Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып.

03
Неэкспоненциально затухающие электромагнитные волны,
локализованные на границе анизотропных
металлодиэлектрических структур
© Н.С. Петров 1 , С.Н. Курилкина 2 , А.Б. Зимин 3 , В.Н. Белый 2
1
Институт повышения квалификации по новым направлениям развития техники, технологий и экономики
Белорусского национального технического университета,
220107 Минск, Беларусь
2
Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси,
220072 Минск, Беларусь
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Беларусь
e-mail: s.kurilkina@ifanbel.bas-net.by
Поступила в редакцию 20.03.2018 г.
Показана возможность существования особого класса поверхностных электромагнитных волн, амплитуда
которых неэкспоненциально убывает вглубь анизотропной металлодиэлектрической структуры, граничащей
с изотропным диэлектриком. Получено дисперсионное уравнение, описывающее распространение таких
особых поверхностных волн, а также найдены их коэффициенты затухания и вид электрического и
магнитного полей в контактирующих средах. Получены выражения для продольной и поперечной компонент
вектора Умова–Пойнтинга и объемной плотности электрической и магнитной энергии особых поверхностных
волн. Проведены численные расчеты для слоистой металлодиэлектрической наноструктуры, описываемой
одноосным тензором эффективной диэлектрической проницаемости.
DOI: 10.21883/OS.2018.09.46553.80-18

Введение дела. В настоящей работе рассмотрен новый тип ПЭВ,

Известно, что на границе раздела анизотропной и изо-
тропной сред с положительно определенными диэлек-
трическими проницаемостями возможно существование
поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ). При
этом их возбуждение возможно лишь вдоль некоторых
направлений в плоскости раздела. Проблема возбужде-
ния ПЭВ на границе оптически одноосного кристалла
и изотропной среды рассматривалась в работах [1,2].
Особенности поверхностных волн, возникающих на гра-
нице одноосных кристаллов с различной ориентацией
оптических осей, исследовались в [3–5].
Среди разнообразных ПЭВ особый интерес представ-
ляют поверхностные волны Дьяконова — локализован-
ные моды, распространяющиеся в узкой области углов
вдоль поверхности одноосного кристалла, содержащей
его оптическую ось [2]. Экспериментально данные волны
обнаружены в работе [6]. Волны Дьяконова вызывают
значительный интерес в связи с возможностью их ис-
пользования для передачи информации без потерь с
субволновым разрешением. Следует отметить, что на-
правлением распространения таких волн можно управ-
лять, изменяя оптические свойства анизотропной среды,
что достигается, например, при использовании вместо
одноосных кристаллов наноструктур [7].
Рассмотренное к настоящему времени многообразие
ПЭВ обладает тем общим свойством, что их амплитуда
экспоненциально убывает при удалении от границы раз-
характеризующийся неэкспоненциальной зависимостью
их электрического и магнитного полей от глубины
проникновения в анизотропную среду.
Условие существования
поверхностных волн особого типа
и их поляризационные
и энергетические характеристики
Пусть изотропная среда с диэлектрической проницае-
мостью ε1 граничит с анизотропным оптически одноос-
ным материалом, характеризуемым тензором диэлектри-
ческой проницаемости ε = diag {εo , εo , εe } = εo + δc · c,
где δ = εe − εo , c — единичный вектор вдоль оптической
оси (точка между векторами обозначает их диадное
произведение). В дальнейшем будем использовать систе-
му координат, ось Z которой направлена внутрь анизо-
тропной среды, а ее начало совпадает с поверхностью
раздела (рис. 1).
Рассмотрим возможность формирования на границе
раздела указанных сред ПЭВ с неэкспоненциальной
зависимостью амплитуд электрического (E) и магнитно-
го (H) полей от глубины проникновения в анизотропную
среду.
Будем исходить из известного волнового уравнения
для вектора E, которое следует из уравнений Макс-
велла в случае гармонически зависящих от времени

368
Неэкспоненциально затухающие электромагнитные волны, локализованные на границе... 369

a (анизотропную) среду (рис. 1), A1 и B 1 — соответ-

ственно амплитуды перпендикулярной и параллельной
Isotropic medium плоскости падения составляющих волны.
В общем случае внутри анизотропной среды рас-
Y пространяются обыкновенная (o) и необыкновенная (e)
волны, описываемые уравнением

m2o = εo , me εme = εo εe . (3)

