УДК 621.316.9
The work represents the existed methods analysis of technical condition evaluation of overvoltage limi-
ters of different types and manufacturers on the field experience and emergency analysis base. The authors
have determined the parameters, which are necessary to be taken into account during diagnosing and overvol-
tage limiter inspection test before installation.
Key words: overvoltage limiters, diagnosing, thermal imaging control.
стиками как друг от друга, так и от первых вы- Iап – активный ток проводимости, обусловлен-
пусков ОПН. ный связанными зарядами (диэлектрическими
В [6] предлагается нормировать только два потерями), зависящий от частоты и свойств
параметра ОПН без учета их конструктивных диэлектрика (ε):
особенностей, зависящих от изготовителей:
– активное сопротивление (R), которое Iап = f(U, ε, ω);
для всех типов ОПН должно быть более Iрп – реактивный ток проводимости (ток смеще-
3000 МОм независимо от модификации; ния), обусловленный связанными зарядами, за-
– величину тока проводимости (Iпр) для висящий от частоты и свойств диэлектрика (ε):
приведенного в [6] перечня типов ОПН, при-
чем, «устаревших» и снимающихся с произ- Iрп = f(U, ε, ω);
водства. ε – диэлектрическая проницаемость (ДП).
В [5] рекомендуют проведение тепловизи- Для металлов и полупроводников:
онного контроля, при этом браковку предлага- – Iсв, обусловленный свободными заряда-
ется производить методом сравнения резуль- ми, значительно больше составляющих Iапр и Iрпр;
татов измерений ОПН, установленных в раз- – значение Iапр на переменном токе прак-
ных фазах. тически равно значению Iпр на постоянном токе.
Анализ технической документации произ- Для диэлектриков, наоборот, ток, обу-
водителей ОПН показывает, что предлагаются словленный свободными зарядами, составля-
разные подходы к нормированию контрольных ет небольшую часть. Реактивная составляю-
параметров ОПН, полученных при испытаниях, щая тока проводимости (Iрпр), зависящая от
для определения их пригодности к длительной свойств материала, превышает значение Iапр.
эксплуатации: Поэтому для оценки свойств диэлектриков и
– многими предприятиями нормируется введена характеристика – тангенс угла диэлек-
только Iпр при испытательном напряжении
трических потерь (tgδ), равный отношению ак-
(Uисп) или величина напряжения на ОПН при
тивного тока (Iапр ) к реактивному (Iрпр):
определённой величине Iпр;
– некоторые предприятия дополнительно tgδ = Iапр / Iрпр.
к Iпр устанавливают норму на активную состав-
ляющую тока проводимости (Iапр); Учитывая, что
– ряд предприятий устанавливают кон- Iапр = Iсв + Iап,
троль частичных разрядов.
Но чаще всего нормирование проводит- Iрпр = Iпр,
ся по одному параметру – Iпр. При этом браков- получим
ка ОПН осуществляется по одному (двум) при-
знакам: tgδ = (Iсв + Iап) / Iрп.
y превышение величины Iпр более 1 мА Для выявления причин повреждений
или выход за границы допустимого диапазона ОПН и уточнения представлений о свойствах
Iпр (для конкретного типа ОПН); ОПН проведены испытания ОПН 6-220 кВ.
y отклонение значения Iпр при вводе и в Первоначально проведены испытания
период эксплуатации от значения Iпр при испы- ОПН 6 кВ и получены значения следующих па-
тании на заводе. раметров: R; вольт-амперные характеристики
Однако для более качественной оценки (ВАХ) на постоянном и переменном токе; ем-
технического состояния ОПН, кроме вышеука- кости на частотах 2 и 50 Гц; tgδ в зависимости
занных двух традиционных параметров, необ- от Uисп; Iапр по методу компенсации емкостной
ходимо использование диэлектрических составляющей.
свойств ОПН, проявляющихся при напряжени- В процессе испытаний были получены
ях, не превышающих наибольшее длительно следующие зависимости:
допустимое рабочее напряжение. • Iпр от постоянного напряжения U=исп;
Известно, что ток проводимости (Iпр) в ма-
• Iапр от переменного напряжения U∼исп
териальных средах в общем случае состоит из
частоты 50 Гц.
активной и реактивной составляющих:
Анализ и сопоставление этих зависимо-
Iпр = Iапр+ Iрпр, стей (см. рисунок) показывает, что при ампли-
тудных значениях U∼исп , равных U=исп (при рав-
где
ных мгновенных значениях переменного и соот-
Iапр = Iсв + Iап; ветствующего постоянного напряжений), ампли-
туда Iпр на U∼исп значительно выше соответст-
Iсв – ток проводимости, обусловленный сво-
бодными зарядами, практически не зависящий вующей величины Iпр при U=исп. Это означает, что
ток Iапр обусловлен, прежде всего, связанными
от частоты (ω):
зарядами, т.е. диэлектрическими потерями.
