Вы находитесь на странице: 1из 16

КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ

Задача 1 Симметричная полосковая линия.


Определить геометрию симметричной полосковой линии, предназначенной для передачи
электромагнитного поля простейшего типа. Построить графически структуру поля, токов
проводимости и смещения для волн типа ТЕМ, Е01 и Н01. Определить погонные емкость и
индуктивность, длину волны, затухание и предельную мощность линии для волны простейшего
типа.
Таблица 3.4
№ Длина волны Волновое Материал линии Материал
варианта ,см сопротив. наполнителя
Zо, Ом
5 20 75 посереб.медь ПТ-7

Решение
Конструкция симметричной полосковой линии (СПЛ) показана на рис.1. Центральный проводник
заключен между двумя диэлектрическими пластинами с металлизированными внешними
поверхностями.

b
/2

b
/2

t W

Рис.1. Конструкция симметричной полосковой линии


Волновое сопротивление линии определяется выражением:

,
2

где ε=1 и µ=1 (воздух) — относительные диэлектрическая и магнитная проницаемости изоляции;

; D —расстояние между центрами проводников и d — диаметр проводников, м.

Погонные параметры коаксиальной линии передачи с диэлектрической изоляцией рассчитываются


по формулам:

, мкГн/м;

, пФ/м.

Тогда:

( мкГн/м);

(пФ/м);

Фазовая скорость:

(м/с).

Ответ: ( мкГн/м); (пФ/м); (м/с).


3

Задача 2 Несимметричная полосковая линия.


Определить геометрию несимметричной полосковой линии, предназначенной для
передачи электромагнитного поля простейшего типа. Построить графически структуру
поля, токов проводимости и смещения для волн типа ТЕМ, Е01 и Н01 . Определить
погонные емкость и индуктивность, длину волны, затухание и предельную мощность
линии для волны простейшего типа.
Таблица 3.5
№ Длина волны Волновое Материал линии Материал
варианта ,см сопротив. наполнителя
Zо, Ом
5 20 75 посереб. ПТ-3
алюминий
4
Список литературы

Основной
1 Техническая электродинамика: Конспект лекций /Сост.М.И.Бичурин,В.М. Петров;НовГУ.-
Новгород,1999.-122 с.
2 Констpуиpование экранов и СВЧ устройств/ Под ред. А.М.Чеpнушенко.-М.: Радио и
связь. 1990.-353 с.
3 Микроэлектронные устройства СВЧ/Под ред. Г.И.Веселова.-М. Высш.шк.,1988.-280 с.
4 Сазонов Д.М. Антенны и устройства СВЧ. - М.: Высш.шк., 1988. -432с.

Дополнительный

4. Вольман В.И., Пименов Ю.В. Техническая электpодинамика.-М.: Связь, 1971.- 487 с.


5. Малоpацкий Л.Г.,Явич Л.Р. Пpоектиpование и pасчет СВЧ-элементов на полосковых
линиях.-М.:Сов.pадио,1972,-232 с.
6. Констpуиpование и pасчет полосковых устpойств/Под pед. И.С.Ковалева
.-М.:Сов.pадио ,1974.-320 с.
7. Спpавочник по pасчету и констpуиpованию полосковых устpойств/Под pед. В.И.
Вольмана.-М.: Радио и связь ,1982.-328 с.
8. Полосковые платы и узлы/Под ред. Е.П.Котова и В.Д.Каплуна.-М.: Сов..радио, 1979.-
247 с.
9. ГОСТ 18238-72. Линии передачи СВЧ. Теpмины и опpеделения.
10. ГОСТ 23221-78. Модули СВЧ. Теpмины, опpеделения и буквенные обозначения.
11.ГОСТ 21702-76. Устpойства СВЧ, полосковые линии. Теpмины и опpеделения.
12 Справочник по элементам полосковой техники/Под ред. А.Л.Фельдштейна.-М.: Связь,
1979.- 336 с.

3. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЙ

3.1. Симметричная полосковая линия

3.1.1. Конструкция симметричной полосковой линии


5

Конструкция симметричной полосковой линии (СПЛ) показана на рис. 3.1. Центральный


проводник заключен между двумя диэлектрическими пластинами с металлизированными
внешними поверхностями. СПЛ обладает хорошей экранировкой, малыми потерями на излучение,
однако они сложны в изготовлении и настройке, требуют соблюдения геометрической симметрии.
Центральный проводник СПЛ при собранной линии недоступен для регулировки, что создает
определенные неудобства при настройке схем.

b
/2

b
/2

t W

Р и с. 3 .1 . Конструкция симметричной полосковой линии

Несмотря на указанные недостатки, СПЛ продолжает использоваться в аппаратуре СВЧ.


