Руководство по Microwave Office MMIC

v13
Руководство по
Microwave Office MMIC
ni.com/awr
Руководство по MMIC
NI AWR Design Environment v13 Edition
1960 E. Grand Avenue, Suite 430

El Segundo, CA 90245
USA
Phone: +1 310.726.3000
Fax: +1 310.726.3005
Website: www.ni.com/awr
<awr.support@ni.com>
U.S. Technical Support phone: 888.349.7610
LEGAL NOTICES
© 2017 National Instruments. All rights reserved.
Trademarks
• Analog Office, APLAC, AWR, AWR Design Environment, AXIEM, Microwave Office, National Instruments, NI, ni.com and
TX-Line are registered trademarks of National Instruments. Refer to the Trademarks section at ni.com/trademarks for other
National Instruments trademarks.
• Other product and company names mentioned herein are trademarks or trade names of their respective companies.
Patents
For patents covering NI AWR software products/technology, refer to ni.com/patents.
The information in this guide is believed to be accurate. However, no responsibility or liability is assumed by National Instruments
for its use.
Table of Contents
1. Введение ....................................................................................................................................... 1–1
Введение в NI AWR Design Environment ...................................................................................... 1–1
Об этом руководстве .................................................................................................................. 1–2
Необходимые условия ........................................................................................................ 1–2
Содержание руководства .................................................................................................... 1–2
Условные обозначения ....................................................................................................... 1–3
Дополнительная информация ..................................................................................................... 1–3
База знаний NI AWR .......................................................................................................... 1–3
Документация ................................................................................................................... 1–4
Онлайн-справка ................................................................................................................ 1–5
Поддержка на веб-сайте ..................................................................................................... 1–5
Техническая поддержка ..................................................................................................... 1–5
2. Пакет AWR Design Environment ....................................................................................................... 2–1
Запуск программ NI AWR .......................................................................................................... 2–2
Компоненты пакета NI AWR Design Environment .......................................................................... 2–3
Основные операции ................................................................................................................... 2–4
Работа с проектами ........................................................................................................... 2–4
Содержимое проекта ................................................................................................. 2–5
Создание, открытие и сохранение проектов .................................................................. 2–5
Открытие примеров проектов .................................................................................... 2–5
Импорт тестовых модулей .......................................................................................... 2–6
Работа с принципиальными схемами и списками соединений в MWO ..................................... 2–7
Работа с системными диаграммами в VSS ............................................................................ 2–8
Использование Диспетчера элементов ................................................................................. 2–9
Добавление подсхем к схеме ..................................................................................... 2–10
Добавление подсхем на системные диаграммы ........................................................... 2–11
Добавление портов на схемы/диаграммы ................................................................... 2–11
Соединение элементов и узлов системных блоков ....................................................... 2–12
Добавление данных к спискам соединений ................................................................. 2–12
Создание ЭМ структур ............................................................................................. 2–12
Добавление чертежа ЭМ структуры ........................................................................... 2–13
Создание топологии с помощью MWO .............................................................................. 2–14
Изменение атрибутов топологии и параметров чертежа ............................................... 2–15
Использование Менеджера топологии ........................................................................ 2–16
Создание графиков выходных данных и измерений ............................................................ 2–17
Настройка частоты и проведение симуляций ...................................................................... 2–18
Подстройка и оптимизация моделирования ................................................................ 2–19
Использование команд быстрого доступа .......................................................................... 2–19
Использование скриптов и Мастеров ......................................................................................... 2–20
Использование онлайн-справки ................................................................................................. 2–20
3. MMIC: Проектирование MMIC ....................................................................................................... 3–1
Открытие проекта ..................................................................................................................... 3–1
Организация проекта ................................................................................................................. 3–1
4. MMIC: Особенности работы с топологией ........................................................................................ 4–1
Определение типа линии ............................................................................................................ 4–1
Автоматические соединения ....................................................................................................... 4–5
Совмещение топологии элементов .............................................................................................. 4–7
Принудительное совмещение .................................................................................................... 4–16
Использование интеллектуального синтаксиса параметров ........................................................... 4–18
Getting Started Guide iii

Содержание
5. MMIC: Экстракция и ЭМ моделирование ......................................................................................... 5–1

Экстракция по всей иерархии ..................................................................................................... 5–1
Настройка групп ....................................................................................................................... 5–3
Поэтапная экстракция ................................................................................................................ 5–5
Использование файлов данных ................................................................................................... 5–9
Упрощение геометрии .............................................................................................................. 5–14
6. MMIC: Верификация разработки ..................................................................................................... 6–1
Connectivity Highlighter - Подсветка связности .............................................................................. 6–1
Использование контроля связности ............................................................................................. 6–4
Layout Vs Schematic (LVS) - соответствие топологии схеме ............................................................ 6–9
Design Rule Checking (DRC) - контроль проектных норм ............................................................... 6–9
Завершение работы с примером по MMIC .................................................................................. 6–14
7. MMIC: Дополнительные темы ......................................................................................................... 7–1
Навигация в иерархических проектах Схема и топология .............................................................. 7–1
Переключение между схемой и топологией .................................................................................. 7–5
Использование интеллектуального синтаксиса параметров ............................................................ 7–7
Топология: Автоматические соединения ..................................................................................... 7–10
Использование более двух соединений в одном узле ............................................................ 7–10
Работа в иерархии проекта ................................................................................................ 7–13
Шаблоны ячеек и ЭМ структуры ....................................................................................... 7–16
Неоднородности без линий передачи ................................................................................. 7–16
Топология: изменение цвета фона .............................................................................................. 7–18
Топология: режимы совмещения ............................................................................................... 7–18
Топология: добавление текста ................................................................................................... 7–19
Index .......................................................................................................................................... Index–1
iv NI AWR Design Environment

Chapter 1. Введение
Доступны следующие руководства NI AWRDE:
• Microwave Office Getting Started Guide содержит примеры с пошаговыми инструкциями для разработки схем
в Microwave Office.
• Analyst Getting Started Guide содержит примеры с пошаговыми инструкциями для разработки и моделирования
при помощи AnalystTM 3D электромагнитных структур, созданных в Microwave Office.
• MMIC Getting Started Guide содержит примеры с пошаговыми инструкциями применительно к особенностям
и реализациям монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона (MMIC).
• Visual System Simulator Getting Started Guide содержит примеры с пошаговыми инструкциями для применения
Visual System SimulatorTM (VSS) при моделировании на системном уровне и внедрении проектов Microwave
Office.
• Analog Office Getting Started Guide содержит примеры с пошаговыми инструкциями для создания проектов
схем и отображения результатов измерений в графическом виде в Analog Office (AO).
Для настройки NI AWRDE для проектирования печатных плат (PCB), выберите Tools > Create New Process и в
появившемся окне Create New Process нажмите кнопку Help для подробного описания работы с этим инструментом.
Введение в NI AWR Design Environment

Добро пожаловать в NI AWRDE!
Данный пакет объединяет три мощных инструмента, которые помогут с созданием среды для проектирования
РЧ, аналоговых или интегрированных систем: Visual System Simulator (VSS), Microwave Office (MWO) и Analog
Office (AO). Эти инструменты полностью интегрированы в пакет NI AWR Design Environment и позволяют
использовать проекты отдельных схем в разработке сложных систем, не покидая среду проектирования.
VSS позволяет разрабатывать и анализировать end-to-end системы связи. Вы можете создавать системы,
включающие модулированные сигналы, схемы кодирования, блоки каналов и измерения параметров
производительности на системном уровне. В VSS можно проводить симуляции при помощи передатчиков и
приёмников с предопределённым профилем, или же построить специализированные приёмники и передатчики
из базовых блоков. В зависимости от Ваших потребностей, можно отображать кривую коэффициента битовых
ошибок (BER), измерения ослабления мощности по соседнему каналу (ACPR), сигнальные созвездия, спектр
мощности и так далее. VSS обеспечивает подстройку в режиме реального времени, так что Вы можете изменять
параметры схемы и сразу наблюдать результат на экране.
Microwave Office и Analog Office позволяют создавать сложные схемы, состоящие из различных элементов и
электромагнитных (ЭМ) структур, доступных в обширной базе данных электрических моделей, и затем
синтезировать топологию на основе созданных схем. Можно выполнить моделирование, используя любой из
симуляторов NI AWR - например, линейный симулятор, продвинутый гармонический симулятор для нелинейного
моделирования и анализа в частотной области (симулятор гармонического баланса APLAC), 3D планарный ЭМ
симулятор (AXIEM), симулятор на основе 3D метода конечных элементов (Analyst), симуляторы переходных
процессов (симулятор переходных процессов APLAC или отдельный HSPICE симулятор) - и выводить данные
в нужном виде. После этого можно настраивать и оптимизировать схемы, при этом вносимые изменения
автоматически и моментально отражаются на топологии схемы. Статистический анализ позволяет Вам исследовать
отклик системы на основе статистически варьируемых параметров элементов схемы.
Getting Started Guide 1–1

Об этом руководстве
Analog Office предлагает единую среду для полного взаимодействия с комплексным и мощным набором
встроенных инструментов для разработки аналоговых и РЧ интегральных схем методами «сверху вниз» и
«front-to-end».
Набор инструментов покрывает весь маршрут проектирования интегральных схем, включая разработку и
верификацию как на системном, так и на схемном уровне, а также ввод схемы и описания, симуляцию и анализ
в частотной и временной областях, топологию элементов с автоматизированными на уровне устройства
размещением, разводкой и интегрированной проверкой проектных норм (DRC), экстракцию паразитных компонент
на основе 3D расчётного алгоритма по соответствующей золотому стандарту промышленности высокоскоростной
технологии от OEA International, и полноценный набор решений для отображения и анализа аналоговых сигналов
с поддержкой сложных РЧ измерений.
ОБЪЕКТО-ОРИЕНТИРОВАННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
В основе возможностей NI AWR Design Environment лежит продвинутый объектно-ориентированный подход.

Такой подход позволяет создавать быстрое, компактное, надежное и легко усовершенствуемое с появлением
новых технологий программное обеспечение.
Об этом руководстве
Данное руководство создано для Вашего ознакомления с программным обеспечением путём демонстрации
возможностей MWO, VSS, AO, Analyst и MMIC на конкретных рабочих примерах.
Необходимые условия
Необходимо уметь работать с семейством операционных систем Microsoft® Windows® и обладать практическими
навыками разработки и анализа простых схем и/или систем.
Данный документ доступен в виде PDF файла (*_Getting_Started.pdf - в зависимости от модуля). Его также можно
загрузить на сайте NI AWR www.ni.com/awr.
Если это руководство используется в качестве онлайн-справки и выполняются приведённые в нем примеры,
возможно, будет удобнее скачать и распечатать PDF-версию данного руководства.
Содержание руководства
Глава 2 содержит обзор пакета NI AWRDE, в том числе основных элементов меню, окон, компонентов и команд.
В разделе Microwave Office Getting Started Guide последующие главы посвящены практическим примерам,
иллюстрирующим, как использовать MWO для проектирования схем, включая их топологию, при помощи 3D
планарного симулятора AXIEM.
В разделе Visual System Simulator Getting Started Guide последующие главы посвящены практическим примерам
использования VSS для симуляции на системном уровне и внедрения проектов Microwave Office.
В разделе Analog Office Getting Started Guide последующие главы отведены под описание практических примеров,
иллюстрирующих применение Analog Office для создания проектов схем и отображения результатов различных
измерений в графическом виде.
В разделе MMIC Getting Started Guide последующие главы посвящены практическим примерам, иллюстрирующим
особенности проектирования монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона (MMIC).
1–2 NI AWR Design Environment

Дополнительная информация
В разделе Analyst Getting Started Guide последующие главы отведены под практические примеры, иллюстрирующие
применение 3D ЭМ симулятора Analyst для моделирования в Microwave Office. Рассмотрено применение
трёхмерных параметризованных ячеек и 3D редактора топологии.
Условные обозначения
В данном руководстве приняты следующие обозначения:
Элемент Обозначение
Всё, что можно выбрать (нажать) в программе - пункты Выделены жирным шрифтом другого типа. Выбор
меню, названия кнопок, элементы диалоговых окон элемента выпадающего меню обозначается ">", чтобы
показать последовательный выбор сначала одного, затем
- другого элемента:
Выберите File > New Project.

Вводимый с клавиатуры текст Выделены жирным шрифтом и кавычками:
Введите "my_project" в поле Project Name.

Имена файлов и адреса директорий Выделены курсивом:
C:\Program Files\AWR\AWRDE\13 или C:\Program Files

(x86)\AWR\AWRDE\13 является установочной
директорией по умолчанию.
Клавиши или комбинации клавиш Выделены жирным шрифтом другого типа, начинаются
с заглавной буквы. Комбинации клавиш обозначаются
с помощью знака "+", чтобы показать, что необходимо
начать и удерживать первую клавишу одновременно с
нажатием второй клавиши:
Нажмите Alt + F1.
Существует несколько доступных ресурсов для поиска дополнительной информации и получения технической
поддержки для продуктов NI AWR.
База знаний NI AWR

www.awrcorp.com/support/help.aspx?id=9
• Application Notes - техническая документация на различные темы, подготовленная компанией NI AWR или
нашими партнерами.
• Examples - страницы с разъяснениями примеров, некоторые из которых доступны в установленном ПО, а
другие предлагаются только для загрузки.
• Licensing - пошаговые инструкции для решения многих проблем, связанных с лицензированием.
• Questions - часто задаваемые пользователями вопросы и ответы на них.
• Scripts - утилиты со скриптами, помогающие решать определенные задачи.

• Documentation - полная копия последней версии документации.

• Videos - короткие видеоролики о том, как справиться с определенными задачами.
Документация
Документация по NI AWR Design Environment включает в себя следующее:
• What's New in NI AWRDE 13? представляет новые или улучшенные функции, элементы, системные блоки и
измерения нового выпуска. Этот документ доступен в разделе справки, для перехода к нему в Windows
необходимо нажать кнопку Start и выбрать All Programs > AWRDE 13 > AWR Design Environment Help, а затем зайти
в раздел NI AWR Design Environment на вкладке Contents или, находясь в программе, выбрать Help > What's New.
• Installation Guide описывает, как установить NI AWRDE и сконфигурировать его для привязанной или
плавающей лицензии. Здесь также представлены советы по поиску неисправностей в конфигурации лицензии.
Этот документ доступен в виде PDF-файла install.pdf, его также можно загрузить на сайте NI AWR по ссылке
www.ni.com/awr, для этого необходимо войти в раздел Support Resources > Customer Resources > Download на
вкладке Documentation, предварительно указав входные данные.
• User Guide содержит обзор NI AWRDE, в том числе главы, посвященные: пользовательскому интерфейсу;
работе со схемами; файлам данных; спискам связей (netlists); графикам, измерениям и выходным файлам;
переменным и уравнениям в проектах. Помимо этого, имеется приложение с инструкциями по созданию
нового проекта.
• Simulation and Analysis Guide посвящено таким основам моделирования, как: циклический параметрический
анализ, подстройка/оптимизация/анализ выходных параметров, фильтры моделирования; и даёт подробную
информацию по теории и методам следующих видов моделирования: DC, линейное, AC, на основе
гармонического баланса, в переходном режиме и электромагнитное.
• Dialog Box Reference даёт обширное описание всех диалоговых окон программы с внешним видом, обзором,
описанием опций и информацией по навигации для каждого диалогового окна.
• API Scripting Guide объясняет базовые понятия работы со скриптами в NI AWRDE и приводит примеры
кодирования. Здесь также дается информация о наиболее полезных объектах, свойствах и методах, используемых
для создания скриптов в NI AWR Script Development Environment (NI AWR SDE). Руководство также содержит
список API компонентов NI AWRDE.
• Quick Reference содержит перечень горячих клавиш, операций мышью, советов и приемов по оптимизации
работы с NI AWRDE. Документ доступен из программы: Help > Quick Reference или в корневом каталоге
программы Quick_Reference.pdf. Документ крайне полезен и отлично подходит для хранения под рукой в
распечатанном виде.
• Контекстная справка доступна для большинства действий или этапов проектирования. Для отображения
контекстной справки, нажмите F1 в процессе разработки.
Документация по MWO и AO включает в себя следующее:
• Microwave Office Layout Guide содержит информацию по созданию и отображению топологии схем и ЭМ
структур, включая использование Менеджера топологии, Layout Process File, контроль проектных норм и
другие темы.
• Microwave Office Element Catalog - полная справка по всем типам электрических элементов, используемых в
создаваемых схемах.
• Microwave Office Measurement Catalog содержит всю справочную информацию об измерениях (например,
расчётные данные по коэффициенту усиления, шуму, мощности или напряжению).

