Вы находитесь на странице: 1из 43

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение


высшего образования
«УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

ФИЗИКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Практикум к лабораторным работам по дисциплине


«Физика полупроводниковых приборов»

Составитель В. И. Смирнов

Ульяновск
УлГТУ
2019

1
УДК 621.382 (076)
ББК 32.965я7
Ф50

Рецензент
зам. директора по научной работе УФ ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН,
канд.техн.наук А. А. Черторийский

Рекомендовано научно-методической комиссией


радиотехнического факультета в качестве практикума

Ф50 Физика полупроводниковых приборов: практикум к


лабораторным работам по дисциплине «Физика полупроводниковых
приборов» / сост. В. И. Смирнов. – Ульяновск : УлГТУ, 2019. – 42 с.

Сборник лабораторных работ выполнен в соответствии с


программой дисциплины «Физика полупроводниковых приборов».
Представлены лабораторные работы, целью которых является
изучение работы основных полупроводниковых приборов, а именно,
диодов, биполярных и полевых транзисторов. Изучение работы
производится в среде схемотехнического моделирования Proteus.
К каждой лабораторной работе приведены контрольные вопросы для
самопроверки.
Сборник предназначен для студентов, обучающихся по
направлениям подготовки 11.04.03 – «Конструирование и технология
электронных средств» и 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника».
Работа подготовлена на кафедре «Проектирование и технология
электронных средств».

УДК 621.382 (076)


ББК 32.965я7

© Смирнов В.И., составление, 2019


© Оформление. УлГТУ, 2019

2
СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ .............................................................................................. 4

Лабораторная работа № 1
Изучение вольт-амперной характеристики p-n-перехода .................... 5

Лабораторная работа № 2
Изучение выпрямляющих свойств,
переходных процессов и механизмов пробоя в диодах ....................... 9

Лабораторная работа № 3
Изучение работы биполярных транзисторов ...................................... 14

Лабораторная работа № 4
Изучение работы полевых транзисторов ............................................. 20

Приложение.
Система схемотехнического моделирования Proteus ......................... 26

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК .................................................. 42

3
ВВЕДЕНИЕ

Сборник лабораторных работ по дисциплине «Физика


полупроводниковых приборов» для студентов, обучающихся по
направлениям подготовки 11.04.03 – «Конструирование и технология
электронных средств» и 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника»,
включает в себя описания четырех работ, цель которых – изучение
принципов действия полупроводниковых приборов (диодов,
биполярных и полевых транзисторов) и их основных технических
характеристик.
В отличие от традиционных лабораторных работ по данной
дисциплине, выполняемых на специализированных измерительных
стендах, в данном практикуме все лабораторные работы выполняются
в среде схемотехнического моделирования Proteus. На первом этапе
производится проектирование принципиальной схемы для измерения
технических характеристик объекта (диода или транзистора). Затем к
нужным компонентам схемы подключаются виртуальные
измерительные приборы (вольтметры, амперметры, осциллографы,
генераторы сигналов, спектроанализаторы и др.). После этого
производится схемотехнический анализ схемы с выводом сигналов в
нужных точках схемы на виртуальные измерительные приборы.
Описание системы Proteus и основных приемов работы с ней
дано в Приложении. Перед выполнением лабораторных работ
студентам рекомендуется детально изучить работу с системой Proteus.

4
Лабораторная работа № 1.
Изучение вольт-амперной характеристики p-n-перехода

Цель работы
1. Изучение электрических процессов в p-n-переходе.
2. Изучение вольт-амперной характеристики p-n-перехода.

Подготовка к работе
1. Изучить теорию электронно-дырочного перехода, включая
вопросы:
- формирование p-n-переходов в полупроводниках;
- процессы в p-n-переходе при отсутствии внешнего напряжения
и при его наличии;
- вольт-амперные характеристики (ВАХ) идеального и
реального p-n-перехода.
2. Подготовить развернутые ответы на контрольные вопросы.
3. Изучить работу системы схемотехнического моделирования
Proteus.
4. Подготовить таблицы для записи результатов измерения ВАХ
диодов.

Задание 1.1. Измерение ВАХ диодов


1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис.1.1, включающую в себя источник питания на +1V,
переменный резистор, миллиамперметр и милливольтметр
постоянного тока, диод и общую шину («Землю»). Источник питания
и общую шину установить кнопкой «Терминал» на левой панели

5
инструментов. Установку величины напряжения +1V произвести в
окне редактирования свойств после двойного щелчка левой кнопки
мыши на компоненте. Переменный резистор POT-HG выбрать в
библиотеке электронных компонентов (Resistors\Variable\ POT-HG)
или найти там же по имени в поле Keywords. Тип диода (путь в
библиотеке: Diode\Rectifiers\...) задается преподавателем.
3. Произвести моделирование, варьируя с помощью переменного
резистора ток ID через диод и измеряя напряжение UD на диоде. Записать
результаты измерения тока ID и напряжения UD в подготовленные
таблицы (формат таблицы приведен ниже). Диапазон напряжений UD
должен перекрывать области от полуоткрытого p-n-перехода (около
400 мВ) до полностью открытого p-n-перехода (около 800 мВ). Это
можно реализовать, изменяя напряжение источника питания, уменьшая
его при низких значениях UD и увеличивая при высоких значениях UD.
4. Используя программные пакеты Mathcad или Excel построить
графики ВАХ диодов и вставить их в отчет. Проверить
экспоненциальный характер зависимости ID от UD. Для этого построить
график зависимости ID = f(UD) в полулогарифмическом масштабе и
проверить его на линейность.
5. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист
(в произвольной форме), краткое изложение теории, результаты
моделирования и выводы по работе. Выводы должны быть
конкретными и базироваться на результатах моделирования.

