Потери на вихревые токи в обмотках
трансформаторов и в монтаже схемы
1. Введение
При повышении частоты преобразования
потери на вихревые токи и паразитные индук-
тивности могут значительно ухудшить пара-
метры схемы. Эти высокочастотные эффекты
являются следствием возникновения магнит-
ного поля при протекании тока по обмоткам
трансформатора и по проводам схемы.
Эта статья предназначена для полного по-
нимания данного феномена, что необходимо
для качественной разработки высокочастот-
ных схем. Среди прочих публикаций – это (1),
где рассмотрено катастрофическое возраста-
ние потерь на вихревые токи в многослойных
обмотках., (2), где указано на невозможность
параллельной работы тонких лент, (3), где по-
казана возможность больших потерь в пассив-
ных проводниках (экраны Фарадея и обмотки
со средней точкой) и, наконец, (4) рассматри-
вает случай, когда потери и индуктивность
рассеяния возрастают из за того, что провод
для обмотки выбран слишком толстый.
2. Основные принципы
Дальнейшее развитие темы подразумевает
использование данных принципов, представ-
ленных ниже как обзор основ магнетизма.
1. Закон Ампера: общая магнитодвижущая
сила вдоль любого замкнутого пути равна об-
щему циркулирующему току по этой цепи:
F = ∫ Hdl = I t = NI (Ампер) (1),
где F – общая магнитодвижущая сила (в ампе-
рах) вдоль пути длиной l , H – напряженность
поля (А/м) и It – общий ток через все витки, ох-
ватывающие этот путь.
2. Сохранение энергии: в любой момент вре-
мени ток в проводнике и магнитное поле рас-
пределяются так, что бы минимизировать по-
требление энергии от источника.
3. Количество энергии в поле: магнитное
поле – это энергия. Плотность энергии в любой
точке поля:
w = ∫ HdB (Джоуль/м³),
где В – плотность потока (Тесла).
В импульсных источниках питания почти
вся магнитная энергия сосредоточена в магнит-
ном зазоре, изоляции между проводами и в са-
мих проводах, где относительная магнитная
проницаемость µr постоянна и фактически рав-
на 1.
Плотность энергии там:
W = 1/2 B H = 1/2 µо Н² (Джоуль/м³),
где µо – абсолютная магнитная проницае-
мость (4π·10-7 в СИ). Общая энергия W (Дж) на-
ходится путем интегрирования плотности энер-
гии по сплошному объему V поля:
W = 1 2 µ 0 ∫ H 2 dv (Дж)
В обычных трансформаторах и дросселях
магнитная энергия почти всегда заключена в
областях, где напряженность поля H относи-
тельно постоянна и вполне предсказуема. Это,
как правило часто наблюдается в проводниках
схемы.
В этом случае:
W = ½ µо Н² A l (Дж) (2)
И из (1) и H l = N I, замещая H получим:
W = ½ µо N² I²A / l (Дж) (3)
Здесь А – площадь сечения (м²) области
нормального поля, а l – длина области в метрах
(и эффективная длина поля).
4. Индуктивность схемы: индуктивность есть
мера способности электрической схемы хра-
нить магнитную энергию. Количество запасен-
ной энергии в поле из (3) с той же самой энер-
гией в электрических терминах:
W =½ L I² = ½ µо N² I²A / l ;
L = µо N² I²A / l (4)

3. Поверхностный эффект
(скин – эффект)
Рисунок 1 показывает магнитное поле (его
силовые линии) в и вокруг проводника с по-
стоянным током или с током низкой частоты.
Поле радиально симметрично только в том
случае, если проводник с возвратным током (и
с его магнитным полем) отнесен достаточно
далеко.
B
I показано на рис.3. Ток экспоненциально убы-
Рис. 1 Изолированный проводник
на высокой частоте
При низкой частоте энергия магнитного
поля незначительна по сравнению с потерями
энергии в проводах. Поэтому ток распределен
равномерно по сечению проводника, так как
уменьшение общей энергии требует миними-
зацию потерь в сопротивлении.
По любому замкнутому пути вне провода
(но внутри пути возврата тока) магнитодви-
жущая сила постоянна и равна общему току I.
Однако напряженность поля H изменяется об-
ратно пропорционально расстоянию от про-
водника, поскольку постоянная F приложена
через возрастающее l (=πr).
Внутри проводника F на любом радиусе
должна равняться току, заключенному в этом
радиусе, и, следовательно, F пропорционально
r².
Рис.2 Вихревые токи на высокой частоте
При высокой частоте: рис. 2 дает обоб-
щенную модель, объясняющую, что происхо-
дит при возрастании частоты. Силовые линии
показывают однородное распределение низко-
частотного тока, соответствующее рис.1. При
-2-
резком изменении тока (при высокой частоте)
поле внутри провода изменяется так же резко.
Изменение поля вызывает петли напряжений,
или вихри, как показано сплошными линиями
вблизи поверхности провода. Поскольку это
индуцированное напряжение находится внут-
ри проводника, оно вызывает соответствую-
щий вихревой ток. Заметим теперь, что на-
правление вихревого тока совпадает с направ-
лением основного тока на поверхности, но
противоположно ему в центре провода.
