Физика твердого тела, 2012, том 54, вып.
12,13
К теории электронных состояний системы эпитаксиальный
графен−размерно-квантованная пленка
© З.З. Алисултанов 1 , Р.П. Мейланов 2
1
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН,
Москва, Россия
2
Институт проблем геотермии ДагНЦ РАН,
Махачкала, Россия
E-mail: zaur0102@gmail.com, lanten50@mail.ru
(Поступила в Редакцию 28 ноября 2011 г.
В окончательной редакции 8 декабря 2011 г.)
Рассматривается задача об эпитаксиальном графене, сформированном на тонкой металлической пленке при
наличии внешнего магнитного поля. Показано, что задача может быть решена с помощью техники функций
Грина в формализме Каданова–Бейма. Получены аналитические выражения для переходящего заряда как
функции магнитного поля и толщины пленки.
1. Повышенный интерес к изучению графена вызван
двумя обстоятельствами. Во-первых, графен благодаря
своим уникальным свойствам находит широкое при-
менение в наноэлектронике [1–3]. Во-вторых, графен
представляет собой идеальную систему для развития
и проверки теоретических моделей, так как он дает
возможность использовать безмассовые фермионы, не
имеющие аналогов среди элементарных частиц. По-
следнее обстоятельство позволяет наблюдать в графене
квантово-электродинамические эффекты, в частности
клейновское туннелирование [4,5], что обычно сопряже-
но с созданием больших полей.
Одним из актуальных направлений физики графена
является исследование электронных состояний графена,
сформированного на поверхности металлов и полупро-
водников (см., например, [6–12]). Интерес к изучению
свойств эпитаксиального графена, находящегося на по-
верхности металла, обусловлен тем, что при созда-
нии приборных структур на основе графена, а также
экспериментальном изучении свойств самого графена
необходимо иметь металлические контакты. Кроме то-
го, каталитический рост графена на поверхности пе-
реходных металлов является одним из методов полу-
чения графена. Большинство теоретических расчетов в
этом направлении делаются численными методами в
рамках формализма функционала плотности. Наряду с
этим для исследования системы графен−другая элек-
тронная система, где в качестве другой электронной
системы могут выступать адатом, металлическая или
полупроводниковая подложка, можно применить под-
ход, основанный на модельных гамильтонианах типа
Андерсона−Ньюнса [13,14], Халдейна−Андерсона [15].
Такой подход позволяет получать аналитические выра-
жения, что полезно для применения. В работах [10–12]
в рамках этих моделей были рассмотрены электронные
состояния эпитаксиального графена, сформированного
на поверхности металла и полупроводника, и исследован
зарядовый обмен между графеном и подложкой. В этих
1398
работах было показано, что в рамках указанных моделей
удается получить вполне адекватные результаты.
Особый интерес представляет исследование электрон-
ных состояний графена, сформированного на поверх-
ности низкоразмерных систем. Это связано с возмож-
ностью варьирования свойств низкоразмерных структур
и создания на их основе твердотельных структур с
управляемыми параметрами [16–20], что в свою очередь
интересно с точки зрения возможности создания управ-
ляемого воздействия на электронные состояния графена.
Следует отметить, однако, что исследование системы
графен–низкоразмерная структура по сравнeнию со слу-
чаем системы графен–макроскопическая структура име-
ет иные аспекты. Дело в том, что графен и низкораз-
мерная подложка находятся по типу структуры в равных
условиях (низкоразмерная структура на низкоразмерной
структуре). Следовательно, существенно не только вли-
яние подложки на электронные состояния графена, но и
влияние графена на электронные состояния подложки.
В настоящей работе в рамках модели Андерсона–
Ньюнса рассматриваются электронные состояния систе-
мы эпитаксиальный графен–металлическая пленка при
наличии магнитного поля. В духе теории линейного
отклика рассматривается влияние невозмущенной под-
ложки на эпитаксиальный графен. В Приложении с
тех же позиций обсуждается влияние графена на элек-
тронные состояния пленки. Самосогласованное решение
этой проблемы, когда учитывается как влияние графена
на подложку, так и влияние подложки на графен, доста-
точно затруднено.
2. Лист графена, находящегося на поверхности плен-
ки, можно представить как хемосорбированные атомы
углерода на этой поверхности, выстроенные в структуру
графена [10–12]. В связи с этим приведем общие выраже-
ния, получаемые в рамках техники функции Грина в фор-
мализме Каданова–Бейма применительно к хемосорбции
одиночного атома на поверхности пленки [16,21]. Исход-
К теории электронных состояний системы эпитаксиальный графен−размерно-квантованная пленка 1399

