Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF

. .
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Состояние и перспективы
« »
2012
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
И26
Рецензенты:
доц. МТУСИ Копылов А.М.
доц. НГТУ Серых В.И.
Игнатов . .
26 Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития [
] : чеб. пособие / . . .— .: , 2012. — 360 .
ISBN 978-5-9765-0174-4
В книге рассматриваются тенденции развития микро- и наноэлектроники,

концепции и проблемы формирования национальной нанотехнологической
сети Российской Федерации, состояние и перспективы развития электронной
промышленности, виды нанотехнологий и перспективы производства нано-
электронных изделий. Рассмотрены наноизделия пригодные для внедрения в
инфокоммуникаци-онных системах, состояние и перспективы развития
микро- и наноэлектромеха-нических систем, медицинские и биологические
аспекты производства нано-продукции, состояние и проблемы подготовки
кадров для направления «Нано-технологии». Книга содержит много полезной
справочной информации для студентов, магистрантов, аспирантов, а также
преподавателей и инженерно-технических работников, связанных с разрабо-
ткой и использованием аппаратуры, выполненной на основе опто-, микро- и
наноэлектронной элементных баз, а также на специалистов, работающих в
области телекоммуникаций, наноэлек-троники и оптоэлектроники.
Д студентов направления 210400 «Телекоммуникации», специ-
альностей 210601 «Нанотехнология в электронике», 210401 «Физика и техника
оптической связи».
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
ISBN 978-5-9765-0174-4 © Издательство «ФЛИНТА», 2012

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . ....................................................................................................................................... 7
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ НАНООБЪЕКТОВ ..................... 9
1.1. Общие сведения . ...................................................................................................................... 9
1.2. Классификация нанообъектов .............................................................................................. 11
1.3. Наночастицы и наносистемы . ............................................................................................... 15
1.4. Основные термины индустрии наносистем ........................................................................ 16
ГЛАВА 2. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ ......................................................... 19
2.1. Общие сведения . .................................................................................................................... 19
2.2. Краткая история нанотехнологий ........................................................................................ 20
ГЛАВА 3. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ ............................. 22
3.1. Общие сведения . .................................................................................................................... 22
3.2. Закон Мура . ............................................................................................................................ 22
3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектронных систем ................................. 24
3.3.1. Общие сведения…………………………………………………………………………..24
3.4. Перспективы развития модульных систем систем ............................................................. 25
3.4.1. История развития . ................................................................................................................ 25
3.4.2. Виды модульных систем . .................................................................................................... 29
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства СБИС и модульных систем .............. 31
3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем ............................................................... 37
3.4.5. Перспективы развития навигационных систем ................................................................ 40
3.5. Перспективы развития цифрового телевидения ................................................................. 46
3.6. Перспективы развития дисплеев и осветительной техники .............................................. 51
3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных технологий ........................................... 55
3.8. Формирование современной инфраструктуры проектирования СБИС «система на
кристалле» . ............................................................................................................................. 59
3.9. Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого производства ................................ 65
3.10. Форсайт в области нанотехнологий ................................................................................... 68
3.11. Дорожные карты и их применение .................................................................................... 70
3.11.1. Прогноз инновационного развития в Японии................................................................. 72
3.11.2. «Глобальная технологическая революция» (Корпорация RAND, США) .................... 73
3.11.3. Метод дорожных карт и его применение в практике форсайт-исследований............. 74
3.11.4. Разработка технологических дорожных карт ................................................................. 75
3.11.5. Международная технологическая карта ITRS ................................................................ 78
3.11.6. Технологическая дорожная карта для производственных наносистем. Институт
Форсайта в области нанотехнологий, США ................................................................... 78
3.11.7. Дорожные карты развития наноиндустрии в России ..................................................... 80
3.11.8. Примеры технологических дорожных карт .................................................................... 82
3.12. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в 2008 году и основные задачи
на 2009 год . ........................................................................................................................... 83
3.12.1. Общие сведения . ................................................................................................................ 83
3.12.2. Основные показатели развития РЭП ............................................................................... 83
3.12.3. Научно-техническая политика РЭП................................................................................. 84
3.12.4. Инвестиционная политика РЭП ....................................................................................... 87
3.12.5. Внешнеэкономическая деятельность ............................................................................... 88
3.12.6. Политика РЭП на отечественных рынках ....................................................................... 90
3.12.7. Меры по снижению негативных последствий для предприятий РЭП
экономического кризиса . .................................................................................................. 90
3.12.8. Кадровая политика . ........................................................................................................... 92
3.12.9. Основные проблемы и задачи РЭП.................................................................................. 93
ГЛАВА 4. КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАЦИОНАЛЬНОЙ
3
НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ...................................... 95
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии в Российской Федерации .............. 95
4.2. Цель реализации Концепции развития ................................................................................ 96
4.3. Состав и основные направления деятельности национальной и нанотехнологической
сети (ННС) ..................................................................................................................................... 97
4.4. Задачи, решаемые в рамках Концепции .............................................................................. 99
4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО) ......................................................... 100
4.4.2. Научно-образовательная и кадровая основа ................................................................... 100
4.4.3. Информационно-коммуникационная основа .................................................................. 101
4.4.4. Организационная основа................................................................................................... 102
4.4.5. Правовая основа ................................................................................................................. 103
4.5. Программно-целевое развитие наноиндустрии в России ................................................ 103
4.6. Корпорация «РОСНАНОТЕХ»........................................................................................... 105
ГЛАВА 5. ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ НАНОПРОДУКЦИИ И
СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ........................................................................... 109
5.1. Общие сведения ................................................................................................................... 109
5.2. Наноугрозы и риски ............................................................................................................ 110
5.3. Роль наноиндустрии в обеспечении национальной безопасности ................................. 111
5.4. Реализованные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий .................................................................................................................... 112
5.5. Перспективные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий………………............................................................................................114
5.5.1. Проект «Умная пыль» ....................................................................................................... 115
ГЛАВА 6. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ...................................................... 118
ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ .................................................................................. 118
6.1. Общие сведения ................................................................................................................... 118
6.2. Полупроводниковые приборы ............................................................................................ 118
6.3. Персональные компьютеры ................................................................................................ 119
6.4. Электронная промышленность в средствах связи ............................................................ 120
6.5. Современное состояние электронной промышленности ................................................. 120
6.5.1. Мировые лидеры по производству электронной продукции ........................................ 121
6.5.2. Состояние электронной промышленности в России ..................................................... 122
6.5.3. Признаки возрождения электронной промышленности в России ................................ 125
6.5.4. Перспективы развития электронной промышленности в России ................................. 127
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ ............................................................................................ 129
7.1. Общие сведения ................................................................................................................... 129
7.2 Основы кремниевой технологии ......................................................................................... 130
7.2.1. Кристалическое строение и зонная структура полупроводников ................................ 130
7.2.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных приборов ........................... 133
7.2.3. Планарная технология ....................................................................................................... 134
7.2.4. Пленочная и гибридная технология................................................................................. 134
7.2.5. Полупроводниковая технология ...................................................................................... 136
7.2.6. Переход к кремниевой нанотехнологии .......................................................................... 139
7.3. Общие сведения об углеродной нанотехнологии ............................................................. 144
7.4. Основные материалы углеродной нанотехнологии ......................................................... 145
7.4.1. Углеродные нанотрубки ................................................................................................... 145
7.4.2. Фуллерены .......................................................................................................................... 146
7.4.3. Графен ................................................................................................................................. 147
7.5. Продукты углеродной нанотехнологии ............................................................................. 147
7.6. Органические нанотехнологии ........................................................................................... 148
7.6.1. Жидкие кристаллы............................................................................................................. 148
4
7.6.2. OLED технология.. ............................................................................................................ 158
7.6.3. Состояние разработок OLED ............................................................................................ 163
7.7. Квантовая нанотехнология ................................................................................................. 164
7.7.1. Общие сведения ................................................................................................................. 164
7.7.2. Разработки в области квантовых компьютеров .............................................................. 166
7.7.3. Разработки в области квантовой криптографии ............................................................. 176
7.8. Молекулярная нанотенология ............................................................................................ 178
7.8.1. Введение в молекулярную технологию........................................................................... 178
7.8.2. История концепции молекулярной нанотехнологии ..................................................... 182
7.8.3. Оценки ожидаемых параметровмолекулярных наномеханических устройств ........... 183
7.8.4. Стратегии реализации молекулярной нанотехнологии ................................................. 186
7.8.5. Молекулярный транзистор .............................................................................................. 188
7.8.6. Одноэлектронный транзистор .......................................................................................... 189
ГЛАВА 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ
СИСТЕМ………………………………………….………………………………………………191
8.1. Общие сведения ................................................................................................................... 191
8.2. Конденсаторы для наноэлектронных систем .................................................................... 192
8.3. Источники электроэнергии для наноэлектронных систем .............................................. 197
8.3.1. Способы получения электроэнергии ............................................................................... 201
8.3.2. История химических источников тока ............................................................................ 202
8.3.3. Основные типы аккумуляторов для мобильных устройств .......................................... 208
8.3.4. Состояние и перспективы развития производства химических источников тока ...... 210
8.3.5. Тенденции развития сегмента вторичных систем до 2010 года ................................... 215
8.3.6. Производители перспективных типов химических источников................................... 218
8.4. Наноэлектронные транзисторы .......................................................................................... 219
8.4.1. Наноэлектронные транзисторы на основе структур хранения на сапфире ................. 222
8.4.2. Нанотранзисторы с гетеропереходами ............................................................................ 228
8.5. Наноэлектронные переключатели и ячейки памяти ....................................................... 233
8.5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы ....................................................................... 233
8.5.2. Молекулярные переключатели ........................................................................................ 235
8.5.3. Перспективы использования нанотехнологий при изготовлении устройств
хранения информации ....................................................................................................... 237
8.6. Наноэлектронные лазеры .................................................................................................... 239
8.6.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами ....................................... 239
8.6.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами ........................................... 242
8.6.3. Оптические модуляторы ................................................................................................... 249
8.7. Дисплеи и осветительные приборы с использованием наноматериалов ....................... 251
8.7.1. Дисплеи и осветительные приборы на основе нанотрубок ........................................... 251
8.7.2. Перспективы создания дисплеев невидимок .................................................................. 253
8.8. Фотоприемные наноэлектронные устройства и системы ................................................ 254
8.8.1. Фотоприемники на квантовых ямах ................................................................................ 254
8.8.2. Фотоприемники на основе квантовых точек .................................................................. 257
8.9. Устройства и системы хранения информаци .................................................................... 262
8.9.1. Виды запоминающих устройств ...................................................................................... 262
8.9.2. Элементы памяти ............................................................................................................... 264
8.9.3. Фотоприемные ПЗС........................................................................................................... 265
8.9.4. КМОП-фотодиодные СБИС и их применение ............................................................... 267
8.10. Наноэлектронные изделия для компьютерных систем .................................................. 270
8.10.1. Однокристальные системы ............................................................................................. 270
8.10.2. Системы для компьютеров ............................................................................................. 272
8.11. Перспективы разработок квантовых информационных систем ................................... 278
8.12. Наноэлектронные системы для беспроводной связи ..................................................... 284
5
8.13. Перспективы разработок наноэлектронных систем ....................................................... 285
ГЛАВА 9. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ......................................................................... 292
9.1. Общие сведения ................................................................................................................. 292
9.2. Области применения МЭМС и НЭМС .............................................................................. 292
9.3. Состояние и перспективы разработок МЭМС и НЭМС .................................................. 298
ГЛАВА 10. МЕДИЦИНСКИЕ И БИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОПРОДУКЦИИ ..................................................................................................................... 305
10.1. Нанориски – новые угрозы для здоровья и окружающей среды .................................. 305
10.1.1. Новая категория рисков .................................................................................................. 305
10.2. Европейские инициативы в области оценки нанорисков .............................................. 306
10.3. Руководства по безопасному обращению с наночастицами и наноматериалами ....... 307
10.3.1. Стандарт корпорации DuPont для оценки нанорисков ................................................ 310
10.3.2. Стандарты как ответ на угрозы, связанные с нанорисками ........................................ 312
10.4. Рекомендации по исследованию токсичности наночастиц в лабораторных
условиях .............................................................................................................................. 313
10.5. Материалы и оборудование, используемые при определении острой токсичности
наночастиц .......................................................................................................................... 315
10.6. Перспективы разработки медицинских нанороботов .................................................... 318
10.7. Проблемы безопасности.................................................................................................... 321
ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ................................................ 322
11.1. «НаноФаб-100» – платформа для наноэлектроники ...................................................... 322
11.2. Установка эпитаксильного наращивания слоев для индивидуальной обработки
подложек большого диаметра .......................................................................................... 322
11.3. Новейшие разработки НИИ точного машиностроения. Комплект вакуумных
установок для научных исследований и отработки технологических
процессов наноэлектроники. 323
11.4. Новое поколение установок молекулярно–лучевой эпитаксии .................................... 324
11.5. Оборудование для наноструктурного анализа материалов и покрытий ...................... 325
11.6. Нанотехнологический комплекс оборудования NanoEducator ..................................... 326
11.6.1. Устройство и принцип работы ....................................................................................... 327
11.6.2. Конструкция СЗМ NanoEducator.................................................................................... 329
11.6.3. Техническая спецификация прибора ............................................................................. 332
11.6.4. Режимы работы ................................................................................................................ 332
11.6.5. Дополнительные приложения NanoEducator ................................................................ 333
ГЛАВА 12. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» ..... 336
12.1. Материально-техническая база кадровой инфраструктуры наноиндустрии ............. 336
12.1.1. Научно-образовательные центры .................................................................................. 337
12.1.2. Центры коллективного пользования ............................................................................. 340
12.1.3. Кафедры и лаборатории.................................................................................................. 342
12.2. Целевые индикаторы выполнения задач программы развития (по итогам
выполнения программы развития к 2010 г.) .................................................................. 345
12.3. Перечень вузов, ведущих подготовку по специальности «Нанотехнология в
электронике» ...................................................................................................................... 347
Список цитированной литературы ............................................................................................... 348
Перечень принятых сокращений……..……………………………………………………….….358
6
ВВЕДЕНИЕ
Научно-технический прогресс однозначно связан с развитием нанотехно-
логий. Уже с 2003 г. нанотехнологии обеспечивают плавный переход от микро-
электроники к наноэлектронике – основе информационных технологий 21 века.
В 2003 г. элитные вузы Российской Федерации начали подготовку специали-
стов в области нанотехнологий и наноэлектроники.
Тогда было сформулировано новое направление подготовки инженеров
210600 «Нанотехнология». В рамках этого направления выделено две специ-
альности: 210601 «Нанотехнология в электронике» и 210602 «Наноматериалы».
Ведется разработка ГОС ВПО по специальности «Электроника и наноэлектро-
ника». В настоящее время специальность «Нанотехнология в электронике»
предусмотрена в направлении 210400 «Телекоммуникации». Кроме инженер-
ной подготовки ведется подготовка бакалавров и магистров.
Фирмы, внедряющие нанотехнологии, с 2003 г. приступили к серийному
выпуску электронных наноизделий: микропроцессорных интегральных схем
(ИС) с ультравысокой и гигантской степенью интеграции, мобильных систем
нового поколения, широкоформатных дисплеев, цифровой видеотехники и др.
Специалисты, получившие степень бакалавра по направлению 210600
«Нанотехнология» имеют возможность дальнейшего обучения по следующим
направлениям магистратуры:
• 554500 «Нанотехнология»;
• 550700 «Электроника и микроэлектроника»;
• 553100 «Техническая физика»;
• 210601 «Нанотехнология в электронике»;
• 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Подготовке магистров по перспективным направлениям наноэлектроники,
представляющим значительный интерес для работодателей промышленных
предприятий, должна предшествовать подготовка бакалавров.
Перспективность работы в области нанотехнологий и наноэлектроники
обуславливает необходимость создания материально-технических баз кафедр,
реализующих инновационные образовательные программы, создание научно-
учебных лабораторий «Наноэлектроники», «Химии и наноматериалов», учебно-
научных центров «Опто-, микро- и наноэлектроники».
Важной задачей является реализация системной подготовки студентов по
блокам естественно-научных (химия и физика), общепрофессиональных (элек-
троника, оптоэлектроника) и специальных (микросхемотехника, СВЧ-техника,
наноэлектроника) дисциплин.
Обширный справочный материал, обобщающий информацию более двух-
сот научных и учебных публикаций, по мнению автора, будет полезен студен-
там, изучающим курсы «Введение в специальность нанотехнология в электро-
нике», «Электроника», «Наноэлектроника», «Приборы СВЧ и оптического диа-
пазона», «Устройства и системы оптической связи», «Оптоэлектроника и нано-
фотоника». Накопленный опыт постановки указанных дисциплин целесообраз-
но учесть в учебных планах профильной подготовки студентов направления
210400 «Телекоммуникации».
7
В данном учебном пособии приведен анализ состояния и перспектив раз-
вития микро- и наноэлектроники. Автор выражает благодарность Игнатовой
А.С., Полянскому С.В., Ананьеву А.В. за помощь в подготовке книги к изда-
нию.
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ
НАНООБЪЕКТОВ
1.1. Общие сведения