В результате, при повышении частоты,
плотность тока возрастает на поверхности
провода и уменьшается до нуля в центре, как
вает внутрь провода. Часть провода, фактиче-
ски переносящая ток, уменьшается, и сопро-
тивление на высокой частоте (и, соответствен-
но, потери) могут быть значительно выше, чем
при низкой частоте.
J
D PEN
фактически эквивалентно
Рис.3 Распределение тока на высокой
частоте
Глубина проникновения. Глубина про-
никновения, или толщина поверхности, DPEN,
определяется как расстояние от поверхности,
где плотность тока равна 1/e от плотности тока
на поверхности (e – основание натуральных
логарифмов).
ρ
D PEN = (5),
πµf
где ρ - удельное сопротивление. Для условий:
t° = 100°C, ρ = 2,3·10-6 Ω·cm, µо = µо =4π·10-7,
и:
7,5
D PEN = (6)
f
Из (6) при 100 кГц DPEN = 0,24 мм и 0,075мм
при 1МГц.
Формулы (5) и (6) справедливы для плоской
поверхности проводника, или когда радиус
кривизны значительно больше глубины про-
никновения.
Несмотря на то, что ток экспоненциально
уменьшается от поверхности, обычно считают,
что сопротивление (и потери) при высокой
частоте такие же, как и на глубине проникно-
вения, а затем резко увеличиваются до беско-
нечности (рис.3 справа). Это эквивалентное
прямоугольное распределение чрезвычайно
легко для анализа.
Метод эквивалентной схемы. Другим
способом анализа высокочастотных эффектов
в обмотках трансформатора и в проводах схе-
мы является использование эквивалентной
электрической схемы. Для разработчика этот
подход, вероятно, более приемлем.
Рис. 4 показывает эквивалентную электри-
ческую схему изолированного проводника из
рисунков 1, 2 и 3. При токе I, протекающем
через проводник, Lx является местом, где
сосредоточена энергия 1/2LxI2 внешнего маг-
нитного поля. Соответственно, Lx является
индуктивностью проводника на высокой час-
тоте.
Lx Li
A B
I ет внутри проводника и для этого требуется
Ri
Рис.4 Эквивалентная схема проводника
Точка А расположена на поверхности про-
водника, а точка В – в его центре. Ri есть со-
противление, распределенное по толщине
проводника от его поверхности к центру. Се-
чение проводника разбивается на множество
концентричных цилиндров с эквивалентной
площадью, и Ri показано как распределение
сопротивлений по каждому из цилиндров.
Кроме того, Li содержит энергию, распреде-
ленную по каждой цилиндрической секции.
Энергия, хранимая в каждой секции, зависит
от плотности тока, протекающего через эле-
мент по порядку расположения секций на эк-
вивалентной схеме.
-3-
Заметим, что внешняя индуктивность про-
вода Lx (или индуктивность рассеяния провод-
ника схемы) ограничивает максимальное зна-
чение di/dt через проводник в зависимости от
внутреннего сопротивления источника напря-
жения и снимает зависимость ее от скорости
срабатывания ключа.
Временная область. Если ток через про-
водник быстро возрастает, напряжение на нем
велико за счет самоиндукции Lx. Внутренняя
индуктивность Li блокирует протекание тока
по внутренней части проводника и увеличива-
ет его на поверхности через левые (на рисун-
ке) резистивные элементы даже после того,
как ток достигнет своего номинального значе-
ния и напряжение на Lx спадет. Несмотря на
то, что энергия, требуемая Lx, возмещена, на-
пряжение на проводнике очень быстро стаби-
лизируется, поскольку ток, незначительно
проникая во внутренние области проводника,
вынужден протекать лишь по внешнему слою.
Энергия рассеивается главным образом в это
тонком слое.
Напряжение через эти внешние Ri элемен-
ты образуется от прохождения тока через
смежный Li элемент по направлению к центру
проводника, поскольку ток в Li повышается по
мере приближения к поверхности. Ток не мо-
жет проникнуть внутрь поля, так как возника-
энергия. С течением времени проводимость
распространяется от поверхности проводника
к его центру (к точке В на эквивалентной схе-
ме), запасая энергию в Li. Многие из Ri эле-
ментов начинают проводить, уменьшая общее
сопротивление и, соответственно, снижая уро-
вень потерь. В конце концов начинает прово-
дить весь проводник, прекращая накопление
энергии во внешней и внутренней индуктив-
ности проводника, и снижая до минимума рас-
сеяние энергии в Ri за единицу времени.
Заметим, что концепция поверхностного
эффекта не оптимальна для рассмотрения ее
во временной области.
Частотная область. Обратимся снова к
рис.4. Очевидно, что при низкочастотном си-
нусоидальном токе, текущем через проводник,
реактивное сопротивление Li ничтожно мало
по сравнением с активным сопротивлением Ri.
 Ток протекает по всему проводнику и со-
противление минимально. Но с повышением
частоты ток будет возрастать на поверхности
(А), экспоненциально снижаясь к центру.
