Т, М .

АГАХАНЯН

СНОБЫ
ТРАНЗИСТО.
ЭЛЕКТРОНИКИ
Т. М. АГАХАНЯН

ОСНОВЫ
ТРАНЗИСТОРНОЙ
ЭЛЕКТРОНИКИ

«ЭНЕРГИЯ»
МОСКВА 1974
6ФО.З
А 23
УДК.621.382.3

\ Г о - . п> о '

Агахаиян Т. М.
А 23 Основы транзисторной электроники. М., «Энер­
гия», 1974
256 с. с пл.

Дастся описание электронных процессов в полупроводниковых

кристаллах. Исследуются импульсные п статические характери­
стики электропио-дырочного перехода с учетом ВЛИЯНИЯ токов ге­
нерации н рекомбинации в переходном слое, канальных токов
и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статические,
высокочастотпые, импульсные характеристики и физические пара­
метры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их
эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных
электронных устройств.
Кппга предназначена для аспирантов и студентов, специали­
зирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной тех­
нике. Она будет представлять интерес и для инженеров, вавимаю-
щнхся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектрон­
ной аппаратуры.

3 3 1 2 - 0 1 7
• 220-73 СФО.З
051(01)-74

© Издательство «Энергия», 1974 г.

 ПРЕДИСЛОВИЕ

Предлагаемая вниманию читателей- книга

посвящена описанию физических" процессов,
принципов работы, параметров и характеристик
биполярных и униполярных транзисторов, кото­
рые в настоящее время нашли наиболее широкое
применение в радиоэлектронике.
• По теории транзисторов накоплен обширный
материал, выполнено большое число научных
исследований, основные результаты которых
опубликованы в периодической литературе и
частично систематизированы и освещены в моно­
графиях и учебниках. Однако большинство
опубликованных монографий и учебных пособий
по полупроводниковой электронике написано
авторами, являющимися специалистами по физи­
ческой электронике. Эти книги служат доста­
точно полным пособием для студентов и инже­
неров, занимающихся разработкой полупровод­
никовых приборов, но они не могут удовлетво­
рить запросы тех специалистов, которые зани­
маются разработкой и эксплуатацией электрон­
ных устройств на полупроводниковых приборах.
Поэтому не отпала необходимость в написании
книги, которая содержала бы:
во-первых, детальное пояснение физической
сути процессов и принципов действия полупро­
водниковых приборов при преобразовании и
усилении электрических сигналов с учетом
особенностей их работы в электронных схе­
мах;
во-вторых, определение физических парамет­
ров транзисторов, основанное на связи этих
параметров с электрофизическими параметрами
полупроводникового кристалла, конфигурацией
и геометрическими размерами его рабочих облас­
тей;
1* 3
 В-третьих, эквивалентные схемы, состав­
ленные на основании анализа электронных
процессов в транзисторных структурах и позво­
ляющие дать количественную оценку работы
электронной схемы как в стационарном, так
и в импульсном режимах.
Именно с таким намерением задумана данная
книга. Она написана па основе циклов лекций,
прочитанных автором студентам Московского
инженерно-физического института и инженерам
на курсах усовершенствования.
При написании книги использован обширный
материал из монографий, книг и опубликован­
ных статей, основные из которых перечислены
в списке литературы. В книге нашли отражение
также результаты научно-исследовательских
работ по теории транзисторов, выполненных
па кафедре электроники Московского ппжепер-
но-фпзического института. Весь этот материал
спстематизпроваи и обработан с таким расчетом,
чтобы книга оказалась полезной для широкого
круга читателей. По просьбе автора § 6-6; 6-7;
6-10 написаны к.т.н. В. Я. Стениным.
Считаю приятным долгом выразить свою
признательность рецензенту доктору фпз.-мат.
паук В. А. Кузьмину, доцентам Ю. В. Вино­
градову и И. Г. Морозовой за обсуждение
некоторых разделов книги н высказанные кри­
тические замечания, а также сотрудникам
кафедры электроники МИФИ за ту большую
помощь, которая была оказана мне при под­
готовке рукописи.
Т. Агаханян
 Глава первая

ПОЛУПРОВОДНИКИ

И И Х Э Л Е К Т Р О Ф И З И Ч Е С К И Е СВОЙСТВА

Полупроводниковые приборы представляют собой устройства,

в которых используются эффекты, обусловленные переносом заря­
да в твердом теле, для преобразования, усиления и генерирования
электрических сигналов. Если параметры электронных ламп,
рабочей средой для которых является вакуум, в основном опре­
деляются геометрическими размерами, то параметры полупровод­
никовых приборов существенно зависят также и от свойств полу­
проводника, из которого изготовлен прибор. Механизм образования
направленного потока носителей заряда (электрического тока)
в полупроводниковом кристалле гораздо сложнее, чем в вакууме.
Поэтому для четкого представления и понимания процессов,
происходящих в полупроводниковых устройствах, необходимо
прежде всего остановиться иа электрофизических свойствах
полупроводниковых кристаллов.
В настоящей главе кратко рассматриваются особенности полу­
проводниковых кристаллов и механизмы переноса в них электри­
ческих зарядов.

1-1. ПРОВОДНИКИ, ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ

До конца 40-х годов в электронике и электротехнике исполь­

зовались в основном два вида материалов: проводники и диэлект­
рики. Первые из них представляют собой материалы с удельным
сопротивлением р = 10~°—10~ ом-см. Это главным образом
5

металлы с хорошей проводимостью. Ко второй группе относятся

диэлектрики с удельным сопротивлением р = 10 —10 ом-см.
10 15

Обширный класс материалов с удельным сопротивлением р =

= 10~ —10 ом-см, представляющих собой полупроводники,
5 10

почти не использовался техникой и в связи с этим практически

не изучался физикой [Л. 1, 2]. В настоящее время область техни­
ческого применения полупроводников весьма обширна [Л. 3].

Ь
Нас же будет интересовать только та область их применения,
которая связана с транзисторной электропикой.
Классификация электротехнических материалов по их удель­
ным сопротивлениям, разумеется, условна. Более четкое разделе­
ние материалов на группы следует проводить по их характерным
особенностям. Например, полупроводники отличаются от провод­
ников не только большей величиной удельного сопротивления, но
и иной его зависимостью от температуры. Сопротивление провод­
ников (металлов) с понижением температуры уменьшается и с при­
ближением к абсолютному нулю достигает весьма малых значений,
а проводимость стремится к весьма большим значениям или даже
переходит в сверхпроводимость. В полупроводниках с пониже­
нием температуры сопротивление обычно увеличивается, а вблизи
нуля они становятся диэлектриками.

1-2. СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ

В качестве основного полупроводникового материала в современной

транзисторной электронике применяются кремний (Si) н германий (Ge).
Описание основных свойств этпх элементов дано в мопографпп Р. Смита
[Л. 4].
Кремнии — элемент IV группы с порядковым номером г = 14.
В природе встречается в виде двуокпеп кремния S i 0 как составная
2

часть песка, кварца и т. д.

Германий — элемент с поряд­
ковым помером z = 32, также
принадлежащий к I V группе, —
был предсказан Д. И. Менделее­
вым до того, как был обнаружен
в природе.
Современные технологичес­
кие методы получения монокрис­
таллов германия и кремния весьма
сложпы [Л. 5—7], и их изучение
выходит за рамки данной книги.
Рассмотрим особенности элек­
тронной структуры полупровод­
никовых кристаллов па примере
кремния и германия.
Атомы кремния и германия
содержат соответственно 14 п 32
электрона, лишь четыре из кото­
Р и с . 1-1. Структура алмаза. рых участвуют в химических
реакциях и электропроводности.
Остальные электроны тесно связаны с ядрами, образуя стабильный атом­
ный остаток с результирующим зарядом 4е. Атомный остаток не участвует
в электронных процессах и в дальнейшем нас будет интересовать как источ­
ник положительного заряда. Электронные же процессы характеризуются
четырьмя валентными электронами, расположенными на внешней оболочке
атома.
В кристаллах атомы кремния и германия образуют такую же структуру,
что и атомы углерода в кристалле алмаза, т. е. каждый атом соединяется
четырьмя валентными связями с расположенными в вершинах тетраэдра сосед­
ними атомами (рис. 1-1). При этом атомы оказываются связанными между
собой ковалентнъшп связями (парноэлектронными связями), образуемыми
двумя валентными электронами, каждый из которых принадлежит одному
 а) б)
Рис. 1-2. Копалентиая связь в молекуле водорода.
а — дпп изолированных атома водорода; б — молекула водорода (точками
условно обозначена плотность заряда электрона).

из соседних атомов. Примером простейшей ковалентной связи является связь

в молекуле водорода (рпс. 1-2). При образовании молекулы атомы сближаются
настолько, что между электронами
возникает взаимодействие, вследствие
чего соетоншю электронного облака
изменяется. В результате этого между
двумя ядрами — протонами возникает
как бы добавочный отрицательный
заряд, который и связывает их вместе
[Л. 1]. Эта связь особенно устойчива
в том случае, когда в пей участвуют
два электрона. Такие устойчивые связи
образуются в кристаллах и кремппя
и германия. При рассмотрении электро­
физических свойств этих кристаллов
для упрощения рисунков будем условно
изображать их структуру не в трех
измерениях, а в двух, как это пред-
ставлепо на рис. 1-3. В центре этого
рисунка показан атомный остаток Ge,
который связан с четырьмя окружаю­
щими его соседними атомами силами Рис. 1-3. Электронная структура
ковалентной связп. Валентные элект­ германия.
роны условно представлены кружочками (со знаком мпнус в центре).
Подобным же образом можно представить и кристалл кремния.

1-3. ЭЛЕКТРОНЫ И Д Ы Р К И В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

КРИСТАЛЛАХ.' ЭЛЕКТРОННАЯ И ДЫРОЧНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

Рассмотрим электрофизические свойства полупроводниковых

кристаллов.
Как известно, электрическая проводимость обусловлена пере­
носом заряда валентными электронами. В металле валентные
электроны образуют нечто подобное газу из свободных электронов,
создающему однородное облако отрицательного заряда, в котором
«плавают» положительные ионы металла [Л. 1]. В полупровод­
никах же каждый электрон прочно связан с кристаллической ре­
шеткой и до тех пор, пока он связан, не может принимать участие
в переносе заряда, т. е. в процессе электрической проводимости.
7
 Если нарушить идеальную структуру валентных связей (напри­
мер, передать электронам тепловую энергию, достаточную для
разрыва ковалентнон связи), то появятся электроны проводимости,
которые могут перемещаться в кристалле и участвовать в процессе
электропроводности. Иначе говоря, можно перевести электрон
из валентной зоны в зону проводимости. В отличие от проводников
(у которых валеитпая зона перекрывается зоной проводимости)
в полупроводниках валентная зона отделена от зоны проводимости
(рис. 1-4). Поэтому для перевода электрона в зону проводимости
требуется некоторая энергия, опре­
деляемая шириной запрещенной
^Зона, проводимости. зоны A'S . g

При комнатной температуре в по­

М\ чц лупроводниковых кристаллах имеет­
ся заметное число электронов, спо­
собных преодолеть запрещепную зо­
ну, тогда как в диэлектриках такие
О) £г электроны практически отсутствуют
(именно в этом заключается основ­
ное отличие полупроводников от ди­
n электриков [Л. 21).
I
—("1

= Переход в зопу проводимости не мо­

жет, однако, происходить путем постепен­
Валентная зона. ного накоплении и нарастания энергии.
Для перевода электрона в зону проводимо­
Рпс. 1-4. Энергетические зоны сти необходим источник, который мог бы
в кристалле полупроводника сразу передать энергию, равную или пре­
с собствоиной электропровод­ вышающую ширину запрещенной зоны Д е ^ .
ностью. Источником такой энергии является, на­
пример, тепло, передаваемое кристаллу
окружающей средой. Причем переход электронов в зопу проводимости воз­
можен н в том случае, когда средняя энергия кристалла во много раз мень­
ше &% . Так, например, при комнатной температуре средняя тсиловая энер­
s

гия составляет всего 0,026 эв, тогда как Д е ^ = 0,67 эв для Ge и bM = s

= 1,12 эв для Si. Однако при этом число электронов проводимости в каждом
13 10
кубическом сантиметре достигает 2,37 -10 у германия ц 1 , 3 8 - Ю у кремния.
Вероятность того, что при средней энергии порядка кТ появится флукту­
ация, способная сообщить электрону энергию &$g, очевидно, тем меньше, чем
больше Д ^ п о сравнению со средней энергией / ^ ( п о э т о м у число электро­
нов проводимости у германия значительно больше, чем у кремния).
Как известно [Л. 1], вероятность того, что при средней тепловой энер­
гии порядка кТ уровень с энергией Ш может быть занят электроном, опре­
деляется функцией распределения Ферми—Дирака

/ ( £ ) = — « Л — .
ехр -
кТ
В этой формуле e — уровень Ферми, который в равновесном состоянии
F

совпадает с химическим потенциалом кристалла [Л. 2]; к = 1,38 • 10~ дж/°К—

23

постоянная Больцмапа; Т — абсолютная температура.

Если
(1-1)

а
то с достаточной для практики точностью функцию распределения Ферми
Дирака можно определить по приближенной формуле

/(£)~ехр' - ~ Ш р
(1-2)
кТ
Это приближение совпадает с функцией, определяющей распределение
электронов по классической статистике Максвелла—Больцмана.
Условие (1-1) не выполняется для вырожденных полупроводников, у ко­
торых концентрация свободных электропов достигает значительной величины.
На практике главным образом применяются невырожденные полупроводники,
поэтому в дальнейших выводах используется приближенная функция распре­
деления (1-2).

Можно показать [Л. 1], что в соответствии со статистикой

Максвелла—Больцмана концентрация электронов в зоне проводи­
мости определяется соотношением

П = ;у ехр(-?Ц^),
с (1-3)

где Ш — энергия электрона на дне зоны проводимости (см. рис. 1-4),

с

т. е. наименьшая энергия электрона в зоне проводимости; N — c

= 4,82-10 T'lt, см~ — эффективная плотность состояний в зоне

15
3

проводимости.
При удалении электронов из валентной зоны в ней образуются
незанятые энергетические состояния, которые условились назы­
вать дырками. В электронной теории полупроводников дырки
в валентной зоне играют такую же роль, что и электроны в зоне
проводимости. Поэтому для количественной оценки проводимости
требуется знать не только концентрацию электронов проводи­
мости, но и концентрацию дырок проводимости, которая в соответ­
ствии со статистикой Максвелла — Больцмана определяется фор­
мулой
p = iV„exp (1-4)
кТ

где % — энергия электрона на верхней границе валентной зоны;

v

N — эффективная плотность состояний в валентной зоне.

v

Итак, под действием тепла, света и других видов энергии про­

исходит переход электронов из валентной зоны в зону проводи­
мости. При этом образуются электроны и дырки проводимости,
концентрации которых определяются соотношениями (1-3) и (1-4).
Процесс образования пары электрон — дырка называется гене­
рацией пары.
После разрыва валентных связей и перехода в зону проводи­
мости электрон под действием тепловой энергии совершает хаоти­
ческое движение до тех пор, пока захватывается дыркой, переходя
из зоны проводимости в валентную зону. Этот процесс исчезновения
электрона и дырки называется рекомбинацией. Она характеризуется
диффузионной длиной для электронов L , представляющей собой
n

среднее расстояние, которое проходит электрон с момента перехода

9
в зону проводимости до момента возвращения в валентную зону.
Процесс рекомбинации удобно также характеризовать временем
жизни электронов т„, определяемым как время, в течение которого
количество свободных электронов из-за рекомбинации умень­
шается в е «=: 2,7 раза. Диффузионная длина и время жизни элек­
тронов связаны между собой соотношением [Л. 1]

Ln=VWn> (1-5)
где D — коэффициент диффузии электронов.
n

Хаотичное движение совершают ие только электроны, ио и

дырки. Движение дырок обусловлено перемещением связанных
электронов на освободившиеся места в валентной зоне. При этом
может произойти рекомбинация дырки, т. е. захват свободного
уровня в валентной зоне электроном из зоны проводимости. Этот
акт также характеризуется либо диффузионной длиной для дырок
L , либо временем жизни дырок т , которые связаны между собой
p р

соотношением
£ = ]/Д£г~,
Р (1-6)
где D — коэффициент диффузии дырок.
p

Если приложить к полупроводниковому кристаллу электри­

ческое поле, то электроны проводимости будут дрейфовать в
направлении, противоположном направлению электрического
поля, и создавать электропный поток с плотностью тока

Здесь п — концентрация электронов проводимости; \у — по­

п

движность электронов; Е — напряженность электрического поля.

При наличии дырок, т. е. свободных уровней в валентной
зоне, связанные электроны тоже могут участвовать в процессе
переноса заряда в направлении электрического поля. Действи­
тельно, как уже отмечалось, в валентной зоне электроны тоже
совершают движение, перемещаясь из одного свободного места
в другое. Электрическое поле упорядочивает хаотическое движе­
ние электронов в валентной зоне, что приводит к образованию
направленного потока, т. е. электрического тока. Плотность этого
тока / , очевидно, будет пропорциональна концентрации дырок р ,
р

их подвижности (Хр, представляющей собой подвижность связанных

электронов в валентной зоне. Таким образом,
j p = ерррЁ.

Первая составляющая тока j называется электронной. Элек­

n

тропроводность, обусловленная переносом заряда электронами

проводимости, называется электронной.
Вторая составляющая тока / носит название дырочной. Соот­
р

ветственно электропроводность, обусловленная переносом заряда

связанными электронами в валентной зоне, называется дырочной
10
проводимостью. Иногда этот вид электропроводности называют
дефектной, так как перенос заряда в данном случае осуществляется
из-за образования дефектов, приводящих к возникновению сво­
бодных уровней в валентной зоне, т. е. дырок.
Электронную электропроводимость кратко называют электро­
проводностью «-типа, а дырочную — электропроводностью р-типа.
Процессы перемещений связанных электронов в валентной зоне не так
просты, как это представлялось выше. Точное описание этпх процессов дается
в соответствующих разделах курса «Физика твердого тела» [Л. 1, 2, 4]. В тех­
нической электронике обычно прибегают к упрощению математического опи­
сания процесса электропроводности, представляя перенос заряда связанным
электроном в валентной зоне как результат перемещения элементарной части­
цы с положительным зарядом, равным заряду электрона. Обоснованием такого
представления является то, что при образовапин дырки в местах кристалла,
бывших до ео появления электрически нейтральными, возникает локальный
положительный заряд величиной е, так как после ухода электрона заряд атом-
иого остатка не компенсируется. Причем перемещение дырок происходит
в направлении, обратном движению электронов в валентной зоне, точно так
же, как движение положительно заряженной частицы — дырки. Поэтому
для описания процесса электропроводности связанными электронами можно
воспользоваться попятном фиктивной частицы — «дырки».
На самом деле ни дырки, ни электроны нельзя рассматривать настолько
локализованными, чтобы можно было дать описание пх движения как отдель­
ных частиц. И в том и в другом случае подменяются своеобразные закономер­
ности реальных электронов. Оправданием для такого упрощения является то,
что описание процессов электропроводности прп помощи фиктивной частицы
«дырки» является хорошим приближением к действительности. Если бы,
наоборот, отказаться от такого приближения н рассматривать в каждом кон­
кретном случае поведение всей массы электронов в твердом теле, то пришлось
бы встретиться с непреодолимыми трудностями [Л. 2].

1-4. СОБСТВЕННЫЕ И ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

Полупроводники, основной состав которых образован атома­

ми одного химического элемента, называются собственными
[Л. 1]. Их характерной особенностью является высокое удельное
сопротивление, определяемое собственной электропроводностью,
в которой участвуют одинаковые числа электронов и дырок про­
водимости, образуемых из-за нарушения валентных связей.
В соответствии с выражениями (1-3) и (1-4) концентрации элект­
ронов и дырок проводимости в собственном полупроводнике опре­
1
деляются соотношениями
'f\ Г %F~^v
; = N ехр
л т

Pi = N expy
c
kT - J и v j y - j ,

из которых следует, что

N N exj>[—j±), (1-7)
щр = N N кт e v
{ C V ехр

1
Индексом i принято отмечать значения соответствующих величин для
собственного (intrinsic) полупроводника.

11
где ЬЖ = £ — Ё — ширина
е с v запрещенной зоны; N N = c v

= 2,33 • 10 У , слГ — произведение эффективных плотностей

31 3 с

состояний [Л.1].
Учитывая, что в собственном полупроводнике n = p полу­ t i t

чаем:
» i = A = 4 l 82.10»7 , s e x p [ - - ^ J . (1-8)

На рис. 1-4 приведена энергетическая диаграмма собственного полупро­

водника, для которого характерно расположение уровня Фермп $ почти F

в центре запрещенной зоны. В таком полупроводнике уровень Ферми опреде­

ляется уравнением [Л.1]

(1-9)

Основные параметры, характеризующие электрические свойства кремпия

н германия с собственной электропроводностью, представлены в табл. 1-1.
Эта таблица составлена на основании данных, которые приведены в моногра­
фии [Л.4]. Величины параметров указаны для температуры 300 °К. Коэф­
фициенты диффузии вычислены по известной формуле Эйнштейна [Л. 1]
£ , i = <p u„
r и /)р = ф ц ,
г р (1-10)
2
где ф = кТ/е = 23,56 -(- 8,63-Ю" 1°,.ив — температурный потенциал; t° —
г

температура, "С.
Таблица 1-1

Материал
Параметры
кремний германий

Атомный вес 28,08 72.60

11,8 16
1,12 0,67
Удельное сопротивление при отсутствии примесей
2,3 • 10» 47
1,38 • 10" 2,37 • 10"
2
Подвижность электронов |х„, см /(в • сек) 1 450 3 800
500 1800
2
Коэффициент диффузии электронов D , см /сек . . n 38 98
2
Коэффициент диффузии дырок D , см /сек . . . .
p 13 47

В электронных приборах собственные полупроводники при­

меняются сравнительно редко. Работа современных полупровод­
никовых приборов основана на использовании эффектов, которые
возникают при добавлении примесей в полупроводник. Такой
полупроводник называется примесным.
Рассмотрим на примере кремния особенности примесного полу­
проводника, полученного при введении в его расплав элемента,
относящегося к V группе периодической системы (например,
мышьяка). При остывании расплава образуется кристалл, который
содержит атомы мышьяка (As), замещающие атомы кремния
в некоторых узлах кристаллической решетки (рис. 1-5). При этом
12
четыре из пяти валентных электронов атома мышьяка вместе
с четырьмя электронами соседних атомов кремния образуют
тетраэдрическую систему ковалентных связей. Следовательно,
не все электроны атомов As размещаются в регулярной кристалли­
ческой решетке. Пятый электрон оказывается «лишним». Энергия
связи избыточных электронов с атомами примеси оказывается
настолько малой, что при комнатной температуре все они практи­
чески отрываются от атомов примеси и начинают перемещаться
по кристаллу. Таким образом, при комнатной температуре, а тем
более при повышенных температурах все атомы примеси оказы­
ваются ионизованными.

Рис. 1-5. Электронная структура Рис. 1-6. Энергетические зо-

кристалла кремния с прпмесыо ны в кристалле полупровод-
мышьяка, инка с донорной примесью.

Примеси, способные отдавать электроны в зону проводимости,

называются донорными примесями, а их атомы — донорами.
Донорами являются и другие элементы V группы периодической
системы, как, например, фосфор (Р) и сурьма (Sb).
Расположение энергетических зон для кристалла с донорной прпмесыо
показано на рис. 1-6. Каждый атом примеси вноспт единичный, локальный
уровень примеси, лежащий на небольшой глубине под дном зоны проводи­
мости [Л. 4]. При сравнительно низких температурах примесный уровень
занят электроном. При средних н повышенных температурах он пустеет, по­
скольку избыточный электрон переходит в зону проводимости. В этом слу­
чае па каждый вакантный примесный уровень приходится по одному элек­
трону в зоне проводимости, поэтому концентрация электронов проводимости
в кристалле практически равняется концентрации атомов прпмесп, т. е.
п»=ЛГд. (1-11)

В общем случае [Л. 1,4] концентрация электронов проводимости опре­

деляется соотношением (1-3), т. е.

Г 8 -8*П
С

л„ = Л в х р
с -W^[ (1
" 12)

13
 Однако в прпмесном полупроводнике уровень Ферып уже не определя­
ется уравнением (1-9). В этом случае величина химического потенциала и рав­
ный ому уровень Ферми в значительной степени зависят от концентрации
примесей. В частности, в полупроводнике с донорной примесью уровень Фер­
ми, приближаясь ко дну зоны проводимости, располагается под примесным
уровнем (рпс. 1-6).
В полупроводнике с доиорной примесью ва счет термогенерацнн обра­
зуются и дырки, концентрация которых определяется соотношением (1-4):

N
Pn = - v е х
Р (1-13)
кТ
Следовательно, по-прежнему остается справедливым выражение (1-7):

«„Л. = ад, ехр [ - ^ = Д ^ ] ^ Л |, (1-14)

пз которого следует, что пропзведенпе концентрации злектропов и дырок про­

водимости не зависит от концентрации п распределения примесей. Таким
образом, во сколько раз увеличивается концентрация электронов проводи­
мости, во столько же раз уменьшается концентрация дырок. Поэтому в полу­
проводнике с донорной примесью концентрация дырок значительно меньше
концентрации электронов проводимости, причем она заметно меньше кон­
центрации дырок в собственном полупроводнике. Действительно, поскольку
Обычно П « s i V
п A Tlj, то

Рп = — лГ <.
1У
Ki­
ln Я

Дело в том, что дырки, которые образуются за счет термогенерацнп,

рекомбппцруют с электропамп нз зоны проводимости интенсивнее, чем в соб­
ственном полупроводнике, поскольку копцентрацпя электронов п в данном п

случае значительно больше, чем щ. Поэтому с увеличением концентрации

электронов проводимости концентрация дырок уменьшается.

Хаотически перемещаясь в кристалле, избыточный электрон

удаляется от атома примеси. При этом кристалл в целом остается
электрически нейтральным, хотя и образуется положительный
ион, который можно рассматривать как положительную дырку,
связанную с атомом примеси. Поскольку ион неподвижен, то речь
идет о неподвижной дырке [Л. 4], которая пе может участвовать
в электропроводности. Электропроводность обусловлена перено­
сом заряда подвижными носителями, т. е. электронами в зоне
проводимости и дырками в валентной зоне. В полупроводнике
с донорной примесью преобладает электронная электропровод­
ность, которая обусловлена переносом заряда,электронами, пере­
шедшими в зопу проводимости. Такой полупроводник называют
полупроводником с электронной электропроводностью или полу­
проводником гс-типа (от английского negative — отрицательный).
Рассмотрим теперь случай с трехвалентной примесью замеще­
ния, например с галлием (Ga), в кристаллах германия (рис. 1-7).
Атомы элементов I I I группы имеют лишь три валентных электрона,
поэтому они не могут сами укомплектовать все четыре ковалентные
связи с соседними атомами; одна из связей остается незаполненной,
в результате чего в кристалле образуются дырки, создающие
14
возможность переноса заряда электронами в валентной зоне.
Д л я перехода электрона из соседних связей на место образовав­
шейся дырки требуется небольшая энергия. Поэтому при средних и
тем более повышенных температурах атомы примесей захваты­
вают электроны из соседних связей и тем самым превращаются
в отрицательные ионы. При этом образуются дырки, которые
хаотически перемещаются в кристалле. Лишь при сравнительно
низких температурах атомы примесей, освобождаясь от захвачен­
ных электронов, становятся нейтральными.
Примеси, добавление которых приводит к образованию дырок
в валентной зоне, называются акцепторными примесями, а их

Зона проводимости.

ASg
Примесный
I уровень

-s-^-a—О—Е 0-

0 0 и и и
Дырки В валентной, зоне

Рис. 1-7. Электронная структура Рис. 1-8. Энергетические зоны в кри­

кристалла германия с примесью сталле полупроводника с акцептор­
галлия. ной примесью.

атомы — акцепторами. Акцепторами являются элементы I I I группы

периодической системы: бор (В), пидпй (In), алюминий (А1), гал­
лий (Ga).
Акцепторные ирпмесп создают в энергетической зоне уровень примесей,
лежащий на небольшом расстоянии от потолка валентной зоны (рис. 1-8).
На этот уровень может перейтп один из электронов валентной зоны, создавая
в ней дырку. При сравнительно низких температурах прпмесные уровни оста­
ются пустыми, поэтому в валентной зоне дырки не образуются. С ростом тем­
пературы электроны валентной зоны возбуждаются и начинают переходить
на примесные уровни. Для такого перехода требуется настолько малая энергия,
что уже прп комнатной температуре почти все прпмесные уровни оказываются
занятыми электронами, поэтому концентрация дырок в валентной зоне прак­
тически становится равной концентрации атомов примеси, т. е. р = JV . р a

В общем случае концентрации электронов проводимости и дырок в полу­

проводнике с акцепторной прпмосыо определяются выражениями (1-3) п (1-4),
на основании которых можно получить соотношение для произведения рп р р

для полупроводника с донорной примесью:

g c g
p iip=N N
p c v exp | — ~ " j = nf.

Следовательно, в полупроводнике с акцепторной примесью концентрация

электронов в зоне проводимости оказывается значительно меньше, чем в собст-

15
вештом полупроводнике; в первом из ппх концентрация дырок обычно больше,
поэтому происходит более нптепспвпая рекомбнпацня свободных электронов
с дырками.

В полупроводнике с акцепторной примесью преобладает дыроч­

ная электропроводность, поэтому их принято называть полупро­
водниками с дырочной электропроводностью или полупроводниками
р-типа (от английского positive — положительный).
Если в полупроводник добавлять примеси акцепторов п допоров п таких
пропорциях, чтобы концентрации электронов и дырок оказались одинаковыми,
то образуется полупроводник, который называется скомпенсированным.
В таком полупроводнике, несмотря па наличие примесей, способствующих
увеличению концентрации электронов проподпмостн и дырок, из-за повыше­
ния интенсивности рекомбинации концентрация подвижных носителей оста­
ется на том же уровне, что и в собственном полупроводнике, и определяется
выражением (1-7). Однако скомпенсированный полупроводник отличается от
собственного меньшими величипами подвижности и времепп жизни электро­
нов и.„ и т п дырок |.ip н Тр (добавление примесей приводит к образованию
п

дефектов, из-за которых возрастает степень рассеяния элоктропов па приме­

сях [Л. 4], поэтому уменьшаются ц. н ц и увеличивается скорость рекомби­
п р

нации).

Подвижные носители заряда, концентрация которых преобла­

дает, называются основными носителями. Носители заряда, концен­
трация которых меньше, чем концентрация основных носителей,
называются неосновными носителями. Так, например, в полупро­
воднике «-типа основными носителями являются электроны,
а неосновными носителями — дырки. В полупроводнике р-типа,
наоборот, основными носителями являются дырки, а неосновными
носителями — электроны.
Представленные выше соотношения п рассуждоппп справедливы для
невырожденных полупроводников, т. е. для таких полупроводников, уровепь
Фермп у которых расположен в запрещеппон зоне па расстоянии, большем
нескольких кТ от ее границ. Только для этих полупроводников справедлива
в первом приближении статистика Максвелла—Больцмана. Вырожденные
полупроводники (у которых уровень Фермп обычно оказывается либо в зоне
проводимости, либо в валентной зоне) в полупроводниковых прпборах приме­
няются сравнительно редко, поэтому пет необходимости подробно рассмат­
ривать пх. Отметим лишь следующее: вырожденный полупроводник можно
получпть увеличением концентрации примесей. Однако невырожденный
полупроводник прп повышении температуры крпсталла тоже может перейтп
в вырожденное состояние. Температура, прп которой происходит вырождение
полупроводника, называется критической температурой Т р. При этой тем­
и

пературе уровень Фермп совпадает либо с нижней границей зоны проводи­

мости, либо с верхней границей валентной зоны. В первом случае Т опре­
кр

деляется критической концентрацией электронов проводимости, а во втором

случае — критической концентрацией дырок проводимости.

Монокристаллические полупроводники применяются для изго­

товления электронных приборов. Основой большинства этих
приборов являются р-п переходы, которые образуются между
двумя соседними областями полупроводникового кристалла, одна
из которых дырочной электропроводности, а другая — элек­
тронной.Такие переходы называются также электроино-дыроч-
16
нымп переходами. В переходном слое, расположенном между р -
и re-областями, образуется область объемного заряда, что приводит
к возникновению электростатического поля, препятствующего пе­
реходу основных носителей из одной области в другую: элек­
тронов из области п в область р , а дырок из области р в область
п. Электростатический потенциал в области п оказывается выше,
чем в области р , на величину контактной разности потенциалов
сро, определяющей высоту потенциального барьера на границе
р-п перехода. Высоту потенциального барьера можно менять внеш­
ним напряжением, приложенным к р-п переходу. С изменением
высоты потенциального барьера изменяется ток, протекающий
через переход.
Электронно-дырочный переход имеет нелинейную вольт-ампер­
ную характеристику, поэтому им можно пользоваться для преобра­
зования электрических сигналов.
Для усиления электрических сигналов применяются биполяр­
ные и униполярные транзисторы.
Биполярный транзистор [Л. 8] — это полупроводниковый
прибор с двумя электронно-дырочными переходами в одном моно­
кристалле, в котором благодаря взаимодействию р-п переходов
происходит усиленпе мощности электрических сигналов.
Слой, который является общим для р-п переходов, называется
базой. При работе в усилительном режиме в базу инжектируются
неосновные носители, которые поступают из соседней области.
Эта область называется эмиттером. С другой стороны с базой
граничит область коллектора, куда обычно поступают неосновные
носители, переходящие через базовую область. Переходные
слои, которые образуются между эмиттером и базой с одной сто­
роны и между коллектором и базой с другой стороны называются
соответственно эмиттерным и коллекторным переходами.
Усиление мощности в биполярном транзисторе достигается
переносом заряда неосновными носителями, которые, преодоле­
вая потенциальный барьер у эмиттерпого перехода за счет энер­
гии источника сигнала и скатываясь в потенциальную яму у коллек­
торного перехода, способны совершать работу большей величины,
чем затраченная энергия.
В отличие от биполярных транзисторов принцип действия
униполярных транзисторов основан исключительно на переносе
заряда основными носителями [Л. 9]. Напряжение питания уни­
полярного транзистора включается так, чтобы основные носители
перемещались через канал от истока к стоку.
Шириной капала можно управлять, изменяя потенциал
затвора относительно истока. Затвор с соседней областью, где
расположен канал, образует р-п переход, к которому в рабочем
режиме подключается запирающее смещение. При изменении
этого смещения изменяется ширина переходного слоя и, следова­
тельно, ширина канала, а поэтому модулируется его сопротивление.
С модуляцией сопротивления изменяется ток. Таким образом,
17 | Гос. пубчичная V
j научно-г»*ничб»*ая I
j б^бЛгЮ.йна О С С Р }
величиной тока, поступающего в стоковую цепь, можно управлять
изменением напряжения на затворе, расходуя незначительную
мощность. При этом в стоковой цепи можно получить заметное
усиление мощности электрического сигнала. Это униполярный
транзистор с управляющим р-п переходом.
В настоящее время применяются также униполярные транзис­
торы металл—диэлектрик—полупроводник (так называемый МДП
транзистор). Это транзистор, в котором металлический затвор
изолирован слоем диэлектрика от канала. Его действие также
основано на модуляции сопротивления канала изменением сме­
щения на затворе.

Глава вторая

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ

Характеристики и параметры полупроводниковых приборов

прежде всего определяются электронными процессами, которые
протекают в рабочих областях кристалла. Эти процессы — диф­
фузия и дрейф носителей, с одной стороны, и нарушения термо­
динамического равновеспя между процессами рекомбинации и
генерации носителей, с другой стороны, — достаточно полно
описываются тремя основными дифференциальными уравнениями
[ Л . 1]: уравнением плотности тока, уравнением непрерывности
и уравнением Пуассона для электростатического поля. Эти урав­
нения рассматриваются в § 2-1, 2-2 и 2-3, где кратко освещается
также их физическая сущность.
Точное решение основных дифференциальных уравпений в
общем виде не представляется возможным. Поэтому при техни­
ческих расчетах прибегают к приближенным методам определения
параметров, характеризующих электронные процессы в полупро­
водниках. Одним из наиболее простых и достаточно точных спо­
собов является выражение параметров через приближенные
интегральные соотношения, которые рассматриваются в этой
главе.

2-1. ОБРАЗОВАНИЕ Н А П Р А В Л Е Н Н Ы Х ПОТОКОВ НОСИТЕЛЕЙ

ЗАРЯДА. УРАВНЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ТОКА

Под действием тепловой энергии электроны и дырки совер­

шают беспорядочное движение. Однако в области, где действует
электрическое поле, происходит преимущественное перемещение
18
 1
носителей заряда вдоль этого поля со средней скоростью дрейфа
' ^ , . д р = - М 11
V Jw = l4>E.
P (2-1)
При этом образуется так называемая дрейфовая составляющая
тока, плотность которого определяется скоростью дрейфа и плот­
ностью заряда подвижных носителей, т. е.
W = - У др0П =
п H-Ai и 7рдр = ^рдрдр = М.р£д , Р (2-2)
где q = en и g = ер — плотность заряда электронов и дырок
n p

соответственно.
Преимущественное перемещение электронов и дырок из одной
области полупроводника в другую может происходить и при
образовании перепада (градиента) концентрации носителей.
Именно этому обязана своим возникновением диффузионная
составляющая тока, плотность которого пропорциональна коэффи­
циенту диффузии D и градиенту плотности носителей заряда:
/, |.Ф = D e grad /г = D grad q ;
1Д n n n (2-За)
7'рднФ = — D e grad p = —D grad q .
p v p (2-36)
В уравнении (2-36) поставлен знак минус, так как результирующая диф­
фузия дырок происходит в направлении, противоположном направлению
возрастания их концентрации. Диффузия электронов тоже происходит в
направлении, противоположном градиенту их концентрации. Но движение
потока электронов противоположно техническому направлению тока, и в урав­
нении (2-За) поставлен знак плюс. Последнее замечание относится и к направ­
лению дрейфовых составляющих тока: двшкенпе дырок совпадает с направле­
нием напряженности поля, а движение электронов происходит в противопо­
ложном направлении.

Суммарные токи электронов и дырок складываются из дрей­

фовых и диффузионных составляющих и определяются следу­
ющими уравнениями:
L = М - А , + D grad g ]n n (2-4а)
/ = ii Eq
р p v — D gradq .
p p (2-46)

Итак, в полупроводниковых кристаллах электрический ток

образуется направленными потоками двух видов подвижных
носителей заряда: электронов и дырок. Поэтому плотность общего
тока j складывается из плотности тока электронов и плотности
тока дырок:
7 = / » + /р-
Следует также подчеркнуть, что в полупроводниковых крис­
таллах имеют место два механизма образования направленных

1
Как здесь, так и в последующем изложении величины, характеризующие
движение электронов и дырок, будут отмечены дополнительным индексом
п и р соответственно.

19
потоков носителей заряда: под действием электрического поля
(образуется дрейфовая составляющая тока) и под действием
перепада концентрации носителей (образуется диффузиоппая
составляющая). В проводниках, как известно, диффузионные
токи отсутствуют, так как в них концентрация электронов практи­
чески постоянна. В полупроводниках же концентрация как элек­
тронов, так п дырок меняется в широких пределах, что приводит
к образованию перепадов концентрации подвижных носителей
и соответственно возникновению диффузионных токов.

2-2. НАКОПЛЕНИЕ И РАССАСЫВАНИЕ ПОДВИЖНЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА. УРАВНЕНИЕ НЕПРЕРЫВНОСТИ

При работе полупроводниковых приборов в различных обла­

стях кристалла происходят накопление и рассасывание электронов
и дырок, что приводит к изменению плотности заряда этих носи­
телей. Изменение плотности заряда подвижных носителей описы­
вается уравнением непрерывности, которое для электронов и дырок
может быть представлено соответственно в следующем виде:
д<?н _ Чп — Qno •div/„; (2-5а)
dt т„
dq _ P Qp — Чро
div/p. (2-56)
l
p
Здесь q = п е и д = р е — плотности заряда электронов
nQ 0 р0 0

и дырок, соответствующие их равновесной концентрации п и п0

Рро! n T
L'nlD =
и т = Lp/Dp — время жизни электронов и
n р

дырок; L и L — дпффузиоиная длина электропов и дырок.

n p

Из уравнения непрерывности следует, что изменение плотности

заряда подвижных носителей во времени определяется изменением
плотности заряда в самом объеме и дивергенцией (расходимостью)
потока носителей заряда, проникающего в рассматриваемый
объем через ограничивающую его поверхность. В уравнении (2-5а)
перед членом d i v / стоит знак плюс, так как иаправленпе потока
n

электронов противоположно току, образуемому этими электро­

нами.
Изменение плотности заряда носителей в самом объеме обуслов­
лено, с одной стороны, генерацией, а с другой — рекомбинацией
электронов и дырок. Генерация, характеризуемая членами q /x n0 n

и q /x , приводит к увеличению концентрации носителей заряда.

p0 p

Рекомбинация, скорость которой определяется величинами q lx n n

и q /x , способствует уменьшению концентрации посителей заряда.

p p

Выясним, почему скорость генерации определяется равновесной концент­

рацией носителей заряда, тогда как скорость рекомбинации оказывается
пропорциональной концентрации носителей заряда в данный момент времени.
Строго говоря, скорость генерации определяется концентрацией электро­
пов в валентной зоне и числом свободных уровней в зоне проводимости. Кон­
центрация электропов в валснтпой зоне и число свободных уровпей в зоне

20
проводимости достаточно велики [Л. 1] и практически не зависят от концент­
рации подвижных посптелей заряда — электронов н дырок. Поэтому скорость
генерации в неравновесном состоянии оказывается такой же, что и в равно­
весном. Между тем количественную оценку процесса генерации сравнительно
просто можно получить в равновесном состоянии. При термодинамическом
равновесии увеличение плотности заряда, обусловленное генерацией носите­
лей, компенсируется точно таким же уменьшением плотности заряда, вызы­
ваемым их рекомбинацией. Следовательно, скорость генерации равна скорости
рекомбинации носителей заряда в равновесном состоянии. Последняя же
определяется равновесной концентрацией посптелей заряда п п р . Прп нару­
0 0

шении термодинамического равновесия число электронов н дырок, генериру­

емых в единице объема, не меняется и также оказывается пропорциональным
равповесиой концентрации посптелей заряда. Поэтому в уравнении непре­
рывности генерация носителей заряда для неравновесного состояния харак­
теризуется величинами q n0 п q . Скорость же рекомбинации определяется
VB

концентрацией подвижных носителей заряда в данный момент времени, поэ­

тому изменение плотности заряда, обусловленное рекомбинацией, характе­
ризуется величинами д п д .
п р

2-3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ В КРИСТАЛЛАХ. УРАВНЕНИЕ

ПУАССОНА

В полупроводниковом кристалле электрическое поле возникает

в тех его областях, где имеются неоднородности. Неоднородность
в кристалле может образоваться вследствие неравномерного распре­
деления примесей. При этом образуется электрическое, поле,
которое называют встроенным или собственным. Неоднород­
ности, способствующие образованию электрического поля в крис­
талле, могут возникнуть и под воздействием внешних факторов:
света, тепла, внешних электрических и магнитных полей и т. д.
Напряженность электрического поля и распределенпе электри­
ческого потенциала определяются уравнением Пуассона
divE = ^ (2-6)
ее
0

Здесь Е = —grada|) — напряженность электрического поля;

•ф — электростатический потенциал; е — относительная диэлек­
трическая проницаемость среды; е — диэлектрическая прони­
0

цаемость вакуума; р о = е (р — п + iV — 7V ) — плотность

0 H a

объемного заряда.

2-4. ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ

Основные дифференциальные уравнения позволяют определить

характеристики полупроводниковых приборов однозначно, если
известны граничные условия. Полупроводниковые пластины,
на основе которых изготовляются приборы, разграничиваются
поверхностью самого кристалла и металлическими контактами,
при помощи которых осуществляется подключение к выводам
прибора.
Кратко рассмотрим поверхностные свойства полупроводников.
На поверхности кристалла нарушается его нормальная структура
21
и образуются дефекты. Эти дефекты вызывают появление поверхно­
стных энергетических уровней. Такие поверхностные состояния,
предсказанные И. Е. Таымом еще в 1932 г., существуют даже в
идеальном кристалле. В реальных кристаллах поверхностные
уровни возникают главным образом вследствие адсорбции примесей
на поверхпости [Л. 4]. Кроме того, искажению энергетической
зоны способствуют и поверхностные рекомбинациониые ловушки.
Таким образом, из-за нарушения кристаллической структуры
на границе полупроводника, адсорбции примесей на поверхности
и возникновения рекомбинационных ловушек образуются дефекты,
которые вызывают появление поверхностных уровней.
На рис. 2-1, а показана энергетическая диаграмма для полу­
проводника n-типа, у которого па поверхности имеются акцептор­
ные уровни, способствующие повешению концентрации дырок.

/ Инверсный,
слой

—«,
Рис. 2-1. Энергетическая диаграм­
ма у поверхности полупроводни­
ка с электронной электропровод­
ностью при захвате поверхност­
ными уровнями электронов (а) и
дырок (б).
4
а) В)
Рис. 2-2. Энергетическая диаграм­
ма у поверхности полупровод­
ника с дырочной электропровод­
ностью при захвате поверхност­
ными уровнями дырок (о) и элек­
тронов (б).

Так как концентрация электронов в объеме кристалла значительно

выше, чем на его поверхности, то электроны стремятся заполнить
поверхностные уровни. При этом вблизи поверхности образуется
обедненный от электронов слой, в котором заряд доноров не компен­
сируется зарядом электронов. Этот объемный заряд приводит к обра­
зованию у поверхности кристалла электрического поля, которое
препятствует дальнейшему переходу электронов на поверхностные
уровни. Под действием электрического поля происходит искрив­
ление энергетических зон (рис. 2-1). Эти искривления распрост­
раняются в глубь полупроводника, поэтому, говоря о поверхност­
ных явлениях, имеют в виду приповерхностный слой со свой­
ствами, отличающимися от свойств толщи полупроводника [Л. 10].
Если на поверхности образуются донорные уровни, то у полу­
проводника n-типа (рис. 2-1, б) в приповерхностном слое обра­
зуется избыток электронов (обогащенный слой). При этом энерге­
тические уровни у поверхности изгибаются вниз.
В случае полупроводника р-типа энергетические зоны также
будут изгибаться вниз, если на поверхности захватываются дырки
(донорные уровни — рис. 2-2, а) и изгибаться вверх, если захваты­
ваются электроны (акцепторные уровни — рис. 2-2, б).
22
 Если в полупроводнике /i-тппа изгиб энергетических уровней
настолько значителен, что валентная зона окажется ближе к
уровню Ферми Шр, чем зона проводимости, то вблизи поверхности
образуется слой, где концентрация дырок превышает концентра­
цию электронов. Слой такого типа называют инверсным(рас. 2-1, а),
так как его эффективная проводимость противоположна прово­
димости толщи полупроводика. В полупроводнике р-типа, на
поверхности которого происходит интенсивный захват дырок,
может образоваться инверсный слой с эффективной проводимо­
стью 7г-типа (рис. 2-2, а).
Инверсные слои играют важную роль в образовании канальных
токов (см. § 3-4). Поверхностные эффекты влияют на характери­
стики полупроводниковых приборов также из-за усиленной реком­
бинации электронов и дырок, которая происходит через поверх­
ностные рекомбпнационные ловушки. Для количественной оценки
поверхностных эффектов обычно не требуется рассматривать
подробно поверхностные уровни [Л. 10]. Значительно проще и
удобнее характеризовать эти эффекты скоростью поверхностной
рекомбинации, определяющей граничное условие на поверхности
кристалла, которое можно представить в следующем виде:
Jsu = ± s ( g - g
s s 0 ), (2-7)

где q и д — плотности заряда подвижных носителей на поверх­

s0 8

ности соответственно в равновесном и неравновесном состояниях;

/ „ — нормальная составляющая плотности тока на поверхности
8

кристалла; s — скорость поверхностной рекомбинации.

В уравнении знак плюс ставится для потока электронов, а
знак минус — для потока дырок.
Искривление энергетических зон происходит также на границе
контакта полупроводник — металл. Диаграммы рис. 2-1 и 2-2
в равной мере справедливы и для контакта полупроводник — металл,
где искривление также является результатом действия электри­
ческого поля, которое возникает из-за образования слоя объем­
ного заряда на границе. Если электроны переходят из тела с мень­
шей работой выхода (металл или полупроводник) в тело с большей
работой выхода (полупроводник или металл), то в первом из них
возникает положительный объемный заряд, а во втором — отри­
цательный. При этом на границе образуется потенциальный
барьер, высота которого равна разности работ выхода полупро­
водника и металла. Эта разность называется контактной разностью
потенциалов.
Металлические контакты, как известно [Л. 4, 6, 10], разделяют
на два типа: выпрямляющие и невыпрямляющие (омические).
Контакты, обладающие выпрямляющим эффектом, широко приме­
нялись в первые годы после открытия транзисторов.
В настоящее время в транзисторах в основном используются
омические контакты, характерной особенностью которых является
почти полное отсутствие выпрямляющих свойств при низких
23
уровнях пижекции. В окрестностп омического контакта концент­
рация подвижпых носителей не претерпевает заметных изменений
[Л. 4], так как даже сравнительно небольшие изменения концент­
рации носителей приводило бы к заметному изменению контактной
разности потенциалов. Следовательно, граничное условие для
иевыпрямляющего контакта можно представить в виде
q = const, KS

где <7, — плотность заряда подвижных посителей у контактов.

<s

Вольт-амперная характеристика иевыпрямляющих контактов

представляется прямой линией, поэтому их иногда называют
линейными контактами [Л. 6].
При анализе р-п переходов обычно пользуются граничными
условиями, определяющими концентрацию неосновных посителей
непосредственно на границах электронно-дырочного перехода.
Разумеется, речь идет не о границе полупроводник — полупровод­
ник. [Л. 10] при механическом соединении разнородных полупро­
водниковых пластин, а имеются в виду нзвестпые граничные усло­
вия Шоклп [Л. 1] для р-п переходов
р = р„ ехр^;
п 0 n =
p n exp|jf.
p0 (2-8)

Из этих соотношений следует, что концентрация неосновных

носителей заряда на границах переходного слоя как в области
с электронной электропроводностью (р„), так и в области сдырочной
электропроводностью (п ) определяется равновесной концентра­
р

цией носителей заряда (р и /г ) и разностью электростатических

п0 р0

потенциалов переходного слоя в неравновесном н равновесном

состояниях U . Последняя представляет собой напряжение внеш­
n

него источника, которое падает па переходном слое.

Для определения характеристик прибора, изготовленного пз полупро­
водниковой пластппы в виде различных сочетаний р-п переходов, достаточно
знать основные параметры полупроводника, геометрию прибора, закон распре­
деления примесей, граничные условия на поверхности кристалла и метал­
лических контактов, а также величину тока плп напряжения, которое при­
кладывается к внешним контактам прибора. При этом пе требуется знать
концентрацию неосновных носителей заряда на границах переходного слоя
р и пр. Строго говоря, точные значения этпх величин можно определить
п

только после решения основных дифференциальных уравнений. Однако если

можно хотя бы приближенно определить концентрации неосновных носителей
заряда на границах электронно-дырочного перехода и использовать их в ка­
честве граничных условий, то удается существенно упростить анализ полу­
проводниковых прпборов.

Граничные условия (2-8), представляющие собой одно из

основных положений теории электронио-дырочпого перехода,
можно обосновать следующими рассуждениями.
Как известно, на границе р-п перехода образуется потенци­
альный барьер, препятствующий перемещению основных носите­
лей заряда — дырок из р-области в ?г-область и электронов из
24
?г-областп в р-область. В равновесном состоянии высота потен­
циального барьера равняется контактной разности потенциалов
срд, определяемой разностью электростатических потенциалов
на границах перехода. В неравновесном состоянии высота потен­
циального барьера изменяется на величину напряжения U„,
приложенного непосредственно к переходу.
Представив электронно-дырочный переход в виде потенциаль­
ного барьера с высотой срд — U , можно записать: n

Фд- Фо - и
п
(2-9)
P = P e*V — п — п ехр
Ч'т
n P р п
Фг
Суть этих соотношений заключается в следующем: вероятность
преодоления потенциального барьера электронами и дырками,
во-первых, пропорциональна концентрации носителей заряда
на дне «потенциальной ямы» (р или п ), и, во-вторых, она опре­ п

деляется энергией носителей заряда. При распределении носителей

заряда по энергетическим уровням согласно (1-2) из общего их
числа п и р обладают энергией, большей, чем высота потенци­
п р

ального барьера ср — U , только часть — ехр (—• —

с ^).
n

\ Фт /
На основании соотношений (2-9) и условия нейтральности
на границах перехода е (п — р ) — eN = 0; е (р — п ) — п п n р р

— N e = 0 можно показать, что концентрация неосновных носи­

p

телей заряда определяется соотношениями

ль
(2-10а)
2sh Фт

Фл-^г
Рп = (2-106)
2sn
Фо-^п Фт

Здесь А и N — результирующая концентрация примесей

г
р n

на границах перехода соответственно в р - и п- областях.

Выражения (2-10а) и (2—106) существенно упрощаются при
выполнении неравенства

которое имеет место при смещениях U , удовлетворяющих усло­ n

вию ср — U > (2 -т- 3) фг. При этом граничные условия можно

д n

записать в следующем виде:

n ~ N ехр ( - ^ п ) ;
p n Р а ~ N ехр ( - ^
v ) . (2-12)

25
 Из выражений (2-12) следует, что в равновесном состоянии
(U n = 0) концентрация неосновных носителей равна:

ф£ Фс
T
ho = N n
е х
Р P o = Np ехр
n (2-13)
Фг Фг

Учитывать последние соотношения, выражения (2-12) можно

преобразовать к виду (2-8).
Для удобства граничные условия (2-10) целесообразно выразить
экспоненциальной зависимостью и в том случае, когда не соблю­
дается условие (2-11). Это можно осуществить введением коэффи­
циентов т„ и т в степень экспо­ р

ненты, представив граничные усло­

0.9 г 1,0 —. вия в следующем виде [Л. 111:

им и„
'"„Фг
0,8 Л
P„ = P„oUs.p (2-14)
0.75 от
Величины коэффициентов т„ и
Ч/Т,
0,710,8\ можно рассчитать из соотношении
0,9 0,925 0,95 0,S7S 1,0
(2-10). Результаты расчета для о+-/г
Рис. 2-3. Графики зависимости перехода с отношением N /N = 100 p n

коэффициентов т и т
р от приведены в виде графика на рис. 2-3.
п

относительной величины на­

пряжения смещения для
При низких и средних смещениях U n

+
р -п перехода. коэффициенты т„ и т близки к еди­ р

нице. При высоких уровнях сме­

щения не выполняется неравенство
(2-11), коэффициенты т и т становятся меньше единицы и стре­
п р

мятся к нулю с приближением напряжения на переходе U к кон­ a

тактной разности потенциалов cp . Заметное уменьшение коэффи­ D

циента т или т для неосновных носителей заряда в высокоомной

п р

области (в большинстве случаев это — область базы) наблюдается

при очень высоких уровнях инжекции [U ^ (0,9 + 0,95) фд], n

в низкоомной области при меньших уровнях инжекции [U ^ n

25-(0,5 + 0 , 6 ) фв].
Интересно отметить, что в соответствии с условиями (2-10а)
и (2-106) концентрация неосновных носителей заряда должна
безгранично возрастать при напряжении па переходе U , близком a

к контактной разности потенциалов срд. Разумеется, что наиболь­

шая величина внешнего напряжения на переходе U не может a

превысить контактную разность потенциалов фд, так как для этого

потребовалось бы бесконечно большое увеличение концентрации
носителей заряда.
При решении практических вопросов вместо концентрации
подвижных носителей удобно иметь дело с плотностью их заряда.
26
Граничные условия для плотности заряда неосновных носителей
можно представить в виде

?» = 0 п о е х р ; ^ ; 9 р = у „ехр^-.
р (2-15)

Для низких и средних уровней смещений справедливы условия

Шокли:
д = Япо^р~;
п ?р = д о е х р ^ ; .
Р (2-16)

2-5. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НЕРАВНОВЕСНОМ

СОСТОЯНИИ

Характер процессов, которые протекают в полупроводниковом

кристалле, в значительной степени зависит от распределения
плотности заряда неосновных носителей в рассматриваемой
области. Пользуясь уравнением плотности тока (2-4), можно
показать, что распределение плотности заряда неосновных носи­
телей q (I) вдоль линии тока определяется следующей функцией:
1

-МО (2-17)

где I — координата вдоль линии тока; / (£) — плотность тока

неосновных носителей; % (Г) = drip (1)/^т — отношение электроста­
тического потенциала яр (Z) к температурному потенциалу фт
(знак плюс ставится для дырок, а знак минус — для электронов).
Через Z , д и Х обозначены граничные значения соответствующих
rp гр гр

величии.
Активные элементы полупроводниковых приборов ограничены поверх­
ностью самого кристалла, электронно-дырочными переходами п металлнче-
скпмп поверхностями контактов. Плотность заряда неосновных носителей на
поверхности кристалла q согласно граничному условию (2-7) определяется
s

плотностью тока / , пронизывающего поверхность, н скоростью поверхност­

5 Н

ной рекомбинации s, т. е.
Qs — ?so = ± /sh/s-

Плотность заряда у электронно-дырочного перехода определяется плот­

ностью заряда равновесных носителей п напряжением, приложенным к пере­
ходу, т. е.
?п = ?<>ехр
Фг
(т — т для дырок п т = т для электронов). На металлической поверх­
р п

ности невыпрямляющего контакта плотность заряда неосновных носителей

равна своему равновесному значению.

1
Для краткости в дальнейшем соответствуюпще выражения записыва­
ются в общем виде так, чтобы они были справедливы п для электронов п для
дырок.

27
 Используя указанные условия, можно определить граничные условия для
плотности заряда неосновных носителей в рассматриваемой области кристалла.
Д л я потока носителей заряда, направленного па поверхность кристалла,

Чгр — Qs'i ^rp =

^s-
Для носителей заряда, которые инжектируются эмиттером траизпстора
и покидают область базы через коллекторный переход,
=
<7гр = <?к', Vp ^i<i
е х —
где 5к = <?ко Р (#к/'ифг) плотность заряда неосновных носителей в базе
на границе коллекторного перехода, смещенного внешним напряжением U . K

Для носителей заряда, инжектируемых коллектором и уходящих из

базы через эмиттерпып переход, q равняется плотности заряда неосновных
rp

носптелей, накопленных в базе непосредственно у эмнттерного перехода д = 3

а
= 9эо ехр ( г / э / т ф г ) ] . = V
При определении плотности заряда неосновных носителей граничные
условия можно упростить, если учесть, что при умеренных уровнях инжекцин
с достаточной точностью соблюдается следующее соотношение:
5 е^гр = const.
гр (2-18)
Действительно, в первом приближении можно пренебречь токами утечкп
по поверхности кристалла и электропо-дырочного перехода, через который
неосновные носители покидают рассматриваемую область, т. е. считать
/гр = £ г р № р ± D grad 9 г р = 0. (2-19)
Так как
0 = ц,ф г п £ г р = — grad гр гр

пли, что то же самое,

Е р М - = ± -Dgrad Я, ,
Г Гр

то из (2-19) вытекает, что

9гр grad Я г р + grad q rp = О,
а следовательно,
grade гр
<7 р = 0
Г п е Р<7 = const.
г
гр

Из выражения (2-17) видно, что неосновные носители заряда

можно разделить на две группы. Первая группа носителей заряда
под действием электрического поля и градиента концентрации
носителей создает направленный поток с плотностью тока, равной
j (£). Плотность заряда этих носителей дт {I) определяется первым
слагаемым выражения (2-17)

q {l)
T = e-WJ j{l) -^dl.
e
(2-20)

Вторая группа носителей заряда находится в состоянии

динамического равновесия, которое поддерживается соответствую­
щими условиями на границах рассматриваемой области. Поэтому
плотность заряда этих носителей q определяется граничным усло­ T

вием
Чт = ?гр ехр (Х — К). (2-21) гр
 Очевидно, что параметры, характеризующие движение носи­
телей в той или иной области, будут определяться только
первой составляющей плотности заряда дт (I). Рекомбинация же
будет определяться изменением заряда всей массы неосновных
носителей, как тех, которые создают направленный поток,
так и тех, которые находятся в состоянии динамического
равновесия.

2-6. ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИФФУЗИИ И ДРЕЙФА НЕОСНОВНЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Характер электронных процессов в полупроводниковых при­

борах прежде всего определяется диффузией и дрейфом неоснов­
ных носителей заряда. Диффузию и дрейф неосновных носителей
заряда достаточно полно можно характеризовать средней вели­
чиной времени пролета носителей через рассматриваемую об­
ласть и дисперсией этого времени.
Среднее время пролета носителей ^гч^<?,
заряда вдоль линии тока будет опре­
деляться [Л. 12] следующим криво­
линейным интегралом:

dl_
(2-22)
(I)'

где 1 и / — начальная и конеч-

0 г р

пая координаты линии тока (рис. 2-4). Рис. 2-4. Трубка, образован­
ная линиями тока I .
Первая из них, как правило, совпа­
дает с границей п-р перехода, через
который инжектируются неосновные носители, а вторая опре­
деляется границей перехода (или контакта), через который они
покидают рассматриваемую область.
Среднюю скорость носителей заряда Ъ (I) можно определить
как отношение плотности тока неосновных носителей заряда,
создающих направленный поток, к плотности их заряда:

_ 1 (I)
v(l) (2-23)

Согласно выражениям (2-20), (2-22) и (2-23) среднее время

пролета носителей заряда вдоль линии тока определяется следую­
щей интегральной функцией:

С у
e-XU) с -Kilt

Н 7ЙГ) ( 2
" 2 4 )

1о I
29
 Среднее же время пролета посителей заряда для всего потока
можно определить как среднее арифметическое

$ tidS

c/S S r v У
S
,- P ^

При этом усреднение удобно производить по поверхности S , r p

разграничивающей р-п переход, через который неосновные носи­

тели покидают рассматриваемую область.
Таким образом, среднее время пролета носителей через рас­
сматриваемую область определяется следующей формулой:

'гр , , 'гр ,.
т ( 2 2 5 )
^ "

Чр 'о '
Величина тг определяется средней скоростью носителей заряда.
Поэтому ею можно характеризовать только временную задержку
(фазовые сдвиги) потока неосновных носителей заряда. При помощи
тт нельзя определять ни «расплыванпе» коротких импульсов, ни
искажения фронта импульса, обусловленные диффузией. Попытки
характеризовать искажения фронта импульсов при помощи сред­
него времени пролета (введением поправочных коэффициентов)
не обоснованы [Л. 12].
В полупроводниковых приборах даже при наличии встроен­
ного электрического поля существенную роль играет диффузия.
При диффузии же неизбежно имеют место, отклонения от среднего
времени пролета носителей заряда [Л. 1]. Эти отклонения опреде­
ляются нормальным законом распределения, и их удобно харак­
теризовать дисперсией — средним значением квадрата отклонения
времени пролета от его среднего значения.
В рассматриваемом нами случае дисперсия характеризуется
величиной, обратно пропорциональной коэффициенту диффузии
D с плотностью распределения вероятности j e [см. выражение k

(2-24)]. Квадрат отклонения этой величины на пути от любой

точки I до Z характеризуется функцией вида
rp
х

1 f . ,
Р(1)=2
i

1
В дальнейшем для упрощения записи аргумент подынтегральных функ­
ций но указывается.

30
 Дисперсия времени пролета носителей заряда вдоль линии
тока определится следующим выражением:

07 = 2 [ je^P{l)dldl.
i г
Дисперсия времени пролета носителей для всего потока, как и
в предыдущем случае, определяется как среднее арифметическое
от а?.
Итак, дисперсия времени пролета носителей через рассматри­
ваемую область выражается формулой

с« d £ . (2-26)
гр
Из формул (2-25) и (2-26) следует, что среднее время пролета
и дисперсия этого времени определяются распределением плот­
ности тока и электростатическим потенциалом в рассматриваемой
области.
Если длина пути зпачительио меньше диффузионной длины носи­
телей заряда, то в первом приближении можно пренебречь изме­
нением плотности тока и, таким образом, избавиться от необхо­
димости определения закона распределения плотности тока. Д л я
базовой области транзистора подобное допущение вполне прием­
лемо. Если ввести еще некоторые поправочные коэффициенты,
учитывающие уменьшения тока неосновных носителей во всем
рассматриваемом объеме, то получается хорошее совпадение между
точными и упрощенными формулами. Поправочный коэффициент
определяется величиной ест, которая представляет собой коэф­
фициент перепоса неосновных носителей заряда через рассматри­
ваемую область. Этот коэффициент характеризует уменьшение тока
неосновных носителей, которое обусловлено рекомбинацией.
Таким образом, при практических расчетах целесообразпо
воспользоваться следующими упрощенными формулами:
т = а тг
т 7 и а = а Ьт,
т т (2-27)
где тг и of представляют собой параметры полупроводникового
прибора с постоянной плотностью тока.
В полупроводниковых приборах различают нормально и ин­
версно направленные потоки носителей заряда. Нормально направ­
ленным называется поток тех носителей заряда, которые переме­
щаются в направлении, соответствующем обычному рабочему
режиму прибора (например, в транзисторах движение неоснов­
ных носителей заряда в базе от эмиттера к коллектору). Поток
носителей заряда, которые перемещаются в противоположном
направлении, называется инверсно направленным (например, от
коллектора к эмиттеру). Условимся для потока, показанного на
рис. 2-4, считать нормальным направление от 1 к / , а инверсным—
0 гр

31
направление от Z к 1 . Тогда среднее время пролета и дисперсия
rp 0

этого времени для нормально направленного потока определяются

следующими формулами:

т Ь =j- jj j ' ^ f J dl dS; (2-28a)

d^dldsl , (2-286)

а для инверсно направленного потока

(2-29а)

(2-296)

Параметры, определяемые соотношениями (2-27) — (2-29),

характеризуют диффузию и дрейф неосновных носителей в рас­
сматриваемой области полупроводникового кристалла.
Из характеристических параметров полупроводника на величины т г

и а влияет коэффициент диффузии или связаппая с п и м известным соотноше­

т

нием Эйнштейна подвижность носителей заряда р. = Д / Ф . Подвижность р. г

представляет собой среднюю скорость дрейфа, приобретаемую носителями

заряда в электрическом поле с напряженностью, равной единице. Величина ц,
в значительной степени определяется рассеянием подвижных поснтолей на
дефектах кристалла [Л. 4], в том числе и рассеянием па ирпмсспых центрах.
С различными механизмами рассеяния, определяющими иодвижпость носите­
лей (х, можно ознакомиться в монографии [Л. 4].
Подвижность носителей зависит от концентрации примесей. Эта зави­
симость теоретически определяется формулой Коиуэлла—Вайскопфа [Л. 13],
достоверность которой подтверждается наблюдаемым па практике уменьше­
нием подвижности (.1 с увеличением концентрации примесей. Температурная
зависимость ц. не совсем хорошо согласуется с теорией, поэтому при необходи­
мости приходится пользоваться формулами, основанными на эксперименталь­
ных результатах. Эти формулы имеют следующий вид:
для германия LI„ = 3,5 • l O T - M ; р = 9 , 1 - 1 0 П ;
р
8 !

е - 1 5 8 - 2 3
для кремния = 5,1 - 1 0 Г . ; р = 2 , 4 - 1 0 Г . , где Т — абсолютная
р

температура.

2-7. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССА ГЕНЕРАЦИИ

И РЕКОМБИНАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

В полупроводниковых кристаллах под действием тепла, света,

рентгеновского излучения и т. д. происходит генерация пар
электрон—дырка. В состоянии термодинамического равновесия
увеличение концентрации электронов и дырок, вызванное гене­
рацией, уравновешивается рекомбинацией.
 Вольт-амперные характеристики полупроводниковых прибо­
ров прежде всего определяются тепловыми токами переходов,
которые образуются в результате генерации носителей заряда.
Именно с этой точки зрения нас интересует процесс генерации.
Как известно, из-за рекомбинации в области базы происходит
уменьшение концентрации неосновных носителей заряда, а следо­
вательно, и уменьшение тока в нагрузке и выделяемой в ней
мощности. Процесс рекомбинации влияет и на инерционность полу­
проводникового прибора. Во всех тех случаях, когда имеются какие-
либо факторы, ограничивающие поток основных носителей заряда
в данной области, скорость переходных процессов в приборе
определяется скоростью рекомбинации.

Зона, проводимости,
Зона проводимости. &с с=>
С?
а. д

*«
-
г!
и г Ц г^п г—1 г?
а Т
5
5 в

4S 1> 1ъ е
Вале нтная зона. , Ва лентная зона.
*•

Рис. 2-5. Энергетическая Рис. 2-6. Энергетическая диаграм­

диаграмма для иллюстра­ ма для иллюстрации ступенчатой
ции прямой рекомбинации рекомбинации п генерации через
и генерации. рекомбинацпонные ловушки.

Механизмы рекомбинации и генерации электронов и дырок

можно разделить [Л. 4] на три основные категории: а) прямая
рекомбинация; б) рекомбинация через ловушки; в) поверхностная
рекомбинация.
В первом случае соединение электрона с дыркой, т. е. реком­
бинация, происходит благодаря прямому, одноступенчатому пере­
ходу электрона из зоны проводимости на незанятый уровень ва­
лентной зоны (рис. 2-Ъ, а). Этот акт сопровождается излучением
избыточной энергии электрона, поэтому такой механизм реком­
бинации называется излучательным [Л. 4]. При прямой генерации
электрон пз валентной зоны непосредственно переходит в зону
проводимости (рис. 2-5, б).
Вторая категория рекомбинации и генерации осуществляется
посредством определенного рода дефектов полупроводникового
кристалла. Эти дефекты образуют рекомбииационные ловушки
(или так называемые центры рекомбинации), энергетический уро­
вень которых обычно расположен вблизи середины запрещенной
зоны (см. на рис. 2-5 уровень % ). При наличии рекомбпнационных
t

2 Лгаханпн Т, М, 33
ловушек переход электрона из зоны проводимости в валентную
зону (рекомбинация) и, наоборот, из валентной зоны в зону
проводимости (генерация) происходит двумя последовательными
актами, которые могут быть разделены относительно большим
промежутком времени. Например, если рекомбинациониая ло­
вушка нейтральна, то она может захватить электрон из зоны
проводимости (рис. 2-6, а). При этом также рассеивается энергия,
но меньшей величины, чем при одноступенчатом переходе. После
некоторого времени электрон может перейти в валентную зону
(с излучением остаточной энергии), и тем самым процесс реком­
бинации завершается (рис. 2-6, б). Аналогично происходит
генерация пары электрон—дырка через рекомбииационные ло­
вушки: нейтральная рекомбинациониая ловушка захватывает
электрон из валентной зоны (рис. 2-6, в), а затем отдает его в зону
проводимости (рис. 2-6, г).
Вероятность перехода электрона из одного состояния в другое
быстро уменьшается по мере увеличения излучаемой энергии.
Поэтому двухступенчатый переход, в каждой ступени которого
рассеивается энергия меньшей величины, значительно более
вероятен, чем одноступенчатый.
Процесс рекомбинации и генерации через рекомбииационные ловушкп
впервые анализировал Холл [Л. 14]. Теория этого процесса получила свое за­
вершение в работе Шоклн и Рида [Л. 15]. Согласно статпстике Холла, Шоклп
н Рида время жизни носителей заряда в объеме полупроводникового кристалла
т определяется аффективным уровнем энергии электронов ё< в рекомбннацпоп-
ных ловушках, концентрацией этих ловушек A't и концентрацией подвижных
ц
носителей заряда: электронов п =п + 77 и дырок р = р + ft ("о Ро —
а t 0

концентрация подвижных носителей заряда в равповеспом состоянии, n t

п р — концентрация неравновесных носителей).

г

Зависимость т от St определяется экспоненциальными функциями, пред­

ставляющими собой концентрацию электронов в зоне проводимости «; и кон­
центрацию дырок в валентной зоне pi в случае, когда уровень Фермн совпа­
дает с эффективным уровнем рекомбпиациоппой ловушкп. От концентрации
рекомбинацнонных ловушек зависит величина времени жизни электронов т„ 0

в полупроводнике резко выраженного /кгппа п времени жизнп дырок т р0

в полупроводнике резко выраженного га-тппа. Поскольку процесс рекомбина­

ции электронов и дырок играет важную роль в работе транзисторов, то
вкратце рассмотрим основные выводы упрощенной теории Холла, Шокли
и Рпда.