Энциклопедический словарь определяет технологию (от греческого
«techne» – искусство, мастерство, умение + «logos» – наука) как совокупность
методов обработки, изготовления, изменения состояния первоначального сырья
в процессе производства конечной продукции
Нанотехнология – умение целенаправленно создавать объекты (с заранее
заданными составом, размерами и структурой) в диапазоне менее 100 нм.
Нанонаука – совокупность знаний о свойствах вещества в нанометровом
масштабе.
Наноэлектронные приборы, устройства и системы – изделия, содержащие
элементы с размерами нанометрового диапазона (100 нм).
Нанообъекты существуют на Земле, сколько существует сама жизнь.
Моллюск морское ушко выращивает очень прочную, переливающуюся из-
нутри раковину, склеивая прочные наночастички мела особой смесью белков с
углеводами. Структуры, сформированные из наночастиц, могут быть намного
прочнее материала однородного в объеме.
В четвертом веке нашей эры римские стекловары делали стекло, содержа-
щее наночастицы металлов. Чаши царя Ликурга делались из натриевой извести,
содержащей наночастицы серебра и золота. Цвет чаши менялся от зеленого до
темно-красного, в зависимости от воздействия света.
Все природные материалы и системы построены из нанообъектов. Именно
в интервале наноразмеров, на молекулярном уровне, природа «программирует»
основные характеристики веществ, явлений и процессов. На рис. 1.1, а и б при-
ведены «линейки» размеров природных объектов.
Нобелевский лауреат Херст Штормер высказался: «Нанотехнология дает
нам средства... играть с самыми маленькими «кубиками природы» – атомами и
молекулами, из которых построен весь мир. Сочетание уже известных нам ме-
тодов «от большого к малому» с самосборкой на атомном уровне создает
огромное поле возможностей для «игры в комбинаторику» с химическими и
физическими свойствами при использовании специально полученных искус-
ственных структур».
Профессор химии Джордж Уатсайд Гарвардского университета (1998 г.)
сказал: «Используя наноустройства, вы можете изготовить запоминающее
устройство с объемом памяти, эквивалентным тысяче компьютерных дискет и
размером с наручные часы. В этом устройстве может храниться библиотека на
всю жизнь... Идеи такого рода могут сильно изменить представления об образе
жизни».
Под термином «нанотехнология» понимают создание и использование ма-
териалов, устройств и систем, структура которых регулируется в нанометровом
масштабе, т.е. в диапазоне размеров атомов, молекул и надмолекулярных обра-
зований.
9
а)
Размер, нм
б)
Рис. 1.1. Линейные размеры природных объектов
Нанотехнологический подход означает такое же, но целенаправленное, ре-

гулирование свойств объектов на молекулярном уровне, определяющем фунда-
ментальные параметры.
Фантастические перспективы, которые сулит изготовление материалов и
устройств на атомном и молекулярном уровне, впервые раскрыл в 1959 г. Но-
белевский лауреат по физике Ричард Фейнман. Он отметил необходимость со-
здания нового класса рабочей и измерительной аппаратуры, требуемой для об-
ращения со столь малыми наноразмерными объектами.
10
Нанотехнология подразумевает умение работать с такими объектами и со-
здавать из них более крупные структуры, обладающие принципиально новой
молекулярной (точнее, надмолекулярной) организацией. Такие наноструктуры,
использующие атомно-молекулярные элементы, представляют собой мельчай-
шие объекты, которые могут быть созданы искусственным путем, они характе-
ризуются новыми физическими, химическими и биологическими свойствами и
связанными с ними явлениями.
Наноструктуры демонстрируют важную роль в различных областях науки
и техники (физика, химия, материаловедение, биология, медицина и т.д.).
Например, было обнаружено, что углеродные нанотрубки на порядок прочнее
стали, имея при этом в шесть раз меньший удельный вес, наночастицы способ-
ны избирательно проникать в раковые клетки и поражать их и т.д.
Являются ли наноструктурные материалы и нанотехнологии действитель-
но новыми? Не относятся ли к наноматериалам некоторые из давно известных
нам веществ? На самом деле, некоторые из давно используемых человечеством
материалов и процессов фактически связаны с нанотехнологиями. В частности,
фотография и катализ всегда были основаны именно на «нанопроцессах», вслед-
ствие чего развитие нанотехнологии обещает значительный прогресс именно в
этих классических разделах науки и техники.
Во многих существующих технологиях традиционно используются слу-
чайно обнаруженные нанообъекты и нанопроцессы, роль которых в некоторых
случаях остается неясной до сих пор.
Например, давно известно, что добавление в каучук небольшого количе-
ства неорганических глин существенно улучшает характеристики получаемой
резины. Как оказалось, нанометровые частицы глины прочно связывают концы
полимерных цепочек или «нитей». В этом простом процессе фактически обра-
зуется композиционный материал резина + глина, что наглядно демонстрирует
возможности использования нанотехнологии в сложных системах.
В развитии нанотехнологий можно выделить три направления:
– изготовление устройств и систем с нанотранзисторами и другими актив-
ными элементами, размеры которых сравнимы с размерами единичных молекул
и атомов;
– непосредственное манипулирование атомами и молекулами, сборка из них
всевозможных материалов с изначально заданными свойствами («зонная инже-
нерия»);
– разработка и изготовление наномашин (механизмов, роботов) величиной с
молекулу, способных на принципах самоорганизации воспроизводить себе по-
добных. Основы теории наноэлектронных устройств рассматриваются в работах
[1-8]
1.2. Классификация нанообъектов

Классификацию нанообъектов можно проводить по разным признакам,
например, по геометрическому признаку нанообъекты можно классифициро-
вать по-разному. Одни исследователи предлагают характеризовать мерность
объекта количеством измерений, в которых объект имеет макроскопические
11
размеры. Другие берут за основу количество наноскопических измерений.
Классификация нанообъектов по их мерности важна не только с формальной
точки зрения. Геометрия существенно влияет на их физико-химические свой-
ства. Круг объектов, исследуемых нанохимией, непрерывно расширяется. Хи-
мики стремятся понять, в чем состоят особенности тел нанометровых размеров.
В 80-90-х гг. XX века, благодаря методам электронной, атомно-силовой и тун-
нельной микроскопии, удалось наблюдать за поведением нанокристаллов ме-
таллов и неорганических солей, белковых молекул, фуллеренов и нанотрубок, а
в последние годы такие наблюдения стали массовыми. Рассмотрим особенно-
сти строения и поведения некоторых наночастиц.
Наночастицы из атомов инертных газов являются самыми простыми
нанообъектами. Атомы инертных газов с полностью заполненными электрон-
ными оболочками слабо взаимодействуют между собой посредством сил Ван-
дер-Ваальса. При описании таких частиц применяется модель твердых шаров
(см. рис. 1.2).
Рис. 1.2. Наночастицы из атомов аргона
Энергия связи, то есть энергия, затрачиваемая на отрыв отдельного атома

от наночастицы, очень мала, поэтому частицы существуют при температурах не
выше 10–100 К.
Наночастицы металлов. В металлических кластерах из нескольких ато-
мов может быть реализован как ковалентный, так и металлический тип связи,
как показано на рис. 1.3.
Рис. 1.3. Наночастицы, состоящие из атомов платины

(светлые сферы) и меди (темные сферы)
12
Наночастицы металлов обладают большой реакционной способностью и
часто используются в качестве катализаторов. Наночастицы металлов обычно
принимают правильную форму – октаэдра (а), икосаэдра (б), тетрадекаэдра (в),
в соответствии с рис. 1.4.
а) б) в)
Рис. 1.4. Возможные формы металлических наночастиц
Фуллерены представляют собой полые внутри частицы, образованные

многогранниками из атомов углерода, связанных ковалентной связью. Особое
место среди фуллеренов занимает частица из 60 атомов углерода – C60, напоми-
нающая микроскопический футбольный мяч (см. рис. 1.5).
Рис. 1.5. Молекула фуллерена C60
Фуллерены находят широкое применение: в создании новых смазок и ан-

тифрикционных покрытий, новых типов топлива, алмазоподобных соединений
сверхвысокой твердости, датчиков и красок.
Нанотрубки – это полые внутри молекулы, состоящие примерно из
1 000 000 атомов углерода и представляющие собой однослойные трубки диа-
метром около нанометра и длиной в несколько десятков микрон. На поверхно-
сти нанотрубки атомы углерода расположены в вершинах правильных шести-
угольников, в соответствии с рис. 1.6.
13
Рис. 1.6. Молекула однослойной нанотрубки
Нанотрубки обладают рядом уникальнейших свойств, благодаря которым

находят широкое применение преимущественно в создании новых материалов,
электронике и сканирующей микроскопии.
Уникальные свойства нанотрубок: высокая удельная поверхность, элек-
тропроводность, прочность – позволяют создавать на их основе эффективные
носители катализаторов для различных процессов. Например, из нанотрубок
делают новые источники энергии – топливные ячейки, способные работать в 3
раза дольше, чем простые батарейки аналогичного размера. При использовании
подобной ячейки в сотовом телефоне он сможет находиться в режиме ожида-
ния около двух недель – вместо 4 дней, как нынешнее поколение телефонов.
Удивительные свойства нанотрубок помогают им накапливать и хранить
водород в молекулярном виде во внутренних полостях – экологичное топливо
автомобилей будущего. Например, нанотрубки с наночастицами палладия мо-
гут компактно хранить водород в тысячи раз больше своего объема, а значит,
сделают автомобили более мощными, дешевыми и экологичными. Дальнейшее
развитие технологии топливных ячеек позволит хранить в них в сотни и тысячи
раз больше энергии, чем в современных батарейках.
Ионные кластеры представляют собой классическую картину, характер-
ную для ионной связи в кристаллической решетке хлорида натрия (см. рис. 1.7).
Рис. 1.7. Кластер хлорида натрия
Если ионная наночастица достаточно велика, то ее структура близка к

структуре объемного кристалла. Ионные соединения находят применение в со-
здании фотопленок с высоким разрешением, молекулярных фотодетекторов, в
различных областях микроэлектроники и электрооптики.
14
Фрактальные кластеры – это объекты с разветвленной структурой (см.
рис. 1.8): сажа, коллоиды, различные аэрозоли и аэрогели. Фрактал – это такой
объект, в котором при увеличении можно увидеть, как одна и та же структура
повторяется в нем на всех уровнях и в любом масштабе.
Рис. 1.8. Фрактальный кластер
Молекулярный кластер кластеры, состоящие из молекул. Большинство

кластеров являются молекулярными. Их число и разнообразие огромно. В част-
ности, к молекулярным кластерам относятся многие биологические макромоле-
кулы (см. рис. 1.9).
Рис. 1.9. Молекулярный кластер белка
1.3. Наночастицы и наносистемы

Объединение определенного класса наночастиц в группы позволяет полу-
чить соответствующие им наноэлектронные системы пригодные для приклад-
ного использования. В таблице 1.1 приведены различные классы наночастиц и
соответствующие им наноэлектронные системы.
15
Таблица 1.1. Наноэлектронные частицы и системы
Наночастицы Наносистемы
Фуллерены Кристаллы, растворы
Тубулены Агрегаты, растворы
Молекулы белков Растворы, кристаллы
Полимерные молекулы Золи, гели
Нанокристаллы неорганических ве- Аэрозоли, коллоидные растворы, осад-
ществ ки
Мицеллы Коллоидные растворы
Наноблоки Твердые тела
Пленки Ленгмюра – Блоджета Тела с пленкой на поверхности
Кластеры в газах Аэрозоли
Наночастицы в слоях различных ве-
Наноструктурированные пленки
ществ
1.4. Основные термины индустрии наносистем

В основе научно технического прорыва на наноуровне, форсируемого
промышленно развитыми странами, лежит использование новых, ранее не из-
вестных свойств и функциональных возможностей материальных систем при
переходе к наномасштабам, определяемым особенностями процессов переноса
и распределения зарядов, энергии, массы информации при наноконструирова-
нии. Ниже приводятся определения основных терминов, нанообъектов и нано-
процессов.
Обратимся к важнейшему фактору – геометрическому размеру и приставке
«нано», входящей в ряд основных, наиболее часто используемых в официаль-
ных документах, понятий: нанотехнология, наноматериалы, наносистема. Об-
ратим внимание на исходные смысловые значения наиболее часто употребляе-
мых приставок, идентифицирующих характеристические и геометрические
размеры изучаемых объектов: микро- (от греч. mikros – малый), нано- (от греч.
nannos – карлик).
Применительно к индустрии наносистем границы геометрического фак-
тора в отношении возникновения новых нетрадиционных свойств, не прису-
щих макро- и микросистемам, формально определены от единиц до 100 нм. Од-
нако вполне очевидно, что некоторый характеристический размер, идентифи-
цирующий изучаемый объект по геометрическому параметру (толщина плен-
ки, диаметр кластера или нанотрубки), должен рассматриваться не просто как
абсолютная величина, а в отношении к определенным фундаментальным па-
раметрам материалов, имеющим аналогичную метрическую размерность. Осо-
бенно сложно определить границы геометрического фактора применительно к
биоорганическим объектам, обладающим многообразием связей и конформа-
ций. Поэтому приставка «нано» скорее особое обобщенное отражение объек-
тов исследований, прогнозируемых явлений, эффектов и способов их описа-
ния, чем просто характеристика протяженности базового структурного эле-
16
мента.
Необходимость данного замечания обусловлена следующим. К сожале-
нию, термины «наноматериалы» и «нанотехнологии» стали настолько модными
и «экономически привлекательными», что многие традиционные разработки
атомно-молекулярного уровня искусственно приобрели имидж «нано». Наряду
с определенной конъюнктурой, это, безусловно связано и с тем, что, нигде не
проводится систематизация объектов и процессов нанотехнологии.
Развивая и обобщая представления об индустрии наносистем, а также ана-
лизируя ранее опубликованные работы, рассмотрим ряд базовых понятий с
приставкой «нано», наиболее полно отражающих именно проявление функ-
ционально-системных свойств, а не только чисто геометрических особенно-
стей (параметров) объектов.
Наносистема – материальный объект в виде упорядоченных или само-
упорядоченных, связанных между собой элементов с нанометрическими харак-
теристическими размерами, кооперация которых обеспечивает возникновение
у объекта новых свойств, проявляющихся в виде квантово-размерных, синер-
гетически-кооперативных, «гигантских» эффектов и других явлений и процес-
сов, связанных с проявлением наномасштабных факторов.
Наноматериалы – вещества и композиции веществ, представляющие со-
бой искусственно или естественно упорядоченную или неупорядоченную си-
стему базовых элементов с нанометрическими характеристическими размерами
и особым проявлением физического и (или) химического взаимодействий при
кооперации наноразмерных элементов, обеспечивающих возникновение у ма-
териалов и систем совокупности ранее неизвестных механических, химиче-
ских, электрофизических, оптических, теплофизических и других свойств,
определяемых проявлением наномасштабных факторов.
Нанотехнология – совокупность методов и способов синтеза сборки,
структуро - и формообразования, нанесения, удаления и модифицирования ма-
териалов, включая систему знаний, навыков, умений, аппаратурное, материало-
ведческое, метрологическое, информационное обеспечение процессов и техноло-
гических операций, направленных на создание материалов и систем с новыми
свойствами, обусловленными проявлением наномасштабных факторов.
Нанодиагностика – совокупность специализированных методов, исследо-
ваний, направленных на изучение структурных, морфолого-топологических,
механических, электрофизических, оптических, биологических характеристик
наноматериалов и наносистем, анализ наноколичеств вещества, измерение мет-
рических параметров с наноточностью.
Наносистемотехника – совокупность методов моделирований, проекти-
рования и конструирования изделий различного функционального назначения, в
том числе наноматериалов, микро- и наносистем с широким использованием
квантово-размерных, кооперативно-синергетических, гигантских эффектов и
других явлений и процессов, проявляющихся в условиях материальных объек-
тов с нанометрическими характеристическими размерами элементов. Наряду с
определением ранее указанных понятий, основой которых, в первую очередь, яв-
ляется естественно-научный базис, рассмотрим широко используемые в литера-
17
туре термины, вызывающие неоднозначное их восприятие.
Нанонаука – система знаний, основанная на описании, объяснении и пред-
сказании свойств материальных объектов с нанометрическими характери-
стическими размерами или систем более высокого метрического уровня, упоря-
доченных или самоупорядоченных на основе наноразмерных элементов.
Нанотехника – машины, механизмы, приборы, устройства, материалы, со-
зданные с использованием новых свойств и функциональных возможностей сис-
тем при переходе к наномасштабам и обладающие, ранее недостижимыми мас-
согабаритными и энергетическими показателями, технико-экономическими па-
раметрами и функциональными возможностями.
ГЛАВА 2. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ

История развития нанотехнолий рассматривается в работах [1,6,9-11].
Многие источники, в первую очередь англоязычные, первое упоминание
методов, которые впоследствии будут названы нанотехнологией, связывают с
известным выступлением Ричарда Фейнмана «Там внизу много места»
(англ. «There’s Plenty of Room at the Bottom»), сделанным им в 1959 г. в Кали-
форнийском технологическом институте на ежегодной встрече Американского
физического общества. Ричард Фейнман предположил, что возможно механи-
чески перемещать одиночные атомы, при помощи манипулятора соответству-
ющего размера, по крайней мере, такой процесс не противоречил бы известным
на сегодняшний день физическим законам.
Рис. 2.1. Ричард Фейман. 1959 г.

