Machine Translated by Google

См. обсуждения, статистику и профили авторов для этой публикации по адресу: https://www.researchgate.net/publication/227306469 .

Ультрафиолетовый фотодатчик на поверхностных акустических волнах на основе ZnO

Статья в Journal of Electroceramics · февраль 2008 г.

DOI: 10.1007/s10832-007-9409-7

ЦИТАТЫ ЧИТАЕТ

46 603

4 автора:

Санджив Кумар Гил-Хо Ким

Университет Пондичерри Университет Сонгюнкван

265 ПУБЛИКАЦИИ 7759 ЦИТАТОВ 201 ПУБЛИКАЦИЯ 2911 ЦИТАТОВ

СМОТРЕТЬ ПРОФИЛЬ СМОТРЕТЬ ПРОФИЛЬ

К. Шринивас РП Тандон

Университет Дели Университет Дели

244 ПУБЛИКАЦИИ 6947 ЦИТАТОВ 259 ПУБЛИКАЦИИ 4770 ЦИТАТОВ

СМОТРЕТЬ ПРОФИЛЬ СМОТРЕТЬ ПРОФИЛЬ

Некоторые авторы этой публикации также работают над следующими родственными проектами:

Синтез бессвинцовых сегнетоэлектрических материалов Посмотреть проект

Плазмоны Посмотреть проект

Весь контент, следующий за этой страницей, был загружен Гил-Хо Кимом . 14 мая 2014 года.

Пользователь запросил улучшение загруженного файла.

Machine Translated by Google
J Electroceram (2009) 22: 198–202 DOI
10.1007 / s10832-007-9409-7
Ультрафиолетовый фотодатчик на поверхностных акустических волнах на основе ZnO
Санджив Кумар и Гил-Хо Ким и К. Шринивас и Р.П. Тандон
Получено: 14 марта 2007 г. / Принято: 20 декабря 2007 г. / Опубликовано в Интернете: 17 января 2008 г.
# Springer Science + Business Media, LLC 2007 г.
Сообщается об ультрафиолетовом (УФ) датчике на основе
тонкопленочного устройства поверхностных акустических волн (ПАВ)
ZnO. Пленки ZnO были выращены методом ВЧ-магнетронного распыления.
Устройства на ПАВ были изготовлены с использованием таких пленок
ZnO, имеющих центральную частоту около 41,2 МГц. УФ-датчик на ПАВ
был изготовлен путем нанесения тонкого фотопроводящего слоя ZnO
толщиной 70 нм на изготовленное устройство на ПАВ. Было обнаружено,
что УФ-датчик SAW демонстрирует интересное поведение фотоотклика
на УФ-освещение, а понижение частоты ~45 кГц и изменение вносимых
потерь ~1,1 дБ наблюдались при интенсивности УФ-освещения 19 мВт/
см2 .
Изменения рабочей частоты и вносимых потерь объясняются
акустоэлектрическим взаимодействием между фотогенерируемыми
носителями заряда и потенциалом, связанным с акустическими волнами.
Результаты показывают перспективность ZnO для изготовления
недорогих беспроводных УФ-датчиков на ПАВ.
Ключевые слова УФ датчик. пленка ZNO. Магнетронное распыление.
ПАВ устройства
С. Кумар (*) : Г.-Х. Школа
информационных и коммуникационных технологий им. Кима,
Университет Сунгкьюнгван, Сувон 440-746, Южная Корея e-
mail: sanjeev@skku.edu
Г.-Х.
Электронная почта Ким: ghkim@skku.edu
С. Кумар : Г.-Х. Передовой
институт нанотехнологий Кима Сонгюнквана (SAINT), Университет
Сонгюнкван, Сувон 440-746, Южная Корея
С. Кумар : К. Шринивас: Р. П. Тандон
Факультет физики и астрофизики, Университет Дели, Дели 110007,
Индия
1. Введение
ZnO, полупроводниковый оксидный материал с широкой запрещенной
зоной (ширина запрещенной зоны = 3,3 эВ), привлекает значительное
внимание благодаря своим универсальным свойствам. Он обладает
превосходными пьезоэлектрическими, оптическими и
полупроводниковыми свойствами и находит применение в прозрачных
проводниках, тонкопленочных датчиках газа, варисторах, устройствах
на поверхностных акустических волнах (ПАВ), оптических волноводах,
акустооптических модуляторах/дефлекторах, ультрафиолетовых (УФ)
лазерах. источника и УФ-детекторов [1–10]. Его простота обработки и
настраиваемые свойства делают ZnO одним из наиболее изученных
материалов в наши дни [10–12]. ZnO обладает значительным
коэффициентом электромеханической связи и, возможно, является
первым материалом в своем роде, который был успешно использован
для изготовления коммерческих устройств на ПАВ в виде тонкой пленки
[13]. Отклик устройств на ПАВ очень чувствителен к любым внешним
возмущениям, происходящим на его поверхности. Такое поведение
устройства на ПАВ можно использовать для различных приложений,
таких как датчики газа, химические датчики, биологические датчики,
оптические датчики и т. д., если среда между входным и выходным
встречно-штыревыми преобразователями (ВШП) покрыта чувствительным
слоем [3–9] . . Вероятно, наиболее интересным применением
поверхностных акустических волн является явление, известное как
перенос акустического заряда (ACT). ACT включает взаимодействие
между поверхностными акустическими волнами и свободными
электронами внутри пьезоэлектрического полупроводника. К настоящему
времени были проведены обширные теоретические [14,15] и
экспериментальные [16,17] исследования, в частности, в области АКТ-
свойств двумерного электронного газа (2DEG), сформированного в
гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs . Свойства полупроводника приводят
к акустоэлектрическому взаимодействию, при котором волны
электрического поля, соответствующие акустическим волнам,
взаимодействуют с ДЭГ. Поведение ACT в устройстве можно использовать
для разработки новых устройств, если вместо размещения полупроводникового слоя по
Machine Translated by Google

