Учебно-методическое пособие
Казань 2001
1
УДК 621.375 Авторы-составители: С.Г.Прохоров
В.Г.Трусенев
2
Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные
этапы:
1. Выбор транзистора и элементной базы.
2. Расчет статического режима (т.е. расчет транзистора по постоян-
ному току).
3. Расчет динамического режима (т.е. расчет транзистора по пере-
менному току).
Как правило, на практике при проектировании усилителя инженеру
даются исходные данные:
• входное (Uвх) и выходное (Uвых) напряжение усилителя (или ко-
эффициенты усиления усилителя по току КI и по напряжению KU);
• входное сопротивление усилителя (Rвх);
• сопротивление нагрузки (Rн);
• полоса пропускания усилителя Δf = fв – fн, где fн, fв – нижняя и
верхняя граничные частоты усиления;
• диапазон рабочих температур Т0±ΔТ;
• напряжение источника питания Ек.
Число исходных параметров, формируемых потребителем, может быть
больше, либо меньше приведенных.
30 Iб4
0,6
Iб3
20 A
0,4 А Iб2
Iб1
0,2 10
Iб0
40
Iб=0,6мА
Iб=0,5мА
30
Iб=0,4мА
20
A
Iб=0,3мА
Iб=0,2мА
10
Iб=0,1мА
0 5 10 15 20 25 Uкэ (В)
Рис. 5. Выходные характеристики транзистора КТ312Б
0,7
0,6
0,5
0,4 А
0,3
0,2
0,1
100
90
80
70
60
50
40
30
0 20 40 60 80 1 0 0 Т оС
2
10
6
4
2
1
6
4
2
10-1
6
4
2
10-2
⎡ ε ⋅ ΔT Δh ⎤
ΔI к = S ⋅ ⎢ΔI к0 + + (I б + I к0 ) 21э ⎥ ,
⎣ Rэ + Rб h21э ⎦
R ⋅R
где Rб = 1 2 , ε = −2,5 мВ/град .
R1 + R2
Δh21э = h21э (T0 + ΔT ) − h21э (T0 ) – находим из графика на рис. 7.
ΔI к 0 = I к (T 0+ ΔT ) − I к (T0 ) – определяем из графика на рис. 8.
В нашем случае получаем следующий результат:
Δh21э = h21э (60 о ) − h21э (20 о ) = 74 − 50 = 24 ;
ΔI к0 = I к (60 о ) − I к (20 о ) = 1,05 − 0,2 = 0,85 мкА ;
R ⋅R 1500 ⋅ 5100 76500
Rб = 1 2 = = = 1160 Ом ;
R1 + R2 5100 + 1500 66
⎡ ε ⋅ ΔT Δh ⎤
ΔI к = S ⋅ ⎢ΔI к0 + + (I б + I к0 ) 21э ⎥ =
⎣ Rэ + Rб h21э ⎦
⎡ −6 (−2,5) ⋅ 10 − 3 ⋅ 40 24 ⎤
= 9,67 ⋅ ⎢0,85 ⋅ 10 + + (0,4 ⋅ 10 − 3 + 0,2 ⋅ 10 − 6 ) ⋅ ⎥ =
⎣ 100 + 1160 50 ⎦
= 9,67 ⋅ (0,85 ⋅ 10 − 6 − 79,4 ⋅ 10 − 6 + 192,1 ⋅ 10 − 6 ) =
= 9,67 ⋅ 113,55 ⋅ 10 − 6 = 1,098 ⋅ 10 − 3 ≈ 1,1 ⋅ 10 − 3 А
10
Далее следует учесть то, что реальные сопротивления всегда имеют
технологический разброс значений, зависящий от класса точности изготов-
ления резисторов. Поэтому необходимо определить значения коэффициента
температурной нестабильности и приращения коллекторного тока, если рези-
сторы R1, R2, Rк, Rэ имеют разброс параметров ±δ.