Выступление в Калифорнийском технологическом институте
Этот манипулятор он предложил делать следующим способом. Необходи-

мо построить механизм, создававший бы свою копию, только на порядок
меньшую. Созданный меньший механизм должен опять создать свою копию,
опять на порядок меньшую и так до тех пор, пока размеры механизма не будут
соизмеримы с размерами порядка одного атома. При этом необходимо будет
делать изменения в устройстве этого механизма, так как силы гравитации, дей-
ствующие в макромире будут оказывать все меньшее влияние, а силы межмо-
лекулярных взаимодействий и Ван-дер-Ваальсовы силы будут все больше вли-
ять на работу механизма. Последний этап – полученный механизм соберет свою
копию из отдельных атомов. Принципиально число таких копий неограничен-
но, можно будет за короткое время создать любое число таких машин. Эти ма-
шины смогут таким же способом, поатомной сборкой собирать макровещи. Это
позволит сделать вещи на порядок дешевле – таким роботам (нанороботам)
нужно будет дать только необходимое количество молекул и энергию, и напи-
19
сать программу для сборки необходимых предметов. До сих пор никто не смог
опровергнуть эту возможность, но и никому пока не удалось создать такие ме-
ханизмы. Принципиальный недостаток такого робота – принципиальная невоз-
можность создания механизма из одного атома.
Изложенные Фейнманом в лекции идеи о способах создания и примене-
ния таких манипуляторов совпадают практически текстуально с фантастиче-
ским рассказом известного советского писателя Бориса Житкова «Микроруки»,
опубликованным в 1931 г.
Впервые термин «нанотехнология» употребил Норио Танигути в 1974 г.
Он назвал этим термином производство изделий размером несколько наномет-
ров.
В 1980-х годах этот термин использовал Эрик К. Дрекслер в своих книгах:
«Машины создания: грядет эра нанотехнологии» («Engines of Creation: The
Coming Era of Nanotechnology») и «Наносистемы: молекулярный механизм,
производство, расчет» («Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and
Computation»). Центральное место в его исследованиях играли математические
расчеты, с помощью которых можно было проанализировать работу устройства
размерами в несколько нанометров.
2.2. Краткая история нанотехнологий

Отцом нанотехнологии можно считать греческого философа Демокрита.
Примерно в 400 г. до н.э. он впервые использовал слово «атом», что в переводе
с греческого означает «нераскалываемый», для описания самой малой частицы
вещества.
1905 год. Швейцарский физик Альберт Эйнштейн опубликовал работу, в кото-
рой доказывал, что размер молекулы сахара составляет примерно 1 нанометр.
1931 год. Немецкие физики Макс Кнолл и Эрнст Руска создали электронный
микроскоп, который впервые позволил исследовать нанообъекты.
1959 год. Американский физик Ричард Фейнман впервые опубликовал работу,
в которой оценивались перспективы миниатюризации.
1968 год. Альфред Чо и Джон Артур, сотрудники научного подразделения аме-
риканской компании Bell, разработали теоретические основы нанотехнологии
при обработке поверхностей.
1974 год. Японский физик Норио Танигучи ввел в научный оборот слово
«нанотехнологии», которым предложил называть механизмы, размером менее
одного микрона. Греческое слово «нанос» означает примерно «старичок».
1981 год. Германские физики Герд Бинниг и Генрих Рорер создали микроскоп,
способный показывать отдельные атомы.
1985 год. Американский физики Роберт Керл, Хэрольд Крото и Ричард Смэйли
создали технологию, позволяющую точно измерять предметы, диаметром в
один нанометр.
20
1986 год. Нанотехнология стала известна широкой публике. Американский фу-
туролог Эрк Дрекслер опубликовал книгу, в которой предсказывал, что нано-
технология в скором времени начнет активно развиваться.
1989 год. Дональд Эйглер, сотрудник компании IBM, выложил название своей
фирмы атомами ксенона.
1998 год. Голландский физик Сеез Деккер создал транзистор на основе нано-
технологий.
1999 год. Американские физики Джеймс Тур и Марк Рид определили, что от-
дельная молекула способна вести себя также, как молекулярные цепочки.
2000 год. Администрация США поддержала создание Национальной Инициа-
тивы в Области Нанотехнологии\National Nanotechnology Initiative. Нанотехно-
логические исследования получили государственное финансирование. Тогда из
федерального бюджета было выделено $500 млн. В 2002 сумма ассигнований
была увеличена до $604 млн. На 2003 год «Инициатива» запрашивает $710 млн.
2004 год. Мировые инвестиции в сферу разработки нанотехнологий достигли
10 млрд. долл. На долю частных доноров – корпораций и фондов – пришлось
примерно 6,6 млрд. долл. инвестиций, на долю государственных структур –
около 3,3 млрд. долл. Мировыми лидерами по общему объему капиталовложе-
ний в этой сфере стали Япония и США. Япония увеличила затраты на разработ-
ку новых нанотехнологий на 126 % по сравнению с 2003 г. (общий объем инве-
стиций составил 4 млрд. долл.), США – на 122 % (3,4 млрд. долл.). В настоящее
время финансирование России на развитие нанотехнологий достигло уровня
США примерно, 1945–1955 гг.
2005 год. Функционирует организованная CRN международная рабочая группа,
изучающая социальные последствия развития нанотехнологий.
2006 год. Международным Советом по нанотехнологиям выпущена обзорная
статья, в которой говорилось о необходимости ограничения распространения
информации по нанотехнологическим исследованиям в целях безопасности.
Организация «Гринпис» требует полного запрета исследований в области нано-
технологий.
2007 год. Президент России Владимир Путин в послании Федеральному Со-
бранию назвал нанотехнологии «наиболее приоритетным направлением разви-
тия науки и техники».
2008 год. Создано «Нанотехнологическое общество России», в задачи которого
входит просвещение российского общества в области нанотехнологий и фор-
мирование благоприятного общественного мнения в пользу нанотехнологиче-
ского развития страны.
ГЛАВА 3. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
К основным тенденциям развития микро- и наноэлектроники в первую
очередь следует отнести следующие факты:
– развитие связано с миниатюризацией (уменьшением линейных размеров)
наноэлектронных изделий. Темпы миниатюризации описываются в соответ-
ствии с законом Гордона Мура, суть которого будет изложена ниже.
– рост быстродействия и производительности наноэлектронных иделий и
систем.
– уменьшение энергопотребления наноэлектронных систем.
– освоение новых технологий для изготовления изделий наноэлектроники.
Тенденция развития микро- и наноэлектроники рассматривается в работах
[3-5,7,12,15,22,29,30-37]
3.2. Закон Мура

Гордон Мур, директор отдела разработок компании Fairchild Semiconduc-
tors, в апреле 1965 г., за три года до создания корпорации Intel дал прогноз раз-
вития микроэлектроники, который уже сорок лет является непререкаемым пра-
вилом для всей индустрии информационных технологий.
Сорок лет назад микроэлектроника пребывала в зачаточном состоянии.
Микросхем тогда производилось совсем мало, в самой сложной из них – инте-
гральной схеме (ИС) фирмы Fairchild – было всего 64 транзистора. В это время
Гордон Мур сумел предсказать фантастические темпы развития этой отрасли на
несколько десятилетий вперед и предсказать, что количество транзисторов на
кристалле будет ежегодно удваиваться. Более того, он сделал прогноз послед-
ствий этого, предсказав, что по мере экспоненциального увеличения числа
транзисторов на микросхеме процессоры будут становиться все более дешевы-
ми и быстродействующими, а их производство – все более массовым.
Фактически закон Мура стал настолько универсальным, что его без коле-
баний применяют при прогнозировании роста Интернета и пропускной способ-
ности каналов связи, для предсказания увеличения емкости жестких дисков и
многого другого.
Закон Мура на редкость в простой и доступной для понимания каждого
форме определяет недоступные ни одной другой области экономики темпы
развития полупроводниковой индустрии. На ее стремительном росте сейчас
зиждется вся мировая экономика, которая просто немыслима без компьютеров
всех сортов.
В 1980 г. ученые ломали голову над тем, как добиться технологической
нормы производства микросхем в один микрон. В девяностые годы стала зада-
ча внедрить технологическую норму в одну десятую микрона и опять она каза-
лась недостижимой. А сегодня ученые думают о том, как преодолеть барьер в
одну сотую микрона.
22
Закон Мура и сегодня продолжает действовать. В полном соответствии с
ним корпорация Intel продолжает вводить новые технологические процессы
каждые два года.
Рост плотности компонентов в интегральных схемах происходит в соот-
ветствии с законом Мура, что иллюстрирует рис. 3.1. В 2010 г. прогнозируется
технологический скачок – переход от классической эры к квантовой, когда
начнут широко использоваться квантовые вычисления и средства связи. Клас-
сические средства вычисления не смогут обеспечить экспоненциальный рост
вычислительной мощности, что образно называется «стеной Мура» (Moor’s
Wall).
Корпорация Intel в 2005 г. израсходовала 10 млрд. долл. на научно-
исследовательские разработки, модернизацию и расширение своих производ-
ственных мощностей.
В 2006 г. началось производство ИС по технологии 65 нм, в 2007 г. про-
изошел переход на 45 нм процесс, на 2009 г. намечено внедрение 32 нм, в
2011 г. настанет черед технологического процесса 22 нм. Вплоть до 2020 года
будут создаваться транзисторы по современной схеме работы. К тому времени,
однако, размеры всех элементов транзистора достигнут атомарных величин, и
уменьшать их дальше будет просто невозможно. Следовательно, уже сейчас
следует искать новые подходы.
1018 10-3
Число полупроводниковых элементов
Характерный размер элементов, мкм

16
10
Классическая Эра
1014 10-2
12
10
1010 Квантовая Эра 10-1

8
10
Стена Мура
106 1
104
102 10
1970 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040

Год выпуска
Рис. 3.1. График роста плотности компонентов в интегральных схемах
Одна чисто теоретическая идея заключается в многократном использова-

нии электронов. В современных приборах электроны перемещаются от истока к
стоку, а затем теряются. При утилизации электроны переносятся в другое ме-
сто. Можно производить множество операций, не теряя электронов.
Другая альтернатива – углеродные и кремниевые нанотрубки. Транзисто-
ры, изготовленные из таких материалов, имеют сопоставимые размеры. Диаметр
углеродной нанотрубки – 1–2 нм, но в экспериментальных транзисторах исток и
сток расположены по их длине. Это позволяет повысить быстродействие и
уменьшить потребляемую энергию.
23
Углеродные нанотрубки могут найти применение в КМОП-технологии не
столько для ускорения темпов миниатюризации, сколько для повышения про-
изводительности устройств или, возможно, упрощения их изготовления. Даже
если для цифровой логики будет изобретено принципиально другое средство
перемещения электронов, возможности его масштабирования для повышения
плотности и производительности не зайдут намного дальше пределов, дости-
жимых технологией КМОП, главным образом, из-за ограничений, налагаемых
требованием отвода тепла.
Следующая альтернатива – изготавливать чипы больших размеров, нара-
щивая их площадь или строя трехмерные многослойные микросхемы.
На протяжении сорока лет развитие электроники служит главной движу-
щей силой всемирной технологической революции, принося радикальные пози-
тивные перемены в жизни миллиардов людей.
Любопытные факты и цифры: в 2003 г. Гордон Мур подсчитал, что коли-
чество транзисторов, ежегодно поставляемых на рынок, достигло 1019 штук.
При производстве современных микропроцессоров особое внимание уде-
ляют расстоянию между соседними транзисторами. В последних разработках
оно составляет 10–4 толщины человеческого волоса.
3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектрон-

ных систем
3.3.1. Общие сведения
В таблице 3.1 приведены основные тенденции развития микро- и нано-
электронных систем. Можно отметить тот факт, что развитие наноэлектронных
систем на сегодняшний день идет с небольшим опережением прогноза в соот-
ветствии с законом Гордона Мура.
Таблица 3.1. Тенденции развития микро- и наноэлектронных систем
Наноэлектронные системы Тенденции
Интегральные схемы Скорость и быстродействие возрас-
тают в 2 раза каждые 1,5–2 года
Фотоника Емкость передачи увеличивается в 2
раза каждые 1,5–2 года
Хранение данных Плотность хранения увеличивается в
два раза каждые 9 месяцев
Дисплей Количество пикселей увеличивается в
2 раза каждые 2 года
Мобильная связь Емкость каналов увеличивается в 10–
100 раз каждые 5 лет
Программное обеспечение Объем операционных систем увели-
чивается в 2 раза каждые 2 года
Прогноз развития мирового рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

иллюстрирует рис. 3.2. В 2015 г. ожидается, что объем сбыта всех нанопродук-
24
тов составит порядка 1000 млрд. долл. США.
Транспорт
(70 млрд. долл.)
Катализаторы
Наноматериалы
Фармацевтика
Наноэлектроника
Рис. 3.2. Прогноз развития рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

Целевыми программами развития отечественной электронной промыш-
ленности до 2015 г. предусмотрен переход на отечественную элементную базу
при разработках инфокоммуникационных систем. Правительство Российской
Федерации уделяет много внимания развитию отечественной навигационной
спутниковой системы ГЛОНАСС с целью формирования в стране массового
рынка ГЛОНАСС-услуг на базе широкого использования навигационной аппа-
ратуры государственными, корпоративными и частными пользователями.
Рабочая группа Правительственной Комиссии по развитию телерадиове-
щания в России принимает активное участие в подготовке к переходу России на
цифровое телевизионное вещание.
Разработаны планы организации разработки и массового производства
приемной и передающей аппаратуры для цифрового телевещания как одного из
приорететных направлений в развитии информационных технологий.
3.4. Перспективы развития модульных систем

3.4.1. История развития
Тенденции развития микро- и наноэлектронных систем рассмотрим на
примерах разработок компьютерной техники, опубликованных в [22].
Основные функции и узлы компьютерно-ориентированной электроники
иллюстрирует рис 3.2 [23].
Развитие первого поколения модульных систем начинались с создания
первых программно управляемых модульных структур для научных исследова-
ний, которое обеспечило компьютерное управление объектами и сбор данных с
полосой частот несколько десятков мегабит в секунду. Эти системы в 1970-х
годах разрабатывались практически одновременно и независимо в странах За-
падной Европы (компания Harwell Instruments в Англии) и России (РАН и дру-
25
гие ведомства) на основе первых интегральных схем (ИС) по технологии тран-
зисторно-транзисторной логики (ТТЛ) в соответствии с требованиями между-
народных стандартов. В последствии необходимость повышения быстродей-
ствия систем на порядок привели к разработке модульных систем типа
FASTBUS по технологии эмиттерно-связанной лотки (ЭСЛ) и EUROBUS по
технологии транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ) на
основе интегральных схем средней степени интеграции (СИС), которые по-
требляли больше энергии и выделяли больше тепла. Третье поколение модуль-
ных систем создали ученые ведущих фирм США, в частности PCI (Intel) и
VME/VXI (Motorola) на основе собственных больших интегральных схем (БИС)
– микропроцессоров по технологии КМОП с меньшим энергопотреблением и
более высокой частотой работы. Они обеспечили пропускную способность сот-
ни мегабит в секунду и применяются до настоящего времени. Развитие элек-
троники, интерфейсов связи модульных компьютерных систем подробно рас-
смотрено в работе [22], материалы которой приводятся в этой книге. На рис. 3.3
и рис. 3.4. показаны этапы рзвития электронных технологий.
Полоса, Мб/с
Switch Fabric
105
Infiniband
4 SCI MicroTCA
10 AMC ATCA
PCIe,cPCIe
3 cPCIe/PXI
10
FUTUREBUS VME/VXI
2 FASTBUS
10
CAMAC
DW, BHW,SHW
101
1970 1980 1990 2000 2010
Рис. 3.3. Полоса пропускания магистральных и коммутируемых компьютерных сетей
Компактные модульные системы типа compact PCI и версии PCI/104 обес-

печили большую гибкость для встраиваемых применений. Технологии проек-
тирования и производства модулей и систем на модуле и в кристалле СБИС
(схем сверхбольшой степени интеграции) становятся стратегическим направле-
нием развития новых систем.
26
Операций/с Оптические
компьютеры?
1012
HP
SAN
1010 Star
WS SoC
CDC7600 VAX11
108
Micro
COM
STRECH
6 Встраиваемые
10 микросистемы
IBM PDP11 8080 SBC
701
PDP8 Intel404
4
10
1960 1970 1980 1990 2000 2010
ИС СИС БИС СБИС УБИС
Рис.3.4. Рост производительности компьютерных систем, HPC и SAN
Россия в начале XXI века отставала по разработкам, производству элек-