Поверхностный эффект очевиден в этом
случае. При любой частоте, в соответствии с
формулами (5) и (6), применимо понятие про-
центного соотношения площади проводника к
площади эффективной проводимости и, соот-
ветственно, сопротивления DC к сопротивле-
нию AC на данной частоте.
Хотя в большинстве импульсных источни-
ков питания форма тока резко несинусоидаль-
на, в большинстве случаев при разработке об-
моток высокочастотных трансформаторов ис-
пользуют синусоидальное приближение, осно-
вываясь на работе Дауэлла в 1966г. Многие
авторы используют так же преобразование
Фурье для распространения синусоидального
метода на другие формы сигналов.
4. Эффект близости
В этом разделе рассматривается одиноч-
ный изолированный проводник. Он проводит
по всему объему и имеет магнитное поле, ра-
диально распространяющееся по всем направ-
лениям.
Когда другой проводник размещается в не-
посредственной близости от первого, их поля
складываются векторно. Напряженность поля
вблизи поверхности проводника неоднородно,
поэтому и распределение высокочастотного
тока так же будет неоднородно.
Например, если цепь из двух проводов
замкнута, то другой проводник переносит ток,
эквивалентный первому, и поле складывается
между проводами и вычитается вне их. В ре-
зультате высокочастотный ток концентриру-
ется на поверхностях проводников, где поле
максимально, и уменьшается (возможно, до
нуля) там, где поле слабо. Такое распределе-
ние естественно, поскольку в этом случае
энергия (а, следовательно, и индуктивность)
минимальна. Компенсация тем полнее, чем
ближе расположены проводники (ниже индук-
тивность рассеяния) и, соответственно, ниже
концентрация поля.
Проводники схемы. Общий случай рас-
пределения тока и поля вокруг проводника
сложен для расчета. Простой и часто встре-
чающийся на практике пример приведен на
рис. 5. Показаны две параллельно располо-
женные тонкие полосы (такое расположение
-4-
очень хорошо для высокочастотных уст-
ройств) с минимальной индуктивностью про-
водников и с низкими потерями на вихревые
токи. Это могут быть две широкие дорожки на
разных сторонах печатной платы (не исполь-
зуйте соединение по кратчайшему пути. Рас-
положение проводника с возвратным током
как можно ближе к основному важно для ми-
нимизации площади витка, даже если общая
длина провода возрастает).
l
w
Рис.5 Соеденительные проводники.
Параллельное расположение полос
Значок «+» показывает направление тока
внутрь верхней полосы, а «·» – из нижней.
Магнитное поле между полосками сильно и
однородно, так как ток распределен однородно
по поверхностям. Вне же полос поле чрезвы-
чайно мало, поскольку ток почти нулевой. Эта
конфигурация соответствует минимальной за-
пасенной энергии (и минимальной индуктив-
ности проводников). Если ширина полос l зна-
чительно больше расстояния между ними w,
энергия практически полностью сконцентри-
рована между полосами. Если l и w принять за
длину и ширину поля, то может быть рассчи-
тана индуктивность. Преобразование формулы
4 в сантиметры и при N = 1 виток, индук-
тивность на сантиметр длины двойной полосы
будет:
L = 12,5 w/l (nH/cm) (7)
Если полосы имеют ширину в 1 см и рас-
стояние между ними 0,1 см, их общая индук-
тивность всего 1,25 nH , распределенная оди-
наково между полосами. Если один из про-
водников значительно шире другого (напри-
мер, обычный проводник против земляной
шины), наибольшая индуктивность рассчиты-
вается по формуле (6) последовательно с уз-
ким проводником. Это хорошо для цепи воз-
врата земли с точи зрения снижения шума.
Заметим, что проникновение тока наблю-
дается только с одной стороны – там, где су-
ществует поле. Это справедливо для толстой
полосы, когда из-за скин – эффекта сечение
проводника используется не полностью. Экви-
валентная схема на рис. 4 вполне применима
для точки А, расположенной со стороны поля.
Но точка В расположена с противоположной
стороны не по центру, поскольку нет проник-
новения там, где нет поля.
Неудачное решение: Рисунки 6 и 7 пока-
зывают, как не надо располагать проводники
(если вы не хотите получить большие индук-
тивность рассеяния и потери на вихревые то-
ки). Хотя эти проводники имеют большое се-
чение, эффект близости приводит к очень ма-
лой используемой площади. Вспомним, что
поле полностью концентрируется между дву-
мя проводниками так, что бы минимизировать
заключенную в нем энергию.
На рис. 6 этот эффект приводит к тому, что
ток протекает только по узкой кромке провод-
ников. Кроме того, поскольку поле сконцен-
трировано в узкой области, плотность энергии
очень высока, и индуктивность проводника
значительно выше, чем на рис. 5.
Рис.6 Неудачное решение –
проводники торцами друг к другу
Рис.7 Не так плохо – проводники под пря-
мым углом
Конфигурация, представленная на рис. 7,
не так плоха, как предыдущий случай, по-
скольку ток протекает по кромке только одно-
го из проводников, но все же значительно ху-
же, чем оптимальный случай на рис. 5. Итог
неутешителен: большая площадь сечения
проводника не работает на высокой частоте,
если конфигурация выбрана неудачно.