Здесь mo = ξb + iγo q — вектор рефракции волны

X
(m2o = εo = ξ 2 − γo2 ). Однако в случае вырождения дву-
лучепреломления, что имеет место при выполнении
условия
[mo,e c]2 = 0, (4)
где c = (1/ξ)(εo1/2 b + γo s) — единичный вектор вдоль оп-
тической оси, как следует из теории дифференциальных
Z уравнений, основы которой изложены в работе [8], а
b также из [9], решение волнового уравнения (1) для поля
Y в одноосной среде представимо в виде
s c
X
r E2 = (f1 + σ ′ f2 ) exp(iσ ). (5)
b
Здесь σ = kmo r, σ ′ = kqr, r — радиус-вектор. Подстав-
q Uniaxial medium ляя (5) в уравнение (1), получаем

θf1 − iβf2 + σ ′ θf2 = 0. (6)

Здесь θ = mo · mo − m2o + ε, β = mo · q + q · mo − 2mo q.

Z Уравнение (6) должно выполняться тождественно, т. е.
Рис. 1. Схема рассматриваемой структуры (а) и ее представ- при любых σ ′ . Поэтому
ление в приближении эффективной среды (b). c — единичный
вектор вдоль оптической оси, b, q, s — тройка единичных θf2 = (mo · mo − m2o + ε o + δc · c)f2 = 0. (7)
векторов, где q — вектор, ортогональный границе раздела,
(c, q) — главная плоскость анизотропной среды,(b, q) — Так как для обыкновенной (а в рассматриваемом случае
плоскость падения световой волны, повернутая относительно вырождения двулучепреломления и необыкновенной)
главной плоскости на угол ρ. волны m2o = εo , то из (7) следует (mo · mo + δc · c)f2 = 0.
Отсюда видно, что вектор f2 коллинеарен вектору [mo c]
и, следовательно,
(∼ exp(−iωt)) полей: f2 = t[mo c]. (8)
Здесь t — некоторый параметр. С учетом (8) уравне-
grad divE − 1E − k 2 εE = 0, (1) ние (6) для f1 принимает вид
где ε — тензор диэлектрической проницаемости, (mo · mo + δc · c)f1 − i(mo · q + q · mo − 2iγo )f2 = 0. (9)
k = ω/c = 2π/λ. Векторы напряженности электрическо-
го (E1 ) и магнитного (H1 ) полей волны в изотропной Для нахождения из (9) вектора f1 представим его в виде
среде будем искать в виде разложения по трем взаимно ортогональным ортам b, q
  и s:
1
E1 = A1 s + B 1 [m1 s] exp(ikm1 r), f1 = t1 s + t2 b + t3 s, (10)
n1
где t1 , t2 , t3 — неизвестные величины. Подставляя f1
1 и f2 в исходное уравнение (9) и приравнивая нулю
H1 = rot E1 = [m1 E1 ] = (A1 [m1 s] − n1 B 1 s) exp(ikm1 r),
ik коэффициенты при b, q и s, можно выразить t2 , t3
(2) через t1 , t и, следовательно, определить f1 . В результате
где вектор рефракции m1 = ξb − iγ1 q (m21 = ε1 = n21 = получаем
= ξ 2 − γ12 ), b, q, s — взаимно перпендикулярные орты,

√

причем вектор b параллелен поверхности раздела сред, i ξδ
q — перпендикулярен к ней и направлен во вторую f1 = √ [mo c]t1 + i εo (2[mo s] − δq)t . (11)
δ εo γ

