Вы находитесь на странице: 1из 13

17

Лабораторная работа № 2

ИЗМЕРЕНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И


НИЗКОЧАСТОТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Цель лабораторной работы. Освоение методики моделирования электронных


схем в режиме расчёта передаточных функций по постоянному току. Изучение
статических характеристик и низкочастотных параметров маломощных бипо-
лярных и полевых транзисторов.

2.1. Методические указания

2.1.1. Схема измерения. Измеряемые характеристики и параметры

В данной работе производится измерение на модели статических харак-


теристик и низкочастотных параметров транзисторов, т.е. характеристик,
определяемых по постоянному току, и параметров, определяемых по прираще-
ниям постоянных токов и напряжений. Моделирование проводится для бипо-
лярного транзистора (БТ) типа n-p-n, включённого по схеме с общим эмиттером
(ОЭ) (рис. 2.1), и полевого транзистора (ПТ) с управляющим p-n переходом и
каналом n-типа, включённого по схеме с общим истоком (ОИ), (рис. 2.2)1. Ха-
рактеристики транзисторов измеряются как при стандартной температуре
+27° C, что соответствует абсолютной температуре 300 К, так и в заданном ин-
тервале температур. Все измерения производятся в режиме расчёта передаточ-
ных функций по постоянному току (Analysis>DC…).

Рис. 2.1. Схема включения биполярно- Рис. 2.2. Схема включения полевого
го транзистора транзистора

Для размещения на схеме биполярного транзистора нужно


последовательно выбрать следующие пункты меню:
Component>Analog Primitives>Active Devices>NPN и затем из перечня

1
Обратите внимание, что для биполярного и полевого транзисторов указанных типов полярность источников
VB и VG, задающих напряжение смещения, различна: на базу биполярного транзистора типа n-p-n подаётся
положительное напряжение смещения, а на затвор полевого транзисторов с каналом n-типа – отрицательное.
Это связано с тем, что в рабочем режиме управляющий p-n переход биполярного транзистора должен нахо-
диться под прямым смещением, а управляющий p-n переход полевого транзистора – под обратным смещением.
18
транзисторов, модели которых имеются в библиотеке системы,
2
выбрать заданный . Размещение полевого транзистора производится
аналогично, только в последнем пункте, где указывается тип активного
элемента, выбирается NJFET3.
Для обеспечения рабочего режима биполярного транзистора к его коллек-
тору подключается источник постоянного напряжения (батарея) VC, а к базе –
источник постоянного напряжения VB. Для полевого транзистора аналогичные
функции выполняют источники VD и VG4. Модель источника напряжения (Bat-
tery) выбирается в подразделе Waveform Sources раздела Analog Primitives
меню Component.
Для биполярного транзистора в работе измеряются следующие статиче-
ские характеристики:
• входная характеристика – зависимость IБ(UБЭ) тока базы от напряжения
между базой и эмиттером;
• проходная характеристика – зависимость IК(UБЭ) тока коллектора от на-
пряжения между базой и эмиттером;
• характеристика передачи тока базы – зависимость IК(IБ) тока коллектора
от тока базы;
• семейство выходных характеристик транзистора – зависимостей IК(UКЭ)
тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при
нескольких значениях напряжения на базе.
Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется не током,
протекающим через управляющий электрод, а напряжением на нём5. Поэтому
для полевого транзистора измеряются следующие статические характеристики:
• проходная характеристика – зависимость IС(UЗИ) тока стока от напряже-
ния между затвором и истоком;
• семейство выходных характеристик транзистора – зависимостей IС(UСИ)
тока стока от напряжения между стоком и истоком при нескольких зна-
чениях напряжения на затворе.
По статическим характеристикам могут быть определены следующие
дифференциальные низкочастотные параметры:

2
В системе Micro-Cap обозначение германиевых транзисторов начинается с буквы G. Последняя русская буква
в обозначении типа транзистора заменяется соответствующей латинской буквой. Для того чтобы имя модели
транзистора было видно на схеме, нужно двойным щелчком по символу транзистора открыть окно его атрибу-
тов и включить флажок Display справа от строки Value, содержащей значение атрибута MODEL (т.е. имя мо-
дели транзистора). Имя транзистора на схеме (по умолчанию это Q1) задаётся в атрибуте PART.
3
От английского названия транзистора N-type Junction Field-Effect Transistor – полевой транзистор с управ-
ляющим p-n переходом и с каналом n–типа.
4
Используемые обозначения источников связаны с английским наименованием электродов полевого транзи-
стора: Source – исток, Drain – сток, Gate – затвор.
5
Значение тока затвора полевого транзистора обычно пренебрежимо мало, поскольку в рабочем режиме p-n
переход между затвором и каналом находится под обратным смещением.
19
для биполярного транзистора:
• входная проводимость при коротком замыкании по переменному току
dI Б
на выходе (параметр g11 ) g вх = g11 = ;
dU БЭ U =const
КЭ

