Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Решение
Конструкция симметричной полосковой линии (СПЛ) показана на рис.1. Центральный проводник
заключен между двумя диэлектрическими пластинами с металлизированными внешними
поверхностями.
b
/2
b
/2
t W
,
2
, мкГн/м;
, пФ/м.
Тогда:
( мкГн/м);
(пФ/м);
Фазовая скорость:
(м/с).
Основной
1 Техническая электродинамика: Конспект лекций /Сост.М.И.Бичурин,В.М. Петров;НовГУ.-
Новгород,1999.-122 с.
2 Констpуиpование экранов и СВЧ устройств/ Под ред. А.М.Чеpнушенко.-М.: Радио и
связь. 1990.-353 с.
3 Микроэлектронные устройства СВЧ/Под ред. Г.И.Веселова.-М. Высш.шк.,1988.-280 с.
4 Сазонов Д.М. Антенны и устройства СВЧ. - М.: Высш.шк., 1988. -432с.
Дополнительный
b
/2
b
/2
t W
22
3.1.2. Рабочая полоса частот
Рабочая полоса частот СПЛ не имеет ограничения в области низких частот. В некоторых
устройствах (например, в детекторных секциях, смесителях, генераторах) она служит для
передачи постоянного тока. Практически, поскольку размеры полосковых резонансных элементов
на очень низких частотах становятся значительными, рекомендуется применять СПЛ на частотах
выше 100 МГц. При достаточно протяженных диэлектрических и заземленных металлических
пластинах силовые линии электрического поля не выходят за пределы диэлектрической среды,
заполняющей линию (рис. 3.2). При этом в линии распространяется поперечная электромагнитная
6
волна типа ТЕМ. В таких условиях волны с продольными составляющими поля Е или Н не
возбуждаются.
Поле Е
Поле Н
типа Е (Н), для которых частота отсечки равна:
fпр = 300 / [
·(2W+ ·b/2], [ГГц], (3.1)
= / , (3.2)
23
3.1.3. Волновое сопротивление
Z , Ом
18 0
14 0
10 0
24
3.1.4. Потери
=
с + d , (3.5)
d
27.3· ·tg / , [дБ/ед. длины], (3.7)
8
где ·tg
- тангенс угла диэлектрических потерь материала диэлектрика,
- длина волны.
Добротность СПЛ равна
QСПЛ = QC / [(1+QC)·tg ], (3.8)
где QC = k / 2· с ,
k = 2· /
.
25
размеры, а с другой - рабочие характеристики устройства. Рассмотрим основные ограничения на
геометрические размеры СПЛ.
Ширина основания СПЛ (А) (ширина диэлектрических и заземленных металлических
пластин). Для того, чтобы электрическое поле у кромки основания линии было незначительным по
сравнению с однородным электрическим полем в области между основанием и центральным
проводником, должно соблюдаться неравенство:
А
W + 2·b. (3.9)
Высота СПЛ (b) для соблюдения условий существования «чистой» волны типа ТЕМ
должна быть:
b
/2. (3.10)
9
Ширина полоскового проводника (W) должна быть меньше
/2, чтобы предотвратить возможность появления высших типов волн. Однако для повышения
добротности полосковой линии необходимо, чтобы W >
/2. При этом подавление высших
26
бесконечность. Наличие этих силовых линий обусловливает потери на излучение и паразитные связи с
соседними проводниками или элементами. Поэтому несимметричные полосковые линии практически не
применяются в интегральных схемах СВЧ.
h
27
МПЛ имеет следующие важные достоинства, которые определили ее широкое использование в
гибридных и монолитных ИС СВЧ: малые габариты и массу, низкую стоимость при серийном
производстве, высокую надежность, простоту конструкции. Однако, несмотря на очевидную простоту
структуры, точный анализ характеристик микрополосковой линии затруднителен, так как в линии
распространяется квази-ТЕМ-волна (граничные условия между подложкой и верхним диэлектриком, чаще
всего воздухом, не соответствуют «чистой» ТЕМ-волне). Строгий подход требует точного анализа
уравнений Максвелла.
Поле Н
Поле Е
Ввиду трудности этой задачи многие исследователи используют различные методы приближения к
такому анализу, варьируя при этом степень точности. Однако для многих практических случаев возможно
одномодовое ТЕМ-приближение, которое и было положено в основу некоторых аналитических работ.
