Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
22.5.2016
В этом примере предполагается, что MOSFET включается и долгое время находится в полностью
открытом состоянии. Например, переключение производится не чаще чем с частотой 1 Гц.
Цифра 110 К/Вт означает, то при выделяемой мощности 1Вт разница температур между внешней средой
и переходом будет 110 градусов. Например, если границе корпус-воздух будет 40 градусов, то это значит,
что переход внутри транзистора имеет температуру 40+110=150 градусов. Если выделяется 2Вт, то внутри
будет 40+110*2=260 градусов.
Предположим, что напряжение на затворе будет 3.3В. А ток будет 3А. Из графика «Typical Transfer
Characteristics» находим, что при напряжении 3.5В ток составляет 8А. Т.е. сопротивление составляет
0,4375 Ом. При этом смотрим на график «Normalized On-Resistance Vs. Temperature» и видим, что при 90
градусах сопротивление растет в 1.5 раза.
Предполагается, что транзистор будет работать в окружении, где температура воздуха будет до 30
градусов (что очень оптимистично, так как он греет воздух вокруг себя).
Итак, запас по температуре составляет 90-30=60 градусов. Получается что максимальное общее
теплового сопротивления равно (90-30)/6Вт=10 К/Вт
При этом сопротивление переход-корпус уже съело 3.3 К/Вт. У нас остается 8.3 К/Вт.
Монтаж радиатора будет производится на силиконовый клей. Предположим, что наш клей - HC910.
Проводимость его 1.7 Вт/м*К.
Толщина слоя нанесения 0.0001м (0.1 мм). Эта оценка подтверждена документацией на подобные клеи.
Теперь решим вопрос, а какой допустимый ток, при котором можно обойтись без радиатора вообще.
Возьмем вариант, когда транзистор припаян к площадке на плате площадью 1кв. дюйм. RθJApcb= 50 К/
Вт. Предположим, что все устройство работает в коробочке и воздух в ней, за счет других компонентов и
этого MOSFET-а, может нагреваться до 50 градусов. Предел нагрева для выбранного транзистора 175
градусов. Но мы возьмем максимум 125. Тогда максимальная допустимая мощность будет (125К-50К) /
50К/Вт= 1,5 Вт.
Если же он не припаян к площадке, то RθJA = 110 К/Вт, и получаем максимальную мощность (125К-50К)
/ 110К/Вт= 0,6 Вт.
Расчет по корпусу приведенный здесь более реалистичный, чем с радиатором. Однако, если устройство
должно работать в различных условиях, то требуется внесение понижающего коэффициента для высот.
Например, для высоты 2000м коэффициент 0.8 (т.е. не 0.6Вт, а 0,5Вт) для высоты 3500м – 0.75.
При 125 градусах Rds(on) будет составлять 1.75 * Rds(on) при 20 градусах, т.е. 0,4375 * 1,75=0,765625 Ом.
P=I^2*R => I=SQRT(P/R)
Рассчитать теоретически точно потери по всех фазах довольно сложная задача, так как параметры и
результаты расчет зависят друг от друга и есть процессы происходящие в подложке. Но на практике такая
точность и верность теории не требуется. Есть приблизительные оценки потерь в фазах открытия и
закрытия, которые дают практические цифры, которые можно использоваться при вычислении
тепловыделения. Для расчета эффективности (КПД) этот метод не годится.
Потери в фазе высокого уровня (фазе полного открытия) мы считали в первой части и там нет ничего
сложного. Для закрытия и открытия оказывается важным вид нагрузки: резистивная или индуктивная.
Потери при переключении возникают из-за того, что в процессе переключения через транзистор
проходит большой ток при большом напряжении. Можно взять идеализированную форму этого процесса
и рассчитать потери с приемлемой точностью для практического расчета тепловыделения.
Для индуктивной
Psw=1/6 * Fs *Vds*Id*tsw
Где
Fs- частота
Vds – напряжение сток-исток (в закрытом состоянии)
Id- ток проходящий через транзистор (в открытом состоянии)
tsw - время переключения
Видно, что потери на переключение пренебрежительно малы в сравнении с потерями в открытой фазе.
Т.е. на 3 порядка меньше основных потерь при переключении. А потери при переключении на 3 порядка
меньше потерь проводимости.
Видно , что даже при таких условиях потери на переключение на порядок меньше потерь проводимости.
Т.е. когда вы будете искать радиатор на 210 Вт, дополнительные 10Вт просто попадут в инженерный
запас, который вы обязательно должны сделать (около 20%).
Кроме этого рассчитывать надо крайний случай, которым является D=0.99, Pcond=260 Вт при этом Psw
сохраняется прежним.
1. Чтобы сократить потери на переключение, надо сократить время переключения. Для этого надо
иметь мощный драйвер, который может отдавать большой ток в затвор.
2. Малый ток затвора ограничивает скорость переключения. В нашем примере время включения и
выключения было в районе 160 нс. Т.е. даже если только открывать и закрывать затвор
минимальный период будет равен 320нс, т.е. максимальная частота, с которой можно открывать и
закрывать затвор током драйвера в 25мА составит примерно 3МГц.
3. Вклад частоты в потери линейный, а общий вклад потерь при переключении не существенный.
4. При частотах до 1МГц и при токах до 20А вклад потерь при переключении составляет 1-2% от общих
потерь и может быть смело проигнорирован. В этом случае потери на mosfet-е можно просто считать
как Iout^2*Rdn(on)*D
5. Выходное сопротивление управляющего сигнала и емкость затвора представляющий собой ФНЧ с
частотой 1/Rout*Cgs,где Cgs=Ciss-Crss, но из фактических значений для любого разумного случая это
сотни мегагерц минимум.
Комментарии
Мне думается надо было рассчитать мощность, которая выделится при таком токе. Далее используя
тепловое сопротивление найти температуру до которой нагреется кристалл.
ЕСли эта температура слишком велика, считаем на сколько ниже температуры хотели бы получить и
исходя из этого вычисляем мощность, которую должен рассеять радиатор.Далее, зная, что для того чтобы
рассеять 1Вт нужен радиатор примерно 30см2, подобрать радиатор.
Мощность при токе рассчитана. Допустимую температуру кристалла считать нет требуется, она дана в
даташите. И исходя из этой температуры и
рассчитанного тепловыделения ищем подходящий подходящий радиатор в магазине. Для нормальный
радиаторов, которые продаются указано тепловое
сопротивление всегда.
Создание и расчете радиатора с заданным тепловым сопротивлением не входит в тему данной статьи. Но
задача именно так и решается, рассчитывается
необходимое тепловое сопротивление искомого радиатора и потом уже от него надо заниматься
проектированием этого радиатора. Но эту информацию
вам придется поискать пока в другом месте, так как я это только планирую делать в неясном будущем. В
частности, для охлаждения светодиодов стоит такая задача.
Добавить комментарий
Ваше имя:
город: страна:
Комментарий:
При использовании материалов ссылка на сайта www.artem.ru обязательна! Автор оставляет за собой право отказать в праве
использования материалов на безвозмездной основе без объяснения причин. Материалы сайта защищены законом об
авторских и смежных правах.