Документация по VSS включает в себя следующее:
• VSS System Block Catalog - полная справка по всем типам системных блоков, используемых в создаваемых
системах.
• VSS Measurement Catalog - полная справка по измерениям.
• VSS Modeling Guide содержит информацию об основах моделирования, возможностях РЧ симуляций и
шумовому анализу.
Документация по 3D Editor и Analyst-MP (отдельный продукт для мультифизического ЭМ моделирования)

включает в себя:
• What's New in Analyst-MP 13 (Analyst_Whats_New.pdf) представляет новые или улучшенные функции обоих
пакетов (3D Layout Editor и Analyst-MP).
• Analyst Installation Guide (Analyst_Install.pdf) описывает, как установить Analyst и сконфигурировать его для
привязанной или плавающей лицензии. Здесь также представлены советы по поиску проблем с конфигурацией
лицензии.
• Analyst-MP Getting Started Guide (Analyst_Getting_Started.pdf) предоставляет пошаговые примеры по
использованию Analyst-MP.
• Analyst User Guide (Analyst_User_Guide.pdf) содержат обзор 3D Editor и Analyst-MP, включая главы о
пользовательском интерфейсе, структурах, моделированию, постобработке, переменных, файлах данных и
работе со скриптами.
Онлайн-справка
Вся документация по NI AWRDE доступна в виде онлайн-справки.
Чтобы открыть онлайн-справку, выберите Help на панели меню или нажмите F1 в любом месте программы.
Контекстно-зависимая справка доступна для элементов и системных блоков в Диспетчере элементов, а также
внутри схем и системных диаграмм. Для измерений контекстно-зависимая справка доступна из диалогового
окна Add/Modify Measurement.
Поддержка на веб-сайте
Поддержка также доступна на официальном сайте NI AWR www.ni.com/awr. Попасть на сайт можно напрямую
из раздела NI AWRDE Help. На странице поддержки можно найти ссылки:
• Текущую версию программного обеспечения

• Базу знаний, содержащую раздел часто задаваемых вопросов (FAQ) пользователей MWO, VSS и AO, советы
по применению, учебные материалы и примеры проектов
• Всю документацию по MWO, VSS и AO
Техническая поддержка
Техническая поддержка доступна по будним дням с 7:00 - 17:00 по тихоокеанскому времени (PST).
Телефон: 888.349.7610 / Факс: 310.726.3005 / E-mail: <awr.support@ni.com>.


Chapter 2. Пакет AWR Design Environment
На диаграмме ниже представлена типичный процесс проектирования в пакете NI AWR Design Environment TM
(NI AWRDE).
Create Project
File > New Project or File > New with Library
Set Units, Environment Options

Options > Project Options
Create Schematics/Diagrams (MWO/AO) Create Layout

Project > Add Schem./Sys. Diagram View > View Layout
View > View Schematic
Set Frequency, Simulation Options

(MWO/AO) Options > Def. Circuit Options
(VSS) Options > Def. System Options
Create Graphs/Measurements
Project > Add Graph
Project > Add Measurement
Simulate Circuit
(MWO/AO) Simulate > Analyze
(VSS) Simulate > Run Sys. Sim.
(MWO/AO) Optimizing Tuning

Simulate > Optimize Simulate > Tune
Set Optimization Goals Manually Vary Parameters

Project > Add Opt Goal Simulate > Tune Tool
Automatically: Automatically:
*Updates Schem./Sys. Diagrams *Updates Schem./Sys. Diagrams
*(MWO/AO) Updates Layout *(MWO/AO) Updates Layout
*Simulates *Simulates
*Updates Results/Graphs *Updates Results/Graphs
В этой главе описаны окна, меню и базовые операции пакета NI AWR Design Environment (NI AWRDE),
предназначенные для выполнения следующих задач:
• Создание проектов для организации и сохранения разработок

• Создание диаграмм системы, принципиальных схем и ЭМ структур
• Расположение элементов на схеме

Запуск программ NI AWR
• Расположение системных блоков на диаграмме системы

• Подключение подсхем к основным схемам или диаграммам системы
• Создание топологии
• Создание и отображение графиков
• Проведение моделирования
• Подстройка симуляции
ПРИМЕЧАНИЕ. Quick Reference содержит перечень горячих клавиш, операций мышью, советов и приемов по
оптимизации работы с NI AWRDE. Чтобы перейти к этому документу, выберите Help > Quick Reference.
Запуск программ NI AWR

Для запуска пакета NI AWRDE:
1. Нажмите кнопку Start Windows.

2. Выберите All Programs > AWRDE 13 > AWR Design Environment 13.
Откроется следующее главное окно.

Компоненты пакета NI AWR Design
Environment
Title bar
Menu bar
Toolbar
Project Browser
System diagrams
Circuit schematics
Workspace
Tabs
Status window Status bar
Если при установке пакета NI AWRDE не выбрана опция добавления в меню Start, дважды щелкните значок My
Computer на рабочем столе, перейдите в папку, в которой установлена программа и дважды щелкните файл
MWOffice.exe, чтобы запустить приложение NI AWRDE.
Компоненты пакета NI AWR Design Environment

Пакет NI AWRDE содержит все необходимые окна, компоненты, меню и инструменты для создания линейных
и нелинейных схем, ЭМ структур, топологии схемы, системных схем; проведения симуляций и вывода графических
результатов. Большая часть основных процедур применима к Microwave Office (MWO), Visual System SimulatorTM
(VSS) и Analog Office (AO). Основные компоненты пакета NI AWRDE представлены в таблице:
Компонент Описание
Строка заголовка Отображает название открытого проекта и используемый в нём PDK (Process Design Kit,
набор проектной документации).
Панель меню Включает в себя набор меню, необходимых для выполнения большинства задач в MWO,
VSS и AO. Расположена в верхней части окна.
Панель инструментов Расположена под панелью меню и содержит набор кнопок быстрого доступа к часто
используемым командам (создать новую схему, провести симуляцию, запустить

Основные операции
Компонент Описание
подстройку параметров и т.п.). Активность кнопок зависит от используемых функций и
активных окон. При наведении курсора на кнопку отображается её название и/или
назначение.
Рабочая область Область для проектирования схем, создания ЭМ структур, отображения и редактирования
топологии и вывода графиков. Для перемещения по рабочей области можно использовать
линейки прокрутки. Кроме того, можно использовать команды увеличения и уменьшения
в меню View.
Диспетчер проектов По умолчанию расположен в левой колонке окна. Диспетчер проектов - полная коллекция
(вкладка Project) данных и компонентов, определяющих текущий проект. Элементы организованы в
древовидную структуру и включают схемы, системные диаграммы, ЭМ структуры,
настройки частоты симуляции, выходные графики, пользовательские папки и многое
другое. Диспетчер проектов активируется при первом запуске NI AWRDE или при
переходе на вкладку Project. Для доступа к командам узла в Диспетчере проектов щелкните
узел правой кнопки мыши.
Диспетчер элементов Диспетчер элементов содержит полный перечень элементов для создания схем и системных
(вкладка Elements) блоков для создания системных диаграмм. Диспетчер элементов отображается в левой
колонке на месте Диспетчера проектов при переходе не вкладку Elements.
Менеджер топологии Менеджер топологии содержит средства для отображения и создания топологических
(вкладка Layout) чертежей, создания новых ячеек и работы с библиотеками топологических чертежей.
Менеджер топологии отображается в левой колонке на месте Диспетчера проектов при
переходе на вкладку Layout.
Окно состояния В окне состояния отображаются ошибки, предупреждения и информационные сообщения
(вкладка Status о текущем действии или симуляции. Окно состояния по умолчанию расположено в нижней
Window) части рабочей области на вкладке Status Window.
Строка состояния Строка состояния расположена в самом низу окна программы и выводит информацию в
зависимости от текущего активного элемента или действия. Например, при выборе
элемента схемы в строке состояния отобразится название элемента и его ID. Если выбрана
ячейка, отобразится информация о слое и размерах; при выборе кривой на графике будет
выведено соответствующее значение параметра.
Из меню, панели инструментов, а также при нажатии правой клавишей на пункте Диспетчера проектов, можно
активировать множество команд и функций. Данное руководство может не упоминать всех способов выполнения
определённых задач.
Этот раздел посвящен окнам, опциям меню и командам, доступным для создания моделируемых проектов в
пакете NI AWRDE. Подробная информация приведена в следующих главах.
Работа с проектами
Первый шаг на пути к постройке модели и её симуляции - создание проекта. Проект нужен для организации и
управления Вашими разработками и всем, что с ними связано, при помощи древовидной структуры.

Содержимое проекта
Поскольку MWO, VSS и AO полностью интегрированы в NI AWRDE, можно создать проект, основанный на
модели системы из VSS или на схемотехническом решении, созданном в MWO или AO. Проект может объединять
все эти элементы. Все компоненты и элементы проекта отображаются в Диспетчере проектов. Все изменения
автоматически отражаются в соответствующих элементах.
Проект может включать в себя любой набор решений и одну или несколько линейных или нелинейных схем,
ЭМ структур или системных блоков. Проект также может включать в себя любую информацию, связанную с
разработкой модели, как, например, значения глобальных параметров, импортированные файлы, топологические
виды, выходные графики.
Создание, открытие и сохранение проектов

При первом запуске пакета NI AWRDE по умолчанию создается пустой проект под названием "Untitled Project".
Активным может быть только один проект. Название текущего проекта отображается в строке заголовка главного
окна.
После создания проекта можно приступать к реализации конкретных решений. Вы можете проводить симуляции
и получать результаты в графическом виде. Затем Вы можете подстраивать или оптимизировать значения
параметров и переменных для получения нужного Вам отклика системы. Можно сгенерировать топологическое
представление схемы и экспортировать результат в форматах DXF, GDSII, или Gerber. Дополнительные инструкции
по запуску нового проекта см. в разделе Appendix B, New Design Considerations in User Guide руководства User
Guide.
Чтобы создать проект, выберите File > New Project. Назовите новый проект и выберите директорию для сохранения
проекта с помощью File > Save Project As Название проекта отображается в строке заголовка.
Чтобы открыть проект, выберите: File > Open Project. Чтобы сохранить текущий проект, выберите File > Save Project.
При сохранении проекта сохраняются все связанные с ним данные. Проекты NI AWR сохраняются в виде файлов
с расширением *.emp.
Открытие примеров проектов

NI AWR предоставляет несколько примеров проектов (файлы *.emp) в установочной директории для демонстрации
ключевых моментов, программных функций и особенностей, а также применения отдельных элементов.
Поиск и открытие примеров проектов, упоминаемых в данном руководстве:
1. Выберите File > Open Example.
Диалоговое окно "Open Example Project" содержит таблицу с названиями примеров проектов и ключевыми
словами для каждого из них.
2. Отфильтруйте список по ключевому слову «getting_started». Для этого удерживая нажатой клавишу Ctrl,
щелкните заголовок столбца Keywords и введите getting_started в текстовое поле внизу диалогового окна.
Как показано на следующем рисунке, список примеров отфильтрован для отображения только примеров с
ключевым словом "getting_started".

ПРИМЕЧАНИЕ. Фильтровать результаты можно не только по ключевым словам, но и по названиям файлов.

Перевернутый треугольник в заголовке столбца обозначает столбец с фильтрацией. Удерживая нажатой клавишу
Ctrl, щелкните заголовок столбца, чтобы изменить правила фильтрации результатов.
Импорт тестовых модулей

NI AWR предлагает несколько примеров тестовых модулей, которые могут служить в роли руководств по
проектированию различных устройств: смесителей, усилителей и генераторов. Данные тестовые модули настроены
для импорта в рабочий проект.
Чтобы импортировать тестовый модуль:
1. Выберите File > Import Project.

2. Перейдите в C:\Program Files\AWR\AWRDE\13\Examples\ илиC:\Program Files (x86)\AWR\AWRDE\13\Examples\
и импортируйте нужный тестовый модуль, Названия проектных файлов тестовых модулей начинаются с
"TESTBENCH", как показано на скриншоте ниже.

Работа с принципиальными схемами и списками соединений в

MWO
Принципиальная схема является графическим изображением электрической цепи, в то время как список
соединений является её текстовым описанием.
Чтобы создать принципиальную схему, щелкните правой кнопкой мыши Circuit Schematics в Диспетчере проектов,
выберите New Schematic и назовите новую схему.
Чтобы создать список соединений, щелкните правой кнопкой мыши Netlists в Диспетчере проектов, выберите
New Netlist и определите его название и тип.
После создания принципиальной схемы или списка соединений в рабочей области откроется специальное окно,
а в Диспетчере проектов появится новый подпункт, относящийся к Circuit Schematics или Netlists. Помимо этого
в панелях меню и инструментов отображаются новые команды и кнопки, относящиеся к построению и
моделированию принципиальных схем или списков соединений.

A Schematic window or
Netlist window opens in
the workspace
Right-click and choose

New Schematic
or

New Netlist
Работа с системными диаграммами в VSS

Чтобы создать системную диаграмму, щелкните правой кнопкой мыши System Diagrams в Диспетчере проектов,
выберите New System Diagram и задайте ее название.

A System Diagram
window opens in the
workspace

New System Diagram
После создания системной диаграммы в рабочей области откроется специальное окно, а в Диспетчере проектов
появится новый подпункт, относящийся к System Diagrams. Помимо этого в панелях меню и инструментов
отображаются новые команды и кнопки, относящиеся к построению и моделированию систем.
Использование Диспетчера элементов

Диспетчер элементов даёт доступ к обширной базе данных иерархических групп элементов цепей для
принципиальных схем и системных блоков для системных диаграмм. Папка Libraries предлагает широкий
перечень электрических моделей и файлов S-параметров от производителей.
Элементы цепей включают в себя модели, источники, порты, датчики, измерительные устройства, библиотеки
данных и моделей, которые могут располагаться на принципиальной схеме для линейных и нелинейных симуляций.
Системные блоки включают в себя каналы, математические инструменты, измерители, подсхемы и другие
элементы для моделирования систем.
• Выберите вкладку Elements для просмотра элементов и блоков. Вместо окна Диспетчера проектов откроется
окно Диспетчера элементов.

