ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ 

«САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА»
Институт информатики, математики и электроники
Факультет электроники и приборостроения
Кафедра конструирования и технологии электронных систем и устройств

ОТЧЕТ ПО ПРАКТИКЕ

Вид практики: производственная

(учебная, производственная)
Тип практики: Научно-исследовательская работа
(в соответствии с ОПОП ВО)

Срок прохождения практики: с 02.09.2019 г. по 09.01.2020 г.

(в соответствии с календарным учебным графиком)

По направлению подготовки:11.04.03
Наименование: Конструирование и технология электронных средств
Уровень подготовки: магистр
(бакалавр, специалист, магистр)
Профиль (при наличии) Радиоэлектронные средства специального назначения и
технология их производства

Студент (ка) гр. № 6275-110403D Д.Ю.Мелешенко

(И.О. Фамилия)

Руководитель практики от университета В.А. Зеленский

(И.О. Фамилия)
Руководитель практики от профильной
организации М.Н. Пиганов
(И.О. Фамилия)

Дата сдачи отчёта: 09.01.2020 Дата защиты 09.01.2020

Оценка _____________________

Самара 2019 г.
 СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.......................................................................................................11

1 МОДЕЛИ ОЦЕНКИ ПОГРЕШНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ КОМПЛЕКСОВ ПЛЕНОЧНЫХ ПАССИВНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМ ПРИ ДИСПЕРСИЯХ ИХ
ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК...................................................13

1.1 ТИПОВЫЕ МОДЕЛИ ОЦЕНКИ ДИСПЕРСИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ
ДИСПЕРСИИ РАЗМЕРОВ КОНТУРОВ ФРАГМЕНТОВ ЭЛЕМЕНТОВ. 13

1.2 ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПАРАМЕТРА У

КОМПЛЕКСА СОВМЕСТНО ФОРМИРУЕМЫХ ПЛЕНОЧНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ ПО ПЕРВОЙ МОДЕЛИ.........................................................16

1.3 ВЫБОР ОПТИМАЛЬНЫХ ФОРМ КОНТУРОВ У КОМПЛЕКСА

ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПРИ ПЕРВОЙ МОДЕЛИ ОЦЕНКИ
ДИСПЕРСИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПАРАМЕТРА.....................................19

ВЫВОДЫ ПО ИНДИВИДУАЛЬНОМУ ЗАДАНИЮ..................................23

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ.......................................24

 МИНИСТЕРСТВО
НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего

образования «Самарский национальный исследовательский университет имени академика
С.П. Королёва»
(Самарский университет)

Факультет электроники и приборостроения

Кафедра конструирования и технологии электронных систем и устройств

ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ НА ПРАКТИКУ

Студенту(ке) группы 6275-110403D Д.Ю. Мелешенко

Тема индивидуального задания: «Модели оценки погрешности электрических параметров
комплексов пленочных пассивных элементов микросхем при дисперсиях их
геометрических характеристик»

Направление на практику оформлено приказом по университету от 30.08.2019 г. № 112-ПР