J Электрокерамика (2009) 22: 198–202 199

Таблица 1. Параметры осаждения для роста тонких пленок ZnO. 2. Экспериментальный

Фотопроводящие Изоляционные
Для изготовления тонкопленочных устройств SAW из ZnO пленки ZnO были
пленки пленки

нанесены на 3-дюймовые пластины из плавленого кварца с использованием

Режим напыления ВЧ-магнетрон Target Zn Радиочастотный метода высокочастотного магнетронного распыления. Устройство оснащено 6-
Metal (99,99%) магнетрон Zn Metal (99,99%) дюймовым. мишень из металлического цинка диаметром (Cerac Inc., 99,99%).
Подложки Стекло и сплав Плавленый кварц
Условия напыления приведены в табл . 1.
кварц
Для изготовления низкочастотных устройств на ПАВ наносились пленки ZnO
ВЧ мощность 500–600 Вт 600 Вт

50 мТорр 25 мТорр толщиной 14 мкм. Магнитная конфигурация электрода магнетрона была

Напыление
изменена на слегка несбалансированную (высокая скорость) и достигнута скорость
давление

Распыляющий газ 100% О2 60% O2, 40% Ar роста 1,2–1,5 мкм/ч. Пластины могли быть покрыты пленкой ZnO толщиной 14

Нагрев подложки Без преднамеренного нагрева Без преднамеренного нагрева мкм в течение 10–12 часов. Рост фотопроводящей пленки ZnO осуществлялся в
Мишень до субстрата 10 см 8,5 см несбалансированном режиме напыления, который, как известно, позволяет

получать пленки ZnO с высокой фотопроводимостью, о чем сообщалось в других

источниках [9]. В таблице 1 перечислены условия осаждения, используемые для

выращивания фотопроводящих тонких пленок ZnO.

а акустоэлектрические взаимодействия в этих структурах индуцируются

оптическим излучением, то можно представить различные типы оптических Тонкие пленки ZnO были охарактеризованы с помощью атомно-силовой

сенсоров на основе структур на ПАВ. Один из первых отчетов об УФ-детекторах на микроскопии (АСМ) и рентгеновской дифракции (РД). Исследование переходного

основе устройств на ПАВ был опубликован Ciplys et. др. [5], где они сообщили об процесса УФ-фотопроводимости было проведено с использованием

УФ-фотоотклике генератора на ПАВ на основе GaN, работающего на частоте 221,34

МГц. Наблюдалось понижение частоты генератора (60 кГц) при УФ-освещении.