6 Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып. 3

370 Н.С. Петров, С.Н. Курилкина, А.Б. Зимин, В.Н. Белый

При этом с учетом (8), (11) выражения для векторов больших значениях δ, что практически невозможно
электрической E2 и магнитной H2 напряженностей при- для всех традиционно используемых в кристаллооптике
нимают следующий вид [9]: анизотропных материалов, для которых δ = εe − ε0 , как
n o правило, весьма мало.
E2 = C 1 [mo c] + C 2 (dς ′ [mo c]) exp(ikmo r), При заданных параметрах граничащих сред εo , εe и ε1
из (17) нетрудно получить выражение для постоянной
1 n
H2 = rot E2 = C 1 [mo [mo c]] распространения ξ поверхностной волны. Оно имеет
ik
o следующий вид:
+ C 2 (d1 + δς ′ [mo [mo c]]) exp(ikmo r). (12)
(ε1 − εo )δ 2 + 8εo ε1 δ − 4ε0 ε1 (ε1 − εo )
Здесь приняты обозначения d = δq − 2ξ[mo s], d1 = ξ2 = . (18)
4(ε1 − εo )[δ − (ε1 − εo )]
= [mo d] − iδ[q[mo c]] = [mo d] − δγc, а вместо сомножи-
телей при векторных величинах в выражении для f1
Анализ выражения (18) показывает, что ξ 2 > ε1 при
введены амплитуды волны C 1 , C 2 , которые определяются
из граничных условий. δ > 2ε1 > 2ε0 > 0. Из системы (13) следует также, что
Подставляя (2) и (12) в стандартные граничные усло- она имеет ненулевые решения только при отличном от
вия, получаем (при z = 0) два векторных уравнения, из нуля значении амплитуды C 1 .
которых следует система алгебраических уравнений для Таким образом, соотношение (18) является по сути
нахождения A1 (B 1 ) и C 1 (C 2 ): дисперсионным уравнением для определения скорости
√ V (ω) = c/ξ(ω) распространения поверхностной волны,
ξA1 + iγo εoC 1 = 0, при этом ξ имеет смысл эффективного показателя
√ √ преломления данной ПЭВ. Согласно (2) и (12), рассмат-
iγ1 ξA1 + γo2 εoC 1 − δγo εoC 2 = 0,
риваемая ПЭВ является особой волной, поскольку ха-
ξγ1 B 1 + n1 γo2C 1 − 2n1 ξ 2 γoC 2 = 0, рактеризуется неэкспоненциальным затуханием ампли-
ξn1 B 1 − εo γoC 1 + εo (δ + 2ξ 2 )C 2 = 0. (13) туды при удалении от границы одноосного кристалла.
Здесь учтено, что в этом случае qc = 0. Исключая Эллиптичность (отношение большой (a) и малой (b)
из первых двух уравнений A1 , а из последних двух B 1 , полуосей эллипса) поверхностной волны, а также угол
получаем для C 1 и C 2 соотношения наклона χ большой оси эллипса к плоскости падения
можно рассчитать с помощью соотношений [10]
γo +γ1 γo (ε1 γo + εo γ1 )
C2 = C1, C2 = C 1 , (14)
δ εo γ1 δ +2ξ 2 (ε1 γo +εo γ1 )  2
b |E|2 − |E2 | κ + κ∗
2
√ = = M , tg 2χ = , (19)
где C 1 = iξA1 /(γo εo ). Кроме того, из системы (13) a |E|2 + |E2 | 1 − |κ|2
следует выражение, связывающее амплитуды A1 и B 1 :
откуда следует
B 1 /A1 = κ = iM,
 2
b 2
= 2ξ 2 (γo + γ1 ) − δγo ε1 /(εo δ 2 γ12 ),

(20)
p
M = [2ξ 2 (γo + γ1 ) − δγo ] ε1 /εo /(δγ1 ). (15) a
Как видно, волна в первой среде является эллиптически
поляризованной вследствие комплексности параметра κ.
tg 2χ = 0, χ = 0.
Сравнивая оба выражения (14) для C 2 , приходим к
соотношению
Рассмотрим далее вопрос о скорости распростране-
δ(ε1 γo2 − εo γ12 ) 2
= 2ξ (γo + γ1 )(ε1 γo + εo γ1 ), (16) ния рассматриваемой поверхностной волны. Для этого
найдем сначала средние по времени локальные значения
которое можно преобразовать к более простому виду с распространяющегося вдоль поверхности раздела сред
учетом выражений для γo2 и γ12 : потока S и плотности энергии W = W e + W m , где W e
δ = εe − εo = 2(ε1 γo + εo γ1 )/(γo − γ1 ). (17) и W m — соответственно плотности электрической и
магнитной энергии (черта сверху означает усредненные
Выполнение условий (17) и γo > γ1 > 0 необходимо по периоду колебаний величины). При этом
для локализации вблизи поверхности раздела изотропно-
го диэлектрика и анизотропной структуры поверхност- 1 1
ных электромагнитных волн особого типа, подобных We = Re (ED∗ ), W m = |H|2 ,
16π 16π
неоднородной волне, возникающей при полном отра-
жении света от оптически одноосного кристалла. Это c
выполняется при δ > 2ε1 > 2ε0 > 0, т. е. при достаточно S= Re [EH]. (21)
8π

Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып. 3

Неэкспоненциально затухающие электромагнитные волны, локализованные на границе... 371

Раскрывая эти выражения с учетом (12), получим и в случае полного отражения света, она отсутствует
(Sn q = 0).
εo n 2
We = 2γo |C 1 |2 + [δ 2 + 4(δ + ξ 2 )(ξ 2 + γo2 ) Рассмотрим теперь поток S и плотность энергии
16π W = W e + W m в первой (изотропной) среде. Подставляя
− 2δ(δ + 2ξ 2 + 2γo2 )γo ς ′ + 2δ 2 (γo ς ′ )2 ]|C 2 |2 в (22), (23) выражения E1 и H1 из (1), находим

1
o
(1)
− 2γ0 (δ + 2ξ 2 + 2γo2 − 2δγo ς ′ )C 1C ∗2 exp(−2kγo z ), We = {ε1 + (ξ 2 + γ12 )|κ|2 }|A1 |2 exp(2kγ1 z ),
16π
εo n 2
Wm = 2γo |C 1 |2 + [δ 2 + 4εo (δ + ξ 2 ) (1)
Wm =
1
{2ξ 2 − ε1 + (ξ 2 − γ12 )|κ|2 }|A1|2 exp(2kγ1 z ),
16π 16π
− 2δ(εo + εe )γo ς ′ + 2δ 2 (γ0 ς ′ )2 ]|C 2 |2 ξ2 (1)
W {1 + |κ|2 }|A1 |2 exp(2kγ1 z ).
= (26)
o 8π
− 2γ0 (εo + εe − 2δγo ς ′ )C 1C ∗2 exp(−2kγo z ). (22)
Продольная компонента вектора Умова–Пойнтинга
Тогда для суммарной локальной плотности энергии определяется при этом выражением
имеем
(1) cξ (1)
εo n 2 S1 = {1 + |κ|2 }|A1 |2 exp(2kγ1 z )b = VW b. (27)
W= 2γo |C 1 |2 + [(δ + 2ξ 2 )2 8π
8π
Cоответствующие средние интегральные плотности
− 2δ(δ + 2ξ 2 )γo ς ′ + 2δ 2 (γo ς ′ )2 ]|C 2 |2 энергии W и потока энергии S в изотропной среде
o
− 2γ0 (δ + 2ξ 2 − 2δγo ς ′ )C 1C ∗2 exp(−2kγo z ). (23) Z0
(1) ξ2
W = {1 + |κ|2 }|A1|2 exp(2γ1 kz )dz
Для переносимого поверхностной волной потока 8πk
−∞
энергии S1 в направлении вектора b в этом случае
получаем следующее выражение: ξ2
= {1 + |κ|2 }|A1 |2 ,
cεo n 2 16πγ1 k
S1 = 2γo |C 1 |2 + [(δ + 2ξ 2 )2
8πξ Z 0
(1) cξ
2 2 ′ 2 2
S1 = {1 + |κ|2 }|A1|2 exp(2γ1 kz )dz b
′
− 2δ(δ + 2ξ )γo ς + 2δ (γ0 ς ) ]|C 2 | 8π −∞
o cξ
− 2γ0 (δ + 2ξ 2 − 2δγo ς ′ )C 1C ∗2 exp(−2kγo z )b. (24) = {1 + |κ|2 }|A1|2 b. (28)
16πγ1
Из сравнения (24) и (23) следует, что S1 = VW b, где Для анизотропной среды, аналогично интегрируя вы-
V = c/ξ — скорость распространения продольного по- ражения (21), (22) с учетом (15), получим
тока, переносимого поверхностной волной.
Отметим, что, наряду с продольным потоком S1 в этом ξ2
W (2) = {2γo2 δ 2 + (γo + γ1 )
случае существует также поток S2 , перпендикулярный 16γo3 δ 2 πk
плоскости падения. Расчет дает для него выражение
× [(γo + γ1 )(δ 2 + 2δξ 2 + 4ξ 4 ) + 4γo δ(δ + ξ 2 )]}|A1 |2 ,
√
cγo εo
S2 = {2γo2 |C 1 |2 + δ[δ + 2ξ 2 (2) c (2)
8πξ S1 = W b. (29)
ξ
− 2(δ + 2ξ 2 )γo ς ′ + 2δ(γ0 ς ′ )2 ]|C 2 |2 Полные плотность энергии поверхностной волны
(1) (2)
W = W (1) + W (2) и продольный поток S1 = S1 + S1
− 2γo [2ξ 2 + δ(1 − 2γo ς ′ )]C 1C ∗2 } exp(−2kγo z )s. (25)
определяются следующими выражениями:
Наличие так называемой боковой составляющей пото-
ξ 2 |A1 |2

