад-
мия (CdS). Элементы создаются с использованием стеклянных
подложек, покрытых электролитически осажденной медью, поверх
которой наносится слой цинка толщиной 0,5 мкм. На подложку,
подогретую до 220 °С, осаждается слой CdS толщиной 20 мкм. Ре-
акция между пленкой CdS и ионами меди приводит к образованию
соединения Cu2S. Поверх СЭ наносятся прозрачная контактная гре-
бенка и слой просветляющего покрытия.
По существу, СЭ Cu2S–CdS представляет собой гетеропереход с
большой плотностью ловушек на границе раздела. При освещении
с лицевой стороны излучение поглощается в основном в Cu2S.
Спектральный отклик и фототок ограничиваются высокой скоро-
стью поверхностной рекомбинации, малой диффузионной длиной и
интенсивной рекомбинацией на границе раздела. Несмотря на это,
КПД такого элемента близок к 10 % [3].
174
Рис. 6.3. Тонкопленочный СЭ на CdS
6.3. Солнечные элементы на основе

многокомпонентных соединений со структурой
халькопирита
Полупроводники АIВIIIC IV2 относятся к полновалентным четы-

рехэлектронным химическим соединениям и являются ближай-
шими электронными и кристаллографическими аналогами полу-
проводниковых материалов типа АIIВVI. Эти соединения с химиче-
ской формулой, отвечающей природному минералу CuFeS2 (струк-
тура халькопирита), известны уже более 80 лет [3].
Поликристаллический слой из CuInSe2 или родственных мате-
риалов (CuGaSe2, Cu(In,Ga)Se2, CuInS2, Cu(In,Ga)(S,Se)2) p-типа
проводимости является основой СЭ, осуществляя поглощение па-
дающего света и генерацию носителей заряда. Толщина погло-
щающего слоя варьируется от 1,5 до 4 мкм, но чаще всего состав-
ляет 2,5–3 мкм.
Для удобства анализа трехкомпонентные соединения меди час-
то представляются как псевдобинарные смеси селенидов соответ-
ствующих металлов, например: 2CuInSe2 → Cu2Se·In2Se3 (CIS).
Иногда в литературе используются следующие обозначения
твердых растворов соединений меди [3]:
CuInSe2·CuGaSe2 → Cu(In,Ga)Se2 (CIGS),
CuInSe2·CuInS2 → CuIn(S,Se)2 (CISS).
175
КПД СЭ на основе этих материалов зависит от ориентации зе-
рен кристаллитов в пленке и является максимальным при преиму-
щественной ориентации последних в направлении (110), мень-
ший КПД имеют пленки с ориентацией в направлениях (112) и
(220) [3].
Многокомпонентные полупроводниковые соединения со струк-
турой халькопирита (в особенности CuInSe2) вызывают особый ин-
терес исследователей с точки зрения их использования в качестве
поглощающего слоя в СЭ. Это обусловлено следующими причи-
нами [3,11, 12]:
1) ширина запрещенной зоны твердых растворов
Cu(In,Ga)(S,Se)2 изменяется в диапазоне 1,0–2,4 эВ и может быть
идеально согласована с оптимальным значением для ФЭП солнеч-
ной энергии (1,2–1,6 эВ);
2) чрезвычайно высокие значения показателя поглощения света
(3⋅105–6⋅105 см-1) при сопоставлении со всеми известными полу-
проводниками, поэтому толщина формируемых структур может
составлять 3–5 мкм;
3) пленки CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2 могут быть получены различ-
ными методами на промышленном технологическом оборудова-
нии, при этом сравнительно просто могут быть сформированы СЭ с
КПД 14–17 %;
4) высокая стабильность характеристик. После непрерывной
работы в течение 7·104 ч при освещении имитатором солнечного
излучения и температуре 60 °С ни один из параметров негермети-
зированных элементов не ухудшился. Кроме того, радиационная
стойкость приборов на основе CuInSe2 и Cu(In, Ga)Se2 выше, чем у
арсенида галлия [47];
5) полупроводниковые вещества такого типа являются прямо-
зонными и могут быть получены различного типа проводимости,
что позволяет создавать на их основе различные типы ФЭП;
6) низкая себестоимость. Так, на производство батареи мощно-
стью 1,0 кВт требуется около 80 г соединения Cu(In,Ga)Se2. При
крупносерийном производстве (~60 МВт/год) ожидается себестои-
мость модуля 0,65–0,8 долл. США/Вт.
Ключевой проблемой синтеза CuInSe2 пленок является кон-
троль соотношения Cu/In в соединении, так как даже незначитель-
ное отклонение состава от стехиометрического может привести к
176
значительному изменению параметров и характеристик солнечного
элемента [3].
В случае избытка меди в пленке образуются избыточные селе-
ниды меди (Cu2Se и CuSe), которые оседают на поверхности, шун-
тируя полупроводниковый слой CuInSe2. В случае избытка индия
на поверхности CuInSe2 происходит образование новой фазы:
2CuIn2Se5 → Cu2Se·2In2Se3.
Данная фаза имеет структуру упорядоченно дефектного халь-
копирита (ODC) с шириной запрещенной зоны около 1,3 эВ, об-
ладающего проводимостью n-типа. Также может образоваться
структура CuIn3Se5, что приводит к формированию между
CuInSe2 и In-обогащенными структурами некоторой потенциаль-
ной поверхности. В целом, наилучшую эффективность имеют сол-
нечные элементы с поглощающим слоем, содержащим небольшой
избыток индия (атомные соотношения меди и индия составляют
0,86 ≤ Cu/In ≤ 0,96) [3].
На рис. 6.4 показана зонная диаграмма гетероперехода
CuInSe2/CdS. Ток короткого замыкания и КПД данного СЭ зависят
от размера зерен. При увеличении радиуса зерна от 0,3 до 1 мкм и
выше КПД возрастает от 4 до 6,6 % [16].
Рис. 6.4. Зависимость тока

короткого замыкания и
эффективности преобразования
от радиуса зерен в СЭ
CdS/CuInSe2
(на вставке показана
диаграмма энергетических
зон) [16]
Тройные полупроводниковые соединения и твердые растворы

на основе CuInSe2 уже зарекомендовали себя в качестве перспек-
177
тивных материалов для высокоэффективных тонкопленочных СЭ.
Эффективность фотопреобразователей на основе этих тонких пле-
нок уже доведена до 18 % [46] и дальнейшее совершенствование
свойств компонент таких элементов позволяет надеяться на даль-
нейшее повышение их эффективности.
Наиболее распространенным материалом для изготовления ок-
на СБ на основе CuInSe2 является CdS. Иногда для улучшения про-
зрачности окна в сульфид кадмия добавляют цинк. Один из основ-
ных способов получения CuInSe2 – электрохимическое осаждение
из растворов CuSO4, In2(SO4)3 и SeO2 в деионизованной воде при
соотношении компонентов Cu : In : Se как 1:5:3 и pH = 1,2–2,0 [47].
В кристаллах p-CuInSe2 преобладают примесные уровни кати-
онных вакансий и межузельных атомов халькогена (Se), тогда как в
веществах электронного типа проводимости основную роль играют
вакансии халькогена. В табл. 6.1 приводятся данные [48] по основ-
ным энергетическим уровням и энергиям образования соответст-
вующих дефектов решетки.
Таблица 6.1
Дефекты решетки в кристаллах CuInSe2 [48]
Тип Тип Энтальпия Энергия
дефекта проводимости образования, эВ активации, эВ
CuIn p 1,3 Ev + 0,05
VIn p 2,8 Ev + 0,22
VCu p 2,6 Ev + 0,7
InCu n 1,4 Ec – 0,01
VSe n 2,4 Ec – 0,22
Необходимо отметить большую разницу в энергиях образования

следующих дефектов: атомов меди на местах атомов индия CuIn, ва-
кансий в подрешетке индия VIn, вакансий в подрешетке меди VCu. В
результате точечные дефекты CuIn преобладают по сравнению с ва-
кансиями VCu и VIn. В большинстве работ мелкий акцептор, опреде-
ляющий свойства дырочных образцов, интерпретируется как дефект
CuIn [48]. В кристаллах n-CuInSe2 обычно проявляется донорный
уровень с энергией активации Ed от 0,01 до 0,018 эВ. Можно также
отметить, что после кристаллизации CuInSe2 и охлаждения до ком-
натной температуры в этом веществе всегда присутствуют дефекты
178
типа CuIn и InCu. Для улучшения фоточувствительности кристаллов
CuInSe2 обычно используют уменьшение концентрации данных де-
фектов решетки за счет примесного легирования [47, 48].
CuGaSe2 также весьма интересен как тонкопленочный элемент
СБ. Благодаря запрещенной зоне шириной 1,68 эВ он используется
как верхний элемент тандемной СБ с нижним элементом из
CuInSe2. Слои CuGaSe2 формируют путем последовательного оса-
ждения термическим испарением тонких слоев Ga, Se и Cu на по-
верхность стеклянной подложки, покрытой слоем молибдена тол-
щиной 1 мкм. Далее из полученной структуры в установке быстро-
го термического отжига в течение 5 мин при температуре 550 °С
получают соединение CuGaSe2. Следует отметить, что добавление
галлия в трехкомпонентный твердый раствор CuInSe2 обеспечивает
достижение максимальной эффективности фотопреобразования за
счет уменьшения концентрации антиструктурных дефектов решет-
ки [49]. Также добавление галлия в слой CuInSe2 увеличивает ши-
рину запрещенной зоны, что приводит к росту напряжения холо-
стого хода и, следовательно, повышению эффективности устройст-
ва [46].
На рис. 6.5 приведены ВАХ тонкопленочных СЭ на основе
CuIn1-xGaxSe2.
Рис. 6.5. Темновая (1) и световая (2) ВАХ ТПСЭ ZnO/CdS/CuIn1-xGaxSe2 [46]
Из рисунка видно, что при освещении, наряду со сдвигом ВАХ,

по оси токов вниз возникает пересечение темновой и световой ВАХ
при прямом смещении. Объясняют данное явление снижением по-
179
следовательного сопротивления структуры из-за фотогенерации
неравновесных носителей заряда и их разделения в электрическом
поле барьера [11].
В рассматриваемых СЭ в качестве просветляющего покрытия ис-
пользуется слой оксида цинка. Следует отметить, что в структурах
без слоя оксида цинка напряжение холостого хода и ток короткого
замыкания в диапазоне доз от 1016 до 1017 см-2 проявляют вырож-
денную деградацию этих параметров при облучении электронами.
Введение же слоя ZnO фактически подавляет эту деградацию. Было
выяснено [47], что пленки ZnO толщиной до 1 мкм обеспечивали вы-
сокое оптическое пропускание и собирание носителей заряда.
Экспериментально также получено [50], что при воздействии на
тонкопленочные СЭ влаги и повышенных температур эффектив-
ность приборов может резко снижаться (до 30 %).
На рис. 6.6 показаны ВАХ СЭ, работающих в стандартных усло-
виях (кривая 1) и во влажной атмосфере (кривая 2).
Рис. 6.6. Нагрузочная характеристика СЭ до (1) и после (2) проведения испытания

( в течение 1000 ч) во влажной атмосфере (относительная влажность 85 %)
при повышенной температуре (85 °С) [50]
Из графика видно, что фототок (J) уменьшается на ΔJ = 1,5

мкА/см2, в то время как напряжение холостого хода (Uхх) спадает
на ΔUхх = 100 мВ. Сравнивая эти параметры в относительных вели-
чинах получим:
ΔJ/Jmax = 0,15⋅10-3 мА/1,45⋅10-3 мА = 0,103,
ΔUхх / Uхх max = 0, 1 В/0,75 В = 0,133.
180
Таким образом, видно, что напряжение холостого хода спадает
сильнее, чем фототок. Это объясняется это ухудшением свойств
барьерного окна на основе оксида цинка [50]. Во влажной атмо-
сфере гидроксильные группы ОН– вступают в химическую реак-
цию с пленками ZnO, в результате чего образуются гидроксилы
ZnOH. В итоге это приводит к повышению сопротивления пленки
ZnO.[50].
В целом, стабильность СЭ в обычных лабораторных условиях
остается высокой в течение длительного срока, однако на открытом
воздухе в целях защиты от атмосферной влаги необходима герме-
тизация прибора.
На рис. 6.7 представлена структура CIGS элемента СБ, а на рис.
6.8 – схема его поперечного сечения.
Рис. 6.7. Структура CIGS

элемента СБ [51]
Структура CIGS элемента СБ включает пять раздельных сло-

ев на единой стеклянной подложке, которые затем можно было
коммутировать необходимым образом с учетом соотношения их
фотоэлектрических параметров.
Основой тонкопленочного элемента является гетеропереход
CuIn1-хGaхSe2/CdS. Омический контакт к пленке CuIn1-хGaхSe2
обеспечивает молибден. В качестве материала для верхнего токо-
съемного контакта используется никель (Ni), индий (In), оксид
цинка (ZnO) или структура ZnO:Al/i-ZnO. Также можно использо-
вать трехслойный сеточный токоотвод Ni/Al/Ni, который стабилен
в отношении коррозии [46].
181
Рис. 6.8. Схема поперечного сечения ТПСЭ на основе пленок Cu(In,Ga)Se2:
1 – стекло; 2 – молибден; 3 – CuIn1-хGaхSe2; 4 – CdS; 5 – просветляющее покрытие
ZnO:Al; 6 – верхний токосъемный контакт Al-Ni [46]
Как уже отмечалось, слой ZnO используются в качестве про-

