Вы находитесь на странице: 1из 361

. .

НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Состояние и перспективы

« »
2012
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
И26

Рецензенты:
доц. МТУСИ Копылов А.М.
доц. НГТУ Серых В.И.

Игнатов . .
26 Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития [
] : чеб. пособие / . . .— .: , 2012. — 360 .

ISBN 978-5-9765-0174-4

В книге рассматриваются тенденции развития микро- и наноэлектроники,


концепции и проблемы формирования национальной нанотехнологической
сети Российской Федерации, состояние и перспективы развития электронной
промышленности, виды нанотехнологий и перспективы производства нано-
электронных изделий. Рассмотрены наноизделия пригодные для внедрения в
инфокоммуникаци-онных системах, состояние и перспективы развития
микро- и наноэлектромеха-нических систем, медицинские и биологические
аспекты производства нано-продукции, состояние и проблемы подготовки
кадров для направления «Нано-технологии». Книга содержит много полезной
справочной информации для студентов, магистрантов, аспирантов, а также
преподавателей и инженерно-технических работников, связанных с разрабо-
ткой и использованием аппаратуры, выполненной на основе опто-, микро- и
наноэлектронной элементных баз, а также на специалистов, работающих в
области телекоммуникаций, наноэлек-троники и оптоэлектроники.
Д студентов направления 210400 «Телекоммуникации», специ-
альностей 210601 «Нанотехнология в электронике», 210401 «Физика и техника
оптической связи».

УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73

ISBN 978-5-9765-0174-4 © Издательство «ФЛИНТА», 2012


ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . ....................................................................................................................................... 7
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ НАНООБЪЕКТОВ ..................... 9
1.1. Общие сведения . ...................................................................................................................... 9
1.2. Классификация нанообъектов .............................................................................................. 11
1.3. Наночастицы и наносистемы . ............................................................................................... 15
1.4. Основные термины индустрии наносистем ........................................................................ 16
ГЛАВА 2. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ ......................................................... 19
2.1. Общие сведения . .................................................................................................................... 19
2.2. Краткая история нанотехнологий ........................................................................................ 20
ГЛАВА 3. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ ............................. 22
3.1. Общие сведения . .................................................................................................................... 22
3.2. Закон Мура . ............................................................................................................................ 22
3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектронных систем ................................. 24
3.3.1. Общие сведения…………………………………………………………………………..24
3.4. Перспективы развития модульных систем систем ............................................................. 25
3.4.1. История развития . ................................................................................................................ 25
3.4.2. Виды модульных систем . .................................................................................................... 29
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства СБИС и модульных систем .............. 31
3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем ............................................................... 37
3.4.5. Перспективы развития навигационных систем ................................................................ 40
3.5. Перспективы развития цифрового телевидения ................................................................. 46
3.6. Перспективы развития дисплеев и осветительной техники .............................................. 51
3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных технологий ........................................... 55
3.8. Формирование современной инфраструктуры проектирования СБИС «система на
кристалле» . ............................................................................................................................. 59
3.9. Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого производства ................................ 65
3.10. Форсайт в области нанотехнологий ................................................................................... 68
3.11. Дорожные карты и их применение .................................................................................... 70
3.11.1. Прогноз инновационного развития в Японии................................................................. 72
3.11.2. «Глобальная технологическая революция» (Корпорация RAND, США) .................... 73
3.11.3. Метод дорожных карт и его применение в практике форсайт-исследований............. 74
3.11.4. Разработка технологических дорожных карт ................................................................. 75
3.11.5. Международная технологическая карта ITRS ................................................................ 78
3.11.6. Технологическая дорожная карта для производственных наносистем. Институт
Форсайта в области нанотехнологий, США ................................................................... 78
3.11.7. Дорожные карты развития наноиндустрии в России ..................................................... 80
3.11.8. Примеры технологических дорожных карт .................................................................... 82
3.12. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в 2008 году и основные задачи
на 2009 год . ........................................................................................................................... 83
3.12.1. Общие сведения . ................................................................................................................ 83
3.12.2. Основные показатели развития РЭП ............................................................................... 83
3.12.3. Научно-техническая политика РЭП................................................................................. 84
3.12.4. Инвестиционная политика РЭП ....................................................................................... 87
3.12.5. Внешнеэкономическая деятельность ............................................................................... 88
3.12.6. Политика РЭП на отечественных рынках ....................................................................... 90
3.12.7. Меры по снижению негативных последствий для предприятий РЭП
экономического кризиса . .................................................................................................. 90
3.12.8. Кадровая политика . ........................................................................................................... 92
3.12.9. Основные проблемы и задачи РЭП.................................................................................. 93
ГЛАВА 4. КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАЦИОНАЛЬНОЙ

3
НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ...................................... 95
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии в Российской Федерации .............. 95
4.2. Цель реализации Концепции развития ................................................................................ 96
4.3. Состав и основные направления деятельности национальной и нанотехнологической
сети (ННС) ..................................................................................................................................... 97
4.4. Задачи, решаемые в рамках Концепции .............................................................................. 99
4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО) ......................................................... 100
4.4.2. Научно-образовательная и кадровая основа ................................................................... 100
4.4.3. Информационно-коммуникационная основа .................................................................. 101
4.4.4. Организационная основа................................................................................................... 102
4.4.5. Правовая основа ................................................................................................................. 103
4.5. Программно-целевое развитие наноиндустрии в России ................................................ 103
4.6. Корпорация «РОСНАНОТЕХ»........................................................................................... 105
ГЛАВА 5. ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ НАНОПРОДУКЦИИ И
СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ........................................................................... 109
5.1. Общие сведения ................................................................................................................... 109
5.2. Наноугрозы и риски ............................................................................................................ 110
5.3. Роль наноиндустрии в обеспечении национальной безопасности ................................. 111
5.4. Реализованные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий .................................................................................................................... 112
5.5. Перспективные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий………………............................................................................................114
5.5.1. Проект «Умная пыль» ....................................................................................................... 115
ГЛАВА 6. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ...................................................... 118
ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ .................................................................................. 118
6.1. Общие сведения ................................................................................................................... 118
6.2. Полупроводниковые приборы ............................................................................................ 118
6.3. Персональные компьютеры ................................................................................................ 119
6.4. Электронная промышленность в средствах связи ............................................................ 120
6.5. Современное состояние электронной промышленности ................................................. 120
6.5.1. Мировые лидеры по производству электронной продукции ........................................ 121
6.5.2. Состояние электронной промышленности в России ..................................................... 122
6.5.3. Признаки возрождения электронной промышленности в России ................................ 125
6.5.4. Перспективы развития электронной промышленности в России ................................. 127
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ ............................................................................................ 129
7.1. Общие сведения ................................................................................................................... 129
7.2 Основы кремниевой технологии ......................................................................................... 130
7.2.1. Кристалическое строение и зонная структура полупроводников ................................ 130
7.2.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных приборов ........................... 133
7.2.3. Планарная технология ....................................................................................................... 134
7.2.4. Пленочная и гибридная технология................................................................................. 134
7.2.5. Полупроводниковая технология ...................................................................................... 136
7.2.6. Переход к кремниевой нанотехнологии .......................................................................... 139
7.3. Общие сведения об углеродной нанотехнологии ............................................................. 144
7.4. Основные материалы углеродной нанотехнологии ......................................................... 145
7.4.1. Углеродные нанотрубки ................................................................................................... 145
7.4.2. Фуллерены .......................................................................................................................... 146
7.4.3. Графен ................................................................................................................................. 147
7.5. Продукты углеродной нанотехнологии ............................................................................. 147
7.6. Органические нанотехнологии ........................................................................................... 148
7.6.1. Жидкие кристаллы............................................................................................................. 148

4
7.6.2. OLED технология.. ............................................................................................................ 158
7.6.3. Состояние разработок OLED ............................................................................................ 163
7.7. Квантовая нанотехнология ................................................................................................. 164
7.7.1. Общие сведения ................................................................................................................. 164
7.7.2. Разработки в области квантовых компьютеров .............................................................. 166
7.7.3. Разработки в области квантовой криптографии ............................................................. 176
7.8. Молекулярная нанотенология ............................................................................................ 178
7.8.1. Введение в молекулярную технологию........................................................................... 178
7.8.2. История концепции молекулярной нанотехнологии ..................................................... 182
7.8.3. Оценки ожидаемых параметровмолекулярных наномеханических устройств ........... 183
7.8.4. Стратегии реализации молекулярной нанотехнологии ................................................. 186
7.8.5. Молекулярный транзистор .............................................................................................. 188
7.8.6. Одноэлектронный транзистор .......................................................................................... 189
ГЛАВА 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ
СИСТЕМ………………………………………….………………………………………………191
8.1. Общие сведения ................................................................................................................... 191
8.2. Конденсаторы для наноэлектронных систем .................................................................... 192
8.3. Источники электроэнергии для наноэлектронных систем .............................................. 197
8.3.1. Способы получения электроэнергии ............................................................................... 201
8.3.2. История химических источников тока ............................................................................ 202
8.3.3. Основные типы аккумуляторов для мобильных устройств .......................................... 208
8.3.4. Состояние и перспективы развития производства химических источников тока ...... 210
8.3.5. Тенденции развития сегмента вторичных систем до 2010 года ................................... 215
8.3.6. Производители перспективных типов химических источников................................... 218
8.4. Наноэлектронные транзисторы .......................................................................................... 219
8.4.1. Наноэлектронные транзисторы на основе структур хранения на сапфире ................. 222
8.4.2. Нанотранзисторы с гетеропереходами ............................................................................ 228
8.5. Наноэлектронные переключатели и ячейки памяти ....................................................... 233
8.5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы ....................................................................... 233
8.5.2. Молекулярные переключатели ........................................................................................ 235
8.5.3. Перспективы использования нанотехнологий при изготовлении устройств
хранения информации ....................................................................................................... 237
8.6. Наноэлектронные лазеры .................................................................................................... 239
8.6.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами ....................................... 239
8.6.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами ........................................... 242
8.6.3. Оптические модуляторы ................................................................................................... 249
8.7. Дисплеи и осветительные приборы с использованием наноматериалов ....................... 251
8.7.1. Дисплеи и осветительные приборы на основе нанотрубок ........................................... 251
8.7.2. Перспективы создания дисплеев невидимок .................................................................. 253
8.8. Фотоприемные наноэлектронные устройства и системы ................................................ 254
8.8.1. Фотоприемники на квантовых ямах ................................................................................ 254
8.8.2. Фотоприемники на основе квантовых точек .................................................................. 257
8.9. Устройства и системы хранения информаци .................................................................... 262
8.9.1. Виды запоминающих устройств ...................................................................................... 262
8.9.2. Элементы памяти ............................................................................................................... 264
8.9.3. Фотоприемные ПЗС........................................................................................................... 265
8.9.4. КМОП-фотодиодные СБИС и их применение ............................................................... 267
8.10. Наноэлектронные изделия для компьютерных систем .................................................. 270
8.10.1. Однокристальные системы ............................................................................................. 270
8.10.2. Системы для компьютеров ............................................................................................. 272
8.11. Перспективы разработок квантовых информационных систем ................................... 278
8.12. Наноэлектронные системы для беспроводной связи ..................................................... 284

5
8.13. Перспективы разработок наноэлектронных систем ....................................................... 285
ГЛАВА 9. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ......................................................................... 292
9.1. Общие сведения ................................................................................................................. 292
9.2. Области применения МЭМС и НЭМС .............................................................................. 292
9.3. Состояние и перспективы разработок МЭМС и НЭМС .................................................. 298
ГЛАВА 10. МЕДИЦИНСКИЕ И БИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОПРОДУКЦИИ ..................................................................................................................... 305
10.1. Нанориски – новые угрозы для здоровья и окружающей среды .................................. 305
10.1.1. Новая категория рисков .................................................................................................. 305
10.2. Европейские инициативы в области оценки нанорисков .............................................. 306
10.3. Руководства по безопасному обращению с наночастицами и наноматериалами ....... 307
10.3.1. Стандарт корпорации DuPont для оценки нанорисков ................................................ 310
10.3.2. Стандарты как ответ на угрозы, связанные с нанорисками ........................................ 312
10.4. Рекомендации по исследованию токсичности наночастиц в лабораторных
условиях .............................................................................................................................. 313
10.5. Материалы и оборудование, используемые при определении острой токсичности
наночастиц .......................................................................................................................... 315
10.6. Перспективы разработки медицинских нанороботов .................................................... 318
10.7. Проблемы безопасности.................................................................................................... 321
ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ................................................ 322
11.1. «НаноФаб-100» – платформа для наноэлектроники ...................................................... 322
11.2. Установка эпитаксильного наращивания слоев для индивидуальной обработки
подложек большого диаметра .......................................................................................... 322
11.3. Новейшие разработки НИИ точного машиностроения. Комплект вакуумных
установок для научных исследований и отработки технологических
процессов наноэлектроники. 323
11.4. Новое поколение установок молекулярно–лучевой эпитаксии .................................... 324
11.5. Оборудование для наноструктурного анализа материалов и покрытий ...................... 325
11.6. Нанотехнологический комплекс оборудования NanoEducator ..................................... 326
11.6.1. Устройство и принцип работы ....................................................................................... 327
11.6.2. Конструкция СЗМ NanoEducator.................................................................................... 329
11.6.3. Техническая спецификация прибора ............................................................................. 332
11.6.4. Режимы работы ................................................................................................................ 332
11.6.5. Дополнительные приложения NanoEducator ................................................................ 333
ГЛАВА 12. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» ..... 336
12.1. Материально-техническая база кадровой инфраструктуры наноиндустрии ............. 336
12.1.1. Научно-образовательные центры .................................................................................. 337
12.1.2. Центры коллективного пользования ............................................................................. 340
12.1.3. Кафедры и лаборатории.................................................................................................. 342
12.2. Целевые индикаторы выполнения задач программы развития (по итогам
выполнения программы развития к 2010 г.) .................................................................. 345
12.3. Перечень вузов, ведущих подготовку по специальности «Нанотехнология в
электронике» ...................................................................................................................... 347
Список цитированной литературы ............................................................................................... 348
Перечень принятых сокращений……..……………………………………………………….….358

6
ВВЕДЕНИЕ
Научно-технический прогресс однозначно связан с развитием нанотехно-
логий. Уже с 2003 г. нанотехнологии обеспечивают плавный переход от микро-
электроники к наноэлектронике – основе информационных технологий 21 века.
В 2003 г. элитные вузы Российской Федерации начали подготовку специали-
стов в области нанотехнологий и наноэлектроники.
Тогда было сформулировано новое направление подготовки инженеров
210600 «Нанотехнология». В рамках этого направления выделено две специ-
альности: 210601 «Нанотехнология в электронике» и 210602 «Наноматериалы».
Ведется разработка ГОС ВПО по специальности «Электроника и наноэлектро-
ника». В настоящее время специальность «Нанотехнология в электронике»
предусмотрена в направлении 210400 «Телекоммуникации». Кроме инженер-
ной подготовки ведется подготовка бакалавров и магистров.
Фирмы, внедряющие нанотехнологии, с 2003 г. приступили к серийному
выпуску электронных наноизделий: микропроцессорных интегральных схем
(ИС) с ультравысокой и гигантской степенью интеграции, мобильных систем
нового поколения, широкоформатных дисплеев, цифровой видеотехники и др.
Специалисты, получившие степень бакалавра по направлению 210600
«Нанотехнология» имеют возможность дальнейшего обучения по следующим
направлениям магистратуры:
• 554500 «Нанотехнология»;
• 550700 «Электроника и микроэлектроника»;
• 553100 «Техническая физика»;
• 210601 «Нанотехнология в электронике»;
• 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Подготовке магистров по перспективным направлениям наноэлектроники,
представляющим значительный интерес для работодателей промышленных
предприятий, должна предшествовать подготовка бакалавров.
Перспективность работы в области нанотехнологий и наноэлектроники
обуславливает необходимость создания материально-технических баз кафедр,
реализующих инновационные образовательные программы, создание научно-
учебных лабораторий «Наноэлектроники», «Химии и наноматериалов», учебно-
научных центров «Опто-, микро- и наноэлектроники».
Важной задачей является реализация системной подготовки студентов по
блокам естественно-научных (химия и физика), общепрофессиональных (элек-
троника, оптоэлектроника) и специальных (микросхемотехника, СВЧ-техника,
наноэлектроника) дисциплин.
Обширный справочный материал, обобщающий информацию более двух-
сот научных и учебных публикаций, по мнению автора, будет полезен студен-
там, изучающим курсы «Введение в специальность нанотехнология в электро-
нике», «Электроника», «Наноэлектроника», «Приборы СВЧ и оптического диа-
пазона», «Устройства и системы оптической связи», «Оптоэлектроника и нано-
фотоника». Накопленный опыт постановки указанных дисциплин целесообраз-
но учесть в учебных планах профильной подготовки студентов направления
210400 «Телекоммуникации».
7
В данном учебном пособии приведен анализ состояния и перспектив раз-
вития микро- и наноэлектроники. Автор выражает благодарность Игнатовой
А.С., Полянскому С.В., Ананьеву А.В. за помощь в подготовке книги к изда-
нию.
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ
НАНООБЪЕКТОВ

1.1. Общие сведения


Энциклопедический словарь определяет технологию (от греческого
«techne» – искусство, мастерство, умение + «logos» – наука) как совокупность
методов обработки, изготовления, изменения состояния первоначального сырья
в процессе производства конечной продукции
Нанотехнология – умение целенаправленно создавать объекты (с заранее
заданными составом, размерами и структурой) в диапазоне менее 100 нм.
Нанонаука – совокупность знаний о свойствах вещества в нанометровом
масштабе.
Наноэлектронные приборы, устройства и системы – изделия, содержащие
элементы с размерами нанометрового диапазона (100 нм).
Нанообъекты существуют на Земле, сколько существует сама жизнь.
Моллюск морское ушко выращивает очень прочную, переливающуюся из-
нутри раковину, склеивая прочные наночастички мела особой смесью белков с
углеводами. Структуры, сформированные из наночастиц, могут быть намного
прочнее материала однородного в объеме.
В четвертом веке нашей эры римские стекловары делали стекло, содержа-
щее наночастицы металлов. Чаши царя Ликурга делались из натриевой извести,
содержащей наночастицы серебра и золота. Цвет чаши менялся от зеленого до
темно-красного, в зависимости от воздействия света.
Все природные материалы и системы построены из нанообъектов. Именно
в интервале наноразмеров, на молекулярном уровне, природа «программирует»
основные характеристики веществ, явлений и процессов. На рис. 1.1, а и б при-
ведены «линейки» размеров природных объектов.
Нобелевский лауреат Херст Штормер высказался: «Нанотехнология дает
нам средства... играть с самыми маленькими «кубиками природы» – атомами и
молекулами, из которых построен весь мир. Сочетание уже известных нам ме-
тодов «от большого к малому» с самосборкой на атомном уровне создает
огромное поле возможностей для «игры в комбинаторику» с химическими и
физическими свойствами при использовании специально полученных искус-
ственных структур».
Профессор химии Джордж Уатсайд Гарвардского университета (1998 г.)
сказал: «Используя наноустройства, вы можете изготовить запоминающее
устройство с объемом памяти, эквивалентным тысяче компьютерных дискет и
размером с наручные часы. В этом устройстве может храниться библиотека на
всю жизнь... Идеи такого рода могут сильно изменить представления об образе
жизни».
Под термином «нанотехнология» понимают создание и использование ма-
териалов, устройств и систем, структура которых регулируется в нанометровом
масштабе, т.е. в диапазоне размеров атомов, молекул и надмолекулярных обра-
зований.
9
а)

Размер, нм
б)
Рис. 1.1. Линейные размеры природных объектов

Нанотехнологический подход означает такое же, но целенаправленное, ре-


гулирование свойств объектов на молекулярном уровне, определяющем фунда-
ментальные параметры.
Фантастические перспективы, которые сулит изготовление материалов и
устройств на атомном и молекулярном уровне, впервые раскрыл в 1959 г. Но-
белевский лауреат по физике Ричард Фейнман. Он отметил необходимость со-
здания нового класса рабочей и измерительной аппаратуры, требуемой для об-
ращения со столь малыми наноразмерными объектами.
10
Нанотехнология подразумевает умение работать с такими объектами и со-
здавать из них более крупные структуры, обладающие принципиально новой
молекулярной (точнее, надмолекулярной) организацией. Такие наноструктуры,
использующие атомно-молекулярные элементы, представляют собой мельчай-
шие объекты, которые могут быть созданы искусственным путем, они характе-
ризуются новыми физическими, химическими и биологическими свойствами и
связанными с ними явлениями.
Наноструктуры демонстрируют важную роль в различных областях науки
и техники (физика, химия, материаловедение, биология, медицина и т.д.).
Например, было обнаружено, что углеродные нанотрубки на порядок прочнее
стали, имея при этом в шесть раз меньший удельный вес, наночастицы способ-
ны избирательно проникать в раковые клетки и поражать их и т.д.
Являются ли наноструктурные материалы и нанотехнологии действитель-
но новыми? Не относятся ли к наноматериалам некоторые из давно известных
нам веществ? На самом деле, некоторые из давно используемых человечеством
материалов и процессов фактически связаны с нанотехнологиями. В частности,
фотография и катализ всегда были основаны именно на «нанопроцессах», вслед-
ствие чего развитие нанотехнологии обещает значительный прогресс именно в
этих классических разделах науки и техники.
Во многих существующих технологиях традиционно используются слу-
чайно обнаруженные нанообъекты и нанопроцессы, роль которых в некоторых
случаях остается неясной до сих пор.
Например, давно известно, что добавление в каучук небольшого количе-
ства неорганических глин существенно улучшает характеристики получаемой
резины. Как оказалось, нанометровые частицы глины прочно связывают концы
полимерных цепочек или «нитей». В этом простом процессе фактически обра-
зуется композиционный материал резина + глина, что наглядно демонстрирует
возможности использования нанотехнологии в сложных системах.
В развитии нанотехнологий можно выделить три направления:
– изготовление устройств и систем с нанотранзисторами и другими актив-
ными элементами, размеры которых сравнимы с размерами единичных молекул
и атомов;
– непосредственное манипулирование атомами и молекулами, сборка из них
всевозможных материалов с изначально заданными свойствами («зонная инже-
нерия»);
– разработка и изготовление наномашин (механизмов, роботов) величиной с
молекулу, способных на принципах самоорганизации воспроизводить себе по-
добных. Основы теории наноэлектронных устройств рассматриваются в работах
[1-8]

1.2. Классификация нанообъектов


Классификацию нанообъектов можно проводить по разным признакам,
например, по геометрическому признаку нанообъекты можно классифициро-
вать по-разному. Одни исследователи предлагают характеризовать мерность
объекта количеством измерений, в которых объект имеет макроскопические
11
размеры. Другие берут за основу количество наноскопических измерений.
Классификация нанообъектов по их мерности важна не только с формальной
точки зрения. Геометрия существенно влияет на их физико-химические свой-
ства. Круг объектов, исследуемых нанохимией, непрерывно расширяется. Хи-
мики стремятся понять, в чем состоят особенности тел нанометровых размеров.
В 80-90-х гг. XX века, благодаря методам электронной, атомно-силовой и тун-
нельной микроскопии, удалось наблюдать за поведением нанокристаллов ме-
таллов и неорганических солей, белковых молекул, фуллеренов и нанотрубок, а
в последние годы такие наблюдения стали массовыми. Рассмотрим особенно-
сти строения и поведения некоторых наночастиц.
Наночастицы из атомов инертных газов являются самыми простыми
нанообъектами. Атомы инертных газов с полностью заполненными электрон-
ными оболочками слабо взаимодействуют между собой посредством сил Ван-
дер-Ваальса. При описании таких частиц применяется модель твердых шаров
(см. рис. 1.2).

Рис. 1.2. Наночастицы из атомов аргона

Энергия связи, то есть энергия, затрачиваемая на отрыв отдельного атома


от наночастицы, очень мала, поэтому частицы существуют при температурах не
выше 10–100 К.
Наночастицы металлов. В металлических кластерах из нескольких ато-
мов может быть реализован как ковалентный, так и металлический тип связи,
как показано на рис. 1.3.

Рис. 1.3. Наночастицы, состоящие из атомов платины


(светлые сферы) и меди (темные сферы)

12
Наночастицы металлов обладают большой реакционной способностью и
часто используются в качестве катализаторов. Наночастицы металлов обычно
принимают правильную форму – октаэдра (а), икосаэдра (б), тетрадекаэдра (в),
в соответствии с рис. 1.4.

а) б) в)

Рис. 1.4. Возможные формы металлических наночастиц

Фуллерены представляют собой полые внутри частицы, образованные


многогранниками из атомов углерода, связанных ковалентной связью. Особое
место среди фуллеренов занимает частица из 60 атомов углерода – C60, напоми-
нающая микроскопический футбольный мяч (см. рис. 1.5).

Рис. 1.5. Молекула фуллерена C60

Фуллерены находят широкое применение: в создании новых смазок и ан-


тифрикционных покрытий, новых типов топлива, алмазоподобных соединений
сверхвысокой твердости, датчиков и красок.
Нанотрубки – это полые внутри молекулы, состоящие примерно из
1 000 000 атомов углерода и представляющие собой однослойные трубки диа-
метром около нанометра и длиной в несколько десятков микрон. На поверхно-
сти нанотрубки атомы углерода расположены в вершинах правильных шести-
угольников, в соответствии с рис. 1.6.

13
Рис. 1.6. Молекула однослойной нанотрубки

Нанотрубки обладают рядом уникальнейших свойств, благодаря которым


находят широкое применение преимущественно в создании новых материалов,
электронике и сканирующей микроскопии.
Уникальные свойства нанотрубок: высокая удельная поверхность, элек-
тропроводность, прочность – позволяют создавать на их основе эффективные
носители катализаторов для различных процессов. Например, из нанотрубок
делают новые источники энергии – топливные ячейки, способные работать в 3
раза дольше, чем простые батарейки аналогичного размера. При использовании
подобной ячейки в сотовом телефоне он сможет находиться в режиме ожида-
ния около двух недель – вместо 4 дней, как нынешнее поколение телефонов.
Удивительные свойства нанотрубок помогают им накапливать и хранить
водород в молекулярном виде во внутренних полостях – экологичное топливо
автомобилей будущего. Например, нанотрубки с наночастицами палладия мо-
гут компактно хранить водород в тысячи раз больше своего объема, а значит,
сделают автомобили более мощными, дешевыми и экологичными. Дальнейшее
развитие технологии топливных ячеек позволит хранить в них в сотни и тысячи
раз больше энергии, чем в современных батарейках.
Ионные кластеры представляют собой классическую картину, характер-
ную для ионной связи в кристаллической решетке хлорида натрия (см. рис. 1.7).

Рис. 1.7. Кластер хлорида натрия

Если ионная наночастица достаточно велика, то ее структура близка к


структуре объемного кристалла. Ионные соединения находят применение в со-
здании фотопленок с высоким разрешением, молекулярных фотодетекторов, в
различных областях микроэлектроники и электрооптики.
14
Фрактальные кластеры – это объекты с разветвленной структурой (см.
рис. 1.8): сажа, коллоиды, различные аэрозоли и аэрогели. Фрактал – это такой
объект, в котором при увеличении можно увидеть, как одна и та же структура
повторяется в нем на всех уровнях и в любом масштабе.

Рис. 1.8. Фрактальный кластер

Молекулярный кластер кластеры, состоящие из молекул. Большинство


кластеров являются молекулярными. Их число и разнообразие огромно. В част-
ности, к молекулярным кластерам относятся многие биологические макромоле-
кулы (см. рис. 1.9).

Рис. 1.9. Молекулярный кластер белка

1.3. Наночастицы и наносистемы


Объединение определенного класса наночастиц в группы позволяет полу-
чить соответствующие им наноэлектронные системы пригодные для приклад-
ного использования. В таблице 1.1 приведены различные классы наночастиц и
соответствующие им наноэлектронные системы.

15
Таблица 1.1. Наноэлектронные частицы и системы
Наночастицы Наносистемы
Фуллерены Кристаллы, растворы
Тубулены Агрегаты, растворы
Молекулы белков Растворы, кристаллы
Полимерные молекулы Золи, гели
Нанокристаллы неорганических ве- Аэрозоли, коллоидные растворы, осад-
ществ ки
Мицеллы Коллоидные растворы
Наноблоки Твердые тела
Пленки Ленгмюра – Блоджета Тела с пленкой на поверхности
Кластеры в газах Аэрозоли
Наночастицы в слоях различных ве-
Наноструктурированные пленки
ществ

1.4. Основные термины индустрии наносистем


В основе научно технического прорыва на наноуровне, форсируемого
промышленно развитыми странами, лежит использование новых, ранее не из-
вестных свойств и функциональных возможностей материальных систем при
переходе к наномасштабам, определяемым особенностями процессов переноса
и распределения зарядов, энергии, массы информации при наноконструирова-
нии. Ниже приводятся определения основных терминов, нанообъектов и нано-
процессов.
Обратимся к важнейшему фактору – геометрическому размеру и приставке
«нано», входящей в ряд основных, наиболее часто используемых в официаль-
ных документах, понятий: нанотехнология, наноматериалы, наносистема. Об-
ратим внимание на исходные смысловые значения наиболее часто употребляе-
мых приставок, идентифицирующих характеристические и геометрические
размеры изучаемых объектов: микро- (от греч. mikros – малый), нано- (от греч.
nannos – карлик).
Применительно к индустрии наносистем границы геометрического фак-
тора в отношении возникновения новых нетрадиционных свойств, не прису-
щих макро- и микросистемам, формально определены от единиц до 100 нм. Од-
нако вполне очевидно, что некоторый характеристический размер, идентифи-
цирующий изучаемый объект по геометрическому параметру (толщина плен-
ки, диаметр кластера или нанотрубки), должен рассматриваться не просто как
абсолютная величина, а в отношении к определенным фундаментальным па-
раметрам материалов, имеющим аналогичную метрическую размерность. Осо-
бенно сложно определить границы геометрического фактора применительно к
биоорганическим объектам, обладающим многообразием связей и конформа-
ций. Поэтому приставка «нано» скорее особое обобщенное отражение объек-
тов исследований, прогнозируемых явлений, эффектов и способов их описа-
ния, чем просто характеристика протяженности базового структурного эле-
16
мента.
Необходимость данного замечания обусловлена следующим. К сожале-
нию, термины «наноматериалы» и «нанотехнологии» стали настолько модными
и «экономически привлекательными», что многие традиционные разработки
атомно-молекулярного уровня искусственно приобрели имидж «нано». Наряду
с определенной конъюнктурой, это, безусловно связано и с тем, что, нигде не
проводится систематизация объектов и процессов нанотехнологии.
Развивая и обобщая представления об индустрии наносистем, а также ана-
лизируя ранее опубликованные работы, рассмотрим ряд базовых понятий с
приставкой «нано», наиболее полно отражающих именно проявление функ-
ционально-системных свойств, а не только чисто геометрических особенно-
стей (параметров) объектов.
Наносистема – материальный объект в виде упорядоченных или само-
упорядоченных, связанных между собой элементов с нанометрическими харак-
теристическими размерами, кооперация которых обеспечивает возникновение
у объекта новых свойств, проявляющихся в виде квантово-размерных, синер-
гетически-кооперативных, «гигантских» эффектов и других явлений и процес-
сов, связанных с проявлением наномасштабных факторов.
Наноматериалы – вещества и композиции веществ, представляющие со-
бой искусственно или естественно упорядоченную или неупорядоченную си-
стему базовых элементов с нанометрическими характеристическими размерами
и особым проявлением физического и (или) химического взаимодействий при
кооперации наноразмерных элементов, обеспечивающих возникновение у ма-
териалов и систем совокупности ранее неизвестных механических, химиче-
ских, электрофизических, оптических, теплофизических и других свойств,
определяемых проявлением наномасштабных факторов.
Нанотехнология – совокупность методов и способов синтеза сборки,
структуро - и формообразования, нанесения, удаления и модифицирования ма-
териалов, включая систему знаний, навыков, умений, аппаратурное, материало-
ведческое, метрологическое, информационное обеспечение процессов и техноло-
гических операций, направленных на создание материалов и систем с новыми
свойствами, обусловленными проявлением наномасштабных факторов.
Нанодиагностика – совокупность специализированных методов, исследо-
ваний, направленных на изучение структурных, морфолого-топологических,
механических, электрофизических, оптических, биологических характеристик
наноматериалов и наносистем, анализ наноколичеств вещества, измерение мет-
рических параметров с наноточностью.
Наносистемотехника – совокупность методов моделирований, проекти-
рования и конструирования изделий различного функционального назначения, в
том числе наноматериалов, микро- и наносистем с широким использованием
квантово-размерных, кооперативно-синергетических, гигантских эффектов и
других явлений и процессов, проявляющихся в условиях материальных объек-
тов с нанометрическими характеристическими размерами элементов. Наряду с
определением ранее указанных понятий, основой которых, в первую очередь, яв-
ляется естественно-научный базис, рассмотрим широко используемые в литера-
17
туре термины, вызывающие неоднозначное их восприятие.
Нанонаука – система знаний, основанная на описании, объяснении и пред-
сказании свойств материальных объектов с нанометрическими характери-
стическими размерами или систем более высокого метрического уровня, упоря-
доченных или самоупорядоченных на основе наноразмерных элементов.
Нанотехника – машины, механизмы, приборы, устройства, материалы, со-
зданные с использованием новых свойств и функциональных возможностей сис-
тем при переходе к наномасштабам и обладающие, ранее недостижимыми мас-
согабаритными и энергетическими показателями, технико-экономическими па-
раметрами и функциональными возможностями.
ГЛАВА 2. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ

2.1. Общие сведения


История развития нанотехнолий рассматривается в работах [1,6,9-11].
Многие источники, в первую очередь англоязычные, первое упоминание
методов, которые впоследствии будут названы нанотехнологией, связывают с
известным выступлением Ричарда Фейнмана «Там внизу много места»
(англ. «There’s Plenty of Room at the Bottom»), сделанным им в 1959 г. в Кали-
форнийском технологическом институте на ежегодной встрече Американского
физического общества. Ричард Фейнман предположил, что возможно механи-
чески перемещать одиночные атомы, при помощи манипулятора соответству-
ющего размера, по крайней мере, такой процесс не противоречил бы известным
на сегодняшний день физическим законам.

Рис. 2.1. Ричард Фейман. 1959 г.


Выступление в Калифорнийском технологическом институте

Этот манипулятор он предложил делать следующим способом. Необходи-


мо построить механизм, создававший бы свою копию, только на порядок
меньшую. Созданный меньший механизм должен опять создать свою копию,
опять на порядок меньшую и так до тех пор, пока размеры механизма не будут
соизмеримы с размерами порядка одного атома. При этом необходимо будет
делать изменения в устройстве этого механизма, так как силы гравитации, дей-
ствующие в макромире будут оказывать все меньшее влияние, а силы межмо-
лекулярных взаимодействий и Ван-дер-Ваальсовы силы будут все больше вли-
ять на работу механизма. Последний этап – полученный механизм соберет свою
копию из отдельных атомов. Принципиально число таких копий неограничен-
но, можно будет за короткое время создать любое число таких машин. Эти ма-
шины смогут таким же способом, поатомной сборкой собирать макровещи. Это
позволит сделать вещи на порядок дешевле – таким роботам (нанороботам)
нужно будет дать только необходимое количество молекул и энергию, и напи-
19
сать программу для сборки необходимых предметов. До сих пор никто не смог
опровергнуть эту возможность, но и никому пока не удалось создать такие ме-
ханизмы. Принципиальный недостаток такого робота – принципиальная невоз-
можность создания механизма из одного атома.
Изложенные Фейнманом в лекции идеи о способах создания и примене-
ния таких манипуляторов совпадают практически текстуально с фантастиче-
ским рассказом известного советского писателя Бориса Житкова «Микроруки»,
опубликованным в 1931 г.
Впервые термин «нанотехнология» употребил Норио Танигути в 1974 г.
Он назвал этим термином производство изделий размером несколько наномет-
ров.
В 1980-х годах этот термин использовал Эрик К. Дрекслер в своих книгах:
«Машины создания: грядет эра нанотехнологии» («Engines of Creation: The
Coming Era of Nanotechnology») и «Наносистемы: молекулярный механизм,
производство, расчет» («Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and
Computation»). Центральное место в его исследованиях играли математические
расчеты, с помощью которых можно было проанализировать работу устройства
размерами в несколько нанометров.

2.2. Краткая история нанотехнологий


Отцом нанотехнологии можно считать греческого философа Демокрита.
Примерно в 400 г. до н.э. он впервые использовал слово «атом», что в переводе
с греческого означает «нераскалываемый», для описания самой малой частицы
вещества.
1905 год. Швейцарский физик Альберт Эйнштейн опубликовал работу, в кото-
рой доказывал, что размер молекулы сахара составляет примерно 1 нанометр.
1931 год. Немецкие физики Макс Кнолл и Эрнст Руска создали электронный
микроскоп, который впервые позволил исследовать нанообъекты.
1959 год. Американский физик Ричард Фейнман впервые опубликовал работу,
в которой оценивались перспективы миниатюризации.
1968 год. Альфред Чо и Джон Артур, сотрудники научного подразделения аме-
риканской компании Bell, разработали теоретические основы нанотехнологии
при обработке поверхностей.
1974 год. Японский физик Норио Танигучи ввел в научный оборот слово
«нанотехнологии», которым предложил называть механизмы, размером менее
одного микрона. Греческое слово «нанос» означает примерно «старичок».
1981 год. Германские физики Герд Бинниг и Генрих Рорер создали микроскоп,
способный показывать отдельные атомы.
1985 год. Американский физики Роберт Керл, Хэрольд Крото и Ричард Смэйли
создали технологию, позволяющую точно измерять предметы, диаметром в
один нанометр.
20
1986 год. Нанотехнология стала известна широкой публике. Американский фу-
туролог Эрк Дрекслер опубликовал книгу, в которой предсказывал, что нано-
технология в скором времени начнет активно развиваться.
1989 год. Дональд Эйглер, сотрудник компании IBM, выложил название своей
фирмы атомами ксенона.
1998 год. Голландский физик Сеез Деккер создал транзистор на основе нано-
технологий.
1999 год. Американские физики Джеймс Тур и Марк Рид определили, что от-
дельная молекула способна вести себя также, как молекулярные цепочки.
2000 год. Администрация США поддержала создание Национальной Инициа-
тивы в Области Нанотехнологии\National Nanotechnology Initiative. Нанотехно-
логические исследования получили государственное финансирование. Тогда из
федерального бюджета было выделено $500 млн. В 2002 сумма ассигнований
была увеличена до $604 млн. На 2003 год «Инициатива» запрашивает $710 млн.
2004 год. Мировые инвестиции в сферу разработки нанотехнологий достигли
10 млрд. долл. На долю частных доноров – корпораций и фондов – пришлось
примерно 6,6 млрд. долл. инвестиций, на долю государственных структур –
около 3,3 млрд. долл. Мировыми лидерами по общему объему капиталовложе-
ний в этой сфере стали Япония и США. Япония увеличила затраты на разработ-
ку новых нанотехнологий на 126 % по сравнению с 2003 г. (общий объем инве-
стиций составил 4 млрд. долл.), США – на 122 % (3,4 млрд. долл.). В настоящее
время финансирование России на развитие нанотехнологий достигло уровня
США примерно, 1945–1955 гг.
2005 год. Функционирует организованная CRN международная рабочая группа,
изучающая социальные последствия развития нанотехнологий.
2006 год. Международным Советом по нанотехнологиям выпущена обзорная
статья, в которой говорилось о необходимости ограничения распространения
информации по нанотехнологическим исследованиям в целях безопасности.
Организация «Гринпис» требует полного запрета исследований в области нано-
технологий.
2007 год. Президент России Владимир Путин в послании Федеральному Со-
бранию назвал нанотехнологии «наиболее приоритетным направлением разви-
тия науки и техники».
2008 год. Создано «Нанотехнологическое общество России», в задачи которого
входит просвещение российского общества в области нанотехнологий и фор-
мирование благоприятного общественного мнения в пользу нанотехнологиче-
ского развития страны.
ГЛАВА 3. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
3.1. Общие сведения
К основным тенденциям развития микро- и наноэлектроники в первую
очередь следует отнести следующие факты:
– развитие связано с миниатюризацией (уменьшением линейных размеров)
наноэлектронных изделий. Темпы миниатюризации описываются в соответ-
ствии с законом Гордона Мура, суть которого будет изложена ниже.
– рост быстродействия и производительности наноэлектронных иделий и
систем.
– уменьшение энергопотребления наноэлектронных систем.
– освоение новых технологий для изготовления изделий наноэлектроники.
Тенденция развития микро- и наноэлектроники рассматривается в работах
[3-5,7,12,15,22,29,30-37]

3.2. Закон Мура


Гордон Мур, директор отдела разработок компании Fairchild Semiconduc-
tors, в апреле 1965 г., за три года до создания корпорации Intel дал прогноз раз-
вития микроэлектроники, который уже сорок лет является непререкаемым пра-
вилом для всей индустрии информационных технологий.
Сорок лет назад микроэлектроника пребывала в зачаточном состоянии.
Микросхем тогда производилось совсем мало, в самой сложной из них – инте-
гральной схеме (ИС) фирмы Fairchild – было всего 64 транзистора. В это время
Гордон Мур сумел предсказать фантастические темпы развития этой отрасли на
несколько десятилетий вперед и предсказать, что количество транзисторов на
кристалле будет ежегодно удваиваться. Более того, он сделал прогноз послед-
ствий этого, предсказав, что по мере экспоненциального увеличения числа
транзисторов на микросхеме процессоры будут становиться все более дешевы-
ми и быстродействующими, а их производство – все более массовым.
Фактически закон Мура стал настолько универсальным, что его без коле-
баний применяют при прогнозировании роста Интернета и пропускной способ-
ности каналов связи, для предсказания увеличения емкости жестких дисков и
многого другого.
Закон Мура на редкость в простой и доступной для понимания каждого
форме определяет недоступные ни одной другой области экономики темпы
развития полупроводниковой индустрии. На ее стремительном росте сейчас
зиждется вся мировая экономика, которая просто немыслима без компьютеров
всех сортов.
В 1980 г. ученые ломали голову над тем, как добиться технологической
нормы производства микросхем в один микрон. В девяностые годы стала зада-
ча внедрить технологическую норму в одну десятую микрона и опять она каза-
лась недостижимой. А сегодня ученые думают о том, как преодолеть барьер в
одну сотую микрона.