Самарский унтверситет.ИКП

ПЕРЕЧЕНЬ РАЗВИВАЕМЫХ КОМПЕТЕНЦИЙ

Перечень компетенций
Способ

Оценочное
практики Планируемые Этапы

средство
формирован
Шифр образовательные формирования
Наименование ия
компетенци результаты компетенции
компетенции компетенции
и
ОК-1 способностью знать: иностранный Перевод патентов Научно- Собеседо
использовать язык; и научных статей исследовательск вание,
иностранный язык на английском ие и научно- устный
в уметь: читать и языке в познавательные доклад,
профессиональной переводить с соответствии с технологии письменн
сфере иностранного языка; заданием ый отчёт
руководителя
владеть: навыками практики;
общения и перевода Подготовка
устного доклада
по теме
выпускной
квалификационно
й работы (ВКР)
на английском
языке для
англоязычных
студентов,
обучающихся по
направлению
подготовки
11.03.03
конструирование
и технология
 электронных
средств (уровень
бакалавриата);
Организовать
научно-
знать: принципы исследовательску
способностью
организации ю работу в
использовать на
исследовательских коллективе
практике умения и Собеседо
работ; практикантов, Научно-
навыки в вание,
уметь: организовать обучающихся по исследовательск
организации устный
ОК-2 исследовательские направлению ие и научно-
исследовательских доклад,
работы; подготовки познавательные
и проектных письменн
владеть: навыками 11.03.03 технологии
работ, в ый отчёт
управления конструирование
управлении
коллективом и технология
коллективом
исследователей. электронных
средств (уровень
бакалавриата);
Наладить
знать: правила
активное
деловых
готовностью к общение в
коммуникаций;
активному коллективе
общению с практикантов, Собеседо
уметь: общаться с Научно-
коллегами в обучающихся по вание,
коллегами; исследовательск
научной, направлению устный
ОК-3 ие и научно-
производственной подготовки доклад,
владеть: навыками познавательные
и социально- 11.03.03 письменн
общения в научной, технологии
общественной конструирование ый отчёт
производственной и
сферах и технология
социально-
деятельности электронных
общественной сферах
средств (уровень
деятельности.
бакалавриата);
знать: условия
способностью профессиональной
Адаптироваться к
адаптироваться к деятельности;
изменяющимся Собеседо
изменяющимся Научно-
условиям вание,
условиям, уметь: исследовательск
производственног устный
ОК-4 переоценивать адаптироваться к ие и научно-
о предприятия – доклад,
накопленный изменяющимся познавательные
места письменн
опыт, условиям; технологии
прохождения ый отчёт
анализировать
практики
свои возможности владеть: навыками
адаптации.
знать: принципы Продемонстирова
работы в коллективе; ть свои
способностью Собеседо
творческие Научно-
демонстрировать вание,
уметь: порождать способности при исследовательск
навыки работы в устный
ОПК-3 новые идеи; разработке ие и научно-
коллективе, доклад,
конструкции познавательные
порождать новые письменн
владеть: навыками электронного технологии
идеи ый отчёт
продвижения новых средства на
идей в коллективе. основе ТЗ
ОПК-4 способностью знать: свою Сбор и анализ Научно- Собеседо
самостоятельно предметную область; материалов, исследовательск вание,
приобретать и уметь: проведение работ ие и научно- устный
использовать в самостоятельно и исследований познавательные доклад,
практической приобретать новые для подготовке к технологии письменн
деятельности знания; выпускной ый отчёт
новые знания и владеть: навыками квалификационно
умения в своей использования новых й работе
предметной знаний в
области практической
 деятельности.
знать: принципы
подготовки доклада и Написание,
готовностью
презентации; оформление и
оформлять,
сдача на проверку Собеседо
представлять, Научно-
уметь: подготовить руководителю вание,
докладывать и исследовательск
доклад и практики от устный
ОПК-5 аргументированно ие и научно-
презентацию; университета доклад,
защищать познавательные
письменного письменн
результаты технологии
владеть: навыками отчета о ый отчёт
выполненной
агрументированно прохождении
работы
защищать результаты практики.
работы
способностью Собеседо
самостоятельно знать: задачи Сбор и анализ вание,
осуществлять исследования; материалов, устный
постановку задачи проведение доклад,
Научно-
исследования, уметь: самостоятельно работ и письменн
исследовательск
формирование ставить и решать исследований ый отчёт
ПК-1 ие и научно-
плана его поставленные задачи; для подготовке к
познавательные
реализации, выбор выпускной
технологии
методов владеть: методами квалификационн
исследования и формирования плана ой работе
обработку исследований
результатов
Разработка
имитационной
модели
заданного ЭС и
способностью
проведение
выполнять
модельного
моделирование
эксперимента.
объектов и
знать: предметную Подготовка
процессов с целью
область моделирования; материалов для
анализа и
выпускной Научно-
оптимизации их
уметь: моделировать квалификационн исследовательск
параметров с
ПК-2 обьекты и процессы; ой работы (ВКР); ие и научно-
использованием
Изучение познавательные
имеющихся средств
владеть: программным стандартного технологии
исследований,
инструментарием для пакета
включая
моделирования автоматизирован
стандартные пакеты
ного
прикладных
проектирования
программ
применительно к
заданному в
техническом
задании (ТЗ)
устройству;
ПК-3 способностью знать: способы На основе Научно-
разрабатывать и программной алгоритма исследовательск
обеспечивать реализации алгоритмов; разработать ие и научно-
программную программное познавательные
реализацию уметь: разрабатывать обеспечение технологии
эффективных программное работы
алгоритмов обеспечение заданного в ТЗ
решения алгоритмов; электронного
сформулированных средства
задач с владеть: навыками
использованием решения
современных алгоритмических задач
языков
программирования
 Изучение
методики
проведения
знать: современные полнофакторног
способностью к методы исследования; о эксперимента;
организации и Изучение
Научно-
проведению уметь: проводить методики
исследовательск
экспериментальных экспериментальные проведения
ПК-4 ие и научно-
исследований с исследования; дробно-
познавательные
применением факторного
технологии
современных владеть: методами эксперимента;
средств и методов организации Обработка
эксперимента результатов,
полученных
экспериментальн
ым путём.
готовностью к Совершенствова
составлению знать: основы правил ние знаний в
обзоров и отчетов публикации результатов части средств
по результатам исследований; оформления
проводимых презентаций,
исследований, уметь: составлять используемых, в Научно-
подготовке научных отчётную том числе для исследовательск
ПК-5 публикаций и заявок документацию о защиты ВКР; ие и научно-
на изобретения, результатах познавательные
разработке исследования; Подготовить технологии