6
Рис. 1.1. Принципиальная схема к заданию
1.1 «Измерение ВАХ диодов»

Таблица к заданию 1.1 «Измерение ВАХ диодов»


n/n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ID, мА
UD, мВ

Задание 1.2. Изучение ВАХ диодов с помощью осциллографа


1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис.1.2, включающую в себя генератор сигналов
специальной формы, осциллограф, диод, резистор на 100 Ом и общую
шину («Землю»). Генератор и осциллограф находятся в виртуальных
инструментах на левой панели инструментов.

7
Рис. 1.2. Принципиальная схема к заданию
1.2 «Изучение ВАХ диодов с помощью осциллографа»

3. Произвести моделирование, установив в генераторе сигналов


пилообразное напряжение и варьируя амплитуду и частоту сигнала.
Для удобства наблюдения осциллограмм неиспользуемые каналы A и
B отключить. Для фиксации осциллограмм на экране установить в
окне Trigger синхронизацию по каналу C или D. Сделать для отчета
скриншоты лицевой панели генератора сигналов и осциллографа.
4. В режиме моделирования установить источник (Source)
сигнала в горизонтальной развертке (Horizontal) в положение D и
исследовать ВАХ диода. Используя кнопку «Cursors», определить
напряжение, при котором диод открывается. Сделать для отчета
скриншот лицевой панели осциллографа.
5. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист
(в произвольной форме), краткое изложение теории, результаты
моделирования и выводы по работе.

8
Типы диодов для моделирования к заданиям 1.1 и 1.2

n/n 1 2 3 4 5 6 7 8
Тип 1N4001 1N4003 1N5400 1N5404 6A05 10A01 S1B S1DB
диода

Контрольные вопросы
1. Какие существуют способы формирования p-n-перехода в
полупроводниках?
2. Объяснить возникновение контактного электрического поля в
области p-n-перехода.
3. Что такое контактная разность потенциалов и от чего зависит ее
величина?
4. Объяснить выпрямляющие свойства идеального p-n-перехода.
Записать формулу для ВАХ идеального p-n-перехода (формулу
Шокли) и дать необходимые пояснения. Изобразить график ВАХ
идеального p-n-перехода.
5. Объяснить возникновение генерационной и рекомбинационной
составляющих тока через p-n-переход. Как они влияют на вид ВАХ
идеального p-n-перехода? Как зависят эти составляющие тока от типа
полупроводника и температуры?

Лабораторная работа № 2.
Изучение выпрямляющих свойств, переходных процессов
и механизмов пробоя в диодах

Цель работы
1. Изучение выпрямляющих свойств диодов.
2. Изучение переходных процессов в диодах.
3. Изучение механизмов пробоя диодов.

9
Подготовка к работе
1. Изучить теорию электронно-дырочного перехода, включая
вопросы:
- выпрямляющие свойства диодов;
- барьерная и диффузионная емкости диодов и их влияние на
переходные процессы;
- механизмы пробоя p-n-перехода при обратном смещении на
диоде.
2. Подготовить развернутые ответы на контрольные вопросы.
3. Подготовить таблицы для записи результатов измерения
ВАХ.

Задание 2.1. Изучение переходных процессов в диодах


1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus согласно
рис. 2.1, включающую в себя генератор сигналов, осциллограф, два
диода, один из которых выпрямляющий (rectifiers), другой –
импульсный (switching), резисторы и общую шину («Землю»).
Установку параметров сигнала (амплитуда, постоянное смещение,
частота и др.) произвести в окне редактирования свойств после
двойного щелчка левой кнопки мыши на компоненте. Установка
параметров производится при остановленном процессе
моделирования.

10
Рис. 2.1. Принципиальная схема к заданию «Изучение переходных процессов в
диодах»

3. Произвести моделирование, установив импульсный тип


сигнала и его параметры в окне редактирования свойств генератора
сигналов. Сравнить форму сигналов, снимаемых с выпрямительного и
импульсного диодов для различных периодов следования импульсов.
Сделать для отчета скриншоты лицевой панели осциллографа и окна
редактирования свойств генератора сигналов.
4. Произвести моделирование, установив синусоидальный тип
сигнала. Сравнить форму сигналов, снимаемых с выпрямительного и
импульсного диодов, варьируя при этом частоту сигнала (например, 5
и 50 кГц) Сделать для отчета скриншоты лицевой панели
осциллографа и окна редактирования свойств генератора сигналов.
5. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист (в
произвольной форме), краткое изложение теории, результаты
моделирования и выводы по работе.

11
Задание 2.2. Изучение работы стабилитрона
1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис.2.2, включающую в себя источник питания на +15V,
переменный резистор, два вольтметра постоянного тока, резистор,
стабилитрон, пробник тока и общую шину («Землю»). Переменный
резистор POT-HG выбрать в библиотеке электронных компонентов
(Resistors\Variable\ POT-HG) или найти там же по имени в поле
Keywords. Пробник тока, протекающего через стабилитрон,
устанавливается выбором его на левой панели инструментов и
щелчком мыши в нужной точке проводника на принципиальной
схеме. Вместо пробника тока можно установить в разрыв цепи
миллиамперметр. Тип стабилитрона (путь в библиотеке:
Diode\Zener\...) задается преподавателем.

Рис. 2.2. Принципиальная схема к заданию «Изучение работы стабилитрона»

12
3. Произвести моделирование, варьируя с помощью
переменного резистора входное напряжение UВХ на стабилитроне и
токозадающем резисторе. Измерить напряжение на стабилитроне UСТ
и ток ID через него при различных значениях UВХ. Занести результаты
измерения тока ID, напряжений UСТ и UВХ в таблицы. Построить
график ВАХ стабилитрона и вставить их в отчет. Сравнить результаты
измерений UВХ с напряжением UСТ на стабилитроне и сделать выводы.
Примечание. Типы стабилитронов, которые используются для
моделирования, могут существенно отличаться между собой
напряжением стабилизации. Это требует для различных стабилитронов
различных значений напряжения источника питания, что необходимо
учитывать при проектировании схемы.
4. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист
(в произвольной форме), краткое изложение теории, результаты
моделирования и выводы по работе.