Согласно статистике рекомбинации Холла, Шокли и Рида

в равновесном состоянии время жизни носителей заряда т опре­ 0

деляется следующей формулой:

т 0 = т р 0 ^ + т л 0 ^ . (2-30)

Из этой формулы следует, что время жизни носителей заряда

т изменяется с изменением равновесной концентрации как элек­
0

тронов, так и дырок. На рис. 2-7 показан график зависимости

т от концентрации электронов, который построен на основании
0

данных работы [Л. 15]. В полупроводнике резко выраженного

n-типа, в котором равновесная концентрация электронов п ^> и 0 (1

34
время жизни носителей заряда постоянно и равно времени жизни
неосновных носителей заряда дырок т . В таком образце реком- р0

бинационные ловушки оказываются занятыми электронами (так

как число электронов в зоне проводимости достаточно велико).
При этом процесс рекомбинации происходит следующим образом:
дырки захватываются ловушками, где и рекомбииируют с элек­
тронами.
В полупроводнике резко выраженного р-типа с равновесной
концентрацией дырок р ^> p время жизни носителей заряда
0 t

тоже постоянно и равно времени жизни электронов т„ . В таком 0

образце ловушки не заняты, но число дырок достаточно велико,

чтобы захваченный ловушкой
электрон немедленно рекомби- р-типа no n-muna
нпровал с дыркой.
С уменьшением концентра­ ,10'
ции основных носителей заряда 10
время жизни увеличивается, i
достигая некоторого максималь­ 1 1

ного значения. Положение и г

-•Ф-10*-10°-10 0 10 Ю (Н М )/1
величина максимального значе­ i'
г а
1

ния т макс зависят от отношения

0 10'* 10~ 10~ W' 1 10 10 10 10* 3 г 1 г 3

т / т . В случаях, когда это

п0 р0 n/ni
отношение не отличается от еди­ Рис. 2-7. График зависимости вре­
ницы более чем на порядок, мак­ мени жизни носителей заряда т от 0

симум т имеет место вблизи концентрацпп электронов п п ре­

0 ы а к с

собственной проводимости. зультирующей концентрации приме­

Концентрация равновесных сей (N — N ). a a

носителей заряда меняется с из­

менением концентрации примесей N, а поэтому изменяется и время
жизни носителей заряда т : с увеличением N время жизни носи­
0

телей заряда уменьшается, и, наоборот, с уменьшением N оно

увеличивается (рис. 2-7).
Время жизни носителей заряда зависит от концентрации не­
равновесных носителей заряда. Согласно статистике Холла,
Шокли и Рида эта зависимость представляется следующей фор­
мулой:
т = Т р 0 ?о + >Ч + я Ч Po+Pi + Pt ( 2 . 3 1 )

Из этой формулы следует, что при безграничном увеличении

концентрации неравновесных носителей заряда время жизни уста­
навливается на уровне
Too = т
р 0 ~i~ ^ I O -

Поскольку время жизни носителей заряда в равновесном со­

стоянии т отличается от величины т,», то с увеличением концентра­
0

ции неравновесных носителей (с повышением уровня инжекции)

будет иметь место изменение времени жизни т: оно будет моно-
2* 35
тоино возрастать, если т < Too, или монотонно убывать, если
0

т > т. СО.
0

Формула Холла, Шокли и Рида позволяет определить и темпе­

ратурную зависимость времени жизни носителей заряда, которая
обусловлена изменением их концентрации с изменением темпе­
ратуры (величины т и т„ ие чувствительны к изменениям тем­
р0 0

пературы).
Помимо рекомбинации в объеме, происходит рекомбинация и
на поверхности кристалла. Ясно, что на расстояниях от поверх­
ности, превышающих диффузионную длину носителей L , влия­
ние поверхностной рекомбинации носителей заряда будет незна­
чительным. Поэтому при малых уровнях инжекции, когда поток
неравновесных носителей протекает в объеме базы на расстояниях
от поверхности кристалла, превышающих диффузионную длину,
поверхностной рекомбинацией можно пренебречь. Но когда тран­
зистор работает при высоких уровнях инжекции, образуется
поток носителей заряда, направленный к поверхности кристалла,
и влияние поверхностной рекомбинации становится ощутимым.
Механизм поверхностной рекомбинации носителей заряда изучали Браттэи
п Бардин [Л. 16], которые показали, что п в этом случае нмеет место рекомби­
нация через рекомбииационные ловушкп. Поверхностную рекомбинацию
носителей заряда принято характеризовать скоростью рекомбинации s,
которая позволяет определить число носителей, рекомбннирующнх на
поверхности кристалла в единицу времени. Согласно теорпп Браттэна и Бар­
дина скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда определяется
зависимостью:
s = B (n + s + ).
0 Po Pl

Величина коэффициента B определяется концентрацией рекомбпнациоп-

s

ных ловушек на поверхности кристалла п их эффективным уровнем энергии.

Концентрация рекомбпнацнонных ловушек зависит от способа обработки и
состояния поверхности кристалла. Поэтому скорость поверхностной рекомби­
нации s чувствительна ко всяким изменениям состояния поверхности.

Через ловушки па поверхности кристалла происходит и гене­

рация пар электрон—дырка.
Процесс рекомбинации — генерации оказывает влияние на
работу полупроводниковых приборов постольку, поскольку он
вызывает изменение концентрации, а следовательно, и плотности
заряда неосновных носителей, накопленных в рабочих областях
кристалла. Изменение заряда неосновных носителей, обусловлен­
ных их рекомбинацией и генерацией, определяется уравнением
1
непрерывности

| _^ e ± d i v ;.
На работе приборов сказывается не только рекомбинация носи­
телей заряда в объеме кристалла, определяемая их временем

1
Знак плюс ставится в уравнении для электронов, а знак минус ~=
в уравнении для дырок [см, (2-5а) и (2-56)].

36
жизни т, но и рекомбинация на поверхности, прилегающей к ра­
бочей области кристалла. Поверхностная рекомбинация носителей
заряда влияет на величину расходимости плотности тока div / и
характеризуется скоростью поверхностной рекомбинации s.
В идеализированных однородных кристаллах, т. е. в полупро­
водниках с х = const и s = 0, влияние процессов рекомбинации и
генерации полностью характеризуется одной величиной — вре­
менем жизии носителей заряда т.
В действительности кристаллы, используемые для изготовления
полупроводниковых приборов, неоднородны. Так, например,
в базовой области дрейфового транзистора примеси специально
распределяют неравномерно с тем, чтобы образовалось встроен­
ное электрическое поле.
При неравномерном распределении примесей время жизни
носителей заряда % вдоль базы меняется. Неоднородна и база
диффузионных транзисторов, так как концентрации рекомбииа-
циониых ловушек в активной и пассивной областях базы, а также
на поверхности кристалла оказываются разной величины.
В неоднородных участках кристалла изменение заряда неос­
новных носителей можно характеризовать некоторой средней
величиной времени жизни т , определяемой из уравнения непре­
ср

рывности путем его интегрирования по всему рассматриваемому

объему v, т. е.
§=-\ -^dv±^divjdv.
q
(2-32)
V V

Это, по сути дела, уравнение непрерывности, записанное в ин­

тегральной форме, при помощи которого можно определить изме­
нение суммарного заряда неосновных носителей в рассматривае­
мом объеме:
Q = \ q dv.
V

Согласно теореме Гаусса объемный интеграл расходимости

тока определяется величиной тока, создаваемого потоком носи­
телей заряда через поверхность, ограничивающую рассматривае­
мый объем, т. е.
\divjdv = \j dS.
sB

в S

Последняя величина в свою очередь складывается из разности

токов неосновных носителей заряда через электронно-дырочные
переходы и тока неосновных носителей заряда, направленного
к поверхности кристалла. Таким образом,

± $ div / dv = : ± $ / , н dS = I dz \ /,a d S
r x (2-33)
S S
Kp
37
где S -p — та часть поверхности рабочей области, к которой
h

направлен поток с плотностью тока / . В выражении (2-33) вместо

s H

разности токов неосновных носителей заряда включена равная

ей величина 1 , представляющая собой составляющую тока,
Г

которая обусловлена объемной рекомбинацией в рабочей области.

Плотность тока / согласно (2-7) можно заменить произведением
ш

плотности заряда неосновных носителей на поверхности q на s

скорость их рекомбинации:

±[dividv=I - r $ s(q -q )dS.

s s0 (2-34)

Подставив выражение (2-34) в уравнение непрерывности (2-32),

получим:
3Q
dt
-Ji-dy-J sq,dS + g +I ,
v r (2-35)

где интегралом g — ^ ^dv-\-

v ^ sq dS
a0 определяется изменение

заряда неосновных носителей заряда, обусловленное генерацией

пар электрон—дырка в рассматриваемой области.
Для однородных областей кристалла (т = const; s — 0) инте­
гральное уравнение непрерывности принимает следующий вид:

f — • ? + *• + ' г - (2-36)

Из сопоставления уравнений (2-35) и (2-36) следует, что при

прочих равных условиях полупроводниковый прибор с неодно­
родными рабочими областями кристалла можно уподобить одно­
родному кристаллу, если в первом из них процесс рекомбинации
характеризовать средним временем жизни носителей заряда,
определяемым соотношением

JL — ! (2-37)

Таким образом, влияние процесса рекомбинации на работу

полупроводникового прибора можно характеризовать всего одной
величиной не только в однородных, но и в неоднородных кристал­
лах. Однако эту возможность не всегда удается реализовать, так
как величина т с ропределяется не только характеристическими
параметрами рабочей области т и s, но и законом распределения
плотности неосновных носителей q [см. выражение (2-37)]. Поэтому
с изменением распределения неосновных носителей заряда в рабо­
чей области изменяется и средняя величина времени жизни т . с р

38
 Здесь речь идет не об.эффекте изменения времени жизни с изме­
нением концентрации неравновесных носителей заряда. Этот эффект,
определяемый статистикой рекомбинации Холла, Шокли и Рида
[Л. 15], учитывается соответствующим изменением времени
жизни т.
В неоднородной области кристалла скорость рекомбинации на
различных участках различна. При этом средняя скорость реком­
бинации в значительной степени будет зависеть от того, на каких
участках рабочей области и в течение какого времени находятся
носители заряда. Поэтому в полупроводниковых приборах с не­
однородными областями не удается характеризовать процесс
рекомбинации только одним значением т ; приходится иметь
ср

дело с несколькими характеристическими параметрами, которые

определяются значениями времени жизни, усредненными по рабо­
чей области с разными весовыми функциями [Л. 17]. Действительно,
для носителей заряда, которые находятся в состоянии динамиче­
ского равновесия, усреднение их времени жизни надо произво­
дить весовой функцией, определяющей распределение неосновных
носителей заряда в рабочей области при отсутствии направ­
ленного потока носителей. Для носителей же, которые переме­
щаются из одного участка кристалла в другой, время жизни
можно усреднить весовой функцией, определяющей продолжи­
тельность нахождения носителей заряда на данном участке.
Изменение заряда неосновных носителей в неоднородных рабо­
чих областях, обусловленное рекомбинацией как в объеме, так и
на поверхности полупроводникового кристалла, достаточно полно
характеризуется следующими величинами:
1. Объемной постоянной накопления т . - н 0

2. Средним значением времени жизни для нормально направ­

ленного потока носителей x N-
r

3. Средним значением времени жизни для инверсно направ­

ленного потока носителей T , . J .
4. Поверхностной постоянной спадания v . s

Первая из этих величин т . характеризует процесс объемной

н 0

рекомбинации носителей заряда, которые находятся в состоянии

динамического равновесия. Рекомбинация носителей заряда, кото­
рые создают нормально направленный поток (например, переме­
щаются от эмиттера к коллектору), определяется величиной х ^. г

Для потока носителей заряда, направленного инверсно (от кол­

лектора к эмиттеру), рекомбинация характеризуется величиной
x i [Л. 17]. Наконец, влияние поверхностной рекомбинации учи­
r

тывается при помощи постоянной спадания v [Л. 1]. s

Таким образом, первые три величины т , % п и т / характе­

н 0 г г

ризуют особенности прибора, обусловленные рекомбинацией в

объеме полупроводникового кристалла. Эти параметры опреде­
ляются временем жизни носителей заряда т и не зависят от скорости
поверхностной рекомбинации s (при их определении принимается
s = 0).
39
 Определим объемную постоянную накопления т , которая н< 0

характеризует рекомбинацию носителей заряда, находящихся

в состоянии динамического равновесия. Поскольку эти носители
заряда не создают направленного потока [/ (£) = 0], то распре­
деление плотпости их заряда определяется из выражения (2-17)
экспоненциальной функцией, т. е.

<7г = 9гр ехр (Крр — Х).

Воспользовавшись этим соотношением и формулой (2-37)

(при s = 0), получим следующее выражение, определяющее объем­
ную постоянную накопления:

\ q p ехр (А, — X) dv
r гр \ e~*-dv
ь
T u o = _i ^ , (2-38)
е
С <7гр С
\ ехр ( л г р — %) dv \ — dv
V V

[Приближение справедливо при соблюдении условия (2-18),

т. е. в тех случаях, когда токи утечки пренебрежимо
малы.]
Для нормально направленного потока распределение плотности
заряда неосновных носителей определяется следующей функцией:

'гр '

подставив которую в выражение (2-37) при s = 0, определим

среднее время жизни

Если пренебречь изменением плотности тока )' (£) и привести

объемный интеграл к простому и двухкратному, то получим:

т г Л =— 1
S
-lg™ . (2-39)
р
£Р -л, £

s
r p 'о '
40
 Аналогично определяется среднее время жизни для инверсно
направленного потока:

x,i = }
А

или

- - -Я. (* д
dl dl dS
s
o 'rp
Поверхностная постоянная спадания v характеризует влия­
s

ние процесса рекомбинации на поверхности в состоянии динами­

ческого равновесия. Величина этой постоянной тоже определя­
ется формулой (2-37) (при х-*- оо):
J sq dS
s

_ S
KP

где — поверхность кристалла, ограничивающая рабочую

область.
Учитывая, что заряд неосновных носителей, находящихся
в состоянии динамического равновесия, в данном случае опреде­
ляется выражением
g = q ехр (X — X),
r s s

представим формулу для поверхностной постоянной спадания

в следующем виде:
J sq dS j se
— КdS
s
3

S
J5 exp(X —X) dv
s s j e^dv ^ ^

Последнее приближение справедливо в тех случаях, когда

токи утечки как по поверхности кристалла, так и по поверхности
переходов настолько малы, что выполняется условие, аналогичное
(2-18), т. е.
g e = const.s
Xs

Итак, накопление и рассасывание той массы неосновных но­

сителей заряда, которые не создают направленного потока, в
41
общем случае будет характеризоваться объемной постоянной на­
копления т о и поверхностной постоянной спадания v . При
н- s

этом средняя скорость рекомбинации согласно (2-37) определяется

соотношением

^- = ^ - + v , s (2-42)
hi. о

где т — эффективное значение постоянной накопления.

н

Формулы (2-38) — (2-42) позволяют определить основные физи­

ческие параметры транзистора, которые характеризуют процесс
рекомбинации и генерации в рабочих областях кристалла.

2-8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ

Для расчета параметров, характеризующих процессы в тран­

зисторах, необходимо знать закон распределения электростати­
ческого потенциала в рассматриваемой области. Как известно,
электростатический потенциал определяется решением уравнения
Пуассона.
При определении электростатического потенциала следует
иметь в виду некоторые особенности транзисторов. В полупровод­
никовом кристалле заметное изменение электростатического по­
тенциала наблюдается в тех его областях, где имеются неодно­
родности. Неоднородность в кристалле может образоваться вслед­
ствие неравномерного распределения примесей, что приводит к
возникновению собственного или так называемого встроенного
электрического поля. Такого рода неоднородности всегда имеются
на границе областей с разной электропроводностью. Так, напри­
мер, в области р-п переходов из-за перепада концентрации носи­
телей, обусловленной изменением концентрации примесей, обра­
зуется область пространственного заряда, где действует электри­
ческое поле и возникает соответствующая этому полю равновес­
ная разность потенциалов фд. Неоднородной является и область
базы дрейфового транзистора, где примеси специально распреде­
ляются неравномерно с целью создания собственного электриче­
ского поля, ускоряющего движение неосновных носителей от
эмиттера к коллектору. При этом электрическое поле может
возникать и в случае отсутствия пространственного заряда. Так,
например, при экспоненциальном распределении примесей в об­
ласти базы дрейфового транзистора пространственный заряд
практически отсутствует, однако из-за действия дипольных мо­
ментов образуется электрическое поле с напряженностью Е =
= const.
Неоднородности, способствующие образованию электрического
поля в полупроводнике, могут возникать и под воздействием
внешних факторов: света, тепла, внешних электрических и маг-
42
нитных полей и т. д. Так, например, приложенное к полупровод­
нику внешнее электрическое поле нарушает его равновесное
состояние и приводит к появлению неоднородностей, которые
обусловлены инжекцией неравновесных носителей или их экс­
тракцией. Подобного рода неоднородности также приводят к об­
разованию электрического поля. Это, по сути дела, внешнее поле,
которое проникает внутрь полупроводника. Разумеется, распре­
деление внешнего электрического поля внутри полупроводиика
зависит от структуры кристалла. Разность потенциалов, опреде­
ляемая внешним электрическим полем, в основном падает на тех
участках полупроводника, где из-за структурной неоднородности
кристалла образуются потенциальные барьеры, препятствующие
переходу носителей из одной области в другую. В тех же обла­
стях, где кристалл однороден, неравновесные электроны и дырки
обычно существуют в равных количествах в результате тендешщи
к сохранению электрической нейтральности проводящих мате­
риалов (поэтому плотность результирующего заряда остается
практически неизменной) [Л. 1,18]. При этом возникает сравни­
тельно слабое электрическое поле. Но в тех областях, где кристалл
существенно неоднороден, как это имеет место в областях, непо­
средственно прилегающих к р-п переходам, принцип нейтраль­
ности ие соблюдается, так как возникают сранительно сильные
электрические поля, способные поддерживать изменение плотности
пространственного заряда.

Распределение электростатического потенциала в полупроводниковых

кристаллах определяется уравнением Пуассона. Это уравнение сравнительно
просто решается для области, где плотность результирующего пространствен­
ного заряда равняется нулю. При некоторых упрощающих допущениях уда­
ется получить решение для обедненной области р-п перехода (см., например,
[Л. 18, 19]). В общем же случае необходимо решать это уравнение совместно
с у р а в н е н и я м (2-4) и (2-5), что связано с серьезными затруднениями. Поэтому
прпходптся прибегать к приближенным методам определения напряженности
поля п электростатического потенциала. В равновесном СОСТОЯНИИ напря­
женность поля можно определить из уравнения плотности тока (2-4). Действи­
тельно, на основании этого уравнения можно показать, что напряженность
встроенного электрического поля выражается следующей формулой:

grad<b grad? p

Ji = (p
0 T либо Ео = — (fT .
Яп Яр
Однако, чтобы воспользоваться этими простыми формулами, необходимо
знать распределение плотности заряда либо для электронов д , либо для дырок п

<7. Сравнительно просто определяется распределение плотности заряда основ­

Р

ных носителей заряда. В первом приближении можно считать, что в равновес­

ном состоянии концентрация основных носителей заряда равняется концентра­
ции примесей N. Таким образом, напряженность встроенного электрического
поля можно определить следующей приближенной формулой:

1 0 = ± Ф т £ ^ . (2-43)

В формуле знак минус пмеет место для полупроводника р-типа, знак

плюс — для полупроводника л-типа. Как показывает практика, для тран-

43
висторов, выпускаемых в настоящее время, приближенная формула (2-43)
обеспечивает достаточную точность прп инженерных расчетах.
Формула (2-43) обычно используется для определения напряженности
встроенного поля в рабочих областях полупроводникового кристалла.
Нарушение равновесного состояния неизбежно влечет за собой изменение
напряженности поля. В общем случае расчет поля в неравновесном состоянии
затруднителен. Но в большинстве случаев интересуются величиной Ei, т. е.
составляющей напряженности поля в базе вдоль лннпп токов неосновных носи­
телей заряда. Эту составляющую напряженности поля можно определить
следующим образом. Если в первом приближении пренебречь потоком основ­
ных носптелей заряда вдоль указанных линий, то из уравнения плотности
тока следует, что напряженность поля

grad g o c

Фт
9оо

Здесь дос — плотность заряда основных носителей заряда, которая скла­

дывается пз плотности заряда равновесных носителей, определяемой концент­
рацией примесей, и плотности заряда неравновесных носителей. Последнюю
составляющую можно определить на основании принципа нейтральности,
согласно которому суммарный заряд основных и неосновных носителей, ин­
жектированных в базу, равняется нулю. Таким образом, получаем:

1
L
o + 4'r eN J> (2-44)
i+W(^v)
где ?н = q — q — прпращенпе заряда неосновных носителей.
0

Для области базы биполярных транзисторов формула (2-44) является

достаточно точным приближением, но только прп сравнительно низких уров­
нях пнжекцпп, когда соблюдается принцип нейтральности и одновременно
отсутствует поток основных носптелей вдоль базы.
Аналогично можно показать, что электростатический потенциал ij> опре­
деляется следующими приближенными выражениями:
а) в равновесном состоянии

Фо (I) = ± ф In щ ^ - +1|)„ №>)>

т (2-45)

б) в неравновесном состоянии

* W - ± « p { l n ^ + l n 1- -In 1- gH (*о)
T }+¥(*„), (2-46)
eN (l )
Q

где обозначения с аргументом I = 1 представляют собой значения соответ­

0

ствующих величин в точке с координатой I = 1 . а

Как видно из последнего соотношения, электростатический потенциал

определяется, с одной стороны, встроенным электрическим полем, которое
возникает вследствие неравномерного распределения примесей N (I), а с дру­
гой стороны — полем, обусловленным накоплением неравновесных носителей
заряда. При малых и средних уровнях пнжекцип в основном действует встро­
енное электрическое поле. Поэтому при работе транзистора в режиме умерен­
ной пнжекцип электростатический потенциал определяется формулой (2-45).
Влияние поля, образуемого вследствие пакопленпя подвижных носптелей
заряда, сказывается прп сравнительно высоких уровнях пнжекцпп.
Таким образом, прп расчетах среднего времени пролета, дпеперсии этого
времени, постоянных времени, характеризующих процесс рекомбинации,
электростатический потенциал определяется формулами (2-45) и (2-46), пер­
вая из которых обычно применяется прп малых и средних уровнях пнжекцпп,
а вторая — при высоких и сверхвысоких уровнях пнжекцпп.

44
 Глава третья

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

3-1. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ.

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Электронио-дырочный переход является основой большого

класса полупроводниковых приборов, применяемых для преобра­
зования и усиления электрических сигналов. Наиболее широкое
применение получили электронно-дырочные переходы, которые
образуются между двумя соседними областями полупроводника,
одиа из которых обладает электропроводностью р-типа, а другая
/г-типа. Такой переход называется также р-п переходом.
На практике встречаются переходы, которые образуются между
полупроводником и металлическим контактом или полупровод­
ником и его поверхностным слоем.
В этой главе подробно рассмат- SVv / ъ
риваются основные свойства р-п не-
- Г
1
—^
г
рехода. • ""
В настоящее время в полупровод­
никовой электронике применяются р с. 3-1. Выращенный р-п пе-
П

плоскостиые, точечные и поверхно- реход.

стпо-барьерные переходы.
Плоскостной переход образуется в объеме кристалла на гра­
нице полупроводников с разной электропроводностью (рис. 3-1).
Наиболее широко применяется плоскостной электронио-дырочный
переход, который образуется между двумя областями полупро­
водника, одна из которых имеет проводимость р-типа, а другая
+
«-типа. Встречаются электронно-электронный переход (/г -7г
переход) и дырочно-дырочный переход (р -р переход). Первый
+

из них образуется в полупроводниках между двумя областями

«-типа, а второй — между двумя областями р-типа, обладающими
различной электрической проводимостью. Индексом «+» отме­
чают область, обладающую большей электропроводностью. Иногда
подобным же способом подчеркивают область с высокой электро­
проводностью и для р-п переходов (например, р -п или р-п ).
+ +

Точечный переход образуется между полупроводниковым крис­

таллом и сформованным или прижимным контактом металли­
ческой иглы. Первые транзисторы представляли собой приборы
с точечными переходами. В настоящее время такие переходы при­
меняются только в приборах сверхвысокочастотного (СВЧ) диа­
пазона, где для уменьшения емкости перехода стремятся сокра­
тить его площадь. Наиболее существенными недостатками точечных
переходов являются их ненадежность (из-за низкой механической
прочности) и плохая воспроизводимость параметров.
45
 Поверхностно-барьерный переход возникает между полупро­
водником и пиверспым слоем, образуемым на поверхности кри­
сталла соответствующей технологической обработкой.

По технологическому признаку, т. е. по методу изготовления, переходы

можно разбить па шесть групп:
1. Выращенные переходы (рис. 3-1) получаются при выращивании моно­
кристалла пз расплава путем последующего добавления примесей элементов
разных групп. Таким способом были получены в 1951 г. первые плоскостные
транзисторы. В настоящее время выращенные переходы почти не использу­
ются.
2. Сплавные переходы (рпс. 3-2) получаются путем вплавленля прпмеси
в монокристалл полупроводника. Так, например, для изготовления сплавного
р-п перехода пз германия берется пластина мопокристаллического германия
«-.типа, на поверхности которой помещается небольшая таблетка элемента
I I I группы (например, индия — I n ) , создающего примеси р-тппа. Затом
пластина нагревается до температуры, лежащей ниже точки плавления герма­
ния, но выше точки плавления примеси. В результате наплавленпя прпмеси
образуется р-слой, который вместе с германием л-тнпа
приводит к формированию р-п перехода.
Процесс сплавления проходит две стадии [Л. 5].
Во время первой стадии часть полупроводникового
монокристалла растворяется в металлическом сплаве,
благодаря чему происходит замещение атомов полу­
проводника атомами прпмеси. На второй стадии начи­
нается рекристаллизация растворенных в расплаве ато­
мов, после завершения которой образуется монокрпстал-
Рпс 3-2 Сплавной лпческая область с электропно-дырочпым переходом.
л е к т о х 1 1 М 1 Г Ч е с К 1 1 и
v-n пеиеход ^' Э Р способ изготовления р-п
v
переходов был разработан в связи с необходимостью
уменьшения размеров сплавных переходов. Суть этого
способа заключается в следующем. На поверхности полупроводниковой
пластппы электрохимическим путем вытравливают углубление (лунку) неболь­
ших размеров, определяющих площадь перехода. Затем электролитическим
осаждением соответствующего металла в углублении создают эмиттер пли кол­
лектор. Исходная же пластпиа образует базовую область. Таким путем изго­
товляют поверхностно-барьерный переход [Л. 6], представляющий собой
контакт металл — полупроводник.
Разновидностью этой технология является изготовление мпкросплавных
р-п переходов, у которых примеси п- или р-тппа осаждают в вытравленных
углублениях и затем вплавляют в исходную полупроводниковую пластинку
[Л. 20]. По своей конструкции такой переход аналогичен сплавному, отли­
чаясь от последнего меньшими размерами, что способствует уменьшению ем­
кости перехода п соответственно улучшению его высокочастотных свойств.
4. Диффузионный метод является наиболее эффективным и современным
способом изготовления р-п переходов. В этом случае р-п переход получают
путем диффузпп примесей в исходную полупроводниковую пластину. Диф­
фузия прпмесей может происходить как пз внутренних областей кристалла,
так и через поверхность пз внешних псточнпков. В первом случае диффузия
прпмесей происходит из жидкой фазы (пли, как иначе говорят, диффузия из
расплава), а во втором — из газовой фазы.
В настоящее время широкое распространение получили приборы, изго­
товленные диффузией пз газовой фазы через окисную маску, под которой обра­
зуется переход. При этом полупроводниковые пластинки с защитным окпепым
слоем подвергаются фотолитографической обработке [Л. 5] в следующей после­
довательности: наносится слой фоторезиста, защищающего окисел от травле­
ния; производятся его сушка, а затем засвечивание через фотошаблон с рисун­
ком заданной конфигурации и проявление для удаления незасвеченных участ­
ков окпеного слоя, через которые путем вытравливания вскрываются «окна».

46
После фотолитографии через «окна» в слое окисла 'производят диффузию
примесей и получают р-п переход. Таким путем изготавливают одновременно
на одной пластине несколько десятков и даже сотни р-п переходов.
5. Эпптакспальпая технология позволяет наращивать монокрпсталлн-
ческую полупроводниковую пленку па подложку из полупроводника любой
электропроводности. Наращивая таким способом пленку, например, гс-типа
на подложку с электропроводностью р-типа, можно получить р-п переход.
При этом эпитаксиальная пленка по своему составу может отличаться от
материала подложки [Л. 20].
В настоящее время эпптакспальный метод наиболее часто применяется
+ +
для получения р -п или п -п слоев. Например, при изготовлении транзисторов
для уменьшения сопротивления тела коллектора тонкую высокоомную пленку
осаждают на ипзкоомную подложку того же типа проводимости. При этом
низкоомная подложка служит телом коллектора, а в области, образуемой
эпитакспальиой пленкой, располагается коллекторный переход. Эпптакспаль­
ный метод носит значительно более общий характер; этим способом можно
осаждать полупроводниковые пленки с электронной шга дырочной электро­
проводностью, создавая тем самым эпптакспальные переходы [Л. 21].

Рпс. 3-3. Пере

ход р-п с меза
структурой.

6. Ионное легирование, представляющее собой один из современных мето­

дов имплантации примесей в полупроводник, также позволяет получить р-п
переходы [Л. 22]. При этом ионы соответствующей примеси ускоряются
в ускорителе до энергии 40—800 кэв, затем с помощью магнитной сепарации
выделяют из пучка ионов нужную примесь и бомбардируют этими ионами
мишень, являющуюся полупроводниковой пластиной. Глубпна проникнове­
ния ионов в полупроводник определяется их энергией, а степень легирования—
продолжительностью бомбардировки. Для защиты тех участков, которые не
должны подвергаться легированию, используют маски. Дефекты, образуемые
при бомбардировке, частично устраняются с помощью отжига.
По структуре переходов электронпо-дырочные переходы можно разбить
па три группы:
Классическая структура образуется из слоев с разными тппамп электро-
проводностей, которые чередуются друг за другом. Примерами такой струк­
туры являются выращенные (рпс. 3-1) и сплавные (рпс. 3-2) переходы.
Мезаструктура образуется в приборах, в которых пассивные участки кри­
сталла вытравливаются, с тем чтобы исключить паразитные эффекты, повы­
сить напряжение поверхностного пробоя (см. § 3-5), уменьшить емкость пере­
хода. Полупроводниковая пластинка вытравливается таким образом, чтобы
отдельные слои возвышались над подложкой (рис. 3-3), образуя таким обра­
зом своеобразную структуру, похожую на горное плато (mesa).
К пленарной структуре относятся приборы, в которых переходы и соответ­
ствующие контакты выходят на одну плоскость исходного кристалла (рпс. 3-4).
Электронно-дырочные переходы пленарной структуры обычно получаются
путем диффузии примесей из газовой фазы Ч При этом переходы образуются
под защитным окисным слоем, в связи с чем устраняются связанные с поверх­
ностью аномальные эффекты, свойственные полупроводниковым приборам,
переходы которых выходят на поверхность.
1
В технологической литературе термин «пленарный» приобрел несколько
иной смысл: им отмечают приборы, изготовленные диффузией через окпсную
маску.

47
 По механизму движения неосновных носителей в базе полу­
проводниковые приборы можно разделить на две группы: диффу­
зионные и дрейфовые.
Д л я диффузионных или так называемых бездрейфовых при­
боров характерен диффузионный механизм движения неосновных
носителей заряда в базе. К числу этих приборов относятся выра­
щенные, сплавные и изготовленные электрохимическим способом
р-п переходы. При указанных методах изготовления примеси
Б базе распределяются равномерно, поэтому не образуется встро­
енного (внутреннего) электрического поля. При этом направлен­
ные потоки неосновных носителей заряда образуются благодаря
диффузии, способствующей перемещению неосновных носителей
заряда из участков с большей их концентрацией в участки с мень­
шей концентрацией.
Встроепное электрическое поле образуется при неравномер­
ном распределении примесей. Так, например, при изготовлении
р-п перехода диффузионным методом примеси в базе распределя­
ются неравномерно, что приводит к образованию электрического
поля, способствующего ускоренному перемещению неосновных
носителей заряда через базовую область. В таких приборах меха­
низм движения неосновных носителей заряда носит не столько
диффузионный, сколько дрейфовый характер, поэтому такие при­
боры принято называть дрейфовым.

3-2. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИДЕАЛЬНОГО

ПЛОСКОСТНОГО р-п ПЕРЕХОДА

Рассмотрим идеальный р-п переход, основные характеристики

которого впервые были исследованы В. Шокли [Л. 23].
В полупроводниковых приборах обычно применяются несим­
метричные р-п переходы, т. е. переходы, в которых концентрация
примесей, например, в области р значительно превышает концен­
трацию примесей в области п, или наоборот. При этом отношение
концентрации примесей в областях р и п достигает нескольких
порядков. Очевидно, что область с большей концентрацией при­
месей окажется более низкоомной, чем область с меньшей концен­
трацией примесей.
Ток, который протекает через р-п переход при прямом вклю­
чении, образуется почти всецело потоком основных носителей
заряда низкоомной области, переходящих в высокоомную об­
ласть. Низкоомная область, в которой из-за высокой концентра­
ции примесей имеется и большее число основных носителей заря­
да, естественно, является доминирующим источником подвижных
носителей заряда, поэтому эту область принято называть эмит­
тером. Высокоомная область называется базой.
Подключение внешних электрических источников к р-п пере­
ходу осуществляется через омические контакты. Под воздействием
источника электрического тока нарушается равновесное состояние
48
р-п перехода, что сопровождается изменением концентрации
подвижных носителей заряда как в области р , так и в области п.
Это изменение характеризуется концентрацией неравновесных но­
сителей заряда — электронов и дырок, которые появляются
в данной области под внешним воздействием. В этом параграфе
рассматривается р-п переход, в котором протяженность областей
р и п значительно превосходит диффузионную длину носителей
заряда L . В таких приборах на расстоянии (3 -н A)L от границы
областей р и п можно считать.что концентрация носителей заряда
практически равна их равновесной концентрации.
Рассмотрим несимметричный электронио-дырочный переход,
у которого примеси в областях р и г е распределены равномерно.

Равновесное состояние "*

На рис. 3-5 приведены графики, характеризующие особенности
р-п перехода в равиовесиом состоянии, т. е. когда к переходу
не приложено внешнее напряжение. Эти графики построены для
перехода, у которого эмиттером является более низкоомная об­
ласть р , а базой — более высокоомная область п.
Так как концентрация электронов в области п значительно
больше, чем в области р , то электроны диффундируют в область р .
По этой же причине дырки стремятся перейти из области р в об­
ласть п. По мере перехода электронов из области п в область р
и дырок из области р в область п вблизи границы этих областей
образуется обедненный (от подвижных носителей заряда) слой,
в котором заряды акцепторов и доноров не компенсированы за­
рядами дырок и электронов. На рис. 3-5, а этот слой условно
отмечен кружочками со зпаком минус (обозначающими отрица­
тельные ионы акцепторов в области р) и со знаком плюс (обозна­
чающими положительные ионы доноров в области п). Обедненный
слой называется собственно переходом и представляет собой об­
ласть с заметной плотностью объемного заряда (рис. 3-5', в).
Объемный заряд приводит к образованию электрического поля
перехода, которое препятствует диффузии электронов из области
п в область р и дырок из области р в область п (на рис. 3-5 направ­
ление напряженности поля показано вектором Е ). 0

Под действием электрического поля перехода происходит ис­

кривление энергетических зон (рис. 3-5, б), что способствует
установлению общего уровня Ферми для электронно-дырочного
перехода в целом. Как известно, в равновесном состоянии хими­
ческий потенциал, совпадающий с уровнем Ферми, должен быть
одинаков во всех областях кристалла [Л. 2].
Образование объемного заряда в переходном-слое приводит
к изменению электростатического потенциала: в области п этот
потенциал оказывается более положительным, чем в области р
(рис. 3-5, г). Поскольку вне области переходного слоя заряд ак­
цепторов и доноров компенсируется зарядом подвижных носите-
49
лей (в силу принципа нейтральности), электростатический потен­
циал в областях р и 7г практически остается постоянным, а на­
пряженность поля равняется нулю. Наибольшее изменение элек­
тростатический потенциал пре­
терпевает па границе областей
р и п, где образуется потен­
циальный барьер, высота кото­
рого определяется контактной
разностью потенциалов фд
(рис. 3-5, б, г). Величину фл
можно определить, воспользо­
вавшись фунцией распределе­
ния Максвелла—Больцмаиа для
дырок или электронов, в соот­
ветствии с которой

Рио = Рровхр| - -?^-| или

Фт
п-ро = п п 0
(3-1)
ехр
Фт
Величины р , р , ?г и п п 0 р 0 р0 п0

показаны па рис. 3-5, д. Физи­

ческий смысл соотношений (3-1)
заключается в следующем: из
общего числа дырок и электро­
нов, находящихся иа дне по­
тенциальной ямы (р и п„ ), р0 0

только их часть —ехр (— срв/фт)

способна преодолеть потен­
циальный барьер высотой срд.
Из выражения (3-1) следует,
npe
что контактная разность потен­
Поток ялвтраЩ^— fa°/tfpa^ux
циалов равна:
п
, Рро , Рро по
ф = ф In
Л Т = фг ш —5— я«
H
PnO i

Рис. 3-5. Электронно-дырочный пе­

• ф In г (3-2а)
реход в равновесном состоявши.
или
а — структура; б — энергетические уров­ 1
поРро
ни; в — распределение плотности заряда; фв = ф 1 п ^ = ф 1 п
Г Т
г — график электростатического потенциа­
ла; д — распределение концентрации под­ рО
вижных носителей заряда; с — потоки но­
сителей заряда. !ф 1П-Т (3-26)

При выводе этих соотношений учитывалось [Л. 1], что в равно­

весном состоянии р п —р п
р0 р0= щ, а концентрация основных
п0 п0

носителей приблизительно равна концентрации примесей р я» р 0

50
 Для электронно-дырочных переходов, полученных в кристал­
лах германия, контактная разность потенциалов срв обычно со­
ставляет 0,3—0,4 в, а в кристаллах кремния 0,6—0,8 в.
Распределение концентрации электронов и дырок показано
на рис. 3-5, д. Графики на этом рисунке построены без соблюдения
масштабов, так как в соседних областях концентрация подвижных
Б
носителей заряда изменяется на несколько порядков (в 10 -¥ 10°
10 13
для германиевых приборов; в 10 — 10 — для кремниевых).
Д л я выпрямляющих р-п переходов концентрация примесей
и соответственно концентрация основных носителей заряда в
эмиттере обычно не превышают (10 -f- 10 ) см" . Концентрация
18 19
3

примесей (и почти равная ей концентрация основных носителей)

3
в базе обычно в 10 —10* раз меньше, чем в эмиттере. Что каса­
ется концентрации неосновных носителей, которая в равновесном
состоянии определяется известными соотношениями п = щ/р , р0 р0

Рпо — V n0i
n n
т о о п а
тем меньше, чем больше концентрация основ­
ных носителей.
Отметим, что в равновесном состоянии кристалл в целом
нейтрален, поэтому суммарный заряд отрицательных ионов акцеп­
торов в переходном слое равняется заряду положительных ионов
доноров. Поэтому обедненный слой в высокоомной области шире
обедненного слоя в низкоомной области во столько раз, во сколько
концентрация примесей в первой области меньше концентрации
примесей во второй. На рис. 3-5, а эта разница показана без
соблюдения масштаба. Область положительного заряда в слое
п будет гораздо шире, чем область отрицательного заряда в слое р .
Следовательно, в несимметричном переходе область пространствен­
ного заряда сосредоточена главным образом в высокоомпом слое,
т. е. в области базы. Ширина собственно перехода в равновесном
состоянии обычно составляет единицы — десятые доли микрона.
В равновесном состоянри токи во внешней цепи отсутствуют.
Но это не означает, что исключается переход электронов и дырок
из области р в область п и, наоборот, из области п в область р .
Благодаря тепловому возбуждению энергии некоторой части
дырок оказывается достаточно, чтобы преодолеть потенциаль­
ный барьер высотой (ри и перейти из области р в область п
(см. рис. 3-5, е, где стрелками показаны потоки подвижных но­
сителей). Этот поток дырок уравновешивается равным ему по­
током одиоимеииых носителей, которые генерируются в области
п и, диффундируя к переходному слою, захватываются его элект­
рическим полем и перебрасываются в область р . Такое же рав­
новесие устанавливается между потоком электронов, преодоле­
вающих потенциальный барьер при переходе из области п
в область р , и потоком электронов, переходящих из области р
(где они рождаются благодаря термогенерации) в область п, при­
чем, так как концентрация электронов в области п меньше, чем
концентрация дырок в области р , электронный поток слабее (что
на рис. 3-5, е условно отражено стрелками меньшей толщины).
51
 Действие запирающего смещения
Подключим к электронно-дырочному переходу источник по­
стоянного напряжения так, чтобы минус был приложен к области
р , а плюс — к области п (рис. 3-6, а). Такое включение р-п пере­
хода называется обратным, а поданное смещение — запирающим.
Приложенное внешнее на­
пряжение частью падает в об­
ласти р {U ), частью непосред­
p

ственно в переходном слое (U )n

и частью — в области п (U ). n

Из указанных величии наиболь­

шей является U \ почти все
a

приложенное внешнее напря­

жение падает непосредственно
на переходе, так что U « U .
a mi

Под действием внешнего па-

пряжения возникает электриче­
ское поле, направление кото­
рого совпадает с направлением
поля обедненного слоя Е 0

(рис: 3-6, в). Напряженность

поля в переходном слое воз­
растает и становится равной
Е = Е + Е . Внешнее поле
0 вп

оттесняет дырки от граппцы

переходного слоя в глубь об­
ласти р , а электроны — в глубь
области п. Переход расши­
Рпс. 3-6. Электронно-дырочный пе­ ряется (иа рис. 3-6, а границы
реход при запирающем смещении. перехода в равновесном со­
о — структура перехода и схема включе­ стоянии указаны штриховыми
ния внешнего напряжения; б — распреде­ линиями, а границы, соответ­
ление плотности заряда; е — векторы на­
пряженности поля; г — графики электро­ ствующие запирающему сме­
статического потенциала в равновесном
состоянии ( ) и при запирающем щению, — сплошными линия­
смещении ( ); 3 — потоки носителей ми). Величина объемного заря­
заряда.
да в переходном слое возра­
стает. Вне области перехода заряд практически не изменяется —
остается равным нулю.
Изменяется и электростатический потенциал. В области р
потенциал становится более отрицательным, а в области п более
положительным [на рис. 3-6, г для удобства сравнения уровни
потенциалов в равновесном (штриховая линия) и неравновесном
(сплошная линия) состояниях совмещены иа границе перехода
в области р]. Электростатический потенциал наиболее сущест­
венно изменяется в переходном слое,, что приводит к уве­
личению высоты потенциального барьера иа величину
U B « и .
ва

52
 Изменение высоты потенциального барьера сопровождается
изменением потока основных носителей заряда, способных пре­
одолеть барьер. На потоке неосновных носителей (дырок, пере­
ходящих из области п в область р , и электронов, переходящих
из области р в область п) изменение потенциального барьера
не сказывается: для неосновных носителей переходный слой
представляет собой ие барьер, а, наоборот, «яму», куда скатыва­
ются неосновные носители. Интенсивность потока неоснов­
ных носителей заряда зависит только от числа дырок и элект­
ронов, генерируемых в прилегающих к переходному слою обла­
стях .
Выведение носителей заряда из области полупроводника, где
они являются неосновными, через р-п переход электрическим
полем, созданным действием внешнего напряжения, называется
экстракцией неосновных носителей заряда [Л. 3].
Определим величину тока, образуемого потоком неосновных
носителей заряда. Число дырок, образующихся за единицу вре­
мени в одном кубическом сантиметре объема области п за счет
термогенерации,. равно р Н (где т „ —- среднее значение вре­
п0 вп н

мени жизни носителей заряда, равное постоянной накопления

в области п). Ток через переход образуется дырками, которые
генерируются на расстоянии, не большем диффузионной длины
Ь , от границ перехода. Большинство дырок, рождаемых в области
р

п на расстоянии от перехода I >> Ь , рекомбинируют, не доходя р

до переходного слоя. Следовательно, дырочную составляющую

тока неосновных носителей заряда можно определить при по­
мощи следующей приближенной формулы:

/т,= [ -?™dv = f * S L ,
e
n p (З-За)

где V„L = S L — объем области, лежащей в пределах диффузи­

n p

онной длины от границы перехода; S — площадь р-п перехода. u

Аналогично можно определить электронную составляющую

тока неосновных носителей заряда

/ Г 1 1 = С e
^ ^l J .
dv=
e
S a (3-36)
J т н р % ар

v
pL
Здесь т — постоянная накопления в области р ; L — диф­
н р n

фузионная длина для электронов; v L = S L — объем области n n a

р, лежащей в пределах диффузионной длины от границы перехода.

Величина токов 1т и 1т не зависит от приложенного напря­
Р п

жения. Суммарный ток ITD = 1т? + 1тп называется диффузион­

ной составляющей теплового тока р-п перехода. Этот ток называ­
ется «тепловым», так как своим происхождением он обязан тер-
могеиерации, и «диффузионным», так как образуется потоком
53
неосновных носителей заряда, которые диффундируют к переходу
ц втягиваются его полем.
Определим ток основных носителей заряда. Как уже указы­
валось, в равновесном состоянии из общего числа дырок p , v 0

находящихся на дне потенциальной ямы, преодолеть барьер,

высотой фд может только часть, определяемая соотношением (3-1).
Их поток компенсируется потоком дырок, переходящих из области
п в область р и образующих ток 1т . Следовательно, поток дырок, р

концентрация которых определяется соотношением (3-1), также

приводит к образованию тока величиной, равной I T . С увели­ V

чением высоты барьера до величины срв +

+ \U \ его сможет преодолеть меньшее
n

количество дырок:

РРО ехр | -
Фт
и г

= Рпо ехр — (3-4)

Фт
Из соотношения (3-4) следует, что
Рпс. 3-7. Вольт-амперпая
прп запирающем смещении ток основ­
характеристика идеального ных носителей заряда через р-п пе­
р-п перехода при запираю­ реход ослабляется в ехр [— (|#ц|/фг)]
щем смещении. раз. Следовательно, общий дырочный
ток, определяемый как разность то-
ков основных и неосиовных носителей заряда, равняется:

I =1трехр
v '•Тр-
Фт

Аналогично можно составить выражение для электронного тока

4 = /тпехр[- ^f\-Irn.

Суммарный ток через переход, включенный в обратном направ­

лении, определяется выражением

I D = I V + I N = I T D {ехр i ^ l j - 1}. (3-5)

Первая составляющая ITD ехр £—^ ф° ^ J образуется потоком

основных носителей заряда, которые обладают энергией, доста­
точной, чтобы преодолеть барьер высотой [фд + \U \]. Вторая n

составляющая — это ток неосновных носителей.

На рис. 3-7 приведена вольт-амперная характеристика обрат­
но включенного р-п перехода, соответствующая выражению (3-5).
При запирающем смещении, составляющем U ^ (3 -г- 4) фт ~ B

да (75 — 100) мв, поток основных носителей практически пре-

54
кращается (ехр [ — (|С/ |/фг)] <^ 1). При этом через переход
п

протекает тепловой ток, образуемый потоком неосновных носите­

лей (на рис. 3-6, д эти потоки показаны стрелками). Происходит
экстракция носителей заряда. Небольшой величины тепловой ток
является своеобразным током утечки обратно смещенного р-п
перехода.
На рис. 3-8, а показан график распределения концентрации
подвижных носителей заряда (без соблюдения масштаба). При
обратном включении р-п перехода, когда [U ] ^ (3 - f 4) фг, кон­
n

центрация неосновных но­

сителей заряда на грани- \р,п
цах перехода практически
равняется нулю, так как
почти все неосновные но­
сители заряда, достигаю­
щие границы перехода,
втягиваются электричес­
ким полем в переходный
слой и перебрасываются
в соседнюю область. На
этом же рисунке приве­
дены графики, иллюстри­
рующие протекание теп­
лового тока в электрон­
но-дырочном переходе.
Тепловой ток, который
образуется в области п Электронный, Электронный
потоком дырок, диффунди­ тепловой ток тон проводимости.
рующих к переходному <0
слою, в области р про­ Рис. 3-8. Графики распределения.
должается дырочным то­ о — концентрации носителей заряда; б — соста­
вляющих токов в р-п переходе при запирающем
ком проводимости, возни­ смещении.
кающим под действием
небольшого электрического поля. Ток проводимости остается
постоянным, тогда как тепловой ток спадает по мере удаления
от переходного слоя в глубь области п, так как дырки, генериру­
емые на расстоянии, превышающем диффузионную длину, не
доходят до перехода, а следовательно, не участвуют в образова­
нии теплового тока. Спад дырочного тока компенсируется ростом
электронного тока генерации, который образуется под действием
электрического поля электронами, возникающими при генерации
пар электрон — дырка. Аналогично можно представить процесс
протекания электронной составляющей теплового тока.

Представленные на рпс. 3-8, б графики иллюстрируют образование тепло­

вого тока в диффузионных приборах, в которых поток неосновных носителей
заряда доходит до границы переходного слоя в результате диффузии. В дрей­
фовых приборах неосновные носители перемещаются не только благодаря
диффузии, но и дрейфу. Для таких приборов термин «диффузионная составля-

55
ющая» теплового тока, строго говоря, пепрпмсппы (надо было бы назвать
«диффузионно-дрейфовой составляющей»). Однако в литературе термин
«диффузионная составляющая» принят п для дрейфовых прпборов, поэтому
в последующем изложении он будет применяться как для диффузионных, так
и для дрейфовых прпборов.

Действие отпирающего смещения

ПОДКЛЮЧИМ К р-п переходу напряжение таким образом,

чтобы плюс был приложен к области р , а минус — к области п
(рис. 3-9, а). Такое включение р-п перехода называется пря­
мым, а приложенное напряже­
ние смещения — отпирающим.
Внешнее напряжение U BH

распределяется между областью

р (U ), собственно переходом
p

u (U ) и областью п (£/„)• В слу­

чае, когда Uвн меньше 0,2 —
0,3 в для германиевых и 0,7—
0,8 в для кремниевых приборов,
внешнее напряжение падает в
основном на переходном слое,
что соответствует малым и сред­
ним уровням инжекции (уровень
малых и средних токов). При
высоких уровнях инжекции U m

падает главным образом в об­

ластях р и п.
При прямом смещении к пе­
реходу прикладываемое внеш­
нее электрическое поле проти­
Щ^преодмвающи*
вонаправлено полю обедненного
Потокдырок, <J диффундирующих
из п -области. слоя, и поэтому суммарное элек­
Поток . • преодолевающие трическое поле ослаблено по
электронов. барьер сравнению с равновесным со­
Поток к диффундирующих стоянием (рис. 3-9, в). Приле­
электронов. из р- области. гающие к переходу области за­
полняются дырками и электро­
Рис. 3-9. Электронно-дырочный пе­ нами; суммарный заряд умень­
реход при отпирающем смещении. шается, высота потенциального
а — структура перехода и схема включе­ барьера снижается иа величи­
ния внешнего напряжения; б — распре­
деление плотности заряда; в — векторы ну U (рис. 3-9, г). Это способ­
n

напряя!снности поля; е — графики электро­

статического потенциала в равновесном со­
ствует увеличению потока ос­
стоянии ( ) и при отпирающем новных носителей заряда, т. е.
смещении ( ); д — потоки носителей
заряда. потока дырок, преодолевающих
барьер и переходящих из области
р в область п, и потока электронов, переходящих из области п
в область р . Введение носителей заряда через р-п переход при
понижении высоты потенциального барьера в область полупро-

56
водника, где эти носители являются неосновными, называется
инжекцией неосновных носителей [Л. 3.] Инжекция дырок в
область п и электронов в область р способствует повышению их
концентрации в этих областях (рис. 3-10, а). По мере удаления
от переходного слоя концентрация неосновных носителей заряда
постепенно спадает до уровня, соответствующего равновесному
состоянию, т. е. до величии р и п . п 0 р0

Одновременно изменяется и концентрация основных носите­

лей заряда как в эмиттере, так и в базе, причем почти на ту же
величину, что и концен­
трация неосновных но­
сителей заряда. Дело в
том, что в этих областях т
ие может происходить ^ " п
;
заметное изменение
объемного заряда (в си­
лу принципа квазиней- р ''йр

тральиости), поэтому \?ро ." Р П

--'— X
увеличение концентра­
ции неосновных носите­ а)
лей заряда, происходя­ Суммарный. тон к Суммарный ток

^
щее в результате иня;ек-
ции, приводит к повы­ Дырочный ток про­
шению концентрации водимости. \ j/^^лентронный
\ Утонрекомбинации
основных носителей за­ Дырочный ток. у{ ^Дырочный ток
ряда иа такую же вели­ рекомбинации / инжекции
чину. Однако при этом /
концентрация неоснов­ Электронный ток Электронный ток
инжекции проводимости'
ных носителей заряда
изменяется значитель­ Рпс. 3-10. Г р а ф ш т распределения.
но, а концентрация ос­ а — концентрация носителей заряда; б — составляю­
новных носителей изме­ щие токов в р - п переходе при отпирающем смеще­
няется не так сущест­ нии.
венно по сравнению
Например, при средних со и дажесвоимнизкихравновесным
уровнях значением. инжекции
приращение концентрации неосновных носителей заряда обычно
значительно превосходит свое равновесное значение, т. е.
А р ^> р
п и А й р ^ п . Приращение же концентрации основ­
п 0 р0

ных носителей (хотя и равное Ар = А п иДгс„ = Ар ) несравненно

р р п

меньше, чем их равновесное значение, т. е. А р <^ р р и Дв„<^

р 0

<^ п . И лишь при высоких уровнях инжекции последние ве­

п0

личины становятся сравнимы между собой (А р я* р ; А п ж р р 0 п

п ).
п0

Увеличение потока основных носителей заряда приводит

к увеличению тока в прямом направлении. Если в равновесном
состоянии, например, переход дырок из области р в область п
приводит к образованию тока величиной 1т , то при уменьшении
Р

высоты потенциального барьера на величину U этот ток возрас-a

57.
тает в ехр (£/ /срт) раз. Действительно, из общего числа носителейр ,
п р

находящихся па дне потенциальной яыы, способна преодолеть

барьер высотой (срв — U ) только часть р B п = р ехрр
Фт
Учитывая, что при низких и средних уровнях инжекции прира­
щение концентрации основных носителей несравненно меньше
своей равновесной величины, можно считать р ^ р , - а следо­ р р0

вательно,
р ъ п Р р 0 ехр ^ —-j = Р т ехр — .

Из последнего соотношения видно, что поток дырок, переходя­

щих из области р в область га, возрастает в ехр (С/ /фт) раз, поэ­ п

тому во столько же раз увеличивается ток (по сравнению с рав­

новесным значением / т ) . Поток же неосновных носителей оста­
р

ется неизменным, поэтому тепловой ток, образуемый потоком

дырок, которые переходят из области га в область р , сохраняется
на уровне 1т . Таким образом, при прямом смещении дырочный
Р

ток равняется:
/р = / т Р ехр^-/ Т р .

Аналогично можно определить электронный ток

1 = ?тп ехр
П ~ - 1 Т п -

Суммарный ток, протекающий через электронно-дырочный

переход при отпирающем смещении, складывается из дырочного
и электронного токов, т. е.

I D = I P + I N = ID
T (exp^-l).

Этот ток обычно значительно больше теплового тока, проте­

кающего через переход при запирающем смещении.
Распределение токов вдоль электронно-дырочного перехода
показано на рис. 3-10, б (без учета тепловых токов, рассмотренных
выше). Поток основных носителей, например дырок, приводит
к образованию в области р тока проводимости. Это — дрейфовый
ток; вне переходного слоя все же возникает электрическое поле,
способствующее направленному движению носителей заряда и
образованию тока
•^РДР =
E\i ep S .
p p a

Это поле сравнительно слабое, поэтому токи, формируемые

под его действием, достигают заметной величины лишь для основ­
ных носителей заряда, концентрация которых велика (дрейфо­
вой составляющей тока иеосновных носителей можно пренебречь).
58
 Дырки, переходящие в область п, где они являются неоснов­
ными носителями, образуют ток инжекции. Этот ток есть резуль­
тат диффузии неосновных носителей: поток дырок из области р
приводит к увеличению их концентрации в области гг и, следова­
тельно, к возникновению перепада концентрации, способствую­
щего направленной диффузии дырок и формированию тока.
По мере удаления от переходного слоя ток инжекции спадает,
так как из-за рекомбинации уменьшается перепад концентрации
дырок. Спад дырочиого тока инжекции компенсируется увели­
чением электронного тока рекомбинации. Это ток основных носи­
телей.
Точно так же формируется электронный ток проводимости
в области п, который в области р образует электронный ток ин­
жекции, продолжающийся дырочным током рекомбинации
(см. рис. 3-10, б).

Рис. 3-11. Графи­

ки распределения
концентрации не­
основных носите­
лей в элгаттере и Про
базе р-п перехода. х

Вдоль электронно-дырочного перехода составляющие тока

изменяются. Суммарный же ток остается неизменным, причем
его величину удобно определять как сумму токов неосновных
носителей непосредственно на границах переходного слоя, т. е.

Поэтому обычно вычисляют только токи неосновных носителей

заряда и соответственно интересуются распределением концент­
рации или плотности заряда неосновных носителей: дырок
в области п и электронов в области р(рис. 3-11). Расчет же потоков
основных носителей заряда непременно связан с определением
напряженности электрических полей, которые возникают в при­
боре под воздействием внешних источников питания. Решение
этой задачи требует громоздких вычислений. Между тем расчет
потоков неосновных носителей заряда, как правило, удается
выполнить либо вообще пренебрегая влиянием внешних полей,
либо учитывая их действие лишь приблизительно.
В диффузионных приборах, т. е. в приборах без встроенного
поля, при низких и средних уровнях инжекции преобладают
59
диффузионные токи, величины которых можно определить, рас­
считав градиенты плотности заряда неосновных носителей заряда
на границах перехода. В дрейфовых приборах преобладающими
становятся дрейфовые токи неосновных носителей заряда, вели­
чины которых определяются в основном напряженностью встро­
енного поля. Лишь при высоких уровнях инжекции приходится
учитывать влияние внешних полей.
В большинстве случаев оказывается достаточным определить
ток неосновных носителей заряда в базовой области, так как ток
неосновных носителей заряда в эмиттерной области, как пра­
вило, на несколько порядков меньше. Лишь в тех случаях, когда
требуется знать отношение составляющих этих токов (например,
для определения эффективности эмиттера, см. § 5-2), интересу­
ются и составляющей тока в эмиттерной области.

Рис. 3-12. Вольт-ам­ Рис. 3-13. Диаграмма, иллю­

перная характеристи­ стрирующая образование токов
ка идеального р-п генерации и рекомбинации в
перехода. переходном слое.

Заметим, что составляющие тока инжекции определяются параметрами

области, где данные носители заряда являются неосновными. Это с физической
точки зреппя кажется парадоксальным, так как прп отпирающем смещеипи
источником носителей заряда является область с высокой концентрацией носи­
телей данного типа. Так, например, ток / образуется потоком дырок, посту­
р

пающих из р-областн, а его величина определяется концентрацией дырок в об­

ласти п. Суть этого кажущегося противоречия заключается в том, что влия­
ние области с высокой концентрацией носителей заряда выражается через вы­
соту потенциального барьера ( ф — U ).
в n

Таким образом, вольт-амперная характеристика идеального

р-п перехода как при прямом, так и при обратном включениях
определяется экспоненциальной функцией вида

(3-6)

На рис. 3-12 приведена эта характеристика. Как видно из

этого графика, р-п переход представляет собой нелинейный эле­
мент, обладающий выпрямляющим свойством: величина тока при
запирающем смещении оказывается значительно меньше, чем
при прямом.
60
 Необходимо отметить, что соотношение (3-6) для вольт-ампер­
ной характеристики идеального перехода справедливо при низ­
ких и средних уровнях инжекции. Особенности электронно-ды­
рочного перехода при высоких уровнях инжекции рассматрива­
ются в § 3-5.

3-3. ТОКИ ГЕНЕРАЦИИ И РЕКОМБИНАЦИИ

В ПЕРЕХОДНОМ СЛОЕ

Анализируя вольт-амперную характеристику идеального элект­

ронно-дырочного перехода, мы считали, что потоки носителей
заряда при их пролете через переходный слой остаются постоян­
ными, а поэтому предполагали, что токи в этом слое не меняются.
В действительности же в переходном слое, так же как и в обла­
стях р и п, происходят рекомбинация и генерация носителей
заряда [Л. 24], а следовательно, изменение плотности их потоков.
Прп этом образуются токи рекомбинации и генерации, влияние
которых в ряде случаев существенно, в особенности для приборов,
изготовленных из кремния. •
В переходном слое генерация и рекомбинация происходят в ос­
новном через рекомбипационные ловушки (рис. 3-13). Возникаю­
щие при генерации электроны и дырки под действием электричес­
кого поля выносятся из переходного слоя. При этом электроны
перебрасываются в область га, а дырки в область р , создавая
дополнительную составляющую теплового тока, которая называет­
ся генерационной составляющей.
В равновесном состоянии генерационная составляющая тепло­
вого тока компенсируется током, который образуется за счет реком­
бинации носителей заряда в переходном слое. Часть носителей
заряда, проникающих в переходный слой и стремящихся пересечь
его, захватывается рекомбинационными ловушками и образует ток
рекомбинации (рис. 3-13).
Определим генерационную составляющую теплового тока в рав­
новесном состоянии. Этот ток образуется носителями заряда, кото­
рые рождаются в переходном слое в единицу времени:

<3-7>

где <?„„ = е ( dv — заряд подвижных носителей заряда

J Щ + Ро

в переходном слое объемом v ; п ш р — концентрации электронов

n 0 0

и дырок в равновесном состоянии;

(3-8)

61
— постоянная накопления в объеме переходного слоя; т — время0

жизни носителей заряда в равновесном состоянии, определяемое

соотношением (2-30).
В равновесном состоянии ток генерации I компенсируется
g 0

током рекомбинации 1 точно такой же величины, т. е.

г0

•Л-о =
Igo-
При запирающем смещении высота потенциального барьера
повышается, поток основных носителей заряда через переход прак­
тически прекращается, поэтому исчезает ток рекомбинации. Ток
генерацпи, наоборот, возрастает, так как расширяется переход­
ный слой, т. е. та область, в которой происходит генерация носи­
телей заряда. В первом приближении можно считать, что с воз­
растанием запирающего смещения генерационная составляющая
теплового тока увеличивается во столько же раз, во сколько раз
расширяется переходный слой, т. е.

Ig= Igo-Tjrr~' (3-9)

** по
где Wn п Wm — ширина переходного слоя в неравновесном и рав­
новесном состояниях.
Таким образом, в отличие от диффузионной составляющей теп­
лового тока генерационная составляющая зависит от величины
напряжения на переходе U . n

При отпирающем смещении из-за сужения перехода ток гене­

рации спадает, но заметно возрастает ток рекомбинации, так как
существенно растет поток основных носптелей заряда через пере­
ход и увеличивается вероятность их захвата рекомбииацпопными
ловушками.
На рис. 3-14 приведены кривые распределения тока, иллюстри­
рующие влияние рекомбинации в переходном слое на величину
дырочного тока инжекции (сплошными линиями показаны токи
с учетом рекомбинации, а штриховыми линиями — в отсутствие
рекомбинации). Из этих кривых видно, что захват носителей заряда
рекомбинациопиыми ловушками в переходном слое приводит
к росту электронного тока рекомбинации в базе и соответственно
к уменьшению дырочного тока инжекции. Таким образом, в базе
ток основных носителей увеличивается, а ток неосновных носи­
телей уменьшается, что приводит к снижению эффективности эмит­
тера (см. § 5-2).
Определим величину тока рекомбинации при оптирающем сме­
щении. Если бы ширина перехода оставалась неизменной, то по
сравнению с равновесным состоянием ток рекомбинации увеличи­
вался бы во столько раз, во сколько увеличивается поток основных
носителей заряда, т. е. в ехр (ип/ц>т) раз, и с.тал бы равным
/ е х р (£7 /фт). Однако с увеличением прямого смещения переход су­
г 0 п

жается, поэтому ток рекомбинации растет в меньшей степени: «<

<; 1 ехр (С/д/фу). Это уменьшение крутизны нарастания тока
г0

62
рекомбинации принято характеризовать коэффициентом т в сте­ г

пени экспоненты, если представить выражение для 1 в следующем Г

виде:
Ir — I го е х
Р т .ф '
; г

Величина коэффициента т зависит [Л. 24,25] от напряжения,

Т

приложенного к переходу, и высоты потенциального барьера в

равновесном состоянии срк. Графики зависимостей то,. = F (С/ /фд) п

для трех значений фо приведены на рис. 3-15.

Поскольку коэффициент m > 1, то с увеличением отпирающего
r

смещения доля тока рекомбинации в переходе уменьшается по

. <р = Т
р-о$ласть п-о1ласть V /
з,г\

2Л
^Дырочный тон
инжекции

Электронный
ток рекомбинации.
0,8

Un/%

О 0,2 ОЛ 0,6 0,8 1,0

Рис. 3-14. Графики, пллюстрп- Рис. 3-15. Графики зависимости
рующпе влияние рекомбинации коэффициента m от напряжения r

в переходе на величину дыроч- на переходе при различных зна-

ного тока инжекции. ченнях ф . д

отношению к величине тока инжекции [ток инжекции в первом при­

ближении увеличивается пропорционально величине exp (U /<p ), n T

а ток рекомбинации из-за сужения перехода растет в меньшей

степени].
Итак, ток рекомбинации-генерации, который образуется в пере­
ходном слое, можно рассчитать по формуле
W
Ire = I — Is = Iто exp (3-10)
n
80
w„
l
r
"•гФт "no
Поскольку при отпирающем смещении ток генерации, как
правило, значительно меньше тока рекомбинации:
Z2. <</ exp U
" 1,
r0
W по

то выражение (3-10) можно заменить приближенным, но более

удобным для практических расчетов соотношением
I r g ^ I r 0 exp (3-11)

63
 3-4. ТОКИ УТЕЧКИ И К А Н А Л Ь Н Ы Е ТОКИ

Суммарный ток через р-п переход включает в себя также токи

утечки 7у и канальные токи 7 , которые обусловлены поверх­
Т С

ностными эффектами. Влияние этих эффектов иа вольт-амперные

характеристики полупроводниковых приборов подробно рассмот­
рено в гл. 8 работы [Л. 26], где обобщены основные результаты
выполненных в этой области исследований.
Ток утечки образуется по поверхности переходного слоя и зави­
сит от ее состояния. Этот ток ухудшает выпрямительные и усили­
тельные свойства полупроводниковых приборов и обусловливает
нестабильность их характеристики параметров. При изготовлении
полупроводниковых приборов специальной обработкой поверх­
ности стремятся уменьшить ве­
, канал п - типа.
личину токов утечки до прене­
Переходный, брежимо малых значений.
ШЦУ/У///У. слой. Более существенное влияние
на работу р-п переходов оказы­
вают канальные токи [Л. 26].
р - опасть п - область
Они образуются следующим об­
разом. Вблизи поверхности кри­
сталла из-за наличия поверх­
Рис. 3-16. Образование канала с ностных уровней эпергип проис­
электронной электропроводностью ходит искривление энергетичес­
в р-области. ких зон, приводящее к образова­
нию инверсного слоя (см. § 2-4).
На рпс. 3-16 показано образование в области р слоя, обогащенного
электронами. Казалось бы, что этот слой должен представлять собой
область с дырочной электропроводностью, так как в пей имеются
акцепторные примеси в такой же концентрации, что и в остальной
части области р . Однако наличие большого количества электронов
приводит к возникновению узкого слоя с инверсной электропровод­
ностью, который вместе с соседней областью р образует электронно-
дырочный переход.
Такие инверсные слои, которые образуются вблизи поверх­
ности, называются каналами, а токи, протекающие через переход,
который образуется между инверсным слоем и соседней областью,
канальными токами. Ширина канала обычно не превышает сотые
доли микрона. Сама же конфигурация канала зависит от состоя­
ния поверхности. (На рис. 3-16 переходный слой заштрихован,
границы р-п перехода, соответствующие случаю, когда канал отсут­
ствует, показаны штриховыми линиями.)
Таким образом, с образованием каналов увеличивается пло­
щадь р-п перехода, что приводит к возрастанию обратного тока,
протекающего через него при запирающем смещении. Действи­
тельно, например, в канале с «-проводимостью (рис. 3-16) генери­
руются дырки, которые беспрепятственно переходят в ^-область,
тем самым увеличивая тепловой ток перехода.
64
 При отпирающем смещении р-п переход, образованный кана­
лом и соседней областью, инжектирует носители, поэтому возра­
стает и прямой ток, однако не в такой мере, как обратный. С увели­
чением отпирающего смещения относительная доля канального
тока уменьшается, так как диффузионный ток инжекции возрастает
пропорционально величине ехр (£/ /фг) 1см. выражение 3-6)],
п

а ток инжекции через канал растет в меньшей степени, а именно

в ехр [ U J (т ц>т)] раз (где коэффициент m > 1). Это объясняется
с b

неравномерным распределением вдоль канала напряжения, падаю­

щего на р-п переходе между инверсным слоем и соседней областью;
1
участки этого перехода, находящиеся вблизи основного пере­
ходного слоя, оказываются смещенными почти таким же напря­
жением U , что и основной, тогда как вдали от основного р-п
n

перехода напряжение смещения канального перехода оказыва­

ется значительно меньше напряжения U . n

Канал работает, как обычный р-п переход. Ток инжекции

канала связан с напряжением экспоненциальной зависимостью.
При этом степень экспоненты определяется напряжением, пада­
ющим в переходе, который непосредственно прилегает к каналу.
Поскольку это напряжение составляет всего часть смещения U , n

постольку канальный ток возрастает в меньшей степени, чем ток

инжекции, протекающий через основной переход. Таким образом,
вольт-амперная характеристика канального тока описывается при­
ближенной формулой

(3-12)

где / — тепловой ток канала; т — эмпирический коэффициент,

с 0 с

учитывающий неравномерное распределение напряжения вдоль

канала. Этот коэффициент зависит от величины приложенного
к каналу напряжения, так как с изменением напряжения меняется
и степень неравномерности распределения напряжения вдоль
канала.
Итак, образование каналов приводит к увеличению теплового
тока электронно-дырочного перехода, что ухудшает выпрямитель­
ные свойства прибора, так как возрастает обратный ток, протека­
ющий через переход при обратном включении. При прямом вклю­
чении канальные токи способствуют росту потока основных носи­
телей в базу транзисторов, что приводит к снижению эффективности
эмиттера и соответственно уменьшению коэффициента усиления
мощности (см. § 4-2).

1
Основным будем называть р-п переход между р- и п областями
в отличие от р-п перехода, образуемого между каналом и соседней
областью.

3 Агаханяи Т. М, 65
 3-5. ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РЕАЛЬНОГО
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Вольт-амперная характеристика реального электронно-дыроч­

ного перехода определяет зависимость тока, протекающего через
переход, от напряжения, приложенного к выводам эмиттера и
базы. Эта характеристика отличается от соответствующей харак­
теристики идеального р-п перехода прежде всего тем, что прило­
женное к выводам напряжение включает в себя напряжения,
падающие в объемах областейр и п, и, следовательно, отличается от
напряжения U . Кроме того, общий ток через реальный переход
u

состоит из ряда составляющих:

/ = / в + / * + / + /ут,
г с (3-13)

в отличие от идеального перехода, имеющего всего одну состав­

ляющую, определяемую выражением (3-6).
В зависимости от уровня смещения падение напряжения в объ­
еме полупроводника, а также относительное влияние отдельных
составляющих токов проявляется в разной степени. Поэтому
целесообразно анализировать различные участки вольт-амперной
характеристики отдельно.

Вольт-амперная характеристика при запирающем смещении.

Обратный ток и его температурная зависимость

Рассмотрим составляющие тока и вольт-амперную характери­

стику электронно-дырочного перехода (рис. 3-17) при изменении
1
запирающего смещения от нуля до напряжения пробоя С/ рос- П

При включении в обратном направлении ток идельного р-п

перехода ID сначала начинает заметно возрастать (из-за умень­
шения потока основных носителей, компенсирующего тепловой ток
в равновесном состоянии), а при напряжениях, превышающих по
абсолютной величине (3 -т- 4) срг, что приблизительно составляет
75—100 мв, обратный ток прак тически перестает меняться и уста­
навливается на уровне, равном диффузионной составляющей тепло­
вого тока ITD = 1т + 1тп- Поэтому ток, протекающий через
Р

идеальный переход при запирающих смещениях более чем (75 -н

100) мв, иногда называют током насыщения.
При запирающем смещении через реальный электронно-дыроч­
ный переход протекает ток относительно малой величины, поэтому
падением напряжения в объеме областей р и п можно пренебречь
и считать, что напряжение на переходном слое U практически
n

равно внешнему напряжению U. Реальная вольт-амперная харак­

теристика отличается от идеальной главным образом из-за токов

1
Причины резкого нарастания тока при смещениях, превышающих по
абсолютной величине fпроб, рассматриваются ниже.

