Вы находитесь на странице: 1из 7

1. ЭЛЕКТРОНИКА. РОЛЬ И ЗНАЧЕНИЕ.

Электроника – современная отрасль науки и техники, развиваемая


большими темпами. Развитие научно-технического прогресса
ориентировано на переход к автоматизированному производству,
создание которого без использования электронной техники невозможно.
Электроника является одной из современных направлений науки и
техники. Электронику принято разделять на две отрасли – физическую и
техническую электронику.
Физическая электроника направлена на изучение явлений и
процессов, связанных с изменением концентрации и перемещением
заряженных частиц в жидкостях, газах, твердых телах.
Техническая электроника связана с разработкой, производством и
эксплуатацией различных электронных приборов и устройств . Они
характеризуются высокой чувствительностью , точностью, большим
быстродействием, малым потреблением электроэнергии. Кроме того, они
позволяют с высоким КПД ,преобразовывать электрическую энергию по
форме, величине.
Электронные приборы – позволяют преобразовывать
неэлектрическую энергию в электрическую и наоборот ( фотоэлементы,
терморезисторы и др). С их помощью измеряются самые разные
неэлектрические величины .
Роль электроники во всех отраслях народного хозяйства , как
отрасль науки и техники не оценили . С помощью электронной
аппаратуры изучаются многие направления биологии, медицины,
исследуются мельчайшие частицы, создают связь между объектами,
городами. Электронными аппаратурами оснащается техническая система.
Электроника прошла три основных этапа развития : ламповый (XIXв. – 49
г.), полупроводниковый (50-60гг.), электроники и микроэлектроники (70гг.
н.в.).

2.ПРОЦЕССЫ ПРОИСХОДЯЩИЕ В ЭЛЕКТРОННЫХ


ПРИБОРАХ

Работа всех электронных приборов основана на изменении


концентрации, скорости, перемещении заряженных частиц в различных
средах с помощью электрических и магнитных полей. Согласно
электронной теории вещества состоят из атомов, состоящих из протонов с
положительным зарядом, нейронов и электронов с отрицательным
зарядом. Вокруг ядра (протон+ нейрон) движутся электроны. Обычно ,
если протоны равны электронам , тогда атом – нейтральный, т.е.
незаряженный. Нейтральный атом при потери электрона становится
положительным, а при приобретении - отрицательным ионом ; этот
процесс называется ионизацией. Ионы с разноименными зарядами
притягивают друг друга, образуя молекулы. Электроны внешних орбит
слабее связаны друг с другом , и поэтому они могут в результате
взаимодействия покинуть орбиту , а также изменить состояние атома.
Такие электроны называются свободными . Чем больше свободных
электронов, тем выше проводимость вещества. Каждой орбите
соответствует определенный энергетический уровень. В каждом твердом
теле различаются 5 зон (энергетических уровней) (рис.1) : 1) Свободная
зона – та зона в котором имеют место электроны , при температуре выше
нуля . 2) Зона проводимости – это зона в котором имеют место электроны
с дополнительной энергией . 3)Запрещенная зона – это уровни которые не
могут иметь электронов . 4) Валентная зона- состоят из валентных
электронов . 5) Заполненная зона – это уровни , которые заняты
электронами при абсолютной температуре.
(рис.2).
Свободная
Э \ зона
н
Зона
е
проводимости
р Запрещенная
г зона
и Валентная
я зона
Заполненная
э зона
Безразмерная ось
3 . ПОЛУПРОВОДНИКИ ПРИБОРЫ.
По величине удельного электрического сопротивления полупроводники
занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками.
Характерной особенностью п\п. является то, что их удельная
электропроводность может измениться под действием светового луча,
тепла, добавлением примесей. Наиболее распространёнными п\п.
материалами являются элементы IV группы периодической системы
Менделеева : германий, кремний. Процессы, происходящие в п\п. удобно
рассмотреть при помощи зонной диаграммы (рис. 4) , в которой указаны
энергетические уровни . Процесс образования пары «электрон-дырка»
называется генерацией носителей зарядов, а процесс исчезновения пары
– рекомбинацией носителей зарядов . Плотность тока определяется
суммой токов
I = Ip + In
Беспримесный проводник называется собственным проводником , а его
проводимость – собственной проводимостью.

