2014 ВЕСТНИК НОВГОРОДСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА №81

РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

УДК 621.382.4

ШИРОКОДИАПАЗОННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ФОТОДИОД

В.В.Гаврушко, В.А.Ласткин*

WIDE-RANGE SILICON PHOTODIODE

V.V.Gavrushko, V.A.Lastkin*
Институт электронных и информационных систем НовГУ, Valery.Gavrushko@novsu.ru
*ОАО «ОКБ Планета», Великий Новгород
Приведены сведения о технологии получения и свойствах кремниевого фотоприемника, полученного мелкой
имплантацией мышьяка на глубину 0,2 мкм. Произведено сравнение традиционного диффузионного фотодиода и фотодиода с
мелким р-n переходом, которое продемонстрировало существенное расширение диапазона спектральной чувствительности у
предлагаемого фотоприемника. Приведены электрические характеристики полученного фотодиода.
Ключевые слова: ионная имплантация, кремний, фотодиод, спектральная чувствительность, обратный ток,
емкость

This article contains information about the technology and properties of silicon photodetector being obtained by the implantation
of arsenic to a depth of 0.2 µm. We carried out the comparison of a standard diffusive photodiode and the new one having shallow p-n
junction which demonstrated an increase in spectral response range of the new sensor. Some electrical characteristics of the
photodetector are presented.
Keywords: ion implantation, silicon, photodiode, spectral response, inverse current, capacity

крыта тонкой полупрозрачной металлической плен-

1. Введение
кой, характеризуется трудностями в достижении вос-
Для решения некоторых задач в оптоэлектро- производимости и контроле формирования тонких
нике требуются фотоприемники с хорошей чувстви- металлических пленок. Кроме того, невысокое каче-
тельностью в широком спектральном диапазоне. На- ство барьера Шоттки может приводить к большим
пример, такие фотоприемники нужны для проведения значениям темнового тока. Более интересным, на наш
спектральных измерений, их потребность обусловле- взгляд, является фотодиод с супер мелким p-n-
на развитием литографии, астрофизики [1]. Традици- переходом, который должен быть свободен от ука-
онные кремниевые диффузионные фотодиоды обла- занных недостатков [4]. В настоящей работе приве-
дают ярко выраженной неоднородной спектральной дены результаты сравнения традиционного диффузи-
характеристикой с максимумом в видимой или ближ- онного фотодиода и фотодиода с мелким p-n-
ней инфракрасной области спектра. При этом они переходом, полученным методом ионной импланта-
имеют значительно худшую чувствительность в ции.
ультрафиолетовой области, что сужает их спектраль-
2. Технология получения прибора
ный диапазон и ограничивает применение. Низкая
УФ чувствительность является следствием значи- На рис.1 представлена структура разработан-
тельного влияния на фототок процесса поверхност- ного фотоприемника.
ной рекомбинации в коротковолновой области спек-
тра.
Для расширения спектрального диапазона
можно использовать инверсионные и поверхностно-
барьерные типы фотодиодов [2,3]. Фотодиоды с ин-
версионным слоем, формируемым на поверхности
подложки непосредственно под окисной плёнкой,
обладают невысокой надежностью, так как при воз-
действии высокоэнергетическими фотонами ультра-
фиолетового излучения инверсный слой со временем
деградирует. Второй вариант фотодиодов, с барьером
Шоттки, фоточувствительная область которого по- Рис.1. Структура кремниевого широкодиапазонного фотодиода

53
 2014 ВЕСТНИК НОВГОРОДСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА №81

Исходным материалом служил кремний р- 3. Результаты и обсуждение

типа с удельным сопротивлением 10 Ом∙см. Для по-
На рис.3 приведены спектральные характери-
лучения хорошей чувствительности к УФ излуче-
стики изготовленных фотодиодов. Как видно, кванто-
нию были изготовлены диоды с мелким p-n- вая эффективность у ионно-легированного фотодиода
переходом, сформированным ионной имплантацией в коротковолновой области оказалась значительно
мышьяка в подложку кремния. Легирование осуще- более высокой, чем у диффузионного, что вызвано
ствлялось дозами 50-100 мкКл/см2, при энергии высоким коэффициентом собирания фотоносителей
50 кэВ. Для уменьшения коэффициента отражения мелкозалегающим p-n-переходом. Измеренная токо-
падающего излучения на фоточувствительной об- вая чувствительность ионно-легированного фотодио-
ласти выращивалась антиотражающая пленка SiO2 да на длине волны 365 нм составила около 0,15 А/Вт,
толщиной около 60 нм, оптимизированная на длину а у диффузионного — 0,05 А/Вт. Таким образом, из
волны 350 нм. После термического отжига форми- полученных результатов видно, что наличие мелкого
ровался p-n-переход с хорошими электрическими слоя имплантированного мышьяка и встроенного
характеристиками на глубине около 0,2 мкм. Для электрического поля обеспечило повышение чувстви-
обеспечения омического контакта с n-слоем по пе- тельности к ультрафиолетовому излучению и расши-
риферийной области фоточувствительного слоя рению области спектральной чувствительности крем-
проводилась подконтактная n+ диффузия фосфора на ниевого фотодиода.
глубину около 2 мкм. Диффузионные p+ области 1,2
служили для ограничения канала инверсии, вноси-
мого зарядом окисла. Омический контакт получался