светляющего покрытия. Ширина запрещенной зоны ZnO составля-
ет 3,2 эВ, что делает его почти полностью прозрачным для основ-
ной части солнечного спектра. Кроме того, ZnO обладает относи-
тельно низким удельным сопротивлением и может наноситься раз-
личными технологическими методами. Авторами [40] получено,
что просветление обеспечивает высокую эффективность фотопре-
образования в приборе.
Отметим, что альтернативными материалами для лицевого
электрода могут быть и другие прозрачные проводящие окси-
ды: ITO (In2O3 и SnO2), IZO (In2O3 с добавкой Zn), FTO (SnO2 c
добавками F2). Однако эти материалы обеспечивают более низкий
КПД СЭ (< 10%), чем у СЭ с ZnO лицевым контактом (14,7 %) [3].
В настоящее время работы по оптимизации лицевого кон-
такта сводятся в основном к улучшению параметров используемого
ZnO за счет введения различных добавок, в том числе алюминия
(Al) и бора (B). А также за счет усовершенствования технологии
нанесения. Однако базовым методом, обеспечивающим наиболее
182
высокий КПД и используемым в экспериментальном производст-
ве, является напыление магнетронным методом [3].
Анализ экспериментальных исследований показал, что тонкоп-
леночные СЭ на основе четырехкомпонентного твердого раствора
CuIn1-хGaхSe2 получают методом вакуумного термического испаре-
ния компонент из индивидуальных источников [44], методом им-
пульсного лазерного испарения кристаллов твердых растворов
CuIn1-хGaхSe2 (0,0 < х < 1,0) [46], методом химического осаждения
[3].
Пленки наносятся на металлизированное молибденовое стекло.
Молибден обладает хорошей адгезией к стеклянным подложкам и
приемлемыми электрическими свойствами. Использование в качест-
ве тыльного контакта Ni и Ni–Mo может привести к росту КПД [3].
Также установлено, что никель и золото имеют меньшее контактное
сопротивление, чем молибден (0,6 против 5 Ом·см2), а их отжиг в
атмосфере H2 позволяет снизить эту величину до 0,02 Ом·см2. Хо-
рошие омические контакты с CuInSe2 образуют также Ag и Al.
В целом подбор металла для тыльного контакта осуществляют в
соответствии со следующими требованиями [3]:
- возможность омического контакта с поглощающим слоем p-
типа проводимости, для чего необходимо выполнение условия
Амет > А погл.сл, где Aпогл.сл – работа выхода для поглощающего слоя;
Aмет – работа выхода для металла;
- низкое удельное сопротивление;
- достаточно высокая температура плавления с тем, чтобы из-
бежать смешивания с поглотителем в периоды термической обра-
ботки солнечного элемента;
- химическая устойчивость к наносимым веществам (особенно
к селену и сере).
Фоточувствительная структура, приведенная на рис. 6.8, созда-
валась осаждением на поверхность CIGS пленки специально не ле-
гированного сульфида кадмия толщиной ~0,5 мкм. Затем на поверх-
ность CdS наносилась пленка ZnO толщиной ~1 мкм, которая обес-
печивала высокое оптическое пропускание и собирание носителей
заряда. Технологический цикл создания ТСЭ завершался осаждени-
ем на поверхность ZnO токосъемной металлической сетки. Эффек-
тивность фотопреобразования в полученных ТСЭ при площади ак-
тивной поверхности до 2 см2 находилась на уровне 12–15 %.
183
Существует большое число способов повышения КПД тонкоп-
леночных СЭ на основе Cu(In,Ga)Se2, например [3]:
1) увеличение плотности фототока Jph за счет оптической кон-
центрации светового потока, падающего на СЭ;
2) увеличение плотности фототока Jph за счет минимизации ре-
комбинационных потерь. Достигается выбором оптимальной тех-
нологии получения СЭ, обеспечивающей наилучшую структуру
составляющих его слоев. Важным фактором для достижения высо-
кого КПД является тщательный контроль стехиометрического со-
става пленок, выбор оптимальных режимов процесса нанесения
CuInSe2 и его толщины;
3) оптимизация потерь на тыльном контакте. Здесь определяю-
щим является подбор материала тыльного контакта, обеспечиваю-
щего наименьшие контактные потери фототока. Например, исполь-
зование вместо традиционного молибдена слоистой структуры Mo–
Ni позволяет поднять КПД СЭ на 15 %;
4) увеличение рабочего напряжения, достигаемое за счет уве-
личения ширины запрещенной зоны поглотителя введением раз-
личных добавок (чаще всего Ga или S). Позволяет поднять КПД
CuInSe2 СЭ на 10–13 %. Такие структуры называют СЭ с градуиро-
ванной запрещенной зоной;
5) выбор оптимального значения плотности теплового тока p-n-
перехода J0, что позволяет повысить значение фактора заполнения
FF за счет оптимизации ВАХ. Увеличение FF напрямую связано с
повышением КПД. Оптимизация J0 может быть достигнута подбо-
ром материала и технологии изготовления буферного слоя. Опти-
мальными с этой точки зрения являются CdS, InxSey, ZnInxSey, ZnO,
SnO2, Sn(S,O)2, Inx(OH,S)y с FF, составляющими 0,71; 0,72; 0,752;
0,68; 0,66; 0,73 соответственно. Наилучшие значения КПД имеют
элементы, у которых буферный слой наносится химическим осаж-
дением;
6) легирование поглощающего слоя примесями щелочных ме-
таллов и кислорода (при добавках натрия (Na) КПД СЭ увеличива-
ется на 10 %, при отжиге на воздухе: на 10 %).
Перспективным материалом для дешевых СБ благодаря
приемлемой ширине запрещенной зоны (1,4–1,5 эВ) и большому
коэффициенту поглощения 104 см-1 является Cu2ZnSnS4. Его
главное достоинство в том, что входящие в нее компоненты
184
широко распространены в природе и нетоксичны. Однако пока
достигнута эффективность преобразования всего в 2,3% при
использовании гетероперехода Cu2ZnSnS4 и CdS/ZnO [30].
На практике используют не отдельные СЭ, а батареи или моду-
ли из СЭ. При достижении определенных параметров модулей, це-
на вырабатываемой ими электроэнергии может сравняться со
стоимостью электроэнергии от тепловых станций и даже достиг-
нуть меньших значений. Это сделает фотогальванические преобра-
зователи экономически рентабельными для массового производст-
ва электроэнергии (в пределах до 500 МВт). Рассчитано, что тре-
буемая для этого конечная себестоимость электроэнергии от
солнечных модулей должна составить менее 0,28 евро/ Вт [3].
Таким образом, широкое внедрение солнечной энергетики воз-
можно лишь при существенном снижении стоимости электроэнер-
гии, полученной за счет преобразования энергии солнечного
излучения полупроводниковыми приборами. Для экономической
эффективности фотопреобразования с помощью солнечных моду-
лей в наземных условиях необходимы дешевые устройства, обес-
печивающие собирание света, и преобразователи энергии, обла-
дающие высоким КПД. При соответствующем улучшении конст-
рукции тонкопленочных СЭ, усовершенствовании технологии их
производства, и снижении их стоимости, их производство будет
экономически эффективным.
1. Перечислите достоинства и недостатки тонкопленочных СЭ.

2. Какие материалы перспективны в качестве поглощающего слоя
тонкопленочных СЭ?
3. Какие материалы используются в качестве подложек для тонкопле-
ночных СЭ? Каким требованиям должен отвечать подложечный материал?
4. Перечислите условия, при которых тонкопленочный СЭ будет эф-
фективно функционировать.
5. Перечислите преимущества и недостатки тонкопленочных СЭ на
основе сульфидов и теллуридов кадмия.
6. Проведите анализ структуры тонкопленочных CdTe СЭ с гетеропе-
реходом CdS/CdTe. Укажите назначение каждого слоя.
7. Какие полупроводниковые соединения относятся к полупроводни-
кам со структурой халькопирита? Перечислите преимущества и недостат-
185
ки данных материалов с точки зрения их использования в качестве по-
глощающего слоя в фотопреобразователях.
8. Перечислите преимущества и недостатки соединения CuInSe2 с точ-
ки зрения его использования в качестве поглощающего слоя в тонкопле-
ночных СЭ.
9. Проведите анализ структуры тонкопленочных элементов на основе
CuIn1-хGaхSe2. Укажите назначение каждого слоя.
10. Перечислите преимущества и недостатки тонкопленочных элемен-
тов на основе CuIn1-хGaхSe2.
11. Какие соединения применяют в качестве просветляющего покры-
тия в тонкопленочных СЭ на основе CuIn1-хGaхSe2.
12. Какие материалы используют для создания лицевого контакта и
буферного слоя в тонкопленочных СЭ на основе CuIn1-хGaхSe2?
13. Какие металлы применяют для тыльного контакта в ТПСЭ? Каким
требованиям должны удовлетворять данные материалы?
14. Перечислите основные способы повышения КПД тонкопленочных
СЭ на основе Cu(In,Ga)Se2.
186
7. ОРГАНИЧЕСКИЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
7.1. Преимущества и недостатки органических

солнечных элементов
В последнее время СЭ на основе органических материалов вы-

зывают все больший интерес исследователей и компаний, произво-
дящих СЭ.
Как уже отмечалось, широкое применение неорганических СЭ
сдерживает относительно дорогая технология производства и обра-
ботки неорганических полупроводников, требующая высоких тем-
ператур и глубокого вакуума [45]. Органические соединения, как
правило, не содержат редких химических элементов, они экологи-
чески безопасны, весьма технологичны и для них характерна деше-
вая утилизация. К положительным свойствам относятся также
очень низкая стоимость производства (в том числе из-за малого
расхода и низкой стоимости материалов), гибкость модулей, малый
вес и связанное с этим удобство транспортировки и монтажа. В ча-
стности, полимерные СЭ могут изготавливаться методом струйной
печати, что весьма упрощает их производство
Благодаря таким качествам, как гибкость, малый вес, полупро-
зрачность и низкая стоимость, органические СЭ имеют большие
перспективны практического применения в нетрадиционных для
кремниевых фотоэлементов сферах. Сюда можно отнести устрой-
ства для генерирования фотоэлектричества на основе светопреоб-
разующих тканей, покрытий, пленок, гибкие зарядные устройства
для мобильных телефонов, ноутбуков и т.д., фотоэлементы, интег-
рированные в одежду, обувь [52, 53].
КПД СЭ на основе органических и гибридных полупроводни-
ковых материалов достаточно невысокий (менее 9 %). Однако на-
блюдается постоянный рост эффективности этих устройств.
Так, в декабре 2009 г. компания Solarmer (США) сообщила о
фотоэффективности в 7,9 %, а уже в июле 2010 г. та же компания
заявила о новом рекорде в 8,13 %. Благодаря этому компания
Solarmer в ближайшее время может достичь стоимости электро-
энергии, производимой органическими элементами, в 0,12–0,15
187
долл./кВт·ч или <1 долл./Вт, что соответствует лучшим образцам
неорганических тонкопленочных фотоэлементов второго поколе-
ния [52]
Японской корпорации Mitsubishi Chemical Corp удалось улуч-
шить фотоэффективность органических фотоэлектрических эле-
ментов на 1 % за один год. В марте 2010 г. эта компания объявила о
разработке ФЭ с эффективностью преобразования 7,44 %. В конце
2011 г. был произведен улучшенный фотоэлемент с эффективно-
стью преобразования солнечного света в электричество 8,5 % [54] .
Хорошие результаты в сфере производства органических фото-
элементов и исследования их свойств достигнуты и в нашей стране.
Например, в МГУ разработаны конструкции органических солнеч-
ных ФЭ, развиты техники нанесения и контроля свойств много-
слойных тонкопленочных покрытий, получены образцы полимер-
фуллереновых солнечных фотоэлементов и фотовольтаических
ячеек, сенсибилизированных органическими красителями, с КПД
выше 4 %. [55] Таким образом, создан мощный задел для дальней-
шего улучшения параметров солнечных элементов данного типа.
В настоящее время разработаны СЭ на основе органических и
гибридных (т.е. сочетания органических и неорганических) мате-
риалов. Органические полупроводники могут быть как мономера-
ми (например, красители), так и полимерами. Поскольку для поли-
меров существует проблема стабильности свойств, эта же проблема
присуща и фотоэлементам на основе органических материалов.
Для органических материалов характерны также такие недос-
татки, как низкая подвижность носителей зарядов и слабое погло-
щение в области энергии ниже 2 эВ. В итоге это ограничивает ток
короткого замыкания Iкз и напряжение холостого хода Uхх и КПД
СЭ в целом.
Следует отметить, что существует необходимость проведения
фундаментальных исследований свойств используемых в фото-
энергетике органических материалов, факторов, влияющих на по-
вышение эффективности устройств на их основе и поиска новых
материалов для активного слоя фотоэлементов.
Рассмотрим теперь принципы работы органических фотоэлемен-
тов, основные типы органических и гибридных СЭ и подходы к их
разработке.
188
7.2. Принцип работы органических фотоэлементов
Простейшей архитектурой для полимерного фотоэлемента