• Чтобы развернуть или свернуть категорию модели, щелкните значок + или- слева от названия категории для
просмотра или скрытия ее подкатегорий. При щелчке категории или подкатегории в нижней панели окна
Диспетчера элементов приводится список доступных моделей. Если моделей больше, чем поместилось в окне,
доступ к остальным можно получить, используя полосу прокрутки.
• Чтобы поместить модель на схему или системную диаграмму, просто нажмите и перенесите её в рабочую
область, отпустите клавишу, нажмите правую клавишу для поворота (если необходимо), выберите нужное
место и кликните левой клавишей мыши.
• Чтобы отредактировать параметры модели, дважды кликните на графическом обозначении элемента на
схеме/диаграмме. При этом откроется диалоговое окно Element Options, где можно изменять необходимые
значения. Помимо этого, некоторые параметры можно изменять, дважды кликая по ним на принципиальной
схеме и вводя нужное значение в появляющееся текстовое окно. Для перехода к следующему параметру
нажмите клавишу Tab.
Expand, then click

desired Buttons for
subcategory adding ports
and ground

Details
Drag desired model

into schematic or
system diagram
window
Elements tab
displays the Elements
Browser
ПРИМЕЧАНИЕ. Выберите Draw > More Elements, чтобы открыть диалоговое окно Add Circuit Element или Add
System Block для поиска по элементам. Удерживая нажатой клавишу Ctrl, щелкните заголовок столбца, чтобы
изменить правила фильтрации результатов.
Добавление подсхем к схеме

Подсхемы позволяют создавать иерархические цепи за счёт включения блока подсхемы в основную схему (т.е.
размещение схемы внутри другой схемы). Блок подсхемы может быть схемой, списком соединений, ЭМ структурой
или файлом данных.

• Чтобы добавить подсхему на принципиальную схему, щелкните Subcircuits в Диспетчере элементов. Доступные
подсхемы представлены в нижней части окна. В их число могут входить принципиальные схемы, списки
соединений и ЭМ структуры, связанные с текущим проектом, а также любые импортированные данные.
• Чтобы использовать файл данных как подсхему, необходимо сначала создать его и добавить к проекту. Для
создания нового файла данных выберите Project > Add Data File > New Data File. Для импорта имеющегося файла
данных выберите Project > Add Data File > Import Data File. Все новые или импортированные файлы данных
автоматически отображаются в списке доступных подсхем в Диспетчере элементов.
• Чтобы поместить нужную подсхему, просто нажмите и перетащите её на принципиальную схему, отпустите
клавишу мыши, выберите место и нажмите левую клавишу.
• Чтобы редактировать параметры подсхемы, выберите подсхему в окне схемы, щелкните правой кнопкой мыши
и выберите Edit Subcircuit. В рабочей области откроется схема, список соединений, ЭМ структура или файл
данных. Эти элементы можно редактировать аналогичным образом, что и типы блоков конкретных схем.
Добавление подсхем на системные диаграммы

Подсхемы позволяют создавать иерархические системы и импортировать результаты симуляции прямо в
системную диаграмму.
• Для создания подсхемы в системной диаграмме выберите Project > Add System Diagram > New System Diagram
или Import System Diagram и нажмите Subcircuits в System Blocks диспетчера элементов. Доступные подсхемы
представлены в нижней части окна.
• Чтобы поместить нужную подсхему, просто щелкните ее и перетащите на принципиальную схему, отпустите
клавишу мыши, выберите место и нажмите левую клавишу.
• Чтобы редактировать параметры подсхемы, выберите подсхему в окне системной диаграммы, щелкните правой
кнопкой мыши и выберите Edit Subcircuit..
• Чтобы добавить одну системную диаграмму на другую, сначала необходимо добавить порты к системе, которая
обозначена как подсхема.
Добавление портов на схемы/диаграммы

Для добавления портов на схему или системную диаграмму разверните категорию Ports в Диспетчере элементов.
В Circuit Elements или System Blocks нажмите Ports или одну из подгрупп, например Harmonic Balance. Доступные
модели отображаются в нижней части окна.
Перетащите порт на принципиальную схему или диаграмму, при необходимости поверните правым кликом
мыши, выберите место и нажмите левую клавишу.
Есть более быстрый метод размещения порта или заземления на схеме: нажмите кнопку Ground или Port на панели
инструментов, выберите место и щелкните мышью.
Для редактирования параметров порта дважды щелкните изображение порта на схеме/диаграмме.
ПРИМЕЧАНИЕ. Можно изменить тип порта после размещения на схеме. Для этого нужно дважды щелкните
изображение порта на схеме и в появившемся диалоговом окне выбратьPort type на вкладке Port.

Соединение элементов и узлов системных блоков

Соединить элементы можно путём расположения их таким образом, чтобы их контакты (узлы) соприкасались.
Успешное соединение обозначается маленьким зелёным квадратом. Помимо этого, для соединений можно
использовать провода.
• Чтобы соединить узлы элементов или блоков проводами, наведите курсор на узел. Курсор изменит внешний
вид на моток проволоки. Нажмите на узел, отметив начальную точку соединения, и ведите курсор до нужного
места. Чтобы сделать перегиб, нажмите левую клавишу мыши. Допускается больше одного перегиба при
необходимости.
• Нажмите правую клавишу мыши, чтобы отменить добавление предыдущего участка провода.
• Чтобы соединить один провод с другим, выберите провод, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Add
wire, после чего щелкните, чтобы отметить начальную точку провода.
• Чтобы подсоединить провод, щелкните узел другого элемента или участок другого провода.
• Чтобы отменить создание провода, нажмите Esc.
Добавление данных к спискам соединений

При создании нового списка соединений открывается пустое окно, в которое нужно ввести текстовое описание
схемы. Данные списка соединений организуются в блоки определённой последовательности, где каждый блок
задаёт определённый атрибут элемента: величины, уравнения или соединения. Подробно создание списков
соединений см. в “Creating a Netlist” in User Guide.
Создание ЭМ структур
ЭМ структуры - это многоуровневые электрические структуры, такие как спиральные индукторы с воздушными
зазорами.
Чтобы создать ЭМ структуру, щелкните правой кнопкой узел EM Structures в Диспетчере проектов и выберите
New EM Structure.
После выбора названия структуры ЭМ и симулятора в рабочей области открывается новое окно ЭМ структуры,
а в Диспетчере проектов - новая ЭМ структура в EM Structures. Подпункты новой структуры, которые содержат
опции, определяющие и описывающие эту структуру, можно просмотреть так, как это описано в “Работа с
принципиальными схемами и списками соединений в MWO”. В панели меню и панели инструментов также
отобразятся новые опции для создания и моделирования ЭМ структур.

An EM structure window
opens in the workspace

New EM Structure
Добавление чертежа ЭМ структуры

Прежде, чем создать чертеж ЭМ структуры, необходимо определить контур. Контур задаёт такие параметры,
как граничные условия и материалы диэлектриков для каждого слоя структуры.
Чтобы задать контур, дважды кликните пункт Enclosure в новой ЭМ структуре Диспетчера проектов. При этом
откроется диалоговое окно, в котором можно ввести необходимую информацию.
После этого в Менеджере топологии можно создавать такие компоненты структуры, как прямоугольные
проводники, перемычки и граничные порты
Можно просмотреть ЭМ структуры в двухмерной топологии (двойной щелчок по ЭМ структуре в Диспетчере

проектов) и трехмерной топологии (щелчок правой кнопкой мыши узла ЭМ структуры в Диспетчере проектов,
выбрать View 3D EM Layout) и просмотреть токи и электрические поля с помощью кнопок Animate на панели
инструментов трехмерной топологии ЭМ.

Display 2D and 3D views

of the structure
Double-click to define
an Enclosure
Click to open the

Layout Manager
Создание топологии с помощью MWO

Топологический чертёж - это физическое представление электрической цепи, в котором каждый компонент
представлен в виде ячейки. В объектно-ориентированном пакете NI AWRDE топологические схемы интегрированы
в создаваемые схемы и ЭМ структуры, которым они соответствуют, и по сути являются альтернативным
отображением тех же цепей. Любые изменения, вносимые в схему или ЭМ структуру, автоматически и мгновенно
отражаются на соответствующей топологической схеме.
Чтобы создать топологический чертёж схемы, активируйте окно схемы, затем выберите View > Layout. Откроется
окно топологии с автоматически созданным топологическим видом схемы.
При открытом окне схемы можно нажать кнопку View Layout на панели инструментов для отображения
топологического чертежа схемы.

Результирующий чертёж состоит из ячеек, представляющих собой электрические компоненты, распределённые

по окну топологии. Выберите Edit > Select All, а затем Edit > Snap Together , чтобы соединить все ячейки вместе.
На следующем рисунке показан результат стыковки элементов с предыдущего рисунка.
При выборе View > Layout соответствующие компоненты схемы со стандартными ячейками автоматически
генерируются для таких компонентов, как полосковые и микрополосковые линии и копланарные волноводы.
После создания топологического чертежа, в окне схемы компоненты, не приведённые к стандартным ячейкам,
подсвечиваются синим, а компоненты, не имеющие стандартных ячеек, подсвечиваются фиолетовым. Чтобы
создать или импортировать ячейки топологии для таких компонентов, используйте Менеджер топологии.
Подробнее см. в “Использование Менеджера топологии”.
В окне топологии при помощи инструмента Draw можно создавать контуры подложек, контактные площадки
для подачи напряжения или добавлять другие детали к топологическому чертежу. В этом режиме чертёж не
является частью компонентов схемы и не подвергается изменениям при процессе стыковки элементов.
Изменение атрибутов топологии и параметров чертежа

Для изменения атрибутов топологии и параметров чертежа и создания новых топологических ячеек, перейдите
на вкладку Layout, чтобы открыть Менеджер топологии.
Right-click to modify layout

attributes or import an LPF
Right-click to import a cell
library or create your own
using a Cell Editor
Click the Layout tab to

display the Layout Manager
Active layers for viewing

and drawing

Использование Менеджера топологии

Раздел Layer Setup Менеджера топологии определяет такие атрибуты, как графические (например, цвет линии
или заливка слоя) или 3-мерные свойства (например, толщина). Чтобы изменить атрибуты слоя, дважды щелкните
пункт в разделе Layer Setup (на рисунке ниже он называется «default.lpf»). Также можно импортировать LPF-файл
для определения этих атрибутов (щелкните правой кнопкой мыши Layer Setup и выберите Import Process Definition).
Пункт Cell Libraries Менеджера топологии позволяет создавать ячейки для элементов, у которых нет стандартных
ячеек топологии. Мощный редактор ячеек включает в себя такие функции, как логические операции для выделения
и объединения форм и инструменты для введения координат, копирования массива, независимого поворота,
группировки и выравнивания элементов. Также можно импортировать библиотеки ячеек в форматах GDSII или
DXF в NI AWRDE, щелкнув правой кнопкой мыши Cell Libraries и выбрав Import GDSII Library или Import DXF
Library.
После создания или импорта библиотек можно осуществлять поиск и выбор нужных ячеек для внедрения в
топологический чертёж. Нажмите + и- для раскрытия и сворачивания библиотек, затем выберите нужную
библиотеку. Доступные ячейки отображаются в нижней части окна.
Expand and contract,

click desired library
Drag layout cell into

layout window
После установки библиотеки ячеек, их можно назначать элементам схемы. Также можно использовать ячейки
прямо на топологическом чертеже, нажав и перетащив ячейку на открытое окно редактора топологии, затем
отпустив клавишу мыши, выбрав место и кликнув для размещения ячейки на схеме.
Чтобы экспортировать топологию схемы в формате GDSII, DXF или Gerber, откройте окно топологии и выберите
Layout > Export Layout. Чтобы экспортировать ячейку топологии из библиотеки ячеек, выберите пункт ячейки в
Менеджере топологии, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Export Layout Cell.

Создание графиков выходных данных и измерений

Вы можете представлять результаты моделирования цепей и систем в различных графических формах. Прежде
чем провести симуляцию, вы можете создать график, задав данные или величины (например, коэффициент
усиления, шум или S-параметры), которые вы хотите построить.
Чтобы создать график, щелкните правой кнопкой Graphs в Диспетчере проектов и выберите New Graph для вывода
диалогового окна, в котором нужно задать название и тип графика. Пустой график отобразится в рабочей области,
а пункт с его названием появится в Graphs Диспетчера проектов. Следующие типы графиков доступны:
Тип графика Описание

Прямоугольный (Rectangular) График в декартовой системе координат, обычно - зависимости
от частоты.
Созвездие (Constellation) Отображение зависимости синфазной (вещественной)
компоненты комплексного сигнала от квадратурной (мнимой).
Диаграмма Смита (Smith chart) Отображение пассивного импеданса или адмиттанса на диаграмме
коэффициента отражения единичного радиуса.
Полярный (Polar) Отображение амплитуды и фазы измеряемой величины.
Гистограмма (Histogram) Отображение измеряемой величины как гистограммы.
Диаграмма направленности (Antenna Plot) Отображение измеренных данных в виде зависимости от
направления в заданной плоскости в пространстве.
Табличный (Tabular) Отображение данных в виде столбцов чисел, обычно в
зависимости от частоты.
Трёхмерный (3D Plot) Отображение данных в трёхмерном виде.
Чтобы задать данные, которые необходимо отобразить на графике, щелкните правой кнопкой мыши имя графика
в Диспетчере проектов и выберите Add Measurement. Диалоговое окно Add Measurement выглядит следующим
образом и позволяет выбрать нужные параметра из широкого ряда доступных значений.

Настройка частоты и проведение симуляций

Чтобы установить рабочую частоту моделирования в MWO, дважды щелкните пункт Project Options в Диспетчере
проектов или выберите Options > Project Options и установите значение частоты на вкладке Frequencies диалогового
окна параметров проекта. По умолчанию эта частота будет использоваться для всех схем. Можно отдельно
установить частоту для конкретной схемы щелчком правой кнопки по названию схемы в разделе Circuit Schematics
Диспетчера проектов и выбором Options. Перейдите на вкладку Frequencies, снимите флажок в поле Use project
defaults и установите нужные значения частоты.
Чтобы установить частоту моделирования системы VSS, дважды щелкните пункт System Diagrams в Диспетчере
проектов или выберите Options > Default System Options и установите значения частоты на вкладке Basic диалогового
окна параметров симулятора системы.

