Полупроводниковый лазерный диод

Полупроводниковые материалы, пригодные для изготовления лазерных диодов

Структура двух последних энергетических уровней атомов Si показана на рисунке 1. Электроны в

валентной зоне способствуют образованию кристаллических связей, тогда как электроны в зоне
проводимости могут свободно перемещаться через материал. Между этими двумя полосами нет других
энергетических уровней, эта область называется запрещенной зоной.

Рис.1 Более высокие энергетические уровни атома Si

Соотношение между количеством электронов в зоне проводимости и числом электронов в зоне

валентности определяется по следующей формуле:
N пр −( k∗T )
Епр −Е в

≅ 3∗10 |Т =300 ° К
−19
=e
Nв
Si и Ge имеют запрещенную зону, которая не подходит для излучения в интересующей области (ИК,
видимый, УФ). Как и светодиоды, лазерные диоды (LD) изготавливаются из сложных полупроводников
(«соединений») элементов III и V групп:
III група V група
Al N
Ga P
In As
Sb

Общее правило изготовления этих смесей таково: число атомов группы III должно быть равно числу
атомов в группе V. Соединения могут быть: бинарными (GaAs), тройными (Ga 1-xAlxAs), четвертичными
(In1-xGaxAs1-yPy или In1-x-yGaxAlyP)

Излучение света происходит в соединении между легированным слоем n и p. Соединение может

быть выполнено либо диффузией легирующей примеси (p или n) в подложку с низким содержанием
легирующего вещества (n или p) (рис. 2. а) или путем дополнительного осаждения тонких слоев
(эпитаксиальный рост)
 .

Рис.2 Создание соединения путем легирования диффузии.

Производство лазерного излучения

При прямой поляризации перехода (рис. 3.a) основные носители (электроны в легированной n-области и
дырки в легированной области p) переходят в переход, где они рекомбинируют. Лазерные диоды
изготовлены из материалов с прямой запрещенной зоной. Рекомбинация происходит путем передачи
электронов из зоны проводимости в валентную зону и эмиссии фотонов. Частота/длина волны
испускаемых фотонов рассчитывается по формулам:
E запр. зона =h∗ν
1240
Или λ= [ нм ]
Езапр . зона

При малых токах, вводимых в LD-переход, он действует как светодиод, излучение фотона происходит
самопроизвольно (рисунок 3.б). При значениях тока, превышающих пороговое значение, происходит
инверсия заселенности перехода (Nпров> Nвал) и электроны из зоны проводимости стимулируются
другими фотонами для падением в валентную зону. Таким образом, осуществляется стимулированное
излучение, и полученные фотоны являются когерентными.

Рис.3 Излучение фотона при прямой поляризации перехода: а) иллюстрация механизма рекомбинации в
переходе; б) Зависимость испускаемого потока от величины введенного тока.

Чтобы поддерживать явление лазерного перехода, необходимо вставить переход в

резонансную полость. Решение состоит в том, чтобы реализовать горизонтальную полость с двумя
плоскими параллельными зеркалами, полученными путем расщепления полупроводникового материала
(рис.4). Например, в арсениде галлия, имеющем показатель преломления nGaAs = 3,34, зеркала с
коэффициентом отражения 30% получают путем скола на концах. Чтобы увеличить отражение, на скол
полупроводника наносится слой отражающего материала.
 Рис.4 Изготовление резонансной полости в лазерных диодах.

Конструкция лазерных диодов

Простейшей структурой является гомопереход, в котором все слои, включая переход (активную среду),
сделаны из одного материала. На рисунке 5 показана структура такого диода, изготовленного из
арсенида галлия. Видно, что показатель преломления в полупроводниковом материале постоянен, что
приводит к плохому ограничению излучения в переходе (активной среде).

Рис. 5 Лазерный диод с гомопереходной структурой.

Простая гетероструктура (рис. 6) обеспечивает лучшее удержание лазерного излучения в активной

среде и позволяет лазерной пульсации прибл. 1 мкс.
Двойная гетероструктура (рисунок 7), включающая активную среду (соединение) между двумя
различными полупроводниковыми материалами (таким образом, с разными показателями
преломления), обеспечивает лучшее удержание излучения в активной среде.

Рис. 6 Лазерный диод с простой структурой гетероперехода

 Рис. 7 Лазерный диод с двойной структурой гетероперехода

Характеристики излучения, испускаемого лазерными диодами

Активная среда (соединение) заключена в резонансную полость параллелепипеда, имеющую
наиболее распространенные размеры, показанные на рисунке 8. Излученное внешнее пятно имеет
овальную форму, и его расхождение намного выше, чем у других типов лазеров. Расхождение в
вертикальном направлении высокое, а горизонтальное немного меньше. Из-за этого лазерные диоды
оснащены дополнительной системой оптической фокусировки.

Рис. 8 Форма и размеры резонансной полости и пятна лазерного излучения

Материалы, из которых изготовлена активная среда (соединение), могут быть:

- GaAlAs или GaAs, излучающие вблизи красного и ближнего инфракрасного диапазонов (от 750 нм до
900 нм), имеют относительно низкую стоимость и используются для оптоволоконных передач на
короткие расстояния, накачки твердотельных лазеров (лазер с Nd) или считывателей оптических
дисков;

- In1-xGaxAs1-yPy или InP которые излучают в инфракрасном диапазоне (1100…1650 нм) имеют более
высокую стоимость и используются в оптоволоконной связи (1310 нм - это длина волны,
соответствующая минимальной дисперсии, а 1550 нм - это длина волны, соответствующая
минимальному затуханию).

Спектр излучаемого излучения очень узок, порядка нанометров. Расстояние когерентности лазерного
диода мало (оно обратно пропорционально количеству продольных мод - N). По этой причине их нельзя
использовать в голографии или интерферометрии.
Количество продольных мод (N) задается уравнением:
2∗L∗n=N∗λ

где n - показатель преломления активной среды

Количество поперечных мод (TEMxy) обратно пропорционально толщине (d) активной среды.