квантовая эффективность
1
напылением алюминия с последующим вжиганием
при температуре 450°С. Размер чувствительной об- Относительная
ласти составлял 2,7×2,7 мм2. 0,8
Для сравнения с такими же размерами были
изготовлены стандартные фотодиоды с глубиной n- 0,6
слоя около 1,7 мкм, который формировался диффузи-
ей фосфора из жидкого источника PCl3 методом от- 0,4
крытой трубы при температуре 1050°С. Виды кон-
центрационных профилей фосфора и мышьяка в по- 0,2
лученных фотодиодах, снятые методом измерения
дифференциальной проводимости тестовых структур
0
Ван дер Пау, представлены на рис.2.
200 300 400 500 600 700 800 900 1000
21 Длина волны, нм
10
Ионно-легированный фотодиод
20 Профиль фосфора
Концентрация примеси, см-3

10 Диффузионный фотодиод
Профиль мышьяка Рис.3. Спектральные характеристики экспериментальных
19
10 фотодиодов

18
10 Типичная вольт-амперная характеристика тем-
нового тока ионно-легированного фотодиода показа-
10
17
на на рис.4. Значение темнового тока имело низкую
величину (около 5 нА при смещении –10 В), что по-
10
16 зволяет использовать такие фотодиоды для регистра-
ции слабых световых потоков.
15 Напряжение смещения, В
10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
0 -5 -10 -15 -20 -25
-1
Глубина легирования, мкм
-2

Рис.2. Профили распределения примесей в диффузионном и

Обратный ток, нА

-3
ионнолегированном фотодиодах
-4

-5
Из сравнения полученных данных можно
-6
предположить, что более крутой профиль мышьяка с
высоким градиентом концентрации примеси должен -7

создавать у поверхности значительное тянущее элек- -8

трическое поле, что, в свою очередь, должно умень- -9

шить влияние поверхностной рекомбинации и спо- -10
собствовать повышению чувствительности в УФ об- Рис.4. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики ион-
ласти спектра. но-легированного фотодиода

54
 2014 ВЕСТНИК НОВГОРОДСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА
Емкость p-n-перехода, измеренная при смеще-
нии –3В на частоте 1 МГц, при использовании мате-
риала подложки с удельным сопротивлением 4.
10 Ом∙см составила 650 пФ.
4. Выводы
Таким образом, разработанная технология по-
1.
зволила существенным образом расширить диапазон
спектральной чувствительности кремниевых фото-
диодов (280-900 нм на уровне 0,5) по сравнению с
диффузионными (450-900 нм). Более широкий спек-
тральный диапазон и высокая чувствительность по-
лученных фотодиодов, при учете недорогой кремние-
вой технологии, делает целесообразным их использо- 2.
вание в массовых приборах для контроля оптического
излучения от УФ до ближнего ИК диапазона. 3.
1. Забродский В.В., Аруев П.Н., Белик В.П. и др. Исследо-
вание стабильности кремниевых фотодиодов в вакуум-
ном ультрафиолете // Физика и техника полупроводни-
ков. 2013. Т.47. Вып. 2. С.178-181. 4.
2. Полупроводниковые фотоприемники / Под ред.
В.И.Стафеева. М.: Радио и связь, 1984. 216 с.
3. Павлык Б.В., Слободзян Д.П., Грыпа А.С. и др. Совер-
шенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-
55
№81
стимулированные изменения характеристик поверхност-
но-барьерных структур Bi-Si-Al // Физика и техника по-
лупроводников. 2012. Т.46. Вып. 8. С.1017-1021:
Гаврушко В.В., Ионов А.С., Ласткин В.А. Кремниевые
фотоприемники с высокой чувствительностью к УФ из-
лучению // Датчики и системы. 2009. №6 (121). С.49-51.
References
V.V.Zabrodskii, P.N.Aruev, V.P.Belik, B.Ia.Ber,
D.Iu.Kazantsev, M.V.Drozdova, N.V.Zabrodskaia,
M.S.Lazeeva, A.D.Nikolenko, V.L.Sukhanov,
V.V.Filimonov, E.V.Sherstnev. Issledovanie stabil'nosti
kremnievykh fotodiodov v vakuumnom ul'trafiolete
[Investigation of the silicon photodiodes’ stability at
VUV irradiation]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov –
Semiconductors, 2013, vol. 47, iss. 2, pp. 178-181.
V.I.Stafeev. Poluprovodnikovye fotopriemniki
[Semiconducting photodetectors]. Moscow, “Radio i sviaz'”
Publ., 1984, 216 p.
B.V.Pavlyk et al. Sovershenstvo poverkhnosti kristallov p-Si
i radiatsionno-stimulirovannye izmeneniia kharakteristik
poverkhnostno-bar'ernykh struktur [The perfection of the p-Si
crystal surface and radiation-stimulated changes of
characteristics of surface-barrier structures Bi−Si−Al]. Fizika
i tekhnika poluprovodnikov – Semiconductors, 2012, vol. 46,
iss. 8, pp. 1017-1021.
V.V.Gavrushko, A.S.Ionov, V.A.Lastkin. Kremnievye
fotopriemniki s vysokoi chuvstvitel'nost'iu k UF izlucheniiu
[Silicon photodetectors with high UV sensitivity]. Datchiki
& Sistemy – Sensors & Systems, 2009, no. 6(121), pp. 49–
51.