22
Закон Мура и сегодня продолжает действовать. В полном соответствии с
ним корпорация Intel продолжает вводить новые технологические процессы
каждые два года.
Рост плотности компонентов в интегральных схемах происходит в соот-
ветствии с законом Мура, что иллюстрирует рис. 3.1. В 2010 г. прогнозируется
технологический скачок – переход от классической эры к квантовой, когда
начнут широко использоваться квантовые вычисления и средства связи. Клас-
сические средства вычисления не смогут обеспечить экспоненциальный рост
вычислительной мощности, что образно называется «стеной Мура» (Moor’s
Wall).
Корпорация Intel в 2005 г. израсходовала 10 млрд. долл. на научно-
исследовательские разработки, модернизацию и расширение своих производ-
ственных мощностей.
В 2006 г. началось производство ИС по технологии 65 нм, в 2007 г. про-
изошел переход на 45 нм процесс, на 2009 г. намечено внедрение 32 нм, в
2011 г. настанет черед технологического процесса 22 нм. Вплоть до 2020 года
будут создаваться транзисторы по современной схеме работы. К тому времени,
однако, размеры всех элементов транзистора достигнут атомарных величин, и
уменьшать их дальше будет просто невозможно. Следовательно, уже сейчас
следует искать новые подходы.

1018 10-3
Число полупроводниковых элементов

Характерный размер элементов, мкм


16
10
Классическая Эра
1014 10-2
12
10

1010 Квантовая Эра 10-1


8
10
Стена Мура

106 1

104

102 10

1970 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040


Год выпуска
Рис. 3.1. График роста плотности компонентов в интегральных схемах

Одна чисто теоретическая идея заключается в многократном использова-


нии электронов. В современных приборах электроны перемещаются от истока к
стоку, а затем теряются. При утилизации электроны переносятся в другое ме-
сто. Можно производить множество операций, не теряя электронов.
Другая альтернатива – углеродные и кремниевые нанотрубки. Транзисто-
ры, изготовленные из таких материалов, имеют сопоставимые размеры. Диаметр
углеродной нанотрубки – 1–2 нм, но в экспериментальных транзисторах исток и
сток расположены по их длине. Это позволяет повысить быстродействие и
уменьшить потребляемую энергию.
23
Углеродные нанотрубки могут найти применение в КМОП-технологии не
столько для ускорения темпов миниатюризации, сколько для повышения про-
изводительности устройств или, возможно, упрощения их изготовления. Даже
если для цифровой логики будет изобретено принципиально другое средство
перемещения электронов, возможности его масштабирования для повышения
плотности и производительности не зайдут намного дальше пределов, дости-
жимых технологией КМОП, главным образом, из-за ограничений, налагаемых
требованием отвода тепла.
Следующая альтернатива – изготавливать чипы больших размеров, нара-
щивая их площадь или строя трехмерные многослойные микросхемы.
На протяжении сорока лет развитие электроники служит главной движу-
щей силой всемирной технологической революции, принося радикальные пози-
тивные перемены в жизни миллиардов людей.
Любопытные факты и цифры: в 2003 г. Гордон Мур подсчитал, что коли-
чество транзисторов, ежегодно поставляемых на рынок, достигло 1019 штук.
При производстве современных микропроцессоров особое внимание уде-
ляют расстоянию между соседними транзисторами. В последних разработках
оно составляет 10–4 толщины человеческого волоса.

3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектрон-


ных систем
3.3.1. Общие сведения
В таблице 3.1 приведены основные тенденции развития микро- и нано-
электронных систем. Можно отметить тот факт, что развитие наноэлектронных
систем на сегодняшний день идет с небольшим опережением прогноза в соот-
ветствии с законом Гордона Мура.
Таблица 3.1. Тенденции развития микро- и наноэлектронных систем
Наноэлектронные системы Тенденции
Интегральные схемы Скорость и быстродействие возрас-
тают в 2 раза каждые 1,5–2 года
Фотоника Емкость передачи увеличивается в 2
раза каждые 1,5–2 года
Хранение данных Плотность хранения увеличивается в
два раза каждые 9 месяцев
Дисплей Количество пикселей увеличивается в
2 раза каждые 2 года
Мобильная связь Емкость каналов увеличивается в 10–
100 раз каждые 5 лет
Программное обеспечение Объем операционных систем увели-
чивается в 2 раза каждые 2 года

Прогноз развития мирового рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.


иллюстрирует рис. 3.2. В 2015 г. ожидается, что объем сбыта всех нанопродук-

24
тов составит порядка 1000 млрд. долл. США.

Транспорт
(70 млрд. долл.)

Катализаторы
(100 млрд. долл.)
Наноматериалы
(350 млрд. долл.)

Фармацевтика
(180 млрд. долл.)

Наноэлектроника
(350 млрд. долл.)

Рис. 3.2. Прогноз развития рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.


Целевыми программами развития отечественной электронной промыш-
ленности до 2015 г. предусмотрен переход на отечественную элементную базу
при разработках инфокоммуникационных систем. Правительство Российской
Федерации уделяет много внимания развитию отечественной навигационной
спутниковой системы ГЛОНАСС с целью формирования в стране массового
рынка ГЛОНАСС-услуг на базе широкого использования навигационной аппа-
ратуры государственными, корпоративными и частными пользователями.
Рабочая группа Правительственной Комиссии по развитию телерадиове-
щания в России принимает активное участие в подготовке к переходу России на
цифровое телевизионное вещание.
Разработаны планы организации разработки и массового производства
приемной и передающей аппаратуры для цифрового телевещания как одного из
приорететных направлений в развитии информационных технологий.

3.4. Перспективы развития модульных систем


3.4.1. История развития
Тенденции развития микро- и наноэлектронных систем рассмотрим на
примерах разработок компьютерной техники, опубликованных в [22].
Основные функции и узлы компьютерно-ориентированной электроники
иллюстрирует рис 3.2 [23].
Развитие первого поколения модульных систем начинались с создания
первых программно управляемых модульных структур для научных исследова-
ний, которое обеспечило компьютерное управление объектами и сбор данных с
полосой частот несколько десятков мегабит в секунду. Эти системы в 1970-х
годах разрабатывались практически одновременно и независимо в странах За-
падной Европы (компания Harwell Instruments в Англии) и России (РАН и дру-

25
гие ведомства) на основе первых интегральных схем (ИС) по технологии тран-
зисторно-транзисторной логики (ТТЛ) в соответствии с требованиями между-
народных стандартов. В последствии необходимость повышения быстродей-
ствия систем на порядок привели к разработке модульных систем типа
FASTBUS по технологии эмиттерно-связанной лотки (ЭСЛ) и EUROBUS по
технологии транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ) на
основе интегральных схем средней степени интеграции (СИС), которые по-
требляли больше энергии и выделяли больше тепла. Третье поколение модуль-
ных систем создали ученые ведущих фирм США, в частности PCI (Intel) и
VME/VXI (Motorola) на основе собственных больших интегральных схем (БИС)
– микропроцессоров по технологии КМОП с меньшим энергопотреблением и
более высокой частотой работы. Они обеспечили пропускную способность сот-
ни мегабит в секунду и применяются до настоящего времени. Развитие элек-
троники, интерфейсов связи модульных компьютерных систем подробно рас-
смотрено в работе [22], материалы которой приводятся в этой книге. На рис. 3.3
и рис. 3.4. показаны этапы рзвития электронных технологий.

Полоса, Мб/с
Switch Fabric
105
Infiniband

4 SCI MicroTCA
10 AMC ATCA
PCIe,cPCIe

3 cPCIe/PXI
10
FUTUREBUS VME/VXI
2 FASTBUS
10

CAMAC
DW, BHW,SHW
101

1970 1980 1990 2000 2010

Рис. 3.3. Полоса пропускания магистральных и коммутируемых компьютерных сетей

Компактные модульные системы типа compact PCI и версии PCI/104 обес-


печили большую гибкость для встраиваемых применений. Технологии проек-
тирования и производства модулей и систем на модуле и в кристалле СБИС
(схем сверхбольшой степени интеграции) становятся стратегическим направле-
нием развития новых систем.

26
Операций/с Оптические
компьютеры?

1012
HP

SAN
1010 Star
WS SoC

CDC7600 VAX11
108
Micro
COM

STRECH
6 Встраиваемые
10 микросистемы
IBM PDP11 8080 SBC
701
PDP8 Intel404
4
10
1960 1970 1980 1990 2000 2010
ИС СИС БИС СБИС УБИС

Рис.3.4. Рост производительности компьютерных систем, HPC и SAN

Россия в начале XXI века отставала по разработкам, производству элек-


тронных схем и систем на душу населения от США в 90 раз, от Японии в 80
раз, от Европы в 40 раз.
Анализ динамики развития технологий показывает запаздывание России от
мирового уровня производства электронных компонент и модульных систем.
Новые требования к современным системам автоматизации к началу ново-
го тысячелетия по ряду параметров производительности узлов и полосе частот
каналов связи не соответствовали возможностям существующих систем.
Потребовался переход на новое поколение встраиваемых и масштабируе-
мых модульных систем. Обеспечиваемая скорость передачи по параллельным
шинам магистрально-модульных систем, составляющая сотни мегабит в секун-
ду, достигла своего физического предела.
Уходит целая эпоха магистральных систем с разделяемой средой связи и
наступает новая эра конвергентных модульных систем с сетевой архитектурой
высокого быстродействия для эффективного управления, сбора и обработки и
передачи сигналов (измерительных, аудио и видео), обработки больших пото-
ков данных и моделирования. Это требует гармоничного развития всех систем-
ных компонент и их параметров, включая СБИС-структуры, быстрые модули
преобразователей и процессоров, модульные системы с малым потреблением
энергии, и сетевых средств широкополосной коммутации и связи. Достигнут
предел (1–3 ГГц) целесообразной возможности дальнейшего увеличения часто-
ты однокристальных процессоров. Повышение полосы частот систем за счет
увеличения ширины каналов передачи данных от 16 до 32 и 64 разрядов прак-

27
тически невозможно. Проблемы дальнейшего роста производительности обра-
ботки данных обусловили создание новых многоядерных и многопроцессорных
архитектур с более быстрыми каналами связи (гигабитными скоростями). Все
больше системных функций реализуется в модулях и кристаллах СБИС.
Дальнейшее увеличение быстродействия систем связано с проблемой уменьше-
ния уровня сигналов, переходом на быстрые последовательные средства со-
пряжения и связи, а так же уменьшением длины соединении (проводников) в
модулях и кристаллах, что отражается в соответствующих технологических
нормах производства СБИС и архитектуре подсистем ввода-вывода, памяти и
процессов обработки данных. Требуются инновационные методы развития си-
стемной архитектуры, сверхбыстрых средств сопряжения и связи для преодо-
ления гигабитной границы полосы частот, а также новые сетевые архитектуры
для создания систем распределенной обработки и управления.
Основные трудности дальнейшего развития производительности компь-
ютерных систем связаны с решением проблем преодоления физических ог-
раничений на повышение частоты работы (увеличением производительности
процессоров), ростом пропускной способности каналов сопряжения и связи.
Дальнейшее ужесточение требований к системам компьютерной автоматизации
и сближение компьютерных и коммуникационных технологий привели к их
полной интеграции. При этом развитие микро- и нанотехнологий обусловлено и
новыми требованиями к конвергентной архитектуре систем и сетей связи,
включая вычислительные комплексы высокой производительности НРС.
Оптимальное согласование параметров и комплексное решение этих проблем
становятся основополагающими для дальнейшего развития эффективных си-
стем компьютерной автоматизации, управляющих систем и вычислительных
комплексов высокой производительности на новой технологической основе.
Имеется две тенденции создания и развития новых конвергентных сетевых тех-
нологий и архитектуры компьютерных модульных систем нового поколения
для автоматизации и промышленности. Первая предусматривает развитие клас-
сических сетевых структур на основе Ethernet с применением традиционных
систем локального управления и созданием нового оборудования с интегриру-
емыми сетевыми интерфейсами быстрого и гигабитного Ethernet (FE и GE).
Вторая связана с развитием новых и перспективных встраиваемых модульных
систем с быстрой коммутируемой средой и созданием модульных компьютер-
ных систем высокой производительности. Таким образом, требуются новые ре-
волюционные методы решения ряда гигапроблем создания модульных систем
нового поколения, в том числе многоядерных процессоров и систем в кристал-
ле с частотой несколько гигагерц, компьютерных модулей с объемом памяти
несколько гигабайт с гигабитными интерфейсами связи и последовательными
методами связи с широкой полосой частот (десятки гигабит в секунду). Это
возможно на основе создания современных отечественных СБИС-структур и
модульных систем высокой производительности для автоматизации сбора и об-
работки сигналов в реальном времени.
Для ликвидации большого технологического разрыва с промышленно раз-
витыми странами в России принята федеральная целевая программа «Нацио-
28
нальная технологическая база», в состав которой входит подпрограмма «Разви-
тие электронной компонентной базы» на период 2007–2011 гг. Минпромэнерго
разработало документ «Стратегия развития электронной промышленности на
2007–2011 годы», одобренный правительством страны.
Большое внимание уделено созданию устойчивых к радиации монолитных
интегральных схем, причем предусматривается снижение (к 2015 г.) доли им-
портных электронных компонентов в специальной аппаратуре до половины.
В открытой печати профессионалы акцентировали внимание на недостат-
ках программы, в частности на отсутствии идеологии развития электронных
систем и приоритетов конкретных направлений, а также исследований в обла-
сти новых и перспективных материалов и перспектив применения модульных
систем для конкретных задач. Успехи могут быть достигнуты при согласован-
ном развитии технологий создания систем в кристалле, перспективных модуль-
ных систем и сетей управления, сбора и обработки данных в реальном времени
(три кита стратегического развития).
Успешное развитие микро- и наноэлектронных технологий позволяют со-
здавать новые микро- и наноархитектуры и модули с более высокой плотно-
стью упаковки вычислительных средств, малым потреблением энергии и более
высокой частотой работы. Так, благодаря технологиям сверхбольших инте-
гральных схем (СБИС) с нормами 0,1 мкм появились однокристальные процес-
соры и одноплатные компьютеры SBC (Single Board Computers). Дальнейшее
освоение нанотехнологий СБИС (90 нм) обеспечило разработку и создание
компактных компьютерных модулей, подсистем ввода-вывода и сетей связи в
виде отдельных модулей; при этом сокращается длина соединений, но возраста-
ет концентрация мощности на единицу объема кристалла.
Концепция нового поколения систем ставит целью создание более гибких
и масштабируемых систем с большой полосой пропускания и масштабируемой
производительностью. Ограничение роста производительности процессора по
частоте и быстродействию сопряжения и связи уже не соответствует требовани-
ям нового поколения систем. На смену параллельным шинам типа PCI/ PXI и
VME/VXI приходят новые последовательные структуры связей. Радиальное со-
пряжение при централизованном управлении типа USB и коммутаторов типа
PCI Express может быть заменено коммутируемыми средами с расширяемой
полосой частот.
Дальнейшее повышение частоты процессора оказалось неэффективным из-
за большого выделения тепла. В связи с переходом от традиционных маги-
стральных систем к новым архитектурам многоядерных процессоров частота
процессора уже не служит показателем его производительности. Дальнейшее
повышение производительности процессоров решается не повышением их ра-
бочей частоты, которая уже подошла к физическим пределам, а переходом на
сетевые архитектуры с коммутируемой средой.

3.4.2. Виды модульных систем


Общие требования к архитектуре систем будущего включают необходи-
мость создания систем в кристалле со встроенным интерфейсом, компактных и
29
масштабируемых модульных систем и серверов с сетевой коммутируемой сре-
дой быстрой последовательной, многоуровневой связи на основе единых ком-
пактных модулей.
Успехи электронных нанотехнологий (разрешение 45 нм, 2007 г.) по-
зволили сконцентрировать большую удельную вычислительную мощность в
одном кристалле. Однако это привело к росту потребления энергии и выделяе-
мого тепла. Это обусловило создание маломощных схем для мобильных и
встраиваемых систем, компьютеров на модуле (СОМ) и новой концепции си-
стем в кристалле (SOC).
Компактные модульные микросистемы формируют из набора компактных
модулей нового поколения, устанавливаемых в секцию, с коммутируемой сре-
дой быстрой связи. Микросистемы могут состоять из нескольких процессорных
модулей и работать в режиме многопроцессорного комплекса. Они могут при-
меняться в качестве нижнего уровня распределенных систем сбора и обработки
данных, для контроля и управления, соединяясь с серверами с помощью гига-
битных промышленных сетей.
Такое же семейство типовых модулей может использоваться и в больших
системах.
Масштабируемые модульные системы с коммутируемой средой и ком-
пактными модулями формируются посредством установки нескольких ком-
пактных модулей (2, 4 или 8) на несущем модуле большего размера (крейсер-
ском макромодуле). Эти макромодули выполняют функции коммутируемой
среды первого уровня. Их в виде законченных подсистем или блейд-серверов
высокой производительности устанавливают в секции с собственной комму-
тируемой средой связи второго уровня. Сгруппированные в стойки секции объ-
единяют гигабитной сетью для организации систем более высокой производи-
тельности.
Компактные модули представляют собой многоядерные процессорные мо-
дули или модули ввода-вывода с быстрой обработкой сигналов на основе DSP.
Набор из нескольких (2–8) многоядерных процессорных модулей в одном мак-
ромодуле формирует мощную коммутируемую вычислительную среду (блейд-
сервер), а группа таких модулей – серверный кластер. В больших модульных
системах с многоуровневой коммутируемой средой компактные модули ус-
танавливают на несущем модуле большего размера (макромодуле) с последова-
тельной средой быстрой коммутируемой связи. Макромодули служат платфор-
мой для создания мощных серверных кластеров. Требуемый набор модулей
устанавливают в секцию с быстродействующей коммутируемой средой связи, а
необходимое число секций может быть установлено в стойку, объединяемую
гигабитными коммутируемыми сетями. Создание быстрых модулей для систем
в гигабитном диапазоне требует особого внимания к проектированию и произ-
водству как микросхем, так и новых модулей на плате. Целесообразным может
быть создание микросистем из тех же компактных модулей в специальных сек-
циях, что позволит более эффективно использовать тот же набор модулей, что и
для больших систем.

30
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства
СБИС и модульных систем
Процесс создания новых микросхем и модулей систем включает проектирова-
ние быстродействующих кристаллов системных компонент и плат модулей, а
также их производство с учетом перспективных материалов и нанотехнологий.
Комплексный подход к проектированию модулей и систем с помощью описа-
ния схем на языках Verilog и VHDL включает этапы программирования, моде-
лирования и создания печатных плат.
Стоимость создания фотошаблонов для субмикронных технологий сравнима с
затратами на проектирование СБИС, поэтому важно получить схему в кристал-
ле с первой попытки с контролем (верификацией) результата. При переходе к
субмикронным (нано) технологиям геометрические размеры элементов стано-
вятся соизмеримы с длиной волны света, и оборудование фотолитографии не
обеспечивает требуемую точность элементов.
Методы коррекции позволили повысить разрешающую способность обо-
рудования только частично, а дальнейшее увеличения интеграции требует но-
вых материалов, методов и технологий создания СБИС-структур. Для обработ-
ки сигналов используют СБИС сигнальных процессоров (DSP) и создают аппа-
ратную реализацию быстрых алгоритмов обработки сигналов на программиру-
емых логических интегральных схемах (ПЛИС) или на программируемых мат-
рицах ключей (FPGA) в качестве препроцессоров или сопроцессоров для уве-
личения обшей производительности систем. Схемы FPGA используют в тракте
обработки сигналов или для ускорения исполнения алгоритмов на встраивае-
мом процессоре. Гибкая структура FPGA позволяет распараллеливать операции
обработки сигналов, при этом операции, требующие высокого быстродействия
с параллельной обработкой, реализуют на FPGA, а операции программного
управления и последовательной обработки – на DSP. Встроенное микропроцес-
сорное ядро (MicriBlaze, Xilinx) обеспечивает такую реализацию на ПЛИС.
Проектирование систем требует опыта использования языков про-
граммирования VHDL и, Verilog, поэтому были созданы средства авто-
матизации проектирования электроники на системном уровне ESL (Electronic
System Level), облегчающие применение FPGA в цифровых системах обработ-
ки сигналов. Так, фирма Xilinx с партнерами создала средства автоматизации
проектирования приложений, включая преобразование алгоритмов, написанных
на языках C/C++, в аппаратные реализации на FPGA. Пакет AsselDSP Synthesis
аппаратно реализует алгоритмы MATLAB в формате с плавающей запятой, а
пакет System Generator совмещает ESL-модули с ядрами IP.
Система автоматизации проектирования плат определяет характеристики
соединений, симулирует их параметры и распространение сигналов в схеме
(модуль LlineSim). Модели передающих и принимающих узлов выбирают из
библиотеки, при этом можно задать стандартные линии (кабели, полосковую
связь) или указать их параметры (импеданс, частоту передачи), а также опреде-
лить послойную структуру схемы (ширину проводного или изолирующего
слоя). Для гигагерцовых схем (HyperLynxGHz) учитывают потери в проводни-

31
ках и диэлектриках, что важно при переходе от параллельных шин к пос-
ледовательным методам связи. Автоматизация симулирования и проверки схем
требует многих часов логического моделирования, поэтому создают высоко-
производительные системы автоматизации логического моделирования, среди
которых известны система Rivera фирмы Aldec и Calibre фирмы Mentor
Graphics.
Система Riviera поддерживает серверы разных типов и может интег-
рировать в проекте модули, написанные на языках VHDL, Verilg, C/C+, Sys-
temC, SystemVerylog и др. Отлаженные модули можно занести в библиотеку
для использования в других проектах. Существует много С-моделей для стан-
дартных устройств (памяти, процессоров, ввода-вывода). Моделирование вы-
полняют в пакетном режиме, а результаты заносятся в файлы.
Модульная платформа Calibre компании Mentor Graphics предназначена
для комплексной проверки проекта перед производством схем, т.е. от контроля
правил проектирования переходят к физической верификации СБИС на соот-
ветствие топологических данных исходным схемам. Ядро платформы поддер-
живает физическую верификацию до генерации данных фотошаблонов. Базо-
вый модуль (DRC) платформы выполняет контроль правил геометрического
проектирования с учетом субмикронных технологий, модуль (LVS) сравнивает
результаты с исходным описанием схемы, а другой модуль (xRC) определяет
параметры, соединений на уровне транзисторов, вентилей и иерархии блоков.
Модуль визуализации (RVE) обеспечивает анализ результатов в интерактивном
режиме.
Платформа Calibre также включает модули: контроля проектирования гео-
метрии элементов и ограничений фотолитографии ORC (Optical and Process
Rule Checking); оптической коррекции геометрии на основе вычисленных таб-
лиц TDopc (Table-Driven ОРС); моделирования с предсказанием геометрии объ-
ектов топологии в процессе вывода па кремниевую пластину PRINTimage (Sim-
ulated Silicon Print Image); коррекции схем и топологии кристаллов в пакетном
режиме OPCpro (Optical Process Correction for Batch Production); генерирования
данных повышения разрешающей способности за счет сдвига фазы облучения с
помощью специальной маски PSMgate (Phase Shift Mask Assignment for Gates);
игнорирования данных специальных линий для четких изображений OPCsbar
(Scattering Bars) и WORKbench. Анализ топологических данных выполняют в
формате стандартных правил проверки схем (SVRF—Standard Verification Rules
Format).
Семейство программ Calibre DFM позволяет корректировать обнаружен-
ные дефекты с помощью набора программных модулей. Для увеличения произ-
водительности весь процесс проверки схем разбивают на параллельные нити
(Calibre MT) для обработки в многопроцессорных системах. Большинство то-
пологических редакторов (IС Staton от Mentor Graphics, Virtuoso от Cadence,
Appolo/Astro от Synopsys) обеспечивают меню интерактивного управления
(Calibre Interactive).
Качество производства систем в кристалле СБИС зависит от выбора мате-
риала. Выращивание кристаллов кремния сначала выполняли на кремниевых
32
подложках, затем в качестве подложки-изолятора применяли сапфир. Техноло-
гия «кремний на сапфире» позволила создать КНС-структуры с толщиной
кремния 0,6 и 0,3 мкм (1970-е годы) и разработать коммутаторы и микропро-
цессорные наборы (1980-е годы) с акцентом на быстродействие и радиацион-
ную стойкость материала. Плохое совпадение структуры решеток сапфира и
кремния обусловили создание новой технологии «кремний на изолирующей
подложке» (КНИ-структуры), которая обеспечила более высокую интеграцию
схем. После этого было освоено производство биполярных и полевых схем на
арсениде галлия. Так, фирма Freescale Semiconductor продолжает разработки
арсенид-галлиевых транзисторов до настоящего времени, обеспечивая частоту
до 6 ГГц при питании 20 В и выходной мощности 100 Вт, что отвечает требо-
ваниям новых беспроводных сетей WiMAX.
Позже выяснилось, что классические материалы (кремний и арсенид гал-
лия) по своим качествам превосходит другой материал – карбид кремния (SiC),
имеющий более широкую запрещенную зону (больший диапазон температур) и
излучающий во всем диапазоне видимого света, но по ряду параметров уступа-
ющий нитриду галлия и нитриду алюминия. Рассогласование решеток SiC и
GaN меньше, а теплопроводность выше, чем у сапфира. Подложки из карбида
кремния SiC диаметром 100 мм используют для роста карбида кремния или
формирования новых структур (GaN/AIGaN). ФТИ РАН совместно с АОЗТ
«Светлана» впервые (в 2001 г.) создали мощный лавинно-пролетный диод на
основе SiC.
Одним из перспективных материалов является алмаз. Он имеет лучшие
свойства по сочетанию электрофизических параметров (высокая теплопровод-
ность, низкая диэлектрическая проницаемость, высокая радиационная стой-
кость), что важно для экстремальных условий. Размеры природных кристаллов
алмаза малы, а выращивать синтетически чистые монокристаллические струк-
туры трудно и дорого, однако в последнее время начинают исследовать воз-
можности создания перспективных СБИС на таких алмазах. Проблема создания
схем с требуемыми характеристиками на алмазе — это несовершенство матери-
ала (дефекты, примеси). Проблему отвода тепла решают путем синтеза поли-
кристаллических алмазных пленок и пластин толщиной от единиц нанометров
до миллиметров на разных подложках (Si, SiC, A1N). При выращивании алмаз-
ных пленок на подложках кремния («алмаз на кремнии», метод CVD) исполь-
зуют менее дорогие исходные реагенты (метан, водород). Композитная под-
ложка «кремний на полиалмазе» имеет более высокую теплопроводность.
На разработку и создание СБИС нового поколения требуется много време-
ни. Например, программа создания цифровых микросхем военного применения
в США (1987–1995 гг.) включала сначала создание схем на пластинах диамет-
ром 50мм. Стоимость кристалла СБИС на арсениде галлия удалось снизить до
0,1 долл./кв. мм, что сделало целесообразным создание материала подложек и
масок. Первая фаза следующей программы DARPA по созданию схем на основе
новых широкозонных соединений (GaN, SiC) завершилась получением подло-
жек диаметром 75 мм (2004–2005 гг.) с эпитаксиальным выращиванием новых
СБИС структур (AlGaN/GaN). Во второй фазе (2005–2007 гг.) предус-
33
матривалось создание GaN-транзисторов СВЧ диапазона с высоким процентом
выхода годных изделий. В третьей фазе (2008–2009 гг.) готовится технология
производства недорогих структур GaN для применения в различных компонен-
тах.
На примерах этих проектов видно, что от начала освоения новых тех-
нологий до производства СБИС проходит не менее 10–15 лет. Сроки проекта
сокращают за счет подготовки плана внедрения изделий уже в третьей фазе. За-
траты на проектирование каждого нового поколения микросхем удваиваются, а
с переходом на технологические нормы выше 90 нм могут и утроиться. Для со-
кращения стоимости обработки площади кремния увеличили размер диаметра
пластин со 100 мм до 200 мм и 300 мм, что привело к росту объема и качества
производства, повышению уровня автоматизации проектирования, проверки,
изготовления и коэффициента использования оборудования.
Современное производство предусматривает переход с пластин диаметром
200 мм на 300 мм. При этом можно выделить три этапа. На первом этапе
(2001 г.) создавались крупные заводы по производству пластин размером 200
мм для выпуска ДОЗУ и процессоров с технологией 130–140 нм и 110 нм (заво-
ды Intel, Infineon Technology, Texas Instruments, TSMC). Стоимость завода со-
ставляет порядка $2,0 млрд. Второй этап (2003 г.) включал производство ДОЗУ
(90 нм, 14 кремниевых заводов). Третий этап (2005 г.) призван обеспечить осво-
ение новых технологий и производство пластин размером 300 мм (65 нм и вы-
ше).
Компании Infineon Technology, IBM, Samsung и Chartered Semiconductor
первыми перешли на пластины 300 мм, так как на них размешается в 2,5 раза
больше схем. Однако стоимость таких заводов очень высока ($4 млрд.) и не все
компании могут освоить эту технологию. В Китае производят пластины 150 и
200 мм (завод в г. Вукси по производства ДОЗУ и флэш-памяти). Заводы по об-
работке пластин 300 мм построили в Пекине компания SMIC (2004 г.) для изго-
товления ДОЗУ (для Infineon Technology и Elpida Memory) и в Шанхае компа-
ния Grace Semiconductor Manufacturing.
При создании сложных СБИС применяют вакуумное технологическое
оборудование и используют ионно-плазменные процессы для формирования
субмикронных структур. Плазма высокой плотности (на основе ВЧ-разрядов) в
вакуумных установках обеспечивает травление различных материалов с разре-
шением выше 200 нм. Процесс травления материала осуществляют бомбарди-
ровкой поверхности изделий ионами.
Сверхмалые размеры в диэлектрических пленках получают с помощью
электронно-лучевой литографии с последующим травлением на установке во
фторсодержащей плазме, при этом получают канавки шириной 100 нм в плен-
ках толщиной 0,25 мкм, используя невысокую энергию пучка ионов (до 120
эВ).
Технологические нормы с субмикронным разрешением выше 250 нм по-
требовали детального проектирования и производства схем с учетом физиче-
ских параметров (длины и положения соединений, наводки и согласования, пе-
рекосов и запаздывания сигналов). Требуется решение проблем автоматизации
34
логического синтеза и проектирования топологии новых микромодулей высо-
кого быстродействия в области нескольких гигагерц.
Создание электронных печатных плат для модулей, работающих на высо-
ких частотах, осложняется проблемой целостности передаваемых сигналов в
соединениях. Сложность и стоимость реализации соединений в микромодулях
и на платах модулей растут быстрее, чем компактность и мощность устройств
обработки, и входят в число основных проблем создания нового поколения си-
стем. Для удешевления массового производства СБИС создают объединения,
например фирма Crolles 2 Alliance (Франция) объединила Freescale Se-
miconductor, Royal Philips Electronics и STMicroetectronics. Для России це-
лесообразен другой путь – эффективное использование создаваемых технопар-
ков и наукоградов.
Современные технологии компьютерной автоматизации основаны на не-
скольких фундаментальных направлениях широкого развития магистрально-
модульных систем. К ним, в частности, относится развитие:
• встраиваемых отдельных компьютерных модулей различных компактных
форматов, число и разнообразие которых в последнее время быстро возрастало;
• встраиваемых миниатюрных модульных систем семейства РС1/104 с раз-
ными интерфейсами от 8-разрядной архитектуры ISA до 16- и 32- разрядных
шин, при этом модули процессоров и ввода – вывода объединяются в блоки в
виде компактной этажерки;
• модульных систем с шиной PCI, интерфейсные схемы которых огра-
ничены нагрузкой до четырех единиц и поэтому позволяют подключать к про-
цессору не более двух-трех модулей ввода-вывода;
• модульных систем compact (PCI) с увеличенным вдвое числом подключа-
емых модулей расширения;
• модульных систем с шиной VME/VXI с многопроцессорными возмож-
ностями.
Среди модульных систем наиболее компактными являются системы се-
мейства PC/104, эффективные для встраиваемых применений. Большое разно-
образие форматов плат усложняет их выбор и стыковку с другими модульными
системами, что снижает эффективность новых проектов систем автоматизации.
Все модули обеспечены, как правило, несколькими встроенными последова-
тельными интерфейсами USB и Ethernet (быстрым, или гигабитным). Новые
версии модулей поддерживают новые интерфейсы. Например, все модули,
включающие вместо традиционного параллельного интерфейса PCI новый по-
следовательный интерфейс типа PCI Express, дополнительно имеют в своем
наименовании это слово.
Для локального сопряжения периферии используют быстрый последо-
вательный интерфейс USB 2.0, который вытесняет: интерфейсы типа
RS232/485 и находит применение не только для связи компьютера с пе-
риферией, но и для организации небольших иерархических звездообразных
структур сетей на основе хабов для измерительных и управляющих устройств и
подсистем.
В последнее время для распределенных систем автоматизации применяют
35
варианты классических сетей Ethernet с коммутаций сообщений для создания
не только корпоративных сетей, но и для связи приборов и промышленных си-
стем управления [24]. При этом в качестве контроллеров и систем локального
управления используют встраиваемые модульные системы разных типов.
Архитектуру VME широко применяют в промышленности и военных си-
стемах с начала ее создания (1981 г.). Успехи технологии VME позволили раз-
рабатывать надежные и гибкие модульные системы, работающие в реальном
времени, для детерминированного управления оборудованием при медицин-
ских исследованиях (сканеры CAT), в средствах управления на железнодорож-
ном транспорте (в Сингапуре и Польше), а также в системах автоматизации в
промышленности и военном деле. Научные центры Европы и США уже много
лет используют такие системы. Так, в Европейском центре ядерных исследова-
ний (ЦЕРН) число систем VME достигало несколько десятков тысяч (на 2004
г.). Однако по предельным характеристикам скорости передачи они уступают
компактным системам c PCI. С другой стороны, они обеспечивают возмож-
ность многопроцессорной работы с высокой производительностью.
Система в архитектуре c (PCI) ограничена одним ведущим процессором, и
для построения многопроцессорных систем требовались специальные методы и
структурные решения. В настоящее время осуществляется переход от традици-
онных параллельных магистральных систем связи к последовательным комму-
тируемым сетям, т.е. от традиционных PCI к экспресс PCI с централизованным
управлением и затем на перспективную среду сетевой связи типа ASI (Ad-
vanced System Interconnect).
Использование DSP, графических и видеосистем, систем быстрого сбора и
обработки данных от датчиков требует более интенсивных вычислений и обра-
ботки данных. Сетевое обеспечение становится основной частью распределен-
ных систем с большим количеством мощных процессоров (компьютеров). Про-
граммные радиосистемы, радарные установки и средства обработки изобра-
жений с быстрыми интерфейсами связи становятся важными частями новых
информационных вооружений. Все эти высокие требования нельзя удовлетво-
рить традиционными системами VME, и потребовались новые стандарты.
В настоящее время усилия направлены на создание масштабируемых и
компактных модульных систем с широкой полосой пропускания на основе се-
тевых масштабируемых архитектур. В новом поколении систем осуществляется
переход с параллельных на более быстрые последовательные системы сопря-
жения и связи в диапазоне скоростей выше гигабит.
Происходит слияние вычислительных и коммуникационных сетей на ос-
нове новых архитектур и методов. С одной стороны, наблюдается конвергенция
классических локальных сетей в направлении вычислительных и управляющих
систем. Она проявляется в создании и развитии коммутируемых классических
сетей типа гигабитного Ethernet (GE, 10GE, 100GE) для связи приборных си-
стем (вместо интерфейса GPIB), а также для новых промышленных сетей с из-
быточностью для повышения надежности [24].
С другой стороны, создаются новые быстродействующие коммутируемые
вычислительные среды с модульной структурой для встраиваемых и компакт-
36
ных систем на основе сетевых архитектур нового поколения. В результате об-
разуется единая среда связи систем с широкой полосой частот и высокой про-
изводительностью. Для масштабируемых систем рекомендуется использовать
единые компактные модули процессоров и ввода-вывода, устанавливаемые на
несущем модуле, который создает коммутируемую среду первого уровня. Ком-
мутируемая среда второго уровня формируется в каждой секции. На третьем
уровне сетевая коммутация формируется между всеми секциями в стойке и
между несколькими стойками. В качестве компактных модулей могут служить
процессорные модули или устройства ввода-вывода, например, для сбора и об-
работки сигналов и управления на основе DSP. Для создания компактных мо-
дульных систем можно использовать разработки таких же унифицированных
компактных модулей.
Таким образом, появление новых сетевых технологий автоматизации типа
PCIe, Serial RapidlO, Gigabit Ethernet, InfinitiBand, StarFabric и других последо-
вательных коммутируемых фабрик привело к революционным методам постро-
ения новых модульных систем. Новые компактные микросистемы с коммути-
руемой средой на основе единого семейства модулей могут вытеснить совре-
менные модульные системы, так как их унификация и стандартизация позволят
создавать более экономичные и эффективные средства на основе единого се-
мейства компактных модулей для микро- и больших систем. Это позволит ми-
нимизировать затраты на разработки для малых и больших систем на единой
основе. Такие возможности обеспечивают коммутируемая среда типа InfiniBand
и коммутируемые фабрики высокой производительности.
Среди первых разработок новых масштабируемых модульных систем с се-
тевой архитектурой известны такие стандарты как VPX (вместо VMЕ) и стан-
дарт на архитектуры; перспективных модульных систем для серверных класте-
ров (блейд-серверов) и центров данных высокой производительности. В част-
ности, разработана модульная система автоматизации для телекоммуникаций
АТСЛ (Advanced Telecommunication Architecture) с компактными модулями,
разъемами высокой частоты и средствами мониторинга питания и охлаждения.

3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем


Многозначность трактовки самого термина «нанотехнология», который
все чаще озвучивается в науке и технике, требует уточнения определения само-
го термина.
Технология – это процесс или последовательность операций, приводящая в
результате к получению продукции (материалов, приборов, устройств и других
продуктов) с определенными свойствами и возможностью устойчивого воспро-
изведения. Если задачей науки является анализ для получения новых знаний и
объективной информации по результатам эксперимента, то задачами тех-
нологии являются управляемый и контролируемый синтез и производство
определенных изделий с заданными свойствами.
Рассмотрим понятие «нанотехнология» применительно к области электро-
ники как одной из основных и самостоятельных областей создания, массового
производства и развития электронных приборов и систем нового поколения в
37
кристаллах СБИС на основе технологии сверхвысокого разрешения.
С одной стороны, некоторые ученые предлагают рассматривать переход к
нанотехнологиям как научно-техническую революцию (смену парадигмы, т.е
как бы погружаясь вглубь структуры материи). С другой стороны, нанотехно-
логии рассматривают как технологии, которые начинаются на атомном уровне
и позволяют создавать новые материалы и системы с качественно новыми оп-
ределенными свойствами (поднимаясь из глубины вверх).
Однако третий подход на основе философии классического перехода коли-
чества в качество приводит к осознанию того, что повышение плотности схем и
увеличение разрешающей способности технологии производства СБИС до
уровня молекул и атомов являются естественным продолжением процесса пе-
рехода микроэлектроники в наноэлектронику. Отдельные методы не могут
служить основой для определения термина, так как они могут оказаться невы-
полнимыми или даже ложными.
Исторически концепцию прогресса электроники (как парадигму) свя-
зывают с научной революцией, и ее рассмотрение начинают с изобретения пер-
вых вакуумных приборов (1904 г.). Основы революционной смены концепции
развития электроники заложило создание транзисторов (1948 г.) и затем техно-
логии твердотельных интегральных микросхем (1961). Увеличение удельной
плотности схем требовало постоянного роста разрешающей способности тех-
нологий и сокращения размеров элементов в каждом поколении СБИС.
Развитие первых планарных и последующих технологий было поддержано
многими государственными заказами, в первую очередь военными. За рубежом
с появлением первых микропроцессоров финансовая поддержка военными за-
казами позволила быстро развить компактные компьютерные модульные си-
стемы третьего поколения. Задержка внедрения новых технологий по любой
причине (преждевременные идеи, недостаточная проработка проблем или
ошибки в идеологии или объективные сложности технической реализации) бо-
лее 10 лет может привести к устареванию как материалов, так и самих идей.
Тогда необходимо переходить к новому поколению систем на основе уже отра-
ботанных и проверенных новых технологий. В отличие от новых технологий,
экспериментальные исследования по отработке новых материалов и технологий
могут занимать и более продолжительное время.
Классическая теория и современная технология транзисторов ограни-
чивают размеры до 10 нм. Ширина объемного заряда p-n–перехода туннельного
диода определяется единицами нанометров. В 1980-х годах структуры полу-
проводников определялись размерами гетеропереходов, что обусловило про-
блемы повышения разрешающей способности технологий (фотолитографии,
эпитаксии, диффузии, напыления и окисления). Управление потоками частиц и
ионов позволило воспроизводить изолированные кластеры из сотен атомов, со-
здавать однородные пленки с отклонением поверхности до 0,2 нм и гетеро-
структуры из разных слоев, а появление сканирующего микроскопа дало воз-
можность манипулировать отдельными кластерами молекул.
Перспективы развития электроники связаны с открытием новой формы уг-
лерода (фуллеренов, 1985 г.). Она позволила создавать углеродные структуры
38
цилиндрической формы (нанотрубки, 1991 г.), обеспечивающие свойство
сверхпроводимости. Это дало возможность начать исследования для разработ-
ки технологии на уровне отдельных атомов. Однако эти экспериментальные ра-
боты не обеспечат быстрое развитие технологий для создания новых приборов.
Такие технологии можно ожидать при реальном переходе промышленности на
уровень норм 1 нм и менее (к 2030 г. предполагается 0,5–0,1 нм). Для исследо-
ваний и освоений методов создания транзисторов на основе нанотрубок потре-
буются многие годы (более 10 лет), что может оказаться соизмеримым с перио-
дом развития предыдущих поколений интегральных схем и электронных си-
стем.
По поводу распределения финансовых ресурсов на новые проекты суще-
ствуют две крайние точки зрения. Одна предусматривает для развития нано-
технологий первостепенное финансирование науки, от которой можно ждать
прорывных решений и новых идей по созданию новых физических методов,
приборов и систем.
Другая позиция основана на приоритетном финансировании отраслевых
организаций для развития нанотехнологий, поскольку именно там находятся
производственные и технологические возможности для создания новых элек-
тронных систем. Оптимальным вариантом может быть совместное межведом-
ственное развитие новых проектов создания СБИС и модульных систем на ос-
нове единой масштабируемой системно-ориентированной сетевой архитектуры
нового поколения при условии наличия координационного межведомственного
центра по комплексной проблеме – модульных систем нового поколения.
Наноэлектроника как продолжение развития микроэлектроники потребует
перехода не только на более высокий уровень разрешающей способности в
единицы и доли нанометров, но и на новые наноархитектуры систем и более
высокие параметры по быстродействию и производительности будущих си-
стем. Для этого и требуется комплексный подход к развитию нового поколения
модульных систем как конечного продукт нанотехнологии.
Новое поколение модульных систем высокой производительности ориен-
тировано на высокопроизводительные многоядерные процессоры с малым по-
треблением энергии и коммутируемые вычислительные среды с широкополос-
ными каналами связи и взаимодействием процессоров. Это достигается уплот-
нением вычислительных и коммуникационных функций в кристалле (Net On
the Chip) и переходом к новым архитектурным методам проектирования мо-
дульных систем на уровне десятков и единиц нанометров. При этом нанотехно-
логии будущих электронных систем новою поколения ограничены не столько
ростом количества элементов в единице объема, сколько количественно-
качественным переходом к новым комплексным сетевым архитектурным реше-
ниям на основе интеграции систем с сетей от кристалла до уровня организации
микросистем и больших систем на новых принципах.
Структура модульных компьютерных систем высокой производительности
развивается от технологии «компьютер на модуле» до комплексных проектов,
включающих перспективные технологии наноэлектроники типа «система на
кристалле». При этом для нового поколения систем требуются функционально
39
законченные СБИС с интерфейсами связи системного уровня, отражающие
опыт развития модульных систем предыдущих поколений и архитектуру систем
будущих поколений в кристалле. Сопряжение и связь модулей, а в дальнейшем
и отдельных узлов в модуле, преодолели гигагерцовый порог скоростей, что
привело к повышению требований к проектированию модулей и систем, повы-
шенной сложности инфраструктуры систем и интеграции передаваемых сигна-
лов.
Производительность многоядерных процессоров и модульных многопро-
цессорных систем более не ограничивается числом процессорных узлов, как
было ранее в SMP-системах с общей шиной, и может гармонично масштабиро-
ваться в компьютерные системы более высокой производительности. Архитек-
тура перспективных модульных систем и сетей основана на быстрой коммути-
руемой сетевой среде связи вместо параллельных шин, новых быстрых и мас-
штабируемых сопряжениях последовательного типа и перспективных сетевых
технологиях коммутируемой связи узлов (ASI, Infiniband и др.), а также пер-
спективных методах построения модульных систем.
Успешное решение этих комплексных проблем возможно при согла-
сованных параметрах всех системных компонент, включая процессорные си-
стемы и кластерные узлы, с одной стороны, и подсистемы коммутируемых ка-
налов ввода-вывода и подсистем памяти, с другой стороны. Основой развития
модулей вычислительных и коммуникационных систем и их компонент стано-
вится интегральная архитектура модульных систем и сетей. В любом аппарат-
но-программном комплексе прикладные программы решают эффективно кон-
кретные задачи при оптимальном использовании ресурсов.
Однако потенциальные возможности повышения производительности си-
стем обеспечиваются аппаратными средствами и новыми возможностями
СБИС и общей системной архитектуры. Успехи создания перспективных СБИС
зависят от успешных результатов фундаментальных и прикладных научных ис-
следований. При этом одновременно должно снижаться потребление энергии и
выделяемое тепло за счет низкоуровневых сигналов и инновационных решений
физико-технических проблем.
Развитие конвергентных компьютерных систем высокой производи-
тельности с коммутируемой модульной структурой для комплексной ав-
томатизации инженерных, научных и производственных задач определяет
успешное развитие не только передовых стран, но и будущей мировой эконо-
мики в целом.