На частотах до 8-10 ГГц при мелкосерийном производстве СПЛ оказывается наиболее дешевой,
поскольку ее можно достаточно точно рассчитать, макеты устройств на базе СПЛ легко изготовить
из недорогих материалов, а внедрение в производство такой линии не вызывает особых
трудностей, так как макет близок к законченному устройству и необходима только механическая
доводка.

22
3.1.2. Рабочая полоса частот

Рабочая полоса частот СПЛ не имеет ограничения в области низких частот. В некоторых
устройствах (например, в детекторных секциях, смесителях, генераторах) она служит для
передачи постоянного тока. Практически, поскольку размеры полосковых резонансных элементов
на очень низких частотах становятся значительными, рекомендуется применять СПЛ на частотах
выше 100 МГц. При достаточно протяженных диэлектрических и заземленных металлических
пластинах силовые линии электрического поля не выходят за пределы диэлектрической среды,
заполняющей линию (рис. 3.2). При этом в линии распространяется поперечная электромагнитная
6
волна типа ТЕМ. В таких условиях волны с продольными составляющими поля Е или Н не
возбуждаются.

Поле Е
Поле Н

Р и с. 3 .2 . Структура электромагнитного поля в СПЛ

Верхний предел частотного диапазона СПЛ определяется из условия возникновения волн


типа Е (Н), для которых частота отсечки равна:
fпр = 300 / [
 ·(2W+ ·b/2], [ГГц], (3.1)

где W, b - выражены в миллиметрах.

Длина волны в СПЛ определяется выражением:

  = /  , (3.2)

где  - длина волны в свободном пространстве,

 - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика.

23
3.1.3. Волновое сопротивление

Волновое сопротивление СПЛ можно вычислить по следующим выражениям:

а) если требуемая погрешность не должна превышать 0.5%, то


Z = (30/  )·ln{1+(4 /  ·m) [(8/  ·m)+((8/  ·m)2+6.27)0.5]}, (3.3)

где m = W/(b-t) +  W/(b-t),


W/(b-t) = x /  ·(1-x){1-0.5·ln[(x/(2-x))2 + 0.0796·x/(W/b+1.1·x))p]},
p = 2/{1+2·x/[3·(1-x)]},
x = t/b;

б) если требуемая погрешность не должна превышать 5%, то


7
Z = 200/[(1+2·W/b)·  ]. (3.4)

На рис. 3.3 показан характер зависимости волнового сопротивления СПЛ от ее


геометрических размеров.

Z  , Ом

18 0

14 0

10 0

0.1 0.2 0.3 0.4 1.0


W /b

Р и с. 3 .3 . Зависимость волнового сопротивления СПЛ от ее геометрических размеров

24
3.1.4. Потери

Потери в СПЛ имеют две составляющих: потери в проводниках  с и потери в диэлектрике


 d
. Потери на излучение в СПЛ отсутствуют.

=
с +  d , (3.5)

Потери в проводниках определяются выражением:

с  8.7 Rs/(Z·W), [дБ/ед. длины], (3.6)

где Rs - удельное сопротивление скин-слоя, [Ом/м2],


W - ширина полоскового проводника.

Потери в диэлектрике определяются выражением:

 d
 27.3·  ·tg  /  , [дБ/ед. длины], (3.7)
8
где ·tg 
- тангенс угла диэлектрических потерь материала диэлектрика,

 - длина волны.
Добротность СПЛ равна
QСПЛ = QC / [(1+QC)·tg  ], (3.8)

где QC = k / 2· с ,
k = 2·  /
 .

3.1.5. Геометрические размеры

Возможности уменьшения габаритов СВЧ устройств ограничены рядом принципиальных


трудностей, обусловленных требованиями к электрическим характеристикам линии передачи.
Конструктор вынужден принимать компромиссные решения, выбирая, с одной стороны,
оптимальные конструктивные

25
размеры, а с другой - рабочие характеристики устройства. Рассмотрим основные ограничения на
геометрические размеры СПЛ.
Ширина основания СПЛ (А) (ширина диэлектрических и заземленных металлических
пластин). Для того, чтобы электрическое поле у кромки основания линии было незначительным по
сравнению с однородным электрическим полем в области между основанием и центральным
проводником, должно соблюдаться неравенство:

А
 W + 2·b. (3.9)

Высота СПЛ (b) для соблюдения условий существования «чистой» волны типа ТЕМ
должна быть:

b
 /2. (3.10)
9
Ширина полоскового проводника (W) должна быть меньше

/2, чтобы предотвратить возможность появления высших типов волн. Однако для повышения
добротности полосковой линии необходимо, чтобы W >
 /2. При этом подавление высших

типов волн должно осуществляться дополнительными мерами (например, использованием


штырей, замыкающих оба основания СПЛ).