Таблица к заданию «Изучение работы стабилитрона»


n/n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ID, мА
UСТ, В
UВХ, В

Типы диодов для моделирования к заданиям 2.1 и 2.2


Типы диодов 1 2 3 4 5 6 7
Выпрямительные 1N4001 1N4003 1N5400 1N5404 6A05 10A01 S1B
Импульсные 1N4148 1N914 1N916 AA119 BAL99 BAR28 BAS20
Стабилитроны 1N4379 1N4728 1N4730 1N4734 1N4736 1N4737 1N4738

Контрольные вопросы
1. Объяснить выпрямляющие свойства диода.
2. Что такое барьерная емкость и как она зависит от внешнего напряжения
на диоде?

13
3. Что такое диффузионная емкость?
4. Объяснить переходный процесс в диоде, происходящий при
изменении прямого напряжения на обратное.
5. Какие существуют механизмы пробоя и в чем их суть? Объяснить
температурную зависимость напряжения пробоя для различных
механизмов пробоя (лавинного и туннельного).
6. Объяснить работу стабилитрона.

Лабораторная работа № 3.
Изучение работы биполярных транзисторов

Цель работы
1. Изучение структуры биполярного транзистора и основных
режимов работы.
2. Изучение статических характеристик биполярного
транзистора.
3. Изучение усилительных свойств биполярного транзистора.

Подготовка к работе
1. Изучить теорию биполярного транзистора, включая вопросы:
- структура биполярного транзистора и основные режимы
работы;
- схемы включения биполярного транзистора;
- статические характеристики биполярного транзистора.
- усиление сигнала при включении биполярного транзистора в
схемах с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовить развернутые ответы на контрольные вопросы.
3. Подготовить таблицы для записи результатов измерения
статических характеристик биполярного транзистора.

14
Задание 3.1. Измерение ВАХ транзисторов с общей базой (ОБ)
1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис.3.1, включающую в себя источники питания на -20V и
+2V, два переменных резистора, два вольтметра постоянного тока,
резистор, два пробника тока, биполярный транзистор p-n-p типа и
общую шину («Землю»). Переменные резисторы POT-HG выбрать в
библиотеке электронных компонентов (Resistors\Variable\ POT-HG).
Пробник тока устанавливается выбором его на левой панели
инструментов и щелчком мыши в нужной точке проводника на
принципиальной схеме. Вместо пробника тока можно установить в
разрыв цепи миллиамперметр. Биполярный транзистор p-n-p типа
(путь в библиотеке: Transistors\Bipolar\...) задается преподавателем.
3. Произвести моделирование, устанавливая с помощью
переменного резистора RV1 эмиттерный ток IЭ и контролируя при
этом напряжение между эмиттером и базой UЭБ. Варьируя с помощью
RV2 напряжение между коллектором и базой транзистора UКБ,
измерить семейство выходных статических характеристик
транзистора, представляющих собой зависимости коллекторного тока
IК от напряжения UКБ при различных значениях эмиттерного тока IЭ.
Занести результаты измерения IК и напряжения UКБ при трех
значениях IЭ в подготовленные таблицы. Построить графики
выходных ВАХ биполярного транзистора и вставить их в отчет.

15
Рис. 3.1. Принципиальная схема к заданию «Измерение ВАХ транзисторов с ОБ»

4. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист, краткое


изложение теории, результаты моделирования и выводы по работе.

Таблица к заданию «Измерение ВАХ транзисторов с ОБ»


IЭ1 = IЭ2 = IЭ3 =
n/n UЭБ1 = UЭБ2 = UЭБ3 =
UКБ IК UКБ IК UКБ IК
1
···
10

Примечание. В процессе измерения зависимости IK = f(UКБ)


эмиттерный ток IЭ должен поддерживаться постоянным.

16
Задание 3.2. Измерение ВАХ транзисторов
с общим эмиттером (ОЭ)
1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис.3.2, включающую в себя источники питания на +20V и
+1V, два переменных резистора на 1 кОм и 100 Ом, два вольтметра
постоянного тока, резистор, два пробника тока, биполярный
транзистор n-p-n типа и общую шину («Землю»). Переменные
резисторы POT-HG выбрать в библиотеке электронных компонентов
(Resistors\Variable\ POT-HG). Для изменения номинала переменного
резистора с 1 кОм на 100 Ом необходимо с помощью правой кнопки
мыши войти в режим редактирования свойств (Edit Properties) и
установить нужное значение сопротивления. Пробник тока
устанавливается выбором его на левой панели инструментов и
щелчком мыши в нужной точке проводника на принципиальной
схеме. Вместо пробника тока можно установить в разрыв цепи
миллиамперметр постоянного тока. Биполярный транзистор n-p-n
типа (путь в библиотеке: Transistors\Bipolar\...) задается
преподавателем.

17
Рис. 3.2. Принципиальная схема к заданию «Измерение ВАХ транзисторов с ОЭ»

3. Произвести моделирование, устанавливая с помощью


переменного резистора RV1 базовый ток IБ и контролируя при этом
напряжение между базой и эмиттером UБЭ. Варьируя с помощью RV2
напряжение между коллектором и эмиттером транзистора UКЭ,
измерить семейство выходных статических характеристик
транзистора, представляющих собой зависимости коллекторного тока
IК от напряжения UКЭ при различных значениях базового тока IБ.
Занести результаты измерения IК и напряжения UКЭ при трех
значениях базового тока IБ в подготовленные таблицы. Построить
графики выходных ВАХ биполярного транзистора и вставить их в
отчет.

18
4. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист
(в произвольной форме), краткое изложение теории, результаты
моделирования и выводы по работе.