3.4.5. Перспективы развития навигационных систем


Как известно, становление космического и наземного сегментов системы
ГЛОНАСС финансируется из бюджета государства и идет по ранее разработан-
ному графику, определенному соответствующими правительственными поста-
новлениями. Это позволяет постепенно расширять российский рынок
ГЛОНАСС аппаратуры, но не дает возможности контролировать наиболее важ-
ную и автономную составляющую этого рынка – коммерческую, где домини-
руют навигационные аппараты пользователей (НАП) с поддержкой сигнала
40
американской навигационной системы NAVSTAR (GPS). Отвоевать, как мини-
мум, российский сегмент этого рынка – сложная задача, для решения которой
необходимо наладить массовое промышленное производство соответствующей
аппаратуры (программно аппаратных комплексов) с поддержкой ГЛОНАСС,
конкурентной оборудованию на базе GPS. Это означает, что аппаратура с под-
держкой ГЛОНАСС должна быть не хуже НАП с поддержкой GPS по целому
ряду показателей: техническим характеристикам, инженерным решениям, ди-
зайну, массогабаритным параметрам, энергопотреблению, цене и т.д. Важным
преимуществом ГЛОНАСС+GPS приемников может и должна стать их двухси-
стемность, то есть возможность одновременного приема сигналов обеих гло-
бальных навигационных спутниковых систем (ГНСС) – российской ГЛОНАСС
и американской GPS. Двухсистемность обеспечит такой навигационной аппа-
ратуре большую надежность при работе в любых условиях, в частности благо-
даря приему данных от большего числа спутников, а также устранению зави-
симости от сигналов GPS в критических ситуациях. Однако для завоевания
сколько-нибудь существенной доли коммерческого рынка недостаточно только
наладить выпуск конкурентной ГЛОНАСС аппаратуры.
Придется приложить немалые усилия для изменения менталитета россий-
ского покупателя, привыкшего к тому, что зарубежные навигационные устрой-
ства по целому ряду показателей лучше, чем отечественная аппаратура. Потре-
бителю придется наглядно доказать, что отечественные НАП действительно от-
вечают требованиям рынка и не уступают GPS-приемникам по качеству. При-
дется также убедить массового пользователя в надежности радиопокрытия си-
стемы ГЛОНАСС как минимум на территории России, а затем и в глобальном
масштабе. Помимо непрерывного совершенствования самой ГНСС ГЛОНАСС,
для этого потребуется большая пропагандистская работа по информированию
российской и мировой общественности и широкому освещению в СМИ досто-
инств российской навигационной системы и преимуществ использования сиг-
налов двух систем.
Насколько реально для России в ближайшие годы обеспечить разработку и
производство собственной конкурентной по качеству и относительно недоро-
гой навигационной аппаратуры для массового потребительского рынка? Сооб-
ражения на сей счет, основанные на анализе формирующегося рынка НАП в РФ
и более чем десятилетнем опыте проектирования и успешной реализации про-
двинутых навигационных и связных комплексов, накопленном SPIRIT Telecom,
представлены ниже. Начнем с технических характеристик НАП, хотя это и не
главный критерий, который принимает во внимание рядовой пользователь
навигационного устройства. Однако именно технические характеристики опре-
деляют качество такого прибора и достигнутый инженерный уровень, который
убеждает потребителей в технологическом совершенстве навигационной аппа-
ратуры и ее надежности. Хотя навигатор способен решать только узкую нави-
гационную задачу (позиционирование на плоскости или в пространстве с опре-
деленной точностью, оценку скорости объекта с НАП, временную координату,
среднее время выдачи данных в разных режимах при заданных параметрах
энергопотребления, стабильности выдачи навигационных данных в сложных
41
условиях, а также массы и размера), он может быть базовым компонентом
навигационно-информационной системы, где навигационные данные и реше-
ния на их основе составляют суть самой системы. В такой системе важную роль
играет и телекоммуникационная функция, отвечающая за передачу навигаци-
онных данных в удаленный центр мониторинга и принятие решений. В настоя-
щее время в РФ на коммерческом рынке НАП с поддержкой ГЛОНАСС сложи-
лась парадоксальная ситуация: при относительно большом первоначальном ин-
тересе и спросе на ГЛОНАСС-GPS приемники и программно-аппаратные мо-
дули (ОЕМ-модули) собственно предложений немного (как, впрочем, и россий-
ских фирм — разработчиков коммерческих навигационных приемников, антенн
для них и НАП в целом). Основное отличие таких предложений — в ценовых
позициях и способности разработчика осуществить своими силами или с по-
мощью партнеров (контрактных производителей электронной аппаратуры) вы-
пуск ОЕМ-модулей для НАП в нужных масштабах в заданные сроки. При этом
собственно технические характеристики приемников модулей часто отступают
на второй план. Тем не менее, покупатели таких модулей могут отвергать их в
силу нестабильности работы в реальных условиях (например, для целей мони-
торинга транспортных средств) и относительно высокой стоимости, если в це-
новом вопросе они ориентируются на стоимость GPS- приемников зарубежных
фирм. Такая ситуация возникла в силу следующих причин:
• неразвитость рынка НАП с поддержкой ГЛОНАСС (его объемы пока не-
значительны);
• неготовность к работе на коммерческом рынке российских разработчиков
навигационных модулей и НАП;
• недоверие компаний-производителей и интеграторов навигационно-
связного оборудования к навигационным решениям отечественных компаний-
разработчиков;
• естественное желание последних скорее отвоевать свою нишу на рынке да-
же с несовершенными навигационными модулями и оборудованием, что нега-
тивно сказывается на имидже этих компаний (уже известны отдельные приме-
ры);
• отсутствие возможности для объективной оценки технических характери-
стик приемников российского производства независимыми сертификационны-
ми центрами, оснащенными необходимым тестовым оборудованием;
• финансовый и экономический кризис, который существенно снизил перво-
начальные весьма оптимистические оценки рынка госзаказа, сделанные анали-
тиками в первом полугодии 2008 года. Среди негативных факторов стоит от-
дельно отметить сложность участия в тендерах на поставку оборудования в
рамках госзаказа (из-за их закрытости и непрозрачности) для частных компа-
ний-разработчиков. Есть и другие, не менее существенные с коммерческой точ-
ки зрения причины: дороговизна комплектующих НАП на рынке РФ из-за вы-
соких таможенных пошлин, ограниченное предложение многосистемных ан-
тенн и т.п. Решению этих и других вопросов, тормозящих развитие коммерче-
ского рынка ГЛОНАСС аппаратуры в России, призвана содействовать недавно
образованная Ассоциация «ГЛОНАСС/ГНСС Форум», в которую входят веду-
42
щие разработчики и производители навигационного оборудования, а также
крупные компании-интеграторы, однако ее влияние, хотя и заметное, пока не
является определяющим. Качественный навигационный приемник, являющийся
основой НАП, может быть использован в аппаратуре как гражданского приме-
нения, так и в навигационном оборудовании для специальных, в том числе во-
енных, приложений. Для разработки такого приемника надо прежде всего
иметь технически совершенное решение НАП в целом и использовать для этих
целей индустриальные компоненты (в некоторых специальных случаях – ком-
поненты в радиационностойком исполнении). Для такой разработки необходи-
мы как глубокие знания в проектировании радиотехнических систем, так и
практический опыт их реализации. Только качественные системные навигаци-
онно- телекоммуникационные решения, которые можно использовать как для
коммерческих, так и для специальных приложений, будут конкурентными на
массовом потребительском рынке. Сегодня же навигационные приемники и
ОЕМ-модули, разработанные российскими компаниями и претендующие на за-
воевание отечественного рынка, – это, как правило, двухсистемные
(ГЛОНАСС+GPS) одночастотные приемники (L1) c относительно невысокой,
по современным инженерным понятиям, чувствительностью и практически не
использующие алгоритмические ухищрения, которые обеспечивают работу в
условиях многолучевого распространения сигналов навигационных спутников,
характерных для городской среды («городские каньоны и колодцы», проезды
под эстакадами и в туннелях) и сложного ландшафта (в горах и глубоких овра-
гах, в лесистой местности). Это приводит к пропускам спутниковых сигналов в
затененных условиях и возможным большим ошибкам в определении позиции.
Поддержка дифференциального режима и SBAS, которые повышают точность
позиционирования, опциональны для представленных на рынке навигационных
модулей отечественного производства, так как в полной мере такая поддержка
для ГЛОНАСС еще не реализована на системном уровне и находится только в
начальной стадии развития. До сих пор не было проведено полноценного экс-
пертного исследования качества функционирования приемников от различных
российских производителей (если не считать инициативу ИД «Электроника» по
сравнительному независимому тестированию таких приемников, на первом
этапе которого в ИПУ РАН в рамках конференции «Встраиваемые системы» в
декабре 2008 года проводилась оценка качества навигационного решения в ста-
тических условиях работы приемника на открытой местности по живым сигна-
лам спутников). Отсюда первый вывод: необходимо разработать, реализовать и
вывести на рынок системное решение ГЛОНАСС-GPS приемника, который по
своим характеристикам не уступает лучшим GPS-приемникам западных фирм.
По нашему мнению, наиболее просто и быстро это можно сделать на базе ис-
пользования универсальных микросхем (FPGA-чипа и/или микропроцессора) в
цифровой части приемника и «программного» (software) подхода. Именно такое
качественное системное решение с поддержкой ГЛОНАСС, сравнимое по тех-
ническим характеристикам с лучшими решениями в мире, станет первым ша-
гом к успеху в конкурентной борьбе на коммерческом рынке. Следующий важ-
ный коммерческий фактор – массогабаритные параметры и энергопотребление.
43
Для «ручных» НАП этот фактор – ключевой, но для других приложений
(например, для автомобильных навигаторов) он не очень существенен. И здесь
может быть только один подход: одночиповое решение приемника типа «си-
стема на кристалле» («СнК», SoC) или, как промежуточный этап, – двух или
трехчиповый приемник с энергопотреблением не более 200 мВт. Как уже было
отмечено в докладе на Международном форуме по нанотехнологиям, прошед-
шем в декабре 2008 года в Москве, здесь может быть движение в двух направ-
лениях: переход на новую структуру навигационных сигналов (от FDMA для
ГЛОНАСС к CDMA) для снижения сложности цифровой обработки сигнала в
приемнике с поддержкой ГЛОНАСС и проектирование чипов по технологии 90
нм и менее. При этом качество системного решения для трансформации его в
чип является определяющим, так как если специализированный чип (ASIC) бу-
дет спроектирован на основе современных технологий, но зашитое в него ре-
шение несовершенно, то о конкурентных преимуществах, основанных только
на продвинутой микроэлектронике, можно забыть. Разумеется, дизайн навига-
ционного ASIC и его производство должны отвечать требованиям современных
технологий. Это означает, что задачу надо решать только в комплексе – транс-
формируя в чип современное системное решение и разрабатывая дизайн чипа в
соответствии с проектными нормами не более 90 нм. Тесно связан с этим фак-
тором и ценовой показатель: решение на базе ASIC – более дешевое, чем реше-
ние на базе универсальных чипов, если ASICи будут выпускаться сотнями ты-
сяч или миллионными тиражами. Именно такие объемы характерны для произ-
водства GPS- приемников на базе «СнК» (SoC). Однако в ближайшие полтора-
два года ASIC-реализация навигационного приемника с поддержкой ГЛОНАСС
малореальна уже потому, что рынок соответствующей НАП относительно мал,
а в условиях кризиса наладить проектирование и выпуск навигационных ASIC
без государственной поддержки проблематично. Поэтому в ближайшее время с
большой вероятностью основными будут «смешанные решения»: использова-
ние специализированных ГЛОНАСС+GPS чипов (RFIC) в радиочастотной ча-
сти приемника и универсальных микросхем (за исключением, возможно, ASIC-
коррелятора) в его цифровой части. Это означает, что по цене, энергопотребле-
нию и массо-габаритным параметрам российские приемники и ОЕМ-модули с
поддержкой ГЛОНАСС будут уступать GPS-приемникам и модулям. В этой си-
туации важно обеспечить конкурентоспособность по другим техническим ха-
рактеристикам, определяющим точность и стабильность работы прибора в раз-
ных условиях, поскольку подход «дороже и хуже, чем GPS» дискредитирует
разработчиков и производителей ГЛОНАСС-аппаратуры.
Кроме того, можно предположить, что развитие системы ГЛОНАСС и
рынка НАП в РФ приведет к конкуренции со стороны западных производите-
лей навигационных микросхем, способных быстро наладить выпуск качествен-
ных многосистемных чипов и модулей и поставлять их на российский и миро-
вой рынки. Не стоит сбрасывать со счетов и китайских производителей сверх-
больших интегральных схем (СБИС), хотя из-за отсутствия опыта в этой обла-
сти им будет сложно самостоятельно получить для СБИС качественное систем-
ное навигационное решение. Разумеется, для коммерческого рынка необходима
44
также интеграция навигации с цифровыми картами, телекомом и мультимедиа,
а также качественное конструкторское решение НАП. Однако это особая тема,
которая требует отдельного освещения. Напомним, что американская GPS про-
должает развиваться и что в ближайшие годы должна вступить в действие еще
одна ГНСС – европейская навигационная система Galileo. Можно ожидать, что
уже через три-четыре года на коммерческом рынке НАП появятся гаджеты с
поддержкой обеих систем – GPS и Galileo, которые неизбежно начнут вытес-
нять односистемные GPS- приемники. В этот относительно короткий срок у
России есть шанс мощно и конструктивно сыграть на зарождающемся рынке
многосистемных навигационных устройств. Для успеха необходима поддержка
со стороны высшего руководства страны, что имеет место, а также разработка и
реализация на правительственном уровне целого комплекса мер по системной
поддержке российского инновационного бизнеса, занятого в сфере разработки
и производства навигационного обо-рудования и аппаратуры ГЛОНАСС. В
частности, для облегчения работы российских производителей аппаратуры, ал-
горитмического и программного обеспечения для спутниковой навигации, а
также для стимулирования широкого практического интереса к ГНСС
«ГЛОНАСС» не только в России, но и в мире необходимо:
1. Не отступать от принятого графика развертывания космического сег-
мента ГНСС «ГЛОНАСС», обеспечив работоспособность полной группировки
спутников, и начать вводить систему дифференциальной коррекции и монито-
ринга (СДКМ).
2. Следить за неукоснительным соблюдением государственными предпри-
ятиями и организациями постановления Правительства РФ, предписывающие
оснащать находящиеся на их балансе транспортные средства аппаратурой
спутниковой навигации ГЛОНАСС или ГЛОНАСС/GPS.
3. Организовать проведение государственных тендеров на поставку про-
граммно-аппаратных OEM- модулей для НАП с привлечением исключительно
отечественных производителей, обеспечив равные условия участия в них гос-
предприятий и частных компаний-разработчиков.
4. В целях удешевления себестоимости готовых приемников (OEM- моду-
лей) необходимо снизить пошлины на импорт радиоэлектронных комплектую-
щих для НАП, не производимых в РФ (программируемые логические инте-
гральные микросхемы (ПЛИС), сигнальные процессоры, радиочастотные чипы
и др.).
5. Для стимулирования российских разработок программного обеспечения
(ПО) необходимо ввести режим льготного налогообложения (льготного креди-
тования) для отечественных компаний, разрабатывающих алгоритмы и ПО для
спутниковой навигации, а также снизить налоги (НДС и пр.) на лицензирование
дизайна и продажи НАП.
6. Отменить или снизить ввозные пошлины на оборудование для тестиро-
вания НАП (симуляторы навигационных сигналов и др.), обеспечить предо-
ставление целевых беспроцентных кредитов на покупку дорогостоящей изме-
рительной аппаратуры для стимуляции разработок отечественных навигацион-
ных решений.
45
7. Обеспечить господдержку в виде налоговых льгот или прямого финан-
сирования компаний-разработчиков при патентовании ими оригинальных ре-
шений, закладываемых в НАП. Патентование – дорогостоящий процесс, однако
совершенно необходимый при организации массового производства во избежа-
ние судебных исков от зарубежных компаний-конкурентов, которые всегда
стремятся обеспечить себе максимальную патентную защищенность.
8. Обеспечить господдержку разработкам под заказ комплектующих для
НАП (в частности ПАВ-фильтров и нестандартных высокостабильных генера-
торов для массового рынка НАП).
9. Для обеспечения конкурентного преимущества в производстве навига-
ционной аппаратуры ГЛОНАСС гражданского назначения дать соответствую-
щее поручение Минобороны и другим ответственным ведомствам рассмотреть
вопрос рассекречивания и снятия законодательных запретов на использование
ВТ-кода (кода высокой точности) ГЛОНАСС, что позволит значительно улуч-
шить точностные характеристики навигационных приемников российского
производства, работающих в системе ГЛОНАСС. Несомненно, рынок НАП бу-
дет развиваться в России вместе с совершенствованием ГНСС «ГЛОНАСС» и
развитием микроэлектроники, однако скорость его роста будет зависеть от спо-
собности государства и бизнеса активизировать переход от сырьевой зависимо-
сти к инновационной экономике, основанной на знаниях. Чтобы осуществить
такой переход максимально быстро и успеть занять лидирующие позиции на
отечественном рынке ГЛОНАСС аппаратуры, государству следует позаботить-
ся об улучшении системы подготовки ученых и инженеров в вузах, повышении
престижа инженерной профессии, а также о создании в РФ особой среды для
творческих людей и хайтек-бизнеса, которая способствовала бы сокращению
«утечки мозгов» и привлечению в Россию в условиях мирового финансового
кризиса дополнительных научных и инженерных кадров.

3.5. Перспективы развития цифрового телевидения


Состояние и перспективы развития цифрового телевидиния в российской
федерации рассматриваются в работах [19,20].
Внедрение приемной аппаратуры для цифрового телевизионного вещания
в регионах России московский научно-исследовательский телевизионный ин-
ститут с 1998 г. в рамках рабочей группы Правительственной Комиссии по
развитию телерадиовещания в России принимает активное участие в подготов-
ке к переходу России на цифровое телевизионное вещание. Совместно с Рос-
промом и рядом предприятий отрасли институт выступил с предложениями по
организации разработки и массового производства приемной и передающей ап-
паратуры для цифрового телевещания как одного из приоритетных направле-
ний в развитии информационных технологий. Для внедрения цифрового теле-
видения в России необходимо решить две задачи: перевести передающие сети
на цифровой формат и обеспечить повсеместный прием программ населением.
В переходный период необходимо, чтобы прием цифровых телевизионных
сигналов осуществлялся парком телевизионных приемников, имеющихся у

46
населения. В настоящее время парк телевизоров в России составляет около 75
млн. штук. Обеспеченность населения телевизорами, по данным Росстата, со-
ставляет 144 телевизора на 100 домохозяйств, из них 136 цветных. При внед-
рении цифрового вещания жители России не должны потерять возможность
принимать телепрограммы, которые они получают сегодня в аналоговом фор-
мате.
Возможны три способа приема телевизионных программ, передаваемых в
цифровом формате: помощью цифровых приставок на имеющиеся у населения
аналоговые телевизоры; коллективный прием программ цифрового телевидения
с преобразованием цифровых сигналов на аналоговые, при котором обеспечи-
вается прием программ цифрового вещания на имеющиеся у населения анало-
говые цветные черно-белые телевизоры; а аналого-цифровые и цифровые теле-
визоры. Коллективный прием программ позволит более рационально решить
проблему перехода на цифровое телевидение для промышленно развитых реги-
онов, где процент городского населения составляет свыше 60%. В настоящее
время по техническому заданию Департамента радиоэлектронной промышлен-
ности Министерства промышленности и торговли РФ институтом в коопера-
ции с предприятиями телевизионной отрасли проводятся разработки широкого
модельного ряда инифицированных цифровых приемных устройств, в том
числе с поддержкой формата телевидения высокой четкости. Важно, что боль-
шинство участников разработки одновременно являются заводами-
изготовителями радиоэлектронной аппаратуры. Некоторые образцы приемных
устройств, в основном различные виды цифровых приставок, уже серийно вы-
пускаются некоторыми предприятиями. Полный ряд приемных устройств мо-
жет быть освоен в серийном производстве на отечественных заводах уже в те-
кущем и будущем годах. Производству цифровых приставок полностью готовы
17 ведущих предприятий. Еще ряд предприятий в различных регионах России,
например, в Удмуртской республике, Республике Татарстан, Курской и Ниже-
городских областях выразили готовность провести подготовку производства
для обеспечения выпуска приставок. Это показывает, что предприятия радио-
электронного комплекса в состоянии обеспечит потребности населения России
в цифровых приставках. Четыре предприятия радиоэлектронного комплекса
начали выпуск аналого-цифровых телевизоров последующим переходом на
полностью цифровые модели. Подготовлено серийное производство устройств
коллективного приема цифровых программ. Усилиями Роспрома и Министер-
ства промышленности и торговли РФ созданы объективные предпосылки для
организации массового производства всех видов цифровой приемной аппара-
туры. Отечественная телевизионная промышленность обладает достаточным
потенциалом, чтобы обеспечить в необходимых количествах выпуск приемных
устройств для цифрового ТВ вещания. Согласно проведенным маркетинговым
исследованиям в 2007 г. выпуск телевизоров составил 7,9 млн. штук, из них с
кинескопами – 70%, а с жидкокристаллическими и плазменными плоскими па-
нелями – 30%. В том же году 77% телевизоров, продаваемых на российском
рынке, в том числе под иностранными марками, производились или собирались
в России. Этот показатель непрерывно растет в связи с увеличением объемов
47
выпуска телевизоров в нашей стране, в том числе зарубежными компаниями,
размещающими производство телевизоров в России.

Рис. 3.5. Распределение предприятий изготовителей


телевизионной аппаратуры по регионам РФ
Распределение предприятий изготовителей телевизионной аппаратуры по
регионам РФ представлено на рис. 3.5. Розничная продажа телевизоров в Рос-
сии в стоимостном выражении также постоянно растет и, по оценке Росстата, в
прошлом году составила по всем телевизорам 80,9 млрд. руб. Данные стати-
стики свидетельствуют о масштабности этого рынка. Доля цифровых приставок
и аналого-цифровых телевизоров отечественного производства может занять
60–70% рынка, а аппаратуры коллективного приема, не имеющей зарубежных
аналогов – до 100% . При сравнимом техническом уровне с зарубежными моде-
лями отечественная приемная цифровая аппаратура будет обладать таким пре-
имуществом, как лучшая адаптивность к работе в российских сетях приема и
распространения телепрограмм. Это объясняется тем, что зарубежные фирмы
продвигают на наш рынок типовые модели, разработанные без должного учета
специфики нашего рынка. Разработанная отечественная цифровая приемная
аппаратура испытана как на специализированном стенде МНИТИ, так и в ре-
альных условиях разных регионов России. С 2000 г. специалисты института
участвуют в работах по созданию экспериментальных зон цифрового ТВ веща-
ния. Первая работа проведена в Нижнем Новгороде. В ходе этих испытаний для
приема программы цифрового телевидения использовались как отечественные
аналого-цифровые телевизоры и приставки, так и импортные приставки. Мас-
штабные испытания отечественных цифровых приемных устройств в реальных
условиях с августа по ноябрь 2007 г. были успешно проведены в опытной зоне

48
цифрового вещания в Тверской области. Аналого-цифровые телевизоры и при-
ставки обеспечили высококачественный прием цифровых телевизионных пере-
дач в формате MPEG-4, а также передач телевидения высокой четкости. Уста-
новленная в жилом доме г. Тверь аппаратура коллективного приема цифрового
телевидения до сих пор работает без единого сбоя. Весной 2008 г. приемная ап-
паратура цифрового телевидения была показана на совещании в Министерстве
связи Татарстана. В настоящее время проводятся испытания приемной аппара-
туры в составе опытной зоны цифрового ТВ вещания в г. Зеленодольске, Рес-
публика Татарстан). Проводится также работа с администрацией Курской об-
ласти по подготовке к переходу региона на цифровое вещание. Таким образом,
институт начал работу по внедрению разработанной отечественной приемной
аппаратуры на опытных зонах цифрового ТВ вещания, создающихся в регио-
нах России. Однако отсутствие четкой государственной политики по переходу
на цифровой формат вещания привело сегодня к неуправляемому процессу
внедрения цифрового телевидения в регионах страны. Открыты зоны цифрово-
го ТВ вещания в ряде областей: Курганской, Калужской, Белогородской, где
начало цифрового вещания даже не было согласовано с руководством регио-
нального подразделения ФГУП «РТРС». Вещание в этих зонах ведется в фор-
мате как PEG-2, так и MPEG-4. В основном закупается импортное приемное
оборудование. Так, для Мордовии и Курганской области приставки купили в
Китае. В отсутствии официального решения о том, какой формат цифрового
ТВ будет использован в России - MPEG-4 или PEG-2, эти действия могут при-
вести к разрушению единого информационного пространства страны. При
наших территориальных масштабах ни технически, ни организационно невоз-
можно осуществить единовременный переход на цифровое телевидение в пре-
делах всей страны, как это было сделано, например, в Финляндии Великобри-
тании. В Российской Федерации единственно возможным способом перехода от
аналогового ТВ вещания к цифровому является региональный принцип. Ана-
логично осуществлялся переход на цифровой формат вещания в Германии, ко-
гда области сразу целиком переходили а цифровое вещание, но в разное время,
по мере своей готовности. Следовательно, необходима скорейшая разработка
регионально-временного графика перехода с аналогового на цифровое ТВ ве-
щание. Этот график должен основываться на оценках времени готовности раз-
ных регионов страны такому переходу. Опыт таких стран, как США, Англия,
Чехия и других, говорит о том, что там существует государственная поддержка
приобретения приставок для приема программ цифрового телевидения населе-
нием. В России также необходима государственная социально значимая под-
держка в обеспечении населения регионов приставками и устройствами кол-
лективного приема цифрового телевидения. Необходимо также ускорить при-
нятие стандартов цифрового телевидения ввести требование обязательной сер-
тификации основных технических параметров приемной телевизионной аппа-
ратуры. Должен быть решен вопрос о создании базовых центров сертификации
аппаратуры цифрового телевидения. Один из таких центров может быть создан
на базе Государственного испытательного центра «МНИТИ-Сертифика». Ми-
ровой опыт показывает, что сохранить радиоэлектронную промышленность
49
страны, способную производить на современном уровне как товары массового
спроса, так и специальную аппаратуру, возможно только при развитии произ-
водства технически сложных товаров массового потребления, каковыми и яв-
ляются телевизоры. Если мы упустим возможность организации массового вы-
пуска приемной аппаратуры цифрового телевидения на территории России, то
потеряем громадный рынок и перспективную, самую передовую и динамичную
отрасль промышленности, не говоря уже о потере сотен тысяч рабочих мест в
смежных отраслях производства. А так как технологии цифрового телевидения
являются технологиями двойного применения, то это отрицательно скажется на
информационной безопасности страны. Следует отметить, что на рынке телеви-
зоров происходит перемена потребительских предпочтений, связанных с ак-
тивной рекламой цифрового телевидения. По данным зарубежных исследовате-
лей, продажи жидкокристаллических телевизоров на мировом рынке впервые за
всю историю опередили кинескопные. Их доля в структуре продаж составила
47%, телевизоры с кинескопами занимают 46%, а остальные приходятся на
плазменные и проекционные. В последующие годы можно ожидать постепен-
ного исчезновения радиационных кинескопных телевизоров, которые пока еще
удерживают свою долю рынка за счет сравнительно невысокой цены. В Рос-
сии, как и во всем мире, в последние годы уменьшаются продажи телевизоров с
кинескопами и увеличивается продажи телевизоров с плоскими панелями, осо-
бенно жидкокристаллическими. Этому способствует повышенное качество
изображения на них, существенное снижение цены, а также то, что современ-
ные дисплеи на плоских панелях позволяют воспроизводить телевизионное
изображение высокой четкости. Телевидение высокой четкости (ТВЧ) — это не
отдаленная перспектива. В этом формате уже работают несколько отечествен-
ных спутниковых каналов, а соревнования с Пекинской олимпиады транслиро-
вались в Москве в формате высокой четкости. Институт активно работает в
направлении создания приемной аппаратуры телевидения высокой четкости.
Образцы телевизоров высокой четкости, созданные специалистами института,
демонстрировались на отраслевом совещании Роспрома в декабре 2007 г., на
выставке «ТВЧ Россия-2008», и XII Международном промышленном форуме
«Российский промышленник» в С.-Петербурге. ГТРК планирует осуществить
первые трансляции стереотелевизионного изображения с Зимних Олимпий-
ских игр 2014 г. в Сочи. Институт работает на эту перспективу. Демонстрация
макета устройства, позволяющего воспринимать зрителем стереоизображение
без применения очков, была проведена в институте в начале 2008 г. С учетом
развития в мире наноэлектроники и технологий по наноматериалам проблема
создания аппаратуры для стереотелевидения становится более актуальной.
Применение нанотехнологий в телевизионной аппаратуре особенно перспек-
тивно в силу ее массовости. Практическая цель – улучшение в разы показателей
аппаратуры, таких как: энергопотребление, быстродействие, емкость памяти,
надежность, масса и габариты. Проводятся работы по созданию приемной ап-
паратуры для формирования современной сети цифрового радиовещания в
стандарте DRM. Сеть цифрового радиовещания DRM обеспечивает высокое ка-
чество, повышенную помехозащищенность как для стационарных, так и для
50
мобильных слушателей с возможностью передавать до шести высококаче-
ственных стерео или до 18 монофонических звуковых программ в одном кана-
ле. При этом возможна передача дополнительной видео, графической и тексто-
вой информации, например, новостных лент, котировок акций, ситуаций на до-
рогах, прогноза погоды и другой. Таким образом, в настоящее время научно-
технический потенциал отечественных разработчиков и изготовителей радио-
электронной аппаратуры позволит обеспечить потребности населения россий-
ских регионов в приставках, аналого-цифровых телевизорах и аппаратуре кол-
лективного приема цифрового телевидения. Выполнение плана мероприятий,
позволит занять отечественным производителям приемной телевизионной ап-
паратуры лидирующие позиции на российском рынке.

3.6. Перспективы развития дисплеев и


осветительной техники
По данным Global Industry Analysts Inc., объем мирового рынка общего
освещения оценивается на уровне 40 млрд. долларов, а темпы его роста за по-
следние 3 года составили 4–5%, По прогнозам, к 2016 г. около 30% рынка будет
занято светодиодными осветительными устройствами, см. рис. 3.6.

100%

90%

80%

70%
60%
50%
40%

30%
20%

10%
0%
2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016

Светодиодные устройства Флуоресцентные лампы Лампы накаливания и др.

Рис. 3.6. Прогноз состояния мирового рынка общего освещения


(по данным Global Industry Analysts Inc.)

При этом светодиодный сектор рынка состоит из нескольких сегментов.


На диаграммах на рис. 3.7 видна сравнительная динамика сегментации рынка
светодиодов освещения по состоянию на 2007 г. и состоянию, ожидаемому к
2012 г.

51
Сигналы

Мобильные
устройства Дисплеи
Другое Мобильные
44% 20% устройства
16% 44%

7% Освещение 12%
15% Другое
17% Сигналы
1% 12% 12%
Транспорт
Дисплеи Транспорт Освещение
2007 2012

Рис. 3.7. Распределение мирового рынка светодиодов


по областям применения на 2007 и 2012 гг.

Кроме показанного роста сегментов дисплеев и освещения перспективны-


ми являются также некоторые специальные ниши применения светодиодов, та-
кие как проекционное телевидение и подсветка ЖК-дисплеев. Сегмент освеще-
ния на мировом рынке оценивают как наиболее перспективный в ближайшие 5
лет. В 2007 г. рынок светодиодных ламп, используемых в освещении, составил
330 млн. долларов, что соответствует приросту в 60% по отношению к 2006 г. К
2012 г. прогнозируется размер этого сегмента в 1,4 млрд. долларов, т.е. 11%
рынка будут заняты светодиодными источниками освещения (см. рис. 3.8.).

Газоразрядные Лампы накаливания


2%
2%Другое лампы галогеновые
LED
Компактные
7% люминесцентные
лампы Компактные 21%
люминесцентные
21% лампы 19% LED
11%
42% Газоразрядные
1%
5%
лампы
26%
43%
Линейные Лампы накаливания
люминесцентные лампы галогеновые Линейные
люминесцентные лампы

2007 год 2012 год

Рис. 3.8. Доля различных устройств на мировом рынке


общего освещения в 2007 и 2012 гг.

В России, но данным РБК, объем всего рынка светотехники в 2007 г. со-


ставил около 1,7 млрд. долларов. Российский рынок освещения бурно развива-
ется, его прирост в среднем составляет 13%, а в ближайшие 3–5 лет ожидается
на уровне 15%. При этом сегмент, связанный с применением светодиодов, пока
невелик (см. рис. 3.9.), но в дальнейшем будет быстро увеличиваться.

52
0,6%

Накаливания Люминесцентные

25,7%
33,6%
Прочие
13,7%
20,8% Газоразрядные

Накаливания Светодиоды
3,7%
галогенные

Рис. 3.9. Распределения рынка общего освещения в России по типам ламп

На рынке общего освещения выделяются как наиболее крупные рынок


офисных (400 млн. долларов) и подъездных светильников (321 млн. долларов
по прогнозам на 2009–2012 гг.). Также велик рынок, связанный с освещением в
транспортных средствах – в автомобильной промышленности, на железных до-
рогах.
Развитие технологии светодиодов идет по двум направлениям: светодиоды
на неорганических гетероструктурах (LED) и светодиоды на органических ком-
понентах (OLED). Неорганические светодиоды очень динамично развивающая-
ся область, в которой в последние 20 лет было сделано много открытий, и к
настоящему времени достигнута высокая эффективность основанных на этом
принципе устройств. По сравнению с ними органические светодиоды отстают в
развитии, однако у последних есть ряд интересных потребительских свойств,
которые могут оказаться ключевыми в конкуренции с неорганическими свето-
диодами. В частности, они позволяют создавать полупрозрачные гибкие осве-
тительные панели большой площади.
Мировые лидеры в разработке и производстве LED-устройств уже вышли
на высокий уровень световой эффективности. Компания Cree Inc, лидер на этом
рынке, выпускает светодиоды с эффективностью на уровне 100 лм/Вт при токе
350 мА. Светодиоды серии LUXEON фирмы PHILIPS Lumileds имеют эффек-
тивность до 170 лм/Вт при токе 700 мА, устройства других производителей –
50–100 лм/Вт. Эффективность OLED не столь высока: лидеры в данной области
– компании Samsung, OLLA, Novaled – имеют лабораторно подтвержденные
данные по мощности съема энергии 20–50 лм/Вт, хотя теоретический порог для
идеальной структуры намного выше – примерно 360 лм/Вт. Практический же
уровень эффективности таких светодиодов специалистами оценивается на
уровне 230 лм/Вт при яркости 2000 кд/м2 и сроке службы до 100 000 ч. Для
сравнения, эффективность бытовых ламп накаливания варьируется в пределах
12–18 лм/Вт, компактных люминесцентных ламп – 65–100 лм/Вт. Многие ком-
пании, например, OS RAM, планируют начать серийный выпуск ОLЕD-
светильников к 2012 г.
В России, к сожалению, в настоящее время нет производства своих чипов
и гетероструктур на таком уровне энергетической эффективности. Ряд компа-
ний – КБ Автоматики, Corvette Lights, Уральский оптико-механический завод и

53
др. – выпускающих осветительные приборы на неорганических светодиодах,
используют импортируемые структуры и чипы. Изготовлением чипов и свето-
диодов на их основе на уровне малого производства занимается ЗАО «Опто-
ган». Эффективность светодиодов, производимых данной компанией, нахо-
дится на уровне 60 лм/Вт при энергетической эффективности около 15 %. В те-
чение 4 лет компания планирует выйти на уровень энергетической эффективно-
сти до 25 % и общей эффективности до 100 лм/Вт (см. рис. 3.10.).
Эффективность (на неупакованном чипе), % Световая эффективность, лм/Вт
30.0% 120
25.0% 100
20.0% 80
15.0% 60
10.0% 40

5.0% 20
0.0% 0
2008 2009 2010 2011 2012 2008 2009 2010 2011 2012
14.4% 16.6% 18.8% 21.2% 24.3% 49 60 71 84 97

Рис. 3.10. Прогноз разработок LED в России. Характеристики чипов и светодиодов


(ЗАО «Оптоган»)

Технология OLED развивается в РФ медленно, отсутствует не только се-


рийное производство устройств освещения, но и производственная и техноло-
гическая базы. Однако, по словам специалистов, по конструкции и технологи-
ческому исполнению российские LED не уступают зарубежным аналогам, и по-
являются возможности выращивать собственные чипы. В этой области ведутся
интенсивные исследования, связанные с тем, что стоимость импортируемых
чипов достаточно высока, поэтому организация их производства в России поз-
волит снизить стоимость компонент в 5–6 раз. Что касается OLED, ряд сильных
научных команд ведет разработки на стадии R&D, и в перспективе могут быть
разработаны органические светильники большой площади при условии эффек-
тивной поддержки этого направления путем закупки за рубежом технологиче-
ских линий для производства OLED.
В целом, для использования перспектив данной отрасли в России необхо-
дима поддержка разработок по светодиодам государством, развитие техноло-
гической вооруженности предприятий и отечественного производства техноло-
гического оборудования (с использованием импортных комплектующих), вве-
дение стандартов контроля качества и развитие диагностических центров для
сертификации устройств и оценки их характеристик. Создание новых произ-
водств потребует подготовки соответствующих научных, инженерных, техни-
ческих и рабочих кадров. Здесь возможным путем является создание нанотех-
нологических научно-образовательных центров. Их задачей будет обучение об-
ращению с оборудованием – эпитаксиальными установками, системами обес-
печения «чистых комнат», установками структурного и оптического контроля
выращиваемых кристаллов и др. Существует ряд технических проблем, касаю-
щихся производственных методов газофазного химического осаждения металл-

54
органических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ),
изготовления однородных структур на подложках большой площади. Для них
уже видны пути решения, и этими вопросами необходимо заниматься в первую
очередь.

