К определению контактной разности потенциалов р-п- перехода B.C. Антипенко, В.И. Козлов, И.С. Терешина МГТУ «МАМИ», Москва; МГУ им. М.В. Ломоносова, физический факультет
Предлагается лабораторная работа, в которой температурные измерения обратного тока
при малом обратном напряжении, необходимые для определения контактной разности потенциалов p-n-перехода, выполняются с помощью специально сконструированного простого устройства.
Полупроводниковый диод в общем физическом практикуме обычно выступает как тех-
ническое устройство, выполняющее функцию выпрямления переменного тока. При этом физическая сторона процессов в диоде, физические параметры p-n-перехода нередко от- ступают на второй план. Это обусловлено, в частности, и тем, что выполнение температур- ных измерений, позволяющих "заглянуть в физику" p-n-перехода, связано со значительным усложнением экспериментальной установки и снижением надежности ее работы. Контакт- ная разность потенциалов UK р-n—перехода определяется из температурных измерений воль- тамперной характеристики диода в обратном направлении. Сконструировано простое устройство, позволяющее производить нагрев диода до 70°С. Устройство представляет собой камеру с двойными стенками (Рисунок 1). Внутри камеры размещаются диод и термопара (область 1). I - измерительная схема, III - вольтметр для измерения термо-эдс.
II
1 2 3 4
Рисунок 1.
Внутренние металлические стенки (2) обеспечивают однородность температуры в ка-
мере. В пространстве между стенками (область 3) находится нагревательный элемент, под- ключаемый к источнику переменного напряжения 6.3 В (II). Параметры нагревательного элемента подобраны такими, чтобы после включения элемента предельная температура t=70°С достигалась примерно через 30 минут. Скорость нагрева при этом, с одной стороны, К определению контактной разности потенциалов р~п-перехода 91
достаточно мала, чтобы считать режим изменения температуры квазистационарным, а с
другой, позволяет выполнить эксперимент в ограниченное время. Наружные стенки камеры (4) обеспечивают тепло- и электроизоляцию рабочей камеры. Обратный ток диода можно описать выражением
Рисунок 2.
Настоящая работа была представлена на 2-й Международной конференции "Уни-
верситетское физическое образование" (Москва, 23-26 июня 1998 г.).
Простой подход к фундаментальному инвестиционному анализу: Вводное руководство по методам фундаментального анализа и стратегиям предвидения событий, которые движут рынками