66
генерации и рекомбинации в переходном слое, [«анальных токов
и токов утечки.
При малых обратных напряжениях (| U | < (3 -s- 4) фг) наблю­
дается заметное изменение суммарного тока / (рис. 3-17), которое
в основном обусловлено увеличением диффузионного тока

W T B ( e x p | * - t

и тока рекомбинации-генерации (за счет уменьшения тока реком­

бинации, компенсирующего ток генерации в равновесном состоя­
нии). Когда смещение превышает (3 -ч-4) фг, ток через переход
продолжает возрастать из-за увеличения отдельных составляю­
щих. При этом общий ток равен:

1
оор ' -[ITD + I,

ут (3-14)

Этот ток принято называть

обратным током электронно-ды­
рочного перехода. Как следует
из выражения (3-14), обратный ток
растет с увеличением обратного
напряжения, так как возрастает
ток генерации (из-за расшире­ Рис. 3-17. Составляющие тока и
ния переходного слоя), канальный суммарный обратный ток при за­
ток (из-за увеличения напряжен­ пирающем смещении.
ности поля на поверхности кри­
сталла). Таким образом, насыщения обратного тока не наблю­
дается, поэтому называть его током «насыщения», как иногда
поступают в литературе, было бы неправильным.
Соотношение отдельных составляющих обратного тока зависит
от температуры кристалла, ширины запрещенной зоны и рас­
положения энергетических уровней рекомбинационных ло­
вушек.
Рассмотрим температурную зависимость отдельных состав­
ляющих обратного тока. Тепловые токи образуются потоком неос­
новных носителей заряда, которые генерируются в различных
областях кристалла: в областях р и п, в переходном слое между
этими областями, в каналах и переходных слоях, образуемых между
инверсными слоями и соседними областями (р или п). С повыше­
нием температуры кристалла увеличивается тепловая энергия
электронов, поэтому повышается вероятность их перехода из
валентной зоны в зону проводимости (возрастает скорость генера­
ции пар электрон — дырка), что приводит к росту концентрации
неосновных носителей заряда и соответственно их потоков, обра­
зующих тепловые токи. С понижением температуры, наоборот, Ten­

s' 67
ловые токи уменьшаются. Температурная зависимость тепловых
токов определяется соотношением [Л. 1]
т т I
(3-15)
/г = / р е х р ( - —
К

где 7 — величина, имеющая размерность тока п определяемая

к р

свойствами полупроводникового кристалла; Аё — энергия, необ­

ходимая для генерации пар электрон—дырка.
Изменение 1т с изменением температуры определяется главным
1
образом экспоненциальным членом ехр [— (Д&/фт)], который
в соответствии со статистикой Максвелла—Больцмана характери­
зует вероятность перехода электрона из валентной зоны в зону
проводимости при средней тепловой
энергии кристалла фг = кТ/е.
Из выражения (3-15) следует, что
степепь изменения тепловых токов с из­
менением температуры зависит от энер­
гии Д£, а следовательно, от вида
генерации. Та часть теплового тока,
которая образуется благодаря прямой
генерации, изменяется в большей сте­
пени, чем та часть, которая обуслов­
лена генерацией через рекомбинацион-
ные ловушки. Дело в том, что прямая
Рис. 3-18. Полулогарифми­
генерация характеризуется большей
ческие графики зависимости энергией АШ, равной ширине запре­
тепловых токов от темпе­ щенной зоны АШ = A % . При ступен­
g

ратуры. чатой генерации энергия генерации

меньше A'§ на величину
g соот-
ветствующую уровню рекомбпнационной ловушки, и равна
АШ = A% — Ш g г

На рис. 3-18 показан график зависимости In 1т/1цр = F (1/фг).

Заметим, что наклон кривой In / т / / р определяется величиной
К

АШ: чем больше АШ, тем круче нарастает эта кривая. На рис. 3-18
представлены также прямые линии с наклонами A% и A% — Ш g g ь

определяющие зависимость от температуры тепловых токов

при прямой генерации и при ступенчатой генерации. Из графиков
видно, что с изменением температуры изменяется в большей сте­
пени та часть теплового тока, которая образуется благодаря пря­
мой генерации. С повышением температуры тепловой ток прямой
генерации начинает превышать тепловой ток ступенчатой гене­
рации, поэтому при сравнительно высоких температурах преобла­
дают тепловые токи, обусловленные прямой генерацией носите­
лей заряда. В области средних температур главенствуют тепловые
токи, вызванные ступенчатой генерацией. Наконец, при сравни-

1
Строго говоря, от температуры зависит и величина 1 , Кр однако эта
зависимость выражена относительно слабо.

68
тельио низких температурах большую роль играют токи утечки
(на рис. 3-18 влияние токов утечки показано штриховой кривой).
Эти токи тоже зависят от температуры, но в меньшей степени, чем
тепловые.
Ступенчатая генерация носителей преобладает над прямой гене­
рацией в переходных слоях, где концентрация подвижных носи­
телей заряда обычно невелика. В областях р и п ступенчатая гене­
рация маловероятна, так как рекомбинациониые ловушки обычно
заполнены основными носителями. Поэтому тепловые токи, вызван­
ные ступенчатой генерацией, формируются главным образом в пере­
ходных слоях, в том числе и в переходах, образованных каналами.
В германиевых приборах при комнатной и повышенных темпе­
ратурах преобладают тепловые токи, обусловленные прямой гене­
рацией. Ширина запрещенной зоны в кристаллах германия не
так велика {Аё « 0,7 в), поэтому вероятность прямой генерации
д

значительно выше, чем в кремниевых приборах. Токи, обусловлен­

ные ступенчатой генерацией, обычно составляют не более 10—15%
суммарного теплового тока и главенствуют лишь при относи­
тельно низких температурах.
В кремниевых приборах ширина запрещенной зоны сравни­
тельно велика {АШ ~ 1,1 в), поэтому при комнатной температуре
8

вероятность прямой генерации относительно низка. Тепловые

токи, обусловленные этим видом генерации, ничтожны: обычно не
превышают сотых и тысячных долей тепловых токов, вызванных
ступенчатой генерацией. Лишь при температурах 100—120° С
указанные составляющие тепловых токов становятся сравнимыми
между собой.
Температурная зависимость суммарного теплового тока также
определяется выражением (3-15), в котором величина АШ меня­
ется с изменением температуры. Д л я германиевых приборов в диа­
пазоне температур 0 < Т < Г 90 °С можно считать Аё =
1!р

= A% и пользоваться приближенным соотношением

g

(/ )
T T l ( / ) г , ехр [0,08 (7\ - Т )],
т 2 (3-16)
которое получено подстановкой в выражение (3-15) A8zzQ,7e
и среднего значения Гсрг ^ 9 в-град. Из соотношения (3-16)
следует, что с изменением температуры перехода на 10 °С тепло­
вой ток германиевого прибора меняется почти вдвое.
Д л я кремниевых приборов можно считать АШ = A% лишь g

при температурах Т > 120 -г- 140 °С. При более низких темпера­
турах необходимо брать среднее значение АШ, определяемое по
наклону кривой In / г / / р от 1/сру.
К

Пробой р-п перехода

При сравнительно большом напряжении на р-п переходе, сме­
щенном в обратном направлении, наблюдается резкое увеличение
обратного тока (см. рис. 3-17) и происходит пробой электронно-
дырочного перехода [Л. 27, 28].
69
 Различают электрические пробои, которые обусловлены дей­
ствием электрического поля в переходном слое, и тепловой пробой,
вызванный перегревом перехода.
Электрические пробои. Существуют три вида электрических
пробоев: лавинный, туннельный и поверхностный.
Лавинный (таундсеновскнй) пробой в р-п переходе вызывается
ударной ионизацией: электроны, пролетающие сквозь переходный
слой, ускоряются в нем электрическим полем и при напряжениях,
превышающих критическое значение, приобретают кинетическую
энергию, достаточную для того, чтобы при соударении с атомами
ионизировать их, образуя пары электрон — дырка. Вновь образо­
ванные электроны, ускоряясь полем, в свою очередь могут также
вызвать ионизацию атомов. Таким образом, будет происходить
лавинообразное нарастание тока, приводящее к пробою р-п
перехода. При этом ток / , протекающий через переход, превысит
в М раз величину тока / , обусловленного потоком первоначаль­
0

ных носителей, т. е.
1 = М1 .а

Коэффициент М определяется эмпирической формулой [Л. 29]

(3-17)

и называется коэффициентом лавинного умножения. Напряжение

лавинного пробоя U связано с удельным сопротивлением базовой
n

области р-п перехода соотпошеннем

ип = АлРба". (3-18)
Значения эмпирических коэффициентов п , а и А приведены
л л л

в табл. 3-1. Это — средние и притом весьма приблизительные

значения. Они зависят от типа перехода, удельного сопротивления
материала и т. д. [Л. 30].
Таблица 3-1

Тип р-н п
Полупроводник перехода л п
л А
л

+
Ge п -р 6 0,61 52
р+-п 3 0,61 83,4
Si +
п -р 2 0,75 23
+
р -п 3,5 0,64 86

Напряжение лавинного пробоя зависит от температуры перехо­

да. С повышением температуры напряжение пробоя возрастает, так
как сокращается длина свободного пробега электронов и умень-
70
шается энергия, приобретаемая ими на длине свободного пробега.
Поэтому ионизация атомов электронами, пролетающими через
переходный слой, происходит при больших напряжениях. Зави­
симость напряжения лавинного пробоя от температуры опреде­
ляется эмпирической формулой [Л. 23]
п 1 1 1
г/л(2 1) = с/л(7 2 )[1+с (? 1-?
л 2 )].
Температурный коэффициент напряжения пробоя С для крем­ л

ния равен 8,8-10- 1/ С, а для германия 1,2-Ю 1/°С.

4 о -3

Туннельный (зеперовский) пробой [Л. 27] происходит тогда,

когда напряженность электрического поля в переходе возрастает
настолько, что становится возможным туннельный переход элект­
рона из валентной зоны р-области непосредственно в зону про­
водимости /г-области (рис. 3-19).
Туннельный пробой наблюдает­
ся у приборов с узким переходом,
изготовленных из ннзкоомиого
полупроводника с удельным сопро­
тивлением р ^ 0,1—0,5 ом-см
[Л. 31].
Энергетическая диаграмма р-п
перехода при туннельном пробое
показана на рис. 3-19. С увеличе­
нием напряжения смещения энер­
гетические зоны искривляются Рпс. 3-19. Энергетическая диаг­
рамма, иллюстрирующая тун­
так, что энергия электронов, нахо­ нельный переход электрона пз
дящихся в связанном состоянии валентной зоны в области р в зону
в области р , становится такой же, проводимости области п.
как и энергия свободных электро­
нов в области п. Если переходный слой оказывается сравнительно
узким, то возможен переход электрона из валентной зоны непо^
средственно в зону проводимости. Это и есть туннельный эффект,
который приводит к увеличению тока.
Напряжение туннельного пробоя для германиевых приборов
определяется формулой (3-19а), а для кремниевых — формулой
(3-196):
/ 7 = 9,9р + 48Рр;
тун п (3-19а)
£/ тун = 39р + 8рр.
п (3-196)
Здесь рп и рр — удельные сопротивления областей п и р .
Напряжение туннельного пробоя уменьшается с повышением
температуры вследствие изменения ширины запрещенной зоны.
При увеличении температуры ширина запрещенной зоны умень­
шается. Уровни энергии электронов в зоне проводимости и в валент­
ной зоне выравниваются при меньших напряжениях. Туннельный
переход становится возможным при более низких напряжениях.
Поверхностный пробой [Л. 26] возникает в тех областях полу­
проводниковых кристаллов, где переходный слой выходит иа
71
поверхность. Этот вид пробоя обусловлен возрастанием напряжен­
ности поля из-за действия заряда адсорбированных ионов иа поверх­
ности кристалла. Поэтому в слоях перехода, непосредственно
примыкающих к поверхности, пробой происходит при сравнительно
низких напряжениях смещения. Соответствующей обработкой
поверхности полупроводника можно исключить возникновение
поверхностного пробоя.
Тепловой пробой. Явление теплового пробоя связано с нару­
шением теплового баланса в кристалле [Л. 32]. При прохождении
обратного тока в переходе выделяется определенная тепловая энер­
гия, мощность которой Р = С/ц-^обр- Если выделяемое тепло пре­
вышает тепло, отводимое от перехода, то температура перехода
начинает повышаться и увеличивается тепловой ток. В свою оче­
редь с ростом теплового тока возрастает количество выделяемого

Рис. 3-20. Образова­

ние вольт-амперной
характеристики с от­
рицательным накло­
ном при тепловом
Т=270" пробоо.
о — электрическая схема
подключения напряже­
ния к р-п переходу;
б — вольт-амперные ха­
рактеристики р-п пере­
хода, иллюстрирующие
образование участка с
отрицательным накло­
ном при тепловом пробое.

тепла, а следовательно, еще больше становится величина тока,

протекающего через переход, и т. д. Наступает тепловая неустой­
чивость, которая приводит к разогреву перехода, в результате
чего возникает лавинообразное увеличение обратного тока, при­
водящее к тепловому пробою.
При тепловом пробое иа вольт-амперной характеристике р-п перехода
обычно образуется участок с отрицательным наклоном. На рис. 3-20 приве­
дены вольт-амперные характеристики р-п перехода для разных температур,
с помощью которых можно объяснить образование участка с отрицательным
наклоном. Если к р-п переходу подключить источник напряжения t/ DH

(рис. 3-20, а), величину которого можно менять плавно, н снять зависимость
протекающего через переход тока / от напряжения U, то можно наблюдать
следующее. Прп сравнительно иизкпх напряжениях температура перехода
остается постоянной и зависимость I = F (U) совпадает с вольт-амперной
характеристикой для комнатной температуры (см. пуиктпр на рис. 3-20, 6).
При некотором напряжении U вследствие потери устойчивости теплового
режима происходит нарастание тока и рабочая точка смещается с харак­
теристик, снятых при Т = 300 °К, на характеристики, снятые при больших
температурах. Это смещение происходит по линии, наклон которой определе-
ляется сопротивлением R, включенным последовательно с источником и . в а

Необходимо отметить, что участок с отрицательным наклоном имеет опре­

деленный наклон, поэтому при снятии зависимости / = F (U) требуется впол­
не определенная величина сопротивления R. Если это сопротивление сравип-

72
тельно велико, то при некоторой температуре устанавливается тепловой баланс,
мощность, выделяемая на переходе, перестает возрастать, и дальнейшее нара­
стание тока прекращается. При сравнительно малых значениях сопротивле­
ния R возникает генерация, затрудняющая достоверное определение участка
с отрицательным наклоном.
Различают два вида тепловых пробоев:
1. Повышение температуры приводит к увеличению обратного тока и
смещению рабочей точки в область вольт-амперной характеристики, соответ­
ствующей электрическому пробою (рис. 3-20, б).' Этот случай возможен
в приборах с туннельным пробоем.
2. Из-за тепловой неустойчивости температура перехода, непрерывно
возрастая, достигает критической Г , при которой наступает вырождение
К р

полупроводникового кристалла. При этом ток через переход резко возрастает,

так как вырожденный р-п переход не обладает выпрямляющими свойствами.
Критическая температура перехода определяется для германиевых кри­
сталлов эмпирической формулой (3-20а), а для кремниевых — (3-206) [Л. 32]:

£ К
^ = Т о Ж ? й Г р ' - ^

Вольт-амперная характеристика при отпирающем смещении.

Модуляция объемного сопротивления. Диффузионное падение
напряжения

При отпирающем смещении ток р-п перехода обычно много

больше, а падение напряжения на переходе, как правило, много
меньше, чем при запирающем смещении. При прямом включении
максимальная величина напряжения на переходе U не может a

превышать контактную разность потенциалов (срк = 0,3 н- 0,9 в).

При обратном же смещении максимальное напряжение опреде­
ляется напряжением пробоя, величина которого может составить
сотни и тысячи вольт.
Поскольку прямой ток сравнительно велик, а напряжение мало,
то током утечки можно пренебречь и представить общий ток сум­
мой трех слагаемых:

' = ' » ( » p 4 - « ) + / . ( « , i - i ) +

/ в 1 3 21
+ » ( - " р ^ - ) . <- >
где то — эмпирический коэффициент, величина которого меньше
единицы.
С изменением напряжения доля этих составляющих в общем
токе существенно меняется, поэтому целесообразно рассматри­
вать отдельно области малых, средних и больших токов.
Область малых токов. В этой области можно пренебречь паде­
нием напряжения в объеме полупроводника и считать, что напря­
жение, приложенное к электродам прибора, почти полностью падает
на собственно переходе: U = U. Область малых токов соответ-
n

73
ствует низкому уровню инжекции, когда ток рекомбинации — гене­
рации и канальный ток оказывают существенное влияние. Суммар­
ный ток определяется сравнительно сложным соотношением (3-21).
Для практических расчетов предпочтительно более простое ана­
литическое выражение, позволяющее приближенно рассчитать
реальную вольт-амперную характеристику р-п перехода:

то ехр 1 (3-22)
тср т

В этом выражении 1т и m — средние значения теплового тока

0

и коэффициента в степени экспоненты, с помощью которых учиты­

вается влияние всех слагаемых тока, протекающего через переход.
Средние значения теплового
тока и коэффициента m зависят
от температуры и напряжения
смещения. При низких смеще­
ниях 1т > ITD И m > 1 (так как
0

m > l , m > l и только ягг> = 1).

r c

Область сред­
По мере увеличения смещепия
них тонов и температуры перехода умень­
шается доля тока рекомбина­
ции — генерации и канального
тока, поэтому средние значения
теплового тока и коэффициен­
та тп, уменьшаясь, стремятся
к своим значениям, определяе­
мым диффузионным тепловым
Рпс. 3-21. Вольт-амперная характе­ током, т. е. 1т I T D , m «=« 1.
0
ристика р-п перехода, построенная
в полулогарифмическом масштабе. В германиевых приборах при
комнатной и повышенной температу­
рах тепловой ток в основном носит
диффузионный характер, поэтому, как показывают измерения [Л. 33],
I
TO «s I ;
TD m = 1,05 «= 1,1. У кремниевых приборов эти соотношения спра­
ведливы для температур, превышающих 100—120° С. При меньших темпера­
турах 1 Т означительно больше I , а коэффициент m = 1,6 Ч- 1,8.
T D

Средние значения теплового тока и коэффициента m можно определить,

построив вольт-амперную характеристику р-п перехода в полулогарифми­
ческом масштабе (рис. 3-21) (7 — масштабный ток). При значениях U, состав­
М

ляющих несколько единиц ф и более, она будет представлять прямую лпнию

г

с наклоном пмр . Продолжив линейный участок вольт-амперной характерис­

т

тики до пересечения с осью абсцисс, в точке пересечения получим среднее

значение теплового тока I .
TQ

Область средних токов. При увеличении напряжения смеще­

ния доля рекомбинационного и канального токов уменьшается по
сравнению с диффузионным током ID- Поэтому в области средних
токов вольт-амперную характеристику можно описать известным
для идеального р-п перехода соотношением

TD /ехр

74
 Отличительной особенностью реального р-п перехода является
то, что падение напряжения на переходе U не равняется внешнему n

напряжению U, приложенному к выводам прибора. При средних

уровнях инжекции сказывается влияние падения напряжения на
объемных сопротивлениях базы гд и эмиттера г' : 3

U o6 = Ir + Ir' ,
6 a

поэтому
U =U-Uo5. n

Учитывая, что обычно г ^> г' , реальную вольт-амперную б ь

характеристику р-п перехода можно описать формулой

Область больших токов. При работе в этой области рекомби-

иационным и канальным токами можно тем более пренебречь.
Ток, протекающий через переход, практически определяется диф­
фузионными составляющими. Существенно возрастает роль паде­
ния напряжения в объеме полупроводника: падение напряжения на
переходе U , приближаясь к контактной разности потенциалов фд,
n

меняется незначительно, и почти все внешнее напряжение падает

в объеме, т. е. U С/ б- 0

Характерной особенностью работы при больших токах, соот­

ветствующих высоким уровням инжекции, является то обстоятель­
ство, что концентрация неосновных носителей заряда становится
сравнимой с концентрацией основных носителей заряда, так как
уровень избыточных носителей, инжектируемых в данную область,
заметно повышается. При этом усиливается и инжекция основных
носителей, что приводит к снижению эффективности эмиттера.
Действительно, в р^-п переходе, преодолевая барьер с высотой
фд — U , из базовой области /г-типа в область р-типа переходят
n

электроны, концентрация которых составляет:

п = я „ е х р ( - ^ ^ ) ,
р (3-24)

а из области эмиттера в базу переходят дырки с концентрацией

Рп = Р е х р ( - ^ = ^ ) .
Р (3-25)

При низких и средних уровнях инжекции концентрации основ­

ных носителей мало отличаются от своих равновесных значений,
т. е. п
п тг, и р ^ р . Поэтому отношение электронного и
10 р р 0

дырочного токов инжекции определяется отношением донорных

и акцепторных примесей:
Jji pL
n
n n pL n n NL n n

Ip Рп^р PpoLp NpLp '

75
 При высоких уровнях инжекции концентрация неосновных и
основных носителей заметно превышает свое равновесное значе­
ние. При этом концентрацию неосновных носителей можно выра­
зить через их равновесное значение, введя в степень экспоненты
коэффициенты т и т , представив соотношеиия (3-24) и (3-25)
п р

в виде

пр - — пп0 ехр = — n 0 ехр — = ?г р0 ехр — - ;

"•„О \ ФТ / "„о ФГ н
'» ФТ
П

Рп = — Рро ехр = ~- р р
п0 ехр — = р п0 ехр — — .
Рро \ Фг / Рро Фт т (
Р Рт

Тогда электронная и дырочная составляющие токов инжекции

определяются формулами:

е х 1 е х 2 6 6
^ ~ ^ р( Р - ) - **Р Р^ • (З- )

Отношение этих токов равно:

1 1_
Jji^Jpb ехр ^ M I L ехр Г - ^ О - - J _ \ l
р PP [Фт \ « "У_' N L W

Значения коэффициентов m и яг приводились в виде графиков n р

на рис. 2-3 (см. § 2-5). Из графика следует, что при одном и том же
значении напряжения U большую величину имеет коэффициент,n

характеризующий область с низкой концентрацией примеси

(т. е. область базы). Поэтому с увеличением напряжения смеще­
ния отношение токов I J I возрастает. p

При высоких уровнях инжекции суммарный ток, протекающий

через переход, можно определить по приближенной формуле:
/ = / п + / я « /
р Т п е х р ^ + / Г р е х р ^ ^ / г д е х р ^ > (3-27)

где то — эмпирический коэффициент (пю < 1)-

Вольт-амперная характеристика р-п перехода при больших
токах определяется главным образом падением напряжения в объе­
ме полупроводника. В общем случае это падение напряжения скла­
х
дывается из двух составляющих :

Uo5 = (' Е d I = ( 1 dl + e( Д р ^ - Д п ^ а а г с

Первая составляющая, пропорциональная плотности тока

/ = /„ + / , является омическим падением напряжения и опре-
р

Формулу (3-28) можно получить, выразпв напряженность поля Е

1

через соответствующие параметры при помощи уравнения плотности тока.

76
деляется электропроводностью полупроводникового материала
а = \.i ep + ц еп.
p п (3-29)
Вторую составляющую
ио6.тф = е{ D P ^ d P - D n g r , d n d l
даф
J ц ер +
р ц еп
п •

называют диффузионным (демберовским) падением напряжения

[Л. 34]. Это напряжение определяется электрическим полем, которое
обусловлено появлением заметного перепада концентрации основ­
ных носителей заряда. При высоких уровнях инжекции диффу­
зионное падение напряжения достигает значительной величины
и при токах, граничащих с предельно допустимым уровнем в им­
пульсе, становится определяющим.
При высоких уровнях инжекции электропроводность а и
соответственно объемное сопротивление полупроводника меняются
с изменением уровня инжекции. По мере повышения уровня инжек­
ции увеличивается концентрация носителей заряда, поэтому
возрастает электропроводность [см. выражение (3-29)], а следо­
вательно, уменьшается объемное сопротивление. Происходит
модуляция объемного сопротивления, что особенно заметно про­
является в базовой области.
В области больших токов для практических расчетов обычно
используется экспериментально снятая вольт-амперная характери­
стика. Аналитическое определение этой характеристики в рас­
сматриваемой области связано с существенными затруднениями,
так как требует учета дополнительных эффектов (увеличение потока
основных носителей; диффузионное падение напряжения; модуля­
ции объемного сопротивления), которые трудно поддаются расчету.

3-6. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ

Рассмотрим амплитудно-частотную и фазочастотную характе­

ристики электронно-дырочного перехода (рис. 3-22). Эти харак­
теристики определяют зависимость амплитуды и фазы приложенно­
го к элементам прибора синусоидального напряжения U (/со) от час­
тоты тока синусоидальной формы, амплитуда которого поддержи­
вается постоянной. При снятии частотных характеристик амплиту­
ды синусоидальных составляющих тока и напряжения выбирают
столь малыми (по сравнению с постоянными составляющими, обес­
печивающимися источником постоянного напряжения), чтобы
можно было пренебречь высшими гармониками, которые появ­
ляются неизбежно из-за нелинейности вольт-амперной характери­
стики р - п перехода.
Как видно из частотных характеристик, представленных на
рис. 3-22, в области высших частот происходит уменьшение ам­
плитуды синусоидального напряжения и появляется савиг фазы
77
этого напряжения относительно фазы тока. Эти искажения свиде­
тельствуют о реактивном действии электронно-дырочного перехода.
Разумеется, реальные приборы обладают паразитными конструк­
тивными емкостями и индуктивностями вводов, которые таже яв­
ляются причинами частотных искаже­
ний. Однако объяснить наблюдаемые
на практике искажения амплитуды и
фаз напряжения, приложенного к р-п
переходам, действием только паразит­
ных реактивностей не удается. Эти иска­
жения в значительной мере обуслов­
лены влиянием зарядной и диффузион-
пой емкости р-п перехода.

Зарядная емкость р-п перехода

Рис. 3-22. Амплитудно-ча­
стотная и фазочастотпая При изменении напряжения на пе­
характеристики реходе изменяется ширина переход­
электрон­
но-дырочного перехода. ного слоя, который представляет собой
область, обедненную подвижными но­
сителями заряда. Например, с увеличением запирающего напря­
жения переходный слой расширяется (рис. 3-23). Прп этом под
действием вновь образовавшегося электрического поля часть
подвижных носителей удаляется из слоев, прилегающих к пере­
ходу как со стороны области р , так и со стороны области п.
На рис. 3-23 эти слои находятся между штриховыми линиями,
представляющими собой первоначальные границы переходного
Ток смещения

Рис. 3-23. Образова­

ние тока смещения
в переходном слое прп
изменении объемного
заряда.

слоя, и штрихпунктирными линиями, разграничивающими пере­

ходный слой при увеличенном смещении. Во время передвижения
носителей заряда, рассасывающихся из прилегающих к переходу
слоев, образуются направленные потоки и соответственно токи:
дырочный в области р и электронный в области п. Внутри переход­
ного слоя линии тока замыкаются посредством токов смещения,
образуя замкнутые линии тока заряда или разряда переходного
слоя. Таким образом, подобно конденсатору р-п переход заряжается
или разряжается, вызывая изменение тока перехода. Величина
78
тока смещения, протекающего через переход, определяется изме­
нением заряда обедненного слоя Q , т. е. n

с 3
" - ~ dt •

Поскольку при изменении заряда Q р-п переход ведет себя n

как конденсатор, обкладками которого являются границы перехода,

то естественно определять ток разряда или заряда как
. _ r dU n

' С . З — ^П.З fa •

Емкость такого конденсатора будет определяться соотношением

ь
™=ШГ - п "¥7"» V- >
a(}

где S и W — соответственно площадь и ширина переходного

n n

слоя. Это и есть зарядная емкость перехода. Ее иногда называют

барьерной емкостью, тем самым подчеркивая, что ее действие свя­
зано с образованием барьера на границе областей р ж п.
Как известно, ширина переходного слоя зависит от напряжения сме­
щения на переходе U . Эту зависимость можно представить в следующем виде:
n

L 0
Wn=Wn (i-^ T , 0 (3-31)

где Wao — ширина переходного слоя в равновесном состоянии (при U = 0); n

п — коэффициент, зависящий от распределения объемного заряда в переход­

с

ном слое.
Если область, в которой происходит изменение концентрации примесей,
занимает ничтожную часть переходного слоя, то такой переход называется
ступенчатым или резким, и для него коэффициент п = 1/2 [Л. 18]. Ступен­ с

чатый переход образуется в приборах, изготовленных сплавлением ш ш двой­

ной диффузией.
Если же область изменения концентрации прпмесей занимает большую
часть переходного слоя, то такой переход называется линейным или плавным,
и для него коэффициент п = 1/3. Плавный переход получается в выращен­
с

ных и диффузионных электронно-дырочных переходах.

Подставив выражение (3-31) в соотношение (3-30), получим

формулу для определения зарядной емкости перехода

^п.в = 7 Cn
j/^\ „ n • (3-32)

где Сц.з о — величина зарядной емкости в равновесном состоянии.

Можно показать [Л. 23], что для ступенчатых переходов

' Cu.zo = S u y^^-, (3-33а)

а для плавных
/
С . п 3 0 = ^ у "|^-. п (З-ЗЗб)

79
 В этих соотношениях iVg — концентрация примеси в базовой
области, коэффициент а = AiV/ДИ'п — средняя крутизна изме­
нения концентрации примесей в переходном слое.
Как видно из выражения (3-32), величина зарядной емкости
зависит от напряжения смещения. Эта зависимость приведена на
рис. 3-24. При отпирающем смещении с увеличением напряжения
U переход сужается, поэтому за­
a

рядная емкость увеличивается. При

запирающем смещении по мере уве­
личения напряжения U по абсолют­ n

ной величипе переход расширяется,

и емкость Г . з уменьшается. Влия­ п

ние зарядной емкости сказывается

в основном при обратном включении,
так как при этом через переход про­
текают сравнительно небольшие токи,
Рпс. 3-24. График завпспмостп и токи смещения могут их заметно
зарядной емкости от напряже­ превышать.
ния смещения.
Отметим, что токи разряда или
заряда переходного слоя приводят
к увеличению токов основных носителей в областях р и га, так как
образование этих токов в области р связано с перемещением
дырок, а в области га — с перемещением электронов.
Характеризовать качественно емкостный ток через р-п переход
только с помощью зарядной емкости не удается. Вторая причина,
вызывающая образование емкостного тока, это — действие так
называемой диффузионной емкости.

Диффузионная емкость

Рассмотрим изменение плотности заряда неосновных носителей,

например, дырок в базе (рис. 3-25) при изменении уровня ин­
жекции, т. е. величины тока, протекающего через р-п переход.
Предположим, что к р-п переходу приложено отпирающее напря­
жение, величина которого соответствует начальной плотности
заряда дырок q {х). Увеличим ток на некоторую величину.
pua4

При этом увеличивается плотность заряда неосновных носителей,

е и
стремясь к величине ^ н 0 ) iКО соответственно возрастает напря­
жение на переходе. В установившемся режиме новое значение
напряжения определяется плотностью заряда q on (0) на границе pK

перехода (х = 0), т. е.

С/ П= ф г In 9 р к о и ( 0 )
.
Qpo
При изменении тока новое значение концентрации дырок и соот­
ветственно плотность их заряда q (x), очевидно, могут быть дости­
pKon

гнуты по мере накопления (при увеличении тока) или рассасывания

(при уменьшении тока) неосновных носителей варяда в базе.
80
Например, накопление неосновных носителей заряда, вызываемое
увеличением уровня инжекции, приводит к постепенному росту
плотности их заряда (см. штриховую кривую на рис. 3-25) и
соответственно к увеличению напряжения на переходе. Следова­
тельно, в неустановившемся режиме базовая область ведет себя
подобно конденсатору, который заряжается или разряжается
(по мере накопления или рассасывания неосновных носителей
заряда в базе), вызывая постепенное изменение напряжения на
переходе. •
Инерционность, которая обусловлена изменением заряда неос­
новных носителей в базе, приводящая к запаздыванию нарастания
или спадания напряжения при изменении тока, принято количест­
венно характеризовать фик­
тивной емкостью, называемой \! <*) Р

диффузионной. Эта емкость

определяется соотношением
dQ(j dl D
dUn
qW
где i-p кон

dQfj = ^ Aqdv = т/глг d ID

— изменение заряда неоснов- Рис. 3-25. Изменение плотности заряда

ных носителей во всей обла- неосновных носителей в базе при изме-
сти базы (у ), вызываемое иешш тока,
б

изменением диффузионной
составляющей тока din (T;TN — среднее время пролета носителей
в базе для нормально направленного потока).
На основании формулы для диффузионного тока

ID = ITD (ехр
m (pD T

определив дифференциальное приращение

dID = (l TD ехр jL£lL = ( J D + I t d )

и подставив в выражение (3-34), получим формулу, определяющую

диффузионную емкость

С .д = ^ , г (3-35)
п
п. д '
где
m <p D T

' п. д • (3-36)
TD

— дифференциальное сопротивление идеального р-п перехода.

Сопротивление г меняется с изменением тока, протекающего
п д

81
через переход. Поэтому изменяется и диффузионная емкость:
величина С растет прямо пропорционально диффузионной состав­
а д

ляющей тока. Именно по этой причине влияние диффузионной

емкости особенно заметно при прямом включении р-п перехода,
тогда как действие зарядной емкости сказывается при обратном
включении. Заметим также, что в отличие от зарядной емкости
токи заряда и разряда диффузионной емкости образуются потоками
неосновных носителей заряда, поскольку действие этой фиктивной
емкости, по сути дела, отражает процесс накопления или расса­
сывания неосновных носителей заряда в базе.

3-7. ИМПУЛЬСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Электронно-дырочный переход часто используется в импульс­

ном режиме, т. е. в режиме, когда за короткие промежутки вре­
мени происходит заметное изменение амплитуды сигналов. При
этом появляются искажения преобразуемых сигналов, которые
обусловлены инерционностью р-п перехода.
При воздействии импульсных сигналов протекают переходные
процессы, которые возникают из-за действия зарядной емкости
перехода и процессов накопления пли рассасывания носителей
заряда в области базы. По мере накопления или рассасывания
носителей заряда изменяется напряжение на переходе. Наряду
с этим происходит модуляция объемного сопротивления базы, что
также влияет на продолжительность переходных процессов.
Исследованию указанных процессов посвящено большое число ра­
бот, основные результаты которых достаточно полно освещены в об­
зорной статье [Л. 35].
Переходные процессы нас будут интересовать с точки зрения
определения импульсных свойств электронно-дырочного перехода.
При этом удобно рассматривать в отдельности процессы отпирания
и запирания перехода.

Отпирание р-п перехода. Импульсное сопротивление.

Время установления прямого сопротивления

Рассмотрим переходный процесс в р-п переходе при его отпира­

нии скачком тока. Такой режим работы можно обеспечить, выбрав
сопротивление R в схеме питания (рис. 3-26) на порядок и более
превышающим дифференциальное сопротивление перехода. Тогда
источник импульсного напряжения U с сопротивлением R будет
r

работать в режиме генератора тока, поскольку величина тока / ,

отбираемого от источника U , практически не зависит от падения
r

напряжения на р-п переходе U , т. е.

K

U -UT R и Г

1
л ~"1Г-

82
 Эпюры тока и напряжений показаны на рис. 3-27. Как известно,
напряжение на электронно-дырочном переходе U складывается a

из напряжения на объемном сопротивлении £/ - и напряжения на CD

переходном слое U , т. е.
n

ия=ио0 + ип.
При подаче ступеньки тока напряже­
ние С/ б, скачком увеличиваясь, достигает
0

величины

Рпс. 3-2G. Схема включе­

Напряжение же на переходном слое ния источника импульс­
ного напряжения J7 npn
r

ип = твЦ>т In отпнрашш р-п перехода.

<?о '
возрастая по мере накопления неосновных носителей в базе,
1

стремится к уровню тпЦ>т lu ^1 -f-D j

' TD
Эпюры, приведенные на рис. 3-27, а, построены для токов малой
амплитуды, когда не сказывается влияние эффекта модуляции
объемного сопротивления базы Гб. При малых токах падение напря­
жения на го и изменение этого напряжения из-за модуляции г 6

1 *
"of

Рпс. 3-27. Эпюры

тока и папряжо-
niiii прп отпира­
нии р-п перехода.
о — для импульса то­
ка малой амплитуды;
б — для импульса
тона большой ампли­
туды.

^1 V
a) 6)

оказываются значительно меньше напряжения на переходном слое

U . Суммарное же напряжение U после скачка величиной 1гц
a R

возрастает монотонно (рис. 3-27, а).

При работе с токами большей амплитуды (рис. 3-27, б) объем­
ное падение напряжения С7 б становится сравнимым с напряжением
0

на переходном слое, причем напряжение С/ е сначала скачком воз-

0

83
растает до величины 7>б , где Гб —значение объемного сопротивления
0 0

базы, соответствующее равновесной концентрации носителей заря­

да. По мере накопления носителей заряда в базе ее проводимость
-
возрастает, а сопротивление ?о уменьшается. Суммарное напряже­
ние С/д сначала возрастает (из-за увеличения падения напряжения
на переходном слое U ), а затем спадает (из-за уменьшения падения
a

напряжения на сопротивлении rg). При этом эпюра суммарного

падения имеет форму кривой с ярко выраженным максимумом
п с 2 7 б
#д.макс ( Р - З " . ) -
Эпюра напряжения £/ позволяет определить основные импуль­
д

сные параметры электронно-дырочного перехода при прямом

включении: импульсное сопротивление перехода
5
Ъ п м ^ - ^ Р (3-37)
и время установления прямого сопротивления перехода т , кото­ у с т

рое определяется продолжительностью всплеска импульса напря­

жения и .я

Импул ьсное сопротивление /"д нмп обычно в несколько раз боль­

ше прямого сопротивления перехода 7- р, определяемого отношением П

r p = -^fT_.'
n ( 3 _ 3 8 )

Время установления т определяется средним временем иро-

у с т

лета носителей через область базы TTN-

Запирание р-п перехода. Рассасывание носителей заряда. Время

восстановления обратного тока
Рассмотрим переходные процессы, которые возникают при запи­
рании электронно-дырочного перехода.
В исходном состоянии переход открыт приложенным к нему
напряжением Е (рис. 3-28), и через него протекает прямой ток
ш

ID = / р . В момент времени t0 П

включается перепад напряжения,

г осциллографу имеющий форму скачка (рис
Амплитуда этого напряжения U r

выбрана так, чтобы полностью

запереть переход, переведя его
в режим работы, определяемый
напряжением обратного смещения
Рпс. 3-28. Схема включения ц _ _ Е ) j ( f / и T 0 K Q M
источника импульсного напря- д
т
д

жения Ur при запирании р-п ^

с л и
-'обр- ^ исходить из вольт-—

перехода, амперной характеристики перехода,

то надо было ожидать следующее:
в момент времени t0 с включением запирающего перепада ток
перехода должен был скачком уменьшиться до величины / б и 0 Р

далее оставаться постоянным. На рис. 3-29 эта эпюра показана

штриховыми линиями. Между тем наблюдаемое на практике изме-
84
иение тока имеет совершенно другую форму: в момент времени
t ток скачком уменьшается до величины 7 G .
0 , В десятки и сотни 0 P 1 Ш П

раз превышающей величину тока / бр, соответствующую напря­ 0

жению С/д «• — (£/ — Е ) . В течение некоторого времени этот

г ш

всплеск обратного тока / б . ,.,мп практически не изменяется

0 Р

Рис. 3-29. Вольт-ам-

периая характеристи­
ка п временные диа­
граммы тока, проте­
кающего через р-п
переход при его за­
пирании.

(рис. 3-29). Затем начинается спад обратного тока до своего уста­

новившегося значения / бр- Эту картину можно наблюдать при
0

помощи осциллографа, включив последовательно с р-п переходом

измерительное сопротивление й „ (рис. 3-28), падение напряже­ з м

ния на котором U — /д-йцвм будет пропорционально току / ,

am д

протекающему через электронно-дырочный переход.

Для того чтобы выяснить физическую суть наблюдаемой картины, рас­
смотрим изменение плотности заряда неосновных носителей в базе, например,
+
р -п перехода. В исходном состоянии пере­
ход был открыт, и происходила пнжекцпя
дырок в область базы, которая привела
к заметполгу повышению плотности заряда
дырок по сравнению с равновесным состоя­
нием. На рис. 3-30 распределение плотно­
сти заряда дырок, соответствующее исход­
ному состоянию, показано кривой д т- р 0

Распределение же плотности заряда, кото­

рое должно устиавлпваться после подачи
запирающего импульса U , определяется
r

кривой др . Д л я рассасывания избыточ­

з а п

ных носителей заряда из базы и уменьше­

ния их плотности заряда до уровня д 1 Рпс. 3-30. Графики распреде­
р заП

которому соответствует ток / б , потребует­

0 р
ления плотности заряда неос­
ся некоторое время. новных носителей при запира­
Таким образом, при включении запи­ нии р-п перехода.
рающего импульса начинается рассасыва­
ние избыточных носителей заряда, накопленных в базе. По мере умень­
шения заряда неосновных носителей уменьшается и напряжение на переходе.
Но пока переход включен в прямом направлении, ток, протекающий через
него, практически определяется параметрами внешней цепи. Действительно,
из электрической схемы, приведенной на рис. 3-28, следует, что ток
Uv-E c Ur-E 0

^обр.
Ни: •Янам
85
(прп прямом включении перехода U :g ( 0 , 3 + 0,8) в и справедливо неравенство
ix

£7 —• 2 ? > £ / ) . Поэтому в момент времени t ток скачком уменьшается

Г см д 0

на величину М = 1 + / с р . п.мп н далее устанавливается на уровне / б р . имп.

пр 0 0

пока идет рассасывание избыточных носителей из областп базы.

В момент времени ^ переход смещается в обратном направлении, так
как плотность заряда неосновных носителей, накопленных в базе непосред­
ственно на границе переходного слоя становится меньше своей равновесной
величины д . Начинается спад тока, протекающего через переход. По мере
ра

рассасывания носителей, остававшихся в базе поело смещения перехода в об­

ратном направлении (см. рис. 3-30, область, заштрнхованпую в виде клеток),
ток, уменьшаясь, стремится к своему установившемуся значению ioGpi опре­
деляемому тепловыми токами и током утечки.
Время, в течение которого происходит рассасывание избыточ­
ных носителей, пока переход включен в прямом направлении, назы­
вается временем рассасывания t . Время, в течение которого
pnc

ток через диод спадает со значения / „ до уровня 1,1 / , назы­

о б р м п о 0 р

вается длительностью среза £ . Сумма времени рассасывания и

ср

длительности среза, характеризующаяся продолжительностью

переходного процесса при запирании электронно-дырочного пере­
хода, называется временем восстановления обратного тока т . в о с с т

Время рассасывания определяется средним значением времени

пролета неосновных носителей через область базы %TN- Длитель­
ность среза зависит от величины зарядной емкости и времени рас­
сасывания остатка носителей из базы, продолжительность кото­
рого в свою очередь характеризуется дисперсией времени пролета
носителей в инверсном направлении.

3-8. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО

ПЕРЕХОДА
Для расчета электрических цепей, включающих в себя р-п переходы,
можно пользоваться вольт-ампериымп характеристиками переходов. Однако
по этим характеристикам не всегда удобно учитывать влияние разброса пара­
метров. Кроме того, вольт-амперные характеристики, снятые в стационарном
режиме, не позволяют произвести расчет прп воздействии высокочастотных и
импульсных сигналов. Поэтому приходится пользоваться эквивалентными
схемами электронно-дырочных переходов.
Различают два вида эквивалентных схем: малосигнальные эквивалент­
ные схемы и эквивалентные схемы для большого сигнала.
Малоспгнальные эквивалентные схемы применяются в тех случаях, когда
переменная составляющая сигнала значительно меньше постоянных состав­
ляющих токов н напряжений, поэтому р-п переход в первом приближении
можно считать линейным элементом. В этом случае используются дифферен­
циальные параметры, которые определяются наклоном характеристики в задан­
ной рабочей точке.
В тех случаях, когда сигнал по величине сравним с постоянной состав­
ляющей, пользуются эквивалентными схемами для большого сигнала и интег­
ральными параметрами, П О З В О Л Я Ю Щ И М И определить с достаточной для прак­
тики точностью величины токов и напряжений.

Малосигналъная схема

Малосигнальная эквивалентная схема электронно-дырочного перехода

показана на рис. 3-31. В ней учтены как паразитные элементы, определяемые
геометрией конструктивных элементов прибора (кристалла, корпуса, выво­
дов, контактов и т. а-) и пх расположением относительно друг друга, так

86
п параметры, характеризующие физические процессы, которые протекают
в электронно-дырочном переходе:
паразитная конструктивная индуктивность выводов прибора £ о н , вели­ К

чина которой составляет единицы и десятки наиогенрп;

паразитная конструктивная емкость Скоп, обычно не превышающая деся­
тые доли пикофарады;
объемное сопротивление г б = пз + г' 1
гд, приблизительно равное
0 й

сопротивлению базы г б п имеющее величину порядка единиц и десятков ом;

дифференциальное сопротивление перехода г „ф, определяемое наклоном д

вольт-амперной характеристики в за­

данной рабочей точке;
зарядная емкость перехода, опре­
деляемая формулой (3-32);
2
диффузионная емкость , опреде­
ляемая формулой (3-35).
Строго говоря, емкость С , опре­ п д

деляется дифференциальным сопротив­

лением идеального перехода г . [см. п д

выражение (3-36)]. Однако при практи­

ческих расчетах удобно иметь дело с Рис. 3-31. Малосигнальная экви­
дифференциальным сопротивлением ре­ валентная схема р-п перехода.
ального перехода г , величина которого
п

мало отличается от г„. . д

Дифференциальное сопротивление перехода г цф определяется параллель­ Д

ным соединением дифференциального сопротивления собственно перехода

(3-39)
1 + Г.То

и сопротивления утечки г , т. е. у т

г
п ут
г
г
диф — (3-40)
ут
Сопротивление собственно перехода падает с увеличением тока / , про­
текающего через переход. Так, например, при / + I = 1 мка сопротивление TQ

г составляет 25 ком, тогда как при / + I

п = 1 ма уменьшается до величины TQ

25 ом. Сопротивление утечки г обычно

с„
у х

имеет величину сотен килоом "и единиц

мегом, и его влияние сказывается иногда
0" -0 при обратном включении.
Г Диффузионная емкость С . и заряд­
диир п д

ная емкость С . з включаются в эквивалент­ п

ную схему как обособленные элементы

Рис. 3-32. Упрощенная мало­
лишь при решении задач, связанных с опре­
сигнальная эквивалентная схе­
делением коэффициента пнжекцпп р-п пере­
ма р-п перехода.
хода. Как уже отмечалось, токп разряда
ИЛИ заряда -емкости С . д образуются пото­ п

ком неосновных носителей, способствующих повышению эффективности ин­

жекции, а емкости С . з, наоборот, потоком основных носителей, которые
п

снижают эффективность инжекцпп. В этом случае необходимы индивидуаль­

ный учет токов разряда или заряда емкостей С . д и С . з соответственно и п
п

раздельное включение емкостей в схему. При решении же других задач

эти емкости можно объединить, зашунтпровав переход одной емкостью
Сп =
Сп. д + Сп. 3i ^ к это показано на рис. 3-32.
к

1
Сопротивления базы и эмиттера включают в себя также сопротивления
соответствующих омических контактов и выводов.
2
Если длина базовой области в 2—3 раза превышает диффузионную
длину L, то xTN = x (см. § 2-6).
rN

87
 Для перехода, работающего прп отпирающем смещенпп, практически
можно пренебречь влиянием зарядной емкости п считать суммарную емкость
С = С . д- В зависимости от величины тока / и среднего времени пролета
п п

x
TN [см. выражение (3-35)] значение диффузионной емкости колеблется в пре­
делах от еднипц пикофарад до сотых долей микрофарад.
При запирающем смещении сказывается главным образом влияние заряд­
ной емкости С . з, величина которой в зависимости от площади перехода, кон­
п

центрации примесей или градиента в переходном слое, а такжо напряжения

на переходе составляет единицы — сотни пикофарад.
Прп практических расчетах в большинстве случаев эквивалентную схему
электронно-дырочного перехода можно упростить и прпвестп к виду, пока­
занному на рис. 3-32. В этой схеме не учитывается действие паразитных эле­
ментов ZIKOH 11
Скон> влияние которых из-за сравнительно малой величины
проявляется лишь па частотах, превышающих сотни мегагерц. Поэтому только
в приборах, предназначенных для работы в СВЧ-технике, влпяитте указанных
элементов становится сравнимым с влиянием емкости перехода С . В упро­ п

щенной эквивалентной схеме учтено такжо приблизительное равенство г о 0

Представленные па рис. 3-31 и 3-32 эквивалентные схемы применимы для

всех видов электронно-дырочных переходов, но со следующими ограничениями.
Для туннельных диодов [Л. 37, 38] следует учесть, что дифференциальное
сопротивление перехода имеет отрицательный знак (г ф = — р ) , его вели­
ДИ т

чина определяется наклоном вольт-амперной характеристики в рабочей

точке. Дпффузпонная емкость перехода отсутствует, так как диффузионные
процессы практически не влияют на работу туннельного диода.
Для обращенных диодов [Л. 37] в проводящем состоянии диффузионная
емкость также равняется нулю.
Для опорных диодов [Л. 37], работающих в области пробоя, дифферен­
циальное сопротивление перехода г ф в заданной рабочей точке определяется
ДП

наклоном вольт-амперной характеристики в области пробоя, а диффузионная

емкость С . = 0.
п д

Эквивалентная схема для большого сигнала

При большом сигнале электроппо-дырочиый переход работает в широком

диапазоне изменений напряжений п токов н представляет собой нелинейный
элемент, характеристики которого меняются с изменением уровня сигналов.
Поэтому приведенные малоспгнальные эквивалентные схемы, параметры
которых определяются дифферен­
циальными величинами, оказываются
непригодными для анализа работы
р-п перехода прп большом сигнале.
Как пзвестно, зависимость про­
текающего через переход тока от
приложенного напряжения опреде­
ляется вольт-амперной характери­
стикой, которой обычно и пользуют­
Рис. 3-33. Эквивалентная схема р-п ся при расчетах в установившемся
перехода для большого сигнала. режиме. Однако анализ переходных
процессов в импульсном режиме на
основании вольт-амперной характеристики затруднителен. Поэтому в инже­
нерной практике -обычно пользуются эквивалентными схемами. Прп этом
предпочтительно применяют упрощенные схемы, позволяющие избавиться от
громоздких и сложных расчетов, разумеется, за счет допустимого снижения
точности апалпза.
Эквивалентная схема элоктронпо-дырочного перехода для большого
сигнала приведена на рнс. 3-33. Так же как и в малоенгнальной схеме, реак­
тивное действие конструктивных элементов характеризуется паразитной
индуктивностью L K O H И паразитной емкостью Сион- Характерной особенностью

88
этой схемы является наличие нелинейных элементов: зарядной емкости Сп. , 3

сопротивления базы гд и идеального диода Д . и д

Как известно, величина емкости С . изменяется существенно с измене­

п 3

нием напряжения на переходе. Поэтому при широком диапазоне изменений

напряжения зарядный ток определяется нелинейным дифференциальным
уравнением
<-c3 = C . - ^ L .
n 3 " (3_ 41)

Необходимость в решении этого уравнения отпадает, если определять не

точное значение тока j , а его среднюю величину по формуле
c 3

^з = С п . 3 - ^ , (3-42)

где С . а = АфпМОп — интегральная емкость перехода, определяемая при

п

конечном приращении напряжения на переходе. Можно показать, что эта

емкость определяется соотношением
и 1
4_ /Чо- пг\ ^°
v
С п. з = С . з (U )
п ni , ,, , . (3-43)
(1-п ){1с

Здесь С . з {U ) — дифференциальная емкость перехода, определяемая

п ni

выражением (3-32), прп напряжении на переходе U = U ; U — начальное n ni ni

(либо конечное) значение напряжения на переходе; £/ г — конечное (либо п

начальное) значение напряжения на переходе; п — показатель степени, с

характеризующий зависимость емкости от напряжения [см. (3-32)].

Таким образом, интегральная емкость р-п перехода, которая используется
при практических расчетах как усредненное значение С . ,определяется вели­ п 3

чиной дифференциальной емкости прп одном пз граничных значений напря­

жения, пределами изменения этого напряжения и коэффициентом п . Велнчпна с

показателя п зависит от технологии изготовления р-п перехода (см. § 3-6).

с

В практических случаях граничные значения напряжений U n U i обычно n i n

отлетаются друг от друга на порядок и более. Прп этом формула (3-43)

упрощается:

C .3^C . (tfn)T-V,
n n 3

где С , з {U ) — величина дифференциальной емкости прп большом (по абсо­

П n

лютной величине) значении напряжения на переходе.

Нелинейным элементом является п диод Д д> напряжение на котором оп­ И

ределяется величиной заряда неосновных носителей. Заряд неравновесных

носителей, который накапливается на базе непосредственно на границе пере­
ходного слоя, определяется выражением

где О = нО — Q — заряд неравновесных носителей; Q = qS и Q = g S —

0 n a B n

суммарные заряды неосновных носителей на границе перехода в неравновес­

ном и равновесном состояниях соответственно.
Прп помощи коэффициента т учитывается отклонение реальной вольт-
амперной характеристики от идеальной, которое обусловлено влиянием тока
рекомбинации — генерации и канального тока V
1
Строго говоря, влияние тока рекомбинации — генерации и канального
тока надо было учитывать подключением дополнительных диодов параллельно
диоду Днд. Однако это приводит к существенному усложнению эквивалентной
схемы, поэтому на практике такая схема редко применяется.

89
 Прп помощп дпода Д учитывается также влияние процессов, протека­
и д

ющих в базе, на импульсные и высокочастотные характеристики перехода.

В малосигнальной эквивалентной схеме это влияние характеризовалось диф­
фузионной емкостью. Однако прп большом сигнале эта емкость оказывается
существенно нелинейной величиной, поэтому в данном случае для анализа
переходных процессов используется приближенное уравнение заряда нерав­
новесных носителей [Л. 36], накопленных на границе перехода в базе дпода
Д . Это уравнение имеет вид:
п д

+ ( 3 4 6 )
^ г = - ^ г + т т Л ^ ^ т ; - -

где т„ — постоянная накопления, характеризующая генерацию п рекомби­

нацию носителей, которые находятся в состоянии динамического равновесия;
т т — постоянная времени отсечки тока дпода, характеризующая дисперсию
0

времени перемещения неосновных иосителей; ф = QUIIT — коэффициент 0

пропорциональности между зарядом п током; I — диффузионная составля­ п

ющая тока, протекающего через иереход; / — тепловой ток перехода.

Г о

Физический смысл уравнения (3-46) заключается в следующем. Заряд

неравновесных носителей изменяется во времени прежде всего за счет генера­
ции п рекомбинации: первый процесс приводит к увеличению заряда на вели­
чину (? /т„, а второй процесс, наоборот, — к умепьшению заряда на величину
0

Qlx . Суммарный эффект учитывается первым членом уравнения (3-46), т. е.

a

.<2н _ Q-Qo

Заряд неравновесных носителей возрастает за счет потока неосновных

носителей пропорционально току I . В неустановившемся режиме из-за дис­
D

персии времени пролета носителей изменение заряда зависит также от скорости

изменения потока носителей, т. е. тока. Если ток возрастает со скоростью
dl ldt, то заряд неосновных носителей растет пропорционально величине
D

то т {dl ldt) [см. уравнение (3-46)1-

D

Уравнение (3-46) справедливо для диодов с широкой базой (W > L).

Если ширина базы W меньше диффузионной длины L , то время установления
заряда носителей в базе определяется средним временем пролета т . Поэтому г л г

для диодов с узкой базой в уравнении заряда неосновных носителей, накоплен­

ных на границе переходного слоя, вместо постоянной накопления т надо н

подставлять x . Прп этом

TN

.<?„ I
X
JL/, ,
D
Т
т
D I
D \
dl т- ,
ТЛ ' TN\ ° dt

Другим нелинейным элементом эквивалентной схемы является объемное

сопротивление базы гб, величина которого изменяется по мере накопления пли
рассасывания носителей заряда, приводящего к модуляции проводимости
базы. Изменение сопротивления гб, вызываемое модуляцией, учитывается
следующим соотношением:

ч-тнЗЬ (3
" 48)

где гб — сопротивление базы при равновесной концентрации носителей заря­

0

да, т. е. практически прп низких уровнях инжекции; h — размерный коэф­

фициент пропорциональности, величина которого определяется эмпирически.
Строго говоря, модуляция объемного сопротивления гб определяется
зарядом неравновесных иосителей во всой области базы QQ. Расчет же вели­
чины Qo значительно сложнее, чем Q . Между тем в первом приближении эти
H

90
величины пропорциональны между собой. Поэтому в уравнении, определяющем
модуляцию гц, можно заменить QQ зарядом Q , изменив соответствующим
B

образом величину коэффициента пропорциональности h.

При помощи эквивалентной схемы, представленной на рис. 3-33, можно
с достаточной точностью проанализировать [Л. 36] импульсные характеристики
перехода, качественное описание которых давалось в § 3-7.

Глава четвертая

Б И П О Л Я Р Н Ы Е ТРАНЗИСТОРЫ

4-1. КЛАССИФИКАЦИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы,

которые применяются для усиления мощности электрических
сигналов. В настоящее время широкое применение получили
биполярные и униполярные транзисторы.
Эта глава посвящена биполярным транзисторам. К этому классу
транзисторов относятся полупроводниковые приборы с двумя
взаимодействующими между собой электронно-дырочными пере­
ход ами.
В настоящее время широкое распространение получили два
вида плоскостных транзисторов: диффузионные и дрейфовые
транзисторы.
Диффузионные транзисторы изготавливаются и выпускаются
в двух разновидностях — типа р-п-р и типа п-р-п. Д л я получения
диффузионных транзисторов р-п-р типа обычно применяется метод
сплавления (§ 3-1). Транзисторы типа п-р-п изготавливаются как
методом сплавления, так и методом получения р-п переходов при
вытягивании монокристалла из расплава. Стремление уменьшить
размеры сплавных транзисторов, пригодных для работы на более
высоких частотах, привело к созданию микросплавных транзисто­
ров, которые изготавливаются методом электрохимического осаж­
дения.
Перечисленные методы изготовления позволяют получить тран­
зисторы, в области базы которых в равновесном состоянии отсут­
ствует электрическое поле, так как примеси в базе распределяются
равномерно. Д л я таких транзисторов характерен диффузионный
механизм движения неосновных носителей в базе, поэтому их при­
нято называть'диффузионными транзисторами.
Дрейфовые транзисторы изготавливаются методом диффузии
примесей в полупроводниковый кристалл. Диффузия примесей
может происходить как внутри кристалла, так и через поверх­
ность из внешних источников (обычно из газовой фазы). При диф-
91
фузии примеси в базе распределяются неравномерно, что приводит
к образованию электрического поля, способствующего ускоренному
перемещению неосновных носителей заряда от эмиттера к коллекто­
ру. В этом случае механизм движения носителей заряда носит не
столько диффузионный, сколько дрейфовый характер, поэтому
такие транзисторы называются дрейфовыми.
Дрейфовые транзисторы выпускаются тоже двух типов: тииа
р-п-р и типа п-р-п. Базовые области этих транзисторов получаются
методом диффузии, поэтому при классификации по технологичес­
кому признаку их иногда называют транзисторами с диффузионной
базой. При этом эмиттерный и коллекторный переходы могут фор­
мироваться любым из указанных выше методов изготовления
р-п переходов.
Как известно (см. § 3-1), существует шесть технологических
способов получения р-п переходов. При изготовлении транзисторов
часто сочетают одни технологические методы с другими. Поэтому,
помимо шести основных групп транзисторов (выращенных, сплав­
ных, диффузионных, эпитаксиальных, изготовленных электро­
механическим способом и ионным легированием), существует целый
ряд транзисторов, которые изготавливают сочетанием двух и даже
трех различных технологических методов. Поэтому полная клас­
сификационная схема различных типов транзисторов должна
быть составлена с учетом возможных сочетаний, разработанных
в настоящее время технологических способов получения р-п
переходов. Наиболее полной является классификационная схема,
подготовленная техническим персоналом транзисторного отдела
фирмы Texas Instruments [Л. 20]. Эта схема приведена на рис. 4-1
с некоторыми сокращениями. Ниже дается ее объяснение и кратко
излагаются технологические особенности различных групп тран­
зисторов, включенных в эту классификационную схему.
В схему включены не только старые методы изготовления тран­
зисторов, но в ней нашли свое отражение почти все современные
способы, несмотря на то, что схема была составлена в начале 60-х
годов. В этот период ионное легирование находилось на стадии
лабораторных испытаний и не включено в схему.
Исторически первым плоскостным транзистором является выращенный
транзистор, который был изготовлен двойным легированием, т. е. путем после­
довательного добавления примесей р- п га-типа к расплаву, из которого вытя­
1
гивают кристалл. Разновидностью выращенного транзистора является тран­
зистор, выращенный с переменной скоростью, при изготовлении которого
изменение типа электропроводностп достигается изменением скорости вытя­
гивания кристалла из расплава, к которому добавлены примеси р- а я-типа.
Дальнейшее усовершенствование этого метода привело к разработке тран­
зисторов с возвратным плавлением. В этом случае скорость вытягивания изме­
няют в небольших пределах с тем, чтобы уменьшить термическую постоянную
кристалла. Это дает возможность уменьшить толщину базы и темсамымповы-
снть частоту транзистора.

1
В классификационной схеме разновидности транзисторов отмечены
стрелками (см. рпс. 4-1).

92
 Сплавные
X
Диффузионно-
сплавные
С плав но -
диффузионные

Зпи таи с иальные

мезатранзисторы
с диффузионной д~азой.

Транзисторы Эпитаксиаль-
с двойной..^ ные транзисто­
диффузией ры с двойной
Диффузидн) диффузией
\ная методи­
ка. Планарные Эпитаксиаль-
транзисторы ные планарные
с тройной^ транзисторы
диффузией.

Тянуто-
диффузионные

Транзисторы Микросплавные\
с двойным диффузионные
легированием транзисторы
т
Диффузионные I
Микросплавные
с возвратным - транзисторы
плавлением
k
Транзистора/ Поверхностно -
с возвратным барьерные
плавлением транзисторы
*
Тянутые с
переменной
скоростью
Электро-
Тянутая | химическая)
[методика, i I методика/

Рис. 4-1. Классификационная схема для биполярных транзи­

сторов.

93
 Сочетанием диффузионной техпологпп с двойным легированном и воз­
вратным плавлением изготавливают тянуто-диффузионные транзисторы и
диффузионные транзисторы с возвратным плавлением: прп вытягиванпи кри­
сталла из расплава одновременно производят диффузию из газовой фазы,
благодаря чему получают транзисторы с
диффузионной базой.
Последующее развитие технологии по­
лупроводниковых приборов привело к раз­
работке сплавной методики получения р - п
Сплав
р- типа переходов. Таким способом изготавливают
сплавпой транзистор (рис. 4-2), у которого
эмнттериый и коллекторный переходы по­
Эмиттер Коллектор лучают иаплавленпем сплава, содержащего
соответствующие примеси, на противопо­
Активная ложные стороны ИСХОДНОЙ пластнпкп.
область Сочетанием сплавпой технологии с диф­
базы фузионной были получены первые дрейфо­
вые трапзисторы. Таким путем изготавли­
вают дпффузпонио-сплавпой н сплавпо-
Вывод дпффузпонный трапзисторы. Первый из
базы них (рис. 4-3) получают следующим спосо­
бом: полупроводниковую пластинку сна­
Рис. 4-2. Схематическое пзобра чала подвергают газовой дпффузип, в ре­
женпе сплавного транзистора зультате которой образуется неодпородпая
базовая область, после чего сплавлением
изготавливают эмнттерпый п коллекторный
переходы. Для получепия сплавно-днффузпонного транзистора (рпс. 4-4)
в наплавляемый сплав включают как донорные, так и акцепторные примеси.
Прп сплавлении образуется эмиттерный переход. Одновременно происходит
диффузия прпмесей из расплава в глубь кристалла, благодаря чему создается
базовый диффузионный слой с неравномерным распределением примеси
акцепторов плп доноров (в зависимости от того, какой впд прпмесей, содержа­
щихся в наплавляемом сплаве, диффундирует более глубоко). Коллектором
служит исходная пластинка. В другом варианте исходная пластинка имеет тот
Эмиттерный
вывод
Эмиттер Наплавляемый, Змиттерная
Кольцевой контакт сплав
Вывод вазы вазы - область
Базовый,
Диффузионная вывод
область вазы
Исходная
•Исходная пластинка-
пластинка коллектор

^Нристалло- Базовый,
Вывод держатель диффузионный
Коллектор коллектора слой

Рпс. 4-3. Схематическое изображе­ Рис. 4-4. Схематическое изображе­

ние дпффузпонно-сплавпого транзи­ ние сплавно-дпффузпонного транзи­
стора. стора.

же тип электропроводности, что н базовая область. При этом эмиттерный

переход и базовую область создают диффузией, а для изготовления коллектор­
ного перехода применяют сплавление.
Как известно, для уменьшения площади переходов применяется электро­
химическая, технология. По этой техпологпп изготавливаются поверхностно-
барьерный п мпкросплавной транзисторы. В этих трапзпстора-x эмиттерная
и коллекторная области располагаются в лунках, которые вытравливаются па
противоположных сторонах полупроводниковой пластины, служащей базовой
областью. В поверхностно-барьерном транзисторе эмиттерный и коллекторный

94
переходы создают электролитическим осажденлем соответствующего металла
в указанных углублениях. В микросплавиом транзисторе сначала осаждают
примеси в вытравленных лунках, а затем вплавляют их в исходную пла­
стинку.
Сочетанием диффузии и микросплавной технологии получают мнкро-
сплавиой диффузионный транзистор, при изготовлении которого электро­
химической обработке предшествует газовая диффузия для формирования неод­
нородной базовой области.
На практике широкое применение получили дрейфовые транзисторы, у ко­
торых путем диффузии получают пе только базу, но и эмиттер. Это тразисторы
с диффузионными эмиттером п базой пли так называемые транзисторы с двойной
диффузией, при изготовлении которых посредством одновременной газовой
диффузии примесей п и р-тппа получают эмиттерную и базовую области.
По этой технологии в настоящее время изготавливаются также мезатранзи-
сторы н плапарные транзисторы. В первом из них после двойной диффузии
вытравлением определенных участков эмиттера и базы создают активную часть

Эмиттерный,
Базовый, Эмиттерный вывод. •Базовый
вывод ' вывод вывод

Эмиттер

Эпитак-^
сильный
слой-

Коллекторный,
вывод Коллекторный, вывод

Рпс. 4-5. Схематическое изобра­ Рпс. 4-6. Схематическое изображение

жение мезапланарного транзисто­ эпптакспальпо-планарного транзис­
ра с двойной диффузией. тора с двойной диффузией.

транзистора в виде мезаструктуры (рис. 4-5). При изготовлении планарного

транзистора (рис. 4-6) диффузию производят через окна в оксидном слое.
Применяется п тройная диффузия, когда все три области транзистора, т. е.
эмиттер, базу и коллектор, получают путем диффузии.
В последнее время при изготовлении дрейфовых транзисторов исполь­
зуется эпитакспальная технология, которая позволяет наращивать монокрп-
сталлпческую пленку на подложку полупроводника любой электропровод­
ности. По этой технологии изготавливаются дрейфовые транзисторы с эпи-
таксиальным коллектором, представляющие собой приборы типа р-п-л-р
или n-p-v-n. В эгштаксиальном транзисторе между базовой и коллекторной
областями образуется слой с дырочной электропроводностью (зх-слой) или
электронной электропроводностью (v-слой). Высокоомнып слой получают
путем эпитакспального наращпванпя высокоомной пленки монокрпсталли-
ческого полупроводника на низкоомную подложку, образующую коллектор­
ную область. Базовая же область получается путем диффузии, это так назы­
ваемый транзистор с диффузионной базой. Таким же способом изготавливают
эпитаксиальный транзистор с двойной диффузией (рис. 4-6). Основными преиму­
ществами транзисторов с эпитаксиальным коллектором является меньшее зна­
чение зарядной емкости коллектора, более низкое объемное сопротивление
тела коллектора п меньшее время накопления носителей в коллекторной
области но сравнению с соответствующими неэпптаксиальнымл транзи­
сторами.

95
 В настоящее время при производстве биполярных транзисто­
ров в основном применяются диффузия и эпитаксиальное наращи­
вание. Ионное легирование (см. § 3-1), представляющее собой
также современный метод введения примесей в полупроводник,
в большей мере применяется при изготовлении униполярных
МДП-транзисторов [Л. 39].
Sasa, Змипшер .Коллектор Производство дискретных
О^^Ж**,
Р'ГТ7^1
\ Y/l M&^^n^A^^Z&*rJ
V
7 1
транзисторов в основном осу-
ществляется по эпитаксиаль-
Эпитан-
сцальный. ио-планарнои и мезапланар-
слой. ной технологии [Л. 40]. В
микроэлектронике [Л. 41] для
получения транзисторных
структур в основном приме­
няется эпитаксиально-пла-
Ряс. 4-7. Схематическое изображение нарная технология. При этом
транзисторной структуры, изготовлен­ на общей подложке, напри­
ной по эпитаксиально-планарной техно­
логии.
мер, из кремния р-типа
сначала диффузией форми­
руют скрытый коллекторный
+
тг -слой (рис. 4-7), создающий коллектор из низкоомного полупро­
водника. Затем выращивают эпитаксиальный слой тг-типа толщи­
ной 7—10 мкм. Д л я создания базы проводится диффузия р-типа,
+
а эмиттер получается с помощью п -диффузии. Для изоляции
транзисторов, изготавливаемых на общей подложке, проводится
+
диффузия р -слоя так, чтобы этот
низкоомный слой сомкнулся с под­
ложкой р-типа.
В последующих разделах тран­
зисторы классифицируются в ос­
новном по механизму движения
неосновных носителей, т. е. они
разделяются на диффузионные и
дрейфовые. Необходимо отметить,
что эти термины указывают лишь
на характерный механизм движе­
ния носителей заряда. В области
базы диффузионного транзистора рно. 4-8. Распределение концен­
наряду с диффузией неосновных трации примесей в базе дрейфо­
носителей может иметь место и вого транзистора.
дрейф. В базе же дрейфового тран­
зистора образуется направленный поток неосновных носителей,
обусловленный не только действием электрического поля, но и
диффузией.
Таким образом, диффузионным будем называть транзистор,
в области базы которого примеси распределены равномерно.
В базе же дрейфового транзистора примеси распределены неравно­
мерно. На рис. 4-8 показано распределение концентрации приме­
9(3
сей ./V (х) по направлению диффузии в базовую область дрейфового
транзистора. На этом рисунке N — начальная концентрация 0

примесей в исходной пластине полупроводника; No — поверх­

ностная концентрация диффундирующих атомов; W — рабочая
ширина базы; W — ширина коллекторного перехода. Концент­
K

рация примесей в базе у эмиттерного перехода NQ обычно на 3

несколько порядков больше концентрации примесей у коллектор­

ного перехода NQ . K

Если примеси в базе распределяются по экспоненциональ-

иому закону

#(г) = Л Г б в ехр(-2 -^-), Л •

то возникает встроенное электрическое поле, напряженность

которого Е вдоль базы постоянна. В соответствии с формулой
0

(2-43) можно получить:

d N (х) I т т

Я . ~ - Ф г - 7 ^ | Л Ч * ) = 2|,4-,

2 —
где г] = -^-Inicr - коэффициент, характеризующий степень неод-
нородиости базы.
На самом деле закон распределения примесей в базовой области дрей­
фового транзистора определяется более сложной зависимостью [Л. 42].
Прп диффузии из газовой фазы пли из расплава распределение концентрации
примесей в направлении диффузпп определяется формулой

где
X

е г Г с /_^Ц = 1_ 2 С e-z*dz

\2L j
D TAtJ

— функция дополнения к интегралу ошибок Гаусса;

L — длина диффузпп примесей.
D

При диффузии из тонкого твердого слоя (когда концентрация дпффу-

занта в источнике с течением времени уменьшается) спад концентрации приме­
сей происходит по гауссовскому закону:
X
N (Х): ехр +iV , 0

2L Vn
n 2L,

где d — толщина слоя, из которого идет диффузия.

Прп указанных законах распределения примесей напряженность цоля
Е (х) вдоль базы оказывается непостоянной: она почти линейно возрастает
0

от эмиттера к коллектору
E ^)=E [i-{x-x )j2L l
0 m 3 D . »

где Е ю — напряженность поля в базе у эмиттерного перехода.

4 Агаханяи Т. М, 97
 В последующих выводах будем считать напряженность поля
в базе постоянной и равной

Если при расчетах параметров транзистора пользоваться

средним значением напряженности поля в базе, то полученные
приближенные значения параметров мало отличаются от значе­
ний, полученных при точных расчетах [Л. 43].

4-2. ХАРАКТЕРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ТРАНЗИСТОРА

И ТРАНЗИСТОРНЫХ р-п ПЕРЕХОДОВ

Усиление напряжения и мощности

Усилительные свойства транзистора особенно наглядно про­

являются при его нормальном включении. Нормальным называют
включение транзистора, при котором эмиттерный переход смещен
в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном.
На рис. 4-9 показана схема нормального- включения транзистора
типа р-п-р и приведены соответствующие этому включению энерге­
тическая диаграмма, график распределения электростатического
потенциала и условное изображение потока дырок. Все последу­
ющие выводы в равной мере справедливы и для п-р-п транзисто­
ров, если при соответствующих рассуждениях дырки заменить
электронами и, паоборот, электроны — дырками.
Представим, что ток через эмиттерный переход равен нулю
(7 = 0)- Тогда через коллекторный переход, включенный в обрат­
Э

ном направлении, при напряжениях \U I ^3= (3 -f- 4) ср будет

K г

протекать тепловой ток этого перехода

Первая составляющая этого тока 1 т образуется потоком

к п

электронов, которые переходят из коллектора в базу; вторая

составляющая 1 т — потоком дырок, переходящих из базы
к р

в коллектор (в базе эти дырки появляются в результате генера­

ции). Дырки могут переходить в базовую область и из эмиттера,
если включить эмиттерный переход в прямом направлении
(рис. 4-9,- в). При этом дырки, которые появляются в базе благо­
даря инжекции эмиттера, так же как дырки, возникающие в ре­
зультате генерации, диффундируя к коллекторному переходу,
беспрепятственно проникают в коллекторную область. Разумеется,
к коллекторному переходу доходит только часть дырок: остальные
теряются в базе из-за рекомбинации, вызывая появление реком-
бинационного тока / , протекающего через базовый вывод.
б г

На рис. 4-10 показана схема нормального включения дрейфо­

вого транзистора р-п-р типа и приведены соответствующие гра­
фики. В отличие от диффузионного транзистора энергетические
98
уровни в базе дрейфового транзистора искривлены. Это — резуль­
тат неравномерного распределения примесей, приводящего к обра­
зованию встроенного электрического поля, которое способствует
более быстрому перемещению неосновных носителей заряда
в базе от эмиттера к коллектору.
Так же как в диффузионном транзисторе, при включении
эмиттерного перехода в прямом направлении в базу дрейфового

Рпс. 4-9. Диффузионный тран­ Рис. 4-10. Дрейфовый транзистор

зистор типа р-п-р при нормаль­ типа р-п-р при нормальном вклю­
ном включении. чении.
а — схема включения; б — энергетиче­ а — схема включения; б — энергетическая
ская диаграмма; в — график распреде­ диаграмма; в — график распределения
ления электростатического потенциала! электростатического потенциала; г — по­
г — поток дырок. ток дырок.