3.2. Несимметричная полосковая линия

3.2.1. Конструкция несимметричной полосковой линии

Конструкция несимметричной полосковой линии (НПЛ) показана на рис. 3.4. Здесь


проводящий слой выполнен на диэлектрической подложке с низкой диэлектрической
проницаемостью  [от  = 1 (воздушное заполнение) до  =3..4]. Такая линия передачи имеет
достаточно большие потери на излучение. Явление излучения иллюстрируется рис. 3.5.
Некоторые линии электрического поля, начинающиеся на верхней поверхности полоскового
проводника, не замыкаются на основание, а уходят в

26
бесконечность. Наличие этих силовых линий обусловливает потери на излучение и паразитные связи с
соседними проводниками или элементами. Поэтому несимметричные полосковые линии практически не
применяются в интегральных схемах СВЧ.

h 

Р и с. 3 .4 . Конструкция несимметричной полосковой линии.


10
Однако имеется ряд областей, где указанные паразитные явления могут оказаться
полезными. Такая, на первый взгляд неожиданная, трансформация качества линии имеет место,
например, в приборах для измерения влажности, диэлектрической проницаемости и т. д. В этих
приборах испытуемый образец помещается в поле излучения и изменяет величину затухания
датчика.
Микрополосковая линия (МПЛ). Микрополосковой линией мы называем несимметричную
полосковую линию (см. рис 3.4), у которой подложка имеет малую высоту (h 1 мм) и большую
диэлектрическую проницаемость ( 10). В отличие от несимметричной линии с низким значением
 в МПЛ электромагнитное поле «стягивается» в области между проводником и заземленным
основанием, в связи с чем потери на излучение и паразитные связи оказываются в значительной
степени ослабленными. Как правило, МПЛ помещается в корпус.

27
МПЛ имеет следующие важные достоинства, которые определили ее широкое использование в
гибридных и монолитных ИС СВЧ: малые габариты и массу, низкую стоимость при серийном
производстве, высокую надежность, простоту конструкции. Однако, несмотря на очевидную простоту
структуры, точный анализ характеристик микрополосковой линии затруднителен, так как в линии
распространяется квази-ТЕМ-волна (граничные условия между подложкой и верхним диэлектриком, чаще
всего воздухом, не соответствуют «чистой» ТЕМ-волне). Строгий подход требует точного анализа
уравнений Максвелла.

Поле Н
Поле Е

Р и с. 3 .5 . Структура электромагнитного поля в НПЛ

Ввиду трудности этой задачи многие исследователи используют различные методы приближения к
такому анализу, варьируя при этом степень точности. Однако для многих практических случаев возможно
одномодовое ТЕМ-приближение, которое и было положено в основу некоторых аналитических работ.

3.2.2. Рабочая полоса частот

Рабочая полоса частот НПЛ как СПЛ не имеет ограничения в области низких частот. В
области высоких частот рабочая частота микрополосковой линии должна быть ниже частоты
паразитных колебаний, происхождение которых может быть двояким. Одним из видов паразитных
11
колебаний являются п о в е р х н о с т н ы е в о л н ы , «стелящиеся» по поверхности диэлектрической
подложки вдоль заземленной плоскости.

28
Для предельного случая бесконечно тонкой подложки с бесконечно малой диэлектрической
проницаемостью  фазовая скорость поверхностной волны близка к скорости света. При
увеличении толщины подложки h и величины  поверхностная волна замедляется. Когда же
фазовая скорость поверхностной волны оказывается близка к фазовой скорости волны ТЕМ,
между этими двумя волнами возникает сильное взаимодействие, увеличивающее активность
поверхностных волн. Частота, при которой появляется данное взаимодействие, определяет
верхний частотный предел применения микрополосковой линии:

f  c / 4 h   1  75 / h   1 , [ГГц], (3.11)
где h - высота диэлектрической подложки в миллиметрах.