1 1 h
ка поверхностной волны приводит к эффекту бокового W = (1 + |κ|2 ) + 3 2 2γo2 δ 2 + (γo + γ1 )
смещения светового луча, т. е. выходу его из плоско- 16πk γ1 γo δ
сти падения. Этот эффект впервые был теоретически i

2 2 4 2

предсказан Ф.И. Федоровым при исследовании явления × (γo + γ1 )(δ + 2δξ + 4ξ ) + 4γo δ(δ + ξ ) ,
полного отражения света на границе раздела двух изо-
тропных сред [10]. c (1)
Что касается нормальной составляющей потока Sn , S1 = (W + W (2))b. (30)
ξ
ортогональной границе раздела двух сред (k q), то, как

6∗ Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып. 3

372 Н.С. Петров, С.Н. Курилкина, А.Б. Зимин, В.Н. Белый

3.9 трической проницаемости которой имеет собственные

значения, определяемые выражением
3.7
−1
3.6

1− f f
εo = (1 − f )εd + f εm , εe = + . (31)
3.5 εd εm
3.4
Здесь f = dm /(d m + dd ) — фактор заполнения (объем-
x2

3.3
ная доля, занимаемая в структуре металлом), εd , εm —
3.2 соответственно проницаемости диэлектрического и ме-
3.1 таллического слоев. При этом величина εm описывается
3.0 1 формулой Друде:
2
2.9 3
εm (ω) = ε∞ − ω 2p /(ω 2 + iωŴ)
2.8
460 480 500 520 540 560
l, nm = ε∞ − ω 2p /(ω 2 + Ŵ2 ) + iω 2p Ŵ/[ω(ω 2 + Ŵ2 )], (32)
Рис. 2. Спектральная зависимость квадрата константы распро- где ω p — плазменная частота, ε∞ — постоянная, опи-
странения поверхностной волны особого типа, генерируемой сывающая вклад межзонных переходов, Ŵ = VF /l — по-
на границе раздела металлодиэлектрической наноструктуры стоянная затухания, VF — скорость Ферми, l — среднее
TiO2 /Ag (dm = 20 nm, f = 0.3, ε∞ = 5, εd = 5.913) и изотроп-
ного диэлектрика: 1 — оптическое стекло BAF 10, ε1 = 2.789,
2 — оптическое стекло SF 5, ε1 = 2.8761, 3 — оптическое 1.0 a
стекло LASF 9, ε1 = 3.5329.

0.8
–0.4
S1, W/m2· s

0.6
–0.5

–0.6 0.4 1
2
3
M

–0.7 0.2

–0.8
0
1 0 50 100 150 200 250 300 350
–0.9 2 z, nm
3 0.20 b
–1.0 0.18
460 480 500 520 540 560
l, nm 0.16
0.14
Рис. 3. Спектральная зависимость эллиптичности поверхност-
S2, W/m2· s

