Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF
Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF
Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Состояние и перспективы
« »
2012
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
И26
Рецензенты:
доц. МТУСИ Копылов А.М.
доц. НГТУ Серых В.И.
Игнатов . .
26 Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития [
] : чеб. пособие / . . .— .: , 2012. — 360 .
ISBN 978-5-9765-0174-4
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
3
НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ...................................... 95
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии в Российской Федерации .............. 95
4.2. Цель реализации Концепции развития ................................................................................ 96
4.3. Состав и основные направления деятельности национальной и нанотехнологической
сети (ННС) ..................................................................................................................................... 97
4.4. Задачи, решаемые в рамках Концепции .............................................................................. 99
4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО) ......................................................... 100
4.4.2. Научно-образовательная и кадровая основа ................................................................... 100
4.4.3. Информационно-коммуникационная основа .................................................................. 101
4.4.4. Организационная основа................................................................................................... 102
4.4.5. Правовая основа ................................................................................................................. 103
4.5. Программно-целевое развитие наноиндустрии в России ................................................ 103
4.6. Корпорация «РОСНАНОТЕХ»........................................................................................... 105
ГЛАВА 5. ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ НАНОПРОДУКЦИИ И
СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ........................................................................... 109
5.1. Общие сведения ................................................................................................................... 109
5.2. Наноугрозы и риски ............................................................................................................ 110
5.3. Роль наноиндустрии в обеспечении национальной безопасности ................................. 111
5.4. Реализованные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий .................................................................................................................... 112
5.5. Перспективные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий………………............................................................................................114
5.5.1. Проект «Умная пыль» ....................................................................................................... 115
ГЛАВА 6. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ...................................................... 118
ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ .................................................................................. 118
6.1. Общие сведения ................................................................................................................... 118
6.2. Полупроводниковые приборы ............................................................................................ 118
6.3. Персональные компьютеры ................................................................................................ 119
6.4. Электронная промышленность в средствах связи ............................................................ 120
6.5. Современное состояние электронной промышленности ................................................. 120
6.5.1. Мировые лидеры по производству электронной продукции ........................................ 121
6.5.2. Состояние электронной промышленности в России ..................................................... 122
6.5.3. Признаки возрождения электронной промышленности в России ................................ 125
6.5.4. Перспективы развития электронной промышленности в России ................................. 127
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ ............................................................................................ 129
7.1. Общие сведения ................................................................................................................... 129
7.2 Основы кремниевой технологии ......................................................................................... 130
7.2.1. Кристалическое строение и зонная структура полупроводников ................................ 130
7.2.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных приборов ........................... 133
7.2.3. Планарная технология ....................................................................................................... 134
7.2.4. Пленочная и гибридная технология................................................................................. 134
7.2.5. Полупроводниковая технология ...................................................................................... 136
7.2.6. Переход к кремниевой нанотехнологии .......................................................................... 139
7.3. Общие сведения об углеродной нанотехнологии ............................................................. 144
7.4. Основные материалы углеродной нанотехнологии ......................................................... 145
7.4.1. Углеродные нанотрубки ................................................................................................... 145
7.4.2. Фуллерены .......................................................................................................................... 146
7.4.3. Графен ................................................................................................................................. 147
7.5. Продукты углеродной нанотехнологии ............................................................................. 147
7.6. Органические нанотехнологии ........................................................................................... 148
7.6.1. Жидкие кристаллы............................................................................................................. 148
4
7.6.2. OLED технология.. ............................................................................................................ 158
7.6.3. Состояние разработок OLED ............................................................................................ 163
7.7. Квантовая нанотехнология ................................................................................................. 164
7.7.1. Общие сведения ................................................................................................................. 164
7.7.2. Разработки в области квантовых компьютеров .............................................................. 166
7.7.3. Разработки в области квантовой криптографии ............................................................. 176
7.8. Молекулярная нанотенология ............................................................................................ 178
7.8.1. Введение в молекулярную технологию........................................................................... 178
7.8.2. История концепции молекулярной нанотехнологии ..................................................... 182
7.8.3. Оценки ожидаемых параметровмолекулярных наномеханических устройств ........... 183
7.8.4. Стратегии реализации молекулярной нанотехнологии ................................................. 186
7.8.5. Молекулярный транзистор .............................................................................................. 188
7.8.6. Одноэлектронный транзистор .......................................................................................... 189
ГЛАВА 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ
СИСТЕМ………………………………………….………………………………………………191
8.1. Общие сведения ................................................................................................................... 191
8.2. Конденсаторы для наноэлектронных систем .................................................................... 192
8.3. Источники электроэнергии для наноэлектронных систем .............................................. 197
8.3.1. Способы получения электроэнергии ............................................................................... 201
8.3.2. История химических источников тока ............................................................................ 202
8.3.3. Основные типы аккумуляторов для мобильных устройств .......................................... 208
8.3.4. Состояние и перспективы развития производства химических источников тока ...... 210
8.3.5. Тенденции развития сегмента вторичных систем до 2010 года ................................... 215
8.3.6. Производители перспективных типов химических источников................................... 218
8.4. Наноэлектронные транзисторы .......................................................................................... 219
8.4.1. Наноэлектронные транзисторы на основе структур хранения на сапфире ................. 222
8.4.2. Нанотранзисторы с гетеропереходами ............................................................................ 228
8.5. Наноэлектронные переключатели и ячейки памяти ....................................................... 233
8.5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы ....................................................................... 233
8.5.2. Молекулярные переключатели ........................................................................................ 235
8.5.3. Перспективы использования нанотехнологий при изготовлении устройств
хранения информации ....................................................................................................... 237
8.6. Наноэлектронные лазеры .................................................................................................... 239
8.6.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами ....................................... 239
8.6.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами ........................................... 242
8.6.3. Оптические модуляторы ................................................................................................... 249
8.7. Дисплеи и осветительные приборы с использованием наноматериалов ....................... 251
8.7.1. Дисплеи и осветительные приборы на основе нанотрубок ........................................... 251
8.7.2. Перспективы создания дисплеев невидимок .................................................................. 253
8.8. Фотоприемные наноэлектронные устройства и системы ................................................ 254
8.8.1. Фотоприемники на квантовых ямах ................................................................................ 254
8.8.2. Фотоприемники на основе квантовых точек .................................................................. 257
8.9. Устройства и системы хранения информаци .................................................................... 262
8.9.1. Виды запоминающих устройств ...................................................................................... 262
8.9.2. Элементы памяти ............................................................................................................... 264
8.9.3. Фотоприемные ПЗС........................................................................................................... 265
8.9.4. КМОП-фотодиодные СБИС и их применение ............................................................... 267
8.10. Наноэлектронные изделия для компьютерных систем .................................................. 270
8.10.1. Однокристальные системы ............................................................................................. 270
8.10.2. Системы для компьютеров ............................................................................................. 272
8.11. Перспективы разработок квантовых информационных систем ................................... 278
8.12. Наноэлектронные системы для беспроводной связи ..................................................... 284
5
8.13. Перспективы разработок наноэлектронных систем ....................................................... 285
ГЛАВА 9. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ......................................................................... 292
9.1. Общие сведения ................................................................................................................. 292
9.2. Области применения МЭМС и НЭМС .............................................................................. 292
9.3. Состояние и перспективы разработок МЭМС и НЭМС .................................................. 298
ГЛАВА 10. МЕДИЦИНСКИЕ И БИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОПРОДУКЦИИ ..................................................................................................................... 305
10.1. Нанориски – новые угрозы для здоровья и окружающей среды .................................. 305
10.1.1. Новая категория рисков .................................................................................................. 305
10.2. Европейские инициативы в области оценки нанорисков .............................................. 306
10.3. Руководства по безопасному обращению с наночастицами и наноматериалами ....... 307
10.3.1. Стандарт корпорации DuPont для оценки нанорисков ................................................ 310
10.3.2. Стандарты как ответ на угрозы, связанные с нанорисками ........................................ 312
10.4. Рекомендации по исследованию токсичности наночастиц в лабораторных
условиях .............................................................................................................................. 313
10.5. Материалы и оборудование, используемые при определении острой токсичности
наночастиц .......................................................................................................................... 315
10.6. Перспективы разработки медицинских нанороботов .................................................... 318
10.7. Проблемы безопасности.................................................................................................... 321
ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ................................................ 322
11.1. «НаноФаб-100» – платформа для наноэлектроники ...................................................... 322
11.2. Установка эпитаксильного наращивания слоев для индивидуальной обработки
подложек большого диаметра .......................................................................................... 322
11.3. Новейшие разработки НИИ точного машиностроения. Комплект вакуумных
установок для научных исследований и отработки технологических
процессов наноэлектроники. 323
11.4. Новое поколение установок молекулярно–лучевой эпитаксии .................................... 324
11.5. Оборудование для наноструктурного анализа материалов и покрытий ...................... 325
11.6. Нанотехнологический комплекс оборудования NanoEducator ..................................... 326
11.6.1. Устройство и принцип работы ....................................................................................... 327
11.6.2. Конструкция СЗМ NanoEducator.................................................................................... 329
11.6.3. Техническая спецификация прибора ............................................................................. 332
11.6.4. Режимы работы ................................................................................................................ 332
11.6.5. Дополнительные приложения NanoEducator ................................................................ 333
ГЛАВА 12. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» ..... 336
12.1. Материально-техническая база кадровой инфраструктуры наноиндустрии ............. 336
12.1.1. Научно-образовательные центры .................................................................................. 337
12.1.2. Центры коллективного пользования ............................................................................. 340
12.1.3. Кафедры и лаборатории.................................................................................................. 342
12.2. Целевые индикаторы выполнения задач программы развития (по итогам
выполнения программы развития к 2010 г.) .................................................................. 345
12.3. Перечень вузов, ведущих подготовку по специальности «Нанотехнология в
электронике» ...................................................................................................................... 347
Список цитированной литературы ............................................................................................... 348
Перечень принятых сокращений……..……………………………………………………….….358
6
ВВЕДЕНИЕ
Научно-технический прогресс однозначно связан с развитием нанотехно-
логий. Уже с 2003 г. нанотехнологии обеспечивают плавный переход от микро-
электроники к наноэлектронике – основе информационных технологий 21 века.
В 2003 г. элитные вузы Российской Федерации начали подготовку специали-
стов в области нанотехнологий и наноэлектроники.
Тогда было сформулировано новое направление подготовки инженеров
210600 «Нанотехнология». В рамках этого направления выделено две специ-
альности: 210601 «Нанотехнология в электронике» и 210602 «Наноматериалы».
Ведется разработка ГОС ВПО по специальности «Электроника и наноэлектро-
ника». В настоящее время специальность «Нанотехнология в электронике»
предусмотрена в направлении 210400 «Телекоммуникации». Кроме инженер-
ной подготовки ведется подготовка бакалавров и магистров.
Фирмы, внедряющие нанотехнологии, с 2003 г. приступили к серийному
выпуску электронных наноизделий: микропроцессорных интегральных схем
(ИС) с ультравысокой и гигантской степенью интеграции, мобильных систем
нового поколения, широкоформатных дисплеев, цифровой видеотехники и др.
Специалисты, получившие степень бакалавра по направлению 210600
«Нанотехнология» имеют возможность дальнейшего обучения по следующим
направлениям магистратуры:
• 554500 «Нанотехнология»;
• 550700 «Электроника и микроэлектроника»;
• 553100 «Техническая физика»;
• 210601 «Нанотехнология в электронике»;
• 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Подготовке магистров по перспективным направлениям наноэлектроники,
представляющим значительный интерес для работодателей промышленных
предприятий, должна предшествовать подготовка бакалавров.
Перспективность работы в области нанотехнологий и наноэлектроники
обуславливает необходимость создания материально-технических баз кафедр,
реализующих инновационные образовательные программы, создание научно-
учебных лабораторий «Наноэлектроники», «Химии и наноматериалов», учебно-
научных центров «Опто-, микро- и наноэлектроники».
Важной задачей является реализация системной подготовки студентов по
блокам естественно-научных (химия и физика), общепрофессиональных (элек-
троника, оптоэлектроника) и специальных (микросхемотехника, СВЧ-техника,
наноэлектроника) дисциплин.
Обширный справочный материал, обобщающий информацию более двух-
сот научных и учебных публикаций, по мнению автора, будет полезен студен-
там, изучающим курсы «Введение в специальность нанотехнология в электро-
нике», «Электроника», «Наноэлектроника», «Приборы СВЧ и оптического диа-
пазона», «Устройства и системы оптической связи», «Оптоэлектроника и нано-
фотоника». Накопленный опыт постановки указанных дисциплин целесообраз-
но учесть в учебных планах профильной подготовки студентов направления
210400 «Телекоммуникации».
7
В данном учебном пособии приведен анализ состояния и перспектив раз-
вития микро- и наноэлектроники. Автор выражает благодарность Игнатовой
А.С., Полянскому С.В., Ананьеву А.В. за помощь в подготовке книги к изда-
нию.
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ
НАНООБЪЕКТОВ
Размер, нм
б)
Рис. 1.1. Линейные размеры природных объектов
12
Наночастицы металлов обладают большой реакционной способностью и
часто используются в качестве катализаторов. Наночастицы металлов обычно
принимают правильную форму – октаэдра (а), икосаэдра (б), тетрадекаэдра (в),
в соответствии с рис. 1.4.
а) б) в)
13
Рис. 1.6. Молекула однослойной нанотрубки
15
Таблица 1.1. Наноэлектронные частицы и системы
Наночастицы Наносистемы
Фуллерены Кристаллы, растворы
Тубулены Агрегаты, растворы
Молекулы белков Растворы, кристаллы
Полимерные молекулы Золи, гели
Нанокристаллы неорганических ве- Аэрозоли, коллоидные растворы, осад-
ществ ки
Мицеллы Коллоидные растворы
Наноблоки Твердые тела
Пленки Ленгмюра – Блоджета Тела с пленкой на поверхности
Кластеры в газах Аэрозоли
Наночастицы в слоях различных ве-
Наноструктурированные пленки
ществ
22
Закон Мура и сегодня продолжает действовать. В полном соответствии с
ним корпорация Intel продолжает вводить новые технологические процессы
каждые два года.
Рост плотности компонентов в интегральных схемах происходит в соот-
ветствии с законом Мура, что иллюстрирует рис. 3.1. В 2010 г. прогнозируется
технологический скачок – переход от классической эры к квантовой, когда
начнут широко использоваться квантовые вычисления и средства связи. Клас-
сические средства вычисления не смогут обеспечить экспоненциальный рост
вычислительной мощности, что образно называется «стеной Мура» (Moor’s
Wall).
Корпорация Intel в 2005 г. израсходовала 10 млрд. долл. на научно-
исследовательские разработки, модернизацию и расширение своих производ-
ственных мощностей.
В 2006 г. началось производство ИС по технологии 65 нм, в 2007 г. про-
изошел переход на 45 нм процесс, на 2009 г. намечено внедрение 32 нм, в
2011 г. настанет черед технологического процесса 22 нм. Вплоть до 2020 года
будут создаваться транзисторы по современной схеме работы. К тому времени,
однако, размеры всех элементов транзистора достигнут атомарных величин, и
уменьшать их дальше будет просто невозможно. Следовательно, уже сейчас
следует искать новые подходы.
1018 10-3
Число полупроводниковых элементов
106 1
104
102 10
24
тов составит порядка 1000 млрд. долл. США.
Транспорт
(70 млрд. долл.)
Катализаторы
(100 млрд. долл.)
Наноматериалы
(350 млрд. долл.)
Фармацевтика
(180 млрд. долл.)
Наноэлектроника
(350 млрд. долл.)
25
гие ведомства) на основе первых интегральных схем (ИС) по технологии тран-
зисторно-транзисторной логики (ТТЛ) в соответствии с требованиями между-
народных стандартов. В последствии необходимость повышения быстродей-
ствия систем на порядок привели к разработке модульных систем типа
FASTBUS по технологии эмиттерно-связанной лотки (ЭСЛ) и EUROBUS по
технологии транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ) на
основе интегральных схем средней степени интеграции (СИС), которые по-
требляли больше энергии и выделяли больше тепла. Третье поколение модуль-
ных систем создали ученые ведущих фирм США, в частности PCI (Intel) и
VME/VXI (Motorola) на основе собственных больших интегральных схем (БИС)
– микропроцессоров по технологии КМОП с меньшим энергопотреблением и
более высокой частотой работы. Они обеспечили пропускную способность сот-
ни мегабит в секунду и применяются до настоящего времени. Развитие элек-
троники, интерфейсов связи модульных компьютерных систем подробно рас-
смотрено в работе [22], материалы которой приводятся в этой книге. На рис. 3.3
и рис. 3.4. показаны этапы рзвития электронных технологий.
Полоса, Мб/с
Switch Fabric
105
Infiniband
4 SCI MicroTCA
10 AMC ATCA
PCIe,cPCIe
3 cPCIe/PXI
10
FUTUREBUS VME/VXI
2 FASTBUS
10
CAMAC
DW, BHW,SHW
101
26
Операций/с Оптические
компьютеры?
1012
HP
SAN
1010 Star
WS SoC
CDC7600 VAX11
108
Micro
COM
STRECH
6 Встраиваемые
10 микросистемы
IBM PDP11 8080 SBC
701
PDP8 Intel404
4
10
1960 1970 1980 1990 2000 2010
ИС СИС БИС СБИС УБИС
27
тически невозможно. Проблемы дальнейшего роста производительности обра-
ботки данных обусловили создание новых многоядерных и многопроцессорных
архитектур с более быстрыми каналами связи (гигабитными скоростями). Все
больше системных функций реализуется в модулях и кристаллах СБИС.
Дальнейшее увеличение быстродействия систем связано с проблемой уменьше-
ния уровня сигналов, переходом на быстрые последовательные средства со-
пряжения и связи, а так же уменьшением длины соединении (проводников) в
модулях и кристаллах, что отражается в соответствующих технологических
нормах производства СБИС и архитектуре подсистем ввода-вывода, памяти и
процессов обработки данных. Требуются инновационные методы развития си-
стемной архитектуры, сверхбыстрых средств сопряжения и связи для преодо-
ления гигабитной границы полосы частот, а также новые сетевые архитектуры
для создания систем распределенной обработки и управления.
Основные трудности дальнейшего развития производительности компь-
ютерных систем связаны с решением проблем преодоления физических ог-
раничений на повышение частоты работы (увеличением производительности
процессоров), ростом пропускной способности каналов сопряжения и связи.
Дальнейшее ужесточение требований к системам компьютерной автоматизации
и сближение компьютерных и коммуникационных технологий привели к их
полной интеграции. При этом развитие микро- и нанотехнологий обусловлено и
новыми требованиями к конвергентной архитектуре систем и сетей связи,
включая вычислительные комплексы высокой производительности НРС.
Оптимальное согласование параметров и комплексное решение этих проблем
становятся основополагающими для дальнейшего развития эффективных си-
стем компьютерной автоматизации, управляющих систем и вычислительных
комплексов высокой производительности на новой технологической основе.
Имеется две тенденции создания и развития новых конвергентных сетевых тех-
нологий и архитектуры компьютерных модульных систем нового поколения
для автоматизации и промышленности. Первая предусматривает развитие клас-
сических сетевых структур на основе Ethernet с применением традиционных
систем локального управления и созданием нового оборудования с интегриру-
емыми сетевыми интерфейсами быстрого и гигабитного Ethernet (FE и GE).
Вторая связана с развитием новых и перспективных встраиваемых модульных
систем с быстрой коммутируемой средой и созданием модульных компьютер-
ных систем высокой производительности. Таким образом, требуются новые ре-
волюционные методы решения ряда гигапроблем создания модульных систем
нового поколения, в том числе многоядерных процессоров и систем в кристал-
ле с частотой несколько гигагерц, компьютерных модулей с объемом памяти
несколько гигабайт с гигабитными интерфейсами связи и последовательными
методами связи с широкой полосой частот (десятки гигабит в секунду). Это
возможно на основе создания современных отечественных СБИС-структур и
модульных систем высокой производительности для автоматизации сбора и об-
работки сигналов в реальном времени.
Для ликвидации большого технологического разрыва с промышленно раз-
витыми странами в России принята федеральная целевая программа «Нацио-
28
нальная технологическая база», в состав которой входит подпрограмма «Разви-
тие электронной компонентной базы» на период 2007–2011 гг. Минпромэнерго
разработало документ «Стратегия развития электронной промышленности на
2007–2011 годы», одобренный правительством страны.
Большое внимание уделено созданию устойчивых к радиации монолитных
интегральных схем, причем предусматривается снижение (к 2015 г.) доли им-
портных электронных компонентов в специальной аппаратуре до половины.
В открытой печати профессионалы акцентировали внимание на недостат-
ках программы, в частности на отсутствии идеологии развития электронных
систем и приоритетов конкретных направлений, а также исследований в обла-
сти новых и перспективных материалов и перспектив применения модульных
систем для конкретных задач. Успехи могут быть достигнуты при согласован-
ном развитии технологий создания систем в кристалле, перспективных модуль-
ных систем и сетей управления, сбора и обработки данных в реальном времени
(три кита стратегического развития).
Успешное развитие микро- и наноэлектронных технологий позволяют со-
здавать новые микро- и наноархитектуры и модули с более высокой плотно-
стью упаковки вычислительных средств, малым потреблением энергии и более
высокой частотой работы. Так, благодаря технологиям сверхбольших инте-
гральных схем (СБИС) с нормами 0,1 мкм появились однокристальные процес-
соры и одноплатные компьютеры SBC (Single Board Computers). Дальнейшее
освоение нанотехнологий СБИС (90 нм) обеспечило разработку и создание
компактных компьютерных модулей, подсистем ввода-вывода и сетей связи в
виде отдельных модулей; при этом сокращается длина соединений, но возраста-
ет концентрация мощности на единицу объема кристалла.
Концепция нового поколения систем ставит целью создание более гибких
и масштабируемых систем с большой полосой пропускания и масштабируемой
производительностью. Ограничение роста производительности процессора по
частоте и быстродействию сопряжения и связи уже не соответствует требовани-
ям нового поколения систем. На смену параллельным шинам типа PCI/ PXI и
VME/VXI приходят новые последовательные структуры связей. Радиальное со-
пряжение при централизованном управлении типа USB и коммутаторов типа
PCI Express может быть заменено коммутируемыми средами с расширяемой
полосой частот.
Дальнейшее повышение частоты процессора оказалось неэффективным из-
за большого выделения тепла. В связи с переходом от традиционных маги-
стральных систем к новым архитектурам многоядерных процессоров частота
процессора уже не служит показателем его производительности. Дальнейшее
повышение производительности процессоров решается не повышением их ра-
бочей частоты, которая уже подошла к физическим пределам, а переходом на
сетевые архитектуры с коммутируемой средой.
30
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства
СБИС и модульных систем
Процесс создания новых микросхем и модулей систем включает проектирова-
ние быстродействующих кристаллов системных компонент и плат модулей, а
также их производство с учетом перспективных материалов и нанотехнологий.
Комплексный подход к проектированию модулей и систем с помощью описа-
ния схем на языках Verilog и VHDL включает этапы программирования, моде-
лирования и создания печатных плат.
Стоимость создания фотошаблонов для субмикронных технологий сравнима с
затратами на проектирование СБИС, поэтому важно получить схему в кристал-
ле с первой попытки с контролем (верификацией) результата. При переходе к
субмикронным (нано) технологиям геометрические размеры элементов стано-
вятся соизмеримы с длиной волны света, и оборудование фотолитографии не
обеспечивает требуемую точность элементов.
Методы коррекции позволили повысить разрешающую способность обо-
рудования только частично, а дальнейшее увеличения интеграции требует но-
вых материалов, методов и технологий создания СБИС-структур. Для обработ-
ки сигналов используют СБИС сигнальных процессоров (DSP) и создают аппа-
ратную реализацию быстрых алгоритмов обработки сигналов на программиру-
емых логических интегральных схемах (ПЛИС) или на программируемых мат-
рицах ключей (FPGA) в качестве препроцессоров или сопроцессоров для уве-
личения обшей производительности систем. Схемы FPGA используют в тракте
обработки сигналов или для ускорения исполнения алгоритмов на встраивае-
мом процессоре. Гибкая структура FPGA позволяет распараллеливать операции
обработки сигналов, при этом операции, требующие высокого быстродействия
с параллельной обработкой, реализуют на FPGA, а операции программного
управления и последовательной обработки – на DSP. Встроенное микропроцес-
сорное ядро (MicriBlaze, Xilinx) обеспечивает такую реализацию на ПЛИС.
Проектирование систем требует опыта использования языков про-
граммирования VHDL и, Verilog, поэтому были созданы средства авто-
матизации проектирования электроники на системном уровне ESL (Electronic
System Level), облегчающие применение FPGA в цифровых системах обработ-
ки сигналов. Так, фирма Xilinx с партнерами создала средства автоматизации
проектирования приложений, включая преобразование алгоритмов, написанных
на языках C/C++, в аппаратные реализации на FPGA. Пакет AsselDSP Synthesis
аппаратно реализует алгоритмы MATLAB в формате с плавающей запятой, а
пакет System Generator совмещает ESL-модули с ядрами IP.
Система автоматизации проектирования плат определяет характеристики
соединений, симулирует их параметры и распространение сигналов в схеме
(модуль LlineSim). Модели передающих и принимающих узлов выбирают из
библиотеки, при этом можно задать стандартные линии (кабели, полосковую
связь) или указать их параметры (импеданс, частоту передачи), а также опреде-
лить послойную структуру схемы (ширину проводного или изолирующего
слоя). Для гигагерцовых схем (HyperLynxGHz) учитывают потери в проводни-
31
ках и диэлектриках, что важно при переходе от параллельных шин к пос-
ледовательным методам связи. Автоматизация симулирования и проверки схем
требует многих часов логического моделирования, поэтому создают высоко-
производительные системы автоматизации логического моделирования, среди
которых известны система Rivera фирмы Aldec и Calibre фирмы Mentor
Graphics.
Система Riviera поддерживает серверы разных типов и может интег-
рировать в проекте модули, написанные на языках VHDL, Verilg, C/C+, Sys-
temC, SystemVerylog и др. Отлаженные модули можно занести в библиотеку
для использования в других проектах. Существует много С-моделей для стан-
дартных устройств (памяти, процессоров, ввода-вывода). Моделирование вы-
полняют в пакетном режиме, а результаты заносятся в файлы.
Модульная платформа Calibre компании Mentor Graphics предназначена
для комплексной проверки проекта перед производством схем, т.е. от контроля
правил проектирования переходят к физической верификации СБИС на соот-
ветствие топологических данных исходным схемам. Ядро платформы поддер-
живает физическую верификацию до генерации данных фотошаблонов. Базо-
вый модуль (DRC) платформы выполняет контроль правил геометрического
проектирования с учетом субмикронных технологий, модуль (LVS) сравнивает
результаты с исходным описанием схемы, а другой модуль (xRC) определяет
параметры, соединений на уровне транзисторов, вентилей и иерархии блоков.
Модуль визуализации (RVE) обеспечивает анализ результатов в интерактивном
режиме.
Платформа Calibre также включает модули: контроля проектирования гео-
метрии элементов и ограничений фотолитографии ORC (Optical and Process
Rule Checking); оптической коррекции геометрии на основе вычисленных таб-
лиц TDopc (Table-Driven ОРС); моделирования с предсказанием геометрии объ-
ектов топологии в процессе вывода па кремниевую пластину PRINTimage (Sim-
ulated Silicon Print Image); коррекции схем и топологии кристаллов в пакетном
режиме OPCpro (Optical Process Correction for Batch Production); генерирования
данных повышения разрешающей способности за счет сдвига фазы облучения с
помощью специальной маски PSMgate (Phase Shift Mask Assignment for Gates);
игнорирования данных специальных линий для четких изображений OPCsbar
(Scattering Bars) и WORKbench. Анализ топологических данных выполняют в
формате стандартных правил проверки схем (SVRF—Standard Verification Rules
Format).
Семейство программ Calibre DFM позволяет корректировать обнаружен-
ные дефекты с помощью набора программных модулей. Для увеличения произ-
водительности весь процесс проверки схем разбивают на параллельные нити
(Calibre MT) для обработки в многопроцессорных системах. Большинство то-
пологических редакторов (IС Staton от Mentor Graphics, Virtuoso от Cadence,
Appolo/Astro от Synopsys) обеспечивают меню интерактивного управления
(Calibre Interactive).
Качество производства систем в кристалле СБИС зависит от выбора мате-
риала. Выращивание кристаллов кремния сначала выполняли на кремниевых
32
подложках, затем в качестве подложки-изолятора применяли сапфир. Техноло-
гия «кремний на сапфире» позволила создать КНС-структуры с толщиной
кремния 0,6 и 0,3 мкм (1970-е годы) и разработать коммутаторы и микропро-
цессорные наборы (1980-е годы) с акцентом на быстродействие и радиацион-
ную стойкость материала. Плохое совпадение структуры решеток сапфира и
кремния обусловили создание новой технологии «кремний на изолирующей
подложке» (КНИ-структуры), которая обеспечила более высокую интеграцию
схем. После этого было освоено производство биполярных и полевых схем на
арсениде галлия. Так, фирма Freescale Semiconductor продолжает разработки
арсенид-галлиевых транзисторов до настоящего времени, обеспечивая частоту
до 6 ГГц при питании 20 В и выходной мощности 100 Вт, что отвечает требо-
ваниям новых беспроводных сетей WiMAX.
Позже выяснилось, что классические материалы (кремний и арсенид гал-
лия) по своим качествам превосходит другой материал – карбид кремния (SiC),
имеющий более широкую запрещенную зону (больший диапазон температур) и
излучающий во всем диапазоне видимого света, но по ряду параметров уступа-
ющий нитриду галлия и нитриду алюминия. Рассогласование решеток SiC и
GaN меньше, а теплопроводность выше, чем у сапфира. Подложки из карбида
кремния SiC диаметром 100 мм используют для роста карбида кремния или
формирования новых структур (GaN/AIGaN). ФТИ РАН совместно с АОЗТ
«Светлана» впервые (в 2001 г.) создали мощный лавинно-пролетный диод на
основе SiC.
Одним из перспективных материалов является алмаз. Он имеет лучшие
свойства по сочетанию электрофизических параметров (высокая теплопровод-
ность, низкая диэлектрическая проницаемость, высокая радиационная стой-
кость), что важно для экстремальных условий. Размеры природных кристаллов
алмаза малы, а выращивать синтетически чистые монокристаллические струк-
туры трудно и дорого, однако в последнее время начинают исследовать воз-
можности создания перспективных СБИС на таких алмазах. Проблема создания
схем с требуемыми характеристиками на алмазе — это несовершенство матери-
ала (дефекты, примеси). Проблему отвода тепла решают путем синтеза поли-
кристаллических алмазных пленок и пластин толщиной от единиц нанометров
до миллиметров на разных подложках (Si, SiC, A1N). При выращивании алмаз-
ных пленок на подложках кремния («алмаз на кремнии», метод CVD) исполь-
зуют менее дорогие исходные реагенты (метан, водород). Композитная под-
ложка «кремний на полиалмазе» имеет более высокую теплопроводность.
На разработку и создание СБИС нового поколения требуется много време-
ни. Например, программа создания цифровых микросхем военного применения
в США (1987–1995 гг.) включала сначала создание схем на пластинах диамет-
ром 50мм. Стоимость кристалла СБИС на арсениде галлия удалось снизить до
0,1 долл./кв. мм, что сделало целесообразным создание материала подложек и
масок. Первая фаза следующей программы DARPA по созданию схем на основе
новых широкозонных соединений (GaN, SiC) завершилась получением подло-
жек диаметром 75 мм (2004–2005 гг.) с эпитаксиальным выращиванием новых
СБИС структур (AlGaN/GaN). Во второй фазе (2005–2007 гг.) предус-
33
матривалось создание GaN-транзисторов СВЧ диапазона с высоким процентом
выхода годных изделий. В третьей фазе (2008–2009 гг.) готовится технология
производства недорогих структур GaN для применения в различных компонен-
тах.
На примерах этих проектов видно, что от начала освоения новых тех-
нологий до производства СБИС проходит не менее 10–15 лет. Сроки проекта
сокращают за счет подготовки плана внедрения изделий уже в третьей фазе. За-
траты на проектирование каждого нового поколения микросхем удваиваются, а
с переходом на технологические нормы выше 90 нм могут и утроиться. Для со-
кращения стоимости обработки площади кремния увеличили размер диаметра
пластин со 100 мм до 200 мм и 300 мм, что привело к росту объема и качества
производства, повышению уровня автоматизации проектирования, проверки,
изготовления и коэффициента использования оборудования.
Современное производство предусматривает переход с пластин диаметром
200 мм на 300 мм. При этом можно выделить три этапа. На первом этапе
(2001 г.) создавались крупные заводы по производству пластин размером 200
мм для выпуска ДОЗУ и процессоров с технологией 130–140 нм и 110 нм (заво-
ды Intel, Infineon Technology, Texas Instruments, TSMC). Стоимость завода со-
ставляет порядка $2,0 млрд. Второй этап (2003 г.) включал производство ДОЗУ
(90 нм, 14 кремниевых заводов). Третий этап (2005 г.) призван обеспечить осво-
ение новых технологий и производство пластин размером 300 мм (65 нм и вы-
ше).
Компании Infineon Technology, IBM, Samsung и Chartered Semiconductor
первыми перешли на пластины 300 мм, так как на них размешается в 2,5 раза
больше схем. Однако стоимость таких заводов очень высока ($4 млрд.) и не все
компании могут освоить эту технологию. В Китае производят пластины 150 и
200 мм (завод в г. Вукси по производства ДОЗУ и флэш-памяти). Заводы по об-
работке пластин 300 мм построили в Пекине компания SMIC (2004 г.) для изго-
товления ДОЗУ (для Infineon Technology и Elpida Memory) и в Шанхае компа-
ния Grace Semiconductor Manufacturing.
При создании сложных СБИС применяют вакуумное технологическое
оборудование и используют ионно-плазменные процессы для формирования
субмикронных структур. Плазма высокой плотности (на основе ВЧ-разрядов) в
вакуумных установках обеспечивает травление различных материалов с разре-
шением выше 200 нм. Процесс травления материала осуществляют бомбарди-
ровкой поверхности изделий ионами.
Сверхмалые размеры в диэлектрических пленках получают с помощью
электронно-лучевой литографии с последующим травлением на установке во
фторсодержащей плазме, при этом получают канавки шириной 100 нм в плен-
ках толщиной 0,25 мкм, используя невысокую энергию пучка ионов (до 120
эВ).
Технологические нормы с субмикронным разрешением выше 250 нм по-
требовали детального проектирования и производства схем с учетом физиче-
ских параметров (длины и положения соединений, наводки и согласования, пе-
рекосов и запаздывания сигналов). Требуется решение проблем автоматизации
34
логического синтеза и проектирования топологии новых микромодулей высо-
кого быстродействия в области нескольких гигагерц.
Создание электронных печатных плат для модулей, работающих на высо-
ких частотах, осложняется проблемой целостности передаваемых сигналов в
соединениях. Сложность и стоимость реализации соединений в микромодулях
и на платах модулей растут быстрее, чем компактность и мощность устройств
обработки, и входят в число основных проблем создания нового поколения си-
стем. Для удешевления массового производства СБИС создают объединения,
например фирма Crolles 2 Alliance (Франция) объединила Freescale Se-
miconductor, Royal Philips Electronics и STMicroetectronics. Для России це-
лесообразен другой путь – эффективное использование создаваемых технопар-
ков и наукоградов.
Современные технологии компьютерной автоматизации основаны на не-
скольких фундаментальных направлениях широкого развития магистрально-
модульных систем. К ним, в частности, относится развитие:
• встраиваемых отдельных компьютерных модулей различных компактных
форматов, число и разнообразие которых в последнее время быстро возрастало;
• встраиваемых миниатюрных модульных систем семейства РС1/104 с раз-
ными интерфейсами от 8-разрядной архитектуры ISA до 16- и 32- разрядных
шин, при этом модули процессоров и ввода – вывода объединяются в блоки в
виде компактной этажерки;
• модульных систем с шиной PCI, интерфейсные схемы которых огра-
ничены нагрузкой до четырех единиц и поэтому позволяют подключать к про-
цессору не более двух-трех модулей ввода-вывода;
• модульных систем compact (PCI) с увеличенным вдвое числом подключа-
емых модулей расширения;
• модульных систем с шиной VME/VXI с многопроцессорными возмож-
ностями.
Среди модульных систем наиболее компактными являются системы се-
мейства PC/104, эффективные для встраиваемых применений. Большое разно-
образие форматов плат усложняет их выбор и стыковку с другими модульными
системами, что снижает эффективность новых проектов систем автоматизации.
Все модули обеспечены, как правило, несколькими встроенными последова-
тельными интерфейсами USB и Ethernet (быстрым, или гигабитным). Новые
версии модулей поддерживают новые интерфейсы. Например, все модули,
включающие вместо традиционного параллельного интерфейса PCI новый по-
следовательный интерфейс типа PCI Express, дополнительно имеют в своем
наименовании это слово.
Для локального сопряжения периферии используют быстрый последо-
вательный интерфейс USB 2.0, который вытесняет: интерфейсы типа
RS232/485 и находит применение не только для связи компьютера с пе-
риферией, но и для организации небольших иерархических звездообразных
структур сетей на основе хабов для измерительных и управляющих устройств и
подсистем.
В последнее время для распределенных систем автоматизации применяют
35
варианты классических сетей Ethernet с коммутаций сообщений для создания
не только корпоративных сетей, но и для связи приборов и промышленных си-
стем управления [24]. При этом в качестве контроллеров и систем локального
управления используют встраиваемые модульные системы разных типов.
Архитектуру VME широко применяют в промышленности и военных си-
стемах с начала ее создания (1981 г.). Успехи технологии VME позволили раз-
рабатывать надежные и гибкие модульные системы, работающие в реальном
времени, для детерминированного управления оборудованием при медицин-
ских исследованиях (сканеры CAT), в средствах управления на железнодорож-
ном транспорте (в Сингапуре и Польше), а также в системах автоматизации в
промышленности и военном деле. Научные центры Европы и США уже много
лет используют такие системы. Так, в Европейском центре ядерных исследова-
ний (ЦЕРН) число систем VME достигало несколько десятков тысяч (на 2004
г.). Однако по предельным характеристикам скорости передачи они уступают
компактным системам c PCI. С другой стороны, они обеспечивают возмож-
ность многопроцессорной работы с высокой производительностью.
Система в архитектуре c (PCI) ограничена одним ведущим процессором, и
для построения многопроцессорных систем требовались специальные методы и
структурные решения. В настоящее время осуществляется переход от традици-
онных параллельных магистральных систем связи к последовательным комму-
тируемым сетям, т.е. от традиционных PCI к экспресс PCI с централизованным
управлением и затем на перспективную среду сетевой связи типа ASI (Ad-
vanced System Interconnect).
Использование DSP, графических и видеосистем, систем быстрого сбора и
обработки данных от датчиков требует более интенсивных вычислений и обра-
ботки данных. Сетевое обеспечение становится основной частью распределен-
ных систем с большим количеством мощных процессоров (компьютеров). Про-
граммные радиосистемы, радарные установки и средства обработки изобра-
жений с быстрыми интерфейсами связи становятся важными частями новых
информационных вооружений. Все эти высокие требования нельзя удовлетво-
рить традиционными системами VME, и потребовались новые стандарты.
В настоящее время усилия направлены на создание масштабируемых и
компактных модульных систем с широкой полосой пропускания на основе се-
тевых масштабируемых архитектур. В новом поколении систем осуществляется
переход с параллельных на более быстрые последовательные системы сопря-
жения и связи в диапазоне скоростей выше гигабит.
Происходит слияние вычислительных и коммуникационных сетей на ос-
нове новых архитектур и методов. С одной стороны, наблюдается конвергенция
классических локальных сетей в направлении вычислительных и управляющих
систем. Она проявляется в создании и развитии коммутируемых классических
сетей типа гигабитного Ethernet (GE, 10GE, 100GE) для связи приборных си-
стем (вместо интерфейса GPIB), а также для новых промышленных сетей с из-
быточностью для повышения надежности [24].
С другой стороны, создаются новые быстродействующие коммутируемые
вычислительные среды с модульной структурой для встраиваемых и компакт-
36
ных систем на основе сетевых архитектур нового поколения. В результате об-
разуется единая среда связи систем с широкой полосой частот и высокой про-
изводительностью. Для масштабируемых систем рекомендуется использовать
единые компактные модули процессоров и ввода-вывода, устанавливаемые на
несущем модуле, который создает коммутируемую среду первого уровня. Ком-
мутируемая среда второго уровня формируется в каждой секции. На третьем
уровне сетевая коммутация формируется между всеми секциями в стойке и
между несколькими стойками. В качестве компактных модулей могут служить
процессорные модули или устройства ввода-вывода, например, для сбора и об-
работки сигналов и управления на основе DSP. Для создания компактных мо-
дульных систем можно использовать разработки таких же унифицированных
компактных модулей.
Таким образом, появление новых сетевых технологий автоматизации типа
PCIe, Serial RapidlO, Gigabit Ethernet, InfinitiBand, StarFabric и других последо-
вательных коммутируемых фабрик привело к революционным методам постро-
ения новых модульных систем. Новые компактные микросистемы с коммути-
руемой средой на основе единого семейства модулей могут вытеснить совре-
менные модульные системы, так как их унификация и стандартизация позволят
создавать более экономичные и эффективные средства на основе единого се-
мейства компактных модулей для микро- и больших систем. Это позволит ми-
нимизировать затраты на разработки для малых и больших систем на единой
основе. Такие возможности обеспечивают коммутируемая среда типа InfiniBand
и коммутируемые фабрики высокой производительности.
Среди первых разработок новых масштабируемых модульных систем с се-
тевой архитектурой известны такие стандарты как VPX (вместо VMЕ) и стан-
дарт на архитектуры; перспективных модульных систем для серверных класте-
ров (блейд-серверов) и центров данных высокой производительности. В част-
ности, разработана модульная система автоматизации для телекоммуникаций
АТСЛ (Advanced Telecommunication Architecture) с компактными модулями,
разъемами высокой частоты и средствами мониторинга питания и охлаждения.
46
населения. В настоящее время парк телевизоров в России составляет около 75
млн. штук. Обеспеченность населения телевизорами, по данным Росстата, со-
ставляет 144 телевизора на 100 домохозяйств, из них 136 цветных. При внед-
рении цифрового вещания жители России не должны потерять возможность
принимать телепрограммы, которые они получают сегодня в аналоговом фор-
мате.