3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных


технологий
Электронные технологии могут получить свою первую апробацию и про-
верку на достаточно емком внутреннем рынке для улучшения комфортности
проживания и ведения бизнеса на территории. С другой стороны, одной из про-
блем развития инновационного бизнеса в России является агрессивность среды
и неоптимизированный характер административных процедур. Именно эти
процедуры непосредственно влияют на инвестиционный климат, рост занято-
сти.
В ежегодном докладе Всемирного банка приводился анализ 155 стран по
десяти областям, характеризующих условия создания нового предприятия,
набор и увольнение сотрудников, выполнение контактов, регистрация соб-
ственности, получение кредита, защита инвесторов, закрытия бизнеса, выплата
налогов, получение лицензий, торговля между странами. Оценивались затраты
времени и финансовых расходов, связанных с выполнением соответствующих
положений законодательных актов. Был сделан вывод о том, что уровень разви-
тия страны обратно пропорционален подобным затратам. Для производителей
из развивающихся стран административно-бюрократическое бремя может ока-
заться более дорогостоящим, нежели торговые квоты и тарифы. Доклад опре-
делил страны мира с наиболее благоприятной средой для ведения бизнеса. В
соответствии с докладом 2006 года, список стран-лидеров по инвестиционному
климату возглавляет Новая Зеландия, затем следуют Сингапур, США, Канада,
Норвегия, Австралия, Гонконг/Китай, Дания, Великобритания, Швеция и т.д. В
этом списке Россия занимает 79 место. В частности для открытия собственного
дела в РФ требуется 33 дня и прохождение 8 бюрократических процедур, в
США на это требуется 5 дней и 5 процедур, в Новой Зеландии – 12 дней и 2
процедуры, в Великобритании 18 дней и 6 процедур, во Франции – 8 дней и 7
процедур, в Германии – 24 дня и 9 процедур.
Решать задачу упрощения процедур необходимо с помощью информаци-
онных технологий. Об этом свидетельствует сопоставление стран лидеров по
инвестиционному климату Всемирного банка и данные по уровню развития
электронного правительства ООН. Рейтинг ООН рассчитывается по образова-
тельному уровню населения, развитию инфраструктуры и информационных
сервисов предоставляемых услуг и информации различных правительственных
сайтов стран мира («электронная готовность), а также по такому параметру, как
«электронное участие», то есть степени открытости государства для взаимодей-
ствия с гражданами через Интернет. Согласно этому исследованию ООН, пер-
вое место занимают США, затем Швеция, Австралия, Дания, Великобритания,
Канада, Норвегия, Швейцария, Германия и Финляндия, Россия не вошла в 25
везущих стран ни по одному из этих показателей, заняв 58-е место в мире по готов-
55
ности и 91-е по открытости. Места в этом рейтинге ООН коррелируют с позициями
в рейтинге «электронной готовности» (e-readiness), составленном английским
журналом The Economist и корпорацией IBM, где первую позицию продолжает
занимать Дания, США – 2 место (2004 г. – 6 позиция), Швейцария – 4 место
(2004 г. – 10 позиция). В первую десятку этого рейтинга входят Дания, США,
Швеция, Швейцария, Великобритания, Гонконг, Финляндия, Нидерланды, Норвегия,
Австралия. Россия в этом рейтинге заняла 52 место из 65 возможных.
Среди базовых услуг электронного правительства для бизнеса выделяются:
регистрация новой компании; подача статистических данных; таможенное деклари-
рование; получение разрешений, связанных с охраной окружающей среды; закупки
для государственных нужд, корпоративные налоги. Всего в этот список входит 20
услуг (12 услуг для граждан и 8 услуг для бизнеса). Внутри архитектуры элек-
тронного правительства «жизненные эпизоды» и «бизнес-ситуации» рассматрива-
ются как точки входа к государственным услугам, интегрированным в едином Ин-
тернет-портале.
Проблемами информатизации органов власти РФ является отсутствие коорди-
нации работ между отраслями, многократное дублирование работ по созданию
однотипных информационных систем и ресурсов (ИСиР), ориентация «вовнутрь»
органов исполнительной власти, а не «вовне» к населению и бизнесу, низкая
эффективность использования созданной инфраструктуры.
Таблица 3.2. Состояние разработок электронных технологий
Велико-
Рейтинг и некоторые Авст- Герма-
США Канада брита- Япония Швеция РФ
позиции из рейтинга ралия ния
ния
1.Инвестиционный
3 4 6 9 10 14 19 79
климат
1.1.Открытие бизнеса 3 1 2 9 81 20 47 31
1.2. Лицензирование 17 21 12 29 5 13 20 143
1.3.Найм и увольнение 6 24 14 15 20 86 131 57
1.4.Регистрация соб-
12 27 34 23 36 8 33 35
ственности
1.5.Получение кредита 15 10 3 1 18 30 5 148
1.6.Защита инвестиций 7 3 26 9 14 95 57 73
1.7.Оплата налогов 30 12 14 81 50 38 54 52
1.8.Экспорт/ импорт 17 13 22 21 12 2 3 67
1.9.Ликвидация бизнеса 17 4 15 10 1 18 30 71
2.Готовность к элек-
1 6 3 5 18 2 9 58
тронному обществу
2.1.Уровень развития
технологической ин-
3 11 7 12 17 1 16 64
фраструктуры
2.2. Электронное уча-
2 3 10 1 23 10 15 100
стие

56
Выполняя лишь презентационные, учетно-справочные и контрольные функции,
но оторванные от процессов управления территорией, внедрение ИСиР является
неэффективным и не может обеспечивать целенаправленного повышения каче-
ства жизни населения, комфортности проживания и ведения бизнеса на терри-
тории. Существующие модели построения ИСиР используются, прежде всего, для
автоматизации отдельных ведомственных функций с помощью создания специа-
лизированных автоматизированных рабочих мест (АРМ). Даже когда отрасле-
вые АРМ устанавливаются в органе исполнительной власти, как правило, вы-
двигаются требования к его автономности, отсутствию какой-либо интеграции с
уже используемыми системами. Такое положение приводит к дублированию
ввода информации, препятствует анализу данных, выработке стратегии развития
территории и принятию оперативных решений. В итоге цифровые базы данных
формируются независимо друг от друга, данные могут быть устаревшими, не-
полными и неоднородными по содержанию и качеству, труднодоступные для
поиска и интегрирования, не документированы регламенты их актуализации. В
результате информационные системы и ресурсы являются лишь дорогостоящи-
ми комплексами, требующими трудоемких усилий на поддержание их актуаль-
ности и обслуживания. Такое положение приводит к отсутствию в российских
региональных органах исполнительной власти действующих информационных
систем, демонстрирующих свою экономическую или управленческую эффек-
тивность. Это проблема, характерная не только для России. Например, по оценке
экспертов, во множестве федеральных агентств США существует большое чис-
ло дублирующих процессов и одинаковых бизнес-функций, которые, как правило,
решают идентичные задачи и обрабатывают одни и те же наборы данных.
Существующая традиционная информационная инфраструктура органи-
заций в течение длительного периода формировалась как множество «ост-
ровков» приложений. Для каждого корпоративного приложения создавался свой
собственный серверный комплекс, состоявший из одного или нескольких серве-
ров и массива для хранения данных. В такой инфраструктуре отсутствует мас-
штабируемость. Нагрузка на приложения постоянно колеблется, в результате
чего, например, один сервер может быть загружен по максимуму, в то время как
другой сервер простаивает, будучи загружен лишь наполовину. Как следствие,
госзаказчики приобретают дополнительные серверы и устройства хранения дан-
ных, чтобы обеспечить достаточную вычислительную мощность на период пи-
ковой нагрузки. В остальные периоды мощности серверов используются далеко
не полностью. Согласно исследованию Giga Research, усредненный показатель
загрузки промышленно используемых серверов составляет 30% (то есть в сред-
нем в течение суток в каждый час серверы используются менее 20 минут). Та-
кое положение касается не только компьютерных платформ, но и конфигуриро-
вания программного обеспечения. Согласно исследованиям Gartner Group, за-
траты на компьютерные платформы (21%), программное обеспечение (24%) и
стоимость труда (затраты на эксплуатацию – 40%) в сумме составляют 85%
бюджета службы ИТ современной организации. Задачей является повышение
эффективности затрат на информационно-коммуникационные технологии.
По рейтингу готовности к информационному обществу на первом месте среди
57
регионов России находится Москва. Однако в результате мониторинга движе-
ния Москвы к информационному обществу (опубликованы в 2004–2005 гг. бы-
ли сделаны следующие выводы. Развитие услуг электронного правительства,
оказываемых органами власти разного уровня и городскими организациями
Москвы, все еще находится на начальном этапе, что определяется в первую оче-
редь недостаточной глубиной реализуемых услуг, а также затруднениями , с ко-
торыми сталкиваются пользователи при поиске и получении услуги даже при ее
наличии. Для большинства услуг обеспечено только так называемое «информа-
ционное присутствие», то есть сведения о наличии услуги, но не оказание услуги
как таковой. Для части услуг дополнительно есть возможность скачать элек-
тронный бланк документа. Население, бизнес и институты гражданского обще-
ства не видят ощутимых и понятных результатов вложений в электронное разви-
тие города.
Как свидетельствует международный опыт и «цикл ожиданий внедрения
технологий» (Gartner Group) одной из главных причин разочарований при
реализации принципов электронного правительства является отсутствие интегра-
ции бизнес-процессов, неспособность работать быстрее и более прозрачно. Гос-
ударственные организации должны работать над созданием фундамента совре-
менного успеха, основанного на построения архитектуры и реорганизации
бизнес-операций.
Важным шагом в ускорении, упрощении и удешевлении для граждан, соб-
ственников и инвесторов процессов подготовки административных актов явилась
повсеместная реорганизация деятельности органов власти и городских организа-
ций по принципу «одного окна». Режим «одного окна», подразумевает исключе-
ние необоснованного привлечения заявителей при подготовке документов, выдава-
емых органами власти и государственными организациями. Этот с одной стороны,
простой по формулировке принцип в своем воплощении, подразумевает серьез-
ные преобразования административных структур, внесение множественных из-
менений в нормативную базу и существенное техническое оснащение органов
власти. Например, Правительствен Москвы в течение 2004–2006 гг. составлен
«Единый реестр документов, выдаваемых органами исполнительной власти, гос-
ударственными учреждениями, государственными унитарными предприятиями
города Москвы и территориальными органами федеральных органов исполни-
тельной власти». В Едином реестре документов насчитывается более 300 видов
документов, для каждого разработана регламентная схема его подготовки (раз-
мещены на caйте www.okno.mos.ru). Однако, как свидетельствуют социологиче-
ские опросы, переход к полнофункциональному режиму «одного окна» не про-
изошел. Большинство пользователей услуг не видят изменений или отмечают
ухудшение процесса взаимодействия с органами власти. По данным мониторинга
2005 г. среди руководителей предприятий таких в полтора раза больше, чем
считающих, что получать документы стало легче, а среди населения, воспользо-
вавшегося режимом «одного окна», 30,5% считают, что ничего не изменилось, а
25%, что получать документы стало труднее и только 44,5% – что это стало лег-
че. По результатам опроса, проведенного через сайт Зеленограда, 20% респон-
дентов отметили необходимость сокращения времени на подготовку документов и
58
25% – сокращение количества обращений в службы «одного окна».
Наиболее сложными процедурами подготовки характеризуются документы в
области градостроительства и управления инвестиционно-строительной дея-
тельностью на территории города. Сложность этих процедур выражается в мно-
гостадийности, большом количестве заинтересованных ведомств и значитель-
ном объеме необходимой информации, которая требуется на бумажном носите-
ле. Длительный, сложный, зацикленный, дорогостоящий процесс согласований яв-
ляется проблемой не только для инвесторов, но и для органов исполнительной
власти. В условиях рыночной экономики, снижение инвестиционной привлека-
тельности территории города, приводит к оттоку частных капиталов в более бла-
гоприятные территории, что снижает доходы бюджета и грозит недостатком
средств на решение задач жизнеобеспечения и развития города. Существенное со-
кращение сроков согласований возможно, во-первых, за счет совершенствования
механизмов градорегулирования и повышения степени готовности города к при-
ходу инвесторов. Основным механизмом повышения степени готовности города
к приходу инвестора является качественная подготовка необходимых админи-
стративных актов, в которых заранее отражены все межведомственные требова-
ния к градостроительным объектам и к условиям реализации инвестиционно-
строительных проектов. Во-вторых, за счет информатизации административной
и производственной деятельности; интеграции информационных ресурсов и си-
стем. В-третьих, это информационно-справочное обеспечение управления инве-
стиционно-строительным процессом, включающее централизованные хранилища и
витрины данных. При этом необходимо решишь прежде всего вопрос минимиза-
ции финансирования затрат на создание и последующую эксплуатацию всех
этих систем. Также необходимо гарантировать, что внедряемые или существу-
ющие в настоящее время технологии будут в состоянии на должном уровне
поддерживать потребности будущих бизнес-моделей и целей.

3.8. Формирование современной инфраструктуры


проектирования СБИС «система на кристалле»
В соответствии с «Основами политики РФ в области развития электронной
компонентной базы (ЭКБ) на период до 2010 г. и на дальнейшую перспективу»
в стране развернуты работы по реализации первоочередных важнейших задач
по созданию высокоинтегрированной ЭКБ и аппаратуры нового поколения:
1. Подготовлена отдельная подпрограмма развития ЭКБ до 2010 г. в рам-
ках ФЦП «Национальная технологическая база».
2. В РФ начаты работы по формированию Базовых Центров Проекти-
рования, созданию единой отраслевой САПР.
Однако необходима консолидация на данном направлении усилий всего
радиоэлектронного комплекса, РАН, Высшей школы в целях ускорения созда-
ния современной единой инфраструктуры проектирования электронной компо-
нентной базы и аппаратуры нового поколения.
Проблема проектирования отечественной элементной компонентной базы
на современном этапе включает два аспекта.
Первый – обеспечение предприятий элементной базой импортозамещения
59
в соответствии с имеющимся перечнем фонда УНИЭТ. В основном это схемы
универсального применения (процессоры, память, АЦП, источники питания и
т.д.). Эти микросхемы разрабатываются и производятся по заказу на ведущих
предприятиях России и СНГ («Микрон», «Ангстрем», «Интеграл» и др.) с ис-
пользованием лицензионного программного обеспечения «традиционных»
САПР: схемотехнического моделирования, топологии. В данном случае, струк-
тура проектирования установилась. Имеются лишь проблемы становления оте-
чественной субмикронной технологии
Второй – принципиально новый аспект. По целому ряду направлений при-
оритетной техники двойного применения требуется создание специализирован-
ных микросхем, в том числе высокоинтегрированных микросхем СБИС типа
«система на кристалле» («System on chip»), и эта тенденция будет усиливаться.
СБИС «система на кристалле» – это специализированная СБИС, представляю-
щая аппаратно-программную реализацию на одном кристалле функционально-
законченной части аппаратуры на базе макроблоков: процессорных «ядер»,
блоков памяти, блоков с «жесткой» логикой, аналого-цифровых блоков и т.д.:
• проектируется данная СБИС на системно-функциональном уровне на базе
единых средств САПР СБИС и аппаратуры;
• для ускорения проектирования СБИС часть макроблоков приобретается в
виде заранее разработанных, верифицированных и аттестованных сложнофунк-
циональных (СФ) блоков.
За рубежом в ближайшие несколько лет производство специализирован-
ных схем «система на кристалле» займет по объемам продаж более половины
объема выпускаемых микросхем.
Это касается, в первую очередь, массовой продукции (радиотелефонов,
цифровых теле- и радиоприемников, навигационных приемников и т.д.).
Многократно проведенная (с 2000 г.) НИИМА «Прогресс» инвентаризация
ведущих предприятий РФ в области развития и использования современных
средств САПР СБИС и аппаратуры показала, что только ограниченный ряд
предприятий-разработчиков кристаллов СБИС (НИИМА «Прогресс», НИИЭТ,
НПЦ «Элвис», НТЦ «Модуль», Центры Проектирования «Ангстрема» и «Мик-
рона» и другие) и буквально единицы аппаратостроительных фирм (ВНИИС,
РИРВ и ряд других) имеют определенный современный задел в области САПР
СБИС и аппаратуры и, что особенно важно, опыт разработки специализирован-
ных СБИС и аппаратуры на их основе.
Большинство же предприятий, разрабатывая аппаратуру преимущественно
на импортной элементной базе, используют устаревшую методологию и аппа-
ратно-программные средства САПР.
Таким образом, можно констатировать важность и первоочередность со-
здания современной отечественной инфраструктуры проектирования СБИС
«система на кристалле» и аппаратуры на их основе.
Данная инфраструктура проектирования СБИС и аппаратуры характеризу-
ется следующими особенностями:
1) аппаратурные предприятия, определяющие алгоритмы и архитектуру
СБИС, становятся равноправными непосредственными участниками разработок
60
элементной базы на системном уровне;
2) «традиционная» САПР СБИС дополняется верхним «системным» уров-
нем проектирования, единым как для разработки СБИС, так и аппаратуры. Из
анализа мирового состояния и перспектив развития систем проектирования на
различных уровнях (рис. 3.11.) следует, что, если в 1990 г. реализация проекта
СБИС (начиная с логического уровня) занимала 90% во всем объеме проектных
работ, то в 2000 г. эта доля сократилась до 55%. В ближайшие годы проектиро-
вание на системном и функциональном уровнях будет составлять 70% и только
30% придется на конкретную реализацию проекта «системы на кристалле» в
выбранном «библиотечном» базисе;
3) требования сокращения сроков разработок СБИС «системы на кристал-
ле», содержащих различные узлы (аналоговые, цифровые, программируемые,
память и т.п.), определяют необходимость кооперации различных Центров
Проектирования СБИС, разрабатывающих и применяющих заранее разрабо-
танные и повторно используемые при проектировании СБИС сложнофункцио-
нальные макроблоки (СФ-блоки, в зарубежной литературе – IP-блоки);
4) объединение в СБИС по единой технологии СФ-блоков и библиотек эле-
ментов различных Центров Проектирования кристаллов, создает организаци-
онные и экономические предпосылки использования полупроводниковых
предприятий (включая и зарубежные) в качестве «кремниевых мастерских», ко-
торые предоставляют в распоряжение Центров Проектирования кристаллов
библиотеки стандартных универсальных микроблоков и конструктивно-
технологические правила проектирования (design kit). Таким образом, новая
инфраструктура проектирования должна включать три уровня прохождения
разработок СБИС (рис. 3.11.):
• базовые Дизайн-Центры системного уровня проектирования для различ-
ных направлений техники, создаваемые при ведущих аппаратостроительных
предприятиях;
• центры Проектирования кристаллов СБИС (они же в основном и разра-
ботчики СФ-блоков);
• «Кремниевые мастерские» (отечественные и зарубежные) со своими ди-
зайн центрами.
100%

Архитектурный
80%

60% Функциональный

40%
Логический/Физический

20%

Тестирование
0%
1990 2000 2010

Рис. 3.11. Тенденции проектирования на различных уровнях абстракции

61
Таким образом, данная структура реализует сквозной маршрут проектирова-
ния и производства СБИС.
Первый уровень (см. рис. 3.12.) – Базовые Дизайн-Центры системного уров-
ня. Они должны обеспечивать аппаратно-программное математическое моде-
лирование и верификацию проекта СБИС на системном уровне, с последующей
отработкой прототипа и функциональной верификации будущей СБИС на базе
FPGA и специальных аппаратно-программных платформах. Создание подоб-
ных Центров поднимет на качественно новый уровень проектирования аппара-
турные предприятия, подготовив их к непосредственному участию в процессе
проектирования необходимых для их аппаратуры специализированных СБИС.
Примером подобного Базового Центра системного уровня можно назвать
ВНИИС.
Второй уровень (см. рис. 3.12.) – Центры Проектирования кристаллов.
Включают как Центры проектирования СБИС при полупроводниковых пред-
приятиях, так и самостоятельные Центры (без технологии и производства).
Данные Центры используют созданные аппаратурными предприятиями си-
стемные модели СБИС на языках высокого уровня (VHDL.Verilog) для автома-
тизированного синтеза и оптимизации схемотехники и топологии специализи-
рованных СБИС и формируют заказ на изготовление образцов ЭКБ в «кремни-
евых мастерских» (именно по такому алгоритму взаимодействия ВНИИС и
НИИМА «Прогресс» совместно разработали комплект специализированных
СБИС по технологии 0,35 мкм для изделия «Акведук-К»).
Третий уровень (см. рис. 3.12.) – «кремниевые мастерские» со своими ди-
зайн-центрами (отечественные и зарубежные). Эти дизайн-центры изготавли-
вают микросхемы по документации Центров Проектирования кристаллов и
проводят испытания изготовленных микросхем.
Основные научно-технические и организационные задачи по формирова-
нию инфраструктуры проектирования «система на кристалле»:
– определение состава и организация на основе единых программно-
технических средств САПР функционирования Базовых Центров Проектирова-
ния всех уровней по основным направлениям техники;
– создание единой межотраслевой распределенной САПР СБИС и аппара-
туры с единой информационной средой отечественных и зарубежных микро- и
макроблоков и единым мощным координирующим Межотраслевым Центром
Проектирования систем на кристалле;
– создание методологии проектирования СБИС типа «система на кристал-
ле» на основе использования отечественных и зарубежных СФ-блоков, алго-
ритмически ориентированных аппаратно-программных платформ, новых мето-
дов тестирования и верификации;
– разработка нормативной документации по маршрутам проектирования
СБИС, порядку разработки и передачи СФ-блоков и библиотек элементов, вза-
имодействию предприятий 3-уровневой инфраструктуры;
– создание отраслевого и межотраслевого фонда СФ-блоков;

62
Базовые Дизайн-Центры системного уровня

Росавиа-
РАСУ Минатом Россудо- Другие
Космос
ВНИИС НИИИС Строение БДЦ
РНИИКП

Центры проектирования СБИС

Межотраслевой центр
Проектирования Другие
НТЦ НПЦ СБИС типа Soc Центры
МИЭТ МИФИ НИИЭТ «Ангстрем-М» «Микрон»
«Модуль» «Элвис» НИИМА «Прогресс» Проектир
.
развития электронной
Федеральный фонд

Производители СБИС «кремниевые мастерские»


техники

Центр Ф/Ш
НИИСИ Юг-Вост. Европа,
«Ангстрем-М» «Микрон» НЗПП «Светлана» НИИИС «Ангстрем
РАН Азия США
2М»

Отечественные Зарубежные

Рис. 3.12. Структура базовых дизайн-центров проектирования СБИС и МЭА

– обучение специалистов Центров новой методологии и средствам САПР


СБИС и аппаратуры на базе сети тренинг-центров.
Реализацию вышеуказанных задач предполагается осуществлять в ходе
выполнения комплекса НИОКР и инвестиционных проектов, проводимых в
рамках ФЦП «Национальная технологическая база».
Основные научно-технические задачи по созданию единой межотраслевой
САПР уже решаются в НИИМА «Прогресс». Срок выполнения первого этапа –
2002–2004 гг. В течение 2002 г. разработаны технические предложения по со-
зданию инфраструктуры проектирования СБИС «система на кристалле», вклю-
чающей распределенную сеть Базовых Центров Проектирования системного и
кристального уровней проектирования. Разработан маршрут проектирования
для системного уровня на базе лицензионного ПО САПР SPW, HDS, NC-Sim и
др., а также обобщенный сквозной маршрут проектирования СБИС типа «си-
стема на кристалле».
Обобщенный маршрут (рис. 3.11.) включает четыре уровня проектирования:
системный, функциональный, логический и топологический. Они обеспечива-
ют успешную разработку проекта СБИС типа «система на кристалле». Основ-
ным инструментом разработчика (прежде всего, на системном уровне) является
программный продукт фирмы CADIENCE, как наиболее распространенный в
России, с использованием на отдельных этапах (особенно функциональном)
дополнительных аппаратно-программных средств отечественных или зарубеж-
ных фирм.
На рис. 3.13 представлена структура сети межотраслевой САПР.
Первоначально предлагается в качестве Центров коллективного доступа
использовать программно-технические средства Межотраслевого Центра САПР

63
Сервер САПР систем, РЭА и СБИС Сервер САПР систем, РЭА и СБИС
Центров проектирования региона А Центров проектирования региона В

Сервер САПР систем, РЭА и СБИС


центра САПР SoC на базе ФГУП
НИИМА «Процессор»

Сервер САПР СБИС


Межведомственного
Суперкомпьютерного центра

Сервер САПР систем, РЭА и СБИС Сервер САПР систем, РЭА и СБИС
Центров проектирования региона С Центров проектирования региона D

Рис. 3.13. Структура межотраслевой САПР


СБИС типа «система на кристалле» на базе ФГУП НИИМА «Прогресс» и Меж-
ведомственного Суперкомпьютерного Центра. В качестве каналов связи можно
использовать либо ресурсы Интернета для работы в системе удаленного «ли-
цензионного сервера», либо ресурсы закрытой высокоскоростной сети в режи-
ме удаленного доступа. По мере решения задач оснащения предприятий совре-
менными программно-техническими средствами САПР, на базе ведущих пред-
приятий и вузов регионов могут быть организованы дополнительные Центры
коллективного доступа. В этом случае структура распределенной сети межот-
раслевой САПР СБИС типа «система на кристалле» будет иметь вид, предста-
венный на (рис. 3.13)
Другим важнейшим базисом формирования новой инфраструктуры проек-
тирования является создание нормативных документов на методологию проек-
тирования СБИС «система на кристалле», маршруты проектирования, методо-
логию и стандарты на разработку СФ-блоков и т.д. Данные работы начаты в
РАСУ под руководством ФФРЭТ и при ведущей роли НИИМА «Прогресс». За-
действованы также Центры проектирования НПЦ «Элвис», НИИЭТ, «Светла-
на», МИЭТ, МИФИ и др.
По формированию библиотек и правил проектирования на различные тех-
нологические базисы, головными являются ОАО «Ангстрем» и ОАО «НИИМЭ
и завод «Микрон». Это направление очень важное с точки зрения выполнения
международных требований при взаимодействии с зарубежными «кремниевы-
ми мастерскими».
При этом планируется ориентировать библиотеки СФ-блоков и микроэле-
ментов, прежде всего, на отечественные «кремниевые мастерские», чтобы мак-
симально использовать их ресурс, т. е. для субмикронной технологии (0,35–0,8
мкм) должна использоваться продукция отечественных производителей (тем
более, что большинство зарубежных фирм сняли с производства данные техно-
логии). Если же необходим уровень глубокого субмикрона (ниже 0,35 мкм), то
на данном этапе используются зарубежные «кремниевые мастерские» с соот-
ветствующей аттестацией СФ-блоков и библиотек элементов на данной техно-
логии.

64
3.9. Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого
производства
Опыт наиболее развитых стран, достигнувших успехов в усилении своей
конкурентоспособности, показывает, что конкурентные преимущества дости-
гаются и удерживаются путем борьбы за инновационность в производстве, ак-
центируясь на актуальных для производства областях знаний. Инновацион-
ность производства трансформируется в политику формирования конкуренто-
способных кластеров, вошедшую в национальные прогаммы экономического
развития многих стран. Развитость кластеров коррелирует с конкурентоспособ-
ностью компании, уровнем производительности труда и заработной платы, а
также уровнем качества жизни в целом.
Кластер является сетевой структурой с особенностью географической ло-
кализации, при которой предприятия, входящие в основную технологическую
цепочку создания добавленной стоимости, связаны общими экономическими
интересами и определенной корпоративной культурой взаимодействия, допол-
няет друг друга с целью усиления конкурентных преимуществ и взаимодей-
ствует с поставщиками, потребителями, научными, образовательными и обще-
ственными организациями, посредством обмена товарами, технологиями, ин-
формацией, услугами и т.д. (рис. 3.14.). Кластерная политика, основанная на
инновациях, опирается на эффективное взаимодействие промышленных пред-
приятий, предприятий малого и среднего безнеса, организаций науки и образо-
вания с непосредственным участием ситемы государственной поддержки, что
приводит к конкурентоспособности предприятий на глобальном рынке.

Лидирующие
компании-
экспортеры

Поставщики
комплектующих и услуг
(мелкие и среднии
компании)

Социально-экономическая
инфраструктура
(организации, обеспечивающие
финансовыми, кадровыми
ресурсами, инфраструктурой)

Рис. 3.14. Общая структура кластера

Основополагающим фактором привлечения инвесторов является фактор

65
спроса. Поэтому реализацию алгоритма формирования техниковнедренческой
зоны (ТВ3) предлагается начать с поиска емких рынков сбыта. Для этого рас-
ставленные на федеральном уровне приоритеты, программы и проекты анали-
зируются с точки зрения их реализации в ТВ3. Для достижения максимального
эффекта деятельности ТВ3 в экономике страны применяются междисципли-
нарный подход, выявляются новые рынки, анализируются возможности техно-
логий (военное, гражданское и двойное назначение). Благодаря такому подходу
также объединяются усилия федеральных, региональных и местных органов
исполнительной власти, бизнеса в сфере предвидения в инновационных обла-
стях.
По результатам проведенного исследования национальных проектов в
каждом из них находят применение информационно-коммуникационные тех-
нологии, нанотехнологии и наноматериалы (см. таблицу 3.3).
Таблица 3.3. Анализ национальных проектов с точки зрения
применения результатов деятельности ТВЗ
Националь- Информационно-коммуникационные Нанотехнологии
ный проект технологии и наноматериалы
Эффективное Реализация электронных административ- Нанотехнологии для
государство ных регламентов и принципа «одного ок- защиты ценных бу-
на» маг, удостоверение
личности
Современное Телемедицина Лекарственные
государство Дистанционная подготовка врачей и ком- нанопрепараты, ум-
пьютерные тренажеры ные имплантанты,
Удаленная регистратура, система хране- высокоразрешаю-
ния медицинских данных щие средства меди-
Консультации и семинары ведущими цинской диагности-
специалистами по телемосту, в чатах, с ки, включая моле-
трансляцией показания диагностических кулярную радиоло-
приборов и т.д. гию
Автоматизированный сбор и объединение
клинических и генетических данных о па-
циенте, данных научно-лабораторных ис-
следований, информации об окружающей
среде
Обработка медицинских изображений и
сигналов
Моделирование патологических процес-
сов, экспертные и интеллектуальные ме-
дицинские диагностические системы, ба-
зы знаний
Компьютерные технологии и алгоритмы
функциональной диагностики и прогноза
заболеваний, выбор критериев стандарти-
зации лечебных процедур, оценка риска
распространения заболеваний и т.д.

66
Продолжение таблицы 3.3
Качественное Электронный дневник Обучающие систе-
образование Электронные лаборатории и моделиро- мы с элементами
вание виртуальной реаль-
Чиповая «карта учащегося» ности
Дистанционное обучение, в т.ч. инвали-
дов
Электронные библиотеки и т.д.
Электронное репетиторство и др.
Доступное Энерго-, ресурсосбережение Наносенсоры и
комфортное Системы обеспечения безопасности нанодатчики для си-
жилье (видионаблюдение, сигнализация, био- стемы очистки жид-
метрические системы контроля и пр.) ких и газовых сред,
Дистанционное управление инженерны- новые улучшенные
ми системами («умный» дом, сад и пр.) материалы с помо-
Широкополосное телевидение щью нанотехноло-
Автоматизированное управление датчи- гий (самоочищаю-
ками щиеся стекла и по-
Диспетчеризация электрооборудования и лы, жиростойкая
других систем краска и пр.), нано-
системная техника
для мониторинга и
защиты окружаю-
щей среды
Эффективное Информационное обслуживание кре- Конструирование
сельское стьянского населения (сайты, центры биодеградируемых
хозяйство общественного доступа, мобильные удобрений и средств
группы и пр.) защиты от насеко-
Системы макроэкономического регули- мых в растениевод-
рования и прогнозирования сельхозпро- стве; генетическая
изводства инженерия сельско-
Автоматизированные логические систе- хозяйственных рас-
мы сбыта сельхозпродукции (электрон- тений и животных,
ные биржы и пр.) доставка определен-
Автоматизированные системы монито- ных генов и лекар-
ринга и управления ростом животных ственных препара-
Технологии точного сельского хозяйства тов к клеткам и по-
(управление процессами роста растений, раженным тканям
управление сельскохозяйственной тех- животных, изучение
никой, выравнивание полей через GPS и молекулярных ме-
ГИС, дистанционные бортовые датчики ханизмов устойчи-
для мониторинга урожайности, влажно- вости растений к
сти и пр.) нарушению солевых
балансов и засухе
Развитие ин- Телекоммуникационная инфраструктура Наноматериалы для
фраструктуры Технологии triple play и др. преобразования и
хранения энергии

67
Алгоритм формирования кластеров должен обеспечивать полный цикл со-
провождения инновации от идей до международного маркетинга, соответство-
вать всем элементам существования эффективной коммерческой организации –
от подготовки кадров, устойчивости финансового обеспечения, производствен-
ной инфраструктуры до элементов комплекса маркетинга, в том числе между-
народного. Как показал анализ, наиболее значимыми факторами, влияющими
на формирование эффективного наукоемкого кластера являются инвестицион-
ные, кадровые, производственные, управленческие, инновационные, инфра-
структурные и конкурентные.
С учетом данных факторов, для достижения поставленных целей и задач
ТВЗ оптимальной является система, основанная на четырех методических бло-
ках. Выделенные блоки соответствуют необходимым системам формирования
наукоемких кластеров, устойчивого кадрового обеспечения, ин-
фраструктурного обеспечения в режиме «одного окна», интеграции в междуна-
родное разделение труда и глобальные инновационные процессы. В результате
реализации методики формируется сбалансированная для целей развития
наукоемкого бизнеса инфраструктура ТВЗ.
Кластер должен объединить участников на долгосрочной основе в рамках
единой неразрывной технологической цепочки, интеграционных и технологи-
ческих взаимосвязей, в которых участники – поставщики и потребители услуг
друг друга. Для снижения издержек и экономии ресурсов на основе дробления
функций и бизнес-процессов экономически целесообразен аутсорсинг вспомо-
гательных производств по контрактам подрядчикам, в том числе из других ре-
гионов и стран. При этом кластер - это гибкая и динамичная структура в ре-
зультате непрерывных процессов формирования, развития и распада, адаптации
к меняющимся требованиям рыночной среды, появлению новых производств,
расширению ассортимента продукции, инновационности производств.

3.10. Форсайт в области нанотехнологий


Слово «Форсайт» буквально означает «взгляд в будущее» (Foresight – в
переводе с английского означает «предвидение»). Это новый инструмент дол-
госрочного прогнозирования перспектив развития в социально-экономической
сфере, образования, науке и технологии. Качественная национальная програм-
ма развития наноиндустрии требует учета интересов всех слоев граждан страны
– бизнеса, власти, науки, населения.
Кроме того, при разработке необходим анализ как возможностей региона,
тенденций развития страны, так и учет ведущих направлений в мировой науке,
технике, социально-экономическом направлении.
Эти тенденции представители каждой группы населения видят по-своему,
так что опять же требуется консенсус при разработке прогноза. В чем же пре-
имущества Форсайта? Применение этого метода позволяет выделить нанотех-
нологии, на освоение которых должен быть направлен максимум инвестиций.
Вовлечение в процесс Форсайта широких масс общественности, представите-
лей науки и бизнеса, позволяет сформировать наиболее объективную картину,
которая, отвечает, интересам всех групп населения. Более того, использование:
68
Форсайта, позволяет заинтересовать все участвующие структуры в достижении
целей. В рамках Форсайта экономические субъекты заново оценивают свое ме-
сто в экономической системе. Такой взгляд «со стороны» позволяет, рассмот-
реть новые зарождающиеся перспективные рынки и начать их осваивать рань-
ше конкурентов.
Одним из основных, элементов Форсайта является создание информаци-
онной базы, способствующей проведению, сканирования и мониторинга, на
этапе аналитического анализа, а затем и при формировании экспертных групп
для Дельфа-метода при разработке сценариев развития нанотехнологии.
Например, с учетом динамики развития микросистемной техники и пере-
хода от технологических приемов микроэлектроники к нанотехнологии, ис-
пользованию наноматериалов и созданию наносистемной техники в ноябре
1999 г. был создан журнал «Микросистемная техника». После публикаций в
2003 г. и 2004 г. статей по развитию нанотехнологии в России и введения но-
вых рубрик с учетом наносистемной техники было расширено название журна-
ла, и с 2005 г. он выходит под названием «Нано- и микросистемная техника».
Журнал включен в Перечень научных и научно-технических изданий ВАК Рос-
сии, для кандидатских и докторских диссертаций и выпускается при научно-
методическом руководстве Отделения информационных технологий и вычис-
лительных систем Российской академии наук.
В настоящее время Министерство образования и науки Российской Феде-
рации проводит работы в соответствии с утвержденным Президентом Россий-
ской Федерации перечнем критических технологий Российской Федерации,
объединенных в приоритетное направление «Индустрия наносистем и материа-
лов». Дальнейшие работы Минобрнауки России планирует проводить в рамках
федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в
Российской федерации на 2008–2010 годы».
В России сложилась ситуация в которой по официальной программе со-
здания индустрии наносистем и материалов проводится 100–150 мелких работ
(2 млн. руб. на один год) и 30–130 комплексных работ (8 млн. руб. на 2–3 года).
Остальные работы (их на один-два порядка больше) проводятся на «обще-
ственных» началах или с привлечением частных инвестиций.
Одновременно с официальным движением в области нанотехнологий
начали развиваться инициативные группы, потому что в нашей стране эта про-
блема далеко не новая. Такие группы можно отнести к «общественным», так
как специалисты, занимающиеся нанотехнологией, не попали в программы
Минобрнауки России, сами организовались и стали издавать свои труды на эту
тему.
По инициативе Председателя Совета Федерации С.М. Миронова и Коми-
тета СФ по науке, культуре, образованию, здравоохранению и экологии (пред-
седатель комитета профессор В.Е. Шудегов) был создан координационный со-
вет по нанотехнологиям, который призван определить экономические, соци-
альные и экологические последствия перехода к новому качеству новых про-
дуктов. По инициативе координационного совета было проведено первое Все-
российское, совещание по нанотехнологиям (май 2006 г., Москва), на котором
69
присутствовали 157 представителей научных, учебных, производственных и
финансовых структур более чем 80 организаций всех регионов России. По ре-
зультатам работы совещания была издана «Белая книга», содержащая концеп-
цию развития работ по нанотехнологиям в Российской Федерации и перечисле-
ние наиболее значимых научных и практических результатов. На заседании Ко-
ординационного совета по нанотехнологиям в апреле 2007 г. был заслушан до-
клад о европейской технологической программе, цель которой – развитие хи-
мической промышленности. Европейский союз декларировал этой программой
свою задачу – создать безопасную, комфортную, недорогую среду жизни чело-
века.
С каждым годом значительно возрастает число конференций и докладов на
них, связанных с внедрением нанотехнологии в производство и созданием
спецтехнологического оборудования. Вопрос заключается в том, как ускорить
внедрение полученных результатов в производство и создать наноидустрию,
как создать условия для внедрения результатов в повседневную жизнь граждан
России и улучшить качество их жизни.
В стране создан государственный орган – Совет по нанотехнологиям под
председательством первого вицепремьера С.Б. Иванова. Одна из задач Редак-
ционного совета, авторов научных публикаций – довести, до сведения этого
Совета научные и прикладные разработки в области наносистемной техники
всех регионов Российской Федерации. Особое значение имеет Президентская
инициатива «Стратегия развития наноиндустрии (от 24 апреля 2007 г.)», ориен-
тированная на создание и закрепление научного приоритета Российской Феде-
рации в области индустрии наноситем и материалов.
Форсайт может быть связан не со всей нанотехнологией, а основываться на
нескольких критических технологиях. Целью социально-экономических иссле-
дований в области нанотехнологий является вклад в технологическую политику
страны, возможность заранее предупреждать малые и средние предприятия об
угрозах и возможностях их развития, а также создавать сети этих предприятий.
Гибкость инструментария Форсайта позволяет использовать его в различ-
ных областях и сферах деятельности. Кроме того, опыт применения Форсайта в
разных странах показывает, что инструментарий Форсайта можно видоизме-
нить исходя из потребностей и специфики конкретной страны.
Значительная эластичность инструментов Форсайта позволяет использо-
вать его не только на уровне государства, но и на уровне региона. Имеется по-
ложительный опыт использования Форсайта в странах с абсолютно различны-
ми институциональными условиями позволяет надеяться на успех его приме-
нения в различных регионах России при создании наносистемной техники.

3.11. Дорожные карты и их применение


Тенденцией последних двух десятилетий в мире стало развитие прогноз-
ных исследований, связанных с определением перспективных направлений
научно-технологического и инновационного развития, а также оценкой послед-
ствий принятия управленческих решений в сфере науки и технологий. Такие
исследования являются сегодня неотъемлемым компонентом государственной
70
научно-технической и инновационной политики всех развитых стран. На осно-
ве долгосрочных прогнозов определяются приоритетные области науки и тех-
нологий, являющиеся объектами государственной поддержки. С их помощью
формируются национальные научно-технические программы, определяются
стратегические направления инновационного развития, разрабатываются кон-
кретные меры государственной политики в этой сфере.
Темпы изменения научно-технологического и инновационного простран-
ства сегодня настолько высоки, что обеспечить эффективность экономической
деятельности, не проводя его оперативный и квалифицированный мониторинг,
практически невозможно.
Для обеспечения устойчивого развития требуются знания о том, на какие
рубежи выйдут наука, техника и технологии не только в краткосрочном перио-
де, но и в достаточно отдаленном будущем.
К настоящему времени практически во всех промышленно развитых стра-
нах сформированы представления об ориентирах научно-технической деятель-
ности, наиболее важных с точки зрения социально-экономического развития в
целом. К ним, как правило, относятся информатика и телекоммуникации, нано-
технологии и новые материалы, живые системы и экология, а также другие
направления, выделенные с учетом специфики конкретной страны. Этим
направлениям может быть присвоен ранг национальных приоритетов. Так, ис-
следования в сфере нанотехнологии сегодня включены в число приоритетов в
таких странах, как США, страны Европейского Союза, Япония, Китай и Россия.
В развитых странах деятельность по стратегическому прогнозированию
осуществляется в рамках национальных программ с использованием системы
методов, объединенных общим названием «Форсайт». Форсайт представляет
собой систему методов экспертной оценки стратегических перспектив иннова-
ционного развития, выявления технологических прорывов, которые способны
оказать максимальное воздействие на экономику и общество в средне- и долго-
срочной перспективе.
Использование Форсайта наиболее эффективно в тех случаях, когда необ-
ходимо выявить пути решения долгосрочных социально-экономических про-
блем, повысить конкурентоспособность отечественных товаропроизводителей
путем усиления инновационной активности. Его развитие связано с растущей
потребностью в использовании методов долгосрочного прогнозирования, не
только основанных на экстраполяции существующих тенденций, но и учиты-
вающих возможные технологические прорывы в будущем. Элементом Форсай-
та является развитие системы коммуникаций между различными организация-
ми, вовлеченными в этот процесс. Поэтому его применение целесообразно, ко-
гда принятие стратегических решений требует консенсуса между различными
сторонами – государством, бизнесом, обществом.
За последние 15–20 лет в ведущих странах мира Форсайт стал основным
инструментом долгосрочного прогнозирования перспектив инновационного
развития общества. Используемые в нем подходы направлены на систематиче-
скую оценку долгосрочных (до 25–30 лет) перспектив развития науки, техноло-
гий, экономики и общества. С помощью Форсайта достигается согласованное
71
ведение тех направлений научно-технологического развития, которые обеспе-
чивают повышение конкурентоспособности страны на мировой арене и реше-
ние наиболее важных социально-экономических проблем. Во многих Форсайт-
проектах в качестве одной из основных областей исследования рассматривают-
ся нанотехнологии.
Практика использования Форсайта на различных уровнях управления –
национальном, региональном, отраслевом, корпоративном – сегодня весьма
разнообразна. Ниже будут рассмотрены отдельные, наиболее характерные при-
меры таких проектов, нацеленные на определение приоритетов развития стра-
ны в целом, отдельных отраслей и сфер деятельности.