Палациус и др. [6] продемонстрировали поведение ACT в устройстве SAW на

основе GaN на сапфире c-плоскости при освещении УФ-светом.

Интересно, что, используя фотопроводящее свойство ZnO и пьезоэлектрическое

свойство LiNbO3, Sharma et al. [8] сообщили об УФ-фотоотклике двухслойного

устройства на ПАВ ZnO/LiNbO3, демонстрирующем понижение частоты ~170 кГц

при УФ-освещении мощностью 35 мВт/см2 . Совсем недавно Emanetoglu et al. [7]

сообщили об УФ-фотодетекторе, изготовленном из многослойных слоев ZnO/

Mg:ZnO/ZnO на сапфире в r-плоскости, способном обнаруживать интенсивность

УФ-излучения 810 мкВт/см2 с использованием режима Sezawa устройства SAW

(711,3 МГц).

Основываясь на этих разработках, можно сделать вывод, что УФ-сенсоры на ПАВ

имеют многообещающее будущее, и ZnO продемонстрировал огромный

потенциал для разработки таких сенсоров. ZnO хорошо известен своими

фотопроводящими свойствами, особенно в УФ - диапазоне [7–11] , с

дополнительным преимуществом, проявляющим хорошие пьезоэлектрические

свойства [10, 13]. Следовательно, сочетание пьезоэлектрических и фотопроводящих

свойств ZnO может привести к созданию интересного класса многообещающих

УФ-датчиков на ПАВ.

Этого можно достичь, изготовив тонкопленочное устройство ZnO на ПАВ с

верхним слоем фотопроводящей тонкой пленки ZnO.

В настоящей работе мы сообщаем об изготовлении и характеристике УФ-

датчика на основе тонкой пленки ZnO.

устройство ПАВ. УФ-датчик разработан путем нанесения фотопроводящего

тонкого слоя ZnO на поверхность тонкопленочного ZnO-устройства на ПАВ, а

Рис. 1 Атомно-силовая микроскопия тонких пленок ZnO (а) фотопроводящая пленка
характеристики отклика двухслойной структуры на ПАВ исследуются при УФ-
ZnO (70 нм): видны удлиненные зерна со средним размером 74 нм; (б) изолирующие
освещении.
пленки ZnO (14 мкм), демонстрирующие зерна круглой формы со средним размером
~365 нм.
Machine Translated by Google

200 J Электрокерамика (2009) 22: 198–202

Рис. 2 (а) Частотная характеристика

изготовленного тонкопленочного
устройства ZnO на ПАВ. На вставке

показана структура изготовленного

двухслойного УФ-датчика на ПАВ на

основе ZnO. ( б ) Ультрафиолетовый

фотоотклик тонкой фотопроводящей
пленки ZnO толщиной 70 нм при УФ-освещении.

интенсивность 19 мВт/см2 .
Масштаб: ось x=1 с/дел; ось Y = 100 мВ/
дел.

установка состоит из УФ-лампы (1=365 нм) в качестве источника УФ- 3. Результаты и обсуждение

излучения и микровольт-амперметра Keithley (модель 150B), соединенного

с цифровым фосфорным осциллографом Tektronix (TDS 3320B) для При исследовании с помощью XRD было обнаружено, что тонкие пленки
регистрации наблюдаемого фотоотклика. Сетевой анализатор (Agilent) ZnO (изоляционного и фотопроводящего типа), выращенные методом ВЧ-
использовался для записи частотного спектра устройства на ПАВ. магнетронного распыления, демонстрируют поликристаллическую
природу с предпочтительной ориентацией вдоль оси с (не показано). Поверхность