транзистора поступают дырки. Под действием встроенного поля

дырки дрейфуют к коллекторному переходу. Одновременно с
дрейфом происходит и диффузия дырок, так как в базе образуется
перепад их концентрации. Дырки, дошедшие до переходного слоя,
поступают в коллектор, образуя ток в коллекторной цепи. При
этом из-за рекомбинации части дырок в базе образуется рекомби-
национный ток Is (рис. 4-10, г).
r

Таким образом, при включении эмиттерного перехода в прямом

направлении в коллекторной цепи транзистора протекает ток
величиной
• 1к — 1эр — ^ б г + ^ к Г !
4* 99
где Т — дырочная составляющая тока эмиттера. При . этом
Эр

если включать в коллекторную цець сопротивление R нужной n

величины, то можно получить Заметное усиление напряжения.

Действительно, при смещении эмиттерного перехода напряже­
нием порядка (0,3—0,5) в токи эмиттера / и коллектора / при­ э к

ближаются к своим номинальным значениям. Если сопротивление

R выбрано исходя из условия R я « E J I , то падение напряжения
K K K

на нем от тока / „ составит приблизительно Е , величина которого, к

обычно больше, чем U = (0,3—0,5) в.

a

Напряжение можно усилить и трансформатором. Но транзистор

наряду с увеличением напряжения обеспечивает усиление мощ­
ности электрических сигналов, поступающих на его вход. В рас­
сматриваемом примере мощность, расходуемая на входе транзис­
тора, составляет P = I U , а мощность, выделяемая на выходе,
BS 3 3

Рвых =
(-^эр -Л) г) •

Для повышения коэффициента усиления по мощности необхо­

димо:
во-первых, уменьшить величину рекомбинационного тока в
базе /б,., с тем чтобы увеличить поток неосновных носителей заряда,
поступающих в коллектор;
во-вторых, уменьшить ток основных носителей заряда, поки­
дающих базу через эмиттерный переход, так как их поток не при­
водит к изменению тока коллектора, а следовательно, не спо­
собствует усилению мощности электрических сигналов.
Для выполнения первого условия предъявляются определен­
ные требования к базовой области транзистора. Второе условие
обеспечивается главным образом соответствующим подбором пара­
метров эмиттерной области.

Перенос неосновных носителей заряда и особенности базовой

области

При движении через базовую область часть неосновных носи­

телей заряда рекомбинируется с электронами и не доходит до
коллекторного нерехода, • образуя рекомбинационный ток / ,.. б

Выясним, какими параметрами транзистора характеризуется

величина рекомбинационного тока. Предположим, за среднее
время пролета носителей XTN в базу поступает р дырок, т. е.
дырочная составляющая тока эмиттера равна:
Т — IS—
ap — ~Г/V •
1

В результате рекомбинации в области базы в единицу времени

исчезают p/x rN дырок. Следовательно, за время пролета XTN,
в течение которого дырки находятся в базе, их поток уменьшится
на величину px /x .TN При этом образуется рекомбинационный
rN

ток, величина которого пропорциональна epxr lx u, Таким обра- N r

100
зом, поток неосновных носителей заряда, дошедших до коллек­
торного перехода, образует ток

/ э
р( 1 -
"тГТГ) C
= = / Э
Р А Г Л
'
r.V
Ослабление потока характеризуется коэффициентом переноса
неосновных носителей заряда в базе ссгдг, который приблизи­
тельно равен:
a r j V ^ l _ ^ L . (4-2а)
X
rN
Учитывая, что r = aj arN (см. § 2-6), получаем формулу
TN N

для расчета коэффициента переноса

aTN ъ i j — , (4-26) 1—\—[Эмиттер ) ^ ,
1
R '
3 3
Ноллентор
где xfN — среднее время пролета
неосновных носителей заряда через
базу, определяемое без учета ослаб- Рпс. 4-11. Разрез транзистора.
ЛеНИЯ ИХ ПОТОКа. , j _ активная; г — пассивная; 3 —
Коэффициент Переноса НОСИТе- боковая области базы.
лей заряда определяется характе­
ристическими параметрами полупроводникового кристалла базо­
вой области (временем жизни неосновных носителей т, подвиж­
ностью носителей д.), электростатическим потенциалом, конфигу­
рацией базы и ее геометрическими размерами. База транзистора
обычно состоит из трех областей: активной, пассивной и боковой
(рис. 4-11). Нормально направленный поток образуется в активной
области, так как основная масса носителей заряда, инжектиру­
емых эмиттером, захватывается коллектором (именно для этой
цели площадь коллектора имеет большие размеры, чем площадь
эмиттера).
Активная область базы диффузионного транзистора представ­
ляет собой однородную область, в которой время жизни неоснов­
ных носителей заряда т и их подвижность ц остаются постоянными.
Вдоль базы остается постоянным и электростатический потенциал
•ф. Поэтому среднее время жизни носителей для нормально направ­
ленного потока % н равняется времени жизни носителей т. В соот­
г

ветствии с формулой (2-28а) среднее время пролета Носителей

Тглг определяется соотношением
Ф
w __ч>_ w —
Т
- = ^ 7 S (4-За)
где 5 _ — площадь активной части коллекторного перехода,
к а

через которую захватываются неосновные носители, инжектиру­

емые эмиттером.
101
 2
W
Величину T = -^р- обычно называют средним временем диф­
D

фузии.
Активная область базы дрейфового транзистора существенно
неоднородна. Поэтому в ней происходит заметное изменение
времени жизни и подвижности носителей заряда вдоль базы.
Время жизни носителей т меньше у эмиттерного перехода, так как
в этой области велика концентрация примесей, которые представ­
ляют собой дефекты, способствующие рекомбинации. Среднее
.значение времени жизни носителей для
нормально направленного потока T ,
4*
RN

определяемое формулой (2-39), оказы­

0,6 вается очень близким к величине вре­
OA
мени жизни у эмиттерного перехода.
Для определения среднего времени
0,2 пролета носителей T N необходимо знать
V
T

зависимость подвижности неосновных

о 2 носителей ц и электростатического по­
Рпс. 4-12. График фупк тенциала ар от концентрации примесей
цпп / (ii). вдоль базы. Для оценки физических
свойств транзистора можно воспользо­
считая их постоянными ваться средними значениями \\ и Е , 0

женным выражением При этом xfjv определяется прибли-

И/2
= -^/(г,). (4-36)
S
' K.a°

График функции
1
/( l) = ^-[^-e-^shri],

характеризующей влияние встроенного электростатического поля

на время пролета носителей, приведен л а рис. 4-12.
Итак, для увеличения коэффициента переноса носителей
a
TN необходимо уменьшить среднее время пролета носителей
xf и увеличить среднее время жизни % N.
N T

Уменьшить TJ-N МОЖНО за счет сужения толщины базы W, но,

разумеется, до определенного предела. Прежде всего с уменьше­
нием толщины базы возрастает объемное сопротивление базы i s ,
что приводит к увеличению высокочастотных искажений, обуслов­
ленных влиянием зарядной емкости коллектора С , а следовательно,
к

к снижению добротности транзистора (см. § 5-10). Оптимальная

толщина базы, при которой добротность достигает максимальной
величины, для диффузионных транзисторов примерно равна
10—20 мкм. Для дрейфовых транзисторов оптимальная величина
W составляет доли микрона, однако допустимый предел сужения

102
базы определяется пе этим оптимумом, а явлением смыкания пере­
ходов. Чрезмерное уменьшение толщины базы может привести
к смыканию эмиттерного и коллекторного переходов, так как при
смещении коллекторного перехода в обратном-направлении пере­
ходный слой, расширяясь, занимает всю область базы. Поэтому
приходится ограничивать толщину базы дрейфового транзистора
величиной не менее чем 1—2 мкм, и только в эпитаксиальных
дрейфовых транзисторах, у которых между базовой и коллектор­
ной областями имеется высокоомный л- или v-слой (см. § 4-1),
препятствующий заметному расширению коллекторного пере­
хода, удается уменьшить ширину базы до десятых долей ми­
крона.
Увеличение коэффициента переноса <ZTN за счет повышения
времени жизни носителей заряда тоже ограничено. Во-кервых,
для повышения времени жизни требуются очень чистые полупро­
водники с малым количеством дефектов, в том числе и примесей.
Между тем введение примесей в базу необходимо для уменьше­
ния объемного сопротивления г , а в дрейфовых транзисторах
6

также для образования встроенного поля. Во-вторых, с увеличе­

нием времени жизни возрастает инерционность транзистора, так
как замедляются переходные процессы, обусловленные реком­
бинацией носителей заряда в базе (см. § 4-4). При этом увеличи­
ваются искажения высокочастотных и импульсных сигналов.
Обычно среднее значение времени жизни составляет единицы и
десятые доли микросекунды для диффузионных транзисторов.
Для дрейфовых транзисторов оно на порядок меньше. При этом
удается обеспечить величину атм = 0,98 — 0,99 и больше.

Инжекция неосновных носителей и особенности эмиттерной

области

Для повышения усиления мощности необходимо, чтобы ток

1
инжекции через эмиттерный переход по возможности образовался
потоком носителей, которые являются неосновными для области
базы. При этом в эмиттерной цепи уменьшится расход мощности,
растрачиваемой бесцельно для формирования потока основных
носителей заряда. Поток этих носителей не приводит к изменению
тока коллектора, а следовательно, не способствует усилению
мощности. Таким образом, необходимо выбирать параметры
эмиттерной области так, чтобы обеспечить высокую эффективность
эмиттера.
Эффективность характеризуется коэффициентом инжекции
эмиттера, определяемым отношением тока неосновных носителей
заряда к суммарному току эмиттера.

1
При рассмотрении работы биполярных транзисторов разделение носи­
телей заряда на неосновные п основные производится применительно для об­
ласти базы.

103
 Ток неосновных носителей (для р-п-р транзистора — дырочная состав­
ляющая) определяется следующим выражением:

1— a T / V a r j \ »г С р ф т

где / г — дырочная составляющая теплового тока эмпттерпого перехода;"

э р

а 1
Т1 — инверсный коэффициент переноса неосновных посптелей заряда ;
m D— коэффициент, характеризующий отклонение от экспоненциального
закона завпспмостп тока от напряжения прп высоких уровнях инжекцпп
(см. § 2-4; 3-5).
Наряду с дырочным током через эмнттерпый переход протекают электрон­
ная составляющая тока 1 , ток рекомбинации — генерации в эмиттерпом зп

переходе / , - п канальный ток / . Эти токи образуются потоком основных

э э с

носителей, поэтому они приводят к снижению эффективности эмиттера. Пер­

вый пз этих токов определяется выражением

где / — электронная составляющая теплового тока эмпттерпого перехода;

э Г л

m Dn— коэффициент, играющий ту же роль, что и пг для дырочного тока. д

2
Ток рекомбинации—генерации в переходном слое н канальный ток
эмпттерного перехода определяются следующими соотношениями:

Л),-='/-о ( е х р — Ч ± А. / э с = / с о /ехр—^ А

Таким образом, коэффициент инжекции эмиттера, определяемый как

отношение тока неосновных носителей к суммарному току эмиттера, выра­
жается формулой
{зр ^_ 1 э Т р / \
a Р
hv+hn + hr + hc I— <*TN ri \ '"ОрФ'Г /'
1 1 и _\ _ j и
i J j
э Т р э 3

6Xp 1 0 X 1 +
1- a T N a T 1 m <p
Dp r
+ /
oTn \ P „i <p Dn T

- f / r o / e x p - ^ - —1 W/co /exp 1 (4-4)

С изменением уровня смещения U изменяется относительная 3

величина отдельных составляющих тока, поэтому меняется коэф­

фициент инжекцииу . График этой зависимости показан на рис. 4-13. 3

В области микротоков (рис. 4-13, область / ) коэффициент инжек­

ции эмиттера значительно меньше единицы из-за -рекомбинации
в самом переходе и влияния канального тока. Снижение эффек­
тивности эмиттера в области микротоков особенно заметно для

1
Коэффициент а [, так же как a , характеризует умепьшенпе (из-за
Т T N

рекомбинации) инверсного потока неосновных носителей заряда, направлен­

ного от коллектора к эмиттеру (см. § 4-2).
2
Строго говоря, канальный ток складывается из потока основных и неос­
новных носителей. Поток неосновных носителей канального тока ничтожно
мал по сравнению с потоком инжекции, поэтому первым пз них пренебрегают.

104
кремниевых транзисторов, у которых ток рекомби'нацпп-гепе-
рации и канальный ток даже при комнатной температуре дости­
гают заметной величины. С понижением температуры область
микротоков расширяется (смещается в область больших напря­
жений), с повышением температуры, наоборот, сужается.
С увеличением напряжения смещения 17 все составляющие э

тока возрастают. Однако диффузионные составляющие тока 1 Эр

и 1 возрастают гораздо больше, чем ток рекомбинации и каналь­

эп

ный ток (см. § 3-5). Тем самым уменьшается влияние тока реком­
бинации и канального тока, поэтому возрастает коэффициент
инжекции.
В области средних токов (рис. 4-13, область 77) можно пренеб­
речь током рекомбинации в переходе и канальным током. В этой
области тир = топ = l i и коэффи­
циент инжекции эмиттера можно рас­ •У,
считывать по приближенной формуле 7,0
/ 1
Ъ
^ hy _
_
Азтр
Л>р + Л т / г р + Лтп Э
1
( ~ ТП Т1)' а

/
/ 1
а

1
1
ш ! ш
\
/1 Ч?
Из этого соотношения следует, что
для повышения эффективности эмиттера Рис. 4-13. График зависи­
необходимо выбирать концентрацию мости коэффициента инжек­
примесей так, чтобы база была отно­ ции эмиттера у от напря­ э

жения на переходе U .
сительно высокоомной, а эмиттер — 3

1 — область иткротоков; II —
низкоомным. Отношение концентрации область средних токов; 111 —
примесей в эмиттере и базе, разумеется, область больших токов.
нельзя увеличивать безгранично. Так,
наибольшая концентрация примесей в эмиттерной области ограни­
чена концентрацией вырождения, которая приблизительно равна
10 am/см . Обычно же концентрация примесей в эмиттере N
19
3
3

составляет 10 am/см . Минимальная концентрация примесей

18
3

в базе не может быть меньше концентрации носителей заряда

собственного полупроводника, которая для германия примерно
равна 10 см~ , а для кремния — 10 см' . Чтобы достигнуть
13
3
10
3

столь низкой концентрации носителей заряда, требуется сверх­

чистый полупроводник. Кроме того, при низкой концентрации
носителей заряда в базе объемное сопротивление этой области
оказывается недопустимо большим, а это приводит к снижению
добротности транзистора.
В дрейфовых транзисторах уменьшение концентрации примесей
в базе связано еще с одним дополнительным ограничением. Как
известно, в базовой области дрейфового транзистора встроенное
электрическое поле образуется в результате перепада концент­
рации примесей. При этом напряженность электрического поля
возрастает с увеличением отношения концентрации примесей у
эмиттерпого перехода УУ к их концентрации вблизи коллек­
бэ

торного перехода NQU. Следовательно, минимальная концент-

105
рация примесей в базе дрейфового транзистора составляет для
германиевых приборов Nq т 10 am/см , а для кремниевых — k
13
3

iV(5 « 10 am/см . Концентрацию же примесей в базе непо­

K
10
3

средственно у эмиттерного перехода нельзя делать больше

10 —10 ami см , так как коэффициент инжекции у становится
15 16
3
0

меньше 0,99—0,999.
Таким образом, наибольший возможный перепад концентра­
ции примесей в базе дрейфового транзистора составляет для герма­
2 s 5 6
ниевых приборов 10 —10 , а для кремниевых приборов 10 —10 .
При этом коэффициент неоднородности базы т| = у In (Nq0IN
достигает величины 2—3 для германиевых транзисторов и 3—4
для кремниевых, а напряженность встроенного электрического
поля Е = 2r\q> /W (при W = 10"" см; ср = 25-Ю" в) составит
0 T
1
т
3

всего 1 ООО—1 500 в!см в базе германиевых транзисторов и 1 500—

2 000 в/см в базе кремниевых транзисторов.
Итак, в области средних токов соответствующим подбором
концентрации примесей как для диффузионных, так и для дрей­
фовых транзисторов обычно обеспечивают достаточно высокую
эффективность эмиттера, характеризуемую величиной коэффи­
циента инжекции не менее чем 0,99—0,999.
В области больших токов (рис. 4-13, область III) из-за увели­
чения концентрации неравновесных носителей концентрации элек-
.тронов и дырок становятся сравнимыми между собой. Поэтому
возрастает диффузионная составляющая тока, образуемого пото­
ком основных носителей, и, следовательно, снижается коэффи­
циент инжекции, величину которого можно рассчитать по прибли­
женной формуле [учитывая, что то < 1 и то •< 1, причем р п

m
Dn < m (см. § 2-4)]:
Dp

Тэ
7 е х 7 а е х
8Гр Р , + э Т п (* - 㹕:•[) Р
т
l
Dp4>T
т
m
Dn'Pr

Расчет составляющих токов весьма сложен. Поэтому работу

транзистора целесообразно характеризовать коэффициентом пере­
дачи тока эмиттера а,у, который позволяет рассчитать, какая
часть суммарного эмиттерного тока 1 поступает в коллектор. Э

Коэффициент передачи тока адг аналитически определяется про­

изведением

где М — коэффициент умножения носителей в коллекторном

к

переходе. При низких и средних значениях коллекторного сме­

щения U коэффициент М равен единице. При напряжениях,
K к

граничащих с напряжением пробоя (см. § 3-5), происходит умно­

жение носителей в коллекторном переходе {М >> 1), что приводит 1{

к увеличению тока коллектора.

106
!
 В современных транзисторах составляет 0,95—0,99 и больше.
При нормальном включении транзистора ток коллектора выра­
жается соотношением

/ = ah
к N + 1кт- (4-5)

Особенности коллекторной области

Выясним, какие требования предъявляются к коллекторной
области транзистора. Прежде всего эта область должна быть
низкоомной, для того чтобы объемное сопротивление коллектора
г' было мало. При этом снижается расход энергии, которая не
к

поступает в нагрузку. Следует также уменьшить составляющую

теплового тока / г , величина которой определяется потоком
в л

неосновных носителей заряда из коллекторной области в базу.

Как известно, тепловой ток не управляется сигналом и, являясь
балластным током, приводит к бесцельной затрате энергии в кол­
лекторной цепи. Указанную составляющую теплового тока можно
уменьшить снижением концентрации неосновных носителей заряда
в коллекторной области. Д л я этого необходимо увеличить кон­
центрацию примесей, т. е. выбирать материал коллекторной
области низкоомным. Кроме того, в высокоомном коллекторе
при насыщении транзистора происходит заметное накопление
неосновных носителей заряда (§ 4-3), а это повышает инерцион­
ность транзистора.
В диффузионных транзисторах удается без особого труда
получить коллекторную область, такую же низкоомную, как
и эмиттерная. У дрейфовых транзисторов коллекторная область
обычно составляет часть исходного монокристалла, который
берется высокоомным, с тем чтобы в базовой области при диф­
фузии можно было получить сравнительно большой перепад концент­
рации примесей (см. § 4-1). При этом, чтобы удовлетворить ука­
занным требованиям, необходимо уменьшить сопротивление кол­
лекторной области путем последующей диффузии примесей в кол­
лектор. В эпитаксиальных транзисторах с диффузионной базой
эта проблема решается более удобным способом. Исходный моно­
кристалл, который затем используется как коллектор, берется
низкоомным. На этом кристалле эпитаксиальным наращиванием
получают высокоомную пленку, в которой диффузией формируют
базу, тем самым получая и низкоомный коллектор и базу с высо­
ким перепадом концентрации примесей.

Усиление тока

Прежде чем выяснить, способен ли транзистор усилить ток,

рассмотрим составляющие токов эмиттера, коллектора и базы.
Как было показано, ток эмиттера складывается из следующих
составляющих:

107
 Заметим, что для транзистора р-п-р типа только первое сла­
гаемое h представляет собой дырочный ток, т. е. ток неосновных
P

носителей заряда. Все остальные слагаемые образуют электронный

ток, т. е. ток основных носителей заряда.
Ток коллектора (при М = 1) к

/'
к a N h + 1т = a yI к TN 3 0 + / т = hp (1 — -zr^-) + Л.тр +
к
1
ктп.

Здесь значительная часть тока коллектора, а именно 1„г +• р

+ / (1 — тгл'/т \), образуется потоком дырок, и лишь неболь­

Э р Л

шая часть 1 т представляет собой электронный поток.

к п

Ток базы в соответствии с законом Кирхгофа определяется

разностью токов 1 — / „ и равен: Э

^б = h — hi - lap + h n ~Ь hr "Т" he ~ hp ( 1 —
ZT— ) — l\sT — /кгп
P =

= Лэ + h п r + Л)с + h P = ^ ^кГп — 1«Тр-

т
гЛ'

Если эмиттерный и коллекторный токи вызваны главным

образом неосновными носителями заряда, то ток базы образуется
всецело потоком основных носителей заряда (в данном случае
потоком электронов). Действительно, hn — электронная состав­
ляющая тока эмиттера; 1 — ток рекомбинации—генерации ЭГ

в переходном слое, который также образует поток электронов

в области базы (см. § 3-3); 1 — канальный ток (строго говоря, Эс

электронная составляющая канального тока); 1§ = h ( гл /т,.,\) — г

т !

рекомбинащюнный ток, который образуется потоком электронов,

рекомбинируемых в базе с дырками; 1 — составляющая тепло­ кТп

вого тока коллектора, который образуется потоком электронов,

переходящих из коллектора в базу, и, наконец, 1 т — электрон­ к р

ный ток, по величине равный дырочной составляющей теплового

тока коллектора, который возникает благодаря генерации пар
электрон — дырка в области базы (при этом дырки переходят
в коллектор, а электроны, перемещаясь к базовому контакту,
образуют тем самым замкнутый контур для тока 1 т ). к р

Рассмотрим транзистор при работе с эмиттерным входом.

В этом режиме входным током / является ток эмиттера (7 = в х BS

= / ) , а выходным — ток коллектора:

э

-Твых = 1к = ~t~ hr-

Так как a < 1 , то входной ток не усиливается. Усиление мощ­
N

ности в этом случае обеспечивается за счет усиления напряжения.

Для того чтобы транзистор усиливал ток, следует в качестве
входного контакта использовать базовый. При этом входным
током является ток базы (1 — / ) , а выходным током может быть
ах б

либо ток коллектора, либо ток эмиттера, равный:

•Твых = h =
h + Ie-
108
 Подставив последнее соотношение в выражение (4-5), получим:
r
/ к = aJv^ ^-a^v/o+J к7•• .
к

После соответствующих преобразований имеем:

а, 1 Л

где (Здг = а 7 ( 1 — aw) — коэффициент передачи тока базы. Так

л

как осдг = 0,95—0,99 и более, то [Здг та 20—100 и больше. Следова­

тельно, при работе транзистора с базовым входом и коллекторным
выходом происходит усиление тока в p\v раз. Если же в качестве
выхода используется эмиттер, то ток усиливается в (1 -f- р\у) раз.
Действительно,
/вых = h = Л, + h = (1 + Pw) /б + (1 + Pff) /кт.
Выясним физическую причину усиления тока транзистором. Пусть за
время Т г через базовый вывод поступают в базу р-п-р транзистора п элект­
ГЛ ±

ропов, т. е. ток Сазы / = cnJx . 6 Так как база должна оставаться электри­
TN

чески нейтральной, то через эмпттерный переход сразу же поступит такое же

количество дырок р = п . Дырки начнут перемещаться к коллектору. Прп
1 х

этом в результате рекомбинации исчезнет p x /x дырок п такое же коли­ 1 TN rN

чество электронов. Оставшаяся часть дырок, дойдя до коллекторного пере­

хода, уходит из базы в коллектор. Электроны ж^ останутся в базе, так как
п эмпттерный и коллекторный переходы представляют для них непреодоли­
мые барьеры, а через базовый вывод они не могут уходить, поскольку к этому
моменту времени через него вновь поступает другая порция электронов n . x

При этом общее количество электронов почти удваивается:

X
TN ,
T
rN
Так, например, прп n = 100; x /x t TN rN = 0,01 пмеем:
n = 100 - 1 0 0 • 0,01 +100 = 199.
3

Для нейтрализации заряда электронов в базу через эмпттерный переход

поступают р. = п дырок, часть которых,
2 2

l
TN
Р2 х rN г гЛГ т

доходя до коллекторного перехода, поступает в коллекторную цепь, вызывая

изменение выходного тока, почтп вдвое превышающее пзмененне входного
тока.
Нарастанпе потока дырок происходит до тех пор, пока чпело рекомбинп-
рующих дырок не станет равным числу электронов, поступающих в базу, т. е.
пока пе будет выполняться условие
x r N

р — = п ь

rN
Так как количество дырок пропорционально приращению тока эмиттера
( Д / ^= р), а количество электронов — приращению тока базы (Д/в
3 п^,
то их отношение
А / X
э _ ^ Р ^ Nr
Д/g Их X ' TN

109
 Учитывая, что при средних токах (у = 1) я

а
Л' = Vo « T N *>= 1
- т
''
гЛ'

1 Ид, Т г ТЛ

получаем:
| Р л г
Д/ б " " ' А/б А/б "

Таким образом, при работе с базовым входом транзистор способен уси­

ливать входной ток в (1 + PJY) Р > аз е с
выход берется с эмиттера, и в Вд, л п

раз — еслп с коллектора.

4-3. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА

Статические вольт-амперные характеристики позволяют опре­

делить особенности транзистора при его работе в различных обла­
стях. Различают следующие области работы транзистора:
активная область; при работе транзистора в этой области
эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллектор­
ный — в обратном;
область насыщения; в этой области эмиттерный и коллектор­
ный переходы смещены в прямом направлении;
область отсечки токов; в этой области эмиттерный и коллектор­
ный переходы смещены в обратном направлении;
инверсная активная область; в этой области эмиттерный пере­
ход смещен в обратном направлении, а коллекторный — в прямом.
Особенности транзистора в различных областях удобно иллю­
стрировать графиками распределения плотности заряда неоснов­
ных носителей в базе q. Эти графики позволяют наглядно просле­
дить за изменениями напряжений на переходах и токов при работе
транзистора в той или иной области.
Величина плотности заряда неосновных носителей в базе
на границе р-п перехода определяется приложенным к рассматри­
ваемому переходу напряжением. Плотности заряда у эмиттерного
<7 и коллекторного q переходов равны:
Э H

?э = д о е х р ^ ; э (4-7а)

<7„ = < 7 е х р ^ , К 0 (4-76)

где q и q — плотности заряда неосновных носителей в равно­

30 HQ

весном состоянии, т. е. в случае, когда к переходам не приложены

внешние напряжения.
Напряжения на переходах £7 и U определяются как разности электро­
а K

статических потенциалов эмиттера п коллектора в неравновесном и равновес­

ном состояниях. Это — напряжение положительной полярности для перехода,
смещенного в прямом направлении, и отрицательной полярности для пере-

110
хода, смещепиого в обратном направлении. В частности, для транзисторов
р-п-р типа напряжение U пли — положительной полярности, если потен­
a

циал соответствующего перехода относительно базы положителен, п и пли э

U — отрицательной полярности, если потенциал перехода относительно базы

K

отрицателен. Для транзисторов типа п-р-п наоборот: U- или U положитель­ it K

ной полярности в случае, когда потенциал соответствующего перехода отно­

сительно базы отрицателей, и и плп U отрицателен в случае, когда потен-
э K

цпал перехода положителен.

Области работы транзистора разграничиваются нулевыми значениями
напряжений и п U соответственно на эмпттерном и коллекторном перехо­
э K

дах. Прп нулевых значениях этих напряжений электростатические потенциа­

лы эмиттера п коллектора равны своим равновесным значениям.
Соотношения (4-7а) п (4-76), которые следуют непосредственно пз хорошо
известных граничных условий Шокли (см. § 2-4), позволяют установить гра­
ницы областей работы транзистора. На границах областей плотности заряда
у эмиттерного и коллекторного переходов равняются своим равновесным зна­
чениям.
Ниже приводятся графики распределения плотности заряда неосновных
носителей д (х) для одномерной модели транзистора. На этпх рисунках даны
также графики распределения плотности заряда в равновесном состоянии
(сплошные кривые, помеченные знаком д„). В диффузионных транзисторах
равновесное значение плотности заряда вдоль базы не меняется, т. е. q = 0

= const. Это объясняется тем, что в базе диффузионного транзистора при­

меси распределены равномерно, а плотность заряда неосновных носителей
в равновесном состоянии обратно пропорциональна концентрации примесей.
В базе дрейфопого транзистора прпмеси распределены неравномерно; кон­
центрация нримеоой у эмиттерного перехода значительно больше концентра­
ции примесей у коллекторного перехода. Поэтому в равновесном состоянии
плотность заряда неосновных носителей в базе дрейфового транзистора растет
от эмиттера к коллектору. В диффузионных транзисторах равновесные зна­
чения плотности заряда непосредственно у эмиттерного перехода q и у кол­ d a

лекторного перехода r; одинаковы, т. е. д = q = д , тогда как в дрейфо­

i<0 э о K 0 0

вых транзисторах д < q . Эо K 0

При помощи графиков распределения плотности заряда можно

определить и плотности токов. Как известно (см. § 2-1), диффузи­
онная составляющая тока пропорциональна градиенту плотности
заряда неосновных носителей, т. е. касательной к кривым распре­
деления плотности заряда в базе dq (x)/dx. Дрейфовая составля­
ющая тока определяется величиной плотности заряда, т. е. орди­
натой графиков распределения плотности заряда q (х). Таким обра­
зом, при помощи этих графиков можно определить величины токов,
протекающих вдоль базы, а также величины токов, обусловлен­
ных переходом в нее неосновных носителей через электронно-
дырочные переходы. Но через переходы протекают и токи, кото­
рые образуются потоком основных носителей заряда. Так, напри­
мер, одновременно с инжектированием из эмиттера в область
базы неосновных носителей из базы в область эмиттера переходят
основные носители. Поэтому ток через эмиттерный переход скла­
дывается из двух составляющих: из тока неосновных носителей
заряда / и тока основных носителей заряда I I . Ток неосновных
а

носителей заряда связан с суммарным током выражением

где 1 = Г -\-Г .
э э а

111
 Аналогично коллекторный переход характеризуется коэффи­
циентом игокекцпи коллектора у , который представляет собой
к

отношение тока неосновных носителей заряда 7i„ протекающего

через коллекторный переход, к суммарному току / „ , т.е. у = Г 11 . к к к

Как известно, ток, обусловленный переходом основных носи­

телей заряда, вреден, так как он приводит к уменьшению усиле­
ния мощности. Поэтому при изготовлении транзисторов стре­
мятся по возможности уменьшить величину этого тока, иначе
говоря, стремятся получить транзисторы с коэффициентом инжек-
ции, очепь близким к единице. Ниже мы будем пренебрегать
токами основных носителей '. При этом можно считать, что коэф­
фициенты переноса равняются коэффициентам передачи токов,
т. е. ar/v = и an — а/ (где а/ — коэффициент передачи тока
коллектора). Графики распределения
плотности заряда q (х), которые приво­
дятся ниже, можно использовать для
качественной иллюстрации. В них не
соблюден масштаб вдоль вертикальной
оси, так как плотность заряда вдоль
базы изменяется в широких пределах.
Рпс. 4-14. Положительное Количественную оценку работы
направление токов. транзистора производят при помощи
а - для p-n-р .трапзисторов; соответствующих аналитических соотно-
б — для n-p-п транзисторов. шений, которые могут быть получены на
основании дифференциальных уравне­
ний (см. § 2-1 — 2-3). Эти соотношения можно составить более пагляд-
ным способом — на основе физического представления работы
транзистора.
При разомкнутом эмиттере (1 = 0) вольт-амперная характе­
Э

ристика коллекторного перехода не будет отличаться от вольт-

амперной характеристики электронно-дырочного перехода с те­
пловым током / т , т. ё. ток коллектора будет равняться
к

/кг [ехр (С/ /фг) — 1]. Если напряжение на коллекторном пере­

к

ходе поддерживается постоянным (U = const), то ток самого

K

коллекторного диода также остается постоянным. Но при этом

ток коллектора может меняться на величину a I за счет измене­
N 3

ния тока эмиттера, причем ток, образуемый потоком неосновных

носителей, которые передаются от эмиттера к коллектору, противо­
направлен току коллекторного диода. Следовательно, в общем
случае ток коллектора 1 определяется разностью:
Э

В/ = OL I - 1
N 3 [ехр (£/ /с ) - 1 ] .
ЯТ 1( Рг (4-8)
Как здесь, так и в последующих выводах положительными
считаются токи, направления которых совпадают с направлениями
стрелок, указанных на рис. 4-14.

1
Случаи, когда необходимо учитывать ток основных носителей, огова­
риваются.

112
 Совершенно так же прн разомкнутом коллекторе (/,< = 0)
вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода опреде­
ляется тепловым током 1 ? и напряжением U , т. е. ток эмиттера
Ь a

равняется / т [ехр (С/ /срт) — 1]. Поскольку биполярный тран­

э э

зистор представляет собой симметричный прибор, то его коллек­

тор может работать эмиттером, а эмиттер — коллектором, как это
и происходит при инверсном включении транзистора. Поэтому
передача неосновных носителей через базу может происходить
не только от эмиттера к коллектору, но и в обратном (инверсном)
направлении — от коллектора к эмиттеру. При этом ток в эмит-
терной цепи a,iI представляет собой часть тока коллектора, харак­
K

теризуемую коэффициентом передачи тока коллектора а/. Этот ко­

эффициент часто называется инверсной альфа в отличие от a , N

называемой нормальной альфа. Ток эмиттера / определяется э

уравнением
h = ос,In + hr [ехр ( £ у ) - 1 ] . (4-9) Ф т

В уравнениях (4-8) п (4-9) ток перехода определяется величиной напря­

жения, приложенного к данному переходу, и величиной тока, протекающего
через противоположный переход. В ряде случаев удобно пользоваться урав­
нениями, связывающими токи с напряжениями на эмиттерном и коллектор­
ном переходах. Такую систему уравнений можно получить преобразованием
уравнений (4-8) п (4-9) к виду

' . - т г ^ [ ' . . ( » ^ - ' ) - а

' ' » ( " р
ё - ' ) ] ;

' " = T d ^ [ « « 4 ^ f H ) - M ^ e ~ ' ) ] ' <4"""

Прп этом ток базы, определяемый как разность IQ = 1 — / , выра­ Ъ к

жается следующей формулой:

1
1-а ,с
Л
Ч Т О - ^ ^ рФ
^ г! -

+ / к т ( 1 - « ) ( ехр
г Jj. (4-11)

Наряду с этими уравнения™ прп определении характеристик транзи­

стора, описывающих его работу в той или иной области, целесообразно ис­
пользовать известное соотношение [Л. 1]
A
JV 3T
/
= a
J KT.
/
(4-12)
Это равенство позволяет определить одну пз входящих в него величин,
зная три остальных. Оно является следствием принципа взаимности, который,
как доказали Шоклп и его сотрудники [Л. 1], соблюдается в полупроводнико­
вых приборах в самом общем случае. Поэтому можно пользоваться равенством
(4-12) при анализе работы как диффузионных, так н дрейфовых транзисторов.-
При работе транзистора с базовым входом целесообразно выразить токи
коллектора и эмиттера через ток базы IQ. Исключив пз уравнения (4-8) ток
•?э = ' к + h, а из уравнения (4-9) ток 7 = 1 — / , получим: К Э б

'к = Мб- ' к г (1 + ) ( ехр ^ -1

\ (4-13)
/ е х 1
/ = - Р / б + 'эт(1 + ы (
э Р ^ -

113
 Эту систему можно преобразовать к виду

'"=l + P f + P j V [^тРлг \ — -1 J - / к г (i + р ) (exp — - 1 |

w :

/ 3
=Tt£tJ - 7
(охр £-i)-I«rb (охр £ - 1 ) ] ; ^ ^

• / В
= T+p^+F, [^т (1 + Р.) ( e x p ^ - 1 ) +

+ 'кг( + Ы ( е х р ^ - 1 у ] ,
1

где Р/ = aj/(l — ocj)_— коэффициент передачи тока базы в эмиттер (инверс­

ная бета).

Приведенные системы уравнений представляют собой аналити­

ческие выражения статистических характеристик собственно тран­
зистора. Нас же интересуют характеристики реального прибора,
которые отличаются от характеристик собственно транзистора.
Во-первых, характеристики реального транзистора определяются
не падениями напряжений на р-п переходах, а напряжениями,
которые приложены к внешним выводам электродов прибора.
Эти напряжения складываются из падения напряжений на пере­
ходах и объемных сопротивлениях. Падения напряжений на элек­
тродах можно измерять непосредственно, поэтому как при расче­
тах, так п при снятии характеристик транзистора удобно иметь
дело именно с этими напряжениями. Во-вторых, величины токов
реального транзистора и собственно транзистора тоже неодина­
ковы: они отличаются на величину токов утечки, канальных токов
и тока рекомбинации-генерации, учет которых в ряде случаев
необходим.
Характеристики собственно транзистора интересуют нас
постольку, поскольку характеристики реального транзистора
в значительной мере определяются процессами, которые происхо­
дят в базе, а следовательно, свойствами собственно транзистора.
Имея характеристики собственно транзистора, нетрудно опреде­
лить характеристики реального.
Падение напряжения в объеме полупроводника можно учиты­
вать при помощи объемных сопротивлений. Наиболее существенно
влияние объемного сопротивления базы гс, которая представляет
собой сопротивление полупроводникового материала базовой
области и базового контакта току основных носителей заряда,
протекающему через вывод базы. При больших токах приходится
учитывать влияние объемного сопротивления коллектора г^,
а в ряде случаев и объемного сопротивления эмиттера г' . э

Влияние тока рекомбинации — генерации и канального тока

наиболее существенно проявляется в кремниевых транзисторах
при низких значениях прямого напряжения. Поэтому характе-
114
ристики этих приборов совпадают с расчетными лишь при смеще­
ниях, превышающих некоторую величину. Причем чем выше
температура переходов, тем при более низких смешениях харак­
теристики приближаются к идеальным. При определении вольт-
амперных характеристик коллекторного и эмиттерного диодов
влияние указанных токов можно учесть, представив характерис­
тики в следующем виде:
I K = aI
N 0 - Г кТ (ех-р -^у 1
; \ (4-15)
= а//н + ' э т ( е х р - Й - - 1
5 Фг

Здесь /кт> 1'эт и т , т — средние значения тепловых токов

к э

и коэффициентов в стеиени экспоненты, при помощи которых

учитывается влияние всех слагаемых тока соответствующего
диода. Средние значения тепловых токов и коэффициентов зависят
от температуры и напряжения смещения иа соответствующем
переходе. При низких смещениях / „ г > ha, 1'ат > hr', пъ > 1; к

тп > 1. По мере увеличения смещения и повышения температуры

э

перехода средние значения тепловых токов, уменьшаясь, стре­

мятся к своим диффузионным составляющим ЦкТ = 1кт', 1вт —
— 1 т), а коэффициенты m — к единице (/?г = пъ = 1).
э к э

Если переход смещен в обратном направлении, то целесообраз­

но средним значением теплового тока / г или Г считать обратный к зТ

ток коллекторного перехода / или эмиттерного перехода / .

к о э о

Ток рекомбинации — генерации и канальный ток образуются

потоком основных носителей заряда, поэтому наличие этих токов
приводит к уменьшению коэффициента инжекции перехода.
Соответственно уменьшается коэффициент передачи тока эмиттера
или тока коллектора а;, а следовательно, и коэффициент пере­
дачи тока базы f> или В/.
N

Таким образом, влияние тока рекомбинации — генерации и

канального тока на статистические характеристики можно учи­
тывать соответствующим уменьшением коэффициентов передачи
токов, заменой тепловых токов их средними значениями и вве­
дением коэффициентов т и т в степени экспонент, описыва­
к э

ющих вольт-амперную характеристику коллекторного и эмит­

терного диодов. Следует иметь в виду, что все эти видоизменения
необходимо делать лишь при определении статистических характе­
ристик в микрорежиме, т. е. в режиме относительно низких сме­
щений.
Поскольку соответствующие напряжения смещений для р-п-р
и п-р-п транзисторов противоположной полярности, то их вольт-
амперные характеристики оказываются расположенными в раз­
личных квадрантах. Это создает определенные неудобства, поэ­
тому принято строить вольт-амперные характеристики без учета
полярности напряжений смещения, расположив их в одном и том
же .квадранте для р-п-р и п-р-п транзисторов.

115
 Активная область

Это — наиболее характерная область работы транзистора в

линейных усилителях. При работе в активной области напряжение
на коллекторе U , смещающее переход в обратном направлении,
K

не должно превышать напряжение пробоя. Если при этом рассе­

иваемая па коллекторе мощность получается больше максимально
допустимой, то наибольшая величина напряжения коллектора
определяется значением, при котором мощность, рассеиваемая
на коллекторе, не превышает допустимую. Максимальное значе­
ние напряжения на эмиттере £/ о. макс обычно ограничивается
э

величиной допустимого тока. Таким образом, при работе- в ак­

тивной области напряжения на переходах могут меняться в сле­
дующих пределах:
О Uo <С С^эСмакс! 0^5 U K > — U H доп,

где ик доп — максимально допустимое напряжение на коллектор­

ном переходе при обратном смещении.

Рис. 4-15. График

распределения плот­
ности заряда неоснов­
ных носителей в базо
при работе в актив­
ной области.
а — для диффузионного
транзистора; б — для
дрепфоного транзистора.

При этом плотности заряда носителей в базе непосредственно

у переходов изменяются в следующих пределах:
Чэа < Чз < <7эо е х
Р (^эб.макс/фг); <7к Ss= q
0 K > 0.

Знаки равенства в этих и последующих аналогичных выраже­

ниях относятся к границам области. На рис. 4-15 приведены
графики распределения плотности заряда неосновных носителей
в базе диффузионного (рис. 4-15, а) и дрейфового (рис. 4-15, б)
транзисторов при работе в активной области.
Неосновные носители заряда, которые поступают в базу через
эмиттерный переход, перемещаясь от эмиттера к коллектору,
образуют нормально направленный поток. Величина тока, обра­
зуемого потоком неосновных носителей, в диффузионном транзис­
торе определяется градиентом плотности заряда в базе. В устано­
вившемся режиме плотность заряда в базе диффузионного тран­
зистора изменяется почти линейно (рис. 4-15, а); градиенты плот­
ности заряда непосредственно у эмиттерного и коллекторного
переходов, а следовательно, и токи через переходы отличаются
друг от друга незначительно.
116
 В базе дрейфового транзистора ток вблизи эмиттерного пере­
хода в основном определяется дрейфовой составляющей. Вблизи
эмиттерного перехода плотность заряда q (х) велика, но меняется
незначительно и имеет небольшой градиент, поэтому диффузи­
онная составляющая тока значительно меньше дрейфовой. Вблизи
же коллекторного перехода, наоборот, плотность заряда невелика,
так как неосновные носители заряда, достигшие коллекторного
перехода, покидают базу. Но градиенты концентрации достигают
значительных величин, поэтому диффузионная составляющая
тока превышает дрейфовую составляющую, а иепосредствеино
у коллекторного перехода ток почти всецело определяется диф­
фузионной составляющей.
При работе в активной области неосновные носители заряда,
которые достигают коллекторного перехода, полностью покидают
область базы, образуя в коллекторной цепи ток / величиной к

/к = ITN + Л,-т [1 - exp (Uк/фг)].

Первая составляющая тока I образуется нормально направ­
T N

ленным потоком неосновных носителей заряда, которые инжек­

тируются в базу через эмиттерный переход, и определяется сле­
дующим выражением:
ITN = сбл>7. э

Вторая составляющая тока 1 т образуется потоком неосновных

к

носителей, которые благодаря термогенерации пар электрон—

дырка рождаются непосредственно в базовой и коллекторной
областях. Это — тепловой ток коллекторного перехода.
Третья составляющая тока — 1 т ехр (£/„/фт) — образуется ос­
к

новными носителями заряда, преодолевшими потенциальный

барьер коллекторного перехода. В равновесном состоянии (Е7 = 0) К

эта составляющая тока компенсируется тепловым током. Сле­

довательно, на границе активной области ток коллектора
1« — OI.NI . А

По мере увеличения смещения U ток основных носителей K

уменьшается и при | U | 75* (3 -4- 4) ф на 75 -е- 100 же практи­

H Т

чески становится равным нулю. Поскольку в активной области

транзистор обычно работает при смещениях не менее 1—2 в,
то током основных носителей через коллекторный переход можно
пренебречь. При этом
/ = а л , / + /кг.
к э (4-16)
В уравнении (4-16) не учитывается влияние тока рекомбинации,
канального тока и тока утечки коллекторного перехода. При работе
в активной области учет этих составляющих можно осуществить
сравнительно просто, заменив в уравнении (4-16) тепловой ток 1 т к

обратным током коллекторного перехода / . Тогда к о

/и = а д - / + /ко.
э (4-17)
117
 Напомним, что обратный ток коллекторного перехода Т ко

складывается из диффузионной составляющей теплового тока

/нг, генерационной составляющей теплового тока I , теплового g 0

тока канала / и тока утечки коллекторного перехода 1 :

с 0 К у

Выражением (4-17) определяется одна из основных характе­

ристик транзистора при работе в активной области. Это — его
выходная характеристика или так называемая коллекторная
характеристика, представляющая собой зависимость тока коллек­
тора от выходного напряжения с параметром 1 = const. При Э

1 1

мл
ми,
W

30
—30

20

10 10-
5

о г * в s в
Рпс. 4-16. Коллекторная ха­ Рис. 4-17. Коллекторная ха­
рактеристика транзистора при рактеристика транзистора при
управленпп по эмлттерноп управлении по базовой цепи.
цепи. ,

работе с базовым входом параметром является ток базы IQ. В этом

случае семейство коллекторных характеристик описывается выра­
жением
/к = М о + (1 + Р « ) Л « ,
0 (4-18)

которое можно получить из уравнения (4-17), подставив в него

/ э = /к + /б-
Коллекторные характеристики транзистора при работе с
эмиттерным входом приведены на рис. 4-16, а при работе с базовым
входом — на рис. 4-17.
Из аналитических выражений коллекторных характеристик
(4-17) и (4-18) следует, что при | U | > (3 -т- 4) срг ток коллек­
K

тора / не зависит в явном виде от величины обратного смещения,

к

приложенного к коллекторному переходу. Между тем при сня­

тии реальных коллекторных характеристик наблюдается рост
тока / „ с увеличением обратного смещения U . Это увеличе­ K

ние 1 особенно заметно при управлении транзистора по базовому

К

входу (рис. 4-17).

118
 С изменением напряжения U, Q ИЛИ U ток коллектора частично
{ IA

меняется из-за .изменения обратного тока / (см. § 3-5). Однако

к о

объяснить наблюдаемые на практике изменения 1 за счет только

К

изменения / к о не удается, так как приращение / обычно значи­

к

тельно превышает приращение /, . (0

Изменение коллекторного напряжения влияет на величину

тока коллектора косвенно: с повышением обратного смещения
коллекторный переход расширяется, а поэтому толщина базы
уменьшается, и, наоборот, с понижением этого смещения коллек­
торный переход сужается, а толщина базы увеличивается. С умень­
шением толщины базы уменьшается время пролета неосновных
носителей заряда через пее, что приводит к уменьшению доли
носителей, рекомбинирующих в базе, следовательно, к увеличе­
нию части носителей, достигающих коллектора. Иначе говоря,
с повышением обратного смещения на коллекторном переходе
уменьшается толщина базы, что приводит к увеличению коэф­
фициентов передачи тока эмиттера и тока базы pV, а следова­
тельно, к увеличению тока коллектора. С понижением обратного
смещения, наоборот, переход сужается, база расширяется, а,у и
B,v уменьшаются, поэтому уменьшается и ток коллектора.
Таким образом, изменение тока коллектора с изменением выход­
ного напряжения является результатом зависимости коэффици­
ента передачи тока эмиттера cc,v или коэффициента передачи
тока базы р\\ от обратного смещения, приложенного к коллектор­
ному переходу. Поэтому и при аналитических расчетах необхо­
димо иметь величины a.v или fi/v как функции выходного напряже­
ния. Непосредственный учет изменения или (3^ существенно
осложняет анализ и расчет транзисторных схем. Поэтому на прак­
тике предпочитают определять влияние модуляции толщины базы
на характеристики транзистора косвенным способом — при помощи
фиктивного сопротивления г,„ шунтирующего коллекторный пере­
ход. По сутн дела, посредством этого сопротивления учитывается
изменение коэффициента передачи тока с изменением U , т. е. K

вместо того, чтобы варьировать величиной oc;v или р\у как функцией
U , можно ввести сопротивление коллекторного перехода /•„ и пред­
K

ставить ajv и p\v не зависящими от U . Дифференциальное значение

K

соиротивления коллектора можно определить по наклону коллек­

торной характеристики. Причем при работе транзистора с базовым
входом это сопротивление в (1 + p\v) раз меньше, чем при работе
с эмиттерным входом.
В схеме с базовым управлением сужение базы (с увеличением
напряжения U ) также уменьшает вероятность рекомбинации,
K

поэтому число дырок, дошедших до коллектора, возрастает. Соот­

ветственно увеличивается число электронов, которые остаются
в базе р-п-р транзистора. Так, например, если поток дырок, дошед­
ших до коллектора, возрастает на величину Ар, то число электро­
нов, остающихся в- базе, увеличивается на ту же величину An =
= Ар. Для нейтрализации заряда оставшихся в базе электронов
119
через эмптторпын переход поступают дырки, поток которых при­
водит к дополнительному увеличению тока коллектора. Если ток
базы поддерживается постоянным, то потребуется Др (1 - f 6/v)
дырок, чтобы обеспечить рекомбинацию
An = Ар электронов. Поэтому при
%0\ базовом управлении благодаря свое­
o* = s

0,8 образной обратной связи (см. § 4-2)

происходит большее возрастание тока
о,в\
/ , чем в схеме с эмиттерный управле­
к

OS нием.
OA Коэффициенты передачи тока эмит­
тера а.у и тока базы (3„ являются также
40 80 120 160 ма. функциями входного тока. Зависимости
этих коэффициентов от входного тока
Рис. 4-18. Зависимость 6д> можно определить по передаточной ха­
от тока эмиттера / . э
рактеристике транзистора. Однако эта
характеристика, представляющая собой
зависимость тока коллектора от входного тока (параметр —
выходное напряжение), используется сравнительно редко. В
справочниках обычно приводятся графики зависимости коэффи­
циента передачи (3 - от тока эмиттера при нескольких типовых
Л

значениях напряжения U (рис. 4-18). K

If
Us =oe
40 2
58
58
30
\
20,

10

U5 3

0,1 0,2 0,3 6 О 0,1 0,2 0,3 'в

Рпс. 4-19. Эмпттерная вход­ Рис. 4-20. Базовая вход­

ная характеристика тран­ ная характеристика тран­
зистора. зистора.

Рассмотрим входную вольт-амперную характеристику тран­

зистора, представляющую собой зависимость тока эмиттера 1 Э

или' тока базы /о от напряжения эмиттер—база С/ о, т. е. 1 = э а

= F (£/ б) при параметре U o = const или /о = ^б (#эо) р и

3 Э K
п

параметре U = const. Первая из них (рис. 4-19) называется

m

эмиттерной входной характеристикой, а вторая (рис, 4-20) — базо­

вой входной характеристикой.
120
 Аналитические выражения входных характеристик можно
получить на основании уравнения (4-9), учитывая, что при работе
в активной области / = a I + / . Тогда • к N 0 к о

'эГ
6 Х Р
1 A
(4-19)
1—«,\«/ \ Фг 1 — «jV J "

Заменив токи 1 т и 1 на средние значения Г т и Г т и считая

э К0 э к

для них справедливым соотношение (4-12) (т. е. а^Г = cc/Z^r), эТ

получим:
7 Э (i-cc aj)
N 7 (l-a
3 w a / )"
£7 = » Ь ф г In
э + 1 —a lV •• т <р Inэ т
. (4-20)

В выражении (4-20) при помощи коэффициента т учитываются э

особенности тока рекомбинации—генерации и канального тока

эмиттерного перехода.
Входное напряжение транзистора складывается из напряжения
на эмиттерном переходе U и падения напряжений на объемном a

сопротивлении эмиттера 1 г' и объемном сопротивлении базы э э

1 г , т. е.
с 0

/.,(1-0^0:,)
X In (4-21)

Из последнего равенства исключен ток базы [на основании

уравнения 1 = (1в + / ) (1 + pV)] для получения эмиттер-
1
Э К!)

ной характеристики. Если же из (4-21) исключить ток эмиттера,

то получим базовую характеристику

'('O + ' K O W + PVV + PJ)'

'дТ (! + Р/) +
22
+ / [ r a ( l + M + ''0] + W8(H-Piv)- -
e (^ )
Рассмотрим характерные точки. При U — 0 в отличие от a

одиночного р-п перехода ток эмиттера не равняется нулю.

В данном случае образование направленного потока через переход
есть результат взаимодействия с соседним переходом. Действи­
тельно, как следует из уравнения (4-19), при U — 0 ток эмиттера 3

<Xj
/ э = / к о
1-« а Л 7 '
а базовый ток изменяет свое направление и становится равным:
1 — а,
1(5 = h ~ IK = h — («Л'Л) + ^но) = —1ко 1 7ГТГ !
~ll<0-
1 U-дг (A j

1
Это уравнение можно получпть из выражений (4-17), подставив/ — к

= h — lo­
rn
 Д л я сигналов малой амплитуды входная цепь транзистора
характеризуется дифференциальным сопротивлением, определя­
емым наклоном вольт-амперной характеристики. Входное сопро­
тивление транзистора при эмиттерном управлении рассчитывается
по формуле

Г в х э = Г э + +
- Ч^)а, ( б = const ^ Н % '

а при базовом управленпп

где _ dU 3 /» ф
э г

— дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

Заметим, что при базовом управлении входное сопротивление
в (1 -f- 8,v) раз больше, чем при эмиттерном управлении, т. е.
' вх. б = (1 + PN) Гвх. э-
Как видно из представленных на рис. 4-19 и 4-20 вольт-ампер­
ных характеристик, входной ток транзистора меняется с измене­
нием выходного напряжения £ / б или U . Зависимость входного
К K0

тока (или входного напряжения) от выходного напряжения

является результатом модуляции ширины базы [Л. 44].
Выяснпм физический смысл этого эффекта па примере диффузионного
транзистора при работе с эмпттерным входом. На рис. 4-21 показано распре­
деление плотности заряда неосновных посптелей прп двух значениях выход-

Рис. 4-21. Распределение Рис. 4-22. Распределение плот-

плотности заряда неоснов- ностн заряда неосновных но-
ных носителей в вазе дпф- сптелей в базе дрейфового
фузионного транзистора прп транзистора при U = const 3

/ - const (I £ / \>\U
э к б|). K6 (| U- | > | U | ) . K3

пого напряжения | U" § | > | U K K6 [ в том случае, когда ток эмиттера / э под­

держивается постоянным (поскольку / э ~(—5г-Ц , то наклон кривых

при я = 0 одинаков). Прп увеличении (по абсолютной величине) напряже­
ния [/ б коллекторный переход расширяется, а база сужается, и, чтобы под­
К

держать тот же ток / , нужно меньшее количество носителей заряда. Это

э

122
приводит к уменьшению плотности заряда во всех точках базы, в том чпсле и
у эмиттерного перехода. С уменьшением плотности заряда у эмиттерного
перехода q уменьшается напряжение смещения С/ = т ф In ?э/(?эо- Таким
3 3 э г

образом, в транзисторе действует своеобразная внутренняя обратная связь,

приводящая к изменению входного напряжения с изменением выходного. Это
явление известно под названием эффекта Эрли [Л. 44].
В схеме с базовым управлением наблюдается обратная картина: с увели­
чением выходного напряжения входпой ток /д уменьшается (см. рпс. 4-20),
тогда как 1 растет. Д л я поясиеппя этого эффекта рассмотрим графики рас­
Э

пределения плотности заряда неосновных носителей в базе, например, дрей­

фового транзистора прп двух значениях'выходного напряжения ( | { / ^ | > а

> | £^, |) в случае, когда входное напряжение поддерживается постоянным

э

(рнс. 4-22). С увеличением (по абсолютной величине) напряжения !7 кол­ КЭ

лекторный переход расширяется, база сужается, поэтому заряд носптелей

в ней уменьшается (пропорционально площади заштрихованной части на
рнс. 4-22). Поскольку ток базы / д образуется главным образом за счет реком­
бинации: носителей, то очевидно, что с уменьшением количества носптелей
в базе ток / д будет уменьшаться. ^

Влияние выходной цепи транзистора па его входную цепь

принято характеризовать коэффициентом диффузиоиной обратной
связи, определяемым как

и = =
^ ( 1 Й ) / з = consf

Этот коэффициент небольшой величины: обычно и. = эк

4 8
= 10" — 10~ . Поэтому влияние эффекта Эрли сказывается в схе­
мах с высокоомным выходом, в которых относительное изменение
выходного напряжения достигает заметной величины.

Область насыщения

В области насыщения как эмиттерный, так и коллекторный

переходы смещены в прямом направлении. При этом наибольшие
значения напряжений иа переходах определяются либо макси­
мально допустимыми величинами токов, либо максимально до­
пустимой мощностью. Напряжения на переходах и плотность за­
ряда неосновных носителей, накопленных в базе непосредственно
у переходов, могут меняться в следующих пределах:

0 ^ U < С/эб.макс!
a 0 ^ U <С 17кб.макс!
K

д эо < <7э < <7эо ехр . д к о ^ д к < д и о е х р Щшь

Фт Фг
где Uкс. макс — максимально допустимое напряя^ение на коллек­
торе транзистора при прямом смещении.
Графики распределения q (х) в базе при работе в области насы­
щения приведены иа рис. 4-23, а (для диффузионного транзистора)
и рис. 4-23, б (для дрейфового транзистора).
Д л я этой области характерно накопление большого числа не­
основных носителей заряда в базе непосредственно у коллекторного
123
перехода. Неосновные носители заряда, которые инжектируются
в базу через эмиттерный переход, диффундируют, а в дрейфовых
транзисторах одновременно и дрейфуют от эмиттера к коллектору.
При этом независимо от режима работы транзистора ток ITN,
который формируется нормально направленным потоком носите­
лей, дошедших до коллекторного перехода, равняется aI. N A

От условий же работы зависит, какая часть неосновных носителей

рассасывается через коллекторный переход. Так, например, в схе­
ме, приведенной на рис. 4-24, наибольшее значение тока коллектора
не может превысить величину EJR , и если ток эмиттера 1 >
K Э

> E /(R O,N),

K K Т О часть носителей останется в базе. Следовательно,
если по какой-либо причине сток носителей заряда в коллекторную
цепь ограничен, то пз базы в коллектор поступит лишь столько их,

Рпс. 4-23. Графики распределения плотности Рис. 4-24. Схема

заряда неосновных носителей прп работе в транзисторного уси-
области насыщения.
о — для диффузионного транзистора; б — для дрей­
фового транзистора.

сколько необходимо для поддержаппя тока коллектора / „ . Часть

носителей заряда останется в базе, что приведет к увеличению их
концентрации, а следовательно, и плотности заряда. В частности,
плотность заряда неосновных поептелей у коллекторного перехода
возрастает пропорционально разности токов ITN — 1к- Наряду
с накоплением носителей заряда будет происходить их рекомби­
нация, ограничивающая непрерывное нарастание заряда носите­
лей. Процесс накопления носителей заряда в базе непосредственно
у коллекторного перехода установится тогда, когда увеличение
заряда носителей, обусловленное разностью токов I N — 1 , пол­ T К

ностью компенсируется уменьшением заряда за счет рекомбина­

ции, т. е. когда
_ QK — QKO
k-i (ITN — IK) Z

т„
(4-23)

где k — коэффициент пропорциональности; т — среднее время

x и

жизни носителей, характеризующее процесс рекомбинации.

Накопление заряда у коллекторного перехода приводит к уве­
личению напряжения на переходе. Когда* плотность заряда q H

превышает свое равновесное значение g oi переход смещается в пря-

K

124
мом направлении, и транзистор попадает в область насыщения.
Из уравнения (4-23) следует, что в установившемся режиме q„
может стать больше q , т. е. транзистор окажется в области насы­
i<0

щения в том случае, когда поток носителей, дошедших до коллек­

торного перехода {ITN = OL I ), превышает ток коллектора 7
N S К)

т. е. когда a IN A >
При работе транзистора в области насыщения ток коллектора
слабо зависит от входного тока, т. е. от тока эмиттера пли тока
базы. Попадая в область насыщения, транзистор как бы лишается
своих усилительных свойств из-за «насыщения» тока коллектора.
В действительности происходит на­
сыщение не тока коллектора, а «на­
сыщение» напряжения на коллек­
торе. После того как коллекторный
переход оказывается смещенным в
прямом направлении, дальнейшие
изменения напряжения на коллек­
торе настолько незначительны, что
практически можно считать это на­
пряжение постоянным. Если нагруз­
ка чисто активная, то с установле­
нием напряжения происходит и на­
сыщение тока коллектора. Если же
нагрузкой транзистора являются ре­
активные элементы, то при работе
в импульсном режиме и после уста­
новления напряжения на коллекторе UKS,6 0,3 0,2 0,7 0 -0,1

изменения тока коллектора не пре­

Рис. 4-25. Выходная характе­
кращаются и насыщения тока не на­ ристика транзистора в области
ступает. насыщения при эмпттерном
управлении.
В области насыщения транзистор
характеризуется выходной характе­
ристикой, представляющий собой зависимость выходного тока
от выходного напряжения при заданном входном токе.
В схеме с общей базой выходное напряжение — напряжение
между коллекторным и базовым выводами транзистора U Q — K

определяется выражением

U ,<G = UK — 1„г' + Г г = ии — 7 >

к 5 б к -Ь (1в - 1к) Гб-

Определив из выражения для тока коллектора напряжение

Uк из (4-15), получим:

U 6 = ткфг1п 1
K •/н(г + ^) + 7 г .
б э в (4-24)

Функция (4-24) представляет собой аналитическое выражение

выходной характеристики при управлении по эмиттерной цепи.
Эта характеристика приведена ла рис. 4-25.
125
 На границе области насыщения с активной областью (при
U — 0 и U > 0) ток коллектора согласно выражению (4-15)
K 3

равняется /, = a I ,
( а выходное напряжение равно:
N 3

^ко.гр = hra — 1 г'и — h \хG (1 — CCN) — г' ].

к к

Из последнего равенства следует, что если

а) г ( 1 —
б a )>r' ,
N K

то на границе насыщения потенциал коллектора относительно базы

для транзисторов р-п-р положителен, а для п-р-п отрицателен.
Этот случай характерен для диффузионных транзисторов, у ко­
торых, как правило, объемное сопротивление коллектора г„
мало по сравнению с величиной 7- (1 — а ^ ) ; б

б) r ( l —
6 a )<r' ,
N 1{

то, наоборот, насыщение наступает при отрицательном относи­

тельно базы потепцпале коллектора для р-п-р транзисторов и поло­
жительном — для п-р-п транзисторов. Этот случай характерен
для дрейфовых транзисторов (в особенности для кремниевых),
так как в дрейфовых транзисторах объемное сопротивление базы щ
меньше, а объемное сопротивление коллектора г больше соответ­ к

ствующих сопротивлений диффузионных транзисторов.

Рассмотрим выходную характеристику транзистора при управ­
лении по базовой цепи. Напряжение между коллектором и эмит­
тером сУкэ> которое в этом случае является выходным напряжением,
определяется выражением

икэ = ик — иэ- 1 г к к — 1 г = UK — U3 — I (г' + Гэ) — 1 г' .

э э K к 0 3

Определив напряжения на переходах UK и U3 из системы

уравнений (4-15), после ряда преобразований получим аналити­
ческое выражение выходной характеристики

-1*(г'х + ъ)-1 г .е а (4-25)

Эта характеристика приведена на рис. 4-26.
На границе области насыщения с активной областью (при UK =
== 0 и иэ > 0) ток коллектора равен = В ^ б - Выходное напря­
жение при этом равно:

<7нэ.гр = - т э Ф г In [ l + ^ ^ f f p ^
6
] - h [r\$N + r (1 + М ] .
s

На границе насьпцения потенциал коллектора относительно

эмиттера для транзисторов типа р-п-р отрицателен, а для тран­
зисторов типа п-р-п положителен.
126
 При / = 0 согласно (4-23) выходное напряжение определяется
к
1
выражением

V'изо = пг ф In 1
к Г

- тпэфг In ^ 1 - f j- / г б э - ^ф In
Г + 7 r;j.
6

Из последнего выражения видно, что при токе базы Is ^> Г т к

выходное напряжение U определяется величиной коэффициента

mo

1—т—
ма\ 4 ма
2Ь Zk
20 20
о
16 16

К 12 0,3
0,3
8 8
0,1 ма
* is" k
= 0,1ма

О -30 -60 - 90 -120 -150 мв О -0,1 -0,2 -0,3 -0,¥ В

а) б)
Рис. 4-26. Выходнад характеристика транзистора в области насьгщв'
ния прп базовом управлении.
а — для диффузионного транзистора-) б — для дрейфового транзистора.

передачи тока коллектора а/. В дрейфовых транзисторах обычно

составляет 0,1—0,2, а в диффузионных 0,7—0,9. Поэтому абсо­
лютная величина выходного напряжения дрейфового транзистора
больше, чем диффузионного (рис. 4-26). .

Область отсечки токов

В области отсечки токов эмиттерный и коллекторный переходы

смещены в обратном направлении. Наибольшее значение на­
пряжения, приложенного к р-п переходу в обратном направле­
нии, не должно превышать напряжения пробоя. По техническим
условиям максимальное обратное смещение на переходе ограни­
чивается предельно допустимым напряжением, соответствующим
некоторому предпробойному состоянию. Следовательно, при ра­
боте в области отсечки напряжения на эмиттерном и коллектор-

1 !Va
В последнем приближении приняты т = т = 1; о^-у/дт-
к э j^'K

и учтено, что обычно / о ^> / j . ^ .

127
ном переходах и соответствующие им плотности заряда неоснов­
ных носителей в базе изменяются в пределах:
0: Uэ ^> Uэ доп! 0=г UК ^> Uк доп!
Us. дои U .i
K

<7эо <7э > ?эо ехр 0; д о'- К э 9к > ?ко ехр *0,
Фг Фт

где 17 _ доп п С/ц. доп — максимально допустимые напряжения при

э

обратном смещении эмиттерного и коллекторного переходов.

На рис. 4-27 приведены графики распределения плотности
заряда неосновных носителей в базах диффузионного (рис. 4-27,а)
п дрейфового (рис. 4-27, б) транзисторов. При работе транзистора
в области отсечки плотности заряда непосредственно у эмиттер-

j1<l 1к0

W
а)
Рпс. 4-27. Графики распределения плотности заряда неоснов­
ных носителей при работе в области отсечки.
а — для диффузионного транзистора; б — для дрейфового транзистора.

ного и коллекторного переходов д и д невелики: их величины не

э к

превышают равновесные значения д и д . В этом режиме проис­ 00 к0

ходит отсос неосновных носителей из области базы. Невелик

и градиент плотности заряда непосредственно у переходов, поэтому
через них протекают небольшие токи. В диффузионном транзис­
торе эти токи обусловлены диффузией, и их величины определяются
касательными к кривой q (х) непосредственно у переходов. В дрей­
фовом транзисторе токи через переходы складываются из диффу­
зионной и дрейфовой составляющих (величины последних пропор­
циональны у эмиттерного перехода q , а у коллекторного перехода
3

q ). Дрейфовые и диффузионные составляющие токов протекают

K

в противоположных направлениях, причем у эмиттерного перехода

диффузионный ток, как правило, больше, чем дрейфовый, а у кол­
лекторного перехода, наоборот, дрейфовый ток больше, чем диф­
фузионный.
При работе в области отсечки транзистор достаточно полно
можно характеризовать двумя характеристиками. Первая из них —
входная характеристика — представляет зависимости входного
тока от входного напряжения при заданном выходном напряже­
нии, а вторая — передаточная характеристика — определяет за-
128
висимость выходного тока от входного напряжения также при за­
данном выходном напряжении. Из семейства выходных характе­
ристик, представляющих собой зависимость выходного тока от
выходного напряжения, иа практике обычпо используется только
одна — это зависимость выходного тока от выходного напряжения
при холостом ходе на входе. Это, по сути дела, вольт-амперная
характеристика коллекторного перехода.
Рассмотрим прежде всего характеристики собственно транзи­
стора, пренебрегая влиянием тока рекомбинации — генерации,
канального тока и тока утечки. Эти характеристики можно полу­
чить непосредственно из уравнений (4-10), (4-11) или (4-14).
При этом целесообразно исключить / г , выразив его через / г а к

иа основании соотношения (4-12).

Рассмотрим входную характеристику транзистора для случая
I U \^> фг, характерного для большинства практических схем.
к

При работе транзистора с эмиттерным входом эта характеристика

определяется аналитическим выражением
Р/ + М и»
:
1к1 (1 + Ы ехр-^-1 (4-26а)
Piv(l + Pjv + Pi) Фг

а при работе с базовым входом —

P/0 + Piv)
1ч =1кТ ехр (4-266)
P W ^ + PW + PJ) Фг/ \ P//J

где Un = —U — потенциал базы относительно эмиттера.

а

Входные характеристики приведены на рис. 4-28, где сплош­

ными кривыми изображены характеристики диффузионного тран­
зистора, а штриховыми — характеристики дрейфового транзис­
тора.
Из анализа входных характеристик следует:
1. Ток эмиттера достигает наибольшей величины на границе
области (при 17 = 0) э

Р/ (1 + Pw)
/ а = /ь-
кГ • /кгР/
1 + Pw + P/'

и составляет несколько единиц 1 т для диффузионных транзисто­к

ров и заметно меньше / г для дрейфовых транзисторов. Постепенно

к

уменьшаясь, при U = —фг In (1 + p\v) ток эмиттера становится

a

равным нулю, а при дальнейшем увеличении обратного смещения

меняет свое направление, в пределе стремясь к величине

Р/ (1 + Pw)
iKT i K J
P<V(1 + P J V + P I ) P<v

Этот ток невелик. Поэтому при работе в области отсечки обрат­

ный ток коллекторного перехода почти полностью замыкается
через базовый вывод.
Б Агахпини Т. M. 129
 2. Ток базы в области отсечки отрицателен и практически не
зависит от величины входного напряжения. При базовом управле­
нии входной ток в (1 + Вл//Вг) раз больше входного тока транзис­
тора при эмиттерном управлении и приблизительно равен тепло­
вому току коллекторного перехода 1 т- Ток базы начинает умень­
к

шаться прп переходе в активную область и прп напряжении U = g от

= фт In (1 -f- fWB/) становится равным нулю.

Токи эмиттера и базы, конечно, зависят и от напряжения иа
коллекторном переходе U . Однако с изменением U эти токи
K K

меняются заметно лишь вблизи

границы области отсечки (при
малых значениях U ). При этом K

ток эмиттера увеличивается,

а ток базы, паоборот, уменьшает­
ся. Такой режим на практике

1Л,

V
J '
У _и
7
0,8

1 1 1
-6 -2 0 "э/?т
Рпс. 4-28. Входные характеристи­ Рпс. 4-29. Передаточная ха­
ки собственно транзистора в об­ рактеристика транзистора в об­
ласти отсечкп ( для ласти отсечки ( для
диффузионного транзистора; диффузионного транзистора;
для дрейфового для дрейфо­
транзистора). вого транзистора).

встречается редко, и нет особой необходимости останавливаться

на нем подробно.
Рассмотрим передаточную характеристику транзистора, опре­
деляемую выражением
1 +
/ к = / . кТ ' 1 + Byехр (4-27)

Эти характеристики приведены на рис. 4-29 (сплошная кривая —

для диффузионного транзистора, штриховая — для дрейфового).
Из анализа передаточной характеристики следует, что выходной
ток в области отсечки приблизительно равен тепловому току кол­
лектора.
Рассмотренные характеристики представляют собой характе­
ристики собственно транзистора. Они отличаются от реальных
характеристик прежде всего тем, что последние представляют собой
130
зависимости токов от напряжений, приложенных непосредственно
между выводами транзистора. Поскольку в области отсечки токи
малы, то падения напряжения па объемных сопротивлениях гц,
г,; и Гд ничтожны и ими можно пренебречь. Поэтому напряжения,
приложенные между соответствующими электродами, и смещения
на переходах практически равны друг другу. В данном режиме
реальные характеристики отличаются от характеристик собственно
транзистора в основном из-за токов утечки, канального тока и тока
рекомбинации — генерации.
При работе в области отсечки влияние указанных составляю­
щих обратных токов учитывается сравнительно просто: к току
коллектора, определяемому выражением (4-27), прибавляют ток
/ с ; из тока эмиттера, определяемого выражением (4-2ба), вычи­
и

тают ток / (з (где /„о и / б — сумма тока утечки, канального тока

3 Э

и тока рекомбинации — генерации соответственно для коллектор­

ного и эмиттерного переходов). Соответствующая поправка в вы­
ражении (4-266) для тока базы сводится к уменьшению его значе­
ния на величину суммы токов ( / + / ) . к С э б

Расхождение между реальными характеристиками и харак­

теристиками собственно транзистора, обусловленное наличием
балластных токов / б и / б , особенно заметно для кремниевых
К а

приборов. С повышением температуры это расхождение проявля­

ется в меньшей степени, так как при высокой температуре тепловые
токи 1 т и 1 т становятся преобладающими. Поэтому при расчетах
я к

схем, работающих в широком диапазоне изменения температуры,

учитывается в основном изменение тепловых токов.