3.11.1. Прогноз инновационного развития в Японии


Япония относится к числу стран, имеющих большой опыт применения
Форсайта для выработки приоритетов в сфере науки и технологий. Начиная с
1970 г. каждые пять лет в стране разрабатывается научно-технологический про-
гноз с использованием метода Дельфи. Горизонт прогнозирования равен 30 го-
дам.
Особенностью метода Дельфи, который применяется в японском прогнозе,
является многораундовый характер экспертных опросов. Опрос экспертов про-
водится в два последовательных раунда, причем в ходе второго раунда экспер-
там сообщаются интегрированные результаты первого раунда. Такой подход
позволяет уточнить обобщенное мнение экспертной группы и повысить согла-
сованность итоговых оценок.
Восьмой японский прогноз, завершенный в 2005 г., является характерным
примером национального Форсайт-проекта, в котором нанотехнологии рассма-
триваются в качестве одного из приоритетных направлений инновационного
развития. В ходе исследования экспертами были проанализированы 858 тем,
сгруппированных в 10 тематических разделов. Общее число экспертов, которые
приняли участие во втором туре опроса, составляет 2239 человек. По результа-
там прогноза были выявлены и описаны 130 конкретных направлений иннова-
ционной деятельности.
Нанотехнологическая тематика в прогнозе распределена по подразделам,
каждому из которых была дана краткая характеристика в плане его научной и
экономической значимости:
1) моделирование наноматериалов;
2) наноизмерения и наноанализ;
3) нанотехнологии в производственных процессах;
4) нанотехнологии для получения новых материалов и веществ;
5) упавление структурой материалов на наноуровне;
6) наноприборы и сенсорные наноустройства;
7) наноэлектронномеханические системы;
8) нанотехнологии для сферы экологии и энергетики;
9) нанобиологические устройства;
10) нанотехнологии и качество жизни.
Прогноз позволил оценить сроки получения принципиально значимых
72
нанотехнологических решений, которые в дальнейшем могут найти практиче-
ское применение в указанных областях. Что же касается регулярного коммер-
ческого использования, оно, по оценкам японских экспертов, станет возмож-
ным спустя приблизительно еще 10 лет.

3.11.2. «Глобальная технологическая революция»


(Корпорация RAND, США)
Одним из наиболее масштабных исследований современного научно-
технологического пространства является работа «Глобальная технологическая
революция – 2015» (Тенденции в области биотехнологий, нанотехнологии, ма-
териалов и их синтез с информационными технологиями к 2015 г.), подготов-
ленная американской аналитической корпорацией RAND в 2001 г. В исследо-
вании рассматриваются глобальные технологические тренды в перечисленных
областях, анализируется их возможное влияние на развитие информационных
технологий, а также на различные стороны экономической и социальной жизни
общества.
По мнению американских исследователей, главными направлениями со-
временного научно-технологического развития являются биотехнологии, нано-
технологии, технологии новейших материалов и информационные технологии.
В синтезе инноваций в области нанотехнологии, биотехнологий и новых мате-
риалов эксперты видят большие перспективы для социально-экономического
развития и повышения качества жизни населения. В области новейших матери-
алов особо выделяются так называемые смарт-материалы («умные материа-
лы»), свойства которых могут изменяться в соответствии с условиями эксплуа-
тации, что обеспечивает их успешное функционирование в изменяющихся
условиях.
В 2006 г. корпорация RAND опубликовала очередное исследование по
проблематике мирового научно-технического и инновационного развития –
«Глобальная технологическая революция – 2020.
Вывод, сделанный экспертами в ходе исследования, заключается в том, что
«глобальная технологическая революция» проявит себя наиболее суще-
ственным образом в таких базовых областях научно-технологического прогрес-
са, как био- и нанотехнологии, разработка и создание новых материалов и ин-
форматизация. Этот вывод конкретизируется перечнем из 56 технологий, кото-
рые уже в ближайшей перспективе будут оказывать глубокое и разностороннее
влияние на формирование нового качества жизни. Среди этих технологий экс-
пертами выделены 16 наиболее важных. В их числе: системы использования
солнечной энергии; фильтры и катализаторы для очистки и обеззараживания
воды; адресная доставка лекарств в опухолевые и патогенные зоны; диагности-
ческие и хирургические методы нового поколения; сверхпортативные компью-
теры и др.
В работе подчеркивается, что необходимо значительно усовершенствовать
систему профессиональной подготовки специалистов. Повышение квалифика-
ции должно продолжаться непрерывно с тем, чтобы компенсировать устарева-
ние ранее полученных знаний. Более того, со временем, возможно, придется
73
ввести ученые степени, удостоверяющие многодисциплинарную подготовлен-
ность специалистов, которая становится все более востребованной в сфере
научных исследований. Экспертами также отмечалась растущая важность таких
вопросов, как защита интеллектуальной собственности, поскольку затраты на
создание новых знаний в современных условиях существенно увеличиваются.

3.11.3. Метод дорожных карт и его применение


в практике форсайт-исследований
Круг задач, стоящих перед исследователями, определяет специфику ис-
пользуемых методов. Так, для эффективного управления инновационными
процессами необходимо обеспечить связь между спросом на инновационную
продукцию и ее предложением, которое, в свою очередь, определяется резуль-
тативностью научных исследований и существующими возможностями произ-
водства. Для решения этой задачи в мировой практике используется один из
методов Форсайта – технологические дорожные карты.
Технологическая дорожная карта – это направленный в будущее взгляд на
выбранный круг проблем, представляющий собой продукт коллективного зна-
ния и предвидения наиболее авторитетных специалистов. Она дает комплекс-
ное, взаимосвязанное представление о перспективах развития технологий в
конкретных сферах деятельности, позволяя взаимно увязать программы науч-
ных исследований, создания промежуточных и конечных продуктов, а также
показать, их связь, с намеченными целями развития.
Дорожные карты имеют ряд отличий от других методов прогнозирования.
Существенная особенность, метода заключается в том, что он не только позво-
ляет сформировать определенное видение будущего, но и способствует вовле-
чению научного, образовательного и бизнес-сообществ в процесс достижения
поставленных целей. Это достигается за счет широкого использования эксперт-
ных методов при построении дорожных карт, развития системы коммуникации
и механизмов обратной связи между участниками.
Отличительной чертой дорожных карт является детальный учет фактора
времени. Этапы инновационного цикла для различных продуктов и технологий
отображаются на единой линии времени, при этом делается акцент на согласо-
вании временных координат действий и событий. Такой подход позволяет свя-
зать воедино планы научных исследований, разработки и внедрения продуктов.
Дорожная карта позволяет определить степень готовности к производству от-
дельных продукций, одновременно давая представление о долгосрочных тен-
денциях развития рынка. Благодаря этому, например, можно оценить необхо-
димость фундаментальных исследований в тех областях, которые ИС не дают
быстрого коммерческого эффекта, но являются стратегически важными для
развития отрасли.
Еще одна важная особенность дорожных карт – представление результатов
исследования в четкой и понятной форме. Ядром дорожной карты является ак-
туальная схема движения к намеченной цели, которая интегрирует другие ком-
поненты исследования.
Метод дорожных карт может реализовываться различными способами, де-
74
лая упор как на технологические, так и на рыночные аспекты. В зависимости от
поставленных целей исследования могут применяться разные типы дорожных
карт – продуктовые карты (product planning), карты для планирования программ
(program planning) и процессов (process planning) и др.

3.11.4. Разработка технологических дорожных карт


Технологические дорожные карты подобны автомобильному атласу в том,
что показывают, как из начальной точки достичь цели. Поэтому и то и другое в
английском языке получили название – «road map» («дорожная карта»).
Аналогично тому, как дорожная карта показывает пересечение дорог, тех-
нологическая дорожная карта показывает точки пересечения между этапами
исследований или технологиями. Дорожная карта ориентирована на перспекти-
ву и дает прогноз тех путей, которые могут привести к окончательному или же-
лаемому результату. Таким образом, это не только инструмент нормативного
прогнозирования, но и методика планирования.
Исходно метод разработки дорожных карт базируется на хорошо извест-
ном методе оценки и анализа программ – PERT (Program Evaluation and Review
Technique). PERT-метод подразумевает изображение шагов, которые необхо-
димо сделать на пути к достижению цели, в виде схемы (графа), т.е. в виде до-
рожной карты. Эта схема описывает различные альтернативные пути, из кото-
рых можно выделить критический (оптимальный) путь. Данный метод крити-
ческого пути использовался в 1950-х гг. и позже ВМС США при разработке
проекта по созданию ракетного комплекса «Полярис». В начале 1960-х годов
американская авиаракетная компания «Дуглас» по выпуску космической и во-
енной авиатехники (ныне объединившаяся с «Боингом») использовала метод
дорожных карт для описания необходимых этапов подготовки гипотетического
полета на Марс. Многие фирмы, такие как, например, «Моторола» в середине
1980-х годов, использовали эту методологию с целью определения научно-
исследовательских проектов, которые должны быть реализованы при разработ-
ке нового продукта.
Были разработаны важные модификации метода разработки дорожных
карт, в т.ч. включение в методологию вероятностных оценок времени, необхо-
димого для перемещения от одного технологического узла до другого или от
одной технологии до другой, что позволило использовать ее для оценки сроков
окончания работ.
Эта модель получила дальнейшее развитие в виде различных вариаций,
включая метод анализа последовательности разработки технологий (TSA –
Technology Sequence Analysis). Этот метод подразумевает использование стати-
стических методов моделирования оценок времени, необходимого для дости-
жения промежуточных целей. TSA полезен для прогнозирования временных
интервалов, в течение которых может быть достигнут результат, и для измере-
ния времени, необходимого на реализацию промежуточных технологий, от ко-
торых зависит система в целом. На практике некоторые из сетевых графиков
TSA включают тысячи узлов, или промежуточных этапов.

75
Обработка сетей такого размера требует использования эффективного про-
граммного обеспечения и современных баз данных.
В программах Форсайта дорожные карты могут использоваться также при
разработке сценариев и служить в качестве своего рода карты, отображающей
причинно-следственные связи, а также представлять общую структуру сцена-
рия. Если заданы вероятностные оценки путей, соединяющих узлы, они могут
быть использованы для прогнозирования этапов, которые предстоит достиг-
нуть, и для оценки всего пути к цели. Участки между узлами могут служить для
задания времени между последующими этапами; это дает возможность оценить
временные характеристики исследуемой системы.
Ведущим разработчиком и пользователем этого метода применительно к
технологиям были Национальные лаборатории Сандия, входящие в состав Де-
партамента энергетики США. Они описывают три различных типа технологи-
ческих дорожных карт:
1) дорожные карты развития продукта (продуктовые дорожные карты), ко-
торые показывают необходимые шаги для доведения продукта до намеченного
состояния;
2) дорожные карты развития новой технологии (технологические дорожные
карты), которые показывают, как отдельная технология эволюционирует и ка-
кие ресурсы могут быть или должны быть задействованы для ускорения или
изменения хода ее развития;
3) проблемно-ориентированные дорожные карты, в которых технология
описывается как один из многих этапов, связанных с решением или возникно-
вением проблемы.
Дорожные карты подразделяются на два вида: дорожные карты, ориенти-
рованные на продвижение научных результатов по стадиям инновационного
цикла, и дорожные карты поиска технологий для решения уже выявленных
проблем. Дорожные карты «продвижения» обычно используются исследова-
тельскими лабораториями, разрабатывающими и продвигающими свои про-
граммы исследований, в то время как дорожные карты «поиска» могут быть
использованы для определения кратчайшего пути достижения цели или разра-
ботки продукта (технологий). Дорожные карты также подразделяются на карты
научных исследований и технологические дорожные карты. Хотя известен
опыт разработки карт научных исследований, большинство разработанных к
настоящему времени карт относятся к технологическим дорожным картам.
Чем отличаются карты научных исследований от технологических дорож-
ных карт? Ничем, если речь идет о целевых исследованиях, как и в случае с
технологическими дорожными картами, вопрос ставится так: «какие шаги при-
ведут к достижению выбранной цели наиболее эффективным образом?» Но ес-
ли конкретная цель научных исследований не сформулирована, вопрос звучит
иначе: «как может развиваться данное научное направление?» И это вопрос бо-
лее сложный.
Поскольку дорожная карта представляет собой сетевой график с взаимо-
связанными узлами, необходимо рассмотреть, что представляют собой узлы и
связи – линии, соединяющие различные узлы. Каждый узел – определенная ве-
76
ха на разрабатываемой карте. Это может быть узел, имеющий количественную
характеристику (например, цитируемый документ или патент, на который ссы-
лаются последующие патенты), или он может быть охарактеризован качествен-
но с помощью экспертных оценок (например, будущая технология на опреде-
ленном уровне реализации). Линии, соединяющие узлы, – «дороги» на «карте»
– также могут нести информацию. В случае с количественно определенными
узлами линии могут представлять собой количество цитирований одного узла
другим или число патентных ссылок. Если мы имеем дело с субъективными
оценками экспертов, линии могут демонстрировать связи между технологиями:
например, вектор развития технологий, показывающий, что для достижения
определенной технологии необходимо иметь в своем распоряжении другую.
Каждой линии может быть приписано значение, показывающее ожидаемое
время, затрачиваемое на перемещение от одного узла до другого. Или же линии
могут нести информацию об оценках вероятности, что одно достижение (узел)
приведет к другому.
Итак, обычно процесс построения дорожных карт достаточно субъектив-
ный, и для сбора оценок экспертов, которые, в конечном счете, составят суть
«карты», могут быть использованы различные методы.
Способами сбора экспертной информации могут быть семинары, посвя-
щенные определению узловых точек и путей, персональные интервью, а также
метод Дельфи или производные от этого методы. Независимо от используемых
методов сбора экспертных оценок, они должны включать такие этапы, как
определение узлов, структуру взаимосвязей и характеристики путей между уз-
лами, включая, например, запаздывание, затраты, неопределенности и т.п.
Эксперты указывают, что дорожная карта должна отражать следующие
вопросы:
1. «Знать – зачем» – зачем разрабатываются новые технологии или новая
продукция, какова ниша рынка, которую они должны занять. Определение
ключевых сегментов рынка, конкурентов и партнеров. Выбор стратегического
направления.
2. Что должно быть сделано для разработки карт – структурирование обла-
сти. Какие характеристики/свойства наиболее важны? Формулировка долго-
срочных целей.
3. Какие исследования и разработки должны быть выполнены, т.е. должны
быть определены конкретные элементы, узлы дорожной карты.
4. Определение необходимых ресурсов и объемов инвестиций. Отбор
наиболее приоритетных проектов. Выявление и мониторинг областей риска.
Слабые стороны этого метода заключаются в необходимости проведения
углубленной экспертизы и сложности разработки карт. Качество дорожных
карт предопределяется уровнем знаний его разработчиков. Что касается слож-
ности разработки карт, то большинство изучаемых объектов, в конечном счете,
оказываются фрактальными, т.е. чем детальнее анализ, тем больше открывается
деталей, требующих изучения. Если речь идет о фундаментальных исследова-
ниях или быстро развивающихся технологиях, то определение узлов оказывает-
ся достаточно сложной задачей, поскольку среди узлов неизбежно окажутся
77
еще не сделанные открытия. И, наконец, уже сформировавшиеся тенденции мо-
гут оказаться превалирующими. В этом случае дорожная карта будет представ-
лять собой не что иное, как экстраполяцию тенденций.

3.11.5. Международная технологическая карта ITRS


«Международная топологическая карта для полупроводников» (The Inter-
national Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) является одним из
наиболее известных международных исследовательских проектов в сфере до-
рожных карт. Последняя ее редакция опубликована Международным комите-
том по дорожным картам (International Roadmap Committee – IRS) в 2007 г., на
официальном сайте проекта доступны также обновления отдельных материалов
за 2008 г. Спонсорами проекта выступают организации стран-ведущих разра-
ботчиков и производителей полупроводниковой техники (США, Европейский
союз, Япония, Корея, Тайвань). В числе его участников – Европейская ассоциа-
ция полупроводниковой промышленности (ESIA), Японская ассоциация элек-
троники и информационных технологий (JEITA), Корейская ассоциация полу-
проводниковой промышленности (KSIA), а также Американская ассоциация
полупроводниковой промышленности (SIA).
Особенностью дорожной карты ITRS является ее регулярное обновление.
Очередной раунд исследований проводится каждые два года, в промежутках
делается частичное обновление, что позволяется регулярно оценивать развитие
полупроводниковой промышленности, а также определять кратко- и долго-
срочные ориентиры.
Базовое предположение, на котором основывается построение карты, свя-
зано с тем, что технологические инновации в отрасли призваны обеспечить
продолжение тренда ее развития, известного как закон Мура. Согласно этому
закону, в электронных микросхемах количество транзисторов на кристалле
удваивается каждые два года. Основной вопрос исследования звучит следую-
щим образом: на базе каких технологических решений возможно дальнейшее
развитие отрасли в соответствии с законом Мура. Таким образом, дорожная
карта сосредотачивается на прогнозировании появления новых передовых тех-
нологий в области полупроводников, которые позволят перейти к выпуску про-
дуктов с существенно более высокими характеристиками.
В работе над проектом приняло участие 1288 экспертов, из которых 21% –
представители научных исследовательских организаций, 53% – представители
производственной сферы, 20% – компаний-поставщиков материалов и обору-
дования. В рамках исследования были рассмотрены такие вопросы, связанные с
развитием отрасли, как проектирование, тестирование, литография, перспек-
тивные материалы и устройства, метрология, охрана окружающей среды и др.

3.11.6. Технологическая дорожная карта для


производственных наносистем Института Форсайта в
области нанотехнологий, США
В числе известных исследовательских проектов, связанных с построением

78
дорожных карт развития нанотехнологий, следует упомянуть «Технологиче-
скую дорожную карту для производственных наносистем».
Дорожная карта, представленная в октябре 2007 г., является одним из
наиболее крупных последних проектов Института Форсайта в области нанотех-
нологий (Foresight Nanotech Institut), входящего в число ведущих американских
центров в области стратегического прогнозирования. Проект реализован при
поддержке фонда Waitt Family Foundation, Sun Microsystems, а также Nanorex,
Zyvex Labs и Synchrona.
Дорожная карта рассматривает вопросы развития технологий с атомной
точностью (Atomically precise technologies, APT) и охватывает временной гори-
зонт в 30 лет. Она представляет собой наглядный план действий по созданию
атомарно-позиционных производственных технологий.
Дорожная карта показывает, что указанную цель можно достичь путем
стимулирования международного сотрудничества, сконцентрировав усилия на
двух стратегиях, которые могут иметь значительный долгосрочный эффект –
разработка атомарно-прецизионных технологий по производству «чистой»
энергии и созданию экономически эффективной энергетической инфраструкту-
ры, а также разработка атомарно-прецизионных технологий по производству
новых нанолекарств и функциональных терапевтических и диагностических
устройств.
Примером использования метода дорожных карт для формирования госу-
дарственной научно-технической политики является «Дорожная карта научных
исследований в области нанотехнологий», разработанная в Новой Зеландии при
поддержке Министерства исследований, науки и технологий. Стратегия в обла-
сти нанотехнологий и нанонауки, изложенная в этом документе, рассчитана на
период от 5 до 10 лет. По замыслу разработчиков, она будет способствовать
решению общегосударственных задач, связанных с обеспечением устойчивого
экономическим путем повышения производительности, увеличения объемов
производства, а также явится стимулом для устойчивого развития экономики и
повышения общественного благосостояния.
Для достижения этих целей планируется, что в период до 2010 г. инвести-
ции в сферу нанотехнологии должны направляться преимущественно на под-
держку фундаментальных исследований, которые создают базы для дальней-
ших разработок. В среднесрочном периоде (до 2015 г.) вложения следует ори-
ентировать на те сферы, которые способствуют повышению прибыльности су-
ществующих отраслей промышленности. В долгосрочной перспективе большая
часть инвестиций должна быть направлена на поддержку проектов, которые
связаны с новыми областями применения нанотехнологий.
Исследование выявило следующие перспективные направления развития
наноиндустрии: нанотехнологии для энергетики, бионанотехнологии, нанотех-
нологии в стекловолоконной оптике, наноэлектроника и нанооборудование, на-
но- и микроструйная техника, наноматериалы для промышленности.
Ключевыми областями применения нанотехнологий в промышленности
являются отрасли, связанные с электроникой, информационными и коммуника-
ционными технологиями, медициной, производством вооружений и др. Отме-
79
чен растущий интерес к использованию нанотехнологий в таких отраслях, как
пищевая, текстильная промышленность, агропромышленный комплекс.
По мнению разработчиков документа, применение нанотехнологий в про-
мышленности позволит достичь следующих результатов: увеличение произво-
дительности и создание новых отраслей, увеличение объемов производства,
прогресс в сфере медицины, улучшение экологической обстановки.
В документе подчеркивается, что большинство проводимых исследований,
связанных с нанотехнологиями, относятся к категории фундаментальных, они
не ориентированы напрямую на потребности конкретных отраслей и рынков.
Результаты исследовательских проектов могут быть в большей степени ком-
мерциализированы за рубежом, чем на территории страны.

3.11.7. Дорожные карты развития наноиндустрии в России


В России растущее внимание к дорожным картам как методу прогнозирова-
ния связано с увеличением вклада инноваций в экономический рост, повышением
сложности и наукоемкости конечных продуктов, развитием конкуренции.
Увеличивается количество факторов, которые нужно учесть при построении
прогнозов. В их числе – состояние внешней среды организации, развитие науч-
ных исследований и коммерциализация их результатов, наличие взаимодополня-
ющих и конкурирующих производств, существование альтернативных стратегий
достижения целей (в т.ч. связанных с использованием различных технологиче-
ских решений) и др. Благодаря использованию метода дорожных карт можно пред-
ложить комплексный подход к решению поставленных задач.
На необходимость использования дорожных карт как инструмента про-
гнозирования инновационного развития в сфере наноиндустрии указывает
Стратегия деятельности Государственной корпорации РОСНАНО до 2020 г.:
«Корпорация участвует в разработке средне- и краткосрочных прогнозов и
планов научного, технологического и рыночного развития наноиндустрии –
дорожных карт. Дорожные карты будут использоваться Корпорацией как инстру-
мент для ориентирования и поддержки деятельности других участников иннова-
ционного процесса и формирования инвестиционных проектов», – говорится в
этом документе.
Проект по разработке технологических дорожных карт реализуется на
базе Форсайт-центра Государственного университета – Высшей школы эко-
номики, в течение многих лет ведущего системные исследования с использо-
ванием методологии Форсайта. В процессе исследования был определен ряд
областей, для которых осуществляется построение пилотных карт.
Среди них:
– атомный энергопромышленный комплекс;
– ракетно-космическая промышленность;
– авиастроение;
– медицина;
– очистка питьевой воды для населения.
На следующем этапе к указанному перечню будут добавлены дорож-
ные карты по энергосбережению, углеродному волокну и катализаторам для
80
нефтепереработки.
Указанный перечень областей для разработки технологических дорожных
карт не является исчерпывающим. В рамках проекта разрабатывается подход,
позволяющий определить приоритетные направления построения дорожных карт
на основе масштабного экспертного опроса по методу Дельфи. Задача опроса со-
стоит в том, чтобы определить конкретные виды продуктов, инновационные свой-
ства которых будут обусловлены использованием при их производстве прин-
ципиально новых компонентов, создаваемых на базе нанотехнологий. Такие про-
дукты должны существенно превосходить традиционные изделия по своим
технико-экономическим характеристикам или же обладать новыми потребитель-
скими свойствами.
Перечень продуктов, по которому будет проводиться прогноз, формируется
таким образом, чтобы он в совокупности отражал наиболее характерные тенден-
ции развития основных секторов наноиндустрии. На предварительном этапе экс-
пертами был разработан список, включающий порядка тысячи подобных продук-
тов. В нем выделяются порядка 20 предметных областей, каждая из которых
ориентирована на определенный рынок конечной продукции. В числе таких об-
ластей: продукты питания и напитки; текстильные изделия и изделия из кожи;
фармацевтика; бытовая химия и парфюмерия; вычислительная и офисная тех-
ника; осветительное оборудование; автомобильный транспорт; авиационная и
космическая техника; электроэнергетика; холодное и горячее водоснабжение,
отопление; строительные материалы и техника и ряд других.
К опросу будут привлечены эксперты – представители широкого круга
научных и производственных организаций. По итогам исследования из указанно-
го перечня будут выделены продуктовые группы, развитие которых эксперты счи-
тают приоритетным с точки зрения повышения конкурентоспособности россий-
ской экономики, а также решения социальных задач. Для этих продуктовых
групп будут разрабатываться отдельные дорожные карты.
Поскольку экспертные методы применяются не только при выделении продук-
товых групп, но и при разработке самих дорожных карт, это позволяет вовлечь в
проект большое число заинтересованных участников, сформировать систему
коммуникаций между ними. Благодаря этому стратегия долгосрочного развития
отрасли, обозначенная в дорожной карте, отражает баланс интересов разных эко-
номических агентов. На стороне предложения конечных и промежуточных това-
ров выступают производители, а также разработчики необходимых для этого тех-
нологических решений. Сторона спроса представлена организациями, которые
используют промежуточные продукты и технологии в своем производственном
процессе, а также государственными органами, формирующими внерыночный
спрос. Особое место в этой системе принадлежит населению, которое предъявляет
спрос на конечные товары. Для изучения спроса населения на инновационные
продукты используются специальные методы.
Развитие системы коммуникаций между экономическими агентами является
важным элементом разработки карты. В частности, оно способствует расширению
кооперационных связей в отрасли, формирует институциональную среду для до-
стижения поставленных целей развития.
81
Взаимодействие участников разработки дорожной карты не должно но-
сить характер одностороннего информирования. Развитие механизмов обратной
связи – важный элемент совершенствования предлагаемых разработок. Для ре-
шения этой задачи могут использоваться различные формы их общественного об-
суждения. Одной из таких форм является создание технического комитета с уча-
стием представителей научного сообщества и бизнеса.
По итогам рассмотрения дорожной карты технический комитет может вы-
сказывать предложения по ее доработке и применению, давать экспертные за-
ключения относительно полноты и достоверности полученных результатов.
Мировой опыт показывает, что при надлежащем качестве разработки и привле-
чении ведущей части экспертного сообщества Форсайт и, в частности, технологи-
ческие дорожные карты могут стать эффективным инструментом долгосрочного
стратегического планирования развития сферы нанотехнологий.

3.11.8. Примеры технологических дорожных карт


В мировой практике используются различные подходы к построению до-
рожных карт развития наноиндустрии.
На первом Международном форуме по нанотехнологиям, прошедшем в
декабре 2008 г. в Москве, Российская корпорация нанотехнологий (РОСНАНО)
представила пилотную версию дорожной карты развития светодиодной про-
мышленности и общего освещения, подготовленную РОСНАНО с участием
Высшей школы экономики (ГУ ВШЭ).
Руководитель сертификационного центра РОСНАНО Виктор Иванов при-
вел результаты анализа рынка светотехники, дал оценку перспектив светодиод-
ной отрасли в России и рассказал о проблемах, которые необходимо решить
для создания производства светодиодных устройств освещения.
Ведение работ в рамках дорожных карт является одним из важнейших
принципов РОСНАНО. Цель создания дорожной карты по светодиодам – раз-
витие в России нового направления промышленности, основанного на нанотех-
нологиях: массового производства светодиодов и светотехнических устройств
на их основе.
Дорожная карта должна учитывать многие аспекты организации и ведения
производства. Для работы над ней Корпорация сформировала авторитетный
технический комитет, в который, помимо специалистов по экономике и технике
от РОСНАНО, вошли представители ГУ ВШЭ, университетов и институтов
РАН, а также эксперты от сообщества производителей светодиодов освещения.
Важнейшие из вопросов, рассматриваемых в дорожной карте, – это харак-
теристика рынков конечной продукции, сегодняшний объем ее использования и
ожидаемый в будущем; технологические аспекты, т.е. знания и оборудование,
актуальные для развития светодиодных устройств; ресурсная база, необходимая
для организации их производства. В связи с ориентацией на создание производ-
ства на территории России особое внимание в дорожной карте РОСНАНО уде-
ляется кадровым вопросам.
Приведенный в дорожной карте анализ рынка опирается на авторитетные
мнения международных организаций, специализирующихся в области рыноч-
82
ных исследований, и, в части российского рынка, – на информацию компании
РБК.
Корпорацией РОСНАНО сделан первый шаг к созданию в России нового
производства: совместно с группой компаний ОНЭКСИМ и Уральским опти-
комеханическим заводом создана компания по производству светотехники но-
вого поколения на неорганических гетероструктурах. Объем инвестиций Кор-
порации в проект составляет 1,776 млрд. рублей, общий объем инвестиций –
3,351 млрд. рублей. В то же время, РОСНАНО будет стремиться развивать и
модифицировать дорожную карту, в результате чего в России к началу 2013 г.
может заработать производство неорганических светодиодов.

3.12. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в


2008 году и основные задачи на 2009 год
3.12.1. Общие сведения
Ниже приводятся материалы, опубликованные директором Департамента
радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ В. Минаевым.
В радиоэлектронной промышленности (РЭП) в течение последних трех лет
осуществлялся комплекс мер по обеспечению стабильного развития промыш-
ленного производства и научно-технической деятельности. Однако охвативший
мир и страну финансовый кризис негативно повлиял и на РЭП. Ухудшившееся
состояние финансового рынка повышает риски стабильного развития РЭП. За
истекший год основные задачи по дальнейшему развитию отрасли, сформули-
рованные в ходе расширенного совещания руководителей предприятий радио-
электронного комплекса, практически выполнены.

3.12.2. Основные показатели развития РЭП


В 2008 г. общий объем товарной радиоэлектронной продукции вырос в со-
поставимых ценах по сравнению с 2007 годом на 17,0%, в том числе продукции
специального назначения – на 21,5%, гражданской продукции – на 6,7%. Доля
продукции специального назначения в общем объеме товарной продукции со-
ставила 76,2%. В общем объеме товарной продукции наибольшие изменения
произошли в промышленной продукции, см. таблицу 3.4.

Таблица 3.4. Итоги промышленной деятельности предприятий РЭП


в 2008 г. относительно 2007 г.
Показатели Отношение 2008 г. к 2007 г., %
Темпы роста производства промышлен-
ной продукции в сопоставимых ценах
РЭП 111,7
ОПК 103,4
Темпы роста производства специальной
продукции в сопоставимых ценах
РЭП 114,1

83
Продолжение таблицы 3.4
ОПК 101,7
Темпы роста производства продукции
гражданского назначения в сопостави-
мых ценах
РЭП 107,3
ОПК 105,8
Удельный вес продукции специального
назначения в общем объеме промышлен- 66,4
ного производства
В 2008 г. объемы производства промышленной продукции предприятий
РЭП выросли на 11,7% по сравнению с 2007 г. Выпуск специальной продукции
вырос на 14,1%, продукция специального назначения составила около 66,4%
всего промышленного производства. Объем выпуска продукции гражданского
назначения вырос только на 7,3%.
Объем производства научно-технической продукции вырос на 22% по
сравнению с прошлым годом, в том числе объем продукции специального
назначения вырос на 24,4%, а гражданского назначения – на 9,3%. Удельный
вес научно-технической продукции специального назначения в общем объеме
НТП составляет 85,4%. Объем проводимых НИОКР вырос на 22,1%.
Показатели последних месяцев 2008 г. производственно-хозяйственной и
научно-технической деятельности предприятий РЭП оказали негативное влия-
ние на финансовые результаты деятельности радиоэлектронной промышленно-
сти. Общий объем прибыли, полученной предприятиями РЭП в 2008 г., соста-
вил почти 13,8 млрд. руб. и вырос на 11,5% по сравнению с прошлым годом,
хотя в середине года прогнозировалась большая величина.
Дебиторская и кредиторская задолженности значительно возросли. Дебитор-
ская задолженность в 2008 г. составила 62,3 млрд. руб. и выросла по сравнению
с 2007 годом на 22,9%. Кредиторская задолженность в 2008 г. составила
90,9 млрд. руб. и выросла на 27,8% по сравнению с 2007 г.
Среднегодовая численность работников РЭП в 2008 г. составила 295,2 тыс.
человек и сократилась на 1,4% по сравнению с 2007 г., в том числе в промыш-
ленности 204,4 тыс. человек (сокращение на 1,6%), в науке – 90,8 тыс. человек
(сокращение на 1,0%).
Возросла выработка товарной продукции: в промышленности она состави-
ла 550,0 тыс. руб. на 1 работающего, а в науке – 847,0 тыс. руб., но наши до-
стижения уступают аналогичным данным ОПК.
Средняя заработная плата по РЭП составила 16,0 тыс. руб. и выросла на
25,3% по сравнению с 2007 годом, в промышленности 13,7 тыс. руб. (рост на
26,3%), в научной сфере средняя заработная плата составила около 21,3 тыс.
руб. (рост на 23,6%).

3.12.3. Научно-техническая политика РЭП


Основные задачи инновационного развития предприятий РЭП в 2008 г.,
84
реализовывались в основной Федеральной целевой программе «Развитие элек-
тронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 гг., а также в
Федеральных целевых программах «Развитие ОПК», ГЛОНАСС, в научно-
технических программах Союзного государства и др. (см. таблицу 3.5).
В результате деятельности Департамента в 2008 г. удалось увеличить объ-
емы финансирования НИОКР более чем в 2 раза, по сравнению с 2007 г., что
является весьма значительной поддержкой научных коллективов отрасли. Од-
нако перспективы финансирования работ в 2009 г. не столь радужны. Случив-
шийся финансовый кризис повлек за собой сокращение инвестиционных рас-
ходов бюджета. Безусловно, это сокращение коснулось и федеральных про-
грамм.
Несмотря на весьма непростую ситуацию, по ФЦП «Развитие ЭКБ и ра-
диоэлектроники» на 2008–2015 годы удалось выполнить все требуемые индика-
торы и показатели. В 2008 г. увеличение объемов продаж электронной и радио-
электронной техники составило 58 млрд. руб. По итогам года разработано 11
базовых технологий в области электронной компонентной базы, разработано 6
проектов базовых центров проектирования функционально сложной электрон-
ной компонентной базы, начато и проведено техническое перевооружение ряда
предприятий (в том числе завершено техперевооружение ФГУП НИИЭТ).

Таблица 3.5. Финансирование НИОКР по ФЦП, млн. руб.


Наименование ФЦП 2008 г. 2009 г.
«Национальная технологическая база»
131,4 146,5
на 2007–2011 гг.
«Развитие ЭКБ и радиоэлектроники»
3490,0 4170,0
на 2008–2015 гг.
«Развитие ОПК РФ на 2007–2010 гг. и на пе-
936,1 966,3
риод до 2015 г.»
ГЛОНАСС 407,5 620,1
Союзные программы:
«Функциональная СВЧ-электроника» 130,3 –
«Траектория» 310,0 320,0
«Композит» 116,2 139,4
«Разработка, восстановление и организация
производства стратегических, дефицитных и
импортозамещающих материалов и малотон-
– 181,2
нажной химии для вооружения военной и
специальной техники» на 2009–2011 гг. и на
период до 2015 г.
Итого 5521,5 6543,5

Среди базовых технологий в области электронной компонентной базы, раз-


работанных в 2008 г., можно отметить например, следующие:
– базовая технология изготовления низкотемпературной керамики (ФГУП

85
НПП «Исток» г. Фрязино, Московск. обл.);
– базовая технология получения радиационно-стойких кристаллов (ОАО
«БЗТХИ» г. Богородицк-4, Тульской обл.);
– базовые технологии для создания нового поколения магнитоэлектронных
приборов СВЧ диапазона (ОАО НИИ «Феррит-Домен» г. Санкт-Петербург);
– технология изготовления для интегральных сборок пленочных СВЧ рези-
сторов (ОАО НПО «ЭРКОН» г.Нижний Новгород).
В рамках Федеральной целевой программы «Глобальная навигационная си-
стема» по подпрограмме «Разработка и подготовка производства навигацион-
ного оборудования и аппаратуры для гражданских потребителей» в 2008 г. из-
готовлены и прошли предварительные испытания опытные образцы СБИС од-
ночастотного мультисистемного приемовычислительного модуля 2-го поколе-
ния навигационно-временного приемника ГЛОНАСС. Разработаны и изготов-
лены типовые рабочие места для серийного изготовления и испытаний навига-
ционной аппаратуры потребителей (НАП).
В сентябре 2008 г. была проведена корректировка ФЦП «Глобальная нави-
гационная система» предусматривающая выполнение большинства мероприя-
тий, направленных на обеспечение серийного производства навигационной ап-
паратуры потребителей исключительно за счет внебюджетных источников, что
может привести к снижению темпов разработки отечественной специализиро-
ванной ЭКБ и НАП.
По ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии РФ» на 2008–2010 гг.
ФГУП «НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина» осуществлена модерниза-
ция инженерных систем, обеспечивающих синхротрон «Зеленоград».
На устойчивую работу выведена инжекционная часть синхротрона в соста-
ве линейного ускорителя, малого накопителя, электронно-оптических кана-
лов с ускорением пучка элементов с энергией 450 МЭВ и накопленным то-
ком 70 МА и транспортировкой пучка до впуска в большой накопитель. На
75% выполнен монтаж электронно-физического оборудования большого нако-
пителя. По научно-техническим программам Союзного государства выполня-
лись следующие работы:
1) «Разработка унифицированного мобильного многофункционального ком-
плекса внешнетраекторных измерений двойного назначения на базе специаль-
ных оптоэлектронных систем и сверхвысокочастотных элементов», шифр
«Траектория»;
2) «Современные технологии и оборудование для производства новых поли-
мерных и композиционных материалов, химических волокон и нитей на 2008–
2011 гг.», шифр «Композит»;
3) «Разработка и создание нового поколения функциональных элементов и
изделий СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросенсорики для радиоэлек-
тронных систем и аппаратуры специального и двойного назначения» шифр
«Функциональная СВЧ-электроника-2».
В 2009 г. начнет действовать новая ФЦП «Разработка, восстановление и
организация производства стратегических, дефицитных и импортозамещающих
материалов и малотоннажной химии», одним из администраторов расходов ко-
86
торой является Департамент РЭП.

3.12.4. Инвестиционная политика РЭП


Целью инвестиционной политики является техперевооружение и рекон-
струкция производства предприятий РЭП на основе модернизации производ-
ственно-технологической базы и сокращения технологического отставания от
мирового уровня. Эта задача реализуется через федеральные целевые програм-
мы, которые позволяют в рамках программно-целевого метода конкретизиро-
вать усилия для комплексного и системного решения среднесрочных и долго-
срочных проблем промышленной политики.
В 2008 г. было предусмотрено работ по техническому перевооружению
производств и освоению государственных капитальных вложений на общую
сумму более 2,5 млрд. руб. (см. рис. 3.15).
Млн.
руб.
1400
Всего > 2,5 млрд. руб., 82 объекта
1200

1000

800

600

400

200

ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 гг. и на период до 2015 г.»

ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и


радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.»

ФЦП «Глобальная навигационная спутниковая система»

ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в РФ на


2008-2010 гг.»

Рис.3.15. Инвестиции из средств госбюджета в техперевооружение и реконструкцию


предприятий РЭП в 2008 г. по ФЦП
За счет этих средств были продолжены работы по техническому перево-
оружению производств на 47 объектах предприятий РЭП, на 35 объектах нача-
то новое строительство, на 6 предприятиях созданы дизайн-центры для систем-
ного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на
кристалле с проектными нормами 0,18–0,13 мкм (ОАО «Интелтех», г. Санкт-
Петербург; ФГУП «НИИ ЭТ», г. Воронеж; ФГУП «НИИ «Аргон», г. Москва;
ФГУП «ОНИИП», г. Омск; ФГУП «НИИТ», г. Санкт-Петербург; ФГУП
«ННИПИ «Кварц», г. Нижний Новгород).
В целом предприятиями и организациями РЭП в 2008 г. было освоено гос-
ударственных капитальных вложений по вышеуказанным ФЦП более 2,5
млрд. руб., привлечено внебюджетных средств 715,6 млн. руб. По всем
87
направлениям техники, намеченные производственные мощности в 2008 г. вве-
дены.
На 2009 г. бюджетные инвестиции в техперевооружение и реконструкцию
предприятий и организаций РЭП были первоначально предусмотрены в объеме
более 4,5 млрд. руб., что значительно выше объем 2008 г. Однако кризис отра-
зился и на планах техперевооружения и реконструкции предприятий РЭП, сни-
зились объемы финансирования объектов капитального строительства на
2009 г.: по состоянию на сегодня они составят немногим более 4,0 млрд. руб.
(см. рис. 3.16).
Млн.
руб.

1800
Всего > 4 млрд. руб., 108 объектов
1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 гг. и на период до 2015 г.»

ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и


радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.»

ФЦП «Глобальная навигационная спутниковая система»

ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в РФ на


2008-2010 гг.»

ФЦП «Национальная нанотехнологическая база» на 2007-


2011 гг.

Рис. 3.16. Инвестиции из средств госбюджета в техперевооружение и реконструкцию


предприятий РЭП в 2009 г. по ФЦП
Предстоит провести работы на 108 объектах строительства, создать 5 ди-
зайн-центров системного проектирования и продолжить работы по созданию
межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фото-
шаблонов в ОАО «Российская электроника».

3.12.5. Внешнеэкономическая деятельность


Объем экспортных поставок по сравнению с показателем 2007 г. вырос на
18,5%, см. рис. 3.17.
Наибольшую долю 65,0% в объеме экспорта составляет продукция военно-
технического назначения. Годовой темп роста экспорта продукции военно-
технического и гражданского назначения составил 126,1% и 106,6% соответ-
ственно. Предприятия РЭП экспортируют широкую номенклатуру изделий –
товарная структура экспорта включает 39 групп изделий, продукция экспорти-
руется в 68 стран мира, на долю стран дальнего зарубежья приходится 81,7%.
88
600
544 529,1
500
446,4
400 337,8 385,4
334,0
300 209,6 272,8

200 200,3 185,1


158,6 173,6
137,5 137,8
100 71,8

2004 2005 2006 2007 2008


Продукция гражданского назначения

Продукция военно-технического назначения

Общий объем экспорта

Рис. 3.17. Динамика экспорта предприятий радиоэлектронной промышленности


в 2004–2008 гг.
Основными партнерами с суммарной долей экспорта около 72% являются:
Китай (25,7%), Иран (10,0%), Индия (9,4%), Беларусь (8,1%), Германия (5,3),
Гонконг (4,9), Казахстан (4,5%) и Израиль (4,1%). Среди 163 предприятий РЭП,
реализующих продукцию на внешних рынках, наибольшие объемы экспорта у
следующих предприятий: ОАО «ГСКБ Концерна ПВО «Алмаз-Антей», г.
Москва, ОАО «ИЭМЗ «Купол», г. Ижевск, ОАО «Стрела», г. Тула, ОАО
«НИИМЭ» и завод «Микрон», г. Москва – Зеленоград, ОАО «Концерн «Вега»,
г. Москва, ОАО «РЗМКП», г. Рязань, ОАО «Радиозавод», г. Пенза.
Объем импорта предприятий РЭП в 2008 г. составил 145,4 млн. долл. пре-
высив показатель предыдущего года на 32,5%. 141 предприятие осуществляло
импорт из 70 стран. Основными поставщиками с объемами от 13,3 до 24,6 млн.
долл. являются 7 стран, суммарная доля которых в общем объеме импорта –
76,9%, в том числе: Чехия (16,9%), Италия (10,4%), США (10,3%), Беларусь
(10,1%), Германия (10,0%), Украина (10,0%) и Китай (9,2%). Импортируемая
продукция имеет широкую номенклатуру, в товарной структуре импорта
насчитывается 37 групп изделий, см. рис. 3.18.
Станки и оборудование
Микросхемы интегральные

15,4% 29,9%
Прерыватели, разъединители,
переключатели

8,2%

7,2% 19,5%

Металлы и изделия из них 5,6% Другие 28 групп изделий

Электроприборы бытовые
5,4% 5%

Приборы полупроводниковые
Аппаратура и приборы контрольно-

Средства вычислительной техники


3,8% измерительные

Рис. 3.18. Основная продукция импорта предприятий


радиоэлектронной промышленности в 2008 г.

