Учебно-Научно Произодственный Комплекс

Международный Университет Кыргызстана

Кыргызстан Эл Аралык Университети
Internatioanal University of Kyrgyzstan
Колледж “Nomad”

РЕФЕРАТ
Дисциплина: Электротехника, электроника
Тема: «особенности кристальной решетки полупроводниковых
включений»
Вариант: 19

Группа: ПКС-2-21
Выполнила: Азатова Аяна
Проверила: к. т. н., доцент Каплина Т. Ю.
Бишкек 2023
 Кристаллическая решетка полупроводниковых веществ имеет ряд
особенностей, которые определяют их электронные свойства и способности
проводить ток. Некоторые из этих особенностей включают:

1. Гетерогенность решетки: Полупроводники, как правило, состоят из

кристаллических решеток с различными примесями, которые могут повлиять
на электронные свойства материала.

2. Полубеспорядочность решетки: В отличие от идеально

упорядоченной решетки кристаллов, полупроводники могут иметь локальные
дефекты, которые создают уровни энергии в запрещенной зоне. Эти дефекты
могут влиять на электронную проводимость и электронную структуру
материала.

3. Запрещенная зона: Полупроводники имеют узкую запрещенную зону

между зонами проводимости и валентной зоной. Размер этой зоны может
варьироваться в зависимости от типа полупроводника и его примесей.
Внутри запрещенной зоны уровни энергии не разрешены для заполнения
электронами.

4. Примеси: Добавление примесей в кристаллическую решетку

полупроводника может изменить его электронные свойства. Например,
примесные атомы могут добавлять дополнительные электроны или дырки,
которые могут влиять на проводимость полупроводника.

5. Дырки: В полупроводниках могут существовать дырки - отсутствие

электронов в валентной зоне. Дырки могут вести себя как положительно
заряженные частицы и принимать участие в электронно-дырочном переносе
заряда, что является важным процессом в электронике на основе
полупроводников.
 6. Термическое возбуждение: При повышении температуры, электроны
в полупроводнике могут получать дополнительную энергию, достаточную
для перехода из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к
увеличению электропроводности.

7. Эффекты края: На краях кристаллической решетки полупроводника

возникают эффекты, которые могут приводить к изменению его электронных
свойств. Например, на границе между двумя полупроводниками с разными
типами проводимости может возникнуть p-n переход, который играет
ключевую роль в работе полупроводниковых диодов.

8. Оптические свойства: Полупроводники также обладают

интересными оптическими свойствами. Например, когда полупроводник
освещается светом, электроны в решетке могут поглощать энергию света и
переходить в более высокие энергетические состояния, что может приводить
к эффектам, таким как фотолюминесценция или фотопроводимость.

9. Эффект Холла: Эффект Холла - это явление, которое происходит при

прохождении электрического тока через полупроводник во внешнем
магнитном поле. Эффект Холла позволяет измерять тип и концентрацию
носителей заряда в полупроводнике, а также их подвижность.

10. Изотопический эффект: Изотопический эффект возникает из-за

различной массы изотопов, которые составляют атомы полупроводника. Это
может приводить к изменению электронных свойств полупроводника, таких
как ширина запрещенной зоны и электропроводность.

11. Свойства поверхности: Полупроводники могут иметь различные

свойства на своих поверхностях, которые могут влиять на их электронные
свойства и поведение в различных устройствах. Например, на поверхности
полупроводника могут образовываться различные дефекты, которые могут
влиять на его электронную проводимость.
 12. Квантовые эффекты: Квантовые эффекты возникают в
кристаллической решетке полупроводниковых веществ в связи с их
наномасштабными размерами. Например, в наночастицах полупроводников
могут возникать квантовые точки или проволоки, которые обладают
уникальными электронными и оптическими свойствами.

13. Эффекты окисления: Полупроводники могут подвергаться

окислению при контакте с воздухом, водой или другими веществами. Это
может приводить к образованию дополнительных дефектов в
кристаллической решетке полупроводника, которые могут влиять на его
электронные свойства.

14. Эффект туннелирования: Эффект туннелирования - это явление,

при котором электроны могут проходить через запрещенную зону в
полупроводнике без перескока через зону проводимости. Этот эффект играет
важную роль в наноэлектронике и квантовых компьютерах.

15. Фотовольтаический эффект: Фотовольтаический эффект возникает

при освещении полупроводника светом и приводит к генерации
электрического тока. Это свойство используется в солнечных батареях для
преобразования энергии света в электрическую энергию.

В целом, кристаллическая решетка полупроводниковых веществ

обладает рядом уникальных свойств, которые определяют их электронную
структуру и поведение в различных условиях. Эти свойства позволяют
использовать полупроводники в широком спектре электронных устройств, от
солнечных батарей до микропроцессоров.