Из данной формулы следует, что поверхностная волна возбуждается при толщине подложки, равной:
h/4/4  . (3.12)

Другой тип паразитных колебаний представляют поперечные резонансные


к о л е б а н и я , которые могут возникнуть между полосковым проводником и заземленным
основанием. Для этого типа колебаний воздушная среда над подложкой не влияет на
конфигурацию поля.
При W  h частота отсечки для поперечного резонанса равна

f  107.5 / h  , [ГГц]. (3.13)

Поскольку поперечная резонансная частота несколько больше граничной частоты возбуждения


поверхностной волны и в связи с тем, что поперечную волну легко подавить, то практически верхний
частотный предел, ограничивающий применение микрополосковых линий, определяется возбуждением
поверхностной волны. Длина волны в микрополосковой линии определяется следующим образом:

29

 /   k   TEM k   /  эфф , (3.14)
где k   /  TEM - коэффициент удлинения волны;
 эфф   / k 2 - эффективная диэлектрическая проницаемость.
12
3.2.3. Эффективная диэлектрическая проницаемость

Эффективная диэлектрическая проницаемость определяется как квадрат отношения


скорости света в свободном пространстве к фазовой скорости волны в линии. При переходе к
конструктивным параметрам и характеристикам подложки оказывается, что величина  эфф
зависит от относительной диэлектрической проницаемости  и геометрической формы граничной
поверхности между воздухом и диэлектриком. Для простоты теоретических расчетов величины
 эфф предполагается, что в микрополосковой линии распространяются колебания типа ТЕМ.
Кроме того, большинство расчетов проводится для идеализированной микрополосковой линии,
помещенной в свободное пространство (на практике, как правило, микросхема размещается в
металлическом корпусе ограниченных размеров).
С учетом сделанных предположений расчетные соотношения для  эфф имеют вид:
а) для широкой полоски ( W / h  1 )
 эфф  1  q (  1) ,
где q - фактор заполнения, определяется из соотношения

d  c 0.732  d  c   1 1 
qd  d  ln  ln  arch 0.358d  0.595    0.386  ,
d c 
  d c    2 d  1 
d  1 1 c 2 ,

величина c определяется из уравнения


W / 2 h  c  arsh c ;
30
б) для узкой полоски ( W / h  1 )

  1    1 ln  / 2   ln  / 4 /   
 эфф  1  .
2   1 ln 8h / W  

Следует отметить, что до тех пор пока не найдены достаточно точные методы расчета
реальной микрополосковой линии, соответствие теоретических и фактических результатов можно
установить только экспериментально. Однако для инженерных расчетов можно воспользоваться
следующим выражением, которое обеспечивает погрешность не более 5%:

эфф = (+1)/2 + [(-1)/2]·(1+12·h/W)-0.5. (3.15)

3.2.4. Волновое сопротивление


13

При несимметричной структуре трудно реализовать полосковую линию с большим волновым


сопротивлением, так как с увеличением сопротивления ширина полосок становится настолько
малой, что резко возрастают потери в проводнике, а требования к допускам при их изготовлении
становятся невыполнимыми.
Волновое сопротивление НПЛ можно увеличить, снизив ; однако при этом возрастают
потери на излучение. Для уменьшения таких потерь можно применять специальный экран, у
которого верхняя крышка расположена на расстоянии H, значительно превышающем толщину
подложки h. Такую линию будем называть экранированной несимметричной полосковой линией.
При (H-h)/h>10 влиянием экрана на волновое сопротивление несимметричной линии можно
пренебречь.
Микрополосковая линия. Волновое сопротивление МПЛ рассчитывается по формулам:

а) для W/h>1
1
377h  h    1 e  W    1 e  
2
Z 1   2 ln 4  ln   0 . 94   ln  , (3.16)
W  W   2  2h   16  

31
б) для W/h<1
377  8h 1  W  2 1   1   1 4 
Z ln      ln  ln  , (3.17)
2    1 / 2  W 8  2h  2   1  2   

где e = 2.72... .