89
3.12.6. Политика РЭП на отечественных рынках
Завоевание сфер влияния в новых развивающихся объемных секторах оте-
чественного рынка радиоэлектронной техники – одно из направлений политики
РЭП на внутреннем рынке. Особый акцент делается на те секторы рынка, где
превалируют интересы государства, а именно:
– в создании и производстве техники цифрового телевидения;
– в создании и производстве средств радиочастотной идентификации;
– в создании и производстве широкополосных средств связи;
– в реализации ряда крупных проектов Единой системы организации воз-
душного движения (ЕС ОрВД) и по организации воздушного движения с ис-
пользованием спутниковых систем связи, навигации и наблюдения (CNS/АТМ
ИКАО);
– в реализации работ по модернизации авиационной техники и др.
Значительным шагом по завоеванию российскими производителями сфер
влияния в создании и производстве отечественной техники цифрового телеви-
дения явилось образование в ноябре 2008 г. по инициативе Минпромторга РФ
Ассоциации разработчиков и производителей аппаратуры для цифрового теле-
радиовещания («АРПАТ»), в которую вошли ведущие российские научно-
исследовательские институты: ЗАО «МНИТИ», ФГУП «НИИТ» и ФГУП
«НИИР», а также производители передающей и приемной аппаратуры для циф-
рового телерадиовещания. Образованная членами Ассоциации «АРПАТ» науч-
но-производственная кооперация позволила предложить комплексное решение
организации «под ключ» зон цифрового вещания на основе отечественного
оборудования.
Ассоциация «АРПАТ» стала коллективным членом «Цифрового альянса»
России, объединяющего ведущие российские телевизионные и вещательные
компании. Основной задачей «Цифрового альянса» является разработка пред-
ложений по организации в России массового производства конкурентоспособ-
ного приемо-передающего оборудования для цифрового телевидения.

3.12.7. Меры по снижению негативных последствий


для предприятий РЭП экономического кризиса
Одна из главных причин дестабилизации на рынке – тяжелое финансовое
положение не столько предприятий РЭП, сколько потребителей их продукции.
Не имея необходимых финансовых ресурсов, многие потребители вынуждены
сокращать закупки радиоэлектронных изделий, при этом, выражая готовность
приобретать продукцию в долг, с последующей оплатой по мере поступления
финансовых ресурсов. Оказывая финансовую помощь предприятиям-
потребителям продукции РЭП, государственные органы власти тем самым спо-
собствовали бы и улучшению финансового состояния РЭП.
Кроме того, одной из эффективных мер по предотвращению падения объ-
емов производства, и как следствие ухудшению ситуации с трудовыми ресур-
сами, является поиск новых ниш на внутреннем и внешнем рынках, активиза-
ция работы с естественными монополиями (ТЭК, РЖД, ЖКХ и др.), ряд пред-

90
приятий и организаций которых предпочитают приобретать схожие товары в
ближнем зарубежье. Необходима и активизация деятельности местных органов
власти по продвижению продукции предприятий РЭП, как и всего ОПК, на ре-
гиональные рынки, оказание содействия муниципальным предприятиям и орга-
низациям в переориентации на продукцию, производимую отечественными
предприятиями.
В условиях финансово-экономического кризиса Правительством Россий-
ской Федерации в 2008 г. был предпринят ряд мер, направленных на оказание
государственной поддержки предприятиям и организациям различных отраслей
промышленности. В 2008 г. по представлению Департамента радиоэлектронной
промышленности на комиссии под руководством А.Г. Силуанова были рас-
смотрены 5 предприятий и организаций отрасли, в том числе ОАО «Концерн
«Вега», ОАО «Концерн «Созвездие», ОАО «Ангстрем», ОАО «НИИ молеку-
лярной электроники и завод «Микрон» и ФГУП «НПП «Исток».
В 2008 г. Правительством был утвержден федеральный перечень, в кото-
рый вошли 295 системообразующих предприятий страны. Департаментом ра-
диоэлектронной промышленности был сформирован раздел «Радиоэлектронная
промышленность» перечня системообразующих стратегических организаций
оборонно-промышленного комплекса, находящихся в сфере деятельности
Минпромторга России. В указанный раздел вошло 36 предприятий и организа-
ций отрасли. Критериями для отнесения указанных предприятий и организаций
к системообразующим явились экономическая и социальная значимость пред-
приятий, их экспортный потенциал (заключенные контракты на 2009 г.), а так-
же их градообразующее значение для региона.
Включение организации в указанный перечень не является гарантией фи-
нансовой поддержки. Главная задача работы с такими организациями – под-
держание их устойчивости.
Для обеспечения постоянного мониторинга финансово-экономической и
социальной ситуации указанных предприятий в Минпромторге России создана
отраслевая рабочая группа, которая по итогам мониторинга принимает либо
план по оздоровлению организации, либо решение о продолжении мониторин-
га.
В 2008 году прошло 11 заседаний Рабочей группы по реализации мер по
предупреждению банкротства стратегических предприятий и организаций. В
частности, ОАО ОМПО «Радиозавод им. А.С. Попова» (РЕЛЕРО) предоставле-
на субсидия в размере 299 млн. руб., четыре предприятия планируется допол-
нительно рассмотреть на предмет предоставления субсидии в размере порядка
1 млрд. руб.
19 марта 2009 года на заседании Правительства утверждена новая про-
грамма антикризисных мер, где большое место заняли вопросы усиления соци-
альной защиты населения, обеспечение гарантий социальной и медицинской
помощи, государственная поддержка сферы занятости и предприятий оборон-
но-промышленного комплекса. Для поддержки предприятий будут использова-
ны такие инструменты, как дополнительная капитализация, прямая господ-
держка, госгарантии по кредитам.
91
Кроме того необходимо расширение участия предприятий РЭП в реализа-
ции региональных программ социально-экономического развития – это может
стать дополнительным источником заказов.
В сфере ведения Департамента радиоэлектронной промышленности нахо-
дится 372 организации, включенные в Сводный реестр организаций оборонно-
промышленного комплекса, в том числе: 98 федеральных государственных
унитарных предприятий (ФГУП), 253 открытых акционерных общества (ОАО),
из них 135 открытых акционерных обществ с государственным участием и 118
без государственного участия, 21 иная и прочая организации (ЗАО, ООО и др.),
а также 1 учреждение (ФГУ), не входящее в Сводный реестр.
Основные направления реструктуризации РЭП поддерживались програм-
мно-целевым подходом в рамках федеральной целевой программы «Развитие
оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007–
2011 гг. и на период до 2015 г.». В настоящее время в отрасли действуют четы-
ре крупные интегрированные структуры, построенные по принципу холдинго-
вых компаний и объединяющие 118 организаций. Это – ОАО «Концерн «ПВО
«Алмаз-Антей», ОАО «Концерн радиостроения «Вега», ОАО «Концерн «Со-
звездие» и ОАО «Российская электроника».
В соответствии с планом-графиком создания в 2007–2008 гг. интегриро-
ванных структур в оборонно-промышленном комплексе в 2008 г. завершена
разработка системных проектов по созданию интегрированных структур «Си-
стемы управления» и «Концерн «Автоматика» и расширению интегрированных
структур «Концерн радиостроения «Вега» и «Концерн «Созвездие».
Состоялся Указ Президента Российской Федерации по расширению инте-
грированной структуры «Концерн радиостроения «Вега». Материалы по созда-
нию интегрированных структур «Системы управления», «Концерн «Автомати-
ка» и расширению интегрированной структуры «Концерн «Созвездие» прохо-
дят согласование с заинтересованными органами федеральной исполнительной
власти.
Распоряжением Правительства Российской Федерации от 10 января
2009 г. № 14-р ФГУП «НПП «Полет» г. Нижний Новгород присвоен статус фе-
дерального научно-производственного центра.
В прошедшем году была создана Государственная корпорация «Ростехно-
логии», при формировании ее уставного капитала предусмотрена передача в
качестве имущественного взноса Российской Федерации государственных па-
кетов акций акционерных обществ и федеральных государственных унитарных
предприятий, в том числе и целого ряда организаций РЭП в количестве 140
предприятий.

3.12.8. Кадровая политика


Проблема сохранения и обновления кадрового потенциала является в
настоящее время одной из наиболее актуальных в обеспечении дальнейшего
устойчивого развития РЭП. Средний возраст работников составляет 45,8 лет, в
то время как оптимальным является 35-38 лет.
В общей численности кадрового потенциала работники моложе 30 лет со-
92
ставляют 16,3%, в возрасте от 30 до 40 лет – 12,5%, от 40 до 50 лет – 22,5%, от
50 до 60 лет – 32,7%, старше 60 лет 16% работников РЭП, см. рис. 3.19.

Моложе 30 лет

30-40 лет 16%


Старше 60 лет
13%
16%

23%
40-50 лет 32%

50-60 лет

Рис. 3.19. Общий возрастной состав РЭП

В радиоэлектронной промышленности трудятся 2551 кандидатов наук и


443 доктора наук, при этом 58,4% из них старше 60 лет. Среди специалистов
работники моложе 30 лет составляют 22,5% от 30 до 50 лет – 31,2%, от 50 до 60
лет – 29,2%, старше 60 лет – 17,1%. Среди научных работников преобладают
люди старше 50 лет, которые составляют 59,5%, в том числе 33% составляют
научные работники старше 60 лет.
Среди работников основная масса работников имеет возраст от 40 до 60
лет – 57,1%, в том числе в возрасте от 40 до 50 лет – 24,6%, от 50 до 60 лет –
32,5%. Рабочие старше 60 лет составляют 13,5%, а моложе 30 лет – 15,8%.
Таким образом, по-прежнему, первоочередной задачей кадровой политики
является осуществление мер по «омолаживанию» кадрового состава, прежде
всего – путем набора выпускников высших и средних специальных учебных за-
ведений.
Для решения проблемы восстановления кадрового потенциала необходимо:
– повышение привлекательности работы в радиоэлектронной промышлен-
ности за счет дальнейшего роста заработной платы;
– предоставление отсрочки от службы в армии;
– дальнейшее совершенствование системы повышения квалификации и пе-
реподготовки кадров;
– воссоздание системы профессионально-технического обучения на базе ве-
дущих предприятий.

3.12.9. Основные проблемы и задачи РЭП


Для обеспечения развития промышленной и научно-технической деятель-
ности предприятий РЭП, необходимо осуществить целый комплекс мер,
направленный на экономическую поддержку предприятий:

93
– осуществление адресной реконструкции и технического перевооружения
предприятий, обеспечивающих выполнение Государственной программы во-
оружений;
– введение системы заключения долгосрочных (не менее 3 лет) контрактов
на выполнение ГОЗ;
– создание системы беспроцентного кредитования предприятий ОПК, вы-
полняющих задания ГОЗ;
– обеспечение устойчивого финансирования научных исследований и разра-
боток, выполняемых как в рамках Государственного оборонного заказа, так и
федеральных целевых программ;
– усовершенствование налогового законодательства в части стимулирования
инновационной деятельности, создания системы материального поощрения
предприятий и организаций за разработку и внедрение новой продукции и тех-
нологий, соответствующих мировому уровню;
– льготирование импорта современных технологий и научного оборудова-
ния, не производимого в России;
– проведение рациональной тарифной и ценовой политики в области услуг и
продукции естественных монополий;
– установление защитных тарифов, квот на импорт сырья, материалов и
продукции, которая может быть произведена в России;
– создание условий для расширения производства импортозамещающего
оборудования, в первую очередь для технического перевооружения естествен-
ных монополий;
– активизация работы государственных органов управления по оказанию
помощи предприятиям в решении проблем погашения задолженности покупа-
телей за поставленные товары, выполненные работы и услуги, в первую оче-
редь госзаказчиков.
Прогноз конкретных отраслевых показателей на 2009 г. показывает, что
практически по всем показателям темпы роста замедляются. Но РЭП по силам
вернуться к прежним темпам роста и тем самым вернуться к стабильному со-
стоянию отрасли. От эффективности наших действий зависят безопасность
нашего государства, научно-технический прогресс в радиоэлектронном ком-
плексе, доминирование отечественной продукции на внутреннем рынке, соци-
ально-экономическое положение наших работников.
ГЛАВА 4. КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ
НАЦИОНАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии
в Российской Федерации
Реализация в последние годы ряда федеральных целевых, региональных,
отраслевых, ведомственных программ, включающих работы в области нано-
технологий (федеральная целевая научно-техническая программа «Исследова-
ния и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники на
2002–2006 гг.», федеральная целевая программа «Национальная технологиче-
ская база» на 2002–2006 гг., специализированная программа Президиума РАН,
Федеральная космическая программа России на 2006–2015 гг., аналитическая
ведомственная программа Минобрнауки России «Развитие научного потенциа-
ла высшей школы (2006–2008 гг.)» и др.), позволила:
– выявить совокупность научных, технологических и образовательных органи-
заций, предприятий, вузов, выполняющих на мировом уровне исследования,
разработки и осуществляющих подготовку кадров в области нанотехнологий;
– достоверно оценить их потенциал в указанной области (заделы, существую-
щий уровень, реальные перспективы) и определить организации лидеры;
– выявить проблемы, препятствующие развитию потенциала нанотехнологий в
России и требующие быстрейшего разрешения.
Анализ результатов реализации указанных программ приведенный в рабо-
те [4] позволяет сделать следующие выводы:
1) в стране ведутся исследования и разработки мирового уровня (только две
страны в мире – Россия и США – ведут исследования и разработки по всем
направлениям нанотехнологий, в этих работах в Российской Федерации участ-
вуют более 500 научных организаций и фирм с численностью около 50 тысяч
исследователей;
2) научно-технический уровень отечественных разработок в указанной сфе-
ре, имеющиеся заделы дают основание утверждать, что в настоящее время в
области нанотехнологий стартовые позиции России и других экономически
развитых стран примерно одинаковы;
3) главными проблемами, препятствующими эффективному использованию
и развитию потенциала нанотехнологий в Российской Федерации, являются:
– критическое отставание от мирового уровня базовых компонентов ин-
фраструктуры наноиндустрии: приборно-инструментальной базы; кадровой ба-
зы; технологической базы; информационно-коммуникационной базы; органи-
зационно-правовой и управленческой базы;
– отсутствие должной интеграции работ в этой области нанотехнологий.
В настоящее время образовался разрыв между высоким уровнем выполня-
емых исследований, разработок и созданных научно-технологических заделов в
сфере нанотехнологий, с одной стороны, и критически низким уровнем инфра-
структуры наноиндустрии – с другой.

95
Устаревшая инфраструктурная база приводит к падению эффективности
использования средств, направляемых на НИОКР в сфере нанотехнологий, и,
как следствие, к снижению и без того невысоких темпов трансфера результатов
разработок в продуктовые инновации для обеспечения диверсификации и роста
конкурентоспособности российской экономики.
Существующая инфраструктура не дает возможности создать систему
метрологического обеспечения нанотехнологий, решить проблему стандарти-
зации и подтверждения соответствия продукции наноиндустрии, что радикаль-
но ограничивает рыночный потенциал отечественных производителей в этой
сфере.
Низкий уровень инфраструктуры не позволяет российским научно-
технологическим и образовательным центрам эффективно развивать междуна-
родное сотрудничество в научно-технической и образовательной сферах, на
равных правах с зарубежными коллегами участвовать в выполнении междуна-
родных программ и проектов в области нанотехнологий.
Отсутствие современной инфраструктуры не позволяет осуществлять под-
готовку специалистов в области нанотехнологий на базе широкой интеграции
образовательного процесса и научных исследований, что неизбежно приведет к
новому обострению проблемы оттока молодых ученых и талантливой части
выпускников вузов для работы вне научной сферы и за рубежом.
Устаревшая организационно-правовая и управленческая инфраструктура
препятствует формированию инновационных рыночных механизмов ускорен-
ного введения в хозяйственный оборот новой конкурентоспособной продукции
нанотехнологий. Формирование современной инфраструктуры нанотехнологий
в Российской Федерации является принципиально важным для решения страте-
гической задачи общегосударственного масштаба: создания национальной
наноиндустрии как единого фундамента развития всех отраслей экономики
России.
В соответствии с Президентской инициативой и Программой Координации
формирование современной инфраструктуры нанотехнологий должно осу-
ществляться с Концепцией развития, таким образом, чтобы в результате была
обеспечена координация научно-исследовательских и опытно-конструкторских
работ, исключено неоправданное дублирование и достигнут синергегический
эффект от обмена результатами и их трансфера.
Из этого требования вытекает, что инфраструктурная база наноиндустрии
должна создаваться в сетевом формате, т.е. не для отдельных предприятий и
организаций, а в виде инфраструктуры национальной нанотехнологической се-
ти как совокупности организаций различных организационно-правовых форм,
выполняющих фундаментальные и прикладные исследования, осуществляю-
щих разработки и коммерциализацию технологий, ведущих подготовку кадров
в области нанотехнологий, деятельность которых в этой сфере координируется
федеральными органами исполнительной власти на межотраслевом уровне.

4.2. Цель реализации Концепции развития


Целью реализации Концепции является формирование национальной
96
нанотехнологической сети (ННС) Российской Федерации, обеспечивающей до-
стижение и поддержание паритета с передовыми странами мира в сфере нано-
технологий и наноматериалов за счет межотраслевой координации в нацио-
нальном масштабе, концентрации ресурсов на приоритетных направлениях ис-
следований и разработок, повышения эффективности работ в указанной обла-
сти и создания благоприятных условий для ускоренного введения в хозяй-
ственный оборот новой конкурентоспособной продукции нанотехнологий.

4.3. Состав и основные направления деятельности


национальной нанотехнологической сети (ННС)
В соответствии с Президентской инициативой и Программой Координации
в состав ННС войдут.
– Национальный исследовательский центр нанотехнологий, наносистем и
наноматериалов на базе федерального государственного учреждения «Россий-
ский научный центр «Курчатовский институт», осуществляющий научную ко-
ординацию деятельности по реализации Президентской инициативы.
– Головная научная организация.
– Научные, проектные и промышленные центры и лаборатории, созданные
на базе Российской академии наук и других научных организаций, предприятий
и учреждений различных форм собственности, осуществляющие исследования,
разработки в сфере нанотехнологий и выпуск нанопродукции – головные орга-
низации отраслей.
– Научно-образовательные центры (НОЦ), созданные на базе ведущих вузов
страны, осуществляющие подготовку специалистов в области нанотехнологий.
– Государственная корпорация «Российская корпорация нанотехнологий»,
решающая задачи организационной и финансовой поддержки инновационной
деятельности в сфере нанотехнологий.
– Организации, осуществляющие финансирование проектов развития нано-
технологий, включая венчурные фонды.
Основные направления деятельности:
1. Головной научной организации:
– осуществление научного и методического обеспечения координации ис-
следований и разработок для формирования технологической базы в рамках
Президентской инициативы и Программы Координации;
– осуществление комплексной научной и технологической экспертизы ме-
роприятий Программы Координации в области соответствующих исследований
и разработок, включая экспертизу достигнутых результатов и определение воз-
можности их промышленного освоения;
– осуществление научного и методического обеспечения координации
проектов международного научно-технического сотрудничества;
– оценка перспектив и выработка рекомендаций по использованию резуль-
татов исследований и разработок гражданского, военного и двойного назначе-
ния (по согласованию с соответствующими федеральными органами исполни-
тельной власти);
– обеспечение взаимодействия с головными организациями отраслей по
97
вопросам научных исследований, коммерциализации технологий, организации
серийного производства;
– осуществление научного и методического обеспечения подготовки спе-
циалистов;
– разработка новых технологий, применение которых возможно во многих
отраслях экономики, что приведет к появлению новых ее секторов;
– подготовка и повышение квалификации специалистов в области нано-
технологий и наноматериалов, а также менеджеров в сфере высоких техноло-
гий.
2. Головных организаций отраслей:
– решение важнейших проблем развития отраслей экономики и освоения
секторов мирового рынка наукоемкой продукции;
– координация разработок конкурентоспособных на мировом рынке ком-
мерческих технологий, в том числе с использованием механизмов частно-
государственного партнерства;
– координация проектов международного научно-технического сотрудни-
чества в сфере компетенции федеральных органов исполнительной власти по
направлениям Программы Координации.
3. Координации проектов трансфера нанотехнологий:
– интеграция научной и образовательной деятельности в целях развития
соответствующей отрасли и подготовки специалистов для этой отрасли;
– отраслевой мониторинг мероприятий Программы Координации, включая
сбор информации о производстве и продаже продукции наноиндустрии;
– осуществление в рамках отрасли разработки новых технологий, конку-
рентоспособных на мировом рынке.
4. Научно-образовательных центров:
– формирование в тесной координации с головной научной организацией и
головными организациями отраслей учебно-исследовательской и опытно-
технологической базы, обеспечивающей подготовку и повышение квалифика-
ции специалистов на основе широкой интеграции образовательного процесса,
научных исследований и разработок в области нанотехнологий;
– создание научно-методического и организационно-методического обес-
печения (государственные образовательные стандарты, программы подготовки,
учебные планы, учебная и учебно-методическая литература и т.д.) непрерывно-
го образовательного цикла в области нанотехнологий;
– разработка в тесном взаимодействии с головной научной организацией и
головными организациями отраслей новых образовательных технологий и ин-
струментальных средств (информационные образовательные технологии, элек-
тронные учебники, системы удаленного доступа для дистанционного образова-
ния, специализированное учебное оборудование и т.д.);
– осуществление совместно с головной научной организацией и головны-
ми научными организациями отраслей фундаментальных и прикладных иссле-
дований и разработок в области нанотехнологий с широким привлечением сту-
дентов и аспирантов, государственной корпорации «Российская корпорация
нанотехнологий» (далее – Корпорация);
98
– рассмотрение совместно с головной научной организацией ННС и голов-
ными организациями отраслей инновационных проектов и программ в сфере
наноиндустрии в целях последующего предоставления финансовой поддержки
за счет средств Корпорации;
– осуществление финансирования проектов и программ в сфере нанотех-
нологий, предусматривающих внедрение нанотехнологий или производство
продукции в сфере наноиндустрии;
– осуществление финансирования проектов и программ по подготовке
специалистов в сфере наноиндустрии;
– осуществление мониторинга реализации проектов и программ в сфере
нанотехнологий, финансируемых за счет средств Корпорации;
– осуществление организационной и финансовой поддержки научно-
исследовательских и опытно-конструкторских разработок в сфере нанотехно-
логий, а также финансовой поддержки деятельности ННС;
– финансирование мероприятий по обеспечению координации деятельно-
сти участников национальной нанотехнологической сети по реализации госу-
дарственной политики Российской Федерации в области развития наноинду-
стрии;
– финансирование мероприятий по обеспечению межведомственного вза-
имодействия и координации мероприятий, проводимых в рамках федеральных
целевых и ведомственных программ в области развития наноиндустрии;
– финансирование мероприятий по обеспечению координации выполнения
программ международного научно-технического сотрудничества в области раз-
вития наноиндустрии;
– финансирование мероприятий по обеспечению согласованного взаимо-
действия головной научной организации с федеральными органами исполни-
тельной власти, с головными организациями отраслей, научно-
образовательными центрами, финансовыми институтами, предприниматель-
скими структурами и общественными организациями в сфере научных иссле-
дований, коммерциализации технологий и организации серийного производства
нанопродукции;
– финансирование мероприятий по обеспечению обмена результатами
научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и деятельности в
сфере коммерциализации технологий наноиндустрии между участниками ННС.
С созданием ННС будет сформирована принципиально новая научно-
исследовательская, опытно-технологическая, научно-образовательная и инно-
вационная база для устойчивого развития исследований и разработок в области
нанотехнологий и ускоренного внедрения их результатов в хозяйственный обо-
рот.

4.4. Задачи, решаемые в рамках Концепции


Для достижения цели Концепции на базе организаций, входящих в состав
ННС, по тематическим направлениям деятельности ННС формируются иссле-
довательско-технологическая, научно-образовательная и кадровая, информаци-
онно-коммуникационная, правовая и организационная основы по всем направ-
99
лениям деятельности элементов сети.

4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО)


ИТО формируется с учетом как тематической (по приоритетным направ-
лениям исследований, разработок и внедрения технологий), так и региональной
специфики за счет закупок имеющегося на рынке Российского и зарубежного
оборудования и за счет разработки и создания нового не имеющего аналогов
научно-исследовательского, опытно-технологического и метрологического
оборудования и включает: научно-исследовательское оборудование и прибор-
но-инструментальные средства; опытно-технологическое и метрологическое
оборудование.
Исследовательско-технологическая основа формируется, прежде всего, на
базе крупных уникальных исследовательских и технологических установок и
комплексов, создается как за счет закупок имеющегося на рынке, так и за счет
разработки и создания нового научно-исследовательского, опытно-
технологического и метрологического оборудования, должна обеспечить про-
ведение исследований и разработок по всему спектру фундаментальных и при-
кладных проблем нанотехнологий, опытно-конструкторских и опытно-
технологических работ в этой сфере, а также создание метрологического обес-
печения в наноиндустрии, стандартизацию и подтверждение соответствия
наноматериалов и нанотехнологий. Система доступа к оборудованию в виде
центров коллективного пользования должна обеспечить оптимальные условия
для достижения синергетического эффекта от межотраслевого обмена резуль-
татами и их трансфера.

4.4.2. Научно-образовательная и кадровая основа


Научно-образовательная и кадровая основа включает:
– создание научно-образовательных центров вузов, обеспечивающих подго-
товку, переподготовку и повышение квалификации специалистов на основе
широкой интеграции образовательного процесса, научных исследований и раз-
работок в области нанотехнологий, развивающих учебно-исследовательскую и
опытно-технологическую базу, в том числе специализированную учебную тех-
нику и оборудование;
– оснащение вузов, участвующих в подготовке научных и научно-
педагогических кадров для учреждений высшего профессионального обра-
зования, научных организаций, предприятий отраслей экономики в области
нанотехнологий, современным специальным научно-технологическим обору-
дованием;
– систему научно-методического и организационно-методического обеспе-
чения (государственные образовательные стандарты, программы подготовки,
учебные планы, учебная и учебно-методическая литература и т.д.) непрерыв-
ного образовательного цикла в области нанотехнологий;
– комплекс новых образовательных технологий и инструментальных
средств (современные библиотечные комплексы, информационные образова-
тельные технологии, электронные учебники, системы удаленного доступа для
100
дистанционного образования, специализированное учебное оборудование и
т.д.);
– социальную инфраструктуру (общежития для студентов и аспирантов,
гостиницы для временного проживания приглашенных и стажирующихся уче-
ных и специалистов, жилье для молодых ученых и специалистов, реализация
инвестиционных проектов по строительству гостевых научных домов для ком-
пактного временного проживания приглашенных молодых перспективных уче-
ных, включая семейных, осуществляющих научно-образовательную деятель-
ность в ведущих научно-образовательных центрах);
– систему академических обменов с зарубежными научными и образова-
тельными учреждениями, включая совместную аспирантуру, обеспечение меж-
дународных обменов и стажировок студентов, научно-педагогических кадров,
ученых и специалистов в области нанотехнологий;
– выполнение работ для целей адаптации ученых, специалистов и препода-
вателей вузов, проводящих научные исследования, опытно-конструкторские
разработки на вновь закупаемом наукоемком оборудовании в области наноин-
дустрии с учетом специфических особенностей их деятельности (проведение
совещаний и семинаров по вопросам совершенствования инфраструктуры
наноиндустрии и освоения новой техники).
При формировании научно-образовательной и кадровой основы учитыва-
ется как тематическая (по приоритетным направлениям подготовки и специ-
альностям), так и региональная специфика.

4.4.3. Информационно-коммуникационная основа


Информационно-коммуникационная основа включает:
– систему структурированных и специализированных баз данных в области
наноиндустрии;
– национальный сегмент глобальной информационно-коммуникационной
системы с распределенной вычислительной сетью (GRID-GLORIAD), включа-
ющий специализированную систему удаленного доступа для проведения экспе-
риментов на уникальных установках, телеконференций и т.д.;
– систему оперативного мониторинга научно-технических программ и про-
ектов, научно-технического, производственного и рыночного потенциала зару-
бежных стран в сфере наноиндустрии;
– систему оперативного мониторинга научно-технического, производствен-
ного и рыночного потенциала Российской Федерации в сфере наноиндустрии;
– национальную информационную систему мониторинга результатов
НИОКР и мероприятий федеральных целевых и ведомственных программ, а
также отдельных региональных программ в части, относящейся к сфере нано-
индустрии;
– информационную систему популяризации и глобального диалога по до-
стижениям, относящимся к сфере наноиндустрии, для широких кругов обще-
ственности с расширением каналов передачи информации (СМИ, телевидение,
выставочные научно-технические мероприятия, конференции, семинары, науч-
ные издания, публикации, научно-популярная видеопродукция и др.);
101
– национальную информационно-аналитическую систему, поддерживаю-
щую процессы: прогнозирования в сфере нанотехнологий (среднесрочный и
долгосрочный научно-технологический прогноз), подготовки и принятия
управленческих решений в сфере нанотехнологий; определения и согласования
приоритетов и областей ответственности различных ведомств; согласования
направлений международного научно-технического сотрудничества; согласо-
вания тематики НИОКР, формирования единого реестра заказов и результатов
их выполнения; формирования единого перечня квалифицированных исполни-
телей и областей их компетенции; обмена достигнутыми результатами; созда-
ния базы данных о возможных потребителях результатов НИОКР; трансфера
результатов между программами различных уровней и различной ведомствен-
ной принадлежности и т.д.
Информационно-коммуникационная основа должна обеспечивать:
– научную и методическую координацию исследований и разработок в рам-
ках ННС;
– научную и методическую координацию проектов международного
научно-технического сотрудничества;
– взаимодействие головной научной организации с головными организаци-
ями отраслей, научно-образовательными центрами, предприятиями наноинду-
стрии, осуществляющими исследования и разработки в сфере нанотехнологий и
выпуск наноматериалов, федеральными органами исполнительной власти,
предпринимательскими структурами и финансовыми институтами, обществен-
ными организациями и средствами массовой информации по вопросам научных
исследований, коммерциализации технологий, организации серийного произ-
водства, подготовки и повышения квалификации кадров, информирования об-
щества о возможностях, перспективах и рисках, связанных с применением
нанотехнологий.
Информационно-коммуникационная основа должна строиться с учетом
максимального использования ресурсов Государственной системы научно-
технической информации.

4.4.4. Организационная основа


Организационная основа включает:
– систему ускоренного введения результатов НИОКР в хозяйственный обо-
рот (центры трансфера технологий, технопарки, инкубаторы бизнеса, специали-
зированные фонды и т.д.);
– систему институтов частно-государственного партнерства, в том числе:
систему анализа и стимулирования спроса на продукцию наноиндустрии, спе-
циализированные государственные программы поддержки малого и среднего
бизнеса в сфере нанотехнологий, механизмы финансирования на основе разде-
ленных рисков, гарантийные фонды;
– систему поддержки экспорта продукции наноиндустрии;
– систему отработки и тиражирования новых экономических и управленче-
ских механизмов для использования в наноиндустрии.
При формировании организационной основы учитывается как тематиче-
102
ская (по приоритетным направлениям коммерциализации технологий), так и
региональная специфика.
Организационная основа должна обеспечивать формирование и эффектив-
ное функционирование системы коммерциализации результатов разработок в
сфере нанотехнологий.

4.4.5. Правовая основа


Правовая основа включает:
– систему управления интеллектуальной собственностью (правовая база па-
тентно-лицензионной деятельности, в том числе оформление исключительных
прав на объекты интеллектуальной собственности и т.д.);
– национальную метрологическую систему, систему стандартов и подтвер-
ждения соответствия в области нанотехнологий и наноматериалов, гармонизи-
рованную с международными стандартами;
– национальную систему обеспечения единства измерений в области нано-
технологий и наноматериалов;
– систему организационно-правового обеспечения безопасности и страхо-
вания рисков в области нанотехнологий.
Правовая основа должна обеспечивать правовую базу развития инноваци-
онных процессов в сфере формирования российской наноиндустрии, проведе-
ния патентных исследований по определению патентной чистоты закупаемого
и поставляемого оборудования, продукции наноиндустрии (наноматериалов,
сырья), комплектующих изделий, правовую базу всех направлений междуна-
родного сотрудничества и кооперации в области наноиндустрии.

4.5. Программно-целевое развитие наноиндустрии в России


Наноиндустрия является одним из перспективных и востребованных
направлений развития науки и промышленности наиболее развитых в экономи-
ческом отношении стран: США, Евросоюза, Японии и Китая. В настоящее вре-
мя происходит формирование мирового рынка в сфере наноиндустрии. Через
2–3 года прогнозируется активный раздел этого рынка. К 2008 г. его объем со-
ставит, по оценкам экспертов, около 700 млрд. долл.
Завершение процесса разделения мирового рынка в сфере наноиндустрии
ожидается к 2015 г. При этом его объем возрастет до 1–2 трлн. долларов.
В настоящее время Россия располагает достаточным научным и кадровым
потенциалом для целенаправленного развития работ в области наноиндустрии.
Около 70 российских компаний производят и реализуют на рынке продукцию
наноиндустрии в объеме 3,5 млрд рублей в год.
Наноиндустрия – интегрированный комплекс производственных, научных,
образовательных и финансовых организаций различных форм собственности,
осуществляющих целенаправленную деятельность по созданию интеллектуаль-
ной конкурентоспособной продукции с ранее недостижимыми технико-
экономическими показателями, основанный на высоких техническом, техноло-
гическом и научно-образовательном потенциалах государства, прогрессивных
прорывных и междисциплинарных исследованиях, научно- и экономически
103
обоснованном практическом использовании новых свойств и функциональных
возможностей материалов и систем различной природы (физической, химиче-
ской, биологической) при переходе к наномасштабам. Общепринятым является
диапазон от 1 до 100 нм, однако применительно к наноиндустрии приставка на-
но- является фактически отражением объектов исследований, прогнозируемых
свойств продукции и способов их описания, а не просто характеристическим
размером базового элемента, идентифицирующего изучаемый или создаваемый
объект по геометрическому параметру.
Развитие наноиндустрии проводятся в соответствии с действующими фе-
деральными целевыми программами, непрограммной частью Федеральной ад-
ресной инвестиционной программы, специальными программами Министер-
ства обороны Российской Федерации, РАН и других академий имеющих госу-
дарственный статус.
Разрабатываемая Программа развития наноиндустрии в Российской Феде-
рации до 2015 г. (далее – Программа развития) направлена на обеспечение кон-
центрации финансовых и организационных ресурсов на решении системных
проблем развития наноиндустрии, создании конкурентных преимуществ Рос-
сии иа мировом рынке высоких технологий и формировании научно-
технического потенциала России, адекватного современным вызовам мирового
технологического развития, и предусматривает координацию соответствующих
мер.
В таблице 4.1 приведены целевые индикаторы выполнения задач Про-
граммы развития к 2010 г.
Таблица 4.1. Целевые индикаторы выполнения задач Программы
развития к 2010 г.
Число центров коллективного пользования научным оборудо-
ванием (ЦКП), обеспечивающих возможность проведения ис-
следований и разработок в области нанотехнологий на миро-
вом уровне (ед) 20
Индекс соответствия научного оборудования ЦКП требовани-
ям международных стандартов (%) 70
Число организаций национальной нанотехнологической сети,
обеспечивающих возможность проведения исследований и
разработок в области нанотехнологий на мировом уровне (ед) 500
Суммарная численность персонала, проводящего исследования
в области наноиндустрии в государственном секторе (тыс.чел):
Исследователей всего 45–50
в том числе до 35 лет 10–12
докторов наук всего 2–3
в том числе до 39 лет 0,2–0,3
кандидатов наук всего 8-10
в том числе до 35 лет 2-2,5

104
Продолжение таблицы 4.1
Доля высших учебных заведений, оснащенных лабораторным и
приборным оборудованием, а также учебно-методическим
обеспечением, соответствующим современным требованиям
подготовки и переподготовки специалистов в области нанотех- 10–12
нологий (%)
Доля дипломированных выпускников по специальностям,
определяющим прогресс в области наноиндустрии, в общем
объеме выпускников по профильным специальностям (%) 10–50
Количество защищенных докторских диссертаций по специ-
альностям, ориентированным на развитие «наноиндустрии» 100–130
(ед.)
Количество защищенных кандидатских диссертаций по специ- 1000–1200
альностям, ориентированным на развитие «наноиндустрии»
(ед.)
Объем внутренних затрат на выполнение исследований и
разработок по перспективным направлениям развития наноин- 90
дустрии из средств: федерального бюджета (млрд руб.)
Затраты на выполнение исследований и разработок по пер-
спективным направлениям науки, определяющим прогресс 10–12
нанотехнологий, за счет внебюджетных средств (млрд руб.)
Объем негосударственных инвестиций в создание и разви- 5,1–5,5
тие предприятий российской наноиндустрии (млрд руб.)

4.6. Корпорация «РОСНАНОТЕХ»


Российская корпорация нанотехнологий, или «Роснанотех», – это госкор-
порация, которая призвана руководить государственными инициативами в
ставшей очень популярной на рубеже 2006–2007 гг. сфере нанотехнологий.
«Роснанотех» действует в форме некоммерческой организации, но при
этом выведен из-под обычного порядка контроля НКО (контроль над ней осу-
ществляет правительство). Также на нее не распространяется действие закона о
банкротстве. Имущество «Роснанотеха» формируется за счет взноса государ-
ства и других «добровольных имущественных взносов и пожертвований». Ор-
ганами управления являются наблюдательный совет (по пять членов от прези-
дента и правительства, по двое – от обеих палат парламента), правление (девять
членов, назначаемых наблюдательным советом) и гендиректор (назначается на
пять лет президентом). Состав «Роснанотех» приведен в таблице 4.2.