Iсв = f(U);
700
650
600
500 435
1
391
Ток, мкА
400
300
240
200 146
2
94
67 79 77
38 54 65
100 27
15 45
3 9
0,2 0,5 1,5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 10,1 10,2
Напряжение, кВ
Сравнительные значения токов проводимости ОПН при постоянном и переменном напряжении: 1 – переменное напряжение;
2 – постоянное напряжение
Материал Напряжение, кВ
Параметр
корпуса 2 5 10 20 30 40 50 60
Емкость, пФ 9,75 9,82 9,94 9,95 9,96 9,97 9,99 10,13
Полимерный
tgδ, % 12,9 13,6 13,8 13,9 14,4 15,0 16,0 17,8
Емкость, пФ 32,9 32,8 32,7 32,4 31,5 30,6 29,9 29,2
Фарфоровый
tgδ, % 3,8 3,9 4,0 4,2 4,6 5,0 5,7 6,4
Известные свойства материала НС [1] и следует, что составляющая Iапр при Uисп и ниже
результаты измерений подтверждают пра- обусловлена, прежде всего, диэлектрическими
вильность представлений об ОПН, который потерями материала.
представляет собой набор варисторов, коли- В диапазоне от 0 до Uисп ток Iпр состоит
чество которых рассчитано на соответствую- из емкостной составляющей, так как за счет
щее Uраб, и имеет вольт-амперную характери- значительной диэлектрической проницаемости
стику (ВАХ), согласованную с защищаемым емкость варистора превышает емкость других
оборудованием. ВАХ принципиально имеет три конструкций ОПН.
участка: первый обусловлен емкостной прово- Анализируя результаты проведенных
димостью и активной проводимостью (за счет многочисленных испытаний, материалы рас-
термоэлектронной проводимости и диэлектри- следований реальных повреждений ОПН и
ческих потерь в межкристаллической прослой- учитывая физические свойства материала не-
ке (МКП)); второй – обусловлен в основном линейных резисторов, можно указать причины
туннельным эффектом в МКП и третий – соб- выхода их из строя (табл. 2).
ственной проводимостью оксида цинка. При повреждении варистора, сопровож-
Материал варистора по структуре состо- дающегося пробоем МКП (при термоэлектри-
ит из кристаллов оксида цинка и МКП из окси- ческой перегрузке), растут пропорционально
дов различных металлов с добавками. МКП и как активная, так и реактивная составляющие
определяет свойства ОПН. МКП, подобно ок- Iпр. Браковка возможна по величине Iпр, и вы-
сиду цинка, является полупроводниковым ма- деление Iапр не целесообразно.
териалом, но с более низкой проводимостью При изменении внутренней структуры
(меньше на несколько порядков) и более ши- варистора без пробоя МКП (например, при
рокой запрещенной энергетической зоной. При старении) происходит рост Iапр без изменения
этом в диапазоне изменения приложенного других свойств. В этом случае браковка ОПН
напряжения от 0 до Uисп варистор имеет ярко производится только по Iапр. Величина Iпр прак-
выраженные свойства нелинейного диэлектри- тически не меняется. Не происходит сущест-
ка с относительной диэлектрической прони- венного изменения Iпр при появлении iу, значе-
цаемостью (ε), имеющей порядок, как у сегне- ние которого меньше Iпр, связанного с тем, что
тоэлектриков. То есть электронная и тепловая фаза угла Iпр сдвинута по отношению к Iапр
проводимости варисторов в диапазоне 0–Uисп примерно на 90о.
практически полностью отсутствуют. Сам не- Повреждения ОПН вызывают последст-
линейный резистор ОПН при Uраб имеет харак- вия, в результате которых происходит выход
теристики изолятора, у которого превалирует ОПН из строя (табл. 3).
емкостной характер проводимости. Отсюда
Значение Iапр при Uисп обусловлено, преж- дать при использовании одновременно ре-
де всего, диэлектрическими потерями мате- зультатов измерения tgδ и снятия термограмм.
риала варистора, сравнительно небольшой со- Наличие же механических повреждений (тре-
ставляющей его электронной проводимости и щин, пустот, зазоров между деталями) при не-
iу. Диэлектрические потери определяют основ- качественной сборке можно выявить только по
ную часть тока Iапр, порядок которого составля- наличию частичных разрядов.
ет 5–10% от Iпр. Учитывая вышеизложенное, можно сде-
Поэтому по Iапр можно определить начальную лать заключение: существующие в настоящее
стадию процесса увлажнения, термоэлектриче- время методы нормирования некоторых пара-
ское повреждение, старение варисторов, повреж- метров не позволяют полностью выявлять
дение и дефекты изоляционных материалов. весь перечень возможных дефектов ОПН,
Отдельные виды неисправностей ОПН имеющих различную физическую природу.
можно выявить по его параметрам (табл. 4). Поэтому при диагностировании не всегда
Учитывая вышеприведенное, можно отме- делаются правильные выводы о состоянии и
тить, что каждый нормируемый параметр ОПН причинах возникновения дефектов, что за-
может выявить только отдельные виды дефектов. трудняет определение и прогнозирование тех-
Оценка технического состояния ОПН на нического состояния ОПН.
основе учета совокупности различных пара- Браковка ОПН по минимальному числу
метров определяет полноту и эффективность параметров уменьшает надежность заключе-
диагностирования. Например, если выделение ния по результатам испытания, так как любой
Iапр из Iпр при контроле ОПН представляет оп- отдельный параметр не может отразить нали-
ределенные технические трудности, то тепло- чие всех возможных видов дефектов, которые
визионный контроль позволяет выделить не- могут возникнуть (возможные сценарии про-
исправные ОПН. Однако тепловизионный кон- цесса возникновения неисправностей при ис-
троль надежно дает только качественную следовании ОПН см. в табл. 5).
оценку. Но поскольку рост Iапр и нагрев ОПН
связан с ростом tgδ, надежную браковку можно