рекомендаций по материалы для
практическому владеть: навыками доклада на
использованию подготовки научных научно-
полученных публикаций технической
результатов конференции
знать: основные Изучение
способностью
патентные базы, национальных
анализировать
электронные ресурсы; стандартов,
состояние научно-
ГОСТ-ов, Научно-
технической
уметь: анализировать региональных и исследовательск
проблемы путем
ПК-6 состояние научно- корпоративных ие и научно-
подбора, изучения и
технической проблемы; стандартов, познавательные
анализа
действующих на технологии
литературных и
владеть: методами предприятии.
патентных
анализа научно-
источников
технических проблем
ПК-7 готовностью знать: цели и задачи Выполнить Научно-
определять цели, проектирования; предварительну исследовательск
осуществлять ю ие и научно-
постановку задач уметь: подготовить технологической познавательные
проектирования, техническок задание на подготовкой технологии
подготавливать проектирование; производства
технические заданного ЭС;
задания на владеть: навыками
выполнение подготовки Составление
проектных работ технического задания маршрутных и
операционных
карт
технологических
процессов
производства
выбранного ЭС.
Подготовка
материалов для
технологическог
о раздела ВКР.
 знать: основные
технические
способностью Изучение
характеристики
проектировать состава научно-
проектируемых Научно-
радиотехнические исследовательск
электронных средств; исследовательск
устройства, их и проектных
ПК-8 ие и научно-
приборы, системы и работ на
уметь: проектировать познавательные
комплексы с учетом профильном
электронные средства; технологии
заданных предприятии;
требований
владеть: навыками
проектирования
знать: основные
методические и
нормативные
требования на
способностью проектно-
Оформление
разрабатывать конструкторскую
пакета
проектно- документацию; Научно-
конструкторских
конструкторскую исследовательск
и
ПК-9 документацию в уметь: разрабатывать ие и научно-
технологических
соответствии с документацию в познавательные
документов на
методическими и соответствии с технологии
разработанное
нормативными требованиями;
ЭС;
требованиями
владеть: навыками
разработки проектно-
конструкторской
документации
способностью
разрабатывать Составление
знать: технологические
технические маршрутных и
процессы;
задания на операционных
проектирование карт Научно-
уметь: разрабатывать
технологических технологических исследовательск
технические задания;
ПК-10 процессов процессов ие и научно-
производства познавательные
владеть: навыками
выбранного ЭС. технологии
разработки технических
Подготовка
заданий на
материалов для
проектирование
технологическог
о раздела ВКР.
Выбор
знать: основные программного
способностью
технологические средства для
применять методы
процессы; автоматизирован
проектирования
ного расчёта ЭС,
технологических Научно-
уметь: применять заданного в ТЗ;
процессов с исследовательск
методы проектирования Выполнение
ПК-11 использованием ие и научно-
с использованием АСУ автоматизирован
автоматизированны познавательные
ТП; ного расчёта и
х систем технологии
проектирования
технологической
владеть: методами выбранного ЭС.
подготовки
автоматизированного Подготовка
производства
проектирования. расчётных
данных для ВКР
ПК-12 способностью знать: стандарты на Оформление Научно-
разрабатывать технологическую пакета исследовательск
технологическую документацию; конструкторских ие и научно-
документацию на и познавательные
проектируемые уметь: разрабатывать технологических технологии
устройства, технологическую документов на
приборы, системы и документацию; разработанное
 владеть:
инструментарием для ЭС;
комплексы
разработки
технологической
документации.
Осуществить
предварительную
технологической
знать: принципы
подготовкой
оценки
способностью производства
технологичности
обеспечивать заданного ЭС;
изделий;
технологичность
уметь: оценивать Собеседо
изделий и Составление Научно-
уровень вание,
процессов их маршрутных и исследовательск
технологичности устный
ПК-13 изготовления, операционных ие и научно-
изделия; доклад,
оценивать карт познавательные
владеть: методами письменн
экономическую технологических технологии
определения ый отчёт
эффективность процессов
экономической
технологических производства
эффективности
процессов выбранного ЭС.
технологического
Подготовка
процесса
материалов для
технологического
раздела ВКР.
готовностью знать: основы
осуществлять авторского права; В соавторстве с
авторское уметь: осуществлять руководителем
Собеседо
сопровождение авторское практики подать Научно-
вание,
разрабатываемых сопровождение заявку на исследовательск
устный
ПК-14 устройств, разрабатываемых полезную модель ие и научно-
доклад,
приборов, систем устройств; по теме познавательные
письменн
и комплексов на владеть: методами выпускной технологии
ый отчёт
этапах контроля за квалификационно
проектирования и соблюдением й работы
производства авторских прав.
ПК-18 способностью знать: рабочую Подготовиться и Научно- Собеседо
проводить программу читаемой провести исследовательск вание,
лабораторные и дисциплины; лабораторное ие и научно- устный
практические уметь: организовать занятие по познавательные доклад,
занятия с занятие со дисциплине из технологии письменн
обучающимися, студентами; плана ый отчёт
руководить владеть: навыками обучающихся по
курсовым руководства направлению
проектированием курсовым подготовки
и выполнением проектированием 11.03.03
выпускных конструирование
квалификационны и технология
х работ электронных
обучающихся по средств (уровень
направлению бакалавриата);
подготовки Подготовиться и
11.03.03 провести
конструирование и практическое
технология занятие по
электронных дисциплине из
средств (уровень плана
бакалавриата); обучающихся по
направлению
подготовки
11.03.03
конструирование
 и технология
электронных
средств (уровень
бакалавриата);
Разработать
материалы для
подготовки
методических
указаний по
лабораторным
работам для
обучающихся по
направлению
подготовки
11.03.03
знать: рабочие
конструирование
программы
способностью и технология
отдельных
разрабатывать электронных Собеседо
дисциплин; Научно-
учебно- средств (уровень вание,
уметь: разрабатывать исследовательск
методические бакалавриата); устный
ПК-19 учебно-методические ие и научно-
материалы для Подготовить доклад,
материалы; познавательные
обучающихся по материалы для письменн
владеть: навыками технологии
отдельным видам подготовки ый отчёт
подготовки учебно-
учебных занятий методических
методических
указаний по
материалов
лабораторным
работам для
обучающихся по
направлению
подготовки
11.03.03
конструирование
и технология
электронных
средств (уровень
бакалавриата);