является планарная гетероструктура, в которой на пленку фото-
активного полимера (донор) наносится пленка электронного ак-
цептора, и далее с двух сторон наносятся электроды.
В полимерных полупроводниках в отличие от неорганических
поглощенный фотон генерирует экситон, т.е. электрон-дырочную
пару, связанную кулоновскими силами. Эта электронейтральная
квазичастица диффундирует к донорно-акцепторной границе, где
происходит ее диссоциация на свободные электрон и дырку, даю-
щие вклад в фототок [52]. Поскольку для генерации свободных за-
рядов необходима дополнительная энергия на диссоциацию экси-
тонов Eb (энергия связи), то характерной особенностью органиче-
ских полупроводников является низкая эффективность генерации
свободных зарядов при поглощении кванта света. Отметим, что
энергия на диссоциацию экситонов находится в диапазоне 0,2–1 эВ
для различных органических полупроводников.
На рис. 7.1. приведена схема генерации свободных носителей в
органическом ФЭ. Экситон (на рисунке обведен пунктиром), воз-
бужденный в донорном полупроводнике, будет диссоциировать на
свободные заряды e– и р+, если разность энергий низших вакантных
молекулярных орбиталей (НВМО) донора и акцептора превысит
энергию связи экситона:
(ED(HВМО) – EА(HВМО) > Eb. (7.1)
Далее заряды разделяются (электрон e– оказывается на доноре,
дырка р+ – на акцепторе) и двигаются к соответствующим электродам.
Следует отметить, что напряжение холостого хода Uхх органи-
ческих солнечных ФЭ не может превышать разности донорного и
акцепторного энергетических уровней:
eUхх ≤ EА(HВМО) – ED(ВЗМО), (7.2)
где e – заряд электрона; ВЗМО – высшая занятая молекулярная ор-
биталь.
Если разность энергий низших вакантных молекулярных орби-
талей (НВМО) донора и акцептора существенно превышает энер-
гию связи экситона, то это приводит к соответствующему умень-
шению Uхх.
189
Типичная длина диффузии
экситонов в органических полу-
проводниках составляет 1–10 нм.
Такой же толщины должна быть
и пленка фотоактивного полиме-
ра. Однако при такой толщине
эта пленка имеет очень низкий
коэффициент оптического по-
глощения, что является пробле-
Рис. 7.1. Схема ФЭ на основе мой. Таким образом, основное
планарного гетероперехода [52]
ограничение планарного гетеро-
перехода – отсутствие возможности генерации зарядов из фотонов,
поглощенных по всей толщине слоев гетероперехода.
С целью преодоления ограничения на КПД органических СЭ,
связанного с малой длиной диффузии экситонов, было предложено
использовать объемный гетеропереход [56].
Идея объемного гетероперехода состоит в том, чтобы граница
донор–акцептор простиралась по всему объему рабочего слоя. В
результате экситон, возбужденный в любой точке объема гетеропе-
рехода, будет иметь возможность достичь границы раздела полу-
проводников и диссоциировать на свободные заряды. Формирова-
ние объемных гетеропереходов может происходить при расслоении
раствора полимеров, когда донорный и акцепторный материалы об-
разуют фазово-разделенную систему. Варьируя материалы, раство-
рители, их концентрации и условия процесса, можно получать взаи-
мопроникающие системы фаз с характерным размером 1–10 нм.
Схема объемного гетероперехода показана на рис. 7.2, а, а его
упорядоченного варианта – на рис. 7.2, б.
Как видно из сравнения рисунков, только в упорядоченном ге-
теропереходе (см. рис. 7.2, б) все фотогенерируемые заряды могут
достичь электродов, тогда как в неупорядоченном гетеропереходе
(см. рис. 7.2, а) заметная доля зарядов может оказаться изолиро-
ванной от соответствующих электродов, т.е. не все дырки (элек-
троны) могут достичь анода (катода). Таким образом, материалы
органических СЭ должны иметь достаточную подвижность заря-
дов, чтобы они успевали доходить до электродов прежде рекомби-
нации [52].
190
а б
Рис. 7.2. Объемный гетеропереход (а) и упорядоченный объемный

гетеропереход (б) [45]
Полагается [57, 58], что необходимая величина подвижности

зарядов должна быть не менее 10-3–10-4 см2/В⋅с. Причем электрон-
ная подвижность материала акцептора и дырочная подвижность
должны быть близки. В случае сильного их отличия в рабочем слое
СЭ будет накапливаться пространственный заряд, ограничиваю-
щий эффективность сбора носителей заряда на электроды.
Также для эффективного сбора фотоиндуцированных зарядов
уровни Ферми электродов СЭ должны быть согласованы с транс-
портными энергетическими уровнями дырок и электронов. В про-
стейшем случае, уровень Ферми анода должен совпадать с ВЗМО
материала донора, а уровень Ферми катода – с НВМО акцептора
Обычно омический контакт образуется при разнице уровня Ферми
и энергии соответствующей граничной орбитали менее 0,3 эВ [52].
Таким образом, для эффективной работы органического сол-
нечного СЭ необходимо: сильное поглощение света рабочим сло-
ем, оптимальная разность энергетических уровней НВМО (ВЗМО)
донора и акцептора, достаточная подвижность электронов (дырок)
в фазе акцептора (донора) и омические контакты акцептора (доно-
ра) с катодом (анодом).
Рассмотрим теперь основные типы органических фотоэлемен-
тов, их достоинства и недостатки.
191
7.3. Типы органических фотоэлементов
К основным типам органических солнечных фотоэлементов

относятся полимер-фуллереновые, полимерные, низкомолекуляр-
ные, тандемные и гибридные фотоэлементы.
7.3.1. Полимер-фуллереновые фотоэлементы
В полимер-фуллереновых солнечных фотоэлементах создается

объемный гетеропереход при добавлении фуллерена в сопряжен-
ный полимер.
В качестве фуллерена используется высокорастворимый мета-
нофуллерен С60 PCBM, в качестве полимера – поли[2-метокси-5-
(2'-этилгексилокси)-1,4-фениленвинилен] (MEHPPV) или его про-
изводные.
Отметим, что максимальные значения КПД для активного слоя
на основе производных PPV и PCBM составили 2,5–2,9 % при ус-
ловии оптимизации соотношения компонентов смеси, толщины и
морфологии композита [59].
Более высокий КПД (немного более 4 %) получен в СЭ на ос-
нове объемного гетероперехода из поли[3-гексилтиофена] (P3HT) и
PCBM. В данном случае фотогенерация электронов и дырок при
фотовозбуждении активного слоя и их транспорт к электродам в
объемном гетеропереходе выполняются с очень высокой эффек-
тивностью. Практически каждый поглощенный фотон в активном
слое P3HT/PCBM дает пару зарядов на электродах, в результате
КПД = 4 % является почти предельным для данных материалов.
Дальнейшее повышение кпд требует создания и испытания новых
материалов.
В настоящее время существуют два подхода к увеличению КПД
полимерных СЭ: синтез новых узкозонных полупроводниковых
полимеров и оптимизация свойств производных фуллерена.
С помощью узкозонных полупроводников – сопряженных по-
лимеров может быть реализовано расширение спектра поглощения
солнечного излучения. Ряд узкозонных полупроводниковых поли-
меров (например – полиселенофены (р-типа) [60]) могут иметь вы-
сокую проводимость и прозрачность, что позволит использовать их
в качестве прозрачного дырочно-транспортного слоя. Наконец, с
192
помощью данных материалов можно добиться оптимального со-
гласования уровней энергии граничных молекулярных орбиталей
полимера и фуллерена для обеспечения эффективного переноса
электронов.
Для снижения потерь напряжения в полимер-фуллереновых СЭ
применяют сопряженные полимеры с более высоким потенциалом
ионизации. С другой стороны, Uxx увеличивают путем уменьшения
электронного сродства фуллеренового акцептора путем присоеди-
нения металлокомплексного фрагмента к фуллереновой сфере [61].
Отмечается перспективность присоединения ионов металлов
платиновой группы к фуллереновому каркасу [60]. Это позволит
существенно повысить поглощение в видимой области спектра и
обеспечить более высокий ток короткого замыкания. Также путем
соответствующего подбора легирующих примесей можно обеспе-
чить необходимый уровень растворимости в органических раство-
рителях и получить оптимальную наноморфологию полимер-
фуллеренового нанокомпозита.
Фуллерен C60 и его органические производные имеют ряд не-
достатков: низкое поглощение в видимой области спектра и недос-
таточная стабильность наноморфологии композита с течением
времени.
Более высокое поглощение,
чем фуллерена C60, имеют выс-
шие фуллерены, например С70.
В настоящее время осуще-
ствляются интенсивные иссле-
дования свойств фуллеренов, их
производных. В России с 1995 г.
в МГУ ведутся работы по на-
правленному синтезу поли-
функционализированных элек-
троноакцепторных производ-
ных фуллеренов, определению
их строения и изучению их Рис. 7.3. Производные фуллеренов:
свойств. справа – две проекции молекулы С76Cl24,
На рис. 7.3 приведены про- слева – проекции дифторметиленпроиз-
изводные фуллеренов, получен- водных фуллеренов С60(CF2) и C60(CF2)2
[55]
ные в МГУ, которые могут быть
193
использованы в органических фотоэлементах с улучшенными ха-
рактеристиками.
Более высокая стабильность объемного гетероперехода может
быть обеспечена при использовании пиреленов, нанотрубок, фул-
леренновых димеров и олигомеров в качестве акцепторов для по-
лимерных СЭ [52].
Для оптимизации морфологии донорно-акцепторного компози-
та предлагается использовать межмолекулярные комплексы с пе-
реносом заряда, формируемые между сопряженным полимером и
подходящим акцептором [55]. Такие комплексы могут эффективно
поглощать красную часть солнечного спектра, генерировать сво-
бодные заряды и характеризуются высокой фотостабильностью.
7.3.2. Полимерные и низкомолекулярные фотоэлементы
Объемный гетеропереход в полимерном фотоэлементе создается

с помощью двух сопряженных полимеров с оптимальной разницей
энергий граничных орбиталей. КПД СЭ такого типа составляет
около 1,5–1,9 %, напряжение холостого хода Uхх – около 1,4 В.
Напомним, что полимером является линейная одномерная це-
почка малых молекул, связанных ковалентными связями.
Сопряженными называются полимеры, в которых чередуются
простые, двойные и/или тройные связи. В трехмерном веществе,
составленном из полимерных цепей, межцепочечное взаимодейст-
вие оказывается слабым, поэтому такие вещества можно рассмат-
ривать как сильно анизотропные квазиодномерные структуры.
Основные сложности в области полимерных СЭ связаны с раз-
работкой акцепторного полимера с достаточной подвижностью
электронов и оптимизацией наноморфологии донорно-акцептор-
ного композита [52].
Органические низкомолекулярные фотоэлементы изготавлива-
ют методом резистивного напыления в вакууме. Этот метод нане-
сения позволяет легко добавлять дополнительные слои для опти-
мального транспорта носителей заряда и подавления нежелатель-
ных каналов рекомбинации (блокирующие слои) [56].
На сегодняшний день созданы низкомолекулярные СЭ на осно-
ве планарного и объемного гетеропереходов. В 2001 г. было сооб-
щено о СЭ с планарным гетеропереходом на основе фталоцианина
194
(донор) и фуллерена С60 (акцептор) с кпд 3,6 % [57]. Необходимо
отметить, что в СЭ такого типа эффективность сбора зарядов, дис-
социировавших на гетеропереходе, приближается к 100 %.
Как уже отмечалось, за счет создания объемного гетероперехо-
да КПД может быть существенно повышен. Так, есть данные [58] о
создании СЭ с объемным гетеропереходом на основе медь–
производные фталоцианина (CuPc) и диамида пирелена (PTCBI) с
КПД в два раза выше, чем у соответствующего планарного гетеро-
перехода (порядка 2,7 %).
В заключение отметим, что отсутствие эффективных поглоти-
телей солнечного света с высокой подвижностью носителей заря-
дов является основной проблемой на пути увеличения КПД низко-
молекулярных СЭ.
7.3.3. Тандемные и гибридные фотоэлементы
Тандемные СЭ включают два и более гетеропереходов, соеди-

ненных последовательно. При этом разные гетеропереходы могут
быть оптимизированы на поглощение различных частей солнечно-
го спектра. В результате эффективность СЭ повышается. Отмеча-
ется эффективность изготовления низкомолекулярных тандемных
СЭ методом вакуумного напыления [52]. В таких структурах уда-
лось удвоить рабочее напряжение и достичь КПД 5,7 % [66]. Также
созданы тандемные полимер-фуллереновые фотоэлементы с КПД
более 6 % на основе гетеропереходов PCPDTBT/PCBM и P3HT/
PCBM[C70] .
Гибридные материалы, комбинируют в себе преимущества ор-
ганических и неорганических полупроводников и минимизируют
их недостатки. В качестве органического компонента гибридных
СЭ обычно используют органические красители или сопряженные
полимеры, а в качестве неорганического – наночастицы полупро-
водников (халькогениды, оксид цинка и др.). При этом наночасти-
цы отличает высокая стабильность и хорошие электропроводящие
свойства. Например, узкозонные наночастицы на основе сульфида
и селенида свинца (PbSe и PbS) позволили расширить область фо-
точувствительности полимерной матрицы из MEH-PPV в ближний
ИК диапазон, что можно использовать для разработки тандемных
СЭ [67].
195
Неорганические наночастицы (например, квантовые точки на ос-
нове халькогенидов металлов) используются в качестве акцепторно-
го компонента с сильным поглощением в области оптической щели
сопряженного полимера. Можно заданным образом изменять разме-
ры квантовых точек, подбирать их спектр и энергии граничных ор-
биталей. В результате обеспечивается эффективное поглощение в
области запрещенной зоны полимера и разделение зарядов.
В ряде работ было обнаружено, что в наночастицах можно по-
лучать более одной электронно-дырочной пары на падающий фо-
тон (эффект размножения экситонов) [68], например, в наночасти-
цах PbSe можно получить до cеми электронно-дырочных пар от
поглощенного фотона [69]. Однако параллельно с процессом раз-
множения экситонов протекает интенсивный процесс их оже-
рекомбинации. Поэтому для использования процесса размножения
экситонов в СЭ необходимо решить задачу эффективного извлече-
ния размноженных носителей заряда из наночастиц [52]. Проблема
извлечения носителей заряда усложняется еще и тем, что наноча-
стицы стабилизированы органическими лигандами, которые пре-
пятствуют переносу электрона между наночастицами. Из-за этого
транспорт электронов по наночастицам весьма затруднен, что сни-
жает КПД гибридных СЭ.
Таким образом, в области гибридных СЭ одна из основных за-
дач – разработать объемные упорядоченные гетеропереходы (см.
рис. 7.2, б) с фазой акцептора в виде организованных наночастиц
(точек, стержней и т.д.) с эффективным транспортом фотогенери-
руемых зарядов к электродам.
7.3.4. Ячейки, сенсибилизированные органическим