Инверсная активная область

В инверсной активной области эмиттерный переход смещен
в обратном направлении, а коллекторный — в прямом. Соответст­
вующие неравенства, определяющие пределы изменений напря­
жений и плотностей заряда для этой области, представляются
следующими выражениями:
0^С/ > Э — С/ . доп!
Э 0 S S [ / < C £ 7 K 6 . макс! tfao S s q
K 3 > 0;
<7ко === У к \ </ко Pe i
~ •
Фг
Графики распределения q (х) для инверсной активной области
приведены на рис. 4-30. Из графиков следует, что неосновные носи­
тели заряда собираются эмиттером, т. е. эмиттер работает как
коллектор, а инжектируются эти носители заряда коллектором,
т. е. коллектор работает как эмиттер. Часть носителей заряда,
инжектированных коллектором, доходит до эмиттерного перехода,
образуя инверсно направленный поток I x i , величина которого
определяется уравнением I T I = ccj/ . K

При работе в инверсной области неосновные носители, до­

шедшие до эмиттерного перехода, покидают базу. При этом ток,
б* 131
протекающий с эмиттерной цепи, складывается пз инверсного тока
ITI П теплового тока эмиттерного перехода / г -
8

Инверсное включение применяется в схемах двунаправленных

переключателей, которые целесообразно строить на симметричных
транзисторах. В симметричных транзисторах две крайние области,

Рпс. 4-30. Графпкп

распределения плот­
ности заряда неоснов­
ных носителей при
работе в ппверсной
активной области.
а — для диффузионного
транзистора; б — для
дрейфового транзистора.

образующие эмиттер и коллектор, имеют одинаковые свойства и

геометрические размеры. Поэтому любой из этих электродов с рав­
ной эффективностью может работать п как эмиттер, и как кол­
лектор.
Д л я симметричных транзисторов характеристики в инверсной
области подобны характеристикам в активной области. Особенности
инверсных характеристик несимметричных транзисторов, исполь­
зуемых в модуляторах, подробно рассмотрены в работе [Л. 45].

4-4. ИМПУЛЬСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА

При усилении и преобразовании импульсных сигналов проис­

ходит искажение их формы, обусловленное инерционностью про­
цессов, которые протекают в рабочих областях кристалла. В бипо­
лярных трапзпсторах искажения в основном связаны с процессами,
протекающими в области базы и прилегающих к ней переходных
слоях.
При изменении амплитуды входного сигнала происходит изме­
нение концентрации носителей заряда и их потоков. В,импульсных
устройствах амплитуда сигнала изменяется сравнительно быстро.
Однако из-за инерционности транзистора изменение концентра­
ции и потоков носителей заряда происходит с конечной скоростью,
что вызывает уменьшение усиления мощности и искажения выход­
ного сигнала. Таким образом, инерционность транзистора коли­
чественно можно характеризовать временем установления кон­
центрации (или плотности заряда) носителей и их потоков.
В базовой области транзистора изменение плотности заряда
и потоков носителей происходит, во-первых, из-за диффузии
и дрейфа и, во-вторых, из-за рекомбинации и генерации. В первом
случае инерционность транзистора характеризуется средним вре­
менем пролета носителей заряда через область базы и дисперсией
132
этого времени (см. § 2-6). Во втором случае время установления
концентрации носителей заряда, а также их потоков определяется
средними значениями времени жизни носителей (см. § 2-7).
Инерционность процессов, которые протекают в переходных
слоях, прежде всего характеризуется временем установления
объемного заряда в собственно переходе. Так же, как и в одиночном
р-п переходе (см. § 3-6), продолжительность этого процесса опре­
деляется временем перезаряда емкости эмиттерного 6' и коллек­
Э] п

торного С переходов. В ряде случаев приходится учитывать

К - П

и время устаиовления рекомбинации и генерации в переходном

слое.
Разумеется,., искажения, которые появляются при усилении
импульсных сигналов, представляют собой результат одновремен­
ного действия всех указанных процессов. С целью упрощения ана­
лиза будем рассматривать действие каждого из этих процессов
в отдельности. Так, например, при анализе процессов в базе
будем считать переходы идеальными и пренебрегать изменениями
потока неосновных носителей, которые происходят в переходных
слоях из-за рекомбинации и изменения заряда обедненных слоев.
На основании такого абстрагированного представления составля­
ются эквивалентные схемы (см. § 5-3,5-4), которые позволяют харак­
теризовать инерционность транзистора с достаточной для инже­
нерной практики точностью.
Искажения, обусловленные инерционностью транзистора, наи­
более ярко проявляются при усилении или преобразовании им­
пульсных сигналов в виде идеального перепада (скачка) тока
(рис. 4-31). По реакции транзистора на такой сигнал можно оценить
наибольшие искажения и определить основные импульсные пара­
метры транзистора. Поэтому ниже рассматриваются искажения,
которые появляются при скачкообразном изменении входного тока
(тока эмиттера или тока базы).

Изменение потока неосновных носителей заряда в базе. Передача

тока эмиттера и тока базы

Искажения, которые появляются при изменении потока носи­

телей заряда, можно наблюдать при работе транзистора в активной
области.
Представим себе идеальный транзистор, у которого эмиттерный
переход обладает предельной эффективностью инжекции (у = 1). э

При скачкообразном увеличении (уменьшении) тока эмиттера на

величину i ток коллектора вначале практически не меняется,
gm

а затем, постепенно нарастая (спадая), изменяется на величину

1к
= и с
т Nhm a
( Р - 4-31). Из эпюры тока i (t) следует, что, во-пер­
K

вых, изменение тока коллектора задерживается и, во-вторых,

фронт тока коллектора расплывается.
Если бы все носители заряда перемещались через область базы
за одно и то же время, равное среднему времени пролета %TNI то
133
ток коллектора также изменялся бы скачком, но с задержкой
на время trjv (см. пунктирную линию на рис. 4-31). В действи­
тельности же из-за разброса (дисперсии) времени пролета носи­
телей часть из них достигает коллекторного перехода раньше, чем
7
за время тгл , а часть — позже. Поэтому наряду с задержкой проис­
ходит расплывание фронта тока коллектора.
Прп скачкообразном изменении тока эмиттера ток коллектора
меняется во времени по сложному закону [Л. 46, 47]. Однако
с достаточной для инженерной практики точностью можно счи­
тать, что это изменение происходит по экспоненте с задержкой на
время t N (см. штриховую линию на рис. 4-31). Расплывание
3

фронта обусловлено дисперсией времени пролета, поэтому коли-

Рис. 4-31. Эпюры изменения то­ Рпс. 4-32. Эпюры изменения тока
ков эмиттера п коллектора. базы и тока коллектора.

чественно его можно характеризовать средним квадратичным от­

1
клонением времени пролета а^лт, считая постоянную времени
экспоненты x \ равной CTT,V- Временную задержку t N можно опре­
aJ 3

делить как разность среднего времени пролета TTN И величины

OTN, Т . е.
=XTN — OTJV-

Таким образом, искажение фронта и задержка импульса тока

i (t), образуемого нормально направленным потоком неосновных
K

носителей, которые достигают коллекторного перехода, харак­

теризуются приближенным дифференциальным уравнением

«к (*) + raN ^ = ai N 3 (t - t ).
aN (4-28)

Это уравнение позволяет определить изменение тока коллек­

тора при любом законе изменения тока эмиттера. При этом иска­
жения характеризуются двумя величинами: постоянной времени
коэффициента передачи тока эмиттера T /v и временем задержки г дг.
a 3

1
Среднее квадратичное отклонение — это арифметический корень квад­
ратный из величины писперспи.

134
 Рассмотрим искажения тока коллектора при скачкообразном
изменении тока базы. И в этом случае ток коллектора вначале
практически не меняется (рис. 4-32). Поэтому можно считать, что
в течение времени t изменение тока коллектора равняется нулю.
3N

Затем ток коллектора, постепенно нарастая (или спадая), изме­

няется на величину i = p\vJo - Причем рост (или спад) тока
Km m

коллектора происходит почти по экспоненциальному закону с той

лишь разницей, что постоянная времени этой экспоненты TR/V
значительно больше, чем т л'. Следовательно, и при управлении
а

по базовой цепи изменение тока коллектора / приближенно можно к

определить при помощи дифференциального уравнения первого

порядка

V- <" )
= Л г 6
I'K (0 + *piv Р '' 4 29

Чтобы установить связь постоянной времени коэффициента

передачи тока базы трд> с физическими параметрами транзистора,
воспользуемся дифференциальным уравнением (4-28) и равенством
*э (t — 'злО = г'о (t — t 3 N ) -\- i K (t — t N).
3

Разложив в ряд Маклорена функцию

г' (t
к — t 3 N ) =j K (t) — t aN ^ + . . . ,

ограничившись двумя первыми членами разложения и подставив

их в предыдущее равенство, имеем:

is (t - t ) я « i (t - t ) + i (t) - t
aN e 3N K 3N ^ 1 . (4-30)

Используя уравнения (4-28) и (4-30), получаем:

• / А | gW + JV'aiV 'H(0
T a
RF

к i i = _
О "1 ~° N ^~

Сопоставив уравнения (4-29) и (4-31), можно заключить:

= *"+ "*М
Т а
= ( 1 + ^ ( T a N + ^.^^ ( 4 _ 3 2 )

I — ад.

Далее, учитывая, что

T N + «Л^зМ = ТТЛ — (1 — CC,v) £ iV
a 3

и
1+ Р « = ^ , (4-33)
получаем:
X
TfliV = Tr/v (1 + Рлг) — taN = rN — t aN T n V , (4-34)
где T N — среднее значение времени жизни носителей заряда, обра­
r

зующих нормально направленный поток.

135
 Следовательно, прп изменении тока базы ток коллектора дости­
гает своего стационарного значения по мере установления про­
цесса рекомбинации для нормально направленного потока.
Интересно выяснить, почему искажения тока коллектора, которые появ­
ляются при резком измепеппп тока базы, определяются временем жизни
носителей т , , тогда как при резком измене­
г Л

нии тока эмиттера это искажение характери­

зуется дисперсией времени пролета носителей.
Для этого прежде всего рассмотрим передачу
короткого импульса тока базы транзистором.
Предположим, что в базу р-п-р транзи­
стора подается импульс тока, длительность
которого пе превышает среднее время пролета
носителей (рпс. 4-33). Во время действия
импульса через базовый контакт поступают
электроны. Для нейтрализации заряда элект­
ронов через эмиттер переходит в базу такое
же количество дырок. Дырки, перемещаясь
Рис. 4-33. Эпюры измене­
в базе, достигают коллекторного перехода и,
ния тока базы и тока кол­
поступая в коллектор, образуют ток i (t).
лектора прп кратковремен­ K

Пусть к моменту окончания импульса тока

ном импульсном воздей­
is (t) базу покидают р дырок. Следователь­
ствии.
но, к этому моменту времени в базе остает­
ся такое же количество электронов ( л = р ) ,
заряд которых необходимо нейтрализовать (электроны но могут покинуть базу
через эмштериый и коллекторный переходы, а через базовый контакт к этому
моменту времени прекращаются приток и сток электронов, поскольку внеш­
ние цепи препятствуют изменению тока
базы — jo (t) = 0). Для нейтрализации за­
ряда оставшихся электронов через эмит-
терный переход в базу поступают дырки,
которые, достигая коллектора, замед­
ляют спад тока i (t) (рпс. 4-33). Из-за
K

рекомбинации с дырками число остав­

шихся в базе электронов постепенно
уменьшается, поэтому спадает поток ды­
рок через эмпттерпый переход, а следо­
вательно, уменьшается и ток коллектора.
Как следует пз уравнения непрерывности
(2-5), если расходимость тока равна пулю,
то концентрация электронов спадает со
скоростью, определяемой временем жизни
ноептелей заряда в данной точке. В рас­ Рис. 4-34. Эпюры изменения
сматриваемом примере расходимость тока тока базы и тока коллектора
по всей области базы, определяемая раз­ в виде пачки импульсов.
ностью ig {t) — i (t) •= jQ [l), равна нулю.
K

Во всей области базы скорость рекомбинации характеризуется средним

значением врсмепп жизни ноептелей заряда пормальпо направленного
потока x .
rN Следовательно, после прекращения импульса тока t'e (t) коли­
чество оставшихся в базе электронов спадает по закону

X r N
. n(t) = ne .
Поэтому спад п потока дырок и тока коллектора i (t), формируемого этим
K

потоком, происходят по экспоненте с постоянной времени x . rN

Если представить ток базы в виде пачкп коротких импульсов (рис. 4-34),
то все импульсы тока в коллекторпой цепи, приходящие вслед за первым,

136
будут накладываться друг на друга. При этом суммарный ток коллектора будет
изменяться но тому же закону, по которому происходит спад коротких импуль­
сов, поскольку по мере этого спада будет происходить установление тока
коллектора.

Итак, при ограничении стока или притока основных носителей

заряда продолжительность переходных процессов в базе опреде­
ляется временем установления процесса рекомбинации. Поэтому
при ограничении изменения тока базы ток коллектора изменяется
по экспоненте с постоянной времени X,-N, определяемой средним
значением времени жизни носителей заряда.

Изменение заряда неосновных носителей.

Накопление и рассасывание носителей заряда в базе.
Диффузионные емкости

При работе транзистора в области насыщения не все носители

заряда, которые достигают коллекторного перехода, покидают
область базы. Часть их них остается в базе, и происходит накоп­
ление избыточных носителей заряда. При отключении входного
напряжения требуется определенное время для нх рассасывания
из области базы. Поэтому инерцион­
ность транзистора определяется пе
только скоростью изменения потока
носителей заряда. Рассасывание или
накопление вызывает изменение плот­
ности заряда неосновных носителей
по всей области и, в частности, на
границе электронно-дырочных пере­
ходов. С изменением плотности за­
ряда носителей у переходов изме­
няются и напряжения на коллектор­
ном и эмиттерном переходах, что
приводит к изменениям токов и на­
пряжений в цепях, подключенных
Рис. 4-35. Эпюры тока эшгг-
к транзистору. Поэтому инерцион­ тера п тока коллектора при
ность транзистора характеризуется запирании насыщенного тран­
также скоростью изменения плот­ зистора идеальным перепадом
ности заряда неосновных носите­ напряжения.
лей, которые накапливаются в базе
непосредственно у коллекторного и эмиттерного переходов.
Изменение заряда носителей в базе наиболее существенно влияет
на величину токов, протекающих через переходы. При импульсном
воздействии во время накопления или рассасывания носителей
токи заметно превышают свои стационарные значения. Д л я при­
мера иа рис. 4-35 приведены эпюры токов эмиттера / {t) и коллек­
э

тора / (t) при запирании транзистора скачком напряжения.

к

В исходном состоянии транзистор открыт и насыщен. Не все не­

основные носители заряда, инжектируемые в базу эмиттером, до-
137
ходя до коллекторного перехода, могут покинуть область базы,
так как ток коллектора / _„ ограничен внешним сопротивлением
к

/?„ (см. рис. 4-24). Часть носителей остается в базе и, накапливаясь

у коллекторного перехода, приводит к увеличению напряжения
на нем. Коллекторный переход смещается в прямом направлении,
и транзистор насыщается.
В момент времени t (рис. 4-35) к эмиттериому входу приклады­
0

вается скачок напряжения, амплитуда которого выбрана так,

чтобы полностью запереть транзистор и перевести его в область
отсечки токов. Еслп бы транзистор был безынерционным прибором,
то с подачей запирающего импульса токи эмиттера и коллек­
тора должны были бы скачком
уменьшиться до величин I и 7 , B 3 И0

определяемых статическими харак­

теристиками в области отсечки (см.
§ 4-3), и далее оставаться неизмен­
ными (как это показано на рис. 4-35
штриховыми прямыми). В действи­
тельности наблюдаем другую карти­
ну: в момент времени t ток коллек­
0

тора почти не меняется, а ток эмит­

тера скачком уменьшается до вели­
чины / , значительно превосходящей
Э 2

Рпс. 4-36. Распределение плот­ стационарное значение 1 . При этом

д в

ности заряда в базе диффузион­ амплитуда тока 1 практически не

а2

ного транзистора на стадии зависит от характеристик транзисто­

рассасывания избыточных но­
сителей. ра, а определяется величинами
запирающего смещения и внеш­
него сопротивления в цепи эмит­
тера. Чтобы попять физический смысл наблюдаемого явления,
рассмотрим процесс изменения заряда неосновных носителей
в базе.
На рис. 4-36 показано распределение плотности заряда не­
основных носителей в базе для различных моментов времени:
1 , < , t и для одного промежуточного случая (штриховая ь цвая).
0 х 2

Так же как и при одиночном р-п переходе (см. § 3-7), для расса­
сывания избыточных носителей заряда из базы требуется некоторое
время, в течение которого заканчиваются переходные процессы.
Рассасывание носителей начинается в момент включения запираю­
щего импульса. По мере уменьшения заряда неосновных носите­
лей уменьшается и напряжение на эмиттерной U и коллекторном
a

U переходах. Но пока переходы смещены в прямом направлении,

K

токи эмиттера 1 и коллектора /„_„ практически определяются

а2

параметрами внешней цепи, так как изменения напряжений U 9

и U пренебрежимо малы по сравнению с напряжением источников

к

смещения. Поэтому, пока в базе имеется достаточное количество

избыточных носителей, поддерживающих потоки через переходы,
токи эмиттера и коллектора остаются неизменными.
138
 Процесс рассасывания и накопления носителей заряда в базе
инерционен, так как он связан с их диффузией и рекомбинацией.
При движении неосновных носителей заряда через область базы
даже в дрейфовых транзисторах диффузия носителей заряда
играет заметную роль. Характерной особенностью диффузии явля­
ется дисперсия (разброс) времени пролета носителей, что замед­
ляет рассасывание или накопление носителей в данной области.
Так, например, при прекращении инжекции носителей через
эмиттерный переход нормально направленный поток носителей,
образующий ток ITN У коллекторного перехода, не сразу прекра­
щается, как это следует из уравнения для установившегося ре­
жима: ITN — CINIQ ( С М . § 4-3). Спад или нарастание тока ITN замед­
ляется из-за дисперсии времени пролета носителей. Закон изме­
нения тока ITN определяется дифференциальным уравнением
[Л. 36]
dJfjipj (t)
ITN (t) + r aN —-т.— = «л-Д (t — t ). 3N (4-35)

Физический смысл этого уравнения был выяснен при составле­

нии уравнения (4-28). Эти уравнения отличаются друг от друга
только тем, что предыдущее составлено для приращения тока кол­
лектора i„ (t), вызываемого изменением тока эмиттера i (t) при 3

работе транзистора в активной области. Независимо от режима

работы транзистора ток ITN (t), который формируется нормально
направленным потоком носителей, дошедших до коллекторного
перехода, определяется уравнением (4-35). От условий же работы
зависит, какая часть неосновных носителей заряда уходит из
области базы через коллекторный переход. Так, при работе в актив­
ной области все неосновные носители заряда, которые достигают
коллекторного перехода, покидают область базы, образуя в кол­
лекторной цепи ток
I (t) = lTN(t)-T-Im.
K (4-36)
При этом приращение тока коллектора i (t) равняется прира­
K

щению тока AITN [именно на этом равенстве и основано уравнение

(4-28)]. Если по какой-либо причине сток носителей в коллектор­
ную цепь ограничен, то из базы в коллектор поступит лишь столько
неосновных носителей, сколько необходимо для поддержания тока
коллектора, и равенство (4-36) нарушается.
Продолжительность процесса накопления или рассасывания
носителей заряда определяется также временем установления про­
цесса рекомбинации, поскольку рекомбинация тоже приводит
к изменениям заряда носителей. Из уравнения непрерывности
(2-2) следует, что если расходимость потоков равна нулю, то
изменение плотности заряда неосновных носителей, обусловленное
рекомбинацией, определяется простым уравнением
dgJJ)_ д — go
dt % •

139
 Это уравнение справедливо для любой области базы. В част­
ности, для области базы, граничащей с коллекторным переходом,
его можно представить в следующем виде:
d Q . H (*)_
K QK.H(0
dt т„

где Q н (t) — Q (t) — Q — заряд неравновесных носителей,

K K m

накопленных в базе у коллекторного перехода; Q (t) = S q (t) K K K

и Qm = S g — заряды неосновных носителей у коллекторного

}< K0

перехода соответственно в неравновесном и равновесном состоя­

ниях; S — площадь коллекторного перехода; т — постоянная
H и

накопления, определяемая средним значением времени жизни

носителей заряда в базе и поверхностной постоянной спадания
(см. § 2-7).
При изменении нормально направленного потока ITN (О
и тока коллектора I (I), приводящем к расходимости потоков, K

происходит дополнительное изменение заряда неосновных носи­

телей Q „ (t). Причем из-за дисперсии времени пролета носителей
K

изменение заряда зависит также от скорости изменения токов.

Так, например, если разность потоков возрастает со скоростью
T N к т о з а я
dt ^ — ^ С)]' Р Д неосновных носителей у коллектор-
d
ного перехода растет пропорционально величине т г — [ I (t) — аЛ T N

— / (t)]. В общем случае изменение заряда неравновесных носи­

к

телей у коллекторного перехода определяется приближенным

уравнением
ffi^W в _ 0 ^ + ^ { / Г Л , ( 0 _ 7 к w + X a N ' [ I t n { t ) _ / и ( 0 ] j .

Исключив из этого уравнения ток ITN (t), основываясь на (4-35),

получим окончательно:
dQ .n _ Q .H(0 i ft g| a I
K K K
N S (t - t ) - 7„ (t) - x
3N aN
С
ЩУ-}, (4-37)
dt Тц Тц

где г> — коэффициент пропорциональности между зарядом и

ка

током.
На основании уравнения (4-37) можно определить время t . , v к

в течение которого завершается рассасывание избыточных носи­

телей, накопленных у коллекторного перехода (см. на рис. 4-36 гра­
фик, соответствующий моменту времени £ ). По истечении этого х

времени коллекторный переход смещается в обратном направлении,

транзистор переходит в активную область и ток коллектора начи­
нает спадать (см. эпюры на рис. 4-35).
По мере уменьшения заряда носителей во всей области базы
уменьшается и заряд носителей, накопленных у эмиттерного пере­
хода. Рассасывание избыточных носителей заряда у эмиттерного
перехода завершается в момент времени t , эмиттериый переход 2

смещается в обратном направлении, и транзистор начинает рабо-

140
тать в режиме отсечки токов. По мере рассасывания носителей
заряда в базе уменьшаются токи коллектора, эмиттера и базы,
стремясь к своим установившимся значениям.
Процесс накопления или рассасывания неравновесных носи­
телей заряда у эмиттерного перехода определяется дифференци­
альным уравнением

I (t)—x dh (i) , (4-38)

<3э.н(0
aih(t — t i) —
a 3 a[
dt dt
Тн

которое можно получить аналогично уравнению (4-37), заменив

нормально направленный ток ITN (0 инверсным током ITI (0>
определяемым уравнением

d! i (t)
<ZiI (t — t ),
T
ITI 00 + Тчх/
dt K 3l

(4-39)

где (? . н (0 = <2э (0 — Q — заряд

э a0

неравновесных носителей, накоплен­

ных в базе у эмиттерного перехода;
<2эп = S q и Q (t) = S q (t) — за­
a go 3 3 30

ряд неосновных носителей у эмит­ P I I C . 4-37. Изменение плотно­

терного перехода в равновесном и сти заряда неосновных носите­
неравновесном состояниях; S — пло­ лей в базе диффузионного 3

щадь эмиттера; Ф — коэффициент транзистора прп работе в ак­

эа

пропорциональности между зарядом тивной области.

и током; т = a i — постоянная а / T

времени коэффициента передачи тока коллектора; t = т —OTI — 3l Г 7

время задержки инверсно направленного потока.

Итак, реактивные свойства транзистора, характеризующие его
инерционность, определяются также временем установления за­
ряда неосновных носителей в базе. Изменение заряда носителей
в базе может происходить по двум причинам: во-первых, из-за
изменения потока носителей, поступающих или покидающих
базу через переходы, и, во-вторых, из-за изменения толщины базы,
которое происходит ири изменении напряжения на коллекторном
или эмиттерном переходе в результате расширения или сужения
соответствующего перехода (эффект Эрли). На рис. 4-37 показано
изменение плотности заряда неосновных носителей в базе диффу­
зионного транзистора при его работе в активной области. Пред­
положим, что в исходном состоянии плотность заряда устанавли­
вается на уровне, определяемом прямой а. Если бы толщина базы
не изменялась, то при увеличении тока эмиттера распределение
плотности заряда соответствовало бы прямой б. Однако с увели­
чением тока эмиттера возрастает ток коллектора, что приводит
к увеличению падения напряжения в цепи коллектора, а следо­
вательно, к уменьщению по абсолютной величине напряжения
на коллекторном переходе U . При этом переход сужается, база H

141
расширяется, и ее новая граница перемещается до прямой, отме­
ченной штриховой линией. Это вызывает дополнительное измене­
ние заряда в области базы, определяемое площадью между прямыми
бив.
Дополнительное изменение заряда неосновных носителей, обу­
словленное модуляцией толщины базы, можно определить при
помощи уравнения (4-37) или (4-38), если учесть изменение коэф­
фициентов передачи тока (ад- и а/) и постоянных времени (x aN

и т / ) с изменением толщины базы. Однако при этом уравнения

а

(4-37) и (4-38) становятся нелинейными, и их решение существенно

осложняется. Поэтому при расчетах практических схем коэффи­
циенты передачи токов a и а/ и их постоянные времени т / и т /
N аЛ а

считают неизменными. Но для того, чтобы отразить эффекты,

вызываемые дополнительным изменением заряда неосновных носи­
телей из-за модуляции толщины базы, воодят понятие фиктивной
емкости — так называемой диффузионной емкости перехода.
Необходимо отметить, что в общем случае диффузионная емкость
транзисторного перехода складывается из двух составляющих.
Первая характеризует изменение заряда неосновных носителей,
которая происходит из-за модуляции толщины базы. Вторая
составляющая диффузионной емкости перехода характеризует
изменение заряда неосновных носителей в базе при ее неизменной
толщине (на рис. 4-37 это изменение определяется площадью, огра­
ниченной прямыми а и б). Этой составляющей обычно пользуются
в малосигнальной теории для расчета сравнительно небольших
изменений заряда. Если же транзистор работает при большом
сигнале, то изменение заряда удобнее определить при помощи
уравнений (4-37) и (4-38).

Изменение объемного заряда в переходных слоях.

Зарядные емкости коллекторного и эмиттерного переходов

Изменение объемного заряда в переходных слоях, которое про­

исходит под воздействием внешних сигналов, непременно сопро­
вождается образованием токов перезаряда. Как было выяснено
в § 3-6, в переходном слое ток перезаряда представляет собой ток
смещения, а вне переходного слоя — ток, образуемый потоком
основных носителей заряда, которые выталкиваются или всасы­
ваются в слои, прилегающие к переходу.
При усилении импульсных сигналов токи перезаряда вызы­
вают дополнительное искажение их формы. Чем быстрее происходит
изменение амплитуды сигнала, а следовательно, и изменение объем­
ного заряда в переходном слое, тем большей величины достигает
ток перезаряда и тем более заметно его влияние.
При работе транзистора в импульсном режиме влияние токов
перезаряда проявляется двояко. Во-первых, эти токи приводят
к снижению эффективности инжекции и тем самым к уменьшению
потока неосновных носителей в базу. Во-вторых, токи перезаряда
142
уменьшают ток через нагрузку в коллекторной цепи транзистора.
В конечном итоге снижение эффективности инжекции и уменьше­
ние тока нагрузки приводят к уменьшению усиления мощности
импульсных сигналов и к искажению их формы.
Рассмотрим влияние токов перезаряда на эффективность ин­
жекции эмиттерного перехода р-п-р транзистора. На рис. 4-38
показаны графики распределения плотности заряда дырок д
1
р

при двух значениях тока эмиттера: 1 = 1 (кривая а) и 1 =

Э Э1 Э

=/э 1 + А / (кривая б). На этом же рисунке показаны границы

э

переходного слоя, соответствующие 1 = 1 (сплошные линии)

Э Э1

и 1 — 1 + А / (штрихпунктир-
Э Э1 э

ные линии). Ток смещении

Для того чтобы нагляднее про­
иллюстрировать влияние токов
перезаряда на эффективность ин­
жекции, предположим, что в уста­
новившемся режиме ток через
эмиттерный переход всецело со­
стоит из потока дырок, т. е. пред­
ставим идеальный переход, у ко­ Поток неосновных
торого не образуется потока элект­ носителей.
ронов из базы в эмиттер и не проис­ База, а,
ходит рекомбинации дырок в пере­ п
ходном слое. При увеличении тока
эмиттера на величину Л / воз­ Рис. 4-38. Графики распределе­
э

растает поток дырок из эмиттера ния плотности заряда дырок в

в базу, образующий ток неоснов­ области эмиттерного перехода
р-п-р транзистора, иллюстрирую­
ных носителей. Одновременно про­ щие влияние токов перезаряда
исходит уменьшение ширины пе­ на эффективность пнжекцпп.
реходного слоя. При этом часть
дырок, достигая переходного слоя, остается в этом слое, компен­
сируя изменение объемного заряда отрицательных ионов в эмит-
терной области. Со стороны базовой области объемный заряд поло­
жительных ионов компенсируется зарядом электронов, которые
также заполняют переходный слой. Поток электронов в базовой
области приводит к образованию тока основных носителей, ко­
торый в переходном слое преобразуется в ток смещения (рис. 4-38).
Таким образом, в течение времени, пока происходит компенсация
объемного заряда, поток неосновных носителей в базу уменьша­
ется на величину тока перезаряда, образуемого потоком основных
носителей. С уменьшением потока неосновных носителей в базу
уменьшается ток коллектора, поэтому происходит искажение уси­
ливаемых сигналов. По мере установления объемного заряда токи
перезаряда затухают, эффективность инжекции восстанавливается
и искажение формы импульсных сигналов прекращается.

1
Этп графики построены без соблюдения масштабов для плотности
заряда <7.
Р

143
 Искажения, которые появляются из-за уменьшения тока на­
грузки, удобно иллюстрировать на примере перезаряда коллектор­
ного перехода. При увеличении потока дырок, которые достигают
коллекторного перехода р-п-р транзистора, возрастает ток кол­
лектора, поступающий в нагрузку (на рис. 4-39 этот ток условно
показан нижней стрелкой). Увеличивается падение напряжения
на нагрузке и уменьшается по абсолютной величине обратное сме­
щение коллекторного перехода. С уменьшением этого смещения
переход сужается. Изменение ширины перехода происходит по мере
заполнения слоев, прилегающих к переходной области, основными
носителями, заряд которых компенсирует объемный заряд ионов.
Заполнение переходной области основными носителями заряда
происходит следующим образом.
Часть дырок, которые втягива­
ются электрическим полем в кол­
лектор, застревает на границе
переходного слоя и тем самым,
компенсируя объемный заряд от­
рицательных ионов, способствует
уменьшению ширины перехода в
коллекторной области. Со сто­
роны же базы объемный заряд
Рпс. 4-39. Образование тока сме­ положительных ионов компенси­
щения в коллекторном переходе руется зарядом электронов, кото­
р-п-р траизнстора. рые сопровождают дырки до кол­
лекторного перехода. Электроны
не могут преодолеть потенциальный барьер коллекторного пере­
хода и остаются в базе. При этом часть из них покидает базу
через базовый вывод, а другая часть компенсирует изменение
объемного заряда. Таким путем образуется ток перезаряда, ко­
торый в переходном слое замыкается через ток смещения. Из-за
этого тока движение для части дырок, компенсирующих объем­
ный заряд ионов, прерывается на границе переходного слоя, что
уменьшает ток в нагрузке. Появляется искажение формы импульс­
ного сигнала, и только по мере установления объемного заряда
ток в нагрузке возрастает, а искажение исчезает. Аналогично
можно убедиться, что ток разряда переходного слоя, который
образуется при расширении перехода, также приводит к искаже­
ниям формы сигнала в нагрузке.
Так же как для одиночного перехода (см. § 3-6), искажения
сигналов, обусловленные изменением объемного заряда в пере­
ходных слоях, количественно характеризуются зарядными емкос­
тями коллекторного .С к п и эмиттерного Сдп переходов.
Влияние рекомбинации в переходном слое
Рекомбинация носителей заряда в переходном слое (см. § 3-3)
приводит к уменьшению потока неосновных носителей, поступаю­
щих в базу. Это снижает эффективность инжекции и усиление
144
мощности. Как известно, влияние тока рекомбинации — генерации
заметно проявляется при низких уровнях инжекции. В стационар­
ном режиме при средних и высоких уровнях инжекции этот ток
становится сравнительно малым, и его влияние практически
не сказывается (см. § 4-2). При импульсном же воздействии реком­
бинация в переходном слое заметно возрастает, поэтому влияние
тока рекомбинации — генерации ощущается даже при средних
уровнях инжекции.
Рекомбинацию в переходном слое можно описать дифферен­
циальным уравнением

dt ' x„ •IrS (0. (4-40)

r

которое получается интегрированием уравнения непрерывности

(2-5) по всей области слоя. Здесь Q (t) — заряд неосновных
n н
1
носителей в переходном слое;
p n p
т — постоянная накопления в
1
Нг

рассматриваемой области, опреде­

ляемая формулой (3-8); I (t) —
r g
V—
ток рекомбинации — генерации. 4
Из уравнения (4-40) видно, что I" (
ток рекомбинации — генерации
T ; .
тем больше, чем выше скорость 1
изменения заряда неосновных но­ ЭП База
сителей в переходном слое.
На рис. 4-40 приведепы графи­ Рис. 4-40. Графики, иллюстри­
рующие уменьшение тока коллек­
ки, иллюстрирующие уменьшение тора р-п-р транзистора из-за ре­
тока коллектора р-п-р транзис­ комбинации дырок в эмиттерном
тора из-за рекомбинации дырок переходе.
в эмиттерном переходе. В устано­
вившемся режиме ток практически не ослабляется при пролете
носителей через эмиттерный переход. Однако во время установле­
ния заряда носителей ток рекомбинации в переходном слое су­
щественно увеличивается, поэтому заметно ослабляется ток Г . р

С уменьшением потока дырок в базу уменьшается ток коллек­

тора, что приводит к искажениям усиливаемого импульса при
резких изменениях его амплитуды.
Величину тока рекомбинации — генерации I (t) в нестацио­ T g

нарном режиме можно определить из уравнения (4-40). Однако

для этого требуется знать заряд неосновных носителей в переход­
ном слое, определение которого связано с трудностями. Упрощенно
можно считать, что заряд пропорционален величине Q , определя­ r

емой зависимостью
<?г = <?го ехр
4 (4-41)

Речь идет о носптелях, которые являются неосновными в базовой области.

145
где U равняется U для коллекторного перехода и и для эмиттер­
B K я

ного.
Таким образом, для определения тока рекомбинации — гене­
рации в эмиттерном (или коллекторном) переходе можно исполь­
зовать уравнение

C»r + T „ ^ = * / r f ,
r r (4-42)

где iT = Q,. /I
r 0 r0 — коэффициент пропорциональности между за­
рядом и током.

Глава пятая

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ

II ПАРАМЕТРЫ Б И П О Л Я Р Н Ы Х ТРАНЗИСТОРОВ

5-1. ОСОБЕННОСТИ Э К В И В А Л Е Н Т Н Ы Х СХЕМ ТРАНЗИСТОРОВ

Эквивалентную схему транзистора, как и всякого активного

элемента, можно составить, формально представляя транзистор
активным четырехполюсником. Пользуясь таким представлением,
ири помощи соответствующих измерений можно определить пара­
метры четырехполюсника, характеризующие его работу во всем
диапазоне изменений напряжений и токов. Такой четырехполюсник
формально эквивалентен транзистору в том смысле, что токи и на­
пряжения на его внешних зажимах такие же, как и на электродах
транзистора. Внутренняя схема такого четырехполюсника не
отражает физическую картину процессов, которые происходят
в транзисторе, поэтому на основании подобного замещения нельзя
установить функциональные зависимости параметров, четырехпо­
люсника от частоты, режима и т. д. В настоящее время формаль­
ным представлением транзистора (см. § 5-5) пользуются главным
образом для измерения его параметров.
Для исследования и расчета электронных схем обычно приме­
няются эквивалентные схемы, которые составляются на основании
анализа физических процессов, протекающих в транзисторах. При
анализе физических процессов представляют [ Л . 8] реальный тран­
зистор состоящим из так называемого собственно транзистора,
емкостей электронно-дырочных переходов и объемных сопротивле­
ний. Расчленение транзистора на отдельные составляющие, разу­
меется, приводит к некоторым погрешностям, однако при этом
существенно упрощается анализ.
146
 Собственно транзистор представляет собой идеальный тран­
зистор, у которого можно пренебречь влиянием падения напряже­
ния на объемных соиротивлениях и действием емкостей переходов.
Б собственно транзисторе, по сути дела, отражаются процессы,
которые происходят непосредственно в области базы реального
транзистора.
Составление эквивалентной схемы транзистора сводится к пост­
роению эквивалентной схемы собственно транзистора с последую­
щим добавлением к ней зарядных емкостей переходов и объемных
сопротивлений соответствующих областей.
Как показывает анализ, процессы в транзисторе можно харак­
теризовать небольшим набором величин, представляющих собой
физические параметры транзистора. Эти величины определяются
характеристическими параметрами полупроводниковой пластины,
ее конфигурацией и геометрическими размерами. Связь между
физическими параметрами транзистора и указанными величинами
устанавливается при помощи интегральных формул, которые были
получены в гл. 2.
Прп проектировании электронных устройств требуется определить по­
стоянные и переменные составляющие токов и напряжений. Первые из них
(постоянные составляющие) характеризуют режим работы транзистора, а
вторые (переменные составляющие) — величины усиливаемых сигналов, обус­
ловленных действием входного напряжения пли тока.
Постоянные составляющие токов и напряжений сравнительно просто
и притом достаточно точно можно определить графоаналитически при помощи
соответствующих вольт-амперных характеристик транзистора. Однако гра­
фоаналитический метод оказывается не совсем удобным для учета влияния
разброса характеристик транзисторов и изменения их параметров во времени
и в диапазоне температур. Значительно проще эта задача решается при исполь­
зовании эквивалентных схем для большого сигнала, которые позволяют
определять постоянные составляющие токов и напряжений аналитически.
При определении же переменных составляющих токов и напряжений
почти всегда отдается предпочтение аналитическим методам расчетов, осно­
ванным на использовании эквивалентных схем. Прп этом если амплитуда пере­
менного сигнала значительно меньше постоянных составляющих токов и
напряжений, то применяется мало сигнальная эквивалентная схема. Для
анализа и расчета схем, в которых транзистор работает в широком диапазоне
изменений токов п напряжений, используются эквивалентные схемы для
большого сигнала.

В этой главе подробно изучаются эквивалентные схемы и рас­

сматриваются параметры биполярных транзисторов.

5-2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА

Физические параметры транзистора можно разбить на три

группы. К первой группе относятся параметры, характеризующие
процессы в собственно транзисторе. Вторая группа параметров
определяет изменение объемных зарядов в области электронно-
дырочных переходов и их влияние на характеристики транзистора.
Третья группа параметров характеризует падение напряжения
в объеме полупроводниковой пластины.
147
 Коэффициенты переноса неосновных носителей заряда
и коэффициенты передачи токов

Коэффициенты переноса неосновных носителей заряда через

область базы являются О Д Н И М И И З основных параметров транзис­
тора, при помощи которых определяется влияние процессов в базе
на статические и импульсные параметры полупроводниковых
приборов.
Неосновные носители заряда поступают в базу через эмиттер-
ный переход и, перемещаясь от эмиттера к коллектору, образуют
нормально направленный поток. Величина тока, который образу­
ется нормально направленным потоком носителей заряда, достиг­
ших коллекторного перехода, определяется нормальным коэффи­
циентом переноса a . TN

Прп движении через область базы за среднее время TTN часть

носителей, равная ТТ-ДГ/TWV, рекомбинирует. Таким образом, коэф­
фициент переноса ocr.v, который определяется отношением потока
неосновных носителей, дошедших до коллекторного перехода,
к потоку неосновных носителей, инжектированных в базу через
эмиттерный переход, можно выразить приближенной формулой

CtTN 1

Учитывая, что TTJV = OLTN^TN (СМ. § 2-6), получаем:

агл-«* ^—. (5-1)

i + —

Ток неосновных носителей у эмиттерного перехода, образуемый

потоком носителей, которые поступают в базу через коллекторный
переход, характеризуется инверсным коэффициентом переноса
a i. Можно показать, что этот коэффициент определяется соотно­
T

шением

а г / ^ 1 - ^ = —' (5-2)

Как известно (см. § 4-4), при передаче неосновных носителей

заряда через область базы из-за диффузии происходят искажения
формы импульсных сигналов. Эти искажения проявляются прежде
всего в виде временной задержки выходного импульса относительно
входного (см. рис. 4-31). Кроме того, из-за дисперсии времени про­
лета наблюдается расплывание фронта импульса при передаче
резких перепадов тока. При анализе и расчете транзисторных схем
указанные искажения количественно характеризуются переходной
характеристикой коэффициента переноса неосновных носителей
заряда.
148
 При передаче скачка тока искажения, обусловленные переход­
ными процессами (при движении носителей в нормальном направ­
лении), приближенно можно характеризовать (см. § 4-4) следующей
функцией:
О при 0 <Lt TN',
3

ITN (t) = I t —3TN

L l
I TN 1 — ехр ( При t^zt TN,
3
b
aTN

где ITN — установившееся значение тока, образуемого нормально

направленным потоком носителей заряда. Из последнего соотно­
шения следует, что нормированную переходную характеристику
коэффициента переноса носителей
заряда через область базы
(О L
TN (О
TN TN
приближенно можно представить
в виде экспоненциальной функции,
смещенной относительно начала
координат на время t N (пунк­ sT

тирная кривая на рис. 5-1). Про­

должительность фронта характе­ Рис. 5-1. Переходная характери­
ризуется постоянной времени стика коэффициента переноса не­
основных носителей.
taTN = OTNi
представляющей собой среднее квадратичное отклонение времени
пролета носителей заряда нормально направленного потока.
Приведенные соотношения основаны на известных положениях теория
вероятностей [Л. 48] о среднем значении случайно распределенной величины
и дисперсии этой величины. Еслп представить время t случайной величиной
1
с плотностью распределения, равной импульсной ф у н к ц и и hs (l), то среднее
2
время т и дисперсия о будут определяться выражениями

т = j th (t)dt;
6 (5-За)

2
2
o = (*-t) = 2
$ (t—-v) h (t)dt. 6 (5-36)

Для рассматриваемых соотношений импульсная характеристика

d
a
Аб (0 = - т , [ TN W / a r j v ], т. е.
при Js hTN'

Ав (*) = t — t,
x
- ехр l
при t; 'зГЛ"
aTN aTN

1
Импульсной функцией называют переходную ^функцию, определяемую
реакцией электрической цепи на б-пмпульс.

149
 Тогда выражения для среднего времени пролета посптелей п дтгсперспп
этого времени запишутся так:
со со

т x
J J аТЛ' V aTN I
-co ( з Г Л Г

CO CO

-co ( 3 T N

Xexp I- = r- . aTN (5-5)

T T
\ txTN I aTN
Величиной x приблизительно определяется время, в течение
TN

которого нормированная переходная характеристика нарастает

- 1
до уровня 1 — е « 0,03.
Дисперсия определяет среднее квадратичное отклонение, ко­
торое является наиболее употребительной характеристикой рас­
сеяния в теории вероятностей. Применительно к рассматриваемому
случаю среднее квадратичное отклонение характеризует искажение
фронта перепадов тока.
Аналогично можно получить переходпую характеристику коэф­
фициента переноса неосновных носителей заряда инверсного по­
тока.
В операторной форме переходные характеристики коэффициен­
тов переноса носителей заряда определяются следующими функ­
циями:
для нормально направленного потока

а ™ ( р ) = а лг— Г хт; (5-6)

для инверсно направленного потока

cc (p)-=a ^— ,
TI TI fl (5-7)

где в соответствии с соотношениями (5-4) и (5-5)

taTN = GTN', t TN3 = ^TN — taTN (5-8)
и аналогично
TaTJ=0"ri; f TJ = Т т 7 x ri; (5-9)3 — a

p — оператор Лапласа — Карсона [Л. 49].

Итак, комплексная величина коэффициента переноса неоснов­
ных носителей заряда определяется его значением в установившем­
ся режиме (a и <XTI), временем задержки Ц тгя и hri) и постоян­
TN 3
и т
ной времени коэффициента переноса {х п\ аг/)- а

В практических схемах изменения токов во внешних цепях

обычно характеризуются не коэффициентами переноса, величины
и постоянные времени которых непосредственно измерять невоз­
можно, а коэффициентами передачи токов.
150
 Коэффициент передачи тока эмиттера a (р), определяемый N

отношением приращения тока коллектора к приращению тока

эмиттера при неизменном напряжении на коллекторном переходе,
выражается соотношением
aN (р) = a N (р) Уз (р) Мк,
T

где у (р) — коэффициент инжекции, характеризующий эффек­

э

тивность эмиттерного перехода; М — коэффициент умножения к

носителей в области коллекторного перехода (см. § 3-5).

Транзисторы, в которых наблюдается лавинное умножение
числа носителей заряда, могут быть использованы для. генерации
импульсов микросекундного и наносекундиого диапазона. В нас­
тоящей главе речь идет о режимах работы транзистора, при кото­
рых умножение носителей исключается (М = 1). к

Операторное выражение коэффициента передачи тока эмиттера

можно представить в следующем виде:
e - P ' N 3

a (p)=a
N N рт + 1 , (5-Ю)

где t — время задержки; т ! — постоянная времени коэффи­

3N аЛ

циента передачи тока эмиттера.

При базовом управлении транзистора его работа обычно харак­
теризуется коэффициентом передачи тока базы, определяемым
выражением

Рлг(Р)=Р*£—гт, (5-И)

где Тр ' — постоянная времени

Л

Коэффициенты передачи тока базы и тока эмиттера связаны

между собой следующим соотношением:

Подставив в эту формулу выражение (5-10), можно показать, что

постоянная времени коэффициента передачи тока базы
{ _ a N . (5-12)

Аналогично определяются инверсные коэффициенты передачи

токов
Е -Р'з/
а ; (р) = а/ рт + i '• (5-13а)

Р/Ы=Р/^ , Т (5-136)

характеризующие инверсный поток носителей.

151
 В линейных усилительных схемах амплитуда переменных
составляющих сигналов обычно значительно меньше постоянных
составляющих токов и напряжений. При этом целесообразно ха­
рактеризовать работу транзистора его дифференциальными пара­
метрами в выбранной рабочей точке. Поскольку в линейных усили­
телях трапзистор работает в активной области, то достаточно
рассмотреть лишь дифференциальные коэффициенты передачи тока
эмиттера и тока базы, характеризующие нормально направленный
поток носителей заряда. Первый из них принято обозначать через
а, а второй — через Р (дифференциальные параметры обычно не
;
отмечают дополнительным индексом Л ).
Рассмотрим дифференциальный коэффициент передачи тока
эмиттера
а(р) = <*т(р) Yrf (Р)-

Дифференциальный коэффициент переноса посителей заряда можно

представить в виде
е -Р'зГ

Дифференциальный коэффициент инжекции эмиттера для р-п-р тран­

1
зистора определяется выражепнем
hp (р)
Y d 0 0 ( 5 1 4 )
~ hp О ) + ь » (Р) + hr (р) + *см О ) ' "

Переменные составляющие дпффузпопиых токов i 3 p (р) и j' „ (р) опреде­

3

ляются приближенными соотношениями

. , . " * ( Х
аТ . \ 'эТр П
э

hn (Р) ^ [p—^r + i / э Г „ ехр

Dn Pr\ (
I 2
/ !
" Д„ФГ

где х аТ п т — постоянные вромепи, определяемые дисперсией времени

а Г э

пролета неосновных носителей заряда через базовую п эмпттерную области

соответственно; ц = dU — переменная составляющая напряжения на
э 3

эмиттерном переходе. Заметим, что посредством слагаемых с множптелямп

/ > т / | / 2 и рх 1^2
а Г аТзучитывается влияние диффузионных емкостей эммттер-
ного перехода, первая пз которых характеризует накопление неосновных но­
сителей в базе, а вторая — в эмпттерпой области.
В операторной форме выражение для тока рекомбинации можно запи­
сать в виде
"э , , и
— • — (РЪ'г +1) In ехр -
э
hr (р) г
,-Фг "1,.ф ' Г

где т н г — среднее время ЖИЗНИ носителей в переходном слое (см. § 4-4).

1
Влиянием канального тока пренебрегаем, так как он сравнительно мал.
В случае необходимости его можно учесть, представив канальный ток частью
диффузионных токов i (р) и t (р). 3 p 3n
 Наконец, выразив ток смещения i (/>) через зарядную емкость эмпт- C M

терного перехода С . («см (р) — иэрСэ. п) н подставив все составляющие тока

я п

в формулу (5-14), можно определить коэффициент ипжекцпп эмиттера:

У<1 (/>) = Yd
рту-И '
Инерционность транзистора определяется функцией у ; (р) главным обра­ (

зом в режиме мпкротоков. В этом режиме электроппая составляющая диффу­

зионного тока состоит в основном из канального тока, величиной которого
практически можно пренебречь, упростив тем самым выражения для коэффи­
циента инжекции в установившемся режиме у,; н постоянной времени Ту
(в мякрорежнме m. = m
Dp = 1): Dn

1
Vd г;
0 TN a

i + I m I (5-15)
K r
aTp TN
a

l uT
T
. _ J
r TN
a a TN (pT

\y 2 m,J K
/к
В выражениях (5-15) дырочный ток определен через постоянную состав­
ляющую тока коллектора 1 на основании формулы
К

'эТр и э

Л,- — Г . \ ^ э р +
а
Л(Т :
exp •

Таким образом, операторное выражение дифференциального

коэффициента передачи тока эмиттера можно представить в виде

а(р) = а

Это выражение не совсем удобно для практических расчетов.

Его целесообразно упростить (основываясь на одном из методов
приближенного расчета переходной характеристики [Л. 50]) и поль­
зоваться формулой
-Р'за
а(р) = а- (5-16)
/>т +1' а

где

V Yd
•аТ
•,/9-"Г
У2

постоянная времени коэффициента передачи тока

1 н
г ,
mI
r K
+ °3.J
/„ / + 2
(5-17а)

эмиттера;
*за = tT +
3 T + Т г (
Y а 1 = — т„ (5-176)

— время задержки импульса тока транзистора при раооте в актив­

ной области.
153
 Коэффициент передачи тока базы определяется формулой
-Р'за
5 1 8 )
• 1 - о ( р ) - » ' р т р + 1' ( "
где (3 = а/(1 —а)—дифференциальное значение коэффициента
передачи тока базы в установившемся режиме;
,Та + « ' з а _ „ 1+ Н
1- 1-а
(5-19)
— постоянная времени коэффициента передачи тока базы; к =
= а — — коэффициент фазового сдвига.
Из представленных соотношений следует, что переходные ха­
рактеристики дифференциальных коэффициентов передачи токов
a (/) и |3 (0 также можно
представить в виде экспонен­
1,2 -5»«. 120° циальной функции с задерж­
кой t . Причем по мере уве­ 3a

¥ 100°
личения тока коллектора 1 К

0,8 80° время задержки t и постоян­ 3a

ные времени т„ и т , умень­ р

0,6 60° шаясь, становятся равными

0,*! 40° соответственно t , т и т д'. 3T аТ г

При этом переходная харак­

0,2 20° теристика коэффициента пе­
-с > X D' редачи тока эмиттера совпа­
и
ил,
•0,1 0,2 2 3 Ч 56 810 дает с переходной характери­
стикой коэффициента перено­
Рис. 5-2. Амплитудно-частотная и фазо- са носителей заряда.
частотная характеристики коэффициен­
та передачи тока эмиттера. Частотные характеристики ко­
эффициентов передачи тока эмит­
тера а (/со) п тока базы В (/со)
можно получить, подставив в выражения (5-16) и (5-18) вместо р оператор
Штейнметца /со = р. Прп этом амплитудно-частотные и фазочастотпые харак­
теристики будут определяться следующими приближенными выражениями:
a , В
| а (/со) | = ,
У ((««)»+ 1
Ф а = — (с^за-Ь arctg сот ); а
Фв = — (со/за + arctg шт ). Й (5-21)
На рпс. 5-2 приведены амплитудно-частотная и фазочастотпая характери­
стики коэффициента передачи тока эмиттера. Соответствующие характери­
стики коэффициента передачи тока базы по форме совпадают с приведенными.
1
Из выражений (5-20) можно найти граничные частоты коэффициентов
передачи тока эмиттера / п тока базы /р:
а

1 1
(5-22)

V
1а "2лт„
а.TN г ГЛ' Фг 1 а

2л.
mI /к r K

1 1- • а
(5-23а)
2ят р 2л ( т + а г ) а з а

1
Частота, па которой коэффициент передачи уменьшается на 30%.

154
 1- а
(5-236)
. a
TN r l
, r
a
TN PT (

2л + нг т
; г°э.п
/к

Из приведенных соотношении видно, что по мере увеличения тока коллек­

тора граничные частоты f и /р возрастают, приближаясь к величинам
a

1—а 1-а
и / р ! (5-24)
2ят, аГ 2я ( т + г ) а Г з Г 2лт г 2ят гЛ

Для низкочастотных транзисторов f составляет единицы мегагерц, а a

/р — десятки килогерц. Д л я высокочастотных транзисторов f достигает a

единиц гигагерц, а /р — десятков мегагерц. На граничной частоте фазовый

сдвиг составляет около 60° для диффузионных транзисторов и 90—100° для
дрейфовых транзисторов.

В последнее время в качестве одного из основных частотных

параметров транзистора используется предельная частота тран­
зистора / г [Л. 8]. Это — частота, на которой модуль коэффициента
передачи тока базы | б (/со) | становится равным единице. На осно­
вании выражения (5-20) можно показать, что предельная частота / г
1
определяется следующей приближенной формулой :

2лтр * = Р/р-
Подставив в эту формулу выражение (5-236), получим:
1
(5-25)
2л.
a
TN^r a <p
TN T

mI r K

Как видно из выражения (5-25), в области малых токов предель­

ная частота уменьшается из-за влияния токов рекомбинации и тока
смещения. В области средних токов / определяется величинами, г

характеризующими диффузию и дрейф носителей в базе. Действи-

тельно, при / > ^ 2 _ Е щ
к / г и J K > C ^ V ± срг предельная час­
тота определяется простым соотношением:
1 1
(5-26)
2л (х аТ -И г) 3
2 л т
т '
где т т
среднее время пролета неосновных носителей заряда
в базе.
1
Эту формулу можно получить из уравнения

У 1+(2я/ т )2 т р

учитывая, что

( 2 л / т ) 2 > 1.
г р

155
 Тепловые топи электронно-дырочных переходов
Тепловой ток являеюя одним из основных физических пара­
метров полупроводникового прибора, так как величиной этого
тока определяется вольт-амперная характеристика электронно-
дырочного перехода.
Тепловой ток электронно-дырочного перехода (см. § 3-2,
3-3, 3-5) складывается из двух составляющих — диффузионной
и генерационной.
Диффузионная составляющая теплового тока обусловлена пере­
ходом неосновных носителей из р-области в га-область и, наоборот,
из га-области в р-область. Генерационная составляющая теплового
гока образуется в области собственно перехода. В этой области ге­
нерируются иары электрон — дырка, которые захватываются по­
лем и переходят соответственно в га- и р-областп.
Как известно, в состоянии термодинамического равновесия концентра­
ция неосновных носителей поддерживается на ностояпиом уровне благодаря
генерации пар электрон — дырка. Поэтому скорость генерации можно харак­
теризовать равновесной концентрацией иеосиовпых носителей и их времепем
жизни. Однако влияние процесса генерации на характеристики полупровод­
никовых приборов определяется не только скоростью образования пар
электрон — дырка. Немаловажную роль играют и такие факторы, как рас­
стояние между местом образования пар и границей электроппо-дырочного
перехода, разность электростатических потенциалов между рассматривае­
мыми точками. Только совокупностью указанных факторов можно оценить
велпчпну теплового тока электронно-дырочного перехода.
Рассмотрим диффузионную составляющую теплового тока I T D .
Часть этого тока 1? образуется потоком электронов, которые
п

из р-области переходят в га-область, а другая часть 1т образуется Р

противонаправленным потоком дырок. Число электронов, кото­

рые генерируются в 1 см р-области за единицу времени, опреде­
3

ляется отношением равновесной концентрации электронов к их

времени жизни, т. е.
Про %
— ехр — ,
\ Фт'
где п — равновесная концентрация электронов на границе пе­
р0

рехода; tj) — электростатический потенциал рассматриваемой

p

точки относительно потенциала границы перехода.

Из-за генерации в поверхностном слое, ограничивающем р -
область, также происходит изменение концентрации электронов,
которое определяется произведением
ra sexp (i|) /cpr), po s

где гр — электростатический потенциал поверхности. Изменение

3

заряда электронов во всем объеме р-слоя, обусловленное генера­

цией, определится выражением
3Q„
dt ~~ P<>
Г — ехр — dv -4- Г s ехр — dS
en

J п т
Фг J Фг т„„ '
V S
P P
156
 Здесь

J ехр - - dv
iJ>p

— заряд электронов во всем объеме р-области при термодинамичес­

ком равновесии; т „ — эффективное значение постоянной на­
н

копления для электронов (см. § 2-7).

Если бы все электроны, которые генерируются в р-области,
перешли в n-область, то, очевидно, образовался бы ток величиной
QnJ^nn- Однако из-за рекомбинации часть электронов не успевает
достигать электронно-дырочного перехода, что приводит к умень­
шению потока в га-область, а следовательно, и тока до уровня
1 " 1
Тп
'•Tn z
~~2
1 + ехр
гп/
ро
"2т„
1+ехр(--р ехр — dv. (5-27)
rn' -J Фт

В этом выражении влияние рекомбинации электронов в р-об­

ласти учитывается при помощи коэффициента уменьшения потока
1
к„ 1+ exp-^i

определяемого средним временем пролета электронов через р-об-

ласть xfn и эффективным значением времени жизни т , которым тп

характеризуется рекомбинация электронов при их движении в на­

правлении к р-га-нереходу (см. § 2-6, 2-7). Соотношение для к п

получено на основании следующих рассуждений. Вероятность

того, что электрон достигнет р-п перехода, прежде чем произойдет
рекомбинация, пропорциональна ехр ( — t l T ) , где t — среднее T n T n Tn

время пролета электрона от места генерации до р-п перехода. Сле­

довательно, вероятность попадания в 7г-область электронов, кото­
рые генерируются в р-области непосредственно у р-п перехода,
равна единице, тогда как для электронов, генерируемых в наи­
более удаленной от перехода области, эта вероятность составляет
ехр (—тг /т,-п). Среднюю вероятность /<•„ для всей массы электро­
п

нов, которые генерируются в различных точках р-области, при­

ближенно можно определить как среднее арифметическое наиболь­
шей и наименьшей вероятностей.
Аналогично определяется составляющая теплового тока, кото­
рая образуется потоком дырок из га-области в р-область:

е
РпО
dv. (5-28)
2т,
нр

157
 Представленные соотпошенпя являются приближенными. Причем еслп
электрическое поле способствует движению носителей в направлении к рас­
сматриваемому переходу, то даже для области, ширина которой сравнима
с диффузионной длиной носителей, формулы (5-27) и (5-28) позволяют опре­
делять тепловые токи с погрешностью не более чем единицы процента. Если
же поле замедляет движение носителей, то указанные формулы обеспечивают
достаточную точность лишь в тех случаях, когда ширина рассматриваемой
области значительно меньше диффузионной длины носителей. Расчет тепло­
вого тока для широкой области с тормозящим полем целесообразно вести на
основании соотношения (4-12), которое, в частности, для базовой области
транзистора р-п-р типа можно представить в виде

а а
глЛтр = г/Л<Тр- (5-29)

Поскольку коэффициенты переноса носителей заряда a и а , а также

TN Т1

тепловой ток, образуемый носителями, которые ускоряются полем (папрпмер,

/ ) , определяются с достаточной точностью, то па основании этого равен­
к Г р

ства можно произвести расчет второго теплового тока (в данном случае 1 т ). а р

Генерационная составляющая теплового тока (см. § 3-3) опре­

деляется выражением
I o = Qgo/tnn
r (5-30)
где

"о+Ро

— среднее значение заряда неосновных носителей во всем объеме

переходного слоя;

—'—dv Т dv
"о + Ро То —
(по + Ро)
J т (л„
0

— постоянная накопления в объеме переходного слоя (остальные

обозначения те же, что в § 3-3).
Как диффузионная, так и генерационная составляющие тепло­
вого тока образуются потоком неосновных носителей заряда, кото­
рые, диффундируя к переходному слою или «рождаясь» в этом
слое, увлекаются электрическим полем, образуя ток. В равновесном
состоянии этот поток компенсируется встречным потоком основ­
ных носителей заряда, часть из которых преодолевает тормозящее
действие электрического поля и проникает в переходный слой.
При движении через переходный слой некоторые из этих носите­
лей заряда ре комбинируют, и образуется ток рекомбинации, кото­
рым и компенсируется генерационный ток переходного слоя.
Поток основных носителей заряда, которые преодолевают пере­
ходный слой, компенсирует диффузионную составляющую тепло­
вого тока.
При включении р-п перехода в обратном направлении по мере
увеличения внешнего напряжения уменьшается поток основных
158
носителей заряда. При напряжении, составляющем единицы фг
(десятые доли вольта), поток основных носителей заряда почти
полностью прекращается, так как потенциальный барьер в пере­
ходном слое возрастает настолько, что становится для них не­
преодолимым. Увеличение высоты потенциального барьера не ме­
шает, а наоборот, способствует переходу неосновных носителей
заряда, поэтому во внешней цепи протекает ток, который склады­
вается из тока неосновных носителей заряда и тока утечки. Это —
обратный ток электронно-дырочного перехода, который образу­
ется в результате генерации носителей заряда и паразитной утечки.
Обратные токи коллекторного и эмиттерного переходов (1 К0

и / о) отличаются от соответствующих тепловых токов / т и 1 т

Э к э

не только тем, что в последние не входят токи утечки, но и боль­

шими величинами тока рекомбинации—генерации и канального
тока. Как известно, из-за расширения переходного слоя при обрат­
ном смещении ток рекомбинации—генерации возрастает. С изме­
нением напряжения смещения изменяется длина канала, а поэтому
и величина канального тока. Поскольку тепловой ток определяется
соответствующими параметрами при равновесном состоянии, а об­
ратный ток измеряется при определенном смещении, то величины
этих токов отличаются друг от друга.
Необходимо отметить, что диффузионная составляющая обрат­
ного тока не всегда равняется тепловому току, определяемому
выражениями (5-27) и (5-28). Этими соотношениями определяется
обратный ток электронно-дырочного перехода для области, на гра­
ницах которой устанавливается «плавающий потенциал». Так,
например, диффузионная составляющая обратного тока эмиттер­
ного перехода равняется тепловому току 1 т лишь при разомкну­
э р

той цепи коллектора. Если коллекторный переход смещается в об­

ратном направлении напряжением | U | :>= (2-=-3) фг, то из-за
K

образования градиента концентрации неосновных носителей за­

ряда в базе диффузионная составляющая обратного тока эмиттер­
ного перехода увеличивается в 1/(1 — &TN Ti) a
раз (по сравне­
нию с тепловым током / г р ) .
э

В последующем изложении под. термином «тепловой ток» под­

разумевается ток, представляющий собой диффузионную состав­
ляющую обратного тока при «плавающем потенциале» на грани­
цах рассматриваемой области. Диффузионная составляющая теп­
лового тока определяется выражениями (5-27) и (5-28).
Температурная зависимость теиловых токов подробно рассмат­
ривалась в § 3-5.

Постоянная накопления

Процесс накопления или рассасывания носителей в базе ха­

рактеризуется средней скоростью рекомбинации неосновных носи­
телей, находящихся в состоянии динамического равновесия (см.
§ 2-7). Средняя скорость рекомбинации определяется постоянной
159
накопления т которая, с учетом поверхностной рекомбинации вы­
ш

ражается формулой

где

— объемная постоянная накопления;

— поверхностная постоянная спадания; VQ И S — объем и поверх­

KV

ность той части базовой области, в которой накапливаются нерав­

новесные носители. В приведенных формулах перед электростати­
ческим потенциалом т|) или ty знак плюс ставится для базы р-типа,
s

а знак минус — для базы н-типа.

Постоянная накопления т„ наряду с постоянными времени
Трл- и тр; характеризует процесс рекомбинации в базе. Средние зна­
чения т , Tpv и Тр/ заметно отличаются друг от друга у дрейфовых
н ;

транзисторов, поскольку база этих транзисторов существенно

неоднородна. Анализ дрейфового транзистора с учетом изменения
времени жизни носителей показывает [J1. 17], что обычно Tpjv <
< т < Тр/. Причем постоянная времени трд> = т г определяется
в гЛ

средней величиной времени жизни т в слое базы, расположенном

вблизи эмиттерного перехода, так как основная масса неосновных
носителей, образующих нормально направленный поток, оказы­
вается сосредоточенной именно вблизи эмиттера. Постоянные
времени тр/ = т / и т„ определяются средними величинами вре­
г

мени жизни в той части базы, которая прилегает к коллекторному

переходу, так как при формировании инверсного потока, а также
при насыщении транзистора осповная масса неосновных носителей
заряда накапливается вблизи коллекторного перехода (см.
рис. 4-23, б и 4-30, б). В базе дрейфового транзистора время жизни
носителей заряда достигает наибольшей величины у коллектор­
ного перехода, где концентрация примесей наименьшая, поэтому
оказывается Tpjv < х < ^р/. У диффузионных транзисторов обычно
н

наблюдается обратная картина: x^ > т . Это объясняется влия­

N п

нием поверхностной рекомбинации, роль которой становится осо­

бенно значительной при насыщении транзистора, когда заметная
1G0
доля неравновесных носителей заряда, заполняя боковые области
базы, соприкасается с поверхностью.
Постоянная накопления коррелнруется с другими параметрами транзи­
стора. В частности, для идеализированного транзистора, у которого можно
пренебречь влиянием поверхностной рекомбинации, а также ослаблением
(из-за рекомбинации) нормального и инверсного потоков в базе, она связана
с постоянными времени т^дг и x соотношением
TJ

i—a TN l— a ' TI

Казалось бы, можно исключить пз системы параметров транзистора по­

стоянную накопления т и тем самым уменьшить число параметров, которые
н

необходимо измерять. Однако этой возможностью не удается воспользо­

ваться, так как из-за влияния поверхностной рекомбинации и различия ре­
жимов измерения x и х , с одной стороны, и t — с другой, корреляция
TN Т1 H

между указанными величинами носит сложный характер и ее невозможно

определить аналитически. Поэтому для достаточно точного описания процес­
сов накопления или рассасывания неосновных носителей заряда в базе при­
ходится вводить самостоятельный параметр т . Измерение этого параметра
н

не вызывает каких-либо затруднений.

Дифференциальные сопротивления эмиттерного

и коллекторного переходов

Если амплитуда переменных составляющих сигналов значи­

тельно меньше постоянных составляющих токов и напряжений,
то работу транзистора удобно характеризовать дифференциаль­
ными параметрами. Этими параметрами обычно пользуются для
анализа и расчета линейных схем, в которых транзистор работает
в активной области. В частности, изменения токов эмиттера и кол­
лектора, обусловленные изменением напряжений на соответствую­
щих переходах, характеризуются дифференциальными сопротив­
лениями эмиттерного и коллекторного переходов.
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода г , э

смещенного в прямом направлении, определяется формулой

r a =
fak = const= 1 ^ g / x ~ % ( 5
" 3 2 )

[формула (5-32) получена на основании выражения (4-19)].

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
можно определить на основании аналитических выражений (4-17)
и (4-18) для коллекторных характеристик транзистора, работаю­
щего в активной области.
Как уже отмечалось (см. § 4-3), коллекторный ток / не зави­ к

сит в явном виде от величины обратного смещения U , приложен­ K

ного к коллекторному переходу. Изменение коллекторного сме­

щения влияет на величину тока коллектора косвенно, Это изме-
6 Агахашш Т, И, 161
нение характериз5'ется коллекторным сопротивлением, физиче­
ская сущность которого заключается в следующем. Величины
коэффициентов передачи токов

a N = y a, a TN — Ъ^ г - (5-33)
l
riV

(5-34)
1+ - y3
T
riV

зависят от напряжения на коллекторном переходе U . Анали­ K

тически дифференциальное значение проводимости коллектора

можно определить из выражений (5-33) и (5-34). При постоянном
токе эмиттера 1 • проводимость коллекторного перехода равна:
Э

~La7Ajf =const~ 3 - Шэи7<-

1э

Еслп учитывать, что в соответствии с выражениями (5-33) и (4-3) измене­

ние коэффициента передачи тока эмиттера а^, обусловленное изменением
толщины базы W, определяется соотношением

1
= ~ W С 2
( !
~ "r-v) + С 1
~Уэ) ( + Ti)l 2a
(5-36)
а на основании выражений (3-31) производная dW/dU i( равна:
П У
aW___dW»__W_ m ({ и \ °~
1( _ WK

dUK dU K л Фв,Д
с фо„/ / UK

то сопротивленце коллекторного перехода г = l/g прп управлеппи тран­ к K

зистора по эмпттерному входу можно выразить следующей формулой:

ИЧ(Фск-Ок)
"к " W a IK N a [2 (1 - а , ) + (1 - y ) ( 1 + 2 о „ ) ]~
тл ' 3

W V K [ (1 - 2
А 1
™ ) + С - V ) (1 + 2«г/)] ^ E

(5-37)
1 Y
2TWK^vp+ 2 ( 1 r a ; i v ) (i+2« r / ) ]'

где VF = WHO (1 — £Л</фдк)

K
Пс —
ширина коллекторного перехода [см. вы­
ражение (3-31)]; ф — контактная разность потенциалов для коллекторного
0 к

перехода. Для сплавных транзпсторов коэффициент п — 1/2, для выращен­ а

ных ц дрейфовых транзисторов п = 1/3. с

162
 Если поддерживается постоянным ток базы 1<$, то изменение
тока коллектора, обусловленное модуляцией ширины базы на­
пряжением коллекторного перехода, в (1 -f- p\ ) раз больше, чем v

при 1 = const. В этом нетрудно убедиться на основании выраже­

Э

ний (4-17), (4-18) и (5-34), из которых следует:

/ 6 + / к о daN dW
oWWUk

Сопоставив это соотношение с выражением (5-35) и учитывая,

что (/б + /ко)/(! —aN) = h, получим g„ = gj{l — aN) и соот­
3

ветственно
r $ = r (1—a ) =
K K N (5-38)

Физический смысл уменьшения сопротивления коллекторного

перехода при базовом управлении подробно рассмотрен в § 4-3.

Диффузионные емкости

В малосигнальной теории изменение заряда неосновных носи­

телей в базе, вызываемое изменением напряжения на эмиттерном
и коллекторном переходах, характеризуется соответствующими
диффузионными емкостями. Изменение заряда неосновных носи­
телей в базе при изменении напряжения на переходах происходит,
во-первых, из-за изменения концентрации носителей заряда на
границе перехода и, во-вторых, из-за модуляции толщины базы.
Учитывая это обстоятельство, диффузионную емкость перехода
можно представить в виде суммы двух емкостей, первая из кото­
рых определяется при неизменной толщине базы, а вторая —
при неизменной концентрации носителей на границе перехода.
При работе в активной области диффузионная емкость эмит­
терного перехода, включенного в прямом направлении, в основ­
ном определяется первой составляющей. При прямом включении
переход настолько сужается, что изменение его размеров не при­
водит к заметному изменению толщины базы. Поэтому изменение
заряда, обусловленное . модуляцией толщины базы, оказывается
пренебрежимо малым. В этом случае заряд неосновных носителей
в основном изменяется в результате увеличения или уменьшения
концентрации носителей заряда на границе перехода. Как было
показано в § 3-6, диффузионная емкость перехода приближенно
определяется средним временем пролета носителей заряда [см.
формулу (3-35)]. Однако более точный анализ. [Л. 51] показывает,
что диффузионная емкость эмиттерного перехода С пропорцио­ ъ д

нальна постоянной времени коэффициента переноса х т. Прибли­ а

женно можно считать:

ЭУ 2 (5-39)
Ф г '

6* 163
 Из соотношения (5-39) видно, что диффузионная емкость эмит­
терного перехода возрастает с увеличением тока эмиттера.
Диффузионная емкость коллекторного перехода, включенного
в обратном направлении, почти полностью определяется изме­
нением заряда, обусловленным модуляцией толщины базы. При
обратном включении ширина р-п перехода становится сравни­
мой с толщиной ба8ы, и эффекты, обусловленные модуляцией тол­
щины базы, становятся особенно заметными.
Диффузионную емкость коллекторного перехода можно определить из
1
операторного выражения тока коллектора
p 3 N
e~ ' «JV
/ = а , (р) / . + /
И Л вд = a N ртвМ + 1 'э + /ко p X r N + i 'э + /ко-

Считая в режиме, средних токов у = 1, находпм пропзводпую: э

а А dT d W A 7 Д
/а/ \ к г,у Л'/ Э TN /V 9
p a x
dU )i^ onst^
K C ( T '
P T V + i)T , R V dW dU K (x
P TN + \f dU„( ™ TN)-
a T N dTf N dW I pa x \ TN rN

(
1
= - ( / „ - / к о ) — w i l ^ I + p r T W + i j ~ e
" i [ + p a
™ r y - T T I V )].