Дата выдачи задания 02.09.2019 г.

Срок представления на кафедру отчета о практике 09.01.2020 г.

Руководитель практики
от университета, д.т.н., профессор __________________В.А. Зеленский
(подпись)
Руководитель практики
от профильной организации ____________________ М.Н.Пиганов
(подпись)
Задание принял к исполнению
студент группы 6275-110403D __________________ Д.Ю. Мелешенко
(подпись)
 РАБОЧИЙ ГРАФИК (ПЛАН) ПРОХОЖДЕНИЯ ПРАКТИКИ
Дата Содержание задания Результат выполнения задания
(период)

В ходе проведения инструктажа лекция

Инструктаж по охране труда
02.09.19- была усвоена, практикант ознакомился с
ознакомление с техникой
03.09.1 9 инструкцией по технике безопасности, о
безопасности при работе
чем свидетельствует запись в журнале по
ТБ
Знакомство со структурой,
Знакомство со структурой ,
особенностями и основной
особенностями и основной
04.09.19- деятельностью кафедры
деятельностью кафедры конструирования
06.09.19 конструирования и технологии
и технологии электронных систем и
электронных систем и
устройств
устройств
Знать: современные методы исследования;
Изучение нормативно-
Уметь: проводить экспериментальные
09.09.19- технической документации с
исследования;
13.09.1 9 использованием современных
Владеть: методами организации
информационных технологий.
эксперимента
Знать: принципы организации
Анализ погрешности
исследовательских работ;
электрических параметров
уметь: организовать исследовательские
16.09.19- комплексов пленочных
работы;
30.09.1 9 пассивных элементов
владеть: навыками управления
микросхем при дисперсиях их
коллективом исследователей.
геометрических характеристик
Разработка моделей оценки
погрешности электрических Знание предметной области
параметров комплексов моделирования, основные факторы,
01.10.19-
пленочных пассивных учитываемые в модельном эксперименте.
26.12.1 9
элементов микросхем при Владение методикой составления
дисперсиях их геометрических программы эксперимента.
характеристик
Знание: требования нормативно-
Оформление отчёта по технических документов к
30.12.19-
научно-исследовательской проектированию деталей, узлов и
31.12.1 9
работе модулей электронных средств

Руководитель практики
от университета, д.т.н., профессор __________________ В.А. Зеленский
(подпись)
Руководитель практики
профильной организации ___________________ Д.Ю. Мелешенко
(подпись)
 ВВЕДЕНИЕ