• крутизна (проводимость прямой передачи при коротком замыкании по


dI К
переменному току на выходе – параметр g 21 ) S = g 21 = ;
dU БЭ U =const
КЭ

• коэффициент усиления тока в схеме с общим эмиттером при коротком


замыкании по переменному току на выходе (параметр h21 )
dI К
β = h21 = ;
dI Б U КЭ =const

• выходная проводимость при коротком замыкании по переменному току


dI К
на входе (параметр g 22 ) g вых = g 22 = ;
dU КЭ U =const
БЭ

для полевого транзистора:


• крутизна (проводимость прямой передачи при коротком замыкании по
dI С
переменному току на выходе – параметр g 21 ) S = g 21 = ;
dU ЗИ U =const
СИ

• выходная проводимость при коротком замыкании по переменному току


dI С
на входе (параметр g 22 ) g вых = g 22 = .
dU СИ U =const
ЗИ

В лабораторной работе измерение входной проводимости, крутизны и ко-


эффициента усиления тока производится в автоматическом режиме, а измере-
ние выходной проводимости – в полуавтоматическом. Методика этих измере-
ний описана ниже.

2.1.2. Методика измерения статических характеристик и низкочастотных


параметров транзисторов

Измерение входной характеристики биполярного транзистора. Для


построения графика входной характеристики необходимо варьировать величи-
ну напряжения между базой и эмиттером, задаваемого источником VB. Для это-
го в верхней части окна DC Analysis Limits (рис. 2.3), в котором задаются па-
раметры моделирования, следует указать:
20

- в строке Variable 1: в поле Method (метод) – Linear


6
(линейный) , что означает линейное изменение напряжения в заданных
пределах; в поле Name (имя) – наименование варьируемого источника
напряжения; в поле Range (диапазон) – пределы изменения напряжения
источника VB7;
- в строке Variable 2: None, что означает неизменность напряжения второ-
го источника.
В нижней части окна указываются имена переменных, откладываемых по гори-
зонтальной (X Expression) и вертикальной (Y Expression) осям графика. Для
графика входной характеристики это соответственно напряжение между базой
и эмиттером Vbe(VT1) и ток базы Ib(VT1) транзистора VT1. Для автоматиче-
ского масштабирования графика по осям координат нужно включить опцию
Auto Scale Ranges.

Рис. 2.3. Задание на расчёт входной характеристики БТ


Измерение проходной характеристики и определение крутизны тран-
зистора. Для построения графика проходной характеристики также необходи-
мо варьировать величину напряжения на управляющем электроде транзистора.
Для биполярного транзистора это напряжение на базе, задаваемое источником
VB, а для полевого транзистора – напряжение на затворе, задаваемое источни-
ком VG. При этом для биполярного транзистора в графе X Expression указыва-
ется напряжение между базой и эмиттером Vbe(VT1), а в графе Y Expression –
ток коллектора Ic(VT1); для полевого транзистора нужно соответственно ука-
зать напряжение между затвором и истоком Vgs(J1) и ток стока Id(J1) (по пово-
ду обозначений см. сноску 4).

6
Внимание! По умолчанию задан автоматический (Auto) метод изменения варьируемого параметра. При этом
в некоторых случаях может значительно увеличиваться количество рассчитываемых точек графика, а следова-
тельно, возрастает время моделирования.
7
В соответствии с принятым в системе Micro-Cap правилом сначала указывается максимальное значение, по-
том – минимальное, а затем – величина шага изменения. Заданное таким образом максимальное значение тока
источника не обязательно должно совпадать со значением, указанным в атрибутах источника при составлении
схемы.
21
Определение крутизны транзистора может быть выполнено
как автоматически, так и полуавтоматически. При этом задаётся постоянное
напряжение между коллектором и эмиттером и крутизна вычисляется по при-
∆I К
ближённой формуле S ≈ .
∆U БЭ
Если требуется определить значение крутизны только при одном напряже-
нии смещения, то оно может быть найдено непосредственно по проходной ха-
рактеристике в полуавтоматическом режиме. Для этого после построения гра-

