Вы находитесь на странице: 1из 6

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ


УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»
(СПбГУТ)
Кафедра телевидения и метрологии

Отчёт
по лабораторной работе №2 на тему:
«Исследование приборов и методов измерения параметров
двухполюсников»
по дисциплине «Метрология, стандартизация и сертификация»

Выполнил: студент группы ИКВТ-61, Козырев А.Б.


« » 2019 г. _______/А.Б. Козырев/
Принял: ст. преп. Шарикова М.И,
« » 2019 г. _____/М.И. Шарикова/
Диапазон Нормируемая
Название и тип Измеряемые Пределы
рабочих частот, основная
прибора величины измерения
МГц погрешность
Q 10-1000 ± δQ

I. 30-50 f 30-300 МГц ± 1%


Измеритель II. 50-80
добротности III. 80-130 Lx 25нГн-2,5мк
E4-11 IV. 130-200
V. 200-300 C0 0,1-95 пФ ± ( 0,005C +0,5 ) пФ

Cx

таблица 2.1.

Q КОН √ f
δ Q=6 + + +3 ∙10−5 ∙ QИЗМ ∙ f
Q ИЗМ 2

таблица 2.3.

Результаты оценки параметров катушки индуктивности

Частота,
Qд Cоб, Lд, Rд, CL, Lх, Qх RL, fL,
МГц пФ мкГн Ом пФ мкГн Ом МГц

50 380 93,94 0.108 0,0892 7.59 0,0998 410.72 0.076 182,83

100 102 17,79 0,142 0,8771 7.59 0,0998 145.54 0.431 182,83
таблица 2.4.
Результаты оценки параметров катушки индуктивности

Объект f Cоб1 , Cоб2 , Cх Rх CR


измерения
Q1 Q2 tg δ
,МГц пФ пФ ,пФ ,кОм ,пФ
Конденсатор 50 93,12 385 80,91 300 12,21 0,0056 - -

Резистор 50 94,75 360 93,51 310 - - 46.45 1,24

С х =С об 1 – С об 2

C об 1 ( Q 1−Q 2 )
tan δ=
C x Q1 Q 2

Q1 Q2
R x=
2 πf C об 1 ( Q 1−Q 2 )

C R =Cоб 1−C об 2

таблица 2.5.
Оценка основной абсолютной погрешности измерения параметров двухполюсников с
помощью измерителя добротности

Измеряемая Полученное Относительная Абсолютная Результат


величина значение погрешность, % погрешность измерения

Lx , нГн 99,8 3,3 3,2705 ( 100 ±3 ) нГн


Q
CX , пФ 12,21 15,3 1,87
RС , кОм
RX , кОм
CR , пФ

Вывести формулы для оценки абсолютных погрешностей косвенных


измерений индуктивности катушки, емкости конденсатора и сопротивления
резистора с помощью измерителя добротности на основе функциональных
зависимостей, определяющих измеряемые параметры.

Выведем формулу для расчёта ∆ L x :

1
LД =
4 π ∙ f 2 ∙C об
2

L Д =ϕ(C , f )

поэтому

∂ LД ∂ LД
∆ L x= (| ∂C ||
∙ ∆C об +
∂f
∙∆f |)
∂LД −1
=
∂ C 4 π 2 ∙ f 2 ∙ C2
∂LД −1
= 2 3
∂f 2 π ∙f ∙C

∆ C 0 б 1= ( 0,005 Cоб 1+0,5 ) пФ=± ( 0,005 ∙ 93,94+0,5 ) пФ=0.96970 пФ

∆ f 1=( 0,01∗f 1) =0,5 МГц

∂LД −1 Гн
( C об 1 , f 1 )= 2 2 2 =−1148.2
∂C 4 π ∙ f 1 ∙C об 1 Ф

∂LД −1 Гн
( C об 1 , f 1 )= 2 3 =−4.3143 ∙ 10−15
∂f 2 π ∙ f 1 ∙C o 1 Гц

Получаем

∂ LД ∂ LД
∆ L x= (| ∂C ||
∙ ∆C об +
∂f |)
∙ ∆ f =3,2705 нГн
Выведем формулу для расчёта ∆ C x :

C x =C об 1−C об 2

∂C x ∂ Cx
∆ C x=
(| ∂ C об 1 ||
∙ ∆ Cоб 1 +
∂C об 2 |)
∙ ∆ C об 2

∂ Cx
=1
∂C об 1

∂ Cx
=−1
∂C об 2

∆ C 0 б 1= ( 0,005 Cоб 1+0,5 ) пФ=( 0,005 ∙ 93,12+0,5 ) пФ=0.9656 пФ

∆ C 0 б 2 =( 0,005 Cоб 2+ 0,5 ) пФ=( 0,005∙ 80,91+0,5 ) пФ=±0.9046 пФ

∂C x ∂ Cx
∆ C x=
(| ∂ C об 1 ||
∙ ∆ Cоб 1 +
∂C об 2 |)
∙ ∆ C об 2 =1,87 пФ

Выведем формулу для расчета ∆ R x :

Q 1 ∙Q 2
R x=
2 π ∙ f ∙ C об 1 ( Q 1−Q 2 )

R x =ϕ(Q 1 , Q2 , C об 1 , f )

поэтому,

2 2 2 2
∂ Rx ∂ Rx ∂ Rx ∂ Rx
∆ R x=
√( ∂ Q1
∙ ∆ Q1 + )(
∂Q 2
∙ ∆ Q2 + )(
∂ Cоб 1
∙ ∆C об 1 + )(
∂f
∙∆ f )
'
∂ Rx Q2 Q1 −Q 22
= ∙
[
∂Q 1 2 π ∙ f ∙ Cоб 1 ( Q 1−Q 2 )
=
]
2 π ∙ f ∙C об 1 ∙ ( Q 1−Q 2 )
2

'
∂ Rx Q1 Q2 Q21
= ∙
[
∂Q 2 2 π ∙ f ∙ Cоб 1 ( Q1−Q2 )
∂ Rx −Q 1 ∙ Q 2
=
]
2 π ∙ f ∙C об 1 ∙ ( Q1−Q2 )2

=
∂C об 1 2 π ∙ f ∙C 2об 1 ( Q 1−Q2 )
∂ Rx −Q 1 ∙ Q 2
=
∂f 2 π ∙ f 2 ∙ C об 1 ( Q 1 −Q 2 )

∆ f =( 0,01∗f 1 )=0,5 МГц

∆ C 0 б 1= ( 0,005 Cоб 1+0,5 ) пФ=± ( 0,005 ∙ 94,75+0,5 ) пФ=0,97375 пФ

1000 √ f
δ Q =6+ + + 3∙ 10−5 ∙Q ИЗМ ∙ f =12,9 %
1
Q ИЗМ 2

∆ Q1=46,3

δ Q =13,2 %
2

∆ Q 2 =41,0

∆ R x =93 , 1 4 кО м