красителем (DSSC)
Данный тип СЭ был изобретен в 1991 г. швейцарским ученым

Гретцелем (Grätzel), и поэтому их часто называют «ячейки Гретце-
ля». Второе название фотоэлемента – ячейка, сенсибилизированная
органическим красителем (DSSC).
Первая ячейка Гретцеля имела простую структуру и состояла из
двух электродов и йодсодержащего электролита. Анод состоял из
слоя высокопористого нанокристаллического диоксида титана
(толщиной 10 нм), нанесённого на прозрачную электропроводя-
196
щую подложку. Поверхность диоксида титана была покрыта мо-
номолекулярным слоем металлокомплексного красителя на основе
рутения. Пористый анод пропитывался жидким йодным электроли-
том. Катодом являлась платина (рис. 7.4).
Рис. 7.4-. Электрохимическая ячейка Гретцеля [52]
Работа ячейки часто сравнивается с фотосинтезом, поскольку

оба процесса используют окислительно-восстановительную реак-
цию, протекающую в электролите. Свет, проходя через прозрач-
ную подложку, поглощается молекулами фотоактивного красителя,
закрепленными на поверхности наночастиц TiO2. Электроны, воз-
бужденные светом в красителе, переходят в наночастицы и диф-
фундируют к прозрачному проводящему электроду под действием
градиента их концентрации. Далее электролит с ионами йода вос-
станавливает окисленные молекулы красителя. Таким образом,
электролит замыкает электрическую цепь, обеспечивает транспорт
электронов от катода (Pt) к красителю, где они рекомбинируют с
дырками, оставшимися от мигрировавших фотоэлектронов.
В целом, полупроводник (TiO2) в ячейке Гретцеля используется
только для транспорта фотоэлектронов, которые генерируются в
фоточувствительном красителе. Этим ячейка Гретцеля принципи-
ально отличается от обычных полупроводниковых фотоэлементов,
в которых и транспорт, и генерация фотоэлектронов происходят в
объеме полупроводника.
В настоящее время рекордная эффективность фотопреобразо-
вания ячеек на красителях составляет 11,1 %. С учетом невысокой
197
стоимости используемых материалов и простоты технологии эти
ФЭ являются привлекательными для массового применения.
Недостатками ячейки Гретцеля являются высокая коррозионная
активность электролита и высокая стоимость платины. Кроме того,
жидкий электролит при длительной работе испаряется, что ухуд-
шает работу ячейки. Однако ведется интенсивный поиск путей ре-
шения данных проблем. Уже предложены менее агрессивные орга-
нические электролиты, и менее дорогостоящие материалы для ка-
тода. Также ведутся работы по созданию СЭ такого типа без рас-
творителей – на основе твердого электролита или расплавов эвтек-
тик [70]. На основе последнего подхода удалось получить образцы
DSSC с КПД более 8 % и высокой стабильностью.
Еще один существенный недостаток таких ячеек Гретцеля с
точки зрения масштабных применений состоит в том, что краси-
тель, наиболее эффективно поглощающий солнечный свет (так на-
зываемый «черный» краситель), содержит комплекс редкого на
Земле элемента платиновой группы – рутения. Поэтому ведутся
разработки «черных» красителей другого состава, например орга-
нических.
Один из путей повышения КПД ячеек Гретцеля – использова-
ние тандемных структур. Стандартная ячейка Гретцеля n-типа ра-
ботает как фотоанод, когда фототок возникает в результате фотоге-
нерации электронов в фотоактивном красителе. Аналогично можно
создать фотокатод, когда фотоактивный краситель генерирует дыр-
ки. При объединении таких структур в один элемент эффектив-
ность фотопреобразования может быть значительно повышена. Ра-
боты в этом направлении ведутся, но пока эффективность таких
тандемных структур ниже, чем у стандартной ячейки Гретцеля n-
типа. Обусловлено это тем, что существующие ячейки р-типа име-
ют небольшой фототок, являющийся лимитирующим фактором для
всей структуры [52].
7.4. Перспективы использования органических

фотоэлементов
Для внедрения органических СЭ в массовое производство сле-

дует повышать их КПД и срок службы. Более высокий КПД можно
198
получить в органических СЭ с объемными гетеропереходами с ха-
рактерным масштабом разделения фаз донора и акцептора в десят-
ки нанометров и в гибридных СЭ. Для увеличения срока службы
требуются новые высокостабильные донорные и акцепторные ма-
териалы с подвижностью зарядов не менее 10-4 см2/В⋅с сильным
оптическим поглощением в видимом спектральном диапазоне. Не-
обходима также оптимальная разность энергий граничных молеку-
лярных орбиталей материалов донора и акцептора (около 0,5 эВ).
Разработка таких материалов и оптимизация имеющихся позволит
достичь КПД органических и гибридных СЭ с одним гетеропере-
ходом выше 10 % [52] .
При успешном решении поставленных вопросов, СФЭ на осно-
ве органических и гибридных материалов станут конкурентно-
способными.
1. Укажите основные преимущества и недостатки применения орга-

нических СЭ.
2. Поясните принцип работы органического фотоэлемента. Какова
роль экситона в формировании фототока?
3. Что такое объемный гетеропереход? Поясните принцип его работы.
4. Какие условия необходимо создать для обеспечения эффективной
работы органического СЭ?
5. Перечислите основные типы органических СЭ, проведите сравни-
тельный анализ их КПД и стоимости.
6. Перечислите преимущества и недостатки полимер-фуллереновых
СЭ.
7. Каким образом можно увеличить КПД полимер-фуллереновых СЭ?
8. В чем различие между полимер-фуллереновыми и полимерными
СЭ?
9. Перечислите преимущества и недостатки низкомолекулярных СЭ.
10. Поясните принцип работы тандемного органического СЭ.
11. Что такое гибридный фотоэлемент? Поясните принцип его работы.
12. Какие существуют проблемы при использовании гибридных фото-
элементов?
13. Поясните принцип работы ячейки Гретцеля.
14. Перечислите преимущества и недостатки ячеек Гретцеля.
199
8. КОНЦЕНТРИРОВАНИЕ СВЕТА
8.1. Виды концентраторов, зависимость идеального КПД

элемента от степени концентрации
Фотоэлектрическое преобразование концентрированного

солнечного излучения является переспективым направлением
увеличения КПД фотоэлементов и снижения их стоимости.
Концентраторы солнечного излучения оцениваются по степени
концентрации солнечного излучения, которая равна отношению
плотности потока излучения на поверхность поглотителя к плотно-
сти потока излучения, поступающего на площадь апертуры (дейст-
вующего отверстия) концентратора. Степень концентрации может
достигать 10 000 и более. Обозначим кратность концентрирования
как КС.
Опуская теоретический вывод, приведем расчетную зависи-
мость максимально возможного значения КПД СЭ от степени кон-
центрации в материале с заданной шириной запрещенной зоны
(рис. 8.1). Предполагаем, что
концентраторное устройство
спектрально не селективно.
Видно, что значение ηmax при
КС = 1000х оказываются выше
соответствующих значений при
КС = 1х для тех же значений Eg.
Так же из рис. 8.1 следует, что
наиболее важные полупроводни-
ковые материалы – кремний и
арсенид галлия – попадают в об-
ласть наибольших значений ηmax
для наземного солнечного спек-
Рис. 8.1. Максимальный КПД СЭ
тра АМ1,5.
с p-n-переходом в материале Аналогичная ситуация со-
с заданной шириной запрещенной храняется и при преобразовании
зоны Eg: внеатмосферного солнечного
1 – для КС = 1х; 2 – для КС = 1000х излучения со спектром АМ0.
Сами значения КПД при этом
200
оказываются ниже, поскольку в
спектре АМ0 больше доля беспо-
лезного длинноволнового излу-
чения. Значения КПД идеализи-
рованного СЭ с одним p-n-
переходом лимитированы вели-
чинами 31 % для КС = 1х и 37 %
для КС = 1000х [16]. Для сравне-
ния приведем температурные за-
висимости расчетных значений
КПД для СЭ на основе GaAs и Si
(рис. 8.2).
Видно, что для GaAs расчет-
ные значения КПД почти совпа- Рис. 8.2. Температурные зависимости
дают с максимально возможными расчетных значений КПД для СЭ
значениями 30 % при КС = 1х и на основе GaAs (1, 1′) и Si (2, 2′):
35% для КС =1000х. 1, 2 – КС = 1х; 1′, 2′ – КС = 1000х
Что касается СЭ на основе (спектр АМ1,5) [16]
кремния, то для них расчетные значения КПД меньше максималь-
ных в 1,2–1,3 раза. Кроме этого преимущество арсенида галлия
(GaAs) по сравнению с Si проявляется в меньшем снижении КПД с
увеличением рабочей температуры, что является важным при вы-
соких степенях концентрирования. Следует отметить, что все зна-
чения КПД здесь рассчитаны в предположении о нулевых оптиче-
ских потерях излучения (отражение света от поверхности СЭ, зате-
нение контактами) и нулевых рекомбинационных потерях фотоге-
нерированных электронно-дырочных пар до их разделения p-n-
переходом.
В качестве концентраторов используются фокусирующие зерка-
ла (отражатели) или линзы, выполненных из сравнительно деше-
вых материалов.
Высокопотенциальные системы концентрации должны иметь
конфигурацию, близкую к форме поверхностей вращения второго
порядка: параболоида, эллипсоида, гиперболоида или полусферы.
В этом случае достигается плотность излучения, в сотни и тысячи
раз превышающая солнечную постоянную. Наиболее эффективные
концентраторы солнечного излучения имеют форму цилиндриче-
ского параболоида, параболоида вращения, плоско-линейной лин-
201
зы Френеля. Параболоидная конфигурация имеет явное преимуще-
ство перед другими формами по величине концентрирующей спо-
собности. Поэтому именно они столь широко распространены в
гелиотехнических системах.
При классификации концентраторов выделяют следующие ос-
новные типы [72].
1. Цельные концентраторы – концентрирующая поверхность
(зеркальная или линзовая) представляет оптически гладкую гео-
метрическую поверхность вращения (чаще всего это – плоскость,
сфера, параболоид, конус и т.д.).
2. Составные концентраторы – концентрирующая поверхность
образована отдельными цельными концентрирующими элементами
(фацетами), устанавливаемыми на общем каркасе. При этом фаце-
ты могут формировать некоторую общую геометрическую поверх-
ность или иметь свою геометрию.
3. Распределенные концентраторы – фактически составные
концентраторы, устанавливаемые на общей неподвижной плат-
форме (обычно на Земле) и концентрирующие солнечные лучи на
общий приемник.
Для цельных концентраторов основными параметрами являются:
- геометрия концентрирующей поверхности – f (x,y,z);
- площадь проекции концентратора (SC);
- геометрическая форма концентратора (круг, прямоугольник и
т.д.);
- фокусное расстояние концентратора f (т.е. расстояние от оп-
тического центра до некоторой плоскости, на которой обеспечива-
ются максимальные концентрации);
- точность геометрии концентратора (угловые отклонения по-
верхностей, возникающие вследствие неточностей изготовления,
температурных и весовых деформаций)
- коэффициент зеркального отражения (RZ), или пропускания
для линзовых концентраторов.
- показатель преломления (n) для линзовых концентраторов.
Для составных концентраторов, дополнительно к параметрам
фацеты (цельный концентрирующий элемент) добавляются:
- функция, описывающая геометрию несущего каркаса –
fн(x,y,z);
- координаты положения фацеты на каркасе – X0ф, Y0ф, Z0ф;
202
- пространственная ориентация фацеты относительно несущего
каркаса;
- неточности пространственного положения фацеты (неточно-
сти юстировки).
Для распределенных концентраторов наряду с указанными вы-
ше параметрами цельного и составного концентраторов добавля-
ются координаты составного концентратора и приемника в поле.
На рис. 8.3, а показана стандартная плоско-выпуклая линза, а на
рис. 8.3, б – эквивалентная ей линза Френеля. Линзы Френеля,
имеют концентрические кольцеобразные поверхности с различным
углом наклона, благодаря чему достигается фокусирование лучей в
одну точку. В концентрирующем модуле, обеспечивающем 500–
1000-кратную концентрацию солнечного света (рис. 8.3, в), солнеч-
ный свет, отраженный первым зеркалом, попадает на второе зерка-
ло, которое фокусирует его на солнечном элементе, расположен-
ном в блоке с водяным охлаждением.
Рис. 8.3. Концентраторы

