Дифракция Фраунгофера от одной щели

Цель работы: изучить дифракционные картины от одной и от двух щелей в

монохроматическом свете; определить размеры щелей.
Приборы и принадлежности: модульный лабораторный учебный комплекс
по оптике (МУК-О), миллиметровая линейка, лист белой бумаги.
Порядок выполнения работы
1. По приложению к лабораторным работам ознакомьтесь с устройством оптического
блока.
2. Выведите из рабочей зоны оптические узлы 4, 5, 6, 7, плавно поворачивая их в
левую сторону до упора.
3. На верхнюю крышку электронного блока положите лист белой бумаги, который
будет играть роль экрана.
4. Убедитесь, что кнопки «лазер, лампа» отжаты.
5. Включите электропитание установки кнопкой 22 «Сеть».
6. Включите лазерный источник света, нажав кнопку, при этом должен загореться
соответствующий индикатор
7. Вращая турель, установите одиночную щель (см. пиктограмму) под лазерным
источником в положение, когда плоскость щели параллельна фронту падающей световой
волны. При этом риска на втулке должна указывать на 0°
8. Отметьте на бумаге положения центров минимумов интенсивности света, начиная
с минимума первого порядка.

m L
a
xm
a i   a  a i
a
  100
a
Дифракиця Фраунгофера от одной
щели L=[мм] 370 λ=[мкм] 0,65
m 2xm, мм xm, мм a, мкм <a>, мкм Δai,мкм Δa, мкм ε, %
1 16 8 30,063 0,445
29,152 0,060
2 33 16,5
29,449 0,003
3 49 24,5
29,600 29,39566 0,042 0,01785 0,060719
4 65 32,5
29,329 0,004
5 82 41
29,152 0,060
6 99 49,5
29,026 0,137
7 116 58
 Дифракция Фраунгофера от двух щелей
1. Установите, повернув турель 2, на место одиночной щели пластинку с
двумя щелями. Убедитесь, что плоскость пластинки параллельна фронту
падающей волны, при этом риска на втулке 2a должна указывать на 0°.
2. Отметьте на листе бумаги положения главных минимумов (см.
рисунок) интенсивности света.
3. Запишите количество N главных максимумов, наблюдаемых между
главными минимумами первого порядка.
m L
a
xm
a i   a  a i
a
  100 
a
 a  (N  1)
d
2
b  d  a 

N= 3 L=[мм] 370 λ=[мкм] 0,65

m 2xm, мм xm, мм a, мкм <a>, мкм Δai,мкм Δa, мкм ε, % d, мкм b, мкм
2 40 20 24,05 0
3 60 30 24,05 0
4 80 40 24,05 24,05 0 0,00 0,00 48,1 24,05
5 100 50 24,05 0
6 120 60 24,05 0
 Сопротивление полупроводников от температуры

1. Составить электрическую цепь

2. Определить сопротивление образца при комнатной температуре.
Повышая температуру измерять сопротивление через 5-10 ˚С
3. Температуру определяем термометром. Нагревание производим до 60
˚С
4. Определить сопротивление образца при охлаждении через 5-10 ˚С до
комнатной температуры
5. Окончить измерения, найди средние значения сопротивления при
каждой данной температуре.
6. Результаты опыта занести в таблицу

№ R, Ом 20 25 30 35 40 45 50 55 60
1 Rн 1042 1021 1002 982 964 944 926 907 889
2 Rох 1030 1015 1000 985 968 952 935 916 895
3 Rср 1036 1018 1001 983,5 966 948 930,5 911,5 892

7. Результаты измерений изобразить графически. На график наносим

результаты эксперимента Rcр. Построить графики зависимостей
сопротивления от температуры R=f(T) и логарифма сопротивления от
обратной температуры lnR=f(1/T)

R
1050
1000
950
900
850
800
20 25 30 35 40 45 50 55 60

LnR
7,00
6,95
6,90
6,85
6,80
6,75
6,70
 8. Найти коэффициенты линейной зависимости согласно методу
наименьших квадратов. И представить выражение в виде:

E g 1
ln R   lg R  y  ax  b
2k T

a  x i2  b x i   x i yi

a  x i  bn   yi

X (1/T) 3*10-3 3*10-3 3,13*10-3 3,13*10-3 3,23*10-3 3,23*10-3 3,33*10-3 3,43*10-3 3,43*10-3 0,028803

y (lnR) 6,79 6,82 6,84 6,85 6,87 6,89 6,91 6,93 6,94 61,84039

x^2 9,02*10-6 9,3*10-6 9,59*10-6 9,89*10-6 1,02*10-5 1,05*10-5 1,09*10-5 1,13*10-5 1,16*10-5 9,23*10-5
0,0204 0,0208 0,0212 0,0216 0,0220 0,0224 0,0228 0,0232 0,0237 0,1980
x*y

Матрица 0,000092 0,028803 0,198

аппроксимации 0,028803 9,000000 61,840

Обратная 6351770 -20327,82 a= 361,3965

матрица -20327,82 65,16705 b= 5,714562

9. Согласно полученным коэффициентам рассчитать ширину

запрещенной зоны для данного полупроводника

 ln R E g
tg   a
1 2k

T
E g  2k  tg  2k  a  0, 062 эВ
Напряженность горизонтальной составляющей магнитного поля
земли
1. Собрать электрическую цепь лабораторной установки по
схеме. Источником напряжения служит выпрямитель ВС-24М. С
помощью переключателя К изменяют направление тока, текущий
 через тангенс-гальванометр tgG (для используемого tgG n=10
витков, R=135 мм).
2. Установить tgG так, чтобы плоскость витков катушки
совпадала с плоскостью магнитного меридиана, т.е. чтобы
магнитная стрелка располагалась в плоскости витков катушки,
указывая при этом на Север (S) и Юг (N).
3. Регулятор напряжения V на панели выпрямителя вывести в
крайнее левое положение. Включить выпрямитель и поставить
переключатель К в левое или правое положение. Регулятором
напряжения V установить некоторый ток в цепи I. Зафиксировать
угол ф) отклонения магнитной стрелки. Перекинуть ключ К в
противоположное положение и также зафиксировать угол
отклонения стрелки ф2. Это необходимо для нахождения
среднеарифметического значения угла отклонения магнитной
стрелки ф=<ф,>, т.к. всегда имеется неточность в установлении
плоскости магнитного меридиана.
4. Выполнить пункт 3 для 3-5 измерений тока
5. Результаты записать в таблицу
H0, <H0>
I,А φ1 φ2 φср tg φ А/м А/м ΔH, А/м ε, %
0,5 60 50 55 1,43 12,97 5,27
0,3 40 40 40 0,84 13,24 4,09
0,7 60 60 60 1,73 14,97 15,26 0,09 1,01 7
1,8 70 80 75 3,73 17,87 6,77
1 70 60 65 2,14 17,27 4,03

IN
H0 
2R  tg