Чтобы провести симуляцию активного проекта, выберите Simulate > Analyze. Моделирование проводится
автоматически по всему проекту на основе подходящего симулятора (например, линейного, нелинейного на
основе гармонического баланса или 3D планарного ЭМ симулятора).
По завершении симуляции результаты отображаются на соответствующих графиках, и можно приступать к

подстройке и/или оптимизации при необходимости.
Можно проводить ограниченное моделирование, выбрав правой кнопкой пункт Graphs или его подпункты для
моделирования данных только для открытых графиков, какого-то определенного графика или только одного
измерения на графике.
Подстройка и оптимизация моделирования

Подстройка в реальном времени позволяет мгновенно наблюдать влияние изменений в схеме на симуляцию.
Оптимизатор позволяет наблюдать изменения значений параметров и переменных в реальном времени в процессе
своей работы. Подробнее об этом написано в главе, посвященной линейному симулятору.
Также можно нажать кнопку Tune Tool на панели инструментов. Выберите параметры, которые нужно подстроить,
и затем нажмите кнопку Tune. As you tune or optimize, the schematics and associated layouts are automatically updated!
После перезапуска моделирования перерассчитываются только модифицированные части проекта.
Использование команд быстрого доступа

Использование команд быстрого доступа (горячих клавиш) может значительно повысить эффективность работы
с NI AWRDE. Стандартные комбинации клавиш доступны для большинства действий: симуляций, оптимизации,
навигации между Диспетчером проектов, Диспетчером элементов и Менеджером топологии. Стандартные

Использование скриптов и Мастеров
горячие клавиши отображаются в меню или в Tools > Hotkeys для открытия диалогового окна Customize, где
можно задать собственные комбинации.
Использование скриптов и Мастеров

Скрипты (сценарии) и мастера позволяют автоматизировать и расширить функционал NI AWRDE. Эти функции
реализованы при помощи интерфейса Microwave Office API, автоматизируемого COM-сервера, который можно
программировать на любом открытом языке: С, Visual BasicTM или Java.
Скрипты - это программы на языке Visual Basic, которые предназначены для автоматизации задач в NI AWRDE.
Чтобы получить доступ к скриптам, выберите Tools > Scripting Editor или любой элемент меню Scripts.
Мастеры - это файлы динамически подключаемой библиотеки (DLL), которые разрабатываются для создания
вспомогательных инструментов NI AWRDE, например, инструмент синтеза фильтров или инструмент согласования
нагрузки. Мастера отображаются в разделе Wizards Диспетчера проектов.
Использование онлайн-справки
Онлайн-справка предоставляет информацию по окнам, элементам меню и диалоговым окнам пакета NI AWRDE,
а также по проектным решениям.
Чтобы открыть онлайн-справку, в панели меню выберите Help или нажмите клавишу F1 в процессе разработки.
Открывающаяся тема является контекстно-зависимой и может соответствовать открытому окну и/или типу
выбранного объекта. Вот некоторые примеры:
• Активное окно = график, тема справки = «Работа с графиками».

• Активное окно = схема (нет выбранных элементов), тема справки = «Принципиальные схемы и системные
диаграммы в Диспетчере проектов».
• Активное окно = схема (выбран элемент), тема справки = страница с информацией по элементу.
• Активное окно = схема (выбрано уравнение), тема справки = «Синтаксис уравнений».
• Активное окно = топология схемы (нет выбранных элементов), тема справки = «Редактирование топологии».
Контекстно-зависимая справка также открывается с помощью следующих действий:
• нажатие кнопки справки в большинстве диалоговых окон;

• щелчок правой кнопкой мыши модели или системном блоке в диспетчере элементов и выбор Element Help либо
выбор элемента в схеме или системном блоке в системной диаграмме и нажатие F1 или нажатие кнопки Element
Help в диалоговом окне параметров элемента;
• нажатие кнопки Meas Help в диалоговом окне Add/Modify Measurement (Добавление/изменение измерения);
• выбор ключевого слова (например, объект, модель объекта или синтаксис Visual Basic) и нажатие F1 для вызова
справки в среде разработки скриптов NI AWR.

Chapter 3. MMIC: Проектирование MMIC
В данной главе представлены темы, связанные с проектированием монолитных интегральных схем СВЧ диапазона
(MMIC). В пакет NI AWR Design EnvironmentTM (NI AWRDE) включены уникальные функции по эффективному
и точному моделированию таких схем. Эти функции позволяют сосредоточиться на решении конкретных
проектировочных задач, а не на организации процесса проектирования как такового. Библиотеки Process Design
Kits (PDKs) должны включать все описанные здесь функции. В этом руководстве есть ссылки на другие документы
NI AWRDE, в том числе доступные онлайн. При чтении печатной версии руководства для доступа к таким
документам откройте электронную версию, выбрав Help > Getting Started, или найдите документ в Базе знаний NI
AWR по ссылке www.awrcorp.com/download/kb.aspx.
В примерах следующих глав используется проект MMIC малошумящего усилителя для демонстрации особенностей
проектирования таких схем в NI AWRDE. MMIC обычно отличаются от других высокочастотных схем
многослойностью структуры. В технологии MMIC обычно создаются как минимум два металлических слоя на
поверхности подложки, используемые для разводки сигналов. Эти металлические слои могут быть использованы
как верхний и нижний электроды конденсатора; диэлектрик между ними может быть стравлен для формирования
двойной по толщине металлической линии, используемой для понижения потерь, повышения плотности тока и
качества согласования между структурами. Качественный технологический чертёж этих слоёв обычно содержит
небольшие смещения между ними. В данном примере, многослойная линия выглядит следующим образом.
Две одинаковые по толщине металлические линии разделены диэлектрической вставкой в двух микрометрах от
других слоёв.
Открытие проекта
Пример, создаваемый в этой главе, доступен полностью как MMIC_Getting_Started.emp. Чтобы открыть этот
файл из списка примеров проектов, выберите File > Open Example, в появившемся диалоговом окне Open Example
Project нажмите и удерживайте нажатой клавишу Ctrl и щелкните столбец Keywords, затем введите "getting
started mmic" в текстовом окне в нижней части окна.
ПРИМЕЧАНИЕ. Quick Reference содержит перечень горячих клавиш, операций мышью, советов и приемов по
оптимизации работы с NI AWRDE. Чтобы перейти к этому документу, выберите Help > Quick Reference.
Организация проекта
Целью проекта является достижение уровня шума в 1 дБ и коэффициента усиления, превышающего 10 дБ на
частоте 10 ГГц. Двухмерная топология этой схемы представлена на следующем графике.

Электрический отклик этой схемы представлен на следующем графике.
Gain and Noise Figure

20 4
DB(NF()) (R) DB(|S(2,1)|) (L)
15 3
Gain (dB)
NF (dB)
10 2
5 1
0 0
0.1 5.1 10.1 15.1 20
Frequency (GHz)
Основная задача этого примера - показать функции, связанные с проектированием MMIC, а не добиться
определённых значений параметров производительности усилителя. Технология проектирования представляет
собой процесс NI AWR, предназначенный для создания простых схем. Части имеют похожие на реальные
значения, но схемы не могут быть изготовлены.
Проект создаётся в три этапа. Соответствующие каждому из них схемы и графики организованы в папки в пункте
User Folders Диспетчера проектов. Пользовательские папки являются альтернативным способом группировки
отдельных окон проекта для удобства пользователя. В крупных проектах графики, схемы, ЭМ структуры и другие
файлы проекта бывает полезно переместить по отдельным папкам, чтобы было проще отслеживать взаимосвязи
между документами. В этом примере папки используются для упрощения отсылок к определённым графикам и
схемам.

Во-первых, схема характеризуется шумовыми и усилительными характеристиками. Документы первого этапа

организованы в папке "Device_Characterize". Обратная связь источника добавляется для приближения согласования
по минимуму шумов к идеальному согласованию входа схемы. Моделирование схемы и обратной связи
производится в отдельных окнах для удобства при использовании иерархии. Это позволяет использовать только
один образец модели, что, в свою очередь, ведёт к сокращению вероятности ошибки при любых изменениях в
проекте. Помимо этого, напряжения смещения затвора и стока задаются переменными в документе "Global
Definitions" по той же причине: одно значение для всех вызовов переменной. Также будут созданы два разных
типа схемы (на сосредоточенных и на распределенных элементах), а иерархия будет несколько сложнее, нежели
инициализация глобальных переменных для поддержания согласования между значениями характеристик в
различных версиях схемы.
Второй этап включает проектирование входных и выходных согласующих цепей, для начала - на сосредоточенных
элементах. Документы этого этапа хранятся в папке "Circuit". Обе согласующие схемы создаются в собственных
окнах и затем вставляются в общую схему в соответствии с принципами иерархии. Это позволяет легко измерить
импеданс со стороны любого порта согласующей цепи. Для проектирования малошумящего усилителя необходимо
быть уверенным, что импеданс устройства близок к оптимальному импедансу согласования по минимуму шума.
Затем проекта на сосредоточенных элементах преобразуется в проект на распределенных элементах. Оба типа
схемы сохраняются отдельно для сравнения характеристик усилителей на сосредоточенных и распределенных
элементах.
Последний шаг - ЭМ моделирование металла с экстракцией паразитных компонентов. Документы этого этапа
находятся в папке "Extraction". Для сравнения результатов без ЭМ симуляции и после неё создаётся
дополнительный уровень иерархии. В общем, использование испытательного подхода к проекту является
выгодным и эффективным. Ваши проекты выполняются на одном уровне иерархии, в то время как все различные
методы измерения результатов выполняются на один уровень выше, поэтому не создаётся лишних копий проекта.
Для уменьшения числа ошибок в проектировании MMIC часто используется иерархический подход. Для навигации
по иерархическим проектам существует несколько способов. Подробнее они рассматриваются в разделе
“Навигация в иерархических проектах Схема и топология”. Помимо этого, проектирование MMIC обычно требует
работы как со схемой, так и с топологическим чертежом. Полезным навыком будет умение переключаться между
двумя видами структуры в нужное время. Подробнее они рассматриваются в разделе “Переключение между
схемой и топологией”.


Chapter 4. MMIC: Особенности работы с топологией
В данной главе описано несколько важных особенностей проектирования MMIC на основе проекта
MMIC_Getting_Started.emp, открытого в главе “MMIC: Проектирование MMIC”:
Определение типа линии

При работе с такими элементами топологии, как линии, Т-разветвления и изгибы, можно с легкостью менять
тип металлизации. Каждый элемент, содержащий линейный участок, включает параметр типа линии Line Type.
Эти типы линий конфигурируются в каждой библиотеке PDK. Изменение типа линии также изменяет
электрические параметры линий, в частности - толщину металла. Если PDK настроена корректно, изменение
типа линии также заменит используемую для этой модели подложку. Чтобы это сработало, названия типа линии
и подложки должны совпадать. В данном примере есть три подложки с совпадающими с типами линий названиями:
«Plated_Metal_Line», «Metal_1» и «Metal_2».
Vg = -1.3
MSUB MSUB MSUB
Vd = 6.5
Er=12.9 Er=12.9 Er=12.9
H=100 um H=100 um H=100 um
T=2.5 um T=0.5 um T=2 um
Rho=1 Rho=1 Rho=1
STACKUP STACKUP Tand=0 Tand=0 Tand=0
Name=Thick_Metal Name=Thin_Metal ErNom=12.9 ErNom=12.9 ErNom=12.9
Name=Plated_Metal_Line Name=Metal_1 Name=Metal_2
Чтобы изменить тип линии элемента:
1. Выделите элемент на схеме.

2. Щелкните правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties.
3. В диалоговом окне Cell Options измените значение Line Type.
Чтобы изменить типы линий:
1. Откройте 2D и 3D виды структуры "Distributed_input_match". Поместите оба окна в рабочей области, выбрав
Window > Tile Vertical.
2. На 2D виде выберите Draw > 3D Clip Area , после чего щелкните и перетащите курсор, чтобы в выделенную
область попали верхний левый конденсатор и линии, как это показано ниже.

Нарисованная область ограничивает отображаемую на 3D виде часть структуры. Оставшуюся часть примера
будет проще выполнить, если Вы приблизите область обзора на двумерном виде к этому же участку.
3D вид отобразится следующим образом.

3. Выделите линию справа от конденсатора на топологии. Обратите внимание на флажок MSUB.
MLIN
ID=TL5
W=40 um
L=50 um
MSUB=Metal_2
Кликните правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties, чтобы открыть диалоговое окно Cell Options.
Измените значение параметра Line Type с Metal 2 на Plated Metal Line и нажмите OK.


Автоматические соединения
Обратите внимание, что линия передачи использует все три слоя процесса, а не один, как было показано на
предыдущих рисунках. Также заметьте, что параметр MSUB изменился соответственно выбранной подложке.
ПРИМЕЧАНИЕ. Параметр модели MSUB можно изменить на другую линию, тогда в топологии изменится
тип линии.
MLIN
ID=TL5
W=40 um
L=50 um
MSUB=Plated_Metal_Line
Использование разных типов линий передачи усложняет проект с точки зрения соединений между линиями
различных типов (Line Types) или между линиями и устройствами вроде конденсаторов, резисторов,
индуктивностей и транзисторов. Например, представьте, как выполнить соединение между линией передачи и
конденсатором в нашем примере. Верхняя обкладка конденсатора выполнена из металла Metal 2, нижняя - из
Metal 1. Следовательно, в проекте используется три типа линий: Metal 1 (только из металла первого типа), Metal 2
(только из металла второго типа) и Plated Metal Line (оба металла и диэлектрический слой между ними). Если
требуется соединить линию Metal 1 с обкладкой конденсатора из металла Metal 2, необходимо дополнительно
организовать корректное соединение между ними. В библиотеках PDK NI AWR это происходит автоматически.
В каждую PDK встроены алгоритмы автоматических соединений, создающие корректные соединительные
структуры на концах линий передачи (например, MLIN, MTRACE2 или MCTRACE). Целью автоматического
соединения является обработка соединений между любой комбинацией типов линии (Line Type) и между любым
типом линии (Line Type) и любым компонентом в соответствии с проектными нормами. Обратите внимание, что
автоматические соединения создаются сверху вниз. Если, например, линия передачи находится на нижнем уровне
иерархии, и потребуется соединить её с элементом более высокого уровня, автоматически это сделать нельзя,
поэтому такое соединение нужно создавать с более высокого уровня. Подробнее об этом см. в “Работа в иерархии
проекта”.
Следующий пример проиллюстрирует принципы автоматических соединений.

1. Обратите внимание, что линия передачи слева от конденсатора выполнена из металла Metal 2, из которого
также выполнена верхняя обкладка конденсатора, поэтому никаких дополнительных действий не требуется.
2. Измените тип этой линии (Line Type) на Metal 1 и перейдите к структуре.
Заметьте, что в структуре произошли изменения. Теперь для корректного соединения от металла Metal 2 до
Metal 1 нарисована перемычка.
3. Измените тип линии (Line Type) справа от конденсатора на Metal 2.
Заметьте, что в структуре произошли изменения. В этот раз для корректного соединения перемычка нарисована
от металла Metal 1 до Metal 2.

Совмещение топологии элементов
4. Откройте схему «Distributed_input_match» и приблизьте порт 1. Выберите порт 1 и линию MLIN. Нажмите
клавишу Ctrl, перетаскивая элементы, чтобы нарушить соединение между элементами. Схема отобразится
следующим образом.
AWR_MESFET_TFCM
ID=TL3
W=140 um
L=140 um
C=5.88 pF
W1=40 um
W2=40 um MLIN
CA=0.0003 ID=TL5
MSUB=Plated_Metal_Line W=40 um
PORT L=50 um
P=1 MSUB=Metal_2
Z=50 Ohm
MLIN
ID=TL16
W=40 um
L=25 um
MSUB=Metal_1
Поскольку между конденсатором и линией передачи нет электрического контакта, нет и перехода от Metal 1
к Metal 2, поэтому автоматическое соединение не создается.
Это подтверждает, что топология создаётся правильно на основе соединений между элементами на схеме.
5. Измените тип обеих линий по обе стороны от конденсатора обратно на Metal 2 и соедините порт и линию
MLIN на схеме прежде, чем продолжить.