Обмотка дросселя: На рис. 8 показан про-
стой дроссель. Обмотка содержит 4 витка,
-5-
уложенные в один слой. Через обмотку проте-
кает ток в 1 А, магнитодвижущая сила F = N·I
по любому пути составит 4 Ампер-витка. Поле
линейно в окне, поскольку поля всех витков
складываются линейно. С тем же успехом об-
мотка может содержать 1 виток из ленты с то-
ком в 4 А.
F l
F
lg
Рис.8 Обмотка дросселя
В окне ферритового сердечника поле мо-
жет быть очень слабым, но, при высокой маг-
нитной проницаемости сердечника, внешнее
поле всегда замкнуто. В этом случае все маг-
нитное поле F = N·I заключено в окне внутри
обмотки. Напряженность поля, H, равна N·I / l.
В дросселе все магнитное поле сконцентриро-
вано в маленьком воздушном зазоре. На-
пряженность поля там составляет Hg = N·I /
lg, что значительно выше, чем энергия в очень
большом окне. При высокой частоте ток кон-
центрируется на поверхности витка, соседнего
с магнитным полем. Поле вне витка отсутст-
вует, поскольку ток течет только по поверхно-
сти проводника.
Обмотки трансформатора: Рис. 9 показы-
вает трансформатор с 4 витками однослойной
первичной обмотки и с одним витком вторич-
ной обмотки, выполненной медной полосой. В
любом трансформаторе сумма ампер-витков
всех обмоток должна быть равной нулю (не
учитывается ток намагничивания – им можно
пренебречь). Так как вторичный ток (ток на-
грузки) в 4 А приложен к одному витку, пер-
вичный ток через 4 витка должен быть равен 1
А. Поле исчезает не только вне обеих обмоток,
но и в центре, между двух обмоток. Вся энер-
гия поля замкнута в высокой проницаемости
сердечника, который в трансформаторе вы-
полнен без зазора. Соответственно поле, гене-
рируемое током в витках, F = 4 A, существует
только между витками.
Частота высока, и ток концентрируется на
внешней стороне внутренней обмотки и на
внешней стороне внутренней обмотки – там,
где поле велико.
F F
Рис.9 Обмотки трансформатора
5. Многослойные обмотки
На рис. 10 представлен трансформатор с
многослойной обмоткой и две его диаграммы:
магнитодвижущей силы и плотности энергии
на низкой частоте. Показана только половина
сердечника и обмотки. При низкой частоте ток
(не показан) равномерно распределен по всем
проводам, поскольку скин – эффект еще не
проявляется.
S S S
P1 P2 1 2 3
F=NI
w
Рис.10 Многослойная обмотка
Первичная обмотка содержит 8 витков,
расположенных в 2 слоя, по 4 витка в каждом,
а вторичная обмотка содержит 3 витка медной
фольги в 3 слоя соответственно. При токе на-
грузки в 2А, на вторичной стороне имеем
(3 витка · 2 А) = 6 ампер – витков. Первичная
сторона с теми же 6 ампер – витками будет
иметь ток 0,75А.
Как показано на диаграмме магнитодви-
жущей силы на рис. 10, поле отсутствует вне
-6-
первичной обмотки и внутри вторичной, но
начинается на внешней стороне первичной
обмотки и перемещается к центру, достигая
своего максимального уровня между двумя
обмотками. Заметим теперь, что при низкой
частоте поле распределено равномерно внутри
каждого проводника в соответствии с законом
Фарадея, и сохраняется постоянным между
проводниками. Плотность энергии возрастает
пропорционально квадрату напряженности
поля, как показано на нижней диаграмме маг-
нитодвижущей силы. Область кривой плотно-
сти энергии соответствует общей энергии,
хранимой индуктивностю рассеяния в провод-
никах и между ними.
Таким образом, в случае многослойной об-
мотки поле наращивается. Будет показано, что
при высокой частоте потери на вихревые токи
возрастают экспоненциально от количества
слоев. Количество слоев может быть снижено
при использовании сердечника с большой ши-
риной окна, чтобы разместить витки в мини-
мальном количестве слоев (так же это приве-
дет к резкому снижению индуктивности рас-
сеяния). Например, форма окна сердечника на
рис. 10 далека от совершенства.
Секционированные обмотки: другой
путь снижения количества слоев состоит в
разбиении обмоток на небольшие секции с че-
редование уровней, как показано на рис. 11.
При чередовании слоев каждая обмотка
разделена на две или больше секции. Теперь
первичная обмотка имеет две секции – а и б,
по одному слоя в 4 витка. Вторичная обмотка
также разделена на две секции по 1,5 слоя, по
одному витку в слое (существует проблема
включения половины витка в расчет потерь на
вихревые токи). Заметим теперь, что ток в 2А
через 1,5 витка во вторичной обмотки секции
(а) снижается до 0,75А, как и в 4 витках сек-
ции (а) первичной обмотки, и напряженность
поля проходит через нуль в середине первич-
ной обмотки линейным образом. Напряжен-
ность поля только до половины от уровня на
рис. 10, и меняет свой знак между вторыми
секциями обмоток. Будет показано, что сни-
жение поля приводит к значительному сниже-
нию потерь на вихревые токи.