Базой создания современных электронных средств является

интегральная технология, позволяющая формировать одновременно сложные
комплексы фрагментов активных и пассивных элементов и межэлементной
коммуникации.
Возрастающие требования к компактности РЭС и повышение их
функциональных возможностей вызывают необходимость применения более
прецизионных технологий.
В РЭС, ограничение размеров которых не связано с выделяемой
мощностью, уменьшение размеров элементов и коммуникации определяется
технологическими возможностями оборудования. Также должны быть
обеспечены и другие характеристики фрагментов элементов -
электрофизические свойства и толщина пленок и пленочных структур.
Контуры фрагментов могут существенно отличаться друг от друга.
Поэтому, абсолютное отклонение размеров контура от номинальных
значений по-разному будет изменять контуры фрагментов и электрические
параметры элементов.
При изготовлении элементов с малыми размерами пришлось
столкнуться с неизбежностью наличия больших отклонений размеров,
причем с непредсказуемостью, так как законы рассеивания отклонений при
серийном производстве характеризуются произвольным распределением
плотности вероятностей даже в пределах гарантированного поля
рассеивания.
Более того, при отклонениях (более 15%) размеров контуров,
возникает асимметрия законов рассеивания электрических параметров.
Поэтому использовать линейную трансформацию закона рассеивания
геометрической характеристики в закон рассеивания электрического
параметра недопустимо. Использование разложения зависимости в ряд
Тейлора приходится заменять более сложной моделью оценки точности.
 Перечисленные сложности оценки точности электрических
параметров элементов характерны даже для первой модели интегральной
технологии, когда электрические параметры элементов определяются только
на одной общей операции формирования фрагментов элементов.
Сложнее применять вторую модель интегральной технологии, когда
электрический параметр элементов определяется фрагментами элементов,
формируемых на разных, как правило, взаимно независимых операциях,
каждая из которых может характеризоваться произвольным законом
распределения плотности вероятностей.
Некоторые электрические параметры требуют специальных моделей
оценки их рассеивания, так как определяются сложным сочетанием разных
законов рассеивания исходных, причем корреляционно связанных
характеристик.
Рассмотрим методику построения и применения этой модели, частные
решения задач поставленных современной интегральной технологией
электронного приборостроения, модели оценки дисперсии электрических
параметров комплексов пленочных пассивных элементов микросхем в
зависимости от дисперсий их геометрических характеристик по первой и
второй моделям интегральной технологии, а также проведем оптимизацию
форм и размеров контуров фрагментов элементов по минимуму дисперсии
электрических параметров при заданных исходных технологических данных.

12
 1 Модели оценки погрешности электрических параметров комплексов
пленочных пассивных элементов микросхем при дисперсиях их
геометрических характеристик

Одной из проблем, возникающих при создании комплексов

пленочных элементов с высокой степенью интеграции является дисперсия
геометрических характеристик, элементов оказывающаяся соизмеримой с
номинальными (расчетными) значениями этих характеристик.
Несмотря на непрерывное совершенствование технологии
изготовления комплексов пленочных элементов, т.е. с уменьшением аб-
солютных значений отклонений размеров зон от номинала, относительные
отклонения размеров существенно увеличиваются, что приводит к
повышению дисперсии электрических параметров элементов, определяемых
геометрическими и электрофизическими характеристиками разных зон
элементов.
Примем условия для построения моделей рассеивания электрических
параметров пленочных элементов:
 Электрофизические свойства пленок в пределах формируемых
контуров фрагментов элементов как по всей площади контура, так и по
сечению одинаковы.
 На всей границе формируемого контура в вертикальном сечении
отсутствуют размытости и локальные отклонения размеров контура.

1.1 Типовые модели оценки дисперсии электрических параметров

пленочных элементов в зависимости от дисперсии размеров контуров
фрагментов элементов
Особенностью интегральной технологии являются сильные
положительные корреляционные связи меж отклонениями геометрических
характеристик и электрофизических свойств. Эти корреляционные связи
обеспечивают синхронное отклонение геометрических характеристик по
всему контуру формируемой зоны в ту или иную сторону от номинала и в
13
одинаковой степени для всего комплекса формируемых элементов.
Естественно, что размеры между противоположными кромками
контура формируемой зоны будут синхронно отклоняться от номинала в ту
или другую сторону в удвоенной степени, что приведет к рассеиванию
электрического параметра, определяемого этими размерами.
На рис.1 приведен элементарный фрагмент пленочного элемента с
размерами l 0 и b 0, определяющие номинальное значение электрического
параметра данного элемента.

Рис. 1.
Если электрический параметр данного элемента определяется
отношением сторон прямоугольника (для сопротивления R=ρs l/b, где ρ s -
сопротивление квадрата резистивной пленки), а контур прямоугольника
формируется за одну общую операцию, то оба размера отклоняются от
номинала на одно и то же абсолютное значение. Если оба размера
одинаковы, то их отношение сохранится равным заданному номиналу даже
при значительных отклонениях обоих размеров в ту или иную сторону. Это,
весьма ценное, преимущество интегральной технологии обеспечивает
меньшую дисперсию электрического параметра при неизбежных
отклонениях режима формирования контуров элементов.
Однако квадратная форма элементов встречается редко. По
теплофизическим ограничениям площадь элементов может оказаться
различной. Следовательно, у разных элементов, контуры которых
формируются при общей технологической операции, как абсолютные