В NI AWR Design EnvironmentTM (NI AWRDE) топология схемы генерируется автоматически для моделей,
настроенных как ячейки топологии. В проектировании MMIC на основе PDK каждый элемент должен обладать
собственной топологией. При создании схемы топология не может автоматически определить взаимное
расположение ячеек каждой модели, поэтому для соединения элементов требуется процесс их совмещения на
топологическом чертеже. Чтобы вникнуть в этот процесс, вначале необходимо разобрать принципы граневых
соединений.
Каждая топологическая ячейка должна определять участки, доступные для внешних соединений. Основных
типов таких участков два: областные и граневые контакты. Областные контакты позволяют производить
подключение элементов в любой точке внутри области и редко используются в проектировании MMIC. Граневые

контакты позволяют производить подключение в различных точках вдоль выбранной грани. Положение зависит
от настроек каждой из граней. Наиболее распространённым выбором является подключение к середине грани.
По аналогии с выводами моделей, грани пронумерованы и соответствуют им. При соединении выводов элементов
на схеме, топология распознает соответствующие грани для соединения. Если они нужным образом перекрываются,
между ними не появится соединительной линии. В противном случае соединительная линия обозначит грани,
которые нужно совместить для исправления топологического чертежа.
При совмещении топологии объекты автоматически перемещаются таким образом, чтобы число соединительных
линий было минимальным. Совмещение происходит при выделении требуемых элементов и выборе Edit > Snap
Together (если на вкладке Layout диалогового окна Layout Options в поле Snap together выбрано Manual snap for
selected objects only) или нажатии кнопки Snap Together на панели инструментов. При этом следует учитывать
некоторые особенности:
• Есть два режима совмещения: ручной и автоматический. Для подробной информации о выборе правильного
режима, что обычно определяется завершённостью топологии, см. “Топология: режимы совмещения”. В этом
параметре используется параметр Manual snap for selected objects only.
• Порядок перемещения объектов зависит от нескольких факторов:
1. Можно указать в качестве базовой фигуры любой объект топологии, для этого выберите объект, щелкните
его правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties, чтобы открыть диалоговое окно Cell Options. Щелкните
вкладку Layout и установите флажок Use for anchor.
Когда объект выбран в качестве базового, он помечается красным кругом с вертикальным крестом.

Совмещение начинается с любой выбранной базовой фигуры. Если выбрана только одна базовая фигура,
она в процессе совмещения не перемещается.
2. В обоих режимах при совмещении всех элементов (Auto snap on parameter changes и Manual snap for all objects),
базовые объекты останутся неподвижными, в то время как все остальные, скорее всего, изменят своё
положение. Если базовой фигуры не выбрано, первая найденная фигура будет считаться базовой. При
совмещении выбранных объектов базовой (в режиме Manual snap for selected objects only) будет считаться
первая выделенная фигура.
• Грани совмещаемых элементов по умолчанию соединяются центрами. Настройки каждой грани определяют
положение точки соединения. Для перехода к этим настройкам, выделите объект топологии, щелкните правой
кнопкой мыши и выберите Shape Properties. Откройте вкладку Faces и выберите грань, которую следует задать
через выпадающее меню Face, затем в разделе Face Justification измените положение грани при совмещении.
При изменении параметров грани разместите диалоговое окно так, чтобы видеть изменения на топологии
элемента. Например, на следующем рисунке показана грань (Face) 1 элемента MLIN с центральным
выравниванием (Center).

Синяя линия с небольшой вертикальной линией того же цвета посередине показывает текущую грань, а сама
короткая вертикальная линия показывает текущее положение точки совмещения. Например, на рисунке ниже
показана та же грань, но с нижним выравниванием Bottom.

Обратите внимание, что теперь квадратик находится в справа.
На следующем рисунке выбрана грань (Face) со значением "2". Синяя линия теперь находится с другой стороны
фигуры.

• Совмещение может быть выполнено иерархически при помощи Edit > Snap All Hierarchy. Эта команда начинает
совмещение элементов топологии с нижнего уровня иерархии и продвигается по ней вверх. Настройки
топологии контролируют наличие или отсутствие соединительных линий нижних уровней иерархии на более
высоких уровнях. Чтобы задать эту настройку, выберите Layout > Layout Mode Properties, чтобы открыть
диалоговое окно Layout Editor Mode Settings. В разделе Drawing options диалогового окна, выберите Draw all rat
lines в соответствии с рисунком ниже.
• В некоторых ситуациях к одному выводу подключены больше двух элементов. В этом случае алгоритмы
совмещения переместят все грани в одну точку, что, как правило, не является корректным решением. К счастью,
существуют настройки граней, позволяющие определить поведение алгоритма в таком случае. Подробнее они
рассматриваются в разделе “Использование более двух соединений в одном узле”. В данном примере такая

настройка применяется для конденсаторов схем смещения входной и выходной распределенных согласующих
схем, а также для схемы устройства с двумя линиями передачи, подведенными к истоку транзистора.
Большинство принципов совмещения может быть подробнее раскрыто при помощи примера. На схеме
"Distributed_output_match" есть узкая линия передачи, питающая конденсатор после индуктивности на участке
смещения.
Выровняем эту линию по левому краю конденсатора. Для этого:
1. Откройте топологию схемы "Distributed_output_match".

2. Выделите линию между конденсатором и индуктивным элементом, щелкните правой кнопкой мыши и выберите
Shape Properties. В диалоговом окне Cell Options откройте вкладку Faces.
3. Убедитесь, что настройки совпадают с рисунком ниже.

Обратите внимание, что короткая вертикальная линия расположена слева.

4. Нажмите OK, чтобы принять изменения.
5. Следует изменить параметры грани конденсатора, выделив его, щелкнув правой кнопкой мыши и выбрав
Shape Properties.
6. Откройте вкладку Faces и убедитесь, что настройки совпадают с рисунком ниже.

Обратите внимание, что короткая вертикальная линия расположена слева.

7. Нажмите OK, чтобы принять изменения.
Сейчас можно совместить элементы этой подсхемы, хотя элементы на уровень выше также необходимо
совместить. Вместо этого можно сделать это сразу для всех уровней, начав с высшего.
8. Откройте топологию схемы "Distributed Design". Нажмите Ctrl + A, чтобы выделить все элементы схемы, затем
выберите Edit > Snap All Hierarchy, чтобы совместить элементы высшего уровня иерархии, переместив
конденсатор. Элементы топологии схемы «Distributed_output_match» тоже совместятся, и конденсатор и линия
передачи выровняются по их левой грани.

Принудительное совмещение
Вы можете закрыть проект без сохранения и заново открыть его, чтобы продолжить выполнение этого примера.
Это не обязательно, но, если этого не сделать, результаты будут несколько отличаться от приведённых в данном
руководстве.
В общем случае, когда на топологии есть соединительные линии, можно выделить один из соединённых такой
линией элементов и выполнить операцию принудительного совмещения «Snap to fit», выбрав Edit > Snap to fit
или нажав кнопку Snap to fit в панели инструментов Schematic Layout. При выполнении этой операции элемент
пытается подстроить свои параметры под соединительную линию. Только у некоторых элементов в результате
выполнения этой команды меняется длина. Не все элементы могут подстраивать длину для выполнения этой
команды. К наиболее распространенным элементам, поддерживающим операцию «snap to fit» относятся отдельные
линии, элементы типа Trace и iNets.
В данном примере, элементы MTRACE2 отлично подходят для демонстрации эффективности функции «Snap
to fit».
1. На топологии схемы Distributed Design выделите входную согласующую цепь, щелкните правой кнопкой
мыши и выберите Edit in Place.

2. Перетащите контактную площадку правее, как показано ниже.
Обратите внимание, что между элементом MTRACE и контактной площадкой появится соединительная линия.
3. Выделите линию MTRACE2, питающую контактную площадку, а затем нажмите кнопку Snap to fit на панели
инструментов, чтобы увидеть, как изменится топология, заполняя пространство между линией и контактной
площадкой. Кроме того, длина линии MTRACE2 также изменится, и это изменение отразится на результате

Использование интеллектуального
синтаксиса параметров
симуляции. (ПРИМЕЧАНИЕ. Операция "Snap to fit" не может изменить форму элементов TRACE, изменяя
только длину отдельных участков.)
Использование интеллектуального синтаксиса

параметров
Иногда при проектировании может потребоваться создание симметричных топологий. Можно использовать
иерархию, но иногда это излишне. Также можно использовать переменные, чтобы привязать значения параметров
двух компонентов к одной переменной, хотя это может привести к некоторым проблемам:
1. Переменные подвержены ошибкам (например, неправильным значениям, приводящим к ошибкам

моделирования).
2. Переменные бывает сложно найти, особенно в больших проектах. Обычно создаются группы уравнений,
размещаемые далеко от использующих их элементов.
3. Параметры, привязанные к переменным, не могут быть изменены из топологического вида.
Решить эти проблемы может интеллектуальный синтаксис параметров. Подробнее о настройке синтаксиса см.
в “Использование интеллектуального синтаксиса параметров”.
Хорошим примером могут стать линии, питающие исток полевого транзистора. Схема «device» использует
интеллектуальный синтаксис для правого элемента MTRACE2 на схеме, как это показано ниже (ПРИМЕЧАНИЕ:
Для элементов MTRACE2 вторичные параметры RB и DB также должны использовать этот синтаксис).

MLIN
ID=TL4
W=20 um
L=10 um PORT
MSUB=Plated_Metal_Line P=2
Z=50 Ohm
MLIN
ID=TL3
PORT W=10 um 2
P=1 L=10 um
Z=50 Ohm MSUB=Plated_Metal_Line AWR_MESFET_FET_HF
1 ID=FET1
W=60 um
NG=4
MTRACE2 MTRACE
ID=TL2 ID=TL1
W=10 um W=W@MTRACE2.TL2um
L=448 um L=L@MTRACE2.TL2um
BType=1 BType=BType@MTRACE2.TL2
M=0 M=M@MTRACE2.TL2
MSUB=Plated_Metal_Line MSUB=Plated_Metal_Line
AWR_MESFET_GROUND_VIA AWR_MESFET_GROUND_VIA
ID=GV1 ID=GV2
Теперь можно менять только форму (например, длину или изгибы) главного элемента так же, как и в стандартном
случае. Зависимый от него элемент будет повторять эти изменения. Чтобы изменить параметры главного элемента
и увидеть изменения зависимого:
1. Дважды кликните главный элемент MTRACE2, расположенный выше транзистора.

2. Кликните центр средней горизонтальной линии и перетащите её вверх, как это показано ниже.

3. Отпустите кнопку мыши. Заметьте, что изменились как верхняя, так и нижняя линии.


Chapter 5. MMIC: Экстракция и ЭМ моделирование
Эта глава описывает сильные стороны процесса электромагнитной экстракции, а также технологии упрощения
геометрии для ЭМ анализа (рассматривается заявка NI AWR на патент) на основе проекта
MMIC_Getting_Started.emp, открытого в главе “MMIC: Проектирование MMIC” и рассматриваемого далее в
главе о топологии MMIC. Чтобы перейти к этому разделу, закройте все активные окна (выберите Windows > Close
All) и в Диспетчере проектов в разделе User Folders откройте все документы в папке "Extraction".
Схема "Extract Test Bench" использует ранее выполненную схему "Distributed Design" в качестве подсхемы. Это
позволяет с легкостью сравнить результаты моделирования с ЭМ экстракцией и без нее. Графики в этой папке
содержат оба типа результатов.
ЭМ экстракция - это комплексный процесс, при котором электрическая модель компонента схемы, к которой
применяется экстракция, замещается данными ЭМ анализа топологии этого элемента. Подробнее об использовании
экстракции см. в “EM: Creating EM Structures with Extraction” in Simulation and Analysis Guide. За пользователем
остаётся выбор моделей для экстракции и ЭМ симулятора для анализа. NI AWR Design EnvironmentTM ( NI
AWRDE) выполняет следующие операции:
1. Создание ЭМ структуры на основе топологии элементов, выбранных для экстракции.

2. Проведение ЭМ симуляции для получения ЭМ параметров этих элементов.
3. Возврат результатов схеме для замены электрической модели.
Этот процесс экономит время проектирования, поскольку ЭМ топология создаётся автоматически, также
добавляются порты, а к самой схеме не нужно прикреплять файлы с данными об S-параметрах.
Следующие разделы содержат информацию об особенностях процесса экстракции.
Экстракция по всей иерархии

Предыдущая глава была посвящена преимуществам построения иерархических проектов. В схеме "Extract Test
Bench" элементы, используемые для экстракции, расположены на первом уровне иерархии "Distributed Design"
для вывода заземления на входе и выходе, и на втором уровне - для элементов схем "device",
"Distributed_input_match" и "Distributed_output_match".

Экстракция по всей иерархии
Чтобы увидеть процесс экстракции по всей иерархии:
1. Выберите самый правый блок EXTRACT на схеме, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Toggle Enable.
2. Щелкните в любом месте схемы, затем выберите активированный блок EXTRACT, чтобы выделить фигуры
на топологии, выбранные для экстракции при запуске симуляции.
3. Теперь при симуляции будет запущен процесс экстракции (фигуры переносятся в ЭМ документ и
моделируются). Однако в ряде случаев бывает необходимо визуально проверить создаваемый ЭМ документ
перед моделированием. Для этого щелкните правой кнопкой мыши активный блок EXTRACT и выберите
Add Extraction. Будет создан новый ЭМ документ "EX_All", при этом он не будет автоматически промоделирован.

Настройка групп
4. Теперь можно запустить моделирование. Однако, чтобы продолжить выполнение примера, это не обязательно.
Если запускать симуляцию не требуется, деактивируйте блок EXTRACT, выбрав его, щелкнув правой кнопкой
мыши и выбрав Toggle Enable. Также удалите ЭМ документ "EX_All", чтобы не моделировать его при следующем
запуске симуляции.
Зачастую может потребоваться разделить область экстракции на меньшие участки. Например, требуется провести
экстракцию всей топологии, или экстракцию входной и выходной согласующих цепей в отдельных ЭМ документах,
или экстракцию только отдельных элементов согласующих цепей. Каждый блок EXTRACT устанавливает
параметр Name для имени группы. При активации элемента для экстракции также задается название группы. К
примеру:
1. Подключите самый левый блок EXTRACT. Обратите внимание на элементы, выбранные для экстракции на
топологии.