Таблица к заданию «Измерение ВАХ транзисторов с ОЭ»


IБ1 = IБ2 = IБ3 =
n/n UБЭ1 = UБЭ2 = UБЭ3 =
UКЭ IК UКЭ IК UКЭ IК
1
···
10

Примечание. В процессе измерения зависимости IK = f(UКЭ) базовый


ток IБ должен поддерживаться постоянным.

Типы биполярных транзисторов для моделирования к заданиям 3.1 и 3.2

Типы 1 2 3 4 5 6 7
транзисторо
в
p-n-p 2N290 2N370 2N370 2N390 2N390 2N412 2N440
5 2 3 5 6 5 2
n-p-n 2N222 2N301 2N305 2N370 2N370 2N370 2N371
2 9 3 4 5 7 1

Контрольные вопросы
1. Какие существуют режимы работы биполярных транзисторов и
схемы их включения?
2. Что такое коэффициент инжекции, коэффициент переноса носителей в
базе, коэффициенты передачи тока базы и тока эмиттера?
3. Объяснить усиление сигнала в биполярном транзисторе,
включенного по схеме с ОБ и ОЭ.

19
4. Нарисовать и объяснить статические характеристики биполярного
транзистора, включенного по схеме с ОБ и ОЭ.
5. Объяснить механизмы пробоя в биполярном транзисторе.

Лабораторная работа № 4.
Изучение работы полевых транзисторов

Цель работы
1. Изучение принципа действия полевого транзистора.
2. Измерение статических характеристик полевого транзистора с
управляющим переходом.
3. Измерение статических характеристик МДП-транзистора с
индуцированным и встроенным каналами.

Подготовка к работе
1. Изучить теорию полевых транзисторов, включая вопросы:
- структура полевого транзистора с управляющим переходом;
- структура МДП-транзистора с индуцированным и встроенным
каналами;
- статические характеристики полевого транзистора с управляющим
переходом;
- статические характеристики МДП-транзистора с
индуцированным и встроенным каналами.
2. Подготовить развернутые ответы на контрольные вопросы.
3. Подготовить таблицы для записи результатов измерения
статических характеристик полевых транзисторов.

20
Задание 4.1. Измерение ВАХ транзисторов
с управляющим переходом
1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис. 4.1, включающую в себя источники питания на +10V,
+2V и -2V, два потенциометра на 1 кОм и 1 МОм, микроамперметр и
два вольтметра постоянного тока, полевой транзистор с
управляющим переходом c n-каналом, резистор и общую шину
(«Землю»). Потенциометры POT-HG выбрать в библиотеке
электронных компонентов (Resistors\Variable\ POT-HG). Тип полевого
транзистора с управляющим переходом (путь в библиотеке:
Transistors\JFET\...) задается преподавателем.
3. Произвести моделирование, устанавливая с помощью
потенциометра RV1 напряжение на затворе UЗИ и варьируя с
помощью RV2 напряжение между стоком и истоком UСИ транзистора.
Измерить семейство выходных статических характеристик
транзистора, представляющих собой зависимости тока стока IC от
напряжения UСИ при различных значениях напряжения между
затвором и истоком UЗИ. Занести результаты измерения тока IC и
напряжения UСИ при трех значениях напряжения на затворе UЗИ в
таблицы.
4. Построить графики выходных ВАХ полевого транзистора с
управляющим переходом и вставить их в отчет.

21
Рис. 4.1. Принципиальная схема к заданию «Измерение ВАХ транзисторов
с управляющим переходом»

5. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист (в


произвольной форме), краткое изложение теории, результаты
моделирования и выводы по работе.

Таблица к заданию «Измерение ВАХ транзисторов с управляющим переходом»

n/n UЗИ1 = UЗИ2 = UЗИ3 =


UСИ IС UСИ IС UСИ IС
1
···
10

22
Задание 4.2. Измерение ВАХ МДП-транзистора
с индуцированным каналом
1. Получить у преподавателя исходные данные для
моделирования (типы электронных компонентов и условия
проведения моделирования).
2. Спроектировать измерительную схему в среде Proteus
согласно рис.4.2, включающую в себя два источника питания на +10V
и +5V, два потенциометра на 1КОм, миллиамперметр и два
вольтметра постоянного тока, полевой МДП-транзистор с
индуцированным каналом n-типа, резистор и общую шину («Землю»).
Потенциометры POT-HG выбрать в библиотеке электронных
компонентов (Resistors\Variable\ POT-HG). Тип МДП-транзистора с
индуцированным n-каналом (путь в библиотеке:
Transistors\MOSFET\...) задается преподавателем.
3. Произвести моделирование, устанавливая с помощью
потенциометра RV1 напряжение на затворе UЗИ и варьируя с
помощью RV2 напряжение между стоком и истоком UСИ транзистора.
Измерить семейство выходных статических характеристик
транзистора, представляющих собой зависимости тока стока IC от
напряжения UСИ при различных значениях напряжения между
затвором и истоком UЗИ. Занести результаты измерения тока IC и
напряжения UСИ при трех значениях напряжения на затворе UЗИ в
подготовленные таблицы.

23
Рис. 4.2. Принципиальная схема к заданию «Измерение ВАХ МДП-транзистора
с индуцированным каналом»

4. Построить графики выходных ВАХ полевого МДП-


транзистора с индуцированным каналом и вставить их в отчет.
5. Подготовить отчет, включающий в себя титульный лист,
краткое изложение теории, результаты моделирования и выводы по
работе.