14
значения размеров, так и их отношения, оказываются различными.
Это приводит к тому, что электрический параметр у разных элементов
будет отклоняться от номинала, причем в разной степени, хотя и синхронно у
каждого комплекса элементов на общей плате. Так как абсолютное С.К.О. σ
при используемой технологии формирования контуров элементов известно,
то не представляет сложности количественно оценить дисперсию элек-
трического параметра у каждого элемента.
Однако, имея в виду, что у каждого комплекса элементов эти, разные
по величине, но одинаковые по направлению, отклонения электрического
параметра оказываются синхронно связанными. Однако не часто имеет место
формирование всего контура фрагментов пленочных элементов за одну
операцию.
В большинстве случаев размеры контура фрагмента элемента,
определяющего значение его электрического параметра, формируются на
разных операциях, отклонения технологических режимов оказываются,
независимыми друг от друга, как это показано на рис. 1.
Контактные зоны пленочных элементов, как правило, формируются из
другого материала (более электропроводного) и на другой операции,
отклонения режима которой независимы от отклонений режима
формирования контура фрагмента.
Если условно исключить влияние отклонений электрофизических
свойств на отклонение электрического параметра фрагмента элемента, то
модель оценки погрешности электрического параметров (ЭП) в зависимости
от погрешностей размеров контура фрагмента может быть представлена в
двух вариантах.
1. ЭП и его дисперсия определяется размерами контура фрагмента
элемента и их дисперсиями, возникающими на общих технологических
операциях формирования размеров,
2. ЭП и его дисперсия определяются размерами и их дисперсиями,
которые оформляются на разных, как правило взаимно независимых,
15
операциях.
Первый вариант моделей оценки погрешности ЭП применяется при
проектировании фрагментов таких элементов, как пленочные проводники,
фрагменты пленочных элементов СВЧ, пленочных катушек индуктивности,
пленочных элементов на ПАВ и других “однослойных” элементов.
Второй вариант моделей оценки погрешности ЭП необходимо
использовать, когда, хотя бы часть размеров, определяющих ЭП элемента
оформляются на разных взаимно независимых операциях. Типовыми
элементами при таких моделях являются пленочные резисторы и
большинство контактных зон, как в однослойных комплексах пленочных
элементов, так и при контактировании элементов в разных слоях
формирования пленочных элементов.

1.2 Оценка погрешности электрического параметра у комплекса

совместно формируемых пленочных элементов по первой модели
При расчете погрешности ЭП в зависимости от погрешностей
размеров контуров фрагмента, необходимо установить функциональную
связь между значением ЭП и определяющими его характеристиками
фрагмента элемента.
Рассмотрим расчет погрешности ЭП при первой модели, т. е. когда
ЭП определяется только теми геометрическими характеристиками, которые
формируются на одной общей операции. В качестве примера используем
обкладки пленочных конденсаторов с разной емкостью, т.е. с разной
площадью S. Вторая обкладка общая для всех конденсаторов с большой
площадью, которая перекрывает верхние обкладки всех конденсаторов и
отклонения размеров этой общей обкладки не отражаются на изменении
площадей перекрытия всех конденсаторов.
При таком конструктивном решении емкость каждого конденсатора
определяется выражением:
C=c уд S+c пог P , (1)

16
где, c уд - удельная емкость по площади перекрытия обкладок S в пФ/см2’ c пог -
погонная емкость за счет краевого эффекта в пФ/см, P - длина периметра
контура верхней обкладки в см.
Очевидно, что обе геометрические характеристики S и P будут
отклоняться от номинала синхронно у всех конденсаторов, как показано на
рис.2.
Для определенной технологии и материалов обкладок и диэлектрика
известны номинальные значения удельной и погонной емкостей. Поэтому с
помощью выражения (1) можно оценить “вклад” каждой из составляющих
емкости в общую емкость у каждого конденсатора.
При формировании обкладок конденсаторов малой емкости, площадь
перекрытия обкладок уменьшается значительно сильнее. В этих случаях
составляющая емкости за счет краевого эффекта может оказаться
соизмеримой и даже превысить составляющую емкости за счет перекрытия
обкладок. Это имеет место у гребенчатых пленочных однослойных
конденсаторов, когда перекрытие обкладок вообще отсутствует.

Рис. 2.