ные уравнения имеют вид Здесь εik — энергия электронов подложки, Ŵ — за-
X тухание одночастичных состояний в подложке, Re6 —
[ω − ελ ]g <
λ,λ ′ (ω) −
<
σλ,λ A
′′ (ω)g λ ′′ ,λ ′ (ω) перенормировка одночастичных состояний за счет взаи-
λ ′′ модействия (кулоновского и кристаллического потенци-
R
+ σλ,λ <
′′ (ω)g λ ′′ ,λ ′ (ω)

= 0, алов). Определяя самосогласованную энергию электро-
нов подложки согласно соотношению
X
[ω − ελ ]g R,A R,A R,A

λ.λ ′ (ω) − σλ,λ ′′ (ω)g λ ′′ ,λ ′ (ω) = δλλ′ . (1) Eik = εik (ω = Eik ) + Re 6ik (ω = Eik ),
λ ′′

Здесь λ — совокупность квантовых чисел, описывающих получим выражение для спектральной функции
движение электронов адатома, ελ — энергия электронов,
Ŵik (ω)
g < , g R,A — корреляционная функция, запаздывающая Aik (ω) = z ik , (6)
и опережающая функции Грина электрона адатома, (ω − Eik )2 + z 2ik Ŵ2ik (ω)
σ R,A — соответствующие массовые операторы, σ < — где
обобщенный интеграл столкновений. Массовый опера- ∂
z −1


тор σ R,A состоит из двух частей: σ R,A = σ0R,A + σint R,A
, где ik = 1 − εik (ω) + Re 6ik (ω) ω=Eik
∂ω
σ0 — массовый оператор изолированного адатома, σint — — константа перенормировки. Используя (1)−(6), окон-
вклад в массовый оператор адатома, обусловленный чательно можно получить следующее выражение для
взаимодействием с подложкой. Этот вклад имеет вид корреляционной функции адатома:
<(R,A) <(R,A)
X
σint,λ,λ′ (ω) = Vλ,ik (ω)G ik,i ′ k ′ (ω)Vi ′ k ′ ,λ′ (ω), (2) g < (ω) = f (ω)a(ω), (7)
ik
i ′k′
где спектральная функция адатома имеет вид
где G — функция Грина электрона подложки; i, k —
|V |2 Aik (ω)
P
совокупность квантовых чисел, описывающих движение ik
электрона в подложке, V — потенциал гибридизации. a(ω) =  2 . (8)
2 4
P
Система уравнений (1), (2) совместно с уравнениями [ω − εa (ω) − 3a (ω)] + |V | Aik (ω)
движения для функций Грина электронов подложки ik