Зона
проводимост
  и

Генерация Рекомбинац
W Запрещенна
ия
НЗ я зона
Рис.4 Зонная диаграмма в n/n

4. ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ П/П.


Добавление примеси в п\п увеличивает его проводимость , т.к. работа п\п.
приборов основана на явлении примесной проводимости ; например в
качестве примесей для германия и кремния используются алюминий,
галий. Их атомы замещают атомы германия и кремния в узлах
кристаллической решётки. При нормальной температуре все атомы
ионизируются. При ионизации электрон не покидает кристалл и п\п.
остается нейтральным. То та примесь которая создает избыток электрона
называют донором, а п/п с такой примесью – п\п. - n типа (“negative”). В
п\п. – n типа основными носителями зарядов являются – электроны, а
неосновными – дырки. Примесь которая создает избыток дырок
называется акцептором, а п\п. с такой проводимостью – п\п. р-типа
(“pozitive”). В п\п р-типа основными носителями заряда являются дырки ,
а неосновными - электроны .

5,6, Электронно-дырочный ( p-n) переход


(Прямое и обратное включение).
Электронно-дырочным (p-n) переходом называют контактную границу
соприкосновений двух п\п. участков, один из которых имеет
проводимость n- типа , а другой - p- типа. Переход создается
образованием резкой границы между p- и n- слоями . Слоях переходы
бывают : симметричные (pp  nn ) и несимметричные (pp>>nn или
nn>>pp ). Под действием электрического поля происходит обратное
перемещение электронов из р- области в n – область, а также дырок –
из области n в область р. Этот процесс называется дрейфом носителей
зарядов. При Т=const. При этом сумма iдр. + iдиф. = 0 и ток через
переход равно нулю. При нарушении равновесия через переход течёт
ток . Такое включение называют обратным , Если через переход
протекает большой ток. Это есть прямое включение перехода. Этим
двум режимам включения соответствует (ВАХ). Согласно этой
характеристике, переход обладает способностью проводить
односторонний ток (вентильный). При высоких значениях Uобр
происходит пробой перехода и он теряет вентильные свойства (рис.6).

İпр

Uоб Uпр
İ

Пробой
перехода

İоб
Рис. 6. ВАХ режимов включения

13. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Микроэлектроника – отрасль которая занимается вопросами
разработки, изготовления и применения микроэлектронных устройств, к
которым относятся ИМС, представляющие собой III поколение.
Поскольку развитие электронной аппаратуры сопровождается постоянным
усложнением, а также повышением требований к их качеству и
надежности, то ростом дискретных элементов неизбежно уменьшается
надежность и увеличиваются габариты, масса, размеры, потребление
энергии . Различают IV поколения аппаратуры электронной техники:
I поколение – появление электровакуумных ламп.
II поколение - Создание транзистора
III поколение – создание ИМС.
IV поколение - создания больших ИС (БИС), содержащие 500 и
более элементов. В настоящее время интеграция достигла еще более
высокого уровня, широко применяются сверхбольшие интегральные
схемы (СБИС) (мобильные телефоны, которые выполняют кроме функции
связи еще функции, такие как часы, календарь, радиоприемник,
компьютерные игры, цифровые фотокамеры и др.).

14. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ИМС)


ИМС – это устройства микроэлектроники с высокой плотностью
размещения элементом. ИМС делятся на 3 вида:
1) п\п. ИМС.
2) гибридные (пленочные).
3) микросборка.
1) В п\п. ИМС все активные и пассивные элементы выполнены в
виде p -n переходов.
2) Гибридная ИМС содержит диэлектрическую подложку и все
пассивные элементы на ее поверхности выполняются в виде однослойных
или многослойных пленочных структур.
3) Микросборка выполняет более сложную функцию и состоит из
элементов, компонентов и ИМС. Особая группа ИМС – это БИС, которая
имеет от нескольких сотен до десятков тысяч элементов. ИМС делятся на
аналоговые и цифровые. Аналоговая ИМС – такие схемы, в которых
преобразование сигналов, осуществляются по закону непрерывной
функции. Они применяются в качестве усилителей, генераторов,
детекторов. Цифровая ИМС - такие схемы, в которых преобразование
сигналов, осуществляются по закону дискретной функции.

Вам также может понравиться