Поэтому, для частных конструктивных решений и с учетом размеров

и формы обкладок при расчете заданной емкости можно использовать одну
из составляющих выражения (1).
17
 Однако и в общем случае при одной общей технологической операции
формирования обкладок изменения площади и периметра контуров
изменяются синхронно, хотя и в разной степени по отношению друг к другу
и у разных конденсаторов.
По рис. 2 несложно установить, что изменение емкости от краевого
эффекта окажется весьма незначительным по сравнению с изменением
емкости за счет перекрытия обкладок.
По первой модели оценки ЭП (емкости конденсатора) оба размера
контура обкладки по абсолютному значению изменяются синхронно и
одинаково у всего комплекса обкладок. Что же касается относительных
отклонений площадей обкладок и ЭП (емкостей), то они окажутся
существенно разными, хотя и синхронно связанными.
Очевидно, чем больше отношение периметра контура обкладки к ее
номинальной площади, тем больше окажутся нормированные отклонения
емкостей у разных конденсаторов.
Естественно, что нормированные законы рассеивания ЭП с
диапазоном 6 σ l (где σ l - нормированное С.К.О. ЭП каждого конденсатора)
окажутся разными у разных конденсаторов. Наибольший диапазон
рассеивания ЭП будет у контура с наибольшим значением отношения
периметра контура к его площади.
При использовании метода моментов, если на ЭП всех конденсаторов
установлено одинаковое поле допуска δ (рис.2, б), то поле рассеивания у
конденсатора с большей емкостью может оказаться полностью в пределах
этого поля допуска; у конденсатора меньшей емкости - частично выйдет за
пределы этого поля допуска, а у конденсатора малой емкости окажется
значительный процент брака, т. е. за пределами такого же поля допуска.
На конкретной подложке при конкретном отклонении всех размеров
всех контуров обкладок на определенную величину и в определенном
направлении, отклонение ЭП будет также в этом направлении, но
нормированные изменения ЭП окажутся разными (как это показано
18
наклонной линией на рис. 2, б).
Вероятность выхода годных подложек по заданным полям допусков
на ЭП у всей изготовленной партии определится вероятностью выхода
годных конденсаторов с наименьшей емкостью, при попадании в поле
допуска ЭП у конденсатора с малой емкостью всегда будет сопровождаться
попаданием в поле допуска ЭП остальных конденсаторов.
На основании картины рассеивания ЭП у конденсаторов с разной
емкостью и разным отношением периметра к площади можно теоретически
решить ряд практических задач по повышению вероятности выхода всего
комплекса пленочных элементов по заданному ЭП и установленным
ограничениям на его отклонения.
При первой модели оценки погрешности ЭП у фрагмента пленочного
элемента, оптимальной формой контура, соответствующей минимальной
дисперсии ЭП, является круг. Именно при круглой форме контура фрагмента
будет наименьшее отношение периметра контура к его площади.

1.3 Выбор оптимальных форм контуров у комплекса пленочных

элементов при первой модели оценки дисперсий электрического параметра
Положительное свойство интегральной технологии, заключающееся в
одновременном отклонении всех размеров, формируемых на общей
операции, рекомендуется использовать при проектировании устройств, где
требуется обеспечить сохранение заданных отношений ЭП у двух и более
элементов схемы.
Это элементы делителей напряжения, мостовых схем, симметричных
схем, матричных схем. В таких схемах допускают даже существенные
отклонения ЭП от номинала, но должно быть обеспечено соответствующее
отклонение ЭП другого или других элементов в том направлении и,
относительно своего номинала, на такую же величину.
Для схемы из дискретно изготовленных компонентов это условие
обеспечить весьма сложно и дорого. Необходим длительный процесс

19
подбора пар компонентов, часто даже по двум характеристикам ЭП.
При изготовлении пленочных элементов на общих технологических
операциях используются пленки, электрофизические свойства которых
отклоняются от номинала одинаково у всех элементов, т. е. ЭП у всех
элементов отклоняется одинаково, и неизбежная дисперсия свойств пленок
на отношение ЭП у разных элементов практически не отражается.
Что касается отклонения ЭП у разных элементов, то при
использовании первой модели оценки дисперсии ЭП, нормированное
значение С.К.О. геометрических характеристик, оказывается разным, хотя и
синхронно связанным (как на рис. 2, б).
Тем не менее, синхронность отклонения размеров при интегральной
технологии дает возможность обеспечить сохранение заданных отношений
ЭП у разных элементов, даже при использовании “грубой” технологии, т. е.
когда абсолютные отклонения оказываются соизмеримыми с номиналами
геометрических характеристик. Изначально, для предельного уменьшения
дисперсии ЭП у каждого элемента, исходную форму контуров всех элементов
целесообразно выбрать в виде квадратов. Следовательно, в соответствие со
своими минимальными отношениями периметров к площадям, у каждого
элемента окажется своя минимальная дисперсия ЭП. Естественно, что они
окажутся разными; причем, чем меньше площадь элемента, т. е. чем меньше
заданное значение его ЭП, тем больше будет его дисперсия.
Для того чтобы обеспечить равенство нормированные С.К.О. у всех
элементов необходимо у всех элементов, кроме меньшего по площади,
увеличить отношение периметра контура к его площади.
В случае применения элементов с одинаковыми по номиналу ЭП
контуры элементов должны быть совершенно одинаковы. Однако, если
заданные ЭП у таких элементов отличаются друг от друга, то площади
элементов должны быть разными. Это, как показано на рис.2, б приводит к
разнице величины С.К.О. у разных элементов.
Изменить значение С.К.О. ЭП у любого пленочного элемента можно
20
изменением его периметра. Изначально для того, чтобы иметь наименьшее
нормированное С.К.О. ЭП все элементы целесообразно проектировать
квадратной формы. При этом у них окажется наименьшее С.К.О. ЭП, разное
у элементов с разной площадью.
Так как у контуров квадратной формы изменить С.К.О. ЭП можно
только в большую сторону, то приходится приравнять отношения
периметров к площадям у всех элементов к отношению у элемента с
наибольшим С.К.О., т. е. к элементу с наименьшей площадью квадратной
формы.
На рис.3 приведены примеры преобразования формы контуров
элементов с разными заданными ЭП с целью выравнивания нормированных
С.К.О. ЭП.

Рис.3.

На рис.3 представлены три элемента, электрические параметры

которых определяются их площадью, причем второй элемент по ЭП больше
первого в два раза, а третий в четыре раза.
Естественно, что первый элемент должен быть выполнен квадратной
формы и будет иметь нормальный закон рассеивания наибольший (верх
рис.З). Для “растягивания” закона рассеивания ЭП второго элемента и
совмещения его с законом рассеивания первого квадратный исходный контур
21
второго элемента формируется в виде прямоугольника. Для обеспечения
такого же совмещения закона рассеивания ЭП третьего элемента контур
можно сделать в виде “гребенки”, как показано на рис.З. Узкие
заштрихованные интервалы по обеим сторонам законов рассеивания
характеризуют случайные отклонения ЭП, неизбежно, имеющие место при
синхронных отклонениях ЭП элементов в ту или иную сторону от номинала.
Необходимое изменение формы контуров элементов можно
совместить с компоновкой элементов на общей подложке для уменьшения
межэлементной коммуникации. Использование элементов, так называемого,
двойного назначения (схемотехнические и коммуникационные) возможно
при варьировании формой и площадью контуров элементов.
При проектировании комплекса пленочных элементов, когда
разработчик, изменяя их топологию, может оптимизировать два (и более)
показателей качества всего комплекса совместно формируемых элементов,
скрыты большие возможности повышения качества изделий.

22
ВЫВОДЫ ПО ИНДИВИДУАЛЬНОМУ ЗАДАНИЮ

В данной работе рассмотрена методика построения и применения

моделей, частные решения задач поставленных современной интегральной
технологией электронного приборостроения, модели оценки дисперсии
электрических параметров комплексов пленочных пассивных элементов
микросхем в зависимости от дисперсий их геометрических характеристик по
первой и второй моделям интегральной технологии, а также проведели
оптимизацию форм и размеров контуров фрагментов элементов по
минимуму дисперсии электрических параметров при заданных исходных
технологических данных.
Были показаны методы минимизации с.к.о. электрических параметров
при типовых моделях их оценки и возможности обеспечения высокой
относительной точности ЭП у комплексов однотипных элементов при
неизбежных отклонениях технологических режимов операций формирования
контуров элементов.

23
 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Пиганов, М.Н. Методика экспертной оценки качества испытаний

микросборок./ М.Н. Пиганов, А.Н. Худяков – Труды международного
симпозиума Надежность и качество. 2001. С. 332.

2. Пиганов, М.Н. Индивидуальное прогнозирование стабильности

элементов микросборок./ М.Н. Пиганов, О.В. Карпов – Труды
международного симпозиума Надежность и качество. 2001. С. 334.

3. Тюлевин, С.В. Прогнозирование надежности радиоэлектронных

средств./ С.В. Тюлевин, М.Н. Пиганов – Научно-технические ведомости
Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Информатика. Телекоммуникации. Управление. 2009. Т. 1. № 72. С. 175-181.

4. Пиганов, М.Н. Построение прогнозных моделей качества электронных

средств КА./ М.Н. Пиганов, Р.О. Мишанов, С.В. Тюлевин, Е.С. Еранцева –
Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2017) сборник
трудов III международной конференции и молодежной школы. Самарский
национальный исследовательский университет. 2017. С. 1283-1288.

5. Пиганов, М.Н. Методика определения набора информативных

параметров для проведения индивидуального прогнозирования показателей
качества и надежности радиоэлектронных средств./ М.Н. Пиганов, Р.О.
Мишанов – Надежность и качество сложных систем. 2017. № 1 (17). С. 93-
104.

6. Ермолаев, Ю.П. Оценка изменения омического сопротивления

пленочных проводников при групповой технологии их изготовления./ Ю.П.
Ермолаев, И.К. Саттаров, Ю.Р. Гуфаров – Электронное приборостроение.
Науч. практ. сб. Выпуск 4(16). Казань. Изд. КГТУ (КАИ). 2000 г. С.75-87.

24
 ОТЗЫВ
О ПРОХОЖДЕНИИ ПРАКТИКИ

Вид практики: производственная

Тип практики: научно-исследовательская работа

Сроки прохождения практики: с 02.09.2019 г. по 09.01.2020 г.

по направлению подготовки 11.04.03 Конструирование и технология электронных средств

(уровень магистра)

Студента(ки) группы № 6275-110403D Д.Ю. Мелешенко

№ Критерии оценки Оценка

п/п (по 5- балльной
шкале)
1. Общая систематичность и ответственность работы в ходе
практики
2. Достижение планируемых результатов практики

3. Корректность в сборе, анализе и интерпретации

представляемых данных
4. Степень личного участия и самостоятельности практиканта
в представляемом отчета о практике
5. Качество оформления отчетной документации

ИТОГОВАЯ ОЦЕНКА(выставляется как среднее

арифметическое оценок по пяти критериям оценки)

Руководитель практики
от профильной организации
__________________ ______________
(подпись)

25