Из последнего выражения следует, что проводимость коллек­

торной цепи имеет реактивную составляющую емкостного харак­
тера. Величина реактипной составляющей проводимости опреде­
ляется диффузионной емкостью коллекторного перехода

CK.n=g«&TN (T ,v — TTJV)=осг/v
r
r N
. T N
= - ~ • (5-40a)
г г
к к "к

Подставив в эту формулу выражение (5-37) для г , получим: к

2x W TN vn I £/ \ - и
п
с
1

с 1
""&'-\ -£ • < М О б
>

Диффузионная емкость коллекторного перехода изменяется

с изменением тока коллектора 1 . В ключевых схемах ток 1 изме­ К К

няется в широких пределах, поэтому существенно меняется и вели­

чина емкости С . При инженерных расчетах можно использо­
н д

вать среднее арифметическое значение диффузионной емкости

коллекторного перехода. В активной области и в области отсечки

1 e P 3 v
Приближение получено с учетом разложения в ряд функции ' ' = 1 -f-
+ pt и преобразования дроби
3N

1 1

1 1

164
среднее значение диффузионной емкости коллекторного перехода
определяется выражением

С .д = 0,5 (/щ + ^кг) 7j^r>

к

где 1 — ток коллектора, при котором измерялись дифференциаль­

К

ные значения тр и r ; 1 и 1 — начальное и конечное значения

H К1 К2

тока коллектора в рассматриваемом диапазоне.

Аналогично можно определить диффузионную емкость эмит­
терного перехода при работе в инверсной области и в области от­
сечки, при помощи которой характеризуется изменение заряда
носителей, вызываемое модуляцией толщины базы напряжением
эмиттерного перехода.

Коэффициент диффузионной обратной связи

и диффузионное сопротивление базы

Как известно [Л. 44], модуляция толщины базы коллекторным

напряжением, помимо изменения коэффициента переноса носите­
лей заряда, приводит также к изменению напряжения на эмит-
терном переходе (см. § 4-3). Этот эффект принято характеризовать
коэффициентом диффузионной обратной связи

Иэк = dU jl^ = const'

K

На основании выражения (4-20) для U можно 3

1
показать :
2а д, а j dW
Hal. фт
. —I
:2 Ф Г 3 ^ТГ = - 2 " J rJ
- • J? ( 1 - — ) ' . (5-41)

Знак минус означает, что увеличение напряжения коллектор­

ного перехода приводит к уменьшению напряжения на эмиттер-
ном переходе (в последующем изложении приводится абсолютное
значение ц к).
Э

Переходная характеристика этого коэффициента совпадает

с соответствующей характеристикой коэффициента переноса носи­
телей заряда [Л. 51]
_ р з а
е -Р'зТ е '
' Иэк (р) = Цэк р ^ + i л * Нэк ^ - 7 Л •

Иногда эффект Эрли характеризуют сопротивлением, которое в эквива­

лентной схеме транзистора включают последовательно с объемным сопротпв-

1
При выводе этой формулы пренебрегали изменением I gT по сравнению
с изменением величины 1 —• a a п считали т = 1.
N x э

165
легшем базы го. Это фиктивное сопротивление называется диффузионным со-
протпвленпем базы и определяется соотношением
г
б.днф
«б. диф = Нэк (Р) «к. д — ТГТ.

где
2
к.д = к | г
1
*
Полное диффузионное сопротивление базы Z6. Д 1 1 ф определяется актпвньтм
диффузионным сопротивлением базы
'•б.днф^эк'к (5-42а)
и шунтирующей его диффузионной емкостью базы [Л. 51]
с т г
С . д п ф = г^/ С.д11ф- (5-426)

Зарядные емкости коллекторного

и эмиттерного переходов

Влияние зарядных емкостей коллекторного п эмиттерного переходов на

работу транзистора рассматривалось в § 4-4.
В соответствии с формулой (3-32) емкость эмиттерного перехода опреде­
ляется выражением
С я п п
С .„ =
а - п , (5-43)
1 и,*-'

где зарядная емкость перехода в равновесном состоянии и коэффициент п с

равны: для выращенного перехода

Сэ.по = 5 э ]/Щ^; "с = 1/3; (5-44а)

для сплавного перехода п перехода, получепного путем двойной дпффузпп

(как, например, эмиттерного перехода дрейфового транзистора),

C .no=S
a 3 ]/^Ji; n = i/2.
c (5-446)

Зарядная емкость коллекторного перехода определяется аналогичной

формулой:

Ск
-"=/ С
'и\»с' ( 5
- 4 5 )

ФДк
где
з
Ск.по = 5 ь . " | / П е = 1/3 (5-468)

для выращенного перехода и перехода, полученного путем дпффузпп (как,

например, коллекторного перехода дрейфового транзистора), и

С Г 1
".»о = ^ и ' | / - ^ ; " с = 1/2 (5-466)

для сплавного перехода.

166
 Указанными соотношениями определяются дифференциаль­
ные значения зарядных емкостей. Величины этих емкостей изме­
няются существенно с изменением напряжения на коллекторном
и эмиттерном переходах. При решении практических задач исполь­
зуется интегральная емкость перехода, величина которой опре­
деляется формулой (3-43).

Объемные сопротивления >

и диффузионное падение напряжений

Как известно (см. § 3-5), падение напряжений в объеме полу­

проводникового кристалла складывается из двух составляющих.
Первая из них определяется проводимостью и представляет собой
падение напряжения на омическом сопротивлении материала рас­
сматриваемой области, а вторая составляющая — диффузионное
падение напряжения в объеме полупроводника (так называемая
э. д. с. Дембера), обусловленное появлением градиента концент­
рации подвижных носителей.
При низких и средних уровнях инжекции падение напряжения
в объеме полупроводника характеризуется его проводимостью или
сопротивлением. Наиболее существенное влияние оказывает
объемное сопротивление базы rg. При больших токах при­
ходится учитывать влияние объемного сопротивления коллек­
тора г' , а в ряде случаев и объемного сопротивления эмит­
к

тера г' .
в

Зная удельное сопротивление и геометрию коллекторной п эмпттерной

областей, можно рассчитать сопротивления п r' .
g

Объемное сопротивление базы г,-, представляет собой сопротивление

полупроводникового материала базовой области и базового контакта току
основных посителей заряда, протекающему через вывод базы. Величина
этого сопротивления определяется удельным сопротивлением и геометриче­
скими размерами базовой области п базового контакта, а также конфигура­
цией ii расположением линий токов, по которым растекаются основные носи­
тели заряда [Л. 8]. Так, например, при работе в активной области рекомбпна-
ционный ток формируется в основном в той части базы, которая прилегает
к эмиттерпому переходу, и соответственно плотность линий тока основных
носителей заряда достигает здесь наибольшей величины. При работе в обла­
сти насыщения линии тока распределяются более равномерно. Поэтому объем­
ное сопротивление базы оказывается разной величины в зависимости от того,
в каком режиме работает транзистор п в какую цепь включается источник тока
базы (цепь коллектор — база или цепь эмиттер — база). Различие в значе­
ниях eg (в зависимости от цепи включения источника тока) наблюдается при
малых уровнях ннжекцип и особенно заметно у дрейфовых транзисторов
(из-за неоднородной базы). Поэтому объемное сопротивление базы трудно
рассчитать (во всяком случае его нельзя рассчитать на основании известных
формул, при помощп которых определяется объемное сопротивление
полупроводникового бруска при равномерном распределении линий
тока).
Как известно, объемное сопротивление полупроводника меняется с из­
менением уровня инжекции. По мере повышения уровня пнжекцпп увеличи­
вается концентрация носителей заряда, поэтому уменьшается объемное со­
противление. Происходит модуляция объемного сопротивлении.

167
 Модуляцию объемного сопротивления коллектора п эмиттера, которая
вызывается накоплением пли рассасыванпем носителей заряда, можно учесть
ири помощи формул [Л. 36]:

(5-47)
1+Лэ0э.п' 1+AKQK.H'

сопротивления эмиттера п коллектора прп равновесной кон­

центрации носителей заряда: <? . и (?к. а — заряд неравновесных носителей,
э п

накопленных у эмиттерного и коллекторного переходов; h и h — коэффи­ 3 K

циенты пропорциональности.
Строго говоря, модуляция объемного сопротивления определяется заря­
дом неравновесных носителей Q a во всем объеме рассматриваемой области
0

(коллекторной или эмпттерной). Если переход включен в прямом направле­

нии, то заряд в области коллектора плп эмиттера пропорционален величине
Q . Н пли @а. н, т. е. заряду неравновесных носителей у соответствующего
K

перехода. Поэтому в уравнении, определяющем модуляцию объемного сопро­

тивления, можно заменить Q n зарядом Q . п л н ( ? э . и, изменив соответствую­
0 K н

щим образом величину коэффициента пропорциональности h или А . При K э

этом значение этого коэффициента определяют экспериментально.

Для определения модуляции объемного сопротивления базы в активной
области можно использовать выражение

Подобной же формулой определяется гб при работе транзистора в инверс­

ной области. Несколько более сложно характеризуется зависимость гц от
уровня инжекции в области насыщения. В этом случае проводимость базовой
области модулируется пропорционально заряду неосновных носителей, на­
копленных как у коллекторного перехода Q .,,, так и у эмиттерного перехода
K

<?э. н- При этом для определения модуляции базового сопротивления можно

использовать следующее приближенное выражение:

г
б = 1.1, л Г б 0
|) п , (5-486)

экспериментально определив коэффициенты пропорциональности h o; /г б K Э

и сопротивление базы гб„ при равновесной концентрации носителей.

Объемное сопротивление базы меняется с изменением толщины базы.
При работе в активной области толщина базы модулируется напряжением
коллекторного перехода, что сопровождается соответствующим изменением
объемного сопротивления базы го- С увеличением обратного напряжения на
переходе | U I база сужается н гб возрастает, а с уменьшением \-U \, наобо­
K K

рот, база расширяется u re уменьшается. На практике этот эффект не играет

особой роли и его влиянием обычно пренебрегают.

При очень высоких уровнях инжекции диффузионное падение

напряжения начинает играть существенную роль. В большинстве
практических схем, в которых транзисторы работают при умерен­
ных уровнях инжекции, влияние диффузионного падения напря­
жения несущественно. Это напряжение достигает заметной вели­
чины только при токах, граничащих с предельно допустимым уров­
нем токов в импульсе. Расчет диффузионного падения напряжения
затруднителен, поэтому его величину обычно определяют экспе­
риментально.

168
 5-3. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ТРАНЗИСТОРА Д Л Я БОЛЬШОГО
СИГНАЛА

При анализе и растете транзисторных схем, работающих в ши­

роком диапазоне изменений токов и напряжений, применяются
эквивалентные схемы для большого сигнала.
В большинстве практических случаев влияние токов, образуе­
мых потоками основных носителей в базе, настолько мало, что
ими можно пренебречь и тем самым существенно упростить экви­
валентную схему транзистора. При умеренных уровнях инжекции,
характерных для широкого класса электронных схем, можно не
учитывать диффузионное падение напряжения. Эквивалентные
схемы транзистора, основанные на упомянутых допущениях, пред­
ставлены на рис. 5-3, а и б.

Рпс. 5-3. Эквивалентная схема транзистора для большого

сигнала.
а — для р-п-р типа) б — для п-р-птипа.

При разомкнутом коллекторе (/„ = 0) вольт-амперная харак­

теристика эмиттерного перехода совпадает с характеристикой
полупроводникового диода (с тепловым током 1 т), т. е. ток эмит­
3

тера / = /
э определяется зависимостью
Э - Д

Совершенно так же при разомкнутом эмиттере (7 = 0) вольт- Э

амперная характеристика коллекторного перехода определяется

тепловым током / г и напряжением на переходе U :
к K

Следовательно, как эмиттерный, так и коллекторный пере­

ходы можно замещать полупроводниковыми диодами, тепловые
токи которых равны соответственно 1 т и / г . 3 к

Если напряжение, например, на коллекторном переходе под­

держивается постоянным (U = const), то ток коллекторного диода
K

169
также остается постоянным. Но при этом ток коллектора может
меняться за счет изменения тока эмиттера. Чтобы отразить пере­
дачу тока эмиттера в коллекторную цепь, нужно включить и ге­
нератор тока cc I . Имеет место и обратная передача тока — из кол­
N g

лектора в эмиттер, что в эквивалентной схеме отражено включе­

нием генератора тока a j I в цепь эмиттера.
K

Таким образом, составляется эквивалентная схема собственно

транзистора, характеристики которого определяются процессами
в базе. Дополнив схему собственно транзистора объемными сопро­
тивлениями, которые характеризуют падение напряжения в толще
полупроводникового кристалла соответствующей области, полу­
чим эквивалентную схему реального транзистора. При работе
транзистора в области отсечки некоторое влияние оказывают и со­
противления утечки переходов /•„_ и г , (в схемах на рис. 5-3
у 8

отсутствуют).

Рпс. 5-4. Эквивалентная схема транзистора для большого сиг­

нала при базовом управлении.
а — для р-п-р тппа; б — для п-р-п типа.

В электронных схемах транзистор наиболее часто управля­

ется базовым током. Для анализа подобных схем можно исполь­
зовать эквивалентные схемы, приведенные на рис. 5-3. Однако
целесообразно преобразовать эквивалентную схему собственно
транзистора так, чтобы она отражала управление базовым током.
Такая эквивалентная схема имеет вид, показанный на рис. 5-4, а
и б. В них генераторы тока имеют величины /ор\\> и /оР/. При пре­
образовании схемы приходится изменять и тепловые токи коллек­
торного и эмиттерного диодов, увеличив их соответственно в (1 +
+ | i ) и (1 + fa) раз.
N

Эквивалентные схемы на рис. 5-3 и 5-4 можно использовать

не только для расчета статических характеристик транзистора.
Они пригодны и для анализа переходных процессов. При этом
необходимо учитывать комплексный характер параметров, обус­
ловленный инерционностью транзистора, и влияние паразитных
элементов, связанных с его конструкцией (индуктивность выво­
дов и межэлектродные емкости).
В рассматриваемые эквивалентные схемы конструктивные па­
разитные элементы не включены, так как их влияние нроявля-
170
ется лишь на очень высоких частотах. В случае необходимости
влияние этих элементов можно учитывать дополнением эквивалент­
ной схемы индуктивностями выводов и межэлектродными емко­
стями.
Как известно, инерционность транзистора определяется прежде
всего диффузией и дрейфом неосновных носителей через область
базы. В эквивалентной схеме эти искажения отражаются времен­
ной зависимостью коэффициентов передачи тока эмиттера сс,\ (р)
и тока коллектора а/ (р). В операторной форме эта зависимость
определяется формулами (5-10) и (5-13а).
Инерционность транзистора связана и с процессом рекомбина­
ции в базе. Во всех случаях, когда имеются какие-либо факторы,
ограничивающие сток или приток основных носителей заряда
в область базы, продолжительность переходных процессов в тран­
зисторе определяется скоростью рекомбинации. Так, например,
если изменение тока базы ограничено внешними элементами (а сле­
довательно, ограничен сток или приток основных носителей),
то время установления тока коллектора или тока эмиттера опре­
деляется скоростью рекомбинации. При этом инерционность тран­
зистора характеризуется временной зависимостью коэффициен­
тов передачи тока базы 6/v (р) и В/ (р), операторные выражения
которых определяются формулами (5-11) и (5-136).
Постоянные времени коэффициентов передачи тока базы Труу
и тру определяют время установления тока коллектора и тока эмит­
тера при изменении тока базы.
Временная зависимость коэффициентов передачи токов позво­
ляет характеризовать скорость изменения потока неосновных
носителей заряда, которые, пересекая область базы, достигают
коллекторного или эмиттерного переходов. При работе в обла­
сти насыщения не все носители заряда, которые достигают гра­
ниц переходов, покидают область базы. Часть из них остается
в базе. Происходит накопление избыточных носителей. При от­
ключении входного сигнала требуется определенное время
для рассасывания избыточных носителей заряда из области
базы.
Изменение плотности заряда неосновных носителей, обуслов­
ленное их накоплением или рассасыванием, определяется диффе­
ренциальными уравнениями, которые приведены Е предыдущей
главе (см. § 4-4). Как уже отмечалось, при анализе и расчете
схем вместо плотности заряда удобно оперировать зарядом
неосновных носителей, накопленных у эмиттерного и коллек­
торного переходов:

Q = Sq
a a 9 и Q = K Sq,
K R

где S и S — площади эмиттерного и коллекторного переходов.

a n

При этом можно выразить Q и О в единицах заряда (например,

a к

в кулонах), если определить их на единицу длины.

171
 На основании уравнений (4-37) и (4-38) можно составить опера­
торные выражения для заряда неравновесных носителей = tl

= QK — <2ко и <?э. н = (? <?э : э — 0

«?к. „ (р) = Г } к а [ОЛГ (р) / в (Р) - / к ( р ) ] +

<?и.м(0)-Ь&иа-^-/к (0) (5-49)

<? .„ (р) = Аэа ^

Э + 1 [ - а ; (р) / (р) + 1 (р)] + к Э

.р
С ? . „ ( 0 ) - т } э а - ^ - А (0)1,
э (5-50)

где Q . Н (0) и ( ? „ (0) — начальные значения заряда неравновесных

K э

носителей у коллекторного и эмиттерного переходов; 1 (0) и К

h (0) — начальные значения токов коллектора и эмиттера.

Уравнения (5-49) и (5-50) можно составить и на основании экви­
валентной схемы (рис. 5-3), учитывая, что полупроводниковый
диод представляет собой накопитель заряда [Л. 52]. Заряд неоснов­
ных носителей, которые накапливаются непосредственно у элект­
ронно-дырочного перехода, определяется величиной тока, проте­
кающего через диод. Из эквивалентной схемы на рис. 5-3 сле­
дует, что токи коллекторного и эмиттерного диодов соответственно
равны:
Ль д (Р) = a w (р) h (р) - 1 (р) и h. К д (р) = I (р) - ai (р) 1 (р).
a К

Токи /ц.д(р) и / (р), протекающие через диоды, вызывают

э д

изменение заряда неосновных носителей пропорционально коэф­

фициентам

(Р) = л * 9 Й г Н
**» М = 1
Щ г •

Отклонение заряда неосновных носителей от равновесного зна­

чения, очевидно, будет зависеть и от начального уровня заряда.
Начальный уровень заряда у коллекторного и эмиттерного пере­
ходов изменяется, во-первых, из-за изменения потока носителей
через данный переход и, во-вторых, из-за рекомбинации. Д л я учета
влияния потока носителей воспользуемся принципом суперпози­
ции. Представим, например, ток коллектора как сумму двух со­
ставляющих, первая из которых 1 (р) включается в момент вре­ К

мени t = 0, а вторая, / ( 0 ) , в этот же момент выключается. Из­

к

менение заряда у коллекторного перехода, вызываемое током

Л (р), учитывается соответствующим уменьшением тока коллектор­
ного диода У к. д
(р) = a (р) 1 (р) — / (р). Вторая составляющая
N а к

/ „ (0) вызывает изменение начального уровня заряда: когда пре­

кращается начальный поток носителей заряда через коллекторный
172
переход, создающий ток 1 (0), заряд неосновных носителей у кол­
К

лекторного перехода увеличивается и становится равным

<?,«.„ ( 0 ) + а , « /к (0).

В последующие моменты времени из-за рекомбинации носите­

лей заряда начальный уровень заряда спадает по экспоненте с по­
стоянной времени т„. Таким образом, отклонение заряда неоснов­
ных носителей от своего равновесного значения для коллектор­
ного диода определяется уравнением (5-49).
Аналогично определяется изменение начального уровня за­
ряда для эмиттерного диода. Когда прекращается начальный ноток
неосновных носителей заряда, которые инжектируются через
эмиттерный переход, заряд неосновных носителей у эмиттерного
перехода уменьшается и становится равным

С?э.„(0)-^а^-/в(0).

Учитывая экспоненциальный спад заряда из-за рекомбинации

и его изменение, вызываемое током 1 (р), получаем уравнение д д

для эмиттерного диода (5-50).

Подобным же образом можно составить уравнение для заряда
неосновных носителей, используя эквивалентную схему с базо­
вым управлением:

С?к. „ (р) = ft, [Р« (р) h (Р) - / к (Р)] +

+ ^ПгГ<?к.н(0) + Л « ^ - 7 ( 0 ) 1 ; в (5-51)

о... (?)=«, ^ g ^ - [»,(Р) h (Р)+1, т +

С?э. (0)-т>э^-/э(0)
п
(5-52)

Как видно из схемы на рис. 5-4, токи, протекающие через кол­

лекторный и эмиттерный диоды, соответственно равны:
П. (Р) = PJV (Р) /б (р) - /к (р) и Ц. д (р) = h (р) h (Р) + h (Р).
л

Заметим, что токи (р) и / | (р) связаны с токами соответ­

д д

ствующих диодов схемы рис. 5-3 выражениями:

/ s
-д № = = ^к.д (Р) [1 + Рлг (Р)];

Я- A W = 1 ^ т ё ) = / э
- д { р ) [ i
+ р
' { р ) ]
-
173
 Поэтому в схеме с базовым управлением соответствующим об­
разом изменены и .коэффициенты пропорциональности между
зарядом и током. Они равны:

tf« (Р) = G«« (р) [1 - a N (р)] ъ •&« ;

А
э (Р) = #эа (Р) [1 - (р)} ft, ,
где
А
= Фка (1 — адО^тЭ'чаТГ^/Тр^; fta = э а (1 — OCi) Я » ft T /т
aa T7 р7

— значения коэффициентов пропорциональности в установив­

шемся режиме.
Влияние начальных условий учитывается способом, рассмот­
ренным для схем, приведенных на рис. 5-3.
Коэффициенты пропорциональности и Ь можно связать А
1 Ш ш

с физическими характеристиками транзистора следующим обра­

зом. Если к коллекторному переходу приложить обратное сме­
щение, обеспечивающее почти полное рассасывание носителей
заряда (О = 0 и Q = —О ), а эмиттерный вывод разомкнуть
к K н ко

(7 = 0), то в установившемся режиме (р ->- 0) через коллекторный

Э

диод будет протекать ток / = / -г. Подставив указанные вели­ к ь

чины в уравнение (5-49), получим:

о Quo ., а . ^'ка Quo / г СО\

d i e _ — н ft - I; Т Т р - = / ] ; г ( 1 + Р л 0 • (5-53)

Аналогично из уравнения (5-50) определяется коэффициент

11 ( 5 5 4 )
<Ь«-Т^Г - Т + Р Г - / г (i + P/) • " э

Выражения (5-53) и (5-54) используются для определения на­

пряжения на соответствующем переходе по рассчитанным значе­
ниям заряда неосновных носителей. Согласно граничным усло­
виям (2-16) связь между напряжением иа переходе и зарядом не­
равновесных носителей выражается соотношениями

и =
к Ф г 1 п [ 1 + - 2 ^ ] ; U = \n[l a Vт + ^^i].

Как известно (см. § 5-2), с изменением напряжений, приложен­

ных к переходам, изменяются толщина базы и, следовательно,
параметры транзистора. Учет этой зависимости параметров суще­
ственно осложняет анализ, поэтому на практике предпочитают
иметь дело с независимыми от напряжений параметрами транзи­
стора, величины которых определяются при фиксированной тол­
щине базы. При этом эффекты, обусловленные модуляцией тол­
щины базы, в первом приближении учитываются следующим об­
разом. Модуляция толщины базы приводит к изменениям коэф­
фициентов передачи токов. Как отмечалось (см. § 5-2), зависимость
174
коэффициента передачи тока от напряжения на коллекторном
переходе учитывается введением сопротивления коллекторного
перехода. К подобному упрощению целесообразно прибегнуть
и при составлении эквивалентных схем транзистора для большого
сигнала, включая в схему с эмиттерным управлением сопротив­
ление r , а в схему с базовым управлением — сопротивление
It

г / [1 + р\\ (р)]- Д л я упрощения схем на рис. 5-3 и 5-4 эти сопро­

1(

тивления не показаны (их следует подключить параллельно кол­

лекторному переходу). Среднее значение г или г /(1 + Вдг) можно
к к

определить по наклону коллекторной характеристики транзистора

или путем усреднения дифференциального значения проводимости
g - - \lr . Аналогично можно учитывать зависимость инверсных
K K

коэффициентов а; и (5/, зашунтировав эмиттерный переход сопро­

тивлением соответствующей величины.
Модуляция толщины базы приводит также к изменению заряда
неосновных носителей. Это явление удобно характеризовать со­
ставляющей диффузионной емкости, которая обусловлена моду­
ляцией толщины базы. При практических расчетах используется
усредненная величина этой емкости (см. § 5-2). Следует отметить,
что эффекты, обусловленные модуляцией толщины базы, становятся
заметными при обратно включенном р-п переходе.
На характер переходных процессов влияют также зарядные
емкости электронно-дырочных переходов: коллекторного перехода
С ц и эмиттерного перехода С . При анализе работы транзистора
к э п

на большом сигнале используются их средние значения.

Влияние зарядных и диффузионных емкостей переходов прояв­
ляется двояко: во-первых, как результат действия токов заряда
или разряда этих емкостей и, во-вторых, как следствие изменения
уровня инжекции неосновных носителей в базу.
Токи заряда или разряда характеризуются суммарными емко­
стями коллекторного С и эмиттерного С переходов, которые скла­
к э

дываются из зарядных и диффузионных емкостей:

В эквивалентных схемах, представленных на рис. 5-3, влияние

токов заряда или разряда можно учитывать, шунтируя коллектор­
ный и эмиттерный диоды емкостями С и С . В эквивалентных схе­
к 3

мах с базовым управлением (рис. 5-4) емкости коллектора и эмит­

тера необходимо увеличивать по сравнению с величинами С к

и С соответственно в [1 + B/v (р)1 и [1 + 6/ (р)] раз.

э

Искажения, обусловленные изменением уровня инжекции,

характеризуются отношением отдельных составляющих емкостей,
а не их суммарной величиной. Диффузионная емкость перехода
способствует повышению эффективности инжекции, поскольку
ток, протекающий через переход во время установления заряда
носителей в базе, образуется потоком неосновных носителей.
Зарядная емкость, .наоборот, снижает эффективность инжекции,
так как ток заряда или разряда этой емкости образуется потоком
175
основных носителей (см. § 4-4). Чем меньше диффузионная ем­
кость по сравнению с зарядной, тем сильнее проявляются искаже­
ния крутых перепадов, вызываемые снижением эффективности
инжекции. Эти искажения достигают заметной величины у дрей­
фовых транзисторов с относительно тонкой базой, в особенности
при работе в режиме малых токов. Искажения, обусловленные сни­
жением эффективности инжекции, особенно заметны при работе
транзистора в активной области. При этом действие емкостей эмит­
тера на эффективность инжекции отражается переходной характе­
ристикой коэффициента инжекции эмиттерного перехода (см.
§ 5-2), который является составной частью коэффициента пере­
дачи тока осдг (р)- Поэтому постоянная в р е м е н и t , а также соот­
aN

ветствующая ей величина т , при работе в активной области харак­

я у

теризуют не только искажения, обусловленные процессами в базе,

но и искажения, которые вызываются реактивностью эмиттер­
ного перехода.
При работе транзистора в инверсной активной области влия­
ние емкостей коллекторного перехода на эффективность инжек­
ции учитывается через постоянные времени т / или tpr. Если же
а

транзистор работает в области насыщения или в области отсечки,

то искажения, обусловленные снижением эффективности инжек­
ции, учитываются при помощи указанных постоянных времени
только в первом приближении.
Как известно, в области микротоков канальные токи и токи
рекомбинации — генерации становятся сравнимыми с диффузи­
онными токами. Влияние указанных токов на ход вольт-амперной
характеристики коллекторного и эмиттерного диодов в первом при­
ближении можно учесть способом, изложенным в § 4-3, представив
токи диодов в виде

Такое приближение уже применялось при анализе статических

характеристик транзистора (см. § 4-3).
Анализ работы транзистора при большом сигнале можно проводить с по­
мощью и других эквивалентных схем, наиболее известной из которых яв­
ляется схема Эберса — Молла [Л. 53]. В этой схеме (рис. 5-5) каждый переход
представляется диодом и генератором тока, отражающим взаимодействие
между переходами. Однако в отличие от эквивалентной схемы рпс. 5-3 в схеме
Эберса — Молла считается, что от перехода к переходу передается только та
часть тока, которая инжектируется через диод. Если в схеме рпс. 5-3 генера­
торы токов характеризуются полными токами эмиттера и коллектора, то
в схеме Эберса — Молла они определяются инжектированными токами эмит­
терного и коллекторного диодов (1' и Г ) . При этом само понятие инжек­
в д к д

тированного тока в теории Эберса — Молла не полностью соответствует фи­

зической интерпретации процесса инжекции. Инжектированный ток обра­
зуется полным потоком носителей, поступающих в базу через данный пере­
ход. В схеме же Эберса — Молла инжектированный ток равняется току
соответствующего диода. Причем вольт-амперная характеристика,- например
коллекторного диода, определяется при коротком замыкании эмиттерного

176
перехода, а эмиттерного диода — при коротком замыкаптш коллекторного
перехода. При этом токи диодов выражаются соотношениями:

/' = У
а Г (ефГ_Д r = нг I W _ Л
7

Такое формальное представление искажает физическую сущность работы

транзистора и при анализе переходных процессов приводит к принципиаль­
ным ошибкам. В схеме Эберса — Молла переход транзистора из одной об­
ласти в другую определяется моментом прекращения инжектируемого тока
через коллекторный или эмиттерный диод. В действительности же переход
транзистора из одной области в другую характеризуется зарядом неосновных
носителей, накопленных в базе непосредственно у коллекторного или эмит­
терного переходов. В схеме на рпс. 5-3 изменение заряда неосновных носите­
лей определялось при помощи диодов, представляющих собой накопнтелп
заряда. В схеме Эберса — Молла при помощи диодов нельзя отражать про­
цесс накопления или рассасывания заряда носителей, поэтому приходится
пользоваться токовым критерием для определения гранпц областей работы
транзистора. В статическом режиме этот критерий не приводит к ошибкам,

НА

Рис. 5-5. Эквивалент­

ная схема для р-п-р
•1 — н —
транзистора по Эбер-
су и Моллу. тг

ЧА

так как в этом режиме заряд неосновных носителей пропорционален инжек­

тированному току. При воздействии импульсных сигналов связь между ука­
занными величинами нарушается и токовый критерий оказывается несправед­
ливым. Поэтому при решении ряда задач использование эквивалентной схемы
Эберса — Молла приводит к принципиальным ошибкам [Л. 54].
В последние годы для анализа работы транзисторов все больше исполь­
зуется так называемый метод заряда. Впервые этот метод был разработан
Быофоу и Спарксом [Л. 55]. Свое дальнейшее развитие метод заряда нашел
в работах В. А. Кузьмина, В. И. Швейкина и др. [Л. 56].
Сущность метода заряда заключается в том, что работа транзистора ха­
рактеризуется изменением заряда неосновных носителей в базе. Это измене­
ние определяется из уравнения пепрерывиости (2-5) путем его интегрирования
но объему базы VQ:

dQ 5
dV- ^ divfdV,
dt

где QQ = § qdV — заряд неосновных носителей в базе.

Если время жизни носителей заряда т в области базы не изменяется, то

его можно вынести из-под знака интеграла и получить простое уравнение для
заряда Q&

где /бг — рекомбпнацпонный ток базы.

177
 Дополнив это уравнение приближенными соотношениями QQ = / T / P
K W

(для активной области) и Q„ = /эТ/fSj (для инверсной области) и принимая

/бг = / б . на основании уравнения (5-55) можно решить ряд практических
задач. Однако возможности метода заряда ограничены, так как он применим
лншь для транзисторов с одпородпой базой (т = const). Поскольку и разных
участках неоднородной базы изменение заряда неосновных носителей опре­
деляется одновременно несколькими значениями времени жизни, усреднен­
ными разными весовыми функциями (см. § 2-7), постольку и анализ методом
заряда приводит к противоречиям с практикой. Недостатки метода заряда
могут быть устранены лишь формально и притом ценой искажения физиче­
ской сущности процессов, протекающих в базе транзистора. Эквивалентная
схема, составленная на основании усложненной теории метода заряда, ока­
зывается достаточно громоздкой. Анализ этой схемы показывает [Л. 54],
что она в конечном итоге приводит к тем же ошибкам, что и схема Эберса —
Молла.

5-4. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ

ТРАНЗИСТОРА

Представленные на рис. 5-3 и 5-4 эквивалентные схемы можно

использовать для определения и переменных составляющих сиг­
налов, причем не только в стационарном режиме, но и при импульс­
ном воздействии. В последнем случае необходимо учитывать комп­
лексный характер параметров транзистора и влияние зарядных
емкостей электронно-дырочных переходов. Эти схемы отражают
нелинейные свойства транзистора, и их применение оправдано
при работе с сигналами, амплитуда которых сравнима с постоян­
ными составляющими токов и напряжений. Если же амплитуда
сигнала настолько мала, что нелинейными искажениями можно
пренебречь, то целесообразно использовать малосигнальиую
эквивалентную схему, представляющую собой линейную цепь.
Такие эквивалентные схемы обычно применяются при анализе
транзисторных каскадов, работающих в активной области.

Эквивалентная Т-образная схема

Малосигнальные эквивалентные схемы можно составить на ос­

новании эквивалентных схем, представленных на рис. 5-3 и 5-4,
заменив эмиттерный диод дифференциальным сопротивлением
перехода 7- . В коллекторную цепь вместо диода также следует
э

включить сопротивление, отражающее влияние модуляции тол­

щины базы на величины коэффициентов передачи токов. В экви­
валентных схемах маломощных транзисторов объемными сопро­
тивлениями эмиттера г' и коллектора г' обычно пренебрегают.
г к

В случае необходимости (например, при анализе работы каскадов

на мощных транзисторах) влияние этих сопротивлений учитыва­
ется так же, как и в схемах для большого сигнала.
Мал о сигнальные упрощенные эквивалентные схемы транзи­
стора, известные иод названием Т-образных, приведены на рис. 5-6.
Первая из них (рис. 5-6, а) была предложена Райдером и Кирхе-
178
ром [Л. 57] и обычно применяется для анализа транзисторных
каскадов при эмиттерном управлении. Вторая схема (рис. 5-6, б)
удобна для анализа каскадов при базовом управлении. В этих схе­
мах коэффициенты передачи тока эмиттера а и тока базы |3 пред­
ставляют собой дифференциальные величины, определяемые как
отношение приращения тока коллектора i соответственно к при­
l(

ращениям тока эмиттера £ и тока базы i$ в окрестности заданной

э

Рис. 5-6. Малосиг-

налыше эквивалент­
ные схемы транзисто­
ра для средних частот.
о— при эмиттерном упра­
влении; б — при базовом
управлении.

рабочей точки при неизменном напряжении на коллекторном пере­

ходе. Направление тока генераторов ои и Pig определяется одно­
э

значно направлением соответственно токов эмиттера i и базы ig. a

Направления последних можно выбрать произвольно. Однако

целесообразно указывать действительные направления токов.
Модуляция толщины базы коллекторным напряжением, помимо
изменения коэффициента переноса носителей, приводит к изме­
нению напряжения на эмиттерном переходе и соответственно к воз­
никновению внутренней обратной связи, В эквивалентной схеме

Рис. 5-7. Малоспг-

иальиые эквивалент­
ные схемы транзисто­
ра с учетом диффу­
зионной обратной свя­
зи на средних часто­
тах.
а— при эмиттерном упра­
влении; б — при базовом
управлении.

транзистора действие внутренней обратной связи учитывается

при помощи генератора напряжения и и (рис. 5-7). Полярность
э к к

этого генератора однозначно определяется полярностью перемен­

ной составляющей напряжения коллекторного перехода и . к

Вместо генератора напряжения [г и в эквивалентную схему

эк к

можно включить диффузионное сопротивление базы г$ (после­ т ф

довательно с объемным сопротивлением базы г ). Однако схема б

с диффузионным сопротивлением, формально отражающая дей­

ствие внутренней обратной связи, менее наглядна и применяется
реже.
Малосигпальные эквивалентные схемы можно использовать
для расчетов в области низших, средних и высших частот, а также
179
для анализа переходных процессов. На рис. 5-8 приведены экви­
валентные схемы транзистора, которые применяются для анализа
каскадов при усилении высокочастотных сигналов или импульсов
с крутыми перепадами. В этих схемах коэффициенты передачи
токов a i р, а также коэффициент диффузионной обратной связи
ц — комплексные величины. Схемы дополнены емкостями пере­
э к

ходов, которые складываются из зарядной и диффузионной

емкостей, о В Л И Я Н И И которых подробно говорилось в § 5-3.
Величина зарядной емкости изменяется существенно с изме­
нением напряжения па переходе. Если амплитуда переменной со­
ставляющей напряжения на переходе в несколько раз меньше по­
стоянной составляющей, то при расчетах изменением зарядной
емкости можно пренебречь и пользоваться ее дифференциальным
значением. Если переменная составляющая тока в несколько раз
меньше постоянной составляющей тока, протекающего через пере­
ход, то можно не учитывать и изменение диффузионной емкости
перехода.

Рпс. 5-8. Малосиг­

нальные эквивалент­
ные схемы транзисто­
ра для высших частот.
о — при эмнттерном
управлении; б — при ба­
зовом управлении.

Из приведенных в § 5-2 соотношений следует, что постоянные

времени т и тр в общем случае характеризуют не только искаже­
а

ния, обусловленные процессами в базе, по и искажения, которые

вызываются реактивным действием эмиттерного перехода. Поэтому
при анализе большинства практических схем, в которых влияние
тока заряда или разряда емкости эмиттера С проявляется слабо,
э

эквивалентные схемы транзистора можно упростить, исключив

из них емкость С . При этом наиболее существенное действие со­
э

ставляющих этой емкости, приводящее к изменению эффектив­

ности инжекции, учитывается автоматически через величину
т или тр, измеренную в данном режиме.
а

Влияние тока заряда (разряда) емкости эмиттера существенно, во-пер­

вых, при работе транзистора в режиме мпкротоков. В линейных усилителях
этот режим применяется редко. Во-вторых, действие тока заряда (разряда)
становится заметным в высокочастотных схемах, в которых искажение фронта
импульса оказывается сравнимым с постоянной времени х . При этом при­
а

ходится оставлять в эквивалентной схеме емкость С , приняв ее равной:

э

в схеме с эмиттерным управлением

180
 в схеме с базовым управлением

> э ( 1 + Р)"
Эти приближения не претендуют на высокую точность, но позволяют на
единицу сократить число корней характеристического уравнения цепи, со­
держащей транзистор, ц тем самым заметно упростить расчеты.
На рис. 5-9 приведена Т-образная эквивалентная схема транзистора,
в которой действие внутренней обратной связи характеризуется диффузион­
ным сопротивлением: базы ZQ. дцф. В этой эквивалентной схеме соответствую­
щим образом [Л. 51] пзмеиепо сопротивление эмиттерного перехода
* 2

z = Zg б. диф (1 —а)>
3
где
'•э ае-^' а 3 6. диф
г

г = '1+/шг С . ' 1+/шт '

2
б. диф = ,
э
э э д а 1+/»' б.дифСб.диф
В эквивалентной схеме рпс. 5-9 не удается объединить зарядные и диффу­
зионные емкости, что заметно осложняет анализ транзисторных каскадов,
поэтому этой схемой пользуются сравнительно редко.

«г,

•ок
Рпс. 5-9. Мало­
сигнальная экви­
валентная схема
транзистора с диф­
фузионным сопро­
тивлением базы.

Необходимо пметь в виду, что действие диффузионной обратной связи

оказывает заметное влияние на характеристики транзисторного каскада лишь
при сравнительно высокооыном сопротивлении в цепи коллектора R , когда K

•Ri< Э; г / и . = (Ю —10 ) ом. Поскольку в большинстве практических случаев

э эк
1 5

сопротивление R обычно небольшой величины, то действием диффузионной

K

обратной связи можно пренебречь, исключив из эквивалентных схем генера­

тор u, u или сопротивление ZQ, ф .
aK K ДИ

Эквивалентная П-образная схема

Рассмотренные эквивалентные схемы представляют собой схемы замеще­

ния активного прибора, управляемого током. Транзистор является прибором,
управляемым током (вернее, зарядом). Но его формально можно представить
как прибор, управляемый напряжением. При этом транзистор заменяется
эквивалентной П-образноп схемой, предложенной Джиаколетто [Л. 58].
На рис. 5-10 приведена эквивалентная П-образная схема транзистора
при эмпттерном управлении. Основным параметром в этой схеме является
крутизна характеристики транзистора S, определяемая приближенным выра­
жением
S = S e -jxto/(u a

1+/:
"ST
181
где S — a/r a — крутизна характеристики на средних частотах; co s r =
- 1 , 5
= 1/т и т 5 Г = т (1 — с 8 *) — круговая граничная частота и постоян­
Г а

ная времени крутизны характеристики; к = t /r — коэффициент фазового 3<x a

сдвига, равный 0,21 для диффузионных транзисторов u 0,21 + О.Зн для дрей­
фовых транзисторов.
Проводимости в цепи эмиттера g , g" и диффузионная емкость С' g SQ ъ д

определяются следующими соотношениями:

6а- g3 ga = g ; 3 С а. д — ga~
1 ST

где g = 1 / г — полная проводимость эмиттера.

3 э

Емкость коллектора С складывается из зарядной емкости коллектор­

к

ного перехода Ск. п диффузионной емкости коллектора Си. д = тр/г . Про­

п
к

водимость коллектора g . = 1//- . K к

Рис. 5-10. Эквива­

W 4]Ч Ф
лентные П-образ-
ныо схемы транзи­
i f * стора прп эмиттер-
пом управлении.
а — с диффузионной
индуктивностью; б —
с линией задержки

а)

В эквивалентной схеме на рис. 5-10, а внутренняя обратная связь харак­

теризуется диффузионным сопротивлением ;- ф = r / u . н диффузионной ин­ ДИ a 3K

дуктивностью Лдаф = т г . 8 Г д и ф

Более точной является эквивалентная схема с линией задержки, которая

приведена на рис. 5-10, б. ЛИНИЯ задержки, передаточная функция которой
определяется выражением
ш
— ]К
.. _ . е °«
1 1
вых — ах —,
Cu sr

позволяет более полно отразить запаздывание внутренней обратной связи и

представить генератор тока частотно-независимым параметром S.
На рис. 5-11 приведена эквивалентная П-образная схема транзистора
при базовом управлении. В ней использованы те ж е основные элементы, что
и в схеме на рис. 5-10, со следующими изменениями: проводимость эмиттера
представлена одним активным элементом, величина которой в (1 + В) раз
меньше полной проводимости g схемы на рпс. 5-10; емкость эмиттерного 3

перехода С определена как С — g

э э 3 jqrp"-
При решении инженерных задач обычно применяют упрощенную экви­
валентную П-образную схему транзистора, которая приведена на рис. 5-12.
Эта схема не претендует на высокую точность, однако проста и удобна для
расчетов.
Для анализа транзисторных схем наиболее широко применяется эквива­
лентная Т-образная схема. Эта схема правильно отражает суть физических

182
процессов, происходящих в базе транзистора. Ее использование наглядно
выявляет особенности транзисторных схем, зиаипе которых необходимо при
решении практических задач. Эквивалентная П-образная схема заимствована
пз ламповой электроники с той целью, чтобы использовать для транзисторов
и электронных ламп одну и ту же систему параметров и соответствующий
этой системе эквивалентный четырехполюсник и тем самым искусственно рас-

С*

Рпс. 5-11. Эквивалентная П-образ­ Рпс. 5-12. Упрощенная эквивалент­

ная схема транзистора при базо­ ная П-образная схема транзистора.
вом управлении.

простраипть на транзисторные схемы теорию ламповых схем, достигнувшую

сравнительно высокого совершенства. Однако такая чисто формальная общ­
ность не приблизила теорию транзисторных схем к теории ламповых, а,
наоборот, в ряде случаев служит источником недоразумений и ошибок. Между
том анализ схем с учетом физических свойств усилительных элементов не
только позволяет подчеркнуть отличительные особенности транзисторных и
ламповых схем, но и установить их общие черты. Это дает возможность обоб­
щить те положения, которые действительно свойственны обоим видам схем.

5-5. ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА-ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА

Эквивалентную схему транзистора можно составить, представив его

формально как активный четырехполюсник.
В настоящее время представлением транзистора в виде четырехполюсника
пользуются главным образом для измерения его малоспгнальных параметров.
Транзистор, работающий в активной области, обладает низким входным со­
противлением и сравнительно высоким выходным сопротивлением. При низ­
ком входном сопротивлении трудно осуществить на входе короткое замыкание
по переменному току, так как даже небольшое измерительное сопротивление
будет нарушать этот режим. При высоком выходном сопротивлении, наобо­
рот, трудно обеспечить холостой ход по переменному току: для этого требуется
включить высокоомное сопротивление в выходную цепь, сравнительно боль­
шой перепад напряжений на котором может нарушать нормальный режим
работы транзистора. Поэтому параметры транзистора удобно измерять в режи­
мах холостого хода на входе и короткого замыкания на выходе. При этом
транзистор характеризуется системой Л-иараметров, определяемой матрицей

ЬГ =
1 /г 1 1 / +
1 /г 2& ;
1 2 /2 = /t2l/l + /l22^2> (5-56)

где = [Oi/I-^jj^ _ о — входное сопротивление при коротком замыкании на

выходе; /г^ = [UJU^]} _ 0 — коэффициент обратной передачи напряжения
при холостом ходе на входе; = [ IJl-^ ц _ —- коэффициент передачи тока
г 0

в прямом направлении при коротком замыкании навыходе; h 22 — [-V^al j , = o~

выходная проводимость при холостом ходе на входе.

183
 Этой системе параметров соответствует эквивалентная схема, которая
показана на рпс. 5-13.
Велпчпны коэффициентов матриц зависят от схемы включения транзи­
стора, поэтому принято отмечать параметры дополнительным индексом: прп
эмпттерпом управлении, когда общим электродом является база (схема с об­
щей базой), буквой 6, а при базовом управлении, когда общим электродом
является эмиттер (схема с общим эмиттером), буквой е (например, h ; /г^ ). nu 1е

Отмечаются дополнительным индексом и

граничные частоты, характеризующие вы­
сокочастотные свойства параметра (напри­
+ мер, //.ль. /л„ )- Такая система обозначе­ 1е

ния предложена 47-м техническим комите-

и, том Международной электротехнической
1 CDA // rsti)] I комиссии (МЭК) и подтверждена органами
j ч
Т^"?г г 1 1 1 6
стандартизации Совета Экономической
Взаимопомощи (СЭВ). Необходимо отме­
тить, что физические параметры трапзпсто-
Рис. 5-13. Эквивалентная- схе­ ра всегда принципиально отличаются от
ма, соответствующая системе матричных коэффициентов, поэтому для
/г-параметров. обозначения первых вовсе не обязательно
придерживаться рекомендаций МЭК. TaK, t

например, коэффициент Л j;, или h определяется при коротком замыкании

2 n e

на выходе транзистора, тогда как коэффициент передачи тока эмиттера а

или тока базы В — прн коротком замыкании на коллекторном переходе.
Хотя на средних частотах Л {, == а п h„ = В, но все же эти параметры
21 ie

принципиально отличаются друг от друга, это различие становится особенно

существенным в области высших частот.

Таблица 5-1

Схема с общей базой Схема с общим эмиттером

''пЬ :
(1-е)
?б + *к

гб-г-Щкгк _ Ч + <3. диф г

. г
э Щк кВ 2

/'lib =
гв + г к ZK + rG Z 9 + ZKB
Р
г — 26. диф / (1 +
э )

1 + 1-1
az K
р
2 8 К
Л = Р.
hib • 21е

1 + 1
+7^
Z
HB
1
г = =
' ггЬ
гк + ^б 2цВ + г
Э

В табл. 5-1 представлены формулы, позволяющие выразить матричные

коэффициенты через физические параметры транзистора.
В этой таблице

р
1+/сог С ' 3 э 1 + /сог С '
к к 1 + Р'

184
 Иногда встречаются ;/- п z-матрпцм:

/ 2 = 2 / 2 1 ^ 1 + 2/22#2 J ^ 2 = Z 2 1 / l + Z
22/2

Они обычно применяются при использовании матричного исчисления

для расчета транзисторных схем.

5-6. ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА ОТ РЕЖИМА

И ТЕМПЕРАТУРЫ

Прежде всего рассмотрим зависимость дифференциальных пара­

метров транзистора от режима работы транзистора и температуры
кристалла. В активной области режим транзистора характеризу­
ется постоянными составляю­
щими эмиттерного тока 1 и кол­ Э

лекторного напряжения U. K

Графики зависимости дифферен­

циальных параметров транзис­
тора от режима и температуры
представлены на рис. 5-14—5-16.
Эти зависимости можно устано­
вить на основании формул § 5-2,
определяющих физические пара­
метры транзистора. На рис.
5-14—5-16 дополнительным ин­
дексом «ном» отмечены величи­
ны, которые соответствуют номи­ о 1
нальным значениям тока эмит­ Рпс. 5-14. Зависимость дифферен­
тера 1 и напряжения кол­
Э н о м циальных параметров транзистора
лектора U ном, а также комнат­ от тока эмиттера.
K

ной температуре Г омн & 300 °К.

К

Коэффициенты передачи тока эмиттера и тока базы. В обла­

сти микротоков коэффициент передачи тока эмиттера определя­
ется следующей формулой (см. § 5-1):

а. 1
• м
1 + 7—й " т
г \
a
'vT TN J J
При средних уровнях инжекции y — 1 и d

1 +

В области больших токов [Л. 59] коэффициент инжек­

ции уменьшается из-за относительного роста тока основных
185
носителей (см. § 3-5, 4-2). При этом для р-п-р транзистора
1 1
а; -Х-
» Ру'эТп
1
/Л 1
1 (1 — а Г Л , а Т 1 ) ехр
фу \ m
•>P/J

Обычно рассматриваются зависимости от режима и темпера­

туры коэффициента передачи тока базы р, так как они более ярко

Рпс. 5-15. Зависимость дифферен­ Рпс. 5-16. Зависимость диф­

циальных параметров транзистора ференциальных параметров
от напряжения коллектора. от температуры.

выражены, чем соответствующие зависимости коэффициента а .

Зависимость дифференциального коэффициента передачи тока
базы р от тока эмиттера имеет такой
же вид, что и зависимость интеграль­
ного коэффициента передачи тока
базы Рд- (см. рис. 4-18). Эта зависи­
мость в основном объясняется изме­
нением коэффициента инжекции с из­
менением тока эмиттера (см. § 4-2).
При высоких уровнях инжекции р ^
уменьшается также и вследствие
уменьшения среднего времени носи­
телей жизни заряда т >. гЛ

С увеличением обратного смеще­

ния на коллекторном переходе U K
-60 -W to t°c
коэффициенты передачи токов а и [5
Рис. 5-17. Зависимость коэф­ возрастают (см. рис. 5-15) из-за
фициента передачи тока базы уменьшения толщины базы.
от температуры.
Зависимость дифференциального
р от температуры носит такой же
характер, что и зависимость интегрального Рд (рис. 5-17).
С увеличением температуры р возрастает из-за увеличения вре­
мени жизни носителей заряда (с повышением температуры уве­
личивается кинетическая энергия электронов, поэтому умень-
186
шается вероятность их рекомбинации с дырками). В дрейфовых
транзисторах коэффициент передачи тока растет также из-за уве­
личения напряженности встроенного поля (Е ~ срг), что приводит 0

к уменьшению среднего времени пролета носителей заряда.

Сопротивление эмиттерного перехода г та ф г / / э э обратно про­
порционально току эмиттера, не зависит от напряжения коллек­
тора и прямо пропорционально температуре перехода.

Сопротивление коллекторного перехода

Это сопротивление тоже уменьшается с увеличением тока / . э

При малых токах /•„ (как и г ) обратно пропорционально / , но

э э

затем из-за уменьшения среднего времени пролета носителей за­

ряда %TN спад коллекторного сопротивления /•„ происходит мед­
леннее, чем спад сопротивления эмиттера г . э

С увеличением абсолютной величины U сопротивление г K к

возрастает. При напряжениях U , близких пробойному, рост г

K к

несколько замедляется (а иногда наблюдается и спад), так как

из-за умножения носителей заряда в коллекторном переходе воз­
растает крутизна нарастания тока коллектора.
Сопротивление г с повышением температуры возрастает по
к

тем же причинам, что и коэффициенты передачи тока. При срав­

нительно больших смещениях U с повышением температуры K

наблюдается спад г (штриховая кривая на рис. 5-16) из-за умно­

к

жения носителей в коллекторном переходе.

Объемное сопротивление базы обратно пропорционально тол­
щине базы W, подвижности основных носителей \х и плотности ос

их заряда q , т. е.
oc

1
И'Ц.осЯос •

С увеличением тока эмиттера увеличивается плотность заряда

q , поэтому сопротивление Гц уменьшается. В области больших
oc

токов спад re несколько замедляется из-за уменьшения подвиж­

ности носителей и. . 00
-
Сопротивление / б возрастает с увеличением смещения коллек­
тора U , так как при этом расширяется коллекторный переход,
K

что приводит к уменьшению толщины базы W.

Зависимость г от температуры связана с изменением удельной
б

электропроводности а « UocQW У кремниевых транзисторов объем­

-
ное сопротивление базы ?g с увеличением температуры обычно
растет (рис. 5-16), так как при повышении температуры до 150—
200° С удельная электропроводность кремния, имеющего концен­
трацию примесей 'N ^ 10 am/см , уменьшается [Л. 32]. У гер-
K
14
3

187
маниевых транзисторов с повышением температуры наблюдается
сначала рост, а при температурах больше 40—60° С спад гс. Это
явление также объясняется температурной зависимостью удельной
электропроводности.

Коэффициент диффузионной обратной связи

о «г Фг к о и /

\ ФЛк

С увеличением тока эмиттера коэффициент ц несколько умень­ эк

шается из-за уменьшения ее/. Коэффициент и уменьшается с уве­ э к

личением коллекторного смещения U , так как при больших U«

K

изменение толщины коллекторного перехода в меньшей степени

влияет на величину заряда неосновных носителей, накопленных
у эмиттерного перехода. Зависимость ц от температуры линей­ вк

ная (как и у сопротивления г ). э

Изменение дифференциальных параметров транзистора при­

водит к изменениям динамических параметров усилительного кас­
када: его коэффициента усиления, входного и выходного сопротив­
лении и т. д.
С изменением температуры происходит также отклонение ре­
жимных токов и напряжений от своих номинальных величин. Эти
отклонения определяются температурной зависимостью статиче­
ских (интегральных) параметров транзистора.
Температурная нестабильность транзисторного каскада в ос­
новном определяется изменением обратного тока коллектора / , к о

статического коэффициента передачи тока базы B,v и напряжения

эмиттерного перехода U . При работе в активной области ток кол-.
g

лектора определяется формулой (4-18). С изменением / , р , \ и / к 0 б

меняется и ток коллектора:

d/ K = (1 +
6 /ко) d$ + (1 + Рдг) dl
N m + dl ,
6

что может привести к нарушению выбранного режима работы тран­

зистора.
Температурная зависимость обратного тока коллекторного пере­
хода определяется соотношениями, которые подробно рассмотрены
в § 3-5. Д л я германиевых транзисторов в диапазоне температур
от 0 до 90 °С изменение обратного тока можно определить по при­
ближенной формуле (3-16), из которой следует:
Д/ ^Л/
к о ^ / ( 0."8AT_
к Г к Т e 1 ) i

где AT = Т — Т — приращение температуры; 7 г

г 7 — теп­ к К0

ловой ток коллекторного перехода при температуре Т.

При температурах ниже нуля изменения тока / практически к о

не влияют на режим работы каскада и необходимость в определе­

нии А/ко отпадает. В кремниевых транзисторах обратный ток
188
коллекторного перехода значительно меньше, чем у германиевых,
поэтому изменения этого тока во всем диапазоне температур прак­
тически не приводят к заметному изменению, режима работы тран­
зистора.
Как уже отмечалось, коэффициент передачи тока базы с повы­
шением температуры увеличивается. Зависимость коэффициента
Рдг от темнературы обычно определяют экспериментально. Снимая
зависимость рд> = F (Т) в качестве параметра, целесообразно взять
несколько типовых значений тока коллектора 1 (рис. 5-17). Коэф­ К

фициент Рл> является функцией тока базы /д и соответственно тока

коллектора. В усилительных каскадах стремятся стабилизировать
ток покоя, т. е. постоянную составляющую тока коллектора, при­
чем это достигается соответствующим изменением тока базы.
С изменением температуры ток базы может меняться в широких
пределах, и для определения A(3/v необходимо построить семейство
характеристик |3дт = F (Т) для сравнительно большого числа зна­
чений /с- Используя же в качестве параметра / , можно ограни­ к

читься графиками |3 . = F {Т) для нескольких типовых значений 1 .

Л К

Изменение напряжения на эмиттерном переходе U с изме­ a

нением температуры в основном обусловлено изменениями темпе­

ратурного потенциала фг = k Tie и теплового тока эмиттерного
перехода 1 т- На основании выражения (4-20) можно показать:
3

dw T dl -p
dU ъ U
a

e 3 - фг . (5-57)
Фг 1
аТ

Этой формулой определяется приращение dU в области сред­ g

них токов (пг = 1, 1' т — 1вт) при постоянном токе эмиттера

3 э

[поэтому изменения разности 1 — a j I « 2 1 (1 — a ai) пре­

3 K Э N

небрежимо малы]. Такой режим работы характерен для усилитель­

ных каскадов. Учитывая, что температурная зависимость тепло­
вого тока описывается экспоненциальной функцией (3-15), на­
ходим:

Подставив выражения dl x 3 и <з!фг — Ф г - у - в формулу (5-57),

получим:
dU =-(^ -U )^,
3 g 3 (5-58)

где t\% — ширина запрещенной зоны в вольтах (для германия

s

Д£„ « 0,7 в, для кремния A ^ « 1,1 в). g

Т1з формулы (5-58) следует, что при изменении температуры

перехода на 1° С изменение напряжения на эмиттерном переходе
составляет 1,5—2 мв. В области средних токов зависимость 17 т 3

от"темнературы почти линейна.

189
 5-7. ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ РАСЧЕТА
СДВИГА РАБОЧЕЙ ТОЧКИ

Рабочую точку, которая характеризуется совокупностью на­

пряжений и токов в отсутствие усиливаемых сигналов, выбирают
на статических характеристиках транзистора. В реальных схе­
мах рабочая точка не может точно соответствовать теоретически
выбранному положению, так как существует разброс параметров
и статических характеристик. Приводимые в справочниках
данные о транзисторах являются типовыми, средними; отклонение
параметров реальных транзисторов от справочных может состав­
лять 20—30%, а иногда и сотни процентов (например, разброс
по коэффициенту передачи ток базы 6jv часто составляет 100—
200% и более). В связи с этим расчетное положение рабочей точки
не всегда соответствует действи­
тельному, что нарушает нормаль­
ный режим работы транзисторного
каскада. Помимо разброса пара­
метров, при расчете схем необхо­
димо учитывать также нестабиль­
ность рабочей точки во времени,
обусловленную старением транзи­
сторов, ползучестью их парамет­
ров и влиянием изменений темпе­
ратуры окружающей среды на
Рпс. 5-18. Эквивалентная схема параметры и характеристики тран­
транзистора для расчета сдвига зистора.
рабочей точки.
Старение транзистора прояв­
ляется в изменении параметров
через сравнительно длительные промежутки времени (месяцы,
годы); ползучесть — в изменении параметров через более короткие
промежутки времени (минуты, часы), определяемые продолжи­
тельностью установления зарядов на поверхности и в нерабочих
областях кристалла при включении напряжений питания. Наи­
более существенной причиной сдвига рабочей точки в транзистор­
ных каскадах является температурная нестабильность параметров,
которая подробно рассматривалась в § 5-6.
Постоянные составляющие токов и напряжений, характеризую­
щие рабочий режим транзисторного каскада, можно определить
на основании эквивалентных схем для большого сигнала (рис. 5-3
и 5-4). Сдвиг рабочей точки, т. е. отклонение режимных токов
и напряжений от номинальных значений, обусловленное изме­
нением параметров транзистора в диапазоне температур,
а также разбросом и временным дрейфом характеристик,
удобно рассчитывать при помощи эквивалентной схемы, кото­
рая приведена на рис. 5-18 ГЛ. 60]. Эта схема составлена на
основании эквивалентной схемы транзистора для большого сиг­
нала (рис. 5-4),
190
 В эквивалентной схеме рис. 5-18 изменение напряжения на
эмиттерном переходе U , вызываемое изменением тока 1 , опре­
g д

деляется дифференциальным сопротивлением эмиттерного пере­

хода г . Отклонение же напряжения U от номинального значения,
д g

обусловленное разбросом параметров транзистора и изме­

нением их величин во времени и в диапазоне температур, характе­
ризуется эквивалентным источником напряжения Дср . Генератор э

тока (Зл>А/б отражает изменение тока носителей в коллекторной

цепи, которое происходит при изменении тока базы. Отклонение
тока коллектора от номинальной величины, вызываемое разбро­
сом теплового тока 7„т и коэффициента передачи тока базы
а также их температурной зависимостью, отражено генератором
тока AITN (1 + p\v). Наконец, сопротивление r l (1 + p\v) пред­ K

ставляет собой сопротивление коллекторного перехода при базо­

вом управлении транзистора.
При определении отклонений напряжений и токов, характери­
зуемых в эквивалентной схеме величинами А ф и AITN (1 + РлО> э

следует иметь в виду следующее. На практике отклонения напря­

жений и токов от их номинальных значений достигают заметной
величины. Д л я снижения погрешности расчетов следует опреде­
лять эти отклонения как разность соответствующих значений токов
и напряжений, а не как дифференциальное приращение.
Определим отклонение напряжения на эмиттерном переходе от номиналь­
ного значения £ / , вызванное разбросом характеристик транзистора и изме­
э

нением его параметров. Используя выражение (4-20), можно показать, что

отклонение эмиттерного напряжения

L21
Atf = * / - f f * * < P r i l n jSk. ( 1 - а
e e l e
№ 1 а 7 1 ) - Ф г In -k-(\-a aj)
N

'эТ1 'вТ

определяется следующей формулой:

/ -
я1 / „ . ( 1 —а.,а )
г AT г

AU B = Ф г In - Ф г In / : „ У; + - j r - U*. (5-59)

Как здесь, так п в последующих формулах дополнительным индексом 1

отмечены величины параметров, не совпадающие с номинальными значе­
ниями.
В эквивалентной схеме рис. 5-18 изменение эмиттерного напряжения,
определяемое первым слагаемым выражеипя (5-59),

Фг т - ^ ^ - ^ — ( 7 Э 1 —/ ) = г Д/ , э а э

'э 1
Э
учитывается сопротивлением эмиттерного перехода г . Приращение ж е тока д

эмиттера, вызываемое остальными слагаемыми, можно найти, полагая, что

высота потенциального барьера эмиттерного перехода изменялась на величину
, 1 яТл (1 — «л/ОСг) AT
Д ф
* = k
/ ?1-« а \ W *чи
^ 6 0 )

г a a 1
'эТ ( Nl Il)
и включить в эквивалентную схему генератор напряжения Д ф . Этот генера­ 3

тор отражает отклонение напряжения па эмиттерном переходе, вызываемое

191
как изменением температуры, так н разбросом параметров. Подставив тепло­
вой ток

в выражение (5-60), можно получить:

ъ
/ к п 1 (1 — а , а Л Л г / 1 1

^ - и с ; . - ^ + [-р »*. -
AT
— - у - ^ э 1 = (Дфэ)раз + ( Д ф э ) т , (5-61)
где
7 1 — a a /
/д \ 1 i<Pi( N l) . зТмаис ,, » % ,
(5 6 а )
Д
Ф э раз = ФТ l n
/ M - \ ~ a v а г
ф
Г 1 п
I T "
J a a
'np( Nl Il) V i мин
— составляющая э. д. с. генератора напряжения, которая характеризует
отклонение эмиттерного напряжения, определяемое разбросом тока 1 ДТ

при фиксированной температуре, и разбросом коэффициентов a , a ; N f

( Ф )г=Фг
д
э
1 п охр КШ (— е — ^ - U m = ^ - (Ae - 17 ) (5-626) g 81
ь
\Фг Ф п

— составляющая э. д. с. генератора напряжения, характеризующая тем­

пературную нестабильность эмиттерного напряжения.
Отклонение тока коллектора Д / = / — / , , обусловленное разбросом к К 1 (

параметров п пх изменением, определяется формулой

д /
к = Л я Р л й + m i (1 + Рдп) - № J
+ Л ш (1 + P.v)] = Р * Д 7 С +
+ ( 6 i + Лад) ДРлг + (1 + РлО Л<о,
7 д
(5-63)
гдо
A / ,
6 = /
6i- o; 7 A
PiV = P/vi —P/vJ А /
ко = /
1ш- ко- 7

В эквивалентной схеме действие первого слагаемого отражено генерато­

ром тока fJjyA/g. Отклонение тока коллектора, обусловленное разбросом
коэффициента передачи тока базы Р ,, обратного тока / н изменением этих Л к о

параметров во времени п от температуры, представлено генератором тока

Д 7 7 A д / 1
™ (1 + Pw) = ( 6 i + V ) P w + н о О + Рлг)• (5-64)
Отклонение параметров от номинального значения A $ и Д / к склады­ N 0

вается из их разброса и изменений вследствие колебаний температуры, т. е.

ДР/у = ( Д Р * ) а + ( Д Р ) г ; Р Э №

Д / А/ А / Д А 7
* 0 = ( к о ) р а з + ( к о ) г ^ ( Л<о)раз + ( к Г )т .

При использовании эквивалентной схемы, представленной на

рис. 5-18, надо учитывать, что если параметры транзистора 6дг,
г J (1 + РлО, г , re, а также температурный потенциал ф т опреде­
э

лены для номинального режима, то следует пользоваться значе­

ниями гоков / б и / к о и -Л>Т1 и напряжения U , определяемыми G L

в условиях, отличных от номинального режима, и наоборот. Это

обусловлено тем, что изменения величин р,\, / oi U и IQ обычно K B

192
велики и их приходится определять как разность соответствующих
значений на границах заданного диапазона изменений темпера­
туры и разброса, а не как дифференциальные приращения. Сле­
дует отметить, что направление тока генератора AITN (1 + р\\0
и полярность напряжения генератора Дф показаны для случая,
э

когда изменения параметров приводят в р-п-р транзисторах к уве­

личению тока коллектора, а в п-р-п транзисторах — к уменьше­
нию. Направление тока генератора р\\Д/с определяется направле­
нием приращения тока базы Д/с- С изменением направления тока
Д/о следует изменять и направление тока генератора В,уД/с- При­
чем если условно выбранное направление AIQ не соответствует дей­
ствительности, то в расчетных соотношениях приращение Д/с
получается со знаком минус (тем самым автоматически исключа­
ются ошибки, как и при расчетах методом контурных токов).

5-8. ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ

ПАРАМЕТРЫ

Д л я устойчивой и надежной работы транзистора необходимо

ограничить диапазон изменений температуры полупроводникового
кристалла, токов и напряжений предельно допустимыми парамет­
рами [Л. 61]. Эти параметры разделяются на две группы: тепло­
вые и электрические.

Тепловые параметры

Тепловые параметры характеризуют устойчивость работы тран­

зистора в диапазоне температур. В справочниках указываются
следующие тепловые параметры, необходимые для расчетов тран­
зисторных схем: максимально допустимая температура коллектор­
ного перехода, минимально допустимая температура окружающей
среды, тепловое сопротивление прибора и его теплоемкость.
Максимально допустимая температура Т_ П Л0П ограничена
температурой, при которой наблюдается аномальное изменение
характеристик транзистора. Д л я германиевых транзисторов Т п л о п

ограничивается критической температурой Г , выше которой к р

наступает вырождение полупроводника. Д л я кремниевых тран­

зисторов аномальное изменение характеристик обычно наблю­
дается при температурах ниже Г - , поэтому Т
ь Р ограничивается
п д о п

величиной значительно меньше Г . Так как в транзисторах зна­

к р

чительная часть рассеиваемой мощности выделяется в области

коллекторного перехода, то в справочниках указывается макси­
мально допустимая температура коллекторного перехода. Она
достигает 90° С для германиевых приборов и 150° С для кремни­
евых.
Минимально допустимая температура Т тт ограничивается
тем, что при низких температурах в кристалле и соединительных
контактах (в местах сплавления) из-за различия коэффициентов
7 А г а х а н я и Т. М. 193
температурного расширения появляются микротрещины, нару­
шающие нормальную работу транзистора. Большинство транзи­
сторов, выпускаемых в настоящее время, рекомендуется исполь­
зовать при температуре не ниже —60° С.
Тепловое сопротивление транзистора R T показывает, насколько
изменяется температура перехода на единицу мощности. Оно из­
меряется в °С/вт. Зная тепловое сопротивление RT, М О Ж Н О рас­
считать мощность Ррас, рассеиваемую переходом:

где Т — температура перехода; Т — температура корпуса (или

п

окружающей среды); RT — тепловое сопротивление между пере­

ходом и корпусом (или окружающей средой). В справочниках
обычно указывается либо тепловое сопротивление между перехо­
дом и корпусом R к, а иногда между переходом и окружающей
N

средой R . N С

Теплоемкость Ст показывает, какое количество энергии необ­

ходимо затратить, чтобы нагреть переход на 1° С. Ее величина из­
меряется в em -секГС При расчетах вместо Ст обычно используется
тепловая постоянная времени т„т = CTRT, которая характеризует
инерционность тепловых процессов.

Электрические параметры

Предельный режим работы транзистора характеризуется сле­

дующими электрическими параметрами: максимально допустимой
мощностью, максимально допустимыми токами и максимально
допустимыми обратными напряжениями. Эти параметры опреде­
ляются предельными величинами с учетом их статистического рас­
пределения.
Максимально допустимая мощность ограничивается макси­
мальной температурой перехода Т . В справочниках обычно
П д о п

указывается максимально допустимая мощность коллектора Р , к доп

так как значительная часть рассеиваемой мощности выделяется

в области коллекторного перехода. Д л я определения допустимой
величины Рк.доп набирается статистика по тепловому сопротив­
лению RT, определяется его максимальное значение Rт макс и затем
по формуле (5-65) вычисляется
р _ Т У доп—Т
Г К. ДОП — 5 - •
-"Г макс
Из этого выражения следует, что с повышением температуры
корпуса или окружающей среды Т максимально допустимая мощ­
ность должна быть уменьшена. Выделяемая на коллекторном пере­
ходе мощность Р не должна превышать максимально допусти­
к в ы д

мую МОЩНОСТЬ!

Р к. выд ^= Рк. ДОП'

1У4
 В установившемся режиме мощность Р . выд определяется фор­ к

мулой
=
выд IKUKI

а в импульсном режиме

^11.выд==тД- [ U {t)I {t)dt,

K K

Гер flJ

где Г с р — период усреднения энергии.

Максимально допустимый ток коллектора ограничивается
одним из следующих факторов:
а) максимальной температурой коллекторного перехода Т ; а доп

б) допустимым уменьшением коэффициента передачи тока

базы 6;
в) вероятностью выхода из строя транзистора из-за неравномер­
ного распределения плотности тока по площади эмиттера или из-за
вторичного пробоя.
Рассмотрим каждый из указанных факторов в отдельности.
Максимальная температура перехода Т _ как фактор огра­ П доп

ничения тока используется в тех случаях, когда рассеиваемая

на коллекторе мощность приближается к максимально допусти­
мой величине Р„ . В этом случае максимально допустимый ток
д о п

коллектора не должен превышать'

т __- Рц. доп У п. доп — Т
•«Н.ДОП^= TJ ту TJ •

Уменьшение коэффициента передачи тока базы 6, которое на­

блюдается при увеличении тока эмиттера / , а следовательно, э

и тока коллектора 1 , может снизить коэффициент усиления тран­

К

зисторного каскада настолько, что его применение окажется не­

целесообразным. Поэтому в транзисторах, предназначенных для
работы в линейных усилителях, ток 1 приходится ограничивать К

величиной, при которой значение В еще достаточно велико.