Возможны три способа приема телевизионных программ, передаваемых в
цифровом формате: помощью цифровых приставок на имеющиеся у населения
аналоговые телевизоры; коллективный прием программ цифрового телевидения
с преобразованием цифровых сигналов на аналоговые, при котором обеспечи-
вается прием программ цифрового вещания на имеющиеся у населения анало-
говые цветные черно-белые телевизоры; а аналого-цифровые и цифровые теле-
визоры. Коллективный прием программ позволит более рационально решить
проблему перехода на цифровое телевидение для промышленно развитых реги-
онов, где процент городского населения составляет свыше 60%. В настоящее
время по техническому заданию Департамента радиоэлектронной промышлен-
ности Министерства промышленности и торговли РФ институтом в коопера-
ции с предприятиями телевизионной отрасли проводятся разработки широкого
модельного ряда инифицированных цифровых приемных устройств, в том
числе с поддержкой формата телевидения высокой четкости. Важно, что боль-
шинство участников разработки одновременно являются заводами-
изготовителями радиоэлектронной аппаратуры. Некоторые образцы приемных
устройств, в основном различные виды цифровых приставок, уже серийно вы-
пускаются некоторыми предприятиями. Полный ряд приемных устройств мо-
жет быть освоен в серийном производстве на отечественных заводах уже в те-
кущем и будущем годах. Производству цифровых приставок полностью готовы
17 ведущих предприятий. Еще ряд предприятий в различных регионах России,
например, в Удмуртской республике, Республике Татарстан, Курской и Ниже-
городских областях выразили готовность провести подготовку производства
для обеспечения выпуска приставок. Это показывает, что предприятия радио-
электронного комплекса в состоянии обеспечит потребности населения России
в цифровых приставках. Четыре предприятия радиоэлектронного комплекса
начали выпуск аналого-цифровых телевизоров последующим переходом на
полностью цифровые модели. Подготовлено серийное производство устройств
коллективного приема цифровых программ. Усилиями Роспрома и Министер-
ства промышленности и торговли РФ созданы объективные предпосылки для
организации массового производства всех видов цифровой приемной аппара-
туры. Отечественная телевизионная промышленность обладает достаточным
потенциалом, чтобы обеспечить в необходимых количествах выпуск приемных
устройств для цифрового ТВ вещания. Согласно проведенным маркетинговым
исследованиям в 2007 г. выпуск телевизоров составил 7,9 млн. штук, из них с
кинескопами – 70%, а с жидкокристаллическими и плазменными плоскими па-
нелями – 30%. В том же году 77% телевизоров, продаваемых на российском
рынке, в том числе под иностранными марками, производились или собирались
в России. Этот показатель непрерывно растет в связи с увеличением объемов
47
выпуска телевизоров в нашей стране, в том числе зарубежными компаниями,
размещающими производство телевизоров в России.
48
цифрового вещания в Тверской области. Аналого-цифровые телевизоры и при-
ставки обеспечили высококачественный прием цифровых телевизионных пере-
дач в формате MPEG-4, а также передач телевидения высокой четкости. Уста-
новленная в жилом доме г. Тверь аппаратура коллективного приема цифрового
телевидения до сих пор работает без единого сбоя. Весной 2008 г. приемная ап-
паратура цифрового телевидения была показана на совещании в Министерстве
связи Татарстана. В настоящее время проводятся испытания приемной аппара-
туры в составе опытной зоны цифрового ТВ вещания в г. Зеленодольске, Рес-
публика Татарстан). Проводится также работа с администрацией Курской об-
ласти по подготовке к переходу региона на цифровое вещание. Таким образом,
институт начал работу по внедрению разработанной отечественной приемной
аппаратуры на опытных зонах цифрового ТВ вещания, создающихся в регио-
нах России. Однако отсутствие четкой государственной политики по переходу
на цифровой формат вещания привело сегодня к неуправляемому процессу
внедрения цифрового телевидения в регионах страны. Открыты зоны цифрово-
го ТВ вещания в ряде областей: Курганской, Калужской, Белогородской, где
начало цифрового вещания даже не было согласовано с руководством регио-
нального подразделения ФГУП «РТРС». Вещание в этих зонах ведется в фор-
мате как PEG-2, так и MPEG-4. В основном закупается импортное приемное
оборудование. Так, для Мордовии и Курганской области приставки купили в
Китае. В отсутствии официального решения о том, какой формат цифрового
ТВ будет использован в России - MPEG-4 или PEG-2, эти действия могут при-
вести к разрушению единого информационного пространства страны. При
наших территориальных масштабах ни технически, ни организационно невоз-
можно осуществить единовременный переход на цифровое телевидение в пре-
делах всей страны, как это было сделано, например, в Финляндии Великобри-
тании. В Российской Федерации единственно возможным способом перехода от
аналогового ТВ вещания к цифровому является региональный принцип. Ана-
логично осуществлялся переход на цифровой формат вещания в Германии, ко-
гда области сразу целиком переходили а цифровое вещание, но в разное время,
по мере своей готовности. Следовательно, необходима скорейшая разработка
регионально-временного графика перехода с аналогового на цифровое ТВ ве-
щание. Этот график должен основываться на оценках времени готовности раз-
ных регионов страны такому переходу. Опыт таких стран, как США, Англия,
Чехия и других, говорит о том, что там существует государственная поддержка
приобретения приставок для приема программ цифрового телевидения населе-
нием. В России также необходима государственная социально значимая под-
держка в обеспечении населения регионов приставками и устройствами кол-
лективного приема цифрового телевидения. Необходимо также ускорить при-
нятие стандартов цифрового телевидения ввести требование обязательной сер-
тификации основных технических параметров приемной телевизионной аппа-
ратуры. Должен быть решен вопрос о создании базовых центров сертификации
аппаратуры цифрового телевидения. Один из таких центров может быть создан
на базе Государственного испытательного центра «МНИТИ-Сертифика». Ми-
ровой опыт показывает, что сохранить радиоэлектронную промышленность
49
страны, способную производить на современном уровне как товары массового
спроса, так и специальную аппаратуру, возможно только при развитии произ-
водства технически сложных товаров массового потребления, каковыми и яв-
ляются телевизоры. Если мы упустим возможность организации массового вы-
пуска приемной аппаратуры цифрового телевидения на территории России, то
потеряем громадный рынок и перспективную, самую передовую и динамичную
отрасль промышленности, не говоря уже о потере сотен тысяч рабочих мест в
смежных отраслях производства. А так как технологии цифрового телевидения
являются технологиями двойного применения, то это отрицательно скажется на
информационной безопасности страны. Следует отметить, что на рынке телеви-
зоров происходит перемена потребительских предпочтений, связанных с ак-
тивной рекламой цифрового телевидения. По данным зарубежных исследовате-
лей, продажи жидкокристаллических телевизоров на мировом рынке впервые за
всю историю опередили кинескопные. Их доля в структуре продаж составила
47%, телевизоры с кинескопами занимают 46%, а остальные приходятся на
плазменные и проекционные. В последующие годы можно ожидать постепен-
ного исчезновения радиационных кинескопных телевизоров, которые пока еще
удерживают свою долю рынка за счет сравнительно невысокой цены. В Рос-
сии, как и во всем мире, в последние годы уменьшаются продажи телевизоров с
кинескопами и увеличивается продажи телевизоров с плоскими панелями, осо-
бенно жидкокристаллическими. Этому способствует повышенное качество
изображения на них, существенное снижение цены, а также то, что современ-
ные дисплеи на плоских панелях позволяют воспроизводить телевизионное
изображение высокой четкости. Телевидение высокой четкости (ТВЧ) — это не
отдаленная перспектива. В этом формате уже работают несколько отечествен-
ных спутниковых каналов, а соревнования с Пекинской олимпиады транслиро-
вались в Москве в формате высокой четкости. Институт активно работает в
направлении создания приемной аппаратуры телевидения высокой четкости.
Образцы телевизоров высокой четкости, созданные специалистами института,
демонстрировались на отраслевом совещании Роспрома в декабре 2007 г., на
выставке «ТВЧ Россия-2008», и XII Международном промышленном форуме
«Российский промышленник» в С.-Петербурге. ГТРК планирует осуществить
первые трансляции стереотелевизионного изображения с Зимних Олимпий-
ских игр 2014 г. в Сочи. Институт работает на эту перспективу. Демонстрация
макета устройства, позволяющего воспринимать зрителем стереоизображение
без применения очков, была проведена в институте в начале 2008 г. С учетом
развития в мире наноэлектроники и технологий по наноматериалам проблема
создания аппаратуры для стереотелевидения становится более актуальной.
Применение нанотехнологий в телевизионной аппаратуре особенно перспек-
тивно в силу ее массовости. Практическая цель – улучшение в разы показателей
аппаратуры, таких как: энергопотребление, быстродействие, емкость памяти,
надежность, масса и габариты. Проводятся работы по созданию приемной ап-
паратуры для формирования современной сети цифрового радиовещания в
стандарте DRM. Сеть цифрового радиовещания DRM обеспечивает высокое ка-
чество, повышенную помехозащищенность как для стационарных, так и для
50
мобильных слушателей с возможностью передавать до шести высококаче-
ственных стерео или до 18 монофонических звуковых программ в одном кана-
ле. При этом возможна передача дополнительной видео, графической и тексто-
вой информации, например, новостных лент, котировок акций, ситуаций на до-
рогах, прогноза погоды и другой. Таким образом, в настоящее время научно-
технический потенциал отечественных разработчиков и изготовителей радио-
электронной аппаратуры позволит обеспечить потребности населения россий-
ских регионов в приставках, аналого-цифровых телевизорах и аппаратуре кол-
лективного приема цифрового телевидения. Выполнение плана мероприятий,
позволит занять отечественным производителям приемной телевизионной ап-
паратуры лидирующие позиции на российском рынке.
100%
90%
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016
51
Сигналы
Мобильные
устройства Дисплеи
Другое Мобильные
44% 20% устройства
16% 44%
7% Освещение 12%
15% Другое
17% Сигналы
1% 12% 12%
Транспорт
Дисплеи Транспорт Освещение
2007 2012
52
0,6%
Накаливания Люминесцентные
25,7%
33,6%
Прочие
13,7%
20,8% Газоразрядные
Накаливания Светодиоды
3,7%
галогенные
53
др. – выпускающих осветительные приборы на неорганических светодиодах,
используют импортируемые структуры и чипы. Изготовлением чипов и свето-
диодов на их основе на уровне малого производства занимается ЗАО «Опто-
ган». Эффективность светодиодов, производимых данной компанией, нахо-
дится на уровне 60 лм/Вт при энергетической эффективности около 15 %. В те-
чение 4 лет компания планирует выйти на уровень энергетической эффективно-
сти до 25 % и общей эффективности до 100 лм/Вт (см. рис. 3.10.).
Эффективность (на неупакованном чипе), % Световая эффективность, лм/Вт
30.0% 120
25.0% 100
20.0% 80
15.0% 60
10.0% 40
5.0% 20
0.0% 0
2008 2009 2010 2011 2012 2008 2009 2010 2011 2012
14.4% 16.6% 18.8% 21.2% 24.3% 49 60 71 84 97
54
органических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ),
изготовления однородных структур на подложках большой площади. Для них
уже видны пути решения, и этими вопросами необходимо заниматься в первую
очередь.
56
Выполняя лишь презентационные, учетно-справочные и контрольные функции,
но оторванные от процессов управления территорией, внедрение ИСиР является
неэффективным и не может обеспечивать целенаправленного повышения каче-
ства жизни населения, комфортности проживания и ведения бизнеса на терри-
тории. Существующие модели построения ИСиР используются, прежде всего, для
автоматизации отдельных ведомственных функций с помощью создания специа-
лизированных автоматизированных рабочих мест (АРМ). Даже когда отрасле-
вые АРМ устанавливаются в органе исполнительной власти, как правило, вы-
двигаются требования к его автономности, отсутствию какой-либо интеграции с
уже используемыми системами. Такое положение приводит к дублированию
ввода информации, препятствует анализу данных, выработке стратегии развития
территории и принятию оперативных решений. В итоге цифровые базы данных
формируются независимо друг от друга, данные могут быть устаревшими, не-
полными и неоднородными по содержанию и качеству, труднодоступные для
поиска и интегрирования, не документированы регламенты их актуализации. В
результате информационные системы и ресурсы являются лишь дорогостоящи-
ми комплексами, требующими трудоемких усилий на поддержание их актуаль-
ности и обслуживания. Такое положение приводит к отсутствию в российских
региональных органах исполнительной власти действующих информационных
систем, демонстрирующих свою экономическую или управленческую эффек-
тивность. Это проблема, характерная не только для России. Например, по оценке
экспертов, во множестве федеральных агентств США существует большое чис-
ло дублирующих процессов и одинаковых бизнес-функций, которые, как правило,
решают идентичные задачи и обрабатывают одни и те же наборы данных.
Существующая традиционная информационная инфраструктура органи-
заций в течение длительного периода формировалась как множество «ост-
ровков» приложений. Для каждого корпоративного приложения создавался свой
собственный серверный комплекс, состоявший из одного или нескольких серве-
ров и массива для хранения данных. В такой инфраструктуре отсутствует мас-
штабируемость. Нагрузка на приложения постоянно колеблется, в результате
чего, например, один сервер может быть загружен по максимуму, в то время как
другой сервер простаивает, будучи загружен лишь наполовину. Как следствие,
госзаказчики приобретают дополнительные серверы и устройства хранения дан-
ных, чтобы обеспечить достаточную вычислительную мощность на период пи-
ковой нагрузки. В остальные периоды мощности серверов используются далеко
не полностью. Согласно исследованию Giga Research, усредненный показатель
загрузки промышленно используемых серверов составляет 30% (то есть в сред-
нем в течение суток в каждый час серверы используются менее 20 минут). Та-
кое положение касается не только компьютерных платформ, но и конфигуриро-
вания программного обеспечения. Согласно исследованиям Gartner Group, за-
траты на компьютерные платформы (21%), программное обеспечение (24%) и
стоимость труда (затраты на эксплуатацию – 40%) в сумме составляют 85%
бюджета службы ИТ современной организации. Задачей является повышение
эффективности затрат на информационно-коммуникационные технологии.
По рейтингу готовности к информационному обществу на первом месте среди
57
регионов России находится Москва. Однако в результате мониторинга движе-
ния Москвы к информационному обществу (опубликованы в 2004–2005 гг. бы-
ли сделаны следующие выводы. Развитие услуг электронного правительства,
оказываемых органами власти разного уровня и городскими организациями
Москвы, все еще находится на начальном этапе, что определяется в первую оче-
редь недостаточной глубиной реализуемых услуг, а также затруднениями , с ко-
торыми сталкиваются пользователи при поиске и получении услуги даже при ее
наличии. Для большинства услуг обеспечено только так называемое «информа-
ционное присутствие», то есть сведения о наличии услуги, но не оказание услуги
как таковой. Для части услуг дополнительно есть возможность скачать элек-
тронный бланк документа. Население, бизнес и институты гражданского обще-
ства не видят ощутимых и понятных результатов вложений в электронное разви-
тие города.
Как свидетельствует международный опыт и «цикл ожиданий внедрения
технологий» (Gartner Group) одной из главных причин разочарований при
реализации принципов электронного правительства является отсутствие интегра-
ции бизнес-процессов, неспособность работать быстрее и более прозрачно. Гос-
ударственные организации должны работать над созданием фундамента совре-
менного успеха, основанного на построения архитектуры и реорганизации
бизнес-операций.
Важным шагом в ускорении, упрощении и удешевлении для граждан, соб-
ственников и инвесторов процессов подготовки административных актов явилась
повсеместная реорганизация деятельности органов власти и городских организа-
ций по принципу «одного окна». Режим «одного окна», подразумевает исключе-
ние необоснованного привлечения заявителей при подготовке документов, выдава-
емых органами власти и государственными организациями. Этот с одной стороны,
простой по формулировке принцип в своем воплощении, подразумевает серьез-
ные преобразования административных структур, внесение множественных из-
менений в нормативную базу и существенное техническое оснащение органов
власти. Например, Правительствен Москвы в течение 2004–2006 гг. составлен
«Единый реестр документов, выдаваемых органами исполнительной власти, гос-
ударственными учреждениями, государственными унитарными предприятиями
города Москвы и территориальными органами федеральных органов исполни-
тельной власти». В Едином реестре документов насчитывается более 300 видов
документов, для каждого разработана регламентная схема его подготовки (раз-
мещены на caйте www.okno.mos.ru). Однако, как свидетельствуют социологиче-
ские опросы, переход к полнофункциональному режиму «одного окна» не про-
изошел. Большинство пользователей услуг не видят изменений или отмечают
ухудшение процесса взаимодействия с органами власти. По данным мониторинга
2005 г. среди руководителей предприятий таких в полтора раза больше, чем
считающих, что получать документы стало легче, а среди населения, воспользо-
вавшегося режимом «одного окна», 30,5% считают, что ничего не изменилось, а
25%, что получать документы стало труднее и только 44,5% – что это стало лег-
че. По результатам опроса, проведенного через сайт Зеленограда, 20% респон-
дентов отметили необходимость сокращения времени на подготовку документов и
58
25% – сокращение количества обращений в службы «одного окна».
Наиболее сложными процедурами подготовки характеризуются документы в
области градостроительства и управления инвестиционно-строительной дея-
тельностью на территории города. Сложность этих процедур выражается в мно-
гостадийности, большом количестве заинтересованных ведомств и значитель-
ном объеме необходимой информации, которая требуется на бумажном носите-
ле. Длительный, сложный, зацикленный, дорогостоящий процесс согласований яв-
ляется проблемой не только для инвесторов, но и для органов исполнительной
власти. В условиях рыночной экономики, снижение инвестиционной привлека-
тельности территории города, приводит к оттоку частных капиталов в более бла-
гоприятные территории, что снижает доходы бюджета и грозит недостатком
средств на решение задач жизнеобеспечения и развития города. Существенное со-
кращение сроков согласований возможно, во-первых, за счет совершенствования
механизмов градорегулирования и повышения степени готовности города к при-
ходу инвесторов. Основным механизмом повышения степени готовности города
к приходу инвестора является качественная подготовка необходимых админи-
стративных актов, в которых заранее отражены все межведомственные требова-
ния к градостроительным объектам и к условиям реализации инвестиционно-
строительных проектов. Во-вторых, за счет информатизации административной
и производственной деятельности; интеграции информационных ресурсов и си-
стем. В-третьих, это информационно-справочное обеспечение управления инве-
стиционно-строительным процессом, включающее централизованные хранилища и
витрины данных. При этом необходимо решишь прежде всего вопрос минимиза-
ции финансирования затрат на создание и последующую эксплуатацию всех
этих систем. Также необходимо гарантировать, что внедряемые или существу-
ющие в настоящее время технологии будут в состоянии на должном уровне
поддерживать потребности будущих бизнес-моделей и целей.
Архитектурный
80%
60% Функциональный
40%
Логический/Физический
20%
Тестирование
0%
1990 2000 2010
61
Таким образом, данная структура реализует сквозной маршрут проектирова-
ния и производства СБИС.
Первый уровень (см. рис. 3.12.) – Базовые Дизайн-Центры системного уров-
ня. Они должны обеспечивать аппаратно-программное математическое моде-
лирование и верификацию проекта СБИС на системном уровне, с последующей
отработкой прототипа и функциональной верификации будущей СБИС на базе
FPGA и специальных аппаратно-программных платформах. Создание подоб-
ных Центров поднимет на качественно новый уровень проектирования аппара-
турные предприятия, подготовив их к непосредственному участию в процессе
проектирования необходимых для их аппаратуры специализированных СБИС.
Примером подобного Базового Центра системного уровня можно назвать
ВНИИС.
Второй уровень (см. рис. 3.12.) – Центры Проектирования кристаллов.
Включают как Центры проектирования СБИС при полупроводниковых пред-
приятиях, так и самостоятельные Центры (без технологии и производства).
Данные Центры используют созданные аппаратурными предприятиями си-
стемные модели СБИС на языках высокого уровня (VHDL.Verilog) для автома-
тизированного синтеза и оптимизации схемотехники и топологии специализи-
рованных СБИС и формируют заказ на изготовление образцов ЭКБ в «кремни-
евых мастерских» (именно по такому алгоритму взаимодействия ВНИИС и
НИИМА «Прогресс» совместно разработали комплект специализированных
СБИС по технологии 0,35 мкм для изделия «Акведук-К»).
Третий уровень (см. рис. 3.12.) – «кремниевые мастерские» со своими ди-
зайн-центрами (отечественные и зарубежные). Эти дизайн-центры изготавли-
вают микросхемы по документации Центров Проектирования кристаллов и
проводят испытания изготовленных микросхем.
Основные научно-технические и организационные задачи по формирова-
нию инфраструктуры проектирования «система на кристалле»:
– определение состава и организация на основе единых программно-
технических средств САПР функционирования Базовых Центров Проектирова-
ния всех уровней по основным направлениям техники;
– создание единой межотраслевой распределенной САПР СБИС и аппара-
туры с единой информационной средой отечественных и зарубежных микро- и
макроблоков и единым мощным координирующим Межотраслевым Центром
Проектирования систем на кристалле;
– создание методологии проектирования СБИС типа «система на кристал-
ле» на основе использования отечественных и зарубежных СФ-блоков, алго-
ритмически ориентированных аппаратно-программных платформ, новых мето-
дов тестирования и верификации;
– разработка нормативной документации по маршрутам проектирования
СБИС, порядку разработки и передачи СФ-блоков и библиотек элементов, вза-
имодействию предприятий 3-уровневой инфраструктуры;
– создание отраслевого и межотраслевого фонда СФ-блоков;
62
Базовые Дизайн-Центры системного уровня
Росавиа-
РАСУ Минатом Россудо- Другие
Космос
ВНИИС НИИИС Строение БДЦ
РНИИКП
Межотраслевой центр
Проектирования Другие
НТЦ НПЦ СБИС типа Soc Центры
МИЭТ МИФИ НИИЭТ «Ангстрем-М» «Микрон»
«Модуль» «Элвис» НИИМА «Прогресс» Проектир
.
развития электронной
Федеральный фонд
Центр Ф/Ш
НИИСИ Юг-Вост. Европа,
«Ангстрем-М» «Микрон» НЗПП «Светлана» НИИИС «Ангстрем
РАН Азия США
2М»
Отечественные Зарубежные
63
Сервер САПР систем, РЭА и СБИС Сервер САПР систем, РЭА и СБИС
Центров проектирования региона А Центров проектирования региона В
Сервер САПР систем, РЭА и СБИС Сервер САПР систем, РЭА и СБИС
Центров проектирования региона С Центров проектирования региона D
64
3.9. Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого
производства
Опыт наиболее развитых стран, достигнувших успехов в усилении своей
конкурентоспособности, показывает, что конкурентные преимущества дости-
гаются и удерживаются путем борьбы за инновационность в производстве, ак-
центируясь на актуальных для производства областях знаний. Инновацион-
ность производства трансформируется в политику формирования конкуренто-
способных кластеров, вошедшую в национальные прогаммы экономического
развития многих стран. Развитость кластеров коррелирует с конкурентоспособ-
ностью компании, уровнем производительности труда и заработной платы, а
также уровнем качества жизни в целом.
Кластер является сетевой структурой с особенностью географической ло-
кализации, при которой предприятия, входящие в основную технологическую
цепочку создания добавленной стоимости, связаны общими экономическими
интересами и определенной корпоративной культурой взаимодействия, допол-
няет друг друга с целью усиления конкурентных преимуществ и взаимодей-
ствует с поставщиками, потребителями, научными, образовательными и обще-
ственными организациями, посредством обмена товарами, технологиями, ин-
формацией, услугами и т.д. (рис. 3.14.). Кластерная политика, основанная на
инновациях, опирается на эффективное взаимодействие промышленных пред-
приятий, предприятий малого и среднего безнеса, организаций науки и образо-
вания с непосредственным участием ситемы государственной поддержки, что
приводит к конкурентоспособности предприятий на глобальном рынке.
Лидирующие
компании-
экспортеры
Поставщики
комплектующих и услуг
(мелкие и среднии
компании)
Социально-экономическая
инфраструктура
(организации, обеспечивающие
финансовыми, кадровыми
ресурсами, инфраструктурой)
65
спроса. Поэтому реализацию алгоритма формирования техниковнедренческой
зоны (ТВ3) предлагается начать с поиска емких рынков сбыта. Для этого рас-
ставленные на федеральном уровне приоритеты, программы и проекты анали-
зируются с точки зрения их реализации в ТВ3. Для достижения максимального
эффекта деятельности ТВ3 в экономике страны применяются междисципли-
нарный подход, выявляются новые рынки, анализируются возможности техно-
логий (военное, гражданское и двойное назначение). Благодаря такому подходу
также объединяются усилия федеральных, региональных и местных органов
исполнительной власти, бизнеса в сфере предвидения в инновационных обла-
стях.
По результатам проведенного исследования национальных проектов в
каждом из них находят применение информационно-коммуникационные тех-
нологии, нанотехнологии и наноматериалы (см. таблицу 3.3).
Таблица 3.3. Анализ национальных проектов с точки зрения
применения результатов деятельности ТВЗ
Националь- Информационно-коммуникационные Нанотехнологии
ный проект технологии и наноматериалы
Эффективное Реализация электронных административ- Нанотехнологии для
государство ных регламентов и принципа «одного ок- защиты ценных бу-
на» маг, удостоверение
личности
Современное Телемедицина Лекарственные
государство Дистанционная подготовка врачей и ком- нанопрепараты, ум-
пьютерные тренажеры ные имплантанты,
Удаленная регистратура, система хране- высокоразрешаю-
ния медицинских данных щие средства меди-
Консультации и семинары ведущими цинской диагности-
специалистами по телемосту, в чатах, с ки, включая моле-
трансляцией показания диагностических кулярную радиоло-
приборов и т.д. гию
Автоматизированный сбор и объединение
клинических и генетических данных о па-
циенте, данных научно-лабораторных ис-
следований, информации об окружающей
среде
Обработка медицинских изображений и
сигналов
Моделирование патологических процес-
сов, экспертные и интеллектуальные ме-
дицинские диагностические системы, ба-
зы знаний
Компьютерные технологии и алгоритмы
функциональной диагностики и прогноза
заболеваний, выбор критериев стандарти-
зации лечебных процедур, оценка риска
распространения заболеваний и т.д.
66
Продолжение таблицы 3.3
Качественное Электронный дневник Обучающие систе-
образование Электронные лаборатории и моделиро- мы с элементами
вание виртуальной реаль-
Чиповая «карта учащегося» ности
Дистанционное обучение, в т.ч. инвали-
дов
Электронные библиотеки и т.д.
Электронное репетиторство и др.
Доступное Энерго-, ресурсосбережение Наносенсоры и
комфортное Системы обеспечения безопасности нанодатчики для си-
жилье (видионаблюдение, сигнализация, био- стемы очистки жид-
метрические системы контроля и пр.) ких и газовых сред,
Дистанционное управление инженерны- новые улучшенные
ми системами («умный» дом, сад и пр.) материалы с помо-
Широкополосное телевидение щью нанотехноло-
Автоматизированное управление датчи- гий (самоочищаю-
ками щиеся стекла и по-
Диспетчеризация электрооборудования и лы, жиростойкая
других систем краска и пр.), нано-
системная техника
для мониторинга и
защиты окружаю-
щей среды
Эффективное Информационное обслуживание кре- Конструирование
сельское стьянского населения (сайты, центры биодеградируемых
хозяйство общественного доступа, мобильные удобрений и средств
группы и пр.) защиты от насеко-
Системы макроэкономического регули- мых в растениевод-
рования и прогнозирования сельхозпро- стве; генетическая
изводства инженерия сельско-
Автоматизированные логические систе- хозяйственных рас-
мы сбыта сельхозпродукции (электрон- тений и животных,
ные биржы и пр.) доставка определен-
Автоматизированные системы монито- ных генов и лекар-
ринга и управления ростом животных ственных препара-
Технологии точного сельского хозяйства тов к клеткам и по-
(управление процессами роста растений, раженным тканям
управление сельскохозяйственной тех- животных, изучение
никой, выравнивание полей через GPS и молекулярных ме-
ГИС, дистанционные бортовые датчики ханизмов устойчи-
для мониторинга урожайности, влажно- вости растений к
сти и пр.) нарушению солевых
балансов и засухе
Развитие ин- Телекоммуникационная инфраструктура Наноматериалы для
фраструктуры Технологии triple play и др. преобразования и
хранения энергии
67
Алгоритм формирования кластеров должен обеспечивать полный цикл со-
провождения инновации от идей до международного маркетинга, соответство-
вать всем элементам существования эффективной коммерческой организации –
от подготовки кадров, устойчивости финансового обеспечения, производствен-
ной инфраструктуры до элементов комплекса маркетинга, в том числе между-
народного. Как показал анализ, наиболее значимыми факторами, влияющими
на формирование эффективного наукоемкого кластера являются инвестицион-
ные, кадровые, производственные, управленческие, инновационные, инфра-
структурные и конкурентные.
С учетом данных факторов, для достижения поставленных целей и задач
ТВЗ оптимальной является система, основанная на четырех методических бло-
ках. Выделенные блоки соответствуют необходимым системам формирования
наукоемких кластеров, устойчивого кадрового обеспечения, ин-
фраструктурного обеспечения в режиме «одного окна», интеграции в междуна-
родное разделение труда и глобальные инновационные процессы. В результате
реализации методики формируется сбалансированная для целей развития
наукоемкого бизнеса инфраструктура ТВЗ.
Кластер должен объединить участников на долгосрочной основе в рамках
единой неразрывной технологической цепочки, интеграционных и технологи-
ческих взаимосвязей, в которых участники – поставщики и потребители услуг
друг друга. Для снижения издержек и экономии ресурсов на основе дробления
функций и бизнес-процессов экономически целесообразен аутсорсинг вспомо-
гательных производств по контрактам подрядчикам, в том числе из других ре-
гионов и стран. При этом кластер - это гибкая и динамичная структура в ре-
зультате непрерывных процессов формирования, развития и распада, адаптации
к меняющимся требованиям рыночной среды, появлению новых производств,
расширению ассортимента продукции, инновационности производств.
75
Обработка сетей такого размера требует использования эффективного про-
граммного обеспечения и современных баз данных.
В программах Форсайта дорожные карты могут использоваться также при
разработке сценариев и служить в качестве своего рода карты, отображающей
причинно-следственные связи, а также представлять общую структуру сцена-
рия. Если заданы вероятностные оценки путей, соединяющих узлы, они могут
быть использованы для прогнозирования этапов, которые предстоит достиг-
нуть, и для оценки всего пути к цели. Участки между узлами могут служить для
задания времени между последующими этапами; это дает возможность оценить
временные характеристики исследуемой системы.
Ведущим разработчиком и пользователем этого метода применительно к
технологиям были Национальные лаборатории Сандия, входящие в состав Де-
партамента энергетики США. Они описывают три различных типа технологи-
ческих дорожных карт:
1) дорожные карты развития продукта (продуктовые дорожные карты), ко-
торые показывают необходимые шаги для доведения продукта до намеченного
состояния;
2) дорожные карты развития новой технологии (технологические дорожные
карты), которые показывают, как отдельная технология эволюционирует и ка-
кие ресурсы могут быть или должны быть задействованы для ускорения или
изменения хода ее развития;
3) проблемно-ориентированные дорожные карты, в которых технология
описывается как один из многих этапов, связанных с решением или возникно-
вением проблемы.
Дорожные карты подразделяются на два вида: дорожные карты, ориенти-
рованные на продвижение научных результатов по стадиям инновационного
цикла, и дорожные карты поиска технологий для решения уже выявленных
проблем. Дорожные карты «продвижения» обычно используются исследова-
тельскими лабораториями, разрабатывающими и продвигающими свои про-
граммы исследований, в то время как дорожные карты «поиска» могут быть
использованы для определения кратчайшего пути достижения цели или разра-
ботки продукта (технологий). Дорожные карты также подразделяются на карты
научных исследований и технологические дорожные карты. Хотя известен
опыт разработки карт научных исследований, большинство разработанных к
настоящему времени карт относятся к технологическим дорожным картам.
Чем отличаются карты научных исследований от технологических дорож-
ных карт? Ничем, если речь идет о целевых исследованиях, как и в случае с
технологическими дорожными картами, вопрос ставится так: «какие шаги при-
ведут к достижению выбранной цели наиболее эффективным образом?» Но ес-
ли конкретная цель научных исследований не сформулирована, вопрос звучит
иначе: «как может развиваться данное научное направление?» И это вопрос бо-
лее сложный.
Поскольку дорожная карта представляет собой сетевой график с взаимо-
связанными узлами, необходимо рассмотреть, что представляют собой узлы и
связи – линии, соединяющие различные узлы. Каждый узел – определенная ве-
76
ха на разрабатываемой карте. Это может быть узел, имеющий количественную
характеристику (например, цитируемый документ или патент, на который ссы-
лаются последующие патенты), или он может быть охарактеризован качествен-
но с помощью экспертных оценок (например, будущая технология на опреде-
ленном уровне реализации). Линии, соединяющие узлы, – «дороги» на «карте»
– также могут нести информацию. В случае с количественно определенными
узлами линии могут представлять собой количество цитирований одного узла
другим или число патентных ссылок. Если мы имеем дело с субъективными
оценками экспертов, линии могут демонстрировать связи между технологиями:
например, вектор развития технологий, показывающий, что для достижения
определенной технологии необходимо иметь в своем распоряжении другую.
Каждой линии может быть приписано значение, показывающее ожидаемое
время, затрачиваемое на перемещение от одного узла до другого. Или же линии
могут нести информацию об оценках вероятности, что одно достижение (узел)
приведет к другому.
Итак, обычно процесс построения дорожных карт достаточно субъектив-
ный, и для сбора оценок экспертов, которые, в конечном счете, составят суть
«карты», могут быть использованы различные методы.
Способами сбора экспертной информации могут быть семинары, посвя-
щенные определению узловых точек и путей, персональные интервью, а также
метод Дельфи или производные от этого методы. Независимо от используемых
методов сбора экспертных оценок, они должны включать такие этапы, как
определение узлов, структуру взаимосвязей и характеристики путей между уз-
лами, включая, например, запаздывание, затраты, неопределенности и т.п.
Эксперты указывают, что дорожная карта должна отражать следующие
вопросы:
1. «Знать – зачем» – зачем разрабатываются новые технологии или новая
продукция, какова ниша рынка, которую они должны занять. Определение
ключевых сегментов рынка, конкурентов и партнеров. Выбор стратегического
направления.
2. Что должно быть сделано для разработки карт – структурирование обла-
сти. Какие характеристики/свойства наиболее важны? Формулировка долго-
срочных целей.
3. Какие исследования и разработки должны быть выполнены, т.е. должны
быть определены конкретные элементы, узлы дорожной карты.
4. Определение необходимых ресурсов и объемов инвестиций. Отбор
наиболее приоритетных проектов. Выявление и мониторинг областей риска.
Слабые стороны этого метода заключаются в необходимости проведения
углубленной экспертизы и сложности разработки карт. Качество дорожных
карт предопределяется уровнем знаний его разработчиков. Что касается слож-
ности разработки карт, то большинство изучаемых объектов, в конечном счете,
оказываются фрактальными, т.е. чем детальнее анализ, тем больше открывается
деталей, требующих изучения. Если речь идет о фундаментальных исследова-
ниях или быстро развивающихся технологиях, то определение узлов оказывает-
ся достаточно сложной задачей, поскольку среди узлов неизбежно окажутся
77
еще не сделанные открытия. И, наконец, уже сформировавшиеся тенденции мо-
гут оказаться превалирующими. В этом случае дорожная карта будет представ-
лять собой не что иное, как экстраполяцию тенденций.
78
дорожных карт развития нанотехнологий, следует упомянуть «Технологиче-
скую дорожную карту для производственных наносистем».
Дорожная карта, представленная в октябре 2007 г., является одним из
наиболее крупных последних проектов Института Форсайта в области нанотех-
нологий (Foresight Nanotech Institut), входящего в число ведущих американских
центров в области стратегического прогнозирования. Проект реализован при
поддержке фонда Waitt Family Foundation, Sun Microsystems, а также Nanorex,
Zyvex Labs и Synchrona.
Дорожная карта рассматривает вопросы развития технологий с атомной
точностью (Atomically precise technologies, APT) и охватывает временной гори-
зонт в 30 лет. Она представляет собой наглядный план действий по созданию
атомарно-позиционных производственных технологий.
Дорожная карта показывает, что указанную цель можно достичь путем
стимулирования международного сотрудничества, сконцентрировав усилия на
двух стратегиях, которые могут иметь значительный долгосрочный эффект –
разработка атомарно-прецизионных технологий по производству «чистой»
энергии и созданию экономически эффективной энергетической инфраструкту-
ры, а также разработка атомарно-прецизионных технологий по производству
новых нанолекарств и функциональных терапевтических и диагностических
устройств.
Примером использования метода дорожных карт для формирования госу-
дарственной научно-технической политики является «Дорожная карта научных
исследований в области нанотехнологий», разработанная в Новой Зеландии при
поддержке Министерства исследований, науки и технологий. Стратегия в обла-
сти нанотехнологий и нанонауки, изложенная в этом документе, рассчитана на
период от 5 до 10 лет. По замыслу разработчиков, она будет способствовать
решению общегосударственных задач, связанных с обеспечением устойчивого
экономическим путем повышения производительности, увеличения объемов
производства, а также явится стимулом для устойчивого развития экономики и
повышения общественного благосостояния.
Для достижения этих целей планируется, что в период до 2010 г. инвести-
ции в сферу нанотехнологии должны направляться преимущественно на под-
держку фундаментальных исследований, которые создают базы для дальней-
ших разработок. В среднесрочном периоде (до 2015 г.) вложения следует ори-
ентировать на те сферы, которые способствуют повышению прибыльности су-
ществующих отраслей промышленности. В долгосрочной перспективе большая
часть инвестиций должна быть направлена на поддержку проектов, которые
связаны с новыми областями применения нанотехнологий.
Исследование выявило следующие перспективные направления развития
наноиндустрии: нанотехнологии для энергетики, бионанотехнологии, нанотех-
нологии в стекловолоконной оптике, наноэлектроника и нанооборудование, на-
но- и микроструйная техника, наноматериалы для промышленности.
Ключевыми областями применения нанотехнологий в промышленности
являются отрасли, связанные с электроникой, информационными и коммуника-
ционными технологиями, медициной, производством вооружений и др. Отме-
79
чен растущий интерес к использованию нанотехнологий в таких отраслях, как
пищевая, текстильная промышленность, агропромышленный комплекс.
По мнению разработчиков документа, применение нанотехнологий в про-
мышленности позволит достичь следующих результатов: увеличение произво-
дительности и создание новых отраслей, увеличение объемов производства,
прогресс в сфере медицины, улучшение экологической обстановки.
В документе подчеркивается, что большинство проводимых исследований,
связанных с нанотехнологиями, относятся к категории фундаментальных, они
не ориентированы напрямую на потребности конкретных отраслей и рынков.
Результаты исследовательских проектов могут быть в большей степени ком-
мерциализированы за рубежом, чем на территории страны.
83
Продолжение таблицы 3.4
ОПК 101,7
Темпы роста производства продукции
гражданского назначения в сопостави-
мых ценах
РЭП 107,3
ОПК 105,8
Удельный вес продукции специального
назначения в общем объеме промышлен- 66,4
ного производства
В 2008 г. объемы производства промышленной продукции предприятий
РЭП выросли на 11,7% по сравнению с 2007 г. Выпуск специальной продукции
вырос на 14,1%, продукция специального назначения составила около 66,4%
всего промышленного производства. Объем выпуска продукции гражданского
назначения вырос только на 7,3%.
Объем производства научно-технической продукции вырос на 22% по
сравнению с прошлым годом, в том числе объем продукции специального
назначения вырос на 24,4%, а гражданского назначения – на 9,3%. Удельный
вес научно-технической продукции специального назначения в общем объеме
НТП составляет 85,4%. Объем проводимых НИОКР вырос на 22,1%.
Показатели последних месяцев 2008 г. производственно-хозяйственной и
научно-технической деятельности предприятий РЭП оказали негативное влия-
ние на финансовые результаты деятельности радиоэлектронной промышленно-
сти. Общий объем прибыли, полученной предприятиями РЭП в 2008 г., соста-
вил почти 13,8 млрд. руб. и вырос на 11,5% по сравнению с прошлым годом,
хотя в середине года прогнозировалась большая величина.
Дебиторская и кредиторская задолженности значительно возросли. Дебитор-
ская задолженность в 2008 г. составила 62,3 млрд. руб. и выросла по сравнению
с 2007 годом на 22,9%. Кредиторская задолженность в 2008 г. составила
90,9 млрд. руб. и выросла на 27,8% по сравнению с 2007 г.
Среднегодовая численность работников РЭП в 2008 г. составила 295,2 тыс.
человек и сократилась на 1,4% по сравнению с 2007 г., в том числе в промыш-
ленности 204,4 тыс. человек (сокращение на 1,6%), в науке – 90,8 тыс. человек
(сокращение на 1,0%).
Возросла выработка товарной продукции: в промышленности она состави-
ла 550,0 тыс. руб. на 1 работающего, а в науке – 847,0 тыс. руб., но наши до-
стижения уступают аналогичным данным ОПК.
Средняя заработная плата по РЭП составила 16,0 тыс. руб. и выросла на
25,3% по сравнению с 2007 годом, в промышленности 13,7 тыс. руб. (рост на
26,3%), в научной сфере средняя заработная плата составила около 21,3 тыс.
руб. (рост на 23,6%).
85
НПП «Исток» г. Фрязино, Московск. обл.);
– базовая технология получения радиационно-стойких кристаллов (ОАО
«БЗТХИ» г. Богородицк-4, Тульской обл.);
– базовые технологии для создания нового поколения магнитоэлектронных
приборов СВЧ диапазона (ОАО НИИ «Феррит-Домен» г. Санкт-Петербург);
– технология изготовления для интегральных сборок пленочных СВЧ рези-
сторов (ОАО НПО «ЭРКОН» г.Нижний Новгород).
В рамках Федеральной целевой программы «Глобальная навигационная си-
стема» по подпрограмме «Разработка и подготовка производства навигацион-
ного оборудования и аппаратуры для гражданских потребителей» в 2008 г. из-
готовлены и прошли предварительные испытания опытные образцы СБИС од-
ночастотного мультисистемного приемовычислительного модуля 2-го поколе-
ния навигационно-временного приемника ГЛОНАСС. Разработаны и изготов-
лены типовые рабочие места для серийного изготовления и испытаний навига-
ционной аппаратуры потребителей (НАП).
В сентябре 2008 г. была проведена корректировка ФЦП «Глобальная нави-
гационная система» предусматривающая выполнение большинства мероприя-
тий, направленных на обеспечение серийного производства навигационной ап-
паратуры потребителей исключительно за счет внебюджетных источников, что
может привести к снижению темпов разработки отечественной специализиро-
ванной ЭКБ и НАП.
По ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии РФ» на 2008–2010 гг.
ФГУП «НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина» осуществлена модерниза-
ция инженерных систем, обеспечивающих синхротрон «Зеленоград».
На устойчивую работу выведена инжекционная часть синхротрона в соста-
ве линейного ускорителя, малого накопителя, электронно-оптических кана-
лов с ускорением пучка элементов с энергией 450 МЭВ и накопленным то-
ком 70 МА и транспортировкой пучка до впуска в большой накопитель. На
75% выполнен монтаж электронно-физического оборудования большого нако-
пителя. По научно-техническим программам Союзного государства выполня-
лись следующие работы:
1) «Разработка унифицированного мобильного многофункционального ком-
плекса внешнетраекторных измерений двойного назначения на базе специаль-
ных оптоэлектронных систем и сверхвысокочастотных элементов», шифр
«Траектория»;
2) «Современные технологии и оборудование для производства новых поли-
мерных и композиционных материалов, химических волокон и нитей на 2008–
2011 гг.», шифр «Композит»;
3) «Разработка и создание нового поколения функциональных элементов и
изделий СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросенсорики для радиоэлек-
тронных систем и аппаратуры специального и двойного назначения» шифр
«Функциональная СВЧ-электроника-2».
В 2009 г. начнет действовать новая ФЦП «Разработка, восстановление и
организация производства стратегических, дефицитных и импортозамещающих
материалов и малотоннажной химии», одним из администраторов расходов ко-
86
торой является Департамент РЭП.
