Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
Лабораторная работа № 2
Рис. 2.1. Схема включения биполярно- Рис. 2.2. Схема включения полевого
го транзистора транзистора
1
Обратите внимание, что для биполярного и полевого транзисторов указанных типов полярность источников
VB и VG, задающих напряжение смещения, различна: на базу биполярного транзистора типа n-p-n подаётся
положительное напряжение смещения, а на затвор полевого транзисторов с каналом n-типа – отрицательное.
Это связано с тем, что в рабочем режиме управляющий p-n переход биполярного транзистора должен нахо-
диться под прямым смещением, а управляющий p-n переход полевого транзистора – под обратным смещением.
18
транзисторов, модели которых имеются в библиотеке системы,
2
выбрать заданный . Размещение полевого транзистора производится
аналогично, только в последнем пункте, где указывается тип активного
элемента, выбирается NJFET3.
Для обеспечения рабочего режима биполярного транзистора к его коллек-
тору подключается источник постоянного напряжения (батарея) VC, а к базе –
источник постоянного напряжения VB. Для полевого транзистора аналогичные
функции выполняют источники VD и VG4. Модель источника напряжения (Bat-
tery) выбирается в подразделе Waveform Sources раздела Analog Primitives
меню Component.
Для биполярного транзистора в работе измеряются следующие статиче-
ские характеристики:
• входная характеристика – зависимость IБ(UБЭ) тока базы от напряжения
между базой и эмиттером;
• проходная характеристика – зависимость IК(UБЭ) тока коллектора от на-
пряжения между базой и эмиттером;
• характеристика передачи тока базы – зависимость IК(IБ) тока коллектора
от тока базы;
• семейство выходных характеристик транзистора – зависимостей IК(UКЭ)
тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при
нескольких значениях напряжения на базе.
Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется не током,
протекающим через управляющий электрод, а напряжением на нём5. Поэтому
для полевого транзистора измеряются следующие статические характеристики:
• проходная характеристика – зависимость IС(UЗИ) тока стока от напряже-
ния между затвором и истоком;
• семейство выходных характеристик транзистора – зависимостей IС(UСИ)
тока стока от напряжения между стоком и истоком при нескольких зна-
чениях напряжения на затворе.
По статическим характеристикам могут быть определены следующие
дифференциальные низкочастотные параметры:
2
В системе Micro-Cap обозначение германиевых транзисторов начинается с буквы G. Последняя русская буква
в обозначении типа транзистора заменяется соответствующей латинской буквой. Для того чтобы имя модели
транзистора было видно на схеме, нужно двойным щелчком по символу транзистора открыть окно его атрибу-
тов и включить флажок Display справа от строки Value, содержащей значение атрибута MODEL (т.е. имя мо-
дели транзистора). Имя транзистора на схеме (по умолчанию это Q1) задаётся в атрибуте PART.
3
От английского названия транзистора N-type Junction Field-Effect Transistor – полевой транзистор с управ-
ляющим p-n переходом и с каналом n–типа.
4
Используемые обозначения источников связаны с английским наименованием электродов полевого транзи-
стора: Source – исток, Drain – сток, Gate – затвор.
5
Значение тока затвора полевого транзистора обычно пренебрежимо мало, поскольку в рабочем режиме p-n
переход между затвором и каналом находится под обратным смещением.
19
для биполярного транзистора:
• входная проводимость при коротком замыкании по переменному току
dI Б
на выходе (параметр g11 ) g вх = g11 = ;
dU БЭ U =const
КЭ
6
Внимание! По умолчанию задан автоматический (Auto) метод изменения варьируемого параметра. При этом
в некоторых случаях может значительно увеличиваться количество рассчитываемых точек графика, а следова-
тельно, возрастает время моделирования.
7
В соответствии с принятым в системе Micro-Cap правилом сначала указывается максимальное значение, по-
том – минимальное, а затем – величина шага изменения. Заданное таким образом максимальное значение тока
источника не обязательно должно совпадать со значением, указанным в атрибутах источника при составлении
схемы.
21
Определение крутизны транзистора может быть выполнено
как автоматически, так и полуавтоматически. При этом задаётся постоянное
напряжение между коллектором и эмиттером и крутизна вычисляется по при-
∆I К
ближённой формуле S ≈ .
∆U БЭ
Если требуется определить значение крутизны только при одном напряже-
нии смещения, то оно может быть найдено непосредственно по проходной ха-
рактеристике в полуавтоматическом режиме. Для этого после построения гра-
Таблица 2.1
∆U БЭ
γ= [мВ/К ]
∆T
при заданном токе коллектора в рабочей точке. Вручную постройте
график зависимости крутизны в рабочей точке от температуры.
28
Указание. Для обеспечения необходимой точности измерений шаг
изменения напряжения база-эмиттер не должен превышать 1 мВ.
д) Сделайте выводы.
5. Проведите измерение характеристики передачи тока базы биполярного
транзистора и определите коэффициент усиления тока.
а) Измерьте зависимость IК(IБ) тока коллектора от тока базы при стан-
дартной температуре. Ток коллектора не должен превышать IКmax.
б) Постройте зависимость β ( I К ) коэффициента усиления тока базы от то-
ка коллектора. На полученном графике определите величину β в рабо-
чей точке.
в) Сделайте выводы.
6. Проведите измерение выходных характеристик биполярного транзистора.
а) Постройте семейство графиков выходных характеристик при несколь-
ких значениях напряжения смещения на базе. Пределы изменения на-
пряжения смещения задайте такими же, как при измерении проходной
характеристики в п. 4.
б) В режиме измерений поместите два маркера на пологом участке харак-
теристики и определите выходную проводимость транзистора при не-
скольких значениях напряжения на базе. Вручную постройте график
зависимости выходной проводимости транзистора от тока коллектора.
в) Сделайте выводы.
7. Составьте схему для измерения статических характеристик полевого
транзистора. Напряжение источника в цепи стока установите равным U0С,
а напряжение источника в цепи затвора задайте в соответствии с рис. 2.2.
8. Проведите измерение проходной характеристики и крутизны полевого
транзистора.
а) Измерьте проходную характеристику при стандартной температуре,
изменяя смещение на затворе от напряжения отсечки (около
−3… − 3,5 В ) до напряжения, соответствующего заданной максимально
допустимой величине тока стока IСmax.
б) По проходной характеристике определите напряжение смещения, со-
ответствующее заданному току стока в рабочей точке I0С. Определите
крутизну транзистора в рабочей точке. Выразите измеренное значение
крутизны в миллисименсах (мСм).
в) Постройте зависимость крутизны от напряжения на затворе, которое не
должно превышать значения, соответствующего IСmax. На полученном
графике определите крутизну в рабочей точке и сравните с измеренным
ранее значением.
29