описывает общий случай, когда учтены все возможные Здесь

взаимодействия адатомов с подложкой и между собой.
Случай графена интересен тем, что взаимодействие
X ω − εik (ω) − Re 6ik (ω)
3a (ω) = |V |2
2 .
между его атомами приводит к линейному (вблизи ik ω − εik (ω) − Re 6ik (ω) + Ŵ2ik (ω)
точки Дирака) энергетическому спектру электронов.
Следовательно, в дальнейших выражениях мы опускаем При анализе выражения для энергии адатома вводит-
часть массового оператора для изолированного адатома, ся самосогласованная
энергия согласно определению
считая σ0 учтенным при определении энергетического Ea = εa (ω) + 3a (ω) ω=E , которая в свою очередь пере-
a
спектра графена в отсутствие взаимодействия с под- нормируется обычным образом: Ea = εa + Un, где U —
ложкой. Кроме того, будем считать, что адатом имеет внутриатомное кулоновское отталкивание, n — возму-
один энергетический уровень. В этом случае выражение щение электронной плотности атома при взаимодей-
для корреляционной функции адатома, согласно (1), ствии с подложкой, εa — квазиуровень адатома. Возму-
принимает вид щение электронной плотности адатома при взаимодей-
R∞ <
ствии с подложкой дается выражением n = g (ω)dω.
g < (ω) = g R (ω)σint
<
(ω)g A (ω). (3) −∞
В настоящей работе, однако, мы пренебрегаем внутри-
Полагая, что потенциал гибридизации — постоянная атомным кулоновским взаимодействием.
<
величина, можно показать, что для σint (ω) имеет место Переход от одиночного адатома к эпитаксиальному
выражение X графену можно осуществить, следуя схеме, развитой в
<
σint (ω) = |V |2 G<
ik (ω). (4) работе [11]. Она заключается в том, что графен пред-
ik ставляется в виде адатомов углерода, выстроенных в
Для корреляционной функции электрона подложки структуру графена, а далее учитывается взаимодействие
имеем между этими адатомами. В работах [1,11] было пока-
G<
ik (ω) = f (ω)Aik (ω), (5) зано, что такая система обладает следующим законом
дисперсии:
f (ω) — функция распределения Ферми–Дирака,
Aik (ω) — спектральная функция подложки, ε± (k x , k y ) = εc ± t f (k x , k y ),
Ŵik (ω) где знак плюс относится к верхней зоне π ∗ ( =
Aik (ω) =
2 .
ω − εik (ω) − Re6ik (ω) + Ŵ2ik (ω) = ω − ε > 0), а минус — к нижней зоне

Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 7

1400 З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов

Рис. 1. Приведенная плотность состояний для эпитаксиального графена при различных значениях µ. При построении кривых
условно принято, что nF = 20.

π( = ω − ε < 0) [9], t — матричный элемент перехода квантуется:

между соседними узлами решетки адатомов, k x , k y —
1
квазиволновые векторы, описывающие движение E= (p2 + p2y ) + εi .
2m x
электрона в плоскости графена, εc — положение центра
квазиуровня изолированного адатома углерода. Функция Для спектральной функции подложки при этом имеем
f (k x , k y ) имеет вид
√ Ŵ(ω)
f 2 (k x , k y ) = 3 + 2 cos


3k x d A(ω) = z η  2 .
1
p
ω− 2m (p2x + p2y ) − εi + z 2px ,py Ŵ2 (ω)
+ 4 cos 3/2k x d cos(3k y d/2),

d — расстояние между соседними атомами решетки. Плотность состояний подложки

Нас, однако, будет интересовать случай малых волновых nF    
чисел, когда закон дисперсии можно представить в виде m X ω − εi π
ρ(ω) = z η arctg + ,
πL~2 z ηŴ 2
3 i=1
ε = εc ± td|q|, (9)
2
где L — толщина пленки, nF — число состояний под
где q = K − k, K — волновой вектор точки Дирака. уровнем Ферми. Для получения аналитических выра-
Дальнейшее рассмотрение зависит от конкретного жений воспользуемся приближением, в котором Ŵ → 0.
выражения спектра электронов подложки. Тогда для плотности состояний пленки имеем
3. Рассмотрим сначала случай отсутствия магнит-
ного поля. В этом случае энергия электронов в на- m X
ρ(ω) = z η 2(ω − εi ). (10)
правлении OZ, перпендикулярном плоскости пленки, πL~2 i

Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 7

К теории электронных состояний системы эпитаксиальный графен−размерно-квантованная пленка 1401

Для плотности состояний графена с помощью (8) и (9) подложку. Проводя сначала интегрирование по энерге-
получим тической переменной, получим
qB
F =1 Z 
2 nX
εi+1 − εc ∓ 32 tdq
  
ωc 3tdq B
2Ŵc Ŵc ∓ 2Ŵc +1 4Ŵc ωc n± = arctg
ρg (ω) = ln + iρη
3tdqB ωc2 3tdqB i=1 0
Ŵ2c
+1
εi − εc ± 23 tdq
 