24
Таблица к заданию «Измерение ВАХ МДП-транзистора
с индуцированным каналом»

n/n UЗИ1 = UЗИ2 = UЗИ3 =


UСИ IС UСИ IС UСИ IС
1
···
10

Типы полевых транзисторов для моделирования к заданиям 4.1 и 4.2


Типы 1 2 3 4 5 6 7
транзисторов
с управляющим 2N3370 2N3458 2N3459 2N3921 2N3922 2N3954 2N3955
переходом
с индуцирован- 2SK133 2SK134 2SK176 2SK413 2N6660 2N6661 2SK1058
ным каналом

Контрольные вопросы
1. Что такое полевой транзистор и какие существуют типы полевых
транзисторов?
2. Объяснить работу полевого транзистора с управляющим
переходом.
3. Нарисовать и объяснить статические характеристики полевого
транзистора с управляющим переходом.
4. Объяснить работу МДП-транзистора с индуцированным каналом.
5. Нарисовать и объяснить статические характеристики МДП-
транзистора с индуцированным каналом.

25
Приложение.

Система схемотехнического моделирования Proteus


При проектировании электронных устройств неизбежно
возникают ошибки, которые можно обнаружить на основе анализа
функционирования предварительно изготовленного макета. Но
изготовить макетную плату устройства, имеющего в своем составе
большое количество электронных компонентов, часто бывает весьма
проблематично. Решить данную проблему можно, используя
программные средства схемотехнического моделирования. В этом
случае объектом анализа является принципиальная схема устройства,
включающая в себя электронные компоненты, соединенные друг с
другом определенным образом. Используя модели всех компонентов
и зная схему их соединений, можно смоделировать работу устройства
в целом.
Среди средств схемотехнического моделирования (PSpice,
MicroCap, Multisim, и др.) следует отметить систему Proteus фирмы
Labcenter Electronics, позволяющую производить моделирование
принципиальных схем, используя обширную библиотеку моделей
электронных компонентов, включая микроконтроллеры. В Proteus есть
набор виртуальных измерительных приборов (осциллографы,
логические анализаторы, вольтметры, спектроанализаторы и др.). Они
позволяют определить и визуально представить электронное состояние
в любой точке моделируемой схемы, а также наблюдать процессы,
происходящие в ней.

26
Интерфейс системы схемотехнического моделирования Proteus
При запуске Proteus на мониторе появляется главное окно,
представленное на рис. П.1. Все его рабочее пространство разделено
на несколько областей. Большую часть занимает окно
редактирования. В нем проектируется принципиальная схема
устройства. Сюда из библиотеки вставляются электронные
компоненты вместе со средствами измерения и индикации, здесь они
соединяются проводниками, после чего запускается процесс
моделирования.

27
Рис. П.1. Главное окно системы схемотехнического моделирования Proteus

28
Вверху находятся пункты меню, предоставляющие
пользователю полный набор возможных действий, имеющихся в
Proteus. Под ним расположены кнопки верхней панели инструментов,
позволяющие выполнить часто используемые команды такие, как
открытие и сохранение проекта, масштабирование и
позиционирование принципиальной схемы устройства, копирование и
перемещение выделенных областей схемы. На левом краю главного
окна расположена левая панель инструментов, с помощью которых, в
основном, и проектируется принципиальная схема устройства.
Следует понимать, что одно и то же действие можно выполнить
различными способами, используя систему меню, панель
инструментов или контекстное меню, выпадающее при нажатии
правой кнопки или двукратном нажатии левой кнопки мыши.
В левом верхнем углу главного окна располагается окно
предварительного просмотра, позволяющее оперативно перемещаться
по схеме проекта. Под ним расположено окно, куда выводится
различная информация, характер которой зависит от того, какая из
кнопок нажата на левой панели инструментов. Это может быть
список компонентов схемы, меток, виртуальных инструментов,
пробников и т. д. Внизу на краю главного окна расположены четыре
кнопки управления процессом моделирования: «Воспроизвести» –
старт процессу моделирования, «Шаг» – пошаговое выполнение
программы микроконтроллера, «Пауза» – пауза процесса
моделирования, «Стоп» – остановка процесса моделирования.

Панель инструментов системы Proteus


Проектирование принципиальной схемы устройства обычно
осуществляют с помощью кнопок на левой панели инструментов.
Рассмотрим их назначение.

29
Режим выбора. При нажатой кнопке пользователь получает
возможность редактировать схему устройства, т. е. выделять
отдельные компоненты или структурные блоки, копировать их в
буфер, удалять, масштабировать и т. д. Можно позиционировать
схему, перемещая в окне предварительного просмотра (справа от
кнопки) перекрестие «прицела» при нажатой левой кнопке мыши.
Вторичное нажатие кнопки мыши фиксирует положение схемы в окне
редактирования. Используя кнопки масштабирования на верхней
панели инструментов, можно настраивать любой фрагмент схемы в
удобном для пользователя масштабе.
Компоненты. При нажатии кнопки в соседнем с ней окне
появляется список используемых в открытом проекте
компонентов (если проект еще не создан, список пустой). Выделив
левой кнопкой мыши любой из компонентов списка, можно
вторичным нажатием левой кнопки установить его в произвольном
месте окна редактирования. Двукратное нажатие правой кнопки
мыши удаляет компонент из окна редактирования. Важной является
кнопка «Р», расположенная под окном предварительного просмотра.
Ее нажатие открывает окно поиска компонентов Pick Device
(рис. П.2), предназначенное для входа в библиотеку компонентов
системы Proteus. В этом окне все компоненты структурированы по
категориям, подкатегориям и изготовителям. Библиотека имеет очень
большое количество самых разных компонентов. Каждый компонент
имеет краткое описание и графическое изображение на
принципиальной схеме. Нажатие в окне клавиши «Ok» помещает
выбранный библиотечный компонент в список компонентов проекта,
откуда его можно переместить в окно редактирования. Таким
способом все необходимые для проекта компоненты из библиотеки
перемещаются в окно редактирования.
Точка соединения. При нажатой кнопке можно соединить
любое пересечение проводников на схеме. Соединение выводов

30
компонентов друг с другом можно осуществлять и при других
нажатых кнопках, например, сразу после установки компонентов в
окне редактирования, т. е. при нажатой кнопке «Компоненты».