1000
800
600
400
200
1800
Всего > 4 млрд. руб., 108 объектов
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
15,4% 29,9%
Прерыватели, разъединители,
переключатели
8,2%
7,2% 19,5%
Электроприборы бытовые
5,4% 5%
Приборы полупроводниковые
Аппаратура и приборы контрольно-
89
3.12.6. Политика РЭП на отечественных рынках
Завоевание сфер влияния в новых развивающихся объемных секторах оте-
чественного рынка радиоэлектронной техники – одно из направлений политики
РЭП на внутреннем рынке. Особый акцент делается на те секторы рынка, где
превалируют интересы государства, а именно:
– в создании и производстве техники цифрового телевидения;
– в создании и производстве средств радиочастотной идентификации;
– в создании и производстве широкополосных средств связи;
– в реализации ряда крупных проектов Единой системы организации воз-
душного движения (ЕС ОрВД) и по организации воздушного движения с ис-
пользованием спутниковых систем связи, навигации и наблюдения (CNS/АТМ
ИКАО);
– в реализации работ по модернизации авиационной техники и др.
Значительным шагом по завоеванию российскими производителями сфер
влияния в создании и производстве отечественной техники цифрового телеви-
дения явилось образование в ноябре 2008 г. по инициативе Минпромторга РФ
Ассоциации разработчиков и производителей аппаратуры для цифрового теле-
радиовещания («АРПАТ»), в которую вошли ведущие российские научно-
исследовательские институты: ЗАО «МНИТИ», ФГУП «НИИТ» и ФГУП
«НИИР», а также производители передающей и приемной аппаратуры для циф-
рового телерадиовещания. Образованная членами Ассоциации «АРПАТ» науч-
но-производственная кооперация позволила предложить комплексное решение
организации «под ключ» зон цифрового вещания на основе отечественного
оборудования.
Ассоциация «АРПАТ» стала коллективным членом «Цифрового альянса»
России, объединяющего ведущие российские телевизионные и вещательные
компании. Основной задачей «Цифрового альянса» является разработка пред-
ложений по организации в России массового производства конкурентоспособ-
ного приемо-передающего оборудования для цифрового телевидения.
90
приятий и организаций которых предпочитают приобретать схожие товары в
ближнем зарубежье. Необходима и активизация деятельности местных органов
власти по продвижению продукции предприятий РЭП, как и всего ОПК, на ре-
гиональные рынки, оказание содействия муниципальным предприятиям и орга-
низациям в переориентации на продукцию, производимую отечественными
предприятиями.
В условиях финансово-экономического кризиса Правительством Россий-
ской Федерации в 2008 г. был предпринят ряд мер, направленных на оказание
государственной поддержки предприятиям и организациям различных отраслей
промышленности. В 2008 г. по представлению Департамента радиоэлектронной
промышленности на комиссии под руководством А.Г. Силуанова были рас-
смотрены 5 предприятий и организаций отрасли, в том числе ОАО «Концерн
«Вега», ОАО «Концерн «Созвездие», ОАО «Ангстрем», ОАО «НИИ молеку-
лярной электроники и завод «Микрон» и ФГУП «НПП «Исток».
В 2008 г. Правительством был утвержден федеральный перечень, в кото-
рый вошли 295 системообразующих предприятий страны. Департаментом ра-
диоэлектронной промышленности был сформирован раздел «Радиоэлектронная
промышленность» перечня системообразующих стратегических организаций
оборонно-промышленного комплекса, находящихся в сфере деятельности
Минпромторга России. В указанный раздел вошло 36 предприятий и организа-
ций отрасли. Критериями для отнесения указанных предприятий и организаций
к системообразующим явились экономическая и социальная значимость пред-
приятий, их экспортный потенциал (заключенные контракты на 2009 г.), а так-
же их градообразующее значение для региона.
Включение организации в указанный перечень не является гарантией фи-
нансовой поддержки. Главная задача работы с такими организациями – под-
держание их устойчивости.
Для обеспечения постоянного мониторинга финансово-экономической и
социальной ситуации указанных предприятий в Минпромторге России создана
отраслевая рабочая группа, которая по итогам мониторинга принимает либо
план по оздоровлению организации, либо решение о продолжении мониторин-
га.
В 2008 году прошло 11 заседаний Рабочей группы по реализации мер по
предупреждению банкротства стратегических предприятий и организаций. В
частности, ОАО ОМПО «Радиозавод им. А.С. Попова» (РЕЛЕРО) предоставле-
на субсидия в размере 299 млн. руб., четыре предприятия планируется допол-
нительно рассмотреть на предмет предоставления субсидии в размере порядка
1 млрд. руб.
19 марта 2009 года на заседании Правительства утверждена новая про-
грамма антикризисных мер, где большое место заняли вопросы усиления соци-
альной защиты населения, обеспечение гарантий социальной и медицинской
помощи, государственная поддержка сферы занятости и предприятий оборон-
но-промышленного комплекса. Для поддержки предприятий будут использова-
ны такие инструменты, как дополнительная капитализация, прямая господ-
держка, госгарантии по кредитам.
91
Кроме того необходимо расширение участия предприятий РЭП в реализа-
ции региональных программ социально-экономического развития – это может
стать дополнительным источником заказов.
В сфере ведения Департамента радиоэлектронной промышленности нахо-
дится 372 организации, включенные в Сводный реестр организаций оборонно-
промышленного комплекса, в том числе: 98 федеральных государственных
унитарных предприятий (ФГУП), 253 открытых акционерных общества (ОАО),
из них 135 открытых акционерных обществ с государственным участием и 118
без государственного участия, 21 иная и прочая организации (ЗАО, ООО и др.),
а также 1 учреждение (ФГУ), не входящее в Сводный реестр.
Основные направления реструктуризации РЭП поддерживались програм-
мно-целевым подходом в рамках федеральной целевой программы «Развитие
оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007–
2011 гг. и на период до 2015 г.». В настоящее время в отрасли действуют четы-
ре крупные интегрированные структуры, построенные по принципу холдинго-
вых компаний и объединяющие 118 организаций. Это – ОАО «Концерн «ПВО
«Алмаз-Антей», ОАО «Концерн радиостроения «Вега», ОАО «Концерн «Со-
звездие» и ОАО «Российская электроника».
В соответствии с планом-графиком создания в 2007–2008 гг. интегриро-
ванных структур в оборонно-промышленном комплексе в 2008 г. завершена
разработка системных проектов по созданию интегрированных структур «Си-
стемы управления» и «Концерн «Автоматика» и расширению интегрированных
структур «Концерн радиостроения «Вега» и «Концерн «Созвездие».
Состоялся Указ Президента Российской Федерации по расширению инте-
грированной структуры «Концерн радиостроения «Вега». Материалы по созда-
нию интегрированных структур «Системы управления», «Концерн «Автомати-
ка» и расширению интегрированной структуры «Концерн «Созвездие» прохо-
дят согласование с заинтересованными органами федеральной исполнительной
власти.
Распоряжением Правительства Российской Федерации от 10 января
2009 г. № 14-р ФГУП «НПП «Полет» г. Нижний Новгород присвоен статус фе-
дерального научно-производственного центра.
В прошедшем году была создана Государственная корпорация «Ростехно-
логии», при формировании ее уставного капитала предусмотрена передача в
качестве имущественного взноса Российской Федерации государственных па-
кетов акций акционерных обществ и федеральных государственных унитарных
предприятий, в том числе и целого ряда организаций РЭП в количестве 140
предприятий.
Моложе 30 лет
23%
40-50 лет 32%
50-60 лет
93
– осуществление адресной реконструкции и технического перевооружения
предприятий, обеспечивающих выполнение Государственной программы во-
оружений;
– введение системы заключения долгосрочных (не менее 3 лет) контрактов
на выполнение ГОЗ;
– создание системы беспроцентного кредитования предприятий ОПК, вы-
полняющих задания ГОЗ;
– обеспечение устойчивого финансирования научных исследований и разра-
боток, выполняемых как в рамках Государственного оборонного заказа, так и
федеральных целевых программ;
– усовершенствование налогового законодательства в части стимулирования
инновационной деятельности, создания системы материального поощрения
предприятий и организаций за разработку и внедрение новой продукции и тех-
нологий, соответствующих мировому уровню;
– льготирование импорта современных технологий и научного оборудова-
ния, не производимого в России;
– проведение рациональной тарифной и ценовой политики в области услуг и
продукции естественных монополий;
– установление защитных тарифов, квот на импорт сырья, материалов и
продукции, которая может быть произведена в России;
– создание условий для расширения производства импортозамещающего
оборудования, в первую очередь для технического перевооружения естествен-
ных монополий;
– активизация работы государственных органов управления по оказанию
помощи предприятиям в решении проблем погашения задолженности покупа-
телей за поставленные товары, выполненные работы и услуги, в первую оче-
редь госзаказчиков.
Прогноз конкретных отраслевых показателей на 2009 г. показывает, что
практически по всем показателям темпы роста замедляются. Но РЭП по силам
вернуться к прежним темпам роста и тем самым вернуться к стабильному со-
стоянию отрасли. От эффективности наших действий зависят безопасность
нашего государства, научно-технический прогресс в радиоэлектронном ком-
плексе, доминирование отечественной продукции на внутреннем рынке, соци-
ально-экономическое положение наших работников.
ГЛАВА 4. КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ
НАЦИОНАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии
в Российской Федерации
Реализация в последние годы ряда федеральных целевых, региональных,
отраслевых, ведомственных программ, включающих работы в области нано-
технологий (федеральная целевая научно-техническая программа «Исследова-
ния и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники на
2002–2006 гг.», федеральная целевая программа «Национальная технологиче-
ская база» на 2002–2006 гг., специализированная программа Президиума РАН,
Федеральная космическая программа России на 2006–2015 гг., аналитическая
ведомственная программа Минобрнауки России «Развитие научного потенциа-
ла высшей школы (2006–2008 гг.)» и др.), позволила:
– выявить совокупность научных, технологических и образовательных органи-
заций, предприятий, вузов, выполняющих на мировом уровне исследования,
разработки и осуществляющих подготовку кадров в области нанотехнологий;
– достоверно оценить их потенциал в указанной области (заделы, существую-
щий уровень, реальные перспективы) и определить организации лидеры;
– выявить проблемы, препятствующие развитию потенциала нанотехнологий в
России и требующие быстрейшего разрешения.
Анализ результатов реализации указанных программ приведенный в рабо-
те [4] позволяет сделать следующие выводы:
1) в стране ведутся исследования и разработки мирового уровня (только две
страны в мире – Россия и США – ведут исследования и разработки по всем
направлениям нанотехнологий, в этих работах в Российской Федерации участ-
вуют более 500 научных организаций и фирм с численностью около 50 тысяч
исследователей;
2) научно-технический уровень отечественных разработок в указанной сфе-
ре, имеющиеся заделы дают основание утверждать, что в настоящее время в
области нанотехнологий стартовые позиции России и других экономически
развитых стран примерно одинаковы;
3) главными проблемами, препятствующими эффективному использованию
и развитию потенциала нанотехнологий в Российской Федерации, являются:
– критическое отставание от мирового уровня базовых компонентов ин-
фраструктуры наноиндустрии: приборно-инструментальной базы; кадровой ба-
зы; технологической базы; информационно-коммуникационной базы; органи-
зационно-правовой и управленческой базы;
– отсутствие должной интеграции работ в этой области нанотехнологий.
В настоящее время образовался разрыв между высоким уровнем выполня-
емых исследований, разработок и созданных научно-технологических заделов в
сфере нанотехнологий, с одной стороны, и критически низким уровнем инфра-
структуры наноиндустрии – с другой.
95
Устаревшая инфраструктурная база приводит к падению эффективности
использования средств, направляемых на НИОКР в сфере нанотехнологий, и,
как следствие, к снижению и без того невысоких темпов трансфера результатов
разработок в продуктовые инновации для обеспечения диверсификации и роста
конкурентоспособности российской экономики.
Существующая инфраструктура не дает возможности создать систему
метрологического обеспечения нанотехнологий, решить проблему стандарти-
зации и подтверждения соответствия продукции наноиндустрии, что радикаль-
но ограничивает рыночный потенциал отечественных производителей в этой
сфере.
Низкий уровень инфраструктуры не позволяет российским научно-
технологическим и образовательным центрам эффективно развивать междуна-
родное сотрудничество в научно-технической и образовательной сферах, на
равных правах с зарубежными коллегами участвовать в выполнении междуна-
родных программ и проектов в области нанотехнологий.
Отсутствие современной инфраструктуры не позволяет осуществлять под-
готовку специалистов в области нанотехнологий на базе широкой интеграции
образовательного процесса и научных исследований, что неизбежно приведет к
новому обострению проблемы оттока молодых ученых и талантливой части
выпускников вузов для работы вне научной сферы и за рубежом.
Устаревшая организационно-правовая и управленческая инфраструктура
препятствует формированию инновационных рыночных механизмов ускорен-
ного введения в хозяйственный оборот новой конкурентоспособной продукции
нанотехнологий. Формирование современной инфраструктуры нанотехнологий
в Российской Федерации является принципиально важным для решения страте-
гической задачи общегосударственного масштаба: создания национальной
наноиндустрии как единого фундамента развития всех отраслей экономики
России.
В соответствии с Президентской инициативой и Программой Координации
формирование современной инфраструктуры нанотехнологий должно осу-
ществляться с Концепцией развития, таким образом, чтобы в результате была
обеспечена координация научно-исследовательских и опытно-конструкторских
работ, исключено неоправданное дублирование и достигнут синергегический
эффект от обмена результатами и их трансфера.
Из этого требования вытекает, что инфраструктурная база наноиндустрии
должна создаваться в сетевом формате, т.е. не для отдельных предприятий и
организаций, а в виде инфраструктуры национальной нанотехнологической се-
ти как совокупности организаций различных организационно-правовых форм,
выполняющих фундаментальные и прикладные исследования, осуществляю-
щих разработки и коммерциализацию технологий, ведущих подготовку кадров
в области нанотехнологий, деятельность которых в этой сфере координируется
федеральными органами исполнительной власти на межотраслевом уровне.
104
Продолжение таблицы 4.1
Доля высших учебных заведений, оснащенных лабораторным и
приборным оборудованием, а также учебно-методическим
обеспечением, соответствующим современным требованиям
подготовки и переподготовки специалистов в области нанотех- 10–12
нологий (%)
Доля дипломированных выпускников по специальностям,
определяющим прогресс в области наноиндустрии, в общем
объеме выпускников по профильным специальностям (%) 10–50
Количество защищенных докторских диссертаций по специ-
альностям, ориентированным на развитие «наноиндустрии» 100–130
(ед.)
Количество защищенных кандидатских диссертаций по специ- 1000–1200
альностям, ориентированным на развитие «наноиндустрии»
(ед.)
Объем внутренних затрат на выполнение исследований и
разработок по перспективным направлениям развития наноин- 90
дустрии из средств: федерального бюджета (млрд руб.)
Затраты на выполнение исследований и разработок по пер-
спективным направлениям науки, определяющим прогресс 10–12
нанотехнологий, за счет внебюджетных средств (млрд руб.)
Объем негосударственных инвестиций в создание и разви- 5,1–5,5
тие предприятий российской наноиндустрии (млрд руб.)
105
Таблица 4.2. Состав корпорации «Роснанотех»
Наблюдательный совет
Председатель
Фурсенко Андрей Министр образования и науки Российской Фе-
Александрович дерации
Члены совета
Дмитриев Владимир Председатель корпорации «Банк развития и
Александрович внешнеэкономической деятельности Внешэко-
номбанк)»
Ковальчук Михаил Директор ФГУ «Российский научный центр
Валентинович «Курчатовский институт»
Кокошин Андрей Председатель Комитета Государственной думы
Афанасьевич четвертого созыва по делам СНГ и связям с со-
отечественниками
Мезенцев Дмитрий Зам. председателя Совета Федерации Федераль-
Федорович ного собрания РФ
Меламед Леонид Генеральный директор ГК «Российская корпо-
Борисович рациянанотехнологий»
Набиуллина Эльвира Министр экономического развития и торговли
Сахипзадовна РФ
Назаров Владимир Зам. секретаря Совета Безопасности РФ
Павлович
Погосян Михаил Генеральный директор ОАО
Асланович Авиационная холдинговая
Компания «Сухой»
Попик Василий Зам. начальника Экспертного управления Пре-
Михайлович зидента РФ
Прохоров Михаил Президент ООО «Группа ОНЭКСИМ»
Дмитриевич
Федоров Евгений Председатель Комитета Государственной думы
Алексеевич четвертого созыва по экономической политике,
предпринимательству и туризму
Христенко Виктор Министр промышленности и
Борисович энергетики РФ
Чеченов Хусейн Председатель Комитета Совета
Джабраилович Федерации по образованию и науке
Чубайс Анатолий Председатель правления Российского ОАО
Борисович энергетики и электрификации «ЕЭС России»
Правление
Меламед Леонид Генеральный директор ГК «Роснанотех»
Борисович
Малышев Андрей Зам. генерального директора
Борисович
106
Продолжение таблицы 4.2
Лосюков Александр Зам. генерального директора
Прохорович
Ревизионая комиссия
Зубаков Владимир Главный советник Комитета Государственной
Алексеевич думы по экономической политике и предпри-
нимательству – председатель комиссии
Аникеев Владимир Зам. директора – руководитель аппарата дирек-
Николаевич тора РНЦ «Курчатовский институт»
Миклушевский Владимир Директор Департамента прогнозирования и ор-
Владимирович ганизации бюджетного процесса Минобрнауки
России
Негашева Юлия Начальник Департамента корпоративных фи-
Николаевна нансов и бюджета РАО «ЕЭС России»
Улупов Вячеслав Директор службы внутреннего контроля
Евгеньевич "Внешэкономбанк"
Научно-технический совет (НТС)
Алфимов Михаил Директор Центра фотохимии РАН – председа-
Владимирович тель совета
Авдеев Виктор Васильевич Зав. лабораторией химии углеродных материа-
лов МГУ им. М.В. Ломоносова, директор НПО
Унихимтек
Асеев Александр Директор института физики полупроводников
Леонидович СО РАН
Беляев Иван Иванович Референт Аппарата Совета Безопасности РФ
Бетелин Владимир
Борисович Директор НИИ системных исследований РАН
107
Продолжение таблицы 4.2
Пивнюк Владимир Вице-президент ОАО ГМК «Норильский никель»
Алексеевич
Путилов Александр Директор ГНЦ ФГУП ВНИИ неорганических
Валентинович материалов им. акад. А.А. Бочвара
109
ей, займет ведущее место в техносфере следующего столетия». Его соотече-
ственник, лауреат Нобелевской премии 1965 года Р. Фейнман, высказался по
проблеме фактически в том же ключе: « Контроль и упрпавление строением
вещества в очень малых размерах являют малоизученную область физитки, ко-
торая представляется весьма важной и перспективной и может найти множе-
ство ценных технических прменений …»
Стремительность процессов и обшироность направлений в этой сфере та-
ковы, что могут изменить облик мира уже в ближайшие десятилетия. Это озна-
чает, что времени для бесплоднеых сомнений нет. Актуальность прикладных
аспектов нанотехнологий Э. Дрекслер предрекал еще 20 лет назад: «Мощь
нанотехнологий можно обратить и на создание военной силы. Перспектива со-
здания новых вооружений и их быстрого производства является причиной для
серьезного беспокойства»
В данной главе проводится обзор основных направлений работ по созда-
нию систем специального назначения с использование ресурсов нанотехноло-
гий.
111
главного государственного санитарного врача Российской Федерации от 31 ок-
тября 2007 года №79.
Следует выделить ряд особенностей, отличающих требования к нанопро-
дукции от требований к традиционным веществам, материалам и процессам.
Это «доза – эффект» и «химический состав – эффект». Кроме того, следует осо-
бо учитывать отсутствие у организма эволюционно сформированной системы
распознавания и иммунного ответа на наночастицы, а также устойчивость на-
ночастиц к биотрансформациям. Это может приводить к их аккумуляции в про-
дуктах растительного, животного происхождений и передаче по пищевой цепи
с накоплением в организме человека. Следует также обратить внимание на ин-
формацию о том, что токсичность наноматериалов проявляется, в первую оче-
редь, в виде окислительного стресса в клетках мозга, повреждения клеточных
мембран и ДНК. Последнее подтверждает особую роль, которую могут играть в
будущем для генетического анализа наноаналитические чипы как экономиче-
ски эффективные системы для массового скрининга населения.
Проведенный анализ позволяет выделить совокупность факторов, опреде-
ляющих риски человека, животных, растений и окружающей среды в связи с
развитием наноиндустрии.
К ним относятся:
– продукция наноиндустрии в виде наноматериалов различной структуры и
состава;
– обычная продукция, полученная с использованием наноматериалов в каче-
стве основных и вспомогательных компонентов технологического процесса;
– промышленные отходы и выбросы при производстве продукции наноин-
дустрии и обычной продукции;
– наноматериалы и наносистемы, используемые в качестве инструменталь-
ных, диагностических и лекарственных средств при оказании медицинских
услуг и проведении исследований;
– одежда, обувь, упаковка, продукты, созданные с применением наномате-
риалов и процессов нанотехнологии;
– пищевая цепочка: вода, растения, животные – человек;
– ингаляционный путь: воздушная среда, растения, животные – человек.
112
подключить к самолету, кораблю, боевой машине или танку, кроме того, такая
система обеспечивает связь с GPS, выдает точные координаты, скорость объек-
тов и др.
Ее уже используют в управлении беспилотными самолетами, в новых машинах,
управляемых дистанционно, а также в опытных образцах морских разведыва-
тельных судов. Ученые из Исследовательского отделения Министерства оборо-
ны США разработали алгоритмы управления группой боевых единиц, исполь-
зуя при этом природный аналог – улей пчел. По их утверждению, коллективные
насекомые умеют вести войну со своими врагами несколькими способами, и
при этом каждая единица улья знает, что ей надо делать. Идут работы по моде-
лированию управляемого «улея» из наномашин, который будет способен вы-
полнять ряд операций. Ученым удалось создать алгоритм выполнения некото-
рых военных операций «ульем» однотипных механизмов, но для его проверки
нужны дополнительные исследования.
Быстродействующие наноэлектронные защиты будут использоваться в военной
экипировке будущего поколения для того, чтобы детектировать удар пули о
бронежилет настолько быстро, чтобы успела включиться защита костюма.
Наноэлектронные системы будут использоваться в снарядах, ракетах и торпе-
дах нового поколения.
Защита от биологического и химического оружия. Нанокомпании уже
несколько лет подряд совершенствуют системы защиты от химического и био-
логического оружия. Еще в 2002 г. правительство США выделило на исследо-
вания средств биологической и химической защиты полмиллиарда долларов. В
итоге за срок финансирования с 2002 г. по 2004 г. рядом компаний были разра-
ботаны эффективные защитные средства. Средства защиты простираются от
защитных перчаток, которые не пропускают токсичные вещества, до специаль-
ных кремов, которые уменьшают токсичность патогенов, попавших на кожу
солдата. Опишем некоторые из них.
Создан коммерческий продукт на основе нанотехнологий, который нейтрализу-
ет токсичные химикаты. Продукт состоит из активных наночастиц, которые
связывают и деактивируют около 24 известных токсичных химических соеди-
нений (а также некоторые кислоты), использующихся в химических атаках. В
отличие от кремов, он может быть эффективен и в распыленном состоянии (а
защитные кремы должны быть влажными), и в растворе. Для защиты от бакте-
рии, наиболее распространенной в качестве военного бактериологического
агента предложено использовать фуллерены, соединенные с антителами. Ре-
зультаты клинических испытаний препарата показали, что он убивает саму бак-
терию и ее споры до того, как концентрация патогенов в организме приведет к
его смерти. Создан чип определения биологической опасности размерами с
почтовую марку. Устройство может определить присутствие нескольких видов
различного бактериологического оружия. На его базе выпущен детектор, кото-
рый можно использовать в полевых условиях.
С помощью нанотехнологий была создана кремниевая микрокамера, в которой
происходит процесс нагрева-охлаждения ДНК. Как говорят разработчики при-
113
бора, он может опознать патоген при концентрации 10 бактерий в 1 пробе
(1 проба представляет собой капсулу диаметром 5 мм и 2 см длиной).
Ученые утверждают, что благодаря их усилиям международный терроризм не
сможет эффективно использовать биологическое и химическое оружие.
Новые материалы. Применение наноматериалов в военном оборудовании
открывает новые возможности для улучшения его прочности. Усилия совре-
менных нанотехнологов сосредоточены на керамических материалах. Наноке-
рамики применяются в 150 областях: это и валы пропеллеров, и телескопиче-
ские перископы, и т.д. Нанокерамика используется везде, где необходимо водо-
непроницаемость и защита от коррозии. Также новый материал гораздо жестче
обычной керамики и не столь ломок.
Используя наноструктуры из карбида кремния, ученым удалось втрое повысить
жесткость материалов на основе обычного SiC. На сегодняшний день выпуще-
но покрытие для прозрачных полимерных поверхностей, которое в несколько
раз увеличивает прочность пластика. Покрытие состоит из наночастиц в рас-
творе. При нанесении их на пластиковую поверхность они образуют сверхтвер-
дую пленку, которая не только защищает от биологических и химических аген-
тов, но и от попадания пули.
Военные машины предполагают оснастить специальной «электромеханической
краской», которая позволит менять им цвет наподобие хамелеона, а также
предотвратит коррозию и сможет «затягивать» мелкие повреждения на корпусе
машины. «Краска» будет состоять из большого количества наномеханизмов,
которые позволят выполнять все вышеперечисленные функции. С помощью си-
стемы оптических матриц, которые будут отдельными наномашинами в «крас-
ке» можно добиться эффекта невидимости машины или самолета. Миниатюр-
ные камеры будут считывать изображение с одной стороны устройства, переда-
вая его на фотоэлементы на другой стороне, формируя, таким образом, изобра-
жение заднего фона спереди машины.
118
Микропроцессоры, микроконтроллеры, цифровые процессоры сигналов и
внешние (периферийные) микроустройства составляют второй по объему и
быстроте роста сектор рынка полупроводниковых приборов. Микропроцессор-
ные ИМС становятся все более сложными.
Цифровые процессоры сигналов (ЦПС) – это недорогие микропроцессорные
ИМС, широко применяемые в измерительных приборах, средствах автоматики
и управления технологическими процессами. На дискретные транзисторы и
другие дискретные полупроводниковые приборы, в том числе оптоэлектрон-
ные, приходится около 15% мирового рынка полупроводниковых приборов.
К пассивным компонентам электронной промышленности относятся рези-
сторы, конденсаторы, катушки индуктивности и трансформаторы, соединители,
переключатели и реле, а также пьезоэлектрические устройства.
Переход на бескорпусные конденсаторы, резисторы и резисторные цепоч-
ки поверхностного монтажа потребовал новых капитальных вложений.
Автомобильный сектор рынка создал спрос на бескорпусные резисторы, а
сектор переносного бытового и учрежденческого оборудования (портативных
телефонов, электронных записных книжек и пр.) – спрос на бескорпусные кон-
денсаторы.
Катушки индуктивности и трансформаторы используются в основном в
потребительской электронике и бытовой аппаратуре развлекательного характе-
ра, такой, как радиоприемники, аудиоаппаратура и телевизоры, а также в про-
мышленном контрольно-регулирующем оборудовании.
Соединители необходимы в любой электронной аппаратуре и образуют
непрерывно растущий сектор рынка. Особый интерес представляют волоконно-
оптические соединители.
Промышленность средств вычислительной техники – сектор электронной
промышленности, намного опережающий другие и потребляющий наибольшую
массу электронных компонентов. Промышленность компьютерного оборудова-
ния охватывает компьютеры, ЗУ и накопители, терминалы и периферийное
оборудование.
1020
Годовое производство
транзисторов, шт
1018
1016
1014
1012
1980 1990 2000 2010
120
Кроме того, можно заметить, что количество транзисторов, поставляемых
на рынок ежегодно увеличивается примерно на 69%.
Высокотехнологи- Информационные и
Стимулирование объемов производства
121
– к 2010 г. планируется освоение 32-нм технологического процесса Стои-
мость одной фабрики, способной производить 32-нм чипы более 3,5 млрд. долл.
Конкуренцию КНР составляет объединение ведущих производителей микро-
процессор также осваивающих 32-нм технологию (IBM, Toshiba, AMD, Sam-
sung, Chartered, Infineor и Freescfle). К 2010 г. это позволит размещать 109 тран-
зисторов в одном чипе;
– ежегодно объем продаж полупроводниковых приборов более 20 млрд.
долл.;
– в стране более 20 работающих линий по обработке 200 мм пластин;
– в стране 3 линии по обработке 300 мм пластин, освоены технологии
90 нм;
– КНР производит 33% мобильных телефонов, 17% цифровых камер,
20% DVD-плееров, 28% модемов от мирового рынка данной продукции.
2,5
2,0
1,5
Отечественный уровень
Зарубежный уровень
Опытная линейка НИИСИ РАН
122
Ведущие страны достигли к 2007 г. технологии 65 нм, увеличив отставание
России на 20 лет, что демонстрирует рис. 6.4.
Скорейшее достижение современного уровня технологии требует обеспе-
чение безопасности страны. Решение указанной проблемы может быть связано
с закупкой современной фабрики для производства микросхем с нормой проек-
тирования 90 нм и месячным выпуском 50 тыс. трехсотмиллиметровых пластин
в год. Цена такой фабрики составляет около 5 млрд. долл., обслуживаемая на
первом этапе зарубежными специалистами, обеспечивая обучение отечествен-
ных кадров по всем необходимым направлениям.
Типы ИС, шт
3000
США
2500
2000
1500
Россия
1000
500
0
7 3 2 1,2 0,8 0,35 0,18
5 2,5 1,5 1 0,5 0,25
Минимальный размер элемента, мкм
123
Фабрика «150 мм» Фабрика «300 мм»
150 300
200
1.2 0,8 0,5 0,35 0,25 0,18 0,13 0,09 0,065 0,045
мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм
124
Реконструкция и техническое Федеральный бюджет
перевооружение электронных
4,3 млрд. руб.
производств
Приоритетное развитие
Федеральный бюджет
систем проектирования ЭКБ
на базе создоваемой сети 3,0 млрд. руб.
дизайн-центров
Приоритетное развитие:
- СВЧ-электроники
- радиационно-стойкой ЭКБ Федеральный бюджет
- микросистемотехники и
материалов 15,9 млрд. руб.
- микроэлектроники
125
Рис. 6.7. Лауреат Нобелевской премии Алферов Ж.И.
126
Автоэлектроника
9,0
Средства связи,
промышленная
электроника, 18,0
Специальная
18,0
бытовая электроника
электроника
25
15
100
100 Микро-
Материалы 45 механические
системы
100
СВЧ
твердотельная
электроника
127
Реализация комплекса взаимоувязанных целевых программ, инвестицион-
ных проектов и внепрограммных мероприятий, составляющих основу страте-
гии развития электронной промышленности в России, направлена на восста-
новление научно-технического и производственно-технологического потенциа-
ла микро- и наноэлектроники и электронной отрасли в целом и вывести ее на
современный мировой уровень.
Ожидается, что в 2011 г. объем реализации отечественной продукции элек-
тронной промышленности составит не менее 50 млрд. рублей, а технологиче-
ский уровень изделий в серийном производстве позволит достигнуть топологи-
ческих размеров 0,13-0,18 мкм. Это позволит обеспечить потребности отраслей
экономики и обороны, в том числе за счет создания стратегически значимых
систем, и резко уменьшить долю импортной электронной базы в производстве
радиоэлектронных средств. Существующее в настоящее время соотношение
65% к 35% в пользу импортной электронной базы будет изменено на 60% к
40% в пользу отечественных компонентов.
Модернизация ключевых производств электронной техники и структуры
отрасли на основе государственно-частного партнерства с одновременным со-
зданием рыночной инфраструктуры должны существенно улучшить экономи-
ческое положение предприятий и повысить рентабельность выпускаемой про-
дукции.
Учитывая высокий потенциал отечественной науки в области электроники,
можно ожидать существенного расширения международного научно-
технического сотрудничества и прорыва в области новых технологий, в том
числе нанотехнологий, биоэлектроники, производства биочипов для автомати-
зированного поддержания жизнедеятельности живых организмов и др.
Все это позволит повысить конкурентность отечественных изделий, как на
внутреннем, так и на внешнем рынке микроэлектронной и электронной техники
и значительно укрепит обороноспособность и безопасность России.
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ
ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ
ИЗДЕЛИЙ
129
Годы
1970 1990 2010 2030
103
102
Органическая технология
«Вместе с
кремнием» Квантовая технология
Прогноз Молекулярная
на «Рядом с технология
101 будущее кремнием»
«Без кремния»
100
?
Рис. 7.1. Переход на новые технологии изготовления
наноэлектронных изделий и систем
130
Каждый атом кремния или германия на наружной оболочке имеет четыре
валентных электрона. Поэтому каждый атом образует четыре ковалентных свя-
зи с четырьмя ближайшими от него атомами. В результате внешняя орбита
каждого из атомов имеет восемь электронов и становится полностью заполнен-
ной как показано на рис. 7.2.
Атомы
решетки
Ковалентная
связь Валентные
электроны
ЗЗ-запрещенная
E зона
g ВЗ-валентная
зона
Ee
Ee Ee
Eg>3эВ Eg<3эВ
132
ки, полупроводники и диэлектрики более точно, чем по величине удельной
электропроводности.
Перемещаться от атома к атому, т.е. образовывать электрический ток,
электроны могут только при наличии незаполненных разрешенных состояний у
соседнего атома либо в зоне проводимости, либо в валентной зоне. Это означа-
ет, что электрический ток может формироваться как за счет переходов внутри
зон (если зоны заполнены не полностью) при небольших энергетических воз-
действиях, либо за счет переходов из валентной зоны в зону проводимости при
энергетических воздействиях, соизмеримых с шириной запрещенной зоны.
У проводников валентная зона и зона проводимости взаимно перекрыва-
ются, в результате чего получается одна единая зона, заполненная при 0 К
лишь частично, что обеспечивает в таких условиях проводникам проводимость.
У полупроводников и диэлектриков при 0 К валентная зона полностью запол-
нена, а зона проводимости – пуста, что означает полное отсутствие проводимо-
сти. Различие между полупроводниками и диэлектриками чисто количествен-
ное: у полупроводников ширина запрещенной зоны не может превышать 3 эВ.
133
Эти компоненты соединяются друг с другом тонкими металлическими по-
лосками (часто алюминиевыми). Как видно из рис. 7.5, а все ИС регулярно рас-
положены на поверхности пластины. Пластина разрезается на отдельные кри-
сталлы (называемые в специальной литературе чипами), которые помещаются в
корпус, что иллюстрирует рис. 7.5, г. При этом разработчик аппаратуры полу-
чает готовый функциональный узел в виде электронного прибора определенно-
го типа и назначения.
134
Рис. 7.6. Устройство гибридной ИС
136
Рис. 7.8. Распределение примесей при эпитаксии (1) и диффузии (2)
137
(МДП); изоляции элементов ИС между собой. Благодаря этим возможностям
кремний стал основным материалом для изготовления ИС.
Процессы литографии. Литография (гравировка) используется при изготовле-
нии ИС для создания окон в масках с целью обеспечения локального характера
внедрения примесей в полупроводниковую пластину и получения заданной
конфигурации элементов.
Среди методов гравировки наиболее широкое применение в настоящее
время имеет фотолитография. В основе фотолитографии лежит использование
материалов, которые называют фоторезистами. Это разновидность фотоэмуль-
сий, известных в обычной фотографии. Фоторезисты чувствительны к ультра-
фиолетовому свету, поэтому их можно обрабатывать в не очень затемненном
помещении. Фоторезисты бывают негативные и позитивные. Негативные фото-
резисты под действием света полимеризуются и становятся устойчивыми к
кислотным и щелочным травителям. Таким образом, после локальной засветки,
обеспечиваемой фотошаблоном, будут вытравляться незасвеченные участки,
как в обычном фотонегативе. В позитивных фоторезистах свет, наоборот, раз-
рушает полимерные цепочки и, следовательно, вытравляются засвеченные
участки.
Фотошаблон представляет собой толстую стеклянную пластину, на одной
из сторон которой нанесена тонкая непрозрачная пленка с необходимым рисун-
ком в виде прозрачных для света участков-окон. Эти окна в масштабе 1:1 соот-
ветствуют будущим элементам ИС. Поскольку ИС изготавливаются групповым
методом, на фотошаблоне разрешается множество однотипных рисунков. Раз-
мер каждого рисунка соответствует размеру будущего кристалла ИС.
Комплекс фотолитографических процессов повторяется в технологическом
процессе изготовления ИС многократно (от 3 до 14 раз). Каждый раз на окис-
ленную пластину кремния наносят тонкий слой фоторезиста, который засвечи-
вается через фотошаблон от источника ультрафиолетового излучения. Затем
фоторезист проявляется, и вскрываются необходимые окна на поверхности
двуокиси кремния. В этих окнах смесью фтористого аммония и плавиковой
кислоты двуокись кремния стравливается и тем самым селективно открывается
поверхность полупроводниковой подложки. Таким образом, обеспечиваются
условия для использования процессов диффузии и эпитаксии при изготовлении
элементов ИС.
Процесс создания межсоединений. Для создания соединений элементов полу-
проводниковой ИС между собой пластина кремния со сформированными эле-
ментами (транзисторами, диодами и резисторами) покрывается слоем осажден-
ного алюминия толщиной 0,5–2 мкм, который затем (после заключительной
операции фотолитографии) в ненужных местах стравливается через соответ-
ствующие окна фоторезиста. При этом на поверхности полупроводника остает-
ся рисунок соединительных алюминиевых проводников, имеющих ширину
около 10 мкм, а также контактных площадок.
В настоящее время при производстве полупроводниковых ИС на биполяр-
ных и полевых транзисторах используется несколько разновидностей техноло-
гических процессов, отличающихся, главным образом, способами создания
138
изоляции между отдельными элементами. Наиболее широкое применение
находит планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов при по-
мощи обратно-смещенных р–n-переходов.
Si
100 SiC
SiGe
GaN
Максимальная мощность, Вт
10
GaAs
InP
0.1
1 10 100
Частота, ГГц
139
Таблица 7.2. Тенденции развития кремниевой технологии
140
1
141
Таблица 7.3. Проблемы при создании наноразмерных МОП-
транзисторов и возможные способы решения
Проблема Решение
Подзатворный SiO2 – утечки при Замена SiO2 на диэлектрик с высокой про-
толщине менее 2 нм ницаемостью. Наиболее перспективным
считаются оксиды редкоземельных метал-
лов
Сток-истоковые области – ко- 1) предварительная аморфизация, облучение
роткоканальные эффекты: раз- пучком ионов с углом до 45°;
гонка имплантированной при- 2) быстрый термический отжиг;
меси при последующей актива- 3) быстрая термическая диффузия из газо-
ции (создание мелких перехо- вой фазы и твердых источников, лазерное
дов) легирование, ионно-плазменная импланта-
ция, эпитаксиальный рост.
Смыкание областей обеднения 1) увеличение степени легирования области
истока и стока за счет обратно базы;
смещенного перехода сток-база 2) изготовление МОП-транзисторов на
структурах КНИ с использованием полно-
стью обедняемых отсеченных слоев крем-
ния.
143
кремнию с перетравом последнего под маской фоторезиста в плазме SF6 ± 10%
фреона-11. Получена минимальная длина затвора, измеренная с помощью ска-
нирующего электронного микроскопа, около 70 нм. Диффузионная разгонка с
каждой стороны составляет около 10 нм, так что длина канала была 50 нм. При
попытках получить еще более короткий затвор поликремний перетравливался
насквозь в некоторых местах, что регистрировалось как бесконечное сопротив-
ление затвора. Недостатком данного способа является увеличенная шерохова-
тость краев поликремниевого затвора. Минимальная длина канала, достигнутая
данным способом, составляла 50 нм при длине затвора 70 нм. При этом ток
утечки был менее 10–9 А, а ток насыщения транзистора около 100 мкА/мкм. Не-
достатком такого транзистора является высокое пороговое напряжение (>2,5 В)
при напряжении смыкания около 3 В. Попытки изготовить аналогичным спосо-
бом р-канальный транзистор не увенчались успехом из-за диффузии бора в ка-
нал транзистора из сток-истоковых областей. Для получения меньшей шерохо-
ватости краев масок требуется переход от оптической литографии к вакуумно-
му ультрафиолету или к электронной литографии. Последняя обладает ограни-
ченной производительностью и, соответственно, применимостью в массовом
производстве. Однако для исследований при использовании позитивного рези-
ста электронная литография позволяет получать менее шероховатые и более
однородные по длине поликремниевые затворы. Дальнейшее уменьшение дли-
ны поликремниевого затвора было достигнуто с помощью электронной лито-
графии. Был проведен расчет вольтамперных характеристик транзистора по
специализированному пакету программ, получено хорошее соответствие рас-
четных и экспериментально измеренных характеристик. Кроме того, было по-
лучено, что возможно дальнейшее уменьшение длины канала, поскольку обыч-
но применяемое напряжение питания короткоканальных транзисторов 1,5 В и
меньше, а при таком напряжении еще нет подъема вольтамперной характери-
стики из-за смыкания ОПЗ (см. рис. 7.11).
144
Транзисторы
Диоды и т.д.
Элементы памяти
Нанопроводники
Сенсоры
Качество УНТ
Макроволокна
Прозрачные проводники
Эмиттеры электронов
Антистатические покрытия
Тепловые стоки
Источники
питания
Композиты
0
7.4.2. Фуллерены
Фуллерены – пустотелые шары и эллипсоиды нанометровых размеров, от-
крытые в 1985 г. Они обладают набором уникальных свойств, обуславливаю-
щих огромные перспективы их использования и применения. К таким свой-
ствам следует отнести следующие.
Нелинейные оптические свойства фуллеренов. Анализ электронной структу-
ры фуллеренов показывает наличие π-электронных систем, для которых имеют-
ся большие величины нелинейной восприимчивости. Фуллерены действительно
обладают нелинейными оптическими свойствами. Однако из-за высокой сим-
метрии молекулы С60 генерация второй гармоники возможна только при внесе-
нии асимметрии в систему (например, внешним электрическим полем). С прак-
тической точки зрения привлекательно высокое быстродействие (~250 пс),
определяющее гашение генерации второй гармоники. Кроме того фуллерены
С60 способны генерировать и третью гармонику.
Другой вероятной областью использования фуллеренов и, в первую оче-
редь С60, являются оптические затворы. Экспериментально показана возмож-
ность применения этого материала для длины волны 532 нм. Малое время от-
клика дает шанс использовать фуллерены в качестве ограничителей лазерного
излучения и модуляторов добротности. Однако по ряду причин фуллеренам
трудно конкурировать здесь с традиционными материалами.
Высокая стоимость, сложности с диспергированием фуллеренов в стеклах,
способность быстро окисляться на воздухе, далеко не рекордные коэффициен-
ты нелинейной восприимчивости, высокий порог ограничения оптического из-
лучения (не пригодный для защиты глаз) создают серьезные трудности в борьбе
с конкурирующими материалами.
Электрические свойства фуллеренов. Молекулярный кристалл фуллерена яв-
ляется полупроводником с шириной запрещенной зоны ~1,5 эВ и его свойства
во многом аналогичны свойствам других полупроводников. Поэтому ряд ис-
следований был связан с вопросами использования фуллеренов в качестве но-
вого материала для традиционных приложений в электронике: диод, транзи-
стор, фотоэлемент и т.п. Здесь их преимуществом по сравнению с традицион-
ным кремнием является малое время фотоотклика (единицы нс).
Однако существенным недостатком оказалось влияние кислорода на про-
водимость пленок фуллеренов и, следовательно, возникла необходимость в за-
щитных покрытиях. В этом смысле более перспективно использовать молекулу
фуллерена в качестве самостоятельного наноразмерного устройства и, в част-
ности, усилительного элемента.