тронных схем и систем на душу населения от США в 90 раз, от Японии в 80
раз, от Европы в 40 раз.
Анализ динамики развития технологий показывает запаздывание России от
мирового уровня производства электронных компонент и модульных систем.
Новые требования к современным системам автоматизации к началу ново-
го тысячелетия по ряду параметров производительности узлов и полосе частот
каналов связи не соответствовали возможностям существующих систем.
Потребовался переход на новое поколение встраиваемых и масштабируе-
мых модульных систем. Обеспечиваемая скорость передачи по параллельным
шинам магистрально-модульных систем, составляющая сотни мегабит в секун-
ду, достигла своего физического предела.
Уходит целая эпоха магистральных систем с разделяемой средой связи и
наступает новая эра конвергентных модульных систем с сетевой архитектурой
высокого быстродействия для эффективного управления, сбора и обработки и
передачи сигналов (измерительных, аудио и видео), обработки больших пото-
ков данных и моделирования. Это требует гармоничного развития всех систем-
ных компонент и их параметров, включая СБИС-структуры, быстрые модули
преобразователей и процессоров, модульные системы с малым потреблением
энергии, и сетевых средств широкополосной коммутации и связи. Достигнут
предел (1–3 ГГц) целесообразной возможности дальнейшего увеличения часто-
ты однокристальных процессоров. Повышение полосы частот систем за счет
увеличения ширины каналов передачи данных от 16 до 32 и 64 разрядов прак-
27
тически невозможно. Проблемы дальнейшего роста производительности обра-
ботки данных обусловили создание новых многоядерных и многопроцессорных
архитектур с более быстрыми каналами связи (гигабитными скоростями). Все
больше системных функций реализуется в модулях и кристаллах СБИС.
Дальнейшее увеличение быстродействия систем связано с проблемой уменьше-
ния уровня сигналов, переходом на быстрые последовательные средства со-
пряжения и связи, а так же уменьшением длины соединении (проводников) в
модулях и кристаллах, что отражается в соответствующих технологических
нормах производства СБИС и архитектуре подсистем ввода-вывода, памяти и
процессов обработки данных. Требуются инновационные методы развития си-
стемной архитектуры, сверхбыстрых средств сопряжения и связи для преодо-
ления гигабитной границы полосы частот, а также новые сетевые архитектуры
для создания систем распределенной обработки и управления.
Основные трудности дальнейшего развития производительности компь-
ютерных систем связаны с решением проблем преодоления физических ог-
раничений на повышение частоты работы (увеличением производительности
процессоров), ростом пропускной способности каналов сопряжения и связи.
Дальнейшее ужесточение требований к системам компьютерной автоматизации
и сближение компьютерных и коммуникационных технологий привели к их
полной интеграции. При этом развитие микро- и нанотехнологий обусловлено и
новыми требованиями к конвергентной архитектуре систем и сетей связи,
включая вычислительные комплексы высокой производительности НРС.
Оптимальное согласование параметров и комплексное решение этих проблем
становятся основополагающими для дальнейшего развития эффективных си-
стем компьютерной автоматизации, управляющих систем и вычислительных
комплексов высокой производительности на новой технологической основе.
Имеется две тенденции создания и развития новых конвергентных сетевых тех-
нологий и архитектуры компьютерных модульных систем нового поколения
для автоматизации и промышленности. Первая предусматривает развитие клас-
сических сетевых структур на основе Ethernet с применением традиционных
систем локального управления и созданием нового оборудования с интегриру-
емыми сетевыми интерфейсами быстрого и гигабитного Ethernet (FE и GE).
Вторая связана с развитием новых и перспективных встраиваемых модульных
систем с быстрой коммутируемой средой и созданием модульных компьютер-
ных систем высокой производительности. Таким образом, требуются новые ре-
волюционные методы решения ряда гигапроблем создания модульных систем
нового поколения, в том числе многоядерных процессоров и систем в кристал-
ле с частотой несколько гигагерц, компьютерных модулей с объемом памяти
несколько гигабайт с гигабитными интерфейсами связи и последовательными
методами связи с широкой полосой частот (десятки гигабит в секунду). Это
возможно на основе создания современных отечественных СБИС-структур и
модульных систем высокой производительности для автоматизации сбора и об-
работки сигналов в реальном времени.
Для ликвидации большого технологического разрыва с промышленно раз-
витыми странами в России принята федеральная целевая программа «Нацио-
28
нальная технологическая база», в состав которой входит подпрограмма «Разви-
тие электронной компонентной базы» на период 2007–2011 гг. Минпромэнерго
разработало документ «Стратегия развития электронной промышленности на
2007–2011 годы», одобренный правительством страны.
Большое внимание уделено созданию устойчивых к радиации монолитных
интегральных схем, причем предусматривается снижение (к 2015 г.) доли им-
портных электронных компонентов в специальной аппаратуре до половины.
В открытой печати профессионалы акцентировали внимание на недостат-
ках программы, в частности на отсутствии идеологии развития электронных
систем и приоритетов конкретных направлений, а также исследований в обла-
сти новых и перспективных материалов и перспектив применения модульных
систем для конкретных задач. Успехи могут быть достигнуты при согласован-
ном развитии технологий создания систем в кристалле, перспективных модуль-
ных систем и сетей управления, сбора и обработки данных в реальном времени
(три кита стратегического развития).
Успешное развитие микро- и наноэлектронных технологий позволяют со-
здавать новые микро- и наноархитектуры и модули с более высокой плотно-
стью упаковки вычислительных средств, малым потреблением энергии и более
высокой частотой работы. Так, благодаря технологиям сверхбольших инте-
гральных схем (СБИС) с нормами 0,1 мкм появились однокристальные процес-
соры и одноплатные компьютеры SBC (Single Board Computers). Дальнейшее
освоение нанотехнологий СБИС (90 нм) обеспечило разработку и создание
компактных компьютерных модулей, подсистем ввода-вывода и сетей связи в
виде отдельных модулей; при этом сокращается длина соединений, но возраста-
ет концентрация мощности на единицу объема кристалла.
Концепция нового поколения систем ставит целью создание более гибких
и масштабируемых систем с большой полосой пропускания и масштабируемой
производительностью. Ограничение роста производительности процессора по
частоте и быстродействию сопряжения и связи уже не соответствует требовани-
ям нового поколения систем. На смену параллельным шинам типа PCI/ PXI и
VME/VXI приходят новые последовательные структуры связей. Радиальное со-
пряжение при централизованном управлении типа USB и коммутаторов типа
PCI Express может быть заменено коммутируемыми средами с расширяемой
полосой частот.
Дальнейшее повышение частоты процессора оказалось неэффективным из-
за большого выделения тепла. В связи с переходом от традиционных маги-
стральных систем к новым архитектурам многоядерных процессоров частота
процессора уже не служит показателем его производительности. Дальнейшее
повышение производительности процессоров решается не повышением их ра-
бочей частоты, которая уже подошла к физическим пределам, а переходом на
сетевые архитектуры с коммутируемой средой.
3.4.2. Виды модульных систем

Общие требования к архитектуре систем будущего включают необходи-
мость создания систем в кристалле со встроенным интерфейсом, компактных и
29
масштабируемых модульных систем и серверов с сетевой коммутируемой сре-
дой быстрой последовательной, многоуровневой связи на основе единых ком-
пактных модулей.
Успехи электронных нанотехнологий (разрешение 45 нм, 2007 г.) по-
зволили сконцентрировать большую удельную вычислительную мощность в
одном кристалле. Однако это привело к росту потребления энергии и выделяе-
мого тепла. Это обусловило создание маломощных схем для мобильных и
встраиваемых систем, компьютеров на модуле (СОМ) и новой концепции си-
стем в кристалле (SOC).
Компактные модульные микросистемы формируют из набора компактных
модулей нового поколения, устанавливаемых в секцию, с коммутируемой сре-
дой быстрой связи. Микросистемы могут состоять из нескольких процессорных
модулей и работать в режиме многопроцессорного комплекса. Они могут при-
меняться в качестве нижнего уровня распределенных систем сбора и обработки
данных, для контроля и управления, соединяясь с серверами с помощью гига-
битных промышленных сетей.
Такое же семейство типовых модулей может использоваться и в больших
системах.
Масштабируемые модульные системы с коммутируемой средой и ком-
пактными модулями формируются посредством установки нескольких ком-
пактных модулей (2, 4 или 8) на несущем модуле большего размера (крейсер-
ском макромодуле). Эти макромодули выполняют функции коммутируемой
среды первого уровня. Их в виде законченных подсистем или блейд-серверов
высокой производительности устанавливают в секции с собственной комму-
тируемой средой связи второго уровня. Сгруппированные в стойки секции объ-
единяют гигабитной сетью для организации систем более высокой производи-
тельности.
Компактные модули представляют собой многоядерные процессорные мо-
дули или модули ввода-вывода с быстрой обработкой сигналов на основе DSP.
Набор из нескольких (2–8) многоядерных процессорных модулей в одном мак-
ромодуле формирует мощную коммутируемую вычислительную среду (блейд-
сервер), а группа таких модулей – серверный кластер. В больших модульных
системах с многоуровневой коммутируемой средой компактные модули ус-
танавливают на несущем модуле большего размера (макромодуле) с последова-
тельной средой быстрой коммутируемой связи. Макромодули служат платфор-
мой для создания мощных серверных кластеров. Требуемый набор модулей
устанавливают в секцию с быстродействующей коммутируемой средой связи, а
необходимое число секций может быть установлено в стойку, объединяемую
гигабитными коммутируемыми сетями. Создание быстрых модулей для систем
в гигабитном диапазоне требует особого внимания к проектированию и произ-
водству как микросхем, так и новых модулей на плате. Целесообразным может
быть создание микросистем из тех же компактных модулей в специальных сек-
циях, что позволит более эффективно использовать тот же набор модулей, что и
для больших систем.
30
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства
СБИС и модульных систем
Процесс создания новых микросхем и модулей систем включает проектирова-
ние быстродействующих кристаллов системных компонент и плат модулей, а
также их производство с учетом перспективных материалов и нанотехнологий.
Комплексный подход к проектированию модулей и систем с помощью описа-
ния схем на языках Verilog и VHDL включает этапы программирования, моде-
лирования и создания печатных плат.
Стоимость создания фотошаблонов для субмикронных технологий сравнима с
затратами на проектирование СБИС, поэтому важно получить схему в кристал-
ле с первой попытки с контролем (верификацией) результата. При переходе к
субмикронным (нано) технологиям геометрические размеры элементов стано-
вятся соизмеримы с длиной волны света, и оборудование фотолитографии не
обеспечивает требуемую точность элементов.
Методы коррекции позволили повысить разрешающую способность обо-
рудования только частично, а дальнейшее увеличения интеграции требует но-
вых материалов, методов и технологий создания СБИС-структур. Для обработ-
ки сигналов используют СБИС сигнальных процессоров (DSP) и создают аппа-
ратную реализацию быстрых алгоритмов обработки сигналов на программиру-
емых логических интегральных схемах (ПЛИС) или на программируемых мат-
рицах ключей (FPGA) в качестве препроцессоров или сопроцессоров для уве-
личения обшей производительности систем. Схемы FPGA используют в тракте
обработки сигналов или для ускорения исполнения алгоритмов на встраивае-
мом процессоре. Гибкая структура FPGA позволяет распараллеливать операции
обработки сигналов, при этом операции, требующие высокого быстродействия
с параллельной обработкой, реализуют на FPGA, а операции программного
управления и последовательной обработки – на DSP. Встроенное микропроцес-
сорное ядро (MicriBlaze, Xilinx) обеспечивает такую реализацию на ПЛИС.
Проектирование систем требует опыта использования языков про-
граммирования VHDL и, Verilog, поэтому были созданы средства авто-
матизации проектирования электроники на системном уровне ESL (Electronic
System Level), облегчающие применение FPGA в цифровых системах обработ-
ки сигналов. Так, фирма Xilinx с партнерами создала средства автоматизации
проектирования приложений, включая преобразование алгоритмов, написанных
на языках C/C++, в аппаратные реализации на FPGA. Пакет AsselDSP Synthesis
аппаратно реализует алгоритмы MATLAB в формате с плавающей запятой, а
пакет System Generator совмещает ESL-модули с ядрами IP.
Система автоматизации проектирования плат определяет характеристики
соединений, симулирует их параметры и распространение сигналов в схеме
(модуль LlineSim). Модели передающих и принимающих узлов выбирают из
библиотеки, при этом можно задать стандартные линии (кабели, полосковую
связь) или указать их параметры (импеданс, частоту передачи), а также опреде-
лить послойную структуру схемы (ширину проводного или изолирующего
слоя). Для гигагерцовых схем (HyperLynxGHz) учитывают потери в проводни-
31
ках и диэлектриках, что важно при переходе от параллельных шин к пос-
ледовательным методам связи. Автоматизация симулирования и проверки схем
требует многих часов логического моделирования, поэтому создают высоко-
производительные системы автоматизации логического моделирования, среди
которых известны система Rivera фирмы Aldec и Calibre фирмы Mentor
Graphics.
Система Riviera поддерживает серверы разных типов и может интег-
рировать в проекте модули, написанные на языках VHDL, Verilg, C/C+, Sys-
temC, SystemVerylog и др. Отлаженные модули можно занести в библиотеку
для использования в других проектах. Существует много С-моделей для стан-
дартных устройств (памяти, процессоров, ввода-вывода). Моделирование вы-
полняют в пакетном режиме, а результаты заносятся в файлы.
Модульная платформа Calibre компании Mentor Graphics предназначена
для комплексной проверки проекта перед производством схем, т.е. от контроля
правил проектирования переходят к физической верификации СБИС на соот-
ветствие топологических данных исходным схемам. Ядро платформы поддер-
живает физическую верификацию до генерации данных фотошаблонов. Базо-
вый модуль (DRC) платформы выполняет контроль правил геометрического
проектирования с учетом субмикронных технологий, модуль (LVS) сравнивает
результаты с исходным описанием схемы, а другой модуль (xRC) определяет
параметры, соединений на уровне транзисторов, вентилей и иерархии блоков.
Модуль визуализации (RVE) обеспечивает анализ результатов в интерактивном
режиме.
Платформа Calibre также включает модули: контроля проектирования гео-
метрии элементов и ограничений фотолитографии ORC (Optical and Process
Rule Checking); оптической коррекции геометрии на основе вычисленных таб-
лиц TDopc (Table-Driven ОРС); моделирования с предсказанием геометрии объ-
ектов топологии в процессе вывода па кремниевую пластину PRINTimage (Sim-
ulated Silicon Print Image); коррекции схем и топологии кристаллов в пакетном
режиме OPCpro (Optical Process Correction for Batch Production); генерирования
данных повышения разрешающей способности за счет сдвига фазы облучения с
помощью специальной маски PSMgate (Phase Shift Mask Assignment for Gates);
игнорирования данных специальных линий для четких изображений OPCsbar
(Scattering Bars) и WORKbench. Анализ топологических данных выполняют в
формате стандартных правил проверки схем (SVRF—Standard Verification Rules
Format).
Семейство программ Calibre DFM позволяет корректировать обнаружен-
ные дефекты с помощью набора программных модулей. Для увеличения произ-
водительности весь процесс проверки схем разбивают на параллельные нити
(Calibre MT) для обработки в многопроцессорных системах. Большинство то-
пологических редакторов (IС Staton от Mentor Graphics, Virtuoso от Cadence,
Appolo/Astro от Synopsys) обеспечивают меню интерактивного управления
(Calibre Interactive).
Качество производства систем в кристалле СБИС зависит от выбора мате-
риала. Выращивание кристаллов кремния сначала выполняли на кремниевых
32
подложках, затем в качестве подложки-изолятора применяли сапфир. Техноло-
гия «кремний на сапфире» позволила создать КНС-структуры с толщиной
кремния 0,6 и 0,3 мкм (1970-е годы) и разработать коммутаторы и микропро-
цессорные наборы (1980-е годы) с акцентом на быстродействие и радиацион-
ную стойкость материала. Плохое совпадение структуры решеток сапфира и
кремния обусловили создание новой технологии «кремний на изолирующей
подложке» (КНИ-структуры), которая обеспечила более высокую интеграцию
схем. После этого было освоено производство биполярных и полевых схем на
арсениде галлия. Так, фирма Freescale Semiconductor продолжает разработки
арсенид-галлиевых транзисторов до настоящего времени, обеспечивая частоту
до 6 ГГц при питании 20 В и выходной мощности 100 Вт, что отвечает требо-
ваниям новых беспроводных сетей WiMAX.
Позже выяснилось, что классические материалы (кремний и арсенид гал-
лия) по своим качествам превосходит другой материал – карбид кремния (SiC),
имеющий более широкую запрещенную зону (больший диапазон температур) и
излучающий во всем диапазоне видимого света, но по ряду параметров уступа-
ющий нитриду галлия и нитриду алюминия. Рассогласование решеток SiC и
GaN меньше, а теплопроводность выше, чем у сапфира. Подложки из карбида
кремния SiC диаметром 100 мм используют для роста карбида кремния или
формирования новых структур (GaN/AIGaN). ФТИ РАН совместно с АОЗТ
«Светлана» впервые (в 2001 г.) создали мощный лавинно-пролетный диод на
основе SiC.
Одним из перспективных материалов является алмаз. Он имеет лучшие
свойства по сочетанию электрофизических параметров (высокая теплопровод-
ность, низкая диэлектрическая проницаемость, высокая радиационная стой-
кость), что важно для экстремальных условий. Размеры природных кристаллов
алмаза малы, а выращивать синтетически чистые монокристаллические струк-
туры трудно и дорого, однако в последнее время начинают исследовать воз-
можности создания перспективных СБИС на таких алмазах. Проблема создания
схем с требуемыми характеристиками на алмазе — это несовершенство матери-
ала (дефекты, примеси). Проблему отвода тепла решают путем синтеза поли-
кристаллических алмазных пленок и пластин толщиной от единиц нанометров
до миллиметров на разных подложках (Si, SiC, A1N). При выращивании алмаз-
ных пленок на подложках кремния («алмаз на кремнии», метод CVD) исполь-
зуют менее дорогие исходные реагенты (метан, водород). Композитная под-
ложка «кремний на полиалмазе» имеет более высокую теплопроводность.
На разработку и создание СБИС нового поколения требуется много време-
ни. Например, программа создания цифровых микросхем военного применения
в США (1987–1995 гг.) включала сначала создание схем на пластинах диамет-
ром 50мм. Стоимость кристалла СБИС на арсениде галлия удалось снизить до
0,1 долл./кв. мм, что сделало целесообразным создание материала подложек и
масок. Первая фаза следующей программы DARPA по созданию схем на основе
новых широкозонных соединений (GaN, SiC) завершилась получением подло-
жек диаметром 75 мм (2004–2005 гг.) с эпитаксиальным выращиванием новых
СБИС структур (AlGaN/GaN). Во второй фазе (2005–2007 гг.) предус-
33
матривалось создание GaN-транзисторов СВЧ диапазона с высоким процентом
выхода годных изделий. В третьей фазе (2008–2009 гг.) готовится технология
производства недорогих структур GaN для применения в различных компонен-
тах.
На примерах этих проектов видно, что от начала освоения новых тех-
нологий до производства СБИС проходит не менее 10–15 лет. Сроки проекта
сокращают за счет подготовки плана внедрения изделий уже в третьей фазе. За-
траты на проектирование каждого нового поколения микросхем удваиваются, а
с переходом на технологические нормы выше 90 нм могут и утроиться. Для со-
кращения стоимости обработки площади кремния увеличили размер диаметра
пластин со 100 мм до 200 мм и 300 мм, что привело к росту объема и качества
производства, повышению уровня автоматизации проектирования, проверки,
изготовления и коэффициента использования оборудования.
Современное производство предусматривает переход с пластин диаметром
200 мм на 300 мм. При этом можно выделить три этапа. На первом этапе
(2001 г.) создавались крупные заводы по производству пластин размером 200
мм для выпуска ДОЗУ и процессоров с технологией 130–140 нм и 110 нм (заво-
ды Intel, Infineon Technology, Texas Instruments, TSMC). Стоимость завода со-
ставляет порядка $2,0 млрд. Второй этап (2003 г.) включал производство ДОЗУ
(90 нм, 14 кремниевых заводов). Третий этап (2005 г.) призван обеспечить осво-
ение новых технологий и производство пластин размером 300 мм (65 нм и вы-
ше).
Компании Infineon Technology, IBM, Samsung и Chartered Semiconductor
первыми перешли на пластины 300 мм, так как на них размешается в 2,5 раза
больше схем. Однако стоимость таких заводов очень высока ($4 млрд.) и не все
компании могут освоить эту технологию. В Китае производят пластины 150 и
200 мм (завод в г. Вукси по производства ДОЗУ и флэш-памяти). Заводы по об-
работке пластин 300 мм построили в Пекине компания SMIC (2004 г.) для изго-
товления ДОЗУ (для Infineon Technology и Elpida Memory) и в Шанхае компа-
ния Grace Semiconductor Manufacturing.
При создании сложных СБИС применяют вакуумное технологическое
оборудование и используют ионно-плазменные процессы для формирования
субмикронных структур. Плазма высокой плотности (на основе ВЧ-разрядов) в
вакуумных установках обеспечивает травление различных материалов с разре-
шением выше 200 нм. Процесс травления материала осуществляют бомбарди-
ровкой поверхности изделий ионами.
Сверхмалые размеры в диэлектрических пленках получают с помощью
электронно-лучевой литографии с последующим травлением на установке во
фторсодержащей плазме, при этом получают канавки шириной 100 нм в плен-
ках толщиной 0,25 мкм, используя невысокую энергию пучка ионов (до 120
эВ).
Технологические нормы с субмикронным разрешением выше 250 нм по-
требовали детального проектирования и производства схем с учетом физиче-
ских параметров (длины и положения соединений, наводки и согласования, пе-
рекосов и запаздывания сигналов). Требуется решение проблем автоматизации
34
логического синтеза и проектирования топологии новых микромодулей высо-
кого быстродействия в области нескольких гигагерц.
Создание электронных печатных плат для модулей, работающих на высо-
ких частотах, осложняется проблемой целостности передаваемых сигналов в
соединениях. Сложность и стоимость реализации соединений в микромодулях
и на платах модулей растут быстрее, чем компактность и мощность устройств
обработки, и входят в число основных проблем создания нового поколения си-
стем. Для удешевления массового производства СБИС создают объединения,
например фирма Crolles 2 Alliance (Франция) объединила Freescale Se-
miconductor, Royal Philips Electronics и STMicroetectronics. Для России це-
лесообразен другой путь – эффективное использование создаваемых технопар-
ков и наукоградов.
Современные технологии компьютерной автоматизации основаны на не-
скольких фундаментальных направлениях широкого развития магистрально-
модульных систем. К ним, в частности, относится развитие:
• встраиваемых отдельных компьютерных модулей различных компактных
форматов, число и разнообразие которых в последнее время быстро возрастало;
• встраиваемых миниатюрных модульных систем семейства РС1/104 с раз-
ными интерфейсами от 8-разрядной архитектуры ISA до 16- и 32- разрядных
шин, при этом модули процессоров и ввода – вывода объединяются в блоки в
виде компактной этажерки;
• модульных систем с шиной PCI, интерфейсные схемы которых огра-
ничены нагрузкой до четырех единиц и поэтому позволяют подключать к про-
цессору не более двух-трех модулей ввода-вывода;
• модульных систем compact (PCI) с увеличенным вдвое числом подключа-
емых модулей расширения;
• модульных систем с шиной VME/VXI с многопроцессорными возмож-
ностями.
Среди модульных систем наиболее компактными являются системы се-
мейства PC/104, эффективные для встраиваемых применений. Большое разно-
образие форматов плат усложняет их выбор и стыковку с другими модульными
системами, что снижает эффективность новых проектов систем автоматизации.
Все модули обеспечены, как правило, несколькими встроенными последова-
тельными интерфейсами USB и Ethernet (быстрым, или гигабитным). Новые
версии модулей поддерживают новые интерфейсы. Например, все модули,
включающие вместо традиционного параллельного интерфейса PCI новый по-
следовательный интерфейс типа PCI Express, дополнительно имеют в своем
наименовании это слово.
Для локального сопряжения периферии используют быстрый последо-
вательный интерфейс USB 2.0, который вытесняет: интерфейсы типа
RS232/485 и находит применение не только для связи компьютера с пе-
риферией, но и для организации небольших иерархических звездообразных
структур сетей на основе хабов для измерительных и управляющих устройств и
подсистем.
В последнее время для распределенных систем автоматизации применяют
35
варианты классических сетей Ethernet с коммутаций сообщений для создания
не только корпоративных сетей, но и для связи приборов и промышленных си-
стем управления [24]. При этом в качестве контроллеров и систем локального
управления используют встраиваемые модульные системы разных типов.
Архитектуру VME широко применяют в промышленности и военных си-
стемах с начала ее создания (1981 г.). Успехи технологии VME позволили раз-
рабатывать надежные и гибкие модульные системы, работающие в реальном
времени, для детерминированного управления оборудованием при медицин-
ских исследованиях (сканеры CAT), в средствах управления на железнодорож-
ном транспорте (в Сингапуре и Польше), а также в системах автоматизации в
промышленности и военном деле. Научные центры Европы и США уже много
лет используют такие системы. Так, в Европейском центре ядерных исследова-
ний (ЦЕРН) число систем VME достигало несколько десятков тысяч (на 2004
г.). Однако по предельным характеристикам скорости передачи они уступают
компактным системам c PCI. С другой стороны, они обеспечивают возмож-
ность многопроцессорной работы с высокой производительностью.
Система в архитектуре c (PCI) ограничена одним ведущим процессором, и
для построения многопроцессорных систем требовались специальные методы и
структурные решения. В настоящее время осуществляется переход от традици-
онных параллельных магистральных систем связи к последовательным комму-
тируемым сетям, т.е. от традиционных PCI к экспресс PCI с централизованным
управлением и затем на перспективную среду сетевой связи типа ASI (Ad-
vanced System Interconnect).
Использование DSP, графических и видеосистем, систем быстрого сбора и
обработки данных от датчиков требует более интенсивных вычислений и обра-
ботки данных. Сетевое обеспечение становится основной частью распределен-
ных систем с большим количеством мощных процессоров (компьютеров). Про-
граммные радиосистемы, радарные установки и средства обработки изобра-
жений с быстрыми интерфейсами связи становятся важными частями новых
информационных вооружений. Все эти высокие требования нельзя удовлетво-
рить традиционными системами VME, и потребовались новые стандарты.
В настоящее время усилия направлены на создание масштабируемых и
компактных модульных систем с широкой полосой пропускания на основе се-
тевых масштабируемых архитектур. В новом поколении систем осуществляется
переход с параллельных на более быстрые последовательные системы сопря-
жения и связи в диапазоне скоростей выше гигабит.
Происходит слияние вычислительных и коммуникационных сетей на ос-
нове новых архитектур и методов. С одной стороны, наблюдается конвергенция
классических локальных сетей в направлении вычислительных и управляющих
систем. Она проявляется в создании и развитии коммутируемых классических
сетей типа гигабитного Ethernet (GE, 10GE, 100GE) для связи приборных си-
стем (вместо интерфейса GPIB), а также для новых промышленных сетей с из-
быточностью для повышения надежности [24].
С другой стороны, создаются новые быстродействующие коммутируемые
вычислительные среды с модульной структурой для встраиваемых и компакт-
36
ных систем на основе сетевых архитектур нового поколения. В результате об-
разуется единая среда связи систем с широкой полосой частот и высокой про-
изводительностью. Для масштабируемых систем рекомендуется использовать
единые компактные модули процессоров и ввода-вывода, устанавливаемые на
несущем модуле, который создает коммутируемую среду первого уровня. Ком-
мутируемая среда второго уровня формируется в каждой секции. На третьем
уровне сетевая коммутация формируется между всеми секциями в стойке и
между несколькими стойками. В качестве компактных модулей могут служить
процессорные модули или устройства ввода-вывода, например, для сбора и об-
работки сигналов и управления на основе DSP. Для создания компактных мо-
дульных систем можно использовать разработки таких же унифицированных
компактных модулей.
Таким образом, появление новых сетевых технологий автоматизации типа
PCIe, Serial RapidlO, Gigabit Ethernet, InfinitiBand, StarFabric и других последо-
вательных коммутируемых фабрик привело к революционным методам постро-
ения новых модульных систем. Новые компактные микросистемы с коммути-
руемой средой на основе единого семейства модулей могут вытеснить совре-
менные модульные системы, так как их унификация и стандартизация позволят
создавать более экономичные и эффективные средства на основе единого се-
мейства компактных модулей для микро- и больших систем. Это позволит ми-
нимизировать затраты на разработки для малых и больших систем на единой
основе. Такие возможности обеспечивают коммутируемая среда типа InfiniBand
и коммутируемые фабрики высокой производительности.
Среди первых разработок новых масштабируемых модульных систем с се-
тевой архитектурой известны такие стандарты как VPX (вместо VMЕ) и стан-
дарт на архитектуры; перспективных модульных систем для серверных класте-
ров (блейд-серверов) и центров данных высокой производительности. В част-
ности, разработана модульная система автоматизации для телекоммуникаций
АТСЛ (Advanced Telecommunication Architecture) с компактными модулями,
разъемами высокой частоты и средствами мониторинга питания и охлаждения.
3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем

Многозначность трактовки самого термина «нанотехнология», который
все чаще озвучивается в науке и технике, требует уточнения определения само-
го термина.
Технология – это процесс или последовательность операций, приводящая в
результате к получению продукции (материалов, приборов, устройств и других
продуктов) с определенными свойствами и возможностью устойчивого воспро-
изведения. Если задачей науки является анализ для получения новых знаний и
объективной информации по результатам эксперимента, то задачами тех-
нологии являются управляемый и контролируемый синтез и производство
определенных изделий с заданными свойствами.
Рассмотрим понятие «нанотехнология» применительно к области электро-
ники как одной из основных и самостоятельных областей создания, массового
производства и развития электронных приборов и систем нового поколения в
37
кристаллах СБИС на основе технологии сверхвысокого разрешения.
С одной стороны, некоторые ученые предлагают рассматривать переход к
нанотехнологиям как научно-техническую революцию (смену парадигмы, т.е
как бы погружаясь вглубь структуры материи). С другой стороны, нанотехно-
логии рассматривают как технологии, которые начинаются на атомном уровне
и позволяют создавать новые материалы и системы с качественно новыми оп-
ределенными свойствами (поднимаясь из глубины вверх).
Однако третий подход на основе философии классического перехода коли-
чества в качество приводит к осознанию того, что повышение плотности схем и
увеличение разрешающей способности технологии производства СБИС до
уровня молекул и атомов являются естественным продолжением процесса пе-
рехода микроэлектроники в наноэлектронику. Отдельные методы не могут
служить основой для определения термина, так как они могут оказаться невы-
полнимыми или даже ложными.
Исторически концепцию прогресса электроники (как парадигму) свя-
зывают с научной революцией, и ее рассмотрение начинают с изобретения пер-
вых вакуумных приборов (1904 г.). Основы революционной смены концепции
развития электроники заложило создание транзисторов (1948 г.) и затем техно-
логии твердотельных интегральных микросхем (1961). Увеличение удельной
плотности схем требовало постоянного роста разрешающей способности тех-
нологий и сокращения размеров элементов в каждом поколении СБИС.
Развитие первых планарных и последующих технологий было поддержано
многими государственными заказами, в первую очередь военными. За рубежом
с появлением первых микропроцессоров финансовая поддержка военными за-
казами позволила быстро развить компактные компьютерные модульные си-
стемы третьего поколения. Задержка внедрения новых технологий по любой
причине (преждевременные идеи, недостаточная проработка проблем или
ошибки в идеологии или объективные сложности технической реализации) бо-
лее 10 лет может привести к устареванию как материалов, так и самих идей.
Тогда необходимо переходить к новому поколению систем на основе уже отра-
ботанных и проверенных новых технологий. В отличие от новых технологий,
экспериментальные исследования по отработке новых материалов и технологий
могут занимать и более продолжительное время.
Классическая теория и современная технология транзисторов ограни-
чивают размеры до 10 нм. Ширина объемного заряда p-n–перехода туннельного
диода определяется единицами нанометров. В 1980-х годах структуры полу-
проводников определялись размерами гетеропереходов, что обусловило про-
блемы повышения разрешающей способности технологий (фотолитографии,
эпитаксии, диффузии, напыления и окисления). Управление потоками частиц и
ионов позволило воспроизводить изолированные кластеры из сотен атомов, со-
здавать однородные пленки с отклонением поверхности до 0,2 нм и гетеро-
структуры из разных слоев, а появление сканирующего микроскопа дало воз-
можность манипулировать отдельными кластерами молекул.
Перспективы развития электроники связаны с открытием новой формы уг-
лерода (фуллеренов, 1985 г.). Она позволила создавать углеродные структуры
38
цилиндрической формы (нанотрубки, 1991 г.), обеспечивающие свойство
сверхпроводимости. Это дало возможность начать исследования для разработ-
ки технологии на уровне отдельных атомов. Однако эти экспериментальные ра-
боты не обеспечат быстрое развитие технологий для создания новых приборов.
Такие технологии можно ожидать при реальном переходе промышленности на
уровень норм 1 нм и менее (к 2030 г. предполагается 0,5–0,1 нм). Для исследо-
ваний и освоений методов создания транзисторов на основе нанотрубок потре-
буются многие годы (более 10 лет), что может оказаться соизмеримым с перио-
дом развития предыдущих поколений интегральных схем и электронных си-
стем.
По поводу распределения финансовых ресурсов на новые проекты суще-
ствуют две крайние точки зрения. Одна предусматривает для развития нано-
технологий первостепенное финансирование науки, от которой можно ждать
прорывных решений и новых идей по созданию новых физических методов,
приборов и систем.
Другая позиция основана на приоритетном финансировании отраслевых
организаций для развития нанотехнологий, поскольку именно там находятся
производственные и технологические возможности для создания новых элек-
тронных систем. Оптимальным вариантом может быть совместное межведом-
ственное развитие новых проектов создания СБИС и модульных систем на ос-
нове единой масштабируемой системно-ориентированной сетевой архитектуры
нового поколения при условии наличия координационного межведомственного
центра по комплексной проблеме – модульных систем нового поколения.
Наноэлектроника как продолжение развития микроэлектроники потребует
перехода не только на более высокий уровень разрешающей способности в
единицы и доли нанометров, но и на новые наноархитектуры систем и более
высокие параметры по быстродействию и производительности будущих си-
стем. Для этого и требуется комплексный подход к развитию нового поколения
модульных систем как конечного продукт нанотехнологии.
Новое поколение модульных систем высокой производительности ориен-
тировано на высокопроизводительные многоядерные процессоры с малым по-
треблением энергии и коммутируемые вычислительные среды с широкополос-
ными каналами связи и взаимодействием процессоров. Это достигается уплот-
нением вычислительных и коммуникационных функций в кристалле (Net On
the Chip) и переходом к новым архитектурным методам проектирования мо-
дульных систем на уровне десятков и единиц нанометров. При этом нанотехно-
логии будущих электронных систем новою поколения ограничены не столько
ростом количества элементов в единице объема, сколько количественно-
качественным переходом к новым комплексным сетевым архитектурным реше-
ниям на основе интеграции систем с сетей от кристалла до уровня организации
микросистем и больших систем на новых принципах.
Структура модульных компьютерных систем высокой производительности
развивается от технологии «компьютер на модуле» до комплексных проектов,
включающих перспективные технологии наноэлектроники типа «система на
кристалле». При этом для нового поколения систем требуются функционально
39
законченные СБИС с интерфейсами связи системного уровня, отражающие
опыт развития модульных систем предыдущих поколений и архитектуру систем
будущих поколений в кристалле. Сопряжение и связь модулей, а в дальнейшем
и отдельных узлов в модуле, преодолели гигагерцовый порог скоростей, что
привело к повышению требований к проектированию модулей и систем, повы-
шенной сложности инфраструктуры систем и интеграции передаваемых сигна-
лов.
Производительность многоядерных процессоров и модульных многопро-
цессорных систем более не ограничивается числом процессорных узлов, как
было ранее в SMP-системах с общей шиной, и может гармонично масштабиро-
ваться в компьютерные системы более высокой производительности. Архитек-
тура перспективных модульных систем и сетей основана на быстрой коммути-
руемой сетевой среде связи вместо параллельных шин, новых быстрых и мас-
штабируемых сопряжениях последовательного типа и перспективных сетевых
технологиях коммутируемой связи узлов (ASI, Infiniband и др.), а также пер-
спективных методах построения модульных систем.
Успешное решение этих комплексных проблем возможно при согла-
сованных параметрах всех системных компонент, включая процессорные си-
стемы и кластерные узлы, с одной стороны, и подсистемы коммутируемых ка-
налов ввода-вывода и подсистем памяти, с другой стороны. Основой развития
модулей вычислительных и коммуникационных систем и их компонент стано-
вится интегральная архитектура модульных систем и сетей. В любом аппарат-
но-программном комплексе прикладные программы решают эффективно кон-
кретные задачи при оптимальном использовании ресурсов.
Однако потенциальные возможности повышения производительности си-
стем обеспечиваются аппаратными средствами и новыми возможностями
СБИС и общей системной архитектуры. Успехи создания перспективных СБИС
зависят от успешных результатов фундаментальных и прикладных научных ис-
следований. При этом одновременно должно снижаться потребление энергии и
выделяемое тепло за счет низкоуровневых сигналов и инновационных решений
физико-технических проблем.
Развитие конвергентных компьютерных систем высокой производи-
тельности с коммутируемой модульной структурой для комплексной ав-
томатизации инженерных, научных и производственных задач определяет
успешное развитие не только передовых стран, но и будущей мировой эконо-
мики в целом.
3.4.5. Перспективы развития навигационных систем

