Вы находитесь на странице: 1из 3

Калашников, Сергей Григорьевич

[править | править код]
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться
от версии, проверенной 6 января 2019; проверки требуют 28 правок.

Перейти к навигацииПерейти к поиску


Калашников
Сергей Григорьевич

Дата рождения 27 января (9 февраля) 1906

Место рождения Николаев,


Херсонская губерния,
Российская империя

Дата смерти 23 апреля 1984 (78 лет)

Место смерти Москва,


СССР

Страна Российская империя

 СССР

Научная сфера физик

Место работы ИРЭАН

Альма-матер МГУ

1
Учёная степень доктор физико-математических наук

Учёное звание профессор

Награды и премии

В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией,


см. Калашников; Калашников, Сергей.
Сергей Григорьевич Кала́шников (1906—
1984) — советский и российский физик.

Содержание

 1Биография
 2Семья
 3Награды и премии
 4Книги
 5Ссылки

Биография[править | править код]
Родился 27 января (9 февраля) 1906 года в Николаеве (ныне Украина) в семье
адвоката. В 1930 году он окончил МГУ имени М. В. Ломоносова и работал на
физическом факультете МГУ более 30 лет последовательно ассистентом,
доцентом, профессором и заведующим кафедрой общей физики (1948—1953).
Основал и заведовал кафедрой физики полупроводников физического
факультета МГУ имени М. В. Ломоносова (1953—1961). Возглавлял кафедру
физики МАТИ имени К. Э. Циолковского. В 1930-е годы исследовал дифракцию
медленных электронов на поверхности кристаллов и их рассеяния на тепловых
колебаниях поверхности кристаллов. Доктор физико-математических
наук (1940).
Создал оригинальный курс физики полупроводников, под его руководством
была разработана система специальных курсов по полупроводниковым
дисциплинам, создан специальный практикум по физике полупроводников.
Заведовал отделом ИРЭАН.
Результаты изучения высокочастотных свойств p-n переходов в
полупроводниках позволили решить задачу создания диодов для работы в
СВЧ-диапазоне детекторов для целей радиолокации. В 1950 году участвовал в
работах по ядерной физике. В 1960-х годах начал исследовать электрическую
и акустоэлектрическую неустойчивость рекомбинационных волн, поглощения и
усиления ультразвука для целей создания электроакустических
преобразователей и линий задержки.

Семья[править | править код]
2
 Жена: Евгения Семёновна Калашникова Москва
o Дочь: Ирина Сергеевна Калашникова 07.03.1954
 Внук: Калашников, Дмитрий Анатольевич 08.04.1987

Награды и премии[править | править код]


 Сталинская премия третьей степени (1951) — за коренные
усовершенствования методов подъёма затонувших судов
 Государственная премия СССР (1972) — за научно-техническую
разработку, создание технологии массового производства и широкое
внедрение в народное хозяйство полупроводниковых импульсных диодов и
диодных матриц
 заслуженный деятель науки и техники РСФСР (1966)
 орден Ленина
 три ордена Трудового Красного Знамени (1945, 1951, 1955)

Книги[править | править код]
 Калашников С. Г. Электричество: Учебное пособие для вузов. 6-е изд.,
стереотипное. — М.: Физматлит, 2008. — 624 с. — ISBN 5-9221-0312-1. ISBN
978-5-9221-0900-0.
 Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.:
Наука, 1977. — Тираж 33000 экз. (Изд. 2-е, перераб. и доп. — 1990. — 688
с.)

Ссылки[править | править код]
Калашников, Сергей Григорьевич на сайте «Летопись Московского
университета»