Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра физической электроники (ФЭ)

РЕЗИСТИВНЫЕ ПЛЕНКИ ТИТАНА

Курсовая работа
по дисциплине «Физика пленочных наноструктур»

Студент гр. 326

______Е. Ю. Протопопова
«___» __________ 2019г.

Руководитель:
Старший преподаватель
кафедры ФЭ
________ ________О. Н. Минин
оценка
«___» __________ 2019г.

Томск 2019
 Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Кафедра физической электроники (ФЭ)

Утверждаю
Д-р техн. наук,
профессор кафедры ФЭ
________ П. Е. Троян
«___» _________ 2018 г.

ЗАДАНИЕ
на курсовую работу по дисциплине
Физика пленочных наноструктур

Студенту группы 326 факультета электронной техники

Протопоповой Екатерине Юрьевне

1. Тема работы:
Резистивные пленки титана
2. Исходные данные к проекту:
2.1 Пленки титана получены термическим испарением.
3. Перечень вопросов, подлежащих разработке:
3.1 Механизм образования и роста пленок при термическом испарении.
3.2 Механизм проводимости резистивных пленок.
3.3 Зависимость удельного сопротивления от толщины пленки
4. Перечень графического материала:
4.1 Схема установки при термическом испарении.
4.2 График зависимости 𝜌=𝑓(𝑑).
4.3 График зависимости α=f(d)

Дата выдачи задания «___» __________________20___г.

Руководитель:
Преподаватель кафедры ФЭ, О. Н. Минин ___________

Срок сдачи студентом законченного отчета «____» ___________20___г.

Задание принял к исполнению ___________ «____» __________20___г.
(подпись студента)
 4
ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ .............................................................................................................. 5

2 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР .................................................................................. 6

2.1 Технологии получения тонких пленок ..................................................... 6

2.1.1 Химическое осаждение из водных растворов ................................. 6

2.1.2 Химическое осаждение из газовой фазы ......................................... 7

2.1.3 Распыление ионной бомбардировкой .............................................. 7

2.1.4 Термическое испарение ..................................................................... 9

2.2 Механизм образования и роста пленок .................................................. 12

2.3 Механизм проводимости резистивных пленок ...................................... 16

3 РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ ........................................................................................ 20

3.1 Расчет зависимости удельного сопротивления и ТКС от толщины

пленки ..................................................................................................................... 20

Заключение ............................................................................................................ 24

Список использованной литературы................................................................... 25

 5
ВВЕДЕНИЕ
Тонкие пленки металлов, диэлектриков и полупроводников находят
широкое применение во многих областях техники, а также в микро- и
наноэлектронике.
Физические процессы в тонких плёнках протекают иначе, чем в
массивных материалах и даже в толстых плёнках. В результате плёночные
элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных
образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным
образцам. Удельное сопротивление резистивных плёнок значительно выше, а
температурный коэффициент сопротивления может отличаться не только по
величине, но и по знаку. Во многом характеристики пленки определяются
еще на этапе зарождения и роста – это обуславливается наличием дефектов
пленки [1].
В данной курсовой работе рассматриваются резистивные пленки
титана, полученные термическим испарением.
 6
2 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
2.1 Технологии получения тонких пленок
В настоящее время существует довольно много методов получения
тонких пленок, основанных на различных физических процессах. Основными
из них являются следующие:
1. химическое осаждение из водных растворов;
2. химическое осаждение из газовой фазы;
3. распыление ионной бомбардировкой (катодное распыление);
4. термическое вакуумное испарение [1].