Как известно, становление космического и наземного сегментов системы
ГЛОНАСС финансируется из бюджета государства и идет по ранее разработан-
ному графику, определенному соответствующими правительственными поста-
новлениями. Это позволяет постепенно расширять российский рынок
ГЛОНАСС аппаратуры, но не дает возможности контролировать наиболее важ-
ную и автономную составляющую этого рынка – коммерческую, где домини-
руют навигационные аппараты пользователей (НАП) с поддержкой сигнала
40
американской навигационной системы NAVSTAR (GPS). Отвоевать, как мини-
мум, российский сегмент этого рынка – сложная задача, для решения которой
необходимо наладить массовое промышленное производство соответствующей
аппаратуры (программно аппаратных комплексов) с поддержкой ГЛОНАСС,
конкурентной оборудованию на базе GPS. Это означает, что аппаратура с под-
держкой ГЛОНАСС должна быть не хуже НАП с поддержкой GPS по целому
ряду показателей: техническим характеристикам, инженерным решениям, ди-
зайну, массогабаритным параметрам, энергопотреблению, цене и т.д. Важным
преимуществом ГЛОНАСС+GPS приемников может и должна стать их двухси-
стемность, то есть возможность одновременного приема сигналов обеих гло-
бальных навигационных спутниковых систем (ГНСС) – российской ГЛОНАСС
и американской GPS. Двухсистемность обеспечит такой навигационной аппа-
ратуре большую надежность при работе в любых условиях, в частности благо-
даря приему данных от большего числа спутников, а также устранению зави-
симости от сигналов GPS в критических ситуациях. Однако для завоевания
сколько-нибудь существенной доли коммерческого рынка недостаточно только
наладить выпуск конкурентной ГЛОНАСС аппаратуры.
Придется приложить немалые усилия для изменения менталитета россий-
ского покупателя, привыкшего к тому, что зарубежные навигационные устрой-
ства по целому ряду показателей лучше, чем отечественная аппаратура. Потре-
бителю придется наглядно доказать, что отечественные НАП действительно от-
вечают требованиям рынка и не уступают GPS-приемникам по качеству. При-
дется также убедить массового пользователя в надежности радиопокрытия си-
стемы ГЛОНАСС как минимум на территории России, а затем и в глобальном
масштабе. Помимо непрерывного совершенствования самой ГНСС ГЛОНАСС,
для этого потребуется большая пропагандистская работа по информированию
российской и мировой общественности и широкому освещению в СМИ досто-
инств российской навигационной системы и преимуществ использования сиг-
налов двух систем.
Насколько реально для России в ближайшие годы обеспечить разработку и
производство собственной конкурентной по качеству и относительно недоро-
гой навигационной аппаратуры для массового потребительского рынка? Сооб-
ражения на сей счет, основанные на анализе формирующегося рынка НАП в РФ
и более чем десятилетнем опыте проектирования и успешной реализации про-
двинутых навигационных и связных комплексов, накопленном SPIRIT Telecom,
представлены ниже. Начнем с технических характеристик НАП, хотя это и не
главный критерий, который принимает во внимание рядовой пользователь
навигационного устройства. Однако именно технические характеристики опре-
деляют качество такого прибора и достигнутый инженерный уровень, который
убеждает потребителей в технологическом совершенстве навигационной аппа-
ратуры и ее надежности. Хотя навигатор способен решать только узкую нави-
гационную задачу (позиционирование на плоскости или в пространстве с опре-
деленной точностью, оценку скорости объекта с НАП, временную координату,
среднее время выдачи данных в разных режимах при заданных параметрах
энергопотребления, стабильности выдачи навигационных данных в сложных
41
условиях, а также массы и размера), он может быть базовым компонентом
навигационно-информационной системы, где навигационные данные и реше-
ния на их основе составляют суть самой системы. В такой системе важную роль
играет и телекоммуникационная функция, отвечающая за передачу навигаци-
онных данных в удаленный центр мониторинга и принятие решений. В настоя-
щее время в РФ на коммерческом рынке НАП с поддержкой ГЛОНАСС сложи-
лась парадоксальная ситуация: при относительно большом первоначальном ин-
тересе и спросе на ГЛОНАСС-GPS приемники и программно-аппаратные мо-
дули (ОЕМ-модули) собственно предложений немного (как, впрочем, и россий-
ских фирм — разработчиков коммерческих навигационных приемников, антенн
для них и НАП в целом). Основное отличие таких предложений — в ценовых
позициях и способности разработчика осуществить своими силами или с по-
мощью партнеров (контрактных производителей электронной аппаратуры) вы-
пуск ОЕМ-модулей для НАП в нужных масштабах в заданные сроки. При этом
собственно технические характеристики приемников модулей часто отступают
на второй план. Тем не менее, покупатели таких модулей могут отвергать их в
силу нестабильности работы в реальных условиях (например, для целей мони-
торинга транспортных средств) и относительно высокой стоимости, если в це-
новом вопросе они ориентируются на стоимость GPS- приемников зарубежных
фирм. Такая ситуация возникла в силу следующих причин:
• неразвитость рынка НАП с поддержкой ГЛОНАСС (его объемы пока не-
значительны);
• неготовность к работе на коммерческом рынке российских разработчиков
навигационных модулей и НАП;
• недоверие компаний-производителей и интеграторов навигационно-
связного оборудования к навигационным решениям отечественных компаний-
разработчиков;
• естественное желание последних скорее отвоевать свою нишу на рынке да-
же с несовершенными навигационными модулями и оборудованием, что нега-
тивно сказывается на имидже этих компаний (уже известны отдельные приме-
ры);
• отсутствие возможности для объективной оценки технических характери-
стик приемников российского производства независимыми сертификационны-
ми центрами, оснащенными необходимым тестовым оборудованием;
• финансовый и экономический кризис, который существенно снизил перво-
начальные весьма оптимистические оценки рынка госзаказа, сделанные анали-
тиками в первом полугодии 2008 года. Среди негативных факторов стоит от-
дельно отметить сложность участия в тендерах на поставку оборудования в
рамках госзаказа (из-за их закрытости и непрозрачности) для частных компа-
ний-разработчиков. Есть и другие, не менее существенные с коммерческой точ-
ки зрения причины: дороговизна комплектующих НАП на рынке РФ из-за вы-
соких таможенных пошлин, ограниченное предложение многосистемных ан-
тенн и т.п. Решению этих и других вопросов, тормозящих развитие коммерче-
ского рынка ГЛОНАСС аппаратуры в России, призвана содействовать недавно
образованная Ассоциация «ГЛОНАСС/ГНСС Форум», в которую входят веду-
42
щие разработчики и производители навигационного оборудования, а также
крупные компании-интеграторы, однако ее влияние, хотя и заметное, пока не
является определяющим. Качественный навигационный приемник, являющийся
основой НАП, может быть использован в аппаратуре как гражданского приме-
нения, так и в навигационном оборудовании для специальных, в том числе во-
енных, приложений. Для разработки такого приемника надо прежде всего
иметь технически совершенное решение НАП в целом и использовать для этих
целей индустриальные компоненты (в некоторых специальных случаях – ком-
поненты в радиационностойком исполнении). Для такой разработки необходи-
мы как глубокие знания в проектировании радиотехнических систем, так и
практический опыт их реализации. Только качественные системные навигаци-
онно- телекоммуникационные решения, которые можно использовать как для
коммерческих, так и для специальных приложений, будут конкурентными на
массовом потребительском рынке. Сегодня же навигационные приемники и
ОЕМ-модули, разработанные российскими компаниями и претендующие на за-
воевание отечественного рынка, – это, как правило, двухсистемные
(ГЛОНАСС+GPS) одночастотные приемники (L1) c относительно невысокой,
по современным инженерным понятиям, чувствительностью и практически не
использующие алгоритмические ухищрения, которые обеспечивают работу в
условиях многолучевого распространения сигналов навигационных спутников,
характерных для городской среды («городские каньоны и колодцы», проезды
под эстакадами и в туннелях) и сложного ландшафта (в горах и глубоких овра-
гах, в лесистой местности). Это приводит к пропускам спутниковых сигналов в
затененных условиях и возможным большим ошибкам в определении позиции.
Поддержка дифференциального режима и SBAS, которые повышают точность
позиционирования, опциональны для представленных на рынке навигационных
модулей отечественного производства, так как в полной мере такая поддержка
для ГЛОНАСС еще не реализована на системном уровне и находится только в
начальной стадии развития. До сих пор не было проведено полноценного экс-
пертного исследования качества функционирования приемников от различных
российских производителей (если не считать инициативу ИД «Электроника» по
сравнительному независимому тестированию таких приемников, на первом
этапе которого в ИПУ РАН в рамках конференции «Встраиваемые системы» в
декабре 2008 года проводилась оценка качества навигационного решения в ста-
тических условиях работы приемника на открытой местности по живым сигна-
лам спутников). Отсюда первый вывод: необходимо разработать, реализовать и
вывести на рынок системное решение ГЛОНАСС-GPS приемника, который по
своим характеристикам не уступает лучшим GPS-приемникам западных фирм.
По нашему мнению, наиболее просто и быстро это можно сделать на базе ис-
пользования универсальных микросхем (FPGA-чипа и/или микропроцессора) в
цифровой части приемника и «программного» (software) подхода. Именно такое
качественное системное решение с поддержкой ГЛОНАСС, сравнимое по тех-
ническим характеристикам с лучшими решениями в мире, станет первым ша-
гом к успеху в конкурентной борьбе на коммерческом рынке. Следующий важ-
ный коммерческий фактор – массогабаритные параметры и энергопотребление.
43
Для «ручных» НАП этот фактор – ключевой, но для других приложений
(например, для автомобильных навигаторов) он не очень существенен. И здесь
может быть только один подход: одночиповое решение приемника типа «си-
стема на кристалле» («СнК», SoC) или, как промежуточный этап, – двух или
трехчиповый приемник с энергопотреблением не более 200 мВт. Как уже было
отмечено в докладе на Международном форуме по нанотехнологиям, прошед-
шем в декабре 2008 года в Москве, здесь может быть движение в двух направ-
лениях: переход на новую структуру навигационных сигналов (от FDMA для
ГЛОНАСС к CDMA) для снижения сложности цифровой обработки сигнала в
приемнике с поддержкой ГЛОНАСС и проектирование чипов по технологии 90
нм и менее. При этом качество системного решения для трансформации его в
чип является определяющим, так как если специализированный чип (ASIC) бу-
дет спроектирован на основе современных технологий, но зашитое в него ре-
шение несовершенно, то о конкурентных преимуществах, основанных только
на продвинутой микроэлектронике, можно забыть. Разумеется, дизайн навига-
ционного ASIC и его производство должны отвечать требованиям современных
технологий. Это означает, что задачу надо решать только в комплексе – транс-
формируя в чип современное системное решение и разрабатывая дизайн чипа в
соответствии с проектными нормами не более 90 нм. Тесно связан с этим фак-
тором и ценовой показатель: решение на базе ASIC – более дешевое, чем реше-
ние на базе универсальных чипов, если ASICи будут выпускаться сотнями ты-
сяч или миллионными тиражами. Именно такие объемы характерны для произ-
водства GPS- приемников на базе «СнК» (SoC). Однако в ближайшие полтора-
два года ASIC-реализация навигационного приемника с поддержкой ГЛОНАСС
малореальна уже потому, что рынок соответствующей НАП относительно мал,
а в условиях кризиса наладить проектирование и выпуск навигационных ASIC
без государственной поддержки проблематично. Поэтому в ближайшее время с
большой вероятностью основными будут «смешанные решения»: использова-
ние специализированных ГЛОНАСС+GPS чипов (RFIC) в радиочастотной ча-
сти приемника и универсальных микросхем (за исключением, возможно, ASIC-
коррелятора) в его цифровой части. Это означает, что по цене, энергопотребле-
нию и массо-габаритным параметрам российские приемники и ОЕМ-модули с
поддержкой ГЛОНАСС будут уступать GPS-приемникам и модулям. В этой си-
туации важно обеспечить конкурентоспособность по другим техническим ха-
рактеристикам, определяющим точность и стабильность работы прибора в раз-
ных условиях, поскольку подход «дороже и хуже, чем GPS» дискредитирует
разработчиков и производителей ГЛОНАСС-аппаратуры.
Кроме того, можно предположить, что развитие системы ГЛОНАСС и
рынка НАП в РФ приведет к конкуренции со стороны западных производите-
лей навигационных микросхем, способных быстро наладить выпуск качествен-
ных многосистемных чипов и модулей и поставлять их на российский и миро-
вой рынки. Не стоит сбрасывать со счетов и китайских производителей сверх-
больших интегральных схем (СБИС), хотя из-за отсутствия опыта в этой обла-
сти им будет сложно самостоятельно получить для СБИС качественное систем-
ное навигационное решение. Разумеется, для коммерческого рынка необходима
44
также интеграция навигации с цифровыми картами, телекомом и мультимедиа,
а также качественное конструкторское решение НАП. Однако это особая тема,
которая требует отдельного освещения. Напомним, что американская GPS про-
должает развиваться и что в ближайшие годы должна вступить в действие еще
одна ГНСС – европейская навигационная система Galileo. Можно ожидать, что
уже через три-четыре года на коммерческом рынке НАП появятся гаджеты с
поддержкой обеих систем – GPS и Galileo, которые неизбежно начнут вытес-
нять односистемные GPS- приемники. В этот относительно короткий срок у
России есть шанс мощно и конструктивно сыграть на зарождающемся рынке
многосистемных навигационных устройств. Для успеха необходима поддержка
со стороны высшего руководства страны, что имеет место, а также разработка и
реализация на правительственном уровне целого комплекса мер по системной
поддержке российского инновационного бизнеса, занятого в сфере разработки
и производства навигационного обо-рудования и аппаратуры ГЛОНАСС. В
частности, для облегчения работы российских производителей аппаратуры, ал-
горитмического и программного обеспечения для спутниковой навигации, а
также для стимулирования широкого практического интереса к ГНСС
«ГЛОНАСС» не только в России, но и в мире необходимо:
1. Не отступать от принятого графика развертывания космического сег-
мента ГНСС «ГЛОНАСС», обеспечив работоспособность полной группировки
спутников, и начать вводить систему дифференциальной коррекции и монито-
ринга (СДКМ).
2. Следить за неукоснительным соблюдением государственными предпри-
ятиями и организациями постановления Правительства РФ, предписывающие
оснащать находящиеся на их балансе транспортные средства аппаратурой
спутниковой навигации ГЛОНАСС или ГЛОНАСС/GPS.
3. Организовать проведение государственных тендеров на поставку про-
граммно-аппаратных OEM- модулей для НАП с привлечением исключительно
отечественных производителей, обеспечив равные условия участия в них гос-
предприятий и частных компаний-разработчиков.
4. В целях удешевления себестоимости готовых приемников (OEM- моду-
лей) необходимо снизить пошлины на импорт радиоэлектронных комплектую-
щих для НАП, не производимых в РФ (программируемые логические инте-
гральные микросхемы (ПЛИС), сигнальные процессоры, радиочастотные чипы
и др.).
5. Для стимулирования российских разработок программного обеспечения
(ПО) необходимо ввести режим льготного налогообложения (льготного креди-
тования) для отечественных компаний, разрабатывающих алгоритмы и ПО для
спутниковой навигации, а также снизить налоги (НДС и пр.) на лицензирование
дизайна и продажи НАП.
6. Отменить или снизить ввозные пошлины на оборудование для тестиро-
вания НАП (симуляторы навигационных сигналов и др.), обеспечить предо-
ставление целевых беспроцентных кредитов на покупку дорогостоящей изме-
рительной аппаратуры для стимуляции разработок отечественных навигацион-
ных решений.
45
7. Обеспечить господдержку в виде налоговых льгот или прямого финан-
сирования компаний-разработчиков при патентовании ими оригинальных ре-
шений, закладываемых в НАП. Патентование – дорогостоящий процесс, однако
совершенно необходимый при организации массового производства во избежа-
ние судебных исков от зарубежных компаний-конкурентов, которые всегда
стремятся обеспечить себе максимальную патентную защищенность.
8. Обеспечить господдержку разработкам под заказ комплектующих для
НАП (в частности ПАВ-фильтров и нестандартных высокостабильных генера-
торов для массового рынка НАП).
9. Для обеспечения конкурентного преимущества в производстве навига-
ционной аппаратуры ГЛОНАСС гражданского назначения дать соответствую-
щее поручение Минобороны и другим ответственным ведомствам рассмотреть
вопрос рассекречивания и снятия законодательных запретов на использование
ВТ-кода (кода высокой точности) ГЛОНАСС, что позволит значительно улуч-
шить точностные характеристики навигационных приемников российского
производства, работающих в системе ГЛОНАСС. Несомненно, рынок НАП бу-
дет развиваться в России вместе с совершенствованием ГНСС «ГЛОНАСС» и
развитием микроэлектроники, однако скорость его роста будет зависеть от спо-
собности государства и бизнеса активизировать переход от сырьевой зависимо-
сти к инновационной экономике, основанной на знаниях. Чтобы осуществить
такой переход максимально быстро и успеть занять лидирующие позиции на
отечественном рынке ГЛОНАСС аппаратуры, государству следует позаботить-
ся об улучшении системы подготовки ученых и инженеров в вузах, повышении
престижа инженерной профессии, а также о создании в РФ особой среды для
творческих людей и хайтек-бизнеса, которая способствовала бы сокращению
«утечки мозгов» и привлечению в Россию в условиях мирового финансового
кризиса дополнительных научных и инженерных кадров.
3.5. Перспективы развития цифрового телевидения

