Слайд- 13

- Как показано на рисунке, относительная важность каждого механизма

рассеяния зависит от эффективного электрического поля.
-В малых полях преобладает примесное рассеяние из-за сильных
кулоновских взаимодействий между носителями и примесными.
-При очень высоких полях носители притягиваются ближе к границе
затворного оксида Si-SiO2. таким образом, рассеяние на шероховатости
поверхности ухудшает подвижность носителей.
-значения низкопольной и высокопольной подвижности измеряются при Eeff
= 0,5 МВ/см и 1 МВ/см соответственно.
Электронная подвижность
Эффективное поле
- При изменении температуры изменяется относительная важность каждого
из механизмов рассеяния.
- Рассеяние примесей становится тем значительнее, чем медленнее движутся
носители (уменьшается тепловая скорость).

Слайд- 14
-Как показано на рис, распределение потенциальной энергии в канале
транзистора имеет максимум E max вблизи истокового конца устройства.
-Носители с более высокой энергией, чем E max, могут передаваться через
барьер в процессе термоэлектронной эмиссии.
-Носители с более низкими энергиями могут перемещаться от истока к стоку
только путем квантово-механического туннелирования через потенциальный
барьер канала.

Слайд- 15
-Необходимо разработать будущие транзисторы, чтобы максимизировать
вероятность баллистического транспорта.
-Конструкция двухзатворного полевого МОП-транзистора в тонком корпусе
вызвала большой интерес из-за его отличной устойчивости к вредным
воздействиям короткого канала.
-Эта структура, в частности, помогает в продвижении баллистических
носителей из-за канала с низким содержанием примесей и природы двойных
затворов.
-Основная цель состоит в том, чтобы уменьшить вероятность утечек в
инверсионном слое MOSFET и увеличить длину свободного пробега.
-Необходимость минимизировать рассеяние на шероховатости поверхности
Из-за больших электрических полей, испытываемых носителями в
инверсионных слоях МОП-транзисторов.
-Для минимизации влияния этого механизма рассеяния задачу можно решить
с двух точек зрения: улучшить качество интерфейса Si-SiO2 и уменьшить
нормальное электрическое поле.
-Уменьшение нормального электрического поля является более
жизнеспособным вариантом.
- Снижение рабочей температуры транзистора уменьшает рассеяние фононов
и увеличивает коэффициент переноса носителей и, следовательно,
вероятность баллистического переноса.
-Для снижения температуры транзистора можно использовать жидкий азот.
Потому что жидкий азот может создавать микроскопические кристаллы льда.

Слайд- 16
-Другой подход заключается в использовании CNTFET, устройства с более
высокой производительностью, чем MOSFET.
-Полевой транзистор с углеродными нанотрубками (CNTFET) представляет
собой полевой транзистор, в котором в качестве материала канала
используется одна углеродная нанотрубка или массив углеродных
нанотрубок вместо объемного кремния в традиционной структуре MOSFET.
-В этом типе транзисторов с нанотрубками проводимость канала
контролируется затвором, как в МОП-транзисторах.
-CNTFET также работает как «транзисторы с барьером Шоттки».
-Он контролирует разницу энергий между краем валентной зоны
полупроводника и энергией Ферми металла.
Слайд- 17

-В этой системе в качестве нанопроводов используются нанотрубки. Поэтому

необходимо, чтобы между собой соединялись нанотрубки.
-Необходимо понимать пассивный импеданс (1d system) одномерной
системы по переменному
току, чтобы соединить нанотрубки.
-Слой грунта под нанотрубкой или верхний затвор над нанотрубкой, между
нанотрубкой и металлом возникает электростатическая емкость.
-Однако из-за квантовых свойств 1d-систем к импедансу переменного тока
добавляются два дополнительных компонента: (1) квантовая емкость и (2)
кинетическая индуктивность.
-Таким образом, эквивалентная схема нанотрубки состоит из 3
распределенных элементов схемы, как показано на рис.

CES - Электростатическая емкость

CQ - Квантовая емкость
LK - Кинетическая индуктивность

Слайд- 17
- На этом слайде представлена модель эквивалентной схемы слабого сигнала,
основанная на сочетании известной физики в пределе слабого сигнала и
общего поведения всех полевых устройств.
-На рисунке показана модель небольшой сигнальной цепи для транзистора с
нанотрубками.
-Первым важным эффектом для высокочастотных характеристик является
время RC. (Для типичной геометрии нанотрубки длиной 0,1 мкм C имеет
порядок 4 aF. R может составлять всего 6,25 кΩ. Следовательно, частота RC
определяется выражением)
- полученная частота RC
-Это показывает, что ограничение скорости из-за времен RC, присущих
транзистору с нанотрубками, действительно очень велико

-Крутизна gm над емкостью затвор-исток Cgs задает еще одну важную

частоту. Используя экспериментально измеренное значение, равное 13 мкс,
это дает

-Эти оценки показывают, что транзистор из углеродных нанотрубок может

быть очень быстрым, несмотря на его высокий импеданс.

Слайд- 18
-На этом рисунке показаны прогнозы fT и длины затвора для транзистора с
нанотрубками.