   − arctg qdq, (14)
ωc
ωc 3tdqB iρη
× arctg − arctg
∓ , (11)
Ŵc
Ŵc 2Ŵc m 2
где ρη = z η πL~2 |V | . Интегрирование по импульсу дает
m P следующее выражение для переходящего заряда:
где Ŵc (ω) = π|V |2 ρ(ω) = π|V |2 z η πL~2 2(ω − εi ) =
i
F =1
nX
P
= Ŵ0 2(ω − εi ), ωc = ω − εc , qB — импульс обреза- 
i n± = Aε(i+1) − Aε(i) + B ε(i+1)
ния [8], индекс g указывает на то, что данное выражение i=1
относится к графену.
− B ε(i) ∓ (C ε(i+1) − C ε(i) ) , (15)
В безразмерных переменных
2 где

α∓µ 1 2 

M(α) M(α) +1
2α Aε(i) = qB arctg (εi − εc ) iρη ∓ µ ,
ρg (α) = ln + 2

2
µ α
+1 µ 2 2 h
i Ŵ0 
2 i
M(α)
B ε(i) = 1 ± (εi − εc ) iρη
   2
α α∓µ
× arctg − arctg , (12)
 


M(α) M(α) × arctg (εi − εc ) iρη ∓ µ − arctg (εi − εc ) iρη ,
" 
2 #
гдеP α = ωc /Ŵ0 , µ = ξ/Ŵ0 , ξ = 3tdq B /2, M(α) = i 2 Ŵ20 (εi − εc ) (εi − εc ) iρη ∓ µ + 1
C ε(i) = ln 
2 ,
= 2(Ŵ0 α + εc − εi ), µ — отношение энергии взаи- 2iρη (εi − εc ) iρη + 1
i
модействия атомов графена друг с другом к энергии µ = ξ/iρη , ξ = 3tdqB /2. При аппроксимации пленочного
взаимодействия графена с подложкой. потенциала прямоугольной ямой с бесконечно высокими
Для построения кривых плотности состояний восполь- стенками для энергии Ферми и толщины пленки, при
зуемся следующей аппроксимацией. Если рассматривать которой заполняется (i + 1)-энергетический уровень,
пленку в направлении оси OZ как прямоугольную потен- имеют место следующие выражения [22]:
циальную яму, то энергию уровней в пленке с достаточ-  2
π~2 NL 1 π~
ной степенью точности можно выразить через толщину εF = + (nF + 1)(2nF + 1),
2 2 mnF 2m L
пленки с помощью соотношения εi = ~mLi2 = ε0 i 2 . Если
взять пленку толщиной L ≈ 10−8 m, то для энергии π
L3s =
s(s + 1)(4s + 5), (16)
основного уровня ε0 получим значение порядка 0.01 eV. 12N
Далее положим εc = 0. Константу взаимодействия Ŵ0 где N — концентрация электронов в пленке. На рис. 2
возьмем равной 0.1 eV. На рис. 1 изображены зависимо- приведены результаты численного расчета зависимости
сти плотности состояний от энергетической переменной
при различных значениях величины µ.
Кривые, изображенные на рис. 1, похожи на кривые
плотности состояний, приведенные в работе [11]. От-
личие заключается в том, что на каждый дискретный
уровень пленки графен реагирует отдельно.
Интегрируя (10) по энергетической переменной от 0
до εF , получим величину переходящего заряда
ZεF
2
n± = |V | dωρg (ω)
0

ZqB
qdq
× 2
2 , (13)
ω − εc ∓ 32 tdq + |V |4 ρ(ω)

0

где знак плюс соответствует переходу заряда из подлож- Рис. 2. Зависимость величины переходящего заряда от приве-
ки в графен, а минус — переходу заряда из графена в денной толщины пленки. Кривая построена для µ = 1.

Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 7

1402 З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов

переходящего заряда от приведенной толщины пленки

l = L/10−10 m. Условно положено q2B /2 = 1.
Как видно из рис. 2, переходящий заряд достаточно
большой и существенно зависит от толщины пленки.
Интересно, что при некоторой толщине величина пере-
ходящего заряда максимальна. По-видимому, при этой
толщине реализуется некоторое резонансное состояние
между графеном и пленкой.
Как показывает численный расчет, при толщине 800  A
величина переходящего заряда составляет всего 0.055.
Для больших толщин размерные эффекты перестают
действовать. Вследствие этого величина переходящего
заряда перестает зависеть от толщины пленки. Значение
0.055 хорошо согласуется с экспериментальными дан-
ными работы [23], в которой исследовалась адсорбция
Рис. 3. Зависимость величины переходящего заряда от при-
графена на Ru(0001), а переходящий с субстрата на
веденной величины продольного магнитного поля b = B/1 T.
графен заряд равен 0.06. Кривая построена для µ = 10.
4. Рассмотрим систему эпитаксиальный графен–
металлическая пленка во внешнем магнитном поле, ко-
торое направлено параллельно поверхности подложки.
m ω1
Ось OZ направим перпендикулярно поверхности под- где ρk = |V |2 z k πL~ ω0 . Интегрирование по импульсу
ложки. Считаем, что величина магнитного поля такая, дает
что магнитная длина lB = (~/eB)1/2 (e — заряд электро-
F −1
nX
на, B — индукция магнитного поля) одного порядка с 
n± = Aε(n+1) − Aε(n) + B ε(n+1)
толщиной L пленки. Полагая, что пленочный потенциал
n=1
аппроксимируется выражением V (z ) = mω02 z 2 /2, можно

точно решить уравнение Шредингера и получить выра- − B ε(n) ∓ C ε(n+1) − C ε(n) , (18)
жение для энергии электрона
где
1

ω02 2
 
1
 1 2

E px ,py ,pz = 2
px + 2 py + ω1 n + , Aε(n) = q arctg (εn − εc )/nρk ∓ µ ,
2m ω1 2 2 B
n2 Ŵ20 h
2 i
B ε(n) = 1 ± (εn − εc )/iρk
q
где ω1 = ωc2 + ω02 , ωc = eB/m — циклотронная часто- 2
та, n = 0, 1, 2 . . . . 

× arctg (εn − εc )/nρk ∓ µ − arctg (εn − εc )/nρk ,


Для плотности состояний подложки получим
"
2 #
m ω1 n2 Ŵ20 (εn − εc ) (εn − εc )/nρk ∓ µ + 1
ρ(ω) = z k C ε(n) = ln
2 ,
π~L ω0 2nρk (εn − εc )/nρk + 1
nF    
X ω − ω1 (n + 1/2) π εn = ω1 (n + 1/2), µ = ξ/nρk , ξ = 3tdqB /2.
× arctg + .
z kŴ 2
n=1 Полученное выражение для переходящего заряда со-
В приближении Ŵ → 0 имеем следующее выражение для держит продольное магнитное поле. С помощью послед-
плотности состояний подложки: него можно регулировать величину переходящего заря-
да. На рис. 3 изображена зависимость переходящего за-
nF
m ω1 X
ряда от приведенного магнитного поля. При построении
ρ(ω) = z k 2 ω − ω1 (n + 1/2) . (17) кривой были использованы результаты работы [24], где
~L ω0
n=1
экспериментально измерялось поглощение инфракрас-
Интегрируя по энергетической переменной плотность ного излучения системой двумерных квантовых точек.
состояний графена, получим следующее выражение для В этой работе, для теоретических оценок измеряемых
переходящего заряда: величин, латеральный потенциал для квантовых точек
был аппроксимирован выражением V (r) = mω02 r 2 /2. Та-
q B"
F −1 Z
nX
!
ω1 (n + 3/2) − εc ± 32 tdq кая параболическая аппроксимация была подтверждена
n± = arctg во многих экспериментальных и теоретических работах
nρk
n=1 0 (см. например [25]) и используется в настоящей работе.
!# В работе [24] были использованы следующие значения
ω1 (n + 1/2 − εc ∓ 32 tdq параметров: ~ω0 = 0.01 eV, m ≈ 0.01me . Мы также ис-
− arctg qdq,
nρk пользуем эти значения.

Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 7

К теории электронных состояний системы эпитаксиальный графен−размерно-квантованная пленка 1403

Из рис. 3 видно, что переходящий заряд существенно
зависит от величины продольного магнитного поля. При
больших значениях магнитного поля переход заряда
практически прекращается. Это можно объяснить тем,
что при больших магнитных полях электроны все боль-
ше оказываются локализованными внутри пленки.
5. Особый интерес представляет рассмотрение систе-
мы графен–размерно-квантованная пленка в поперечном
магнитном поле, так как в этом случае от магнитного
поля начинают зависеть как спектр подложки, так и
спектр графена. Энергия электронов подложки оказыва-
ется полностью квантованной, т. е.
 