фика проходной характеристики нужно нажатием на кнопку Cursor Mode


или клавишу F8 активизировать режим измерений. При этом на графике поя-
вятся два маркера, которые можно перемещать при нажатой левой или правой
кнопке мыши. Затем маркеры нужно расположить симметрично относительно
рабочей точки как можно ближе к ней – один слева, а другой справа (рис. 2.4).
При этом в нижней части графика будут указаны следующие значения:
- координаты маркеров (под заголовком Left – для левого маркера и Right
– для правого);
- разности координат маркеров (под заголовком Delta), т.е. приращения
∆IК и ∆UБЭ;
- отношение разностей координат (под заголовком Slope – наклон), т.е.
величина ∆I К ∆U БЭ .
Таким образом, на графике проходной характеристики под заголовком Slope
будет указано приближённое значение крутизны транзистора.

Рис. 2.4. Измерение крутизны БТ


22

Если требуется определить крутизну в различных режимах по


постоянному току, то это можно сделать автоматически, построив график зави-
симости крутизны от напряжения смещения или от тока коллектора. Для этого
в окне задания параметров в качестве величины, откладываемой по вертикаль-
ной оси графика, (Y Expression) следует указать отношение приращения тока
коллектора к приращению напряжения между базой и эмиттером:
del(Ic(VT1))/del(Vbe(VT1)). В графе X Expression указывается либо напряжение
между базой и эмиттером Vbe(VT1), либо ток коллектора Ic(VT1).
Измерение проходной характеристики и крутизны полевого транзистора
производится аналогично (см. рис. 2.5). Типичные зависимости для ПТ с кана-
лом n-типа показаны на рис. 2.6.

Рис. 2.5. Задание на расчёт проходной характеристики и крутизны ПТ

Рис. 2.6. Проходная характеристика ПТ и зависимость крутизны


от управляющего напряжения
23

Измерение выходных характеристик и определение выходной проводи-


мости транзистора. Для построения семейства графиков выходных характе-
ристик биполярного транзистора необходимо задать параметры двух варьируе-
мых источников постоянного напряжения (рис. 2.7):
- в строке Variable 1 – источника VC, определяющего напряжение коллек-
тора;
- в строке Variable 2 – источника VB, определяющего смещение на базе.

Рис. 2.7. Задание на расчёт выходных характеристик БТ

В графе X Expression указывается напряжение Vсe(VT1) между коллектором и


эмиттером, а в графе Y Expression – ток коллектора Ic(VT1). При построении

Рис. 2.8. Семейство выходных характеристик БТ


24
графика переменная Variable 1 является абсциссой семейства кривых,
а переменная Variable 2 – параметром. Для перехода с одного графика на дру-
гой используйте клавиши «стрелка вверх» и «стрелка вниз». Типичное семейст-
во выходных характеристик биполярного транзистора показано на рис. 2.8. Из-
∆I К
мерение выходной проводимости транзистора g вых ≈ производится ана-
∆U КЭ
логично измерению крутизны в полуавтоматическом режиме.
Для полевого транзистора построение выходных характеристик и измере-
ние выходной проводимости проводятся по такой же методике. При этом в
строке Variable 1 указываются параметры источника VD, обеспечивающего на-
пряжение на стоке, а в строке Variable 2 – источника VG, создающего напря-
жение смещения на затворе (рис. 2.9).

Рис. 2.9. Задание на расчёт выходных характеристик ПТ

Семейство выходных характеристик полевого транзистора в области как


отрицательных, так и положительных напряжений на стоке показано на
рис. 2.10.
Измерение характеристики передачи тока базы биполярного транзи-
стора и определение коэффициента усиления тока. Для построения графика
характеристики передачи тока базы необходимо, изменяя напряжение смеще-
ния, варьировать величину тока базы. Поэтому, как и при измерении входной
характеристики, в строке Variable 1 записываются параметры источника на-
пряжения на базе VB, а в строке Variable 2 задаётся None. В графе
X Expression указывается ток базы Ib(VT1), а в графе Y Expression – ток кол-
лектора Ic(VT1). Коэффициент усиления тока вычисляется по приближённой
∆I
формуле β ≈ К в соответствии с такой же методикой, что и крутизна.
∆I Б
25
Для построения графика зависимости β ( IК ) в графе
X Expression следует указать ток коллектора Ic(VT1), а в графе Y Expression –
отношение приращений токов del(Ic(VT1))/del(Ib(VT1)).