2. Откройте схему "Distributed_input_match", дважды кликните индуктивный элемент справа и в диалоговом

окне Element Options откройте вкладку Model Options.
Обратите внимание, что флажок Enable установлен, а в поле Group name стоит "in_inds". Это соответствует
параметру Name на подключенном блоке EXTRACT.
В данном примере настроены три различные группы блоков EXTRACT. Каждая группа заключена в прямоугольник
и снабжена текстовым комментарием. Три блока в самой левой группе соответствуют каждому отдельному
названию группы. Заметьте, что параметр Name каждого блока совпадает с названием "Group name" групп
моделей.
EXTRACT
ID=EX1
EM_Doc="EX_Input_Inductors"
Name="in_inds"
Simulator=AXIEM
X_Cell_Size=2 um
Y_Cell_Size=2 um
STACKUP="Thick_Metal"
Override_Options=Yes
Hierarchy=Off
SweepVar_Names=""

Поэтапная экстракция
Средняя группа блоков EXTRACT содержит входную и выходную цепь как один ЭМ документ. Активируйте
все блоки, чтобы увидеть, экстракция каких фигур будет произведена. Для этих блоков параметр Name является
массивом имён групп.
EXTRACT
ID=EX3
EM_Doc="EX_Input_All"
Name={"in_inds", "in_other"}
Simulator=AXIEM
X_Cell_Size=10 um
Y_Cell_Size=10 um
STACKUP="Thick_Metal"
Override_Options=Yes
Hierarchy=Off
SweepVar_Names=""
Заметьте, что параметр Name содержит список названий, каждое в кавычках, разделенных запятыми и заключенных
в фигурные скобки. Такой синтаксис включает все модели или фигуры перечисленных групп.
В предыдущем разделе был активирован левый верхний блок EXTRACT, извлекающий входной конденсатор и
два индуктора входной согласующей цепи. Иногда может возникнуть желание заглянуть внутрь самой схемы,
чтобы узнать, где происходит согласование. Это можно сделать, добавляя элементы в группу EXTRACT. Лучше
всего это объяснит пример. Чтобы произвести поэтапную экстракцию:
1. Убедитесь, что верхний левый блок EXTRACT активирован для экстракции элементов группы "in_inds".
2. Откройте топологию схемы "Distributed_input_match" и выберите все фигуры, выделенные на следующем
рисунке. Можно быстро выбрать все фигуры. Для этого щелкните и перетащите курсор мыши, чтобы выбрать
все детали выше нижнего конденсатора. Затем нажмите и удерживайте нажатой клавишу Shift и щелкните
меньший индуктивный элемент и линии, чтобы снять с них выделение.

3. Щелкните правой кнопкой мыши любую из выделенных фигур и выберите Element Properties. Щелкните
вкладку Model Options и поставьте флажок Enable, чтобы отключить эти элементы для экстракции.

4. Щелкните правой кнопкой мыши активный блок EXTRACT и выберите Add Extraction, чтобы создать новый
ЭМ документ "EX_Input_Inductors". Убедитесь, что он выглядит следующим образом.
Запустите моделирование. Результаты показывают, что отклик цепи не сильно изменился.

Extraction Sparameters
0
-5
-10
DB(|S(1,1)|)
-15 ExtractTest Bench
DB(|S(2,2)|)
ExtractTest Bench
-20
DB(|S(1,1)|)
DistributedDesign
-25
DB(|S(2,2)|)
DistributedDesign
-30
0.1 5.1 10.1 15.1 20
Frequency (GHz)
5. На топологии схемы, выберите оставшиеся оригинальные элементы в группе экстракции. Щелкните правой
кнопкой мыши любую из выделенных фигур и выберите Element Properties. Щелкните вкладку Model Options
и установите флажок Enable, чтобы включить эти элементы для экстракции. Щелкните правой кнопкой мыши
активный блок EXTRACT и выберите Add Extraction, чтобы обновить ЭМ документ "EX_Input_Inductors".
Теперь структура выглядит следующим образом.
Запустите моделирование. Результат симуляции показывает, что отклонение остаётся незначительным.

Использование файлов данных
0
-10
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,2)|)
ExtractTest Bench
DB(|S(1,1)|)
-30
DistributedDesign
DB(|S(2,2)|)
DistributedDesign
-40
0.1 5.1 10.1 15.1 20
Frequency (GHz)

При экстракции элементов различные настройки могут привести к девиации результатов по ряду причин:
• Настройки симулятора, конфигурация портов, параметры сетки.

• Различные настройки объектов топологии.
В таких случаях Вы можете использовать файлы данных (Data Sets), содержащие результаты ЭМ моделирования,
для сравнения результатов нескольких симуляций. Подробнее об использовании файлов данных см. в “Data
Sets” in User Guide. По умолчанию файлы данных пяти последних симуляций сохраняются в проекте. Программа
всегда использует последние результаты моделирования, если не указан конкретный файл данных. Процесс
выбора файла данных называется «пиннинг» и управляется из Диспетчера проектов.
Использование файлов данных лучше всего иллюстрируется примером, который начинается с результатов
моделирования предыдущего раздела. Обратите внимание, что на топологии схемы "Distributed_input_match"
индуктивные элементы расположены близко, и Вы можете использовать отражение меньшего из них, чтобы
несколько отодвинуть его от другого индуктивного элемента.
Чтобы использовать файлы данных для сравнения результатов:
1. В разделе Data Sets Диспетчера проектов под ЭМ структурой EX_Input_Inductors щелкните правой кнопкой
мыши текущий файл данных (зелёная иконка) и выберите Rename Data Set.

ПРИМЕЧАНИЕ. Названия файлов данных, приведённые в этом примере, могут отличаться от используемых
в зависимости от того, сколько симуляций произведено. Если экстракция выполнялась один раз, и имеется
один файл данных, можно продолжить со следующего шага.
Файл с зелёным значком является последним результатом моделирования, остальные - результаты более
ранних симуляций. Названия даются по умолчанию, однако их можно изменять. Следующим шагом будет
переименование текущего файла данных, чтобы облегчить сравнение с моделированием другой структуры.
2. Измените имя файла данных на inductor normal, а затем нажмите OK.
3. Откройте топологию схемы "Distributed_input_match" и выделите меньший индуктивный элемент и линию

передачи справа от него, как показано ниже.

4. Щелкните правой кнопкой мыши выделенные фигуры и выберите Flip, затем щелкните и перетащите курсор
мыши слева направо, чтобы отразить элемент относительно оси х.
5. Совместите элементы топологии, нажав комбинацию Ctrl + A, чтобы выбрать все элементы, и нажмите кнопку
Snap Together на панели инструментов.

6. Теперь при моделировании извлечённых ЭМ документ будет выглядеть так.

Результат симуляции показывает, что отклонение остаётся незначительным.
0
-10
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,2)|)
ExtractTest Bench
DB(|S(1,1)|)
-30
DistributedDesign
DB(|S(2,2)|)
DistributedDesign
-40
0.1 5.1 10.1 15.1 20
Frequency (GHz)
Несмотря на это, оценить влияние перемещения индуктивности без сравнения сложно. Именно здесь нам
пригодятся файлы данных.
7. Для начала переименуйте новый файл данных, щелкнув по нему (зеленый значок) правой кнопкой мыши и
выбрав Rename Data Set.
8. Измените имя файла данных на inductor flipped, а затем нажмите OK.
9. Щелкните правой кнопкой мыши файл inductor normal и выберите Pin 'Results to Document'. Диспетчер проектов
теперь отображается в следующем виде:

Упрощение геометрии
Зелёная точка показывает закрепленный набор данных. Это значит, что при моделировании будет использован
именно этот набор данных, а не самый последний. Чтобы отменить это, щелкните этот файл правой кнопкой
мыши и выберите Unpin 'Results to Document'. (ПРИМЕЧАНИЕ. Чтобы определить, какой файл данных
соответствует какому ЭМ документу, кликните по файлу правой клавишей и выберите View Geometry).
В дополнение к этому, можно зафиксировать графики и изменить текущий файл данных, чтобы построить
результаты моделирования поверх уже имеющихся. Для этого сначала нужно провести моделирование с
пиннингом файла "inductor normal", затем при активном окне графика выбрать Graph > Freeze Traces, чтобы
зафиксировать построенные кривые, затем отменить пиннинг файла данных и повторить симуляцию. На
графике теперь отобразятся оба результата.
0
-10
DB(|S(1,1)|)
DB(|S(2,2)|)
ExtractTest Bench
DB(|S(1,1)|)
-30
DistributedDesign
DB(|S(2,2)|)
DistributedDesign
-40
0.1 5.1 10.1 15.1 20
Frequency (GHz)
Результаты незначительно отличаются. Небольшие отличия можно заметить для кривых S(1,1). Это значит,
что ориентация индуктивного элемента слабо влияет на результаты моделирования.
В предыдущих главах обсуждались принципы металлизированных линий. Небольшие врезки таких линий
практически не влияют на электрический отклик MMIC. С точки зрения ЭМ симуляций такие врезки необходимо
включать в процесс разбиения на сетку, что сильно усложняет задачу моделирования. Подобные излишки
геометрии приводят к понижению эффективности сетки.

К счастью, в NI AWRDE существует автоматизированный подход к упрощению геометрии перед проведением

ЭМ симуляции. Например, рассмотрим металлизированную линию. Без упрощения сечение разбитой на сетку
структуры выглядит следующим образом.
Обратите внимание на врезку, требующую значительного числа ячеек сетки для описания. При упрощении
можно получить следующее сечение той же структуры:
Обратите внимание на отсутствие врезки и гораздо более простую сетку. Для простой линии упрощение геометрии
приводит к примерно 3-кратному сокращению числа неизвестных.
При отображении геометрии ЭМ структуры Вы видите топологический чертёж документа, а не упрощённую

геометрию. Чтобы отобразить её, щелкните правой кнопкой мыши ЭМ структуру и выберите Preview Geometry.
Это создаст новый ЭМ документ, в котором можно изменять видимость слоёв и отображать 3D вид структуры.
На следующем рисунке приведён пример топологического чертежа ЭМ структуры.

На рисунке ниже показана та же структура, но в режиме отображения упрощенной геометрии. Расширения

опорной плоскости добавлены из-за использования автоматических портов. Более подробную информацию об
автоматических портах см. в Simulation and Analysis Guide.
См. “Geometry Simplification” in Simulation and Analysis Guide, чтобы подробнее узнать о том, как работает
упрощенная геометрия. (ПРИМЕЧАНИЕ. Все библиотеки PDK программы должны быть настроены для работы
с упрощением геометрии).

Chapter 6. MMIC: Верификация разработки
В данной главе описывается несколько способов проверки готовности проекта для запуска в производство. За
основу берется проект MMIC_Getting_Started.emp, который был открыт в главе “MMIC: Проектирование MMIC”
и далее обсуждался в главах о топологии MMIC и экстракции/моделировании
Connectivity Highlighter - Подсветка связности

Подсветка связности отображает топологию в различных цветах, каждый из которых соответствует всем
электрически связанным элементам. Этот инструмент предназначен для визуального контроля топологии.
Напомним, что в данном примере иерархия является достаточно развитой, при этом подсветка связности работает
по всем её уровням. Подробнее о контроле связности смотрите здесь: “Connectivity Highlighting ” in Microwave
Office Layout Guide. Чтобы использовать подсветку связности:
1. Откройте топологию схемы "Distributed Design".
2. Запустите подсветку связности. Для этого нужно выбрать Verify > Highlight Connectivity All. Топология станет
выглядеть следующим образом.

Connectivity Highlighter - Подсветка
связности
Каждая электрически связная группа фигур выделена одним цветом. Набор цветов фиксирован, поэтому если
рядом стоящие группы подсвечены похожими цветами, перезапустите подсветку связности ещё раз. Цвета
на Вашей схеме могут отличаться от представленных здесь, поскольку при каждом запуске этой функции
цвета перераспределяются. Например, если выбрать Verify > Highlight Connectivity All ещё раз, цвета изменятся.
Подсветка связности доступна и на 3D виде топологии.

Connectivity Highlighter - Подсветка
связности
3. Отключите отображение связности, выбрав пункты Verify > Highlight Connectivity Off.
Иногда может потребоваться выделить связанные элементы только части топологии. В случае MMIC, обычно
бывает нужно проверить связность всех металлических элементов, соединённых с землёй. Сделать это можно
в режиме Connectivity Probe - датчик связности. Для запуска этого режима выберите Verify > Highlight Connectivity
Probe. Щелкните фигуру для запуска датчика связности. Вы работаете в режиме датчика до тех пор, пока не
нажмёте клавишу Esc. К примеру:
1. При активном окне "Distributed Design" выберите следующие пункты Verify > Highlight Connectivity Probe.
2. Щелкните перемычку для подсветки всех заземлений цепи (см. рисунок ниже).

Использование контроля связности
3. Кликните по перемычке ещё раз, чтобы отключить подсветку заземлений.

4. Щелкните левый конденсатор. Подсветятся обе подсоединённые к нему цепи, как это показано ниже.
ПРИМЕЧАНИЕ. Если Вы часто работаете с этими командами, настройте горячие клавиши для их запуска.

Контроль связности расширяет возможности подсветки связности, сверяя соединения на топологии и внутри
самой схемы. (ПРИМЕЧАНИЕ. Контроль связности предполагает, что топологии компонентов устройства
(например, транзисторов, конденсаторов или резисторов) корректны, поэтому он не является заменой контроля

соответствии топологии схеме (LVS, Layout vs. Schematic) для контрольной верификации). Подробнее о контроле
связности смотрите здесь: “Connectivity Checking ” in Microwave Office Layout Guide. Чтобы запустить контроль
связности:
1. Откройте топологию схемы "Distributed_input_match" и выберите линию передачи слева от входного

конденсатора.
2. Щелкните правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties, затем в диалоговом окне Cell Options откройте
вкладку Layout и измените параметр Line Type на Metal_1 вместо Metal_2.

Такое изменение вызовет ошибку связности в топологии ввиду особенностей функционирования автоматических
соединений (Bridge Code) в иерархии. (Подробнее о Bridge Code и вещах, связанных с иерархией, смотрите
здесь: “Топология: Автоматические соединения” и “Работа в иерархии проекта”). Подсветка связности в
топологии схемы "Distributed Design" отображает данную проблему следующим образом.

Визуальный контроль, тем не менее, не является надёжным способом поиска проблем со связностью элементов
в сложных проектах.
3. Выберите Verify > Run Connectivity Check для сравнения связности топологии и схемы. Когда проверка завершится,
появится окно с ошибками.
4. Кликните по ошибке, чтобы открыть схему и её топологию, на которых проблемные элементы выделены
цветом.

При навигации по списку ошибок будут отображаться соответствующие области схемы и топологии.
5. По завершении просмотра ошибок выберите Verify > Clear LVS Errors.
ПРИМЕЧАНИЕ. Щелкните правой кнопкой мыши в окне с ошибками и выберите Error Marker Options, чтобы
открыть диалоговое окно Error Marker Options, в котором можно управлять отображением ошибок и навигацией
по ним. Подробнее об этом смотрите здесь: “Error Marker Options Dialog Box ” in Dialog Box Reference.

Layout Vs Schematic (LVS) - соответствие
топологии схеме
Layout Vs Schematic (LVS) - соответствие топологии схеме

Каждое предприятие разрабатывает собственный процесс контроля соответствия топологии схеме, поэтому для
использования LVS стоит связаться с производителем компонентов. Большинство процессов LVS используют
поиск ошибок (смотрите “Использование контроля связности”). В данном разделе рассмотрен процесс LVS на
основе данных производителя компонентов. Смотрите “LVS (Layout vs Schematic) ” in Microwave Office Layout
Guide для получения подробной информации об использовании LVS в NI AWR Design EnvironmentTM (NI AWRDE).
Design Rule Checking (DRC) - контроль проектных норм

В NI AWRDE используется встроенный аппарат контроля проектных норм, а также присутствует возможность
использования DRC, одобренных производителями компонентов и моделей. Для получения информации по
использованию таких DRC-модулей обратитесь к их производителю. Большинство процессов DRC используют
встроенный в NI AWR поиск ошибок DRC. Данный раздел описывает задачу навигации и поиска ошибок, не
останавливаясь подробно на особенностях модулей DRC и правилах управления ими. Подробнее об использовании
DRC в программе смотрите здесь: “Design Rule Checking (DRC) ” in Microwave Office Layout Guide. Рассмотрим
пример:
1. Откройте топологию схемы "Distributed Design".
2. Выберите Verify > Design Rule Check, чтобы отобразить следующее окно.