Состояние и перспективы развития цифрового телевидиния в российской
федерации рассматриваются в работах [19,20].
Внедрение приемной аппаратуры для цифрового телевизионного вещания
в регионах России московский научно-исследовательский телевизионный ин-
ститут с 1998 г. в рамках рабочей группы Правительственной Комиссии по
развитию телерадиовещания в России принимает активное участие в подготов-
ке к переходу России на цифровое телевизионное вещание. Совместно с Рос-
промом и рядом предприятий отрасли институт выступил с предложениями по
организации разработки и массового производства приемной и передающей ап-
паратуры для цифрового телевещания как одного из приоритетных направле-
ний в развитии информационных технологий. Для внедрения цифрового теле-
видения в России необходимо решить две задачи: перевести передающие сети
на цифровой формат и обеспечить повсеместный прием программ населением.
В переходный период необходимо, чтобы прием цифровых телевизионных
сигналов осуществлялся парком телевизионных приемников, имеющихся у
46
населения. В настоящее время парк телевизоров в России составляет около 75
млн. штук. Обеспеченность населения телевизорами, по данным Росстата, со-
ставляет 144 телевизора на 100 домохозяйств, из них 136 цветных. При внед-
рении цифрового вещания жители России не должны потерять возможность
принимать телепрограммы, которые они получают сегодня в аналоговом фор-
мате.
Возможны три способа приема телевизионных программ, передаваемых в
цифровом формате: помощью цифровых приставок на имеющиеся у населения
аналоговые телевизоры; коллективный прием программ цифрового телевидения
с преобразованием цифровых сигналов на аналоговые, при котором обеспечи-
вается прием программ цифрового вещания на имеющиеся у населения анало-
говые цветные черно-белые телевизоры; а аналого-цифровые и цифровые теле-
визоры. Коллективный прием программ позволит более рационально решить
проблему перехода на цифровое телевидение для промышленно развитых реги-
онов, где процент городского населения составляет свыше 60%. В настоящее
время по техническому заданию Департамента радиоэлектронной промышлен-
ности Министерства промышленности и торговли РФ институтом в коопера-
ции с предприятиями телевизионной отрасли проводятся разработки широкого
модельного ряда инифицированных цифровых приемных устройств, в том
числе с поддержкой формата телевидения высокой четкости. Важно, что боль-
шинство участников разработки одновременно являются заводами-
изготовителями радиоэлектронной аппаратуры. Некоторые образцы приемных
устройств, в основном различные виды цифровых приставок, уже серийно вы-
пускаются некоторыми предприятиями. Полный ряд приемных устройств мо-
жет быть освоен в серийном производстве на отечественных заводах уже в те-
кущем и будущем годах. Производству цифровых приставок полностью готовы
17 ведущих предприятий. Еще ряд предприятий в различных регионах России,
например, в Удмуртской республике, Республике Татарстан, Курской и Ниже-
городских областях выразили готовность провести подготовку производства
для обеспечения выпуска приставок. Это показывает, что предприятия радио-
электронного комплекса в состоянии обеспечит потребности населения России
в цифровых приставках. Четыре предприятия радиоэлектронного комплекса
начали выпуск аналого-цифровых телевизоров последующим переходом на
полностью цифровые модели. Подготовлено серийное производство устройств
коллективного приема цифровых программ. Усилиями Роспрома и Министер-
ства промышленности и торговли РФ созданы объективные предпосылки для
организации массового производства всех видов цифровой приемной аппара-
туры. Отечественная телевизионная промышленность обладает достаточным
потенциалом, чтобы обеспечить в необходимых количествах выпуск приемных
устройств для цифрового ТВ вещания. Согласно проведенным маркетинговым
исследованиям в 2007 г. выпуск телевизоров составил 7,9 млн. штук, из них с
кинескопами – 70%, а с жидкокристаллическими и плазменными плоскими па-
нелями – 30%. В том же году 77% телевизоров, продаваемых на российском
рынке, в том числе под иностранными марками, производились или собирались
в России. Этот показатель непрерывно растет в связи с увеличением объемов
47
выпуска телевизоров в нашей стране, в том числе зарубежными компаниями,
размещающими производство телевизоров в России.
Рис. 3.5. Распределение предприятий изготовителей

телевизионной аппаратуры по регионам РФ
Распределение предприятий изготовителей телевизионной аппаратуры по
регионам РФ представлено на рис. 3.5. Розничная продажа телевизоров в Рос-
сии в стоимостном выражении также постоянно растет и, по оценке Росстата, в
прошлом году составила по всем телевизорам 80,9 млрд. руб. Данные стати-
стики свидетельствуют о масштабности этого рынка. Доля цифровых приставок
и аналого-цифровых телевизоров отечественного производства может занять
60–70% рынка, а аппаратуры коллективного приема, не имеющей зарубежных
аналогов – до 100% . При сравнимом техническом уровне с зарубежными моде-
лями отечественная приемная цифровая аппаратура будет обладать таким пре-
имуществом, как лучшая адаптивность к работе в российских сетях приема и
распространения телепрограмм. Это объясняется тем, что зарубежные фирмы
продвигают на наш рынок типовые модели, разработанные без должного учета
специфики нашего рынка. Разработанная отечественная цифровая приемная
аппаратура испытана как на специализированном стенде МНИТИ, так и в ре-
альных условиях разных регионов России. С 2000 г. специалисты института
участвуют в работах по созданию экспериментальных зон цифрового ТВ веща-
ния. Первая работа проведена в Нижнем Новгороде. В ходе этих испытаний для
приема программы цифрового телевидения использовались как отечественные
аналого-цифровые телевизоры и приставки, так и импортные приставки. Мас-
штабные испытания отечественных цифровых приемных устройств в реальных
условиях с августа по ноябрь 2007 г. были успешно проведены в опытной зоне
48
цифрового вещания в Тверской области. Аналого-цифровые телевизоры и при-
ставки обеспечили высококачественный прием цифровых телевизионных пере-
дач в формате MPEG-4, а также передач телевидения высокой четкости. Уста-
новленная в жилом доме г. Тверь аппаратура коллективного приема цифрового
телевидения до сих пор работает без единого сбоя. Весной 2008 г. приемная ап-
паратура цифрового телевидения была показана на совещании в Министерстве
связи Татарстана. В настоящее время проводятся испытания приемной аппара-
туры в составе опытной зоны цифрового ТВ вещания в г. Зеленодольске, Рес-
публика Татарстан). Проводится также работа с администрацией Курской об-
ласти по подготовке к переходу региона на цифровое вещание. Таким образом,
институт начал работу по внедрению разработанной отечественной приемной
аппаратуры на опытных зонах цифрового ТВ вещания, создающихся в регио-
нах России. Однако отсутствие четкой государственной политики по переходу
на цифровой формат вещания привело сегодня к неуправляемому процессу
внедрения цифрового телевидения в регионах страны. Открыты зоны цифрово-
го ТВ вещания в ряде областей: Курганской, Калужской, Белогородской, где
начало цифрового вещания даже не было согласовано с руководством регио-
нального подразделения ФГУП «РТРС». Вещание в этих зонах ведется в фор-
мате как PEG-2, так и MPEG-4. В основном закупается импортное приемное
оборудование. Так, для Мордовии и Курганской области приставки купили в
Китае. В отсутствии официального решения о том, какой формат цифрового
ТВ будет использован в России - MPEG-4 или PEG-2, эти действия могут при-
вести к разрушению единого информационного пространства страны. При
наших территориальных масштабах ни технически, ни организационно невоз-
можно осуществить единовременный переход на цифровое телевидение в пре-
делах всей страны, как это было сделано, например, в Финляндии Великобри-
тании. В Российской Федерации единственно возможным способом перехода от
аналогового ТВ вещания к цифровому является региональный принцип. Ана-
логично осуществлялся переход на цифровой формат вещания в Германии, ко-
гда области сразу целиком переходили а цифровое вещание, но в разное время,
по мере своей готовности. Следовательно, необходима скорейшая разработка
регионально-временного графика перехода с аналогового на цифровое ТВ ве-
щание. Этот график должен основываться на оценках времени готовности раз-
ных регионов страны такому переходу. Опыт таких стран, как США, Англия,
Чехия и других, говорит о том, что там существует государственная поддержка
приобретения приставок для приема программ цифрового телевидения населе-
нием. В России также необходима государственная социально значимая под-
держка в обеспечении населения регионов приставками и устройствами кол-
лективного приема цифрового телевидения. Необходимо также ускорить при-
нятие стандартов цифрового телевидения ввести требование обязательной сер-
тификации основных технических параметров приемной телевизионной аппа-
ратуры. Должен быть решен вопрос о создании базовых центров сертификации
аппаратуры цифрового телевидения. Один из таких центров может быть создан
на базе Государственного испытательного центра «МНИТИ-Сертифика». Ми-
ровой опыт показывает, что сохранить радиоэлектронную промышленность
49
страны, способную производить на современном уровне как товары массового
спроса, так и специальную аппаратуру, возможно только при развитии произ-
водства технически сложных товаров массового потребления, каковыми и яв-
ляются телевизоры. Если мы упустим возможность организации массового вы-
пуска приемной аппаратуры цифрового телевидения на территории России, то
потеряем громадный рынок и перспективную, самую передовую и динамичную
отрасль промышленности, не говоря уже о потере сотен тысяч рабочих мест в
смежных отраслях производства. А так как технологии цифрового телевидения
являются технологиями двойного применения, то это отрицательно скажется на
информационной безопасности страны. Следует отметить, что на рынке телеви-
зоров происходит перемена потребительских предпочтений, связанных с ак-
тивной рекламой цифрового телевидения. По данным зарубежных исследовате-
лей, продажи жидкокристаллических телевизоров на мировом рынке впервые за
всю историю опередили кинескопные. Их доля в структуре продаж составила
47%, телевизоры с кинескопами занимают 46%, а остальные приходятся на
плазменные и проекционные. В последующие годы можно ожидать постепен-
ного исчезновения радиационных кинескопных телевизоров, которые пока еще
удерживают свою долю рынка за счет сравнительно невысокой цены. В Рос-
сии, как и во всем мире, в последние годы уменьшаются продажи телевизоров с
кинескопами и увеличивается продажи телевизоров с плоскими панелями, осо-
бенно жидкокристаллическими. Этому способствует повышенное качество
изображения на них, существенное снижение цены, а также то, что современ-
ные дисплеи на плоских панелях позволяют воспроизводить телевизионное
изображение высокой четкости. Телевидение высокой четкости (ТВЧ) — это не
отдаленная перспектива. В этом формате уже работают несколько отечествен-
ных спутниковых каналов, а соревнования с Пекинской олимпиады транслиро-
вались в Москве в формате высокой четкости. Институт активно работает в
направлении создания приемной аппаратуры телевидения высокой четкости.
Образцы телевизоров высокой четкости, созданные специалистами института,
демонстрировались на отраслевом совещании Роспрома в декабре 2007 г., на
выставке «ТВЧ Россия-2008», и XII Международном промышленном форуме
«Российский промышленник» в С.-Петербурге. ГТРК планирует осуществить
первые трансляции стереотелевизионного изображения с Зимних Олимпий-
ских игр 2014 г. в Сочи. Институт работает на эту перспективу. Демонстрация
макета устройства, позволяющего воспринимать зрителем стереоизображение
без применения очков, была проведена в институте в начале 2008 г. С учетом
развития в мире наноэлектроники и технологий по наноматериалам проблема
создания аппаратуры для стереотелевидения становится более актуальной.
Применение нанотехнологий в телевизионной аппаратуре особенно перспек-
тивно в силу ее массовости. Практическая цель – улучшение в разы показателей
аппаратуры, таких как: энергопотребление, быстродействие, емкость памяти,
надежность, масса и габариты. Проводятся работы по созданию приемной ап-
паратуры для формирования современной сети цифрового радиовещания в
стандарте DRM. Сеть цифрового радиовещания DRM обеспечивает высокое ка-
чество, повышенную помехозащищенность как для стационарных, так и для
50
мобильных слушателей с возможностью передавать до шести высококаче-
ственных стерео или до 18 монофонических звуковых программ в одном кана-
ле. При этом возможна передача дополнительной видео, графической и тексто-
вой информации, например, новостных лент, котировок акций, ситуаций на до-
рогах, прогноза погоды и другой. Таким образом, в настоящее время научно-
технический потенциал отечественных разработчиков и изготовителей радио-
электронной аппаратуры позволит обеспечить потребности населения россий-
ских регионов в приставках, аналого-цифровых телевизорах и аппаратуре кол-
лективного приема цифрового телевидения. Выполнение плана мероприятий,
позволит занять отечественным производителям приемной телевизионной ап-
паратуры лидирующие позиции на российском рынке.
3.6. Перспективы развития дисплеев и

осветительной техники
По данным Global Industry Analysts Inc., объем мирового рынка общего
освещения оценивается на уровне 40 млрд. долларов, а темпы его роста за по-
следние 3 года составили 4–5%, По прогнозам, к 2016 г. около 30% рынка будет
занято светодиодными осветительными устройствами, см. рис. 3.6.
100%
90%
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016
Светодиодные устройства Флуоресцентные лампы Лампы накаливания и др.
Рис. 3.6. Прогноз состояния мирового рынка общего освещения

(по данным Global Industry Analysts Inc.)
При этом светодиодный сектор рынка состоит из нескольких сегментов.

На диаграммах на рис. 3.7 видна сравнительная динамика сегментации рынка
светодиодов освещения по состоянию на 2007 г. и состоянию, ожидаемому к
2012 г.
51
Сигналы
Мобильные
устройства Дисплеи
Другое Мобильные
44% 20% устройства
16% 44%
7% Освещение 12%
15% Другое
17% Сигналы
1% 12% 12%
Транспорт
Дисплеи Транспорт Освещение
2007 2012
Рис. 3.7. Распределение мирового рынка светодиодов

по областям применения на 2007 и 2012 гг.
Кроме показанного роста сегментов дисплеев и освещения перспективны-

ми являются также некоторые специальные ниши применения светодиодов, та-
кие как проекционное телевидение и подсветка ЖК-дисплеев. Сегмент освеще-
ния на мировом рынке оценивают как наиболее перспективный в ближайшие 5
лет. В 2007 г. рынок светодиодных ламп, используемых в освещении, составил
330 млн. долларов, что соответствует приросту в 60% по отношению к 2006 г. К
2012 г. прогнозируется размер этого сегмента в 1,4 млрд. долларов, т.е. 11%
рынка будут заняты светодиодными источниками освещения (см. рис. 3.8.).
Газоразрядные Лампы накаливания

2%
2%Другое лампы галогеновые
LED
Компактные
7% люминесцентные
лампы Компактные 21%
люминесцентные
21% лампы 19% LED
11%
42% Газоразрядные
1%
5%
лампы
26%
43%
Линейные Лампы накаливания
люминесцентные лампы галогеновые Линейные
люминесцентные лампы
2007 год 2012 год
Рис. 3.8. Доля различных устройств на мировом рынке

общего освещения в 2007 и 2012 гг.
В России, но данным РБК, объем всего рынка светотехники в 2007 г. со-

ставил около 1,7 млрд. долларов. Российский рынок освещения бурно развива-
ется, его прирост в среднем составляет 13%, а в ближайшие 3–5 лет ожидается
на уровне 15%. При этом сегмент, связанный с применением светодиодов, пока
невелик (см. рис. 3.9.), но в дальнейшем будет быстро увеличиваться.
52
0,6%
Накаливания Люминесцентные
25,7%
33,6%
Прочие
13,7%
20,8% Газоразрядные
Накаливания Светодиоды
3,7%
галогенные
Рис. 3.9. Распределения рынка общего освещения в России по типам ламп
На рынке общего освещения выделяются как наиболее крупные рынок

офисных (400 млн. долларов) и подъездных светильников (321 млн. долларов
по прогнозам на 2009–2012 гг.). Также велик рынок, связанный с освещением в
транспортных средствах – в автомобильной промышленности, на железных до-
рогах.
Развитие технологии светодиодов идет по двум направлениям: светодиоды
на неорганических гетероструктурах (LED) и светодиоды на органических ком-
понентах (OLED). Неорганические светодиоды очень динамично развивающая-
ся область, в которой в последние 20 лет было сделано много открытий, и к
настоящему времени достигнута высокая эффективность основанных на этом
принципе устройств. По сравнению с ними органические светодиоды отстают в
развитии, однако у последних есть ряд интересных потребительских свойств,
которые могут оказаться ключевыми в конкуренции с неорганическими свето-
диодами. В частности, они позволяют создавать полупрозрачные гибкие осве-
тительные панели большой площади.
Мировые лидеры в разработке и производстве LED-устройств уже вышли
на высокий уровень световой эффективности. Компания Cree Inc, лидер на этом
рынке, выпускает светодиоды с эффективностью на уровне 100 лм/Вт при токе
350 мА. Светодиоды серии LUXEON фирмы PHILIPS Lumileds имеют эффек-
тивность до 170 лм/Вт при токе 700 мА, устройства других производителей –
50–100 лм/Вт. Эффективность OLED не столь высока: лидеры в данной области
– компании Samsung, OLLA, Novaled – имеют лабораторно подтвержденные
данные по мощности съема энергии 20–50 лм/Вт, хотя теоретический порог для
идеальной структуры намного выше – примерно 360 лм/Вт. Практический же
уровень эффективности таких светодиодов специалистами оценивается на
уровне 230 лм/Вт при яркости 2000 кд/м2 и сроке службы до 100 000 ч. Для
сравнения, эффективность бытовых ламп накаливания варьируется в пределах
12–18 лм/Вт, компактных люминесцентных ламп – 65–100 лм/Вт. Многие ком-
пании, например, OS RAM, планируют начать серийный выпуск ОLЕD-
светильников к 2012 г.
В России, к сожалению, в настоящее время нет производства своих чипов
и гетероструктур на таком уровне энергетической эффективности. Ряд компа-
ний – КБ Автоматики, Corvette Lights, Уральский оптико-механический завод и
53
др. – выпускающих осветительные приборы на неорганических светодиодах,
используют импортируемые структуры и чипы. Изготовлением чипов и свето-
диодов на их основе на уровне малого производства занимается ЗАО «Опто-
ган». Эффективность светодиодов, производимых данной компанией, нахо-
дится на уровне 60 лм/Вт при энергетической эффективности около 15 %. В те-
чение 4 лет компания планирует выйти на уровень энергетической эффективно-
сти до 25 % и общей эффективности до 100 лм/Вт (см. рис. 3.10.).
Эффективность (на неупакованном чипе), % Световая эффективность, лм/Вт
30.0% 120
25.0% 100
20.0% 80
15.0% 60
10.0% 40
5.0% 20
0.0% 0
2008 2009 2010 2011 2012 2008 2009 2010 2011 2012
14.4% 16.6% 18.8% 21.2% 24.3% 49 60 71 84 97
Рис. 3.10. Прогноз разработок LED в России. Характеристики чипов и светодиодов