Рис. 2.10. Семейство выходных характеристик ПТ

2.1.3. Методика анализа влияния температуры

По умолчанию моделирование производится при стандартной температуре


+27°. Для оценки влияния температуры на параметры транзистора необходимо
при задании параметров моделирования в группе полей, объединённых заго-
ловком Temperature, установить линейный (Linear) метод изменения темпера-
туры и задать параметры изменения: максимальное значение, минимальное
значение и величину шага (рис. 2.11). После выполнения моделирования в за-
головке графиков будет указан заданный интервал температур.

Рис. 2.11. Задание на расчёт проходной характеристики БТ в интервале


температур
26

2.2. Домашняя подготовка

1. Изучите методику измерения на модели статических характеристик


транзисторов и определения низкочастотных параметров.
2. Изобразите ожидаемый вид измеряемых статических характеристик
биполярного транзистора типа n-p-n, включённого по схеме с ОЭ, и
полевого транзистора с каналом n-типа, включённого по схеме ОИ:
- входной характеристики биполярного транзистора;
- проходной характеристики биполярного и полевого транзисторов;
- семейства выходных характеристик биполярного транзистора в об-
ласти положительных напряжений на коллекторе;
- семейства выходных характеристик полевого транзистора в области
как отрицательных, так и положительных напряжений на стоке.
3. Запишите приближённые выражения, определяющие измеряемые
низкочастотные параметры транзистора.
4. Подготовьтесь к ответу на контрольные вопросы.

2.3. Лабораторное задание

1. В соответствии с номером бригады по табл. 2.1 выберите тип транзистора


и параметры режима по постоянному току.

Таблица 2.1

№ Биполярный транзистор Полевой транзистор


Интервал
бри- I0К, IКmax, U0К, I0С, IСmax, U0С,
Тип Тип температур
гады мА мА В мА мА В
1 КТ3102А 1 15 8 2N3070 1 6 10 -50°…+80°
2 КТ3102B 2 20 6 2N3822 6 23 9 -40°…+80°
3 КТ3102V 3 10 6 BC264A 3 7 8 -50°…+70°
4 КТ3101А 4 15 5 J2P307B 5 18 6 -50°…+70°
5 КТ315А 5 15 5 J2P307G 5 24 7 -40°…+80°
6 КТ315B 1 30 7 J2P307V 4 20 5 -50°…+80°
7 КТ315V 2 10 6 2N3822 5 23 10 -50°…+70°
8 КТ315G 3 20 6 BC264A 4 7 7 -40°…+80°
9 КТ315D 2 10 5 2N3070 2 6 9 -50°…+80°
10 КТ342А 1 20 5,5 J2P307B 4 18 6 -50°…+70°

2. Составьте схему для измерения статических характеристик биполярного


транзистора. Напряжение источника в цепи коллектора установите рав-
27
ным U0К, а напряжение источника в цепи базы задайте в
соответствии с рис. 2.1 (0,65 В).
3. Проведите измерение входной характеристики и входной проводимости
биполярного транзистора.
а) Измерьте входную характеристику при стандартной температуре.
Максимальное напряжение смещения на базе подберите таким обра-
зом, чтобы ток коллектора не превышал заданного значения IКmax.
Контроль величины тока коллектора проводите по проходной харак-
теристике, которую постройте как второй график в том же окне.
б) По проходной характеристике определите напряжение смещения, со-
ответствующее заданному току коллектора в рабочей точке I0К. По
входной характеристике найдите входную проводимость транзистора
в рабочей точке. Выразите измеренное значение входной проводимо-
сти в миллисименсах (мСм).
в) Постройте зависимость входной проводимости от тока коллектора, ко-
торый не должен превышать IКmax. На полученном графике определите
входную проводимость в рабочей точке и сравните с измеренным ра-
нее значением.
г) Сделайте выводы.
4. Проведите измерение проходной характеристики и крутизны биполярно-
го транзистора.
а) Измерьте проходную характеристику при стандартной температуре.
Максимальное напряжение смещения установите так, чтобы ток кол-
лектора не превышал IКmax.
б) По проходной характеристике определите крутизну транзистора в ра-
бочей точке. Выразите измеренное значение крутизны в миллисимен-
сах (мСм).
в) Постройте зависимость S ( I К ) крутизны от тока коллектора, величина
которого не должна превышать IКmax. На полученном графике опреде-
лите крутизну в рабочей точке и сравните с измеренным ранее значе-
нием.
г) Для оценки влияния температуры на параметры транзистора проведите
расчёт проходной характеристики и зависимости S ( I К ) в заданном ин-
тервале температур. По графикам проходной характеристики опреде-
лите коэффициент теплового смещения напряжения базы