Поскольку напряженность поля снижается,
общая энергия (кривая плотности энергии на
рис.11) составляет только 1/4 от общей энергии
на рис.10. Таким образом, секционирование
обмоток снижает индуктивность рассеяния
обмоток в 4 раза!

Pa Sa Sb Pb
F=NI
w
Рис.11 Секционированные обмотки
Многослойные обмотки на высокой час-
тоте: На рис.12 продублирован рис.10 в уве-
личенном виде, но при высокой частоте, когда
глубина проникновения составляет 20% от
толщины проводника вторичной обмотки.
P1 P2 S1 S2 S3
F=NI
W
Рис.12 Многослойная обмотка на высокой
частоте
В пространстве между витками напряжен-
ность поля и плотность тока такие же, как и
при низкой частоте. Но внутри проводника
плотность тока, магнитное поле и плотность
энергии быстро снижаются от поверхности
проводника (прерывистая линия показывает
распределение на низкой частоте; жирная ли-
ния дает распределение на высокой частоте
при условии резкого пропадания тока на глу-
бине проникновения – можно считать, что ток
пропадает скачком, и внутри проводника тока
нет). Интересно, что общая энергия (в соот-
ветствии с кривой распределения плотности
энергии) больше половины ее на низкой час-
тоте. Индуктивность рассеяния понижается с
повышением частоты, но только потому, что
-7-
энергия внутри проводника практически ис-
ключена. Расплата за низкую индуктивность
рассеяния в этом случае – огромные потери на
вихревые токи.
При глубине проникновения в 20% от тол-
щины проводника сопротивление переменно-
му току в 5 раз больше, чем постоянному. Но
при трех слоях возрастает и поле, поэтому со-
противление переменному току возрастает в
32 раза!
Как многослойные обмотки приводят к
большим потерям: Рис.13 показывает еще
более увеличенные 3 слоя вторичной обмотки
с рис. 12, одновременно с ее диаграммой маг-
нитодвижущей силы. Суммарный ток в 1А
протекает по 3 слоям обмотки, в каждом из
которых только по одному витку.
2
I - 9 4 4 1 1 =19 / 3
I - 3 -2 2 -1 1
S3 S2 S1
F=NI
Рис.13 Поверхостные токи
В правой части слоя S1 магнитодвижущая
сила равна нулю. В левой части S1 F = 1 Ам-
пер-витку. 1 Ампер тока протекает по 20%
глубине проникновения со стороны поля. Поле
F так же не может проникнуть больше, чем на
20% в глубину S1. Этот 1 Ампер-виток поля
располагается между S1 и S2. Соответственно,
поле не может в S2. Оно должно кончаться на
правой стороне S2, но не может пропасть само
собой.
В соответствии с законом Фарадея, при
магнитодвижущей силе, равной нулю, в цен-
тре S2 замкнутый ток так же должен быть ра-
вен нулю. Соблюдение этого условия требует,
что бы ток в 1А на правой стороне S2 был на-
правлен встречно нормальному течению тока
в 1А на краю S1. Соответственно, поле на ле-
вой поверхности S2 достигает величины в 2
Ампер-витка и требует тока в 2А (общий ток
через S2 равен тому же самому одному ампе-
ру).
 Поле в 2 ампер-витка должно прекращать-
ся на правой стороне S3 с 2 Амперами обрат-
ного тока. Соответственно, ток в 3 Ампера
должен протекать по левой стороне S3 для
поддержания поля в 3 Ампер-витка и сохране-
ния общего тока в 1 Ампер по проводнику S3.
Если ток по каждому слою равен 1 Амперу
при глубине проникновения в 20%, то соот-
ношение сопротивлений переменному и по-
стоянному току, FR, должно быть 5:1. Но, как
было показано выше, поверхностный ток в по-
следующих слоях значительно выше. Таблица
в верхней части рис.13 дает ток в проводнике
и квадрат этого тока, показывающий рассеи-
ваемую мощность в каждом слое. Второй слой
S2 рассеивает в (1+4) = 5 раз больше, чем S1, а
рассеяние в слое S3 в (4+9) = 13 раз больше,
чем в S1!
Сопротивление трех слоев в (9+4+4+1+1) /
3 = 19 / 3 = 6,333 раза больше, чем слоя S1.
Поскольку сопротивление S1 переменному то-
ку в 5 раз больше, чем постоянному (при 20%
проникновении), соотношение сопротивлений
обмотки переменному и постоянному току, FR,
составит 31,67:1, что очень плохо.
Если уменьшается толщина проводника
или снижается частота преобразования, эф-
фект нарастания поверхностных токов будет
уменьшаться. Когда DPEN станет значительно
больше, чем толщина проводника, он пропадет
полностью, FR станет равен 1 и ток распреде-
лится равномерно по всем виткам.