105
Таблица 4.2. Состав корпорации «Роснанотех»
Наблюдательный совет
Председатель
Фурсенко Андрей Министр образования и науки Российской Фе-
Александрович дерации
Члены совета
Дмитриев Владимир Председатель корпорации «Банк развития и
Александрович внешнеэкономической деятельности Внешэко-
номбанк)»
Ковальчук Михаил Директор ФГУ «Российский научный центр
Валентинович «Курчатовский институт»
Кокошин Андрей Председатель Комитета Государственной думы
Афанасьевич четвертого созыва по делам СНГ и связям с со-
отечественниками
Мезенцев Дмитрий Зам. председателя Совета Федерации Федераль-
Федорович ного собрания РФ
Меламед Леонид Генеральный директор ГК «Российская корпо-
Борисович рациянанотехнологий»
Набиуллина Эльвира Министр экономического развития и торговли
Сахипзадовна РФ
Назаров Владимир Зам. секретаря Совета Безопасности РФ
Павлович
Погосян Михаил Генеральный директор ОАО
Асланович Авиационная холдинговая
Компания «Сухой»
Попик Василий Зам. начальника Экспертного управления Пре-
Михайлович зидента РФ
Прохоров Михаил Президент ООО «Группа ОНЭКСИМ»
Дмитриевич
Федоров Евгений Председатель Комитета Государственной думы
Алексеевич четвертого созыва по экономической политике,
предпринимательству и туризму
Христенко Виктор Министр промышленности и
Борисович энергетики РФ
Чеченов Хусейн Председатель Комитета Совета
Джабраилович Федерации по образованию и науке
Чубайс Анатолий Председатель правления Российского ОАО
Борисович энергетики и электрификации «ЕЭС России»
Правление
Меламед Леонид Генеральный директор ГК «Роснанотех»
Борисович
Малышев Андрей Зам. генерального директора
Борисович
106
Продолжение таблицы 4.2
Лосюков Александр Зам. генерального директора
Прохорович
Ревизионая комиссия
Зубаков Владимир Главный советник Комитета Государственной
Алексеевич думы по экономической политике и предпри-
нимательству – председатель комиссии
Аникеев Владимир Зам. директора – руководитель аппарата дирек-
Николаевич тора РНЦ «Курчатовский институт»
Миклушевский Владимир Директор Департамента прогнозирования и ор-
Владимирович ганизации бюджетного процесса Минобрнауки
России
Негашева Юлия Начальник Департамента корпоративных фи-
Николаевна нансов и бюджета РАО «ЕЭС России»
Улупов Вячеслав Директор службы внутреннего контроля
Евгеньевич "Внешэкономбанк"
Научно-технический совет (НТС)
Алфимов Михаил Директор Центра фотохимии РАН – председа-
Владимирович тель совета
Авдеев Виктор Васильевич Зав. лабораторией химии углеродных материа-
лов МГУ им. М.В. Ломоносова, директор НПО
Унихимтек
Асеев Александр Директор института физики полупроводников
Леонидович СО РАН
Беляев Иван Иванович Референт Аппарата Совета Безопасности РФ
Бетелин Владимир
Борисович Директор НИИ системных исследований РАН

Гинцбург Александр Директор НИИ эпидемиологии и


Леонидович микробиологии им. Н.Ф. Гамалеи РАМН, Вице-
президент РАМН
Каблов Евгений Генеральный директор ВНИИ авиационных ма-
Николаевич териалов (ФГУП ВИАМ)
Коптев Юрий Николаевич Директор Департамента оборонно-
промышленного комплекса Минпромэнерго
России
Ливанов Дмитрий Ректор Московского института стали и сплавов
Викторович
Локшин Моисей Зам. генерального конструктора КБ «Сухой» по
Абрамович науке
Нарайкин Олег Степанович Зам. директора РНЦ «Курчатовский институт»

107
Продолжение таблицы 4.2
Пивнюк Владимир Вице-президент ОАО ГМК «Норильский никель»
Алексеевич
Путилов Александр Директор ГНЦ ФГУП ВНИИ неорганических
Валентинович материалов им. акад. А.А. Бочвара

Северинов Константин Зав. лабораторией Института молекулярной гене-


Викторович тики РАН
Скрябин Константин Член Совета при Президенте РФ по науке, техно-
Георгиевич логиям и образованию, председатель Научного со-
вета по биотехнологии РАН
Стриханов Михаил Ректор Московского инженерно-физического ин-
Николаевич ститута
Фортов Владимир Директор Института теплофизики экстремальных
Евгеньевич состояний ОИВТ РАН
Шевченко Владимир Директор Института химии силикатов им. И.В.
Ярославович Гребенщикова РАН
Шишкин Юрий Помощник Президента РАМН
Владимирович
ГЛАВА 5. ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ
НАНОПРОДУКЦИИ И СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО
НАЗНАЧЕНИЯ
5.1. Общие сведения
Применение высоких технологий в современной военной технике является
залогом успешного ведения боевых действий. Благодаря этому повышается ав-
тономность используемой боевой техникия. А также ее эффективность. Уже
существуют автономные разведывательные роботы-самолеты и роботы, помо-
гающие вести наземные боевые действия. Использование нанотехнологий в бо-
евой технике и системах вооружения позволит создать радикально новые воен-
ные устройства. Некоторые из достижений в области нанотехнологий уже ис-
пользуются в военном обмундировании и вооружении. И конечно, существуют
проекты «ороужия будущего», на разработку которого военные агенства выде-
ляют немалые инвестиции.
Глава правительства РФ В. Путин заявляет следующее: «Нанотехнология,
безусловно будет ключевой отраслью для создания сверхсовременного и сверх-
эффективного как наступательного, так и оборонительного вооружения, а так-
же средств связи. Это направление деятельности, на которое государство не бу-
дет жалеть средств», а руководитель наноценотра МЭИ А. Алексенко отмечает
: «Надо заниматься нанотехнологией двойного назначения – для охраны госу-
дарственных границ, а также для защиты от техногенных катастроф. Против
нановооружения нет другой защиты, кроме нанозащиты…».
На сегодняшний день военные нанотехнологии заняты поиском новых ма-
териалов, улучшением систем управления военной техникой и разработкой си-
стем защиты от бактериологического и химического оружия.
Процесс эволюции ускоряется, а возникающее многообразие не всегда
подвержено естественному отбору временем, причем, это относится не только к
материальной, но и к интеллектуальной продукции. В этом сила и опасность
любого нового направления, особенно междисциплинарного. Поскольку в этом
пока еще «карлике» просматриваются очертания «гиганта», целесообразно на
начальном этапе развития индустрии с приставкой «нано» оценить возможное
положительное или отрицательное влияние наноиндустрии на безопасность как
«состояние защищенности жизненно важных интересов личности, общества и
государства от внутренних и внешних угроз». Вопросы безопасности и разра-
боток систем специального назначения рассматриваются в работах [1–3].
По мнению военных экспертов, нанотехнологии имеют блестящее военное
будущее и могут изменить характер современных боевых действий в большей
степени, чем в свое время изменило изобретение пороха. Это коснется, прежде
вего, перспективных образцов вооружения и военной техники, средств связи,
экипировки военнослужащих, средств радиационной, биологической и химиче-
ской (РХБ) разыведки, а также военной медицины [1].
В середине XX века один из создателей американской термоядерной бом-
бы Э. Теллер сформулировал тезис: «Тот, кто раньше овладеет нанотехнологи-

109
ей, займет ведущее место в техносфере следующего столетия». Его соотече-
ственник, лауреат Нобелевской премии 1965 года Р. Фейнман, высказался по
проблеме фактически в том же ключе: « Контроль и упрпавление строением
вещества в очень малых размерах являют малоизученную область физитки, ко-
торая представляется весьма важной и перспективной и может найти множе-
ство ценных технических прменений …»
Стремительность процессов и обшироность направлений в этой сфере та-
ковы, что могут изменить облик мира уже в ближайшие десятилетия. Это озна-
чает, что времени для бесплоднеых сомнений нет. Актуальность прикладных
аспектов нанотехнологий Э. Дрекслер предрекал еще 20 лет назад: «Мощь
нанотехнологий можно обратить и на создание военной силы. Перспектива со-
здания новых вооружений и их быстрого производства является причиной для
серьезного беспокойства»
В данной главе проводится обзор основных направлений работ по созда-
нию систем специального назначения с использование ресурсов нанотехноло-
гий.

5.2. Наноугрозы и риски


Совокупность угроз и рисков для государственной и военной безопасности
порождаемых развитием, применением и распространением нанотехнологий
приведена в таблице 5.1.

Таблица 5.1. Угрозы и риски для государственной и военной


безопасности вызванные развитием нанотехнологий
1. Избирательное информационное или электромагнитное
воздействия на структуры государственного и военного
управления.
2. Локальный скрытый медико-биологический контроль за
Государственная
группами людей.
безопасность
3. Изменение стратегии сбора информации и контроля эфи-
ра за счет использования коммерческих бытовых информа-
ционных сетей на основе элементов базы нового поколе-
ния.
1. Совершенствование термоядерного оружия малой мощ-
ности и сверхточного миниатюрного на основе наномате-
риалов с импульсным энерговыделением.
Военная
2. Развитие селективного триггерного или генетического
безопасность
избирательного оружия.
3. Развитие радиоэлектронных систем супервысоких частот
(гигагерцы – терагерцы).
В связи с развитием нанотехнологий следует особо выделить направления
возникновения военно-технических угроз:
– новые типы обычного оружия повышенной точности и поражающей силы;
– боевые автономные миниатюрные системы наземного, воздушного и кос-
110
мического базирования, в том числе распределенные (типа «рой»);
– сверхскоростные информационные распределенные системы;
– ультрасверхвысокочастотные радиоэлектронные средства обнаружения и
связи;
– распределенные сенсорные сети (типа «Умная пыль») специального
назначения;
– имплантируемые микро- и наносистемы, предназначенные для управле-
ния, изменения потенциальных возможностей и «манипулирования» человече-
ским организмом;
– биологическое и химическое оружие триггерного и генетически избира-
тельного действия.

5.3. Роль наноиндустрии в обеспечении национальной


безопасности
В процессе становления наноиндустрии можно определить ряд особенно-
стей «нанотехнологического бизнеса» как инновационного интеллектуальноем-
кого и экономически эффективного направления, затрагивающего, в том числе,
и геополитические особенности развития государств:
– нанотехнологии основаны на фундаментальных знаниях и имеют в каче-
стве принципиального ограничения кадровый потенциал;
– нанотехнологии построены на новых знаниях и, как правило, требуют за-
щиты интеллектуальной собственности;
– развитие нанотехнологических исследований требует значительных эко-
номических вложений;
– выход на рынок нанотехнологий требует чрезвычайно значительных «им-
пульсных» экономических вложений;
– нанотехнологический капитал – рискованный, отдача медленная.
Основной геополитической особенностью нанобизнеса является селекция
государств по их возможностям, исходя из следующих критериев:
– образовательный капитал (уровень);
– финансовый капитал (экономический потенциал);
– природный капитал (ресурсы).
Особого внимания заслуживают проблемы обеспечения медицинской,
биологической, экологической, продовольственной безопасности, т.е. безопас-
ности жизнедеятельности человека как носителя генетического, исторического,
культурного и технологического наследий. Фактически первым научно-
обоснованным нормативным документом, определяющим химическую и био-
логическую безопасность продукции, полученной с использованием нанотех-
нологий или содержащей наноматериалы, является «Концепция токсикологиче-
ских исследований, методологии оценки риска, методов идентификации и ко-
личественного определения наноматериалов», утвержденная Постановлением

111
главного государственного санитарного врача Российской Федерации от 31 ок-
тября 2007 года №79.
Следует выделить ряд особенностей, отличающих требования к нанопро-
дукции от требований к традиционным веществам, материалам и процессам.
Это «доза – эффект» и «химический состав – эффект». Кроме того, следует осо-
бо учитывать отсутствие у организма эволюционно сформированной системы
распознавания и иммунного ответа на наночастицы, а также устойчивость на-
ночастиц к биотрансформациям. Это может приводить к их аккумуляции в про-
дуктах растительного, животного происхождений и передаче по пищевой цепи
с накоплением в организме человека. Следует также обратить внимание на ин-
формацию о том, что токсичность наноматериалов проявляется, в первую оче-
редь, в виде окислительного стресса в клетках мозга, повреждения клеточных
мембран и ДНК. Последнее подтверждает особую роль, которую могут играть в
будущем для генетического анализа наноаналитические чипы как экономиче-
ски эффективные системы для массового скрининга населения.
Проведенный анализ позволяет выделить совокупность факторов, опреде-
ляющих риски человека, животных, растений и окружающей среды в связи с
развитием наноиндустрии.
К ним относятся:
– продукция наноиндустрии в виде наноматериалов различной структуры и
состава;
– обычная продукция, полученная с использованием наноматериалов в каче-
стве основных и вспомогательных компонентов технологического процесса;
– промышленные отходы и выбросы при производстве продукции наноин-
дустрии и обычной продукции;
– наноматериалы и наносистемы, используемые в качестве инструменталь-
ных, диагностических и лекарственных средств при оказании медицинских
услуг и проведении исследований;
– одежда, обувь, упаковка, продукты, созданные с применением наномате-
риалов и процессов нанотехнологии;
– пищевая цепочка: вода, растения, животные – человек;
– ингаляционный путь: воздушная среда, растения, животные – человек.

5.4. Реализованные проекты специального назначения


с использованием нанотехнологий
Как отмечалось выше, на сегодняшний день нанотехнологии нашли при-
менение в следующих отраслях военной промышленности:
– навигация и управление;
– защита от биологического и химического оружия;
– новые материалы.
Навигация и управление. Создана система навигации, которая позволяет
управлять военной техникой на расстоянии. При этом блок навигации можно

112
подключить к самолету, кораблю, боевой машине или танку, кроме того, такая
система обеспечивает связь с GPS, выдает точные координаты, скорость объек-
тов и др.
Ее уже используют в управлении беспилотными самолетами, в новых машинах,
управляемых дистанционно, а также в опытных образцах морских разведыва-
тельных судов. Ученые из Исследовательского отделения Министерства оборо-
ны США разработали алгоритмы управления группой боевых единиц, исполь-
зуя при этом природный аналог – улей пчел. По их утверждению, коллективные
насекомые умеют вести войну со своими врагами несколькими способами, и
при этом каждая единица улья знает, что ей надо делать. Идут работы по моде-
лированию управляемого «улея» из наномашин, который будет способен вы-
полнять ряд операций. Ученым удалось создать алгоритм выполнения некото-
рых военных операций «ульем» однотипных механизмов, но для его проверки
нужны дополнительные исследования.
Быстродействующие наноэлектронные защиты будут использоваться в военной
экипировке будущего поколения для того, чтобы детектировать удар пули о
бронежилет настолько быстро, чтобы успела включиться защита костюма.
Наноэлектронные системы будут использоваться в снарядах, ракетах и торпе-
дах нового поколения.
Защита от биологического и химического оружия. Нанокомпании уже
несколько лет подряд совершенствуют системы защиты от химического и био-
логического оружия. Еще в 2002 г. правительство США выделило на исследо-
вания средств биологической и химической защиты полмиллиарда долларов. В
итоге за срок финансирования с 2002 г. по 2004 г. рядом компаний были разра-
ботаны эффективные защитные средства. Средства защиты простираются от
защитных перчаток, которые не пропускают токсичные вещества, до специаль-
ных кремов, которые уменьшают токсичность патогенов, попавших на кожу
солдата. Опишем некоторые из них.
Создан коммерческий продукт на основе нанотехнологий, который нейтрализу-
ет токсичные химикаты. Продукт состоит из активных наночастиц, которые
связывают и деактивируют около 24 известных токсичных химических соеди-
нений (а также некоторые кислоты), использующихся в химических атаках. В
отличие от кремов, он может быть эффективен и в распыленном состоянии (а
защитные кремы должны быть влажными), и в растворе. Для защиты от бакте-
рии, наиболее распространенной в качестве военного бактериологического
агента предложено использовать фуллерены, соединенные с антителами. Ре-
зультаты клинических испытаний препарата показали, что он убивает саму бак-
терию и ее споры до того, как концентрация патогенов в организме приведет к
его смерти. Создан чип определения биологической опасности размерами с
почтовую марку. Устройство может определить присутствие нескольких видов
различного бактериологического оружия. На его базе выпущен детектор, кото-
рый можно использовать в полевых условиях.
С помощью нанотехнологий была создана кремниевая микрокамера, в которой
происходит процесс нагрева-охлаждения ДНК. Как говорят разработчики при-

113
бора, он может опознать патоген при концентрации 10 бактерий в 1 пробе
(1 проба представляет собой капсулу диаметром 5 мм и 2 см длиной).
Ученые утверждают, что благодаря их усилиям международный терроризм не
сможет эффективно использовать биологическое и химическое оружие.
Новые материалы. Применение наноматериалов в военном оборудовании
открывает новые возможности для улучшения его прочности. Усилия совре-
менных нанотехнологов сосредоточены на керамических материалах. Наноке-
рамики применяются в 150 областях: это и валы пропеллеров, и телескопиче-
ские перископы, и т.д. Нанокерамика используется везде, где необходимо водо-
непроницаемость и защита от коррозии. Также новый материал гораздо жестче
обычной керамики и не столь ломок.
Используя наноструктуры из карбида кремния, ученым удалось втрое повысить
жесткость материалов на основе обычного SiC. На сегодняшний день выпуще-
но покрытие для прозрачных полимерных поверхностей, которое в несколько
раз увеличивает прочность пластика. Покрытие состоит из наночастиц в рас-
творе. При нанесении их на пластиковую поверхность они образуют сверхтвер-
дую пленку, которая не только защищает от биологических и химических аген-
тов, но и от попадания пули.
Военные машины предполагают оснастить специальной «электромеханической
краской», которая позволит менять им цвет наподобие хамелеона, а также
предотвратит коррозию и сможет «затягивать» мелкие повреждения на корпусе
машины. «Краска» будет состоять из большого количества наномеханизмов,
которые позволят выполнять все вышеперечисленные функции. С помощью си-
стемы оптических матриц, которые будут отдельными наномашинами в «крас-
ке» можно добиться эффекта невидимости машины или самолета. Миниатюр-
ные камеры будут считывать изображение с одной стороны устройства, переда-
вая его на фотоэлементы на другой стороне, формируя, таким образом, изобра-
жение заднего фона спереди машины.

5.5. Перспективные проекты специального назначения


с использованием нанотехнологий
На сегодняшний день учеными ведется активная работа по следующим
проектам:
– в стадии реализации программа «Solar Blade Heliogyro Nanosetllite». Пред-
полагается создать солнечный парус для наноспутника массой 5 кг с мощно-
стью солнечных батарей 28 Вт;
– ведется разработка национальной противоракетной обороны (НПРО) с ор-
битальной группировкой 15–20 тыс. спутников массой 8–10 кг, называемых
наноперехватчиками;
– ведутся работы по созданию наноаппаратуры для диагностики техническо-
го состояния образцов вооружения и военной техники;
– к 2010 г. планируется внедрение портативных наноустройств, способных
идентифицировать все виды химического и биологического оружия;
– фирма Integrated Nano-Tecnologies разрабатывает наноустройства (датчи-
ки) для обнаружения биологического оружия, которые планируется выпус-
114
кать серийно для обеспечения военной отрасли;
– Компания Friction Free Technologies использует нанотехнологии для эки-
пировки военнослужащих, реализующей концепцию неуязвимости «солдата
будущего».
Наиболее грандиозным и впечатляющим является проект по созданию
«Умной пыли» (Smart Dust), который предполагает создание самоорганизую-
щихся сетей из наделенных приемо-передатчиками, определенным интеллек-
том и автономным питанием «пылинок» (motes) размером менее 1 мм. куб. Ре-
зультаты будут использоваться в боевых действиях, при таможенном контроле,
в экологии, в наномедицине.
Направление работ оценивается как «критическое», т.е. очень важное для
обеспечения национальной безопасности.
Исследования в области нанопреобразователей энергии установили, что с
помощью нанопреобразователей можно получать любые виды энергии с боль-
шим КПД и создать эффективные устройства для выработки электроэнергии из
солнечного излучения с коэффициентом полезного действия около 90%.
Ведутся разработки нанобомб. Нанобомба получается путем смешивания
различных наноматериалов: топлива и окислителя. Скорость взрывной волны
достигает 3 скорости звука. Автономное питание наносистем можно обеспечить
с помощью использования
нанотоплива: результат химической реакции порошка наноштырей оксида ме-
ди, окислитель – наночастицы алюминия.
Если нанобомбу взорвать и воздействовать на пьезоэлектрику, то получит-
ся источник импульсного тока для питания мобильных телефонов, МПЗ плее-
ров, карманных компьютеров, таким образом, в нанотехнологии появляется но-
вое направление – нанопиротехника.

5.5.1. Проект «Умная пыль»


Концепцию «Умной пыли» – распределенных сетей сверхмалых устройств,
поддерживающих беспроводной обмен данными разработала компания Dust
Networks.
Более десяти лет назад была разработана концепция «Умной пыли» (smart
dust), которая подразумевает развертывание сети из тысяч беспроводных «дат-
чиков-пылинок». Сегодня площадь «пылинки» составляет около 12 кв. мм, а в
будущем она должна сократиться на порядок. Каждая «пылинка» может рабо-
тать в автономном режиме от микробатарейки в течение примерно 10 лет. Идея
состоит в том, чтобы усеять микродатчиками здания, квартиры, предприятия
или разбросать их на поле либо в лесу, а затем собирать с них информацию с
помощью общей системы мониторинга.
Первый тестовый комплект «Умной пыли» под названием SmartMesh со-
стоит из 12 миниатюрных устройств, называемых «пылинками». Цена всего
комплекта, включающего сами устройства и ПО, составляет $4950 тыс.
Устройства связаны беспроводными линиями передачи и могут передавать
данные с сенсоров, контролирующих температуру, скорость ветра, влажность
либо иные параметры. Фактически они представляют собой беспроводные ро-
115
утеры с батарейным питанием. С их помощью можно создавать, например, си-
стемы управления производственными процессами либо охранные системы.
Скорость обмена данными у «пылинок» относительно низка, что позволяет
обеспечить низкое энергопотребление и питание от автономных источников.
Это, в свою очередь, позволяет существенно снизить стоимость эксплуатации
систем на их основе, поскольку отпадает необходимость в проводке сетей элек-
тропитания, а также обеспечивает беспрецедентную гибкость системы.
SmartMesh представляет собой «слой», позволяющий организовать обмен
данными между двумя другими «слоями» — датчиками, с одной стороны, и
информационной системой, в рамках которой они функционируют, с другой.
Каждая «пылинка» представляет собой узел беспроводной сети обмена данны-
ми с ультранизким энергопотреблением. Передача данных осуществляется от
узла к узлу, аналогично тому, как происходит передача пакетов в сети интернет
– за исключением того, что в системе «Умной пыли» применяется вместо
TCP/IP, ставшего фактическим промышленным стандартом, иной протокол пе-
редачи данных. В настоящее время компания сотрудничает с главным стан-
дартообразующим органом Интернета - IETF - и вместе с ним разрабатывает IP-
стандарт для беспроводных сенсорных сетей. В этом их активно поддерживает
компания Cisco. Кроме того, Cisco сотрудничает с Dust Networks и другими
компаниями в деле разработки полномасштабных беспроводных сетевых си-
стем для промышленного производства. Сегодня беспроводные датчики Dust
Networks легко связываются с интернет-сетями через специальные шлюзы.
Данные, собираемые «пылинками», преобразуются с помощью привычного ин-
тернет-протокола XML. Еще одно отличие — в том, что разработана техноло-
гия, позволяющая держать устройства в выключенном состоянии большую
часть времени. Новая технология позволила добиться ошеломляющего резуль-
тата – отдельная «пылинка» на батарейках АА без их замены может прорабо-
тать три года. Программное обеспечение Business 2.0, поставляемое в комплек-
те с «пылинками», позволяет им самим организовать сеть и обеспечить столь
низкое энергопотребление.
Разработчики этой технологии (компания Dust Networks) столкнулись с
проблемой распространения маломощных радиоволн, которым трудно преодо-
леть физические преграды вроде бетонных стен и металлических труб. К тому
же слабые сигналы микродатчиков легко заглушались электромагнитными по-
мехами, и в результате эффективность «умной пыли» резко падала. По словам
Криса Пистера, на решение этих проблем он потратил целых пять лет. За это
время он постарался сделать беспроводные сенсорные сети простыми в исполь-
зовании и обеспечить их надежную работу в любой среде. Он утверждает, что
после многочисленных экспериментов и полевых испытаний «Умная пыль»
стала такой же надежной, как обычные проводные сети, причем стоимость ее
развертывания и технической поддержки намного ниже, чем у традиционных
сетевых инфраструктур. Решить проблему надежности удалось с помощью ко-
ротких цифровых сообщений, передаваемых в разное время на разных частотах
по разным направлениям. Если на каком-то участке сигнал блокировался, то на
других его передача осуществлялась без помех.
116
Хотя беспроводные сенсорные системы переживают ранний этап своего
развития, «Умная пыль» уже с успехом используется многими компаниями.
«Умная пыль» готова революционизировать системы мониторинга и контроля.
Развертывание широкой, повсеместно доступной сети датчиков оказалось,
однако, нелегкой задачей. Сегодня на рынке можно найти мини-сенсоры самых
разных типов, но как подключить их в единую сеть? Подключение сотен тысяч
датчиков, установленных в стенах, на потолках, в окнах, на столах, в пропус-
ках, то есть повсюду на территории офиса, цеха и на открытой местности, через
стандартные проводные сети и сети Wi-Fi оказалось слишком сложным и доро-
гостоящим.
В качестве альтернативы на протяжении ряда лет ученые разрабатывали
новые типы маломощных, узкополосных беспроводных mesh-сетей, но созда-
ние этих технологий уперлось в проблему надежности. Тем не менее, совре-
менные технологии готовы революционизировать методы мониторинга, позво-
ляющие «Умному зданию» собирать информацию о том, что происходит в его
стенах. Одним из ведущих исследователей в данной области считается Крис
Пистер (Kris Pister), профессор электромеханики из калифорнийского универ-
ситета Беркли и главный технический директор компании Dust Networks, кото-
рую он основал в 2002 году.
Воплощение идеи «Умной пыли» в жизнь потребовало немалых инвести-
ций. Dust Networks на ее разработку получила в общей сложности более $7 млн.
от таких компаний, как Foundation Capital, Institutional Venture Partners. Одной
из них стала In-Q-Tel – венчурная компания, финансируемая ЦРУ. Данных о
том, во сколько обойдутся заказчикам большие промышленные сети «Умной
пыли», Dust Networks пока что не приводит.
В будущем тысячи этих дешевых беспроводных сенсоров, размещенных в
самых различных местах, будут самостоятельно объединяться в сети и работать от
встроенных источников питания в течение нескольких лет. Пока же сенсорные се-
ти могут состоять всего из нескольких сотен «пылинок», поскольку эти устройства
остаются слишком дорогими, а длительность их работы исчисляется всего не-
сколькими днями. Главным препятствием к массовому распространению сенсор-
ных сетей является дороговизна источников питания, которые сегодня обходятся
примерно в $150.
На форуме разработчиков Intel было продемонстрировано несколько различ-
ных мини-сенсоров. К примеру, сенсор Mica оснащается 128 килобайтами про-
граммной флэш-памяти, 256 килобайтами флэш-памяти для хранения данных и
радиопередатчиком, работающим на частоте 900 МГц. Некоторые из этих
устройств работают под управлением операционной системы TinyOS, официаль-
ное представление которой запланировано на сентябрь текущего года. Код этой
операционной системы является открытым и состоит всего из 8,5 Кб.
В настоящее время уже существует несколько сенсорных сетей. Одна из них
проходит «боевые» испытания в Афганистане, где вооруженные силы CША раз-
местили несколько тысяч сенсоров с целью отслеживания передвижений боевой
техники. Другая сеть используется на острове «Дикая утка» в штате Мэн, где с ее
помощью ученые изучают миграцию буревестников, еще одна - в составе системы
симулятора землетрясений в Беркли.
117
ГЛАВА 6. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

6.1. Общие сведения


Электронная промышленность, промышленность, производящая элек-
тронные компоненты, такие, как транзисторы, интегральные микросхемы и
электровакуумные приборы, а также изделия и оборудование, содержащие эти
компоненты.
Изделия электронной промышленности находят широкое бытовое, про-
мышленное, учрежденческое и военное применение.
Электронная промышленность развилась из радиотехнической промыш-
ленности, начало которой положило изобретение электронной лампы. Вакуум-
ный триод был изобретен в 1907 г.; за этим последовал более чем десятилетний
«инкубационный» период коммерциализации радиотехники.
Параллельно этому шло развитие военной электроники (стимулированное
опытом первой мировой войны), промышленной электроники и техники теле-
фонной связи. С изобретением транзистора (в 1948 г.) стало возможным разви-
тие промышленности средств вычислительной техники. Хотя электронные
лампы и применялись в первых вычислительных устройствах, из-за больших
размеров таких ламп, их высокой потребляемой мощности и низкой надежно-
сти эти вычислительные устройства были вытеснены компьютерами на полу-
проводниковых приборах.
В конце 20 века термин «электронная промышленность» стал синонимом
термина «промышленность высокой (в значении ультрасовременной) техноло-
гии». Состояние и перспективы развития электронной промышленности Рос-
сийской федерации рассматриваются в работах [1,7].

6.2. Полупроводниковые приборы


В середине 1990-х годов мировой рынок полупроводниковых приборов
оценивался примерно в 90 млрд. долл., причем более 80% этой суммы состав-
ляли интегральные микросхемы (ИМС). Самый большой и наиболее быстро-
растущий сектор рынка ИМС составляли ИМС запоминающих устройств (ЗУ).
Наибольшим спросом пользовались ЗУ с МОП-структурами (металл – оксид –
полупроводник), в частности динамические ЗУ с произвольной выборкой
(ДЗУППВ) и ПЗУ с флэш-памятью. К началу 1990-х годов наибольшую долю
рынка ДЗУППВ захватила Япония, но рынок продолжал расти, и США с Юж-
ной Кореей были его важными участниками. Спросом пользовались также ви-
део-ЗУППВ, необходимые для видеографики высокого разрешения. Что касает-
ся ПЗУ с флэш-памятью, то для них имелись благоприятные перспективы ши-
рокого применения в портативных компьютерах и портативных средствах свя-
зи. Такие ПЗУ отличаются высоким быстродействием, малой потребляемой
мощностью и способностью сохранять данные при отключении питания.

118
Микропроцессоры, микроконтроллеры, цифровые процессоры сигналов и
внешние (периферийные) микроустройства составляют второй по объему и
быстроте роста сектор рынка полупроводниковых приборов. Микропроцессор-
ные ИМС становятся все более сложными.
Цифровые процессоры сигналов (ЦПС) – это недорогие микропроцессорные
ИМС, широко применяемые в измерительных приборах, средствах автоматики
и управления технологическими процессами. На дискретные транзисторы и
другие дискретные полупроводниковые приборы, в том числе оптоэлектрон-
ные, приходится около 15% мирового рынка полупроводниковых приборов.
К пассивным компонентам электронной промышленности относятся рези-
сторы, конденсаторы, катушки индуктивности и трансформаторы, соединители,
переключатели и реле, а также пьезоэлектрические устройства.
Переход на бескорпусные конденсаторы, резисторы и резисторные цепоч-
ки поверхностного монтажа потребовал новых капитальных вложений.
Автомобильный сектор рынка создал спрос на бескорпусные резисторы, а
сектор переносного бытового и учрежденческого оборудования (портативных
телефонов, электронных записных книжек и пр.) – спрос на бескорпусные кон-
денсаторы.
Катушки индуктивности и трансформаторы используются в основном в
потребительской электронике и бытовой аппаратуре развлекательного характе-
ра, такой, как радиоприемники, аудиоаппаратура и телевизоры, а также в про-
мышленном контрольно-регулирующем оборудовании.
Соединители необходимы в любой электронной аппаратуре и образуют
непрерывно растущий сектор рынка. Особый интерес представляют волоконно-
оптические соединители.
Промышленность средств вычислительной техники – сектор электронной
промышленности, намного опережающий другие и потребляющий наибольшую
массу электронных компонентов. Промышленность компьютерного оборудова-
ния охватывает компьютеры, ЗУ и накопители, терминалы и периферийное
оборудование.

6.3. Персональные компьютеры


Компьютеры можно разделить на следующие категории: супер-ЭВМ,
большие ЭВМ, ЭВМ средней мощности, автоматизированные рабочие места
(АРМ), персональные компьютеры (ПК) и портативные компьютеры. На ры-
ночный сектор ПК приходится основная доля выручки, и объем сбыта ПК в
штуках намного больше, чем компьютеров любой другой категории.
В конце 20 в. рынок больших ЭВМ и ЭВМ средней мощности постепенно со-
кращался при одновременном расширении рынка АРМ и ПК. Однако предпола-
гается, что достигшая высокого развития промышленность больших ЭВМ бу-
дет существовать и в 21 в., а производители ЭВМ средней мощности будут
продолжать наращивать функциональность своей продукции, снижая в то же
время цены под давлением конкуренции.
АРМ, в которых используются быстродействующие микропроцессоры, перво-
начально привлекли внимание ученых и конструкторов. В конце 20 в. автома-
119
тизированные рабочие места угрожали вытеснить ЭВМ средней мощности в
качестве сетевых серверов (потребителей учрежденческого оборудования АРМ
заинтересовали вначале как электронные издательские системы и т.п.). АРМ
основаны на микропроцессорах с архитектурой RISC (на основе упрощенного
набора команд).

6.4. Электронная промышленность в средствах связи


Промышленность средств связи составляют производители телефонного и
телеграфного, а также вещательного и связного радио- и телевизионного обо-
рудования. Телефонное и телеграфное оборудование – это линии передачи,
мультиплексоры и коммутаторы, а также терминальное и абонентское оборудо-
вание. К вещательному радио- и телевизионному оборудованию относятся ра-
диопередатчики, приемопередатчики, радиоприемники, студийное вещательное
оборудование, замкнутые и кабельные телевизионные системы, спутниковые
системы связи, системы радиосвязи с подвижными объектами и радиотелефоны
сотовой связи. Предполагается, что в XXI веке будет расширяться как аналого-
вые, так и цифровые системы сотовой связи.
Возможности радиотелефонных персональных систем связи (ПСС) расши-
ряться от простой речевой связи до высокоскоростного обмена данными и под-
ключения к ресурсам сети Интернет.
К терминальному оборудованию относятся учрежденческие телефонные
станции, телефонные аппараты, системы ввода с клавиатуры, факсимильные
аппараты (факсы), модемы, системы обработки речевого сигнала и видеоаппа-
ратура.

6.5. Современное состояние электронной промышленности


Элементарной ячейкой современной электронной промышленности явля-
ется транзистор. Согласно закону Г. Мура, на сегодняшний день количество
транзисторов ежегодно поставляемых на рынок достигло 1020 шт., что демон-
стрирует рис. 6.1.

1020
Годовое производство
транзисторов, шт

1018

1016

1014

1012
1980 1990 2000 2010

Рис. 6.1. Количество транзисторов ежегодно поставляемых на рынок

120
Кроме того, можно заметить, что количество транзисторов, поставляемых
на рынок ежегодно увеличивается примерно на 69%.

6.5.1. Мировые лидеры по производству электронной


продукции
Мировой опыт доказал, что именно электроника, а теперь и наноэлектро-
ника – отрасль, способная сделать существенный прорыв в увеличении объемов
собственного производства, и запуск инновационных процессов в этой отрасли
ускорит формирование конкурентноспособной экономики. В передовых стра-
нах мира темпы развития электроники в 5–10 раз превышают темпы роста
национального продукта, а вложения средств в проекты по созданию и выпуску
электронной техники по рентабельности в 3–4 раза превосходят этот показатель
в других отраслях промышленности. Рис. 6.2 демонстрирует финансирование и
развитие электроники в мировой сфере производства и потребления в 2005 г.

Высокотехнологи- Информационные и
Стимулирование объемов производства

ческие отрасли телекоммуникацион-


экономики ные технологии
5 трлн. долл. 1 трлн. долл.
20 долл.

Электронная компонентная база


6 долл. 300 млрд. долл.

1 долл. Оборудование и материалы для


электронных технологий
50 млрд. долл.

Рис. 6.2. Технологическая цепочка электроники в мировой сфере


производства и потребления

К мировым лидерам по производству электронной продукции на сего-


дняшний день можно отнести следующие страны:
– Китай;
– США;
– Германия;
– Южная Корея;
– Тайвань;
– Сингапур.
К достижениям Китая в области в области высоких технологий можно от-
нести следующее:
– производство военной техники и космических систем на 100% обеспечи-
вается отечественными электронными компонентами (вплоть до микропроцес-
соров и «систем-на-кристалле»;

121
– к 2010 г. планируется освоение 32-нм технологического процесса Стои-
мость одной фабрики, способной производить 32-нм чипы более 3,5 млрд. долл.
Конкуренцию КНР составляет объединение ведущих производителей микро-
процессор также осваивающих 32-нм технологию (IBM, Toshiba, AMD, Sam-
sung, Chartered, Infineor и Freescfle). К 2010 г. это позволит размещать 109 тран-
зисторов в одном чипе;
– ежегодно объем продаж полупроводниковых приборов более 20 млрд.
долл.;
– в стране более 20 работающих линий по обработке 200 мм пластин;
– в стране 3 линии по обработке 300 мм пластин, освоены технологии
90 нм;
– КНР производит 33% мобильных телефонов, 17% цифровых камер,
20% DVD-плееров, 28% модемов от мирового рынка данной продукции.

6.5.2. Состояние электронной промышленности в России


К сожалению, на сегодняшний день можно констатировать факт отстава-
ния России от мировых лидеров по производству электронной продукции. Про-
блема развития и конкурентоспособности электронной продукции России во
много связана с неблагоприятной политической и экономической ситуацией в
стране, сложившейся в 90-е годы. Следует отметить, что СССР в 1991 г. отста-
вал от мировых лидеров США и Японии на один уровень технологий (800 нм
против 500 нм) или на 3–4 года по временным меркам, что демонстрирует рис.
6.3.
мкм
3,0

2,5

2,0

1,5

1,0 0.8 мкм

0,5 * 0.35 мкм


*
0.09 мкм
1980 1985 1990 1995 2000 2005

Отечественный уровень
Зарубежный уровень
Опытная линейка НИИСИ РАН

Рис. 6.3. Динамика совершенствования технологической базы

122
Ведущие страны достигли к 2007 г. технологии 65 нм, увеличив отставание
России на 20 лет, что демонстрирует рис. 6.4.
Скорейшее достижение современного уровня технологии требует обеспе-
чение безопасности страны. Решение указанной проблемы может быть связано
с закупкой современной фабрики для производства микросхем с нормой проек-
тирования 90 нм и месячным выпуском 50 тыс. трехсотмиллиметровых пластин
в год. Цена такой фабрики составляет около 5 млрд. долл., обслуживаемая на
первом этапе зарубежными специалистами, обеспечивая обучение отечествен-
ных кадров по всем необходимым направлениям.
Типы ИС, шт
3000
США

2500

2000

1500
Россия
1000

500

0
7 3 2 1,2 0,8 0,35 0,18
5 2,5 1,5 1 0,5 0,25
Минимальный размер элемента, мкм

Рис. 6.4. Распределение применения микроэлектронной ЭКБ в США и России


по технологической норме проектирования
Восстановление разрушенной базы отечественной микроэлектроники и до-
стижение ею мирового уровня потребует сотни миллиардов долларов капита-
ловложений (необходим аналог закупки СССР Волжского автозавода в начале
1970-х годов).
Современное состояние электронной промышленности России можно
вкратце охарактеризовать следующими фактами:
– за последние 16 лет новых заводов не построено. До этого наша страна
была третьей в мире, отставая лишь от Японии и США;
– фирма «Ангстрем» осваивает линию по обработке 200-мм пластин и 350
нм технологию: План технологического развития по диаметру кремниевых пла-
стин представлен на рис. 6.5;
– на развитие наноиндустрии до 2010 г. выведено 28 млрд. рублей;
– ведущие предприятия «Микрон» и «Ангстрем»;

123
Фабрика «150 мм» Фабрика «300 мм»

150 300

Фабрика «200 мм»

200

1.2 0,8 0,5 0,35 0,25 0,18 0,13 0,09 0,065 0,045
мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм

Строительство новой 300 мм


для уже существующей на 200 мм технологии

Рис. 6.5. План технологического развития по диаметру кремниевых пластин


– компания «Ситроникс» открыла фабрику с топологическим размером
180 нм, ей принадлежит завод «Микрон» (Зеленоград). «Микрон» на договор-
ных условиях использует технологии франко-итальянской фирмы STM. (инве-
стиции 200 млн. долл.) В 2008 г. – освоен уровень 130 нм технологии, в 2009 г.
происходит переход на топологическую норму проектирования в 90-нм. Ком-
пания получила 2,3 млрд. долл. на строительство фабрики;
– производитель микросхем «Ангстрем-Т» Зеленоград сотрудничает с AMD,
осваивается технология 130 нм (на закупку оборудования затрачено 462 млн.
долл.);
– правительство РФ на развитие отечественной электроники компонентной
базы до 2015 г. выделяет 110 млрд. руб. (с внебюджетными средствами будет
187 млрд. руб.). План финансового обеспечение подпрограммы «Развитие элек-
тронной компонентной базы» на 2007–2011 гг. демонстрирует рис. 6.6.
Освоение 45-нм технологии планируется к 2015 г. Объем радиоэлектронных
изделий к 2015 г. ожидается на уровне 300 млрд. руб.;
– компания «Ситроникс» заключила соглашение о стратегическом партнер-
стве с финско-немецким предприятием Nokia Siemens Networks, есть соглаше-
ние с китайской фирмой ZTE по совместной разработке ГЛОНАСС.
Российский научный центр «Курчатовский институт» налаживает стратегиче-
ское сотрудничество с компанией Intel. Цели: обмен информацией, совместные
научные исследования, образовательные проекты, разработка инноваций;
– создается 7 пилотных технопарков (Московский, Новосибирский, Ниже-
городский, Калужский, Тюменский, Татарстанский, Санкт-Петербургский).
Первые технопарки были созданы в 1990 г. в Томске и Зеленограде. Технопарк
МИЭТ расположен на площади 56 тыс. кв. м, МГУ – 11,7 тыс. кв. м, планирует-
ся, что Новосибирский технопарк будет иметь площадь 150 тыс. кв. м. к 2011 г.
Пилотные технопарки будут производить высокотехнологичной продукции на
117 млр. руб., число работающих составит 75 тыс. человек.

124
Реконструкция и техническое Федеральный бюджет
перевооружение электронных
4,3 млрд. руб.
производств

Приоритетное развитие
Федеральный бюджет
систем проектирования ЭКБ
на базе создоваемой сети 3,0 млрд. руб.
дизайн-центров

Приоритетное развитие:
- СВЧ-электроники
- радиационно-стойкой ЭКБ Федеральный бюджет
- микросистемотехники и
материалов 15,9 млрд. руб.
- микроэлектроники

Бюджет всего Федеральный бюджет


38,46 млрд. Руб. 23,2 млрд. руб.

Рис. 6.6. Финансирование подпрограммы


«Развитие электронной промышленности» на 2007–2011 гг.

6.5.3. Признаки возрождения электронной промышленности


в России
Сегодня в России существуют и создаются предприятия, фабрики, компа-
нии и научные институты, усилия которых направлены на развитие отечествен-
ной электронной и наноэлектронной промышленности.
К таким отечественным предприятиям следует отнести «Микрон» – произ-
водитель ИМС, НИИ «Полюс» – производитель лазеров, институт «Проблем
технологии микроэлектроники и особо чистых материалов» в г.Черноголовке,
лабораторию наноэлектроники во главе с член корр. РАН А.А. Горбацевичем,
которая ведет разработки гетероструктур, элементарной базы нано- и оптоэлек-
троники, лабораторию возобновляемых источников энергии во главе с акаде-
миком Ж.И. Алферовым (см. рис. 6.7), физико-технический институт им. А.Ф.
Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург), где работает центр физики наногетерострук-
тур (12 лабораторий, 300 сотрудников), РОСНАНО,
ЗАО «НТ-МДТ» – производитель нанотехнологического оборудования,
ЗАО «УНИХИМТЕК» – производитель наноматериалов и продуктов на их ос-
нове.

125
Рис. 6.7. Лауреат Нобелевской премии Алферов Ж.И.

По мнению специалистов в Российских условиях перспективно создание


мелкосерийных минифабрик под конкретные задачи. Пример – минифабрика
НИИ СИ РАН на основе комплекта кластерного оборудования с поштучной об-
работкой 150 мм, с проекционной системой фотографии с длиной волны
365 нм, рассчитанная на проектную мощность в 100 тыс. микросхем в год, ре-
шающая задачи информационной безопасности современных специализиро-
ванных аппаратно-программных систем. Минифабрика позволяет за 10-15 дней
изготовлять перспективные разработки, отрабатывать современные технологи-
ческие процессы, готовить кадры для промышленных заводов.
На рис. 6.8. представлен прогноз структуры потребления изделий элек-
тронной и наноэлектронной промышленности по сферам применения в России
в 2011 году.

126
Автоэлектроника

9,0

Средства связи,
промышленная
электроника, 18,0
Специальная
18,0
бытовая электроника
электроника

Электронные 1,8 3,6


3,6
документы 9,0
Интеллектуальные
ГЛОНАСС игры
Цифровое
телевидение

Общий объем потребления 60 млрд. руб.

Рис. 6.8. Структуры потребления изделий электронной и наноэлектронной


промышленности в России в 2011 г

6.5.4. Перспективы развития электронной промышленности


в России
Состояние отечественных электронных технологий на фоне мировых в
2005 г. демонстрирует рис. 6.9
САПР
100

Радиационно- 45 100 Микро-


стойкая ЭКБ 100 электроника
30
10

25
15
100
100 Микро-
Материалы 45 механические
системы

100
СВЧ
твердотельная
электроника

Мировой технологический уровень 2005 г.

Отечественный технологический уровень 2005 г.