солнечного света [16]:
а – обычная линза;
б – линза Френеля;
в – типичный концентрирующий
модуль
С начала 1990-х годов в практике создания солнечных концен-

траторных систем возникло новое направление, базирующееся на
концепции малоразмерных модулей. В данном случае появляются
все предпосылки для обеспечения высокоэффективного и экономи-
чески оправданного фотоэлектрического преобразования солнечного
излучения (повышение КПД, экономия полупроводниковых мате-
риалов) [73-78].
При уменьшении линейных размеров концентратора и сохране-
нии заданного отношения размера апертуры к фокусному расстоя-
203
нию сохраняется и значение
кратности концентрирования
излучения. Однако в этом случае
строительная высота модуля
уменьшается из-за более корот-
кого фокусного расстояния линз.
Линейные размеры фотоэлемен-
тов сокращаются до 1–2 мм (рис.
8.4), так что их монтаж может
быть обеспечен с помощью ав-
томатического оборудования,
используемого для монтажа дис-
Рис. 8.4. Схематический вид
концентраторного СЭ [2]
кретных приборов при массовом
производстве продукции в элек-
тронной промышленности [2].
При малых линейных размерах фотоэлементов толщина под-
ложки для выращивания структур может быть уменьшена, а доля
полезно используемой площади пластин увеличена, что ведет к до-
полнительной экономии полупроводникового материала. Монтаж
может быть осуществлен без сложной компенсации коэффициен-
тов теплового расширения материалов фотоэлемента и металличе-
ского теплоотводящего основания. Особенно важно, что толщина
теплоотвода также уменьшается пропорционально уменьшению
линейных размеров концентратора в модуле. Это приводит к рез-
кому снижению расхода металла при изготовлении такого модуля.
Устройства преобразования должны быть защищены от атмо-
сферных воздействий для обеспечения их долговременной (в те-
чение 20–30 лет) работоспособности. В этом отношении пред-
ставляет интерес конструкция «полностью стеклянных» концен-
траторных модулей (рис. 8.5), разрабатываемых в последние го-
ды в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе в коопера-
ции с Фраунгоферовским институтом солнечных энергосистем (г.
Фрайбург) [75, 76].
Малоразмерные линзы Френеля здесь объединены в интеграль-
ную панель. В панель объединены также и смонтированные на
тонких (0,5 мм) металлических теплоотводах концентраторные ФЭ.
Обе эти панели скреплены стеклянными боковыми стенками, так
что внутренний объем модуля герметизирован.
204
Рис. 8.5. Поперечный разрез
концентраторного модуля:
1 – основа линзовой панели,
выполненная из стекла;
2 – микропризмы линз Френеля,
выполненных из силикона;
3 – сфокусированные солнечные
лучи;
4 – СЭ, смонтированный на
металлическом основании;
5 – основа панели СЭ, выполненная
из стекла [2]
Линзовая панель имеет композитную структуру. Здесь лист

обычного силикатного стекла, защищающий модуль с фронтальной
стороны, служит основой для тонкого, выполненного из прозрач-
ного силикона и расположенного на внутренней стороне стекла
френелевского профиля, фокусирующего солнечный свет. Основа-
нием для панели ФЭ также служит лист силикатного стекла, через
который осуществляется теплосброс [2].
Таким образом, дешевое и стабильное по свойствам стекло ста-
новится основным конструкционным материалом концентраторно-
го модуля. Расход силикона оптического качества здесь сведен до
минимума, необходимого для формирования преломляющих мик-
ропризм (средняя толщина около 0,2 мм). Для соединения и герме-
тизации стеклянных частей модуля служит строительный силикон
(см. рис. 8.5).
Благодаря применению наиболее стойких к излучению и атмо-
сферным воздействиям материалов (стекло и силикон) данные кон-
центраторные модули имеют наилучшие перспективы для долго-
временной работы.
В экспериментальных «полностью стеклянных» модулях опти-
ческая эффективность линз Френеля достигала 89 %.
Дальнейшее совершенствование модулей рассматриваемой
конструкции идет по пути увеличения кратности концентрирова-
ния солнечного излучения. В частности, при площади каждой еди-
ничной линзы в субмодуле 16 см2 высокая оптическая эффектив-
ность обеспечивается при применении СЭ с диаметром фоточувст-
205
вительной поверхности 2 мм (см.
рис. 8.4), что соответствует кратно-
сти концентрирования около 500х.
Дальнейшее уменьшение разме-
ров CЭ и переход к кратностям кон-
центрирования 1000х и более воз-
можны при использовании вторич-
ных минилинз с гладким профилем,
расположенных в непосредственной
близости от CЭ (рис. 8.6). В этом
Рис. 8.6. Система со вторичными
минилинзами для увеличения случае вторичные линзы также мо-
кратности концентрирования гут быть объединены в панель.
солнечного излучения [2] На практике, для повышения
эффективности работы концентраторных систем, их снабжают сис-
темами слежения за Солнцем. В этом случае для размещения моду-
лей требуется создание специальных опорно-поворотных уст-
ройств, оснащенных датчиками положения Солнца и электропри-
водами. По сравнению с размещением обычных модулей без кон-
центраторов это приводит к дополнительному расходу конструк-
ционных материалов и расходу энергии на слежение. Но даже в
обычном модуле при постоянном слежении за Солнцем за световой
день вырабатывается на 30–40 % больше энергии, чем без слеже-
ния. Поэтому за счет более высокой эффективности концентратор-
ных модулей дополнительные затраты на материалы компенсиру-
ются. Что касается затрат электроэнергии на слежение, то они со-
ставляют в экспериментальных установках лишь 0,2–0,3 % от энер-
гии, вырабатываемой концентраторными модулями, размещенны-
ми на этих установках [77, 78].
8.2. Примеры использования Si- и GaAs-элементов

для концентраторных систем
На рис. 8.7 приведены экспериментальные результаты, полу-

ченные с помощью кремниевого СЭ с вертикальными переходами,
смонтированного в концентраторе. Видно, что рабочие характери-
стики прибора улучшаются при увеличении интенсивности излу-
206
чения от эквивалентной 1 солнцу до интенсивности, эквивалентной
1000 солнцам. Ток короткого замыкания возрастает линейно с уве-
личением концентрации излучения. Напряжение холостого хода
возрастает на 0,1 В при увеличении интенсивности излучения в 10
раз, в то время как фактор заполнения изменяется слабо.
Рис. 8.7. Зависимость КПД, Uхх, Jкз и фактора заполнения от кратности

концентрации солнечного излучения при АМ1 в элементе с вертикальными
переходами [16]
КПД элемента, который является произведением трех указан-

ных выше величин, деленным на мощность излучения, падающего
на концентратор, возрастает на ∼2 % при увеличении концентрации
излучения в 10 раз. Считается, что при использовании соответст-
вующих просветляющих покрытий КПД может составлять ~22 %
при интенсивности излучения, равной интенсивности 1000 солнц.
Поэтому один элемент, освещаемый 1000-кратной концентрацией
солнечного излучения, обеспечивает выходную мощность, равную
мощности 1300 элементов, освещаемых светом одного солнца.
Следовательно, метод концентрации света обеспечивает возмож-
ность замены дорогостоящих СЭ сравнительно дешевыми материа-
лами концентратора, и его можно реализовать с помощью относи-
тельно простого устройства, что позволяет минимизировать стои-
мость всей системы.
207
При сильном концентрировании излучения концентрация не-
равновесных носителей становится сравнимой по порядку величи-
ны с концентрацией легирующей примеси в подложке, и таким об-
разом реализуется условие высокого уровня инжекции. При этом
плотность тока пропорциональна exp(qU/2kT). Напряжение холо-
стого хода равняется
2kT ⎛ J L ⎞
U хх = ln ⎜ + 1⎟ . (8.1)
q ⎝ Js ⎠
Величину Js можно представить в виде
⎛ E (T ) ⎞
32
⎛T ⎞
J s = const ⎜ ⎟ exp ⎜ − g ⎟, (8.2)
⎝ T0 ⎠ ⎝ 2kT ⎠
где T – рабочая температура, T0 = 300 К.
Температурная зависимость Uхх
при различных уровнях концентри-
рования приведена на рис. 8.8.
Температурный коэффициент из-
менения Uхх уменьшается по абсо-
лютной величине от –2,07 мВ/°С
при солнечном излучении до –1,45
мВ/°С при 500-кратной концентра-
ции солнечного излучения.
Таким образом, для кремниевых
СЭ высокие уровни концентриро-
Рис. 8.8. Зависимость Uхх вания солнечного излучения сни-
от температуры прибора при жают эффективность потерь, обу-
различной кратности концентрации словленных работой элемента при
солнечного излучения [16]
повышенных температурах.
При концентрировании излучения хорошие рабочие характери-
стики могут иметь и СЭ на GaAs с лицевой гетероповерхностью.
Поперечное сечение такого элемента схематически показано на
рис. 8.9 (вставка), где также приведена ВАХ этого элемента при
интенсивности излучения, эквивалентной излучению 945 солнц в
условиях АМ 1,5.
Фактор заполнения этого прибора равен 0,79, напряжение холо-
стого хода составляет 1,13 В, максимальная выходная мощность
10,7 Вт и КПД 23,3 % при 50 °С [16].
208
Рис. 8.9. Измеренная ВАХ СЭ AlGaAs/GaAs при 945-кратной концентрации
солнечного излучения; на вставке показано поперечное сечение прибора [16]
Следует отметить, что гетеропереходные CЭ на основе арсени-

да галлия могут эффективно работать при значительном (в сотни и
даже тысячи раз) концентрировании светового потока и выгодно
отличаются в этом отношении от кремниевых СЭ [2].
8.3. СЭ с использованием селективного разложения

солнечного спектра
Значительное увеличение КПД СЭ достигается, если одновре-

менно с концентрацией света оптическая система осуществляет его
спектральное расщепление. Расщепление солнечного спектра мо-
жет быть осуществлено селективными зеркалами. В этом случае
солнечное излучение разлагается на много узких спектральных по-
лос и излучение из каждой полосы преобразуется с помощью эле-
мента, ширина запрещенной зоны которого выбрана наиболее оп-
тимальной по отношению к спектральному составу данной полосы.
Первый такой СЭ сделан в 1978 г. на основе GaAs и Si с 28 % [84].
Возможная конструкция устройства спектрального разложения
света показана на рис. 8.10. Дихроичные зеркала разлагают падаю-
щий концентрированный свет, отражая фотоны с высокой энергией
в элемент 1 и пропуская фотоны с низкой энергией к элементу 2 и
далее к элементу 3.
209
Рис. 8.11. Возможная
конструкция модуля
спектрального разложения
света, обеспечивающего
высокую эффективность
преобразования
При 1000-кратном концентрировании солнечного излучения

максимальное значение КПД при делении света на два спектраль-
ных диапазона составляет ~60 %. При делении излучения на три
спектральные полосы максимум КПД близок к 70 %, а при делении
на 10 полос он составляет ∼85 %. Идеальное значение КПД при
разложении света на п спектральных полос выше, чем при после-
довательном соединении п каскадов с различными ширинами за-
прещенной зоны. Дело в том, что при разложении спектра плот-
ность тока в каждом элементе оптимизируется независимо. Это
обеспечивает максимум КПД всей системы [16].
На рис. 8.12 (вставка) показано экспериментально реализован-
ное устройство, состоящее из солнечного элемента на основе
AlGaAs, кремниевого солнечного элемента и фильтра, осуществ-
ляющего разложение спектра. На этом же рисунке приведены
вольтамперные характеристики обоих элементов при 165-кратной
концентрации солнечного излучения (АМ1,2).
Максимальная выходная мощность составляет 1,44 и 0,95 Вт
для элементов на AlGaAs (Eg = 1,61 эВ) и Si (Eg = 1,1 эВ) соответ-
ственно, а значения КПД равны 17,4 и 11,1 %. Полный КПД систе-
мы равен 28,5 % при 30 °С.
Другой перспективный метод преобразования солнечной энер-
гии состоит в использовании листа стекла или пластмассы, покры-
того люминесцирующими красителями, которые поглощают сол-
нечный свет в узких спектральных диапазонах, а затем испускают
фотоны разных энергий во многих направлениях (рис. 8.13).
210
Рис. 8.12. ВАХ СЭ на Si и AlGaAs, работающих в условиях
спектрального разложения
Рис. 8.13. Накопитель солнечного излучения, в котором используются

люминесцентные красители, поглощающие узкие спектральные полосы
солнечного света, а затем испускающие фотоны с различными длинами волн
211
Свет, отражаемый от границ, оказывается «захваченным» внут-
ри листа, поскольку красители уже не могут поглощать его, и он в
конце концов попадает к краю листа, где расположен СЭ. Для та-
кой системы не нужно устройство слежения за Солнцем, поскольку
красители поглощают свет, падающий под любым углом. Теорети-
ческое значение КПД здесь превышает 50 %.
8.4. Перспективы применения концентраторных