Рис. 3. Экспериментальная установка,

используемая для характеристики
тонкопленочной пленки ZnO на основе SAW UV.
датчик
Machine Translated by Google
J Электрокерамика (2009) 22: 198–202
Рис. 4. Частотная характеристика тонкопленочной структуры устройства на
ПАВ из ZnO с фотопроводящим верхним слоем ZnO при интенсивности УФ-
излучения 19 мВт/см2
Морфология пленок была исследована методом АСМ, и было
обнаружено, что более толстые пленки (14 мкм) имеют средний размер
зерна 365 нм, которые имеют круглую форму, по сравнению с тонкими
пленками (фотопроводящего типа), которые демонстрируют
удлиненные зерна [Рис. . 1(а) и (б)]. Средний размер этих вытянутых
зерен вдоль короткого направления оценивается примерно в 74 нм.
Точная причина удлинения зерен до сих пор не совсем понятна, однако
это может быть связано с бомбардировкой ионными частицами во
время роста пленки, и такие бомбардировки интенсивны в случае
сильно несбалансированного магнетронного распыления. Меньшее
значение размера зерна приводит к большему отношению поверхности
к объему, что полезно для демонстрации больших характеристик
фотопроводимости [9, 11].
3.1 Тонкопленочное устройство ZnO на ПАВ
Проектирование и изготовление устройства на ПАВ представляет
собой сложный процесс и имеет ключевое значение, поскольку оно
является одним из важнейших компонентов конечного продукта, т. е.
датчика. Толщина пленки ZnO, необходимая для изготовления
низкочастотного фильтра на ПАВ, была теоретически рассчитана с
использованием данных дисперсии скоростей в зависимости от
приведенной толщины пленки ZnO, и было обнаружено, что толщина
пленки ZnO ~14 мкм достаточна для получения ПАВ. устройства в
диапазоне частот 38–41 МГц.
Al IDT были нанесены методом фотолитографии на поверхность пленки
ZnO. Технические характеристики изготовленных ВШП: расстояние
между электродами входного и выходного ВШП — 1,6 мм, общее
количество пальцев — 200, длина акустической волны (1) — 44,32 мкм,
ширина линии — 9,79 мкм, количество пальцев пар — 50. Типичный
ответ
201
Изготовленное тонкопленочное устройство на ПАВ из ZnO, работающее
на центральной частоте 41,2 МГц, показано на рис. 2 (а).
3.2 Переходный процесс фотоотклика тонкого слоя ZnO
Для конструкции УФ-датчика SAW в качестве материала,
воспринимающего УФ-излучение, использовался фотопроводящий
ZnO. Тонкий слой ZnO ( 70 нм) был первоначально нанесен отдельно
на стеклянную подложку для изучения переходного процесса его
фотоотклика в УФ-диапазоне. Пара алюминиевых электродов с
расстоянием между ними 5 мм напылялась в вакууме на поверхность
тонкой пленки ZnO. На рис . 2(b) показан переходный УФ-фотоотклик
пленки ZnO при освещении УФ-излучением (365 нм, интенсивность =
19 мВт/см2 ). Быстрый рост (644 мс) характеристик фотоотклика
наблюдался при освещении пленки УФ-излучением. Интересно
отметить, что затухание отклика также было быстрым (680 мс), когда
УФ-подсветка прерывалась, а проводимость пленки совпадала со
значением темновой проводимости. Можно видеть, что в такой
характеристике фотоответа преобладает процесс, связанный с объемом,
поскольку нет признаков поверхностного эффекта (мелкого захвата),
который отвечает за медленный отклик в поведении фотоответа [11,
18]. Такая характеристика фотоотклика показывает, что пленка ZnO (70
нм) демонстрирует отличные характеристики фотопроводимости и