Design Rule Checking (DRC) - контроль
проектных норм
ПРИМЕЧАНИЕ. Если в Вашем случае представлены иные правила, необходимо загрузить другой набор
правил для этого примера. Чтобы найти папку, в которой расположен PDK данного примера, выберите Help
> Show Files/Directories.
Выберите Libraries в столбце Name и дважды щелкните, чтобы открыть Проводник Windows. Перейдите в
директорию…\example_pdks\mesfet\Library\. Набор правил DRC - это файл с именем drc_rules.txt. Теперь
расположение этого файла известно.

Вернувшись к окну DRC, нажмите кнопку Load Rules File и перейдите в найденную ранее директорию,
содержащую файл drc_rules.txt. Дважды щелкните файл. Теперь перечень правил должен совпадать с
приведённым ранее рисунком.
3. Выберите правила, которые будут использоваться, и щелкните Run DRC для запуска проверки проектных
норм. После проверки открывается окно с найденными ошибками.
4. Дважды кликните по ошибке, чтобы приблизить её в окне топологии.

5. Дважды кликните по заголовку группы.
На топологическом чертеже отобразится область, содержащая эти ошибки этой группы.

6. Дважды кликните по отдельной ошибке, чтобы приблизить выбранную ошибку на топологическом чертеже.
Например, кликните по верхней ошибке.
Вид приблизится к этой ошибке.

7. Каждую из найденных ошибок можно переместить в категорию исправленных (Checked Errors) или
некорректных (False Errors), щелкнув их правой кнопкой мыши и выбрав соответствующий вариант.
ПРИМЕЧАНИЕ. Щелкните правой кнопкой мыши в окне с ошибками и выберите Error Marker Options, чтобы
открыть диалоговое окно Error Marker Options, в котором можно управлять отображением ошибок и навигацией
по ним. Подробнее об этом смотрите здесь: “Error Marker Options Dialog Box ” in Dialog Box Reference.

Завершение работы с примером по MMIC
Завершение работы с примером по MMIC

Следующая глава содержит дополнительную информацию по проектированию MMIC. NI AWR крайне рекомендует
ознакомиться с этим материалом для лучшего понимания принципов работы с MMIC в NI AWRDE.

Chapter 7. MMIC: Дополнительные темы
Данный раздел содержит дополнительную информацию, связанную с проектированием MMIC.
ПРИМЕЧАНИЕ. Quick Reference содержит перечень горячих клавиш, операций мышью, советов и приёмов по
оптимизации работы с NI AWRDesign EnvironmentTM (NI AWRDE). Чтобы перейти к этому документу, выберите
Help > Quick Reference.
Навигация в иерархических проектах Схема и топология

Существует несколько полезных понятий, помогающих понять принципы работы с иерархическими проектами.
Для доступа к схемам на различных уровнях иерархии существует несколько возможных способов:
• В Диспетчере проектов можно отобразить иерархию текущего проекта и дважды кликнуть по любому пункту,
чтобы открыть соответствующую схему в отдельном окне. Например, схема "Distributed Design" содержит
три подсхемы.
• Можно открыть подсхему в отдельном окне, щелкнув правой кнопкой мыши в рабочей области и выбрав View
Referenced Doc.
• Можно переместиться в подсхему из окна текущей схемы. Выберите подсхему, щелкните правой кнопкой
мыши и выберите Edit Subcircuit или нажмите кнопку Edit Subcircuit на панели инструментов. Подсхема заменит
схему в рабочей области.
• Чтобы вернуться на один уровень вверх, снимите выделение со всех элементов, щелкните правой кнопкой
мыши в свободном месте и выберите Exit Subcircuit или нажмите кнопку Exit Subcircuit в панели инструментов.
При работе с аннотациями схемы следует учитывать разницу между открытием подсхемы в новом окне и
перемещением в неё из схемы высшего уровня. Аннотации схемы - это результаты моделирования, отображаемые
прямо на схеме - например, значения напряжений. (ПРИМЕЧАНИЕ. Чтобы добавить аннотацию к схеме,
щелкните правой кнопкой мыши схему в Диспетчере проектов и выберите Add Annotation, затем выберите
аннотацию). Чтобы отобразить аннотации высшего уровня на более нижних, используйте команду Edit Subcircuit.
В этом режиме подсхема определяет, схема какого из высших уровней ссылается на неё, и отображает
соответствующие аннотации.
Например, на следующем рисунке показана схема "Lumped Element Design" после моделирования. Обратите
внимание на отображение значений постоянного тока на схеме.

Навигация в иерархических проектах
Схема и топология
SUBCKT
ID=S3 PORT
SUBCKT NET="lumped_output_match" P=2
Z=50 Ohm
ID=S2
NET="lumped_input_match" 1 2
PORT 10.3 mA 0 mA 0 mA
2
P=1
Z=50 Ohm 3
SUBCKT
1 2 1 ID=S1 10.3 mA
0 mA 0 mA NET="device"
3 DCVS
ID=VD
0 mA V=Vd V
DCVS
ID=Vg
V=Vg V
Если Вы откроете новое окно подсхемы "lumped_output_match", аннотации отображаться не будут, как это
показано на рисунке ниже слева. Если же Вы решите переместиться к подсхеме в текущем окне, аннотации
отобразятся так, как показано на рисунке ниже справа.
MLIN MLIN
PORT ID=TL2 CAP PORT ID=TL2 CAP
P=1 W=40 um ID=C4 P=1 W=40 um ID=C4
Z=50 Ohm L=690 um C=1.31pF C=1.31pF
Z=50 Ohm L=690 um
10.3 mA 0 mA
PORT PORT
P=2 P=2
IND Z=50 Ohm IND Z=50 Ohm
ID=L3 ID=L3
PORT L=0.97 nH PORT L=0.97 nH
P=3 P=3
Z=50 Ohm Z=50 Ohm
0 mA
10.3 mA
CAP CAP
ID=C2 ID=C2
C=5 pF C=5 pF
Обратите внимание, что заголовок окна схемы отражает способ открытия подсхемы. При открытии отдельного
окна подсхемы в заголовке будет только имя этой подсхемы.
При перемещении в подсхему в заголовке отобразится путь к подсхеме в иерархии.
Аналогичные методы перемещения применимы и при работе с топологией:
• В Диспетчере проектов можно отобразить иерархию проекта, а также, щелкнув правой кнопкой мыши схему
и выбрав View Layout, открыть новое окно с отображением топологии выбранной схемы.

• Можно открыть топологию подсхемы в отдельном окне, дважды щелкнув ее на топологии схемы более
высокого уровня.
• Можно переместиться к топологии подсхемы из текущего топологического вида старшей схемы, что позволяет
редактировать параметры подсхемы, при этом сохраняя общий топологический вид всей схемы. Выберите
подсхему, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Edit in Place или нажмите кнопку Edit in Place на панели
инструментов.
• Чтобы вернуться на один уровень вверх, снимите выделение со всех элементов, кликните правой кнопкой на
свободном месте в топологии схемы и выберите Ascend In Place Edit или нажмите кнопку Ascend in Place Edit в
панели инструментов.
Приведём пример использования команды "Edit in place" на примере схемы "Distributed Design".
Выберите подсхему distributed_input_match щелкните правой кнопкой мыши и выберите Edit in Place.

Топология подсхемы останется в естественных цветах. Её можно редактировать, в то время как остальные
элементы обесцветятся и перестанут быть доступны для редактирования.
ПРИМЕЧАНИЕ. Параметры отображения подсхем на верхнем уровне можно изменять. Выберите Layout >
Layout Mode Properties, чтобы открыть диалоговое окно Layout Editor Mode Settings. Выделенные параметры на
следующим рисунке относятся к иерархическому виду топологии.

Переключение между схемой и топологией

При работе над проектом Вам может понадобиться доступ к электрическим параметрам элементов из окна
топологии или к топологическим - из окна схемы. При выборе элемента на схеме он подсвечивается на топологии,
как это показано ниже.

Похожим образом работает и обратный процесс: при выделении элемента на топологии соответствующий элемент
схемы помечается крестом, как это показано на следующем рисунке.
Тем не менее, это лишь отображение выбранных элементов. Для доступа к параметрам используются другие
команды. В окне топологии можно выбрать элемент, щелкнуть правой кнопкой мыши и выбрать Element Properties,
при этом открывается диалоговое окно с параметрами элемента. Диалоговое окно Element Options также можно
открыть, дважды щелкнув выбранный элемент на схеме.
Обращение к топологическим параметрам из схемы несколько затруднено. Многие из конфигураций лицензии

включают в себя расчёт схем, однако далеко не все содержат модули топологического проектирования. Все
лицензии MWO способны на схемотехническое моделирование, однако не все версии поддерживают топологию,
поэтому эти опции могут быть недоступны со схемы. Чтобы обратиться к параметрам топологии со схемы:

1. Выберите элемент схемы.
2. Щелкните правой кнопкой мыши и выберите Select in Layout.
3. Выберите View > View Selected, чтобы приблизить элемент к наблюдателю.
4. Щелкните правой кнопкой мыши выбранную фигуру и выберите Shape Properties.
Существует дополнительная команда для размещения выбранного на схеме элемента на топологии:
1. Выберите элемент схемы.

2. Щелкните правой кнопкой мыши и выберите Place in Layout.
3. Откроется (если уже не было открыто) окно топологии, а выбранный элемент появится в виде топологической
ячейки, готовый для размещения в требуемой области топологии.
Использование интеллектуального синтаксиса

параметров
Интеллектуальный синтаксис параметров - это способ назначения параметров модели компонента по значениям
параметров другой модели. Такой синтаксис позволяет добиться большей гибкости и простоты использования
по сравнению с применением переменных для привязки двух или более параметров к одному значению.
Существует две разновидности такого синтаксиса.
Первый формат - присваивание параметру модели элемента значения, равного значению параметра определённой
модели, подсоединённой к определённому выводу текущей модели. Простейшей формой такого синтаксиса
являются дискретные модели (чьи названия заканчиваются символом $), уже настроенные для использования
этого синтаксиса. Обычно используется синтаксис "P@N": взять параметр "P" у элемента на выводе "N" текущей
модели. Например, на рисунке ниже можно увидеть список параметров модели MTEE$ (после нажатия кнопки
Show Secondary).

Каждый из параметров модели получает значение W от модели, подсоединённой к обозначенному выводу. В
большинстве случаев это работает, поскольку линии всегда должны быть соединены с неоднородными моделями.
Иногда эта модель выдает ошибку, если у модели, подсоединённой к данному выводу нет параметра W. Обычно
это происходит, если этот параметр задаётся иначе, например, W1 или W2; это легко исправить переименованием
параметра. В предыдущем примере, если порт 1 элемента M2CLIN соединён с портом 2 MTEE$, получится
следующее:
Второй формат интеллектуального синтаксиса используется для назначения параметру значения другого параметра.
Для этого используется синтаксис "P@EL.ID", где "P" - имя параметра, "EL" - имя элемента, "ID" - ID этого
элемента. Такой синтаксис обычно используется для создания идентичных моделей, часто называемых master-slave
модели (главная модель - зависимая модель). Помимо этого, для элементов TRACE применение этого формата
синтаксиса является стандартным, чтобы облегчить построение симметричных систем: при изменении параметров
главного элемента зависимый элемент автоматически изменит свои. В качестве примера рассмотрим делитель
мощности Вилкинсона. На схеме ниже приведены элементы MTRACE2, соединённые с истоком полевого
транзистора. Идентичность линий является ключевой для этой схемы.

MLIN
ID=TL4
W=20 um
L=10 um PORT
MSUB=Plated_Metal_Line P=2
Z=50 Ohm
MLIN
ID=TL3
PORT W=10 um 2
P=1 L=10 um
Z=50 Ohm MSUB=Plated_Metal_Line AWR_MESFET_FET_HF
1 ID=FET1
W=60 um
NG=4
MTRACE2 MTRACE
ID=TL2 ID=TL1
W=10 um W=W@MTRACE2.TL2um
L=448 um L=L@MTRACE2.TL2um
BType=1 BType=BType@MTRACE2.TL2
M=0 M=M@MTRACE2.TL2
MSUB=Plated_Metal_Line MSUB=Plated_Metal_Line
AWR_MESFET_GROUND_VIA AWR_MESFET_GROUND_VIA
ID=GV1 ID=GV2
Обратите внимание, что элемент TL1 является главным (master), а TL2 - зависимым (slave). Ниже приведены
параметры модели, включающие вторичные параметры для slave-элемента.
(ПРИМЕЧАНИЕ. Интеллектуальный синтаксис не может быть использован для параметров подложек. Параметр
MSUB в данном случае использует глобально заданные параметры подложки. Подробнее они рассматриваются
в разделе “Intelligent Cells (iCells)” in Microwave Office Layout Guide.

Топология: Автоматические соединения

Автоматические соединения (также называемые "Bridge Code") являются частью библиотек PDK в NI AWR и
определяют, как рисуются линии при соединении с другими компонентами (например, конденсаторами или
транзисторами). Несмотря на то, что это является очень мощным инструментом контроля проектных норм,
необходимо обратить внимание на некоторые моменты.
Использование более двух соединений в одном узле

Существует ряд ситуаций при проектировании MMIC, когда необходимо присоединить более двух элементов
к одному выводу. К примеру:
• Использование модели транзистора с тремя выводами, где перемычки необходимо разместить по одну его
сторону, как это показано ниже.
• Использование линии смещения с конденсатором.

AWR_MESFET_TFCM
ID=TL1
W=100 um
L=100 um
C=3 pF MLIN
W1=40 um ID=TL2
W2=40 um W=10 um
CA=0.0003 L=100 um
MLIN
ID=TL4
W=40 um MLIN
L=20 um ID=TL3
W=10 um
ID=GV1 L=100 um
На 3D топологии можно увидеть, что перемычка подсоединена к нижней обкладке конденсатора, а две линии
подсоединены к верхней.
Алгоритмы автоматического соединения делают всё возможное, чтобы определить, как качественно нарисовать
требуемое соединение. Тем не менее, это неоднозначная ситуация. Линия подсоединена как к конденсатору, так
и к другой линии, поэтому алгоритму необходимо определить, какое из соединений следует рисовать
автоматически. Приоритет определённых типов компонентов определяется набором правил.
В таких ситуациях NI AWR настоятельно рекомендует конфигурировать топологию, чтобы определить

необходимые соединения. Для этого существуют специальные настройки, позволяющие обеспечить надлежащее
соединение граней индивидуальных элементов. Еще одним преимуществом конфигурации этих граней является
то, что в настройке также указывается грань, которую нужно использовать при совмещении. Продемонстрируем
это на примере вышеприведённого примера с конденсатором.
Чтобы настроить соединения граней элементов:

1. Выберите фигуру на топологии, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties для открытия
диалогового окна Cell Options. В этом примере следует выбрать нижнюю из линий на топологии.
2. Откройте вкладку Faces.
3. Разместите диалоговое окно на экране таким образом, чтобы одновременно наблюдать изменения, вносимые
в топологию схемы.
4. Выберите требуемую грань в разделе Face. Определить нужную из имеющихся поможет подсветка выбранной
грани синей линией. На следующем рисунке выбрана грань номер 1.
5. В разделе Snap to выберите подходящую грань для соединения. Определить нужную можно в окне топологии:
выбранная грань подсвечивается красным. В данном примере существует 5 возможных граней Snap to,
поскольку к данному выводу подключена ещё одна линия и конденсатор.
У конденсатора есть 4 возможные грани для соединения: по одной для каждой из сторон. В данном примере
Вам следует перебором подобрать корректную грань для соединения: красная линия совпадёт с синей.