Сверхпроводящие свойства фуллеренов. Как уже говорилось, молекулярные
кристаллы фуллеренов – полупроводники, однако в начале 1991 г. было уста-
новлено, что легирование твердого С60 небольшим количеством щелочного ме-
146
талла приводит к образованию материала с металлической проводимостью, ко-
торый при низких температурах переходит в сверхпроводник. Легирование С60
производят путем обработки кристаллов парами металла при температурах в
несколько сотен градусов Цельсия. При этом образуется структура типа X3С60
(Х – атом щелочного металла). Первым интеркалированным металлом оказался
калий. Переход соединения С60 в сверхпроводящее состояние происходит при
температуре 19 К. Это рекордное значение для молекулярных сверхпроводни-
ков. Вскоре установили, что сверхпроводимостью обладают многие фуллериты,
легированные атомами щелочных металлов в соотношении либо Х3С60, либо
XY2С60 (X,Y – атомы щелочных металлов). Рекордсменом среди высокотемпе-
ратурных сверхпроводников (ВТСП) указанных типов оказался RbCs2С60 – его
ТКР = 33 К.
7.4.3. Графен
Графен – это «двумерная пленка» из атомов углерода. Ее можно предста-
вить как нанотрубку, разрезанную вдоль оси и раскатанную на плоскости.
Впервые синтезирован в 2004 г. профессором Андрю Геймом. Электропровод-
ность графена не уступает углеродным нанотрубкам, что перспективно для со-
здания графеновых транзисторов. Графен уникален для исследования свойств
«двумерных электронов», т.е. привязанных к структурным особенностям мате-
риала толщиной в один атом. Ученый Пол Мак Юн разместил слой графена
длиной в несколько микрометров между двумя кремниевыми зажимами и со-
здал резонатор толщиной в один атом углерода. При воздействии импульсного
лазера на систему резонаторов наблюдались колебания в диапазоне 1–170 МГц,
при воздействии напряжения наблюдались колебания пленки, резонаторы-
пленки можно использовать как сверхточные детекторы силы, например, опре-
делять вес молекул.
148
мелких кристаллов. Металлы, камни – большая часть неорганических веществ,
используемых нами – поликристаллические.
Это затянутое вступление понадобилось, чтобы высветить главную осо-
бенность жидких кристаллов, которая попросту не укладывается в ту стройную
физическую схему агрегатных состояний вещества, которая расписана выше.
Для жидких кристаллов характерна и текучесть, и дальний порядок. Отягощен-
ный повседневным опытом разум очень трудно воспринимает такое, почти не-
возможное, сочетание. Наука это называет мезофазой, т.е. промежуточной (в
данном случае между кристаллической и жидкой фазами агрегатного состоя-
ния) фазой. Мир неорганической химии подобного не знает. В какой-то мере,
особенно при температурах, близких к точке замерзания, жидкокристалличе-
ские свойства можно обнаружить у воды.
Вода – это вещество настолько особое, что именно в нем можно заподо-
зрить промысел божий. Воде присущ почти необозримый спектр аномальных
свойств, без которых не могла бы состояться сама Жизнь! Максимальная плот-
ность воды на четыре градуса выше точки замерзания – это единственное веще-
ство с такой особенностью. Поэтому лед плавает, а не тонет, защищая живое
под ним. Это универсальный растворитель. Диэлектрическая проницаемость
воды намного выше нормы для жидких сред. И многое, многое другое... Ча-
стично уникальность физико-химических свойств воды можно объяснить тем,
что H2O – только идеализированная форма главного вещества жизни, а на деле
– это сложный полимер, состав и форма которого очень умно, с позиций влия-
ния на биологические процессы, зависят от температуры.
Жидкие кристаллы. Все известные жидкокристаллические среды пришли
из органики, что далеко не случайно. Главное требование к претендентам – рез-
кая анизотропия формы. Это может быть распрямленная нитевидная молекула
или гантелеобразная. Известны жидкие кристаллы, образованные молекулами в
виде дисков, укладывающихся в столбики, или даже гребнеобразные. Сложные
полимеры «предпочитают» скручиваться в клубки. Поэтому молекулы жидких
кристаллов обычно содержат элементы, препятствующие скручиванию – это
бензольные кольца. Различают три типа жидких кристаллов: смектические, не-
матические и холестерические.
Самые «кристаллические» среди жидких кристаллов – смектические. Для
смектических кристаллов характерна двумерная упорядоченность. Молекулы
размещаются так, чтобы их оси были параллельны. Более того, они «понима-
ют» команду «равняйся» и размещаются в стройных рядах, упакованных на
смекатических плоскостях, и в шеренгах – на нематических, что поясняет рис.
7.13, а. Смектическим жидким кристаллам свойственно многое из того, о чем
пойдет речь ниже, и нечто особенное – долговременная память. Записав,
например, изображение на такой кристалл, можно затем долго любоваться
«произведением». Однако эта особенность смектических кристаллов для вос-
производящих элементов индикационных устройств, телевизоров и дисплеев не
слишком удобна. Тем не менее, они находят применение в промышленности, к
примеру, в индикаторах давления.
149
Рис. 7.13. Три типа жидких кристаллов
150
растворы мыла в воде. Здесь можно получить слоистые, дисковые и даже шаро-
образные структуры. Словом, выбор материала широк.
В достаточно больших объемах кристаллической жидкости образуются
домены, физические свойства которых подобны кристаллам. Однако в целом
она проявляет свойства, подобные обычным жидкостям. Доменная структура
жидких кристаллов образуется по тем же причинам и законам, что в сегнто-
электриках и ферромагнетиках. Ситуация резко меняется в пленках, толщина
которых сопоставима с радиусом взаимодействия молекул жидкости и пластин,
формирующих слой. Это важно подчеркнуть, поскольку именно взаимодей-
ствие жидкого кристалла и формообразующих элементов создает тот легко
управляемый прибор, который столь активно встраивается в современную
электронную технику.
Эффекты. Жидкокристаллическое состояние достаточно неустойчиво и по
этой причине весьма подвержено внешнему влиянию. Наиболее известно и до-
статочно давно используется термооптическое явление – зависимость цвета
жидкого кристалла от температуры. Термооптические жидкокристаллические
пленки способны регистрировать температуру с точностью до долей градуса и
используются для контроля тепловых полей. К примеру, в медицине с их по-
мощью можно определить разницу температур различных участков тела и, тем
самым, выявить воспаленные области. В промышленности можно вести поиск
перегретых участков аппаратуры. Чувствительны жидкие кристаллы и к давле-
нию.
Жидкие кристаллы обладают резко выраженной анизотропией (зависимо-
стью физических параметров от направления – характерная особенность всех
кристаллов, кроме кубических). Это относится к вязкости, упругости, электро-
проводности, диэлектрической проницаемости, а также ко многим другим па-
раметрам среды. Управлять этими параметрами можно, например, с помощью
электрических и магнитных полей. С их помощью можно воспроизвести самые
разные оптические эффекты.
Электрическое поле, приложенное к жидкому кристаллу, или протекаю-
щий через среду электрический ток способны переориентировать молекулы.
Если воздействие переменно, и достаточной величины, то оно способно закру-
тить молекулы. В итоге в среде возникнут кавитационные микровихри. Каждый
такой вихрь является по отношению к свету рассеивающим элементом. Подоб-
ное воздействие приводит к помутнению и окрашиванию среды. Именно этот
эффект и используется в индикаторах, где достаточно двух положений: есть
эффект или он отсутствует.
Там, где важно воспроизведение градаций, используются электрооптиче-
ские эффекты двойного лучепреломления и оптической активности.
Оптика кристаллов существенно отличается от той, которую мы знаем по
опыту общения со стеклянными приборами, причем важную роль начинает иг-
рать поляризация. Каждый фотон определенным образом поляризован в плос-
кости, ортогональной направлению распространения. В целом же световой по-
ток неполяризован или, как часто говорят, естественно поляризован, поскольку
функции состояния поляризации отдельных фотонов случайны.
151
а
б в
152
Низкочастотное электромагнитное поле способно в достаточно широких
пределах менять скорости световых волн. Зависимость фазовой скорости света
от напряженности электрического поля и называют электрооптическим эффек-
том, который используется для модуляции света в жидкокристаллических дис-
плеях и телевизорах.
Электрооптическая модуляция. На первый взгляд конструкция электроопти-
ческого модулятора достаточно проста. Она поясняется рис. 7.15. Электроопти-
ческая ячейка (например, сосуд с нематическим жидким кристаллом) размеще-
на между прозрачными электродами, создающими в среде электрическое поле.
Весь этот модуль, в свою очередь, размещен между поляризаторами, причем
выходной по свету поляризатор называют анализатором. Поляризатор – это оп-
тический прибор, который из естественно поляризованного света вырезает ли-
нейно поляризованный компонент. На эту операцию тратится половина свето-
вого потока. Пленочные поляризаторы, а они чаще всего и используются, отсе-
каемый компонент просто поглощают. Однако в тех случаях, когда речь идет о
модуляции световых потоков очень высокой интенсивности, поглощенная
энергия может привести к опасным перегревам поляризатора.
154
процесс модуляции можно описать с помощью некоторого виртуального пере-
мещаемого окошка, с переменной прозрачностью. На стеклянные пластины
наносят полосковые электроды. Две пластины соединяют, оставляя зазор, кото-
рый заполняется жидким кристаллом. Полосковые решетки пластин скрещены.
В точках пересечения полосковых электродов образуются конденсаторы – это
по сути элементарные модуляторы. Остается добавить поляризатор и анализа-
тор – и светоклапанный модулятор на жидком кристалле готов (рис. 7.17).
В зависимости от назначения, способов коммутации и других факторов к
элементам представленной базовой конструкции могут добавляться другие
элементы. К примеру, к местам пересечения полосковых электродов, обычно,
подсоединяют МОП транзисторы так, что их затворы подключены к горизон-
тальным электродам, а истоки – к вертикальным.
157
Известной американской корпорацией Hughes Aircraft Corp. создан ориги-
нальный поляризующий элемент – зеркало, которое при падении света под уг-
лом 45°, компонент, поляризованный вдоль поверхности зеркала, полностью
проходит через зеркало, а компонент с ортогональной поляризацией полностью
отражается (в данном случае направление поляризации отраженного луча сов-
падет с направлением проходящей волны). Благодаря этой особенности зеркало
справляется одновременно с ролями поляризатора и анализатора. Но главное в
другом: в схеме с зеркалом-поляризатором нет элементов, которые должны по-
глощать отсекаемую часть светового потока. Все лишнее здесь просто отводит-
ся в сторону источника, где и рассеивается. Поэтому видеопроекторы ILA мо-
гут работать с более мощными световыми потоками, чем те, где для поляриза-
ции используется абсорбционная анизотропия, поляризующие пленки. Это се-
рьезное преимущество.
Итак, создатели ILA рискнули вернуть в видеопроектор кинескопы, сохра-
нив за ними функцию формирования изображения, а по сути развертки. Кине-
скопам здесь не надо перенапрягаться, чтобы выдать как можно более яркий
световой поток. Следовательно, резко возрастает надежность их работы. Прин-
ципиальное отсутствие в светоклапанном модуляторе светопоглощающих эле-
ментов позволяет свободно распорядиться мощностью используемых световых
потоков.
Еще одна оригинальная идея воплощена в плазматроне – гибриде ЖК дис-
плея и газоразрядных элементов. Первый шаг в направлении плазматрона сде-
лала фирма Tektronix около семи лет назад. Технологические трудности изго-
товления матрицы плазматрона два года назад преодолела фирма Sony. Первый
образец плоского телевизора – плазматрона был показан в 1995 г. на выставке в
Берлине. Основная идея, реализованная в плазматроне, – замена горизонталь-
ных полосковых электродов газоразрядными каналами. В качестве источника
направленного света в плазматроне используется «стена», составленная из лю-
минесцентных ламп.
Можно с уверенностью утверждать, что для совершенствования ЖК пане-
лей все еще остаются не малые резервы. Над этой проблемой работают самые
знаменитые компании мира, среди них кроме уже названных особо активны
Sharp, Toshiba, Hitachi, NEC. В группу «сильнейших» стремительно врывается
Samsung. Среди российских организацией наиболее известен НИИ «Платан»,
которому принадлежит ряд перспективных разработок ЖК устройств самого
разного назначения.
Стеклянная подложка
Излучаемый свет
159
столбцы, синхронизирован с частотой развертки строк, составляющей, как пра-
вило, 60 Гц.
Панели этого типа просты в изготовлении, но требуют применения доста-
точно дорогостоящих внешних схем управления. К тому же они потребляют
большую мощность. При подаче больших импульсов токов управления малой
длительности PMOLED обычно не достигают максимальной световой эффек-
тивности, что связано как с неэффективностью самого диода, так и с потерями
в строках. Анализ эффективности PMOLED показал, что на их основе целесо-
образно выполнять дисплеи с диагональю не больше 2–3 дюймов и числом
строк до 100. Такие дешевые дисплеи с малым информационным содержанием
находят достаточно широкое применение в сотовых телефонах, МР3-плеерах и
портативных электронных играх.
160
ские светодиоды в основном выполняются либо на базе материалов, молекулы
которых легче молекул простейшего белка, – так называемых низкомолекуляр-
ных материалов (эти светодиоды зачастую и называют OLED или Small-
Molecule OLED – SMOLED), либо на основе специального класса полимеров,
способных излучать свет при возбуждении (так называемые полимерные LED,
или PLED). Пионер в области разработки PLED – компания Cambridge Display
Technology (CDT), владеющая ключевыми патентами на их создание, на про-
цессы оптимизации параметров и процессы изготовления. В PLED, как прави-
ло, используются полимеры двух семейств – поли р-фениленвинилен (PPV) и
полифлуорен (PF). Полимер наносится на подложку методом струйной печати.
Для этого чрезвычайно тонкие пленки полимерного материала помещаются в
раствор с целью получения распыляемых чернил, а специальный струйный
принтер наносит на подложку капли жидкого красного, зеленого и синего по-
лимера. Правда, создание структуры, содержащей материалы разного цвета из-
лучения, т.е. полноцветного дисплея, – задача не простая. Тем не менее, метод
достаточно прост и позволяет изготавливать гибкие и дешевые дисплеи доста-
точно больших размеров. Так, компания Philips методом струйной печати изго-
товила полноцветный PLED-дисплей с диагональю 13 дюймов и разрешением
576×324 пикселов. Красные, зеленые и синие пикселы наносились принтером с
четырьмя головками и 256 управляемыми пьезоэлементами соплами, распы-
лявшими соответствующие полимеры. Компанией CDT был изготовлен PLED-
дисплей с диагональю 40 дюймов.
Изготовление OLED на основе низкомолекулярного материала требует
применения сложного оборудования вакуумного осаждения, которое более
пригодно для формирования полноцветных дисплеев с высоким разрешением.
С помощью теневой маски и трехэтапного процесса осаждения RGB-пленок
была показана возможность изготовления полноцветного дисплея с диагональю
2,4 дюйма и шагом субпикселов 57 мкм. К достоинствам OLED на низкомоле-
кулярном материале относится и совместимость с большинством операций
производства полупроводниковых приборов. SMOLED существенно превосхо-
дят PLED по сроку службы и эффективности, но метод их изготовления не при-
емлем для создания дисплеев больших размеров. Поэтому сейчас SMOLED-
дисплеи считаются наиболее серьезным конкурентом ЖКД, особенно в области
дисплеев малых размеров. Поскольку одно из основных достоинств OLED – от-
сутствие подсветки, они успешно конкурируют с ЖКД при создании субпане-
лей (дополнительных дисплеев) мобильных телефонов типа раскладушки, по-
пулярность которых непрерывно растет. Благодаря прогрессивным методам
продвижения OLED-дисплеев на рынок сегодня они используются в 90% рас-
кладушек с субдисплеем. Ряд компаний разработали так называемые двойные
или двухсторонние OLED-дисплеи. Так, исследовательский институт промыш-
ленной технологии (Industrial Technology Research Institute – ITRI) Тайваня в
конце 2004 г. продемонстрировал одноцветный двойной дисплей с диагональю
3,8 дюйма и разрешением 320×240 пикселов. Разработку подобных дисплеев на
основе активно-матричных OLED ведут компании RiTdisplay и AU Optronics.
Безусловно, двойной OLED-дисплей зрительно более привлекателен, чем ЖКД.
161
Появление мобильных телефонов со встроенной фотокамерой открывает новое
применение OLED, на основе которых благодаря большей эффективности в
сравнении с ЖКД, выполняется видеоискатель. Однако, как показывает практи-
ка, технология ЖКД развивается столь же стремительно, как и требования,
предъявляемые производителями мобильных телефонов. Соревнование двух
технологий продолжается.
В последнее время внимание разработчиков привлекают органические све-
тодиоды на основе растворимого в полимере фосфоресцирующего низкомоле-
кулярного материала. В традиционных OLED только 25% генерируемых носи-
телей заряда участвуют в излучении света, тогда как остальные 75% носителей
вызывают нагрев прибора. На основе результатов работ, проведенных учеными
Принстонского университета, Университета Южной Калифорнии и компании
Universal Display Corp. (UDC), удалось получить новый органический материал,
в котором благодаря процессу фосфоресценции все 100% генерируемых носи-
телей участвуют в генерации света. Наносится такой материал на подложку с
помощью процесса струйной печати органическим паром. Пары органического
материала пропускают через микроскопическое сопло, формирующее коллими-
рованный пучок газа, с помощью которого и создается на подложке требуемый
рисунок органических элементов изображения. Достоинства этого процесса –
более полное использование материалов, обеспечение лучшего разрешения и
более высокая производительность в сравнении с другими методами изготовле-
ния OLED.
Фосфоресцирующие OLED (Phosphorescent OLED – PHOLED) по эффек-
тивности в четыре раза превосходят обычные органические диоды, не говоря о
ЖКД, 90% излучения которых поглощается светофильтрами и другими компо-
нентами дисплея. Световая эффективность PHOLED достигает 20 лм/Вт. Яр-
кость активно-матричного PHOLED-дисплея с диагональю 2,2 дюйма в режиме
воспроизведения видеоизображения – 200 кд/м2 при значении потребляемой
мощности всего 125 мВт против 180 мВт для ЖКД аналогичный яркости.
К достоинствам PHOLED относятся возможность формирования на их основе
экранов больших размеров (благодаря малой потребляемой мощности и боль-
шой светоотдаче), а также совместимость технологии с процессами формиро-
вания активных матричных структур с ТПТ на базе аморфного или поликри-
сталлического кремния.
Помимо PHOLED-дисплеев компания UDC предлагает так называемые
прозрачные органические светодиоды (Transparent OLED – TOLED), формиру-
емые с прозрачными электродами на тонких прозрачных стеклянных или
пластмассовых подложках. Светодиоды типа TOLED излучают свет верхней,
нижней или обеими поверхностями. Поскольку в нерабочем режиме такие па-
нели прозрачны на 70%, они могут монтироваться на стеклах очков, лобовом
стекле автомобиля или на окнах. Кроме того, компания создала наборные
OLED (Stacked OLED – SOLED), в которых красные, зеленые и синие элементы
каждого пиксела располагаются по вертикали. Каждый субпиксел управляется
независимо, цвет пиксела регулируется пропускаемым через каждый цветовой
элемент током, шкала серого – широтно-импульсной модуляцией. Яркость
162
устанавливается выбором соответствующего тока вертикального набора. По
утверждению разработчиков, SOLED-технология позволяет в три раза увели-
чить разрешение дисплея и качество цветопередачи в сравнении с дисплеями на
базе ЭЛТ или ЖК. Компания считает, что в будущем SOLED-панели найдут
применение в дисплеях с высоким разрешением сетевого оборудования.
Интерес представляют и разработанный учеными исследовательской груп-
пы института технологии Технион (Израиль) органический полупроводнико-
вый материал на базе полученных ими протеинов. Протеины соединяются друг
с другом, образуя пептиды, пригодные для построения электронных приборов.
По мнению разработчиков, в ближайшие несколько лет им удастся создать
полноцветные складные дисплеи с более высоким разрешением, чем у экранов
современных компьютеров.
170
– разработка компьютеров на нейтральных атомах;
– разработка квантовой оптики резонансных явлений caviti QED;
– разработка «оптических квантовых компьютеров», реализующих кванто-
вые операции с помощью линейных оптических элементов;
– разработка твердотельных квантовых компьютеров;
– разработка квантовых компьютеров на сверхпроводниковых элементах;
– разработка квантовых компьютеров на электронных, «плавающих» на
поверхности жидкого сверхтекучего вещества.
Большое внимание уделяется идее использования для модельной реализа-
ции квантовых компьютеров в качестве кубитов уровней энергии ионов, захва-
ченных ионными ловушками, создаваемыми в вакууме определенной конфигу-
рацией электрического поля в условиях лазерного охлаждения их до микро-
кельвиновых температур.
Первый прототип квантового компьютера на этих принципах был предло-
жен австрийскими физиками И. Цираком и П. Цоллером в 1995 г.. В настоящее
время интенсивные экспериментальные работы ведутся в Los Alamos Natl.Lab.
(LANL) и Natl.Inst.Stand.Tech. (NIST) в США. Преимущество такого подхода
состоит в сравнительно простом индивидуальном управлении отдельными ку-
битами. Основными недостатками этого типа квантовых компьютеров являют-
ся необходимость создания сверхнизких температур, обеспечение устойчивости
состояний ионов в цепочке и ограниченность возможного числа кубитов значе-
нием n < 40.
Ведутся разработки по использованию в качестве кубитов атомов с ядер-
ными спинами с I = 1/2, принадлежащих молекулам органических жидкостей с
косвенным скалярным взаимодействием между ними и методов ядерного маг-
нитного резонанса (ЯМР) для управления кубитами.
Первые предложения были сформулированы в 1997 г. в Massach.Inst.Tech.
(MIT), LANL в США и в Clarendon Lab. в Оксфорде в Великобритании и в этом
же году были выполнены первые эксперименты на ядерных спинах двух атомов
водорода H в молекулах 2,3-дибромотиофена и на трех ядерных спинах – одном
в атоме водорода H и двух в изотопах углерода C в молекулах трихлорэтилена.
В области ЯМР квантовых компьютеров на органических жидкостях к
настоящему времени достигнуты наибольшие успехи. Они связаны в основном
с хорошо развитой импульсной техникой ЯМР-спектроскопии, обеспечиваю-
щей выполнение различных операций над когерентными суперпозициями со-
стояний ядерных спинов и с возможностью использования для этого стандарт-
ных ЯМР-спектрометров, работающих при комнатных температурах.
В 1998 г. Авериным было предложено использование в качестве кубитов
зарядовых состояний куперовских пар в квантовых точках, связанных перехо-
дами Джозефсона.
Первый твердотельный кубит на этих принципах был создан в NEC
Fund.Res.Lab. в Японии в 1999 г. Полагают, что перспективность этого направ-
ления состоит в возможности создания электронных квантовых устройств вы-
сокой степени интеграции на одном кристалле, при этом для управления куби-
тами не потребуются громоздкие лазерные или ЯМР установки. Однако на пути
171
создания квантовых компьютеров еще остается нерешенными ряд важных про-
блем и, в частности, проблема устойчивости состояний кубитов и декогеренти-
зация.
Поисковые работы квантовым компьютерам на высокотемпературных
сверхпроводниках в России ведутся в Институте теоретической физики им.
Л.Д. Ландау РАН.
Перечисленные выше три в разной степени реализованных направления в
развитии элементной базы квантовых компьютеров дополнились еще двумя
широко обсуждаемыми пока на уровне предложений направлениями.
Важные перспективы открываются перед направлением твердотельных
ЯМР квантовых компьютеров.
Для этого в 1998 г. австралийским физиком Б. Кейном было предложено
использовать в качестве кубитов обладающие ядерным спином 1/2 донорные
атомы с изотопами P31, которые имплантируются в кремниевую структуру. Это
предложение, которое пока остается нереализованным, открывает потенциаль-
ную возможность создания квантовых вычислительных устройств с практиче-
ски неограниченным числом кубитов. В России работы в этом направлении ве-
дутся в Физико-технологическом институте РАН.
Еще одним из интересных направлений является использование в качестве
состояний кубитов двух спиновых или двух зарядовых электронных состояний
в полупроводниковых наноструктурах, в частности в квантовых точках, форми-
руемых в гетероструктурах типа AlGaAs/GaAs, либо с спин-спиновым обмен-
ным, либо с электрическим взаимодействием между кубитами. Индивидуаль-
ное управление кубитами в случае спиновых электронных состояний предпола-
гается осуществлять, используя так называемые спиновые клапаны, а для изме-
рения состояния отдельного спина – спиновые фильтры из ферромагнитных
туннельных барьеров. В случае зарядовых состояний предполагается управлять
кубитами либо лазерами инфракрасного диапазона, либо с помощью электри-
ческого воздействия на высоту барьера, разделяющего кубиты. Активные поис-
ковые исследования в этом направлении проводятся исследовательских центрах
IBM. Работа по моделированию полупроводниковых кубитовых наноструктур
из квантовых точек в России ведется в Физико-технологическом институте
РАН.
Отметим, что среди других направлений рассматриваются также и такие
пока еще слабо разработанные варианты, как использование квантовых элек-
тродинамических полостей для фотонов и фотонных кристаллов; электронов,
плавающих на поверхности жидкого гелия; системы двух одномерных кванто-
вых каналов для электронных волн (квантовые проволоки); системы ядерных
спинов в двумерном электронном газе в условиях квантового эффекта Холла и
некоторые другие.
Berman et.al. (Los Alamos Nat. Lab) предлагают использовать магнитный
атомно-силовой микроскоп с крошечным (4нм) магнитом на острие кантилеве-
ра. Оказывается, что такой микроскоп позволяет измерять чистое состояние от-
дельного ядерного спина («спин вверх» или «спин вниз»). Система спинов по-
мещается во внешнее постоянное магнитное поле, созданное сверхпроводящим
172
магнитом. Измерение состояния выделенного кубита производится при подве-
дении к нему острия микроскопа и включении радиочастотного (РЧ) электро-
магнитного поля на частоте ЯМР. Для повышения чувствительности микроско-
па амплитуда этого поля промодулирована с резонансной частотой колебаний
кантилевера.
Американские физики P.M. Platzman (Bell Laboratories, Lucent
Technologies) и M.I. Dykman (Michigan State University) разработали устройство
квантового компьютера на электронах, плавающих на поверхности жидкого
сверхтекучего гелия. Как известно, электроны, находящиеся вблизи границы
жидкого гелия и вакуума, попадают в потенциальную яму сил изображения и
создают двумерный электронный газ. Низшее и первое возбужденное состояние
электрона в этой яме может служить квантовым битом.
Организация оптического квантового компьютера хорошо известна. Но ее
не торопятся воплощать в жизнь ввиду малой пригодности для практических
целей – слишком громоздки оптические элементы, делители, фазовращатели.
Идея использовать электронные волны вместо оптических является настолько
общепризнанной, что трудно установить ее изначальное авторство. Заслуга со-
трудников Engineering Department, University of Cambridge (Англия) состоит в
том, что они детально разработали устройство на электронных волнах, выпол-
няющее квантовые логические алгоритмы.
В феврале 2007 г. канадская компания D-Wave Systems представила пер-
вый работающий прототип квантового компьютера Orion. И это случилось лет
на 20 раньше, чем предсказывали ученые. Квантовый компьютер Orion – это
первая практическая реализация технологии, позволяющей осуществлять одно-
временно до 65 536 вычислительных потоков. Его создатель – компания D-
Wave – целиком посвятил свою деятельность этой проблеме, уставный капитал
предприятия составил 20 млн. долл., а конечной целью является разработка до-
ступного и эффективного устройства. Презентация работающего в Ванкувере
компьютера производилась в Силиконовой долине. Его чип выполнен из нио-
бия, который охлаждается в жидком гелии до температуры близкой к абсолют-
ному нулю. Поэтому компьютер и называют адиабатическим, так как при таком
охлаждении возникают условия, когда система не получает и не отдает тепло.
При этом 16 металлических дорожек из ниобия, расположенные на кремниевой
подложке и разделенные изолятором, начинают пропускать электрический ток
по часовой стрелке, против нее или в обоих направлениях. Таким образом, вы-
полняется главное условие квантовых вычислений – суперпозиция двух состо-
яний в квантовом кубите информации. Вся информация хранится в виде
направлений течения тока по металлическим петлям и переходам. Работа кван-
тового компьютера основана на измерении магнитных полей и переводу их из-
менений, вызванных ниобием, в результат счисления.
Позже, в 2008 г., компания представила 28-кубитовый квантовый процес-
сор Leda с усовершенствованной технологией связи между кубитами. Для де-
монстрации возможностей квантового компьютера выбрано приложение, опре-
деляющее сходство изображений. Кроме того, представители D-Wave готовы к
обсуждению других задач, включающих сопоставление с образцом, поиск и оп-
173
тимизацию.
Работают над квантовыми компьютерами и в России. Институт теоретиче-
ской физики им. Ландау РАН и Физико-технологический институт РАН прово-
дят опыты с разной архитектурой квантовых компьютеров, с разными материа-
лами.
Российский исследователь М. В. Фейгельман, работающий в Институте
теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, предлагает собирать квантовые
регистры из миниатюрных сверхпроводниковых колец. Каждое кольцо выпол-
няет роль кубита, а состояниям 0 и 1 соответствуют направления электрическо-
го тока в кольце – по часовой стрелке и против нее. Переключать такие кубиты
можно магнитным полем.
В Физико-технологическом институте РАН группа под руководством ака-
демика К.А. Валиева предложила два варианта размещения кубитов в полупро-
водниковых структурах. В первом случае роль кубита выполняет электрон в си-
стеме из двух потенциальных ям, создаваемых напряжением, приложенным к
мини-электродам на поверхности полупроводника. Состояния 0 и 1 – положе-
ния электрона в одной из этих ям. Переключается кубит изменением напряже-
ния на одном из электродов. В другом варианте кубитом является ядро атома
фосфора, внедренного в определенную точку полупроводника. Состояния 0 и 1
– направления спина ядра вдоль либо против внешнего магнитного поля.
Управление ведется с помощью совместного действия магнитных импульсов
резонансной частоты и импульсов напряжения.
На протяжении многих лет одновременно с японскими исследователями
российские ученые А. Орликовский, В. Вьюрков, А. Ветров (ФТИАН) и
Л. Горелик (Chalmers University, Швеция) работают над идеей квантового ком-
пьютера в канале транзистора. Они разрабатывают идею изменения состояния
спина электрона, помещенного в в канал полевого транзистора, с помощью тока
в квантовой нити.
В составе лаборатории физики квантовых компьютеров ФТИАН работают:
заведующий лабораторией, академик Камиль Ахметович Валиев, ведущий
научный сотрудник, доктор физико-математических наук Александр Алексан-
дрович Кокин, ведущий научный сотрудник, доктор физико-математических
наук Юрий Игоревич Ожигов, научный сотрудник, кандидат физико-
математических наук Алексей Александрович Ларионов, научный сотрудник,
кандидат физико-математических наук Александр Викторович Цуканов, млад-
ший научный сотрудник Игорь Семенихин. В работе так же принимают участие
сотрудники других лабораторий ФТИАН.
На семинаре по квантовой информатике в Физико-технологическом инсти-
туте (ФТИАН) А.А.Кокин сделал обзор современных экспериментальных до-
стижений в области квантовых компьютеров. А.А.Кокин попытался сделать
его, основываясь на законе Мура, который гласит, что удвоение количества
элементов микросхемы происходит каждые два года. Этот закон соблюдается в
микроэлектронике на протяжении многих десятилетий. Если взять за начало
отсчета компьютер на ионах в ловушках с двумя кубитами, который был пред-
ставлен в 2006 г., то 100 кубитов следует ожидать в 2014 г., а 1000 кубитов – в
174
2020-ом. Такой компьютер уже бы позволил решать практически важные зада-
чи.
К.А. Валиев высказал другой принцип прогнозирования. Развитие техники
показывает, что от момента изобретения до момента широкого использования
проходит 50 лет. Если начальным моментом считать год публикации статьи
Р.Фейнмана (1984), то полномасштабный квантовый компьютер должен по-
явиться только в 2034 г. Посмотрим, кто окажется прав. Однако оба представ-
ленных прогноза предполагают интенсивную работу и достаточное финансиро-
вание.
В настоящее время много наших соотечественников возглавляют зарубеж-
ные научные школы и направления работ по созданию квантовых компьютеров.
В подтверждение этому факту можно привести несколько следующих приме-
ров:
– Юрий Мамин – сотрудник исследовательского центра IBM, США. Еще в
1980 г. Мамин Ю. высказал предположение, что «квантовый шум», который в
ходе миниатюризации микросхем неизбежно превратится в препятствие для их
нормальной работы, можно попытаться использовать для конструирования
компьютеров нового типа, считающих по новым квантовым алгоритмам. Тогда
странная идея молодого ученого не вызвала в научном сообществе особого эн-
тузиазма, но когда через два года о заманчивых перспективах «квантовых вы-
числений» заговорил, такой авторитет, как Рихард Фейнман, исследователи
стали проявлять к новой области повышенный интерес. Фейнман, грубо говоря,
показал, что один квантовый компьютер (цепочка квантовых битов) сможет ра-
ботать как комбинация очень большого числа классических компьютеров, про-
водящих вычисления одновременно;
– Китаев A. (Microsoft Corp, США). Ему удалось обобщить шоровский алго-
ритм, а уже через два года коллега по Bell Labs Лов Гровер показал, что кванто-
вые вычисления гораздо эффективнее классических не только при взломе шиф-
ров, но и при поиске в неупорядоченных базах данных;
– Пашкин Ю. (Japan Science and Technology Corporation, Япония, а в про-
шлом научный сотрудник ФИАН) совместно с Иошико Накамура и Джан Цаи
(оба из NEC Fundamental Research Laboratories) изготовили кубит на основе
джозефсоновского контакта (тонкий слой диэлектрика, разделяющий два
сверхпроводника и пропускающий ток);
– Сергиенко А.В. (Boston University, Massachusetts, США). Область работ –
квантовые операции с помощью линейных оптических элементов;
– Лукин М.С. (Harvard, Massachusetts, США). Область работ – теория по-
строения квантовых компьютеров на нейтральных атомах;
– Левитов Л.С. (MIT, США). Область работ – теория построения кубитов на
сверхпроводниковых мезоструктурах;
– Устинов А.В. (Германия). Область работ – сверхпроводниковые кубиты на
сквидах;
– Аверин Д.В. и Лихарев К.К. (Stony Brook State University of New York,
США). Область работ – теория построения кубитов на сверхпроводниковых
элементах (сверхпроводниковые кубиты на сквидах и сверхпроводниковые за-
175
рядовое кубиты).
Любопытен и еще один факт, связанный с paботой нашего соотечествен-
ника в области создания квантового компьютера. Так, 13 февраля 2007 г. канад-
ская компания D-Wave Systems (г. Ванкувер) объявила о создании и демонстра-
ции работы первого в мире коммерческого устройства, реализующего механиз-
мы квантовых вычислений (т.е. квантового компьютера). Руководством этой
компании было заявлено, что к настоящему времени создан компьютер «Ори-
он», состоящий из 16 кубитов, а к концу 2008 г. его планируют довести («про-
масштабировать») до 1024 кубитов. При этом сообщается, что квантовый ком-
пьютер создан на сверхпроводящих твердотельных элементах и способен ре-
шать задачи поиска в неупорядоченной базе данных и находить оптимальное
решение задач методом перебора.
К настоящему времени ученые в области квантовых информационных
технологий скептически (от сдержанного пессимизма до резкого неприятия)
относятся к заявлениям компании D-Wave Systems. Большие вопросы возника-
ют к способам решения компанией таких проблем, как декогерентность, ввод и
считывание данных, взаимодействие между кубитами и ее контролируемость.
Отчасти скептицизм к сенсационным заявлениям вызван и следующими обсто-
ятельствами:
– одним из директоров фирмы является Алексей Андреев (канд. физ.-мат.
наук, закончил аспирантуру Московского института стали и сплавов, бывший
сотрудник Института спектроскопии РАН (г. Троицк, МО), инвестициями в
сфере высоких технологий начал заниматься еще в России);
– заключенный фирмой D-Wave Systems контракт на разработку квантово-
го компьютера, стоимостью в 14 млн. долл. и выплаченных в мае 2006 г., пред-
полагающий «авантюрно-прорывные достижения», например, компьютер из 32
кубитов к концу 2007 г.
180
Задача компьютерного моделирования молекулярных устройств чрезвы-
чайно сложна и трудоемка, поскольку на молекулярном уровне уже перестают
действовать макроскопические законы механики, используемые для расчета уз-
лов обычных машин. Законы сопротивления материалов и гидравлики уже не-
применимы − вместо этого вступают в действие законы квантовой механики,
которые приводят к совершенно неожиданным с точки зрения классической
механики последствиям, поэтому единственно приемлемым для молекулярной
нанотехнологии вычислительным подходом являются методы молекулярного
моделирования, которые ранее успешно использовались в вычислительной хи-
мии и молекулярной биологии.
Наиболее активно используемыми в молекулярной нанотехнологии мето-
дами молекулярного моделирования являются молекулярная механика, моле-
кулярная динамика, а также пришедший недавно из статистической физики ме-
тод Монте-Карло. Одной из главных проблем является то, что нанотехнология
оперирует такими величинами, на которые законы классической физики уже не
распространяются. Например, движение легких электронов может быть описа-
но только квантово-механически, а движения тяжелых ядер уже со значительно
меньшими погрешностями может быть описано в рамках Ньютоновской меха-
ники. Для того чтобы отделить одно от другого используется известное из
квантовой механики приближение Борна-Оппенгеймера. Достигается это путем
введения так называемого силового поля, которое представляет собой функцию
потенциальной энергии молекулы от координат ядер атомов. В методе молеку-
лярной механики производится поиск энергетически выгодного пространствен-
ного строения молекулы путем нахождения локального минимума этой функ-
ции потенциальной энергии, в методе молекулярной динамики вычисляется
классическая траектория движения атомов путем интегрирования уравнения
движения Ньютона в силовом поле молекулы, а в методе Монте-Карло рас-
сматривается вся статистическая совокупность энергетически выгодных поло-
жений атомов в молекуле, что дает возможность определить самое выгодное в
энергетическом плане пространственное строение молекул, а также оценить их
термодинамические характеристики.
Большинство опубликованных примеров применения метода молекуляр-
ной динамики в молекулярной нанотехнологии касается моделирования работы
и оптимизации размеров и параметров молекулярных шестеренок и молекуляр-
ных подшипников, а также движения нейтрального газа внутри углеродных
нанотрубок, пистонов и молекулярных насосов. Основное применение метода
молекулярной механики касается определения оптимальных значений парамет-
ров, описывающих молекулярное строение отдельных деталей, например, раз-
мер углеродных трубок, а также дизайн мест связывания для вылавливания
нужных молекул из раствора. Пока еще немногочисленные работы по примене-
нию метода Монте-Карло касаются моделирования процесса самосборки со-
ставных частей молекулярных устройств.
Вторым типом подходов из арсенала средств молекулярного моделирова-
ния, который уже нашел свое место в вычислительной молекулярной нанотех-
нологии, являются неэмпирические квантово-химические расчеты в рамках
181
приближения Хартри-Фока, известного также, как метод молекулярных орби-
талей. Подобные расчеты проводятся для моделирования протекания химиче-
ских реакций, приводящих к синтезу составных частей молекулярных
устройств.
Наконец, третьим вычислительным подходом, который также активно ис-
пользуется в молекулярной нанотехнологии, является визуализация деталей
молекулярных машин с использованием языка моделирования виртуальной ре-
альности VRML. Вне всякого сомнения, технология виртуальной реальности
является едва ли не единственным способом заглянуть внутрь молекулярных
машин и посмотреть, как бы они выглядели при свете (заметим, что в мире мо-
лекулярных машин царит тьма, поскольку размер их деталей намного ниже
длины волны видимого света), что крайне важно для человека-разработчика,
живущего в освещенном макромире и привыкшего думать в его категориях.
Активное внедрение вычислительных подходов в молекулярную нанотех-
нологию потребовало развития специализированного программного обеспече-
ния. Во-первых, были созданы молекулярные компиляторы − программы, пере-
водящие описание детали молекулярной машины с языка высокого уровня на
атомно-молекулярный язык, воспринимаемый программами молекулярного
моделирования из богатого арсенала вычислительной химии. Использование
молекулярных компиляторов дает возможность быстро строить молекулярные
модели деталей, пригодные для обработки программами молекулярного моде-
лирования с целью оценки их целевых свойств, что позволяет путем варьирова-
ния параметров конструировать молекулярные детали, обладающие оптималь-
ными характеристиками. В качестве примера можно привести молекулярный
компилятор для углеродных нанотрубок. Следующим этапом явилось создание
специализированных программных систем для молекулярной нанотехнологии,
аналогичных CAD-системам в макроскопическом машиностроении. В качестве
примера можно привести создаваемую в NASA Ames Research Center компью-
терную систему разработки молекулярных машин NanoDesign.
Основные работы в области вычислительной молекулярной нанотехноло-
гии ведутся в лабораториях NASA Ames Research и в Material Simulation Center
с использованием новейших параллельных суперкомпьютеров, таких как Intel
Paragon, CRAY T3D, J Machine, SGI Power Challenger и HP-Convex, а также в
ряде других научных центров, из которых стоит упомянуть Institute for
Molecular Manufacturing и Xerox Corporation. Во многих случаях подобные ис-
следования проводятся при финансовой поддержке со стороны NASA, что не
удивительно, поскольку, судя по всему, использование элементов молекуляр-
ной нанотехнологии уже в ближайшем будущем может стать одним из ключе-
вых элементов американской аэрокосмической программы. Более того, есть все
основания полагать, что именно молекулярная нанотехнология определит лицо
технологического развития XXI века.
184
пространства в верхнее энергия и приводит с-блок во вращение. На этом блоке
закреплена очередная молекула – і-единица. Она играет роль коленчатого вала.
По мере вращения она давит на очередную І-единицу, заставляя ее переходить
из одной конформации – закрытой – в другую – открытую. В открытой кон-
формации І-единица захватывает пару молекул – аденозиндифосфат (АДФ) и
неорганический фосфат. При закрытии она с силой прижимает их друг к другу;
это приводит к механосинтезу АТФ. При очередном открытии готовая молеку-
ла АТФ выходит в окружающую среду и І-единица готова к очередному циклу.
Таким образом, можно сказать, что АТФ-синтаза представляет собой до-
вольно сложную молекулярную машину, состоящую из электромотора (ротор –
с-блок; статор – а-единица), коленчатого вала (і-единица) и блока рабочих ин-
струментов (І-единиц), осуществляющих механосинтез молекул АТФ из двух
исходных компонент.
Интересно, что АТФ-синтаза может работать и «в обратную сторону». Ес-
ли над мембраной исходная концентрация АТФ высока, то уже І-единицы бу-
дут вращать с-блок через і-единицу, закачивая протоны под мембрану. Таким
образом, «электромотор» может работать и как «электрогенератор».
Это только один из примеров расшифрованных природных нано-
устройств. К сожалению здесь невозможно подробно рассмотреть ряд других –
таких, как «электромотор», двигающий флагеллы бактерий, «сборочный кон-
вейер» – рибосому, ферменты-«нанороботы», находящие ошибки в информа-
ции, записанной на ДНК и исправляющие их. С каждым годом мы обнаружива-
ем новые молекулярные механизмы, выполняющие самые разнообразные
функции. Это позволяет предположить, что устройства, аналогичные по мас-
штабам могут быть изготовлены и искусственно – то, что было сделано, может
быть повторено.