Хотя в данном примере каждый слой из
одного витка переносит ток в 1 Ампер, с тем
же результатом каждый слой может иметь по
10 витков и переносить ток в 0,1 Ампера,
Пассивный слой: Пассивный слой – это
любой слой, не совершающий работы по пе-
реносу тока. Экран Фарадея, неработающая
сторона в обмотке со средней точкой – все это
пассивные слои.
Рис.14 показывает экран Фарадея, добав-
ленный в поле с 3 Ампер-витками между вто-
ричной стороной из рисунка 13 и первичной
обмоткой (слева, не видна). Если экран значи-
тельно тоньше, чем DPEN, ток в 3 Ампера дол-
жен протекать по всей поверхности, поскольку
поле не может проникнуть внутрь экрана. На
любой его поверхности I² = 9 A² и все поверх-
ности вместе рассеивают в 18 раз больше, чем
S1, или почти столько же, сколько три вторич-
ных витка вместе. Экран Фарадея всегда рас-
полагается там, где поле максимально, поэто-
му его толщина должна быть меньше, чем 1/3
-8-
DPEN для сохранения потерь на допустимом
уровне.
9 9 9 4 4 1 1 - I
2
3 -3 3 -2 2 -1 1 - I
P S3 S2 S1
F=NI
Рис.14 Потери в пассивном слое
Теперь рассмотрим вторичную обмотку со
средней точкой между секциями А и В. Если
секция А физически расположена между сек-
цией В и первичной обмоткой, то при рабо-
тающей секции В секция А является пассив-
ным проводником, расположенном в сильном
поле. Но, при работающей секции А, секция В
расположена вне поля. Таким образом, добав-
ляются пассивные потери в секции А, которые
могут и превысить активные потери в секции
В. Это одна из причин, почему однотактные
трансформаторы по своим характеристикам
сравниваются, или даже превосходят свои
двухтактные полумостовые аналоги на часто-
тах выше нескольких сотен килогерц.
Параллельные обмотки. Когда сопротив-
ление ленточной вторичной обмотки все же
велико, поскольку требуется слишком толстая
полоса, заманчиво разделить ее на несколько
более тонких, изолированных друг от друга. К
сожалению это не проходит – комбинация бу-
дет работать как эквивалентная по толщине
целая полоса. Это происходит потому, что ка-
ждая из полосок располагается в своей части
поля, и вихревые токи циркулируют между
слоями по внешним соединениям их концов.
Параллельное соединение обмоток можно
осуществлять лишь тогда, когда они распола-
гаются в одинаковом поле, среднем по их дли-
не:
• Можно запараллелить витки, расположен-
ные в одном слое – все они находятся в
одинаковом поле
• Применение лицендрата – плетеного или
скрученного провода – очень хороший спо-
соб (см. приложение 1)
• Части обмоток в различных секциях, если
они расположены в поле примерно одной
интенсивности, так же можно включать в
параллель. Например, могут быть запарал-
лелены две 4 – витковые секции на рисунке
11, поскольку поле должно оставаться рав-
номерно распределенным между обеими
секциями. Вторичная обмотка на том же
рисунке тоже может быть разбита на две
параллельно включенные секции.
Расчет сопротивления переменному то-
ку: Несложно рассчитать, если толщина про-
водника значительно превышает глубину про-
никновения. Совсем просто, когда толщина
проводника гораздо меньше, чем DPEN – тогда
FR равно 1. Но для разработки трансформатора
наибольший интерес представляет случай, ко-
гда проводник имеет толщину того же поряд-
ка, что и DPEN, но здесь расчет значительно
труднее.
100
50
20
Rac / Rdc
10
5
2
0,25 0,5 1 2
Q = Толщина слоя / Dpen
Рис.15 Диаграмма для рассчета Rac/Rdc
Дауэлл рассмотрел эту проблему для сину-
соидальной формы тока в 1966г., и получил
кривую, приведенную на рис. 15. На верти-
кальной оси отложено FR (т.е. RAC/RDC), а на
горизонтальной оси отложено Q – отношение
эффективной толщины слоя к глубине про-
никновения DPEN. Для медной ленты или
фольги эффективная толщина слоя – это про-
-9-
сто толщина ленты или фольги. Для круглых
проводов, плотно уложенных в слое, эффек-
тивная толщина слоя составляет 0,83 от диа-
метра провода. Если круглые проводники сво-
бодно уложены в слое, то эффективная тол-
щина слоя составит: 0,83·d·(d/s)1/2, где d –
диаметр провода и s – расстояние между цен-
трами проводников.
Рассмотрим расчет на стр.8 для FR = 31,67
и подставим в диаграмму рис. 15 Q = 5 и 3
слоя. Результат тот же самый.
В крайне правой части диаграммы рисунка
15, где толщина проводника значительно вы-
ше DPEN, FR очень велико. Кривые параллель-
ны и имеют наклон +1. В крайней левой части
диаграммы, где толщина проводника значи-
тельно меньше глубины проникновения, FR
близко к 1. В центре диаграммы кривые резко
идут вниз, хотя Q изменяется незначительно.