может быть сопряжена с устройством SAW на основе ZnO для создания
двухслойного УФ-датчика ZnO на ПАВ. Поэтому такой тонкий слой ZnO
был нанесен распылением на поверхность изготовленного
тонкопленочного устройства ZnO SAW, как показано на вставке к рис. 2
(а).
3.3 Характеристика УФ-датчика SAW
Изготовленный тонкопленочный датчик УФ-излучения на ПАВ из ZnO
(вставка, рис. 2(a)) был дополнительно охарактеризован с
использованием установки, показанной на рис. 3. К устройству был
подключен высокочастотный усилитель, так что разность фаз в 360°
могла быть определена. достигается через петлю. Частотная
характеристика двухслойного ZnO-устройства на ПАВ наблюдалась на
анализаторе цепей.
Чтобы подтвердить, что фотоотклик исходит только от
фотопроводящего слоя ZnO верхнего слоя, изготовленное
тонкопленочное устройство ZnO на ПАВ (без верхнего слоя
фотопроводящего ZnO) исследовали в УФ-освещении, и не наблюдалось
заметного изменения частотной характеристики устройства на ПАВ.
Это показывает, что нижний изолирующий ZnO не играет роли в
характеристиках фотоотклика ZnO SAW УФ-сенсора, и ожидается, что
фотоотклик будет исходить только от фотопроводящего верхнего слоя
ZnO.
Важно отметить, что толщина фотопроводящей пленки ZnO
верхнего слоя ( 70 нм) была достаточной, чтобы не оказывать влияния
массовой нагрузки на частотную характеристику тонкопленочного
устройства ZnO на ПАВ. УФ-датчик SAW освещался УФ-излучением с
интенсивностью 19 мВт/см2. ,
Machine Translated by Google
202
наблюдалось значительное понижение частотной характеристики
45 кГц, а вносимые потери составили 1,1 дБ [рис. 4]. Механизм
сдвига частоты работы ПАВ-устройства можно объяснить
акустоэлектрическим эффектом. Акустоэлектрические эффекты
представляют собой взаимодействие между электрическим полем,
создаваемым ПАВ, и фотогенерируемыми носителями заряда в
надслое ZnO. Влияние связи волна/носители заряда на распространение
ПАВ можно определить с помощью модели, учитывающей
генерируемые волной токи проводимости в пленке и токи смещения
в соседних средах [19]. Акустическая волна и взаимодействие
электрического заряда, т.е. акустоэлектрическое взаимодействие,
приводят к изменению скорости ПАВ (Δv) и затухания (ΔΓ) и
определяются выражением [3]:
Δv К2 1
¼
2 ð1Þ
во 2
1 þ ð Þ σ=σm
K2 2π Г σ=σm
¼ ð2Þ
2 1 2 (MOST) (№ R01-2006-000-10065-0).
1 þ ð σ=σm
Þ
Где σ — поверхностная проводимость проводящей пленки, а σm —
критическая проводимость, при которой происходит максимальное
затухание [σm = vocs, где cs = "s + "o;"s и ɛo — диэлектрические
постоянные подложки и вакуума, соответственно] , K2 — коэффициент
электромеханической связи подложки, 1 — длина волны ПАВ.
При УФ-освещении фотогенерированные носители заряда
взаимодействуют с потенциалом ПАВ за счет акустоэлектрических
взаимодействий (уравнения 1 и 2) и приводят к (1) изменению
скорости ПАВ и, следовательно, изменению рабочей частоты ПАВ [Δf
~ 45 кГц]; (2) При УФ-освещении верхний слой пленки ZnO создает
фотогенерированные носители заряда и обеспечивает проводящий
путь к ПАВ, что приводит к ослаблению или увеличению вносимых
потерь
устройства [ΔIL 1,1 дБ].
На рис . 4 показан фотоотклик тонкопленочного УФ-датчика ZnO с
УФ-подсветкой и без нее. Важно отметить, что никакого стойкого
эффекта в поведении фотоотклика не наблюдалось, и это можно