Особая роль углерода. Все живое на Земле состоит из соединений углерода.
Значение этого элемента трудно переоценить. Оно определяется огромным раз-
нообразием его форм в соединениях. Углеродные цепочки могут образовывать
линейный скелет молекул, циклические и сложные объемные скелетные струк-
туры; углерод представляет огромный интерес и в чистом виде, принимая раз-
личные формы от алмаза до молекулярных волокон и нанотрубок. Ковалентная
связь углерод-углерод является наиболее прочной из известных.
До сравнительно недавнего времени известны были только две разновид-
ности упорядоченного чистого углерода – алмаз и графит. Потом были обнару-
жены и другие – сначала были синтезированы молекулярные волокна, затем от-
крыты полые сферические молекулы – фуллерены; при поиске эффективных
методов синтеза последних были обнаружены углеродные нанотрубки.
Именно материалы на основе углерода Дрекслер рассматривает в качестве
основных кандидатов для изготовления конструкций наномеханизмов (хотя, ра-
зумеется, свои места находят и другие элементы – водород, азот, кислород,
фосфор, кремний, германий и т.д.).
Наномеханические вычисления. Миниатюризация компонент вычислительной
техники, увеличение частоты их функционирования представляют собой маги-
стральное направление развития нанотехнологий. На сегодняшний день проде-
185
монстрирована работоспособность целого ряда активных компонент – транзи-
сторов, диодов, ячеек памяти – состоящих из нанотрубок, нескольких молекул
или даже из единственной молекулы. Передача сигнала может осуществляться
одним единственным электроном. Пока не решены проблемы, связанные со
сборкой таких компонент в единую систему, соединения их нанопроводами.
Тем не менее, можно не сомневаться, что решение этих проблем – вопрос вре-
мени. Оценки показывают, что компьютер, собранный из наноэлектронных
компонент и по своей сложности эквивалентный человеческому мозгу сможет
иметь объем в 1 см3 – но будет работать в 107 раз быстрее (быстродействие бу-
дет ограничено возможностью отвода тепла). Компьютер (точнее, процессор +
память), эквивалентный современному «Pentium» будет, предположительно,
иметь объем в 10–6 см3 – 0,1×0,1×0,1 мм3.
Вероятно, наиболее быстрые и производительные компьютеры будущего
будут использовать именно наноэлектронную технологию, возможно они будут
использовать спинотронику или фотонику. Однако не исключено, что самые
маленькие компьютеры будут созданы на совершенно другой элементной базе.
Дрекслер предполагает, что такой базой может стать наномеханика.
Дрекслер предложил механические конструкции для основных компонент
нанокомпьютера – ячеек памяти, логических гейтов. Основными их элементами
являются вдвигаемые и выдвигаемые стержни, взаимно запирающие движение
друг друга. При ширине стержня в несколько атомных размеров (например, при
использовании углеродных нанотрубок) компьютер эквивалентный современ-
ному, содержащему 1 млн. транзисторов может иметь объем в 0,01 мкм3, ком-
пьютер с памятью в 1 терабайт – объем в 1 мкм3. Как и в случае с наноэлектро-
никой, быстродействие наномеханического компьютера будет определяться
возможностью отвода тепла. Расчеты Дрекслера показывают, что при темпера-
туре окружающей среды ~300 К на один ватт рассеиваемой мощности такой
компьютер будет осуществлять ~1016 операций в секунду. При мощности
100 нВт (предполагается, что такую мощность сможет без специального охла-
ждения рассеять упомянутый выше компьютер с объемом 0,01 мк3) это дает
производительность 109 операций в секунду, что примерно эквивалентно мощ-
ному современному настольному компьютеру.
Если эти показатели будут достигнуты, то этого будет вполне достаточно
для того, чтобы оснастить бортовым компьютером микронного размера нано-
устройство, например, медицинского назначения.
186
Механосинтез с использованием зондовой микроскопии. Предложен ряд
подходов, которые могут позволить собирать углеродные конструкции бук-
вально атом за атомом.
Метод молекулярных строительных блоков. Этот метод «промежуточного
уровня» активно разрабатывается в последнее время; его суть состоит в том,
что наноустройства собираются из заранее синтезированных химически моле-
кул – строительных блоков, способных соединяться друг с другом. Предложен
целый ряд возможных конструкций таких блоков.
Перспективы развития молекулярной нанотехнологии. Нанотехнологии –
это технологии работы с веществом на уровне отдельных атомов. Традицион-
ные методы производства работают с порциями вещества, состоящими из мил-
лиардов и более атомов. Это значит, что даже самые точные приборы, произве-
денные человеком до сих пор, на атомарном уровне выглядят как беспорядоч-
ная мешанина.
Переход от манипуляции с веществом к манипуляции отдельными атома-
ми – это качественный скачок, обеспечивающий беспрецедентную точность и
эффективность.
В 1959 г. нобелевский лауреат Ричард Фейнман в своем выступлении
предсказал, что в будущем, научившись манипулировать отдельными атомами,
человечество сможет синтезировать все, что угодно. В 1981 г. появился первый
инструмент для манипуляции атомами – туннельный микроскоп, изобретенный
учеными из IBM. Оказалось, что с помощью этого микроскопа можно не только
«видеть» отдельные атомы, но и поднимать и перемещать их. Этим была про-
демонстрирована принципиальная возможность манипулировать атомами, а
стало быть, непосредственно собирать из них, словно из кирпичиков, все, что
угодно: любой предмет, любое вещество.
Нанотехнологии обычно делят на три направления:
– изготовление электронных схем, элементы которых состоят из несколь-
ких атомов;
– создание наномашин, то есть механизмов и роботов размером с молеку-
лу;
– непосредственная манипуляция атомами и молекулами и сборка из них
чего угодно.
Благодаря стремительному прогрессу в таких технологиях, как оптика,
нанолитография, механохимия и 3D-прототипировние, нанореволюция может
произойти уже в течение следующего десятилетия. Когда это случится, нано-
технология окажет огромное влияние практически на все области промышлен-
ности и общества.
В 1992 г., выступая перед комиссией Конгресса США, доктор Эрик Дрекс-
лер нарисовал картину обозримого будущего, когда нанотехнологии преобразят
наш мир. Будут ликвидированы голод, болезни, загрязнение окружающей сре-
ды и другие насущные проблемы, стоящие перед человечеством. Практически
все, что необходимо для жизни и деятельности человека, может быть изготов-
лено молекулярными роботами непосредственно из атомов и молекул окружа-
ющей среды. Продукты питания – из почвы и воздуха, точно так же, как их
187
производят растения; кремниевые микросхемы – из песка. Очевидно, что по-
добное производство будет куда более рентабельным и экологичным, чем ны-
нешние промышленность и сельское хозяйство.
Человечество получит исключительно комфортную среду обитания. В пер-
спективе нас ждет возникновение «разумной среды обитания» (т.е. природы,
ставшей непосредственной производительной силой).
Нанокомпьютеры и наномашины заполнят собой все окружающее про-
странство: они будут находиться между молекулами воздуха, присутствовать в
каждом предмете, в каждой клетке человеческого организма. Весь окружающий
мир превратится в один гигантский компьютер или, что, пожалуй, будет вернее,
человечество сольется с окружающим миром в единый разумный организм.
188
транзистор меньшего размера до сих пор изготовить не удавалось. С помощью
современной нанолитографии планируется создавать транзисторы размером не
менее 25 нанометров. При дальнейшем уменьшении кремниевых транзисторов
возникают серьезные затруднения. Одно из них – увеличение теплового рассе-
ивания при уменьшении размеров. Даже если на сверхминиатюрных транзи-
сторах собрать ноутбук, то при включении он выйдет из строя от выделяемого
транзисторами тепла, не говоря уже о том, сколько электроэнергии он потре-
бит за короткое время работы. Однако работа нового QuIET-транзистора ос-
нована на принципах квантовой механики, и переключение устройства осу-
ществляется с помощью контроля различных электронных потоков. В основе
транзистора – кольцевая молекула бензола с двумя подключенными к ней элек-
тродами, по которым через транзистор протекает основной ток. Благодаря
третьему электроду планируется открывать и закрывать транзистор. Ток, про-
текающий по третьему электроду, не складывается с основным, как это поло-
жено по законам электродинамики, а ведет себя, как волна, и поэтому два то-
ка могут интерферировать между собой таким образом, что транзистор закры-
вается.
Одномолекулярные транзисторы будут иметь широкую область примене-
ния: в компьютерных чипах, мобильных устройствах, бытовой электронике и
др.
189
UП
Управляющий электрод
U
Напряжение на
управляющем
электроде
Пороговое напряжение
190
ГЛАВА 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ
ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ
100 ГГц
10 ГГц
Тактовая частота
1 ГГц
100 МГц
10 МГц
1 МГц
1980 1990 2000 2010
Годы
191
10-2 64 Кб
10-4
512 Мб
10-5
1980 1990 2000 2010
Годы
192
ров фирмы Intel с уменьшением технологической нормы повышается частота
функционирования и понижается напряжение питания, что иллюстрирует рис.
8.3.
Uп , В f , МГц
6 4000
5
3000
4
f Uп
3 2000
2
1000
1
0 0
0 200 400 600 800
Технологический процесс, нм
193
В ближайшие десятилетия серьезную конкуренцию КМДП транзисторам
составят полевые транзисторы на основе InSb, способные работать при
UП = 0,5 В.
Для известных и планируемых к разработке наноэлектронных систем остро
необходимы суперминиатюрные конденсаторы с низкими рабочими напряже-
ниями (порядка 0,5 В). Конденсаторы традиционных типов не обладают нуж-
ной плотностью емкости (ρC), плотностью энергии (ρW) и плотностью мощности
(ρР).
Для плоского конденсатора напряженность электрического поля EMAX, ди-
электрическая проницаемость (в зарубежных публикациях для диэлектриче-
ской проницаемости используется обозначение k)
1
194
ренних линиях ИС. Большие токи создают дробовые шумы, минимизировать
влияние которых можно с помощью развязывающих конденсаторов CР. Для ми-
ниатюрных автономных объектов требуются импульсные накопители с высо-
ким значением ρC, ρE. Низковольтные источники, черпающие энергию из окру-
жающей среды (свет, градиенты давления, температуры, вибрации и др.) могут
обеспечить длительное функционирование мобильных электронных устройств,
микророботов, пикоспутников, систем беспроводной радиочастотной иденти-
фикации (REID) и др.
Автономные источники электропитания необходимы для цифровой и ана-
логовой электроники беспроводных самоподдерживающихся сетей с узлами,
обладающими сенсорными, вычислительными и коммуникативными функция-
ми.
В случае включения в силовой блок узлов трехвольтовых литиевых эле-
ментов, для понижения напряжения необходимы DC/DC – преобразователи, в
состав которых входят высокоемкие конденсаторы.
Современные RFID-чипы с размерами 0,30,30,06 мм включают структу-
ры, преобразующие внешний радиочастотный сигнал в постоянный ток. В про-
стейшем случае – это антенна, диод и конденсатор-накопитель
(δС = 0,35 мкФ/см2), определяющий функциональные возможности чипа. Емко-
сти конденсатора-накопителя RFID-чипа определяется формулой:
C it (U MAX U MIN ) , (8.2)
где UMAX и UMIN – предельные значения напряжения, i – средний ток на нагрузке
во время активной стадии работы, Δt – время передачи данных.
У 0,5-вольтовых RFID величина ΔU = UMAX – UMIN составляет 0,1 В, что на
порядок меньше, чем у современных чипов.
Излучаемые RFID-чипом энергия СUMAXΔU и мощность СUMAXΔU/Δt зави-
сят от дистанции и протокола радиоблока. Если UMAX уменьшится в 3 раза, а ΔU
– в 10 раз, то для сохранения значений СUMAXΔU емкость С должна возрасти в
30 раз, но на чипе с δС = 0,35 мкФ/см2 нет места для размещения такой емкости.
Приемлемо, когда конденсаторы занимают 10% площади, но конденсаторы
традиционных типов не могут обеспечить δС = 50 мкФ/см2.
Операционные частоты конденсаторов-накопителей должны соответство-
вать несущей частоте радиоблока.
В стандартах RFID используется частота 135 кГц, 13,56 МГц, 2,45 ГГц,
860–960 МГц и другие. Таким образом, RFID-чипам с напряжением питания
0,5 В необходимы конденсаторы с операционной частотой от 10 5 до 109 Гц.
Условие δС = 50 мкФ/см2 определяет нижнюю границу δС для многих типов
0,5-вольтовых приборов.
Углеродные нанотрубки (НТ) и нановолокна (НВ) являются перспектив-
ными компонентами наноконденсаторов. На их основе создаются высокоэф-
фективные суперконденсаторы (ультраконденсаторы, молекулярные конденса-
торы, молекулярные накопители). Как и обычные конденсаторы, топливные
элементы, а также электромеханические исполнительные механизмы суперкон-
денсаторы, обычно состоят из двух электродов, разделенных изолирующим
195
слоем, способным транспортировать ионы.
Суперконденсаторы представляют собой два электрода, погруженных в
электролит и разделенных мембраной-сепаратором. В них используется эф-
фект двойного электрического слоя. Емкость обычных плоских конденса-
торов С обратно пропорциональна межэлектродному расстоянию, в то
время как емкость суперконденсаторов определяется расстоянием d между
зарядами на электроде и противозарядами в электролите. Кроме того, она
прямо пропорциональна удельной поверхности материала электродов S:
С = AS/d (A – коэффициент пропорциональности). В случае углеродных нано-
трубок величина d может составлять нанометры (у обычных конденсаторов -
микроны), S – сотни квадратных метров на грамм (м 2/г), поэтому суперкон-
денсаторы с углеродными нанотрубками отличаются весьма высокой емко-
стью, достигающей 200 Ф/г. Поскольку многослойные нанотрубки имеют
большие значения доступной поверхности, то конденсаторы на их основе
по емкости превосходят приборы с однослойными нанотрубками. Особое
значение имеет модифицирование многослойных нанотрубок, ведущее к уве-
личению удельной поверхности и достигаемое взаимодействием их с HNO3,
твердым КОН или иными способами. В суперконденсаторах можно монти-
ровать МУНТ в виде нанобумаги из спутанных трубок.
Запас энергии в конденсаторах зависит от применяемого при заряде
напряжения U и емкости С: W = CU2/2. Суперконденсаторы с углеродными
нанотрубками отличаются высокой плотностью достигаемой мощности (до
30 кВт/кг) и энергии (до 7 Вт·ч/кг) и в этом отношении превосходят элек-
трические батареи и аккумуляторы.
Заряд суперконденсаторов происходит при небольшом электрическом
напряжении и требует очень мало времени. Так, созданы конденсаторы с мно-
гослойными нанотрубками, сохраняющие прямоугольную форму вольтаммо-
грамм при скорости сканирования 1000 мВ/с.
Для получения тонких пленок из углеродных нанотрубок, работающих
как электроды суперконденсаторов с высокой плотностью энергии, использу-
ют осаждение из концентрированных дисперсий углеродных нанотрубок или
активированных углеродных нановолокон. Для консервации высокой пористо-
сти после активирования с помощью КОН используют функциализованные уг-
леродные нановолокна, например олигоанилином.
Осаждением многослойных нанотрубок на Al-электроды (каталитиче-
ским пиролизом С2Н2, разбавленного N2) изготовлены суперконденсаторы с
удельной емкостью 120 Ф/см3.
Существуют приемы активирования материалов на основе углеродных
нанотрубок для использования в суперконденсаторах. Так, электрохимическая
обработка в HNO3 позволила уменьшить удельную поверхность сростков одно-
слойных углеродных нанотрубок (ОУНТ) и количество в них мезопор при од-
новременном увеличении количества микропор. Фторирование ОУНТ с после-
дующим нагреванием при 900 °С также изменяет пористость и структуру пор
материала и увеличивает удельную емкость.
Главное, что сдерживает широкое применение углеродных нанотрубок
196
в суперконденсаторах, – это высокая цена материалов.
197
Оксиды индия и олова
UП п-парафенилен-винилен
Нанокристаллы CdSe
Магний
а)
Наночастицы TiO2
Жидкий электролит
Адсорбированные молекулы
hν красителя
Подложка из
электропроводя- Прозрачный
щего стекла противоэлектрод (ТСО)
Нанокрис -
талличес -
кая
пленка
TiO2
10 мкм
б)
Рис. 8.5. Две концепции прямого преобразования солнечной энергии
(в электрическую или химическую) с использованием наноматериалов:
а) солнечная батарея Аливисатоса; б) фотохимическая ячейка Грацеля
198
Rн
- UАК +
I
+
Li Электрон
+ Ион
Li +
Электролит Li
Анод Катод
Li, Li/Графит LiCo1-XAlXO
199
Uп
Катод,
Анод
покрытый
углеродными
нанотрубками
200
8.3.1. Способы получения электроэнергии
Энергетические проблемы широко и постоянно освещаются с высоких
трибун и в СМИ со всех точек зрения: политических, экономических, военных,
технических. Но это касается лишь так называемой большой энергетики. Для
инфокоммуникационных устройств важно развитие малой энергетики, к кото-
рой можно отнести область альтернативной энергетики и химические источни-
ки тока (ХИТ).
Действительно, наряду с использованием первичных энергоносителей (га-
за, нефти, изотопов и т. д.) существует еще ряд способов получения и аккуму-
лирования энергии, в частности в виде наиболее удобной формы – электроэнер-
гии, способы получения которой сведены в таблице 8.1.
Стационарные Мобильные
Невозобновляемые Возобновляемые
Электр Хим.
Топ- Солнце
Вода Ветер о энер-
ливо
энергия гия
Соленая и прес-
Неперезаряжае-
Презаряжаемые
Солнечные эле-
Геотермальные
Ветроэлектро
Энергия волн
Малые ГЭС
Приливные
Ионисторы
тростании
АЭС ГЭС
ная вода
станции
ТЭС
мые
201
емых химических источников тока (аккумуляторов)).
Но кроме использующего стационарные источники, в энергетике есть
направление, которое обеспечивает источниками (элементами) питания все
многообразие приборов и устройств, дающих возможность мобильной комму-
никации современному человеку. Это автономные (в первую очередь химиче-
ские) источники тока.
203
Рис. 8.8. Внешний вид литий-ионного аккумулятора фирмы Sony Ericsson
204
емкости. Внешний вид литий-полимерных аккумуляторов представлен на
рис. 8.9.
205
воначальной.
Пример основных характеристик LiPo аккумуляторов Kokam приведен в
таблице 8.2.
206
Рис. 8.10. Матрица коаксиальных нанотрубок,
изготовленных на алюминиевом шаблоне
Группа ученых Университета Райса (Rice University) в Техасе разработала
новый материал для электродов в виде гибридных (оксид металла – углеродные
нанотрубки) матриц, которые могут существенно повысить показатели ионно-
литиевых аккумуляторов.
Аккумуляторные технологии сегодня стоят на одном из приоритетных
мест в списке потребностей покупателей в связи с быстрым ростом производ-
ства гибридных и электрических автомобилей и портативной электроники. По-
требность в аккумуляторных батареях с повышенным ресурсом движет инно-
вации в этой области.
Концепция, которую ученые предлагают, включает в себя новый подход к
выращиванию углеродных нанотрубок, которые выглядят и действуют как ко-
аксиальные проводники, используемые в кабелях. Сердечниками таких коакси-
альных структур служат сами нанотрубки, имеющие высокую электропровод-
ность, а в качестве оболочки используются оксиды магния. На рисунке показа-
на матрица коаксиальных нанотрубок после изготовления на алюминиевом
шаблоне. Внешняя оболочка из оксида магния сформирована вакуумной ин-
фильтрацией, а сердечник добавлен методом осаждения в паровой фазе. Тонкий
слой золота использован в качестве общего коллектора тока.
Как утверждает Паликел Аджайан – профессор материаловедения Универ-
ситета, полученная конструкция представляет собой образец современного
конструирования на наноуровне. Группе удалось сопрячь несколько важных
физических функций, необходимых для электродов – нанотрубки, являясь вы-
сокопроводящими элементами, к тому же способны абсорбировать литий, а ок-
сид магния, имея низкую электропроводность, обладает высокой емкостью. Со-
четание этих двух элементов дает системе интересные совокупные свойства,
например, увеличение ресурса (который применительно к аккумуляторной ба-
тарее будет означать увеличение количества циклов зарядки/разрядки).
Нанотрубки могут быть организованы в пучки различной конфигурации.
Будучи всего несколько микрометров в поперечнике, пучки, используемые в
качестве электродов, дают оптимизм для уменьшения размеров батарей, кото-
рые впоследствии могут стаь тонкими и гибкими. Вся идея легко масштабиру-
ема и поэтому технологична. Проект финансируется Семейным Фондом Хартли
(Hartley Family Foundation).
207
8.3.3. Основные типы аккумуляторов
для мобильных устройств
Существует несколько типов аккумуляторов, которые применяются в мо-
бильных устройствах. Это никель-кадмиевые (Ni-Cd), никель-
металлогидридные (Ni-MH), литий-ионные или просто литиевые (Li-Ion) и ли-
тий-полимерные (Li-Pol) батареи. Из данного многообразия в подавляющем
большинстве устройств можно встретить литиевые и никель-металлогидридные
элементы.
Причем, литиевые элементы на сегодняшний день, являются самыми по-
пулярными источниками энергии. Ими комплектуются практически все совре-
менные сотовые телефоны, КПК, цифровые видеокамеры, ноутбуки, MP3-
плееры, цифровые фотоаппараты. Однако, среди цифровых фотоаппаратов,
плееров и других устройств, которые могут работать от стандартных батареек
форматов АА и ААА (а также некоторых других), чрезвычайно распространены
никель-металлогидридные аккумуляторы, выпускающиеся в формате таких ба-
тареек.
Но, прежде всего, рассмотрим важнейшие характеристики аккумуляторов.
Аккумуляторы имеют множество характеристик, из которых наиболее
ценную для обычного пользователя информацию несут несколько, в частности
– емкость аккумулятора, время зарядки, скорость саморазряда, количество цик-
лов заряда-разряда. Емкость измеряется в миллиамперах в час (мА∙ч или mAh).
Чем емкость больше – тем лучше, ибо от этого зависит, как долго ваше устрой-
ство проработает от той или иной батареи.
Время зарядки, как следует из названия, определяет время, в течение кото-
рого элемент можно зарядить. Измеряется в часах – понятно, что чем это пока-
затель меньше, тем удобнее для пользователя.
От скорости саморазряда зависит максимальное время, которое заряжен-
ный аккумулятор может провести без использования. То есть, это скорость, с
которой аккумулятор разряжается без нагрузки со стороны устройства. Чем
медленнее это происходит – тем лучше. Впрочем, надо отметить, что при до-
статочно интенсивном использовании аппарата вы просто не почувствуете раз-
ницы между аккумулятором с высокой и низкой скоростью саморазряда. А вот
если ваше устройство может пролежать без использования месяц и более, на
этот параметр следует обратить внимание.
Количество циклов заряда-разряда характеризует общий срок службы ак-
кумулятора. Здесь все зависит от технологии изготовления элемента.
Никель-металлгидридные аккумуляторы подходят для многих цифровых
фотоаппаратов, плееров и других подобных устройств. Они способны быстро
отдавать накопленный заряд – это лишний аргумент в пользу их использования
в цифровых устройствах.
Разные устройства нуждаются в различном питании – например, MP3-
плеер сможет питаться от одного элемента ААА емкостью 700–900 мА∙ч в те-
чение многих часов музыки, а средний цифровой аппарат проживет от пары ак-
кумуляторов на 2300 мА∙ч в течение нескольких сотен фотоснимков. Как пра-
208
вило, там же, где продаются аккумуляторы, можно купить зарядное устройство
для них.
Не стоит сильно экономить на зарядном устройстве – купив настольную
зарядку с функцией разряда, вы избавите себя от проблем по уходу за аккуму-
ляторами и обеспечите своим устройствам качественное питание. В частности,
Ni-MH-аккумуляторы подвержены так называемому «эффекту памяти» - если
постоянно заряжать не полностью разряженный аккумулятор, его емкость со
временем снижается. Также нельзя не отметить, что аккумуляторы обладают
довольно высокой скоростью саморазряда – до 30% в месяц. То есть, если вы не
снимали вашим цифровиком с Ni-MH-элементами в течение месяца – не за-
будьте его подзарядить. Время зарядки аккумуляторов может варьироваться –
от нескольких до 10–15 часов (с учетом цикла разрядки на соответствующих
зарядниках).
Перед началом использования новый аккумулятор должен пройти от 3 до 5
циклов полного заряда-разряда. Лучше всего сделать это с помощью зарядного
устройства с функцией разряда, но если ваше устройство может только заря-
жать аккумуляторы – разрядить их можно с помощью того мобильного гаджета,
для которого аккумуляторы приобретены.
Следует сказать, что никель-металлогидридные элементы могут сильно
нагреваться при быстром заряде или разряде. То есть, если вы случайно за-
мкнете аккумулятор (связкой ключей, например), произойдет быстрый разряд с
сильным нагреванием элемента и замкнувшего его предмета.
Если аккумулятор потерял емкость, его можно попытаться восстановить
несколькими циклами полного заряда-разряда. Также надо отметить, что Ni-
MH-аккумуляторы допускают длительное хранение (вплоть до нескольких лет).
Для этого никель-металлогидридную батарею необходимо полностью разря-
дить и поместить в прохладное место. Если аккумулятор долгое время хранился
в тепле, то перед использованием «потренируйте» его несколькими циклами
заряда-разряда.
Литиевые аккумуляторы миниатюрны и, как правило, обладают большей
емкостью при аналогичных с никель-металлогидридными размерами. В отли-
чие от всех других типов аккумуляторов, которые состоят из набора однотип-
ных элементов, литиевые аккумуляторы обязательно содержат микроплату –
контроллер аккумулятора. У контроллера много функций, предотвращающих
повреждение аккумулятора.
Литиевые аккумуляторы требуют минимального ухода за собой – вы мо-
жете подзаряжать такой аккумулятор, не дожидаясь полного разряда. Они об-
ладают крайне малой скоростью саморазряда – порядка 5–10% в месяц. Однако,
их не следует хранить длительное время или покупать впрок, т. к. существует
эффект старения, который «убивает» большинство таких аккумуляторов через
несколько лет (иногда и через год) использования. Литиевыми элементами надо
пользоваться, и чем интенсивнее – тем лучше.
Литиевые элементы боятся минусовых температур если вы вдруг заморо-
зите мобильное устройство с литиевой батареей – будьте готовы к тому, что он
просто выключится. Так же, они боятся полного разряда (при некачественном
209
контроллере или хранении в разряженном состоянии) – это может привести к
отказу внутренней электроники аккумулятора и, как следствие, к невозможно-
сти работы с ним. Некачественные аккумуляторы при замыкании или использо-
вании с неподходящей или некорректно работающей зарядкой могут взрывать-
ся (такие случаи бывали с сотовыми телефонами), поэтому, выбирая источник
питания для мобильных телефонов, лучше не экономить и покупать качествен-
ные зарядные устройства.
210
Рис. 8.12. Распределение рынка первичных элементов и батарей
211
жении в 2–3 раза. Первичные системы сохранят свое значение в устройствах,
срок эксплуатации которых может быть обеспечен максимум 1–2 заменами ис-
точника тока (часы, измерительная и контрольная аппаратура, оборудование се-
зонного использования с обязательным регламентным обслуживанием). При-
чины этих тенденций таковы:
– достижение вторичными системами (аккумуляторами) практически всех
ключевых потребительских показателей: емкости разового цикла, сохраняемо-
сти, мощностных параметров, характерных для первичных систем;
– сближение стоимости Вт·ч вторичных систем с этим показателем основ-
ной массы первичных;
– изменение менталитета потребителей («необслуживаемый черный
ящик», который должен сообщать о своей готовности и возможности выполне-
ния задач, которые собирается возложить не него потребитель);
–изменение приоритета экологических вопросов.
В области промышленных и автомобильных аккумуляторов пока безраз-
дельно господствуют свинцово-кислотные (СК) батареи (89%). Почему свинец?
На чаше весов лежит, с одной стороны:
– наиболее старая, а следовательно, отработанная и привычная система;
цена;
– относительно большие мировые запасы свинца;
– простота и эффективность переработки старых аккумуляторов.
А с другой стороны:
– необходимость регламентных работ при длительном хранении даже для
новых, «безуходных» аккумуляторов;
– невозможность оставления разряженного аккумулятора при низких тем-
пературах, весьма частом явлении, особенно в регионах нашей страны;
– «нежелательность» глубоких разрядов;
– невозможность прогнозирования выхода из строя;
– экологические вопросы;
– невозможность размещения в герметичных отсеках.
Пока при выборе системы у потребителя перевешивают показатели первой
группы, особенно цена.
В области источников тока для портативной техники ситуация несколько
иная. Переход на продукцию третьего поколения вызывает резкое повышение
требований к характеристикам источников тока (см. рис. 8.13). А производите-
ли говорят уже о четвертом и пятом поколении, которые обязательно вызовут
возрастание уровня требований по запасу энергии (по крайней мере удельных).
В области источников тока специального применения, например в про-
грамме перевооружения НАТО Land Warrior, в 1999 г. была поставлена задача
достижения следующих показателей (см. таблицу 8.3).
212
Рис. 8.13. Рост требований к характеристикам источников тока
Понятно, что решить эту задачу на основе свинцовых, как, впрочем, и ни-
кель-кадмиевых (Ni/Cd), аккумуляторов нельзя. Поэтому среди вторичных си-
стем в этих секторах получили развитие и превалируют электрохимические си-
стемы, появившиеся в последние 10–15 лет:
– никель-металлгидридная (Ni/MH);
– литий-ионная (ЛИА);
– литий-полимерная (ПЛИА, ЛПА).
Динамика изменения положения этих систем видна на рис. 8.14
Рассматривая рынок в разрезе электрохимических систем, можно отметить
следующие особенности.
По состоянию на 2005 г. рынок Ni/Cd-аккумуляторов составлял порядка
950 млн. долл. Рынок относительно стабилен со снижением в стоимостном вы-
ражении на 5% в год. Важным показателем является то, что практически всеми
ведущими фирмами, производящими Ni/Cd-аккумуляторы, прекращены иссле-
довательские работы по улучшению их характеристик.
213
Рис. 8.14. Мировой объем продаж малогабаритных аккумуляторов
214
и пр. Наиболее яркой новинкой 2006 г. явился коммерческий выпуск компани-
ей Sanyo аккумулятора в габарите AA Eneloop. Емкость нового аккумулятора
составляет 2 А∙ч, что, конечно, ниже наиболее энергоемких аккумуляторов это-
го года (2,7 А·ч), но его несомненным достоинством является резко сниженный
саморазряд (см. таблицу 8.4). А это ставит его на один уровень с первичными
щелочными элементами для достаточно большого круга потребителей, которые
хотят использовать источник тока сразу после покупки в магазине, не произво-
дя с ним никаких работ (заряд, необходимый для аккумуляторов обычных се-
рий). В то же время емкость данного аккумулятора лежит в диапазоне
2–2,7 А·ч, характерном для большинства современных щелочных первичных
элементов.
Таблица 8.4. Характеристики саморазряда никель-металлгидридных
аккумуляторов
Наилучшие
Модель SANYO результаты
HR-3U других SANYO Eneloop
компаний
Хранение при 20°С 6 мес. 6 мес. 6 мес. 1 год 2 года
Остаточная
емкость,% 75 80 90 85 75
215
основанных на предположении о сохранении ключевой роли Ni/Cd в электро-
инструментах и аварийном освещении.)
Несколько более замедленное, но с теми же тенденциями снижение объема
потребления Ni/MH-батарей. (Некоторые исследования, основанные на предпо-
ложении о сохранении ключевой роли Ni/MH в ГЭМ.)
Возрастание как доли, так и абсолютной величины вторичных систем на
основе лития (ЛИА, ПЛИА, литий-полимерных (ЛПА), литий-серных (ЛСА)).
Вытеснение Ni/Cd и Ni/MH, а также суперконденсаторов из большинства суще-
ствующих применений. Вытеснение СК и Ni/Cd в части стационарных и по-
движных объектов резервного питания и промежуточного хранения энергии.
Причины таких тенденций:
– достижение и превышение вторичными системами на основе лития прак-
тически всех ключевых потребительских показателей: удельных характеристик,
емкости, сохраняемости, мощностных параметров, ресурса, температурного
диапазона других электрохимических систем. Снятие ограничений на создание
аккумуляторов большой емкости. Решение проблемы безопасной эксплуатации;
– сближение стоимости Вт·ч, а в ряде случаев и более низкие величины
стоимости литиевых систем по сравнению с основной массой других вторич-
ных систем;
– изменение менталитета потребителей («необслуживаемый черный
ящик», который должен сообщать о своей готовности и возможности выполне-
ния задач. Кстати, это хороший пример первоначальной трудности, которая
превратилась в достоинство системы при создании «Систем управления энер-
гией», позволивших реализовать принципиально новые потребительские каче-
ства источников автономного питания).
По некоторым прогнозам, можно ожидать увеличения рынка малогабарит-
ных аккумуляторов к 2010 г. до 19–23 млрд. долл., причем порядка 70% долж-
ны занять литиевые системы. Они и сейчас уже занимают существенную долю
рынка малогабаритных аккумуляторов. Литий занимает возрастающее положе-
ние и в первичных системах. Почему литий?
Литий является самым легким металлом, имеет наибольший электрохими-
ческий потенциал и тем самым способен обеспечить наибольшую удельную
энергию. Теоретически ему может противостоять только алюминий, но, к сожа-
лению, последний электрохимически необратим. К числу достоинств ХИТ на
основе литиевых систем можно отнести также высокое напряжение, герметич-
ность, широкий температурный интервал, низкий саморазряд.
В таблице 8.5. представлены основные первичные системы с литиевым
анодом. Наибольшее распространение до последнего времени имела система
Li/MnO2 как наиболее отработанная и безопасная, а также не имеющая началь-
ного провала напряжения даже после длительного (10 лет) хранения. Среди
первичных систем, получивших интенсивное развитие в последнее время, мож-
но назвать систему Li/FeS2, обладающую уникальными свойствами при разряде
большими токами и в импульсных режимах, что важно для бурно развивающе-
гося сейчас направления цифровой электроники. Первичные литиевые элемен-
ты с жидкими катодами используются в основном в спецтехнике, но и там во
216
многих применениях идет переориентация на твердые катоды.
Таблица 8.5. Основные первичные системы с литиевым анодом
Первичные литиевые источники тока
Системы с твердым
электролитом Системы с жидким электролитом
219
10000
«Толстые»
Оптоэлектроника,
микромеханика,
сенсоры
Биполярные
приборы
Толщина слоя Si, нм
Высоковольт-
«Тонкие»
ные ключи
КМОП ИС с
частичным
обеднением
1000
КМОП ИС с
Нано «Ультра-
КНИ тонкие»
полным
обеднением
100
КМОП ИС на
наноструктурах
220
I C
S MAX
U З
,
З L3 r3 rС LC
CЗС C
СЗИ CСП
СЗП
CСИ rСП
rЗИ rСИ
rЗП Sm UЗИ
rИ CИП
rИП
LП
И
Рис. 8.16. Эквивалентная электрическая схема наноэлектронного
МОП-транзистора
221
8.4.1. Наноэлектронные транзисторы на основе структур
хранения на сапфире
Последние пять десятилетий прогресс микроэлектроники соответствует за-
кону Мура и обеспечивается линейным уменьшением размеров приборов и
масштабируемым изменением параметров приборов.
В 2003 г. при переходе к проектной норме 90 нм, длина затвора L3 кремние-
вых металл – оксид – полупроводниковых (МОП) транзисторов достигла 60 нм,
но рост производительности микросхем заметно снизился, из-за физических
ограничений по масштабированию вследствие увеличения паразитных туннель-
ных токов утечки p–n-переходов.
Для уменьшения длины канала МОП транзисторов без смыкания областей
стока и истока требуется сильное легирование каналов. Такое легирование ведет
к росту порога включения транзистора UПОР и уменьшению тока насыщения, за
счет снижения подвижности носителей зарядов с ростом концентрации примеси.
Поиск отличных от объемного кремния материалов и конструкций ПТ вы-
явил перспективность структур типа кремний на изоляторе (КНИ), зарубежная
аббревиатура SOI.
В КНИ транзисторах используется тонкий 100–400 нм и ультратонкий
5–10 нм слой кремния.
Фирма AMD разработала высококачественные тонкопленочные КНИ МОП-
транзисторы с затвором длиной 25 нм и током насыщения 790 мкА/мкм. Разра-
ботчики фирмы IBM создали КНИ МОП-транзисторы с длиной затвора 6 нм при
толщине слоя кремния 4 нм, однако, из-за сильного легирования канала ток
насыщения в транзисторе составляет 130 мкА/мкм, что недостаточно для совре-
менных ИМС.
Основными достоинствами КНИ-транзисторов являются: низкое энергопо-
требление, высокое пробивное напряжение и высокое быстродействие.
Перспективность разработок новых наноэлектронных КНИ-транзисторов
обусловлена возможностью решения проблем свойственных короткоканальным
транзисторам, а также возможностью изготовления новых приборов, работаю-
щих на квантово-размерных эффектах.
Современные ИМС, содержащие десятки миллионов транзисторов выпол-
няют на КМОП КНИ-транзисторах, к которым предъявляются жесткие требова-
ния. Для получения высокого быстродействия и высокой плотности упаковки
необходимо получить максимально короткий канал. Для получения низкой рас-
сеиваемой мощности ИМС транзисторы должны иметь токи утечки в закрытом
состоянии не более 10–9 А.
Для создания короткого канала используют самосовмещенную технологию
изготовления транзисторов, где затвор является еще и маской при имплантации
стоков и истоков. В качестве затворов используют легированный до металличе-
ского состояния поликремний толщиной не менее 200 нм.
Для устранения токов утечки между отдельными транзисторами использу-
ют КНИ-подложки и создают каждый транзистор в отдельном кристаллическом
кремниевом островке, лежащем на изолирующей поверхности.
222
Для обеспечения достаточно малых токов утечки в канале, сильно возрас-
тающих с уменьшением длины канала транзистора, необходимо понижать
напряжение питания, так при длине канала 100 нм при напряжении питания 3 В
происходит смыкание стока и истока, при отсутствии напряжения на затворе.
Поэтому при такой длине канала необходимо переходить на использование
напряжения питания 1,5 В.
При напряжении питания 1,5 В необходимо обеспечить UПОР ≈ 0,5 В. Для
получения низкого порога р-канальных транзисторов используют поликремне-
вый затвор, легированный бором (В).
Затвор n-канальных транзисторов легируют фосфором (Р). Для предотвра-
щения закорачивания стока и базы прокалыванием области стока, при создании
контактов к истоку и стоку области стока и истока должны достигать скрытого
оксида.
Поскольку в коротко-канальном транзисторе поле вблизи стока велико,
нужно использовать слабое легирование стокового p–n-перехода возле затвора
для уменьшения этого поля. В противном случае, электроны, сильно ускоряясь в
области сильного поля, могут повреждать подзатворный оксид.
Конструкция КНИ МОП-транзистора приведена на рис. 8.17.
Передаточные характеристики наноэлектронных КНИ транзисторов с дли-
ной каналов порядка 100 нм и шириной затвора 5 мкм приведены на рис. 8.18, а
стоковые характеристики – на рис. 8.19.
Токи насыщения транзисторов при UС =1,5 В и UЗ =1,5 В составляют
220 мкА/мкм для n-канального и 90 мкА/мкм для p-канального транзисторов.
Токи утечки не более 5∙10–9 А.
При интеграции 100 млн транзисторов на кристалле общий ток ИМС в
ждущем режиме не превышает 5 А, что вполне допустимо.
Для подавления короткоканальных эффектов в n- и p-канальных КНИ
МОП-транзисторах требуются напряжения различной полярности и использова-
ние подложки в качестве управляющего электрода, что не является оптималь-
ным вариантом для ИС.
При этом каналы индуцируются напряжением на затворах вдоль обеих
сторон вертикальной пластины.
Перспективны конструкции, в которых затвор опоясывает канал с трех
сторон. В таких транзисторах инверсионные каналы образуются под затвором с
трех сторон, что позволяет увеличить площадь протекания тока при той же за-
нимаемой площади прибора.
По оценкам специалистов фирмы Intel при размерах транзистора около
30 нм, выполненного по традиционной технологии, тепловыделение становится
неприемлемо большим. Трехмерная технология позволяет значительно снизить
потери на тепловыделение.
223
Затвор
Алюминиевый контакт к
поликремниевому затвору
Кремниевый островок
База
Контактное окно
Металлизация
Исток/База n n Сток
Контакт к
основной
p
подложке
а)
Пиролитический оксид
Захороненный
Подложка оксид
Si
П/
Контакт к К
подложке
n p n
SiO2
Si
б)
Рис. 8.17. Конструкция КНИ МОП-транзистора: а) вид сверху; б) вид сбоку (сечение)
224
IС, A/мкм
5,0х10-5
2
4,0х10-5
1
3,0х10-5
2,0х10-5 p-канал
1 n-канал
1,0х10-5
0
-1,5 -1,0 -0,5 0 0,5 1,0 1,5
UЗ,В
Рис. 8.18. Передаточные характеристики n- и p-канальных транзисторов
в линейном масштабе. UС = 0,1 B. 1 – SOI = 500 нм, 2 – SOI = 20 нм
IС, A/мкм
2,5х10-4
2
-4
2,0х10
1
1,5х10-4
1,0х10-4
5,0х10-5 1
0
-1,5 -1,0 -0,5 0 0,5 1,0 1,5
U C, В
Рис. 8.19. Стоковые характеристики n- и p-канальных транзисторов в линейном мас-
штабе. UЗ = 1,5 B. 1 – SOI = 500 нм, 2 – SOI = 20 нм
225
Это накладывает ограничения на ширину канала кремниевой нанопрово-
лочки B и на ширину зазора между каналом и сторонним затвором d (см. рис.
8.20 а). Значение d ограниченно приемлемым значением порогового напряжения
(<1 В). При концентрации N = 2∙1020 см–3 значение B не должно превышать 5 нм,
d =1,5 нм при использовании в качестве подзатворного диэлектрика SiO2.
Столь низкие и жесткие для практической реализации значения d, которые
определяются шириной электронного луча, можно увеличить выбором диэлек-
трика с более высокой диэлектрической проницаемостью.
Лучшие показатели плотности тока обеспечивают транзисторы с двумя и
более затворами (рис. 8.20, б, в, г). В роли дополнительного затвора КНИ-
транзистора может использоваться подложка (рис. 8.20, г, д).
Изготовление двухзатворных конструкций, когда дополнительный затвор
распложен между скрытым оксидом и отсеченным слоем кремния технологиче-
ски чрезвычайно сложно. Более перспективным является «вертикальный» вари-
ант конструкции транзистора с двойным затвором, получивший название «Fin-
FET».
В такой конструкции пластинчатое тело транзистора лежит не в горизон-
тальной плоскости на изоляторе, а как бы поставлено на ребро (рис. 8.20, г). При
этом канал индуцируется напряжением на затворах (Fin-плавниках) вдоль обеих
сторон такой пластины. Затворы имеются не только по бокам, но и сверху кана-
ла. Однако, т.к. высота плавников гораздо больше ширины верхнего затвора, то
вклад верхнего затвора в управление током канал незначителен (высота плавни-
ка 1 мкм, толщина подзатворного оксида 5 нм, длина канала 100 нм, ширина
плавника 50 нм).
Реальные р-канальные Fin FET имеют значение плотности тока
820 мкА/мкм, при UС = UЗ = 1,2 В (длина затвора 45 нм, толщина Fina 30 нм).