Рис. 6.9. Сопоставление отечественного и мирового уровней электронных технологий

127
Реализация комплекса взаимоувязанных целевых программ, инвестицион-
ных проектов и внепрограммных мероприятий, составляющих основу страте-
гии развития электронной промышленности в России, направлена на восста-
новление научно-технического и производственно-технологического потенциа-
ла микро- и наноэлектроники и электронной отрасли в целом и вывести ее на
современный мировой уровень.
Ожидается, что в 2011 г. объем реализации отечественной продукции элек-
тронной промышленности составит не менее 50 млрд. рублей, а технологиче-
ский уровень изделий в серийном производстве позволит достигнуть топологи-
ческих размеров 0,13-0,18 мкм. Это позволит обеспечить потребности отраслей
экономики и обороны, в том числе за счет создания стратегически значимых
систем, и резко уменьшить долю импортной электронной базы в производстве
радиоэлектронных средств. Существующее в настоящее время соотношение
65% к 35% в пользу импортной электронной базы будет изменено на 60% к
40% в пользу отечественных компонентов.
Модернизация ключевых производств электронной техники и структуры
отрасли на основе государственно-частного партнерства с одновременным со-
зданием рыночной инфраструктуры должны существенно улучшить экономи-
ческое положение предприятий и повысить рентабельность выпускаемой про-
дукции.
Учитывая высокий потенциал отечественной науки в области электроники,
можно ожидать существенного расширения международного научно-
технического сотрудничества и прорыва в области новых технологий, в том
числе нанотехнологий, биоэлектроники, производства биочипов для автомати-
зированного поддержания жизнедеятельности живых организмов и др.
Все это позволит повысить конкурентность отечественных изделий, как на
внутреннем, так и на внешнем рынке микроэлектронной и электронной техники
и значительно укрепит обороноспособность и безопасность России.
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ
ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ
ИЗДЕЛИЙ

7.1. Общие сведения


С позиций новизны и радикальности подходов (а следовательно, и необхо-
димых для реализации материально-экономических ресурсов и затрат времени)
можно обозначить три основных парадигмы:
– развитие наноэлектроники путем эволюционного совершенствования су-
ществующих «кремниевых» планарных технологий;
– более глубокое модифицирование планарной технологии и распростра-
нение ее на другие материалы и ситуации;
– создание принципиально новой электроники следующих поколений на ос-
нове «некремниевых» устройств и физических принципов.
Эти революционные идеи предполагают использование квантовых сверх-
проводящих компонентов, нанотрубок, фуллеренов и их производных, опто-
электроники, биоэлектроники, квантового распределенного компьютинга, од-
ноэлектро-ники, спинтроники и др.
В англоязычной литературе эти три направления для краткости иногда на-
зывают так: «в будущее вместе с кремнием», «рядом с кремнием» и
«без кремния». В настоящее время возможности кремниевых технологий до
конца еще не исчерпаны (рис. 7.1), и при наличии больших производственных
мощностей, отлаженного производства, подготовленных специалистов, инфра-
структуры, разогретых рынков сбыта это направление еще долго будет зани-
мать на рынке доминирующие позиции.
Однако серьезные принципиальные ограничения, имеющиеся на этом пу-
ти, заставляют думать и над альтернативами. Более близким и прогнозируемым
экспертам представляется второе направление. Однако, скорее всего, это пал-
лиатив, и революционные преобразования информационной техники нас ждут
за пределами «кремниевой идеологии».
Далее речь пойдет о роле и месте технологий нового поколения в прогрес-
се электроники.
Рис. 7.1. демонстрирует прогноз перехода к указанным технологиям и про-
цесс миниатюризации изделий наноэлектроники.
Развитие технологий происходит в соответствии с законом Мура. Это про-
является в уменьшении характерных размеров элементов. Переход в наноэлек-
тронную область наблюдается с 2003 года.
К 2030 году размеры элементов составят единицы нанометров. Это будет
достигнуто благодаря внедрению квантовой и молекулярной нанотехнологий.
Будет решена и проблема межсоединений. На смену контактным соединителям
придут оптические соединители типа смартлинков.

129
Годы
1970 1990 2010 2030

Характерный размер объекта R, нм


104 Закон Мура

103

102
Органическая технология
«Вместе с
кремнием» Квантовая технология
Прогноз Молекулярная
на «Рядом с технология
101 будущее кремнием»

«Без кремния»
100
?
Рис. 7.1. Переход на новые технологии изготовления
наноэлектронных изделий и систем

7.2 Основы кремниевой технологии

7.2.1. Кристалическое строение и зонная структура


полупроводников
Электропроводность полупроводников определяется двумя физическими
факторами: подвижностью и концентрацией носителей зарядов, формирующих
электрический ток. Широкий диапазон изменения удельной электропроводно-
сти – от 10–9 до 103 (Омсм)–1 – не может быть объяснен за счет подвижности,
которая может варьироваться в пределах одного-двух порядков. Изменение
концентрации носителей заряда есть главная причина, обуславливающая такой
диапазон электропроводности полупроводников.
Чтобы разобраться, почему концентрация подвижных носителей заряда
может изменяться в широких пределах, необходимо уяснить особенности кри-
сталлического строения полупроводников и их зонную структуру.
В настоящее время в качестве веществ, используемых для изготовления
современных полупроводниковых приборов, применяются элементарный полу-
проводник кремний Si (элемент четвертой группы таблицы Менделеева) и
сплав арсенид галлия GaAs (элементы третьей и пятой групп), а так же крем-
ний, легированный германием. В недалеком прошлом широко использовался
чистый германий Ge.
Все эти вещества имеют монокристаллическую структуру и кристалличе-
скую решетку алмазного типа: каждый атом окружен четырьмя другими атома-
ми, находящимися в вершинах правильного тетраэдра. Прочность такой решет-
ки обеспечивается за счет специфической химической связи, возникающей пу-
тем обобществления пары валентных электронов парой соседних атомов кри-
сталлической решетки, которая называется ковалентной связью.

130
Каждый атом кремния или германия на наружной оболочке имеет четыре
валентных электрона. Поэтому каждый атом образует четыре ковалентных свя-
зи с четырьмя ближайшими от него атомами. В результате внешняя орбита
каждого из атомов имеет восемь электронов и становится полностью заполнен-
ной как показано на рис. 7.2.

Атомы
решетки
Ковалентная
связь Валентные
электроны

Рис. 7.2. Структура ковалентных связей в кристаллической решетки типа алмаза

Кристаллическая решетка, в которой каждый электрон внешней орбиты


связан ковалентными связями с остальными атомами вещества, является иде-
альной. В таком кристалле все валентные электроны прочно связаны между со-
бой и свободных электронов, которые могли бы участвовать в переносе заря-
дов, нет.
Химически чистые беспримесные полупроводники называются собствен-
ными проводниками. При температуре абсолютного нуля – 0 К (–273° С) все
собственные полупроводники имеют идеальную решетку.
Согласно квантовой теории, электрон в изолированном атоме может обла-
дать только дискретными уровнями энергии (энергетическими состояниями),
причем некоторые разрешенные уровни энергии могут быть незаполненными в
соответствии с рис. 7.3.
Ee ЗП-зона прово-
димости

ЗЗ-запрещенная
E зона

g ВЗ-валентная
зона

а) уединенный атом б) твердое тело

Рис. 7.3. Энергетическая диаграмма изолированного атома и кристалла,


образованного из этих атомов

При образовании кристаллической решетки твердого тела все имеющиеся


у данного атома электронные уровни расщепляются вследствие действия со-
131
седних атомов друг на друга. Таким образом, из отдельных дискретных энерге-
тических уровней уединенных атомов в кристалле полупроводника образуются
целые полосы (зоны) разрешенных диапазонов энергии, которые отделены друг
от друга запрещенными зонами, т.е. такими промежутками уровней энергии,
которыми электрон не может обладать.
Все электроны, которые участвуют в ковалентных связях, находятся на
энергетических уровнях, соответствующих самой верхней из разрешенных зон,
заполненных при температуре абсолютного нуля. Такая зона называется ва-
лентной. Выше валентной зоны располагается другая разрешенная зона – зона
проводимости, энергетические уровни которой определяют энергию электро-
нов, не участвующих в ковалентных связях, т.е. свободных электронов или
электронов проводимости. При температуре абсолютного нуля эта зона пуста.
Между зоной проводимости и валентной зоной расположена запрещенная зона.
Величина этого промежутка, измеряемая в электрон-вольтах (эВ), называется
шириной запрещенной зоны и обозначается как Eg.
Наряду с удельной электропроводностью ширина запрещенной зоны есть
важнейший параметр радиоматериалов. Для наиболее часто используемых по-
лупроводников ее величина приведена в таблице 7.1.

Таблица 7.1. Ширина запрещенной зоны основных полупроводников

Тип радиоматериала Величина запрещенной зоны в эВ


и его обозначение
при 300 К при 0 К
Кремний (Si) 1,12 1,17
Германий (Ge) 0,67 0,74
Арсенид галлия (GaAs) 1,42 1,52

В общем случае различные радиоматериалы имеют различное строение


энергетических зон, которое показано на рис. 7.4.

Ee
Ee Ee

Eg>3эВ Eg<3эВ

а) проводник б) диэлектрик в) полупроводник

Рис. 7.4. Энергетические диаграммы радиоматериалов

Исходя из особенностей этого строения, вещества разделяют на проводни-

132
ки, полупроводники и диэлектрики более точно, чем по величине удельной
электропроводности.
Перемещаться от атома к атому, т.е. образовывать электрический ток,
электроны могут только при наличии незаполненных разрешенных состояний у
соседнего атома либо в зоне проводимости, либо в валентной зоне. Это означа-
ет, что электрический ток может формироваться как за счет переходов внутри
зон (если зоны заполнены не полностью) при небольших энергетических воз-
действиях, либо за счет переходов из валентной зоны в зону проводимости при
энергетических воздействиях, соизмеримых с шириной запрещенной зоны.
У проводников валентная зона и зона проводимости взаимно перекрыва-
ются, в результате чего получается одна единая зона, заполненная при 0 К
лишь частично, что обеспечивает в таких условиях проводникам проводимость.
У полупроводников и диэлектриков при 0 К валентная зона полностью запол-
нена, а зона проводимости – пуста, что означает полное отсутствие проводимо-
сти. Различие между полупроводниками и диэлектриками чисто количествен-
ное: у полупроводников ширина запрещенной зоны не может превышать 3 эВ.

7.2.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных


приборов
Групповой метод был предложен для изготовления транзисторов в конце
50-х годов прошлого столетия. Сущность метода состоит в том, что в полупро-
водниковой пластине диаметром 25–80 мм и толщиной 0,2–0,5 мм одновремен-
но изготавливалось множество транзисторов, регулярно расположенных на по-
верхности пластины. Затем пластина разрезалась на множество отдельных кри-
сталлов, содержащих по одному транзистору. После этого кристаллы помеща-
лись в корпусы с внешними выводами.
Идея группового метода стала очень широко использоваться при изготов-
лении интегральных схем, что иллюстрирует рис. 7.5. Здесь реализуется воз-
можность технологической интеграции компонентов на одной подложке. Суть
интеграции состоит в том, что на исходной пластине (см. рис. 7.5, а) вместо от-
дельных транзисторов одновременно изготавливается множество ИС, каждая из
которых содержит все компоненты (резисторы R, диоды VD, транзисторы VT,
указанные на рис. 7.5, б, в), необходимые для построения функционального уз-
ла.

Рис. 7.5. Иллюстрация группового метода изготовления ИС

133
Эти компоненты соединяются друг с другом тонкими металлическими по-
лосками (часто алюминиевыми). Как видно из рис. 7.5, а все ИС регулярно рас-
положены на поверхности пластины. Пластина разрезается на отдельные кри-
сталлы (называемые в специальной литературе чипами), которые помещаются в
корпус, что иллюстрирует рис. 7.5, г. При этом разработчик аппаратуры полу-
чает готовый функциональный узел в виде электронного прибора определенно-
го типа и назначения.

7.2.3. Планарная технология


При разработке электронной аппаратуры на электронных лампах и транзи-
сторах всегда возникает необходимость в многочисленных соединениях прибо-
ров между собой с помощью пайки. Обилие паяных соединений резко снижает
надежность аппаратуры и увеличивает ее стоимость вследствие множества сбо-
рочных и монтажных операций. В значительной степени избежать указанных
недостатков позволяет так называемая планарная технология, широко исполь-
зуемая в настоящее время при производстве ИС.
Планарная технология обеспечивает изготовление разнотипных элементов
в полупроводниковой пластине с расположением их выводов в одной плоско-
сти. Это позволяет выполнять межсоединения элементов в едином технологи-
ческом цикле с помощью металлических полосок. При разработке сложных ИС
для обеспечения необходимых межсоединений иногда используют несколько
слоев металлических пленок, разделенных между собой диэлектрическими сло-
ями.
Таким образом, при разработке аппаратуры на основе ИС, изготовленных
по планарной технологии, отпадает необходимость в многочисленных паяных
соединениях, резко сокращаются габаритные размеры, масса, повышается
надежность и снижается стоимость.

7.2.4. Пленочная и гибридная технология


С помощью пленочной технологии изготавливают пассивные элементы:
резисторы, конденсаторы, элементы индуктивности, а также соединительные
проводники и контактные площадки. Таким образом, чисто пленочные ИС
обычно являются пассивными. Пленочные интегральные элементы часто ис-
пользуют совместно с миниатюрными навесными компонентами в составе ги-
бридных ИС (см. рис. 7.6). Последние, уступая полупроводниковым ИС по
надежности, плотности упаковки и себестоимости, имеют во многих случаях
лучшие технические показатели за счет применения широкой номенклатуры
навесных компонентов (транзисторов, конденсаторов и элементов индуктивно-
сти). Элементы пленочных и гибридных ИС выполняются на поверхности ди-
электрической подложки.
При изготовлении гибридных ИС используют как толстые, так и тонкие
пленки. Исходными материалами для элементов толстопленочных ИС являются
специальные резистивные, проводящие и диэлектрические полужидкие пасты
стеклоэмалей.

134
Рис. 7.6. Устройство гибридной ИС

Они наносятся на поверхность подложки через специальный трафарет. С


помощью трафарета обеспечивается заданная конфигурация изготавливаемых
элементов. Затем трафарет убирают, а локально нанесенную пасту высушивают
и вжигают в подложку. Для толстопленочных ИС используют теплостойкие ди-
электрические подложки (например, керамические). Такие ИС обладают высо-
кой механической прочностью, имеют хорошую коррозийную устойчивость.
Использование в толстопленочных ИС подложек с высокой теплопроводностью
позволяет создавать мощные ИС. Толстопленочные ИС отличает низкая стои-
мость, для их изготовления не требуется сложное оборудование. Однако тол-
стопленочная технология не обеспечивает высокой точности изготовления эле-
ментов, что приводит к большим отклонениям реальных значений их парамет-
ров от расчетных номинальных значений.
Технология тонкопленочных ИС позволяет изготавливать пассивные эле-
менты с более узкими допусками номиналов по сравнению с другими видами
технологий. При производстве тонкопленочных ИС используется дорогостоя-
щее оборудование, позволяющее путем локального напыления резистивных,
проводящих или диэлектрических материалов создавать элементы и межсоеди-
нения. По сравнению с толстопленочными ИС элементы в них размещены бо-
лее плотно.
Технологии пленочных ИС не обеспечивают изготовление высококаче-
ственных активных элементов, а также элементов индуктивности и конденса-
торов с большими номинальными значениями параметров.
Избежать указанного недостатка позволяет гибридно-пленочная техноло-
гия. Она обеспечивает производство ИС, у которых на диэлектрических под-
ложках создаются пленочные элементы, а также располагаются навесные бес-
корпусные активные элементы и другие миниатюрные пассивные элементы.
Конструктивное устройство простейшей гибридно-пленочной ИС и ее
электрическая схема показаны на рис. 7.6, а и б. Здесь изображены пассивные
пленочные элементы (резистор R, конденсатор С) и бескорпусной активный
элемент (транзистор VT), приклеенный к подложке. Гибридно-пленочная тех-
нология отличается гибкостью. Она позволяет быстро создавать разнообразные
электронные устройства.
Из-за малых паразитных емкостей, хорошей взаимной изоляции элементов
и возможности использования высококачественных навесных активных эле-
ментов гибридно-пленочные ИС имеют лучшие частотные и импульсные свой-
ства, чем схемы на обычных дискретных элементах. Благодаря этим особенно-
135
стям гибридно-пленочная технология является перспективной для производства
аналоговых ИС, отличающихся большим разнообразием функций.

7.2.5. Полупроводниковая технология


Для изготовления полупроводниковых ИС обычно используют пластины
монокристаллического кремния с проводимостью р- или n-типа. Изменяя опре-
деленным образом концентрацию примесей в различных частях пластины, по-
лучают многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую
функцию и эквивалентную обычному резистору, конденсатору, диоду или
транзистору. Как правило, технология ориентирована на изготовление одной
или нескольких транзисторных структур, причем в процессе их изготовления в
едином технологическом процессе одновременно создаются и другие требуе-
мые структуры (резистивные, диодные и др.), что иллюстрирует рис. 7.7, а, б.
Процесс изготовления современных полупроводниковых ИС очень сло-
жен. Он проводится в специальных помещениях с микроклиматом и высокой
чистотой с использованием дорогостоящего прецизионного оборудования.

Рис. 7.7. Устройство полупроводниковой ИС

Рассмотрим основные технологические процессы, выполняемые при изго-


товлении полупроводниковых ИС. Исходный полупроводниковый материал
получают в виде слитков из расплава кремниевого вещества (песка).
Процесс предварительной обработки полупроводникового материала. От
цилиндрического слитка монокристаллического кремния диаметром 15–30 см
отделяют круглые пластины толщиной 0,25–0,6 мм. Затем пластины шлифуют с
целью уменьшения толщины нарушенного приповерхностного слоя до 1–2 мкм.
Для окончательной доводки поверхности применяют химическое травление.
Процесс создания полупроводниковых слоев с заданным типом проводимо-
сти. Изменение проводимости исходного материала пластины осуществляют с
помощью процессов эпитаксии и диффузии.
Эпитаксия – это процесс ориентированного наращивания монокристалли-
ческих слоев на пластину. При эпитаксии кристаллографическая ориентация
наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.
Эпитаксиальный слой характеризуется равномерным по глубине распределени-
ем примесей, что иллюстрирует кривая 1 на рис. 7.8.

136
Рис. 7.8. Распределение примесей при эпитаксии (1) и диффузии (2)

На практике используется типовой хлоридный процесс эпитаксии, основанный


на химической реакции, происходящей при температуре 1200° С:
SiCl4 + 2H2 = Si + 4HCl.
В результате реакции на поверхности пластины осаждается слой чистого
кремния Si. При введении дополнительных примесей получают эпитаксиальные
слои с заданным типом проводимости. Для получения проводимости n-типа ис-
пользуют соединения фосфора (P), проводимость р-типа обеспечивают соеди-
нения бора (B).
Эпитаксиальный слой представляет собой монокристаллическое продол-
жение основного материала, не имеет механических дефектов и напряжений.
Скорость наращивания пленки невелика – несколько микрометров в час.
Диффузией называется процесс переноса примесей в полупроводниковую
пластину при высокой температуре. Этот процесс проводят в диффузионных
печах при температуре 1200° С с применением диффузантов: фосфора, сурьмы,
мышьяка для получения проводимости n-типа; бора, галлия, индия – для полу-
чения проводимости р-типа.
Диффузия может быть общей и локальной. В первом случае она осуществ-
ляется по всей поверхности пластины, а во втором – на определенных участках
пластины через специальные окна в диэлектрическом слое SiO2. Общая диффу-
зия приводит к образованию в пластине тонкого диффузионного слоя, который
отличается от эпитаксиального неоднородным по глубине распределением
примеси (рис. 7.8, кривая 2).
Получение глубоких диффузионных слоев требует большого времени.
Установлено, что время проведения диффузии пропорционально квадрату же-
лательной глубины диффузионного слоя.
Окисление поверхности пластины. Для защиты и маскирования поверхности
кремния при операциях диффузии применяют окисление пластин в атмосфере
кислорода или паров воды при температуре 1000–1300° С. При этом создается
диэлектрический слой двуокиси кремния толщиной 0,1–1 мкм.
Диэлектрические слои из двуокиси кремния используются для: защиты
поверхности полупроводниковой пластины от внешних воздействий; создания
масок, через окна которых вводятся примеси и обеспечивается требуемая кон-
фигурация отдельных полупроводниковых слоев; создания диэлектрика под за-
твором транзисторов со структурой «металл–диэлектрик–полупроводник»

137
(МДП); изоляции элементов ИС между собой. Благодаря этим возможностям
кремний стал основным материалом для изготовления ИС.
Процессы литографии. Литография (гравировка) используется при изготовле-
нии ИС для создания окон в масках с целью обеспечения локального характера
внедрения примесей в полупроводниковую пластину и получения заданной
конфигурации элементов.
Среди методов гравировки наиболее широкое применение в настоящее
время имеет фотолитография. В основе фотолитографии лежит использование
материалов, которые называют фоторезистами. Это разновидность фотоэмуль-
сий, известных в обычной фотографии. Фоторезисты чувствительны к ультра-
фиолетовому свету, поэтому их можно обрабатывать в не очень затемненном
помещении. Фоторезисты бывают негативные и позитивные. Негативные фото-
резисты под действием света полимеризуются и становятся устойчивыми к
кислотным и щелочным травителям. Таким образом, после локальной засветки,
обеспечиваемой фотошаблоном, будут вытравляться незасвеченные участки,
как в обычном фотонегативе. В позитивных фоторезистах свет, наоборот, раз-
рушает полимерные цепочки и, следовательно, вытравляются засвеченные
участки.
Фотошаблон представляет собой толстую стеклянную пластину, на одной
из сторон которой нанесена тонкая непрозрачная пленка с необходимым рисун-
ком в виде прозрачных для света участков-окон. Эти окна в масштабе 1:1 соот-
ветствуют будущим элементам ИС. Поскольку ИС изготавливаются групповым
методом, на фотошаблоне разрешается множество однотипных рисунков. Раз-
мер каждого рисунка соответствует размеру будущего кристалла ИС.
Комплекс фотолитографических процессов повторяется в технологическом
процессе изготовления ИС многократно (от 3 до 14 раз). Каждый раз на окис-
ленную пластину кремния наносят тонкий слой фоторезиста, который засвечи-
вается через фотошаблон от источника ультрафиолетового излучения. Затем
фоторезист проявляется, и вскрываются необходимые окна на поверхности
двуокиси кремния. В этих окнах смесью фтористого аммония и плавиковой
кислоты двуокись кремния стравливается и тем самым селективно открывается
поверхность полупроводниковой подложки. Таким образом, обеспечиваются
условия для использования процессов диффузии и эпитаксии при изготовлении
элементов ИС.
Процесс создания межсоединений. Для создания соединений элементов полу-
проводниковой ИС между собой пластина кремния со сформированными эле-
ментами (транзисторами, диодами и резисторами) покрывается слоем осажден-
ного алюминия толщиной 0,5–2 мкм, который затем (после заключительной
операции фотолитографии) в ненужных местах стравливается через соответ-
ствующие окна фоторезиста. При этом на поверхности полупроводника остает-
ся рисунок соединительных алюминиевых проводников, имеющих ширину
около 10 мкм, а также контактных площадок.
В настоящее время при производстве полупроводниковых ИС на биполяр-
ных и полевых транзисторах используется несколько разновидностей техноло-
гических процессов, отличающихся, главным образом, способами создания
138
изоляции между отдельными элементами. Наиболее широкое применение
находит планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов при по-
мощи обратно-смещенных р–n-переходов.

7.2.6. Переход к кремниевой нанотехнологии


Кремниевая нанотехнология заимствовала прогрессивные методы и сред-
ства микроэлектроники: планарную технологию, групповой метод изготовле-
ния, технологию создания различных элементов на базе биполярных и полевых
структур, и др. Как и традиционная кремниевая технология, так и кремниевая
нанотехнология ориентирована на создание изделий высших степеней интегра-
ции с малым энергопотреблением и отличающихся широкополосностью и вы-
соким быстродействием. Для достижения предельно высоких показателей изде-
лий кроме кремния в производстве широко используются и другие полупро-
водниковые материалы, указанные на рис 7.9.

Si
100 SiC

SiGe

GaN
Максимальная мощность, Вт

10

GaAs

InP
0.1

1 10 100
Частота, ГГц

Рис. 7.9. Зависимость максимальной мощности от частоты


для приборов на основе различных материалов
Для уменьшения длины канала МОП- транзистора без смыкания облаcтей
стока и истока требуется сильное легирование канала. Такое легирование ведет
к росту порога включения транзистора UПОР, и уменьшению тока насыщения за
счет снижения подвижности носителей заряда с ростом концентрации примеси.
Эти ограничения стимулировали поиск отличных от объемного кремния мате-
риалов и конструкций полевых приборов. Признано, что пока единственным
материалом, удовлетворяющим требованиям конструирования интегральных
схем (ИС), являются структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) с ультратонким и
тонким приборным слоем кремния (5–10 и 100–400 нм).

139
Таблица 7.2. Тенденции развития кремниевой технологии

Характери- Уровень технологии, нм


стика 500 350 250 180 130 90 65 45 32 22
Год внедре-
ния уровня
технологии
1992 1994 1997 1999 2001 2004 2007 2010 2013 2016
в массовое
производ-
ство
Физическая
длина затво- 300 200 150 100 65 37 25 18 13 8
ров, нм
Информаци-
онная ем-
кость дина-
4 16 64 256 512 103 4∙103 8∙103 16∙103 32∙103
мических
ОЗУ, Мбит
Число тран-
зисторов в
микропро-
13 21 52,8 108 276 553 1,1∙103 2,2∙103 4,4∙103 8,8∙103
цессоре,
млн. шт.
Время вы-
борки дина-
45 40 35 30 25 20 15 10 5 1
мических
ОЗУ
Рабочая ча-
стота мик-
ропроцессо- 166 300 600 1,2∙103 1,7∙103 3∙103 4,9∙103 9,5∙103 18∙103 36∙103
ров, МГц
Напряжение
питания
3,5 2,5 1,8 1,5 1,2 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5
микропро-
цессора, мВ
Максималь-
ная рассеи-
ваемая 46 56 70 90 130 160 190 198 198 198
мощность,
Вт
Удельная
стоимость
готового из-
2,5∙103 1,3∙103 470 245 97 34 12,2 4,3 1,5 0,54
делия, мик-
роцент/
транзистор

140
1

Рис. 7.10. Рост Производительности КМОП ИС в зависимости от проектной нормы для ИС


на объемном кремнии и на КНИ-структурах.
1 – Bulk-Si CMOS, 2 – SOI, 3 – по закону Мура

В частности, исследователям фирмы AMD удалось изготовить высокока-


чественные тонкопленочные КНИ МОП-транзисторы с затвором длиной Lз все-
го 25 нм и током насыщения 790 мкА/мкм, а разработчиками из корпорации
IBM созданы КНИ МОП-транзисторы с длиной затвора Lз всего 6 нм при тол-
щине слоя кремния 4 нм. Однако из-за сильного легирования канала, ток насы-
щения в транзисторе IBM составлял всего 130 мкА/мкм, что недостаточно для
архитектуры современных ИС. Для тонкопленочного (до 10 нм) КНИ-
транзистора снижение концентрации легирующей примеси в канале транзисто-
ра возможно при уменьшении толщины пленки кремния до величины менее
четверти длины канала, т.е. менее 2 нм. Получение однородных пленок крем-
ния такой толщины – пока еще не решенная задача.
Тем не менее, прогресс технологии структур КНИ инициировал интенсив-
ные исследования новых конструктивно-технологических вариантов создания
наноразмерных полевых транзисторов. Уже в области субмикронных размеров
за счет полной диэлектрической изоляции КНИ-транзисторы обладают рядом
преимуществ перед их аналогами на объемном кремнии: более низким энерго-
потреблением, высокими пробивными напряжениями, большим быстродей-
ствием. В нанометровом диапазоне привлекательность КНИ обусловлена,
прежде всего, возможностью решения упомянутых выше проблем, свойствен-
ных короткоканальным транзисторам, а также возможностью изготовления но-
вых приборов, работающих на квантово-размерных эффектах. Рассмотрим про-
блемы создания классических наноразмерных транзисторов на основе структур
КНИ, а также апробации некоторых альтернативных классическому МОП-
транзистору конструкций.
Основные проблемы при создании наноразмерных МОП-транзисторов и
возможные способы решения приведены в таблице 7.3.

141
Таблица 7.3. Проблемы при создании наноразмерных МОП-
транзисторов и возможные способы решения
Проблема Решение
Подзатворный SiO2 – утечки при Замена SiO2 на диэлектрик с высокой про-
толщине менее 2 нм ницаемостью. Наиболее перспективным
считаются оксиды редкоземельных метал-
лов
Сток-истоковые области – ко- 1) предварительная аморфизация, облучение
роткоканальные эффекты: раз- пучком ионов с углом до 45°;
гонка имплантированной при- 2) быстрый термический отжиг;
меси при последующей актива- 3) быстрая термическая диффузия из газо-
ции (создание мелких перехо- вой фазы и твердых источников, лазерное
дов) легирование, ионно-плазменная импланта-
ция, эпитаксиальный рост.
Смыкание областей обеднения 1) увеличение степени легирования области
истока и стока за счет обратно базы;
смещенного перехода сток-база 2) изготовление МОП-транзисторов на
структурах КНИ с использованием полно-
стью обедняемых отсеченных слоев крем-
ния.

Утечки между затвором и сто- Введение дополнительных слаболегирован-


ком на стоковом переходе при ных областей стока
высокой напряженности элек-
трического поля в области пере-
крытия стока затвором (тунне-
лирование, инжекция горячих
электронов)
Утечки, увеличение емкости, Создание вокруг сток-истоковых слоев об-
перехода сток-база, рост поро- ластей с противоположным типом проводи-
гового напряжения при высокой мости
степени легирования области
Снижение последовательного Создание «приподнятых» сток-истоковых
сопротивления сток-истоковых областей (например, эпитаксиальное «
областей наращивание»)
Затвор – уменьшение литогра- Электронная литография, рентгеновская ли-
фической (топологической) тография в области вакуумного ультрафио-
длины затвора лета (λ = 13 нм), ионная литография
Обеднение поликремниевого за- Использование металлических затворов для
твора (паразитная емкость) n- и p-Si

Одной из основных проблем короткоканальных транзисторов является


смыкание областей обеднения истока и стока за счет обратно смещенного пере-
142
хода сток-база (при определенных условиях длина канала транзистора стано-
вится сравнимой с областью пространственного заряда стокового перехода).
Как видно из таблицы 7.3, способом решения проблемы является увеличение
степени легирования базы. Подробно эта проблема будет проанализирована в
следующем параграфе. При длине канала транзистора в десятки нанометров
эффективным способом подавления эффекта смыкания является пе-
рераспределение потенциала в базе транзистора за счет уменьшения толщины
полупроводникового слоя и напряжения на дополнительном затворе. Такая
возможность появляется при изготовлении транзисторов на структурах КНИ с
полностью обедняемыми пленками (толщина отсеченного слоя кремния мень-
ше области обеднения, индуцированной напряжением на одном затворе). До-
полнительным затвором в структурах КНИ, в частности, может служить под-
ложка.

Рис. 7.11. Затворные (справа) и стоковые (слева) характеристики n-канального МОП-


транзистора с длиной канала 50 нм и легированием базового КНИ-слоя бором 3∙1018 см–3 при
напряжении затвора UЗ, В: 1 – 2,2; 2 – 2,5; 3 – 3; 4 – 3,5.

N-канальные КНИ МОП-транзисторы с предельным уровнем легирования


базы. Поскольку переход к размерам менее 100 нм является основной тенден-
цией современной микроэлектроники, изготовление и исследование характери-
стик нанотранзисторов представляется весьма важным. Определение напряже-
ния смыкания при данной длине канала и концентрации легирующей примеси в
базовом слое необходимо для выбора конструкции транзисторов в ИС.
Для сдвига напряжения смыкания истока со стоком в область больших
значений в конструкции классического n-канального КНИ МОП-транзистора
было использовано легирование базового слоя бором до предельно большой
концентрации (около 3∙1018 см–3), близкой к концентрации дырок в вырожден-
ном кремнии (около 4∙1018 см–3). Для уменьшения диффузионной разгонки мы-
шьяка из истоков и стоков при его активации был применен импульсный се-
кундный отжиг до высокой температуры, около 1050 °С. Ключевая операция –
формирование нанометровых затворов выполнялась фотолитографией по поли-

143
кремнию с перетравом последнего под маской фоторезиста в плазме SF6 ± 10%
фреона-11. Получена минимальная длина затвора, измеренная с помощью ска-
нирующего электронного микроскопа, около 70 нм. Диффузионная разгонка с
каждой стороны составляет около 10 нм, так что длина канала была 50 нм. При
попытках получить еще более короткий затвор поликремний перетравливался
насквозь в некоторых местах, что регистрировалось как бесконечное сопротив-
ление затвора. Недостатком данного способа является увеличенная шерохова-
тость краев поликремниевого затвора. Минимальная длина канала, достигнутая
данным способом, составляла 50 нм при длине затвора 70 нм. При этом ток
утечки был менее 10–9 А, а ток насыщения транзистора около 100 мкА/мкм. Не-
достатком такого транзистора является высокое пороговое напряжение (>2,5 В)
при напряжении смыкания около 3 В. Попытки изготовить аналогичным спосо-
бом р-канальный транзистор не увенчались успехом из-за диффузии бора в ка-
нал транзистора из сток-истоковых областей. Для получения меньшей шерохо-
ватости краев масок требуется переход от оптической литографии к вакуумно-
му ультрафиолету или к электронной литографии. Последняя обладает ограни-
ченной производительностью и, соответственно, применимостью в массовом
производстве. Однако для исследований при использовании позитивного рези-
ста электронная литография позволяет получать менее шероховатые и более
однородные по длине поликремниевые затворы. Дальнейшее уменьшение дли-
ны поликремниевого затвора было достигнуто с помощью электронной лито-
графии. Был проведен расчет вольтамперных характеристик транзистора по
специализированному пакету программ, получено хорошее соответствие рас-
четных и экспериментально измеренных характеристик. Кроме того, было по-
лучено, что возможно дальнейшее уменьшение длины канала, поскольку обыч-
но применяемое напряжение питания короткоканальных транзисторов 1,5 В и
меньше, а при таком напряжении еще нет подъема вольтамперной характери-
стики из-за смыкания ОПЗ (см. рис. 7.11).

7.3. Общие сведения об углеродной нанотехнологии


Углеродная нанотехнология является одним из перспективнейших направ-
лений развития нанотехнологии в целом. Отличается огромными потенциаль-
ными возможностями применения ее изделий, потенциальной дешевизной из-
готовления и многообразием продуктов, изготовленных на ее основе, что де-
монстрирует рис. 7.12.

144
Транзисторы
Диоды и т.д.
Элементы памяти
Нанопроводники
Сенсоры
Качество УНТ

Макроволокна

Прозрачные проводники

Эмиттеры электронов

Антистатические покрытия

Тепловые стоки

Источники
питания

Композиты
0

Рис. 7.12. Состояние рынка углеродных нанотрубок

7.4. Основные материалы углеродной нанотехнологии


К основным материалам углеродной нанотехнологии следует, прежде все-
го, отнести нанотрубки и фуллерены, материал о которых был представлен вы-
ше, а также графен.

7.4.1. Углеродные нанотрубки


Углеродные нанотрубки характеризуются толщиной всего в несколько
атомных слоев и прочностью в тысячу раз больше стали, могут обладать полу-
проводниковыми и металлическими свойствами, причем свойства изменяются
под влиянием внешнего электрического поля.
Оптические свойства нанотрубок. Полупроводниковые модификации угле-
родных нанотрубок (разность индексов хиральности не кратна трем) являются
прямозонными полупроводниками. Это означает, что в них может происходить
непосредственная рекомбинация электрон-дырочных пар, приводящая к испус-
канию фотона. Прямозонность автоматически включает углеродные нанотруб-
ки в число материалов оптоэлектроники.
Электрические свойства нанотрубок. Сверхпроводимость углеродных нано-
трубок открыта исследователями из Франции и России (ИПТМ РАН, Черного-
ловка). Ими были проведены измерения вольт-амперных характеристик:
– отдельной однослойной нанотрубки диаметром ~1 нм;
– свернутого в жгут большого числа однослойных нанотрубок;
– индивидуальных многослойных нанотрубок.
145
При температуре, близкой к 4° К, между двумя сверхпроводящими метал-
лическими контактами наблюдался ток. В отличие от обычных трехмерных
проводников, перенос заряда в нанотрубке имеет ряд особенностей, которые,
судя по всему, объясняются одномерным характером переноса.

7.4.2. Фуллерены
Фуллерены – пустотелые шары и эллипсоиды нанометровых размеров, от-
крытые в 1985 г. Они обладают набором уникальных свойств, обуславливаю-
щих огромные перспективы их использования и применения. К таким свой-
ствам следует отнести следующие.
Нелинейные оптические свойства фуллеренов. Анализ электронной структу-
ры фуллеренов показывает наличие π-электронных систем, для которых имеют-
ся большие величины нелинейной восприимчивости. Фуллерены действительно
обладают нелинейными оптическими свойствами. Однако из-за высокой сим-
метрии молекулы С60 генерация второй гармоники возможна только при внесе-
нии асимметрии в систему (например, внешним электрическим полем). С прак-
тической точки зрения привлекательно высокое быстродействие (~250 пс),
определяющее гашение генерации второй гармоники. Кроме того фуллерены
С60 способны генерировать и третью гармонику.
Другой вероятной областью использования фуллеренов и, в первую оче-
редь С60, являются оптические затворы. Экспериментально показана возмож-
ность применения этого материала для длины волны 532 нм. Малое время от-
клика дает шанс использовать фуллерены в качестве ограничителей лазерного
излучения и модуляторов добротности. Однако по ряду причин фуллеренам
трудно конкурировать здесь с традиционными материалами.
Высокая стоимость, сложности с диспергированием фуллеренов в стеклах,
способность быстро окисляться на воздухе, далеко не рекордные коэффициен-
ты нелинейной восприимчивости, высокий порог ограничения оптического из-
лучения (не пригодный для защиты глаз) создают серьезные трудности в борьбе
с конкурирующими материалами.
Электрические свойства фуллеренов. Молекулярный кристалл фуллерена яв-
ляется полупроводником с шириной запрещенной зоны ~1,5 эВ и его свойства
во многом аналогичны свойствам других полупроводников. Поэтому ряд ис-
следований был связан с вопросами использования фуллеренов в качестве но-
вого материала для традиционных приложений в электронике: диод, транзи-
стор, фотоэлемент и т.п. Здесь их преимуществом по сравнению с традицион-
ным кремнием является малое время фотоотклика (единицы нс).
Однако существенным недостатком оказалось влияние кислорода на про-
водимость пленок фуллеренов и, следовательно, возникла необходимость в за-
щитных покрытиях. В этом смысле более перспективно использовать молекулу
фуллерена в качестве самостоятельного наноразмерного устройства и, в част-
ности, усилительного элемента.
Сверхпроводящие свойства фуллеренов. Как уже говорилось, молекулярные
кристаллы фуллеренов – полупроводники, однако в начале 1991 г. было уста-
новлено, что легирование твердого С60 небольшим количеством щелочного ме-
146
талла приводит к образованию материала с металлической проводимостью, ко-
торый при низких температурах переходит в сверхпроводник. Легирование С60
производят путем обработки кристаллов парами металла при температурах в
несколько сотен градусов Цельсия. При этом образуется структура типа X3С60
(Х – атом щелочного металла). Первым интеркалированным металлом оказался
калий. Переход соединения С60 в сверхпроводящее состояние происходит при
температуре 19 К. Это рекордное значение для молекулярных сверхпроводни-
ков. Вскоре установили, что сверхпроводимостью обладают многие фуллериты,
легированные атомами щелочных металлов в соотношении либо Х3С60, либо
XY2С60 (X,Y – атомы щелочных металлов). Рекордсменом среди высокотемпе-
ратурных сверхпроводников (ВТСП) указанных типов оказался RbCs2С60 – его
ТКР = 33 К.

7.4.3. Графен
Графен – это «двумерная пленка» из атомов углерода. Ее можно предста-
вить как нанотрубку, разрезанную вдоль оси и раскатанную на плоскости.
Впервые синтезирован в 2004 г. профессором Андрю Геймом. Электропровод-
ность графена не уступает углеродным нанотрубкам, что перспективно для со-
здания графеновых транзисторов. Графен уникален для исследования свойств
«двумерных электронов», т.е. привязанных к структурным особенностям мате-
риала толщиной в один атом. Ученый Пол Мак Юн разместил слой графена
длиной в несколько микрометров между двумя кремниевыми зажимами и со-
здал резонатор толщиной в один атом углерода. При воздействии импульсного
лазера на систему резонаторов наблюдались колебания в диапазоне 1–170 МГц,
при воздействии напряжения наблюдались колебания пленки, резонаторы-
пленки можно использовать как сверхточные детекторы силы, например, опре-
делять вес молекул.

7.5. Продукты углеродной нанотехнологии


Основное внимание в монографии уделяется потенциалу, который откры-
вает использование ресурсов нанотехнологий в микро- и наноэлектронной про-
мышленности. Поэтому следует подробное описание вариантов изготовления
основных узлов микро- и наноэлектронной аппаратуры с использованием мате-
риалов углеродной нанотехнологии: диодов, транзисторов и др (см. гл. 8). Кро-
ме того существуют следующие варианты применения углеродной нанотехно-
логии:
1) механические применения: сверхпрочные нити, композитные материалы,
нановесы;
2) применения в микроэлектронике: транзисторы, нанопровода, прозрачные
проводящие поверхности, топливные элементы;
3) для создания соединений между биологическими нейронами и электрон-
ными устройствами в новейших нейрокомпьютерных разработках;
4) капиллярные применения: капсулы для активных молекул, хранение ме-
таллов и газов, нанопипетки;
5) оптические применения: дисплеи, светодиоды;
147
6) медицина (в стадии активной разработки);
7) одностенные нанотрубки (индивидуальные, в небольших сборках или в
сетях) являются миниатюрными датчиками для обнаружения молекул в газовой
среде или в растворах с ультравысокой чувствительностью – при адсорбции на
поверхности нанотрубки молекул ее электросопротивление, а также характери-
стики нанотранзистора могут изменяться. Такие нанодатчики могут использо-
ваться для мониторинга окружающей среды, в военных, медицинских и био-
технологических применениях;
8) трос для космического лифта;
9) листы из углеродных нанотрубок можно использовать в качестве плоских
прозрачных громкоговорителей, к такому выводу пришли китайские ученые;
10) изготовление красок повышенной огнестойкости.

7.6. Органические нанотехнологии


7.6.1. Жидкие кристаллы
Физика и химия агрегатов. С позиций физики аг