солнечных модулей
В будущих системах электроснабжения, по мнению ученых [2],

будут использоваться обычные и концентраторные солнечные мо-
дули. Обычные модули с ФЭ из кристаллического кремния или
тонкопленочных структур составят основу децентрализованной
системы выработки электроэнергии для нужд частных потребите-
лей. Для покрытия энергетических потребностей энергоемких про-
изводств, муниципальных сообществ и т.д. будет необходимо соз-
дание достаточно крупных солнечных станций, обеспечивающих
минимальную стоимость вырабатываемой электроэнергии. Такие
станции будут размещаться на специально отведенных территори-
ях и обслуживаться специальным персоналом. В данном случае
будут применяться концентраторные фотоэлектрические модули.
Существуют многочисленные экономические оценки, согласно
которым концентраторная фотоэлектроэнергетика в ближайшие
десять лет может стать не только наиболее экономически эффек-
тивной среди других устройств для фотоэлектрического преобра-
зования, но и составить конкуренцию существующим традицион-
ным источникам по стоимости вырабатываемой электроэнергии
[79–81].
Производство наземных концентраторных фотоэнергосистем
позволит в сотни раз уменьшить потребность в полупроводнико-
вых материалах. Один грамм полупроводника, работающего 25 лет
в концентраторной фотоэнергосистеме, эквивалентен по получае-
мой электроэнергии ~5 т нефти. Себестоимость 1 Вт установленной
мощности концентраторных энергоустановок составит менее 2
долл., т.е. будет снижена приблизительно в 2 раза по сравнению с
существующим мировым уровнем. С использованием разработан-
ных технологий и разработанных прототипов солнечных фотоэнер-
212
гоустановок возможна организация в России крупномасштабного
производства наземных концентраторных фотоэнергосистем. При
годовом объеме выпуска более 200 МВт стоимость продукции на
мировом рынке составит до 1 млрд. долл. при себестоимости менее
400 млн. долл. [82].
Важно также то, что можно построить солнечные электростан-
ции значительной мощности, не развертывая при этом в больших
объемах новое полупроводниковое производство. В данном случае
основные усилия будут связаны с применением не ФЭ, а механиче-
ских частей конструкций концентраторных модулей и поддержи-
вающих устройств, для изготовления которых производственная
база уже существует [2].
Концентраторный подход перспективен также и при создании
высокоэффективных ФЭ на основе соединений A3B5 для обеспече-
ния космической техники. В условиях космоса в качестве концен-
траторов излучения наиболее перспективным представляется при-
менение линейных линз Френеля. Это позволяет использовать от-
носительно точное слежение за Солнцем только вокруг одной оси,
параллельной микропризмам линз, в то время как вокруг второй
оси слежение может быть осуществлено значительно грубее. Крат-
ности концентрирования излучения при этом обычно составляют
×(6−10). Преломляющийся профиль в линзах выполняется из про-
зрачного силикона [2]. Для космических применений линзы могут
иметь очень тонкую (примерно 0,1 мм) стеклянную основу [83] или
даже не иметь ее вовсе [84].
В первом случае лист стекла легированного двуокисью церия вы-
полняет функцию защиты линзы от ультрафиолетового излучения и
действия высокоэнергетических частиц. Во втором случае на фрон-
тальную поверхность силиконовой линзы наносятся многослойные
защитные покрытия. В обоих случаях ФЭ оказываются лучше защи-
щены от неблагоприятных воздействий, чем в СБ без концентрато-
ров. Радиационная стойкость батарей повышается и за счет работы
при более высокой плотности фототока, достигаемой при концентри-
ровании солнечного излучения. Повышение плотности тока стано-
вится особенно важным при запусках космических объектов в сторо-
ну от Солнца. В этом случае концентрирование излучения компенси-
рует эффект уменьшения КПД фотоэлементов, наблюдаемый при
снижении плотности мощности солнечного света [2].
213
Для условий околоземного космического пространства возмож-
на реализация удельной мощности на единицу веса концентратор-
ной солнечной батареи примерно 180 Вт/кг и удельной мощности
на единицу площади около 300 Вт/м2 [24]. Эти параметры ожида-
ются при использовании трехкаскадных InGaP/GaAs/Ge ФЭ и не
могут быть достигнуты ни в каком другом типе космических СБ
[2].
______________________________________________________
1. Какие преимущества обеспечивает применение оптического кон-

центрированного излучения?
2. Перечислите основные виды концентраторов, их преимущества и
недостатки. Какие материалы применяются для изготовления концентра-
торов?
3. Что представляет собой малоразмерный модуль? Каковы преиму-
щества и недостатки его применения?
4. Каковы основные пути повышения эффективности работы концен-
траторных систем?
5. В чем различие между составными и распределенными концентра-
торами? Где эффективно применять эти устройства?
6. Перечислите основные параметры и характеристики работы цель-
ных концентраторов.
7. При каких условиях КПД концентраторной системы будет макси-
мальным?
8. Поясните принцип работы устройства спектрального разложения
света.
9. Каковы перспективы применения концентраторных солнечных мо-
дулей в России и за рубежом?
214
9. НАНОСТРУКТУРЫ В СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГЕТИКЕ
Максимальное увеличение КПД СЭ является одним из направ-

лений развития солнечной энергетики. Применение варизонных
структур, КФЭ и концентрирование света позволяет существенно
повысить КПД СЭ. Еще одна возможность оптимизации поглоще-
ния солнечного спектра – создание композиционных полупровод-
никовых сверхрешеток. В этом случае увеличение поглощения
энергии света можно получить как за счет выбора полупроводни-
ков, размера и формы квантовых ям и барьеров, так и за счет эф-
фектов размерного квантования и квазидвухмерности носителей
[85].
Теоретически показано [86], что введение квантовых точек (КТ)
узкозонного полупроводникового материала (например, InAs) в
СЭ, изготовленный из широкозонного полупроводникового мате-
риала (например, GaAs), позволяет достичь эффективности более
70 %. Это осуществляется за счет суммирования энергии двух
длинноволновых квантов света, которые не поглощаются в мате-
риале широкозонного полупроводника, а поглощаются материалом
КТ (рис. 9.1).
а б
Рис. 9.1. Наногетероструктурный СЭ:
а – структура СЭ с квантовыми точками; б – зонная диаграмма [43]
215
Улучшение технико-экономических характеристик СЭ при ис-
пользовании широкозонных полупроводников в качестве матрич-
ного материала наногетероструктурного СЭ с квантовыми точками
(НГСЭ КТ) обусловлено следующим [36].
1. Большие значения ширины запрещенной зоны Еg определяют
высокую температурную стабильность и высокий температурный
рабочий предел создаваемого солнечного элемента.
2. Наличие у прямозонных полупроводниковых соединений
III V
А В резкого края основной полосы поглощения, определяемой
прямыми оптическими переходами, приводит к возможности полу-
чения высокой эффективности преобразования солнечного излуче-
ния тонкопленочными солнечными элементами. Также существует
возможность достижения большой радиационной стойкости, так
как при радиации в этих материалах не происходит существенного
уменьшения низкого значения диффузионной длины неосновных
носителей заряда, характерных для этих материалов.
3. Большой потенциальный барьер в p-n-переходах на широко-
зонных материалах соединений АIIIВV обусловливает низкие значе-
ния токов. Это, с одной стороны, обеспечивает большую область
линейной зависимости выходной мощности СЭ от светового пото-
ка (в области больших световых потоков), а с другой стороны –
позволяет получать высокую эффективность при работе в диапазо-
не низких световых потоков и температур.
4. Кроме арсенида галлия (GaAs), для получения однопереход-
ных СЭ в качестве широкозонного полупроводника перспективно
использовать фосфид галлия GaP (Еg = 2,24 эВ), а в качестве узко-
зонного полупроводника для изготовления КТ перспективно ис-
пользовать германий (Ge), арсенид индия (InAs), антимонид галлия
(GaSb), а также твердые растворы на их основе (GexSi1-x, InAsP,
GaInSb).
Технология изготовления наногетероструктур включает выра-
щивание массива КТ из узкозонного материала с поверхностной
плотностью до 1012 см-2 на монокристаллической подложке широ-
козонного матричного материала. Затем массив КТ заращивается
наноразмерным слоем матричного материала (спейсерным слоем).
Многократное последовательное повторение стадий выращивание
массива КТ, зарощенного спейсерным слоем, позволяет сформиро-
вать активную часть наногетероструктур (см. рис. 9.1, а) [36].
216
Теоретический анализ показывает, что утилизация длинновол-
новой и коротковолновой части спектра солнечного излучения с
помощью КТ позволяет достичь эффективности солнечного эле-
мента близкой к термодинамическому пределу 93 %.
Перспективной считается идея создания легированной сверх-
решетки, каждый период которой является как бы отдельным СЭ
[85]. В каждом периоде сверхрешетки есть р-n-переход, а также
слой металла или сильнолегированного полупроводника. Таким
образом, сверхрешетка представляет собой батарею, напряжение
которой пропорционально числу периодов. При этом сверхрешетка
освещается со стороны, перпендикулярной оси сверхрешетки. В
результате длина поглощения света и длина диффузии носителей
перестают быть конкурирующими конструктивными параметрами
и определяют разные геометрические размеры системы: соответст-
венно поперечную протяженность слоев и период сверхрешетки.
Отметим основные направления работ по нанотехнологиям в
фотоэнергетике [2].
1. Применение для ФЭП нанотехнологии, включая газофазную
и молекулярно-пучковую эпитаксии.
2. Изучение физических принципов фотоэлектрического преоб-
разования солнечной энергии в наноструктурах, в том числе в
структурах со сверхрешетками и квантовыми точками, включая
фотоэлектрические явления при концентрированном солнечном
излучении.
3. Исследования путей повышения эффективности (КПД более
45 %) наземных и космических СБ.
4. Улучшение радиационной стойкости фотопреобразователей
на основе наногетероструктур для повышения срока активного су-
ществования космических фотоэнергосистем.
5. Разработка принципов эпитаксиальных технологий наногете-
роструктур в вакуумных средах, имитирующих условия открытого
космоса, для создания СБ непосредственно в условиях космоса.
6. Организация крупномасштабного производства СБ на основе
гетероструктур. Снижение стоимости «солнечной» электроэнергии
на Земле до 1 долл./Вт.
Следует отметить, что многочисленные попытки создания вы-
сокоэффективных СЭ на основе НГЭС КТ, полученных методами
MBE и MOCVD, где в качестве матричного материала использо-
217
вался GaAs, а для изготовления КТ – InAs не увенчались успехом.
Например, в работе [87] показано, что введение КТ не увеличивает,
а уменьшает квантовую эффективность СЭ, созданного на основе
НГЭС КТ, причем с увеличением количества массивов КТ эффек-
тивность СЭ уменьшается. Авторы связывают это с наличием меж-
ду КТ деформированных напряженных «смачивающих» слоев уз-
козонного полупроводника, содержащих генерационно-
рекомбинационные центры, ответственные за безызлучательные
каналы рекомбинации.
В работе [88] предложено изготавливать однопереходные СВЭ-
СЭ из НГЭС КТ, полученных в процессе жидкофазной эпитаксии
при импульсном охлаждении и нагревании подложки (ЖФЭ
ИОНП). Выращивание таких структур осуществляется при темпе-
ратуре печи 450–500 °С в атмосфере очищенного водорода моди-
фицированным методом жидкофазной эпитаксии соответственно
при импульсном охлаждении теплопоглотителем и импульсном
нагреве теплонагревателем тыльной стороны положки, лицевая
сторона которой находится в контакте с насыщенным раствором-
расплавом. Путем последовательного приведения подложки в кон-
такт с различными растворами-расплавами осуществляется нара-
щивание последующих нанослоев и массивов КТ.
Метод ЖФЭ ИОНП позволяет в одном технологическом про-
цессе в условиях, близких к равновесным, получать объемные
(микронные) и квантово-размерные (наноразмерные) слои, осуще-
ствлять равномерный засев зародышами и кристаллизацию кванто-
вых точек с плотностью до 1012 см-2 и разбросом их размеров не
более 10 %, т.е. формировать многослойные НГЭС КТ. Наличие
растворителя в виде легкоплавкого металла позволяет в этом тех-
нологическом процессе формировать массивы КТ, близкие к «иде-
альным», т.е. без образования деформированного напряженного
«смачивающего» слоя между квантовыми точками в каждом массиве КТ
[89-91].
Согласно данным MONA (Merging Optics & Nanotechnologies
www.ist-mona.org) СЭ, созданные на основе НГЭС КТ, к 2013 г.
должны достигнуть эффективности около 60 % и выйти на ключе-
вые позиции солнечной фотоэнергетики. Это обусловлено тем, что
стоимость вырабатываемой электроэнергии такими элементами
может быть в 2–3 раза дешевле, чем вырабатываемая современны-
218
ми кремниевыми СЭ в традиционных областях их применения.
Кроме того, создание высокоэффективных СЭ открывает новые
области использования солнечной энергетики, особенно в транс-
портных средствах передвижения (автомобили, самолеты, кораб-
ли), в устройствах мобильной связи, зарядки различных аккумуля-
торных систем [36].
В заключение отметим, что изучение свойств наноструктур и
наноматериалов позволяет прогнозировать существенный прорыв в
развитии солнечной энергетики.
1. Укажите преимущества и недостатки СЭ на основе наноструктур.