Неравномерное распределение плотности тока по площади
эмиттера является основным фактором, ограничивающим ток в мощ­
ных транзисторах. Суть этого явления заключается в следующем.
Падение напряжения на объемном сопротивлении базы от тока
основных носителей заряда приводит к тому, что смещение на эмит-
терном переходе возрастает от центра к периферии. Действительно,
из рис. 5-19, а и б следует, что вследствие перепада напряжения
вдоль эмиттерного перехода напряжение смещения 17 на перифе­ Э

рии эмиттера больше напряжения UI на величину 1'вА.г' + I'eAr'e 5

(где Дгд, Д?б — объемные сопротивления элементарных слоев

-

базы, r j — сопротивление пассивного участка базы). Поэтому

i B

периферийные участки эмиттера работают при повышенных плот­

ностях тока (эффект оттеснения тока к краям перехода). Это может
привести к локальному перегреву областей эмиттерного перехода,
7* 195
прилегающих к периферийным участкам эмиттера, при средней
плотности тока его значительно меньше допустимой. Чтобы
предотвратить перегрев, приходится ограничивать ток эмиттера
на уровне, определяемом допустимой плотностью тока для пери­
ферийных участков эмиттерного перехода.
По мере увеличения размеров эмиттера возрастает перепад
напряжения вдоль эмиттерного перехода, поэтому эффект оттес­
нения тока особенно заметно проявляется у мощных транзисторов
[Л. 8]. Д л я уменьшения этого эффекта в мощных транзисторах
обычно используют так называемую многоэмиттерную структуру,
которая состоит из большого количества (150—400) отдельных
эмиттеров, соединяемых параллельно [Л. 6].

а)
Рпс. 5-19. Разрез базовой области с ли­
н и я м тока основных носителей (а)
и эквивалентная схема для определения
падения напряжения на различных
участках эмиттерного перехода (б).
Рпс. 5-20. Коллекторная харак­
теристика транзисторов со вто­
ричным пробоем (крпвая а —
участок первичного пробоя;
кривая б — участок вторичного
пробоя).

В импульсных схемах ток базы IQ (t) = I (t) — I (t) во время

3 1 {

переходного процесса значительно больше, чем в установившемся

режиме (ток коллектора в начальные моменты времени не успевает
заметно измениться). Это сопровождается дополнительным увели­
чением перепада напряжения вдоль эмиттерного перехода и более
неравномерным, чем в установившемся режиме, распределением
плотности тока. Причем при отпирании транзистора перегружен­
ными оказываются периферийные участки эмиттера. При запира­
нии (во время переходного процесса), наоборот, плотность тока
достигает наибольшей величины на центральном участке эмиттера,
так как ток базы изменяет свое направление, и смещение на эмит-
терном переходе возрастает от периферии к центру. Высказано
предположение, что неравномерное распределение плотности тока
является причиной образования вторичного пробоя, который на­
блюдается на коллекторной характеристике транзистора (рис. 5-20)
при импульсном воздействии [Л. 8, 62]. Этот вид пробоя внешне
проявляется следующим образом. При увеличении коллекторного
19&
напряжения наблюдается обычный лавинный пробой, способствую­
щий нарастанию тока / (кривая а иа рис. 5-20). Когда ток кол­
к

лектора достигает сравнительно большой величины, напряжение

на коллекторе резко уменьшается, и рабочая точка перемещается
в область вторичного пробоя (кривая б на рис. 5-20). Этот эффект
часто является причиной катастрофических отказов мощных тран­
зисторов. Поэтому из условий надежности работы транзистора
ток в импульсе ограничивают величиной / . т исключающей на­ к Д О

ступление вторичного пробоя.

Максимально допустимое обратное напряжение ограничивается
напряжением, соответствующим предпробойному состоянию. Как
и для одиночного р-п перехода, возможны тепловой и электриче­
ский пробои (см. § 3-5).
Тепловой пробой характерен для мощных транзисторов с вы­
соким пробивным напряжением. Этот вид пробоя развивается
при сравнительно большом запирающем смещении на коллектор­
ном переходе вследствие тепловой неустойчивости режима работы
транзистора. Если рассеиваемая мощность Р„, меньше выделяе­
мой мощности Р„ , то начинает повышаться температура коллек­
в ы д

торного перехода. С повышением температуры перехода увеличи­

вается тепловой ток и возрастает выделяемая мощность. Это спо­
собствует еще большему повышению температуры, а следовательно,
увеличению теплового тока и т. д. Наступает тепловая неустой­
чивость, которая и приводит к тепловому пробою, проявляющемуся
в виде резкого нарастания тока коллектора. Чтобы предотвратить
тепловой пробой, необходимо обеспечить выполнение условия
dP к ^к.выд /с сс\

Мощность, рассеиваемая транзистором, определяется выраже­

нием
*"=т£г(Гп-г>.
Следовательно,
dP K = 1
dT„ R " T

Мощность, выделяемая в коллекторном переходе,

Рк. ВЫД = Uцо1 К = UКб (ССД'/э + / к о ) -

Поскольку с изменением температуры перехода изменяется

в основном обратный ток / , то к о

dP к. „„„
выд „ ,
u dl «о „ ,
un
ТТ
dr..
"Г
Т 1

dT a ^ Чт^^ ~1т\Г'
инб икб

( Д^з \
jjr^-Ji получаем:
dP к. выд ^
dT a ~ Ф г г ^кб-'кг.
п

197
 Подставив выражения для d P J d T и dP /dT в неравенство n KnblR n

(5-66), можно определить напряжение, при котором ие возникает

тепловой пробой:
т
4>т и
UM < f/кб.допг = л г / к Г д|- • (5-67)

Из известных видов электрического пробоя (§ 3-5) транзисторам

свойствен лавинный пробой. Напряжение пробоя зависит от схемы
включения транзистора, и, как правило, оно меньше, чем в оди­
ночном р-п переходе. Это результат своеобразного нарастания
потока неосновных носителей заряда,
поступающих в базу для нейтрали­
зации заряда основных носителей.
Напряжение пробоя коллектор­
ного перехода транзистора при работе
в активной области можно опреде­
лить, пользуясь эквивалентной схе­
мой, которая приведена на рис. 5-21.
Эта схема получена на базе Т-образ­
ной эквивалентной схемы транзисто­
Рис. 5-21. Эквивалентная схе­ ра. В нее включен дополнительный
ма транзистора для расчета на­ генератор i , ток которого отра­ K и

пряжения пробоя при работе жает ионизацию атомов подвижными

в активной области. носителями заряда в коллекторном
переходе. К зажимам транзистора
подключены внешние сопротивления R , R и R , которые вклю­ 3 5 u

чаются в схему усилителя. Можно показать, что ток коллектора

равен:
1
к.и Увых
, (5-68)
Дб + 'б
1 — «Увых 1 —а
Л б + Гб + Л э + Гэ Лб + ' - - Ь Л + г б э э

где

( Д + гб) (Дэ + г )
^ Д -
б 3
1+
r L
к

K
Д + г -|-Д + г .
б б э э

— коэффициент токораспределения в выходной цепи (в большин­

стве практических схем y ~ 1, так как обычно R + Bblx K

, (Дб + ro) (Дэ + Га)

Дд + Гб + Дэ + '-э

Из выражения (5-68) видно, что при

Дб+>б
1 — ау в :
= 0 (5-69)
Дб + '-б + Дэ + 'э
0 0
ток коллектора г • Этим условием и определяется напряжение
к

пробоя транзистора при работе в активной области. Подставив

198
в равенство (5-69) выражение коэффициента передачи тока эмит­
тера
а
НОМ

получим формулу для определения напряжения пробоя коллек­

торного перехода

U . проб = и . у^1
к к л — «иомТвых д б+ Г б °^д э+ Г э ^

- ^ , л ^ 1 - а н о м ^ ± ^ , (5-70)

где С/ . — напряжение лавинного пробоя одиночного р-п пере­

к л
a
хода (см. § 3-5); а ом = Yd r — величина коэффициента передачи
Н

тока эмиттера при М = 1. к

Из формулы (5-70) следует, что с увеличением сопротивленпя

в цепи базы напряжение пробоя коллекторного перехода уменьша­
ется. Физическая причина уменьшения U б заключается в сле­ K п р 0

дующем. В электронно-дырочном переходе умножение носителей

заряда начинается при напряжениях, значительно меньших, чем
напряжение лавинного пробоя U . В одиночном переходе этот1<n

процесс становится неустойчивым при напряжении U , соответ­ K л

ствующем началу многократного умножения носителей в переход­

ном слое. В транзисторе же неустойчивость лавинного умножения
наступает при меньших напряжениях из-за усиления тока: основ­
ные носители заряда, которые возникают в коллекторном переходе
вследствие ионизации атомов, поступают в базу. Если сток основ­
ных носителей заряда через базовый контакт ограничен, то часть
из них остается в базе. Д л я нейтрализации заряда оставшихся
носителей через эмиттерный переход поступают неосновные носи­
тели заряда. Пересекая базу, они попадают в коллекторный пере­
ход, где могут ионизировать новые атомы и т. д. Таким образом,
происходит усиление тока ионизации £ . и. способствующее лавин­ к

ному нарастанию тока коллектора при напряжениях, меньше чем

С/ . л- При этом чем больше сопротивление в цепи базы R^ + го
к

по сравнению с сопротивлением в цепи эмиттера R + г , тем больше g э

оставшихся в базе основных носителей заряда и тем меньше на­

пряжение пробоя U проб- Наименьшее напряжение лавинного
K
г
пробоя составляет :
U = U . 7 /"1 — сс„ом.
a K л
Л
(5-71)
До такого низкого уровня падает напряжение пробоя для тран­
зистора, сопротивление в цепи базы которого значительно больше
сопротивления в цепи эмиттера.

1
Наименьшее напряженно лавинного пробоя принято отмечать допол­
нительным индексом а, так как оно определяется пз условия a = 1.

199
 Напряжение пробоя коллекторного перехода возрастает с уве­
личением сопротивления в эмиттере. Когда это сопротивление зна­
чительно превосходит сопротивление в базе (т. е. когда эмиттер
работает прп холостом ходе), напряжеппе пробоя достигает своей
наибольшей величины и становится равным напряжению лавин­
ного пробоя одиночного перехода U . Необходимую для расче­
K л

тов по предыдущим формулам величину U можно определить K л

пз вольт-амперпой характеристики перехода, снятой при холостом

ходе в цепи эмиттера (1 = 0). 3

При коротком замыкании на входе (i? = R = 0) напряжение 0 3

пробоя равно:

к.проС — Uк. л у 1 • ОС,,

) + 'и '

Из этого выражения следует, что по мере уменьшения тока

эмиттера 1 напряжение пробоя возрастает, так как увеличивается
Э

сопротивление эмиттерного пе­

рехода. Следовательно, закры­
тый транзистор выдерживает
большее обратное напряжение,
чем открытый. Однако выбор до­
пустимого обратного напряже­
ния следует делать по напря­
жению пробоя открытого тран­
Рпс. 5-22. Эквивалентная схема для зистора. Если же этот выбор
расчета напряжения пробоя прп делать по напряжению пробоя
работе в области отсечки. закрытого транзистора, то во
время переходного процесса,
когда ток эмиттера успевает заметпо увеличиться, а напряженно
на коллекторе почти не меняется, может произойти пробой.
Прп работе в области отсечки напряжение пробоя можно опре­
делить на основании эквивалентной схемы рис. 5-22. Аналогично
предыдущему случаю можно показать, что лавинообразное нара­
стание тока коллектора или эмиттера наступает при
1 — ад,аг = 0.
Подставив в это равенство выражение для коэффициента пере­
дачи тока эмиттера
a
TN У э

aN = -
1-

получим формулу для расчета иапряжепия пробоя коллекторного

перехода в области отсечки

Uк. проб — UK.II — CC;VHOM«/

(«лном = с^'Л'Тэ — значение a N при М = !)• к

200'
Аналогичной формулой выражается напряжение пробоя эмиттер­
ного перехода

^э.проС =
U,a л CJVOC/HOM

а
( /ном — значение а/ при М = 1). э

Напряжение лавинного пробоя не зависит от формы, длитель­

ности и скважности шшульсов, так как лавинный процесс разви­
вается за очень короткое время, составляющее доли наносекунды.
Поэтому в импульсном режиме максимально допустимое напряже­
ние такое же, что и в установившемся (тогда как у электровакуум­
ных приборов первое может значительно превосходить второе).
Д л я высокочастотных транзисторов со сравнительно тонкой
базой максимально допустимое напряжение коллектора может быть
ограничено также напряжением смыкания, при котором коллектор­
ный переход, расширяясь, перекрывает всю базовую область и смы­
кается с эмиттерный переходом. Происходит «прокол базы», при­
водящий к короткому замыканию коллекторного и эмиттерного
переходов, и транзистор теряет усилительные свойства. При умень­
шении обратного напряжения U коллекторный переход сужается, K

база расширяется и транзистор восстанавливает свои параметры.

Если при смыкании ток коллектора не ограничивать внешним
сопротивлением, то транзистор может выйти из строя из-за разру­
шения переходов.
Напряжение смыкания U определяется из уравнения,
K с м ы к

которое можно составить, приравняв толщину базы в равновес­

ном состоянии W к приращению слоя коллекторного перехода
0

W — W , т. е. W = W — W . Подставив в это уравнение

K KQ 0 K K0

выражение (3-31), после несложных преобразований получим:

U к. смык — ф В к Фдк-^-К. (5-72)

Учитывая, что толщина перехода в равновесном состоянии

2(р е \1/2
Лк £о 1

T'F K0 =
/12 Ф л к ее у/з 0 1
Д Л Я П
[ ае ) ' = Т'

формулу (5-72) для сплавного перехода (п = / ) можно предста­ с

1
2

вить в виде

иЯшШЫЯ = -^-ТУЬ; (5-73а)

для выращенного и диффузионного переходов (п = / ) с

х
3

С/к. смык = i £ - ^ 8 . (5-736)

201
 В справочниках обычно указывают наибольшее и наименьшее
значения максимально допустимого напряжения коллекторного
перехода. Первое из них определяется при разомкнутом эмиттере
(/„ = 0), а второе — при холостом ходе в базе 5> R ) - Иногда 3

приводят максимально допустимое напряжение при коротком замы­

кании эмиттерного и базового контактов. Д л я эмиттерного пере­
хода указывается максимально допустимое напряжение при разомк­
нутом коллекторе (1 = 0). К

5-9. ШУМЫ ТРАНЗИСТОРА

По своей физической природе шумы в транзисторе разделяются на теп­

ловые, дробовые п избыточные [Л. 63—65].
Тепловой шум вызывается статистическими флуктуацнпмн перепада
напряжения в объеме полупроводника, обусловленными хаотическим дви­
жением носптелей заряда. Величина э. д. с. тепловых шумов па сопротивле­
нии г определяется формулой Напквиста:

Так, например, тепловой шум па объемном сопротивлении базы ха­

рактеризуется величиной
«ц7б = 4ф с/- Д/. г с (5-74)

Тепловой шум пмеет так называемый белый спектр: он остается по­

стоянным прп изменении частоты (меняется только прп изменении полосы про­
пускания Д/).
Дробовой шум обусловлен статистическими флуктуацнямн тока, которые
возникают в результате дисперсии скоростей носптелей заряда. Величина
дробового шума определяется формулой Шотткн:
^ = 2е|2/|Д/,
где [27] — сумма постоянных составляющих всех токов независимо от их
направления.
Так, например, дробовой шум эмиттерного перехода определяется сле­
дующим образом. Эмпттерный ток

U (fT
состоит пз прямого тока I e ^ -f- a I и обратного — / , каждый пз
3T T t< э Т

которых является независимым ИСТОЧНИКОМ шума. Поэтому общий шум опре­

деляется суммой этпх токов п количественно характеризуется величиной

^ = 2* ( / в Т в ^ + « /
Г К + / Э Г ) Д/ = 2е (/„ + 21 э Т ) Д/ = 2е [2 (/, + 1 д Т ) -

-/ ]Д/.
8

Выразив сумму токов (7 + 1 ) Э эТ через проводимость эмиттерного пере­

хода
1 • 'э + 'эг
г.э
формулу для определения величины тока шумового генератора на средних
частотах ijj можно представить в следующем виде:
э

7^- = 2е [ 2
э Ф г g - / ] Д/ = 2е J2q> - i - - / „ ] Д/.
3 а T

202
 На высших частотах проводимость эмиттерного перехода увеличивается,
поэтому уровень дробового шума возрастает на величину, пропорциональную
разности действительной части проводпмостей на высших п средних частотах,
т. е. на величину 2 е [ 2 ф (Re у — g )]. Таким образом,
т э 3

12 = 2 е [ 2 ф г - / ] Д / + 2 е [ 2 ф ( R e y - f t ) ] A / = 2 e [ 2 9 r R e y - / ] A / , (5-75)
Ш.Э т э 8 г a 8 e

где
1 1
2/э = (5-76)

— комплексная проводимость эмиттерного перехода.

Аналогично можно показать, что при работе транзистора в активной
области дробовой шум коллекторного перехода, смещенного в обратном на­
1
правлении, определяется следующим соотношением :

'Ь,.к = 2 е 2
[ Ф г R c i / - ( - / „ ) ] Д/ = 2 в [ 2
K Ф т Неу +/ ]Д/,
к к
(5-77)
где
1 1
2/ = —- = - - + /шС
к к
(5-78)
Z
K "к

— комплексная проводимость коллекторного перехода.

Дробовой шум, так же как и тепловой, имеет белый спектр.
Избыточный шум (флпккер-шум) возникает из-за флуктуации поверхност­
ной рекомбинации и генерации носптелей заряда, а также тока утечки. Спектр
мощности этого шума обрат­
но пропорционален частоте.
Поэтому избыточные шумы ось.
часто называют шумадш тп-
па 1//. В современных тран­
зисторах уровень шумов 1//
определяется в основном
качеством обработки по­
верхности кристалла вблизи ш.к
переходов.
На рнс. 5-23 приведена
эквивалентная шумовая схе­
ма транзистора. В этой
схеме тепловой шум харак­
теризуется генератором на­
пряжения е . б, дробовой
ш

шум — генераторами тока

з к 1 . к- Напряжение и
Ш

токи генераторов определя­

Рис. 5-23. Эквивалентная шумовая схема
ются соответственно выра­
транзистора.
жениями (5-74), (5-75) и
(5-77).
В эквивалентной схеме на рпс. 5-23 пренебрегается тепловыми шумами
на объемных сопротивлениях эмиттерного и коллекторного слоев. В
этой схеме не учтены также избыточные шумы. Их можно учитывать таким же
образом, как и дробовые шумы, с помощью генераторов тока, включаемых
параллельно эмпттерному и коллекторному переходам. Однако мощность
избыточных шумов обычно определяют экспериментально, так как пх анали­
тические зависимости плохо согласуются с экспериментом [Л. 8, 65].

1
В этом соотношении в круглых скобках стоит знак минус, так как ток
коллектора протекает в направлении, противоположном току прямо смещен­
ного перехода.

203
 Количественно шумы характеризуются коэффициентом шума, определяе­
мым как отношеппе полной мощности шумов па выходе четырехполюсника
к топ ее части, которая обусловлена тепловыми шумами сопротивления источ­
ника сигнала:

J7_ ^*III, вых

Фг е А
/*рном '

где Р . вых — полная мощность шума на выходе; Д/

ш эффективная полоса
со
1
пропускания четырехполюсника: Д/ = -^рпом (/) df\ Кр пом—
К рпом. макс
номинальный коэффициент усиления мощности (с дополнительным индексом
«макс» — его максимальное значение).
Поскольку мощность
Рш. вых складывается из мощности теплового шума
сопротивления источника сигнала q> еД/ К и мощности
T собственныхр н о м

^ . шумов четырехполюспика
~ ' Рш. соб. то коэффициент шу­
ма можно представить в
виде
F = l + ш. соб
Ф^еД/А'
рпом
Величину коэффициен­
та шума F либо измеряют
непосредственно, либо вы­
числяют прп помощи шу­
мовой эквивалентной схемы
(рпс. 5-23). Прп расчете
величины F сначала извест­
ными электротехническими
Рпс. 5-24. Преобразованная эквивалентная методами вычисляют шумо­
шумовая схема транзистора. вые токи и напряжения,
а затем значения средних
квадратов соответствующих величин. Необходимые для расчета средних
квадратов корреляционные члены определяются соотношениями [Л. 8]:

2 е Д 2 а
*ш. э V к= Ф г 2/ 1 / ~
2 «Фт №) Уь

е е £ =
ш . б ' ш . 8 ~ ш.б Ш.К ^'

Сильная взаимосвязь между шумовыми генераторами s . и : . суще­ m э ш к

ственно осложняет расчет коэффициента шума. Корреляционный член (5-79)

можно исключить, п для расчетов дробового шума использовать эквивалент­
ную схему с тремя независимыми генераторами тока [Л. 66]. Однако такая
схема тоже неудобна для практических расчетов. Более удобной является
эквивалентная схема с двумя генераторами дробового шума, приведенная
на рис. 5-24. Ее можно получить, преобразовав схему рис. 5-23 так, чтобы
корреляционный член оказался пренебрежимо малым. Можно показать
[Л. 8], что в эквивалентной схеме рис. 5-24 средние квадратичные величины
шумовых генераторов определяются следующими соотношениями:

— а 2 а а
'ш.к +1 I *ш.э + 'ш.э^ш.к ч " * ' ш . j'lU.K

204
с корреляционным членом
г г
'ш.о ш.к э) (

величиной которого при практических расчетах пренеорегают.

Зависимость коэффициента шума транзистора от частоты показана па
рис. 5-26. В области низших частот коэффициент шума возрастает в резуль-

F, 65

Рис. 5-25. Зависимость ко­

эффициента шума от ча­
стоты.

тате увеличения избыточного шума. В диапазоне частот от Д до / заключена в

область белого шума. На высших частотах коэффициент шума растет из-за

увеличения тока рекомбинации в базовой области.

5-10. ПОВЫШЕНИЕ ДОБРОТНОСТИ ТРАНЗИСТОРА

Транзистор прежде всего характеризуется усилительными

свойствами. При усилении импульсных сигналов интересуются
не только усилительными способностями транзистора, но и его
возможностями воспроизводить без заметных искажений фронты
импульсов. Поэтому качество транзистора как усилительного эле­
мента принято характеризовать отношением коэффициента уси­
ления к времени нарастания фронта импульса. Это отношение назы­
1
вается импульсной добротностью транзистора . Чем больше коэф­
фициент усиления и чем меньше время нарастания фронта, тем
больше добротность транзистора, тем шире его схемные возмож­
ности. При усилении гармонических сигналов для характеристики
транзистора используется аналог добротности — площадь усиле­
ния, определяемая произведением коэффициента усиления на выс­
шую граничную частоту. Поскольку величины добротности и пло­
щади усиления отличаются лишь числовым коэффициентом, то огра­
ничимся рассмотрением лишь добротности транзистора.
Можно показать, что добротность транзистора определяется
соотношением [Л. 67]

Д т р = 5 8
~ 2,2 [С«(го + Г э ) + т ] • в ( - °)

где С = С
н + Ск. д — емкость коллекторного перехода, опреде­
к п

ляемая суммой зарядной С . и диффузионной С . емкостей;

к п к д

го — объемное сопротивление базы; г ^ ф г / / э — дифференциаль­ э

ное сопротивление эмиттерного перехода; т — постоянная вре­ а

мени коэффициента передачи тока эмиттера а.

1
В последующем изложении для краткости употребляется термин «доб­
ротность транзистора» вместо «импульсная добротность транзистора».

205
 Рассмотрим возможности повышения добротности транзистора.
Добротность Д" можно повысить прежде всего уменьшением
тр

емкости коллектора Ск. Этого можно достичь, сокращая по в

можности площадь коллекторного перехода SK (минимальные раз­
меры SK обычно лимитируются величиной допустимого тока кол­
лектора / к . д о п ) -
Как известно (§ 3-6), зарядная емкость перехода уменьшается
с увеличением толщины переходного слоя. Поэтому с уменьше­
нием концентрации прпмесей в базе зарядная емкость коллектора
Си. п уменьшается (так как уменьшение электропроводности базы
способствует расширению переходного слоя). Однако с уменьше­
нием электропроводности базы возрастает ее объемное сопротивле­
ние. При этом в диффузионных транзисторах, база которых одно­
родна, уменьшение электропроводности базы, начиная с некото­
рого значения концентрации примесей, приводит не к уменьшению
произведения Ск Г б , а наоборот, к его увеличению. Д л я уменьше­
п

ния зарядной емкости Ск. п не требуется уменьшать концентрац

прпмесей во всей области базы: достаточно ее снизить в той части
базы, которая прилегает к коллекторному переходу. При этом,
сохраняя во всей остальной части базы сравнительно высокую кон­
центрацию примесей, можно И З Г О Т О В И Т Ь транзистор со сравнительно
низкоомным сопротивлением базы 7- . Такое распределение концен­
б

трации прпмесей свойственно дрейфовым транзисторам, у которых

вблизи эмиттерного перехода концентрация примесей высока,
а у коллекторного перехода — минимальна. Благодаря высокой
концентрации прпмесей вблпзи эмиттерного перехода объемное
сопротивленце базы оказывается небольшим. Но вместе с тем уда­
ется существенно уменьшить зарядпую емкость коллекторного
перехода, так как из-за Н И З К О Й концентрации примесей у коллек­
тора переходный слой расширяется.
Диффузионную емкость коллектора Скп [см. выражение
(5-406)], так же как п постоянную времени коэффициента передачи
тока эмиттера т , можно уменьшить главным образом за счет умень­
а

шения толщины базы W. Емкость С . пропорциональна среднему

к д

времени пролета носителей заряда через базу хтп, а постоянная вре­

мени х определяется дисперсией времени пролета OTN- Время про­
а

лета XTN И его дисперсия OTN С уменьшением толщины базы уменьша­

ются. Но при этом возрастает объемное сопротивление базы г^.
Поэтому повысить добротность транзистора уменьшением тол­
щины базы W можно лишь до определенного предела: существует
оптимальное значение W, при котором добротность транзистора
достигает максимальной величины. Д л я диффузионных транзисто­
ров оптимальное значение W составляет 10—20 мкм.
Неравномерное распределение примесей в базе дрейфовых
транзисторов позволяет уменьшить толщину их базы до 0,2—
0,3 мкм. Дело в том, что из-за высокой концентрации примесей
у эмиттерного перехода с уменьшением толщины базы ее объемное
сопротивление возрастает не так заметно, поэтому с уменьшением
206
W до очень малых величин добротность транзистора все еще про­
должает увеличиваться.
Среднее время пролета носителей и дисперсию уменьшает
встроенное электрическое поле, способствующее ускоренному
перемещению неосновных носителей через область базы. В дрей­
фовых транзисторах такое поле образуется благодаря неравномер­
ному распределению примесей. Его влияние иа свойства транзи­
стора подробно рассмотрено в § 4 - 2 .
В соответствии с выражениями ( 2 - 2 7 ) и ( 2 - 2 8 б) дисперсия
времени пролета
2
W
GTN = 2 ^ 5 j j « г / о - (Т|) = ТоГдоф/о- Ol).
2
W
где Т гдиф — 2,A5Dат - постоянная времени коэффициента пере
а

noca носителей для диффузионных o g

транзисторов;
0,1
/а(Л) = ^ К ^ Г "5
2
+ 4 ( 1 + 2 1 1 ) e~ i + e -411
0,6
— функция, характеризующая умень­
шение дисперсии из-за действия встроен­ OA
ного поля. График этой функции пока­
зан на рис. 5 - 2 6 . о,г\
Из графиков функции / (п) и / (г\)
видно, что встроенное электрическое
а
т
О 1 г 3 * 5
поле не так уж существенно уменьшает Рпс. 5-26.
График функ-
среднее время пролета XTN И дисперсию пли / (г,). а

OTN- Так,например, в германиевых тран­

зисторах, для которых коэффициент т) не превышает 2—3 (см.
§ 4 - 2 ) , величины XTN И GTN уменьшаются всего В 3—5 раз по сравне­
нию с бездрейфовым транзистором. В кремниевых транзисторах,
допускающих несколько большую величину и, среднее время X N T

и дисперсия OTN могут уменьшиться в 5 — 6 раз. Между тем доброт­

ность дрейфовых транзисторов обычно в десятки и сотни раз пре­
вышает добротность диффузионных. Столь заметное увеличение
добротности дрейфовых транзисторов достигается главным обра­
зом за счет уменьшения толщины базы. Последнее становится воз­
можным благодаря неравномерному распределению примесей
в базе, позволяющему уменьшить емкость коллектора, среднее
время пролета и дисперсию без заметного увеличения объемного
сопротивления базы.
Добротность транзистора зависит от режима его работы: от на­
пряжения на коллекторном переходе U и тока эмиттера 1 . С уве­
K Э

личением обратного смещения на коллекторе U уменьшается за­ K

рядная емкость С . m а также постоянная времени т (так как база

н а

сужается, а поэтому уменьшается дисперсия).

С уменьшением С . п и т добротность возрастает. Рост доброт­
к а

ности наблюдается также при увеличении тока эмиттера 1 . Э

207
С увеличением тока / уменьшается сопротивление эмиттерного
э

перехода г и частично объемное сопротивление базы г<$ [из-за

э

модуляции проводимости базы (см. § 3-7)]. Наиболее существенно

ток эмиттера влияет на величину постоянной времени т . Как из­
а

вестно (см. § 5-2), в области микротоков постоянная времени х а

в значительной мере определяется средним значением времени

жизни носителей заряда в переходном слое т и зарядной ем­
Н г

костью эмиттерного перехода С . По мере увеличения тока эмит­

э п

тера влияние указанных величин уменьшается, так как сужается

эмиттерный переход (а поэтому спадает ток рекомбинации в пере­
ходном слое) и уменьшается относительная доля тока смещения,
заряжающего емкость С . 0 п

Увеличение тока эмиттера приводит также к уменьшениям

времени пролета носителей через базу тт.ч п дисперсии этого вре­
мени OTN- С увеличением концентрации носителей заряда в базе
возрастает напряженность электрического поля, которое образу­
ется под действием внешних источников пптання. Это поле способ­
ствует ускоренному перемещению неосновных носителей заряда
через область базы [Л. 68] и уменьшает величныы xy.v и OTN-

Глава шестая

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

6-1. СТРУКТУРА И РАЗНОВИДНОСТИ ПОЛЕВЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

Полевые униполярные транзисторы — активные полупровод­

никовые приборы, протекание тока в которых обусловлено дрей­
фом основных носителей заряда под действием продольного элект­
рического поля. Управление величиной проводимости полупро­
водника, а следовательно, и величиной тока осуществляется попе­
речным электрическим полем. Это поле создается напряжением,
приложенным к управляющему электроду. В полевом транзисторе
перенос электрического тока осуществляется носителями заряда
одного знака. Поэтому полевой транзистор относится к униполяр­
ным полупроводниковым приборам.
Полевой транзистор представляет собой прибор с тремя рабо­
чими электродами, состоящий из следующих областей: канала,
истока, стока, затвора и подложки.
Канал — полупроводниковая область управляемой проводимо­
сти, через которую протекает ток полевого транзистора.
Сток представляет собой полупроводниковую область, к кото­
рой движутся основные носители через канал.
208
 Исток — полупроводниковая область, от которой начинают
движение основные носители в канале.
Затвор — полупроводниковая или металлическая область,
используемая для управления величиной тока в канале.
Подложка — пассивная область, на которой изготавливается
полевой транзистор.
В соответствии со структурой электроды полевого транзистора,
присоединяемые к его областям, называются истоковый, стоко­
вый электроды, электроды затвора и
подложки. Исток /!Г777Т 77\ Сто
И с т о н Г77

В настоящее время в радиоэлект­

оэлект- \Г—ШЖ—Х^
ронике применяются следующие
;иераз-
новидности полевых транзисторов: " " " i / ^ ^ J - 0
Затвор
транзистор с управляющим р - п пере­
ходом и транзистор структуры ме­ Рис. 6-1. Схематическое изоб­
талл — диэлектрик — полупроводник. ражение транзистора с упра­
Полевой транзистор с управляю­ вляющим р-п переходом.
щим р - п переходом — полупровод­
никовый прибор, в котором управляющая область — затвор
образует р - п переход с областью канала (рис. 6-1). Работа полевого
транзистора с управляющим р - п переходом основана иа модуляции
проводимости канала за счет изменения его толщины слоем объем­
ного заряда, обедненного подвижными носителями, под действием
напряжения, смещающего переход в обратном направлении. Трап-
зисторы с управляющим р - п переходом изготавливаются из гер­
мания, кремния, арсенида галлия и могут иметь канал с р - или
«-электропроводностью.

•Затвор Затвор
Исток Сток Исток Сток
Si О,

Рпс. 6-2. Схематиче­ \р /

+
\р \
+

ское изображение Инверсный, р-слои,

МДП-транзистора.
а — с индуцированным п - типа Si
наиалом; б — со встроен­ п- типа Si
ным каналом.
а)

Полевой транзистор структуры металл — диэлектрик — полу­

проводник (МДП-транзистор, МОП-транзистор или транзистор
с изолированным затвором) — полупроводниковый прибор, в ко­
тором металлический затвор электрически изолирован слоем
диэлектрика от канала, образованного на поверхности полу­
проводника. Эти транзисторы могут изготавливаться на
полупроводниковой (рис 6-2) и на диэлектрической (рис. 6-3)
подложках.
209
 В качестве полупроводниковой подложки обычно используют
кремний. Окпслепием кремния легко изготовить изолирующий
слой диэлектрика (Si0 — двуокись кремния). Такой транзистор
2

часто называют МОП-транзистором.

В качестве диэлектрической подложки используют сапфир,
шпинель, ситалловое стекло. Диэлектрическая подложка способ­
ствует уменьшению паразитных емкостей, а следовательно, повы­
шению быстродействия транзистора. Однако применение таких
подложек приводит к серьезным технологическим затруднениям,
связанным с выращиванием монокристаллического кремния. Осо­
бенно большие трудности возникают при использовании сапфира
[Л. 69] из-за значительных различий между структурами кристал­
лических решеток (сапфир имеет ромбоэдрическую симметрию,
а кремний — кубическую). Несколько проще осуществляется нара­
щивание эпитакспальиого слоя кремния на подложке из шпинели,

металлический
затвор
Слой полупро­
водника. диэлектрика,
Металла ческии\ I Металлический,
электрод истока/^ ^/электрод стока.
Рис. 6-3. Схематическое
изображепио МДП-траи-
зистора па диэлектриче­
ской подложке.

имеющей, как и кремний, кубическую структуру. Однако механи­

ческие свойства шпинели уступают сапфиру.
В качестве изолирующего слоя можно использовать нитрид
кремния S i N (МДП-транзистор), окись алюминия А1 0 либо
3 4 2 5

комбинацию этих диэлектриков с двуокисью кремния S i 0 . 2

В качестве металлического затвора обычно используется пленка

алюминия.
МДП-транзисторы делятся на два вида: МДП-транзисторы
с индуцированным каналом (рис. 6-2, а) и МДП-транзисторы со
встроенным каналом (рис. 6-2, б). В первых из них канал между
стоком и истоком индуцируется, т. е. наводится управляющим
напряжением. Когда же разность потенциалов между затвором
и истоком равна нулю, проводимость между стоком и истоком прак­
тически отсутствует. В МДП-транзисторах со встроенным кана­
лом канал создается технологическим путем. Проводимость ка­
нала может быть увеличена или уменьшена изменением напряже­
ния между затвором и истоком.
В зависимости от типа электропроводности канала различают
транзисторы /г-типа ир-типа. В первом из них канал обладает элект­
ронной электропроводностью, а во втором — дырочной электро­
проводностью. Тип электропроводности стока и истока всегда совпа­
дает с типом электропроводности канала.
210
 6-2. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ р-п
ПЕРЕХОДОМ

На рис. 6-4 изображена полупроводниковая пластина р-типа,

на противоположные грани которой введены донорные примеси,
превращающие эти области исходной пластины в слои тг-типа.
В результате этого образуются два р-п перехода. Обе области
71-типа электрически соединены. Область полупроводниковой
пластины, которая заключена между двумя р-п переходами, пред­
ставляет собой канал транзистора. Если концентрация атомов при­
меси в областях с электронной электропроводностью значительно
превышает концентрацию примеси в исходном материале, то пере­
ходный слой почти целиком будет распространяться в р-область.
В обедненном слое практически отсутствуют свободные носители
заряда, поэтому ток между исто-
ком и стоком может протекать
не по всему сечению пластины,
а лишь по проводящему каналу,
заключенному между обедненными
подвижными носителями заряда
слоями.
Так как проводимость канала
определяется его сечением, то,
изменяя напряжение между затво­
ром и истоком Z7 .„, можно упра-
3 .
Р п с р р
6 4 iтранзистора с
а 3 е з

влять сечением канала и, следо- управляющим р-п переходом,

вательпо, величиной тока, проте­
кающего через канал. Прп достаточно высоком обратном смеще­
нии на затворе сечение канала может быть уменьшено практически
до нуля, т. е. произойдет смыкание областей объемного заряда.
Напряжение U , при котором канал будет полностью перекрыт
0

слоем объемного заряда и ток через полупроводниковую пла­

стину будет определяться только токами утечки, называется на­
пряжением отсечки. Шокли в своей работе [Л. 70], в которой
впервые был изложен принцип работы полевого транзистора
с управляющим р-п переходом, это напряжение назвал «напряже­
нием перекрытия канала». В настоящее время более распростра­
ненным является термин «напряжение отсечки» или «пороговое
напряжение». Последним термином обычно называют соответствую­
щее напряжение для МДП-транзистора с индуцированным ка­
налом.
Рассмотрим семейство стоковых вольт-амперных характери­
стик (рис. 6-5). Предположим, что затвор и исток соединены на­
коротко, т. е. напряжение между этими электродами равно
нулю. Подадим на сток небольшое отрицательное по отношению
к истоку напряжение U „. Через прибор от истока к стоку начнет
c

протекать ток стока 1 . С увеличением напряжения U . ток /

С c n с

будет расти. Если бы с изменением напряжения £/ . п проводимость

с

211
канала не изменялась, то ток 1 возрастал бы прямо пропорцио­
0

нально напряжению U , и вольт-амперная характеристика

c п

имела вид линейной функции (см. штрих-пунктирную прямую

на рис. 6-5). В действительности ток стока вызывает падение напря­
жения в канале, которое оказывается запирающим для р-п
перехода затвор—каиал. Это способствует расширению области
объемного заряда и уменьшению сечения канала транзистора,
а следовательно, и уменьшению проводимости канала. При увели­
чении напряжения на стоке растет ток через каиал, возрастает па­
дение напряжения в канале, расширяется область объемного за­
ряда, уменьшается сечение токопроводящего канала и еще больше
уменьшается его проводимость. Таким образом, увеличение на­
пряжения на стоке приводит к возрастанию тока через каиал до

Рис. G-5. Семейстпо

стоковых характери­
стик транзистора с
управляющим р-п пе­
реходом.

такой величины, при которой запирающее напряжение па р-п

переходе начинает ограничивать рост тока. Увеличение тока / с

замедляется и, начиная с некоторого напряжения на стоке U . „ , c

практически прекращается. Дальнейшее повышение напряжения

на стоке уже не приводит к росту тока, так как одновременно ра­
стет и сопротивление канала. Если смещение на затворе равно
нулю ((Уз = 0), то напряжение на стоке, при котором канал пере­
п

крывается и ток стока насыщается, достигая величины / .ласо> с

равно напряжению отсечки U = — U . Действительно, распро­

c п 0

странение области объемного заряда практически на все сечение

пластины происходит у стока при разности потенциалов между
затвором (в данном случае соединенным накоротко с истоком)
и каналом, равной напряжению отсечки. При этом вблизи стоко­
вой области канал перекрывается и увеличение тока 1 практиче­ 0

ски прекращается.
Если к затвору приложить внешнее запирающее напряжение,
то ограничение роста тока 7 произойдет при меньшем значении
С

U „ . Это объясняется тем, что обратное смещение на управляющем

c

р-п переходе (напряжение затвор — исток) создает область объем­

ного заряда, которая уменьшает сечение канала. Поэтому началь-
212
ный участок стоковой вольт-амперной характеристики будет иметь
меньший наклон, соответствующий меньшей проводимости ка­
нала. В рассматриваемом случае канал перекроется при напряже­
нии на стоке £/ ,, = U — U , и при этом произойдет ограничение
с 3- п 0

тока стока. Напряжение U р = Ua. и — U называется стоко­

c пе 0

вым напряжением перекрытия канала (кратко — напряжением

перекрытия).
В действптельностп увеличением напряжепля стока до величины £7 . пер 0

невозможно полностью перекрыть капал, т. е. толщина канала ни в одной

точке не может стать равной нулю, так как при этом перестал бы протекать
ток через канал п тогда не образовался бы перепад напряжения Uc. пер> пере­
крывающий канал. На самом деле прп напряжении £7 . = U. — U С п е р 3 п 0

канал настолько сужается, что ток стока практически перестает возрастать

с увеличением напряжения U . . Допущение о том, что толщина канала может
c и

равняться нулю, просто удобное приближение, позволяющее определить

напряжение перекрытая U . пер или напряжение отсечки U .
c 0

Область семейства вольт-амперных характеристик, в кото­

рой ток стока существенно зависит от напряжения на стоке, назы­
вается крутой областью. Область, в которой эта зависимость не­
значительна, называется пологой областью вольт-амперных харак­
теристик.
При дальнейшем увеличении напряжения на стоке происхо­
дит пробой управляющего р-п перехода (см. рис. 6-5).
Следует обратить внимание на то, что для семейства стоковых
характеристик в качестве параметра выбрано входное напряже­
ние U , тогда как для семейств характеристик биполярных тран­
s п

зисторов параметром служит входной ток (7 или / ) . Такой выбор Э б

формально связан с высоким входным сопротивлением полевого

транзистора, а по существу объясняется его принципом работы:
полевой транзистор — это прибор, который управляется электри­
ческим полем, создаваемым входным напряжением (биполярный же
транзистор управляется зарядом, поступающим в базу под дей­
ствием входного тока).
Теория полевого транзистора с управляющим р-п переходом
подробно рассмотрена в работе [Л. 71]. Иа основании пред­
ставленных в этой работе соотношений можно показать,
что стоковая вольт-амперная характеристика в крутой области,
т. е. при напряжениях | U | ^ | U | — | U _ |, определяет­
Ci и 0 3 п

ся выражением

1 =1
0
с.васо

Величины тока насыщения стока 1 и напряжения отсечки

0 н а с о

U определяются геометрией прибора, физическими параметрами

0

полупроводникового кристалла (подвижностью основных носи­

телей, диэлектрической проницаемостью) и распределением приме­
сей в канале.
21 и
 В пологой области вольт-амперной характеристики, соответ­
ствующей напряжениям | U С. I l l ток стока
определяется приближенным соотношением

I = lс. нас о (6-2)

c
и0

которое можно получить из выражения (6-1). В соответствии с урав­

нением (6-1) ток / при напряжении
с

ис.„ = и3.и-и0 (6-3)

1
Достигает максимума , величина которого определяется форму­
лой (6-2). Это и есть ток насыщения в пологой области характери­
стики. Напряжение, определяемое вы­
ражением (6-3), точно совпадает с на­
пряжением перекрытия канала. Строго
говоря, соотношением (6-2) определяет­
ся величина тока стока в момент пере­
U =const
QII крытия капала. При последующем уве­
с. нас о личении напряжения U „ ток 1 воз­ c С

растает весьма незначительно, поэтому

величина 1 в пологой области с доста­
С

точной точностью определяется выра­

Рпс. 6-6. Стокозатворпая
характеристика транзисто­
ра с управляющим р-п пе­
реходом (канал га-тппа).
жением (6-2). Это выражение является
хорошим приближением для транзи­
сторов с управляющим р-п переходом,
изготовленных любым способом. Закон
распределения прпмесей, геометрия при­
бора и параметры полупроводникового
кристалла влияют лишь на статические
параметры транзистора 1 „ и U. С а с о 0

Выражением (6-2) определяется также стокозатворпая харак­

теристика транзистора на пологом участке, устанавливающая
зависимость тока стока 1 от напряжения затвор — исток £/ „
С 3

при неизменных напряжениях других электродов. Д л я транзисто­

ра с каналом д-типа эта характеристика показана на рис. 6-6.
Стокозатворная характеристика представляет собой параболу,
вершина которой смещена в точку — U . 0

Отметим, что для транзистора с каналом, имеющим электронную элект­

ропроводность, полярность напряжений и направление тока стока и затвора
совпадают с полярностью напряжений и направлением тока анода п управ­
ляющей сеткп электровакуумной лампы, тогда как для транзистора с каналом,
имеющим дырочную электропроводность, соответствующие величины имеют
противоположные знаки.
Итак, вольт-амперные характеристики полевого транзистора достаточно
полно определяются величинами тока насыщения при пулевом смещении на

1
Согласно уравнению (6-1) после максимума ток / должен начать умень­
с

шаться. Этот неправильный вывод объясняется тем, что модель, па основе

которой получено выражение (6-1), применима go момента перекрытия капала.

214
 п
затворе / . насо
е напряжением отсечкп U , значения которых указываются
0

в технических данных прибора.

Аналитические соотношения, определяющие ток насыщения / . с н а с 0

п напряжение отсечкп U , можно получить, зная геометрию транзистора и

0

распределение примесей в управляющем р-п переходе. Последние опреде­

ляются технологией изготовления приборов. В настоящее время в производ­
стве полевых транзисторов с управляющим р-п переходом преобладают два
технологических метода формирования проводящего канала: эпитакспальное
наращивание канала и метод двойной дпффузпп.
При эпптакспальной технологии [Л. 72] на поверхности полупроводни­
кового кристалла, используемого в качестве подложки, наращивается эпп-
такспалыгый слой с противоположным типом электропроводности, который
служит каналом. Затвор транзистора, прикрывающий канал сверху
(рис. 6-7, а), формируется либо наращиванием нового эпптаксиального слоя,
либо путем диффузии примесей. Если подложка представляет собой полу­
проводник, например,- р-типа, то наращивается канал гс-тнпа с затвором
р-тнпа. При эпитакспп примеси в канале распределяются равномерно

а) слой п - типа.
слои

Рис. 6-7. Эпитакспальный транзистор с управляющим р-п переходом.

а _ разрез транзистора; б — распрсдслсгшс примесей в затворе ( N ) , канале ( J V
3 KaH ) п под­
ложке (N ).
n

(рис. 6-7, б). Обычно концентрация примесей в затворе значительно превос­

ходит концентрацию примесей в канале. Поэтому при смещении управляю­
щего р-п перехода в обратном направлении слой объемного заряда почти
целиком распространяется в область канала. Подложка часто электрически
соединяется с затвором.
При изготовлении транзисторов методом двойной диффузии, как п при
эпитаксиальном наращивании, в качестве подложки используется слаболегп-
рованная полупроводниковая пластина [Л. 73]. В подложку (например, крем­
ний гс-тппа) проводят две последовательные дпффузип. Канал формируется
при первой дпффузип, когда в пластину вводится акцепторная примесь, об­
разующая полупроводник р-тппа (рис. 6-8). При второй диффузии, которая
проводится на меньшую глубину, чем первая, введением донорной прпмесп
относительно высокой концентрации получают затвор re-типа. Распределение
примесей при последовательных операциях представлено на рпс. 6-8, б.
Поскольку область затвора легирована более сильно, чем активная область
капала, то переходный слой при обратном включении р-п перехода распро­
страняется в основном в область канала. Это повышает чувствительность тран­
зистора к изменениям напряжения на затворе. Часто подложка соединяется
электрически с затвором. Изменение напряжения на подложке практически
не влияет на работу транзистора, поскольку подложка обычно имеет сравни­
тельно невысокую электропроводность.
При эпитаксиальном н а р а щ и в а ю т и двойной дпффузпп получают тран­
зисторы с планарпой структурой. У них затвор прикрывает канал только со
стороны поверхности кристалла.

215
 Напряжение отсечки транзистора с управляющим р-п переходом можно
определить из условия
W =W, van (6-4) n

физический смысл которого заключается в следующем: при напряжении U 0

переход, расширяясь до величины W , перекрывает канал толщиной W . n Kau

Для эпптакспального транзистора получается резкий р-п переход.

В транзисторе, пзготовленном двойпон диффузией, концентрация примесей

"a-N d

^Первая
Диффузионный, *^<Z диффузия
слои 71-типа
Канал
контакт
затвора.

Подложка

II Вторая
Нанал (I диффузия
Подложка. Si п-типа
Диффузионный,
слой, р - типа
а)

Рис. 6-8. Транзистор с управляющим р-п переходом, пзготовлеп-

пый двойной диффузией.
а — разрез транзистора; б — распределение примесей в затворе, канале и
подложке.

в переходном слое, перекрывающем капал, спадает почти по линейному за­

кону. Определив ширину перехода W (см. § 3-6), на основании условия (6-4)
n

можно показать, что напряжение отсечки выражается следующими форму­

лами:
1
для эшттаксиальпого транзистора со ступенчатым переходом

г / ± И /
° = ( ^ к а н - ф Д ) ;

для транзпетора, изготовленного двойной диффузией, при линейном рас­

пределении примесей в переходе

" . - ± ( 1 ^ - ? , ) , (6-6)

где ц>0 — контактная разиость потенциалов на переходе; е — диэлектриче­

г
ская проницаемость среды в переходном слое; Л ц — концентрация примеси 1!а

в канале; а = AN /Aw
HaH Kall — средняя крутизна изменения концентрации
примесей в переходном слое.
Знак плюс ставится для канала /э-тппа, а знак минус — для канала п-типа.
Ток насыщения прп нулевом с м е щ е н и и / . „ определяется следующими с а с о

формулами [Л. 9]:

Формула (6-5) впервые была получена Шокли [Л.70].

216
 для эпптакспальпого транзистора

о ь ь ь
" каи
для транзистора, изготовленного двойной диффузией,

' с . пас о — , 0 г . — Ь 1У а к , Ь_8

( )

где i-ioc — подвижность основных носителей заряда в канале; Ь кян — длина

канала; S — площадь затвора.
3

Измерение величины 1 производится сравнительно про­

С п а с о

сто: при закороченном с истоком затворе на сток транзистора пода­

ется напряжение, величина которого превышает напряжение от­
сечки, и измеряется ток стока в режиме насыщения. При непосред­
ственном измерении напряжения отсечки U результаты получаются. 0

весьма неопределенными, так как при малых значениях 1 стоко- С

затворная характеристика транзистора имеет очень пологий уча­

сток (см. кривую на рис. 6-6). Напряжение U проще и более точно 0

можно определить косвенным способом, воспользовавшись фор­

мулой
U 0 ^ 2 f
- ^ , (6-9)
" макс

предварительно измерив величину тока насыщения 1 С и а с о и мак­

симальную крутизну характеристики транзистора

5ма,№=
(д4^)и . =о- 8 и

Из графика на рпс. 6-6 видно, что касательная к стокозатвор-

ной характеристике в точке U „ = 0 отсекает на оси напряжения
3

отрезок, равный 0,5 U . Наклон касательной равен величине S

0 . u a K C

Именно на указанных особенностях стокозатворной характери­

стики (представляющей собой параболу) основано косвенное опре­
деление напряжения отсечки по формуле (6-9).

6-3. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СТРУКТУРЫ

МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК—ПОЛУПРОВОДНИК (МДП-ТРАНЗИСТОР)

Рассмотрим полевой транзистор структуры металл — диэлект­

рик — полупроводник (МДП-транзистор) на полупроводниковой
подложке 7г-типа, разрез которого показан на рис. 6-9 [Л. 74].
При изготовлении такого транзистора обычно используется под­
ложка из кремния с удельным сопротивлением от 1 до 10 ом-см.
После окисления иа поверхности подложки образуется тонкий слой
диэлектрика из двуокиси кремния S i 0 . Через окна в диэлектрике 2

методом диффузии в подложке создают две сильно легированные

области р-типа с поверхностной концентрацией акцепторных при­
1 8 2 0 3
месей 10 — 10 от/см . Одна из этих диффузионных областей
используется в качестве истока, а другая — стока. Расстояние
217
между ними порядка 5—10 мкм. Если же прибор предназначен
для выполнения роли резистора, у которого сопротивление посто­
янному току можно регулировать напряжением на затворе, рас­
стояние между стоком и истоком увеличивают до 25—50 мкм.
Металлический слой над слоем диэлектрика, прикрывающий
пластину полупроводника между истоком и стоком, служит за­
твором (рис. 6-9). Невыпрямляющпе контакты к электродам, а также
металлический затвор транзистора получают путем осаждения
из паровой фазы слоя металла.
Как известно (см. § 2-4), из-за нарушения кристаллической
структуры и адсорбции примесей на поверхности полупроводника
возникают дефекты, которые приводят к образованию поверх-
постных уровней донорного или акцепторного типа. Условия иа
границе раздела кремния Si и окисла SiO., таковы, что на поверх­
ности кремнпя обычно образуются донорные уровни, способные

Металлический Si0 2 под затво- Изолирующий контакт

затвор толщина. ром \М,~1500А / слой SiO, с областью
2*&7О0А-^ А
/ \W^1200A стока.

Нанал
V-исток w =25-50A
Ka 1
• сток

г- ,5мкм, \„
Обедненный слой
Подложка п-типа. под каналом

Рис. 6-9. Изображение поперечного сечеппя МДП-трапзнстора.

отдать электроны. Приповерхностный слой обогащается электро­

нами. Это приводит к образованию объемного заряда и соот­
ветственно электрического поля в приповерхностном слое. Энер­
гетические уровни у поверхности изгибаются вниз (см. рпс. 2-1).
Если в качестве подложки используется кремний р-типа, то за­
хват дырок поверхностными уровнями и обогащение приповерх­
ностного слоя электронами приводят к образованию в этом слое
канала с проводимостью га-типа. В этом случае получается МДП-
транзистор со встроенным каналом, принцип работы которого рас­
смотрим несколько позже.
В пассивированной окислом подложке из кремния га-типа
тоже происходит обогащение электронами приповерхностного
слоя. Если затвор такого прибора соединить накоротко с истоком
и подключить источник питания между истоком и стоком, то в цепи
стока будет протекать пренебрежимо малый ток, представляющий
собой ток утечки. Обогащение электронами приповерхностного
слоя, способствующее увеличению электропроводности, не приво­
дит к увеличению тока в цепи стока, поскольку стоковый р-п
переход, который образуется между подложкой и стоком,
смещен в обратном направлении. Ток в цепи стока может
218
достичь заметной величины лишь в том случае, когда возникает
канал р-типа между истоком и стоком. Такой канал можно инду­
цировать в приповерхностном слое изменением заряда на поверх­
ности подложки. На этом и основан принцип действия МДП-
транзистора с индуцированным каналом.
Подложка п-типа.
р(х) МДП

s
—I -©-® ч X
" |"

Металлический,
затвор а)
Рпс. 6-10. Изображения по­
перечного сечения МДП-

ч
/>(*)
транзистора с индуцирован­
ным каналом р-тппа, иллю­ h
X
стрирующие условно рас­ г
пределение донорных уров­
ней ( 0 ) , свободных электро­
нов (—) и дырок ( + ) , плот­
ности их заряда р (х) и ю
диаграммы его энергетиче­ р(х)
ских уровней прп различ­

ч
ных величинах отрицатель­
ного смещения на затворе.
<*
0 6
и - Я з . и - ; - - ^ . п =-*,! st

в — Е . „ = — <•% + <РрУ. г —
J
3

*.
— и
^з. u аор- ч
в)
Индуцированный,
канал р-типа,
е =ге
:9 ьг

%5 х
i t
s

s.
Обедненный слой. г)

На рис. 6-10 условно показаны распределения донорных уров­

ней, электронов, дырок, их плотностей заряда р (х) и энер­
гетические диаграммы, иллюстрирующие образование р-канала
в поверхностном слое кремния ?г-типа, представляющего собой
подложку МДП-транзистора с индуцированным каналом. На
границе раздела кремний — окисел поверхностные уровни дей­
ствуют как ионизированные доноры образующие положитель-

1
На рпс. 6-10 донорные ноны показаны в виде кружочков со знаком
« + » , свободные электроны и дырки без кружочков обозначены соответ­
ственно знаками «—» и « + » .

219
пый заряд с плотностью q = eN . (По данным работы [Л. 75]
s s

плотность поверхностных состояний N равна примерно 4 • 10 см~ .) a

11
2

Под действием этого заряда отрицательно заряженные электроны

перемещаются из объема полупроводниковой подложки и скапли­
ваются у поверхности. Положительный заряд поверхностных уров­
ней q полностью компенсируется отрицательным зарядом накоп­
s

ленных электронов д , , и прибор в целом остается электрически

ш

нейтральным.
Таким образом, в равновесном состоянии (смещение на затворе
U „ и напряжение стока U ,» равны нулю) в слое подложки,
3 G

прилегающем к затвору, накапливаются электроны (рис. 6-10, а).

При этом образуется электрическое поле, которое приводит к ис­
кривлению энергетических уровней вниз на величину —ei|) s0

(где i|) = q /C — потенциал поверхности подложки относитель­

s0 s0 0

но потенциала ее объема). Металлический затвор, диэлектрик.

(Si0 ) и приповерхностный слой подложки образуют плоский конден­
2

сатор, емкость которого на единицу поверхности составляет

С = e e /W (W — толщина слоя диэлектрика, е — его ди­
0 fl 0 H a д

электрическая проницаемость). Изменив напряжением смещения

заряд на одной нз обкладок этого конденсатора (металлическом
затворе), можно изменить заряд на другой обкладке, т. е. изме­
нить концентрацию носителей заряда в приповерхностпом слое
подложки.
При подаче на затвор отрицательного смещения свободные
электроны, накопленные в подложке у границы кремний — оки­
сел, вытесняются в глубь полупроводника. Когда смещение на за­
творе Е становится равным o|) , отрицательный заряд, накаплива­
3 s0

емый на металлическом затворе, полностью компенсирует положи­

тельный заряд поверхностных донорных уровней, и заряд свобод­
ных электронов в слое, прилегающем к затвору, становится рав­
ным нулю. При этом энергетические зоны выпрямляются (рис.
6-10, б), а концентрация электронов и дырок в приповерхностном
слое становится такой же величины, что и в объеме подложки.
Если дальше увеличивать плотность заряда на затворе д 3

(увеличением по абсолютной величине отрицательного смещения

Е ), то излишек заряда |g | — \q \ будет способствовать еще боль­
3 3 s

шему вытеснению электронов из слоя подложки, прилегающего

к затвору. Обеднение этого слоя будет происходить до тех пор,
пока плотность заряда положительных ионов донорных примесей
д не станет равной разности |g | — | g j , т. е. g + q + q = 0.
об 3 o6 3 s

Когда смещение на затворе достигнет величины i]) + <p , по­ 1

s F

верхность полупроводника приобретает собственную электропро­

водность (n = p ) . При этом на поверхности уровень Ферми %F
s s

1
Здесь ф = р потенциал Ферми, определяющий положение
уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны %^

220
совпадает с уровнем Ш (рис. 6-10, в). Заряд иа затворе компенси­
1

рует заряд поверхностных донорных уровней и положительный

заряд ионов в образовавшемся под затвором обедненном слое.
Дальнейшее увеличение отрицательного смещения на затворе
приводит к накоплению подвижных дырок в приповерхностном
слое. В подложке с электронной электропроводностью возникает
инверсный слой с дырочной электропроводностью, который обра­
зует канал р-типа, соединяющий исток со стоком (рис. 6-10, е).
Таким образом, индуцируется канал, через который под действием
источника питания от истока к стоку перемещаются основные
носители (в данном случае дырки), образуя ток в цепи стока.
По мере удаления в глубь полупроводника концентрация ин­
дуцированных дырок спадает, и на некотором расстоянии, рав­
ном толщине канала, полупроводник будет иметь собственную
электропроводность. Далее следуют обедненный подвижными
носителями заряда переходный слой и основной объем подложки
с исходной электронной электропроводностью. Таким образом,
канал, исток и сток, представляющие собой рабочие области
транзистора, оказываются изолированными от основного объема
подложки р-п переходами, смещенными в обратном направлении
под действием приложенной разности потенциалов между соот­
ветствующими электродами и подложкой транзистора.
В рассматриваемом примере тип электропроводности канала
отличен от типа электропроводности подложки. Следует под­
черкнуть, что это является характерной особенностью современ­
ных МДП-транзисторов, изготовленных на полупроводниковой
подложке.
Напряжение затвора £ / , при котором индуцируется канал,
пор

называется пороговым напряжением. Это напряжение можно

определить [Л. 74] из формулы

тт _ Qs + Яоб
^пор— п ,

физический смысл которой заключатся в следующем: С/ ор опре­ П

деляется смещением, которое обеспечивает накопление на зат­

воре ^ а р я д а (q ), способного нейтрализовать и заряд поверхност­
3

ных уровней (q ) и заряд ионов (q ) в обедненном слое, прилега­

s oG

ющем к затвору. Любое дополнительное напряжение на затворе,

превышающее U , создает заряд на затворе, который должен
nop

быть нейтрализован равным по величине зарядом индуцированных

в канале носителей.

Следует отметить, что индуцирование канала не происходит внезапно

(т. е. так, что при каком-то определенном напряжении затвора все носители
полностью удаляются из канала, а при малом приращении напряжения на
затворе в канале тотчас же возникает инверсный слой). Канал возникает по­
степенно, по мере увеличения напряжения на затворе. Чтобы исключить не­
однозначность в определении зеличины Спор, при практических расчетах за
j/nop принимают то напряжение, при котором потенциал поверхности \j> s

221
становится равным удвоенной величине потенциала Ферми ф^. При этом на
поверхности уровень Ферми %р смещается отиоснтельпо уровня Ш\ па вели­
чину —e<p (рис. 6-10, г). Это означает, что в приповерхностном слое концен­
F

трация дырок превышает концентрацию электронов, т. е. фактически у ж е

капал индуцирован и в нем имеются дырки с плотностью заряда q равной plu

плотности заряда примесей в подложке. Пороговое напряжение транзистора

£/ ор определяется как смещение, индуцирующее на затворе заряд, необхо­
П

димый для полной нейтрализации заряда поверхностных уровней q , заряда a

обедненного слоя д б и заряда подвижных носителей q в инверсном слое —

0 pn

канале прп их концентрации, равной концентрации примесей в подложке:

^пор=—- Q . (6-Ю)
Учитывая, что
q <7рн
s (7oG И' д
7Г = 4>so\ -74- 4V ~r- = ± Т Т " У n 8 o ^ n I 4>s
= 2 ; 2ee

I/O О 1^0 0В Ьд 0

выражение (6-10) можно представить в виде

^пор — — tso + 2 ф р + —— ]/2ee e A'nhp n 0 a (6-11)

(перед последним слагаемым знак плюс ставится для подложки п-типа, а знак
минус для подложки р-тппа). Прп выводе соотношения (6-11) предполагалось,
что обедненный слой представляет собой ступенчатый переход с плотностью
заряда
/
g 6 =
0 eiV H n n . .
B

Как известно (см. § 3=6), ширина такого перехода определяется выражением

И Г „ . = I / 2-
8

где е и JV — диэлектрическая проницаемость и концентрация примесей

п n

в подложке; i|) — контактная разность потенциалов па переходе, равная

s

разности потенциалов на поверхности и объеме. При пороговом смещении эта

разность равна \|) = 2y . s F

С превышением напряжения £/ „ над пороговым ток 1 воз­ 3 0

растает (рис. 6-11). Это увеличение тока 1 происходит не за счет С

расширения канала (как это имеет место в транзисторе с управля­

ющим р-п переходом), а в результате роста концентрации под­
вижных носителей заряда в канале. С увеличением напряжения
U _ ширина канала практически не меняется (при смещениях,
3 и

близких к U , она устанавливается на уровне 25—50 А).

nop

Транзистор со встроенным каналом отличается от транзистора

с индуцированным каналом тем, что в первом из них инверсный
проводящий слой под затвором либо получают диффузией при­
меси в подложке, либо он образуется за счет поверхностных
уровней, способствующих обогащению этого слоя дырками в под­
ложке гс-типа или электронами в подложке р-тина. Поэтому у
транзистора со встроенным каналом в цепи стока может проте­
кать ток и при нулевом смещении на затворе.
222
 На рпс. 6-11 показана стокозатворная характеристика тран­
зистора со встроенным каналом р-типа. Из этой характеристики
видно, что с увеличением отрицательного смещения ток стока
возрастает, и лишь при положительном смещении определенной
величины, равной напряжению отсечки U , ток 1 перестает про­
0 С

текать. При этом напряжении положительный заряд, накопленный

на затворе под действием источника смещения, почти полностью
вытесняет дырки из слоя, прилегающего к затвору, канал исче­
зает и ток прекращается.
На рис. 6-12 представлены графики, иллюстрирующие дейст­
вие напряжения затвора на работу МДП-транзистора со встроен­
ным каналом 7г-типа. В равновесном состоянии (рис. 6-12, а)
заряд поверхностных уровней
(с плотностью q ) компенсируется
s
7

зарядом свободных электронов, ?

\ Режим \ Режим
накопленных в канале, и заря­ \ ойогаще- \ обеднения
дом отрицательных ионов приме­ \ ния \
си в обедненном слое: q -f- q
s +
nn \Индуи,и.ро8ан\
-
+ 9об = 0- При этом вблизи \ ный р-канал Й Встроенный.
поверхности кристалла возникает
электрическое поле, искривляю­
\ \ у р- канал

щее энергетические зоны в слое

полупроводника, прилегающем к
затвору. \Unop и 0 1
Если иа затвор такого при­ 1* *
бора подать положительное сме­ Рпс. 6-11. Стокозатворные харак­
щение, то произойдет обогащение теристики МДП-транзпсторов с
канала электронами (рис. 6-12, б), р-каналом.
и ток стока увеличится. При этом
концентрация электронов в канале возрастает настолько, чтобы
приращение их заряда было достаточно для компенсации поло­
жительного заряда, накапливаемого на металлическом затворе
транзистора. Такой режим работы называется режимом обога­
щения. Отметим, что в таком же режиме работает и МДП-тран-
зистор с индуцированным каналом.
При отрицательном смещении на затворе часть электронов
вытесняются из канала, поэтому канал обедняется (и ток стока
становится меньше, чем при нулевом смещении). Такой режим
работы, свойственный только транзисторам со встроенным кана­
лом, называется режимом обеднения.
По мере увеличения отрицательного смещения на затворе
канал все больше обедняется электронами, поэтому ток стока
спадает. Когда это смещение возрастает настолько, что отрица­
тельный заряд, накопленный на затворе под действием источника
смещения, становится равным заряду электронов, которые запол­
няли канал в равиовесном состоянии, то в канале почти не оста­
ется электронов и ток в цепи стока прекращается. В этом случае
заряд поверхностных уровней полностью компенсируется заря-
223
дом, накопленным на затворе, и зарядом обедненного слоя
(рис. 6-12, в), т. е.
<7.-г?8 + ?о<5 = 0, (6-12)

поэтому заряд свободных электронов д 0. п

Указанное напряжение называется напряжением отсечки. На

основании уравнения (6-12) можно показать, что напряжение

Встроенный Обедненный,
п - канал / слой. МДП

-Si

Puc. 6-12. Изображения

V— у поперечного сечения МДП-
Исток Подложка, транзистора со встроенным
п-типа. р-типа,
каналом п-тппа, иллюстри­
рующие условно распреде­
ление подвижных и непод­
вижных носителей заряда,
плотности их заряда и
диаграммы его энергетичес­
ких уровней при различных
величинах смещения на
затворе.
• 0; б
- Со

отсечки МДП-транзистора со встроенным каналом определяется

1
выражением
дет "
иа = ^ ± j-V2eR 4 N \^\
t0 T n 0 a (6-13)
Е
1) ДЬ
J
(знак плюс ставится для подложки n-типа, а знак минус для
подложки р-типа): при практических расчетах можно считать
1|>, = ф/г.
При выводе формул (6-13) и (6-11) учитывалась лишь разность
потенциалов a|) , которая возникает под действием поверхности
s0

1
Это выражение можно получить так ж е , как была выведена формула
(6-11). •

224
пых состояний. Между тем изменение заряда подвижных носи­
телей в канале обусловлено не только влиянием поверхностных
состояний, но и действием контактной разности потенциалов,
которая появляется в структуре МДП из-за разности работ вы­
хода металла, диэлектрика и полупроводника. Именно по этой
причине пороговое напряжение и напряжение отсечки зависят
от материала затвора [Л. 9]. Влияние заряда подвижных носителей,
накапливаемых в канале из-за разности работ выхода, мо­
жно учитывать, подставив в соответствующие формулы вместо
г|) суммарную величину, учитывающую действие поверхностных
8Й

состояний и контактной разности потенциалов.

Рассмотрим, как будет изменяться ток стока / с изменением 0

напряжения на стоке U „ при постоянном смещении на'затворе c

[Ua.vr const). Если бы с изменением £/ „ не менялись ширина

=
с

канала и концентрация основных носителей в канале, то зависи­

мость тока 1 от напряжения U С описывалась бы линейной ca

Рпс. 6-13. Изменение

ширины капала с уве­
личением напряжения
стока.
6
а
- с. и = с. пер'
и и
~
-
^с. н ^ ^с. пер

функцией. При низких напряжениях и наблюдается именно такая

зависимость. Однако с увеличением U постепенно уменьша­ c и

ется концентрация основных носителей в канале (в особенности

в той его части, которая расположена ближе к стоку), и поэтому
замедляется нарастание тока 1 - Уменьшение концентрации ос­ С

новных носителей объясняется тем, что перепад напряжения в

канале приводит к уменьшению смещения на затворе вдоль ка­
нала по мере приближения к стоку. Как известно, этим смещением,
определяемым разностью потенциалов между затвором и каналом,
именно и модулируется концентрация основных носителей в
канале. При напряжениях U „, близких к величине (Ус. пер = c

= £/ 1, — ( 7а (для транзистора с индуцированным каналом)

пор

или U p = U — U (для транзистора со встроенным каналом),

c ue s а 0

одновременно с уменьшением концентрации носителей происхо­

дит сужение капала вблизи стока, где смещение на затворе ока­
зывается наименьшей величиной. Когда напряжение на стоке
становится равным (7 _ ер) канал вблизи стока перекрывается, и
С П

рост тока стока 1 практически прекращается (рис. 6-13, а). "'

С

Последующее увеличение напряжения (У приводит к удлине­ с и

нию перекрытого участка в канале при сравнительно незначи­

тельном росте тока 1 (рис. 6-13, б). 0

Можно показать [Л. 74], что при напряжениях стока, не

превышающих напряжение перекрытия канала -Уо.пер! зависи-
8 Агаханян Т. М. 225
мость тока стока 1 от напряжений иа электродах транзистора
С

определяется соотношением

h = %$^(2U . V . -Ul ), 0 mp e a n (6-14)

где и = U _ — (7
Сш ц е р для трапзистора с индуцированным
3 п пор

каналом ц (7 .пер = U U для транзистора со встроенным

с a и
—
0

каналом.
При напряжениях на стоке, превышающих по абсолютной
величине напряжение перекрытия U , уравнение для тока 1 c пер С

Рис. 6-14. Стоко­

вые характеристи­
ки МДП-транзис-
торов с ппдуцпро-
ванным (а) п со
встроеииым (б) ка­
налами р-типа.

О 5 10 15 Z0 в 0 2 4 6 8 0
а) б)

можно получить из соотношения (6-14), из которого следует, что

при U = oaUс ток 1 достигает максимальной величины,
п е р 0
1
определяемой формулой
е
г _ о8дИч>с£з
с
— 9W Г2 "спер- V D _ a
l J

Выражение (6-15) с достаточной точностью определяет вели­

чину тока стока / в момент перекрытия канала. Поскольку в
с

пологой области стоковой характеристики ток 1 практически С

не меняется, то формулу (6-15) можно использовать для опреде­

ления стоковой характеристики и в пологой области.
На рис. 6-14 приведены семейства стоковых характеристик
для маломощных МДП-транзисторов с индуцированным
(рис. 6-14, а) и со встроенным (рис. 6-14, б) каналами р-типа.
Формулой (6-15) определяется и стокозатворная характе­
ристика транзистора при напряжениях \U . | 3= \U | . Д л я C п 0п е р

транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами р-типа

эти характеристики были показаны на рис. 6-11.
Проводимостью канала, а следовательно, п током стока можно управ­
лять также напряжением смещения на подложке. Прп работе транзистора

1
Выражение (6-15) получается аналогично соотношению (6-2) для тран­
зистора с управляющим р-п переходом.

226
между каналом и объемом подложки образуется р-п переход. С изменением
смещения на подложке изменяется ширина р-п перехода, что приводит
к расширению или сужению капала и к изменению тока стока. Под­
ложка действует подобно затвору транзистора с управляющим р-п переходом
(ее иногда называют НИЖНИМ затвором). Входное сопротивление этого ниж­
него затвора того же порядка, что и сопротивление, включенное в обратном
направлении полупроводникового диода большой площади, но значительно
меньше, чем входпое сопротивление основного (верхнего) затвора. Токи
утечки, которые у основного затвора практически равны нулю, у нижнего
затвора могут быть довольно большими, достигая при повышенных темпера­
турах нескольких микроампер [Л. 74]. В рабочем режиме по рекомендуется
подавать на подложку напряжение, смещающее переход в прямом направле­
нии, так как при этом заметно возрастает потребление тока от источника сме­
щения. При фиксированных напряжениях на остальных электродах повыше­
ние обратного смещения, приложенного к подложке, приводит к уменьшению
тока стока. Влияние ^напряжения смещения па подложке U . равносильно
n и

увеличению разности потенциалов на р-п переходе.