Теоретически, оптимальным с точки зрения управления током канала явля-
ется вариант, когда со всех сторон канала располагаются затворы (или круглый
затвор). По свойствам к этому варианту приближается транзистор, называемый
Pi-gate (рис. 8.20, г). Здесь используется трехмерный затвор, две боковые стенки
которого углублены в скрытый оксид. Достаточно обеспечить углубление 20 нм.
КНИ-структурам свойственна проблема накопления заряда в скрытом ди-
электрике, при радиационном облучении. Транзисторы Pi-gate обладают повы-
шенной радиационной стойкостью. При облучении происходит накопление по-
ложительного заряда в скрытом оксиде и формируется паразитный канал прово-
димости в n-канальных транзисторах вблизи границы раздела. Возможность
«закрывать» паразитный транзистор напряжением на боковых затворах не толь-
ко через боковой подзатворный оксид, но и через скрытый оксид за счет углуб-
ленных затворов, является преимуществом Pi-gate по сравнению с транзистором
Fin FET.
226
Затвор
d B
Затвор Канал
Канал
Si Si Si
SiO2 SiO2
Si (подложка)
Si ( подложка)
а)
б)
Канал Канал
Затвор Диэлектрик
Контакт к Затвор
подложке
Si Si Si Si
Канал
Диэлектрик
Контакт к Затвор
подложке
Скрытый оксид
Si- подложка
д)
Рис. 8.20. Варианты конструкций транзисторов КНИ: а) с одним сторонним затвором;
б) с трехмерным затвором одноканального прибора; в) с трехмерным затвором
многоканального прибора; г) с двойным вертикальным затвором Fin-FET;
д) с трехмерным углубленным в оксид затвором Pi-gate
227
Чтобы получить приборы, работающие при комнатной температуре с вос-
производимыми параметрами, либо их размеры должны быть меньше самофор-
мирующихся квантовых точек, либо практически должно быть исключено влия-
ние микрорельефа поверхности.
Вариация ширины КНИ-проволочки и литография должны обеспечивать
воспроизводимость размеров прибора на уровне единиц нанометров.
На практике необходимо получать не отдельные транзисторы, а формиро-
вать из них блоки памяти в ИМС. При этом важно совмещение одноэлектрон-
ных транзисторов с остальной частью системы (в частности, с усилителями).
Достоинством КНИ-транзисторов является возможность создания гибрид-
ных схем (содержащих одноэлектронные и МОП-транзисторы).
Одноэлектронные КНИ-транзисторы обладают совместимостью с суще-
ствующей кремниевой технологией.
Переход от объемного кремния к пластинам кремний на изоляторе является
перспективным способом создания транзисторов нанометрового диапазона.
228
Варизонный AlXGa1-XAs
(20нм)
Нелегированный
Al0,3Ga0,7As (10нм)
n+ - Al0,3Ga0,7As (10нм)
Нелегированный
Al0,3Ga0,7As (10нм)
Нелегированный
2D – электроны с высокой подвижностью GaAs
Полуизолирующая
подложка (GaAs)
229
Контактный n+-слой,
N=1018см-3, 100нм
И С
Au AuGeNi З AuGeNi Au
Au
Подложка i-GaAs
230
носителей.
Гетеропереход формируется из широкозонного полупроводника AlXGaX-1As
и узкозонного i-GaAs. На их границе происходит разрыв энергетического уровня
примерно на величину ΔЕ = 0,38 эВ. В качестве подзатворного диэлектрика ис-
пользуется широкозонный полупроводник AlGaAs, который вследствие искрив-
ления энергетических зон становится обедненным электронами.
Канал представляет собой потенциальную яму, образованную в узкозонном
проводнике на границе с широкозонным. В этом канале речь идет о поверхност-
ной плотности электронов, которая составляет ~2∙1012см-2.
Конструкция НЕМТ-транзистора представлена на рис. 8.23.
И З С
n+ n+
ДЭГ(канал)
231
И З С
Исток Затвор Сток
Подложка
Созданные конструкции ГПТШ имеют затвор длиной L3= 0,55 мкм и ши-
риной В3 = 0,246 мм и позволяют получить выходную мощность порядка 8 Вт на
частоте 4 ГГц.
Одной из проблем GaN-технологии является нестабильность тока стока при
его увеличении. Это явление получило название коллапс тока. Оказалось, что
этот эффект связан с наличием ловушечных центров на поверхности и в объеме
материала буферного GaN-слоя. С этой целью пассивируют поверхность ди-
электрической пленкой SiNХ, а также формируют сар-слой (см. рис. 8.25.)
Транзисторы на соединении GaN, ширина запрещенной зоны которого
3,4 эВ, сохраняют работоспособность до температур 500–600°С. На основе GaN-
транзисторов создаются монолитные интегральные схемы СВЧ-диапазона.
Значительный интерес вызывают транзисторные структуры на основе гете-
роструктур Si/SiGe. Рассогласование постоянных решетки составляет 4,2%, что
вызывает механические напряжения в тонком слое гетероструктуры
(рис. 8.25).
Структура типа Si/SiGe получается путем осаждения кремния на подложку
SiGe. При этом формируется слой напряженного кремния. В таком кремнии
скорость дрейфа носителей на 70 % выше, чем в обычном кремнии. Это позво-
ляет увеличить быстродействие транзисторов на 40%. Транзисторы сформиро-
ванные на базе гетеропереходов Si/SiGe0,3 получили название модуляционноле-
гированных транзисторов с затвором Шоттки или MOD FET. Подвижность
электронов и дырок в канале таких транзисторов достигает значения μn = (1270–
2830) см2/Вс и μр = (800–1000) см2/Вс.
Это позволяет получить высокое значение SMAX и fТ. В таком типе транзи-
сторов возможно создание комплементарных пар.
232
а)
б) в)
e e e e
e e e e
«1» «0» «1» «1»
Состояние с высокой Состояние с низкой
энергией энергией
234
на выходе определяется большинством состояний на входе
Например, полный сумматор на основе клеточных автоматов с размером
точки 20 нм можно расположить на площади около 1 мкм2, в то время как такую
же площадь занимает всего лишь один полевой транзистор. Для построения
такого же сумматора на основе полевых транзисторов требуется примерно
40 транзисторов. Если еще учесть области коммутации транзисторов между
собой, а они, как известно, занимают объем, сравнимый или даже превосходя-
щий объем, занятый активными приборами, то преимущества использования кле-
точных автоматов становятся очевидными.
Принципиальная возможность функционирования логических элементов на
основе клеточных автоматов была продемонстрирована на примере ячейки, из-
готовленной при помощи стандартной электронно-лучевой литографии из алю-
миниевых островков на поверхности окисленной кремниевой пластины. Площадь
прибора составляла величину примерно 5050 нм2.
Вычислительный процесс в приборах на основе клеточных автоматов осу-
ществляется при переходе всей совокупности ячеек в состояние с минимальной
энергией – в основное состояние. Поскольку сложные вычислительные устрой-
ства должны содержать большое число ячеек, то состояние с минимальной энер-
гией можно получить разными способами. Это может приводить к ошибкам в вы-
числениях. Кроме того, такие системы чувствительны к внешним воздействиям
и поэтому требуют строгого контроля внешних условий. При повышении темпе-
ратуры вычислительный процесс может быть разрушен. Для ячеек, у которых
размер одной квантовой точки ~20 нм, изменение энергии при перезарядке точ-
ки составляет величину ~1 мэВ (примерно 0,05kT при комнатной температуре).
Так же как и для одноэлектронного транзистора, рабочую температуру нужно
повышать за счет уменьшения размеров ячейки (и соответственно каждой кван-
товой точки). Существует еще одна проблема, которая должна быть решена
для успешной работы устройств на основе клеточных автоматов. Она состоит в
том, что поскольку электростатическое поле ячейки влияет на соседние ячей-
ки как в направлении выхода устройства, так и в направлении входа, то из-за
случайных воздействий возможно распространение сигнала не только от входа к
выходу, но и наоборот. Для устранения этого недостатка предложены устройства
на основе квантовых точек, у которых направление передачи сигнала опреде-
ляется внешним электрическим полем. Практическое изготовление устройств
на основе клеточных автоматов находится в самой начальной стадии и требует
разрешения целого ряда проблем, в основном технологических.
S1 А = состояние 0, В = состояние 1
A B
S2
Рис. 8.28. Схематическое представление элементов молекулярного переключателя.
Внешнее воздействие S1 изменяет состояние молекулы из 0 в 1, a S2 возвращает
молекулу в состояние 0
NO2
U
Рис. 8.29. Схема молекулярного электронного переключателя
Переключатель выполнен на проводящей молекуле, прикрепленной конца-
236
ми к золотым электродам. Первоначально молекула является непроводящей, но
при достижении напряжением значения, достаточно для добавления к молекуле
электрона с электрода, она становиться проводящей. Дальнейшее увеличение
напряжения опять делает ее непроводящей из-за добавления второго электрона.
Молекула 2-амино-4-этилнилфенил-4-этилнилфенилфенил-5-нитро-1-бен-
золтиолата, состоит из трех бензольных колец, последовательно связанных ато-
мами углерода с тройными связями. К среднему кольцу прикреплен донор элек-
тронов – аминогруппа (NH2-), выталкивающая электроны на кольцо. На другой
стороне кольца находится акцептор электронов – нитрогруппа (NO2-), оттягива-
ющая электроны с кольца. В результате этого центральное кольцо обладает
большим электрическим дипольным моментом. На рис. 8.30 показаны вольт-
амперные характеристики этой молекулы, прикрепленной обоими концами к зо-
лотым электродам.
1,3
1,1
0,9
Ток, нА
0,7
0,5
0,3
0,1
238
8.6. Наноэлектронные лазеры
8.6.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными
резонаторами
Как хорошо известно, для работы любого лазера необходимо обеспечить
выполнение двух основных условий. Во-первых, нужно создать состояние ин-
версии заселенности энергетических уровней, т.е. необходимо обеспечить, что-
бы на более высоком уровне находилось больше электронов, чем на низком. В
состоянии теплового равновесия ситуация с распределением электронов по
уровням прямо противоположная. Во-вторых, каждому лазеру необходим опти-
ческий резонатор, или система зеркал, которая запирает электромагнитное из-
лучение в рабочем объеме и обеспечивает механизм вынужденной рекомбина-
ции электронов при их переходах из зоны проводимости в валентную зону. При
вынужденной рекомбинации генерируется фотон, имеющий ту же частоту, ча-
стоту, направление распространения и фазу, что и фотон, индуцирующий ре-
комбинацию. При спонтанной рекомбинации, наоборот, генерируются фотоны,
имеющие произвольные направления движения и фазы.
В настоящее время самыми распространенными типами полупроводнико-
вых лазеров являются лазеры на квантовых ямах и квантовых точках (см. рис.
8.32).
При достаточно малой толщине активной области она начинает вести себя
как квантовая яма, и квантование энергетического спектра в ней существенно
меняет свойства лазеров. К широкозонным областям присоединяются металли-
ческие контакты, через которые электроны могут непрерывно поступать в рабо-
чую область.
Пороговый ток
GaAs GaAs
InGaAs
I
EC1
GaAs
InGaAs hν Eg
GaAs
Полупрозрачные
EC2
зеркала
а) б)
Рис. 8.32. Лазер на квантовой яме:
а) двойная гетероструктура; б) энергетическая диаграмма
239
валентную зону, они излучают кванты электромагнитного излучения, частота
которого определяется условием
ћω = Еg+ EC1 + ЕC2. (8.3)
Для того чтобы сконцентрировать генерируемое излучение в центральной
активной области прибора показатель преломления внутреннего слоя подби-
рают так, чтобы он был больше, чем для внешнего. Такое соотношение можно
получить, например, в системе материалов GaAs/InGaAs. В этом случае внут-
ренняя область становится подобной волоконно-оптическому волноводу, на
границах которого нанесены зеркала, формирующие резонатор.
Лазеры на квантовых ямах обладают рядом преимуществ по сравнению с
обычными полупроводниковыми лазерами. Прежде всего, эти приборы можно
перестраивать, управляя параметрами энергетического спектра за счет изме-
нения толщины рабочей области. Так, при уменьшении размеров ямы мини-
мальные энергии электронов EC1 и ЕC2 увеличиваются, и тогда согласно (8.3),
увеличивается и частота излучения, которое генерируется лазерами. Подбирая
ширину квантовой ямы можно добиться того, что затухание волны в оптиче-
ской линии связи станет минимальным.
Другое преимущество заключается в том, что в двумерном электронном
газе квантовой ямы легче создать инверсию заселенности, что связано с иным
распределением плотностей состояний у краев зон в соответствии с рис. 8.42.
Если в массивном полупроводнике в непосредственной близости от края зоны
эта величина мала, то в квантово-размерной системе она не убывает вблизи
края, оставаясь постоянной. Поэтому лазеры на квантовых ямах очень эко-
номны, они питаются меньшим током и дают больше света на единицу по-
требляемой мощности. До 60% электрической мощности ими преобразуется в
свет.
В последнее время во многих лабораториях мира ведутся работы по созда-
нию лазеров на квантовых точках. Такие лазеры замечательны не только тем,
что имеют очень малые размеры, но и тем, что могут включаться уже при очень
низкой мощности.
Квантовые точки – это крохотные кусочки, кластеры одного материала,
размерами в пятьдесят – сто атомов, размещенные в монокристалле из другого
материала. Лазеры нового поколения, основанные на гетероструктурах с кван-
товыми точками, уже существуют, правда, пока в лабораторном варианте. Тем
не менее они прекрасно работают, подтвердив старую истину, что нет в науке
нерушимых догм. Ведь долгое время считалось, что вырастить кристалл с ку-
сочками другого материала внутри без дефектов невозможно.
На рис. 8.33 изображен микродисковый лазер из слоя арсенида индия на
поверхности арсенида галлия. Различие кристаллической структуры двух ве-
ществ приводит к образованию островков арсенида индия размером около
25 нм, которые и служат квантовыми точками. Затем, с помощью травления,
получены диски диаметром 1,8 мкм на колоннах из арсенида галлия, содержа-
щие около 130 квантовых точек.
240
Рис. 8.33. Микродисковый лазер
Размеры диска и квантовых точек выбраны таким образом, чтобы создать
эффект «шепчущей галереи», когда электромагнитная волна распространяется
вдоль края диска. В этой области содержится около 60 квантовых точек, кото-
рые и образуют лазер. Испускание света вызывается освещением диска на дру-
гой, нерезонансной длине волны.
В России исследованиями и разработкой лазеров на квантовых точках за-
нимаются ученые физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН под
руководством Ж. И. Алферова. То, что сделали сотрудники лаборатории Жоре-
са Алферова, можно смело назвать революцией в лазерной физике. Если рань-
ше ученые, выращивая кристаллы для лазеров, вынуждены были полностью
управлять этим процессом, контролируя каждую его стадию, то теперь ситуа-
ция иная – нужная структура растет сама. В том и заслуга исследователей – они
научились создавать условия для самостоятельного роста качественного мате-
риала без дефектов.
«Мы постарались решить эту задачу, и теперь сама природа помогает нам
получать в процессе выращивания ансамбли вот таких квантовых точек. Это
связано с очень тонкими явлениями процессов роста таких структур, очень
сложными явлениями, которые вряд ли можно объяснить неспециалисту. Но
главное, если все правильно подобрано − температура, скорости осаждения, со-
отношения потоков атомов, то кристалл вырастет без дефектов. И вырастет сам,
без нашего дальнейшего вмешательства. Квантовые точки одного вещества бу-
дут одна к одной и расположатся упорядоченно в другом веществе, как нам
требуется. Это позволяет радикально улучшить свойства полупроводниковых
приборов, скажем, температурную стабильность лазерных диодов, уменьшить
пороговый ток, на котором начинается генерация» – говорит академик Алфе-
ров.
Физики уверены, что лазеры на квантовых точках найдут широкое приме-
нение в промышленности. И для этой уверенности есть все основания. Так, ис-
пользуя самоорганизацию квантовых точек, наши ученые получили кристалл
для вертикального лазера, в котором свет идет вверх, а не параллельно плоско-
сти пластины. Вертикальный лазер работает как дешевый светодиод, только с
идеальным качеством спектра, узкой диаграммой направленности, высокой эф-
фективностью. Такой же вертикальный лазер можно сделать в ультрафиолето-
вом диапазоне, который нужен, например, для оптической записи.
В квантовых точках энергетический спектр меняется еще более радикаль-
но, чем в квантовых ямах. Плотность состояний для них имеет крутой
241
-образный вид. Тем самым в квантовых точках отсутствуют состояния, которые
не принимают участия в усилении оптического излучения, но содержат электро-
ны. Это уменьшает потери энергии и, как следствие, уменьшает пороговый ток –
важнейший параметр инжекционных лазеров, который равен минимальному току,
пропускаемому через прибор обеспечивающему получение лазерного излучения
(накачку). Для любых систем лазеров величину порогового тока желательно де-
лать как можно меньшей. Предельная величина этого тока при комнатной темпе-
ратуре может быть снижена до 15 А/см2, в то время как в лазерах на квантовых
ямах эта величина имеет порядок около 30 А/см2.
242
Ф1 Излучение
Брэгговское зеркало
Апертура
Контактные слои
Активная
область
Брэгговское зеркало
Излучение
Ф2
Подложка
Активная А
область n - зеркало
n - GaAs
P , мВт
1 I
пор = 3 мА
0 5 10 15 20 I,мА
Рис. 8.36. Ваттамперная зависимость для ЛРВ на основе GaAs квантовых ям с оксидной
апертурой AlGaО 16 мкм. Непрерывная накачка, Т = 300 К
245
Конфигурация зонных диаграмм для ЛВР с одной InGaAs квантовой ямой
приведена на рис. 8.37.
Параметр апертуры А варьировался от 2 до 12 мкм. Излучение лазера вы-
водилось через просветленную подложку n-GaAs.
Лазер обладает малыми оптическими потерями и высокой добротностью
лазерного резонатора. Резонатор лазера образован высокоэффективным низко-
легированным (выходное зеркало) и нелегированным (верхнее зеркало) отража-
телями, что значительно снижает оптические потери на поглощение свободны-
ми носителями заряда. С целью уменьшения оптических потерь все высоколе-
гированные слои (контактные, апертурные, туннельные) располагаются в узлах
стоячей волны.
Верхнее зеркало, образованное слоями GaAs/Al0,95Ga0,05OX и Ti/Au, характе-
ризуется очень высоким коэффициентом отражения в широком спектральном
диапазоне (700–1200 нм). В центре этого диапазона расчетное значение коэф-
фициента отражения зеркала составляет 0,9999.
Выходное GaAs/AlAs зеркало также характеризуется высоким коэффици-
ентом отражения (0,9989).
p- GaAs-KЯ Электроны
-5,0 EC
-5,5
-6,0
hv = 1,26эВ n - GaAs/ AlAs- зеркало
p - GaAs
-6,5
E, эВ
-7,0
-7,5
EV
AlAs- туннельный барьер
-8,0 Дырки
z ,мкм
-8,5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
246
Ваттамперные характеристики лазера с апертурой А = 8 мкм, работающего
в режиме непрерывной накачки, представлены на рис. 8.38. Лазер имеет поро-
говый ток IПОР = 0,6 мА при Т = 300 К и внешнюю квантовую эффективность
η = 6%, рабочая длина волны составляет λ = 930 нм. 1 – η = 31%, IПОР = 30 мкА;
2 – η= 6%, IПОР = 600 мкА.
При снижении температуры происходит увеличение коэффициента кванто-
вого усиления, а также смещение положения максимума полосы квантового
усиления и положения резонанса лазера в коротковолновую область. Максимум
полосы усиления смещается в коротковолновую область за счет увеличения
ширины запрещенной зоны InGaAs. Положение резонанса ЛВР смещается в ко-
ротковолновую область с уменьшением температуры за счет уменьшения зна-
чений показателя преломления материалов, образующих лазерный резонатор.
При снижении температуры до Т = 80 К расчетное значение максимума
полосы квантового усиления составляет 916 нм, расчетное значение резонанс-
ной длины волны лазера 918 нм.
P, мкВт
40
30 1
20 2
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
I,мкA
247
P, Вт
20
1
15
10 2
3
5
0 10 20 30 I, A
248
цессов используемых для создания прецизионных и многослойных гетеро-
структур.
Рост таких структур является предельно сложной задачей для современных
технологий молекулярно-лучевой эпитаксии и эпитаксии из металлоорганиче-
ских соединений. Количество различных слоев лазерной структуры может со-
ставлять сотни и в ряде случаев превышать тысячу, при этом требуемая точ-
ность задания толщины слоев составляет около 1%.
e e
E1 E1
Eg
Eg Eg ЭФ Eg ЭФ
h h
E1 E1
а) б)
250
8.7. Дисплеи и осветительные приборы с использованием
наноматериалов
8.7.1. Дисплеи и осветительные приборы
на основе нанотрубок
Существуют возможности применения углеродных нанотрубок для созда-
ния дисплеев и различных источников света. Отмечается, что при приложении
небольшого электрического поля вдоль оси нанотрубки с ее концов происходит
интенсивная эмиссия электронов.
Подобное явление называют полевой эмиссией. Этот эффект, в частности,
наблюдается если прикладывать небольшие напряжения между двумя парал-
лельными металлическими электродами, на один из которых нанесена компо-
зитная паста из нанотрубок, см. рис. 8.41.
3 pI
2 +
1 UП
-
1 мм
251
ния красного цвета поверхность анода содержит частицы Y2O3: Eu, зеленого –
ZnS:Cu, голубого – ZnS:Ag,Cl, толщиной 6–10 мкм.
Другим примером использования электронной эмиссии нанотрубок служит
возможное производство катодолюминесцентных осветительных ламп.
Видимый свет
Люминофор
Анод из
алюминиевой
фольги
Электроны
Нанотрубки
Катод
252
В телевизорах нового поколения Appled Nanotech используются нанотруб-
ки в качестве источников света для замены ламп подсветки в ЖК телевизорах с
большой диагональю (40–60 дюймов). Также созданы лампы подсветки, ис-
пользующие технологию печати чернилами на основе нанотрубок. В отличие от
обычных ламп здесь используются фосфорсодержащие покрытия и катод, в
буквальном смысле напечатанный чернилами на основе металлической краски
и собственной нанотрубок. Лампа подсветки для 32-дюймовых телевизоров по-
требляет 50–60 Вт.
Проводящий слой
Катод
4,2 см
-
U
+ pI
5 см
Люминесцентный слой
253
Тонкопленочные прозрачные транзисторы имеют полупроводниковую ос-
нову из оксида индия с многоуровневыми органическими молекулами.
Элементы оксида индия можно синтезировать при комнатной температуре.
Это позволяет надеяться, что производство прозрачных дисплеев, ожидаемое в
2009 г., будет сравнительно не дорогим и массовым благодаря технологии са-
мосборки. Тестирование транзисторных пленок показало, что их фотохаракте-
ристики по качеству превышают аналогичные показатели традиционных крем-
ниевых транзисторов в LCD – панелях и приближаются к показателям поли-
кремниевых транзисторов класса High-End.
Новые дисплеи, по мнению разработчиков, будут давать человеку ощуще-
ние того, что изображение, текст, видеоролики «висят» в пространстве и это
будет достаточно удобно, так как поле обзора человека не будет занято «пу-
стым» монитором в то время, когда на нем нет информации.
Континуум
hν
Оптический
E-E1 фонон
Уровень ямы
Е1
0 РЕ р
254
Поэтому в качестве времени жизни неравновесных носителей – важней-
шего параметра фоточувствительного материала – выступает характерное вре-
мя захвата в квантовую яму Р. По сравнению с обычным временем жизни,
связанным с захватом рекомбинационными центрами, Р обладает двумя важ-
ными отличиями.
Во-первых, Р значительно (на несколько порядков) меньше времени за-
хвата центрами. Причина в том, что акт захвата связан с необходимостью пе-
редачи решетке от носителя достаточно большой энергии, равной энергии
связи центра или же величине Е при захвате в квантовую яму.
Наиболее эффективный механизм передачи энергии – это испускание
оптических фононов с энергией hv0. Фонон – это один квант колебаний кри-
сталлической решетки. Однако энергия связи центров отнюдь не совпадает с
hv0, и потому такой процесс невозможен. Электрон должен отдавать энергию в
ходе значительно более медленного каскадного процесса испускания многих
акустических фононов. В случае квантовой ямы наличие непрерывного спектра
движения в плоскости ямы существенно меняет ситуацию. Становится воз-
можным переход на связанное состояние в яме при испускании оптического
фонона с одновременной передачей оставшейся избыточной энергии в движе-
ние в плоскости. Если исходный электрон имел энергию, близкую к краю зо-
ны в широкозонном материале, то испускаемый фонон имеет достаточно
большой импульс в плоскости квантовой ямы:
PФ 2 m E E1 0 . (8.6)
Значительно большая величина взаимодействия электронов с оптическими
фононами, нежели с акустическими, определяет малость Р по сравнению с вре-
менем захвата из центра.
Во-вторых, Р немонотонным, осциллирующим образом зависит от парамет-
ров ямы. Это связано со свойствами волновой функции электронов в делокализо-
ванных состояниях над квантовой ямой Е. Если яма не является резонансной,
то амплитуда этой волновой функции в непосредственной окрестности ямы при
малой энергии электрона весьма мала. Собственно Р будет относительно вели-
ко. Для резонансных квантовых ям вероятность захвата возрастает, т.е. Р пада-
ет.
Фотопроводимость рассматриваемой структуры, так же как и обычного
фоторезистора, определяется произведением трех факторов: скорости оптиче-
ской генерации, которая в свою очередь пропорциональна коэффициенту по-
глощения , времени жизни в делокализованном состоянии Р и эффективной
подвижности в нем эфф, которая, очевидно, должна быть пропорциональна
квантово-механическому коэффициенту прохождения электрона над квантовой
ямой. Однако анализ показывает, что совокупное действие всех факторов оказы-
вается таковым, что фотоприемники на квантовых ямах будут иметь лучшие
параметры в случае резонансных ям.
Для самой распространенной гетеросистемы GaAs/AlXGa1-XAs, c Х от 0,2
до 0,25 условие резонанса выполняется для ям с толщиной, кратной 40 Å. Если
255
толщина составляет от 40 до 45 Å, то диапазон фоточувствительности структуры
лежит в области длин волн порядка 8 мкм, соответствующей одному из окон ат-
мосферной прозрачности и потому очень важной для практических применений.
Приемники на основе квантовых ям могут составить конкуренцию фоточув-
ствительным структурам на основе твердых растворов CdHgTe – важнейшему
типу приемников для данного спектрального диапазона.
Основным достоинством структур на квантовых ямах является большая ста-
бильность и меньший разброс параметров, что особенно важно для матричных
фоточувствительных структур.
Путем сравнительно небольших изменений состава широкозонных слоев и
толщины ямы можно менять положение максимума и ширину полосы фоточув-
ствительности. Последнее обстоятельство связано с тем, что по мере нарушения
точного условия резонанса спектр фотоионизации квантовой ямы становится
более плавным и имеет менее резкий максимум.
В связи с тем, что оптическая ионизация квантовых ям может вызываться
лишь светом, поляризованным по нормали к квантовым слоям, описанные фото-
приемники должны содержать специальные приспособления, поляризующие па-
дающий свет требуемым образом. Есть два основных способа сделать это. Свет
может направляться в фоточувствительную структуру под углом через скошен-
ный торец подложки в соответствии с рис. 8.45, а. В другом варианте свет прохо-
дит через подложку по нормали, а должную поляризацию приобретает после ди-
фракции на решетке, специально нанесенной на верхнюю поверхность структу-
ры в соответствии с рис. 8.45, б.
Возможно альтернативное решение проблемы поляризации, позволяющее
избежать описанных выше конструкционных усложнений. Речь идет о выращи-
вании квантовых структур из полупроводников с анизотропным энергетиче-
ским спектром. При наличии анизотропии электрическое поле нормально па-
дающей световой волны, лежащее в плоскости слоев, придает электронам им-
пульс под некоторым углом к этой плоскости. С позиций квантовой механики
это означает возможность переходов между различными квантово-размерными
уровнями или между уровнем и континуумом состояний над квантовой ямой,
что и требуется для работы приемника. На практике для реализации этой идеи
чаще всего используют гетероструктуры на основе той же, наиболее освоенной
технологически, системы GaAs/AlXGa1-XAs, но имеющие не n-, а р-тип легиро-
вания. При этом сложный характер энергетического спектра валентной зоны
обеспечивает фоточувствительность при нормальном падении света.
256
1- подложка; 2-фоточувствительная структура с
квантовыми ямами; 3-дифракционная решетка
3
1
hv
hv i - GaAs i - GaAs
а) б)
hv
Фотоны
Au
50 нм р+, Si
1019 см-3
100нм i-Si
8
100 нм i-Si
слой Si: В
Au 90 нм Si
Ge KT
258
В отсутствие освещения КТ обладают положительным зарядом дырок,
находящихся в основном состоянии. Электрический потенциал заряженных КТ
создает потенциальный барьер для дырок величиной = 2LK/(0),
где L – период повторения слоев Ge , К – число слоев КТ, – плотность заряда
в каждом из слоев КТ, – относительная диэлектрическая проницаемость
кремния, 0 – энергетическая постоянная.
При освещении дырки в КТ переходят из основного состояния в возбуж-
денное, в котором вследствие барьерного проникновения волновая функция
дырки имеет больший радиус локализации. Это означает, что при освещении
уменьшается эффективная плотность положительного заряда, сосредоточенно-
го в слое КТ , а значит, уменьшится потенциальный барьер между эмитте-
ром и коллектором и возрастет термоэмиссионный ток дырок через структуру.
Для работы в оптическом диапазоне 1,1–1,6 мкм в работе [7] предложены
биполярные p-i-n-Ge/Si – фототранзисторы. Роль плавающей базы транзистора
выполняют 12 слоев нанокластеров Ge, встроенные в p-область Si. Действие
транзистора основано на уменьшении потенциального барьера для электронов
между сильно легированными областями n+-Si вследствие фотогенерации ды-
рок в островах Ge в результате межзоновых переходов и появления в них по-
ложительного заряда, приводящего к увеличению тока инжекции из эмиттера в
коллектор.
Освещение фототранзистора осуществляют со стороны p–n-переходов.
База Ge
Эммитер Коллектор
Ток дырок
База Ge
Эммитер Коллектор
Ток дырок
На рис. 8.47 показано появление фототока при переходах дырок между ло-
кализованными состояниями в КТ Ge (профили валентной зоны для одного
слоя квантовых точек Ge в Si). Спектральная характеристика фотоотклика рас-
сматриваемого прибора приведена на рис. 8.48.
259
-1
Чувствительность, А/Вт
10
U=-2,8 В
-2
10
-3
10
1,1 1,3 1,5 1,7
Длина волны, мкм
260
Важным шагом в решении проблемы разработки эффективных Ge/Si фото-
приемников стала замена сплошных слоев GeSi слоями германиевых квантовых
точек.
С точки зрения перспектив встраивания таких элементов в кремниевые
СБИС, гетероструктуры Ge/Si с когерентно введенными нанокластерами Ge
представляют интерес, поскольку они характеризуются возможностью заращи-
вания упруго напряженных германиевых слоев совершенными по структуре
слоями Si, на которых затем можно формировать другие элементы СБИС.
Существуют возможности создания Ge/Si фотоприемника, содержащего
массивы КТ Ge со слоевой плотностью КТ на уровне 1012 см–2 и размерами то-
чек менее 10 нм, обладающего малыми темновыми токами и высокой чувстви-
тельностью к излучению с длиной волны фотонов 1,3–1,5 мкм.
Фотоприемник представляет собой кремниевый p–i–n-диод со встроенны-
ми в базовую область 30 слоев КТ Ge, разделенными промежутками Si толщи-
ной 20 нм. Для уменьшения размеров и увеличения их плотности островки Ge
были формированы на предварительно окисленной поверхности кремния.
Конструкция фотоприемника и энергетическая диаграмма диода в равно-
весии приведены на рис. 8.49. Среднее значение размеров островков Ge в плос-
кости роста 8 нм, плотности островков составляет 1,2·1012 см–2.
hv
Al
Ge
200нм p+ - Si
SiO2
SiO2
hv
220 нм Si p+ - Si
-
n+ - Si
UП
+
Ge KT
20 нм Si
} x 30
Ge
ЕF
250 нм Si EC
n+ - Si( 001)
ЕV
Al
а) б)
Рис. 8.49. Схематическое изображение поперечного сечения кремниевого
p-i-n-фотодиода с квантовыми точками Ge (а) и энергетическая диаграмма диода в рав-
новесии (б)
261
Типичные спектральные зависимости ваттамперной чувствительности при
различных обратных напряжениях показаны на рис. 8.50.
Чувствительность, А/Вт
-1
10
-2
10
3 4
1 2
-3
10
1,1 1,3 1,5 1,7
Длина волны, мкм
Рис. 8.50. Спектральная зависимость чувствительности для различных обратных
смещений фотодиода: U, В: 1 – 0; 2 – 0,3; 3 – 0,5; 4 – 2
262
цифровой аппаратуры. Раньше они выполнялись на основе ферритовых матери-
алов с прямоугольной петлей гистерезиса. В связи с развитием микро- и нано-
электроники, современные внутренние запоминающие устройства обычно вы-
полняются по полупроводниковой технологии.
К устройствам памяти относятся следующие виды запоминающих
устройств:
• оперативные запоминающие устройства (ОЗУ, RAM – Random Access
Memory), выполняющие запись и хранение произвольной двоичной информа-
ции. В цифровых системах ОЗУ хранят массивы обрабатываемых данных и
программы, определяющие процесс текущей обработки информации. Большин-
ство современных ОЗУ не обладают энергонезависимостью (память не сохра-
няется при отключении питания);
• постоянные запоминающие устройства (ПЗУ, ROM – Read Only
Memory), служащие для хранения информации, содержание которой не изменя-
ется в ходе работы системы. Например, используемые в процессе работы стан-
дартные подпрограммы и микропрограммы, табличные значения различных
функций, константы и др. Запись в ПЗУ производится заводом-изготовителем.
Основной режим работы ПЗУ – память только для чтения;
• программируемые постоянные запоминающие устройства (ППЗУ,
PROM, EPROM – OTP – содержимое записывается однократно: One Time Pro-
grammable), являются разновидностью ПЗУ, отличающиеся возможностью од-
нократной записи информации по заданию заказчика;
• репрограммируемые ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (РПЗУ с УФ,
EPROM – Erasable Programmable ROM). В них предусмотрена многократная
электрическая запись информации и, при необходимости, стирание информа-
ции ультрафиолетовыми лучами;
• репрограммируемые ПЗУ с электрическим стиранием информации
(РПЗУ – ЭС, EEPROM). В них возможна многократная электрическая запись и
электрическое стирание информации. Ячейки памяти (ЯП) выполняются на ос-
нове МНОП-транзисторов или транзисторов с плавающим затвором;
• репрограммируемые ПЗУ для устройств ФЛЭШ-памяти (Flash Memory).
Это изделия бурноразвивающегося направления в разработках УБИС и ГИС, по
сути – разновидность репрограммируемых ПЗУ типа EEPROM;
• кэш-память – это устройства для запоминания копий информации, необ-
ходимой для обмена между отдельными блоками цифровой системы.
К устройствам постоянной памяти (ПЗУ, ППЗУ, РПЗУ) предъявляется тре-
бование сохранности информации при отключении питания.
Основными параметрами ЗУ являются: информационная емкость в битах,
минимальный период обращения, минимально допустимый интервал между
началом одного цикла и началом второго, максимальная частота обращения –
величина, обратная минимальному периоду обращения, удельная мощность –
общая мощность, потребляемая в режиме хранения, отнесенная к 1 биту,
удельная стоимость одного бита информации – общая стоимость кристалла, по-
деленная на информационную емкость.
263
8.9.2. Элементы памяти
Чтобы построить компьютер или любое другое электронное устройство,
важно хранить информацию на временной или долгосрочной основе. Запись
информации производится на запоминающих устройствах (элементах памяти),
и с момента появления ранних запоминающих устройств на магнитных сердеч-
никах использовалось множество типов элементов памяти. Действительно уве-
личение емкости памяти (объема информации, которую можно записать в дан-
ном объеме пространства) происходит даже быстрее, чем увеличение плотно-
сти транзисторов.
Текущее положение дел представлено запоминающими устройствами на
жестких дисках, которые основаны на магнетизме: информация – это намаг-
ниченность диска, которая записывается или считывается с помощью специ-
альной головки при вращении диска. Используемое здесь явление называется
гигантским магнитосопротивлением и порождается влиянием магнитных по-
лей на электрическое сопротивление. В зависимости от магнитной поляри-
зации (какой бит данных – 0 или 1) токи, регистрируемые считывающей го-
ловкой, будут отличаться. Явление гигантского магнитосопротивления сде-
лало производство жестких дисков очень выгодным делом – общая прибыль
мировых производителей составляет порядка 40 млрд. долл. в год.
Используя наноструктуры, можно значительнее сократить размер битов
памяти, а следовательно, увеличить плотность магнитной памяти, повысить
ее эффективность и понизить стоимость. Работа Криса Мюррея в IBM являет-
ся лучшим исследованием, проведенным в этой области. В работе Мюррея биты
хранятся как магнитные наноточки; эти точки можно сделать очень точно, и
их размер можно уменьшить, пока он не достигнет суперпарамагнитного
предела. Для меньших размеров точек магнитная память неустойчива и может
подвергаться воздействию тепловой энергии. Следовательно, суперпарамагнит-
ный предел определяет наименьшую возможную магнитную запоминающую
структуру.
Использование метода мягкой литографии, такого как перьевая нанолито-
графия, импринтная нанолитография или управляемая литография с обратной
связью, может сократить отдельные элементы до размеров нескольких наномет-
ров. Если все подобные точки содержат один бит информации (нуль или едини-
цу), и если они размещены на расстоянии, десятикратно превышающем их раз-
мер, то на элементе памяти, размером со страницу данной книги, легко можно
сохранить 100 000 копий Британской энциклопедии.
Нанотехнология и нанонаука предлагают различные возможности созда-
ния запоминающих устройств.
Современные магнитные и оптические запоминающие устройства факти-
чески двухмерные, они основаны на плоской поверхности. Голографические и
фоторефрактивные запоминающие устройства основаны на взаимодействии
света с материей. В таких устройствах информация записывается путем измене-
ния молекулярных состояний с помощью лазерных полей высокой интенсивно-
сти. Лазеры используются для записи информации в память, а затем эту ин-
264
формацию можно изменить (снова с помощью интенсивного лазерного излу-
чения) или считать (слабоинтенсивным лазером). Одним из удивительных пре-
имуществ таких наноскопических оптических структур является то, что они
могут существовать в трех измерениях, поскольку считывается не только по-
верхность, но и толща материала. Это может дать еще более емкие и эффек-
тивные оптические запоминающие устройства.
В ЗУ, как и в логических и вычислительных устройствах используются
преимущества оптики, а не электроники. Повторимся, насущной проблемой
является то, что очень сложные оптические технологии требуют инструмен-
тов и свойств материалов, которые не всегда сохраняются при переходе в
наномир.
Разработка оптических материалов с целью использования в качестве за-
поминающих устройств может быть легче, чем использование оптических ма-
териалов для коммутирующих устройств, поскольку производство и чтение
зависит от линейных процессов (пропорциональных интенсивности луча све-
та).
Понятно, что уже используемые оптические запоминающие устройства
станут разрабатываться в наноскопическом масштабе раньше, чем появятся
истинно наноскопические оптические логические структуры, но оба типа
наноскопических устройств предоставят экспоненциально большие возмож-
ности, если использовать их в трех измерениях.
Другие методы для запоминающих устройств очень большой емкости
предлагались в общей области молекулярной электроники. ЗУ на основе ДНК
обсуждались при исследовании ДНК-компьютеров: природа использует ДНК
для хранения генетической информации, и вычислительную информацию
также можно хранить в ДНК-структурах. В связи с этим существует несколь-
ко проблем, включая скорость, метод считывания данных и точность воспро-
изведения ДНК-структур (которую нельзя получить, используя стандартные
методы литографии). Тем не менее, обещание недорогой надежной ДНК-
памяти с большой емкостью и перспектива интенсивных параллельных ДНК-
вычислений может сделать эту область интересной.
265
элементное электронное считывание) и формирование на выходе видеосигнала,
адекватного изображению.
Принцип действия ФПЗС можно пояснить, рассматривая классическую
трехтактную схему управления, в соответствии с рис. 8.51.
Ф
1 2 3
+ +
- -
-
+ - +
-
+
Диффузионное
движение
Дрейфовое
движение
266
дах, к которым не приложено напряжение хранения или считывания все время
поддерживается небольшое напряжение смещения. Электрод 1 в этом процессе
играет роль буфера, иначе слева от электрода 2 оказался бы электрод 3 преды-
дущей ячейки, и во втором такте зарядовый пакет равновероятно мог перете-
кать как вправо, так и влево.
Управление ФПЗС желательно осуществлять не прямоугольными, а трапе-
циидальными импульсами, подаваемыми на электроды с небольшим времен-
ным перекрытием. В конце каждой строки имеется элемент вывода, например
n+-область под последним электродом. Вытекающий через p–n-переход заря-
довый пакет создает на нагрузочном резисторе выходной сигнал.
Аналогичный элемент ввода в начале строки служит для потактного вве-
дения (электрическим путем) в ФПЗС фоновых постоянных зарядовых пакетов,
призванных «забить» поверхностные ловушки и ослабить их негативное дей-
ствие. Фоновые заряды обеспечивают оптимальный рабочий режим (аналогич-
но смещению, используемому в электронных усилительных зарядах).
Таким образом, в ФПЗС пространственное распределение интенсивности
излучения преобразуется в рельеф электрических зарядов, локализующихся в
приповерхностной области. Зарядовые пакеты перемещаются от элемента к
элементу, выводятся наружу и дают последовательность видеоимпульсов, адек-
ватную полю излучения, таким образом, осуществляется стандартный телеви-
зионный алгоритм восприятия образца. В матричном ФПЗС весь кадр образует-
ся одновременно, в линейном – последовательно путем дополнительной раз-
вертки по второй координате. Принцип действия наноэлектронных ФПЗС ана-
логичен вышеописанному. Наноэлектронные ФПЗС перспективны для приме-
нения в мегапиксельных видеокамерах и цифровых фотоаппаратов.
267
Дешифратор
Матрица активных
строк
элементов
Дешифратор столбцов,
аналоговые усилители и
схема обработки
АЦП
Цифровые
блоки
Выход
Столбец
RS
R VT2 Плавающий Выборка
узел строки
VT3
S VT1
VT4
C
Ф
VD
268
истоковый повторитель, и на шину столбца поступает усиленный по мощности
сигнал ФД. Коэффициент передачи по напряжению истокового повторителя
близок к единице. На шины столбцов подаются считанные сигналы всех эле-
ментов выбранной строки. Дешифратор столбцов последовательно выбирает
сигналы шин и передает их на схему пошаговой обработки сигналов отдельных
активных элементов матрицы. После окончания режима считывания сигнал
RS = 0, и транзистор VT4 закрывается. Начинается накопление зарядов следую-
щего кадра изображения.
Основное достоинство КМОП-ФД в сравнении с ФПЗС – возможность ин-
теграции на одном кристалле функций приема и обработки изображения (воз-
можна реализация однокристальной камеры с цифровым выходом). Другим до-
стоинством КМОП-ФД является низкая потребляемая мощность, возможность
программирования интересующих пользователя окон и высокая скорость счи-
тывания данных. Основные недостатки – высокий шум, обусловленный тем,
что активный элемент содержит несколько МОП-транзисторов и несколько
шин, низкая фоточувствительность, более высокий темновой ток, большие раз-
меры активного элемента, меньшая, чем у ФПЗС разрешающая способность.