2.1.1 Химическое осаждение из водных растворов

Существуют несколько способов химического осаждения
металлических покрытий из водных растворов: 1. контактный; 2. контактно-
химический; 3. метод химического восстановления.
Контактный способ основан на вытеснении ионов металла из раствора
более активным металлом. Примером может быть хорошо известная из
школьного курса реакция меднения железного гвоздя, помещенного в
раствор сульфата меди. Контактно-химический способ осаждения металлов
заключается в создании гальванической пары между металлом основы и
более активным металлом. Так, при осаждении серебра на медную основу
создают гальваническую пару с помощью более активного металла
алюминия или магния. В этом случае более активный металл отдает свои
электроны меди и на отрицательно заряженной медной поверхности ионы
Ag+ восстанавливаются до металла. Рассмотренный процесс используют при
нанесении серебряного покрытия на волноводные трубы и изделия сложной
конфигурации из меди и ее сплавов. Метод химического восстановления
(химическая металлизация) заключается в том, что металлические покрытия
получают в результате восстановления ионов металла из водных растворов,
содержащих восстановитель. [3]
 7
2.1.2 Химическое осаждение из газовой фазы
Химическое осаждение из газовой фазы - получение твердых веществ
реакциями с участием газообразных соединений. По механизму реакций
подразделяется на 4 вида:
1. термическое разложение или диспропорционирование
газообразных соединений. Диспропорционирование это химическая реакция,
в которой один и тот же элемент выступает и в качестве окислителя, и в
качестве восстановителя, причём в результате реакции образуются
соединения, которые содержат один и тот же элемент в разных степенях
окисления;
2. взаимодействие двух или более газообразных веществ;
3. пиролиз (разложение органических соединений под действием
высокой температуры) газообразных углеводородов (отличается
многостадийностью и разветвленностью);
4. взаимодействие газообразных веществ с твердыми (контактное
осаждение).
Химическое осаждение происходит в результате химической реакции
в газовой фазе при повышенной температуре и осуществляется в
эпитаксиальных или диффузионных установках [9].

2.1.3 Распыление ионной бомбардировкой

Ионно-плазменное распыление — это процесс распыления мишени,
выполненной из требуемого материала, высокоэнергетическими ионами
инертных газов. Распыленные ионами атомы материала мишени, осаждаясь
на подложке, формируют пленку материала. Ионно-плазменное распыление
можно реализовать путем распыления материала катода в плазме газового
разряда ионизированными молекулами разряженного газа (катодное
распыление) либо путем распыления мишени в высоком вакууме
сформированным пучком ионов (ионное распыление). [2].
 8
Ионное распыление позволяет получать резистивные,
диэлектрические и полупроводниковые пленки, но по сравнению с
термическим напылением, имеет ряд преимуществ таких как
универсальность метода, что позволяет использовать одну унифицированную
установку для распыления тугоплавких металлов, диэлектриков и их сплавов
и существование возможности формирования пленок разного состава,
вследствие равномерного удаления атомов и молекул с поверхности
подложки
Катодное распыление основано на явлении разрушения катода при
бомбардировке его ионизированными молекулами разряженного газа.
Атомы, вылетающие с поверхности катода при его разрушении,
распространяются в окружающем пространстве и осаждаются на приемной
поверхности, которой является подложка. Схема процесса распыления
изображена на рисунке (2.1)

Рисунок 2.1 – Схема процесса катодного распыления

1 – рабочая камера; 2 – катод; 3 – экран; 4 – анод; 5 – подложка; 6 –
натекатель.

В рабочей камере 1 установлена двухэлектродная система, состоящая

из холодного катода 2, изготовленного из материала, подвергаемого
распылению, а также, анода 4, на котором располагается подложка 5. Между
катодом и анодом расположена заслонка, которая служит в качестве
 9
регулятора распыляемого потока вещества. Натекатель служит для
напускания в рабочую камеру инертного газа.

2.1.4 Термическое испарение

По этому методу тонкие пленки получаются в результате нагрева,
испарения и осаждения вещества на подложку в замкнутой камере при
сниженном давлении газа в ней.

Рисунок 2.2 – Упрощенная схема рабочей камеры термовакуумного

напыления
1 – вакуумный колпак из нержавеющей стали; 2 – заслонка; 3 – трубопровод
для водяного нагрева или охлаждения колпака; 4 – игольчатый натекатель
для подачи атмосферного воздуха в камеру; 5 – нагреватель подложки; 6 –
подложкодержатель с подложкой, на которой может быть размещен
трафарет; 7 – герметизирующая прокладка; 8 – испаритель с размещённым в
нём веществом и нагревателем.

Процесс проведения операции вакуумного напыления включает в себя

выполнение следующих действий. В верхнем положении колпака с
подложкодержателя снимают обработанные подложки и устанавливают
новые. Колпак опускают и включают систему вакуумных насосов (вначале
 10
для предварительного разрежения, затем высоковакуумный). Для ускорения
десорбции (удаления) воздуха с внутренних поверхностей и сокращения
времени откачки в трубопровод подают горячую проточную воду. По
достижении давления внутри камеры порядка 10-4 Па (контроль по
манометру) включают нагреватели испарителя и подложек. По достижении
рабочих температур (контроль с помощью термопар) заслонку отводят в
сторону и пары вещества достигают подложки, где происходит их
конденсация и рост плёнки. Система автоматического контроля за ростом
плёнки фиксирует либо толщину плёнки (для диэлектрика плёночных
конденсаторов), либо поверхностное сопротивление (для резисторов), либо
время напыления (проводники и контакты, защитные покрытия).
Вырабатываемый при этом сигнал об окончании напыления после усиления
воздействует на соленоид заслонки, перекрывая ею поток пара. Далее
отключают нагреватели испарителя и подложек, выключают систему
откачки, а в трубопровод подают холодную проточную воду. После
остывания подколпачных устройств через натекатель плавно впускают
атмосферный воздух. Выравнивание давлений внутри и вне колпака даёт
возможность поднять его и начать следующий цикл обработки.
Основными достоинствами метода являются:
1. Возможность получения резистивных пленок с широким
диапазоном изменения удельного поверхностного сопротивления.
2. Относительная простота технологического контроля,
обеспечивающая хорошую воспроизводимость номиналов резистора.
3. Совместимость технологических процессов получения
резистивных, проводящих и диэлектрических пленок.
4. Высокая производительность при напылении тонкопленочных
элементов.
Термическое вакуумное напыление имеет ряд недостатков и
ограничений, главные из которых следующие:
 11
1. Напыление плёнок из тугоплавких материалов (W, Mo, SiO2,
Al2O3 и др.) требует высоких температур на испарителе, при которых
неизбежно "загрязнение" потока материалом испарителя;
2. При напылении сплавов различие в скорости испарения
отдельных компонентов приводит к изменению состава плёнки по сравнению
с исходным составом материала, помещённого в испаритель;
3. Инерционность процесса, требующая введения в рабочую камеру
заслонки с электромагнитным приводом;
4. Неравномерность толщины плёнки, вынуждающая применять
устройства перемещения подложек и корректирующие диафрагмы.
Первые три недостатка обусловлены необходимостью
высокотемпературного нагрева вещества, а последний - высоким вакуумом в
рабочей камере. Из-за недостатков данного способа термическое вакуумное
испарение применяется, в основном, только для чистых металлов.
Метод термического нанесения тонких пленок может подразделяться
на 4 вида в соответствии с применяемым в установке испарителем:
1. резистивный испаритель, выполненный из проводящей керамики
или тугоплавкого металла в форме лодочки, сквозь которую пропускается
электрический ток, разогревающий её [3].
2. тигель с косвенным нагревом, электронным или индукционным.
Таким образом, нагрев осуществляется электронным потоком, поступающим
на тигель с кольцевого катода, расположенного вокруг тигля в первом
случае, либо вихревыми токами в самом тигле, возбуждаемыми индуктором
во втором случае [4].
3. испарение при помощи электронного луча [5]. В данном случае
материал нагревается и испаряется локально, оставаясь в основной своей
массе холодным, что позволяет иметь очень большой запас материала в
тигле.
4. лазерное испарение (абляция). Материал испаряется, нагреваясь,
излучением лазерного луча большой мощности [4].
 12
2.2 Механизм образования и роста пленок
Установлено, что свойства тонкопленочных структур могут
значительно различаться со свойствами объемных материалов. Свойства
нехарактерные для массивных объемных материалов проявляются в тонких
пленках благодаря их структуре, которая зависит от метода формирования
пленки. Существует множество методов получения тонких пленок от
простых механических прокатных технологий до более сложных вакуумных
технологий осаждения тонкопленочных структур, в которых происходит рост
пленок практически атом за атомом. Формирование пленок с помощью
высокотехнологичного метода вакуумного распыления и изучение
полученных материалов позволяет установить важные фундаментальные
закономерности между методом формирования, структурой и свойствами
тонкопленочных структур. Исходя из этого, следует отметить, что важным
фактором, влияющим на свойства пленки, являются процессы, происходящие
во время образования и роста тонких пленок.
Процесс формирования тонкой пленки на поверхности подложки
проходит следующие основные стадии на пути к образованию сплошной
тонкопленочной структуры рис 2.3 [3]:
1. адсорбирование атомов на поверхности подложки;
2. формирование малых зародышей и кластеров;
3. формирование образований критического размера;
4. срастание (коалесценция) больших зародышей и кластеров с
образованием промежутков в структуре пленки;
5. заполнение промежутков с образованием сплошной тонкой
пленки.
 13

Рисунок 2.3 – Процесс формирования сплошной тонкой пленки

Конденсация атомов осаждаемого материала, по своей сути является

фазовым переходом из газообразного состояния в твердую фазу и зависит от
их взаимодействия с поверхностью, на которой происходит образование
тонкой пленки. Соударяющийся с поверхностью атом притягивается к ней за
счет действия квадрупольных и дипольных моментов атомов
приповерхностного слоя, из-за чего атом теряет нормальную компоненту
скорости относительно осаждаемой поверхности, переходя в
адсорбированное состояние. Термическое равновесие между
адсорбированным атомом и поверхностью, требует определенного времени.
Тепловая энергия вместе с кинетической энергией атома дает возможность
атому двигаться по поверхности, перескакивая между потенциальными
ямами. Адсорбированный атом имеет конечное время жизни, в течение
которого он взаимодействует с другими атомами. Данные взаимодействия
могут привести либо к образованию некоторого устойчивого кластера
(зародыша), либо к химической адсорбции, становясь составной частицей
поверхности, выделяя при этом тепло конденсации. В случае если атом не
образует зародыша или не адсорбируется поверхностью, возможно, его
 14
испарение с поверхности – десорбция. Сплошная пленка формируется при
высоких скоростях осаждения атомов на поверхности подложки, в связи с
этим пренебрежение силами взаимодействия между соседними атомами не
допускается. Перемещаясь по поверхности подложки атомы, могут
сталкиваться и образовывать зародыши, которые являются более
стабильными, чем адсорбированные атомы по отдельности и в значительно
меньшей мере подвержены десорбции. Во многих теориях
зародышеобразования утверждается, что при достижении зародышем
некоторого критического размера, при котором прекращается распад на
атомы и повторное испарение их с подложки, происходит только рост за счет
присоединения новых адсорбирующихся атомов и соседних зародышей.
Образовавшиеся на поверхности подложки зародыши растут во всех трех
измерениях, однако рост в направлении перпендикулярном подложке
медленнее остальных, за счет поверхностной диффузии падающих атомов.
На рис. 2.4 схематически изображен процесс коалесценции (срастания)
между двумя соседними зародышами. После слияния двух зародышей,
формируется островок, имеющий меньшую площадь на поверхности
подложки, чем у двух первоначальных зародышей и большую толщину, при
этом происходит сглаживание и округление ярко выраженных
кристаллографических форм первичных структур. [6].

Рисунок 2.4 – Схематическое изображение изменения формы зародышей

вовремя коалесценции

Движущей силой процесса коалесценции является снижение

поверхностной энергии. В случае, когда ориентация кристалла не влияет на
поверхностную энергию, общая площадь поверхности соединяющихся
зародышей стремиться к уменьшению до минимума.
 15
Наблюдения показывают, что после того, как при коалесценции
произошло основное уменьшение поверхностной энергии, дополнительное ее
уменьшение происходит за счет образования граничных плоскостей с
предпочтительной кристаллографической ориентацией, что приводит к
образованию островков с хорошо развитой кристаллической огранкой.
По мере роста островков тенденция к тому, что после срастания они
становятся совершенно круглыми, уменьшается. Островки начинают
вытягиваться и стремятся образовать непрерывную сетчатую структуру, в
которой конденсированный материал разделен длинными, узкими каналами
неправильной формы [7]. Внутри сформированных каналов происходит
процесс вторичного зародышеобразования, приводящий к срастанию каналов
с образованием дырок, которые в дальнейшем повторяют механизм
вторичного образования зародышей вплоть до момента, когда все дырки
будут заполнены и сформируется сплошная тонкая пленка.
Процессы срастание зародышей с основной пленкой и быстрого
исчезновения каналов аналогичны процессам, происходящим в жидкости и
являются проявлением одного и того же физического эффекта, а именно,
минимизации полной поверхностной энергии нарастающего материала путем
ликвидации областей с высокой кривизной поверхности. В процессе роста
пленки, особенно при коалесценции, происходят заметные изменения
ориентации островков. Общий механизм роста поликристаллических слоев
похож на механизм роста эпитаксиальных пленок, за исключением того, что
срастающиеся островки в этом случае имеют произвольную относительную
ориентацию, подчиняющуюся случайному закону распределения. Таким
образом, фактором, определяющим размер зерен в готовой пленке, является
не первоначальная концентрация зародышей, а процесс рекристаллизации,
происходящий при коалесценции зародышей или островков.
В начале роста тонкой пленки, сформированные островки имеют
небольшие размеры и поэтому имеют монокристаллическую структуру.
Однако, с ростом и слиянием островков, в пленке возникают границы зерен
 16
или дефекты кристаллической решетки, которые существуют до тех пор,
пока не произойдет слияние островков в единый кристаллит, данное явления
проявляется, даже когда два первоначальных зародыша обладают абсолютно
разной ориентацией. Поэтому в поликристаллических пленках непрерывно
происходит процесс рекристаллизации, и в результате число зерен на
единицу площади становится много меньше, чем число первоначальных
зародышей. В процессе срастания островков в пленку вводится большое
число дефектов, даже если пленка монокристаллическая и выравнена
эпитаксиально.

2.3 Механизм проводимости резистивных пленок

Для объяснения проводимости резистивных пленок, чаще всего
исходят из принципа сложения эффектов, наблюдаемых в отдельных фазах
структуры. Вклад в полное удельное сопротивление вносят, как и в случае
проводящих пленок, рассеяния электронов на тепловых колебаниях решетки,
на примесях и на дефектах структуры.
Проводимость свободных электронов с зарядом е определяется по
следующей формуле:
σ = e ∙ n ∙ μ, (2.1)
где 𝑒 − заряд электрона
𝜇 −подвижность электронов
n– число свободных электронов в единичном объеме металла
Электрическое сопротивление возникает из-за нарушения
периодичности кристаллической структуры решетки вследствие колебаний
атомов. Последние рассеивают электронные волны и тем самым создают
электросопротивление. [8]
Подвижность электронов, соответственно, и электропроводность, при
температурах выше температуры Дебая, обратно пропорциональна энергии
теплового движения. Так как на практике рабочие температуры обычно не
 17
превышают 200-500 °К, справедливо считать линейную зависимость
удельного сопротивления от комнатной температуры и выше.
𝜌 = 𝜌0 [1 + 𝛼(𝑇 − 𝑇0 )], (2.2)
где 𝜌 − удельное сопротивление при температуре Т;
𝜌0 − исходное удельное сопротивление при температуре 𝑇0
𝛼 −температурный коэффициент сопротивления.
Так как толщина резистивных пленок соизмерима с длиной
свободного пробег, то следует принимать во внимание, что наряду с
рассеянием электронов на тепловых колебаниях атомов происходит также
рассеяние и на поверхности пленки, то есть имеет место размерный эффект.
Среди примесных дефектов в кристаллической структуре наиболее
простыми являются точечные. При сравнении пленок различных металлов,
напыленных термическим испарением в вакууме и ионным распылением,
были установлены различия в удельном сопротивлении.
Расстояние электронов на дефектах чаще всего является результатом
расстояния на границах двух фаз. Известно, что по проводимости
резистивные материалы охватывают нижний диапазон металлов и сплавов и
верхний диапазон полупроводников и диэлектриков, поэтому их следует
считать гетерогенными системами с металлической и термоактивационной
(полупроводниковой или диэлектрической) фазами.
В реальных кристаллических структурах термоактивационные эффекты
наблюдаются также в областях примесных дефектов, пор, дислокаций. В
сплавах эти структурные состояния и специально внесенные добавки
присадки создают термокомпенсированный эффект в интервале рабочих
температур. В более сложных структурах (на основе керметов или других
композиционных материалов) метод термокомпенсации является
определяющим фактором в сознании резистивных пленок с заданными
характеристиками. На рисунке 2.5 представлены некоторые характерные
структурные состояния резистивных материалов. Даже металлы, не
являющиеся монокристаллами, из-за наличия в них границ зерен, состоят из
 18
двух фаз: металлической (кристаллиты) и термоактивационной (границы
зерен).

Рисунок 2.5 – Характерные структурные состояния резистивных материалов;

а) металлические кристаллиты с границами; б) металлическая фаза в
диэлектрической матрице; в) диэлектрическая фаза в металлической
матрице; г) гетерогенная система со статически распределенными
элементами металлической и диэлектрической фаз.

Поэтому сопротивление резистивных пленок даже чистых металлов

не определяется только расстоянием на тепловых колебаниях и на примесях,
а добавляется составляющая, обусловленная рассеянием электронов на
границах зерен. Пленки тугоплавких металлов очень чувствительны к
окислению и загрязнению границ зерен, как во время формирования пленок,
так и при их старении. Поэтому структуру таких пленок, как Та, Мо, W, Re
можно представить в виде металлических зерен – гранул размером 2-30 нм,
окруженных тонким слоем, обладающим диэлектрическими или
полупроводниковыми свойствами.
При определении сопротивления зерна, островка 𝑝ост и сопротивления
нитей 𝑝нит , учитывается расстояние электронов на тепловых колебаниях
атомов решетки. Также стоит принимать во внимание влияние размерного
эффекта на величину удельного сопротивления 𝜌0 . Так как диаметр островка
(2–30 нм) и диаметр нитей (2–5 нм) меньше или соизмеримы с длиной
 19
свободного пробега электрона, то не происходит полного зеркального
отражения электронов, а часть их диффузно рассеивается. Удельное
сопротивление островка rо определяется как удельное сопротивление пленки
(rn). Величина γ равна:
Dост
γ= , (2.3)

где 𝐷ост − диаметр островка;
 − длина свободного пробега.
 20
3 РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ
3.1 Расчет зависимости удельного сопротивления и ТКС от толщины
пленки
Проводимость и удельное сопротивление зависят от длины
свободного пробега электронов. По мере уменьшения размеров образца все
большее влияние на длину свободного пробега оказывает рассеяние
электронов на поверхностях. При уменьшении толщины металлической
пленки до величины, соизмеримой с длиной свободного пробега электронов,
границы пленки накладывают геометрическое ограничение на их движение.
Число соударений с поверхностью начинает составлять значительную часть
от общего числа столкновений. Таким образом, если в массивном образце
удельное сопротивление не зависит от геометрических размеров, то по мере
уменьшения толщины слоя удельное сопротивление увеличивается. [8]
Зависимость удельного сопротивления от толщины пленки строится
по формуле:
1
П  ,
 3 
 м 1  1  U  
(3.1)
 8 
где ρП – удельное сопротивление пленки, Ом∙м;
U – коэффициент зеркального отражения;
σм – проводимость массивного материала
𝜎𝑚 (𝑇𝑖) = 2,4 ∙ 106 (Ом ∙ м)−1 ;
γ – плотность вещества, которая рассчитывается по формуле:
d
 , (3.2)

где d – толщина пленки в диапазоне 10-300 нм;
λ – длина свободного пробега (30 нм).

Рассчитаем характеристику зависимости удельного сопротивления от

толщины пленки. Толщину пленки берем d=10 нм до d=300 нм.
 21
1
ρ= =6,29∙10-7 Ом∙м
3∙30∙10-9
2,4∙106 ∙(1- ∙(1 − 0,7))
8∙10∙10-9

Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) зависит от

толщины по формуле:
3λ
α = αм (1 − (1 − U)) (3.3)
8d

ТКС массивного материала αм = 5,4∙10-5 1/К

В таблице представлены рассчитанные значения:
Таблица 3.1 – Результаты расчетов:
d, нм 𝜌,∙10-7 Ом∙м α∙10-5, 1/К
10 6,29 3,5775
15 5,38 4,185
20 5,01 4,48875
30 4,69 4,7925
40 4,55 4,94438
50 4,46 5,0355
60 4,41 5,09625
70 4,37 5,13964
80 4,35 5,17219
90 4,32 5,1975
100 4,3 5,21775
130 4,28 5,25981
160 4,25 5,28609
190 4,24 5,30408
220 4,23 5,31716
250 4,22 5,3271
280 4,217 5,33491
300 4,214 5,33925
 22
Ниже представлены графики, построенные по расчетным данным.

0,65

0,6

𝜌, мкОм∙м
0,55

0,5

0,45

0,4
0 100 d, нм 200 300

Рисунок 3.1 – Зависимость удельного сопротивления от толщины пленки

Удельное сопротивление при увеличении толщины пленки

уменьшается.
Удельное сопротивление увеличивается при малых толщинах, чему
способствует размерный эффект, а точнее по мере роста толщины, зазоры
между островками уменьшаются и проводимость пленки возрастает. При
уменьшении толщины пленки уменьшается длина свободного пробега
электронов за счет рассеивания поверхностным слоем пленки, что приводит
к увеличению удельного сопротивления
Ниже представлена зависимость ТКС от толщины пленки:
 23
5,5

5,1

α∙10-5, 1/K
4,7

4,3

3,9

3,5
0 100 200 300
d, нм

Рисунок 3.2 – Зависимость температурного коэффициента сопротивления от

толщины пленки

Температурный коэффициент сопротивления увеличивается с

увеличением толщины. Это объясняется изменением расстояния между
островками и, следовательно, коэффициента линейного расширения
подложки. После происходит смыкание островков структуры, что приводит к
уменьшению поверхностного сопротивления, увеличению вклада
металлической проводимости в общую проводимость и ТКС увеличивается.
 24
Заключение
В курсовой работе был произведен расчет удельного сопротивления и
ТКС от толщины пленки.
Увеличение удельного сопротивления при малых толщинах связано с
размерным эффектом тонких пленок и их островковостью.
При малых толщинах пленки уменьшение температурного
коэффициента сопротивления происходит вследствие с островковым
характером плёнки.
 25
Список использованной литературы
1. Поляков В.И., Стародубцев Э.В. Проектирование гибридных
тонкопленочных интегральных микросхем: учебное пособие по дисциплине
«Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ» – Санкт-
Петербург: НИУ ИТМО, 2013. – 80 c.
2. Данилина Т.И. Технология тонкопленочных микросхем: Учебное
пособие. - Томск: Томский государственный университет систем управления
и радиоэлектроники, 2007. - 151 с.
3. Маиссел Л. Технология тонких пленок / Л. Маиссел – М.: Сов.
радио, 1977. — 768 с.
4. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник.
— М.: Радио и связь. 1991. — 528 с.
5. Булгаков А. В. Синтез наноразмерных материалов при воздействии
мощных потоков энергии на вещество / [и др.] // Новосибирск: Институт
теплофизики СО РАН. — 2009. — 462 с.
6. Pashley D. W. The growth and structure of gold and silver deposits
formed by evaporation inside an electron microscope / D. W. Pashley [et al.] //
Phil. Mag. — 1964. — V. 10, № 103. — P. 127-158.; Pashley D. W. The study of
epitaxy in thin surface films / Proc. 5Th Intern Congr. Electron Microscope. —
New York, 1962. — 225 p
7. Pashley D. W. The growth and structure of gold and silver deposits
formed by evaporation inside an electron microscope / D. W. Pashley [et al.] //
Phil. Mag. — 1964. — V. 10, № 103. — P. 127-158.
8. Смирнова К.И. Тонкие пленки в микроэлектронике: Учебное
пособие. - Томск: Томский государственный университет систем управления
и радиоэлектроники, 2007. – 109 с.
9. К. И. Билибин, А. И. Власов, Л. В. Журавлева, Конструкторско-
технологическое проектирование электронной аппаратуры: учебник для
вузов/ / Под ред. В. А. Шахнова. – М.: МГТУ, 2002.