2. Какие этапы включает в себя технология изготовления нанострук-
тур для СЭ?
3. Поясните принцип работы наногетероструктурных каскадных СЭ.
4. Перечислите основные направления работ по нанотехнологиям в
фотоэнергетике. Какие направления на ваш взгляд более перспективные?
219
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Солнечные энергетические системы производят экологически

чистую энергию. Они бесшумные, не потребляют топлива, работа-
ют в автоматическом режиме, затраты на их обслуживание также
незначительны, как затраты на обслуживание электрических
трансформаторных подстанций. Проблема территории, необходи-
мой для установки СЭС решается в основном за счет использова-
ния фасадов или крыш зданий и сооружений.
Начиная с 2000 г. объем производства фотоэнергосистем растет
примерно на 30 % в год. Согласно прогнозам, в 2020 г. мощность
выпущенных систем этого типа составит 50 ГВт, т.е. за 20 лет объ-
ем рынка увеличится в 140 раз [2].
Важным показателем работы фотоэлектрических установок яв-
ляется стоимость вырабатываемой электрической энергии. Данный
показатель зависит от эффективности преобразования СЭ и от
стоимости его производства и утилизации. В связи с этим сущест-
вуют два направления усовершенствования СЭ, которые подробно
рассмотрены в данном пособии.
Первое направление – повышение КПД фотопреобразователей
и снижение различного рода потерь (отражение солнечного излу-
чения от поверхности преобразователя, прохождение части излуче-
ния через элемент без поглощения в нём, внутреннее сопротивле-
нием преобразователя и т.д.) в СЭ. Для повышения КПД стремятся
более полно использовать спектр солнечного излучения и энергии
фотонов по принципу: каждый фотон должен поглощаться в полу-
проводнике с запрещенной зоной, ширина которой соответствует
энергии этого фотона [78]. Для этого создаются СЭ:
- каскадные из полупроводников с различной шириной запре-
щенной зоны;
- с варизонной структурой (с переменной шириной запрещен-
ной зоны);
- с примесными энергетическими уровнями в запрещенной зоне.
Другие подходы к повышению КПД СЭ связаны с использова-
нием концентрированного солнечного излучения, созданием поли-
мерных СЭ, а также наноструктур на основе кремния и фуллеренов
[82]. В случае концентрирования солнечного излучения уменьше-
220
ние стоимости выработки электроэнергии осуществляется за счет
снижения расхода дорогих полупроводниковых материалов.
Также существенного повышения КПД фотогальванических
панелей удалось добиться за счёт создания преобразователей с
двухсторонней чувствительностью (до +80 % к уже имеющемуся
КПД одной стороны), применения люминесцентно переизлучаю-
щих структур, предварительного разложения солнечного спектра
на две или более спектральные области с помощью многослойных
плёночных светоделителей с последующим преобразованием каж-
дого участка спектра отдельным ФЭП [15].
Применение новых технологий и материалов позволит в бли-
жайшие пять лет увеличить коэффициент полезного действия СЭ
на основе каскадных гетероструктур до 40 % в лаборатории и до
26–30 % в производстве. Значительно повысить КПД помогает ис-
пользование наноструктурных ФЭ каскадного типа. КПД СЭ из
кремния может достичь в лаборатории 28 %, а в промышленности –
22 %. Разрабатывается также поколение СЭ с предельным КПД до
93 %, использующее новые физические принципы и материалы
[75].
Для снижения всех видов потерь в СЭ разрабатывают и приме-
няют различные мероприятия:
- осуществляют текстурирование поглощающей поверхности;
- применяют прозрачные электроды;
- осуществляют поиск и использование полупроводников наи-
более подходящих для преобразования солнечного излучения;
- применяют многофункциональные оптические покрытия,
обеспечивающих просветление, терморегулирование и защиту эле-
ментов от космической радиации,
- используют гетерогенные полупроводниковые структуры вме-
сто гомогенных;
- направленно улучшают свойства полупроводниковой струк-
туры путём оптимального добавления примесей и т.д.
Второе направление – снижение стоимости СЭ. Это осуществ-
ляется за счет применения более дешевых материалов для подло-
жек и поглощающего слоя, изготовление конструкций, обеспечи-
вающих более низкий расход дорогостоящих материалов, исполь-
зование недорогих технологий производства фотоэлементов, сни-
жение затрат на утилизацию.
221
В настоящее время разрабатываются такие технологические
процессы производства ФЭ, в которых экологически вредные хи-
мические процессы травления и переработки заменены на вакуум-
ные, плазмохимические, электронно-лучевые и лазерные процессы.
Для улучшения характеристик СЭ и снижения их стоимости
заменяют дорогостоящие подложки из Ge или GaAs более деше-
вым и технологичным материалом – монокристаллическим крем-
нием.
Перспективным направлением снижения стоимости СЭ являет-
ся применение тонкопленочных структур. Их производство в 2–3
раза дешевле, чем монолитных структур. Кроме того их КПД по-
стоянно повышается за счет оптимизации конструкции СЭ и при-
менения новых материалов. Еще одно перспективное направление
– изготовление СЭ на основе органических материалов.
В России развитие солнечной энергетики идет не такими бур-
ными темпами, как за рубежом. Обусловлено это рядом причин
[82]. В настоящее время Россия обеспечена запасами всех видов
органического топлива. Практически повсеместно применяется
централизованная поставка топлива, тепла и электроэнергии.
С точки зрения экономического подхода причинами слабого
развития солнечной энергетики является низкая платежеспособ-
ность населения, малый объем государственных инвестиций, сла-
бое развитие законодательной базы по использованию возобнов-
ляемых источников энергии, а также неподходящий для солнечной
энергетики климат и географическое положение для ряда Россий-
ских регионов и областей.
Также можно отметить причины информационного характера.
Сюда можно отнести слабую осведомленность руководителей на
местах о возможностях солнечной энергетики, отсутствие инфор-
мационных центров на федеральном уровне.
С другой стороны, развитие фотоэнергетики в нашей стране со-
ответствует большинству высших приоритетов в утвержденной
правительством РФ в 2003 г. «Энергетической стратегии России до
2020 года». Поэтому следует ожидать активизации развития данной
отрасли в ближайшее время.
222
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Андреев В.М. Нанотехнологии для солнечной фотоэнергетики.// Междуна-