в) если требуемая погрешность не должна превышать 5%, то:


Z = 300/[(1+2·W/h)·  ]. (3.18)

На рис. 3.6 показан характер зависимости волнового сопротивления МПЛ от ее


геометрических размеров.
14
Z, Ом
=5
80
=10
60
J J
40

20
0.0 0.8 1.6 2.4 W/h
Н Н W

Р и с. 3 .6 . Характер зависимости волнового сопротивления


МПЛ от ее геометрических размеров и относительной
диэлектрической проницаемости подложки

3.2.5. Потери

Потери в НПЛ имеют три составляющие: потери в проводниках  с и потери в диэлектрике


 d
и потери на излучение  i
:

 нпл   с   d   i . (3.19)

32
На начальном этапе разработки несимметричных полосковых линий основной трудностью
являлись чрезмерные потери на излучение. В настоящее время этот недостаток устранен в МПЛ
передачи за счет применения подложек с высоким значением . Это позволяет сконцентрировать
поле в материале подложки до такой степени, что потери на излучение, хотя и остаются, но
становятся весьма незначительными по сравнению с потерями в подложке и омическими
потерями в проводнике. В результате общая формула потерь применительно к микрополосковой
линии может быть представлена в виде:

 мпл   с   i .. (3.20)

Если линия выполнена на подложке с малым затуханием  tg( )  10 3 10 4  , то основной


источник потерь обусловлен конечной проводимостью металла проводника. Ток в проводнике
15
микрополосковой линии протекает по стороне проводника, обращенной к подложке. Он
концентрируется в слое, толщина которого равна примерно толщине скин-слоя  c (на глубине
скин-слоя плотность тока в 2.7 раза меньше, чем плотность тока на поверхности проводника).
Потери на излучение определяются выражением:

 i
= Pi/Po = (320/Z)/(h/2)2 , [дБ/ед.длины], (3.21)

где Po- мощность сигнала, пропускаемого через линию,


Pi - излучаемая мощность,
Z - волновое сопротивление линии,
 - длина волны,
h - толщина подложки.

Потери в проводниках и диэлектрике определяются выражениями (3.6) и (3.7).

33
3.2.6. Геометрические размеры

Ширина основания (А) (ширина диэлектрической подложки и заземленной металлической


пластины). При теоретических исследованиях обычно предполагается наличие бесконечно
протяженных оснований. Анализ поля в поперечном сечении несимметричной линии показал, что
при h  W большая часть энергии поля сосредоточена в области, равной примерно утроенной
ширине полоски и, следовательно, если выполняется условие А  3W , ширину основания можно
считать удовлетворяющей расчетным требованиям.
Толщина полоски (t). Для обеспечения малых потерь в проводнике необходимо, чтобы
его толщина была по крайней мере в 3 раза больше толщины скин-слоя.
Ширина полоски (W). Чтобы уменьшить габариты, а также подавить возникающие в ней
высшие типы волн следует уменьшить ширину проводящей полоски. Однако необходимо помнить,
что уменьшение ширины полоски приводит к увеличению потерь в линии.
В микрополосковых линиях передачи иногда требуется скорректировать физическую
ширину полоски, поскольку конечная толщина полоски t приводит к увеличению емкости краевых
полей. При этом ширина полоски равна:
16
Wэфф  W  W (3.22)
где
t  4W  1
W   ln  1 при W / h  ,
  t  2
t  2h  1
W   ln  1 при W / h  .
  t  2

При расчете волнового сопротивления линии поправку W можно не учитывать, за


исключением случая, когда W / h  1 . Однако при вычислении потерь пренебрегать поправкой не
следует.

34
Толщина подложки (h). Наиболее противоречивыми являются факторы, которыми должен
руководствоваться конструктор при выборе толщины подложки микрополосковой линии.
Уменьшение толщины подложки приводит к перечисленным ниже изменениям параметров
микрополосковой линии:
уменьшаются потери на излучение;
снижается вероятность возбуждения поверхностных волн. Для того чтобы микросхема не
работала вблизи граничной частоты поверхностной волны, подложки, имеющие высокое
значение , должны быть сравнительно тонкими;
увеличивается плотность монтажа; уменьшение толщины подложки при сохранении постоянного
волнового сопротивления должно сопровождаться сужением проводника; кроме того, для
ослабления нежелательных связей между полосковыми проводниками их следует разносить на
расстояние, равное удвоенной толщине подложки; эти два фактора приводят к уменьшению
размеров микросхем при уменьшении толщины подложки.
Однако при уменьшении h (если z = const) необходимо, как отмечалось, уменьшить W , а это,
в свою очередь, приводит к увеличению потерь в проводниках и снижению добротности. Кроме
того, при малых h и W требуемые технологические допуски для обеспечения удовлетворительных
электрических характеристик могут оказаться трудно реализуемыми.
Таким образом, при определении толщины подложки необходимо идти на компромисс,
исходя из изложенных выше факторов. В настоящее время существует ряд стандартных величин
толщины подложек микрополосковых линий: h=0.25; 0.5; 1.0 мм.