ной волны особого типа, генерируемой на границе раздела 0.12

металлодиэлектрической наноструктуры TiO2 /Ag (dm = 20 nm, 0.10
f = 0.3, ε∞ = 5, εd = 5.913) и изотропного диэлектрика: 1 —
0.08 1
оптическое стекло BAF 10, ε1 = 2.789, 2 — оптическое стекло 2
SF 5, ε1 = 2.8761, 3 — оптическое стекло LASF 9, ε1 = 3.5329. 0.06 3
0.04
0.02
Результаты расчетов для 0
0 50 100 150 200 250 300 350
поверхностной волны особого вида z, nm
Рассмотрим слоисто-периодическую анизотропную Рис. 4. Зависимость от глубины проникновения внутрь ани-
наноструктуру, образованную чередующимися слоями зотропной среды продольного (а) и поперечного (b) энерге-
тического потока поверхностной волны особого типа, гене-
металла и диэлектрика. В приближении эффективной
рируемой на границе раздела металлодиэлектрической нано-
среды, когда толщина каждого слоя достаточно мала, т. е. структуры TiO2 /Ag (dm = 20 nm, f = 0.3, λ = 450 nm, ε∞ = 5,
|k d dd | ≪ 1, |k m dm | ≪ 1, где k d , k m — соответственно вол- εd = 5.913, εe = 15.021, εo = 2.403) и изотропного диэлектри-
новые числа диэлектрического и металлического слоев, ка: 1 — оптическое стекло BAF 10, ε1 = 2.789, 2 — оптическое
многослойная структура может рассматриваться как стекло SF 5, ε1 = 2.8761, 3 — оптическое стекло LASF 9,
эффективная оптически одноосная среда, тензор диэлек- ε1 = 3.5329.

Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып. 3

Неэкспоненциально затухающие электромагнитные волны, локализованные на границе... 373

0.6 a 0.45 b
0.40
0.5
0.35
0.4 0.30

Wm, J/m2
We, J/m2

0.25
0.3
1 0.20 1
0.2 2 0.15 2
3 3
0.10
0.1
0.05
0 0
0 50 100 150 200 250 300 350 0 50 100 150 200 250 300 350
z, nm z, nm

1.0 c
0.9
0.8
0.7
0.6
W, J/m2

0.5
0.4 1
2
0.3 3
0.2
0.1
0
0 50 100 150 200 250 300 350
z, nm
Рис. 5. Зависимость от глубины проникновения внутрь анизотропной среды плотности электрической (а), магнитной (b) и
полной (c) энергии поверхностной волны особого типа, генерируемой на границе раздела металлодиэлектрической наноструктуры
TiO2 /Ag (dm = 20 nm, f = 0.3, λ = 450 nm, ε∞ = 5, εd = 5.913, εe = 15.021, εo = 2.403) и изотропного диэлектрика: 1 —
оптическое стекло BAF 10, ε1 = 2.789, 2 — оптическое стекло SF 5, ε1 = 2.8761, 3 — оптическое стекло LASF 9, ε1 = 3.5329.

значение свободного пути электрона в объемном метал-
ле. Для серебра, например, ε∞ = 5, ω p = 14 · 1015 s−1 ,
Ŵ = 32 · 1012 s−1 , VF = 1.4 · 106 ms−1 [11]. Расчет, про-
веденный для слоисто-периодической среды TiO2 /Ag
(dm = 20 nm, f = 0.3, εd = 5.913), показывает, что
для данной структуры в диапазоне длин волн
450 nm≤ λ ≤560 nm величины εo , εe положительны,
причем εe ≫ εo и поглощением материала мож-
но пренебречь. В этом спектральном диапазоне
εe > 2ε1 + εo > 3εo > 0, следовательно, оказывается воз-
можным возбуждение поверхностной волны. При этом
с увеличением диэлектрической проницаемости грани-
чащего с наноструктурой диэлектрика константа ее
распространения возрастает (рис. 2), а эллиптичность
убывает (рис. 3).
Расчет плотностей и потоков энергии проведен для
трех граничащих со структурой изотропных диэлектри-
ков: 1 — оптическое стекло BAF 10, ε1 = 2.789, 2 —
оптическое стекло SF 5, ε1 = 2.8761, 3 — оптическое
стекло LASF 9, ε1 = 3.5329. Во всех случаях значение
амплитуды волны A1 в диэлектрике считалось одинако-
вым, таким, что при z = 0 значения W и S1 в случае 3
равны соответственно 1 J/m3 и 1 W/m2 s.
Следует отметить, что с увеличением длины световой
волны имеет место возрастание постоянной распростра-
нения поверхностной волны (рис. 2). При этом с уве-
личением диэлектрической проницаемости изотропной
среды увеличивается спектральный диапазон, где данная
зависимость весьма слабая.
На рис. 4 приведены зависимости продольного и попе-
речного энергетических потоков поверхностной волны
от глубины проникновения в металлодиэлектрическую
структуру. Видно, что в некотором диапазоне проницае-
мостей изотропной среды, граничащей с металлодиэлек-
трической структурой, наблюдается неэкспоненциальное
уменьшение как продольного, так и поперечного пото-
ков энергии. При этом величина поперечного потока S2
достигает максимума не на поверхности раздела, а
на некотором расстоянии Zmax вблизи нее. Отметим,
что Zmax увеличивается при возрастании (рис. 4, b).
На рис. 5 представлены зависимости объемной плот-
ности электрической, магнитной и полной энергии по-

Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып. 3

374 Н.С. Петров, С.Н. Курилкина, А.Б. Зимин, В.Н. Белый

верхностной волны от глубины ее проникновения внутрь [5] Фурс А.Н., Галынский В.М., Барковский Л.М. // Опт. и
анизотропной среды. спектр. 2005. Т. 98. С. 500; Furs A.N., Galynsky V.M.,
Из рис. 5 видно, что существуют области значе- Barkovsky L.M. // Opt. Spectrosc. 2005. V. 98. P. 454.
ний диэлектрических проницаемостей граничащего с doi 10.1134/1.1890527
[6] Takayama O., Crasovan L., Artigas D., Torner L. // Phys.
металлодиэлектрической структурой диэлектрика, для
Rev. Lett. 2009. V. 102. P. 043903.
которых ПЭВ неэкспоненциально затухает. doi 10.1103/PhysRevLett.102.043903
[7] Takayama O., Artigas D., Torner L. // Nature Nanotech-
nology. 2014. V. 9. P. 419. doi 10.1038/nnano.2014.90
Заключение [8] Kelley W.G., Peterson A.C. The Theory of Differential
Equations: Classical and Qualitative. New York: Springer-
Таким образом, в данной работе показана возмож- Verlag, 2010. doi 10.1007/978-1-4419-5783-2.
ность возбуждения на границе изотропной среды и [9] Kurilkina S.N., Petrov N.S., Zimin A.B., Belyi V.N. // J. Opt.
слоистой металлодиэлектрической наноструктуры, ха- 2017. V. 19. P. 125102. doi 10.1088/2040-8986/aa945c
рактеризуемой одноосным эффективным тензором ди- [10] Федоров Ф.И. Оптика анизотропных сред. Мн.: АН БССР,
электрической проницаемости с положительными соб- 1958. 381 с.
[11] Cai W., Shalaev V. Optical Metamaterials: Fundamentals and
ственными значениями, поверхностной волны особого
Applications. Springer, 2010. doi 10.1007/978-1-4419-1151-3
типа, амплитуда которой убывает внутри анизотропной
структуры при удалении от ее поверхности по сложному
неэкспоненциальному закону. Найдены условия суще-
ствования такой волны.
Получены выражения для продольной и поперечной
компонент вектора Умова–Пойнтинга и объемной плот-
ности электрической и магнитной энергии. Установлено
наличие компоненты потока энергии, перпендикулярной
направлению распространения ПЭВ вдоль границы раз-
дела сред, вследствие чего имеет место эффект бокового
смещения энергии.
С использованием полученных выражений осуществ-
лено численное моделирование характеристик особых
поверхностных волн, формируемых на границе диэлек-
трика и слоисто-периодической металлодиэлектриче-
ской наноструктуры TiO2 /Ag. Установлено, что формиру-
емая поверхностная волна характеризуется неэкспонен-
циальным уменьшением продольного энергетического
потока, а поперечный (смещающий) поток энергии —
появлением четко выраженного максимума вблизи по-
верхности наноструктуры. При увеличении проницае-
мости граничащего изотропного диэлектрика этот мак-
симум увеличивается и смещается к границе раздела
металлодиэлектрической наноструктуры и изотропной
среды.
Полученные результаты имеют перспективы приме-
нения при создании высокочувствительных сенсоров,
основанных на использовании особых поверхностных
волн. Они могут быть использованы также при разра-
ботке новых методов зондирования приповерхностных
дефектов различных материалов.

Список литературы
[1] Марчевский Ф.Н., Стрижевский В.Л., Стрижев-
ский С.В. // ФТТ. 1984. Т. 26. С. 1501.
[2] Дьяконов М.И. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. № 4. С. 119.
[3] Аверкиев Н.С., Дьяконов М.И. // Опт. и спектр. 1990. Т. 68.
С. 1118.
[4] Даринский А.Н. // Кристаллография. 2001. Т. 46. С. 916.

Оптика и спектроскопия, 2018, том 125, вып. 3