Рис. П.2. Окно выбора библиотечных компонентов Pick Devices

Метка соединения. При нажатой кнопке можно присвоить


любому проводнику имя. Это позволяет соединять отдельные
выводы компонентов и цепи условно, без явного использования
проводников, что часто позволяет улучшить восприятие
проектируемой схемы устройства.
Текстовый скрипт. При нажатии кнопки можно вставить текст
в любое место схемы в окне редактирования. Полезно для
создания комментариев при проектировании устройств.
Шина. При нажатой кнопке можно проложить на
принципиальной схеме шину, состоящую из нескольких
проводников.

31
Субсхема. Кнопка позволяет создать субсхемы,
представляющие собой некие функциональные блоки с
выводами-соединителями.
Терминал. Кнопка позволяет установить на принципиальной
схеме устройства такие элементы, как питание, общая шина,
межблочные соединения, выводы.
Пины устройства. Кнопка позволяет добавить вывод к
создаваемому компоненту
Диаграмма. При нажатой кнопке в окне редактирования можно
установить набор графических инструментов,
предоставляющих пользователю широкие возможности по
отображению сигналов, их детальному анализу и математической
обработке, а также сохранению результатов моделирования.
Генератор. Нажатие кнопки выводит список генераторов
сигналов различной формы: синусоидальный, импульсный,
экспоненциальный и т. д. Очень удобный и важный инструмент для
задания тестовых сигналов при отладке проектируемого устройства.
Пробник напряжения. Предназначен для указания точки
проводника, в которой необходимо измерить напряжение, и
присвоения имени участку цепи с данной точкой. Используется
совместно с графическими средствами измерения напряжения (см.
кнопку «Диаграмма»).
Пробник тока. Предназначен для решения тех же задач, что и
щуп напряжения, т. е. выбора и присвоения имени участку
цепи, в которой производится измерение тока.
Виртуальные инструменты. При нажатии кнопки появляется
список виртуальных инструментов, среди которых генератор
сигналов специальной формы, 4-канальный осциллограф, вольтметры
и амперметры постоянного и переменного токов и др. Виртуальный
генератор сигналов, в отличие от вышерассмотренного генератора
(вызываемого кнопкой «Генератор»), может изменять параметры

32
тестового сигнала непосредственно в процессе моделирования работы
устройства. Для этого на его лицевой панели имеются специальные
органы управления, позволяющие оперативно, без остановки
процесса моделирования изменять форму сигнала, его частоту
и амплитуду. С помощью осциллографа можно исследовать сигнал в
реальном масштабе времени. Как и у других виртуальных
инструментов, в нем имеются органы управления, позволяющие
изменять частоту развертки, чувствительность, настраивать цветовую
гамму изображения (луч, дисплей, сетка, курсор) и т. д.
Для измерения напряжения или тока к участку цепи на
принципиальной схеме устройства подключают вольтметр или
амперметр так, как если бы это были реальные приборы, после чего
запускают процесс моделирования. При остановленном процессе
моделирования можно изменить диапазон измерения, т. е. превратить
вольтметр, например, в милливольтметр.

Основные приемы работы с системой Proteus


Процесс моделирования электронного устройства начинается с
проектирования его принципиальной схемы. Для этого необходимо
найти в библиотеке Proteus нужные компоненты, разместить их в
окне редактирования и соединить проводниками. При необходимости
в схему добавить источники питания и общую шину, а также
виртуальные средства измерения и контроля, например, вольтметры и
осциллографы. Рассмотрим основные действия, которые необходимо
совершить, прежде чем запустить процесс моделирования.
Формирование списка компонентов для проектируемого
устройства. Для этого на левой панели инструментов следует нажать
кнопку «Компоненты» и затем кнопку «Р» (под окном
предварительного просмотра). Откроется окно выбора библиотечных
компонентов Pick Devices (рис. П.2), которые сгруппированы по
категориям, подкатегориям и фирмам-изготовителям. Кроме обычных

33
компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы,
микросхемы, библиотека содержит широкий набор вспомогательных
компонентов и устройств. Это и оптоэлектронные устройства
(буквенно-цифровые и графические индикаторы и дисплеи, оптроны),
электромеханические устройства (электродвигатели, реле),
разнообразные разъемы и коммутаторы, сенсоры, функциональные
блоки с заданной передаточной функцией и многое другое. Каждый
компонент имеет свой графический образ на принципиальной схеме,
что позволяет быстро определить его назначение и отличительные
особенности.
Пусть, например, в проектируемом устройстве имеется
микроконтроллер ATmega128. Выберем в окне Pick Devices
категорию Microprocessor ICs, подкатегорию AVR Family и в колонке
устройств – ATmega128. В правом верхнем окне появится
графический образ компонента. Нажмем кнопку «Ok», компонент
ATmega128 появится в списке (справа от панели инструментов).
Аналогично выбираются другие компоненты, входящие в состав
проектируемого устройства. Таким способом формируется список
нужных компонентов, который в дальнейшем можно корректировать
(добавлять новые компоненты или удалять из списка ненужные). Для
включения в список можно использовать окно поиска по маске, в
которое вводится имя компонента (или начальная часть имени).
Размещение компонентов в окне редактирования. Для этого с
помощью мыши или клавиатуры следует выделить нужный
компонент в списке, затем установить курсор в свободном место окна
редактирования и нажать левую кнопку мыши – компонент появится
в указанном месте. Таким способом размещаются все компоненты.
В дальнейшем их положение можно корректировать, перемещая или
поворачивая на нужные углы, копировать через буфер или удалять из
окна редактирования. Все эти операции можно совершать как с
отдельными компонентами, так и с блоками компонент, выделив