∆U БЭ
γ= [мВ/К ]
∆T
при заданном токе коллектора в рабочей точке. Вручную постройте
график зависимости крутизны в рабочей точке от температуры.
28
Указание. Для обеспечения необходимой точности измерений шаг
изменения напряжения база-эмиттер не должен превышать 1 мВ.
д) Сделайте выводы.
5. Проведите измерение характеристики передачи тока базы биполярного
транзистора и определите коэффициент усиления тока.
а) Измерьте зависимость IК(IБ) тока коллектора от тока базы при стан-
дартной температуре. Ток коллектора не должен превышать IКmax.
б) Постройте зависимость β ( I К ) коэффициента усиления тока базы от то-
ка коллектора. На полученном графике определите величину β в рабо-
чей точке.
в) Сделайте выводы.
6. Проведите измерение выходных характеристик биполярного транзистора.
а) Постройте семейство графиков выходных характеристик при несколь-
ких значениях напряжения смещения на базе. Пределы изменения на-
пряжения смещения задайте такими же, как при измерении проходной
характеристики в п. 4.
б) В режиме измерений поместите два маркера на пологом участке харак-
теристики и определите выходную проводимость транзистора при не-
скольких значениях напряжения на базе. Вручную постройте график
зависимости выходной проводимости транзистора от тока коллектора.
в) Сделайте выводы.
7. Составьте схему для измерения статических характеристик полевого
транзистора. Напряжение источника в цепи стока установите равным U0С,
а напряжение источника в цепи затвора задайте в соответствии с рис. 2.2.
8. Проведите измерение проходной характеристики и крутизны полевого
транзистора.
а) Измерьте проходную характеристику при стандартной температуре,
изменяя смещение на затворе от напряжения отсечки (около
−3… − 3,5 В ) до напряжения, соответствующего заданной максимально
допустимой величине тока стока IСmax.
б) По проходной характеристике определите напряжение смещения, со-
ответствующее заданному току стока в рабочей точке I0С. Определите
крутизну транзистора в рабочей точке. Выразите измеренное значение
крутизны в миллисименсах (мСм).
в) Постройте зависимость крутизны от напряжения на затворе, которое не
должно превышать значения, соответствующего IСmax. На полученном
графике определите крутизну в рабочей точке и сравните с измеренным
ранее значением.
29

г) Для оценки влияния температуры на параметры


транзистора проведите расчёт проходной характеристики в заданном
интервале температур.
д) Сделайте выводы.
9. Проведите измерение выходных характеристик полевого транзистора.
а) Постройте семейство графиков выходных характеристик полевого
транзистора при следующих значениях напряжений между электрода-
ми транзистора: UСИ = -1…+3 В, UЗИ = -3…-1 В.
б) Сделайте выводы.

2.4. Контрольные вопросы

1. Какая зависимость называется проходной характеристикой:


- биполярного транзистора?
- полевого транзистора?
2. Какой должна быть полярность напряжения смещения в рабочей точке:
- биполярного транзистора типа n-p-n?
- полевого транзистора с каналом n-типа?
3. Что называется крутизной:
- биполярного транзистора?
- полевого транзистора?
Как приближённо определить крутизну?
4. Параметры какого источника напряжения необходимо задать в качестве пер-
вой варьируемой переменной (Variable 1) для измерения крутизны?
5. Какие переменные нужно указать в полях X Expression и Y Expression для
построения графика зависимости входной проводимости от тока коллектора?
6. Как построить график зависимости крутизны полевого транзистора от на-
пряжения между затвором и истоком?
7. Как построить семейство выходных характеристик полевого транзистора?
8. Какой вид имеет выходная характеристика полевого транзистора вблизи ну-
ля?
9. Как смоделировать зависимость статических характеристик транзистора от
температуры?
10. Какая величина называется коэффициентом усиления тока базы биполярного
транзистора?