1 электронные состояния размерно-квантованной пленки.
Ei,n = εi + ωc n + .
2 Спектральную функцию пленки с учетом взаимодей-
Плотность состояний подложки
X Ŵ
ρ(ω) = z⊥ 
 2
i,n ω − εi − ωc n + 21 + z 2⊥ Ŵ2
поля качественно совпадает с результатом работы [16],
где этот вопрос исследовался для отдельного адатома.
Зависимость же переходящего заряда от толщины плен-
ки в отличие от работы [16], уменьшается с увеличением
толщины. По-видимому, это связано с особенностями
электронных свойств графена.
Авторы выражают благодарность С.Ю. Давыдову за
интерес к работе и ценные замечания.
Приложение
Рассмотрим возможность учета влияния графена на
ствия с подложкой можно записать в виде
Ŵ + π|V |2 ρig (ω)
A(p, ω) =  2
2 . (51)
. p2
ω− − εi + Ŵ + π|V |2 ρig (ω)
2m

Легко показать, что плотность состояний изолированно-

Для того чтобы найти плотность состояний графена, го графена имеет вид
заметим, что спектр его электронов также полностью 4ω

3

квантован ρig (ω) = 2 tdqB − ω . (52)
p 3tdqB 2
Eg = εc ± ~v F 2neB/(~c). (19)
Тогда для плотности состояний пленки можно записать
С учетом этого получаем Z
ρ(ω) = A(p, ω)d p
ρg (ω0 = |V |2 z ⊥
 nF n   o
ω − εi π
m P
arctg + при ω < 32 tdqB ,
  
δ ω − εi − ωc n + 12

 πL~2
 Ŵ+4ωπ|V |2 /3tdq B 2
X i=1
× =
i2  , nF n
h   o
2 K(ω) 2 m
arctg ω−ε π
при 23 tdqB < ω.
P
+
p   i
n,i ω − εc ± ~v F 2neB/(~c) + |V |4 ρ⊥
 2
 πL~ Ŵ 2
i=1
(20) (53)
где Таким образом, влияние графена существенно лишь в
X Ŵn,i области ω < 32 tdqB . С учетом этого плотность состояний
K(ω) =   2 . пленки можно записать в виде
n′ i ′ ω − εi − ωc n + 21 + Ŵ2n′ i ′ 3  m
ρ(ω) = 2 tdqB − ω
Интегрируя это выражение по энергетической перемен- 2 πL~2
nF n
ной, получим выражение для переходящего заряда X  ω − εi  πo
× arctg +
nF 
"   Ŵ + 4ωπ|V |2 /3tdqB 2
X 1 i=1
n± = εi + ωc n + nF n
n,i
2  3  m X ω − ε  π o
i
+ 2 ω − tdqB arctg + . (54)
2 πL~2 Ŵ 2
2 #−1 i=1
2
4 ρ⊥
p
− εc ∓ ~v F 2neB/(~c) + |V | 2 , (21) В приближении Ŵ → 0 получаем
Ŵn,i  
3 m
ρ(ω) = 2 tdqB − ω
содержащее поперечное магнитное поле. Для получе- 2 πL~2
ния последнего выражения пренебрегли величинами nF    
∼ (Ŵ/ωc )2 ≪ 1. Как показывают расчеты, качественная X ω − εi π
× arctg +
зависимость переходящего заряда от величины попереч- 2γω 2
i=1
ного магнитного поля остается такой же, как и в случае
nF
продольного магнитного поля.
 
3 m X
Таким образом, величина переходящего заряда в си- + 2 ω − tdqB 2(ω − εi ), (55)
2 πL~2
i=1
стеме графен–размерно-квантованная пленка существен-
2
но зависит от толщины пленки и приложенного магнит- где γ = 2π|V | /3tdqB . Заметим, что величина γω в пер-
ного поля. Зависимость перехода заряда от магнитного вом слагаемом выражения (П5) всегда меньше единицы.

Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 7

1404 З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов

Если рассматривать пленку в направлении оси OZ [13] P.W. Anderson. Phys. Rev. 124, 41 (1961).
как прямоугольную потенциальную яму, то энергию [14] D.M. Newns. Phys. Rev. 178, 1123 (1969).
уровней в пленке с достаточной степенью точности [15] F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B 13, 2553
можно выразить через толщину пленки с помощью (1976).
2 2 [16] Р.П. Мейланов, Б.А. Абрамова, М.М. Гаджиалиев,
соотношения εi = ~mLi2 = ε0 i 2 . Пусть энергия обрезания
3
В.В. Джабраилов. ФТТ 44, 12 (2002).
2 tdq B порядка энергии первого уровня пленки ε0 . Тогда [17] Р.П. Мейланов, Б.А. Абрамова, Г.М. Мусаев, М.М. Гаджи-
влияние графена существенно лишь в области ω < ε0 , алиев. ФТТ 46, 1076 (2004).
т. е. графен занимает лишь первый уровень пленки. [18] Р.П. Мейланов, Б.А. Абрамова. ФТТ 50, 2097 (2008).
Получим значение толщины пленки, при котором зани- [19] Ю.Е. Лозовик, С.Ю. Волков. ФТТ 45, 345 (2003).
мается первый уровень, [20] Р.З. Витлина, А.В. Чаплик. Письма в ЖЭТФ 78, 1147
(2003).
3 ~2 [21] Л. Каданов, Г. Бейм. Квантовая статистическая механика.
tdqB = . Мир, М. (1964). 256 с.
2 mL2
[22] А.С. Кондратьев, А.Е. Кучма. Электронная жидкость нор-
Отсюда получаем мальных металлов. Изд-во ЛГУ, Л. (1980). 200 с.
s [23] L. Kong, C. Bjekevig, S. Gaddam, M. Zhou, Y.H. Lee,
2~2 G.H. Han, H.K. Jeong, N. Wu, Z. Zhang, J. Xian, P.A. Dow-
L= . ben, A. Kelber. J. Phys. Chem. C. In press.
3tdqB m
[24] Ch. Sikorski, U. Merkt. Phys. Rev. Lett. 62, 2164 (1989).
Взяв в качестве энергии обрезания значение 0.1 eV, [25] А.В. Чаплик. Письма в ЖЭТФ 50, 38 (1989).
получим толщину L = 10−8 m. Это значит, что, когда
толщина пленки меньше полученного значения, графен
занимает лишь первый дискретный уровень.
Расчеты проведены для первого уровня. Однако нельзя
утверждать, что при увеличении толщины увеличивается
также и влияние графена на пленку. Дело в том, что
при увеличении толщины увеличивается также и общее
количество заполненных уровней, и здесь уже важ-
но не заполнение графеном определенного количества
уровней, а отношение общего количества заполненных
уровней к числу уровней, занимаемых графеном. Можно
сказать, что отношение количества уровней, занимаемых
графеном, к общему числу заполненных уровней (т. е.
уровню Ферми) есть параметр, определяющий влияние
графена на пленку. Этот параметр зависит от толщины.

Список литературы
[1] A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov,
A.K. Gaim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2008).
[2] Ю.Е. Лозовик, С.П. Меркулова, А.А. Соколик. УФН 178,
757 (2008).
[3] M. Hongki, R. Bistritzer, Jung-Jung Su, A.H. Mac Donald.
arXiv:0802.3462v2 (2008).
[4] M.I. Katsnelson, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Nature Phys. 2,
620 (2006).
[5] C.W.-J. Beenakker. arXiv:0710.3848.
[6] G. Giovannetti, P.A. Khomyakov, G. Brocks, V.M. Karpan,
J. Van den Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. Lett. 101, 026 803
(2008).
[7] P.A. Khomyakov, G. Giovannetti, P.C. Rusu, J. Van den
Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. B. 79, 195 425 (2009).
[8] P.A. Khomyakov, A.A. Starikov, G. Brocks, P.J. Kelly. arXiv:
0911.2027.
[9] M. Vanin, J.J. Martensen, A.K. Kelkkanen, J.M. Garcia-Lastra,
K.S. Thygessen, K.W. Jacobsen. arXiv: 0912.3078.
[10] С.Ю. Давыдов. Письма в ЖТФ 37, 10, 64 (2011).
[11] С.Ю. Давыдов. ФТП 45, 629 (2011).
[12] С.Ю. Давыдов. ФТП 45, 1102 (2011).

Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. 7