Рабочая полоса частот НПЛ как СПЛ не имеет ограничения в области низких частот. В
области высоких частот рабочая частота микрополосковой линии должна быть ниже частоты
паразитных колебаний, происхождение которых может быть двояким. Одним из видов паразитных
11
колебаний являются п о в е р х н о с т н ы е в о л н ы , «стелящиеся» по поверхности диэлектрической
подложки вдоль заземленной плоскости.
28
Для предельного случая бесконечно тонкой подложки с бесконечно малой диэлектрической
проницаемостью фазовая скорость поверхностной волны близка к скорости света. При
увеличении толщины подложки h и величины поверхностная волна замедляется. Когда же
фазовая скорость поверхностной волны оказывается близка к фазовой скорости волны ТЕМ,
между этими двумя волнами возникает сильное взаимодействие, увеличивающее активность
поверхностных волн. Частота, при которой появляется данное взаимодействие, определяет
верхний частотный предел применения микрополосковой линии:
f c / 4 h 1 75 / h 1 , [ГГц], (3.11)
где h - высота диэлектрической подложки в миллиметрах.
Из данной формулы следует, что поверхностная волна возбуждается при толщине подложки, равной:
h/4/4 . (3.12)
29
/ k TEM k / эфф , (3.14)
где k / TEM - коэффициент удлинения волны;
эфф / k 2 - эффективная диэлектрическая проницаемость.
12
3.2.3. Эффективная диэлектрическая проницаемость
d c 0.732 d c 1 1
qd d ln ln arch 0.358d 0.595 0.386 ,
d c
d c 2 d 1
d 1 1 c 2 ,
1 1 ln / 2 ln / 4 /
эфф 1 .
2 1 ln 8h / W
Следует отметить, что до тех пор пока не найдены достаточно точные методы расчета
реальной микрополосковой линии, соответствие теоретических и фактических результатов можно
установить только экспериментально. Однако для инженерных расчетов можно воспользоваться
следующим выражением, которое обеспечивает погрешность не более 5%:
а) для W/h>1
1
377h h 1 e W 1 e
2
Z 1 2 ln 4 ln 0 . 94 ln , (3.16)
W W 2 2h 16
31
б) для W/h<1
377 8h 1 W 2 1 1 1 4
Z ln ln ln , (3.17)
2 1 / 2 W 8 2h 2 1 2
где e = 2.72... .
20
0.0 0.8 1.6 2.4 W/h
Н Н W
3.2.5. Потери
нпл с d i . (3.19)
32
На начальном этапе разработки несимметричных полосковых линий основной трудностью
являлись чрезмерные потери на излучение. В настоящее время этот недостаток устранен в МПЛ
передачи за счет применения подложек с высоким значением . Это позволяет сконцентрировать
поле в материале подложки до такой степени, что потери на излучение, хотя и остаются, но
становятся весьма незначительными по сравнению с потерями в подложке и омическими
потерями в проводнике. В результате общая формула потерь применительно к микрополосковой
линии может быть представлена в виде:
мпл с i .. (3.20)
i
= Pi/Po = (320/Z)/(h/2)2 , [дБ/ед.длины], (3.21)
33
3.2.6. Геометрические размеры
34
Толщина подложки (h). Наиболее противоречивыми являются факторы, которыми должен
руководствоваться конструктор при выборе толщины подложки микрополосковой линии.
Уменьшение толщины подложки приводит к перечисленным ниже изменениям параметров
микрополосковой линии:
уменьшаются потери на излучение;
снижается вероятность возбуждения поверхностных волн. Для того чтобы микросхема не
работала вблизи граничной частоты поверхностной волны, подложки, имеющие высокое
значение , должны быть сравнительно тонкими;
увеличивается плотность монтажа; уменьшение толщины подложки при сохранении постоянного
волнового сопротивления должно сопровождаться сужением проводника; кроме того, для
ослабления нежелательных связей между полосковыми проводниками их следует разносить на
расстояние, равное удвоенной толщине подложки; эти два фактора приводят к уменьшению
размеров микросхем при уменьшении толщины подложки.
Однако при уменьшении h (если z = const) необходимо, как отмечалось, уменьшить W , а это,
в свою очередь, приводит к увеличению потерь в проводниках и снижению добротности. Кроме
того, при малых h и W требуемые технологические допуски для обеспечения удовлетворительных
электрических характеристик могут оказаться трудно реализуемыми.
Таким образом, при определении толщины подложки необходимо идти на компромисс,
исходя из изложенных выше факторов. В настоящее время существует ряд стандартных величин
толщины подложек микрополосковых линий: h=0.25; 0.5; 1.0 мм.