При FR, близкой к 1,5, достигается неплохой
компромисс. При значительно большем значе-
нии FR потери слишком велики, а при мень-
шем возрастает сложность обмотки, поскольку
10 6 4
3
2.5
2
1.5
1 Layer
0.5
4 10
требуется провод слишком малого диаметра.
Достижение коэффициентом FR оптимального
значения требует изменения Q в диапазоне от
1,6 при одном слое, до 0,4 при 10 слоях.
Выбор оптимальной конфигурации обмот-
ки начнем с толстого провода и затем будем
разбивать его на более тонкие, изменяя FR от
плохого к отличному. Возьмем провод с Q = 4
и уложим 10 витков в один слой. FR из диа-
граммы будет равно 3,8 – это не очень хорошо.
При 4 параллельных проводниках вдвое
меньшего диаметра (Q = 2), аккуратно разме-
щенных в двух слоях, всего будет 40 провод-
ников, по 20 в слое. Используя диаграмму для
двух слоев и Q = 2, получим FR = 5,2, что еще
хуже. Причина этого заключается в том, что
диаметр провода все еще слишком велик по
сравнению с глубиной проникновения, а нали-
чие двух слоев приводит к генерации двойных
вихревых токов на поверхности проводников.
Разобьем теперь обмотку на 16 проводни-
ков в 1/4 начального диаметра (Q = 1), т. е. Те-
перь у нас будет всего 160 проводов в 4 слоях,
по 40 в слое. FR снизился до 2,2.
Третье разбиение на 64 проводника диа-
метром в 1/8 от начального приведет к 640 про-
водникам – по 80 в 8 слоях. Q теперь равно 0,5
и FR снизится до 1,5.
Несинусоидальная форма сигнала. Ван-
тремен и Карстен применили решение Дауэлла
для сигналов различной формы, более приме-
нимых для источников питания. Они приме-
- 10 -
нили распределение Фурье с последующим
расчетом потерь и суммированием результа-
тов. Так же они проверили свои выкладки на
опыте, что резко увеличило ценность их рабо-
ты.
Полученные ими кривые показывают, что
при узком импульсе сопротивление постоян-
ному току возрастает еще сильнее, поскольку
большой вклад вносят высшие гармоники. Но
возрастание потерь наблюдается не только при
импульсе небольшой ширины. В ключевых
источниках питания импульсный ток, как пра-
вило постоянный (при постоянной нагрузке).
Потери от высших гармоник не зависят от ши-
рины импульса, но среднеквадратичный ток,
потери на постоянном токе и от низших гар-
моник увеличиваются при большей ширине
импульса. Наибольшие потери в меди наблю-
даются при коэффициенте заполнения, близ-
ком к 0,5. В этом случае оптимальным мето-
дом снижения потерь будет разработка обмо-
ток с FR = 1,5 (для синусоидального сигнала),
и тогда вклад высших гармоник в общие по-
тери составит (30 – 50)%.
 Приложение 1
Лицендрат
В трансформаторах импульсных источников питания, если диаметр провода обмотки того же по-
рядка, или больше, чем глубина проникания на рабочей частоте, протекание переменного тока только
по одной части проводника приводит к высоким потерям. Этот эффект экспоненциально нарастает с
увеличением количества слоев. Для снижения потерь на переменном токе до приемлемой величины
необходимо уменьшать диаметр провода.
Так же можно использовать тонкую ленту с шириной, равной ширине обмотки, особенно для низ-
ких выходных напряжений, где требуется высокий ток в обмотке, большое сечение провода и всего
несколько витков. Каждый виток занимает один слой, и должен быть изолирован от другого. Ленты
не могут быть соединены параллельно, если только они не располагаются в разных секциях, иначе
индуцированные различные напряжения будут приводить к значительным вихревым токам, цирку-
лирующим от одной полосы к другой и вызывающим большие потери.
Если лента или фольга не занимают всей ширины обмотки, проводник может быть разбит на не-
сколько качественных свитых проводников, соединенных параллельно на краях обмотки. Все про-
водники в группе должны быть индивидуально изолированы и находиться в одинаковом поле для
исключения циркуляции паразитных токов от проводника к проводнику. Если используются только
несколько параллельно включенных проводников, они могут быть намотаны в ряд (т.е. одновремен-
но, как лента). Для исключения циркуляции токов все проводники должны иметь равное количество
витков в каждом слое. Однако этот способ становится неудобным, когда используется много прово-
дов.
Другое решение состоит в скручивании или сплетении проводов таким образом, что каждый про-
вод в группе периодически проходит через все уровни поля. Но в этом случае появляется много сво-
бодного места, в результате чего ухудшается использование окна сердечника по сравнению с преды-
дущим вариантом.
Лицендрат для слабых, высокочастотных схем обычно свивается из очень высококачественного
провода, но в результате образуется слишком много пустот. Лицендрат для силовых применений
часто делают из нескольких скрученных проводов, которые потом скручивают в больший жгут. Ре-
зультат такой скрутки умеренный – диаметр жгута и длина каждого провода увеличивается незначи-
тельно.