Для устранения шума процесса восстановления в КМОП-ФД было пред-
ложено заменить фотодиод фоточувствительным затвором, в потенциальной
яме которого накапливаются фотогенерируемые сигнальные заряды, в соответ-
ствии с рис. 8.54.
В режиме считывания на затвор транзистора VT1 подается отпирающий
его импульс восстановления R. Потенциал плавающего затвора восстанавлива-
ется до исходного уровня.
+ UП -
Столбец
RS
R VT3 Выборка
строки
Плавающий узел
VТ4
S1 VT1 S2 VT2
VT5
C
Ф Ф
ФД1 ФД2
269
ла на затвор транзистора VT3 передается открывающий его импульс выборки
строки RS1. Начальное напряжение на затворе транзистора VT2 (в которое вхо-
дит и шум восстановления) через истоковый повторитель передается на шину
столбца и запоминается на ее выходе.
При поступлении на плавающий затвор сигнального заряда напряжение на
транзисторе VT2 понижается на величину поступившего заряда, и это напряже-
ние также передается на выход шины столбца. В результате выходной сигнал
представляет собой разность значений напряжения транзистора VT2, что и поз-
воляет устранить шум восстановления. Недостаток схемы с фоточувствитель-
ным затвором – снижение фоточувствительности из-за меньшей, в сравнении с
фотодиодом прозрачности затвора.
273
ца 8.8. Параметры некоторых наноизделий
Количество Количе- Потребляемая, Тактовая Пло- Напряжение Высо- Тех
ние
элементов, ство мощность, Вт частота, щадь питания, В та ло
а
млн выводов Min Max ГГц S, мм2 Min Мах h, м н
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1
ntel
321 771 65 95 3,00 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 2,66 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 2,33 80 1,2 1,4 2,6 6
48
ntel
321 771 65 95 2,33 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 2,00 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 1,86 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 1,60 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 3,73 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 6
3
ntel
321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 3,00 80 1,2 1,4 2,6 6
0
жение таблицы 8.8
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1
2
291 775 55 75 2,93 144 0,85 1,36 2,6 6
800
Duo
291 775 55 75 2,66 144 0,85 1.36 2,6 6
Duo
291 775 55 75 2,40 144 0.85 1.36 2,6 6
Duo
291 775 55 75 2,13 144 0.85 1.36 2,6 6
Duo
291 775 55 75 1,86 144 0.85 1,36 2,6 6
64 125 754 25 35 2,2 112 1,05 1,25 3,2 9
ron
109 754 62 Н/Д 1,8 112 1,1 Н/Д 3,2 9
ron
109 754 25 Н/Д 1,6 112 1,1 Н/Д 3,2 9
ron
109 754 25 Н/Д 1,6 112 1,1 Н/Д 3,2 9
275
жение таблицы 8.8
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1
125 478 73 Н/Д 3,8 112 1,4 Н/Д 3,75 9
276
Указанные в таблице 8.8 изделия, по сути, являются наноэлектронными
системами супервысокой сложности. Это процессорные ИМС восьмой степени
интеграции, изготовленные по 65–90 нм технологиям.
Анализ приведенных данных показывает, что лучшие типы ИМС имеют
тактовую частоту более 3 ГГц, отличаются высокой экономичностью и воз-
можностью работы от низковольтных источников питания (0,85–1,2 В).
Цены рассмотренных изделий соответствуют 2006 г. В ближайшие годы
ожидается переход на 32 нм технологию и к 2010 г. планируется серийный вы-
пуск ИМС гигантской степени интеграции, у которых число элементов превы-
сит миллиард.
Мировая тенденция последних лет заключается в постепенном переходе от
микроэлектроники к наноэлектронике.
Перечислим основные признаки этого перехода:
– уменьшение проектных (топологических) норм элементов на кристаллах
(0,032–0,25 мкм и далее);
– увеличение степени интеграции кристаллов (десятки и сотни миллионов
вентилей в кристалле);
– комплексирование кристаллов, то есть размещение на одном кристалле
элементов памяти, цифровой обработки, ЦАП и АЦП, элементов аналоговой
обработки, интерфейсных элементов;
– создание систем на кристалле базовых типов: Single-Chip SoC (SoC на
одном чипе), или System-in-Package (SiP), System-on-Package (SoP), System-on-
Chipset (интеграция в одном гибридном корпусе нескольких чипов);
– создание программируемых систем на кристалле (System-on-
Programmable Chip);
– увеличение количества выводов корпусов, микросхем (до 1500 выводов и
более);
– переход от расположения выводов корпусов ИС по периметру к матрич-
ному расположению выводов на всей площади кристалла и корпуса;
– преимущественный рост количества корпусов ИС с матричным располо-
жением выводов шаровой формы (BGA) для поверхностного монтажа.
Объем информации накопленный человечеством оценивается емкостью
1019–1020 байт. Ежегодное увеличение объема всей создаваемой информации
превышает 50%.
Объем информации содержащейся в различных источниках информации
иллюстрирует рис. 8.55.
В эпоху информатизации, емкость каналов мобильной связи увеличивается
в 10–100 раз каждые 5 лет, объем операционных систем увеличивается в 2 раза
каждые два года, емкость систем хранения данных увеличивается в 2 раза каж-
дые 9 месяцев, производительность ВОСП удваивается каждый год, количество
пикселей системы отображения информации удваивается каждый два года.
277
Байты
Йота 1024
Все книги в Интернет
мультимедийном
Зета сегодня
формате
Экза
Все книги в
Пета 1015
текстовом
формате
Тера
Фильм
Гига
Фотография
Мега
Книга
Кило 103
278
(«Advanced Research in Quantum Info Tech»). Объем финансирования работ по
разделу в 2005 фин. г. составляет 0,991 млн. долл. Исследования направлены на
поиск технических решений по созданию сверхпроводниковых квантовых ком-
пьютеров. Раздел 2311 «Информатика и науки о космосе» (Space and Infor-
mation Sciences) предусматривает проведение исследований в области создания
архитектур квантовых компьютеров для быстрого решения комплексных задач
гидро- и/или аэродинамики. Общий запланированный объем ассигнований по
разделу 2311 в 2005 фин. г. составил млн. долл.
Проект РЕ № 0601153N (КЦП «Исследования в области оборонных наук –
«Defense Research Sciences». Подраздел «Информатика» – «Information
Sciences». Заказчик – ВМС США. Проводятся исследования по выявлению пер-
спективных принципов построения квантовых компьютеров и систем кванто-
вой криптографии. Сведения об объемах финансирования работ неизвестны.
Прикладные исследования (бюджетная категория). Проект РЕ №: 0602716Е
(Раздел «Технологии электроники», программа «Focused Quantum Systems
(FoQuS)»). Заказчик – Управление перспективных исследований и разработок
МО США (DARPA). Запланированные объемы финансирования исследований
по программе FoQuS составляют: 13,753 млн. долл. (2005 фин. г.); 24,703 млн.
долл. (2006 фин. г.); 24,110 млн. долл., (2007 фин. г.). Надо отметить, что в ча-
сти работ, по созданию квантовых компьютеров FoQuS является продолжением
программы Quantum Information Science and Technology (QuIST), завершившей-
ся в конце 2005 фин. г. Дальнейшие, работы в области систем квантовой крип-
тографии и связи интегрированы в другие программы. Финансирование по-
следнего этапа программы QuIST предусмотрено в размере 25,437 млн. долл. С
2006 фин. г. в рамках этого же проекта, № 0602716Е стартовала новая дополни-
тельная программа «CAD-QT (Cognitively Augmented Design for Quantum Tech-
nololgy)», ориентированная на решение проблем автоматизированного проек-
тирования элементной базы для квантовых вычислительных систем. Объем ее
финансирования в 2006 фин. г. составил примерно 2,320 млн. долл. Надо отме-
тить, что исследования в области выявления потенциальных возможностей
квантовых вычислительных систем проводятся по заказам DARPA в рамках
проекта РЕ № 0602303Е, раздел IT-02. Информационные технологии, програм-
ма «Высокопроизводительные вычислительные системы» (High Productivity
Computing Systems, (HPCS)).
Проект № 0602702F. (Раздел «Системы боевого управления и связи» –
«Command Control and Communications». Подраздел 4594 «Технологии инфор-
мационных систем», – «Information Technology»). Заказчик – ВВС США. На
период 2005–2007 фин. гг. запланировано проведение комплекса прикладных
исследований по изучению возможностей, применения квантовых вычисли-
тельных систем и биокомпьютеров в системах боевого управления и связи. Для
этих целей предусмотрено финансирование в размере 12,5 млн. долл.
Примечание. В 2004 г. в США общий объем финансирования исследовании и
разработок в области квантовых информационных технологий (квантовые ком-
пьютеры, квантовые криптография и связь, теория квантовой информации и
т.д.) превысил: 100 млн. долл. (по сравнению с 1999 г. увеличился практически
279
в 5 раз). Доля НИР по заказам Министерства обороны США в этом объеме со-
ставляет 60–70%.
Обобщенные сведения о зарубежных исследованиях и разработках, систе-
матизированные по перечисленным выше научно-техническим направлениям
опубликованы в [24] , где приводятся данные о работах 148 организаций.
Проведенный анализ результатов систематизации планов и проектов зару-
бежных исследований и разработок позволяет сформировать краткий прогноз
развития квантовых компьютеров на период до 2010–2015 гг. Основные резуль-
таты этого прогноза представлены в таблице 8.9.
280
8.9. Краткий прогноз развития квантовых компьютеров до 2015 г.
ант построение кванто- Состояние
компьютера (условное
ание схемы, реализую-
На 01.01.2006 г. К 2010 г. К 201
механизмы квантовых
вычислений)
2 3 4
овый компьютер, ос- Создан ансамблевый компьютер на молеку- Построение квантовых вы- Демонстр
ный на состояниях лах в жидкости с числом физических куби- числительных систем с вых ком
ых спинов в молеку- тов, равным 7. числом физических куби- числом л
ых жидкостях Доказано, что существует принципиальное тов до 10. битов от
ограничение на предельное число кубитов Демонстрация операций с Отработа
порядка 10-15. числом логических кубитов ские схем
Продемонстрированы возможности реализа- от 3 до 7. состояния
ции отдельных алгоритмов.
Работы проводятся в США, Германии, Ин-
дии, Южной Корее, Великобритании, КНР и
Канаде.
ьютеры на ионах в ло- Создан компьютер с числом кубитов, равным Создание лазеров с высо-
ах 2(двухкубитная фазовая операция-операция кой стабильностью частоты
«контролируемое НЕ»). и интенсивности излуче-
Разработаны технологии, позволяющие осу- ния.
ществлять: приготовление исходного состоя- Уменьшение погрешности
ния, хранение данных(«квантовая память») и квантовых вычислений до
считывание результатов. 10-4-10-3.
–
Исследуются состояния ионов 9Ве+, Ва+, Sr+, Время сохранения коге-
Mg+, In+, Ca+, Yb+, Cd+ в ловушках. рентности логического ку-
Принципиальное ограничение ~20 кубитов. бита(например, 2 физиче-
Ведется интенсивная разруботка эффектив- ских кубита) более 100 с
ных источников одиночных фотонов. Работы (квантовая память).
проводятся в США, Германии, Канаде, Вели-
кобритании, Дании, Австрии.
281
лжение таблицы 8.9
2 3 4
товый компьютер Исследуются вопросы реализации квантовых Применимые для практиче- –
йтральных атомах операций на одиночных атомах в микрорезонато- ского использование маг-
рах. нитные и оптические мик-
Отрабатываются вопросы создания оптических и роловушки (для систем
магнитных микроловушек. ридбергских автоматов).
Принципиальное ограничение ~20 кубитов. Рабо-
ты проводятся в США, Франции, Германии, Да-
нии, Австрии.
нтовые операции на
Эксперименты в этом направлении реализации Нелинейный оптический
иночных атомах в
квантового компьютера, по сути, объединяются с элемент, осуществляющий
орезонаторах (кван-
экспериментальным исследованиями в области достаточно сильное взаимо-
я оптика резонанс-
квантовой оптики действие фотонных кубитов
явлений cavity QED)
товые компьютеры
Разработана схема построения одного кубита.
нове линейных оп-
Предельное число кубитов в квантовом оптиче-
ких элемен-
ском компьютере является предметом многочис-
еализация кванто-
ленных исследований.
операций с помо- –
Работы ведутся в научно-исследовательских ор-
линейных оптиче-
ганизациях США, Японии, Италии, Великобри-
элементов «оптиче-
тании, Швейцарии, Германии, Австралии, Кана-
квантовый компью-
ды, Австрии
Появление эксперименталь-
Созданы следующие конструкции кубитов: ных схем с числом кубитов
– кубиты на атомах фосфора 31Р в бесспиновом более 10. Интеграция элек-
Воз
моноизотопном кристалле кремния 28Si (кубит); тронных схем управления с
дотельные кон- лени
– кубиты на электронах в полупроводниковых твердотельными конструк-
ции квантовых ных
(GaAs или Si/Ge) квантовых точках (2 кубита) циями кубитов. Новые под-
ьтеров с чи
Предельное число кубитов > 1000. Работы ведут- ходы к построению схем
ся в США, Швейцарии, Японии, Канаде, Италии, коррекции ошибок (для
Великобритании, Германии. каждого варианта построе-
ния кубита)
282
олжение таблицы 8.9
2 3 4
Новые подходы к организа-
ции связи между зарядовы-
Созданы научные основы для разработки кванто-
ми кубитами, решение от- Пов
вых компьютеров на сверхпроводниковых эле-
дельных проблем декоге- стов
ментов двух типов:
рентизации. Выбор рацио- тов
– сверхпроводниковые зарядовые кубиты (charge-
нальных (пригодных для ний
based qubits). Создано 2 кубита;
масштабирования) схем по- шу
– сверхпроводниковые кубиты на сквидах (flux-
строения кубитов. Вариан- схем
based qubits – кубиты-флюксоиды). Создано 2 ку-
товые компьютеры ты построения квантового сост
бита. Доказано, что предельное число кубитов в
ерхпроводниковых компьютера из 10–100 ку- тов
квантовом компьютере на сверхпроводниковых
ентах битов. Работоспособные поя
элементах может превышать 1000. Разработаны
экспериментальные уста- тосп
(впервые) принципы построения сверхпроводни-
новки, реализующие меха- брид
кового компьютера на π-контактах в ВТСП плен-
низмы квантовых вычисле- вого
ках (ФТИАН). Исследования и разработки ведут-
ний на трех и более логиче- с чи
ся в США, Швеции, Франции, Нидерландах,
ских кубитах. Схемы изме- ских
Японии, Германии, Италии, Ю.Кореи, Швейца-
рения и управления для
рии
компьютеров с числом ку-
битов порядка 20–30
товые компьютеры
Разработано несколько уникальных принципов
нове других («уни-
построения физических кубитов. Проводятся
ных») принципов
экспериментальные исследования
роения кубитов
283
8.12. Наноэлектронные системы для беспроводной связи
Разработки УБИС и ГИС обеспечивают широкие перспективы внедрения
радиочастотных систем в пределах таких объектов, как помещения, самолеты,
ракеты, автомобили и др.
Возможности бесконтактного доступа к объектам разной природы и деше-
визна чипов определяют высокие темпы развития техники радиотехнической
идентификации (РФИД). Такие системы востребованы всеми видами транс-
портных средств, торговлей, пограничными и охранными службами. Одна из
реализаций системы радиочастотной идентификации (REID, КАШВ) изображе-
на на рис. 8.56.
В системе используется спутниковый передатчик, GPS-приемник (транс-
пондер), REID-приемопередатчик стандарта «Bluetooth», радиометка паллеты
однокристальные GPS-приемник и REID-приемопередатчик (зона действия
50 м), MEMS-блок пространственной коррекции; радиометка упаковки; одно-
кристальные GPS-приемник и REID-устройство (зона действия 10 м); радио-
метка товарной единицы: передающее REID-устройство (зона действия 10 м).
Спутник
Система реги-
страции резуль-
татов идентифи- Транспондер
кации
284
го рода аппаратуры: от встроенных в мобильный аппарат навигационных си-
стем (GPS) и комплекта датчиков к мобильным беспроводным системам и да-
лее к системам беспроводной сенсорной сети, получившим название «Умная
пыль».
«Умная пыль» это крошечные компьютеры, соединенные в единую бес-
проводную сеть и имеющие возможность собирать, обрабатывать и передавать
информацию. Они должны обладать большим запасом энергии для автономной
работы и иметь низкую стоимость.
Мобильный телефон как системообразующая основа индивидуальной бес-
проводной системы должен содержать: сенсоры, лабораторию на чипе, видеока-
меру с процессором, приемопередатчик, центральный и мультимедиа процессо-
ры, смарт-SIM, GSM карты, системную память (DRAM, SRAM, UtRAM), допол-
нительные системные чипы, флеш и массовую память, модемы GSM/GPRS,
WCDMA, CDMA-1.
Эти компьютеры должны не только различать окружающий мир, но и са-
мостоятельно действовать в зависимости от его состояния. Это требование мо-
жет быть воплощено с помощью проактивной системной концепции.
В отличие от обычного используемого интерактивного метода взаимодей-
ствия человека – оператора с машинным интеллектом проактивный метод сво-
дит это взаимодействие к минимуму, автоматизируя процесс принятия решения
внутри вычислительной программно-аппаратной структуры. При этом ради-
кально изменяется роль человека.
Сенсорные микрокомпьютеры становятся более самостоятельными, при-
обретая качества «здравого смысла», угадывающего запросы среды, техниче-
ской системы или человека, задолго до их поступления.
Исходя из вышесказанного, можно сделать вывод о перспективности со-
здании самоорганизующихся сетей из приемопередатчиков, управляемых мик-
рокомпьютерами, наделенными определенным интеллектом и автономным пи-
танием «пылинок» размером порядка 1мм3.
Развитие электроники в значительной степени связано с разработкой бес-
проводных сенсорных сетей, где сотни миллиардов микроскопических датчи-
ков смогут реагировать на окружающую среду и контактировать друг с другом
беспроводным образом, решая массу полезных задач.
Системная концепция беспроводных проактивных сенсорных систем озна-
чает новую роль электроники и приведет к созданию высокоэффективных
наноэлектронных изделий двойного применения.
Комплектация многих жизненно важных систем, таких как оборонные и
медицинские не может импортироваться из других стран. Отсюда очевидно
необходимость опережающего развития отечественной нано- и микроэлектро-
ники как локомотива инновационной индустрии.
290
терагерцового и субтерагерцового диапазонов. Здесь продвижение наблюдается
как со стороны длинноволновых лазеров на основе наногетероструктурных
сверхрешеток и фотонных кристаллов, так и со стороны сверхвысоко-
частотных (СВЧ) приборов на основе эффектов резонансного туннелирования.
Добавление мультиспектральной визуализации (видимой, ИК, миллиметровой
(ММ), СВЧ, акустической) информации позволяет говорить о всемирной мгно-
венной связи, идентификации опасности, помощи, общения на разных языках и
т.п. Резкое повышение чувствительности сенсоров связывается с использовани-
ем квантовых (резонансных) явлений в нанообъектах, высокой поверхностной
чувствительности наноструктурированных материалов. При этом предпола-
гается уменьшение габаритов датчиков и увеличение степени их интеллектуа-
лизации. Серьезные усилия будут направлены на создание плоских и гибких
экранов повышенной яркости любых размеров и конфигураций - проекционных
экранов, табло, дисплеев, очков-экранов. При этом предполагается существен-
ное снижение потребляемой мощности. Наиболее перспективные направления
– лазерные и светодиодные матрицы для проекционных экранов и ав-
тоэмиссионные катоды на основе углеродных нанотрубок для плоских экранов
любой сложности.
Последнюю графу таблицы трудно охарактеризовать количественно, т.к.
речь идет о создании автономных роботизированных систем от космических
(системы мини-спутников) до биосовместимых микророботов, используемых в
живых объектах. Однако уже четко видна тенденция уменьшения размеров.
Так, сегодня экспериментально показана возможность перемещения одной
нанотрубки в другой и использования колебательных режимов (частоты ~ 1
ГГц). Вообще возможность создания вращающихся нанообъектов (вплоть до
молекулярного уровня) является принципиальной проблемой. Развитие авто-
номных, электромеханических систем связано с проблемой энергопотребления,
поэтому необходима разработка новых принципов источников питания, в част-
ности химических.
ГЛАВА 9. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
МИКРО - И НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ
СИСТЕМ
292
цинской технике. Самые высокие темпы развития в период с 2007 г. по 2012 г.
ожидаются в области телекоммуникаций (до 40%).
В последнее время расширение функциональных возможностей бытовой
техники стало стимулом более широкого применения в микроэлектромеханиче-
ских систем (МЭМС). Ниже приводятся данные о развитии МЭМС. Примером
МЭМС является сотовый телефон, который постоянно дополняется новыми
функциями: фотоаппарат, определение координат (GPS), доступ к сетевым
структурам и т.д. Нужно обеспечить не только сами новые функции, но и кон-
троль за их выполнением, например, стабилизацию изображения фотоаппарата
или предотвращение повреждений от случайного удара или падения и т.п. В оп-
ределенной мере это можно назвать МЭМС-системой безопасности телефона
или переносного компьютера. В еще большей степени проблема обеспечения
безопасности с помощью средств микросистемной техники касается ав-
тотранспорта. Системы активной и пассивной безопасности пассажира и авто-
мобиля практически всегда включают МЭМС-устройства. В автомобилях вы-
сокого класса число их типов достигает 100 наименований. В качестве примера
приведем последнее требование обеспечения контроля давления в автошинах.
Простое умножение числа выпускаемых автомашин (50–60 млн. шт. в год) на 4,
дает представление о потребностях в МЭМС. Революционное значение мик-
росистемы (МС) могут сыграть в обеспечении контроля уровня поддержания
жизнедеятельности самого человека. С помощью МСТ может быть решена ос-
новная проблема – постоянный контроль психофизического состояния челове-
ка и его коррекция за счет индивидуальных носимых или имплантированных
МС. Аналогичным образом контроль за состоянием среды обитания человека
также может осуществляться в значительной мере за счет МСТ, В последнее
время существенное значение приобретают различные МС безопасности и систе-
мы предупреждения и предотвращения террористических угроз. С помощью но-
вых типов МСТ совершенно по-новому решаются проблемы контроля состояния
индустриальных систем, зданий и сооружений. Практически эта форма ин-
женерной деятельности стала возможной именно благодаря МСТ. Преимущества
МСТ, обеспечивающие ей все большее применение, базируются на трех основ-
ных тенденциях ее развития: дальнейшей миниатюризации, уменьшении энер-
гопотребления на функцию и увеличении числа самих функций. Дальнейшая
миниатюризация МСТ в основном связана с возможностью использования в ее
конструкциях элементов, созданных на основе нанотехнологии. Хотя тенденция
применения нанотехнологий в технике является общей, именно микросистем-
ная техника наиболее подготовлена к восприятию средств нанотехнологий с
учетом близости размерных факторов микро- и нанообъектов. По этой причине
МСТ считают естественным мостом между нано- и макрообъектами. Примера-
ми использования нанотехнологий могут служить датчики физических и хи-
мических величин, в которых эффективность чувствительного элемента повы-
шается за счет использования наноэлементов (например, углеродных нанотру-
бок) или наноструктурированных материалов (включая нанопорошки и нано-
поры). Поэтому можно считать включение нанокомпонентов в конструкции МС
одной из важнейших тенденций современного развития МСТ.
293
МС обычно разделяют на встроенные и автономные. Пока наибольшее распро-
странение имеют встроенные МС. Однако сами системы верхнего уровня, в ко-
торые встраиваются МС, часто являются автономными. В качестве примера
приведем тот же сотовый телефон. Это накладывает ограничения на размеры и
энергопотребление компонентов МС. В целом можно говорить о тенденции ро-
ста автономных МС. Она еще более увеличивается за счет развития сетевых
беспроводных МС. В них МС является автономной структурой по задачам и
энергообеспечению, но служит элементом распределенной сети с общим Целе-
вым назначением, например, известная «умная» пыль. Рост доли беспроводных
МС является несомненной тенденцией современного этапа развития МСТ.
Беспроводная связь может быть осуществлена по разным каналам, наибольшее
распространение получили радиочастотные каналы разных частотных диапазо-
нов. Одинаковые принципы передачи информации для датчиковых беспровод-
ных систем (БПС) и систем радиоидентификации (RFIT) позволяют организо-
вать на их основе так называемую «всепроникающую» датчиковую систему
(Ubiquitous sensor networks).
Сетевые МСТ – только часть систем БПС на базе радиоканалов. Вопросы
надежности передачи информации в условиях интерференционных помех от
других радиоисточников близкого диапазона играют существенную роль в раз-
работке РЧ приемников и передатчиков, особенно в условиях большой концен-
трации радиоисточников на площади, где расположена сеть. Приемопередаю-
щие устройства должны адаптироваться к окружающей обстановке (cognitive
radio network), для этого они должны обладать определенным интеллектом, за-
ложенным в программу микропроцессора (программное управляемое радио –
software defined radio platforms). Существенную проблему такого ин-
теллектуального радио – необходимость точного выделения каналов и пере-
ключения между ними – оказалось возможным решить с помощью РЧ МЭМС-
ключей и фильтров/генераторов. Явный прогресс РЧ МЭМС в последнее время
можно считать еще одной тенденцией современного развития МЭМС. В каче-
стве примера можно привести агрессивную политику молодых американских
фирм, направленную на частичную замену пьезокварцевых осцилляторов на
МЭМС-устройства с ориентацией на миллиардный рынок. Не уступая по техни-
ческим параметрам предшественникам, они должны быть существенно дешев-
ле. В определенной мере прогресс РЧ МЭМС связан с тенденцией все более
широкого проникновения МЭМС-изделий на рынок бытовой техники (сотовые
телефоны, игровые системы). Во всех этих случаях характерным является ис-
пользование интегрированных МЭМС-устройств. Например, в одном корпусе
могут быть (в том или ином составе) датчик температуры, датчик давления, од-
нотрехслойные микроакселерометры, микрогироскопы и т.д. Интеграция ком-
понентов требует расширения их электронной составляющей (ИС-
составляющей). Она должна обеспечить обработку сигнала ЧЭ (кондициониро-
вание, коррекция, преобразование АЦП (ЦАП), усиление, формирование нуж-
ного интерфейса, самотестирование/самовосстановление, обработка по-
лученной информации, выработка алгоритмов работы, формирование и переда-
ча информации внешнему потребителю, включая сети). Большой перечень со-
294
става ИС-составляющей МЭМС позволяет сформулировать ее возрастающую
роль и роль поддерживающего программного обеспечения как еще одну новую
тенденцию развития МЭМС в настоящее время.
При решении проблем оптимизации ИС-составляющей по размерам и энерго-
потреблению многие из них решаются более просто при совместимости техно-
логий изготовления компонентов МЭМС с КМОП-технологией ИС. Однако
общее возрастание числа потребителей в составе МЭМС-конструкции требует
самостоятельной оптимизации выбора источников энергии. В качестве примера
приведем распределение энергетических потребностей между компонентами
интегрального датчика (см. таблицу 9.1).
Таблица 9.1. Потребление энергии в компонентах сенсорной
беспроводной микросистемы
Время ра- Энергия,
Компонент Потенциал, В Ток, мкА
боты, с мДж
Сенсор и цепи пи-
5 175 1,2 1,05
тания
Аналоговые цепи 3 250 1,2 0,90
Микроконтроллер
в режиме ожида- 3 30 1,0 0,09
ния
Микроконтроллер
3 8∙103 0,5 12,0
в рабочем режиме
Радио 3 20 0,1 6,0
Общее 20,06
302
Таблица 9.2. Применение и особенности дисплеев и мониторов
Применение Особенности дисплеев и мониторов
Банкоматы Из ванадиевого стекла, с высокой контрастностью и яркостью
даже при попадании прямых солнечных лучей
Оборудование, Высокая надежность, адаптированы к вибрациям, ударам, па-
транспорт рам различных жидкостей
Авиация Работают в экстремальных условиях
Медицина От малых, с высоким разрешением для радиологии, до боль-
ших (на всю стену) для демонстрации операций в студенче-
ской аудитории
Учреждения Большого формата для проектных работ, для конференций и
правительственных докладов
Табло Для цифрового показа информации
Дом Плоский пиксельный монитор (одновременно для ПК, ТВ и
игр)
305
По данным Woodrow Wilson International Centre только в США к октябрю
2005 года было выпущено 580 изделий, изготовленных с применением нано-
технологий. С марта 2006 года рост составил 175%(!). Самая большая категория
(61%) – это продукция, которая имеет прямое отношение к здоровью (одежда,
косметика, солнцезащитные кремы и т.д.), а 11% составляют пищевые продук-
ты и напитки.
Оцените риски
Выберите меры
контроля
Оцените контроль
Удаление
Предотвращение
. возгорания и взрыва
308
ный контроль, применение средств индивидуальной защиты. Британское руко-
водство содержит рекомендации по выбору мер контроля для каждой из 4–х ка-
тегорий наноматериалов, учитывающие самые типичные операции с ними.
Однако, любые меры, идентифицированные по мере необходимости в
оценке риска, вряд ли будут полностью эффективными без информированного
и компетентного участия служащих. Поэтому меры должны включать обучение
(переобучение) тех лиц, которые должны применять меры контроля.
Британское руководство подчеркивает важность сведений о понимании
воздействий. Они могут использоваться, чтобы поддерживать различные дей-
ствия, включая:
–идентификацию источников эмиссии наночастиц;
–оценку эффективности любой применяемой меры контроля;
–идентификацию любых отказов или ухудшения мер контроля, результатом
которых может стать серьезный эффект для здоровья.
Из–за потенциала для утечек и случайных эмиссий, существенно, чтобы
документировались политики и процедуры, которые в максимально возможной
степени охватывали бы события чрезвычайного характера.
Американское Общество Испытаний и Материалов (ASTM) одобрило но-
вейший стандарт ASTM Е2535–07 Standard Guide for Handling Unbound
Engineered Nanoscale Particles in Occupational Settings (Стандартное руководство
для обращения с проектируемыми в наномасштабе частицами в профессио-
нальной деятельности).
Оно, как и британское руководство, описывает действия, которые могут
быть предприняты пользователем, чтобы минимизировать воздействия наноча-
стиц на человека в процессе научных исследований, в производственных и ла-
бораторных условиях. Среди типов частиц в наномасштабе, относящихся к его
области применения, американское руководство перечисляет: фуллерены
(fuilerenes), нанотрубки (nanotubes), нанопровода (nanowires), наноленты
(nanoribbans), квантовые точки (quantum dots), окиси металлов в наномасштабе
и другие.
Первым международным опытом по стандартизации в этой области в рам-
ках ИСО стала публикация ISO/TR 27628:2007 Workplace atmospheres – Ul-
trafine, nanoparticle and nano–structured aerosols – Inhalation exposure
characterization and assessment (Атмосферы на рабочем месте – Сверхмалые
аэрозоли, аэрозоли с наночастицами и наноструктурой – Определение характе-
ристик и оценка воздействия при ингаляции).
Этот технический отчет опубликован 1 февраля 2006 года и, в отличие от Рос-
сии, оперативно получил национальный статус в Великобритании, Швеции,
Нидерландах и других странах. Его цель – обеспечить пользователей руково-
дящими указаниями относительно измерения воздействия наноаэрозолей в
профессиональной деятельности.
Приказом Главного государственного санитарного врача РФ от
12.10.2007 г. №280 были утверждены Методические рекомендации «Оценка
безопасности наноматериалов». Разработаны они при участии НИИ питания
РАМН, Института медико–биологических проблем РАН, НИИ медицины труда
309
РАМН, Федерального научного центра гигиены им. Ф.Ф. Эрисмана, НИИ эко-
логии человека и гигиены окружающей среды им. А.Н. Сысина РАМН, НИИ
биомедицииской химии им. В.Н. Ореховича РАМН и других ведущих научных
учреждений.
Следует иметь в виду, что рекомендации предназначены, прежде всего, для
использования при проведении санитарно–эпидемиологической экспертизы и
государственной регистрации продукции, полученной с использованием нано-
технологии или содержащей наноматериалы. Цель разработки документа –
обеспечение единого научно–обоснованного подхода к оценке безопасности
наноматериалов на этапах разработки, экспертизы и государственной регистра-
ции этой продукции.
Кроме того, постановлением Главного государственного санитарного вра-
ча РФ от 31.10.2007г. № 79 утверждена «Концепция токсикологических иссле-
дований, методологии оценки риска, методов идентификации количественного
определения наноматериалов».
Она признает, что существующая в настоящее время методология оценки
риска основывается на полной токсикологической оценке конкретного ве-
щества или соединения, определении зависимости «доза–эффект», оценке дан-
ных содержания вещества в объектах окружающей среды и пищевых продук-
тах, расчете нагрузки на население. Однако, для наноматериалов ввиду специ-
фики свойств наночастиц, данная методология может быть неприменима вовсе
или применима ограниченно.
2 4
9
10
5
6 7
11 12
13
317
предсказать флуктуации основных параметров и тем самым обеспечить умень-
шение погрешности определения LC50 и зависимостей вида «доза–эффект».
318
Идеи создания медицинских нанороботов изложены в работах Дрекслера.
Описание нанотехнологии может показаться притянутым за уши, возможно,
потому что ее возможности столь безграничны, но специалисты в области
нанотехнологий отмечают, что на сегодняшний день не было опубликовано ни
одной статьи с критикой технических аргументов Дрекслера.
Никому не удалось найти ошибку в его расчетах. Между тем, инвестиции в
этой области (уже составляющие миллиарды долларов) быстро растут, а неко-
торые простые методы молекулярного производства уже стали широко приме-
няться.
Нанотехнологии могут привести мир к новой технологической революции
и полностью изменить не только экономику, но и среду обитания человека. В
рамках этой главы рассматривается лишь перспективность этих технологий для
борьбы с болезнями проблемами .
Вполне возможно, что после усовершенствования для обеспечения "вечной мо-
лодости" наноботы уже не будут нужны или они будут производиться самой
клеткой.
Для достижения этих целей человечеству необходимо решить три основ-
ных вопроса:
1. Разработать и создать молекулярные роботы, которые смогут ремонтиро-
вать молекулы.
2. Разработать и создать нанокомпьютеры, которые будут управлять нано-
машинами.
3. Создать полное описание всех молекул в теле человека, иначе говоря, со-
здать карту человеческого организма на атомном уровне.
Основная сложность с нанотехнологией – это проблема создания первого
нанобота. Существует несколько многообещающих направлений:
– одно из них заключается в улучшении сканирующего туннельного микро-
скопа или атомно-силового микроскопа и достижении позиционной точности и
силы захвата;
– другой путь к созданию первого нанобота ведет через химический синтез.
Возможно, спроектировать и синтезировать хитроумные химические компо-
ненты, которые будут способны к самосборке в растворе;
– и еще один путь ведет через биохимию. Рибосомы (внутри клетки) явля-
ются специализированными наноботами, и мы можем использовать их для со-
здания более универсальных роботов.
Группа нанотехнологов из института предвидения заявила, что стреми-
тельный рост нанотехнологий выходит из–под контроля, но в отличие от Билла
Джойа, вместо простого запрета на развитии исследований в этой области, они
предложили установить правительственный контроль над исследованиями.
Такой надзор, может предотвратить случайную катастрофу, например ко-
гда наноботы создают сами себя (до бесконечности), потребляя в качестве
строительного материала все на своем пути, включая заводы, домашних жи-
вотных и людей.
Рей Курцвейл – к 2020 году появится возможность поместить внутри кро-
веносной системы миллиарды нанороботов размером с клетку, по оценкам Ро-
319
берта Фрайтаса, ведущего ученого в области наномедицины, это случится не
ранее, чем в 2030–2035 году.
Эти наноботы смогут тормозить процессы старения, лечить отдельные
клетки и взаимодействовать с отдельными нейронами. Так ассеблеры практиче-
ски сольются с нами.
Врачи надеются на быстрое развитие нанокомпьютеров. Автор книги
«Наномедицина» Роберт Фрейтас полагает, что типичное медицинское нано-
устройство будет роботом размером от 0,5 до 3 мкм в диаметре (три микрона –
максимальный размер для наноробота кровотока, поскольку это минимальный
диаметр капилляров). А типичная наномедицинская обработка пациента
(например, очистка от бактериальной или вирусной инфекции) будет состоять
из инъекции нескольких кубических сантиметров воды или солевого раствора,
включающего 1–10 триллионов нанороботов.
Сам Фрейтас разрабатывает модель искусственной красной кровеносной
клетки, «респироцита» – сферического наноробота, состоящего из 18 млрд.
атомов. Это по большей части атомы углерода, имеющего кристаллическую
решетку алмаза. По сути дела, создается гидропневмоаккумулятор, который
может нагнетать внутрь себя 9 млрд. молекул кислорода (O2) и углекислого газа
(CO2), а потом выпускать их по команде бортового компьютера через молеку-
лярные роторы. Благодаря прочности алмазоида давление внутри респироцита
сможет в тысячи раз превышать рабочее давление эритроцита, а одна клетка
сумеет переносить в 236 раз больше кислорода, чем естественная красная клет-
ка. Так что инъекция в кровоток дозы 50%-ного раствора респироцитов, равной
5 куб. см, сможет заменить несущую способность всей крови пациента
(5400 куб. см). Планируется, что бортовые компьютеры находящегося в крови
пациента респироцита будут получать сигнал врача через ультразвуковой пере-
датчик.
В наноразмерном диапазоне практически любой материал проявляет уни-
кальные свойства. Например, известно, что ионы серебра обладают антисепти-
ческой активностью. Значительно более высокой активностью обладает раствор
наночастиц серебра. Если обработать этим раствором бинт и приложить его к
гнойной ране, воспаление пройдет и рана заживет быстрее, чем с использовани-
ем обычных антисептиков.
Отечественный концерн «Наноиндустрия» разработал технологию производ-
ства наночастиц серебра, стабильных в растворах и в адсорбированном состоя-
нии. Получаемые препараты обладают широким спектром противомикробного
действия. Таким образом, появилась возможность создания целой гаммы про-
дуктов с антимикробными свойствами при незначительном изменении техноло-
гического процесса производителями существующей продукции. Наночастицы
серебра могут быть использованы для модификации традиционных и создания
новых материалов, покрытий, дезинфицирующих и моющих средств (в том
числе зубных и чистящих паст, стиральных порошков, мыла), косметики. По-
крытия и материалы (композитные, текстильные, лакокрасочные, углеродные и
другие), модифицированные наночастицами серебра, могут быть использованы
в качестве профилактических антимикробных средств защиты в местах, где
320
возрастает опасность распространения инфекций: на транспорте, на предприя-
тиях общественного питания, в сельскохозяйственных и животноводческих по-
мещениях, в детских, спортивных, медицинских учреждениях. Наночастицы
серебра можно использовать для очистки воды и уничтожения болезнетворных
микроорганизмов в фильтрах систем кондиционирования воздуха, в бассейнах,
душах и других подобных местах массового посещения.
Выпускается аналогичная продукция и за рубежом. Одна из фирм произ-
водит покрытия с серебряными наночастицами для лечения хронических вос-
палений и открытых ран.
321
ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
ОБОРУДОВАНИЕ
11.1. «НаноФаб-100» – платформа для наноэлектроники
Сверхвысоковакуумная модульная нанотехнологическая платформа
«НаноФаб-100» предназначена для использования в исследованиях, разработ-
ках и мелкосерийном производстве различного рода наноструктур, наноэлемен-
тов и устройств на их основе.
Нанотехнологические комплексы на базе платформы «НаноФаб-100» мо-
гут быть укомплектованы следующими технологическими модулями:
1. Сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ).
2. Модули нанолокальных технологий на основе фокусированных ионных пуч-
ков (ФИП):
микроскопии ФИП;
локальной имплантации ФИП;
стимулированного осаждения/травления ФИП.
3. Модули молекулярно – лучевой эпитаксии (МЛЭ):
SiGe МЛЭ;
GaAs МЛЭ.
4. Модуль импульсного лазерного напыления (ИЛО).
5. Модуль газофазного осаждения (ГФО).
323
Состав
1. Рабочая камера (реактор).
2. Вакуумный транспортно – загрузочный базовый модуль, включающий:
загрузочная камера;
шлюзовая система загрузки – выгрузки подложек;
«сухие» форвакуумные насосы;
высоковакуумный насос (турбомолекулярный или криогенный).
3. Стойка управления и энергетического обеспечения.
Модуль загрузки обеспечивает манипуляции подложек без участия опера-
тора и без вскрытия реакторной зоны.
В системе газораспределения используются быстродействующие высоко-
точные дозаторы с металлическими уплотнениями, исключающими загрязне-
ние реактора.
Система управления установкой трехуровневая, построенная на промыш-
ленном контроллере DL – 405 с доступным программным обеспечением «Think
and Do». Управляющая станция включает блок, монитор и клавиатуру.
Ожидаемая типовая производительность – 10 пл./ч, что соответствует за-
рубежным аналогам. Установка рассчитана на непрерывную работу без вскры-
тия реактора. Для обеспечения производительности, сравнимой с производи-
тельностью установки групповой обработки, необходимо компоновать две
установки с вариантами левостороннего и правостороннего технологического
обслуживания.
324
оборудовании МПЭ в ФТИ им. Иоффе РАН. К работам были привлечены кон-
структоры из бывшего НПО «Аналитическое приборостроение» (Санкт - Пе-
тербург) и НИТИ (Рязань), участвовавшие в создании первых серийных отече-
ственных установок МПЭ.
Предприятие начало свою деятельность с разработки специализированной
установки МПЭ для выращивания структур на базе нитридов третьей группы.
Выяснилось, что ростовые условия для их создания заметно отличаются от
условий для классических полупроводников А3В5 (например, AlGaAs). Попыт-
ки адаптации для этих целей традиционных установок МПЭ не дали желаемых
результатов. Требовалось заметное повышение температуры подложки, суще-
ственное усиление откачной системы для удаления используемого в качестве
источника азота значительного потока аммиака и др. (Применительно к нитри-
дам это, в частности, привело в мире к временному отставанию технологии
МПЭ по сравнению с газотранспортными методами).
Разработчиками ЗАО «Научное и технологическое оборудование» удалось ре-
шить вышеназванные проблемы.
Созданные к 2005 году установки STE3N2, STE3N3 демонстрируют уро-
вень технологических и приборных результатов, сравнимых с зарубежными,
полученными с использованием газотранспортных методов и на специализиро-
ванных МПЭ – установках иностранного производства.
Первая апробация созданного на предприятии оборудования МПЭ была
проведена в ЗАО «Светлана-Рост» (Санкт-Петербург), которое специализирует-
ся на разработке и серийном выпуске полупроводниковых гетероструктур,
СВЧ-транзисторов и микросхем на их основе. Разработанные им нитридные ге-
тероструктуры для СВЧ-микроэлектроники демонстрируют полное отсутствие
эффекта коллапса (падение мощности в СВЧ-режиме по сравнению со статиче-
скими характеристиками), что характерно для нитридных транзисторов. По-
движность в двумерном канале на гетерогранице GaN/AlGaN составляет
~1500 см–2/В·с при концентрации ~1,5·1013 см–2 (отметим, что концентрация но-
сителей почти на порядок превышает максимальные значения для структур на
основе AlGaAs). Разброс удельного слоевого сопротивления RS по пластине не
более ±1,5%, что определяет высокий выход годных при производстве транзи-
сторов.