Допустим, что в нашем случае разброс параметров сопротивлений ра-
вен ±δ=30%. Рассчитаем два варианта, когда коэффициент температурной
нестабильности и, следовательно, приращение коллекторного тока будут
иметь максимальное и минимальное значения. Это произойдет в том случае,
когда параметр D будет принимать минимальное и максимальное значения
соответственно. Если сопротивления Rк, Rэ изменятся на –δ, а R1, R2 – на +δ,
то параметр D, будет иметь минимальное значение. Если резисторы Rк, Rэ
изменятся на +δ, а R1, R2 – на –δ, то параметр D достигнет максимального
значения. Определим, какие значения примут резисторы при заданном раз-
бросе параметров:
R1min =5100 – δ = 3570 Ом; R1max =5100 + δ = 6630 Ом;
R2min =1500 – δ = 1050 Ом; R2max =1500 + δ = 1950 Ом;
Rкmin = 430 – δ = 301 Ом; Rкmax = 430 + δ = 559 Ом;
Rэmin = 100 – δ = 70 Ом; Rэmax = 100 + δ = 130 Ом.
Рассчитаем минимальное и максимальное значение параметра D:
70 70 70 ⋅ 301
Dmin = + + = 0,0106 + 0,0359 + 0,0016 = 0,0481;
6630 1950 6630 ⋅ 1950
130 130 130 ⋅ 559
Dmax = + + = 0,0364 + 0,1238 + 0,0194 = 0.1796.
3570 1050 3570 ⋅ 1050
Далее найдем максимальное и минимальное значения S:
1 + Dmin 1 + 0,0481
S max = = = 15,4;
1 − α + Dmin 1 − 0,98 + 0,0481
1 + Dmax 1 + 0,1796
S min = = = 5,91.
1 − α + Dmax 1 − 0,98 + 0,1796
Теперь определим приращения коллекторного тока:
⎡ ε ⋅ ΔT Δh ⎤
ΔI к max = S max ⋅ ⎢ΔI к0 + + (I б + I к0 ) 21э ⎥ =
⎣ Rэ + Rб h21э ⎦
= 15,4 ⋅ 113,55 ⋅ 10 − 6 = 1,749 ⋅ 10 − 3 ≈ 1,7 ⋅ 10 − 3 А;
⎡ ε ⋅ ΔT Δh ⎤
ΔI к min = S min ⋅ ⎢ΔI к0 + + (I б + I к0 ) 21э ⎥ =
⎣ Rэ + Rб h21э ⎦
= 5,91 ⋅ 113,55 ⋅ 10 − 6 = 0,671 ⋅ 10 − 3 ≈ 0,67 ⋅ 10 − 3 А.
На этом расчет статического режима работы транзистора закончен.
11
Задачи для самостоятельной работы
Таблица 1
Номер UкэА, IкэА, Ек, Т, ΔТ, δ,
о о
варианта В мА В С С %
1 5 6 10 25 +40 ±20
2 10 15 20 25 +40 ±10
3 5 10 15 25 -30 ±20
4 10 10 20 25 +35 ±15
5 8 6 15 20 -35 ±20
6 10 18 25 20 +20 ±25
7 8 15 25 25 +45 ±30
8 12 7 20 20 +40 ±20
9 5 22 15 20 -20 ±20
10 5 20 25 20 +35 ±10
11 15 15 25 20 -35 ±20
12 10 20 25 25 +30 ±20
13 7,5 20 20 20 +30 ±30
14 12,5 6 20 25 -30 ±20
15 12,5 15 20 25 +40 ±20
16 10 23 25 25 +40 ±20
17 10 22 25 25 -40 ±10
18 5 9 12 25 +20 ±10
19 6 11 15 20 -20 ±15
20 5 20 18 20 +20 ±15
21 5 16 16 25 +25 ±20
22 7,5 16 20 25 +25 ±20
23 7,5 20 20 20 +35 ±25
24 10 10 15 20 +35 ±25
25 10 15 20 20 -35 ±20
26 9 7 18 20 +40 ±30
27 6 10 18 20 +30 ±20
12
Окончание таблицы 1
Номер UкэА, IкэА, Ек, Т, ΔТ, δ,
о о
варианта В мА В С С %