(ЗАО «Оптоган»)
Технология OLED развивается в РФ медленно, отсутствует не только се-

рийное производство устройств освещения, но и производственная и техноло-
гическая базы. Однако, по словам специалистов, по конструкции и технологи-
ческому исполнению российские LED не уступают зарубежным аналогам, и по-
являются возможности выращивать собственные чипы. В этой области ведутся
интенсивные исследования, связанные с тем, что стоимость импортируемых
чипов достаточно высока, поэтому организация их производства в России поз-
волит снизить стоимость компонент в 5–6 раз. Что касается OLED, ряд сильных
научных команд ведет разработки на стадии R&D, и в перспективе могут быть
разработаны органические светильники большой площади при условии эффек-
тивной поддержки этого направления путем закупки за рубежом технологиче-
ских линий для производства OLED.
В целом, для использования перспектив данной отрасли в России необхо-
дима поддержка разработок по светодиодам государством, развитие техноло-
гической вооруженности предприятий и отечественного производства техноло-
гического оборудования (с использованием импортных комплектующих), вве-
дение стандартов контроля качества и развитие диагностических центров для
сертификации устройств и оценки их характеристик. Создание новых произ-
водств потребует подготовки соответствующих научных, инженерных, техни-
ческих и рабочих кадров. Здесь возможным путем является создание нанотех-
нологических научно-образовательных центров. Их задачей будет обучение об-
ращению с оборудованием – эпитаксиальными установками, системами обес-
печения «чистых комнат», установками структурного и оптического контроля
выращиваемых кристаллов и др. Существует ряд технических проблем, касаю-
щихся производственных методов газофазного химического осаждения металл-
54
органических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ),
изготовления однородных структур на подложках большой площади. Для них
уже видны пути решения, и этими вопросами необходимо заниматься в первую
очередь.
3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных

технологий
Электронные технологии могут получить свою первую апробацию и про-
верку на достаточно емком внутреннем рынке для улучшения комфортности
проживания и ведения бизнеса на территории. С другой стороны, одной из про-
блем развития инновационного бизнеса в России является агрессивность среды
и неоптимизированный характер административных процедур. Именно эти
процедуры непосредственно влияют на инвестиционный климат, рост занято-
сти.
В ежегодном докладе Всемирного банка приводился анализ 155 стран по
десяти областям, характеризующих условия создания нового предприятия,
набор и увольнение сотрудников, выполнение контактов, регистрация соб-
ственности, получение кредита, защита инвесторов, закрытия бизнеса, выплата
налогов, получение лицензий, торговля между странами. Оценивались затраты
времени и финансовых расходов, связанных с выполнением соответствующих
положений законодательных актов. Был сделан вывод о том, что уровень разви-
тия страны обратно пропорционален подобным затратам. Для производителей
из развивающихся стран административно-бюрократическое бремя может ока-
заться более дорогостоящим, нежели торговые квоты и тарифы. Доклад опре-
делил страны мира с наиболее благоприятной средой для ведения бизнеса. В
соответствии с докладом 2006 года, список стран-лидеров по инвестиционному
климату возглавляет Новая Зеландия, затем следуют Сингапур, США, Канада,
Норвегия, Австралия, Гонконг/Китай, Дания, Великобритания, Швеция и т.д. В
этом списке Россия занимает 79 место. В частности для открытия собственного
дела в РФ требуется 33 дня и прохождение 8 бюрократических процедур, в
США на это требуется 5 дней и 5 процедур, в Новой Зеландии – 12 дней и 2
процедуры, в Великобритании 18 дней и 6 процедур, во Франции – 8 дней и 7
процедур, в Германии – 24 дня и 9 процедур.
Решать задачу упрощения процедур необходимо с помощью информаци-
онных технологий. Об этом свидетельствует сопоставление стран лидеров по
инвестиционному климату Всемирного банка и данные по уровню развития
электронного правительства ООН. Рейтинг ООН рассчитывается по образова-
тельному уровню населения, развитию инфраструктуры и информационных
сервисов предоставляемых услуг и информации различных правительственных
сайтов стран мира («электронная готовность), а также по такому параметру, как
«электронное участие», то есть степени открытости государства для взаимодей-
ствия с гражданами через Интернет. Согласно этому исследованию ООН, пер-
вое место занимают США, затем Швеция, Австралия, Дания, Великобритания,
Канада, Норвегия, Швейцария, Германия и Финляндия, Россия не вошла в 25
везущих стран ни по одному из этих показателей, заняв 58-е место в мире по готов-
55
ности и 91-е по открытости. Места в этом рейтинге ООН коррелируют с позициями
в рейтинге «электронной готовности» (e-readiness), составленном английским
журналом The Economist и корпорацией IBM, где первую позицию продолжает
занимать Дания, США – 2 место (2004 г. – 6 позиция), Швейцария – 4 место
(2004 г. – 10 позиция). В первую десятку этого рейтинга входят Дания, США,
Швеция, Швейцария, Великобритания, Гонконг, Финляндия, Нидерланды, Норвегия,
Австралия. Россия в этом рейтинге заняла 52 место из 65 возможных.
Среди базовых услуг электронного правительства для бизнеса выделяются:
регистрация новой компании; подача статистических данных; таможенное деклари-
рование; получение разрешений, связанных с охраной окружающей среды; закупки
для государственных нужд, корпоративные налоги. Всего в этот список входит 20
услуг (12 услуг для граждан и 8 услуг для бизнеса). Внутри архитектуры элек-
тронного правительства «жизненные эпизоды» и «бизнес-ситуации» рассматрива-
ются как точки входа к государственным услугам, интегрированным в едином Ин-
тернет-портале.
Проблемами информатизации органов власти РФ является отсутствие коорди-
нации работ между отраслями, многократное дублирование работ по созданию
однотипных информационных систем и ресурсов (ИСиР), ориентация «вовнутрь»
органов исполнительной власти, а не «вовне» к населению и бизнесу, низкая
эффективность использования созданной инфраструктуры.
Таблица 3.2. Состояние разработок электронных технологий
Велико-
Рейтинг и некоторые Авст- Герма-
США Канада брита- Япония Швеция РФ
позиции из рейтинга ралия ния
ния
1.Инвестиционный
3 4 6 9 10 14 19 79
климат
1.1.Открытие бизнеса 3 1 2 9 81 20 47 31
1.2. Лицензирование 17 21 12 29 5 13 20 143
1.3.Найм и увольнение 6 24 14 15 20 86 131 57
1.4.Регистрация соб-
12 27 34 23 36 8 33 35
ственности
1.5.Получение кредита 15 10 3 1 18 30 5 148
1.6.Защита инвестиций 7 3 26 9 14 95 57 73
1.7.Оплата налогов 30 12 14 81 50 38 54 52
1.8.Экспорт/ импорт 17 13 22 21 12 2 3 67
1.9.Ликвидация бизнеса 17 4 15 10 1 18 30 71
2.Готовность к элек-
1 6 3 5 18 2 9 58
тронному обществу
2.1.Уровень развития
технологической ин-
3 11 7 12 17 1 16 64
фраструктуры
2.2. Электронное уча-
2 3 10 1 23 10 15 100
стие
56
Выполняя лишь презентационные, учетно-справочные и контрольные функции,
но оторванные от процессов управления территорией, внедрение ИСиР является
неэффективным и не может обеспечивать целенаправленного повышения каче-
ства жизни населения, комфортности проживания и ведения бизнеса на терри-
тории. Существующие модели построения ИСиР используются, прежде всего, для
автоматизации отдельных ведомственных функций с помощью создания специа-
лизированных автоматизированных рабочих мест (АРМ). Даже когда отрасле-
вые АРМ устанавливаются в органе исполнительной власти, как правило, вы-
двигаются требования к его автономности, отсутствию какой-либо интеграции с
уже используемыми системами. Такое положение приводит к дублированию
ввода информации, препятствует анализу данных, выработке стратегии развития
территории и принятию оперативных решений. В итоге цифровые базы данных
формируются независимо друг от друга, данные могут быть устаревшими, не-
полными и неоднородными по содержанию и качеству, труднодоступные для
поиска и интегрирования, не документированы регламенты их актуализации. В
результате информационные системы и ресурсы являются лишь дорогостоящи-
ми комплексами, требующими трудоемких усилий на поддержание их актуаль-
ности и обслуживания. Такое положение приводит к отсутствию в российских
региональных органах исполнительной власти действующих информационных
систем, демонстрирующих свою экономическую или управленческую эффек-
тивность. Это проблема, характерная не только для России. Например, по оценке
экспертов, во множестве федеральных агентств США существует большое чис-
ло дублирующих процессов и одинаковых бизнес-функций, которые, как правило,
решают идентичные задачи и обрабатывают одни и те же наборы данных.
Существующая традиционная информационная инфраструктура органи-
заций в течение длительного периода формировалась как множество «ост-
ровков» приложений. Для каждого корпоративного приложения создавался свой
собственный серверный комплекс, состоявший из одного или нескольких серве-
ров и массива для хранения данных. В такой инфраструктуре отсутствует мас-
штабируемость. Нагрузка на приложения постоянно колеблется, в результате
чего, например, один сервер может быть загружен по максимуму, в то время как
другой сервер простаивает, будучи загружен лишь наполовину. Как следствие,
госзаказчики приобретают дополнительные серверы и устройства хранения дан-
ных, чтобы обеспечить достаточную вычислительную мощность на период пи-
ковой нагрузки. В остальные периоды мощности серверов используются далеко
не полностью. Согласно исследованию Giga Research, усредненный показатель
загрузки промышленно используемых серверов составляет 30% (то есть в сред-
нем в течение суток в каждый час серверы используются менее 20 минут). Та-
кое положение касается не только компьютерных платформ, но и конфигуриро-
вания программного обеспечения. Согласно исследованиям Gartner Group, за-
траты на компьютерные платформы (21%), программное обеспечение (24%) и
стоимость труда (затраты на эксплуатацию – 40%) в сумме составляют 85%
бюджета службы ИТ современной организации. Задачей является повышение
эффективности затрат на информационно-коммуникационные технологии.
По рейтингу готовности к информационному обществу на первом месте среди
57
регионов России находится Москва. Однако в результате мониторинга движе-
ния Москвы к информационному обществу (опубликованы в 2004–2005 гг. бы-
ли сделаны следующие выводы. Развитие услуг электронного правительства,
оказываемых органами власти разного уровня и городскими организациями
Москвы, все еще находится на начальном этапе, что определяется в первую оче-
редь недостаточной глубиной реализуемых услуг, а также затруднениями , с ко-
торыми сталкиваются пользователи при поиске и получении услуги даже при ее
наличии. Для большинства услуг обеспечено только так называемое «информа-
ционное присутствие», то есть сведения о наличии услуги, но не оказание услуги
как таковой. Для части услуг дополнительно есть возможность скачать элек-
тронный бланк документа. Население, бизнес и институты гражданского обще-
ства не видят ощутимых и понятных результатов вложений в электронное разви-
тие города.
Как свидетельствует международный опыт и «цикл ожиданий внедрения
технологий» (Gartner Group) одной из главных причин разочарований при
реализации принципов электронного правительства является отсутствие интегра-
ции бизнес-процессов, неспособность работать быстрее и более прозрачно. Гос-
ударственные организации должны работать над созданием фундамента совре-
менного успеха, основанного на построения архитектуры и реорганизации
бизнес-операций.
Важным шагом в ускорении, упрощении и удешевлении для граждан, соб-
ственников и инвесторов процессов подготовки административных актов явилась
повсеместная реорганизация деятельности органов власти и городских организа-
ций по принципу «одного окна». Режим «одного окна», подразумевает исключе-
ние необоснованного привлечения заявителей при подготовке документов, выдава-
емых органами власти и государственными организациями. Этот с одной стороны,
простой по формулировке принцип в своем воплощении, подразумевает серьез-
ные преобразования административных структур, внесение множественных из-
менений в нормативную базу и существенное техническое оснащение органов
власти. Например, Правительствен Москвы в течение 2004–2006 гг. составлен
«Единый реестр документов, выдаваемых органами исполнительной власти, гос-
ударственными учреждениями, государственными унитарными предприятиями
города Москвы и территориальными органами федеральных органов исполни-
тельной власти». В Едином реестре документов насчитывается более 300 видов
документов, для каждого разработана регламентная схема его подготовки (раз-
мещены на caйте www.okno.mos.ru). Однако, как свидетельствуют социологиче-
ские опросы, переход к полнофункциональному режиму «одного окна» не про-
изошел. Большинство пользователей услуг не видят изменений или отмечают
ухудшение процесса взаимодействия с органами власти. По данным мониторинга
2005 г. среди руководителей предприятий таких в полтора раза больше, чем
считающих, что получать документы стало легче, а среди населения, воспользо-
вавшегося режимом «одного окна», 30,5% считают, что ничего не изменилось, а
25%, что получать документы стало труднее и только 44,5% – что это стало лег-
че. По результатам опроса, проведенного через сайт Зеленограда, 20% респон-
дентов отметили необходимость сокращения времени на подготовку документов и
58
25% – сокращение количества обращений в службы «одного окна».
Наиболее сложными процедурами подготовки характеризуются документы в
области градостроительства и управления инвестиционно-строительной дея-
тельностью на территории города. Сложность этих процедур выражается в мно-
гостадийности, большом количестве заинтересованных ведомств и значитель-
ном объеме необходимой информации, которая требуется на бумажном носите-
ле. Длительный, сложный, зацикленный, дорогостоящий процесс согласований яв-
ляется проблемой не только для инвесторов, но и для органов исполнительной
власти. В условиях рыночной экономики, снижение инвестиционной привлека-
тельности территории города, приводит к оттоку частных капиталов в более бла-
гоприятные территории, что снижает доходы бюджета и грозит недостатком
средств на решение задач жизнеобеспечения и развития города. Существенное со-
кращение сроков согласований возможно, во-первых, за счет совершенствования
механизмов градорегулирования и повышения степени готовности города к при-
ходу инвесторов. Основным механизмом повышения степени готовности города
к приходу инвестора является качественная подготовка необходимых админи-
стративных актов, в которых заранее отражены все межведомственные требова-
ния к градостроительным объектам и к условиям реализации инвестиционно-
строительных проектов. Во-вторых, за счет информатизации административной
и производственной деятельности; интеграции информационных ресурсов и си-
стем. В-третьих, это информационно-справочное обесп

Язык

Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

. .

В книге рассматриваются тенденции развития микро- и наноэлектроники,

ISBN 978-5-9765-0174-4 © Издательство «ФЛИНТА», 2012

1.1. Общие сведения

Нанотехнологический подход означает такое же, но целенаправленное, ре-

1.2. Классификация нанообъектов

Рис. 1.2. Наночастицы из атомов аргона

Энергия связи, то есть энергия, затрачиваемая на отрыв отдельного атома

Рис. 1.3. Наночастицы, состоящие из атомов платины

Рис. 1.4. Возможные формы металлических наночастиц

Фуллерены представляют собой полые внутри частицы, образованные

Рис. 1.5. Молекула фуллерена C60

Фуллерены находят широкое применение: в создании новых смазок и ан-

Нанотрубки обладают рядом уникальнейших свойств, благодаря которым

Рис. 1.7. Кластер хлорида натрия

Если ионная наночастица достаточно велика, то ее структура близка к

Рис. 1.8. Фрактальный кластер

Молекулярный кластер кластеры, состоящие из молекул. Большинство

Рис. 1.9. Молекулярный кластер белка

1.3. Наночастицы и наносистемы

1.4. Основные термины индустрии наносистем

2.1. Общие сведения

Рис. 2.1. Ричард Фейман. 1959 г.

Этот манипулятор он предложил делать следующим способом. Необходи-

2.2. Краткая история нанотехнологий

3.2. Закон Мура

Характерный размер элементов, мкм

1010 Квантовая Эра 10-1

1970 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040

Одна чисто теоретическая идея заключается в многократном использова-

3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектрон-

Прогноз развития мирового рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

Рис. 3.2. Прогноз развития рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

3.4. Перспективы развития модульных систем

1970 1980 1990 2000 2010

Рис. 3.3. Полоса пропускания магистральных и коммутируемых компьютерных сетей

Компактные модульные системы типа compact PCI и версии PCI/104 обес-

Рис.3.4. Рост производительности компьютерных систем, HPC и SAN

Россия в начале XXI века отставала по разработкам, производству элек-

3.4.2. Виды модульных систем

3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем

3.4.5. Перспективы развития навигационных систем

3.5. Перспективы развития цифрового телевидения

Рис. 3.5. Распределение предприятий изготовителей

3.6. Перспективы развития дисплеев и

Светодиодные устройства Флуоресцентные лампы Лампы накаливания и др.

Рис. 3.6. Прогноз состояния мирового рынка общего освещения

При этом светодиодный сектор рынка состоит из нескольких сегментов.

Рис. 3.7. Распределение мирового рынка светодиодов

Кроме показанного роста сегментов дисплеев и освещения перспективны-

Газоразрядные Лампы накаливания

2007 год 2012 год

Рис. 3.8. Доля различных устройств на мировом рынке

В России, но данным РБК, объем всего рынка светотехники в 2007 г. со-

Рис. 3.9. Распределения рынка общего освещения в России по типам ламп

На рынке общего освещения выделяются как наиболее крупные рынок

Рис. 3.10. Прогноз разработок LED в России. Характеристики чипов и светодиодов

Технология OLED развивается в РФ медленно, отсутствует не только се-

3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных