Министерство образования и науки Кыргызской Республики

КЫРГЫЗСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМ. Ж.БАЛАСАГЫНА

Факультет: Физики и электроники

Кафедра: Электроники и теоретической физики

«СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ»
Руководитель ООП по направлению Заведующий кафедрой
690100 Электроника и наноэлектроника Электроники и теорет.физики
____________________________ __________________________
« ____ » ____________ 20___г. « ___ » ______________ 20__ г.

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

по дисциплине: Квантово-размерные наноструктуры

Цикл дисциплины: вариативная часть

Направление подготовки магистра 690100 Электроника и
наноэлектроника
Профиль подготовки - дневной

Рабочая программа составлена на основании ГОС ВПО КР 3-го поколения,

утвержденного МОиН КР приказом № 1179/1 от «15» сентября 2015г.,
и учебного плана по данному направлению, утвержденному приказом КНУ
им. Ж. Баласагына от «__» ______20_____г.

Разработчики рабочей программы ст. доцент С.Т.Кожоева __________

(указать уч. степень, должность, Ф.И.О.) (подпись
Одобрена учебно-методической комиссией факультета физики и электроники
(название структурного подразделения, реализующего направление)

Протокол №_____ от «______» ______________20__г. ___________________________________________

(подпись председатель УМК)

Бишкек -2020
Курс - 2
Семестр - 11
Количество учебных недель в семестре - 16
Форма итогового контроля - (экзамен)
Число кредитов - 5
Всего часов по учебному плану - 150

Количество академических часов

Очная Дистанционная
Всего часов
Курс, семестр
по учебному пр пр
плану лек лаб срс лек лаб срс
(сем) (сем)

2 курс 11 семестр 150 36 24 90

150 36 24 90
Итого
 Общие положения
1.1. Аннотация дисциплины:
Наименование дисциплины "Квантово-размерные наноструктуры" включена в
вариативную часть Блока 1 Дисциплины (модули) основной профессиональной
образовательной программы высшего образования – программы магистратуры по
направлению подготовки 690100 Электроника и наноэлектроника очной формы обучения.
Рабочая программа учебной дисциплины " Квантово-размерные наноструктуры"
составлена в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта
высшего образования.

Процесс изучения дисциплины " Квантово-размерные наноструктуры " направлен на

расширение научного кругозора и эрудиции студентов на базе изучения законов физики
низкоразмерных полупроводниковых структур для последующего использования их при
создании приборов наноэлектроники, твердотельной электроники и в технологии микро- и
наноэлектроники. при отработке технологических режимов, и в реализации
производственных процессов.
1.2. Компетенции, формируемые в результате освоения дисциплины:
- способность демонстрировать и использовать углубленные теоретические и
практические знания фундаментальных и прикладных наук, в том числе и тех, которые
находятся на передовом рубеже физики нанотехнологий и наноразмерных структур;
- способность демонстрировать навыки работы в научном коллективе, готовность
генерировать, оценивать и использовать новые идеи (креативность),
-способность находить творческие, нестандартные решения профессиональных и
социальных задач;
- способность вскрыть физическую, естественнонаучную сущность проблем,
возникающих в ходе профессиональной деятельности, провести их качественный и
количественный анализ;
- способность осуществлять научный поиск и разработку новых перспективных
подходов и методов к решению профессиональных задач, готовность к
профессиональному росту, к активному участию в научной и инновационной
деятельности, конференциях, выставках и презентациях,
- способность критически анализировать современные проблемы физики
нанотехнологий и наноразмерных структур, ставить задачи и разрабатывать программу
исследования, выбирать адекватные способы и методы решения экспериментальных и
теоретических задач, интерпретировать, представлять и применять полученные
результаты; - способность самостоятельно выполнять физико-технические научные
исследования для оптимизации параметров объектов и процессов с использованием
стандартных и специально разработанных инструментальных и программных средств;
- готовность осваивать и применять современные физико-математические методы и
методы искусственного интеллекта для решения профессиональных задач, составлять
практические рекомендации по использованию полученных результатов;
- способность представлять результаты исследования в формах отчѐтов, рефератов,
публикаций и презентаций,
- способность совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и
общекультурный уровень, добиваться нравственного и физического совершенствования
своей личности;
- способность к самостоятельному обучению новым методам исследования,
пополнению своих знаний в области современных проблем технической физики и
смежных наук, готовность к изменению научного и научно-производственного профиля
своей профессиональной деятельности, к изменению социокультурных и социальных
условий деятельности;
- готовность к активному общению в научной, производственной и социально-
общественной сферах деятельности; способность свободно пользоваться русским и
иностранным языками как средством делового общения;
- способность использовать на практике навыки и умения в организации научно
исследовательских и научно-производственных работ;
- способность самостоятельно приобретать с помощью информационных технологий и
использовать в практической деятельности новые знания и умения, в том числе в новых
областях знаний, непосредственно не связанных со сферой деятельности, расширять и
углублять свое научное мировоззрение.
1.3. Цель преподавания дисциплины.
Целью освоения дисциплины «Квантово-размерные наноструктуры» является
Подготовка специалистов, владеющих современными теоретическими знаниями,
экспериментальными методами научно-исследовательской работы и прикладной
деятельности в области физики и оптики твѐрдого тела и наноструктур.
Цель курса – дать современные представления о физических свойствах наноструктур.
1.4. Задачи дисциплины.
Получение студентами набора знаний, умений и навыков по тем разделам квантовой
физики и оптики твѐрдого тела, которые обеспечивают полноценное освоение основных
понятий, методов и приложений оптики наноструктур. Предусматривается получение
студентами сведений о различных типах кристаллических и некристаллических твѐрдых
тел, их электронных и колебательных подсистемах, об элементарных возбуждениях и
взаимодействиях между ними, о свойствах границ твердых тел и об основных типах
оптических процессов.
Другая задача дисциплины – изложить теоретические методы описания физических
свойств наноструктур. Изучение дисциплины даст студенту знания о моделях
колебательных состояний в сверхрешѐтках, оптических свойствах квантовых ям,
особенностях электронных свойств нитридов, принципах работы приборов на основе
наноструктур. Изучение элементов и приборов наноэлектроники, принципов их
построения, механизмов токопереноса, теоретических и технологических пределов
уменьшения размеров, основ проектирования элементов наноэлектроники. В результате
изучения дисциплины студенты должны получить знания вопросов классификации
твердых тел, основных понятий и методов описания кристаллических решеток,
межатомных взаимодействий, различных типов колебаний решетки, электронной зонной
структуры, электрон-колебательного взаимодействия, физики твердотельной плазмы,
физика поверхности, оптических свойства в широком спектральном диапазоне от
инфракрасного до ультрафиолетового. Предполагается умение самостоятельно работать с
учебной и научной литературой по указанному кругу вопросов, выполнять качественные
и количественные оценки параметров, характеризующих изученные в рамках данного
комплекса свойства твердых тел, включая, в первую очередь, оптические свойства.
Должны быть приобретены навыки экспериментальной работы в области электрических,
оптических и электрооптических свойств твердых тел, фотофизики поверхностных
явлений.
В результате изучения дисциплины " Квантово-размерные наноструктуры " студент
должен:
знать: основные принципы квантовой оптики наноструктур; физические свойства
систем с пониженной размерностью, метод огибающей волновой 3 функции для описания
электронных состояний в гетероструктурах; квантовый целочисленный и дробный
эффекты Холла; магнитные сверхрешѐтки и гигантское магнетосопротивление;
понятийный аппарат (терминологию) дисциплины;
уметь:
- выполнять квантование зонного электронного спектра, анализировать сверхрешетки и
блоховские осцилляции, разбираться в лазерах на квантовых ямах и точках; владеть:
методами расчѐта наноэлектронных приборов, методами исследования физических
свойств наноструктур, методами теоретического анализа физических процессов
наноэлектроники;
– выбрать технологические операции, обеспечивающие нанометровые размеры
интегральных элементов, методы проектирования интегральных устройств на основе
наноструктур. уметь: использовать основные теоретические методы для расчѐта квантово-
оптических характеристик наноструктур и наноразмерных систем; разбираться в
магнитном и электростатическом эффектах Бома-Ааронова
владеть:
– методами принципа построения, конструкции, модели и методы моделирования
сверхбыстродействующих гетеропереходных транзисторов, транзисторов с резонансным
туннелированием, транзисторов на основе эффектов Штарка и Ааронова-Бома,
одноэлектронных и спиновых транзисторов, элементов на переходах Джозефсона;
иметь: - способность к профессиональной эксплуатации современного научного и
технологического оборудования и приборов наноэлектроники.
2.5. Взаимосвязь учебных дисциплин:
Пререквизиты:
Дисциплина базируется на курсах математических и естественнонаучных дисциплин:
физика, математический анализ, физические основы электроники, теоретические основы
электротехники, материалы и элементы электронной техники, функциональная
электроника.
Постреквизиты: магистерская диссертация.
 2. Содержание, трудоемкость дисциплины
Таблиц 2.1
№ Порядковый номер темы Количество
дисциплины академических часов
п (Тема №) Очная Дистанци
/ онная
п пр пр
ле
лек(семлаб срс (селабсрс
к
) м)
Семестр 3
I модуль
1 Размерное квантование в электронных структурах 4
4
.
Принцип размерного квантования.
Энергетический спектр квантово-размерной пленки 6
Энергетический спектр квантово-размерной шнура
Энергетический спектр квантово-размерной ямы.
2

Условия наблюдения квантовых размерных эффектов 6

3 4
Задачи проектирования электронных схем.
Топологические модели электронных схем.
Структуры с двумерным электронным газом. 2 10
4 4

II модуль
Структуры с двумерным электронным газом
Понятие и виды схемных функций электронных схем.
5 Формы представления схемных функций. 6 4
Частотные и временные характеристики и их
параметры.
10
Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити)методами
4.1 Определение схемных функций по матрично-векторным
6 6 4
параметрам электронных схем.
Определение схемных функций электронных схем
методом сигнальных графов.
1Ма Применение квантово-размерных структур в
приборах микро- и наноэлектроники. Лазеры с
7 6 4
квантовыми ямами и точками. Лавинные фотодиоды.

Итого 36 24 20

2.2. Лабораторные занятия нет

 2.3. Практические занятия
Таблица 2.2

№ Наименование и краткое содержание занятий Кол-во

п/п баллов
1 Расчет квантово-размерных структур. 0 -5

2 Задачи проектирования приборов из квантово-размерных объектов. 0 -5

3 Расчет параметров квантово-размерных структур 0 -5

4 Полные энергия непрерывных компонентов наноструктур 0 -5
5 Определение схемных функций по матрично-векторным параметрам 0 -5
электронных схем
6 Частотные и временные характеристики наноструктур. 0 -5

3.Тематика курсовой работы

По учебному плану курсовая работа не планирована.
4. Тематика, формы выполнения и критерии оценки СРС

№ Порядковый номер темы

Форма отчетности Кол-во баллов
п/п дисциплины (Тема №)
Проработка материала лекций.
1 Тема 1 – 4 (табл.2.1) Выполнение домашних заданий, до 5
контрольных работ и СРС.
Проработка материала лекций.
Тема5, Выполнение домашних заданий,
2
(табл.2.2) лабораторных работ и его отчет,
контрольных работ и СРС.
Проработка материала лекций. до 5
Выполнение домашних заданий,
3 Тема 6 - Тема 7 лабораторных работ и его отчет
контрольных работ и СРС. Написание
реферата

Таблица 4.1. Примерные критерии оценки письменных работ

Количество баллов
Формы выполнения СРС (максимальный балл-10)
1-модуль
1. Понимание содержания СРС (реферата, эссе и др.), 2
через четкую формулировку целей и задач.
2.Наличие плана выполнения письменной работы
2
(реферата, эссе и др.).
3.Наличие теоретических знаний и умений их
преобразования при выполнении письменной работы 4
(реферата, эссе и др.).
4. Соответствие содержания работы её теме 2
Итого 10
2-модуль
5.Наличие практических умений при выполнении
3
письменной работы (реферата, эссе и др.).
5.Наличие и формулировка выводов, обобщений 3
6.Грамматика и стилистика письменной работы 2
(реферата, эссе и др.).
7.Оформление письменной работы (реферата, эссе и 2
др.).
Итого 10
Всего 20

5. Критерии для текущего, рубежного и итогового контроля достижений

студентов

Описать критерии и требования к студентам для оценки уровня их знаний и

компетенций, разработанные преподавателем (для каждого модуля и итогового контроля) с
учетом специфики дисциплины и общих требований.
Оперативный контроль - контроль за всеми видами аудиторной и внеаудиторной
работы обучающихся по дисциплинарному модулю, результаты которой оцениваются до
рубежного контроля.
Рубежный контроль – проверка полноты знаний, умений и навыков по материалу
модуля в целом. Рубежный контроль осуществляется два раза в семестр на учебных
занятиях согласно утвержденному графику проведения рубежного контроля.
Текущий контроль – проверка полноты знаний, умений и навыков по материалам
двух модулей в течение семестра, который состоит из оперативного, рубежных контролей и
проверки самостоятельной работы.
Итоговый контроль - форма контроля, проводимая по завершении изучения
дисциплины в семестре.
Формы и методы проведения контроля текущей, рубежной, итоговой успеваемости
по дисциплинам определяется учебно-методической комиссией факультета (или
педагогическим советом колледжа):
устный опрос;
письменный опрос;
тестирование (бланочное или компьютерное).

Рейтинг знания студентов оценивается по 100 – балльной шкале.

 Результаты обучения студентов, его рейтинг оценивается по 100-балльной шкале.
Рейтинговая оценка текущего и итогового контроля составляет не более 50% (50 баллов –
это 25 на 1 модуль и 25 баллов на 2 модуль), оставшиеся 50% (50 баллов) составляет
итоговый контроль по нижеследующей схеме 1.

Оператив 10 баллов
ный (мах)
контр. 1-модуль
коконтрол
Рубежный 5 баллов 25 баллов 50 баллов
ь
контр. (мах) (мах) (мах)
2-модуль
СРС 10 баллов
(мах)

Итоговый 50 баллов 100

контроль (мах) баллов
(мах)

Схема 1
Тематика эссе, рефератов и др.
(для соответствующих тем из таблицы 3.4)
5.1 а. Контрольные вопросы и задания для проведения рубежного контроля.
Максимальное время рубежного контроля до 30 минут;
Максимальный балл рубежного контроля – 10 баллов;
Модуль 1
Тема 1-4
1. Волновая функция фотонов в импульсном пространстве
2. Квантовая теория фотоэффекта
3. Метод вторичного квантования
4. Представление вторичного квантования
5. Квантование свободного электромагнитного поля
6. Представление чисел заполнения
7. Фоковское состояние поля оптического излучения
8. Когерентное состояние поля оптического излучения
9. Сжатое состояние поля оптического излучения
10. Сжатые когерентные состояния
11. Представление когерентных состояний
12. Детектирование фотонов и квантовые функции когерентности
13. Когерентность первого порядка и эксперименты типа Юнга с двумя источниками
14. Когерентность второго порядка и эффект Хэнбери-Брауна-Твисса
15. Временная и пространственная когерентность световых полей; корреляционные
функции первого и высших порядков
16. Корреляционная спектроскопия. Эффекты группировки и антигруппировки фотонов
17. Спонтанное параметрическое рассеяние света. Бифотоны
18. Наноструктуры в постоянном электрическом поле
19. Наноструктуры в постоянном магнитном поле
20. Наноструктуры в поле оптического излучения
Модуль 2
Тема 5-7
1. Наночастицы в постоянном электрическом поле
2. Наночастицы в постоянном магнитном поле
3. Наночастицы в поле оптического излучения
4. Нанолазеры
5. Полупроводниковые нанолазеры
6. Лазеры с квантовыми ямами
7. Гетероструктуры
8. Лазеры с квантовыми точками
9. Лазеры с квантовыми проволоками
10. Фотоприѐмники на квантовых ямах
11. Нанофотоника
12. Квантовые интерференционные приборы.

Контрольные вопросы семестрового (итогового) контроля (по итогам изучения

дисциплины

Содержание и структура заданий к итоговому контролю должны соответствовать

требованиям учебно-методического совета университета и учебно - методической комиссии
факультета.
Задания для итогового контроля составляются не менее чем 4-8 вариантов (в зависимости от
объема дисциплины) для одной академической группы, с указанием количества баллов на
каждое задание;
Максимальное время для выполнения задания итогового контроля -2 астрономических часа;
Максимальный итоговый балл для каждого варианта -50 баллов;

1. Волновая функция фотонов в импульсном пространстве

2. Квантовая теория фотоэффекта
3. Метод вторичного квантования
4. Представление вторичного квантования
5. Квантование свободного электромагнитного поля
6. Представление чисел заполнения
7. Фоковское состояние поля оптического излучения
8. Когерентное состояние поля оптического излучения
9. Сжатое состояние поля оптического излучения
10. Сжатые когерентные состояния
11. Представление когерентных состояний
12. Детектирование фотонов и квантовые функции когерентности
13. Когерентность первого порядка и эксперименты типа Юнга с двумя источниками
14. Когерентность второго порядка и эффект Хэнбери-Брауна-Твисса
15. Временная и пространственная когерентность световых полей; корреляционные
функции первого и высших порядков
16. Корреляционная спектроскопия. Эффекты группировки и антигруппировки фотонов
17. Спонтанное параметрическое рассеяние света. Бифотоны
18. Наноструктуры в постоянном электрическом поле
19. Наноструктуры в постоянном магнитном поле
20. Наноструктуры в поле оптического излучения
21 . Нанолазеры
22. Полупроводниковые нанолазеры
23. Лазеры с квантовыми ямами
24. Гетероструктуры
25. Лазеры с квантовыми точками
26. Лазеры с квантовыми проволоками
27. Фотоприѐмники на квантовых ямах
28. Нанофотоника
29. Квантовые интерференционные приборы

Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины (модуля)

Основная литература:
1. Алтунин, К. К. Оптика наноструктур и наноматериалов : учебное пособие / К. К.
Алтунин. - 2-е изд. - М. : Директ-Медиа, 2014. - Ч. 1. Микроскопические уравнения
электродинамики. - 82 с. - ISBN 978-5-4475-0322-2 ; То же [Электронный ресурс]. - URL:
http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=240553.
2. Алтунин, К. К. Оптика наноструктур и наноматериалов : учебное пособие / К. К.
Алтунин. - 2-е изд. - М. : Директ-Медиа, 2014. - Ч. 2. Уравнения для атомных переменных. -
61 с. - ISBN 978-5-4475-0323-9 ; То же [Электронный ресурс]. - URL:
http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=240554.
3. Шишкин, Г. Г. Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства: учебное
пособие / Г. Г. Шишкин, Агеев И. М. - Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2014. - 408 с.
- (Нанотехнологии). - Гриф. - ISBN 978-5-9963-0638-1. (Библиотека УлГПУ)
4. Зегря, Г. Г. Основы физики полупроводников / Г. Г. Зегря, В. И. Перель. - М. :
Физматлит, 2009. - 336 с. - ISBN 978-5-9221-1005-1 ; То же [Электронный ресурс]. - URL:
http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=68394.
5. Лебедев, А. И. Физика полупроводниковых приборов : учебное пособие / А. И.
Лебедев. - М. : Физматлит, 2008. - 488 с. - ISBN 978-5-9221-0995-6 ; То же [Электронный
ресурс]. - URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=68403.

Дополнительная литература:
1. Манцызов, Б. И. Когерентная и нелинейная оптика фотонных кристаллов / Б. И.
Манцызов. - М. : Физматлит, 2009. - 208 с. - ISBN 978-5-9221-1201-7 ; То же [Электронный
ресурс]. - URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=68404.
2. Щука, А. А. Наноэлектроника: учебное пособие / А. А. Щука. - 2-е изд. - Москва:
БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. - 342 с. - (Нанотехнологии). - Гриф УМО РФ. - ISBN
978-5-9963-0735-7. (Библиотека УлГПУ)
3. Климов, В. В. Наноплазмоника / В. В. Климов. - М.: Физматлит, 2010. - 479 с. - ISBN 978-
5-9221-1205-5; То же [Электронный ресурс]. - URL: http://biblioclub.ru/index.php?
page=book&id=69490. 23
4. Евсеев, И. В. Когерентные переходные процессы в оптике / И. В. Евсеев, Н. Н. Рубцова,
В. В. Самарцев. - М. : Физматлит, 2009. - 536 с. - ISBN 978-5-9221-1199-7 ; То же
[Электронный ресурс]. - URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=68554.
5. Самарцев, В. В. Коррелированные фотоны и их применение / В. В. Самарцев. - М. :
Физматлит, 2014. - 168 с. : схем., ил., табл. - Библиогр. в кн. - ISBN 978-5-9221-1511-7 ; То
же [Электронный ресурс]. - URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=275564