28 8 15 16 25 +35 ±20
29 15 18 25 25 +45 ±10
30 7,5 20 15 20 +50 ±10
31 10 12 15 20 -40 ±20
32 5 20 10 25 +45 ±20
33 10 7 12 20 +50 ±15
34 5 25 15 25 -50 ±15
35 4 16 7 20 -50 ±20
36 10 10 20 20 -50 ±10
37 5 25 20 20 -50 ±20
Э I1 К I2 Э I1 К I2
Э К h21э.I1 h22Э.I1
h11э h11Э
Rн Rн RН
Б U1 1/h22э U1
U2 U2
U2.h12э
Б Б
Э I2
Э I1 h11э Э I2 I1 h11э
U2.h12э 1/h22э Rн Rн
Rн
Б U1
U1 h21э.I1
К h21э.I1 К U2
К U2
15
Iк (мА)
Iб=0,7мА
40
Iб=0,6мА
30 Iб=0,5мА
Iб=0,4мА
20 Iб=0,3мА
ΔIк A
Iб=0,2мА
10
Iб=0,1мА
0 5 10 15 20 25 U (В)
кэ
Uкэ=const
30 Iб=0,5мА
Iб=0,4мА
20
Iб=0,3мА
A
ΔIк
Iб=0,2мА
10
Iб=0,1мА
0 5 10 20 25
ΔUкэ Uкэ (В)
fн fв f
Рис. 13. Амплитудно-частотная характеристика широкополосного усилителя
Вне полосы частот пропускания усилителя его параметры КU, КI, Rвх,
Rвых приобретают комплексный характер, т.е. становятся частотнозависимы-
ми. Для расчета параметров транзисторного усилителя вне полосы пропуска-
ния необходимо учесть инерционные свойства транзистора включением в эк-
вивалентную схему транзистора емкостей коллекторного и эмиттерного пе-
реходов, а также реактивные элементы схемы усилителя (конденсаторы, ка-
тушки индуктивности, реактивный характер нагрузки).
Последовательность расчета следующая:
1. Составляют эквивалентную электрическую схему усилителя. При
этом рекомендуется воспользоваться табл. 2.
2. Рассчитывают основные параметры КU, КI, Rвх, Rвых для каждого кас-
када усилителя по составленной эквивалентной схеме. Для упрощения расче-
тов можно воспользоваться формулами табл. 4 как в точном, так и в прибли-
женном виде.
17
Таблица 4
−
h21э ⋅ Rн (h21э + Δhэ ) ⋅ Rн (1 + h21э ) ⋅ Rн
h11э + Δhэ ⋅ Rн h11э + Δhэ ⋅ Rн h11э + (1-h12 э + h21э + Δhэ ) ⋅ Rн
KU
h 21 э ⋅ R н h 21 э ⋅ R н h 21 э ⋅ R н
−
R г.экв + h11 э R г.экв + h11 э h 11 э + h 21 э ⋅ R н
h21э h21э + Δhэ 1 + h21э
−
1 + h22 э ⋅ Rн 1-h12 э + h21э + Δhэ + h22 э ⋅ Rн 1 + h22 э ⋅ Rн
KI
h 21 э h 21 э 1 + h 21 э
−
1 + h 22 э ⋅ R н h 21 э + h 22 э ⋅ R н 1 + h 22 э ⋅ R н
h11э + Δhэ ⋅ Rн h11э + Δhэ ⋅ Rн h11э + (1 − h12 э + h21э + Δhэ ) ⋅ Rн
1 + h22 э ⋅ Rн 1-h12 э + h21э + Δhэ + h22 э ⋅ Rн Δhэ + h22 э ⋅ Rн
R вх
h 11 э ⎛ h 11 э + R д ⎞
h11э ⎜⎜ ⎟⎟ h 11 э + ( h 21 э + 1 ) ⋅ R н
h 21 э ⎝ h 21 э ⎠
h11э + Rг h11э + (1 − h12 э + h21э + Δhэ ) ⋅ Rг h11э + Rг
Δhэ + h22 э ⋅ Rг Δhэ + h22 э ⋅ Rг 1-h12 э + h21э + Δhэ + h22 э ⋅ Rн
Rвых
1 h11 э + h 21 э ⋅ R г h 11 э + R г
h 22 э h 22 э ⋅ R г h 21 э
Примечания: 1. Нижние значения в таблице являются приближенными.
2. Δhэ = h11э ⋅ h22 э − h12 э ⋅ h11э .