34
предварительно нужный блок при нажатой левой кнопке мыши.
Используя выпадающее меню при двойном нажатии левой кнопки
мыши на компоненте, можно редактировать его свойства, например,
номиналы резисторов или конденсаторов. Для удобства восприятия
схемы можно на ней поместить дополнительную текстовую
информацию, например, функциональное назначение какой-то
группы компонентов. Для этого в меню, выпадающем при нажатии
правой кнопки мыши в свободном месте окна редактирования,
выбрать пункт «Разместить > Текстовый скрипт», после чего
выбрать левой кнопкой нужное место, где будет располагаться текст.
Соединение компонентов между собой. После размещения
компонентов в окне редактирования их следует соединить друг с
другом в соответствии с принципиальной схемой устройства. Для
этого следует подвести курсор к выводу компонента (при этом на
схеме появится образ контактной площадки), нажать левую кнопку
мыши и провести проводник к другому выводу компонента или
другому проводнику. После этого для фиксации соединения нажать
левую кнопку мыши. Если в процессе соединения компонентов,
проводник не устанавливается в задуманное проектировщиком
положение, то можно прокладывать проводник по частям, фиксируя
положение точек изгиба проводника нажатием левой кнопки мыши.
Если после формирования проводников потребуется соединить какие-
то точки их пересечений, то это можно сделать, выбрав на левой
панели инструментов кнопку «Точка соединения». Разумеется,
соединение на схеме проводников друг с другом можно делать и
непосредственно при их прокладке.
Для лучшего восприятия схемы вместо непосредственного
соединения иногда используют присвоение одинакового имени двум
или нескольким проводникам, после чего они считаются
электрически соединенными друг с другом. Для этого на левой
панели инструментов следует выбрать кнопку «Метка соединения»,

35
после чего подвести курсор к нужному проводнику, нажать левую
кнопку мыши и в открывшемся окне ввести имя (метку) проводника.
У отмеченных таким способом проводников один конец может
оказаться не подключенным, т. е. оказаться оборванным. Обрыв
проводника формируется двойным нажатием левой кнопки мыши в
точке обрыва.
Другим способом улучшить восприятие схемы при наличии
большого количества проводников является использование шин,
которые могут включать в себя несколько проводников. Для этого на
левой панели инструментов следует нажать кнопку «Шина», после
чего проложить шину в нужном месте окна редактирования и
подсоединить отдельные проводники шины к нужным точкам
проектируемого устройства. При этом все используемые проводники в
шине должны иметь свои имена (метки).
В процессе проектирования принципиальной схемы часто
возникает необходимость ее масштабирования, для чего
используются соответствующие кнопки на верхней панели
инструментов. Для перемещения всей схемы используется окно
предварительного просмотра, расположенное в левом верхнем углу
главного окна. Установив курсор в это окно, и перемещая
перекрестие «прицела» при нажатой левой кнопке мыши, можно
перемещать принципиальную схему по окну редактирования. Еще
одно нажатие левой кнопки фиксирует положение схемы. При
получении нежелательных результатов не забывайте, что всегда есть
возможность отменить последние действия. Кроме того, всегда есть
возможность вернуть схему в исходное положение, нажав в верхней
панели инструментов кнопку «Вписать во весь лист».
Формирование общей шины и источников питания. Любое
устройство имеет общую шину и одно или несколько напряжений
питания. Для их размещения в окне редактирования следует на левой
панели инструментов нажать кнопку «Терминал» и выбрать пункт

36
«GROUND», после чего дважды нажать левую кнопку мыши в
нужном месте окна редактирования. Источник питания
устанавливается после выбора пункта «POWER» аналогично, но для
него дополнительно требуется задать величину питающего
напряжения. Для этого надо дважды нажать левой кнопкой мыши на
графическом образе источника и в появившемся окне набрать значение
напряжения источника, например, +5.2V.
Использование источников тестовых сигналов. Для
моделирования работы проектируемого устройства часто
используются тестовые сигналы, поступающие на вход устройства
или в какие-то другие участки схемы. Для подключения источников
тестовых сигналов в принципиальную схему устройства следует на
левой панели инструментов нажать кнопку «Генератор» и выбрать
нужный тип источника сигнала (синусоидальный, импульсный и
т. д.). После этого следует дважды нажать левую кнопку мыши в окне
редактирования, затем также дважды нажать левую кнопку на
графическом образе генератора и задать параметры тестового
сигнала. Например, для синусоидального сигнала (рис. П.3) это
амплитуда, пиковое или среднеквадратичное значения, частота или
период сигнала, фаза и коэффициент затухания, величина постоянной
составляющей в синусоидальном сигнале (смещение). В Proteus
имеется широкий выбор различных источников тестового сигнала.
Возможен, например, выбор источника сигнала, заданного в
цифровой форме и сохраненного в файле. Есть возможность задать
нужную форму тестового сигнала, начертив его с помощью мыши на
графике в координатах «напряжение – время». Для этого необходимо
выбрать настраиваемый вид аналогового сигнала.

37
Рис. П.3. Окно задания параметров синусоидального тестового сигнала

Использование виртуальных инструментов. В процессе


моделирования работы проектируемого устройства часто возникает
необходимость измерить параметры тестового сигнала в отдельных
точках схемы или проверить работу отдельных блоков устройства.
Для решения этих и других подобных задач используют виртуальные
инструменты, вызываемые кнопкой «Виртуальные инструменты»
на левой панели инструментов. Среди этих средств наиболее часто
используются осциллограф, вольтметры и амперметры, а также
генератор сигналов специальной формы.
Для установки виртуальных инструментов следует выбрать их в
окне списка виртуальных инструментов (см. рис. П.1), после чего
нажать левую кнопку мыши в месте окна редактирования. Появится
графический образ инструмента, который затем следует подключить к
контролируемым точкам схемы или соответствующим выводам
компонентов. После запуска процесса моделирования графические