родный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» (АЭЭ), 2007.
№ 2(46). С. 93-98.
2. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы
развития солнечной фотоэнергетики. //ФТП, 2004. Т. 38. Вып. 8. С. 937–948.
3. Гременок В.Ф., Тиванов М.С., Залесский В.Б. Солнечные элементы на ос-
нове полупроводниковых материалов. Минск: БГУ, 2007.
4. Андреев В.М. Солнечные дни. Неистощаемый ресурс. // URL:
http://www.stroygorhoz.ru/en8/30.php/. Дата обращения: 14.02.2011.
5. Солнечная энергетика России: перспективы и проблемы развития.// URL:
http://www.gisee.ru/articles/solar-energy/24510/. Дата обращения: 14.07.2012
6. Мешков П.И. Наноматериалы в солнечных батареях – новые перспективы
альтернативной энергетики.// Nano News Net: сайт о нанотехнологиях в Рос-
сии.2009. URL: http://www.nanonewsnet.ru/articles/2009/ nanomaterialy-v-
solnechnykh-batareyakh-novye-perspektivny-alternativnoi-energe-tiki. Дата обра-
щения: 21.03.2011.
7. Самсонов Е. Перспективы солнечной энергетики США.//Биржевой Лидер.
Новости и аналитика инвестиций Masterforex, 2010.
URL:http://www.profiforex.org/country_traders/entry1005281809.html. Дата обраще-
ния: 14.02.2011.
8. Возобновляемые источники энергии. // URL: http://ru.wikipedia.org. Дата
обращения: 14.02.2011.
9. Карабанов С. Солнечная энергетика: современное состояние и перспективы
развития // Живая электроника России. 1999. С. 78–81.
10. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.:
Энергоатомиэдат, 1987.
11. Достанко А.П., Василевич В.П., Кайдов О.Л. //Тенденции и перспективы
развития технологии производства поликристаллического кремния для фотоэлек-
трических преобразователей. Доклады БГУИР, 2006, №1. С. 73–80.
12. Медведкин Г.А., Теруков Е.И. и др. Фотолюминесцентные свойства по-
ликристаллических солнечных элементов ZnO/CdS/CuInGaSe2 при низкой темпе-
ратуре.// ФТП, 2001. Т. 35. Вып. 1. С. 1385-1390.
13. Солнечная энергетика. Сайт компании ЗАО «СуперОкс»// URL:
http://www.superox.ru/photoelements3.htm. Дата обращения: 12.11.2011.
14. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотопреобразователи
для ультрафиолетовой области спектра. //ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025–1055.
15. Жук Г. Фотоэлементы – энергоальтернатива. // URL: http://www. digime-
dia.ru/articles/compyutery/raznoe/tehnologii- buduschego / fotoelementy -
energoalternativa. Дата обращения: 12.01.2012.
16. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.2. М.: Мир, 1984.
17. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Учеб. по-
собие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. М.: Наука, 1990.
18. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. Петрозаводск:
ПетрГУ, 2004.
223
19. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника: Учеб. для вузов.
М.: Высшая школа, 1986.
20. Шиляев П.А., Павлов Д.А. Полупроводниковые гетероструктуры: гетеро-
переход. Учебно-методическое пособие. Н.Новгород: Нижегородский госунивер-
ситет, 2009.
21 Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик А.Я. Варизонные полупроводники и гете-
роструктуры. СПб.: Наука, 2000.
22. Кардона Ю. П. Основы физики полупроводников / Пер. с англ. И.И. Ре-
шиной. / Под ред. Б.П. Захарчени. – 3-е изд. М.: Физматлит, 2002.
23. PVCDROM Christiana Honsberg и Stuart Bowden. //Учебная программа по
основам солнечной энергетики. URL: http://pvcdrom. pveducation.org/RU/ Дата
24. Фролкова Н. О. Моделирование солнечных батарей на основе различных
полупроводников: Автореф. дис. … канд. техн. наук. М., 2011.
25. Черномордик В.Д. Солнечные элементы на основе аморфного гидрогени-
зированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде. Диссерта-
ция кандидат технических наук. Ярославль, 2001.
26. Аморфные и поликристаллические полупроводники: Пер. с нем./ Под ред.
В. Хейванга. М.: Мир, 1987.
27. Аморфные полупроводники: Пер. с англ./ Под ред. М. Бродски. М.: Мир,
1982.
28. Аморфные полупроводники и приборы на их основе: Пер. с англ./ Под
ред. Й. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986.
29. Budaguan B.G., Sherchenkov A.A., Chernomordic Y.D., Biriukov A.Y.,
Ljungberg. a-Si:H/c-Si heterostructures prepared by 55 kHz glow discharge high-rate
deposition technique.// J. of Non- Cryst. Solids, 1998. V. 227–230. Р. 1123-1126.
30. Мейтин М. Пусть всегда будет Солнце! //Электроника: Наука. Технология.
Бизнес, 2000. № 6. С.40-46.
31. Kroon M.A., van Swaaij R.A.C.M. M, Zeman M, Metselaar J.W. Study of the
Design of the a-Si:H.Tansverse Junction Solar Cell. //Proc. of the 2nd World Conference
and Exhibition оn Photovoltaic Solar Energy Conversion.
32. Круковский С. И., Николаенко Ю. Е. Солнечные элементы на основе
тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs //Технология и конструирование
в электронной аппаратуре, 2003. № 6. С. 39–40.
33. Olson J. M., Kurtz S. R., Kibbler K. E. InGaP as material for the topsolar cells
// Appl. Phys. Lett., 1990. V. 56. № 7. P. 623-625.
34. Yamaguchi Masafumi. Physics and techologies of super-high-efficiency tandem
solar cells//ФТП, 1999. Т. 33. Вып. 9. С. 1054–1058.
35. Николаенко Ю. Е., Круковский С. И., Завербный И. Р. и др. Получение
тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs для фотопреобра-зователей сол-
нечной энергии// Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002.
№ 3. С. 27–29.
36. Кулюткина Т.Ф., Марончук Н.И. и др. Сверхвысокоэффективные солнеч-
ные элементы (краткий обзор) // Нові технології, 2011. № 3 (33). Науковий вісник
КУЕІТУ, С. 9-16.
224
37. Barnham K.W.J., Bushnell D.B., Connoly J.P. et.al. // High Efficiency III-V So-
lar Cells // Phys. Lett., 2000. P. 143.
38 . Partain L.D. Solar Cells and Their applications // John Wiley and Sons Inc.,
1995.
39. Smith M.A. Solar Cell for NASA Rainbow Concentrator // Proc. 28th PVSC,
Anchorage, Alaska, 2000.
40. Andreev V.M., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Shvarts M.Z. //Proc. 2nd World
Conf. on Photovolt. Solar Energy Conversion. Vienna, 1998. Р. 37–57.
41. Bailey S.G., Flood D.F. Progress in Photovoltaics // Research and Applications,
1998. V. 6. № 1. Р. 147-152.
42. King R.R. et al. //Proc. 28th IEEE Photovolt. Specialists Conf. (IEEE, N.Y.,
2000). Р. 998.
43. Лунин Л. С., Марончук И. Е., Сысоев И. А. Фотоэлектрическое преобразо-
вание солнечной энергии// URL: www.ntsr.info/upload/My/ nauka/ fotopre. doc. Дата
44. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. и др. Патент РФ на полез-
ную модель № 47497 «Солнечная фотоэлектрическая установка». Дата приоритета
от 22.02.2005.
45. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Патент РФ на изобретение
№ 2286517 «Солнечная фотоэлектрическая установка». Дата приоритета
21.02.2005.
46. Гременюк В.Ф., Бондарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.-W. Сол-
нечные элементы на основе пленок CuIn1-xGaxSe2, полученных импульсным лазер-
ным испарением, // ФТП, 2002. Т. 36. № 3. C. 360–363.
47. Copper-Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts,
L.L. Kazmerskii, S. Wagner (N.Y., Pergamon Press, 1986).
48. Абдуллаев M.A, Гаджиева Р.М., Магомедова Дж.Х., Хохлачев П.П. // Изв.
РАН. Неорг. матер., 1997. Т. 33. № 3. С. 411.
49. Тиванов М.С., Зарецкая Е.П. и др. Получение и физические свойства
Cu(In,Ga)(S,Se)2 пленок для фото преобразователей многокристальных моду-
лей//Материалы докладов БГУИР, 2007. № 3. С. 62–67.
50. Медведкин Г.А., Стольт Л., Веннерберг Й. Оптоэлектронные образы по-
ликристаллических тонкопленочных солнечных элементов на CuInSe2, CuInGaSe2,
основе полученные лазерным сканированием. // ФТП, 1999. Т. 33. Вып. 9. С. 1137-
1140.
51. Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременюк В.Ф., Ильчук Г.А. Фоточувствитель-
ность поверхностно-барьерных структур на основе Cu(In,Ga)Se2 пленок, получен-
ных вакуумным соиспарением. // Письма в ЖТФ, 2004. Т.3. Вып. 18, C. 21-27.
52. Паращук Д.Ю., Кокорин А.И. Современные фотоэлектрические и фотохи-
мические методы преобразования солнечной энергии. //Рос. хим. журн. (журн.
Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева), 2008. Т. LII. № 6. С. 107- 117.
53. Трошин П.А., Любовская Р.Н., Разумов В.Ф. Органические солнечные ба-
тареи: структура, материалы, критические параметры и перспективы развития.//
Обзоры. Российские нанотехнологии, 2008. Т. 3. №5–6. С. 56-77.
225
54. Новые органические фотоэлементы от Mitsubishi Chemical Corp. // URL:
http://aenergy.ru/ 3055. Дата обращения: 12.12.2011.
55. Паращук Д.Ю., Сидоров Л.Н, Васильев Р.Б., Сергеев В.Г. Электрохимиче-
ское и фотовольтаическое получение и преобразование энергии.// URL:
http://nano.msu.ru/research/directions/energy. Дата обращения: 23.11.2011.
56. Yu G., Pakbaz K., Heeger A.//J. Ibid., 1994. V. 64. № 25. Р. 3422-3424.
57. Coakley K.M., McGehee M.D. // Chem. Mater., 2004. V. 16. № 23. Р.4533-
4542.
58. Moliton A., Nunzi J.M. //Polym. Int., 2006. V. 55. № 6. P. 583-600.
59. Hoppe H., Sariciftci N.S. //J. Mater. Chem., 2006. V. 16. № 1. P. 45-61.
60. Tang C.W. //Appl. Phys. Lett., 1986. V. 48. № 2. P. 183-185.
61. Lerke S.A., Parkinson B.A., Evans D.H., Fagan P.J. //J. Am. Chem. Soc., 1992.
V. 114. № 20. P. 7807-7813.
62. Elizarov S.G., Ozimova A.E., Paraschuk D.Yu., Arnautov S.A., Nechvolodova
E.M. //Proc. SPIE, 2006. V. 6257. P. 293-302.
63. Peumans P., Yakimov A., Forrest S.R. //Ibid., 2003. V. 93. № 7. P. 3693-3723.
64. Peumans P., Forrest S. R. //Ibid., 2001. V. 79. № 1. P. 126-128.
65. Peumans P., Uchida S., Forrest S. R. // Nature, 2003. V. 425. № 6954, P. 158-
162.
66. Xue J.G., Uchida S., Rand B.P., Forrest S.R. //Appl. Phys. Lett., 2004. V. 85. №
23. P. 5757-5759.
67. McDonald S.A., Konstantinos G., Zhang S., Cyr P.W., Klem E.J.D., Levina L.,
Sargent E.// Nature Materials, 2005. V. 4. № 2. P. 138-142.
68. Klimov V I. // Annu. ReV Phys. Chem., 2007. V. 58. P. 635-673.
69. Schaller R.D., Sykora M., Pietryga J.M., Klimov V.I. //Nano Letters, 2006. V.
6. № 3. P. 424 - 429.
70. Bai Y., Cao Y., Zhang J., Wang M., Li R., Wang P., Zakeerud-din S. M.,
Gratzel M.// Nature Materials, 2008. V. 7. № 8. P. 626-630.
71. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Арипов Х.К., Ларионов В.Р., Румянцев В.Д.
Солнечная фотоэлектрическая установка мощностью 200 Вт на основе АlGaAs
гетерофотоэлементов и зеркальных концентраторов // Гелиотехника, 1981. № 6. С.
3-6.
72. Клычев Ш. Концентраторы солнечного излучения (схемы, параметры, ме-
тоды расчёта)//URL: http://energy.econews.uz/index. php /2009-02-15-12-39-22/4-
2009-02-15-12-30-01/33-unesco. Дата обращения: 14.01.2012.
73. Andreev VM., Grilikhes VA., Rumyantse VD. //V Photovoltaic Conversion of
Concentrated Sunlight. John Wiley & Sons Ltd, 1997.
74. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Paleeva E.V., Shvarts
M.Z., Algora C. Technical Digect of the International PVSEC-11. Sapporo, Japan, 1999.
P. 147.
75. Rumyantsev V.D., Hein M., Andreev V.M., Bett A.W., Dimroth F., Lange G.,
Letay G., Shvarts M.Z., Sulima O.V.//Proc. 16th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf.,
Glasgow, 2000. P. 2312.
76. Hein M., Meusel M., Baur C., Dimroth F., Lange G., Siefer G., Tibbits T.N.D.,
Bett A.W., Andreev V.M., Rumyantse V.D. // Proc. 17th Eur. Photovolt. Solar Energy
Conf., Munich,Germany, 2001. P. 496.
226
77. Rumyantsev V.D., Chosta O.I., Grilikhes VA., Sadchikov N.A, Soluyanov
A.A., Shvarts M.Z., Andreev V.M.// Proc. 29th IEEE Photovolt Specialists Conf., New
Orleans, 2002. P. 1596.
78. Rumyantsev VD., Andreev V.M., Sadchikov N.A., Bett A.W., Dimroth F.,
Lange G. // Proc. Conf. „PV in Europe“, Rome, 2002.
79. Cotal H.L. et al. //Proc. 28th IEEE Photovolt. Specialists Conf. (Anhorage,
2000) P. 955.
80. Yamaguchi M. Workshop Proc. „The path to ultra-high efficient photovoltaics“
// Ispra, Italy, 2002. P. 15.
81. Yamaguchi M., Luque A.// IEEE Transactions on Electron DeV, 1999. Р.41-46.
82. Макушин М. Есть ли место солнцу в будущем российской энергетики?//
Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 2007. №4. С.112-119
83. Andreev V.M., Larionov V.R., Lantratov V.M., Grilikhes V.A., Khvostikov
V.P., Rumyantsev V.D., Sorokina S.V., Shvarts M.Z., Yakimova E.V.// Proc. 28th IEEE
Photovolt. Specialists Conf., Anchorage, 2000. P. 1157.
84. O’Neill M.J., Piszczor M.F., Eskenazi M.I., Botke M.M., Brandhorst H.W.,
Edwards D.L., Jaster P.A. // Proc. 29th IEEE Photovolt. Specialists Conf., New Orleans,
2002. P. 916.
85. Е.А. Андрюшин, А.П. Силин. Физические проблемы солнечной энерге-
тики.// Успехи физических наук, 1991. Т. 161. № 8. С. 129-139.
86. Cuadra L, Marti A., Lopez N. // 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Con-
version. Osaka, Japan, 2003. PCD IPL-B2-01.
87. Norman A.G., Hanna M.C., at al. InGaAs/GaAs QD Superlattices: MOVPE
Growth, Structural and Optical Characterization, and Application in Intermediate-Band
Solar Cells // Prepared for the 31st IEEE Photovoltaics Specialists Conference and Ex-
hibition Lake Buena Vista, Florida January 3-7, 2005. NREL/CP- 520-37405.
88. Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Марончук А. И. и др. Выращивание на-
ногетероэпитаксиальных структур на основе соединений А3В5 из растворов-
расплавов // Нові технології, 2010. № 3 (29). С. 3-12.
89. Maronchuk I.E., Berezovska N.I., Borkovska O.Yu. at al. Nanoheteroepitexial
Structures for Solar Cells onBasis GaP // Proceedings 24th European Photovoltaic Solar
Energy Conference and Exhibition, 21-25 September 2009. Hamburg, Germany. P. 421-
424.
90. Марончук І.Є., Кулюткіна Т.Ф, Марончук І.І. Спосіб вирощування
епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок. Патент № 94699
UA: МПК C30B 19/00 (2006.01), C30B 29/00 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01) №
200705813; заявл. 24.05.2007, опубл. 10.06.2011, Бюл. № 11.
91. Maronchuk I. E., Kulyutkina T. F., Smirnov S. B. at al. Nanoheteroepitaxial
Structures III-V for Solar Cells with Quantum Dots // Proceedings 23rd European
Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EUPVSEC). Valencia, Spain, 1-
5 of September 2008. P. 570-573.
227
Ермолаева Наталия Вячеславовна
Смолин Александр Юрьевич
Литвин Наталья Владимировна
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ
Редактор Е.Н. Кочубей
Подписано в печать 15.11.2012. Формат 60х84 1/16.

Уч.-изд. л. 14,5. Печ. л. 14,5. Тираж 50 экз.
Изд. № 045/1. Заказ № 10.
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ».

115409, Москва, Каширское ш., 31.
ООО «Полиграфический комплекс «Курчатовский».

14400, Московская область, г. Электросталь, ул. Красная, д. 42.

Фотопреобразователи Солнечной Энергии 2013

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Фотопреобразователи Солнечной Энергии 2013

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии»

Ермолаева Н.В., Смолин А.Ю., Литвин Н.В. Фотопреобразователи

В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

Рецензент: А.А. Баранник, канд. техн. наук, доцент каф. «Физика и

ISBN 978-5-7262-1722-2 © Национальный исследовательский

В пособии рассмотрены основные физические процессы, протекающие

Преобразование солнечной энергии в электричество является

1.1. Солнечная энергетика, перспективы ее развития.

Солнечная энергия относится к альтернативным (нетрадицион-

1.2. Сравнительный анализ фотоэлектрических

Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, уст-

1.3. Состав солнечного излучения

Источник энергии. Источником энергии солнечного излуче-

Рис. 1.1. Спектральное распределение потока фотонов,

Рис. 1.2. Распределение солнечной энергии по спектру

1.4. Концентрирование света

Как уже отмечалось, более 80 % объема рынка солнечных эле-

1. Перечислите основные способы сбора солнечной энергии. Какие

Для качественного понимания физических процессов, проте-

2.1. Принцип работы приборов

2.1.1. Понятие, виды и образование

Электрический переход между областями полупроводника с

Рис. 2.1. Диаграммы, поясняющие процесс образования p-n-перехода

В p-области уход дырок из граничного слоя способствует обра-

Рис. 2.2. Распределение напряженности

Переход неосновных носителей приводит к уменьшению объ-

2.1.2. Энергетическая диаграмма p-n-перехода

В условиях равновесия p-n-перехода, когда отсутствует внешнее

Рис. 2.3. Энергетическая диаграмма несимметричного p-n-перехода

2.1.3. Неравновесное состояние p-n-перехода

Если подключить источник ЭДС между p- и n-слоями, то равно-

Рис. 2.4. Схема включения p-n-перехода при прямом смещении

В результате частичной компенсации внешним напряжением

Рис. 2.5. Энергетическая диаграмма прямосмещенного p-n-перехода

Вблизи p-n-перехода концентрации дырок в n-области и элек-

Рис. 2.6. Схема включения p-n-перехода при обратном смещении и потенциальная

Под действием обратного напряжения Uобр основные носители

Рис. 2.7. Распределение концентраций носителей заряда

Как показано на рисунке, концентрация неосновных носителей

Рис. 2.8. Энергетическая диаграмма обратно смещенного p-n-перехода

Обратный ток определяется дрейфовой составляющей и равен

2.2.1. Механизмы поглощения света полупроводниками

При поглощении света полупроводниками энергия фотонов

Таким образом, полный спектр поглощения полупроводника

Рис. 2.9. Прямые (а) и непрямые (б) оптические переходы

для hν > Eg – Eф.

(для hν > Eg +Eф) поскольку вероятность испускания фонона про-

Солнечный элемент (СЭ) или фотоэлектропреобразователь

Рис. 2.11. Схема кремниевого монокристаллического солнечного элемента

В дырочном полупроводнике (полупроводнике p-типа) реализу-

При контакте p- и n-областей в них, вследствие градиента кон-

Рис. 2.13. Разделение

Неосновные носители, генерируемые в p- и n-областях на боль-

где k = 1,38×10-23 Дж/К – постоянная Больцмана, T – термодинами-

2.3. Физический принцип работы элемента

2.3.1. Определение гетероперехода

Полупроводниковые гетероструктуры лежат в основе конструк-

2.3.2. Энергетическая диаграмма идеального

Для построения энергетической диаграммы часто применяют

Следует заметить, что разрывы зон могут быть как положитель-

Для характеристики гетероперехода также применяют параметр,

Рис. 2.16. Распределение поля и потенциала в резком анизотипном

Рис. 2.17. Расположение валентной зоны и зоны проводимости