рассматривать исключительно из-за поведения насыщения в
фотоотклике тонкой пленки ZnO верхнего слоя (рис. 2(b)). В
предыдущем отчете наблюдалось постоянное снижение частоты ПАВ
и увеличение вносимых потерь из-за ненасыщающего
фотопроводящего поведения пленки ZnO верхнего слоя при
осаждении на устройстве LiNbO3 SAW [9]. В данном случае фотоотклик
УФ-датчика ZnO SAW исследовался путем прерывания УФ-излучения
через регулярные промежутки времени, и были получены
воспроизводимые результаты, которые показывают перспективность
УФ-датчика на основе двухслойного ZnO SAW для коммерческого
применения. УФ-детектор на ПАВ все еще находится в зачаточном
состоянии, но обнадеживает
Посмотреть статистику публикаций
J Электрокерамика (2009) 22: 198–202
результаты структуры ПАВ, интегрированной с фотопроводником
Поверхностный слой ZnO показывает перспективы будущего беспроводного УФ-излучения
датчики.
4. Выводы
Тонкопленочное устройство ZnO на ПАВ было сконфигурировано в
виде УФ-датчика путем интеграции с тонким слоем фотопроводящего
верхнего слоя ZnO. Было обнаружено, что изготовленный УФ-датчик
SAW работает на центральной частоте 41,2 МГц и демонстрирует
значительный отклик на УФ-освещение. Понижение частоты (~ 45
кГц) и изменение вносимых потерь (~ 1,1 дБ) устройства показывают
перспективность ZnO для изготовления недорогого УФ-датчика на
ПАВ.
Благодарности SK благодарит BK 21 за финансовую поддержку.
RPT признателен за финансовую поддержку Университета Дели и Комиссии по
университетским грантам (UGC). Компания GHK благодарит Корейский научно-
технический фонд (KOSEF) за грант, финансируемый правительством Кореи
использованная литература
1. DM Bagnall, YF Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, MY Shen, T. Goto, Appl. физ.
Письмо 70, 2230 (1997)
2. М. Wraback, H. Shen, S. Liang, CR Gorla, Y. Lu, Appl. физ.
Письмо 74, 507 (1999)
3. Баллантайн Д.С., Уайт Р.М., Мартин С.Дж., Рикко А.Дж., Фрай Г.К., Целлерс
Э.Т., Вольтьен Х. Датчики акустических волн: теория, конструкция и физико-
химические приложения (Академический, Нью-Йорк, 1997), стр. 1– 149
4. Н. Бари, М. Рапп, Х. Сигрист, IEEE IFCS Совместное собрание EFTF,
997 (1999)
5. Циплис Д., Римейка Р., Шур М.С., Румянцев С., Гаска Р., Серейка А., Янг Дж.,
Хан М.А., Appl. физ. Письмо 80, 2020 (2002)
6. Т. Palacious, F. Calle, J. Grajal, Appl. физ. Письмо 84, 3166 (2004)
7. Н. В. Эманетоглу, Дж. Чжу, Ю. Чен, Дж. Чжун, Ю. Чен, Ю. Лу,
заявл. физ. Письмо 85, 3702 (2004)
8. П. Шарма, С. Кумар, К. Шринивас, J. Mater Res 18, 545 (2003).
9. С. Кумар, П. Шарма, К. Шринивас, Semicond. науч. Технол 20,
Л27 (2005)
10. С. Кумар, к.т.н. Диссертация, Делийский университет (2005 г.)
11. С. Кумар, В. Гупта, К. Шринивас, Нанотехнологии 16, 1167
(2005)
12. Ван З.Л., Матер. Сегодня 7, 26 (2004)
13. О. Ямадзаки, Т. Мицуйу, К. Васа, IEEE Trans. Соникс Ультрасон 27 (6), 369
(1980)
14. SJ Martin, AJ Ricco, IEEE Ultrasonic Symposium Proceedings 621–625 (1989).
15. Гамбс Г., Айзин Г.Р., Пеппер М. // Phys. Версия B 60, 13954 (1999)
16. Рок К., Говоров А.О., Виксфорт А., Бом Г., Вейманн Г. // Phys. Версия B 57,
R6850 (1998 г.)
17. Каннингем Дж., Талянский В.И., Шилтон Дж.М., Пеппер М., М.Ю.
Симмонс, Д.А. Ричи, Phys. Ред. Б 60, 4850 (1999)
18. Zhang DH, Brodie DE, Thin Solid Films 238, 95 (1994).
19. Саймон С.Х., Phys. Версия B 54, 13878 (1996)