Рассмотрим жгут из семи скрученных проводов с одним проводом в центре. Структура упаковки
гексагональна, и эффективна насколько возможно, поскольку внешняя поверхность почти круговая.
Внешние шесть проводов периодически проходят все внешние позиции, но центральный провод со-
храняет свою позицию неизменной. Фактически, потери на переменном токе меньше при исключен-
ном седьмом, центральном проводе (на практике он может быть заменен непроводящим наполните-
лем для сохранения формы жгута). Этот способ понижает коэффициент использования окна до 0,667
от монолитного провода.
Даже сплошной провод не позволяет достичь стопроцентного использования окна сердечника.
Так как нижние части проводов в каждом слое ложатся диагонально на верхнюю часть проводов
нижнего слоя, они не могут опуститься во впадины между проводами нижнего слоя, причем конфи-
гурация их укладки становится вполне предсказуемой. По сравнению с укладкой квадратного прово-
π
да того же диаметра, такой способ дает коэффициент заполнения окна в ( /4) = 0,785 раза меньше. В
случае с шестипроводным жгутом, описанном выше, коэффициент заполнения окна понизится до
0,785·0,667 = 0,524.
Таблица 1 показывает коэффициент заполнения окна для жгута, содержащего от 3 до 6 жил. Не-
смотря на то, что коэффициенты близки по значению, будет показано, что они не так хороши в ис-
пользовании, как жгуты с большим количеством жил.
Таблица 1
Количество
3 4 5 6
проводов
Коэффициент использования
0,65 0,686 0,685 0,667
окна

- 11 -
 Не так редко требуются сотни качественных параллельно соединенных проводов для получения
требуемого соотношения сопротивлений переменному и постоянному току на частоте 100кГц и вы-
ше. В этом случае желательно, что бы жгуты были свиты в большие, а те, в свою очередь, так же
свиты между собой для увеличения общего количества проводов, необходимых для переноса высо-
кочастотного тока. Эффективный диаметр жгута равен диаметру оборота крайнего внешнего провод-
ника. Каждый слой свивки понижает коэффициент использования окна. Как показано в таблице 2,
значительно лучшее использование окна достигается, когда вместе свито большее количество прово-
дов/жгутов, поскольку один – два слоя в свивке требуют того же самого количества проводов.

Таблица 2
Количество
3 4 5 6
проводов
Всего Использ. Всего Использ. Всего Использ. Всего Использ.
проводов окна проводов окна проводов окна проводов окна
1 Уровень 3 0,65 4 0,69 5 0,69 6 0,67
2 Уровня 9 0,42 16 0,47 25 0,47 36 0,44
3 Уровня 27 0,28 64 0,32 125 0,32 216 0,30
4 Уровня 81 0,18 256 0,22 625 0,22 1296 0,20
5 Уровней 243 0,18 1024 0,15 - - - -

Например, рассмотрим 4 - проводный жгут. Четыре свитых провода образуют жгут Уровня 1, че-
тыре жгута Уровня 1, образуют жгут уровня 2, состоящий уже из 16 проводов. Точно так же, четыре
жгута Уровня 2, свитые вместе, образуют жгут Уровня 3, состоящий уже из 64 проводов. Уровень
повышают аналогичным образом, пока не достигнут желаемое количество проводов.
π
Коэффициент использования окна в таблице 2 понижается через ( /4) = 0,785, поскольку диаметр
кабеля занимает квадратные области окна.
Вместо того, что бы вмещать все необходимые провода в один жгут, часто бывает выгодно оста-
вить последний уровень несвитым. Это может обеспечить большую гибкость в подгонке обмотки под
существующие размеры сердечника и улучшить коэффициент использования окна, как если бы у нас
в жгуте было на один уровень меньше.
Для примера рассмотрим жгут из 256 проводов нужного нам диаметра. Он может содержать в се-
бе 4 уровня свивки 4 – проводного жгута. В этом случае имеем коэффициент использования, равный
0,22 по сравнению со сплошным проводом того же диаметра, и коэффициент заполнения окна ме-
дью, равный (0,22·0,785) = 0,17. Тем не менее, если мы четыре 3 – уровневых жгута с использованием
0,32 включим параллельно, получим общий коэффициент использования окна в (0,32·0,785) = 0,25.
Только не надо забывать, что все параллельные жгуты должны иметь одинаковое количество вит-
ков в каждом слое.
Изоляция провода понижает коэффициент использования окна, особенно для качественного про-
вода, когда изоляция составляет ощутимую долю площади окна. Когда используется очень много
витков качественного провода, окно сердечника должно быть значительно больше для сохранения
общего количества меди на прежнем уровне. Когда заполнена вся площадь окна, дальнейшее улуч-
шение может быть достигнуто переходом на большее количество витков, даже если возрастет сопро-
тивление постоянному току, но сопротивление переменному току снизится. Другие решения состоят
в следующем:
a) Сделать трансформатор более горячим
b) Использовать сердечник большего размера с большим окном (и требующий обычно мень-
шее количество витков)

- 12 -