В формулы (6-11) и (6-13), определяющие пороговое напряжение и на­
пряжение отсечки при Uп. = 0, подставляется разность потенциалов на
и

переходе, равная потенциалу поверхности \|) , измеренному относительно

s

истока. Если же между истоком и подложкой включается напряжение U . п> n

смещающее р-п переход в обратном направлении, то разность потенциалов на

переходе увеличится практически на величину £/ .и- При анализе вольт-ампер­
п

ных характеристик транзистора влияние обратного смещения на подложке

можно учесть, заменив в формулах (6-11) п (6-13) величину i]) суммой i]) + 3 s

Таким образом, с увеличением обратного смещения на подложке порого­

вое напряжение транзистора с индуцированным каналом

и.пор — (6-16)

возрастает по абсолютной величине, тогда как напряжение отсечкп транзи­

стора со встроенным каналом

(6-17)

уменьшается. Этп закономерности объясняются увеличением объемного за­

ряда в переходном слое. В транзисторе с индуцированным каналом пока
объемный заряд п заряд поверхностных уровней не будут компенсированы
зарядом, накапливаемым на затворе, не может происходить обогащение ка­
нала основными носителями, поэтому с увеличением объемного заряда поро­
говое напряжение возрастает. В транзисторе со встроенным каналом рост
объемного заряда в переходном слое приводит к уменьшению излишка заряда
поверхностных уровней (над объемным зарядом), который необходимо ком­
пенсировать зарядом на затворе, чтобы перекрыть канал [см. уравнение (6-12)].
Поэтому ток стока прекращается при меньшем напряжении отсечкп U . 0

Смещение па подложке U , влияет и на величину стокового напряже­

n и

ния перекрытия U .nep- С увеличением обратного смещения £ / . и уменьшается

c п

по абсолютной величине напряжение перекрытия U . пер- Это происходит по

c

двум причинам: во-первых, уменьшается концентрация основных носителей

в канале, и, во-вторых, канал сужается (так как расширяется обедненный
слой). Оба фактора способствуют уменьшению напряжения, прп котором
происходит перекрытие канала. Причем влияние смещения U . на величину
n и

Uс. пер особо заметно прп низких напряжениях на затворе U . , когда прибор
3 И

работает с малыми токами. Прп малых токах концентрация основных носи­

телей заряда в канале сравнительно невелика. Поэтому прп изменении сме­
щения на переходе его обедненный слой расширяется в сторону канала в зна­
чительно большей степенп, чем прп больших токах (высокая концентрация

8* 227
основных носителей). При этом с ростом разности потенциалов между капа-
лом п подложкой, обусловленной увеличением напряжения па стоке, резко
уменьшается ширина канала, и он перекрывается при меньших величинах
Uс. пер-

ма -roe ма 1с ~-юв

0,8
u =se
w

-яв О, В РИС. 6-15. Стоко­

1,2 >
вые характеристи­
0,8 ки МДП-транзпс-
-8в~ тора при двух зна­
и»?
-86 чениях смещения
0,h\ 0,2 на подложке.
и
« - п. и = °; 6
-
8 Г2 16 6 8 12 18 в С
'п. 11 = 3

а)

На рпс. 6-15 для иллюстрации влияния смещения, прикладываемого

к подложке, показаны семейства стоковых характеристик МДП-трапзистора
при двух значениях напряжения на подложке У , „ = 0 п U . = Зв. п n п

6-4. СРАВНЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ РАЗЛИЧНОЙ СТРУКТУРЫ

Сравним между собой полевые транзисторы с управляющим

р-п переходом, с индуцированным и со встроенным каналами.
Формально вольт-амперные характеристики этих транзисторов
можно описать одними и теми же уравнениями:
в крутой области ( | С / . „ | < \U _ С C пер|)
1с = к .т (2Uс. переем
П
—
U~c. ц); (6-18)
В ПОЛОГОЙ Области (|С/ . С и| ^ \U . nepl)
C

Ic — k .rU~u. пер- (6-19) a

Стоковое напряжение перекрытия определяется следующими

выражениями:
для транзисторов с управляющим р-п переходом и со встроен­
ным каналом
=
Uс.пер U п 3 U ', 0

для транзистора с индуцированным каналом

=
Uс. пер U ц • Unop-
3m

Коэффициент пропорциональности к _ , характеризующий квад­ П т

ратичную зависимость тока стока от напряжений, определяется

геометрическими размерами прибора и электрофизическими па­
раметрами полупроводникового кристалла [см., например, урав­
нения (6-14) и (6-15)].
228
 Все три вида полевых транзисторов представляют собой при­
боры с квадратичной характеристикой в пологой области. Строго
говоря, соотношением (6-19) определяется зависимость тока на­
сыщения 1 (ток стока в момент перекрытия канала) от напря­
С п а с

жения Uс. пер-

^с.нас=
k Uc. пер-
BT (6-20)

Из выражения (6-20) следует, что отношение тока насыщения

к квадрату напряжения перекрытия величина постоянная —

А.. п т (6-21)
^ о . пер

Это отношение определяется параметрами полупроводникового

кристалла и геометрией прибора и не зависит от смещений на
затворе и подложке. С изменением этих напряжений изменяется
и ток насыщения и напряжение перекрытия, причем так, что
указанное отношение остается постоянным. Из выражения (6-21)
также следует, что для транзисторов с управляющим р-п перехо­
дом и со встроенным каналом, т. е. для приборов, способных про­
водить ток при нулевом смещении на затворе, коэффициент к ПшТ

имеет определенный физический смысл: он равен отношению тока

к
насыщения при нулевом смещении / . насо квадрату напряжения
с

отсечки £/§:
*п.т = % 4 (6-22)
и
о

Сравним транзисторы различной структуры с точки зрения

удобства их управления и полярности включения источников
питания. В табл. 6-1 показана полярность включения напряжений
стока и смещения иа затворе для транзисторов различных типов.
Транзисторы с n-каналом обладают более высоким быстро­
действием, чем транзисторы с р-каналом (из-за большей под­
вижности электронов). МДП-транзисторы с п- и р-каиалами
имеют разные пороговые напряжения С / . Типичные значения пор

Uaop составляют 0,25—1 в для приборов с n-каналами и — (2 4) в

для приборов с р-каналом [Л. 76].
Из всех видов транзисторов только транзистор с индуциро­
ванным каналом при нулевом смещении на затворе не проводит
тока. Это позволяет строить схемы, в которых для запирания
транзистора ие требуется дополнительных источников смещения.
Транзистор со встроенным каналом может проводить ток как при
положительном смещении, так и при отрицательном. Д л я его
запирания требуется положительное смещение в случае канала
с дырочной электропроводностью и отрицательное смещение —
в случав электронной электропроводности. Полярность запираю­
щего смещения совпадает со знаком заряда основных носителей
в канале, так как только одноименный заряд на затворе способен
229
 Таблица 6-1

С каналом п-тппа С каналом р-тппа

Тип
транзистора Полярность Вольт-амперная Полярность Вольт-амперная
напряжений характеристика напряжений характеристика

44
С управ­
ляющим
р-п пере­
ходом

МДП со
встроенным
каналом

МДП
с индуци­
рованным
каналом

вытеснить основные носители из канала. Возможность управле­

ния потенциалом любой полярности в ряде случаев позволяет
заметно упростить схемы.
Транзисторы с управляющим р-п переходом и с индуцирован­
1
ным каналом управляются потенциалом только одной поляр­
ности. Первый из них работает при отрицательном смещении,
если канал тг-типа, и положительном, если канал р-типа. Чтобы
индуцировать канал «-типа, необходимо подать положительное
смещение на затвор (притягивающее электроны в канал), а для
индуцирования канала р-типа — отрицательное смещение. Сле­
довательно, указанные виды транзисторов с каналами одного и
того же типа электропроводности требуют смещения разной по­
лярности.
Полярность включения источника питания стока Е (см. СИ

рис. 6-10) определяется направлением движения основных носи­

телей в канале. Независимо от структуры транзистора источник
Ес подключается к стоку положительным полюсом для траизи-
и

1
Здесь п в последующем изложении потенциалы электродов отсчптыва-
ются относительно потенциала истока.

230
сторов с каналом /г-типа и, наоборот, отрицательным полюсом
для транзисторов с каналом р-типа. Указанные полярности вклю­
чения обеспечивают движение основных носителей от истока к
стоку. -
Таким образом, для приборов с однотипными каналами по­
тенциалы затвора и стока (соответственно входа и выхода схемы)
имеют одну и ту же полярность для транзисторов с индуцирован­
ным и со встроенным каналом, работающим в режиме обогащения.
Это позволяет сравнительно просто согласовать выходы преды­
дущих элементов со входами последующих в схемах с непосред­
ственными связями [Л. 77] при использовании транзисторов
с однотипными каналами.
Одинаковые полярности потенциалов стока и затвора, а также
отсутствие тока 1с при нулевом смещении у транзисторов с инду­
цированным каналом позволяют строить высокоэкономичные
схемы логических элементов. Эти схемы обычно строят на тран­
зисторах с каналами противоположных типов проводимости.
Такие пары транзисторов называются взаимодополняющими (ком­
плементарными).

6-5. Д И Ф Ф Е Р Е Н Ц И А Л Ь Н Ы Е НИЗКОЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И ИХ ЗАВИСИМОСТЬ ОТ РЕЖИМА

В отличие от биполярного транзистора, который управляется

током, полевой транзистор представляет собой прибор, управ­
ляемый напряжением, и аналогично электровакуумной лампе
характеризуется следующими дифференциальными параметрами.
Крутизной характеристики транзистора S , равной отношению
приращения тока стока к вызвавшему его приращению напряже-
ния на затворе при неизменных напряжениях остальных электро­
дов:

в. и/и,СИ = const
п. и = const

Коэффициентом усиления транзистора ц , определяемым как

т р

отношение приращений напряжения стока и напряжения затвора

при холостом ходе на стоке:

и ". = const
п и

Внутренним сопротивлением транзистора г определяемым {)

как отношение изменения напряжения стока к соответствую­

щему изменению тока стока при постоянном напряжении осталь­
ных электродов:

А/с / С 7 а и = const
U n H = const

231
 Таким образом, крутизной характеристики и внутренним со­
противлением транзистора определяется максимальное прнра-
щеиие тока стока, вызываемое изменением напряжений соответ­
ственно иа затворе и стоке. Коэффициентом усиления определя­
ется максимальное усиление напряжения затвора, т. е. входного
напряжения, которое способен обеспечить транзистор иа выходе
(стоке).

%=0
ма/8
ТВ
28
38

-Li 1_ ан

ма/в\

Рис. 6-16. Зависимость крутизны

характеристики 5 от режима для
транзисторов с управляющим р-п
переходом (а); с индуцированным
каналом (б) и со встроенным ка­
налом (в).

Коэффициент усиления, крутизна характеристики и внут­

реннее сопротивление транзистора связаны между собой соотно­
шением
ц т р = STY (6-23)

Дифференциальные параметры транзистора можно определить

из его статических характеристик.
Крутизна вольт-амперной характеристики в крутой области
определяется соотношением
S == 2кП . ТМ, П
^С.П! (6-24)
из которого следует, что S не зависит от напряжения на затворе
и пропорциональна напряжению на стоке.
В пологой области крутизна определяется соотношением
S = 2k . £/ .пер-
n т с (6-25)
Зависимость крутизны полевого транзистора с управляющим
р-п переходом от режима работы приведена на рис. 6-16, а,
МДП-транзистора с индуцированным каналом — на рис. 6-16, б и
МДП-транзистора со встроенным каналом — на рис. 6-16, в.
232
 Коэффициент усиления транзистора по напряжению в крутой
области вольт-амперной характеристики можно определить из
уравнения (6-18). Он равен:

д! dU
|-1тр
с c
(6-26)
die U с п е р - •U e

Соотношение (6-26) удобно проанализировать, определив ц т р

при фиксированном токе стока I = const, воспользовавшись c

для этого выражением вольт-амперной характеристики (6-18).

Тогда коэффициент усиления можно представить в следующем
виде:
2
••Sr.-
2U
I =const
Цт = Р / г °" • (6-27) c

•и* 16
^п.т

Зависимость вида (6-27) изображена 12

па рис. 6-17. Согласно этой зависимости
коэффициент усиления по напряжению

w
весьма мал практически во всей кру­
той области и возрастает лишь на
границе с пологой областью. Поэтому
полевой транзистор как усилительный 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
элемент целесообразно использовать Рпс. 6-17. Завпспмость ко­
лишь в пологой области. Из соотноше­ эффициента усиления тран­
ний (6-26) и (6-27) следует, что при зистора от напряжения сто­
Uc.n — U . пер коэффициент усиления ка при / = const.
c
с

но напряжению ц —*-оо. Это резуль­

т р

тат приближенного представления вольт-амперной характе­

ристики в пологой области. В действительности коэффициент
усиления и т рпри U . = U имеет конечную
c и величину.
cntp

Как уже отмечалось, при напряжениях \U . \> \U .пер|ток I c a C c

продолжает возрастать (правда, незначительно), поэтому пред­

ставление транзистора в пологой области идеальным управляе­
мым генератором тока ие совсем правильно.
Дифференциальное внутреннее сопротивление в крутой области
определяется соотношением

(6-28)
2к .
а т (Uспер — U . ) й и

Из (6-28) следует, что с увеличением напряжения стока U c а

внутреннее сопротивление повышается и на границе с пологой

областью при U cи с. пер становится бесконечно большим
(r —^oo),
i т. е. транзистор превращается в идеальный источник
тока. Это также является результатом отмеченной выше идеали­
зации в пологой области. На самом деле не учитывалась модуля­
ция длины канала при работе в пологой области. У реаль­
ных приборов внутреннее сопротивление в пологой области доста-
233
точно велико, мало влияет на вид вольт-амперных характеристик,
описываемых соотношениями (6-18) и (6-19), но все же в пологой
области имеет конечную велпчппу.
Уместно выяснить физический смысл внутреннего сопротивления тран­
зистора, характеризующего нарастание тока 1 с увеличением напряжения С

U . а пологой области. Рост тока обусловлен несколькими причинами, из

c
в

которых наиболее важной является модуляция длины канала напряжением

отока [Л. 9, 74].
Прп напряжениях U . и, превышающих напряжение перекрытия U . пер,
c c

сокращается эффективная длина канала (см. рпс. 6-13, б), так как удлиняется
та часть слоя объемного заряда, которая перекрывает канал. Падение напря­
жения на эффективной длине канала £ а н . эфф остается практически постоян­ К

ным и равным напряжению перекрытия канала £/ ,пер- Разность между напря­ с

жением Uс. а и падением напряжения па капало прикладывается к той части

обедненного слоя, которая примыкает к поверхности, перекрывая канал.
В соответствии с соотношениями для ступенчатого р-п перехода, которые
рассматривались в § 3-6, длину этой части обедненного слоя Д £ а н можно К

определить по формуле

Аг -i/~e<fi \U . -U,спер
n c n
I
ДЬ к а н = у i ——

Поскольку падение напряжения на эффективной части капала остается

постоянным, а его длина сокращается, то возрастают напряженность поля
и соответственно ток стока / . с

Таким образом, величину тока 1 в пологой части характеристики можно С

определить, учитывая, что ток 1 возрастает по сравнению с током насыщения

С

1с. rU .
2
cпер во столько раз, во сколько увеличивается напряженность
поля. Напряженность поля возрастает обратно пропорционально длине ка­
нала. Следовательно, вольт-амперная характеристика полевого транзистора
на пологом участке определяется соотношением

I г -^-кач г ^кан
г
'с — ' с н а с т^кан.эфф — *
— с нас г
'с.пас д г
^кан — '"^кан
ИЛИ

^кап
'с = *„. пер г LK
™, „ = Г • (6-29)
т "1 / е
о п ! Uс, „ — с п е р I
е

ь к й В -у I ж

На основании этого соотношения можно определить значения r\, S , а

также р, р в пологой части характеристики. На практике эти величины обычно
Т

определяются непосредственно измерением.

Для МДП-транзистора, у которого может осуществляться управление
по подложке, следует ввести понятие крутизны по подложке

Тогда для крутой области вольт-амперной характеристики крутизна по

нодложке определяется соотношением ,

п ^п.т^п. д
£под = - — = = = = = U с. И ) (6-30)

234
а для пологой области

SПОД = ер>
(6-31)

где
ГУ д ,
* п . д = — K2eyV e 8 .
е е
n n 0
о д
Величины U p и Uо, которые входят в выражение для U . пер, опреде­
no c

ляются формулами (6-16) и (6-17).

С ростом разности потенциалов между подложкой и истоком, смещаю­
щей переход канал — подложка в обратном направлении, крутизна по под­
ложке 5 о д уменьшается.
П

Следующим низкочастотным дифференциальным параметром

является входное сопротивление транзистора
/Л«7 .н\ 3

Величину этого сопротивления можно определить, пользуясь

входной вольт-амперной характеристикой — зависимостью тока
затвора / . от напряжения между затвором и истоком U _ .
3 a и

мка\
Рпс. 6-18. Вольт-
амперная характе­
ристика затвора
Уз*
для транзистора
с управляющим -з -г -1 , г з в
р-п переходом (а)
и МДП-транзисто-
ра (б).
а)

В полевом транзисторе с управляющим р-п переходом вход­

ным электродом является одна из областей обратно смещенного
р-п перехода, вольт-амперная характеристика которого показана
па рис. 6-18, а. Сопротивление г определяется наклоном вольт- в х

амперной характеристики в области обратного смещения и может

достигать 10 —10 ом. Обратное смещение на р-п переходе з а т в о р -
е 9

канал неодинаково вдоль канала и зависит от напряжения на

стоке. Это несколько влияет на вид входной вольт-амперной ха­
рактеристики, снятой при различных U . При практических cn

расчетах этим можно пренебречь. При прямом смещении р-п

переход отпирается, и входное сопротивление транзистора резко
падает (до десятков ом). Однако такой режим не является рабочим.
Ток утечки затвора определяется обратным током р-п перехода,
который заметно возрастает с повышением температуры.
Входное сопротивление .МДП-транзистора определяется со­
противлением слоя диэлектрика между металлическим затвором и
235
полупроводником. Входная вольт-амперная характеристика при­
ведена на рпс. 6-18, б. Сопротивление г может достигать 10°—
вх

10 ' ом. В отличие от транзистора с управляющим р-п переходом

1 1

МДП-транзистор, имея изолированный диэлектриком затвор,

сохраняет высокое входное сопротивление независимо от вели­
чины и полярности напряжения на затворе. Ток утечки затвора
пренебрежимо мал и при повышенных температурах. Это
дает возможность использовать высокоомиые сопротивления в цепи
затвора.

6-6. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Прп изменении температуры полупроводника изменяются поло­

жение уровня Ферми и механизм рассеяния подвижных носите­
лей. Если рассматривать диапазон температур, в котором леги­
рующие примеси полностью ионизированы, а собственная прово­
димость еще не наступила, то изменение температуры приводит
к пзмененпям контактной разности потенциалов срд на р-п переходе,
обратного тока через переход, а также к изменению подвижности
основных носителей заряда. Это и обусловливает изменение пара­
метров полевых транзисторов с изменением температуры [Л. 9].
Д л я транзистора с управляющим р-п переходом в рабочем
диапазоне температур концентрация основных носителей в ка­
нале остается практически постоянной. Поэтому изменение напря­
жения отсечки U прп изменениях температуры определяется
0

температурной зависимостью контактной разности потенциалов,

т. е.
AU0 Дф в

AT AT •

При изменении температуры на один градус контактная раз­

ность потенциалов изменяется примерно на 2 мв. Повышение тем­
пературы приводит к уменьшению контактной разности потен­
циалов, поэтому для перекрытия канала необходимо приложить
к затвору большее внешнее напряжение.
Другим фактором, подверженным влиянию температуры,-яв­
ляется подвижность основных носителей заряда в канале, темпе­
ратурная зависимость которой определяется приближенной фор­
мулой
(6-32)

где |я 01 — подвижность носителей при температуре Т . Д л я гер­

0 г

мания коэффициент п^ = 1,5 для электронов и п^ = 2,3 для дырок,

для кремния п^ — 2,6 для электронов и = 2,3 для дырок.
Уменьшение подвижности основных носителей заряда с ро­
стом температуры приводит к увеличению сопротивления полу-
236
проводникового материала! При рассмотрении зависимости тока
стока полевого транзистора с управляющим р-п переходом от
температуры необходимо учитывать два фактора, определяющие
изменение электропроводности канала. Повышение температуры
приводит к уменьшению контактной разности потенциалов фд,
в результате чего расширяется токопроводящий участок канала
и увеличивается его электропроводность. С другой стороны, повы­
шение температуры приводит к уменьшению подвижности носи­
телей заряда в канале, что вызывает уменьшение его электро­
проводности. Рассмотренные факторы на электропроводность
канала, а слодовательпо, и па величину тока стока влияют про­
тивоположно, причем при определенных условиях действие этих
факторов может взаимно компенсироваться и при некотором
смещении ток стока практически не зависит от температуры.

1а
и =-1ое
йи

ю°с
Рис. 6-19. Стокозат- •ь=го°с
ворпые характеристи­
ки при различных
температурах.
а — для транзистора с jo°c
управляющим р-п пере­
ходом; б — МДП-тран-
знстора. О 1 г з в в -в -* -г о
а)

На рис. 6-19, а приведены стокозатворные характеристики тран­

зистора с.управляющим р-п переходом в пологой области, снятые
при различных температурах. Левее точки с нулевым темпера­
турным дрейфом температурный коэффициент тока стока отри­
цателей, т. е. с ростом температуры ток стока уменьшается,
правее точки с нулевым дрейфом температурный коэффициент
тока стока положителен.
В зависимости от степени влияния фд или \ i у разных тран­
o c

зисторов точка с нулевым температурным дрейфом будет нахо­

диться при различных смещениях на затворе С/ . . При больших на­
3 и

пряжениях отсечки U небольшие изменения контактной разности

0

потенциалов Д фд не окажут существенного влияния, и прак­

тически при всех режимах смещения U температурный коэф­
an

фициент тока стока будет отрицательным. При достаточно же

малых напряжениях отсечки транзистор будет иметь положитель­
ный температурный коэффициент тока стока.
При изменениях температуры изменяется обратный ток р-п
перехода затвор—канал, что вызывает изменение тока в цепи
затвора / .
3

На температурной зависимости тока стока МДП-транзисторов

изменение подвижности носителей заряда в канала сказывается
237
также, как и для транзисторов с управляющим р-п переходом
[Л. 9]. Но в отличие от транзистора с управляющим р-п перехо­
дом механизм изменения порогового напряжения здесь сложнее.
Температурный коэффициент тока стока зависит от диапазона
температур и у различных транзисторов может иметь разный знак.
У МДП-транзисторов не существует рабочей точки, в которой ток
стока не зависел бы от температуры. Это иллюстрируется стокозат-
ворными вольт-амперными характеристиками, снятыми при раз­
личных температурах и приведенными на рис. 6-19, б.
Температурная зависимость порогового напряжения для тран­
зистора с индуцированным каналом определяется изменением
уровня Ферми, изменением объемного заряда в обедненной под­
вижными носителями области р-п перехода канал — подложка, а
также температурной зависимостью величины заряда в диэлек­
трике, зависящей от технологии производства транзисторов. Этими
же факторами определяется температурная зависимость напря­
жения отсечки для транзисторов со встроенным каналом.

6-7. Э К В И В А Л Е Н Т Н Ы Е СХЕМЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Процесс распространения тока в канале полевого транзистора

с управляющим р-п переходом и МДП-транзистора следует рас­
сматривать как процесс в нелинейной резистивно-емкостпой ли­
нии с распределенными параметрами [Л. 78]. Однако при работе
на тех частотах, где коэффициент усиления по мощности больше
единицы, полевой транзистор можно заменить эквивалентной
схемой, состоящей из сосредоточенных элементов, параметры
которых зависят от режима работы.

Малосигнальные эквивалентные схемы

Эквивалентная схема полевого транзистора приведена на

рис. 6-20. Д л я общности предполагается, что подложка, на которой
изготавливается транзистор, имеет отдельный вывод. Генераторы
тока S u
r 3 и S u
и n0Jl и отражают эффект модуляции проводимости
a

канала (и, следовательно, величины тока стока) при изменении

потенциалов затвора и „ и подложки и относительно истока.
а П и

У полевых транзисторов с управляющим р-п переходом подложка

образует второй затвор и обычно соединяется с основным затво­
ром. Параметры транзистора: крутизна вольт-амперной харак­
теристики по затвору S , крутизна по подложке 5 д , дифферен­
T П0

циальное внутреннее сопротивление транзистора r — изменя­ iT

ются с изменением режима. Зависимость этих параметров от ре­

жима работы рассматривалась в § 6-5.
Сопротивления г и г складываются из объемных сопротив­
н с

лений полупроводника на участках менаду концами канала и кон-

238
тактами истока и стока, сопротивлений их контактов и выводов.
Сопротивления г„ и г имеют величину порядка нескольких ом
0

или десятков ом. Сопротивление г в реальных схемах является с

как бы частью сопротивления нагрузки, которое обычно много

больше г . Поэтому влиянием объемного сопротивления стоковой
с

области /- на работу схемы можно пренебречь. Объемное сопротив­

с

ление области истока ;•„ создает обратную связь, несколько сни­

жающую эффективную крутизну транзистора. Уменьшение кру­
тизны характеристики можно оценить при помощи формулы
(известной в теории электронных усилителей)

(6-33)
1 + 5 г„' т

где S — крутизна характеристики для теоретической модели

T

транзистора, соответствующей активной области канала.

Из-за обратной связи,
> Затвор
обусловленной сопротив
леиием г„, одновременно 1г.
увеличивается внутреннее
сопротивление транзи­
стора
^ = ^(1+<$>,,)+
^г 4 т (1+5 г )
т и (6-34) Ч
o-CZ> •CZD-o
( r — внутреннее
iT сопро­ Исток
Стон
тивление теоретической
модели транзистора).
Если параметры экви­
валентной схемы измеря­
ются экспериментально,
то уменьшение крутизны 6 Подложил
и увеличение внут­ Рис. 6-20. Эквивалентная схема полевого
реннего сопротивления транзистора.
учитываются автомати­
чески, поэтому при расчетах в эквивалентной схеме рис. 6-20
величины iS" и г^ можно заменить соответственно величинами
T т

S и г и считать г„ = 0. Если же параметры рассчитывают­

{

ся (например, при разработке нового прибора), то влияние

обратной связи можно учесть при помощи формул (6-33)
и (6-34).
Сопротивление контакта затвора г и объемное сопротивление 3

подложки и ее контакта г имеют величины порядка нескольких

п о д

ом или десятков ом и оказывают несущественное влияние на ра­

боту транзистора.
Д л я полевого транзистора с управляющим р-п переходом
емкости затвор—сток С , затвор—исток С , подложка—исток
3 с 3- п

Сц.а и подложка—сток С являются зарядными емкостями СП

239
обратно смещенных р-п переходов, которые образуются между
затвором п каналом п между подложкой и каналом.
Для МДП-трапзпсторов емкости между затвором и истоком
С „ и между затвором п стоком С
3 определяются емкостью
а с

распределенной структуры: металлический затвор — диэлектрик—

канал, конструктивными емкостями между выводом затвора и
выводами истока и стока, а также эффектом модуляции объемного
заряда в канале транзистора. Емкость сток—исток С , обуслов­с и

ленная модуляцией заряда в канале при изменении напряжения

сток—исток и „, значительно меньше емкости затвора относи­
с

тельно истока ц стока. Емкости С и С . представляют собой

П п 0 п

соответственно зарядные емкости р-п переходов истока и под­

ложки и стока и подложки (в них включается и емкость обратно-
смещенного р-п перехода, образованного между каналом и
полупроводниковой подложкой).
Иногда приходится учитывать влия­
зо ние и емкости между затвором и
подложкой С - В эквивалентной
3 п

схеме пе учитываются сопротивления

утечки между электродами транзи­
стора, поскольку они весьма велики
(10 —10° ом).
е

Он Эквивалентная схема, приведен­

Рис. 6-21. Экппвалептная схе­ ная па рис. 6-20, пригодна для за­
ма полевого транзистора при мещения полевого транзистора,
подключении подложки к за­ с управляющим р-п переходом в диа­
твору или истоку.
пазоне частот до 30—50 мгц, на ко­
торых можно пренебречь распреде­
ленным характером структуры транзистора, а для МДП-трапзп-
стора в более широком диапазоне частот (до 50—100 мгц).
Когда транзистор используется в дискретном трехэлектродном
исполнении, у полевого транзистора с управляющим р-п перехо­
дом затвор соединяют с подложкой (увеличивается крутизна
характеристики), а у МДП-транзистора подложку соединяют с
истоком. Эквивалентная схема таких транзисторов приведена на
рис. 6-21.
В общем случае элементы рассмотренных эквивалентных схем
являются нелинейными. Когда же транзистор работает в линей­
ном режиме, т. е. когда переменные составляющие напряжений и
токов существенно меньше постоянных составляющих, можно
использовать дифференциальные значения параметров транзи­
стора.

Эквивалентная, схема для большого сигнала

В том случае, когда транзистор работает при большом сиг­

нале, т. е. используется в нелинейном режиме, можно восполь­
зоваться эквивалентными схемами, приведенными на рис. 6-20 и
240
6-21. Однако необходимо учитывать зависимость параметров тран­
зистора от потенциалов на электродах, т. е. от режима. Обычно
учитывают лишь нелинейную зависимость статических парамет­
ров. Величины емкостей несущественно зависят от потенцалов на
электродах, и этой зависимостью можно пренебречь. Это оправды­
вается и тем, что основной вклад в межэлектродные емкости вно­
сят паразитные емкости корпуса транзистора и емкости между
выводами (емкости транзистора равны нескольким десятым долям
ппкофарады или единицам пикофарад, а паразитные емкости
монтажа — не менее 1—2 пф). Поэтому при расчетах целесооб­
разно пользоваться значениями емкостей, которые определены
экспериментально.
Нелинейную зависимость тока стока / от напряжений на
с

электродах можно учитывать, заменив генераторы токов в экви­

валентных схемах идеальным источником тока 1 и выразив ве­
С

личину последнего аналитическими соотношениями (6-18) и (6-19).

Изменение же тока стока в пологой области можно учитывать,
сохранив в схеме r при работе транзистора в пологой области.
i

Можно составить эквивалентную схему для большого сигнала

[Л, 79], учитывающую симметрию полевого транзистора относи­
тельно истока и стока. Эти электроды взаимообратимы и определя­
ются лишь направлением тока в канале.

Эквивалентная схема для расчета сдвига рабочей точки

Для определения отклонения тока стока 7 от номинальной

С

величины вследствие температурной нестабильности и разброса

параметров применяется эквивалентная схема, приведенная на
рис. 6-22. В этой схеме отклоне­
ния крутизны Д5 и напряжения
отсечки А£/ (а для транзисторов
0

с индуцированным каналом от­

клонение порогового напряже­
ния Л£/ ор) определяются по их
П

средним величинам в заданном

диапазоне температуры. Измене­
ние потенциала затвора A U вы­
sa
Рпс. 6-22. Эквивалентная схема
числяется по параметрам входной полевого транзистора для расчета
цепи транзистора. При расчетах, отклонения тока стока от номи­
производимых по схеме рис. 6-22, нальной величины.
4
как и в случае биполярных тран-
зисторов, значения параметров необходимо брать для одной гра­
ницы диапазона возможных отклонений, а значение тока / — с

для другой.
Д л я полевых транзисторов применяются П-образные эквива­
лентные схемы, которые удобны для замещения приборов, управ­
ляемых напряжением.
241
 6-8. ДОБРОТНОСТЬ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Как уже отмечалось (см. § 5-10), усилительные и импульсные

свойства транзистора характеризуются добротностью, опре­
деляемой отношением коэффициента усиления ко времени нара­
стания фронта выходного импульса. Добротность полевого тран­
зистора может быть представлена в виде

Дп.тр = 2,2С к' а (6-35)

где S — крутизна характеристики; С — суммарная емкость 3 к

затвора (относительно канала), которая складывается из емкостей

затвор—исток и сток—затвор.
Д л я того чтобы выяснить, какие имеются возможности повы­
шения добротности, выразим Д через электрофизические п т р

параметры полупроводникового кристалла. Эту задачу сравни­

тельно просто можно решить следующим образом. Емкость С 3 н

определяется изменением заряда на затворе AQ под действием 3

приращения потенциала затвора относительно канала AU „ . 3

В первом приближении можно считать Д С/ « Д £/ „. Тогда сум­ 3 к а

марная емкость затвора равна:

С \ к ~ щ Ь . (6-36)

{AU — приращение потенциала затвора относительно истока).

3 п

Учитывая, что S = AI /AU „, получаем:

C 3

^ Р ^ ^ Щ ? ? ( ~ 6 3 7
)

В МДП-транзисторах изменение заряда на металлическом

затворе равно изменению заряда основных носителей в канале,
т. е. AQ та А0 . Приращение заряда в канале AQ
3 0С

ос приводит
к изменению тока стока на величину
д / с = дс2ос_ 6 3

т
ос
где
•^кая.эфф ^кан. эфф
=
Т-ос ~ — ~;
v М-ос^каи

— среднее время пролета основных носителей через канал, равное

отношению эффективной длины канала к средней скорости носи­
телей заряда v = | л Е . осПоскольку падение напряжения на
кан

эффективной длине канала равно напряжению перекрытия U , c пер

то напряженность поля определяется отношением Е = каи

243
= ^о.пер/^кан.эфф- Подставив в формулу(6-37) приращение заряда,
равное
Д<? к* ДС?ос = т Д / о ~ - ^ % ^ *
3 ос Д/ , 0

Р-ос'-'с. пер
получим:
Д ц т р
1
^° t/с.пер (6-39а)
кап. гфф
ИЛИ ^

Д п . т Р ^ 2 ^ . (6-396)

В транзисторе с управляющим р-« переходом приращение

заряда Д@з равно приращению заряда в обедненном слое. По­
следнее в свою очередь равно изменению заряда подвижных носи­
телей в той части канала, которая либо обедняется основными
носителями заряда (если переход расширяется), либо обогаща­
ется (если переход сужается). Следовательно, и добротность тран­
зистора с управляющим р-п переходом определяется соотноше­
ниями (6-39).
Таким образом, добротность полевого транзистора обратно
пропорциональна среднему времени пролета основных носите­
лей через канал т . За это время по мере перемещения основ­
ос

ных носителей заряда от истока к стоку происходит перезаряд

емкости затвора С . 3 к

Из выражения (6-39а) следует, что добротность полевого транзистора

возрастает с повышением потенциала на затворе U . (при больших U . 3 и 3 и

увеличивается абсолютная величина напряжения перекрытия U . пер и умень­ c

шается эффективная длина канала L . эфф)- Это следует иметь в виду при K a H

разработке электронных схем.

Добротность транзистора можно повысить конструктивным путем, умень­
шая напряжение отсечки U пли пороговое напряжение U op я сокращая
0 n

длину канала.
Уменьшение напряжений U ИЛИ t / , так же как увеличение потен­ 0 n o p

циала U , и, влияет на добротность транзистора по двум причинам: при задан­

3

ных потенциалах затвора и стока оно приводит, во-первых, к увеличению

напряжения перекрытия и, во-вторых, к уменьшению эффективной длины
канала. В транзисторах с управляющим р-п переходом напряжение отсечки
можно уменьшить сужением канала и снижением концентрации прпмесей
г
в канале JV „ или их крутизны нарастания а = Д Л
Ka / А W aH [см. выражения к а н K

(6-5) и (6-6)].
Величиной порогового напряжения транзистора с индуцированным ка­
налом U p [см. (6-11)] и напряжения отсечки транзистора со встроенным
n0

каналом можно управлять изменением параметров подложки ( е и JV ) и п n

диэлектрического слоя ( е и W ), а также изменением равновесного значения

д R

потенциала поверхности я|з , которое определяется концентрацией поверх­

80

ностных уровней.
Величины и ор и U можно уменьшить технологическим путем,применив
П 0

в качестве диэлектрика не двуокись, а нитрид кремния Si N (диэлектрическая a 4

проницаемость S i N вдвое больше, чем у SiO ). Уменьшение порогового на­

3 4 a

пряжения достигается также правильным выбором кристаллографической

ориентации полупроводниковой подложки, при которой заряд поверхностных
состояний (и соответственно i|) ) получается меньшей величины. Абсолютные
so

величины U p и U уменьшаются при использовании в качестве материала

no 0

затвора сильно легированного кремния вместо металла [JI. 80] (из-за уменыпе-

243
ппя контактной разностн потенциалов между затвором п подложкой). Следует
отметпть, что МДП-транзпсторы, капал которых получается понпым легиро­
ванием, обладают меньшим значением напряжения отсечки [Л. 39].
Добротность полевого транзистора повышается с уменьшением длины ка­
нала Z/цан, так как прп этом сокращается и его эффективная длина Ь ,кяп фф. Э

Длину канала чрезмерно уменьшить нельзя, так как это осложняет техноло­
гию изготовления приборов: повышаются требования к точности пзготовле-
ппя и совмещения фотошаблонов, снижается процепт годных приборов и т. д.
В настоящее время выпускаются быстродействующие трапзпеторы с длиной
канала 5 мн.ч. Прп такой длине капала добротность транзистора достигает
1—3 Ггц. В сверхвысокочастотных МДП-транзнсторах, изготовляемых двой­
ной диффузией, удается создавать канал длиной 0,4—2 мк.ч, и их добротность
превышает 10 Ггц [Л. 81]. Однако в реальных электронных схемах доброт­
ность транзистора значительно снижается из-за н а л т п я паразитной обратной
связп, возникающей через емкость сток—затвор С , и монтажные емкости
3 с

схемы.
В заключение отметим, что при заданной добротности транзистора Д 1и т р

крутизну характеристики S можно увеличить расширением канала в попереч­

ном направлении. Прп этом одновременно возрастает и суммарная емкость
затвора С . (увеличивается, площадь затвора, который является обкладкой
3 к

этой емкостп). Емкость С . „ возрастает во столько же раз, во сколько увели­

3

чивается крутизна S, а добротность Д т рно меняется.

6-9. ШУМЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Проводящий канал полевых транзисторов является управляемым сопро­

тивлением. Как и у всякого сопротивления, минимальный шум определяется
тепловым шумом, вызванным хаотическим движением подвпжпых носителей
заряда. Тепловой шум канала равномерно распределен по частоте (белый
шум). Он пропорционален общему заряду носителей в канале. Поскольку
крутизна вольт-амперной характеристики определяется этим же зарядом,
то величину шумового тока удобно определять по формуле [Л. 82]

'ш-кан^ФАи^/. (6-40)

где к — коэффициент, зависящий от режима транзистора по постоянному

ш

току.
В малошумящпх усилителях, построенных на транзисторах с управляю­
щим р-п переходом, обычно выбирают режим работы U . н = 0, | U . п | >
3 c

> | Uо |i в котором транзистор обладает максимальной крутизной пнаимень­

2
шими тепловыми шумами. Для такого режима / с = / и шумовой ток канала
ш 3

определяется соотношением

= -д <р е£Д/.
т

Для МДП-транзпсторов коэффициент к определяется не только режи­

ш

мом смещения, но п технологическими параметрами — толщиной диэлект­

рика, концентрацией прпмесп в подложке [Л. 83, 84] — и лежит в пределах
2
от / до 10.
3

Вторая составляющая шумов полевых транзисторов, называемых дро­

бовыми шумами затвора, становится заметной при больших сопротивлениях
в цепи затвора. Эти шумы обусловливаются двумя составляющими тока:

244
во-перпых, ток — 1 , который образуется потоком электронов, покидающих
3 1

затвор, п потоком дырок, его достигающих; и, во-вторых, ток — / , который 3 2

образуется потоком электронов, достигающих затвора, и потоком дырок, по­

кидающих его. Дробовая составляющая шумового тока определяется форму­
лой

7 2 е / /
и ^ = ( з1+ з2)Д/- Гв-41)

Источники тепловых и дробовых шумов различны, поэтому тепловой и

дробовой шумовые токи некоррелированы, т. е.

'ш.з^ш.кан—0.

Особенностью полевых транзисторов является емкостная связь между

каналом н затвором. Эта связь приводит к тому, что шумы в цепи затвора
возрастают с повышением частоты [Л. 85]. Флуктуации заряда в канале, опре­
деляемые тепловым шумом, влияют на ширину обедненного слоя р-п перехода,

Рис. 6-23. Эквивалентная шумовая Рпс. 6-24. Зависимость ко-

схема полевого транзистора. эффициента шума полевого
транзистора от частоты.

что в свою очередь вызывает флуктуацию заряда в прилегающей области

эатвора. Это вызывает дополнительный шумовой ток в цепи затвора, величина
которого определяется емкостной связью канала с затвором и возрастает
с повышением частоты. На высоких частотах дополнительная составляющая
шумового тока затвора может превышать дробовой шум. Таким образом, шу­
мовой ток затвора будет частично коррелирован с шумовым током канала.
Строго говоря, транзистор следует рассматривать как активную линию с рас­
пределенными параметрами и на основании этого рассчитывать коэффициент
корреляции между токами. Поскольку емкостные токи в затворе малы по
сравнению с токами проводимости канала, то вклад теплового шума в дробо­
вой шум затвора можно определить как действие сигнала, передаваемого пз
канала в затвор через эквивалентную сосредоточенную емкость С , . Эта воз­ 3 с

можность подтверждается и экспериментами [Л. 86].

На рпс. 6-23 приведена эквивалентная шумовая схема полевого транзи­
стора. В этой схеме тепловой шум характеризуется генератором тока г , , ш к а п

дробовой шум — генератором г . . Токп генераторов определяются соот­

ш 3

ветственно соотношениями (6-40) и (6-41). В эквивалентной схеме не учиты­

ваются тепловые шумы на объемных сопротивлениях областей истока г„
и стока г (эти шумы сравнительно малы). При необходимости их можно
с

учесть, включив последовательно с выводами истока и стока эквивалентной

схемы рис. 6-23 сопротивления ?•„ и г , а также генераторы э. д. с , характе­
с

ризующие тепловой шум этих сопротивлений по формуле Найквпста (см.

§ 5-9).

245
 В эквивалентной схеме, приведенной па рис. 6-23, указаны источники
шумов, спектральная плотность которых не зависит от частоты. Результаты
расчета хорошо согласуются с экспериментами.
На НИЗКИХ частотах в половых транзисторах, так же как и в биполярных,
преобладают избыточные шумы, величину которых сложпо оценить аналити­
чески. В отличие от белого шума спектральная плотность избыточных шумов
зависит от частоты п пропорциональна 1//. Избыточные шумы полевых тран­
зисторов с управляющим р-п переходом преобладают па частотах- менее 1 кгц,
а в МДП-транзпсторах — на частотах менее 100 кгц. Поэтому попятие низко­
частотный для избыточного шума относительно и определяется лишь отклоне­
нием от равномерного спектра белого шума. Основной вклад в низкочастот­
ные шумы вносят флуктуации заряда в рекомбинацноипо-геиерацпониых ло­
вушках обедненного слоя р-п перехода вследствие хаотической генерации
электронов и дырок [Л. 87]. В полевом транзисторе с управляющим р-п
переходом источником таких шумов служит переходный слой между каналом
и полупроводниковой подложкой [Л. 88]. На частотах менее 100 гц в МДП-
транзпсторах преобладает другой механизм возникновения избыточного шу­
ма. Это поверхностный шум [Л. 88, 89] из-за хаотического захвата носителей
поверхностными энергетическими уровнями, которые расположены на гра­
нице диэлектрика п полупроводника. В низкочастотные шумы определенный
вклад вносят также диффузия и дрейф дефектов кристаллической решетки
полупроводникового капала п дрейф ионов в слое диэлектрика МДП-тран-
зпсторов. Сложная природа избыточных, шумов затрудняет их аналитический
расчет. На практике их величина определяется экспериментально.
Зависимость коэффициента шума полевого транзистора от частоты ана­
логична этой же зависимости у биполярного транзистора (рис. 6-24). В обла­
сти низших частот коэффициент шума возрастает из-за увеличения избыточ­
ного шума. В диапазоне частот от / до / спектральная плотность шума по­
х 2

стоянна. На высших частотах коэффициент шума растет из-за увеличения

шума затвора, обусловленного емкостной связью между каналом и затвором.
 1
ОСНОВНЫЕ О Б О З Н А Ч Е Н И Я

TN и а —коэффициенты пере­
Т1 телеи, накопленных в
носа неосновных носите­ базе у коллекторного - пе­
лей нормального и ин­ рехода, и током при
версного потоков ... § 2-6; работе с эмиттерным и
4 -2 ; 5-2 базовым входами ... § 4-4;
Хд, — коэффициент передачи то­ 5-3

ка эмиттера ... § 4 - 2 ; 4 - 3 ; Qao . A Qso

ла,
5 -2 ; 5-3 " / а Т '>' и
" = /вТ(1 + Р )
а

э 7

<Xj — коэффициент передачи то­ коэффициенты пропорци­

ка коллектора ... § 4 - 3 ; ональности между заря­
5-2; 5-3 дом неосновных носите­
а—дифференциальный коэф­ лей, накопленных у эмит­
фициент передачи тока терного перехода,и током
эмиттера ... § 5-2; 5-4; 5-6 прп работе с эмиттерным
Р , и Pj —коэффициенты пере­
Л
и базовым входами ...
§ 4-4; 5-3
дачи тока базы в коллек­
тор и эмиттер ... § 4 - 2 ; 4 - 3 ; дырочная п элек­
5-2; 5-3; 5-6 тронная составляющие
теплового тока ...- § 3-2;
Р- дифференциальный коэф­ 3-5; 5-2
фициент передачи тока
базы ... § 5-2; 5 - 4 ; 5 - 6 TD' -диффузионная составляю­
щая теплового тока ...
4= - коэффициент § 3-2; 3-5
2 ЛГ
/pi In—дырочная и элек­
Ш
Б К

неоднородности распреде­ тронная составляющие

ления примесей в базе тока ... § 3-2; 3-5
дрейфового транзисто­ I , /go—ток генерации в пе­
g
ра ... § 4-1 реходном слое (с индексом
QO'^TO — коэффициент «О» в равновесном состоя­
пропорциональности меж­ нии) ... § 3 - 3
ду зарядами неосновных А-1 / о
г
_ т о к
рекомбинации в
носителей и током р-п переходном слое (с индек­
перехода ... § 3-8 сом «О» в равновесном
А _
Quo. A
УКО • А
QKO состоянии) ... § 3-3; 3 - 5 ;
к а _ / к Т ( 1 + Рд,)
к
5-2
^ / Й Р °
коэффициенты пропор­ I g—ток рекомбинации-генера­
r
циональности между за­ ции в переходном слое ...
рядом неосновных носи­ § 3-3; 3-5

1
Обозначения, отмеченные индексами л и р , если не оговорено, представ­
ляют собой соответствующие величины для электронов и дырок.

247
 Л)Пр обратпый ток р-п пере­
—
хода ... § 3-5; 3-8
(р) п (/>)-
электрошая п дырочная
составляющие тока эмит­
тера ... § 4-2
'кг, 7
кг.1'
ток коллекторпого пере­
хода п его составляю­
щие . . . § 4-2; 4-3; 5-2
' э Г - э Г и ' эТ -тепловой
7 т
ток
эмиттерного перехода п
его составляющие... § 4-2;
4- 3;
Л5г— рекомбинацпонпый ток
базы . . . § 4-2; 5-3
£
hr, з г (р)— ток рекомбина­
ции в эмпттерном перехо­
де ... § 4-2
Л>с—канальный ток эмпттер­
пого перехода ... § 4-2
/ | . п Г — средине значения те­ эТ
г
пловых токов коллектор­
ного п эмпттерпого пере­
ходов . . . § 4-3
/ — обратпьш ток коллектор­
к 0
ного перехода . . . § 4-3;
5- 2; 5-7
/ з — обратпый ток эмиттерно­
0
го перехода . . . § 4-3; 5-2
/ , / п /б —токп эмиттера,
э к
коллектора и базы . . .
§ 4-2;
/ д Г —ток, образуемый нормаль­
7
но-направленным пото­
ком... § 4-3; 4-4
l-з. д> 1% д — ток эмиттерного
диода ... § 5-3
;
Л«. Д1 / . д —ток коллекторного к ризующие отклонение от экспо­
дпода . . . § 5-3
/к д о —максимально допуеттгьга
п сти тока от напряжения прп
ток коллектора . . . § 5-8
/ —ток стока . . . § 6-2
с (р—для
^с. нас, 1с. н а с о — пасыщения
стока (с дополнительным
индексом «О» при нуле­
вом смещении на затво­
ре) ... § 6 - 2
k — постоянная Больцмана . . .
§ 1-3
^п. т — коэффициент пропорцио­
нальности между током
стока и квадратом напря­
жения перекрытия... § 6-4
и = а - ^ — к о э ф ф и ц и е н т фа-
зового сдвига . . . § 5-2
^ и п н - д л п п а капала полевого
транзистора ... § 6-2
•^кап. эфф — эффективная длппа капа­
ла полового транзисто­
ра . . . § 6-5; 6-8
.... •№(/)
/ -топлов.оЙ к Г р А.(0= ± , К — отпошеппо элек-
Фт
гростатического потенциала i|) (/)
к температурному потенци­
алу ф (со знаком плюс для
Г
Р
потока дырок, а со знаком ми­
нус для потока электронов) ...
§ 2-5
5-2
А, —величина К па границах рас­
гр
сматриваемой области ... § 2-5;
2-7
Х — величина К па поверхности
5
кристалла . . . § 2-7
?ч< и А. — значения Я для коллек­
3
торного и эмиттерного перехо­
дов ... § 2-5
/Яр, /«„ — коэффициенты в стопенп
экспонеиты для характеристики
граничных условий ... § 2-4; 3-5
m — коэффициент в степени экспо­
r
ненты для характеристики тока
рекомбинации . . . § 3-3; 3-5
т — коэффициент в степени экспо­
с
ненты для характеристики ка­
нального тока ... § 3-4; 3-5
m—среднее значение коэффициентов
4-3 m , m , in для характеристики
D c r
тока . . . § 3-5; 3-8
M
D ~ коэффициент в степени экспо­
ненты диффузионного тока ...
§ 3-5
m D p иm — коэффициенты, характе­
D n
ненциального закона зависимо­
высоких уровнях инжекции
дырочного, п— элект­
т о к
ронного) . . . § 4-2
тк п т — средние значения коэффи-
д
*цпентов в степени экспоненты
для коллекторного н эмиттер­
ного переходов . . . § 4-3
п — коэффициент, характеризующий
с
зависимость С . от напряжения п 3
на переходе U ... § 3-6 n
и — коэффициент, характеризующий
л
зависимость коэффициента умно­
жения М от и ... § 3-5; 5-8 л
7, 9(0, <7n, Яр — плотность заряда
подвижных носителей . . . § 2-1;
2-2, 2-4, 2-5
 <?u> ^no. Qpu— плотность заряда
подвижных носителей в равно­
весном состоянии ... § 2-2; 2-4
9si Qso — плотность заряда подвиж­
ных носителей на поверхности
(с индексом «О» — в равновесном
состоянии) ... § 2-4; 2-5; 6-3
q — плотность заряда подвижных но­
Ks
сителей у контактов ... § 2-4
q = q— <7 — плотность заряда не­
a 0
равновесных носителей ... § 2-7
<7,. —граничное значение плотности
р базы ... § 5-2; 5-4
заряда подвижных носителей ...
§ 2-4; 2-7
<7н. <7ио — плотность заряда неоснов­
ных носителей в базе у коллек­
торного перехода (с индексом
«О» равновесное значение) ...
§ 2-5; 4-3
<7э> 9эо —плотность заряда неоснов­
равновесных носптелей ... § 4-4;
5-3
<2э.н=(?э —Qao — суммарный заряд у
эдшттсрного перехода для не­
равновесных носителей ... § 4-4;
5-3
'*б. ^бо — объемное сопротивление
базы (с индексом «О» в равно­
весном СОСТОЯНИИ) ... § 3-5; 3-7;
3-8; 4-2; 4-3; 5-2; 5-3; 5-4; 5-6
''б. диф — диффузионное сопротивление
г' — объемное
а сопротивление
эмиттера ... § 3-5; 3-7; 4-3;
5-2; 5-3
г —дифференциальное сопротив­
э
ление эмиттерного перехо­
да ... § 4-3; 5-2; 5-4; 5-6
г' — объемное сопротивление кол­
к

ных носителей в базе у эмиттер­ лектора... § 4-2; 4-3; 5-2; 5-3

ного перехода (с индексом «О» — г — сопротивление коллекторно­
к

равновесное значение) ... § 2-5; го перехода ... § 4-3; 5-2;

4- 3 5-4; 5-6
г
4TN' 9TI> Ят п
—плотность заря­ кр — сопротивлениеколлекторного
да неосновных носителей, обра­ перехода при базовом упра­
зующих направленный поток и влении ... § 5-2
находящихся в динамическом т-j — внутреннее сопротивление
равновесии соответственно ... полевого транзистора ... § 6-5
§ 2-5; 2-6; 2-7 s — скорость поверхностной ре­
Япн —плотность заряда электронов, комбинации ... §2-4; 2-5; 2-7
накопленных в приповерхност­ t
gN — время задержки нормально
ном слое подложки МДП-тран- направленного потока... § 4-4;
зпстора ... § 6-3 5-2; 5-3
q — плотность заряда на затворе
3
t j — время задержки инверсно
3

МДП-транзпсторов ... § 6-3 направленного потока

9о0—плотность заряда обедненного § 4-4; 5-2; 5-3
слоя в МДП-трапзисторе ... § 6-3 l
3TN —собственное время задержки
Qi Qo—суммарный заряд неоснов­ нормально направленного
ных носителей на границе пе­ потока ... § 5-2
реходного слоя (с индексом «О» t3TI — собственное время задержки
для равновесного состояния)... инверсно направленного по­
; § 3-8 тока ... § 5-2
Q K I О н о с у м м а р н ы й заряд неоснов­
-
t — время задержки для а
3T т ...
ных носителей у коллекторного § 5-2
перехода в неравновесном п
равновесном состояниях ... § 4-4; ha,—время задержки для а ...
5- 3 § 5-2
т, т , т„,—время жизни ...
Qa. Qao~-суммарный заряд неосно­ р

§ 1-3; 2-2; 2-7

вных носителей у эмиттерного т X X

перехода в неравновесном и г 1 T N> T I — среднее время

равновесном состояниях . . . § 4-4; пролета неосновных носпте­
5-3 лей ... § 2-6; 4-2; 4-4; 5-2
Q = Q — Qo —заряд
H неравновесных
х
т> T N > x
Т1 — среднее время
Х

носптелей § 3-8 пролета носителей прп по­

Q K . H = Q K — Q K O — суммарный заряд у стоянной плогаостп тока ...
коллекторного перехода для не­ § 2-6; 4-2

* Дополнптельньвш пндексааш N п I отмечены величины, характеризую­

щие соответственно нормально и инверсно направленные потоки.

249
 т — объемпая постоянная накоп­
н о Передачи тока эшггтера . . .
ления ... § 2-7; 5-2 § 5-2; 5-4
T
nYi т / — с р е д н е е значение вре­
г
Тр — постоянная времени диффе­
мени жизни . . . § 2-7; 4-2; ренциального коэффициента
4-4; 5-2 передачи тока базы ... § 5-2;
т — эффективное значение посто­ 5-4
Ту — постоянная времени коэффи­
п

янной накопления ... § 2-7;

3-8;- 4-4; 5-2; 5-3 циента пнжекции . . . § 5-2
т — постоянная накопления в
н г <p =kT/e
T — температурный потен­
объеме переходного слоя . . . циал . . . § 1-3; 2-4; 2-7
§ 3-3; 5-2 ф£>> Ф д э . Ф д —контактная раз­
к
т — постоянная времени отсеч­
о т
ность потенциалов (с индек­
ки . . . § 3-8 сом «э» для эмиттерного пе­
т у — постоянная времени коэффи­
а
рехода, с индексом «к» для
циента передачи тока эмит­
коллекторного перехода) . . .
тера . . . § 4-4; 5-2; 5-3
§ 2 - 4 ; 2-8; 3-2; 6-6
% — постоянная времени коэффи­
а1

циента передачи тока кол­ <Рр = потенциал Фер­

лектора ... § 5-2; 5-3 ми, определяющий положе­
Tgjv—постоянная времени коэффи­ ние уровня Ферми в данном
циента передачи тока базы полупроводнике относитель­
6 . . . § 4-4; 5-2; 5-3
N но середины зоны проводи­
Тр г — постоянная времени коэффи­ мости . . . § 6-3
циента передачи тока базы Ф(0. 'Ф, v|» —электростатический
0

В, . . . § 5-2; 5-3 потенциал (с индексом «О» в

равновесном состоянии) . . .
x
a T N , а Т 1 ~ постоянные времени
х

§ 2-3; 2-5; 2-8

коэффициентов переноса но­ -
•фз, ^ s o электростатический по­
сителей a п а . . . § 5-2
T i V Т}
тенциал поверхности (с ин­
х — постоянная времени диффе­
а дексом «О» в равновесном
ренциального коэффициента состоянии) ... § 6-3
 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Шоклп В. Теория электронных полупроводников. Пер. с апгл. М.,

Изд-во ипостр. лит., 1953.
2. Иоффе А. Ф. Полупроводники в современной физике. М., Изд-во
АН СССР, 1957.
3. Приборы полупроводниковые. Термины и определения. ГОСТ
15133-69. Госкомитет стандартов СМ СССР.
4. Смит Р. А . Полупроводники. Пер. с англ. М., Изд-во иностр. лит.,
1962.
5. Гаврнлов Р. А . , Скворцов А. М. Технология производства полупро­
водниковых приборов. М., «Энергия», 1968.
6. Федотов Я . А . Основы физики полупроводниковых приборов. М.,
«Советское радио», 1969.
7. Даммер Д ж . У. А. Миниатюризация п микроминиатюризация радио­
электронной аппаратуры. Пер. с англ. М., «Мир», 1965.
8. Pritchard R. L . Electrical characteristics of transistors. McGraw —
H i l l Book Co., 1967.
9. Cobbold R . Theory and applications of field — effect transistors.
Wiley — Interscience, 1970.
10. Губанов А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводников.
М., Изд-во технико-теоретической лит., 1956.
11. Агахаиян Т. М. Характеристики ступенчатого электронно-дырочного .
перехода при прямом смещении. — «Радиотехника и электроника», 1965,
т. 10, № 12.
12. Moll J . L . , Ross J . M. The dependance of transistor parameters on the
distribution of base layer resistivity. — Proc. I R E , 1956, v. 44, № 1.
13. Conwell E . , Weisskopf V . F . Theory of impurity scattering in semicon­
ductors. — Phys. Rev., 1950, v. 77, № 3.
14. Холл P. Рекомбинация электронов и дырок в германии. — В кн.:
Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953
(оригинал в ж у р н . Phys. Rev., 1952, v. 87, p. 387).
15. Шоклн В и Рид У. Статистика рекомбинации дырок и электронов. —
В кн.: Полупроводниковые приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953 (оригинал
в ж у р н . Phys. Rev., 1952, v. 87, p. 835).
16. Brattain W. H . , Bardeen J . Surface properties of germanium. — Bell
Syst. Technical J . , 1953, v. 23, № 1.
17. Агахаиян Т. M. Анализ дрейфового транзистора с учетом изменений
ПОДВИЖНОСТИ п времени жизни носителей. — «Радиотехника и электроника»,
1964, т. 9, № 1.
18. Миддлбрук Р. Д . Введение в теорию транзисторов. Пер. с апгл. М.,
Атомиздат, 1960.
19. Адировнч Э. И . , Рябпикпн Б. С , Темко К. В. Равновесное распреде­
ление потенциала, поля и концентрации носителей заряда на вплавленных
переходах. — Ж Т Ф , 1958, т. 28, вып. 1.

251
 20. Прпчард Р. Путеводитель по совремоппым р-п переходам. — «Элект­
роника», 1962, № 33.
21. Осиовы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление,
диффузия, эпитаксня. Под ред. Р. Бургера и Р. Доноваиа Пер. с англ.
М., «Мир», 1969.
22. Данилин Б. С , Заумыслов 10. В . , Штеннман Г. А. Применение элект­
ронных и понпых лучей в микроэлектронике. — «Микроэлектроника»,
1968, вып. 2.
23. Shockley W. The theory of P-N junctions in semiconductors and P-N
junction transistors. — Bell Syst. Techn. J . , 1949, v. 28, № 3.
24. Sah С. Т., Noyce R. N. and Shockley W. Carrier generation and recom­
bination in P-N junction and P-N junction characteristics. — Proc. I R E ,
1957, v. 45, № 9.
25. Агахаиян Т. M. Зависимость тока рекомбинации — генерации и коэф­
фициента инжекции электронно-дырочного перехода от напряжения прямого
смещения. — «Радиотехника н электроника», 1966, т. 11, № 2.
26. Расчет и проектирование полупроводниковых приборов. Пер. с англ.
М., Оборонгиз, 1963.
27. Moll J . L . Physics of semiconductors. McGraw — H i l l Book Co.,
1964.
28. Sze S. M. Physics of semiconductors devices. Wiley — Interscienco,
1969.
29. Miller S. L . Avalanche breakdown in germanium. Phys. Rev. 1955,
v. 99, № 4.
30. Sze S. M. and Gibbons G . Avalanche breakdown voltages of abrupt and
linearly graded p-n junctions in Ge, Si, Ga As, and GaP. Appl. Physics Letters,
1966, v. 8, № 5.
31. Knott R. D . , Colson I . D . , Young M. R . Breakdown effect in p-n allow
germanium junctions. Proc. Phys. S o c , 1955, v. 68, № 3.
'\ 32. Краснлов А. В . , Трутко.А. Ф. Методы расчета транзисторов. М.,
«Энергия», 1964.
33. Агахаиян Т. М. Измерение статических параметров полупроводни­
кового триода. — «Полупроводниковые приборы и их применение», 1964,
вып. 11.
34. Азьян 10. М., Берестовскнй Г. Н . , Капцов Л. Н . , Ржевкпн К. С.
п Сенаторов К. Я . Полупроводниковые триоды в регенеративных схемах.
М., Госэнергонздат, 1959.
35. Носов 10. Р. Переходные характеристики полупроводниковых дио­
дов. — «Полупроводниковые приборы и их применение», 1960, вып. 4.
36. Агахаиян Т. М. Электронные ключи и нелинейные импульсные уси­
лители. М., «Советское радио», 1966.
37. Полупроводниковые диоды. Под ред. Н. Н." Горюнова и Ю. Р. Носова
М., «Советское радио», 1968.
38. Сидоров А. С. Теория п проектирование ТД-схем. М., «Советское
радио», 1971.
39. Макдуголл, Манчестер и Пальмер. Производство МОП ИС с исполь­
зованием ионного легирования. — «Электроника», 1970, № 13.
40. Брук В. А . , Гаршешш В. В . , Курносое А. И. Производство полупро­
водниковых приборов. М., «Высшая школа», 1968.
41. Де Фалько. ИС на биполярных структурах с высокой плотностью
элементов. — «Электроника», 1971, № 15.
42. Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. М., Физматгиз,
1961.
43. Галицкпй В. В. Переходные характеристики транзистора с изменяю­
щимся вдоль базы электрическим полем. — Известия вузов. Сер. «Радио­
электроника», 1964, № 4.
44. Early J . Effect of space charge layer widening in junction transistor.
Proc. I R E , 1952, v. 40, № 11.
45. Ашгашов В, И , , Голубев А. П. Транзисторные модуляторы, M., «Энер­
гия»! 1964.

252
 46. Schaffner J . S., Suran J . J . Transient response of the grounded base
transistor amplifier with small load impedance. — J . Appl. Phys., 1953, v. 24,
№ 11.
47. Агахаияи Т. M. Переходные характеристики коэффициента передачи
гока дрейфового триода. Научные доклады высшей школы по разделу «Радио­
техника п электроника», 1968, № 1.
48. Гнеденко В. В. и Хпнчпн А. Я . Элемеитариое введение в теорию
вероятностей. М., Госэнергонздат, 1952.
49. Диткш! В. А . , Прудников А. П. Справочник по операционному исчис­
лению. М., «Высшая школа», 1965.
50. Агахаияи Т. М. Приближенный расчет переходной характеристики
в области малых времен. «Теория и расчет импульсных и усилительных схем
па полупроводниковых приборах», 1969, вып. 1.
51. Агахаияи Т. М. Переходные характеристики элементов Т-образной
эквивалентной схемы для дрейфового триода. — «Радиотехника п электро­
пика», 1960, т. V , № 9.
52. Агахаияи Т. М. Работа полупроводникового триода при больших
сигналах. — «Известия вузов. Радиотехник а», 1960, № 2.
53. Ebers J . J . and Moll J . L . Large-signal behavior of junction transistors.
Proc. I R E , 1954, v. 42, № 12.
54. Архангельская И. Т. Модели биполярных транзисторов. — «Полу­
проводниковые приборы и их применение», 1972, вып. 26.
55. Beafoy R . , Sparkes J . J . The junction transistor as a charge controlled
device. A I E Jour., Oct. 1957, v. 13.
56. Абдюхаиов M. А . , Берестопский Г. H . , Кузьмин В . А . О расчете
процессов в полупроводниковых триодах методом заряда. — «Радиотехника
н электроиика», 1960, № 3.
57. Ryder R . М., Kircher R . J . Same circuit aspects of the transistor. —
Bell System Technical J . , 1949, v. 28, № 3.
58. Giacoletto L . J . Junction transistor equivalent circuits and vacuum
tube analogy. — Proc. I R E , 1952, v. 40, № 11.
59. Webster V . M. On the variation of junction transistor current amplifi­
cation factor with emitter current. — Proc. I R E , 1954, v. 42, № 6.
60. Агахаияи Т. M. Температурная стабилизация режима транзисторного
усилительного каскада. — «Радиотехника», 1962, т. 17, № 4.
61. Николаевский И. Ф . , Игумпов Д . В. Параметры и предельные режимы
работы транзисторов. М., «Советское радио», 1971.
62. Ройзип I I . М., Мостовлянскнй И. С. Исследование физических про­
цессов в мощных транзисторах, определяющих их надежность в пмпульспых
режимах. — «Полупроводниковые приборы и их применение», 1963,
вып. 10.
63. Ван-Дер^Зпл А. Флуктуационпые явления в полупроводниках. М.,
Изд-во иностр. лит., 1961.
64. Guggenlmehl W . , Strutt М. Theory and experiments on shot noise in
semiconductor junction diodes and transistors. — Proc. I R E , 1957, v. 45, № 6.
65. Транзисторы. Под ред. И. Г. Бергельсона, 10. А. Каменецкого,
И. Ф. Николаевского. М., «Советское радио», 1968.
66. De Witt D . , Rossoff A. Transistor electronics. McGraw — H i l l Book
Co., 1957.
67. Агахапяи Т. M. Линейные импульсные усилители. М., «Связь», Л970.
68. Rittner Е . S. Extension of the theory of the junction transistor. —
Phys. Rev., 1954, v. 94, № 5.
69. Перспективы разработки и выпуска кремниевых ИС на сапфировых
подложках (обзор). — «Электроника», 1970, № 12.
70. Shockley W . A unipolar field — effect transistor. — Proc. I R E ,
1952, v. 40, № п .
71. Bockemuehl R. R . Analysis of field — effect transistors with arbitrary
charge distribution. I E E E Trans., January, 1963, v. ED-10.
72. Интегральные схемы. Принципы конструирования и производства.
Пер. с англ. Под ред. А. А. Колосова. М., «Советское радио», 1968.

253
 73. Ссвип Л. Полевые транзисторы. Пор. с аигл. М., «Советское радио»,
1968.
74. Кроуфорд Р. Схемные применения МОП-транзисторов. Пер. с англ.
М., «Мир», 1970.
75. Reddi V. G . , Sail С. Т. Sourco to drain .resistance beyond pinch — off in
metal — oxide — semiconductor transistors (MOST). I E E E Trans. Electron.
Devices, 1965, ED-12, № 3.
76. Мейтленд. Сравнительная характеристика re- п р-капалышх
МОП схем. — «Электропика», 1970, № 16.
77. Валцев К. А . , Кармазннскин А. П . , Королев М. А. Цифровые инте­
гральные схемы на МДП-транзпсторах. М., «Советское радио», 1971.
78. Fisher W. Equivalent circuit and gain of MOS F E T . — Solid Electro­
nics, 1966, v. 9, № 1.
79. Ведлок Б. Д. Статические эквивалентные схемы полевых трапзпсто-
ров на большом сигнале. — ТИИЭР, 1970, т. 58, Кг 4.
80. Бридуэлл. Три способа создапия МОП-схем с низкими пороговыми
напряжениями. — «Электроника», 1970, № 8.
81. Кодж, Кочнш, Сшт, Венделин. Сверхвысокочастотпые МОП-трап-
зпсторы, пзготавлпваемые двойной диффузией. — «Электроника», 1971, № 4.
82. Ван-Дер-Зил. Тепловые шумы в полевых транзисторах. — Т И Р И ,
1962, т. 50, № 8.
83. Sah С. Т., Wu S. J . , Hielscher F . The effect of fixed bulk charge on tho
thermal noise in metal-oxide-semiconductor transistors. — I E E E Transactions,
1966, v. ED-13, № 4.
84. Klaassen F . M . , Prins J . Thermal noise of MOS transistors. — Philips
Research Reports, 1967, v. 22, № 5.
85. Ван-Дер-Зпл. Шумы затвора полевых трапзпсторов на относительно
высоких частотах. — ТИИЭР, 1963, т. 51, № 3.
86. Leupp A . , Strutt М. J . Comparison of calculated noise figures from the
parameters of J E E T with measured total noise figures. — Solid State Electro­
nics, 1967, v. 10, № 12.
87. Теория генерации низкочастотных шумов в полевых транзисторах
с плоскостным затвором. — ТИИЭР, 1964, т. 52, № 7.
88. Wu S. J . Theory of the generation-recombination noise in MOS tran­
sistors. — Solid State Electronics, 1968, v. 11, № 1.
89. Tlinn I . , Bew G. and Berz F . Low frequency noise in MOS field effect
transistors. — Solid State Electronics, 1967, v. 10, № 8.
ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие 3

Глава первая. Полупроводники и их электрофизические свой­

ства 5
1-1. .Проводники, полупроводники и диэлектрики 5
1-2. Структура полупроводниковых кристаллов 6
1-3. Электроны и дырки в полупроводниковых кристаллах. Электрон­
ная и дырочиая проводимость 7
1-4. Собственные и примесные полупроводники . 11
Глава вторая. Электронные процессы в полупроводниковых
кристаллах 18
2- 1. Образование направленных потоков носителей заряда. Уравнение
плотности тока 18
2-2. Накопление и рассасывание подвижных носителей заряда. Уравне­
ние непрерывности 20
2-3. Электрические поля в кристаллах. Уравнение Пуассона 21
2-4. Граничные условия 21
2-5. Распределение носителей заряда в неравновесном состоянии . . . . 27
2-6. Характеристики диффузии и дрейфа неосновных носителей за­
ряда 29
2-7. Характеристики процесса генерации и рекомбинации носителей
заряда 32
2- 8. Определение электростатического потенциала в полупроводнико­
вых кристаллах 42
Главатретья. Электронно-дырочный переход 45
3- 1. Классификация электронно-дырочных переходов. Технология
изготовления , 45
3-2. Статические характеристики идеального плоскостного р-п пере­
хода -. 48
3-3. Токи генерации и рекомбинации в переходном слое 61
3-4. Токи утечки и канальные токи 64
3-5. Вольт-амперная характеристика реального электронно-дырочного
перехода 66
3-6. Характеристики электронно-дырочного перехода в области выс­
ших частот 77
3-7. Импульсные характеристики электронно-дырочного перехода . . . 82
3- 8. Эквивалентные схемы электронно-дырочного перехода 86
Глава четвертая. Биполярные транзисторы 91
4- 1. Классификация биполярных транзисторов и технология изготовле­
ния , 91

255
1-2. Характерные особенности транзистора и транзисторных р-п пере­
ходов 98
4-3. Статические характеристики транзистора 110
4- 4. Импульсные характеристики транзистора 132
Глава пятая. Эквивалентные схемы н параметры биполярных
транзисторов 146
5- 1. Особенности эквивалентных схем транзисторов 146
5-2. Физические параметры транзистора 147
5-3. Эквивалентные схемы транзистора для большого сигнала 169
5-4. Малосигналыше эквивалентные схемы транзистора 178
5-5. Параметры транзистора-четырехполюсника 183
5-6. Зависимость иараметров транзистора от режима н температуры 185
5-7. Эквивалентная схема траизистора для расчета сдвига рабочей точки 190
5-8. Предельно допустимые эксплуатационные параметры 193
5-9. Шумы транзистора 202
5- 10. Повышенно добротности транзистора 205
Глава шестая. Полевые транзисторы 208
6- 1. Структура" и разновидности полевых транзисторов 208
6-2. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом 211
6-3. Полевой транзистор структуры металл — диэлектрик — полу­
проводник (МДП-трапзистор) 217
6-4. Сравнение характеристик полевых транзисторов различной струк­
туры 228
6-5. Днфферепцпальпые низкочастотные параметры полевых транзисто­
ров и их зависимость от режима 231
6-6. Температурная зависимость параметров полевых транзисторов 236
6-7. Эквивалентные схемы полевого транзистора 238
6-8. Добротность полевого транзистора . . . • 242
6-9. Шумы полевых транзисторов 244
Основные обозначения 247
Список литературы 251

Татевос Мамиконович Агахаплк

ОСНОВЫ ТРАНЗИСТОРНОЙ: ЭЛЕКТРОНИКИ

Редактор ГО. В. Виноградов

Редактор издательства Ю. И. Рысев
Технический редактор Л. Л. Молодцова
Переплет художника А . А . Иванова
Корректор И. А. Володяева

Сдано в набор 23ДУ 1973 г. Подписало к печа­

ти 27/ГХ 1973 г. Т14495. Формат 60x90'/ie. Бумага ти­
пографская oMi 2. Печ. л. 16. Уч.-нзд. л. 18,41. Ти­
раж 25 000 зкз. Зак. 810. Цена 1 р. 08 к.
Издательство «Энергия». 113114, Москва, М-114,
Шлюзовая наб., 10.
Ордена Трудового Красного Знамени Ленинградская
типография Ki 1 «Печатный Двор» имени А . М. Горь­
кого Союзполпграфпрома при Государственном коми­
тете Совета Министров СССР по делам издательств,
полиграфии и книжной торговли, Ленинград, Гатчин­
ская ул„ 26,