38
образы ряда инструментов (осциллографа, генератора сигналов,
логического анализатора и др.) преобразуются в лицевые панели,
позволяющие с помощью органов управления настраивать
инструменты на решение конкретных задач.
Например, в 4-канальном осциллографе можно изменять
развертку по оси времени и чувствительность каждого из каналов,
производить инвертирование сигналов или складывать их друг с
другом. Можно для каждого из каналов сделать вход открытым или
закрытым, что позволит измерять либо весь сигнал, либо только его
переменную составляющую. Обычно с помощью осциллографа
измеряют временные зависимости поступающих на его вход
сигналов, но можно также измерить и зависимость одного сигнала от
другого, что, в частности, бывает удобно для исследования вольт-
амперных характеристик электронных компонентов. Используя
кнопку «Cursors», можно определить напряжение сигнала в
произвольный момент времени. Нажав правую кнопку мыши на
лицевой панели и выбрав в появившемся окне пункт «Setup…»,
можно изменить цветовую гамму дисплея осциллографа.
Для вольтметра и амперметра имеется возможность
устанавливать диапазон измерения, превращая, например, вольтметр
в милливольтметр или микровольтметр. Для генератора сигналов
специальной формы (рис. П.4) можно задать форму выходного
сигнала, а также его амплитуду и частоту. При этом все регулировки
производятся непосредственно в процессе моделирования, полностью
имитируя работу реального прибора.

Рис. П.4. Лицевая панель виртуального генератора сигналов

39
Использование графопостроителей для анализа сигналов.
В процессе моделирования часто возникают задачи, связанные с
анализом формы сигналов, точным определением напряжений или
токов в контролируемых точках схемы в заданные моменты времени,
математической обработки сигналов, например, определении их
спектрального состава и т. д. Эти задачи решает группа графических
инструментов, вызываемых нажатием кнопки «Диаграмма» на левой
панели инструментов, в результате чего в соседнем окне появляется
перечень графопостроителей. В Proteus имеется довольно широкий
набор средств анализа аналоговых и цифровых сигналов. Например,
для временного анализа аналоговых сигналов в наибольшей степени
подходит аналоговый графопостроитель «ANALOGUE», для
спектрального анализа – спектроанализатор «FOURIER»,
осуществляющий Фурье-преобразование сигнала и визуальное
представление спектра на графике.
Для использования нужного инструмента необходимо очертить
в свободном месте окна редактирования прямоугольник и нажать
левую кнопку мыши, в результате чего появится графический образ
выбранного инструмента. Используя правую кнопку мыши и
выпадающее при этом окно, можно развернуть графический образ
инструмента в рабочее окно на весь экран, далее установить
параметры моделирования и контрольные точки на схеме, в которых
будет производиться анализ (добавить трассы). Для этого необходимо
отметить на принципиальной схеме устройства контрольные точки,
выбрав на левой панели инструментов щупы напряжения или тока,
затем нажать левую кнопку мыши в нужной точке схемы. После этого
часть цепи, содержащая выбранную таким образом точку,
автоматически получит свое имя (имя трассы), и оно будет включено в
перечень трасс, доступных для анализа. Добавив в проект нужные
трассы, и запустив процесс моделирования диаграммы, можно
получить графики временных зависимостей сигналов или их спектры.

40
После этого, используя средства масштабирования, можно с помощью
курсора детально исследовать график. Имеется возможность выводить
в одно и то же окно несколько графиков, настраивать их цветовую
гамму и т. д.
Запуск процесса моделирования и отладки. Когда
принципиальная схема устройства спроектирована, можно запустить
процесс моделирования, нажав кнопку «Воспроизвести» в нижней
части главного окна. При необходимости внесения каких-либо
исправлений в принципиальную схему устройства процесс
моделирования следует остановить, нажав кнопку «Стоп».
Следует отметить, что одно и то же действие можно
осуществить различными способами, используя пункты меню, кнопки
инструментальных панелей или клавиши мыши. Например, при
работе с аналоговым анализатором (кнопка меню «Диаграмма»)
установку дополнительной трассировки можно осуществить с
помощью кнопки на левой панели инструментов, выпадающего меню
при нажатии правой кнопки мыши или пункта меню
Диаграмма > Добавить трассировку. Описать все возможные
варианты действий пользователя не представляется возможным. Да
это и не нужно. Приобретение необходимых навыков работы с
системой Proteus возможно только опытным путем, используя метод
проб и ошибок. Это можно делать безбоязненно, так как любые
действия проектировщика никаких негативных последствий для
электронных компонентов вызвать не могут. Кроме того, не следует
забывать про пункт меню Справка, по которой можно получить
много полезной информации.

41
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы : учебное


пособие для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. – Санкт-Петербург :
Лань, 2009. – 479 с.
2. Лебедев, А. И. Физика полупроводниковых приборов : учебное
пособие для вузов / А. И. Лебедев. – Москва : Физматлит, 2008. – 487 с.
3. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника : учебное пособие
для вузов / В. А. Гуртов. – Москва : Техносфера, 2008. – 511 с.
4. Егоров, Н. М. Электроника : учебное пособие / Н. М. Егоров. –
Красноярск : ИПК СФУ, 2008. – 330 с.
5. Щука, А. А. Электроника : учебное пособие для вузов /
А. А. Щука. – Санкт-Петербург : БХВ – Петербург, 2008. – 739 с.

42
Учебное электронное издание

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Практикум к лабораторным работам по дисциплине


«Физика полупроводниковых приборов»

Составитель СМИРНОВ Виталий Иванович

Редактор Н. А. Евдокимова

Дата подписания к использованию 07.05.2019.


ЭИ № 1267. Объем данных 0,9 Мб. Заказ № 490.

Ульяновский государственный технический университет


432027, Ульяновск, Сев. Венец, 32.
ИПК «Венец» УлГТУ, 432027, Ульяновск, Сев. Венец, 32.

Тел.: (8422) 778-113


E-mail: venec@ulstu.ru
venec.ulstu.ru

43