3. Rг – сопротивление источника входного сигнала (сопротивление генератора).
18
При расчетах необходимо учитывать, что входное сопротивление Rвх
следующего (n+1) каскада является сопротивлением нагрузки Rн предыдуще-
го n-го каскада. При этом выходное сопротивление n-го каскада является со-
противлением Rг (Rс) источника сигнала для последующего (n+1) каскада.
Сказанное можно выразить следующим образом:
Rвх( n +1) = Rн( n ) ; Rвых( n ) = Rг( n +1) .
При расчетах полезно воспользоваться структурным представлением
усилителя в виде последовательно соединенных "черных ящиков", как пока-
зано на рис. 14, что позволяет избежать ошибок и наглядно, в целом, пред-
ставить процесс расчета, не теряясь в мелких деталях.
Усилитель
Iвх
Примеры
19
кость транзистора или емкость эмиттерного p-n-перехода, С0 – суммарная
емкость выходной цепи каскада, равная
C0 = C22 + Cм + Сн ,
где С22 – выходная емкость транзистора или емкость коллекторного
p-n-перехода, См – емкость монтажа, Сн – емкость нагрузки. Транзистор
включен по схеме с общим эмиттером (рис. 16).
Ср1 Ср2
Ср1 Ср2
Rг
а б в
Рис. 20. Определение эквивалентного сопротивления генератора
Rвых =
(1 / h22 ) ⋅ Rк =
100 ⋅ 5,1
= 4,85 кОм .
1 / h22 + Rк 100 + 5,1
22
2. Рассчитать основные параметры усилительного каскада, схема кото-
рого приведена на рис. 21.
Параметры транзистора: h11 =
800 Ом, h21=48, h12=5.10-4, h22=8.10-5См. Ек
Прежде всего, составим соответст- Rк 5,1к
вующую эквивалентную электриче-
скую схему. Параметром h12 пренебре-
Rг
гаем, как и в предыдущем примере.
Поскольку схема не содержит реактив- 1к
ных элементов, то сразу составляем эк- U
вх Rн 10к
вивалентную схему для области сред- Rэ 0,51к
них частот. Транзистор включен по
схеме с общим эмиттером, причем в
данном каскаде используется последо-
вательно-последовательная отрица- Рис. 21. Схема усилительного каскада
тельная обратная связь (ООС), которая с общим эмиттером
увеличивает входное и выходное со-
противление транзистора в (1+ h21э) раз, поэтому эмиттерный резистор вклю-
чен во входную и выходную цепи (рис. 22).
Rг
h22э.I1
h11э 1/h22э
Rк Rн
(1+h21э).Rэ
Рис. 22. Эквивалентная электрическая схема каскада с ОЭ для области средних частот
Rвых =
(1/ h22 ) ⋅ Rк = 12,5 ⋅ 5,1 = 3,62 кОм .
1 / h22 + Rк 12,5 + 5,1
Однако мы не учли, что в каскаде имеется последовательно-
последовательная ООС, которая увеличивает выходное сопротивление тран-
зистора. Если учесть этот момент, то выходное сопротивление транзистора
уже будет равно не 1/h22, а
1
Rвых.тр = ⋅ ( 1 + h21 ) = 12 ,5 ⋅ 49 = 612,5 кОм .
h22
Тогда выходное сопротивление всего каскада будет равно также парал-
лельному сопротивлению резистора Rк и выходному сопротивлению транзи-
стора, т.е.
Rк ⋅ Rвых.тр 5,1 ⋅ 621,5
Rвых = = = 5,06 кОм .
Rк + Rвых.тр 5,1 + 612,5
Таким образом, выходное сопротивление усилительного каскада прак-
тически равно сопротивлению резистора в коллекторной цепи Rк.
Rэ Cэ
Rг h11э
R1 R2 Rэ h22э.I1 Rн
28
Нагрузкой второго каскада является параллельное соединение резисто-
ров Rк2 и Rн:
R ⋅R 5,1 ⋅ 3
Rн 2 = к 2 н = = 1,89 кОм .
Rк 2 + Rн 5,1 + 3
Выходные сопротивления первого и второго каскадов равны парал-
лельному соединению выходных сопротивлений транзисторов 1/h22 и соот-
ветствующих резисторов в цепи коллектора. В данном случае выходное со-
противление транзисторов более чем на порядок превышает сопротивления в
цепях коллекторов, поэтому для инженерных расчетов можно считать вы-
ходные сопротивления каскадов усилителя приблизительно равными номи-
налам соответствующих коллекторных резисторов, т.е.
Rвых1 = Rк1 = 3 кОм, Rвых 2 = Rк2 = 5,1 кОм .
При этом следует иметь в виду, что выходное сопротивление первого
каскада является сопротивлением генератора Rг2 для второго каскада, а вы-
ходное сопротивление второго каскада одновременно является выходным
сопротивлением всего усилителя, т.е.
Rг 2 = Rвых1 = 3 кОм,
Rвых = Rвых 2 = 5,1 кОм.
Теперь можно рассчитать коэффициент усиления каждого каскада и
всего усилителя:
h21э1 ⋅ Rн1 20 ⋅ 750
KU 1 = − =− = −14,2;
Rг1 + h11э1 60 + 1000
h21э 2 ⋅ Rн 2 30 ⋅ 1,89
KU 2 = − =− = −14,2;
Rг 2 + h11э2 3 +1
KU = KU 1 ⋅ KU 2 = (−14,2) ⋅ (−14,2) = 201,64 ≈ 202.
Здесь следует иметь в виду, что поскольку сопротивление генератора
для данной схемы не дано, то, как и в предыдущих примерах, мы считаем его
равным 60 Ом. В формулах для расчета коэффициента усиления по напряже-
нию для первого каскада все сопротивления подставлены в омах, а для вто-
рого каскада – в килоомах.
Определим коэффициенты усиления по току каждого каскада и усили-
теля в целом:
h21э1 20 20
K I1 = = = = 19,9;
1 + h22 э1 ⋅ Rн1 1 + 10 −5 ⋅ 750 1,0075
h21э 2 30 30
KI2 = = −5
= = 29,4;
1 + h22 э 2 ⋅ Rн 2 1 + 10 ⋅ 1890 1,0189
K I = K I 1 ⋅ K I 2 = 19,9 ⋅ 29,4 = 585,06 ≈ 585.
Здесь мы рассчитали общие коэффициенты усиления транзисторов и
усилителя в целом без учета того, что во втором каскаде усиливается только
29
та часть тока, которая попадает на входное сопротивление второго транзи-
стора VT2, и только часть тока передается в нагрузку. Если учесть все эти
моменты, то полезный коэффициент усиления по току будет:
h21э1 Rвых1 19,9 ⋅ 3
K I 1н = ⋅ = = 14,925 ≈ 14,9;
1 + h22 э1 ⋅ Rн1 Rвых1 + h11э 2 3 +1
h21э 2 Rк 2 29,4 ⋅ 5,1
K I 2н = ⋅ = = 18,51 ≈ 18,5;
1 + h22 э 2 ⋅ Rн 2 Rк 2 + Rн 5,1 + 3
K Iн = K I 1н ⋅ K I 2н = 14,9 ⋅ 18,5 = 275,65 ≈ 275,7.
Ек
Rк1 3к R1 51к
VT3
VT1 VT2
Uвх Rэ Uвых
R2 20к R3 200к
5,1к
Ек
h11э3
h11э2 h21э2.I2
R1 R2
32
Задачи для самостоятельной работы
Таблица 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
12 В
1
VT1
VT2
2
1 20 20 20 1 1 1 10-5
VT3 4
3
100
15B
3к
3
1 2
2 VT1 VT2 30 20 — 1 1 — 10-5
RH
5к 1к 20мкФ 3к
12B
50к 5к
2
1
3 VT1 VT2 3 40 20 — 1 1 — 10-5
10к 2к 10мкФ 2к
33
Продолжение табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
15B
30к 5к
3
2
4 1 VT2 30 40 — 1 1 — 10-5
VT1
10к
10B
10к 10к 8к
2 3
5 25 25 25 1 1 1 10-5
VT2 VT3 4
1
20 В
1 2к
VT1
4
3
6 VT2 VT3 30 30 40 1 1 1 10-4
2
1к
10B
20к 5к 50к 3к
СР 3
1 СР 2
7 VT1 VT2 С
Р
30 30 — 1 2 — 10-5
СЭ СЭ
10к 1к 20к 1к 3к
34
Продолжение табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
15B
20к 2к
3
1 2
8 VT1 VT2 СР 40 20 — 1 2 — 10-5
СР
СЭ
5к 70к 1к 3к
15B
3к
3
2 VT3
9 VT2 30 20 20 1 2 1 10-5
VT1 4
1
50к
5B
10к 10к
2 3
10 VT3 4 30 20 20 1 2 1 10-5
VT1 VT2
1
1к
10B
100к 5к
1 СР 2
11 VT1 VT2 3 30 20 — 1 2 — 10-5
СР
СЭ
30к 2к 20к 1к 1к
35
Продолжение табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
20 В
1 2к
VT1
4
3
12 VT2 VT3 30 30 20 1 2 1 10-5
2
1к
15 В
10к 50к 3к
2 C3 3
C1
13 40 30 — 1 2 — 10-5
VT1 VT2
1
20к RH
2к C2
15 В
10к 10к
2 VT2
14 VT1 C1 30 40 — 2 1 — 10-5
1к RH
- 15 В
12 B
VT1 100K 3K
15 3 30 20 40 2 1 1 10-5
2 VT3
VT2
C1 10K
1K
36
Продолжение табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
15 B
10K 2K
1 C1 4
VT1 2 3
16 VT2 VT3 30 20 30 2 1 3 10-5
12K
1K
12 B
100K 10K 100K 3K
C2 C4 3
1 C1 2
17 VT1 VT2 30 20 15 1 2 3 10-4
10K 10K
3K C3
12 B
10K 56K 3K
120K C1 C2
1 2 3
18 50 40 — 1 3 — 10-4
VT1 VT2
3K
15 B
5K 50K 3K
100K Cр2 3
1 2
VT1 VT2
19 50 40 — 1 2 — 10-5
10K
20K
2K 1K Cэ2
Cэ1
15 B
2K
1 100K Cp2 3
VT1 Cp1
20 VT2 40 20 __ 1 2 __ 10-5
2 10K
1K 10K
1K
37
Продолжение табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
15 B
100K 10K 2K
2 3
1 Rг
21 VT1 VT2 30 40 __ 2 1 __ 10-5
10K Rн
~e вх 10K
20 B
15 B
1 100K 10K
VT1 3
VT2
VT3
23 2 30 40 50 2 1 3 10-5
1K
15 B
200K 10K
2 3
1
24 VT1 VT2 50 60 __ 1 2 __ 10-5
3K
15 B
10K
100K 10K 90K 3
Cp2
2
25 1 Cp1 VT2 40 30 __ 1 2 __ 10-5
VT1
20K 3K Cp3
38
Продолжение табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
15 B
12K
120K C1
2
Rг VT2 3
26 VT1 60 50 __ 2 1 __ 10-5
2K 100K
15K 1K
1K C2
15 B
20 B
50K 5K 30K
200K
1 Rг VT3
2 VT2 3
27 VT1 4 20 30 40 2 1 1 10-4
3K
100K 20K 2K
20K
15 B
100K
200K 5K
1 Rг C1 3
28 VT2 20 60 __ 2 1 __ 10-4
VT1
3K 10mkФ 2
100K
50K 1K C2
15 B
100K
5K
3
1 Rг Cp1 2
29 5K VT1
VT2 30 50 __ 2 1 __ 10-4
200K
30K
2K C
10B
2
1 VT2 VT3
30 VT1
3
4 40 60 50 1 2 1 10-4
39
Окончание табл. 5
№ Схема h21Э3 h21Э2 h21Э3 h11Э1, h11Э2, h11Э3, h22,
п/п кОм кОм кОм Ом-1
15 B
100K
2
31 1 Rг VT2 50 40 40 2 1 1 10-4
VT1 VT3 4
3K 3
100K
1K
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
40
ПРОХОРОВ Сергей Григорьевич
ТРУСЕНЕВ Виталий Георгиевич
Учебно-методическое пособие
Для студентов заочного и очного обучения
41