327
В основе работы СЗМ NanoEducator лежит использование зависимости вели-
чины взаимодействия между зондом в виде острой вольфрамовой иглы и по-
верхностью исследуемого образца от величины расстояния зонд-образец. Взаи-
модействие может быть токовым (за счет туннельного тока) или силовым.
Детектируя туннельный ток, протекающий при постоянном электрическом
смещении между зондом и образцом, можно исследовать только проводящие
объекты, в то время как детектируя силу взаимодействия зонд-поверхность,
можно исследовать как проводящие, так и диэлектрические образцы. Чем резче
зависимость тока или силы от расстояния между зондом и образцом, тем выше
пространственное разрешение СЗМ, причем характер этой зависимости опреде-
ляется физико-химическими свойствами исследуемой поверхности. Простран-
ственное разрешение определяется также радиусом закругления кончика зонда,
уровнем механических вибраций и тепловых дрейфов конструкции, а также
уровнем электронных шумов измерительной аппаратуры. Кончик вольфрамо-
вой иглы затачивается путем электрохимического травления и имеет радиус за-
кругления вершины менее 100 нм.
В СЗМ NanoEducator игла-зонд закрепляется неподвижно. Образец может
перемещаться относительно иглы по трем пространственным координатам:
− X, Y – в плоскости образца;
− Z – по вертикали (перпендикулярно плоскости X-Y).
При работе прибора образец движется в плоскости X-Y (Рис. 11.1) построч-
но, таким образом, что кончик иглы постепенно проходит над всей заданной
площадью образца с шагом Δ. Этот процесс называется сканированием.
328
расстояние ΔZ между зондом и поверхностью, соответственно будет изменять-
ся и величина локального взаимодействия.
В процессе сканирования величина локального взаимодействия поддержи-
вается постоянной с помощью системы автоматического слежения, которая, ре-
гистрируя сигнал взаимодействия (силу или ток), поддерживает его среднее
значение на постоянном уровне. Это осуществляется за счет перемещения об-
разца по вертикали (ось Z) специальным движителем - сканером таким образом,
чтобы величина взаимодействия оставалась постоянной в процессе сканирова-
ния.
На рис. 11.2 показана траектория движения зонда относительно образца
(кривая 2) и образца относительно зонда (кривая 1) при сохранении постоянной
величины взаимодействия зонд-образец. Если зонд оказывается над ямкой или
областью, где взаимодействие слабее, то образец приподнимается, в противном
случае – образец опускается. Величина взаимодействия зонд с поверхностью в
общем случае зависит как от величины зазора зонд-поверхность, так и от ло-
кальных характеристик поверхности, так что такое смещение образца системой
автоматического слежения может происходить в результате одновременного
влияния как изменений рельефа, так и физико-химических свойств поверхности
образца. Поэтому, вообще говоря, требуется уделять особое внимание интер-
претации информации, полученной в процессе сканирования. СЗМ.
329
вода (5). Датчик взаимодействия закрепляется при помощи винта фиксации
датчика (4). Предварительный выбор места исследования на образце осуществ-
ляется с помощью винтов перемещения сканера с образцом (6).
Рис. 11.3. Внешний вид измерительной головки СЗМ NanoEducator 1 – основание, 2 – держа-
тель образца, 3 – датчик взаимодействия, 4 – винт фиксации датчика, 5 – винт ручного под-
вода, 6 – винты перемещения сканера с образцом, 7 – защитная крышка с видеокамерой
331
При использовании СЗМ NanoEducator в конфигурации сканирующего си-
лового микроскопа (ССМ) постоянно включен генератор синусоидального
напряжения 1. Этим напряжением раскачивается на своей резонансной частоте
датчик силового взаимодействия 2 с закрепленным на нем зондом 3. Когда зонд
взаимодействует с образцом, на выходе датчика 2 появляется сигнал А, измене-
ние амплитуды которого пропорционально изменению величины силового вза-
имодействия. Система обратной связи устроена таким образом, чтобы пользо-
ватель мог задавать желаемую величину взаимодействия А0 (interaction) по ко-
мандам от компьютера. Сигнал А усиливается и преобразуется в электронном
блоке управления 4. В блоке управления производится сравнение величины
сигнала А с заданной пользователем постоянной величиной А0. Блок управле-
ния 4 выдает управляющее напряжение на сканер 5. Под действием этого
напряжения образец 6 перемещается вверх или вниз по оси Z, при этом изменя-
ется величина взаимодействия зонд – образец и средняя амплитуда сигнала А.
Движение образца сканером по оси Z происходит до тех пор, пока величина
сигнала А не достигнет заданного значения А0. В результате среднее значение
взаимодействия поддерживается на постоянном уровне. Аналогичным образом
система обратной связи работает и в конфигурации туннельного микроскопа, с
той разницей, что при отключенном генераторе между образцом и зондом при-
кладывается постоянное напряжение смещения, а входным сигналом для элек-
тронного блока 4 является сигнал от датчика туннельного тока.
332
в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности
образца) записывается в память компьютера в виде функции Z = f (x,y), а затем
воспроизводится средствами компьютерной графики.
Режим постоянной высоты. При исследовании атомарно гладких по-
верхностей часто более эффективным оказывается получение СТМ изображе-
ния поверхности по методу постоянной высоты Z = const. В этом случае зонд
перемещается над поверхностью на расстоянии нескольких ангстрем, при этом
изменения туннельного тока регистрируются в качестве СТМ изображения по-
верхности. Сканирование производится либо при отключенной ОС, либо со
скоростями, превышающими скорость реакции ОС, так что ОС отрабатывает
только плавные изменения рельефа поверхности. В данном способе реализуют-
ся очень высокие скорости сканирования и высокая частота получения СТМ
изображений, что позволяет вести наблюдение за изменениями, происходящи-
ми на поверхности, практически в реальном времени.
333
Рис. 11.8. Конструкция устройства для травления игл: 1 – отрезок вольфрамовой проволоки;
2 – кольцо; 3 – винт перемещения по вертикали; 4 – подвижный светодиодный осветитель;
5 – основание; 6 – источник переменного электрического напряжения;
7 – микроскоп; 8 – держатель
334
Рис. 11.9. Цифровой видеомикроскоп и его устройство
1 – отверсттия для фиксирующих штифтов; 2 – винт перемещения по горизонтали;
3 – винт перемещения по вертикали; 4 – фокусирующий винт; 5 – объектив; 6 – осветитель
335
ГЛАВА 12. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ
«НАНОТЕХНОЛОГИЯ»
341
12.1.3. Кафедры и лаборатории
Главным «цехом» по производству кадров была, есть и будет кафедра.
Пока никто из вузов создавать специальные «нанофакультеты» не собирает-
ся. «Учитывая сугубо практическую специфику университета, вряд ли на
базе МГТУ им. Баумана целесообразно открывать отдельный факультет
нанотехнологий. Центр коллективного пользования и специальных лабора-
тории полностью покрывают необходимость наших студентов в работе с
технологиями этой отрасли», – заявил «Газете.Ru» пресс-секретарь универ-
ситета Андрей Волохов – «Можно сказать, что подавляющее большинство
кафедр МГТУ им. Баумана занимается нанотехнологиями. Ведь это меж-
дисциплинарное направление в науке, которое нашими специалистами
осваивается на практике, при решении конкретных прикладных задач».
Развитие материально-технической базы кафедральных лабораторий и
центров является основным залогом успешной реализации программ широ-
кой подготовки кадров в области наноиндустрии. Не получая базовых зна-
ний и практических навыков, не пройдя начальных практических этапов в
части отработки экспериментально-исследовательских, технологических и
конструкторских навыков студенты не способны эффективно и в кратчай-
шие сроки приступить к выполнению конкретных реальных производствен-
ных проектов. Подготовку специалистов для наноиндустрии отличает: глу-
бокая естественно-научная подготовка, междисциплинарность – специаль-
ный набор физических, химических, материаловедческих и биомедицинских
дисциплин, тесная взаимосвязь учебного процесса с научными исследова-
ниями (наличие в университете современного экспериментального и техно-
логического оборудования), широкое использование современных вычисли-
тельных методов и информационных технологий. Учитывая это, МГТУ,
первостепенное внимание уделяется именно развитию кафедральной мате-
риально-технической базы по специализациям, проводимой при активной
поддержке ведущих фирм наноиндустрии (ГНЦ «Курчатовский институт»,
STMicroelectronic NV, ОАО «НИЭМИ и завод Микрон», ЗАО «НТ МДТ»,
Концерн «Наноиндустрия», JSC «KLA-Tencor» и др.).
Подготовка специалистов по направлениям наноиндустрии не возмож-
на без сочетания современного уровня материально-технической и методи-
ческой базы. Приказами Министерства образования Российской Федерации
№ 2398 от 04.06.2003 и № 1922 от 23.04.2004 в России в качестве экспери-
мента открыты новые направления подготовки дипломированных специа-
листов 658300 и бакалавров и магистров 554500 «Нанотехнология» (Учеб-
но-методическое объединение по образованию в области радиотехники,
электроники, биомедицинской техники и автоматизации при Санкт-
Петербургском государственном электротехническом университете –
«ЛЭТИ») со специальностями: 202000 «Нанотехнология в электронике» (ба-
зовый вуз МИЭТ) и 073800 «Наноматериалы» (базовый вуз МИСиС). Ло-
гичным продолжением развития учебно-методической базы подготовки
специалистов наноиндустрии является создание в рамках ФЦП кафедраль-
342
ных учебных инновационных комплексов (лабораторных учебно-
исследовательских комплексов), укомплектованных учебным лабораторным
оборудованием, позволяющим обеспечить все стадии проектной подготовки
специалистов наноиндустрии (см. рис. 12.2).
343
ящий момент отечественной промышленностью выпускается достаточный
модельный ряд относительно недорого, простого в эксплуатации и надеж-
ного учебного лабораторного оборудования (ЗАО «НТ-МДТ», Концерн
«Наноиндустрия» и др).
Основной и специфической для России проблемой для эффективной и
высококачественной организации учебного процесса является проблема за-
крепления преподавательского и инженерного учебно-вспомогательного
персонала, а для «нанолабораторий» эта проблема приобретает первосте-
пенное значение, так как спрос на специалистов, умеющих эксплуатировать
современное «нанооборудование» значительно превышает предложения на
рынке. Обеспечить достойные финансовые условия для специалиста за счет
внутренних средств университета, в данном случае, практически не воз-
можно, поэтому единственным практическим выходом из сложившейся си-
туации является реализация «дуальной» системы функционирования учеб-
но-исследовательских лабораторий (центров), которая предусматривает
концепцию «каждой лаборатории – малое инновационное предприятие»
(такой подход оправдал себя в зарубежных университетах, да и, в последнее
время, в России уже есть положительные примеры такой организации). При
этом на государственном уровне надо установить правила льготного разме-
щения малых (аккредитованных при университете) предприятий на площа-
дях кафедр, при условии, если их штатный состав на 60% процентов состоит
из сотрудников данной госорганизации. Во многом все это существует и
функционирует уже сейчас (де-факто), так как это объективные условия
выживания, рынок все расставляет на свои места, но это работает без долж-
ной законодательной базы.
В общих чертах «дуальная система» такова: в структуре кафедры име-
ются учебно-исследовательские лаборатории (центры компетенции, отде-
лы), их сотрудники в основном – преподаватели кафедры (как правило,
большинство преподавателей работает на 1,5 ставки, да еще и в разных ме-
стах, а такая организационная. структура позволит преподавателю работать
на 0.5 научным сотрудником на кафедре). С первого взгляда это могут реа-
лизовать университетские НИИ, однако это совсем не так, НИИ оторваны от
образовательных задач кафедры и, следовательно, их сотрудники оторваны
от главной задачи – подготовки кадров. Получается, что учебная нагрузка
преподавателя кафедры – сотрудника НИИ только мешает ему работать над
проектами НИИ, он находится между двух «огней», с одной стороны инте-
ресы кафедры, с другой интересы НИИ, в результате приходится чем-то
жертвовать. Чтобы изначально создать условия, когда работа над научными
проектами будет помогать образовательному процессу, необходимо обеспе-
чить централизованное управление кафедральной наукой и учебным про-
цессом, интегрировав в структуру кафедр как учебные, так и научные лабо-
ратории. Необходимо обеспечить сотрудника и студента возможностью за-
ниматься оплачиваемой научной деятельностью в научных лабораториях
кафедры, а не на стороне. Реализация «дуальной» системы ведет к развитию
и укреплению потенциала кафедры, а через это к укреплению потенциала
344
факультета, университета в целом. Если будет создана необходимая законо-
дательная база, способствующая развитию «дуальной» системы при универ-
ситетах, то это позволит менее зависеть от субъективных факторов, практи-
чески решить проблему притока и закрепления молодых сотрудников и их
эффективной научно-технической деятельности.
Эффективной формой реализации «дуальной» системы развития инно-
вационного процесса является форма, когда один и тот же творческий кол-
лектив выступает в двух лицах – на потребительском рынке в виде малого
научного предприятия и на рынке госзаказов в виде лаборатории универси-
тета или научного центра. «Дуальная» система работы творческих коллек-
тивов успешно развивается практически во всех ведущих научно-
технических кластерах, где находится большое количество малых и средних
научно-технических предприятий с высоким инновационным потенциалом.
Эффективность данной схемы подтверждается и зарубежным опытом.
Основная цель создания учебно-инновационных центров – это обеспе-
чение проектных методов обучения широкого контингента студентов, вос-
производство и закрепление научных и педагогических кадров университе-
та, реализация дуальной системы инновационно-образовательной деятель-
ности, когда в одном лице существуют учебно-исследовательские лаборато-
рии университетов и малые инновационные компании.
345
Продолжение таблицы 12.1
Исследователей всего 45
в том числе до 35 лет 10-12
докторов наук всего 2-3
в том числе до 39 лет 0,2-0,3
кандидатов наук всего
в том числе до 35 лет 8–10
2–2,5
346
Объем негосударственных инвестиций в создании и
развитие предприятий российской наноиндустрии (млрд 5,1–5,5
руб.)
347
348
Список цитированной литературы
Глава 1. Основные понятия и классификация нанообъектов
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники. – Ново-
сибирск: СибГУТИ, 2005. –324с.
2. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Фадеева Н.Е. Микросхемотехника и нано-
электроника. – Новосибирск: СибГУТИ, 2007. –244с.
3. Кобаяси Н. Веление в нанотехнологию – М.:БИНОМ, 2007. –134с.
4. Лозовский В.Н., Константинова Г.С., Лозовский С.В. Нанотехнология в
электронике – С.Пб.: Изд. «Лань», 2008. –336с.
5. Нанотехнологии в электронике. / Под ред. Чаплыгина Ю.А .– М.: Техно-
сфера, 2005. –446с.
6. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектрони-
ки – Новосибирск, 2004. –494с.
7. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии – М.:Техносфера, 2004. –328с.
8. Игнатов А.Н. Микроэлектронные и наноэлектронные устройства комму-
тации и памяти. – Новосибирск: СибГУТИ, 2009. –156с.
9. Мальцев П. О создании информационной базы Форсайта нанотехнологии
и наносистемной техники // Нано- и микросистемная техника. 2007.– №7. –
C.2-4.
10.Гостишко Б. и др. Разработка элективного курса «Введение в нанотехно-
логии» // Наноиндустрия. 2008.– №6.–С.36-38.
11.Соколов А.В., Карасев О.И. Форсайт и технологические дорожные карты
для наноиндустрии // Российские нанотехнологии. –2009. –№3-4. –С.8-15.
12.Андриевский Р.Н. О цитировании результатов российских исследований
в области нанотехнологий // Нано- и микросистемная техника. 2007.– №11.
13.Негуляев Г.А., Ненахов Г.С. Нанотехнологии: публиковать, сохранять в
тайне или патентовать. // Нано- и микросистемная техника. –2009. –№2. –
С.2-10.
Глава 2. История развития нанотехнологий
1. Краткая история нанотехнологий // Нанотехнологии. –2008. –№3. –С.79.
2. Крушенко Г.Г. Некоторые аспекты применения нанотехнологий // Нано-
техника. –2008. –№1. –С.5-8.
3. Аузан А. Нанотехнологии стали предметом экономической игры // Нано-
технологии. –2008. –№3. –С.22-26.
4. Крымова С. Некоторые проблемы формирования национальной нанотех-
нологической сети // Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.6-9.
5. Свидиненко Ю. Нанотехнологии в нашей жизни // Нанотехнологии. –
2008. –№1. –С.39-42.
6. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехноло-
гий. –432с.
349
7. Эндже Валиева. СМИ в эпоху нанотехнологий // Нанотехнологии. –2008.
–№3. –С.70-72
8. Ковальчук М. Дорогостоящий мираж или переворот в цивилизации? //
Нанотехнологии. –2008. –№2. –С.20-23.
9. Эрик Дрекслер. «Замены нанотехнологиям не предвидятся» // Российские
нанотехнологии. –2009. –№5–6. –С.45.
10. Нанотехнология в ближайшем десятилетии Под ред. Роко М.К. – М.:Мир,
2002. –292с.
11. Носов Ю., Сметанов А. На пути в наноэлектронику: исторические парал-
лели и сопоставления // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –
№5. –С.11-16.
Глава 3. Тенденции развития микро- и наноэлектроники
1. Абрамов И.И. Проблемы и принципы физики и моделирования прибор-
ных структур микро- и наноэлектроники // Нано- и микросистемная техника.
–2007. –№2. –С.24-32.
2. Абрамов И.И. Проблемы и принципы физики и моделирования прибор-
ных структур микро- и наноэлектроники //Нано- и микросистемная техника.
–2007. –№3. –С.57-69.
3. Терехов А.И. Методы и результаты анализа процессов развития нанотех-
нологии // Нанотехника. –2008. –№1. –С.9-21
4. Ананян М. Задача государства – создать условия. чтобы нанотехнологии
сами зарабатывали // Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.3-6.
5. Объем производства продукции наноиндустрии в России к 2015 г. должен
превысить 900 млрд. рублей // Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.12-15.
6. Асеев А. Электроника: от «микро» до «нано» // Нанотехнологии. –2008. –
№2. –С.27-36.
7. Бобков С.Г., Киреев В.Ю. Проблемы перехода микроэлектроники в суб-
нанометровую область размеров // Нано- и микросистемная техника. –2007.
–№5. –С.11-20.
8. Шахнович И. Технология уровня 65 нм. Хроника событий // Электроника:
Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –С.120-123.
9. Ананян. М. Старт сильно затянулся // Нанотехнологии. – 2008. –№3. –
С.30-32.
10. Голышко А.В. Краткая летопись будущего телекоммуникационной от-
расли // Электросвязь. –2009. –№1. –С.5-9.
11. Поборчий Е.Д. Научно-техническая политика и развитие новой техники
для РРЛ и широкополосного радиодоступа // Электросвязь. –2009. –№1. –
С.15-18.
12. Снигирев О.В. Современные тенденции развития элементов вычисли-
тельных устройств post-CMOS эры // Нанотехнологии . –2009. –№1. –
С.43-55.
13. Телец В., Алферов С., Иванов А., Митин Ю., Борисов А., Истомин Е.
Прикладные аспекты нанотехнологий // Наноиндустрия. –2007. –№2. –
С.16-23.
350
14. Сестреватовский В. Производство приемников цифрового сигнала в Рос-
сии: мифы и реальность // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007.
–№8. –С.52-55.
15.Прекрасное далеко от Жореса Алферова // Нанотехнологии. –2008. –№3.
–С.46-47.
16.Адамов Д. Учет особенностей микроэлектронных нанотехнологий при
проектировании СБИС // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –
№8.–С.114-118.
17.Мальцев А., Масленников Р., Хоряев А., Ломаев А., Севастьянов А. Раз-
работка блоков СнК для современных систем беспроводной связи // Элек-
тронные компоненты. –2009. –№1. –С.33-36.
18.Шевченко В.Я. Институт химии силикатов РАН. Исследования в области
наномира и нанотехнологий // Российские нанотехнологии. –2008. –№11-12.
–С.36-45.
19.Вилкова Н.Н. Внедрение приемной аппаратуры для цифрового телевизи-
онного вещания в регионах России // Электросвязь. –2009. –№1. –С.10-14.
20.Иванов В.В., Михальченков А.И., Коробова А.А. Система управления
наукоградом // Электронная промышленность. –2006. –№4. –С.27-32.
21.Бетелин В., Велихов Е. Развитие российского сегмента мировой ИТ-
индустрии // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –С.4.
22.Виноградов В.И. Решения проблем и концепция конвергенции модуль-
ных систем и сетей на основе наноэлектронных технологий СБИС // Ведом-
ственные корпоративные сети и системы. –2007. –№6. –С.94-111.
23.International Symposium on problems of modular system and networks
Icsnet’01. Proceedings INR. RAS. – Moscow, 2001.
24.30-я редакция TOP500: Россия в дюжине ведущих суперкомпьютерных
держав // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007 –№8 –С.108.
25.Виноградов В. Сетевые архитектуры модульных вычислительных систем
// Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8 –С.100-107.
26.Панфилов Ю.В. Состояние исследований и разработок в области нано-
технологий в северной Европе // Нано- и микросистемная техника –2009. –
№5. –С.2-4.
27.Чтобы победить в конкуренции нужно победить в вычислениях // Элек-
троника: Наука. Технология. Бизнес. –2009.№1.-С.4-11.
28.Правительство РФ утвердило концепцию программы «Развитие элек-
тронной компонентной базы радиоэлектроники» на 2008-2015 гг. // Нано- и
микросистемная техника –2009. –№3. –С.43-44.
29.Минаев В. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в 2008 году
и основные задачи на 2009 год // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –
2009. –№3. –С.10-16.
30. Чулок А.А. Анализ перспектив технологической модернизации ключе-
вых секторов российской экономики в рамках формирования научно-
технологического Форсайта // Российские нанотехнологии –2009. –№5-6. –
С.18–25.
351
31. Ютаков Н.Ю. Сценарии научно-технологического развития России //
Российские нанотехнологии. –2009. –5-6. –С.26–32.
32. Соколов А.В., Шамнов С.А., Караеев О.И., Рудь В.А. Прогноз развития
российской наноиндустрии с использованием метода Делфи // Российские
нанотехнологии. –2009. –5-6. –С.33–40.
33. Глобальная технологическая революция – 2020 // Российские нанотехно-
логии. –2009. –№5-6. –С.41–44.
34. Пичугина Т. Макроэкономический прогноз развития России до 2025г. //
Российские нанотехнологии. –2009. –№5-6. –С.10–15.
35. Прогноз – 2030 // Российские нанотехнологии. –2009. –№5-6. –С.16–17.
36. Иванов В.В., Михальченко А.И., Коробова А.Н. Создание технико-
внедренческой зоны наукоемкого производства. // Электронная промышлен-
ность. –2006. –№4. –С.17-26.
37. Немудров В.Г. Формирование современной инфраструктуры проектиро-
вания СБИС «Система на кристалле». Проблемы. Задачи. Этапы // Элек-
тронная промышленность. –2003. –№1. –С. 53-60.
Глава 4. Концепция и проблемы формирования национальной
нантехнологической сети Российской федерации
1. Исследования по нанотехнологиям в университетах. // Российские нано-
технологии. –2008. –№7-8. –С.1.
2. Научно-исследовательский центр МФТИ: выбираем «Нано» // Российские
нанотехнологии. –2008. –№7-8. –С.8-11.
3. Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный
центр РАН – ведущий современный комплекс исследований и подготовки
кадров по нанотехнологиям // Российские нанотехнологии. –2008. –№11-12.
–С.13-21.
4. Научно-образовательный центр по направлению «Нанотехнологии»
Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета
// Российские нанотехнологии. –2008. –№11-12. –С.26-29.
5. Носов Ю.Р., Сметанов А.Ю. На пути в наноэлектронику. Нано- и микро-
системная техника. –2008. –№2. – С.11-16.
6. Разработка технологических дорожных карт // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.16-17.
7. Симаранов С.Ю. Продуктовые дорожные карты как инструмент экспер-
тизы и управления инновационными проектами // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.20-23.
8. Гайкович Г. Стандартизация в области промышленных сетей. Развитие
беспроводных стандартов для АСУ ТП // Электронные компоненты. –2009. –
№1. –С.48-54.
9. Мы будем создавать новые рынки // Российские нанотехнологии. –2009. –
№3-4. –С.39-43.
10. Нанотехнологическая дорожная карта США // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.31-38.
352
11. Продуктовая дорожная карта по светодиодам // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.24-26.
12. Мартиросов. А.М., Стрельцов М.Д. Информационные базы данных ра-
диоэлектронного комплекса и перспективы их развития // Электронная про-
мышленность. –2004. –№4. –С.27-33.
13. Иванов В.В., Михальченко А.И., Коробова А.Н. Создание технико-
внедренческой зоны наукоемкого производства. // Электронная промышлен-
ность. –2006. –№4. –С.17-26.
14. Терехов А. Коммерциализация нанотехнологий: особенности и пробле-
мы // Наноиндустрия. –2008. –№5. –С.4-10.
15. Тихонов А.Н., Захарова О.К., Захарович Е.В., Скуратов А.К. Интернет
портал для ННС // Российские нанотехнологии. –2009. –№5-6. –С.46-49.
Глава 5. Военно-политические аспекты создания нанопродукции
и систем специального назначения
1. Бочаров Л.Ю., Иванов А.А.Ю., Мальцев П.П. О зарубежных программах
по военной нанотехнологии. Часть 2 // Нано- и микросистемная техника. –
2007. –№1. –С.5-10.
2. Стяжкин А.Н. Научно-производственные инновационные корпорации в
ОПК: проблемы и особенности их развития // Электронная промышлен-
ность. –2006. –№4. –С.41-64.
3. Альтман Ю. Военные нанотехнологии. Возможности применения и
контроля вооружений – М.: Техносфера, 2006. – 416с.
Глава 6. Состояние и перспективы развития электронной
промышленности
1. Суворов А.Е. Радиоэлектронная промышленность на подъеме // Электро-
ника: наука. технологии. бизнес. –2007. –№8. –С.4-8.
2. Свириденко В. Перспективы российского рынка ГЛОНАСС-GPS-
приемников // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2009. –№1. –
С.80-83.
3. Адамов Ю.Ф., Сомов О.А., Шевченко Е.А. Системы на кристалле в со-
временной электронике. // Микросистемная техника –2004. –№5. –С.34–38.
4. Цифровые антенные решетки решения задач GPS // Электроника: Наука.
Технология. Бизнес. –2009. –№1. –С.74-78.
5. Артамонов А., Протопопов Л. Передающее оборудование для цифрового
телевещания // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –
С.44-47.
6. Немудров В.Г. Формирование современной инфраструктуры проектиро-
вания СБИС «Система на кристалле». Проблемы. Задачи. Этапы // Элек-
тронная промышленность. –2003. –№1. –С. 53-60.
7. Свириденко В. Перспективы коммерческого рынка приемников
ГЛОНАСС/GPS // Современная электроника. –2009. –№3. –С.8–11.
353
Глава 7. Виды нанотехнологий и перспективы производства
наноэлектронных изделий
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники. – Ново-
сибирск, 2005. –324с.
2. Щука А.А. Электроника. СПб.: БВХ – Петербург, 2005. – 800с.
3. Шахнович И. Технология уровня 65 нм. Хроника событий // Электроника:
Наука. Технология. Бизнес. –2007 –№8. –С.120-123.
4. Кривченко Д., Тузовский В. Технологии молекулярной сборки. // Нано-
индустрия. – 2008. –№6. –С.12-15.
5. Гречихин Л.И. Наночастицы и нанотехнологии. // Нано- и микросистем-
ная техника. –2008. –№5. –С.2-26.
6. Вуль А. Наноуглерод: исследование и применение // Нанотехнологии. –
2008. –№2. –С.23-26.
7. Бочаров Л.Ю., Мальцев П.П. Основные направления и перспективы раз-
вития квантовых информационных технологий за рубежом. // Нано- и мик-
росистемная техника. –2007. –№5. –С.2-10.
8. Шелковиков В.В., Плеханов А.И., Орлова Н.А. Нанометровые пленки по-
лиметиновых красителей в оптической памяти и нелинейной оптике // Рос-
сийские нанотехнологии. –2008. –№9-10. –С.36-47.
9. Баскин И. Компьютерное моделирование в молекулярной нанотехнологии
// Нанотехнологии: Наука и производство. –2009. – №1. –С.71-76.
10. Молекулярная нанотехнология сделает возможным создание изобилия
ресурсов для каждого человека. // Нанотехнология: Наука и производство. –
2009. – №1. –С.65-66.
11. Зубов В.И. Фуллерены – третья форма углерода // Нанотехнологии: Раз-
работка. Применение. –2009. –№1. –С.9-22.
12. Артюхов И.В., Кеменов В.Н., Нестеров С.Б. История концепций молеку-
лярной нанотехнологии // Нанотехнологии: Наука и производство. –2009. –
№1. –С. 56-61.
13. Кравченко Д., Тузовский В. Технологии молекулярной сборки // Наноин-
дустрия. –2008. –№6. –С.12-14.
14. Кулеманов И., Герасименко Н. Неорганические нанотрубки: синтез и
свойства. // Наноиндустрия. –2008. –№5. –С.18-23.
15. Вуль А. Наноуглерод: исследование и применение // Нанотехнологии. –
2008. –№2. –С.23-26.
16. Пахомов С. Квантовый компьютер // Компьютер пресс. –2007. –№5. –
С.134-138.
17. Андреев А.Н., Ермаков Ю.А., Патракеев А.С., Черныш В.С. Применение
кластерных ионов в нанотехнологии // Нанотехнологии. –2009. –№1. –
С.23-38.
18. Головин Ю.И. Введение в нанотехнику– М. : Машиностроение, 2007. –
496с.
19. Гранер Д. Углеродные наносети: новые возможности электроники. //
Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.33.
354
Глава 8. Наноэлектронные изделия для инфокоммуникацонных систем
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Фадеева Н.Е. Микросхемотехника и нано-
электроника – Новосибирск, 2007. – 244с.
2. Яшин К.Д., Осипович В.С., Золотой С.А., Павлов А.В. Квантовые микро-
системы. // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№2 С.62–68.
3. Алексенко А.Г. Новый облик электроники – беспроводные сенсорные си-
стемы. // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№1 –С.2–10.
4. Колешко В.М., Полынкова Е.В. Сенсорные микро- наносистемы с REID
идентификацией // Нанотехника. –2008. –№3. С.49–56.
5. Адамов Ю.Ф., Сомов О.А., Шевченко Е.А. Современная технология и
производство систем на кристалле // Микросистемная техника. –2004. –№6
С.28–32.
6. Царев А.В. Мультиплексоры для WDM с нанофотонными отражателями
новый путь к управлению многими сотнями оптических спектральных кана-
лов // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№4. –С.51–55.
7. Нанотехнология в полупроводниковой электронике / Под ред. Асеева
А.Л. –Новосибирск: Изд. СО РАН, 2004. – 368с.
8. Игнатов А.Н. Микроэлектронные и наноэлектронные устройства комму-
тации и памяти.– Новосибирск, 2009. – 156с
9. Нанотехнологии. Наноматериалы. Наносистемная техника. Мировые до-
стижения / Сб. под ред. Мальцева П.П. – М: Техносфера, 2008. –432с.
10.Какая польза рядовым автовладельцам от модных нынче нанотехноло-
гий? // Нанотехнологии: наука и производство. . –2009. –№1. –С.70–71.
11.Тончайщие пленки – очередной апгрейд современной электроники // Со-
временная электроника. –2009. –№3. –С.17.
12.LG заявила о начале выпуска 15” OLED-панелей // Современная электро-
ника. –2009. –№3. –С.17.
13.Нанофотоника вместо электроники. // Нанотехнологии. –2008. –№3. –
С.48.
14.По нитридной дороге к свету // Нанотехнологии. –2008. –№3. –С.41–42.
15.Микродисплеи удалось внедрить в контактные линзы // Нанотехнологии.
–2008. –№2. –С.80.
16.Нанорадиоприемные интерфейсы субклеточного уровня // Нанотехноло-
гии. –2008. –№3. –С.78.
17.Полупроводниковым элементом памяти будет замена // Нанотехнологии.
–2008. –№3. –С.50–51.
18.Создана наименьшая в мире ячейка SRAM по 22-нм техпроцессу // Нано-
техника. –2008. –№3. –С.97–98.
19.Молекулярный ключ управляется светом // Нанотехнологии. –2008. –№3.
–С.38–39.
20. Нанокомпозитные источники белого света // Нанотехнологии. –2008. –
№3. –С.73.
21.Никитин В., Семенов Э., Ломанов А. Б., Гусаров А. Смартлинки – «Ум-
ные» соединения // Фотоника. –2009. –№1. –С.32–39.
355
22.Глухова О.Е. Функциональные наноустройства на основе наночастиц C60,
C450 // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№3. –С.52–56.
23.Диксон. Д. Выбор процессора с низким энергопотреблением // Электрон-
ные компоненты. –2009. –№1. –С.63–66.
24.Быстродействущие усилители с самым низким энергопотреблением //
Электронные компоненты. –2009. –№1. –С.23.
25.Беляев В., Литвак И., Самсонов В. 100 лет российским электронным дис-
плеям // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. – С.124–127.
26.Гречекас Й. «Мастер КИТ NM 8036» – управление тепловым режимом
«умного дома» // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –
С.110–112.
27.Зелков А. Мощные светодиоды корпорации HIGH Power LIGHTING. //
Фотоника. – 2008. –№5. –С 36-38.
28.Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Высокостабильная энерго-
зависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирую-
щихся проводящих наноструктурах // Российсике нанотехнологии. –2009. –
№1–2. –С.183–191.
29.Салихов Р.Б., Лачинов А.Н. Нанообъекты с узкой проводящей зоной на
основе диэлектроческих пленок полиариленфталидов // Нанотехнологии:
Наука и производство. –2008. №4. –С.61–75.
30.Колещко В.М., Полынкова Е.В. Сенсорные микро-наносистемы с REID
идентификаций // Нанотехника. –2008. –№3. –С.49–56.
31.Деспотули А., Андреева А. Наноионные приборы в глубоко субвольтовой
наноэлектронике // Наноиндустрия. –2008. –№5. –С.12-16.
32.Данилин В., Жукова Т., Кузнецов Ю.,Таранов С. Транзистор на GaN пока
самый «Крепкий орешек» // Электроника: Наука. Технология. Бизнес –2006.
–№7
33.Гаврилов С.А., Дронов А.А., Шеваков В.И., Белов А.Н.,
Полторацкий Э.А. Пути повышения эффективности элементов с экстремаль-
но тонкими поглощающими слоями // Российские нанотехнологии. –2009.
Март–апрель – С.139–145
34.Майская В. Транзисторы компании Intel с тройным затвором // Электро-
ника: Наука. Технология. Бизнес –2006–№7–С.50–53
35.Никитин В. Многоканальные оптоволоконные нейроинтерфейсы // Нано-
индустрия. –2009. –№1. –С.30-34.
Глава 9. Состояние и перспективы развития микро- и
наноэлектромеханических систем
1. Варадан В., Випой К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применения. –М.: Техно-
сфера, 2004. – 528с.
2. Гольцова М.М., Юдинцев В.А. МЭМС: большие рынки малых устройств //
Нано- и микросистемная техника –2008 –№4
3. Точицкий Я.Ч. Фотолитографическое и контрольное оборудование в
МСТ-технологии МЭМС – и МОЭМС- устройств // Нано- и микросистемная
техника. –2007 –№1. –С.61-65
356
4. Косцов Э.Г., Фадеев С.Н., Колесников А.А. Высокоэнергоемкие коммута-
торы // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№8. –С.66-71.
5. Перспективы развития наноэлектронных и микроэлектромеханических
систем. // Нано- и микросистемная техника. –2004. –№3. –С.22-29.
6. Яшин К.Д., Осипович В.С., Меденко П.В., Логин В.М. Микросистемная
техника для космических аппаратов // Нано- и микросистемная техника. –
2009. –№4. –С.38-42.
7. Юдинцев В. МЭМС – датчики: нанотехнологии наступают // Электроника:
Наука. Технология. Бизнес. –2006. –№8. –С.26-30.
Глава 10. Медицинские и биологические аспекты производства
нанопродукции
1. Говорун В.М. Главная составляющая нанобиотехнологии- медицинская //
Нанотехнологии. –2008 –№3. –С.60-66
2. Биопринтер создал действующий кусок сердечной мышцы // Нанотехно-
логии: Наука и производство–2009. – №1. –С.66-99
3. Сушко А., Дубровин Е., Яминский И., Дрыгин Ю. Зондовая микроскопия
вирусов // Нанотехнологии. –2008. –№6. –С.28-31.
4. Роль углерода и кремния. Кремний «врач» живого // Нанотехнологии –
2008. –№3. –С.43-44
5. Свидиненко Ю. ДНК - транзистор - новое слово в секвенировании // Нано-
технологии –2008. –№1. –С.34-35.
6. Свидиненко Ю. Нанотехнологии в нашей жизни // Нанотехнологии –2008.
–№1. –С.39-42.
Глава 11. Нанотехнологическое оборудование
1. Одиноков В., Павлов Г. Специализированное оборудование для исследо-
вания и реализации новых технологий // Наноиндустрия. –2008. –№3, –
С.14-20.
2. Пономарев А.П., Белик Е.В. Электронно-микроскопичекие исследования
отдельных микроорганизмов, относящихся к нано- и микромиру // Нанотех-
нологии. –2008. –№4. –С.12-20.
3. Одиноков В., Бараник Ю., Рагузин В. Специальное оборудование для
нанесения пленок и отжига материалов // Наноиндустрия. –2009. –№3. –
С.4–12.
4. Головин Ю.И. Введение в нанотехнику – Машиностроение, 2007.– 496с.
5. Афанасьев А., Лучинин В. «Малобюджетная» учебно-научная лаборато-
рия «Нанотехнологии и нанодиагностика» // Наноиндустрия. –2009. –№3. –
С.40–42.
6. Кравченко Д., Тузовский В. Технологии молекулярной сборки // Наноин-
дустрия. –2008. –№6. –С. 12-14.
7. Тузовский В., Кравченко Д., Буздуган А., Кравченко А. ALD – оборудова-
ние компании BeneqOY – от инновации к внедрению // Наноиндустрия. –
2009. –№3. –С. 10-12.
357
8. Гелевер В. Разработка электронно-рентгеновского микроскопа (ЭРМ) для
исследования наноструктурных объектов // Наноиндустрия. –2008. –№6. –С.
32-35.
9. ЦКП МГУ им. М.В. Ломоносова – уникальное оборудование для научных
исследований во всех направлениях // Российское нанотехнологии. –2008. –
№9-10. –С. 11-13.
10.Миркурбанов Х., Тимофеев В., Одиноков В., Павлов Г., Веревнин Д.,
Кравченко А. Установка эпитаксиального наращивания слоев для индивиу-
альной обработки подложек большого диаметра // Наноиндустрия. –2008. –
№6. –С. 4-6.
11.Погорельский Ю., Алексеев А., Чалый В., Филаретов А. Новое поколение
установки молекулярно- пучковой эпитаксии // Наноиндустрия. –2008. –№6.
–С.8-9.
12. Точицкий Я.И. Фотолитографическое и контрольное оборудование в
МСТ-технологии МЭМС- и МОЭМС-устройств // Нано- и микросистемная
техника. –2007.– №1. –С.61-65.
13. Круглов Е.В. Микроконтроллерная система управления сканирующим
зондовым микроскопом «NanScan» // Нанотехника. –2008. –№1. –С.104-111.
14. Андреюк Д. Самый верный вектор // Нанотехнологии. –2008. –№3. –
С.28-29.
15. Быков В.А., Васильев В.Н., Голубок А.О. Учебно-исследовательская ми-
ни-лаборатория по нанотехнологии на базе сканирующего зондового микро-
скопа «Наноэндьюкатор» // Российское нанотехнологии. –2009 –№5-6. –
С.51-58.
16. Быков В., Васильев В., Голубок А. Наноэдьюкатор – первый шаг к созда-
нию образовательной нанотехнологической сети // Наноиндустрия. –2009. –
№3. –С.36–39.
Глава 12. Подготовка кадров для направления «Нанотехнология»
1. Костишко Б., Голованов В., Светухин В., Золотовский И. Разработка
элективного курса «Введение в нанотехнологии» // Наноиндустрия. –2008.–
№6. –С.36-40.
2. Обучение молодежи нанотехнологиям – наша задача и наша надежда //
Российские нанотехнологии. –2008.–№9-10. –С.14-17.
3. Акуленок М.В., Поспелов А.С. Элитное техническое образование и про-
блемы построения систем качества образовательной деятельности. Известия
вузов // Электроника. –№3. –2004.– С.5-10.
4. Ананян М. Старт сильно затянулся. Спецназом по нанотехнологиям. Бе-
лорусские нанотехнологии намерены создать конкуренцию российским кол-
легам // Нанотехнологии. –2008. –№3. –С.30-34.
5. Петропавлоский В. Лед тронулся, господа дистребьютеры. Встреча ву-
зовских преподавателей с бизнесменами // Инженерная микроэлектроника. –
2003. –№8(81). – С.20-23.
6. Кокорева И. Универсальная программа NXP // Электроника. –2009.–№1.–
С.102-103.
7. Васильев Н., Хажакян А., Васильев Д. Через моделирование физики к
нантехнологиям // Наноиндустрия. –2008. –№6. –С.40-45.
358
Перечень принятых сокращений
БИС – интегральная схема большой степени интеграции
ВМ – видиомикроскоп
ВОСП – волоконнооптическая система передачи
ГИС – интегральная схема гигантской степени игтеграции
ГНСС – глобальная навигационная спутниковая система
ГПТШ – гетерополевой транзистор с барьером Шоттки
ГФО – газофазное осаждение
ДУС – датчик угловой скорости
ДЭГ – двумерный электронный газ
ЖК – жидкий кристалл
ИЛО – импульсное лазерное напыление
ИС – интегральная схема
ИТО – исследовательно-технологическая основа
КК – квантовый компьютер
КМОП – комплементарная- метал-оксид-полупроводниковая структура
КНИ – кремний на изоляторе
КЦП – комплексная целевая программа
ЛВР – лазер с вертикальным резонатором
ЛИА – литий-ионный аккумулятор
МЛЭ – молекулярно- лучевая эпитаксия
МОП – металл-оксид-полупроводник
МПЭ – молекулярно-пучковая эпитаксия
МРМ – мобильная радиосвязь и мультимедиа
МС – микросистема
МЭМС – микроэлектромеханическая система
НАП – навигационная аппаратура потребителя
ННС – национальная нанотехническая сеть
НОЦ – научно-образователный центр
НСК – наноэлектронный супер-конденсатор
НЭМС – наноэлектромеханическая система
ПЗС – приборы с зарядовой связью
ПЛИС – программируемая логическая интегральная схема
ПСС – персональная сеть связи
РТД – резонансно туннельный диод
РЭП – радиоэлектронная промышленность
СБИС – интегральная схема сверхбольшой степени интеграции
СЗМ – сканирующий зондовый микроскоп
СИС – интегральная схема средней степени интеграции
СНК – система на кристалле
ССМ – сканирующий силовой микроскоп
СТМ – сканирующий туннельный микроскоп
ТВЗ – технико-внедренческая зона
УБИС – интегральная схема ультравысокой степени интеграции
УМО – учебно-методическое объеденение
УНТ – углеродная нанотрубка
ФИП – фокусированный ионный пучок
ФЦП – федеральная целевая программа
ХИТ – химический источник тока
ЦКП – центр коллективного пользования
ЦПС – цифровые процессоры сигналов
ЭКБ – электронно компонентная база
ЭЛТ – электронно-лучевая трубка
359
Учебное издание
Игнатов
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Состояние и перспективы