Аналогичные шаги следует повторить и для другой линии, подключенной к данному узлу. По завершении этих
шагов гарантируется корректность автоматических соединений, при этом алгоритмы совмещения топологических
ячеек используют заданные грани при выполнении.
Работа в иерархии проекта

Автоматические соединения могут работать в иерархии, но с определёнными ограничениями. Они могут
«просматривать» иерархию вниз, но не вверх от текущего уровня. Если элемент соединён с подсхемой, этот
элемент может изменить своё отображение. Тем не менее, элемент, находящийся в подсхеме, не может изменить
своё топологическое представление на основании изменений на более высоком уровне. Подсхемы могут быть
использованы во многих областях проекта, поэтому автоматические соединения могут давать отличный от других
результат в каждом случае.
В качестве примера рассмотрим линии, соединённые с обеими обкладками конденсатора. Автоматическое

соединение изменяет вид линии для каждой из обкладок, чтобы обеспечить качественное соединение. На
следующем рисунке изображен 3D вид такого соединения.

Первый способ - поместить конденсатор на один уровень вниз в иерархии…
ID=TL1
W=100 um
L=100 um
C=3 pF
W1=40 um
PORT W2=40 um
P=1 CA=0.0003
Z=50 Ohm
PORT
P=2
Z=50 Ohm
… и затем присоединить линии на более высоком уровне.
MLIN SUBCKT MLIN

PORT ID=TL1 ID=S1 ID=TL2 PORT
P=1 W=40 um NET="bottom_cap" W=40 um P=2
Z=50 Ohm L=100 um L=100 um Z=50 Ohm
1 2
На рисунке ниже показана 3D топология с включённой подсветкой связности, где все соединённые друг с другом
фигуры выделены определённым цветом.

Второй способ - поместить линии на нижний уровень иерархии…
MLIN
PORT ID=TL2 PORT
P=1 W=10 um P=2
Z=50 Ohm L=100 um Z=50 Ohm
…и затем соединить их с конденсатором на более высоком уровне.
ID=TL1
W=100 um
L=100 um
C=3 pF
SUBCKT W1=40 um SUBCKT
PORT ID=S2 W2=40 um ID=S1 PORT
P=1 NET="bottom_line" CA=0.0003 NET="bottom_line" P=2
Z=50 Ohm Z=50 Ohm
1 2 1 2
На рисунке ниже показана 3D топология с включённой подсветкой связности. Конденсатор закорочен по причине
некорректного автоматического соединения.

Шаблоны ячеек и ЭМ структуры

При работе с шаблонами в качестве ячеек топологии элементов или использовании ЭМ подсхем как базовых
ячеек Вы можете настроить параметры автоматического соединения этих элементов с линиями передачи. В
случае шаблонов Вы создаёте порты ячеек, определяющие расположение соединений. В случае ЭМ структур
Вы добавляете порты для моделирования. В обоих случаях, выберите порт, щелкните правой кнопкой мыши и
нажмите Shape Properties, после чего в диалоговом окне Properties откройте вкладку Cell Port или Cell Pin. В NI
AWRDE Dialog Box Reference прочитайте раздел “Properties Dialog Box: Cell Pin Tab ” in Dialog Box Reference,
чтобы узнать подробнее об этом диалоговом окне.
Правильные настройки могут быть не очевидны, поскольку определить тип соединения для встроенной
параметризованной ячейки библиотеки моделей бывает непросто. Чтобы определить типы соединений для
выбранной ячейки:
1. Расположите элемент при помощи параметризованной ячейки, которая Вам интересна.

2. Выберите элемент на топологии.
3. Выберите Layout > Make GDSII Cell, чтобы отобразить диалоговое окно Make New GDS Cell.
4. Задайте имя библиотеки (Library name) и имя ячейки (Cell name), затем нажмите OK, чтобы открыть окно
шаблона с портами ячейки на каждой грани.
5. Выберите нужную грань, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties для открытия диалогового
окна Properties.
6. Откройте вкладку Cell Port, чтобы показать тип соединения (Connection Type) на грани.
Неоднородности без линий передачи

В СВЧ проектировании неоднородные модели не должны соединяться непосредственно друг с другом. С
электрической точки зрения, неоднородности создают малые моды, затухающие на некотором расстоянии от
них. Модели учитывают эти моды, только если к неоднородностям подсоединены линии достаточной длины -
обычно порядка двух толщин подложки.
К тому же, автоматическое соединение может работать некорректно при сцеплении двух неоднородных моделей
вместе. Ниже рассмотрим пример.

MTEE
ID=TL4
MLIN MBEND90X
W1=40um
ID=TL5 ID=TL1
W2=40um
W=40um W=40um
W3=40um
L=20um M=0.5
MSUB=Plated_
Metal_Line
1 2
Топология такой схемы представлена ниже.
Заметьте, что соединения линий нарисованы корректно в верхней области контакта линии и перегиба.
Если линию передачи удалить, схема получится следующей.
MTEE
ID=TL4 MBEND90X
W1=40 um ID=TL1
W2=40 um W=40 um
W3=40 um M=0.5
1 2
Топология такой схемы представлена ниже.

Топология: изменение цвета фона
Обратите внимание на верхнюю часть контакта разветвления и перегиба. Соединение между MTEE и MBEND
залезает на допустимую границу, что однозначно вызовет ошибки при проверке проектных норм (DRC).
Помимо некорректности топологии, при использовании таких моделей электрические результаты будут
ошибочными из-за отсутствия линии между неоднородностями. Если же нужно провести моделирование такой
структуры, ЭМ симуляторы AXIEM и Analyst справятся с этой задачей нужным образом.
Топология: изменение цвета фона

По умолчанию цвет фона топологии белый с чёрными маркерами сетки. Вам может понадобиться чёрный фон,
так как в некоторых библиотеках параметры заливки оптимизированы именно для него. Самый простой способ
изменить цвет фона - выбрать Scripts > Layout > Toggle_Background_Color для инвертирования цветов рабочей
области. Если же требуется вручную установить требуемые цвета, выберите Options > Environment Options, затем
в диалоговом окне Environment Options откройте вкладку Colors и выберите нужные цвета.
Топология: режимы совмещения

В NI AWR Design Environment (NI AWRDE) существует два различных режима совмещения ячеек топологии.
Доступ к этим режимам возможен в диалоговом окне Layout Options на вкладке Layout в поле Snap together
(выберите Options > Layout Options). Auto snap on parameter changes совмещает объекты для текущей топологии
каждый раз при изменении какого-либо параметра или при оптимизации/подстройке. Ручной режим (Manual snap
for selected objects only and Manual snap for all objects) совмещает элементы только по команде пользователя для
выбранных или для всех элементов соответственно.
При работе в ручном режиме Manual snap for selected objects only в начале проекта можно выполнить
предварительное размещение элементов без ошибок при каждом изменении параметров. По завершении начального
размещения вы можете переключиться в автоматический режим Auto snap on parameter changes. Такой подход
позволяет сохранять связность топологии при изменении, подстройке или оптимизации параметров.
ПРИМЕЧАНИЕ. Вне зависимости от значения параметра Snap together, при экстракции и оптимизации топология
совмещается для корректной ЭМ симуляции.

Топология: добавление текста

Создание текста, не вызывающего DRC ошибок, может быть проблематичным. Правильный подход зависит от
того, как каждое конкретное предприятие решает эту задачу. Для рекомендаций по добавлению текста к топологии
следует обратиться к представителю производства. В общем случае есть несколько возможных решений такой
задачи, включая:
• Специальный текстовый элемент, создающий топологию без DRC ошибок. Этот блок добавляется на схему
и принимает текст как параметр элемента, после чего создаёт соответствующую ячейку топологии.
• Встроенную в PDK библиотеку GDSII с набором символов в виде ячеек топологии. Такие ячейки можно
непосредственно использовать на топологическом чертеже для создания текста.
• Игнорирование правил DRC относительно текста. NI AWR рекомендует использовать шрифт «Arial Rounded
MT Bold». Он хорошо выглядит и легко читаем под микроскопом на готовой плате или интегральной схеме.
Следующие шаги помогут Вам добавить такой текст.
Чтобы добавить текстовый объект:
1. Активируйте окно топологии.

2. Перейдите на вкладку Layout, чтобы открыть Менеджер топологии. В разделе Drawing Layers выберите нужный
слой.
3. Выберите Draw > Text или нажмите комбинацию Ctrl + T, чтобы добавить текстовый объект.
4. Щелкните в топологии для размещения начала текстового объекта.
5. Введите текст и нажмите Enter или щелкните вне текстового окна, чтобы закончить ввод.
Чтобы отредактировать существующий текст:
1. Выберите текстовый объект, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Shape Properties для открытия
диалогового окна Properties.
2. Откройте вкладку Layout, чтобы изменить слой текста в поле Draw Layers.
3. Откройте вкладку Font, чтобы изменить шрифт (Font), размер (Height) и атрибуты, а также параметр Draw as
polygons. Эта опция определяет, рисуется ли текст полигональными фигурами на заданном слое (фигуры
включаются в этой слой при производстве) или же текст остаётся текстовым объектом, видимым на топологии,
но не при изготовлении топологии на производстве.
4. Для редактирования самого текста дважды щелкните текст, чтобы войти к режим редактирования.


Ресурсы; NI AWR, 1–3
Index системная диаграмма
создание, 2–8
Symbols Скрипты, 2–20
База знаний; NI AWR, 1–3 Соединение
Библиотеки узлов, 2–12
элементов, 2–16 Соединение узлов, 2–12
Выполнение Создание
моделирования, 2–18 проекта, 2–4
Горячие клавиши, 2–19 создание, 2–12, 2–14, 2–17
Диспетчер проектов, 2–4 списков соединений, 2–4
Диспетчер элементов , 2–4, 2–9 топологии, 2–14
Добавление Сохранение
измерений, 2–17 проекта, 2–4
измерений в график, 2–17 Сочетания клавиш, 2–19
подсхем к схеме, 2–10 Списки соединений
подсхем на диаграмму, 2–11 создание, 2–12
подсхем на диаграммы, 2–11 Справка
подсхемы к схеме, 2–4, 2–10 онлайн, 1–5, 2–20
портов, 2–11, 2–11 Техническая поддержка, 1–5
элементов к схеме, 2–9 Типы
Документы; NI AWR, 1–4 графиков, 2–17
Запуск NI AWRDE, 2–2 Упрощение
Изменение геометрии, 5–1
портов, 2–11 Файл обработки слоя (LPF); импорт, 2–16
Измерения Частота
добавление, 2–17 моделирования, 2–18
Импорт Чертежи
подсхем, 2–10 ЭМ структур, 2–13
Импорт LPF, 2–16
Команды быстрого доступа, 2–19 A
Краткий справочный документ, 2–2 AWR Design Environment
Мастер, 2–20 запуск, 2–2
Менеджер топологии, 2–4, 2–16 обзор, 2–1
Обозначения, 1–3 процесс проектирования, 2–1
Окно состояния, 2–4
Онлайн-справка, 1–5, 2–20 M
Оптимизация MMIC
моделирования, 2–19, 2–19 верификация разработки, 6–1
Основные операции, 2–4 дополнительные подробности, 7–1
Открытие проектирование, 3–1
примеров, 2–5 топология, 4–1
проекта, 2–4 экстракция, 5–1
поддержка
веб-сайт, 1–5 N
техническая, 1–5
NI AWR Design Environment
Поддержка на веб-сайте, 1–5
компоненты, 2–3
Подстройка
моделирования, 2–19, 2–19
Примеры
проектов, 2–5
Getting Started Guide Index–1

Index
Index–2 NI AWR Design Environment

Руководство по Microwave Office MMIC

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Руководство по Microwave Office MMIC

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

v13

1960 E. Grand Avenue, Suite 430

© 2017 National Instruments. All rights reserved.

For patents covering NI AWR software products/technology, refer to ni.com/patents.

Getting Started Guide iii

5. MMIC: Экстракция и ЭМ моделирование ......................................................................................... 5–1

iv NI AWR Design Environment

Введение в NI AWR Design Environment

Getting Started Guide 1–1

В основе возможностей NI AWR Design Environment лежит продвинутый объектно-ориентированный подход.

1–2 NI AWR Design Environment

Выберите File > New Project.

Введите "my_project" в поле Project Name.

C:\Program Files\AWR\AWRDE\13 или C:\Program Files

Нажмите Alt + F1.

База знаний NI AWR

Getting Started Guide 1–3

• Documentation - полная копия последней версии документации.

Документация по MWO и AO включает в себя следующее:

1–4 NI AWR Design Environment

Документация по VSS включает в себя следующее:

Документация по 3D Editor и Analyst-MP (отдельный продукт для мультифизического ЭМ моделирования)

• Текущую версию программного обеспечения

Телефон: 888.349.7610 / Факс: 310.726.3005 / E-mail: <awr.support@ni.com>.

Getting Started Guide 1–5

1–6 NI AWR Design Environment

Set Units, Environment Options

Create Schematics/Diagrams (MWO/AO) Create Layout

Set Frequency, Simulation Options

(MWO/AO) Optimizing Tuning

Set Optimization Goals Manually Vary Parameters

• Создание проектов для организации и сохранения разработок

Getting Started Guide 2–1

• Расположение системных блоков на диаграмме системы

Запуск программ NI AWR

1. Нажмите кнопку Start Windows.

Откроется следующее главное окно.

2–2 NI AWR Design Environment

Компоненты пакета NI AWR Design Environment

Getting Started Guide 2–3

2–4 NI AWR Design Environment

Создание, открытие и сохранение проектов

Открытие примеров проектов

Поиск и открытие примеров проектов, упоминаемых в данном руководстве:

1. Выберите File > Open Example.

Getting Started Guide 2–5

ПРИМЕЧАНИЕ. Фильтровать результаты можно не только по ключевым словам, но и по названиям файлов.

Импорт тестовых модулей

Чтобы импортировать тестовый модуль:

1. Выберите File > Import Project.

2–6 NI AWR Design Environment

Работа с принципиальными схемами и списками соединений в

Getting Started Guide 2–7

Right-click and choose

Right-click and choose

Работа с системными диаграммами в VSS

2–8 NI AWR Design Environment

Right-click and choose

Использование Диспетчера элементов

Getting Started Guide 2–9

Expand, then click

Right-click and choose

Drag desired model

Добавление подсхем к схеме